KR102640479B1 - Multi layer spiral probe and probe card including the same - Google Patents

Abstract

본 개시의 다양한 실시예에 따른 프로브 카드는 복수 개의 가이드 개구를 포함하는 가이드 부재; 및 상기 복수 개의 가이드 개구에 삽입되는 복수 개의 다층 나선형 프로브를 포함하며, 상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은 상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향으로 적층되는 복수 개의 나선 부재를 포함하며, 상기 복수 개의 나선 부재 각각은 지지부 개구를 포함하는 지지부; 상기 지지부의 적어도 일부와 연결되며, 상기 지지부의 일면에서 멀어지는 방향으로 나선형으로 연장되는 나선부; 및 접촉부를 포함하며, 상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향을 기준으로, 상기 다층 나선형 프로브의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재는, 상기 최상층 나선 부재의 접촉부에 배치되며, 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결되는 접촉 부재를 포함할 수 있다. A probe card according to various embodiments of the present disclosure includes a guide member including a plurality of guide openings; and a plurality of multi-layer helical probes inserted into the plurality of guide openings, wherein each of the plurality of multi-layer helical probes includes a plurality of helical members stacked in a height direction of the multi-layer helical probe, and each of the plurality of helical members a support portion including a silver support opening; a spiral portion connected to at least a portion of the support portion and helically extending in a direction away from one surface of the support portion; and a contact portion, wherein, based on the height direction of the multilayer helical probe, the uppermost helical member laminated on the uppermost layer of the multilayer helical probe is disposed at a contact portion of the uppermost helical member and is electrically connected to the semiconductor to be inspected. May include absences.

Description

다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드{Multi layer spiral probe and probe card including the same}{Multi layer spiral probe and probe card including the same}

본 개시의 다양한 실시예들은 다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다.Various embodiments of the present disclosure relate to a multi-layer spiral probe and a probe card including the same.

일반적인 반도체 제조 공정에서 반도체 패키지는 출하되기 전에 전기적 특성 검사(EDS: electrical die sorting)를 거치게 된다. 전기적 특성 검사를 위해 스프링을 포함한 포고 핀 프로브(pogo pin probe) 장치가 사용된다. 포고핀 프로브 장치는 장치 내에 포함된 복수 개의 프로브 핀을 통하여 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결될 수 있다. In a typical semiconductor manufacturing process, semiconductor packages undergo electrical characteristic testing (EDS: electrical die sorting) before being shipped. A pogo pin probe device containing a spring is used to test electrical properties. The pogo pin probe device may be electrically connected to the semiconductor to be inspected through a plurality of probe pins included in the device.

포고 핀 프로브 장치는 2차원 형태의 스프링 구조를 포함하므로 3차원 형태의 구조를 포함하는 장치에 비해 장치의 체적 활용률이 낮다. 포고 핀 프로브 장치는 스프링 배치를 위한 영역을 확보하여야 하므로 장치의 길이가 상대적으로 길게 형성되어야 한다. Since the pogo pin probe device includes a two-dimensional spring structure, the volume utilization rate of the device is low compared to a device including a three-dimensional structure. Since the pogo pin probe device must secure an area for spring placement, the length of the device must be relatively long.

검사 대상 반도체와 테스트 장비 사이에 형성되는 전류 경로의 길이는 프로브 장치의 길이 증가로 인하여 증가된다. 프로브 장치 내의 인덕턴스 성분은 전류 경로의 길이가 증가됨에 따라 증가된다. The length of the current path formed between the semiconductor to be inspected and the test equipment increases due to an increase in the length of the probe device. The inductance component within the probe device increases as the length of the current path increases.

포고 핀 프로브 장치는 전류 경로 길이 증가로 인한 인덕턴스 성분을 감소시키기 위해 장치 내에 별도의 측면 접촉부를 포함할 필요가 있다. Pogo pin probe devices need to include separate side contacts within the device to reduce the inductance component due to increased current path length.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드는 전류 경로의 길이를 단축시키는 프로브 카드를 제공할 수 있다. A multi-layer spiral probe and a probe card including the same according to various embodiments of the present disclosure can provide a probe card that shortens the length of a current path.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 프로브 카드는 복수 개의 가이드 개구를 포함하는 가이드 부재; 및 상기 복수 개의 가이드 개구에 삽입되는 복수 개의 다층 나선형 프로브를 포함하며, 상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은 상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향으로 적층되는 복수 개의 나선 부재를 포함하며, 상기 복수 개의 나선 부재 각각은 지지부 개구를 포함하는 지지부; 상기 지지부의 적어도 일부와 연결되며, 상기 지지부의 일면에서 멀어지는 방향으로 나선형으로 연장되는 나선부; 및 접촉부를 포함하며, 상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향을 기준으로, 상기 다층 나선형 프로브의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재는, 상기 최상층 나선 부재의 접촉부에 배치되며, 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결되는 접촉 부재를 포함할 수 있다. A probe card according to various embodiments of the present disclosure includes a guide member including a plurality of guide openings; and a plurality of multi-layer helical probes inserted into the plurality of guide openings, wherein each of the plurality of multi-layer helical probes includes a plurality of helical members stacked in a height direction of the multi-layer helical probe, and each of the plurality of helical members a support portion including a silver support opening; a spiral portion connected to at least a portion of the support portion and helically extending in a direction away from one surface of the support portion; and a contact portion, wherein, based on the height direction of the multilayer helical probe, the uppermost helical member laminated on the uppermost layer of the multilayer helical probe is disposed at a contact portion of the uppermost helical member and is electrically connected to the semiconductor to be inspected. May include absences.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저는 복수 개의 가이드 개구를 포함하는 복수 개의 가이드 부재; 및 상기 복수 개의 가이드 개구에 삽입되는 복수 개의 다층 나선형 프로브를 포함하며, 상기 복수 개의 가이드 부재 및 상기 복수 개의 다층 나선형 프로브는 대칭축을 중심으로 대칭되어 배치되며, 상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은 상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향으로 적층되는 복수 개의 나선 부재를 포함하며, 상기 복수 개의 나선 부재 각각은 지지부 개구를 포함하는 지지부; 상기 지지부의 적어도 일부와 연결되며, 상기 지지부의 일면에서 멀어지는 방향으로 나선형으로 연장되는 나선부; 및 접촉부를 포함하며, 상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향을 기준으로, 상기 다층 나선형 프로브의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재는 상기 최상층 나선 부재의 접촉부에 배치되며, 인쇄 회로 기판 혹은 집적 회로와 전기적으로 연결되는 접촉 부재를 포함할 수 있다. An interposer according to various embodiments of the present disclosure includes a plurality of guide members including a plurality of guide openings; and a plurality of multi-layer helical probes inserted into the plurality of guide openings, wherein the plurality of guide members and the plurality of multi-layer helical probes are arranged symmetrically about a symmetry axis, and each of the plurality of multi-layer helical probes is disposed symmetrically about a symmetry axis. a support portion including a plurality of spiral members stacked in the height direction of the helical probe, each of the plurality of spiral members including a support opening; a spiral portion connected to at least a portion of the support portion and helically extending in a direction away from one surface of the support portion; and a contact portion, wherein, based on the height direction of the multilayer helical probe, the uppermost helical member laminated on the uppermost layer of the multilayer helical probe is disposed at the contact portion of the uppermost helical member and is electrically connected to a printed circuit board or integrated circuit. It may include a contact member.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드는 복수 개의 나선 부재가 적층 배치되는 형태로 구성되어 장치의 체적 활용률을 높일 수 있다. A multi-layer spiral probe and a probe card including the same according to various embodiments of the present disclosure are configured in a form in which a plurality of spiral members are arranged in a stack, thereby increasing volume utilization of the device.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드는 프로브 장치의 길이가 작게 형성될 수 있다. The multi-layer spiral probe and the probe card including the same according to various embodiments of the present disclosure may have a small length of the probe device.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드는 프로브 장치의 길이가 작게 형성되어 검사 대상 반도체와 테스트 장비 사이에 형성되는 전류 경로의 길이를 단축시키고 인덕턴스 성분을 감소시킬 수 있다. The multi-layer spiral probe and the probe card including the same according to various embodiments of the present disclosure have a small length of the probe device, which can shorten the length of the current path formed between the semiconductor to be inspected and the test equipment and reduce the inductance component. .

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드는 추가적인 측면 접촉부 없이 복수 개의 나선 부재가 적층 배치되어 상호 접촉되어 있다. In the multi-layer spiral probe and the probe card including the same according to various embodiments of the present disclosure, a plurality of spiral members are stacked and placed in contact with each other without additional side contact portions.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 다층 나선형 프로브는 복수 개의 다층 나선형 프로브가 대칭되는 형태로 배치되어 인쇄 회로 기판과 집적 회로를 전기적으로 연결할 수 있는 인터포저(interposer)로 활용될 수 있다. A plurality of multilayer spiral probes according to various embodiments of the present disclosure can be used as an interposer that can electrically connect a printed circuit board and an integrated circuit by arranging the plurality of multilayer spiral probes in a symmetrical form.

도 1a 및 도 1b는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 나선 부재가 적층된 다층 나선형 프로브를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브의 접합을 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브를 포함하는 프로브 카드를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재에 배치된 다층 나선형 프로브 및 전류 경로를 나타내는 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 막대 형상의 접촉 부재를 포함하는 나선 부재를 나타내는 사시도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 개시의 일 실시예에 따른 판 형상의 접촉 부재를 포함하는 나선 부재를 나타내는 사시도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시의 일 실시예에 따른 복수 개의 접촉 부재를 포함하는 나선 부재를 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브 및 접촉 플레이트를 나타내는 도면이다. 1A and 1B are perspective views showing a spiral member according to various embodiments of the present disclosure.
Figure 2 is a perspective view showing a multi-layer spiral probe in which a plurality of spiral members are stacked according to various embodiments of the present disclosure.
FIG. 3 is a diagram illustrating the joining of a multilayer helical probe according to various embodiments of the present disclosure.
4A and 4B are perspective views showing a probe card including a multi-layer spiral probe according to various embodiments of the present disclosure.
Figure 5 is a cross-sectional view showing a multi-layer helical probe and a current path disposed on a guide member according to various embodiments of the present disclosure.
6A and 6B are perspective views showing a spiral member including a rod-shaped contact member according to an embodiment of the present disclosure.
7A and 7B are perspective views showing a spiral member including a plate-shaped contact member according to an embodiment of the present disclosure.
8A and 8B are perspective views showing a spiral member including a plurality of contact members according to an embodiment of the present disclosure.
9 is a diagram illustrating an interposer according to various embodiments of the present disclosure.
Figure 10 is a diagram showing a multi-layer spiral probe and contact plate according to an embodiment of the present disclosure.

도 1a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 변형되기 전 나선 부재(110)를 나타내는 사시도이다. FIG. 1A is a perspective view showing the helical member 110 before deformation according to various embodiments of the present disclosure.

도 1b는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 변형이 완료된 나선 부재(110)를 나타내는 사시도이다. FIG. 1B is a perspective view showing a helical member 110 whose transformation has been completed according to various embodiments of the present disclosure.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)는 지지부(111), 결합 영역(112), 나선부(113), 지지부 개구(114), 접촉부(115) 및/또는 나선 부재 중심(116)을 포함할 수 있다.1A and 1B, the spiral member 110 according to various embodiments of the present disclosure includes a support portion 111, a coupling region 112, a spiral portion 113, a support opening 114, and a contact portion 115. and/or a helical member center 116.

도 1b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)를 설명하는데 있어, 나선 부재(110)의 높이 방향은 나선 부재(110)의 지지부(111) 일면(111A)과 수직하며, 지지부 일면(111A)에서 멀어지는 방향을 의미할 수 있다. Referring to FIG. 1B, in describing the spiral member 110 according to various embodiments of the present disclosure, the height direction of the spiral member 110 is perpendicular to one surface 111A of the support portion 111 of the spiral member 110. , may mean a direction away from one side of the support portion (111A).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)는 나선 부재(110)의 제조 과정에서 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 나선부(113)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 나선부(113)는 나선 부재 중심(116)에 가까울수록 지지부 일면(111A)에서 더 멀어지는 방향으로 변형될 수 있다. The helical member 110 according to various embodiments of the present disclosure may be deformed in the height direction of the helical member 110 during the manufacturing process of the helical member 110. For example, referring to FIGS. 1A and 1B , the spiral portion 113 may be deformed in the height direction of the spiral member 110 . As the spiral portion 113 approaches the center of the spiral member 116, it may be deformed in a direction further away from the support portion 111A.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)의 변형은 다양한 방식으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 나선 부재(110)의 변형은 나선부(113)를 지지부 일면(111A)에서 멀어지는 방향으로 인장하는 방식으로 이루어질 수 있다. 나선 부재(110)의 변형은 나선 부재(110)를 구성하는 재질의 열팽창 정도의 차이를 이용한 열팽창 방식으로 이루어질 수도 있다. The helical member 110 according to various embodiments of the present disclosure may be modified in various ways. For example, the helical member 110 may be deformed by pulling the helical portion 113 in a direction away from the support surface 111A. The deformation of the helical member 110 may be achieved using a thermal expansion method that utilizes differences in the degree of thermal expansion of the materials constituting the helical member 110.

도 2를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)는 제조 과정을 통해 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형이 완료된 도 1b의 나선 부재(110)가 복수 개 적층 되어 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2) may be constructed by stacking a plurality of helical members 110 of FIG. 1B, which have been deformed in the height direction of the helical member 110 through the manufacturing process. .

본 개시의 다양한 실시예에 따른 프로브 카드(10, 도 4a 참조) 및 인터포저(interposer)(20, 도 9 참조)는 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)를 복수 개 포함할 수 있다. The probe card 10 (see FIG. 4A) and the interposer 20 (see FIG. 9) according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of multilayer spiral probes 100 (see FIG. 2).

이하에서, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)를 설명함에 있어, 나선 부재(110)는 도 1b에 도시된 변형이 완료된 나선 부재(110)를 의미할 수 있다. Hereinafter, in describing the helical member 110 according to various embodiments of the present disclosure, the helical member 110 may refer to the helical member 110 whose deformation has been completed as shown in FIG. 1B.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 지지부(111)의 외곽 둘레는 원형으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1b를 참조하면, 지지부(111)는 정해진 지름 및 두께를 지니는 원판 형상으로 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 지지부(111)는 원판 형상으로 도시되어 있으나 지지부(111)의 형상은 이에 한정되지는 않으며, 직사각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The outer circumference of the support portion 111 according to various embodiments of the present disclosure may be formed in a circular shape. For example, referring to FIG. 1B, the support portion 111 may be formed in a disk shape with a predetermined diameter and thickness. Referring to FIG. 1B, the support part 111 is shown as a disk shape, but the shape of the support part 111 is not limited to this, and may be formed in various shapes such as a rectangular shape.

도 1b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 지지부(111)의 일측과 타측에 결합 영역(112)이 형성될 수 있다. 결합 영역(112)은 나선 부재(110)를 가이드 부재(200, 도 4a 참조)의 가이드 개구(212, 222, 도 4a 참조)에 일시적으로 고정시키는 역할을 할 수 있다. Referring to FIG. 1B, coupling areas 112 may be formed on one side and the other side of the support portion 111 according to various embodiments of the present disclosure. The coupling area 112 may serve to temporarily fix the spiral member 110 to the guide openings 212 and 222 (see FIG. 4A) of the guide member 200 (see FIG. 4A).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 결합 영역(112)은 지지부(111)의 일측과 타측에서 돌출되는 형상으로 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 결합 영역(112)은 지지부 일면(111A)과 평행한 반원 형상의 단면을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며, 다른 형상의 단면을 포함할 수도 있다. The coupling area 112 according to various embodiments of the present disclosure may be formed in a shape that protrudes from one side and the other side of the support portion 111. Referring to FIG. 1B, the coupling area 112 may include a semicircular cross section parallel to one surface 111A of the support portion, but is not limited thereto and may include a cross section of another shape.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)는 결합 영역(112)을 복수 개 포함할 수 있다. 도 1b를 참조하면, 나선 부재(110)는 지지부(111)의 일측과 타측에 결합 영역(112)을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지는 않으며, 결합 영역(112)을 2개 이상 포함할 수도 있다. 예를 들어, 나선 부재(110)는 결합 영역(112)을 4개 포함할 수 있으며, 4개의 결합 영역(112)은 지지부(111)의 둘레 외곽에 미리 정해진 간격을 두고 배치될 수 있다.The spiral member 110 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of coupling regions 112. Referring to FIG. 1B, the spiral member 110 is shown as including a coupling region 112 on one side and the other side of the support portion 111, but is not limited thereto and includes two or more coupling regions 112. You may. For example, the spiral member 110 may include four coupling regions 112, and the four coupling regions 112 may be arranged at predetermined intervals around the periphery of the support portion 111.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)는 지지부 개구(114)를 포함할 수 있다. 지지부 개구(114)는 지지부(111)의 내측에 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 지지부 개구(114)의 형상은 원형으로 도시되어 있으나, 지지부 개구(114)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 직사각형, 사다리꼴 등 다양한 형상을 포함할 수 있다.The spiral member 110 according to various embodiments of the present disclosure may include a support opening 114. The support opening 114 may be formed inside the support portion 111. Referring to FIG. 1B, the shape of the support opening 114 is shown as a circle, but the shape of the support opening 114 is not limited to this and may include various shapes such as rectangular and trapezoidal.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 나선 부재(110)는 지지부 개구(114)를 통해 적층 될 수 있다. 예를 들어, 나선 부재(110)의 지지부 개구(114) 위치에 나선 부재(110)와 동일한 형상을 지니는 제 2 나선 부재(120, 도 2 참조)가 배치될 수 있다. A plurality of spiral members 110 according to various embodiments of the present disclosure may be stacked through the support opening 114. For example, a second helical member 120 (see FIG. 2) having the same shape as the helical member 110 may be disposed at the position of the support opening 114 of the helical member 110.

도 1b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선부(113)는 지지부(111)의 적어도 일부와 연결되며, 지지부 일면(111A)에서 멀어지는 방향으로 나선 부재 중심(116)을 향해 나선형으로 연장되며 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1b를 참조하면, 나선부(113)는 지지부(111)에서 나선 부재 중심(116)을 향해 연장되며, 나선 부재 중심(116)에 가까이 갈수록 작은 지름을 지니는 나선 형상으로 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 나선부(113)는 나선 형상으로 연장된 것으로 도시되어 있으나, 나선부(113)의 형상은 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 나선부(113)는 나선 부재 중심(116)에 가까이 갈수록 작은 둘레 길이를 지니는 직사각형 형상 혹은 삼각형 형상으로 연장될 수 있다. Referring to FIG. 1B, the spiral portion 113 according to various embodiments of the present disclosure is connected to at least a portion of the support portion 111 and spirally toward the center of the spiral member 116 in a direction away from the support portion one surface 111A. It can be extended and formed. For example, referring to FIG. 1B, the spiral portion 113 extends from the support portion 111 toward the center of the spiral member 116, and may be formed in a spiral shape with a smaller diameter as it approaches the center of the spiral member 116. You can. Referring to FIG. 1B, the spiral portion 113 is shown as extending in a spiral shape, but the shape of the spiral portion 113 may not be limited to this. For example, the spiral portion 113 may extend into a rectangular or triangular shape with a smaller peripheral length as it approaches the center of the spiral member 116.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선부(113)는 지지부(111)와 연결되며 정해진 폭을 지니며 나선 부재 중심(116)을 향하여 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 나선 부재(110)의 나선부(113)는 지지부(111)에서 나선 부재 중심(116)에 이르기까지 동일한 폭을 지니며 연장될 수 있다. 어떤 실시예에서, 나선부(113)는 나선부(113)의 폭이 나선 부재 중심(116)에 가까울수록 작아지는 형태로 연장될 수 있다. 나선부(113)의 폭이 나선 부재 중심(116)에 가까울수록 작아지는 경우, 외부 힘에 의해 나선부(113)에 발생되는 응력이 분산되는 이점이 있을 수 있다. The spiral portion 113 according to various embodiments of the present disclosure is connected to the support portion 111, has a predetermined width, and may extend toward the center of the spiral member 116. In one embodiment, the spiral portion 113 of the spiral member 110 may extend from the support portion 111 to the center of the spiral member 116 with the same width. In some embodiments, the spiral portion 113 may be extended in such a way that the width of the spiral portion 113 becomes smaller as it approaches the center 116 of the spiral member. If the width of the spiral portion 113 becomes smaller as it approaches the center of the spiral member 116, there may be an advantage in that the stress generated in the spiral portion 113 by an external force is distributed.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 접촉부(115)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 나선 부재(110)에서 가장 멀리 위치한 영역을 의미할 수 있다. 도 1b를 참조하면, 접촉부(115)는 원형으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 접촉부(115)는 나선 부재 중심(116) 위치에 개구를 포함한 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 개구를 포함하지 않을 수 있다. The contact portion 115 according to various embodiments of the present disclosure may refer to an area located furthest from the spiral member 110 in the height direction of the spiral member 110. Referring to FIG. 1B, the contact portion 115 is shown as a circle, but is not limited to this and may be formed in various shapes. Referring to FIG. 1B, the contact portion 115 is shown as including an opening at the center 116 of the spiral member, but the contact portion is not limited thereto and may not include an opening.

도 2는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)가 적층된 다층 나선형 프로브(100)를 나타내는 사시도이다. FIG. 2 is a perspective view illustrating a multilayer helical probe 100 in which a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) are stacked according to various embodiments of the present disclosure.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 도 1b에 도시된 나선 부재(110)와 동일한 형상을 지닌 나선 부재(예: 110, 120, 130)를 복수 개 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)가 적층 배치되어 다층 나선형 프로브(100)를 형성할 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) having the same shape as the helical member 110 shown in FIG. 1B. Referring to FIG. 2 , a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) may be stacked to form a multi-layer helical probe 100.

다양한 실시예에서, 나선 부재(예: 도 1b의 나선 부재(110))의 지지부 일면(111A)과 수직하며 나선 부재(예: 도 1b의 나선 부재(110))의 지지부(111)에서 접촉부(115)를 향하는 방향을 제 1 방향으로 정의할 수 있다. 제 1 방향은 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향을 의미할 수 있다. 나선 부재(예: 도 1b의 나선 부재(110))의 지지부 일면(111A)과 수직하며, 나선 부재(예: 도 1b의 나선 부재(110))의 접촉부(115)에서 지지부(111)를 향하는 방향을 제 2 방향으로 정의할 수 있다. In various embodiments, a contact portion ( 115) can be defined as the first direction. The first direction may refer to the height direction of the multi-layer spiral probe 100. It is perpendicular to one surface 111A of the support portion of the helical member (e.g., helical member 110 in FIG. 1b) and faces the support portion 111 at the contact portion 115 of the helical member (e.g., helical member 110 in FIG. 1b). The direction can be defined as the second direction.

다양한 실시예에서, 다층 나선형 프로브(100)에 포함된 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)는 적층 되며, 다층 나선형 프로브(100) 내부에 복수 개의 층을 형성할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 중 다층 나선형 프로브(100)의 제 1 방향(높이 방향)으로 가장 멀리 위치한 부재가 형성하는 층을 다층 나선형 프로브(100)의 최상층으로 정의할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 중 다층 나선형 프로브(100)의 제 2 방향으로 가장 멀리 위치한 부재가 형성하는 층을 다층 나선형 프로브(100)의 최하층으로 정의할 수 있다. In various embodiments, a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) included in the multi-layer helical probe 100 may be stacked to form a plurality of layers inside the multi-layer helical probe 100. Among the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130), the layer formed by the member located furthest in the first direction (height direction) of the multilayer helical probe 100 may be defined as the uppermost layer of the multilayer helical probe 100. there is. The layer formed by the member located furthest in the second direction of the multilayer helical probe 100 among the plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) may be defined as the lowest layer of the multilayer helical probe 100.

도 2를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 중에서 제 1 방향(높이 방향)을 기준으로 제일 멀리 위치한 부재를 제 1 나선 부재(110)로 정의할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 제 1 나선 부재(110)는 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향을 기준으로, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 중 최상층에 적층 되는 부재를 의미할 수 있다. 제 1 나선 부재(110)는 접촉부(115)에서 검사 대상이 되는 반도체(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 2, among a plurality of spiral members (e.g., 110, 120, 130) according to various embodiments of the present disclosure, the member located furthest from the first direction (height direction) is the first spiral member 110. It can be defined as: For example, the first helical member 110 shown in FIG. 2 is a member stacked on the uppermost layer among a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130) based on the height direction of the multilayer helical probe 100. It can mean. The first spiral member 110 may be electrically connected to a semiconductor (not shown) to be inspected at the contact portion 115.

다양한 실시예에서, 도 2에 도시된 제 1 나선 부재(110)는 접촉부(115)가 형성되는 위치에 별도의 접촉 부재(118, 도 6b, 7b, 8b 참조)를 포함할 수 있으며, 별도의 접촉 부재(118, 도 6b, 7b, 8b 참조)를 이용하여 전기적으로 연결될 수 있다. In various embodiments, the first helical member 110 shown in FIG. 2 may include a separate contact member 118 (see FIGS. 6B, 7B, and 8B) at a position where the contact portion 115 is formed, and a separate contact member 118 (see FIGS. 6B, 7B, and 8B). They can be electrically connected using a contact member 118 (see FIGS. 6B, 7B, and 8B).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 지지부(111)는 반도체 검사를 위한 외부의 테스트 장치(미도시)와 접촉되며, 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 중에서 다층 나선형 프로브(100)의 최하층에 배치되는 부재는 지지부(111)에서 반도체 검사를 위한 외부의 테스트 장치(미도시)와 접촉하며 전기적 신호를 주고 받을 수 있다. The support portion 111 according to various embodiments of the present disclosure may be in contact with and electrically connected to an external test device (not shown) for semiconductor inspection. For example, among the plurality of helical members (e.g., 110, 120, 130), the member disposed on the lowest layer of the multilayer helical probe 100 contacts an external test device (not shown) for semiconductor inspection at the support portion 111. and can send and receive electrical signals.

도 2를 참조하면, 제 2 나선 부재(120)는 제 1 나선 부재(110)와 동일한 형상을 지니며, 제 1 나선 부재(110)의 제 2 방향에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 나선 부재(120)는 제 1 나선 부재(110)와 동일한 형태의 지지부(111, 도 1b 참조), 결합 영역(112, 도 1b 참조), 나선부(113, 도 1b 참조), 지지부 개구(114, 도 1b 참조), 접촉부(115, 도 1b 참조) 및/또는 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)을 포함할 수 있다. 제 2 나선 부재(120)는 접촉부(115, 도 1b 참조)에서 제 1 나선 부재(110)와 접촉할 수 있다. 제 3 나선 부재(130)는 제 2 나선 부재(120)와 동일한 형상을 지니며, 제 2 나선 부재(120)의 제 2 방향에 배치될 수 있다. 이러한 배치가 반복되며, 제 1 나선 부재(110)의 제 2 방향에 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the second helical member 120 has the same shape as the first helical member 110 and may be disposed in the second direction of the first helical member 110. For example, the second helical member 120 has the same shape as the first helical member 110, including a support portion 111 (see FIG. 1B), a coupling region 112 (see FIG. 1B), and a helical portion 113 (see FIG. 1B). ), a support opening 114 (see FIG. 1B), a contact portion 115 (see FIG. 1B), and/or a helical member center 116 (see FIG. 1B). The second helical member 120 may contact the first helical member 110 at the contact portion 115 (see FIG. 1B). The third helical member 130 has the same shape as the second helical member 120 and may be disposed in the second direction of the second helical member 120. This arrangement is repeated, and a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) may be disposed in the second direction of the first helical member 110.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 제 1 나선 부재(110)는 제 2 나선 부재(120)의 제 1 방향에 배치될 수 있다. 제 3 나선 부재(130)는 제 2 나선 부재(120)의 제 2 방향에 배치될 수 있다. 제 1 나선 부재(110), 제 2 나선 부재(120) 및 제 3 나선 부재(130)는 상호 접촉하며 적층 되어 배치될 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)를 포함하며, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 상호 간의 배치는 제 1 나선 부재(110), 제 2 나선 부재(120) 및 제 3 나선 부재(130)가 배치되는 형태와 동일한 방식으로 이루어질 수 있다. The first helical member 110 according to various embodiments of the present disclosure may be disposed in the first direction of the second helical member 120. The third helical member 130 may be disposed in the second direction of the second helical member 120. The first helical member 110, the second helical member 120, and the third helical member 130 may be stacked and arranged in contact with each other. The multilayer helical probe 100 includes a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130), and the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130) are arranged among the first helical member 110 and the first helical member 110. The second helical member 120 and the third helical member 130 may be arranged in the same manner.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)는 결합 영역(112)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 제 1 나선 부재(110)는 제 1 결합 영역(112)을 포함할 수 있으며, 제 2 나선 부재(120)는 제 2 결합 영역(122), 제 3 나선 부재(130)는 제 3 결합 영역(132)을 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 각 결합 영역(예: 112, 122, 132)은 상호 대응되는 위치에 형성될 수 있으며, 다층 나선형 프로브(100)의 제 1 방향(높이 방향)으로 적층 배치될 수 있다. 각 결합 영역(예: 112, 122, 132)이 적층 배치되어 다층 나선형 프로브(100)를 가이드 부재(200, 도 4a 참조)에 일시적으로 고정시키는 역할을 할 수 있다.A plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130) according to various embodiments of the present disclosure may include a coupling region 112. For example, referring to FIG. 2, the first helical member 110 may include a first coupling region 112, and the second helical member 120 may include a second coupling region 122 and a third helix. Member 130 may include a third coupling region 132 . Referring to FIG. 2, each coupling region (eg, 112, 122, and 132) may be formed at a position corresponding to each other, and may be stacked and arranged in the first direction (height direction) of the multilayer spiral probe 100. Each coupling region (eg, 112, 122, and 132) is arranged in a stack and may serve to temporarily fix the multi-layer helical probe 100 to the guide member 200 (see FIG. 4A).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 각각은 탄성 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100)에 포함된 각 나선 부재(예: 110, 120, 130)는 탄성 재질을 포함할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 각각이 탄성 재질을 포함하므로, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130)를 포함하는 다층 나선형 프로브(100)도 탄성 재질의 특성을 지닐 수 있다. Each of the plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130) according to various embodiments of the present disclosure may include an elastic material. For example, referring to FIG. 2, each helical member (eg, 110, 120, and 130) included in the multilayer helical probe 100 may include an elastic material. Since each of the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130) includes an elastic material, the multilayer helical probe 100 including a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130) also has the characteristics of an elastic material. You can.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100) 각각은 적어도 일부에 내마모성 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사 대상 반도체(미도시)와 직접 접촉할 수 있는 제 1 나선 부재(110)는 내마모성 소재를 포함할 수 있다. Each of the multilayer spiral probes 100 according to various embodiments of the present disclosure may include at least a portion of a wear-resistant material. For example, the first helical member 110, which may be in direct contact with a semiconductor to be inspected (not shown), may include a wear-resistant material.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)에 포함된 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 각각은 동일한 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 서로 다른 재질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 검사 대상 반도체(미도시)와 직접 접촉할 수 있는 제 1 나선 부재(110)는 내마모성 소재를 포함하며, 제 1 나선 부재(110)의 제 2 방향에 배치되는 나선 부재(예: 120, 130)는 내마모성 소재가 아닌 다른 재질로 구성될 수 있다. Each of the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130) included in the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may be made of the same material, but is not limited to this and may include different materials. It may be possible. For example, the first helical member 110, which can be in direct contact with the semiconductor to be inspected (not shown), includes a wear-resistant material, and a helical member disposed in the second direction of the first helical member 110 (e.g. 120, 130) may be made of a material other than a wear-resistant material.

일 실시예에서, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 각각의 나선부(113)는 지지부(111)에서 나선 부재 중심(116)에 이르기까지 동일한 폭을 지니며 연장될 수 있다. 어떤 실시예에서, 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 각각의 나선부(113)는 나선부(113)의 폭이 나선 부재 중심(116)에 가까울수록 작아지는 형태로 연장될 수 있다. In one embodiment, the spiral portion 113 of each of the plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130) may have the same width and extend from the support portion 111 to the center 116 of the spiral member. In some embodiments, the helical portion 113 of each of the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130) may be extended in such a way that the width of the helical portion 113 becomes smaller as it approaches the helical member center 116. there is.

도 3은 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)의 접합을 나타내는 도면이다. FIG. 3 is a diagram illustrating the joining of the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 포함할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 접합하기 위해 다층 나선형 프로브(100)의 측면(100A)을 스폿 용접(spot welding)(W) 방식으로 접합하는 방식이 사용될 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 접합하기 위해 스폿 용접(W) 방식이 사용되는 경우, 스폿 용접(W)은 다층 나선형 프로브(100) 내부에 적층 되는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)의 사이마다 이루어지는 것이 아니라, 정해진 간격을 두고 이루어질 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 접합하기 위한 스폿 용접(W)은 다층 나선형 프로브(100)의 측면(100A)에서 제 1 길이(L1)만큼 간격을 두고 이루어 질 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130 of FIG. 2). To join a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2), a method of joining the side surface 100A of the multilayer helical probe 100 using a spot welding (W) method may be used. . When the spot welding (W) method is used to join a plurality of spiral members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2), the spot welding (W) is a plurality of spirals stacked inside the multilayer spiral probe 100. Rather than being performed between each member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2), it may be done at predetermined intervals. For example, referring to FIG. 3, spot welding (W) for joining a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is performed by forming a first weld on the side 100A of the multilayer helical probe 100. This can be done at intervals equal to the length (L1).

도 3을 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 연결되지 않고 비어 있는 공간 영역(H)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130) 각각은 지지부 개구(114, 도 1b 참조) 및 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)에서 부재가 연결되지 않고 비어 있는 공간을 형성할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130) 각각에 형성되는 부재가 연결되지 않고 비어있는 공간이 적층되어 다층 나선형 프로브(100)의 공간 영역(H)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3, the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure includes a spatial region H where a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 of FIG. 2) are not connected and are empty. can do. For example, each of the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is empty without the members being connected at the support opening (114, see FIG. 1B) and the helical member center (116, see FIG. 1B). Space can be formed. The members formed in each of the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) are not connected and empty spaces may be stacked to form the spatial region H of the multilayer helical probe 100.

도 4a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)를 포함하는 프로브 카드(10)를 나타내는 사시도이다. FIG. 4A is a perspective view showing a probe card 10 including a multilayer spiral probe 100 according to various embodiments of the present disclosure.

도 4b는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)를 포함하는 프로브 카드(10)의 제 2 가이드 부재(220)를 나타내는 사시도이다. FIG. 4B is a perspective view showing the second guide member 220 of the probe card 10 including the multilayer spiral probe 100 according to various embodiments of the present disclosure.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 프로브 카드(10)는 가이드 부재(200) 및 복수 개의 다층 나선형 프로브(100)를 포함할 수 있다. 복수 개의 다층 나선형 프로브(100) 각각은 복수 개의 나선 부재(110)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B , the probe card 10 according to various embodiments of the present disclosure may include a guide member 200 and a plurality of multilayer spiral probes 100. Each of the plurality of multilayer helical probes 100 may include a plurality of helical members 110.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)는 직육면체 형상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며 다양한 형상을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B , the guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a rectangular parallelepiped shape, but is not limited thereto and may include various shapes.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)는 복수 개의 다층 나선형 프로브(100)가 배치될 수 있는 공간(예를 들어, 가이드 개구(212,222))을 포함할 수 있다. 가이드 부재(200)는 검사 대상 반도체(미도시)와 테스트 장비(미도시) 사이에 배치되며, 복수 개의 다층 나선형 프로브(100)의 위치를 고정시키는 역할을 할 수 있다. The guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a space (eg, guide openings 212 and 222) in which a plurality of multi-layer spiral probes 100 can be placed. The guide member 200 is disposed between a semiconductor to be inspected (not shown) and a test equipment (not shown), and may serve to fix the positions of the plurality of multi-layer spiral probes 100.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)는 제 1 가이드 부재(210) 및 제 2 가이드 부재(220)를 포함할 수 있다. 제 1 가이드 부재(210)는 반도체 검사를 위한 테스트 장비(미도시)와 연결될 수 있는 영역에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제 1 가이드 부재(210)의 일면에 반도체 검사를 위한 테스트 장비(미도시)가 배치될 수 있다. 제 2 가이드 부재(220)는 검사 대상인 반도체(미도시)와 연결될 수 있는 영역에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제 2 가이드 부재(220)의 일면에 검사 대상이 되는 반도체(미도시)가 배치될 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B , the guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a first guide member 210 and a second guide member 220. The first guide member 210 may be located in an area that can be connected to test equipment (not shown) for semiconductor inspection. For example, test equipment (not shown) for semiconductor inspection may be placed on one surface of the first guide member 210. The second guide member 220 may be located in an area that can be connected to a semiconductor (not shown) to be inspected. For example, a semiconductor (not shown) to be inspected may be disposed on one surface of the second guide member 220.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)는 복수 개의 가이드 개구(212, 222)를 포함할 수 있다. 복수 개의 다층 나선형 프로브(100)는 복수 개의 가이드 개구(212, 222)에 삽입될 수 있다. 가이드 개구(212, 222)는 제 1 가이드 부재(210)에 위치한 제 1 가이드 개구(212) 및 제 2 가이드 부재(220)에 위치한 제 2 가이드 개구(222)를 포함할 수 있다. 제 1 가이드 개구(212)와 제 2 가이드 개구(222)는 서로 연결될 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B , the guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of guide openings 212 and 222. A plurality of multi-layer helical probes 100 may be inserted into a plurality of guide openings 212 and 222. The guide openings 212 and 222 may include a first guide opening 212 located in the first guide member 210 and a second guide opening 222 located in the second guide member 220 . The first guide opening 212 and the second guide opening 222 may be connected to each other.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)의 제 1 가이드 부재(210)는 복수 개의 제 1 가이드 개구(212)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4a를 참조하면, 제 1 가이드 부재(210)는 복수 개의 제 1 가이드 개구(212)를 포함할 수 있으며, 복수 개의 제 1 가이드 개구(212)는 행 및 행에 수직한 열을 지니는 직사각형 배열의 형태로 배치될 수 있다. 복수 개의 제 1 가이드 개구(212)는 직사각형 배열 형태로만 한정되어 배치되는 것은 아니며, 검사 대상이 되는 반도체(미도시)의 형태에 따라 다양한 형태로 배치될 수 있다. The first guide member 210 of the guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of first guide openings 212. For example, referring to FIG. 4A, the first guide member 210 may include a plurality of first guide openings 212, and the plurality of first guide openings 212 are arranged in rows and columns perpendicular to the rows. It can be arranged in the form of a rectangular array. The plurality of first guide openings 212 are not limited to a rectangular arrangement, and may be arranged in various shapes depending on the type of semiconductor (not shown) to be inspected.

도 4a를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 제 1 가이드 부재(210)에 형성된 제 1 가이드 개구(212)에 배치될 수 있다. 제 1 가이드 개구(212)는 다층 나선형 프로브(100)가 배치될 수 있는 공간을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4A , the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may be placed in the first guide opening 212 formed in the first guide member 210. The first guide opening 212 may include a space in which the multi-layer helical probe 100 can be placed.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 제 1 가이드 개구(212)에 탈착식으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 다층 나선형 프로브(100)는 제 1 가이드 개구(212)에 고정되어 결합하는 것이 아니라, 일시적으로 배치된 후 교환을 위해 분리될 수 있다. 예를 들어, 다층 나선형 프로브(100)가 제 1 가이드 개구(212)에 배치되는 경우, 다층 나선형 프로브(100)와 제 1 가이드 개구(212)는 정해진 이격을 형성할 수 있으며, 이격을 통해 다층 나선형 프로브(100)는 제 1 가이드 개구(212)에서 분리될 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may be detachably disposed in the first guide opening 212. For example, the multilayer helical probe 100 is not fixedly coupled to the first guide opening 212, but may be temporarily placed and then separated for exchange. For example, when the multi-layer helical probe 100 is disposed in the first guide opening 212, the multi-layer helical probe 100 and the first guide opening 212 may be spaced apart from each other, and the multi-layer helical probe 100 and the first guide opening 212 may be spaced apart from each other. The helical probe 100 may be separated from the first guide opening 212 .

도 4a를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 제 1 가이드 개구(212)는 적어도 일부에 결합 홈(213)을 포함할 수 있다. 나선 부재(110)가 복수 개의 결합 영역(112)을 포함하는 경우, 제 1 가이드 개구(212)는 결합 영역(112)과 대응되도록 복수 개의 결합 홈(213)을 포함할 수 있다. 결합 홈(213)은 나선 부재(110)의 결합 영역(112)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 4a를 참조하면, 나선 부재(110)의 결합 영역(112)은 나선 부재(110)의 일측 및 타측에서 볼록한 형상으로 형성될 수 있으며, 결합 홈(213)은 결합 영역(112)의 볼록한 형상과 대응되는 오목한 형상으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4A, the first guide opening 212 according to various embodiments of the present disclosure may include a coupling groove 213 at least in part. When the spiral member 110 includes a plurality of coupling regions 112, the first guide opening 212 may include a plurality of coupling grooves 213 to correspond to the coupling regions 112. The coupling groove 213 may be formed in a shape corresponding to the coupling area 112 of the spiral member 110. For example, referring to FIG. 4A, the coupling area 112 of the spiral member 110 may be formed in a convex shape on one side and the other side of the spiral member 110, and the coupling groove 213 is formed in the coupling area 112. ) can be formed in a concave shape corresponding to the convex shape.

도 4b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)의 제 2 가이드 부재(220)는 복수 개의 제 2 가이드 개구(222)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4b를 참조하면, 제 2 가이드 부재(220)는 복수 개의 제 2 가이드 개구(222)를 포함할 수 있으며, 복수 개의 제 2 가이드 개구(222)는 행 및 행에 수직한 열을 지니는 직사각형 배열의 형태로 배치될 수 있다. 복수 개의 제 2 가이드 개구(222)는 직사각형 배열 형태로만 한정되어 배치되는 것은 아니며, 검사 대상이 되는 반도체(미도시)의 형태에 따라 다양한 형태로 배치될 수 있다. 도 4b에 도시된 복수 개의 제 2 가이드 개구(222)는 도 4a에 도시된 복수 개의 제 1 가이드 개구(212)와 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4B, the second guide member 220 of the guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of second guide openings 222. For example, referring to FIG. 4B, the second guide member 220 may include a plurality of second guide openings 222, and the plurality of second guide openings 222 are arranged in rows and columns perpendicular to the rows. It can be arranged in the form of a rectangular array. The plurality of second guide openings 222 are not limited to a rectangular arrangement, and may be arranged in various shapes depending on the type of semiconductor (not shown) to be inspected. The plurality of second guide openings 222 shown in FIG. 4B may be connected to the plurality of first guide openings 212 shown in FIG. 4A.

도 4b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)의 적어도 일부는 제 2 가이드 부재(220)의 제 2 가이드 개구(222)에 배치될 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 제 2 가이드 개구(222)에 배치되며, 다층 나선형 프로브(100)의 적어도 일부가 제 2 가이드 부재(220)의 일면에서 수직한 방향으로 돌출될 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 최상층에 위치한 나선부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))의 접촉부(115)에서 검사 대상 반도체(미도시)와 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4B , at least a portion of the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may be disposed in the second guide opening 222 of the second guide member 220. The multilayer helical probe 100 is disposed in the second guide opening 222, and at least a portion of the multilayer helical probe 100 may protrude in a vertical direction from one surface of the second guide member 220. The multilayer helical probe 100 may be electrically connected to a semiconductor to be inspected (not shown) at the contact portion 115 of the helical member (e.g., the first helical member 110 in FIG. 2) located on the uppermost layer.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 가이드 부재(200)는 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 세라믹 물질은 전기 절연성 및 기계적 강도가 우수하고, 높은 열 저항성 및 화학에 대한 안정성을 지닐 수 있다. The guide member 200 according to various embodiments of the present disclosure may include a ceramic material. Ceramic materials have excellent electrical insulation and mechanical strength, and can have high heat resistance and chemical stability.

도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100) 및 전류 경로(P)를 나타내는 단면도이다. Figure 5 is a cross-sectional view showing the multi-layer helical probe 100 and the current path (P) according to various embodiments of the present disclosure.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 가이드 부재(200)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100)의 적어도 일부는 가이드 부재(200)의 제 1 가이드 부재(210)에 배치될 수 있으며, 다층 나선형 프로브(100)의 나머지 일부는 가이드 부재(200)의 제 2 가이드 부재(220)에 배치될 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 제 1 가이드 부재(210)의 제 1 가이드 개구(212) 및 제 2 가이드 부재(220)의 제 2 가이드 개구(222)에 배치될 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may be disposed on the guide member 200. For example, referring to FIG. 5, at least a portion of the multilayer helical probe 100 may be disposed on the first guide member 210 of the guide member 200, and the remaining portion of the multilayer helical probe 100 may be disposed on the guide member 210. It may be disposed on the second guide member 220 of the member 200. The multilayer helical probe 100 may be disposed in the first guide opening 212 of the first guide member 210 and the second guide opening 222 of the second guide member 220.

도 5를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 제 1 가이드 개구(212)의 폭은 제 2 가이드 개구(222)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 제 1 가이드 개구(212) 및 제 2 가이드 개구(222) 내부에 배치될 수 있으므로, 제 1 가이드 개구(212)에 배치되는 다층 나선형 프로브(100)의 폭은 제 2 가이드 개구(222)에 배치되는 다층 나선형 프로브(100)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the width of the first guide opening 212 according to various embodiments of the present disclosure may be formed to be larger than the width of the second guide opening 222. The multilayer helical probe 100 may be disposed inside the first guide opening 212 and the second guide opening 222, so that the width of the multilayer helical probe 100 disposed in the first guide opening 212 is the second guide opening 212. It may be formed to be larger than the width of the multi-layer spiral probe 100 disposed in the guide opening 222.

도 5를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 제 2 가이드 부재(220)의 일면(220A)에서 수직하게 멀어지는 방향으로 적어도 일부가 돌출될 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 제 2 가이드 부재(220)의 일면(220A)에서 수직한 방향으로 돌출되어 검사 대상 반도체(미도시)와 접촉될 수 있다. Referring to FIG. 5 , at least a portion of the multilayer spiral probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may protrude in a direction vertically away from one surface 220A of the second guide member 220. The multi-layer spiral probe 100 may protrude in a vertical direction from one surface 220A of the second guide member 220 and contact a semiconductor to be inspected (not shown).

본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)를 설명하는데 있어, 다층 나선형 프로브(100)의 일단은 다층 나선형 프로브(100)의 최상층에 위치한 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))의 접촉부(115)가 위치하는 말단 영역을 의미할 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)의 타단은 다층 나선형 프로브(100)의 일단과 반대편에 위치하는 말단 영역 의미할 수 있다. In describing the multilayer helical probe 100 according to an embodiment of the present disclosure, one end of the multilayer helical probe 100 is a helical member located on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (e.g., the first helical member in FIG. 2) It may refer to the terminal area where the contact portion 115 of (110)) is located. The other end of the multilayer helical probe 100 may refer to an end region located opposite to one end of the multilayer helical probe 100.

도 5를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 제 2 가이드 부재(220)의 일면(220A)에서 수직한 방향으로 멀어질수록(예를 들어, 다층 나선형 프로브(100)의 일단을 향할수록) 폭이 점점 작아지는 형태로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure becomes larger as it moves away from one surface 220A of the second guide member 220 in the vertical direction (for example, the multilayer helical probe ( 100), the width becomes increasingly smaller as it approaches one end.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 포함할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130) 각각은 적어도 일부에 금속 도금(예: 니켈 도금)을 포함하여 전기 전도성을 지닐 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 전기 전도성을 지니는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 적층 배치되는 형태로 구성되어 전류가 흐를 수 있는 전류 경로(P, 도 5 참조)를 형성할 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130 of FIG. 2). Each of the plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130 in FIG. 2) may include metal plating (eg, nickel plating) on at least a portion thereof and may be electrically conductive. The multilayer helical probe 100 is composed of a plurality of electrically conductive helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) arranged in a stack to form a current path (P, see FIG. 5) through which current can flow. can be formed.

다양한 실시예에 따르면, 검사 대상 반도체(미도시)는 다층 나선형 프로브(100)의 일단 위치에 배치될 수 있다. 테스트 장비(미도시)는 다층 나선형 프로브(100)의 타단 위치에 배치될 수 있다. According to various embodiments, a semiconductor to be inspected (not shown) may be placed at one end of the multilayer spiral probe 100. Test equipment (not shown) may be placed at the other end of the multi-layer spiral probe 100.

도 5를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 다층 나선형 프로브(100)의 일단에 위치하는 검사 대상 반도체(미도시)로부터 다층 나선형 프로브(100)의 타단에 위치하는 테스트 장치(미도시)에 이르는 전류 경로(P)를 형성할 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)는 적층되어 배치되는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 포함하므로 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)에서 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)로 이어지는 전류 경로(P)가 형성될 수 있다. 전류 경로(P)는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 상호 접촉되는 지점들을 따라서 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100)의 일측과 타측에서 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)들이 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향으로 상호 접촉하며 적층 배치되므로, 전류 경로(P)는 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 배치되는 형태를 따라 직선으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the multilayer spiral probe 100 according to various embodiments of the present disclosure is located at the other end of the multilayer spiral probe 100 from the semiconductor to be inspected (not shown) located at one end of the multilayer spiral probe 100. A current path (P) leading to a test device (not shown) may be formed. The multilayer helical probe 100 includes a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) that are stacked and arranged, so that each helical member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) has a helical member (e.g., : A current path (P) leading to 110, 120, and 130 of FIG. 2 may be formed. The current path P may be formed along points where a plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130 in FIG. 2) contact each other. For example, referring to FIG. 5, a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) on one side and the other side of the multilayer helical probe 100 contact each other in the height direction of the multilayer helical probe 100. Since the current path P is arranged in a stack, the current path P may be formed as a straight line following the arrangement of the plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130 in FIG. 2).

도 5를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 연결되지 않고 비어 있는 공간 영역(H)을 포함할 수 있다. 공간 영역(H)은 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 연결되지 않고 비어 있는 공간이므로 공간 영역(H) 내부에 전류 경로(P)가 형성될 수 없다. 전류 경로(P)는 공간 영역(H)을 제외하고 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 상호 접촉되어 연결되는 부분을 따라 형성될 수 있다. 전류 경로(P)는 공간 영역(H)을 제외하고 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 연결되는 부분으로 이어지므로 적어도 일부에서 꺾어지는 경로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 전류 경로(P)는 공간 영역(H)으로 이어질 수 없으므로, 다층 나선형 프로브(100)의 일단에서 타단으로 직선으로 이어지다가 전류 경로(P)의 적어도 일부에서 다층 나선형 프로브(100)의 일측을 향해 꺾어질 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)의 일측에서는 공간 영역(H) 없이 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 접촉되어 있으므로, 전류 경로(P)가 직선으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the multilayer helical probe 100 according to various embodiments of the present disclosure may include a space region H where each helical member (e.g., 110, 120, and 130 of FIG. 2) is not connected and is empty. You can. Since the space region H is an empty space where each spiral member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is not connected, the current path P cannot be formed within the space region H. The current path P may be formed along a portion where each helical member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is in contact with and connected to each other, excluding the space region H. Since the current path P leads to a portion where each spiral member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is connected except for the spatial region H, it may include a path that is bent at least in part. For example, referring to FIG. 5, since the current path (P) cannot lead to the spatial region (H), it continues in a straight line from one end of the multi-layer spiral probe 100 to the other end and then passes through at least part of the current path (P). The multi-layer spiral probe 100 may be bent toward one side. Since each helical member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is in contact with one side of the multilayer helical probe 100 without a space H, the current path P may be formed as a straight line.

도 5에 도시된 전류 경로(P)는 공간 영역(H)을 제외하고 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 상호 접촉되어 연결되는 부분을 따라 전류가 흐를 수 있음을 나타내는 예시적인 전류 경로(P)이다. 다층 나선형 프로브(100)가 형성하는 전류 경로(P)는 이에 한정되지 않고, 각 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)가 상호 접촉되어 연결되는 부분을 따라 다양하게 형성될 수 있다. The current path (P) shown in FIG. 5 indicates that current can flow along the portion where each helical member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is in contact with each other, excluding the space region (H). This is an exemplary current path (P). The current path P formed by the multilayer helical probe 100 is not limited to this, and may be formed in various ways along the portion where each helical member (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) is in contact with and connected to each other. .

일반적으로 반도체(미도시) 검사를 위해 사용되는 프로브 장치는 프로브 장치 내부에 형성되는 전류 경로(P)가 증가할수록 프로브 장치 내부의 인덕턴스(inductance) 성분이 증가될 수 있다. 인덕턴스 성분의 증가는 전기적 신호의 전달을 방해하는 요소가 될 수 있다. In general, in a probe device used to inspect a semiconductor (not shown), the inductance component inside the probe device may increase as the current path (P) formed inside the probe device increases. An increase in the inductance component can be a factor that interferes with the transmission of electrical signals.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 전류 경로(P)를 직선으로 형성하여 인덕턴스 성분을 감소시킬 수 있다. The multilayer spiral probe 100 according to various embodiments of the present disclosure can reduce the inductance component by forming the current path P in a straight line.

도 6a는 본 개시의 일 실시예에 따른 막대 형상의 접촉 부재(118)를 포함하는 나선 부재(110)가 변형되기 전의 상태를 나타내는 사시도이다. FIG. 6A is a perspective view showing a state before the helical member 110 including the bar-shaped contact member 118 is deformed according to an embodiment of the present disclosure.

도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 막대 형상의 접촉 부재(118)를 포함하는 나선 부재(110)가 변형이 완료된 후의 상태를 나타내는 사시도이다. FIG. 6B is a perspective view showing a state of the helical member 110 including the bar-shaped contact member 118 after deformation is completed according to an embodiment of the present disclosure.

도 6b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 나선 부재(110)를 설명하는데 있어, 나선 부재(110)의 높이 방향은 나선 부재(110)의 지지부 일면(111A)와 수직하며, 지지부 일면(111A)에서 멀어지는 방향을 의미할 수 있다. 접촉 부재(118)의 수평 단면은 나선 부재(110)의 높이 방향과 수직한 단면을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 6B, in explaining the spiral member 110 according to an embodiment of the present disclosure, the height direction of the spiral member 110 is perpendicular to one surface 111A of the support portion of the spiral member 110, and one surface of the support portion It may mean a direction away from (111A). The horizontal cross section of the contact member 118 may mean a cross section perpendicular to the height direction of the spiral member 110.

본 개시의 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 제조 과정을 거치면서 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 나선 부재(110)의 나선부(113)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 도 6b를 참조하면, 나선부(113)는 접촉부(115)에 가까울수록 지지부 일면(111A)에서 더 멀어지는 방향으로 변형될 수 있다. The spiral member 110 according to an embodiment of the present disclosure may be deformed in the height direction of the spiral member 110 during the manufacturing process. For example, referring to FIGS. 6A and 6B , the spiral portion 113 of the spiral member 110 may be deformed in the height direction of the spiral member 110. Referring to FIG. 6B, the closer the spiral portion 113 is to the contact portion 115, the farther away it may be from the support portion 111A.

다양한 실시예에 따르면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))는 나선부(113)의 일단에 형성되는 접촉부(115)에서 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결될 수 있다. According to various embodiments, based on the height direction of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2), an uppermost helical member (e.g., the first helix of FIG. 2) is stacked on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2). The member 110) may be electrically connected to the semiconductor to be inspected at the contact portion 115 formed at one end of the spiral portion 113.

도 6b에 도시된 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되며, 제조 과정을 통해 변형이 완료된 나선 부재(110)를 의미할 수 있다. The helical member 110 according to an embodiment shown in FIG. 6B is laminated on the top layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2), and may refer to the helical member 110 whose deformation has been completed through the manufacturing process.

도 6b를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되는 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 막대 형상의 접촉 부재(118)를 포함할 수 있다. 막대 형상의 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 접촉부(115)에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 6B, the helical member 110 according to an embodiment laminated on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2) may include a rod-shaped contact member 118. The bar-shaped contact member 118 may be disposed on the contact portion 115 of the spiral member 110.

도 6b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 정해진 길이를 가지는 막대 형상을 포함할 수 있다. 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 높이 방향과 수직한 원형의 수평 단면을 포함하는 원통 막대 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 접촉 부재(118)는 직사각형 단면을 포함하거나, 삼각형 단면을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6B , the contact member 118 according to an embodiment of the present disclosure may include a rod shape with a length determined in the height direction of the spiral member 110. The contact member 118 may be formed in a cylindrical bar shape including a circular horizontal cross-section perpendicular to the height direction of the spiral member 110, but is not limited thereto. For example, contact member 118 may include a rectangular cross-section or may include a triangular cross-section.

도 6b에 도시된 막대 형상의 접촉 부재(118)는 검사 대상 반도체(미도시)에 포함된 일 접촉 부위(미도시)와 접촉될 수 있다. 막대 형상을 지니는 접촉 부재(118)의 말단이 검사 대상 반도체(미도시)의 일 접촉 부위(미도시)와 접촉되면서, 접촉 부재(118)와 검사 대상 반도체(미도시)가 전기적으로 연결될 수 있다. 막대 형상을 지닌 접촉 부재(118)는 검사 대상 반도체(미도시)의 접촉 부위가 패드 형상으로 형성되어 있을 때 사용되는 것이 적합할 수 있다. The bar-shaped contact member 118 shown in FIG. 6B may contact a contact portion (not shown) included in a semiconductor to be inspected (not shown). As the end of the bar-shaped contact member 118 contacts a contact portion (not shown) of the semiconductor to be inspected (not shown), the contact member 118 and the semiconductor to be inspected (not shown) may be electrically connected. . The bar-shaped contact member 118 may be suitable for use when the contact portion of the semiconductor to be inspected (not shown) is formed in a pad shape.

도 7a는 본 개시의 일 실시예에 따른 판 형상의 접촉 부재(118)를 포함하는 나선 부재(110)가 변형되기 전의 상태를 나타내는 사시도이다. FIG. 7A is a perspective view showing a state before the helical member 110 including the plate-shaped contact member 118 is deformed according to an embodiment of the present disclosure.

도 7b는 본 개시의 일 실시예에 따른 판 형상의 접촉 부재(118)를 포함하는 나선 부재(110)가 변형이 완료된 후의 상태를 나타내는 사시도이다. FIG. 7B is a perspective view showing a state of the helical member 110 including the plate-shaped contact member 118 after deformation is completed according to an embodiment of the present disclosure.

본 개시의 일 실시예에 따른 나선 부재(110)를 설명하는데 있어, 나선 부재(110)의 높이 방향은 나선 부재(110)의 지지부 일면(111A)과 수직하며, 지지부 일면(111A)에서 멀어지는 방향을 의미할 수 있다. 접촉 부재(118)의 수평 단면은 나선 부재(110)의 높이 방향과 수직한 단면을 의미할 수 있다.In describing the spiral member 110 according to an embodiment of the present disclosure, the height direction of the spiral member 110 is perpendicular to one surface 111A of the support portion of the spiral member 110, and is in a direction away from the one surface 111A of the support portion. It can mean. The horizontal cross section of the contact member 118 may mean a cross section perpendicular to the height direction of the spiral member 110.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)는 제조 과정을 거치면서 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 나선 부재(110)의 나선부(113)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 도 7b를 참조하면, 나선부(113)는 접촉부(115)에 가까울수록 지지부 일면(111A)에서 더 멀어지는 방향으로 변형될 수 있다. The spiral member 110 according to various embodiments of the present disclosure may be deformed in the height direction of the spiral member 110 during the manufacturing process. For example, referring to FIGS. 7A and 7B , the spiral portion 113 of the spiral member 110 may be deformed in the height direction of the spiral member 110. Referring to FIG. 7B, the closer the spiral portion 113 is to the contact portion 115, the farther away it may be from the support portion 111A.

다양한 실시예에 따르면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))는 나선부(113)의 일단에 형성되는 접촉부(115)에서 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결될 수 있다. According to various embodiments, based on the height direction of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2), an uppermost helical member (e.g., the first helix of FIG. 2) is stacked on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2). The member 110 may be electrically connected to the semiconductor to be inspected at the contact portion 115 formed at one end of the spiral portion 113.

도 7b에 도시된 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되며, 제조 과정을 통해 변형이 완료된 나선 부재(110)를 의미할 수 있다. The helical member 110 according to an embodiment shown in FIG. 7B is laminated on the top layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2), and may refer to the helical member 110 whose deformation has been completed through the manufacturing process.

도 7b를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되는 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 판 형상의 접촉 부재(118)를 포함할 수 있다. 판 형상의 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 접촉부(115)에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7B , the helical member 110 according to an embodiment laminated on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2) may include a plate-shaped contact member 118. The plate-shaped contact member 118 may be disposed on the contact portion 115 of the spiral member 110.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 정해진 두께를 지니는 판 형상을 포함할 수 있다. 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 높이 방향과 수직한 원형 수평 단면을 포함하는 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 접촉 부재(118)는 직사각형 단면을 포함하거나, 삼각형 단면을 포함할 수 있다. 도 7a 및 도 7b에 도시된 판 형상의 접촉 부재(118)는 도 6a 및 도 6b에 도시된 막대 형상의 접촉 부재(118)에 비하여 넓은 면적의 단면을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 7A and 7B , the contact member 118 according to an embodiment of the present disclosure may include a plate shape with a thickness determined in the height direction of the spiral member 110. The contact member 118 may be formed in a shape including a circular horizontal cross-section perpendicular to the height direction of the spiral member 110, but is not limited thereto. For example, contact member 118 may include a rectangular cross-section or may include a triangular cross-section. The plate-shaped contact member 118 shown in FIGS. 7A and 7B may have a larger cross-section area than the bar-shaped contact member 118 shown in FIGS. 6A and 6B.

도 7a 및 도 7b에 도시된 판 형상을 지니는 접촉 부재(118)는 도 6a 및 도 6b에 도시된 막대 형상의 접촉 부재(118)에 비하여 검사 대상 반도체(미도시)와 접촉할 수 있는 면적이 크게 형성될 수 있다. 판 형상을 지니는 접촉 부재(118)의 말단이 검사 대상 반도체(미도시)의 적어도 일부와 접촉되면서, 접촉 부재(118)와 검사 대상 반도체(미도시)가 전기적으로 연결될 수 있다. 도 7a 및 도 7b에 도시된 판 형상을 포함하는 접촉 부재(118)는 검사 대상 반도체(미도시)의 접촉 부위가 구 형상으로 형성되어 있을 때 사용되는 것이 적합할 수 있다. The plate-shaped contact member 118 shown in FIGS. 7A and 7B has an area that can contact the semiconductor to be inspected (not shown) compared to the bar-shaped contact member 118 shown in FIGS. 6A and 6B. It can be formed to a large extent. As the end of the plate-shaped contact member 118 contacts at least a portion of the semiconductor to be inspected (not shown), the contact member 118 and the semiconductor to be inspected (not shown) may be electrically connected. The contact member 118 having a plate shape shown in FIGS. 7A and 7B may be suitable for use when the contact portion of the semiconductor to be inspected (not shown) is formed in a spherical shape.

도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른 복수 개의 접촉 부재(118)를 포함하는 나선 부재(110)가 변형되기 전의 상태를 나타내는 사시도이다. FIG. 8A is a perspective view showing a state before the helical member 110 including a plurality of contact members 118 according to an embodiment of the present disclosure is deformed.

도 8b는 본 개시의 일 실시예에 따른 복수 개의 접촉 부재(118)를 포함하는 나선 부재(110)가 변형이 완료된 후의 상태를 나타내는 사시도이다. FIG. 8B is a perspective view showing a state of the helical member 110 including a plurality of contact members 118 according to an embodiment of the present disclosure after deformation is completed.

본 개시의 일 실시예에 따른 나선 부재(110)를 설명하는데 있어, 나선 부재(110)의 높이 방향은 나선 부재(110)의 지지부 일면(111A)과 수직하며, 지지부 일면(111A)에서 멀어지는 방향을 의미할 수 있다. 접촉 부재(118)의 수평 단면은 나선 부재(110)의 높이 방향과 수직한 단면을 의미할 수 있다. In describing the spiral member 110 according to an embodiment of the present disclosure, the height direction of the spiral member 110 is perpendicular to one surface 111A of the support portion of the spiral member 110, and is in a direction away from the one surface 111A of the support portion. It can mean. The horizontal cross section of the contact member 118 may mean a cross section perpendicular to the height direction of the spiral member 110.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110)는 제조 과정을 거치면서 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 나선 부재(110)의 나선부(113)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 변형될 수 있다. 도 8b를 참조하면, 나선부(113)는 접촉부(115)에 가까울수록 지지부 일면(111A)에서 더 멀어지는 방향으로 변형될 수 있다. The spiral member 110 according to various embodiments of the present disclosure may be deformed in the height direction of the spiral member 110 during the manufacturing process. For example, referring to FIGS. 8A and 8B , the spiral portion 113 of the spiral member 110 may be deformed in the height direction of the spiral member 110. Referring to FIG. 8B, the closer the spiral portion 113 is to the contact portion 115, the farther away it may be from the support portion 111A.

다양한 실시예에 따르면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))는 나선부(113)의 일단에 형성되는 접촉부(115)에서 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결될 수 있다. According to various embodiments, based on the height direction of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2), an uppermost helical member (e.g., the first helix of FIG. 2) is stacked on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2). The member 110) may be electrically connected to the semiconductor to be inspected at the contact portion 115 formed at one end of the spiral portion 113.

도 8b에 도시된 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층 되며, 제조 과정을 통해 변형이 완료된 나선 부재(110)를 의미할 수 있다. The helical member 110 according to an embodiment shown in FIG. 8B is laminated on the top layer of the multi-layer helical probe 100 (see FIG. 2), and may refer to the helical member 110 whose deformation has been completed through the manufacturing process.

도 8b를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100, 도 2 참조)의 최상층에 적층 되는 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 복수 개의 접촉 부재(118)를 포함할 수 있다. 복수 개의 접촉 부재(118)는 나선 부재(110)의 접촉부(115)에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8B, the helical member 110 according to an embodiment laminated on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (see FIG. 2) may include a plurality of contact members 118. A plurality of contact members 118 may be disposed on the contact portion 115 of the spiral member 110.

도 8b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 접촉 부재(118)를 복수 개 포함할 수 있다. 예를 들어, 나선 부재(110)는 나선 부재(110)의 높이 방향으로 정해진 길이를 지니는 막대 형상의 접촉 부재(118)를 3개 포함할 수 있다. 도 8b을 참조하면, 일 실시예에 따른 나선 부재(110)는 접촉 부재(118)를 3개 포함한 것으로 도시되어 있으나, 나선 부재(110)가 포함하는 접촉 부재(118)의 개수는 이에 한정되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 8B, the spiral member 110 according to an embodiment of the present disclosure may include a plurality of contact members 118. For example, the spiral member 110 may include three bar-shaped contact members 118 having a predetermined length in the height direction of the spiral member 110. Referring to FIG. 8B, the spiral member 110 according to one embodiment is shown as including three contact members 118, but the number of contact members 118 included in the spiral member 110 is not limited to this. It may not be possible.

도 8b을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 접촉 부재(118)는 부채꼴 형태의 수평 단면을 포함하는 형태로 형성될 수 있으나, 접촉 부재(118)의 수평 단면 형상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 접촉 부재(118)는 직사각형 단면을 포함하거나, 원형 단면을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8B, the contact member 118 according to an embodiment of the present disclosure may be formed in a shape including a fan-shaped horizontal cross-section, but the horizontal cross-sectional shape of the contact member 118 is not limited to this. For example, contact member 118 may include a rectangular cross-section or may include a circular cross-section.

도 8b에 도시된 본 개시의 일 실시예에 따른 복수 개의 접촉 부재(118)는 검사 대상 반도체(미도시)에 포함된 복수 개의 접촉 부위(미도시)와 접촉될 수 있다. 복수 개의 접촉 부재(118) 말단이 검사 대상 반도체(미도시)의 복수 개 접촉 부위(미도시)와 접촉되면서, 접촉 부재(118)와 검사 대상 반도체(미도시)가 전기적으로 연결될 수 있다. 복수 개의 접촉 부재(118)는 검사 대상 반도체(미도시)의 접촉 부위가 구 형상으로 형성되어 있을 때 사용되는 것이 적합할 수 있다.A plurality of contact members 118 according to an embodiment of the present disclosure shown in FIG. 8B may contact a plurality of contact portions (not shown) included in a semiconductor to be inspected (not shown). As the ends of the plurality of contact members 118 come into contact with a plurality of contact portions (not shown) of the semiconductor to be inspected (not shown), the contact members 118 and the semiconductor to be inspected (not shown) may be electrically connected. The plurality of contact members 118 may be appropriately used when the contact portion of the semiconductor to be inspected (not shown) is formed in a spherical shape.

도 9는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)를 나타내는 도면이다. FIG. 9 is a diagram illustrating an interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure.

도 9를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)는 복수 개의 다층 나선형 프로브(100) 및 복수 개의 가이드 부재(200)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of multilayer spiral probes 100 and a plurality of guide members 200.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)는 집적 회로(미도시)와 인쇄 회로 기판(미도시) 사이에 배치되어 집적 회로(미도시)와 인쇄 회로 기판(미도시)을 전기적으로 연결할 수 있다. The interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure is disposed between an integrated circuit (not shown) and a printed circuit board (not shown) to electrically connect the integrated circuit (not shown) and the printed circuit board (not shown). You can.

도 9를 참조하면, 인터포저(20)는 다층 나선형 프로브(100)를 2개 포함할 수 있으며, 2개의 다층 나선형 프로브(100) 각각이 인터포저(20)의 대칭축(예: 도 9에 도시된 A-A축)을 중심으로 대칭되는 위치에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9, the interposer 20 may include two multilayer helical probes 100, and each of the two multilayer helical probes 100 has an axis of symmetry (e.g., shown in FIG. 9) of the interposer 20. It can be placed in a position symmetrical about the A-A axis.

도 9를 참조하면, 인터포저(20)는 가이드 부재(200)를 2개 포함할 수 있으며, 2개의 가이드 부재(200) 각각이 인터포저(20)의 대칭축(예: 도 9에 도시된 A-A축)을 중심으로 대칭되는 위치에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 9, the interposer 20 may include two guide members 200, and each of the two guide members 200 is aligned with an axis of symmetry (e.g., A-A shown in FIG. 9) of the interposer 20. It can be placed in a position symmetrical about the axis.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)는 다층 나선형 프로브(100)를 복수 개 포함할 수 있다. 도 9를 참조하면, 인터포저(20)는 다층 나선형 프로브(100)를 2개 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 인터포저(20)에 포함되는 다층 나선형 프로브(100)의 개수는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 인터포저(20)와 전기적으로 연결될 수 있는 인쇄 회로 기판(미도시) 혹은 집적 회로(미도시)의 형태에 따라, 2개 이상의 복수 개의 다층 나선형 프로브(100)가 대칭축(예: 도 9에 도시된 A-A축)을 중심으로 대칭되어 배치될 수 있다. The interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of multilayer spiral probes 100. Referring to FIG. 9, the interposer 20 is shown as including two multilayer spiral probes 100, but the number of multilayer spiral probes 100 included in the interposer 20 is not limited thereto. For example, depending on the type of a printed circuit board (not shown) or an integrated circuit (not shown) that can be electrically connected to the interposer 20, two or more multilayer spiral probes 100 are connected to an axis of symmetry (e.g. It can be arranged symmetrically about the A-A axis shown in FIG. 9.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)는 가이드 부재(200)를 복수 개 포함할 수 있다. 도 9를 참조하면, 인터포저(20)는 가이드 부재(200)를 2개 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 인터포저(20)에 포함되는 가이드 부재(200)의 개수는 이에 한정되지 않는다. 2개 이상의 복수 개의 가이드 부재(200)는 대칭축(예: 도 9에 도시된 A-A축)을 중심으로 대칭되어 배치될 수 있다. The interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure may include a plurality of guide members 200. Referring to FIG. 9, the interposer 20 is shown as including two guide members 200, but the number of guide members 200 included in the interposer 20 is not limited to this. Two or more guide members 200 may be arranged symmetrically about an axis of symmetry (eg, axis A-A shown in FIG. 9).

다양한 실시예에 따르면, 인터포저(20)에 포함되는 복수 개의 가이드 부재(200) 각각은 복수 개의 가이드 개구(212, 222)를 포함할 수 있다. 가이드 개구(212, 222)는 제 1 가이드 개구(212, 도 4a 참조) 및 제 2 가이드 개구(222)를 포함할 수 있다. 복수 개의 다층 나선형 프로브(100)는 복수 개의 가이드 개구(212, 222)에 삽입되어 배치될 수 있다. According to various embodiments, each of the plurality of guide members 200 included in the interposer 20 may include a plurality of guide openings 212 and 222. The guide openings 212 and 222 may include a first guide opening 212 (see FIG. 4A) and a second guide opening 222. A plurality of multi-layer helical probes 100 may be inserted into and disposed of a plurality of guide openings 212 and 222.

도 9를 참조하면, 다층 나선형 프로브(100)에 포함된 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)는 적층 되며, 다층 나선형 프로브(100) 내부에 복수 개의 층을 형성할 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향으로 가장 멀리 위치한 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))가 형성하는 층을 다층 나선형 프로브(100)의 최상층으로 정의할 수 있다.Referring to FIG. 9, a plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) included in the multilayer helical probe 100 are stacked, and a plurality of layers can be formed inside the multilayer helical probe 100. there is. The layer formed by the helical member located furthest in the height direction of the multilayer helical probe 100 (e.g., the first helical member 110 of FIG. 2) may be defined as the uppermost layer of the multilayer helical probe 100.

다양한 실시예에 따르면, 인터포저(20)의 일단 및 타단은 다층 나선형 프로브(100)의 최상층에 위치한 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))의 접촉부(115)가 위치한 영역을 의미할 수 있다. 인터포저(20)의 일단은 대칭축(예: 도 9에 도시된 A-A축)을 중심으로 인터포저(20)의 타단과 대칭되는 위치에 형성될 수 있다. 인터포저(20)는 인터포저(20)의 일단에서 집적 회로(미도시)와 전기적으로 연결되고, 인터포저(20)의 타단에서 인쇄 회로 기판(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. According to various embodiments, one end and the other end of the interposer 20 are regions where the contact portion 115 of the helical member (e.g., the first helical member 110 of FIG. 2) located on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 is located. It can mean. One end of the interposer 20 may be formed in a position symmetrical to the other end of the interposer 20 about an axis of symmetry (e.g., axis A-A shown in FIG. 9). The interposer 20 may be electrically connected to an integrated circuit (not shown) at one end of the interposer 20, and may be electrically connected to a printed circuit board (not shown) at the other end of the interposer 20.

다양한 실시예에 따르면, 인터포저(20)에 포함되는 다층 나선형 프로브(100) 각각은 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)를 포함할 수 있다. 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130)는 적층되어 배치될 수 있다. According to various embodiments, each of the multilayer helical probes 100 included in the interposer 20 may include a plurality of helical members (eg, 110, 120, and 130 in FIG. 2). A plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130 in FIG. 2) may be stacked and arranged.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)에 포함되는 나선 부재(110, 도 1b 참조)는 지지부(111, 도 1b 참조), 결합 영역(112, 도 1b 참조), 나선부(113, 도 1b 참조), 지지부 개구(114, 도 1b 참조), 접촉부(115, 도 1b 참조) 및/또는 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)을 포함할 수 있다.The spiral member 110 (see FIG. 1B) included in the interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure includes a support portion 111 (see FIG. 1B), a coupling region 112 (see FIG. 1B), and a spiral portion 113. 1B), a support opening 114 (see FIG. 1B), a contact portion 115 (see FIG. 1B), and/or a helical member center 116 (see FIG. 1B).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 지지부(111, 도 1b 참조)의 외곽 둘레는 원형으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1b를 참조하면, 지지부(111, 도 1b 참조)는 정해진 지름 및 두께를 지니는 원판 형상으로 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 지지부(111, 도 1b 참조)는 원판 형상으로 도시되어 있으나 지지부(111, 도 1b 참조)의 형상은 이에 한정되지는 않으며, 직사각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The outer circumference of the support portion 111 (see FIG. 1B) according to various embodiments of the present disclosure may be formed in a circular shape. For example, referring to FIG. 1B, the support portion 111 (see FIG. 1B) may be formed in a disk shape with a predetermined diameter and thickness. Referring to FIG. 1B, the support portion 111 (see FIG. 1B) is shown in a disk shape. However, the shape of the support portion 111 (see FIG. 1B) is not limited to this, and may be formed in various shapes such as a rectangular shape.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 지지부(111, 도 1b 참조)의 일측과 타측에 결합 영역(112, 도 1b 참조)이 형성될 수 있다. 결합 영역(112, 도 1b 참조)은 나선 부재(110, 도 1b 참조)를 가이드 부재(200, 도 4a 참조)의 가이드 개구(212, 222, 도 4a 참조)에 일시적으로 고정시키는 역할을 할 수 있다.A coupling area 112 (see FIG. 1B) may be formed on one side and the other side of the support part 111 (see FIG. 1B) according to various embodiments of the present disclosure. The coupling region 112 (see FIG. 1B) may serve to temporarily secure the helical member 110 (see FIG. 1B) to the guide openings 212 and 222 (see FIG. 4A) of the guide member 200 (see FIG. 4A). there is.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선 부재(110, 도 1b 참조)는 지지부 개구(114, 도 1b 참조)를 포함할 수 있다. 지지부 개구(114, 도 1b 참조)는 지지부(111, 도 1b 참조)의 내측에 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 지지부 개구(114, 도 1b 참조)의 형상은 원형으로 도시되어 있으나, 지지부 개구(114, 도 1b 참조)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 직사각형, 사다리꼴 등 다양한 형상을 포함할 수 있다.The helical member 110 (see FIG. 1B) according to various embodiments of the present disclosure may include a support opening 114 (see FIG. 1B). The support opening 114 (see FIG. 1B) may be formed inside the support unit 111 (see FIG. 1B). Referring to FIG. 1B, the shape of the support opening 114 (see FIG. 1B) is shown as a circle, but the shape of the support opening 114 (see FIG. 1B) is not limited to this and may include various shapes such as rectangular and trapezoidal. You can.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선부(113, 도 1b 참조)는 지지부(111, 도 1b 참조)의 적어도 일부와 연결되며, 지지부(111, 도 1b 참조)의 일면에서 멀어지는 방향으로 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)을 향해 나선형으로 연장되며 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1a를 참조하면, 나선부(113, 도 1b 참조)는 지지부(111, 도 1b 참조)에서 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)을 향해 연장되며, 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)에 가까이 갈수록 작은 지름을 지니는 나선 형상으로 형성될 수 있다. 도 1b를 참조하면, 나선부(113, 도 1b 참조)는 나선 형상으로 연장된 것으로 도시되어 있으나, 나선부(113, 도 1b 참조)의 형상은 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 나선부(113, 도 1b 참조)는 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)에 가까이 갈수록 작은 둘레 길이를 지닌 직사각형 형상 혹은 삼각형 형상으로 연장될 수 있다. The spiral portion 113 (see FIG. 1B) according to various embodiments of the present disclosure is connected to at least a portion of the support portion 111 (see FIG. 1B), and the center of the spiral member is located in a direction away from one surface of the support portion 111 (see FIG. 1B). It may be formed spirally extending toward (116, see FIG. 1B). For example, referring to FIG. 1A, the helical portion 113 (see FIG. 1B) extends from the support portion 111 (see FIG. 1B) toward the helical member center 116 (see FIG. 1B), and the helical member center 116 It may be formed into a spiral shape with a smaller diameter as it approaches (see Figure 1b). Referring to FIG. 1B, the spiral portion 113 (see FIG. 1B) is shown as extending in a spiral shape, but the shape of the spiral portion 113 (see FIG. 1B) may not be limited to this. For example, the spiral portion 113 (see FIG. 1B) may extend into a rectangular or triangular shape with a smaller peripheral length as it approaches the center of the spiral member 116 (see FIG. 1B).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 나선부(113, 도 1b 참조)는 지지부(111, 도 1b 참조)와 연결되며 정해진 폭을 지니며 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)을 향하여 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 나선 부재(110, 도 1b 참조)의 나선부(113, 도 1b 참조)는 지지부(111, 도 1b 참조)에서 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)에 이르기까지 동일한 폭을 지니며 연장될 수 있다. 어떤 실시예에서, 나선부(113, 도 1b 참조)는 나선부(113, 도 1b 참조)의 폭이 나선 부재 중심(116, 도 1b 참조)에 가까울수록 작아지는 형태로 연장될 수 있다.The spiral portion 113 (see FIG. 1B) according to various embodiments of the present disclosure is connected to the support portion 111 (see FIG. 1B), has a predetermined width, and may extend toward the center of the spiral member 116 (see FIG. 1B). . In one embodiment, the helical portion 113 (see FIG. 1B) of the helical member 110 (see FIG. 1B) has the same width from the support 111 (see FIG. 1B) to the center of the helical member 116 (see FIG. 1B). and can be extended. In some embodiments, the helical portion 113 (see FIG. 1B) may be extended in such a way that the width of the helical portion 113 (see FIG. 1B) becomes smaller as it approaches the center of the helical member 116 (see FIG. 1B).

다양한 실시예에서, 나선 부재(110, 도 1b 참조)의 지지부 일면(111A)과 수직하며, 나선 부재(110, 도 1b 참조)의 지지부(111)에서 접촉부(115)를 향하는 방향을 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향으로 정의할 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향을 기준으로, 복수 개의 나선 부재(예: 도 2의 110, 120, 130) 중 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))는 나선부(113, 도 1b 참조)의 일단에 형성되는 접촉부(115)를 포함할 수 있다. 인터 포저(20)에 포함된 다층 나선형 프로브(100)는 최상층 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))의 접촉부(115)에서 인쇄 회로 기판(미도시) 혹은 집적 회로(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. In various embodiments, a multi-layer helical probe is perpendicular to one surface 111A of the support portion of the helical member 110 (see FIG. 1B) and faces the contact portion 115 from the support portion 111 of the helical member 110 (see FIG. 1B). It can be defined as the height direction of (100). Based on the height direction of the multi-layer helical probe 100, the uppermost helical member (e.g., the first helical member 110 in FIG. 2) stacked on the uppermost layer among the plurality of helical members (e.g., 110, 120, and 130 in FIG. 2) ) may include a contact portion 115 formed at one end of the spiral portion 113 (see FIG. 1B). The multilayer helical probe 100 included in the interposer 20 is connected to a printed circuit board (not shown) or an integrated circuit (not shown) at the contact portion 115 of the uppermost helical member (e.g., the first helical member 110 in FIG. 2). can be electrically connected to the city).

본 개시의 다양한 실시예에 따른 접촉부(115)는 나선 부재(110, 도 1b 참조)의 나선부(113, 도 1b 참조)의 일단에 위치하며, 지지부(111, 도 1b 참조) 일면에서 높이 방향으로 가장 멀리 위치한 영역을 의미할 수 있다. The contact portion 115 according to various embodiments of the present disclosure is located at one end of the spiral portion 113 (see FIG. 1B) of the spiral member 110 (see FIG. 1B), and is located on one side of the support portion 111 (see FIG. 1B) in the height direction. This can mean the area located furthest away.

본 개시의 일실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 다층 나선형 프로브(100)의 높이 방향 기준으로 가장 멀리 위치한 최상층 나선 부재(110, 도 1b 참조)의 접촉부(115, 도 1b 참조)에서 인쇄 회로 기판(미도시) 혹은 집적 회로(미도시)와 직접 연결될 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to an embodiment of the present disclosure is printed at the contact portion 115 (see FIG. 1B) of the uppermost helical member 110 (see FIG. 1B) located furthest in the height direction of the multilayer helical probe 100. It may be directly connected to a circuit board (not shown) or an integrated circuit (not shown).

다양한 실시예에서, 다층 나선형 프로브(100)는 최상층 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))의 접촉부(115, 도 1b 참조)가 형성되는 위치에 별도의 접촉 부재(118, 도 6b, 7b, 8b 참조)를 포함할 수 있으며, 별도의 접촉 부재(118, 도 6b, 7b, 8b 참조)를 이용하여 인쇄 회로 기판(미도시) 혹은 집적 회로(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다.In various embodiments, the multilayer helical probe 100 includes a separate contact member 118 at a position where the contact portion 115 (see FIG. 1B) of the uppermost helical member (e.g., the first helical member 110 of FIG. 2) is formed. 6B, 7B, and 8B) and may be electrically connected to a printed circuit board (not shown) or an integrated circuit (not shown) using a separate contact member 118 (see FIGS. 6B, 7B, and 8B). You can.

본 개시의 일 실시예에 따른 인터포저(20)에 포함되는 접촉 부재(118, 도 6b 참조)는 나선 부재(110, 도 6b 참조)의 높이 방향으로 길이를 지니는 막대 형상을 포함할 수 있다. 접촉 부재(118, 도 6b 참조)는 나선 부재(110, 도 6b 참조)의 높이 방향과 수직한 원형의 수평 단면을 포함하는 원통 막대 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. The contact member 118 (see FIG. 6B) included in the interposer 20 according to an embodiment of the present disclosure may include a rod shape having a length in the height direction of the spiral member 110 (see FIG. 6B). The contact member 118 (see FIG. 6B) may be formed in the shape of a cylindrical bar including a circular horizontal cross-section perpendicular to the height direction of the spiral member 110 (see FIG. 6B), but is not limited thereto.

본 개시의 일 실시예에 따른 인터포저(20)에 포함되는 접촉 부재(118, 도 7b 참조)는 나선 부재(110, 도 7b 참조)의 높이 방향으로 두께를 지니는 판 형상을 포함할 수 있다. 접촉 부재(118, 도 7b 참조)는 나선 부재(110, 도 7b 참조)의 높이 방향과 수직한 원형 수평 단면을 포함하는 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The contact member 118 (see FIG. 7B) included in the interposer 20 according to an embodiment of the present disclosure may include a plate shape having a thickness in the height direction of the spiral member 110 (see FIG. 7B). The contact member 118 (see FIG. 7B) may be formed in a shape including a circular horizontal cross-section perpendicular to the height direction of the spiral member 110 (see FIG. 7B), but is not limited thereto.

본 개시의 일 실시예에 따른 인터포저(20)는 접촉 부재(118, 도 8b 참조)를 복수 개 포함할 수 있다. 접촉 부재(118, 도 8b 참조)는 부채꼴 형태의 수평 단면을 포함하는 형태로 형성될 수 있으나, 접촉 부재(118, 도 8b 참조)의 수평 단면 형상은 이에 한정되지 않는다.The interposer 20 according to an embodiment of the present disclosure may include a plurality of contact members 118 (see FIG. 8B). The contact member 118 (see FIG. 8B) may be formed in a shape including a fan-shaped horizontal cross-section, but the horizontal cross-sectional shape of the contact member 118 (see FIG. 8B) is not limited thereto.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 인터포저(20)에 포함되는 복수 개의 나선 부재(예: 110, 120, 130) 각각은 탄성 재질을 포함할 수 있다. 인터포저(20)에 포함되는 복수 개의 다층 나선형 프로브(100) 각각은 적어도 일부에 내마모성 재질을 포함할 수 있다.Each of the plurality of spiral members (eg, 110, 120, and 130) included in the interposer 20 according to various embodiments of the present disclosure may include an elastic material. Each of the plurality of multilayer spiral probes 100 included in the interposer 20 may include at least a portion of a wear-resistant material.

도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100) 및 접촉 플레이트(400)를 나타내는 도면이다. FIG. 10 is a diagram illustrating a multilayer helical probe 100 and a contact plate 400 according to an embodiment of the present disclosure.

본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)를 설명하는데 있어, 다층 나선형 프로브(100)의 일단은 다층 나선형 프로브(100)의 최상층에 위치한 나선 부재(예: 도 2의 제 1 나선 부재(110))의 접촉부(115)가 위치하는 말단 영역을 의미할 수 있다. 다층 나선형 프로브(100)의 타단은 다층 나선형 프로브(100)의 일단과 반대편 말단에 형성되는 영역을 의미할 수 있다. In describing the multilayer helical probe 100 according to an embodiment of the present disclosure, one end of the multilayer helical probe 100 is a helical member located on the uppermost layer of the multilayer helical probe 100 (e.g., the first helical member in FIG. 2) It may refer to the terminal area where the contact portion 115 of (110)) is located. The other end of the multilayer helical probe 100 may refer to a region formed at an end opposite to one end of the multilayer helical probe 100.

본 개시의 일 실시예에 따른 접촉 플레이트(400)는 다층 나선형 프로브(100)의 일단에 배치될 수 있다. 접촉 플레이트(400)는 접촉 플레이트(400)의 제 1 플레이트 영역(410)에서 다층 나선형 프로브(100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 접촉 플레이트(400)는 접촉 플레이트(400)의 제 2 플레이트 영역(420)에서 검사 대상 반도체(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. The contact plate 400 according to an embodiment of the present disclosure may be disposed at one end of the multilayer helical probe 100. The contact plate 400 may be electrically connected to the multilayer helical probe 100 at the first plate region 410 of the contact plate 400 . The contact plate 400 may be electrically connected to a semiconductor to be inspected (not shown) in the second plate region 420 of the contact plate 400.

도 10을 참조하면, 접촉 플레이트(400)의 제 2 플레이트 영역(420)은 적어도 일부에서 검사 대상 반도체(미도시)가 배치되는 방향으로 돌출되는 형상을 포함할 수 있다. 제 2 플레이트 영역(420)이 포함하는 형상은 검사 대상 반도체(미도시)에 대응되는 형상일 수 있다. 도 10에서 제 2 플레이트 영역(420)은 삼각형 형상을 포함한 것으로 도시되어 있으나, 제 2 플레이트 영역(420)이 포함하는 형상은 이에 한정되지 않으며, 검사 대상 반도체(미도시)에 대응되는 형상으로 다양하게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 10 , at least a portion of the second plate area 420 of the contact plate 400 may include a shape that protrudes in the direction in which a semiconductor to be inspected (not shown) is disposed. The shape included in the second plate area 420 may be a shape corresponding to the semiconductor to be inspected (not shown). In FIG. 10, the second plate area 420 is shown as having a triangular shape, but the shape included by the second plate area 420 is not limited to this and may vary in shape corresponding to the semiconductor to be inspected (not shown). can be formed.

접촉 플레이트(400)는 검사 대상 반도체(미도시)가 다층 나선형 프로브(100)와 직접 연결되기 어려운 형상을 포함하는 경우, 검사 대상 반도체(미도시)와 다층 나선형 프로브(100)를 전기적으로 연결하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 접촉 플레이트(400)는 제 1 플레이트 영역(410)에서 다층 나선형 프로브(100)와 연결될 수 있고, 제 2 플레이트 영역(420)에서 검사 대상 반도체(미도시)와 대응되는 형상을 포함하여 검사 대상 반도체(미도시)와 연결될 수 있으므로, 다층 나선형 프로브(100)와 검사 대상 반도체(미도시)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. The contact plate 400 is used to electrically connect the semiconductor to be inspected (not shown) and the multilayer spiral probe 100 when the semiconductor to be inspected (not shown) has a shape that makes it difficult to connect directly to the multilayer spiral probe 100. can be used for For example, the contact plate 400 may be connected to the multi-layer spiral probe 100 in the first plate region 410 and has a shape corresponding to the semiconductor to be inspected (not shown) in the second plate region 420. Since it can be connected to the semiconductor to be inspected (not shown), the multi-layer spiral probe 100 and the semiconductor to be inspected (not shown) can be electrically connected.

본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 다층 나선형 프로브(100)의 타단에서 스페이스 트랜스포머(space transformer)(300)와 연결될 수 있다. 스페이스 트랜스포머(300)는 반도체(미도시) 검사를 위해 사용되는 인쇄 회로 기판(미도시)과 본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)를 전기적으로 연결하며, 인쇄 회로 기판(미도시)과 다층 나선형 프로브(100) 간의 피치(pitch) 차이를 변환시키는 역할을 할 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to an embodiment of the present disclosure may be connected to a space transformer 300 at the other end of the multilayer helical probe 100. The space transformer 300 electrically connects a printed circuit board (not shown) used to inspect a semiconductor (not shown) with the multilayer spiral probe 100 according to an embodiment of the present disclosure, and connects the printed circuit board (not shown) to the printed circuit board (not shown). ) and the multi-layer spiral probe 100 may serve to convert the pitch difference.

본 개시의 일 실시예에 따른 다층 나선형 프로브(100)는 스페이스 트랜스포머(space transformer)(300)와 직접 연결되거나, 별도의 연결 부재(310)를 이용하여 연결될 수 있다. 연결 부재(310)는 스페이스 트랜스포머(300)와 다층 나선형 프로브(100) 사이에 배치될 수 있으며, 스페이스 트랜스포머(300)와 다층 나선형 프로브(100)를 전기적으로 연결할 수 있다. The multilayer helical probe 100 according to an embodiment of the present disclosure may be directly connected to the space transformer 300 or may be connected using a separate connection member 310. The connection member 310 may be disposed between the space transformer 300 and the multilayer helical probe 100, and may electrically connect the space transformer 300 and the multilayer helical probe 100.

Claims (16)

프로브 카드에 있어서,
복수 개의 가이드 개구를 포함하는 가이드 부재; 및
상기 복수 개의 가이드 개구에 삽입되는 복수 개의 다층 나선형 프로브를 포함하며,
상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은
상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향으로 적층되는 복수 개의 나선 부재를 포함하며,
상기 복수 개의 나선 부재 각각은
지지부 개구를 포함하는 지지부;
상기 지지부의 일측과 타측에서 볼록한 형상으로 형성되는 결합 영역;
상기 지지부의 적어도 일부와 연결되며, 상기 지지부의 일면에서 멀어지는 방향으로 나선형으로 연장되는 나선부; 및
접촉부를 포함하며,
상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향을 기준으로, 상기 다층 나선형 프로브의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재는,
상기 최상층 나선 부재의 접촉부에 배치되며, 검사 대상 반도체와 전기적으로 연결되는 접촉 부재를 포함하며,
상기 가이드 개구는,
적어도 일부에 상기 결합 영역의 볼록한 형상과 대응되는 오목한 형상으로 형성되는 결합 홈을 포함하며,
상기 결합 영역은,
상기 가이드 개구의 상기 결합 홈에 배치되어 상기 나선 부재를 상기 가이드 개구에 고정하는 프로브 카드. In the probe card,
A guide member including a plurality of guide openings; and
It includes a plurality of multi-layer spiral probes inserted into the plurality of guide openings,
Each of the plurality of multilayer spiral probes
It includes a plurality of helical members stacked in the height direction of the multi-layer helical probe,
Each of the plurality of spiral members is
a support portion including a support opening;
a coupling region formed in a convex shape on one side and the other side of the support portion;
a spiral portion connected to at least a portion of the support portion and helically extending in a direction away from one surface of the support portion; and
Contains a contact part,
Based on the height direction of the multi-layer helical probe, the uppermost helical member laminated on the uppermost layer of the multi-layer helical probe is:
It is disposed at a contact portion of the uppermost spiral member and includes a contact member electrically connected to the semiconductor to be inspected,
The guide opening is,
At least a portion thereof includes a coupling groove formed in a concave shape corresponding to the convex shape of the coupling area,
The binding region is,
A probe card disposed in the coupling groove of the guide opening to secure the spiral member to the guide opening. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 접촉 부재는
상기 나선 부재의 높이 방향으로 길이를 지니는 막대 형상을 포함하는 프로브 카드. According to clause 1,
The contact member is
A probe card including a rod shape having a length in the height direction of the spiral member. 제 1항에 있어서,
상기 접촉 부재는
상기 나선 부재의 높이 방향으로 두께를 지니는 판 형상을 포함하는 프로브 카드. According to clause 1,
The contact member is
A probe card including a plate shape having a thickness in the height direction of the spiral member. 제 1항에 있어서,
상기 최상층 나선 부재는
상기 접촉 부재를 복수 개 포함하는 프로브 카드. According to clause 1,
The topmost spiral member is
A probe card including a plurality of the contact members. 제 1항에 있어서,
상기 복수 개의 나선 부재 각각은
탄성 재질을 포함하는 프로브 카드. According to clause 1,
Each of the plurality of spiral members is
Probe card containing elastic material. 제 1항에 있어서,
상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은
적어도 일부에 내마모성 재질을 포함하는 프로브 카드. According to clause 1,
Each of the plurality of multilayer spiral probes
A probe card containing at least a portion of a wear-resistant material. 제 1항에 있어서,
상기 복수 개의 나선 부재 각각은
상기 나선부의 폭이 나선 부재 중심에 가까울수록 작아지는 프로브 카드. According to clause 1,
Each of the plurality of spiral members is
A probe card in which the width of the spiral portion becomes smaller as it approaches the center of the spiral member. 인터포저에 있어서,
복수 개의 가이드 개구를 포함하는 복수 개의 가이드 부재; 및
상기 복수 개의 가이드 개구에 삽입되는 복수 개의 다층 나선형 프로브를 포함하며,
상기 복수 개의 가이드 부재 및 상기 복수 개의 다층 나선형 프로브는 대칭축을 중심으로 대칭되어 배치되며,
상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은
상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향으로 적층되는 복수 개의 나선 부재를 포함하며,
상기 복수 개의 나선 부재 각각은
지지부 개구를 포함하는 지지부;
상기 지지부의 일측과 타측에서 볼록한 형상으로 형성되는 결합 영역;
상기 지지부의 적어도 일부와 연결되며, 상기 지지부의 일면에서 멀어지는 방향으로 나선형으로 연장되는 나선부; 및
접촉부를 포함하며,
상기 다층 나선형 프로브의 높이 방향을 기준으로, 상기 다층 나선형 프로브의 최상층에 적층되는 최상층 나선 부재는
상기 최상층 나선 부재의 접촉부에 배치되며, 인쇄 회로 기판 혹은 집적 회로와 전기적으로 연결되는 접촉 부재를 포함하며,
상기 가이드 개구는,
상기 결합 영역의 볼록한 형상과 대응되는 오목한 형상으로 형성되는 결합 홈을 포함하며,
상기 결합 영역은,
상기 가이드 개구의 상기 결합 홈에 배치되어 상기 나선 부재를 상기 가이드 개구에 고정하는 인터포저. In the interposer,
A plurality of guide members including a plurality of guide openings; and
It includes a plurality of multi-layer spiral probes inserted into the plurality of guide openings,
The plurality of guide members and the plurality of multi-layer spiral probes are arranged symmetrically about a symmetry axis,
Each of the plurality of multilayer spiral probes
It includes a plurality of helical members stacked in the height direction of the multi-layer helical probe,
Each of the plurality of spiral members is
a support portion including a support opening;
a coupling region formed in a convex shape on one side and the other side of the support portion;
a spiral portion connected to at least a portion of the support portion and helically extending in a direction away from one surface of the support portion; and
Contains a contact part,
Based on the height direction of the multi-layer helical probe, the uppermost helical member laminated on the uppermost layer of the multi-layer helical probe is
It includes a contact member disposed at a contact portion of the uppermost spiral member and electrically connected to a printed circuit board or integrated circuit,
The guide opening is,
It includes a coupling groove formed in a concave shape corresponding to the convex shape of the coupling area,
The binding region is,
An interposer disposed in the coupling groove of the guide opening to secure the spiral member to the guide opening. 삭제delete 제 9항에 있어서,
상기 접촉 부재는
상기 나선 부재의 높이 방향으로 길이를 지니는 막대 형상을 포함하는 인터포저. According to clause 9,
The contact member is
An interposer comprising a rod shape having a length in the height direction of the spiral member. 제 9항에 있어서,
상기 접촉 부재는
상기 나선 부재의 높이 방향으로 두께를 지니는 판 형상을 포함하는 인터포저. According to clause 9,
The contact member is
An interposer comprising a plate shape having a thickness in the height direction of the spiral member. 제 9항에 있어서,
상기 최상층 나선 부재는
상기 접촉 부재를 복수 개 포함하는 인터포저. According to clause 9,
The topmost spiral member is
An interposer including a plurality of the contact members. 제 9항에 있어서,
상기 복수 개의 나선 부재 각각은
탄성 재질을 포함하는 인터포저. According to clause 9,
Each of the plurality of spiral members is
An interposer containing an elastic material. 제 9항에 있어서,
상기 복수 개의 다층 나선형 프로브 각각은
적어도 일부에 내마모성 재질을 포함하는 인터포저. According to clause 9,
Each of the plurality of multilayer spiral probes
An interposer comprising at least a portion of a wear-resistant material. 제 9항에 있어서,
상기 복수 개의 나선 부재 각각은
상기 나선부의 폭이 나선 부재 중심에 가까울수록 작아지는 인터포저. According to clause 9,
Each of the plurality of spiral members is
An interposer in which the width of the spiral portion becomes smaller as it approaches the center of the spiral member.

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