KR102640295B1 - 웨이퍼 검사 장치 - Google Patents

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후미타카 모로이시
마사토 카지나미
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Abstract

접합 웨이퍼의 접합 강도를 고정밀도로 측정할 수 있는 웨이퍼 검사 장치를 제공한다. 블레이드가 삽입되어 크랙이 발생한 접합 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀딩부; 적어도 2개의 파장의 광원을 갖는 조명부; 상기 접합 웨이퍼에 비치는 상기 크랙의 검출에 이용하는 상기 조명부의 광원을, 촬상 조건에 기초하여 선택하는 광원 조정부; 상기 광원의 파장에 감도를 가지고, 상기 광원의 파장에 대응하는 상기 촬상 조건을 이용하여 상기 접합 웨이퍼를 촬상하는 촬상부; 및 상기 촬상 조건 중 하나의 촬상 조건을 선택하고, 선택된 촬상 조건을 송신하여 촬상하는 상기 접합 웨이퍼의 화상으로부터 추출되는 블레이드 에지로부터 크랙 에지까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출하는 계산기;를 갖는 웨이퍼 검사 장치이다.

Description

웨이퍼 검사 장치{wafer measurement apparatus}
본 발명은 웨이퍼 검사 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스(device)의 고집적화 기술로서 반도체 디바이스를 3차원적으로 적층하는 기술이 제안되고 있다. 예컨대, 2장의 웨이퍼(wafer, 또는 반도체 웨이퍼)의 접합면(bonding surface)을 플라즈마 등으로 활성화시키고, 상하에 배치한 상태로 웨이퍼의 중심 부분을 눌러 접합한다. 여기서, 접합 강도(bonding strength)가 불충분한 경우, 접합 후의 웨이퍼 반송(또는 이송)시에 웨이퍼가 낙하되거나, 접합 후의 다이싱(dicing) 등의 반도체 디바이스 제조 공정에서 박리되는 경우가 발생하여 반도체 디바이스의 제조 수율이 악화된다. 그 때문에, 접합 강도를 측정할 필요가 있다.
종래의 접합 강도의 측정은 접합 웨이퍼에 블레이드(blade)를 삽입하고, 접합 웨이퍼 사이에 생긴 크랙(crack)을 적외선 파장대의 광원으로 비추어 관찰한다. 그리고, 블레이드와 크랙간의 거리, 웨이퍼 두께, 블레이드 두께, 및 영 계수(Young's modulus)로부터 접합 강도를 산출하는 것이 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
특허문헌 1: 중국특허출원 공개 제1648632호 명세서
그러나, 웨이퍼 재질에 따라 광의 흡수율 등이 달라지므로, 크랙의 관찰에 바람직한 조명의 파장이나 휘도가 다르다. 종래의 접합 강도 측정에서는 파장을 바꾸지 않고 관찰하기 때문에, 크랙을 관찰하는데 충분한 콘트라스트를 확보할 수 없어 접합 강도의 측정 정밀도가 저하되는 경우가 있었다.
따라서, 본 발명은 접합 웨이퍼의 접합 강도를 고정밀도로 측정할 수 있는 웨이퍼 검사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 형태는 블레이드가 삽입되어 크랙이 발생한 접합 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀딩부; 적어도 2개의 파장의 광원을 갖는 조명부; 상기 접합 웨이퍼에 비치는 상기 크랙의 검출에 이용하는 상기 조명부의 광원을 촬상 조건에 기초하여 선택하는 광원 조정부; 상기 광원의 파장에 감도를 가지고, 상기 광원의 파장에 대응하는 상기 촬상 조건을 이용하여 상기 접합 웨이퍼를 촬상하는 촬상부; 및 상기 촬상 조건 중 하나의 촬상 조건을 선택하고, 선택된 촬상 조건을 송신하여 촬상하는 상기 접합 웨이퍼의 화상으로부터 추출되는 블레이드 에지로부터 크랙 에지까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출하는 계산기를 갖는 웨이퍼 검사 장치이다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태는, 상기 웨이퍼 검사 장치로서, 상기 하나의 촬상 조건은 상기 촬상부가 촬상한 상기 접합 웨이퍼의 화상의 상기 촬상 조건에 대응하는 지표값을 산출하고, 산출된 상기 지표값이 나타내는 촬상 조건이다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태는, 상기 웨이퍼 검사 장치로서, 상기 계산기는 상기 촬상부 및 상기 광원 조정부에 대해 상기 촬상 조건을 송신하고, 상기 촬상부 및 상기 광원 조정부를 제어하는 촬상 제어부와, 상기 촬상부가 촬상한 상기 접합 웨이퍼의 화상에서, 상기 접합 웨이퍼와 상기 블레이드가 접하는 에지인 상기 블레이드 에지로부터 가장 멀고, 소정 이상의 화소를 갖는 에지인 상기 크랙 에지가 갖는 상기 촬상 조건에 대응하는 상기 지표값을 산출하고, 상기 지표값 중 피크치인 지표값으로 판정되는 추천 지표값을 산출하고, 상기 지표값 또는 상기 추천 지표값 중에서 소정 조건에 의해 지표값을 선택하는 지표값 산출부와, 상기 촬상 제어부가 상기 선택된 지표값이 나타내는 상기 촬상 조건을 송신하여 촬상하는 상기 접합 웨이퍼의 화상으로부터 추출되는 상기 블레이드 에지로부터 상기 크랙 에지까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 상기 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출하는 접합 강도 산출부를 갖는다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태는, 상기 웨이퍼 검사 장치로서, 상기 지표값은 상기 크랙 에지의 휘도 콘트라스트, 상기 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트, 또는 상기 크랙 에지를 검출할 때의 크랙 검출 재현성이다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태는, 상기 웨이퍼 검사 장치로서, 상기 촬상 제어부는 상기 조명부의 파장, 및 전류값을 변화시키는 상기 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어하고, 상기 지표값 산출부는 상기 촬상 조건 중 상기 조명부의 복수의 파장에 대해 구해지는 상기 추천 지표값을 복수개 산출하고, 산출된 상기 복수의 추천 지표값 중 상기 추천 지표값이 상기 크랙 에지의 휘도 콘트라스트, 또는 상기 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트인 경우, 상기 추천 지표값 중 가장 큰 추천 지표값을 선택하고, 상기 추천 지표값이 상기 크랙 에지를 검출할 때의 크랙 검출 재현성인 경우, 당해 크랙 검출 재현성의 높고 낮음에 대응하는 상기 추천 지표값 중 가장 작은 추천 지표값을 선택하고, 상기 촬상 제어부는 선택된 추천 지표값이 나타내는 상기 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어한다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태는, 상기 웨이퍼 검사 장치로서, 상기 지표값 산출부가 상기 추천 지표값을 상기 복수의 파장 중 적어도 하나의 파장에 대해 산출할 수 없는 경우, 상기 촬상 제어부는 상기 조명부의 복수의 파장 중 상기 추천 지표값을 산출하지 못한 파장에 대해 상기 촬상부의 노광 조건을 변화시키는 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어하고, 상기 지표값 산출부는 상기 촬상 조건 중 상기 촬상부의 노광 조건에 대응하는 복수의 지표값을 산출하고, 상기 지표값이 상기 크랙 에지의 휘도 콘트라스트, 또는 상기 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트인 경우, 상기 복수의 지표값, 및 상기 추천 지표값을 산출 가능한 경우의 추천 지표값을 포함하는 복수의 지표값 중 가장 큰 지표값을 선택하고, 상기 지표값이 상기 크랙 에지를 검출할 때의 크랙 검출 재현성인 경우, 상기 복수의 지표값, 및 상기 추천 지표값을 산출 가능한 경우의 추천 지표값을 포함하는 복수의 지표값 중 가장 작은 지표값을 선택하고, 상기 촬상 제어부는 선택된 지표값이 나타내는 상기 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어한다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태는, 상기 웨이퍼 검사 장치로서, 상기 조명부가 갖는 광원은 단파 적외선(short wave infrared) 파장 대역의 파장을 가질 수 있다.
본 발명은 촬상부가 촬상한 접합 웨이퍼의 화상(적어도 2개 이상의 파장에 기초하여 촬상된 접합 웨이퍼의 화상)에서 촬상 조건에 대응하는 지표값을 산출하고, 지표값이 나타내는 촬상 조건을 송신하여 촬상한 접합 웨이퍼의 화상으로부터 추출되는 블레이드 에지로부터 크랙 에지까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출하는 계산기를 갖는다. 이에 따라, 본 발명에 의하면, 접합 웨이퍼의 접합 강도를 고정밀도로 측정할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시한 지표값 산출부가 산출하는 크랙 에지의 휘도 콘트라스트를 지표값으로서 산출할 때의 산출 처리 플로우를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 도 2(e)에 도시한 화상 데이터를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 장치가 접합 강도를 산출할 때 실행하는 처리를 나타내는 흐름도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 장치의 구성예에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 장치(1)의 구성도이다.
구체적으로, 도 1에 도시한 웨이퍼 검사 장치(1)는 스테이지(10, 또는 웨이퍼 홀딩부), 조명(20, 또는 조명부), 조명 콘트롤러(30, 또는 광원 조정부), 촬상부(40), 및 계산기(50)를 가질 수 있다. 스테이지(10)는 접합 웨이퍼(100)를 홀딩한다.
스테이지(10)는 접합 웨이퍼(100)의 박리에 영향을 주지 않도록 접합 웨이퍼(100)의 전체면이 아닌 일부만을 홀딩하고, 접합 웨이퍼(100)의 박리 부분과 접점(접촉 부분)이 없도록 한다. 스테이지(10)는 접합 웨이퍼(100)를 홀딩할 수 있다면 스테이지(10)의 형상, 기구, 재질 등은 한정되지 않을 수 있다. 예컨대, 스테이지(10)는 척(정전척, 진공척 등)이나, 바이스(vise) 기구와 같이 접합 웨이퍼(100)를 끼우는 타입일 수도 있다.
접합 웨이퍼(100)는 웨이퍼 A와 웨이퍼 B가 접합되어 있을 수 있다. 또한, 웨이퍼 A와 웨이퍼 B의 재질이나 두께는 서로 다를 수도 있다. 다만, 본 실시 형태에서, 접합 웨이퍼(100)는 XY 평면에서 원형을 가지고 있고, Z 방향에 대해 소정의 두께(웨이퍼 A와 웨이퍼 B의 두께의 합계치)를 가질 수 있다.
접합 웨이퍼(100)는 도 1에 도시한 바와 같이 블레이드(200)가 웨이퍼 A와 웨이퍼 B와의 사이(Z=0으로 함)에 삽입되어 있다. 이에 따라, 접합 웨이퍼(100)는 부분적으로 박리되어 있다. 접합 웨이퍼(100)는 도 1에서 Y 좌표가 작은 값에서 큰 값 방향으로 부분적으로 박리되어 있다.
여기서, 도 1에서, Y 좌표의 큰 값으로 나타나 있는 접합 웨이퍼(100)의 박리면의 에지를 크랙 에지(CE)로 표시할 수 있다. 또한, 접합 웨이퍼(100)와 블레이드(200)가 접하는 에지를 블레이드 에지(BE)로 표시할 수 있다.
모터(300)는 블레이드(200)를 접합 웨이퍼(100)의 웨이퍼 삽입 방향, 즉 Y 방향으로 이동시킬 수 있다. 조명(20)은 단파 적외선 파장 대역의 복수의(적어도 2개의) 파장을 가질 수 있다. 조명(20)은, 예컨대, 1070nm, 1200nm, 1300nm, 및 1450nm의 4개의 파장의 LED(Light　Emitting　Diode；발광 다이오드)를 광원으로서 가질 수 있다. 조명(20)은 파장별로 회로가 나뉘고 파장마다 다른 전류값을 흘릴 수 있는 구성을 가질 수 있다.
조명(20)은 도 1에 도시한 바와 같이 스테이지(10)의 하측, 즉 Z＜0의 위치에 배치되고, 접합 웨이퍼(100)의 XY 평면에 웨이퍼 B측으로부터 LED 광원의 광을 조사할 수 있다. 조명 콘트롤러(30)는 계산기(50)가 송신하는 파장 설정값 및 전류 설정값(즉, 촬상 조건)에 기초하여 조명(20)이 파장별로 흘리는 전류값을 제어할 수 있다.
촬상부(40)는 카메라(40a)와 렌즈(40b)를 포함하여 구성될 수 있다. 카메라(40a)는 InGaAs 센서를 구비하고 단파 적외선 파장 대역에 감도를 가질 수 있다. 카메라(40a)는 단파 적외선 파장 대역에 대한 감도가 있다면 센서는 InGaAs 센서로 한정되지 않는다. 렌즈(40b)는 단파 적외선 파장 대역의 광을 투과할 수 있다.
촬상부(40)는 광원의 파장에 대응하는 촬상 조건을 이용하여 접합 웨이퍼(100)를 촬상한다. 여기서, 광원의 파장에 대응하는 촬상 조건은 촬상부(40)의 노광 시간 설정값(노광 조건) 및 게인(gain)을 포함하는 촬상 조건이다. 본 실시 형태에서는, 파장 설정값 및 전류 설정값(촬상 조건)과, 광원의 파장에 대응하는 노광 시간 설정값(노광 조건) 및 게인(gain)을 포함하는 촬상 조건을 접합 웨이퍼(100) 촬상시의 촬상 조건으로 하기로 한다.
계산기(50)는 촬상 제어부(50a), 지표값 산출부(50b), 및 접합 강도 산출부(50c)를 포함하여 구성된다. 계산기(50)는 일반적인 PC(퍼스널 컴퓨터)일 수 있다. 계산기(50)는 카메라(40a)와 GigE나 CameraLink 등의 통신 규격으로 연결되고, 카메라(40a)로부터의 촬상 화상을 받아들일 수 있다. 계산기(50)는 조명 콘트롤러(30)와는 Ethernet(등록 상표)이나 USB, RS－232 등의 통신 규격으로 연결될 수 있고 파장마다 흘리는 전류값을 설정할 수 있다.
촬상 제어부(50a)는 촬상부(40) 및 조명 콘트롤러(30, 또는 광원 조정부)에 대해 촬상 조건을 송신하고, 촬상부(40) 및 조명 콘트롤러(30)를 제어할 수 있다. 지표값 산출부(50b)는 촬상부(40)가 촬상한 접합 웨이퍼(100)의 화상에서, 접합 웨이퍼(100)와 블레이드(200)가 접하는 에지인 블레이드 에지(BE)로부터 가장 멀고, 소정 이상의 화소를 갖는 에지인 크랙 에지(CE)가 갖는 촬상 조건에 대응하는 지표값을 산출한다.
여기서, 지표값으로는, 크랙 에지(CE)의 휘도 콘트라스트(지표값1), 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트(지표값 2), 및 크랙 에지(CE) 검출시의 크랙 검출 재현성(지표값 3)의 3가지가 있다.
이러한 지표값 1~3의 계산 방법에 대해 이하에 (1)~(3)으로서 설명한다.
(1) 지표값 계산 방법 1(지표값 1：크랙 에지의 휘도 콘트라스트),
지표값 1의 계산 방법에 대해 도 2를 참조하면서 설명한다.
도 2는 도 1에 도시한 지표값 산출부(50b)가 산출하는 크랙 에지(CE)의 휘도 콘트라스트를 지표값으로서 산출할 때의 산출 처리 플로우를 설명하기 위한 개략도이다.
도 2(a)는 촬상부(40)로부터 지표값 산출부(50b)로 입력되는 입력 화상을 나타낸다. 도 2(b)는 입력 화상으로부터 에지 영역을 추출하고, 라벨링(칼러화)한 화상 데이터를 나타낸다.
도 2(c)는, 화상 데이터로부터 블레이드 에지(BE)를 검출한 영역을 나타내는 블레이드 에지(BE) 영역 데이터를 나타낸다. 도 2(d)는 화상 데이터로부터 크랙 에지(CE)를 검출한 영역을 나타내는 크랙 에지(CE) 영역 데이터를 나타낸다. 도 2(e)는, 입력 화상으로부터 휘도값의 구배 강도를 나타내는 화상 데이터를 나타낸다.
지표값 산출부(50b)는 도 2(a)에 도시한 입력 화상으로부터, 예컨대, 캐니법(Canny법, 또는 캐니 에지 검출법)을 이용하여 밝기(휘도) 변화가 큰 에지 화소를 추출하고, 인접하거나, 또는 근방에 있는 에지 화소끼리 연결한 화소군을 에지 영역으로 하였을 때, 각 에지 영역을 라벨링한다. 도 2(b)는, 라벨링을 도시하기 위해, 각 라벨에서 다른 색을 이용하여 칼러화한 화상 데이터를 나타낸다. 여기서, 에지 영역 중 어느 하나에는 크랙 에지(CE)나 블레이드 에지(BE)를 포함할 수 있다.
이어서, 지표값 산출부(50b)는, 도 2(b)에 도시한 화상 데이터로부터 블레이드 에지(BE)를 추출하고, 도 2(c)에 도시한 블레이드 에지(BE) 영역 데이터를 생성한다. 여기서는, 입력 화상에 대해 문턱값 처리법에 의해 바이너리(binary)화(2개의 값으로 처리)하고, 휘도가 작은 영역에 속하는 라벨의 에지 영역을 블레이드 에지(BE)로 한다. 또한, 당해 문턱값은 고정값일 수도 있고, 사용자가 설정한 값일 수도 있으며, 판별 분석법으로 구한 값일 수도 있다.
이어서, 지표값 산출부(50b)는, 도 2(b)에 도시한 화상 데이터로부터 크랙 에지(CE)를 추출하고, 도 2(d)에 도시한 크랙 에지(CE) 영역 데이터를 생성한다. 여기서는, 블레이드 에지(BE)로부터 가장 멀고, 소정 이상의 화소를 갖는 라벨의 에지 영역을 크랙 에지(CE)로 한다.
이상의 크랙 에지 검출 방법은 한정되지 않는다. 사용자가 마우스 등으로 크랙을 그대로 추종하여 크랙의 좌표를 설정할 수도 있고, 사용자가 웨이퍼 내의 크랙과 평탄부만을 둘러싸도록 관심 영역(ROI, Region　Of　Interest)를 설정함으로써 블레이드 검출이나 라벨링 처리를 생략할 수도 있으며, 심층 학습 등에 의해 크랙이 미리 설정된 데이터를 이용하여 학습된 식별기로 크랙을 검출할 수도 있다.
이어서, 지표값 산출부(50b)는, 도 2(a)에 도시한 입력 화상으로부터 휘도값의 구배 강도(콘트라스트(contrast)；대비)를 나타내는 화상 데이터(도 2(e)에 도시한 화상 데이터)를 생성한다.
여기서, 도 3을 참조하면서 도 2(e)에 도시한 화상 데이터에 대해 설명한다. 도 3은 도 2(e)에 도시한 화상 데이터를 설명하기 위한 개략도이다. 도 3에서, 도 3(a)는 도 2(a)에 해당하는 입력 화상을 나타낸다. 또한, 도 3(b)는 도 2(e)에 해당하는 구배 강도의 화상을 나타낸다.
또한, 도 3(c)는 도 3(a)의 A－A＇선 상의 휘도값 프로파일을 나타낸다. 또한, 도 3(d)는 도 3(b)의 B－B＇선 상의 휘도값 프로파일을 나타낸다. 또한, 도 3(c) 및 도 3(d)에서, 횡축은 Distance(pixels), 종축은 그레이값(Gray　Value)를 나타내고, A－A＇ 또는 B－B＇에 위치하는 각 화소가 갖는 휘도값(흑색에 대응하는 0으로부터 그레이(gray)에 대응하는 중간값을 거쳐 흰색에 대응하는 255까지의 값)을 나타내고 있다.
도 3(c)에 도시한 입력 화상의 밝기 변화가 큰 화소일수록, 도 3(b)의 구배 강도 화상에서는, 밝은(구배가 큰), 즉, 흰색 또는 중간값에 대응하는 휘도값을 갖는 화상(블레이드 에지(BE)측은 밝고, 크랙 에지(CE)측은 약간 어둡게 한 화상)이 되어 있다.
또한, 도 3(c)에 도시한 평탄부(휘도값 변화가 없는 부분)의 화소는, 도 3(b)의 구배 강도의 화상에서는, 어두운, 즉, 흑색에 대응하는 휘도값을 갖는 화상으로 되어 있다.
즉, 도 3(b)에서 나타내는 구배 강도의 화상(도 2(e)에 해당하는 구배 강도의 화상)은, 도 3(a)에서 나타내는 입력 화상(도 2(a)에 해당하는 입력 화상)의 휘도값 변화를 농담(濃淡)으로 나타내는 화상으로 되어 있다.
도 2로 돌아와서, 지표값 산출부(50b)는, 도 2(d)와 도 2(e)를 대조하여 크랙 에지(CE) 영역에 속하는 휘도값의 구배 강도를 지표값 1로서 산출한다.
다만, 휘도값이 소정치보다 높거나 또는 낮은 화소가 일정수 이상 있는 경우는 지표값의 계산 대상으로부터 제외한다. 화상이 너무 밝거나 또는 너무 어두운 경우는 검사에 적합하지 않으므로 지표값의 계산 대상으로부터 제외한다. 또한, 크랙 에지(CE)를 검출할 때, 소정 이상의 화소를 갖는 라벨이 없는 경우에도 제외한다. 크랙 에지(CE)가 비치지 않고, 에지 추출을 하더라도 노이즈나 먼지 밖에 추출되지 않는 경우에는 지표값의 계산 대상으로부터 제외한다.
(2) 지표값 계산 방법 2(지표값 2：웨이퍼 내의 콘트라스트)
지표값 2의 계산 방법에 대해 설명한다.
접합 웨이퍼(100) 내부의 휘도 콘트라스트를 지표값 2로서 구한다. 접합 웨이퍼(100) 내부 영역의 추출은, 문턱값 처리나, K－means 알고리즘법(또는 K-평균 알고리즘법)이나 Mean－shift 알고리즘법(또는 민시프트 알고리즘법) 등에 의한 영역 분할을 하고, 배경은 명(明), 블레이드는 암(暗), 웨이퍼는 증간 휘도를 갖는 특징으로부터 웨이퍼 영역을 구한다.
그 밖에, 사용자가 웨이퍼의 경계를 한정함으로써 웨이퍼 영역을 설정할 수도 있다. 오염(Contamination)이나, 블레이드 삽입 전부터 발생한 크랙이나, 보이드(Void) 등의 관찰 대상 크랙 이외에 크게 콘트라스트를 변화시키는 요인이 없는 경우, 지표값 2는 지표값 1과 비교하여 간편하게 지표값을 구할 수 있다.
(3) 지표값 계산 방법 3(지표값 3：크랙 검출 재현성)
지표값 3의 계산 방법에 대해 설명한다.
하나의 조건(파장, 전류)에 대해, 복수회 촬상하고, 지표값 계산 방법 1과 동일하게 크랙 에지(CE)를 구한다. 그리고, 복수회 촬상한 화상에서 크랙 에지의 불균일을 지표값 3으로서 구한다. 불균일은 크랙 에지(CE)의 좌표의 표준 편차나, 최대값과 최소값의 차이(최대값-최소값)로 구한다. 또는, 크랙 에지(CE)로부터 블레이드 에지(BE)까지의 거리의 불균일(좌표와 동일하게 표준 편차나, 최대값과 최소값의 차이(최대값-최소값)을 지표값 3으로 할 수도 있다.
추천 지표값 3이 작은 경우는, 크랙 검출 재현성이 높은 경우에 대응하고, 추천 지표값 3이 큰 경우는, 크랙 검출 재현성이 낮은 경우에 대응한다. 즉, 지표값 3의 크기는 크랙 검출 재현성의 높고 낮음에 대응한다.
또한, 지표값 산출부(50b)는 산출한 지표값중 피크치인 지표값으로 판정되는 추천 지표값을 산출한다. 구체적으로, 촬상 제어부(50a)는 조명 콘트롤러(30, 또는 광원 조정부) 및 촬상부(40)에 대해 촬상 조건을 송신하여 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)를 제어할 때, 파장 설정값 및 노광 시간 설정값을 고정하고, 복수의 전류 설정값을 변화시키는 전류값 루프에 의해 조명 콘트롤러(30)를 제어하고 있다.
촬상 제어부(50a)가 당해 전류값 루프에 의해 전류 설정값을 송신하고, 촬상부(40)가 촬상한 후, 지표값 산출부(50b)는 지표값(지표값 1~지표값 3중 어느 하나)를 산출한다(도 4를 참조하여 후술하는 스텝 S6에서의 동작).　
지표값 산출부(50b)는 이러한 복수의 전류 설정값에 대응하는 지표값이 산출된 후, 즉, 전류 루프를 끝낸 후, 지표값의 피크가 존재하였는지 여부를 판정한다(도 4를 참조하여 후술하는 스텝 S7에서의 동작).　
여기서, 피크가 존재한다는 것은, 횡축에 전류값, 종축에 지표값으로 한 그래프를 적었을 때 볼록 형상(지표값 1, 2의 경우), 또는 오목 형상(지표값 3의 경우)이 되는 것을 의미한다. 피크가 존재하지 않는 경우는, 평탄부만, 혹은 단순 증가 및 감소가 되는 경우, 또는 모든 전류값에서 지표값의 계산 대상으로부터 제외하는 경우를 의미한다.
여기서 지표값 산출부(50b)는 파장 설정값을 고정한 상태에서, 전류 설정값의 변화에 의한 휘도 변화 범위 내에 가장 양호한 지표값(추천 지표값)이 존재하였는지, 휘도의 변화가 더 필요한지를 판정한다.
그리고, 피크가 존재하지 않는 경우, 촬상 제어부(50a)는 파장 설정값 및 전류 설정값을 고정한 상태에서 촬상부(40)의 노광 시간(노광 조건)을 변화시키는 노광 시간 루프로 진행된다(도 4를 참조하여 후술하는 스텝 S8에서의 동작).　
한편, 피크가 존재하는 경우, 촬상 제어부(50a)는 모든 파장 설정값을 이용하여 촬상이 끝나지 않은 경우, 파장 설정값을 변화시켜 다른 파장 설정값에 고정시키고, 전류 설정값을 변화시키는 파장 루프 및 전류 루프로 진행된다. 또는, 지표값 산출부(50b)는 모든 파장 설정값에 대한 전류 루프가 종료한 경우, 추천 지표값 혹은 지표값 중에서 지표값을 선택하는 처리로 이행된다(도 4를 참조하여 후술하는 스텝 S11에서의 동작).　
그리고, 촬상 제어부(50a)는 조명 콘트롤러(30. 또는 광원 조정부) 및 촬상부(40)에 대해 선택된 지표값에 대응하는 촬상 조건을 송신하고, 촬상부(40)에 접합 웨이퍼(100)를 촬상시킨다(도 4를 참조하여 후술하는 스텝 S12에서의 동작).　
접합 강도 산출부(50c)는 촬상 제어부(50a)가 선택된 지표값에 대응하는 촬상 조건에 의해 촬상하는 접합 웨이퍼(100)의 화상으로부터 추출되는 블레이드 에지(BE)로부터 크랙 에지(CE)까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출한다(도 4를 참조하여 후술하는 스텝 S13에서의 동작).
여기서, 지표값 산출부(50b)는, 예컨대, 지표값 계산 방법 1과 동일한 방법으로 블레이드 영역을 추출한다. 그리고, 블레이드 영역 내의 에지에 대해 허프 변환(Hough transform)을 함으로써 직선을 구하고, 이 직선을 블레이드선(블레이드 에지(BE))으로 한다. 또한, 지표값 계산 방법 1과 동일한 방법으로 크랙 에지(CE)를 구하고, 블레이드 에지(BE)로부터 크랙 에지(CE)까지의 거리에, 커팅 에지의 길이를 더한 거리를 크랙 거리로 한다. 그리고, 크랙 거리와 접합 웨이퍼(100)의 두께, 블레이드(200)의 두께, 및 영 계수로부터 접합 강도를 산출한다.
이어서, 도 4를 참조하여 웨이퍼 검사 장치(1)에 의한 접합 강도의 산출에 대해 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 장치(1)가 접합 강도를 산출할 때 실행하는 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 스테이지(10)가 접합 웨이퍼(100)를 홀딩한다(스텝 S1).
이어서, 블레이드 삽입을 실행한다(스텝 S2). 구체적으로는, 모터(300)의 제어에 의해 블레이드(200)를 웨이퍼 삽입 방향(도 1에 도시한 Y 방향)으로 이동시켜 블레이드(200)를 접합 웨이퍼(100)에 대해 삽입하고, 접합 웨이퍼(100)의 일부를 박리시킨다. 또한, 접합 웨이퍼(100)가 완전히 박리된 경우나, 접합 강도가 강해 블레이드를 삽입할 수 없는 경우는 접합 강도 검사의 대상 외로 한다.
파장 루프를 개시한다(스텝 S3). 웨이퍼 검사 장치(1)는 파장 루프에서 다양한 파장에서의 촬상을 개시한다. 여기서, 촬상 제어부(50a)는 파장 설정값으로서 1070nm, 1200nm, 1300nm, 및 1450nm의 4개의 파장을 제어한다.
구체적으로, 촬상 제어부(50a)는 조명 콘트롤러(30)에 대해 파장 설정값(촬상 조건의 하나)을 송신한다. 조명 콘트롤러(30)는 파장 설정값에 대응되는 파장의 LED를 광원으로서 갖는 조명(20)으로부터, 파장 설정값에 대응되는 파장의 광을 접합 웨이퍼(100)에 대해 조사시킨다.
전류값 루프를 개시한다(스텝 S4). 웨이퍼 검사 장치(1)는 다양한 전류값에서의 촬상을 개시한다. 여기서 촬상 제어부(50a)는 전류 설정값으로서 LED가 안정적으로 점등되는 5mA로부터 LED의 최대 정격 전류값인 100mA까지 제어한다.
구체적으로 촬상 제어부(50a)는 조명 콘트롤러(30)에 대해 전류 설정값(촬상 조건의 하나)를 송신한다. 조명 콘트롤러(30)는 S3에 의해 고정된 파장 설정값에 대응되는 파장의 LED를 광원으로서 갖는 조명(20)으로부터, 파장 설정값마다 다른 전류 설정값에 대응되는 전류를 흘려 스텝 S3에 의해 고정된 파장 설정값에 대응되는 파장의 광을 접합 웨이퍼(100)에 대해 조사시킨다.
촬상을 실행한다(스텝 S5). 구체적으로 촬상 제어부(50a)는 촬상 조건으로서 파장 설정값 및 전류 설정값을 조명 콘트롤러(30)에 대해 송신하고, 조명 콘트롤러(30)를 제어한다. 조명 콘트롤러(30)는 송신되어 온 파장 설정값 및 전류 설정값에 기초하여 파장 설정값에 대응되는 파장의 광원을 선택하여 광을 접합 웨이퍼(100)에 조사시킨다.
또한, 촬상 제어부(50a)는 촬상 조건으로서 규정값의 노광 시간을 촬상부(40)의 카메라(40a)에 대해 송신하고, 촬상 시간을 제어한다. 즉, 촬상 제어부(50a)는 촬상 조건으로서 촬영 조건(파장 설정값, 전류 설정값, 노광 시간 설정값)을 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)로 송신하여 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)를 제어하여 접합 웨이퍼(100)의 화상을 촬상한다.
선택 지표값 계산을 실행한다(스텝 S6). 구체적으로 지표값 산출부(50b)는 촬상된 화상으로부터 후술하는 피크의 유무에 대한 판정(스텝 S7)을 행하는 경우에 스텝 S5에서 접합 웨이퍼(100)를 촬상하였을 때의 촬영 조건(파장 설정값, 전류 설정값, 노광 시간 설정값)에 대응하는 지표값을 산출한다. 이 지표값은 상술한 바와 같이, 지표값 1~3의 3개가 있다.
선택 지표값에 피크가 있는지 여부를 판정한다(스텝 S7). 구체적으로 지표값 산출부(50b)는 전류 루프를 끝낸 후에, 스텝 S5에서의 촬상에 이용한 촬상 조건(파장 설정값, 전류값 설정값 및 노광 시간 설정값)마다 스텝 S6에서 산출된 지표값중 피크치로 판정되는 지표값(추천 지표값)이 있는지 여부를 판정한다. 여기서, 추천 지표값에 대해서는 지표값 1~3의 3개 각각에 대응하여 3개 존재하는 것에 대해서는 상술하였으므로, 여기서는 그 설명은 생략한다.
추천 지표값이 존재하지 않는 경우(스텝 S7－아니오)는 스텝 S8로 진행되고, 존재하는 경우(스텝 S7－예)는 스텝 S3, 또는 스텝 S11로 진행된다. 여기서, 스텝 S3으로 진행된다는 것은, 스텝 S5에서의 접합 웨이퍼(100)의 촬상에 이용하는 촬상 조건(파장 설정값, 전류 설정값, 노광 시간 설정값)을 다음의 촬상 조건(다음의 파장 설정값, 전류 설정값, 노광 시간 설정값)으로 하기 위함이다. 또한, 스텝 S11로 진행된다는 것은, 모든 촬상 조건(파장 설정값, 전류값 설정값, 노광 시간 설정값)을 이용하여 접합 웨이퍼(100)의 촬상이 완료된 것을 의미한다.
스텝 S7에서, 추천 지표값이 존재하지 않는 경우(스텝 S7－아니오)는 노광 시간 루프를 개시한다(스텝 S8). 웨이퍼 검사 장치(1)는 노광 시간 루프에서, 스텝 S3에서 이용된 파장(추천 지표값을 산출하지 못한 파장)에 있어서, 다양한 노광 시간에서의 촬상을 개시한다. 노광 시간의 변화 범위는, 예컨대 카메라(40a)의 스펙으로부터 설정 가능한 범위로 한다.
구체적으로 촬상 제어부(50a)는 촬상부(40)에 있어서의 카메라(40a)에 대해 노광 시간 설정값(촬상 조건의 하나)를 송신한다. 카메라(40a)는 노광 시간 설정값에 대응되는 노광 시간에 의해 접합 웨이퍼(100)를 촬상한다.
촬상을 실행한다(스텝 S9). 구체적으로 촬상 제어부(50a)는 촬상 조건으로서 노광 시간을 촬상부(40)의 카메라(40a)에 대해 송신하고, 촬상 시간을 제어한다. 즉, 촬상 제어부(50a)는 촬상 조건으로서 촬영 조건(스텝 S3에서 이용된 파장 설정값, 스텝 S4에서 이용된 파장 설정값에 대응하는 전류 설정값, 노광 시간 설정값)을 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)로 송신하고, 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)를 제어하여 접합 웨이퍼(100)의 화상을 촬상한다.
선택 지표값 계산을 실행한다(스텝 S10). 구체적으로, 지표값 산출부(50b)는 촬상된 화상으로부터 후술하는 선택(스텝 S11)을 수행할 때 스텝 S9에서 접합 웨이퍼(100)를 촬상하였을 때의 촬영 조건(파장 설정값, 전류값 설정값, 노광 시간 설정값)에 대응하는 지표값을 산출한다. 이 지표값은 상술한 바와 같이, 지표값 1~3의 3개가 있다.
선택 처리를 실행한다(스텝 S11). 구체적으로, 지표값 산출부(50b)는 스텝 S6, 및 S10에서 산출된 지표값, 및 스텝 S7에서 산출된 추천 지표값중 지표값 1, 2의 경우는 지표값 및 추천 지표값중 최대가 되는 지표값을 선택하고, 지표값 3의 경우는 지표값 및 추천 지표값 중 최소가 되는 지표값을 선택한다.
여기서, 스텝 S7에서 추천 지표값을 산출할 수 있었다고 하는 것은, 스텝 S6에 있어서의 파장 설정값에 대응하는 복수개 산출된 지표값이 피크를 가지고 있었음을 나타내고, 추천 지표값을 산출할 수 없다는 것은, 스텝 S6에 있어서의 파장 설정값에 대응하는 복수개 산출된 지표값이 피크를 가지고 있지 않았음을 의미한다.
그 때문에, 상기 선택에 사용되는 스텝 S6 및 S10에서 산출된 지표값은 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 산출되지 않은 지표값을 나타낸다. 한편, 스텝 S7에서 산출된 추천 지표값은, 말 그대로 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 스텝 S7에서 산출된 추천 지표값을 가리킨다.
즉, 모든 촬영 조건(파장 설정값, 전류값 설정값, 노광 시간 설정값)에 있어서, 모든(본 실시 형태에서는 N=4개의) 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 존재하는 경우, N=3개의 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 존재하는 경우, N=2개의 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 존재하는 경우, N=1개의 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 존재하는 경우, 파장 설정값에 대응하는 추천 지표값이 하나도 존재하지 않은 경우의 5개의 케이스가 존재한다.
따라서, 지표값 산출부(50b)는 지표값 1, 2의 경우는 복수개 산출된 지표값 및 추천 지표값 중 최대가 되는 지표값을 선택하고, 지표값 3의 경우는 복수개 산출된 지표값 및 추천 지표값 중 최소가 되는 지표값을 선택하는 것으로 하였다. 즉, 지표값 산출부(50b)는 소정 조건에 의해, 지표값 및 추천 지표값 중 하나의 지표값을 선택한다. 이에 따라, 촬상한 접합 웨이퍼(100)에 있어서, 복수개 산출된 지표값 및 추천 지표값 중에서 가장 좋은 지표값(1개의 지표값)을 취득하는 것이 가능하다.
촬상을 실행한다(스텝 S12). 구체적으로, 촬상 제어부(50a)는 지표값 산출부(50b)가 스텝 S11에서 선택한 지표값이 나타내는 촬영 조건(파장 설정값, 전류값 설정값, 노광 시간 설정값)을 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)로 송신하고, 조명 콘트롤러(30) 및 촬상부(40)를 제어하여 접합 웨이퍼(100)의 화상을 촬상한다.
접합 강도 산출을 실행한다(스텝 S13). 구체적으로, 접합 강도 산출부(50c)는 촬상 제어부(50a)가 선택된 지표값(스텝 S11에서 지표값 산출부(50b)가 소정 조건에 의해 선택한 지표값)이 나타내는 촬상 조건을 송신하여 촬상하는 접합 웨이퍼(100)의 화상으로부터 추출되는 블레이드 에지(BE)로부터 크랙 에지(CE)까지의 거리에 커팅 에지의 길이를 더한 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출한다.
이상 설명한 웨이퍼 검사 장치(1)에서는 접합 웨이퍼(100)의 접합 강도를 고정밀도로 측정하는 것이 가능하다.
즉, 종래 기술에서는, 상기 설명에 있어서의 스텝 S3－S11가 없고(즉, 촬상 제어부(50a), 지표값 산출부(50b)가 없고), 어떠한 접합 웨이퍼에 대해서도 동일 파장의 조명 조건이 사용되었다. 그러나, 웨이퍼나 웨이퍼 상의 막의 재질이 바뀌면, 반사율이나 흡수율이 변화되어 크랙 영상이 악화되는 경우가 있었다. 본 발명에 의하면, 크랙의 콘트라스트(지표값 1, 2), 또는 크랙의 검출 성능(지표값 3)이 좋은 파장을 선택하여 검사하기 때문에, 어떠한 웨이퍼 재질이라도 크랙의 묘화 기능을 저하시키지 않고 접합 강도를 고정밀도로 검사할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하여 상술하였지만, 구체적인 구성은 본 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위의 설계 등도 포함된다.
예컨대, 상기 실시 형태에서는, 스텝 S4를 전류값 루프, 스텝 S8을 노광 시간 루프로 하였다. 본 스텝 S4를 노광 시간 루프, 스텝 S8을 전류값 루프로 할 수도 있다. 이 경우, 스텝 S5의 촬상에서는, 전류값은 규정값을 사용한다. 예컨대, 규정값을 최대 정격 전류라고 할 수 있다.
또한, 예컨대, 촬상부는 게인값 루프를 채용할 수도 있다. 게인값 루프는 전류값 루프 또는 노광 시간 루프의 대체일 수도 있고, 전류값 루프 또는 노광 시간 루프에 더하여 추가할 수도 있다. 전류값 루프, 노광 시간 루프 및 게인값 루프는 모두 화상의 밝기를 조정하기 위한 루프이고, 화상의 밝기를 조정하기 위해 채용하는 루프는 한정되지 않는다. 또한, 조명은 단파 근적외선 파장 대역을 포함하는 광대역인 광을 발하는 할로겐 램프나 LED를 가지고, 밴드 패스 필터를 이용하여 파장을 한정할 수도 있다.
1: 웨이퍼 검사 장치, 10: 스테이지(웨이퍼 홀딩부), 20: 조명(조명부), 30 조명 콘트롤러(광원 조정부), 40: 촬상부, 40a: 카메라, 40b: 렌즈, 50: 계산기, 50a 촬상 제어부, 50b: 지표값 산출부. 50c: 접합 강도 산출부. 100: 접합 웨이퍼. 200 블레이드, 300: 모터

Claims (7)

  1. 블레이드가 삽입되어 크랙이 발생한 접합 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀딩부;
    적어도 2개의 파장의 광원을 갖는 조명부;
    상기 접합 웨이퍼에 비치는, 상기 크랙의 검출에 이용하는 상기 조명부의 광원을 촬상 조건에 기초하여 선택하는 광원 조정부;
    상기 광원의 파장에 감도를 가지고, 상기 광원의 파장에 대응하는 상기 촬상 조건을 이용하여 상기 접합 웨이퍼를 촬상하는 촬상부; 및
    상기 촬상 조건중 하나의 촬상 조건을 선택하고, 선택된 촬상 조건을 송신하여 촬상하는 상기 접합 웨이퍼의 화상으로부터 추출되는 블레이드 에지로부터 크랙 에지까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출하는 계산기;를 갖는 웨이퍼 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나의 촬상 조건은 상기 촬상부가 촬상한 상기 접합 웨이퍼의 화상에서 상기 촬상 조건에 대응하는 지표값을 산출하고, 산출된 상기 지표값이 나타내는 촬상 조건인 웨이퍼 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 계산기는,
    상기 촬상부 및 상기 광원 조정부에 대해 상기 촬상 조건을 송신하고, 상기 촬상부 및 상기 광원 조정부를 제어하는 촬상 제어부;
    상기 촬상부가 촬상한 상기 접합 웨이퍼의 화상에서 상기 접합 웨이퍼와 상기 블레이드가 접하는 에지인 상기 블레이드 에지로부터 가장 멀고, 소정 이상의 화소를 갖는 에지인 상기 크랙 에지가 갖는 상기 촬상 조건에 대응하는 상기 지표값을 산출하고,
    상기 지표값중 피크치인 지표값으로 판정되는 추천 지표값을 산출하고,
    상기 지표값 또는 상기 추천 지표값 중에서 소정 조건에 의해 지표값을 선택하는 지표값 산출부; 및
    상기 촬상 제어부가 상기 선택된 지표값이 나타내는 상기 촬상 조건을 송신하여 촬상하는 상기 접합 웨이퍼의 화상으로부터 추출되는 상기 블레이드 에지로부터 상기 크랙 에지까지의 거리와 커팅 에지의 길이를 더한 거리인 상기 크랙 거리에 기초하여 접합 강도를 산출하는 접합 강도 산출부;를 갖는 웨이퍼 검사 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지표값은 상기 크랙 에지의 휘도 콘트라스트, 상기 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트, 또는 상기 크랙 에지를 검출할 때의 크랙 검출 재현성인 웨이퍼 검사 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 촬상 제어부는 상기 조명부의 파장, 및 전류값을 변화시키는 상기 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어하고,
    상기 지표값 산출부는 상기 촬상 조건 중 상기 조명부의 복수의 파장에 대해 구해지는 상기 추천 지표값을 복수개 산출하고,
    산출된 상기 복수의 추천 지표값중, 상기 추천 지표값이 상기 크랙 에지의 휘도 콘트라스트, 또는 상기 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트인 경우, 상기 추천 지표값중 가장 큰 추천 지표값을 선택하고,
    상기 추천 지표값이 상기 크랙 에지를 검출할 때의 크랙 검출 재현성인 경우, 당해 크랙 검출 재현성의 높고 낮음에 대응하는 상기 추천 지표값중 가장 작은 추천 지표값을 선택하고,
    상기 촬상 제어부는 선택된 추천 지표값이 나타내는 상기 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어하는 웨이퍼 검사 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 지표값 산출부가 상기 추천 지표값을 상기 복수의 파장 중 적어도 하나의 파장에 대해 산출할 수 없는 경우,
    상기 촬상 제어부는 상기 조명부의 복수의 파장중 상기 추천 지표값을 산출하지 못한 파장에 대해 상기 촬상부의 노광 조건을 변화시키는 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어하고,
    상기 지표값 산출부는 상기 촬상 조건중 상기 촬상부의 노광 조건에 대응하는 복수의 지표값을 산출하고,
    상기 지표값이 상기 크랙 에지의 휘도 콘트라스트, 또는 상기 접합 웨이퍼 내부의 휘도 콘트라스트인 경우, 상기 복수의 지표값, 및 상기 추천 지표값을 산출 가능한 경우의 추천 지표값을 포함하는 복수의 지표값 중 가장 큰 지표값을 선택하고,
    상기 지표값이 상기 크랙 에지를 검출할 때의 크랙 검출 재현성인 경우, 상기 복수의 지표값, 및 상기 추천 지표값을 산출 가능한 경우의 추천 지표값을 포함하는 복수의 지표값 중 가장 작은 지표값을 선택하고,
    상기 촬상 제어부는 선택된 지표값이 나타내는 상기 촬상 조건을 송신하여 상기 조명부 및 상기 촬상부를 제어하는 웨이퍼 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조명부가 갖는 광원은 단파 적외선 파장 대역의 파장인 웨이퍼 검사 장치.
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