KR102616693B1 - Substrate processing apparatus and method of purging gas supply pipes - Google Patents
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- 238000010926 purge Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 176
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L58/00—Protection of pipes or pipe fittings against corrosion or incrustation
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D1/00—Pipe-line systems
- F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
- F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
- F17D3/01—Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
[과제] 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법을 제공한다.
[해결 수단] 기판 처리 장치는 처리 챔버와, 가스 공급 배관과, 처리 가스 배관과, 퍼지 가스 배관과, 연동 개방부를 갖는다. 처리 챔버는 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버이다. 가스 공급 배관은 처리 챔버에 접속되고, 처리 챔버의 내부까지 연통하여 있는 배관이다. 처리 가스 배관은 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 퍼지 가스 배관은 제 1 밸브의 처리 챔버측에 있어서, 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 연동 개방부는 제 1 밸브가 폐쇄되어 있는 상태로, 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 제 2 밸브를 개방한다.[Problem] To provide a method for purging a substrate processing device and gas supply piping that can more safely open the processing chamber to the atmosphere while suppressing corrosion in the supply piping.
[Solution] A substrate processing apparatus has a processing chamber, a gas supply pipe, a processing gas pipe, a purge gas pipe, and an interlocking opening. The processing chamber is a processing chamber in which a substrate is processed using a corrosive processing gas. The gas supply pipe is a pipe connected to the processing chamber and communicating to the inside of the processing chamber. The processing gas pipe is connected to the gas supply pipe through a first valve, and the processing gas is introduced into the gas supply pipe. The purge gas pipe is connected to the gas supply pipe through the second valve on the processing chamber side of the first valve, and introduces the purge gas into the gas supply pipe. The interlocking opening portion opens the second valve in conjunction with the introduction of atmospheric air into the interior of the processing chamber with the first valve closed.
Description
본 개시는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method for purging a substrate processing device and a gas supply pipe.
기판 처리 장치에서는, 소자 형성에 관한 처리를 실행하기 위해서, 처리 챔버에 대해서, 종종 부식성의 처리 가스가 공급 배관을 통해서 공급된다. 기판 처리 장치는 정기적으로 실행되는 메인터넌스 시에 처리 챔버의 덮개가 개방되어서, 처리 챔버 내부가 대기에 노출된다. 이때, 처리 챔버에 연통하는 공급 배관 내에도 대기가 인입되고, 공급 배관 내에 잔류한 처리 가스가 대기 중의 수분과 반응하여, 예를 들면, HCl 등의 부식성의 물질을 생성한다. 이 부식성의 물질이 공급 배관 내를 부식시킴으로써, 파티클의 원인이 된다. 공급 배관 내의 부식을 억제하기 위해서, 처리 챔버의 덮개를 개방하는 대기 개방 전부터 퍼지 가스를 흘리는 것이 제안되고 있다.In a substrate processing apparatus, in order to perform processing related to element formation, a processing gas, which is often corrosive, is supplied to the processing chamber through a supply pipe. When maintenance is regularly performed in a substrate processing apparatus, the cover of the processing chamber is opened, and the inside of the processing chamber is exposed to the atmosphere. At this time, the atmosphere also enters the supply pipe communicating with the processing chamber, and the processing gas remaining in the supply pipe reacts with moisture in the atmosphere to generate corrosive substances such as HCl, for example. This corrosive substance corrodes the inside of the supply pipe and causes particles. In order to suppress corrosion in the supply piping, it has been proposed to flow a purge gas before opening the cover of the processing chamber to the atmosphere.
본 개시는 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법을 제공한다.The present disclosure provides a method for purging a substrate processing device and a gas supply pipe that can more safely open a processing chamber to the atmosphere while suppressing corrosion in the supply pipe.
본 개시의 일 태양에 의한 기판 처리 장치는, 처리 챔버와, 가스 공급 배관과, 처리 가스 배관과, 퍼지 가스 배관과, 연동 개방부를 갖는다. 처리 챔버는 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버이다. 가스 공급 배관은 처리 챔버에 접속되고, 처리 챔버의 내부까지 연통하여 있는 배관이다. 처리 가스 배관은 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 퍼지 가스 배관은 제 1 밸브의 처리 챔버측에 있어서, 이 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 연동 개방부는 제 1 밸브가 폐쇄되어 있는 상태로, 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 제 2 밸브를 개방한다.A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure has a processing chamber, a gas supply pipe, a processing gas pipe, a purge gas pipe, and an interlocking opening. The processing chamber is a processing chamber in which a substrate is processed using a corrosive processing gas. The gas supply pipe is a pipe connected to the processing chamber and communicating to the inside of the processing chamber. The processing gas pipe is connected to the gas supply pipe through a first valve, and the processing gas is introduced into the gas supply pipe. The purge gas pipe is on the processing chamber side of the first valve, is connected to this gas supply pipe through the second valve, and purge gas is introduced into the gas supply pipe. The interlocking opening portion opens the second valve in conjunction with the introduction of atmospheric air into the interior of the processing chamber with the first valve closed.
본 개시에 의하면, 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있다.According to the present disclosure, the processing chamber can be opened to the atmosphere more safely while suppressing corrosion in the supply pipe.
도 1은 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 있어서의 퍼지 지그의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 각 샤워 플레이트에 대한 퍼지 유량의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 퍼지 처리의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the purge jig in this embodiment.
Figure 3 is a diagram showing an example of purge flow rate for each shower plate.
Figure 4 is a flow chart showing an example of purge processing.
이하에, 개시하는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법의 실시형태에 대해서, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.Below, embodiments of the disclosed substrate processing apparatus and purge method for gas supply piping will be described in detail based on the drawings. In addition, the disclosed technology is not limited to the following embodiments.
기판 처리 장치의 메인터넌스에 있어서, 공급 배관 내의 부식을 억제하기 위해서, 처리 챔버의 덮개를 개방하는 대기 개방 전부터 공급 배관 내에 퍼지 가스를 공급하면, 처리 챔버 내가 양압(陽壓)이 되고 처리 챔버의 덮개의 개방과 함께 한 번에 내부의 퍼지 가스가 분출하여, 안전상 바람직하지 않은 경우가 있다. 한편, 처리 챔버의 덮개를 개방한 후에 공급 배관 내에 퍼지 가스를 공급하면, 공급 배관 내에 대기가 들어가 버려서, 공급 배관 내가 부식하는 경우가 있다. 그래서, 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방하는 것이 기대되고 있다.In the maintenance of a substrate processing device, in order to suppress corrosion in the supply pipe, a purge gas is supplied into the supply pipe before opening the cover of the processing chamber to the atmosphere, thereby creating a positive pressure inside the processing chamber and covering the processing chamber. Upon opening, the purge gas inside may be ejected at once, which may be undesirable for safety reasons. On the other hand, if purge gas is supplied into the supply pipe after opening the cover of the processing chamber, the atmosphere may enter the supply pipe, causing corrosion within the supply pipe. Therefore, it is expected to more safely open the processing chamber to the atmosphere while suppressing corrosion in the supply piping.
[기판 처리 장치(1)의 구성][Configuration of substrate processing device (1)]
도 1은 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)는 예를 들면, 플라즈마 처리 장치이며, 유도 결합 플라즈마(ICP)를 생성하고, 생성된 플라즈마를 이용하여, 직사각형상의 기판(G)에 대해, 에칭이나 애싱, 성막 등의 플라즈마 처리를 실시한다. 본 실시형태에 있어서, 기판(G)은 예를 들면, FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure. The substrate processing device 1 in the present embodiment is, for example, a plasma processing device that generates inductively coupled plasma (ICP) and uses the generated plasma to perform etching or etching on the rectangular substrate G. Plasma processing such as ashing and film forming is performed. In this embodiment, the substrate G is, for example, a glass substrate for FPD (Flat Panel Display).
기판 처리 장치(1)는 본체부(10) 및 제어 장치(20)를 갖는다. 본체부(10)는 예를 들면, 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄 등의 도전성 재료에 의해서 형성된 각통 형상의 기밀한 처리 챔버(30)를 갖는다. 처리 챔버(30)는 접지되어 있다. 처리 챔버(30)는 상부의 덮개(31)와, 하부의 본체(32)가, 복수의 샤워 플레이트(33)를 갖는 격벽(31a)에 의해 구획되어 있다. 격벽(31a)은 유전체창 또는 금속창을 갖는다. 격벽(31a)과 본체(32)로 둘러싸이는 공간이 처리실(32a)이 된다. 덮개(31)와 본체(32)는 통상시는 밀폐되어 있지만 A-A면으로 분할 가능하며, 메인터넌스 시에는, 덮개(31)측이 예를 들면, 상방향으로 이동하여 이탈함으로써, 본체(32) 내(처리실(32a))가 대기 개방된다.The substrate processing apparatus 1 has a main body 10 and a control device 20. The main body 10 has an airtight processing chamber 30 in the shape of a rectangular cylinder formed of, for example, a conductive material such as aluminum whose inner wall surface has been anodized. Process chamber 30 is grounded. The processing chamber 30 is divided into an upper cover 31 and a lower main body 32 by a partition 31a having a plurality of shower plates 33. The partition 31a has a dielectric window or a metal window. The space surrounded by the partition wall 31a and the main body 32 becomes the processing chamber 32a. The cover 31 and the main body 32 are normally sealed, but can be divided into A-A planes. During maintenance, the cover 31 side moves upward and breaks away, for example, so that the inside of the main body 32 is exposed. (Process chamber 32a) is opened to the atmosphere.
각 샤워 플레이트(33)에는, 각각 가스 공급 배관(34)이 접속된다. 각 가스 공급 배관(34)은 처리 챔버(30)의 외부로부터 공급되는 가스를 각 샤워 플레이트(33)에 도입하기 위한 배관이다. 가스 공급 배관(34)으로부터 샤워 플레이트(33)에 공급된 가스는, 샤워 플레이트(33) 내의 도시되지 않은 확산실에서 확산되고, 가스 토출 구멍(33a)으로부터 처리실(32a)로 공급된다.A gas supply pipe 34 is connected to each shower plate 33. Each gas supply pipe 34 is a pipe for introducing gas supplied from outside the processing chamber 30 into each shower plate 33 . The gas supplied to the shower plate 33 from the gas supply pipe 34 diffuses in a diffusion chamber (not shown) in the shower plate 33 and is supplied to the processing chamber 32a through the gas discharge hole 33a.
가스 공급 배관(34)은 제 1 밸브(35)를 거쳐서 처리 가스 배관(36)에 접속된다. 즉, 가스 공급 배관(34)은 처리 챔버(30)의 외부로부터 처리 챔버(30)의 내부의 샤워 플레이트(33)까지 연통하여 있다. 처리 가스 배관(36)은 FRC(Flow Ratio Controller)(37), 덮개측 밸브(38) 및 본체측 밸브(39)를 거쳐서, 처리 가스 공급부(40)에 접속되어 있다. FRC(37)는 처리 가스 공급부(40) 내의 MFC(Mass Flow Controller) 등의 유량 제어기에서 결정된 유량을 소정의 비율로 분배한다. 즉, 도시는 하지 않지만, 처리 가스 배관(36)은 덮개측 밸브(38)까지는 예를 들면, 1개이며, 덮개측 밸브(38)로부터 FRC(37)까지의 사이에서 복수의 처리 가스 배관(36)으로 분기한다. 분기한 각 처리 가스 배관(36)에는, 각각 FRC(37) 및 제 1 밸브(35)가 마련되고, 각 제 1 밸브(35)에, 각각의 가스 공급 배관(34)이 접속되어 있다. 각 가스 공급 배관(34)은 격벽(31a)의 상이한 영역에 위치하는 샤워 플레이트(33)에 각각 접속되고, 각 FRC(37)의 가스 배분을 조절하는 것에 의해서 처리 가스의 공급 분포를 제어할 수 있다. 덮개측 밸브(38) 및 본체측 밸브(39)는 덮개(31)를 개방하는 경우에 폐쇄함으로써, 처리 가스 배관(36)을 덮개(31)측과 본체(32)측으로 분할 가능하게 하기 위한 밸브이다.The gas supply pipe 34 is connected to the process gas pipe 36 via the first valve 35. That is, the gas supply pipe 34 communicates from the outside of the processing chamber 30 to the shower plate 33 inside the processing chamber 30. The processing gas pipe 36 is connected to the processing gas supply unit 40 via a flow ratio controller (FRC) 37, a cover side valve 38, and a main body side valve 39. The FRC 37 distributes the flow rate determined by a flow rate controller such as an MFC (Mass Flow Controller) in the processing gas supply unit 40 at a predetermined ratio. That is, although not shown, there is, for example, one process gas pipe 36 up to the cover side valve 38, and a plurality of process gas pipes from the cover side valve 38 to the FRC 37 ( 36). Each branched process gas pipe 36 is provided with an FRC 37 and a first valve 35, and each gas supply pipe 34 is connected to each first valve 35. Each gas supply pipe 34 is respectively connected to the shower plate 33 located in different areas of the partition wall 31a, and the supply distribution of the processing gas can be controlled by adjusting the gas distribution of each FRC 37. there is. The cover side valve 38 and the main body side valve 39 are valves that close when the cover 31 is opened, allowing the process gas pipe 36 to be divided into the cover 31 side and the main body 32 side. am.
처리 가스 공급부(40)는 가스 공급원, MFC 등의 유량 제어기, 및 밸브를 갖는다. 유량 제어기는 밸브가 개방된 상태로, 가스 공급원으로부터 공급된 처리 가스의 유량을 제어하고, 유량이 제어된 처리 가스를 처리 가스 배관(36)에 공급한다. 처리 가스는 예를 들면, O2 가스나, Cl2 가스, BCl3 가스라고 하는 염소계의 가스(부식성의 가스), 또는 이들의 혼합 가스 등이다. 또한, 처리 가스 공급부(40)는 마찬가지로 N2 가스 등의 불활성 가스를 처리 가스 배관(36)에 공급한다.The processing gas supply unit 40 has a gas supply source, a flow rate controller such as an MFC, and a valve. The flow rate controller controls the flow rate of the process gas supplied from the gas supply source with the valve open, and supplies the process gas with the controlled flow rate to the process gas pipe 36. The processing gas is, for example, a chlorine-based gas (corrosive gas) such as O2 gas, Cl2 gas, or BCl3 gas, or a mixture of these gases. Additionally, the processing gas supply unit 40 similarly supplies an inert gas such as N2 gas to the processing gas pipe 36.
각 제 1 밸브(35)의 샤워 플레이트(33)측의 각 가스 공급 배관(34)에는, 각각 제 2 밸브(41)를 거쳐서 각 퍼지 가스 배관(42)이 접속된다. 각 퍼지 가스 배관(42)은 플랜지(43)를 거쳐서 퍼지 지그(44)에 접속된다. 제 2 밸브(41)는 퍼지 가스 배관(42)으로부터 공급되는 퍼지 가스의 가스 공급 배관(34)으로의 공급/정지를 전환한다. 또한, 제 2 밸브(41)는 에어 구동 방식의 밸브이며, 메커니컬 밸브(45)를 거쳐서 구동용 배관(49)이 접속된다. 구동용 배관(49)은 퍼지 지그(44)에 접속되어 있다. 플랜지(43)는 각 퍼지 가스 배관(42)을 분할 가능하게 접속하기 위한 것이다. 각 퍼지 가스 배관(42)은 플랜지(43)에 있어서, 처리 챔버(30)측과 퍼지 지그(44)측으로 분할할 수 있다. 즉, 플랜지(43)는 메인터넌스 시에 퍼지 지그(44)를 접속하고, 퍼지 가스를 공급하는 메인터넌스 가스 포트이다.Each purge gas pipe 42 is connected to each gas supply pipe 34 on the shower plate 33 side of each first valve 35 via the second valve 41, respectively. Each purge gas pipe 42 is connected to the purge jig 44 via a flange 43. The second valve 41 switches supply/stop of the purge gas supplied from the purge gas pipe 42 to the gas supply pipe 34. Additionally, the second valve 41 is an air-driven valve, and the driving pipe 49 is connected to it via the mechanical valve 45. The driving pipe 49 is connected to the purge jig 44. The flange 43 is for connecting each purge gas pipe 42 in a split manner. Each purge gas pipe 42 can be divided into a processing chamber 30 side and a purge jig 44 side at the flange 43. That is, the flange 43 is a maintenance gas port to which the purge jig 44 is connected during maintenance and to supply purge gas.
메커니컬 밸브(45)는 기계적인 동작으로 개폐를 제어할 수 있는 밸브이다. 메커니컬 밸브(45)는 밸브부(46)와 검출부(47)를 갖는다. 밸브부(46)는 구동용 배관(49)으로부터 도입되는 퍼지 가스의 공급/정지를 전환함으로써, 제 2 밸브(41)의 개폐를 제어한다. 검출부(47)는 밸브부(46)의 개폐를 제어하는 스위치이며, 덮개(31)측에 마련된다. 검출부(47)와 대향하는 본체(32)측의 위치에는, 검출부(47)를 압하(壓下)하기 위한 블록(48)이 마련되어 있다. 덮개(31)가 폐쇄되어 있는 경우, 검출부(47)는 블록(48)과 접촉하여 압하되어 있는 상태이며, 밸브부(46)는 폐쇄된다. 한편, 덮개(31)가 개방되어 있는(덮개(31)가 본체(32)로부터 이탈하여 있는) 경우, 검출부(47)는 블록(48)으로부터 떨어지고, 압하되지 않은 상태가 되고, 밸브부(46)는 개방된다. 또한, 도 1에서는, 밸브부(46)와 검출부(47)가 떨어진 위치에 있도록 도시되어 있지만, 밸브부(46)와 검출부(47)는 일체화되어 있고, 밸브부(46)와 검출부(47)는 기계적으로 접속되어 있다. 또한, 구동용 배관(49)은 메커니컬 밸브(45)와 분리 가능하게 접속되어 있다.The mechanical valve 45 is a valve whose opening and closing can be controlled through mechanical operation. The mechanical valve 45 has a valve portion 46 and a detection portion 47. The valve unit 46 controls the opening and closing of the second valve 41 by switching the supply/stop of the purge gas introduced from the driving pipe 49. The detection unit 47 is a switch that controls the opening and closing of the valve unit 46 and is provided on the cover 31 side. At a position on the main body 32 side opposite to the detection unit 47, a block 48 is provided to push down the detection unit 47. When the cover 31 is closed, the detection unit 47 is in contact with the block 48 and is pressed down, and the valve unit 46 is closed. On the other hand, when the cover 31 is open (the cover 31 is separated from the main body 32), the detection unit 47 is separated from the block 48 and is in an unpressed state, and the valve unit 46 ) is open. In addition, in FIG. 1, the valve unit 46 and the detection unit 47 are shown at separate positions, but the valve unit 46 and the detection unit 47 are integrated, and the valve unit 46 and the detection unit 47 is mechanically connected. Additionally, the driving pipe 49 is separably connected to the mechanical valve 45.
퍼지 지그(44)는 퍼지 가스 공급 배관(50)을 거쳐서 퍼지 가스 공급부(51)에 접속되어 있다. 퍼지 가스 공급부(51)는 가스 공급원, MFC 등의 유량 제어기, 및 밸브를 갖는다. 유량 제어기는 밸브가 개방된 상태로, 가스 공급원으로부터 공급된 퍼지 가스의 유량을 제어하고, 유량이 제어된 퍼지 가스를 퍼지 가스 공급 배관(50)에 공급한다. 퍼지 가스는 예를 들면, 드라이 에어 등을 이용할 수 있다. 또한, 퍼지 지그(44)는 처리 챔버(30) 내의 클리닝을 위해서, 수증기를 공급 가능하게 해도 좋다.The purge jig 44 is connected to the purge gas supply unit 51 via the purge gas supply pipe 50. The purge gas supply unit 51 has a gas supply source, a flow rate controller such as an MFC, and a valve. The flow rate controller controls the flow rate of the purge gas supplied from the gas supply source with the valve open, and supplies the purge gas with the controlled flow rate to the purge gas supply pipe 50. The purge gas may be, for example, dry air. Additionally, the purge jig 44 may be capable of supplying water vapor for cleaning the inside of the processing chamber 30 .
본 명세서에서, 도 2를 이용하여 퍼지 지그(44)에 대해서 설명한다. 도 2는 본 실시형태에 있어서의 퍼지 지그의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 퍼지 지그(44)는 퍼지 가스 공급 배관(50)측으로부터 순서대로, 핸드 밸브(52), 레귤레이터(53), 복수의 유량계(55), 복수의 니들 밸브(56) 및 복수의 필터(57)를 갖고, 퍼지 지그(44) 밖의 플랜지(43)를 거쳐서 각 퍼지 가스 배관(42)에 접속되어 있다. 또한, 핸드 밸브(52)와 레귤레이터(53) 사이를 접속하는 배관으로부터 배관(49a)이 분기하고, 퍼지 지그(44) 밖의 구동용 배관(49)에 접속되어 있다. 또한, 퍼지 지그(44)는 덮개(31)를 개방하는 메인터넌스 시에 설치되고, 플랜지(43)를 거쳐서 처리 챔버(30)측의 각 퍼지 가스 배관(42)과, 퍼지 지그(44)측의 각 퍼지 가스 배관(42)이 접속된다. 게다가, 메인터넌스 시에는, 구동용 배관(49)도 메커니컬 밸브(45)에 접속된다. 또한, 퍼지 지그(44)는 통상시에 있어서도 기판 처리 장치(1)의 일부분으로서 설치되어 있어도 좋다.In this specification, the purge jig 44 will be described using FIG. 2. FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the purge jig in this embodiment. As shown in FIG. 2, the purge jig 44 includes, in order from the purge gas supply pipe 50 side, a hand valve 52, a regulator 53, a plurality of flow meters 55, and a plurality of needle valves 56. ) and a plurality of filters 57, and are connected to each purge gas pipe 42 via a flange 43 outside the purge jig 44. Additionally, a pipe 49a branches off from the pipe connecting the hand valve 52 and the regulator 53, and is connected to the drive pipe 49 outside the purge jig 44. In addition, the purge jig 44 is installed during maintenance to open the cover 31, and connects each purge gas pipe 42 on the processing chamber 30 side and the purge jig 44 side via the flange 43. Each purge gas pipe 42 is connected. Additionally, during maintenance, the driving pipe 49 is also connected to the mechanical valve 45. Additionally, the purge jig 44 may be installed as a part of the substrate processing apparatus 1 even under normal circumstances.
핸드 밸브(52)는 퍼지 가스 공급 배관(50)을 거쳐서 퍼지 가스 공급부(51)로부터 공급되는 퍼지 가스를 수동으로 개폐하는 밸브이다. 핸드 밸브(52)는 퍼지 지그(44)의 설치 후에, 각 퍼지 가스 배관(42) 및 구동용 배관(49)의 접속이 확인되면, 작업자에 의해서 개방된다. 레귤레이터(53)는 각 퍼지 가스 배관(42)에 공급하는 퍼지 가스의 압력을 조정한다. 압력계(54)는 레귤레이터(53)에 있어서의 압력을 계측한다. 레귤레이터(53)의 출력측의 배관(42a)은 분기하여 있고, 복수의 유량계(55)에 각각 접속한다. 각각의 유량계(55)는 각 퍼지 가스 배관(42)으로 출력하는 퍼지 가스의 유량을 계측한다. 니들 밸브(56)는 각 퍼지 가스 배관(42)의 유량을 조정한다. 필터(57)는 퍼지 가스 중의 미립자 등을 제거하기 위한 필터이다.The hand valve 52 is a valve that manually opens and closes the purge gas supplied from the purge gas supply unit 51 through the purge gas supply pipe 50. The hand valve 52 is opened by the operator after installation of the purge jig 44 and when the connection between each purge gas pipe 42 and the drive pipe 49 is confirmed. The regulator 53 adjusts the pressure of the purge gas supplied to each purge gas pipe 42. The pressure gauge 54 measures the pressure in the regulator 53. The pipes 42a on the output side of the regulator 53 are branched and connected to a plurality of flow meters 55, respectively. Each flow meter 55 measures the flow rate of purge gas output to each purge gas pipe 42. The needle valve 56 adjusts the flow rate of each purge gas pipe 42. The filter 57 is a filter for removing particulates, etc. in the purge gas.
본 명세서에서, 도 3을 이용하여 각 샤워 플레이트(33)에 대한 퍼지 가스의 유량의 일례를 설명한다. 도 3은 각 샤워 플레이트(33)에 대한 퍼지 유량의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3에 도시하는 가스 공급 배관(34a)은 복수의 가스 공급 배관(34) 중 하나를 발출(拔出)한 것이다. 가스 공급 배관(34a)은 게다가, 각 샤워 플레이트(33)에 접속되는 복수의 가스 공급 배관(34b)으로 분기한다. 도 3의 예에서는, 가스 공급 배관(34a)에 예를 들면, 52L/min의 퍼지 가스가 공급되면, 퍼지 가스는 가스 공급 배관(34b)의 각각에 균등하게 분배된다. 각 가스 공급 배관(34b)은 각 샤워 플레이트(33)에 6.5L/min의 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지 가스로서 드라이 에어를 이용하는 경우, 각 샤워 플레이트(33)에 대해서 5L/min 이상의 드라이 에어 퍼지를 실행할 수 있으면, 대기의 가스 공급 배관(34)으로의 침입을 억제할 수 있다. 따라서, 도 3의 예에서는, 가스 공급 배관(34, 34a, 34b) 내 및 샤워 플레이트(33) 내의 부식을 억제할 수 있다.In this specification, an example of the flow rate of the purge gas to each shower plate 33 will be explained using FIG. 3. FIG. 3 is a diagram showing an example of the purge flow rate for each shower plate 33. The gas supply pipe 34a shown in FIG. 3 is an outlet of one of the plurality of gas supply pipes 34. The gas supply pipe 34a further branches into a plurality of gas supply pipes 34b connected to each shower plate 33. In the example of FIG. 3 , when, for example, 52 L/min of purge gas is supplied to the gas supply pipe 34a, the purge gas is distributed equally to each of the gas supply pipes 34b. Each gas supply pipe 34b supplies purge gas at 6.5 L/min to each shower plate 33. When dry air is used as the purge gas, if dry air purge of 5 L/min or more can be performed for each shower plate 33, intrusion into the atmospheric gas supply pipe 34 can be suppressed. Therefore, in the example of FIG. 3, corrosion within the gas supply pipes 34, 34a, and 34b and within the shower plate 33 can be suppressed.
도 1의 설명으로 돌아온다. 덮개(31) 내에는, 안테나(60)가 설치되어 있다. 안테나(60)는 구리 등의 도전성이 높은 금속에 의해 환상이나 소용돌이 형상 등의 임의의 형상으로 형성되어 있다. 안테나(60)는 도시되지 않은 스페이서에 의해 격벽(31a)으로부터 이격되어 있다.Returning to the explanation of Figure 1. An antenna 60 is installed within the cover 31. The antenna 60 is made of a highly conductive metal such as copper and is formed into an arbitrary shape such as a ring or a swirl shape. The antenna 60 is spaced apart from the partition 31a by a spacer (not shown).
안테나(60)에는, 정합기(61)를 거쳐서 고주파 전원(62)이 접속되어 있다. 고주파 전원(62)은 정합기(61)를 거쳐서 안테나(60)에, 예를 들면, 13.56㎒의 주파수의 고주파 전력을 공급한다. 이에 의해, 안테나(60)의 하방에 있는 처리실(32a) 내에 유도 전계가 형성된다. 처리실(32a) 내에 형성된 유도 전계에 의해, 샤워 플레이트(33)로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화되고, 처리실(32a) 내에 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 고주파 전원(62) 및 안테나(60)는 플라즈마 생성 기구의 일례이다.A high-frequency power source 62 is connected to the antenna 60 via a matching device 61. The high-frequency power source 62 supplies high-frequency power with a frequency of, for example, 13.56 MHz to the antenna 60 via the matching device 61. As a result, an induced electric field is formed in the processing chamber 32a below the antenna 60. The processing gas supplied from the shower plate 33 is converted into plasma by the induced electric field formed within the processing chamber 32a, and an inductively coupled plasma is generated within the processing chamber 32a. The high-frequency power source 62 and antenna 60 are examples of plasma generation mechanisms.
본체(32)의 바닥부에는, 기판(G)을 탑재하는 탑재대(70)가 배치되어 있다. 탑재대(70)는 기판(G)의 형상에 대응한 사각판 형상 또는 사각 기둥 형상으로 형성되어 있다. 탑재대(70)의 상면에 있어서 기판(G)을 탑재하는 탑재면에는, 기판(G)을 보지하기 위한 정전 척(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 플라즈마 처리가 실행되고 있는 동안, 기판(G)은 탑재대(70)에 고정된다.At the bottom of the main body 32, a mounting table 70 for mounting the substrate G is disposed. The mounting table 70 is formed in a square plate shape or square pillar shape corresponding to the shape of the substrate G. On the upper surface of the mounting table 70, an electrostatic chuck (not shown) for holding the substrate G is formed on the mounting surface on which the substrate G is mounted, and while plasma processing is performed, the substrate ( G) is fixed to the mounting table (70).
탑재대(70)에는, 정합기(71) 및 고주파 전원(72)이 접속되어 있다. 고주파 전원(72)은 정합기(71)를 거쳐서 탑재대(70)에, 바이어스용의 고주파 전력을 공급한다. 고주파 전원(72)은 바이어스 전력 공급 기구의 일례이다. 정합기(71)를 거쳐서 탑재대(70)에 바이어스용의 고주파 전력이 공급되는 것에 의해, 탑재대(70)에 탑재된 기판(G)에 이온이 인입된다. 고주파 전원(72)에 의해서 탑재대(70)에 공급되는 고주파 전력의 주파수는, 예를 들면, 50㎑ 내지 10㎒의 범위의 주파수이며, 예를 들면, 6㎒이다. 또한, 탑재대(70)에는, 도시는 되지 않지만 전열 가스를 공급하기 위한 배관, 온도 조절 기구 및 리프트 핀 등이 마련되어 있다.A matching device 71 and a high-frequency power source 72 are connected to the mounting table 70. The high-frequency power supply 72 supplies high-frequency power for bias to the mounting table 70 via the matching device 71. The high frequency power supply 72 is an example of a bias power supply mechanism. When high-frequency power for bias is supplied to the mounting table 70 via the matching device 71, ions are introduced into the substrate G mounted on the mounting table 70. The frequency of the high-frequency power supplied to the mounting table 70 by the high-frequency power source 72 is, for example, a frequency in the range of 50 kHz to 10 MHz, for example, 6 MHz. Additionally, although not shown, the mounting table 70 is provided with pipes for supplying heat transfer gas, a temperature control mechanism, lift pins, etc.
본체(32)의 측면에는, 기판(G)을 반출입하기 위한 도시되지 않은 개구 및 게이트 밸브가 마련되어 있다. 또한, 본체(32)의 바닥부의 외주측에는, 복수의 배기구(73)가 형성되어 있다. 각 배기구(73)에는, 각각 배기관(74) 및 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(75)를 거쳐서, 진공 펌프(76)가 접속되어 있다. 진공 펌프(76)에 의해 처리실(32a) 내가 배기되고, APC 밸브(75)의 개방도가 조정되는 것에 의해, 처리실(32a) 내의 압력이 소정의 압력으로 유지된다.On the side of the main body 32, an opening (not shown) and a gate valve for loading and unloading the substrate G are provided. Additionally, a plurality of exhaust ports 73 are formed on the outer peripheral side of the bottom of the main body 32. A vacuum pump 76 is connected to each exhaust port 73 via an exhaust pipe 74 and an APC (Auto Pressure Controller) valve 75, respectively. The inside of the processing chamber 32a is evacuated by the vacuum pump 76, and the opening degree of the APC valve 75 is adjusted to maintain the pressure in the processing chamber 32a at a predetermined pressure.
제어 장치(20)는 메모리, 프로세서, 및 입출력 인터페이스를 갖는다. 제어 장치(20) 내의 프로세서는 제어 장치(20) 내의 메모리에 격납된 프로그램을 읽어내서 실행하는 것에 의해, 제어 장치(20)의 입출력 인터페이스를 거쳐서 본체부(10)의 각 부를 제어한다.The control device 20 has a memory, a processor, and an input/output interface. The processor in the control device 20 controls each part of the main body 10 via the input/output interface of the control device 20 by reading and executing the program stored in the memory in the control device 20.
[가스 공급 배관의 퍼지 방법][Purge method for gas supply piping]
다음에, 본 실시형태에 있어서의 가스 공급 배관의 퍼지 방법에 대해서 설명한다. 도 4는 퍼지 처리의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 4에서는, 덮개(31)의 상부에 퍼지 지그(44)를 설치하고, 각 퍼지 가스 배관(42) 및 구동용 배관(49)을 처리 챔버(30)측에 접속하고, 퍼지 가스 공급 배관(50)을 퍼지 가스 공급부(51)에 접속한 상태로부터 설명을 개시한다.Next, the purge method of the gas supply pipe in this embodiment will be described. Figure 4 is a flow chart showing an example of purge processing. In FIG. 4, the purge jig 44 is installed on the top of the cover 31, each purge gas pipe 42 and the drive pipe 49 are connected to the processing chamber 30, and the purge gas supply pipe ( The explanation starts from the state in which 50) is connected to the purge gas supply unit 51.
제어 장치(20)는 처리 가스 공급부(40)로부터 가스 공급 배관(34)에, N2 가스를 공급시킨다(단계(S1)). N2 가스는 처리 가스 배관(36) 및 제 1 밸브(35)를 경유하여 가스 공급 배관(34)에 도입된다. 다음에, 제어 장치(20)는 제 1 밸브(35)를 폐쇄하고(단계(S2)), N2 가스의 공급을 정지시킨다. 즉, 처리 가스 배관(36)에 N2 가스가 봉입된 상태가 된다. 또한, 제어 장치(20)는 덮개측 밸브(38) 및 본체측 밸브(39)를 폐쇄한다. 그 후, 작업자에 의해서 기판 처리 장치(1)의 전원이 꺼진다. 이때, 퍼지 지그(44)는 각 퍼지 가스 배관(42) 및 구동용 배관(49)에 퍼지 가스를 공급하고 있는 상태이다.The control device 20 supplies N2 gas from the processing gas supply unit 40 to the gas supply pipe 34 (step S1). N2 gas is introduced into the gas supply pipe 34 via the process gas pipe 36 and the first valve 35. Next, the control device 20 closes the first valve 35 (step S2) and stops the supply of N2 gas. That is, N2 gas is sealed in the processing gas pipe 36. Additionally, the control device 20 closes the cover side valve 38 and the main body side valve 39. Afterwards, the power of the substrate processing apparatus 1 is turned off by the operator. At this time, the purge jig 44 is supplying purge gas to each purge gas pipe 42 and the driving pipe 49.
기판 처리 장치(1)의 전원이 꺼진 상태로, 작업자에 의해 덮개(31)가 본체(32)로부터 이탈되고, 처리 챔버(30)의 내부에 대기가 도입된다. 즉, 처리실(32a)이 대기 개방된다. 메커니컬 밸브(45)는 검출부(47)에서 덮개(31)의 본체(32)로부터의 이탈을 검출하고, 밸브부(46)를 개방한다. 제 2 밸브(41)는 밸브부(46)가 개방되어서 공급되는 퍼지 가스에 의해 개방된다. 제 2 밸브(41)가 개방되면, 각 퍼지 가스 배관(42)의 퍼지 가스는 가스 공급 배관(34)에 공급된다. 즉, 처리 챔버(30)의 대기 개방에 연동하여, 가스 공급 배관(34)에 퍼지 가스가 공급된다(단계(S3)).With the substrate processing apparatus 1 turned off, the cover 31 is separated from the main body 32 by an operator, and air is introduced into the processing chamber 30. That is, the processing chamber 32a is opened to the atmosphere. The mechanical valve 45 detects separation of the cover 31 from the main body 32 at the detection unit 47 and opens the valve unit 46. The second valve 41 is opened by purge gas supplied when the valve unit 46 is opened. When the second valve 41 is opened, the purge gas in each purge gas pipe 42 is supplied to the gas supply pipe 34. That is, in conjunction with the opening of the processing chamber 30 to the atmosphere, the purge gas is supplied to the gas supply pipe 34 (step S3).
가스 공급 배관(34)에 공급된 퍼지 가스는, 샤워 플레이트(33)의 가스 토출 구멍(33a)으로부터 계속 토출되므로, 가스 공급 배관(34) 내로의 대기의 침입을 저지하고, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제할 수 있다. 또한, 가스 공급 배관(34)으로의 퍼지 가스의 공급은, 사람의 손을 거치지 않고 처리 챔버(30)의 대기 개방에 연동하여 개시되기 때문에, 대기 개방시에 처리 챔버(30) 내가 양압이 되지 않고, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있다.The purge gas supplied to the gas supply pipe 34 continues to be discharged from the gas discharge hole 33a of the shower plate 33, thereby preventing atmospheric air from entering the gas supply pipe 34 and ) can suppress corrosion within. In addition, since the supply of purge gas to the gas supply pipe 34 is started in conjunction with the opening of the processing chamber 30 to the atmosphere without human intervention, the inside of the processing chamber 30 does not become a positive pressure when the processing chamber 30 is opened to the atmosphere. Therefore, the processing chamber can be opened to the atmosphere more safely.
이상, 각 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치(1)는 처리 챔버(30)와, 가스 공급 배관(34)과, 처리 가스 배관(36)과, 퍼지 가스 배관(42)과, 연동 개방부(메커니컬 밸브(45))를 갖는다. 처리 챔버(30)는, 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판(G)에 처리를 실시하는 처리 챔버이다. 가스 공급 배관(34)은 처리 챔버(30)에 접속되고, 처리 챔버(30)의 내부까지 연통하여 있는 배관이다. 처리 가스 배관(36)은 가스 공급 배관(34)에 제 1 밸브(35)를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입한다. 퍼지 가스 배관(42)은 제 1 밸브(35)의 처리 챔버(30)측에 있어서, 가스 공급 배관(34)에 제 2 밸브(41)를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입한다. 연동 개방부는 제 1 밸브(35)가 폐쇄되어 있는 상태로, 처리 챔버(30)의 내부로의 대기 도입과 연동하여 제 2 밸브(41)를 개방한다. 그 결과, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버(30)를 대기 개방할 수 있다.As described above, according to each embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes a processing chamber 30, a gas supply pipe 34, a processing gas pipe 36, a purge gas pipe 42, and an interlocking opening ( It has a mechanical valve (45). The processing chamber 30 is a processing chamber in which the substrate G is processed using a corrosive processing gas. The gas supply pipe 34 is connected to the processing chamber 30 and is a pipe that communicates to the inside of the processing chamber 30. The processing gas pipe 36 is connected to the gas supply pipe 34 via the first valve 35, and introduces the processing gas into the gas supply pipe 34. The purge gas pipe 42 is on the processing chamber 30 side of the first valve 35 and is connected to the gas supply pipe 34 via the second valve 41, and supplies purge gas to the gas supply pipe 34. introduced in. The interlocking opening portion opens the second valve 41 in conjunction with the introduction of atmospheric air into the interior of the processing chamber 30 while the first valve 35 is closed. As a result, the processing chamber 30 can be opened to the atmosphere more safely while suppressing corrosion in the gas supply pipe 34.
또한, 본 실시형태에 의하면, 처리 챔버(30)는 본체(32)와 덮개(31)에 의해 밀폐되어 구성된다. 또한, 대기 도입은 덮개(31)를 본체(32)로부터 이탈시킴으로써, 처리 챔버(30)의 내부에 대기를 도입한다. 그 결과, 덮개(31)를 본체(32)로부터 이탈시킨 타이밍에서, 처리 챔버(30)를 대기 개방할 수 있다.Additionally, according to this embodiment, the processing chamber 30 is configured to be sealed by the main body 32 and the cover 31. Additionally, the atmosphere is introduced into the processing chamber 30 by removing the cover 31 from the main body 32. As a result, the processing chamber 30 can be opened to the atmosphere at the timing when the cover 31 is removed from the main body 32.
또한, 본 실시형태에 의하면, 연동 개방부는 덮개(31)가 본체(32)로부터 이탈하는 것에 기반하여, 제 2 밸브(41)를 개방한다. 그 결과, 덮개(31)를 본체(32)로부터 이탈시킨 타이밍에서, 가스 공급 배관(34)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다.Additionally, according to this embodiment, the interlocking opening portion opens the second valve 41 based on the cover 31 being separated from the main body 32. As a result, the purge gas can be supplied to the gas supply pipe 34 at the timing when the cover 31 is removed from the main body 32.
또한, 본 실시형태에 의하면, 연동 개방부는 덮개(31)의 본체(32)로부터의 이탈을 메커니컬 밸브(45)에 의해 검출하고, 메커니컬 밸브(45)에 접속된 구동용 배관(49)에 퍼지 가스 배관(42)으로부터 분기하여 공급되는 퍼지 가스에 의해, 제 2 밸브(41)를 개방한다. 그 결과, 기판 처리 장치(1)의 전원이 꺼진 상태에서도, 가스 공급 배관(34)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다.Furthermore, according to this embodiment, the interlocking opening detects separation of the cover 31 from the main body 32 by the mechanical valve 45, and purges the driving pipe 49 connected to the mechanical valve 45. The second valve 41 is opened by the purge gas supplied by branching from the gas pipe 42. As a result, the purge gas can be supplied to the gas supply pipe 34 even when the substrate processing apparatus 1 is turned off.
또한, 본 실시형태에 의하면, 퍼지 가스는 드라이 에어이다. 그 결과, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제할 수 있다. 또한, 대기 개방시에 퍼지 가스를 계속 공급해도 작업자에게 영향을 미치지 않는다.Additionally, according to this embodiment, the purge gas is dry air. As a result, corrosion within the gas supply pipe 34 can be suppressed. Additionally, continuous supply of purge gas when open to the atmosphere does not affect the operator.
또한, 본 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 가스 공급 배관의 퍼지 방법은, 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판(G)에 처리를 실시하는 처리 챔버(30)에 접속된 가스 공급 배관(34)에 제 1 밸브(35)를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입하는 처리 가스 배관(36)의 제 1 밸브(35)를 폐쇄하는 공정과, 제 1 밸브(35)의 처리 챔버(30)측에 있어서, 가스 공급 배관(34)에 제 2 밸브(41)를 거쳐서 접속되는 퍼지 가스 배관(42)의 제 2 밸브(41)를, 처리 챔버(30)의 내부로의 대기 도입과 연동하여 개방하고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입하는 공정을 갖는다. 그 결과, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버(30)를 대기 개방할 수 있다.In addition, according to the present embodiment, the method of purging the gas supply pipe in the substrate processing apparatus 1 is connected to the processing chamber 30 that processes the substrate G with a corrosive processing gas internally. A process of closing the first valve (35) of the process gas pipe (36), which is connected to the gas supply pipe (34) via the first valve (35) and introduces the process gas into the gas supply pipe (34); On the processing chamber 30 side of the first valve 35, the second valve 41 of the purge gas pipe 42 connected to the gas supply pipe 34 via the second valve 41 is connected to the processing chamber. There is a process of opening in conjunction with the introduction of atmospheric air into the interior of 30 and introducing purge gas into the gas supply pipe 34. As a result, the processing chamber 30 can be opened to the atmosphere more safely while suppressing corrosion in the gas supply pipe 34.
또한, 상기한 실시형태에서는, 플라즈마원의 일례로서, 유도 결합형의 기판 처리 장치로서 설명했지만, 다른 플라즈마원을 구비한 기판 처리 장치여도 좋다. 유도 결합 플라즈마 이외의 플라즈마원으로서는, 예를 들면, 용량 결합형 플라즈마(CCP), 마이크로파 여기 표면파 플라즈마(SWP), 전자 사이크로톤 공명 플라즈마(ECP), 및 헬리콘파 여기 플라즈마(HWP) 등을 들 수 있다.In addition, in the above-described embodiment, an inductively coupled substrate processing apparatus was described as an example of the plasma source, but a substrate processing apparatus provided with another plasma source may be used. Examples of plasma sources other than inductively coupled plasma include capacitively coupled plasma (CCP), microwave excited surface wave plasma (SWP), electron cycloton resonance plasma (ECP), and helicon wave excited plasma (HWP). there is.
금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시형태는 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형체로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.The embodiment disclosed this time should be considered as an example in all respects and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the appended claims and the general spirit thereof.
1 : 기판 처리 장치
10 : 본체부
20 : 제어 장치
30 : 처리 챔버
31 : 덮개
31a : 격벽
32 : 본체
32a : 처리실
33 : 샤워 플레이트
34 : 가스 공급 배관
35 : 제 1 밸브
36 : 처리 가스 배관
40 : 처리 가스 공급부
41 : 제 2 밸브
42 : 퍼지 가스 배관
43 : 플랜지
44 : 퍼지 지그
45 : 메커니컬 밸브
49 : 구동용 배관
50 : 퍼지 가스 공급 배관
51 : 퍼지 가스 공급부
60 : 안테나
61, 71 : 정합기
62, 72 : 고주파 전원
70 : 탑재대
G : 기판1: Substrate processing device
10: main body
20: control device
30: processing chamber
31: cover
31a: bulkhead
32: main body
32a: processing room
33: shower plate
34: Gas supply pipe
35: first valve
36: Process gas piping
40: Process gas supply unit
41: second valve
42: purge gas pipe
43: flange
44: Fuzzy jig
45: mechanical valve
49: Driving pipe
50: Purge gas supply pipe
51: purge gas supply unit
60: Antenna
61, 71: matcher
62, 72: high frequency power
70: Mounting stand
G: substrate
Claims (6)
상기 처리 챔버에 접속되고, 상기 처리 챔버의 내부까지 연통하여 있는 가스 공급 배관과,
상기 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 상기 처리 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 처리 가스 배관과,
상기 제 1 밸브의 상기 처리 챔버 측에 있어서, 상기 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 퍼지 가스 배관과,
상기 제 1 밸브가 폐쇄되어 있는 상태로, 상기 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 상기 제 2 밸브를 개방하는 연동 개방부를 갖고,
상기 연동 개방부는, 상기 처리 챔버가 대기 개방되는 것을 검출하도록 구성되고, 또한 상기 처리 챔버의 대기 개방과 동시에 상기 제 2 밸브를 개방하도록 구성되는
기판 처리 장치.a processing chamber internally configured to process a substrate using a corrosive processing gas;
a gas supply pipe connected to the processing chamber and communicating to the interior of the processing chamber;
a process gas pipe connected to the gas supply pipe through a first valve and introducing the process gas into the gas supply pipe;
a purge gas pipe connected to the gas supply pipe via a second valve on the processing chamber side of the first valve and configured to introduce a purge gas into the gas supply pipe;
an interlocking opening that opens the second valve in conjunction with introduction of atmospheric air into the interior of the processing chamber, with the first valve closed;
The interlocking opening portion is configured to detect that the processing chamber is opened to the atmosphere, and is configured to open the second valve simultaneously with opening the processing chamber to the atmosphere.
Substrate processing equipment.
상기 처리 챔버는 본체와 덮개에 의해 밀폐되어 구성되고,
상기 대기 도입은 상기 덮개를 상기 본체로부터 이탈시킴으로써, 상기 처리 챔버의 내부에 대기를 도입하는
기판 처리 장치.According to claim 1,
The processing chamber is sealed and configured by a body and a cover,
The atmospheric introduction introduces atmospheric air into the interior of the processing chamber by removing the cover from the main body.
Substrate processing equipment.
상기 연동 개방부는 상기 덮개가 상기 본체로부터 이탈하는 것에 기반하여, 상기 제 2 밸브를 개방하는
기판 처리 장치.According to claim 2,
The interlocking opening opens the second valve based on the cover being separated from the main body.
Substrate processing equipment.
상기 연동 개방부는 상기 덮개의 상기 본체로부터의 이탈을 메커니컬 밸브에 의해 검출하고, 상기 메커니컬 밸브에 접속된 구동용 배관에 상기 퍼지 가스 배관으로부터 분기하여 공급되는 퍼지 가스에 의해, 상기 제 2 밸브를 개방하는
기판 처리 장치.According to claim 3,
The interlocking opening detects separation of the cover from the main body by a mechanical valve, and opens the second valve by purge gas branched from the purge gas pipe and supplied to a driving pipe connected to the mechanical valve. doing
Substrate processing equipment.
상기 퍼지 가스는 드라이 에어인
기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The purge gas is dry air.
Substrate processing equipment.
내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버에 접속된 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 상기 처리 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 처리 가스 배관의 상기 제 1 밸브를 폐쇄하는 공정과,
상기 제 1 밸브의 상기 처리 챔버 측에 있어서, 상기 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되는 퍼지 가스 배관의 상기 제 2 밸브를, 상기 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 개방하고, 퍼지 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 공정을 갖고,
상기 퍼지 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 공정은, 상기 처리 챔버가 대기 개방되는 것을 검출하고 상기 처리 챔버의 대기 개방과 동시에 상기 제 2 밸브를 개방하는 공정을 더 포함하는
가스 공급 배관의 퍼지 방법.In a method of purging a gas supply pipe in a substrate processing apparatus,
The first processing gas pipe is internally connected via a first valve to a gas supply pipe connected to a processing chamber that processes a substrate with a corrosive processing gas, and introduces the processing gas into the gas supply pipe. A process of closing the valve,
On the processing chamber side of the first valve, the second valve of the purge gas pipe connected to the gas supply pipe through a second valve is opened in conjunction with the introduction of atmospheric air into the interior of the processing chamber, and purge A process of introducing gas into the gas supply pipe,
The process of introducing the purge gas into the gas supply pipe further includes detecting that the processing chamber is opened to the atmosphere and opening the second valve simultaneously with the opening of the processing chamber to the atmosphere.
Method of purging gas supply pipes.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020104219A JP7378357B2 (en) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | Purging method for substrate processing equipment and gas supply piping |
| JPJP-P-2020-104219 | 2020-06-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210156216A KR20210156216A (en) | 2021-12-24 |
| KR102616693B1 true KR102616693B1 (en) | 2023-12-20 |
Family
ID=78942473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210073709A KR102616693B1 (en) | 2020-06-17 | 2021-06-07 | Substrate processing apparatus and method of purging gas supply pipes |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7378357B2 (en) |
| KR (1) | KR102616693B1 (en) |
| CN (1) | CN113808971B (en) |
| TW (1) | TW202213500A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114574837B (en) * | 2022-03-07 | 2023-03-21 | 苏州迈为科技股份有限公司 | Structure and method for solving parasitic plasma in plasma processing equipment |
| CN115789520A (en) * | 2022-11-20 | 2023-03-14 | 上海良薇机电工程有限公司 | Liquid source supply device and method and semiconductor process system |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2849255B2 (en) * | 1991-11-29 | 1999-01-20 | 東洋エンジニアリング株式会社 | Exhaust system for manufacturing high performance semiconductor and control method thereof |
| KR200168402Y1 (en) * | 1994-09-28 | 2000-02-01 | 김영환 | Automatic purging apparatus for pipe line |
| KR19990004094A (en) * | 1997-06-27 | 1999-01-15 | 윤종용 | Piping purge device of semiconductor device manufacturing equipment and its purging method and cleaning method of manufacturing equipment using these purge device and purging method |
| JP4798981B2 (en) | 2004-10-28 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus control method, substrate processing apparatus, and program for controlling substrate processing apparatus |
| JP5078243B2 (en) | 2005-09-02 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum processing apparatus and method for exhausting vacuum preparatory chamber |
| JP4680030B2 (en) | 2005-10-31 | 2011-05-11 | 東京応化工業株式会社 | Decompression processing equipment |
| JP4985183B2 (en) * | 2007-07-26 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| JP5065115B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-10-31 | 日本エア・リキード株式会社 | Gas supply system |
| EP2841621A4 (en) * | 2012-03-23 | 2016-03-16 | Picosun Oy | Atomic layer deposition method and apparatuses |
| JP6749090B2 (en) | 2015-11-12 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing method in processing apparatus using halogen-based gas |
| WO2019053836A1 (en) | 2017-09-14 | 2019-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing device and wet cleaning method |
| US11118262B2 (en) * | 2018-10-11 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having a gas-mixing manifold |
| JP7283152B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-05-30 | 株式会社リコー | Autonomous mobile device, program and steering method for autonomous mobile device |
-
2020
- 2020-06-17 JP JP2020104219A patent/JP7378357B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-04 TW TW110120392A patent/TW202213500A/en unknown
- 2021-06-07 KR KR1020210073709A patent/KR102616693B1/en active IP Right Grant
- 2021-06-08 CN CN202110637181.9A patent/CN113808971B/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7378357B2 (en) | 2023-11-13 |
| TW202213500A (en) | 2022-04-01 |
| CN113808971B (en) | 2024-01-26 |
| KR20210156216A (en) | 2021-12-24 |
| JP2021197489A (en) | 2021-12-27 |
| CN113808971A (en) | 2021-12-17 |
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