KR102608596B1 - Method for optimizing parameters of cw laser thin film annealing process, method for laser thin film annealing using the same and power semiconductor thin film fabricated thereby - Google Patents
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Abstract
CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법, 이를 이용한 레이저 박막 어닐링 방법 및 이에 의해 제조된 전력 반도체 박막이 개시된다. 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법은 반도체 전구체를 포함하는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 온도를 달성하기 위한 최소 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것; 및 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것;을 포함한다. 상기 레이저 박막 어닐링 방법은 기판 상에 반도체 전구체를 포함하는 박막을 코팅하는 제1 단계; 및 최소 CW 레이저 조사 시간 및 최대 CW 레이저 조사 시간 사이의 시간 동안 상기 박막에 CW 레이저를 조사하는 제2 단계;를 포함한다. 상기 전력 반도체 박막은 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조될 수 있다.A CW laser thin film annealing process parameter optimization method, a laser thin film annealing method using the same, and a power semiconductor thin film manufactured thereby are disclosed. The CW laser thin film annealing process parameter optimization method includes calculating the minimum CW laser irradiation time to achieve a temperature at which crystallization of a thin film containing a semiconductor precursor can occur; and calculating the maximum CW laser irradiation time for irradiating an energy level that does not destroy the crystals of the thin film. The laser thin film annealing method includes a first step of coating a thin film containing a semiconductor precursor on a substrate; and a second step of irradiating the thin film with a CW laser for a time between the minimum CW laser irradiation time and the maximum CW laser irradiation time. The power semiconductor thin film may be manufactured by the laser thin film annealing method.
Description
본 발명은 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법, 이를 이용한 레이저 박막 어닐링 방법 및 이에 의해 제조된 전력 반도체 박막에 관한 것이다.The present invention relates to a CW laser thin film annealing process parameter optimization method, a laser thin film annealing method using the same, and a power semiconductor thin film manufactured thereby.
높은 전력을 효율적으로 활용하여 에너지 손실을 줄일 수 있는 전력 반도체에 대한 수요가 증가하고 있다. 전력 반도체 박막을 제조하기 위해서는, 어닐링 과정에서 고진공 및 고온 분위기를 필요로 한다. 종래 전력 반도체 박막을 어닐링하기 위해서는 전기로 도는 RTA (rapid thermal annealing) 방식을 사용했다. 이러한 방식은 에너지 소모가 크고, 승온, 유지, 냉각 시간이 필요하므로 비용이 크다는 단점이 있다. 따라서 에너지 효율적이고 시간을 단축할 수 있는 레이저 이용 어닐링 방법이 요구된다. 상대적으로 짧은 시간 내에 공정이 완료되므로, 레이저로 전력 반도체 박막을 어닐링하기 위해서는, 레이저의 조사 시간 등을 포함한 공정 변수의 최적화가 함께 요구된다.Demand for power semiconductors that can reduce energy loss by efficiently utilizing high power is increasing. In order to manufacture a power semiconductor thin film, a high vacuum and high temperature atmosphere are required during the annealing process. Conventionally, to anneal power semiconductor thin films, an electrically driven RTA (rapid thermal annealing) method was used. This method has the disadvantage of being expensive because it consumes a lot of energy and requires heating, maintenance, and cooling times. Therefore, an energy-efficient and time-saving laser annealing method is required. Since the process is completed in a relatively short time, annealing a power semiconductor thin film with a laser requires optimization of process variables, including laser irradiation time.
본 발명의 일 목적은 전력 반도체 박막에서 결정화가 이루어지되, 결정의 파괴는 이루어지지 않도록 하기 위한 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a method for optimizing CW laser thin film annealing process variables to ensure crystallization in a power semiconductor thin film but not destruction of the crystal.
본 발명의 다른 목적은 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 이용한 레이저 박막 어닐링 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a laser thin film annealing method using the CW laser thin film annealing process variable optimization method.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조된 전력 반도체 박막을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a power semiconductor thin film manufactured by the laser thin film annealing method.
일 측면에서 본 발명은 반도체 전구체를 포함하는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 온도를 달성하기 위한 최소 CW(Continuous wave) 레이저 조사 시간을 하기 식(1)을 통해 산출하는 것; 및 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 하기 식(2)를 통해 산출하는 것;을 포함하는, CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 제공한다.In one aspect, the present invention calculates the minimum CW (Continuous wave) laser irradiation time to achieve a temperature at which crystallization of a thin film containing a semiconductor precursor can occur through Equation (1) below; and calculating the maximum CW laser irradiation time for irradiating an energy level that does not destroy the crystals of the thin film using the following equation (2). It provides a method for optimizing CW laser thin film annealing process variables, including:
(1) (One)
(2) (2)
여기서, T는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(K), D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2), tmin은 최소 레이저 조사 시간(sec), tmax는 최대 레이저 조사 시간(sec), d는 박막의 밀도(g/cm3), c는 박막의 열 캐퍼시티(capacity; J/(g·K)), k는 박막의 두께(μm), A는 흡수 상수(absorption coefficient), E는 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(J/cm2)일 수 있다.Here, T is the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur (K), D is the power density of the laser (W/cm 2 ), t min is the minimum laser irradiation time (sec), and t max is the maximum laser irradiation time (sec). ), d is the density of the thin film (g/cm 3 ), c is the thermal capacity of the thin film (capacity; J/(g·K)), k is the thickness of the thin film (μm), A is the absorption coefficient, E may be an energy threshold (J/cm 2 ) at which the crystals of the thin film are not destroyed.
일 실시예에 있어서, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(rapid thermal annealing; RTA)를 통해 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도로 결정될 수 있다.In one embodiment, the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be determined as the minimum temperature at which crystallization can occur through heat treatment using an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA).
일 실시예에 있어서, 상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함할 수 있다.In one embodiment, the thin film may include a precursor of β-Ga 2 O 3 .
일 실시예에 있어서, 상기 CW 레이저는 CO2 CW 레이저일 수 있다.In one embodiment, the CW laser may be a CO 2 CW laser.
일 실시예에 있어서, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 약 650 내지 700 ℃일 수 있다.In one embodiment, the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be about 650 to 700 °C.
다른 측면에서 본 발명은 기판 상에 반도체 전구체를 포함하는 박막을 코팅하는 제1 단계; 및 하기 식(1)을 통해 도출된 최소 CW 레이저 조사 시간 및 하기 식(2)를 통해 도출된 최대 CW 레이저 조사 시간 사이의 시간 동안 상기 박막에 CW 레이저를 조사하는 제2 단계;를 포함하는, 레이저 박막 어닐링 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention includes a first step of coating a thin film containing a semiconductor precursor on a substrate; And a second step of irradiating the CW laser to the thin film for a period of time between the minimum CW laser irradiation time derived through Equation (1) below and the maximum CW laser irradiation time derived through Equation (2) below. A laser thin film annealing method is provided.
(1) (One)
(2) (2)
여기서, T는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(K), D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2), tmin은 최소 레이저 조사 시간(sec), tmax는 최대 레이저 조사 시간(sec), d는 박막의 밀도(g/cm3), c는 박막의 열 캐퍼시티(capacity; J/(g·K)), k는 박막의 두께(μm), A는 흡수 상수(absorption coefficient), E는 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(J/cm2)일 수 있다.Here, T is the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur (K), D is the power density of the laser (W/cm 2 ), t min is the minimum laser irradiation time (sec), and t max is the maximum laser irradiation time (sec). ), d is the density of the thin film (g/cm 3 ), c is the thermal capacity of the thin film (capacity; J/(g·K)), k is the thickness of the thin film (μm), A is the absorption coefficient, E may be an energy threshold (J/cm 2 ) at which the crystals of the thin film are not destroyed.
일 실시예에 있어서, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(RTA)를 통해 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도로 결정될 수 있다.In one embodiment, the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be determined as the minimum temperature at which crystallization can occur through heat treatment using an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA).
일 실시예에 있어서, 상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함할 수 있다.In one embodiment, the thin film may include a precursor of β-Ga 2 O 3 .
일 실시예에 있어서, 상기 CW 레이저는 CO2 CW 레이저일 수 있다.In one embodiment, the CW laser may be a CO 2 CW laser.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 단계는, 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate)를 포함하는 용액을 사파이어 기판 상에 스핀 코팅(spin coating) 및 핫플레이팅(hot plating)하는 과정을 약 5회 내지 8회 반복하여 박막을 코팅할 수 있다.In one embodiment, the first step involves spin coating and hot plating a solution containing gallium nitrate hydrate on a sapphire substrate about five times. The thin film can be coated by repeating from 8 to 8 times.
일 실시예에 있어서, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 약 650 내지 700 ℃일 수 있다.In one embodiment, the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be about 650 to 700 °C.
또 다른 측면에서 본 발명은 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조된 전력 반도체 박막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a power semiconductor thin film manufactured by the laser thin film annealing method.
본 발명의 실시예에 따른 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 통해 전력 반도체 박막에서 결정화가 이루어지되, 결정의 파괴는 이루어지지 않도록 하기 위한 레이저 조사 시간을 결정할 수 있다.Through the CW laser thin film annealing process variable optimization method according to an embodiment of the present invention, it is possible to determine the laser irradiation time to ensure crystallization in the power semiconductor thin film but not destruction of the crystal.
본 발명의 실시예에 따른 레이저 박막 어닐링 방법은 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 이용하여 비용 효율적으로 박막을 레이저로 어닐링 할 수 있다.The laser thin film annealing method according to an embodiment of the present invention can cost-effectively anneal a thin film with a laser using the CW laser thin film annealing process variable optimization method.
본 발명의 실시예에 따른 전력 반도체는 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조되어 기존의 전력 반도체보다 낮은 비용으로 구현될 수 있다.The power semiconductor according to an embodiment of the present invention is manufactured by the laser thin film annealing method and can be implemented at a lower cost than the existing power semiconductor.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 나타낸 흐름도 및 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 박막 어닐링 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 실험예에 따른 실험 결과를 나타낸 도면이다.Figure 1 is a flowchart and conceptual diagram showing a method for optimizing CW laser thin film annealing process variables according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a flowchart showing a laser thin film annealing method according to an embodiment of the present invention.
Figures 3 to 8 are diagrams showing experimental results according to experimental examples of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. Since the present invention can be subject to various changes and can have various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, and should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention. While describing each drawing, similar reference numerals are used for similar components. In the attached drawings, the dimensions of the structures are enlarged from the actual size for clarity of the present invention.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, or a combination thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features or numbers. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of steps, operations, components, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 나타낸 흐름도 및 개념도이다.Figure 1 is a flowchart and conceptual diagram showing a method for optimizing CW laser thin film annealing process variables according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법은 일 측면에서 본 발명은 반도체 전구체를 포함하는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 온도를 달성하기 위한 최소 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것(S110); 및 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것(S120);을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the CW laser thin film annealing process variable optimization method according to an embodiment of the present invention is, in one aspect, the minimum CW laser irradiation time to achieve a temperature at which crystallization of a thin film containing a semiconductor precursor can occur. Calculating (S110); and calculating the maximum CW laser irradiation time for irradiating energy at a level that does not destroy the crystals of the thin film (S120).
상기 최소 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것(S110)은 하기 식(1)을 통해 실시될 수 있다.Calculating the minimum CW laser irradiation time (S110) can be performed using the following equation (1).
(1) (One)
여기서, T는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(K), D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2), tmin은 최소 레이저 조사 시간(sec), d는 박막의 밀도(g/cm3), c는 박막의 열 캐퍼시티(capacity; J/(g·K)), k는 박막의 두께(μm) 일 수 있다. 상기 식 (1)을 통해 산출된 최소 레이저 조사 시간 이상 CW 레이저를 조사하는 경우, 전구체를 포함하는 박막의 온도가 충분히 승온되어 결정화가 진행될 수 있다.Here, T is the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur (K), D is the power density of the laser (W/cm 2 ), t min is the minimum laser irradiation time (sec), and d is the density of the thin film (g/cm 3 ), c may be the thermal capacity of the thin film (J/(g·K)), and k may be the thickness of the thin film (μm). When a CW laser is irradiated for more than the minimum laser irradiation time calculated through Equation (1) above, the temperature of the thin film containing the precursor is sufficiently raised to allow crystallization to proceed.
상기 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것(S120)은 하기 식(2)를 통해 실시될 수 있다.Calculating the maximum CW laser irradiation time for irradiating energy at a level that does not destroy the crystals of the thin film (S120) can be performed using the following equation (2).
(2) (2)
여기서, E는 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(J/cm2), D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2), tmax는 최대 레이저 조사 시간(sec) 일 수 있다. 상기 식(2)를 통해 산출된 최대 레이저 조사 시간 이하 CW 레이저를 조사하는 경우, 결정화가 진행된 박막에 일정 수준 이하의 에너지가 가해지므로 결정의 파괴를 회피할 수 있다.Here, E is the energy threshold at which the thin film crystal is not destroyed (J/cm 2 ), D is the power density of the laser (W/cm 2 ), and t max may be the maximum laser irradiation time (sec). When a CW laser is irradiated below the maximum laser irradiation time calculated through equation (2) above, energy below a certain level is applied to the crystallized thin film, so destruction of the crystal can be avoided.
상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 이론적 또는 실험적으로 사전 결정될 수 있다. 상기 박막에 포함된 전구체의 종류에 따라 결정화가 시작될 수 있는 최소 온도가 결정되며, 이는 이론적으로 확인할 수도 있고, 실험적으로 인식될 수도 있다. 일례로, 상기 CW 레이저에 의한 어닐링에 사용되는 전구체 박막과 동일한 조건의 전구체 박막을 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(RTA)로 어닐링할 때, 결정화를 확인할 수 있는 최소 온도로 인식할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(rapid thermal annealing; RTA)를 통해 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도로 결정될 수 있다.The minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur can be predetermined theoretically or experimentally. The minimum temperature at which crystallization can begin is determined depending on the type of precursor contained in the thin film, and this can be confirmed theoretically or recognized experimentally. For example, when annealing a precursor thin film under the same conditions as the precursor thin film used for annealing by a CW laser by heat treatment through an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA), the minimum temperature at which crystallization can be confirmed can be recognized. In one embodiment, the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be determined as the minimum temperature at which crystallization can occur through heat treatment using an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA).
상기 박막에 포함되는 물질은 어닐링을 통해 결정화가 일어날 수 있는 전구체라면 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에 있어서, 상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함할 수 있다. The material included in the thin film is not particularly limited as long as it is a precursor that can be crystallized through annealing. In one embodiment, the thin film may include a precursor of β-Ga 2 O 3 .
이와 같이 박막에 포함된 물질이 결정되는 경우, 상기 식(1)의 c가 결정될 수 있다.When the material included in the thin film is determined in this way, c in equation (1) can be determined.
이와 같이 박막에 포함된 물질이 결정된 후, 그 물질이 박막을 형성하는 기하학적 형상 및 배치등이 결정될 수 있고, 이는 상기 식(1)의 d와 k를 결정할 수 있다. 상기 c는 박막의 기하하적 형상 및 배치에 따라 수정될 수 있다.After the material included in the thin film is determined, the geometric shape and arrangement of the material to form the thin film can be determined, which can determine d and k in equation (1). The above c can be modified depending on the geometric shape and arrangement of the thin film.
이와 같이 박막에 포함된 물질이 결정되는 경우, 그 물질의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(T)가 결정되며, 상술한 바와 같이 이는 이론적으로 확인되거나 실험적으로 인식될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함하고, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 약 650 내지 700 ℃일 수 있다.When the material contained in the thin film is determined in this way, the minimum temperature (T) at which crystallization of the material can occur is determined, and as described above, this can be confirmed theoretically or recognized experimentally. In one embodiment, the thin film includes a precursor of β-Ga 2 O 3 , and the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be about 650 to 700 °C.
상기 온도를 달성하기 위하여 조사되는 상기 CW 레이저의 종류는 승온 기능을 수행할 수 있는 CW 레이저라면 그 종류와 출력이 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에 있어서, 상기 CW 레이저는 CO2 CW 레이저일 수 있다. 이와 같이 CW 레이저의 종류가 결정되고, 추가적으로 그 출력이 결정되는 경우, 상기 식(1)의 D가 결정될 수 있다. 또한, 레이저와 박막 물질과의 관계에서 A가 결정될 수 있다.The type and output of the CW laser irradiated to achieve the above temperature are not particularly limited as long as it is a CW laser capable of performing a temperature increasing function. In one embodiment, the CW laser may be a CO 2 CW laser. In this way, when the type of CW laser is determined and its output is additionally determined, D in equation (1) above can be determined. Additionally, A can be determined from the relationship between the laser and the thin film material.
한편, 상기 식(2)에서 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(E)는 이론적으로 확인될 수도 있고, 실험적으로 인식될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 에너지 임계값은 박막에 포함된 물질의 이론상의 결정화 에너지 일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 에너지 임계값은 박막에 포함된 물질의 이론상의 결정화 에너지에서 실험적으로 오차가 보정된 값일 수 있다. 상기와 같이 E가 결정되는 경우, 이미 결정된 D 값과의 관계에서 최대 CW 레이저 조사 시간(tmax)가 결정될 수 있다. Meanwhile, in Equation (2), the energy threshold (E) at which the crystals of the thin film are not destroyed may be confirmed theoretically or recognized experimentally. In one embodiment, the energy threshold may be the theoretical crystallization energy of the material included in the thin film. In another embodiment, the energy threshold may be a value in which an error has been experimentally corrected in the theoretical crystallization energy of the material included in the thin film. When E is determined as above, the maximum CW laser irradiation time (t max ) can be determined in relation to the already determined D value.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 통해 전력 반도체 박막에서 결정화가 이루어지되, 결정의 파괴는 이루어지지 않도록 하기 위한 레이저 조사 시간을 결정할 수 있다.As discussed above, the laser irradiation time for crystallization in the power semiconductor thin film but not destruction of the crystal can be determined through the CW laser thin film annealing process variable optimization method according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 박막 어닐링 방법을 도시한 흐름도이다.Figure 2 is a flowchart showing a laser thin film annealing method according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 박막 어닐링 방법은 기판 상에 반도체 전구체를 포함하는 박막을 코팅하는 제1 단계(S210); 및 최소 CW 레이저 조사 시간 및 최대 CW 레이저 조사 시간 사이의 시간 동안 상기 박막에 CW 레이저를 조사하는 제2 단계(S220);를 포함할 수 있다.Referring to Figure 2, the laser thin film annealing method according to an embodiment of the present invention includes a first step (S210) of coating a thin film containing a semiconductor precursor on a substrate; and a second step (S220) of irradiating a CW laser to the thin film for a time between the minimum CW laser irradiation time and the maximum CW laser irradiation time.
상기 최소 CW 레이저 조사 시간 및 상기 최대 CW 레이저 조사 시간은 하기 식 (1) 및 하기 식(2)를 통해 결정될 수 있다.The minimum CW laser irradiation time and the maximum CW laser irradiation time can be determined through Equation (1) and Equation (2) below.
(1) (One)
(2) (2)
여기서, T는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(K), D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2), tmin은 최소 레이저 조사 시간(sec), tmax는 최대 레이저 조사 시간(sec), d는 박막의 밀도(g/cm3), c는 박막의 열 캐퍼시티(capacity; J/(g·K)), k는 박막의 두께(μm), A는 흡수 상수(absorption coefficient), E는 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(J/cm2)일 수 있다.Here, T is the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur (K), D is the power density of the laser (W/cm 2 ), t min is the minimum laser irradiation time (sec), and t max is the maximum laser irradiation time (sec). ), d is the density of the thin film (g/cm 3 ), c is the thermal capacity of the thin film (capacity; J/(g·K)), k is the thickness of the thin film (μm), A is the absorption coefficient, E may be an energy threshold (J/cm 2 ) at which the crystals of the thin film are not destroyed.
상기 최소 CW 레이저 조사 시간 및 상기 최대 CW 레이저 조사 시간은 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법에 의해 결정될 수 있다.The minimum CW laser irradiation time and the maximum CW laser irradiation time may be determined by the CW laser thin film annealing process variable optimization method.
상기 레이저 박막 어닐링 방법에서 사용되는 각 식 및 각 변수와 유사하거나 동일한 식 및 변수는 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법에 설명된 것과 유사하거나 동일하게 적용될 수 있다.Equations and variables similar or identical to each equation and each variable used in the laser thin film annealing method may be applied similarly or identically to those described in the CW laser thin film annealing process variable optimization method.
상기 제1 단계(S210)은 기판 상에 반도체 전구체를 포함하는 박막을 코팅하여, 반도체 박막으로 결정화를 진행할 재료를 준비하는 단계이다. 따라서, 제조하려는 반도체의 종류에 따라 상기 반도체 전구체의 종류가 결정되며, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에 있어서, 상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 β-Ga2O3의 전구체는 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate)을 포함할 수 있다.The first step (S210) is a step of preparing a material to be crystallized into a semiconductor thin film by coating a thin film containing a semiconductor precursor on a substrate. Therefore, the type of the semiconductor precursor is determined depending on the type of semiconductor to be manufactured, and the type is not particularly limited. In one embodiment, the thin film may include a precursor of β-Ga 2 O 3 . In one embodiment, the precursor of β-Ga 2 O 3 may include gallium nitrate hydrate.
이와 같이 반도체 전구체의 종류가 결정된 후, 반도체 전구체를 기판 상에 박막으로 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 종래에 공지된 기술 중 하나 또는 둘 이상의 조합을 이용할 수 있다. 박막 형성 방법의 비제한적인 예시는 용액 공정, 스퍼터링 공정 등을 포함한다. 용액 공정의 비제한적인 예시는 스핀 코팅, 스핀 코팅 및 열처리를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 단계(S210)는, 갈륨 나이트레이트 수화물를 포함하는 용액을 사파이어 기판 상에 스핀 코팅(spin coating) 및 핫플레이팅(hot plating)하는 과정을 약 5회 내지 8회 반복하여 박막을 코팅할 수 있다. 일례로, 상기 제1 단계(S210)는, 갈륨 나이트레이트 수화물를 포함하는 용액을 사파이어 기판 상에 스핀 코팅 및 핫플레이팅하는 과정을 6회 반복하여 박막을 코팅할 수 있다. 이와 같이 박막 형성 방법이 결정되는 경우, 상기 박막의 기하학적 형상 및 배치가 결정될 수 있다.After the type of semiconductor precursor is determined, the method of forming the semiconductor precursor into a thin film on the substrate is not particularly limited, and one or a combination of two or more conventionally known techniques can be used. Non-limiting examples of thin film formation methods include solution process, sputtering process, etc. Non-limiting examples of solution processes include spin coating, spin coating, and heat treatment. In one embodiment, the first step (S210) involves spin coating and hot plating a solution containing gallium nitrate hydrate on a sapphire substrate about 5 to 8 times. Thin films can be coated repeatedly. For example, in the first step (S210), a thin film may be coated by repeating the process of spin coating and hot plating a solution containing gallium nitrate hydrate on a sapphire substrate six times. When the thin film formation method is determined in this way, the geometric shape and arrangement of the thin film can be determined.
상기 제2 단계(S220)는 상기와 같이 형성된 박막을 CW 레이저를 통해 어닐링하는 단계이며, 상기 CW 레이저의 조사 시간은 최소 레이저 조사 시간 및 최대 레이저 조사 시간 사이로 결정될 수 있다. 상기 조사 시간의 결정에 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법이 사용될 수 있다.The second step (S220) is a step of annealing the thin film formed as above using a CW laser, and the irradiation time of the CW laser may be determined between the minimum laser irradiation time and the maximum laser irradiation time. The CW laser thin film annealing process variable optimization method may be used to determine the irradiation time.
상술된 바와 같이 박막에 포함된 물질이 결정되는 경우, 상기 식(1)의 c가 결정될 수 있다. 상술된 바와 같이 박막에 포함된 물질이 결정되는 경우, 그 물질의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(T)가 결정되며, 상술한 바와 같이 이는 이론적으로 확인되거나 실험적으로 인식될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함하고, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 약 650 내지 700 ℃일 수 있다.When the material included in the thin film is determined as described above, c in equation (1) can be determined. When the material contained in the thin film is determined as described above, the minimum temperature (T) at which crystallization of the material can occur is determined, and as described above, this can be confirmed theoretically or recognized experimentally. In one embodiment, the thin film includes a precursor of β-Ga 2 O 3 , and the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be about 650 to 700 °C.
상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 이론적 또는 실험적으로 사전 결정될 수 있다. 상기 박막에 포함된 전구체의 종류에 따라 결정화가 시작될 수 있는 최소 온도가 결정되며, 이는 이론적으로 확인할 수도 있고, 실험적으로 인식될 수도 있다. 일례로, 상기 CW 레이저에 의한 어닐링에 사용되는 전구체 박막과 동일한 조건의 전구체 박막을 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(RTA)로 어닐링할 때, 결정화를 확인할 수 있는 최소 온도로 인식할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(RTA)를 통해 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도로 결정될 수 있다.The minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur can be predetermined theoretically or experimentally. The minimum temperature at which crystallization can begin is determined depending on the type of precursor contained in the thin film, and this can be confirmed theoretically or recognized experimentally. For example, when annealing a precursor thin film under the same conditions as the precursor thin film used for annealing by a CW laser by heat treatment through an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA), the minimum temperature at which crystallization can be confirmed can be recognized. In one embodiment, the minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur may be determined as the minimum temperature at which crystallization can occur through heat treatment using an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA).
조사되는 상기 CW 레이저의 종류는 승온 기능을 수행할 수 있는 CW 레이저라면 그 종류와 출력이 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예에 있어서, 상기 CW 레이저는 CO2 CW 레이저일 수 있다. 이와 같이 CW 레이저의 종류가 결정되고, 추가적으로 그 출력이 결정되는 경우, 상기 식(1)의 D가 결정될 수 있다. 또한, 레이저와 박막 물질과의 관계에서 A가 결정될 수 있다.The type and output of the CW laser to be irradiated are not particularly limited as long as it is a CW laser capable of performing a temperature increasing function. In one embodiment, the CW laser may be a CO 2 CW laser. In this way, when the type of CW laser is determined and its output is additionally determined, D in equation (1) above can be determined. Additionally, A can be determined from the relationship between the laser and the thin film material.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 박막 어닐링 방법은 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법을 이용하여 비용 효율적으로 박막을 레이저로 어닐링 할 수 있다.As discussed above, the laser thin film annealing method according to an embodiment of the present invention can cost-effectively anneal a thin film with a laser using the CW laser thin film annealing process variable optimization method.
본 발명의 실시예에 따른 전력 반도체 박막은 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조될 수 있다.The power semiconductor thin film according to an embodiment of the present invention can be manufactured by the laser thin film annealing method.
이하 본 발명의 실시예에 대해 상술한다. 다만, 하기에 기재된 실시예는 본 발명의 일부 실시 형태에 불과한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the examples described below are only some embodiments of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.
용액 제조Solution preparation
전구체 물질인 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate)을 2-메톡시에탄올(2-Metoxyethanol)과 모노-에탄올아민(mono-ethanolamine)과 혼합하여 용액을 제조하였다. 모노-에탄올아민과 갈륨 나이트레이트 수화물의 비율은 1:1로 합성하였으며 60℃에서 2시간 동안 교반을 진행하여 용액을 제조하였다.A solution was prepared by mixing gallium nitrate hydrate, a precursor material, with 2-Metoxyethanol and mono-ethanolamine. Mono-ethanolamine and gallium nitrate hydrate were synthesized at a ratio of 1:1, and the solution was prepared by stirring at 60°C for 2 hours.
박막 형성thin film formation
증착에 사용할 기판인 사파이어(Sapphire; Al2O3)를 초음파 세척기를 활용하여 아세톤, 에탄올, 탈이온수(DI Water)에서 각각 5분간 세척하였다. 상기 기판 상에, 상기 용액을 이용하여 3000rpm에서 30초 간 스핀 코팅을 진행하였다. 300℃에서 10분간 핫플레이팅을 통해 박막 경화를 진행하였다. 이와 같은 스핀 코팅 및 핫플레이팅을 6회 반복하였다.Sapphire (Al 2 O 3 ), the substrate to be used for deposition, was washed in acetone, ethanol, and deionized water (DI Water) for 5 minutes each using an ultrasonic cleaner. On the substrate, spin coating was performed using the solution at 3000 rpm for 30 seconds. Thin film curing was performed through hot plating at 300°C for 10 minutes. This spin coating and hot plating was repeated six times.
레이저 조사laser irradiation
CW 방식의 CO2 Laser를 도입하여 반복적인 조사를 진행하였다. 레이저의 출력 파워는 30W, 주파수는 5 kHz, 마크 스피드(mark speed)는 2000 mm/s, 공정 시간은 35 내지 60 초로 조정하여 공정 변수에 따른 결과를 측정하였다.A CW type CO2 laser was introduced and repeated investigations were conducted. The output power of the laser was adjusted to 30W, the frequency was 5 kHz, the mark speed was 2000 mm/s, and the process time was adjusted to 35 to 60 seconds to measure the results according to the process variables.
XRD 분석XRD analysis
도 3은 어닐링 후 박막을 X선 회절법(XRD)으로 분석한 결과이다. Figure 3 shows the results of analyzing the thin film after annealing using X-ray diffraction (XRD).
도 4는 종래의 RTA 방식으로 형성한 박막과 함께 XRD 분석, 비교한 결과이다.Figure 4 shows the results of XRD analysis and comparison with a thin film formed by a conventional RTA method.
도 3 및 도 4를 참조하면, 피크를 통해 종래 RTA 방식과 동일한 결정이 형성됨을 확인할 수 있고, 레이저 조사 시간이 주요 공정 변수임을 확인할 수 있다.Referring to Figures 3 and 4, it can be confirmed through the peak that the same crystals as in the conventional RTA method are formed, and the laser irradiation time is the main process variable.
PL 분석PL analysis
β-Ga2O3의 밴드갭 수치를 확인하기 위한 Photo Luminescence (PL) 분석을 실시하였고, 도 5는 그 결과이다.Photo Luminescence (PL) analysis was performed to confirm the bandgap value of β-Ga 2 O 3 , and Figure 5 shows the results.
도 5를 참조하면, 더 많은 에너지가 가해질수록 그레인 경계(Grain boundary)와 같은 디펙트(Defect)가 사라져 4.8 eV에 수렴하는 모습을 확인할 수 있다.Referring to Figure 5, it can be seen that as more energy is applied, defects such as grain boundaries disappear and converge to 4.8 eV.
FE-SEM 분석FE-SEM analysis
공정시간에 따른 박막의 표면 상태 분석을 위하여 전계방출형 주사전자현미경(Field Emission Scanning Electron Microscope; FE-SEM) 분석을 진행하였고, 도 6 은 그 결과이다.To analyze the surface condition of the thin film according to the process time, a Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM) analysis was performed, and Figure 6 shows the results.
도 6을 참조하면, 레이저 조사 시간이 증가할수록 더 많은 에너지가 가해지게 되어 결정자(crystallite)의 크기가 증가하는 모습을 확인할 수 있다. Referring to Figure 6, it can be seen that as the laser irradiation time increases, more energy is applied and the size of the crystallite increases.
레이저 조사 시간에 따른 온도 분석Temperature analysis according to laser irradiation time
레이저 조사 시간에 따른 박막 온도 상승 및 에너지를 예측하고, 측정하였다. 도 7 및 도 8을 그 결과이다. 레이저 조사 시간에 따라 결정화는 일어나되, 박막의 파괴는 진행되지 않는 레이저 조사 시간의 구간이 있음을 확인할 수 있다.Thin film temperature rise and energy according to laser irradiation time were predicted and measured. Figures 7 and 8 show the results. It can be confirmed that there is a section of laser irradiation time in which crystallization occurs depending on the laser irradiation time, but destruction of the thin film does not occur.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art can make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following patent claims. You will understand that it is possible.
Claims (10)
상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 하기 식(2)를 통해 산출하는 것;을 포함하는,
CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법:
(1)
(2)
여기서,
T는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(K),
D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2),
tmin은 최소 레이저 조사 시간(sec),
tmax는 최대 레이저 조사 시간(sec),
d는 박막의 밀도(g/cm3),
c는 박막의 열 캐퍼시티(capacity; J/(g·K)),
k는 박막의 두께(μm),
A는 흡수 상수(absorption coefficient),
E는 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(J/cm2)이다.Calculating the minimum CW (Continuous wave) laser irradiation time to achieve a temperature at which crystallization of a thin film containing a semiconductor precursor can occur using Equation (1) below; and
Including, calculating the maximum CW laser irradiation time for irradiating energy at a level that does not destroy the crystals of the thin film through Equation (2) below,
How to optimize CW laser thin film annealing process parameters:
(One)
(2)
here,
T is the minimum temperature (K) at which crystallization of the thin film can occur,
D is the power density of the laser (W/cm 2 ),
t min is the minimum laser irradiation time (sec),
t max is the maximum laser irradiation time (sec),
d is the density of the thin film (g/cm 3 ),
c is the thermal capacity of the thin film (capacity; J/(g·K)),
k is the thickness of the thin film (μm),
A is the absorption coefficient,
E is the energy threshold (J/cm 2 ) at which the crystals of the thin film are not destroyed.
상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(rapid thermal annealing; RTA)를 통해 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도로 결정되는,
CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법.According to paragraph 1,
The minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur is determined as the minimum temperature at which crystallization can occur through heat treatment through an electric furnace or rapid thermal annealing (RTA).
CW laser thin film annealing process parameter optimization method.
상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함하고,
상기 CW 레이저는 CO2 CW 레이저인,
CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법.According to paragraph 1,
The thin film includes a precursor of β-Ga 2 O 3 ,
The CW laser is a CO 2 CW laser,
CW laser thin film annealing process parameter optimization method.
상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 650 내지 700 ℃인,
CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법.According to paragraph 3,
The minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur is 650 to 700 ° C.
CW laser thin film annealing process parameter optimization method.
하기 식(1)을 통해 도출된 최소 CW 레이저 조사 시간 및 하기 식(2)를 통해 도출된 최대 CW 레이저 조사 시간 사이의 시간 동안 상기 박막에 CW 레이저를 조사하는 제2 단계;를 포함하는,
레이저 박막 어닐링 방법:
(1)
(2)
여기서,
T는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도(K),
D는 레이저의 파워 밀도(W/cm2),
tmin은 최소 레이저 조사 시간(sec),
tmax는 최대 레이저 조사 시간(sec),
d는 박막의 밀도(g/cm3),
c는 박막의 열 캐퍼시티(capacity; J/(g·K)),
k는 박막의 두께(μm),
A는 흡수 상수(absorption coefficient),
E는 박막의 결정이 파괴되지 않는 에너지 임계값(J/cm2)이다.A first step of coating a thin film containing a semiconductor precursor on a substrate; and
A second step of irradiating a CW laser to the thin film for a period of time between the minimum CW laser irradiation time derived through Equation (1) below and the maximum CW laser irradiation time derived through Equation (2) below; Including,
Laser thin film annealing method:
(One)
(2)
here,
T is the minimum temperature (K) at which crystallization of the thin film can occur,
D is the power density of the laser (W/cm 2 ),
t min is the minimum laser irradiation time (sec),
t max is the maximum laser irradiation time (sec),
d is the density of the thin film (g/cm 3 ),
c is the thermal capacity of the thin film (capacity; J/(g·K)),
k is the thickness of the thin film (μm),
A is the absorption coefficient,
E is the energy threshold (J/cm 2 ) at which the crystals of the thin film are not destroyed.
상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 전기로를 통한 열처리 또는 급속 열처리(RTA)를 통해 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도로 결정되는,
레이저 박막 어닐링 방법.According to clause 5,
The minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur is determined as the minimum temperature at which crystallization can occur through heat treatment using an electric furnace or rapid heat treatment (RTA).
Laser thin film annealing method.
상기 박막은 β-Ga2O3의 전구체를 포함하고,
상기 CW 레이저는 CO2 CW 레이저인,
레이저 박막 어닐링 방법.According to clause 5,
The thin film includes a precursor of β-Ga 2 O 3 ,
The CW laser is a CO 2 CW laser,
Laser thin film annealing method.
상기 제1 단계는, 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate)를 포함하는 용액을 사파이어 기판 상에 스핀 코팅(spin coating) 및 핫플레이팅(hot plating)하는 과정을 5회 내지 8회 반복하여 박막을 코팅하는,
레이저 박막 어닐링 방법.In clause 7,
In the first step, the process of spin coating and hot plating a solution containing gallium nitrate hydrate on a sapphire substrate is repeated 5 to 8 times to form a thin film. coating,
Laser thin film annealing method.
상기 박막의 결정화가 일어날 수 있는 최소 온도는 650 내지 700 ℃인,
레이저 박막 어닐링 방법.According to clause 8,
The minimum temperature at which crystallization of the thin film can occur is 650 to 700 ° C.
Laser thin film annealing method.
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| KR1020220084227A KR102608596B1 (en) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | Method for optimizing parameters of cw laser thin film annealing process, method for laser thin film annealing using the same and power semiconductor thin film fabricated thereby |
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| KR1020220084227A KR102608596B1 (en) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | Method for optimizing parameters of cw laser thin film annealing process, method for laser thin film annealing using the same and power semiconductor thin film fabricated thereby |
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| KR1020220084227A KR102608596B1 (en) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | Method for optimizing parameters of cw laser thin film annealing process, method for laser thin film annealing using the same and power semiconductor thin film fabricated thereby |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000275668A (en) * | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Fujitsu Ltd | Laser annealing device, liquid crystal display device and its production |
| KR20010071922A (en) * | 1998-07-17 | 2001-07-31 | 이데이 노부유끼 | Method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing display, method for manufacturing thin film transistor, and method for forming semiconductor thin film |
| KR20030036034A (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device |
| KR20030044890A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Program for controlling laser device, and computer-readable record media with the recorded program |
-
2022
- 2022-07-08 KR KR1020220084227A patent/KR102608596B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Daishi Shiojiri, 외6명, "Room-temperature fabricationof highlyoriented β-Ga2O3 thin films by excimerlaser annealing", Journal of Crystal Growth, 424, 2015, 페이지 38-41. * |
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