KR102605791B1 - 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102605791B1
KR102605791B1 KR1020210177238A KR20210177238A KR102605791B1 KR 102605791 B1 KR102605791 B1 KR 102605791B1 KR 1020210177238 A KR1020210177238 A KR 1020210177238A KR 20210177238 A KR20210177238 A KR 20210177238A KR 102605791 B1 KR102605791 B1 KR 102605791B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
channel
semiconductor device
heat
thermal management
management module
Prior art date
Application number
KR1020210177238A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230088959A (ko
Inventor
이형순
공대영
Original Assignee
중앙대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 중앙대학교 산학협력단 filed Critical 중앙대학교 산학협력단
Priority to KR1020210177238A priority Critical patent/KR102605791B1/ko
Publication of KR20230088959A publication Critical patent/KR20230088959A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102605791B1 publication Critical patent/KR102605791B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 열관리 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 소자 열관리 모듈은 반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 적층되는 열확산 플레이트; 및 상기 열확산 플레이트 상에 마련되는 것으로, 3D 프린팅 방식에 의해 성형되고, 냉각유체가 흐르는 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법{Semiconductor device thermal management module and manufacturing method thereof}
본 발명은 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전력반도체, 레이저, 레이더와 같은 고발열 반도체 소자의 방열 효율을 향상시킬 수 있도록, 구조 및 공정이 개선된 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자기기의 열관리를 위해 사용되는 heat pipe나 vapor chamber 등을 활용한 passive 냉각 방식은 100W/cm2 이상의 고발열에서는 성능이 심각하게 저하되는데, 대부분의 전력반도체의 경우 이보다 훨씬 높은 열유속에서 작동하기 때문에 실제로 활용도가 떨어지는 단점이 있다.
따라서, 높은 열유속에서 작동하는 대부분의 전력반도체는, 도 1에 잘 도시된 바와 같이, 반도체 칩(501) 위에 간접 냉각 방식의 열관리 모듈 구현을 위한 히트 싱크(502)가 배치되는 구조로 이루어지는데, 이러한 종래기술에 의하면 히트 싱크(502)를 반도체 칩(501)에 붙이기 위한 열간물질(503;TIM;thermal interfacial material)의 사용으로 총 열저항의 급격한 증가를 가져오는 문제점이 있다.
일본 공개특허 공개번호 제2021-068844호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 열간물질(TIM;thermal interracial materials)을 사용하지 않고도 전력 반도체 소자의 열관리 효율을 향상시킬 수 있게 하게 하고, 3D 프린팅에 의해 냉각유체가 흐르는 채널을 형성시킬 수 있게 하여 제품의 제조효율을 높일 수 있게 하는 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 소자 열관리 모듈은 반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 적층되는 열확산 플레이트; 및 상기 열확산 플레이트 상에 마련되는 것으로, 3D 프린팅 방식에 의해 성형되고, 냉각유체가 흐르는 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 히트 스프레더는 상대적으로 공극이 큰 제1채널을 가진 제1스프레더층과, 상기 제1스프레더의 상측에 배치되는 것으로, 상기 제1채널과 소통되되 그 제1채널보다 공극이 작은 제2채널을 가진 제2스프레더층을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 히트 스프레더의 상측에 배치되어 상기 채널 측으로 냉각유체를 유입시켜 주기 위한 것으로, 상기 히트 스프레더의 채널과 소통 가능한 유로가 형성되어 있고, 상기 유로를 형성하는 냉각유체 유입라인과 배출라인이 서로 구획 형성되는 매니폴드;를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법은 반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 열확산 플레이트를 적층시키는 단계; 및 냉각유체가 흐르는 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더를, 상기 열확산 플레이트 상에 3D 프린팅 방식으로 형성시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
상기 열확산 플레이트와 히트 스프레더는 동일한 재질에 의해 3D 프린팅 방식으로 일체로 형성되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 소자 열관리 모듈은, 반도체 소자의 열관리를 위해 열간물질(TIM;thermal interfacial material)을 사용하는 종래기술과는 달리, 열확산 플레이트 및 히트 스프레더의 채널을 통해 냉각 유체에 의한 대류 방식으로 반도체 소자를 직접 냉각시킬 수 있도록 구성됨으로써, 상기 열간물질 제거로 인한 총 열저항 감소, 상기 채널을 통한 직접 냉각 및 그 채널을 통한 열전달 면적 증가로 인하여 고성능 전력반도체의 냉각효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 소자 열관리 모듈은 채널을 가진 히트 스프레더를 열전도성이 우수한 재질에 의해 3D 프린팅 방식으로 형성시킴으로써, 제품마다 요구되는 성능 스펙(spec)에 따른 다양한 채널 구조를 원하는 위치에 원하는 재료를 사용하여 맞춤형으로 원활하게 제작할 수 있게 하는 효과를 가진다.
도 1은 종래기술에 의한 반도체 소자 열관리 모듈의 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈의 단면도.
도 3은 본 발명 일실시예에 채용된 히트 스프레더의 채널과 매니폴더 간의 배치 및 결합관계를 설명하기 위한 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 구성을 평면에도 보인 도면.
도 5는 도 3에 도시된 구성을 측면에도 보인 도면.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈에 채용된 히트 스프레더의 단면도.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈 제조방법을 설명하기 위한 블럭도.
이하의 설명에서 본 발명에 대한 이해를 명확히 하기 위하여, 본 발명의 특징에 대한 공지의 기술에 대한 설명은 생략하기로 한다. 이하의 실시 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 상세한 설명이며, 본 발명의 권리 범위를 제한하는 것이 아님은 당연할 것이다. 따라서, 본 발명과 동일한 기능을 수행하는 균등한 발명 역시 본 발명의 권리 범위에 속할 것이다.
그리고, 이하의 설명에서 동일한 식별 기호는 동일한 구성을 의미하며, 불필요한 중복적인 설명 및 공지 기술에 대한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 발명의 배경이 되는 기술에 대한 기재 내용과 중복되는 이하의 본 발명의 각 실시예에 관한 설명 역시 생략하기로 한다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈의 단면도이고, 도 3은 본 발명 일실시예에 채용된 히트 스프레더의 채널을 형성시키는 과정을 설명하기 위한 도면이며, 도 4는 본 발명 일실시예에 채용된 히트 스프레더의 채널과 매니폴더 간의 배치 및 결합관계를 설명하기 위한 사시도이며, 도 5는 도 4에 도시된 구성을 평면에도 보인 도면이며, 도 6은 도 4에 도시된 구성을 측면에도 보인 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈은, 전력반도체의 열관리를 위해 사용되는 열간물질(TIM;thermal interfacial material)을 제거하여 총 열저항을 낮추고 냉각유체가 흐르는 채널(20)을 사용하여 대류 열저항을 높일 수 있게 하기 위한 것으로, 열확산 플레이트(1)와 히트 스프레더(2)를 포함하여 이루어진다. 상기 채널(20)의 형상은 일반적인 채널의 형상을 가질 수도 있으나, 냉각유체와의 접촉면적이 커지도록 다공성 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 열확산 플레이트(1)는, 반도체 소자(A)의 열확산을 위해 그 반도체 소자(A)에 적층되는 것으로, 열전도율이 높은 골드(Gold), 구리, 알루미늄 또는 다이아몬드 등과 같은 재질로 형성되고, 넓은 표면을 통해 열이 분산하여 확산될 수 있도록 평판형으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 히트 스프레더(2)는, 상기 열확산 플레이트(1) 상에 마련되는 것으로, 3D 프린팅 방식에 의해 성형되고, 냉각유체가 흐르는 채널(20)이 형성되어 있다. 상기 채널(20)은 3차원 공간상에서 서로 소통되게 배열되는 복수의 공극으로 형성된 유로들로 구성될 수 있다.
이러한 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈은, 반도체 소자(A)의 열관리를 위해 열간물질(TIM;thermal interfacial material)을 사용하는 종래기술과는 달리, 열확산 플레이트(1) 및 히트 스프레더(2)의 채널(20)을 통해 냉각 유체에 의한 대류 방식으로 반도체 소자(A)를 직접 냉각시킬 수 있도록 구성됨으로써, 상기 열간물질 제거로 인한 총 열저항 감소, 상기 채널(20)을 통한 직접 냉각 및 그 채널(20)을 통한 열전달 면적 증가로 인하여 고성능 전력반도체의 냉각효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.
또한, 본 실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈은, 상기 채널(20)을 가진 히트 스프레더(2)를 열전도성이 우수한 재질에 의해 3D 프린팅 방식으로 형성시킴으로써, 제품마다 요구되는 성능 스펙(spec)에 따른 다양한 채널(20) 구조를 원하는 위치에 원하는 재료를 사용하여 맞춤형으로 원활하게 제작할 수 있게 하는 효과를 가진다.
한편, 상기 열확산 플레이트와 히트 스프레더는 각각 개별적으로 제작된 후 서로 결합되어서, 상기 히스 스트레더를 열확산 플레이트 상에 마련되도록 구성되는 것도 가능하나, 제조효율을 더욱 향상시킬 수 있도록 동일 또는 이종 재질에 의해 3D 프린팅 방식으로 반도체 소자의 기판이나 외부 하우징에 일체로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명은, 도 3 내지 도 5에 잘 도시된 바와 같이, 상기 히트 스프레더(2)의 상측에 배치되어 상기 채널(20) 측으로 냉각유체를 유입시켜 주기 위한 매니폴드(3)를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 매니폴드(3)는, 상기 히트 스프레더(2)의 채널(20)과 소통 가능한 유로가 형성되되, 상기 유로는 냉각유체 유입라인(31)과 배출라인(32)이 서로 구획 형성된다.
이러한 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈은, 도 5에 잘 도시된 바와 같이, 히트 스프레더(2)의 상측에 배치되는 매니폴드(3)를 통해 냉각유체가 상측에서 하측으로 넓은 표면적에 분산하여 인젝션(injection)되도록 구성됨으로써, 종래의 국부적인 냉각에 그치지 않고 충돌 분사(Jet impinging)에 의해 높은 대류 열전달 효과를 얻을 수 있는 장점을 가진다.
특히, 본 실시예에 채용된 매니폴드(3)의 각 유입라인(31)은, 도 3 및 도 4에 잘 도시된 바와 같이 입구는 개방되고 출구는 폐쇄된 구조로 이루어지며, 입구부터 출구 사이의 부분은 상기 채널(20)을 가로지르는 축선 방향을 따라 길게 형성되며, 인접한 요소와의 사이에는 상기 배출라인(32)이 배치되도록 구성된다.
또한, 상기 매니폴드(3)의 각 배출라인(32)은, 인접한 유입라인(31)과는 반대로, 그 유입라인(31)의 입구에 대응되는 부분은 폐쇄되고 출구에 대응되는 부분은 개방된 구조로 형성된다.
이러한 구성을 가지는 본 실시예는 다른 추가적인 구조 없이도 매니폴드(3) 자체의 구조에 기인하여 냉각유체의 유입 및 배출이 가능하게 됨으로써, 간소한 구성에 의해서도 냉각유체의 유동 경로 형성이 가능하여 반도체 패키징 구조의 간소화 및 소형화에 기여할 수 있는 장점과, 냉각 유체가 넓은 면적에 걸쳐 골고루 분산하여 히트 스프레더(2)의 채널(20)에 유입되게 함으로써 반도체 소자(A)의 냉각효율을 향상시킬 수 있는 장점을 도출한다.
한편, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈에 채용된 히트 스프레더의 단면도이다.
이 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 채용된 히트 스프레더(200)는 상대적으로 작은 수력직경의 제1채널(201a)을 가진 제1스프레더층(201)과, 상기 제1스프레더층(201)의 상측에 배치되는 것으로, 상기 제1채널(201a)과 소통되되 그 제1채널(201a)보다 큰 수력직경의 제2채널(202a)을 가진 제2스프레더층(202)을 포함하여 이루어진다.
이러한 구성을 가지는 본 실시예는, 상대적으로 수력직경이 작은 제1채널(201a)을 통해 비등시작을 원활하게 할 수 있게 하고, 상대적으로 큰 수력직경의 제2채널(202a)을 통해 임계열유속 증가를 도모할 수 있게 함으로써, 채널의 계층적 구조 형성을 통해 결국 냉각효율 향상을 극대화시킬 수 있는 장점을 가진다.
이하에서는 도 7을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈 제조 방법은, 열확산 플레이트 적층 단계(S1)와 히트 스프레더 형성 단계(S2)를 포함하여 이루어진다.
상기 열확산 플레이트 적층 단계(S1)에서는 반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 열확산 플레이트가 적층되고, 상기 히트 스프레더 형성 단계(S2)에서는 냉각유체가 흐르는 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더를 3D 프린팅 방식으로 형성시켜서 상기 열확산 플레이트 상에 마련되게 한다.
이러한 구성을 가지는 본 실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈 제조방법은, 반도체 소자에 적층되는 열확산 플레이트 상에, 채널을 가진 히트 스프레더를 형성시킴으로써, 반도체 소자의 열관리를 위해 열확산 플레이트와 냉각기 간의 접합을 위해 열간물질(TIM;thermal interfacial material)을 개재시켜 주어야 하는 종래기술과는 달리, 제조공정의 효율을 향상시켜 제조원가 절감을 가능하게 함은 물론, 상기 히트 스프레더의 채널을 통해 냉각 유체에 의한 대류 방식으로 반도체 소자를 직접 냉각시킬 수 있게 하여 고성능 전력반도체의 냉각효율을 더욱 향상시킬 수 있게 한다.
그리고, 본 실시예에 따른 반도체 소자 열관리 모듈 제조방법은, 채널을 가진 히트 스프레더를 열전도성이 우수한 재질에 의해 3D 프린팅 방식으로 형성시킴으로써, 제품마다 요구되는 성능 스펙(spec)에 따른 다양한 채널(20)의 형상이나 구조를 원하는 위치에 원하는 재료로 맞춤형으로 원활하게 제작할 수 있게 하는 효과를 가진다.
한편, 상기 열확산 플레이트와 히트 스프레더는 각각 개별적으로 제작된 후 서로 결합되어서, 상기 히스 스트레더를 열확산 플레이트 상에 마련되도록 구성되는 것도 가능하나, 제조효율을 더욱 향상시킬 수 있도록 동일 또는 이종 재질에 의해 3D 프린팅 방식으로 일체로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 히트 스프레더 형성 단계에서는 하나의 형상을 가진 채널이 형성되도록 구성될 수 있고, 상대적으로 작은 수력직경의 제1채널을 가진 제1스프레더층을 상기 열확산 플레이트 상에 형성시키는 공정이 수행되고, 이후 상기 제1채널과 소통되되 그 제1채널보다 큰 수력직경의 제2채널을 가진 제2스프레더층을 상기 제1스프레더층 상에 형성시키는 공정이 수행되도록 구성되는 것도 가능하다. 여기서, 상기 채널은 3D 프린팅에 의해 다양한 형상으로 제작될 수 있음은 물론이나, 냉각유체와의 접촉면적을 더욱 크게 확보할 수 있도록 다공성 형상으로 이루어지는 것도 가능하다.
이상 본 발명의 다양한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.
1:열확산 플레이트 2:히트 스프레더
20:채널 3:매니폴드
31:유입라인 32:배출라인
A:반도체 소자

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 열확산을 위해 그 반도체 소자에 적층되는 열확산 플레이트;
    상기 열확산 플레이트 상에 마련되는 것으로, 3D 프린팅 방식에 의해 성형되고, 냉각유체가 흐르는 채널이 형성되어 있는 히트 스프레더; 및,
    상기 히트 스프레더의 상측에 배치되어 상기 채널 측으로 냉각유체를 유입시켜 주기 위한 것으로, 상기 히트 스프레더의 채널과 소통 가능한 유로가 형성되어 있고, 상기 유로를 형성하는 냉각유체 유입라인과 배출라인이 서로 구획 형성되는 매니폴드;를 포함하고,
    상기 매니폴드의 유입라인은, 입구가 개방되고 출구가 폐쇄된 구조로 이루어지며, 입구부터 출구 사이의 부분이 채널을 가로지르는 축선 방향을 따라 길게 형성되며, 인접한 요소와의 사이에는 상기 배출라인이 배치되도록 구성되며,
    상기 배출라인은, 인접한 유입라인과는 반대로, 그 유입라인의 입구에 대응되는 부분이 폐쇄되고, 유입라인의 출구에 대응되는 부분이 개방된 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 히트 스프레더는 상대적으로 작은 수력직경의 제1채널을 가진 제1스프레더층과, 상기 제1스프레더의 상측에 배치되는 것으로, 상기 제1채널과 소통되되 그 제1채널보다 큰 수력직경의 제2채널을 가진 제2스프레더층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열관리 모듈.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
KR1020210177238A 2021-12-13 2021-12-13 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법 KR102605791B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210177238A KR102605791B1 (ko) 2021-12-13 2021-12-13 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210177238A KR102605791B1 (ko) 2021-12-13 2021-12-13 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230088959A KR20230088959A (ko) 2023-06-20
KR102605791B1 true KR102605791B1 (ko) 2023-11-23

Family

ID=86995388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210177238A KR102605791B1 (ko) 2021-12-13 2021-12-13 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102605791B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082311A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Motor Corp 衝突噴流冷却器およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076650A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Sony Corp 相変化型ヒートスプレッダ、流路構造体、電子機器及び相変化型ヒートスプレッダの製造方法
KR102321632B1 (ko) * 2015-04-24 2021-11-05 (주) 디아이 3d 프린터를 이용한 엘이디 조명 히트싱크 제조방법
KR102318645B1 (ko) 2019-12-02 2021-10-29 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082311A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Motor Corp 衝突噴流冷却器およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230088959A (ko) 2023-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10727159B2 (en) Counter-flow expanding channels for enhanced two-phase heat removal
US8472193B2 (en) Semiconductor device
US7259965B2 (en) Integrated circuit coolant microchannel assembly with targeted channel configuration
US7460369B1 (en) Counterflow microchannel cooler for integrated circuits
US7233494B2 (en) Cooling apparatus, cooled electronic module and methods of fabrication thereof employing an integrated manifold and a plurality of thermally conductive fins
KR101540146B1 (ko) 전력 모듈용 방열 시스템
US20100065255A1 (en) Vapor Chamber
JPH0334229B2 (ko)
CN110364501B (zh) 一种微流道散热结构、制造方法及电子器件
CN104465562A (zh) 一种链式交错型微通道结构
WO2020248905A1 (zh) 一种晶圆级三维堆叠微流道散热结构及其制造方法
CN212848370U (zh) 散热装置
KR102539336B1 (ko) 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법
KR102605791B1 (ko) 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법
KR102566368B1 (ko) 반도체 소자 열관리 모듈 및 이의 제조 방법
CN109152310A (zh) 一种多圆弧微通道散热装置
TWI767829B (zh) 具蒸氣室的半導體立體封裝結構
KR102617133B1 (ko) 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛 및 그 제조 방법
CN115966533B (zh) 一种带有逆流区的歧管式微通道散热器
TWM621142U (zh) 半導體用散熱中介層
EP3116021A1 (en) Power semiconductor module
JP6465943B1 (ja) ヒートシンクおよび半導体モジュール
CN115332196A (zh) 集成散热芯片***及其制备方法
TW202229802A (zh) 具雙相單向流之超薄型均溫板元件
CN117096121A (zh) 一种SiC MOSFET高效散热低工艺复杂度的集成微扰流柱散热结构

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant