KR102605176B1 - 합성 석영 유리 기판의 제조 방법 - Google Patents

합성 석영 유리 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

[과제] 합성 석영 유리 기판을 샌드블라스트 가공함에 있어서, 기판 표면과 모따기면과의 능선 부분의 가공량 변동이나 기판 측면 부분의 마모를 방지하고, 모따기 형상 및 측면 형상의 변화를 방지하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법을 제공하는 것.
[해결수단] 합성 석영 유리 기판 표면을 샌드블라스트 가공함에 있어서, 스페이서를 기판 외주측면에 맞닿도록 배치하고, 추가로 판재를 기판 표면보다 돌출시킨 상태에서 상기 스페이서의 외주측면에 맞닿도록 배치하여, 기판 표면을 샌드블라스트 가공하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.

Description

합성 석영 유리 기판의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING SYNTHETIC QUARTZ GLASS SUBSTRATE}
본 발명은, 합성 석영 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
대형 사이즈의 플랫 패널 디스플레이 등, 마스크의 대면적화가 진행되고 있는 분야에서는, 원료가 되는 대형 합성 석영 유리 기판을 제조할 때, 합성 석영 유리의 블록으로부터, 특정한 사이즈로 기판을 슬라이스하고, 연마 가공 등에 의해 최종적으로 고평탄도의 합성 석영 유리 기판을 완성하는 과정에 있어서, 원료 손실이나 가공 시간의 삭감이 매우 중요하다.
샌드블라스트를 사용해서 합성 석영 유리 기판을 가공하는 경우, 샌드블라스트의 가공 특성으로서, 표면과 모따기면과의 능선부가 제거되기 쉬우며, 샌드블라스트의 제거량이 많은 경우에는 능선 부분이 크게 가공 제거된다고 하는 현상이 있다. 이 현상에 의해, 모따기폭이 기판의 각 변에서 상이하거나, 동일한 변에 있어서도 부분적으로 모따기폭이 커지거나 하는 경우가 있어, 후속 공정의 연마 가공 후에 이러한 모따기폭의 변동이 남는다고 하는 경우가 드물게 발생하여, 제품 규격을 벗어나거나, 최악의 경우에는 모따기면과의 능선부가 내측으로 너무 깊게 베어져서, 노광 시 등에 진공 누설되어 흡착을 할 수 없다고 하는 실용상의 문제가 일어나는 경우가 생각된다.
이러한 문제 해결을 위해서, 샌드블라스트 시에 기판의 모따기 능선부의 국부 마모를 방지하는 방법으로서는, 기판 주변을 특정한 높이의 판재로 둘러쌈으로써 기류의 영향을 억제하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1).
일본특허공개 제2004-306219호 공보
샌드블라스트에서는, 노즐의 에어 압력이나 체류 시간을 합성 석영 유리 기판 상의 위치마다 변화시킴으로써, 기판 상의 각 위치에 있어서의 가공량을 조절한다. 이때, 동일한 가공 조건 중에서도 기판 상의 위치에 의한 가공량의 변동이 존재하면, 기판의 평탄도가 나빠져서, 후속 공정에서의 가공 시간이 증가해버린다. 예를 들어, 특허문헌 1의 방법에서는, 기판의 치수 변동이 있는 경우, 판재와 기판 측면 사이에 간극이 발생해버리면, 기류의 영향을 완전히 방지할 수 없어, 간극 내에 에어 및 지립이 돌아 들어감으로써, 기판 측면부가 마모되거나, 측면 부근의 가공량에 변동이 발생할 우려가 있다.
반면에, 간극을 만들지 않도록 판재와 기판을 밀착시키면, 접촉에 의해 기판 측면에 흠집이 발생할 우려가 있다. 이 흠집의 제거를 위해서, 후속 공정에서의 가공 시간이 증가할 가능성이 있다. 또한, 샌드블라스트의 에어 압력을 가공 도중에 단계별로 변화시키는 등, 복잡한 가공 조건에 대해서는 기류의 영향을 전부 억제할 수 없게 될 우려가 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 합성 석영 유리 기판을 샌드블라스트 가공함에 있어서, 기판 표면과 모따기면과의 능선 부분의 가공량 변동이나 기판 측면 부분의 마모를 방지하고, 모따기 형상 및 측면 형상의 변화를 방지하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토한 결과, 샌드블라스트를 사용해서 특히 모따기가 실시된 합성 석영 유리 기판 표면을 처리함에 있어서, 스페이서를 기판 외주측면에 맞닿도록 배치하고, 추가로 판재를 기판 표면보다 높게 돌출시킨 상태에서 상기 스페이서의 외주측면에 맞닿하도록 배치하여, 기판 표면을 샌드블라스트 가공함으로써, 기판 측면과 판재 사이에 간극이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 기류의 영향을 효과적으로 억제할 수 있기 때문에, 기판 표면과 모따기면과의 능선 부분의 가공량 변동을 억제할 수 있고, 또한 판재에 의해 기판 측면에 흠집이 발생할 일도 없기 때문에, 기판 측면 부분의 마모를 방지할 수 있어, 모따기 형상 및 측면 형상의 변화를 억제할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 이하의 합성 석영 유리 기판의 제조 방법을 제공한다.
[1]
합성 석영 유리 기판 표면을 샌드블라스트 가공함에 있어서, 스페이서를 기판 외주측면에 맞닿도록 배치하고, 추가로, 판재를 기판 표면보다 돌출시킨 상태에서 상기 스페이서의 외주측면에 맞닿도록 배치하여, 기판 표면을 샌드블라스트 가공하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
[2]
상기 스페이서의 높이가, 상기 가공해야 할 합성 석영 유리 기판의 두께와 동일하거나, 또는 해당 기판의 표면보다 높은 [1]에 기재된 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
[3]
상기 스페이서에 있어서의 합성 석영 유리 기판의 표면으로부터의 돌출 높이가, 10㎜ 이내인 [2]에 기재된 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
[4]
상기 스페이서의 폭이, 5 내지 15㎜인 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
[5]
상기 가공해야 할 합성 석영 유리 기판이, 해당 기판 표면의 주연부에 모따기면을 갖고, 스페이서를 해당 기판 외주측면에 더하여, 추가로 해당 모따기면에도 맞닿도록 배치한 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
[6]
상기 스페이서가, 폭 방향으로 신축 가능한 탄성 고분자 화합물 또는 부직포로 이루어지는 것인 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
[7]
상기 탄성 고분자 화합물이, 실리콘 고무, 폴리우레탄 고무, 네오프렌 고무 및 이소프렌 고무에서 선택되는 [6]에 기재된 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 합성 석영 유리 기판의 측면이나, 기판 표면과 모따기면과의 능선 부분의 국부 마모가 없어지고, 이에 의해 특히 노광 시의 기판 흡착에서의 진공 누설 발생의 위험성을 방지할 수 있어, 노광 시의 흡착 불량을 없앨 수 있다.
도 1은 합성 석영 유리 기판, 스페이서 및 판재의 배치를 나타내고, (I)은 평면도, (II)은 (I)의 ii-ii선을 따른 단면도이다.
도 2는 기판 유지대 상의 합성 석영 유리 기판, 기판 측면의 스페이서 및 판재의 배치와, 이들과 가공 툴의 위치 관계를 도시하는 단면도이다.
도 3은 기판 유지대 상의 합성 석영 유리 기판, 기판 측면 및 모따기면의 스페이서 및 판재의 배치와, 이들과 가공 툴의 위치 관계를 도시하는 단면도이다.
도 4는 능선 부근의 기판 표면의 제거가 진행되지 않는 것에 의한 융기 현상을 나타내는 일부 생략 단면도이다.
도 5는 기판 유지대 상의 합성 석영 유리 기판, 스페이서 및 판재의 배치와, 이들과 가공 툴의 위치 관계를 도시하는 평면도이다.
도 6은 가공 툴의 이동 방향을 도시하는 사시도이다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 합성 석영 유리 기판의 제조 방법은, 특히 대형 합성 석영 유리 기판에 적용되어, 포토마스크 기판, TFT 액정의 어레이측 기판 등으로서 사용되는 것이 바람직하다. 크기는, 바람직하게는 대각 길이가 500㎜ 이상, 보다 바람직하게는 500 내지 2,000㎜의 치수를 갖는 것이다. 또한, 이 기판의 형상은, 정사각형, 직사각형, 원형 등이어도 되고, 원형의 경우, 대각 길이는 직경을 의미한다. 또한, 이 기판의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1 내지 20㎜, 보다 바람직하게는 1 내지 15㎜, 더욱 바람직하게는 5 내지 12㎜이다.
가공하는 합성 석영 유리 기판은, 주연부가 모따기되어 있는 것과 모따기되어 있지 않은 것이 있지만, 모따기되어 있는 것이 적합하게 사용된다. 모따기되어 있는 것에 관해서는, 모따기폭은 특별히 제한되지 않지만, 0.3 내지 1.5㎜인 것이 바람직하다.
본 발명은, 이러한 합성 석영 유리 기판 표면을 샌드블라스트 가공하지만, 본 발명에 있어서는, 도 1의 (I), (II)에 도시한 바와 같이, 스페이서(3)를 샌드블라스트 가공해야 할 합성 석영 유리 기판(1)의 전체 외주측면(2)에 맞닿도록 배치하고, 추가로 판재(4)를 상기 스페이서의 전체 외주측면에 맞닿도록 배치한다. 이와 같이 해서, 스페이서(3)를 통해 판재(4)로 둘러싸인 합성 석영 유리 기판(1)을 기판 유지대(5)에 고정하여, 합성 석영 유리 기판(1)의 표면(1a)을 샌드블라스트 가공한다.
여기서, 합성 석영 유리 기판의 측면에 맞닿는 스페이서의 높이는, 가공해야 할 합성 석영 유리 기판의 두께(높이)와 동일하거나(도 1의 (II)), 또는 해당 기판 표면(1a)보다 돌출되어도 된다(도 2). 도 2 중, 스페이서의 돌출 높이(h1)는, 바람직하게는 10㎜ 이내, 보다 바람직하게는 5㎜ 이내이고, 0㎜ 이상인 것이 바람직하다. 스페이서의 높이가 합성 석영 유리 기판의 두께(높이)보다 낮으면, 스페이서에 맞닿지 않은 합성 석영 유리 기판의 측면 부분에 지립이 돌아 들어가서, 국부 마모가 발생하는 경우가 있는 반면, 돌출 높이가 10㎜을 초과하면, 스페이서에 에어가 부딪쳐서 주변의 기류가 변화되어, 합성 석영 유리 기판의 측면 부근의 가공량에 변동이 발생하는 경우가 있다.
또한, 도 2 중, 합성 석영 유리 기판의 측면에 맞닿는 스페이서의 폭(w1)은, 바람직하게는 5 내지 15㎜, 보다 바람직하게는 8 내지 12㎜이다. 측면에 맞닿는 스페이서의 폭이 5㎜보다 작으면, 에어가 판재에 부딪치거나, 스페이서와 기판간의 간극으로 돌아 들아가는 등의 영향에 의해, 판재와 스페이서 주변의 기류가 변화되었을 때, 기판 측면 부근의 가공량이 흐트러져서, 국부 마모가 발생하는 경우가 있다. 한편, 스페이서의 폭이 15㎜보다 크면, 스페이서와 판재를 간극없이 맞닿게 할 때 반발력이 가해지므로, 합성 석영 유리 기판을 기판 유지대에 장착할 때 및 기판 유지대로부터 취출할 때, 합성 석영 유리 기판에 쓸데없는 힘이 가해져서, 작업성이 나빠지는 경우가 있다.
스페이서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 필요에 따라 기판 외주측면 이외에, 추가로 모따기면(6)에도 맞닿도록 배치할 수 있다. 스페이서(8)를 모따기면에 배치함으로써, 보다 확실하게 기판 표면과 모따기면과의 능선부(7)의 마모를 방지할 수 있다. 이 경우, 모따기면에 맞닿는 스페이서(8)는, 기판의 모따기폭, 모따기면의 각도에 따라서 조정하는 것이 바람직하지만, 모따기면 전체면에 맞닿고, 또한 기판 외주측면에 맞닿는 스페이서(3)와의 사이에 간극이 발생하지 않도록 배치하는 것이 바람직하다. 이 경우, 모따기면에 맞닿는 스페이서폭(w2)은, 바람직하게는 0.5 내지 6㎜, 보다 바람직하게는 2 내지 6㎜, 더욱 바람직하게는 3 내지 5㎜이다. 또한, 모따기면에 맞닿는 스페이서의 높이(h3)는, 에어가 모따기면에 맞닿는 스페이서에 닿아버려서 기판 부근의 기류가 흐트러지는 것을 방지한다는 관점에서, 기판 외주측면에 맞닿는 스페이서와 동일한 높이가 되도록(기판 표면(1a)으로부터 돌출되지 않도록) 배치하는 것이 바람직하다.
스페이서의 재질로서는, 실리콘 고무, 폴리우레탄 고무, 네오프렌 고무, 이소프렌 고무 등의 폭 방향으로 신축 가능한 탄성 고분자 화합물, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 합성 수지로 이루어지는 부직포 등을 들 수 있다. 기판 외주측면에 배치하는 스페이서와, 모따기면에 배치하는 스페이서 중 어디에도 이들의 재질이 사용된다. 예를 들어, 스페이서의 재질이 금속 등의 소재이면, 샌드블라스트 지립에 의해 깍여서 간극이 발생함으로써, 부근의 기류가 흐트러져서, 가공량의 제어가 어려워지거나, 깍여진 이물이 가공 기판에 충돌해서 흠집의 원인이 되는 경우가 있다.
한편, 도 2, 3에 도시하는 바와 같이, 판재(4)는, 합성 석영 유리 기판(1)의 높이(두께)보다 높고, 합성 석영 유리 기판(1)의 표면(1a)보다 돌출시킨 상태로 하지만, 합성 석영 유리 기판(1)의 표면(1a)으로부터의 판재(4)의 돌출 높이(h2)는, 바람직하게는 0.1 내지 15㎜, 보다 바람직하게는 0.3 내지 10㎜이다. 이 돌출 높이(h2)가 너무 낮으면, 합성 석영 유리 기판(1)의 표면과 모따기면(6)과의 능선부(7)의 능선 부분의 마모가 진행되어, 본 발명의 목적을 달성할 수 없는 경우가 있다. 또한, 너무 높으면 능선 부분의 마모는 억제되지만, 능선부(7) 부근의 기판 표면의 제거가 진행되지 않기 때문에 융기되어버려(도 4), 후속 공정에서도 융기 부분(20)을 제거할 수 없는 경우가 있다. 그리고, 이 융기 부분(20)이 남은 경우에는, 진공 흡착에서의 누설 원인이 되어버릴 우려가 있다.
또한, 판재의 높이는, 스페이서를 기판 외주측면에 맞닿게 할 때의 스페이서와 기판 맞닿음면과의 접촉을 어긋나기 어렵게 한다는 관점에서, 기판 외주측면에 맞닿아지는 스페이서의 높이와 동일하거나 이보다 높은 것이 바람직하다. 판재의 높이를 스페이서의 높이보다 높게 하는 경우, 판재의 높이와 스페이서의 높이와의 차(h2-h1)는, 바람직하게는 10㎜ 이내, 보다 바람직하게는 5㎜ 이내이다. 상기의 차는 0㎜ 이상, 특히 0.2㎜ 이상인 것이 바람직하다.
판재의 재질은, 샌드블라스트 가공에 의해 마모되기 어려운 재질이 바람직하고, 예를 들어 폴리우레탄 수지, 불소 수지, 나일론 수지 등을 들 수 있다.
합성 석영 유리 기판과 판재를 배치할 때는, 스페이서와 판재를 확실히 맞닿게 하여, 간극이 생기지 않도록 배치하는 것이 바람직하다. 간극이 생겨버리면, 샌드블라스트 가공 시에 이 간극에 지립 및 에어가 침입되어, 부근의 기류가 흐트러져서 기판의 측면 부분에 국소 마모가 발생할 우려가 있다.
샌드블라스트 가공의 방법으로서는, 공지된 방법을 채용할 수 있으며, 예를 들어 연마 지립으로서 알루미나 지립, 탄화규소 지립 등을 사용할 수 있고, 입경은 #600 내지 #3000이 바람직하다. 에어 압력은, 특별히 제한되지 않지만, 0.01 내지 0.3㎫가 바람직하다.
가공 툴로서는, 예를 들어 도 5, 6에 도시한 것을 사용할 수 있다. 가공 툴(10)은, X, Y축 방향으로 임의로 이동할 수 있는 구조를 가지며, 이동에 대해서는 컴퓨터로 제어할 수 있는 것이다. 또한, X-θ 기구에서도 가공은 가능하다. 에어 압력은, 사용 지립이나 가공 툴과 기판간의 거리에 관계되어 있으며, 일의적으로 정할 수 없고, 제거 속도와 가공 변형 깊이를 고려하여 조정할 수 있다.
본 발명에 따라서 샌드블라스트 가공할 때, 미리 측정해 둔 평탄도 데이터에 기초하여, 높이 데이터를 컴퓨터에 기억시켜서, 높은 부분에서는 가공 툴의 이동 속도를 늦추게 하여 체류 시간을 길게 하는 한편, 낮은 부분에서는 반대로 가공 툴의 이동 속도를 빠르게 하여, 체류 시간을 짧게 한다고 하는 것과 같이 체재 시간을 컨트롤해서 가공을 행할 수 있다.
가공의 전후에, 기판의 모따기면 및 측면 부분의 표면 조도(Ra) 측정을 행한다. 표면 조도의 측정은, 일반적인 거칠기 측정기이면 특별히 제한되지 않지만, 미츠토요사제의 거칠기 측정기를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법에서는 기판의 높은 부분만을 선택적으로 제거하기 때문에, 평탄도가 나쁜 기판을 확실하게 개선하는 것이 가능하고, 가공 툴의 정밀 제어에 의해 고평탄도 기판을 취득할 수 있을 뿐 아니라, 거친 제어에 의해 기판의 평탄도 개선을 단시간에 실현할 수 있다.
본 발명의 샌드블라스트 가공에 의해 얻어진 합성 석영 유리 기판은, 세정 후, 금속막의 형성, 레지스트막의 형성, 노광 공정에 의해 회로 패턴이 묘화되고, 레지스트막 제거 등의 공정을 거쳐서, 포토마스크 기판, TFT 액정의 어레이측 기판 등으로서 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
또한, 하기 예에 있어서, 평탄도 및 평행도의 측정은, 플랫니스 테스터(구로다 세이꼬오사제)를 사용하고, 표면 조도의 측정은 거칠기 측정기(미츠토요사제)를 사용했다.
흠집의 유무는, 암실 내에서의 집광 목시 검사로 확인했다. 집광 개소에, 명확하게 판별할 수 있는 휘점이나 휘선이 나타나는 경우에는 「있음」이라 하고, 휘점이나 휘선이 보이지 않는 경우는 「없음」이라 하였다.
[실시예 1]
크기 1220×1400㎜, 두께 13.6㎜의 합성 석영 유리 기판을 탄화규소 지립 GC#600(후지미 켄마자이(주)제)을 사용하여, 랩 장치에서 가공을 행하여, 원료 기판을 준비했다. 이때의 모따기면의 각도는 45°, 모따기폭은 0.9㎜이고, 표면의 평탄도는 80㎛, 평행도가 4㎛였다. 또한, 측면 부분에 대해서 검사를 행한바, 표면 조도(Ra)는 0.04㎛이고, 목시 수준에서 판별할 수 있는 흠집은 없었다.
얻어진 원료 기판을, 도 3에 도시한 바와 같이, 장치의 기판 유지대에 장착했다. 그 때, 높이가 원료 기판의 두께와 동일한 13.6㎜이고, 폭(w1)이 10㎜인 실리콘 고무를 스페이서로 하여 원료 기판 외주측면의 네변에 맞닿도록 배치하여, 모따기 부분에는 모따기폭과 동일한 폭(w2) 0.9㎜이고, 높이(h3)가 3㎜인 실리콘 고무를 씌워서 테이프로 고정하여, 기판을 유지대에 설치했다.
기판 유지대에는, 높이 14.0㎜(h2=0.4㎜)의 폴리우레탄 수지제 판재를 판재로 하여 스페이서의 외주측면에 맞닿도록 배치했다. 가공 장치는, 도 5에 도시한 바와 같이, 도시하지 않은 모터에 가공 툴(10)인 샌드블라스트 노즐을 설치하여, 회전할 수 있는 구조와 가공 툴에 에어로 가압할 수 있는 구조의 것을 사용했다. 또한, 샌드블라스트 노즐은, X, Y축 방향으로 기판 유지대에 대하여 거의 평행하게 이동할 수 있는 구조로 되어 있다.
블라스트재의 지립은, 알루미나 지립 FO#1000(후지미 켄마자이(주)제)을 사용하고, 에어 압력은 0.1㎫로 했다. 가공 방법은, 도 6에 있어서의 화살표와 같이, X축에 평행하게 가공 툴(10)인 샌드블라스트 노즐을 연속적으로 이동시키고, Y축 방향으로는 30㎜ 피치로 이동시키는 방법을 채용했다. 샌드블라스트 노즐의 이동 속도는, 원료 기판 형상으로 가장 낮은 기판 외주부에서 50㎜/sec으로 하고, 기판 각 부분에서의 이동 속도는 가공 속도로부터 기판 각 부분에서의 샌드블라스트 노즐의 필요 체재 시간을 구하고, 여기에서 이동 속도를 계산해서 샌드블라스트 노즐의 이동에 의해 가공 위치를 이동시켜서, 양면의 처리를 실시했다. 또한, 기판의 짧은 변의 가장 높은 위치에서의 샌드블라스트 제거량을 100㎛로 설정하여, 가공을 행하였다.
그 후, 합성 석영 유리 기판을 취출해서 측면 및 모따기면의 표면 조도의 측정과, 암실 내에서의 집광 목시에 의한 흠집의 검사를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 2]
원료 기판에, 크기 1220×1400㎜, 두께 13.6㎜의 모따기 가공을 행하지 않은 합성 석영 유리 기판을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 가공을 행하였다. 얻어진 합성 석영 유리 기판의 측면을 실시예 1과 동일하게 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
샌드블라스트 가공 시의 에어 압력을 0.3㎫로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샌드블라스트 가공을 행하였다. 얻어진 합성 석영 유리 기판의 측면 및 모따기면을 실시예 1과 동일하게 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 4]
스페이서로서 실리콘 고무 대신 이소프렌 고무를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샌드블라스트 가공을 행하였다. 얻어진 합성 석영 유리 기판의 측면 및 모따기면을 실시예 1과 동일하게 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 5]
스페이서로서 높이 18.0㎜(h1=4.4㎜)의 실리콘 고무를 사용하여, 판재로서 높이 20.0㎜(h2=6.4㎜)의 폴리우레탄 수지제 판재를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샌드블라스트 가공을 행하였다. 얻어진 합성 석영 유리 기판의 측면 및 모따기면을 실시예 1과 동일하게 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 6]
샌드블라스트 가공 시의 에어 압력을 0.3㎫로 한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 샌드블라스트 가공을 행하였다. 얻어진 합성 석영 유리 기판의 측면 및 모따기면을 실시예 1과 동일하게 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
원료 기판을 기판 유지대에 장착할 때, 기판 외주측면 및 모따기면에 스페이서를 맞닿지 않는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샌드블라스트 가공을 행하였다. 얻어진 합성 석영 유리 기판의 측면 및 모따기면을 실시예 1과 동일하게 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112019055985679-pat00001
1 : 합성 석영 유리 기판
2 : 측면
3, 8 : 스페이서
4 : 판재
5 : 기판 유지대
6 : 모따기면
7 : 능선부
10 : 가공 툴
20 : 융기 부분

Claims (7)

  1. 합성 석영 유리 기판 표면을 샌드블라스트 가공함에 있어서, 스페이서를 기판 외주측면에 맞닿도록 배치하고, 추가로, 판재를 기판 표면보다 돌출시킨 상태에서 상기 스페이서의 외주측면에 맞닿도록 배치하여, 기판 표면을 샌드블라스트 가공하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스페이서의 높이가, 상기 가공해야 할 합성 석영 유리 기판의 두께와 동일하거나, 또는 해당 기판의 표면보다 높은 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스페이서에 있어서의 합성 석영 유리 기판의 표면으로부터의 돌출 높이가, 10㎜ 이내인 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이서의 폭이, 5 내지 15㎜인 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가공해야 할 합성 석영 유리 기판이, 해당 기판 표면의 주연부에 모따기면을 갖고, 스페이서를 해당 기판 외주측면에 더하여, 추가로 해당 모따기면에도 맞닿도록 배치한 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이서가, 폭 방향으로 신축 가능한 탄성 고분자 화합물 또는 부직포로 이루어지는 것인 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 탄성 고분자 화합물이, 실리콘 고무, 폴리우레탄 고무, 네오프렌 고무 및 이소프렌 고무에서 선택되는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
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