KR102599191B1 - 향상된 ic 설계 유연성을 위한 변압기 기반 정합 네트워크 - Google Patents

향상된 ic 설계 유연성을 위한 변압기 기반 정합 네트워크 Download PDF

Info

Publication number
KR102599191B1
KR102599191B1 KR1020217024252A KR20217024252A KR102599191B1 KR 102599191 B1 KR102599191 B1 KR 102599191B1 KR 1020217024252 A KR1020217024252 A KR 1020217024252A KR 20217024252 A KR20217024252 A KR 20217024252A KR 102599191 B1 KR102599191 B1 KR 102599191B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transformer
printed
matching network
size
discontinuities
Prior art date
Application number
KR1020217024252A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210122244A (ko
Inventor
사무엘 제임슨
Original Assignee
라파엘 어스밴스드 디펜스 시스템즈 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 라파엘 어스밴스드 디펜스 시스템즈 엘티디 filed Critical 라파엘 어스밴스드 디펜스 시스템즈 엘티디
Publication of KR20210122244A publication Critical patent/KR20210122244A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102599191B1 publication Critical patent/KR102599191B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F19/00Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
    • H01F19/04Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804Printed windings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/40Structural association with built-in electric component, e.g. fuse
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09Filters comprising mutual inductance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021Constructional details
    • H03H2001/0064Constructional details comprising semiconductor material
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021Constructional details
    • H03H2001/0078Constructional details comprising spiral inductor on a substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

하나 이상의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)가 개시되며, 이 것은 a) 인쇄된 변압기의 횡방향 차원을 따라 도입된, 전자기 불연속부의 형태인 복수의 내부 포트를 갖는 인쇄된 변압기를 포함하는, 축소된 크기의 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크; 내부 포트에 추가되어 상기 변압기 기반 정합 네트워크의 차수를 증가시키는 리액티브 엘리먼트로서, 하나 이상의 리액티브 엘리먼트는 정합 네트워크의 횡방향 차원을 따라 인쇄되는 것인 상기 리액티브 엘리먼트; 정합 네트워크의 입력 포트에 연결된 인쇄된 컴포넌트; 및 정합 네트워크의 출력 포트에 연결된 인쇄된 컴포넌트를 포함한다.

Description

향상된 IC 설계 유연성을 위한 변압기 기반 정합 네트워크
본 발명은 RF 집적회로 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 향상된 IC 설계 유연성을 갖는 변압기 기반 정합 네트워크의 소형 집적회로(IC) 구현에 관한 것이다.
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), SiGe(Silicon-Germanium), InP(Indium Phosphide), GaAs(GaAs), 질화갈륨(GaN)와 같은 고급 MOSFET 기술들은 민간 및 군사용으로 향상된 복잡도, 성능 및 주파수를 갖는 RF, 마이크로웨이브 및 밀리미터파(mm-wave) 컴포넌트의 설계 및 구현을 가능하게 해준다. 그러나, 지난 20년 동안 CMOS의 대규모화를 거치면서, CMOS는 그것의 저비용 및 대량 생산 능력으로 인해 모든 산업에서 가장 많이 사용되는 공정이 되었다.
그룹 III-그룹 V 기술의 대부분의 시스템(주로 GaAs 및 GaN)은 단일 종단 디자인(single-ended design)을 표준으로 사용하지만, CMOS 기반 기술은 그것의 고유한 성능 향상(파워, 절연성 등)을 위해 표준으로서 차동 설계를 널리 사용한다.
RF 집적회로(RFIC) 컴포넌트 성능은 모든 RF, 마이크로파 및 밀리미터파 시스템에서 매우 중요하다. 이들이 시스템 작동 범위, 주파수 대역폭 및 교정 단순성의 제1 제한 요소이다. RFIC 컴포넌트는 수동 및 능동 컴포넌트의 2가지 기본 셀로 모델링될 수 있다. 시스템을 구현하기 위해, 각 컴포넌트는 차례로 캐스케이드 식으로 연결되어 일반적으로 전송 또는 수신 채널(송신기 또는 수신기)을 생성하거나, 또는 심지어 결합되어 무선 송수신기를 생성한다.
시스템의 컴포넌트 및 서브-컴포넌트를 연겨하는 정합 네트워크는 주로 변압기(전자기적으로 결합된 2개의 권선 루프 인덕터로 구성됨)를 사용하여 구현된다. 변압기는 RFIC 설계자의 작업 중 많은 부분을 차지하며 설계를 최적화하기 위해 높은 수준의 최적화와 수많은 반복 작업이 필요한 경우가 많다. 변압기는 일반적으로 모든 RF, 마이크로파 및 밀리미터파 시스템에서 중요한 설계 고려사항인 IC 면적 크기로 인한 소형화 덕분에, 다른 유형의 정합 네트워크를 구현하는데 사용된다.
변압기 구현은 종종 지루하고, 수작업으로 이루어지며, 최첨단의 결과를 얻으려면 복잡한 전자기 도구 및 높은 경험도를 필요로 한다. 이러한 변압기는 반복 불가능하고, 종종 매번 하나씩 다시 생성해야 한다.
RF 시스템의 주파수 대역폭 및 평탄도(flatness) 제한은 트랜지스터 자체로부터 발생하는 경우가 거의 없으며, 그보다는 패시브 컴포넌트 자체로부터 발생한다. 차동 설계에서, 일반적으로 주파수 대역폭을 제한하는 컴포넌트는 2개의 상이한 엘리먼트의 입력 및 출력 임피던스를 매칭시키기 위한 RF 변압기이다.
도 1(종래 기술)은 고전적인 변압기의 개략도이다. 이 컴포넌트는 소형이고 소형 설계가 가능하지만, 그것의 작은 크기로 인해 자체 구조 내에서 복잡한 전자기 간섭이 발생한다. 이러한 전자기 간섭은 특히 주파수가 증가함에 따라 모델링하기 어렵고 제어하기 어렵다. 이 컴포넌트는 최적의 성능에 도달하기 위해 길고 많은 지루한 반복을 필요로 한다.
이러한 컴포넌트의 주요 기본값은 그 구조에 내재되어 있다. 즉, 주파수 종속 에너지 전송이다. 단일 변압기를 사용하는 경우, 대역폭은 변압기에서 제공하는 단일 극성에 의해 자동으로 제한된다. 따라서, 종종 대역폭을 늘리기 위해 직렬 또는 병렬로 연결된 인덕터 및 커패시터와 같은 다른 엘리먼트들의 통합을 통해 추가 극성이 추가된다. 변압기 기반 정합 네트워크의 차수 증가로 인한 두 가지 다른 주요 이점은 이득 평탄도 제어 및 단일 엘리먼트 이상을 튜닝할 수 있게 하는 설계 유연성이다.
개선된 변압기 트랜스임피던스 주파수 응답을 사용하는 RF 회로의 이득 대역폭 향상(GBWEN: Gain Bandwidth Enhancement)은 매우 바람직하며 그것의 이득 및 평탄도를 손상시키지 않으면서 더 넓은 대역 회로를 달성하는 것으로 이전 연구[1-5]에서 이미 입증되었다.
도 2(종래 기술)는 단순한 단일 튜닝 변압기와 비교하여, 고차 변압기(이 예에서는 차동 4차 필터)의 트랜스임피던스 주파수 응답 향상을 보여주는데, [5]에 따르면 인쇄된 인덕터의 값과 변압기 내의 불연속부는 별도로 조정될 수 있다. [2-4]에서 알 수 있듯이, 향상된 대역폭과 평탄도를 달성하려면 변압기에 추가 럼프드 엘리먼트(lumped element)가 추가되어야 한다. 이렇게 추가된 럼프드 엘리먼트는 통합 공간을 희생시키면서 성능을 향상시킨다.
변압기 인터-와인딩(inter-winding) 커패시턴스를 통해 낮은 결합 계수(coupling factor)의 변압기 기반 정합 네트워크를 사용함으로써 V 대역(50-75GHz), E 대역(60-90GHz) 및 W 대역(75-110GHz) 주파수에서 더 높은 차수의 변압기가 생성될 수 있으나, 낮은 주파수, 즉, X 대역(8-12GHz)에서 Ka 대역(24-40GHz)까지의 주파수에서는 거의 불가능한데, 이는 더 높은 커플링 값(k)을 강제하는 정합 네트워크의 인덕턴스 값이 필요하기 때문이다.
따라서, 본 발명의 목적은 설계에 더 빠르고 유연하며 최소한의 타협을 요구하는 변압기 기반 정합 네트워크의 컴팩트한 구현을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 IC 크기 면적을 증가시키지 않으면서 RF 시스템 성능 및 대역폭을 개선하는 변압기 기반 정합 네트워크의 컴팩트한 구현을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 유연하고 설계 구현의 후기 단계에서도 정합 네트워크를 수정할 수 있는 변압기 기반 정합 네트워크의 컴팩트한 구현을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 설명이 진행됨에 따라 명백해질 것이다.
적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법으로서, 이에 따라 인쇄된 변압기 내부에 전자기 불연속부가 IC의 횡방향 차원을 따라 도입되어 변압기 내에 복수의 내부 포트를 생성한다. 그 다음, 하나 이상의 내부 포트에 리액티브 엘리먼트(예컨대, 인쇄된 인덕터 또는 인쇄된 커패시터)를 추가함으로써 변압기 기반 정합 네트워크의 차수가 증가되는데, 리액티브 엘리먼트는 IC의 횡방향 차원을 따라 인쇄된다. 변압기 기반 정합 네트워크의 차수는 원하는 차수를 얻을 때까지 더 많은 내부 포트에 더 많은 리액티브 엘리먼트를 추가함으로써 더 증가될 수 있다.
전자기 불연속부를 생성한 후, 변압기의 주요 전자기 특성은 유지된다.
변압기의 인쇄된 인덕터 및 불연속부는 IC 설계의 각 단계에서 개별적으로 조정될 수 있다.
일 양태에서, 리액티브 엘리먼트는 X축을 따라 IC의 임계 차원에서의 크기를 증가시키지 않고 Y축 또는 Z축을 따라 추가된다. 횡방향의 차원(Y축)을 따른 전자기 불연속부가 인쇄된 변압기의 1차측 또는 2차측 또는 양쪽에 도입될 수 있다. 1차측 또는 2차측의 불연속부는 추가된 인덕터 또는 커패시터로 대칭적으로 채워질 수 있다.
결합 루프를 형성하는 인쇄된 전도성 스트립을 갖는 변압기의 불연속부는 인접한 루프 사이의 간격을 변화시켜 1차측 또는 2차측에 직렬 인덕턴스 또는 직렬 커패시턴스를 도입함으로써 얻어질 수 있다.
감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크는:
a) 인쇄된 변압기의 횡방향 차원을 따라 도입된, 전자기 불연속부의 형태의 복수의 내부 포트를 갖는 인쇄된 변압기; 및
b) 변압기 기반 정합 네트워크의 차수를 증가시키기 위해 내부 포트에 추가되는 하나 이상의 리액티브 엘리먼트를 포함하고, 이 하나 이상의 리액티브 엘리먼트는 정합 네트워크의 횡방향 차원을 따라 인쇄된다.
집적회로(IC)는:
a) 감소된 크기를 갖는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크로서:
a.1) 인쇄된 변압기의 횡방향 차원을 따라 도입된 전자기 불연속부의 형태의 복수의 내부 포트를 갖는 인쇄된 변압기; 및
a.2) 변압기 기반 정합 네트워크의 차수를 증가시키기 위해 내부 포트에 추가되는 하나 이상의 리액티브 엘리먼트를 포함하고, 하나 이상의 리액티브 엘리먼트는 정합 네트워크의 횡방향 차원를 따라 인쇄되는 것인 상기 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크;
b) 정합 네트워크의 입력 포트에 연결된 인쇄된 컴포넌트; 및
c) 정합 네트워크의 출력 포트에 연결된 인쇄된 컴포넌트를 포함한다.
본 발명의 상기 및 기타 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 대한 다음의 예시적이고 비제한적인 상세한 설명을 읽을 때 더 잘 이해될 것이다.
도 1(종래 기술)은 고전적인 변압기의 개략도이다.
도 2(종래 기술)는 단순 튜닝된 변압기 대 4차 기반 변압기 정합 네트워크의 성능의 예를 보여준다.
도 3(종래 기술)은 직렬 인덕터(L1-L4) 또는 병렬 커패시터(C1-C2)를 사용하는 고차 변압기 기반 정합 네트워크(30a, 30b)의 구현을 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, Y축 평면에서 수정된 변압기 레이아웃(40) 및 전자기 불연속부를 보여준다.
도 5a(종래 기술)는 종래의 변압기 기반 정합 네트워크 구현의 집중 전자 모델(lumped electronic model)을 도시한다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른, 선택된 고차 정합 네트워크의 집중 전자 모델을 도시한다.
도 6a는 x축의 다른 컴포넌트에 캐스케이드 식으로 연결된 2개의 변압기 기반 고차 정합 네트워크를 갖는 증폭기(IC로 구현됨)를 도시한다.
도 6b는 제1 변압기 기반 고차 정합 네트워크(61)의 집적회로(IC) 레이아웃을 도시한다.
도 6c는 제2 변압기 기반 고차 정합 네트워크의 집적회로(IC) 레이아웃을 도시한다.
도 7a는 CMOS 180nm 기술로 구현된 고차-변압기 기반 정합 네트워크의 종래의 구현을 가진 IC의 레이아웃을 도시한다.
도 7b는 2개의 프린트된 불연속부를 사용하는 고차 변압기 기반 정합 네트워크(CMOS 180nm 기술로 구현됨)의 제안된 구현을 갖는 IC의 레이아웃을 도시한다.
도 8a는 등가 변압기 1차 루프의 인덕턴스를 보여준다.
도 8b는 등가 변압기 2차 루프의 인덕턴스를 보여준다.
도 8c는 등가 변압기의 결합 계수를 보여준다.
도 9a 및 도 9b는 180nm CMOS에서 제안된 기술을 사용한 2-스테이지 RF K-밴드 증폭기의 측정 이득 및 반사 손실 결과를 각각 보여준다.
본 발명은 IC 크기 면적을 증가시키지 않으면서 RF 시스템 성능과 대역폭을 향상시킨, 변압기 기반 정합 네트워크의 컴팩트하고 유연한 설계 및 구현을 제안한다. 제안된 구현은 변압기 구조 내부에 전자기 불연속부를 사용하여, 외부 수단(추가 인쇄된 리액티브 컴포넌트)에 대한 내부 인터페이스 역할을 하는, 변압기 내부에 복수의 내부 포트를 도입하고, 동시에 전자기 불연속부를 생성한 후에도 그것의 주요 전자기 특성(즉, 전자기 메커니즘 동작)을 유지한다. 이러한 내부 포트는 하나 이상의 내부 포트에 인덕터와 같은 리액티브 엘리먼트를 추가함으로써 회로 성능(즉, 평탄도 및 주파수 대역폭)을 개선하는 고차 정합 네트워크를 구현하는데 사용된다. 이러한 내부 포트는 메인 회로 크기를 변경하지 않고 상당한 정합 네트워크 크기 감소 및 그에 따른 전체적인 IC 크기 감소를 초래하는 고차 정합 네트워크의 일부로 사용된다. 본 발명은 더 많은 유연성 및 개선된 성능을 갖는 정합 네트워크의 더 빠른 실현을 가능하게 한다.
이 예에서, 인덕터를 변압기의 입력에서 제1 내부 포트로 이동시키는 것은 주요 전자기 메커니즘 동작에 영향을 미치지 않는다. 이 특수한 경우에서, 이것은 전자기 불연속부가 비간섭적이고 비파괴적이며, 추가된 인덕터가 전자기 변압기의 동작에 거의 영향을 미치지 않는다는 것을 의미한다. 이러한 특성 덕분에, 인쇄된 인덕터와 변압기의 불연속부는 그들이 상호 연관되지 않기 때문에 IC 설계 및 구현의 다양한 단계에서 개별적으로 조정될 수 있다.
도 3(종래 기술)은 직렬 인덕터(L1-L4) 또는 병렬 커패시터(C1-C2)를 사용하는 고차 변압기 기반 정합 네트워크(30a, 30b)의 구현을 도시한다. 이러한 컴포넌트들(L1-L4 및 C1-C2)은 광대역 설계를 허용하고 이득 평탄도 및 반사 손실을 개선하기 위해 사용된다. 그러나, 이러한 종래 기술의 주요 결점은 추가 인덕터에 의해 요구되는 공간이며, 이는 정합 네트워크 크기를 증가시켜 IC 크기 면적을 증가시킨다. 이러한 정합 네트워크는 더 나은 결과를 제공한다 하더라도 대규모 통합 회로 및 시스템에서 중요한 크기 제약으로 인해 종종 무시된다.
본 발명이 제안하는 구현은 변압기의 전자기적 불연속부를 통해 복수의 내부 포트를 생성함으로써 고차 변압기 기반 정합 네트워크를 얻을 수 있게 하면서도, 여전히 그것의 주요 전자기 메커니즘을 유지한다. 그 다음, 이러한 내부 포트들은 일반적으로 임계 차원(X축)에 의해 결정되는 크기를 늘리지 않고도 Y-Z축에 리액티브 엘리먼트(즉, 인덕터, 커패시터)를 추가하고 향상된 고차 정합 네트워크 설계를 얻기 위해 사용될 수 있다. 더 많은 내부 포트에 더 많은 리액티브 엘리먼트를 추가하면, 원하는 차수를 얻을 때까지 변압기 기반 정합 네트워크의 차수가 증가한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, 수정된 변압기 레이아웃(40) 및 횡방향 차원(이 예에서, Y-축 평면)의 전자기 불연속부를 도시한다. 이 예에서, 전자기 불연속부에 의해 도입된 제1 그룹의 내부 포트는 인덕터(예컨대, 도 3의 L1)를 변압기의 입력으로부터 제1 그룹의 내부 포트(41a 및 41b)로 이동시키데 사용되며, (무시할 정도로) 미세한 차이를 도입시킨다. 1차 측의 내부 포트(41a, 41b, 42a, 42b) 및 2차측의 내부 포트(43a, 43b)는 결과적인 고차 정합 네트워크의 크기 감소를 가능하게 하고 유연한 설계로 회로 성능을 개선할 수 있게 한다.
대부분의 경우, IC 임계 차원은 컴포넌트의 X축(입력에서 출력까지의 경로가 일반적으로 전개되는 종방향 차원)인 반면, Y축(횡방향 차원)은 덜 중요하다. 대규모 통합에서는, 각 컴포넌트가 지리적으로 더 큰 퍼즐의 정확한 조각으로서 역할하기 때문에, 특정 지점에서 컴포넌트 크기를 추가, 증가 또는 감소시키는 것은 매우 문제가 된다. 이 예에서 중요하지 않은 엘리먼트를 추가할 수 있는 가능성(공간 수정 없이 설계의 후반 단계에서 Y축 변압기 불연속면)은 또 다른 수준의 설계 유연성 및 전반적으로 더 나은 방법론을 도입한다.
도 5a(종래 기술)는 종래의 변압기 기반 정합 네트워크 구현의 집중 전자 모델(lumped electronic model)을 도시한다. 이 예에서, 1차측의 정합 네트워크(50)는 2개의 추가된 직렬 인덕터(L1, L3)를 포함한다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른, 선택된 고차 정합 네트워크의 집중 전자 모델을 도시한다. 이 실시예에서, (2개의 내부 포트(53, 54)를 형성하는) 1차측의 불연속부(51, 52)는 각각 2개의 추가된 인덕터(55, 56)로 채워진다. 1차측 또는 2차측의 불연속부는 추가 인덕터 또는 커패시터로 대칭 또는 비대칭으로 채워질 수 있다.
도 6a-6c는 K-대역 주파수에서 CMOS 180nm에서 전자기 변압기 불연속부에 의해 생성된 내부 포트를 사용하는 변압기 기반 고차 정합 네트워크의 예를 도시한다.
도 6a는 x축의 다른 컴포넌트에 캐스케이드 식으로 연결된, 2개의 변압기 기반 고차 정합 네트워크(61, 62)를 갖는 증폭기(60)(IC로 구현됨)를 도시한다.
도 6b는 제1 변압기 기반 고차 정합 네트워크(61)의 집적회로(IC) 레이아웃을 도시한다. 변압기(64)는 인접한 루프 사이의 간격이 원하는 상호 인덕턴스를 결정하는, 결합 루프(인덕터)를 형성하는 인쇄된 전도성 스트립에 의해 구현된다. 2개의 인쇄된 불연속부(41a 및 41b)는 불연속부(41a 및 41b)에 각각 삽입되는 2개의 인쇄된 직렬 인덕터(63a 및 63b)(인쇄된 전도성 스트립의 루프에 의해 구현됨)를 포함한다는 것을 알 수 있다. 각각의 직렬 인덕터(63a, 63b)는 루프 길이가 원하는 직렬 인덕턴스를 구현하고 IC의 (임계 X축을 따르지 않고) Y축을 따른 영역을 차지하도록 루프 형태로 인쇄된다. 결합 루프를 형성하는 인쇄된 전도성 스트립이 있는 변압기에서 인접 루프 사이의 간격을 변경하여 불연속부를 얻을 수 있으므로 변압기의 1차 또는 2차 측에 직렬 인덕턴스 또는 직렬 커패시턴스를 도입할 수 있다.
도 6c는 제2 변압기 기반 고차 정합 네트워크(61)의 집적회로(IC) 레이아웃을 도시한다. 여기서, 또한 변압기(64)는 결합 루프(인덕터)를 형성하는 인쇄된 전도성 스트립에 의해 구현되며, 이 때 인접한 루프 사이의 간격이 원하는 상호 인덕턴스를 결정한다. 이 경우에도, 2개의 인쇄된 불연속부는 2개의 인쇄된 직렬 인덕터(65a 및 65b)(인쇄된 전도성 스트립의 루프로 구현됨)를 포함하며, 각각은 인덕턴스 값을 증가시키는 2개의 결합 루프를 포함한다. 여기서도, 루프 길이는 원하는 직렬 인덕턴스를 구현하고 IC의 (임계 X축을 따르지 않고) Y축을 따라 영역을 차지한다.
도 7a는 CMOS 180nm 기술로 구현된 고차 변압기 기반 정합 네트워크의 기존 구현을 가진 IC(70)의 레이아웃을 보여준다. 이 구현에서, 직렬 인덕터(L1, L2)는 인쇄된 변압기(64)보다 먼저 인쇄되고 따라서 X축에서 중요한 영역을 차지한다.
도 7b는 2개의 인쇄된 직렬 인덕터(L1 및 L2)가 IC의 (임계 X축을 따르지 않고) Y축을 따른 영역을 차지하도록 배치되도록, 2개의 인쇄된 불연속부를 사용하는, 고차 변압기 기반 정합 네트워크(CMOS 180nm 기술로 구현)의 제안된 구현을 갖는 IC(71)의 레이아웃을 보여준다. 이것은 IC 면적의 약 30%를 절약할 수 있다.
도 8a-8c는 두 구조의 전자기 특성을 보여주는데, 여기서 도 8a는 등가 변압기 1차 루프의 인덕턴스를 보여주고, 도 8b는 등가 변압기 2차 루프의 인덕턴스를 보여주고, 도 8c는 등가 변압기의 결합 계수를 보여준다. 입력 및 출력 Z-파라미터를 사용하여 기존 및 제안된 기술과 등가 변압기 루프의 인덕턴스 및 결합을 비교한다. 도시된 바와 같이, 기존의 접근 방식과 제안된 기술 사이에 매우 작은 차이가 관찰된다(약 2%). 따라서, 전기적 성능 차이가 거의 없는 상태에서 상당한 크기가 감소된(이 경우에는 30% 크기 감소) 유사한 정합 네트워크를 구현할 수 있다.
도 9a 및 9b는 180 nm CMOS에서 제안된 기술을 사용하는 2단 RF K-대역 증폭기(60)의 측정 이득 및 반사 손실 결과를 각각 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 고차 정합 네트워크의 사용 덕분에 추가 크기 없이 넓은 대역폭에 대한 최첨단 평탄도가 달성된다. 이 예에서 기존의 정합 네트워크를 사용했다면 회로 크기는 일반적으로 총 15-20% 정도 더 컸을 것이다.
위의 실시예 및 설명은 물론 예시의 목적으로만 제공되었으며, 본 발명을 어떤 식으로든 제한하려는 의도가 아니다. 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 본 발명은 인터넷, 셀룰러 네트워크 또는 임의의 다른 무선 데이터 네트워크를 포함하여, 위에서 설명된 기술 중 하나 이상의 기술을 사용하여 매우 다양한 방식으로 수행될 수 있으며, 이들 모두 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다.
(참조문헌)
[1] C.-H. Li, C.-N. Kuo, and M.-C. Kuo, “A 1.2-V 5.2-mW 20-30-GHz wideband receiver front-end in 0.18-μm CMOS,” IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 60, no. 11, pp. 2709-2722, Nov. 2011.
[2] M. Bassi, J. Zhao, A. Bevilacqua, A. Ghilioni, A. Mazzanti, and F. Svelto, “A 40-67 GHz power amplifier with 13 dBm PSAT and 16% PAE in 28 nm CMOS LP,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 50, no. 7, pp. 1618-1628, Jul. 2015.
[3] J. Zhao, M. Bassi, A. Mazzanti, and F. Svelto, “A 15 GHz-bandwidth 20 dBm PSAT power amplifier with 22% PAE in 65 nm CMOS ,” in Proc. IEEE Custom Integr. Circuits Conf. (CICC), Sep. 2015, pp. 1-4.
[4] V. Bhagavatula, T. Zhang, A. R. Suvarna, and J. C. Rudell, “An ultrawideband IF millimeter-wave receiver with a 20 GHz channel bandwidth using gain-equalized transformers,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 51, no. 2, pp. 323-331, Feb. 2016.
[5] Marco Vigilante and Patrick Reynaert, "On the Design of Wideband Transformer-Based Fourth Order Matching Networks for E-Band Receivers in 28-nm CMOS", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 52, no. 8, Aug. 2017.

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법으로서,
    a) 상기 IC의 인쇄된 변압기의 입력으로부터 출력으로 향하는 X축에 수직인 횡방향 축을 따라, 상기 인쇄된 변압기의 1차측 및 2차측 권선을 형성하는 인쇄된 전도성 스트립 내에서 물리적인 불연속부를 도입하여 상기 변압기 내에 복수의 내부 포트를 생성하는 단계; 및
    b) 상기 내부 포트 중 하나 이상에 상기 X축에 수직인 횡방향 축을 따라 인쇄된 리액티브 엘리먼트(reactive element)를 추가함으로써 상기 변압기 기반 정합 네트워크의 차수를 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 변압기 기반 정합 네트워크의 차수는 원하는 차수를 얻을 때까지 더 많은 내부 포트에 더 많은 리액티브 엘리먼트를 추가함으로써 더 증가되는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 리액티브 엘리먼트는 인쇄된 인덕터인 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리액티브 엘리먼트는 인쇄된 커패시터인 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 변압기의 주요 전자기 특성은 상기 불연속부를 생성한 후에도 유지되는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 인쇄된 인덕터의 값 및 상기 변압기 내의 불연속부들은 IC 설계의 각 단계에서 개별적으로 조정될 수 있는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, X축을 따라 상기 IC의 임계 차원에서의 상기 IC의 크기를 증가시키지 않으면서 Y축 또는 Z축을 따라 리액티브 엘리먼트들이 추가되는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 횡방향 차원(Y축)을 따른 불연속부는 인쇄된 변압기의 1차측 또는 2차측 또는 양측 모두에 도입되는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 1차측 또는 2차측의 불연속부는 추가된 인덕터 또는 커패시터로 대칭적으로 채워지는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 결합 루프를 형성하는 인쇄된 전도성 스트립을 갖는 변압기 내의 불연속부는 인접한 루프 사이의 간격을 변경함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 인접한 루프 사이의 간격을 변경하는 것은 1차측 또는 2차측에 직렬 인덕턴스 또는 직렬 커패시턴스를 도입하는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크를 포함하는 집적회로(IC)의 크기를 줄이는 방법.
  12. 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크로서,
    a) 인쇄된 변압기의 입력으로부터 출력으로 향하는 X축에 수직인 횡방향 축을 따라, 상기 인쇄된 변압기의 1차측 및 2차측 권선을 형성하는 인쇄된 전도성 스트립 내에 물리적인 불연속부의 형태로 도입된 복수의 내부 포트를 갖는 인쇄된 변압기; 및
    b) 상기 X축에 수직인 횡방향 축을 따라 인쇄되어 상기 내부 포트에 추가되어, 상기 변압기 기반 정합 네트워크의 차수를 증가시키는 하나 이상의 리액티브 엘리먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  13. 제 12 항에 있어서, 원하는 차수를 얻을 때까지 추가의 내부 포트에 연결된 추가의 리액티브 엘리먼트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 리액티브 엘리먼트는 인쇄된 인덕터 및/또는 인쇄된 커패시터인 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  15. 제 12 항에 있어서, X축을 따라 IC의 임계 차원에서의 상기 IC의 크기를 증가시키지 않으면서, Y축 또는 Z축을 따라 리액티브 엘리먼트가 추가되는 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 횡방향 차원(Y축)을 따른 불연속부는 상기 인쇄된 변압기의 1차측 또는 2차측 또는 양측 모두에 도입되는 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  17. 제 12 항에 있어서, 1차측 또는 2차측 내의 불연속부는 추가 인덕터 또는 커패시터로 대칭적으로 채워진 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  18. 제 12 항에 있어서, 결합 루프를 형성하는 인쇄된 전도성 스트립을 갖는 변압기 내의 불연속부는 인접한 루프 사이의 간격을 변경하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  19. 제 12 항에 있어서, 인접 루프 사이의 간격은 1차측 또는 2차측에 직렬 인덕턴스 또는 직렬 커패시턴스를 도입하기 위해 변경되는 것을 특징으로 하는 감소된 크기를 갖는 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크.
  20. 집적회로(IC)로서,
    a) 축소된 크기를 갖는 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크로서:
    a.1) 인쇄된 변압기의 입력으로부터 출력으로 향하는 X축에 수직인 횡방향 축을 따라, 상기 인쇄된 변압기의 1차측 및 2차측 권선을 형성하는 인쇄된 전도성 스트립에서 전자기 불연속부의 형태로 도입된 복수의 내부 포트를 갖는 인쇄된 변압기; 및
    a.2) 상기 내부 포트에 추가되어 상기 변압기 기반 정합 네트워크의 차수를 증가시키는 하나 이상의 리액티브 엘리먼트를;
    포함하고, 상기 하나 이상의 리액티브 엘리먼트는 상기 X축에 수직인 상기 정합 네트워크의 횡방향 축을 따라 인쇄된 것인, 상기 적어도 하나의 인쇄된 변압기 기반 정합 네트워크;
    b) 상기 정합 네트워크의 입력 포트에 연결된 인쇄된 컴포넌트; 및
    c) 상기 정합 네트워크의 출력 포트에 연결된 인쇄된 컴포넌트를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
KR1020217024252A 2019-02-05 2020-02-04 향상된 ic 설계 유연성을 위한 변압기 기반 정합 네트워크 KR102599191B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IL264679A IL264679B (en) 2019-02-05 2019-02-05 A transformer-based coordination network with high flexibility in designing integrated circuits
IL264679 2019-02-05
PCT/IL2020/050132 WO2020161705A1 (en) 2019-02-05 2020-02-04 Transformer-based matching network for enhanced ic design flexibility

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210122244A KR20210122244A (ko) 2021-10-08
KR102599191B1 true KR102599191B1 (ko) 2023-11-08

Family

ID=71947236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217024252A KR102599191B1 (ko) 2019-02-05 2020-02-04 향상된 ic 설계 유연성을 위한 변압기 기반 정합 네트워크

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220122757A1 (ko)
EP (1) EP3921858A4 (ko)
KR (1) KR102599191B1 (ko)
IL (1) IL264679B (ko)
WO (1) WO2020161705A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100019857A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Star Rf, Inc. Hybrid impedance matching

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466542B1 (ko) * 2002-11-13 2005-01-15 한국전자통신연구원 적층형 가변 인덕터
TWI314331B (en) * 2006-08-23 2009-09-01 Via Tech Inc Symmetrical inductor
EP2549646A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-23 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) Transformer filter arrangement
DE102013101771A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Intel Mobile Communications GmbH Sendeanordnung und Verfahren zum Analysieren eines verstärkten Sendesignals
US9577683B2 (en) * 2013-04-22 2017-02-21 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Systems, transceivers, receivers, and methods including cancellation circuits having multiport transformers
US9779868B2 (en) * 2014-04-30 2017-10-03 Qorvo Us, Inc. Compact impedance transformer
CN104103636B (zh) * 2014-07-07 2016-08-24 武汉芯泰科技有限公司 一种片上变压器
US9653204B2 (en) * 2015-01-22 2017-05-16 Globalfoundries Inc. Symmetric multi-port inductor for differential multi-band RF circuits

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100019857A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Star Rf, Inc. Hybrid impedance matching

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Graciele Batistell ET AL; "System-in-Package Matching Network for RF Wireless Transceivers", 2016 AUSTROCHIP WORKSHOP ON MICROELELCTRONICS, IEEE, OCT 2016, P 35-39*

Also Published As

Publication number Publication date
EP3921858A4 (en) 2022-11-02
US20220122757A1 (en) 2022-04-21
IL264679A (en) 2020-08-31
IL264679B (en) 2022-01-01
WO2020161705A1 (en) 2020-08-13
EP3921858A1 (en) 2021-12-15
KR20210122244A (ko) 2021-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jia et al. A full Ka-band power amplifier with 32.9% PAE and 15.3-dBm power in 65-nm CMOS
Cheng et al. A novel approach to the design and implementation of dual-band power divider
Chiang et al. Design of a wide-band lumped-element 3-dB quadrature coupler
Ma et al. A miniaturized millimeter-wave standing-wave filtering switch with high P1dB
CN110098812B (zh) 一种应用于gnss的双频段低噪声放大器
Meng et al. Compact millimeter-wave SPDT switches and Wilkinson power combiners implemented by LC-based spiral transmission lines
Beigizadeh et al. Analysis and design of a lumped-element hybrid coupler using limited quality factor of components
Nocera et al. Down-converter solutions for 77-GHz automotive radar sensors in 28-nm FD-SOI CMOS technology
Zhang et al. Miniaturized coplanar waveguide bandpass filters using multisection stepped-impedance resonators
Ozis et al. Integrated quadrature couplers and their application in image-reject receivers
Song et al. Design of compact balanced-to-balanced diplexer using dual-mode CRLH resonator for RFID and 5G applications
May et al. A 40-50-GHz SiGe 1: 8 differential power divider using shielded broadside-coupled striplines
Liu et al. A K-band low noise amplifier with on-chip baluns in 90nm CMOS
KR102599191B1 (ko) 향상된 ic 설계 유연성을 위한 변압기 기반 정합 네트워크
Ji et al. A multiband directional coupler using SOI CMOS for RF front-end applications
Chang et al. Wideband reconfigurable power divider/combiner in 40-nm CMOS for 5G mmW beamforming system
Mehdi et al. Millimetre-wave all symmetric edge-coupled bandpass filter
Yu Design of length-saving multiway Wilkinson power dividers
Wang et al. A software configurable coupler with programmable coupling coefficient
Toulali et al. Design of a Low Noise Amplifier using the Quarter wave Transformers matching Technique in the Frequency band [9-13] GHz
Konidas et al. A 30 GHz Low Power & High Gain Low Noise Amplifier with G m-Boosting in 28nm FD-SOI CMOS Technology
Bhattacharya et al. A 28GHz, 7mW, 32dB Gain and 3.3 dB NF, G m-Boosted CG-CS LNA for 5G RF Beamformers
Do et al. A 22-30 GHz Single-Ended-To-Differential LNA Using Double Defected Ground Marchand Balun
Park et al. A passive quadrature generation scheme for integrated RF systems
Liu et al. A 39 GHz broadband high-isolation CMOS mixer using magnetic-coupling CG Gm stage for 5G applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right