KR102583257B1

KR102583257B1 - Electrode structure for neuromodulation device

Info

Publication number: KR102583257B1
Application number: KR1020180087035A
Authority: KR
Inventors: 김창제; 남상혁; 허성호
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2018-07-26
Filing date: 2018-07-26
Publication date: 2023-09-27
Also published as: KR20200012138A

Abstract

실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체는 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함하는 기재; 상기 기재 상에 배치되는 전극 부재; 상기 기재를 감싸면서 배치되는 실링층; 및 상기 기재 및 상기 실링층 사이에 배치되는 지지 부재를 포함한다.An electrode structure for a neuromodulation device according to an embodiment includes a substrate including one side and another side opposite to the one side; an electrode member disposed on the substrate; a sealing layer disposed while surrounding the substrate; and a support member disposed between the substrate and the sealing layer.

Description

신경조절 디바이스용 전극 구조체{ELECTRODE STRUCTURE FOR NEUROMODULATION DEVICE}Electrode structure for neuromodulation device {ELECTRODE STRUCTURE FOR NEUROMODULATION DEVICE}

실시예는 신경조절 디바이스용 전극 구조체에 관한 것이다.Embodiments relate to electrode structures for neuromodulation devices.

의학 분야에서는 신체 일부에 전극(electrode)을 삽입하여 신체 일부를 자극하거나 신체 일부에 대한 생체 신호를 측정하는 일이 빈번하게 발생한다. 여기서, 전극은 전기적 신호를 신체 내부로 전달하여 전기적인 자극을 일으키는 자극용 전극, 신경 신호 활동(neural activity)의 측정에 주로 이용되며 뇌에서 발생한 전기적 신호를 받아들여 외부로 전달하는 측정용 전극으로 분류될 수 있다.In the medical field, inserting an electrode into a part of the body to stimulate a part of the body or measure biosignals of a part of the body frequently occurs. Here, the electrode is a stimulation electrode that transmits electrical signals to the inside of the body to produce electrical stimulation, and is mainly used to measure neural activity. It is a measurement electrode that receives electrical signals generated in the brain and transmits them to the outside. can be classified.

이러한 전극을 이용한 치료 방법이 최근 활발하게 개발되고 있다. 특히, 전극을 이용한 치료 방법이 신경 관련질환자들을 대상으로 하는 치료 방법에 활발하게 적용되고 있다.Treatment methods using such electrodes have been actively developed recently. In particular, treatment methods using electrodes are being actively applied to treatment methods for patients with nerve-related diseases.

이러한 전극을 이용한 치료 방법은 신체 내부로 전기적 신호를 전달하기 위해, 전기를 전달하기 위한 신경조절 디바이스가 신체에 삽입되어야 한다. 이에 따라, 특수한 환경에 적용되는 신경조절 디바이스는, 이러한 환경에 적합한 신뢰성 및 성형 용이성이 요구된다.The treatment method using these electrodes requires a neuromodulation device to be inserted into the body to transmit electrical signals to the inside of the body. Accordingly, neuromodulation devices applied to special environments require reliability and ease of molding suitable for such environments.

자세하게, 신체 내부에서 부작용을 일으키지 말아야 하며, 신체 내부의 체액 등에 의해 디바이스의 전극 등이 손상되지 말아야 한다. 또한, 신체 내부에 삽입되는 과정에서 용이하게 신체에 용이하게 삽입 및 신체 내부에서 용이하게 이동 및 변형될 수 있도록 성형이 용이하여야 한다.In detail, it must not cause side effects inside the body, and the electrodes of the device must not be damaged by body fluids inside the body. In addition, it must be easily molded so that it can be easily inserted into the body and easily moved and deformed inside the body during the process of insertion into the body.

예를 들어, 이러한 신경조절 디바이스용 전극 구조체는 인체 내부의 신경을 둘러싸면서, 각 신경 부위에 전류를 인가할 수 있다. 이를 위해서는 신경조절 디바이스용 전극 구조체가 용이하게 성형 가능하여야 한다.For example, this electrode structure for a neuromodulation device can surround nerves inside the human body and apply current to each nerve region. To achieve this, the electrode structure for the neuromodulation device must be easily moldable.

이러한 신경조절 디바이스용 전극 구조체를 성형하는 방법으로서는, 열을 인가하여 전극 구조체의 외부 기재를 유리전이온도 이상으로 가열하여, 성형하는 방법이 있다.A method of forming such an electrode structure for a neuromodulation device includes applying heat to heat the external substrate of the electrode structure to a temperature higher than the glass transition temperature.

그러나, 열을 이용하여 성형하는 경우, 온도가 내려간 후, 다시 원복이 될 수 있고, 성형 중 전극 구조체를 고정하는 별도의 고정 장치가 요구되어 성형이 용이하지 않은 문제점이 있다.However, when molding using heat, there is a problem that the temperature may return to its original state after the temperature decreases, and a separate fixing device is required to fix the electrode structure during molding, making molding difficult.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 구조의 신경조절 디바이스용 전극 구조체 및 이를 포함하는 신경조절 디바이스가 요구된다.
신경조절 디바이스와 관련된 선행기술로서 한국공개특허 KR10-2018-0044941(2018.05.03)이 개시되어 있다.Therefore, there is a need for a new electrode structure for a neuromodulation device that can solve the above problems and a neuromodulation device including the same.
As prior art related to neuromodulation devices, Korean Patent Publication KR10-2018-0044941 (2018.05.03) is disclosed.

실시예는 용이하게 제조할 수 있고, 향상된 성형 용이성을 가지는 신경조절 디바이스용 전극 구조체를 제공하고자 한다.The embodiment seeks to provide an electrode structure for a neuromodulation device that can be easily manufactured and has improved moldability.

실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체는 기재를 감싸는 실링층의 내부 또는 기재와 실링층 사이에 배치되는 지지 부재를 포함할 수 있다.The electrode structure for a neuromodulation device according to an embodiment may include a support member disposed inside a sealing layer surrounding a substrate or between the substrate and the sealing layer.

상기 지지 부재는 일정한 연성, 강도 및 탄성을 가질 수 있다.The support member may have certain ductility, strength and elasticity.

즉, 상기 지지 부재는 기재에 비해 높은 강성을 가질 수 있다. 또한, 상기 지지 부재는 전극부재에 비해 높은 강성 및 탄성을 가질 수 있다.That is, the support member may have higher rigidity than the substrate. Additionally, the support member may have higher rigidity and elasticity than the electrode member.

이에 따라, 상기 신경조절 디바이스용 전극 구조체를 인체의 신경 다발에 감기 위한 성형을 용이하게 할 수 있고, 성형 후, 원상복귀 되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, it is possible to easily mold the electrode structure for the neuromodulation device to wrap around the nerve bundle of the human body, and to prevent it from returning to its original state after molding.

즉, 지지 부재에 의해 성형 후, 성형 형상이 유지될 수 있고, 성형 시 지지 부재에 의해 전극 구조체가 고정이 되므로, 성형 중 별도의 고정을 요구하지 않으므로, 전극 구조체의 성형을 용이하게 할 수 있고, 또한, 다양한 형상으로 성형이 가능하다.That is, the molded shape can be maintained after molding by the support member, and since the electrode structure is fixed by the support member during molding, separate fixation during molding is not required, making molding of the electrode structure easy. , Additionally, it can be molded into various shapes.

따라서, 실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체는 용이하게 성형이 가능하며, 성형 후 원복되는 것을 방지할 수 있으며, 다양한 형상의 성형이 가능하다.Therefore, the electrode structure for a neuromodulation device according to the embodiment can be easily molded, can be prevented from returning after molding, and can be molded into various shapes.

도 1은 실시예에 따른 신경조절 디바이스를 도시한 도면이다.
도 2은 실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체의 사시도를 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 4는 도 2의 A-A' 영역을 절단한 단면도를 도시한 도면들이다.
도 5 내지 도 7은 지지 부재의 배치 위치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 8 내지 도 11은 도 2의 A-A' 영역을 절단한 다른 단면도를 도시한 도면들이다.
도 12 내지 도 15는 도 3에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체의 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 16 내지 도 18은 도 10에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체의 공정을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a diagram illustrating a neuromodulation device according to an embodiment.
Figure 2 is a perspective view of an electrode structure for a neuromodulation device according to an embodiment.
Figures 3 and 4 are cross-sectional views taken along the line AA' of Figure 2.
5 to 7 are drawings for explaining the arrangement positions of the support members.
FIGS. 8 to 11 are diagrams showing another cross-sectional view taken along area AA' of FIG. 2.
Figures 12 to 15 are diagrams for explaining the process of the electrode structure for the neuromodulation device according to Figure 3.
Figures 16 to 18 are diagrams for explaining the process of the electrode structure for the neuromodulation device according to Figure 10.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to some of the described embodiments, but may be implemented in various different forms, and as long as it is within the scope of the technical idea of the present invention, one or more of the components may be optionally used between the embodiments. It can be used by combining and replacing.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention, unless explicitly specifically defined and described, are generally understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. It can be interpreted as meaning, and the meaning of commonly used terms, such as terms defined in a dictionary, can be interpreted by considering the contextual meaning of the related technology.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. Additionally, the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular may also include the plural unless specifically stated in the phrase, and when described as “at least one (or more than one) of A, B, and C,” it can be combined with A, B, and C. It can contain one or more of all possible combinations.

또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. Additionally, when describing the components of an embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and are not limited to the essence, sequence, or order of the component.

그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다. And, when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to that other component, but also is connected to that component. It may also include cases where other components are 'connected', 'coupled', or 'connected' by another component between them.

또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. Additionally, when described as being formed or disposed "above" or "below" each component, "above" or "below" refers not only to cases where two components are in direct contact with each other, but also to one This also includes cases where another component described above is formed or placed between two components.

또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.Additionally, when expressed as “top (above) or bottom (bottom),” it can include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one component.

이하, 도면을 참조하여, 실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체를 설명한다.Hereinafter, an electrode structure for a neuromodulation device according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

도 1을 참조하면, 신경조절 디바이스(1000)는 전원 공급부(100), 상기 전원부와 연결되는 전극 구조체(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the neuromodulation device 1000 may include a power supply unit 100 and an electrode structure 200 connected to the power supply unit.

상기 전원 공급부(100)는 상기 전극 구조체(200)로 전류를 공급할 수 있다. 자세하게, 상기 전원 공급부(100)는 상기 전극 구조체(200)로 전류를 공급하여, 상기 전극 구조체(200)에 전기적 신호를 인가할 수 있다.The power supply unit 100 may supply current to the electrode structure 200. In detail, the power supply unit 100 may supply electric current to the electrode structure 200 to apply an electrical signal to the electrode structure 200.

상기 전원 공급부(100)는 상기 전극 구조체(200)로 인가되는 전류량 및 시간을 제어할 수 있다. 예를 들어, 신경조절 디바이스가 적용되는 인체의 목, 척수 또는 뇌 등 인체의 위치에 따라 인가되는 전류량 및 시간이 상이할 수 있으며, 전원 공급부(100)는 신경조절 디바이스에서 전류가 인가되는 인체의 위치에 따라 적정한 시간으로 전류를 공급할 수 있다. The power supply unit 100 can control the amount and time of current applied to the electrode structure 200. For example, the amount and time of applied current may be different depending on the location of the human body, such as the neck, spinal cord, or brain of the human body to which the neuromodulation device is applied, and the power supply unit 100 may be connected to the human body to which the current is applied from the neuromodulation device. Current can be supplied at an appropriate time depending on the location.

상기 전원 공급부(100)와 상기 전극 구조체(200)는 전기적으로 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 전극 구조체는 상기 전원 공급부(100)와 전기적으로 연결되는 전극 패드부를 포함하고, 상기 전극 패드부가 상기 전원 공급부(100)의 단자와 연결됨으로써, 상기 전극 구조체(200)와 상기 전원 공급부(100)가 전기적으로 연결될 수 있다.The power supply unit 100 and the electrode structure 200 may be electrically connected. In detail, the electrode structure includes an electrode pad portion electrically connected to the power supply unit 100, and the electrode pad portion is connected to a terminal of the power supply unit 100, thereby forming the electrode structure 200 and the power supply unit ( 100) can be electrically connected.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 전극 구조체(200)는 복수의 영역을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 전극 구조체(200)는 상기 제 1 영역(1A), 제 2 영역(2A) 및 제 3 영역(3A)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the electrode structure 200 may include a plurality of regions. In detail, the electrode structure 200 may include the first area (1A), the second area (2A), and the third area (3A).

상기 제 1 영역(1A)은 상기 전원 공급부(100)와 연결되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 영역(1A)은 상기 전원 공급부(100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 영역(1A)은 상기 전원 공급부(100)와 연결되어 상기 전원 공급부(100)에서 인가되는 전류를 전달받을 수 있다. The first area 1A may be an area connected to the power supply unit 100. The first area 1A may be electrically connected to the power supply unit 100. The first area (1A) is connected to the power supply unit 100 and can receive current applied from the power supply unit 100.

자세하게, 상기 제 1 영역(1A)에는 상기 전원 공급부(100)와 연결되는 제 1 전극부(210)가 배치되고, 상기 제 1 전극부(210)는 상기 전원 공급부(100)의 패드부와 본딩되어, 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In detail, a first electrode unit 210 connected to the power supply unit 100 is disposed in the first area 1A, and the first electrode unit 210 is bonded to the pad unit of the power supply unit 100. and can be electrically connected to each other.

상기 제 3 영역(3A)은 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)과 전기적으로 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 영역(3A)의 일단은 상기 제 1 영역(1A)과 연결되고, 상기 제 3 영역(3A)의 타단은 상기 제 2 영역(2A)과 연결될 수 있다.The third area (3A) may be electrically connected to the first area (1A) and the second area (2A). In detail, one end of the third area 3A may be connected to the first area 1A, and the other end of the third area 3A may be connected to the second area 2A.

상기 제 3 영역(3A)은 상기 전원 공급부(100)로부터 상기 제 1 영역(1A)으로 인가된 전류를 상기 제 2 영역(1A)으로 전달할 수 있다.The third area (3A) may transfer the current applied from the power supply unit 100 to the first area (1A) to the second area (1A).

상기 제 2 영역(2A)은 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 3 영역(3A)으로부터 전달되는 전류를 인체 내부로 전달할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 영역(2A)은 인체의 목, 척수 또는 뇌 등과 직접 또는 간접적으로 접촉하여 인체의 신경 기관에 전류를 인가할 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 구조체가 인체 내부로 삽입되어, 신경 기관에 직접 접촉하거나, 신경 기관을 나선형으로 감싸면서 배치될 수 있고, 상기 제 1 영역(1A)으로부터 전달되는 전류를 상기 제 2 영역(2A)의 전극부에 의해 신경 기관에 전달할 수 있다.The second area (2A) can transmit current transmitted from the first area (1A) and the third area (3A) into the human body. In detail, the second area 2A may directly or indirectly contact the neck, spinal cord, or brain of the human body to apply electric current to the nervous organs of the human body. For example, the electrode structure may be inserted into the human body, directly contacting the nervous organ, or placed while spirally surrounding the nervous organ, and may direct the current transmitted from the first area (1A) to the second area (1A). It can be delivered to the nervous system by the electrode part of 2A).

자세하게, 상기 제 2 영역(2A)에는 복수 개의 제 2 전극부(220)들이 배치되고, 상기 제 2 전극부(220)들은 상기 인체의 내부에서 신경 기관과 직접 또는 간접적으로 접촉하며, 전류를 신경 내부로 전달하여 신경을 자극할 수 있다.In detail, a plurality of second electrode units 220 are disposed in the second area 2A, and the second electrode units 220 are in direct or indirect contact with the nervous system inside the human body and transmit current to the nerves. It can be delivered internally to stimulate nerves.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 신경조절 디바이스의 전극 구조체는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.Referring to Figures 3 to 5, the electrode structure of the neuromodulation device according to the embodiment may be formed in various shapes.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체는 제 1 기재(410)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the electrode structure for a neuromodulation device according to an embodiment may include a first substrate 410.

상기 제 1 기재(410)는 수지 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 기재(410)는 흡수율(water absorption)이 낮은 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 1 기재(410)는 물을 흡수하는 능력이 작은 수지 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 기재(410)는 약 0.04% 이하의 흡수율을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 기재(410)는 약 0.01% 내지 약 0.04%의 흡수율을 가질 수 있다.The first substrate 410 may include a resin material. The first substrate 410 may include a material with low water absorption. That is, the first substrate 410 may include a resin material with a low ability to absorb water. In detail, the first substrate 410 may have an absorption rate of about 0.04% or less. In more detail, the first substrate 410 may have an absorption rate of about 0.01% to about 0.04%.

이때, 기재의 흡수율은 약 100℃ 이상의 온도로 가열하여 수분을 증발시킨 후, 가열 전 무게대비 줄어든 무게를 퍼센테이지(%)로 계산하여 측정할 수 있다.At this time, the water absorption rate of the substrate can be measured by heating to a temperature of about 100°C or higher to evaporate moisture and then calculating the weight lost compared to the weight before heating as a percentage (%).

상기 제 1 기재(410)의 흡수율이 0.04%를 초과하는 경우, 전극 구조체가 인체 내부에서 인체의 수분을 흡수함에 따라, 기재의 형상이 변형되어, 기재 상의 전극이 탈막될 수 있고, 전극 내부로 수분이 침투하여 전극이 산화되는 등 변성이 발생할 수 있다.When the water absorption rate of the first substrate 410 exceeds 0.04%, as the electrode structure absorbs moisture from the human body inside the human body, the shape of the substrate may be deformed, the electrode on the substrate may be defilmed, and the electrode structure may be absorbed into the electrode. Moisture may penetrate and cause denaturation, such as oxidation of the electrode.

또한, 상기 제 1 기재(410)의 흡수율이 0.01% 미만인 기재는 공정상 제조가 어려울 수 있다.Additionally, a substrate with an absorption rate of less than 0.01% of the first substrate 410 may be difficult to manufacture in terms of the process.

일례로, 상기 제 1 기재(410)는 폴리에텔에텔케톤(Polyetheretherketone, PEEK) 수지 또는 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP)수지를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 제한되지는 않는다. For example, the first substrate 410 may include polyetheretherketone (PEEK) resin or liquid crystal polymer (LCP) resin, but the embodiment is not limited thereto.

상기 제 1 기재(410) 상에는 전극 부재들이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 기재(410) 상에는 제 1 전극부, 제 2 전극부 및 배선 전극이 배치될 수 있다.Electrode members may be disposed on the first substrate 410. In detail, a first electrode portion, a second electrode portion, and a wiring electrode may be disposed on the first substrate 410.

자세하게, 상기 제 1 기재(410)는 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 기재(410)의 일면에는 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)가 배치될 수 있다. In detail, the first substrate 410 may include one side and another side opposite to the one side. A first electrode unit 210 and a second electrode unit 220 may be disposed on one surface of the first substrate 410.

앞서 설명하였듯이. 상기 제 1 전극부(210)는 상기 전원 공급부(100)와 본딩되어 전기적으로 연결되는 전극부이고, 상기 제 2 전극부(220)는 상기 전원 공급부(100)에서 인가되는 전류를 인체 내부의 신경 기관으로 전달하는 전극층일 수 있다.As explained earlier. The first electrode unit 210 is an electrode unit that is bonded and electrically connected to the power supply unit 100, and the second electrode unit 220 transfers the current applied from the power supply unit 100 to the nerves inside the human body. It may be an electrode layer that is delivered to the organ.

상기 제 2 전극부(220)는 복수 개로 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 전극부(220)은 상기 인체 내부에서 어떤 신경 기관에 적용되는지에 따라 전극부의 수가 달라질 수 있다. 예를 들어, 신경조절 디바이스에 의해 인체 내부의 국부적인 영역에 전류를 전달하는 경우에는 상기 제 2 전극부(220)의 수는 적을 수 있고, 인체 내부에서 척추 등 큰 영역에 전류를 전달하는 경우에는 상기 제 2 전극부(220)의 수는 많을 수 있다.The second electrode portion 220 may be arranged in plural pieces. In detail, the number of electrode units of the second electrode unit 220 may vary depending on which nerve organ is applied within the human body. For example, when the current is delivered to a localized area inside the human body by a neuromodulation device, the number of second electrode units 220 may be small, and when the current is delivered to a large area such as the spine within the human body, the number of second electrode units 220 may be small. The number of second electrode units 220 may be large.

상기 제 1 기재(410)의 타면에는 배선 전극(230)이 배치될 수 있다. 상기 배선 전극(230)은 상기 제 1 전극부(210) 및 상기 제 2 전극부(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 전극부(210)로 공급되는 전류는 상기 배선 전극(230)을 통해 상기 제 2 전극부(220)로 이동될 수 있다.A wiring electrode 230 may be disposed on the other surface of the first substrate 410. The wiring electrode 230 may be electrically connected to the first electrode unit 210 and the second electrode unit 220. Accordingly, the current supplied to the first electrode unit 210 may move to the second electrode unit 220 through the wiring electrode 230.

또한, 상기 제 1 기재(410)의 내부에는 복수 개의 비아홀들이 형성될 수 있다. 상기 비아홀들에는 상기 배선 전극(230)들이 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 기재(410)의 타면 상에 배치되는 배선 전극은 상기 비아홀 내부로 연장되어, 상기 제 1 전극부(210) 및 상기 제 2 전극부(220)와 연결될 수 있다.Additionally, a plurality of via holes may be formed inside the first substrate 410. The wiring electrodes 230 may be disposed in the via holes. That is, the wiring electrode disposed on the other side of the first substrate 410 may extend into the via hole and be connected to the first electrode portion 210 and the second electrode portion 220.

즉, 상기 제 1 전극부(210) 및 상기 제 2 전극부(220)는 상기 배선 전극(230)과 상기 제 1 기재(410)의 다른 면 상에 배치될 수 있고, 상기 비아홀 내부의 배선 전극을 통해 서로 연결될 수 있다.That is, the first electrode portion 210 and the second electrode portion 220 may be disposed on different surfaces of the wiring electrode 230 and the first substrate 410, and the wiring electrode inside the via hole can be connected to each other through.

상기 비아홀의 폭은 약 30㎛ 이하일 수 있다. 즉, 상기 비아홀의 폭은 상기 제 1 기재(410)의 타면 상에 배치되는 배선 전극(230)의 두께와 동일 또는 유사할 수 있다.The width of the via hole may be about 30㎛ or less. That is, the width of the via hole may be the same or similar to the thickness of the wiring electrode 230 disposed on the other surface of the first substrate 410.

상기 제 1 전극부(210), 상기 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극부(210), 상기 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극부(210), 상기 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)은 동일한 금속 물질을 포함할 수 있다.The first electrode unit 210, the second electrode unit 220, and the wiring electrode 230 may include a conductive material. In detail, the first electrode unit 210, the second electrode unit 220, and the wiring electrode 230 may include a metal material. The first electrode unit 210, the second electrode unit 220, and the wiring electrode 230 may include the same metal material.

상기 제 1 전극부(210) 및 상기 제 2 전극부(220)는 제 1 금속층(310), 상기 제 1 금속층(310) 상에 배치되는 제 2 금속층(320) 및 상기 제 2 금속층(320) 상에 배치되는 패드부(350)를 포함할 수 있다.The first electrode portion 210 and the second electrode portion 220 include a first metal layer 310, a second metal layer 320 disposed on the first metal layer 310, and the second metal layer 320. It may include a pad portion 350 disposed on the top.

상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 1 기재(410)의 밀착력은 상기 제 2 금속층(320)과 상기 제 1 기재(420)의 밀착력과 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 1 기재(410)의 밀착력은 상기 제 2 금속층(320)과 상기 제 1 기재(420)의 밀착력보다 클 수 있다.The adhesion between the first metal layer 310 and the first substrate 410 may be different from the adhesion between the second metal layer 320 and the first substrate 420. In detail, the adhesive force between the first metal layer 310 and the first substrate 410 may be greater than the adhesive force between the second metal layer 320 and the first substrate 420.

상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 2 금속층(320)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 금(Au)을 포함할 수 있다. 일반적으로, 금, 은, 백금 등의 귀금속 종류의 금속은 흡습율이 낮은 기재와 밀착성이 작은 특성이 있다. 이에 따라, 상기 제 2 금속층(320)과 상기 제 1 기재(410) 사이에 상기 제 2 금속층(320)과 상기 제 1 기재(410)의 버퍼 역할을 하는 상기 제 1 금속층(310)을 배치할 수 있다.The first metal layer 310 and the second metal layer 320 may include different materials. For example, the first metal layer 310 may include titanium (Ti). Additionally, the second metal layer 320 may include gold (Au). In general, precious metals such as gold, silver, and platinum have the characteristic of low adhesion to substrates with low moisture absorption. Accordingly, the first metal layer 310, which serves as a buffer between the second metal layer 320 and the first substrate 410, is disposed between the second metal layer 320 and the first substrate 410. You can.

상기 제 1 금속층(310)은 박막 두께로 형성될 수 있다, 자세하게, 상기 제 1 금속층(310)의 두께는 약 200㎚ 이하일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 금속층(310)의 두께는 약 50㎚ 이하일 수 있다.The first metal layer 310 may be formed to have a thin film thickness. In detail, the thickness of the first metal layer 310 may be about 200 nm or less. In more detail, the thickness of the first metal layer 310 may be about 50 nm or less.

상기 제 1 금속층(310)의 두께가 약 200㎚을 초과하는 경우, 제 1 금속층(310)과 상기 제 1 기재(410)의 증착 스트레스가 증가하여, 제 1 금속층(310)과 상기 제 1 기재(410)의 증착력이 감소되어 상기 제 1 금속층(310)이 박리될 수 있다.When the thickness of the first metal layer 310 exceeds about 200 nm, the deposition stress of the first metal layer 310 and the first substrate 410 increases, so that the first metal layer 310 and the first substrate 410 The deposition force of 410 may be reduced and the first metal layer 310 may be peeled off.

또한, 상기 제 2 금속층(320)의 두께는 상기 제 1 금속층(310)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)의 두께는 약 1㎛ 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)의 두께는 약 1㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)의 두께가 약 1㎛ 미만인 경우, 상기 전극층의 저항이 증가될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)의 두께가 약 3㎛을 초과하는 경우, 전극 구조체의 두께가 증가될 수 있어, 신체 내부에서 전극 구조체가 이동할 때 이동 경로가 제한될 수 있다.Additionally, the thickness of the second metal layer 320 may be greater than the thickness of the first metal layer 310. For example, the thickness of the second metal layer 320 may be about 1 μm or more. In detail, the thickness of the second metal layer 320 may be about 1㎛ to 3㎛. When the thickness of the second metal layer 320 is less than about 1㎛, the resistance of the electrode layer may increase. Additionally, when the thickness of the second metal layer 320 exceeds about 3㎛, the thickness of the electrode structure may increase, and the movement path when the electrode structure moves within the body may be limited.

상기 배선 전극(230)은 제 1 금속층(310) 및 제 2 금속층(320)을 포함할 수 있다. 상기 배선 전극(230)은 상기 제 1 전극부(210) 및 상기 제 2 전극부(220)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 배선 전극(230)의 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 2 금속층(320)은 앞서 설명한 상기 제 1 전극부(210) 및 상기 제 2 전극부(220)의 제 1 금속층(310) 및 제 2 금속층(320)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 두께를 가질 수 있다.The wiring electrode 230 may include a first metal layer 310 and a second metal layer 320. The wiring electrode 230 may include the same material as the first electrode portion 210 and the second electrode portion 220. That is, the first metal layer 310 and the second metal layer 320 of the wiring electrode 230 are the first metal layer 310 of the previously described first electrode part 210 and the second electrode part 220. ) and the same material as the second metal layer 320, and may have the same thickness.

상기 제 1 기재(410)의 타면 상에는 제 2 기재(420)가 배치될 수 있다. 상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 기재(410)의 타면 상에 배치되는 배선 전극(230)을 감싸면서 배치될 수 있다.A second substrate 420 may be disposed on the other side of the first substrate 410. The second substrate 420 may be disposed while surrounding the wiring electrode 230 disposed on the other side of the first substrate 410.

상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 기재(410)와 동일 또는 유사한 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 기재(420)는 약 0.01% 내지 약 0.04%의 흡수율을 가질 수 있다.The second substrate 420 may include the same or similar material as the first substrate 410. In detail, the second substrate 420 may have an absorption rate of about 0.01% to about 0.04%.

상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 기재(410)의 외부로 노출되는 상기 배선 전극(230)을 감싸면서 배치될 수 있고, 상기 배선 전극(230)은 상기 제 2 기재(420)에 의해 외부의 수분 및 공기의 유입을 차단할 수 있다.The second substrate 420 may be disposed while surrounding the wiring electrode 230 exposed to the outside of the first substrate 410, and the wiring electrode 230 may be formed by the second substrate 420. It can block the inflow of external moisture and air.

또한, 상기 제 1 기재(410)의 상면, 상기 제 1 기재(410)의 측면, 제 2 기재(420)의 측면 및 상기 제 2 기재(420)의 하면에는 실링층(500)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 실링층(500)은 상기 제 1 기재(410)의 상면, 상기 제 1 기재(410)의 측면, 제 2 기재(420)의 측면 및 상기 제 2 기재(420)의 하면을 둘러싸며 배치될 수 있다. In addition, a sealing layer 500 may be disposed on the upper surface of the first substrate 410, the side surface of the first substrate 410, the side surface of the second substrate 420, and the lower surface of the second substrate 420. there is. In detail, the sealing layer 500 surrounds the upper surface of the first substrate 410, the side surface of the first substrate 410, the side surface of the second substrate 420, and the lower surface of the second substrate 420. can be placed.

즉, 상기 실링층(500)은 상기 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)의 패드부(350)를 제외한 영역을 둘러싸며 배치될 수 있다.That is, the sealing layer 500 may be disposed surrounding the area excluding the pad portion 350 of the first electrode portion 210 and the second electrode portion 220.

상기 실링층(500)은 수지 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 실링층(500)은 변형이 용이한 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 실링층(500)은 실리콘 물질을 포함할 수 있다. 상기 실링층(500)은 상기 전극 구조체의 외부를 둘러싸며 배치될 수 있다. 이에 따라, 전극 구조체가 인체 내부를 이동할 때 변형이 용이하므로, 인체의 내부에 용이하게 삽입될 수 있다. 또한, 리지드한 물질을 포함하는 기재에 비해 탄성이 있는 실링층이 전극 구조체의 외부를 둘러싸며 배치되므로, 인체 내부에서 인체의 내부에 인가되는 자극을 감소시킬 수 있다.The sealing layer 500 may include a resin material. For example, the sealing layer 500 may include a material that is easily deformed. In detail, the sealing layer 500 may include a silicon material. The sealing layer 500 may be disposed to surround the outside of the electrode structure. Accordingly, since the electrode structure is easily deformed when moving inside the human body, it can be easily inserted into the human body. Additionally, since the sealing layer, which is more elastic than a substrate containing a rigid material, is disposed surrounding the outside of the electrode structure, stimulation applied to the inside of the human body can be reduced.

상기 제 2 기재(420) 상에는 지지 부재(600)가 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 2 기재(420)와 상기 실링층(500) 사이에 배치될 수 있다.A support member 600 may be disposed on the second substrate 420. In detail, the support member 600 may be disposed between the second substrate 420 and the sealing layer 500.

상기 지지 부재(600)는 상기 실링층(500)에 의해 둘러싸여 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 2 기재(420)의 일면과 직접 접촉하며 배치되고, 상기 지지 부재(600)의 상면 및 측면은 상기 실링층(500)에 의해 둘러싸여 배치될 수 있다.The support member 600 may be surrounded by the sealing layer 500 and disposed. For example, referring to FIG. 3, the support member 600 is disposed in direct contact with one surface of the second substrate 420, and the top and side surfaces of the support member 600 are the sealing layer 500. It can be surrounded and placed by .

또는, 도 4를 참조하면, 상기 지지 부재(600)는 상기 실링층(500)에 의해 전 면이 둘러싸여 배치될 수 있다. 즉, 상기 지지 부재(600)는 상기 실링층(500)의 내부에 매립되는 구조로 배치될 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 4, the support member 600 may be disposed with its entire surface surrounded by the sealing layer 500. That is, the support member 600 may be disposed in a structure embedded in the sealing layer 500.

즉, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 2 기재(420) 상에서 상기 제 2 기재(420)와 이격하여 배치되고, 상기 지지 부재(600)의 상면, 하면 및 측면은 상기 실링층(500)에 의해 둘러싸여 배치될 수 있다.That is, the support member 600 is disposed on the second substrate 420 and spaced apart from the second substrate 420, and the upper, lower, and side surfaces of the support member 600 are attached to the sealing layer 500. It can be surrounded and placed by.

상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 및 상기 제 2 기재(420)가 연장하는 방향으로 연장되며 배치될 수 있다.The support member 600 may be disposed to extend in a direction in which the first substrate 410 and the second substrate 420 extend.

상기 지지 부재(600)의 일단 및 타단은 다른 부재와 전기적으로 단락될 수 있다. 자세하게, 상기 지지 부재(600)의 일단 및 타단은 상기 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)와 전기적으로 단락되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 지지 부재(600)는 상기 배선 전극(230)과 다르게 전기적으로 다른 부재와 단락되어 배치될 수 있다.One end and the other end of the support member 600 may be electrically shorted to other members. In detail, one end and the other end of the support member 600 may be arranged to be electrically short-circuited with the first electrode unit 210 and the second electrode unit 220. That is, unlike the wiring electrode 230, the support member 600 may be arranged to be electrically short-circuited with another member.

상기 지지 부재(600)는 상기 전극 부재와 중첩되지 않는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420)의 가장자리 영역 및 중앙 영역 중 적어도 하나의 영역 상에 배치될 수 있다.The support member 600 may be disposed in a position that does not overlap with the electrode member. For example, the support member 600 may be disposed on at least one of an edge area and a central area of the first substrate 410 or the second substrate 420.

상기 지지 부재(600)는 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420) 상에 하나만 배치되고, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.At least one support member 600 may be disposed. For example, referring to FIG. 5, only one support member 600 is disposed on the first substrate 410 or the second substrate 420, and the support member 600 is disposed on the first substrate (410). 410) or may be disposed in the central area of the second substrate 420.

또는, 도 6을 참조하면, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420) 상에 복수 개 배치되고, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420)의 가장자리 영역에 각각 배치될 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 6, a plurality of support members 600 are disposed on the first substrate 410 or the second substrate 420, and the support members 600 are positioned on the first substrate 410. ) or may be disposed at the edge area of the second substrate 420, respectively.

또는, 도 7을 참조하면, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420) 상에 복수 개 배치되고, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 또는 상기 제 2 기재(420)의 가장자리 영역 및 중앙 영역에 각각 배치될 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 7, a plurality of support members 600 are disposed on the first substrate 410 or the second substrate 420, and the support members 600 are positioned on the first substrate 410. ) or may be disposed at the edge area and the center area of the second substrate 420, respectively.

상기 지지 부재(600)는 일정한 연성, 탄성 및 강성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. The support member 600 may include a material having certain ductility, elasticity, and rigidity.

또한, 상기 지지 부재(600)는 상기 전극 부재와 동일하거나 또는 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 전극부(210), 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)과 동일 또는 다른 물질을 포함할 수 있다.Additionally, the support member 600 may include the same or different material as the electrode member. For example, the support member 600 may include the same or different material from the first electrode portion 210, the second electrode portion 220, and the wiring electrode 230.

예를 들어, 상기 지지 부재(600)는 백금, 금, 티타늄 및 이리듐 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.For example, the support member 600 may include at least one metal selected from platinum, gold, titanium, and iridium.

또한, 상기 지지 부재(600)는 상기 전극 부재와 서로 다른 연성, 강성 및 탄성을 가질 수 있다. 즉, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 전극부(210), 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)과 서로 다른 연성, 강성 및 탄성을 가질 수 있다.Additionally, the support member 600 may have different ductility, rigidity, and elasticity from the electrode member. That is, the support member 600 may have different ductility, rigidity, and elasticity from the first electrode portion 210, the second electrode portion 220, and the wiring electrode 230.

자세하게, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 전극부(210), 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)에 비해 상대적으로 높은 강도 및 높은 탄성을 가질 수 있다.In detail, the support member 600 may have relatively high strength and high elasticity compared to the first electrode portion 210, the second electrode portion 220, and the wiring electrode 230.

또한, 상기 지지 부재(600)의 두께는 상기 제 1 전극부(210), 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)의 각각의 두께보다 더 클 수 있다. 이에 의해, 상기 지지 부재(600)와 상기 제 1 전극부(210), 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)이 동일 물질을 포함하여도, 상기 지지 부재(600)의 강도 및 탄성을 상기 제 1 전극부(210), 제 2 전극부(220) 및 상기 배선 전극(230)의 강도 및 탄성보다 크게하여 전극 구조체의 성형을 용이하게 할 수 있다.Additionally, the thickness of the support member 600 may be greater than the respective thicknesses of the first electrode portion 210, the second electrode portion 220, and the wiring electrode 230. Accordingly, even if the support member 600, the first electrode portion 210, the second electrode portion 220, and the wiring electrode 230 include the same material, the strength and The elasticity may be greater than the strength and elasticity of the first electrode portion 210, the second electrode portion 220, and the wiring electrode 230, thereby facilitating the forming of the electrode structure.

또한, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410), 상기 제 2 기재(420) 및 상기 실링층(500)에 비해 상대적으로 높은 강도 및 탄성을 가질 수 있다. Additionally, the support member 600 may have relatively high strength and elasticity compared to the first substrate 410, the second substrate 420, and the sealing layer 500.

또한, 상기 지지 부재(600)는 상기 제 1 기재(410) 및 상기 제 2 기재(420) 보다 작은 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기재(410) 및 상기 제 2 기재(420)는 약 20㎛ 내지 1㎜의 두께로 형성될 수 있고, 이때, 상기 지지 부재(600)의 두께는 10㎛ 보다 크고, 상기 제 1 기재(410) 및 상기 제 2 기재(420)의 두께 이하일 수 있다.Additionally, the support member 600 may be formed to have a thickness smaller than that of the first and second substrates 410 and 420 . For example, the first substrate 410 and the second substrate 420 may be formed to have a thickness of about 20㎛ to 1㎜, and in this case, the thickness of the support member 600 is greater than 10㎛, It may be less than or equal to the thickness of the first substrate 410 and the second substrate 420.

도 8 및 도 9를 참조하면, 실시예에 따른 전극 구조체는 제 2 금속층(320) 상에 배치되는 제 3 금속층(330)을 더 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)는 제 1 금속층(310), 상기 제 1 금속층(310) 상의 제 2 금속층(320) 및 상기 제 2 금속층(320) 상의 제 3 금속층(330)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 8 and 9 , the electrode structure according to the embodiment may further include a third metal layer 330 disposed on the second metal layer 320 . In detail, the first electrode portion 210 and the second electrode portion 220 include a first metal layer 310, a second metal layer 320 on the first metal layer 310, and a second metal layer 320 on the second metal layer 320. It may include three metal layers 330.

상기 제 3 금속층(330)은 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 2 금속층(320)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 금속층(330)은 질화티타늄(TiN)을 포함할 수 있다.The third metal layer 330 may include a material different from the first metal layer 310 and the second metal layer 320. In detail, the third metal layer 330 may include titanium nitride (TiN).

상기 제 3 금속층(330)은 상기 제 2 금속층(320) 상에 배치되어, 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220) 표면의 조도를 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 전원 공급부(100)와 연결되는 상기 제 1 전극부(210)와 전원 공급부(100)의 접촉 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제 2 전극부(220)의 표면 조도를 증가시켜, 상기 제 2 전극부(220)로부터 인체의 신경으로 전달되는 전류 밀도를 증가시킬 수 있다.The third metal layer 330 may be disposed on the second metal layer 320 to increase the roughness of the surfaces of the first electrode unit 210 and the second electrode unit 220. Accordingly, the contact characteristics of the first electrode unit 210 connected to the power supply unit 100 and the power supply unit 100 can be improved. Additionally, by increasing the surface roughness of the second electrode unit 220, the current density transmitted from the second electrode unit 220 to the nerves of the human body can be increased.

상기 지지 부재(600)는 앞서 설명한 도 3 및 도 4의 설명과 동일 또는 유사하므로 이하의 설명은 생략한다.Since the support member 600 is the same or similar to the description of FIGS. 3 and 4 described above, the following description will be omitted.

한편, 도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 배선 전극(230)은 제 1 기재(410)의 일면 상에만 배치될 수 있다. 즉, 상기 배선 전극(230)은 상기 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)와 동일면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 기재(410)의 일면 상에서 상기 배선 전극(230), 상기 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)를 감싸면서 배치될 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 10 and 11 , the wiring electrode 230 may be disposed only on one side of the first substrate 410. That is, the wiring electrode 230 may be disposed on the same surface as the first electrode unit 210 and the second electrode unit 220. Additionally, the second substrate 420 may be disposed on one surface of the first substrate 410 while surrounding the wiring electrode 230, the first electrode portion 210, and the second electrode portion 220. .

즉, 상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 전극부(210) 및 제 2 전극부(220)의 패드부(350)를 제외한 영역을 둘러싸며 배치될 수 있다.That is, the second substrate 420 may be disposed surrounding the area excluding the pad portion 350 of the first electrode portion 210 and the second electrode portion 220.

이에 따라, 배선 전극을 형성하기 위한 별도의 비아홀을 형성할 필요가 없어 공정 효율을 향상시킬 수 있고, 전극 구조체의 전체적인 두께를 감소시킬 수 있다,Accordingly, there is no need to form a separate via hole to form a wiring electrode, thereby improving process efficiency and reducing the overall thickness of the electrode structure.

이하, 도 12 내지 도 15를 참조하여, 도 3의 실시예에 따른 전극 구조체의 제조 공정을 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 12 to 15, the manufacturing process of the electrode structure according to the embodiment of FIG. 3 will be described.

도 12를 참조하면, 제 1 기재(410)를 준비할 수 있다. 상기 제 1 기재(410)는 흡수율이 작은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기재(410)의 흡수율은 0.01% 내지 0.04%일 수 있다.Referring to FIG. 12, the first substrate 410 can be prepared. The first substrate 410 may include a material with a low absorption rate. For example, the water absorption rate of the first substrate 410 may be 0.01% to 0.04%.

이어서, 상기 제 1 기재(410)에 복수 개의 비아홀(h)들을 형성할 수 있다. 상기 비아홀들은 이후에 형성하는 전극층의 위치와 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. Subsequently, a plurality of via holes (h) may be formed in the first substrate 410. The via holes may be formed at positions that overlap with the positions of electrode layers to be formed later.

이어서, 상기 제 1 기재(410)의 일면 및 타면과 상기 비아홀의 내부에 제 1 금속층(310)을 진공 상태에서 증착할 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 티타늄을 포함할 수 있다.Subsequently, the first metal layer 310 may be deposited on one side and the other side of the first substrate 410 and the inside of the via hole in a vacuum state. The first metal layer 310 may include titanium.

이어서, 도 13을 참조하면, 상기 제 1 금속층(310) 상에 제 2 금속층(320)을 형성할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 금을 포함할 수 있다.Next, referring to FIG. 13, a second metal layer 320 may be formed on the first metal layer 310. The second metal layer 320 may include gold.

이때, 상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 2 금속층(320)은 인시튜(in-situ) 공정으로 진행될 수 있다. 즉, 진공 상태에서 상기 제 1 금속층(310)을 증착한 후, 동일한 진공 상태에서 바로 제 2 금속층(320)을 증착할 수 있다.At this time, the first metal layer 310 and the second metal layer 320 may be formed through an in-situ process. That is, after depositing the first metal layer 310 in a vacuum state, the second metal layer 320 can be deposited immediately in the same vacuum state.

이에 따라, 제 1 금속층(310)이 공기 중에 노출되어 산화되기 전에 바로 제 2 금속층(320)이 증착됨으로써, 상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 2 금속층(320)의 밀착력을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the second metal layer 320 is deposited immediately before the first metal layer 310 is exposed to the air and oxidized, thereby improving the adhesion between the first metal layer 310 and the second metal layer 320. .

이에 따라, 상기 제 1 기재(410)의 일면 상에 제 1 전극층 및 제 2 전극층이 형성되고, 상기 비아홀의 내부 및 상기 제 2 기재(410)의 타면 상에 배선 전극이 형성될 수 있다.Accordingly, a first electrode layer and a second electrode layer may be formed on one side of the first substrate 410, and a wiring electrode may be formed inside the via hole and on the other side of the second substrate 410.

이어서, 도 14를 참조하면, 상기 제 1 기재(410)의 하면 상에 제 2 기재(420)를 접착할 수 있다. 상기 제 2 기재(420)는 흡수율이 작은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 기재(420)의 흡수율은 0.01% 내지 0.04%일 수 있다.Next, referring to FIG. 14, the second substrate 420 may be adhered to the lower surface of the first substrate 410. The second substrate 420 may include a material with a low absorption rate. For example, the water absorption rate of the second substrate 420 may be 0.01% to 0.04%.

상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 기재(410)의 하면 상에 배치되어 비아홀에서 노출되는 배선 전극을 감싸면서 배치될 수 있고, 이에 따라, 상기 배선 전극은 상기 제 2 기재(420)에 의해 외부의 수분 등의 침투 방지할 수 있다.The second substrate 420 may be disposed on the lower surface of the first substrate 410 to surround the wiring electrode exposed from the via hole. Accordingly, the wiring electrode is attached to the second substrate 420. This can prevent penetration of external moisture, etc.

이어서, 도 15를 참조하면, 상기 제 1 기재(410)의 측면, 상기 제 2 기재(420)의 측면 및 상기 제 2 기재(420)의 하면 상에 실링층(500)을 배치할 수 있다. Next, referring to FIG. 15 , a sealing layer 500 may be disposed on the side surface of the first substrate 410, the side surface of the second substrate 420, and the lower surface of the second substrate 420.

이때, 상기 실링층(500)을 배치하기 전에 상기 제 2 기재(420)의 하부면에 지지부재(600)를 먼저 배치한 후, 상기 실링층(500)은 상기 지지부재(600)를 감싸도롤 배치할 수 있다.At this time, before placing the sealing layer 500, the support member 600 is first placed on the lower surface of the second substrate 420, and then the sealing layer 500 surrounds the support member 600. It can be placed.

또는, 상기 실링층(500) 내부에 상기 지지 부재(600)를 매립하여 배치한 후, 상기 실링층(500)을 상기 제 2 기재(420)의 하부면에 배치할 수 있다.Alternatively, after the support member 600 is embedded and placed inside the sealing layer 500, the sealing layer 500 may be placed on the lower surface of the second substrate 420.

이하, 도 16 내지 도 18을 참조하여, 도 10의 실시예에 따른 전극 구조체의 제조 공정을 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 16 to 18, the manufacturing process of the electrode structure according to the embodiment of FIG. 10 will be described.

도 16을 참조하면, 제 1 기재(410)를 준비할 수 있다. 상기 제 1 기재(410)는 흡수율이 작은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기재(410)의 흡수율은 0.01% 내지 0.04%일 수 있다.Referring to FIG. 16, the first substrate 410 can be prepared. The first substrate 410 may include a material with a low absorption rate. For example, the water absorption rate of the first substrate 410 may be 0.01% to 0.04%.

이어서, 상기 제 1 기재(410)의 일면 상에 제 1 금속층(310) 및 제 2 금속층(320)을 진공 상태에서 증착할 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 티타늄을 포함할 수 있고, 상기 제 2 금속층(320)은 금을 포함할 수 있다.Subsequently, the first metal layer 310 and the second metal layer 320 may be deposited on one surface of the first substrate 410 in a vacuum state. The first metal layer 310 may include titanium, and the second metal layer 320 may include gold.

이에 따라, 상기 제 1 기재(410)의 일면 상에 제 1 전극부, 제 2 전극부 및 배선 전극이 동시에 형성될 수 있다.Accordingly, the first electrode portion, the second electrode portion, and the wiring electrode may be formed simultaneously on one surface of the first substrate 410.

이어서, 도 17을 참조하면, 상기 제 1 기재(410)의 일면 상에 제 2 기재(420)를 접착할 수 있다. 상기 제 2 기재(420)는 흡수율이 작은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 기재(420)의 흡수율은 0.01% 내지 0.04%일 수 있다.Next, referring to FIG. 17 , the second substrate 420 may be attached to one surface of the first substrate 410. The second substrate 420 may include a material with a low absorption rate. For example, the water absorption rate of the second substrate 420 may be 0.01% to 0.04%.

상기 제 2 기재(420)는 상기 제 1 기재(410)의 일면 상에 배치되어 상기 배선 전극, 상기 제 1 전극부 및 상기 제 2 전극부를 감사면서 배치될 수 있다.The second substrate 420 may be disposed on one surface of the first substrate 410 while covering the wiring electrode, the first electrode portion, and the second electrode portion.

이어서, 도 18을 참조하면, 상기 제 2 기재(420)의 측면, 상기 제 1 기재(410)의 측면 및 상기 제 1 기재(410)의 하면 상에 실링층(500)을 배치할 수 있다. Next, referring to FIG. 18 , a sealing layer 500 may be disposed on the side surface of the second substrate 420, the side surface of the first substrate 410, and the lower surface of the first substrate 410.

이때, 상기 실링층(500)을 배치하기 전에 상기 제 1 기재(410)의 하부면에 지지 부재(600)를 먼저 배치한 후, 상기 실링층(500)은 상기 지지 부재(600)를 감싸도롤 배치할 수 있다.At this time, before disposing the sealing layer 500, the support member 600 is first placed on the lower surface of the first substrate 410, and then the sealing layer 500 surrounds the support member 600. It can be placed.

또는, 상기 실링층(500) 내부에 상기 지지 부재(600)를 매립하여 배치한 후, 상기 실링층(500)을 상기 제 1 기재(410)의 하부면에 배치할 수 있다.Alternatively, after the support member 600 is embedded and placed inside the sealing layer 500, the sealing layer 500 may be placed on the lower surface of the first substrate 410.

또한, 실시예에 따른 신경조절 디바이스용 전극 구조체는 배선 전극을 기재의 비아홀의 내부에 배선 전극을 배치할 수 있다. 이에 따라. 배선 전극의 길이에 따른 전극 구조체의 크기를 감소시킬 수 있다. 또한, 배선 전극이 인체의 내부에서 외부로 노출되면서 인체의 내부의 수분에 의해 배선 전극이 산화되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the electrode structure for a neuromodulation device according to the embodiment may arrange the wiring electrode inside the via hole of the substrate. Accordingly. The size of the electrode structure can be reduced according to the length of the wiring electrode. Additionally, as the wiring electrode is exposed from the inside of the human body to the outside, it is possible to prevent the wiring electrode from being oxidized by moisture inside the human body.

또한, 흡수율이 작은 기재를 사용함으로써, 신경조절 디바이스가 인체 내부에 삽입될 때, 기재가 인체 내부의 수분을 흡수하는 것을 최소화하여, 기재의 변셩 및 손상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 기재의 변형을 최소화하여 기재의 비아홀 및 기재의 일면 상에 배치되는 배선 전극 및 전극층의 탈막을 감소시킬 수 있다.In addition, by using a substrate with a low absorption rate, when the neuromodulation device is inserted into the human body, absorption of moisture inside the human body by the substrate can be minimized, thereby preventing deterioration and damage to the substrate. Accordingly, deformation of the substrate can be minimized and defilming of the via hole of the substrate and the wiring electrode and electrode layer disposed on one side of the substrate can be reduced.

따라서, 실시예에 따른 전극 구조체를 포함하는 신경조절 디바이스는 인체 내부에 삽입되어, 전류를 인가하고자 하는 신경 기관으로 변형 및 손상을 최소화하면서 용이하게 이동할 수 있다.Accordingly, the neuromodulation device including the electrode structure according to the embodiment can be inserted into the human body and easily moved to the nerve organ to which current is to be applied while minimizing deformation and damage.

또한, 전극 구조체의 외부를 탄성 및 변형이 용이한 실링층으로 감싸므로, 인체 내부에 삽입되는 신경조절 디바이스가 인체 내부에서 다른 기관들에 손상을 주는 것을 방지할 수 있고, 전류를 인가하고자 하는 신경 기관으로 용이하게 이동시킬 수 있다.In addition, since the outside of the electrode structure is wrapped with a sealing layer that is elastic and easily deformable, the neuromodulation device inserted inside the human body can be prevented from damaging other organs inside the human body, and the nerve to which current is to be applied can be prevented. It can be easily moved to an organ.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the description has been made focusing on the embodiments above, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art will understand the above examples without departing from the essential characteristics of the present embodiments. You will be able to see that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And these variations and differences in application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the attached claims.

Claims

일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함하는 기재;
상기 기재 상에 배치되는 전극 부재;
상기 기재를 감싸면서 배치되는 실링층; 및
상기 기재 및 상기 실링층 사이에 배치되는 지지 부재를 포함하고,
상기 기재의 물 흡수율은 0.01% 내지 0.04%이고,
상기 지지 부재는 상기 기재의 길이 방향으로 연장하며 배치되고,
상기 지지 부재는 상기 기재의 중앙 영역 및 가장 자리 영역 중 적어도 하나에 배치되고,
상기 지지 부재는 백금, 금, 티타늄 및 이리듐 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 신경조절 디바이스용 전극 구조체.A substrate including one side and another side opposite to the one side;
an electrode member disposed on the substrate;
A sealing layer disposed while surrounding the substrate; and
Comprising a support member disposed between the substrate and the sealing layer,
The water absorption rate of the substrate is 0.01% to 0.04%,
The support member is disposed extending in the longitudinal direction of the substrate,
The support member is disposed in at least one of a central region and an edge region of the substrate,
The support member is an electrode structure for a neuromodulation device comprising at least one metal selected from platinum, gold, titanium, and iridium.

제 1항에 있어서,
상기 지지 부재는 상기 실링층의 내부에 매립되어 배치되는 신경조절 디바이스용 전극 구조체.According to clause 1,
The support member is an electrode structure for a neuromodulation device that is embedded and disposed inside the sealing layer.

제 1항에 있어서,
상기 기재는 상기 전극 부재를 지지하는 제 1 기재; 및 상기 제 1 기재의 하면 상에 배치되고, 상기 전극 부재를 감싸면서 배치되는 제 2 기재를 포함하고,
상기 전극 부재는,
상기 제 1 기재의 일면 상에 배치되는 제 1 전극부 및 제 2 전극부; 및
상기 제 1 전극부 및 상기 제 2 전극부를 전기적으로 연결하는 배선 전극을 포함하는 신경조절 디바이스용 전극 구조체.According to clause 1,
The substrate includes a first substrate supporting the electrode member; and a second substrate disposed on the lower surface of the first substrate and surrounding the electrode member,
The electrode member is,
a first electrode portion and a second electrode portion disposed on one surface of the first substrate; and
An electrode structure for a neuromodulation device including a wiring electrode that electrically connects the first electrode portion and the second electrode portion.

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제 3항에 있어서,
상기 지지 부재의 두께는 상기 배선 전극의 두께보다 큰 신경조절 디바이스용 전극 구조체.According to clause 3,
An electrode structure for a neuromodulation device wherein the thickness of the support member is greater than the thickness of the wiring electrode.

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