KR102580561B1 - 가변 애퍼처 마스크 - Google Patents

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Abstract

일부 실시형태에서, 반도체 계측 툴의 수집 시스템은 광학빔을 반사시키는 타겟을 지지하기 위한 척과, 반사된 광학빔에 대해 조정 가능한 애퍼처를 제공하기 위한 애퍼처 마스크를 포함한다. 애퍼처 마스크는 조정 가능한 위치를 가진 복수의 불투명판을 포함한다. 수집 시스템은 또한 반사된 광학빔을 수신하기 위한 스펙트로미터를 포함한다. 애퍼처 마스크는 광학 축을 따라 척과 스펙트로미터 사이에 배치된다.

Description

가변 애퍼처 마스크
<관련 출원>
본 출원은 발명의 명칭이 "Variable AOI and Azimuth Mask"인, 2017년 8월 9일자로 출원한 미국 가특허출원 62/543,315에 대해 우선권을 주장하며, 이 우선권 출원은 그 전체가 모든 목적을 위해 본 명세서에 포함된다.
<기술 분야>
본 개시내용은 광학 반도체 계측(예를 들어, 엘립소메트리)에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 가변 애퍼처(variable aperture)를 제공하는 애퍼처 마스크를 사용하는 것에 관한 것이다.
엘립소미터(ellipsometer)와 같은 광학 계측 툴은 타겟으로부터 광학빔(optical beam)을 반사시킴으로써 반도체 웨이퍼와 같은 타겟을 특성화(characterize)하는데 사용된다. 그러나 이러한 툴을 사용하여 정확한 특성화를 수행하기에는 상당한 어려움이 있다. 예를 들어, 특성화 결과는 타겟의 다수의 파라미터에 의해 영향을 받는다. 일부 타겟 파라미터는 서로 다른 파라미터의 변화(variation)가 동일한 효과를 갖도록 상관될 수 있다. 타겟 파라미터들 간의 상관관계는 특정 결과를 담당하는 파라미터를 아는 것을 어렵게 한다. 이들 상관관계를 깨고 광학 측정 결과에 기초하여 타겟을 정확하게 특성화하려면, 광학빔이 타겟으로부터 반사되는 방식을 다양하게 하는 것이 바람직하다.
도 1은 타겟(120)(예를 들어, 반도체 웨이퍼)을 특성화하기 위한 종래기술의 엘립소미터(100)의 개략도이다. 엘립소미터(100)에서, 조명 시스템(102)은 광학빔을 반사시키는 타겟(120)에 레이저 구동 광원(LDLS, laser-driven light source)(106)으로부터의 광학빔을 제공한다. 수집 시스템(104)은 반사된 광학빔을 스펙트로미터(132)에 제공한다. 조명 시스템(102)은 복수의 미러(108-1 내지 108-4), 로천 편광기(Rochen polarizer)(110), 애퍼처(112), 아포다이저(114), 볼록 미러(116) 및 오목 미러(118)를 순차적으로 포함한다. 수집 시스템(104)은 오목 미러(124) 상의 수집 마스크(122), 볼록 미러(126), 지연기(retarder, 128), 및 애널라이저(130)(예를 들어, 편광기)를 순차적으로 포함한다.
수집 마스크(122)는 (타겟(120)의 표면에 수직인 축으로부터 측정될 때) 타겟(120)에 대해 고정된 입사각: 59°, 65° 및 71°로 3개의 셔터형 애퍼처(shuttered aperture)를 포함한다. 셔터 중 하나를 개방함으로써, 수집 마스크(122)는 특정 입사각에서의 광학빔의 일부가 오목 미러(124)에 의해 볼록 미러(126)에 반사되어 스펙트로미터(132)를 향해 진행되게 한다. 이러한 방식으로, 수집 마스크(122)는 타겟(120)으로부터 반사된 광학빔을 마스킹한다. 이렇게 엘립소미터(100)는 3개의 상이한 입사각에서 측정이 이루어질 수 있게 하여, 타겟(120)의 정확한 특성화를 달성하기 위해 상관관계를 깨는데 유용하다.
수집 마스크는 오정렬에 매우 민감하지만, 광학빔이 10° 이상 발산하는 위치에 배치되어 있다. 그리고 수집 마스크(122) 상의 3개의 애퍼처가 고정되어 있기 때문에, 사용자가 애퍼처의 어느 것도 변경할 수 없다. 예를 들어, 사용자는 다른 입사각을 선택할 수 없고, 예를 들어, (빔 밝기를 증가시키기 위해) 주어진 애퍼처에 대한 입사각 범위를 변경할 수 없으며, 광학빔에 대한 타겟(120)의 방위각의 변화를 수용하기 위해 애퍼처를 회전시킬 수 없다.
따라서, 반도체 계측 툴에서 광학빔을 마스킹하는데 사용되는 애퍼처를 변화시키는 방법 및 시스템이 필요하다.
일부 실시형태에서, 반도체 계측 툴에 사용하기 위한 애퍼처 마스크는 프레임과, 프레임에 기계적으로 결합된 복수의 불투명판을 포함한다. 프레임은 광학빔을 투과시키기 위한 홀(hole)을 구비한다. 불투명판은, 홀에 대해 조정 가능한 위치를 가지며, 홀의 각각의 부분과 광학빔의 대응하는 부분을 차단하기 위한 것이다.
일부 실시형태에서, 반도체 계측 툴의 수집 시스템은 광학빔을 반사시키는 타겟을 지지하기 위한 척과, 반사된 광학빔에 대해 조정 가능한 애퍼처를 제공하기 위한 애퍼처 마스크를 포함한다. 애퍼처 마스크는 조정 가능한 위치를 가진 복수의 불투명판을 포함한다. 수집 시스템은 또한 반사된 광학빔을 수광하기 위한 스펙트로미터를 포함한다. 애퍼처 마스크는 광학축을 따라 척과 스펙트로미터 사이에 배치된다.
일부 실시형태에서, 반도체 계측 툴을 동작시키는 방법은, 척 상에 타겟을 적재하는 단계와, 타겟이 광학빔을 반사시키도록 광학빔으로 타겟을 조명하는 단계를 포함한다. 반사된 광학빔을 마스킹하는 애퍼처 마스크 상에서의 하나 이상의 불투명판의 위치는, (i) 타겟에 대한 광학빔의 선택된 입사 중심각과, (ii) 타겟에 대한 광학빔의 선택된 입사각 범위, 또는 (iii) 광학빔에 대한 타겟의 방위각에 대응하는 하나 이상의 불투명판의 선택된 회전도 중 적어도 하나를 달성하도록, 조정된다.
일부 실시형태에서, 반도체 계측 툴의 수집 시스템은 광학빔을 반사시키는 타겟을 지지하기 위한 척과, 반사된 광학빔을 수광하기 위한 스펙트로미터를 포함한다. 수집 시스템은 또한 광학축에 평행한 축을 중심으로 하여 회전 가능한 시퀀스로 배열된 복수의 애퍼처 마스크를 포함한다. 복수의 마스크의 각각의 애퍼처 마스크는 반사된 광학빔을 선택적으로 마스킹하기 위해 척과 스펙트로미터 사이에서 반사된 광학빔 내외로 회전 가능하다.
전술한 다양한 구현예에 대한 이해를 돕기 위해서는 다음의 도면과 함께 이하의 상세한 설명을 참조해야 한다.
도 1은 반도체 웨이퍼와 같은 타겟을 특성화하기 위한 종래기술의 엘립소미터의 개략도이다.
도 2는 일부 실시형태에 따라 조정 가능한 애퍼처를 제공하는 애퍼처 마스크를 가진 수집 시스템의 개략도이다.
도 3은 일부 실시형태에 따른 도 2의 애퍼처 마스크의 일례의 평면도를 도시한다.
도 4는 일부 실시형태에 따른 엘립소미터와 같은 반도체 계측 툴을 동작시키는 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 5는 일부 실시형태에 따른 회전 가능한 구조에서의 상이한 애퍼처의 배열을 도시한다.
도면 및 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 대응하는 부분을 가리킨다.
이하, 첨부 도면에 예시하는 다양한 실시형태 및 예에 대해 상세하게 참조할 것이다. 이하의 상세한 설명에서는, 전술한 다양한 실시형태의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부사항에 대해 설명한다. 그러나, 당업자라면 전술한 다양한 실시형태들이 이들 특정 세부사항 없이도 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 경우로, 공지된 방법, 절차, 컴포넌트, 회로 및 네트워크는 불필요하게 실시형태의 양태를 모호하게 하지 않기 위해 상세하게 설명하지 않았다.
도 2는 일부 실시형태에 따라 조정 가능한 애퍼처를 제공하는 애퍼처 마스크(208)를 가진 수집 시스템의 개략도이다. 수집 시스템(200)은 엘립소미터(100)(도 1) 내의 수집 시스템(104)을 대체하거나 다른 반도체 계측 툴(예를 들어, 다른 엘립소미터)에서 사용될 수 있다. 일부 실시형태에서, 애퍼처 마스크(208)는, (i) 타겟에 대한 광학빔의 선택된 입사 중심각과, (ii) 타겟에 대한 광학빔의 선택된 입사각 범위, 또는 (iii) 광학빔에 대한 타겟의 방위각에 대응하는 하나 이상의 불투명판의 선택된 회전도 중 적어도 하나를 달성하도록, 조정된다.
수집 시스템(200)에서, 타겟(120)(예를 들어, 반도체 웨이퍼)이 척(202) 상에 장착된다. 광학빔(206)은 타겟(120)으로부터 반사된다. (조명 시스템에 의해 제공되는 입사 광학빔은 시각적인 명확성을 위해 도 1에 도시되지 않는다.) 척(202)은 광학빔(206)에 대한 타겟(120)의 방위각을 변화시키기 위해 회전될 수 있다 수집 렌즈(204)는 광학빔(206)이 수집 렌즈(204)와 포커싱 렌즈(212) 사이에서 실질적으로(예를 들어, 수집 렌즈(204)에 대한 공차 내에서) 시준되도록 광학빔(206)을 시준한다. 애퍼처 마스크(208)는 따라서 시준된 공간에 있다. 애퍼처 마스크(208)는 광학빔(206)의 일부를 투과시키고 광학빔(206)의 다른 부분의 투과를 차단함으로써 시준된 광학빔(206)을 마스킹한다. (마스킹된 광학빔(206)은 그 일부가 차단되었음에도 불구하고 여전히 광학빔(206)으로 지칭된다.) 애널라이저(210)(예를 들어, 편광기)는 광학빔(206)을 조정(예를 들어, 편광을 변경)하고, 포커싱 렌즈(212)는 광학빔(206)을 측정하는(예를 들어, 파장에 걸쳐 그 강도를 측정하는) 스펙트로미터(214) 상에 광학빔(206)을 포커싱한다. 일부 실시형태에서, 타겟(120)으로부터 반사된 광학빔(206)은 타원 편광을 가지며, 애널라이저(210)는 광학빔(206)의 편광을 선형으로 조정한다.
일부 실시형태에서, 광학빔(206)이 애퍼처 마스크(208)에서 시준되지 않도록(즉, 애퍼처 마스크(208)가 시준된 공간에 있지 않도록) 수집 렌즈(204)가 생략된다. 수집 렌즈(204)는, 예를 들어, 광학빔(206)의 입사각의 범위가 15° 또는 10° 미만일 경우 생략될 수 있다.
일부 실시형태에서, 수집 시스템(200)은 하나 이상의 추가 컴포넌트를 포함한다. 예를 들어, 수집 시스템(200)은 애퍼처 마스크(208)와 애널라이저(210) 사이에 보상기(compensator)를 포함할 수 있다.
도 3은 일부 실시형태에 따른 애퍼처 마스크(208)(도 2)의 일례인 애퍼처 마스크(300)의 평면도를 도시한다. 애퍼처 마스크(300)는, 프레임(308) 상에 장착되고 애퍼처(310)를 통과한 축(예를 들어, 광축 또는 광축에 평행한 축)을 중심으로 프레임(308)에 대해 회전 가능한 회전 스테이지(306)를 포함한다. 회전 스테이지(306) 및 프레임(308)은 회전 스테이지(306)가 프레임(308) 상에 장착될 때 홀(310)이 (예를 들어, 애퍼처 마스크(300)의 중앙에) 형성되도록 각각의 홀을 (예를 들어, 각각의 중앙에) 갖는다. 홀(310)은 애퍼처 마스크(300)를 통과한 광학빔(206)의 일부를 투과시킨다. 2개의 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)가 기계적으로 회전 스테이지(306)에 직접 또는 간접 결합되어(예를 들어, 회전 스테이지(306)에 장착되어), 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)는 회전 스테이지(306)의 회전에 따라 회전한다. 이에, 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)는 회전 스테이지(306)에 의해 프레임(308)에 기계적으로 결합되고 홀(310)을 통과하는 축을 중심으로 회전 가능하다.
각각의 불투명판(302)은 각각의 병진이동 스테이지(304) 상에 장착되는데, 제1 불투명판(302-1)은 제1 병진이동 스테이지(304-1) 상에 장착되고, 제2 불투명판(302-2)은 제2 병진이동 스테이지(304-2) 상에 장착된다. 따라서 불투명판(302)은 각각의 병진이동 스테이지(304)를 통해 회전 스테이지(306)에, 그리고 각각의 병진이동 스테이지(304) 및 회전 스테이지(306)를 통해 프레임(308)에 기계적으로 결합된다. 불투명판(302)의 위치는 병진이동 스테이지(304) 및 회전 스테이지(306)를 사용하여, 홀(310)의 각각의 부분 및 광학빔(206)의 대응하는 부분을 차단하도록 조정 가능하다. 불투명판(302)에 의해 차단되지 않은 홀(310)의 부분은 광학빔(206)을 위한 애퍼처이다. 따라서 불투명판(302)은 각각의 애퍼처 에지로서 기능한다.
제1 및 제2 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)는 제1 및 제2 불투명판(302-1 및 302-2)의 각각의 선형 위치를 조정하는데 사용된다. 일부 실시형태에서, 제1 및 제2 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)는 제1 및 제2 불투명판(302-1 및 302-2)의 선형 위치를 조정하도록 독립적으로 동작 가능하다. 따라서, 제1 및 제2 불투명판(302-1 및 302-2) 사이의 거리를 늘리거나 줄여서, 홀(310)의 차단되지 않은 부분(즉, 애퍼처의 폭)을 넓히거나 좁힐 수 있다. 이러한 넓힘 또는 좁힘이 타겟(120)에 대한, 애퍼처를 통해 투과되는 광학빔(206)의 입사각의 범위를 조정한다. 애퍼처를 넓히면 입사각의 투과 범위가 증가하고 애퍼처를 좁히면 입사각의 범위가 줄어든다. (예를 들어, 광학빔(206)의 관련 부분이 낮은 강도를 갖는 경우) 강한 신호를 획득하기 위해서는 애퍼처 마스크(300)를 통한 넓은 범위의 입사각을 허용하는 것이 바람직할 수 있다. 타겟 파라미터가 입사각과 강한 함수관계를 갖는 효과를 생성할 때, 애퍼처 마스크(300)를 통한 좁은 범위의 입사각을 허용하는 것이 바람직할 수 있다.
일부 실시형태에서, 제1 및 제2 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)는 공통축(예를 들어, 회전 스테이지(306)의 직경)을 따라 실질적으로 정렬되고, 공통축을 따른 제1 및 제2 불투명판(302-1 및 302-2)의 선형 위치의 독립적인 조정을 허용한다. 일부 실시형태에서, 제1 및 제2 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)는 전동화된다(예를 들어, 각각 스테퍼 모터와 같은 자체 모터를 갖는다).
일부 실시형태에서, 회전 스테이지(306)는 광학빔(202)에 대한 타겟(120)의 방위각의 변화를 수용하기 위해 척(202)의 회전에 따라(예를 들어, 반경방향 크기(radial amount)만큼) 회전한다. 일부 실시형태에서, 회전 스테이지(306)는 전동화된다.
도 3의 예에서, 애퍼처 마스크(300)는 2개의 불투명판(302)을 갖는다. 다른 예에서, 애퍼처 마스크는 3개 이상의 불투명판을 가질 수 있으며, 각각의 불투명판은 각각의 병진이동 스테이지 상에 장착될 수 있는데, 병진이동 스테이지는 단일 회전 스테이지 상에 장착되어 있다. 병진이동 스테이지는 복수의 불투명판의 각각의 위치를 조정하도록 각각 독립적으로 동작 가능할 수 있다.
일부 실시형태에서, 회전 스테이지(306)는 생략된다. 예를 들어, 병진이동 스테이지(304)는 프레임(308)에 직접 장착될 수 있다. 다른 실시형태에서는 병진이동 스테이지(304) 중 하나 이상(예컨대, 전부)이 생략된다. 예를 들어, 하나 이상의 대응하는 불투명판(302)(예를 들어, 불투명판(302) 전부)은 홀(310)과 부분적으로 중첩되도록 회전 스테이지(306) 상에 고정 장착될 수 있다.
따라서, 애퍼처 마스크(300)는 수집 마스크(122)(도 1)에 의해 제공된 다수의 고정 애퍼처와 대조적으로 단일의 조정 가능한 애퍼처를 제공한다. 애퍼처 마스크(300)에 의해 제공되는 애퍼처는 넓어지고, 좁아지고, 시프트되고, 그리고/또는 회전될 수 있다. 애퍼처를 쉽게 조정할 수 있기 때문에 애퍼처 마스크(300)는 오정렬에 둔감하다. 애퍼처 마스크(300)가 계측 툴의 수집 시스템(200)(도 2)에서 사용되는 것으로 설명되었지만, 애퍼처 마스크는 대안적으로 또는 추가적으로 계측 툴의 조명 시스템에서 사용될 수도 있다.
도 4는 일부 실시형태에 따른 반도체 계측 툴(예를 들어, 엘립소미터)을 동작시키는 방법을 예시하는 흐름도이다. 계측 툴은 수집 마스크(300)(도 3)를 포함할 수 있는 수집 시스템(200)(도 2)을 포함할 수 있다.
방법(400)에서, 타겟(예를 들어, 타겟(120, 도 2)은 척(예를 들어, 척(202, 도 2) 상에 적재된다(402). 타겟은 광학빔으로 조명되고 광학빔을 반사한다(404). 일부 실시형태에서, 반사된 광학빔(예를 들어, 광학빔(206))이 시준되고(406), 애퍼처 마스크(예를 들어, 애퍼처 마스크(208, 도 2); 천공 마스크(300, 도 3))가 시준된 빔을 마스킹한다.
하나 이상의 불투명판(예컨대, 도 3의 광학판(302-1 및 302-2))의 위치는, 반사된 광학빔을 마스킹하는 애퍼처 마스크 상에서, (i) 타겟에 대한 광학빔의 선택된 입사 중심각과, (ii) 타겟에 대한 광학빔의 선택된 입사각 범위, 또는 (iii) 광학빔에 대한 타겟의 방위각에 대응하는 하나 이상의 불투명판의 선택된 회전도 중 적어도 하나를 달성하도록, 조정된다. 일부 실시형태에서, 선택된 입사 중심각 또는 선택된 입사각의 범위 중 적어도 하나를 달성하기 위해 애퍼처 마스크 상에서의 제1 및 제2 불투명판의 선형 위치가 조정된다(410). 제1 불투명판의 선형 위치는 제2 불투명판의 선형 위치와 독립적으로 조정될 수 있다(412). 예를 들어, 불투명판(302-1 및 302-2)의 선형 위치는 병진이동 스테이지(304-1 및 304-2)(도 3)를 사용하여 독립적으로 조정된다.
선택된 회전도를 달성하기 위해 위치를 조정하는(즉, 예를 들어 회전 스테이지(306, 도 3)를 사용하여 위치를 선택된 회전도만큼 회전시키는) 일부 실시형태에서는, 척이 광학빔에 대한 타겟의 방위각을 설정하도록 회전된다(414).
하나 이상의 불투명판의 위치가 조정된 상태에서, 광학빔이 스펙트로미터(예를 들어, 스펙트로미터(214, 도 2)에서 수광된다(416). 예를 들어, 시준된 광학빔은 스펙트로미터 상에 포커싱된다(418).
순서 의존적이지 않은 방법(400)의 단계들은 재정렬될 수 있고 단계들은 결합되거나 파기될 수 있다. 예를 들어, 단계 408 내지 단계 414는 단계 404와 단계 406 이전에 수행될 수 있다. 또한, 단계 414는, 단계 410및 412를 포함할 수도 포함하지 않을 수도 있는 단계 408 이전에 또는 동시에 수행될 수도 있다. 또한, 하나 이상의 단계(예를 들어, 단계 414 또는 단계 410 및 단계 412)는 생략될 수도 있다.
일부 실시형태에서, 애퍼처를 변화시키기 위해 단일 애퍼처 마스크를 조정하는 대신에, 상이한 애퍼처들이 선택적으로 광학빔(예를 들어, 광학빔(206, 도 2) 내외로 이동할 수도 있다. 도 5는 일부 실시형태에 따른 회전 가능한 구조(504)(예를 들어, 터릿(turret))에서의 상이한 애퍼처들(502-1, 502-2, 502-3. 및 502-4)의 배열을 도시한다. 상이한 애퍼처들(502)운 크기 및/또는 배향이 다를 수 있고, 광학빔을 선택적으로 마스킹하기 위해 광학빔 내외로 회전할 수 있다. 구조(504)는 광축에 평행한 축을 중심으로 회전하고, 따라서 회전 가능한 시퀀스로 배열된 복수의 애퍼처 마스크를 제공한다. 일부 실시형태에서, 구조(504)는 수집 시스템(200)(도 4)에서 애퍼처 마스크(208)를 대체한다. 다른 실시형태에서, 상이한 애퍼처들은 광학빔의 경로 내로 배치(예를 들어, 삽입) 또는 경로로부터 떼어내질 수 있는 각각의 판에 배치될 수 있으며, 이에 따라 각각의 애퍼처가 광학빔 내외로 선택적으로 이동할 수 있다.
설명을 위해 이상의 내용은 특정 실시형태를 참조하여 기술되었다. 그러나, 이상의 예시적인 논의는 개시된 정확한 형태로 청구범위의 범주를 철저하게 하거나 제한하려는 것이 아니다. 이상의 교시로부터 다수의 수정 및 변형이 가능하다. 실시형태는 청구범위 및 그 실제 응용에 기초한 원리를 가장 잘 설명하기 위해 선택된 것이라서, 당업자는 계획한 특정 용도에 적합한 다양한 변형으로 실시형태를 잘 사용할 수 있다.

Claims (23)

  1. 반도체 계측 툴의 수집 시스템(collection system)에 있어서,
    광학빔을 반사시키는 타겟을 지지하기 위한 척(chuck)과,
    상기 반사된 광학빔에 대해 조정 가능한 애퍼처를 제공하기 위한 애퍼처 마스크로서, 조정 가능한 위치를 가진 복수의 불투명판을 포함하는 상기 애퍼처 마스크와,
    상기 반사된 광학빔을 시준시키기 위해, 광학축을 따라 상기 척과 상기 애퍼처 마스크 사이에 배치되는 수집 렌즈로서, 상기 반사된 광학빔은 상기 애퍼처 마스크에서 시준되는 것인, 상기 수집 렌즈와,
    상기 반사된 광학빔을 수광하기 위한 스펙트로미터와,
    상기 반사된 광학빔을 상기 스펙트로미터에 포커싱하기 위해, 상기 광학축을 따라 상기 애퍼처 마스크와 상기 스펙트로미터 사이에 배치되는 포커싱 렌즈
    를 포함하고,
    상기 애퍼처 마스크는 상기 광학축을 따라 상기 척과 상기 스펙트로미터 사이에 배치되는 것인, 수집 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사된 광학빔의 편광을 변화시키기 위해, 상기 광학축을 따라 상기 애퍼처 마스크와 상기 포커싱 렌즈 사이에 배치되는 애널라이저를 더 포함하는, 수집 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 불투명판은 제1 불투명판과 제2 불투명판을 포함하고,
    상기 애퍼처 마스크는,
    상기 제1 불투명판이 장착되며, 상기 제1 불투명판의 선형 위치를 조정하기 위한 제1 병진이동 스테이지와,
    상기 제2 불투명판이 장착되며, 상기 제2 불투명판의 선형 위치를 조정하기 위한 제2 병진이동 스테이지를 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 병진이동 스테이지는 상기 제1 및 제2 불투명판의 선형 위치를 조정하도록 독립적으로 동작 가능한 것인, 수집 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 애퍼처 마스크는, 상기 제1 및 제2 병진이동 스테이지가 장착되며 상기 광학빔을 투과시키기 위한 홀을 구비한 회전 스테이지를 더 포함하고, 상기 회전 스테이지는 상기 광학축 또는 상기 광학축에 평행한 축을 중심으로 회전 가능하며,
    상기 제1 및 제2 불투명판은 상기 홀의 각각의 조정 가능한 부분을 차단하도록 구성 가능한 것인, 수집 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 척은 상기 광학빔에 대해 상기 타겟의 방위각을 변경하도록 회전 가능하며, 상기 회전 스테이지는 상기 척의 회전에 따라 회전 가능한 것인, 수집 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 불투명판은 제1 불투명판과 제2 불투명판을 포함하고,
    상기 애퍼처 마스크는, 프레임 상에 장착되며, 상기 광학빔을 투과시키기 위한 홀을 구비한 회전 스테이지를 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 불투명판은 상기 홀에 대한 상기 제1 및 제2 불투명판의 회전을 허용하도록 상기 회전 스테이지에 기계적으로 결합되는 것인, 수집 시스템.
  7. 반도체 계측 툴을 동작시키는 방법에 있어서,
    척 상에 타겟을 적재하는 단계와,
    광학빔으로 상기 타겟을 조명하는 단계로서, 상기 타겟은 상기 광학빔을 반사하는 것인, 상기 타겟을 조명하는 단계와,
    상기 반사된 광학빔을 시준시키는 단계와,
    상기 타겟에 대한 상기 광학빔의 선택된 입사 중심각, 상기 타겟에 대한 상기 광학빔의 선택된 입사각 범위, 또는 상기 광학빔에 대한 상기 타겟의 방위각에 대응하는 하나 이상의 불투명판의 선택된 회전도, 중 적어도 하나를 달성하기 위해, 시준된 상기 반사된 광학빔을 마스킹하는 애퍼처 마스크 상에서의 하나 이상의 불투명판의 위치를 조정하는 단계와,
    상기 반사된 광학빔을 스펙트로미터에 포커싱하는 단계와,
    상기 하나 이상의 불투명판의 위치가 조정된 상태에서, 스펙트로미터에서 상기 광학빔을 수광하는 단계
    를 포함하고,
    상기 애퍼처 마스크는 광학축을 따라 상기 척과 상기 스펙트로미터 사이에 배치되는 것인, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광학빔에 대한 상기 타겟의 방위각을 설정하기 위해 상기 척을 회전시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 하나 이상의 불투명판의 위치를 조정하는 단계는 상기 선택된 회전도를 달성하기 위해 상기 하나 이상의 불투명판의 위치를 회전시키는 단계를 포함하는, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 불투명판의 위치를 조정하는 단계는, 상기 선택된 입사 중심각 또는 상기 선택된 입사각 범위, 중 적어도 하나를 달성하기 위해 상기 애퍼처 마스크 상에서 제1 및 제2 불투명판의 선형 위치를 조정하는 단계를 포함하는, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 불투명판의 선형 위치를 조정하는 것은 상기 제2 불투명판의 선형 위치를 조정하는 것과 독립적으로 수행되는 것인, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  11. 반도체 계측 툴의 수집 시스템에 있어서,
    광학빔을 반사시키는 타겟을 지지하기 위한 척과,
    상기 반사된 광학빔을 수광하기 위한 스펙트로미터와,
    광학축에 평행한 축을 중심으로 회전 가능한 시퀀스로 배열된 복수의 애퍼처 마스크로서, 상기 복수의 애퍼처 마스크의 각각의 애퍼처 마스크는 상기 반사된 광학빔을 선택적으로 마스킹하기 위해 상기 척과 상기 스펙트로미터 사이에서 상기 반사된 광학빔 내외로 회전 가능한 것인, 상기 복수의 애퍼처 마스크와,
    상기 반사된 광학빔을 시준시키기 위해 상기 광학축을 따라 상기 척과 상기 복수의 애퍼처 마스크 사이에 배치되는 수집 렌즈로서, 상기 반사된 광학빔은 상기 복수의 애퍼처 마스크의 각각의 애퍼처 마스크가 상기 반사된 광학빔 내에 있을 때 상기 각각의 애퍼처 마스크에서 시준되는 것인, 상기 수집 렌즈와,
    상기 각각의 애퍼처 마스크에 의해 마스킹된 상기 시준된 광학빔을 상기 스펙트로미터에 포커싱하기 위해, 상기 광학축을 따라 상기 복수의 애퍼처 마스크와 상기 스펙트로미터 사이에 배치되는 포커싱 렌즈
    를 포함하는, 반도체 계측 툴의 수집 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크가 장착되는 터릿(turret)을 더 포함하는, 반도체 계측 툴의 수집 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 크기가 다른 것인, 반도체 계측 툴의 수집 시스템.
  14. 제11항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 배향이 다른 것인, 반도체 계측 툴의 수집 시스템.
  15. 제11항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 크기 및 배향이 다른 것인, 반도체 계측 툴의 수집 시스템.
  16. 제11항에 있어서, 상기 반사된 광학빔의 편광을 변화시키기 위해, 상기 광학축을 따라 상기 복수의 애퍼처 마스크와 상기 포커싱 렌즈 사이에 배치되는 애널라이저를 더 포함하는, 반도체 계측 툴의 수집 시스템.
  17. 반도체 계측 툴을 동작시키는 방법에 있어서,
    척 상에 타겟을 적재하는 단계와,
    광학빔으로 상기 타겟을 조명하는 단계로서, 상기 타겟은 상기 광학빔을 반사하는 것인, 상기 타겟을 조명하는 단계와,
    상기 반사된 광학빔을 시준시키는 단계와,
    상기 시준된 광학빔을 선택적으로 마스킹하는 단계로서, 복수의 애퍼처 마스크의 각각의 애퍼처 마스크를 상기 시준된 광학빔 내로 회전시키는 단계를 포함하고, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 광학축에 평행한 축을 중심으로 회전 가능한 시퀀스로 배열되는 것인, 상기 선택적으로 마스킹하는 단계와,
    상기 시준되고 마스킹된 광학빔을 스펙트로미터에 포커싱하는 단계와
    상기 각각의 애퍼처 마스크에 의해 마스킹된 상기 포커싱된 광학빔을 상기 스펙트로미터에서 수광하는 단계
    를 포함하는 반도체 계측 툴 동작 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 회전시키는 단계는, 상기 복수의 애퍼처 마스크가 장착되는 터릿(turret)을 회전시키는 단계를 포함하는 것인, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 크기가 다른 것인, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 배향이 다른 것인, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 복수의 애퍼처 마스크는 크기 및 배향이 다른 것인, 반도체 계측 툴 동작 방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
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