KR102578925B1 - 고체 촬상 소자 및 전자 장치 - Google Patents

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Abstract

화질을 향상시킬 수 있는 고체 촬상 소자를 제공하는 것. 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고, 그 제2 전극과 그 제1 광전변환부와 그 제1 전극이 이 순서로 배치되고, 그 제3 전극이 그 제1 전극부터 이간하고, 그 제1 절연층을 통하여 그 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 그 제2 절연층이 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그 광도파로가 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 고체 촬상 소자를 제공한다.

Description

고체 촬상 소자 및 전자 장치
본 기술은 고체 촬상 소자 및 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서나 CCD(Charge Coupled Device) 등의 고체 촬상 소자는 디지털 스틸 카메라나 디지털 비디오 카메라 등에 널리 사용되고 있다.
근래, 고체 촬상 소자의 소형화 및 화질의 향상을 도모하기 위해 다양한 개발이 행하여지고 있다.
예를 들면, 유기막 중에 전하를 축적하는 구조와, 반도체층이 절연막상에 존재한 구조를 갖는 이미지 센서가 제안되어 있다(특허 문헌 1을 참조).
또한, 예를 들면, 유기막 중에 전하를 축적하는 구조와, 반도체층이 절연막을 덮는 구조를 갖는 촬상 소자가 제안되어 있다(특허 문헌 2를 참조).
특허 문헌 1 : 미국 특허출원 공개 제2016/0037098호 명세서 특허 문헌 2 : 일본 특개2016-063165호 공보
그렇지만, 특허 문헌 1 및 2에서 제안된 기술에서는 화질의 더한층의 향상이 도모될 수 없을 우려가 있다.
그래서, 본 기술은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 화질을 향상시킬 수 있는 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자를 탑재한 전자 장치를 제공하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명자들은 상술한 목적을 해결하기 위해 예의 연구를 행한 결과, 화질을 비약적으로 향상시키는 것에 성공하여 본 기술을 완성하는데 이르렀다.
즉, 본 기술에서는 우선, 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고,
그 제2 전극과 그 제1 광전변환부와 그 제1 전극이 이 순서로 배치되고,
그 제3 전극이 그 제1 전극부터 이간하고, 그 제1 절연층을 통하여 그 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고,
그 제2 절연층이 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
그 광도파로가 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 고체 촬상 소자를 제공한다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 적어도 하나의 반도체층을 또한 구비하면 좋고,
그 적어도 하나의 반도체층이 상기 제1 광전변환부와 상기 제1 절연층의 사이에 배치되면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자에서, 상기 광도파로와 상기 제2 절연층이 개략 수직 방향으로 분리되어 있으면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 저유전율 재료 함유층을 또한 구비하면 좋고,
그 저유전율 재료 함유층이 상기 광도파로의 하방으로서, 상기 제2 광전변환부의 상방에 배치되면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 이너 렌즈를 또한 구비하면 좋고,
그 이너 렌즈가 상기 제1 광전변환부와 상기 광도파로의 사이에 배치되면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자에서, 상기 광도파로의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다 크면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자에 구비되는 상기 광도파로가 SiN을 포함하면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자에 구비되는 상기 광도파로가 실록산을 포함하면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자에 구비되는 상기 광도파로가 ITO를 포함하면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하면 좋고,
그 적어도 하나의 배선이 투명 재료를 포함하고,
광입사측부터, 그 적어도 하나의 배선과, 상기 광도파로가 이 순서로 배치되면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하면 좋고,
그 적어도 하나의 배선이 차광 재료를 포함하고,
그 적어도 하나의 배선과, 상기 광도파로가 상기 제2 절연층을 통하여 분리되면 좋다.
본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 상기 제1 전극과 접속되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 대좌와,
상기 제1 전극과 그 적어도 하나의 대좌를 접속하는 비아를 또한 구비하면 좋고,
화각(畵角) 중심의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 비아의 중심과의 제1의 거리와, 화각단(畵角端)의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 비아의 중심과의 제2의 거리는 다르면 좋고,
또한, 본 기술에 관한 고체 촬상 소자가 상기 제3 전극과 접속되고, 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 배선과,
상기 제3 전극과 상기 적어도 하나의 배선을 접속하는 콘택트 홀을 또한 구비하면 좋고,
화각 중심의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 콘택트 홀 중심과의 제3의 거리와, 화각단의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 콘택트 홀의 중심과의 제4의 거리는 다르면 좋다.
또한, 본 기술에서는 고체 촬상 소자가 탑재되고,
그 고체 촬상 소자가 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고,
그 제2 전극과 그 제1 광전변환부와 그 제1 전극이 이 순서로 배치되고,
그 제3 전극이 그 제1 전극부터 이간하고, 그 제1 절연층을 통하여 그 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고,
그 제2 절연층이 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
그 광도파로가 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 전자 장치를 제공한다.
본 기술에 의하면, 화질을 향상시킬 수 있다. 또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다.
도 1은 본 기술을 적용한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 2는 본 기술을 적용한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 3은 본 기술을 적용한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도와 평면도.
도 4는 본 기술을 적용한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 5는 본 기술을 적용한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 6은 본 기술을 적용한 고체 촬상 소자의 화소의 어레이 전개를 도시하는 도면.
도 7은 본 기술을 적용한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 8은 본 기술을 적용한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 9는 본 기술을 적용한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 10은 본 기술을 적용한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 11은 본 기술을 적용한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 12는 본 기술을 적용한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 13은 본 기술을 적용한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 설명하기 위한 평면도.
도 14는 본 기술을 적용한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 설명하기 위한 단면도.
도 15는 본 기술을 적용한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 16은 본 기술을 적용한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 17은 본 기술을 적용한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 18은 본 기술을 적용한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 19는 본 기술을 적용한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 20은 본 기술을 적용한 제1∼제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 사용례를 도시하는 도면.
도 21은 본 기술을 적용한 전자 장치의 한 예의 기능 블록도.
이하, 본 기술을 실시하기 위한 알맞은 형태에 관해 설명한다. 이하에 설명하는 실시 형태는 본 기술의 대표적인 실시 형태의 한 예를 나타냈던 것이고, 이에 의해본 기술의 범위가 좁게 해석되는 일은 없다.
또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 1)
2. 제2의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 2)
3. 제3의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 3)
4. 제4의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 4)
5. 제5의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 5)
6. 제6의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 6)
7. 제7의 실시 형태(전자 장치의 예)
8. 본 기술을 적용한 이면 조사형의 고체 촬상 소자의 사용례
<1. 제1의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 1)>
본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하는 고체 촬상 소자이다. 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극은 이 순서로 배치되고, 제3 전극은 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층은 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그리고, 광도파로는 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성된다.
도 1에, 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 한 예인 고체 촬상 소자(1000)(도 1 중에서는 1000-1이다.)를 도시한다. 도 1은 고체 촬상 소자(1000-1)의 단면도이다.
고체 촬상 소자(1000-1)는 제1 전극(8)(도 1 중에서는 제1 전극(8-1)이다.)과, 제2 전극(1)(도 1 중에서는 제2 전극(1-1)이다.)과, 제3 전극(9)(도 1 중에서는 2개의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)이다.)과, 제1 광전변환부(100)(도 1 중에서는 제1 광전변환부(100-1)이다.)와, 제2 광전변환부(200)(도 1 중에서는 2개의 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)이다.)와, 제1 절연층(6)(도 1 중에서는 제1 절연층(6-1)이다.)과, 제2 절연층(7)(도 1 중에서는 제2 절연층(7-1)이다.)과, 광도파로(400)(도 1 중에서는 2개의 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)이다.)를 적어도 구비한다.
고체 촬상 소자(1000-1)에 있어서는 광입사측(도 1 중의 상측)부터 제2 전극(1-1)과 제1 광전변환부(100-1)와 제1 전극(8-1)이 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)은 제1 전극(8-1)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-1)을 통하여 제1 광전변환부(100-1)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)은 전하 축적용 전극이다.
고체 촬상 소자(1000-1)는 전하 축적용 전극으로서 제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)을 구비하고 있기 때문에, 제1 광전변환부(100-1)에 광이 조사되어, 제1 광전변환부(100-1)에서 광전변환이 될 때, 제1 광전변환부(100-1)의 전하를 축적할 수 있다. 그 때문에, 노광 시작시, 전하 축적부(제1 광전변환부(100-1))를 완전 공핍화하여 전하를 소거하는 것이 가능해진다. 그 결과, kTC 노이즈가 커지고, 랜덤 노이즈가 악화하고, 촬상 화질의 저하를 가져온다는 현상의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 제1 광전변환부(100-1)에 광이 조사되어, 제1 광전변환부(100-1)에서 광전변환이 될 때, 제1 광전변환층(100-1)과 제1 절연층(6-1)과 제3 전극(전하 축적용 전극)(9-1-1 및 9-1-2)에 의해 일종의 커패시터가 형성되어, 제1 광전변환부(100-1)의 전하를 축적할 수 있다. 그 때문에, 상기에서 기술한 바와 같이 노광 시작시, 전하 축적부를 완전 공핍화하여 전하를 소거하는 것이 가능해저서, 그 결과, kTC 노이즈가 커지고, 랜덤 노이즈가 악화하고, 촬상 화질의 저하를 가져온다는 현상의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 전 화소를 일제히 리셋할 수 있기 때문에, 이른바 글로벌 셔터 기능을 실현할 수 있다.
제2 절연층(7-1)은 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)의 사이에 형성되어 있다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)의 사이에 형성되어 있다.
도 1 중에서는 제1 전극(8-1)은 비아(81-1)를 통하여 FD(89-1)와 접속되고, 제3 전극(9-1-1)은 콘택트 홀(92-1-A)을 통하여 배선(92-1)과 접속되고, 제3 전극(9-1-2)은 콘택트 홀(91-1-A)을 통하여 배선(91-1)과 접속되어 있다. 도 1 중에서는 배선(91-1과 92-1)은 상하 방향으로 병렬로 배치되고, 배선(92-1)이 상방향, 배선(91-1)이 하방향에 배치되어 있다. 본 개시 중에서는 하방향의 배선을 제1 배선, 상방향의 배선을 제2 배선으로 칭하는 경우가 있다. 도 1 중에서는 고체 촬상 소자(1000-1)는 2개의 배선(91-1 및 92-1)을 구비하고 있지만, 하나의 배선을 구비하고 있어도 좋고, 3개 이상의 배선을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 배선(92-1) 및 배선(91-1)은 투명 재료를 포함하여도 좋고, 차광 재료를 포함하여도 좋다.
제1 광전변환부(100-1)는 반도체 기판(300-1)의 일방의 면측(광입사측, 도 1 중의 상측)에 형성되고, 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)는 반도체 기판(300-1)에 매입되어 형성되어 있다. 즉, 고체 촬상 소자(1000-1)는 광입사측부터 차례로 , 제1 광전변환부(100-1)와, 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)가 이 순서로 배치되어 있다. 따라서 고체 촬상 소자(1000-1)는 제1광전 변경부(100-1)에서 제1의 광성분(예를 들면, 녹색의 광(495㎚ 내지 570㎚의 광))을 흡수하고, 그 밖의 광성분(청색의 광(425㎚ 내지 495㎚의 광) 및 적색의 광(620㎚ 내지 750㎚의 광))은 반도체 기판(300-1)(Si 기판) 내의 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)에서 흡수한다. 또한, 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)의 각각은 2층 구조를 가지면 좋다. 그 경우는 제1의 제2 광전변환부(200-1-1) 및 제1의 제2 광전변환부(200-1-2)에서, 청색의 광(425㎚ 내지 495㎚의 광)을 흡수하고, 제2의 제2 광전변환부(200-1-1) 및 제2의 제2 광전변환부(200-1-2)에서, 적색의 광(620㎚ 내지 750㎚의 광)을 흡수하면 좋다. 제1 광전변환부(100-1)는 유기계 재료로 구성되면 좋고, 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)는 유기계 재료로 구성되어도 좋고, 무기계 재료로 구성되어도 좋다.
제1 광전변환부(100-1) 및 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)에 의해, 화소(2)(2-1∼2-4)에 생성된 신호 전하는 복수의 화소 트랜지스터로 이루어지는 판독부에 의해 판독되어, 신호 처리부에 의해 처리됨으로써, 화상 데이터로서 출력된다.
고체 촬상 소자(1000-1)에서는 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)와 제2 절연층(7-1)은 수직 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 분리되어 있다. 제2 절연층(7-1)은 예를 들면, 실리콘 산화막, TEOS 등의 절연성을 갖는 유전체를 채용할 수 있다. 또한, 제1 절연층(6-1)도, 제2 절연층(7-1)과 마찬가지로, 실리콘 산화막, TEOS 등의 절연성을 갖는 유전체를 채용할 수 있다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 촬상면에 대해 다양한 각도로 입사되는 광을, 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)의 굴절률과 제2 절연층(7-1)의 굴절률 차를 이용하여 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)와 제2 절연층(7-1)과의 계면에서 광을 반사시킬 수 있다. 따라서 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 인접 화소로의 광의 침입을 방지할 수 있다.
본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-1)에 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)가 형성됨으로써, 상기한 바와 같이 광도파로(400-1-1) 또는 광도파로(400-1-2)와, 제2 절연층(7-1)과의 계면의 반사에 의해 인접 화소로의 광의 침입이 방지되기 때문에, 화질의 향상 효과, 특히 감도나, 셰이딩이나, 혼색의 개선의 효과가 이루어진다.
제1 광전변환부로서 유기 광전변환막을 이용한 종래의 고체 촬상 소자는 반도체 기판과 유기 광전변환막 사이의 거리를 크게 하면, 예를 들면, 화소에의 입사광이 비스듬하게 입사한 경우에는 혼색이나 셰이딩이 발생하기 쉽다. 이 때문에, 종래의 고체 촬상 소자는 반도체 기판과 유기 광전변환막 사이의 거리를 작게 하는 편이 혼색이나 셰이딩을 저감한 관점에서 바람직하다. 한편, 제1 광전변환부로서 유기 광전변환막을 이용한 종래의 고체 촬상 소자는 반도체 기판과 유기 광전변환막 사이의 거리를 작게 하면, 유기 광전변환막부터 신호 전하를 판독하는 제1 전극으로서의 하부 전극에 주어지는 기생 용량이 커진다. 이 기생 용량이 증가하면, 유기 광전변환막부터 신호 전하를 판독한 때에, 얻어지는 신호가 작아진다. 이 때문에 종래의 고체 촬상 소자는 유기 광전변환막부터 판독하는 신호의 시그널 노이즈비(S/N비)가 저하되어 버리는 일이 있다.
한편으로, 제3 전극(전하 축적용 전극)을 구동시키기 위한 전용 배선이 필요하고, 그 만큼, 제3 전극과 Si 계면과의 막두께가 커져서, 혼색이나, 셰이딩이라는 광학 특성의 열화가 발생하여 버리는 일이 있다.
이에 대해, 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-1)는 반도체 기판(300-1)과 제1 광전변환부(100-1)(예를 들면, 유기 광전변환막, 유기 광전변환층이다.)의 사이 보다 상세하게는 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 제2 광전변환부(200-1-1 및 200-1-2)의 사이에, 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)가 형성되어 있다. 이에 의해 감도나, 셰이딩이나, 혼색의 개선의 효과가 이루어지기 때문에, 반도체 기판(300-1)부터 제1 광전변환부(100-1)의 사이를 박막화할 필요가 없고, 즉, 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-1)에서, 제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)을 구동시키기 위한 배선(91-1 및 92-1)을 이용하여 제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)과 반도체 기판(300-1)의 계면의 사이를 후막화로 할 수 있다. 그리고, 반도체 기판(300-1)부터 제1 광전변환부(100-1)의 사이를 후막화함에 의해, 반도체 기판(300-1)과 제1 광전변환부(100-1)용의 제1 전극(8-1)과의 용량 저감이 가능해저서, 변환 효율 저하나, 랜덤 노이즈(RN)의 악화가 방지될 수 있다.
나아가서는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-1)에 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)가 도입됨에 의해, 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-1)는 감도, 셰이딩 및 혼색의 개선의 효과와, 변환 효율 저하 및 랜덤 노이즈(RN)의 악화의 방지 효과를 양립할 수 있다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)의 굴절률은 제2 절연층(7-1)의 굴절률보다도 큰 것이 바람직하다. 이 바람직한 양태에 의해, 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)와 제2 절연층(7-1)과의 계면의 반사에 의해 인접 화소로의 광의 침입을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 SiN을 포함하는 것이 바람직하다. SiN을 포함하는 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)의 굴절률은 1.8∼2.1이기 때문에, 예를 들면, 제2 절연층(7-1)이 SiO를 포함하고, 제2 절연층(7-1)의 굴절률이 1.3∼1.5인 것이 바람직하다. 이 바람직한 양태에 의해, 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)와 제2 절연층(7-1)과의 계면의 반사에 의해 인접 화소로의 광의 침입을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 특히 한정되는 일 없이 임의의 재료로 형성되면 좋은데 저유전율 재료로 형성되어도 좋다. 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)의 재료로서, 저유전율 재료를 사용한 경우에는 용량을 더욱 저감할 수 있다. 이 더한층의 용량 저감분을 저배화(低背化)로 돌릴 수 있기 때문에, 감도나, 혼색이나, 셰이딩의 개선의 효과가 더욱 이루어진다. 저유전율 재료의 굴절률은 제2 절연층(7-1)의 굴절률보다 크고, 1.6∼1.8인 것이 바람직하다. 저유전율 재료의 유전율은 특히 한정되지 않지만, 3.4∼3.6인 것이 바람직하다.
저유전율 재료는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, SiOC막이나 SiOCH막 등의 투명 재료 등을 들 수 있다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 ITO(산화인듐주석)로 이루어지는 투명 재료인 것이 바람직하다. 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)가 ITO(산화인듐주석)로 이루어지는 투명 재료일때, 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)의 굴절률은 약 1.75가 된다.
반도체 기판(300-1)부터 제1 광전변환부(100-1)까지의 두께는 특히 한정되지 않고 임의의 두께면 좋은데 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 유기막을 포함하여도 좋다. 유기막의 굴절률은 특히 한정되지 않지만, 1.5∼1.7인 것이 바람직하다. 유기막의 유전율은 특히 한정되지 않지만, 3.4∼3.6인 것이 바람직하다.
광도파로(400-1-1 및 400-1-2)는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(7-1)을 평탄하게 형성한 후, 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)가 되는 부분을, 구멍형상(또는 원주형상 또는 원추대형상)으로 파들어간다. 파들어간 구멍에, 제2 절연층(7-1)보다도 굴절률이 큰 재료를, 구멍에 매입한다. 그 굴절률이 큰 재료를 매입한 구멍형상(또는 원주형상 또는 원추대형상)의 부분이 광도파로(400-1-1 및 400-1-2)가 된다.
제1 전극(8)(도 1 중에서는 제1 전극(8-1)이다.) 및 제3 전극(9)(도 1 중에서는 2개의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)이다.)은 투명 도전 재료로 이루어지는 투명 전극이 바람직하다. 제1 전극(8) 및 제3 전극(9)은 같은 재료로 구성되어도 좋고, 다른 재료로 구성되어도 좋다. 제1 전극(8) 및 제3 전극(9)은 스퍼터링법 또는 화학 증착법(CVD)에 의해 형성할 수 있다.
투명 도전 재료로서는 예를 들면, 산화인듐, 인듐-주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide, Sn 도프의 In2O3.결정성 ITO 및 어모퍼스 ITO를 포함한다), 산화아연에 도펀트로서 인듐을 첨가한 인듐-아연산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), 산화갈륨에 도펀트로서 인듐을 첨가한 인듐-갈륨산화물(IGO), 산화아연에 도펀트로서 인듐과 갈륨을 첨가한 인듐-갈륨-아연산화물(IGZO, In-GaZnO4), 산화아연에 도펀트로서 인듐과 주석을 첨가한 인듐-주석-아연산화물(ITZO), IFO(F 도프의 In2O3), 산화주석(SnO2), ATO(Sb 도프의 SnO2), FTO(F 도프의 SnO2), 산화아연(타 원소를 도프 한 ZnO를 포함한다), 산화아연에 도펀트로서 알루미늄을 첨가한 알루미늄-아연산화물(AZO), 산화아연에 도펀트로서 갈륨을 첨가한 갈륨-아연산화물(GZO), 산화티탄(TiO2), 산화티탄에 도펀트로서 니오브를 첨가한 니오브-티탄산화물(TNO), 산화안티몬, 스피넬형 산화물, YbFe2O4 구조를 갖는 산화물을 예시할 수 있다.
제2 전극(1)(도 1 중에서는 제2 전극(1-1)이다.)은 예를 들면, 산화인듐주석막, 산화인듐아연막 등의 투명 도전막 등으로 형성된다.
<2. 제2의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 2)>
본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로와, 적어도 하나의 반도체층을 구비하는 고체 촬상 소자이다. 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극은 이 순서로 배치되고, 제3 전극은 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층은 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그리고, 광도파로는 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성된다. 또한, 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 적어도 하나의 반도체층이 제1 광전변환부와 제1 절연층의 사이에 배치된다.
즉, 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자에, 적어도 하나의 반도체층이 구비되고, 그 적어도 하나의 반도체층이 제1 광전변환부와 제1 절연층의 사이에 배치되는 고체 촬상 소자이다.
도 2∼도 8에, 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 예인 고체 촬상 소자(1000-2∼1000-7)를 도시한다. 또한, 도 2 중에서는 고체 촬상 소자(1000-2)이고, 도 3 중에서는 고체 촬상 소자(1000-3)이고, 도 4 및 도 5 중에서는 고체 촬상 소자(1000-4)이고, 도 6 중에서는 고체 촬상 소자(1000-6)이고, 도 7 및 도 8 중에서는 고체 촬상 소자(1000-7)이다.
우선, 도 2를 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 설명한다. 도 2는 고체 촬상 소자(1000-2)의 단면도이다. 고체 촬상 소자(1000-2)는 제1 전극(8-2)과, 제2 전극(1-2)과, 2개의 제3 전극(9-2-1 및 9-2-2)과, 제1 광전변환부(100-2)와, 반도체층(5)(도 2 중에서는 반도체층(5-2)이다.)과, 4개의 제2 광전변환부(200-2-1A, 200-2-1B, 200-2-2A 및 200-2-2B)와, 제1 절연층(6-2)과, 제2 절연층(7-2)과, 광도파로(도 2 중에서는 부도시)를 적어도 구비한다.
본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자가 반도체층(5)(도 2 중에서는 5-2이다.)을 구비함으로써, 반도체층(5)에 전하를 축적할 수 있고, 전하 축적시의 재결합을 방지할 수 있다. 반도체층을 구성하는 재료로서는 구체적으로는 IGZO 등의 산화물 반도체 재료 ; 천이금속 디칼코게나이드 ; 실리콘카바이드 ; 다이아몬드 ; 그라펜 ; 카본나노튜브 ; 축합 다환 탄화수소 화합물이나 축합 복소환 화합물 등의 유기 반도체 재료를 들 수 있다.
고체 촬상 소자(1000-2)에서는 광입사측(도 2 중의 상측)부터, 온 칩 렌즈(12-2-1 및 12-2-2)와, 보호층(11-2)과, 제2 전극(1-2)과, 제1 광전변환부(100-2)와, 반도체층(5-2)과, 제1 전극(8-2)이 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-2-1) 및 제3 전극(9-2-2)은 제1 전극(8-2)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-2)을 통하여 제1 광전변환부(100-2)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-2-1) 및 제3 전극(9-2-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)과 마찬가지로, 전하 축적용 전극이다. 제1 전극(8-2), 제3 전극(9-2-1 및 9-2-2) 및 실드(10-2-1 및 10-2-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 2 중에서는 제1 전극(8-2)은 비아(82-2-A)를 통하여 제2 대좌(82-2)와 접속되고, 제2 대좌(82-2)는 비아(81-2-A)를 통하여 제1 대좌(81-2)와 접속되고, 또한, 제1 대좌(81-2)는 관통 전극(89-2)을 통하여 배선층 및 FD(89-2)에 접속되어 있다. 제3 전극(9-2-1)은 콘택트 홀(92-2-A)을 통하여 제2 배선(92-2)과 접속되고, 제2 배선(92-2)은 콘택트 홀(91-2-A)을 통하여 제1 배선(91-2)과 접속되고, 배선(91-2)은 관통 전극(99-2)을 통하여 배선층에 접속되어 있다. 제3 전극(9-2-2)은 콘택트 홀(94-2-A)을 통하여 제2 배선(94-2)과 접속되어 있다. 도 2 중에서는 제2 배선(94-2)과 제1 배선(93-2)은 접속되어 있지 않다.
실드(10-2-1)는 콘택트 홀(102-2-A)을 통하여 제2 배선(1020-2)과 접속되고, 제2 배선(1020-2)은 콘택트 홀(101-2-A)을 통하여 제1 배선(1010-2)과 접속되고, 제1 배선(1010-2)은 관통 전극(109-2)을 통하여 배선층에 접속되어 있다. 도 2 중에서는 실드(10-2-2)는 어느 부재와도 접속되어 있지 않지만, 실드(10-2-1)와 접속되어 있어도 좋다. 제2 전극(1-2)은 배선(113-2)을 통하여 대좌(112-2)와 접속되고, 대좌(112-2)는 비아(112-A)를 통하여 대좌(111-2)와 접속되고, 대좌(111-2)는 관통 전극(119-2)을 통하여 배선층에 접속되어 있다.
제2 절연층(7-2)은 제3 전극(9-2-1 및 9-2-2)과 제2 광전변환부(200-2-1A 및 200-2-2A)의 사이에 형성되어 있다.
도 2 중에서는 광도파로는 부도시이지만, 광도파로는 제3 전극(9-2-1 및 9-2-2)과 제2 광전변환부(200-2-1A 및 200-2-2A)의 사이에 형성되면 좋다.
제1 광전변환부(100-2)는 제2 캐리어 블로킹층(2-2), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-2) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-2)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-2)는 반도체 기판(300-2)의 일방의 면측(광입사측, 도 2 중의 상측)에 형성되고, 제2 광전변환부(200-2-1A, 200-2-1B, 200-2-2A 및 200-2-2B)는 반도체 기판(300-3)에 매입되어 형성되어 있다. 제2 광전변환부(200-2-1A와 200-2-1B)는 반도체 기판(300-2)의 두께 방향으로 적층되고, 제2 광전변환부(200-2-2A)와 200-2-2B란, 반도체 기판(300-2)의 두께 방향으로 적층되어 있다. 즉, 고체 촬상 소자(1000-2)는 광입사측부터 차례로 , 제1 광전변환부(100-2)와, 제2 광전변환부(200-2-1A 및 200-2-2A)와, 제2 광전변환부(200-2-1B 및 200-2-2B)가 이 순서로 배치되어 있다. 따라서 고체 촬상 소자(1000-2)는 제1광전 변경부(100-2)에서, 예를 들면, 녹색의 광(495㎚ 내지 570㎚의 광)을 흡수하고, 제2 광전변환부(200-2-1A 및 200-2-1B)에서, 예를 들면, 청색의 광(425㎚ 내지 495㎚의 광)을 흡수하고, 제2 광전변환부(200-2-1B 및 200-2-2B)에서, 예를 들면, 적색의 광(620㎚ 내지 750㎚의 광)을 흡수하면 좋다. 제2 광전변환부(200-2-1A, 200-2-1B, 200-2-2A 및 200-2-2B)는 예를 들면, 포토 다이오드이고, 목적하는 색에 응하여 이들 4개의 포토 다이오드의 깊이 방향의 위치를 설정할 수 있다. 또한, 제2 광전변환부(200-2-1A 및 200-2-2A)의 각각은 게이트부(210-1 및 210-2) 및 배선층에 접속되어 있다.
도 3을 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 설명한다. 도 3(a)는 도 3(b)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-3)의 단면도이고, 도 3(b)는 광입사측에서 본 고체 촬상 소자(1000-3)의 4화소분(1000-3-1∼1000-3-4)의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 3(a)를 참조한다. 고체 촬상 소자(1000-3)는 제1 전극(8-3)과, 제2 전극(1-3)과, 제3 전극(9-3)과, 제1 광전변환부(100-3)와, 반도체층(5-3)과, 제2 광전변환부(203)와, 제1 절연층(6-3)과, 제2 절연층(7-3)과, 광도파로(도 3 중에서는 부도시)를 적어도 구비한다. 제1 전극(8-3) 및 제3 전극(9-3)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-3)에서는 광입사측(도 3 중의 상측)부터, 보호층(11-3)과, 제2 전극(1-3)과, 제1 광전변환부(100-3)와, 반도체층(5-3)과, 제1 전극(8-3)이 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-3)은 제1 전극(8-3)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-3)을 통하여 제1 광전변환부(100-3)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-3)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1) 및 제3 전극(9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제1 전극(8-3), 제3 전극(9-3) 및 실드(10-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 3 중에서는 제1 전극(8-3)은 비아(82-3-A)를 통하여 제2 대좌(82-3)와 접속하고, 제2 대좌(82-3)는 비아(81-3-A)를 통하여 제1 대좌(81-3)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-3)는 관통 전극(89-3)과 접속하고 있다. 제3 전극(9-3)은 콘택트 홀(92-3-A)을 통하여 제2 배선(92-3)과 접속되고, 제2 배선(92-3)은 콘택트 홀(91-3-A)을 통하여 배선(91-3)과 접속되어 있다.
제2 절연층(7-3)은 제3 전극(9-3)과 제2 광전변환부(200-3)의 사이에 형성되어 있다.
도 3 중에서는 광도파로는 부도시이지만, 광도파로는 제3 전극(9-3)과 제2 광전변환부(200-3)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-3)는 제2 캐리어 블로킹층(2-3), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-3) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-3)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-3)는 반도체 기판(300-3)의 일방의 면측(광입사측, 도 3 중의 상측)에 형성되고, 제2 광전변환부(200-3)는 반도체 기판(300-3)에 매입되어 형성되어 있다. 즉, 고체 촬상 소자(1000-3)는 광입사측부터 차례로 , 제1 광전변환부(100-3)와, 제2 광전변환부(200-3)가 이 순서로 배치되어 있다. 따라서 고체 촬상 소자(1000-3)는 제1 광전변환부(100-3)에서 제1의 광성분(예를 들면, 녹색의 광(495㎚ 내지 570㎚의 광))을 흡수하고, 그 밖의 광성분(청색의 광(425㎚ 내지 495㎚의 광) 및 적색의 광(620㎚ 내지 750㎚의 광))은 반도체 기판(300-3)(Si 기판) 내의 제2 광전변환부(200-3)에서 흡수한다. 또한, 제2 광전변환부(200-3)는 2층 구조를 가지면 좋다. 그 경우는 제1의 제2 광전변환부(200-3)에서, 청색의 광(425㎚ 내지 495㎚의 광)을 흡수하고, 제2의 제2 광전변환부(200-3)에서, 적색의 광(620㎚ 내지 750㎚의 광)을 흡수하면 좋다.
도 3(b)를 참조한다. 도 3(b)에는 고체 촬상 소자(1000-3)의 4화소(1000-3-1∼1000-3-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-3-1)에는 제3 전극(9-3-1) 및 제2 배선(92-3-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-3-1-A)을 통하여 제3 전극(9-3-1)과, 제2 배선(92-3-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-3-2)에는 제3 전극(9-3-2), 제1 배선(91-3-2) 및 제2 배선(92-3-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-3-2-A)을 통하여 제1 배선(91-3-2)과, 제2 배선(92-3-1)은 접속되고, 콘택트 홀(92-3-2-A)을 통하여 제3 전극(9-3-2)과, 제2 배선(92-3-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-3-3)에는 제3 전극(9-3-3), 제1 배선(91-3-3) 및 제2 배선(92-3-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-3-3-A)을 통하여 제1 배선(91-3-3)과, 제2 배선(92-3-3)은 접속되고, 92-3-3-A를 통하여 제3 전극(9-3-3)과, 제2 배선(92-3-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-3-4)에는 제3 전극(9-3-4) 및 제2 배선(92-3-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-3-4-A)을 통하여 제3 전극(9-3-4)과, 제2 배선(92-3-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-3-1) 및 화소(1000-3-2)의 상부(도 3(b) 중의 상측)에는
광입사측부터 차례로 제2 배선(92-3-12)(제1 배선(91-3-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-3-1)에서, 제2 배선(92-3-12)과 제2 배선(92-3-1)은 접속되고, 화소(1000-3-2)에서, 제1 배선(91-3-12)과 제1 배선(91-3-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-3-3) 및 화소(1000-3-4)의 하부(도 3(b) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-3-34)(제1 배선(91-3-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-3-3)에서, 제1 배선(91-3-34)과 제1 배선(91-3-3)은 접속되고, 화소(1000-3-4)에서, 제2 배선(92-3-34)과 제2 배선(92-3-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-3-12) 및 제1 배선(91-3-2)에 의해, 화소(1000-3-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-3-34) 및 제1 배선(91-3-3)에 의해, 화소(1000-3-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 배선(92-3-12) 및 제2 배선(92-3-1)에 의해, 화소(1000-3-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-3-34) 및 제2 배선(91-3-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-3-1)∼화소(1000-3-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-3)은 4화소 공유(1000-3-1∼1000-3-4로)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-3-A)를 통하여 제2 대좌(82-3)에 접속되고, 제2 대좌(82-3)는 비아(81-3-A)를 통하여 제1 대좌(81-3)에 접속되어 있다.
도 4를 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-4)를 설명한다. 도 4(a)는 도 5에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-5a), 비아(81-5a-A), 제1 배선(91-5b-1), 콘택트 홀(91-5b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-4)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 4(b)는 도 5에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-5a), 비아(82-5a-A), 제2 배선(92-5b-1), 콘택트 홀(92-5b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-4)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 4(c)는 도 5에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-5a), 실드(10-5a-1), 제3 전극(9-5b-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-4)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 4(a)를 참조한다. 도 4(a)에는 고체 촬상 소자(1000-4)의 4화소(1000-4a-1∼1000-4a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-4a-1) 및 화소(1000-4a-2)의 상부(도 4(a) 중의 상측)에는 제1 배선(91-4a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-4a-2)에서, 제1 배선(91-4a-12)과 제1 배선(91-4a-2)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-4a-2)에는 콘택트 홀(91-4a-A-2)이 접속되어 있다.
화소(1000-4a-3) 및 화소(1000-4a-4)의 하부(도 4(a) 중의 하측)에는 제1 배선(91-4a-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-4a-3)에서, 제1 배선(91-4a-34)과 제1 배선(91-4a-3)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-4a-3)에는 콘택트 홀(91-4a-A-3)이 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-4a-12) 및 제1 배선(91-4a-2)에 의해, 화소(1000-4a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-4a-34) 및 제1 배선(91-4a-3)에 의해, 화소(1000-4a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-4a-2) 및 화소(1000-4a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-4a) 및 제1 대좌(81-4a)에 접속하는 비아(81-4a-A)는 4화소 공유(1000-4a-1∼1000-4a-4)로 형성되어 있다.
도 4(b)를 참조한다. 도 4(b)에는 고체 촬상 소자(1000-4)의 4화소(1000-4b-1∼1000-4b-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-4b-1) 및 화소(1000-4b-2)의 상부(도 4(b) 중의 상측)에는 제2 배선(92-4b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-4b-1)에서, 제2 배선(92-4b-12)과 제2 배선(92-4b-1)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-4b-1)에는 콘택트 홀(92-4b-A-1)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-4b-2)에서, 제2 배선(92-4b-2)이 콘택트 홀(92-4b-A-2)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
화소(1000-4b-3) 및 화소(1000-4b-4)의 하부(도 4(b) 중의 하측)에는 제2 배선(92-4b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-4b-4)에서, 제2 배선(92-4b-34)과 제2 배선(92-4b-4)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-4b-4)에는 콘택트 홀(92-4b-A-4)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-4b-3)에서, 제2 배선(92-4b-3)이 콘택트 홀(92-4b-A-3)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
이에 의해, 제2 배선(92-4b-12) 및 제2 배선(92-4b-1)에 의해, 화소(1000-4b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-4b-34) 및 제2 배선(92-4b-4)에 의해, 화소(1000-4b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-4b-1) 및 화소(1000-4b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-4b) 및 제2 대좌(82-4b)에 접속하는 비아(82-4b-A)는 4화소 공유(1000-4b-1∼1000-4b-4)로 형성되어 있다.
도 4(c)를 참조한다. 도 4(c)에는 고체 촬상 소자(1000-4)의 4화소(1000-4c-1∼1000-4c-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-4c-1)에는 제3 전극(9-4c-1) 및 제2 배선(92-4c-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-4c-A-1)을 통하여 제3 전극(9-4c-1)과, 제2 배선(92-4c-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-4c-2)에는 제3 전극(9-4c-2), 제1 배선(91-4c-2) 및 제2 배선(92-4c-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-4c-A-2)을 통하여 제1 배선(91-4c-2)과, 제2 배선(92-4c-1)은 접속되고, 콘택트 홀(92-4c-A-2)을 통하여 제3 전극(9-4c-2)과, 제2 배선(92-4c-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-4c-3)에는 제3 전극(9-4c-3), 제1 배선(91-4c-3) 및 제2 배선(92-4c-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-4c-3-A)을 통하여 제1 배선(91-4c-3)과, 제2 배선(92-4c-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-4c-A-3)을 통하여 제3 전극(9-4c-3)과, 제2 배선(92-4c-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-4c-4)에는 제3 전극(9-4c-4) 및 제2 배선(92-4c-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-4c-A-4)을 통하여 제3 전극(9-4c-4)과, 제2 배선(92-4c-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-4c-1) 및 화소(1000-4c-2)의 상부(도 4(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-4c-12)(제1 배선(91-4c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-4c-1)에서, 제2 배선(92-4c-12)과 제2 배선(92-4c-1)은 접속되고, 화소(1000-4c-2)에서, 제1 배선(91-4c-12)과 제1 배선(91-4c-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-4c-3) 및 화소(1000-4c-4)의 하부(도 4(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-4c-34)(제1 배선(91-4c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-4c-3)에서, 제1 배선(91-4c-34)과 제1 배선(91-4c-3)은 접속되고, 화소(1000-4c-4)에서, 제2 배선(92-4c-34)과 제2 배선(92-4c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-4c-12) 및 제1 배선(91-4c-2)에 의해, 화소(1000-4c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-4c-34) 및 제1 배선(91-4c-3)에 의해, 화소(1000-4c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 배선(92-4c-12 및 92-4c-1)에 의해, 화소(1000-4c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-4c-34) 및 제2 배선(92-4c-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-4c-1)∼화소(1000-4c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-4c)은 4화소 공유(1000-4c-1∼1000-4c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-4c-A)를 통하여 제2 대좌(82-4c)에 접속되고, 제2 대좌(82-4c)는 비아(81-4c-A)를 통하여 제1 대좌(81-4c)에 접속되어 있다.
도 5를 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-4)를 설명한다. 도 5(a)는 도 4(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-4)의 단면도이고, 도 5(b)는 도 4(c)에 도시되는 B-B'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-4)의 단면도이고, 도 5(c)는 도 4(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-4)의 단면도이다.
도 5(a)를 참조한다. 도 5(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-4)는 제1 전극(8-5a)과, 제2 전극(1-5a)과, 제1 광전변환부(100-5a)와, 반도체층(5-5a)과, 제1 절연층(6-5a)과, 제2 절연층(7-5a)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-5a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-4)에서는 광입사측(도 5(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-5a)과, 제2 전극(1-5a)과, 제1 광전변환부(100-5a)와, 반도체층(5-5a)과, 제1 전극(8-5a)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-5a)과, 2개의 실드(10-5a-1 및 10-5a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 5(a) 중에서는 제1 전극(8-5a)은 비아(82-5a-A)를 통하여 제2 대좌(82-5a)와 접속하고, 제2 대좌(82-5a)는 비아(81-5a-A)를 통하여 제1 대좌(81-5a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-5a)는 관통 전극(89-5a)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-5a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-5a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-5a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-5a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-5a)는 반도체 기판(300-5a)의 일방의 면측(광입사측, 도 5(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 5(b)를 참조한다. 도 5(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-4)는 실드(10-5b-1∼10-5b-3)와, 제2 전극(1-5b)과, 제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2)과, 제1 광전변환부(100-5b)와, 반도체층(5-5b)과, 제1 절연층(6-5b)과, 제2 절연층(7-5b)과, 광도파로(도 5(b) 중에서는 부도시)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-4)에서는 광입사측(도 5(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-5b)과, 제2 전극(1-5b)과, 제1 광전변환부(100-5b)와, 반도체층(5-5b)과, 실드(10-5b-1∼10-5b-3)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-5b)을 통하여 제1 광전변환부(100-5b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2) 및 실드(10-5b-1, 10-5b-2 및 10-5b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 5(b) 중에서는 제3 전극(9-5b-1)은 콘택트 홀(92-5b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-5b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-5b-1)은 콘택트 홀(91-5b-A-1)을 통하여 제1 배선(91-5b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-5b-2)은 콘택트 홀(92-5b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-5b-2)과 접속되어 있다. 제1 배선(91-5b-2) 및 제2 배선(92-5b-3)의 각각은 도 6(b)에 도시되는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)의 각각에 대응하고, 열방향(도 6(b) 중에서는 P방향)으로 인접하는 2개의 화소 사이에 형성되는 배선이다. 그리고, 제2 배선(92-5b-1), 제2 배선(92-5b-2) 및 제2 배선(92-5b-3)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-5b-1) 및 제1 배선(91-5b-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-5b)은 제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2)과 반도체 기판(300-5b)의 사이에 형성되어 있다.
도 5(b) 중에서는 광도파로는 부도시이지만, 광도파로는 제3 전극(9-5b-1 및 9-5b-2)과 반도체 기판(300-5b)의 사이에 형성되어 있으면 좋다.
제1 광전변환부(100-5b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-5b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-5b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-5b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-5b)는 반도체 기판(300-5b)의 일방의 면측(광입사측, 도 5(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 5(c)를 참조한다. 도 5(c) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-4)는 실드(10-5c-1∼10-5c-3)와, 제2 전극(1-5c)과, 제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2)과, 제1 광전변환부(100-5c)와, 반도체층(5-5c)과, 제1 절연층(6-5c)과, 제2 절연층(7-5c)과, 광도파로(도 5(c) 중에서는 부도시)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-4)에서는 광입사측(도 5(c) 중의 상측)부터, 보호층(11-5c)과, 제2 전극(1-5c)과, 제1 광전변환부(100-5c)와, 반도체층(5-5c)과, 실드(10-5c-1∼10-5c-3)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-5c)을 통하여 제1 광전변환부(100-5c)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2) 및 실드(10-5c-1, 10-5c-2 및 10-5c-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 5(c) 중에서는 제3 전극(9-5c-1)은 콘택트 홀(92-5c-A-1)을 통하여 제2 배선(92-5c-1)과 접속되고, 제2 배선(92-5c-1)은 콘택트 홀(91-5c-A-1)을 통하여 제1 배선(91-5c-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-5c-2)은 콘택트 홀(92-5c-A-2)을 통하여 제2 배선(92-5c-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-5c-1) 및 제2 배선(92-5c-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-5c)은 제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2)과 반도체 기판(300-5c)의 사이에 형성되어 있다.
도 5(c) 중에서는 광도파로는 부도시이지만, 광도파로는 제3 전극(9-5c-1 및 9-5c-2)과 반도체 기판(300-5c)의 사이에 형성되어 있으면 좋다.
제1 광전변환부(100-5c)는 제2 캐리어 블로킹층(2-5c), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-5c) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-5c)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-5c)는 반도체 기판(300-5c)의 일방의 면측(광입사측, 도 5(c) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 6을 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-6)를 설명한다. 도 6(a)는 광입사측에서 본 고체 촬상 소자(1000-6a)의 4화소분(1000-6a-1∼1000-6a-4)의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 6(b)는 고체 촬상 소자(1000-6a)의 4화소를 어레이 전개한 고체 촬상 소자(1000-6b)를 도시하는 도면이다.
도 6(a)를 참조한다. 도 6(a)에는 고체 촬상 소자(1000-6a)의 4화소(1000-6a-1∼1000-6a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-3-1)에는 제3 전극(9-3-1)이 형성되고, 화소(1000-3-2)에는 제3 전극(9-3-2)이 형성되고, 화소(1000-3-3)에는 제3 전극(9-3-3)이 형성되고, 화소(1000-3-4)에는 제3 전극(9-3-4)이 형성되어 있다.
화소(1000-3-1) 및 화소(1000-3-2)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-6a-12)(제1 배선(91-3-12))이 형성되어 있다. 그리고, 화소(1000-3-1)와 화소(1000-3-2)의 사이에는 실드(10-6a-12)가 형성되어 있다. 또한, 화소(1000-3-3) 및 화소(1000-3-4)에는 광입사측이 차례로 제2 배선(92-3-34)(제1 배선(91-3-34))이 형성되어 있다. 그리고, 화소(1000-3-3)와 화소(1000-3-4)의 사이에는 실드(10-6a-34)가 형성되어 있다.
도 6(b)를 참조한다. 고체 촬상 소자(1000-6b)는 도 6(a)에 기재된 고체 촬상 소자(1000-6a)의 4화소를 반복 단위로 하여 도 6(a)에 기재된 고체 촬상 소자(1000-6a)의 4화소를 2차원형상이 되는 행방향(Q방향)과 열방향(P방향)의 각각에 복수개 배열하여 화소 어레이로서, 형성된다. 고체 촬상 소자(1000-6b)에서는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)이 Q방향 전체에, 복수개의 제3 전극(9-6b)에 접속하도록 라우팅되어 있다. 또한, 실드(10-6b)는 격자형상으로, 복수의 화소 사이에 연재되어 있다.
도 7을 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-7)를 설명한다. 도 7(a)는 도 8에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-8a), 비아(81-8a-A), 제1 배선(91-8b-1), 콘택트 홀(91-8b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-7)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 7(b)는 도 8에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-8a), 비아(82-8a-A), 제2 배선(92-8b-1), 콘택트 홀(92-8b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-7)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 7(c)는 도 8에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-8a), 실드(10-8a-1), 제3 전극(9-8b-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-7)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 7(a)를 참조한다. 도 7(a)에는 고체 촬상 소자(1000-7)의 4화소(1000-7a-1∼1000-7a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-7a-1) 및 화소(1000-7a-2)의 상부(도 7(a) 중의 상측)에는 제1 배선(91-7a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-7a-2)에서, 제1 배선(91-7a-12)과 제1 배선(91-7a-2)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-7a-2)에는 콘택트 홀(91-7a-A-2)이 접속되어 있다.
화소(1000-7a-3) 및 화소(1000-7a-4)의 하부(도 7(a) 중의 하측)에는 제1 배선(91-7a-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-7a-3)에서, 제1 배선(91-7a-34)과 제1 배선(91-7a-3)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-7a-3)에는 콘택트 홀(91-7a-A-3)이 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-7a-12) 및 제1 배선(91-7a-2)에 의해, 화소(1000-7a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-7a-34) 및 제1 배선(91-7a-3)에 의해, 화소(1000-7a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-7a-2) 및 화소(1000-7a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-7a) 및 제1 대좌(81-7a)에 접속하는 비아(81-7a-A)는 4화소 공유(1000-7a-1∼1000-7a-4)로 형성되어 있다.
도 7(b)를 참조한다. 도 7(b)에는 고체 촬상 소자(1000-7)의 4화소(1000-7b-1∼1000-7b-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-7b-1) 및 화소(1000-7b-2)의 상부(도 7(b) 중의 상측)에는 제2 배선(92-7b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-7b-1)에서, 제2 배선(92-7b-12)과 제2 배선(92-7b-1)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-7b-1)에는 콘택트 홀(92-7b-A-1)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-7b-2)에서, 제2 배선(92-7b-2)이 콘택트 홀(92-7b-A-2)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
화소(1000-7b-3) 및 화소(1000-7b-4)의 하부(도 7(b) 중의 하측)에는 제2 배선(92-7b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-7b-4)에서, 제2 배선(92-7b-34)과 제2 배선(92-7b-4)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-7b-4)에는 콘택트 홀(92-7b-A-4)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-7b-3)에서, 제2 배선(92-7b-3)이 콘택트 홀(92-7b-A-3)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
이에 의해, 제2 배선(92-7b-12) 및 제2 배선(92-7b-1)에 의해, 화소(1000-7b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-7b-34) 및 제2 배선(92-7b-4)에 의해, 화소(1000-7b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-7b-1) 및 화소(1000-7b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-7b) 및 제2 대좌(82-7b)에 접속하는 비아(82-7b-A)는 4화소 공유(1000-7b-1∼1000-7b-4)로 형성되어 있다.
4개의 화소(1000-7b-1∼1000-7b-4)의 화소마다에는 광도파로(400-7b-1∼400-7b-4)가 형성되어 있다.
도 7(c)를 참조한다. 도 7(c)에는 고체 촬상 소자(1000-7)의 4화소(1000-7c-1∼1000-7c-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 7(c)에서는 편의상, 광도파로(400-7c-1∼400-7c-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-7c-1)에는 제3 전극(9-7c-1) 및 제2 배선(92-7c-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-7c-1-A)을 통하여 제3 전극(9-7c-1)과, 제2 배선(92-7c-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-7c-2)에는 제3 전극(9-7c-2), 제1 배선(91-7c-2) 및 제2 배선(92-7c-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-7c-A-2)을 통하여 제1 배선(91-7c-2)과, 제2 배선(92-7c-1)은 접속되고, 콘택트 홀(92-7c-A-2)을 통하여 제3 전극(9-7c-2)과, 제2 배선(92-7c-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-7c-3)에는 제3 전극(9-7c-3), 제1 배선(91-7c-3) 및 제2 배선(92-7c-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-7c-A-3)을 통하여 제1 배선(91-7c-3)과, 제2 배선(92-7c-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-7c-A-3)을 통하여 제3 전극(9-7c-3)과, 제2 배선(92-7c-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-7c-4)에는 제3 전극(9-7c-4) 및 제2 배선(92-7c-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-7c-A-4)을 통하여 제3 전극(9-7c-4)과, 제2 배선(92-7c-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-7c-1) 및 화소(1000-7c-2)의 상부(도 7(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-7c-12)(제1 배선(91-7c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-7c-1)에서, 제2 배선(92-7c-12)과 제2 배선(92-7c-1)은 접속되고, 화소(1000-7c-2)에서, 제1 배선(91-7c-12)과 제1 배선(91-7c-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-7c-3) 및 화소(1000-7c-4)의 하부(도 7(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-7c-34)(제1 배선(91-7c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-7c-3)에서, 제1 배선(91-7c-34)과 제1 배선(91-7c-3)은 접속되고, 화소(1000-7c-4)에서, 제2 배선(92-7c-34)과 제2 배선(92-7c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-7c-12) 및 제1 배선(91-7c-2)에 의해, 화소(1000-7c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-7c-34) 및 제1 배선(91-7c-3)에 의해, 화소(1000-7c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 배선(92-7c-12) 및 제2 배선(92-7c-1)에 의해, 화소(1000-7c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-7c-34) 및 제2 배선(92-7c-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-7c-1)∼화소(1000-7c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-7c)은 4화소 공유(1000-7c-1∼1000-7c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-7c-A)를 통하여 제2 대좌(82-7c)에 접속되고, 제2 대좌(82-7c)는 비아(81-7c-A)를 통하여 제1 대좌(81-7c)에 접속되어 있다.
도 8을 이용하여 본 기술에 관한 제2의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-7)를 설명한다. 도 8(a)는 도 7(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-7)의 단면도이고, 도 8(b)는 도 7(c)에 도시되는 B-B'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-7)의 단면도이고, 도 8(c)는 도 7(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-7)의 단면도이다.
도 8(a)를 참조한다. 도 8(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-7)는 제1 전극(8-8a)과, 제2 전극(1-8a)과, 제1 광전변환부(100-8a)와, 반도체층(5-8a)과, 제1 절연층(6-8a)과, 제2 절연층(7-8a)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-8a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-7)에서는 광입사측(도 8(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-8a)과, 제2 전극(1-8a)과, 제1 광전변환부(100-8a)와, 반도체층(5-8a)과, 제1 전극(8-8a)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-8a)과, 2개의 실드(10-8a-1 및 10-8a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 8(a) 중에서는 제1 전극(8-8a)은 비아(82-8a-A)를 통하여 제2 대좌(82-8a)와 접속하고, 제2 대좌(82-8a)는 비아(81-8a-A)를 통하여 제1 대좌(81-8a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-8a)는 관통 전극(89-8a)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-8a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-8a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-8a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-8a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-8a)는 반도체 기판(300-8a)의 일방의 면측(광입사측, 도 8(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 8(b)를 참조한다. 도 8(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-7)는 실드(10-8b-1∼10-8b-3)와, 제2 전극(1-8b)과, 제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2)과, 제1 광전변환부(100-8b)와, 반도체층(5-8b)과, 제1 절연층(6-8b)과, 제2 절연층(7-8b)과, 광도파로(400-8b-1 및 400-8b-2)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-7)에서는 광입사측(도 8(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-8b)과, 제2 전극(1-8b)과, 제1 광전변환부(100-8b)와, 반도체층(5-8b)과, 실드(10-8b-1∼10-8b-3)와, 광도파로(400-8b-1 및 400-8b-2)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-8b)을 통하여 제1 광전변환부(100-8b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2) 및 실드(10-8b-1, 10-8b-2 및 10-8b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 8(b) 중에서는 제3 전극(9-8b-1)은 콘택트 홀(92-8b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-8b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-8b-1)은 콘택트 홀(91-8b-A-1)을 통하여 배선(91-8b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-8b-2)은 콘택트 홀(92-8b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-8b-2)과 접속되어 있다. 제1 배선(91-8b-2) 및 제2 배선(92-8b-3)의 각각은 도 6(b)에 도시되는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)의 각각에 대응하고, 열방향(도 6(b) 중에서는 P방향)으로 인접하는 2개의 화소 사이에 형성되는 배선이다. 그리고, 제2 배선(92-8b-1), 제2 배선(92-8b-2) 및 제2 배선(92-8b-3)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-8b-1) 및 제1 배선(91-8b-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-8b)은 제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2)과 반도체 기판(300-8b)의 사이에 형성되어 있다.
도 8(b) 중에서는 광도파로(400-8b-1 및 400-8b-2)는 제3 전극(9-8b-1 및 9-8b-2)과 반도체 기판(300-8b)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-8b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-8b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-8b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-8b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-8b)는 반도체 기판(300-8b)의 일방의 면측(광입사측, 도 8(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 8(c)를 참조한다. 도 8(c) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-7)는 실드(10-8c-1∼10-8c-3)와, 제2 전극(1-8c)과, 제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2)과, 제1 광전변환부(100-8c)와, 반도체층(5-8c)과, 제1 절연층(6-8c)과, 제2 절연층(7-8c)과, 광도파로(400-8c-1 및 400-8c-2)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-7)에서는 광입사측(도 8(c) 중의 상측)부터, 보호층(11-8c)과, 제2 전극(1-8c)과, 제1 광전변환부(100-8c)와, 반도체층(5-8c)과, 실드(10-8c-1∼10-8c-3)와, 광도파로(400-8c-1 및 400-8c-2)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-8c)을 통하여 제1 광전변환부(100-8c)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2) 및 실드(10-8c-1), 10-8c-2 및 10-8c-3은 동일층으로 형성되어 있다.
도 8(c) 중에서는 제3 전극(9-8c-1)은 콘택트 홀(92-8c-A-1)을 통하여 제2 배선(92-8c-1)과 접속되고, 제2 배선(92-8c-1)은 콘택트 홀(91-8c-A-1)을 통하여 배선(91-8c-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-8c-2)은 콘택트 홀(92-8c-A-2)을 통하여 제2 배선(92-8c-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-8c-1) 및 제2 배선(92-8c-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-8c)은 제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2)과 반도체 기판(300-8c)의 사이에 형성되어 있다.
도 8(c) 중에서는 광도파로(400-8c-1 및 400-8c-2)는 제3 전극(9-8c-1 및 9-8c-2)과 반도체 기판(300-8c)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-8c)는 제2 캐리어 블로킹층(2-8c), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-8c) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-8c)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-8c)는 반도체 기판(300-8c)의 일방의 면측(광입사측, 도 8(c) 중의 상측)에 형성되어 있다.
<3. 제3의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 3)>
본 기술에 관한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로와, 저유전율 재료 함유층을 구비하는 고체 촬상 소자이다. 본 기술에 관한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극은 이 순서로 배치되고, 제3 전극은 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층은 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그리고, 광도파로는 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성된다. 또한, 본 기술에 관한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 저유전율 재료 함유층이 광도파로의 하방으로서, 제2 광전변환부의 상방에 배치된다.
즉, 본 기술에 관한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자에, 저유전율 재료 함유층이 구비되고, 그 저유전율 재료 함유층이 광도파로의 하방으로서, 제2 광전변환부의 상방에 배치되는 고체 촬상 소자이다.
광도파로의 하방으로서, 제2 광전변환부의 상방에 배치되는 저유전율 재료 함유층을 형성시킴으로써, 용량을 더욱 저감할 수 있다. 이 더한층의 용량 저감분을 저배화에 돌릴 수 있기 때문에, 화질의 더한층의 향상 효과, 특히 감도나, 혼색이나, 셰이딩의 개선의 효과가 더욱 이루어진다.
저유전율 재료 함유층은 저유전율 재료를 포함하는 층이라도 좋고, 또는 저유전율 재료로 이루어지는 층이라도 좋다. 저유전율 재료의 굴절률은 특히 한정되지 않지만, 1.6∼1.8인 것이 바람직하다. 저유전율 재료의 유전율은 특히 한정되지 않지만, 3.4∼3.6인 것이 바람직하다.
저유전율 재료는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, SiOC막이나 SiOCH막 등의 투명 재료 등을 들 수 있다.
다음에, 도 9를 이용하여 본 기술에 관한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-9)를 설명한다. 도 9(a)는 도 10에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-10a), 비아(81-10a-A), 제1 배선(91-10b-1), 콘택트 홀(91-10b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-9)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 9(b)는 도 10에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-10a), 비아(82-10a-A), 제2 배선(92-10b-1), 콘택트 홀(92-10b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-9)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 9(c)는 도 10에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-10a), 실드(10-10a-1), 제3 전극(9-10b-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-9)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 9(a)를 참조한다. 도 9(a)에는 고체 촬상 소자(1000-9)의 4화소(1000-9a-1∼1000-9a-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 9(a)에서는 편의상, 저유전율 재료 함유층(600-9a)이 도시되어 있다.
화소(1000-9a-1) 및 화소(1000-9a-2)의 상부(도 9(a) 중의 상측)에는 제1 배선(91-9a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-9a-2)에서, 제1 배선(91-9a-12)과 제1 배선(91-9a-2)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-9a-2)에는 콘택트 홀(91-9a-A-2)이 접속되어 있다.
화소(1000-9a-3) 및 화소(1000-9a-4)의 하부(도 9(a) 중의 하측)에는 제1 배선(91-9a-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-9a-3)에서, 제1 배선(91-9a-34)과 제1 배선(91-9a-3)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-9a-3)에는 콘택트 홀(91-9a-A-3)이 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-9a-12) 및 제1 배선(91-9a-2)에 의해, 화소(1000-9a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-9a-34) 및 제1 배선(91-9a-3)에 의해, 화소(1000-9a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-9a-2) 및 화소(1000-9a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-9a) 및 제1 대좌(81-9a)에 접속하는 비아(81-9a-A)는 4화소 공유(1000-9a-1∼1000-9a-4)로 형성되어 있다.
도 9(b)를 참조한다. 도 9(b)에는 고체 촬상 소자(1000-9)의 4화소(1000-9b-1∼1000-9b-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 9(b)에서는 편의상, 저유전율 재료 함유층(600-9a)이 도시되어 있다.
화소(1000-9b-1) 및 화소(1000-9b-2)의 상부(도 7(b) 중의 상측)에는 제2 배선(92-9b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-9b-1)에서, 제2 배선(92-9b-12)과 제2 배선(92-9b-1)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-9b-1)에는 콘택트 홀(92-9b-A-1)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-9b-2)에서, 제2 배선(92-9b-2)이 콘택트 홀(92-9b-A-2)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
화소(1000-9b-3) 및 화소(1000-9b-4)의 하부(도 7(b) 중의 하측)에는 제2 배선(92-9b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-9b-4)에서, 제2 배선(92-9b-34)과 제2 배선(92-9b-4)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-9b-4)에는 콘택트 홀(92-9b-A-4)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-9b-3)에서, 제2 배선(92-9b-3)이 콘택트 홀(92-9b-A-3)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
이에 의해, 제2 배선(92-9b-12) 및 제2 배선(92-9b-1)에 의해, 화소(1000-9b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-9b-34) 및 제2 배선(92-9b-4)에 의해, 화소(1000-9b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-9b-1) 및 화소(1000-9b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-9b) 및 제2 대좌(82-9b)에 접속하는 비아(82-9b-A)는 4화소 공유(1000-9b-1∼1000-9b-4)로 형성되어 있다.
도 9(c)를 참조한다. 도 9(c)에는 고체 촬상 소자(1000-9)의 4화소(1000-9c-1∼1000-9c-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 9(c)에서는 편의상, 광도파로(400-9c-1∼400-9c-4)가 도시되어 있다. 또한, 마찬가지로, 저유전율 재료 함유층(600-9c)이 도시되어 있다.
화소(1000-9c-1)에는 제3 전극(9-9c-1) 및 제2 배선(92-9c-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-9c-1-A)을 통하여 제3 전극(9-9c-1)과, 제2 배선(92-9c-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-9c-2)에는 제3 전극(9-9c-2), 제1 배선(91-9c-2) 및 제2 배선(92-9c-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-9c-A-2)을 통하여 제1 배선(91-9c-2)과, 제2 배선(92-9c-1)은 접속되고, 콘택트 홀(92-9c-A-2)을 통하여 제3 전극(9-9c-2)과, 제2 배선(92-9c-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-9c-3)에는 제3 전극(9-9c-3), 제1 배선(91-9c-3) 및 제2 배선(92-9c-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-9c-A-3)을 통하여 제1 배선(91-9c-3)과, 제2 배선(92-9c-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-9c-A-3)을 통하여 제3 전극(9-9c-3)과, 제2 배선(92-9c-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-9c-4)에는 제3 전극(9-9c-4) 및 제2 배선(92-9c-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-9c-A-4)을 통하여 제3 전극(9-9c-4)과, 제2 배선(92-9c-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-9c-1) 및 화소(1000-9c-2)의 상부(도 9(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-9c-12)(제1 배선(91-9c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-9c-1)에서, 제2 배선(92-9c-12)과 제2 배선(92-9c-1)은 접속되고, 화소(1000-9c-2)에서, 제1 배선(91-9c-12)과 제1 배선(91-9c-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-9c-3) 및 화소(1000-9c-4)의 하부(도 9(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-9c-34)(제1 배선(91-9c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-9c-3)에서, 제1 배선(91-9c-34)과 제1 배선(91-9c-3)은 접속되고, 화소(1000-9c-4)에서, 제2 배선(92-9c-34)과 제2 배선(92-9c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-9c-12) 및 제1 배선(91-9c-2)에 의해, 화소(1000-9c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-9c-34) 및 제1 배선(91-9c-3)에 의해, 화소(1000-9c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 배선(92-9c-12) 및 제2 배선(92-9c-1)에 의해, 화소(1000-9c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-9c-34) 및 제2 배선(92-9c-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-9c-1)∼화소(1000-9c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-9c)은 4화소 공유(1000-9c-1∼1000-9c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-9c-A)를 통하여 제2 대좌(82-9c)에 접속되고, 제2 대좌(82-9c)는 비아(81-9c-A)를 통하여 제1 대좌(81-9c)에 접속되어 있다.
도 10을 이용하여 본 기술에 관한 제3의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-9)를 설명한다. 도 10(a)는 도 9(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-9)의 단면도이고, 도 10(b)는 도 9(c)에 도시되는 B-B'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-9)의 단면도이고, 도 10(c)는 도 9(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-9)의 단면도이다.
도 10(a)를 참조한다. 도 10(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-9)는 제1 전극(8-10a)과, 제2 전극(1-10a)과, 제1 광전변환부(100-10a)와, 반도체층(5-10a)과, 제1 절연층(6-10a)과, 제2 절연층(7-10a)과, 저유전율 재료 함유층(600-10a-1 및 400-8c-2)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-10a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-7)에서는 광입사측(도 10(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-10a)과, 제2 전극(1-10a)과, 제1 광전변환부(100-10a)와, 반도체층(5-10a)과, 제1 전극(8-10a)과, 저유전율 재료 함유층(600-10a-1및 400-8c-2)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-10a)과, 2개의 실드(10-10a-1 및 10-10a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 10(a) 중에서는 제1 전극(8-10a)은 비아(82-10a-A)를 통하여 제2 대좌(82-10a)와 접속하고, 제2 대좌(82-10a)는 비아(81-10a-A)를 통하여 제1 대좌(81-10a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-10a)는 관통 전극(89-10a)과 접속하고 있다. 저유전율 재료 함유층(600-10a-1 및 400-8c-2)은 관통 전극(89-10a)을 중심으로 하여 연재되어 있다.
제1 광전변환부(100-10a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-10a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-10a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-10a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-10a)는 반도체 기판(300-10a)의 일방의 면측(광입사측, 도 10(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 10(b)를 참조한다. 도 10(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-9)는 실드(10-10b-1∼10-10b-3)와, 제2 전극(1-10b)과, 제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2)과, 제1 광전변환부(100-10b)와, 반도체층(5-10b)과, 제1 절연층(6-10b)과, 제2 절연층(7-10b)과, 광도파로(400-10b-1 및 400-10b-2)와, 저유전율 재료 함유층(600-10b)을 적어도 구비한다. 제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-9)에서는 광입사측(도 10(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-10b)과, 제2 전극(1-10b)과, 제1 광전변환부(100-10b)와, 반도체층(5-10b)과, 실드(10-10b-1∼10-10b-3)와, 광도파로(400-10b-1 및 400-10b-2)와, 저유전율 재료 함유층(600-10b)이 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-10b)을 통하여 제1 광전변환부(100-10b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제1 전극(8-10b), 제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2) 및 실드(10-10b-1, 10-10b-2 및 10-10b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 10(b) 중에서는 제3 전극(9-10b-1)은 콘택트 홀(92-10b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-10b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-10b-1)은 콘택트 홀(91-10b-A-1)을 통하여 배선(91-10b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-10b-2)은 콘택트 홀(92-10b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-10b-2)과 접속되어 있다. 제1 배선(91-10b-2) 및 제2 배선(92-10b-3)의 각각은 도 6(b)에 도시되는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)의 각각에 대응하고, 열방향(도 6(b) 중에서는 P방향)으로 인접하는 2개의 화소 사이에 형성되는 배선이다. 그리고, 제2 배선(92-10b-1), 제2 배선(92-10b-2) 및 제2 배선(92-10b-3)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-10b-1) 및 제1 배선(91-10b-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-10b)은 제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2)과 반도체 기판(300-10b)의 사이에 형성되어 있다.
도 10(b) 중에서는 광도파로(400-10b-1 및 400-10b-2)는 제3 전극(9-10b-1 및 9-10b-2)과 반도체 기판(300-10b)의 사이에 형성되어 있다.
도 10(b) 중에서는 저유전율 재료 함유층(600-10b)은 광도파로(400-10b-1 및 400-10b-2)와 반도체 기판(300-10b)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-10b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-10b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-10b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-10b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-10b)는 반도체 기판(300-10b)의 일방의 면측(광입사측, 도 10(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 10(c)를 참조한다. 도 10(c) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-9)는 실드(10-10c-1∼10-10c-3)와, 제2 전극(1-10c)과, 제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2)과, 제1 광전변환부(100-10c)와, 반도체층(5-10c)과, 제1 절연층(6-10c)과, 제2 절연층(7-10c)과, 광도파로(400-10c-1 및 400-10c-2)와, 저유전율 재료 함유층(600-10c)을 적어도 구비한다. 제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-9)에서는 광입사측(도 10(c) 중의 상측)부터, 보호층(11-10c)과, 제2 전극(1-10c)과, 제1 광전변환부(100-10c)와, 반도체층(5-10c)과, 실드(10-10c-1∼10-10c-3)와, 광도파로(400-10c-1 및 400-10c-2)와, 저유전율 재료 함유층(600-10c)이 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-10c)을 통하여 제1 광전변환부(100-10c)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제1 전극(8-10c), 제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2) 및 실드(10-10c-1, 10-10c-2 및 10-10c-3)은 동일층으로 형성되어 있다.
도 10(c) 중에서는 제3 전극(9-10c-1)은 콘택트 홀(92-10c-A-1)을 통하여 제2 배선(92-10c-1)과 접속되고, 제2 배선(92-10c-1)은 콘택트 홀(91-10c-A-1)을 통하여 배선(91-10c-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-10c-2)은 콘택트 홀(92-10c-A-2)을 통하여 제2 배선(92-10c-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-10c-1) 및 제2 배선(92-10c-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-10c)은 제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2)과 반도체 기판(300-10c)의 사이에 형성되어 있다.
도 10(c) 중에서는 광도파로(400-10c-1 및 400-10c-2)는 제3 전극(9-10c-1 및 9-10c-2)과 반도체 기판(300-10c)의 사이에 형성되어 있다.
도 10(c) 중에서는 저유전율 재료 함유층(600-10c)은 광도파로(400-10c-1 및 400-10c-2)와 반도체 기판(300-10c)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-10c)는 제2 캐리어 블로킹층(2-10c), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-10c) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-10c)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-10c)는 반도체 기판(300-10c)의 일방의 면측(광입사측, 도 10(c) 중의 상측)에 형성되어 있다.
<4. 제4의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 4)>
본 기술에 관한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로와, 이너 렌즈를 구비하는 고체 촬상 소자이다. 본 기술에 관한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극은 이 순서로 배치되고, 제3 전극은 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층은 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그리고, 광도파로는 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성된다. 또한, 본 기술에 관한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 이너 렌즈가 제1 광전변환부와 광도파로의 사이에 배치된다.
즉, 본 기술에 관한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자에, 이너 렌즈가 구비되고, 그 이너 렌즈가 제1 광전변환부와 광도파로의 사이에 배치되는 고체 촬상 소자이다.
제1 광전변환부와 광도파로의 사이에 이너 렌즈를 삽입함에 의해, 온 칩 렌즈로부터의 광을, 복수 화소의 각각의 화소마다, 보다 효율 좋게 집광시킬 수 있다. 따라서 광도파로와 이너 렌즈의 양방이 고체 촬상 소자에 형성됨에 의해, 인접 화소의 혼색 개선의 상승적인 효과가 이루어진다. 또한, 이너 렌즈를 삽입함에 의해, 상기한 바와 같이 인접 화소의 혼색 개선의 상승적인 효과가 이루어지기 때문에, 제2 절연층을 더욱 두껍게 할 수 있고, 반도체 기판에서 제1 광전변환부의 사이를 후막화할 수 있다. 이 후막화에 의해, 반도체 기판과 제1 광전변환부용의 제1 전극과의 용량 저감이 가능해저서, 변환 효율 저하나, 랜덤 노이즈(RN)의 악화가 방지될 수 있다. 그리고, 특히, 감도, 셰이딩 및 혼색의 개선의 효과와, 변환 효율 저하 및 랜덤 노이즈(RN)의 악화의 방지 효과가 양립될 수 있다.
이너 렌즈는 예를 들면, 플라즈마 질화실리콘(P-SiN ; 굴절률 약 1.9∼2.0) 등으로, 형성할 수 있다. 이너 렌즈의 형상은 임의의 형상이라도 좋고, 예를 들면, 반구(半球) 형상으로 하여도 좋고, 다른 형상이라도 좋다. 또한, 예를 들면, 이너 렌즈를 사각형으로 하여도 좋다.
다음에, 도 11을 이용하여 본 기술에 관한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-11)를 설명한다. 도 11(a)는 도 12에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-12a), 비아(81-12a-A), 제1 배선(91-12b-1), 콘택트 홀(91-12b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-11)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 11(b)는 도 12에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-12a), 비아(82-12a-A), 제2 배선(92-12b-1), 콘택트 홀(92-12b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-11)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 11(c)는 도 12에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-12a), 실드(10-12a-1), 제3 전극(9-12b-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-11)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 11(a)를 참조한다. 도 11(a)에는 고체 촬상 소자(1000-11)의 4화소(1000-11a-1∼1000-11a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-11a-1) 및 화소(1000-11a-2)의 상부(도 11(a) 중의 상측)에는 제1 배선(91-11a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-11a-2)에서, 제1 배선(91-11a-12)과 제1 배선(91-11a-2)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-11a-2)에는 콘택트 홀(91-11a-A-2)이 접속되어 있다.
화소(1000-11a-3) 및 화소(1000-11a-4)의 하부(도 11(a) 중의 하측)에는 제1 배선(91-11a-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-11a-3)에서, 제1 배선(91-11a-34)과 제1 배선(91-11a-3)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-11a-3)에는 콘택트 홀(91-11a-A-3)이 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-11a-12) 및 제1 배선(91-11a-2)에 의해, 화소(1000-11a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-11a-34) 및 제1 배선(91-11a-3)에 의해, 화소(1000-11a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-11a-2) 및 화소(1000-11a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-11a) 및 제1 대좌(81-11a)에 접속하는 비아(81-11a-A)는 4화소 공유(1000-11a-1∼1000-11a-4)로 형성되어 있다.
도 11(b)를 참조한다. 도 11(b)에는 고체 촬상 소자(1000-11)의 4화소(1000-11b-1∼1000-11b-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-11b-1) 및 화소(1000-11b-2)의 상부(도 11(b) 중의 상측)에는 제2 배선(92-11b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-11b-1)에서, 제2 배선(92-11b-12)과 제2 배선(92-11b-1)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-11b-1)에는 콘택트 홀(92-11b-A-1)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-11b-2)에서, 제2 배선(92-11b-2)이 콘택트 홀(92-11b-A-2)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
화소(1000-11b-3) 및 화소(1000-11b-4)의 하부(도 11(b) 중의 하측)에는 제2 배선(92-11b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-11b-4)에서, 제2 배선(92-11b-34)과 제2 배선(92-11b-4)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-11b-4)에는 콘택트 홀(92-11b-A-4)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-11b-3)에서, 제2 배선(92-11b-3)이 콘택트 홀(92-11b-A-3)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다.
이에 의해, 제2 배선(92-11b-12) 및 제2 배선(92-11b-1)에 의해, 화소(1000-11b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-11b-34) 및 제2 배선(92-11b-4)에 의해, 화소(1000-11b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-11b-1) 및 화소(1000-11b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-11b) 및 제2 대좌(82-11b)에 접속하는 비아(82-11b-A)는 4화소 공유(1000-11b-1∼1000-11b-4)로 형성되어 있다.
4개의 화소(1000-11b-1∼1000-11b-4)의 화소마다에는 광도파로(400-11b-1∼400-11b-4) 및 이너 렌즈(500-11b-1∼500-11b-4)가 형성되어 있다.
도 11(c)를 참조한다. 도 11(c)에는 고체 촬상 소자(1000-11)의 4화소(1000-11c-1∼1000-11c-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 11(c)에서는 편의상, 광도파로(400-11c-1∼400-11c-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-11c-1)에는 제3 전극(9-11c-1) 및 제2 배선(92-11c-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-11c-1-A)을 통하여 제3 전극(9-11c-1)과, 제2 배선(92-11c-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-11c-2)에는 제3 전극(9-11c-2), 제1 배선(91-11c-2) 및 제2 배선(92-11c-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-11c-A-2)을 통하여 제1 배선(91-11c-2)과, 제2 배선(92-11c-1)은 접속되고, 콘택트 홀(92-11c-A-2)을 통하여 제3 전극(9-11c-2)과, 제2 배선(92-11c-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-11c-3)에는 제3 전극(9-11c-3), 제1 배선(91-11c-3) 및 제2 배선(92-11c-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-11c-A-3)을 통하여 제1 배선(91-11c-3)과, 제2 배선(92-11c-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-11c-A-3)을 통하여 제3 전극(9-11c-3)과, 제2 배선(92-11c-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-11c-4)에는 제3 전극(9-11c-4) 및 제2 배선(92-11c-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-11c-A-4)을 통하여 제3 전극(9-11c-4)과, 제2 배선(92-11c-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-11c-1) 및 화소(1000-11c-2)의 상부(도 11(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-11c-12)(제1 배선(91-11c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-11c-1)에서, 제2 배선(92-11c-12)과 제2 배선(92-11c-1)은 접속되고, 화소(1000-11c-2)에서, 제1 배선(91-11c-12)과 제1 배선(91-11c-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-11c-3) 및 화소(1000-11c-4)의 하부(도 11(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-9c-34)(제1 배선(91-11c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-11c-3)에서, 제1 배선(91-11c-34)과 제1 배선(91-11c-3)은 접속되고, 화소(1000-11c-4)에서, 제2 배선(92-11c-34)과 제2 배선(92-11c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-11c-12) 및 제1 배선(91-11c-2)에 의해, 화소(1000-11c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-11c-34) 및 제1 배선(91-11c-3)에 의해, 화소(1000-11c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 배선(92-11c-12) 및 제2 배선(92-11c-1)에 의해, 화소(1000-11c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-11c-34) 및 제2 배선(92-11c-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-11c-1)∼화소(1000-11c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-11c)은 4화소 공유(1000-11c-1∼1000-11c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-11c-A)를 통하여 제2 대좌(82-11c)에 접속되고, 제2 대좌(82-11c)는 비아(81-11c-A)를 통하여 제1 대좌(81-11c)에 접속되어 있다.
도 12를 이용하여 본 기술에 관한 제4의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-11)를 설명한다. 도 12(a)는 도 11(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-11)의 단면도이고, 도 12(b)는 도 11(c)에 도시되는 B-B'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-11)의 단면도이고, 도 12(c)는 도 11(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-11)의 단면도이다.
도 12(a)를 참조한다. 도 12(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-11)는 제1 전극(8-12a)과, 제2 전극(1-12a)과, 제1 광전변환부(100-12a)와, 반도체층(5-12a)과, 제1 절연층(6-12a)과, 제2 절연층(7-12a)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-12a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-11)에서는 광입사측(도 12(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-12a)과, 제2 전극(1-12a)과, 제1 광전변환부(100-12a)와, 반도체층(5-12a)과, 제1 전극(8-12a)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-12a)과, 2개의 실드(10-12a-1 및 10-12a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 12(a) 중에서는 제1 전극(8-12a)은 비아(82-12a-A)를 통하여 제2 대좌(82-12a)와 접속하고, 제2 대좌(82-12a)는 비아(81-12a-A)를 통하여 제1 대좌(81-12a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-12a)는 관통 전극(89-12a)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-12a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-12a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-12a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-12a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-12a)는 반도체 기판(300-12a)의 일방의 면측(광입사측, 도 12(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 12(b)를 참조한다. 도 12(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-11)는 실드(10-12b-1∼10-12b-3)와, 제2 전극(1-12b)과, 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)과, 제1 광전변환부(100-12b)와, 반도체층(5-12b)과, 제1 절연층(6-12b)과, 제2 절연층(7-12b)과, 광도파로(400-12b-1 및 400-12b-2)와, 이너 렌즈(500-12b-1 및 500-12b-2)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-11)에서는 광입사측(도 12(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-12b)과, 제2 전극(1-12b)과, 제1 광전변환부(100-12b)와, 반도체층(5-12b)과, 실드(10-12b-1∼10-12b-3)와, 이너 렌즈(500-12b-1 및 500-12b-2)와, 광도파로(400-12b-1 및 400-12b-2)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-12b)을 통하여 제1 광전변환부(100-12b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제1 전극(8-12b), 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2) 및 실드(10-12b-1, 10-12b-2 및 10-12b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 12(b) 중에서는 제3 전극(9-12b-1)은 콘택트 홀(92-12b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-12b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-12b-1)은 콘택트 홀(91-12b-A-1)을 통하여 배선(91-12b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-12b-2)은 콘택트 홀(92-12b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-12b-2)과 접속되어 있다. 제1 배선(91-12b-2) 및 제2 배선(92-12b-3)의 각각은 도 6(b)에 도시되는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)의 각각에 대응하고, 열방향(도 6(b) 중에서는 P방향)으로 인접하는 2개의 화소 사이에 형성되는 배선이다. 그리고, 제2 배선(92-12b-1), 제2 배선(92-12b-2) 및 제2 배선(92-12b-3)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-12b-1) 및 제1 배선(91-12b-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-12b)은 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)과 반도체 기판(300-12b)의 사이에 형성되어 있다.
도 12(b) 중에서는 광도파로(400-12b-1 및 400-12b-2)는 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)과 반도체 기판(300-12b)의 사이에 형성되어 있다.
도 12(b) 중에서는 이너 렌즈(500-12b-1 및 500-12b-2)는 광도파로(400-12b-1 및 400-12b-2)와 제3 전극(9-12b-1 및 9-12b-2)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-12b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-12b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-12b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-12b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-12b)는 반도체 기판(300-12b)의 일방의 면측(광입사측, 도 12(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 12(c)를 참조한다. 도 12(c) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-11)는 실드(10-12c-1∼10-12c-3)와, 제2 전극(1-12c)과, 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)과, 제1 광전변환부(100-12c)와, 반도체층(5-12c)과, 제1 절연층(6-12c)과, 제2 절연층(7-12c)과, 광도파로(400-12c-1 및 400-12c-2)와, 이너 렌즈(500-12c-1 및 500-12c-2)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-11)에서는 광입사측(도 12(c) 중의 상측)부터, 보호층(11-12c)과, 제2 전극(1-12c)과, 제1 광전변환부(100-12c)와, 반도체층(5-12c)과, 실드(10-12c-1∼10-12c-3)와, 이너 렌즈(500-12c-1 및 500-12c-2)와, 광도파로(400-12c-1 및 400-12c-2)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-12c)을 통하여 제1 광전변환부(100-12c)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제1 전극(8-12c), 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2) 및 실드(10-12c-1, 10-12c-2 및 10-12c-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 12(c) 중에서는 제3 전극(9-12c-1)은 콘택트 홀(92-12c-A-1)을 통하여 제2 배선(92-12c-1)과 접속되고, 제2 배선(92-12c-1)은 콘택트 홀(91-12c-A-1)을 통하여 배선(91-12c-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-12c-2)은 콘택트 홀(92-12c-A-2)을 통하여 제2 배선(92-12c-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-12c-1) 및 제2 배선(92-12c-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-12c)은 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)과 반도체 기판(300-12c)의 사이에 형성되어 있다.
도 12(c) 중에서는 광도파로(400-12c-1 및 400-12c-2)는 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)과 반도체 기판(300-12c)의 사이에 형성되어 있다.
도 12(c) 중에서는 이너 렌즈(500-12c-1 및 500-12c-2)는 광도파로(400-12c-1 및 400-12c-2)와 제3 전극(9-12c-1 및 9-12c-2)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-12c)는 제2 캐리어 블로킹층(2-12c), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-12c) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-12c)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-12c)는 반도체 기판(300-12c)의 일방의 면측(광입사측, 도 12(c) 중의 상측)에 형성되어 있다.
<5. 제5의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 5)>
본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로와, 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하는 고체 촬상 소자이다. 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극은 이 순서로 배치되고, 제3 전극은 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층은 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그리고, 광도파로는 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성된다. 또한, 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선이 투명 재료를 포함하고, 광입사측부터, 적어도 하나의 배선과, 광도파로가 이 순서로 배치된다.
즉, 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자에, 투명 재료를 포함하는 적어도 하나의 배선이 구비되고, 광입사측부터, 적어도 하나의 배선과, 광도파로가 이 순서로 배치되는 고체 촬상 소자이다.
도 13을 이용하여 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-13)를 설명한다. 도 13(a)는 도 14에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-14a), 비아(81-14a-A), 제1 배선(91-14b-1), 콘택트 홀(91-14b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-13)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 13(b)는 도 14에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-14a), 비아(82-14a-A), 제2 배선(92-14b-1), 콘택트 홀(92-14b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-13)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 13(c)는 도 14에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-14a), 실드(10-14a-1), 제3 전극(9-14b-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-13)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 13(a)를 참조한다. 도 13(a)에는 고체 촬상 소자(1000-13)의 4화소(1000-13a-1∼1000-13a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-13a-1) 및 화소(1000-13a-2)의 상부(도 13(a) 중의 상측)에는 제1 투명 배선(91-13a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-13a-2)에서, 제1 투명 배선(91-13a-12)(이하, 단지, 제1 배선(91-13a-12)으로 칭하는 경우가 있다.)과 제1 투명 배선(91-13a-2-2)(이하, 단지, 제1 배선(91-13a-2-2))으로 칭하는 경우가 있다.)이 접속되어 있다. 제1 투명 배선(91-13a-2-2)에는 콘택트 홀(91-13a-2-A-2)이 접속되어 있다.
화소(1000-13a-3) 및 화소(1000-13a-4)의 하부(도 13(a) 중의 하측)에는 제1 투명 배선(91-13a-34)(이하, 단지, 제1 배선(91-13a-34)으로 칭하는 경우가 있다.)이 형성되어 있다. 화소(1000-13a-3)에서, 제1 투명 배선(91-13a-34)과 제1 투명 배선(91-13a-2-3)(이하, 단지, 제1 배선(91-13a-2-3)으로 칭하는 경우가 있다.)이 접속되어 있다. 제1 투명 배선(91-13a-2-3)에는 콘택트 홀(91-13a-2-A-3)이 접속되어 있다.
또한, 4개의 화소(1000-13a-1∼1000-13a-4)의 화소마다에는 제1 투명 배선(91-13a-1-1)∼제1 투명 배선(91-13a-1-4)이 형성되어 있다. 제1 투명 배선(91-13a-1-2)은 제1 투명 배선(91-13a-2-2)과 접속하고, 제1 투명 배선(91-13a-1-3)은 제1 투명 배선(91-13a-2-3)과 접속하고 있다. 투명 배선은 광을 차단하는 일이 없기 때문에, 4개의 화소(1000-13a-1∼1000-13a-4)의 화소마다 전체에, 투명 배선(91-13a-1-1)∼투명 배선(91-13a-1-4)을 라우팅 할 수 있다.
이에 의해, 제1 투명 배선(91-13a-12) 및 제1 투명 배선(91-13a-2-2)에 의해, 화소(1000-13a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 투명 배선(91-13a-34) 및 제1 배선(91-13a-2-3)에 의해, 화소(1000-13a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-13a-2) 및 화소(1000-13a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-13a) 및 제1 대좌(81-13a)에 접속하는 비아(81-13a-A)는 4화소 공유(1000-13a-1∼1000-13a-4)로 형성되어 있다.
도 13(b)를 참조한다. 도 13(b)에는 고체 촬상 소자(1000-13)의 4화소(1000-13b-1∼1000-13b-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-13b-1) 및 화소(1000-13b-2)의 상부(도 13(b) 중의 상측)에는 제2 투명 배선(92-13b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-13b-1)에서, 제2 투명 배선(92-13b-12)과 제2 투명 배선(92-13b-2-1)이 접속되어 있다. 제2 투명 배선(92-13b-2-1)에는 콘택트 홀(92-13b-2-A-1)이 접속되어 있다.
화소(1000-13b-3) 및 화소(1000-13b-4)의 하부(도 13(b) 중의 하측)에는 제2 투명 배선(92-13b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-13b-4)에서, 제2 투명 배선(92-13b-34)과 제2 투명 배선(92-13b-2-4)이 접속되어 있다. 제2 투명 배선(92-13b-2-4)에는 콘택트 홀(92-13b-2-A-4)이 접속되어 있다.
또한, 4개의 화소(1000-13b-1∼1000-13b-4)의 화소마다에는 제2 투명 배선(92-13b-1-1)∼제2 투명 배선(92-13b-1-4)이 형성되어 있다. 제2 투명 배선(91-13b-1-1)은 제2 투명 배선(92-13b-2-1)과 접속하고, 제2 투명 배선(91-13b-1-4)은 제2 투명 배선(92-13b-2-4)과 접속하고 있다. 투명 배선은 광을 차단하는 일이 없기 때문에, 4개의 화소(1000-13b-1∼1000-13b-4)의 화소마다 전체에, 투명 배선(91-13b-1-1)∼투명 배선(91-13b-1-4)을 라우팅 할 수 있다.
이에 의해, 제2 투명 배선(92-13b-12) 및 제2 투명 배선(92-13b-2-1)에 의해, 화소(1000-13b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 투명 배선(92-13b-34) 및 제2 투명 배선(92-13b-2-4)에 의해, 화소(1000-13b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-13b-2) 및 화소(1000-13b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-13b) 및 제2 대좌(82-13b)에 접속하는 비아(82-13b-A)는 4화소 공유(1000-13b-1∼1000-13b-4)로 형성되어 있다.
도 13(c)를 참조한다. 도 13(c)에는 고체 촬상 소자(1000-13)의 4화소(1000-13c-1∼1000-13c-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 13(c)에서는 편의상, 광도파로(400-13c-1∼400-13c-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-13c-1)에는 제3 전극(9-13c-1) 및 제2 투명 배선(92-13c-2-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-13c-1-A-1)을 통하여 제3 전극(9-13c-1)과, 제2 투명 배선(92-13c-2-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-13c-2)에는 제3 전극(9-13c-2), 제1 투명 배선(91-13c-2-2) 및 제2 투명 배선(92-13c-2-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-13c-2-A-2)을 통하여 제1 투명 배선(91-13c-2-2)과, 제2 투명 배선(92-13c-2-2)은 접속되고, 콘택트 홀(92-13c-2-A-2)을 통하여 제3 전극(9-13c-2)과, 제2 투명 배선(92-13c-2-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-13c-3)에는 제3 전극(9-13c-3), 제1 투명 배선(91-13c-2-3) 및 제2 투명 배선(92-13c-2-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-13c-2-A-3)을 통하여 제1 투명 배선(91-13c-2-3)과, 제2 투명 배선(92-13c-2-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-13c-2-A-3)을 통하여 제3 전극(9-13c-3)과, 제2 투명 배선(92-13c-2-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-13c-4)에는 제3 전극(9-13c-4) 및 제2 투명 배선(92-13c-2-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-13c-2-A-4)을 통하여 제3 전극(9-13c-4)과, 제2 투명 배선(92-13c-2-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-13c-1) 및 화소(1000-13c-2)의 상부(도 13(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 투명 배선(92-13c-12)(제1 투명 배선(91-13c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-13c-1)에서, 제2 투명 배선(92-13c-12)과 제2 투명 배선(92-13c-1)은 접속되고, 화소(1000-13c-2)에서, 제1 투명 배선(91-13c-12)과 제1 투명 배선(91-13c-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-13c-3) 및 화소(1000-13c-4)의 하부(도 13(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 투명 배선(92-13c-34)(제1 투명 배선(91-13c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-13c-3)에서, 제1 투명 배선(91-13c-34)과 제1 투명 배선(91-13c-3)은 접속되고, 화소(1000-13c-4)에서, 제2 투명 배선(92-13c-34)과 제2 투명 배선(92-13c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 투명 배선(91-13c-12) 및 제1 투명 배선(91-13c-2-2)에 의해, 화소(1000-13c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 투명 배선(91-13c-34) 및 제1 투명 배선(91-13c-2-3)에 의해, 화소(1000-13c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 투명 배선(92-13c-12 및 92-13c-2-1)에 의해, 화소(1000-13c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 투명 배선(92-13c-34) 및 제2 투명 배선(92-13c-2-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-13c-1)∼화소(1000-13c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-13c)은 4화소 공유(1000-13c-1∼1000-13c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-13c-A)를 통하여 제2 대좌(82-13c)에 접속되고, 제2 대좌(82-13c)는 비아(81-13c-A)를 통하여 제1 대좌(81-13c)에 접속되어 있다.
도 14를 이용하여 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-13)를 설명한다. 도 14(a)는 도 13(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-13)의 단면도이고, 도 14(b)는 도 13(c)에 도시되는 B-B'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-13)의 단면도이고, 도 14(c)는 도 13(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-13)의 단면도이다.
도 14(a)를 참조한다. 도 14(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-13)는 제1 전극(8-14a)과, 제2 전극(1-14a)과, 제1 광전변환부(100-14a)와, 반도체층(5-14a)과, 제1 절연층(6-14a)과, 제2 절연층(7-14a)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-14a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-13)에서는 광입사측(도 14(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-14a)과, 제2 전극(1-14a)과, 제1 광전변환부(100-14a)와, 반도체층(5-14a)과, 제1 전극(8-14a)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-14a)과, 2개의 실드(10-14a-1 및 10-14a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 14(a) 중에서는 제1 전극(8-14a)은 비아(82-14a-A)를 통하여 제2 대좌(82-14a)와 접속하고, 제2 대좌(82-14a)는 비아(81-14a-A)를 통하여 제1 대좌(81-14a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-14a)는 관통 전극(89-14a)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-14a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-14a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-14a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-14a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-14a)는 반도체 기판(300-14a)의 일방의 면측(광입사측, 도 14(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 14(b)를 참조한다. 도 14(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-13)는 실드(10-14b-1∼10-14b-3)와, 제2 전극(1-14b)과, 제3 전극(9-14b-1 및 9-14b-2)과, 제1 광전변환부(100-14b)와, 반도체층(5-14b)과, 제1 절연층(6-14b)과, 제2 절연층(7-14b)을 적어도 구비한다. 제3 전극(9-14b-1 및 9-14b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-13)에서는 광입사측(도 14(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-14b)과, 제2 전극(1-14b)과, 제1 광전변환부(100-14b)와, 반도체층(5-14b)과, 실드(10-14b-1∼10-14b-3)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-14b-1 및 9-14b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-14b)을 통하여 제1 광전변환부(100-14b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-14b-1 및 9-14b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-14b-1 및 9-14b-2) 및 실드(10-14b-1, 10-14b-2 및 10-14b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 14(b) 중에서는 제3 전극(9-14b-1)은 콘택트 홀(92-14b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-14b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-14b-1)은 콘택트 홀(91-14b-A-1)을 통하여 제1 배선(91-14b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-14b-2)은 콘택트 홀(92-14b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-14b-2)과 접속되어 있다. 제1 배선(91-14b-3) 및 제2 배선(92-14b-3)의 각각은 도 6(b)에 도시되는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)의 각각에 대응하고, 열방향(도 6(b) 중에서는 P방향)으로 인접하는 2개의 화소 사이에 형성되는 배선이다. 그리고, 제2 배선(92-14b-1), 제2 배선(92-14b-2) 및 제2 배선(92-14b-3)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-14b-1), 제1 배선(91-14b-2) 및 제1 배선(91-14b-3)은 동일층으로 형성되어 있다. 제2 배선(92-14b-1), 제2 배선(92-14b-2) 및 제1 배선(91-14b-1), 제1 배선(91-14b-2)은 투명 배선이고, 투명 배선은 광을 차단하는 일은 없기 때문에, 예를 들면, 화소 전체에 연재시키는 등, 배선 면적을 크게할 수 있다.
제2 절연층(7-14b)은 제3 전극(9-14b-1 및 9-14b-2)과 반도체 기판(300-14b)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-14b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-14b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-14b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-14b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-14b)는 반도체 기판(300-14b)의 일방의 면측(광입사측, 도 14(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 14(c)를 참조한다. 도 14(c) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-13)는 실드(10-14c-1∼10-14c-3)와, 제2 전극(1-14c)과, 제3 전극(9-14c-1 및 9-14c-2)과, 제1 광전변환부(100-14c)와, 반도체층(5-14c)과, 제1 절연층(6-14c)과, 제2 절연층(7-14c)을 적어도 구비한다. 제3 전극(9-14c-1 및 9-14c-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-13)에서는 광입사측(도 14(c) 중의 상측)부터, 보호층(11-14c)과, 제2 전극(1-14c)과, 제1 광전변환부(100-14c)와, 반도체층(5-14c)과, 실드(10-14c-1∼10-14c-3)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-14c-1 및 9-14c-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-14c)을 통하여 제1 광전변환부(100-14c)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-14c-1 및 9-14c-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-14c-1 및 9-14c-2) 및 실드(10-14c-1), 10-14c-2 및 10-14c-3은 동일층으로 형성되어 있다.
도 14(c) 중에서는 제3 전극(9-14c-1)은 콘택트 홀(92-14c-A-1)을 통하여 제2 배선(92-14c-1)과 접속되고, 제2 배선(92-14c-1)은 콘택트 홀(91-14c-A-1)을 통하여 제1 배선(91-14c-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-14c-2)은 콘택트 홀(92-14c-A-2)을 통하여 제2 배선(92-14c-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-14c-1) 및 제2 배선(92-14c-2)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-14c-1) 및 제1 배선(91-14c-2)은 동일층으로 형성되어 있다. 제2 배선(92-14c-1), 제2 배선(92-14c-2) 제1 배선(91-14c-1) 및 제1 배선(91-14c-2)은 투명 배선이고, 투명 배선은 광을 차단하는 일은 없기 때문에, 예를 들면, 화소 전체에 연재시키는 등, 배선 면적을 크게할 수 있다.
제2 절연층(7-14c)은 제3 전극(9-14c-1 및 9-14c-2)과 반도체 기판(300-14c)의 사이에 형성되어 있다.
제1 광전변환부(100-14c)는 제2 캐리어 블로킹층(2-14c), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-14c) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-14c)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-14c)는 반도체 기판(300-14c)의 일방의 면측(광입사측, 도 14(c) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 15를 이용하여 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-15)를 설명한다. 도 15(a)는 도 16에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-16a), 비아(81-16a-A), 제1 배선(91-16b-1), 콘택트 홀(91-16b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-15)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 15(b)는 도 16에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-16a), 비아(82-16a-A), 제2 배선(92-16b-1), 콘택트 홀(92-16b-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-15)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 15(c)는 도 16에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-16a), 실드(10-16a-1), 제3 전극(9-16b-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-15)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 15(a)를 참조한다. 도 15(a)에는 고체 촬상 소자(1000-15)의 4화소(1000-15a-1∼1000-15a-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 15(a)에서는 편의상, 광도파로(400-15a-1∼400-15a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-15a-1) 및 화소(1000-15a-2)의 상부(도 15(a) 중의 상측)에는 제1 투명 배선(91-15a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-15a-2)에서, 제1 투명 배선(91-15a-12)과 제1 투명 배선(91-15a-2-2)이 접속되어 있다. 제1 투명 배선(91-15a-2-2)에는 콘택트 홀(91-15a-2-A-2)이 접속되어 있다.
화소(1000-15a-3) 및 화소(1000-15a-4)의 하부(도 15(a) 중의 하측)에는 제1 투명 배선(91-15a-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-15a-3)에서, 제1 투명 배선(91-15a-34)과 제1 투명 배선(91-15a-2-3)이 접속되어 있다. 제1 투명 배선(91-15a-2-3)에는 콘택트 홀(91-15a-2-A-3)이 접속되어 있다.
또한, 4개의 화소(1000-15a-1∼1000-15a-4)의 화소마다에는 제1 투명 배선(91-15a-1-1)∼제1 투명 배선(91-15a-1-4)이 형성되어 있다. 제1 투명 배선(91-15a-1-2)은 제1 투명 배선(91-15a-2-2)과 접속하고, 제1 투명 배선(91-15a-1-3)은 제1 투명 배선(91-15a-2-3)과 접속하고 있다.
투명 배선은 광을 차단하는 일이 없기 때문에, 4개의 화소(1000-15a-1∼1000-15a-4)의 화소마다 전체에, 투명 배선(91-15a-1-1)∼투명 배선(91-15a-1-4)을 라우팅 할 수 있다.
이에 의해, 제1 투명 배선(91-15a-12) 및 제1 투명 배선(91-15a-1-2)에 의해, 화소(1000-15a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 투명 배선(91-15a-34) 및 제1 투명 배선(91-15a-2-3)에 의해, 화소(1000-15a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-15a-2) 및 화소(1000-15a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-15a) 및 제1 대좌(81-15a)에 접속하는 비아(81-15a-A)는 4화소 공유(1000-15a-1∼1000-15a-4)로 형성되어 있다.
도 15(b)를 참조한다. 도 15(b)에는 고체 촬상 소자(1000-15)의 4화소(1000-15b-1∼1000-15b-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 15(b)에서는 편의상, 광도파로(400-15b-1∼400-15b-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-15b-1) 및 화소(1000-15b-2)의 상부(도 15(b) 중의 상측)에는 제2 투명 배선(92-15b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-15b-1)에서, 제2 투명 배선(92-15b-12)과 제2 투명 배선(92-15b-2-1)이 접속되어 있다. 제2 투명 배선(92-15b-2-1)에는 콘택트 홀(92-15b-2-A-1)이 접속되어 있다.
화소(1000-15b-3) 및 화소(1000-15b-4)의 하부(도 15(b) 중의 하측)에는 제2 투명 배선(92-15b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-15b-4)에서, 제2 투명 배선(92-15b-34)과 제2 투명 배선(92-15b-2-4)이 접속되어 있다. 제2 투명 배선(92-15b-2-4)에는 콘택트 홀(92-15b-2-A-4)이 접속되어 있다.
또한, 4개의 화소(1000-15b-1∼1000-15b-4)의 화소마다에는 제2 투명 배선(92-15b-1-1)∼제2 투명 배선(92-15b-1-4)이 형성되어 있다. 제2 투명 배선(91-15b-1-1)은 제2 투명 배선(92-15b-2-1)과 접속하고, 제2 투명 배선(91-15b-1-4)은 제2 투명 배선(92-15b-2-4)과 접속하고 있다. 투명 배선은 광을 차단하는 일이 없기 때문에, 4개의 화소(1000-13b-1∼1000-13b-4)의 화소마다 전체에, 투명 배선(91-13b-1-1)∼투명 배선(91-13b-1-4)을 라우팅 할 수 있다.
이에 의해, 제2 투명 배선(92-15b-12) 및 제2 투명 배선(92-15b-2-1)에 의해, 화소(1000-15b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 투명 배선(92-15b-34) 및 제2 투명 배선(92-15b-2-4)에 의해, 화소(1000-15b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-15b-1) 및 화소(1000-15b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-13b) 및 제2 대좌(82-13b)에 접속하는 비아(82-13b-A)는 4화소 공유(1000-13b-1∼1000-13b-4)로 형성되어 있다.
도 15(c)를 참조한다. 도 15(c)에는 고체 촬상 소자(1000-15)의 4화소(1000-15c-1∼1000-15c-4)가 도시되어 있다. 또한, 도 15(c)에서는 편의상, 광도파로(400-15c-1∼400-15c-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-15c-1)에는 제3 전극(9-15c-1) 및 제2 투명 배선(92-15c-2-1)이 형성되고, 콘택트 홀(92-15c-2-A-1)을 통하여 제3 전극(9-15c-1)과, 제2 투명 배선(92-15c-2-1)이 접속되어 있다. 화소(1000-15c-2)에는 제3 전극(9-15c-2), 제1 투명 배선(91-15c-2-2) 및 제2 투명 배선(92-15c-2-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-15c-2-A-2)을 통하여 제1 투명 배선(91-15c-2-2)과, 제2 투명 배선(92-15c-2-2)은 접속되고, 콘택트 홀(92-15c-2-A-2)을 통하여 제3 전극(9-15c-2)과, 제2 투명 배선(92-15c-2-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-15c-3)에는 제3 전극(9-15c-3), 제1 투명 배선(91-15c-2-3) 및 제2 투명 배선(92-15c-2-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-15c-2-A-3)을 통하여 제1 투명 배선(91-15c-2-3)과, 제2 투명 배선(92-15c-2-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-15c-2-A-3)을 통하여 제3 전극(9-15c-3)과, 제2 투명 배선(92-15c-2-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-15c-4)에는 제3 전극(9-15c-4) 및 제2 투명 배선(92-15c-2-4)이 형성되고, 콘택트 홀(92-15c-2-A-4)을 통하여 제3 전극(9-15c-4)과, 제2 투명 배선(92-15c-2-4)은 접속되어 있다.
화소(1000-15c-1) 및 화소(1000-15c-2)의 상부(도 15(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 투명 배선(92-15c-12)(제1 투명 배선(91-15c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-15c-1)에서, 제2 투명 배선(92-15c-12)과 제2 투명 배선(92-15c-2-1)은 접속되고, 화소(1000-15c-2)에서, 제1 투명 배선(91-15c-12)과 제1 투명 배선(91-15c-2-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-15c-3) 및 화소(1000-15c-4)의 하부(도 15(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 투명 배선(92-15c-34)(제1 배선(91-15c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-15c-3)에서, 제1 투명 배선(91-15c-34)과 제1 투명 배선(91-15c-3)은 접속되고, 화소(1000-15c-4)에서, 제2 투명 배선(92-15c-34)과 제2 투명 배선(92-15c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 투명 배선(91-15c-12) 및 제1 투명 배선(91-15c-2-2)에 의해, 화소(1000-15c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 투명 배선(91-15c-34) 및 제1 투명 배선(91-15c-2-3)에 의해, 화소(1000-15c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 투명 배선(92-15c-12) 및 제2 투명 배선(92-15c-2-1)에 의해, 화소(1000-15c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 투명 배선(92-15c-34) 및 제2 투명 배선(92-15c-2-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-15c-1)∼화소(1000-15c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-15c)은 4화소 공유(1000-15c-1∼1000-15c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-15c-A)를 통하여 제2 대좌(82-15c)에 접속되고, 제2 대좌(82-15c)는 비아(81-15c-A)를 통하여 제1 대좌(81-15c)에 접속되어 있다.
도 16을 이용하여 본 기술에 관한 제5의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-15)를 설명한다. 도 16(a)는 도 15(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-15)의 단면도이고, 도 16(b)는 도 15(c)에 도시되는 B-B'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-15)의 단면도이고, 도 16(c)는 도 15(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한 고체 촬상 소자(1000-15)의 단면도이다.
도 16(a)를 참조한다. 도 16(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-15)는 제1 전극(8-16a)과, 제2 전극(1-16a)과, 제1 광전변환부(100-16a)와, 반도체층(5-16a)과, 제1 절연층(6-16a)과, 제2 절연층(7-16a)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-16a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-15)에서는 광입사측(도 16(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-16a)과, 제2 전극(1-16a)과, 제1 광전변환부(100-16a)와, 반도체층(5-16a)과, 제1 전극(8-16a)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-16a)과, 2개의 실드(10-16a-1 및 10-16a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 16(a) 중에서는 제1 전극(8-16a)은 비아(82-16a-A)를 통하여 제2 대좌(82-16a)와 접속하고, 제2 대좌(82-16a)는 비아(81-16a-A)를 통하여 제1 대좌(81-16a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-16a)는 관통 전극(89-16a)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-16a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-16a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-16a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-16a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-16a)는 반도체 기판(300-16a)의 일방의 면측(광입사측, 도 16(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 16(b)를 참조한다. 도 16(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-15)는 실드(10-16b-1∼10-16b-3)와, 제2 전극(1-16b)과, 제3 전극(9-16b-1 및 9-16b-2)과, 제1 광전변환부(100-16b)와, 반도체층(5-16b)과, 제1 절연층(6-16b)과, 제2 절연층(7-16b)과, 광도파로(400-16b-1 및 400-16b-2)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-16b-1 및 9-16b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-15)에서는 광입사측(도 16(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-16b)과, 제2 전극(1-16b)과, 제1 광전변환부(100-16b)와, 반도체층(5-16b)과, 실드(10-16b-1∼10-16b-3)와, 광도파로(400-16b-1 및 400-16b-2)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-16b-1 및 9-16b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-16b)을 통하여 제1 광전변환부(100-16b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-16b-1 및 9-16b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-16b-1 및 9-16b-2) 및 실드(10-16b-1, 10-16b-2 및 10-16b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 16(b) 중에서는 제3 전극(9-16b-1)은 콘택트 홀(92-16b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-16b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-16b-1)은 콘택트 홀(91-16b-A-1)을 통하여 제1 배선(91-16b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-16b-2)은 콘택트 홀(92-16b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-16b-2)과 접속되어 있다. 제1 배선(91-16b-3) 및 제2 배선(92-16b-3)의 각각은 도 6(b)에 도시되는 제1 배선(91-6b) 및 제2 배선(92-6b)의 각각에 대응하고, 열방향(도 6(b) 중에서는 P방향)으로 인접하는 2개의 화소 사이에 형성되는 배선이다. 그리고, 제2 배선(92-16b-1), 제2 배선(92-16b-2) 및 제2 배선(92-16b-3)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-16b-1), 제1 배선(91-16b-2) 및 제1 배선(91-16b-3)은 동일층으로 형성되어 있다. 제2 배선(92-16b-1), 제2 배선(92-16b-2) 및 제1 배선(91-16b-1), 제1 배선(91-16b-2)은 투명 배선이면 좋고, 투명 배선은 광을 차단하는 일은 없기 때문에, 예를 들면, 화소 전체에 연재시키는 등, 배선 면적을 크게할 수 있다.
제2 절연층(7-16b)은 제3 전극(9-16b-1 및 9-16b-2)과 반도체 기판(300-16b)의 사이에 형성되어 있다.
도 16(b) 중에서는 광도파로(400-16b-1 및 400-16b-2)는 제2 배선(92-16b-1), 제2 배선(92-16b-2) 및 제1 배선(91-16b-1), 제1 배선(91-16b-2)과 반도체 기판(300-16b)의 사이에 형성되어 있다. 제2 배선(92-16b-1), 제2 배선(92-16b-2) 및 제1 배선(91-16b-1), 제1 배선(91-16b-2)은 투명 배선이기 때문에, 광을 차단하는 일은 없고, 제2 배선(92-16b-1), 제2 배선(92-16b-2) 및 제1 배선(91-16b-1), 제1 배선(91-16b-2)의 하부(도 16(b) 중의 하측)에 광도파로(400-16b-1 및 400-16b-2)를 형성시킬 수 있다.
제1 광전변환부(100-16b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-16b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-16b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-16b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-16b)는 반도체 기판(300-16b)의 일방의 면측(광입사측, 도 16(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 16(c)를 참조한다. 도 16(c) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-15)는 실드(10-16c-1∼10-16c-3)와, 제2 전극(1-16c)과, 제3 전극(9-16c-1 및 9-16c-2)과, 제1 광전변환부(100-16c)와, 반도체층(5-16c)과, 제1 절연층(6-16c)과, 제2 절연층(7-16c)과, 광도파로(400-16c-1 및 400-16c-2)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-16c-1 및 9-16c-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-15)에서는 광입사측(도 16(c) 중의 상측)부터, 보호층(11-16c)과, 제2 전극(1-16c)과, 제1 광전변환부(100-16c)와, 반도체층(5-16c)과, 실드(10-16c-1∼10-16c-3)와, 광도파로(400-16c-1 및 400-16c-2)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-16c-1 및 9-16c-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-16c)을 통하여 제1 광전변환부(100-16c)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-16c-1 및 9-16c-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-16c-1 및 9-16c-2) 및 실드(10-16c-1, 10-16c-2 및 10-16c-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 16(c) 중에서는 제3 전극(9-16c-1)은 콘택트 홀(92-16c-A-1)을 통하여 제2 배선(92-16c-1)과 접속되고, 제2 배선(92-16c-1)은 콘택트 홀(91-16c-A-1)을 통하여 제1 배선(91-16c-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-16c-2)은 콘택트 홀(92-16c-A-2)을 통하여 제2 배선(92-16c-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-16c-1) 및 제2 배선(92-16c-2)은 동일층으로 형성되고, 제1 배선(91-16c-1) 및 제1 배선(91-16c-2)은 동일층으로 형성되어 있다. 제2 배선(92-16c-1), 제2 배선(92-16c-2) 제1 배선(91-16c-1) 및 제1 배선(91-16c-2)은 투명 배선이면 좋고, 투명 배선은 광을 차단하는 일은 없기 때문에, 예를 들면, 화소 전체에 연재시키는 등, 배선 면적을 크게할 수 있다.
제2 절연층(7-16c)은 제3 전극(9-16c-1 및 9-16c-2)과 반도체 기판(300-16c)의 사이에 형성되어 있다.
도 16(c) 중에서는 광도파로(400-16c-1 및 400-16c-2)는 제2 배선(92-16c-1), 제2 배선(92-16c-2), 제1 배선(91-16c-1) 및 제1 배선(91-16c-2)과 반도체 기판(300-16c)의 사이에 형성되어 있다. 제2 배선(92-16c-1), 제2 배선(92-16c-2) 제1 배선(91-16c-1) 및 제1 배선(91-16c-2)은 투명 배선이기 때문에, 광을 차단하는 일은 없고, 제2 배선(92-16c-1), 제2 배선(92-16c-2), 제1 배선(91-16c-1) 및 제1 배선(91-16c-2)의 하부(도 16(c) 중의 하측)에 광도파로(400-16c-1 및 400-16c-2)를 형성시킬 수 있다.
제1 광전변환부(100-16c)는 제2 캐리어 블로킹층(2-16c), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-16c) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-16c)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-16c)는 반도체 기판(300-16a)의 일방의 면측(광입사측, 도 16(c) 중의 상측)에 형성되어 있다.
<6. 제6의 실시 형태(고체 촬상 소자의 예 6)>
본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로와, 제1 전극과 접속되고, 제1 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 대좌와, 상기 제1 전극과 그 적어도 하나의 대좌를 접속하는 비아와, 제3 전극과 접속되고, 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 배선과, 상기 제3 전극과 적어도 하나의 배선을 접속하는 콘택트 홀을 구비하는 고체 촬상 소자이다. 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극은 이 순서로 배치되고, 제3 전극은 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층은 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 그리고, 광도파로는 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성된다. 또한, 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자에서는 화각 중심의 제2 광전변환부의 중심과 비아의 중심과의 제1의 거리와, 화각단의 제2 광전변환부의 중심과 비아의 중심과의 제2의 거리는 다르고, 화각 중심의 제2 광전변환부의 중심과 콘택트 홀 중심과의 제3의 거리와, 화각단의 제2 광전변환부의 중심과 콘택트 홀의 중심과의 제4의 거리는 다르다.
즉, 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태의 고체 촬상 소자에, 제1 전극과 접속되어, 제1 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 대좌와, 상기 제1 전극과 그 적어도 하나의 대좌를 접속하는 비아와, 제3 전극과 접속되어, 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 배선과, 제3 전극과 적어도 하나의 배선을 접속하는 콘택트 홀이 구비되고, 화각 중심의 제2 광전변환부의 중심과 비아의 중심과의 제1의 거리와, 화각단의 제2 광전변환부의 중심과 비아의 중심과의 제2의 거리는 다르고, 화각 중심의 제2 광전변환부의 중심과 콘택트 홀 중심과의 제3의 거리와, 화각단의 제2 광전변환부의 중심과 콘택트 홀의 중심과의 제4의 거리는 다른, 고체 촬상 소자이다.
고체 촬상 소자(1000-17)는 동보정(瞳補正)을 고려한 구조를 갖는다. 온 칩 렌즈에의 광은 촬상면에 대해 다양한 각도로 들어온다. 따라서 화각 중심의 화소와 화각단의 화소를 같은 구조로 하면, 효율 좋게 집광할 수가 없고, 화각 중심의 화소와 화각단의 화소에서 감도차가 생겨 버리는 일이 있다.
화각 중심부분이 배치된 화소에서는 제2 광전변환부(예를 들면, 포토 다이오드)에 대해 개략 수직으로 입사광이 입사하지만, 화각 단부분이 배치된 화소에서는 제2 광전변환부에 대해 경사 방향부터 입사광이 입사한다.
따라서 온 칩 렌즈에는 경사광에 대해서도 효율 좋게 집광할 수 있도록, 동보정이 가하여져 있다. 그 동보정량은 상기 화각 중심(예를 들면 화소부 중심)보다 화각단을 향함에 따라 커진다. 환언하면, 화각 중심의 화소에서는 동보정을 행할 필요는 없다.
고체 촬상 소자(1000-17)는 광도파로를 구비하고 있기 때문에, 광의 진행을 하방 즉 제2 광전변환부의 방향으로 유도할 수가 있기 때문에, 광도파로를 구비하지 않는 형태의 고체 촬상 소자보다도, 동보정의 양을 작게 할 수 있다.
도 17을 이용하여 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-17)를 설명한다. 도 17(a)는 도 18 및 도 19에 도시되는 동일층인 제1 대좌(81-18a), 비아(81-18a-A), 제1 배선(91-19b-1), 콘택트 홀(91-19a-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-17)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 17(b)는 도 18 및 도 19에 도시되는 동일층인 제2 대좌(82-18a), 비아(82-18a-A), 제2 배선(92-19b-1), 콘택트 홀(92-19a-A-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-17)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다. 도 17(c)는 도 18 및 도 19에 도시되는 동일층인 제1 전극(8-18a), 실드(10-18a-1), 제3 전극(9-19a-1) 등에 관한 고체 촬상 소자(1000-17)의 4화소분의 평면 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 17(a)를 참조한다. 도 17(a)에는 고체 촬상 소자(1000-17)의 4화소(1000-17a-1∼1000-17a-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-17a-1) 및 화소(1000-17a-2)의 상부(도 17(a) 중의 상측)에는 제1 배선(91-17a-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-17a-2)에서, 제1 배선(91-17a-12)과 제1 배선(91-17a-2-2)과 제1 배선(91-17a-1-2)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-17a-2-2)에는 콘택트 홀(91-17a-2-A-2)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-17a-1-2)은 동보정을 고려한 구조로서, 콘택트 홀(91-17a-2-A-2)이 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다.
화소(1000-17a-3) 및 화소(1000-17a-4)의 하부(도 17(a) 중의 하측)에는 제1 배선(91-17a-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-17a-3)에서, 제1 배선(91-17a-34)과 제1 배선(91-17a-2-3)과 제1 배선(91-17a-1-3)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-17a-2-3)에는 콘택트 홀(91-17a-2-A-3)이 접속되어 있다. 제1 배선(91-17a-1-3)은 동보정을 고려한 구조로서, 콘택트 홀(91-17a-2-A-3)이 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다.
이에 의해, 제1 배선(91-17a-12) 및 제1 배선(91-17a-2-2)에 의해, 화소(1000-17a-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-17a-34) 및 제1 배선(91-17a-2-3)에 의해, 화소(1000-17a-3)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-17a-2) 및 화소(1000-17a-3))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 대좌(81-17a) 및 제1 대좌(81-17a)에 접속하는 비아(81-17a-A)는 4화소 공유(1000-17a-1∼1000-17a-4)로 형성되어 있다. 제1 대좌(81-17a)는 동보정을 고려한 구조로서, 비아(81-17a-A)가 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다.
도 17(b)를 참조한다. 도 17(b)에는 고체 촬상 소자(1000-17)의 4화소(1000-17b-1∼1000-17b-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-17b-1) 및 화소(1000-17b-2)의 상부(도 15(b) 중의 상측)에는 제2 배선(92-17b-12)이 형성되어 있다. 화소(1000-17b-1)에서, 제2 배선(92-17b-12)과 제2 배선(92-17b-2-1)과 제2 배선(92-17b-1-1)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-17b-2-1)에는 콘택트 홀(92-17b-2-A-1)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-17b-2)에서, 제2 배선(92-17b-2)이 콘택트 홀(92-17b-A-2)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다. 제2 배선(92-17b-1-1)은 동보정을 고려한 구조로서, 콘택트 홀(91-17b-2-A-1)이 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다. 또한, 제2 배선(92-17b-2)은 동보정을 고려한 구조로서, 콘택트 홀(91-17b-2-A-2)이 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다.
화소(1000-17b-3) 및 화소(1000-17b-4)의 하부(도 17(b) 중의 하측)에는 제2 배선(92-17b-34)이 형성되어 있다. 화소(1000-17b-4)에서, 제2 배선(92-17b-34)과 제2 배선(92-17b-2-4)과 제2 배선(92-17b-1-4)이 접속되어 있다. 제2 배선(92-17b-2-4)에는 콘택트 홀(92-17b-2-A-4)이 접속되어 있다. 또한, 화소(1000-17b-3)에서, 제2 배선(92-17b-3)이 콘택트 홀(92-17b-A-3)을 통하여 제1 배선(부도시)과 접속되어 있다. 제2 배선(92-17b-1-4)은 동보정을 고려한 구조로서, 콘택트 홀(91-17b-2-A-4)이 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다. 또한, 제2 배선(92-17b-3)은 동보정을 고려한 구조로서, 콘택트 홀(91-17b-A-3)이 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다.
이에 의해, 제2 배선(92-17b-12) 및 제2 배선(92-17b-2-1)에 의해, 화소(1000-17b-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-17b-34) 및 제2 배선(92-17b-2-4)에 의해, 화소(1000-17b-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 2화소(화소(1000-17b-1) 및 화소(1000-17b-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제2 대좌(82-17b) 및 제2 대좌(82-17b)에 접속하는 비아(82-17b-A)는 4화소 공유(1000-17b-1∼1000-17b-4)로 형성되어 있다. 제2 대좌(81-17b)는 동보정을 고려한 구조로서, 비아(81-17b-A)가 벗어나지 않도록 배선 면적을 크게 하여도 좋다.
도 17(c)를 참조한다. 도 17(c)에는 고체 촬상 소자(1000-17)의 4화소(1000-17c-1∼1000-17c-4)가 도시되어 있다.
화소(1000-17c-1)에는 제3 전극(9-17c-1) 및 제2 배선(92-17c-2-1)(제2 배선(92-17c-1-1))이 형성되고, 콘택트 홀(92-17c-2-A-1)을 통하여 제3 전극(9-17c-1)과, 제2 배선(92-17c-2-1)(제2 배선(92-17c-1-1))이 접속되어 있다. 화소(1000-17c-2)에는 제3 전극(9-17c-2), 제1 배선(91-17c-2-2) 및 제2 배선(92-17c-2)이 형성되고, 콘택트 홀(91-17c-2-A-2)을 통하여 제1 배선(91-17c-2-2)과, 제2 배선(92-17c-2)은 접속되고, 콘택트 홀(92-17c-2-A-2)을 통하여 제3 전극(9-17c-2)과, 제2 배선(92-17c-2)은 접속되어 있다. 화소(1000-17c-3)에는 제3 전극(9-17c-3), 제1 배선(91-17c-2-3) 및 제2 배선(92-17c-3)이 형성되고, 콘택트 홀(91-17c-2-A-3)을 통하여 제1 배선(91-17c-2-3)과, 제2 배선(92-17c-3)은 접속되고, 콘택트 홀(92-17c-2-A-3)을 통하여 제3 전극(9-17c-3)과, 제2 배선(92-17c-3)은 접속되어 있다. 화소(1000-17c-4)에는 제3 전극(9-17c-4) 및 제2 배선(92-17c-2-4)(제2 배선(92-17c-1-4))이 형성되고, 콘택트 홀(92-17c-2-A-4)을 통하여 제3 전극(9-17c-4)과, 제2 배선(92-17c-2-4)(제2 배선(92-17c-1-4))은 접속되어 있다.
화소(1000-17c-1) 및 화소(1000-17c-2)의 상부(도 17(c) 중의 상측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-17c-12)(제1 배선(91-17c-12))이 형성되어 있다. 화소(1000-17c-1)에서, 제2 배선(92-17c-12)과 제2 배선(92-17c-1)은 접속되고, 화소(1000-17c-2)에서, 제1 배선(91-17c-12)과 제1 배선(91-17c-2)은 접속되어 있다.
화소(1000-17c-3) 및 화소(1000-17c-4)의 하부(도 17(c) 중의 하측)에는 광입사측부터 차례로 제2 배선(92-17c-34)(제1 배선(91-17c-34))이 형성되어 있다. 화소(1000-17c-3)에서, 제1 배선(91-17c-34)과 제1 배선(91-17c-3)은 접속되고, 화소(1000-17c-4)에서, 제2 배선(92-17c-34)과 제2 배선(92-17c-4)은 접속되어 있다.
이에 의해, 제1 배선(91-17c-12) 및 제1 배선(91-17c-2-2)에 의해, 화소(1000-17c-2)를 구동시킬 수 있고, 제1 배선(91-17c-34) 및 제1 배선(91-17c-2-3)에 의해, 화소(1000-17c-3)를 구동시킬 수 있다. 또한, 제2 배선(92-17c-12 및 92-17c-2-1)에 의해, 화소(1000-17c-1)를 구동시킬 수 있고, 제2 배선(92-17c-34) 및 제2 배선(92-17c-2-4)에 의해, 화소(1000-3-4)를 구동시킬 수 있다. 즉, 4화소(화소(1000-17c-1)∼화소(1000-17c-4))를 별개 독립적으로 구동시킬 수 있다.
제1 전극(8-17c)은 4화소 공유(1000-17c-1∼1000-17c-4)로 형성되고, 광입사측부터 차례로 , 제1 전극은 비아(82-17c-A)를 통하여 제2 대좌(82-17c)에 접속되고, 제2 대좌(82-17c)는 비아(81-17c-A)를 통하여 제1 대좌(81-17c)에 접속되어 있다.
도 18을 이용하여 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-17)를 설명한다. 도 18(a)는 도 17(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한, 화각 중심에서의 고체 촬상 소자(1000-17)의 단면도이고, 도 18(b)는 도 17(c)에 도시되는 A-A'선에 따라 절단한, 화각 우단(右端)에서의 고체 촬상 소자(1000-17)의 단면도이다.
도 18(a)를 참조한다. 도 18(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-17)는 제1 전극(8-18a)과, 제2 전극(1-18a)과, 제1 광전변환부(100-18a)와, 반도체층(5-18a)과, 제1 절연층(6-18a)과, 제2 절연층(7-18a)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-18a)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-17)에서는 광입사측(도 18(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-18a)과, 제2 전극(1-18a)과, 제1 광전변환부(100-18a)와, 반도체층(5-18a)과, 제1 전극(8-18a)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-18a)과, 2개의 실드(10-18a-1 및 10-18a-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 18(a) 중에서는 제1 전극(8-18a)은 비아(82-18a-A)를 통하여 제2 대좌(82-18a)와 접속하고, 제2 대좌(82-18a)는 비아(81-18a-A)를 통하여 제1 대좌(81-18a)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-18a)는 관통 전극(89-18a)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-18a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-18a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-18a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-18a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-18a)는 반도체 기판(300-18a)의 일방의 면측(광입사측, 도 18(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 18(b)를 참조한다. 도 18(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-17)는 제1 전극(8-18b)과, 제2 전극(1-18b)과, 제1 광전변환부(100-18b)와, 반도체층(5-18b)과, 제1 절연층(6-18b)과, 제2 절연층(7-18b)을 적어도 구비한다. 제1 전극(8-18b)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-17)에서는 광입사측(도 18(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-18b)과, 제2 전극(1-18b)과, 제1 광전변환부(100-18b)와, 반도체층(5-18b)과, 제1 전극(8-18b)이 이 순서로 배치되어 있다. 제1 전극(8-18b)과, 2개의 실드(10-18b-1 및 10-18b-2)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 18(b) 중에서는 제1 전극(8-18b)은 비아(82-18b-A)를 통하여 제2 대좌(82-18b)와 접속하고, 제2 대좌(82-18b)는 비아(81-18b-A)를 통하여 제1 대좌(81-18b)와 접속하고, 또한, 제1 대좌(81-18b)는 관통 전극(89-18b)과 접속하고 있다.
제1 광전변환부(100-18b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-18b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-18b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-18b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-18b)는 반도체 기판(300-18b)의 일방의 면측(광입사측, 도 18(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 18(a) 및 도 18(b)에 도시되는 바와 같이 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-17)에서는 화각 중앙(화각 중심)(도 18(a))의 제2 광전변환부(부도시)의 중심과 비아(82-18a-A)의 중심과의 제1의 거리와, 화각 우단(화각단)(도 18(b))의 제2 광전변환부(부도시)의 중심과 비아(82-18b-A)의 중심과의 제2의 거리는 다르다. 적어도 비아(82-18a-A) 및 비아(82-18b-A)는 동보정에 따라 위치가 변화할 수 있도록 가동(可動)이다. 비아(81-18a-A), 비아(81-18b-A), 제2 대좌(82-18a), 제2 대좌(82-18b), 제1 대좌(81-18a) 또는 제1 대좌(81-18b)도 동보정에 따라 위치가 변화할 수 있도록 가동이라도 좋다. 또한, 상기한 바와 같이 제2 광전변환부는 도 18(a) 및 도 18(b)에는 부도시이지만, 반도체 기판(300-18a 또는 300-18b)에 매입되어 가동이 아니다.
도 19를 이용하여 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-17)를 설명한다. 도 19(a)는 도 17(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한, 화각 중심에서의 고체 촬상 소자(1000-17)의 단면도이고, 도 19(b)는 도 17(c)에 도시되는 C-C'선에 따라 절단한, 화각 우단에서의 고체 촬상 소자(1000-17)의 단면도이다.
도 19(a)를 참조한다. 도 19(a) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-17)는 실드(10-19a-1∼10-19a-3)와, 제2 전극(1-19a)과, 제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2)과, 제1 광전변환부(100-19a)와, 반도체층(5-19a)과, 제1 절연층(6-19a)과, 제2 절연층(7-19a)과, 광도파로(도 19(a) 중에서는 부도시)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-17)에서는 광입사측(도 19(a) 중의 상측)부터, 보호층(11-19a)과, 제2 전극(1-19a)과, 제1 광전변환부(100-19a)와, 반도체층(5-19a)과, 실드(10-19a-1∼10-19a-3)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-19a)을 통하여 제1 광전변환부(100-19a)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2) 및 실드(10-19a-1, 10-19a-2 및 10-19a-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 19(a) 중에서는 제3 전극(9-19a-1)은 콘택트 홀(92-19a-A-1)을 통하여 제2 배선(92-19a-1)과 접속되고, 제2 배선(92-19a-1)은 콘택트 홀(91-19a-A-1)을 통하여 제1 배선(91-19a-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-19a-2)은 콘택트 홀(92-19a-A-2)을 통하여 제2 배선(92-19a-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-19a-1) 및 제2 배선(92-19a-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-19a)은 제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2)과 반도체 기판(300-19a)의 사이에 형성되어 있다.
도 19(a) 중에서는 광도파로는 부도시이지만, 광도파로는 제3 전극(9-19a-1 및 9-19a-2)과 반도체 기판(300-19a)의 사이에 형성되어 있으면 좋다.
제1 광전변환부(100-19a)는 제2 캐리어 블로킹층(2-19a), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-19a) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-19a)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-19a)는 반도체 기판(300-19a)의 일방의 면측(광입사측, 도 19(a) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 19(b)를 참조한다. 도 19(b) 중에서는 고체 촬상 소자(1000-17)는 실드(10-19b-1∼10-19b-3)와, 제2 전극(1-19b)과, 제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2)과, 제1 광전변환부(100-19b)와, 반도체층(5-19b)과, 제1 절연층(6-19b)과, 제2 절연층(7-19b)과, 광도파로(도 19(b) 중에서는 부도시)를 적어도 구비한다. 제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2)에는 투명 전극이 사용되면 좋다.
고체 촬상 소자(1000-17)에서는 광입사측(도 19(b) 중의 상측)부터, 보호층(11-19b)과, 제2 전극(1-19b)과, 제1 광전변환부(100-19b)와, 반도체층(5-19b)과, 실드(10-19b-1∼10-19b-3)가 이 순서로 배치되어 있다.
제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2)은 제1 전극(부도시)부터 이간하여 형성되고, 제1 절연층(6-19b)을 통하여 제1 광전변환부(100-19b)와 대향하여 형성되어 있다. 제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2)은 도 1 중의 제3 전극(9-1-1 및 9-1-2)과 마찬가지로 전하 축적용 전극이다. 제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2) 및 실드(10-19b-1, 10-19b-2 및 10-19b-3)는 동일층으로 형성되어 있다.
도 19(b) 중에서는 제3 전극(9-19b-1)은 콘택트 홀(92-19b-A-1)을 통하여 제2 배선(92-19b-1)과 접속되고, 제2 배선(92-19b-1)은 콘택트 홀(91-19b-A-1)을 통하여 제1 배선(91-19b-1)과 접속되어 있다. 제3 전극(9-19b-2)은 콘택트 홀(92-19b-A-2)을 통하여 제2 배선(92-19b-2)과 접속되어 있다. 그리고, 제2 배선(92-19b-1) 및 제2 배선(92-19b-2)은 동일층으로 형성되어 있다.
제2 절연층(7-19b)은 제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2)과 반도체 기판(300-19b)의 사이에 형성되어 있다.
도 19(b) 중에서는 광도파로는 부도시이지만, 광도파로는 제3 전극(9-19b-1 및 9-19b-2)과 반도체 기판(300-19b)의 사이에 형성되어 있으면 좋다.
제1 광전변환부(100-19b)는 제2 캐리어 블로킹층(2-19b), 광전변환층(예를 들면, 유기 광전변환층)(3-19b) 및 제1 캐리어 블로킹층(4-19b)으로 구성되어 있다.
제1 광전변환부(100-19b)는 반도체 기판(300-19b)의 일방의 면측(광입사측, 도 19(b) 중의 상측)에 형성되어 있다.
도 19(a) 및 도 19(b)에 도시되는 바와 같이 본 기술에 관한 제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자(1000-17)에서는 화각 중앙(화각 중심)(도 19(a))의 제2 광전변환부(부도시)의 중심과 콘택트 홀(92-19a-A-1)의 중심과의 제3의 거리와, 화각 우단(화각단)(도 19(b))의 제2 광전변환부(부도시)의 중심과 콘택트 홀(92-19b-A-1)의 중심과의 제4의 거리는 다르다. 적어도 콘택트 홀(92-19a-A-1) 및 콘택트 홀(92-19b-A-1)은 동보정에 따라 위치가 변화할 수 있도록 가동이다. 콘택트 홀(91-19a-A-1), 콘택트 홀(91-19b-A-1), 제2 배선(92-19a-1), 제2 배선(92-19b-1), 제1 배선(91-19a-1) 또는 제1 배선(91-19b-1)도 동보정에 따라 위치가 변화할 수 있도록 가동이라도 좋다. 또한, 상기한 바와 같이 제2 광전변환부는 도 19(a) 및 도 19(b)에는 부도시이지만, 반도체 기판(300-19a 또는 300-19b)에 매입되어 가동이 아니다.
<7. 제7의 실시 형태(전자 장치의 예)>
본 기술에 관한 제7의 실시 형태의 전자 장치는 고체 촬상 소자가 탑재되고, 고체 촬상 소자가 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고, 제2 전극과 제1 광전변환부와 제1 전극이 이 순서로 배치되고, 제3 전극이 제1 전극부터 이간하고, 제1 절연층을 통하여 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고, 제2 절연층이 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되고, 광도파로가 제3 전극과 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 전자 장치이다. 또한, 본 기술에 관한 제7의 실시 형태의 전자 장치는 본 기술에 관한 제1의 실시 형태∼제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자가 탑재된 전자 장치라도 좋다.
<8. 본 기술을 적용한 고체 촬상 소자의 사용례>
도 20은 이미지 센서로서의 본 기술에 관한 제1∼제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 사용례를 도시하는 도면이다.
상술한 제1∼제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자는 예를 들면, 이하와 같이 가시광이나, 적외광, 자외광, X선 등의 광을 센싱하는 다양한 케이스에 사용할 수 있다. 즉, 도 20에 도시하는 바와 같이 예를 들면, 감상용으로 제공되는 화상을 촬영하는 감상의 분야, 교통의 분야, 가전의 분야, 의료·헬스케어의 분야, 시큐리티의 분야, 미용의 분야, 스포츠의 분야, 농업의 분야 등에서 사용되는 장치(예를 들면, 상술한 제7의 실시 형태의 전자 장치)에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
구체적으로는 감상의 분야에서는 예를 들면, 디지털 카메라나 스마트 폰, 카메라 기능 부착의 휴대 전화기 등의, 감상용으로 제공되는 화상을 촬영하기 위한 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
교통의 분야에서는 예를 들면, 자동 정지 등의 안전운전이나, 운전자의 상태의 인식 등을 위해, 자동차의 전방이나 후방, 주위, 차내 등을 촬영하는 차량탑재용 센서, 주행 차량이나 도로를 감시하는 감시 카메라, 차량 사이 등의 거리측정을 행하는 거리측정 센서 등의, 교통용으로 제공되는 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
가전의 분야에서는 예를 들면, 유저의 제스처를 촬영하고, 그 제스처에 따른 기기 조작을 행하기 위해, 텔레비전 수상기나 냉장고, 에어 컨디셔너 등의 가전에 제공되는 장치에서, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
의료·헬스케어의 분야에서는 예를 들면, 내시경이나, 적외광의 수광에 의한 혈관 촬영을 행하는 장치 등의, 의료나 헬스케어용으로 제공되는 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
시큐리티의 분야에서는 예를 들면, 방범 용도의 감시 카메라나, 인물 인증 용도의 카메라 등의, 시큐리티용으로 제공되는 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
미용의 분야에서는 예를 들면, 피부를 촬영하는 피부 측정기나, 두피를 촬영하는 마이크로스코프 등의, 미용용으로 제공되는 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
스포츠의 분야에서, 예를 들면, 스포츠 용도 등 용의 액션 카메라나 웨어러블 카메라 등의, 스포츠용으로 제공되는 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
농업의 분야에서는 예를 들면, 밭이나 작물의 상태를 감시하기 위한 카메라 등의, 농업용으로 제공되는 장치에, 제1∼제6의 실시 형태의 어느 하나의 실시 형태의 고체 촬상 소자를 사용할 수 있다.
다음에, 본 기술에 관한 제1∼제6의 실시 형태의 고체 촬상 소자의 사용례를 구체적으로 설명한다. 예를 들면, 상술로 설명을 한 고체 촬상 소자(101)는 예를 들면 디지털 스틸 카메라나 비디오 카메라 등의 카메라 시스템이나, 촬상 기능을 갖는 휴대 전화 등, 촬상 기능을 구비하는 모든 타입의 전자 기기에 적용할 수 있다. 도 21에, 그 한 예로서, 전자 기기(102)(카메라)의 개략 구성을 도시한다. 이 전자 기기(102)는 예를 들면 정지화 또는 동화를 촬영 가능한 비디오 카메라이고, 고체 촬상 소자(101)와, 광학계(광학 렌즈)(310)와, 셔터 장치(311)와, 고체 촬상 소자(101) 및 셔터 장치(311)를 구동하는 구동부(313)와, 신호 처리부(312)를 갖는다.
광학계(310)는 피사체로부터의 상광(입사광)을 고체 촬상 소자(101)의 화소부(101a)에 유도하는 것이다. 이 광학계(310)는 복수의 광학 렌즈로 구성되어 있어도 좋다. 셔터 장치(311)는 고체 촬상 소자(101)에의 광조사 기간 및 차광 기간을 제어하는 것이다. 구동부(313)는 고체 촬상 소자(101)의 전송 동작 및 셔터 장치(311)의 셔터 동작을 제어하는 것이다. 신호 처리부(312)는 고체 촬상 소자(101)로부터 출력된 신호에 대해, 각종의 신호 처리를 행하는 것이다. 신호 처리후의 영상 신호(Dout)는 메모리 등의 기억 매체에 기억되든지, 또는 모니터 등에 출력된다.
또한, 본 기술에 관한 실시 형태는 상술한 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 변경이 가능하다.
또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고 한정되는 것이 아니고, 또한 다른 효과가 있어도 좋다.
또한, 본 기술은 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
[1] 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고,
그 제2 전극과 그 제1 광전변환부와 그 제1 전극이 이 순서로 배치되고,
그 제3 전극이 그 제1 전극부터 이간하고, 그 제1 절연층을 통하여 그 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고,
그 제2 절연층이 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
그 광도파로가 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 고체 촬상 소자.
[2] 적어도 하나의 반도체층을 더 구비하고,
그 적어도 하나의 반도체층이 상기 제1 광전변환부와 상기 제1 절연층의 사이에 배치되는 [1]에 기재된 고체 촬상 소자.
[3] 상기 광도파로와 상기 제2 절연층이 개략 수직 방향으로 분리되어 있는 [1] 또는 [2]에 기재된 고체 촬상 소자.
[4] 저유전율 재료 함유층을 더 구비하고,
그 저유전율 재료 함유층이 상기 광도파로의 하방으로서, 상기 제2 광전변환부의 상방에 배치되는 [1]부터 [3]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[5] 이너 렌즈를 더 구비하고,
그 이너 렌즈가 상기 제1 광전변환부와 상기 광도파로의 사이에 배치되는 [1]부터 [4]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[6] 상기 광도파로의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다도 큰, [1]부터 [5]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[7] 상기 광도파로가 SiN을 포함하는 [1]부터 [6]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[8] 상기 광도파로가 실록산을 포함하는 [1]부터 [6]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[9] 상기 광도파로가 ITO를 포함하는 [1]부터 [6]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[10] 상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하고,
그 적어도 하나의 배선이 투명 재료를 포함하고,
광입사측부터, 그 적어도 하나의 배선과, 상기 광도파로가 이 순서로 배치되는 [1]부터 [9]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[11] 상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하고,
그 적어도 하나의 배선이 차광 재료를 포함하고,
그 적어도 하나의 배선과, 상기 광도파로가 상기 제2 절연층을 통하여 분리되는 [1]부터 [9]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[12] 상기 제1 전극과 접속되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 대좌와,
상기 제1 전극과 그 적어도 하나의 대좌를 접속하는 비아를 더 구비하고,
화각 중심의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 비아의 중심과의 제1의 거리와, 화각단의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 비아의 중심과의 제2의 거리는 다르고,
상기 제3 전극과 접속되고, 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 배선과,
상기 제3 전극과 그 적어도 하나의 배선을 접속하는 콘택트 홀을 더 구비하고,
화각 중심의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 콘택트 홀 중심과의 제3의 거리와, 화각단의 상기 제2 광전변환부의 중심과 그 콘택트 홀의 중심과의 제4의 거리는 다른, [1]부터 [11]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
[13] 고체 촬상 소자가 탑재되고,
그 고체 촬상 소자가 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고,
그 제2 전극과 그 제1 광전변환부와 그 제1 전극이 이 순서로 배치되고,
그 제3 전극이 그 제1 전극부터 이간하고, 그 제1 절연층을 통하여 그 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고,
그 제2 절연층이 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
그 광도파로가 그 제3 전극과 그 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 전자 장치.
[14] [2]로부터 [12]의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자가 탑재되는 전자 장치.
1000(1000-1∼1000-17) : 고체 촬상 소자 1 : 제2 전극
6 : 제1 절연층 7 : 제2 절연층
8 : 제1 전극 ]9 : 제3 전극
100 : 제1 광전변환부 200 : 제2 광전변환부
400 : 광도파로

Claims (13)

  1. 적어도 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고,
    상기 제2 전극과 상기 제1 광전변환부와 상기 제1 전극이 이 순서대로 배치되고,
    상기 제3 전극이 상기 제1 전극부터 이간하고, 상기 제1 절연층을 통하여 상기 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고,
    상기 제2 절연층이 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
    상기 광도파로가 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
    상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하고,
    광입사측으로부터, 상기 제3 전극과, 상기 적어도 하나의 배선과, 상기 제2 광전변환부가 이 순서대로 배치되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 반도체층을 더 구비하고,
    상기 적어도 하나의 반도체층이 상기 제1 광전변환부와 상기 제1 절연층의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광도파로와 상기 제2 절연층이 수직 방향으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    저유전율 재료 함유층을 더 구비하고,
    상기 저유전율 재료 함유층이 상기 광도파로의 하방으로서, 상기 제2 광전변환부의 상방에 배치되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    이너 렌즈를 더 구비하고,
    상기 이너 렌즈가 상기 제1 광전변환부와 상기 광도파로의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광도파로의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다도 큰 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광도파로가 SiN을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광도파로가 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광도파로가 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배선이 투명 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬장 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하고,
    상기 적어도 하나의 배선이 차광 재료를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 배선과, 상기 광도파로가 상기 제2 절연층을 통하여 분리되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 접속되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 대좌와,
    상기 제1 전극과 상기 적어도 하나의 대좌를 접속하는 비아를 더 구비하고,
    화각 중심의 상기 제2 광전변환부의 중심과 상기 비아의 중심과의 제1의 거리와, 화각단의 상기 제2 광전변환부의 중심과 상기 비아의 중심과의 제2의 거리는 다르고,
    상기 제3 전극과 접속되고, 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되는 적어도 하나의 배선과,
    상기 제3 전극과 상기 적어도 하나의 배선을 접속하는 콘택트 홀을 더 구비하고,
    화각 중심의 상기 제2 광전변환부의 중심과 상기 콘택트 홀 중심과의 제3의 거리와, 화각단의 상기 제2 광전변환부의 중심과 상기 콘택트 홀의 중심과의 제4의 거리는 다른 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  13. 고체 촬상 소자가 탑재되고,
    상기 고체 촬상 소자가 적어도, 제1 전극과, 제2 전극과, 제3 전극과, 제1 광전변환부와, 제2 광전변환부와, 제1 절연층과, 제2 절연층과, 광도파로를 구비하고,
    상기 제2 전극과 상기 제1 광전변환부와 상기 제1 전극이 이 순서대로 배치되고,
    상기 제3 전극이 상기 제1 전극부터 이간하고, 상기 제1 절연층을 통하여 상기 제1 광전변환부와 대향하여 형성되고,
    상기 제2 절연층이 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
    상기 광도파로가 상기 제3 전극과 상기 제2 광전변환부의 사이에 형성되고,
    상기 제3 전극과 접속하는 적어도 하나의 배선을 구비하고,
    광입사측으로부터, 상기 제3 전극과, 상기 적어도 하나의 배선과, 상기 제2 광전변환부가 이 순서대로 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102612179B1 (ko) 2021-07-08 2023-12-08 삼성물산 주식회사 철골 콘크리트 합성보와 경량 콘크리트 패널이 합성된 바닥 구조체 및 이의 시공방법
WO2023037621A1 (ja) * 2021-09-10 2023-03-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082807A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Seiko Epson Corp 光伝達手段を備えた装置
JP2003273342A (ja) * 2002-03-13 2003-09-26 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2008091744A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子および撮像装置
JP2010287676A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP2014232761A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2016063165A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 株式会社東芝 撮像素子及び固体撮像装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166677A (ja) * 2006-12-08 2008-07-17 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
EP1930950B1 (en) 2006-12-08 2012-11-07 Sony Corporation Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera
JP2008218787A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Fujifilm Corp 撮像素子
US7661077B2 (en) * 2007-09-06 2010-02-09 International Business Machines Corporation Structure for imagers having electrically active optical elements
JP2012182426A (ja) 2011-02-09 2012-09-20 Canon Inc 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法
JP5885721B2 (ja) 2011-02-09 2016-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP6108172B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR102355558B1 (ko) 2014-07-31 2022-01-27 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP2016073022A (ja) 2014-09-26 2016-05-09 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 二次電池保護回路およびバッテリ装置
TWI692090B (zh) * 2014-11-05 2020-04-21 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像元件及其製造方法
US10546898B2 (en) * 2015-12-24 2020-01-28 Sony Corporation Imaging apparatus and electronic device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082807A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Seiko Epson Corp 光伝達手段を備えた装置
JP2003273342A (ja) * 2002-03-13 2003-09-26 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2008091744A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子および撮像装置
JP2010287676A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP2014232761A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2016063165A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 株式会社東芝 撮像素子及び固体撮像装置

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