KR102565071B1 - Manufacturing method of thinning plate-like member, and manufacturing apparatus of thinning plate-like member - Google Patents
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Abstract
판상 부재 (WF) 에 레이저 (LB) 를 조사하는 레이저 조사 공정과, 판상 부재 (WF) 를 분할면 (DP) 을 따라 분할하여, 적어도 제 1 박형화 판상 부재 및 제 2 박형화 판상 부재를 형성하는 분할 공정을 구비하고, 판상 부재 (WF) 에 레이저를 조사하는 공정에 있어서는, 판상 부재 (WF) 의 내부에 복수의 개질부를 분할면 (DP) 을 따라 형성하고, 상기 제 1 박형화 판상 부재의 두께는, 판상 부재 (WF) 의 두께보다 작고, 상기 제 2 박형화 판상 부재의 두께는, 판상 부재 (WF) 의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 박형화 판상 부재의 제조 방법.A laser irradiation step of irradiating the plate-like member WF with the laser LB, and the division of dividing the plate-like member WF along the dividing surface DP to form at least a first thinned plate-like member and a second thinned plate-like member. In the step of irradiating the plate-like member WF with a laser, a plurality of reforming portions are formed inside the plate-like member WF along the dividing surface DP, and the thickness of the first thinned plate-like member is , smaller than the thickness of the plate-like member (WF), and the thickness of the second thinned plate-like member is smaller than the thickness of the plate-like member (WF).
Description
본 발명은, 박형화 판상 부재의 제조 방법, 및 박형화 판상 부재의 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a thinned plate-like member and an apparatus for manufacturing a thinned plate-like member.
종래, 판상 부재의 박형화를 실시하기 위한 방법으로서, 판상 부재를 연마하는 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Conventionally, as a method for reducing the thickness of a plate-like member, a method of polishing the plate-like member is known (see Patent Document 1, for example).
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 종래의 방법에서는, 판상 부재로서의 반도체 웨이퍼의 냉각 및 세정 등에 순수가 필요하다. 순수의 사용은, 박형화 판상 부재의 제조 비용이 상승하는 요인의 하나이다. 또한, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 연마에 의한 박형화 방법은, 박형화에 시간이 걸린다. 또한, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 연마에 의한 박형화 방법은, 지석을 판상 부재에 맞히면서 물리적 압력을 가하기 때문에, 판상 부재가 균열될 우려 및 연삭 흔적이 남게 될 가능성이 있다. 또한, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 연마에 의한 박형화 방법에 있어서는, 박형화 판상 부재의 두께 정밀도의 향상이 요망되고 있다.However, in the conventional method as described in Patent Literature 1, pure water is required for cooling and cleaning of the semiconductor wafer as a plate-like member. The use of pure water is one of the factors that increase the manufacturing cost of the thinned plate-like member. In addition, in the thinning method by polishing as described in Patent Literature 1, thinning takes time. Further, in the thinning method by polishing as described in Patent Literature 1, since physical pressure is applied while hitting the plate-like member with a grindstone, there is a possibility that the plate-like member may be cracked and grinding marks may remain. In addition, in the thinning method by grinding|polishing as described in patent document 1, the improvement of the thickness precision of a thinning plate-like member is desired.
본 발명의 목적은, 순수를 이용하지 않고, 박형화의 시간을 단축하고, 판상 부재의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있는 박형화 판상 부재의 제조 방법, 및 박형화 판상 부재의 제조 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is a method for manufacturing a thinned plate-like member capable of shortening the thinning time without using pure water, suppressing cracking of the plate-like member and improving the thickness precision, and a manufacturing device for the thinning plate-like member. is in providing
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 판상 부재에 레이저를 조사하는 레이저 조사 공정과, 상기 판상 부재를 분할면을 따라 분할하여, 적어도 제 1 박형화 판상 부재 및 제 2 박형화 판상 부재를 형성하는 분할 공정을 구비하고, 상기 판상 부재에 레이저를 조사하는 공정에 있어서는, 상기 판상 부재의 내부에 복수의 개질부를 상기 분할면을 따라 형성하고, 상기 제 1 박형화 판상 부재의 두께는, 상기 판상 부재의 두께보다 작고, 상기 제 2 박형화 판상 부재의 두께는, 상기 판상 부재의 두께보다 작다.A method for manufacturing a thinned plate-like member according to an aspect of the present invention includes a laser irradiation step of irradiating a laser to the plate-like member, dividing the plate-like member along a dividing surface, and comprising at least a first thinned plate-like member and a second thinned plate-like member. In the step of irradiating the plate-like member with a laser, a plurality of reforming portions are formed inside the plate-like member along the dividing surface, and the thickness of the first thinning plate-like member is It is smaller than the thickness of the plate-like member, and the thickness of the second thinning plate-like member is smaller than the thickness of the plate-like member.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 판상 부재의 외주부측으로부터 상기 판상 부재의 중심부측에 걸쳐 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서, 상기 판상 부재에 복수의 상기 개질부를 일정한 간격으로 형성하는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, in the laser irradiation step, while moving the position of the irradiation point of the laser from the outer circumferential side of the plate-like member to the central portion of the plate-like member, It is preferable to form a plurality of the modified portions on the member at regular intervals.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서 상기 판상 부재에 복수의 상기 개질부를 형성하고, 상기 판상 부재의 외주부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격과, 상기 판상 부재의 중심부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격이, 상이한 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, in the laser irradiation step, while moving the position of the irradiation point of the laser, a plurality of the modified portions are formed in the plate-like member, and It is preferable that the interval between the irradiation points in the plate-like member and the interval between the irradiation points on the center portion side of the plate-like member are different.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재의 외주부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격이, 상기 판상 부재의 중심부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격보다 작은 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, the distance between the irradiation points on the outer peripheral side of the plate-like member is smaller than the distance between the irradiation points on the central portion side of the plate-like member. it is desirable
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 조사점끼리의 간격이, 상기 판상 부재의 외주부측으로부터 상기 판상 부재의 중심부측을 향함에 따라 커지는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable that the distance between the irradiation points increases from the outer circumferential side of the plate-like member toward the central portion of the plate-like member.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는, 상기 판상 부재의 외주부측의 제 1 영역과, 상기 판상 부재의 중심부측의 제 2 영역과, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이의 제 3 영역을 갖고, 상기 제 1 영역에 대하여, 제 1 간격으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고, 상기 제 3 영역에 대하여, 제 3 간격으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고, 상기 제 2 영역에 대하여, 제 2 간격으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고, 상기 제 1 간격은, 상기 제 3 간격보다 작고, 상기 제 3 간격은, 상기 제 2 간격보다 작은 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to an aspect of the present invention, the plate-like member comprises: a first region on the outer periphery side of the plate-like member, a second region on the center side of the plate-like member, and the first region; It has a third area between the second areas, the laser is irradiated to a plurality of points at a first interval with respect to the first area, and the laser is irradiated to a plurality of points at a third interval with respect to the third area. and irradiates the laser to a plurality of points at a second interval in the second region, the first interval is smaller than the third interval, and the third interval is preferably smaller than the second interval. .
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저를 조사하는 레이저 조사기, 및 상기 판상 부재의 적어도 어느 것을 이동시킴으로써, 상기 레이저 조사 공정에 있어서의 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, a laser irradiator for irradiating the laser and at least one of the plate-like members are moved to change the position of the irradiation point of the laser in the laser irradiation step. It is desirable to move
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 조사기, 및 상기 판상 부재의 적어도 어느 것을 회전시킴으로써, 상기 레이저 조사 공정에 있어서의 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable to move the laser irradiation point in the laser irradiation step by rotating at least one of the laser irradiator and the plate-like member. do.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 조사기로부터, 복수의 상기 레이저를 동시에 조사하는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable to simultaneously irradiate a plurality of the laser beams from the laser irradiator.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재의 두께는, 3 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.In the method for producing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, the thickness of the plate-like member is preferably 3 mm or less.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 박형화 판상 부재의 두께 및 상기 제 2 박형화 판상 부재의 두께의 적어도 어느 것이, 500 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the thinning plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable that at least one of the thickness of the first thinning plate-like member and the thickness of the second thinning plate-like member is 500 μm or less.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저를 상기 분할면을 따라 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 간격으로 조사하는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable to irradiate the laser along the dividing surface at intervals of 1 μm or more and 350 μm or less.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 복수의 상기 개질부는, 서로 겹쳐 있는 것이 바람직하다.In the method for producing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable that the plurality of reforming portions overlap each other.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 복수의 상기 개질부는, 서로 떨어져 있어도 된다.In the method for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, the plurality of reforming parts may be separated from each other.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는, 제 1 표면, 및 상기 제 1 표면과는 반대측의 제 2 표면을 갖고, 상기 레이저를, 상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면의 적어도 어느 표면측으로부터 조사하는 것이 바람직하다.In the method for producing a thinned plate-like member according to an aspect of the present invention, the plate-like member has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the laser is applied to the first surface and the second surface. It is preferable to irradiate from at least one surface side of the second surface.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는, 제 1 표면, 및 상기 제 1 표면과는 반대측의 제 2 표면을 갖고, 상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면의 적어도 어느 표면에는 보호 시트가 적층되어 있는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, the plate-like member has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first surface and the second surface are It is preferable that a protective sheet is laminated on at least one surface.
또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는, 제 1 표면, 및 상기 제 1 표면과는 반대측의 제 2 표면을 갖고, 상기 판상 부재는, 상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면의 적어도 어느 표면측에서 흡착 유지되어 있는 것이 바람직하다. 상기 판상 부재를 흡착 유지하는 경우, 흡착 유지되는 상기 판상 부재의 면에는 보호 시트가 적층되고, 상기 판상 부재가 상기 보호 시트를 개재하여 흡착 유지되어 있는 것이 보다 바람직하다. 레이저 조사 공정 및 분할 공정의 적어도 어느 공정에 있어서 상기 판상 부재가 흡착 유지되어 있는 것이 바람직하다. 상기 판상 부재는, 흡착 테이블에 의해 흡착 유지되어 있는 것이 바람직하다.Further, in the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, the plate-like member has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the plate-like member comprises: It is preferable to adsorb and hold on at least any surface side of the surface and the said 2nd surface. When the plate-like member is adsorbed and held, it is more preferable that a protective sheet is laminated on the face of the plate-like member to be adsorbed and held, and the plate-like member is adsorbed and held with the protective sheet interposed therebetween. It is preferable that the plate-like member is adsorbed and held in at least one of the laser irradiation step and the dividing step. It is preferable that the said plate-like member is adsorbed and held by the adsorption table.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 보호 시트가 적층된 상기 판상 부재의 표면측으로부터 상기 레이저를 조사하여, 상기 판상 부재의 내부에 복수의 상기 개질부를 형성하는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable to form a plurality of the reforming portions inside the plate-like member by irradiating the laser from the surface side of the plate-like member on which the protective sheet is laminated. do.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 분할 공정은, 상기 판상 부재의 두께 방향으로 상기 판상 부재를 이간시킴으로써, 복수의 상기 개질부가 형성된 상기 분할면을 경계로 하여 상기 제 1 박형화 판상 부재 및 상기 제 2 박형화 판상 부재로 분할하는 공정인 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, in the dividing step, the plate-like member is separated in the thickness direction of the plate-like member so that the plurality of reformed portions are formed on the divided surface as a boundary, and the first plate-like member is separated. It is preferable that it is a process of dividing|segmenting into one thinning plate-like member and the said 2nd thinning plate-like member.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재의 표면은, 회로를 갖는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thinned plate-like member according to one aspect of the present invention, the surface of the plate-like member preferably has a circuit.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 박형화 판상 부재는, 상기 분할 공정에 있어서의 상기 판상 부재의 분할에 의해 나타난 제 1 노출면을 갖고, 상기 제 2 박형화 판상 부재는, 상기 분할 공정에 있어서의 상기 판상 부재의 분할에 의해 나타난 제 2 노출면을 갖고, 상기 제 1 노출면 및 상기 제 2 노출면의 적어도 어느 것을 연마하는 연마 공정을 갖는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the thinning plate-like member according to one aspect of the present invention, the first thinning plate-like member has a first exposed surface formed by dividing the plate-like member in the dividing step, and the second thinning plate-like member It is preferable that the member has a second exposed surface revealed by the division of the plate-like member in the dividing step, and a polishing step of polishing at least either of the first exposed surface or the second exposed surface.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 박형화 판상 부재 및 상기 제 2 박형화 판상 부재의 적어도 어느 표면에 회로를 형성하는 회로 형성 공정을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the thinning plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable to further include a circuit formation step of forming a circuit on at least either surface of the first thinning plate-like member and the second thinning plate-like member.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재의 재질은, 실리콘, 질화규소, 질화갈륨, 실리콘 카바이드, 사파이어, 갈륨비소, 및 유리로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, the material of the plate-like member is preferably selected from the group consisting of silicon, silicon nitride, gallium nitride, silicon carbide, sapphire, gallium arsenide, and glass.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는, 웨이퍼인 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, the plate-like member is preferably a wafer.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 장치는, 판상 부재의 내부에 복수의 개질부를 형성하는 개질부 형성 수단과, 개질 후의 상기 판상 부재를 적어도 제 1 박형화 판상 부재 및 제 2 박형화 판상 부재로 분할하는 분할 수단을 구비하고, 상기 개질부 형성 수단은, 아암부와, 레이저를 조사하는 레이저 조사기와, 상기 아암부를 회전 가능하게 지지하는 구동부를 갖고, 상기 레이저 조사기는, 상기 아암부에 슬라이드 이동 가능하게 지지되어 있는 것을 특징으로 한다.An apparatus for manufacturing a thinned plate-like member according to an aspect of the present invention comprises: reforming part formation means for forming a plurality of modified parts inside a plate-like member; The reforming part formation means has an arm part, a laser irradiator for irradiating a laser, and a drive part for rotatably supporting the arm part, and the laser irradiator slides on the arm part. It is characterized in that it is movably supported.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 상기 개질부 형성 수단은, 상기 레이저 조사기를 복수 갖는 것이 바람직하다.In the manufacturing apparatus for the thinning plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable that the reforming portion forming means includes a plurality of the laser irradiators.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 상기 레이저 조사기는, 복수의 레이저를 동시에 조사 가능한 것이 바람직하다.In the manufacturing apparatus for the thinning plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable that the laser irradiator is capable of simultaneously irradiating a plurality of lasers.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 상기 레이저 조사기는, 복수의 상기 레이저끼리의 조사 간격을 확대 및 축소할 수 있는 것이 바람직하다.In the apparatus for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable that the laser irradiator is capable of expanding and contracting an irradiation interval between a plurality of the lasers.
본 발명의 일 양태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 상기 판상 부재를 회전 가능하게 지지하는 유지 수단을 추가로 갖는 것이 바람직하다.In the apparatus for manufacturing a thin plate-like member according to one aspect of the present invention, it is preferable to further include holding means for rotatably supporting the plate-like member.
본 발명의 일 양태에 의하면, 순수를 이용하지 않고, 박형화의 시간을 단축하고, 판상 부재의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있는 박형화 판상 부재의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a thinned plate-like member that can shorten the time for thinning, suppress cracking of the plate-like member, and improve thickness accuracy without using pure water.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 평면도이다.
도 2 는 제 1 첩부 수단의 측면도이다.
도 3 은 제 2 첩부 수단의 측면도이다.
도 4 는 웨이퍼의 내부의 분할면을 나타내는 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 5 는 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 6 은 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 횡단면 개략도이다.
도 7a 는 분할 수단의 동작 설명도이다.
도 7b 는 분할 수단의 동작 설명도이다.
도 7c 는 분할 수단의 동작 설명도이다.
도 8 은 제 2 실시형태에서 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 9 는 제 2 실시형태에서 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 횡단면 개략도이다.
도 10a 는 제 3 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 10b 는 제 3 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 10c 는 제 3 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 11 는 제 3 실시형태의 레이저 조사 공정을 실시한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 12a 는 제 4 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 12b 는 제 4 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 12c 는 제 4 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 13a 는 제 5 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 13b 는 제 5 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 13c 는 제 5 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 14 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 있어서의 레이저 조사 공정을 설명하는 개략도이다.
도 15a 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이다.
도 15b 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이다.
도 15c 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이다.
도 16a 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이다.
도 16b 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이다.1 is a plan view of a thinning wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of the first sticking means.
3 is a side view of the second sticking means.
Fig. 4 is a schematic view of a longitudinal section of a wafer showing a divided surface inside the wafer.
5 is a schematic cross-sectional view of a wafer after forming a plurality of reforming portions.
6 is a schematic cross-sectional view of a wafer after forming a plurality of reforming portions.
Fig. 7A is an operation explanatory diagram of dividing means.
Fig. 7B is an operation explanatory diagram of dividing means.
7C is an operation explanatory diagram of the dividing means.
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view of a wafer after forming a plurality of reforming portions in the second embodiment.
9 is a cross-sectional schematic view of a wafer after forming a plurality of reforming portions in the second embodiment.
10A is a schematic diagram explaining a laser irradiation process in a third embodiment.
Fig. 10B is a schematic diagram explaining the laser irradiation process in the third embodiment.
10C is a schematic diagram explaining a laser irradiation process in the third embodiment.
11 is a schematic cross-sectional view of a wafer after the laser irradiation process of the third embodiment is performed.
12A is a schematic diagram explaining a laser irradiation process in a fourth embodiment.
Fig. 12B is a schematic diagram explaining the laser irradiation process in the fourth embodiment.
12C is a schematic diagram explaining a laser irradiation process in a fourth embodiment.
Fig. 13A is a schematic diagram explaining the laser irradiation process in the fifth embodiment.
Fig. 13B is a schematic diagram explaining the laser irradiation process in the fifth embodiment.
13C is a schematic diagram explaining a laser irradiation process in the fifth embodiment.
14 is a schematic diagram explaining a laser irradiation step in another embodiment of the present invention.
15A is an operation explanatory diagram of a thinning wafer manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
15B is an operation explanatory diagram of a thinning wafer manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
15C is an operation explanatory diagram of a thinning wafer manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
16A is an operation explanatory diagram of a thinning wafer manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
16B is an operation explanatory diagram of a thinning wafer manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
[제 1 실시형태][First Embodiment]
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described based on drawing.
또한, 본 실시형태에 있어서의 X 축, Y 축, Z 축은, 각각이 직교하는 관계에 있고, X 축, 및 Y 축은, 소정 평면 내의 축으로 하고, Z 축은, 상기 소정 평면에 직교하는 축으로 한다. 또한, 본 실시형태에서는, Y 축과 평행한 화살표 AR 방향으로부터 본 경우를 기준으로 하고, 방향을 나타낸 경우, 「위」 가 Z 축과 평행한 도 1 중 앞쪽 방향이고 「아래」 가 그 반대 방향, 「왼쪽」 이 X 축의 화살표 방향이고 「오른쪽」 이 그 반대 방향, 「앞」 이 Y 축의 화살표 방향이고 「뒤」 가 그 반대 방향으로 한다. 제 1 실시형태 이후의 제 2 실시형태 등 및 실시형태의 변형에 있어서도 동일하다.In addition, the X axis, Y axis, and Z axis in the present embodiment have an orthogonal relationship with each other, the X axis and the Y axis are axes in a predetermined plane, and the Z axis is an axis orthogonal to the predetermined plane. do. In the present embodiment, when the direction is indicated based on the case viewed from the direction of the arrow AR parallel to the Y axis, "up" is the front direction in Fig. 1 parallel to the Z axis, and "down" is the opposite direction. , “Left” is the direction of the X-axis arrow, “Right” is the opposite direction, “Front” is the direction of the Y-axis arrow, and “Back” is the opposite direction. The same is true also in the second embodiment after the first embodiment and the modification of the embodiment.
박형화 판상 부재는, 박형화 판상 부재의 제조 장치를 사용하여 제조된다.A thinning plate-like member is manufactured using the manufacturing apparatus of a thinning plate-like member.
도 1, 2, 3, 및 7 에는, 박형화 판상 부재의 일례인 박형화 웨이퍼를 제조하기 위한 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 가 나타나 있다.1, 2, 3, and 7 show a thinning wafer manufacturing apparatus 10 for manufacturing a thinning wafer, which is an example of a thinning plate-like member.
박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 는, 제 1 첩부 수단 (20) 과, 개질부 형성 수단 (30) 과, 제 2 첩부 수단 (40) 과, 분할 수단 (50) 을 구비하고 있다.The manufacturing apparatus 10 of a thinned wafer is equipped with the 1st sticking means 20, the modified part formation means 30, the 2nd sticking means 40, and the division|segmentation means 50.
제 1 첩부 수단 (20) 은, 판상 부재로서의 반도체 웨이퍼 (이하, 간단히 「웨이퍼」 라고 하는 경우가 있다) (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 에 제 1 접착 시트 (AS1) 를 첩부하여 1 차 가공품 (WK1) 을 형성한다. 웨이퍼 (WF) 는, 제 1 표면 (WF1) 과, 제 1 표면 (WF1) 과는 반대측의 제 2 표면 (WF2) 을 갖는다.The first sticking means 20 attaches the first adhesive sheet AS1 to the first surface WF1 of the semiconductor wafer (hereinafter sometimes simply referred to as "wafer") WF as a plate-like member, and firstly A workpiece (WK1) is formed. Wafer WF has a first surface WF1 and a second surface WF2 opposite to the first surface WF1.
개질부 형성 수단 (30) 은, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) (도 5 참조) 를 형성한다. 복수의 개질부 (RP) 는, 후술하는 분할면 (DP) (도 4 참조) 을 따라 형성된다.The reforming portion formation means 30 forms a plurality of reforming portions RP (see FIG. 5 ) inside the wafer WF. A plurality of reforming portions RP are formed along a dividing surface DP (refer to FIG. 4 ) described later.
제 2 첩부 수단 (40) 은, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 에 제 2 접착 시트 (AS2) 를 첩부하여 2 차 가공품 (WK2) 을 형성한다.The second sticking unit 40 attaches the second adhesive sheet AS2 to the second surface WF2 of the wafer WF to form the second processed product WK2.
분할 수단 (50) 은, 분할면 (DP) (도 4 참조) 을 따라 웨이퍼 (WF) 를 분할하여, 제 1 박형화 판상 부재로서의 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 판상 부재로서의 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 형성한다.The dividing means 50 divides the wafer WF along the dividing surface DP (see FIG. 4 ) to obtain a first thinned wafer WT1 as a first thinned plate-like member and a second thinned wafer WT1 as a second thinned plate-like member. A thinned wafer (WT2) is formed.
이하, 박형화 판상 부재의 제조 방법의 일례로서, 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 를 사용하여, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 제조하는 방법을 설명한다.Hereinafter, as an example of a method for manufacturing a thinned plate-like member, a method for manufacturing a first thinned wafer WT1 and a second thinned wafer WT2 using the thinned wafer manufacturing apparatus 10 will be described.
웨이퍼 (WF) 는, 레이저 조사에 의해 개질되는 재질로 이루어지는 웨이퍼이면 특별히 한정되지 않는다. 레이저는, 스텔스 다이싱법에 있어서 조사하는 레이저인 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 의 재질은, 예를 들어, 실리콘, 질화규소, 질화갈륨, 실리콘 카바이드 (SiC), 사파이어, 갈륨비소, 및 유리로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 의 재질은, 실리콘인 것이 보다 바람직하고, 단결정 실리콘인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 웨이퍼 (WF) 는, 결정 방위를 갖는 재질로 형성되어 있는 것도 바람직하다.The wafer WF is not particularly limited as long as it is a wafer made of a material that can be modified by laser irradiation. The laser is preferably a laser irradiated in the stealth dicing method. The material of the wafer WF is preferably selected from the group consisting of, for example, silicon, silicon nitride, gallium nitride, silicon carbide (SiC), sapphire, gallium arsenide, and glass. The material of the wafer WF is more preferably silicon, and still more preferably single crystal silicon. In addition, it is also preferable that wafer WF is formed of a material having a crystal orientation.
본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 제조 방법에 의하면, 잉곳과 같이 두께가 큰 처리 대상물이 아니라, 두께가 작은 판상 부재 (웨이퍼) 를 추가로 박형화할 수 있다. 웨이퍼 (WF) 의 두께는, 3 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.According to the wafer manufacturing method according to the present embodiment, it is possible to further reduce the thickness of a plate-like member (wafer) having a small thickness, instead of a large-thick processing object such as an ingot. The thickness of the wafer WF is preferably 3 mm or less.
웨이퍼 (WF) 를 분할하여 형성되는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 두께의 적어도 어느 것이, 500 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 300 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 를 분할하여 형성되는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 두께의 적어도 어느 것이, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 30 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.At least one of the thicknesses of the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 formed by dividing the wafer WF is preferably 500 μm or less, and more preferably 300 μm or less. At least one of the thicknesses of the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 formed by dividing the wafer WF is preferably 10 μm or more, and more preferably 30 μm or more.
제 1 첩부 수단 (20) 은, 제 1 박리 시트 (RL1) 의 일방의 면에 제 1 접착 시트 (AS1) 가 임시 접착된 제 1 원반 (原反) (RS1) 을 지지하는 지지 롤러 (21) 와, 제 1 원반 (RS1) 을 안내하는 가이드 롤러 (22) 와, 제 1 박리 시트 (RL1) 를 절곡하여 당해 제 1 박리 시트 (RL1) 로부터 제 1 접착 시트 (AS1) 를 박리하는 박리 부재로서의 박리판 (23) 과, 구동 기기로서의 회동 모터 (24A) 에 의해 구동되고, 핀치 롤러 (24B) 로 제 1 박리 시트 (RL1) 를 사이에 두는 구동 롤러 (24) 와, 제 1 박리 시트 (RL1) 를 회수하는 회수 롤러 (25) 와, 박리판 (23) 으로 박리된 제 1 접착 시트 (AS1) 를 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1), 및 제 1 프레임 부재로서의 제 1 링 프레임 (RF1) 에 압압하여 첩부하는 압압 수단으로서의 압압 롤러 (26) 와, 구동 기기로서의 리니어 모터 (27) 의 슬라이더 (27A) 에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시되지 않은 감압 수단에 의해, 웨이퍼 (WF), 및 제 1 링 프레임 (RF1) 을 흡착 유지 가능한 유지 테이블 (28) 을 구비한다. 제 1 첩부 수단 (20) 은, 웨이퍼 (WF), 및 제 1 링 프레임 (RF1) 에 제 1 접착 시트 (AS1) 를 첩부하여 1 차 가공품 (WK1) 을 형성한다.The 1st sticking means 20 is the support roller 21 which supports the 1st original disc RS1 on which the 1st adhesive sheet AS1 was temporarily adhered to one surface of the 1st peeling sheet RL1. and a guide roller 22 for guiding the first master RS1, and a peeling member for peeling the first adhesive sheet AS1 from the first peeling sheet RL1 by bending the first peeling sheet RL1. The peeling plate 23 and the drive roller 24 which is driven by the rotation motor 24A as a driving device and sandwiches the first peeling sheet RL1 with the pinch roller 24B, and the first peeling sheet RL1 ), the first surface WF1 of the wafer WF, and the first ring frame as the first frame member ( RF1) is supported by a pressure roller 26 as a pressure means for pressing and attaching the wafer and a pressure-reduction means (not shown) such as a pressure-reducing pump or a vacuum ejector supported by a slider 27A of a linear motor 27 as a driving device. (WF), and a holding table 28 capable of adsorbing and holding the first ring frame RF1. The first sticking unit 20 attaches the first adhesive sheet AS1 to the wafer WF and the first ring frame RF1 to form a primary processed product WK1.
개질부 형성 수단 (30) 은, 레이저 조사기 (32) 를 구비하고 있다. 레이저 조사기 (32) 는, 구동 기기로서의 리니어 모터 (31) 의 슬라이더 (31A) 에 지지되어 있다.The reforming part formation means 30 includes a laser irradiator 32 . The laser irradiator 32 is supported by a slider 31A of a linear motor 31 as a driving device.
제 2 첩부 수단 (40) 은, 제 2 박리 시트 (RL2) 의 일방의 면에 제 2 접착 시트 (AS2) 가 임시 접착된 제 2 원반 (RS2) 으로부터 당해 제 2 접착 시트 (AS2) 를 박리하고, 당해 제 2 접착 시트 (AS2) 를 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2), 및 제 2 프레임 부재로서의 제 2 링 프레임 (RF2) 에 첩부하여 2 차 가공품 (WK2) 을 형성한다. 제 2 첩부 수단 (40) 은, 실질적으로 제 1 첩부 수단 (20) 과 동일한 구성이고, 제 1 첩부 수단 (20) 에 있어서의 첨부 번호의 선두 2 의 기호를 4 로 치환함으로써 설명할 수 있기 때문에, 그 설명을 생략한다. 또한, 제 2 첩부 수단 (40) 은, 유지 테이블 (48) 로 1 차 가공품 (WK1), 및 제 2 링 프레임 (RF2) 을 흡착 유지하는 구성으로 되어 있다.The second sticking means 40 peels the second adhesive sheet AS2 from the second master RS2 to which the second adhesive sheet AS2 is temporarily adhered to one surface of the second peeling sheet RL2, and , The second adhesive sheet AS2 is adhered to the second surface WF2 of the wafer WF and the second ring frame RF2 as the second frame member to form the secondary processed product WK2. The second sticking means 40 has substantially the same configuration as the first sticking means 20, and can be explained by replacing the symbol of the leading 2 of the attachment number in the first sticking means 20 with 4. , the explanation is omitted. Moreover, the 2nd sticking means 40 has a structure which adsorbs and holds primary processed product WK1 and 2nd ring frame RF2 by the holding table 48.
분할 수단 (50) 은, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시되지 않은 감압 수단에 의해 제 1 접착 시트 (AS1) 를 개재하여 웨이퍼 (WF), 및 제 1 링 프레임 (RF1) 을 흡착 유지 가능한 유지면 (51A) 을 갖는 아래 테이블 (51) 과, 구동 기기로서의 회동 모터 (52) 의 출력 축 (52A) 에 우단부가 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시되지 않은 감압 수단에 의해 제 2 접착 시트 (AS2) 를 개재하여 웨이퍼 (WF), 및 제 2 링 프레임 (RF2) 을 흡착 유지 가능한 유지면 (53A) 을 갖는 위 테이블 (53) 을 구비한다. 분할 수단 (50) 은, 아래 테이블 (51) 과 위 테이블 (53) 을 X-Z 평면 내의 회전 방향으로 상대 이동시켜, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 당해 웨이퍼 (WF) 를 이간시키는 구성으로 되어 있다.The dividing means 50 is a holding surface capable of adsorbing and holding the wafer WF and the first ring frame RF1 via the first adhesive sheet AS1 by a pressure reducing means (not shown) such as a pressure reducing pump or a vacuum ejector. The right end portion is supported by the lower table 51 having the lower table 51A and the output shaft 52A of the rotation motor 52 as a driving device, and the second adhesive sheet is provided by a pressure reducing means (not shown) such as a pressure reducing pump or a vacuum ejector. An upper table 53 having a holding surface 53A capable of adsorbing and holding the wafer WF and the second ring frame RF2 via AS2 is provided. The dividing means 50 is configured to relatively move the lower table 51 and the upper table 53 in the rotation direction in the X-Z plane to separate the wafer WF in the thickness direction of the wafer WF.
이상의 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 에 있어서, 웨이퍼 (WF) 로부터 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 형성하는 순서를 설명한다.In the above thinned wafer manufacturing apparatus 10, the procedure of forming the 1st thinned wafer WT1 and the 2nd thinned wafer WT2 from the wafer WF is demonstrated.
먼저, 각 부재가 초기 위치에 배치된 도 2, 도 3, 도 7a, 도 7b, 및 도 7c 중의 실선으로 나타내는 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 에 대하여, 작업자가 제 1 원반 (RS1), 및 제 2 원반 (RS2) 을 도 2, 및 도 3 에 나타내는 바와 같이 세트한 후, 도시되지 않은 조작 패널이나 퍼스널 컴퓨터 등의 입력 수단을 통하여 자동 운전 개시의 신호를 입력한다. 그리고, 작업자 또는 다관절 로봇이나 벨트 컨베이어 등의 도시되지 않은 반송 수단이, 도 2 중의 실선으로 나타내는 바와 같이 제 1 링 프레임 (RF1), 및 웨이퍼 (WF) 를 유지 테이블 (28) 상에 재치 (載置) 하면, 제 1 첩부 수단 (20) 이 도시되지 않은 감압 수단을 구동하여, 제 1 링 프레임 (RF1), 및 웨이퍼 (WF) 를 유지 테이블 (28) 의 상면에서 흡착 유지한다.First, with respect to the thinning wafer manufacturing apparatus 10 indicated by solid lines in FIGS. 2, 3, 7A, 7B, and 7C in which each member is disposed at an initial position, an operator sets the first master RS1, and After setting the second disk RS2 as shown in Figs. 2 and 3, a signal to start the automatic driving is input through an input means such as an operation panel or personal computer (not shown). Then, as indicated by solid lines in FIG. 2 , a conveyance means (not shown) such as an operator or an articulated robot or a belt conveyor places the first ring frame RF1 and the wafer WF on the holding table 28 ( If it is unloaded, the 1st sticking means 20 drives the decompression means (not shown), and adsorbs and holds the 1st ring frame RF1 and the wafer WF on the upper surface of the holding table 28.
그 후, 제 1 첩부 수단 (20) 이 리니어 모터 (27) 를 구동하고, 유지 테이블 (28) 을 왼쪽 방향으로 이동시켜, 제 1 링 프레임 (RF1), 및 웨이퍼 (WF) 가 소정 위치에 도달한 것이 광학 센서나 촬상 수단 등의 도시되지 않은 검지 수단에 검지되면, 회동 모터 (24A) 를 구동하고, 유지 테이블 (28) 의 이동 속도에 맞추어 제 1 원반 (RS1) 을 계속 내보낸다. 이에 의해, 제 1 접착 시트 (AS1) 가 박리판 (23) 에서 제 1 박리 시트 (RL1) 로부터 박리되고, 압압 롤러 (26) 에 의해 제 1 링 프레임 (RF1), 및 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 에 첩부되어 1 차 가공품 (WK1) 이 형성된다 (제 1 첩부 공정). 1 차 가공품 (WK1) 이 도 2 중의 2 점 쇄선으로 나타내는 소정 위치에 도달하면, 제 1 첩부 수단 (20) 이 리니어 모터 (27), 및 도시되지 않은 감압 수단의 구동을 정지한다. 이어서, 작업자 또는 도시되지 않은 반송 수단이, 도 3 중의 실선으로 나타내는 바와 같이, 제 1 접착 시트 (AS1) 가 하방이 되는 상태에서 1 차 가공품 (WK1) 을 유지 테이블 (48) 의 상면에 재치한다. 그 후, 작업자 또는 도시되지 않은 반송 수단이 1 차 가공품 (WK1) 을 둘러싸도록 제 2 링 프레임 (RF2) 을 유지 테이블 (48) 의 상면에 재치하면, 제 2 첩부 수단 (40) 이 도시되지 않은 감압 수단을 구동하고, 제 2 링 프레임 (RF2), 및 1 차 가공품 (WK1) 을 유지 테이블 (48) 의 상면에서 흡착 유지한다.After that, the first sticking unit 20 drives the linear motor 27 to move the holding table 28 leftward, so that the first ring frame RF1 and the wafer WF reach a predetermined position. When this is detected by unillustrated detection means such as an optical sensor or imaging means, the rotation motor 24A is driven to continuously feed the first master RS1 according to the moving speed of the holding table 28. As a result, the first adhesive sheet AS1 is peeled from the first release sheet RL1 on the release plate 23, and the first ring frame RF1 and the wafer WF are separated by the pressure roller 26. It is affixed to 1 surface WF1, and the 1st processed product WK1 is formed (1st sticking process). When the primary processed product WK1 reaches a predetermined position indicated by the dashed-two dotted line in Fig. 2, the first sticking unit 20 stops driving the linear motor 27 and the pressure reducing unit (not shown). Next, as indicated by the solid line in Fig. 3, an operator or a conveyance unit (not shown) places the primary workpiece WK1 on the upper surface of the holding table 48 with the first adhesive sheet AS1 facing downward. . After that, when the second ring frame RF2 is placed on the upper surface of the holding table 48 so as to enclose the primary workpiece WK1 by an operator or conveyance means (not shown), the second sticking means 40 (not shown) The pressure reducing means is driven to adsorb and hold the second ring frame RF2 and the primary workpiece WK1 on the upper surface of the holding table 48 .
다음으로, 개질부 형성 수단 (30) 이 레이저 (LB) 를 웨이퍼 (WF) 에 조사하는 레이저 조사 공정을 실시한다 (도 3 참조).Next, a laser irradiation step in which the reforming portion forming unit 30 irradiates the wafer WF with the laser LB is performed (see Fig. 3).
레이저 조사 공정에 있어서는, 제 2 첩부 수단 (40) 이 리니어 모터 (47) 를 구동하고, 유지 테이블 (48) 을 오른쪽 방향으로 이동시키면, 당해 유지 테이블 (48) 의 이동에 동기시켜 개질부 형성 수단 (30) 이 레이저 조사기 (32), 및 리니어 모터 (31) 를 구동하고, 당해 레이저 조사기 (32) 를 전후 방향으로 이동시킨다. 개질부 형성 수단 (30) 은, 반도체 웨이퍼를 개질할 수 있는 레이저 (LB) 를 조사하는 수단이면 특별히 한정되지 않는다. 개질부 형성 수단 (30) 으로는, 예를 들어, 스텔스 다이싱법에 채용되는 장치를 사용할 수도 있다.In the laser irradiation step, when the second sticking means 40 drives the linear motor 47 to move the holding table 48 to the right, synchronizing with the movement of the holding table 48, the reforming part forming means (30) The laser irradiator 32 and the linear motor 31 are driven to move the laser irradiator 32 in the forward and backward directions. The reforming portion forming means 30 is not particularly limited as long as it is a means for irradiating a laser LB capable of modifying a semiconductor wafer. As the reforming portion forming means 30, for example, an apparatus employed in a stealth dicing method may be used.
또한, 레이저 조사 공정에 있어서는, 레이저 조사기 (32) 를 전후 방향으로 이동시키면서 레이저 (LB) 를 웨이퍼 (WF) 에 조사한다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 레이저 (LB) 를 조사한다. 제 2 표면 (WF2) 은, 레이저 (LB) 가 웨이퍼 (WF) 의 내부에 입사되기 쉽도록, 연마되어 있는 것이 바람직하다.In the laser irradiation step, the laser LB is irradiated to the wafer WF while moving the laser irradiator 32 in the forward and backward directions. In this embodiment, the laser LB is irradiated from the side of the second surface WF2 of the wafer WF. The second surface WF2 is preferably polished so that the laser LB is easily incident on the inside of the wafer WF.
레이저 조사기 (32) 는, 웨이퍼 (WF) 의 내부에, 개질된 부분 (개질부라고 한다) 을 형성할 수 있도록 레이저 조사 조건이 설정되어 있다. 레이저 조사 조건으로는, 예를 들어, 레이저 출력, 레이저 주파수, 펄스 폭, 레이저 조사점의 위치, 및 레이저 파장 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In the laser irradiator 32, laser irradiation conditions are set so that a modified portion (referred to as a modified portion) can be formed inside the wafer WF. As laser irradiation conditions, although a laser output, a laser frequency, a pulse width, the position of a laser irradiation point, and a laser wavelength etc. are mentioned, it is not limited to these, for example.
도 4 는, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 나타내는 웨이퍼 (WF) 의 종단면 개략도이다.4 is a schematic longitudinal cross-sectional view of the wafer WF showing the internal division surface DP of the wafer WF.
도 5 는, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성한 후의 웨이퍼 (WF) 의 종단면 개략도이다.5 is a schematic longitudinal cross-sectional view of the wafer WF after forming a plurality of reforming portions RP along the internal dividing surface DP of the wafer WF.
도 6 은, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성한 후의 웨이퍼 (WF) 의 횡단면 개략도이다.6 is a schematic cross-sectional view of the wafer WF after forming a plurality of reforming portions RP along the internal division surface DP of the wafer WF.
또한, 도 4, 도 5, 및 도 6 에 있어서, 도면의 시인성의 관점에서 해치는 생략되어 있다.4, 5, and 6, hatching is omitted from the viewpoint of the visibility of the drawings.
레이저 조사 공정에 있어서는, 레이저 (LB) 를 조사하여, 복수의 개질부 (RP) 를, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 형성한다. 즉, 복수의 개질부 (RP) 가 존재하고 있는 웨이퍼 내부의 면상의 영역이 분할면 (DP) 에 상당한다. 또한, 분할면 (DP) 은, 웨이퍼 (WF) 를 분할할 예정의 가상적인 면이다.In the laser irradiation step, the laser LB is irradiated to form a plurality of reforming portions RP along the dividing surface DP inside the wafer WF. That is, the planar region inside the wafer in which a plurality of reforming portions RP exist corresponds to the dividing surface DP. In addition, the dividing surface DP is a virtual surface to be divided into the wafer WF.
개질부 (RP) 를 기점으로 하여, 후의 분할 공정에 있어서, 웨이퍼 (WF) 가 분할된다.Using the reforming part RP as the starting point, in a subsequent division process, the wafer WF is divided.
웨이퍼 (WF) 가 결정 방위를 갖는 재질로 형성되어 있는 경우, 분할면 (DP) 과 결정 방위가 일치하고 있는 것이 바람직하다. 분할면 (DP) 과 결정 방위가 일치하고 있으면, 웨이퍼 (WF) 의 분할에 의해 나타나는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 의 표면, 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 표면 (분할면 (DP) 과 대응하는 면) 을, 보다 매끄럽게 할 수 있다. 분할에 의해 나타나는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 의 표면을 제 1 노출면 (WF3) 이라고 한다 (도 7c 참조). 분할에 의해 나타나는 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 표면을 제 2 노출면 (WF4) (도 7c 참조) 이라고 한다.When the wafer WF is formed of a material having a crystal orientation, it is preferable that the dividing plane DP and the crystal orientation coincide. If the split plane DP and the crystal orientation coincide, the surface of the first thinned wafer WT1 and the surface of the second thinned wafer WT2 appearing by the split of the wafer WF (corresponding to the split plane DP) surface) can be made smoother. The surface of the first thinned wafer WT1 appearing by division is referred to as a first exposed surface WF3 (see Fig. 7C). The surface of the second thinned wafer WT2 appearing by division is referred to as a second exposed surface WF4 (see Fig. 7C).
본 명세서에 있어서, 개질부는, 웨이퍼의 성질이나 강도를 변화시켜 취약화 또는 연화한 부위이다. 본 명세서에 있어서, 개질부는, 웨이퍼의 내부의 레이저가 조사된 레이저 조사점과, 이 레이저 조사점을 중심부로 하여, 이 중심부의 주변에 형성된 주변부를 포함한 영역을 말한다. 웨이퍼의 내부에 있어서의 개질 강도는, 레이저 조사점에 있어서 최대이다. 주변부의 개질 강도는, 레이저 조사점으로부터 멀어질수록 저감한다.In this specification, the modified portion is a portion weakened or softened by changing the properties or strength of the wafer. In this specification, the modified portion refers to a region including a laser irradiation point inside the wafer where a laser is irradiated and a peripheral portion formed around the central portion with the laser irradiation point as the center. The modification strength inside the wafer is the maximum at the laser irradiation point. The modified strength of the peripheral portion decreases as the distance from the laser irradiation point increases.
도 5 및 도 6 에는, 단면이 원형인 개질부 (RP) 가 나타나 있지만, 본 명세서에 있어서의 개질부의 형상이나 크기는, 도 5 및 도 6 에 나타난 것과 같은 형상에 한정되지 않는다.5 and 6 show a reforming portion RP having a circular cross section, but the shape and size of the reforming portion in this specification are not limited to the shapes shown in FIGS. 5 and 6 .
개질부 (RP) 는, 분할면 (DP) 의 전체에 걸쳐 형성되어 있는 것도 바람직하다. 형성하는 개질부 (RP) 의 개수는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼 (WF) 의 재질 및 레이저에 의한 개질 강도에 따라, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할하기 쉽도록, 형성하는 개질부 (RP) 의 개수를 설정할 수도 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 생산성도 고려하여, 형성하는 개질부 (RP) 의 개수를 설정할 수도 있다.It is also preferable that the reforming portion RP is formed over the entirety of the dividing surface DP. The number of reforming parts RP to be formed is not particularly limited. For example, according to the material of the wafer WF and the strength of the modification by the laser, the number of reforming parts RP to be formed is set so as to be easily divided into the first thinning wafer WT1 and the second thinning wafer WT2. can also be set. In addition, the number of reforming parts RP to be formed can be set in consideration of the productivity of the semiconductor wafer.
본 실시형태에서는, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 는, 서로 겹쳐 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 복수의 개질부는, 서로 겹쳐 있다는 것은, 1 개의 개질부가, 다른 개질부 중, 적어도 1 개의 개질부와 겹쳐 있는 것을 의미하고 있고, 1 개의 개질부가 다른 모든 개질부와 겹쳐 있는 것을 규정하는 의미는 아니다. 레이저 조사 공정에 있어서는, 복수의 개질부 (RP) 가 서로 겹치도록 레이저 조사 조건을 설정한다.In this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6 , a plurality of reforming parts RP overlap each other. In addition, in this specification, when a plurality of reforming units overlap each other, it means that one reforming unit overlaps with at least one of the other reforming units, and one reforming unit overlaps with all other reforming units. It does not mean to define what exists. In the laser irradiation step, laser irradiation conditions are set such that a plurality of reforming portions RP overlap each other.
본 실시형태에서는, 레이저 (LB) 를 분할면 (DP) 을 따라 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 간격으로 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저 (LB) 가 조사된 점 (레이저 조사점) 끼리의 간격 (D) 이, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하가 되도록, 레이저 (LB) 를 조사하는 것이 바람직하다. 레이저 조사점의 간격 (D) 이 1 ㎛ 이상이면 생산성이 향상된다. 레이저 조사점의 간격이 350 ㎛ 이하이면, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 균열이 발생하기 쉬워진다는 문제를 억제할 수 있다. 레이저 조사점의 간격 (D) 은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위 내이면, 모든 개질부 (RP) 에 있어서 동일해도 되고, 상이해도 된다.In this embodiment, it is preferable to irradiate the laser LB along the dividing surface DP at an interval of 1 μm or more and 350 μm or less. That is, it is preferable to irradiate the laser LB so that the distance D between the points irradiated with the laser LB (laser irradiation points) is 1 μm or more and 350 μm or less. Productivity improves as the distance (D) of laser irradiation points is 1 micrometer or more. If the interval between the laser irradiation points is 350 μm or less, the problem that cracks easily occur in the thickness direction of the wafer WF can be suppressed. The interval D between the laser irradiation points may be the same or different in all the modified parts RP, as long as they are in the range of 1 μm or more and 350 μm or less.
레이저 조사점의 간격은, 예를 들어, 유지 테이블 (48) 및 레이저 조사기 (32) 의 적어도 어느 것의 이동 속도를 변화시킴으로써, 소정 거리로 조정할 수 있다.The distance between the laser irradiation points can be adjusted to a predetermined distance by changing the moving speed of at least one of the holding table 48 and the laser irradiator 32, for example.
웨이퍼 (WF) 의 내부에, 웨이퍼 (WF) 를 면 방향으로 분할시키기 위해서 필요한 복수의 개질부 (RP) 가 형성되면, 개질부 형성 수단 (30) 이 레이저 조사기 (32) 의 구동을 정지한다. 레이저 조사기 (32) 의 구동을 정지한 후, 1 차 가공품 (WK1) 이 도 3 중의 2 점 쇄선으로 나타내는 소정 위치에 도달하면, 제 2 첩부 수단 (40) 이 리니어 모터 (47) 의 구동을 정지한다. 이어서, 제 2 첩부 수단 (40) 이 리니어 모터 (47) 를 구동하고, 유지 테이블 (48) 을 왼쪽 방향으로 이동시켜, 상기 제 1 첩부 수단 (20) 과 동일한 동작을 실시함으로써, 도 3 의 부호 AA 의 도면에 나타내는 바와 같은 2 차 가공품 (WK2) 이 형성된다 (제 2 첩부 공정). 유지 테이블 (48) 이 초기 위치로 복귀하면, 제 2 첩부 수단 (40) 이 리니어 모터 (47) 의 구동을 정지함과 함께, 도시되지 않은 감압 수단의 구동을 정지한다.When a plurality of reforming portions RP necessary for dividing the wafer WF in the plane direction are formed inside the wafer WF, the reforming portion formation means 30 stops driving the laser irradiator 32 . After the drive of the laser irradiator 32 is stopped, when the primary workpiece WK1 reaches a predetermined position indicated by the dashed-two dotted line in Fig. 3, the second sticking means 40 stops driving the linear motor 47. do. Next, the 2nd sticking means 40 drives the linear motor 47, moves the holding table 48 leftward, and performs the same operation|movement as the said 1st sticking means 20, the code of FIG. A secondary processed product (WK2) as shown in the drawing of AA is formed (2nd sticking process). When the holding table 48 returns to the initial position, the second sticking means 40 stops driving the linear motor 47 and also stops driving an unillustrated pressure reducing means.
이어서, 작업자 또는 도시되지 않은 반송 수단이, 도 7a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 접착 시트 (AS1) 가 하방이 되는 상태에서 2 차 가공품 (WK2) 을 아래 테이블 (51) 의 유지면 (51A) 상에 재치하면, 분할 수단 (50) 이 도시되지 않은 감압 수단을 구동하고, 2 차 가공품 (WK2) 을 유지면 (51A) 에서 흡착 유지한다. 그 후, 분할 수단 (50) 이 회동 모터 (52) 를 구동하여, 위 테이블 (53) 을 반시계 회전 방향으로 회전시켜, 도 7b 에 나타내는 바와 같이, 위 테이블 (53) 을 2 차 가공품 (WK2) 에 맞닿게 한 후, 도시되지 않은 감압 수단을 구동하여, 당해 2 차 가공품 (WK2) 을 유지면 (53A) 에서 흡착 유지시킨다. 그리고, 분할 수단 (50) 이 회동 모터 (52) 를 구동하여, 위 테이블 (53) 을 시계 회전 방향으로 회전시켜, 도 7c 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 웨이퍼 (WF) 를 분할함으로써, 박형화된 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 형성한다 (분할 공정). 다음으로, 작업자 또는 도시되지 않은 반송 수단이 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 유지하면, 분할 수단 (50) 이 도시되지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 흡착 유지를 해제한다. 그 후, 도시되지 않은 반송 수단이 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 다음 공정으로 반송하면, 각 수단이 각각의 구동 기기를 구동하여, 각 부재를 초기 위치에 복귀시키고, 이후, 상기와 동일한 동작이 반복된다.Next, as shown in FIG. 7A, an operator or a conveyance means (not shown) places the secondary workpiece WK2 on the holding surface 51A of the lower table 51 with the first adhesive sheet AS1 facing downward. , the dividing unit 50 drives a pressure reducing unit (not shown) to adsorb and hold the secondary workpiece WK2 on the holding surface 51A. After that, the division means 50 drives the rotation motor 52 to rotate the upper table 53 in a counterclockwise rotation direction, and as shown in FIG. ), the pressure reducing unit (not shown) is driven to adsorb and hold the second processed product WK2 on the holding surface 53A. Then, the dividing means 50 drives the rotation motor 52 to rotate the upper table 53 clockwise, and as shown in FIG. 7C , the dividing surface DP on which a plurality of reforming parts RP is formed ) as a boundary, the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 are formed by dividing the wafer WF (dividing step). Next, when an operator or conveying means (not shown) holds the first thinned wafer (WT1) and the second thinned wafer (WT2), the dividing means (50) stops driving the pressure reducing means (not shown), Adsorption holding of the thinned wafer (WT1) and the second thinned wafer (WT2) is released. After that, when conveying means (not shown) convey the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 to the next step, each means drives each driving device to return each member to its initial position. After that, the same operation as above is repeated.
본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 당해 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 당해 웨이퍼 (WF) 를 분할한다. 그 때문에, 본 실시형태에 의하면, 순수를 사용하지 않고, 연마법에 비하여 박형화의 시간을 단축시키고, 웨이퍼 (WF) 의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF, and the wafer WF is divided with a dividing surface DP on which the plurality of reforming portions RP are formed as a boundary. do. Therefore, according to the present embodiment, compared to the polishing method, the thinning time can be shortened, cracking of the wafer WF can be suppressed, and thickness precision can be improved, without using pure water.
또한, 본 실시형태에 의하면, 복수의 개질부 (RP) 를 서로 겹치도록 형성한다. 그 때문에, 개질부가 분할면을 따라 보다 많이 존재하고 있어, 웨이퍼 (WF) 를 분할하기 쉬워진다.Further, according to the present embodiment, a plurality of reforming parts RP are formed so as to overlap each other. For this reason, more modified portions exist along the dividing plane, making it easier to divide the wafer WF.
[제 2 실시형태][Second Embodiment]
제 2 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 복수의 개질부를 형성할 때의 개질부끼리의 위치 관계가, 제 1 실시형태와 상이하다. 그 밖의 점에 대해서는, 제 2 실시형태는, 제 1 실시형태와 동일하기 때문에, 설명을 생략 또는 간략화한다.The manufacturing method of the thin plate-like member according to the second embodiment is different from that of the first embodiment in the positional relationship between the modified parts when forming a plurality of modified parts. Regarding other points, since the second embodiment is the same as the first embodiment, the description is omitted or simplified.
제 2 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법도, 박형화 판상 부재의 일례인 박형화 웨이퍼를 제조하기 위한 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 를 사용하여 실시할 수 있다.The manufacturing method of the thinned plate-like member according to the second embodiment can also be carried out using the thinned wafer manufacturing apparatus 10 for manufacturing a thinned wafer, which is an example of the thinned plate-like member.
제 2 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 레이저 조사 공정에 관해서, 제 1 실시형태의 레이저 조사 공정과 상이하다. 구체적으로는, 제 2 실시형태에 있어서는, 개질부 (RP) 끼리가 서로 떨어져 있는 점에서, 개질부끼리가 서로 겹쳐 있는 제 1 실시형태와는 상이하다.The manufacturing method of the thinning plate-like member according to the second embodiment differs from the laser irradiation step of the first embodiment in terms of the laser irradiation step. Specifically, the second embodiment is different from the first embodiment in which the reforming units overlap each other in that the reforming units RP are separated from each other.
도 8 은, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성한 후의 웨이퍼 (WF) 의 종단면 개략도이다.8 is a schematic cross-sectional view of the wafer WF after forming a plurality of reforming portions RP along the dividing surface DP inside the wafer WF.
도 9 는, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성한 후의 웨이퍼 (WF) 의 횡단면 개략도이다.9 is a schematic cross-sectional view of the wafer WF after forming a plurality of reforming portions RP along the internal division surface DP of the wafer WF.
또한, 도 8 및 도 9 에 있어서, 도면의 시인성의 관점에서 해치는 생략되어 있다.8 and 9, hatching is omitted from the viewpoint of the visibility of the drawings.
본 실시형태에서는, 도 8 및 도 9 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 는, 서로 떨어져 있다. 레이저 조사 공정에 있어서는, 복수의 개질부 (RP) 가 서로 겹치지 않도록 레이저 조사 조건을 설정한다.In this embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9 , the plurality of reforming parts RP are separated from each other. In the laser irradiation step, laser irradiation conditions are set so that the plurality of reforming portions RP do not overlap each other.
도 8 및 도 9 에는, 단면이 원형인 개질부 (RP) 가 나타나 있지만, 본 명세서에 있어서의 개질부의 형상이나 크기는, 도 8 및 도 9 에 나타낸 것과 같은 형상으로 한정되지 않는다.8 and 9 show a reforming portion RP having a circular cross section, but the shape and size of the reforming portion in this specification are not limited to the shapes shown in FIGS. 8 and 9 .
본 실시형태에 있어서도, 레이저 (LB) 를 분할면 (DP) 을 따라 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 간격으로 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저 (LB) 가 조사된 점 (레이저 조사점) 끼리의 간격 (D1) 이, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하가 되도록, 레이저 (LB) 를 조사하는 것이 바람직하다. 레이저 조사점의 간격 (D1) 이 1 ㎛ 이상이면 생산성이 향상된다. 레이저 조사점의 간격이 350 ㎛ 이하이면, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 균열이 발생하기 쉬워진다는 문제를 억제할 수 있다. 레이저 조사점의 간격 (D1) 은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위 내이면, 모든 개질부 (RP) 에 있어서 동일해도 되고, 상이해도 된다.Also in this embodiment, it is preferable to irradiate the laser LB along the dividing surface DP at an interval of 1 μm or more and 350 μm or less. That is, it is preferable to irradiate the laser LB so that the distance D1 between the points irradiated with the laser LB (laser irradiation points) is 1 μm or more and 350 μm or less. Productivity is improved when the distance (D1) between laser irradiation points is 1 µm or more. If the interval between the laser irradiation points is 350 μm or less, the problem that cracks easily occur in the thickness direction of the wafer WF can be suppressed. The distance D1 between the laser irradiation points may be the same or different in all the modified parts RP, as long as they are in the range of 1 μm or more and 350 μm or less.
이웃하는 개질부 (RP) 끼리의 간격 (일방의 개질부의 끝과 타방의 개질부의 끝의 간격) 은, 웨이퍼 (WF) 를 면 방향으로 분할할 수 있는 간격이면, 특별히 한정되지 않는다.The distance between adjacent reforming parts RP (the distance between the end of one reforming part and the end of the other modification part) is not particularly limited as long as the wafer WF can be divided in the plane direction.
레이저 조사점의 간격은, 예를 들어, 유지 테이블 (48) 및 레이저 조사기 (32) 의 적어도 어느 것의 이동 속도를 변화시킴으로써, 소정 거리로 조정할 수 있다.The distance between the laser irradiation points can be adjusted to a predetermined distance by changing the moving speed of at least one of the holding table 48 and the laser irradiator 32, for example.
본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 당해 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 당해 웨이퍼 (WF) 를 분할한다. 그 때문에, 본 실시형태에 의하면, 순수를 사용하지 않고, 연마법에 비하여 박형화의 시간을 단축시키고, 웨이퍼 (WF) 의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF, and the wafer WF is divided with a dividing surface DP on which the plurality of reforming portions RP are formed as a boundary. do. Therefore, according to the present embodiment, compared to the polishing method, the thinning time can be shortened, cracking of the wafer WF can be suppressed, and thickness precision can be improved, without using pure water.
또한, 본 실시형태에 의하면, 복수의 개질부 (RP) 를 서로 겹치지 않게 형성한다. 그 때문에, 레이저 조사점의 수를 적게 할 수 있어, 박형화 판상 부재의 생산성이 향상된다.Further, according to the present embodiment, a plurality of reforming parts RP are formed so as not to overlap each other. Therefore, the number of laser irradiation points can be reduced, and the productivity of the thinned plate-like member is improved.
[제 3 실시형태][Third Embodiment]
제 3 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 복수의 개질부를 형성할 때의 레이저 조사점끼리의 간격이 분할면 내에 있어서 상이하다. 제 1 실시형태, 및 제 2 실시형태와 상이한 점에 대하여 이하에 설명하고, 제 1 실시형태, 및 제 2 실시형태와 동일한 점은, 설명을 생략 또는 간략화한다.In the manufacturing method of the thinning plate-like member according to the third embodiment, the distance between the laser irradiation points when forming the plurality of modified portions is different in the dividing plane. Different points from the first embodiment and the second embodiment will be described below, and the description of the same points as the first embodiment and the second embodiment will be omitted or simplified.
본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서는, 레이저 조사 공정을 다음에 나타내는 바와 같이 구체적인 레이저 조사 조건하에서 실시하는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the thinned plate-like member according to the present embodiment is characterized in that the laser irradiation step is performed under specific laser irradiation conditions as shown below.
즉, 본 실시형태에 관련된 제조 방법의 레이저 조사 공정에 있어서, 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서 판상 부재에 복수의 개질부를 형성하고, 판상 부재의 외주부측에 있어서의 레이저 조사점끼리의 간격과, 판상 부재의 중심부측에 있어서의 레이저 조사점끼리의 간격이, 상이하다.That is, in the laser irradiation step of the manufacturing method according to the present embodiment, a plurality of modified portions are formed in the plate-like member while moving the position of the laser irradiation point, and the distance between the laser irradiation points on the outer periphery side of the plate-like member is , the intervals between the laser irradiation points on the center side of the plate-like member are different.
본 실시형태에 관련된 제조 방법의 레이저 조사 공정에 있어서는, 레이저를 조사하는 레이저 조사기, 및 판상 부재의 적어도 어느 것을 이동시키는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 관련된 제조 방법의 레이저 조사 공정에 있어서는, 판상 부재를 이동시키지 않고 레이저 조사기를 이동시킴으로써 레이저 조사점의 위치를 이동시키는 제 1 양태, 레이저 조사기를 이동시키지 않고 판상 부재를 이동시킴으로써 레이저 조사점의 위치를 이동시키는 제 2 양태, 그리고 판상 부재 및 레이저 조사기를 이동시킴으로써 레이저 조사점의 위치를 이동시키는 제 3 양태의 어느 것을 채용할 수 있다. 후술하는 본 실시형태의 보다 상세한 설명에서는, 본 실시형태의 제 1 양태를 채용한 경우를 일례로서 든다.In the laser irradiation step of the manufacturing method according to the present embodiment, it is preferable to move at least one of the laser irradiator that irradiates the laser and the plate-like member. That is, in the laser irradiation step of the manufacturing method according to the present embodiment, the first aspect in which the position of the laser irradiation point is moved by moving the laser irradiator without moving the plate-like member, by moving the plate-like member without moving the laser irradiator Either of the second aspect of moving the position of the laser irradiation point and the third aspect of moving the position of the laser irradiation point by moving the plate-like member and the laser irradiator can be employed. In more detailed description of this embodiment to be described later, the case where the first aspect of this embodiment is employed is taken as an example.
본 실시형태에 관련된 제조 방법의 레이저 조사 공정에 있어서는, 레이저 조사기, 및 판상 부재의 적어도 어느 것을 회전시킴으로써, 레이저의 조사점의 위치를 이동시키는 것이 바람직하다. 레이저 조사기, 및 판상 부재의 적어도 어느 것을 회전시킴으로써, 레이저 조사 속도를 향상시킬 수 있다. 레이저 조사기, 및 판상 부재의 적어도 어느 것을 회전시킴으로써, 레이저를 직선적으로 조사하는 경우와 비교해서, 가속과 감속의 횟수를 줄일 수 있다. 레이저를 직선적으로 복수 지점에 조사하는 경우에는, 면 방향으로 조사 위치를 변경시킬 때에, 일단, 이동 속도를 감속시켜 위치 변경을 실시하는 데에 반하여, 레이저 조사기, 및 판상 부재의 적어도 어느 것을 회전시키는 경우에는, 동일한 속도로 연속해서 면 내에 조사할 수 있다.In the laser irradiation step of the manufacturing method according to the present embodiment, it is preferable to move the position of the irradiation point of the laser by rotating at least one of the laser irradiator and the plate-like member. The laser irradiation speed can be increased by rotating at least one of the laser irradiator and the plate-like member. By rotating at least one of the laser irradiator and the plate-like member, the number of accelerations and decelerations can be reduced compared to the case where the laser is irradiated linearly. In the case of linearly irradiating a plurality of points with a laser, when changing the irradiation position in the plane direction, once the moving speed is reduced and the position is changed, at least one of the laser irradiator and the plate-like member is rotated. In this case, it is possible to irradiate the surface continuously at the same speed.
여기서, 본 실시형태에 관련된 제조 방법의 레이저 조사 공정에 있어서는, 레이저 조사기, 및 판상 부재의 적어도 어느 것을, 회전시킬 뿐만 아니라, 평행 이동시키는 동작을 조합해도 된다.Here, in the laser irradiation step of the manufacturing method according to the present embodiment, an operation of not only rotating but also translating at least one of the laser irradiator and the plate-like member may be combined.
본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서도, 판상 부재는, 특별히 한정되지 않지만, 반도체 웨이퍼인 것이 바람직하다.Also in the manufacturing method of the thinning plate-like member according to the present embodiment, the plate-like member is not particularly limited, but is preferably a semiconductor wafer.
본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법도, 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 를 사용하여 실시할 수 있다.The method for manufacturing the thinned plate-like member according to the present embodiment can also be performed using the thinned wafer manufacturing apparatus 10 .
또한, 본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 도 10 에 나타내는 바와 같은 개질부 형성 수단 (30A) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용하여 실시할 수도 있다.In addition, the manufacturing method of the thinning plate-like member concerning this embodiment can also be implemented using the thinning wafer manufacturing apparatus which has the reforming part forming means 30A as shown in FIG.
도 10a, 도 10b, 및 도 10c 에는, 개질부 형성 수단 (30A) 의 개략도가 나타나 있다.10A, 10B, and 10C, schematic diagrams of the reforming portion forming means 30A are shown.
개질부 형성 수단 (30A) 은, 구동부 (320) 와, 축부 (321) 와, 아암부 (322) 와, 레이저 조사기 (323) 를 구비한다.The reforming part forming means 30A includes a driving part 320, a shaft part 321, an arm part 322, and a laser irradiator 323.
구동부 (320) 는, 축부 (321) 를 개재하여 지지하는 아암부 (322) 를, 축부 (321) 를 회전축으로 하여 회전시킨다.The drive part 320 rotates the arm part 322 supported via the shaft part 321 using the shaft part 321 as a rotating shaft.
아암부 (322) 의 길이 방향의 일단부측에 레이저 조사기 (323) 가 장착되어 있고, 타단부측에 축부 (321) 가 장착되어 있다.A laser irradiator 323 is attached to one end side of the arm part 322 in the longitudinal direction, and a shaft part 321 is attached to the other end side.
레이저 조사기 (323) 는, 아암부 (322) 의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 장착되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 레이저 조사기 (323) 는, 제 1 실시형태에 있어서의 리니어 모터 (31) 및 슬라이더 (31A) 를 갖는 구동 기기에 의해 이동시킬 수도 있다. 그 때문에, 본 실시형태의 개질부 형성 수단 (30A) 은, 아암부 (322) 가 당해 구동 기기를 가지고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the laser irradiator 323 is movably attached along the longitudinal direction of the arm part 322 . For example, the laser irradiator 323 may be moved by a driving device having the linear motor 31 and the slider 31A in the first embodiment. Therefore, it is preferable that the arm portion 322 of the reforming portion forming means 30A of the present embodiment has the drive device.
레이저 조사기 (323) 는, 판상 부재로서의 반도체 웨이퍼를 개질할 수 있는 레이저 (LB) 를 조사 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 레이저 조사기 (323) 는, 예를 들어, 상기 실시형태에서 사용한 레이저 조사기 (32) 와 동일해도 된다.The laser irradiator 323 is not particularly limited as long as it can irradiate a laser LB capable of modifying a semiconductor wafer as a plate-like member. The laser irradiator 323 may be the same as the laser irradiator 32 used in the above embodiment, for example.
다음으로, 개질부 형성 수단 (30A) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용한 본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법을 설명한다. 레이저 조사 공정 이외에는, 제 1 실시형태 또는 제 2 실시형태에서 설명한 공정과 동일하게 실시할 수 있기 때문에, 설명을 생략한다.Next, the method for manufacturing the thinned plate-like member according to the present embodiment using the thinned wafer manufacturing device having the reforming portion forming means 30A will be described. Except for the laser irradiation process, since it can be implemented in the same way as the process described in the first embodiment or the second embodiment, the description is omitted.
도 10a 에는, 웨이퍼 (WF) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 레이저 (LB) 를 조사하는 공정을 나타내는 개략도가 나타나 있다. 본 실시형태에 있어서도, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 레이저 (LB) 를 조사하여, 복수의 개질부 (RP) 를 형성한다.10A is a schematic diagram showing a step of irradiating the laser LB to the outer peripheral portion WFe side of the wafer WF. Also in this embodiment, the laser LB is irradiated along the dividing surface DP inside the wafer WF to form a plurality of reforming parts RP.
본 실시형태에서는, 도 10a 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 분할면 (DP) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 레이저 (LB) 를 조사하여, 1 개째의 레이저 조사점 (LP) 을 형성한다.In this embodiment, as shown in FIG. 10A, first, the laser LB is irradiated to the wafer outer peripheral portion WFe side of the dividing surface DP to form the first laser irradiation point LP.
다음으로, 아암부 (322) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 2 개째의 레이저 조사점을 형성한다. 이와 같이, 아암부 (322) 를 소정 각도, 회전시키면서 레이저를 조사하여, 아암부 (322) 의 회전 방향을 따라 복수의 레이저 조사점 (LP) 을 소정 간격으로 형성한다.Next, the arm part 322 is rotated by a predetermined angle, and the laser LB is irradiated to form the second laser irradiation point. In this way, the laser is irradiated while rotating the arm portion 322 at a predetermined angle, and a plurality of laser irradiation points LP are formed at predetermined intervals along the rotation direction of the arm portion 322 .
도 10b 에는, 아암부 (322) 를 180 도, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 레이저 조사점 (LP) 을 형성한 상태의 개략도가 나타나 있다.10B shows a schematic diagram of a state in which the arm portion 322 is rotated by 180 degrees and the laser LB is irradiated to form the laser irradiation point LP.
계속해서 아암부 (322) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 아암부 (322) 를 회전시킨 각도가 360 도가 될 때까지, 회전과 레이저 조사를 계속한다. 이에 의해, 레이저 조사점 (LP) 이 둘레 방향을 따라 소정 간격으로 배열된 상태가 되고, 개질부도 둘레 방향을 따라 형성된 상태가 된다. 둘레 방향을 따라 정렬하는 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.Then, the arm part 322 is rotated by a predetermined angle, laser LB is irradiated, and rotation and laser irradiation are continued until the angle at which the arm part 322 is rotated becomes 360 degrees. Thus, the laser irradiation points LP are arranged at predetermined intervals along the circumferential direction, and the modified portion is also formed along the circumferential direction. It is preferable that the distance between the laser irradiation points LP aligned along the circumferential direction is 1 μm or more and 350 μm or less.
아암부 (322) 를, 360 도, 회전시킨 후에, 레이저 조사기 (323) 를 아암부 (322) 의 길이 방향을 따라 축부 (321) 측을 향하여 소정 거리 이동시킨다.After rotating the arm portion 322 by 360 degrees, the laser irradiator 323 is moved along the longitudinal direction of the arm portion 322 toward the side of the shaft portion 321 by a predetermined distance.
도 10c 에는, 레이저 조사기 (323) 를 아암부 (322) 의 길이 방향을 따라 축부 (321) 측을 향하여 소정 거리 이동시킨 상태의 개략도가 나타나 있다.10C shows a schematic view of a state in which the laser irradiator 323 has been moved a predetermined distance toward the shaft portion 321 side along the longitudinal direction of the arm portion 322 .
레이저 조사기 (323) 를 소정 거리 이동시킨 후, 레이저 조사하여, 레이저 조사점 (LP) 을 형성한다. 그 후, 계속해서 아암부 (322) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저를 조사하여, 아암부 (322) 를 회전시킨 각도가 360 도가 될 때까지, 회전과 레이저 조사를 계속한다. 아암부 (322) 를 360 도, 회전시킨 후에, 레이저 조사기 (323) 를 아암부 (322) 의 길이 방향을 따라 축부 (321) 측을 향하여 소정 거리 이동시킨다.After moving the laser irradiator 323 a predetermined distance, laser irradiation is performed to form a laser irradiation point LP. Thereafter, the arm portion 322 is continuously rotated by a predetermined angle and laser is irradiated, and rotation and laser irradiation are continued until the angle at which the arm portion 322 is rotated becomes 360 degrees. After rotating the arm portion 322 by 360 degrees, the laser irradiator 323 is moved along the longitudinal direction of the arm portion 322 toward the side of the shaft portion 321 by a predetermined distance.
이와 같이, 아암부 (322) 의 회전과, 레이저 조사기 (323) 의 슬라이드 이동을 조합함으로써, 웨이퍼 (WF) 의 둘레 방향을 따라 동심원상으로 레이저 조사점 (LP) 이 복수 배열된 상태가 된다.In this way, by combining the rotation of the arm portion 322 and the sliding movement of the laser irradiator 323, a plurality of laser irradiation points LP are arranged concentrically along the circumferential direction of the wafer WF.
도 11 은, 본 실시형태의 레이저 조사 공정에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 위치 및 간격, 그리고 분할면 (DP) 에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 의 배열 밀도를 나타내는 종단면 개략도이다.Fig. 11 is a longitudinal cross-sectional schematic diagram showing the positions and intervals between the laser irradiation points LP in the laser irradiation step of the present embodiment, and the array density of the laser irradiation points LP on the dividing surface DP.
본 실시형태에 관련된 제조 방법에 있어서, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격과 중심부 (WFc) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이 상이하다는 양태의 일례로는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 중심부 (WFc) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격보다 작은 것이 바람직하다. 다른 양태의 예로는, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 중심부 (WFc) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격보다 큰 경우도 들 수 있다.In the manufacturing method according to the present embodiment, the distance between the laser irradiation points LP on the outer peripheral portion WFe side of the wafer and the distance between the laser irradiation points LP on the central portion WFc side are different. As an example, as shown in FIG. 11 , the distance between the laser irradiation points LP on the wafer outer peripheral portion WFe side is greater than the interval between the laser irradiation points LP on the central portion WFc side. Small is desirable. As an example of another embodiment, a case where the distance between the laser irradiation points LP on the wafer outer peripheral portion WFe side is larger than the distance between the laser irradiation points LP on the central portion WFc side is also mentioned. .
즉, 본 실시형태에 관련된 제조 방법에 있어서는, 웨이퍼 (WF) 의 분할면 (DP) 을 따라 조사하는 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을, 분할면 (DP) 내에 있어서 균일하게 하는 것이 아니라, 간격을 작게 하는 영역과, 간격을 크게 하는 영역을 형성한다.That is, in the manufacturing method according to the present embodiment, the interval between the laser irradiation points LP irradiated along the dividing surface DP of the wafer WF is not made uniform within the dividing surface DP. A region with a small interval and a region with a large interval are formed.
이와 같이 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 분할면 (DP) 내에 있어서 상이하게 함으로써, 분할면 (DP) 내에 있어서 균일하게 레이저 조사하는 경우와 비교해서, 레이저 조사점 (LP) 의 수를 줄일 수 있어, 제조 효율이 향상된다.In this way, by making the distance between the laser irradiation points LP different within the dividing surface DP, the number of laser irradiation points LP can be reduced compared to the case of uniform laser irradiation within the dividing surface DP. This can improve manufacturing efficiency.
또한, 분할면 (DP) 을 따라 웨이퍼 (WF) 를 분할 가능해지도록 개질부가 복수 형성되어 있으면 되기 때문에, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 좁게 하는 영역과, 넓게 하는 영역을 형성해도, 웨이퍼 (WF) 의 분할성과 제조 효율의 양립을 도모할 수 있다. 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격은, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 좁게 하는 영역과, 넓게 하는 영역이, 모두 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위를 만족하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 좁게 하는 영역에 있어서는, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 미만의 범위 내가 되도록 레이저 조사하고, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 넓게 하는 영역에 있어서는, 100 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위 내가 되도록 레이저 조사하는 것이 바람직하다.In addition, since it is only necessary to form a plurality of reforming portions so that the wafer WF can be divided along the dividing surface DP, even if a region for narrowing the distance between the laser irradiation points LP and a region for widening the distance between the laser irradiation points LP are formed, the wafer ( It is possible to achieve both the divisibility of WF) and the production efficiency. The distance between the laser irradiation points LP preferably satisfies the range of 1 μm or more and 350 μm or less in both a region where the distance between the laser irradiation points LP is narrowed and a region where the distance between the laser irradiation points LP is widened. For example, in a region where the distance between the laser irradiation points LP is narrowed, laser irradiation is performed so that the distance between the laser irradiation points LP is in the range of 1 μm or more and less than 100 μm, and the laser irradiation point (LP ) In a region where the interval between the two is widened, laser irradiation is preferably performed so as to be in the range of 100 μm or more and 350 μm or less.
또한, 본 실시형태에 관련된 제조 방법에 있어서는, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측으로부터 중심부 (WFc) 측을 향함에 따라 커지는 것이 바람직하다. 이 경우에 있어서, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측으로부터 중심부 (WFc) 측을 향함에 따라 연속적으로 감소하는 양태에 한정되지 않는다.Further, in the manufacturing method according to the present embodiment, it is preferable that the distance between the laser irradiation points LP increases from the outer peripheral portion WFe side to the central portion WFc side. In this case, the distance between the laser irradiation points LP is not limited to continuously decreasing from the outer peripheral portion WFe side to the central portion WFc side.
레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측으로부터 중심부 (WFc) 측을 향함에 따라 커지는 경우에는, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측의 영역에 있어서는, 어느 일정한 간격으로 레이저를 조사하고, 당해 영역보다 중심부 (WFc) 측의 영역에 있어서는, 당해 간격보다 큰 일정한 간격으로 레이저를 조사하는 양태도 포함된다. 예를 들어, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (WF) 에 있어서, 웨이퍼 외주부 (WFe) 측의 제 1 영역 (AR1) 과, 중심부 (WFc) 측의 제 2 영역 (AR2) 과, 제 1 영역 (AR1) 과 제 2 영역 (AR2) 사이의 제 3 영역 (AR3) 을 설정하고, 제 1 영역 (AR1) 에 대하여, 제 1 간격 (LD1) 으로 레이저를 복수 지점에 조사하고, 제 3 영역 (AR3) 에 대하여, 제 3 간격 (LD3) 으로 레이저를 복수 지점에 조사하고, 제 2 영역 (AR2) 에 대하여, 제 2 간격 (LD2) 으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고, 제 1 간격 (LD1) 은, 제 3 간격 (LD3) 보다 작고, 제 3 간격 (LD3) 은, 제 2 간격 (LD2) 보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 여기서는, 3 개의 영역을 설정하는 양태를 예로 들어 설명했지만, 2 개의 영역을 설정해도 되고, 4 개 이상의 영역을 설정해도 된다.When the distance between the laser irradiation points LP increases from the outer peripheral portion WFe side to the central portion WFc side, the laser is irradiated at a certain constant interval in the area on the wafer outer peripheral portion WFe side. , in the region on the center portion WFc side of the region, an aspect in which laser is irradiated at regular intervals larger than the interval is also included. For example, as shown in FIG. 11 , in the wafer WF, the first area AR1 on the wafer outer peripheral portion WFe side, the second area AR2 on the center portion WFc side, and the first area A third area AR3 is set between AR1 and the second area AR2, laser is irradiated to a plurality of points at a first interval LD1 with respect to the first area AR1, and the third area ( AR3), the laser is irradiated to a plurality of points at a third interval LD3, and for the second area AR2, the laser is irradiated to a plurality of points at a second interval LD2, and the laser is irradiated to a plurality of points at a first interval LD1. ) is smaller than the third interval LD3, and the third interval LD3 is preferably smaller than the second interval LD2. Incidentally, here, the mode of setting three areas has been described as an example, but two areas may be set, or four or more areas may be set.
본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 당해 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 당해 웨이퍼 (WF) 를 분할한다. 그 때문에, 순수를 사용하지 않고, 연마법에 비하여 박형화의 시간을 단축시키고, 웨이퍼 (WF) 의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF, and the wafer WF is divided with a dividing surface DP on which the plurality of reforming portions RP are formed as a boundary. do. Therefore, compared to the polishing method, the thinning time can be shortened, cracking of the wafer WF can be suppressed, and thickness accuracy can be improved, without using pure water.
또한, 본 실시형태에 의하면, 레이저 조사점 (LP) 끼리를 분할면 (DP) 내에 있어서, 균일한 간격으로 형성하지 않고, 개질부 (RP) 를 형성하여, 웨이퍼 (WF) 를 분할할 수 있기 때문에, 웨이퍼 (WF) 의 분할성을 유지하면서, 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, according to the present embodiment, the laser irradiation points LP are not formed at uniform intervals within the dividing surface DP, but the reformed portion RP is formed to divide the wafer WF. Therefore, productivity can be further improved while maintaining the divisibility of the wafer WF.
[제 4 실시형태][Fourth Embodiment]
제 4 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서는, 복수의 개질부를 형성할 때에 사용하는 개질부 형성 수단이 제 3 실시형태에서 설명한 개질부 형성 수단 (30A) 과는 상이하다. 제 1, 제 2, 및 제 3 실시형태와 상이한 점에 대하여 이하에 설명하고, 제 1, 제 2, 및 제 3 실시형태와 동일한 점은, 설명을 생략 또는 간략화한다.In the manufacturing method of the thinned plate-like member according to the fourth embodiment, the modified portion forming means used when forming the plurality of modified portions is different from the modified portion forming means 30A described in the third embodiment. Different points from the first, second, and third embodiments are described below, and explanations of the same points as the first, second, and third embodiments are omitted or simplified.
도 12a, 도 12b, 및 도 12c 에는, 본 실시형태에서 사용하는 개질부 형성 수단 (30B) 의 개략도가 나타나 있다.12A, 12B, and 12C show schematic diagrams of the reforming portion forming means 30B used in the present embodiment.
본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 도 12a, 도 12b, 및 도 12c 에 나타내는 바와 같은 개질부 형성 수단 (30B) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용하여 실시할 수도 있다.The manufacturing method of the thinned plate-like member according to this embodiment can also be implemented using the manufacturing apparatus of the thinned wafer which has the reforming part formation means 30B as shown to FIG. 12A, FIG. 12B, and FIG. 12C.
개질부 형성 수단 (30B) 은, 구동부 (320) 와, 축부 (321) 와, 아암부 (322B) 와, 제 1 레이저 조사기 (323A) 와, 제 2 레이저 조사기 (323B) 를 구비한다.The reforming part formation means 30B includes a drive part 320, an axial part 321, an arm part 322B, a first laser irradiator 323A, and a second laser irradiator 323B.
구동부 (320) 는, 축부 (321) 를 개재하여 지지하는 아암부 (322B) 를, 축부 (321) 를 회전축으로 하여 회전시킨다.The drive part 320 rotates the arm part 322B supported via the shaft part 321 using the shaft part 321 as a rotating shaft.
아암부 (322B) 는, 제 3 실시형태의 아암부 (322) 보다 긴 형상이다.The arm portion 322B has a longer shape than the arm portion 322 of the third embodiment.
아암부 (322B) 의 길이 방향의 일단부측에 제 1 레이저 조사기 (323A) 가 장착되고, 타단부측에 제 2 레이저 조사기 (323B) 가 장착되고, 아암부 (322B) 의 길이 방향의 일단부측과 타단부측 사이의 중심부에 축부 (321) 가 장착되어 있다.The first laser irradiator 323A is attached to one end side of the arm portion 322B in the longitudinal direction, the second laser irradiator 323B is attached to the other end side, and the one end side of the arm portion 322B in the longitudinal direction and A shaft portion 321 is attached to the central portion between the other end sides.
제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 는, 아암부 (322B) 의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 장착되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 는, 제 1 실시형태에 있어서의 리니어 모터 (31) 및 슬라이더 (31A) 를 갖는 구동 기기에 의해 이동시킬 수도 있다. 그 때문에, 본 실시형태의 개질부 형성 수단 (30B) 에 있어서는, 아암부 (322B) 가 당해 구동 기기를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 레이저 조사기 (323A) 는, 아암부 (322B) 의 일단부측으로부터, 아암부 (322B) 의 중심부를 넘어, 타단부측까지 이동 가능하게 아암부 (322B) 에 장착되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 레이저 조사기 (323B) 도, 아암부 (322B) 의 타단부측으로부터, 아암부 (322B) 의 중심부를 넘어, 일단부측까지 이동 가능하게 아암부 (322B) 에 장착되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the 1st laser irradiation device 323A and the 2nd laser irradiation device 323B are movably attached along the longitudinal direction of the arm part 322B. For example, the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B may be moved by a driving device having the linear motor 31 and the slider 31A in the first embodiment. Therefore, in the reforming part forming unit 30B of the present embodiment, it is preferable that the arm part 322B has the driving device. In addition, it is preferable that the first laser irradiator 323A is attached to the arm portion 322B so as to be movable from one end side of the arm portion 322B to the other end side beyond the central portion of the arm portion 322B. . Moreover, it is preferable that the 2nd laser irradiator 323B is also attached to the arm part 322B so that it can move from the other end side of the arm part 322B, over the center part of the arm part 322B, and to one end side. .
제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 는, 판상 부재로서의 반도체 웨이퍼를 개질할 수 있는 레이저 (LB) 를 조사 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 레이저 조사기 (323) 는, 예를 들어, 상기 실시형태에서 사용한 레이저 조사기 (32) 와 동일해도 된다.The first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B are not particularly limited as long as they can irradiate the laser LB capable of modifying a semiconductor wafer as a plate-like member. The laser irradiator 323 may be the same as the laser irradiator 32 used in the above embodiment, for example.
다음으로, 개질부 형성 수단 (30B) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용한 본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법을 설명한다. 레이저 조사 공정 이외에는, 제 1 실시형태 또는 제 2 실시형태에서 설명한 공정과 동일하게 실시할 수 있기 때문에, 설명을 생략한다.Next, the method for manufacturing the thinned plate-like member according to the present embodiment using the thinned wafer manufacturing device having the reforming portion forming means 30B will be described. Except for the laser irradiation process, since it can be implemented in the same way as the process described in the first embodiment or the second embodiment, the description is omitted.
도 12a 에는, 웨이퍼 (WF) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 레이저 (LB) 를 조사하는 공정을 나타내는 개략도가 나타나 있다. 본 실시형태에 있어서도, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 레이저 (LB) 를 조사하여, 복수의 개질부 (RP) 를 형성한다.12A is a schematic diagram showing a step of irradiating the laser LB to the outer peripheral portion WFe side of the wafer WF. Also in this embodiment, the laser LB is irradiated along the dividing surface DP inside the wafer WF to form a plurality of reforming parts RP.
본 실시형태에서는, 도 12a 에 나타내는 바와 같이, 분할면 (DP) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 레이저 (LB) 를 조사한다. 개질부 형성 수단 (30B) 은, 2 개의 레이저 조사기를 갖기 때문에, 2 개 지점 동시에 레이저 조사점 (LP) 을 형성하여, 개질부를 형성할 수 있다.In this embodiment, as shown in FIG. 12A, the laser LB is irradiated to the wafer outer periphery WFe side of the dividing surface DP. Since the reforming part formation means 30B has two laser irradiators, it is possible to form the reforming part by simultaneously forming the laser irradiation point LP at two points.
다음으로, 아암부 (322B) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 다음의 레이저 조사점 (LP) 을 형성한다. 이와 같이, 아암부 (322B) 를 소정 각도, 회전시키면서 레이저 (LB) 를 조사하여, 아암부 (322B) 의 회전 방향을 따라 복수의 레이저 조사점 (LP) 을 소정 간격으로 형성한다.Next, the arm portion 322B is rotated by a predetermined angle, and the laser LB is irradiated to form the next laser irradiation point LP. In this way, the laser LB is irradiated while the arm portion 322B is rotated at a predetermined angle, and a plurality of laser irradiation points LP are formed at predetermined intervals along the rotation direction of the arm portion 322B.
아암부 (322B) 를 회전시킨 각도가 180 도가 될 때까지, 회전과 레이저 조사를 계속한다. 이에 의해, 레이저 조사점 (LP) 이 둘레 방향을 따라 소정 간격으로 배열된 상태가 되고, 개질부도 둘레 방향을 따라 형성된 상태가 된다. 둘레 방향을 따라 형성된 개질부끼리의 간격은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.Rotation and laser irradiation are continued until the angle at which the arm portion 322B is rotated becomes 180 degrees. Thus, the laser irradiation points LP are arranged at predetermined intervals along the circumferential direction, and the modified portion is also formed along the circumferential direction. It is preferable that the space|interval between the reforming parts formed along the circumferential direction is 1 micrometer or more and 350 micrometers or less.
도 12b 에는, 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 를 아암부 (322B) 의 길이 방향을 따라 축부 (321) 측을 향하여 소정 거리 이동시킨 상태의 개략도가 나타나 있다.12B shows a schematic view of a state in which the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B have been moved by a predetermined distance toward the shaft portion 321 side along the longitudinal direction of the arm portion 322B.
구체적으로는, 아암부 (322B) 를 180 도, 회전시키면서 레이저 조사하여 개질부를 형성한 후에, 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 를 아암부 (322B) 의 길이 방향을 따라, 아암부 (322B) 의 중심부를 향하여, 소정 거리 이동시킨다.Specifically, after laser irradiation is performed while rotating the arm portion 322B by 180 degrees to form the modified portion, the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B are applied along the longitudinal direction of the arm portion 322B. , it is moved a predetermined distance toward the center of the arm portion 322B.
제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 를 이동시킨 후, 레이저 조사하여 레이저 조사점 (LP) 을 형성하여, 개질부를 형성한다. 그 후, 계속해서 아암부 (322B) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 아암부 (322B) 를 회전시킨 각도가 180 도가 될 때까지, 회전과 레이저 조사를 계속한다. 아암부 (322B) 를 180 도, 회전시킨 후에, 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 를 아암부 (322B) 의 길이 방향을 따라, 추가로 아암부 (322B) 의 중심부를 향하여, 소정 거리 이동시킨다.After moving the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B, laser irradiation is performed to form a laser irradiation point LP to form a modified portion. Subsequently, the arm portion 322B is rotated by a predetermined angle, and the laser LB is irradiated, and rotation and laser irradiation are continued until the angle at which the arm portion 322B is rotated becomes 180 degrees. After rotating the arm portion 322B by 180 degrees, the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B are further rotated along the longitudinal direction of the arm portion 322B at the center of the arm portion 322B. forward, move a certain distance.
도 12c 에는, 아암부 (322B) 의 회전과, 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 의 슬라이드 이동을 반복 실시하여, 웨이퍼 (WF) 의 중심부 (WFc) 측까지 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 가 이동한 상태의 개략도가 나타나 있다.In FIG. 12C , the rotation of the arm portion 322B and the slide movement of the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B are repeatedly performed, and the first laser beam reaches the central portion WFc side of the wafer WF. A schematic diagram of a state in which the irradiator 323A and the second laser irradiator 323B are moved is shown.
이와 같이, 아암부 (322B) 의 회전과, 제 1 레이저 조사기 (323A) 및 제 2 레이저 조사기 (323B) 의 슬라이드 이동을 조합함으로써, 웨이퍼 (WF) 의 둘레 방향을 따라 동심원상으로 레이저 조사점 (LP) 이 복수 배열된 상태가 된다. 또한, 본 실시형태의 제조 방법에 의해서도, 웨이퍼 (WF) 의 단면으로부터 본 경우에는, 도 12c 와 같이, 웨이퍼 (WF) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측의 영역에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격보다, 웨이퍼 (WF) 의 중심부 (WFc) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이 크다.In this way, by combining the rotation of the arm portion 322B and the sliding movements of the first laser irradiator 323A and the second laser irradiator 323B, the laser irradiation point ( LP) becomes a state in which a plurality is arranged. Also, according to the manufacturing method of the present embodiment, when viewing from the cross section of the wafer WF, as shown in FIG. The distance between the laser irradiation points LP on the center portion WFc side of the wafer WF is greater than the distance between the .
본 실시형태에 관련된 개질부 형성 수단 (30B) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용하는 것에 의해서도, 제 3 실시형태에서 설명한 도 11 과 같이 레이저 조사점 (LP) 을 배열시켜, 개질부를 형성할 수 있다.Even by using the manufacturing apparatus for a thinned wafer having the modified portion forming means 30B according to the present embodiment, the laser irradiation points LP can be arranged and the modified portion can be formed as in FIG. 11 described in the third embodiment. there is.
본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 당해 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 당해 웨이퍼 (WF) 를 분할한다. 그 때문에, 순수를 사용하지 않고, 연마법에 비하여 박형화의 시간을 단축시키고, 웨이퍼 (WF) 의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF, and the wafer WF is divided with a dividing surface DP on which the plurality of reforming portions RP are formed as a boundary. do. Therefore, compared to the polishing method, the thinning time can be shortened, cracking of the wafer WF can be suppressed, and thickness accuracy can be improved, without using pure water.
또한, 본 실시형태에 의하면, 레이저 조사점 (LP) 끼리를 분할면 (DP) 내에 있어서, 균일한 간격으로 형성하지 않고, 개질부 (RP) 를 형성하여, 웨이퍼 (WF) 를 분할할 수 있기 때문에, 웨이퍼 (WF) 의 분할성을 유지하면서, 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, according to the present embodiment, the laser irradiation points LP are not formed at uniform intervals within the dividing surface DP, but the reformed portion RP is formed to divide the wafer WF. Therefore, productivity can be further improved while maintaining the divisibility of the wafer WF.
또한, 본 실시형태에 의하면, 레이저 조사기를 2 개 사용하여 레이저 조사를 실시하기 때문에, 제 3 실시형태에 비하여, 생산성을 향상시킬 수 있다.Moreover, according to this embodiment, since laser irradiation is performed using two laser irradiators, productivity can be improved compared to the third embodiment.
[제 5 실시형태][Fifth Embodiment]
제 5 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서는, 복수의 개질부를 형성할 때에 사용하는 개질부 형성 수단이 제 3 실시형태 및 제 4 실시형태에서 설명한 개질부 형성 수단과는 상이하다. 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 실시형태와 상이한 점에 대하여 이하에 설명하고, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 실시형태와 동일한 점은, 설명을 생략 또는 간략화한다.In the manufacturing method of the thinned plate-like member according to the fifth embodiment, the modified portion forming means used when forming the plurality of modified portions is different from the modified portion forming means described in the third and fourth embodiments. Different points from the first, second, third, and fourth embodiments will be described below, and explanations of points that are the same as those of the first, second, third, and fourth embodiments will be omitted or simplified.
도 13a, 도 13b, 및 도 13c 에는, 본 실시형태에서 사용하는 개질부 형성 수단 (30C) 의 개략도가 나타나 있다.13A, 13B, and 13C show schematic diagrams of the reforming portion forming means 30C used in the present embodiment.
본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 도 13a, 도 13b, 및 도 13c 에 나타내는 바와 같은 개질부 형성 수단 (30C) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용하여 실시할 수도 있다.The manufacturing method of the thinned plate-like member according to the present embodiment can also be carried out using a thinning wafer manufacturing apparatus having a modified portion forming means 30C as shown in Figs. 13A, 13B and 13C.
개질부 형성 수단 (30C) 은, 구동부 (320) 와, 축부 (321) 와, 아암부 (322C) 와, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 와, 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 를 구비한다.The reforming part formation means 30C includes a driving part 320, an axial part 321, an arm part 322C, a first multiple laser irradiation device 324, and a second multiple laser irradiation device 326.
구동부 (320) 는, 축부 (321) 를 개재하여 지지하는 아암부 (322C) 를, 축부 (321) 를 회전축으로 하여 회전시킨다.The drive unit 320 rotates the arm unit 322C supported via the shaft unit 321 with the shaft unit 321 as a rotating shaft.
아암부 (322C) 는, 제 3 실시형태의 아암부 (322) 보다 긴 형상이다.The arm portion 322C has a longer shape than the arm portion 322 of the third embodiment.
아암부 (322C) 의 길이 방향의 일단부측에 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 가 장착되고, 타단부측에 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 가 장착되고, 아암부 (322C) 의 길이 방향의 일단부측과 타단부측 사이의 중심부에 축부 (321) 가 장착되어 있다.A first plurality of laser irradiators 324 is attached to one end side of the arm portion 322C in the longitudinal direction, and a plurality of second laser irradiators 326 is attached to the other end side, and one end of the arm portion 322C in the longitudinal direction is attached. A shaft portion 321 is attached to the central portion between the side of the side and the side of the other end.
제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 아암부 (322C) 의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 장착되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 제 1 실시형태에 있어서의 리니어 모터 (31) 및 슬라이더 (31A) 를 갖는 구동 기기에 의해 이동시킬 수도 있다. 그 때문에, 본 실시형태의 개질부 형성 수단 (30C) 은, 아암부 (322C) 가 당해 구동 기기를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 는, 아암부 (322C) 의 일단부측으로부터, 아암부 (322C) 의 중심부를 넘어, 타단부측까지 이동 가능하게 아암부 (322C) 에 장착되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 도, 아암부 (322C) 의 타단부측으로부터, 아암부 (322C) 의 중심부를 넘어, 일단부측까지 이동 가능하게 아암부 (322C) 에 장착되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the 1st multiple laser irradiation device 324 and the 2nd multiple laser irradiation device 326 are movably attached along the longitudinal direction of 322 C of arm parts. For example, the first plurality of laser irradiators 324 and the second plurality of laser irradiators 326 may be moved by a driving device having the linear motor 31 and the slider 31A in the first embodiment. . Therefore, it is preferable that the arm part 322C of the reforming part forming means 30C of the present embodiment has the drive device. Moreover, it is preferable that the 1st multiple laser irradiator 324 is attached to arm part 322C so that it can move from one end side of arm part 322C, over the center part of arm part 322C, to the other end side. do. In addition, it is preferable that the second multiple laser irradiator 326 is also attached to the arm portion 322C so as to be movable from the other end side of the arm portion 322C to one end side over the central portion of the arm portion 322C. do.
제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 각각, 판상 부재로서의 반도체 웨이퍼를 개질할 수 있는 레이저 (LB) 를, 복수 지점에 조사 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 각각, 복수의 레이저 광원을 갖는 양태여도 된다. 또한, 도 13a, 도 13b, 및 도 13c 에는, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 각각, 3 개 지점으로부터 레이저 (LB) 를 조사하는 양태가 기재되어 있지만, 본 발명은, 이와 같은 양태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 각각, 2 개 지점에 동시에 조사할 수 있는 양태여도 되고, 4 개 지점 이상에 동시에 조사할 수 있는 양태여도 된다. 또한, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 로부터 동시에 조사할 수 있는 레이저의 수는, 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.The first plurality of laser irradiators 324 and the second plurality of laser irradiators 326 are not particularly limited as long as they can respectively irradiate a plurality of points with the laser LB capable of modifying a semiconductor wafer as a plate-like member. For example, the first plurality of laser irradiators 324 and the second plurality of laser irradiators 326 may each have a plurality of laser light sources. 13A, 13B, and 13C, the first multiple laser irradiator 324 and the second multiple laser irradiator 326 respectively irradiate the laser LB from three points. However, the present invention is not limited to such an aspect. For example, the first multiple laser irradiation device 324 and the second multiple laser irradiation device 326 may each have an aspect capable of simultaneously irradiating two points, or an aspect capable of simultaneously irradiating four or more points. do. In addition, the number of lasers that can be simultaneously irradiated from the first multiple laser irradiation device 324 and the second multiple laser irradiation device 326 may be the same or different.
또한, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 각각, 조사하는 복수의 레이저끼리의 간격을 확대하거나, 좁히는 기구를 가지고 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the first multiple laser irradiation device 324 and the second multiple laser irradiation device 326 each have a mechanism for expanding or narrowing the interval between the plurality of lasers to be irradiated.
다음으로, 개질부 형성 수단 (30C) 을 갖는 박형화 웨이퍼의 제조 장치를 사용한 본 실시형태에 관련된 박형화 판상 부재의 제조 방법을 설명한다. 레이저 조사 공정 이외에는, 제 1 실시형태 또는 제 2 실시형태에서 설명한 공정과 동일하게 실시할 수 있기 때문에, 설명을 생략한다.Next, a method for manufacturing the thinned plate-like member according to the present embodiment using the thinned wafer manufacturing device having the reforming portion forming means 30C will be described. Except for the laser irradiation process, since it can be implemented in the same way as the process described in the first embodiment or the second embodiment, the description is omitted.
도 13a 에는, 웨이퍼 (WF) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에 레이저 (LB) 를 조사하는 공정을 나타내는 개략도가 나타나 있다. 본 실시형태에 있어서도, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 레이저 (LB) 를 조사하여, 복수의 개질부 (RP) 를 형성한다.13A is a schematic diagram showing a step of irradiating the laser LB to the wafer outer peripheral portion WFe side of the wafer WF. Also in this embodiment, the laser LB is irradiated along the dividing surface DP inside the wafer WF to form a plurality of reforming parts RP.
본 실시형태에서는, 도 13a 에 나타내는 바와 같이, 분할면 (DP) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측에, 레이저 (LB) 를 조사한다. 개질부 형성 수단 (30C) 은, 2 개의 레이저 조사기를 갖고, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 는, 동시에 복수의 레이저 (LB) 를 조사하기 때문에, 복수 지점에 동시에 레이저 조사점 (LP) 을 형성하여, 개질부를 형성할 수 있다.In this embodiment, as shown in FIG. 13A , the laser LB is irradiated to the wafer outer peripheral portion WFe side of the dividing surface DP. Since the reforming portion forming means 30C has two laser irradiators, and the first multiple laser irradiators 324 and the second multiple laser irradiators 326 irradiate a plurality of lasers LB at the same time, they are applied to a plurality of points. At the same time, the laser irradiation point LP can be formed to form the modified portion.
제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 로부터 레이저 (LB) 를 동시에 조사하여 형성된 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격 (웨이퍼 (WF) 의 직경 방향으로 나열된 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격) 은, 각각 독립적으로, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.The distance between the laser irradiation points LP formed by simultaneously irradiating the lasers LB from the first multiple laser irradiators 324 and the second multiple laser irradiators 326 (the laser irradiation points arranged in the radial direction of the wafer WF ( It is preferable that the distance|interval between LP) is 1 micrometer or more and 350 micrometer or less each independently.
도 13a 에 나타낸 본 실시형태의 일례에서는, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 로부터, 각각, 동시에 3 개 지점의 레이저 (LB) 가 조사되기 때문에, 웨이퍼 (WF) 의 분할면 (DP) 에 대하여 6 개 지점의 레이저 조사점 (LP) 을 동시에 형성하여, 개질부를 동시에 6 개 형성할 수 있다.In an example of the present embodiment shown in FIG. 13A , since the lasers LB are simultaneously irradiated at three points from the first multiple laser irradiators 324 and the second multiple laser irradiators 326, respectively, the wafer WF Six modified parts can be formed at the same time by forming six laser irradiation points LP at the same time with respect to the dividing surface DP.
다음으로, 아암부 (322C) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 다음의 레이저 조사점을 형성한다. 이와 같이, 아암부 (322C) 를 소정 각도, 회전시키면서 레이저 (LB) 를 조사하여, 아암부 (322C) 의 회전 방향을 따라 복수의 레이저 조사점 (LP) 을 소정 간격으로 형성한다.Next, the arm part 322C is rotated by a predetermined angle, the laser LB is irradiated, and the next laser irradiation point is formed. In this way, the laser LB is irradiated while rotating the arm 322C at a predetermined angle to form a plurality of laser irradiation points LP at predetermined intervals along the rotation direction of the arm 322C.
아암부 (322C) 를 회전시킨 각도가 180 도가 될 때까지, 회전과 레이저 조사를 계속한다. 이에 의해, 레이저 조사점 (LP) 이 둘레 방향을 따라 소정 간격으로 배열된 상태가 되고, 개질부도 둘레 방향을 따라 형성된 상태가 된다. 둘레 방향을 따라 형성된 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.Rotation and laser irradiation are continued until the angle at which the arm portion 322C is rotated becomes 180 degrees. Thus, the laser irradiation points LP are arranged at predetermined intervals along the circumferential direction, and the modified portion is also formed along the circumferential direction. The distance between the laser irradiation points LP formed along the circumferential direction is preferably 1 μm or more and 350 μm or less.
도 13b 에는, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 를 아암부 (322C) 의 길이 방향을 따라 축부 (321) 측을 향하여 소정 거리 이동시킨 상태의 개략도가 나타나 있다.13B shows a schematic view of a state in which the first multiple laser irradiators 324 and the second multiple laser irradiators 326 have been moved a predetermined distance toward the shaft portion 321 side along the longitudinal direction of the arm portion 322C.
구체적으로는, 아암부 (322C) 를 180 도, 회전시키면서 레이저 조사하여 개질부를 형성한 후에, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 를 아암부 (322C) 의 길이 방향을 따라, 아암부 (322C) 의 중심부를 향하여, 소정 거리 이동시킨다. 또한, 본 실시형태에서는, 아암부 (322C) 를 따라 이동시킬 때에, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 로부터 조사되는 복수의 레이저끼리의 간격도 확대시킨다. 이에 의해, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격도 확대시킬 수 있고, 개질부끼리의 간격도 확대시킬 수 있다.Specifically, after forming the modified portion by laser irradiating the arm portion 322C while rotating it by 180 degrees, the first multiple laser irradiation device 324 and the second multiple laser irradiation device 326 are rotated in the longitudinal direction of the arm portion 322C. , it is moved a predetermined distance toward the center of the arm portion 322C. Moreover, in this embodiment, when moving along arm part 322C, the space|interval of the some laser irradiated from the 1st multiple laser irradiation machine 324 and the 2nd multiple laser irradiation machine 326 is also enlarged. Accordingly, the distance between the laser irradiation points LP can be increased, and the distance between the modified parts can also be increased.
제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 를 아암부 (322C) 를 따라 이동시키고, 또한 조사되는 레이저끼리의 간격도 확대시킨 후, 레이저 조사하여 레이저 조사점 (LP) 을 형성하여, 개질부를 형성한다. 그 후, 계속해서 아암부 (322C) 를 소정 각도씩, 회전시키고, 레이저 (LB) 를 조사하여, 아암부 (322C) 를 회전시킨 각도가 180 도가 될 때까지, 회전과 레이저 조사를 계속한다. 아암부 (322C) 를 180 도, 회전시킨 후에, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 를 아암부 (322C) 의 길이 방향을 따라, 추가로 아암부 (322C) 의 중심부를 향하여, 소정 거리 이동시킨다.After moving the first multiple laser irradiation device 324 and the second multiple laser irradiation device 326 along the arm portion 322C and also enlarging the distance between the irradiated lasers, laser irradiation is performed to determine the laser irradiation point LP. formed to form a modified part. Subsequently, the arm portion 322C is rotated by a predetermined angle, and the laser LB is irradiated, and rotation and laser irradiation are continued until the angle at which the arm portion 322C is rotated becomes 180 degrees. After rotating the arm portion 322C by 180 degrees, the first multiple laser irradiators 324 and the second multiple laser irradiators 326 are further rotated along the longitudinal direction of the arm portion 322C. It is moved a predetermined distance toward the center.
도 13c 에는, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 가, 웨이퍼 (WF) 의 중심부 (WFc) 측까지 이동한 상태의 개략도가 나타나 있다.13C shows a schematic view of a state in which the first multiple laser irradiators 324 and the second multiple laser irradiators 326 have moved to the center portion WFc side of the wafer WF.
구체적으로는, 도 13c 에는, 도 13b 에 나타낸 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 의 위치보다 더욱 아암부 (322C) 중심부측으로 슬라이드 이동시켜, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 로부터 조사되는 복수의 레이저끼리의 간격도 더욱 확대된 상태의 개략도가 나타나 있다.Specifically, in FIG. 13C , the arm portion 322C is slid toward the center side from the positions of the first multiple laser irradiation devices 324 and the second multiple laser irradiation devices 326 shown in FIG. 13B , and the first multiple laser irradiation devices ( 324) and a schematic diagram of a state in which the distance between a plurality of lasers irradiated from the second plurality of laser irradiators 326 is further expanded.
개질부 형성 수단 (30C) 을, 도 13c 에 나타내는 상태로 함으로써, 도 13b 에 나타낸 레이저 조사한 웨이퍼 (WF) 의 영역보다 내측의 영역에, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 확대하여 레이저 조사가 가능해져, 형성된 개질부끼리의 간격도 더욱 확대시킬 수 있다.By setting the reforming portion formation means 30C to the state shown in FIG. 13C, the laser irradiation is performed by enlarging the interval between the laser irradiation points LP in the area inside the area of the laser irradiated wafer WF shown in FIG. 13B. This becomes possible, and the interval between the formed reforming parts can be further enlarged.
이와 같이, 아암부 (322C) 의 회전과, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 의 슬라이드 이동과, 제 1 복수 레이저 조사기 (324) 및 제 2 복수 레이저 조사기 (326) 로부터 조사되는 복수의 레이저끼리의 간격의 확장을 조합함으로써, 웨이퍼 (WF) 의 둘레 방향을 따라 동심원상으로 레이저 조사점 (LP) 이 복수 배열된 상태가 된다.In this way, the rotation of the arm portion 322C, the sliding movement of the first multiple laser irradiation devices 324 and the second multiple laser irradiation devices 326, and the first multiple laser irradiation devices 324 and the second multiple laser irradiation devices 326 ), a plurality of laser irradiation points LP are arranged in a concentric circle along the circumferential direction of the wafer WF by combining the expansion of the interval between the plurality of lasers irradiated from each other.
또한, 본 실시형태의 제조 방법에 의해서도, 웨이퍼 (WF) 의 단면으로부터 본 경우에는, 도 12c 와 동일하게, 웨이퍼 (WF) 의 웨이퍼 외주부 (WFe) 측의 영역에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격보다, 웨이퍼 (WF) 의 중심부 (WFc) 측에 있어서의 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이 크다.Also, according to the manufacturing method of the present embodiment, when the wafer WF is viewed from the cross section, the laser irradiation point LP in the region of the wafer WF on the wafer outer peripheral portion WFe side is similar to FIG. 12C . The distance between the laser irradiation points LP on the center portion WFc side of the wafer WF is greater than the distance between them.
본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 당해 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 당해 웨이퍼 (WF) 를 분할한다. 그 때문에, 순수를 사용하지 않고, 연마법에 비하여 박형화의 시간을 단축하고, 웨이퍼 (WF) 의 균열을 억제할 수 있고, 두께 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF, and the wafer WF is divided with a dividing surface DP on which the plurality of reforming portions RP are formed as a boundary. do. Therefore, compared to the polishing method, the thinning time can be shortened, cracking of the wafer WF can be suppressed, and thickness accuracy can be improved, without using pure water.
또한, 본 실시형태에 의하면, 레이저 조사점 (LP) 끼리를 분할면 (DP) 내에 있어서, 균일한 간격으로 형성하지 않고, 개질부 (RP) 를 형성하여, 웨이퍼 (WF) 를 분할할 수 있기 때문에, 웨이퍼 (WF) 의 분할성을 유지하면서, 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, according to the present embodiment, the laser irradiation points LP are not formed at uniform intervals within the dividing surface DP, but the reformed portion RP is formed to divide the wafer WF. Therefore, productivity can be further improved while maintaining the divisibility of the wafer WF.
또한, 본 실시형태에 의하면, 동시에 복수 지점에 레이저를 조사할 수 있는 레이저 조사기를 2 개 사용하여 레이저 조사를 실시하기 때문에, 제 4 실시형태에 비하여, 생산성을 향상시킬 수 있다.Further, according to the present embodiment, since laser irradiation is performed using two laser irradiators capable of simultaneously irradiating a plurality of points with laser, productivity can be improved compared to the fourth embodiment.
[실시형태의 변형][Variation of Embodiment]
이상과 같이, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 구성, 방법 등은, 상기 기재에서 개시되어 있지만, 본 발명은, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은, 주로 특정한 실시형태에 관해서 특별히 도시되고, 또한 설명되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상, 및 목적의 범위로부터 일탈하지 않고, 이상 서술한 실시형태에 대하여, 형상, 재질, 수량, 그 밖의 상세한 구성에 있어서, 당업자가 다양한 변형을 가할 수 있는 것이다. 또한, 상기에 개시한 형상, 재질 등을 한정한 기재는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 예시적으로 기재한 것으로, 본 발명을 한정하는 것은 아니기 때문에, 그들 형상, 재질 등의 한정의 일부 혹은 전부의 한정을 제외한 부재의 명칭으로의 기재는, 본 발명에 포함된다.As described above, the best structure, method, etc. for implementing the present invention are disclosed in the above description, but the present invention is not limited thereto. That is, although the present invention is mainly shown and described in particular with respect to specific embodiments, the above-described embodiments are described in terms of shape, material, quantity, In other detailed configurations, various modifications can be made by those skilled in the art. In addition, the description limiting the shape, material, etc. disclosed above is described illustratively to facilitate understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention, so it is part of the limitation of the shape, material, etc. Or description by the name of a member excluding all limitation is included in this invention.
본 명세서에 있어서의 개질부의 형상이나 크기는, 도 5, 도 6, 도 8 및 도 9 에 나타난 것과 같은 형상에 한정되지 않는다. 개질부의 형상으로는, 예를 들어, 구상, 타원 구상, 원기둥 형상, 각기둥 형상, 원뿔 형상, 및 각뿔 형상 등을 들 수 있다. 개질부의 크기는, 판상 부재를 복수의 박형화 판상 부재로 분할할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 개질부는, 분할 전의 판상 부재의 두께를 고려한 크기인 것이 바람직하다. 개질부가 판상 부재의 두께 방향으로 지나치게 크면, 두께 방향으로 균열이 발생할 우려가 있기 때문이다. 그 때문에, 개질부는, 분할면을 따른 면 방향으로 분할할 수 있도록 형성되어 있으면 된다.The shape or size of the reforming portion in this specification is not limited to the shapes shown in FIGS. 5, 6, 8, and 9 . As a shape of a reforming part, a spherical shape, an elliptical spherical shape, a cylindrical shape, a prismatic shape, a cone shape, and a pyramidal shape etc. are mentioned, for example. The size of the reforming portion is not particularly limited as long as the plate-like member can be divided into a plurality of thinned plate-like members. It is preferable that the size of the modified portion is in consideration of the thickness of the plate-like member before division. This is because if the modified portion is too large in the thickness direction of the plate-like member, cracks may occur in the thickness direction. Therefore, the reforming portion should just be formed so that it can be divided in the plane direction along the dividing plane.
상기 실시형태에서는, 판상 부재를 2 개의 박형화 판상 부재로 분할하는 양태를 예로 들어 설명했지만, 그 밖의 양태로는, 판상 부재를 3 개 이상의 박형화 판상 부재로 분할하는 양태를 들 수 있다. 예를 들어, 3 개의 박형화 판상 부재로 분할하는 경우에는, 판상 부재의 내부에 분할면을 설정할 때에, 2 개의 분할면 (제 1 분할면 및 제 2 분할면) 을 설정하고, 제 1 분할면을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 제 2 분할면을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성하면 된다. 또한, 그 밖의 양태로는, 박형화 판상 부재를 사용하여 레이저 조사 공정 및 분할 공정을 실시하여, 더욱 박형화시킨 판상 부재를 형성하는 양태도 들 수 있다.In the above embodiment, the mode in which the plate-like member is divided into two thinned plate-like members has been described as an example, but as another mode, an mode in which the plate-like member is divided into three or more thinned plate-like members can be cited. For example, in the case of dividing into three thinned plate-like members, when setting a dividing surface inside the plate-like member, two dividing surfaces (a first dividing surface and a second dividing surface) are set, and the first dividing surface is set. What is necessary is just to form a some reforming part RP along, and just to form a some reforming part RP along the 2nd dividing surface. Moreover, as another aspect, the aspect which performs the laser irradiation process and the division|segmentation process using the thinned plate-like member, and forms the plate-like member further thinned is also mentioned.
또한, 예를 들어, 제 1 첩부 수단 (20), 및 제 2 첩부 수단 (40) 은, 띠상의 접착 시트 기재에 닫힌 루프상의 절입이 형성됨으로써, 그 내측이 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 가 되고, 소정 간격을 두고 복수의 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 가 제 1 박리 시트 (RL1), 및 제 2 박리 시트에 임시 접착된 원반을 계속 내보내도 된다.Further, for example, the first sticking means 20 and the second sticking means 40 form closed loop cuts in the strip-like adhesive sheet base material, so that the inner side is the first adhesive sheet AS1, and A plurality of first adhesive sheets AS1 and second adhesive sheets AS2 are temporarily bonded to the first release sheet RL1 and the second release sheet at predetermined intervals. You may continue to send discs.
제 1 첩부 수단 (20), 및 제 2 첩부 수단 (40) 은, 띠상의 접착 시트 기재가 제 1 박리 시트 (RL1), 및 제 2 박리 시트 (RL2) 에 임시 접착된 원반이 채용된 경우, 절단날, 레이저 커터, 열 커터, 에어 커터, 및 압축수 커터 등의 절단 수단에 의해, 접착 시트 기재에 닫힌 루프상의 절입을 형성하고, 당해 절입의 내측에 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 를 형성해도 된다.In the first sticking means 20 and the second sticking means 40, when a strip-like adhesive sheet base material is temporarily adhered to the first peeling sheet RL1 and the second peeling sheet RL2, By cutting means such as a cutting blade, laser cutter, heat cutter, air cutter, and compressed water cutter, closed loop cuts are formed in the adhesive sheet base material, and the first adhesive sheet AS1 and the second adhesive sheet AS1 are formed inside the cuts. You may form 2 adhesive sheets (AS2).
제 1 첩부 수단 (20), 및 제 2 첩부 수단 (40) 은, 각각, 띠상의 접착 시트 기재를 제 1 링 프레임 (RF1), 및 제 2 링 프레임 (RF2) 에 첩부한 후, 상기와 같은 절단 수단에 의해, 접착 시트 기재에 닫힌 루프상의 절입을 형성하고, 당해 절입의 내측에 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 를 형성해도 된다.After the first sticking means 20 and the second sticking means 40 respectively attach the strip-shaped adhesive sheet base material to the first ring frame RF1 and the second ring frame RF2, the same as above A closed-loop incision may be formed in the adhesive sheet base material by the cutting means, and the first adhesive sheet AS1 and the second adhesive sheet AS2 may be formed inside the incision.
제 1 첩부 수단 (20), 및 제 2 첩부 수단 (40) 을 구성하는 박리 부재는, 롤러나 선상 부재여도 된다.A roller or a linear member may be sufficient as the peeling member which comprises the 1st sticking means 20 and the 2nd sticking means 40.
제 1 첩부 수단 (20), 및 제 2 첩부 수단 (40) 을 구성하는 압압 수단은, 블레이드재, 고무, 수지, 스펀지, 에어의 분사 등의 압압 부재를 채용할 수 있다.As the pressing means constituting the first sticking means 20 and the second sticking means 40, a pressing member such as a blade material, rubber, resin, sponge, or blowing air can be employed.
유지 테이블 (28), 및 유지 테이블 (48) 은, 메카니컬 척이나 척 실린더 등의 척 수단, 쿨롱힘, 접착제, 점착제, 자력, 베르누이 흡착, 구동 기기 등으로, 웨이퍼 (WF), 제 1 링 프레임 (RF1), 제 2 링 프레임 (RF2), 및 1 차 가공품 (WK1) 등을 지지해도 된다.The holding table 28 and the holding table 48 are a chuck means such as a mechanical chuck or a chuck cylinder, a Coulomb force, an adhesive, an adhesive, a magnetic force, Bernoulli adsorption, a driving device, and the like, and the wafer WF and the first ring frame (RF1), the second ring frame (RF2), and the primary workpiece (WK1) may be supported.
박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 는, 제 2 첩부 수단 (40) 을 구비하고 있지 않아도 된다. 이 경우, 분할 수단 (50) 은, 유지면 (53A) 에서 직접, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 을 유지하면 된다.The manufacturing apparatus 10 of a thinning wafer does not need to be equipped with the 2nd sticking means 40. In this case, the dividing means 50 may hold the second surface WF2 of the wafer WF directly on the holding surface 53A.
레이저 조사 공정은, 분할되기 전의 웨이퍼 (WF) 에 레이저 (LB) 를 조사하여 실시하면 된다. 예를 들어, 제 1 접착 시트 (AS1) 를 첩부하기 전의 웨이퍼 (WF) 에 레이저 (LB) 를 조사해도 된다.The laser irradiation step may be performed by irradiating the wafer WF before division with the laser LB. For example, you may irradiate laser LB to wafer WF before affixing 1st adhesive sheet AS1.
레이저 (LB) 를 웨이퍼 (WF) 에 대하여 조사하는 방향은, 상기 실시형태와 같이, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 레이저 (LB) 를 조사하는 방향에 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 측으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 된다. 또한, 예를 들어, 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 측 및 제 2 표면 (WF2) 측의 양방으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 된다. 또한, 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 측 및 제 2 표면 (WF2) 측의 양방으로부터 레이저 (LB) 를 조사하는 경우에는, 제 1 표면 (WF1) 측 및 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 동시에 레이저 (LB) 를 조사해도 된다. 웨이퍼 (WF) 의 측면측으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 된다. 웨이퍼 (WF) 의 측면측으로부터 레이저 (LB) 를 조사하는 경우, 분할면 (DP) 을 따라 개질부 (RP) 가 형성되도록, 레이저 조사 조건을 설정하면 된다.The direction in which the laser LB is irradiated to the wafer WF is not limited to the direction in which the laser LB is irradiated from the second surface WF2 side of the wafer WF as in the above embodiment. For example, the laser LB may be irradiated from the side of the first surface WF1 of the wafer WF. Further, for example, the laser LB may be irradiated from both the first surface WF1 side and the second surface WF2 side of the wafer WF. Further, when the laser LB is irradiated from both the first surface WF1 side and the second surface WF2 side of the wafer WF, the first surface WF1 side and the second surface WF2 side You may simultaneously irradiate laser LB from it. Laser LB may be irradiated from the side surface of wafer WF. When irradiating the laser LB from the side surface of the wafer WF, the laser irradiation conditions may be set such that the reforming portion RP is formed along the dividing surface DP.
개질부 형성 수단 (30) 은, 제 1 접착 시트 (AS1) 가 첩부된 웨이퍼 (WF) 에 대하여 제 1 접착 시트 (AS1) 측으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 되고, 제 2 접착 시트 (AS2) 가 첩부된 웨이퍼 (WF) 에 대하여 제 1 접착 시트 (AS1) 측 또는 제 2 접착 시트측으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 되고, 웨이퍼 (WF) 의 외주면측으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 되고, 웨이퍼 (WF) 의 측면측으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 되고, 제 1 접착 시트 (AS1) 측, 제 2 접착 시트 (AS2) 측, 외주면측, 및 측면측 중, 2 개 또는 전부의 방향으로부터 레이저 (LB) 를 조사해도 된다.The reforming part formation means 30 may irradiate the laser LB from the side of the first adhesive sheet AS1 to the wafer WF to which the first adhesive sheet AS1 is attached, or the second adhesive sheet AS2 The laser LB may be irradiated from the first adhesive sheet AS1 side or the second adhesive sheet side to the wafer WF to which the is attached, or the laser LB may be irradiated from the outer peripheral surface side of the wafer WF, The laser LB may be irradiated from the side surface side of the wafer WF, and from two or all of the first adhesive sheet AS1 side, the second adhesive sheet AS2 side, the outer peripheral surface side, and the side surface side. A laser LB may be irradiated.
개질부 형성 수단 (30) 은, 유지 테이블 (28), 유지 테이블 (48), 아래 테이블 (51) 또는 위 테이블 (53) 로 흡착 유지된 웨이퍼 (WF) 에 대하여 레이저 (LB) 를 조사해도 된다.The reforming part formation means 30 may irradiate the laser LB to the wafer WF adsorbed and held by the holding table 28, the holding table 48, the lower table 51, or the upper table 53. .
개질부 형성 수단 (30) 은, 초점이 선상인 레이저 (선상 레이저) 나 초점이 면상인 레이저 (면상 레이저) 를 조사 가능한 레이저 조사기를 채용해도 되고, 복수의 레이저 조사기를 채용해도 되고, 리니어 모터 (31) 를 채용하지 않아도 된다.The reforming portion forming means 30 may employ a laser irradiator capable of irradiating a laser having a linear focal point (linear laser) or a laser having a planar focal point (planar laser), or may employ a plurality of laser irradiators, and may use a linear motor ( 31) is not required.
개질부 형성 수단 (30) 은, 초점의 위치를 임의로 결정할 수 있고, 형성되는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 와 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 두께의 비는, 50 대 50 이어도 되고, 1 대 99 여도 되고, 1000 대 1 이어도 되고, 희망하는 박형화 웨이퍼의 두께에 맞추어, 레이저 조사에 의해 형성하는 개질부 (RP) 의 위치 (웨이퍼 (WF) 의 표면으로부터의 깊이) 를 결정할 수 있다.The reforming portion forming means 30 can arbitrarily determine the position of the focal point, and the ratio of the thicknesses of the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 formed may be 50:50 or 1:99. It may be 1000 to 1, and the position of the modified portion RP formed by laser irradiation (depth from the surface of the wafer WF) can be determined according to the desired thickness of the thinned wafer.
제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 실시형태의 개질부 형성 수단은, 제 5 실시형태에서 설명한 것과 같은 복수의 레이저를 동시에 조사 가능한 복수 레이저 조사기를 탑재시킨 양태여도 된다.The reforming portion forming means of the first, second, third, and fourth embodiments may be an embodiment equipped with a plurality of laser irradiators capable of simultaneously irradiating a plurality of lasers as described in the fifth embodiment.
제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 및 제 5 실시형태에 있어서는, 웨이퍼 (WF) 를 유지하는 유지 테이블 (48) 이, 웨이퍼 (WF) 를 회전시킬 수 있는 회전 기구를 구비하고 있는 것도 바람직하다. 유지 테이블 (48) 이 웨이퍼 (WF) 를 회전시키는 경우, 예를 들어, 제 3, 제 4, 및 제 5 실시형태와 같은 개질부 형성 수단으로 레이저 조사기를 지지하는 아암부를 회전시키지 않아도, 레이저 조사점 (LP) 을 웨이퍼 (WF) 의 둘레 방향을 따라 형성할 수 있다.In the first, second, third, fourth, and fifth embodiments, the holding table 48 holding the wafer WF is also provided with a rotation mechanism capable of rotating the wafer WF. desirable. When the holding table 48 rotates the wafer WF, the laser irradiation is performed even if the arm portion supporting the laser irradiator is not rotated by the reforming portion forming means as in the third, fourth, and fifth embodiments, for example. Dots LP can be formed along the circumferential direction of wafer WF.
그 때문에, 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 일 양태로서, 웨이퍼 (WF) 를 유지하는 유지 테이블 (48) 이, 웨이퍼 (WF) 를 회전시킬 수 있는 회전 기구를 구비하고, 레이저 조사기를 지지하는 아암부는 회전 기구를 구비하고 있지 않은 양태여도 된다. 이 양태의 경우에는, 회전 기구를 구비한 유지 테이블 (48) 로 웨이퍼 (WF) 를 회전시키면서, 레이저 조사기로 레이저 (LB) 를 조사하면 된다.Therefore, as one aspect of the thinning wafer manufacturing apparatus, the holding table 48 holding the wafer WF is provided with a rotation mechanism capable of rotating the wafer WF, and the arm portion supporting the laser irradiator rotates. An aspect not provided with a mechanism may be sufficient. In the case of this aspect, it is sufficient to irradiate the laser LB with the laser irradiator while rotating the wafer WF with the holding table 48 provided with the rotation mechanism.
또한, 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 일 양태로서, 웨이퍼 (WF) 를 유지하는 유지 테이블 (48) 이, 웨이퍼 (WF) 를 회전시킬 수 있는 회전 기구를 구비하고, 또한, 레이저 조사기를 지지하는 아암부를 회전시키기 위한 회전 기구를 구비한 양태여도 된다. 이 양태의 경우에는, 적어도 어느 것의 회전 기구를 구동시켜, 레이저 조사기와 웨이퍼 (WF) 의 상대적인 위치를 변화시키면서, 레이저 (LB) 를 조사하면 된다.In addition, as one aspect of the apparatus for manufacturing a thinned wafer, the holding table 48 holding the wafer WF includes a rotation mechanism capable of rotating the wafer WF, and further includes an arm portion supporting the laser irradiator. The aspect provided with the rotation mechanism for rotating may be sufficient. In the case of this aspect, at least one rotation mechanism may be driven to irradiate the laser LB while changing the relative positions of the laser irradiator and the wafer WF.
제 3, 제 4, 및 제 5 실시형태에 있어서는, 레이저 조사점 (LP) 이 동심원상으로 형성된 양태를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이와 같은 양태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 레이저 조사점 (LP) 이 웨이퍼 (WF) 의 중심부 (WFc) 로부터 웨이퍼 외주부 (WFe) 측을 향하여 소용돌이상으로 정렬되도록 레이저 조사점 (LP) 을 형성하는 양태도 들 수 있다.In the third, fourth, and fifth embodiments, an embodiment in which the laser irradiation points LP were concentrically formed was described as an example, but the present invention is not limited to such an embodiment. For example, an aspect in which the laser irradiation points LP are formed so that the laser irradiation points LP are aligned in a spiral shape from the center portion WFc of the wafer WF toward the wafer outer periphery portion WFe side is also possible.
제 3, 제 4, 및 제 5 실시형태에 있어서는, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격이, 판상 부재의 외주부측과 판상 부재의 중심부측에서 상이한 양태를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이와 같은 양태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 레이저 조사 공정에서는, 판상 부재의 외주부측으로부터 판상 부재의 중심부측에 걸쳐 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서, 판상 부재에 복수의 개질부를 일정한 간격으로 형성하는 양태도 들 수 있다. 이 양태의 경우, 예를 들어, 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 일정한 간격으로 하는 것 이외에는, 제 3, 제 4, 또는 제 5 실시형태와 동일하게 실시할 수 있다. 예를 들어, 도 12a 및 도 12b 에 나타내는 공정까지 제 4 실시형태와 동일하게 실시하고, 그 다음은, 도 14 에 나타내는 바와 같이 레이저 조사점 (LP) 끼리의 간격을 일정한 간격으로 하여 레이저를 조사함으로써 실시할 수 있다.In the third, fourth, and fifth embodiments, an embodiment in which the distance between the laser irradiation points LP is different between the outer circumferential portion of the plate-like member and the central portion of the plate-like member has been described as an example, but the present invention is described as such It is not limited to the aspect. For example, in the laser irradiation step, a plurality of modified portions are formed at regular intervals in the plate-like member while moving the position of the irradiation point of the laser from the outer periphery of the plate-like member to the center of the plate-like member. In the case of this aspect, it can be implemented similarly to the 3rd, 4th, or 5th embodiment, except making the distance between the laser irradiation points LP into a constant interval, for example. For example, the steps shown in FIGS. 12A and 12B are carried out in the same manner as in the fourth embodiment, and then, as shown in FIG. 14, the laser irradiation points LP are irradiated with a laser at regular intervals. It can be done by doing
레이저 조사기를 회전시켜 레이저 조사하는 경우, 박형화 판상 부재의 제조 장치는, 판상 부재의 내부에 복수의 개질부를 형성하는 개질부 형성 수단과, 개질 후의 판상 부재를 적어도 제 1 박형화 판상 부재 및 제 2 박형화 판상 부재를 형성하는 분할 수단을 구비하고, 상기 개질부 형성 수단은, 아암부와, 레이저를 조사하는 레이저 조사기와, 상기 아암부를 회전 가능하게 지지하는 구동부를 갖고, 상기 레이저 조사기는, 상기 아암부에 슬라이드 이동 가능하게 지지되어 있는 것이 바람직하다.In the case of laser irradiation by rotating a laser irradiator, a manufacturing apparatus for a thinned plate-like member includes: modified portion forming means for forming a plurality of modified portions inside the plate-like member; Dividing means for forming a plate-like member is provided, wherein the reforming part forming means includes an arm, a laser irradiator for irradiating a laser, and a drive unit for rotatably supporting the arm, wherein the laser irradiator comprises the arm. It is preferable to be supported so that slide movement is possible.
이 박형화 판상 부재의 제조 장치는, 전술한 실시형태 등에서 설명한 제 1 첩부 수단 (20) 과, 제 2 첩부 수단 (40) 을 추가로 구비하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the manufacturing apparatus of this thinning plate-like member further includes the 1st sticking means 20 and the 2nd sticking means 40 demonstrated in the above-mentioned embodiment etc.
이 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 개질부 형성 수단은, 레이저 조사기를 복수 갖는 것이 바람직하다. 복수의 레이저 조사기를 갖는 경우, 복수의 레이저끼리의 조사 간격을 확대 및 축소할 수 있는 것이 바람직하다.In this thinning plate-like member manufacturing apparatus, it is preferable that the reforming part formation means has a plurality of laser irradiators. In the case of having a plurality of laser irradiators, it is preferable that the irradiation interval between the plurality of lasers can be enlarged and reduced.
이 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 레이저 조사기는, 복수의 레이저를 동시에 조사 가능한 것이 바람직하다.In this thinning plate-like member manufacturing apparatus, it is preferable that the laser irradiator can simultaneously irradiate a plurality of lasers.
이 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 판상 부재를 회전 가능하게 지지하는 유지 수단을 추가로 갖는 것이 바람직하다.In this apparatus for manufacturing the thinned plate-like member, it is preferable to further include holding means for rotatably supporting the plate-like member.
분할 수단 (50) 은, 메카니컬 척이나 척 실린더 등의 척 수단, 쿨롱힘, 접착제, 점착제, 자력, 베르누이 흡착, 구동 기기 등으로 2 차 가공품 (WK2) 의 제 1 접착 시트 (AS1) 측, 및 제 2 접착 시트 (AS2) 측의 적어도 일방측을 유지하는 구성으로 해도 된다.The division means 50 is a chuck means such as a mechanical chuck or a chuck cylinder, Coulomb force, adhesive, adhesive, magnetic force, Bernoulli adsorption, a driving device, etc. It is good also as a structure which holds at least one side of the 2nd adhesive sheet AS2 side.
분할 수단 (50) 은, 웨이퍼 (WF) 를 분할할 때에, 아래 테이블 (51) 과 위 테이블 (53) 을 상하 방향으로 상대 이동시켜, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 당해 웨이퍼 (WF) 를 이간시켜도 되고, 아래 테이블 (51) 이나 위 테이블 (53) 의 지지면에 평행한 면 방향으로 직선적으로 상대 이동시키거나, 지지면에 평행한 면 내에서 원주 방향으로 상대 회전시켜도 되고, 아래 테이블 (51), 및 위 테이블 (53) 의 적어도 일방을 이동시키거나 회전시켜도 된다.When dividing the wafer WF, the dividing means 50 relatively moves the lower table 51 and the upper table 53 in the vertical direction to separate the wafer WF in the thickness direction of the wafer WF. Alternatively, the lower table (51 ), and at least one of the upper table 53 may be moved or rotated.
웨이퍼 (WF) 는, 회로를 갖는 것이어도 된다. 회로는, 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 및 제 2 표면 (WF2) 의 적어도 어느 것에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 당해 회로가 형성되어 있는 면이 회로면에 상당한다. 당해 회로면은, 제 1 표면 (WF1) 이어도 되고, 제 2 표면 (WF2) 이어도 된다. 제 1 표면 (WF1) 및 제 2 표면 (WF2) 의 양방이 회로면이어도 된다. 웨이퍼 (WF) 가 회로를 갖는 경우에는, 당해 회로가 형성된 회로면에 보호 시트가 첩착되어 있는 것이 바람직하다. 보호 시트가 회로면에 적층되어 있음으로써, 회로를 보호할 수 있다. 보호 시트로는, 회로를 보호할 수 있는 재질이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼 (WF) 가 제 1 표면 (WF1) 에 회로를 갖는 경우, 상기 실시형태에 있어서의 제 1 접착 시트 (AS1) 가 제 1 표면 (WF1) 에 적층되기 때문에, 회로를 보호할 수 있다.Wafer WF may have a circuit. The circuit is preferably formed on at least one of the first surface WF1 and the second surface WF2 of the wafer WF. The surface on which the circuit is formed corresponds to the circuit surface. The circuit surface may be the first surface WF1 or the second surface WF2. Both of the first surface WF1 and the second surface WF2 may be circuit surfaces. When the wafer WF has a circuit, it is preferable that a protective sheet is attached to the circuit surface on which the circuit is formed. By laminating the protective sheet on the circuit surface, the circuit can be protected. The protective sheet is not particularly limited as long as it is a material capable of protecting a circuit. For example, when the wafer WF has a circuit on the first surface WF1, since the first adhesive sheet AS1 in the above embodiment is laminated on the first surface WF1, the circuit can be protected. can
박형화 웨이퍼의 제조 방법은, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 적어도 어느 표면에 회로를 형성하는 회로 형성 공정을 추가로 구비하고 있어도 된다. 이와 같이, 분할 공정 후의 공정에서 회로를 형성하는 경우에는, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할되어 나타난 노출면 (분할면 (DP) 에 대응하는 면. 제 1 노출면 (WF3) 및 제 2 노출면 (WF4).) 에 회로를 형성해도 된다. 또한, 분할 공정 후의 공정에서 회로를 형성하는 경우에는, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할되어 나타난 노출면 (분할면 (DP) 에 대응하는 면. 제 1 노출면 (WF3) 및 제 2 노출면 (WF4).) 과는 반대측의 면에 회로를 형성해도 된다.The manufacturing method of a thinned wafer may further be equipped with the circuit formation process of forming a circuit in at least any surface of the 1st thinned wafer WT1 and the 2nd thinned wafer WT2. In this way, in the case of forming a circuit in a step after the division step, the exposed surface divided into the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 (a surface corresponding to the divided surface DP). A circuit may be formed on the exposed surface WF3 and the second exposed surface WF4. In addition, in the case of forming a circuit in a step after the dividing step, the exposed surface (the surface corresponding to the divided surface DP) is divided into the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2. The circuit may be formed on a surface opposite to the surface WF3 and the second exposed surface WF4.
박형화 웨이퍼의 제조 방법은, 제 1 노출면 (WF3) 및 제 2 노출면 (WF4) 의 적어도 어느 것을 연마하는 연마 공정을 추가로 구비하고 있어도 된다. 제 1 노출면 (WF3) 및 제 2 노출면 (WF4) 을 연마하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이 연마 공정에서는, 웨이퍼 (WF) 를 원하는 두께를 갖는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 또는 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 두께가 될 때까지 연마하는 것이 아니라, 분할 후에 노출된 면을 보다 평활하게 하기 위한 연마이기 때문에, 이 연마 공정을 실시하는 데에 필요한 시간은, 웨이퍼 (WF) 를 박형화하기 위해서 필요한 시간과 비교해서, 대폭으로 짧다. 따라서, 박형화 웨이퍼의 제조 방법이 연마 공정을 구비하고 있어도, 연마만으로 웨이퍼 (WF) 를 박형화하는 방법보다, 여전히 제조 효율은 높다.The manufacturing method of a thinned wafer may further be equipped with the polishing process of polishing at least any of the 1st exposed surface WF3 and the 2nd exposed surface WF4. A method of polishing the first exposed surface WF3 and the second exposed surface WF4 is not particularly limited. In addition, in this polishing step, the wafer WF is not polished until it reaches the desired thickness of the first thinned wafer WT1 or the second thinned wafer WT2, but the surface exposed after division is smoother. Since it is polishing to make the polishing, the time required to perform this polishing step is significantly shorter than the time required to reduce the thickness of the wafer WF. Therefore, even if the manufacturing method of the thinned wafer includes a polishing step, the manufacturing efficiency is still higher than that of the method of thinning the wafer WF only by polishing.
또한, 연마 공정 후에, 연마된 제 1 노출면 (WF3) 및 제 2 노출면 (WF4) 의 적어도 어느 것에 회로를 형성하는 회로 형성 공정을 실시해도 된다.Further, after the polishing step, a circuit formation step of forming a circuit on at least one of the polished first exposed surface WF3 and the second exposed surface WF4 may be performed.
또한, 박형화 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 웨이퍼 (WF) 는, 제 1 표면 (WF1) 및 제 2 표면 (WF2) 의 적어도 어느 표면측에서 흡착 유지되어 있는 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 를 흡착 유지하는 경우, 흡착 유지되는 웨이퍼 (WF) 의 면에는 보호 시트가 적층되고, 웨이퍼 (WF) 가 보호 시트를 개재하여 흡착 유지되어 있는 것이 보다 바람직하다. 레이저 조사 공정 및 분할 공정의 적어도 어느 공정에 있어서 웨이퍼 (WF) 가 흡착 유지되어 있는 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 는, 흡착 테이블에 의해 흡착 유지되어 있는 것이 바람직하다. 흡착 테이블로는, 포러스 테이블 등을 들 수 있다.In addition, in the manufacturing method of a thinning wafer, it is preferable that wafer WF is suction-held by at least any surface side of 1st surface WF1 and 2nd surface WF2. When the wafer WF is suction-held, it is more preferable that a protective sheet is laminated on the surface of the wafer WF to be suction-held, and the wafer WF is suction-held with the protective sheet interposed therebetween. It is preferable that the wafer WF is adsorbed and held in at least one of the laser irradiation process and the division process. Wafer WF is preferably adsorbed and held by a suction table. As an adsorption table, a porous table etc. are mentioned.
2 차 가공품 (WK2) 은, 제 1 링 프레임 (RF1), 제 2 링 프레임 (RF2), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 중 어느 1 개를 구비하고 있지 않아도 된다.The secondary processed product WK2 does not need to include any one of the first ring frame RF1, the second ring frame RF2, and the second adhesive sheet AS2.
제 1 프레임 부재, 및 제 2 프레임 부재는, 원형, 타원형, 삼각형 이상의 다각형의 것이나, 환상이 아닌 것 등, 그 밖의 형상이어도 된다.The first frame member and the second frame member may have other shapes, such as a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape greater than a triangle, or a non-annular shape.
박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 는, 웨이퍼 (WF), 제 1 링 프레임 (RF1), 제 2 링 프레임 (RF2), 1 차 가공품 (WK1), 및 2 차 가공품 (WK2) 을 반송하는 구동 기기인 다관절 로봇이나 벨트 컨베이어 등의 반송 수단을 구비하고 있어도 되고, 제 1 링 프레임 (RF1), 및 제 2 링 프레임 (RF2) 을 복수 수납할 수 있는 스톡 수단을 구비하고, 반송 수단이 당해 스톡 수단으로부터 제 1 링 프레임 (RF1), 및 제 2 링 프레임 (RF2) 을 각각 유지 테이블 (28), 및 유지 테이블 (48) 상으로 반송하도록 해도 된다.A thinning wafer manufacturing apparatus 10 includes a driving device that transports a wafer WF, a first ring frame RF1, a second ring frame RF2, a primary workpiece WK1, and a secondary workpiece WK2. It may be provided with conveying means such as an articulated robot or a belt conveyor, and a stock means capable of accommodating a plurality of first ring frame RF1 and second ring frame RF2 is provided, and the conveying means is the stock. The means may transport the first ring frame RF1 and the second ring frame RF2 onto the holding table 28 and the holding table 48, respectively.
박형화 판상 부재의 제조 장치는, 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (10) 에 한정되지 않는다.The manufacturing apparatus of the thinning plate-like member is not limited to the manufacturing apparatus 10 of a thinning wafer.
예를 들어, 도 15a, 도 15b, 도 15c, 도 16a, 및 도 16b 에 나타내는 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 를 사용하여, 박형화 판상 부재를 제조할 수도 있다.For example, the thinning plate-like member can also be manufactured using the manufacturing apparatus 100 of the thinning wafer shown to FIG. 15A, FIG. 15B, FIG. 15C, FIG. 16A, and FIG. 16B.
도 15a, 도 15b, 도 15c, 도 16a, 및 도 16b 에 있어서, 박형화 판상 부재로서의 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 는, 지지면 (111) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 1 접착면 (AT11) 이 첩부되는 제 1 경질 지지체 (110) 와, 제 1 표면 (WF1) 전체가 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 2 접착면 (AT12) 에 첩부된 판상 부재로서의 웨이퍼 (WF) 의 내부에, 제 1 표면 (WF1) 에 평행한 분할면을 따라 복수의 개질부를 형성하는 개질부 형성 수단 (120) 과, 제 1 유지 수단으로서의 아래 테이블 (130) 과, 제 1 경질 지지체 (110) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 아래 테이블 (130) 이 위치하도록, 아래 테이블 (130) 과 제 1 경질 지지체 (110) 를 자유롭게 착탈시킬 수 있도록 고정시키는 제 1 고정 수단 (140) 과, 지지면 (151) 에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 1 접착면 (AT21) 이 첩부되는 제 2 경질 지지체 (150) 와, 웨이퍼 (WF) 를 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 유지하는 제 2 유지 수단으로서의 위 테이블 (160) 과, 제 2 경질 지지체 (150) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 위 테이블 (160) 이 위치하도록, 위 테이블 (160) 과 제 2 경질 지지체 (150) 를 자유롭게 착탈시킬 수 있도록 고정시키는 제 2 고정 수단 (170) 과, 분할면을 경계로 하여, 웨이퍼 (WF) 를, 제 1 표면 (WF1) 을 갖는 제 1 박형화 판상 부재로서의 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 표면 (WF2) 을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로서의 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할하도록, 아래 테이블 (130) 과 위 테이블 (160) 을 상대 이동시키는 상대 이동 수단 (180) 을 구비하고 있다.In FIGS. 15A, 15B, 15C, 16A, and 16B, the thinning wafer manufacturing apparatus 100 as a thinning plate-like member is a first adhesion of the first double-sided adhesive sheet AT1 to the support surface 111 A first rigid support 110 to which a surface AT11 is affixed, and a wafer WF as a plate-like member in which the entire first surface WF1 is affixed to the second adhesive surface AT12 of the first double-sided adhesive sheet AT1. Inside, a reforming portion forming means 120 for forming a plurality of reforming portions along a dividing surface parallel to the first surface WF1, a lower table 130 as a first holding means, and a first rigid support 110 A first fixing means 140 for fixing the lower table 130 and the first rigid support 110 so that the lower table 130 is freely detachable so that the lower table 130 is located on the opposite side of the wafer WF with a ) interposed therebetween, and , holding the second hard support 150 to which the first adhesive surface AT21 of the second double-sided adhesive sheet AT2 is attached to the support surface 151 and the wafer WF from the second surface WF2 side The stomach table 160 and the second hard support ( 150), a first thinned wafer as a first thinned plate-like member having a first surface WF1 with a second fixing means 170 for fixing the second fixing means 170 so that it can be attached or detached freely, and a dividing surface as a boundary. Relative moving means 180 for relatively moving the lower table 130 and the upper table 160 so as to divide into a second thinned wafer WT2 as a second thinned plate member having a WT1 and a second surface WF2. ) is provided.
분할면 및 개질부는, 상기 실시형태에서 설명한 것과 동일하다.The dividing surface and the reforming part are the same as those described in the above embodiment.
제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 는, 판상인 것이 바람직하다. 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 재료 및 형상은, 기계적 강도를 고려하여 적절히 결정하면 된다. 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 재료로는, 각각 독립적으로, 예를 들어, 금속 재료, 비금속 무기 재료, 수지 재료, 및 복합 재료 등을 들 수 있다. 금속 재료로는, SUS 등을 들 수 있다. 비금속 무기 재료로는, 유리, 및 실리콘 웨이퍼 등을 들 수 있다. 수지 재료로는, 폴리이미드, 및 폴리아미드이미드 등을 들 수 있다. 복합 재료로는, 유리 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 재료로는, SUS, 유리, 및 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 재료인 것이 바람직하다.It is preferable that the 1st hard support body 110 and the 2nd hard support body 150 are plate shape. The material and shape of the first rigid support body 110 and the second rigid support body 150 may be appropriately determined in consideration of mechanical strength. As a material of the 1st hard support body 110 and the 2nd hard support body 150, a metal material, a non-metallic inorganic material, a resin material, a composite material etc. are mentioned each independently, for example. As a metal material, SUS etc. are mentioned. Examples of non-metallic inorganic materials include glass and silicon wafers. Examples of the resin material include polyimide and polyamideimide. A glass epoxy resin etc. are mentioned as a composite material. As a material of the 1st hard support body 110 and the 2nd hard support body 150, it is preferable that it is any material selected from the group which consists of SUS, glass, and a silicon wafer.
제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 두께는, 기계적 강도, 및 취급성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되고, 예를 들어, 각각 독립적으로, 100 ㎛ 이상 50 ㎜ 이하이다.The thickness of the first hard support 110 and the second hard support 150 may be appropriately determined in consideration of mechanical strength, handleability, etc., and are, for example, each independently 100 µm or more and 50 mm or less. .
제 1 경질 지지체 (110) 는, 후술하는 바와 같이, 위 테이블 (160) 의 회전에 의해 웨이퍼 (WF) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 변형되지 않는 것이면 되고, 예를 들어 굽힘 세기가 50 ㎫ 이상인 것이 바람직하다.As will be described later, the first rigid support 110 is not deformed when a force in the direction away from the first double-sided adhesive sheet AT1 is applied to the wafer WF by rotation of the upper table 160. It may be, for example, it is preferable that the bending strength is 50 MPa or more.
또한, 제 2 경질 지지체 (150) 의 경도는, 후술하는 바와 같이, 위 테이블 (160) 의 회전에 의해 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 에 웨이퍼 (WF) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 변형되지 않는 것이면 되고, 예를 들어 굽힘 세기가 50 ㎫ 이상인 것이 바람직하다.In addition, as will be described later, the hardness of the second rigid support 150 is determined when a force in the direction away from the wafer WF is applied to the second double-sided adhesive sheet AT2 by rotation of the upper table 160. , as long as it is not deformed, for example, it is preferable that the bending strength is 50 MPa or more.
개질부 형성 수단 (120) 은, 레이저 조사기 (121) 를 구비하고 있다.The reforming part formation means 120 includes a laser irradiator 121 .
제 1 고정 수단 (140) 은, 감압 펌프나 진공 이젝터 등에 의해 구성된 하측 감압 수단 (141) 을 구비하고, 배관 (142) 을 통하여 접속된 아래 테이블 (130) 의 내부 공간을 감압함으로써, 아래 테이블 (130) 의 유지면 (131) 에서, 제 1 경질 지지체 (110) 를 흡착 유지 가능하게 구성되어 있다.The first fixing means 140 is provided with a lower pressure reducing means 141 constituted by a pressure reducing pump, a vacuum ejector, or the like, and by reducing the internal space of the lower table 130 connected via the pipe 142, the lower table ( On the holding surface 131 of 130), it is comprised so that adsorption-holding of the 1st hard support body 110 is possible.
제 2 고정 수단 (170) 은, 하측 감압 수단 (141) 과 동일하게 구성된 상측 감압 수단 (171) 을 구비하고, 배관 (172) 을 통하여 접속된 위 테이블 (160) 의 내부 공간을 감압함으로써, 위 테이블 (160) 의 유지면 (161) 에서, 제 2 경질 지지체 (150) 를 흡착 유지 가능하게 구성되어 있다.The second fixing means 170 is provided with an upper pressure reducing means 171 configured in the same way as the lower pressure reducing means 141, and by reducing the internal space of the stomach table 160 connected via a pipe 172, the stomach On the holding surface 161 of the table 160, it is comprised so that adsorption-holding of the 2nd hard support body 150 is possible.
제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 은, 감압 펌프나 진공 이젝터 등에 의해 구성된 하측 감압 수단 (141), 및 상측 감압 수단 (171) 을 구비하고, 배관 (142), 및 배관 (172) 을 통하여 접속된 아래 테이블 (130), 및 위 테이블 (160) 의 내부 공간을 감압함으로써, 아래 테이블 (130), 및 위 테이블 (160) 의 유지면 (131), 및 유지면 (161) 에서, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 를 흡착 유지 가능하게 구성되어 있다.The first fixing means 140 and the second fixing means 170 include a lower pressure reducing means 141 and an upper pressure reducing means 171 constituted by a pressure reducing pump, a vacuum ejector, or the like, and a pipe 142, and By depressurizing the inner space of the lower table 130 and the upper table 160 connected via the pipe 172, the holding surface 131 of the lower table 130 and the upper table 160, and the holding surface ( In 161), it is comprised so that adsorption-holding of the 1st hard support body 110 and the 2nd hard support body 150 is possible.
상대 이동 수단 (180) 은, 아래 테이블 (130) 의 측방에 배치된 구동 기기로서의 회동 모터 (181) 를 구비하고 있다. 회동 모터 (181) 의 출력 축 (182) 은, 위 테이블 (160) 의 단부로부터 하방으로 연장되는 연장부 (162) 에 접속되어 있다.The relative moving means 180 is equipped with a rotation motor 181 as a driving device disposed on the side of the lower table 130. The output shaft 182 of the rotation motor 181 is connected to the extension part 162 extending downward from the end of the table 160 above.
이상의 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 에 있어서, 웨이퍼 (WF) 로부터 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 제조하는 순서를 설명한다.In the above thinned wafer manufacturing apparatus 100, the procedure for manufacturing the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 from the wafer WF will be described.
먼저, 도 15a 에 나타내는 바와 같이, 지지면 (111) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 1 접착면 (AT11) 이 첩부된 제 1 경질 지지체 (110) 를 준비하고, 동 도면 중 2 점 쇄선으로 나타내는 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 전체를, 실선으로 나타내는 바와 같이 제 2 접착면 (AT12) 에 첩부한다. 이 때, 기포가 형성되지 않도록 제 1 표면 (WF1) 을 제 2 접착면 (AT12) 에 첩부한다. 또한, 제 1 접착면 (AT11) 에 있어서의 제 1 표면 (WF1) 에 대응하는 영역 전체도, 기포가 형성되지 않도록, 제 1 경질 지지체 (110) 에 첩부되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 1 표면 (WF1) 에 첩부하는 방법이나 순서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 웨이퍼 (WF) 에 첩부한 후, 제 1 경질 지지체 (110) 에 첩부해도 된다.First, as shown in Fig. 15A, a first hard support 110 having a first adhesive surface AT11 of a first double-sided adhesive sheet AT1 attached to a support surface 111 is prepared, and two points in the figure are prepared. The entire first surface WF1 of the wafer WF indicated by the dashed line is attached to the second adhesive surface AT12 as indicated by the solid line. At this time, the first surface WF1 is attached to the second adhesive surface AT12 so as not to form air bubbles. In addition, it is preferable that the entire region of the first adhesive surface AT11 corresponding to the first surface WF1 is also adhered to the first hard support 110 so that air bubbles are not formed. In addition, the method or procedure for sticking the first double-sided adhesive sheet AT1 to the first hard support 110 and the first surface WF1 is not particularly limited, and for example, the first double-sided adhesive sheet AT1 may be attached to the first rigid support 110 after attaching to the wafer WF.
다음으로, 도 15b 에 나타내는 바와 같이, 작업자 또는 다관절 로봇이나 벨트 컨베이어 등의 도시되지 않은 반송 수단이, 웨이퍼 (WF), 및 제 1 경질 지지체 (110) 를 개질부 형성 수단 (120) 의 하방으로 이동시키고, 개질부 형성 수단 (120) 이 레이저 조사기 (121) 를 구동하여, 도시되지 않은 상대 이동 기구가 레이저 조사기 (121), 및 제 1 경질 지지체 (110) 를 상대적으로 수평 방향으로 이동시킨다. 레이저 조사기 (121) 의 레이저 (LB) 는, 상기 실시형태와 동일하게 하여 웨이퍼 (WF) 에 조사한다. 레이저 (LB) 의 조사에 의해, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 복수의 개질부 (RP) 를 형성한다. 웨이퍼 (WF) 의 내부에 분할면 (DP) 을 따라 복수의 개질부 (RP) 가 형성되면, 개질부 형성 수단 (120) 이 레이저 조사기 (121) 의 구동을 정지한다.Next, as shown in FIG. 15B , a conveyance means (not shown) such as a worker or an articulated robot or a belt conveyor transports the wafer WF and the first hard support 110 below the reforming part forming means 120. , and the reforming part formation means 120 drives the laser irradiator 121, and a relative moving mechanism (not shown) moves the laser irradiator 121 and the first rigid support 110 in a relatively horizontal direction. . Laser LB of laser irradiator 121 irradiates wafer WF in the same manner as in the above embodiment. By irradiation of the laser LB, a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF. When a plurality of reforming portions RP are formed inside the wafer WF along the dividing surface DP, the reforming portion formation means 120 stops driving the laser irradiator 121 .
이 후, 도 16a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 경질 지지체 (110) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 아래 테이블 (130) 이 위치하고, 제 2 경질 지지체 (150) 에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 1 접착면 (AT21) 이 첩부되고, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 전체에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 2 접착면 (AT22) 이 첩부되고, 제 2 경질 지지체 (150) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 위 테이블 (160) 이 위치하는 상태로 한다. 이 때, 기포가 형성되지 않도록, 제 2 표면 (WF2) 을 제 2 접착면 (AT22) 에 첩부한다. 또한, 제 1 접착면 (AT21) 에 있어서의 제 2 표면 (WF2) 에 대응하는 영역 전체도, 기포가 형성되지 않도록, 제 2 경질 지지체 (150) 에 첩부되는 것이 바람직하다.After that, as shown in FIG. 16A, the lower table 130 is positioned on the opposite side of the wafer WF with the first hard support 110 interposed therebetween, and the second double-sided adhesive sheet ( The first adhesive surface AT21 of the AT2) is affixed, the second adhesive surface AT22 of the second double-sided adhesive sheet AT2 is affixed to the entire second surface WF2 of the wafer WF, and the second hard The upper table 160 is positioned on the opposite side of the wafer WF with the support 150 interposed therebetween. At this time, the second surface WF2 is attached to the second adhesive surface AT22 so as not to form air bubbles. In addition, it is preferable that the entire region of the first adhesive surface AT21 corresponding to the second surface WF2 is also adhered to the second hard support 150 so as not to form air bubbles.
그리고, 제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 이 각각 하측 감압 수단 (141), 및 상측 감압 수단 (171) 을 구동하고, 제 1 경질 지지체 (110) 를 아래 테이블 (130) 의 유지면 (131) 에서, 제 2 경질 지지체 (150) 를 위 테이블 (160) 의 유지면 (161) 에서 각각 흡착 유지한다. 또한, 제 1 경질 지지체 (110) 를 아래 테이블 (130) 상에 위치시키거나, 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 제 2 경질 지지체 (150), 및 제 2 표면 (WF2) 에 첩부하거나, 제 2 경질 지지체 (150) 를 위 테이블 (160) 의 하방에 위치시키는 방법이나 순서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 제 2 경질 지지체 (150) 에 첩부한 후에 제 2 표면 (WF2) 에 첩부해도 되고, 그 반대의 첩부 순서여도 된다.Then, the first fixing means 140 and the second fixing means 170 drive the lower pressure reducing means 141 and the upper pressure reducing means 171, respectively, and the first rigid support 110 is moved to the lower table 130. ), the second rigid support 150 is adsorbed and held on the holding surface 161 of the upper table 160, respectively. In addition, the first hard support 110 is placed on the lower table 130, the second double-sided adhesive sheet AT2 is attached to the second hard support 150 and the second surface WF2, or The method or order of locating the two hard supports 150 below the upper table 160 is not particularly limited, for example, after sticking the second double-sided adhesive sheet AT2 on the second hard support 150 You may stick it on the 2nd surface WF2, and the reverse order of sticking may be sufficient.
그 후, 도 16b 에 나타내는 바와 같이, 상대 이동 수단 (180) 이 회동 모터 (181) 를 구동하여, 위 테이블 (160) 을 시계 회전 방향으로 회전시키고, 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 웨이퍼 (WF) 를 분할함으로써, 박형화된 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 형성한다.Then, as shown in FIG. 16B, the relative moving means 180 drives the rotation motor 181 to rotate the upper table 160 clockwise, and the split surface on which a plurality of reforming parts RP are formed. By dividing the wafer WF with DP as a boundary, a thinned first thinned wafer WT1 and a thinned second thinned wafer WT2 are formed.
이 때, 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 전체에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 2 접착면 (AT12) 이 첩부되고, 제 1 경질 지지체 (110) 에 제 1 접착면 (AT11) 이 접착되어 있기 때문에, 위 테이블 (160) 의 회전에 의해 웨이퍼 (WF) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 제 1 경질 지지체 (110) 에 의해 웨이퍼 (WF) 전체의 휨이 억제된 채로, 위 테이블 (160) 이 회전한다. 따라서, 웨이퍼 (WF) 를 파손시키지 않고 분할할 수 있어, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 를 적절히 제조할 수 있다.At this time, the second adhesive surface AT12 of the first double-sided adhesive sheet AT1 is attached to the entire first surface WF1 of the wafer WF, and the first adhesive surface AT11 is attached to the first hard support 110. ) is bonded, so when a force in the direction away from the first double-sided adhesive sheet AT1 is applied to the wafer WF by rotation of the table 160, the wafer is moved by the first rigid support 110. (WF) The upper table 160 rotates while overall warping is suppressed. Therefore, the wafer WF can be divided without being damaged, and the first thinned wafer WT1 can be appropriately manufactured.
또한, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 전체에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 2 접착면 (AT22) 이 첩부되고, 제 2 경질 지지체 (150) 에 제 1 접착면 (AT21) 이 접착되어 있기 때문에, 위 테이블 (160) 의 회전에 의해 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 에 웨이퍼 (WF) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 제 2 경질 지지체 (150) 에 의해 웨이퍼 (WF) 전체의 휨이 억제된 채로, 위 테이블 (160) 이 회전한다. 따라서, 웨이퍼 (WF) 를 파손시키지 않고 분할할 수 있어, 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 적절히 제조할 수 있다.Further, the second adhesive surface AT22 of the second double-sided adhesive sheet AT2 is attached to the entire second surface WF2 of the wafer WF, and the first adhesive surface AT21 is attached to the second hard support 150. Since this is adhered, when a force in the direction away from the wafer WF is applied to the second double-sided adhesive sheet AT2 by rotation of the upper table 160, the wafer ( WF) The upper table 160 rotates while overall warping is suppressed. Therefore, the wafer WF can be divided without being damaged, and the second thinned wafer WT2 can be appropriately manufactured.
또한, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 로 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 각각 지지하고 있기 때문에, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 를 유지하는 것에 의해, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 반송이 용이해진다.Moreover, since the 1st thinning wafer WT1 and the 2nd thinning wafer WT2 are supported by the 1st hard support 110 and the 2nd hard support 150, respectively, the 1st hard support 110, And by holding the 2nd hard support body 150, conveyance of the 1st thinned wafer WT1 and the 2nd thinned wafer WT2 becomes easy.
다음으로, 작업자 또는 도시되지 않은 반송 수단이 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 유지하면, 제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 이 각각 하측 감압 수단 (141), 및 상측 감압 수단 (171) 의 구동을 정지하여, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 지지하고 있는 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 흡착 유지를 각각 해제한다.Next, when an operator or a conveyance means (not shown) holds the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2, the first fixing means 140 and the second fixing means 170 are moved to the lower side, respectively. The operation of the pressure reducing means 141 and the upper pressure reducing means 171 is stopped, and the first hard support 110 supporting the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 and the second Adsorption retention of the hard support 150 is released, respectively.
본 실시형태에서는, 제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 으로서, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 를 흡착 유지로 고정시키는 구성을 적용하고 있기 때문에, 예를 들어, 점착제로 고정시키는 경우와 같이, 흡착 유지를 해제한 후에 아래 테이블 (130) 의 유지면 (131), 및 위 테이블 (160) 의 유지면 (161) 의 각각에 부착된 점착 성분을 제거할 필요가 없어, 작업성의 저하를 억제할 수 있다.In this embodiment, as the first fixing means 140 and the second fixing means 170, a configuration in which the first hard support 110 and the second hard support 150 are fixed by suction holding is applied. Therefore, for example, as in the case of fixing with an adhesive, after releasing the adsorption holding, the adhesive attached to each of the holding surface 131 of the lower table 130 and the holding surface 161 of the upper table 160 There is no need to remove components, and deterioration in workability can be suppressed.
그 후, 도시되지 않은 반송 수단이 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 다음 공정으로 반송하면, 각 수단이 각각의 구동 기기를 구동하여, 각 부재를 초기 위치로 복귀시키고, 이후 상기와 동일한 동작이 반복된다.After that, when conveying means (not shown) convey the first thinned wafer WT1 and the second thinned wafer WT2 to the next step, each means drives each driving device to return each member to its initial position. and then the same operation as above is repeated.
이상과 같은 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 에 의하면, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 적절히 제조할 수 있다.According to the above thinning wafer manufacturing apparatus 100, the 1st thinning wafer WT1 and the 2nd thinning wafer WT2 can be manufactured suitably.
박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 를 사용한 박형화 판상 부재의 제조 방법의 변형예로는, 예를 들어, 제 1 경질 지지체 (110) 를 적용하고 있으면, 제 2 경질 지지체 (150) 를 적용하지 않고, 웨이퍼 (WF) 를 직접 혹은 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 개재하여 위 테이블 (160) 의 유지면 (161) 에서 흡착 유지시켜도 된다.As a modified example of the manufacturing method of the thinned plate-like member using the thinned wafer manufacturing apparatus 100, for example, if the first hard support 110 is applied, the second hard support 150 is not applied, The wafer WF may be adsorbed and held on the holding surface 161 of the upper table 160 directly or via the second double-sided adhesive sheet AT2.
제 2 경질 지지체 (150) 를 적용하고 있으면, 제 1 경질 지지체 (110) 를 적용하지 않고, 웨이퍼 (WF) 를 직접 혹은 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 개재하여 아래 테이블 (130) 의 유지면 (131) 에서 흡착 유지시켜도 되고, 이 경우, 제 2 경질 지지체 (150), 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 가, 각각 본 발명의 제 1 경질 지지체, 제 1 양면 접착 시트에 해당하게 된다.If the second hard support 150 is applied, without applying the first hard support 110, the holding surface of the lower table 130 directly or via the first double-sided adhesive sheet AT1 is applied to the wafer WF. (131) may be adsorbed and held. In this case, the second hard support 150 and the second double-sided adhesive sheet (AT2) correspond to the first hard support and the first double-sided adhesive sheet of the present invention, respectively.
그 외에, 상기한 실시형태 및 실시형태의 변형에 있어서는, 이하의 점도 적용할 수 있다.In addition, in the above-mentioned embodiment and modification of embodiment, the following points can also be applied.
제 1 접착 시트 (AS1), 제 2 접착 시트 (AS2), 및 판상 부재의 재질, 종별, 형상 등은, 특별히 한정되는 경우는 없다. 예를 들어, 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 는, 원형, 타원형, 삼각형이나 사각형 등의 다각형, 및 그 밖의 형상이어도 되고, 감압 접착성, 및 감열 접착성 등의 접착 형태의 것이어도 되고, 감열 접착성의 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 가 채용된 경우에는, 당해 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 를 가열하는 적절한 코일 히터나 히트 파이프의 가열측 등의 가열 수단을 형성하는 것과 같은 적절한 방법으로 접착되면 된다. 또한, 이와 같은 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 는, 예를 들어, 접착제층만의 단층의 것, 기재 시트와 접착제층 사이에 중간층을 갖는 것, 기재 시트의 상면에 커버층을 갖는 등 3 층 이상의 것, 나아가서는, 기재 시트를 접착제층으로부터 박리할 수 있는 소위 양면 접착 시트와 같은 것이어도 되고, 양면 접착 시트는, 단층 또는 복층의 중간층을 갖는 것이나, 중간층이 없는 단층 또는 복층의 것이어도 된다. 또한, 판상 부재로는, 예를 들어, 식품, 수지 용기, 반도체 웨이퍼 (실리콘 반도체 웨이퍼 및 화합물 반도체 웨이퍼 등), 회로 기판, 정보 기록 기판 (광 디스크 등), 유리판, 강판, 도기, 목판, 및 수지판 등, 그리고 임의의 형태의 부재 및 물품 등도 대상으로 할 수 있다. 또한, 제 1 접착 시트 (AS1), 및 제 2 접착 시트 (AS2) 를 기능적, 용도적인 판독 방법으로 바꾸어, 예를 들어, 정보 기재용 라벨, 장식용 라벨, 보호 시트, 다이싱 테이프, 다이아 터치 필름, 다이 본딩 테이프, 및 기록층 형성 수지 시트 등의 임의의 형상의 임의의 시트, 필름, 테이프 등을 전술한 바와 같은 임의의 판상 부재에 첩부할 수 있다.The materials, types, and shapes of the first adhesive sheet AS1, the second adhesive sheet AS2, and the plate-like members are not particularly limited. For example, the first adhesive sheet AS1 and the second adhesive sheet AS2 may have a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape such as a triangle or a square, or other shapes, and have pressure-sensitive adhesive properties, thermal adhesive properties, and the like. It may be in an adhesive form, and when the first adhesive sheet (AS1) and the second adhesive sheet (AS2) of heat-sensitive adhesive are employed, the first adhesive sheet (AS1) and the second adhesive sheet (AS2) It may be bonded by an appropriate method such as forming a heating means such as a suitable coil heater for heating or a heating side of a heat pipe. In addition, such a 1st adhesive sheet (AS1) and 2nd adhesive sheet (AS2) are, for example, single-layer ones of only the adhesive layer, ones having an intermediate layer between the base sheet and the adhesive layer, and the upper surface of the base sheet It may have three or more layers, such as having a cover layer, or a so-called double-sided adhesive sheet capable of peeling the substrate sheet from the adhesive layer. It may be a single layer or a multi-layered one. Further, as plate-like members, for example, foods, resin containers, semiconductor wafers (silicon semiconductor wafers and compound semiconductor wafers, etc.), circuit boards, information recording boards (optical disks, etc.), glass plates, steel plates, pottery, wood plates, and Resin plates, etc., and members and articles of arbitrary shapes can also be targeted. In addition, the first adhesive sheet AS1 and the second adhesive sheet AS2 are changed to a functional and purposeful reading method, for example, an information label, a decorative label, a protective sheet, a dicing tape, and a die touch film. Any sheet, film, tape, etc. of any shape, such as a die bonding tape, and a resin sheet for forming a recording layer, can be affixed to any plate-like member as described above.
본 발명에 있어서의 수단, 및 공정은, 그것들 수단, 및 공정에 대하여 설명한 동작, 기능 또는 공정을 완수할 수 있는 한 전혀 한정되지 않고, 더하여, 상기 실시형태에서 나타낸 단순한 일 실시형태의 구성물이나 공정에 전혀 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 제 1 첩부 공정은, 판상 부재의 일방의 면에 제 1 접착 시트를 첩부 가능한 것이면, 출원 당초의 기술 상식과 대조하여, 그 기술 범위 내의 것이면 전혀 한정되는 것은 없다 (다른 수단, 및 공정에 대한 설명은 생략한다).Means and processes in the present invention are not limited at all as long as the operation, function, or process described for those means and processes can be accomplished, and in addition, the components and processes of a simple embodiment shown in the above embodiment. is not limited to at all. For example, the first attaching step is not limited at all as long as the first adhesive sheet can be attached to one side of the plate-like member, as long as it is within the technical range in contrast to the common technical knowledge at the beginning of the application (other means, and The description of the process is omitted).
또한, 상기 실시형태에 있어서의 구동 기기는, 회동 모터, 직동 모터, 리니어 모터, 단축 로봇, 다관절 로봇 등의 전동 기기, 에어 실린더, 유압 실린더, 로드리스 실린더, 및 로터리 실린더 등의 액추에이터 등을 채용할 수 있고 또한, 그것들을 직접적 또는 간접적으로 조합한 것을 채용할 수도 있다 (실시형태에서 예시한 것과 중복되는 것도 있다).In addition, the drive device in the above embodiment includes electric devices such as rotary motors, linear motors, linear motors, single-axis robots and articulated robots, actuators such as air cylinders, hydraulic cylinders, rodless cylinders, and rotary cylinders. It can be employed, or a direct or indirect combination thereof can also be employed (some overlapping with those exemplified in the embodiments).
10 : 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (박형화 판상 부재의 제조 장치)
100 : 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (박형화 판상 부재의 제조 장치)
30A : 개질부 형성 수단
320 : 구동부
322 : 아암부
323 : 레이저 조사기
DP : 분할면
LB : 레이저
RP : 개질부
WF : 웨이퍼 (판상 부재)
WF1 : 제 1 표면
WF2 : 제 2 표면
WT1 : 제 1 박형화 웨이퍼 (제 1 박형화 판상 부재)
WT2 : 제 2 박형화 웨이퍼 (제 2 박형화 판상 부재)10: Manufacturing device for thinning wafer (manufacturing device for thinning plate-like member)
100: thinning wafer manufacturing device (thinning plate-like member manufacturing device)
30A: reforming part forming means
320: driving unit
322: arm part
323: laser irradiator
DP: parting plane
LB: laser
RP: reforming part
WF: Wafer (plate-like member)
WF1: first surface
WF2: second surface
WT1: first thinned wafer (first thinned plate member)
WT2: 2nd thinning wafer (2nd thinning plate member)
Claims (29)
상기 판상 부재를 분할면을 따라 분할하여, 적어도 제 1 박형화 판상 부재 및 제 2 박형화 판상 부재를 형성하는 분할 공정을 구비하고,
상기 판상 부재에 레이저를 조사하는 공정에 있어서는, 상기 레이저를 조사하는 레이저 조사기, 및 상기 판상 부재의 모두를 회전시킬 뿐만 아니라, 평행 이동시키는 동작을 조합하여, 상기 판상 부재 및 상기 레이저 조사기 모두를 이동시킴으로써, 상기 레이저 조사기와 상기 판상 부재의 상대적인 위치를 변화시킴으로써, 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서, 상기 레이저를 조사하여, 상기 판상 부재의 내부에 복수의 개질부를 상기 분할면을 따라 형성하고,
상기 레이저 조사기의 회전은, 상기 레이저 조사기가 장착된 아암부를 회전시킴으로써, 상기 레이저 조사기를 회전시키고,
상기 제 1 박형화 판상 부재의 두께는, 상기 판상 부재의 두께보다 작고,
상기 제 2 박형화 판상 부재의 두께는, 상기 판상 부재의 두께보다 작은,
박형화 판상 부재의 제조 방법.A laser irradiation step of irradiating a laser to a plate-like member;
a dividing step of dividing the plate-like member along a dividing surface to form at least a first thinned plate-like member and a second thinned plate-like member;
In the step of irradiating the plate-like member with a laser, a laser irradiator for irradiating the laser and an operation of not only rotating but also moving both the plate-like member in parallel are combined to move both the plate-like member and the laser irradiator. By changing the relative position of the laser irradiator and the plate-like member, the laser is irradiated while moving the position of the irradiation point of the laser, thereby forming a plurality of reforming portions inside the plate-like member along the dividing surface, ,
The rotation of the laser irradiator rotates the laser irradiator by rotating the arm portion on which the laser irradiator is mounted,
The thickness of the first thinning plate-like member is smaller than the thickness of the plate-like member,
The thickness of the second thinning plate-like member is smaller than the thickness of the plate-like member,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 판상 부재의 외주부측으로부터 상기 판상 부재의 중심부측에 걸쳐 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서, 상기 판상 부재에 복수의 상기 개질부를 일정한 간격으로 형성하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
In the laser irradiation step, forming a plurality of the modified portions in the plate-like member at regular intervals while moving a position of an irradiation point of the laser from an outer peripheral portion of the plate-like member to a central portion of the plate-like member.
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 레이저의 조사점의 위치를 이동시키면서 상기 판상 부재에 복수의 상기 개질부를 형성하고,
상기 판상 부재의 외주부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격과, 상기 판상 부재의 중심부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격이, 상이한,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
In the laser irradiation step, forming a plurality of the modified portions in the plate-like member while moving the position of the irradiation point of the laser;
The interval between the irradiation points on the outer peripheral side of the plate-like member and the interval between the irradiation points on the central portion side of the plate-like member are different,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재의 외주부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격이, 상기 판상 부재의 중심부측에 있어서의 상기 조사점끼리의 간격보다 작은,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 3,
an interval between the irradiation points on the outer peripheral side of the plate-like member is smaller than an interval between the irradiation points on the central portion side of the plate-like member;
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 조사점끼리의 간격이, 상기 판상 부재의 외주부측으로부터 상기 판상 부재의 중심부측을 향함에 따라 커지는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 3,
the interval between the irradiation points increases from the outer circumferential side of the plate-like member toward the center side of the plate-like member;
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재는, 상기 판상 부재의 외주부측의 제 1 영역과, 상기 판상 부재의 중심부측의 제 2 영역과, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이의 제 3 영역을 갖고,
상기 제 1 영역에 대하여, 제 1 간격으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고,
상기 제 3 영역에 대하여, 제 3 간격으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고,
상기 제 2 영역에 대하여, 제 2 간격으로 상기 레이저를 복수 지점에 조사하고,
상기 제 1 간격은, 상기 제 3 간격보다 작고,
상기 제 3 간격은, 상기 제 2 간격보다 작은,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 4,
the plate-like member has a first region on the outer peripheral side of the plate-like member, a second region on the center side of the plate-like member, and a third region between the first region and the second region;
With respect to the first region, the laser is irradiated to a plurality of points at a first interval;
With respect to the third region, the laser is irradiated to a plurality of points at a third interval;
With respect to the second region, the laser is irradiated to a plurality of points at a second interval;
The first interval is smaller than the third interval,
The third interval is smaller than the second interval,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 레이저 조사기로부터, 복수의 상기 레이저를 동시에 조사하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
Simultaneously irradiating a plurality of the lasers from the laser irradiator,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재의 두께는, 3 ㎜ 이하인,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
The thickness of the plate-like member is 3 mm or less,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 제 1 박형화 판상 부재의 두께 및 상기 제 2 박형화 판상 부재의 두께의 적어도 어느 것이, 500 ㎛ 이하인,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
At least one of the thickness of the first thinning plate-like member and the thickness of the second thinning plate-like member is 500 μm or less,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 레이저를 상기 분할면을 따라 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 간격으로 조사하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
irradiating the laser at intervals of 1 μm or more and 350 μm or less along the dividing surface,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
복수의 상기 개질부는, 서로 겹쳐 있는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
A plurality of the reforming units overlap each other,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
복수의 상기 개질부는, 서로 떨어져 있는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
A plurality of the reforming units are separated from each other,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재는, 제 1 표면, 및 상기 제 1 표면과는 반대측의 제 2 표면을 갖고,
상기 레이저를, 상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면의 적어도 어느 표면측으로부터 조사하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
The plate-like member has a first surface and a second surface opposite to the first surface;
irradiating the laser from at least any surface side of the first surface and the second surface;
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면의 적어도 어느 표면에는 보호 시트가 적층되어 있는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 15,
A protective sheet is laminated on at least one of the first surface and the second surface,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 보호 시트가 적층된 상기 판상 부재의 표면측으로부터 상기 레이저를 조사하여, 상기 판상 부재의 내부에 복수의 상기 개질부를 형성하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.17. The method of claim 16,
irradiating the laser from a surface side of the plate-like member on which the protective sheet is laminated to form a plurality of the reforming portions inside the plate-like member;
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 판상 부재의 측면측으로부터 상기 레이저를 조사하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
In the laser irradiation step, the laser is irradiated from the side surface side of the plate-like member.
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 분할 공정은, 상기 판상 부재의 두께 방향으로 상기 판상 부재를 이간시킴으로써, 복수의 상기 개질부가 형성된 상기 분할면을 경계로 하여 상기 제 1 박형화 판상 부재 및 상기 제 2 박형화 판상 부재로 분할하는 공정인,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
The dividing step is a step of dividing the plate-like member into the first thinning plate-like member and the second thinning plate-like member by separating the plate-like member in the thickness direction of the plate-like member, with the dividing surface on which a plurality of the reforming parts are formed as a boundary. ,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재의 표면은, 회로를 갖는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
The surface of the plate-like member has a circuit,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 제 1 박형화 판상 부재는, 상기 분할 공정에 있어서의 상기 판상 부재의 분할에 의해 나타난 제 1 노출면을 갖고,
상기 제 2 박형화 판상 부재는, 상기 분할 공정에 있어서의 상기 판상 부재의 분할에 의해 나타난 제 2 노출면을 갖고,
상기 제 1 노출면 및 상기 제 2 노출면의 적어도 어느 것을 연마하는 연마 공정을 갖는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
The first thinning plate-like member has a first exposed surface revealed by division of the plate-like member in the dividing step;
the second thinning plate-like member has a second exposed surface revealed by division of the plate-like member in the dividing step;
Having a polishing step of polishing at least one of the first exposed surface and the second exposed surface,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 제 1 박형화 판상 부재 및 상기 제 2 박형화 판상 부재의 적어도 어느 표면에 회로를 형성하는 회로 형성 공정을 추가로 구비하는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
Further comprising a circuit formation step of forming a circuit on at least any surface of the first thinning plate-like member and the second thinning plate-like member,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재의 재질은, 실리콘, 질화규소, 질화갈륨, 실리콘 카바이드, 사파이어, 갈륨비소, 및 유리로 이루어지는 군에서 선택되는,
박형화 판상 부재의 제조 방법.According to claim 1,
The material of the plate-like member is selected from the group consisting of silicon, silicon nitride, gallium nitride, silicon carbide, sapphire, gallium arsenide, and glass.
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
상기 판상 부재는, 웨이퍼인,
박형화 판상 부재의 제조 방법.The method of any one of claims 1 to 6 and 9 to 23,
The plate-like member is a wafer,
A method for manufacturing a thinned plate-like member.
개질 후의 상기 판상 부재를 적어도 제 1 박형화 판상 부재 및 제 2 박형화 판상 부재로 분할하는 분할 수단과,
상기 판상 부재를 회전 가능하게 지지하는 유지 수단을 구비하고,
상기 개질부 형성 수단은, 아암부와, 레이저를 조사하는 레이저 조사기와, 상기 아암부를 회전 가능하게 지지하는 구동부를 갖고,
상기 레이저 조사기는, 상기 아암부에 슬라이드 이동 가능하게 지지되어 있고,
상기 유지 수단은, 상기 판상 부재를 회전 가능하게 하는 회전 기구를 갖는,
박형화 판상 부재의 제조 장치.reforming portion formation means for forming a plurality of reforming portions inside the plate-like member;
dividing means for dividing the plate-like member after modification into at least a first thinned plate-like member and a second thinned plate-like member;
a holding means for rotatably supporting the plate-like member;
The reforming part formation means has an arm part, a laser irradiator for irradiating a laser, and a driving part for rotatably supporting the arm part;
The laser irradiator is supported by the arm so as to be slidably movable,
The holding means has a rotation mechanism for enabling rotation of the plate-like member,
An apparatus for manufacturing a thin plate-like member.
상기 개질부 형성 수단은, 상기 레이저 조사기를 복수 갖는,
박형화 판상 부재의 제조 장치.26. The method of claim 25,
The reforming part forming means has a plurality of the laser irradiators,
An apparatus for manufacturing a thin plate-like member.
상기 레이저 조사기는, 복수의 레이저를 동시에 조사 가능한,
박형화 판상 부재의 제조 장치.26. The method of claim 25,
The laser irradiator can simultaneously irradiate a plurality of lasers,
An apparatus for manufacturing a thin plate-like member.
상기 레이저 조사기는, 복수의 상기 레이저끼리의 조사 간격을 확대 및 축소할 수 있는,
박형화 판상 부재의 제조 장치.28. The method of claim 27,
The laser irradiator is capable of expanding and reducing the irradiation interval between a plurality of the lasers,
An apparatus for manufacturing a thin plate-like member.
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