KR102554425B1 - 앵커에 mims를 사용하는 dvc - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일반적으로, DVC의 앵커 상에 위치되는 하나 이상의 MIM 커패시터와 RF 전극에 위치되는 오믹 접촉부(Ohmic contact)를 이용하는 MEMS DVC에 관한 것이다. MEMS 디바이스에 통합된 MIM 커패시터에 의해, 적용된 RF 전력으로 MEMS DVC를 위한 안정적인 커패시턴스를 달성할 수 있다.
Description
본 발명은 전반적으로 RF(radio frequency: 무선 주파수) 튜닝 및 임피던스 정합을 위한 무선 주파수(RF) 디지털 가변 커패시터(DVC) 유닛에 관한 것이다.
MEMS 커패시터는 커패시터로서 동작될 때 비선형 동작을 나타낼 수 있다. 일 주파수에서 전송된 신호가 다른 주파수 채널로 누설될 수 있는 경우, RF 사용 시에 문제가된다. 이에 대한 조치들 중 하나는 3 차 비선형 x 입력 전압 또는 전류가 1 차 항 x 입력 전압 또는 전류가 되도록 하는 입력 값 또는 IP3 값이다.
MEMS 커패시터의 경우, RF 라인에서 전력이 증가함에 따라, 증가하는 전압은 RF 라인과 MEMS 캔틸레버 간의 산화물 양단에서 강하된다. MEMS 디바이스가 산화물 층과 기계적으로 접촉하는 경우에도, 그 계면에서의 거칠기(roughness) 또는 요철들은인가된 전력의 함수로서 (RF 전극과 MEMS 디바이스 간의) 갭(gap)의 작은 변화를 초래할 수 있다. 이러한 갭의 변화는 전력의 함수로서 최대 커패시턴스의 변화를 가져온다. 따라서, 전력의 변조는 주파수의 변조로 이어질 수 있고, 보다 많은 신호가 목표 주파수 윈도우를 벗어나서 발견될 수 있다.
따라서, 안정적인 커패시턴스 대 RF 입력 전력을 갖는 MEMS DVC에 대한 기술이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 하나 이상의 MIM 커패시터를 이용하는 MEMS DVC에 관한 것이다. MIM 커패시터는 MEMS 디바이스 자체에 통합될 수 있고 MEMS 디바이스의 앵커(anchor) 상에 배치될 수 있다.
일 실시형태에서, 디지털 가변 커패시터(DVC: digital variable capacitor)는 그 내부에 배치된 적어도 하나의 RF(Radio Frequency) 전극 및 적어도 하나의 앵커 전극(anchor electrode)을 갖는 기판; 상기 적어도 하나의 앵커 전극 상에 배치된 절연 층; 상기 절연 층 상에 배치된 도전성 층으로서, 상기 적어도 하나의 앵커 전극, 상기 절연 층 및 상기 도전성 층은 MIM(metal-insulator-metal) 커패시터를 형성하는, 상기 도전성 층; 및 상기 기판 위에 배치되고 상기 도전성 층에 결합되는 적어도 하나의 MEMS 브리지(Micro Electro Mechanical System bridge)를 포함하며, 상기 적어도 하나의 MEMS 브리지는 상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격된 위치로부터, 그리고 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리보다 작은 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동가능하다.
다른 실시형태에서, 디지털 가변 커패시터를 제조하는 방법은 기판 상에 복수의 전극을 형성하는 단계로서, 적어도 하나의 전극은 앵커 전극이고 적어도 하나의 전극이 RF 전극인, 상기 복수의 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 전극 위에 절연 층을 성막하는 단계; 상기 RF 전극의 적어도 일부분을 노출시키도록 상기 절연 층의 적어도 일부분을 제거하는 단계; 상기 절연 층 및 노출된 RF 전극 위에 도전성 층을 성막하는 단계; 상기 도전성 층의 선택된 부분들을 제거하는 단계; 상기 도전성 층의 일부 위에 오믹 접촉부를 형성하는 단계; 및 상기 오믹 접촉부와 접촉하는 MEMS 브리지를 형성하는 단계를 포함한다.
본 개시의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략하게 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명은 실시예들을 참조함으로써 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들의 일부는 첨부 도면들에서 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 대표적인 실시예들을 예시하며, 따라서, 본 발명은 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 허용할 수 있기 때문에, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다.
도 1은 일 실시예에 따른 MEMS DVC의 개략적인 평면도이다.
도 2a 및 2b는 도 1의 MEMS DVC의 MEMS 디바이스의 개략적인 평면도 및 단면도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 도 1의 MEMS DVC의 MEMS 디바이스 내의 개개의 스위칭 소자의 개략적인 평면도 및 단면도이다.
도 4는 도 1의 MEMS DVC에 대한 저항과 고정된 MIM-커패시터에 대한 저항 간을 비교한 그래프이다.
도 5a 내지 5e는 일 실시예에 따른 제조 방법의 다양한 단계들에서의 MEMS DVC의 개략도들이다.
이해를 돕기 위해, 가능하면, 도면들에 공통인 동일한 구성 요소들을 나타 내기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 구성 요소들은 특정한 설명 없이 다른 실시예들에 유리하게 사용될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 MEMS DVC의 개략적인 평면도이다.
도 2a 및 2b는 도 1의 MEMS DVC의 MEMS 디바이스의 개략적인 평면도 및 단면도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 도 1의 MEMS DVC의 MEMS 디바이스 내의 개개의 스위칭 소자의 개략적인 평면도 및 단면도이다.
도 4는 도 1의 MEMS DVC에 대한 저항과 고정된 MIM-커패시터에 대한 저항 간을 비교한 그래프이다.
도 5a 내지 5e는 일 실시예에 따른 제조 방법의 다양한 단계들에서의 MEMS DVC의 개략도들이다.
이해를 돕기 위해, 가능하면, 도면들에 공통인 동일한 구성 요소들을 나타 내기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 구성 요소들은 특정한 설명 없이 다른 실시예들에 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명은 일반적으로 하나 이상의 MIM 커패시터를 이용하는 MEMS DVC에 관한 것이다. MIM 커패시터는 MEMS 디바이스의 앵커 상에 배치될 수 있다.
본 개시에서, MEMS 가변 커패시터는 저항성 스위치로 변환되며, 저항성 스위치는 절연체, 제 1 금속 상의 절연체 및 다른 금속의 컨포멀 코팅들로 이루어진 금속 절연체 금속(MIM) 커패시터에서 스위칭된다. 이러한 커패시터는 고전압, 및 절연체 양단에서의 전압 강하에 의해 유도되는 높은 기계적 압력을 보다 양호하게 견디는데, 그 이유는 힘이 계면에 걸쳐서 고르게 분산되기 때문이다. MEMS가 저항성 스위치 역할을할 때, 양호한 Q 값을 얻기 위해서는 낮은 저항이 필요하다. 낮은 저항을 얻기 위해서는, 일반적으로 큰 힘을 컨택트에 가할 수 있는 대형 MEMS 디바이스가 필요하다. 대형 MEMS 디바이스의 문제점은 천천히 스위칭한다는 것이다. 또한, 각 MEMS 스위치는 MIM 커패시터를 통해 전류를 유지할 수 있어야 한다. MIM 커패시터의 값이 크면, MEMS 스위치를 통과하는 전류가 매우 높아져, 잠재적인 신뢰성 문제가 될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 많은 소형 MEMS 디바이스들을 병렬로 사용할 수 있다. 각 MEMS 소자는 소형 MIM 커패시터에 연결되며 한정된 전류만 공급해야 한다. 각 컨택트의 저항은 상당히 크지만, 모든 병렬 디바이스들의 합계 값은 작다.
도 1은 상단으로부터 도시된 저항성 스위칭 디지털 가변 커패시터의 가능한 구현예를 도시한다. 이는 소형 하이브리드 오믹-MIM 셀들(3)의 어레이를 포함하다. 각 셀로의 RF 접속부들(1 및 4)은 서로 반대편 단부들에 있다. 각 셀은 병렬로 작동하는(5 내지 40) 개의 소형 오믹-MIM 스위치들의 어레이를 포함하다. 단일 셀(3) 내의 모든 스위치들(5)은 동시에 작동되고 턴 오프될 때 최소 커패시턴스를 제공하거나 또는 턴온될 때 최대 커패시턴스를 제공한다. RF 접속부들(1과 4) 간의 총 커패시턴스가 1 내지 8 비트 분해능의 디지털 제어로 조절될 수 있도록 다수의 셀들이 그룹화되어 이진 제어 방식을 이룬다.
도 2a는 도 1에서 참조 부호(3)로 표시된 오믹-MIM 셀의 평면도를 도시한다. 셀은 오믹-MIM 스위치들(5)의 어레이를 포함한다. 스위치들 아래에, RF 전극(11) 및 풀인(pull-in) 전극들(12 및 13)이 존재하여, 스위치들을 하향-위치로 작동시킨다(스위치가 폐쇄됨).
도 2b는 상향-위치(스위치가 개방됨)로 스위치들을 작동시키기 위한 풀-업(pull-up) 전극(15), 캐비티(16) 및 그 아래에 놓인 기판 층(17)의 측면도이다. 기판은 상호 접속을 위한 다수의 금속 레벨들을 포함할 수 있고, 본 장치를 동작시키기 위한 CMOS 활성 회로를 포함할 수 있다.
도 3a는 도 1 및 도 2a에서 참조 번호(5)로 표시된 어레이 내의 스위치들 중 하나의 평면도를 도시한다. 풀-인 전극은 참조 번호들(12와 13)로 표시되고 RF 전극은 참조 번호(11)로 표시된다.
도 3b는 스위치의 단면도를 도시한다. 스위치 소자는 비아들(21)의 어레이를 사용하여 함께 결합된 도전 층들(20, 22)로 구성된 강성 브리지(stiff bridge)를 포함한다. 도전 층(20)은 본 구조물의 끝까지 연속하여 연장되지 않을 수 있으며, 이로써 층(20)을 층(22)보다 길이가 짧게 만들 수 있다. MEMS 브리지는 MEMS 브리지의 하부층(22)에 형성되고 도체(8) 상으로 비아(23)를 통해 고정된 레그들(legs)(14)에 의해 현수된다. 이로써, 강성 플레이트-섹션 및 순응성 레그들이 동작 전압을 허용 가능한 수준으로 유지하면서 높은 접촉력을 제공한다. 도체들(8 및 10)은 유전체 층(9)과 함께 금속-절연체-금속(MIM) 커패시터를 형성한다. MEMS 브리지는 앵커 비아(anchor via)들(23)을 통해 MIM 커패시터의 상단 금속(8)에 연결된다. 이러한 방식으로 인해, 앵커 내의 MIM 커패시터 크기를 대응하게 조절함으로써, 해당 스위치의 최대 온-커패시턴스를 설정할 수 있다. 스위치의 오프-커패시턴스는 소형 RF 전극(11)의 치수에 의해 좌우되며, MIM 커패시터에 의해 설정된 최대 커패시턴스와는 무관하게 큰 크기로된다.
랜딩 포스트(landing post)(16)는 도전성이고 캔틸레버의 도전성 하부측과 접촉한다. 참조 번호(16B)는 양호한 도전성, 주변 재료에 대한 낮은 반응성, 및 높은 용융 온도, 및 장기 수명 동안의 경도를 제공하는, 도전성 포스트 상의 표면 재료이다. 이들 도면에는 도시되지 않았지만, 도전 층들(20, 22)의 상단측 및 하단측 상에 절연 층이 있을 수 있다. 랜딩 포스트 영역에서 층(22)의 하단측 상의 절연체 내에 홀(hole)이 형성되어, 도전 영역(16C)를 노출시키고, 이로써 도전성 포스트는 MEMS가 아래로 당겨질 때(pull-down) 전기적 접촉을 할 수 있다. 접촉 층들(16, 16B, 16C)에 대해 사용되는 전형적인 재료는 Ti, TiN, TiAl, TiAlN, AlN, Al, W, Pt, Ir, Rh, Ru, RuO2, ITO 및 Mo 및 이들의 조합을 포함한다. 하향으로 작동된 상태에서, MEMS 브리지의 층(22)은 다수의 범프(bump)(15A, 15B, 15C 및 15D) 상에 랜딩되며, 이러한 범프들은 MEMS 브리지가 풀-인 전극들(12, 13) 위의 유전체 층(9) 상으로 랜딩하는 것을 억제하기 위해서 제공되며, 이러한 랜딩은 신뢰성 문제로 이어질 수 있다. 이러한 범프들은 MIM 커패시터의 상부 플레이트(8)와 랜딩 포스트(16B, 16C)와 동시에 생성된다.
상기 MEMS 브리지 위에는, MEMS를 오프 상태를 위해 루프(root)까지 끌어 올리는데 사용되는, 금속(18)으로 캡핑된 유전체 층(19)이 있다. 유전체 층(19)은 상향으로 작동된 상태에서 MEMS 브리지와 풀-업 전극 사이의 단락을 방지하고, 높은 신뢰성을 위해 전계를 제한한다. 본 장치를 위로 이동시키면, 오프 상태에서 스위치의 커패시턴스가 저감된다. 캐비티는 유전체 층(17)으로 밀봉되며, 유전체 층(17)은 희생 층을 제거하기 위해 사용된 에칭 홀을 충진한다. 상기 유전체 층은 에칭 홀들에 들어가며 캔틸레버의 단부들을 지지하는 동시에 캐비티를 밀봉하며, 이로써 캐비티 내에서 저압 환경이 존재한다.
도 3c는 스위치의 다른 실시예를 도시하며, 이 스위치에서 MEMS 브리지는 중간 유전체 층(24)으로 함께 결합되는 2 개의 층(20, 22), 및 층들(20, 22)을 전기적으로 접속하는 몇몇 비아(21)로 구성된다. 유전체 층(24)에 적합한 재료는 실리콘-산화물, 실리콘-이산화물, 실리콘-질화물 및 실리콘-산질화물을 포함하는 실리콘계 재료를 포함한다. 레그들(14)은 여기서도 MEMS 브리지의 하부 층(22) 내에 형성된다. 이로써, 강성 플레이트 섹션 및 유연성 레그들이 동작 전압을 허용 가능한 수준으로 유지하면서 높은 접촉력을 제공한다.
많은 수의 소형 오믹-MIM 스위치들을 구비한 전체 디바이스를 구현할 때 몇 가지 장점이 있다. 일반적으로, 각각이 직렬로 연결된 매우 작은 MIM 커패시터와 함께 오믹 스위치로 구성된 아주 많은 수의 브랜치에서 해당 디바이스가 고장나면, 전반적인 작은 등가 직렬 저항(ESR) 및 높은 디바이스 Q 팩터를 달성하기 위해 각 스위치의 오믹 저항 값에 대한 요건이 완화된다. 또한, 소형 MIM 커패시터들이 각 스위치를 통과하는 전류를 제한하기 때문에, 소정의 rms 전압에 있어서 각 스위치에 작은 RF 전류만 흐르게 되므로, 신뢰성 문제가 최소화된다. 또한, 소형 MIM 커패시터들을 오믹 스위치의 앵커에 위치시키면, 개방 상태에서의 최소 커패시턴스와 관계없이, 폐쇄 상태에서의 스위치의 최대 커패시턴스를 큰 크기로 조절할 수 있다.
도 4는 프로그램 가능한 C 값을 얻기 위해 모든 MIM 커패시터들과 직렬로 오믹 스위치들을 도입하는 디바이스와, 오직 MIM 커패시터들에 의해서 구현되는 디바이스(이로써, 고정된 커패시턴스 값을 가짐)를 서로 비교한 시뮬레이션 분석에 의해 생성된 플롯이다; MIM 커패시터의 디바이스 ESR은 0.3 ohm이며; 오믹 스위치를 추가하면 ESR은 증가하지만, 0.1 ohm 미만의 ESR 패널티(penalty)를 가지려면, 60 ohm 미만의 각 오믹 스위치 저항을 갖는 것이면 충분하다; 이는 많은 수의 매우 소형의 오믹-MIM 스위치들로 구성된 구성에서 병렬화를 이용하다.
MEMS
DVC
제조
도 5a 내지 도 5d는 일 실시예에 따른 제조 방법의 다양한 단계들에서의 MEMS DVC(1100)의 개략도들이다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(1102)은 그 내부에 형성된 복수의 전극(1104A-1104E)을 갖는다. 전극들(1104A, 1104E)은 MIM 커패시터의 하단 금속을 형성할 것이고, 전극들(1104B, 1104D)은 풀-인 전극을 형성하고, 전극(1104C)은 RF 전극을 형성할 것이다.
기판(1102)은 단일 층 기판 또는 하나 이상의 상호 접속 층을 갖는 CMOS 기판과 같은 다층 기판을 포함할 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 전극들(1104A-1104E)을 위해 사용될 수 있는 적절한 재료는 질화 티타늄, 알루미늄, 텅스텐, 구리, 티타늄 및 상이한 재료의 다층 스택을 포함하는 이들의 조합을 포함한다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 이어서, 전기 절연 층(1106)이 전극들(1104A-1104E) 위에 성막된다. 전기 절연 층(1106)으로 적합한 재료는 실리콘-산화물, 실리콘-이산화물, 실리콘-질화물 및 실리콘-산질화물을 포함하는 실리콘계 재료를 포함한다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 전기 절연 층(1106)은 RF 전극(1104C) 위에서 제거되어, 그 아래에 놓인 전극(1104C)을 노출시킨다.
그 다음, 전기 도전성 재료(1108)가, 도 5c에 도시된 바와 같이, 전기 절연 층(1106) 위에 성막될 수 있다. 전기 도전성 재료(1108)는 RF 전극(1104C)으로의 직접적 전기적 접속을 제공한다. 또한, 전기 도전성 재료(1108)는 전극(1104A, 1104E) 위에 위치한 MIM 커패시터에서의 상부 "금속"을 제공한다. 전기 도전성 재료(1108)로서 사용될 수 있는 적합한 재료는 티타늄, 질화 티타늄, 텅스텐, 알루미늄, 이들의 조합 및 상이한 재료 층을 포함하는 다층 스택을 포함한다. 도전성 재료(1108)의 상부에, 하향으로 랜딩된 상태에서 MEMS 브리지로의 오믹 접촉을 제공할 도전성 접촉 재료(1110)의 얇은 층이 성막된다. 전기 도전성 접촉 재료(1110)로서 사용될 수 있는 적합한 재료는 W, Pt, Ir, Rh, Ru, RuO2, ITO 및 Mo를 포함한다.
전기 도전성 재료(1108, 1110)의 패터닝 동안, 다수의 전기적으로 절연된 범프(1112)가 전기 절연 층(1106) 위에 형성될 수 있다. 이러한 범프들은 하향으로 작동된 상태에서 플레이트에 대한 추가적 기계적 지지를 제공한다. 일단 전기 도전성 재료(1108, 1110)가 패터닝된 후, 프로세스의 나머지 부분이 수행되어, 도 5d에 도시된 MEMS DVC(1100) 또는 MEMS 브리지의 2 개의 플레이트들 사이에 유전체 보강재(1125)를 사용하는 도 5e의 대안적인 실시예가 형성되게 된다.
상술한 바와 같이, 스위칭 소자(1114)는 그 바닥면을 코팅하는 절연 재료를 가질 수 있고, 따라서 노출된 도전성 재료의 영역(1124)이 존재할 수 있으며, 이는 표면 재료(1110) 상에 랜딩할 것이다. 추가적인 전기적 절연 층(1118)이 풀-오프(즉, 풀-업) 전극(1120) 위에 형성되고, 밀봉 층(1122)은 스위칭 소자(1114)가 캐비티 내에 배치되도록 전체 MEMS 디바이스를 밀봉할 수 있다. 제조 동안, 희생 재료를 사용하여 캐비티의 경계를 구획한다.
전술한 내용은 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예 및 추가 실시예가 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범위는 다음의 청구 범위에 의해 결정된다.
Claims (18)
- 디지털 가변 커패시터(DVC)로서,
내부에 배치된 적어도 하나의 RF(Radio Frequency) 전극 및 적어도 하나의 앵커 전극(anchor electrode)을 갖는 기판;
상기 적어도 하나의 앵커 전극 상에 배치된 절연 층;
상기 절연 층 상에 배치된 도전성 층으로서, 상기 적어도 하나의 앵커 전극, 절연 층 및 도전성 층은 MIM(metal-insulator-metal) 커패시터를 형성하는, 상기 도전성 층; 및
상기 기판 위에 배치되고 상기 도전성 층에 결합되는 적어도 하나의 MEMS 브리지(Micro Electro Mechanical System bridge);를 포함하며,
상기 적어도 하나의 MEMS 브리지는 상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격된 위치 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리보다 작은 제 2 거리만큼 이격된 위치 사이에서 이동가능하고,
상기 도전 층 상에 배치된 오믹(ohmic) 접촉 층을 더 포함하고,
상기 제 2 거리에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 브리지는 상기 적어도 하나의 RF 전극과 오믹 접촉을 형성하는, 디지털 가변 커패시터. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 MEMS 브리지는 상기 오믹 접촉 층에 결합되는, 디지털 가변 커패시터. - 제 2 항에 있어서,
상기 절연 층은 상기 RF 전극 상에 적어도 부분적으로 배치되는, 디지털 가변 커패시터. - 제 3 항에 있어서,
상기 도전성 층의 적어도 일부는 상기 RF 전극 상에 배치되는, 디지털 가변 커패시터. - 제 4 항에 있어서,
상기 오믹 접촉 층은 W, Pt, Ir, Rh, Ru, RuO2, ITO 및 Mo로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는, 디지털 가변 커패시터. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 앵커 전극은 두 개의 앵커 전극을 포함하는, 디지털 가변 커패시터. - 제 6 항에 있어서,
각각의 앵커 전극 위에 상기 절연 층의 적어도 일부가 배치되는, 디지털 가변 커패시터. - 제 7 항에 있어서,
상기 도전성 층의 적어도 일부는 각 앵커 전극 상에 배치되는, 디지털 가변 커패시터. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 MEMS 브리지는 복수의 MEMS 브리지를 포함하고, 각각의 MEMS 브리지는 적어도 하나의 앵커 전극에 결합되는, 디지털 가변 커패시터. - 제 9 항에 있어서,
각각의 MEMS 브리지는 개별 도전 층에 결합되는, 디지털 가변 커패시터. - 디지털 가변 커패시터(DVC)를 제조하는 방법으로서,
기판 상에, 적어도 하나의 전극은 앵커 전극이고 적어도 하나의 전극이 RF 전극인, 복수의 전극을 형성하는 단계;
상기 복수의 전극 위에 절연 층을 성막하는 단계;
상기 RF 전극의 적어도 일부분을 노출시키도록 상기 절연 층의 적어도 일부분을 제거하는 단계;
상기 절연 층 및 노출된 RF 전극 위에 도전성 층을 성막하는 단계;
상기 도전성 층의 선택된 부분들을 제거하는 단계;
상기 도전성 층의 일부 위에 오믹 접촉 층을 형성하는 단계; 및
상기 오믹 접촉 층과 접촉하는 MEMS 브리지를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 MEMS 브리지는 상기 기판 위에 배치되고 상기 도전성 층에 고정되어서, 상기 앵커 전극, 상기 절연 층 및 상기 도전성 층이 MIM 커패시터를 형성하고, 상기 MEMS 브리지는 상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격된 위치 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리보다 작은 제 2 거리만큼 이격된 위치 사이에서 이동가능하고,
상기 제 2 거리에서, 상기 MEMS 브리지는 상기 RF 전극과 오믹 접촉을 형성하는, 디지털 가변 커패시터 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 MEMS 브리지는 RF 전극으로부터 이격된, 디지털 가변 커패시터 제조 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 오믹 접촉 층의 제 1 부분은 RF 전극과 접촉하는 상기 도전성 층 상에 배치되는, 디지털 가변 커패시터 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 MEMS 브리지는 상기 오믹 접촉 층의 제 1 부분으로부터 이격된, 디지털 가변 커패시터 제조 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 오믹 접촉 층의 제 2 부분은 상기 절연 층 상에 배치되는, 디지털 가변 커패시터 제조 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 MEMS 브리지는 상기 오믹 접촉 층의 제 2 부분과 접촉하는, 디지털 가변 커패시터 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 오믹 접촉 층은 W, Pt, Ir, Rh, Ru, RuO2, ITO 및 Mo로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는, 디지털 가변 커패시터 제조 방법.
- 삭제
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