KR102549551B1 - The electro-conductive contact pin and inspection apparatus having the same electro-conductive pin and manufacturing method thereof - Google Patents

Abstract

본 발명은 복수개의 금속층을 적층하여 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서 전기 전도성 접촉핀의 측면에서의 내마모성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 제공한다.The present invention provides an electrically conductive contact pin having improved abrasion resistance on the side surface of the electrically conductive contact pin formed by laminating a plurality of metal layers, an inspection device having the same, and a manufacturing method of the electrically conductive contact pin. .

Description

전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법{The electro-conductive contact pin and inspection apparatus having the same electro-conductive pin and manufacturing method thereof} The electro-conductive contact pin and inspection apparatus having the same electro-conductive pin and manufacturing method thereof}

본 발명은 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrically conductive contact pin, a test device having the same, and a method for manufacturing the electrically conductive contact pin.

전기 전도성 접촉핀은 검사대상물과 접촉하여 검사대상물을 검사하는 프로브 카드 또는 테스트 소켓에서 사용될 수 있는 접촉핀이다. 이하에서는 일례로 프로브 카드의 접촉핀을 예시하여 설명한다. Electrically conductive contact pins are contact pins that can be used in probe cards or test sockets that contact and test an object to be inspected. Hereinafter, contact pins of the probe card will be described as an example.

반도체 소자의 전기적 특성 시험은 다수의 전기 전도성 접촉핀을 구비한 프로브 카드에 반도체 웨이퍼를 접근시켜 전기 전도성 접촉핀을 반도체 웨이퍼상의 대응하는 전극 패드에 접촉시킴으로써 수행된다. 전기 전도성 접촉핀과 반도체 웨이퍼 상의 전극 패드를 접촉시킬 때, 양자가 접촉하기 시작하는 상태에 도달한 이후, 프로브 카드에 반도체 웨이퍼를 추가로 접근하는 처리가 이루어진다. 이러한 처리를 오버 드라이브라고 부른다. 오버 드라이브는 전기 전도성 접촉핀을 탄성 변형시키는 처리이며 오버 드라이브를 함으로써, 전극 패드의 높이나 전기 전도성 접촉핀의 높이에 편차가 있어도, 모든 전기 전도성 접촉핀을 전극 패드와 확실하게 접촉시킬 수 있다. 또한 오버 드라이브 시에 전기 전도성 접촉핀이 탄성 변형하고, 그 선단이 전극 패드상에서 이동함으로써, 스크러브가 이루어진다. 이 스크러브에 의해 전극 패드 표면의 산화막이 제거되고 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.The electrical property test of the semiconductor device is performed by bringing the semiconductor wafer close to a probe card equipped with a plurality of electrically conductive contact pins and contacting the electrically conductive contact pins to corresponding electrode pads on the semiconductor wafer. When contacting the electrically conductive contact pin and the electrode pad on the semiconductor wafer, after reaching a state in which both begin to contact, a process of further bringing the semiconductor wafer closer to the probe card is performed. This process is called overdrive. Overdrive is a process of elastically deforming the electrically conductive contact pins, and by overdrive, all the electrically conductive contact pins can be reliably brought into contact with the electrode pads even if there is a deviation in the height of the electrode pad or the height of the electrically conductive contact pin. In addition, when an electrically conductive contact pin is elastically deformed during overdrive and its tip moves on the electrode pad, scrubbing is performed. This scrub removes the oxide film on the surface of the electrode pad and can reduce the contact resistance.

이러한 전기 전도성 접촉핀은 MEMS 공정을 이용하여 제작될 수 있다. MEMS 공정을 이용하여 전기 전도성 접촉핀을 제작하는 과정을 살펴보면 먼저, 도전성 기재 표면에 포토 레지스트를 도포한 후 포토 레지스트를 패터닝한다. 이후 포토 레지스트를 몰드로 이용하여 전기 도금법에 의해 개구 내에서 금속재료를 석출시키고, 포토 레지시트와 도전성 기재를 제거하여 전기 전도성 접촉핀을 얻는다. 여기서 전기 전도성 접촉핀은 복수개의 금속재료가 상,하로 적층되면서 형성된다. 내마모성이 상대적으로 높은 금속재료의 경우에는 전기 전도도가 상대적으로 낮기 때문에 복수개의 금속 재료를 적층하여 전기 전도성 접촉핀을 제작할 경우에는 내마모도와 전기 전도도는 트레이드 오프(trade off) 관계에 있게 된다. These electrically conductive contact pins can be fabricated using MEMS processes. Looking at the process of manufacturing electrically conductive contact pins using the MEMS process, first, photoresist is applied to the surface of a conductive substrate and then the photoresist is patterned. Then, using the photoresist as a mold, a metal material is deposited in the opening by an electroplating method, and the photoresist and the conductive substrate are removed to obtain an electrically conductive contact pin. Here, the electrically conductive contact pin is formed by stacking a plurality of metal materials on top and bottom. Since a metal material having relatively high wear resistance has relatively low electrical conductivity, when an electrically conductive contact pin is manufactured by laminating a plurality of metal materials, there is a trade off relationship between wear resistance and electrical conductivity.

이러한 전기 전도성 접촉핀은 가이드 플레이트의 가이드 구멍에 삽입되어 프로브 카드의 프로브 헤드를 구성한다. 검사 시에 전기 전도성 접촉핀은 가이드 플레이트의 가이드 구멍의 내벽과 지속적으로 슬라이딩 접촉하게 된다. 이로 인해 가이드 구멍의 내벽과 접촉하는 전기 전도성 접촉핀의 측면이 마모되어 내구성이 저하되고 장시간 사용시 측면 일부가 미세하게 움푹 파이는 문제가 발생한다These electrically conductive contact pins are inserted into the guide holes of the guide plate to constitute the probe head of the probe card. During inspection, the electrically conductive contact pin is brought into continuous sliding contact with the inner wall of the guide hole of the guide plate. As a result, the side surface of the electrically conductive contact pin in contact with the inner wall of the guide hole wears out, reducing durability, and causing a problem that part of the side surface is slightly dented during long-term use.

대한민국 등록번호 제10-0449308호 등록특허공보Republic of Korea Registration No. 10-0449308 Registered Patent Publication

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 복수개의 금속층을 적층하여 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서 전기 전도성 접촉핀의 측면에서의 내마모성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the problems of the prior art described above, and the present invention is an electrically conductive contact pin formed by laminating a plurality of metal layers with improved wear resistance on the side surface of the electrically conductive contact pin. , It is an object of the present invention to provide a test device having the same and a manufacturing method of an electrically conductive contact pin.

본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부를 포함하는 전기 전도성 접촉핀에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀의 측면에 구비되는 강화부를 포함한다.In order to achieve the above object, an electrically conductive contact pin according to the present invention is an electrically conductive contact pin including a laminated portion formed by stacking a plurality of metal layers, provided on a side surface of the electrically conductive contact pin. including reinforcement.

또한, 상기 적층부는 제1금속과 제2금속을 포함하되 상기 제1금속은 상기 제2금속에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 상기 제2금속은 상기 제1금속에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며, 상기 강화부는 상기 제1금속으로 형성된다.In addition, the laminated part includes a first metal and a second metal, wherein the first metal is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal, and the second metal has a relatively high electrical conductivity compared to the first metal. metal, and the reinforcement part is formed of the first metal.

또한, 상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성된다.In addition, the first metal may be rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten ( It is formed of a metal selected from nickel-tungsten (NiW) alloys, and the second metal is formed of a metal selected from copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), or alloys thereof.

또한, 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이 방향으로 구분되어 형성되는 제1영역과 제2영역을 포함하되, 상기 제1영역은 상기 적층부를 포함하고, 상기 제2영역은 상기 적층부와 상기 강화부를 포함한다.In addition, a first region and a second region are formed separately in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin, wherein the first region includes the laminated portion, and the second region includes the laminated portion and the reinforcing portion. do.

또한, 상기 제2영역은 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이 방향으로 적어도 2개 이상 형성된다.In addition, at least two second regions are formed in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin.

또한, 상기 제2영역 사이에 상기 제1영역이 구비된다.In addition, the first area is provided between the second areas.

또한, 상기 강화부는 상기 적층부를 구성하는 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 형성된다.In addition, the reinforcing part is formed of the same material as at least one of the metal layers constituting the laminated part.

또한, 상기 강화부는 상기 적층부를 구성하는 금속층과 다른 재질로 형성된다.In addition, the reinforcing part is formed of a material different from that of the metal layer constituting the laminated part.

또한, 상기 강화부는 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 측면에 형성된다.In addition, the reinforcement part is continuously formed on the side surface of the electrically conductive contact pin from the lower surface to the upper surface in the thickness direction of the electrically conductive contact pin.

한편, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 전기 전도성 접촉핀에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이 방향으로 구분되어 형성되는 제1영역과 제2영역을 포함하되, 상기 제1영역은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되는 적층부를 포함하고, 상기 제2영역은 상기 적층부와 강화부를 포함하되, 상기 강화부는 상기 적층부의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지면서 상기 적층부의 적어도 일측면에 구비된다.Meanwhile, in the electrically conductive contact pin according to the present invention, the electrically conductive contact pin includes a first region and a second region formed separately in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin, wherein the first region includes a plurality of and a laminated portion in which metal layers are laminated, wherein the second region includes the laminated portion and a reinforcement portion, wherein the reinforced portion has wear resistance higher than average wear resistance of the laminated portion and is provided on at least one side of the laminated portion.

또한, 상기 적층부는 제1금속과 제2금속을 포함하되 상기 제1금속은 상기 제2금속에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 상기 제2금속은 상기 제1금속에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며, 상기 강화부는 상기 제1금속으로 형성된다.In addition, the laminated part includes a first metal and a second metal, wherein the first metal is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal, and the second metal has a relatively high electrical conductivity compared to the first metal. metal, and the reinforcement part is formed of the first metal.

또한, 상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성된다.In addition, the first metal may be rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten ( It is formed of a metal selected from nickel-tungsten (NiW) alloys, and the second metal is formed of a metal selected from copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), or alloys thereof.

한편, 본 발명에 따른 검사 장치는, 복수개의 전기 전도성 접촉핀이 삽입되는 가이드 플레이트를 포함하는 검사장치에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀은 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부를 포함하고, 상기 전기 전도성 접촉핀의 측면에 구비되는 강화부를 포함하되, 상기 적층부는 제1금속과 제2금속을 포함하되 상기 제1금속은 상기 제2금속에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 상기 제2금속은 상기 제1금속에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며, 상기 강화부는 상기 제1금속으로 형성되고, 상기 강화부는 상기 가이드 플레이트의 가이드 구멍의 위치에 대응되는 위치에 구비된다.On the other hand, in the inspection device according to the present invention, in the inspection device including a guide plate into which a plurality of electrically conductive contact pins are inserted, the electrically conductive contact pins include a laminated portion formed by stacking a plurality of metal layers, A reinforcing portion provided on a side surface of the conductive contact pin, wherein the laminated portion includes a first metal and a second metal, wherein the first metal is a metal having relatively higher wear resistance than the second metal, and the second metal is A metal having relatively high electrical conductivity compared to the first metal, the reinforcement part is formed of the first metal, and the reinforcement part is provided at a position corresponding to the position of the guide hole of the guide plate.

또한, 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이 방향으로 구분되어 형성되는 제1영역과 제2영역을 포함하되, 상기 제1영역은 상기 적층부를 포함하고, 상기 제2영역은 상기 적층부와 상기 강화부를 포함한다.In addition, a first region and a second region are formed separately in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin, wherein the first region includes the laminated portion, and the second region includes the laminated portion and the reinforcing portion. do.

한편, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 복수개의 금속층이 적층되어 구비되는 적층부를 형성하는 제1도금 단계; 및 상기 제1도금 단계와는 별도의 도금 공정으로 상기 적층부의 적어도 일측면에 상기 적층부의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지는 금속으로 강화부를 형성하는 제2도금 단계를 포함한다.Meanwhile, a method of manufacturing an electrically conductive contact pin according to the present invention includes a first plating step of forming a laminated portion in which a plurality of metal layers are laminated; and a second plating step of forming a reinforcement part on at least one side of the laminated part with a metal having higher wear resistance than the average wear resistance of the laminated part in a plating process separate from the first plating step.

또한, 상기 제1도금 단계는 몰드의 제1내부공간에 상기 적층부를 형성하는 단계이고, 상기 제2도금 단계는 상기 적층부의 측면 방향으로 상기 몰드에 형성된 제2내부공간에 강화부를 형성하는 단계이다.In addition, the first plating step is a step of forming the laminated part in the first inner space of the mold, and the second plating step is a step of forming a reinforced part in the second inner space formed in the mold in a lateral direction of the laminated part. .

또한, 상기 몰드는 양극산화막 재질로 구성된다.In addition, the mold is made of an anodic oxide film material.

본 발명은 복수개의 금속층을 적층하여 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서 전기 전도성 접촉핀의 측면에서의 내마모성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 제공한다.The present invention provides an electrically conductive contact pin having improved abrasion resistance on the side surface of the electrically conductive contact pin formed by laminating a plurality of metal layers, an inspection device having the same, and a manufacturing method of the electrically conductive contact pin. .

도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 가이드 플레이트에 삽입된 상태를 도시한 도면.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 7a은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 가이드 플레이트의 가이드 구멍에 삽입된 상태의 정면도이고, 도 7b는 전기 전도성 접촉핀의 측면도.
도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 가이드 플레이트에 삽입된 상태를 도시한 도면
도 9 내지 도 13은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 14a은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 가이드 플레이트의 가이드 구멍에 삽입된 상태의 정면도이고, 도 14b는 전기 전도성 접촉핀의 측면도. 1 is a view showing a state in which an electrically conductive contact pin according to a first preferred embodiment of the present invention is inserted into a guide plate.
2 to 6 show a method of manufacturing an electrically conductive contact pin according to a first preferred embodiment of the present invention.
7A is a front view of a state in which an electrically conductive contact pin according to a first preferred embodiment of the present invention is inserted into a guide hole of a guide plate, and FIG. 7B is a side view of the electrically conductive contact pin.
8 is a view showing a state in which an electrically conductive contact pin according to a second preferred embodiment of the present invention is inserted into a guide plate;
9 to 13 show a method of manufacturing an electrically conductive contact pin according to a second preferred embodiment of the present invention.
Fig. 14a is a front view of a state in which an electrically conductive contact pin according to a second preferred embodiment of the present invention is inserted into a guide hole of a guide plate, and Fig. 14b is a side view of the electrically conductive contact pin.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can invent various devices that embody the principles of the invention and fall within the concept and scope of the invention, even though not explicitly described or shown herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and embodiments listed in this specification are, in principle, expressly intended only for the purpose of making the concept of the invention understood, and are not limited to such specifically listed embodiments and conditions. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features and advantages will become more apparent through the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the invention belongs will be able to easily implement the technical idea of the invention. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 전기 전도성 접촉핀의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 본 명세서에서 사용한 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Embodiments described in this specification will be described with reference to sectional views and/or perspective views, which are ideal exemplary views of the present invention. Films and thicknesses of regions shown in these drawings are exaggerated for effective description of technical content. The shape of the illustrative drawings may be modified due to manufacturing techniques and/or tolerances. In addition, the number of electrically conductive contact pins shown in the drawing is illustratively shown in the drawing only in part. Therefore, embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to manufacturing processes. Technical terms used in this specification are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "comprise" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in this specification, but one or more other It should be understood that it does not preclude the possibility of addition or existence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다. 이하에서 다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of various embodiments, the same names and the same reference numbers will be given to components performing the same functions even if the embodiments are different. In addition, configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for convenience.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 검사장치에 구비되어 검사대상물과 전기적, 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 전달하는데 사용된다. 검사장치는 반도체 제조공정에 사용되는 검사장치일 수 있으며, 그 일례로 프로브 카드일 수 있고, 테스트 소켓일 수 있다. 다만 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가하여 검사대상물의 불량 여부를 확인하기 위한 장치라면 모두 포함된다. 다만, 이하에서는 검사장치의 일례로서 프로브 카드를 예시하여 설명한다. The electrically conductive contact pin 100 according to a preferred embodiment of the present invention is provided in a testing device and is used to electrically and physically contact an object to be tested to transmit an electrical signal. The inspection device may be an inspection device used in a semiconductor manufacturing process, and may be, for example, a probe card or a test socket. However, the inspection device according to a preferred embodiment of the present invention is not limited thereto, and includes all devices for checking whether an object to be inspected is defective by applying electricity. However, hereinafter, a probe card will be exemplified and described as an example of the inspection device.

반도체 소자의 전기적 특성 시험은 다수의 전기 전도성 접촉핀(100)을 형성한 프로브 카드에 반도체 웨이퍼(W)를 접근시켜 각 전기 전도성 접촉핀(100)을 반도체 웨이퍼(W)상의 대응하는 전극 패드(WP)에 접촉시킴으로써 수행된다. 전기 전도성 접촉핀(100)이 전극 패드(WP)에 접촉되는 위치까지 도달한 다음, 프로브 카드 측으로 웨이퍼(W)를 소정높이 추가 상승시킬 수 있다. 전기 전도성 접촉핀(100)은 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입되어 탄성 변형하는 구조로서, 이러한 전기 전도성 접촉핀(100)을 채택하여 수직형 프로브 카드가 된다. 본 발명의 바람직한 실시예로서 전기 전도성 접촉핀(100)은 미리 변형된(pre-deformed) 구조 즉 코브라 핀의 형태를 가지거나 상부, 하부 또는 추가적인 가이드 플레이트를 이동시켜 일자형 핀을 변형시키는 구조도 포함된다.In the electrical property test of the semiconductor device, a semiconductor wafer (W) is approached to a probe card on which a plurality of electrically conductive contact pins (100) are formed, and each electrically conductive contact pin (100) is connected to a corresponding electrode pad ( WP). After reaching a position where the electrically conductive contact pins 100 come into contact with the electrode pads WP, the wafer W may be further raised to a predetermined height toward the probe card. The electrically conductive contact pins 100 are inserted into the guide holes 11 of the guide plate 10 and are elastically deformed. By adopting these electrically conductive contact pins 100, a vertical probe card is formed. As a preferred embodiment of the present invention, the electrically conductive contact pin 100 has a pre-deformed structure, that is, a cobra pin shape, or includes a structure in which the straight pin is deformed by moving an upper, lower, or additional guide plate. do.

수직형 프로브 카드의 경우에는 적어도 2개의 가이드 플레이트(10)가 상, 하로 서로 이격되어 구비된다. 또한 각각의 가이드 플레이트는 복수개의 박판이 밀착 적층되는 적층형 가이드 플레이트일 수 있다. In the case of a vertical probe card, at least two guide plates 10 are spaced apart from each other vertically and downward. In addition, each guide plate may be a laminated guide plate in which a plurality of thin plates are closely stacked.

전기 전도성 접촉핀(100)는 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입되어 구비되는데, 검사 시 전기 전도성 접촉핀(100)은 가이드 구멍(11)의 내벽에 슬라이딩 접촉하게 된다. 특히 검사 중에는 전기 전도성 접촉핀(100)은 측면(103) 방향으로 굴곡되면서 가이드 구멍(11)의 내벽에 큰 힘을 부여하기 때문에 마찰력이 높아지게 된다. 이런 상황에서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 그 측면(103)에 내 마모성이 높은 강화부(120)를 구비함으로써 마찰에 따른 마모가 최소화된다. 그 결과 전기 전도성 접촉핀(100)의 내구성이 향상된다. 또한 마찰에 따른 이물질 발생을 최소화할 수 있게 된다. The electrically conductive contact pins 100 are inserted into the guide holes 11 of the guide plate 10, and during inspection, the electrically conductive contact pins 100 come into sliding contact with the inner wall of the guide holes 11. In particular, during the inspection, the electrically conductive contact pin 100 applies a large force to the inner wall of the guide hole 11 while being bent in the direction of the side surface 103, so the frictional force increases. In this situation, the electrically conductive contact pin 100 according to a preferred embodiment of the present invention has a reinforced portion 120 with high abrasion resistance on its side surface 103, so that wear due to friction is minimized. As a result, durability of the electrically conductive contact pin 100 is improved. In addition, it is possible to minimize the generation of foreign substances due to friction.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법은, 복수개의 금속층이 적층되어 구비되는 적층부(111)를 형성하는 제1도금 단계 및 제1도금 단계와는 별도의 도금 공정으로 적층부(111)의 적어도 일측면에 적층부(111)의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지는 금속으로 강화부(120)를 형성하는 제2도금 단계를 포함한다.In the manufacturing method of the electrically conductive contact pin 100 according to a preferred embodiment of the present invention, a first plating step of forming a laminated portion 111 in which a plurality of metal layers are laminated and a plating step separate from the first plating step The process includes a second plating step of forming the reinforcing part 120 on at least one side of the laminated part 111 with a metal having higher wear resistance than the average wear resistance of the laminated part 111 .

이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)이 가이드 플레이트(10)에 삽입된 상태를 도시한 도면이고, 도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 7a은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)이 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입된 상태의 정면도이고, 도 7b는 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면도이다. Hereinafter, an electrically conductive contact pin 100 according to a first preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7 . 1 is a view showing a state in which an electrically conductive contact pin 100 according to a first preferred embodiment of the present invention is inserted into a guide plate 10, and FIGS. 2 to 6 are a first preferred embodiment of the present invention. 7a is a view showing a manufacturing method of the electrically conductive contact pin 100 according to the present invention, and FIG. 7b is a side view of the electrically conductive contact pin 100.

도 1 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 상면(101), 상면(101)의 반대면이 하면 및 측면(103)으로 구성된다. 전기 전도성 접촉핀(100)은 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부(110)를 포함한다. 또한, 전기 전도성 접촉핀(100)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에 구비되는 강화부(120)를 포함한다. 강화부(120)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에 형성된다.Referring to FIGS. 1 and 7 , an electrically conductive contact pin 100 according to a first preferred embodiment of the present invention includes an upper surface 101, a lower surface opposite to the upper surface 101, and a side surface 103. The electrically conductive contact pin 100 includes a laminated portion 110 formed by stacking a plurality of metal layers. In addition, the electrically conductive contact pin 100 includes a reinforcement portion 120 provided on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 . The reinforcement part 120 is continuously formed on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 from the lower surface to the upper surface in the thickness direction of the electrically conductive contact pin 100 .

가이드 구멍(11)은 전기 전도성 접촉핀(100)이 삽입되는 구멍의 형태이지만설명의 편의상 도 1에서는 가이드 플레이트(10)의 일부만을 도시한 것이다.Although the guide hole 11 is a hole into which the electrically conductive contact pin 100 is inserted, only a part of the guide plate 10 is shown in FIG. 1 for convenience of description.

적층부(110)는 제1금속(111)과 제2금속(112)을 포함한다. 제1금속(111)은 제2금속(112)에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 제2금속(112)은 제1금속(111)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이다. The laminated portion 110 includes a first metal 111 and a second metal 112 . The first metal 111 is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal 112 , and the second metal 112 is a metal having relatively high electrical conductivity compared to the first metal 111 .

제1금속(111)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 제2금속(112)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성된다. The first metal 111 is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten ( It is formed of a metal selected from nickel-tungsten and NiW alloys, and the second metal 112 is formed of a metal selected from copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), or alloys thereof.

강화부(120)는 제1금속(111)으로 형성된다. 강화부(120)는 적층부(110)를 구성하는 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 형성되거나 적층부(110)를 구성하는 금속층과 다른 재질로 형성될 수 있다. The reinforcement part 120 is formed of the first metal 111 . The reinforcing part 120 may be formed of the same material as at least one of the metal layers constituting the laminated part 110 or formed of a material different from that of the metal layer constituting the laminated part 110 .

예를 들어 적층부(110)는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(111)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(112)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우 강화부(120)는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(111)이거나, 로듐(rhodium, Rd) 재질의 제1금속(111)일 수 있다. For example, the stacking unit 110 may be formed by alternately stacking a first metal 111 made of a palladium-cobalt (PdCo) alloy and a second metal 112 made of copper (Cu). there is. In this case, the reinforcement part 120 may be the first metal 111 made of a palladium-cobalt (PdCo) alloy or the first metal 111 made of rhodium (Rd).

전기 전도성 접촉핀(100)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향으로 구분되어 형성되는 제1영역(210)과 제2영역(220)을 포함한다. 제1영역(210)은 적층부(110)를 포함하고, 제2영역(220)은 적층부(110)와 강화부(120)를 포함한다. 강화부(120)는 적층부(110)의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지면서 적층부(110)의 적어도 일측면에 구비된다. 강화부(120)는 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)의 내벽과 슬라이딩 접촉하는 부위이다. 전기 전도성 접촉핀(100)의 내마모성이 높은 부위인 강화부(120)가 가이드 구멍(11)의 내벽과 접촉하도록 함으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 내구성을 향상시킬 수 있게 된다.The electrically conductive contact pin 100 includes a first region 210 and a second region 220 formed separately in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin 100 . The first region 210 includes the laminated portion 110 , and the second region 220 includes the laminated portion 110 and the reinforcing portion 120 . The reinforcing part 120 has higher wear resistance than the average wear resistance of the laminated part 110 and is provided on at least one side of the laminated part 110 . The reinforcing part 120 is a part of sliding contact with the inner wall of the guide hole 11 of the guide plate 10 . The durability of the electrically conductive contact pin 100 can be improved by allowing the reinforcing portion 120 , which is a highly wear-resistant portion of the electrically conductive contact pin 100 , to contact the inner wall of the guide hole 11 .

도 1을 참조하면, 제2영역(220)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향으로 2개 형성된다. 이는 가이드 플레이트(10)의 개수가 2개인 것을 고려한 것으로서 가이드 플레이트의 개수가 2개 이상인 경우에는 제2영역(220)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향으로 2개 이상 형성된다. Referring to FIG. 1 , two second regions 220 are formed in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin 100 . This is in consideration of the fact that the number of guide plates 10 is two, and when the number of guide plates is two or more, two or more second regions 220 are formed in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pins 100.

2개의 제2영역(220) 사이에는 제1영역(210)이 구비된다. 제1영역(210)은 전기 전도도가 높은 금속이 포함되어 있는 영역이기 때문에 가이드 구멍(11)의 내벽과 슬라이딩 접촉 우려가 적은 영역에 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높임으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체적인 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다. A first area 210 is provided between the two second areas 220 . Since the first region 210 is a region containing metal with high electrical conductivity, by increasing the content of metal with high electrical conductivity in the region where there is little concern about sliding contact with the inner wall of the guide hole 11, the electrically conductive contact pin 100 ) can improve the overall current carrying capacity.

이하에서는 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the electrically conductive contact pin 100 according to the first preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 6 .

본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법은, 복수개의 금속층이 적층되어 구비되는 적층부(111)를 형성하는 제1도금 단계 및 제1도금 단계와는 별도의 도금 공정으로 적층부(111)의 측면(103) 일부에 적층부(111)의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지는 금속으로 강화부(120)를 형성하는 제2도금 단계를 포함한다. 이하에서 구체적으로 설명한다.The manufacturing method of the electrically conductive contact pin 100 according to the first preferred embodiment of the present invention is separate from the first plating step of forming the laminated portion 111 in which a plurality of metal layers are laminated and the first plating step. A second plating step of forming the reinforcing part 120 with a metal having higher wear resistance than the average wear resistance of the laminated part 111 on a part of the side surface 103 of the laminated part 111 through the plating process of the above. It is explained in detail below.

먼저, 도 2를 참조하면, 도 2a는 제1내부공간(21)이 구비된 몰드(20)의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A’단면도이고, 도 2c는 도 2a의 B-B’단면도이며, 도 2d는 도 2a의 C-C’단면도이고, 도 2e는 도 2a의 D-D’단면도이다. First, referring to FIG. 2, FIG. 2A is a plan view of the mold 20 provided with the first inner space 21, FIG. 2B is an A-A' cross-sectional view of FIG. 2A, and FIG. 2C is a B- of FIG. 2A. B' cross-sectional view, Figure 2d is a C-C' cross-sectional view of Figure 2a, Figure 2e is a D-D' cross-sectional view of Figure 2a.

도 2를 참조하면, 몰드(20)에는 제1내부 공간(21)이 형성되고 있고, 몰드(20)의 하부에는 시드층(30)이 구비되어 있다. Referring to FIG. 2 , a first inner space 21 is formed in the mold 20 , and a seed layer 30 is provided under the mold 20 .

몰드(20)는 양극산화막, 포토레지스트, 실리콘 웨이퍼 또는 이와 유사한 재질로 구성될 있다. 다만, 바람직하게는 몰드(20)은 양극산화막 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어는 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al₂0₃) 재질의 양극산화막이 형성된다. 다만 모재 금속은 이에 한정되는 것은 아니며, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Zn, W, Sb 또는 이들의 합금을 포함한다. 위와 같이 형성된 양극산화막은 수직적으로 내부에 포어가 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 포어가 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al₂0₃) 재질의 양극산화막만이 남게 된다. 양극산화막은 양극산화시 형성된 배리어층이 제거되어 포어의 상, 하로 관통되는 구조로 형성되거나 양극산화시 형성된 배리어층이 그대로 남아 포어의 상, 하 중 일단부를 밀폐하는 구조로 형성될 수 있다. The mold 20 may be made of an anodic oxide film, photoresist, silicon wafer or similar material. However, preferably, the mold 20 may be made of an anodic oxide film material. The anodic oxide film means a film formed by anodic oxidation of a base metal, and the pore means a hole formed in the process of forming an anodic oxide film by anodic oxidation of a metal. For example, when the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base metal is anodized, an anodized film made of aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) is formed on the surface of the base metal. However, the base metal is not limited thereto, and includes Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Zn, W, Sb, or alloys thereof. The anodic oxide film formed as described above is vertically divided into a barrier layer having no pores formed therein and a porous layer having pores therein. In the base material on which the anodic oxide film having the barrier layer and the porous layer is formed, when the base material is removed, only the anodic oxide film made of aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) remains. The anodic oxidation film may be formed in a structure in which the barrier layer formed during anodic oxidation is removed to pass through the upper and lower pores, or in a structure in which the barrier layer formed during anodic oxidation remains as it is and seals one end of the upper and lower portions of the pores.

양극산화막은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적다. 따라서 전기 전도성 접촉핀(100)의 제작 환경이 비록 고온 환경이라 하더라도 열 변형없이 정밀한 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작할 수 있다. The anodic oxide film has a thermal expansion coefficient of 2 to 3 ppm/°C. Due to this, when exposed to a high temperature environment, thermal deformation due to temperature is small. Therefore, even if the manufacturing environment of the electrically conductive contact pin 100 is a high-temperature environment, it is possible to manufacture a precise electrically conductive contact pin 100 without thermal deformation.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 포토 레지스트 몰드 대신에 양극산화막 재질의 몰드(20)를 이용하여 제조된다는 점에서 포토 레지스트 몰드로는 구현하는데 한계가 있었던 형상의 정밀도, 미세 형상의 구현의 효과를 발휘할 수 있게 된다. 또한 기존의 포토 레지스트 몰드의 경우에는 40㎛ 두께 수준의 전기 전도성 접촉핀을 제작할 수 있으나 양극산화막 재질의 몰드를 이용할 경우에는 100㎛ 이상에서 200㎛ 이하의 두께를 가지는 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작할 수 있게 된다. Since the electrically conductive contact pin 100 according to a preferred embodiment of the present invention is manufactured using the mold 20 made of anodized film instead of the photoresist mold, the precision of the shape that was limited to implement with the photoresist mold, It becomes possible to exert the effect of realizing a fine shape. In addition, in the case of a conventional photoresist mold, an electrically conductive contact pin having a thickness of 40 μm can be manufactured, but in the case of using a mold made of anodized film, an electrically conductive contact pin 100 having a thickness of 100 μm or more to 200 μm or less is required. be able to produce.

몰드(20)의 하면에는 시드층(30)이 구비된다. 시드층(30)은 몰드(20)에 제1내부 공간(21)을 형성하기 이전에 몰드(20)의 하면에 구비될 수 있다. 한편 몰드(20)의 하부에는 지지기판(미도시)이 형성되어 몰드(20)의 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 경우 지지기판(미도시)의 상면에 시드층(30)을 형성하고 제1내부 공간(21)이 형성된 몰드(20)을 지지기판(미도시)에 결합하여 사용할 수도 있다. 시드층(30)은 구리(Cu)재질로 형성될 수 있고, 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 시드층(30)은 적층부(110)와 강화부(120)을 전기 도금법을 이용하여 형성할 때 이들의 도금 품질을 향상시키기 위해 사용된다.A seed layer 30 is provided on the lower surface of the mold 20 . The seed layer 30 may be provided on the lower surface of the mold 20 before forming the first inner space 21 in the mold 20 . Meanwhile, a support substrate (not shown) is formed under the mold 20 to improve handling of the mold 20 . Also, in this case, the seed layer 30 is formed on the upper surface of the support substrate (not shown) and the mold 20 having the first inner space 21 formed thereon may be used by combining the mold 20 with the support substrate (not shown). The seed layer 30 may be formed of a copper (Cu) material and may be formed by a deposition method. The seed layer 30 is used to improve the plating quality of the laminated portion 110 and the reinforcement portion 120 when they are formed using an electroplating method.

제1내부 공간(21)은 양극산화막 재질의 몰드(20)을 습식 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 몰드(20)의 상면에 포토 레지스트를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 제1내부 공간(21)이 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제1내부 공간(21)을 형성하기 전의 몰드(20)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 양극산화막 재질의 몰드(20)는 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 제1내부 공간(21)에 대응되는 위치의 양극산화막이 제거되어 제1내부 공간(21)을 형성하게 된다.The first internal space 21 may be formed by wet etching the mold 20 made of an anodic oxide film. To this end, a photoresist is provided on the top surface of the mold 20 and patterned, and then the anodic oxide film in the patterned open region reacts with the etching solution to form the first internal space 21 . Specifically, exposure and development processes may be performed after a photosensitive material is provided on the upper surface of the mold 20 before forming the first internal space 21 . At least a portion of the photosensitive material may be patterned and removed while forming an open area through exposure and development processes. The mold 20 made of the anodic oxide film is subjected to an etching process through the open area from which the photosensitive material is removed by the patterning process, and the anodic oxide film at the position corresponding to the first inner space 21 is removed by the etching solution to make the mold 20 1 to form an inner space (21).

다음으로 도 3을 참조하면, 도 3a는 제1내부 공간(21)에 적층부(110)을 형성한 몰드(20)의 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 A-A’단면도이고, 도 3c는 도 3a의 B-B’단면도이며, 도 3d는 도 3a의 C-C’단면도이고, 도 3e는 도 3a의 D-D’단면도이다. Referring next to FIG. 3, FIG. 3A is a plan view of the mold 20 in which the laminated portion 110 is formed in the first internal space 21, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 3A, and FIG. 3C is a B-B' cross-sectional view of FIG. 3A, FIG. 3D is a C-C' cross-sectional view of FIG. 3A, and FIG. 3E is a D-D' cross-sectional view of FIG. 3A.

몰드(20)의 제1내부 공간(21)에 전기 도금 공정을 수행하여 적층부(110)를 형성하는 단계를 수행한다. 복수회의 전기 도금 공정을 수행하여 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수개의 금속층이 적층되어 형성된다. 적층부(110)는 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(111)과, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(112)을 포함하여 구비된다. 예를 들어, 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(210)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(230)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다. 여기서 제1금속(210)은 전기 전도성 접촉핀(100)이 탄성 변형될 수 있도록 하며, 제2금속(230)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(CCC)이 향상되도록 한다.A step of forming the stacked portion 110 by performing an electroplating process on the first inner space 21 of the mold 20 is performed. A plurality of metal layers are laminated in the thickness direction of the electrically conductive contact pin 100 by performing a plurality of electroplating processes. The laminated portion 110 is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium (palladium) or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, palladium -Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten -tungsten, NiW), a first metal 111 selected from among alloys, and a second metal 112 selected from among copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au). For example, the first metal 210 made of a palladium-cobalt (PdCo) alloy and the second metal 230 made of copper (Cu) may be alternately laminated. Here, the first metal 210 allows the electrically conductive contact pin 100 to be elastically deformed, and the second metal 230 allows the current carrying capacity (CCC) of the electrically conductive contact pin 100 to be improved.

도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 몰드(20)의 상면으로 돌출된 금속을 제거하면서 평탄화시킨다.When the plating process is completed, a planarization process may be performed. The metal protruding from the upper surface of the mold 20 is removed and planarized through a chemical mechanical polishing (CMP) process.

다음으로 도 4를 참조하면, 도 4a는 제2내부공간(22)을 형성한 몰드(20)의 평면도이고, 도 4b는 도 4a의 A-A’단면도이고, 도 4c는 도 4a의 B-B’단면도이며, 도 4d는 도 4a의 C-C’단면도이고, 도 4e는 도 4a의 D-D’단면도이다. Referring next to FIG. 4, FIG. 4A is a plan view of the mold 20 in which the second inner space 22 is formed, FIG. 4B is a cross-sectional view A-A' of FIG. 4A, and FIG. 4C is a B- of FIG. 4A. B' cross-sectional view, Figure 4d is a C-C' cross-sectional view of Figure 4a, Figure 4e is a D-D' cross-sectional view of Figure 4a.

몰드(20)의 일부분을 제거하는 공정을 수행한다. 몰드(20)의 일부분을 제거하여 제2내부 공간(22)을 몰드(20)에 형성한다. 구체적으로 설명하면, 몰드(20)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 몰드(20)의 일부분이 제거되어 제2내부 공간(22)을 형성하게 된다. A process of removing a part of the mold 20 is performed. A portion of the mold 20 is removed to form the second inner space 22 in the mold 20 . Specifically, exposure and development processes may be performed after a photosensitive material is provided on the upper surface of the mold 20 . At least a portion of the photosensitive material may be patterned and removed while forming an open area through exposure and development processes. An etching process is performed through the open area from which the photosensitive material is removed by the patterning process, and a portion of the mold 20 is removed by the etching solution to form the second inner space 22 .

제2내부공간(22)은 강화부(120)의 위치에 대응하여 적층부(110)의 측면에 인접하여 적어도 4개 이상 형성된다. 각각의 제2내부 공간(22)의 3개의 측면으로는 복수개로 적층된 적층부(111)가 노출되고, 1개의 측면으로는 몰드(20)가 노출되게 된다. At least four second inner spaces 22 are formed adjacent to the side surface of the laminated portion 110 corresponding to the position of the reinforcing portion 120 . The plurality of laminated parts 111 are exposed on three side surfaces of each second inner space 22 , and the mold 20 is exposed on one side surface.

다음으로 도 5를 참조하면, 도 5a는 제2내부공간(22)에 강화부(120)를 형성한 몰드(20)의 평면도이고, 도 5b는 도5a의 A-A’단면도이고, 도 5c는 도 5a의 B-B’단면도이며, 도 5d는 도 5a의 C-C’단면도이고, 도 5e는 도 5a의 D-D’단면도이다. Referring next to FIG. 5, FIG. 5A is a plan view of the mold 20 in which the reinforcing part 120 is formed in the second inner space 22, FIG. 5B is a cross-sectional view A-A' of FIG. 5A, and FIG. 5C is a B-B' cross-sectional view of FIG. 5A, FIG. 5D is a C-C' cross-sectional view of FIG. 5A, and FIG. 5E is a D-D' cross-sectional view of FIG. 5A.

강화부(120)를 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 제2내부 공간(22)에 전기 도금 공정을 이용하여 강화부(120)를 형성한다. A step of forming the reinforcement part 120 is performed. The reinforcement part 120 is formed in the second inner space 22 formed in the previous step by using an electroplating process.

강화부(120)는 전 단계에서 제작된 적층부(110)와 일체화된다. 앞서 설명한 바와 같이 제2내부 공간(22)의 3개의 측면에는 적층부(110)이 노출되는데 이 측면에서 강화부(120)는 적층부(110)와 일체화된다.The reinforcing part 120 is integrated with the laminated part 110 manufactured in the previous step. As described above, the laminated portion 110 is exposed on three side surfaces of the second inner space 22, and the reinforcing portion 120 is integrated with the laminated portion 110 on these sides.

강화부(120)는 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속 일 수 있으며, 바람직하게는 강화부(120)는 적층부(110)을 구성하는 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 적층부(110)가 제1금속(111) 중에서 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질로 형성되는 경우에, 강화부(120) 역시 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질일 수 있다. 이와는 다르게 강화부(120)는 적층부(110)을 구성하는 제1금속(210)과 다른 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 적층부(110)가 제1금속(111) 중에서 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질로 형성되는 경우에, 강화부(120)는 로듐(rhodium, Rd) 재질일 수 있다.The reinforcing part 120 is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, palladium -Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten -tungsten, NiW) alloy, and preferably, the reinforcing part 120 may be formed of the same material as the first metal 210 constituting the laminated part 110. For example, when the laminated part 110 is formed of a palladium-cobalt (PdCo) alloy material among the first metals 111, the reinforcement part 120 is also made of palladium-cobalt (PdCo). It may be an alloy material. Unlike this, the reinforcing part 120 may be formed of a material different from that of the first metal 210 constituting the laminated part 110 . For example, when the laminated portion 110 is formed of a palladium-cobalt (PdCo) alloy material among the first metals 111, the reinforcing portion 120 may be made of a rhodium (Rd) material. .

다음으로 도 6을 참조하면, 도 6a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 A-A’단면도이고, 도 6c는 도 6a의 B-B’단면도이며, 도 6d는 도 6a의 C-C’단면도이고, 도 6e는 도 6a의 D-D’단면도이다. Referring next to FIG. 6, FIG. 6A is a plan view of the electrically conductive contact pin 100, FIG. 6B is an A-A' cross-sectional view of FIG. 6A, FIG. 6C is a B-B' cross-sectional view of FIG. 6A, and FIG. 6D is a C-C' cross-sectional view of FIG. 6A, and FIG. 6E is a D-D' cross-sectional view of FIG. 6A.

이전 단계 이후에 몰드(20)와 시드층(30)를 제거하는 공정을 수행한다. 몰드(20)가 양극산화막 재질인 경우에는 양극산화막 재질에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 몰드(20)를 제거한다. 또한 시드층(30)이 구리(Cu) 재질인 경우에는 구리(Cu)에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 시드층(30)을 제거한다. A process of removing the mold 20 and the seed layer 30 is performed after the previous step. When the mold 20 is made of an anodic oxide film material, the mold 20 is removed using a solution that selectively reacts to the anodic oxide film material. Also, when the seed layer 30 is made of copper (Cu), the seed layer 30 is removed using a solution that selectively reacts to copper (Cu).

앞선 설명에서는 제1내부 공간(21)이 형성된 몰드(20)를 이용하여 제1내부 공간(21)에 도금하여 적층부(110)를 형성하는 단계를 먼저 수행하고 그 다음에 몰드(20)의 일부를 제거하여 제2내부 공간(22)을 형성하고 제2내부 공간(22)에 도금하여 강화부(120)를 형성하는 단계를 수행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 몰드(20)의 일부를 제거하여 제2내부 공간(22)을 형성하고 제2내부 공간(22)에 도금하여 강화부(120)를 형성하는 단계를 먼저 수행하고 그 다음에 제1내부 공간(21)이 형성된 몰드(20)를 이용하여 제1내부 공간(21)에 도금하여 복수개의 적층부(110)를 형성하는 단계를 수행하는 것도 포함한다. In the foregoing description, the step of forming the laminated portion 110 by plating the first inner space 21 using the mold 20 in which the first inner space 21 is formed is first performed, and then the mold 20 is formed. Although it has been described that the step of forming the second inner space 22 by removing a part and plating the second inner space 22 to form the reinforcing part 120 has been performed, according to the first preferred embodiment of the present invention In the manufacturing method of the electrically conductive contact pin, the step of forming the second inner space 22 by removing a part of the mold 20 and plating the second inner space 22 to form the reinforcing part 120 is first performed. and then plating the first inner space 21 using the mold 20 in which the first inner space 21 is formed to form a plurality of laminated parts 110.

도 7a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 검사장치의 일부로서 전기 전도성 접촉핀(100)이 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입된 상태를 정면에서 바라본 도면이고, 도 7b는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)측면도이다.7a is a front view showing a state in which the electrically conductive contact pins 100 are inserted into the guide holes 11 of the guide plate 10 as a part of the test device according to the first preferred embodiment of the present invention, and FIG. 7b is a side view of the electrically conductive contact pin 100 according to the first preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 검사장치는 복수개의 전기 전도성 접촉핀(100)이 삽입되는 가이드 플레이트(10)를 포함한다. 또한 검사장치에 구비되는 전기 전도성 접촉핀(100)은 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부(110)를 포함하고, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에 구비되는 강화부(120)를 포함한다. 또한, 적층부(110)는 제1금속(111)과 제2금속(112)을 포함하되 제1금속(111)은 제2금속(112)에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 제2금속(112)은 제1금속(111)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며, 강화부(120)는 제1금속(111)으로 형성되고, 강화부(120)는 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)의 위치에 대응되는 위치에 구비된다.An inspection device according to a first preferred embodiment of the present invention includes a guide plate 10 into which a plurality of electrically conductive contact pins 100 are inserted. In addition, the electrically conductive contact pin 100 provided in the testing device includes a laminated portion 110 formed by stacking a plurality of metal layers, and the reinforcement portion 120 provided on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100. ). In addition, the laminated portion 110 includes a first metal 111 and a second metal 112, but the first metal 111 is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal 112, and the second metal ( 112) is a metal having relatively high electrical conductivity compared to the first metal 111, the reinforcement part 120 is formed of the first metal 111, and the reinforcement part 120 is a guide hole of the guide plate 10. It is provided at a position corresponding to the position of (11).

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 2개의 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)의 위치에 대응하여 강화부(120)가 구비된다. 따라서 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에는 2개의 강화부(120)가 구비된다. 2개의 강화부(120) 사이에는 적층부(110)가 구비된다. 강화부(120)가 구비되는 영역만으로 제외하고, 적층부(110)는 전기 전도성 접촉핀(100)에 전체적으로 형성된다. 적층부(110)는 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 구성인데, 이러한 금속층에는 강화부(120)를 구성하는 금속에 비해 전기 전도도가 높은 금속을 포함하고 있다. 2개의 강화부(120) 사이에 구비되는 적층부(110)의 구성을 통해, 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)의 저하를 방지할 수 있게 된다. The electrically conductive contact pin 100 according to a preferred embodiment of the present invention is provided with reinforcement parts 120 corresponding to the positions of the guide holes 11 of the two guide plates 10 . Accordingly, two reinforcing portions 120 are provided on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 . A laminated portion 110 is provided between the two reinforcing portions 120 . Excluding only the region where the reinforcement part 120 is provided, the stacked part 110 is entirely formed on the electrically conductive contact pin 100 . The stacking unit 110 is formed by stacking a plurality of metal layers, and the metal layer includes a metal having higher electrical conductivity than the metal constituting the reinforcing unit 120 . Through the configuration of the laminated portion 110 provided between the two reinforcing portions 120, it is possible to prevent a decrease in the current carrying capacity of the electrically conductive contact pin 100.

본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(112)이 교번적으로 적층되어 구성될 수 있다. 예를 들어 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111), 구리(Cu) 재질의 제2금속(112), 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111), 구리(Cu) 재질의 제2금속(112), 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111) 순으로 5개 층이 교번적으로 적층되어 구성될 수 있다. 물론 동일한 교번 적층 패턴으로 그 이상의 적층수로 적층될 수 있다. 다만 이 경우 전기 전도성 접촉핀(100)의 최하층과 최상층은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)이 위치할 수 있다. 이 경우 강화부(120)는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)으로 구성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)이 도금 공정을 통해 전체적으로 연속되어 일체(一體)형으로 형성되므로 전기 전도성 접촉핀(100)의 탄성 변형 거동 시 층간 박리를 최소화하여 내구성을 향상시킬 수 있게 된다. An electrically conductive contact pin 100 according to a first preferred embodiment of the present invention includes a first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) and a second metal 112 made of copper (Cu). It may be configured by being alternately laminated. For example, in the thickness direction of the electrically conductive contact pin 100, the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo), the second metal 112 made of copper (Cu), and palladium-cobalt ( 5 in order of first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo), second metal 112 made of copper (Cu), first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) The layers may be stacked alternately. Of course, more layers may be laminated in the same alternating layering pattern. However, in this case, the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) may be positioned on the lowermost and uppermost layers of the electrically conductive contact pin 100 . In this case, the reinforcing part 120 may be formed of the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo). In the electrically conductive contact pin 100 according to the first preferred embodiment of the present invention, the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) is continuously formed as a whole through a plating process to be integrally formed. Therefore, it is possible to improve durability by minimizing peeling between layers when the electrically conductive contact pin 100 elastically deforms.

또한 복수개의 금속층이 적층되는 적층부(110)의 구성을 통해 전기 전도성이 상대적으로 높은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(112)의 함량을 높일 수 있게 되므로, 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)의 저하를 방지할 수 있게 된다.In addition, through the configuration of the stacking part 110 in which a plurality of metal layers are stacked, the content of the second metal 112 selected from copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au) having relatively high electrical conductivity can be increased. Therefore, it is possible to prevent a decrease in the current carrying capacity of the electrically conductive contact pin 100.

또한, 강화부(120)를 구성하는 금속은 적층부(110)을 구성하는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(112)에 비해 경도가 높기 때문에 가이드 구멍(11)의 내벽과 접촉 시 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)이 소성 변형되어 움푹 파이는 현상을 방지할 수 있다. 이를 통해 전기 전도성 접촉핀(100)의 거동 패턴을 일정하게 유지할 수 있게 된다.In addition, since the metal constituting the reinforcing portion 120 has higher hardness than the second metal 112 selected from copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au) constituting the laminated portion 110, the guide hole When in contact with the inner wall of (11), the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 is plastically deformed to prevent denting. Through this, it is possible to keep the behavior pattern of the electrically conductive contact pin 100 constant.

이하, 도 8 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다. 도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)이 가이드 플레이트(10)에 삽입된 상태를 도시한 도면이고, 도 9 내지 도 13은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 14a은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)이 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입된 상태의 정면도이고, 도 14b는 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면도이다. Hereinafter, an electrically conductive contact pin 100 according to a second preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 14 . 8 is a view showing a state in which the electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention is inserted into the guide plate 10, and FIGS. 9 to 13 are the second preferred embodiment of the present invention. 14a is a view showing a manufacturing method of the electrically conductive contact pins 100 according to the present invention, and FIG. 14B is a side view of the electrically conductive contact pin 100.

도 8을 참조하면, 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 상면(101), 상면(101)의 반대면이 하면 및 측면(103)으로 구성된다. 전기 전도성 접촉핀(100)은 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부(110)를 포함한다. 또한, 전기 전도성 접촉핀(100)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에 구비되는 강화부(120)를 포함한다. 강화부(120)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에 형성된다. 가이드 구멍(11)은 전기 전도성 접촉핀(100)이 삽입되는 구멍의 형태이지만설명의 편의상 도 8에서는 가이드 플레이트(10)의 일부만을 도시한 것이다.Referring to FIG. 8 , an electrically conductive contact pin 100 according to a second preferred embodiment of the present invention includes an upper surface 101, a lower surface opposite to the upper surface 101, and a side surface 103. The electrically conductive contact pin 100 includes a laminated portion 110 formed by stacking a plurality of metal layers. In addition, the electrically conductive contact pin 100 includes a reinforcement portion 120 provided on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 . The reinforcement part 120 is continuously formed on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 from the lower surface to the upper surface in the thickness direction of the electrically conductive contact pin 100 . Although the guide hole 11 is a hole into which the electrically conductive contact pin 100 is inserted, only a part of the guide plate 10 is shown in FIG. 8 for convenience of description.

본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 구성과는 달리 강화부(120)가 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103) 전체에 구비된다는 점에서 구성상의 차이가 있다. Unlike the structure of the electrically conductive contact pin 100 according to the first embodiment, the electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention has a reinforcement part 120 of the electrically conductive contact pin 100. There is a difference in configuration in that it is provided on the entire side surface 103.

적층부(110)는 제1금속(111)과 제2금속(112)을 포함한다. 제1금속(111)은 제2금속(112)에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 제2금속(112)은 제1금속(111)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이다. The laminated portion 110 includes a first metal 111 and a second metal 112 . The first metal 111 is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal 112 , and the second metal 112 is a metal having relatively high electrical conductivity compared to the first metal 111 .

제1금속(111)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 제2금속(112)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성된다. The first metal 111 is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten ( It is formed of a metal selected from nickel-tungsten and NiW alloys, and the second metal 112 is formed of a metal selected from copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), or alloys thereof.

강화부(120)는 제1금속(111)으로 형성된다. 강화부(120)는 적층부(110)를 구성하는 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 형성되거나 적층부(110)를 구성하는 금속층과 다른 재질로 형성될 수 있다. The reinforcement part 120 is formed of the first metal 111 . The reinforcing part 120 may be formed of the same material as at least one of the metal layers constituting the laminated part 110 or formed of a material different from that of the metal layer constituting the laminated part 110 .

예를 들어 적층부(110)는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(111)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(112)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우 강화부(120)는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(111)이거나, 로듐(rhodium, Rd) 재질의 제1금속(111)일 수 있다. For example, the stacking unit 110 may be formed by alternately stacking a first metal 111 made of a palladium-cobalt (PdCo) alloy and a second metal 112 made of copper (Cu). there is. In this case, the reinforcement part 120 may be the first metal 111 made of a palladium-cobalt (PdCo) alloy or the first metal 111 made of rhodium (Rd).

이하에서는 도 9 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a manufacturing method of the electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 13 .

본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법은, 복수개의 금속층이 적층되어 구비되는 적층부(111)를 형성하는 제1도금 단계 및 제1도금 단계와는 별도의 도금 공정으로 적층부(111)의 측면 전체에 적층부(111)의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지는 금속으로 강화부(120)를 형성하는 제2도금 단계를 포함한다. 이하에서 구체적으로 설명한다.The manufacturing method of the electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention is separate from the first plating step of forming the laminated portion 111 in which a plurality of metal layers are laminated and the first plating step. A second plating step of forming the reinforcement part 120 with a metal having higher wear resistance than the average wear resistance of the laminated part 111 on the entire side surface of the laminated part 111 through the plating process of the above. It is explained in detail below.

먼저, 도 9를 참조하면, 도 9a는 제1내부공간(21)이 구비된 몰드(20)의 평면도이고, 도 9b는 도 9a의 A-A’단면도이고, 도 9c는 도 9a의 B-B’단면도이며, 도 9d는 도 9a의 C-C’단면도이다. First, referring to FIG. 9, FIG. 9A is a plan view of the mold 20 provided with the first inner space 21, FIG. 9B is a cross-sectional view A-A' of FIG. 9A, and FIG. 9C is a B- of FIG. 9A. B' is a cross-sectional view, and FIG. 9d is a C-C' cross-sectional view of FIG. 9a.

도 9를 참조하면, 몰드(20)에는 제1내부 공간(21)이 형성되고 있고, 몰드(20)의 하부에는 시드층(30)이 구비되어 있다. Referring to FIG. 9 , a first inner space 21 is formed in the mold 20 , and a seed layer 30 is provided under the mold 20 .

몰드(20)는 양극산화막, 포토레지스트, 실리콘 웨이퍼 또는 이와 유사한 재질로 구성될 있다. 다만, 바람직하게는 몰드(20)은 양극산화막 재질로 구성될 수 있다. The mold 20 may be made of an anodic oxide film, photoresist, silicon wafer or similar material. However, preferably, the mold 20 may be made of an anodic oxide film material.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 포토 레지스트 몰드 대신에 양극산화막 재질의 몰드(20)를 이용하여 제조된다는 점에서 포토 레지스트 몰드로는 구현하는데 한계가 있었던 형상의 정밀도, 미세 형상의 구현의 효과를 발휘할 수 있게 된다.Since the electrically conductive contact pin 100 according to a preferred embodiment of the present invention is manufactured using the mold 20 made of anodized film instead of the photoresist mold, the precision of the shape that was limited to implement with the photoresist mold, It becomes possible to exert the effect of realizing a fine shape.

몰드(20)의 하면에는 시드층(30)이 구비된다. 시드층(30)은 몰드(20)에 제1내부 공간(21)을 형성하기 이전에 몰드(20)의 하면에 구비될 수 있다. 한편 몰드(20)의 하부에는 지지기판(미도시)이 형성되어 몰드(20)의 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 경우 지지기판(미도시)의 상면에 시드층(30)을 형성하고 제1내부 공간(21)이 형성된 몰드(20)을 지지기판(미도시)에 결합하여 사용할 수도 있다. 시드층(30)은 구리(Cu)재질로 형성될 수 있고, 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 시드층(30)은 적층부(110)와 강화부(120)을 전기 도금법을 이용하여 형성할 때 이들의 도금 품질을 향상시키기 위해 사용된다.A seed layer 30 is provided on the lower surface of the mold 20 . The seed layer 30 may be provided on the lower surface of the mold 20 before forming the first inner space 21 in the mold 20 . Meanwhile, a support substrate (not shown) is formed under the mold 20 to improve handling of the mold 20 . Also, in this case, the seed layer 30 is formed on the upper surface of the support substrate (not shown) and the mold 20 having the first inner space 21 formed thereon may be used by combining the mold 20 with the support substrate (not shown). The seed layer 30 may be formed of a copper (Cu) material and may be formed by a deposition method. The seed layer 30 is used to improve the plating quality of the laminated portion 110 and the reinforcement portion 120 when they are formed using an electroplating method.

제1내부 공간(21)은 양극산화막 재질의 몰드(20)을 습식 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 몰드(20)의 상면에 포토 레지스트를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 제1내부 공간(21)이 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제1내부 공간(21)을 형성하기 전의 몰드(20)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 양극산화막 재질의 몰드(20)는 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 제1내부 공간(21)에 대응되는 위치의 양극산화막이 제거되어 제1내부 공간(21)을 형성하게 된다.The first internal space 21 may be formed by wet etching the mold 20 made of an anodic oxide film. To this end, a photoresist is provided on the top surface of the mold 20 and patterned, and then the anodic oxide film in the patterned open region reacts with the etching solution to form the first internal space 21 . Specifically, exposure and development processes may be performed after a photosensitive material is provided on the upper surface of the mold 20 before forming the first internal space 21 . At least a portion of the photosensitive material may be patterned and removed while forming an open area through exposure and development processes. The mold 20 made of the anodic oxide film is subjected to an etching process through the open area from which the photosensitive material is removed by the patterning process, and the anodic oxide film at the position corresponding to the first inner space 21 is removed by the etching solution to make the mold 20 1 to form an inner space (21).

다음으로 도 10을 참조하면, 도 10a는 제1내부 공간(21)에 적층부(110)을 형성한 몰드(20)의 평면도이고, 도 10b는 도 10a의 A-A’단면도이고, 도 10c는 도 10a의 B-B’단면도이며, 도 10d는 도 10a의 C-C’단면도이다. Referring next to FIG. 10, FIG. 10A is a plan view of the mold 20 in which the laminated portion 110 is formed in the first inner space 21, FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 10A, and FIG. 10C is a B-B' cross-sectional view of FIG. 10A, and FIG. 10D is a C-C' cross-sectional view of FIG. 10A.

몰드(20)의 제1내부 공간(21)에 전기 도금 공정을 수행하여 적층부(110)를 형성하는 단계를 수행한다. 복수회의 전기 도금 공정을 수행하여 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수개의 금속층이 적층되어 형성된다. 적층부(110)는 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(111)과, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(112)을 포함하여 구비된다. 예를 들어, 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(210)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(230)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다. 여기서 제1금속(210)은 전기 전도성 접촉핀(100)이 탄성 변형될 수 있도록 하며, 제2금속(230)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(CCC)이 향상되도록 한다.A step of forming the stacked portion 110 by performing an electroplating process on the first inner space 21 of the mold 20 is performed. A plurality of metal layers are laminated in the thickness direction of the electrically conductive contact pin 100 by performing a plurality of electroplating processes. The laminated portion 110 is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium (palladium) or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, palladium -Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten -tungsten, NiW), a first metal 111 selected from among alloys, and a second metal 112 selected from among copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au). For example, the first metal 210 made of a palladium-cobalt (PdCo) alloy and the second metal 230 made of copper (Cu) may be alternately laminated. Here, the first metal 210 allows the electrically conductive contact pin 100 to be elastically deformed, and the second metal 230 allows the current carrying capacity (CCC) of the electrically conductive contact pin 100 to be improved.

도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 몰드(20)의 상면으로 돌출된 금속을 제거하면서 평탄화시킨다.When the plating process is completed, a planarization process may be performed. The metal protruding from the upper surface of the mold 20 is removed and planarized through a chemical mechanical polishing (CMP) process.

다음으로 도 11을 참조하면, 도 11a는 제2내부공간(22)을 형성한 몰드(20)의 평면도이고, 도 11b는 도 11a의 A-A’단면도이고, 도 11c는 도 11a의 B-B’단면도이며, 도 11d는 도 11a의 C-C’단면도이다. Next, referring to FIG. 11, FIG. 11A is a plan view of the mold 20 in which the second inner space 22 is formed, FIG. 11B is a cross-sectional view A-A' of FIG. 11A, and FIG. 11C is a B- of FIG. 11A. B' is a cross-sectional view, and FIG. 11D is a C-C' cross-sectional view of FIG. 11A.

몰드(20)의 일부분을 제거하는 공정을 수행한다. 몰드(20)의 일부분을 제거하여 제2내부 공간(22)을 몰드(20)에 형성한다. 구체적으로 설명하면, 몰드(20)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 몰드(20)의 일부분이 제거되어 제2내부 공간(22)을 형성하게 된다. A process of removing a part of the mold 20 is performed. A portion of the mold 20 is removed to form the second inner space 22 in the mold 20 . Specifically, exposure and development processes may be performed after a photosensitive material is provided on the upper surface of the mold 20 . At least a portion of the photosensitive material may be patterned and removed while forming an open area through exposure and development processes. An etching process is performed through the open area from which the photosensitive material is removed by the patterning process, and a portion of the mold 20 is removed by the etching solution to form the second inner space 22 .

제2내부 공간(22)은 강화부(120)의 위치에 대응하여 적층부(110)의 측면을 따라 길게 2개가 형성된다. 각각의 제2내부 공간(22)의 1개의 측면으로는 복수개로 적층된 적층부(111)가 노출되고, 3개의 측면으로는 몰드(20)가 노출되게 된다. Two second inner spaces 22 are formed along the side of the laminated part 110 to correspond to the position of the reinforcing part 120 . A plurality of laminated parts 111 are exposed on one side of each second inner space 22, and the mold 20 is exposed on three side surfaces.

다음으로 도 12를 참조하면, 도 12a는 제2내부공간(22)에 강화부(120)를 형성한 몰드(20)의 평면도이고, 도 12b는 도 12a의 A-A’단면도이고, 도 12c는 도 12a의 B-B’단면도이며, 도 12d는 도 12a의 C-C’단면도이다. Referring next to FIG. 12, FIG. 12A is a plan view of the mold 20 in which the reinforcing part 120 is formed in the second inner space 22, FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 12A, and FIG. 12C is a B-B' cross-sectional view of FIG. 12A, and FIG. 12D is a C-C' cross-sectional view of FIG. 12A.

강화부(120)를 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 제2내부 공간(22)에 전기 도금 공정을 이용하여 강화부(120)를 형성한다. A step of forming the reinforcement part 120 is performed. The reinforcement part 120 is formed in the second inner space 22 formed in the previous step by using an electroplating process.

강화부(120)는 전 단계에서 제작된 적층부(110)와 일체화된다. 앞서 설명한 바와 같이 제2내부 공간(22)의 1개의 측면에는 적층부(110)이 노출되는데 이 측면에서 강화부(120)는 적층부(110)와 일체화된다.The reinforcing part 120 is integrated with the laminated part 110 manufactured in the previous step. As described above, the laminated portion 110 is exposed on one side of the second inner space 22, and the reinforcing portion 120 is integrated with the laminated portion 110 on this side.

강화부(120)는 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속 일 수 있으며, 바람직하게는 강화부(120)는 적층부(110)을 구성하는 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 적층부(110)가 제1금속(111) 중에서 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질로 형성되는 경우에, 강화부(120) 역시 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질일 수 있다. 이와는 다르게 강화부(120)는 적층부(110)을 구성하는 제1금속(210)과 다른 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 적층부(110)가 제1금속(111) 중에서 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질로 형성되는 경우에, 강화부(120)는 로듐(rhodium, Rd) 재질일 수 있다.The reinforcing part 120 is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, palladium -Palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten -tungsten, NiW) alloy, and preferably, the reinforcing part 120 may be formed of the same material as the first metal 210 constituting the laminated part 110. For example, when the laminated part 110 is formed of a palladium-cobalt (PdCo) alloy material among the first metals 111, the reinforcement part 120 is also made of palladium-cobalt (PdCo). It may be an alloy material. Unlike this, the reinforcing part 120 may be formed of a material different from that of the first metal 210 constituting the laminated part 110 . For example, when the laminated portion 110 is formed of a palladium-cobalt (PdCo) alloy material among the first metals 111, the reinforcing portion 120 may be made of a rhodium (Rd) material. .

다음으로 도 13을 참조하면, 도 13a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도 13b는 도 13a의 A-A’단면도이고, 도 13c는 도 13a의 B-B’단면도이며, 도 13d는 도 13a의 C-C’단면도이다. Referring next to FIG. 13, FIG. 13A is a plan view of the electrically conductive contact pin 100, FIG. 13B is an A-A' cross-sectional view of FIG. 13A, FIG. 13C is a BB' cross-sectional view of FIG. 13A, and FIG. is a C-C' cross-sectional view of FIG. 13A.

이전 단계 이후에 몰드(20)와 시드층(30)를 제거하는 공정을 수행한다. 몰드(20)가 양극산화막 재질인 경우에는 양극산화막 재질에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 몰드(20)를 제거한다. 또한 시드층(30)이 구리(Cu) 재질인 경우에는 구리(Cu)에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 시드층(30)을 제거한다. A process of removing the mold 20 and the seed layer 30 is performed after the previous step. When the mold 20 is made of an anodic oxide film material, the mold 20 is removed using a solution that selectively reacts to the anodic oxide film material. Also, when the seed layer 30 is made of copper (Cu), the seed layer 30 is removed using a solution that selectively reacts to copper (Cu).

앞선 설명에서는 제1내부 공간(21)이 형성된 몰드(20)를 이용하여 제1내부 공간(21)에 도금하여 적층부(110)를 형성하는 단계를 먼저 수행하고 그 다음에 몰드(20)의 일부를 제거하여 제2내부 공간(22)을 형성하고 제2내부 공간(22)에 도금하여 강화부(120)를 형성하는 단계를 수행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 몰드(20)의 일부를 제거하여 제2내부 공간(22)을 형성하고 제2내부 공간(22)에 도금하여 강화부(120)를 형성하는 단계를 먼저 수행하고 그 다음에 제1내부 공간(21)이 형성된 몰드(20)를 이용하여 제1내부 공간(21)에 도금하여 복수개의 적층부(110)를 형성하는 단계를 수행하는 것도 포함한다. In the foregoing description, the step of forming the laminated portion 110 by plating the first inner space 21 using the mold 20 in which the first inner space 21 is formed is first performed, and then the mold 20 is formed. Although it has been described that the step of forming the reinforcing part 120 by removing a part to form the second inner space 22 and plating the second inner space 22 is carried out, according to the second preferred embodiment of the present invention In the manufacturing method of the electrically conductive contact pin, the step of forming the second inner space 22 by removing a part of the mold 20 and plating the second inner space 22 to form the reinforcing part 120 is first performed. and then plating the first inner space 21 using the mold 20 in which the first inner space 21 is formed to form a plurality of laminated parts 110.

도 14a는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 검사장치의 일부로서 전기 전도성 접촉핀(100)이 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입된 상태를 정면에서 바라본 도면이고, 도 14b는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)측면도이다.14a is a front view showing a state in which the electrically conductive contact pins 100 are inserted into the guide holes 11 of the guide plate 10 as a part of the inspection device according to the second preferred embodiment of the present invention, and FIG. 14b is a side view of the electrically conductive contact pin 100 according to the first preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 검사장치는 복수개의 전기 전도성 접촉핀(100)이 삽입되는 가이드 플레이트(10)를 포함한다. 또한 검사장치에 구비되는 전기 전도성 접촉핀(100)은 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부(110)를 포함하고, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)에 구비되는 강화부(120)를 포함한다. 또한, 적층부(110)는 제1금속(111)과 제2금속(112)을 포함하되 제1금속(111)은 제2금속(112)에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 제2금속(112)은 제1금속(111)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며, 강화부(120)는 제1금속(111)으로 형성되고, 강화부(120)는 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)의 위치에 대응되는 위치에 구비된다.A test device according to a second preferred embodiment of the present invention includes a guide plate 10 into which a plurality of electrically conductive contact pins 100 are inserted. In addition, the electrically conductive contact pin 100 provided in the testing device includes a laminated portion 110 formed by stacking a plurality of metal layers, and the reinforcement portion 120 provided on the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100. ). In addition, the laminated portion 110 includes a first metal 111 and a second metal 112, but the first metal 111 is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal 112, and the second metal ( 112) is a metal having relatively high electrical conductivity compared to the first metal 111, the reinforcement part 120 is formed of the first metal 111, and the reinforcement part 120 is a guide hole of the guide plate 10. It is provided at a position corresponding to the position of (11).

보다 구체적으로, 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 강화부(120)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103) 전체에 구비된다. More specifically, the reinforcing portion 120 according to the second preferred embodiment of the present invention is provided on the entire side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 .

전기 전도성 접촉핀(100)는 가이드 플레이트(10)의 가이드 구멍(11)에 삽입되어 구비되는데, 검사 시 전기 전도성 접촉핀(100)은 가이드 구멍(11)의 내벽에 슬라이딩 접촉하게 된다. 특히 검사 중에는 전기 전도성 접촉핀(100)은 측면 방향으로 굴곡되면서 가이드 구멍(11)의 내벽에 큰 힘을 부여하기 때문에 마찰력이 높아지게 된다. 이런 상황에서 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 그 측면(103) 전체에 내 마모성이 높은 강화부(120)를 구비함으로써 마찰에 따른 마모가 최소화된다. 그 결과 전기 전도성 접촉핀(100)의 내구성이 향상된다. 또한 마찰에 따른 이물질 발생을 최소화할 수 있게 된다. The electrically conductive contact pins 100 are inserted into the guide holes 11 of the guide plate 10, and during inspection, the electrically conductive contact pins 100 come into sliding contact with the inner wall of the guide holes 11. In particular, during inspection, the electrically conductive contact pin 100 applies a large force to the inner wall of the guide hole 11 while being bent in the lateral direction, so that the frictional force increases. In this situation, the electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention has a reinforced portion 120 with high abrasion resistance on the entire side surface 103 thereof, so that wear due to friction is minimized. As a result, durability of the electrically conductive contact pin 100 is improved. In addition, it is possible to minimize the generation of foreign matter due to friction.

본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(112)이 교번적으로 적층되어 구성될 수 있다. 예를 들어 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111), 구리(Cu) 재질의 제2금속(112), 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111), 구리(Cu) 재질의 제2금속(112), 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111) 순으로 5개 층이 교번적으로 적층되어 구성될 수 있다. 물론 동일한 교번 적층 패턴으로 그 이상의 적층수로 적층될 수 있다. 다만 이 경우 전기 전도성 접촉핀(100)의 최하층과 최상층은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)이 위치할 수 있다. 이 경우 강화부(120)는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)으로 구성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 재질의 제1금속(111)이 도금 공정을 통해 전체적으로 연속되어 일체(一體)형으로 형성되므로 전기 전도성 접촉핀(100)의 탄성 변형 거동 시 층간 박리를 최소화하여 내구성을 향상시킬 수 있게 된다. The electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention includes a first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) and a second metal 112 made of copper (Cu). It may be configured by being alternately laminated. For example, in the thickness direction of the electrically conductive contact pin 100, the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo), the second metal 112 made of copper (Cu), and palladium-cobalt ( 5 in order of first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo), second metal 112 made of copper (Cu), first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) The layers may be stacked alternately. Of course, more layers may be laminated in the same alternating layering pattern. However, in this case, the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) may be positioned on the lowermost and uppermost layers of the electrically conductive contact pin 100 . In this case, the reinforcing part 120 may be formed of the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo). In the electrically conductive contact pin 100 according to the second preferred embodiment of the present invention, the first metal 111 made of palladium-cobalt (PdCo) is continuous as a whole through a plating process to form an integral shape. Therefore, when the electrically conductive contact pin 100 elastically deforms, peeling between layers is minimized, thereby improving durability.

또한, 강화부(120)를 구성하는 금속은 적층부(110)을 구성하는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(112)에 비해 경도가 높기 때문에 가이드 구멍(11)의 내벽과 접촉 시 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면(103)이 소성 변형되어 움푹 파이는 현상을 방지할 수 있다. 이를 통해 전기 전도성 접촉핀(100)의 거동 패턴을 일정하게 유지할 수 있게 된다.In addition, since the metal constituting the reinforcing portion 120 has higher hardness than the second metal 112 selected from copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au) constituting the laminated portion 110, the guide hole When in contact with the inner wall of (11), the side surface 103 of the electrically conductive contact pin 100 is plastically deformed to prevent denting. Through this, it is possible to keep the behavior pattern of the electrically conductive contact pin 100 constant.

이상에서 설명한 제1,2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 표면에는 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 더욱 향상시키기 위해 금(Au) 재질의 도금막이 추가로 형성될 수 있다. 이 경우에는 강화부(120)의 내마모성 측면에서는 다소 불리할 수 있으나 강화부(120)의 구성을 통해 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면이 소성 변형되어 움푹 파이는 현상을 방지하는 효과는 그대로 발휘할 수 있게 된다. A plating film made of gold (Au) may be additionally formed on the surface of the electrically conductive contact pins 100 according to the first and second embodiments described above to further improve current carrying capacity. In this case, although the wear resistance of the reinforcement part 120 may be somewhat disadvantageous, the effect of preventing the dent phenomenon caused by plastic deformation of the side surface of the electrically conductive contact pin 100 through the configuration of the reinforcement part 120 can be exerted as it is. be able to

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Or it can be carried out by modifying.

100: 전기 전도성 접촉핀 110: 적층부
120: 강화부 210: 제1영역
220: 제2영역100: electrically conductive contact pin 110: laminated part
120: reinforcement part 210: first area
220: second area

Claims (17)

전기 전도성 접촉핀에 있어서,
길이 방향으로 제1영역 및 제2영역이 구분되고,
복수개의 금속층이 적층된 적층부; 및
상기 적층부의 측면에 금속 물질로 구비되는 강화부를 포함하고,
상기 제1영역 및 상기 제2영역 중 상기 제2영역에만 상기 강화부가 구비되며,
상기 강화부는 상기 적층부의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지고, 가이드 플레이트의 가이드 구멍의 위치에 대응되도록 구비되는, 전기 전도성 접촉핀.
In the electrically conductive contact pin,
A first region and a second region are divided in the longitudinal direction,
a stacking unit in which a plurality of metal layers are stacked; and
Including a reinforcing portion provided with a metal material on the side of the laminated portion,
The reinforcement part is provided only in the second region among the first region and the second region,
The electrically conductive contact pin of claim 1 , wherein the reinforcing portion has higher abrasion resistance than the average abrasion resistance of the laminated portion and is provided to correspond to a position of a guide hole of the guide plate.
제1항에 있어서,
상기 적층부는 제1금속과 제2금속을 포함하되 상기 제1금속은 상기 제2금속에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 상기 제2금속은 상기 제1금속에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며,
상기 강화부는 상기 제1금속으로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 1,
The laminated part includes a first metal and a second metal, wherein the first metal is a metal having relatively higher wear resistance than the second metal, and the second metal is a metal having relatively higher electrical conductivity than the first metal. ,
The electrically conductive contact pin of claim 1 , wherein the reinforcement portion is formed of the first metal.
제2항에 있어서,
상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고,
상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 2,
The first metal is rhodium (Rd), platinum (Pt), iridium (Ir), palladium or an alloy thereof, or a palladium-cobalt (PdCo) alloy, palladium- Nickel (palladium-nickel (PdNi) alloy or nickel-phosphor (NiPh) alloy, nickel-manganese (NiMn), nickel-cobalt (NiCo) or nickel-tungsten (nickel-tungsten) tungsten, NiW) is formed of a metal selected from alloys,
Wherein the second metal is formed of a metal selected from copper (Cu), silver (Ag), gold (Au) or an alloy thereof.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2영역은 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이 방향으로 적어도 2개 이상 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 1,
The electrically conductive contact pin, wherein at least two second regions are formed in the longitudinal direction of the electrically conductive contact pin.
제5항에 있어서,
상기 제2영역 사이에 상기 제1영역이 구비되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 5,
wherein the first region is provided between the second regions.
제1항에 있어서,
상기 강화부는 상기 적층부를 구성하는 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 1,
Wherein the reinforcement part is formed of the same material as at least one of the metal layers constituting the laminated part.
제1항에 있어서,
상기 강화부는 상기 적층부를 구성하는 금속층과 다른 재질로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 1,
The reinforcement part is formed of a material different from the metal layer constituting the laminated part.
제1항에 있어서,
상기 강화부는 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 측면에 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
According to claim 1,
wherein the reinforcement portion is continuously formed on a side surface of the electrically conductive contact pin from a lower surface to an upper surface in a thickness direction of the electrically conductive contact pin.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 복수개의 전기 전도성 접촉핀이 삽입되는 가이드 플레이트를 포함하는 검사장치에 있어서,
상기 전기 전도성 접촉핀은 제1영역 및 제2영역이 길이 방향으로 구분되고,
상기 전기 전도성 접촉핀은 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는 적층부; 및 상기 적층부의 측면에 금속 물질로 구비되는 강화부를 포함하되,
상기 제1영역 및 상기 제2영역 중 상기 제2영역에만 상기 강화부가 구비되며,
상기 적층부는 제1금속과 제2금속을 포함하되 상기 제1금속은 상기 제2금속에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속이고 상기 제2금속은 상기 제1금속에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속이며,
상기 강화부는 상기 제1금속으로 형성되고
상기 강화부는 상기 가이드 플레이트의 가이드 구멍의 위치에 대응되는 위치에 구비되는, 검사장치.
In the inspection device including a guide plate into which a plurality of electrically conductive contact pins are inserted,
In the electrically conductive contact pin, a first region and a second region are divided in a longitudinal direction;
The electrically conductive contact pin includes a stacking portion formed by stacking a plurality of metal layers; And a reinforcing part provided with a metal material on the side surface of the laminated part,
The reinforcement part is provided only in the second region among the first region and the second region,
The laminated part includes a first metal and a second metal, wherein the first metal is a metal having relatively high wear resistance compared to the second metal, and the second metal is a metal having relatively high electrical conductivity compared to the first metal. ,
The reinforcement part is formed of the first metal,
Wherein the reinforcing part is provided at a position corresponding to the position of the guide hole of the guide plate.
삭제delete 몰드의 제1내부공간에 복수개의 금속층이 적층되어 구비되는 적층부를 형성하는 제1도금 단계; 및
상기 제1도금 단계와는 별도의 도금 공정으로 상기 적층부의 적어도 일측면에 인접하여 형성된 상기 몰드의 제2내부공간에 상기 적층부의 평균적인 내마모성 보다 높은 내마모성을 가지는 금속으로 강화부를 형성하는 제2도금 단계를 포함하고,
상기 제2도금 단계에서, 상기 강화부는 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 상기 일측면에 형성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
A first plating step of forming a laminated portion in which a plurality of metal layers are laminated in a first inner space of the mold; and
In a plating process separate from the first plating step, second plating is performed to form a reinforced portion of a metal having higher wear resistance than the average wear resistance of the laminated portion in the second inner space of the mold formed adjacent to at least one side surface of the laminated portion. contains steps,
In the second plating step, the reinforcing portion is continuously formed on the one side surface from the lower surface to the upper surface in the thickness direction of the electrically conductive contact pin.
삭제delete 제15항에 있어서,
상기 몰드는 양극산화막 재질로 구성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.

According to claim 15,
The method of manufacturing an electrically conductive contact pin, wherein the mold is made of an anodic oxide film material.

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