KR102544587B1 - LED chip, display panel assembly device and assembly method - Google Patents

LED chip, display panel assembly device and assembly method Download PDF

Info

Publication number
KR102544587B1
KR102544587B1 KR1020217017862A KR20217017862A KR102544587B1 KR 102544587 B1 KR102544587 B1 KR 102544587B1 KR 1020217017862 A KR1020217017862 A KR 1020217017862A KR 20217017862 A KR20217017862 A KR 20217017862A KR 102544587 B1 KR102544587 B1 KR 102544587B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transfer
led chip
substrate
magnetic
delete delete
Prior art date
Application number
KR1020217017862A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210093944A (en
Inventor
솽 궈
원야 톈
Original Assignee
청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. filed Critical 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20210093944A publication Critical patent/KR20210093944A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102544587B1 publication Critical patent/KR102544587B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68309Auxiliary support including alignment aids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

LED 칩(1), 디스플레이 패널의 조립 디바이스 및 조립 방법에 관한 것이다. LED 칩(1)은 칩 본체(10); 및 칩 본체(10)에 설치되고, 자성 흡착력의 작용에 의해 흡착되는 자성 부재(12)를 포함한다. 칩 본체(10)는 기판 및 기판 상에 설치되는 에피택셜층 구조를 포함하고, 자성 부재(12)가 상기 에피택셜층 구조에서 상기 기판으로부터 먼 일측에 위치한다.It relates to an LED chip (1), an assembling device and an assembling method of a display panel. The LED chip 1 includes a chip body 10; and a magnetic member 12 installed on the chip body 10 and attracted by a magnetic attraction force. The chip body 10 includes a substrate and an epitaxial layer structure installed on the substrate, and a magnetic member 12 is located on one side of the epitaxial layer structure far from the substrate.

Description

LED 칩, 디스플레이 패널의 조립 디바이스 및 조립 방법LED chip, display panel assembly device and assembly method

본 출원은 디스플레이 기술에 관한 것으로, 특히 LED 칩, 디스플레이 패널의 조립 디바이스 및 조립 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This application relates to display technology, and more particularly to an assembly device and method for assembling an LED chip and a display panel.

기술의 발전함에 따라, 대부분의 디스플레이 패널은 조립 과정에서 다수의 소자, 예를 들어 다수의 LED 칩을 설치해야 한다. 다수의 LED 칩을 설치하는 방법은, 기계적 장치를 이용하여 LED 칩을 순차로 집어서, LED 칩을 수신 기판 중의 예정 위치로 순차로 배치하는 단계를 포함할 수 있다.As technology advances, most display panels require installation of a plurality of elements, for example, a plurality of LED chips, during an assembly process. The method of installing a plurality of LED chips may include sequentially picking up the LED chips using a mechanical device and sequentially placing the LED chips in predetermined positions in the receiving board.

본 출원은 LED 칩, 디스플레이 패널의 조립 디바이스 및 조립 방법을 제공한다.This application provides an assembly device and method for assembling LED chips and display panels.

본 출원이 제공하는 LED 칩은 칩 본체 및 상기 칩 본체에 설치되는 자성 부재를포함한다. 상기 자성 부재는 자성 흡착력의 작용에 의해 흡착되고; 상기 칩 본체는 기판 및 상기 기판 상에 설치되는 에피택셜층 구조를 포함하고, 상기 자성 부재가 상기 에피택셜층 구조에서 상기 기판으로부터 먼 일측에 위치한다.The LED chip provided by the present application includes a chip body and a magnetic member installed on the chip body. The magnetic member is attracted by the action of magnetic adsorption force; The chip body includes a substrate and an epitaxial layer structure installed on the substrate, and the magnetic member is positioned on one side of the epitaxial layer structure far from the substrate.

본 출원은 디스플레이 패널의 조립 디바이스를 추가로 제공한다. 상기 조립 디바이스는 LED 칩을 수신 기판으로 이송하기 위한 이송 장치를 포함한다. 상기 LED 칩은 칩 본체 및 상기 칩 본체에 설치되는 자성 부재를 포함하고; 상기 이송 장치는, 이송 기판; 어레이 방식으로 상기 이송 기판의 적어도 일측 표면에 고정되고, 적어도 하나가 상기 LED 칩과 서로 대응되는 다수 개의 이송 헤드; 상기 LED 칩을 흡착 또는 방출하도록 각각의 상기 이송 헤드를 각각 제어하여 자성 흡착력을 발생 또는 해제하기 위한 제어 어셈블리를 포함한다.This application further provides an assembling device of a display panel. The assembling device includes a transfer device for transferring the LED chip to the receiving substrate. The LED chip includes a chip body and a magnetic member installed on the chip body; The transfer device may include a transfer substrate; a plurality of transfer heads fixed to at least one surface of the transfer substrate in an array manner, at least one of which corresponds to the LED chip; and a control assembly for generating or releasing magnetic attraction by respectively controlling each of the transfer heads to adsorb or eject the LED chip.

본 출원은 디스플레이 패널의 조립 방법을 더 제공한다. 상기 조립 방법은, 칩 본체 및 상기 칩 본체에 설치되는 자성 부재를 포함하는 다수 개의 LED 칩이 설치되는 도너 기판을 제공하는 단계; 어레이 방식으로 이송 기판의 적어도 일측 표면에 고정되는 다수 개의 이송 헤드를 제어하여 자성 흡착력을 발생시켜, 상기 자성 흡착력이 대응되는 상기 LED 칩의 상기 자성 부재에 작용하도록 하되, 상기 자성 흡착력을 상기 LED 칩과 상기 도너 기판 사이의 결합력보다 크게 하여, 다수 개의 상기 LED 칩을 상기 도너 기판으로부터 흡착하도록 하는 단계; 상기 이송 기판을 수신 기판 상측으로 이동시키는 단계; 다수 개의 이송 헤드를 제어하여 자성 흡착력을 제거하여, 다수 개의 상기 이송 헤드가 다수 개의 상기 LED 칩을 수신 기판으로 방출하도록 하는 단계를 포함한다.This application further provides a method of assembling a display panel. The assembling method may include providing a donor substrate on which a plurality of LED chips including a chip body and a magnetic member installed on the chip body are installed; A plurality of transfer heads fixed to at least one surface of the transfer substrate are controlled in an array manner to generate a magnetic attraction force, so that the magnetic attraction force acts on the corresponding magnetic member of the LED chip, and the magnetic attraction force is applied to the LED chip. adsorbing the plurality of LED chips from the donor substrate by increasing the bonding force between the donor substrate and the donor substrate; moving the transfer substrate above the receiving substrate; and controlling the plurality of transfer heads to remove the magnetic attraction force so that the plurality of transfer heads emit the plurality of LED chips to the receiving substrate.

일측으로는, 본 출원이 제공하는 LED 칩의 칩 본체에는 자성 부재가 설치되어, 해당 자성 부재가 외부 이송 장치에 의해 발생되는 자성 흡착력의 작용에 의해 흡착됨으로써, LED 칩이 흡착되도록 하며; LED 칩을 기계적으로 집는 전통적인 것에 비해, 자력 흡착이 LED 칩에 대한 파손을 감소시킬 수 있고, 자력 흡착이 더 편하므로, 디스플레이 패널에 다수 개의 LED 칩을 설치하는 효율을 향상시킬 수 있다.On the one hand, a magnetic member is installed on the chip body of the LED chip provided by the present application, and the magnetic member is attracted by the action of the magnetic adsorption force generated by the external transport device, so that the LED chip is adsorbed; Compared with the traditional method of mechanically picking up the LED chips, magnetic adsorption can reduce damage to the LED chips, and since magnetic adsorption is more convenient, the efficiency of installing a plurality of LED chips in a display panel can be improved.

다른 일측으로는, 본 출원이 제공하는 디스플레이 패널의 조립 디바이스 중의 이송 장치는 다수 개의 이송 헤드와 제어 어셈블리를 포함하고, 제어 어셈블리가 각각의 이송 헤드를 단독으로 제어하여 대응되는 LED 칩의 자성 부재에 작용하는 자성 흡착력을 발생 또는 해제하여, 각각의 이송 헤드가 LED 칩을 각각 흡착 또는 방출할 수 있도록 함으로써, 다수 개의 LED 칩에 대해 선택적으로 이송할 수 있어, 디스플레이 패널에 다수 개의 LED 칩을 설치하는 효율을 향상시킨다.On the other hand, the transfer device in the assembly device of the display panel provided by the present application includes a plurality of transfer heads and a control assembly, and the control assembly controls each transfer head independently to control the magnetic member of the corresponding LED chip. By generating or releasing the acting magnetic adsorption force, each transfer head can adsorb or discharge the LED chips individually, so that a plurality of LED chips can be selectively transported, and a plurality of LED chips are installed on a display panel. improve efficiency;

이하에서는 본 출원의 예시적인 실시예의 기술적 방안을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시예의 설명에 필요할 첨부 도면에 대해 간략하게 설명하기로 하며, 자명한 것은 이하에서 설명하는 첨부 도면은 본 출원의 일부 실시예에 불과하며, 해당 분야의 일반적인 기술자에 있어서 창의적인 노력 없이 이러한 도면으로부터 다른 도면을 얻을 수도 있다. 여기서,
도 1은 본 출원의 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 LED 칩의 구조를 나타내는 도면이고;
도 2는 본 출원의 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널의 조립 디바이스의 구조를 나타내는 도면이고;
도 3은 도 2에서 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 제어 어셈블리의 구조를 나타내는 도면이고;
도 4는 본 출원의 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널의 조립 방법을 나타내는 흐름도이고;
도 5는 도 4에서 단계(S101)-단계(S104)에 대응되는 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 구조를 나타내는 도면이다.
Hereinafter, in order to more clearly describe the technical solutions of the exemplary embodiments of the present application, the accompanying drawings necessary for the description of the embodiments will be briefly described. It is only an example, and other drawings may be obtained from these drawings without creative efforts by a person skilled in the art. here,
1 is a diagram showing the structure of an LED chip provided by an exemplary embodiment of the present application;
Fig. 2 is a structural diagram of a device for assembling a display panel provided by an exemplary embodiment of the present application;
Fig. 3 is a structural diagram of a control assembly provided in an exemplary embodiment in Fig. 2;
Fig. 4 is a flow chart showing a method for assembling a display panel provided by an exemplary embodiment of the present application;
FIG. 5 is a diagram showing a structure provided by an exemplary embodiment corresponding to steps S101 to S104 in FIG. 4 .

이하에서 본 출원의 실시예 중의 첨부 도면을 결합하여, 본 출원의 실시예 중의 기술적 방안에 대해 명확하고 완전하게 설명하기로 하며, 자명한 것은, 이에 설명되는 실시예는 단지 본 출원의 일부 실시예에 불과할 뿐, 전체 실시예가 아니다. 본 출원 중의 실시예에 의해, 해당 분야의 일반적인 기술자가 창의적인 노력 없이 얻은 모든 기타 실시예들은 모두 본 출원이 보호하는 범위에 해당된다.The following will clearly and completely explain the technical solutions in the embodiments of the present application by combining the accompanying drawings in the embodiments of the present application, and it is obvious that the embodiments described herein are only some embodiments of the present application. only, not the entire embodiment. By means of the embodiments in this application, all other embodiments obtained by a person skilled in the art without creative efforts fall within the scope of protection of this application.

본 출원의 발명인은 장기간의 연구 과정에서, 디스플레이 패널에 설치해야 하는 LED 칩의 수량이 많으므로, 배경 기술에서 설명된 방안을 이용할 경우 다량의 시간 소모가 필요하고, 효율이 낮은 것을 발견하였다.In the course of a long-term research, the inventors of the present application have found that since the number of LED chips to be installed on the display panel is large, a large amount of time is consumed and the efficiency is low when using the method described in the background art.

도 1을 참조하면, 도 1은 본 출원의 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 LED 칩의 구조를 나타내는 도면이다. 본 출원에서 제공하는 LED 칩(1)은 일반적인 LED 칩일 수 있고, Micro-LED 칩일 수도 있다. 본 출원에서 제공하는 LED 칩(1)은 수직형 구조(즉, LED 칩(1)의 양극과 음극이 각각 LED 칩(1)의 상대적인 양측에 위치함)일 수 있고, 횡방향형 구조(즉, LED 칩(1)의 양극과 음극이 LED 칩(1)의 동일측에 위치함)일 수도 있다.Referring to FIG. 1 , FIG. 1 is a diagram showing the structure of an LED chip provided in one exemplary embodiment of the present application. The LED chip 1 provided in this application may be a general LED chip or a Micro-LED chip. The LED chip 1 provided in the present application may have a vertical structure (ie, the anode and cathode of the LED chip 1 are located on opposite sides of the LED chip 1, respectively), and may have a horizontal structure (ie, , the anode and cathode of the LED chip 1 are located on the same side of the LED chip 1).

구체적으로, 본 출원에서 제공하는 LED 칩(1)은 칩 본체(10) 및 칩 본체(10)에 설치되는 자성 부재(12)를 포함하며, 여기서, 자성 부재(12)는 자성 흡착력의 작용에 의해 흡착되어, LED 칩(1)이 흡착되도록 할 수 있다. 본 실시예에서, 칩 본체(10)는 본 분야의 통상적인 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 칩 본체(10)는 기판, 기판에 설치되는 에피택셜층 구조를 포함할 수 있다. 에피택셜층 구조에는 전극(예를 들어, 양극 및/또는 음극)이 설치될 수도 있다. 자성 부재(12)는 전극에 위치되어, 스퍼터링 또는 증착 등 방식을 통해 상기 전극을 커버할 수 있다. 자성 부재(12)의 재질은 금속일 수 있으며, 바람직하게는 Fe, Co, Ni 또는 Fe-Ni합금일 수 있다. 상술한 재료를 사용할 경우, 외부 자기장의 작용에 의해, 자성 부재(12)가 자성 흡착력에 의해 더 쉽게 흡착된다. 물론, 기타 실시예에서, 자성 부재(12)는 전극 자체일 수도 있으며, 이 때 LED 칩의 전극이 자성 전극이다.Specifically, the LED chip 1 provided in the present application includes a chip body 10 and a magnetic member 12 installed on the chip body 10, wherein the magnetic member 12 is affected by the magnetic attraction force. is adsorbed, and the LED chip 1 can be adsorbed. In this embodiment, the chip body 10 may include structures common in the art. For example, the chip body 10 may include a substrate and an epitaxial layer structure installed on the substrate. An electrode (eg, an anode and/or a cathode) may be provided in the epitaxial layer structure. The magnetic member 12 may be positioned on an electrode and cover the electrode through a method such as sputtering or deposition. The material of the magnetic member 12 may be metal, preferably Fe, Co, Ni or Fe-Ni alloy. When the above materials are used, the magnetic member 12 is more easily attracted by the magnetic adsorption force under the action of an external magnetic field. Of course, in other embodiments, the magnetic member 12 may be an electrode itself, in which case the electrode of the LED chip is a magnetic electrode.

하나의 예시적인 실시예에서, 자성 부재(12)가 전극 자체일 경우, 후속의 자성 부재(12)를 박리하는 단계를 생략할 수 있다. 자성 부재(12)가 전극이 아닐 경우, 후속의 자성 부재(12)를 쉽게 제거하여 전극이 노출되도록 하기 위해서는, 박리 장치(예를 들어, 레이저 박리 장치 등)를 이용하여 자성 부재(12)를 직접적으로 박리할 수 있다. 후속의 자성 부재(12) 제거 시 ELD 칩(1)에 대한 파손을 추가로 감소하기 위해서는, 다시 도 1을 참조하면, 본 출원에서 제공하는 LED 칩(1)은 자성 부재(12)와 칩 본체(10) 사이에 설치되어, 예정된 박리 수단에 의해 자성 부재(12)가 칩 본체(10)로부터 박리되는 것을 허용하도록 하는 희생 부재(14)를 더 포함한다. 본 실시예에서, 자성 부재(12)와 희생 부재(14)는 레이어 형상으로 설치되고, 칩 본체(10)에 적층 설치되며, 여기서 희생 부재(14)는 칩 본체(10)에서 자성 부재(12)와 근접하는 일측의 표면에 설치된다. 희생 부재(14)의 재질은 포토레지스트 또는 일부 칩 본체(10)의 재료와 유사한 재질, 예를 들어 규소 함유 재료일 수 있다. 희생 부재(14)는 레이저 박리 등 박리 수단에 의해 제거되어, 자성 부재(12)와 칩 본체(10)가 분리되도록 할 수 있다. 기타 실시예에서, 자성 부재(12)와 희생 부재(14)는 기타 구조일 수도 있으며; 예를 들어, 희생 부재(14)는 레이어 형상일 수 있고, 자성 부재(12)는 희생 부재(14) 상에 위치하는 다수 개의 자성 블록일 수 있거나; 또는 자성 부재(12)는 희생 부재(14)에 도핑되는 자성 입자 등일 수 있다.In one exemplary embodiment, when the magnetic member 12 is the electrode itself, the subsequent step of peeling the magnetic member 12 can be omitted. When the magnetic member 12 is not an electrode, in order to easily remove the subsequent magnetic member 12 so that the electrode is exposed, the magnetic member 12 is removed using a peeling device (eg, a laser peeling device). It can peel off directly. In order to further reduce damage to the ELD chip 1 when the subsequent magnetic member 12 is removed, referring to FIG. 1 again, the LED chip 1 provided in the present application includes a magnetic member 12 and a chip body. It further includes a sacrificial member 14 installed between 10 and allowing the magnetic member 12 to be peeled from the chip body 10 by a predetermined peeling means. In this embodiment, the magnetic member 12 and the sacrificial member 14 are installed in a layered form and stacked on the chip body 10, where the sacrificial member 14 is installed in the chip body 10 to the magnetic member 12 ) is installed on the surface of one side adjacent to the The material of the sacrificial member 14 may be a photoresist or a material similar to that of some of the chip bodies 10, for example, a silicon-containing material. The sacrificial member 14 may be removed by a peeling means such as laser peeling, so that the magnetic member 12 and the chip body 10 are separated. In other embodiments, the magnetic member 12 and the sacrificial member 14 may be of other structures; For example, the sacrificial member 14 may be layered, and the magnetic member 12 may be a plurality of magnetic blocks positioned on the sacrificial member 14; Alternatively, the magnetic member 12 may be magnetic particles doped into the sacrificial member 14 .

도 2를 참조하면, 도 2는 본 출원의 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널의 조립 디바이스의 구조를 나타내는 도면이다. 본 출원에서 제공하는 조립 디바이스는 상술한 어느 하나의 실시예에서의 다수 개의 LED 칩(1)을 수신 기판으로 이송하기 위한 이송 장치(2)를 포함하며, 여기서, 이송 장치(2)는 이송 기판(20), 다수 개의 이송 헤드(22)와 제어 어셈블리(24)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , FIG. 2 is a diagram showing the structure of a device for assembling a display panel provided by an exemplary embodiment of the present application. The assembling device provided in this application includes a transfer device 2 for transferring the plurality of LED chips 1 in any one of the embodiments described above to a receiving substrate, wherein the transfer device 2 is a transfer substrate. (20), a plurality of transfer heads (22) and a control assembly (24).

구체적으로, 다수 개의 이송 헤드(22)는 어레이 방식으로 이송 기판(20)의 적어도 일측 표면에 고정된다. 제어 어셈블리(24)는 각 이송 헤드(22)가 각각 LED 칩(1)을 흡착 또는 방출하도록 다수 개의 이송 헤드(22)를 각각 제어하여, 대응되는 LED 칩(1)의 자성 부재(12)에 작용하는 자성 흡착력을 발생 또는 해제하도록 한다. 본 실시예에서, 하나의 이송 헤드(22)가 이송 기판(20)에서의 정투영의 면적은 하나의 LED 칩(1)이 이송 기판(20)에서의 정투영의 면적과 동일하고, 하나의 LED 칩(1)은 하나의 이송 헤드(22)에 의해 흡착 또는 방출될 수 있다. 기타 실시예에서, 적어도 2개의 이송 헤드(22)와 대응되는 면적은 하나의 LED 칩(1)과 대응되는 면적과 동일하고, 하나의 LED 칩(1)은 적어도 2개의 이송 헤드(22)에 의해 흡착 또는 방출될 수 있다.Specifically, the plurality of transfer heads 22 are fixed to at least one surface of the transfer substrate 20 in an array manner. The control assembly 24 controls each of the plurality of transfer heads 22 so that each transfer head 22 adsorbs or releases the LED chip 1, respectively, to the magnetic member 12 of the corresponding LED chip 1. It generates or cancels the acting magnetic adsorption force. In this embodiment, the area of orthographic projection of one transfer head 22 on the transfer substrate 20 is equal to the area of orthographic projection of one LED chip 1 on the transfer substrate 20, and The LED chip 1 can be adsorbed or ejected by one transfer head 22 . In other embodiments, the area corresponding to the at least two transfer heads 22 is the same as the area corresponding to one LED chip 1, and one LED chip 1 is connected to the at least two transfer heads 22. can be adsorbed or released by

하나의 예시적인 실시예에서, 이송 헤드(22)는 뻗어 나온 제1 단(A)과 제2 단(B)을 포함하는 코일(220)을 포함한다. 제어 어셈블리(24)는 제1 단(A)과 제2 단(B)과 전기적으로 연결된다. 제어 어셈블리(24)는 코일(220)을 제어하여 자성 흡착력을 발생 또는 제거하도록 한다. 코일(220)의 구조는 평면 코일, 시트형 코일, 박말 코일 등일 수 있고, 코일(220)의 재질은 구리, 은 등일 수 있고, 코일(220)의 선회율 및 코일(220)을 통과하는 전류 크기는 실제 상황에 따라 설정할 수 있으며, 본 출원은 이에 대해 한정하지 않는다.In one exemplary embodiment, the transfer head 22 includes a coil 220 that includes a protruding first end (A) and a second end (B). The control assembly 24 is electrically connected to the first end (A) and the second end (B). Control assembly 24 controls coil 220 to generate or remove magnetic attraction. The structure of the coil 220 may be a flat coil, a sheet coil, a thin coil, etc., the material of the coil 220 may be copper or silver, and the turn rate of the coil 220 and the size of the current passing through the coil 220 are It can be set according to the actual situation, and the present application is not limited thereto.

다른 하나의 예시적인 실시예에서, 이송 헤드(22)는 돌출 기둥(222)을 더 포함하며, 이는 이송 기판(20)의 적어도 일측 표면에 고정되고, 하나의 코일(220)이 하나의 돌출 기둥(222) 외측 둘레에 감겨져 있다. 예를 들어, 코일(220)은 나선 방식으로 돌출 기둥(222)의 외부 표면에 감겨져 있고, 코일(220)의 뻗어 나온 제1 단(A)과 제2 단(B)이 모두 이송 기판(20)을 향하여 설치될 수 있다. 코일(220)에 전류가 흐를 경우, 코일(220)에서 이송 기판(20)으로부터 먼 일측에서 N극 또는 S극 자기장이 감지되고, LED 칩(1) 상의 자성 부재(12)의 재질이 금속이므로, 코일(220)은 자성 부재(12)에 대해 자성 흡착력을 발생한다. 코일(220)에 전류가 흐르지 않을 경우, 코일(220)은 자기장을 감지하지 못하여, 코일(220)은 자성 부재(12)에 대한 자성 흡착력을 해제한다. 코일(220)에 의한 자기장 세기를 강화하기 위해서는, 코일(220) 선회율을 증가시키고, 코일(220)을 통과하는 전류를 증가하는 것 외에도 돌출 기둥(220)의 재질을 금속으로 설계할 수 있으며, 바람직하게는, 돌출 기둥(220)의 재질이 Fe이다. 돌출 기둥(220)의 재질이 Fe일 경우, 코일(220)에 의한 자기장 세기를 강화하여, 자성 부재(12)에 대해 더 강한 자성 흡착력을 발생하도록 할 수 있다. 기타 실시예에서, 코일(220)과 돌출 기둥(222)의 설계 방식은 기타, 예를 들어 코일(220)이 돌출 기둥(222)에서 이송 기판(20)으로부터 먼 단부 표면에 고정되는 방식일 수도 있다.In another exemplary embodiment, the transfer head 22 further includes a protruding post 222, which is fixed to at least one surface of the transfer substrate 20, and a coil 220 is a protruding post. (222) is wrapped around the outer circumference. For example, the coil 220 is wound around the outer surface of the protruding column 222 in a spiral manner, and both the first end (A) and the second end (B) of the coil 220 protrude from the transfer substrate 20 ) can be installed. When a current flows through the coil 220, an N-pole or S-pole magnetic field is detected at one side far from the transfer substrate 20 in the coil 220, and since the material of the magnetic member 12 on the LED chip 1 is metal, , The coil 220 generates a magnetic attraction force with respect to the magnetic member 12 . When current does not flow through the coil 220 , the coil 220 does not detect a magnetic field, and thus the coil 220 releases a magnetic adsorption force to the magnetic member 12 . In order to strengthen the magnetic field strength by the coil 220, the coil 220 turn rate is increased, the current passing through the coil 220 is increased, and the material of the protruding column 220 can be designed to be metal, Preferably, the material of the protruding column 220 is Fe. When the material of the protruding pillar 220 is Fe, the strength of the magnetic field by the coil 220 may be enhanced to generate a stronger magnetic adsorption force with respect to the magnetic member 12 . In other embodiments, the design of the coil 220 and the protruding post 222 may be other, for example, the way the coil 220 is secured to the end surface away from the transfer substrate 20 at the protruding post 222. there is.

또 다른 하나의 예시적인 실시예에서, 제어 어셈블리(24)는 전체 또는 일부가 이송 기판(20)에 위치될 수 있고; 제어 어셈블리(24)가 각 이송 헤드(22)를 독립적으로 제어하도록 하기 위해서는, 도 3을 참조하면, 도 3은 도 2에서 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 제어 어셈블리의 구조를 나타내는 도면이며, 본 출원에서 제공하는 제어 어셈블리(24)는,In another exemplary embodiment, the control assembly 24 may be positioned in whole or in part on the transfer substrate 20; In order for the control assembly 24 to independently control each transfer head 22, referring to FIG. 3, FIG. 3 is a view showing the structure of the control assembly provided in one exemplary embodiment in FIG. 2, The control assembly 24 provided in the present application,

다수 개의 코일(220)로 전류를 제공하기 위한 것으로, 일단이 코일(220)의 제1 단(A)과 연결되며; 전원, 저항 등을 포함할 수 있으며, 전원 전압, 저항 크기 등을 변경함으로써, 코일(220)을 통과하는 전류 크기를 조절할 수 있는 전류 발생 회로(240);To provide current to the plurality of coils 220, one end is connected to the first end (A) of the coil 220; A current generating circuit 240 that may include a power supply, resistance, and the like, and may adjust the size of current passing through the coil 220 by changing the power supply voltage and resistance size;

코일(220)과 하나씩 대응되어 연결되는 다수 개의 스위치(242);A plurality of switches 242 connected in correspondence with the coil 220 one by one;

다수 개의 스위치(242)의 제어단(K1)을 각각 연결하기 위한 것으로, 제어단(K1)을 통해 제3 단(K2)과 제4 단(K3)의 연결과 차단을 제어하는 스위치 제어 회로(244)를 포함하며, 여기서, 스위치(242)는 여러 종류의 스위치, 예를 들어 MEMS 스위치, N형 트랜지스터 스위치, P형 트랜지스터 스위치 등일 수 있으며, MEMS 스위치는 부피가 작은 장점을 구비하므로, 본 출원에서 제공하는 조립 디바이스에 더 적합하며, 스위치(242)는 제어단(K1), 전류 발생 회로(240)의 타단과 전기적으로 연결되는 제3 단(K2)과 코일(220)의 제2 단(B)과 연결되는 제4 단(K3)을 포함한다.A switch control circuit for connecting the control terminals K1 of the plurality of switches 242, respectively, and controlling the connection and disconnection of the third terminal K2 and the fourth terminal K3 through the control terminal K1 ( 244), wherein the switch 242 may be various types of switches, for example, MEMS switches, N-type transistor switches, P-type transistor switches, etc. Since the MEMS switch has the advantage of being small in volume, this application It is more suitable for the assembly device provided by , and the switch 242 includes a control terminal K1, a third terminal K2 electrically connected to the other terminal of the current generating circuit 240 and a second terminal of the coil 220 ( It includes a fourth end (K3) connected to B).

또 다른 하나의 예시적인 실시예에서, 다시 도 1을 참조하면, LED 칩(1)은 자성 부재(12)와 칩 본체(10) 사이에 설치되는 희생 부재(14)를 더 포함하며; 본 출원에서 제공하는 조립 디바이스는 칩 본체(10)와 자성 부재(12) 사이의 희생 부재(14)에 작용되어, 칩 본체(10)로부터 자성 부재(12)를 박리하기 위한 박리 장치(도 2에 미도시)를 더 포함한다. 박리 장치는 레이저 박리 장치 등일 수 있다. 기타 실시예에서는, 희생 부재(14)를 설치하지 않을 수도 있으며, 박리 장치가 자성 부재(12)에 직접적으로 작용하여, 칩 본체(10)로부터 자성 부재(12)를 박리하도록 한다. 또는, LED 칩(1)은 전극을 포함하며, 자성 부재(12)가 해당 전극이다. 자성 부재(12)가 전극일 경우, 본 출원에서 제공하는 조립 디바이스는 박리 장치가 필요 없을 수 있으며, 후속의 자성 부재(12)를 박리하는 단계를 생략할 수 있다.In another exemplary embodiment, referring again to FIG. 1 , the LED chip 1 further includes a sacrificial member 14 installed between the magnetic member 12 and the chip body 10; The assembly device provided in this application is a peeling device for peeling the magnetic member 12 from the chip body 10 by acting on the sacrificial member 14 between the chip body 10 and the magnetic member 12 (FIG. 2 not shown) are further included. The peeling device may be a laser peeling device or the like. In other embodiments, the sacrificial member 14 may not be provided, and the peeling device directly acts on the magnetic member 12 to peel the magnetic member 12 from the chip body 10 . Alternatively, the LED chip 1 includes an electrode, and the magnetic member 12 is the corresponding electrode. When the magnetic member 12 is an electrode, the assembling device provided in the present application may not require a peeling device, and a subsequent step of peeling the magnetic member 12 may be omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 도 4는 본 출원의 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널의 조립 방법을 나타내는 흐름도이고; 도 5는 도 4에서 단계(S101)-단계(S104)에 대응되는 하나의 예시적인 실시예에서 제공하는 구조를 나타내는 도면이며, 해당 조립 방법은 다음의 단계를 포함한다:Referring to FIGS. 4 and 5 , FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for assembling a display panel provided by an exemplary embodiment of the present application; Fig. 5 is a diagram showing a structure provided by an exemplary embodiment corresponding to steps S101 to S104 in Fig. 4, and the assembling method includes the following steps:

S101: 칩 본체(10) 및 칩 본체(10)에 설치되는 자성 부재(12)를 포함하는 다수 개의 LED 칩(1)에 설치되는 도너 기판(3)을 제공한다.S101: A donor substrate 3 installed on a plurality of LED chips 1 including a chip body 10 and a magnetic member 12 installed on the chip body 10 is provided.

구체적으로, 도 5a에 도시된 바와 같이, 하나의 예시적인 실시예에서, 먼저 도너 기판(3)에 칩 본체(10)를 형성한 후, 칩 본체(10)의 표면에 자성 부재(12)를 형성할 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 5A , in one exemplary embodiment, a chip body 10 is first formed on a donor substrate 3, and then a magnetic member 12 is formed on a surface of the chip body 10. can form

다른 하나의 예시적인 실시예에서, 후속의 자성 부재(12) 제거 시 칩 본체(10)에 대한 파손을 감소하기 위해서는, 상술한 자성 부재(12)를 형성하기 전에, 먼저 칩 본체(10)의 표면에 희생 부재(14)를 형성한 후, 희생 부재(14)에서 칩 본체(10)로부터 먼 일측에 자성 부재(12)를 형성할 수도 있다.In another exemplary embodiment, in order to reduce damage to the chip body 10 when the magnetic member 12 is subsequently removed, prior to forming the magnetic member 12 described above, first, the chip body 10 After forming the sacrificial member 14 on the surface, the magnetic member 12 may be formed on one side far from the chip body 10 on the sacrificial member 14 .

S102: 어레이 방식으로 이송 기판(20)의 적어도 일측 표면에 고정되는 다수 개의 이송 헤드(22)를 제어하여 자성 흡착력을 발생시켜, 자성 흡착력이 대응되는 LED 칩(1)의 자성 부재(12)에 작용하도록 하되, 자성 흡착력을 LED 칩(1)과 도너 기판(3) 사이의 결합력보다 크게 하여, 다수 개의 LED 칩(1)을 도너 기판(3)과 분리시키도록 한다. S102: A plurality of transfer heads 22 fixed to at least one surface of the transfer substrate 20 are controlled in an array manner to generate magnetic attraction force, and the magnetic attraction force is applied to the corresponding magnetic member 12 of the LED chip 1 However, the magnetic adsorption force is greater than the bonding force between the LED chip 1 and the donor substrate 3 to separate the plurality of LED chips 1 from the donor substrate 3.

구체적으로, 하나의 예시적인 실시예에서, 상술한 단계(S102)는 구체적으로, 제어 어셈블리(24)의 스위치 제어 회로(244)가 다수 개의 스위치(242)가 ON되도록 제어하여, 전류 발생 회로(240)가 출력한 전류가 다수 개의 스위치(242)와 대응되어 연결되는 다수 개의 이송 헤드(22) 중의 코일(220)을 통과하여, 다수 개의 이송 헤드(22) 중의 코일(220)에 자성 흡착력이 발생하게 되어, 도너 기판(3)의 다수 개의 LED 칩(1)을 흡착하는 단계를 포함한다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 제어 어셈블리(24)는 도 5b 중 좌측 2개의 스위치(242)가 ON되도록 제어하여, 좌측 2개의 스위치(242)와 대응되는 이송 헤드(22, 도 5b에 표시된 A, B)에 자성 흡착력이 발생하게 됨으로써, 대응되는 도너 기판(3) 상의 좌측 2개의 LED 칩(1, 도 5b에 표시된 a, b)을 흡착한다.Specifically, in one exemplary embodiment, the above-described step (S102) is specifically, by controlling the switch control circuit 244 of the control assembly 24 to turn on a plurality of switches 242, the current generating circuit ( 240) passes through the coils 220 of the plurality of transfer heads 22 connected in correspondence with the plurality of switches 242, and magnetic attraction force is applied to the coils 220 of the plurality of transfer heads 22. and adsorbing the plurality of LED chips 1 on the donor substrate 3. As shown in FIG. 5B, the control assembly 24 controls the two switches 242 on the left side of FIG. , B), the left two LED chips 1 (a, b shown in FIG. 5B) on the corresponding donor substrate 3 are attracted.

S103: 이송 기판(20)을 수신 기판(4) 상측으로 이동시킨다.S103: The transfer substrate 20 is moved above the receiving substrate 4.

구체적으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 기계암 등 장치를 이용하여 이송 기판(20)의 위치를 이동시키고, 이송 기판(20)에서 LED 칩(1)이 흡착되어 있는 이송 헤드(22)와 수신 기판(4) 상의 예정 위치를 조준한다. 수신 기판(4)은 어레이 기판일 수 있고, 중간 기판일 수도 있다.Specifically, as shown in FIG. 5C, the position of the transfer substrate 20 is moved using a device such as a mechanical arm, and the transfer head 22 to which the LED chip 1 is adsorbed on the transfer substrate 20 Aim at a predetermined position on the receiving substrate 4. The receiving substrate 4 may be an array substrate or an intermediate substrate.

S104: 다수 개의 이송 헤드(22)를 제어하여 자성 흡착력을 제거하여, 다수 개의 이송 헤드(22)가 다수 개의 LED 칩(1)을 수신 기판(4)으로 방출하도록 한다.Step 104: Control the plurality of transfer heads 22 to remove the magnetic attraction force, so that the plurality of transfer heads 22 discharge the plurality of LED chips 1 to the receiving substrate 4.

구체적으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 제어 어셈블리(24) 중의 스위치 제어 회로(244)가 다수 개의 스위치(242)가 OFF되도록 제어하여, 다수 개의 스위치(242)와 대응되어 연결되는 다수 개의 회전 헤드(22) 중의 코일(220)에 전류가 흐르지 않게 되어, 다수 개의 이송 헤드(22) 중의 코일(220)이 자성 흡착력을 제거하여 다수 개의 LED 칩(1)을 수신 기판(4)으로 방출하도록 한다. 예를 들어, 도 5d에 도시된 바와 같이, 제어 어셈블리(24)는 도 5d 중 좌측 하나의 스위치(242)가 OFF되도록 제어하여, 좌측 하나의 스위치(242)와 대응되는 이송 헤드(22, 도 5d에 표시된 A)가 자성 흡착력을 해제함으로써, LED 칩(1, 도 5d에 표시된 a)을 수신 기판(4)으로 방출한다. 다른 하나의 이송 헤드(1, 도 5d에 표시된 b) 상의 LED 칩(1, 도 5d에 표시된 b)에 대해서는, 해당 LED 칩(1, 도 5d에 표시된 b)의 성능 검출이 불합격 또는 위치가 수신 기판(4) 상의 예정 위치와 조준되지 않는 등 원인으로 인해, 제어 어셈블리(24)는 해당 이송 헤드(22, 도 5d에 표시된 B)를 제어하여 이를 방출하지 않는다.Specifically, as shown in FIG. 5D , the switch control circuit 244 in the control assembly 24 controls the plurality of switches 242 to be turned off so that the plurality of switches 242 are connected in correspondence with the plurality of rotations. The current does not flow through the coils 220 in the head 22, so that the coils 220 in the plurality of transfer heads 22 remove the magnetic attraction force to emit the plurality of LED chips 1 to the receiving substrate 4. do. For example, as shown in FIG. 5D, the control assembly 24 controls the left one switch 242 of FIG. 5D to be OFF, and the transfer head 22 corresponding to the left one switch 242 A) indicated in 5d releases the magnetic attraction force, thereby releasing the LED chip 1 (a indicated in FIG. 5d) to the receiving substrate 4. For the LED chip (1, b shown in Fig. 5d) on the other transfer head (1, b shown in Fig. 5d), the performance detection of that LED chip (1, b shown in Fig. 5d) fails or the position is not received. Due to the expected position on the substrate 4 and not being aimed, the control assembly 24 controls the corresponding transfer head 22 (B shown in Fig. 5d) so that it does not eject.

기타 실시예에서, 상술한 단계(S104) 후에는, 본 출원에서 제공하는 조립 방법은, LED 칩(1) 상의 자성 부재(12)를 제거하여, 칩 본체(10)가 노출되도록 하는 단계를 더 포함한다. 구체적으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, LED 칩(1) 중의 칩 본체(10)와 자성 부재(12) 사이에 희생 부재(14)가 더 구비되어, 레이저 박리 등 박리 장치를 통해 희생 부재(14)를 박리함으로써, 자성 부재(12)와 칩 본체(10)를 분리시키는 목적에 달한다. 또한, 자성 부재(12) 제거 과정에서 LED 칩(1)과 수신 기판(4)에 상대적 변위가 발생하는 것을 방지하기 위해서, 자성 부재(12)를 제거하기 전에는, LED 칩(1)과 수신 기판(4)의 상대적 위치를 고정할 수도 있으며, 예를 들어, 수신 기판(4) 상에 한 층의 땜납을 도포하여, 열환류 방식을 통해 LED 칩(1)과 수신 기판(4)의 상대적 위치를 고정시킬 수 있으며; 또한 예를 들어, 수신 기판(4) 상에 한 층의 접착제를 도포하여, 접착제의 접착성을 이용하여 LED 칩(1)과 수신 기판(4)의 상대적 위치를 고정시킬 수 있다.In other embodiments, after the above-described step (S104), the assembly method provided in the present application further includes removing the magnetic member 12 on the LED chip 1 so that the chip body 10 is exposed. include Specifically, as shown in FIG. 5E, in this embodiment, a sacrificial member 14 is further provided between the chip body 10 and the magnetic member 12 in the LED chip 1, such as a laser peeling device. By peeling the sacrificial member 14 through, the purpose of separating the magnetic member 12 and the chip body 10 is reached. In addition, in order to prevent relative displacement between the LED chip 1 and the receiving substrate 4 in the process of removing the magnetic member 12, the LED chip 1 and the receiving substrate 4 are removed before the magnetic member 12 is removed. The relative position of (4) may be fixed, for example, by applying a layer of solder on the receiving substrate 4, the relative position of the LED chip 1 and the receiving substrate 4 through a thermal reflux method can be fixed; Also, for example, by applying a layer of adhesive on the receiving substrate 4, the relative position of the LED chip 1 and the receiving substrate 4 may be fixed using the adhesiveness of the adhesive.

일측으로는, 본 출원이 제공하는 LED 칩의 칩 본체에는 자성 부재가 설치되어, 해당 자성 부재가 외부 이송 장치에 의해 발생되는 자성 흡착력의 작용에 의해 흡착됨으로써, LED 칩이 흡착되도록 하며; LED 칩을 기계적으로 집는 전통적인 것에 비해, 자력 흡착이 LED 칩에 대한 파손을 감소시킬 수 있고, 자력 흡착이 더 편하므로, 디스플레이 패널에 다수 개의 LED 칩을 설치하는 효율을 향상시킬 수 있다.On the one hand, a magnetic member is installed on the chip body of the LED chip provided by the present application, and the magnetic member is attracted by the action of the magnetic adsorption force generated by the external transport device, so that the LED chip is adsorbed; Compared with the traditional method of mechanically picking up the LED chips, magnetic adsorption can reduce damage to the LED chips, and since magnetic adsorption is more convenient, the efficiency of installing a plurality of LED chips in a display panel can be improved.

다른 일측으로는, 본 출원이 제공하는 디스플레이 패널의 조립 디바이스 중의 이송 장치는 다수 개의 이송 헤드와 제어 어셈블리를 포함하고, 제어 어셈블리가 각각의 이송 헤드를 단독으로 제어하여 대응되는 LED 칩의 자성 부재에 작용하는 자성 흡착력을 발생 또는 해제하여, 각각의 이송 헤드가 각각 LED 칩을 흡착 또는 방출할 수 있도록 함으로써, 다수 개의 LED 칩에 대해 선택적으로 이송할 수 있어, 디스플레이 패널에 다수 개의 LED 칩을 설치하는 효율을 향상시킨다.On the other hand, the transfer device in the assembly device of the display panel provided by the present application includes a plurality of transfer heads and a control assembly, and the control assembly controls each transfer head independently to control the magnetic member of the corresponding LED chip. By generating or releasing the acting magnetic adsorption force, each transfer head can adsorb or discharge the LED chips, respectively, so that a plurality of LED chips can be selectively transferred, thereby installing a plurality of LED chips on a display panel. improve efficiency;

이상은 본 출원의 예시적인 실시예에 불과하고, 이에 의해 본 출원의 특허 범위가 제한되는 것이 아니며, 본 출원의 명세서 및 첨부 도면 내용에 의한 등가 구조 또는 등가 흐름의 전환, 또는 기타 관련된 기술 분야에 직접 또는 간접적으로 적용되는 것은, 모두 동일한 이유로 본 출원의 특허 보호 범위 내에 포함될 것이다.The above are only exemplary embodiments of the present application, and the patent scope of the present application is not limited thereby, and the equivalent structure or equivalent flow conversion according to the specification and accompanying drawings of the present application, or other related technical fields Whatever is applied directly or indirectly will fall within the patent protection scope of this application for the same reasons.

Claims (20)

LED 칩에 있어서,
칩 본체 및
상기 칩 본체에 설치되고, 외부 이송 장치에 의해 발생되는 자성 흡착력의 작용에 의해 상기 LED 칩이 흡착되도록 하는 자성 부재를 포함하며;
상기 LED 칩은 희생 부재를 더 포함하고,
상기 자성 부재는 희생 부재에 도핑되는 금속의 자성 입자이고,
상기 희생 부재는 규소 함유 재료이고, 레이저 박리 장치에 의해 제거될 수 있는, LED 칩.
In the LED chip,
chip body and
a magnetic member installed on the chip body and allowing the LED chip to be attracted by the action of a magnetic attraction force generated by an external transfer device;
The LED chip further includes a sacrificial member,
The magnetic member is a magnetic particle of a metal doped in the sacrificial member,
The sacrificial member is a silicon-containing material and can be removed by a laser ablation device.
디스플레이 패널의 조립 디바이스에 있어서,
제 1 항에 기재된 LED 칩을 수신 기판으로 이송하기 위한 이송 장치를 포함하고,
상기 이송 장치는,
이송 기판;
어레이 방식으로 상기 이송 기판의 적어도 일측 표면에 고정되는 복수의 이송 헤드;
상기 복수의 이송 헤드를 각각 제어하여, 각 대응하는 상기 LED 칩에 작용하는 자성 부재의 자기흡착력을 발생시키거나 해제하여, 각각의 상기 이송 헤드가 상기 LED 칩을 각각 흡착 또는 방출할 수 있도록 하는 제어 어셈블리; 및
상기 희생 부재에 작용하여 상기 칩 본체로부터 상기 자성 부재 및 상기 희생 부재를 박리하는 레이저 박리 장치를 구비하는, 디스플레이 패널의 조립 디바이스.
In the assembly device of the display panel,
A transfer device for transferring the LED chip according to claim 1 to a receiving substrate,
The transport device is
transfer substrate;
a plurality of transfer heads fixed to at least one surface of the transfer substrate in an array manner;
Control of each of the plurality of transfer heads to generate or release the magnetic attraction force of the magnetic member acting on the corresponding LED chip, so that each transfer head can adsorb or release the LED chip, respectively. assembly; and
A device for assembling a display panel comprising: a laser peeling device that acts on the sacrificial member to peel the magnetic member and the sacrificial member from the chip body.
제 2 항에 있어서,
각각의 상기 이송 헤드는 제1 단과 제2 단을 포함하는 코일을 포함하며,
상기 제어 어셈블리는 상기 제1 단과 상기 제2 단과 전기적으로 연결되어, 상기 코일을 제어하여 상기 자성 흡착력을 발생 또는 제거하도록 하는, 디스플레이 패널의 조립 디바이스.
According to claim 2,
each said transfer head comprising a coil comprising a first end and a second end;
wherein the control assembly is electrically connected to the first end and the second end to control the coil to generate or remove the magnetic attraction force.
제 3 항에 있어서,
각각의 상기 이송 헤드는 복수의 돌출 기둥을 더 포함하고,
상기 복수의 돌출 기둥은 상기 이송 기판의 적어도 일측 표면에 설치되고,
하나의 돌출 기둥 외측 둘레에 하나의 코일이 감겨져 설치되는, 디스플레이 패널의 조립 디바이스.
According to claim 3,
Each of the transfer heads further includes a plurality of protruding pillars;
The plurality of protruding pillars are installed on at least one surface of the transfer substrate,
An assembly device of a display panel in which one coil is wound and installed around an outer circumference of one protruding pillar.
제 4 항에 있어서,
상기 돌출 기둥의 재질은 Fe인, 디스플레이 패널의 조립 디바이스.
According to claim 4,
The material of the protruding column is Fe, the assembly device of the display panel.
제 3 항에 있어서,
상기 제어 어셈블리는,
일단이 상기 코일의 상기 제1 단과 연결되고, 다수 개의 상기 코일로 전류를 제공하기 위한 전류 발생 회로;
상기 코일과 하나씩 대응되어 연결되고, 제어단, 제3 단과 제4 단을 포함하되, 상기 제3 단이 상기 전류 발생 회로의 타단과 전기적으로 연결되고, 상기 제4 단이 상기 코일의 상기 제2 단과 연결되는, 복수의 스위치; 및
상기 복수의 스위치의 상기 제어단을 각각 연결하기 위한 것으로, 상기 제어단을 통해 상기 제3 단과 상기 제4 단의 연결과 차단을 제어하는 스위치 제어 회로를 포함하는, 디스플레이 패널의 조립 디바이스.
According to claim 3,
The control assembly,
a current generating circuit having one end connected to the first end of the coil and providing current to a plurality of the coils;
It is connected in correspondence with the coil one by one, and includes a control end, a third end and a fourth end, wherein the third end is electrically connected to the other end of the current generating circuit, and the fourth end is the second end of the coil. A plurality of switches connected to the terminal; and
A display panel assembling device comprising a switch control circuit for connecting the control terminals of the plurality of switches, respectively, and controlling connection and disconnection of the third terminal and the fourth terminal through the control terminal.
디스플레이 패널의 조립 방법으로서,
제 1 항에 기재된 복수의 LED 칩이 설치되는 도너 기판을 제공하는 단계;
어레이 방식으로 이송 기판의 적어도 일측 표면에 고정되는 복수의 이송 헤드를 제어하여 자성 흡착력을 발생시켜, 상기 자성 흡착력이 대응되는 상기 LED 칩의 상기 자성 부재에 작용하도록 하되, 상기 자성 흡착력을 상기 LED 칩과 상기 도너 기판 사이의 결합력보다 크게 하여, 복수의 상기 LED 칩을 상기 도너 기판으로부터 흡착하도록 하는 단계;
상기 이송 기판을 수신 기판 상측으로 이동시키는 단계;
복수의 이송 헤드를 제어하여 자성 흡착력을 제거하여, 복수의 상기 이송 헤드가 복수의 상기 LED 칩을 수신 기판으로 방출하도록 하는 단계; 및
상기 희생 부재에 작용되는 레이저 박리 장치를 이용하여, 상기 칩 본체로부터 상기 자성 부재 및 상기 희생 부재를 박리하는 단계를 포함하는, 디스플레이 패널의 조립 방법.
As a method of assembling a display panel,
Providing a donor substrate on which a plurality of LED chips according to claim 1 are installed;
A plurality of transfer heads fixed to at least one surface of the transfer substrate are controlled in an array manner to generate a magnetic attraction force so that the magnetic attraction force acts on the corresponding magnetic member of the LED chip, and the magnetic attraction force is applied to the LED chip. adsorbing the plurality of LED chips from the donor substrate by increasing the bonding force between the donor substrate and the donor substrate;
moving the transfer substrate above the receiving substrate;
controlling a plurality of transfer heads to remove magnetic attraction so that the plurality of transfer heads discharge the plurality of LED chips to a receiving substrate; and
and peeling the magnetic member and the sacrificial member from the chip body using a laser peeling device applied to the sacrificial member.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020217017862A 2018-11-29 2019-05-08 LED chip, display panel assembly device and assembly method KR102544587B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811446284.1 2018-11-29
CN201811446284.1A CN111244010A (en) 2018-11-29 2018-11-29 LED chip, assembling device and assembling method of display panel
PCT/CN2019/086058 WO2020107809A1 (en) 2018-11-29 2019-05-08 Led chip, and assembly apparatus and assembly method for display panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210093944A KR20210093944A (en) 2021-07-28
KR102544587B1 true KR102544587B1 (en) 2023-06-20

Family

ID=70852649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217017862A KR102544587B1 (en) 2018-11-29 2019-05-08 LED chip, display panel assembly device and assembly method

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102544587B1 (en)
CN (1) CN111244010A (en)
WO (1) WO2020107809A1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111474981B (en) * 2020-03-24 2021-11-02 宁波方太厨具有限公司 Make things convenient for magnetic adsorption's house equipment and intelligent terminal
CN111863694B (en) * 2020-07-17 2022-03-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Transfer device and transfer method
CN112601166A (en) * 2020-12-14 2021-04-02 维沃移动通信有限公司 Screen, electronic equipment and screen preparation method
CN112992765B (en) * 2021-02-08 2022-07-12 厦门乾照半导体科技有限公司 Transfer device and transfer method
CN113053793B (en) * 2021-03-19 2023-02-03 江西乾照光电有限公司 Mass transfer device and method for Micro LED array device
KR102497332B1 (en) 2021-07-19 2023-02-08 엘지전자 주식회사 Mask apparatus
WO2023068383A1 (en) * 2021-10-18 2023-04-27 엘지전자 주식회사 Assembly apparatus
WO2023068384A1 (en) * 2021-10-18 2023-04-27 엘지전자 주식회사 Micro-led display manufacturing apparatus
CN114156374B (en) * 2021-11-30 2024-04-12 Tcl华星光电技术有限公司 Chip transfer device and chip transfer method
CN115394703A (en) * 2022-08-12 2022-11-25 上海闻泰信息技术有限公司 Chip transfer device and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107305915A (en) * 2016-04-19 2017-10-31 财团法人工业技术研究院 The transfer method of electronics-programmable magnetic shift module and electronic component

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110151588A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US9698134B2 (en) * 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN105789122B (en) * 2014-12-12 2019-05-03 财团法人工业技术研究院 Method for transferring photoelectric element
CN107634029B (en) * 2017-09-25 2019-12-10 广东工业大学 Chip transfer method
CN107681039A (en) * 2017-09-26 2018-02-09 扬州乾照光电有限公司 The encapsulating structure and method for packing of a kind of LED chip

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107305915A (en) * 2016-04-19 2017-10-31 财团法人工业技术研究院 The transfer method of electronics-programmable magnetic shift module and electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
CN111244010A (en) 2020-06-05
WO2020107809A1 (en) 2020-06-04
KR20210093944A (en) 2021-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102544587B1 (en) LED chip, display panel assembly device and assembly method
CN109378370B (en) Transfer equipment of micro LED, manufacturing system and manufacturing method of display substrate
CN107863316B (en) Micro L ED transfer device, transfer method and manufacturing method thereof
US10141475B1 (en) Method for binding micro device to conductive pad
TWI364902B (en)
CN104505658B (en) A kind of compound separable microminiature electric supply installation
CN107783331B (en) Device transfer apparatus, method of transferring device, and device transfer board
JP2011523183A5 (en)
JP2006221761A5 (en)
CN111519139A (en) Mask device and method for attaching mask device to substrate
JP2009076387A (en) Surface-emitting illumination device
US8480426B2 (en) Battery connecting tabs
US20150236294A1 (en) Organic optoelectronic component, method for producing an organic optoelectronic component and method for cohesive electrical contacting
CN104851926A (en) Circuit device used for back contact solar module and preparation method
CN204614792U (en) A kind of circuit arrangement for back contact solar assembly
US11270855B2 (en) Movable contact body for switch, and switch
CN105845764A (en) Solar cell luminescent plate and manufacture method therefor
CN202479665U (en) Welding machine fixture for wave-soldering
CN111863694B (en) Transfer device and transfer method
KR101419035B1 (en) Back contact solar cell module and manufacturing method thereof
KR101388492B1 (en) Skeleton type thermoelectric module manufacture method and thermoelectric unit having skeleton type thermoelectric module and manufacture method thereof
CN108119783B (en) OLED light emitting module
JP2003124251A5 (en)
CN212257355U (en) Mass transfer head and mass transfer system
WO2013179482A1 (en) Organic el light-emitting element and method for manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G15R Request for early publication
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant