KR102535064B1 - Tape for semiconductor processing - Google Patents

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KR102535064B1
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다까노리 즈찌야
구니히꼬 이시구로
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있음과 함께, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있어, 반도체 웨이퍼 접합 시에 접착제층이 들뜨는 일이 없는 반도체 가공용 테이프를 제공한다.
본원 발명에 의한 반도체 가공용 테이프(1)는, 기재 필름(41), 제1 점착제층(42) 및 제2 점착제층(43)이 이 순으로 마련되고, 제2 점착제층(43)의 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)과는 반대측의 면에는, 접착제층(3)이 마련되고, 제1 점착제층(42)의 점착력은, 제2 점착제층(43)의 점착력보다도 크고, 제1 점착제층(42), 제2 점착제층(43) 및 접착제층(3)은, 각각 평면 형상을 갖고, 접착제층(3)의 평면 형상은 제2 점착제층(43)의 평면 형상보다 크고, 제1 점착제층(42)의 평면 형상은 접착제층(3)의 평면 형상보다 크고, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접하고 있는 것을 특징으로 한다.Provided is a tape for semiconductor processing in which a chip having an adhesive layer can be easily peeled off from the adhesive layer at the time of pick-up, and a ring frame can be adhesively fixed reliably and the adhesive layer does not float when bonding semiconductor wafers. .
In the tape 1 for semiconductor processing according to the present invention, a base film 41, a first pressure-sensitive adhesive layer 42, and a second pressure-sensitive adhesive layer 43 are provided in this order, and the base film of the second pressure-sensitive adhesive layer 43 On the surface opposite to (41) and the first pressure sensitive adhesive layer 42, an adhesive layer 3 is provided, and the adhesive strength of the first pressure sensitive adhesive layer 42 is greater than that of the second pressure sensitive adhesive layer 43, The first pressure sensitive adhesive layer 42, the second pressure sensitive adhesive layer 43, and the adhesive layer 3 each have a planar shape, and the planar shape of the adhesive layer 3 is larger than that of the second pressure sensitive adhesive layer 43. , The planar shape of the first pressure sensitive adhesive layer 42 is larger than the planar shape of the adhesive layer 3, and the first pressure sensitive adhesive layer 42 and the adhesive layer 3 are in contact with each other at the periphery of the second pressure sensitive adhesive layer 43. to be characterized

Description

반도체 가공용 테이프Tape for semiconductor processing

본 발명은, 기재 필름 상에 점착제층을 갖는 점착 테이프, 및 해당 점착제층 상에 반도체 웨이퍼와 접합되는 접착제층을 갖는 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive tape having an adhesive layer on a base film, and a tape for semiconductor processing having an adhesive layer bonded to a semiconductor wafer on the adhesive layer.

종래, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼를 개편화하는 다이싱 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 점착 보유 지지하는 점착 테이프가 사용되고 있다. 또한, 보다 공정을 간략화하기 위해, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층을 일체화한 반도체 가공용 테이프가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).BACKGROUND ART Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device, in a dicing process of cutting a semiconductor wafer into pieces, an adhesive tape for adhesively holding the semiconductor wafer is used. Moreover, in order to simplify a process more, the tape for semiconductor processing which integrated the adhesive layer for chip fixing required for the mounting process is proposed (refer patent document 1, for example).

다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼를 개편화한 후, 개편화된 칩은 픽업 공정에서, 밀어올림 핀으로 밀어올려짐으로써, 접착제층과 함께 점착제층으로부터 박리되어 픽업되고, 마운트 공정에서, 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 직접 접착된다.After the semiconductor wafer is singulated in the dicing process, the singulated chips are separated from the pressure-sensitive adhesive layer together with the adhesive layer by being pushed up with a push pin in the pickup process, and are picked up, and in the mounting process, a lead frame or package It is directly adhered to a substrate or the like.

근년에는, IC 카드의 보급이 진행되어, 반도체 칩의 박형화가 요망되고 있다. 이 때문에, 종래는 두께가 350㎛ 정도였던 반도체 칩을, 두께 50 내지 100㎛ 혹은 그 이하까지 얇게 할 필요가 발생하고 있다. 또한, 고집적화의 추구에 의한 칩 사이즈의 대형화도 진전되고 있다.In recent years, the spread of IC cards has progressed, and thinning of semiconductor chips has been desired. For this reason, it is necessary to thin a semiconductor chip, which conventionally had a thickness of about 350 μm, to a thickness of 50 to 100 μm or less. In addition, an increase in chip size due to the pursuit of high integration is also progressing.

얇은 반도체 칩은, 픽업할 때 밀어올림 핀의 밀어올림 높이를 높게 하면 균열되어 버리기 때문에, 밀어올림 높이는 낮게 할 필요가 있다. 그렇게 하면, 접착제층 구비의 반도체 칩을 점착제층으로부터 박리하기 위해서는, 점착제층의 점착력을 낮게 할 필요가 있다. 또한, 사이즈가 큰 반도체 칩은, 점착제층과의 접촉 면적이 크기 때문에, 접착제층 구비의 반도체 칩을 점착제층으로부터 박리하기 위해서는, 역시 점착제층의 점착력을 낮게 할 필요가 있다.Since a thin semiconductor chip cracks if the pushing height of the pushing pin is increased at the time of pick-up, it is necessary to make the pushing height low. Then, in order to separate the semiconductor chip with the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to lower the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer. In addition, since a semiconductor chip having a large size has a large contact area with the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to lower the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer as expected in order to peel the semiconductor chip with the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer.

그런데, 점착제층에는, 다이싱 장치나 픽업 장치에 반도체 웨이퍼를 보유 지지시키기 위한 링 프레임도 접착된다. 상술한 바와 같이 점착제층의 점착력을 낮게 하면, 링 프레임이 점착제층으로부터 박리될 우려가 있다. 특히, 반도체 웨이퍼 및 링 프레임을 반도체 가공용 테이프에 접착시킨 채로, 어느 정도의 기간 보관해 두는 경우도 있어, 이와 같은 경우에, 링 프레임이 점착제층으로부터 박리될 우려가 높아진다.By the way, the ring frame for holding a semiconductor wafer in a dicing device or a pick-up device is also adhered to the pressure-sensitive adhesive layer. As described above, if the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is lowered, there is a risk that the ring frame may be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer. In particular, there is a case where the semiconductor wafer and the ring frame are stored for a certain period of time while being adhered to the tape for semiconductor processing, and in such a case, the risk of the ring frame being separated from the pressure-sensitive adhesive layer increases.

상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 자외선 경화형의 점착제층을 접착제층의 크기에 맞추어 미리 경화시켜 점착력을 저하시켜 둠으로써, 픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있도록 하고, 점착제층의 자외선이 조사되지 않아 점착력이 큰 부분에서, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있도록 한 다이싱·다이 본드 필름이 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).In order to solve the above problems, the adhesive layer of the ultraviolet curing type is pre-cured according to the size of the adhesive layer to reduce the adhesive force, so that the chip having the adhesive layer can be easily peeled off from the adhesive layer at the time of pick-up. A dicing die-bonding film is disclosed in which a ring frame can be reliably adhered and fixed in a portion of the pressure-sensitive adhesive layer where ultraviolet rays are not irradiated and the adhesive force is high (see Patent Document 2, for example).

또한, 기재층, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 적층된 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프의 제2 점착제층 상에 적층된 반도체 이면용 필름을 갖고, 제1 점착제층과 제2 점착제층 사이의 박리 강도 Y를 0.2 내지 10N/20㎜, 제2 점착제층과 반도체 이면용 필름 사이의 박리 강도 X를 0.01 내지 0.2N/20㎜로 하여 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름도 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).Further, a dicing tape in which a substrate layer, a first pressure sensitive adhesive layer, and a second pressure sensitive adhesive layer are laminated in this order, and a film for semiconductor back surface laminated on the second pressure sensitive adhesive layer of the dicing tape, A dicing tape-integrated film for semiconductor back surface is also provided with a peel strength Y between the second pressure sensitive adhesive layers of 0.2 to 10 N/20 mm and a peel strength X between the second pressure sensitive adhesive layer and the film for semiconductor back surface of 0.01 to 0.2 N/20 mm. It is disclosed (for example, refer patent document 3).

당해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서는, 박리 강도 X를 0.01 내지 0.2N/20㎜로 하고 있으므로, 다이싱 시의 보유 지지력을 충분히 확보할 수 있음과 함께, 다이싱 시의 반도체 이면용 필름의 말림을 방지하여 반도체 칩의 오염을 효율적으로 방지할 수 있고, 또한 픽업 시의 박리 용이성을 향상시킬 수 있다고 되어 있다.In the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, since the peel strength X is set to 0.01 to 0.2 N/20 mm, the holding force during dicing can be sufficiently secured, and the film for semiconductor back surface during dicing can be It is said that it is possible to effectively prevent contamination of semiconductor chips by preventing curling, and to improve the ease of peeling at the time of pick-up.

또한 당해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서는, 상기 박리 강도 Y를 0.2 내지 10N/20㎜로 하고 있으므로, 다이싱 시의 링 프레임에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있고, 또한 반도체 웨이퍼의 보유 지지력을 충분히 확보할 수 있음과 함께, 제1 점착제층과 제2 점착제층 사이에서의 박리에 의한 제2 점착제층의 점착제의 반도체 이면용 필름으로의 이행(점착제 잔류)을 방지할 수 있다고 되어 있다.Further, in the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, since the peel strength Y is set to 0.2 to 10 N/20 mm, the adhesion to the ring frame during dicing can be improved, and the holding force of the semiconductor wafer can be sufficiently improved. It is said that this can be ensured, and migration of the pressure-sensitive adhesive of the second pressure-sensitive adhesive layer to the film for semiconductor back surface (residue of the pressure-sensitive adhesive) due to peeling between the first pressure-sensitive adhesive layer and the second pressure-sensitive adhesive layer can be prevented.

일본 특허 공개 제2008-218571호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-218571 일본 특허 제4717085호 공보Japanese Patent No. 4717085 일본 특허 공개 제2012-33637호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-33637

그러나, 특허문헌 2에 관한 다이싱·다이 본드 필름에서는, 점착제층의 원하는 범위에만 자외선을 정확하게 조사하는 것은 곤란하기 때문에, 이와 같은 다이싱·다이 본드 필름을 실현하기 위해서는, 원하는 범위 이외의 부분에 마스킹을 실시하는 등, 공정이 복잡해진다는 문제가 있었다.However, in the dicing die-bonding film according to Patent Literature 2, since it is difficult to accurately irradiate ultraviolet rays only in the desired range of the pressure-sensitive adhesive layer, in order to realize such a dicing die-bonding film, it is difficult to apply ultraviolet rays to a portion outside the desired range. There was a problem that the process became complicated, such as performing masking.

또한, 특허문헌 3에 관한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서는, 반도체 이면용 필름의 첩부 부분에 대응하는 부분보다 크고 또한 제1 점착제층의 전체면보다도 작은 부분에 제2 점착제층이 형성되어 있거나, 반도체 이면용 필름의 첩부 부분에 대응하는 부분에만 제2 점착제층이 형성되어 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 접합하는 공정에 있어서, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 접착제층측의 면을 덮고 있던 박리 필름을 박리할 때나, 접합 장치에 의해 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 장력이 가해졌을 때, 박리력이 낮은 제2 점착제층과 반도체 이면용 필름 사이에서 부분적으로 박리가 발생하여 접착제층이 들떠, 반도체 웨이퍼에 접합될 때 접착제층에 주름이 생긴 상태에서 접합되어 버린다는 문제가 있었다.Further, in the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface according to Patent Document 3, the second adhesive layer is formed in a portion larger than the portion corresponding to the sticking portion of the film for semiconductor back surface and smaller than the entire surface of the first adhesive layer, or , The second pressure-sensitive adhesive layer is formed only in a portion corresponding to the sticking portion of the film for semiconductor back surface. For this reason, in the step of bonding the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface to the semiconductor wafer, when peeling the release film covering the adhesive layer side surface of the dicing tape-integrated semiconductor film for back surface, or dicing by a bonding device When tension is applied to the tape-integrated film for semiconductor back surface, partial peeling occurs between the second adhesive layer with low peeling force and the film for semiconductor back surface, so that the adhesive layer is lifted and wrinkles are formed in the adhesive layer when bonded to the semiconductor wafer. There was a problem that it was joined in the state of being formed.

그래서, 본 발명은, 픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있음과 함께, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있어, 반도체 웨이퍼 접합 시에 접착제층이 들뜨는 일이 없는 반도체 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention can easily peel off a chip with an adhesive layer from the adhesive layer at the time of pick-up, and can reliably adhesively fix the ring frame, so that the adhesive layer is not lifted at the time of semiconductor wafer bonding. It aims at providing a tape for semiconductor processing.

상기 과제를 해결하기 위해, 본원 발명에 의한 반도체 가공용 테이프는, 기재 필름, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 마련되고, 상기 제2 점착제층의 상기 기재 필름 및 상기 제1 점착제층과는 반대측의 면에는, 접착제층이 마련되고, 상기 제1 점착제층의 점착력은, 상기 제2 점착제층의 점착력보다도 크고, 상기 제1 점착제층, 상기 제2 점착제층 및 상기 접착제층은, 각각 평면 형상을 갖고, 상기 접착제층의 평면 형상은 상기 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제1 점착제층의 평면 형상은 상기 접착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제2 점착제층의 주변부에서 상기 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, in the tape for semiconductor processing according to the present invention, a base film, a first pressure-sensitive adhesive layer, and a second pressure-sensitive adhesive layer are provided in this order, and the base film and the first pressure-sensitive adhesive layer of the second pressure-sensitive adhesive layer are provided. An adhesive layer is provided on the surface opposite to the first pressure sensitive adhesive layer, the adhesive strength of the first pressure sensitive adhesive layer is greater than the adhesive strength of the second pressure sensitive adhesive layer, and the first pressure sensitive adhesive layer, the second pressure sensitive adhesive layer and the adhesive layer are each has a planar shape, the planar shape of the adhesive layer is larger than the planar shape of the second pressure-sensitive adhesive layer, the planar shape of the first pressure-sensitive adhesive layer is larger than the planar shape of the adhesive layer, and It is characterized in that the first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other.

상기 반도체 가공용 테이프는, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제2 점착제층의 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하다.In the tape for semiconductor processing, the adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer to the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH is 0.1 to 0.6 N/25 mm is preferred.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제1 점착제층의 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하다.Further, in the tape for semiconductor processing, the adhesive strength of the first pressure-sensitive adhesive layer to the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50%RH is 1 to 10 N/min. It is preferable that it is 25 mm.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 제1 점착제층이, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.In the tape for semiconductor processing, it is preferable that the first pressure-sensitive adhesive layer is of a radiation non-curing type in which the first pressure-sensitive adhesive layer is not cured by irradiation with radiation.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 제2 점착제층이, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said 2nd adhesive layer of the said tape for semiconductor processing is of the radiation non-hardening type in which the said 2nd adhesive layer is not hardened by irradiation of radiation.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 제2 점착제층의 평면 형상이, 상기 접착제층에 접합되는 반도체 웨이퍼보다도 큰 것이 바람직하다.In the tape for semiconductor processing, it is preferable that the planar shape of the second pressure-sensitive adhesive layer is larger than that of the semiconductor wafer bonded to the adhesive layer.

본 발명에 따르면, 픽업 시에 점착제층으로부터 접착제층 구비의 칩을 용이하게 박리할 수 있음과 함께, 링 프레임을 확실하게 점착 고정할 수 있어, 반도체 웨이퍼 접합 시에 접착제층이 들뜨는 일이 없는 반도체 가공용 테이프를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the chip with an adhesive layer can be easily peeled off from the adhesive layer at the time of pick-up, the ring frame can be adhesively fixed reliably, and the adhesive layer does not lift at the time of semiconductor wafer bonding. A tape for processing can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 평면도이고, (b)는 동 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 반도체 웨이퍼 접합 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 반도체 가공용 테이프 상에 반도체 웨이퍼를 접합한 상태를 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이싱 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 익스팬드 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정을 모식적으로 도시하는 설명도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 (a) is a plan view schematically showing the structure of a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention, and (b) is a cross-sectional view thereof.
3 is an explanatory diagram schematically showing a semiconductor wafer bonding step in a method of manufacturing a semiconductor device using a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.
4 is an explanatory diagram schematically showing a state in which a semiconductor wafer is bonded onto a tape for semiconductor processing in a method for manufacturing a semiconductor device using a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.
5 is an explanatory view schematically showing a dicing step in a method for manufacturing a semiconductor device using a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.
6 is an explanatory diagram schematically showing an expand step in a method of manufacturing a semiconductor device using a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.
7 is an explanatory view schematically showing a pick-up step in a method of manufacturing a semiconductor device using a tape for semiconductor processing according to an embodiment of the present invention.

이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of this invention is described in detail.

본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재 필름(41)과 기재 필름(41) 상에 마련된 제1 점착제층(42)과 제1 점착제층(42) 상에 마련된 제2 점착제층(43)을 포함하는 점착 테이프(4)를 갖고 있고, 제2 점착제층(43) 상에는, 접착제층(3)이 마련되어 있다.As shown in FIG. 1, the semiconductor processing tape 1 according to the embodiment of the present invention includes a base film 41, a first pressure sensitive adhesive layer 42 provided on the base film 41, and a first pressure sensitive adhesive layer ( 42), and has an adhesive tape 4 containing a second pressure sensitive adhesive layer 43 provided on it, and an adhesive layer 3 is provided on the second pressure sensitive adhesive layer 43.

본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)는, 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이, 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)은 링 프레임 R(도 3 내지 7 참조)에 대응하는 평면 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있다. 이 평면 형상을 갖는 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)을 제1 라벨부(4a1)라고도 칭한다. 접착제층(3)은 반도체 웨이퍼에 대응하는 평면 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있고, 제2 점착제층(43)은 접착제층(3)보다도 작은 사이즈의 평면 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있다. 이 평면 형상을 갖는 제2 점착제층(43)을 제2 라벨부(4a2)라고도 칭한다.As shown in FIGS. 1 and 2 , in the tape 1 for semiconductor processing of the present invention, the base film 41 and the first adhesive layer 42 are planes corresponding to the ring frame R (see FIGS. 3 to 7). It is cut into shapes (pre-cut processing). The base film 41 and the first pressure sensitive adhesive layer 42 having this planar shape are also referred to as the first label portion 4a1. The adhesive layer 3 is cut into a planar shape corresponding to the semiconductor wafer (precut processing), and the second adhesive layer 43 is cut into a planar shape smaller in size than the adhesive layer 3 (precut processing). there is. The second pressure sensitive adhesive layer 43 having this planar shape is also referred to as the second label portion 4a2.

본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)는, 상술한 평면 형상을 갖는 접착제층(3), 제2 라벨부(4a2) 및 제1 라벨부(4a1)가 적층된 적층체가 복수 형성된 긴 기재 테이프(2)를, 롤형으로 권취한 형태인 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 있어서는 롤형으로 권취되어 있지만, 기재 테이프(2)에 마련된 적층체가 1개씩 절단된 형태여도 된다.The tape 1 for semiconductor processing of the present invention is a long substrate tape 2 formed of a plurality of laminates in which the adhesive layer 3 having the above-described planar shape, the second label portion 4a2, and the first label portion 4a1 are laminated. ) is preferably a form wound up in a roll shape, and although it is wound up in a roll shape in this embodiment, the form in which the layered product provided on the base material tape 2 is cut one by one may be used.

반도체 가공용 테이프(1)는, 기재 테이프(2)를 갖고 있고, 기재 테이프(2) 상에는, 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층(3)과, 제2 라벨부(4a2) 및 제1 라벨부(4a1)와 해당 제1 라벨부(4a1)의 외측을 둘러싸는 주변부(4b)를 갖는 점착 테이프(4)가 마련되어 있다. 주변부(4b)는, 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)으로 구성된다. 기재 테이프(2)의 접착제층(3)이 마련되어 있는 면과는 반대측의 면의 짧은 변 방향 양단부에는, 긴 변 방향을 따라서 지지 부재(15)가 마련되어 있다.The tape 1 for semiconductor processing has a base tape 2, and on the base tape 2, an adhesive layer 3 having a predetermined planar shape, a second label portion 4a2, and a first label portion ( 4a1) and an adhesive tape 4 having a peripheral portion 4b surrounding the outside of the first label portion 4a1. The peripheral part 4b is comprised from the base film 41 and the 1st adhesive layer 42. Support members 15 are provided along the long side direction at both ends in the short side direction of the side opposite to the side where the adhesive layer 3 of the base tape 2 is provided.

제1 라벨부(4a1)는, 다이싱용의 링 프레임 R에 대응하는 형상을 갖는다. 링 프레임 R은 링 형상이다. 링 프레임 R의 형상에 대응하는 형상은, 링 프레임 R의 내측과 대략 동일한 형상이며 링 프레임 R 내측의 크기보다 큰 상사형인 것이 바람직하다. 또한, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다. 주변부(4b)는, 제1 라벨부(4a1)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시와 같은 완전히는 둘러싸지 않는 형태를 포함한다. 또한, 주변부(4b)는, 마련되어 있지 않아도 되지만, 마련되어 있으면 롤형으로 권취한 형태에 있어서, 라벨부(4a)에 가해지는 권취의 장력을 분산할 수 있다.The first label portion 4a1 has a shape corresponding to the ring frame R for dicing. The ring frame R is ring-shaped. It is preferable that the shape corresponding to the shape of the ring frame R is substantially the same shape as the inside of the ring frame R and larger than the size of the inside of the ring frame R. Moreover, although it does not necessarily have to be circular, a shape close to a circular shape is preferable, and a circular shape is more preferable. The peripheral portion 4b includes a shape that completely surrounds the outside of the first label portion 4a1 and a shape that does not completely surround it as shown in the illustration. Further, the peripheral portion 4b does not have to be provided, but if it is provided, the winding tension applied to the label portion 4a can be dispersed in the roll-shaped form.

접착제층(3)은, 소정의 평면 형상을 갖고 있고, 이 평면 형상은, 점착 테이프(4)의 제1 라벨부(4a1)의 주연부에 링 프레임 R을 접합하고, 픽업 장치의 밀어올림 부재로 밀어올림 가능하도록 라벨부(4a)보다도 작은 형상으로 되어 있다. 접착제층(3)은, 제1 라벨부(4a1)와 대략 동일한 형상이며 제1 라벨부(4a1)의 크기보다 작은 상사형인 것이 바람직하다. 접착제층(3)은, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다.The adhesive layer 3 has a predetermined planar shape, and this planar shape joins the ring frame R to the periphery of the first label portion 4a1 of the adhesive tape 4, and serves as a lifting member of the pick-up device. It has a smaller shape than the label part 4a so that it can be pushed up. It is preferable that the adhesive layer 3 is similar in shape, substantially the same as the first label portion 4a1, and smaller than the size of the first label portion 4a1. The adhesive layer 3 does not necessarily have to be circular, but a shape close to circular is preferable, and a circular shape is more preferable.

제2 라벨부(4a2)는, 접착제층(3)의 평면 형상보다도 작은 형상으로 되어 있다. 제2 라벨부(4a2)는, 접착제층(3)과 대략 동일한 형상이며 접착제층(3)의 크기보다 작은 상사형인 것이 바람직하다. 제2 라벨부(4a2)는, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 접착제층(3)에 접합되는 반도체 웨이퍼 W(도 3 참조)보다도 큰 형상인 것이 바람직하다.The second label portion 4a2 has a smaller shape than the planar shape of the adhesive layer 3 . It is preferable that the 2nd label part 4a2 is a similar shape which has substantially the same shape as the adhesive layer 3 and is smaller than the size of the adhesive layer 3. The second label portion 4a2 does not necessarily have to be circular, but preferably has a shape close to circular, more preferably circular. Moreover, it is preferable that it has a larger shape than the semiconductor wafer W (refer to FIG. 3) bonded to the adhesive layer 3.

또한, 제2 라벨부(4a2)는, 접착제층(3)에 접합되는 반도체 웨이퍼 W보다도 큰 형상인 것이 바람직하다. 제2 라벨부(4a2)가 반도체 웨이퍼 W보다도 작으면, 반도체 웨이퍼 W의 주연부에 있어서의 제2 라벨부(4a2)가 존재하지 않는 부분에 대응하는 개소에 있어서는, 반도체 칩 C를 픽업할 수 없을 우려가 있다.In addition, it is preferable that the 2nd label part 4a2 has a shape larger than the semiconductor wafer W bonded to the adhesive layer 3. If the second label portion 4a2 is smaller than the semiconductor wafer W, the semiconductor chip C cannot be picked up at a location corresponding to the portion where the second label portion 4a2 does not exist on the periphery of the semiconductor wafer W. There are concerns.

접착제층(3)의 평면 형상은 제2 점착제층(43)의 평면 형상(제2 라벨부(4a2))보다 크고, 제1 점착제층의 평면 형상(제1 라벨부(4a1))는 접착제층(3)의 평면 형상보다 크기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접하여, 점착되어 있다.The planar shape of the adhesive layer 3 is larger than the planar shape of the second adhesive layer 43 (second label portion 4a2), and the planar shape of the first adhesive layer (first label portion 4a1) is the adhesive layer Since it is larger than the planar shape of (3), the 1st adhesive layer 42 and the adhesive bond layer 3 are contact|adhered at the periphery of the 2nd adhesive layer 43, and it adheres.

이하에, 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.Below, each component is demonstrated in detail.

(기재 필름(41))(base film 41)

기재 필름(41)으로서는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지의 플라스틱 등의 수지를 사용할 수 있다. 일반적으로 기재 필름(41)으로서는 열가소성의 플라스틱 필름이 사용되고 있다. 사용하는 기재 필름(41)으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 스티렌-수소 첨가 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수소 첨가 부타디엔-스티렌 공중합체, 및 스티렌-수소 첨가 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체와 같은 열가소성 엘라스토머, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 및 에틸렌-(메트)아크릴산 금속염계 아이오노머와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화비닐, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드, 천연 고무 그리고 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다. 또한, 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 혹은 복층화된 것이어도 되고, 점착제층(3)과의 접착성에 의해 임의로 선택할 수 있다.The base film 41 is not particularly limited, and resins such as known plastics can be used. In general, a thermoplastic plastic film is used as the base film 41 . As the base film 41 to be used, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymers, and polybutene, styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymers, styrene-isoprene-styrene copolymers, styrene-hydrogenated thermoplastic elastomers such as butadiene-styrene copolymers and styrene-hydrogenated isoprene/butadiene-styrene copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymers, and Ethylene copolymers such as ethylene-(meth)acrylic acid metal salt ionomer, engineering plastics such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, and polymethyl methacrylate, soft polyvinyl chloride, and semi-rigid polychlorination Polymeric materials such as vinyl, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and synthetic rubber are preferred. In addition, a mixture of two or more types selected from these groups or a multi-layered one may be used, and it can be arbitrarily selected according to the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive layer 3.

기재 필름(41)은, 시판의 것을 사용해도 되고, 통상의 방법에 의해 제막한 것이어도 된다. 기재 필름(41)의 두께는 통상의 다이싱용 점착 테이프의 기재 필름(41)과 특별히 다르지 않다. 통상 30 내지 200㎛, 보다 바람직하게는 50 내지 150㎛이다.As the base film 41, a commercially available one may be used, or one formed into a film by a conventional method may be used. The thickness of the base film 41 is not particularly different from that of the base film 41 of an ordinary adhesive tape for dicing. It is usually 30 to 200 μm, more preferably 50 to 150 μm.

기재 필름(41)의 제1 점착제층(42)에 접하는 면에는, 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머 등의 처리를 실시해도 된다.The surface of the base film 41 in contact with the first pressure-sensitive adhesive layer 42 may be subjected to corona treatment or treatment with a primer or the like in order to improve adhesion.

(제1 점착제층(42))(First pressure sensitive adhesive layer 42)

제1 점착제층(42)은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.The first pressure-sensitive adhesive layer 42 is preferably of a non-radiation curable type that is not cured by irradiation with radiation.

방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 제1 점착제층(42)에 사용되는 수지로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록실에틸(메트)아크릴레이트 및/또는 2-히드록시부틸아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위를 포함하고, 해당 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 포함되는 공중합체가, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교된 것을 사용할 수 있다.As the resin used for the radiation non-curable first pressure-sensitive adhesive layer 42 that is not cured by irradiation with radiation, a structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester monomer, 2-hydroxypropyl acrylate, and 2-hydroxypropyl acrylate A copolymer containing a structural unit derived from oxylethyl (meth)acrylate and/or 2-hydroxybutyl acrylate and containing a structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer is formed by isocyanate compound. Crosslinked ones can be used.

제1 점착제층(42)은, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하고, 또한 5 내지 8N/25㎜인 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive force with respect to the SUS304 surface in the 1st adhesive layer 42 in 23 degreeC, 50%RH condition, peeling angle of 180 degrees, and peeling speed of 300 mm/min is 1-10 N/25 mm. and preferably 5 to 8 N/25 mm.

제1 점착제층(42)의 SUS304면에 대한 점착력이, 1N/25㎜ 미만이면, 제1 점착제층(42)과 접착제층(3) 사이에서 박리가 발생할 우려가 있다. 제1 점착제층(42)의 SUS304면에 대한 점착력이, 10N/25㎜ 초과이면, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.If the adhesive force of the first pressure sensitive adhesive layer 42 to the SUS304 surface is less than 1 N/25 mm, there is a risk of peeling between the first pressure sensitive adhesive layer 42 and the adhesive layer 3 . If the adhesive force of the first pressure sensitive adhesive layer 42 to the SUS304 surface exceeds 10 N/25 mm, there is a possibility that the pressure sensitive adhesive remains on the ring frame R.

본원에 있어서, 제1 점착제층(42)의 점착력은, 제1 점착제층(42)이 기재 필름(41) 상에 마련된 상태에 있어서의 점착력이다.In this application, the adhesive force of the 1st adhesive layer 42 is the adhesive force in the state in which the 1st adhesive layer 42 was provided on the base film 41.

SUS304면에 대한 점착력이 상기 범위 내가 되도록 하기 위해서는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머가 70 내지 90질량％와, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 10 내지 30질량％로 구성되는 수산기가가 45 내지 100인 아크릴계 공중합체와, 수 평균 분자량이 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드를 포함하고, 이소시아네이트계 가교제를 사용하여 가교된 것을 사용하는 것이 바람직하다.In order for the adhesive strength to the SUS304 surface to be within the above range, the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is composed of 70 to 90% by mass and 2-hydroxypropyl acrylate is composed of 10 to 30% by mass It is preferable to use an acrylic copolymer having a hydroxyl value of 45 to 100 and polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10000, crosslinked using an isocyanate crosslinking agent.

여기서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로서는, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-메틸프로필, (메트)아크릴산2-메틸부틸, (메트)아크릴산2-에틸부틸, (메트)아크릴산2-메틸헥실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산1,2-디메틸부틸, (메트)아크릴산라우릴 등을 들 수 있고, 그 중에서도 특히 알킬기의 탄소수가 8 이상인 것이 바람직하다.Here, as the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group, butyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, 2-methylpropyl (meth)acrylate, 2-(meth)acrylate Methylbutyl, 2-ethylbutyl (meth)acrylate, 2-methylhexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, 1,2-dimethylbutyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, etc. Among them, it is preferable that the number of carbon atoms of the alkyl group is 8 or more.

상기 점착제를 형성하는 공중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％ 포함되는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 너무 많으면 점착제의 가교점이 적어져, 충분한 특성을 얻을 수 없고, 너무 적으면 점착제 조성물을 혼합하고, 기재 필름(41)에 도포할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생한다.The copolymer forming the pressure-sensitive adhesive WHEREIN: It is preferable that 70-90 mass % of structural units derived from the (meth)acrylic-acid alkylester monomer whose alkyl group has 4 or more carbon atoms are contained. If there are too many structural units derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer, the crosslinking points of the pressure-sensitive adhesive will decrease and sufficient properties cannot be obtained. Life becomes short, and trouble arises when manufacturing the tape 1 for a semiconductor process of this invention.

또한, 가교성의 관능기 함유 모노머로서, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 사용되고, 구성 단위로서 10 내지 30질량％ 포함되는 것이 바람직하다. 2-히드록시프로필아크릴레이트보다도 쇄 길이가 짧은 2-히드록시에틸아크릴레이트 등의 관능기 함유 모노머를 사용하면, 가교 반응이 빨라 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하고, 2-히드록시부틸아크릴레이트 등 쇄 길이가 긴 모노머를 사용하면 가교 반응의 진행이 느려져, 가교 반응의 완결이 극단적으로 장기화되는 문제가 발생한다. 또한, 관능기 함유 모노머가 10질량％ 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 링 프레임 R 박리가 발생하고, 30질량％를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 링 프레임 R에 점착제의 잔사가 부착되는 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.Moreover, as a crosslinkable functional group containing monomer, 2-hydroxypropyl acrylate is used, and it is preferable to contain 10-30 mass % as a structural unit. When a functional group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acrylate having a chain length shorter than that of 2-hydroxypropyl acrylate is used, the crosslinking reaction is fast and the pot life is shortened, thereby producing the tape 1 for semiconductor processing of the present invention. When a monomer having a long chain length, such as 2-hydroxybutyl acrylate, is used, the progress of the crosslinking reaction is slowed down, resulting in a problem that the completion of the crosslinking reaction is extremely prolonged. In addition, when the functional group-containing monomer is less than 10% by mass, the polarity is low, the adhesion to the adherend decreases, and ring frame R peeling occurs, and when it exceeds 30% by mass, the adhesion to the adherend becomes excessive, conversely, There is a possibility that adhesive residue may occur, in which adhesive residue adheres to the ring frame R.

또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％, 또한 관능기 함유 모노머가 2-히드록시에틸아크릴레이트 및/또는 2-히드록시프로필아크릴레이트인 아크릴계 공중합체의 수산기가는 45 내지 100㎎KOH/g가 바람직하다. 수산기가가 45㎎KOH/g 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 링 프레임(9) 박리가 발생하고, 100㎎KOH/g를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.In addition, the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester monomer whose carbon number of an alkyl group is 4 or more is 70-90 mass %, and the functional group containing monomer is 2-hydroxyethyl acrylate and/or 2-hydroxypropyl acrylate. The hydroxyl value of the acrylic copolymer is preferably 45 to 100 mgKOH/g. When the hydroxyl value is less than 45 mgKOH/g, the polarity is low, the adhesion to the adherend decreases, and the ring frame 9 peels off, and when it exceeds 100 mgKOH/g, the adhesion to the adherend is excessive. As a result, there is a risk of adhesive residue on the ring frame R.

수 평균 분자량 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드로서는, 수 평균 분자량으로서 3000 내지 10000이면 특별히 제한되지 않고, 공지의 폴리프로필렌옥시드 중에서 적절히 선택할 수 있다. 수 평균 분자량이 3000 미만이면, 저분자량 성분이 피착체 표면으로 이행하여, 오염성이 증가되고, 10000을 초과하면 아크릴계 공중합체와의 상용성이 악화되어, 미상용 성분이 피착체 표면으로 이행하여 오염성이 증가되기 때문에 수 평균 분자량은 3000 내지 10000의 범위가 바람직하다.The polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10000 is not particularly limited as long as the number average molecular weight is 3000 to 10000, and can be appropriately selected from known polypropylene oxides. If the number average molecular weight is less than 3000, low molecular weight components migrate to the surface of the adherend and staining properties increase, while if it exceeds 10000, compatibility with the acrylic copolymer deteriorates, and incompatible components migrate to the surface of the adherend, causing staining. Since this increases, the number average molecular weight is preferably in the range of 3000 to 10000.

폴리프로필렌옥시드의 배합량으로서는, 특별히 제한되지 않고, 목적으로 하는 점착력이 얻어지는 범위 내에서 적절히 조정 가능하지만, 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여, 0.5 내지 5질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 폴리프로필렌옥시드의 배합량이 0.5부 미만이면 링 프레임(9) 박리가 발생하고, 5부를 초과하면 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.The blending amount of polypropylene oxide is not particularly limited and can be appropriately adjusted within the range where the desired adhesive force is obtained, but can be appropriately selected from the range of 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. When the blending amount of polypropylene oxide is less than 0.5 parts, peeling of the ring frame 9 occurs, and when it exceeds 5 parts, there is a possibility that the adhesive residue on the ring frame R may occur.

SUS304면에 대한 점착력은, 알킬기의 탄소수, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머와 2-히드록시프로필아크릴레이트의 배합 비율, 수산기가, 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량, 폴리프로필렌옥시드의 배합 비율 등을 적절히 조합함으로써, 조정할 수 있다.Adhesion to the SUS304 surface is determined by the number of carbon atoms in the alkyl group, the blending ratio of (meth)acrylic acid alkyl ester monomer and 2-hydroxypropyl acrylate, the hydroxyl value, the number average molecular weight of polypropylene oxide, the blending ratio of polypropylene oxide, etc. It can be adjusted by appropriately combining.

점착제를 구성하는 공중합체는, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교되어 있다. 이소시아네이트 화합물로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 시판품으로서, 코로네이트 L(상품명, 닛본 폴리우레탄사제) 등을 사용할 수 있다.The copolymer constituting the pressure-sensitive adhesive is crosslinked with an isocyanate compound. The isocyanate compound is not particularly limited, and examples thereof include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, and 4,4'-[2]. ,2-bis(4-phenoxyphenyl)propane] diisocyanate and other aromatic isocyanates, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclo Hexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, lysine triisocyanate, etc. are mentioned. Specifically, as a commercial item, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used.

제1 점착제층(42) 중, 이소시아네이트 화합물의 함유량은, 공중합체 100질량부에 대하여, 2 내지 12질량부가 바람직하다. 이소시아네이트 화합물이 2질량부 미만이면, 가교가 불충분하고 응집성이 낮아, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 증가된다. 이소시아네이트 화합물이 12질량부를 초과하면 점착제 조성물을 혼합하고, 기재 필름(41)에 도포할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하기 때문이다.The content of the isocyanate compound in the first pressure-sensitive adhesive layer 42 is preferably 2 to 12 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copolymer. If the isocyanate compound is less than 2 parts by mass, crosslinking is insufficient and cohesiveness is low, resulting in increased adhesive residue on the ring frame R. It is because when an isocyanate compound exceeds 12 mass parts, the pot life until it mixes an adhesive composition and apply|coates to the base film 41 becomes short, and when manufacturing the tape 1 for a semiconductor process, trouble arises.

제1 점착제층(42)을 형성하기 위한 점착제 조성물 중에는, 필요에 따라서, 예를 들어 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 연화제, 산화 방지제, 가소제, 계면 활성제 등의 공지의 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.In the pressure-sensitive adhesive composition for forming the first pressure-sensitive adhesive layer 42, if necessary, for example, a tackifier, an anti-aging agent, a filler, a colorant, a flame retardant, an antistatic agent, a softener, an antioxidant, a plasticizer, a surfactant, and the like. of additives, etc. may be contained.

또한, 제1 점착제층(42)은 단층의 형태를 갖고 있어도 되고, 적층된 형태를 갖고 있어도 된다. 제1 점착제층(42)이 복수층인 경우, 접착제층(3)과 접하는 층이, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하다.In addition, the 1st adhesive layer 42 may have the form of a single layer, and may have the form of a laminated layer. When the first pressure sensitive adhesive layer 42 is a plurality of layers, the layer in contact with the adhesive layer 3 is a SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling rate of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH. It is preferable that the adhesive strength to is 1 to 10 N/25 mm.

제1 점착제층(42)의 두께는, 1 내지 20㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5㎛이다. 제1 점착제층(42)이 1㎛ 미만인 경우에는, 접착제층(3)과의 점착이 약하여, 반도체 웨이퍼 W에 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 접합하는 공정에 있어서, 접착제층(3)을 덮고 있던 기재 테이프(2)를 박리할 때나, 접합 장치에 의해 반도체 가공용 테이프에 장력이 가해졌을 때, 점착력이 약한 제2 점착제층(43)과 접착제층(3) 사이에서 부분적으로 박리가 발생하여 접착제층(3)이 들떠, 반도체 웨이퍼 W에 접합될 때 접착제층(3)에 주름이 생긴 상태에서 접합될 우려가 있다. 제1 점착제(42)가 15㎛보다도 두꺼운 경우에는 밀착성이 과잉으로 되어, 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류가 발생할 우려가 있다.The thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 42 is preferably 1 to 20 μm, more preferably 1 to 5 μm. When the first pressure sensitive adhesive layer 42 is less than 1 μm, adhesion to the adhesive layer 3 is weak, so that the adhesive layer 3 is used in the step of bonding the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface to the semiconductor wafer W. When the covering substrate tape 2 is peeled off or when tension is applied to the tape for semiconductor processing by a bonding device, partial peeling occurs between the second pressure-sensitive adhesive layer 43 and the adhesive layer 3, which have weak adhesive strength, When the adhesive layer 3 floats and is bonded to the semiconductor wafer W, there is a fear that the adhesive layer 3 may be bonded in a wrinkled state. When the first adhesive 42 is thicker than 15 μm, the adhesiveness becomes excessive, and there is a possibility that the adhesive remains on the ring frame R.

상술에서는, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 점착제에 대하여 설명하였지만, 제1 점착제층(42)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용해도 된다.In the above description, a non-radiation curable pressure-sensitive adhesive that is not cured by irradiation with radiation has been described, but a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiation of radiation may be used for the first pressure-sensitive adhesive layer 42 .

방사선 경화형의 점착제 조성물의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 하나의 양태로서는, 점착제 조성물 중에, 베이스 수지로서, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 (메트)아크릴레이트를 60몰％ 이상 포함하고, 또한 요오드가 5 내지 30의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중합체(A)를 갖는 것이 예시된다. 또한, 여기서, 에너지선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 말한다.The configuration of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited. As one aspect, the pressure-sensitive adhesive composition contains 60 mol% or more of a (meth)acrylate having an alkyl chain of 6 to 12 carbon atoms as a base resin, and An example is one having a polymer (A) in which iodine has an energy ray-curable carbon-carbon double bond of 5 to 30. In addition, here, an energy ray refers to a ray of light such as an ultraviolet ray or an ionizing radiation such as an electron beam.

이와 같은 중합체(A)에 있어서, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력 저감 효과가 높아지는 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10 이상이다. 또한, 요오드가로 30 이하이면 에너지선 조사 후 픽업될 때까지의 칩의 보유 지지력이 높아, 픽업 공정 직전의 확장 시에 칩의 간극을 넓히는 것이 용이한 점에서 우수하다. 픽업 공정 전에 칩의 간극을 충분히 넓힐 수 있으면, 픽업 시의 각 칩의 화상 인식이 용이하거나, 픽업하기 쉬워지거나 하므로 바람직하다. 또한, 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상 30 이하이면 중합체(A) 그 자체에 안정성이 있어, 제조가 용이해지기 때문에 바람직하다.In such a polymer (A), when the introduced amount of the energy ray-curable carbon-carbon double bond is 5 or more in terms of iodine value, it is excellent in that the effect of reducing the adhesive force after energy ray irradiation is enhanced. More preferably, it is 10 or more. In addition, when the iodine value is 30 or less, the holding power of the chip until picked up after irradiation with the energy beam is high, and it is excellent in that it is easy to widen the gap between the chips during expansion immediately before the pick-up process. If the gap between the chips can be sufficiently widened before the pick-up process, image recognition of each chip at the time of pick-up becomes easy or pick-up becomes easy, so it is preferable. In addition, when the introduction amount of the carbon-carbon double bond is 5 or more and 30 or less in terms of iodine value, the polymer (A) itself is stable and the production becomes easy, so it is preferable.

또한, 중합체(A)는, 유리 전이 온도가 -70℃ 이상이면 에너지선 조사에 수반되는 열에 대한 내열성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 -66℃ 이상이다. 또한, 15℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼에 있어서의 다이싱 후의 칩의 비산 방지 효과의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -28℃ 이하이다.In addition, when the glass transition temperature of the polymer (A) is -70°C or higher, it is excellent in terms of heat resistance to heat accompanying energy ray irradiation, and more preferably -66°C or higher. Moreover, if it is 15 degrees C or less, it is excellent in the point of the chip scattering prevention effect after dicing in a wafer with a rough surface condition, More preferably, it is 0 degrees C or less, Even more preferably -28 degrees C or less.

상기 중합체(A)는 어떻게 하여 제조된 것이어도 되지만, 예를 들어 아크릴계 공중합체와 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 혼합하여 얻어지는 것이나, 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)와, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖고, 또한, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(A2)을 반응시켜 얻어지는 것이 사용된다.The polymer (A) may be produced by any method, but is, for example, one obtained by mixing an acrylic copolymer and a compound having an energy ray-curable carbon-carbon double bond, an acrylic copolymer having a functional group or methacryl having a functional group. What is obtained by reacting the type copolymer (A1) with a compound (A2) having a functional group capable of reacting with the functional group and having an energy ray-curable carbon-carbon double bond is used.

이 중, 상기 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)로서는, 아크릴산알킬에스테르 또는 메타크릴산알킬에스테르 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체(A1-1)와, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한, 관능기를 갖는 단량체(A1-2)를 공중합시켜 얻어지는 것이 예시된다. 단량체(A1-1)로서는, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트 또는 알킬쇄의 탄소수가 5 이하인 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트 또는 이들과 마찬가지의 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.Among these, the methacrylic copolymer (A1) having the functional group is a monomer (A1-1) having a carbon-carbon double bond, such as an alkyl acrylate ester or an alkyl methacrylate ester, and a carbon-carbon double bond. Also, those obtained by copolymerizing a monomer (A1-2) having a functional group are exemplified. As the monomer (A1-1), hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, and Uryl acrylate or a monomer having 5 or less carbon atoms in an alkyl chain, such as pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these, can be exemplified. .

단량체(A1-1)로서, 알킬쇄의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이 온도는 낮아지므로, 적절히 선택함으로써, 원하는 유리 전이 온도를 갖는 점착제 조성물을 조제할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도 외에, 상용성 등의 각종 성능을 높일 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 화합물을 배합하는 것도 가능하다. 그 경우, 이들 저분자 화합물은, 단량체(A1-1)의 총 질량의 5질량％ 이하의 범위 내에서 배합하는 것으로 한다.As the monomer (A1-1), the glass transition temperature decreases as a monomer having a large number of carbon atoms in the alkyl chain is used. Therefore, a pressure-sensitive adhesive composition having a desired glass transition temperature can be prepared by appropriately selecting the monomer (A1-1). In addition to the glass transition temperature, it is also possible to blend low-molecular weight compounds having carbon-carbon double bonds such as vinyl acetate, styrene, and acrylonitrile for the purpose of enhancing various performances such as compatibility. In that case, these low molecular weight compounds shall be blended within the range of 5% by mass or less of the total mass of the monomers (A1-1).

한편, 단량체(A1-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체(A1-2)의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 열거할 수 있다.On the other hand, as a functional group which a monomer (A1-2) has, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned, As a specific example of a monomer (A1-2), acrylic acid, methacrylic acid, new Namic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N- Methylol methacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride , glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether and the like can be exemplified.

또한, 화합물(A2)에 있어서, 사용되는 관능기로서는, 화합물(A1)이 갖는 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있고, 구체예로서는, 단량체(A1-2)의 구체예에서 열거한 것과 마찬가지의 것을 열거할 수 있다. 또한, 화합물(A2)로서, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것을 사용할 수도 있다.In addition, as a functional group used in the compound (A2), when the functional group possessed by the compound (A1) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, a hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are exemplified. An acid anhydride group, an isocyanate group, etc. are mentioned, In the case of an amino group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned, In the case of an epoxy group, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, etc. are mentioned, As a specific example, a monomer (A1 The same things as those listed in the specific example of -2) can be enumerated. As the compound (A2), a polyisocyanate compound obtained by urethanizing a part of the isocyanate group with a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group and an energy ray-curable carbon-carbon double bond can also be used.

또한, 화합물(A1)과 화합물(A2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관하여, 원하는 것을 제조할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5 내지 100이 되도록 OH기를 남기면, 에너지선 조사 후의 점착력을 감소시킴으로써 링 프레임 R에 대한 점착제 잔류을 더욱 저감할 수 있는 중합체(A)의 수산기가가 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력 저감 효과의 점에서 우수하고, 100 이하이면, 에너지선 조사 후의 점착제의 유동성의 점에서 우수하다. 또한 산가가 30 이하이면 점착제의 유동성의 점에서 우수하다.Further, in the reaction between the compound (A1) and the compound (A2), by leaving an unreacted functional group, a desired product can be produced with respect to properties such as acid value or hydroxyl value. When the hydroxyl value of the polymer (A) is 5 or more, which can further reduce the adhesive residue on the ring frame R by reducing the adhesive force after energy ray irradiation by leaving OH groups so that the hydroxyl value of the polymer (A) is 5 to 100, the energy It is excellent in terms of the adhesive force reduction effect after irradiation with rays, and when it is 100 or less, it is excellent in terms of fluidity of the adhesive after irradiation with energy rays. Moreover, if an acid value is 30 or less, it is excellent in the fluidity|liquidity point of an adhesive.

상기 중합체(A)의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매이며, 비점 60 내지 120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 중합체(A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 머캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 된다.In the synthesis of the polymer (A), as the organic solvent in the case where the reaction is carried out by solution polymerization, ketone-based, ester-based, alcohol-based, and aromatic solvents can be used. Among them, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, It is generally a good solvent for acrylic polymers, such as benzenemethylcellosolve, ethylcellosolve, acetone, and methylethylketone, and a solvent with a boiling point of 60 to 120°C is preferable. As a polymerization initiator, α,α'-azobis Radical generators, such as azobis type, such as isobutyl nitrile, and organic peroxide type, such as benzoyl peroxide, are used normally. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as needed, and the polymer (A) of a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and polymerization time. Regarding adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. In addition, this reaction is not limited to solution polymerization, Other methods, such as bulk polymerization and suspension polymerization, may be sufficient.

또한, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)에 있어서, 제1 점착제층(42)을 구성하는 수지 조성물은, 중합체(A)에 더하여, 또한, 가교제로서 작용하는 화합물(B)을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지를 들 수 있고, 이들은, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 화합물(B)은, 중합체(A) 또는 기재 필름(41)과 반응하여, 그 결과 생기는 가교 구조에 의해, 점착제 조성물 도공 후에 중합체(A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을 향상시킬 수 있다.Moreover, in the tape 1 for semiconductor processing of this invention, the resin composition which comprises the 1st adhesive layer 42 may have the compound (B) which acts as a crosslinking agent further in addition to the polymer (A). Examples thereof include polyisocyanates, melamine/formaldehyde resins, and epoxy resins, and these may be used alone or in combination of two or more. This compound (B) reacts with the polymer (A) or the base film 41, and the resulting cross-linked structure improves the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive containing the polymers (A) and (B) as main components after application of the pressure-sensitive adhesive composition. can make it

폴리이소시아네이트류로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 멜라민·포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 니칼락 MX-45(산와 케미컬 가부시키가이샤제, 상품명), 멜란(히타치 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, and 4,4'-[ 2,2-bis(4-phenoxyphenyl)propane] diisocyanate and other aromatic isocyanates, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicy Chlorhexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, lysine triisocyanate, etc. are mentioned, Specifically, Coronate L (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., a brand name), etc. can be used. As melamine formaldehyde resin, Nigalac MX-45 (Sanwa Chemical Co., Ltd. make, brand name), melan (Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. make, brand name) etc. can be used specifically,. As an epoxy resin, TETRAD-X (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. make, brand name) etc. can be used. In the present invention, it is particularly preferred to use polyisocyanates.

화합물(B)의 첨가량을, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상으로 한 점착제층은 응집력의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 0.5질량부 이상이다. 또한 10질량부 이하로 한 점착제층은, 도공 시의 급격한 겔화 억제의 점에서 우수하여, 점착제의 배합이나 도포 등의 작업성이 양호해진다. 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다.An adhesive layer in which the addition amount of the compound (B) is 0.1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polymer (A) is excellent in terms of cohesive force. More preferably, it is 0.5 mass part or more. Moreover, the adhesive layer made into 10 mass parts or less is excellent in the point of suppressing rapid gelation at the time of coating, and workability|operativity, such as formulation and application|coating of an adhesive, becomes favorable. More preferably, it is 5 parts by mass or less.

또한, 본 발명에 있어서, 제1 점착제층(42)에는, 광중합 개시제(C)가 포함되어 있어도 된다. 제1 점착제층(42)에 포함되는 광중합 개시제(C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려진 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티오크산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 첨가량으로서는, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 배합하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 그 상한 10질량부 이하가 바람직하고, 5질량부 이하가 보다 바람직하다.Moreover, in this invention, the photoinitiator (C) may be contained in the 1st adhesive layer 42. The photopolymerization initiator (C) included in the first pressure-sensitive adhesive layer 42 is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, and 4,4'-dichlorobenzophenone, acetophenone, diethoxyacetophenone, etc. acetophenones, anthraquinones such as 2-ethylanthraquinone and t-butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triaryl An imidazole dimer (lopin dimer), an acridine-type compound, etc. are mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types. As an addition amount of a photoinitiator (C), it is preferable to mix|blend 0.1 mass part or more with respect to 100 mass parts of polymers (A), and 0.5 mass part or more is more preferable. Moreover, 10 mass parts or less of the upper limit is preferable, and 5 mass parts or less are more preferable.

또한 본 발명에 사용되는 에너지선 경화성의 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조제제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.Further, a tackifier, tackifier, surfactant, or the like, or other modifiers may be blended with the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention, if necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.

제1 점착제층(42)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용하는 경우에는, 방사선의 조사 전에 있어서의 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 1 내지 10N/25㎜인 것이 바람직하다.In the case of using a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiation with radiation, the first pressure-sensitive adhesive layer 42 has a peeling angle of 180 degrees and a peeling rate of 300 degrees under conditions of 23°C and 50% RH before irradiation with radiation. It is preferable that the adhesive force with respect to the SUS304 surface in mm/min is 1-10 N/25 mm.

(제2 점착제층(43))(Second pressure-sensitive adhesive layer 43)

제2 점착제층(43)은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것이 바람직하다.The second pressure-sensitive adhesive layer 43 is preferably of a non-radiation curable type that is not cured by irradiation with radiation.

방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 제2 점착제층(43)에 사용되는 수지로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록실에틸(메트)아크릴레이트 및/또는 2-히드록시부틸아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위를 포함하고, 해당 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 포함되는 공중합체가, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교된 것을 사용할 수 있다.As the resin used for the radiation non-curable second pressure-sensitive adhesive layer 43 that is not cured by irradiation with radiation, a structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester monomer, 2-hydroxypropyl acrylate, and 2-hydroxypropyl acrylate A copolymer containing a structural unit derived from oxylethyl (meth)acrylate and/or 2-hydroxybutyl acrylate and containing a structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer is formed by isocyanate compound. Crosslinked ones can be used.

제2 점착제층(43)은, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하고, 또한 0.1 내지 0.4N/25㎜인 것이 바람직하다.The second pressure-sensitive adhesive layer 43 has an adhesive force to the SUS304 surface of 0.1 to 0.6 N/25 mm at a peel angle of 180 degrees and a peel rate of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH. It is preferable, and it is preferable that it is 0.1-0.4 N/25 mm.

제2 점착제층(43)의 SUS304면에 대한 점착력이, 0.1N/25㎜ 미만이면, 반도체 웨이퍼 W를 작은 사이즈의 칩 C로 다이싱하는 경우, 다이싱 시에 칩 C가 제2 점착제층(43)으로부터 박리되는 칩 비산이 발생할 우려가 있다. 제2 점착제층(43)의 SUS304면에 대한 점착력이, 0.6N/25㎜ 초과이면, 반도체 웨이퍼 W를 큰 사이즈의 칩 C로 다이싱 한 경우, 접착제층(3) 구비의 칩 C를 픽업할 수 없을 우려가 있다.If the adhesive force of the second pressure sensitive adhesive layer 43 to the SUS304 surface is less than 0.1 N/25 mm, when the semiconductor wafer W is diced into a small chip C, the chip C during dicing is the second pressure sensitive adhesive layer ( 43), there is a risk of chip scattering. If the adhesive force of the second pressure sensitive adhesive layer 43 to the SUS304 surface exceeds 0.6 N/25 mm, when the semiconductor wafer W is diced into a large chip C, the chip C with the adhesive layer 3 can be picked up. There is a risk that you will not be able to

본원에 있어서, 제2 점착제층(43)의 점착력은 점착 테이프의 상태, 즉 반도체 가공용 테이프(1)에 있어서 접착제층(3)이 마련되어 있지 않은 상태에 있어서의 점착력이다. 본 실시 형태에 있어서는, 기재 필름(41), 제1 점착제층(42), 제2 점착제층(43)이 이 순으로 적층된 상태에 있어서의 점착력이다.In this application, the adhesive force of the 2nd adhesive layer 43 is the adhesive force in the state of an adhesive tape, ie, the adhesive force in the state in which the adhesive layer 3 is not provided in the tape 1 for semiconductor processing. In this embodiment, it is the adhesive force in the state in which the base film 41, the 1st adhesive layer 42, and the 2nd adhesive layer 43 were laminated|stacked in this order.

SUS304면에 대한 점착력이 상기 범위 내가 되도록 하기 위해서는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머가 70 내지 90질량％와, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 10 내지 30질량％로 구성되는 수산기가가 45 내지 100인 아크릴계 공중합체와, 수 평균 분자량이 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드를 포함하고, 이소시아네이트계 가교제를 사용하여 가교된 것을 사용하는 것이 바람직하다.In order for the adhesive strength to the SUS304 surface to be within the above range, the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is composed of 70 to 90% by mass and 2-hydroxypropyl acrylate is composed of 10 to 30% by mass It is preferable to use an acrylic copolymer having a hydroxyl value of 45 to 100 and polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10000, crosslinked using an isocyanate crosslinking agent.

여기서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로서는, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-메틸프로필, (메트)아크릴산2-메틸부틸, (메트)아크릴산2-에틸부틸, (메트)아크릴산2-메틸헥실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산1,2-디메틸부틸, (메트)아크릴산라우릴 등을 들 수 있고, 그 중에서도 특히 알킬기의 탄소수가 8 이상인 것이 바람직하다.Here, as the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group, butyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, 2-methylpropyl (meth)acrylate, 2-(meth)acrylate Methylbutyl, 2-ethylbutyl (meth)acrylate, 2-methylhexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, 1,2-dimethylbutyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, etc. Among them, it is preferable that the number of carbon atoms of the alkyl group is 8 or more.

상기 점착제를 형성하는 공중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％ 포함되는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 너무 많으면 점착제의 가교점이 적어져, 충분한 특성을 얻을 수 없고, 너무 적으면 점착제 조성물을 혼합하고, 기재 필름(41)에 도포할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생한다.The copolymer forming the pressure-sensitive adhesive WHEREIN: It is preferable that 70-90 mass % of structural units derived from the (meth)acrylic-acid alkylester monomer whose alkyl group has 4 or more carbon atoms are contained. If there are too many structural units derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester monomer, the crosslinking points of the pressure-sensitive adhesive will decrease and sufficient properties cannot be obtained. Life becomes short, and trouble arises when manufacturing the tape 1 for a semiconductor process of this invention.

또한, 가교성의 관능기 함유 모노머로서, 2-히드록시프로필아크릴레이트가 사용되고, 구성 단위로서 10 내지 30질량％ 포함되는 것이 바람직하다. 2-히드록시프로필아크릴레이트보다도 쇄 길이가 짧은 2-히드록시에틸아크릴레이트 등의 관능기 함유 모노머를 사용하면, 가교 반응이 빨라 포트 라이프가 짧아져, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하고, 2-히드록시부틸아크릴레이트 등 쇄 길이가 긴 모노머를 사용하면 가교 반응의 진행이 느려져, 가교 반응의 완결이 극단적으로 장기화되는 문제가 발생한다. 또한, 관능기 함유 모노머가 10질량％ 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 칩 비산이 발생하고, 30질량％를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 픽업 불량이 발생할 우려가 있다.Moreover, as a crosslinkable functional group containing monomer, 2-hydroxypropyl acrylate is used, and it is preferable to contain 10-30 mass % as a structural unit. When a functional group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acrylate having a chain length shorter than that of 2-hydroxypropyl acrylate is used, the crosslinking reaction is fast and the pot life is shortened, thereby producing the tape 1 for semiconductor processing of the present invention. When a monomer having a long chain length, such as 2-hydroxybutyl acrylate, is used, the progress of the crosslinking reaction is slowed down, resulting in a problem that the completion of the crosslinking reaction is extremely prolonged. In addition, when the functional group-containing monomer is less than 10% by mass, the polarity is low, adhesion to the adherend decreases, chip scattering occurs, and when the content exceeds 30% by mass, the adhesion to the adherend becomes excessive, resulting in poor pick-up. There is a possibility that this may occur.

또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머로부터 유도되는 구성 단위가 70 내지 90질량％, 또한 관능기 함유 모노머가 2-히드록시에틸아크릴레이트 및/또는 2-히드록시프로필아크릴레이트인 아크릴계 공중합체의 수산기가는 45 내지 100㎎KOH/g가 바람직하다. 수산기가가 45㎎KOH/g 미만이면 극성이 낮고, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 칩 비산이 발생하고, 100㎎KOH/g를 초과하면, 반대로 피착체에 대한 밀착성이 과잉으로 되어, 픽업 불량이 발생할 우려가 있다.In addition, the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester monomer whose carbon number of an alkyl group is 4 or more is 70-90 mass %, and the functional group containing monomer is 2-hydroxyethyl acrylate and/or 2-hydroxypropyl acrylate. The hydroxyl value of the acrylic copolymer is preferably 45 to 100 mgKOH/g. When the hydroxyl value is less than 45 mgKOH/g, the polarity is low, the adhesion to the adherend decreases, chip scattering occurs, and when the hydroxyl value exceeds 100 mgKOH/g, the adhesion to the adherend becomes excessive, and pick-up Defects may occur.

수 평균 분자량 3000 내지 10000인 폴리프로필렌옥시드로서는, 수 평균 분자량으로서 3000 내지 10000이면 특별히 제한되지 않고, 공지의 폴리프로필렌옥시드 중에서 적절히 선택할 수 있다. 수 평균 분자량이 3000 미만이면, 저분자량 성분이 피착체 표면으로 이행하여, 오염성이 증가되고, 10000을 초과하면 아크릴계 공중합체와의 상용성이 악화되어, 미상용 성분이 피착체 표면으로 이행하여 오염성이 증가되기 때문에 수 평균 분자량은 3000 내지 10000의 범위가 바람직하다.The polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10000 is not particularly limited as long as the number average molecular weight is 3000 to 10000, and can be appropriately selected from known polypropylene oxides. If the number average molecular weight is less than 3000, low molecular weight components migrate to the surface of the adherend and staining properties increase, while if it exceeds 10000, compatibility with the acrylic copolymer deteriorates, and incompatible components migrate to the surface of the adherend, causing staining. Since this increases, the number average molecular weight is preferably in the range of 3000 to 10000.

폴리프로필렌옥시드의 배합량으로서는, 특별히 제한되지 않고, 목적으로 하는 점착력이 얻어지는 범위 내에서 적절히 조정 가능하지만, 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여, 0.5 내지 5질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 폴리프로필렌옥시드의 배합량이 0.5부 미만이면 칩 비산이 발생하고, 5부를 초과하면 픽업 불량이 발생할 우려가 있다.The blending amount of polypropylene oxide is not particularly limited and can be appropriately adjusted within the range where the desired adhesive force is obtained, but can be appropriately selected from the range of 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. If the blending amount of polypropylene oxide is less than 0.5 parts, chip scattering may occur, and if it exceeds 5 parts, pick-up failure may occur.

SUS304면에 대한 점착력은, 알킬기의 탄소수, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머와 2-히드록시프로필아크릴레이트의 배합 비율, 수산기가, 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량, 폴리프로필렌옥시드의 배합 비율 등을 적절히 조합함으로써, 조정할 수 있다.Adhesion to the SUS304 surface is determined by the number of carbon atoms in the alkyl group, the blending ratio of (meth)acrylic acid alkyl ester monomer and 2-hydroxypropyl acrylate, the hydroxyl value, the number average molecular weight of polypropylene oxide, the blending ratio of polypropylene oxide, etc. It can be adjusted by appropriately combining.

점착제를 구성하는 공중합체는, 이소시아네이트 화합물에 의해 가교되어 있다. 이소시아네이트 화합물로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 시판품으로서, 코로네이트 L(상품명, 닛본 폴리우레탄사제) 등을 사용할 수 있다.The copolymer constituting the pressure-sensitive adhesive is crosslinked with an isocyanate compound. The isocyanate compound is not particularly limited, and examples thereof include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, and 4,4'-[2]. ,2-bis(4-phenoxyphenyl)propane] diisocyanate and other aromatic isocyanates, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclo Hexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, lysine triisocyanate, etc. are mentioned. Specifically, as a commercial item, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used.

제2 점착제층(43) 중, 이소시아네이트 화합물의 함유량은, 공중합체 100질량부에 대하여, 2 내지 12질량부가 바람직하다. 이소시아네이트 화합물이 2질량부 미만이면, 가교가 불충분하고 응집성이 낮아, 픽업 불량이 증가된다. 이소시아네이트 화합물이 12질량부를 초과하면 점착제 조성물을 혼합하고, 제막할 때까지의 포트 라이프가 짧아져, 반도체 가공용 테이프(1)를 제조하는 경우에 지장이 발생하기 때문이다.The content of the isocyanate compound in the second pressure-sensitive adhesive layer 43 is preferably 2 to 12 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copolymer. If the isocyanate compound is less than 2 parts by mass, crosslinking is insufficient and cohesiveness is low, resulting in poor pick-up. It is because when an isocyanate compound exceeds 12 mass parts, the pot life until it mixes an adhesive composition and forms a film becomes short and manufactures the tape 1 for a semiconductor process, a trouble arises.

제2 점착제층(43)을 형성하기 위한 점착제 조성물 중에는, 필요에 따라서, 예를 들어 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 연화제, 산화 방지제, 가소제, 계면 활성제 등의 공지의 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.In the pressure-sensitive adhesive composition for forming the second pressure-sensitive adhesive layer 43, if necessary, for example, a tackifier, an anti-aging agent, a filler, a colorant, a flame retardant, an antistatic agent, a softener, an antioxidant, a plasticizer, a surfactant, and the like. of additives, etc. may be contained.

또한, 제2 점착제층(43)은 단층의 형태를 갖고 있어도 되고, 적층된 형태를 갖고 있어도 된다. 제2 점착제층(432)이 복수층인 경우, 접착제층(3)과 접하는 층이, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하다.Moreover, the 2nd adhesive layer 43 may have the form of a single layer, and may have the form of a laminated layer. When the second pressure sensitive adhesive layer 432 is a plurality of layers, the layer in contact with the adhesive layer 3 is a SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH. It is preferable that the adhesive force to is 0.1 to 0.6 N/25 mm.

제2 점착제층(43)의 두께는, 픽업성의 관점에서, 제1 점착제층(42)과의 총 두께가 5 내지 30㎛가 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 제1 점착제층(42)과의 총 두께가 10 내지 15㎛가 되도록 설정하는 것이 보다 바람직하다.The thickness of the second pressure-sensitive adhesive layer 43 is preferably set so that the total thickness with the first pressure-sensitive adhesive layer 42 is 5 to 30 μm, from the viewpoint of pickup properties, and the total thickness with the first pressure-sensitive adhesive layer 42 is set. It is more preferable to set the thickness to be 10 to 15 μm.

상술에서는, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형의 점착제에 대하여 설명하였지만, 제2 점착제층(43)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용해도 된다.In the above description, a non-radiation curable pressure-sensitive adhesive that is not cured by irradiation with radiation has been described, but a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiation of radiation may be used for the second pressure-sensitive adhesive layer 43 .

방사선 경화형의 점착제 조성물의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 하나의 양태로서는, 점착제 조성물 중에, 베이스 수지로서, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 (메트)아크릴레이트를 60몰％ 이상 포함하고, 또한 요오드가 5 내지 30의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중합체(A)를 갖는 것이 예시된다. 또한, 여기서, 에너지선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 말한다.The configuration of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited. As one aspect, the pressure-sensitive adhesive composition contains 60 mol% or more of a (meth)acrylate having an alkyl chain of 6 to 12 carbon atoms as a base resin, and An example is one having a polymer (A) in which iodine has an energy ray-curable carbon-carbon double bond of 5 to 30. In addition, here, an energy ray refers to a ray of light such as an ultraviolet ray or an ionizing radiation such as an electron beam.

이와 같은 중합체(A)에 있어서, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력의 저감 효과가 높아지는 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10 이상이다. 또한, 요오드가로 30 이하이면 에너지선 조사 후 픽업될 때까지의 칩의 보유 지지력이 높아, 픽업 공정 직전의 확장 시에 칩의 간극을 넓히는 것이 용이한 점에서 우수하다. 픽업 공정 전에 칩의 간극을 충분히 넓힐 수 있으면, 픽업 시의 각 칩의 화상 인식이 용이하거나, 픽업하기 쉬워지거나 하므로 바람직하다. 또한, 탄소-탄소 이중 결합의 도입량이 요오드가로 5 이상 30 이하이면 중합체(A) 그 자체에 안정성이 있어, 제조가 용이해지기 때문에 바람직하다.In such a polymer (A), if the introduced amount of the energy ray-curable carbon-carbon double bond is 5 or more in terms of iodine value, it is excellent in that the effect of reducing the adhesive force after energy ray irradiation is enhanced. More preferably, it is 10 or more. In addition, when the iodine value is 30 or less, the holding power of the chip until picked up after irradiation with the energy beam is high, and it is excellent in that it is easy to widen the gap between the chips during expansion immediately before the pick-up process. If the gap between the chips can be sufficiently widened before the pick-up process, image recognition of each chip at the time of pick-up becomes easy or pick-up becomes easy, so it is preferable. In addition, when the introduction amount of the carbon-carbon double bond is 5 or more and 30 or less in terms of iodine value, the polymer (A) itself is stable and the production becomes easy, so it is preferable.

또한, 중합체(A)는, 유리 전이 온도가 -70℃ 이상이면 에너지선 조사에 수반되는 열에 대한 내열성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 -66℃ 이상이다. 또한, 15℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼에 있어서의 다이싱 후의 칩의 비산 방지 효과의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -28℃ 이하이다.In addition, when the glass transition temperature of the polymer (A) is -70°C or higher, it is excellent in terms of heat resistance to heat accompanying energy ray irradiation, and more preferably -66°C or higher. Moreover, if it is 15 degrees C or less, it is excellent in the point of the chip scattering prevention effect after dicing in a wafer with a rough surface condition, More preferably, it is 0 degrees C or less, Even more preferably -28 degrees C or less.

상기 중합체(A)는 어떻게 하여 제조된 것이어도 되지만, 예를 들어 아크릴계 공중합체와 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 혼합하여 얻어지는 것이나, 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)와, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖고, 또한, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(A2)을 반응시켜 얻어지는 것이 사용된다.The polymer (A) may be produced by any method, but is, for example, one obtained by mixing an acrylic copolymer and a compound having an energy ray-curable carbon-carbon double bond, an acrylic copolymer having a functional group or methacryl having a functional group. What is obtained by reacting the type copolymer (A1) with a compound (A2) having a functional group capable of reacting with the functional group and having an energy ray-curable carbon-carbon double bond is used.

이 중, 상기 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체(A1)로서는, 아크릴산알킬에스테르 또는 메타크릴산알킬에스테르 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체(A1-1)와, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한, 관능기를 갖는 단량체(A1-2)를 공중합시켜 얻어지는 것이 예시된다. 단량체(A1-1)로서는, 탄소수가 6 내지 12인 알킬쇄를 갖는 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트 또는 알킬쇄의 탄소수가 5 이하인 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 또는 이들과 마찬가지의 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.Among these, the methacrylic copolymer (A1) having the functional group is a monomer (A1-1) having a carbon-carbon double bond, such as an alkyl acrylate ester or an alkyl methacrylate ester, and a carbon-carbon double bond. Also, those obtained by copolymerizing a monomer (A1-2) having a functional group are exemplified. As the monomer (A1-1), hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, and uryl acrylate or a monomer having 5 or less carbon atoms in an alkyl chain, pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these; there is.

또한, 단량체(A1-1)에 있어서 알킬쇄의 탄소수가 6 이상인 성분은, 제2 점착제층(43)과 접착제층(3)의 박리력을 작게 할 수 있으므로, 픽업성의 점에서 우수하다. 또한, 12 이하의 성분은, 실온에서의 탄성률이 낮고, 제2 점착제층(43)과 접착제층(3)의 계면의 접착력의 점에서 우수하다.In addition, since the component whose alkyl chain has 6 or more carbon atoms in the monomer (A1-1) can reduce the peeling force between the second pressure-sensitive adhesive layer 43 and the adhesive layer 3, it is excellent in terms of pick-up properties. In addition, components of 12 or less have a low modulus of elasticity at room temperature, and are excellent in terms of adhesive strength at the interface between the second pressure sensitive adhesive layer 43 and the adhesive layer 3.

또한, 단량체(A1-1)로서, 알킬쇄의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이 온도는 낮아지므로, 적절히 선택함으로써, 원하는 유리 전이 온도를 갖는 점착제 조성물을 조제할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도 외에, 상용성 등의 각종 성능을 높일 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 화합물을 배합하는 것도 가능하다. 그 경우, 이들 저분자 화합물은, 단량체(A1-1)의 총 질량의 5질량％ 이하의 범위 내에서 배합하는 것으로 한다.Moreover, as a monomer (A1-1), since a glass transition temperature becomes low so that a monomer with a large carbon number of an alkyl chain is used, the adhesive composition which has a desired glass transition temperature can be prepared by selecting suitably. In addition to the glass transition temperature, it is also possible to blend low-molecular weight compounds having carbon-carbon double bonds such as vinyl acetate, styrene, and acrylonitrile for the purpose of enhancing various performances such as compatibility. In that case, these low molecular weight compounds shall be blended within the range of 5% by mass or less of the total mass of the monomers (A1-1).

한편, 단량체(A1-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체(A1-2)의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 열거할 수 있다.On the other hand, as a functional group which a monomer (A1-2) has, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned, As a specific example of a monomer (A1-2), acrylic acid, methacrylic acid, new Namic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N- Methylol methacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride , glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether and the like can be exemplified.

또한, 화합물(A2)에 있어서, 사용되는 관능기로서는, 화합물(A1)이 갖는 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있고, 구체예로서는, 단량체(A1-2)의 구체예에서 열거한 것과 마찬가지의 것을 열거할 수 있다. 또한, 화합물(A2)로서, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것을 사용할 수도 있다.In addition, as a functional group used in the compound (A2), when the functional group possessed by the compound (A1) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, a hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are exemplified. An acid anhydride group, an isocyanate group, etc. are mentioned, In the case of an amino group, an epoxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned, In the case of an epoxy group, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, etc. are mentioned, As a specific example, a monomer (A1 The same things as those listed in the specific example of -2) can be enumerated. As the compound (A2), a polyisocyanate compound obtained by urethanizing a part of the isocyanate group with a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group and an energy ray-curable carbon-carbon double bond can also be used.

또한, 화합물(A1)과 화합물(A2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관하여, 원하는 것을 제조할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5 내지 100이 되도록 OH기를 남기면, 에너지선 조사 후의 점착력을 감소시킴으로써 픽업 미스의 위험성을 더욱 저감할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력의 저감 효과의 점에서 우수하고, 100 이하이면, 에너지선 조사 후의 점착제의 유동성의 점에서 우수하다. 또한 산가가 30 이하이면 점착제의 유동성의 점에서 우수하다.Further, in the reaction between the compound (A1) and the compound (A2), by leaving an unreacted functional group, a desired product can be produced with respect to properties such as acid value or hydroxyl value. If OH groups are left so that the hydroxyl value of the polymer (A) is 5 to 100, the risk of pickup miss can be further reduced by reducing the adhesive force after energy ray irradiation. If the hydroxyl value of the polymer (A) is 5 or more, it is excellent in terms of the effect of reducing the adhesive force after energy ray irradiation, and if it is 100 or less, it is excellent in the fluidity of the adhesive after energy ray irradiation. Moreover, if an acid value is 30 or less, it is excellent in the fluidity|liquidity point of an adhesive.

상기 중합체(A)의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매이며, 비점 60 내지 120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 중합체(A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 머캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 된다.In the synthesis of the polymer (A), as the organic solvent in the case where the reaction is carried out by solution polymerization, ketone-based, ester-based, alcohol-based, and aromatic solvents can be used. Among them, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, It is generally a good solvent for acrylic polymers, such as benzenemethylcellosolve, ethylcellosolve, acetone, and methylethylketone, and a solvent with a boiling point of 60 to 120°C is preferable. As a polymerization initiator, α,α'-azobis Radical generators, such as azobis type, such as isobutyl nitrile, and organic peroxide type, such as benzoyl peroxide, are used normally. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as needed, and the polymer (A) of a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and polymerization time. Regarding adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. In addition, this reaction is not limited to solution polymerization, Other methods, such as bulk polymerization and suspension polymerization, may be sufficient.

또한, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)에 있어서, 제2 점착제층(43)을 구성하는 수지 조성물은, 중합체(A)에 더하여, 또한, 가교제로서 작용하는 화합물(B)을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지를 들 수 있고, 이들은, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 화합물(B)은, 중합체(A) 또는 접착제층(3)과 반응하고, 그 결과 생기는 가교 구조에 의해, 점착제 조성물 도공 후에 중합체(A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을 향상시킬 수 있다.Moreover, in the tape 1 for semiconductor processing of this invention, the resin composition which comprises the 2nd adhesive layer 43 may have the compound (B) which acts as a crosslinking agent further in addition to the polymer (A). Examples thereof include polyisocyanates, melamine/formaldehyde resins, and epoxy resins, and these may be used alone or in combination of two or more. This compound (B) reacts with the polymer (A) or the adhesive layer (3), and the resulting cross-linked structure improves the cohesive strength of the PSA containing the polymers (A) and (B) as main components after application of the PSA composition. can make it

폴리이소시아네이트류로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 멜라민·포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 니칼락 MX-45(산와 케미컬 가부시키가이샤제, 상품명), 멜란(히타치 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, and 4,4'-[ 2,2-bis(4-phenoxyphenyl)propane] diisocyanate and other aromatic isocyanates, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicy Chlorhexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, lysine triisocyanate, etc. are mentioned, Specifically, Coronate L (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., a brand name), etc. can be used. As melamine formaldehyde resin, Nigalac MX-45 (Sanwa Chemical Co., Ltd. make, brand name), melan (Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. make, brand name) etc. can be used specifically,. As an epoxy resin, TETRAD-X (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. make, brand name) etc. can be used. In the present invention, it is particularly preferred to use polyisocyanates.

화합물(B)의 첨가량을, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상으로 한 점착제층은 응집력의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 0.5질량부 이상이다. 또한 10질량부 이하로 한 점착제층은, 도공 시의 급격한 겔화 억제의 점에서 우수하여, 점착제의 배합이나 도포 등의 작업성이 양호해진다. 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다.An adhesive layer in which the addition amount of the compound (B) is 0.1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polymer (A) is excellent in terms of cohesive force. More preferably, it is 0.5 mass part or more. Moreover, the adhesive layer made into 10 mass parts or less is excellent in the point of suppressing rapid gelation at the time of coating, and workability|operativity, such as formulation and application|coating of an adhesive, becomes favorable. More preferably, it is 5 parts by mass or less.

또한, 본 발명에 있어서, 제2 점착제층(43)에는, 광중합 개시제(C)가 포함되어 있어도 된다. 제2 점착제층(43)에 포함되는 광중합 개시제(C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티오크산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 첨가량으로서는, 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 배합하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 그 상한 10질량부 이하가 바람직하고, 5질량부 이하가 보다 바람직하다.Moreover, in this invention, the 2nd adhesive layer 43 may contain the photoinitiator (C). The photopolymerization initiator (C) contained in the second pressure-sensitive adhesive layer 43 is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, and 4,4'-dichlorobenzophenone, acetophenone, diethoxyacetophenone, etc. acetophenones, anthraquinones such as 2-ethylanthraquinone and t-butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triaryl An imidazole dimer (lopin dimer), an acridine-type compound, etc. are mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types. As an addition amount of a photoinitiator (C), it is preferable to mix|blend 0.1 mass part or more with respect to 100 mass parts of polymers (A), and 0.5 mass part or more is more preferable. Moreover, 10 mass parts or less of the upper limit is preferable, and 5 mass parts or less are more preferable.

또한 본 발명에 사용되는 에너지선 경화성의 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조제제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.Further, a tackifier, tackifier, surfactant, or the like, or other modifiers may be blended with the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention, if necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.

제2 점착제층(43)은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형의 점착제를 사용하는 경우에는, 방사선의 조사 전에 있어서의 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 점착력이, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것이 바람직하다.In the case of using a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiation with radiation, the second pressure-sensitive adhesive layer 43 has a peeling angle of 180 degrees and a peeling rate of 300 degrees under the conditions of 23°C and 50% RH before irradiation with radiation. It is preferable that the adhesive force with respect to the SUS304 surface in mm/min is 0.1-0.6 N/25 mm.

(접착제층(3))(Adhesive layer (3))

본 발명의 반도체 가공용 테이프(1)에서는, 접착제층(3)은, 반도체 웨이퍼 W가 접합되고, 다이싱된 후, 칩 C를 픽업하였을 때, 점착제층(43)으로부터 박리되어 칩 C에 부착되는 것이다. 그리고, 칩 C를 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용된다.In the tape 1 for semiconductor processing of the present invention, the adhesive layer 3 is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 43 and attached to the chip C when the chip C is picked up after the semiconductor wafer W is bonded and diced. will be. And it is used as an adhesive when fixing chip C to a board|substrate or a lead frame.

접착제층(3)은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 반도체 웨이퍼에 일반적으로 사용되는 필름형 접착제이면 되고, 예를 들어 열가소성 수지 및 열중합성 성분을 함유하여 이루어지는 것을 들 수 있다. 본 발명의 접착제층(3)에 사용하는 상기 열가소성 수지는, 열가소성을 갖는 수지, 또는 미경화 상태에 있어서 열가소성을 갖고, 가열 후에 가교 구조를 형성하는 수지가 바람직하고, 특별히 제한은 없지만, 하나의 양태로서는, 중량 평균 분자량이 5000 내지 200,000 또한 유리 전이 온도가 0 내지 150℃인 열가소성 수지를 들 수 있다. 또한, 다른 양태로서는, 중량 평균 분자량이 100,000 내지 1,000,000 또한 유리 전이 온도가 -50 내지 20℃인 열가소성 수지를 들 수 있다.The adhesive layer 3 is not particularly limited, but may be a film adhesive generally used for semiconductor wafers, and examples thereof include those containing a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component. The thermoplastic resin used in the adhesive layer 3 of the present invention is preferably a resin having thermoplasticity or a resin having thermoplasticity in an uncured state and forming a crosslinked structure after heating, and is not particularly limited. As an aspect, the thermoplastic resin whose weight average molecular weight is 5000-200,000 and glass transition temperature is 0-150 degreeC is mentioned. As another aspect, a thermoplastic resin having a weight average molecular weight of 100,000 to 1,000,000 and a glass transition temperature of -50 to 20°C is exemplified.

전자의 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도 폴리이미드 수지, 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 후자의 열가소성 수지로서는, 관능기를 포함하는 중합체를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the former thermoplastic resin include polyimide resins, polyamide resins, polyetherimide resins, polyamideimide resins, polyester resins, polyesterimide resins, phenoxy resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, and polyamideimide resins. A phenylene sulfide resin, a polyether ketone resin, etc. are mentioned, Among these, it is preferable to use a polyimide resin and a phenoxy resin, and it is preferable to use the polymer containing a functional group as the latter thermoplastic resin.

폴리이미드 수지는, 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 공지의 방법으로 축합 반응시켜 얻을 수 있다. 즉, 유기 용매 중에서, 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 등몰 또는 거의 등몰 사용하여(각 성분의 첨가 순서는 임의), 반응 온도 80℃ 이하, 바람직하게는 0 내지 60℃에서 부가 반응시킨다. 반응이 진행됨에 따라 반응액의 점도가 서서히 상승하여, 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산이 생성된다. 이 폴리아미드산은, 50 내지 80℃의 온도에서 가열하여 해중합시킴으로써 그 분자량을 조정할 수도 있다. 폴리이미드 수지는, 상기 반응물(폴리아미드산)을 탈수 폐환시켜 얻을 수 있다. 탈수 폐환은, 가열 처리하는 열 폐환법과, 탈수제를 사용하는 화학 폐환법으로 행할 수 있다.A polyimide resin can be obtained by carrying out a condensation reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine by a well-known method. That is, an addition reaction is effected at a reaction temperature of 80° C. or less, preferably 0 to 60° C., using equimolar or nearly equimolar amounts of tetracarboxylic dianhydride and diamine (the order of addition of each component is arbitrary) in an organic solvent. As the reaction proceeds, the viscosity of the reaction solution gradually increases, and polyamic acid, a precursor of polyimide, is produced. The molecular weight of this polyamic acid can also be adjusted by subjecting it to depolymerization by heating at a temperature of 50 to 80°C. The polyimide resin can be obtained by subjecting the reaction product (polyamic acid) to dehydration ring closure. Dehydration ring closure can be performed by a thermal ring closure method in which heat treatment is performed or a chemical ring closure method using a dehydrating agent.

폴리이미드 수지의 원료로서 사용할 수 있는 테트라카르복실산 이무수물로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,6-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 티오펜-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,3,2',3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메틸페닐실란 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐디메틸실릴)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디시클로헥산 이무수물, p-페닐렌비스(트리멜리테이트 무수물), 에틸렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 데카히드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 비스(엑소-비시클로〔2,2,1〕헵탄-2,3-디카르복실산 이무수물, 비시클로-〔2,2,2〕-옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스〔4-(3,4-디카르복시페닐)페닐〕헥사플루오로프로판 이무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐술피드 이무수물, 1,4-비스(2-히드록시헥사플루오로이소프로필)벤젠비스(트리멜리트산 무수물), 1,3-비스(2-히드록시헥사플루오로이소프로필)벤젠비스(트리멜리트산 무수물), 5-(2,5-디옥소테트라히드로프릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 테트라히드로푸란-2,3,4,5-테트라카르복실산 이무수물 등을 사용할 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.The tetracarboxylic dianhydride that can be used as a raw material for polyimide resin is not particularly limited, and examples thereof include 1,2-(ethylene)bis(trimellitate anhydride) and 1,3-(trimethylene)bis(trimethylene). mellitate anhydride), 1,4-(tetramethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,5-(pentamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,6-(hexamethylene)bis(trimellitate anhydride) anhydride), 1,7-(heptamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,8-(octamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,9-(nonamethylene)bis(trimellitate anhydride) , 1,10-(decamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,12-(dodecamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,16-(hexadecamethylene)bis(trimellitate anhydride) , 1,18-(octadecamethylene)bis(trimellitate anhydride), pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',3, 3'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1, 1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,1-bis(3,4-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis( 3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, bis(3,4-di Carboxyphenyl) ether dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3', 4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,2', 3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3,3',4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4 ,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloro Naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene -1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride , Thiophene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,3',4'-biphenyl Tetracarboxylic dianhydride, 2,3,2',3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)dimethylsilane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl ) Methylphenylsilane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)diphenylsilane dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl)benzene dianhydride, 1,3-bis(3, 4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldicyclohexane dianhydride, p-phenylenebis(trimellitate anhydride), ethylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4 -Butanetetracarboxylic dianhydride, decahydronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene- 1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride Water, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, bis(exo-bicyclo[2,2,1]heptane-2,3-dicarboxylic dianhydride, bicyclo-[2 ,2,2] -oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2, 2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) phenyl] hexafluoropropane dianhydride, 4,4'-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenylsulfide dianhydride, 1,4 -bis(2-hydroxyhexafluoroisopropyl)benzenebis(trimellitic anhydride), 1,3-bis(2-hydroxyhexafluoroisopropyl)benzenebis(trimellitic anhydride), 5-( 2,5-dioxotetrahydropril)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid dianhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, etc. may be used, and one or two or more of these may be used in combination.

또한, 폴리이미드의 원료로서 사용할 수 있는 디아민으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테메탄, 비스(4-아미노-3,5-디메틸페닐)메탄, 비스(4-아미노-3,5-디이소프로필페닐)메탄, 3,3'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 3,4'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 4,4'-디아미노디페닐디플루오로메탄, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐 케톤, 4,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2'-(3,4'-디아미노디페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-(3,4'-디아미노디페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 3,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 4,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술피드, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술피드, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술폰, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술폰, 3,5-디아미노벤조산 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산, 하기 일반식 (1)로 표시되는 디아미노폴리실록산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 선 테크노 케미칼 가부시키가이샤제 제파민 D-230, D-400, D-2000, D-4000, ED-600, ED-900, ED-2001, EDR-148 등의 폴리옥시알킬렌디아민 등의 지방족 디아민 등을 사용할 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 폴리이미드 수지의 유리 전이 온도로서는, 0 내지 200℃인 것이 바람직하고, 중량 평균 분자량으로서는, 1만 내지 20만인 것이 바람직하다.In addition, the diamine that can be used as a raw material for polyimide is not particularly limited, and examples thereof include o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3 ,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino Diphenylethemethane, bis(4-amino-3,5-dimethylphenyl)methane, bis(4-amino-3,5-diisopropylphenyl)methane, 3,3'-diaminodiphenyldifluoro Methane, 3,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 4,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenyl Sulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3 ,3'-diaminodiphenyl ketone, 3,4'-diaminodiphenyl ketone, 4,4'-diaminodiphenyl ketone, 2,2-bis(3-aminophenyl)propane, 2,2'- (3,4'-diaminodiphenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(3-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-(3,4 '-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3- Aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 3,3'-(1,4-phenylenebis(1-methylethylidene))bisaniline, 3,4'- (1,4-phenylenebis(1-methylethylidene))bisaniline, 4,4'-(1,4-phenylenebis(1-methylethylidene))bisaniline, 2,2-bis (4-(3-aminophenoxy)phenyl)propane, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane, 2,2-bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl) Hexafluoropropane, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfide, bis(4-(4- Aromatic diamines such as aminophenoxy)phenyl)sulfide, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, and 3,5-diaminobenzoic acid , 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1 ,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,2-diaminocyclohexane , Diaminopolysiloxane represented by the following general formula (1), 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, Sun Techno Chemical Co., Ltd. Jeffamine D-230, D-400, D-2000, D-4000 , aliphatic diamines such as polyoxyalkylenediamines such as ED-600, ED-900, ED-2001, and EDR-148 can be used, and one or two or more of these can also be used in combination. It is preferable that it is 0-200 degreeC as a glass transition temperature of the said polyimide resin, and it is preferable that it is 10,000-200,000 as a weight average molecular weight.

[일반식 (1)][general formula (1)]

Figure 112021094996060-pct00001
Figure 112021094996060-pct00001

(식 중, R1 및 R2는 탄소 원자수 1 내지 30의 2가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 달라도 되고, R3 및 R4는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 달라도 되고, m은 1 이상의 정수이다)(Wherein, R 1 and R 2 represent a divalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, may be the same or different, R 3 and R 4 represent a monovalent hydrocarbon group, may be the same or different, respectively, and m is 1 is an integer greater than or equal to)

상기 외에 바람직한 열가소성 수지의 하나인 페녹시 수지는, 각종 비스페놀과 에피클로로히드린을 반응시키는 방법, 또는, 액상 에폭시 수지와 비스페놀을 반응시키는 방법에 의해 얻어지는 수지가 바람직하고, 비스페놀로서는, 비스페놀 A, 비스페놀 비스페놀 AF, 비스페놀 AD, 비스페놀 F, 비스페놀 S를 들 수 있다. 페녹시 수지는, 에폭시 수지와 구조가 유사하기 때문에 에폭시 수지와의 상용성이 좋아, 접착 필름에 양호한 접착성을 부여하는 데 적합하다.In addition to the above, the phenoxy resin, which is one of the preferred thermoplastic resins, is preferably a resin obtained by a method of reacting various bisphenols with epichlorohydrin or a method of reacting a liquid epoxy resin with bisphenol. Examples of the bisphenol include bisphenol A, Bisphenol bisphenol AF, bisphenol AD, bisphenol F, and bisphenol S are mentioned. Since phenoxy resins are similar in structure to epoxy resins, they have good compatibility with epoxy resins and are suitable for imparting good adhesion to adhesive films.

본 발명에서 사용하는 페녹시 수지로서는, 예를 들어 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지를 들 수 있다.As a phenoxy resin used by this invention, resin which has a repeating unit represented by the following general formula (2) is mentioned, for example.

[일반식 (2)][general formula (2)]

Figure 112021094996060-pct00002
Figure 112021094996060-pct00002

상기 일반식 (2)에 있어서, X는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 알킬렌기, 페닐렌기, -O-, -S-, -SO- 또는 -SO2-를 들 수 있다. 여기서, 알킬렌기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기가 바람직하고, -C(R1)(R2)-가 보다 바람직하다. R1, R2는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 해당 알킬기로서는 탄소수 1 내지 8의 직쇄 혹은 분지의 알킬기가 바람직하고, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소옥틸, 2-에틸헥실, 1,3,3-트리메틸부틸 등을 들 수 있다. 또한, 해당 알킬기는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 예를 들어 트리플루오로메틸기를 들 수 있다. X는, 알킬렌기, -O-, -S-, 플루오렌기 또는 -SO2-가 바람직하고, 알킬렌기, -SO2-가 보다 바람직하다. 그 중에서도, -C(CH3)2-, -CH(CH3)-, -CH2-, -SO2-가 바람직하고, -C(CH3)2-, -CH(CH3)-, -CH2-가 보다 바람직하고, -C(CH3)2-가 특히 바람직하다.In the above general formula (2), X represents a single bond or a divalent linking group. As a divalent coupling group, an alkylene group, a phenylene group, -O-, -S-, -SO-, or -SO2- is mentioned. Here, the alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably -C(R 1 )(R 2 )-. R 1 and R 2 represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is preferably a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, isooctyl, and 2-ethyl. Hexyl, 1,3,3-trimethylbutyl, etc. are mentioned. Moreover, the said alkyl group may be substituted by the halogen atom, and a trifluoromethyl group is mentioned, for example. X is preferably an alkylene group, -O-, -S-, a fluorene group or -SO 2 -, and more preferably an alkylene group or -SO 2 -. Among them, -C(CH 3 ) 2 -, -CH(CH 3 )-, -CH 2 -, and -SO 2 - are preferable, and -C(CH 3 ) 2 -, -CH(CH 3 )-, -CH 2 - is more preferable, and -C(CH 3 ) 2 - is particularly preferable.

상기 일반식 (2)로 표시되는 페녹시 수지는, 반복 단위를 갖는 것이면, 상기 일반식 (2)의 X가 다른 반복 단위를 복수 갖는 수지여도, X가 동일한 반복 단위만으로 구성되어 있어도 된다. 본 발명에 있어서는, X가 동일한 반복 단위만으로 구성되어 있는 수지가 바람직하다.As long as the phenoxy resin represented by the general formula (2) has a repeating unit, even if it is a resin having a plurality of repeating units in which X in the general formula (2) is different, X may be composed only of the same repeating unit. In the present invention, a resin composed only of repeating units in which X is the same is preferable.

또한, 상기 일반식 (2)로 표시되는 페녹시 수지에, 수산기, 카르복실기 등의 극성 치환기를 함유시키면, 열중합성 성분과의 상용성이 향상되어, 균일한 외관이나 특성을 부여할 수 있다.Further, when the phenoxy resin represented by the general formula (2) contains a polar substituent such as a hydroxyl group or a carboxyl group, the compatibility with the thermally polymerizable component is improved, and a uniform appearance and characteristics can be imparted.

페녹시 수지의 질량 평균 분자량이 5000 이상이면 필름 형성성의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 30,000 이상이다. 또한, 질량 평균 분자량이 150,000 이하이면, 가열 압착 시의 유동성이나 다른 수지와의 상용성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는 100,000 이하이다. 또한, 유리 전이 온도가 -50℃ 이상이면, 필름 형성성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 50℃ 이상이다. 유리 전이 온도가 150℃이면, 다이 본딩 시의 접착제층(13)의 접착력이 우수하고, 보다 바람직하게는 120℃ 이하, 더욱 바람직하게는 110℃ 이하이다.If the mass average molecular weight of the phenoxy resin is 5000 or more, it is excellent in terms of film formability. More preferably, it is 10,000 or more, More preferably, it is 30,000 or more. Moreover, if the mass average molecular weight is 150,000 or less, it is preferable from the point of compatibility with fluidity|liquidity at the time of hot-pressing and other resin. More preferably, it is 100,000 or less. In addition, when the glass transition temperature is -50°C or higher, it is excellent in terms of film formability, more preferably 0°C or higher, and still more preferably 50°C or higher. When the glass transition temperature is 150°C, the adhesive strength of the adhesive layer 13 at the time of die bonding is excellent, more preferably 120°C or less, still more preferably 110°C or less.

한편, 상기 관능기를 포함하는 중합체에 있어서의 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 글리디실기가 바람직하다.On the other hand, as a functional group in the polymer containing the said functional group, a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group, an amide group etc. are mentioned, for example, Among them, a glycidyl group is preferable.

상기 관능기를 포함하는 고분자량 성분으로서는, 예를 들어 글리시딜기, 수산기, 카르복실기 등의 관능기를 함유하는 (메트)아크릴 공중합체 등을 들 수 있다.As a high molecular weight component containing the said functional group, the (meth)acryl copolymer etc. containing functional groups, such as a glycidyl group, a hydroxyl group, and a carboxyl group, are mentioned, for example.

상기 (메트)아크릴 공중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴에스테르 공중합체, 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 아크릴 고무가 바람직하다. 아크릴 고무는, 아크릴산에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체나, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등을 포함하는 고무이다.As said (meth)acrylic copolymer, a (meth)acrylic ester copolymer, acrylic rubber, etc. can be used, for example, and acrylic rubber is preferable. Acrylic rubber is a rubber containing acrylic acid ester as a main component and mainly containing copolymers such as butyl acrylate and acrylonitrile, copolymers such as ethyl acrylate and acrylonitrile, and the like.

관능기로서, 글리시딜기를 함유하는 경우, 글리시딜기 함유 반복 단위의 양은, 0.5 내지 6.0중량％가 바람직하고, 0.5 내지 5.0중량％가 보다 바람직하고, 0.8 내지 5.0중량％가 특히 바람직하다. 글리시딜기 함유 반복 단위란, 글리시딜기를 함유하는 (메트)아크릴 공중합체의 구성 모노머이며, 구체적으로는 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트이다. 글리시딜기 함유 반복 단위의 양이 이 범위에 있으면, 접착력을 확보할 수 있음과 함께, 겔화를 방지할 수 있다.When containing a glycidyl group as a functional group, the amount of the glycidyl group-containing repeating unit is preferably 0.5 to 6.0% by weight, more preferably 0.5 to 5.0% by weight, particularly preferably 0.8 to 5.0% by weight. The glycidyl group-containing repeating unit is a constituent monomer of a (meth)acrylic copolymer containing a glycidyl group, and is specifically glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. When the amount of the glycidyl group-containing repeating unit is within this range, the adhesive force can be secured and gelation can be prevented.

글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 이외의 상기 (메트)아크릴 공중합체의 구성 모노머로서는, 예를 들어 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 에틸(메트)아크릴레이트란, 에틸아크릴레이트 및/또는 에틸메타크릴레이트를 나타낸다. 관능성 모노머를 조합하여 사용하는 경우의 혼합 비율은, (메트)아크릴 공중합체의 유리 전이 온도를 고려하여 결정하면 된다. 유리 전이 온도를 -50℃ 이상으로 하면, 필름 형성성이 우수하여, 상온에서의 과잉의 태크를 억제할 수 있는 점에서 바람직하다. 상온에서의 태크력이 과잉이면, 접착제층의 취급이 곤란해진다. 보다 바람직하게는 -20℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0℃ 이상이다. 또한, 유리 전이 온도를 30℃ 이하로 하면, 다이 본딩 시의 접착제층의 접착력의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 20℃ 이하이다.Examples of constituent monomers of the (meth)acrylic copolymer other than glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate include ethyl (meth)acrylate and butyl (meth)acrylate. You may use individually or in combination of 2 or more types. In addition, in this invention, ethyl (meth)acrylate shows ethyl acrylate and/or ethyl methacrylate. What is necessary is just to determine the mixing ratio in the case of using combining functional monomers considering the glass transition temperature of a (meth)acrylic copolymer. When the glass transition temperature is -50°C or higher, it is preferable in terms of excellent film formability and suppression of excessive tack at room temperature. If the tack force at room temperature is excessive, handling of the adhesive layer becomes difficult. More preferably -20°C or higher, still more preferably 0°C or higher. In addition, when the glass transition temperature is 30°C or less, it is excellent in terms of adhesive strength of the adhesive layer during die bonding, and more preferably 20°C or less.

상기 모노머를 중합시켜, 관능성 모노머를 포함하는 고분자량 성분을 제조하는 경우, 그 중합 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 펄 중합, 용액 중합 등의 방법을 사용할 수 있고, 그 중에서도 펄 중합이 바람직하다.When the above monomer is polymerized to produce a high molecular weight component containing a functional monomer, the polymerization method is not particularly limited, and methods such as pearl polymerization and solution polymerization can be used. Among them, pearl polymerization is desirable.

본 발명에 있어서, 관능성 모노머를 포함하는 고분자량 성분의 중량 평균 분자량이 100,000 이상이면, 필름 형성성의 점에서 우수하고, 보다 바람직하게는 200,000 이상, 더욱 바람직하게는 500,000 이상이다. 또한, 중량 평균 분자량을 2,000,000 이하로 조정하면, 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 향상되는 점에서 우수하다. 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 향상되면, 접착제층(3)과 피착체의 밀착이 양호해져 접착력을 향상시킬 수 있고, 또한 피착체의 요철을 매립하여 보이드를 억제하기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 1,000,000 이하이고, 더욱 바람직하게는 800,000 이하이고, 500,000 이하로 하면, 더욱 큰 효과를 얻을 수 있다.In the present invention, when the weight average molecular weight of the high molecular weight component containing the functional monomer is 100,000 or more, it is excellent in terms of film formation, more preferably 200,000 or more, still more preferably 500,000 or more. In addition, when the weight average molecular weight is adjusted to 2,000,000 or less, it is excellent in that the thermal fluidity of the adhesive layer 3 at the time of die bonding is improved. When the thermal fluidity of the adhesive layer 3 at the time of die bonding is improved, adhesion between the adhesive layer 3 and the adherend becomes good, the adhesive strength can be improved, and voids are easily suppressed by embedding unevenness of the adherend. . More preferably, it is 1,000,000 or less, still more preferably 800,000 or less, and when it is set to 500,000 or less, an even greater effect can be obtained.

또한, 열중합성 성분으로서는, 열에 의해 중합되는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등의 관능기를 갖는 화합물과 트리거 재료를 들 수 있고, 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도, 사용할 수 있지만, 접착제층(3)으로서의 내열성을 고려하면, 열에 의해 경화되어 접착 작용에 영향을 미치는 열경화성 수지를 경화제, 촉진제와 함께 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 열경화형 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지 등을 들 수 있고, 특히 내열성, 작업성, 신뢰성이 우수한 접착제층이 얻어지는 점에서 에폭시 수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다.In addition, the thermally polymerizable component is not particularly limited as long as it is polymerized by heat, and examples include functional groups such as glycidyl, acryloyl, methacryloyl, hydroxyl, carboxyl, isocyanurate, amino, and amide groups. A compound having a and a trigger material are exemplified, and these can be used alone or in combination of two or more, but considering the heat resistance as the adhesive layer 3, a thermosetting resin that is cured by heat and affects the adhesive action. It is preferable to contain together with a curing agent and an accelerator. Examples of the thermosetting resin include epoxy resins, acrylic resins, silicone resins, phenolic resins, thermosetting polyimide resins, polyurethane resins, melamine resins, and urea resins. In particular, adhesives having excellent heat resistance, workability, and reliability It is most preferable to use an epoxy resin in terms of which a layer is obtained.

상기 에폭시 수지는, 경화되어 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 제한은 없고, 비스페놀 A형 에폭시 등의 2관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지나 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 것을 적용할 수 있다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action, and bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resins, novolac type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resins and cresol novolak type epoxy resins, and the like can be used In addition, generally known epoxy resins such as polyfunctional epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, heterocycle-containing epoxy resins, and alicyclic epoxy resins can be applied.

상기 비스페놀 A형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제 에피코트 시리즈(에피코트 807, 에피코트 815, 에피코트 825, 에피코트 827, 에피코트 828, 에피코트 834, 에피코트 1001, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009), 다우 케미컬사제, DER-330, DER-301, DER-361, 및 신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제, YD8125, YDF8170 등을 들 수 있다. 상기 페놀 노볼락형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제의 에피코트 152, 에피코트 154, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제의 EPPN-201, 다우 케미컬사제의 DEN-438 등을, 또한 상기 o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서는, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027이나, 신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제, YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 등을 들 수 있다. 상기 다관능 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제의 Epon1031S, 지바 스페셜티 케미컬즈사제의 아랄다이트 0163, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제의 데나콜 EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321 등을 들 수 있다. 상기 아민형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제의 에피코트 604, 도토 가세이 가부시키가이샤제의 YH-434, 미쓰비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤제의 TETRAD-X 및 TETRAD-C, 스미토모 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 ELM-120 등을 들 수 있다. 상기 복소환 함유 에폭시 수지로서는, 지바 스페셜티 케미컬즈사제의 아랄다이트 PT810, UCC사제의 ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도, 사용할 수 있다.As said bisphenol A type epoxy resin, the Mitsubishi Chemical Corporation Epicoat series (Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004 , Epicoat 1007, Epicoat 1009), Dow Chemical Co., DER-330, DER-301, DER-361, Nippon Steel Chemical Co., Ltd. product, YD8125, YDF8170, etc. are mentioned. As the phenol novolac type epoxy resin, Epicoat 152 and Epicoat 154 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DEN-438 manufactured by Dow Chemical Co., etc. - As a cresol novolak type epoxy resin, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and Nippon-Sumikin Chemical Co., Ltd. Kaisha make, YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 etc. are mentioned. As said polyfunctional epoxy resin, Epon1031S by Mitsubishi Chemical Corporation, Araldite 0163 by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd., Denacol EX-611 by Nagase ChemteX Co., Ltd., EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321 etc. are mentioned. Examples of the amine type epoxy resin include Epicoat 604 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YH-434 manufactured by Toto Chemical Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., and Sumitomo Chemical. Kogyo Co., Ltd. ELM-120 etc. are mentioned. As said heterocyclic containing epoxy resin, Araldite PT810 by Chiba Specialty Chemicals, ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206 by UCC, etc. are mentioned. These epoxy resins can be used either individually or in combination of two or more.

상기 열경화성 수지를 경화시키기 위해, 적절히 첨가제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 첨가제로서는, 예를 들어 경화제, 경화 촉진제, 촉매 등을 들 수 있고, 촉매를 첨가하는 경우에는 조촉매를 필요에 따라서 사용할 수 있다.In order to cure the thermosetting resin, an appropriate additive may be added. Examples of such additives include a curing agent, a curing accelerator, and a catalyst, and when adding a catalyst, a cocatalyst can be used as necessary.

상기 열경화성 수지에 에폭시 수지를 사용하는 경우, 에폭시 수지 경화제 또는 경화 촉진제를 사용하는 것이 바람직하고, 이들을 병용하는 것이 보다 바람직하다. 경화제로서는, 예를 들어 페놀 수지, 디시안디아미드, 3불화붕소 착화합물, 유기 히드라지드 화합물, 아민류, 폴리아미드 수지, 이미다졸 화합물, 요소 혹은 티오 요소 화합물, 폴리머캅탄 화합물, 머캅토기를 말단에 갖는 폴리술피드 수지, 산 무수물, 광·자외선 경화제를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.When using an epoxy resin for the said thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent or hardening accelerator, and it is more preferable to use them together. Examples of the curing agent include phenol resins, dicyandiamide, boron trifluoride complex compounds, organic hydrazide compounds, amines, polyamide resins, imidazole compounds, urea or thiourea compounds, polymercaptan compounds, and poly having a mercapto group at the terminal. A sulfide resin, an acid anhydride, and a light/ultraviolet curing agent are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

이 중, 3불화붕소 착화합물로서는, 다양한 아민 화합물(바람직하게는 1급 아민 화합물)과의 3불화붕소-아민 착체를 들 수 있고, 유기 히드라지드 화합물로서는, 이소프탈산디히드라지드를 들 수 있다.Among these, boron trifluoride-amine complexes with various amine compounds (preferably primary amine compounds) are exemplified as boron trifluoride complex compounds, and isophthalic acid dihydrazide is exemplified as organic hydrazide compounds.

페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 화합물이 바람직하다.Examples of the phenolic resin include novolak-type phenolic resins such as phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolac resin, and nonylphenol novolak resin, resol-type phenolic resin, and polypara. Polyoxystyrene, such as oxystyrene, etc. are mentioned. Among them, a phenolic compound having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule is preferable.

상기 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 화합물로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, t-부틸페놀 노볼락 수지, 디시클로펜타젠크레졸 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔페놀 노볼락 수지, 크실릴렌 변성 페놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지, 트리스페놀 노볼락 수지, 테트라키스페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 폴리-p-비닐페놀 수지, 페놀아르알킬 수지 등을 들 수 있다. 또한 이들 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하고, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Examples of the phenolic compound having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule include phenol novolak resin, cresol novolac resin, t-butylphenol novolak resin, dicyclopentazenecresol novolak resin, and dicyclopentadiene. Phenol novolak resin, xylylene-modified phenol novolak resin, naphthol novolak resin, trisphenol novolak resin, tetrakisphenol novolak resin, bisphenol A novolak resin, poly-p-vinylphenol resin, phenol aralkyl resin etc. can be mentioned. Among these phenol resins, phenol novolak resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred, and connection reliability can be improved.

아민류로서는, 쇄상 지방족 아민(디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 헥사메틸렌디아민, N,N-디메틸프로필아민, 벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, m-크실렌디아민 등), 환상 지방족 아민(N-아미노에틸피페라진, 비스(3-메틸-4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 멘센디아민, 이소포론디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산 등), 헤테로환 아민(피페라진, N,N-디메틸피페라진, 트리에틸렌디아민, 멜라민, 구아나민 등), 방향족 아민(메타페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 디아미노, 4,4'-디아미노디페닐술폰 등), 폴리아미드 수지(폴리아미드아민이 바람직하고, 다이머산과 폴리아민의 축합물), 이미다졸 화합물(2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨·트리멜리테이트, 에폭시·이미다졸 부가체 등), 요소 혹은 티오 요소 화합물(N,N-디알킬 요소 화합물, N,N-디알킬티오 요소 화합물 등), 폴리머캅탄 화합물, 머캅토기를 말단에 갖는 폴리술피드 수지, 산 무수물(테트라히드로 무수 프탈산 등), 광·자외선 경화제(디페닐요오도늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등)이 예시된다.Examples of amines include chain aliphatic amines (diethylenetriamine, triethylenetetramine, hexamethylenediamine, N,N-dimethylpropylamine, benzyldimethylamine, 2-(dimethylamino)phenol, 2,4,6-tris(dimethyl aminomethyl) phenol, m-xylenediamine, etc.), cyclic aliphatic amines (N-aminoethylpiperazine, bis(3-methyl-4-aminocyclohexyl)methane, bis(4-aminocyclohexyl)methane, mensendiamine, isophoronediamine, 1,3-bis(aminomethyl)cyclohexane, etc.), heterocyclic amines (piperazine, N,N-dimethylpiperazine, triethylenediamine, melamine, guanamine, etc.), aromatic amines (metaphenylene Diamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, diamino, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, etc.), polyamide resin (preferably polyamideamine, condensate of dimer acid and polyamine), imidazole Compounds (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-n-heptadecylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-undecylimidazolium trimellitate, epoxy imidazole adduct, etc.), urea or thiourea compound (N,N-dialkyl urea compound, N,N-dialkylthio urea compound, etc.), polymer captan Compounds, polysulfide resins having a mercapto group at the terminal, acid anhydrides (tetrahydrophthalic anhydride, etc.), light/ultraviolet curing agents (diphenyliodonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, etc.) are examples. do.

상기 경화 촉진제로서는, 열경화성 수지를 경화시키는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 이미다졸류, 디시안디아미드 유도체, 디카르복실산디히드라지드, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸-테트라페닐보레이트, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7-테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다. 이미다졸류로서는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸-5-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시디메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures a thermosetting resin, and examples thereof include imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2- Ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene-7-tetraphenylborate, etc. are mentioned. As imidazoles, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole , 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-ethyl-5-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxy Dimethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, etc. are mentioned.

에폭시 수지용 경화제 혹은 경화 촉진제의 접착제층 중의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 최적의 함유량은 경화제 혹은 경화 촉진제의 종류에 따라서 다르다.The content of the curing agent for epoxy resin or the curing accelerator in the adhesive layer is not particularly limited, and the optimal content varies depending on the type of the curing agent or curing accelerator.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량으로 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 접착제층(3)의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다. 그 밖의 열경화성 수지와 경화제는, 일 실시 형태에 있어서, 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 경화제가 0.5 내지 20질량부이며, 다른 실시 양태에 있어서는, 경화제가 1 내지 10질량부이다. 경화 촉진제의 함유량은, 경화제의 함유량보다 적은 쪽이 바람직하고, 열경화성 수지 100질량부에 대하여 경화 촉진제 0.001 내지 1.5질량부가 바람직하고, 0.01 내지 0.95질량부가 더욱 바람직하다. 상기 범위 내로 조정함으로써, 충분한 경화 반응의 진행을 보조할 수 있다. 촉매의 함유량은, 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 0.001 내지 1.5질량부가 바람직하고, 0.01 내지 1.0질량부가 더욱 바람직하다.The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably blended such that, for example, 0.5 to 2.0 equivalent of the hydroxyl group in the phenol resin per 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More preferably, it is 0.8-1.2 equivalent. That is, it is because when the mixing ratio of both is out of the above range, a sufficient curing reaction does not proceed, and the properties of the adhesive layer 3 tend to deteriorate. In one embodiment, the other thermosetting resin and the curing agent are 0.5 to 20 parts by mass of the curing agent with respect to 100 parts by mass of the thermosetting resin, and in another embodiment, the curing agent is 1 to 10 parts by mass. The content of the curing accelerator is preferably smaller than the content of the curing agent, preferably 0.001 to 1.5 parts by mass, more preferably 0.01 to 0.95 parts by mass of the curing accelerator per 100 parts by mass of the thermosetting resin. Advancing of sufficient hardening reaction can be assisted by adjusting within the said range. The content of the catalyst is preferably 0.001 to 1.5 parts by mass, more preferably 0.01 to 1.0 parts by mass, based on 100 parts by mass of the thermosetting resin.

또한, 본 발명의 접착제층(3)은, 그 용도에 따라서 필러를 적절히 배합할 수 있다. 이에 의해, 미경화의 상태에 있어서의 접착제층(3)의 다이싱성의 향상, 취급성의 향상, 용융 점도의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 또한, 경화 상태의 접착제층(3)에 있어서의 열전도성의 부여, 접착력의 향상을 도모하는 것이 가능하게 되어 있다.Moreover, the adhesive layer 3 of this invention can mix|blend a filler suitably according to the use. As a result, the dicing property of the adhesive layer 3 in the uncured state is improved, the handling property is improved, the melt viscosity is adjusted, the thixotropic property is imparted, and the thermal conductivity of the adhesive layer 3 in the cured state is improved. It has become possible to aim at the improvement of provision and adhesive force.

본 발명에서 사용하는 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정질성 실리카, 안티몬산화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들은 단체 혹은 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.As the filler used in the present invention, an inorganic filler is preferable. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, and crystalline silica. , amorphous silica, antimony oxide and the like can be used. Moreover, these can also be used individually or in mixture of 2 or more types.

또한, 상기 무기 필러 중, 열전도성 향상의 관점에서는, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정질성 실리카 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 용융 점도의 조정이나 틱소트로픽성의 부여의 점에서는, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 결정성 실리카, 비정질성 실리카 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 다이싱성의 향상의 관점에서는, 알루미나, 실리카를 사용하는 것이 바람직하다.Among the inorganic fillers, from the viewpoint of improving thermal conductivity, it is preferable to use alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica or the like. In addition, in terms of adjusting the melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, amorphous silica, etc. It is preferable to use Further, from the viewpoint of improving dicing properties, it is preferable to use alumina or silica.

필러의 함유 비율이 30질량％ 이상이면, 와이어 본딩성의 점에서 우수하다. 와이어 본딩 시에는, 와이어를 연결하는 칩을 접착하고 있는 접착제층(3)의 경화 후의 저장 탄성률이 170℃에서 20 내지 1000㎫의 범위로 조정되어 있는 것이 바람직하고, 필러의 함유 비율이 30질량％ 이상이면 접착제층(3)의 경화 후의 저장 탄성률을 이 범위로 조정하기 쉽다. 또한, 필러의 함유 비율이 75질량％ 이하이면, 필름 형성성, 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 우수하다. 다이 본딩 시의 접착제층(3)의 가열 유동성이 향상되면, 접착제층(3)과 피착체의 밀착이 양호해져 접착력을 향상시킬 수 있고, 또한 피착체의 요철을 매립하여 보이드를 억제하기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 70질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 60질량％ 이하이다.When the content ratio of the filler is 30% by mass or more, it is excellent in terms of wire bonding properties. In the case of wire bonding, it is preferable that the storage modulus after hardening of the adhesive layer 3 adhering the chips connecting the wires is adjusted to a range of 20 to 1000 MPa at 170°C, and the filler content is 30% by mass. If it is above, it is easy to adjust the storage elastic modulus of the adhesive bond layer 3 to this range after hardening. Moreover, when the content rate of the filler is 75% by mass or less, the film formability and the heating fluidity of the adhesive layer 3 at the time of die bonding are excellent. When the thermal fluidity of the adhesive layer 3 at the time of die bonding is improved, adhesion between the adhesive layer 3 and the adherend becomes good, the adhesive strength can be improved, and voids are easily suppressed by embedding unevenness of the adherend. . More preferably, it is 70 mass % or less, More preferably, it is 60 mass % or less.

본 발명의 접착제층(3)은, 상기 필러로서, 평균 입경이 다른 2종 이상의 필러를 포함할 수 있다. 이 경우, 단일의 필러를 사용한 경우에 비해 필름화 전의 원료 혼합물에 있어서, 필러의 함유 비율이 높은 경우의 점도 상승 혹은 필러의 함유 비율이 낮은 경우의 점도 저하를 방지하는 것이 용이해져, 양호한 필름 형성성이 얻어지기 쉬워지고, 미경화의 접착제층(3)의 유동성을 최적으로 제어할 수 있음과 함께 접착제층(3)의 경화 후에는 우수한 접착력이 얻어지기 쉬워진다.The adhesive layer 3 of the present invention may contain two or more types of fillers having different average particle diameters as the fillers. In this case, compared to the case where a single filler is used, it becomes easier to prevent the viscosity increase when the filler content is high or the viscosity decrease when the filler content is low in the raw material mixture before film formation, and a good film is formed. It becomes easy to obtain excellent adhesive strength after hardening of the adhesive layer 3 while being able to control the fluidity|liquidity of the uncured adhesive layer 3 optimally.

(기재 테이프(2))(base tape (2))

기재 테이프(2)는, 접착제층(3)을 보호할 목적을 위해, 반도체 가공용 테이프(1)를 소정의 형상으로 절단하는 라벨 가공을 용이하게 행할 목적을 위해, 또한 접착제층(3)을 평활하게 할 목적을 위해 마련된다. 기재 테이프(2)의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 기재 테이프(2)의 표면에는 접착제층(3)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라서 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 필요에 따라서, 점착 시트가 환경 자외선에 의해 반응해 버리지 않도록, 자외선 방지 처리가 실시되어 있어도 된다. 기재 테이프(2)의 두께는, 통상 10 내지 100㎛, 바람직하게는 25 내지 50㎛ 정도이다.The base tape 2 is for the purpose of protecting the adhesive layer 3, for the purpose of facilitating the label process of cutting the tape 1 for semiconductor processing into a predetermined shape, and smoothing the adhesive layer 3. prepared for the purpose of As a constituent material of the base tape 2, synthetic resin films, such as paper, polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate, etc. are mentioned. The surface of the base tape 2 may be subjected to release treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, fluorine treatment, or the like, if necessary, in order to improve releasability from the adhesive layer 3 . In addition, if necessary, an ultraviolet protection treatment may be applied so that the adhesive sheet does not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of the base tape 2 is usually 10 to 100 μm, preferably about 25 to 50 μm.

(지지 부재(15))(support member 15)

지지 부재(15)는, 기재 테이프(2)의, 접착제(3) 및 점착 필름(4)이 마련된 면과는 반대의 면이며, 또한, 기재 테이프(2)의 짧은 변 방향 양단부에 마련되며, 접착제층(3) 및 제2 점착제층(43)의 두께의 1.0배 이상 4.0배 이하의 두께를 갖는다. 이와 같이, 지지 부재(15)를 마련함으로써, 반도체 가공용 테이프(1)를 롤형으로 권취하였을 때, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은, 지지 부재(15)에 모을 수 있으므로, 접착제층(3)과 점착 필름(4)의 라벨부(4a1, 4a2)의 적층 부분과, 점착 필름(4)의 주변부(4b)의 단차가 중첩되어, 유연한 접착제층(3) 표면에 단차가 전사되는 전사흔의 형성을 억제하는 것이 가능해진다.The support member 15 is a surface opposite to the surface of the base tape 2 on which the adhesive 3 and the adhesive film 4 are provided, and is provided at both ends in the short side direction of the base tape 2, It has a thickness of 1.0 times or more and 4.0 times or less of the thicknesses of the adhesive layer 3 and the second pressure-sensitive adhesive layer 43 . Thus, by providing the support member 15, when the tape 1 for semiconductor processing is wound in a roll shape, the winding pressure applied to the tape can be dispersed or collected in the support member 15, so the adhesive layer ( 3) and the laminated portion of the label portions 4a1 and 4a2 of the adhesive film 4 and the step difference between the peripheral portion 4b of the adhesive film 4 are overlapped, and the step difference is transferred to the surface of the flexible adhesive layer 3 Transfer It becomes possible to suppress the formation of scars.

지지 부재(15)는, 기재 테이프(2)의 긴 변 방향을 따라서, 단속적 또는 연속적으로 마련할 수 있지만, 전사흔의 발생을 더욱 효과적으로 억제하는 관점에서는, 기재 테이프(2)의 긴 변 방향을 따라서 연속적으로 마련하는 것이 바람직하다.The support member 15 can be provided intermittently or continuously along the long side direction of the base tape 2, but from the viewpoint of suppressing the generation of transfer marks more effectively, the long side direction of the base tape 2 Therefore, it is preferable to provide continuously.

지지 부재(15)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적합하게 사용할 수 있다. 이와 같은 점접착 테이프를, 기재 테이프(2)의 양단 부분의 소정 위치에 첩부함으로써, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프(1)를 형성할 수 있다.As the supporting member 15, an adhesive tape obtained by applying an adhesive agent to a resin film substrate can be suitably used, for example. The tape 1 for a semiconductor process of this embodiment can be formed by sticking such an adhesive tape to predetermined positions of both ends of the base material tape 2.

점접착 테이프의 기재 수지로서는, 권취압에 견딜 수 있는 것이면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수 용이성의 점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌, 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.The base resin of the adhesive tape is not particularly limited as long as it can withstand the winding pressure, but is preferably selected from polyethylene terephthalate (PET), polypropylene, and high-density polyethylene in terms of heat resistance, smoothness, and easy availability.

점접착 테이프의 점착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없고, 반도체 가공용 테이프(1)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 기재 테이프(2)로부터 박리되지 않는 것이면 된다.There is no limitation in particular about the composition and physical properties of the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape, and it is sufficient as long as it does not peel from the base material tape 2 in the winding process and storage process of the tape 1 for semiconductor processing.

(반도체 가공용 테이프(1)의 제조 방법)(Method of manufacturing tape 1 for semiconductor processing)

다음에, 본 실시 형태에 관한 반도체 가공용 테이프(1)의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.Next, an example of the manufacturing method of the tape 1 for semiconductor processing concerning this embodiment is demonstrated.

먼저, 긴 필름형의 접착제층(3)을 형성한다. 접착제층(3)은, 수지 조성물을 조제하여, 필름형의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상술한 수지 조성물을 도포하고 건조하여(열경화가 필요한 경우 등에서는, 필요에 따라서 가열 처리를 실시하여 건조하여), 접착제층(3)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 수지 조성물은, 용액이어도 분산액이어도 된다.First, a long film-like adhesive layer 3 is formed. The adhesive layer 3 can be formed using a conventional method of preparing a resin composition and forming it into a film-like layer. Specifically, for example, the above-described resin composition is applied onto an appropriate separator (release paper, etc.) and dried (when heat curing is required, etc., heat treatment is applied and dried as necessary), and the adhesive layer (3) ) and the like. The resin composition may be a solution or a dispersion.

다음에, 접착제층(3)을 상술한 평면 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 주변의 불필요 부분을 세퍼레이터로부터 박리하여 제거함으로써, 복수의 평면 형상의 접착제층(3)을 긴 세퍼레이터 상에 연속하여 형성한다. 그 후, 접착제층(3)을 긴 기재 테이프(2)에 전사한다. 또한, 접착제층(3)은, 긴 기재 테이프(2) 상에 수지 조성물을 도공하고, 평면 형상으로 프리컷해도 된다.Next, the adhesive layer 3 is pre-cut into the above-described planar shape using a pressure cutting blade or the like, and unnecessary parts around it are peeled off and removed from the separator to form a plurality of planar adhesive layers 3 into a long separator. formed in succession. After that, the adhesive layer 3 is transferred to the long substrate tape 2. In addition, the adhesive bond layer 3 may apply a resin composition on the elongated base material tape 2, and may precut it into a planar shape.

별도로, 긴 필름형의 제2 점착제층(43)을 형성한다. 제2 점착제층(43)은, 수지 조성물을 조제하여, 필름형의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상술한 수지 조성물을 도포하고 건조하여, 제2 점착제층(43)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 수지 조성물은, 용액이어도 분산액이어도 된다.Separately, the second pressure-sensitive adhesive layer 43 in the form of a long film is formed. The second pressure-sensitive adhesive layer 43 can be formed using a conventional method of preparing a resin composition and forming it into a film-like layer. Specifically, for example, a method of applying the above-described resin composition on an appropriate separator (release paper or the like) and drying it to form the second pressure-sensitive adhesive layer 43, and the like. The resin composition may be a solution or a dispersion.

다음에, 제2 점착제층(43)을 상술한 평면 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 주변의 불필요 부분을 세퍼레이터로부터 박리하여 제거함으로써, 복수의 평면 형상의 제2 점착제층(43)을 긴 세퍼레이터 상에 연속하여 형성한다.Next, the second pressure-sensitive adhesive layer 43 is pre-cut into the above-described planar shape using a pressurized cutting blade or the like, and unnecessary parts in the vicinity are removed by peeling from the separator, thereby forming a plurality of second pressure-sensitive adhesive layers 43 having a plurality of planar shapes. ) are continuously formed on the long separator.

또한 별도로, 제1 점착제층(42)을 제작한다. 제1 점착제층(42)은, 종래의 점착제층의 형성 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상술한 점착제 조성물을, 기재 필름(41)의 소정의 면에 도포하여 형성하는 방법이나, 상술한 점착제 조성물을, 박리 필름(예를 들어, 이형제가 도포된 플라스틱제 필름 또는 시트 등) 상에 도포하여 제1 점착제층(42)을 형성한 후, 해당 제1 점착제층(42)을 기재 필름(41)의 소정의 면에 전사하는 방법에 의해, 기재 필름(41) 상에 해당 제1 점착제층(42)을 형성할 수 있다.Further, separately, the first pressure sensitive adhesive layer 42 is produced. The first pressure sensitive adhesive layer 42 can be formed using a conventional pressure sensitive adhesive layer formation method. For example, a method of applying and forming the above-described adhesive composition on a predetermined surface of the base film 41, or a release film (eg, a plastic film or sheet coated with a release agent, etc.) ) to form the first pressure sensitive adhesive layer 42, and then transfer the first pressure sensitive adhesive layer 42 to a predetermined surface of the base film 41 by a method that corresponds to the base film 41 A first pressure-sensitive adhesive layer 42 may be formed.

기재 필름(41)은, 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.The base film 41 can be formed into a film by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calender film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, and a dry lamination method.

그 후, 세퍼레이터 상에 마련된 소정 형상의 제2 점착제층(43)에, 기재 필름(41) 상에 마련된 제1 점착제층(42)을 라미네이트하여, 점착 테이프(4)를 얻는다.Then, the 1st adhesive layer 42 provided on the base film 41 is laminated to the 2nd adhesive layer 43 of predetermined shape provided on the separator, and the adhesive tape 4 is obtained.

그 후, 제2 점착제층(43)이 마련되어 있던 세퍼레이터를 박리하고, 기재 테이프(2) 상에 마련된 소정 형상의 접착제층(3)에, 점착 테이프(4)의 제2 점착제층(43)측의 면을, 접착제층(3)과 제2 점착제층(43)의 평면 형상의 중심이 정렬되도록 라미네이트한다. 이때, 접착제층(3)의 평면 형상은 제2 점착제층(43)의 평면 형상보다 크기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접하여, 접착된다.Then, the separator provided with the 2nd adhesive layer 43 is peeled off, and the 2nd adhesive layer 43 side of the adhesive tape 4 is attached to the adhesive layer 3 of predetermined shape provided on the base tape 2. The surfaces of the adhesive layer 3 and the second pressure-sensitive adhesive layer 43 are laminated such that the centers of the planar shapes are aligned. At this time, since the planar shape of the adhesive layer 3 is larger than the planar shape of the second adhesive layer 43, the first adhesive layer 42 and the adhesive layer 3 are in contact with each other at the periphery of the second adhesive layer 43. , are bonded.

다음에, 기재 필름(41) 및 제1 점착제층(42)을 소정의 평면 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 주변의 불필요 부분을 기재 테이프(2)로부터 박리하여 제거함으로써, 반도체 가공용 테이프(1)가 만들어진다. 이때, 제1 점착제층(42)의 평면 형상은 접착제층(3)의 평면 형상보다 크기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주변부에서 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 접한 부분이 유지된다. 또한, 그 후, 프리컷 가공에 사용한 기재 테이프(2)를 박리하여, 공지의 세퍼레이터를 접착제층(3)측의 면과 접합하도록 해도 된다.Next, the base film 41 and the first pressure-sensitive adhesive layer 42 are pre-cut into a predetermined flat shape using a pressure cutting blade or the like, and the unnecessary parts around are peeled off from the base tape 2 to remove the semiconductor. A tape 1 for processing is made. At this time, since the planar shape of the first adhesive layer 42 is larger than the planar shape of the adhesive layer 3, the first adhesive layer 42 and the adhesive layer 3 are in contact with each other at the periphery of the second adhesive layer 43. part is maintained. In addition, after that, the substrate tape 2 used for the pre-cutting process may be peeled off, and a known separator may be bonded to the surface on the adhesive layer 3 side.

(반도체 가공용 테이프(1)의 사용 방법)(How to use tape 1 for semiconductor processing)

반도체 가공용 테이프(1)는, 반도체 장치의 제조 공정 중에서, 이하와 같이 사용된다. 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 가공용 테이프(1)는, 기재 테이프(2)가 접착제층(3), 제2 점착제층(43)을 포함하는 제2 라벨부(4a2), 제1 점착제층(42) 및 기재 필름(41)을 포함하는 제1 라벨부(4a1)를 포함하는 적층체로부터 박리되어, 반도체 웨이퍼 W에 첩부되는 반도체 웨이퍼 접합 공정을 실시한다. 보다 상세하게는, 쐐기형의 박리 부재(101)의 선단부에서 기재 테이프(2)를 박리 방향으로 꺾으면서 반송함으로써, 적층체의 박리가 촉진되어, 당해 적층체만이 전방으로 송출된다. 전방 하측에는 반도체 웨이퍼 W 및 링 프레임 R이 작업대(102) 상에 설치되어 있고, 그것들의 상측에 적층체가 송출되도록 되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 W의 상방에는 압접 롤러(103)가 마련되어 있고, 이에 의해, 접착제층(3)은 반도체 웨이퍼 W에 접합된다. 또한, 제1 점착제층(42)은 접착제층(3)보다도 크기 때문에, 접착제층(3)의 주위에 있어서 제1 점착제층(42)이 링 프레임 R에 접합된다.The tape 1 for semiconductor processing is used as follows in the manufacturing process of a semiconductor device. As shown in FIG. 3 , in the tape 1 for semiconductor processing, the base material tape 2 includes an adhesive layer 3, a second label portion 4a2 including a second adhesive layer 43, and a first adhesive layer. (42) and the semiconductor wafer bonding step of peeling from the laminated body containing the 1st label part 4a1 containing the base film 41 and sticking it to the semiconductor wafer W is performed. More specifically, by conveying the substrate tape 2 at the front end of the wedge-shaped peeling member 101 while bending it in the peeling direction, peeling of the laminate is promoted, and only the laminate is sent forward. On the front lower side, a semiconductor wafer W and a ring frame R are installed on a work bench 102, and a laminate is sent out above them. In addition, a pressure contact roller 103 is provided above the semiconductor wafer W, whereby the adhesive layer 3 is bonded to the semiconductor wafer W. Also, since the first pressure sensitive adhesive layer 42 is larger than the adhesive layer 3, the first pressure sensitive adhesive layer 42 is bonded to the ring frame R around the adhesive layer 3.

이때, 제2 점착제층(43)은 점착력이 작지만, 제2 점착제층(43)의 평면 형상이 접착제층(3)의 평면 형상보다 작기 때문에, 제2 점착제층(43)의 주위에 있어서, 점착력이 큰 제1 점착제층(42)과 접착제층(3)이 점착 보유 지지되어 있기 때문에, 기재 테이프(2)를 박리할 때나, 적층체의 일단부가 압접 롤러(103)에 눌려지고, 타단부가 기재 테이프(2)의 박리 방향으로 인장됨으로써 적층체에 장력이 가해졌을 때도, 점착 테이프(4)로부터 접착제층(3)이 들뜨는 일이 없다.At this time, although the adhesive force of the second adhesive layer 43 is small, since the planar shape of the second adhesive layer 43 is smaller than the planar shape of the adhesive layer 3, the adhesive strength around the second adhesive layer 43 Since the large first pressure sensitive adhesive layer 42 and the adhesive layer 3 are adhered and held, when peeling the base material tape 2 or when one end of the laminate is pressed by the pressure contact roller 103, the other end Even when tension is applied to the laminate by being stretched in the peeling direction of the base tape 2, the adhesive layer 3 is not lifted from the adhesive tape 4.

다음에, 도 4에 도시한 바와 같이, 링 프레임 R이 도시하지 않은 다이싱 장치에 고정된다. 이때, 반도체 웨이퍼 W가 상측, 반도체 가공용 테이프(1)가 하측으로 향해진다. 그리고, 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W의 다이싱 공정을 실시한다. 구체적으로는, 먼저, 흡착 스테이지(105)에 의해, 반도체 가공용 테이프(1)를 기재 필름(41)면측으로부터 흡착 지지한다. 그리고, 반도체 웨이퍼 W와 접착제층(3)을 다이싱 블레이드(104)에 의해 반도체 칩 C 단위로 절단하여 개편화한다. 그 후, 제2 점착제층(43)이 방사선 경화형의 점착제인 경우에는, 기재 필름(41)의 하면측으로부터 방사선을 조사하여, 제2 점착제층(43)을 경화시켜 그 점착력을 저하시킨다.Next, as shown in Fig. 4, the ring frame R is fixed to a dicing device (not shown). At this time, the semiconductor wafer W is directed upward and the tape 1 for semiconductor processing is directed downward. And as shown in FIG. 5, the dicing process of the semiconductor wafer W is performed. Specifically, first, the tape 1 for semiconductor processing is adsorbed and supported from the base film 41 surface side by the adsorption stage 105 . Then, the semiconductor wafer W and the adhesive layer 3 are cut into semiconductor chip C units by the dicing blade 104 and separated into individual pieces. Then, when the second pressure sensitive adhesive layer 43 is a radiation curable pressure sensitive adhesive, radiation is irradiated from the lower surface side of the base film 41 to cure the second pressure sensitive adhesive layer 43 and reduce its adhesive strength.

그 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이싱된 반도체 칩 C 및 접착제층(3)을 보유 지지한 점착 테이프(4)를 링 프레임 R의 둘레 방향으로 잡아늘이는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱된 복수의 반도체 칩 C 및 접착제층(3)을 보유 지지한 상태의 점착 테이프(4)에 대하여, 중공 원주 형상의 밀어올림 부재(106)를, 점착 테이프(4)의 하면측으로부터 상승시켜, 점착 테이프(4)를 링 프레임 R의 둘레 방향으로 잡아늘인다.After that, as shown in Fig. 6, an expanding step is performed in which the adhesive tape 4 holding the diced semiconductor chip C and the adhesive layer 3 is stretched in the circumferential direction of the ring frame R. Specifically, a hollow cylinder-shaped pushing member 106 is applied to the adhesive tape 4 in a state in which a plurality of diced semiconductor chips C and the adhesive layer 3 are held. It is raised from the lower surface side and the adhesive tape 4 is stretched in the circumferential direction of the ring frame R.

익스팬드 공정을 실시한 후, 도 7에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)를 익스팬드한 상태 그대로에서, 반도체 칩 C를 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는, 점착 테이프(4)의 하면측으로부터 반도체 칩 C를 핀(107)에 의해 밀어올림과 함께, 흡착 지그(108)로 반도체 칩 C를 흡착함으로써, 개편화된 반도체 칩 C를 접착제층(3)과 함께 픽업한다. 이때, 제2 점착제층(43)의 점착력이 작기 때문에, 반도체 칩 C 및 접착제층(3)이 제2 점착제층(43)으로부터 용이하게 박리되어, 반도체 칩 C가 양호하게 픽업된다.After performing the expand process, as shown in FIG. 7 , a pick-up process of picking up the semiconductor chip C is performed in the state where the adhesive tape 4 is expanded. Specifically, while pushing up the semiconductor chip C from the lower surface side of the adhesive tape 4 with the pin 107, the semiconductor chip C is adsorbed with the suction jig 108, so that the separated semiconductor chip C is attached to the adhesive layer. Pick up with (3). At this time, since the adhesive force of the 2nd adhesive layer 43 is small, the semiconductor chip C and the adhesive layer 3 peel easily from the 2nd adhesive layer 43, and the semiconductor chip C is picked up favorably.

그리고, 픽업 공정을 실시한 후, 접합 공정을 실시한다. 구체적으로는, 픽업 공정에서 반도체 칩 C와 함께 픽업된 접착제층(3)측을 리드 프레임이나 패키지 기판 등의 기판의 접합 위치에 배치한다. 그 후, 접착제층(3)을 150 내지 350℃도 의 온도에서 가열 처리함으로써, 반도체 칩 C와 기판이 기계적으로 접합된다. 또한, 접합 공정은 무가압으로 행해도 되고, 가압해도 된다.And after performing a pick-up process, a bonding process is implemented. Specifically, the side of the adhesive layer 3 picked up together with the semiconductor chip C in the pick-up step is placed in a bonding position of a substrate such as a lead frame or a package substrate. Thereafter, the semiconductor chip C and the substrate are mechanically bonded by heating the adhesive layer 3 at a temperature of 150 to 350°C. In addition, the bonding process may be performed without pressure or may be applied with pressure.

그 후, 기판의 단자부의 선단과 반도체 칩 C 상의 전극 패드를 본딩 와이어로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 계속해서, 밀봉 수지에 의해 반도체 칩 C를 밀봉하는 밀봉 공정을 행하여, 반도체 장치가 완성된다.Thereafter, a wire bonding step is performed to electrically connect the front end of the terminal portion of the substrate and the electrode pad on the semiconductor chip C with a bonding wire. Subsequently, a sealing step of sealing the semiconductor chip C with sealing resin is performed, and the semiconductor device is completed.

(실시예)(Example)

다음에 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail based on examples. The present invention will be described below by examples, but the present invention is not limited to these examples.

[기재 필름 A][Base film A]

기재 필름으로서, 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산2-메틸-프로필) 3원 공중합체-Zn++-아이오노머 수지인, 하이밀란 AM-7316(상품명, 미쓰이 듀퐁 케미컬사제)을 사용하여, 두께 90㎛의 필름을 제작하였다. 이 필름의 편면에는 코로나 처리를 실시하여, 기재 필름을 얻었다.As a base film, ethylene-methacrylic acid-(2-methyl-propyl acrylic acid) ternary copolymer-Zn++-ionomer resin, Hi-Milan AM-7316 (trade name, manufactured by Mitsui DuPont Chemical Co., Ltd.) was used, and had a thickness of 90 μm. of film was produced. Corona treatment was performed on one side of this film to obtain a base film.

[제1 점착제층의 점착제 조성물 A][Adhesive composition A of the first pressure-sensitive adhesive layer]

아크릴계 점착제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「SG-50Y」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」) 5질량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제1 점착제층의 점착제 조성물 A를 조제하였다.Dissolve 5 parts by mass of a curing agent (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "L-45E") in ethyl acetate with respect to 100 parts by mass of an acrylic adhesive (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "SG-50Y") and stir Thus, the pressure-sensitive adhesive composition A of the first pressure-sensitive adhesive layer was prepared.

[제2 점착제층의 점착제 조성물 A][Adhesive composition A of the second pressure-sensitive adhesive layer]

아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 2.3질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 7질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 A를 조제하였다.2.3 parts by mass of a curing agent (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "L-45E") with respect to 100 parts by mass of the acrylic adhesive (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., trade name "AP-FE2503"), polyisocyanate composition (The Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd. make, brand name "TKA-100") 7 mass parts were each dissolved in ethyl acetate, and it stirred, and the adhesive composition A of the 2nd adhesive layer was prepared.

[제2 점착제층의 점착제 조성물 B][Adhesive composition B of the second pressure-sensitive adhesive layer]

아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 1.7질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 3.9질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 B를 조제하였다.1.7 parts by mass of a curing agent (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "L-45E") with respect to 100 parts by mass of an acrylic adhesive (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., trade name "AP-FE2503"), a polyisocyanate composition (The Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd. make, brand name "TKA-100") 3.9 mass parts were each dissolved in ethyl acetate, and it stirred, and the adhesive composition B of the 2nd adhesive layer was prepared.

[제2 점착제층의 점착제 조성물 C][Adhesive composition C of the second pressure-sensitive adhesive layer]

아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 0.34질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 1.1질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 C를 조제하였다.0.34 parts by mass of a curing agent (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "L-45E") with respect to 100 parts by mass of an acrylic adhesive (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., trade name "AP-FE2503"), polyisocyanate composition (The Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd. make, brand name "TKA-100") 1.1 mass parts were each dissolved in ethyl acetate, and it stirred, and the adhesive composition C of the 2nd adhesive layer was prepared.

[제2 점착제층의 점착제 조성물 D][Adhesive composition D of the second pressure-sensitive adhesive layer]

아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」)를 2.8질량부, 폴리이소시아네이트 조성물(아사히 가세이 케미컬즈 가부시키가이샤제, 상품명 「TKA-100」) 8.4질량부를 각각 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 D를 조제하였다.2.8 parts by mass of a curing agent (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "L-45E") with respect to 100 parts by mass of the acrylic adhesive (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., trade name "AP-FE2503"), polyisocyanate composition (The Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd. make, brand name "TKA-100") 8.4 mass parts were each dissolved in ethyl acetate, and it stirred, and the adhesive composition D of the 2nd adhesive layer was prepared.

[제2 점착제층의 점착제 조성물 E][Adhesive composition E of the second pressure-sensitive adhesive layer]

아크릴계 점착제(신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「AP-FE2503」) 100질량부에 대하여 경화제(소켄 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「L-45E」) 0.5질량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 교반하여 제2 점착제층의 점착제 조성물 E를 조제하였다.0.5 part by mass of a curing agent (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., trade name "L-45E") was dissolved in ethyl acetate with respect to 100 parts by mass of an acrylic adhesive (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., trade name "AP-FE2503") , The pressure-sensitive adhesive composition E of the second pressure-sensitive adhesive layer was prepared by stirring.

[접착제 조성물 A][Adhesive composition A]

에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「1002」) 50질량부, 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「806」) 100질량부, 경화제(에보닉 데구사사제, 상품명 「Dyhard(등록 상표) 100SF」) 5질량부, 실리카 필러(애드마파인 가부시키가이샤제, 상품명 「SO-C2」) 150질량부, 및, 실리카 필러(닛본 에어로실 가부시키가이샤제, 상품명 「에어로실 R972」) 5질량부를 포함하는 조성물에 MEK를 첨가하고, 교반 혼합하여, 균일한 조성물로 하였다.Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name "1002") 50 parts by mass, epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name "806") 100 parts by mass, curing agent (manufactured by Evonik Degussa, trade name " Dyhard (registered trademark) 100SF”) 5 parts by mass, silica filler (manufactured by Admafine Co., Ltd., trade name “SO-C2”) 150 parts by mass, and silica filler (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., trade name “Aero Seal R972”) was added to a composition containing 5 parts by mass of MEK and stirred and mixed to obtain a uniform composition.

이것에, 페녹시 수지(Gabriel Phenoxies사제, 상품명 「PKHH」) 100질량부, 커플링제로서 (신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제, 상품명 「KBM-802」) 0.4질량부, 그리고, 경화 촉진제(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「큐어졸 2PHZ-PW」) 0.5질량부를 첨가하고, 균일해질 때까지 교반 혼합하였다. 또한 이것을 100메쉬의 필터로 여과하고, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물 c-1A의 바니시를 얻었다.To this, 100 parts by mass of a phenoxy resin (manufactured by Gabriel Phenoxies, trade name "PKHH"), 0.4 parts by mass (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., trade name "KBM-802") as a coupling agent, and a curing accelerator (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. make, brand name "Cure Sol 2PHZ-PW") 0.5 mass part was added, and it stirred and mixed until it became uniform. Further, the varnish of adhesive composition c-1A was obtained by filtering this with a 100-mesh filter and vacuum defoaming.

<실시예 1><Example 1>

이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터에 이 제1 점착제층의 점착제 조성물 A를 건조 후의 두께가 5㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 기재 필름 A와 접합하여, 기재 필름 A 상에 제1 점착제층이 형성된 점착 시트 A를 제작하였다.On a separator made of a long polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment, the pressure-sensitive adhesive composition A of the first pressure-sensitive adhesive layer was coated to a thickness of 5 μm after drying, dried at 110° C. for 3 minutes, and bonded to the base film A. , A pressure-sensitive adhesive sheet A having a first pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film A was produced.

다음에, 이형 처리한 커트 시트형의 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터에 이 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A를 건조 후의 두께가 10㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름과 접합하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 제2 점착제층이 형성된 점착 시트 B를 복수 제작하였다.Next, the pressure-sensitive adhesive composition A of the second pressure-sensitive adhesive layer is applied to a separator made of a cut sheet-type polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment so that the thickness after drying is 10 μm, and dried at 110 ° C. for 3 minutes, It bonded with the polyethylene terephthalate film which carried out the peeling process, and the adhesive sheet B in which the 2nd adhesive layer was formed on the polyethylene terephthalate film was produced in multiple numbers.

또한, 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 기재 테이프에, 접착제 조성물 A를, 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 5분간 건조시켜, 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름 상에 접착제층이 형성된 접착 필름을 제작하였다. 그 후, 접착제층을 직경 320㎜의 원형으로 커트하고, 그 접착제층측의 면에 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 접합하였다.Further, the adhesive composition A was coated on a substrate tape made of a long polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment so that the thickness after drying was 30 μm, dried at 110° C. for 5 minutes, and the adhesive was applied on the polyethylene-terephthalate film. A layered adhesive film was prepared. Then, the adhesive layer was cut into a circular shape with a diameter of 320 mm, and a separator made of a long polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment was bonded to the surface on the adhesive layer side.

다음에, 점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 308㎜의 원형으로 커트하였다. 그리고, 점착 시트 A로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 노출된 제1 점착제층 상에 점착 시트 B의 제2 점착제층을 등간격으로 복수 접합하고, 새롭게 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 제2 점착제층측의 면에 접합하여, 점착 테이프를 얻었다.Next, the second PSA layer of PSA sheet B was cut into a circular shape with a diameter of 308 mm. Then, the polyethylene terephthalate film is peeled off from the pressure-sensitive adhesive sheet A, and a plurality of second pressure-sensitive adhesive layers of the pressure-sensitive adhesive sheet B are bonded at regular intervals on the exposed first pressure-sensitive adhesive layer, and a new release-treated long polyethylene-terephthalate film is included. A separator to be said was bonded to the surface on the side of the second pressure-sensitive adhesive layer to obtain an adhesive tape.

다음에, 접착 필름으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 박리하고, 점착 테이프의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 노출된 제2 점착제층의 중심과 접착제층의 중심이 겹치도록 접합하였다.Next, the separator made of the polyethylene-terephthalate film was peeled off from the adhesive film, the polyethylene terephthalate film of the adhesive tape was peeled off, and the center of the exposed second pressure-sensitive adhesive layer and the center of the adhesive layer were bonded so that they overlapped.

그 후, 기재 필름 및 제1 점착제층을 직경 370㎜의 원형으로 커트하여 실시예 1에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.After that, the base film and the first pressure-sensitive adhesive layer were cut into a circular shape having a diameter of 370 mm to prepare a sample of the tape for semiconductor processing according to Example 1.

<실시예 2><Example 2>

점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 B 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Example 2 was produced in the same manner as in Example 1, except that the pressure-sensitive adhesive composition B of the point-2 pressure-sensitive adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive composition A of the point-2 pressure-sensitive adhesive layer.

<실시예 3><Example 3>

점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 C 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive composition C of the point-2 pressure-sensitive adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive composition A of the point-2 pressure-sensitive adhesive layer.

<실시예 4><Example 4>

점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 D 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Example 4 was produced in the same manner as in Example 1, except that the pressure-sensitive adhesive composition D of the point-sensitive adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive composition A of the second pressure-sensitive adhesive layer.

<실시예 5><Example 5>

점 제2 점착제층의 점착제 조성물 A 대신에 점 제2 점착제층의 점착제 조성물 E 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Example 5 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the pressure-sensitive adhesive composition E of the second pressure-sensitive adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive composition A of the second pressure-sensitive adhesive layer.

<실시예 6><Example 6>

점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 290㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 6에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Example 6 was prepared in the same manner as in Example 2, except that the second pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet B was cut into a circular shape having a diameter of 290 mm.

<비교예 1><Comparative Example 1>

점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1, except that the second PSA layer of PSA sheet B was cut into a circular shape with a diameter of 321 mm.

<비교예 2><Comparative Example 2>

점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 비교예 2에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 2 was produced in the same manner as in Example 2, except that the second PSA layer of PSA sheet B was cut into a circular shape with a diameter of 321 mm.

<비교예 3><Comparative Example 3>

점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 3 was prepared in the same manner as in Example 3, except that the second PSA layer of PSA sheet B was cut into a circular shape with a diameter of 321 mm.

<비교예 4><Comparative Example 4>

점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 4와 마찬가지로 하여, 비교예 4에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 4 was prepared in the same manner as in Example 4, except that the second PSA layer of PSA sheet B was cut into a circular shape with a diameter of 321 mm.

<비교예 5><Comparative Example 5>

점착 시트 B의 제2 점착제층을 직경 321㎜의 원형으로 커트한 것 이외는 실시예 5와 마찬가지로 하여, 비교예 5에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.A sample of the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 5 was produced in the same manner as in Example 5, except that the second PSA layer of PSA sheet B was cut into a circular shape with a diameter of 321 mm.

<비교예 6><Comparative Example 6>

이형 처리한 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터에 이 제2 점착제층의 점착제 조성물 B를 건조 후의 두께가 15㎛가 되도록 도공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 기재 필름 A와 접합하여, 기재 필름 A 상에 제2 점착제층이 형성된 점착 시트 C를 제작하였다.Apply the pressure-sensitive adhesive composition B of the second pressure-sensitive adhesive layer to a separator made of a polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment so that the thickness after drying is 15 μm, and after drying at 110 ° C. for 3 minutes, bonded to the base film A, A pressure-sensitive adhesive sheet C having a second pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film A was produced.

또한, 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 기재 테이프에, 접착제 조성물 A를, 건조 후의 두께가 30㎛로 되도록 도공하고, 110℃에서 5분간 건조시켜, 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름 상에 접착제층이 형성된 접착 필름을 제작하였다. 그 후, 접착제층을 직경 320㎜의 원형으로 커트하고, 그 접착제층측의 면에 이형 처리한 긴 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 접합하였다.Further, the adhesive composition A is applied to a substrate tape made of a long polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment so that the thickness after drying is 30 μm, and dried at 110° C. for 5 minutes to form an adhesive on the polyethylene-terephthalate film. A layered adhesive film was prepared. Then, the adhesive layer was cut into a circular shape with a diameter of 320 mm, and a separator made of a long polyethylene-terephthalate film subjected to release treatment was bonded to the surface on the adhesive layer side.

다음에, 접착 필름으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이터를 박리하고, 점착 테이프의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 노출된 제2 점착제층의 중심과 접착제층의 중심이 겹치도록 접합하였다.Next, the separator made of the polyethylene-terephthalate film was peeled off from the adhesive film, the polyethylene terephthalate film of the adhesive tape was peeled off, and the center of the exposed second pressure-sensitive adhesive layer and the center of the adhesive layer were bonded so that they overlapped.

그 후, 기재 필름 및 제2 점착제층을 직경 370㎜의 원형으로 커트하여 비교예 6에 관한 반도체 가공용 테이프의 샘플을 제작하였다.Thereafter, the base film and the second pressure-sensitive adhesive layer were cut into a circular shape having a diameter of 370 mm to prepare a sample of the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 6.

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 테이프에 대하여, 이하의 평가를 행하였다. 그 평가 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluation was performed about the tape for semiconductor processing obtained by the said Example and comparative example. The evaluation results are shown in Table 1.

〔SUS면 박리력 측정〕[SUS surface peel force measurement]

실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 5에 관한 반도체 가공용 테이프에 사용한 각 점착 시트 A로부터 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하고, 그것들을 JIS R 6253에 규정하는 280번의 내수 연마지로 마무리한 JIS G 4305에 규정하는 두께 1.5㎜ 내지 2.0㎜의 SUS304 강판 상에 접착한 후, 2kg의 고무 롤러를 3왕복하여 압착하고, 1시간 방치 후, 측정값이 그 용량의 15 내지 85％의 범위에 들어가는 JIS B 7721에 적합한 인장 시험기를 사용하여 제1 점착제층의 점착력을 측정하였다. 측정은, 180° 박리법에 의한 것으로 하고, 이때의 인장 속도는 300㎜/min으로 하였다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50％였다. 또한, 각 점착 시트 B의 제2 점착제층을, 점착 시트 A로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하여 노출된 제1 점착제층에 접합하고, 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 제2 점착제층으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하여, 상기와 마찬가지로 하여 제2 점착제층의 점착력을 측정하였다. 또한, 점착 시트 C로부터 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 제2 점착제층으로부터 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 박리하여, 상기와 마찬가지로 하여 제2 점착제층의 점착력을 측정하였다. Three test pieces with a width of 25 mm and a length of 300 mm were taken from each of the adhesive sheets A used for the semiconductor processing tapes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5, the polyethylene-terephthalate film was peeled off, and JIS was obtained. After bonding on a SUS304 steel plate with a thickness of 1.5 mm to 2.0 mm specified in JIS G 4305 finished with No. 280 water-resistant abrasive paper specified in R 6253, pressed with a 2 kg rubber roller 3 times, left for 1 hour, and then measured. The adhesive strength of the first pressure-sensitive adhesive layer was measured using a tensile tester conforming to JIS B 7721 whose value falls within the range of 15 to 85% of its capacity. The measurement was made by the 180° peeling method, and the tensile speed at this time was 300 mm/min. The measurement temperature was 23°C and the measurement humidity was 50%. Further, the second pressure-sensitive adhesive layer of each pressure-sensitive adhesive sheet B was bonded to the first pressure-sensitive adhesive layer exposed by peeling the polyethylene-terephthalate film from pressure-sensitive adhesive sheet A, and 3 test pieces having a width of 25 mm and a length of 300 mm were taken, The polyethylene-terephthalate film was peeled off from the second pressure sensitive adhesive layer, and the adhesive force of the second pressure sensitive adhesive layer was measured in the same manner as above. Further, three test pieces having a width of 25 mm and a length of 300 mm were taken from the pressure-sensitive adhesive sheet C, the polyethylene-terephthalate film was peeled from the second pressure-sensitive adhesive layer, and the adhesive force of the second pressure-sensitive adhesive layer was measured in the same manner as above.

〔접착제층 박리 평가〕[Adhesive layer peeling evaluation]

접합 장치(Disco사제, 상품명: DFM2700)를 사용하여, 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프로부터 기재 테이프를 박리하고, 노출된 접착제층에 두께 100㎛, 직경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를 접합하였다. 실리콘 웨이퍼를 접합한 후의 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프에 대하여, 접착제층의 박리의 유무를 확인하였다. 접착제층에 주름이 발생하지 않고 깨끗하게 실리콘 웨이퍼에 접합된 것을 양품으로서 「○」, 실리콘 웨이퍼에 대한 접합 시, 점착 테이프로부터 접착제층이 박리된 결과, 접착제층에 주름이 발생한 상태에서 실리콘 웨이퍼에 접합된 것을 불량품으로서 「×」로 평가하였다.Using a bonding device (manufactured by Disco, trade name: DFM2700), the substrate tape was peeled off from the tape for semiconductor processing according to Examples and Comparative Examples, and a silicon wafer having a thickness of 100 μm and a diameter of 300 mm was bonded to the exposed adhesive layer. With respect to the tapes for semiconductor processing according to Examples and Comparative Examples after bonding silicon wafers, the presence or absence of peeling of the adhesive layer was confirmed. A product that was bonded to the silicon wafer cleanly without wrinkles on the adhesive layer was designated as a good product. When bonding to the silicon wafer, as a result of the adhesive layer being peeled off from the adhesive tape, the adhesive layer was bonded to the silicon wafer with wrinkles. What was done was evaluated as "x" as a defective product.

〔픽업성 평가〕[Evaluation of pickup properties]

상술한 실리콘 웨이퍼에 접합한 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프에 대하여, 다이싱 장치(Disco제 DFD6340)를 사용하여 실리콘 웨이퍼 및 접착제층을 15㎜×15㎜ 사이즈로 다이싱한 것과, 0.5㎜×0.5㎜ 사이즈로 다이싱한 것을 각각 준비하고, 다이스 피커 장치(캐논 머시너리사제, 상품명: CAP-300II)에 의한 픽업 시험을 행하였다.Regarding the semiconductor processing tapes according to Examples and Comparative Examples bonded to the silicon wafer described above, the silicon wafer and the adhesive layer were diced into a size of 15 mm × 15 mm using a dicing device (DFD6340 manufactured by Disco), and 0.5 What was diced into a mm × 0.5 mm size was prepared, respectively, and a pick-up test was conducted using a die picker (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd., trade name: CAP-300II).

픽업 조건은 이하와 같다.Pickup conditions are as follows.

·한 변이 0.5㎜인 정사각형으로 다이싱한 것Diced into a square with a side of 0.5 mm

밀어올림 핀 형상: 반경 0.45㎜, 선단 곡률 반경 R=0.15㎜Push-up pin shape: radius 0.45mm, tip curvature radius R=0.15mm

핀 밀어올림 높이: 50㎛Pin push-up height: 50㎛

핀 밀어올림 스피드: 10㎜/secPin push speed: 10 mm/sec

콜릿 형상: 0.4㎜□Collet shape: 0.4 mm □

익스팬드 확장량: 10㎜Expand expansion amount: 10 mm

링 프레임: DISCO사제 형식 DTF-2-6-1(SUS420J2제)Ring frame: Model DTF-2-6-1 manufactured by DISCO (made by SUS420J2)

·한 변이 15㎜인 정사각형으로 다이싱한 것Diced into a square with a side of 15 mm

밀어올림 핀 형상: 반경 0.45㎜, 선단 곡률 반경 R=0.35㎜Push-up pin shape: radius 0.45mm, tip curvature radius R=0.35mm

핀 밀어올림 높이: 350㎛Pin push-up height: 350㎛

핀 밀어올림 스피드: 10㎜/secPin push speed: 10 mm/sec

콜릿 형상: 14㎜□Collet shape: 14 mm square

익스팬드 확장량: 10㎜Expand expansion amount: 10 mm

링 프레임: DISCO사제 형식 DTF-2-6-1(SUS420J2제)Ring frame: Model DTF-2-6-1 manufactured by DISCO (made by SUS420J2)

상기 조건에서 개편화된 칩을 50개 픽업하여, 픽업 성부를 확인하였다. 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 모든 칩에 대하여 픽업 가능하였던 것을 양품으로서 「○」, 한 변이 15㎜인 정사각형에서는 칩이 1개 이상 점착제층 상에 남아 픽업이 불가능하였지만, 한 변이 0.5㎜인 정사각형에서는 모든 칩에 대하여 픽업 가능하였던 것을 허용품으로서 「△」, 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 칩이 1개라도 점착제층 상에 남아 픽업이 불가능하였지만, 픽업이 불가능하였던 칩은 실리콘 웨이퍼의 주연부에 있어서의 제2 점착제층이 존재하지 않는 부분에 대응하는 개소에 위치하는 칩만으로, 주연부 이외에 위치하는 칩에 대해서는 모두 픽업 가능하였던 것을 허용품으로서 「△△」, 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 칩이 1개라도 점착제층 상에 남아 픽업이 불가능하였던 것을 「×」로 평가하였다.Fifty pieces of chip fragmented under the above conditions were picked up to confirm whether the pick-up was successful. “○” is a good product for all chips that can be picked up for both a square with a side of 15 mm and a square with a side of 0.5 mm, and one or more chips remain on the adhesive layer in a square with a side of 15 mm, making it impossible to pick up. However, in a square with a side of 0.5 mm, pick-up was possible for all chips, as an acceptable product, "Δ", even one chip remained on the adhesive layer in both a square with a side of 15 mm and a square with a side of 0.5 mm. Although it was impossible to pick up, the chips that could not be picked up were only the chips located at the part corresponding to the part where the second adhesive layer did not exist in the periphery of the silicon wafer, and it was permitted that all chips located outside the periphery could be picked up. As an article, “ΔΔ” was evaluated as “×” for products in which even one chip remained on the adhesive layer and could not be picked up in both a square with a side of 15 mm and a square with a side of 0.5 mm.

〔칩 비산 평가〕[Evaluation of chip scattering]

픽업성 평가 시험을 행하였을 때, 칩의 비산의 유무를 눈으로 확인하였다. 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 모든 칩에 대하여 칩의 비산이 없었던 것을 양품으로서 「○」, 한 변이 0.5㎜인 정사각형에서는 1개 이상의 칩의 비산이 있었지만, 한 변이 15㎜인 정사각형에서는 칩의 비산이 없었던 것을 허용품으로서 「△」, 한 변이 15㎜인 정사각형 및 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 양쪽에서 칩의 비산이 있었던 것을 「×」로 평가하였다.When the pick-up property evaluation test was conducted, the presence or absence of chip scattering was visually confirmed. All chips in both a square with a side of 15 mm and a square with a side of 0.5 mm had no chip scattering as a good product, as "○". In a square with a side of 0.5 mm, one or more chips were scattered, but one side was not. In a square of 15 mm, those with no scattering of chips were evaluated as "Δ" as an acceptable product, and those with scattering of chips on both sides of a square with a side of 15 mm and a square with a side of 0.5 mm were evaluated as "x".

〔링 프레임 박리 평가〕[Evaluation of ring frame peeling]

픽업성 평가 시험을 한 후의 실시예 및 비교예에 관한 반도체 가공용 테이프에 대하여, 링 프레임으로부터의 박리의 유무를 확인하였다. 링 프레임으로부터의 박리가 없었던 것을 양품으로서 「○」, 링 프레임에 접합되어 있는 부분의 1/4 미만이 박리된 것을 허용품으로서 「△」, 점착 테이프에 있어서 링 프레임에 접합되어 있는 부분의 1/4 이상이 박리된 것을 불량품으로서 「×」로 평가하였다.The presence or absence of peeling from the ring frame was confirmed about the tapes for semiconductor processing according to Examples and Comparative Examples after carrying out the pick-up property evaluation test. A product with no peeling from the ring frame was rated “○” as a good product, and a product with less than 1/4 of the portion bonded to the ring frame peeled off was “Δ” as an acceptable product, and one portion of the adhesive tape bonded to the ring frame What peeled off /4 or more was evaluated as "x" as a defective product.

Figure 112021094996060-pct00003
Figure 112021094996060-pct00003

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 6에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제1 점착제층의 점착력이 제2 점착제층의 점착력보다도 크고, 접착제층의 평면 형상은 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 제1 점착제층의 평면 형상은 접착제층의 평면 형상보다 크고, 제2 점착제층의 주변부에서 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있기 때문에, 링 프레임 박리 평가 및 접착제층 박리 평가의 양쪽에 있어서 양호한 결과가 되었다. 또한, 실시예 1 내지 3에 관한 반도체 가공용 테이프는, 23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 제2 점착제층의 점착력은, 0.1 내지 0.6N/25㎜이고, 제1 점착제층의 점착력은, 1 내지 10N/25㎜이기 때문에, 픽업성 평가 및 칩 비산 평가에 있어서도 양호한 결과가 되었다. 실시예 4에 관한 반도체 가공용 테이프는, SUS304면에 대한 제2 점착제층의 점착력 0.1N/25㎜ 미만이기 때문에, 한 변이 0.5㎜인 정사각형의 칩에 있어서 칩 비산이 발생하였지만, 허용 범위였다. 실시예 5에 관한 반도체 가공용 테이프는, SUS304면에 대한 제2 점착제층의 점착력 0.6N/25㎜ 초과이기 때문에, 한 변이 15㎜인 정사각형의 칩에 있어서 픽업 불량이 발생하였지만, 허용 범위였다. 실시예 6에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제2 점착제층의 직경이 실리콘 웨이퍼의 직경 이하이고, 실리콘 웨이퍼의 주연부 이외에 위치하는 칩에 대해서는 모두 픽업 가능하였지만, 주연부에 있어서의 제2 점착제층이 존재하지 않는 부분에 대응하는 개소에 위치하는 칩에 있어서 픽업 불량이 발생하였다.As shown in Table 1, in the tapes for semiconductor processing according to Examples 1 to 6, the adhesive force of the first adhesive layer is greater than that of the second adhesive layer, and the planar shape of the adhesive layer is greater than that of the second adhesive layer. , The planar shape of the first pressure sensitive adhesive layer is larger than the planar shape of the adhesive layer, and since the first pressure sensitive adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other at the periphery of the second pressure sensitive adhesive layer, in both the ring frame peeling evaluation and the adhesive layer peeling evaluation. It turned out to be a good result. In the semiconductor processing tapes according to Examples 1 to 3, the adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer to the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH is , 0.1 to 0.6 N/25 mm, and since the adhesive strength of the first pressure-sensitive adhesive layer was 1 to 10 N/25 mm, good results were obtained also in pick-up property evaluation and chip scattering evaluation. Since the adhesive force of the second adhesive layer to the SUS304 surface was less than 0.1 N/25 mm in the tape for semiconductor processing according to Example 4, chip scattering occurred in a square chip having a side of 0.5 mm, but it was within an acceptable range. Since the tape for semiconductor processing according to Example 5 had an adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer to the SUS304 surface of more than 0.6 N/25 mm, pick-up failure occurred in a square chip having a side of 15 mm, but it was within the acceptable range. In the tape for semiconductor processing according to Example 6, the diameter of the second pressure sensitive adhesive layer was less than or equal to the diameter of the silicon wafer, and all chips located outside the periphery of the silicon wafer could be picked up, but the second pressure sensitive adhesive layer at the periphery was not present. A pick-up defect occurred in a chip located at a location corresponding to the missing portion.

비교예 1 내지 5에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제2 점착제층의 평면 형상이 접착제층의 평면 형상이 보다 크기 때문에, 접착제층 박리 평가에 있어서 뒤떨어지는 결과가 되었다. 또한, 비교예 6에 관한 반도체 가공용 테이프는, 제2 점착제층의 점착력보다도 큰 점착력을 갖는 제1 점착제층이 형성되어 있지 않기 때문에, 링 프레임 박리 평가 및 접착제층 박리 평가의 양쪽에 있어서 뒤떨어지는 결과가 되었다.Since the planar shape of the second adhesive layer was larger than that of the adhesive layer, the tapes for semiconductor processing according to Comparative Examples 1 to 5 were inferior in adhesive layer peeling evaluation. In addition, since the tape for semiconductor processing according to Comparative Example 6 does not have a first pressure sensitive adhesive layer having an adhesive force greater than that of the second pressure sensitive adhesive layer, the result is inferior to both the ring frame peeling evaluation and the adhesive layer peeling evaluation. has become

1: 반도체 가공용 테이프
2: 기재 테이프
3: 접착제층
4: 점착 테이프
41: 기재 필름
42: 제1 점착제층
43: 제2 점착제층
15: 지지 부재
W: 반도체 웨이퍼
R: 링 프레임
C: 반도체 칩1: tape for semiconductor processing
2: base tape
3: adhesive layer
4: adhesive tape
41: base film
42: first adhesive layer
43: second adhesive layer
15: support member
W: semiconductor wafer
R: ring frame
C: semiconductor chip

Claims (6)

기재 필름, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 마련되고,
상기 제2 점착제층의 상기 기재 필름 및 상기 제1 점착제층과는 반대측의 면에는, 접착제층이 마련되고,
상기 제2 점착제층은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형이고,
상기 제1 점착제층의 점착력은, 상기 제2 점착제층의 점착력보다도 크고,
상기 제1 점착제층, 상기 제2 점착제층 및 상기 접착제층은, 각각 평면 형상을 갖고,
상기 접착제층의 평면 형상은 상기 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제1 점착제층의 평면 형상은 상기 접착제층의 평면 형상보다 크고,
상기 제2 점착제층의 주변부에서 상기 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있고,
23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제2 점착제층의 점착력은, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.A base film, a first pressure-sensitive adhesive layer, and a second pressure-sensitive adhesive layer are provided in this order,
An adhesive layer is provided on a surface of the second pressure-sensitive adhesive layer opposite to the base film and the first pressure-sensitive adhesive layer,
The second pressure-sensitive adhesive layer is of a radiation non-curing type that is not cured by radiation,
The adhesive strength of the first pressure-sensitive adhesive layer is greater than the adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer,
The first pressure-sensitive adhesive layer, the second pressure-sensitive adhesive layer, and the adhesive layer each have a planar shape,
The planar shape of the adhesive layer is larger than the planar shape of the second pressure sensitive adhesive layer, the planar shape of the first pressure sensitive adhesive layer is larger than the planar shape of the adhesive layer,
The first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other at the periphery of the second pressure-sensitive adhesive layer,
Under conditions of 23 ° C. and 50% RH, the adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer to the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is 0.1 to 0.6 N / 25 mm. Tape for semiconductor processing. 기재 필름, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 이 순으로 마련되고,
상기 제2 점착제층의 상기 기재 필름 및 상기 제1 점착제층과는 반대측의 면에는, 접착제층이 마련되고,
상기 제2 점착제층은, 방사선의 조사에 의해 경화되는 방사선 경화형이고, 또한 방사선의 조사에 의한 경화 전의 상태이고,
상기 제1 점착제층의 점착력은, 상기 제2 점착제층의 점착력보다도 크고,
상기 제1 점착제층, 상기 제2 점착제층 및 상기 접착제층은, 각각 평면 형상을 갖고,
상기 접착제층의 평면 형상은 상기 제2 점착제층의 평면 형상보다 크고, 상기 제1 점착제층의 평면 형상은 상기 접착제층의 평면 형상보다 크고,
상기 제2 점착제층의 주변부에서 상기 제1 점착제층과 상기 접착제층이 접하고 있고,
23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제2 점착제층의 점착력은, 0.1 내지 0.6N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.A base film, a first pressure-sensitive adhesive layer, and a second pressure-sensitive adhesive layer are provided in this order,
An adhesive layer is provided on a surface of the second pressure-sensitive adhesive layer opposite to the base film and the first pressure-sensitive adhesive layer,
The second pressure-sensitive adhesive layer is a radiation curable type that is cured by irradiation of radiation, and is in a state before curing by irradiation of radiation,
The adhesive strength of the first pressure-sensitive adhesive layer is greater than the adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer,
The first pressure-sensitive adhesive layer, the second pressure-sensitive adhesive layer, and the adhesive layer each have a planar shape,
The planar shape of the adhesive layer is larger than the planar shape of the second pressure sensitive adhesive layer, the planar shape of the first pressure sensitive adhesive layer is larger than the planar shape of the adhesive layer,
The first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other at the periphery of the second pressure-sensitive adhesive layer,
Under conditions of 23 ° C. and 50% RH, the adhesive strength of the second pressure-sensitive adhesive layer to the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is 0.1 to 0.6 N / 25 mm. Tape for semiconductor processing. 제1항 또는 제2항에 있어서,
23℃, 50％RH의 조건 하, 박리 각도 180도, 박리 속도 300㎜/min에 있어서의, SUS304면에 대한 상기 제1 점착제층의 점착력은, 1 내지 10N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.According to claim 1 or 2,
The adhesive strength of the first pressure sensitive adhesive layer to the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH is 1 to 10 N/25 mm. processing tape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 점착제층은, 방사선의 조사에 의해 경화되지 않는 방사선 비경화형인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.According to claim 1 or 2,
The first adhesive layer is a tape for semiconductor processing, characterized in that it is of a radiation non-curing type that is not cured by irradiation of radiation. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 점착제층의 평면 형상은, 상기 접착제층에 접합되는 반도체 웨이퍼보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.According to claim 1 or 2,
A tape for semiconductor processing, characterized in that the planar shape of the second pressure-sensitive adhesive layer is larger than that of the semiconductor wafer bonded to the adhesive layer.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119641A (en) 2010-12-03 2012-06-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
JP2012174785A (en) 2011-02-18 2012-09-10 Hitachi Chem Co Ltd Dicing tape integrated adhesive sheet and semiconductor device using the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4430085B2 (en) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 Dicing die bond film
JP4717085B2 (en) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 Dicing die bond film
TW201043674A (en) * 2009-04-17 2010-12-16 Furukawa Electric Co Ltd Adhesive thin film and wafer processing tape
KR101083959B1 (en) * 2010-02-01 2011-11-16 닛토덴코 가부시키가이샤 Film for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device
JP2011174042A (en) * 2010-02-01 2011-09-08 Nitto Denko Corp Film for producing semiconductor device and method for producing semiconductor device
CN102250555B (en) * 2010-05-17 2015-04-01 古河电气工业株式会社 Belt for wafer processing
WO2012008491A1 (en) * 2010-07-13 2012-01-19 日立化成工業株式会社 Dicing / die bonding integral film, dicing / die bonding integral film manufacturing method, and semiconductor chip manufacturing method
JP2012033637A (en) 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp Dicing tape integrated semiconductor rear face film, and method of manufacturing semiconductor device
WO2016152919A1 (en) * 2015-03-24 2016-09-29 古河電気工業株式会社 Semiconductor processing tape
JP6914698B2 (en) * 2017-03-31 2021-08-04 リンテック株式会社 Composite sheet for resin film formation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119641A (en) 2010-12-03 2012-06-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
JP2012174785A (en) 2011-02-18 2012-09-10 Hitachi Chem Co Ltd Dicing tape integrated adhesive sheet and semiconductor device using the same

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