KR102518510B1 - Thin film for ECM, method of fabricating of the same, and embedded capacitor using the same - Google Patents
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Abstract
ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터가 제공된다. 상기 ECM용 박막 필름의 제조 방법은, 유전 필름을 준비하는 단계, 제1 금속 화합물 입자, 및 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 수지 소스물질을 준비하는 단계, 상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름의 제1 면 상에 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계, 상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름의 제2 면 상에 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계, 제1 금속 호일을 상기 제1 코팅층과 열합지시키는 단계, 및 제2 금속 호일을 상기 제2 코팅층과 열합지시키는 단계를 포함할 수 있다.A thin film for ECM, a manufacturing method thereof, and an embedded capacitor manufactured using the same are provided. The method of manufacturing the thin film for ECM may include preparing a dielectric film, preparing a resin source material including first metal compound particles and second metal compound particles, and applying the resin source material to the dielectric film. coating on one side to form a first coating layer, coating the resin source material on the second side of the dielectric film to form a second coating layer, and thermally bonding a first metal foil to the first coating layer. and thermally bonding a second metal foil to the second coating layer.
Description
본 출원은 ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 고유전율의 ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터에 관련된 것이다. The present application relates to a thin film for ECM, a method for manufacturing the same, and an embedded capacitor manufactured using the same, and more particularly, to a thin film for ECM having a high permittivity, a method for manufacturing the same, and an embedded capacitor manufactured using the same. it is related
커패시터는 전하를 축적하는 것을 목적으로 하여 만들어진 전기회로의 소자로서, 기본적인 구조는 유전체(誘電體)와 이것을 사이에 끼는 전극으로 이루어지며, 여기에 전극인출 단자(端子)를 달고 전체를 적당한 틀에 채우거나 수지성형(俊脂成形)을 한다. 전하를 어느 정도로 잘 축적할 수 있는가를 나타내는 값을 그 커패시터의 정전기용량(capacitance)이라 한다.A capacitor is an element of an electric circuit made for the purpose of accumulating electric charge. The basic structure is composed of a dielectric and an electrode interposed therebetween. Fill or resin molding. The value that indicates how well it can store charge is called the capacitance of the capacitor.
커패시터의 정전기용량은 전극의 넓이 및 전극 사이에 삽입한 유전체의 비유전율(比誘電率)에 비례하고, 전극간 거리에 반비례한다. 따라서 단위 부피당 정전기용량을 크게 하기 위해 비유전율이 큰 재료의 선택, 보다 얇은 유전체의 사용, 구조면에서의 연구(적층구조, 전극표면의 요철화 등)에 의한 전극의 대면적화 등의 방법이 쓰이고 있다The capacitance of a capacitor is proportional to the width of the electrodes and the dielectric constant of the dielectric inserted between the electrodes, and is inversely proportional to the distance between the electrodes. Therefore, in order to increase the electrostatic capacity per unit volume, methods such as selection of materials with high relative permittivity, use of thinner dielectrics, and large-area electrodes by structural research (layered structure, unevenness of the electrode surface, etc.) are used. there is
커패시터에 직류전압을 걸면 각 전극에는 걸린 전압의 극성(極性)에 따라, 또한 그 전압과 정전기용량에 비례하여, 전하가 거의 순간적으로 축적되어 전원으로부터 전류로서 공급된다. 따라서 회로에는 과도적(過渡的)인 전류는 흐르지만 정상적인 전류는 흐르지 않는다. 한편 교류전압을 커패시터에 걸었을 경우에는, 직류를 걸었을 때 생기는 순간적인 충전현상이 그 전극의 극성변화에 따라 변화하므로 커패시터의 전극에는 끊임없이 전류가 흘러들게 된다. 그리하여 단위시간에 전극으로 출입하는 전하량은 정전기용량이 클수록, 또 극성의 전환속도, 즉 주파수가 높을수록 비례적으로 많아진다.When DC voltage is applied to the capacitor, electric charges are accumulated almost instantaneously in each electrode according to the polarity of the applied voltage and in proportion to the voltage and electrostatic capacitance, and then supplied as current from the power supply. Therefore, transient current flows in the circuit, but normal current does not flow. On the other hand, when AC voltage is applied to the capacitor, the instantaneous charging phenomenon that occurs when DC is applied changes according to the change in polarity of the electrode, so current continuously flows into the capacitor electrode. Thus, the amount of charge entering and leaving the electrode in unit time increases proportionally as the capacitance increases and the polarity conversion speed, that is, the frequency increases.
전기, 전자기기용부품으로서 개발·실용화되고 있는 커패시터에는 각종 유전체 재료를 사용하는데, 사용재료의 특징을 살리는 구조로 제작하는 것이 일반적이다. 구조면으로 크게 나누어 보면, 종이커패시터처럼 띠모양의 유전체와 전극박을 겹쳐 돌돌만 두루마리형 커패시터, 원판모양이나 원통·각판모양의 자기질(磁器質) 유전체의 양면에 은(銀) 전극을 단 단판형커패시터, 운모커패시터처럼 유전체와 전극을 번갈아 쌓아올린 적층형커패시터, 유전체막을 화학적으로 생성하여 단위부피당 용량을 크게 한 전해 커패시터 등 4종류가 있다. 이 밖에 가변용량 구조의 가변커패시터가 있는데, 이것은 어떤 범위에 걸쳐 인위적으로 정전기용량을 연속적으로 변할 수 있게 한 것이다.Various dielectric materials are used for capacitors that are being developed and put into practical use as components for electrical and electronic devices, but it is common to manufacture them with a structure that takes advantage of the characteristics of the materials used. Broadly divided in terms of structure, it is a roll-type capacitor in which a strip-shaped dielectric and electrode foil are overlapped like a paper capacitor, and a silver electrode is attached to both sides of a disc-shaped, cylindrical, or rectangular plate-shaped porcelain dielectric. There are four types: plate capacitors, multilayer capacitors in which dielectrics and electrodes are alternately stacked like mica capacitors, and electrolytic capacitors in which the capacity per unit volume is increased by chemically generating a dielectric film. In addition, there is a variable capacitor with a variable capacitance structure, which allows the capacitance to be continuously changed artificially over a certain range.
하지만, 이러한 기존의 기술에 문제점 및 한계점이 지속적으로 발견됨에 따라, 이를 해결하기 위한 다양한 커패시터 기술들이 연구 및 개발되고 있다. However, as problems and limitations are continuously discovered in these existing technologies, various capacitor technologies are being researched and developed to solve them.
본 출원이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터를 제공하는 데 있다. One technical problem to be solved by the present application is to provide a thin film for ECM, a manufacturing method thereof, and an embedded capacitor manufactured using the same.
본 출원이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 제조 공정이 간소화된 ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터를 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present application is to provide a thin film for ECM with a simplified manufacturing process, a manufacturing method thereof, and an embedded capacitor manufactured using the same.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제조 비용이 저렴한 ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터를 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present application is to provide a thin film for ECM with low manufacturing cost, a manufacturing method thereof, and an embedded capacitor manufactured using the same.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 대량 생산이 용이한 ECM용 박막 필름, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 임베디드 커패시터를 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present application is to provide a thin film for ECM that can be easily mass-produced, a manufacturing method thereof, and an embedded capacitor manufactured using the same.
본 출원이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다. The technical problem to be solved by the present application is not limited to the above.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 출원은 박막 필름의 제조 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present application provides a method for manufacturing a thin film.
일 실시 예에 따르면, 상기 박막 필름의 제조 방법은, 유전 필름을 준비하는 단계, 제1 금속 화합물 입자, 및 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 수지 소스물질을 준비하는 단계, 상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름의 제1 면 상에 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계, 상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름의 제2 면 상에 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계, 제1 금속 호일을 상기 제1 코팅층과 열합지시키는 단계, 및 제2 금속 호일을 상기 제2 코팅층과 열합지시키는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the method of manufacturing the thin film may include preparing a dielectric film, preparing a resin source material including first metal compound particles and second metal compound particles, and preparing the resin source material as described above. coating a first surface of the dielectric film to form a first coating layer; coating the resin source material on a second surface of the dielectric film to form a second coating layer; coating a first metal foil onto the first surface of the dielectric film; It may include thermally bonding the coating layer and thermally bonding the second metal foil to the second coating layer.
일 실시 예에 따르면, 상기 수지 소스물질은, 제1 용매 및 제2 용매가 혼합된 혼합 용매에, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 분산된 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the resin source material may include a dispersion of the first metal compound particles and the second metal compound particles in a mixed solvent in which a first solvent and a second solvent are mixed.
일 실시 예에 따르면, 상기 박막 필름의 제조 방법은, 제1 금속 호일 및 제2 금속 호일을 준비하는 단계, 상기 제1 금속 호일 상에, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 분사하여, 제1 코팅층을 형성하는 단계, 상기 제1 코팅층 상에, 수지층을 형성하는 단계, 상기 제2 금속 호일 상에, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여, 제2 코팅층을 형성하는 단계, 상기 제2 코팅층과 상기 수지층이 접합되도록, 상기 제2 코팅층이 형성된 상기 제2 금속 호일과 상기 제1 코팅층이 형성된 상기 제1 금속 호일을 합지시키는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the method of manufacturing the thin film may include preparing a first metal foil and a second metal foil, spraying first metal compound particles and second metal compound particles onto the first metal foil, and , forming a first coating layer, forming a resin layer on the first coating layer, spraying the first metal compound particles and the second metal compound particles on the second metal foil, Forming a coating layer may include laminating the second metal foil formed with the second coating layer and the first metal foil formed with the first coating layer so that the second coating layer and the resin layer are bonded. .
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층은, 바인더 없이, 상기 제1 금속 호일 및 상기 제2 금속 호일 상에 각각 형성되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first coating layer and the second coating layer may include being formed on the first metal foil and the second metal foil, respectively, without a binder.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 화합물 입자는 BaTiO3를 포함하고, 상기 제2 금속 화합물 입자는 BaZrO3를 포함하고, 상기 제1 금속 호일 및 상기 제2 금속 호일은 구리를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the first metal compound particle may include BaTiO 3 , the second metal compound particle may include BaZrO 3 , and the first metal foil and the second metal foil may include copper. .
본 출원의 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법은, 유전 필름의 제1 면 및 제2 면 상에 제1 코팅층 및 제2 코팅층을 각각 형성하는 단계, 및 제1 금속 호일 및 제2 금속 호일을 각각 상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층과 열합지시키는 단계를 포함할 수 있다. A method of manufacturing a thin film according to an embodiment of the present application includes forming a first coating layer and a second coating layer on first and second surfaces of a dielectric film, respectively, and first and second metal foils. A step of thermally bonding the first coating layer and the second coating layer, respectively, may be included.
상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층은, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 수지 소스물질을 이용하여 제조될 수 있고, 이로 인해, 상기 박막 필름을 이용하여 제조된 커패시터의 커패시턴스 값이 향상될 수 있다. The first coating layer and the second coating layer may be manufactured using a resin source material including first metal compound particles and second metal compound particles, and thus, capacitance of a capacitor manufactured using the thin film value can be improved.
또한, 상기 수지 소스물질은 용매, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자 외에, 다른 케미칼을 실질적으로 포함하지 않을 수 있고, 이로 인해, 상기 박막 필름의 제조 공정이 간소화되고 제조 비용이 절감되는 것은 물론, 상기 제1 코팅층과 상기 제1 금속 호일의 접합력 및 상기 제2 코팅층과 상기 제2 금속 호일의 접합력이 향상될 수 있고, 상기 박막 필름의 내열성이 향상될 수 있다.In addition, the resin source material may not substantially include other chemicals in addition to the solvent, the first metal compound particles, and the second metal compound particles, thereby simplifying the thin film manufacturing process and reducing manufacturing costs. In addition to saving, bonding strength between the first coating layer and the first metal foil and bonding strength between the second coating layer and the second metal foil may be improved, and heat resistance of the thin film may be improved.
또한, 본 출원의 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법은, 제1 금속 호일 상에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여 제1 코팅층을 형성하는 단계, 상기 제1 코팅층 상에 수지층을 형성하는 단계, 제2 금속 호일 상에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여 제2 코팅층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 코팅층과 상기 수지층이 접합되도록, 상기 제2 코팅층이 형성된 상기 제2 금속 호일과 상기 제1 코팅층이 형성된 상기 제1 금속 호일을 합지시키는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a thin film according to an embodiment of the present application includes spraying the first metal compound particles and the second metal compound particles on a first metal foil to form a first coating layer, the first coating layer Forming a resin layer on a second metal foil, spraying the first metal compound particles and the second metal compound particles on a second metal foil to form a second coating layer, and bonding the second coating layer and the resin layer The method may include laminating the second metal foil on which the second coating layer is formed and the first metal foil on which the first coating layer is formed.
상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층은 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하는 방법으로, 바인더 없이 상기 제1 금속 호일 및 상기 제2 금속 호일 상에 형성될 수 있고, 이로 인해, 상기 박막 필름을 이용하여 제조된 커패시터의 전기적 특성이 향상될 수 있고, 상기 박막 필름의 제조 공정이 간소화될 수 있다.The first coating layer and the second coating layer may be formed on the first metal foil and the second metal foil without a binder by spraying the first metal compound particles and the second metal compound particles, thereby Accordingly, electrical characteristics of a capacitor manufactured using the thin film may be improved, and a manufacturing process of the thin film may be simplified.
도 1 은 본 출원의 제1 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 및 도 3은 본 출원의 제1 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 출원의 제2 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5 내지 도 9는 본 출원의 제2 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 10은 본 출원의 제2 실시 예에 따른 코팅층의 형성에 사용되는 분말 증착 장비를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 출원의 실시 예에 따른 박막 필름의 활용 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 출원의 실시 예에 따라 제조된 박막 필름을 가공한 것을 촬영한 사진들이다.
도 13은 본 출원의 실험 예 1-1 내지 1-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.
도 14는 본 출원의 실험 예 2-1 내지 2-4에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.
도 15는 본 출원의 실험 예 3-1 내지 3-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.
도 16은 본 출원의 실험 예 4-1 내지 4-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.1 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a thin film according to a first embodiment of the present application.
2 and 3 are views for explaining a method of manufacturing a thin film according to a first embodiment of the present application.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a thin film according to a second embodiment of the present application.
5 to 9 are diagrams for explaining a manufacturing process of a thin film according to a second embodiment of the present application.
10 is a view for explaining powder deposition equipment used for forming a coating layer according to a second embodiment of the present application.
11 is a diagram for explaining an example of utilizing a thin film according to an embodiment of the present application.
12 are photographs taken by processing a thin film manufactured according to an embodiment of the present application.
13 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 1-1 to 1-3 of the present application.
14 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 2-1 to 2-4 of the present application.
15 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 3-1 to 3-3 of the present application.
16 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 4-1 to 4-3 of the present application.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete, and the spirit of the present invention will be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it means that it may be directly formed on the other element or a third element may be interposed therebetween. Also, in the drawings, the thicknesses of films and regions are exaggerated for effective explanation of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. In addition, although terms such as first, second, and third are used to describe various elements in various embodiments of the present specification, these elements should not be limited by these terms. Therefore, what is referred to as a first element in one embodiment may be referred to as a second element in another embodiment.
여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiments. In addition, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. In the specification, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the terms "comprise" or "having" are intended to designate that the features, numbers, steps, components, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features, numbers, steps, or components. It should not be construed as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.
이하, 본 출원의 제1 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법이 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된다.Hereinafter, a method for manufacturing a thin film according to a first embodiment of the present application will be described with reference to FIGS. 1 to 3 .
도 1 은 본 출원의 제1 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2 및 도 3은 본 출원의 제1 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 1 is a flow chart for explaining a method for manufacturing a thin film according to a first embodiment of the present application, and FIGS. 2 and 3 are diagrams for explaining a method for manufacturing a thin film according to the first embodiment of the present application. .
도 1 및 도 2를 참조하면, 유전 필름(100)이 준비된다(S110).Referring to FIGS. 1 and 2 , a
예를 들어, 상기 유전 필름(100)은 폴리이미드(Polyimide) 필름일 수 있다. 또는, 다른 예를 들어, 상기 유전 필름은 PA, PET, PE, PEN 필름일 수 있다.For example, the
예를 들어, 상기 유전 필름(100)의 두께는 12.5um일 수 있다. For example, the
상기 유전 필름(100)은 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함할 수 있다. The
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 수지 소스물질이 준비된다(S120). Referring to FIGS. 1 and 2 , a resin source material including first metal compound particles and second metal compound particles is prepared (S120).
상기 수지 소스물질은 제1 용매 및 제2 용매가 혼합된 혼합 용매에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 분산된 것일 수 있다. 상기 수지 소스물질은, 상기 혼합 용매에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 제공한 후, 비드 밀(bead mill) 공정을 수행하여 제조될 수 있다. The resin source material may be obtained by dispersing the first metal compound particles and the second metal compound particles in a mixed solvent in which a first solvent and a second solvent are mixed. The resin source material may be prepared by providing the first metal compound particles and the second metal compound particles to the mixed solvent and then performing a bead mill process.
예를 들어, 상기 제1 용매는 톨루엔을 포함할 수 있고, 상기 제2 용매는 MEK(Methyl Ethyl Ketone)를 포함할 수 있다. 또는, 다른 예를 들어, 상기 제1 용매는 톨루엔을 포함할 수 있고, 상기 제2 용매는 에틸 아세테이트를 포함할 수 있다. For example, the first solvent may include toluene, and the second solvent may include methyl ethyl ketone (MEK). Alternatively, for another example, the first solvent may include toluene, and the second solvent may include ethyl acetate.
또한, 예를 들어, 상기 제1 금속 화합물 입자는 BaTiO3일 수 있다. 반면, 상기 제2 금속 화합물 입자는 BaZrO3일 수 있다. BaTiO3는 고유전 물질로써, 고유전 필름에 일반적으로 사용된다. 하지만, 높은 유전특성에도 불구하고, BaTiO3가 사용된 고유전 필름의 경우, 작동 온도 범위가 좁고, 고온 의존성이 높으며, 신뢰성이 낮은 문제점이 발생될 수 있다. 이에 따라, 상술된 문제점들을 해결하기 위하여, BaTiO3 및 BaZrO3가 함께 사용될 수 있다. 즉, BaTiO3 및 BaZrO3가 고유전 필름에 함께 사용되는 경우, 상술된 문제점들이 해결될 수 있을 뿐만 아니라, 높은 유전특성을 나타낼 수 있다. Also, for example, the first metal compound particle may be BaTiO 3 . On the other hand, the second metal compound particle may be BaZrO 3 . BaTiO 3 is a high dielectric material and is generally used for high dielectric films. However, in spite of high dielectric properties, in the case of a high dielectric film using BaTiO 3 , problems such as a narrow operating temperature range, high temperature dependence, and low reliability may occur. Accordingly, in order to solve the above problems, BaTiO 3 and BaZrO 3 may be used together. That is, when BaTiO 3 and BaZrO 3 are used together in a high dielectric film, the above-described problems can be solved and high dielectric properties can be exhibited.
또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 수지 소스물질에는, 상기 제1 용매, 상기 제2 용매, 상기 제1 금속 화합물 입자, 및 상기 제2 금속 화합물 입자 외에, 다른 물질들은 첨가되지 않을 수 있다. 구체적으로, 소포제, 계면 활성제 등 추가적인 케미칼 없이, 제조될 수 있고, 후술되는 바와 같이, 상기 수지 소스물질의 코팅 시 공정 온도에 따라서 상기 수지 소스물질 내의 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매의 비율을 제어하는 간소한 방법으로, 상기 수지 소스물질이 용이하게 코팅될 수 있다. 이로 인해, 박막 필름의 제조 공정이 단순화되고 제조 비용이 절감되는 것은 물론, 추가적인 케미칼 사용을 최소화하여, 유전 특성이 향상될 수 있다. Also, according to an embodiment, materials other than the first solvent, the second solvent, the first metal compound particles, and the second metal compound particles may not be added to the resin source material. Specifically, it can be prepared without additional chemicals such as antifoaming agents and surfactants, and as will be described later, the ratio of the first solvent and the second solvent in the resin source material according to the process temperature during coating of the resin source material With a simple method of control, the resin source material can be easily coated. As a result, the manufacturing process of the thin film is simplified, manufacturing cost is reduced, and dielectric properties can be improved by minimizing the use of additional chemicals.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 수지 소스 물질을 상기 유전 필름(100)의 상기 제1 면 상에 코팅하여, 제1 코팅층(111)을 형성하고(S130), 상기 수지 소스 물질을 상기 유전 필름(100)의 상기 제2 면 상에 코팅하여 제2 코팅층(112)이 형성(S140)될 수 있다. 1 and 2, the resin source material is coated on the first surface of the
다시 말하면, 상기 유전 필름(100)의 상기 제1 면 및 상기 제2 면 상에, 각각, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)이 형성될 수 있다. 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)은 동일한 상기 수지 소스물질로 형성될 수 있고, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)의 두께는 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)의 두께는 4.5um일 수 있다.In other words, the
상술된 바와 같이, 상기 수지 소스물질은 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매가 혼합된 상기 혼합 용매에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 분산된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 수지 소스물질은 상기 유전 필름(100) 상에 코팅하는 공정은 개방된 공간에서 수행될 수 있고, 주변 공정 온도에 따라서, 상기 수지 소스물질 내의 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매의 혼합 비율이 제어될 수 있다. As described above, the resin source material may be obtained by dispersing the first metal compound particles and the second metal compound particles in the mixed solvent in which the first solvent and the second solvent are mixed. In this case, the process of coating the resin source material on the
보다 구체적으로, 일 실시 예에 따르면, 공정 온도가 상대적으로 높은 경우, 상기 제1 용매(예를 들어 톨루엔)의 무게 비율이 상대적으로 높고 상기 제2 용매(예를 들어 MEK)의 무게 비율이 상대적으로 높도록 제어될 수 있다. 이와 달리, 공정 온도가 상대적으로 낮은 경우, 상기 제1 용매(예를 들어 톨루엔)의 무게 비율이 상대적으로 낮고 상기 제2 용매(예를 들어, MEK)의 무게 비율이 상대적으로 높도록 제어될 수 있다. 다시 말하면, 고온의 환경인 경우 상기 수지 소스물질 내 상기 제1 용매(예를 들어 톨루엔)의 무게비율은 저온 환경인 경우 상기 수지 소스물질 내 상기 제1 용매(예를 들어 톨루엔)의 무게비율보다 높도록 제어되고, 저온 환경의 경우 상기 수지 소스물질 내 상기 제2 용매(예를 들어 MEK)의 무게비율은 저온 환경인 경우 상기 수지 소스물질 내 상기 제2 용매(예를 들어 EMK)의 무게비율보다 낮도록 제어될 수 있다. 즉, 공정온도가 높을수록 상기 제1 용매(예를 들어 톨루엔)의 무게 비율을 증가시키고, 상기 제2 용매(예를 들어 MEK)의 무게 비율을 감소시키며, 공정온도가 낮을수록 상기 제1 용매(예를 들어 톨루엔)의 무게 비율을 감소시키고 상기 제2 용매(예를 들어 MEK)이 무게 비율을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 수지 소스물질 내에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 균일하게 분산된 상태를 용이하게 유지할 수 있고, 상기 유전 필름(100) 상의 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)이 용이하게 형성될 수 있고, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112) 내 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 균일하게 분산될 수 있다. More specifically, according to one embodiment, when the process temperature is relatively high, the weight ratio of the first solvent (eg toluene) is relatively high, and the weight ratio of the second solvent (eg MEK) is relatively high. can be controlled to be high. In contrast, when the process temperature is relatively low, the weight ratio of the first solvent (eg toluene) is relatively low and the weight ratio of the second solvent (eg MEK) is relatively high. Can be controlled there is. In other words, in a high-temperature environment, the weight ratio of the first solvent (eg toluene) in the resin source material is greater than the weight ratio of the first solvent (eg toluene) in the resin source material in a low-temperature environment. Controlled to be high, in the case of a low temperature environment, the weight ratio of the second solvent (eg MEK) in the resin source material is the weight ratio of the second solvent (eg EMK) in the resin source material in the case of a low temperature environment can be controlled to be lower. That is, as the process temperature increases, the weight ratio of the first solvent (eg toluene) increases, and the weight ratio of the second solvent (eg MEK) decreases, and as the process temperature decreases, the first solvent (eg toluene) may decrease the weight ratio and the second solvent (eg MEK) may increase the weight ratio. Accordingly, it is possible to easily maintain a state in which the first metal compound particles and the second metal compound particles are uniformly dispersed in the resin source material, and the
상술된 바와 달리, 공정 온도에 따라서, 상기 수지 소스물질 내의 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매의 비율을 제어하지 않는 경우, 상기 유전 필름(100) 상에 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)을 균일한 두께로 유니폼하게 형성하는 것이 용이하지 않고, 코팅 과정에서 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자의 응집으로, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)의 표면 조도값이 증가할 수 있다. 이로 인해, 후술되는 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)과 금속 호일과의 접합이 용이하지 않다. Unlike the above description, when the ratio of the first solvent and the second solvent in the resin source material is not controlled according to the process temperature, the
하지만, 상술된 바와 같이, 본 출원의 실시 예에 따르면, 상기 수지 소스물질의 코팅 시 공정 온도에 따라서, 상기 수지 소스물질 내의 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매의 비율이 제어될 수 있고, 이로 인해, 매끈한고 낮은 표면 조도의 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)이 용이하게 형성될 수 있다. 특히, 여름 및 겨울과 같이, 계절에 따른 기온 변화가 높은 지역에서는 계절에 따라 상기 수지 소스물질 내의 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매의 비율을 제어하여 상기 수지 소스물질을 제조할 수 있고, 이로 인해, 공정 신뢰성 및 제조 수율이 향상될 수 있다. However, as described above, according to the embodiment of the present application, the ratio of the first solvent and the second solvent in the resin source material may be controlled according to the process temperature during coating of the resin source material, thereby Due to this, the
일 변형 예에 따르면, 상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름(100) 상에 코팅하기 전, 즉, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)을 형성하기 전, 상기 유전 필름(100)의 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 상기 혼합 용매로 프리(pre) 코팅될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매를 포함하는 상기 혼합 용매를 상기 유전 필름(100)의 상기 제1 면 상에 얇게 도포한 이후, 상기 수지 소스물질을 코팅하여 상기 제1 코팅층(111)이 형성될 수 있고, 상기 혼합 용매를 상기 유전 필름(100)의 상기 제2 면 상에 얇게 도포한 이후, 상기 수지 소스물질을 코팅하여 상기 제2 코팅층(112)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)이 균일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112) 내의 기포 형성이 예방될 수 있다. 이 경우, 즉 프리 코팅 공정에서도, 상기 혼합 용매 내에서 상기 제1 용매 및 상기 제2 용매의 비율은, 상술된 바와 같이, 공정 온도에 따라서 제어될 수 있다. According to a modified example, before coating the resin source material on the
계속해서, 도 1 및 도 3을 참조하면, 제1 금속 호일(121)을 상기 제1 코팅층(111)과 열합지(S150)시키고, 제2 금속 호일(122)을 상기 제2 코팅층(112)과 열합지(S160)되어, 박막 필름이 제조될 수 있다. Continuing to refer to FIGS. 1 and 3 , the
예를 들어, 상기 제1 금속 호일(121) 및 상기 제2 금속 호일(122)은 구리 호일 수 있고, 상기 제1 금속 호일(121) 및 상기 제2 금속 호일(122) 사이에 상기 제1 및 제2 코팅층(111, 112)이 형성된 상기 유전 필름(100)을 배치시킨 후, 열 압착 공정을 수행하여, 상기 제1 금속 호일(121)이 상기 제1 코팅층(111)과 접합되고 상기 제2 금속 호일(122)이 상기 제2 코팅층(112)과 접합될 수 있다. 예를 들어, 열 압착 공정은 160℃, 30kg 조건에서 30분 이상 수행될 수 있다. For example, the
본 출원의 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법은, 상기 유전 필름(100)을 준비하는 단계, 상기 유전 필름(100)의 상기 제1 면 및 상기 제2 면 상에 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)을 형성하는 단계, 및 상기 제1 금속 호일(121) 및 상기 제2 금속 호일(122)을 각각 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)과 열합지시키는 단계를 포함할 수 있다. The method of manufacturing a thin film according to an embodiment of the present application includes preparing the
이에 따라, 상기 제1 코팅층(111) 및 상기 제2 코팅층(112)은, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 상기 수지 소스물질을 이용하여 제조될 수 있고, 이로 인해, 상기 유전 필름(100)을 이용하여 제조된 커패시터의 커패시턴스 값이 향상될 수 있다. Accordingly, the
또한, 상기 수지 소스물질은 용매, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자 외에, 다른 케미칼을 실질적으로 포함하지 않을 수 있고, 이로 인해, 상기 박막 필름의 제조 공정이 간소화되고 제조 비용이 절감되는 것은 물론, 상기 제1 코팅층(111)과 상기 제1 금속 호일(121)의 접합력 및 상기 제2 코팅층(112)과 상기 제2 금속 호일(122)의 접합력이 향상될 수 있고, 상기 박막 필름의 내열성이 향상될 수 있다. In addition, the resin source material may not substantially include other chemicals in addition to the solvent, the first metal compound particles, and the second metal compound particles, thereby simplifying the thin film manufacturing process and reducing manufacturing costs. In addition to saving, the bonding strength between the
이하, 본 출원의 제2 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법이 도 4 내지 도 10을 참조하여 설명된다. Hereinafter, a method for manufacturing a thin film according to a second embodiment of the present application will be described with reference to FIGS. 4 to 10 .
도 4는 본 출원의 제2 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 5 내지 도 9는 본 출원의 제2 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 4 is a flowchart for explaining a method for manufacturing a thin film according to a second embodiment of the present application, and FIGS. 5 to 9 are views for explaining a manufacturing process for a thin film according to a second embodiment of the present application. .
도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 금속 호일(201) 및 제2 금속 호일(202)이 준비된다(S210).4 and 5, a first metal foil 201 and a
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 호일(201) 및 상기 제2 금속 호일(202)은 서로 동일한 두께로 형성되고, 서로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 예를 들어, 상기 제1 금속 호일(201) 및 상기 제2 금속 호일(202)은, 구리 호일일 수 있다. According to an embodiment, the first metal foil 201 and the
도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 금속 호일(201) 상에 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 분사하여 제1 코팅층(210)이 형성될 수 있다(S220).Referring to FIGS. 4 and 6 , the
상기 제1 금속 호일(201)의 상부면 상으로, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 고속으로 분사될 수 있고, 고속으로 분사된 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 상기 제1 금속 호일(201)에 충돌되면서, 상기 제1 코팅층(210)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 코팅층(210)은 바인더 없이, 순수하게 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자만으로 구성될 수 있다. On the upper surface of the first metal foil 201, the first metal compound particles and the second metal compound particles can be sprayed at high speed, and the first metal compound particles and the second metal sprayed at high speed As compound particles collide with the first metal foil 201, the
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자는 서로 혼합된 상태에서, 동시에, 상기 제1 금속 호일(201)의 상부면 상으로 고속으로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the first metal compound particles and the second metal compound particles may be simultaneously provided onto the upper surface of the first metal foil 201 at high speed in a mixed state.
또는, 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 화합물 입자가 먼저 상기 제1 금속 호일(201)의 상부면 상으로 고속으로 분사되어, 예비 코팅층이 형성되고, 상기 예비 코팅층 상에 상기 제2 금속 화합물 입자가 고속으로 분사되어, 상기 제1 코팅층(210)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 코팅층(210) 내에, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자의 농도 구배가 발생할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 호일(201)의 상부면이 인접한 상기 제1 코팅층(210)의 제1 영역에서 상기 제1 금속 화합물 입자의 농도가 상대적으로 높고, 상기 제1 코팅층(210)의 노출면(상부면)에 인접한 상기 제1 코팅층(210)의 제2 영역에서 상기 제2 금속 화합물 입자의 농도가 상대적으로 높을 수 있다. Alternatively, according to another embodiment, the first metal compound particles are first sprayed onto the upper surface of the first metal foil 201 at a high speed to form a preliminary coating layer, and the second metal compound is formed on the preliminary coating layer. Particles are sprayed at high speed, and the
또한, 예를 들어, 상기 제1 금속 화합물 입자는 BaTiO3일 수 있다. 반면, 상기 제2 금속 화합물 입자는 BaZrO3일 수 있다.Also, for example, the first metal compound particle may be BaTiO3. On the other hand, the second metal compound particles may be BaZrO3.
도 1 및 도 7을 참조하면, 상기 제1 코팅층(210) 상에 수지층(215)이 형성될 수 있다(S230). Referring to FIGS. 1 and 7 , a
일 실시 예에 따르면, 상기 수지층(215)은 용액 공정으로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 수지층(215)은 고분자 용액을 상기 제1 코팅층(210) 상에 도포하고 건조하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 수지층(215)은, 폴리아미드이미드 용액을 상기 제1 코팅층(210) 상에 도포하고 건조하는 방법으로 형성될 수 있다. According to one embodiment, the
상술된 바와 같이, 상기 제1 코팅층(210)은 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하는 방법으로 형성될 수 있고, 이로 인해, 상기 제1 금속 호일(201) 상에 형성된 상기 제1 코팅층(210)은 상대적으로 높은 표면 조도 값을 가질 수 있다. 즉, 제1 실시 예에 따라서 형성된 제1 코팅층(111)과 달리, 분말의 분사 방법으로 형성된 상기 제1 코팅층(210)은 높은 표면 조도 값을 가질 수 있다. As described above, the
하지만, 상술된 바와 같이, 상기 수지층(215)이 용액 공정으로 상기 제1 코팅층(210) 상에 형성될 수 있고, 이로 인해, 상기 제1 코팅층(210)의 표면 프로파일을 따라서 상기 수지층(215)이 형성되지 않고, 상기 수지층(215)은 실질적으로 평탄한 상부면을 가질 수 있다. However, as described above, the
이로 인해, 후술되는 제2 코팅층(220)이 상기 수지층(215)이 용이하게 그리고 높은 접합력으로 접착될 수 있다. Due to this, the
계속해서, 도 4 및 도 8을 참조하면, 상기 제2 금속 호일(202) 상에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여 제2 코팅층(220)이 형성될 수 있다(S140). Continuing to refer to FIGS. 4 and 8 , the
상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 이용하여 상기 제2 코팅층(220)을 형성하는 방법은, 상기 제1 코팅층(210)을 형성하는 과정과 실질적으로 동일할 수 있다. A method of forming the
도 4 및 도 9를 참조하면, 상기 제2 코팅층(220)과 상기 수지층(215)이 접합되도록, 상기 제2 금속 호일(202)과 상기 제1 코팅층(210)이 형성된 상기 제1 금속 호일(201)을 합지시켜, 박막 필름이 제조될 수 있다(S150). 4 and 9, the first metal foil on which the
상기 제2 금속 호일(202)과 상기 제1 금속 호일(201)의 합지는, 열 압착 공정을 이용하여 수행될 수 있다. Laminating the
본 출원의 실시 예에 따른 박막 필름의 제조 방법은, 상기 제1 금속 호일(201) 상에, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여 상기 제1 코팅층(210)을 형성하는 단계, 상기 제1 코팅층(210) 상에 상기 수지층(215)을 형성하는 단계, 상기 제2 금속 호일(202) 상에 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여 상기 제2 코팅층(220)을 형성하는 단계, 및 상기 제2 코팅층(220)과 상기 수지층(215)이 접합되도록, 상기 제2 코팅층(220)이 형성된 상기 제2 금속 호일(202)과 상기 제1 코팅층(210)이 형성된 상기 제1 금속 호일(201)을 합지시키는 단계를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing a thin film according to an embodiment of the present application, the
상기 제1 코팅층(210) 및 상기 제2 코팅층(220)은 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하는 방법으로, 바인더 없이 상기 제1 금속 호일(201) 및 상기 제2 금속 호일(202) 상에 형성될 수 있고, 이로 인해, 상기 박막 필름을 이용하여 제조된 커패시터의 전기적 특성이 향상될 수 있고, 상기 박막 필름의 제조 공정이 간소화될 수 있다. The
이하, 도 10을 참조하여, 본 출원의 제2 실시 예에 따른 제1 코팅층(210) 및 제2 코팅층(220)을 제조하기 위한 분말 증착 장비가 설명된다. Hereinafter, referring to FIG. 10 , powder deposition equipment for manufacturing the
도 10은 본 출원의 제2 실시 예에 따른 코팅층의 형성에 사용되는 분말 증착 장비를 설명하기 위한 도면이다. 10 is a view for explaining powder deposition equipment used for forming a coating layer according to a second embodiment of the present application.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 분말 증착 장비(1000)는, 챔버(1100), 스테이지(stage, 1110), 노즐(1120), 카메라(1130), 제어부(1132), 챔버 압력 조절부(1140), 펌프(1142), 공기 압축부(1210), 필터(1220), 레귤레이터(regulator, 1230), 카트리지(cartridge, 1240), 및 분무 발생기(1242)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10 , the
상기 스테이지(1110)는, 상기 챔버(1100) 내에 배치될 수 있다. 상기 스테이지(1110) 상에 제2 실시 예에서 설명된 제1 금속 호일 및 제2 금속 호일이 안착될 수 있다. 상기 스테이지(1110)는, 지면에 평행한 제1 및 제2 방향, 그리고, 지면에 수직한 제3 방향으로 움직이도록 구성될 수 있다.The
상기 공기 압축부(1210)는 공기를 압축하여 압축 공기를 제공할 수 있다. 상기 압축 공기는 상기 필터(1220)를 투과하면서, 먼지, 기름 등이 제거될 수 있다. 상기 압축 공기는 상기 레귤레이터(1230)를 통과하여, 상기 카트리지(1240)에 제공될 수 있다.The
상기 카트리지(1240) 내에 제2 실시 예에서 설명된 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 건식 입자가(5)가 준비될 수 있다. In the
상기 카트리지(1240) 내에 상기 분무 발생기(1242)가 배치될 수 있다. 상기 분무 발생기(1242)에 의해, 상기 카트리지(1240) 내에 저장된 상기 건식입자(5)가 분무될 수 있다. 분무된 상기 건식입자(5)는, 상기 공기 압축부(1210)로부터 제공된 상기 압축 공기에 의해 상기 챔버(1100) 내의 상기 제1 금속 호일 및 제2 금속 호일로 분사되되, 상기 카트리지(1240)와 상기 챔버(1100) 사이의 압력에 의해 가속 분사될 수 있다.The
상기 챔버 압력 조절부(1140) 및 상기 펌프(1142)는 상기 챔버(1100) 내부를 저 진공 상태로 유지할 수 있다. 이에 따라, 상기 카트리지(1240)와 상기 챔버(1100) 사이에 압력의 차이가 실질적으로 일정하게 유지되고, 상기 압력의 차이에 의해, 분무된 상기 건식입자(5)가 가속되어, 상기 노즐(1120)을 통해, 상기 제1 금속 호일 및 상기 제2 금속 호일상으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 챔버(1100) 내부는 대기 분위기일 수 있다. 상기 챔버 압력 조절부(1140)는 상기 제어부(1132)에 의해 제어될 수 있다.The
도 11은 본 출원의 실시 예에 따른 박막 필름의 활용 예를 설명하기 위한 도면이다. 11 is a diagram for explaining an example of utilizing a thin film according to an embodiment of the present application.
도 11을 참조하면, 상술된 본 출원의 제1 및 제2 실시 예에 따라 제조된 박막 필름은 커패시터로 가공되어, 다층 PCB 상부 또는 다층 PCB 내부에 실장될 수 있다. Referring to FIG. 11 , thin films manufactured according to the first and second embodiments of the present application described above may be processed into capacitors and mounted on a multi-layer PCB or inside a multi-layer PCB.
전자 기기의 기능 및 특성이 다양화로 인해 PCB에 탑재되는 부품의 수량이 급격하게 증가하고 있으며, SMT 부품의 PCB 내장화 기술에 대한 니즈가 높아지고 있다. Due to the diversification of functions and characteristics of electronic devices, the number of components mounted on PCBs is rapidly increasing, and the need for PCB embedding technology of SMT components is increasing.
특히 5G 환경의 스마트폰, 스마트 카, 등 다양한 분야에서 PCB에 적용되는 부품 확대를 위한 기술들이 개발되고 있다. In particular, technologies for expanding parts applied to PCBs in various fields such as smartphones and smart cars in the 5G environment are being developed.
본 출원의 실시 예에 따라 제조된 박막 필름은 가공되어 임베디드 커패시터 형태로 PCB 상부에 배치되거나 또는 내부에 삽입되는 형태로 활용될 수 있다. The thin film manufactured according to the embodiment of the present application may be processed and used in the form of being placed on the PCB or inserted into the PCB in the form of an embedded capacitor.
도 12는 본 출원의 실시 예에 따라 제조된 박막 필름을 가공한 것을 촬영한 사진들이다. 12 are photographs taken by processing a thin film manufactured according to an embodiment of the present application.
도 12에 도시된 것과 같이, 본 출원의 실시 예에 따라 제조된 박막 필름은 식각 공정을 통해 다양한 형상의 회로들로 가공될 수 있다. As shown in FIG. 12 , a thin film manufactured according to an embodiment of the present application may be processed into circuits of various shapes through an etching process.
이하, 본 출원의 구체적인 실험 예들에 따른 특성 평가 결과가 설명된다. Hereinafter, characteristic evaluation results according to specific experimental examples of the present application will be described.
실험 예 1-1~1-3에 따른 수지 소스물질 및 코팅층 형성Formation of resin source material and coating layer according to Experimental Examples 1-1 to 1-3
제1 금속 화합물 입자로 BaTiO3를 준비하고, 제2 금속 화합물 입자로 BaZrO3를 준비하였다. BaTiO 3 was prepared as the first metal compound particle, and BaZrO 3 was prepared as the second metal compound particle.
제1 용매로 톨루엔을 준비하고 제2 용매로 MEK를 준비하였다. 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율을 아래의 [표 1]과 같이 조정하여 혼합 용매를 제조하고, 상기 혼합 용매에 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 동일한 무게 비율로 전체 50wt%의 비율로 혼합하고, 직경 0.3mm의 Zr 비드를 이용하여 200~300rpm으로 혼합하여, 수지 소스물질을 제조하였다. Toluene was prepared as a first solvent and MEK was prepared as a second solvent. A mixed solvent was prepared by adjusting the weight ratio of the first solvent and the second solvent as shown in [Table 1] below, and the first metal compound particles and the second metal compound particles were added to the mixed solvent in the same weight ratio at 50 wt%. A resin source material was prepared by mixing at a ratio of 200 to 300 rpm using Zr beads having a diameter of 0.3 mm.
이후, 40℃의 공정 온도에서 구리 호일 상에 수지 소스물질을 코팅하여 코팅층을 제조하였다. Thereafter, a coating layer was prepared by coating the resin source material on the copper foil at a process temperature of 40 °C.
도 13은 본 출원의 실험 예 1-1 내지 1-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.13 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 1-1 to 1-3 of the present application.
도 13을 참조하면, 상술된 실험 예 1-1 내지 실험 예 1-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영하였다. 도 13의 (a), (b), 및 (c)는 각각 실험 예 1-1, 실험 예 1-2, 및 실험 예 1-3에 따른 코팅층에 대응된다. Referring to FIG. 13 , the coating layers prepared according to Experimental Examples 1-1 to 1-3 described above were photographed. 13 (a), (b), and (c) correspond to the coating layers according to Experimental Example 1-1, Experimental Example 1-2, and Experimental Example 1-3, respectively.
도 13에서 알 수 있듯이, 공정온도 40℃에서 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 7:3 또는 9:1인 경우와 비교하여, 8:2인 경우, 실질적으로 균일하게 코팅된 것을 확인할 수 있다. As can be seen in FIG. 13, it can be confirmed that the weight ratio of the first solvent and the second solvent at a process temperature of 40 ° C. is substantially uniformly coated when the weight ratio is 8: 2 compared to when the weight ratio is 7: 3 or 9: 1. can
실험 예 2-1~2-4에 따른 수지 소스물질 및 코팅층 형성Formation of resin source material and coating layer according to Experimental Examples 2-1 to 2-4
상술된 실험 예와 동일하게 수행하되, 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율을 아래의 [표 2]와 같이 조정하여 혼합 용매를 제조하고, 수지 소스물질을 제조하였다. It was performed in the same manner as in the above-described experimental example, but a mixed solvent was prepared by adjusting the weight ratio of the first solvent and the second solvent as shown in Table 2 below, and a resin source material was prepared.
이후, 30℃의 공정 온도에서 구리 호일 상에 수지 소스물질을 코팅하여 코팅층을 제조하였다. Thereafter, a coating layer was prepared by coating the resin source material on the copper foil at a process temperature of 30 °C.
도 14는 본 출원의 실험 예 2-1 내지 2-4에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.14 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 2-1 to 2-4 of the present application.
도 14를 참조하면, 상술된 실험 예 2-1 내지 실험 예 2-4에 따라 제조된 코팅층을 촬영하였다. 도 14의 (a), (b), (c) 및 (d)는 각각 실험 예 2-1, 실험 예 2-2, 실험 예 2-3, 및 실험 예 2-4에 따른 코팅층에 대응된다. Referring to FIG. 14 , the coating layers prepared according to Experimental Examples 2-1 to 2-4 described above were photographed. 14 (a), (b), (c), and (d) correspond to the coating layers according to Experimental Example 2-1, Experimental Example 2-2, Experimental Example 2-3, and Experimental Example 2-4, respectively. .
도 14에서 알 수 있듯이, 공정온도 30℃에서 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 6:4 또는 9:1인 경우 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자가 응집되는 것을 확인할 수 있다. 반면, 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 7:3 및 8:2인 경우, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자가 응집되지 않으며, 실질적으로 균일하게 코팅된 것을 확인할 수 있다. As can be seen in FIG. 14, when the weight ratio of the first solvent and the second solvent is 6:4 or 9:1 at a process temperature of 30 ° C, it can be seen that the first metal compound particles and the second metal compound particles are aggregated. . On the other hand, when the weight ratios of the first solvent and the second solvent are 7:3 and 8:2, it can be seen that the first metal compound particles and the second metal compound particles are not agglomerated and are substantially uniformly coated.
실험 예 3-1~3-3에 따른 수지 소스물질 및 코팅층 형성Formation of resin source material and coating layer according to Experimental Examples 3-1 to 3-3
상술된 실험 예와 동일하게 수행하되, 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율을 아래의 [표 3]과 같이 조정하여 혼합 용매를 제조하고, 수지 소스물질을 제조하였다. It was performed in the same manner as in the above-described experimental example, but a mixed solvent was prepared by adjusting the weight ratio of the first solvent and the second solvent as shown in Table 3 below, and a resin source material was prepared.
이후, 10℃의 공정 온도에서 구리 호일 상에 수지 소스물질을 코팅하여 코팅층을 제조하였다. Thereafter, a coating layer was prepared by coating the resin source material on the copper foil at a process temperature of 10 °C.
도 15는 본 출원의 실험 예 3-1 내지 3-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.15 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 3-1 to 3-3 of the present application.
도 15를 참조하면, 상술된 실험 예 3-1 내지 실험 예 3-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영하였다. 도 15의 (a), (b), 및 (c)는 각각 실험 예 3-1, 실험 예 3-2, 및 실험 예 3-3에 따른 코팅층에 대응된다. Referring to FIG. 15 , the coating layers prepared according to Experimental Example 3-1 to Experimental Example 3-3 described above were photographed. 15 (a), (b), and (c) correspond to the coating layers according to Experimental Example 3-1, Experimental Example 3-2, and Experimental Example 3-3, respectively.
도 15에서 알 수 있듯이, 공정온도 10℃에서 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 5:5 또는 7:3인 경우 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자가 응집되는 것을 확인할 수 있다. 반면, 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 6:4인 경우, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자가 응집되지 않으며, 실질적으로 균일하게 코팅된 것을 확인할 수 있다. As can be seen in FIG. 15, when the weight ratio of the first solvent and the second solvent is 5:5 or 7:3 at a process temperature of 10 ° C, it can be seen that the first metal compound particles and the second metal compound particles are aggregated. . On the other hand, when the weight ratio of the first solvent and the second solvent is 6:4, it can be confirmed that the first metal compound particles and the second metal compound particles are not agglomerated and are substantially uniformly coated.
실험 예 4-1~4-3에 따른 수지 소스물질 및 코팅층 형성Formation of resin source material and coating layer according to Experimental Examples 4-1 to 4-3
상술된 실험 예와 동일하게 수행하되, 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율을 아래의 [표 4]와 같이 조정하여 혼합 용매를 제조하고, 수지 소스물질을 제조하였다. It was performed in the same manner as in the above-described experimental example, but a mixed solvent was prepared by adjusting the weight ratio of the first solvent and the second solvent as shown in [Table 4] below, and a resin source material was prepared.
이후, 5℃의 공정 온도에서 구리 호일 상에 수지 소스물질을 코팅하여 코팅층을 제조하였다. Thereafter, a coating layer was prepared by coating the resin source material on the copper foil at a process temperature of 5°C.
도 16은 본 출원의 실험 예 4-1 내지 4-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영한 사진들이다.16 are photographs of coating layers prepared according to Experimental Examples 4-1 to 4-3 of the present application.
도 16을 참조하면, 상술된 실험 예 4-1 내지 실험 예 4-3에 따라 제조된 코팅층을 촬영하였다. 도 16의 (a), (b), 및 (c)는 각각 실험 예 4-1, 실험 예 4-2, 및 실험 예 4-3에 따른 코팅층에 대응된다. Referring to FIG. 16 , the coating layers prepared according to Experimental Examples 4-1 to 4-3 described above were photographed. 16 (a), (b), and (c) correspond to the coating layers according to Experimental Example 4-1, Experimental Example 4-2, and Experimental Example 4-3, respectively.
도 16에서 알 수 있듯이, 공정온도 5℃에서 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 5:5 또는 7:3인 경우 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자가 응집되는 것을 확인할 수 있다. 특히, 공정온도 10℃인 경우와 비교하여, 코팅층의 품질이 급격하게 열화되는 것을 확인할 수 있다. As can be seen in FIG. 16, when the weight ratio of the first solvent and the second solvent is 5:5 or 7:3 at a process temperature of 5°C, it can be seen that the first metal compound particles and the second metal compound particles are aggregated. . In particular, compared to the case where the process temperature is 10 ° C, it can be seen that the quality of the coating layer is rapidly deteriorated.
반면, 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 6:4인 경우, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자가 응집되지 않으며, 실질적으로 균일하게 코팅된 것을 확인할 수 있다. On the other hand, when the weight ratio of the first solvent and the second solvent is 6:4, it can be confirmed that the first metal compound particles and the second metal compound particles are not agglomerated and are substantially uniformly coated.
또한, 도 13 내지 도 16에서 알 수 있듯이, 상대적으로 고온 환경(예를 들어, 40℃)에서는 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 8:2인 경우 코팅층의 품질이 우수하였으나, 상대적으로 저온 환경(예를 들어, 5℃ 또는 10℃)에서는 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율이 6:4인 경우 코팅층의 품질이 우수하였다. 즉, 코팅되는 주변 공정 온도에 따라서 수지 소스물질 내의 제1 용매 및 제2 용매의 비율을 제어하는 것이, 코팅층의 품질을 향상시키는 효과적인 방법인 것을 확인할 수 있다. 특히, 고온 환경(예를 들어 여름)에서 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율을 8:2로 제어하고, 저온 환경(예를 들어 겨울)에서 제1 용매 및 제2 용매의 무게 비율을 6:4로 제어하는 것이 코팅층의 품질을 향상시키는 효과적인 방법인 것을 확인할 수 있다. In addition, as can be seen from FIGS. 13 to 16, in a relatively high temperature environment (eg, 40 ° C.), the quality of the coating layer was excellent when the weight ratio of the first solvent and the second solvent was 8: 2, but relatively In a low-temperature environment (eg, 5° C. or 10° C.), when the weight ratio of the first solvent and the second solvent was 6:4, the quality of the coating layer was excellent. That is, it can be confirmed that controlling the ratio of the first solvent and the second solvent in the resin source material according to the surrounding process temperature to be coated is an effective method for improving the quality of the coating layer. In particular, the weight ratio of the first solvent and the second solvent is controlled to 8:2 in a high-temperature environment (eg, summer), and the weight ratio of the first solvent and the second solvent is controlled to 6 in a low-temperature environment (eg, winter). : It can be seen that controlling to 4 is an effective method for improving the quality of the coating layer.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted according to the appended claims. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.
100: 유전 필름
111: 제1 코팅층
112: 제2 코팅층
121: 제1 금속 호일
122: 제2 금속 호일
201: 제1 금속 호일
202: 제2 금속 호일
210: 제1 코팅층
215: 수지층
220: 제2 코팅층100: dielectric film
111: first coating layer
112: second coating layer
121: first metal foil
122: second metal foil
201: first metal foil
202: second metal foil
210: first coating layer
215: resin layer
220: second coating layer
Claims (5)
제1 금속 화합물 입자, 및 제2 금속 화합물 입자를 포함하는 수지 소스물질을 준비하는 단계;
상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름의 제1 면 상에 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계;
상기 수지 소스물질을 상기 유전 필름의 제2 면 상에 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계;
제1 금속 호일을 상기 제1 코팅층과 열합지시키는 단계; 및
제2 금속 호일을 상기 제2 코팅층과 열합지시키는 단계를 포함하되,
상기 수지 소스물질은,
제1 용매 및 제2 용매가 혼합된 혼합 용매에, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자가 분산된 것을 포함하고,
상기 제1 및 제2 코팅층을 형성하는 단계는, 소정 공정 온도에서 수행되되,
상기 공정 온도가 높아지는 경우,
상기 수지 소스물질 내 상기 제1 용매의 무게 비율은 증가되되 상기 제2 용매의 무게 비율은 감소되고,
상기 공정 온도가 낮아지는 경우,
상기 수지 소스물질 내 상기 제1 용매의 무게 비율은 감소되되 상기 제2 용매의 무게 비율은 증가되는 것을 포함하는 박막 필름의 제조 방법.
preparing a dielectric film;
preparing a resin source material including first metal compound particles and second metal compound particles;
coating the resin source material on the first surface of the dielectric film to form a first coating layer;
coating the resin source material on the second surface of the dielectric film to form a second coating layer;
thermally bonding a first metal foil to the first coating layer; and
Including the step of thermally bonding a second metal foil with the second coating layer,
The resin source material,
Including a dispersion of the first metal compound particles and the second metal compound particles in a mixed solvent in which a first solvent and a second solvent are mixed,
Forming the first and second coating layers is performed at a predetermined process temperature,
When the process temperature increases,
The weight ratio of the first solvent in the resin source material is increased while the weight ratio of the second solvent is decreased,
When the process temperature is lowered,
A method of manufacturing a thin film comprising reducing a weight ratio of the first solvent in the resin source material and increasing a weight ratio of the second solvent.
상기 제1 용매는, 톨루엔을 포함하는 박막 필름의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing a thin film in which the first solvent contains toluene.
상기 제1 금속 호일 상에, 제1 금속 화합물 입자 및 제2 금속 화합물 입자를 분사하여, 제1 코팅층을 형성하는 단계;
상기 제1 코팅층 상에, 고분자를 포함하는 용액을 제공하여 수지층을 형성하는 단계;
상기 제2 금속 호일 상에, 상기 제1 금속 화합물 입자 및 상기 제2 금속 화합물 입자를 분사하여, 제2 코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 코팅층과 상기 수지층이 접합되도록, 상기 제2 코팅층이 형성된 상기 제2 금속 호일과 상기 제1 코팅층이 형성된 상기 제1 금속 호일을 합지시키는 단계를 포함하되,
상기 제1 코팅층은 상기 제1 금속 화합물을 포함하되, 상기 고분자를 미-포함하고,
상기 제2 코팅층은 상기 제2 금속 화합물을 포함하되, 상기 고분자를 미-포함하는 박막 필름의 제조 방법.
preparing a first metal foil and a second metal foil;
forming a first coating layer by spraying first metal compound particles and second metal compound particles on the first metal foil;
Forming a resin layer on the first coating layer by providing a solution containing a polymer;
forming a second coating layer by spraying the first metal compound particles and the second metal compound particles on the second metal foil; and
Laminating the second metal foil formed with the second coating layer and the first metal foil formed with the first coating layer so that the second coating layer and the resin layer are bonded,
The first coating layer includes the first metal compound, but does not include the polymer,
The second coating layer includes the second metal compound, but does not include the polymer.
상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층은, 바인더 없이, 상기 제1 금속 호일 및 상기 제2 금속 호일 상에 각각 형성되는 것을 포함하는 박막 필름의 제조 방법.
According to claim 3,
The method of manufacturing a thin film comprising forming the first coating layer and the second coating layer on the first metal foil and the second metal foil, respectively, without a binder.
상기 제1 금속 화합물 입자는 BaTiO3를 포함하고, 상기 제2 금속 화합물 입자는 BaZrO3를 포함하고,
상기 제1 금속 호일 및 상기 제2 금속 호일은 구리를 포함하는 박막 필름의 제조 방법.
According to claim 1 or 3,
The first metal compound particles include BaTiO 3 , the second metal compound particles include BaZrO 3 ,
Wherein the first metal foil and the second metal foil contain copper.
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