KR102511775B1 - Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography with Diffusion Prevention Layer, and Method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
극자외선 리소그래피용 펠리클은 중심층, 캡핑층, 및 확산방지층으로 구성된 펠리클부를 구비한다. 상기 확산방지층은, SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), BxC (x=0~7), BNx (x=0~2) 중 어느 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. 열방출 성능이 우수하고 극자외선 리소그래피 환경에서의 안정성이 뛰어나며 기계적 강도가 우수한 펠리클이 제공된다. 또한 확산방지층에 의하여 중심층과 캡핑층 사이의 확산에 의해 계면의 조성이 변하는 것이 방지된다.A pellicle for extreme ultraviolet lithography includes a pellicle unit composed of a center layer, a capping layer, and an anti-diffusion layer. The anti-diffusion layer is SiNx (x = 0.5 ~ 2), SiCx (x = 0.1 ~ 4), SiOx (x = 1 ~ 3), BxC (x = 0 ~ 7), BNx (x = 0 ~ 2) It may be formed of any one or more materials. A pellicle having excellent heat dissipation performance, excellent stability in an extreme ultraviolet lithography environment, and excellent mechanical strength is provided. Also, the composition of the interface is prevented from being changed by diffusion between the center layer and the capping layer by the diffusion barrier layer.
Description
본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 극자외선 노광 광에 대하여 85% 이상의 투과율 및 0.1% 이하의 반사율을 갖는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a pellicle for extreme ultraviolet lithography having a transmittance of 85% or more and a reflectance of 0.1% or less with respect to extreme ultraviolet exposure light and a method for manufacturing the same will be.
포토리소그래피(Photo-lithography)라고 불리는 노광(Exposure) 기술의 발달은 반도체 집적 회로의 고집적화(High integration)를 가능하게 하였다. 웨이퍼 위에 보다 미세한 회로 패턴을 형성하려면 분해능 이라고도 불리는 노광 장비의 해상력(resolution)이 높아져야 한다. 해상력의 한계를 넘어서는 미세 패턴을 전사한다면, 빛의 회절(diffraction)과 산란(scattering)으로 인한 빛 간섭이 발생하여 원래의 마스크 패턴과는 다른 왜곡된 상이 전사되는 문제가 발생한다.The development of exposure technology called photo-lithography has enabled high integration of semiconductor integrated circuits. In order to form finer circuit patterns on a wafer, the resolution of exposure equipment, also called resolution, must be increased. If a fine pattern exceeding the limit of resolution is transferred, light interference due to diffraction and scattering of light occurs, causing a problem in that a distorted image different from the original mask pattern is transferred.
현재 상용화된 노광 공정은 193㎚의 ArF 파장을 이용하는 노광 장비로 전사 공정을 진행하여 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하고 있으나, 50㎚ 이하의 미세 패턴 형성에 대해서는 빛의 회절과 산란으로 인한 한계를 보이고 있어 공기보다 굴절률이 큰 액상 매체를 이용한 액침 노광기술(Immersion lithography), 노광 공정을 두 번 시행하는 이중 노광기술(Double lithography), 빛의 위상을 180˚ 반전시켜 인접하는 투과광과 소멸간섭을 발생시키도록 하는 위상전이기술(Phase shift technology), 빛의 간섭 및 회절 효과에 의하여 설계 패턴 크기보다 작아지거나 끝부분이 라운드 되는 현상을 보정하는 광학위상보정(Optical phase correction) 등 다양한 방법들이 개발되고 있다.The currently commercialized exposure process forms fine patterns on a wafer by performing a transfer process with exposure equipment using an ArF wavelength of 193 nm, but there are limitations due to diffraction and scattering of light for the formation of fine patterns of 50 nm or less. Immersion lithography using a liquid medium with a higher refractive index than air, double lithography in which the exposure process is performed twice, and the phase of light is reversed by 180˚ to generate destructive interference with adjacent transmitted light. Various methods are being developed, such as phase shift technology that allows light interference and diffraction effects to correct the phenomenon of being smaller than the designed pattern size or rounded at the end.
그러나, 상기 ArF 파장을 이용하는 노광 기술로는 더욱 미세화된 32㎚ 이하의 회로 선폭을 구현하기 어려울 뿐 아니라, 생산 비용이 증가하고 공정 복합성이 증가 할 수 밖에 없다. 이로 인하여 193㎚의 파장에 비하여 매우 단파장인 13.5㎚ 파장을 주 노광 파장으로 사용하는 극자외선(Extreme Ultra-Violet, 이하 EUV 라고 함)광을 사용하는 EUV 리소그래피 기술이 차세대 공정으로 주목을 받고 있다.However, with the exposure technology using the ArF wavelength, it is difficult to realize a more refined circuit line width of 32 nm or less, and production costs and process complexity inevitably increase. Due to this, EUV lithography technology using Extreme Ultra-Violet (hereinafter referred to as EUV) light using a wavelength of 13.5 nm, which is very short compared to a wavelength of 193 nm, as a main exposure wavelength is attracting attention as a next-generation process.
한편, 리소그래피 공정은 패터닝을 위한 원판으로서 포토마스크(Photomask)가 사용되고, 포토마스크 상의 패턴이 웨이퍼(Wafer)에 전사되는데, 만약, 포토마스크 상에 파티클(Particle)이나 이물질 등의 불순물이 부착되어 있으면 이 불순물로 인해 노광 광이 흡수되거나 반사되어 전사된 패턴이 손상될 수 있으며, 이에 따라 반도체 장치의 성능이나 수율의 저하를 초래할 수 있다.On the other hand, in the lithography process, a photomask is used as an original plate for patterning, and the pattern on the photomask is transferred to a wafer. If impurities such as particles or foreign substances are attached to the photomask, Exposure light may be absorbed or reflected due to the impurities, and the transferred pattern may be damaged, and thus, performance or yield of the semiconductor device may be deteriorated.
이에 따라, 포토마스크 표면에 불순물이 부착되는 것을 방지하기 위하여 포토마스크에 펠리클(Pellicle)을 부착하는 방법이 사용되고 있다. 펠리클은 포토마스크 표면 상부에 배치되며, 펠리클 상에 불순물이 부착되더라도, 포토리소그래피 공정 시 초점은 포토마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 불순물은 초점이 맞지 않아 웨이퍼 표면에 전사되지 않는다. 최근에는, 회로 선폭의 미세화에 따라 패턴 손상에 영향을 미칠 수 있는 불순물의 크기 또한 줄어 들었기 때문에, 포토마스크 보호를 위한 펠리클의 역할이 더욱 중요해지고 있다.Accordingly, a method of attaching a pellicle to the photomask is used to prevent impurities from being attached to the surface of the photomask. The pellicle is disposed on the surface of the photomask, and even if impurities are attached to the pellicle, since the focus is matched to the pattern of the photomask during the photolithography process, the impurities on the pellicle are out of focus and are not transferred to the wafer surface. In recent years, since the size of impurities that can affect pattern damage has also decreased with the miniaturization of circuit line width, the role of the pellicle for photomask protection has become more important.
본 발명은 펠리클의 광학적 특성 손실을 최소화하면서 펠리클의 기계적, 열적, 화학적 안정성을 개선할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of improving mechanical, thermal, and chemical stability of the pellicle while minimizing loss of optical properties of the pellicle and a manufacturing method thereof.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클은, 중심층; 상기 중심층을 보호하기 위한 캡핑층; 및 상기 캡핑층과 상기 중심층 사이에 배치되어 상기 중심층과 상기 캡핑층 사이의 확산을 방지하는 확산방지층;을 구비하는 펠리클부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention for achieving the above object includes a central layer; a capping layer for protecting the center layer; and an anti-diffusion layer disposed between the capping layer and the pinned layer to prevent diffusion between the pinned layer and the capping layer.
상기 확산방지층은, SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), BxC (x=0~7), BNx (x=0~2) 중 어느 하나 이상; graphite; MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, MoSxSe2-x 중 하나 이상을 포함하는 전이금속 디칼코게니드 MtX2 물질; Graphene, h-BN 중 하나 이상을 포함하는 2차원 물질; 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데넘늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 붕소(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 란타넘(La), 세륨(Ce) 중 하나 이상을 포함하는 금속 (M); 상기 금속과 실리콘이 결합한 금속 실리사이드; 상기 금속 실리사이드에 N, B, C, O 중 하나 이상의 경원소가 결합한 금속 실리사이드 화합물 MNxByCzOn (x, y, z, n=0~6); 중 하나의 물질로 형성될 수 있다.The anti-diffusion layer is SiNx (x = 0.5 ~ 2), SiCx (x = 0.1 ~ 4), SiOx (x = 1 ~ 3), BxC (x = 0 ~ 7), BNx (x = 0 ~ 2) any one or more; graphite; MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, transition metal dichalcogenide MtX2 material containing one or more of MoSxSe2-x; A two-dimensional material containing at least one of graphene and h-BN; Chromium (Cr), aluminum (Al), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), palladium (Pd), titanium (Ti), platinum (Pt), manganese (Mn), Iron (Fe), Nickel (Ni), Cadmium (Cd), Zirconium (Zr), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Selenium (Se), Copper (Cu), Yttrium (Y), Indium (In), Tin (Sn), Boron (B), Beryllium (Be), Tantalum (Ta), Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Silicon (Si), Ruthenium (Ru), Lanthanum (La) , a metal (M) containing at least one of cerium (Ce); a metal silicide in which the metal and silicon are combined; a metal silicide compound MNxByCzOn (x, y, z, n=0 to 6) in which at least one light element selected from N, B, C, and O is bonded to the metal silicide; It can be made of one of the materials.
상기 확산방지층은 다층 구조로 형성될 수 있다.The anti-diffusion layer may be formed in a multilayer structure.
상기 확산 방지층은 0.1~5nm 의 두께를 갖는다.The diffusion barrier layer has a thickness of 0.1 to 5 nm.
상기 캡핑층과 상기 확산방지층의 두께의 합은 15nm 이하인 것이 바람직하다.Preferably, the sum of the thicknesses of the capping layer and the anti-diffusion layer is 15 nm or less.
상기 중심층은, Si, SiNx, SiCx, graphene, graphite, BN, BNNT(Boron nitride nanotube), CNT(Carbon nanotube) 중 어느 하나의 단일막 구조를 갖거나, Si/SiCx, Si/SiNx, Si/RuSix, Si/MoSix, SiNx/MoSix, SiNx/RuSix, SiNx/BNNT, SiNx/CNT, SiCx/MoSix, SiCx/RuSix, SiCx/BNNT, SiCx/CNT, MoSix/BN, MoSix/BNNT, MoSix/CNT 중 어느 하나의 2층막 구조를 갖는다.The central layer has a single film structure of Si, SiNx, SiCx, graphene, graphite, BN, boron nitride nanotube (BNNT), carbon nanotube (CNT), or Si/SiCx, Si/SiNx, Si/ Of RuSix, Si/MoSix, SiNx/MoSix, SiNx/RuSix, SiNx/BNNT, SiNx/CNT, SiCx/MoSix, SiCx/RuSix, SiCx/BNNT, SiCx/CNT, MoSix/BN, MoSix/BNNT, MoSix/CNT It has either a two-layer film structure.
상기 중심층은 100nm 이하의 두께를 갖는다.The pinned layer has a thickness of 100 nm or less.
상기 캡핑층은, SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), RuSix (x=0~2), MoSix (x=0.5~2.5), BNx (x=0~2) 중 어느 하나 이상; 실리콘과 C, O, N, B 중 하나 이상이 결합한 화합물 SiNxByCzOn (x, y, z, n=0~6); MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2 중 하나 이상을 포함하는 전이금속 디칼코제나이드 MtX2 물질; 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데넘늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 붕소(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 란타넘(La), 세륨(Ce) 중 하나 이상을 포함하는 금속 (M); 상기 금속들의 합금; 상기 금속과 실리콘이 결합한 금속 실리사이드; 및 상기 금속 실리사이드와 N, B, C, O 중 하나 이상의 경원소가 결합한 금속 실리사이드 화합물 MNxByCzOn (x, y, z, n=0~6); 중 어느 하나의 물질로 형성된다.The capping layer is SiNx (x = 0.5 to 2), SiCx (x = 0.1 to 4), SiOx (x = 1 to 3), RuSix (x = 0 to 2), MoSix (x = 0.5 to 2.5), Any one or more of BNx (x=0~2); SiNxByCzOn (x, y, z, n=0 to 6), a compound in which silicon is combined with at least one of C, O, N, and B; a transition metal dichalcogenide MtX2 material containing at least one of MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, and WTe2; Chromium (Cr), aluminum (Al), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), palladium (Pd), titanium (Ti), platinum (Pt), manganese (Mn), Iron (Fe), Nickel (Ni), Cadmium (Cd), Zirconium (Zr), Zinc (Zn), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Selenium (Se), Copper (Cu), Yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium (Nb), silicon (Si), ruthenium (Ru), a metal (M) containing at least one of lanthanum (La) and cerium (Ce); alloys of the above metals; a metal silicide in which the metal and silicon are combined; and a metal silicide compound MNxByCzOn (x, y, z, n = 0 to 6) in which the metal silicide is combined with at least one light element selected from N, B, C, and O; made of any one of these materials.
상기 캡핑층은 다층 구조로 형성될 수 있다.The capping layer may have a multilayer structure.
상기 확산방지층은 다층의 상기 캡핑층들 사이에도 형성될 수 있다.The anti-diffusion layer may also be formed between the multi-layered capping layers.
상기 펠리클부는 최하층으로부터 최상층의 구조가, MoSix/Si/SiNx; MoSix/SiCx/Si/SiNx; MoSix/BxC/Si/SiNx; MoSix/BNx/Si/SiNx; MoSix/SiNx/Si/SiNx; MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiNx/Si/SiNx; BNx/MoSix/Si/SiNx; RuSix/Si/SiNx; RuSix/SiCx/Si/SiNx; RuSix/BxC/Si/SiNx; RuSix/BNx/Si/SiNx; RuSix/SiNx/Si/SiNx; RuSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/RuSix/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/MtX2/Si/SiNx; B/Si/SiNx/MoSix/B; Zr/Si/SiNx/MoSix/Zr; B/MoSi/Si/SiN; Zr/MoSi/Si/SiN; B/Si/SiNx/RuSix/B; Zr/Si/SiNx/RuSix/Zr; B/RuSi/Si/SiN; Zr/RuSi/Si/SiN; 중 어느 하나의 구조를 갖도록 구성될 수 있다.The structure of the uppermost layer from the lowermost layer of the pellicle unit is MoSix/Si/SiNx; MoSix/SiCx/Si/SiNx; MoSix/BxC/Si/SiNx; MoSix/BNx/Si/SiNx; MoSix/SiNx/Si/SiNx; MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiNx/Si/SiNx; BNx/MoSix/Si/SiNx; RuSix/Si/SiNx; RuSix/SiCx/Si/SiNx; RuSix/BxC/Si/SiNx; RuSix/BNx/Si/SiNx; RuSix/SiNx/Si/SiNx; RuSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/RuSix/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/MtX2/Si/SiNx; B/Si/SiNx/MoSix/B; Zr/Si/SiNx/MoSix/Zr; B/MoSi/Si/SiN; Zr/MoSi/Si/SiN; B/Si/SiNx/RuSix/B; Zr/Si/SiNx/RuSix/Zr; B/RuSi/Si/SiN; Zr/RuSi/Si/SiN; It may be configured to have any one of the structures.
상기 펠리클부는 극자외선 노광광에 대하여 85% 이상의 투과율 및 0.1% 이하의 반사율을 갖는다.The pellicle unit has a transmittance of 85% or more and a reflectance of 0.1% or less with respect to extreme ultraviolet exposure light.
상기 펠리클부는, 상기 중심층과 상기 확산방지층 사이 및 상기 확산방지층과 상기 캡핑층 사이 중 적어도 어느 하나에 계면층이 형성될 수 있다.In the pellicle unit, an interface layer may be formed on at least one of between the center layer and the anti-diffusion layer and between the anti-diffusion layer and the capping layer.
본 발명의 다른 측면에 의하면, a) 지지기판 상에 식각저지층을 형성하는 단계; b) 상기 식각저지층상에 중심층을 형성하는 단계; c) 상기 중심층 상부에 상부 식각보호층을 형성하고 상기 지지기판의 하부에 하부 식각보호층 패턴을 형성하는 단계; d) 상기 하부 식각보호층 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 지지기판 및 식각저지층을 식각함으로써 펠리클 프레임을 형성하는 단계; e) 상기 상부 식각보호층 및 상기 하부 식각보호층 패턴을 제거하는 단계; f) 상기 중심층의 하면을 덮도록 확산방지층을 형성하는 단계; 및 g) 상기 확산방지층을 덮도록 캡핑층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, a) forming an etch stop layer on a support substrate; b) forming a center layer on the etch stop layer; c) forming an upper etch protection layer on the center layer and forming a lower etch protection layer pattern on the lower part of the support substrate; d) forming a pellicle frame by etching the support substrate and the etch stop layer using the lower etch protection layer pattern as an etch mask; e) removing the upper etch protection layer and the lower etch protection layer pattern; f) forming a diffusion barrier layer to cover the lower surface of the center layer; and g) forming a capping layer to cover the anti-diffusion layer.
상기 중심층, 상기 확산방지층, 및 상기 캡핑층은, 금속:실리콘=1:0.1~3 조성의 스퍼터링(Sputtering) 타겟(Target)을 이용하여 스퍼터링 하는 방법; 및 실리콘:화합물(O, C, N 중 하나 이상)=1:0.1~4 조성의 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링 하는 방법; 중 하나 이상의 방법으로 형성될 수 있다.The central layer, the anti-diffusion layer, and the capping layer are sputtered using a sputtering target having a composition of metal:silicon=1:0.1~3; and a silicon:compound (at least one of O, C, and N) = 1:0.1 to 4 composition sputtering target using a sputtering method; It can be formed in one or more ways.
상기 스퍼터링은 20~600℃ 의 온도에서 수행된다.The sputtering is performed at a temperature of 20 to 600 °C.
상기 중심층, 상기 확산방지층, 및 상기 캡핑층은, 질소(N), 또는 아르곤(Ar), 또는 수소(H), 또는 탄화수소 (Hydrocarbon), 또는 이들의 혼합 가스 분위기 상에서 150℃ 이상의 온도로 열처리되는 것이 바람직하다.The center layer, the diffusion barrier layer, and the capping layer are heat treated at a temperature of 150° C. or higher in an atmosphere of nitrogen (N), argon (Ar), hydrogen (H), hydrocarbon, or a mixed gas thereof. it is desirable to be
본 발명에 따르면, 열방출 성능이 우수하고 극자외선 리소그래피 환경에서의 안정성이 뛰어나며 기계적 강도가 우수한 펠리클이 제공된다. 또한 확산방지층에 의하여 중심층과 캡핑층 사이의 확산에 의해 계면의 조성이 변하는 것이 방지된다.According to the present invention, a pellicle having excellent heat dissipation performance, excellent stability in an extreme ultraviolet lithography environment, and excellent mechanical strength is provided. Also, the composition of the interface is prevented from being changed by diffusion between the center layer and the capping layer by the diffusion barrier layer.
도 1 은 본 발명의 펠리클에 구비된 펠리클부의 중심층을 도시한 단면도.
도 2 는 도 1 의 중심층과 함께 캡핑층과 확산 방지층이 구비된 상태의 펠리클부를 도시한 단면도.
도 3 내지 도 7 은 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a central layer of a pellicle part provided in a pellicle of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a pellicle unit in a state in which a capping layer and a diffusion barrier layer are provided together with the center layer of FIG. 1;
3 to 7 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 기술한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 은 본 발명의 펠리클에 구비된 펠리클부의 중심층을 도시한 단면도이고, 도 2 는 도 1 의 중심층과 함께 캡핑층과 확산 방지층이 구비된 상태의 펠리클부를 도시한 단면도이다. 펠리클부는 중심층(110)과 캡핑층(120) 및 확산방지층(130)을 구비한다. 캡핑층(120)은 중심층(110)의 하부에 배치되며, 확산방지층(130)은 중심층(110)과 캡핑층(120)의 사이에 배치된다. 여기에서 하부는 펠리클부를 지지하는 펠리클 프레임(도 1, 2 에 도시되지 않음) 측을 의미한다. 따라서 펠리클은 펠리클 프레임상에 캡핑층(120), 확산방지층(130), 및 중심층(110)이 순차적으로 적층된 형태를 갖는다.1 is a cross-sectional view showing a central layer of a pellicle unit provided in the pellicle of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a pellicle unit in a state in which a capping layer and a diffusion barrier layer are provided together with the central layer of FIG. The pellicle unit includes a
펠리클부의 중심층(110)은 극자외선용 노광 광에 대해 높은 투과율을 유지하면서 기계적 강도가 우수한 물질로 구성된다.The
중심층(110)은, Si, SiNx, SiCx, graphene, graphite, BN, BNNT(Boron nitride nanotube), CNT(Carbon nanotube) 중 어느 하나의 단일막 구조를 가질 수 있다.The
또한 중심층(110)은 하층(111)과 상층(112)의 2층막으로 구성된 구조를 가질 수 있다. 2층막은 하층(111)/상층(112)이 Si/SiCx, Si/SiNx, Si/RuSix, Si/MoSix, SiNx/MoSix, SiNx/RuSix, SiNx/BNNT, SiNx/CNT, SiCx/MoSix, SiCx/RuSix, SiCx/BNNT, SiCx/CNT, MoSix/BN, MoSix/BNNT, MoSix/CNT 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있다. 여기에서 x = 0.5~2 의 범위를 갖는다. 중심층(110)의 Si 는 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘으로 구성될 수 있다.In addition, the
중심층(110)은 100nm 이하의 두께를 갖고, EUV 노광광에 대하여 85% 이상의 투과율 및 0.1% 이하의 반사율을 가지며, 이를 위해 중심층(110)을 구성하는 각 막의 두께는 다양한 조합을 가질 수 있다.The
전술한 펠리클 프레임(도 1 및 2 에 도시되어 있지 않으며, 도 3 에서 도면부호 211 의 구성임)은 펠리클부를 지지하는 역할을 하며, 펠리클(100) 제작완료 시 핸들링 및 이송을 용이하게 하는 역할을 한다. 펠리클 프레임(211)은 건식/습식 식각이 가능한 물질로 형성되며, 예를 들어, 석영, SOI 또는 실리콘(Si) 웨이퍼를 식각하는 공정을 통해 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 펠리클(100)은 펠리클 프레임(211)에 대한 특별한 언급이 없더라도 상기 펠리클 프레임(211)을 포함한다.The above-described pellicle frame (not shown in FIGS. 1 and 2, and a configuration denoted by
펠리클부는 중심층(110)의 하부에 캡핑층(120)을 구비한다. 캡핑층(120)은 극자외선 리소그래피 환경에서 일어나는 화학적 반응으로부터 중심층(110)을 보호하고, 펠리클(100)의 기계적 강도를 강화하며, 열방사를 통하여 펠리클(100)의 열적 안정성을 높이는 역할을 한다. 이를 위해, 캡핑층(120)는 수소(H) 라디칼 및 산소(O)와의 반응성이 낮아 화학적으로 안정하면서 기계적으로 우수한 물질들로 구성된다.The pellicle unit includes a
캡핑층(120)은 SiNx, SiCx, SiOx, RuSix, MoSix, BNx 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. 여기서, x는 실수 범위의 물질 조성비를 의미하고, 바람직하게는 각 물질별로 SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), RuSix (x=0~2), MoSix (x=0.5~2.5), BNx (x=0~2) 의 범위를 갖는다.The
또한 캡핑층(120)은, 실리콘과 C, O, N, B 중 하나 이상이 결합한 화합물 SiNxByCzOn (x, y, z, n=0~6); MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2 중 하나 이상을 포함하는 전이금속 디칼코제나이드 MtX2 물질; 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데넘늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 붕소(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 란타넘(La), 세륨(Ce) 중 하나 이상을 포함하는 금속 (M); 상기 금속들의 합금; 상기 금속과 실리콘이 결합한 금속 실리사이드; 및 상기 금속 실리사이드와 N, B, C, O 중 하나 이상의 경원소가 결합한 금속 실리사이드 화합물 MNxByCzOn (x, y, z, n=0~6); 중 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.In addition, the
캡핑층(120)은 이러한 물질 중 하나의 단층 구조 또는 이러한 물질들 중 하나 이상의 다층 구조로 형성될 수 있다.The
상기 캡핑층(120)은 15nm 이하의 두께, 바람직하게는 10nm 이하의 두께를 가지며, 펠리클부(10)의 기계적 강도 및 광학적 특성을 고려하여 다양한 두께로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 캡핑층(120)은 펠리클부(10)의 극자외선 노광광에 대하여 반사율이 최소가 되는 두께로 형성된다. 예를 들어, 캡핑층(120)은 캡핑층(120) 외의 다른 하나 이상의 층에서 반사한 극자외선 노광광과 상쇄간섭 일으키는 광학두께로 형성할 수 있다.The
확산방지층(130)은 중심층(110)과 캡핑층(120) 사이에 형성된다. 캡핑층(120)이 복수의 층으로 형성될 경우, 확산방지층(130)은 각 캡핑층들 사이에도 형성될 수 있다. 확산방지층(130)은 캡핑층(120)과 중심층(110)의 계면에서 확산에 의해 캡핑층(120)과 중심층(110)의 조성이 바뀌는 것을 방지하고, 캡핑층(120)의 migration 을 방지하는 기능을 한다. 확산방지층(130)은, SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), BxC (x=0~7), BNx (x=0~2) 중 어느 하나 이상의 조성으로 형성될 수 있다. 또한 확산방지층(130)은, graphite; MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, MoSxSe2-x 중 하나 이상을 포함하는 전이금속 디칼코게니드 MtX2 물질; Graphene, h-BN 중 하나 이상을 포함하는 2차원 물질; 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데넘늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 붕소(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 란타넘(La), 세륨(Ce) 중 하나 이상을 포함하는 금속 (M); 상기 금속과 실리콘이 결합한 금속 실리사이드; 및 상기 금속 실리사이드에 N, B, C, O 중 하나 이상의 경원소가 결합한 금속 실리사이드 화합물 MNxByCzOn (x, y, z, n=0~6); 중 하나의 물질로 형성될 수 있다.The
확산방지층(130)은 이러한 물질을 이용한 단층 구조, 또는 이들 물질 중 하나 이상을 이용한 다층 구조로 형성될 수 있다.The
확산방지층(130)은 0.1~5nm 의 두께를 갖는다. 캡핑층(120)과 확산방지층(130)의 두께의 합은 15nm 이하, 바람직하게는 10nm 이하가 되도록 구성되며, 펠리클(100)의 기계적 강도 및 광학적 특성을 고려하여 다양한 두께로 형성할 수 있다. 캡핑층(120)과 확산방지층(130)은 펠리클(100)의 극자외선 노광 광에 대하여 반사율을 최대한 감소시키는 두께로 형성할 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(120)과 확산방지층(130)은, 캡핑층(120)과 확산방지층(130) 외의 다른 하나 이상의 층에서 반사한 극자외선 노광 광과 상쇄간섭 일으키는 광학두께를 갖도록 형성할 수 있다.The
위와 같은 조성물들의 조합에 따른 펠리클부의 구성의 예로서, 펠리클부는 최하층으로부터 최상층의 구조가 MoSix/Si/SiNx; MoSix/SiCx/Si/SiNx; MoSix/BxC/Si/SiNx; MoSix/BNx/Si/SiNx; MoSix/SiNx/Si/SiNx; MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiNx/Si/SiNx; BNx/MoSix/Si/SiNx; RuSix/Si/SiNx; RuSix/SiCx/Si/SiNx; RuSix/BxC/Si/SiNx; RuSix/BNx/Si/SiNx; RuSix/SiNx/Si/SiNx; RuSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/RuSix/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/MtX2/Si/SiNx; B/Si/SiNx/MoSix/B; Zr/Si/SiNx/MoSix/Zr; B/MoSi/Si/SiN; Zr/MoSi/Si/SiN; B/Si/SiNx/RuSix/B; Zr/Si/SiNx/RuSix/Zr; B/RuSi/Si/SiN; Zr/RuSi/Si/SiN; 중 하나의 구조를 갖도록 형성될 수 있다.As an example of the configuration of the pellicle unit according to the combination of the above compositions, the structure of the uppermost layer from the lowermost layer of the pellicle unit is MoSix/Si/SiNx; MoSix/SiCx/Si/SiNx; MoSix/BxC/Si/SiNx; MoSix/BNx/Si/SiNx; MoSix/SiNx/Si/SiNx; MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/MoSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/MoSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/MoSix/SiNx/Si/SiNx; BNx/MoSix/Si/SiNx; RuSix/Si/SiNx; RuSix/SiCx/Si/SiNx; RuSix/BxC/Si/SiNx; RuSix/BNx/Si/SiNx; RuSix/SiNx/Si/SiNx; RuSix/MtX2/Si/SiNx; SiCx/RuSix/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiCx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BxC/Si/SiNx; SiCx/RuSix/BNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/SiNx/Si/SiNx; SiCx/RuSix/MtX2/Si/SiNx; B/Si/SiNx/MoSix/B; Zr/Si/SiNx/MoSix/Zr; B/MoSi/Si/SiN; Zr/MoSi/Si/SiN; B/Si/SiNx/RuSix/B; Zr/Si/SiNx/RuSix/Zr; B/RuSi/Si/SiN; Zr/RuSi/Si/SiN; It can be formed to have one of the structures.
도 1 및 도 2 에 도시되지는 않았지만, 펠리클부는 중심층(110)과 확산방지층(130) 사이 및 확산방지층(130)과 캡핑층(120) 사이에 계면층을 구비할 수 있다. 계면층(150)은 중심층(110)과 확산방지층(130) 사이 및 확산방지층(130)과 캡핑층(120) 사이 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다. 계면층은 각 층을 형성하는 과정에서 자연스럽게 형성될 수 있고, 또는 인위적인 형성 단계를 추가함으로써 형성될 수도 있다. 계면층은 계면에 인접한 두 층을 구성하는 물질과 상이한 조성으로 형성될 수 있다. 각 계면층의 조성은 두께 방향상의 위치에 따라 선형 혹은 비선형적으로 변화될 수 있고, 또는 평면 방향상의 위치에 따라 선형 또는 비선형적으로 변화될 수 있으며, 이 둘이 혼합될 수도 있다. 예를 들어, Si/금속실리사이드 구조에서 Si층과 금속실리사이드층의 계면에는 두께 방향으로 금속실리사이드 층의 조성이 차이가 있을 수 있다. 구체적으로는, Si/MoSix 구조에서, Si와 인접한 위치에서 계면층은 MoSi1.1 의 조성을 가지며, MoSix 와 인접한 위치에서 계면층은 MoSi0.9 의 조성을 가질 수 있으며, 또는 그 반대의 조성을 가질 수 있다.Although not shown in FIGS. 1 and 2 , the pellicle unit may include an interface layer between the
본 발명에서는 계면층에 대하여 Si/MoSix 구조 하나의 예시를 설명하였으나, 중심층(110), 확산방지층(130) 및 캡핑층(120)으로 구성되는 다층 구조 펠리클부의 각 계면에서는 계면을 형성하는 해당 물질에 따라 다양한 종류의 계면층이 존재할 수 있다. 즉, 본 발명의 다층 구조에서, 각 층간 계면에 하나 이상의 층이 존재하고, 계면에 존재하는 층의 물질 및 조성이 계면을 형성하는 인접한 두 층의 구성 물질들의 조합으로 구성된다면, 이는 계면층의 범주에 포함될 수 있다.In the present invention, one example of the Si / MoSi x structure has been described for the interface layer, but at each interface of the multi-layered pellicle part composed of the
도 3 내지 도 7 은 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 순차적으로 도시한 도면이다. 3 to 7 are views sequentially illustrating a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.
도 3 을 참조하면, 펠리클 지지기판(210)인 8인치 실리콘 기판 상에 식각 저지층(140) 및 중심층(110)을 순차적으로 형성한다.Referring to FIG. 3 , an
도 4 를 참조하면, 중심층(110) 상면에 상부 식각보호층(310)을 형성하고, 펠리클 지지기판(210) 하면에 하부 식각보호층(320)을 형성한다.Referring to FIG. 4 , an upper
도 5 를 참조하면, 먼저 하부 식각보호층(320)을 패터닝하여 하부 식각보호층 패턴(320a)을 형성한다. 여기에서, 하부 식각보호층 패턴(320a)은 건식 또는 습식 식각을 통하여 패터닝한다. 그리고 나서, 하부 식각보호층패턴(320a)을 식각마스크로 사용하여 지지기판(210)을 건식 식각 또는 KOH, TMAH 등을 이용한 습식 식각 공정으로 식각함으로써 지지층 패턴(210a)을 형성하고, 식각 저지층(140)을 식각하여 펠리클부(10)의 중심층(110) 하면이 노출되도록 식각저지층 패턴(140a)을 형성한다. 지지층 패턴(320a)과 식각저지층 패턴(140a)은 그 상부의 펠리클부를 지지하는 펠리클 프레임(211)을 구성한다.Referring to FIG. 5 , first, the lower
도 6 을 참조하면, 건식 식각 또는 습식 식각 공정으로 상부 식각보호층(310)과 하부 식각보호층 패턴(320a)을 제거한다.Referring to FIG. 6 , the upper
도 7 을 참조하면, 노출된 펠리클 중심층(110)의 하면을 덮도록 확산방지층(130)을 형성하고 확산방지층(130)의 하면을 덮도록 캡핑층(120)을 형성한다.Referring to FIG. 7 , an
여기서, 상술한 식각 저지층(140), 중심층(110), 캡핑층(120), 상부 식각보호층(310), 하부 식각보호층(320)은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition: CVD), 스퍼터링(Sputtering)을 포함하는 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition: PVD), 원자층증착법(Atomic layer deposition, ALD), 열산화법(Thermal Oxidation) 등의 방법을 통하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 저지층(140), 중심층(110), 캡핑층(120), 상부 식각보호층(310), 하부 식각보호층(320)은, 해당 층을 구성하는 물질의 조성과 일치하는 스퍼터링 타겟(Target)을 이용하거나, 금속:실리콘=1:0.1~3 조성의 스퍼터링 타겟을 이용하거나, 또는 실리콘:화합물(O, C, N 중 하나 이상)=1:0.1~4 조성의 스퍼터링 타겟을 이용하여, 25~600 ℃ 의 온도 범위 내에서 스퍼터링(Sputtering)을 통하여 형성될 수 있다.Here, the aforementioned
스퍼터링을 통해 형성된 각 층은, 박막의 밀도 향상 및 결정화 개선을 위해 질소(N), 아르곤(Ar), 수소(H), 탄소화수소(Hydrocabon), 또는 이들의 혼합 가스 분위기 상에서 150℃ 이상의 온도로 열처리할 수 있다.Each layer formed through sputtering is heated to a temperature of 150° C. or higher in an atmosphere of nitrogen (N), argon (Ar), hydrogen (H), hydrocarbon (Hydrocabon), or a mixture thereof to improve the density and crystallization of the thin film. can be heat treated.
한편, 도 3 내지 도 7 의 실시예에서는 확산방지층(130)과 캡핑층(120)이 지지기판(210)을 식각하여 펠리클 프레임(211)을 형성하는 공정 후에 형성되는 예를 기술하였으나, 확산방지층(130)과 캡핑층(120)은 중심층(110) 형성 전에 지지기판(210) 상에 먼저 형성되도록 할 수도 있다.Meanwhile, in the embodiments of FIGS. 3 to 7 , an example in which the
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 구조를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 구조는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 구조로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구조가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.Above, the present invention is described in detail through the structure of the present invention with reference to the drawings, but the structure is only used for the purpose of illustration and description of the present invention, limiting the meaning or scope of the present invention described in the claims. It is not intended to be limiting. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other structures are possible from the structure. Therefore, the true technology protection scope of the present invention will have to be determined by the technical details of the claims.
100: 펠리클 110: 중심층
120: 캡핑층 130: 확산방지층
140: 식각 저지층 210: 지지기판
211: 펠리클 프레임 310: 상부 식각보호층
320: 하부 식각보호층패턴100: pellicle 110: central layer
120: capping layer 130: diffusion prevention layer
140: etch stop layer 210: support substrate
211: pellicle frame 310: upper etch protection layer
320: lower etch protection layer pattern
Claims (17)
상기 중심층을 보호하기 위한 다층 구조의 캡핑층; 및
상기 캡핑층과 상기 중심층 사이에 배치되어 상기 중심층과 상기 캡핑층 사이의 확산을 방지하는 확산방지층;
을 구비하는 펠리클부를 포함하며,
상기 중심층은 Si, SiNx, MoSi, RuSi 중 하나 이상으로 형성되고,
상기 확산방지층은 그래핀, 그래파이트 중 하나 이상으로 형성되며,
상기 캡핑층은 다층 구조로 형성되고,
상기 확산방지층은 다층의 상기 캡핑층들 사이에도 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
central layer;
a capping layer having a multilayer structure for protecting the center layer; and
a diffusion barrier layer disposed between the capping layer and the pinned layer to prevent diffusion between the pinned layer and the capping layer;
Including a pellicle portion having a,
The center layer is formed of one or more of Si, SiNx, MoSi, and RuSi,
The anti-diffusion layer is formed of one or more of graphene and graphite,
The capping layer is formed in a multilayer structure,
The diffusion barrier layer is a pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed between the multi-layer capping layer.
상기 확산방지층은 다층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
According to claim 1,
The anti-diffusion layer is a pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed in a multi-layer structure.
상기 캡핑층과 상기 확산방지층의 두께의 합은 15nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
According to claim 1,
A pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the sum of the thicknesses of the capping layer and the diffusion barrier layer is 15 nm or less.
상기 중심층은 100nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
According to claim 1,
The central layer is a pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it has a thickness of 100 nm or less.
상기 캡핑층은,
SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), RuSix (x=0~2), MoSix (x=0.5~2.5), BNx (x=0~2) 중 어느 하나 이상;
실리콘과 C, O, N, B 중 하나 이상이 결합한 화합물 SiNxByCzOn (x, y, z, n=0~6);
MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2 중 하나 이상을 포함하는 전이금속 디칼코제나이드 MtX2;
크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데넘늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 붕소(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 란타넘(La), 세륨(Ce) 중 하나 이상을 포함하는 물질(M);
상기 물질(M)들의 합금;
상기 물질(M)과 실리콘이 결합한 실리사이드 물질; 및
상기 물질(M)과 N, B, C, O 중 하나 이상의 경원소가 결합한 화합물 MNxByCzOn (x, y, z, n=0~6);
중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
According to claim 1,
The capping layer,
SiNx (x=0.5~2), SiCx (x=0.1~4), SiOx (x=1~3), RuSix (x=0~2), MoSix (x=0.5~2.5), BNx (x=0 ~2) any one or more;
SiNxByCzOn (x, y, z, n=0 to 6), a compound in which silicon is combined with at least one of C, O, N, and B;
transition metal dichalcogenide MtX2 containing at least one of MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, and WTe2;
Chromium (Cr), aluminum (Al), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), palladium (Pd), titanium (Ti), platinum (Pt), manganese (Mn), Iron (Fe), Nickel (Ni), Cadmium (Cd), Zirconium (Zr), Zinc (Zn), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Selenium (Se), Copper (Cu), Yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium (Nb), silicon (Si), ruthenium (Ru), a material (M) containing at least one of lanthanum (La) and cerium (Ce);
alloys of the materials (M);
a silicide material in which the material (M) and silicon are bonded; and
A compound MNxByCzOn (x, y, z, n=0 to 6) in which the material (M) and at least one light element of N, B, C, and O are bonded;
A pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed by any one of.
상기 펠리클부는 극자외선 노광광에 대하여 85% 이상의 투과율 및 0.1% 이하의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
According to claim 1,
The pellicle part has a transmittance of 85% or more and a reflectance of 0.1% or less with respect to extreme ultraviolet exposure light.
상기 펠리클부는, 상기 중심층과 상기 확산방지층 사이 및 상기 확산방지층과 상기 캡핑층 사이 중 적어도 어느 하나에 계면층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클.
According to claim 1,
The pellicle unit is a pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that an interface layer is formed on at least one of between the central layer and the diffusion barrier layer and between the diffusion barrier layer and the capping layer.
b) 상기 식각저지층상에 중심층을 형성하는 단계;
c) 상기 중심층 상부에 상부 식각보호층을 형성하고 상기 지지기판의 하부에 하부 식각보호층 패턴을 형성하는 단계;
d) 상기 하부 식각보호층 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 지지기판 및 식각저지층을 식각함으로써 펠리클 프레임을 형성하는 단계;
e) 상기 상부 식각보호층 및 상기 하부 식각보호층 패턴을 제거하는 단계;
f) 상기 중심층의 하면을 덮도록 확산방지층을 형성하는 단계; 및
g) 상기 확산방지층을 덮도록 캡핑층을 형성하는 단계;
를 포함하며,
상기 중심층은 Si, SiNx, MoSi, RuSi 중 하나 이상으로 형성되고,
상기 확산방지층은 그래핀, 그래파이트 중 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조방법.
a) forming an etch stop layer on the support substrate;
b) forming a center layer on the etch stop layer;
c) forming an upper etch protection layer on the center layer and forming a lower etch protection layer pattern on the lower part of the support substrate;
d) forming a pellicle frame by etching the support substrate and the etch stop layer using the lower etch protection layer pattern as an etch mask;
e) removing the upper etch protection layer and the lower etch protection layer pattern;
f) forming a diffusion barrier layer to cover the lower surface of the center layer; and
g) forming a capping layer to cover the diffusion barrier layer;
Including,
The center layer is formed of one or more of Si, SiNx, MoSi, and RuSi,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the anti-diffusion layer is formed of one or more of graphene and graphite.
상기 중심층, 상기 확산방지층, 및 상기 캡핑층은, 질소(N), 또는 아르곤(Ar), 또는 수소(H), 또는 탄화수소 (Hydrocarbon), 또는 이들의 혼합 가스 분위기 상에서 150℃ 이상의 온도로 열처리되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조방법.15. The method of claim 14,
The center layer, the diffusion barrier layer, and the capping layer are heat treated at a temperature of 150° C. or higher in an atmosphere of nitrogen (N), argon (Ar), hydrogen (H), hydrocarbon, or a mixed gas thereof. A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, characterized in that.
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