KR102509854B1 - Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system - Google Patents

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유지 오키타
쇼타 이와하타
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Abstract

기판 처리 방법은, 제 1 공정 내지 제 6 공정을 구비한다. 기판을 유지한다 (제 1 공정). 카메라에 의한 촬상을 개시하여, 촬상 화상을 생성한다 (제 2 공정). 제 1 노즐로부터 기판으로의 처리액의 토출을 개시한다 (제 3 공정). 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하고, 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시한다 (제 4 공정). 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출의 개시 타이밍과 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출의 정지 타이밍의 타이밍차를 구한다 (제 5 공정). 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 개시 타이밍 및 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정한다 (제 6 공정). The substrate processing method includes first to sixth steps. The substrate is held (step 1). Imaging by the camera is started, and a captured image is generated (second process). Discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started (third process). The discharge of the processing liquid from the first nozzle is stopped, and the discharge of the processing liquid from the second nozzle is started (fourth process). Based on the image processing of the captured image, a timing difference between the start timing of ejection of the processing liquid from the second nozzle and the stop timing of ejection of the processing liquid from the first nozzle is obtained (step 5). When it is determined that the timing difference is outside the predetermined range, at least either one of the start timing and the stop timing is adjusted so that the timing difference is within the predetermined range (step 6).

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system

본 발명은, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a substrate processing system.

종래부터, 서로 상이한 처리액을 기판에 대해 순차적으로 공급하여 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 제안되어 있다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부를 회전시켜 기판을 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구와, 기판의 상방으로부터 처리액을 토출하는 제 1 토출 노즐 및 제 2 토출 노즐을 구비하고 있다. 제 1 토출 노즐 및 제 2 토출 노즐은 평면에서 볼 때에 있어서 기판의 중앙 부근으로부터 각각 처리액을 토출한다.[0002] Conventionally, substrate processing apparatuses have been proposed that perform processing by sequentially supplying different processing liquids to a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate holding portion for holding a substrate in a horizontal position, a rotation mechanism for rotating the substrate in a horizontal plane by rotating the substrate holding portion, a first discharge nozzle for discharging a processing liquid from above the substrate, and a second discharge nozzle for discharging a processing liquid from above the substrate. A discharge nozzle is provided. The first discharge nozzle and the second discharge nozzle each discharge the processing liquid from around the center of the substrate in plan view.

제 1 토출 노즐로부터 기판을 향하여 제 1 처리액을 토출하면, 그 제 1 처리액은 기판의 중앙 부근에 착액하고, 기판의 회전에 수반하는 원심력을 받아 기판 상에서 확산되어, 기판의 둘레가장자리로부터 비산된다. 제 1 처리액으로는, SC1 액 (암모니아수, 과산화수소수 및 물의 혼합액), SC2 액 (염산, 과산화수소수 및 물의 혼합액), DHF 액 (희불산) 등이 사용된다. 이로써, 제 1 처리액에 따른 처리를 기판에 대해 실시할 수 있다.When the first processing liquid is discharged from the first discharge nozzle toward the substrate, the first processing liquid lands near the center of the substrate, spreads on the substrate by receiving the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate, and is scattered from the periphery of the substrate. do. As the first treatment liquid, SC1 liquid (mixture of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and water), SC2 liquid (mixture of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and water), DHF liquid (dilute hydrofluoric acid), and the like are used. Thus, the substrate can be treated with the first treatment liquid.

다음으로 제 2 처리액에 의한 처리를 실시한다. 요컨대, 처리액을 토출하는 노즐을 제 1 토출 노즐로부터 제 2 토출 노즐로 전환한다. 구체적으로는, 제 1 토출 노즐로부터의 제 1 처리액의 토출을 정지하면서, 제 2 토출 노즐로부터의 제 2 처리액의 토출을 개시한다. 제 2 처리액은 기판의 중앙 부근에 착액하고, 기판의 회전에 수반하는 원심력을 받아 기판 상에서 확산되어, 기판의 둘레가장자리로부터 비산된다. 제 2 처리액으로는, 예를 들어 순수를 채용할 수 있다. 이로써, 제 1 처리액을 기판으로부터 씻어낼 수 있다.Next, treatment with the second treatment liquid is performed. In short, the nozzle that discharges the treatment liquid is switched from the first discharge nozzle to the second discharge nozzle. Specifically, the discharge of the second processing liquid from the second discharge nozzle is started while the discharge of the first processing liquid from the first discharge nozzle is stopped. The second processing liquid lands near the center of the substrate, spreads on the substrate by receiving the centrifugal force accompanying rotation of the substrate, and is scattered from the periphery of the substrate. As the second treatment liquid, pure water can be employed, for example. In this way, the first processing liquid can be washed off the substrate.

또 토출 노즐로부터의 처리액의 토출 상태를 카메라로 감시하는 기술도 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1, 2). 특허문헌 1, 2 에서는, 토출 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역을 카메라로 촬상하고, 그 카메라의 촬상 화상에 기초하여, 토출 노즐로부터 처리액이 토출되고 있는지 여부를 판정한다.In addition, a technique for monitoring the discharge state of the processing liquid from the discharge nozzle with a camera has also been proposed (for example, Patent Literatures 1 and 2). In Patent Literatures 1 and 2, an imaging area including the tip of the discharge nozzle is captured by a camera, and based on the image captured by the camera, it is determined whether or not the processing liquid is discharged from the discharge nozzle.

일본 공개특허공보 2017-29883호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-29883 일본 공개특허공보 2015-173148호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-173148

처리액을 토출하는 노즐을 제 1 토출 노즐로부터 제 2 토출 노즐로의 전환 시에는, 제 1 토출 노즐로부터의 처리액의 토출 정지 타이밍과, 제 2 토출 노즐로부터의 처리액의 토출 개시 타이밍의 타이밍차가 중요하다.When the nozzle for discharging the processing liquid is switched from the first discharge nozzle to the second discharge nozzle, the timing of stopping the discharge of the processing liquid from the first discharge nozzle and the timing of starting the discharge of the processing liquid from the second discharge nozzle Cars are important.

예를 들어, 제 1 토출 노즐의 토출 정지 타이밍에 대해 제 2 토출 노즐로부터의 처리액의 토출의 개시 타이밍이 늦을수록, 기판의 표면이 부분적으로 건조되기 쉬워진다 (액마름). 기판의 표면이 건조되면, 문제 (예를 들어 파티클의 부착) 를 일으킬 수 있다.For example, when the start timing of ejection of the processing liquid from the second ejection nozzle is later than the ejection stop timing of the first ejection nozzle, the surface of the substrate is more likely to be partially dried (liquid drying). If the surface of the substrate is dried, problems (e.g. adhesion of particles) may occur.

이 기판의 건조를 회피하려면, 제 1 토출 노즐의 토출 정지 타이밍보다 전에 제 2 토출 노즐의 토출을 개시하면 된다. 예를 들어 제 1 처리액의 토출 정지 중에 있어서, 제 1 처리액의 토출량은 시간의 경과와 함께 저하하고, 머지않아 영이 된다. 이 제 1 처리액의 토출 정지 중에 있어서 제 2 처리액의 토출을 개시함으로써, 기판 상에 끊김 없이 처리액을 공급할 수 있어, 기판이 건조될 가능성을 저감할 수 있다.In order to avoid drying of the substrate, it is only necessary to start ejection of the second ejection nozzle prior to the timing to stop ejection of the first ejection nozzle. For example, while the discharge of the first treatment liquid is stopped, the discharge amount of the first treatment liquid decreases with the lapse of time and soon becomes zero. By starting the discharge of the second processing liquid while the discharge of the first processing liquid is stopped, the processing liquid can be continuously supplied to the substrate and the possibility of the substrate drying can be reduced.

그러나, 제 2 토출 노즐의 토출 개시 타이밍이 지나치게 빠르면, 여전히 제 1 처리액이 충분한 토출량으로 토출되는 상태에서, 제 2 처리액의 토출이 개시된다. 이 경우, 기판에 공급되는 처리액의 총량이 커져, 처리액이 기판 상에서 튀어오른다 (액튐). 이와 같은 액튐의 발생은 바람직하지 않다.However, if the discharge start timing of the second discharge nozzle is too early, the discharge of the second treatment liquid is started while the first treatment liquid is still being discharged in a sufficient discharge amount. In this case, the total amount of the processing liquid supplied to the substrate increases, and the processing liquid bounces off the substrate (splash). The occurrence of such an action is undesirable.

따라서, 액튐 및 액마름이 발생하지 않도록 타이밍차를 조정하는 것이 바람직하다.Therefore, it is desirable to adjust the timing difference so that liquid splashing and liquid drying do not occur.

또, 상기 타이밍차가 기판에 대한 처리의 양부에 영향을 미치는 경우도 있다. 이 경우에는, 처리 결과가 양호해지도록 타이밍차를 조정하는 것이 바람직하다.Also, there are cases in which the timing difference affects the quality of processing on the substrate. In this case, it is desirable to adjust the timing difference so that the processing result is good.

그래서, 본원은, 원하는 타이밍차로 제 1 노즐로부터 제 2 노즐의 전환을 실시할 수 있는 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. Then, an object of this application is to provide the substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system which can switch a 2nd nozzle from a 1st nozzle with a desired timing difference.

기판 처리 방법의 제 1 양태는, 기판 처리 방법으로서, 기판을 유지하는 제 1 공정과, 제 1 노즐의 선단 및 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역의, 카메라에 의한 촬상을 개시하여, 촬상 화상을 생성하는 제 2 공정과, 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하는 제 3 공정과, 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하고, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 제 4 공정과, 상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 4 공정에 있어서 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하는 제 5 공정과, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 판정하고, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는 제 6 공정을 구비한다.A first aspect of a substrate processing method is a substrate processing method, in which a first step of holding a substrate and an imaging area including a tip of a first nozzle and a tip of a second nozzle are started by a camera to capture an image, A second process of generating an image, a third process of starting discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate, stopping the discharge of the processing liquid from the first nozzle, and A fourth step of starting discharge of the processing liquid, and a starting timing for starting discharge of the processing liquid from the second nozzle and the first nozzle in the fourth process based on the image processing of the captured image. A fifth step of obtaining a timing difference of the stop timing for stopping the dispensing of the processing liquid; A sixth step of adjusting at least either one of the start timing and the stop timing so as to be within a predetermined range is provided.

기판 처리 방법의 제 2 양태는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 개시 타이밍을 조정하지 않고 상기 정지 타이밍을 조정한다.A second aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the first aspect, wherein the stop timing is adjusted without adjusting the start timing.

기판 처리 방법의 제 3 양태는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 5 공정에 있어서, 상기 촬상 화상의 각 프레임 중 상기 제 1 노즐의 선단으로부터 상기 제 1 노즐의 토출 방향으로 연장되는 제 1 토출 판정 영역의 화소값에 기초하여, 상기 정지 타이밍을 특정하고, 각 프레임 중 상기 제 2 노즐의 선단으로부터 상기 제 2 노즐의 토출 방향으로 연장되는 제 2 토출 판정 영역의 화소값에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정한다.A 3rd aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the 1st or 2nd aspect, In the said 5th process, the discharge direction of the 1st nozzle from the front end of the said 1st nozzle in each frame of the said captured image The stop timing is specified based on the pixel values of the first discharge determination area extending to , and the pixel values of the second discharge determination area extending from the tip of the second nozzle in the ejection direction of the second nozzle in each frame. The starting timing is specified based on

기판 처리 방법의 제 4 양태는, 제 3 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 토출 판정 영역의 화소값의 통계량이 임계값보다 큰 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서, 상기 제 1 토출 판정 영역의 통계량이 상기 임계값보다 작은 프레임에 기초하여 상기 정지 타이밍을 특정하고, 상기 제 2 토출 판정 영역의 화소값의 통계량이 상기 임계값보다 작은 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서, 상기 제 1 토출 판정 영역의 통계량이 상기 임계값보다 큰 프레임에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정한다.A fourth aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the third aspect, comprising: a frame in which the statistic of pixel values in the first ejection determination area is larger than a threshold value, and a frame following the frame, wherein the first ejection The stopping timing is specified based on a frame in which the statistical amount of the judgment area is smaller than the threshold value, and as a frame in which the statistical amount of pixel values in the second ejection judgment area is smaller than the threshold value and a frame following the frame, The starting timing is specified based on a frame in which the statistic of the first ejection determination area is greater than the threshold value.

기판 처리 방법의 제 5 양태는, 제 4 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 6 공정에 있어서, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐에 대한 상기 통계량의 시간 변화를 나타내는 그래프를 사용자 인터페이스에 표시하고, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방인 대상 타이밍에 대한 입력이 상기 사용자 인터페이스에 대해 실시되었을 때에, 상기 입력에 따라 당해 대상 타이밍을 조정한다.A fifth aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the fourth aspect, wherein in the sixth step, a graph showing a change in time of the statistic for the first nozzle and the second nozzle is displayed on a user interface. and, when an input to the target timing, which is at least one of the start timing and the stop timing, is input to the user interface, the target timing is adjusted according to the input.

기판 처리 방법의 제 6 양태는, 제 1 내지 제 3 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 5 공정에 있어서, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐의 각각에 대해 처리액의 토출/정지로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여 상기 타이밍차를 구한다.A sixth aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein in the fifth step, a machine-learned classifier is used, and each frame included in the captured image is is classified as discharging/stopping of the processing liquid for each of the first nozzle and the second nozzle, and the timing difference is obtained based on the classification result.

기판 처리 방법의 제 7 양태는, 제 6 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 노즐에 대해 토출로 분류된 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서 상기 제 1 노즐에 대해 정지로 분류된 프레임에 기초하여 상기 정지 타이밍을 특정하고, 상기 제 2 노즐에 대해 정지로 분류된 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서 상기 제 2 노즐에 대해 토출로 분류된 프레임에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정하는, 기판 처리 방법.A seventh aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the sixth aspect, comprising: a frame classified as discharge for the first nozzle, and a frame classified as stop for the first nozzle as a frame following the frame. Specifying the stop timing based on a frame classified as stop for the second nozzle and specifying the start timing based on a frame classified as discharge for the second nozzle as a frame following the frame. , Substrate processing method.

기판 처리 방법의 제 8 양태는, 제 6 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 정지 타이밍은 상기 개시 타이밍의 후이고, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐의 양방이 처리액을 토출한다고 분류된 프레임의 수와, 상기 프레임 간의 시간에 기초하여, 상기 타이밍차를 구한다.An eighth aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the sixth aspect, wherein the stop timing is after the start timing, and the first nozzle and the second nozzle both discharge the processing liquid. The timing difference is obtained based on the number of and the time between the frames.

기판 처리 방법의 제 9 양태는, 제 1 내지 제 8 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 6 공정에 있어서, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 그 취지를 작업자에게 통지한다.A ninth aspect of a substrate processing method is a substrate processing method according to any one of the first to eighth aspects, wherein in the sixth step, when it is determined that the timing difference is outside a predetermined range, an operator informs the operator notice

기판 처리 방법의 제 10 양태는, 제 1 내지 제 9 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 정지 타이밍은 상기 개시 타이밍의 후이고, 상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 처리액이 기판 상에서 튀는 액튐이 발생하고 있는지 여부를 판정하고, 상기 액튐이 발생하고 있다고 판정했을 때에, 상기 개시 타이밍과 상기 정지 타이밍 간의 타이밍차를 저감하도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는 제 7 공정을 추가로 구비한다.A tenth aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to any one of the first to ninth aspects, wherein the stop timing is after the start timing, and based on image processing on the captured image, the processing liquid It is determined whether or not splashing is occurring on the substrate, and when it is determined that the splashing is occurring, at least one of the start timing and the stop timing is set so as to reduce a timing difference between the start timing and the stop timing. The 7th process of adjusting is further provided.

기판 처리 방법의 제 11 양태는, 제 10 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 7 공정에 있어서, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상의 각 프레임을 상기 액튐이 있음/없음으로 분류한다.An eleventh aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the tenth aspect, wherein in the seventh step, each frame of the captured image is classified as having/not having the splash using a classifier for which machine learning has been completed. do.

기판 처리 방법의 제 12 양태는, 제 11 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 7 공정에 있어서, 상기 촬상 화상의 각 프레임 중, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐 근방의 액튐 판정 영역을 잘라내고, 상기 분류기를 사용하여, 상기 액튐 판정 영역을 액튐이 있음/없음으로 분류한다.A twelfth aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the 11th aspect, wherein in the seventh step, in each frame of the captured image, an actuation determination area in the vicinity of the first nozzle and the second nozzle is cut out. and, using the classifier, the splash determination area is classified into presence/absence of the splash.

기판 처리 방법의 제 13 양태는, 제 6 내지 제 8, 제 11, 제 12 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나에 따른 복수의 기계 학습이 완료된 분류기 중에서 하나를 선택하고, 선택된 분류기에 기초하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을 분류한다.A thirteenth aspect of a substrate processing method is a substrate processing method according to any one of the sixth to eighth, eleventh, and twelfth aspects, wherein the type of the substrate, the type of the processing liquid, the first nozzle, and the first 2 Select one from among a plurality of machine-learned classifiers according to at least one of the position of the nozzle and the flow rate of the processing liquid, and classify each frame included in the captured image based on the selected classifier.

기판 처리 방법의 제 14 양태는, 제 13 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나가 입력부에 입력되었을 때에, 상기 입력부에 대한 입력에 따라 상기 복수의 분류기에서 하나를 선택한다.A 14th aspect of a substrate processing method is the substrate processing method according to the 13th aspect, wherein among the type of the substrate, the type of the processing liquid, the positions of the first nozzle and the second nozzle, and the flow rate of the processing liquid When at least one is input to the input unit, one of the plurality of classifiers is selected according to the input to the input unit.

기판 처리 장치의 제 1 양태는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 1 노즐, 및, 상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 2 노즐을 갖는 처리액 공급부와, 상기 제 1 노즐의 선단 및 상기 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 생성하는 카메라와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시한 후에, 상기 제 2 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하고, 상기 제 1 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 정지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하고, 상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하고, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정한다.A first aspect of a substrate processing apparatus includes a processing liquid supply unit having a substrate holding unit holding a substrate, a first nozzle discharging a processing liquid to the substrate, and a second nozzle discharging a processing liquid to the substrate. and a camera for generating a captured image by capturing an image of an imaging area including a tip of the first nozzle and a tip of the second nozzle, and a control unit, wherein the control unit is configured to capture images from the first nozzle to the substrate. Controls the processing liquid supply unit to start discharging the processing liquid from the second nozzle to the substrate and to stop discharging the processing liquid from the first nozzle to the substrate after starting the discharging of the processing liquid. and obtaining a timing difference between a start timing for starting discharge of the processing liquid from the second nozzle and a stop timing for stopping discharging of the processing liquid from the first nozzle, based on image processing of the captured image; When it is determined that the timing difference is outside the predetermined range, at least either one of the start timing and the stop timing is adjusted so that the timing difference is within the predetermined range.

기판 처리 장치의 제 2 양태는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐에 대해 처리액의 토출/정지의 상태를 나타내는 카테고리로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여 상기 타이밍차를 구한다. A second aspect of a substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the control unit separates each frame included in the captured image using a classifier for which machine learning has been completed, to the first nozzle and the second aspect. Nozzles are classified into categories representing discharge/stop states of the processing liquid, and the timing difference is obtained based on the classification result.

기판 처리 장치의 제 3 양태는, 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나에 따른 복수의 기계 학습이 완료된 분류기 중에서 하나를 선택하고, 선택된 분류기에 기초하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을 분류한다.A third aspect of a substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the control unit controls the type of the substrate, the type of the processing liquid, the positions of the first nozzle and the second nozzle, and the processing One of a plurality of machine-learned classifiers based on at least one of the liquid flow rates is selected, and each frame included in the captured image is classified based on the selected classifier.

기판 처리 장치의 제 4 양태는, 제 3 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나의 입력이 실시되는 입력부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 입력부에의 입력에 따라 상기 복수의 분류기에서 하나를 선택한다.A fourth aspect of a substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein among the type of the substrate, the type of the processing liquid, the positions of the first nozzle and the second nozzle, and the flow rate of the processing liquid An input unit for performing at least one input is provided, and the control unit selects one of the plurality of classifiers according to an input to the input unit.

기판 처리 시스템의 양태는, 기판 처리 장치와, 상기 기판 처리 장치와 통신하는 서버를 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 1 노즐, 및, 상기 기판에 대해 처리액을 토출 하는 제 2 노즐을 갖는 처리액 공급부와, 상기 제 1 노즐의 선단 및 상기 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 생성하는 카메라와, 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시한 후에, 상기 제 2 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하고, 상기 제 1 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 정지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 기판 처리 장치 및 서버는, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐에 대해 처리액의 토출/정지의 상태를 나타내는 카테고리로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과, 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하고, 상기 제어부는, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정한다. An aspect of a substrate processing system includes a substrate processing apparatus and a server communicating with the substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes: a substrate holding portion holding a substrate; and a first nozzle discharging a processing liquid to the substrate. , and a processing liquid supply unit having a second nozzle for discharging a processing liquid to the substrate, and a camera generating a captured image by capturing an image of an imaging area including a tip of the first nozzle and a tip of the second nozzle. and, after the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started, the discharge of the processing liquid from the second nozzle to the substrate is started, and the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started. and a control unit controlling the processing liquid supply unit to stop discharging of the substrate processing apparatus and the server, each frame included in the captured image is divided into the first nozzle and the The second nozzle is classified into a category representing the discharge/stop state of the treatment liquid, and based on the classification result, a start timing for starting discharge of the treatment liquid from the second nozzle, and A timing difference of a stop timing for stopping dispensing of the processing liquid is obtained, and when the control unit determines that the timing difference is outside a predetermined range, at least one of the start timing and the stop timing so that the timing difference falls within the predetermined range. adjust one side

기판 처리 방법의 제 1 양태, 기판 처리 장치의 제 1 양태에 의하면, 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여 개시 타이밍과 정지 타이밍의 타이밍차를 구하므로, 높은 정밀도로 타이밍차를 구할 수 있다. 따라서, 높은 정밀도로 타이밍차를 소정의 범위 내로 조정할 수 있다.According to the first aspect of the substrate processing method and the first aspect of the substrate processing apparatus, since the timing difference between the start timing and the stop timing is obtained based on image processing for a captured image, the timing difference can be obtained with high precision. Therefore, the timing difference can be adjusted within a predetermined range with high precision.

이로써, 예를 들어, 기판 상에서 처리액이 튀는 액튐, 및, 기판이 부분적으로 건조되는 액마름의 발생을 거의 회피할 수 있다.This makes it possible to substantially avoid occurrences of, for example, splashing of the processing liquid on the substrate and liquid drying in which the substrate is partially dried.

기판 처리 방법의 제 2 양태에 의하면, 제 1 노즐로부터의 처리액이 공급되는 처리 기간의 길이를 변경하는 일 없이, 타이밍차를 소정의 범위 내로 할 수 있다.According to the second aspect of the substrate processing method, the timing difference can be within a predetermined range without changing the length of the processing period in which the processing liquid is supplied from the first nozzle.

기판 처리 방법의 제 3 양태에 의하면, 제 1 토출 판정 영역 및 제 2 토출 판정 영역의 화소값을 사용하고 있으므로, 촬상 화상의 전체에 대해 화상 처리를 실시하는 경우에 비해 처리를 가볍게 할 수 있다.According to the third aspect of the substrate processing method, since the pixel values of the first discharge determination area and the second discharge determination area are used, the processing can be reduced compared to the case where image processing is performed on the entire captured image.

기판 처리 방법의 제 4 양태에 의하면, 간이한 처리에 의해 개시 타이밍 및 정지 타이밍을 특정할 수 있다.According to the fourth aspect of the substrate processing method, the start timing and stop timing can be specified by simple processing.

기판 처리 방법의 제 5 양태에 의하면, 작업자는 통계량의 시간 변화를 시인하고, 그 시간 변화에 기초하여 타이밍차를 조정할 수 있다.According to the fifth aspect of the substrate processing method, the operator can visually recognize the time change of the statistic and adjust the timing difference based on the time change.

기판 처리 방법의 제 6 양태, 기판 처리 장치의 제 2 양태 및 기판 처리 시스템의 양태에 의하면, 기계 학습에 의해, 높은 정밀도로 타이밍차를 구할 수 있다.According to the sixth aspect of the substrate processing method, the second aspect of the substrate processing apparatus, and the substrate processing system aspect, the timing difference can be obtained with high precision by machine learning.

기판 처리 방법의 제 7 양태에 의하면, 적절히 타이밍차를 특정할 수 있다.According to the seventh aspect of the substrate processing method, the timing difference can be appropriately specified.

기판 처리 방법의 제 8 양태에 의하면, 적절히 타이밍차를 특정할 수 있다.According to the eighth aspect of the substrate processing method, the timing difference can be appropriately specified.

기판 처리 방법의 제 9 양태에 의하면, 작업자는 타이밍차가 소정의 범위 외인 것을 인식할 수 있다.According to the ninth aspect of the substrate processing method, the operator can recognize that the timing difference is outside the predetermined range.

기판 처리 방법의 제 10 양태에 의하면, 액튐의 발생을 저감할 수 있도록, 타이밍차를 조정할 수 있다.According to the tenth aspect of the substrate processing method, the timing difference can be adjusted so that the occurrence of the action can be reduced.

기판 처리 방법의 제 11 양태에 의하면, 높은 정밀도로 액튐의 유무를 판정할 수 있다.According to the 11th aspect of the substrate processing method, the presence or absence of an action can be determined with high precision.

기판 처리 방법의 제 12 양태에 의하면, 분류 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the twelfth aspect of the substrate processing method, the classification accuracy can be improved.

기판 처리 방법의 제 13 양태 및 기판 처리 장치의 제 3 양태에 의하면, 높은 정밀도로 각 프레임을 분류할 수 있다.According to the thirteenth aspect of the substrate processing method and the third aspect of the substrate processing apparatus, each frame can be classified with high precision.

기판 처리 방법의 제 14 양태 및 기판 처리 장치의 제 4 양태에 의하면, 작업자가 정보를 입력부에 입력할 수 있다. According to the 14th aspect of the substrate processing method and the 4th aspect of the substrate processing apparatus, an operator can input information into the input unit.

도 1 은 기판 처리 장치의 구성의 개략적인 일례를 나타내는 도면이다.
도 2 는 처리 유닛의 구성의 개략적인 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3 은 처리 유닛의 구성의 개략적인 일례를 나타내는 평면도이다.
도 4 는 제어부의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는 카메라에 의해 생성된 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6 은 카메라에 의해 생성된 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7 은 카메라에 의해 생성된 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8 은 카메라에 의해 생성된 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9 는 감시 처리의 구체적인 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 10 은 토출 판정 영역 내의 휘도 분포의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 11 은 토출 판정 영역 내의 휘도 분포의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 12 는 토출 판정 영역 내의 화소값의 통계량의 시간 변화의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 13 은 토출 판정 영역 내의 화소값의 통계량의 시간 변화의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 14 는 제어부의 내부 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다.
도 15 는 감시 처리의 구체적인 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 16 은 촬상 화상의 복수의 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 17 은 제어부의 내부 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다.
도 18 은 입력 화면의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 19 는 기판 처리 장치 및 서버의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다.
도 20 은 딥 러닝 모델의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 21 은 카메라에 의해 생성된 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 22 는 액튐 판정 영역 내의 화소값의 통계량의 시간 변화의 일례를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 23 은 감시 처리의 구체적인 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 24 는 처리 유닛의 구성의 개략적인 일례를 나타내는 평면도이다.
도 25 는 카메라에 의해 생성된 프레임의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a diagram showing a schematic example of the configuration of a substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a schematic example of the configuration of a processing unit.
3 is a plan view showing a schematic example of the configuration of a processing unit.
4 is a flowchart showing an example of the operation of the control unit.
5 is a diagram schematically illustrating an example of a frame generated by a camera.
6 is a diagram schematically illustrating an example of a frame generated by a camera.
7 is a diagram schematically illustrating an example of a frame generated by a camera.
8 is a diagram schematically illustrating an example of a frame generated by a camera.
9 is a flowchart showing a specific example of monitoring processing.
10 is a graph schematically showing an example of a luminance distribution in an ejection determination area.
11 is a graph schematically showing an example of a luminance distribution in an ejection determination area.
Fig. 12 is a graph schematically showing an example of temporal change of statistics of pixel values in the ejection determination area.
Fig. 13 is a graph schematically showing an example of temporal change in statistics of pixel values in the ejection determination area.
14 is a functional block diagram schematically illustrating an example of an internal configuration of a control unit.
15 is a flowchart showing a specific example of monitoring processing.
16 is a diagram schematically illustrating an example of a plurality of frames of a captured image.
17 is a functional block diagram schematically illustrating an example of an internal configuration of a control unit.
18 is a diagram schematically illustrating an example of an input screen.
19 is a functional block diagram schematically illustrating an example of a substrate processing apparatus and a server.
20 is a diagram schematically illustrating an example of a deep learning model.
21 is a diagram schematically illustrating an example of a frame generated by a camera.
22 is a graph schematically showing an example of temporal change of statistics of pixel values in an actuation determination area.
23 is a flowchart showing a specific example of monitoring processing.
24 is a plan view showing a schematic example of the configuration of a processing unit.
25 is a diagram schematically illustrating an example of a frame generated by a camera.

이하, 첨부되는 도면을 참조하면서 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 도면은 개략적으로 나타내는 것이며, 설명의 편의를 위하여, 적절히 구성의 생략, 또는, 구성의 간략화가 이루어진 것이다. 또, 도면에 나타내는 구성 등의 크기 및 위치의 상호 관계는, 반드시 정확하게 기재되는 것이 아니고, 적절히 변경될 수 있는 것이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described, referring an accompanying drawing. In addition, the drawings are shown schematically, and for convenience of explanation, the configuration is appropriately omitted or the configuration is simplified. In addition, the mutual relationship of the size and position of the configuration shown in the drawings is not necessarily accurately described, and can be appropriately changed.

또, 이하에 나타내는 설명에서는, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 도시하고, 그들의 명칭과 기능에 대해서도 동일한 것으로 한다. 따라서, 그것들에 대한 상세한 설명을, 중복을 피하기 위해서 생략하는 경우가 있다.In addition, in the description shown below, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and it is assumed that their names and functions are also the same. Therefore, a detailed description of them may be omitted in order to avoid duplication.

제 1 실시형태.1st Embodiment.

＜기판 처리 장치의 개요＞ <Overview of Substrate Processing Equipment>

도 1 은, 기판 처리 장치 (100) 의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 에 대해 처리액을 공급하여 기판 (W) 에 대한 처리를 실시하는 장치이다. 기판 (W) 은, 예를 들어 반도체 기판이다. 이 기판 (W) 은 대략 원판 형상을 가지고 있다.1 is a diagram showing the overall configuration of the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 100 is a device that performs processing on the substrate W by supplying a processing liquid to the substrate W. The substrate W is, for example, a semiconductor substrate. This substrate W has a substantially disk shape.

이 기판 처리 장치 (100) 는 적어도 2 종의 처리액을 순차적으로 기판 (W) 에 공급할 수 있다. 예를 들어 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 에 대해 세정용의 약액을 공급한 후에, 기판 (W) 에 대해 린스액을 공급함으로써, 세정 처리를 실시할 수 있다. 당해 약액으로는, 전형적으로는, SC1 액 (암모니아수, 과산화수소수 및 물의 혼합액), SC2 액 (염산, 과산화수소수 및 물의 혼합액), DHF 액 (희불산) 등이 사용된다. 당해 린스액으로는, 예를 들어 순수 등이 사용된다. 본 명세서에서는, 약액과 린스액을 총칭하여 「처리액」으로 칭한다. 또한 세정 처리뿐만 아니라, 성막 처리를 위한 포토레지스트액 등의 도포액, 불필요한 막을 제거하기 위한 약액, 에칭을 위한 약액 등도 「처리액」에 포함된다.The substrate processing apparatus 100 can sequentially supply at least two types of processing liquids to the substrate W. For example, the substrate processing apparatus 100 can perform the cleaning process by supplying a rinse liquid to the substrate W after supplying the chemical liquid for cleaning to the substrate W. As the chemical solution, typically, SC1 liquid (mixture of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and water), SC2 liquid (mixture of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and water), DHF liquid (dilute hydrofluoric acid), etc. are used. As the said rinsing liquid, pure water etc. are used, for example. In this specification, the chemical liquid and the rinse liquid are collectively referred to as "treatment liquid". In addition to the cleaning process, the "treatment liquid" includes a coating liquid such as a photoresist liquid for film formation, a chemical liquid for removing an unnecessary film, a chemical liquid for etching, and the like.

기판 처리 장치 (100) 는, 인덱서 (102), 복수의 처리 유닛 (1) 및 주반송 로봇 (103) 을 구비한다. 인덱서 (102) 는, 장치 외로부터 수취한 미처리의 기판 (W) 을 장치 내로 반입함과 함께, 세정 처리가 종료된 처리가 완료된 기판 (W) 을 장치 외로 반출하는 기능을 갖는다. 인덱서 (102) 는, 복수의 캐리어를 재치함과 함께 이송 로봇을 구비한다 (모두 도시 생략). 캐리어로는, 기판 (W) 을 밀폐 공간에 수납하는 FOUP (front opening unified pod) 또는 SMIF (Standard Mechanical Inter Face) 포드, 혹은, 수납한 상태에서 기판 (W) 을 외기에 노출시키는 OC (open cassette) 를 채용할 수 있다. 이송 로봇은, 당해 캐리어와 주반송 로봇 (103) 사이에서 기판 (W) 을 이송한다.A substrate processing apparatus 100 includes an indexer 102 , a plurality of processing units 1 , and a main transfer robot 103 . The indexer 102 has a function of carrying unprocessed substrates W received from outside the apparatus into the apparatus, and carrying the processed substrates W after the cleaning process has been completed out of the apparatus. The indexer 102 is provided with a transfer robot while mounting a plurality of carriers (both not shown). As the carrier, a FOUP (front opening unified pod) or SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod accommodating the substrate W in an airtight space, or an OC (open cassette) exposing the substrate W to outside air in a stored state. ) can be employed. The transfer robot transfers the substrate W between the carrier and the main transfer robot 103 .

기판 처리 장치 (100) 에는, 12 개의 처리 유닛 (1) 이 배치되어 있다. 상세한 배치 구성은, 3 개의 처리 유닛 (1) 을 적층한 타워가 주반송 로봇 (103) 의 주위를 둘러싸도록 4 개 배치된다는 것이다. 바꾸어 말하면, 주반송 로봇 (103) 을 둘러싸고 배치된 4 개의 처리 유닛 (1) 이 3 단으로 적층되어 있고, 도 1 은 그 중의 1 층을 나타내고 있다. 또한, 기판 처리 장치 (100) 에 탑재되는 처리 유닛 (1) 의 개수는 12 로 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 8 개 또는 4 개여도 된다.In the substrate processing apparatus 100, 12 processing units 1 are disposed. The detailed arrangement structure is that four towers in which three processing units 1 are stacked are arranged so as to surround the main transfer robot 103 . In other words, the four processing units 1 disposed around the main transfer robot 103 are stacked in three stages, and FIG. 1 shows one floor among them. In addition, the number of processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 is not limited to 12, and may be 8 or 4, for example.

주반송 로봇 (103) 은, 적층한 처리 유닛 (1) 을 포함하는 4 개의 타워의 중앙에 설치되어 있다. 주반송 로봇 (103) 은, 인덱서 (102) 로부터 수취한 미처리의 기판 (W) 을 각 처리 유닛 (1) 에 반입함과 함께, 각 처리 유닛 (1) 으로부터 처리가 완료된 기판 (W) 을 반출하여 인덱서 (102) 에 넘겨 준다.The main transfer robot 103 is installed in the center of four towers including the stacked processing units 1. The main transfer robot 103 transports the unprocessed substrates W received from the indexer 102 to each processing unit 1, and carries the processed substrates W from each processing unit 1. and passed to the indexer 102.

다음으로, 처리 유닛 (1) 에 대해 설명한다. 이하, 기판 처리 장치 (100) 에 탑재된 12 개의 처리 유닛 (1) 중 하나를 설명하지만, 다른 처리 유닛 (1) 에 대해서도 동일하다. 도 2 는, 처리 유닛 (1) 의 평면도이다. 또, 도 3 은, 처리 유닛 (1) 의 종단면도이다. 또한, 도 2 는 기판 유지부 (20) 에 기판 (W) 이 유지되고 있지 않는 상태를 나타내고, 도 3 은 기판 유지부 (20) 에 기판 (W) 이 유지되고 있는 상태를 나타내고 있다.Next, the processing unit 1 will be described. Hereinafter, one of the 12 processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 will be described, but the same applies to the other processing units 1 as well. 2 is a plan view of the processing unit 1 . 3 is a longitudinal sectional view of the processing unit 1 . 2 shows a state where the substrate W is not held by the substrate holder 20, and FIG. 3 shows a state where the substrate W is held by the substrate holder 20.

처리 유닛 (1) 은, 챔버 (10) 내에, 주된 요소로서, 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 법선이 연직 방향을 따르는 자세) 로 유지하는 기판 유지부 (20) 와, 기판 유지부 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급하기 위한 3 개의 처리액 공급부 (30, 60, 65) 와, 기판 유지부 (20) 의 주위를 둘러싸는 처리컵 (40) 과, 기판 유지부 (20) 의 상방 공간을 촬상하는 카메라 (70) 를 구비한다. 또, 챔버 (10) 내에 있어서의 처리컵 (40) 의 주위에는, 챔버 (10) 의 내측 공간을 상하로 구획하는 칸막이판 (15) 이 설치되어 있다.The processing unit 1 includes, as main elements, a substrate holding portion 20 for holding the substrate W in a horizontal posture (a posture in which a normal line of the substrate W follows the vertical direction) in the chamber 10, and a substrate three processing liquid supply units 30, 60 and 65 for supplying processing liquid to the upper surface of the substrate W held in the holding unit 20, and a processing cup 40 surrounding the substrate holding unit 20; ) and a camera 70 that captures an image of a space above the substrate holder 20 . In addition, around the processing cup 40 in the chamber 10, a partition plate 15 partitioning the inner space of the chamber 10 vertically is provided.

챔버 (10) 는, 연직 방향을 따르는 측벽 (11), 측벽 (11) 에 의해 둘러싸인 공간의 상측을 폐색하는 천장벽 (12) 및 하측을 폐색하는 바닥벽 (13) 을 구비한다. 측벽 (11), 천장벽 (12) 및 바닥벽 (13) 에 의해 둘러싸인 공간이 기판 (W) 의 처리 공간이 된다. 또, 챔버 (10) 의 측벽 (11) 의 일부에는, 챔버 (10) 에 대해 주반송 로봇 (103) 이 기판 (W) 을 반출입하기 위한 반출입구 및 그 반출입구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다 (모두 도시 생략).The chamber 10 has a side wall 11 along a vertical direction, a ceiling wall 12 that closes the upper side of the space enclosed by the side wall 11, and a bottom wall 13 that closes the lower side. A space surrounded by the side wall 11, the ceiling wall 12, and the bottom wall 13 serves as a processing space for the substrate W. In addition, on a part of the sidewall 11 of the chamber 10, a delivery port through which the main transfer robot 103 carries the substrate W in and out of the chamber 10 and a shutter that opens and closes the delivery port are provided. (All cities omitted).

챔버 (10) 의 천장벽 (12) 에는, 기판 처리 장치 (100) 가 설치되어 있는 클린 룸 내의 공기를 더욱 청정화하여 챔버 (10) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛 (FFU) (14) 이 장착되어 있다. 팬 필터 유닛 (14) 은, 클린 룸 내의 공기를 도입하여 챔버 (10) 내로 송출하기 위한 팬 및 필터 (예를 들어 HEPA 필터) 를 구비하고 있고, 챔버 (10) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성한다. 팬 필터 유닛 (14) 으로부터 공급된 청정 공기를 균일하게 분산시키기 위해서, 다수의 취출공을 형성한 펀칭 플레이트를 천장벽 (12) 의 바로 아래에 설치하도록 해도 된다.On the ceiling wall 12 of the chamber 10, a fan filter unit (FFU) 14 for further purifying the air in the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed and supplying the air to the processing space in the chamber 10 this is fitted The fan filter unit 14 is provided with a fan and a filter (for example, a HEPA filter) for introducing air in the clean room and sending it out into the chamber 10, and is provided with a down stream of clean air to the processing space in the chamber 10. form a flow In order to uniformly distribute the clean air supplied from the fan filter unit 14, a punching plate formed with a large number of blow-out holes may be provided directly below the ceiling wall 12.

기판 유지부 (20) 는 예를 들어 스핀 척이다. 이 기판 유지부 (20) 는, 연직 방향을 따라 연장되는 회전축 (24) 의 상단에 수평 자세로 고정된 원판 형상의 스핀 베이스 (21) 를 구비한다. 스핀 베이스 (21) 의 하방에는 회전축 (24) 을 회전시키는 스핀 모터 (22) 가 설치되어 있다. 스핀 모터 (22) 는, 회전축 (24) 을 개재하여 스핀 베이스 (21) 를 수평면 내에서 회전시킨다. 또, 스핀 모터 (22) 및 회전축 (24) 의 주위를 둘러싸도록 통상의 커버 부재 (23) 가 설치되어 있다.The substrate holding part 20 is, for example, a spin chuck. The substrate holder 20 includes a disc-shaped spin base 21 fixed in a horizontal position on the upper end of a rotational shaft 24 extending in the vertical direction. Below the spin base 21, a spin motor 22 for rotating a rotation shaft 24 is installed. The spin motor 22 rotates the spin base 21 in a horizontal plane via the rotation shaft 24 . In addition, a normal cover member 23 is provided so as to surround the spin motor 22 and the rotating shaft 24 .

원판 형상의 스핀 베이스 (21) 의 외경은, 기판 유지부 (20) 에 유지되는 원형의 기판 (W) 의 직경보다 약간 크다. 따라서, 스핀 베이스 (21) 는, 유지해야 하는 기판 (W) 의 하면의 전체면과 대향하는 유지면 (21a) 을 가지고 있다.The outer diameter of the disc-shaped spin base 21 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held in the substrate holder 20 . Therefore, the spin base 21 has a holding surface 21a facing the entire lower surface of the substrate W to be held.

스핀 베이스 (21) 의 유지면 (21a) 의 둘레가장자리부에는 복수 (본 실시형태에서는 4 개) 의 척 핀 (26) 이 세워 설치되어 있다. 복수의 척 핀 (26) 은, 원형의 기판 (W) 의 외주원에 대응하는 원주 상을 따라 균등한 간격을 두고 (본 실시형태와 같이 4 개의 척 핀 (26) 이면 90°간격으로) 배치되어 있다. 복수의 척 핀 (26) 은, 스핀 베이스 (21) 내에 수용된 도시 생략한 링크 기구에 의해 연동하여 구동된다. 기판 유지부 (20) 는, 복수의 척 핀 (26) 의 각각을 기판 (W) 의 외주단에 맞닿게 하여 기판 (W) 을 파지함으로써, 당해 기판 (W) 을 스핀 베이스 (21) 의 상방에서 유지면 (21a) 에 근접한 수평 자세로 유지할 수 있음과 함께 (도 3 참조), 복수의 척 핀 (26) 의 각각을 기판 (W) 의 외주단으로부터 이간시켜 파지를 해제할 수 있다.A plurality of (four in this embodiment) chuck pins 26 are erected on the periphery of the holding surface 21a of the spin base 21 . The plurality of chuck pins 26 are arranged at even intervals along the circumference corresponding to the outer circumference of the circular substrate W (4 chuck pins 26 at 90° intervals as in the present embodiment). has been The plurality of chuck pins 26 are linked and driven by a link mechanism (not shown) accommodated in the spin base 21 . The substrate holding unit 20 grips the substrate W by bringing each of the plurality of chuck pins 26 into contact with the outer peripheral edge of the substrate W, thereby holding the substrate W above the spin base 21 . can be held in a horizontal posture close to the holding surface 21a (see Fig. 3), and gripping can be released by separating each of the plurality of chuck pins 26 from the outer circumferential edge of the substrate W.

복수의 척 핀 (26) 에 의한 파지에 의해 기판 유지부 (20) 가 기판 (W) 을 유지한 상태에서, 스핀 모터 (22) 가 회전축 (24) 을 회전시킴으로써, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 회전축 CX 둘레로 기판 (W) 을 회전시킬 수 있다.In a state where the substrate W is held by the substrate holding part 20 by gripping by the plurality of chuck pins 26, the spin motor 22 rotates the rotating shaft 24 to rotate the center of the substrate W. The substrate W can be rotated around the rotational axis CX along the vertical direction through which it passes.

처리액 공급부 (30) 는, 노즐 아암 (32) 의 선단에 토출 노즐 (31) 을 장착하여 구성되어 있다 (도 2 참조). 노즐 아암 (32) 의 기단 측은 노즐 기대 (33) 에 고정되어 연결되어 있다. 노즐 기대 (33) 는 도시를 생략하는 모터에 의해 연직 방향을 따른 축의 둘레로 회동 가능하게 되어 있다. 노즐 기대 (33) 가 회동함으로써, 도 2 중의 화살표 AR34 로 나타내는 바와 같이, 토출 노즐 (31) 은 기판 유지부 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 수평 방향을 따라 원호상으로 이동한다.The treatment liquid supply unit 30 is configured by attaching a discharge nozzle 31 to the front end of a nozzle arm 32 (see FIG. 2 ). The proximal side of the nozzle arm 32 is fixedly connected to the nozzle base 33 . The nozzle base 33 is rotatable around an axis along the vertical direction by a motor not shown. As the nozzle base 33 rotates, the ejection nozzle 31 moves horizontally between the processing position above the substrate holder 20 and the standby position outside the processing cup 40, as indicated by arrow AR34 in FIG. 2 . It moves in an arc along the direction.

처리액 공급부 (30) 는, 복수종의 처리액이 공급되도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 처리액 공급부 (30) 는 복수의 토출 노즐 (31) 을 가지고 있다. 도 2 및 도 3 의 예에서는, 토출 노즐 (31) 로서 2 개의 토출 노즐 (31a, 31b) 이 나타나 있다. 토출 노즐 (31a, 31b) 은 노즐 아암 (32) 을 개재하여 노즐 기대 (33) 에 고정되어 있다. 따라서, 토출 노즐 (31a, 31b) 은 서로 동기하여 이동한다. 토출 노즐 (31a, 31b) 은 수평면 내에서 이웃하도록 설치되어 있다.The processing liquid supply unit 30 is configured to supply a plurality of types of processing liquids. Specifically, the treatment liquid supply unit 30 has a plurality of discharge nozzles 31 . In the examples of FIGS. 2 and 3 , two discharge nozzles 31a and 31b are shown as the discharge nozzle 31 . The discharge nozzles 31a and 31b are fixed to the nozzle base 33 via a nozzle arm 32 . Therefore, the ejection nozzles 31a and 31b move synchronously with each other. The discharge nozzles 31a and 31b are installed adjacent to each other in a horizontal plane.

도 3 에 예시하는 바와 같이, 토출 노즐 (31a) 은 배관 (34a) 을 개재하여 처리액 공급원 (37a) 에 접속되어 있고, 토출 노즐 (31b) 은 배관 (34b) 을 개재하여 처리액 공급원 (37b) 에 접속되어 있다. 배관 (34a, 34b) 의 도중에는 각각 개폐 밸브 (35a, 35b) 가 설치되어 있다. 개폐 밸브 (35a) 가 개방됨으로써, 처리액 공급원 (37a) 으로부터의 처리액 Lq1 이 배관 (34a) 의 내부를 흘러 토출 노즐 (31a) 로부터 토출되고, 개폐 밸브 (35b) 가 개방됨으로써, 처리액 공급원 (37b) 으로부터의 처리액 Lq2 가 배관 (34b) 의 내부를 흘러 토출 노즐 (31b) 로부터 토출된다. 토출 노즐 (31a) 로부터는 예를 들어 SC1 액이 토출되고, 토출 노즐 (31b) 로부터는 예를 들어 순수가 토출된다. 토출 노즐 (31a, 31b) 이 처리 위치에서 정지한 상태에서 토출된 처리액 Lq1, Lq2 는, 기판 유지부 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 착액한다.As illustrated in FIG. 3 , the discharge nozzle 31a is connected to the processing liquid supply source 37a via the pipe 34a, and the discharge nozzle 31b is connected to the processing liquid supply source 37b via the pipe 34b. ) is connected to On-off valves 35a and 35b are provided in the middle of the pipes 34a and 34b, respectively. When the on-off valve 35a is opened, the processing liquid Lq1 from the processing liquid supply source 37a flows through the inside of the pipe 34a and is discharged from the discharge nozzle 31a, and when the on-off valve 35b is opened, the processing liquid Lq1 The processing liquid Lq2 from 37b flows through the pipe 34b and is discharged from the discharge nozzle 31b. For example, SC1 liquid is discharged from the discharge nozzle 31a, and pure water is discharged from the discharge nozzle 31b, for example. The treatment liquids Lq1 and Lq2 discharged in a state in which the discharge nozzles 31a and 31b are stopped at the treatment position contact the upper surface of the substrate W held by the substrate holder 20 .

배관 (34a, 34b) 의 도중에는 각각 석백 밸브 (36a, 36b) 가 설치되어 있어도 된다. 석백 밸브 (36a) 는 처리액 Lq1 의 토출 정지 시에 있어서 배관 (34a) 내의 처리액 Lq1 을 흡입함으로써, 토출 노즐 (31a) 의 선단으로부터 처리액 Lq1 을 인입한다. 이로써, 토출 정지 시에 있어서 처리액 Lq1 이 토출 노즐 (31a) 의 선단으로부터 비교적 큰 덩어리 (액적) 로서 낙하하는 드롭핑이 발생하기 어렵다. 석백 밸브 (36b) 도 동일하다.Suck-back valves 36a and 36b may be provided midway between the pipes 34a and 34b, respectively. The suck-back valve 36a draws in the processing liquid Lq1 from the tip of the discharge nozzle 31a by sucking the processing liquid Lq1 in the pipe 34a when discharge of the processing liquid Lq1 is stopped. Accordingly, dropping of the treatment liquid Lq1 as a relatively large mass (droplet) from the tip of the discharge nozzle 31a is less likely to occur when the discharge is stopped. The suckback valve 36b is also the same.

또, 본 실시형태의 처리 유닛 (1) 에는, 상기 처리액 공급부 (30) 에 더하여 추가로 2 개의 처리액 공급부 (60, 65) 가 설치되어 있다. 본 실시형태의 처리액 공급부 (60, 65) 는, 상기 처리액 공급부 (30) 와 동일한 구성을 구비한다. 즉, 처리액 공급부 (60) 는, 노즐 아암 (62) 의 선단에 토출 노즐 (61) 을 장착하여 구성되고, 그 토출 노즐 (61) 은, 노즐 아암 (62) 의 기단 측에 연결된 노즐 기대 (63) 에 의해, 화살표 AR64 로 나타내는 바와 같이 기판 유지부 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 원호상으로 이동한다. 동일하게, 처리액 공급부 (65) 는, 노즐 아암 (67) 의 선단에 토출 노즐 (66) 을 장착하여 구성되고, 그 토출 노즐 (66) 은, 노즐 아암 (67) 의 기단 측에 연결된 노즐 기대 (68) 에 의해, 화살표 AR69 로 나타내는 바와 같이 기판 유지부 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 원호상으로 이동한다. 처리액 공급부 (60, 65) 도, 복수종의 처리액이 공급되도록 구성되어 있어도 되고, 혹은, 단일의 처리액이 공급되도록 구성되어 있어도 된다.Further, in the processing unit 1 of the present embodiment, in addition to the processing liquid supply unit 30, two processing liquid supply units 60 and 65 are further provided. The processing liquid supply units 60 and 65 of the present embodiment have the same configuration as the processing liquid supply unit 30 described above. That is, the processing liquid supply unit 60 is configured by attaching the discharge nozzle 61 to the front end of the nozzle arm 62, and the discharge nozzle 61 is connected to the proximal end side of the nozzle arm 62. 63), as indicated by arrow AR64, it moves in an arc between the processing position above the substrate holder 20 and the standby position outside the processing cup 40. Similarly, the processing liquid supply unit 65 is configured by attaching a discharge nozzle 66 to the front end of the nozzle arm 67, and the discharge nozzle 66 is connected to the proximal end of the nozzle arm 67 on a nozzle base. By (68), as indicated by arrow AR69, it moves in an arc between the processing position above the substrate holder 20 and the standby position outside the processing cup 40. The processing liquid supply units 60 and 65 may also be configured to supply a plurality of types of processing liquids, or may be configured to supply a single processing liquid.

처리액 공급부 (60, 65) 는 각각의 토출 노즐 (61, 66) 이 처리 위치에 위치하는 상태에서, 기판 유지부 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출한다. 또한, 처리액 공급부 (60, 65) 의 적어도 일방은, 순수 등의 세정액과 가압한 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 그 액적과 기체의 혼합 유체를 기판 (W) 에 분사하는 이류체 노즐이어도 된다. 또, 처리 유닛 (1) 에 설치되는 처리액 공급부는 3 개로 한정되는 것이 아니고, 1 개 이상이면 된다. 단, 본 실시형태에서는, 2 개의 처리액을 순차적으로 전환하여 토출하는 것이 전제이므로, 토출 노즐은 전체적으로 2 이상 설치된다. 처리액 공급부 (60, 65) 의 각 토출 노즐도, 처리액 공급부 (30) 와 동일하게 배관을 개재하여 처리액 공급원에 접속되고, 또 그 배관의 도중에는 개폐 밸브가 설치되고, 추가로 석백 밸브가 설치되어도 된다. 이하에서는, 대표적으로 처리액 공급부 (30) 를 사용한 처리에 대해 서술한다.The processing liquid supply units 60 and 65 discharge the processing liquid onto the upper surface of the substrate W held by the substrate holding unit 20 with the respective discharge nozzles 61 and 66 positioned at the processing positions. In addition, at least one of the processing liquid supply units 60 and 65 may be a two-fluid nozzle that mixes a cleaning liquid such as pure water with a pressurized gas to generate liquid droplets and sprays the liquid mixture of the liquid droplets and the gas onto the substrate W. do. In addition, the processing liquid supply unit provided in the processing unit 1 is not limited to three, and may be one or more. However, in this embodiment, since it is premised to sequentially switch and discharge two treatment liquids, two or more discharge nozzles are provided as a whole. Each discharge nozzle of the processing liquid supply units 60 and 65 is also connected to the processing liquid supply source through a pipe, similarly to the processing liquid supply unit 30, and an on-off valve is provided in the middle of the pipe, and a suction valve is further provided. may be installed. Hereinafter, processing using the processing liquid supply unit 30 will be described as a representative example.

처리컵 (40) 은, 기판 유지부 (20) 를 둘러싸도록 설치되어 있다. 처리컵 (40) 은 내컵 (41), 중컵 (42) 및 외컵 (43) 을 구비하고 있다. 내컵 (41), 중컵 (42) 및 외컵 (43) 은 승강 가능하게 설치되어 있다. 내컵 (41), 중컵 (42) 및 외컵 (43) 이 상승한 상태에서는, 기판 (W) 의 둘레가장자리로부터 비산한 처리액은 내컵 (41) 의 내주면에 부딪쳐 낙하한다. 낙하한 처리액은 적절히 제 1 회수 기구 (도시 생략) 에 의해 회수된다. 내컵 (41) 이 하강하고, 중컵 (42) 및 외컵 (43) 이 상승한 상태에서는, 기판 (W) 의 둘레가장자리로부터 비산한 처리액은 중컵 (42) 의 내주면에 부딪쳐 낙하한다. 낙하한 처리액은 적절히 제 2 회수 기구 (도시 생략) 에 의해 회수된다. 내컵 (41) 및 중컵 (42) 이 하강하고, 외컵 (43) 이 상승한 상태에서는, 기판 (W) 의 둘레가장자리로부터 비산한 처리액은 외컵 (43) 의 내주면에 부딪쳐 낙하한다. 낙하한 처리액은 적절히 제 3 회수 기구 (도시 생략) 에 의해 회수된다. 이것에 의하면, 상이한 처리액을 각각 적절히 회수할 수 있다.The processing cup 40 is installed so as to surround the substrate holder 20 . The treatment cup 40 includes an inner cup 41, a middle cup 42 and an outer cup 43. The inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 are installed so that they can move up and down. In the state where the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 are raised, the processing liquid scattered from the circumferential edge of the substrate W hits the inner circumferential surface of the inner cup 41 and falls. The dropped processing liquid is appropriately recovered by a first recovery mechanism (not shown). In a state where the inner cup 41 is lowered and the inner cup 42 and the outer cup 43 are raised, the processing liquid scattered from the circumferential edge of the substrate W hits the inner circumferential surface of the inner cup 42 and falls. The dropped processing liquid is appropriately recovered by a second recovery mechanism (not shown). In a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are lowered and the outer cup 43 is raised, the processing liquid scattered from the circumferential edge of the substrate W hits the inner circumferential surface of the outer cup 43 and falls. The dropped processing liquid is appropriately recovered by a third recovery mechanism (not shown). According to this, different treatment liquids can be appropriately recovered.

칸막이판 (15) 은, 처리컵 (40) 의 주위에 있어서 챔버 (10) 의 내측 공간을 상하로 구획하도록 설치되어 있다. 칸막이판 (15) 은, 처리컵 (40) 을 둘러싸는 1 장의 판상 부재여도 되고, 복수의 판상 부재를 서로 연결한 것이어도 된다. 또, 칸막이판 (15) 에는, 두께 방향으로 관통하는 관통공이나 절결이 형성되어 있어도 되고, 본 실시형태에서는 처리액 공급부 (30, 60, 65) 의 노즐 기대 (33, 63, 68) 를 지지하기 위한 지지축을 통과시키기 위한 관통공 (도시 생략) 이 형성되어 있다.The partition plate 15 is provided around the processing cup 40 so as to vertically partition the inner space of the chamber 10 . The partition plate 15 may be a single plate-like member surrounding the processing cup 40, or may be a plurality of plate-like members connected to each other. In addition, the partition plate 15 may be formed with through-holes or notches penetrating in the thickness direction, and in the present embodiment, the nozzle bases 33, 63, and 68 of the processing liquid supply units 30, 60, and 65 are supported. A through hole (not shown) is formed for passing a support shaft therefor.

칸막이판 (15) 의 외주단은 챔버 (10) 의 측벽 (11) 에 연결되어 있다. 또, 칸막이판 (15) 의 처리컵 (40) 을 둘러싸는 단(端)가장자리부는 외컵 (43) 의 외경보다 큰 직경의 원형 형상이 되도록 형성되어 있다. 따라서, 칸막이판 (15) 이 외컵 (43) 의 승강의 장해가 되는 일은 없다.The outer peripheral edge of the partition plate 15 is connected to the side wall 11 of the chamber 10. Further, the edge portion of the partition plate 15 surrounding the processing cup 40 is formed in a circular shape with a larger diameter than the outer diameter of the outer cup 43. Therefore, the partition plate 15 does not obstruct the elevation of the outer cup 43.

또, 챔버 (10) 의 측벽 (11) 의 일부이고, 바닥벽 (13) 의 근방에는 배기 덕트 (18) 가 형성되어 있다. 배기 덕트 (18) 는 도시 생략한 배기 기구에 연통 접속되어 있다. 팬 필터 유닛 (14) 으로부터 공급되어 챔버 (10) 내를 유하 (流下) 한 청정 공기 중, 처리컵 (40) 과 칸막이판 (15) 사이를 통과한 공기는 배기 덕트 (18) 로부터 장치 외로 배출된다.Moreover, it is part of the side wall 11 of the chamber 10, and the exhaust duct 18 is formed in the vicinity of the bottom wall 13. The exhaust duct 18 is communicatively connected to an exhaust mechanism not shown. Of the clean air supplied from the fan filter unit 14 and flowing down the inside of the chamber 10, the air that has passed between the treatment cup 40 and the partition plate 15 is discharged from the exhaust duct 18 to the outside of the device. do.

카메라 (70) 는, 챔버 (10) 내이고 칸막이판 (15) 보다 상방에 설치되어 있다. 카메라 (70) 는, 예를 들어 촬상 소자 (예를 들어 CCD (Charge Coupled Device)) 와, 전자 셔터, 렌즈 등의 광학계를 구비한다. 처리액 공급부 (30) 의 토출 노즐 (31) 은, 노즐 기대 (33) 에 의해, 기판 유지부 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상방의 처리 위치 (도 3 의 실선 위치) 와 처리컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 (도 3 의 점선 위치) 사이에서 왕복 이동된다. 처리 위치는, 처리액 공급부 (30) 로부터 기판 유지부 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출하여 세정 처리를 실시하는 위치이다. 대기 위치는, 처리액 공급부 (30) 가 세정 처리를 실시하지 않을 때에 처리액의 토출을 정지하고 대기하는 위치이다. 대기 위치에는, 처리액 공급부 (30) 의 토출 노즐 (31) 을 수용하는 대기 포드가 설치되어 있어도 된다.The camera 70 is inside the chamber 10 and is installed above the partition plate 15 . The camera 70 is equipped with optical systems, such as an imaging element (for example, CCD (Charge Coupled Device)), an electronic shutter, and a lens, for example. The discharge nozzle 31 of the processing liquid supply unit 30 is disposed at a processing position above the substrate W held by the substrate holding unit 20 by the nozzle base 33 (solid line position in FIG. 3) and the processing cup. (40) It reciprocates between standby positions outside (the position of the dotted line in Fig. 3). The treatment position is a position where the treatment liquid is discharged from the treatment liquid supply unit 30 to the upper surface of the substrate W held in the substrate holding unit 20 to perform cleaning treatment. The standby position is a position in which discharge of the treatment liquid is stopped and standby is performed when the treatment liquid supply unit 30 is not performing the cleaning process. At the standby position, a standby pod accommodating the discharge nozzle 31 of the processing liquid supply unit 30 may be provided.

카메라 (70) 는, 그 촬상 영역에 적어도 처리 위치에 있어서의 토출 노즐 (31) 의 선단이 포함되도록 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 토출 노즐 (31) 의 선단과, 그 선단으로부터 토출되는 처리액이 촬상 영역에 포함되도록, 카메라 (70) 가 설치된다. 본 실시형태에서는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 처리 위치에 있어서의 토출 노즐 (31) 을 전방 상방으로부터 촬상하는 위치에 카메라 (70) 가 설치된다. 따라서, 카메라 (70) 는, 처리 위치에 있어서의 토출 노즐 (31) 의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상할 수 있다. 동일하게, 카메라 (70) 는, 처리 위치에 있어서의 처리액 공급부 (60, 65) 의 토출 노즐 (61, 66) 의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상할 수도 있다. 또한, 카메라 (70) 가 도 2 에 나타내는 위치에 설치되어 있는 경우에는, 처리액 공급부 (30, 65) 의 토출 노즐 (31, 66) 에 대해서는 카메라 (70) 의 촬상 시야 내에서 횡 방향으로 이동하기 때문에, 처리 위치 근방에서의 움직임을 적절히 촬상하는 것이 가능하지만, 처리액 공급부 (60) 의 토출 노즐 (61) 에 대해서는 카메라 (70) 의 촬상 시야 내에서 깊이 방향으로 이동하기 때문에, 처리 위치 근방에서의 이동량을 적절히 촬상할 수 없을 우려도 있다. 이와 같은 경우에는, 카메라 (70) 와는 별도로 처리액 공급부 (60) 전용의 카메라를 설치하도록 해도 된다.The camera 70 is installed so that at least the front end of the discharge nozzle 31 in the treatment position is included in the imaging area. More specifically, the camera 70 is installed so that the tip of the discharge nozzle 31 and the processing liquid discharged from the tip are included in the imaging area. In this embodiment, as shown in FIG. 3, the camera 70 is installed in the position which picks up an image of the discharge nozzle 31 in a process position from the front upper direction. Therefore, the camera 70 can image the imaging area|region containing the tip of the discharge nozzle 31 in a processing position. Similarly, the camera 70 can also capture an image of the imaging area including the tips of the discharge nozzles 61 and 66 of the processing liquid supply units 60 and 65 in the processing position. In the case where the camera 70 is installed at the position shown in FIG. 2 , the ejection nozzles 31 and 66 of the processing liquid supply units 30 and 65 move horizontally within the imaging field of view of the camera 70 Therefore, it is possible to appropriately image the movement in the vicinity of the processing position, but since the discharge nozzle 61 of the processing liquid supply unit 60 moves in the depth direction within the imaging field of the camera 70, the vicinity of the processing position There is also a possibility that the amount of movement in the image cannot be properly imaged. In such a case, a camera dedicated to the processing liquid supply unit 60 may be provided separately from the camera 70 .

또, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (10) 내이고 칸막이판 (15) 보다 상방에는 조명부 (71) 가 설치되어 있다. 통상, 챔버 (10) 내는 암실이기 때문에, 카메라 (70) 가 촬상을 실시할 때에는 조명부 (71) 가 처리 위치 근방의 처리액 공급부 (30, 60, 65) 의 토출 노즐 (31, 61, 66) 에 광을 조사한다. 카메라 (70) 가 생성한 촬상 화상은 제어부 (9) 로 출력된다.Further, as shown in FIG. 3 , a lighting unit 71 is provided inside the chamber 10 and above the partition plate 15 . Since the inside of the chamber 10 is normally a dark room, when the camera 70 captures an image, the lighting unit 71 controls the discharge nozzles 31, 61, and 66 of the processing liquid supply units 30, 60, and 65 near the processing position. irradiate light on The captured image generated by the camera 70 is output to the control unit 9 .

제어부 (9) 는 기판 처리 장치 (100) 의 각종 구성을 제어하여 기판 (W) 에 대한 처리를 진행한다. 또 제어부 (9) 는 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상에 대해 화상 처리를 실시한다. 제어부 (9) 는 이 화상 처리에 의해, 각 토출 노즐로부터의 처리액의 토출의 개시 타이밍과 정지 타이밍의 타이밍차를 구한다. 이 화상 처리에 대해서는 후에 상세히 서술한다.The controller 9 controls various components of the substrate processing apparatus 100 to process the substrate W. Further, the control unit 9 performs image processing on the captured image generated by the camera 70. The control unit 9 obtains a timing difference between the start timing and stop timing of ejection of the processing liquid from each ejection nozzle through this image processing. This image processing will be described in detail later.

제어부 (9) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (9) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 판독 기입할 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하여 구성된다. 제어부 (9) 의 CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치 (100) 의 각 동작 기구가 제어부 (9) 에 제어되고, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 처리가 진행된다. 또 제어부 (9) 의 CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 화상 처리를 실시한다. 또한 제어부 (9) 의 기능의 일부 또는 전부는, 전용의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.The hardware configuration of the controller 9 is the same as that of a general computer. That is, the control unit 9 includes a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a readout-only memory that stores basic programs, a RAM that is a memory that can freely read and write data that stores various types of information, software for control, data, and the like. It is constituted by providing a magnetic disk or the like for storage. When the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program, each operation mechanism of the substrate processing apparatus 100 is controlled by the control unit 9, and processing in the substrate processing apparatus 100 proceeds. In addition, image processing is performed by the CPU of the control unit 9 executing a predetermined processing program. Part or all of the functions of the control unit 9 may be implemented by dedicated hardware.

사용자 인터페이스 (90) 는 디스플레이 및 입력부를 구비하고 있다. 디스플레이는 예를 들어 액정 표시 디스플레이 또는 유기 EL (Electro Luminescence) 디스플레이이다. 입력부는 예를 들어 터치 패널, 마우스 또는 키보드이다. 이 사용자 인터페이스 (90) 는 제어부 (9) 에 접속되어 있다. 디스플레이는 제어부 (9) 로부터의 표시 신호에 기초하여 표시 화상을 표시한다. 이 표시 화상에는, 예를 들어 카메라 (70) 로부터의 촬상 화상이 포함된다. 입력부는, 사용자에 의해 입력된 입력 정보를 제어부 (9) 에 출력한다. 제어부 (9) 는 입력 정보에 따라 각종 구성을 제어할 수 있다.The user interface 90 has a display and an input section. The display is, for example, a liquid crystal display or an organic EL (Electro Luminescence) display. The input unit is, for example, a touch panel, mouse or keyboard. This user interface 90 is connected to the control unit 9. The display displays a display image based on a display signal from the control unit 9. This display image includes, for example, a captured image from the camera 70 . The input unit outputs input information input by the user to the control unit 9 . The controller 9 can control various configurations according to input information.

＜제어부의 동작＞ <Operation of Control Unit>

도 4 는, 제어부 (9) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 여기서는, 일례로서, 처리액 공급부 (30) 를 사용한 처리에 대해 설명한다. 먼저 스텝 S1 에서, 주반송 로봇 (103) 에 의해 기판 (W) 이 기판 유지부 (20) 상으로 반송된다. 기판 유지부 (20) 는, 반송된 기판 (W) 을 유지한다.4 is a flowchart showing an example of the operation of the control unit 9. Here, as an example, processing using the processing liquid supply unit 30 will be described. First, in step S1, the substrate W is transported onto the substrate holder 20 by the main transport robot 103. The substrate holding part 20 holds the conveyed substrate W.

다음으로 스텝 S2 에서, 제어부 (9) 는 노즐 기대 (33) 를 회동시켜, 토출 노즐 (31a, 31b) 을 처리 위치로 이동시킨다. 토출 노즐 (31a, 31b) 이 처리 위치에서 정지한 상태에서는, 토출 노즐 (31a) 의 선단 및 토출 노즐 (31b) 의 선단은 카메라 (70) 의 촬상 영역에 포함되어 있다.Next, in step S2, the control unit 9 rotates the nozzle base 33 to move the discharge nozzles 31a and 31b to the treatment position. In a state where the discharge nozzles 31a and 31b are stopped at the treatment position, the tip of the discharge nozzle 31a and the tip of the discharge nozzle 31b are included in the imaging area of the camera 70 .

다음으로 스텝 S3 에서, 제어부 (9) 는 카메라 (70) 를 제어하여 촬상을 개시시킨다. 이로써, 카메라 (70) 는 토출 노즐 (31a) 의 선단 및 토출 노즐 (31b) 의 선단을 보다 확실하게 촬상할 수 있다. 카메라 (70) 는 소정의 프레임 레이트 (예를 들어 60 프레임/초) 로 촬상 영역을 촬상하고, 생성한 촬상 화상의 각 프레임을 제어부 (9) 에 순차적으로 출력한다. 또한 이 카메라 (70) 에 의한 촬상은 스텝 S2 의 토출 노즐 (31a, 31b) 의 이동의 개시를 계기로 하여 개시해도 된다.Next, in step S3, the controller 9 controls the camera 70 to start imaging. Thereby, the camera 70 can image the tip of the discharge nozzle 31a and the tip of the discharge nozzle 31b more reliably. The camera 70 captures images of the imaging area at a predetermined frame rate (e.g., 60 frames/second), and sequentially outputs each frame of the generated captured image to the control unit 9. In addition, you may start imaging by this camera 70 with the start of the movement of discharge nozzle 31a, 31b of step S2 as a trigger.

도 5 는, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상의 프레임 IM1 의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 5 에 예시하는 프레임 IM1 에 있어서는, 토출 노즐 (31a) 의 선단 및 토출 노즐 (31b) 의 선단이 찍혀 있고, 또 기판 (W) 의 일부도 찍혀 있다. 프레임 IM1 에서는, 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 이 아직 토출되고 있지 않고, 동일하게, 토출 노즐 (31b) 로부터도 처리액 Lq2 가 아직 토출되고 있지 않다.5 is a diagram schematically showing an example of a frame IM1 of a captured image generated by the camera 70. As shown in FIG. In the frame IM1 illustrated in FIG. 5 , the tip of the discharge nozzle 31a and the tip of the discharge nozzle 31b are stamped, and a part of the substrate W is also stamped. In the frame IM1, the processing liquid Lq1 has not yet been discharged from the discharge nozzle 31a, and similarly, the processing liquid Lq2 has not yet been discharged from the discharge nozzle 31b either.

다음으로 스텝 S4 에서, 제어부 (9) 는 토출 노즐 (31a) 로부터의 토출을 개시한다. 구체적으로는, 제어부 (9) 는 개방 신호를 개폐 밸브 (35a) 로 출력한다. 개폐 밸브 (35a) 는 이 개방 신호에 기초하여 개방 동작을 실시하여 배관 (34a) 을 개방한다. 이로써, 처리액 공급원 (37a) 으로부터의 처리액이 토출 노즐 (31a) 로부터 토출되어, 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 또한, 개방 신호가 출력되고 나서 실제로 처리액 Lq1 이 토출될 때까지는, 지연 시간이 발생한다. 이 지연 시간은 개폐 밸브 (35a) 의 개방 동작에 의한 밸브체의 이동 속도 및 배관 (34a) 의 배관 길이 및 압력 손실 등의 제 요인에 의존한다.Next, in step S4, the controller 9 starts ejection from the ejection nozzle 31a. Specifically, the controller 9 outputs an open signal to the open/close valve 35a. The opening/closing valve 35a performs an opening operation based on this opening signal to open the pipe 34a. In this way, the processing liquid from the processing liquid supply source 37a is discharged from the discharge nozzle 31a and supplied to the upper surface of the substrate W. In addition, a delay time occurs after the release signal is output until the processing liquid Lq1 is actually discharged. This delay time depends on various factors, such as the moving speed of the valve element by the opening operation of the on-off valve 35a, the length of the pipe 34a, and the pressure loss.

또 제어부 (9) 는 스텝 S4 의 직전부터 스핀 모터 (22) 를 회전시켜 기판 (W) 을 회전시킨다.In addition, the controller 9 rotates the spin motor 22 immediately before step S4 to rotate the substrate W.

도 6 은, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상의 프레임 IM2 의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 6 에 예시하는 프레임 IM2 에 있어서는, 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 이 토출되고 있고, 토출 노즐 (31b) 로부터는 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않다. 토출 노즐 (31a) 로부터 토출된 처리액 Lq1 은 이른바 연속류이며, 토출 노즐 (31a) 의 선단으로부터 기판 (W) 의 상면까지의 영역에 있어서는, 연직 방향을 따라 연장되는 액기둥 형상을 가지고 있다. 이 처리액 Lq1 은 기판 (W) 의 대략 중앙에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 수반하는 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면에 있어서 확산된다. 그리고, 기판 (W) 의 둘레가장자리로부터 비산한다. 이로써, 처리액 Lq1 이 기판 (W) 의 상면의 전체면에 작용하여, 처리액 Lq1 에 기초하는 처리가 실시된다.FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of frame IM2 of a captured image generated by the camera 70. As shown in FIG. In the frame IM2 illustrated in FIG. 6 , the processing liquid Lq1 is discharged from the discharge nozzle 31a, and the processing liquid Lq2 is not discharged from the discharge nozzle 31b. The processing liquid Lq1 discharged from the discharge nozzle 31a is a so-called continuous flow, and has a liquid column shape extending vertically in the region from the tip of the discharge nozzle 31a to the upper surface of the substrate W. This processing liquid Lq1 lands on the substantially center of the substrate W, receives the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, and spreads on the upper surface of the substrate W. And it scatters from the circumferential edge of the board|substrate W. As a result, the processing liquid Lq1 acts on the entire upper surface of the substrate W, and processing based on the processing liquid Lq1 is performed.

제어부 (9) 는 예를 들어 스텝 S4 로부터 소정 시간이 경과하면, 스텝 S5 에서, 처리액을 토출하는 노즐을 토출 노즐 (31a) 로부터 토출 노즐 (31b) 로 전환한다. 즉, 제어부 (9) 는 토출 노즐 (31a) 로부터의 처리액 Lq1 의 토출을 정지시킴과 함께, 토출 노즐 (31b) 로부터의 처리액 Lq2 의 토출을 개시한다. 요컨대, 제어부 (9) 는 개폐 밸브 (35a) 에 폐쇄 신호를 송신함과 함께 개폐 밸브 (35b) 에 개방 신호를 송신한다. 구체적인 일례로서, 제어부 (9) 는 스텝 S4 로부터의 경과 시간이 제 1 기준 시간에 도달했을 때에, 개방 신호를 개폐 밸브 (35b) 에 출력하고, 스텝 S4 로부터의 경과 시간이 제 2 기준 시간에 도달했을 때에, 폐쇄 신호를 개폐 밸브 (35a) 에 출력한다. 예를 들어 제 2 기준 시간은 제 1 기준 시간보다 길게 설정될 수 있다.For example, when a predetermined time elapses from step S4, the control unit 9 switches the nozzle that discharges the processing liquid from the discharge nozzle 31a to the discharge nozzle 31b in step S5. That is, the controller 9 stops the discharge of the processing liquid Lq1 from the discharge nozzle 31a and starts the discharge of the processing liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b. In short, the controller 9 transmits a closing signal to the on-off valve 35a and an open signal to the on-off valve 35b. As a specific example, when the elapsed time from step S4 reaches the first reference time, the controller 9 outputs an open signal to the open/close valve 35b, and the elapsed time from step S4 reaches the second reference time. When this is done, a closing signal is output to the opening/closing valve 35a. For example, the second reference time may be set longer than the first reference time.

개폐 밸브 (35b) 는 개방 신호에 기초하여 개방 동작을 실시하여 배관 (34b) 을 개방한다. 이로써, 처리액 공급원 (37b) 으로부터의 처리액 Lq2 가 토출 노즐 (31b) 로부터 토출되어, 기판 (W) 의 상면에 착액한다. 또한, 개방 신호가 출력되고 나서 실제로 처리액 Lq2 가 토출되기까지는, 지연 시간이 발생한다. 이 지연 시간은 개폐 밸브 (35b) 의 개방 동작에 의한 밸브체의 이동 속도, 배관 (34b) 의 배관 길이 및 압력 손실 등의 제 요인에 의존한다.The opening/closing valve 35b performs an opening operation based on the opening signal to open the pipe 34b. As a result, the processing liquid Lq2 from the processing liquid supply source 37b is discharged from the discharge nozzle 31b and lands on the upper surface of the substrate W. In addition, a delay time occurs after the release signal is output until the processing liquid Lq2 is actually discharged. This delay time depends on various factors, such as the moving speed of the valve element by the opening operation of the on-off valve 35b, the pipe length of the pipe 34b, and the pressure loss.

개폐 밸브 (35a) 는 폐쇄 신호에 기초하여 폐쇄 동작을 실시하여 배관 (34a) 을 폐쇄한다. 또한 석백 밸브 (36a) 가 설치되어 있는 경우에는, 제어부 (9) 는 석백 밸브 (36a) 에 흡입 신호를 송신한다. 석백 밸브 (36a) 는 이 흡입 신호에 기초하여 흡입 동작을 실시하여, 배관 (34a) 내의 처리액을 흡입한다. 개폐 밸브 (35a) 의 폐쇄 동작과 석백 밸브 (36a) 의 흡입 동작은 서로 병행하여 실행된다. 이로써, 토출 노즐 (31a) 의 선단 측의 처리액 Lq1 이 되돌려져, 처리액 Lq1 의 토출이 적절히 정지한다. 또한, 폐쇄 신호가 출력되고 나서 실제로 처리액 Lq1 의 토출이 정지하기까지는, 지연 시간이 발생한다. 이 지연 시간은 개폐 밸브 (35a) 의 폐쇄 동작에 의한 밸브체의 이동 속도, 석백 밸브 (36a) 의 밸브체의 이동 속도, 배관 (34a) 의 배관 길이 및 압력 손실 등의 제 요인에 의존한다.The on-off valve 35a performs a closing operation based on the closing signal to close the pipe 34a. Also, when the suckback valve 36a is provided, the controller 9 transmits a suction signal to the suckback valve 36a. The suck-back valve 36a performs a suction operation based on this suction signal to suck the processing liquid in the pipe 34a. The closing operation of the on-off valve 35a and the suction operation of the suck-back valve 36a are executed in parallel with each other. In this way, the treatment liquid Lq1 on the distal end side of the discharge nozzle 31a is returned, and the discharge of the treatment liquid Lq1 is appropriately stopped. In addition, a delay time occurs after the closing signal is output until the discharge of the processing liquid Lq1 actually stops. This delay time depends on various factors, such as the moving speed of the valve element by the closing operation of the on-off valve 35a, the moving speed of the valve element of the suck-back valve 36a, the length of the pipe 34a, and the pressure loss.

도 7 및 도 8 은, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상의 프레임의 일례를 개략적으로 나타내고 있다. 도 7 및 도 8 에 각각 예시된 프레임 IM3, IM4 는, 토출 노즐 (31a) 로부터 토출 노즐 (31b) 의 전환 시에 있어서의 프레임을 나타내고 있다. 프레임 IM3 은, 개폐 밸브 (35a, 35b) 가 각각 폐쇄 동작 및 개방 동작을 실시하고 있는 도중의 프레임이다. 따라서, 프레임 IM3 에서는, 토출 노즐 (31a) 및 토출 노즐 (31b) 의 양방으로부터 각각 처리액 Lq1, Lq2 가 토출되고 있다. 단, 토출 노즐 (31a) 로부터 토출된 처리액 Lq1 의 폭은 프레임 IM2 보다 좁게 되어 있다. 이것은, 개폐 밸브 (35a) 에 의한 폐쇄 동작에 의해 처리액 Lq1 의 유량이 작아지기 때문이다. 프레임 IM3 에서는, 개폐 밸브 (35b) 는 아직 완전히 개방되어 있지 않기 때문에, 토출 노즐 (31b) 로부터 토출된 처리액 Lq2 의 폭도 좁다.7 and 8 schematically show an example of a frame of a captured image generated by the camera 70. As shown in FIG. Frames IM3 and IM4 exemplified in FIGS. 7 and 8 , respectively, represent frames when the discharge nozzle 31b is switched from the discharge nozzle 31a. Frame IM3 is a frame in which the on-off valves 35a and 35b are performing closing and opening operations, respectively. Therefore, in the frame IM3, the processing liquids Lq1 and Lq2 are discharged from both the discharge nozzle 31a and the discharge nozzle 31b, respectively. However, the width of the processing liquid Lq1 discharged from the discharge nozzle 31a is narrower than the frame IM2. This is because the flow rate of the treatment liquid Lq1 decreases due to the closing operation of the on-off valve 35a. In frame IM3, since the on-off valve 35b is not yet fully open, the width of the processing liquid Lq2 discharged from the discharge nozzle 31b is also narrow.

프레임 IM4 는, 개폐 밸브 (35a) 가 폐쇄되고, 개폐 밸브 (35b) 가 개방된 상태에서의 프레임이다. 따라서 프레임 IM4 에 있어서는, 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 이 토출되고 있지 않고, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출되고 있다. 토출 노즐 (31b) 로부터 토출된 처리액 Lq2 도 연속류이고, 토출 노즐 (31b) 의 선단으로부터 기판 (W) 의 상면까지의 영역에 있어서는, 연직 방향을 따라 연장되는 액기둥 형상을 가지고 있다. 이 처리액 Lq2 는 기판 (W) 의 대략 중앙에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 수반하는 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면에 있어서 확산된다. 그리고, 기판 (W) 의 둘레가장자리로부터 비산한다. 이로써, 처리액 Lq2 가 기판 (W) 상면의 전체면에 작용하여, 처리액 Lq2 에 기초하는 처리가 실시된다.Frame IM4 is a frame in a state where the on-off valve 35a is closed and the on-off valve 35b is open. Therefore, in frame IM4, the processing liquid Lq1 is not discharged from the discharge nozzle 31a, but the processing liquid Lq2 is discharged from the discharge nozzle 31b. The processing liquid Lq2 discharged from the discharge nozzle 31b is also a continuous flow, and has a liquid column shape extending in the vertical direction in the region from the tip of the discharge nozzle 31b to the upper surface of the substrate W. This treatment liquid Lq2 lands on the substantially center of the substrate W and spreads on the upper surface of the substrate W by receiving the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. And it scatters from the circumferential edge of the board|substrate W. As a result, the processing liquid Lq2 acts on the entire surface of the upper surface of the substrate W, and processing based on the processing liquid Lq2 is performed.

스텝 S5 로부터 소정 시간이 경과하면, 스텝 S6 에서, 제어부 (9) 는 토출 노즐 (31b) 로부터의 처리액 Lq2 의 토출을 정지한다. 구체적인 일례로서, 제어부 (9) 는, 개폐 밸브 (35b) 에 개방 신호를 출력한 시점으로부터의 경과 시간이 제 3 기준 시간에 도달했을 때에, 개폐 밸브 (35b) 에 폐쇄 신호를 송신한다. 개폐 밸브 (35b) 는 이 폐쇄 신호에 기초하여 폐쇄 동작을 실시하여 배관 (34b) 을 폐쇄한다. 또한 석백 밸브 (36b) 가 설치되어 있는 경우에는, 석백 밸브 (36b) 에 흡입 신호를 송신한다. 이로써, 석백 밸브 (36b) 는 개폐 밸브 (35a) 의 폐쇄 동작과 병행하여 흡입 동작을 실시하여, 배관 (34b) 내의 처리액 Lq2 를 흡입한다. 이로써, 토출 노즐 (31b) 로부터의 처리액 Lq2 의 토출이 적절히 정지한다. 또한 이때도, 신호의 출력으로부터 실제로 처리액 Lq2 의 토출이 종료하기까지는, 지연 시간이 발생한다.When a predetermined time has elapsed from step S5, in step S6, the control unit 9 stops discharging the processing liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b. As a specific example, the control unit 9 transmits a closing signal to the on-off valve 35b when the elapsed time from the point of output of the open signal to the on-off valve 35b reaches the third reference time. The on-off valve 35b performs a closing operation based on this closing signal to close the pipe 34b. In addition, when the suckback valve 36b is provided, a suction signal is transmitted to the suckback valve 36b. Thus, the suck-back valve 36b performs a suction operation in parallel with the closing operation of the on-off valve 35a to suck the processing liquid Lq2 in the pipe 34b. This properly stops the discharge of the treatment liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b. Also at this time, a delay time occurs from the output of the signal until the discharge of the processing liquid Lq2 actually ends.

제어부 (9) 는 스텝 S6 후에 스핀 모터 (22) 의 회전을 정지하여, 기판 (W) 의 회전을 정지시켜도 된다. 혹은, 제어부 (9) 는 스핀 모터 (22) 의 회전 속도를 증대시켜, 기판 (W) 상의 처리액 Lq2 를 회전력에 의해 기판 (W) 의 둘레가장자리로부터 비산시켜, 기판 (W) 을 건조시킨 후에, 스핀 모터 (22) 의 회전을 정지시켜도 된다.The controller 9 may stop the rotation of the substrate W by stopping the rotation of the spin motor 22 after step S6. Alternatively, the control unit 9 increases the rotational speed of the spin motor 22 to scatter the processing liquid Lq2 on the substrate W from the circumferential edge of the substrate W by the rotational force, and then dries the substrate W. , the rotation of the spin motor 22 may be stopped.

다음으로 스텝 S7 에서, 제어부 (9) 는 카메라 (70) 에 의한 촬상을 종료한다. 다음으로 스텝 S8 에서, 제어부 (9) 는 노즐 기대 (33) 를 제어하여, 토출 노즐 (31a, 31b) 을 대기 위치로 이동시킨다.Next, in step S7, the control unit 9 ends image capture by the camera 70. Next, in step S8, the control unit 9 controls the nozzle base 33 to move the discharge nozzles 31a and 31b to the standby position.

이상의 동작에 의해, 처리액 Lq1, Lq2 를 사용한 일련의 처리를 순차적으로 실시할 수 있다.Through the above operation, a series of processes using the treatment liquids Lq1 and Lq2 can be sequentially performed.

또 도 4 에 예시하는 바와 같이, 제어부 (9) 는 처리액의 토출/정지 타이밍을 감시하기 위하여, 스텝 S4 ∼ S6 과 병행하여 스텝 S10 에서 감시 처리를 실시한다. 이 감시 처리는, 스텝 S5 에 있어서의, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 의 토출을 개시하는 개시 타이밍 tb 와 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 의 토출을 정지하는 정지 타이밍 ta 의 타이밍차가 적절한지 여부를 감시하는 처리이다. As illustrated in Fig. 4, the control unit 9 performs a monitoring process in step S10 in parallel with steps S4 to S6 in order to monitor the discharge/stop timing of the processing liquid. In this monitoring process, the timing difference between the start timing tb for starting the discharge of the processing liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b and the stop timing ta for stopping the discharge of the processing liquid Lq1 from the discharge nozzle 31a in step S5 is appropriate. It is a process that monitors whether

도 9 는, 감시 처리의 구체적인 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 먼저 제어부 (9) 는, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상에 대해 화상 처리를 실시하여, 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 및 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 를 특정한다 (스텝 S11).9 is a flowchart showing an example of a specific operation of the monitoring process. First, the controller 9 performs image processing on a captured image generated by the camera 70 to specify the start timing tb of the discharge nozzle 31b and the stop timing ta of the discharge nozzle 31a (step S11). ).

여기서는 먼저 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 에 대해 서술한다. 제어부 (9) 는 카메라 (70) 로부터 프레임이 입력되면, 그 프레임으로부터 토출 판정 영역 Rb1 을 잘라낸다. 여기서 말하는 토출 판정 영역 Rb1 이란, 촬상 화상의 각 프레임 중 토출 노즐 (31b) 의 선단으로부터 처리액 Lq2 의 토출 방향으로 연장되는 영역이다 (도 5 내지 도 8 도 참조). 여기서는, 처리액 Lq2 는 연직 하방을 향해 연장되므로, 토출 판정 영역 Rb1 은 촬상 화상의 종 방향으로 연장되는 장척 형상 (예를 들어 사각형상) 을 갖는다. 토출 판정 영역 Rb1 의 횡 방향의 폭은 처리액 Lq2 의 폭보다 넓게 설정되고, 토출 판정 영역 Rb1 의 종 방향의 길이는 토출 판정 영역 Rb1 이 처리액 Lq2 의 착액 위치를 포함하지 않는 정도의 길이로 설정된다.Here, the start timing tb of the ejection nozzle 31b is described first. When a frame is input from the camera 70, the control unit 9 cuts out the discharge determination area Rb1 from the frame. The ejection determination area Rb1 referred to here is an area extending from the tip of the ejection nozzle 31b in the ejection direction of the processing liquid Lq2 in each frame of the captured image (see also FIGS. 5 to 8 ). Here, since the processing liquid Lq2 extends vertically downward, the discharge determination area Rb1 has a long shape (for example, a rectangular shape) extending in the vertical direction of the captured image. The horizontal width of the discharge determination area Rb1 is set to be wider than the width of the processing liquid Lq2, and the length of the discharge determination area Rb1 in the vertical direction is set to such a length that the discharge determination area Rb1 does not include the liquid landing position of the processing liquid Lq2. do.

그런데, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않는 경우의 토출 판정 영역 Rb1 내의 화소값은, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출된 경우의 토출 판정 영역 Rb1 내의 화소값과 상위하다. 도 10 및 도 11 은, 토출 판정 영역 Rb1 내의 횡 방향에 있어서의 휘도 분포의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 10 에는, 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않을 때의 휘도 분포가 예시되어 있고, 도 11 에는, 처리액 Lq2 가 토출되고 있을 때의 휘도 분포가 예시되어 있다.By the way, the pixel value in the discharge determination area Rb1 when the processing liquid Lq2 is not discharged from the discharge nozzle 31b is different from the pixel value in the discharge determination area Rb1 when the processing liquid Lq2 is discharged from the discharge nozzle 31b. do. 10 and 11 are diagrams schematically showing an example of the luminance distribution in the horizontal direction within the discharge determination area Rb1. FIG. 10 exemplifies the luminance distribution when the processing liquid Lq2 is not being discharged, and FIG. 11 exemplifies the luminance distribution when the processing liquid Lq2 is being discharged.

처리액 Lq2 가 토출되고 있을 때에는, 토출 판정 영역 Rb1 내에 있어서 그 처리액 Lq2 의 액기둥 부분이 찍혀 있다. 카메라 (70) 의 촬상 방향과 동일 방향으로부터 조명광이 입사하는 경우, 처리액 Lq2 에 의한 액기둥의 표면이 밝게 빛나 보인다. 따라서 도 11 에 예시하는 바와 같이, 이 액기둥 부분에 상당하는 휘도는 주위보다 높다. 구체적으로는, 휘도 분포는 액기둥 부분에 있어서 상방으로 볼록한 형상을 가지고 있다. 요컨대, 휘도 분포는 처리액 Lq2 의 액기둥 형상에서 기인한 특징을 가지고 있다.When the processing liquid Lq2 is being discharged, the liquid column portion of the processing liquid Lq2 is stamped in the discharge determination area Rb1. When illumination light is incident from the same direction as the imaging direction of the camera 70, the surface of the liquid column by the processing liquid Lq2 looks bright. Therefore, as illustrated in Fig. 11, the luminance corresponding to this column portion is higher than that of the surroundings. Specifically, the luminance distribution has an upwardly convex shape in the liquid column portion. In short, the luminance distribution has characteristics resulting from the liquid column shape of the treatment liquid Lq2.

한편으로, 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않을 때에는, 토출 판정 영역 Rb1 내에는 처리액 Lq2 의 액기둥 형상이 찍혀 있지 않다. 따라서 도 10 에 예시하는 바와 같이, 휘도 분포는 당연히 그 처리액 Lq2 의 액기둥 형상에서 기인한 특징을 가지고 있지 않다. 당해 휘도는 기판 (W) 상면의 패턴에 의한 난반사 또는 챔버 (10) 내부 부품의 비침 등에 따라 변동하고 있지만, 비교적 균일한 분포를 가지고 있다.On the other hand, when the processing liquid Lq2 is not being discharged, the liquid column shape of the processing liquid Lq2 is not printed in the discharge determination area Rb1. Therefore, as exemplified in Fig. 10, the luminance distribution naturally does not have a characteristic derived from the liquid column shape of the treatment liquid Lq2. Although the luminance fluctuates according to irregular reflection caused by a pattern on the upper surface of the substrate W or reflection of internal parts of the chamber 10, etc., the luminance has a relatively uniform distribution.

그런데, 카메라 (70) 는, 그레이 스케일의 촬상 화상을 생성하는 타입의 카메라여도 되고, 컬러의 촬상 화상을 생성하는 타입의 카메라여도 된다. 전자의 경우, 촬상 화상의 화소값은 휘도값을 나타내고 있다고 할 수 있다. 이하에서는, 그레이 스케일의 촬상 화상을 생성하는 타입의 카메라를 예로 들어 설명하지만, 컬러인 경우에는, 화소값으로부터 휘도값을 산출하고, 그 휘도값은 이용하면 된다.By the way, the camera 70 may be a type of camera that generates a captured image in gray scale or a type of camera that generates a captured image in color. In the former case, it can be said that the pixel value of the captured image represents the luminance value. In the following, a camera of a type that generates a captured image in gray scale will be described as an example, but in the case of color, a luminance value may be calculated from a pixel value and the luminance value may be used.

제어부 (9) 는 토출 판정 영역 Rb1 내의 화소값에 기초하여, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출되고 있는지 여부를 판정한다. 구체적으로는, 제어부 (9) 는 토출 판정 영역 Rb1 내의 화소값의 통계량 A2 를 산출한다. 통계량 A2 는, 토출 노즐 (31b) 로부터의 처리액 Lq2 의 토출 상태를 반영하는 값이며, 예를 들어 토출 판정 영역 Rb1 내의 화소값의 총합 (적분값) 이다. 처리액 Lq2 가 토출되고 있을 때의 화소값의 총합은, 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않을 때의 화소값의 총합보다 커지기 때문이다.The controller 9 determines whether or not the processing liquid Lq2 is being discharged from the discharge nozzle 31b based on the pixel values in the discharge determination area Rb1. Specifically, the control unit 9 calculates the statistical amount A2 of the pixel values in the discharge determination area Rb1. The statistic A2 is a value reflecting the discharge state of the processing liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b, and is, for example, the total (integral value) of pixel values in the discharge determination region Rb1. This is because the sum of the pixel values when the processing liquid Lq2 is being discharged is greater than the sum of the pixel values when the processing liquid Lq2 is not being discharged.

통계량 A2 로는, 화소값의 총합 대신에 화소값의 분산을 채용해도 된다. 도 10 및 도 11 에 나타내는 바와 같이, 처리액 Lq2 가 토출되었을 때의 휘도 분포는, 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않을 때의 휘도 분포에 비해 불규칙하기 때문이다. 분산으로는, 예를 들어 표준 편차를 채용할 수 있다. 또, 토출 판정 영역 Rb1 내의 모든 화소값에 대한 분산을 채용할 수 있다.As the statistic A2, the variance of pixel values may be employed instead of the total sum of pixel values. This is because, as shown in FIGS. 10 and 11 , the luminance distribution when the treatment liquid Lq2 is discharged is more irregular than the luminance distribution when the treatment liquid Lq2 is not discharged. As the variance, standard deviation can be employed, for example. Further, dispersion for all pixel values in the discharge determination region Rb1 can be employed.

그 한편으로, 처리액 Lq2 는 연직 방향을 따르는 액기둥 형상을 가지고 있으므로, 토출 판정 영역 Rb1 에 있어서의 종 방향의 휘도 분포의 변동은 작다. 그래서, 횡 방향을 따라 일렬로 배열되는 화소를 잘라내고, 그 복수의 화소값의 분산을 채용해도 된다. 혹은, 종 방향을 따라 일렬로 배열되는 화소값을, 열마다 적분하여 적분 화소값을 산출하고, 얻어진 열마다의 적분 화소값의 분산을 채용해도 된다.On the other hand, since the processing liquid Lq2 has a liquid column shape along the vertical direction, the fluctuation of the luminance distribution in the vertical direction in the discharge determination area Rb1 is small. Therefore, pixels arranged in a line along the horizontal direction may be cut out, and dispersion of a plurality of pixel values may be employed. Alternatively, pixel values arranged in a row along the vertical direction may be integrated for each column to calculate integrated pixel values, and dispersion of the obtained integrated pixel values for each column may be employed.

판정의 예로서, 통계량 A2 에 대한 임계값 th1 을 설정하고, 통계량 A2 가 임계값 th1 이상일 때에는, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출되고 있다고 판정할 수 있고, 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 작을 때에는, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않다고 판정할 수 있다. 이 임계값 th1 은 미리 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 설정할 수 있다.As an example of the determination, a threshold value th1 is set for the statistic amount A2, and when the statistic amount A2 is greater than or equal to the threshold value th1, it can be determined that the processing liquid Lq2 is being discharged from the discharge nozzle 31b, and the statistic amount A2 is greater than the threshold value th1. When it is small, it can be determined that the processing liquid Lq2 is not being discharged from the discharge nozzle 31b. This threshold value th1 can be previously set by experiment or simulation.

도 12 는, 도 4 의 스텝 S4 ∼ S6 에 있어서의 통계량 A2 의 시간 변화의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 12 에 있어서, 횡축은, 카메라 (70) 가 생성하는 촬상 화상의 프레임 번호를 나타내고 있고, 종축은 통계량을 나타내고 있다. 프레임 번호는 시간의 경과와 함께 증대하므로, 횡축은 시간을 나타내고 있다고도 할 수 있다. 토출 판정 영역 Rb1 에 대한 통계량 A2 는 파선으로 나타내고 있고, 후술하는 토출 판정 영역 Ra1 에 대한 통계량 A1 은 실선으로 나타내고 있다.Fig. 12 is a graph showing an example of the change over time of the statistic A2 in Steps S4 to S6 in Fig. 4 . In Fig. 12, the horizontal axis represents the frame number of a captured image generated by the camera 70, and the vertical axis represents the statistic. Since the frame number increases with the passage of time, it can also be said that the horizontal axis represents time. The statistic A2 for the ejection determination area Rb1 is indicated by a broken line, and the statistic A1 with respect to the ejection determination area Ra1 described later is indicated by a solid line.

도 12 에서는, 초기적에는 통계량 A2 는 임계값 th1 보다 작다. 왜냐하면, 처리의 최초에서는 토출 노즐 (31b) 은 처리액 Lq2 를 토출하고 있지 않기 때문이다 (도 4 의 스텝 S4 참조). 스텝 S5 에 있어서의 토출 노즐의 전환 시에, 통계량 A2 는 증대하여 임계값 th1 을 초과한다. 요컨대, 통계량 A2 는, 임계값 th1 보다 작은 상태로부터 임계값 th1 보다 큰 상태로 천이한다. 통계량 A2 가 임계값 th1 을 상회하는 타이밍이 개시 타이밍 tb 에 상당한다. 따라서, 통계량 A2 의 변화에 기초하여 개시 타이밍 tb 를 특정할 수 있다. 이하에, 상세하게 설명한다.In Fig. 12, the statistic A2 is initially smaller than the threshold value th1. This is because the discharge nozzle 31b is not discharging the processing liquid Lq2 at the beginning of the processing (see step S4 in FIG. 4 ). At the time of switching the ejection nozzle in step S5, the statistic A2 increases and exceeds the threshold value th1. In short, the statistic A2 transitions from a state smaller than the threshold value th1 to a state larger than the threshold value th1. The timing at which the statistic A2 exceeds the threshold value th1 corresponds to the start timing tb. Therefore, the start timing tb can be specified based on the change in the statistic A2. Below, it demonstrates in detail.

제어부 (9) 는 프레임마다 통계량 A2 를 산출하고, 그 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 큰지 여부를 프레임마다 판정한다. 그리고, 제어부 (9) 는 그 판정 결과를 기억 매체에 기억한다. 제어부 (9) 는, 전회 (前回) 의 프레임에 있어서 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 작고, 또한, 금회의 프레임에 있어서 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 클 때에, 통계량 A2 가 임계값 th1 을 상회했다고 판정한다.The control unit 9 calculates the statistic A2 for each frame, and determines for each frame whether the statistic A2 is larger than a threshold value th1. Then, the control unit 9 stores the determination result in the storage medium. The control unit 9 determines that the statistic A2 has exceeded the threshold th1 when the statistic A2 is smaller than the threshold th1 in the previous frame and the statistic A2 is larger than the threshold th1 in the current frame. do.

제어부 (9) 는 전회의 프레임과 금회의 프레임에 기초하여 개시 타이밍 tb 를 특정한다. 요컨대, 제어부 (9) 는, 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 작은 전회의 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서, 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 큰 금회의 프레임에 기초하여, 개시 타이밍 tb 를 특정한다. 예를 들어 제어부 (9) 는 전회의 프레임의 생성 타이밍을 개시 타이밍 tb 로서 특정해도 되고, 혹은, 금회의 프레임의 생성 타이밍을 개시 타이밍 tb 로서 특정해도 되고, 혹은, 전회와 금회의 프레임의 생성 타이밍의 평균을 개시 타이밍 tb 로서 특정해도 된다.The control unit 9 specifies the start timing tb based on the previous frame and the current frame. In short, the control unit 9 specifies the start timing tb based on the previous frame in which the statistical amount A2 is smaller than the threshold value th1 and the current frame in which the statistical amount A2 is greater than the threshold value th1 as the next frame of the current frame. . For example, the control unit 9 may specify the generation timing of the previous frame as the start timing tb, or may specify the generation timing of the current frame as the start timing tb, or the generation timing of the previous and current frames The average of may be specified as the start timing tb.

다음으로 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 에 대해 서술한다. 제어부 (9) 는 프레임이 입력되면, 그 프레임으로부터 토출 판정 영역 Ra1 을 잘라낸다. 여기서 말하는 토출 판정 영역 Ra1 이란, 촬상 화상의 각 프레임 중 토출 노즐 (31a) 의 선단으로부터 처리액 Lq1 의 토출 방향으로 연장되는 영역이다 (도 5 내지 도 8 도 참조). 여기서는, 처리액 Lq1 은 연직 하방을 향해 연장되므로, 토출 판정 영역 Ra1 은 촬상 화상의 종 방향으로 연장되는 장척 형상 (예를 들어 사각형상) 을 갖는다. 토출 판정 영역 Ra1 의 횡 방향의 폭은 처리액 Lq1 의 폭보다 넓게 설정되고, 토출 판정 영역 Rb1 의 종 방향의 길이는 토출 판정 영역 Rb1 이 처리액 Lq1 의 착액 위치를 포함하지 않는 정도의 길이로 설정된다.Next, the stop timing ta of the discharge nozzle 31a is described. When a frame is input, the control unit 9 cuts out the discharge determination area Ra1 from the frame. The ejection determination area Ra1 referred to here is an area extending from the tip of the ejection nozzle 31a in the ejection direction of the processing liquid Lq1 in each frame of the captured image (see also FIGS. 5 to 8 ). Here, since the processing liquid Lq1 extends vertically downward, the discharge judgment area Ra1 has a long shape (for example, a rectangular shape) extending in the vertical direction of the captured image. The horizontal width of the discharge determination area Ra1 is set wider than the width of the processing liquid Lq1, and the length of the discharge determination area Rb1 in the vertical direction is set to such a length that the discharge determination area Rb1 does not include the liquid landing position of the processing liquid Lq1. do.

토출 판정 영역 Ra1 내의 휘도 분포는 토출 판정 영역 Rb1 과 동일하게, 처리액 Lq1 의 토출의 유무에 따라 상위하다. 그래서, 제어부 (9) 는 처리액 Lq2 의 토출 유무 판정과 동일하게, 토출 판정 영역 Ra1 의 화소값에 기초하여 처리액 Lq1 의 토출의 유무를 판정한다. 보다 구체적으로는, 제어부 (9) 는 토출 판정 영역 Ra1 내의 화소값의 통계량 A1 을 산출한다. 통계량 A1 은 통계량 A2 와 동일하고, 토출 노즐 (31a) 로부터의 처리액 Lq1 의 토출 상태를 반영하는 값이며, 예를 들어 토출 판정 영역 Ra1 내의 화소값의 총합 또는 분산이다.The luminance distribution in the discharge determination area Ra1 differs depending on whether or not the processing liquid Lq1 is discharged, as in the discharge determination area Rb1. Therefore, the controller 9 determines whether or not the processing liquid Lq1 has been discharged based on the pixel values of the discharge determination area Ra1, similarly to the discharge determination of the processing liquid Lq2. More specifically, the controller 9 calculates the statistical amount A1 of the pixel values in the ejection judgment area Ra1. The statistic A1 is the same as the statistic A2, and is a value reflecting the discharge state of the processing liquid Lq1 from the discharge nozzle 31a, and is, for example, the sum or dispersion of pixel values within the discharge determination area Ra1.

통계량 A1 이 클 때에는, 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 이 토출되고 있다고 판정할 수 있고, 통계량 A1 이 작을 때에는, 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 이 토출되고 있지 않다고 판정할 수 있다. 그래서, 이들 판정에 제공하는 통계량 A1 에 대한 임계값을 설정한다. 여기서는, 통계량 A1 에 대한 임계값으로서, 통계량 A2 에 대한 임계값 th1 을 채용한다. 또한 통계량 A1 에 대한 임계값으로서, 임계값 th1 과 상이한 값을 채용해도 된다.When the statistical amount A1 is large, it can be determined that the processing liquid Lq1 is being discharged from the discharge nozzle 31a, and when the statistical amount A1 is small, it can be determined that the processing liquid Lq1 is not being discharged from the discharge nozzle 31a. Therefore, a threshold value is set for the statistic A1 that serves for these determinations. Here, as the threshold for the statistic A1, the threshold th1 for the statistic A2 is adopted. Also, as the threshold value for the statistic A1, a value different from the threshold value th1 may be employed.

도 12 에 예시하는 바와 같이, 통계량 A1 은 초기적에는 임계값 th1 보다 크다. 왜냐하면, 처리의 최초부터 처리액 Lq1 이 토출되기 때문이다 (도 4 의 스텝 S4 참조). 그리고, 스텝 S5 에 있어서의 토출 노즐의 전환 시에, 통계량 A1 은 저감하여 임계값 th1 을 하회한다. 통계량 A1 이 임계값 th1 을 하회하는 타이밍이 정지 타이밍 ta 에 상당한다. 따라서, 통계량 A1 의 변화에 기초하여 정지 타이밍 ta 를 특정할 수 있다. 이하에, 상세하게 설명한다.As illustrated in Fig. 12, the statistic A1 is initially larger than the threshold value th1. This is because the treatment liquid Lq1 is discharged from the beginning of the treatment (see step S4 in Fig. 4). And at the time of switching of the ejection nozzle in step S5, the statistic A1 decreases and becomes less than threshold value th1. The timing at which the statistic A1 falls below the threshold value th1 corresponds to the stop timing ta. Therefore, the stop timing ta can be specified based on the change in the statistic A1. Below, it demonstrates in detail.

제어부 (9) 는 프레임마다 통계량 A1 을 산출하고, 그 통계량 A1 이 임계값 th1 보다 큰지 여부를 프레임마다 판정한다. 그리고, 제어부 (9) 는 그 판정 결과를 기억 매체에 기억한다. 제어부 (9) 는, 전회의 프레임에 있어서 통계량 A1 이 임계값 th1 보다 크고, 또한, 금회의 프레임에 있어서 통계량 A1 이 임계값 th1 보다 작을 때에, 통계량 A1 이 임계값 th1 을 하회했다고 판정한다.The control unit 9 calculates the statistic A1 for each frame, and determines for each frame whether or not the statistic A1 is larger than a threshold value th1. Then, the control unit 9 stores the determination result in the storage medium. The control unit 9 determines that the statistic A1 is less than the threshold th1 when the statistic A1 is greater than the threshold th1 in the previous frame and the statistic A1 is smaller than the threshold th1 in the current frame.

그리고, 제어부 (9) 는 전회의 프레임과 금회의 프레임에 기초하여 정지 타이밍 ta 를 특정한다. 요컨대, 제어부 (9) 는, 통계량 A1 이 임계값 th1 보다 큰 전회의 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서, 통계량 A2 가 임계값 th1 보다 작은 금회의 프레임에 기초하여, 정지 타이밍 ta 를 특정한다. 예를 들어 제어부 (9) 는 전회의 프레임의 생성 타이밍을 정지 타이밍 ta 로서 특정해도 되고, 혹은, 금회의 프레임의 생성 타이밍을 정지 타이밍 ta 로서 특정해도 되고, 혹은, 전회와 금회의 프레임의 생성 타이밍의 평균을 정지 타이밍 ta 로서 특정해도 된다.Then, the control unit 9 specifies the stop timing ta based on the previous frame and the current frame. In short, the control unit 9 specifies the stop timing ta based on the previous frame in which the statistic A1 is greater than the threshold value th1 and the current frame in which the statistic amount A2 is smaller than the threshold value th1 as the next frame of the current frame. . For example, the controller 9 may specify the generation timing of the previous frame as the stop timing ta, or may specify the generation timing of the current frame as the stop timing ta, or the generation timing of the previous and current frames. The average of may be specified as the stop timing ta.

다음으로 스텝 S12 에서, 제어부 (9) 는 개시 타이밍 tb 와 정지 타이밍 ta 의 타이밍차를 산출한다. 구체적으로는, 제어부 (9) 는 정지 타이밍 ta 로부터 개시 타이밍 tb 를 감산하여 타이밍차를 산출한다.Next, in step S12, the control unit 9 calculates the timing difference between the start timing tb and the stop timing ta. Specifically, the control unit 9 calculates the timing difference by subtracting the start timing tb from the stop timing ta.

다음으로 스텝 S13 에서, 제어부 (9) 는 이 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 판정한다. 소정의 범위는 예를 들어 미리 설정되고, 기억 매체에 기억되어 있어도 된다. 소정의 범위의 하한값 및 상한값은 예를 들어 정 (正) 의 값을 가지고 있다.Next, in step S13, the control unit 9 determines whether or not this timing difference is out of a predetermined range. The predetermined range may be set in advance, for example, and stored in a storage medium. The lower limit and upper limit of the predetermined range have, for example, positive values.

타이밍차가 소정의 범위 외일 때, 스텝 S14 에서, 제어부 (9) 는 에러의 통지 처리를 실행한다. 예를 들어 제어부 (9) 는 사용자 인터페이스 (90) 의 디스플레이에 에러를 표시시킨다. 혹은, 버저 또는 스피커 등의 음향 출력부가 설치되어 있을 때에는, 제어부 (9) 는 음향 출력부에 에러를 출력시켜도 된다. 사용자 인터페이스 (90) 의 디스플레이 및 음향 출력부는 통지부의 일례이다. 요컨대, 제어부 (9) 는 이 통지부에 에러를 통지시킨다. 이와 같은 통지에 의해, 작업자는 타이밍차가 소정 범위 외로 되어 있는 것을 인식할 수 있다.When the timing difference is outside the predetermined range, in step S14, the control unit 9 executes an error notification process. For example, the controller 9 displays an error on the display of the user interface 90. Alternatively, when an audio output unit such as a buzzer or speaker is provided, the control unit 9 may output an error to the audio output unit. The display and sound output portion of the user interface 90 is an example of a notification portion. In short, the control unit 9 notifies this notification unit of an error. With such notification, the operator can recognize that the timing difference is out of the predetermined range.

다음으로 스텝 S15 에서, 제어부 (9) 는 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 중 적어도 어느 일방을 조정한다.Next, in step S15, the control unit 9 adjusts at least either one of the start timing tb and the stop timing ta so that the timing difference falls within a predetermined range.

타이밍차가 소정의 범위의 상한값보다 클 때에는, 타이밍차를 작게 하여 소정의 범위 내에 들어가게 하기 위하여, 제어부 (9) 는 예를 들어 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 를 보다 느린 타이밍으로 갱신한다. 보다 구체적인 일례로서, 제어부 (9) 는, 개폐 밸브 (35b) 를 개방하는 타이밍을 규정하는 제 2 기준 시간을, 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 보다 긴 값으로 갱신하고, 갱신 후의 제 2 기준 시간을 기억 매체에 기억한다. 이것에 의하면, 차회 이후의 스텝 S5 의 전환 시에, 개폐 밸브 (35b) 로 개방 신호를 출력하는 타이밍이 늦어지므로, 개시 타이밍 tb 가 늦어진다. 따라서, 차회 이후의 스텝 S5 (다음의 기판에 대한 스텝 S5) 에 있어서의 타이밍차를 작게 하여 소정의 범위 내로 할 수 있다.When the timing difference is greater than the upper limit of the predetermined range, the controller 9 updates, for example, the start timing tb of the ejection nozzle 31b to a slower timing in order to reduce the timing difference and bring it within the predetermined range. As a more specific example, the control unit 9 updates the second reference time defining the timing for opening the opening/closing valve 35b to a longer value so that the timing difference is within a predetermined range, and updates the second reference time after update. stored on a storage medium. According to this, since the timing which outputs an opening signal to the opening/closing valve 35b at the time of switching of step S5 after the next time becomes late, the start timing tb becomes late. Therefore, the timing difference in the next step S5 (step S5 for the next substrate) can be made small and within a predetermined range.

이것에 의하면, 처리액 Lq1 의 토출의 정지 타이밍 ta 는 변경되지 않기 때문에, 처리액 Lq1 에 대한 처리 기간의 길이는 변경되지 않는다. 따라서 처리액 Lq1 에 의한 처리를 적절히 실시할 수 있다.According to this, since the stop timing ta of the processing liquid Lq1 does not change, the length of the processing period for the processing liquid Lq1 does not change. Therefore, the treatment by the treatment liquid Lq1 can be appropriately performed.

혹은, 제어부 (9) 는 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 를 보다 빠른 타이밍으로 갱신해도 된다. 보다 구체적인 일례로서, 제어부 (9) 는, 개폐 밸브 (35a) 를 폐쇄하는 타이밍을 규정하는 제 1 기준 시간을, 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 보다 짧은 값으로 갱신하고, 갱신 후의 제 1 기준 시간을 기억 매체에 기억한다. 이것에 의하면, 차회 이후의 스텝 S5 의 전환 시에, 개폐 밸브 (35a) 로 폐쇄 신호를 출력하는 타이밍이 빨라지므로, 정지 타이밍 ta 가 빨라진다. 따라서, 차회 이후의 스텝 S5 에 있어서의 타이밍차를 작게 하여 소정의 범위 내로 할 수 있다.Alternatively, the controller 9 may update the stop timing ta of the ejection nozzle 31a to an earlier timing. As a more specific example, the control unit 9 updates the first reference time defining the timing for closing the on-off valve 35a to a shorter value so that the timing difference is within a predetermined range, and updates the updated first reference time stored on a storage medium. According to this, since the timing which outputs a closing signal to the on-off valve 35a becomes early at the time of switching of step S5 after the next time, stop timing ta becomes early. Therefore, the timing difference in step S5 after the next time can be made small and within a predetermined range.

또, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 의 양방을 조정하여 타이밍차를 작게 해도 된다.Further, the timing difference may be reduced by adjusting both the start timing tb and the stop timing ta.

그런데, 타이밍차가 소정의 범위의 상한값보다 큰 경우에는, 처리액 Lq1, Lq2 의 양방이 토출되는 오버랩 기간이 길다. 요컨대, 기판 (W) 에 토출되는 처리액의 총량이 일시적으로 증대한다. 이로써, 예를 들어 처리액 Lq2 가 기판 (W) 상의 처리액 Lq1 과 충돌하여 처리액의 일부가 기판 (W) 상에서 튀는 액튐이 발생할 수 있다. 제 1 실시형태에서는, 타이밍차가 소정의 범위의 상한값보다 클 때에는, 차회 이후의 스텝 S5 에 있어서의 타이밍차를 소정의 범위 내에 들어가게 할 수 있다. 따라서, 소정 범위의 상한값으로서 액튐이 발생하지 않는 값을 채용함으로써, 액튐의 발생을 거의 회피할 수 있다.However, when the timing difference is greater than the upper limit of the predetermined range, the overlap period during which both of the processing liquids Lq1 and Lq2 are discharged is long. In short, the total amount of the processing liquid discharged to the substrate W temporarily increases. As a result, for example, the treatment liquid Lq2 may collide with the treatment liquid Lq1 on the substrate W, and a part of the treatment liquid may splash on the substrate W. In the first embodiment, when the timing difference is greater than the upper limit of the predetermined range, the timing difference in the next step S5 can be made to fall within the predetermined range. Therefore, by employing a value at which no actuation occurs as the upper limit of the predetermined range, occurrence of actuation can be substantially avoided.

한편으로, 타이밍차가 소정의 범위의 하한값보다 작을 때에는, 타이밍차를 증대시켜 소정의 범위 내에 들어가게 하기 위하여, 제어부 (9) 는 예를 들어 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 를 보다 빠른 타이밍으로 갱신한다. 보다 구체적인 일례로서, 제어부 (9) 는, 개폐 밸브 (35b) 를 개방하는 타이밍을 규정하는 제 2 기준 시간을, 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 보다 짧은 값으로 갱신하고, 갱신 후의 제 2 기준 시간을 기억 매체에 기억한다. 이로써, 차회 이후의 스텝 S5 에 있어서의 타이밍차를 증대시켜 소정의 범위 내로 할 수 있다.On the other hand, when the timing difference is smaller than the lower limit of the predetermined range, the control unit 9 updates, for example, the start timing tb of the discharge nozzle 31b to an earlier timing in order to increase the timing difference so that it falls within the predetermined range. do. As a more specific example, the control unit 9 updates the second reference time defining the timing for opening the opening/closing valve 35b to a shorter value so that the timing difference is within a predetermined range, and updates the second reference time after update. stored on a storage medium. Thereby, it is possible to increase the timing difference in step S5 after the next time and bring it within a predetermined range.

이것에 의하면, 처리액 Lq1 의 토출의 정지 타이밍 ta 는 변경되지 않기 때문에, 처리액 Lq1 에 대한 처리 기간의 길이를 변경하지 않는다. 따라서 처리액 Lq1 에 의한 처리를 적절히 실시할 수 있다.According to this, since the stop timing ta of the processing liquid Lq1 is not changed, the length of the processing period for the processing liquid Lq1 is not changed. Therefore, the treatment by the treatment liquid Lq1 can be appropriately performed.

혹은, 제어부 (9) 는, 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 를 보다 느린 타이밍으로 갱신해도 된다. 보다 구체적인 일례로서, 제어부 (9) 는, 개폐 밸브 (35a) 를 폐쇄하는 타이밍을 규정하는 제 1 기준 시간을, 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 보다 긴 값으로 갱신하고, 갱신 후의 제 1 기준 시간을 기억 매체에 기억한다. 이것에 의해서도, 차회 이후의 스텝 S5 에 있어서의 타이밍차를 증대시켜 소정의 범위 내로 할 수 있다.Alternatively, the controller 9 may update the stop timing ta of the ejection nozzle 31a to a slower timing. As a more specific example, the controller 9 updates the first reference time defining the timing for closing the on-off valve 35a to a longer value so that the timing difference is within a predetermined range, and updates the first reference time after update. stored on a storage medium. Also by this, it is possible to increase the timing difference in step S5 after the next time and bring it within a predetermined range.

또, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 의 양방을 조정하여 타이밍차를 크게 해도 된다.Further, the timing difference may be increased by adjusting both the start timing tb and the stop timing ta.

그런데, 타이밍차가 소정의 범위의 하한값보다 작은 경우에는, 처리액 Lq1, Lq2 의 양방이 토출되는 오버랩 기간이 짧아진다. 요컨대, 처리액 Lq1 의 토출이 거의 정지한 상태에서 처리액 Lq2 의 토출이 개시된다. 기판 (W) 은 회전하고 있으므로, 그 상면에 공급되는 처리액 Lq1 은 원심력을 받아 기판 (W) 의 둘레가장자리 측으로 이동한다. 따라서, 처리액 Lq2 가 토출되고 있지 않은 상태에서 처리액 Lq1 의 토출량이 적어지면, 기판 (W) 의 상면의 처리액 Lq1 이 감소하여 기판 (W) 이 부분적으로 건조될 수 있다 (액마름). 특히, 처리액 Lq1 의 착액 위치 근방에 있어서 기판 (W) 의 상면이 부분적으로 건조될 수 있다. 그러한 건조는 기판 (W) 의 상면에 문제 (예를 들어 파티클의 부착 등) 를 초래할 수 있으므로 바람직하지 않다. 제 1 실시형태에서는, 타이밍차가 소정의 범위의 하한값보다 작을 때에도, 차회 이후의 스텝 S5 에 있어서의 타이밍차를 소정의 범위 내에 들어가게 할 수 있다. 따라서, 소정 범위의 하한값으로서, 기판 (W) 의 부분적인 건조가 발생하지 않는 값으로 설정함으로써, 기판 (W) 의 부분적인 건조의 발생을 거의 회피할 수 있다.However, when the timing difference is smaller than the lower limit of the predetermined range, the overlap period during which both of the processing liquids Lq1 and Lq2 are discharged is shortened. In short, the discharge of the treatment liquid Lq2 is started in a state where the discharge of the treatment liquid Lq1 has almost stopped. Since the substrate W is rotating, the processing liquid Lq1 supplied to the upper surface receives the centrifugal force and moves toward the circumferential edge of the substrate W. Therefore, when the discharge amount of the treatment liquid Lq1 decreases while the treatment liquid Lq2 is not being discharged, the treatment liquid Lq1 on the upper surface of the substrate W decreases and the substrate W may be partially dried (liquid drying). In particular, the upper surface of the substrate W may be partially dried in the vicinity of the liquid landing position of the treatment liquid Lq1. Such drying is undesirable because it may cause problems (for example, adhesion of particles, etc.) to the upper surface of the substrate W. In the first embodiment, even when the timing difference is smaller than the lower limit of the predetermined range, the timing difference in the next step S5 can be made to fall within the predetermined range. Accordingly, by setting the lower limit of the predetermined range to a value at which partial drying of the substrate W does not occur, occurrence of partial drying of the substrate W can be substantially avoided.

이상과 같이 제 1 실시형태에 의하면, 타이밍차가 소정의 범위 외일 때에, 소정의 범위 내로 조정한다. 따라서, 타이밍차가 소정의 범위 외가 되는 것에 의한 문제 (액튐 및 액마름) 의 발생을 거의 회피할 수 있다. As described above, according to the first embodiment, when the timing difference is outside the predetermined range, it is adjusted within the predetermined range. Accordingly, it is possible to substantially avoid occurrence of problems (splashing and liquid drying) due to the timing difference being out of the predetermined range.

또 제 1 실시형태에 의하면, 카메라 (70) 로부터의 촬상 화상에 대한 화상 처리에 의해, 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 및 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 를 특정하고 있다. 요컨대, 실제의 처리액 Lq1, Lq2 의 토출 상태에 기초하여 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 를 특정할 수 있으므로, 그 특정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 그리고, 높은 정밀도로 특정된 타이밍에 기초하여 타이밍차를 산출하므로, 타이밍차의 산출 정밀도도 높다. 따라서, 보다 높은 정밀도로 타이밍차를 소정의 범위 내에 들어가게 할 수 있다. Further, according to the first embodiment, the start timing tb of the ejection nozzle 31b and the stop timing ta of the ejection nozzle 31a are specified by image processing on a captured image from the camera 70 . In short, since the start timing tb and the stop timing ta can be specified based on the discharge conditions of the actual processing liquids Lq1 and Lq2, the accuracy of the specification can be improved. And, since the timing difference is calculated based on the specified timing with high precision, the calculation accuracy of the timing difference is also high. Therefore, it is possible to make the timing difference fall within a predetermined range with higher precision.

또 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 의 화소값을 사용하고 있으므로, 촬상 화상의 전체에 대해 화상 처리를 실시하는 경우에 비해 처리를 가볍게 할 수 있다.Further, since the pixel values of the ejection determination areas Ra1 and Rb1 are used, the processing can be reduced compared to the case where image processing is performed on the entire captured image.

또 통계량과 임계값 th1 의 대소의 비교에 기초하여 타이밍차를 구할 수 있으므로, 처리가 간이하다.In addition, since the timing difference can be obtained based on comparison of the magnitude of the statistic and the threshold value th1, the processing is simple.

또한 상기 서술한 예에서는, 소정 범위의 상한값을 액튐이 발생하지 않는 정도의 값으로 설정하고, 하한값을 액마름이 발생하지 않는 정도의 값으로 설정했다. 그런데, 다른 요인 등에 의해, 상한값을 보다 작은 값으로 설정해도 되고, 하한값을 보다 큰 값으로 설정해도 상관없다. 예를 들어 이 타이밍차가 기판 (W) 에 대한 처리 결과의 양부에 영향을 미치는 경우가 있다. 이 경우, 처리 결과가 양호해지도록 타이밍차의 소정 범위의 상한값 및 하한값을 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 설정해도 된다.In the example described above, the upper limit of the predetermined range is set to a value at which no splashing occurs, and the lower limit is set to a value at which liquid drying does not occur. However, depending on other factors and the like, the upper limit value may be set to a smaller value or the lower limit value may be set to a larger value. For example, this timing difference may affect the quality of processing results for the substrate W in some cases. In this case, the upper limit value and the lower limit value of the predetermined range of the timing difference may be set by experiment or simulation so that the processing result is satisfactory.

복수의 처리 유닛 (1) 의 제조 편차 등에 의해, 토출 제어에 대한 지연 시간은 처리 유닛 (1) 마다 상위할 수 있다. 그런데, 제어부 (9) 가 처리 유닛 (1) 마다 상기 서술한 동작을 실시함으로써, 처리 유닛 (1) 마다 타이밍차를 소정의 범위 내로 조정할 수 있다. 종래에는, 처리 유닛 (1) 마다 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 를 조정하기 위하여, 기판 (W) 의 레시피 정보를 처리 유닛 (1) 마다 변경하고 있었다. 이로써, 레시피 정보의 관리가 번잡하게 되어 있었다. 제 1 실시형태에서는, 공통의 레시피 정보를 채용해도, 처리 유닛 (1) 마다 최적의 타이밍차로 처리를 실시할 수 있어, 안정적인 처리 성능을 실현할 수 있다.Due to variations in manufacturing of the plurality of processing units 1, etc., the delay time for ejection control may be different for each processing unit 1. By the way, the control unit 9 can adjust the timing difference for each processing unit 1 within a predetermined range by performing the above-described operation for each processing unit 1 . Conventionally, in order to adjust the start timing tb and the stop timing ta for each processing unit 1, the recipe information of the substrate W has been changed for each processing unit 1. Thereby, management of recipe information was complicated. In the first embodiment, even if common recipe information is employed, processing can be performed with an optimal timing difference for each processing unit 1, and stable processing performance can be realized.

또 상기 서술한 예에서는, 토출 노즐 (31b) 로부터의 처리액 Lq2 의 토출을 개시한 후에, 토출 노즐 (31a) 로부터의 처리액 Lq1 의 토출을 정지했다. 도 13 은, 통계량의 시간 변화의 다른 일례를 나타내는 그래프이다. 도 13 의 예에서는, 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 후에 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 가 나타나 있고, 그 타이밍차는 비교적 크다. 이와 같은 경우에도, 처리액 Lq2 의 토출 전에 기판 (W) 상면의 처리액 Lq1 이 감소하므로, 기판 (W) 이 부분적으로 건조될 수 있다.In the example described above, after the discharge of the processing liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b was started, the discharge of the processing liquid Lq1 from the discharge nozzle 31a was stopped. 13 is a graph showing another example of the temporal change of statistics. In the example of Fig. 13, the start timing tb of the discharge nozzle 31b is shown after the stop timing ta of the discharge nozzle 31a, and the timing difference is relatively large. Even in this case, since the processing liquid Lq1 on the upper surface of the substrate W decreases before discharging the processing liquid Lq2, the substrate W can be partially dried.

이 경우, 스텝 S12 에 있어서 정지 타이밍 ta 로부터 개시 타이밍 tb 를 감산하여 얻어지는 타이밍차는 부 (負) 의 값을 갖는다. 따라서, 이 타이밍차는 소정의 범위의 하한값보다 작아, 스텝 S13 에서, 제어부 (9) 는 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정한다. 따라서, 스텝 S15 에서, 제어부 (9) 는 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 중 적어도 어느 일방을 조정한다. 따라서, 차회 이후의 스텝 S5 에 있어서 타이밍차를 소정의 범위 내로 할 수 있다.In this case, the timing difference obtained by subtracting the start timing tb from the stop timing ta in step S12 has a negative value. Therefore, this timing difference is smaller than the lower limit of the predetermined range, and in step S13, the controller 9 determines that the timing difference is outside the predetermined range. Therefore, in step S15, the control unit 9 adjusts at least one of the start timing tb and the stop timing ta so that the timing difference falls within a predetermined range. Therefore, in step S5 after the next time, the timing difference can be made within a predetermined range.

또 상기 서술한 설명은, 기판 (W) 에 대한 처리 시의 동작으로 파악할 수도 있고, 기판 처리 장치 (100) 의 설치 시 등에 실시되는 초기 설정 시의 동작으로 파악할 수도 있다. 즉 초기 설정 시에 있어서, 임시의 타이밍을 설정하여 기판 (W) 에 대해 실제로 처리를 실시하면, 그 임시의 타이밍이 부적절할 때에, 적절한 타이밍이 설정된다.In addition, the above description can be understood as an operation during processing of the substrate W, or an operation during initial setting performed when the substrate processing apparatus 100 is installed or the like. In other words, if a temporary timing is set during initial setting and processing is actually performed on the substrate W, when the temporary timing is inappropriate, an appropriate timing is set.

＜사용자 인터페이스＞ ＜User interface＞

상기 서술한 예에서는, 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 제어부 (9) 가 판정했다. 그런데, 작업자가 판정해도 된다. 이하, 구체적으로 설명한다.In the example described above, the controller 9 determined whether or not the timing difference was outside the predetermined range. By the way, the operator may determine. Hereinafter, it demonstrates concretely.

제어부 (9) 는 사용자 인터페이스 (90) 의 디스플레이에 통계량 A1, A2 의 시간 변화를 나타내는 그래프를 표시시킨다. 제어부 (9) 는 임계값 th1 도 당해 그래프에 표시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제어부 (9) 는, 도 12 또는 도 13 에 나타내는 그래프를 디스플레이에 표시시킨다. 이로써, 작업자는, 통계량 A1, A2 의 시간 변화를 시인할 수 있고, 타이밍차의 대소를 판정할 수 있다.The control unit 9 displays graphs representing the temporal changes of the statistical quantities A1 and A2 on the display of the user interface 90. The controller 9 preferably also displays the threshold value th1 on the graph. Specifically, the control unit 9 causes the graph shown in FIG. 12 or 13 to be displayed on the display. Thereby, the operator can visually recognize the temporal change of the statistical quantities A1 and A2, and can determine the magnitude of the timing difference.

사용자 인터페이스 (90) 의 입력부는, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 를 조정하기 위한 입력을 조정하기 위한 입력을 받아들인다. 예를 들어 작업자는, 타이밍차가 소정의 범위의 상한값보다 크다고 판정하면, 개시 타이밍 tb 를 늦어지게 하기 위한 입력 및 정지 타이밍 ta 를 빠르게 하기 위한 입력 중 적어도 어느 일방을 입력부에 대해 실시한다. 입력부는 그 입력 정보를 제어부 (9) 에 출력한다. 제어부 (9) 는 입력 정보에 따라 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 중 적어도 어느 일방을 조정한다. 타이밍차가 소정 범위의 하한값보다 작으면 작업자가 판정했을 때도 동일하다.The input section of the user interface 90 accepts an input for adjusting the start timing tb and an input for adjusting the stop timing ta. For example, if the operator determines that the timing difference is greater than the upper limit of the predetermined range, the input unit performs at least one of an input for delaying the start timing tb and an input for accelerating the stop timing ta. The input unit outputs the input information to the control unit 9. The control unit 9 adjusts at least either one of the start timing tb and the stop timing ta according to the input information. The same applies when the operator determines that the timing difference is smaller than the lower limit of the predetermined range.

이상과 같이, 작업자는 통계량 A1, A2 의 시간 변화를 시인하고, 그 시간 변화에 기초하여 타이밍차를 조정할 수 있다.As described above, the operator can visually recognize the time change of the statistical quantities A1 and A2, and adjust the timing difference based on the time change.

＜기계 학습＞ ＜Machine Learning＞

상기 서술한 예에서는, 제어부 (9) 는 화소값의 통계량에 기초하여 개시 타이밍 tb 와 정지 타이밍 ta 의 타이밍차를 구했지만, 반드시 이것으로 한정되지 않는다. 제어부 (9) 는 감시 처리에 있어서 기계 학습에 의해 개시 타이밍 tb 와 정지 타이밍 ta 의 타이밍차를 구해도 된다.In the example described above, the control unit 9 has determined the timing difference between the start timing tb and the stop timing ta based on the statistical amount of pixel values, but it is not necessarily limited to this. The control unit 9 may obtain the timing difference between the start timing tb and the stop timing ta by machine learning in the monitoring process.

도 14 는, 제어부 (9) 의 내부 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 제어부 (9) 는 분류기 (91) 및 기계 학습부 (92) 를 구비하고 있다. 분류기 (91) 에는, 카메라 (70) 로부터의 촬상 화상의 각 프레임이 순차적으로 입력된다. 분류기 (91) 는, 입력된 각 프레임을, 토출 노즐 (31a, 31b) 의 토출/정지에 관한 이하의 4 개의 카테고리 C1 ∼ C4 로 분류한다. 카테고리는 클래스라고도 불릴 수 있다.14 is a diagram schematically showing an example of the internal configuration of the control unit 9. As shown in FIG. The control unit 9 includes a classifier 91 and a machine learning unit 92 . Each frame of the captured image from the camera 70 is sequentially input to the classifier 91 . The classifier 91 classifies each input frame into the following four categories C1 to C4 related to discharge/stop of the discharge nozzles 31a and 31b. A category can also be called a class.

4 개의 카테고리 C1 ∼ C4 는, 도 5 내지 도 8 에 각각 나타낸 토출 상태를 나타내는 카테고리이다. 보다 구체적으로는, 카테고리 C1 은, 토출 노즐 (31a, 31b) 의 양방이 처리액을 토출하고 있지 않는 상태 (도 5) 를 나타내는 카테고리이며, 카테고리 C2 는, 토출 노즐 (31a) 만이 처리액을 토출하고 있는 상태 (도 6) 를 나타내는 카테고리이며, 카테고리 C3 은, 토출 노즐 (31a, 31b) 의 양방이 처리액을 토출하고 있는 상태 (도 7) 를 나타내는 카테고리이며, 카테고리 C4 는, 토출 노즐 (31b) 만이 처리액을 토출하고 있는 상태 (도 8) 를 나타내는 카테고리이다.The four categories C1 to C4 are categories representing discharge states respectively shown in FIGS. 5 to 8 . More specifically, the category C1 is a category representing a state in which neither of the discharge nozzles 31a, 31b are discharging the treatment liquid (FIG. 5), and the category C2 is that only the discharge nozzle 31a discharges the treatment liquid. Category C3 is a category indicating a state in which both of the discharge nozzles 31a and 31b are discharging the processing liquid (FIG. 7), and category C4 is a category indicating a discharge nozzle 31b ) is a category representing a state in which the treatment liquid is being discharged (FIG. 8).

이 분류기 (91) 는, 복수의 교사 데이터를 사용하여 기계 학습부 (92) 에 의해 생성된다. 요컨대, 이 분류기 (91) 는 기계 학습이 완료된 분류기라고 할 수 있다. 기계 학습부 (92) 는, 기계 학습의 알고리즘으로서, 예를 들어, 근방법, 서포트 벡터 머신, 랜덤 포레스트 또는 뉴럴 네트워크 (딥 러닝을 포함한다) 등을 사용한다.This classifier 91 is generated by the machine learning unit 92 using a plurality of teacher data. In short, this classifier 91 can be said to be a machine-learned classifier. The machine learning unit 92 uses, for example, a proximity method, a support vector machine, a random forest, or a neural network (including deep learning) as a machine learning algorithm.

교사 데이터는 학습 데이터, 및, 그 학습 데이터가 어느 카테고리로 분류되는지를 나타내는 라벨을 포함하고 있다. 학습 데이터는, 카메라 (70) 에 의해 촬상된 촬상 화상의 프레임이며, 미리 생성되어 있다. 각 학습 데이터에는, 올바른 카테고리가 라벨로서 부여된다. 이 부여는, 작업자의 예를 들어 사용자 인터페이스 (90) 에 대한 조작에 의해 실시할 수 있다. 기계 학습부 (92) 는 이들 교사 데이터에 기초하여 기계 학습을 실시하여 분류기 (91) 를 생성한다.The teacher data includes learning data and a label indicating to which category the learning data is classified. The learning data is a frame of a captured image captured by the camera 70 and is generated in advance. Each learning data is given a correct category as a label. This assignment can be performed by an operator's operation on the user interface 90, for example. The machine learning unit 92 performs machine learning based on these teacher data to generate the classifier 91.

일례로서, 근방법에 의해 프레임을 분류하는 분류기 (91) 에 대해 설명한다. 분류기 (91) 는, 특징 벡터 추출부 (911) 와, 판정부 (912) 와, 판정 데이터베이스 (913) 가 기억된 기억 매체를 구비하고 있다. 특징 벡터 추출부 (911) 에는, 카메라 (70) 로부터의 촬상 화상의 각 프레임이 순차적으로 입력된다. 특징 벡터 추출부 (911) 는 소정의 알고리즘에 따라 프레임의 특징 벡터를 추출한다. 이 특징 벡터는 토출 노즐 (31a, 31b) 의 토출 상태에 따른 특징량을 나타내기 쉬운 벡터이다. 당해 알고리즘으로는, 공지된 알고리즘을 채용할 수 있다. 특징 벡터 추출부 (911) 는 그 특징 벡터를 판정부 (912) 에 출력한다.As an example, a classifier 91 that classifies frames by the neighborhood method will be described. The classifier 91 includes a storage medium in which a feature vector extraction unit 911, a determination unit 912, and a determination database 913 are stored. Each frame of the captured image from the camera 70 is sequentially input to the feature vector extraction unit 911 . The feature vector extraction unit 911 extracts a feature vector of a frame according to a predetermined algorithm. This feature vector is a vector that easily represents the feature amount according to the ejection state of the ejection nozzles 31a and 31b. As the algorithm, a known algorithm can be employed. The feature vector extraction unit 911 outputs the feature vector to the determination unit 912.

판정 데이터베이스 (913) 에는, 기계 학습부 (92) 에 의해 복수의 교사 데이터로부터 생성된 복수의 특징 벡터 (이하, 기준 벡터라고 부른다) 가 기억되어 있고, 그 기준 벡터는 각 카테고리 C1 ∼ C4 로 분류되어 있다. 구체적으로는, 기계 학습부 (92) 는 복수의 교사 데이터에 대해 특징 벡터 추출부 (911) 와 동일한 알고리즘을 적용하여 복수의 기준 벡터를 생성한다. 그리고 기계 학습부 (92) 는, 당해 기준 벡터에 대해 교사 데이터의 라벨 (올바른 카테고리) 을 부여한다.In the judgment database 913, a plurality of feature vectors (hereinafter referred to as reference vectors) generated from a plurality of teacher data by the machine learning unit 92 are stored, and the reference vectors are classified into categories C1 to C4 has been Specifically, the machine learning unit 92 generates a plurality of reference vectors by applying the same algorithm as that of the feature vector extraction unit 911 to a plurality of teacher data. Then, the machine learning unit 92 assigns a label (correct category) of the teacher data to the reference vector.

판정부 (912) 는 특징 벡터 추출부 (911) 로부터 입력된 특징 벡터와, 판정 데이터베이스 (913) 에 기억된 복수의 기준 벡터에 기초하여 프레임을 분류한다. 예를 들어 판정부 (912) 는 특징 벡터가 가장 가까운 기준 벡터를 특정하고, 특정한 기준 벡터의 카테고리로 프레임을 분류해도 된다 (최근방법). 이로써, 판정부 (912) 는, 분류기 (91) (특징 벡터 추출부 (911)) 에 입력된 프레임을 카테고리 C1 ∼ C4 중 하나로 분류할 수 있다.The determination unit 912 classifies the frame based on the feature vector input from the feature vector extraction unit 911 and a plurality of reference vectors stored in the determination database 913. For example, the determination unit 912 may specify a reference vector having the closest feature vector, and classify the frame into the category of the specific reference vector (recent method). With this, the determination unit 912 can classify the frame input to the classifier 91 (feature vector extraction unit 911) into one of the categories C1 to C4.

제어부 (9) 는 분류기 (91) 에 의해 각 프레임을 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여, 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 와 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 의 타이밍차를 구한다.The control unit 9 classifies each frame by the classifier 91 and, based on the classification result, obtains a timing difference between the start timing tb of the discharge nozzle 31b and the stop timing ta of the discharge nozzle 31a.

도 15 는, 감시 처리에 있어서의 제어부 (9) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 스텝 S40 에서, 제어부 (9) 는, 화상 처리로서 기계 학습에 의해, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 를 특정한다. 15 is a flowchart showing an example of the operation of the control unit 9 in monitoring processing. In step S40, the control unit 9 specifies the start timing tb and the stop timing ta by machine learning as image processing.

도 16 은, 촬상 화상의 복수의 프레임 F 의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 16 의 예에서는, 시계열을 따라 프레임 F 가 나란히 배치되어 있다. 여기서 프레임의 부호를 변경하고 있는 것은, 설명의 편의를 도모하기 위함이며, 프레임 F 는 상기 서술한 프레임 IM1 ∼ IM4 와 동종의 것이다.16 is a diagram schematically showing an example of a plurality of frames F of a captured image. In the example of Fig. 16, the frames F are arranged side by side along the time series. The reason why the codes of the frames are changed here is for convenience of description, and the frames F are of the same type as the frames IM1 to IM4 described above.

도 16 에 예시하는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 의 동작 초기에는, 토출 노즐 (31a, 31b) 의 어느 것도 처리액을 토출하고 있지 않다. 따라서, 도 16 에 예시하는 프레임 F[1] ∼ F[k] 는 분류기 (91) 에 의해 카테고리 C1 로 분류된다.As illustrated in FIG. 16 , at the beginning of operation of the substrate processing apparatus 100, none of the discharge nozzles 31a and 31b discharges the processing liquid. Accordingly, the frames F[1] to F[k] illustrated in Fig. 16 are classified into category C1 by the classifier 91.

그리고 토출 노즐 (31a) 로부터 처리액 Lq1 이 토출되면 (스텝 S4), 도 16 에 예시하는 바와 같이, 이어지는 프레임 F[k＋1] ∼ F[m] 은 분류기 (91) 에 의해 카테고리 C2 로 분류된다.Then, when the processing liquid Lq1 is discharged from the discharge nozzle 31a (step S4), as illustrated in FIG. 16, the following frames F[k+1] to F[m] are classified into category C2 by the classifier 91.

다음으로 처리액을 토출하는 노즐을 토출 노즐 (31a) 로부터 토출 노즐 (31b) 로 전환한다 (스텝 S5). 요컨대, 토출 노즐 (31b) 로부터 처리액 Lq2 가 토출된다. 따라서, 도 16 에 예시하는 바와 같이, 이어지는 프레임 F[m＋1] ∼ F[n] 은 분류기 (91) 에 의해 카테고리 C3 으로 분류된다. 다음으로 토출 노즐 (31a) 로부터의 처리액 Lq1 의 토출이 정지한다. 따라서, 도 16 에 예시하는 바와 같이, 이어지는 프레임 F[n＋1] 이후의 프레임으로서, 토출 노즐 (31b) 로부터의 처리액 Lq2 의 토출이 종료할 때까지의 프레임은, 분류기 (91) 에 의해 카테고리 C4 로 분류된다.Next, the nozzle for discharging the processing liquid is switched from the discharge nozzle 31a to the discharge nozzle 31b (step S5). In short, the processing liquid Lq2 is discharged from the discharge nozzle 31b. Therefore, as illustrated in Fig. 16, the following frames F[m+1] to F[n] are classified into category C3 by the classifier 91. Next, the discharge of the processing liquid Lq1 from the discharge nozzle 31a is stopped. Therefore, as illustrated in FIG. 16 , the frames after the succeeding frame F[n+1] until the discharge of the processing liquid Lq2 from the discharge nozzle 31b is finished are classified as category C4 by the classifier 91. are classified as

제어부 (9) 는 각 프레임의 분류 결과에 기초하여 이하에 상세히 서술하는 바와 같이, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 를 특정한다.The control unit 9 specifies the start timing tb and the stop timing ta based on the classification result of each frame, as described in detail below.

즉, 제어부 (9) 는, 토출 노즐 (31b) 에 대해 정지 (카테고리 C2) 로 분류된 m 번째의 프레임 F[m] 과, 프레임 F[m] 다음의 (m＋1) 번째의 프레임으로서, 토출 노즐 (31b) 에 대해 토출 (카테고리 C3) 로 분류된 프레임 F[m＋1] 에 기초하여, 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 를 특정한다. 예를 들어 제어부 (9) 는, 프레임 F[m] 의 생성 타이밍을 개시 타이밍 tb 로서 특정해도 되고, 프레임 F[m＋1] 의 생성 타이밍을 개시 타이밍 tb 로서 특정해도 되고, 혹은, 프레임 F[m], F[m＋1] 의 생성 타이밍의 평균을 개시 타이밍 tb 로서 특정해도 된다.That is, the control unit 9 uses the m-th frame F[m] classified as stationary (category C2) with respect to the discharge nozzle 31b and the (m+1)-th frame following the frame F[m], the discharge nozzle Based on the frame F[m+1] classified as discharge (category C3) for (31b), the start timing tb of the discharge nozzle 31b is specified. For example, the control unit 9 may specify the generation timing of the frame F[m] as the start timing tb, or may specify the generation timing of the frame F[m+1] as the start timing tb, or may specify the generation timing of the frame F[m] , F[m+1] may be specified as the start timing tb.

동일하게, 제어부 (9) 는, 토출 노즐 (31a) 에 대해 토출 (카테고리 C3) 로 분류된 n 번째의 프레임 F[n] 과, 프레임 F[n] 다음의 (n＋1) 번째의 프레임으로서, 토출 노즐 (31a) 에 대해 정지 (카테고리 C4) 로 분류된 프레임 F[n＋1] 에 기초하여, 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 를 특정한다. 예를 들어 제어부 (9) 는, 프레임 F[n] 의 생성 타이밍을 정지 타이밍 ta 로서 특정해도 되고, 프레임 F[n＋1] 의 생성 타이밍을 정지 타이밍 ta 로서 특정해도 되고, 혹은, 프레임 F[n], F[n＋1] 의 생성 타이밍의 평균을 정지 타이밍 ta 로서 특정해도 된다. Similarly, the control unit 9 controls the discharge nozzle 31a as the n-th frame F[n] classified as discharge (category C3) and the (n+1)-th frame following the frame F[n], The stop timing ta of the discharge nozzle 31a is specified based on the frame F[n+1] classified as stop (category C4) for the nozzle 31a. For example, the control unit 9 may specify the generation timing of the frame F[n] as the stop timing ta, or may specify the generation timing of the frame F[n+1] as the stop timing ta, or the frame F[n] , the average of the generation timings of F[n+1] may be specified as the stop timing ta.

이상과 같이, 제어부 (9) 에 의하면, 기계 학습에 의해 토출 노즐 (31a, 31b) 의 토출 상태를 판정 (분류) 할 수 있다. 따라서, 높은 정밀도로 각 프레임을 분류할 수 있다. 나아가서는, 높은 정밀도로 정지 타이밍 ta 와 개시 타이밍 tb 의 타이밍차를 구할 수 있다.As described above, according to the control unit 9, the discharge state of the discharge nozzles 31a, 31b can be determined (classified) by machine learning. Therefore, it is possible to classify each frame with high precision. Furthermore, the timing difference between the stop timing ta and the start timing tb can be obtained with high precision.

정지 타이밍 ta 및 개시 타이밍 tb 를 특정한 후의 스텝 S41 ∼ S44 는 각각 제 1 실시형태의 스텝 S12 ∼ S15 와 동일하다.Steps S41 to S44 after specifying the stop timing ta and the start timing tb are the same as steps S12 to S15 in the first embodiment, respectively.

또한 토출 노즐 (31a) 의 토출의 정지 전에 토출 노즐 (31b) 의 토출이 개시하는 경우, 처리액 Lq1, Lq2 의 양방이 토출되는 오버랩 기간이 타이밍차에 상당한다. 따라서 이 경우, 제어부 (9) 는, 카테고리 C3 으로 분류된 프레임수에 기초하여 타이밍차를 산출해도 된다. 예를 들어 제어부 (9) 는 프레임 간의 시간과 프레임수를 승산하여 타이밍차를 산출해도 된다.In addition, when the discharge of the discharge nozzle 31b starts before the discharge of the discharge nozzle 31a is stopped, the overlap period in which both the processing liquids Lq1 and Lq2 are discharged corresponds to the timing difference. Therefore, in this case, the controller 9 may calculate the timing difference based on the number of frames classified into category C3. For example, the controller 9 may calculate the timing difference by multiplying the time between frames by the number of frames.

＜분류기에의 입력＞ <Input to classifier>

상기 서술한 예에서는, 분류기 (91) 에의 입력 데이터로서, 촬상 화상의 각 프레임 F 의 전체 영역을 채용하고 있지만, 반드시 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어 제어부 (9) 는, 프레임 F 중 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 을 각각 나타내는 화상을 잘라내어, 그 화상을 분류기 (91) 에 입력해도 된다. 이 경우, 기계 학습부 (92) 에 입력되는 학습 데이터로서도, 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 을 각각 나타내는 화상을 채용한다. In the example described above, the entire region of each frame F of the captured image is employed as input data to the classifier 91, but it is not necessarily limited to this. For example, the control unit 9 may cut out images representing the ejection determination areas Ra1 and Rb1, respectively, from the frame F, and input the images to the classifier 91. In this case, also as learning data input to the machine learning unit 92, images representing the ejection determination areas Ra1 and Rb1, respectively, are employed.

이것에 의하면, 분류기 (91) 는, 토출 상태와는 관련성이 낮은 영역의 영향을 제거하여 분류를 실시할 수 있으므로, 그 분류 정밀도를 향상시킬 수 있다. 나아가서는, 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 의 특정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 을 이용하면, 촬상 화상 프레임의 전체에 대해 분류기 (91) 에 의한 처리를 실시하는 경우에 비해 처리를 가볍게 할 수 있다.According to this, since the classifier 91 can perform classification by removing the influence of the region having a low correlation with the discharge state, the classification accuracy can be improved. Furthermore, the specific accuracy of the start timing tb and the stop timing ta can be improved. Further, if the ejection determination areas Ra1 and Rb1 are used, the processing can be reduced compared to the case where the processing by the classifier 91 is performed on the entire captured image frame.

또한, 분류기 (91) 는 토출 판정 영역 Ra1, Rb2 의 화상마다 토출 상태를 분류해도 된다. 요컨대, 분류기 (91) 는 토출 판정 영역 Ra1 의 화상에 기초하여, 그 화상을 다음의 2 개의 카테고리 Ca1, Ca2 로 분류해도 된다. 즉, 카테고리 Ca1 은 토출 노즐 (31a) 이 처리액 Lq1 을 토출하고 있지 않는 상태를 나타내고, 카테고리 Ca2 는 토출 노즐 (31a) 이 처리액 Lq1 을 토출하고 있는 상태를 나타내고 있다. 동일하게, 분류기 (91) 는 토출 판정 영역 Rb2 의 화상에 기초하여, 그 화상을 다음의 2 개의 카테고리 Cb1, Cb2 로 분류해도 된다. 즉, 카테고리 Cb1 은 토출 노즐 (31b) 이 처리액 Lq2 를 토출하고 있지 않는 상태를 나타내고, 카테고리 Cb2 는 토출 노즐 (31b) 이 처리액 Lq2 를 토출하고 있는 상태를 나타내고 있다.Further, the classifier 91 may classify the discharge state for each image in the discharge determination areas Ra1 and Rb2. In short, the classifier 91 may classify the image into the following two categories Ca1 and Ca2 based on the image of the discharge determination area Ra1. That is, category Ca1 represents a state in which the discharge nozzle 31a is not discharging the treatment liquid Lq1, and category Ca2 represents a state in which the discharge nozzle 31a is discharging the treatment liquid Lq1. Similarly, the classifier 91 may classify the image into the following two categories Cb1 and Cb2 based on the image of the discharge determination area Rb2. That is, the category Cb1 indicates a state in which the discharge nozzle 31b is not discharging the treatment liquid Lq2, and the category Cb2 indicates a state in which the discharge nozzle 31b is discharging the treatment liquid Lq2.

제어부 (9) 는, 카테고리 Cb1 로 분류된 화상을 포함하는 프레임과, 당해 화상의 다음의 화상이고, 카테고리 Cb2 로 분류된 화상을 포함하는 프레임에 기초하여, 토출 노즐 (31b) 의 개시 타이밍 tb 를 특정할 수 있다. 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 ta 도 동일하다.The control unit 9 sets the start timing tb of the ejection nozzle 31b based on a frame including an image classified as category Cb1 and a frame including an image that is a next image after that image and is classified as category Cb2. can be specified. The stop timing ta of the ejection nozzle 31a is also the same.

또, 분류기 (91) 에의 입력 데이터로는, 예를 들어 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 의 각각에 있어서 횡 일렬로 배열되는 화소의 화소값군을 채용해도 된다. 도 10 및 도 11 에 나타내는 바와 같이, 횡 방향으로 배열되는 화소의 화소값군은 처리액의 토출의 유무에 따라 변화하기 때문이다. 혹은, 분류기 (91) 의 입력 데이터로는, 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 의 각각에 있어서, 종 방향으로 일렬로 배열되는 화소값의 총합인 적분값을 열마다 포함하는 적분값군을 채용해도 된다.Further, as input data to the classifier 91, for example, a pixel value group of pixels arranged horizontally in each of the ejection determination areas Ra1 and Rb1 may be employed. This is because, as shown in Figs. 10 and 11, the pixel value groups of the pixels arranged in the horizontal direction change depending on whether or not the processing liquid is discharged. Alternatively, as the input data of the classifier 91, an integral value group including, for each column, an integral value that is the sum of pixel values arranged in a row in the vertical direction in each of the ejection determination areas Ra1 and Rb1 may be employed.

＜복수의 분류기＞ ＜Multiple classifiers＞

도 17 은, 제어부 (9) 의 내부 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다. 제어부 (9) 는 복수의 분류기 (91) 를 구비하고 있는 점을 제외하고 도 14 와 동일하다. 이들 복수의 분류기 (91) 도 기계 학습부 (92) 에 의해 생성된다.17 is a functional block diagram schematically showing an example of the internal configuration of the control unit 9. As shown in FIG. The control unit 9 is the same as in FIG. 14 except that a plurality of classifiers 91 are provided. These plurality of classifiers 91 are also generated by the machine learning unit 92 .

예를 들어 기계 학습부 (92) 는, 처리액 Lq1, Lq2 의 종류마다 복수의 분류기 (91) 를 생성한다. 도 17 의 예에서는, 복수의 분류기 (91) 로서 3 개의 분류기 (91A ∼ 91C) 가 나타나 있다. 분류기 (91A ∼ 91C) 는, 상이한 교사 데이터를 사용하여 생성된 분류기이다.For example, the machine learning unit 92 generates a plurality of classifiers 91 for each type of processing liquids Lq1 and Lq2. In the example of FIG. 17 , three classifiers 91A to 91C are shown as the plurality of classifiers 91 . The classifiers 91A to 91C are classifiers generated using different teacher data.

예를 들어 어느 종류의 처리액 Lq1, Lq2 를 사용한 처리를 실시한 경우의 촬상 화상의 각 프레임을 학습 데이터로서 채용한다. 기계 학습부 (92) 는, 그 학습 데이터를 포함하는 교사 데이터에 기초하여 분류기 (91A) 를 생성한다. 이로써, 그 처리액 Lq1, Lq2 의 종류의 조 (이하, 제 1 조) 용의 분류기 (91A) 를 생성할 수 있다. 동일하게, 기계 학습부 (92) 는, 제 1 조와는 상이한 제 2 조의 처리액 Lq1, Lq2 를 사용한 교사 데이터에 기초하여, 제 2 조용의 분류기 (91B) 를 생성하고, 제 1 조 및 제 2 조의 어느 것과도 종류가 상이한 제 3 조의 처리액 Lq1, Lq2 를 사용한 교사 데이터에 기초하여, 제 3 조용의 분류기 (91C) 를 생성한다.For example, each frame of a captured image in the case of performing processing using certain types of processing solutions Lq1 and Lq2 is employed as learning data. The machine learning unit 92 generates the classifier 91A based on the teacher data including the learning data. Thereby, it is possible to generate the classifier 91A for the group (hereinafter, group 1) of the type of the treatment liquids Lq1 and Lq2. Similarly, the machine learning unit 92 generates a classifier 91B for the second set based on the teacher data using the processing liquids Lq1 and Lq2 of the second set different from the first set, and Based on the teacher data using the third set of processing liquids Lq1 and Lq2 different in kind from all of the sets, the classifier 91C for the third set is generated.

도 17 의 예에서는, 특징 벡터 추출부 (911) 및 판정부 (912) 는 분류기 (91A ∼ 91C) 에 있어서 공통으로 설치되어 있고, 그 분류기 (91A ∼ 91C) 는 판정 데이터베이스 (913) 에 의해 구별된다. 요컨대, 기계 학습부 (92) 는 각각 제 1 조 내지 제 3 조용의 판정 데이터베이스 (913A ∼ 913C) 를 생성함으로써, 분류기 (91A ∼ 91C) 를 생성한다. 판정 데이터베이스 (913A) 에는, 제 1 조의 처리액 Lq1, Lq2 를 사용했을 때의 기준 벡터가 그 올바른 카테고리와 함께 기록되어 있다. 판정 데이터베이스 (913B, 913C) 도 동일하다.In the example of FIG. 17 , the feature vector extracting unit 911 and the judging unit 912 are commonly provided in the classifiers 91A to 91C, and the classifiers 91A to 91C are distinguished by the judgment database 913. do. In short, the machine learning unit 92 generates the classifiers 91A to 91C by generating the judgment databases 913A to 913C for the first to third rows, respectively. In the judgment database 913A, reference vectors when the processing liquids Lq1 and Lq2 of the first set are used are recorded together with their correct categories. The judgment databases 913B and 913C are also the same.

판정부 (912) 에는, 사용자 인터페이스 (90) 가 접속되어 있다. 작업자는, 처리액 Lq1, Lq2 의 종류를 사용자 인터페이스 (90) 에 입력한다. 도 18 은, 사용자 인터페이스 (90) 의 디스플레이에 표시되는 입력 화면 (90a) 의 일례를 나타내는 도면이다. 입력 화면 (90a) 에는, 처리액 Lq1, Lq2 에 관한 표 (901) 가 표시되어 있다. 이 표 (901) 에서는, 처리액의 종류, 유량, 기판 (W) 의 회전 속도 및 처리 시간이 나타나 있다. 표 (901) 의 각종 정보는 작업자에 의한 입력부에의 입력에 의해, 변경할 수 있다. 예를 들어 표 (901) 의 해당 부분을 클릭 (또는 터치) 함으로써, 해당 부분의 정보를 입력할 수 있다. 예를 들어 당해 클릭에 의해, 해당 부분에 있어서 풀다운 형식으로 복수의 정보가 표시되고, 작업자가 그 중 하나를 선택함으로써 정보를 입력할 수 있다.A user interface 90 is connected to the determination unit 912 . The operator inputs the types of processing liquids Lq1 and Lq2 into the user interface 90 . FIG. 18 is a diagram showing an example of an input screen 90a displayed on the display of the user interface 90. As shown in FIG. A table 901 relating to the processing liquids Lq1 and Lq2 is displayed on the input screen 90a. In this table 901, the type and flow rate of the processing liquid, the rotational speed of the substrate W, and the processing time are shown. Various types of information in the table 901 can be changed by an operator's input to the input unit. For example, by clicking (or touching) a corresponding part of the table 901, information of the corresponding part can be input. For example, by clicking, a plurality of pieces of information are displayed in a pull-down form in the corresponding part, and the operator can input information by selecting one of them.

도 18 에 예시하는 입력 화면 (90a) 에서는, 기판 (W) 의 종류를 선택하기 위한 소프트 키 (902) 도 표시되어 있다. 작업자는 소프트 키 (902) 를 클릭 또는 터치함으로써, 소프트 키 (902) 를 선택할 수 있다. 기판 (W) 의 종류로는, 예를 들어 실리콘 (Si) 기판 및 실리콘 카바이드 (SiC) 기판 등이 있다. 그 외에, 기판 (W) 의 상면에의 막의 형성의 유무, 또는, 기판 (W) 의 상면에 형성된 막종 (예를 들어, SiO2, SiN, TiN 등) 에 의해, 판정 데이터베이스를 선택하는 것이 가능해도 된다.In the input screen 90a illustrated in FIG. 18 , a soft key 902 for selecting the type of substrate W is also displayed. The operator can select the soft key 902 by clicking or touching the soft key 902 . Types of the substrate W include, for example, a silicon (Si) substrate and a silicon carbide (SiC) substrate. In addition, it is possible to select a judgment database depending on whether or not a film is formed on the upper surface of the substrate W or the type of film formed on the upper surface of the substrate W (eg, SiO 2 , SiN, TiN, etc.) You can do it.

또 도 18 에 예시하는 입력 화면 (90a) 에서는, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상이 표시되는 영역 (903) 이 나타나 있다. 이로써, 작업자는 카메라 (70) 의 촬상 화상을 시인할 수 있다.Further, in the input screen 90a illustrated in FIG. 18 , a region 903 in which a captured image generated by the camera 70 is displayed is displayed. Thereby, the operator can visually recognize the captured image of the camera 70.

사용자 인터페이스 (90) 는, 작업자에 의해 입력된 입력 정보 (처리액 Lq1, Lq2 의 종류 등) 를 판정부 (912) 에 출력한다.The user interface 90 outputs the input information input by the operator (types of processing liquids Lq1 and Lq2, etc.) to the determination unit 912 .

특징 벡터 추출부 (911) 는, 입력된 프레임의 특징 벡터를 추출하고, 그 특징 벡터를 판정부 (912) 에 출력한다. 판정부 (912) 는, 처리 대상이 되는 처리액 Lq1, Lq2 의 종류에 따른 판정 데이터베이스 (913) 를 선택한다. 판정부 (912) 는, 입력된 특징 벡터와, 선택한 판정 데이터베이스 (913) 의 기준 벡터를 이용하여, 프레임을 분류한다.The feature vector extraction unit 911 extracts the feature vector of the input frame and outputs the feature vector to the determination unit 912. The determination unit 912 selects the determination database 913 according to the types of processing liquids Lq1 and Lq2 to be processed. The decision unit 912 uses the input feature vector and the selected reference vector from the decision database 913 to classify the frames.

이것에 의하면, 처리액 Lq1, Lq2 의 종류에 따른 분류기 (91) 를 이용하여 프레임을 분류하므로, 프레임의 분류 정밀도를 향상시킬 수 있다. 나아가서는, 타이밍차의 산출 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to this, since the frames are classified using the classifier 91 according to the type of processing liquids Lq1 and Lq2, the frame classification accuracy can be improved. Furthermore, the calculation accuracy of the timing difference can be improved.

또한 상기 서술한 예에서는, 처리액 Lq1, Lq2 의 종류마다 분류기 (91) 를 생성했지만, 예를 들어 기판 (W) 의 종류마다, 또는, 처리액 Lq1, Lq2 의 유량마다 분류기 (91) 를 생성해도 된다. 또 예를 들어 카메라 (70) 의 촬상 화상에 있어서의 토출 노즐의 위치가 상위할 수 있다. 예를 들어 촬상 화상에 있어서, 처리액 공급부 (30) 의 토출 노즐 (31) 의 위치 관계와, 처리액 공급부 (65) 의 토출 노즐 (66) 의 위치 관계는 상위할 수 있다. 이 경우, 토출 노즐의 위치마다 분류기 (91) 를 생성해도 된다. 또 이들은 조합해도 상관없다. 예를 들어 처리액 Lq1, Lq2 의 조의 종류와 기판 (W) 의 종류에 따른 분류기 (91) 를 생성해도 된다. 예를 들어 처리액 Lq1, Lq2 의 조의 종류로서 N 종류가 있고, 기판 (W) 의 종류로서 M 종류가 있는 경우에는, 그 조합에 따른 (N × M) 개의 분류기 (91) 를 생성해도 된다.In the example described above, the separator 91 is generated for each type of the processing liquids Lq1 and Lq2, but for example, the separator 91 is generated for each type of the substrate W or for each flow rate of the processing liquids Lq1 and Lq2. You can do it. Also, for example, the position of the ejection nozzle in the captured image of the camera 70 may be different. For example, in the captured image, the positional relationship of the discharge nozzle 31 of the processing liquid supply unit 30 and the positional relationship of the discharge nozzle 66 of the processing liquid supply unit 65 may be different. In this case, the classifier 91 may be created for each discharge nozzle position. Moreover, it does not matter even if these are combined. For example, the classifier 91 may be created according to the type of the group of processing liquids Lq1 and Lq2 and the type of the substrate W. For example, when there are N types of sets of processing liquids Lq1 and Lq2 and M types of substrate W, (N × M) classifiers 91 may be generated according to the combination.

사용자 인터페이스 (90) 는, 분류기 (91) 의 선택에 필요한 정보 (처리액 Lq1, Lq2 의 종류, 기판 (W) 의 종류, 처리액 Lq1, Lq2 의 유량 및 토출 노즐의 위치 중 적어도 어느 하나) 의 입력을 받아들이고, 그 입력 정보를 제어부 (9) 에 출력하면 된다.The user interface 90 provides information necessary for selection of the classifier 91 (at least one of the types of the treatment liquids Lq1 and Lq2, the type of the substrate W, the flow rates of the treatment liquids Lq1 and Lq2, and the position of the discharge nozzle) What is necessary is just to accept an input and output the input information to the control part 9.

또 분류기 (91) 의 선택에 필요한 정보는 반드시 작업자에 의해 입력될 필요는 없다. 예를 들어 기판 처리 장치 (100) 의 상류 측으로부터 기판 (W) 에 대한 기판 정보가 제어부 (9) 로 송신되고, 그 기판 정보에 이들 정보가 포함되어 있는 경우가 있다. 이 경우, 제어부 (9) 는 기판 정보 내의 당해 정보에 기초하여 분류기 (91) 를 선택하면 된다.In addition, information required for selection of the classifier 91 does not necessarily need to be input by an operator. For example, in some cases, substrate information about the substrate W is transmitted to the controller 9 from the upstream side of the substrate processing apparatus 100, and this information is included in the substrate information. In this case, the controller 9 may select the classifier 91 based on the information in the substrate information.

＜서버＞ ＜Server＞

상기 서술한 예에서는, 기판 처리 장치 (100) 에 설치된 제어부 (9) 가 기계 학습에 의해 분류기 (91) 를 생성하고, 그 분류기 (91) 에 의해 프레임을 분류했다. 그런데, 이 제어부 (9) 에 의한 기계 학습 기능의 적어도 일부가 서버에 설치되어 있어도 된다.In the example described above, the control unit 9 installed in the substrate processing apparatus 100 generated the classifier 91 by machine learning, and classified the frames by the classifier 91 . By the way, at least a part of the machine learning function by this control part 9 may be installed in the server.

도 19 는, 기판 처리 시스템의 전기적인 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다. 기판 처리 시스템은 기판 처리 장치 (100) 및 서버 (200) 를 구비한다. 도 19 에 예시하는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 의 제어부 (9) 는 통신부 (93) 를 개재하여 서버 (200) 와 통신한다. 통신부 (93) 는 통신 인터페이스이고, 유선 또는 무선에 의해 서버 (200) 와 통신할 수 있다.19 is a functional block diagram schematically illustrating an example of an electrical configuration of a substrate processing system. A substrate processing system includes a substrate processing apparatus 100 and a server 200 . As illustrated in FIG. 19 , the control unit 9 of the substrate processing apparatus 100 communicates with the server 200 via the communication unit 93 . The communication unit 93 is a communication interface and can communicate with the server 200 by wire or wirelessly.

도 19 의 예에서는, 서버 (200) 는, 기계 학습부 (210) 와, 판정 데이터베이스 (220) 가 기억된 기억 매체를 구비하고 있다. 기계 학습부 (210) 는 기계 학습부 (92) 와 동일한 기능을 가지고 있고, 교사 데이터에 기초하여 판정 데이터베이스 (220) 를 생성할 수 있다. 판정 데이터베이스 (220) 는 판정 데이터베이스 (913) 와 동일하다.In the example of FIG. 19 , the server 200 includes a storage medium in which the machine learning unit 210 and the decision database 220 are stored. The machine learning unit 210 has the same functions as the machine learning unit 92, and can generate the decision database 220 based on the teacher data. Decision database 220 is the same as decision database 913 .

판정부 (912) 는, 판정 데이터베이스 (220) 를 요구하는 요구 신호를, 통신부 (93) 를 개재하여 서버 (200) 로 송신한다. 서버 (200) 는 당해 요구 신호에 따라, 판정 데이터베이스 (220) 를 통신부 (93) 로 송신한다. 이로써, 판정부 (912) 는 서버 (200) 에 격납된 판정 데이터베이스 (220) 를 이용할 수 있다. 또한 이 경우, 기계 학습부 (92) 및 판정 데이터베이스 (913) 는 반드시 필요하지 않다.The determination unit 912 transmits a request signal for requesting the determination database 220 to the server 200 via the communication unit 93 . The server 200 transmits the decision database 220 to the communication unit 93 according to the request signal. In this way, the determination unit 912 can use the determination database 220 stored in the server 200. Also, in this case, the machine learning unit 92 and the decision database 913 are not necessarily required.

또 상기 서술한 예에서는, 판정부 (912) 는 기판 처리 장치 (100) 의 제어부 (9) 에 설치되어 있지만, 판정부 (912) 가 서버 (200) 에 설치되어도 된다. 이 경우, 특징 벡터 추출부 (911) 는 특징 벡터를, 통신부 (93) 를 개재하여 서버 (200) 로 송신한다. 서버 (200) 는, 수신한 특징 벡터와, 판정 데이터베이스 (220) 에 기초하여, 프레임을 분류하고, 그 분류 결과를 통신부 (93) 로 송신한다. 통신부 (93) 는 이 분류 결과를 제어부 (9) 로 출력한다.In the example described above, the determination unit 912 is installed in the control unit 9 of the substrate processing apparatus 100, but the determination unit 912 may be installed in the server 200. In this case, the feature vector extraction unit 911 transmits the feature vector to the server 200 via the communication unit 93. The server 200 classifies the frame based on the received feature vector and the decision database 220, and transmits the classification result to the communication unit 93. The communication unit 93 outputs this classification result to the control unit 9.

또 상기 서술한 예에서는, 특징 벡터 추출부 (911) 는 기판 처리 장치 (100) 의 제어부 (9) 에 설치되어 있지만, 특징 벡터 추출부 (911) 가 서버 (200) 에 설치되어 있어도 된다. 요컨대, 분류기 (91) 자체가 서버 (200) 에 설치되어도 된다. 이 경우, 제어부 (9) 는, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상의 프레임을, 통신부 (93) 를 개재하여 서버 (200) 에 송신한다. 서버 (200) 는 그 프레임으로부터 특징 벡터를 추출하고, 추출한 특징 벡터와, 판정 데이터베이스 (220) 를 사용하여 당해 프레임을 분류하고, 그 분류 결과를 통신부 (93) 로 송신한다. 통신부 (93) 는 이 분류 결과를 제어부 (9) 로 출력한다.In the example described above, the feature vector extraction unit 911 is installed in the control unit 9 of the substrate processing apparatus 100, but the feature vector extraction unit 911 may be installed in the server 200. In short, the classifier 91 itself may be installed in the server 200. In this case, the control unit 9 transmits the frame of the captured image generated by the camera 70 to the server 200 via the communication unit 93 . Server 200 extracts a feature vector from the frame, classifies the frame using the extracted feature vector and decision database 220, and transmits the classification result to communication unit 93. The communication unit 93 outputs this classification result to the control unit 9.

상기 서술한 양태에 의하면, 서버 (200) 에 판정 처리 기능이 설치되어 있으므로, 복수의 기판 처리 유닛에 대해 공통의 판정을 실시할 수 있다.According to the aspect described above, since the judgment processing function is provided in the server 200, a common judgment can be performed with respect to a plurality of substrate processing units.

또한 서버 (200) 의 기계 학습부 (210) 는, 처리액 Lq1, Lq2 의 종류, 기판 (W) 의 종류, 처리액 Lq1, Lq2 의 유량 및 토출 노즐 (31a, 31b) 의 위치의 적어도 하나마다, 판정 데이터베이스 (220) 를 생성해도 된다. 이 경우, 제어부 (9) 는, 사용해야 하는 판정 데이터베이스 (220) 를 지정하는 정보를, 통신부 (93) 를 개재하여 서버 (200) 로 송신하면 된다.In addition, the machine learning unit 210 of the server 200 determines at least one of the types of the processing liquids Lq1 and Lq2, the type of the substrate W, the flow rates of the processing liquids Lq1 and Lq2, and the positions of the discharge nozzles 31a and 31b. , the decision database 220 may be created. In this case, the control unit 9 only needs to transmit information specifying the decision database 220 to be used to the server 200 via the communication unit 93.

요컨대, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을 각 카테고리로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여 타이밍차를 구하는 기능을, 기판 처리 장치 (100) 및 서버 (200) 의 전체에서 발휘하면 된다.In short, a function of classifying each frame included in a captured image into each category using a classifier for which machine learning has been completed and obtaining a timing difference based on the classification result is a function of the substrate processing apparatus 100 and the server 200 as a whole. should be performed in

＜딥 러닝＞ ＜Deep Learning＞

기계 학습으로서, 딥 러닝을 채용해도 된다. 도 20 은, 뉴럴 네트워크 (딥 러닝을 포함한다) (NN1) 의 모델이 나타나 있다. 이 모델에는, 입력층과 중간층 (숨김층) 과 출력층이 설치되어 있다. 각 층은 복수의 노드 (인공 뉴런) 를 가지고 있고, 각 노드에는 그 전단 (前段) 의 층의 노드의 출력 데이터가 각각 가중되어 입력된다. 요컨대, 각 노드에는, 전단의 노드의 출력에 대해 각각의 가중 계수를 승산하여 얻어지는 승산 결과가 각각 입력된다. 각 노드는 예를 들어 공지된 함수의 결과를 출력한다. 중간층의 층수는 1 로 한정하지 않고, 임의로 설정할 수 있다.As machine learning, deep learning may be employed. 20 shows a model of a neural network (including deep learning) NN1. In this model, an input layer, an intermediate layer (hidden layer), and an output layer are provided. Each layer has a plurality of nodes (artificial neurons), and the output data of the nodes of the previous layer are respectively weighted and input to each node. In short, multiplication results obtained by multiplying the outputs of the preceding nodes by respective weighting coefficients are respectively input to each node. Each node outputs the result of a known function, for example. The number of layers of the middle layer is not limited to one and can be set arbitrarily.

기계 학습부 (92) 는 교사 데이터에 기초하여 학습을 실시함으로써, 각 노드 간의 가중에서 사용되는 가중 계수를 결정한다. 이 가중 계수는 판정 데이터베이스로서 기억된다. 이로써, 기계 학습부 (92) 는 실질적으로 분류기 (91) 를 생성할 수 있다.The machine learning unit 92 determines weighting coefficients used in the weighting between nodes by performing learning based on the teacher data. This weighting factor is stored as a decision database. In this way, the machine learning unit 92 can actually generate the classifier 91 .

입력층에는, 카메라 (70) 에 의해 생성된 프레임 F 가 입력된다. 분류기 (91) 는 판정 데이터베이스에 기억된 각 가중 계수를 사용하여, 프레임 F 에 기초하여 입력층으로부터 중간층을 거쳐 출력층의 연산 처리를 실시함으로써, 프레임 F 가 각 카테고리 C1 ∼ C4 에 해당하는 확률을 산출한다. 그리고 분류기 (91) 는 가장 확률이 높은 카테고리로 프레임을 분류한다.The frame F generated by the camera 70 is input to the input layer. The classifier 91 calculates the probability that the frame F corresponds to each category C1 to C4 by performing arithmetic processing from the input layer through the intermediate layer to the output layer based on the frame F using each weighting coefficient stored in the decision database do. And the classifier 91 classifies the frame into the most probable category.

이상과 같이, 뉴럴 네트워크에 의해 프레임을 분류할 수 있다. 뉴럴 네트워크에서는, 분류기 (91) 가 특징량을 자동으로 생성하므로, 설계자가 특징 벡터를 결정할 필요가 없다.As described above, frames can be classified by the neural network. In the neural network, since the classifier 91 automatically generates the feature amount, the designer does not need to determine the feature vector.

또한 뉴럴 네트워크에 있어서도 복수의 분류기 (91) 가 생성되어도 된다. 예를 들어 기계 학습부 (92) 는 처리액 Lq1, Lq2 의 종류마다의 교사 데이터를 사용하여 기계 학습을 실시해, 각각의 종류마다의 판정 데이터베이스 (가중 계수) 를 생성해도 된다.Also in the neural network, a plurality of classifiers 91 may be generated. For example, the machine learning unit 92 may perform machine learning using the teacher data for each type of processing liquids Lq1 and Lq2 to generate a decision database (weighting coefficient) for each type.

분류기 (91) 는, 사용자 인터페이스 (90) 로부터의 입력 정보에 따라 처리액 Lq1, Lq2 의 종류를 특정하고, 그 종류에 따른 판정 데이터베이스를 사용하여 프레임 F 를 분류한다. 이로써, 분류 정밀도를 향상시킬 수 있다.The classifier 91 specifies the type of processing liquids Lq1 and Lq2 according to input information from the user interface 90, and classifies the frame F using a judgment database according to the type. In this way, the classification accuracy can be improved.

물론, 처리액 Lq1, Lq2 의 종류로 한정하지 않고, 기판 (W) 의 종류, 처리액 Lq1, Lq2 의 유량 및 토출 노즐 (31a, 31b) 의 위치의 적어도 하나마다, 분류기 (91) 를 생성해도 된다.Of course, it is not limited to the types of processing liquids Lq1 and Lq2, and the classifier 91 is generated for at least one of the type of substrate W, the flow rate of the processing liquids Lq1 and Lq2, and the position of the discharge nozzles 31a and 31b. do.

제 2 실시형태.2nd Embodiment.

제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 의 구성의 일례는 제 1 실시형태와 동일하고, 그 동작의 일례는 도 4 에 나타내는 바와 같다. 단, 감시 처리의 구체예가 제 1 실시형태와 상위하다. 제 2 실시형태에서는, 제어부 (9) 는, 카메라 (70) 에 의해 촬상된 촬상 화상에 대해 화상 처리를 실시함으로써, 토출 노즐 (31a) 로부터 토출 노즐 (31b) 로의 전환 시에 발생하는 액튐을 검지한다. 요컨대 감시 처리에 있어서, 액튐이 발생하고 있는지 여부의 감시를 실시한다.An example of the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and an example of its operation is as shown in FIG. 4 . However, the specific example of the monitoring process differs from that of the first embodiment. In the second embodiment, the control unit 9 performs image processing on a captured image captured by the camera 70 to detect splashes occurring when switching from the discharge nozzle 31a to the discharge nozzle 31b. do. In short, in the monitoring process, it is monitored whether or not an action splash is occurring.

도 21 은, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상의 프레임의 일례를 나타내는 도면이다. 도 21 에 예시하는 프레임 IM5 에 있어서는, 토출 노즐 (31a, 31b) 로부터 각각 처리액 Lq1, Lq2 가 토출되고 있고, 액튐이 발생하고 있다. 이 액튐은 토출 노즐 (31a, 31b) 의 착액 위치의 근방에서 발생한다.21 is a diagram showing an example of a frame of a captured image generated by the camera 70. As shown in FIG. In the frame IM5 illustrated in FIG. 21 , the processing liquids Lq1 and Lq2 are discharged from the discharge nozzles 31a and 31b, respectively, and splashing occurs. This splash occurs in the vicinity of the liquid landing position of the discharge nozzles 31a and 31b.

액튐이 발생하는 영역은 미리 알 수 있으므로, 그 액튐을 검출하기 위하여, 촬상 화상에 있어서 액튐 판정 영역 R2 를 설정할 수 있다. 구체적으로는, 액튐 판정 영역 R2 는 촬상 화상의 각 프레임에 있어서 토출 노즐 (31a, 31b) 의 근방으로 설정된다. 액튐 판정 영역 R2 는, 기판 (W) 이 찍히는 영역 내의 영역이고, 토출 판정 영역 Ra1, Rb1 과는 중복되지 않는 영역으로 설정된다. 도 21 의 예에서는, 액튐 판정 영역 R2 는 판정 영역 R21, R22 를 가지고 있고, 이들은 토출 노즐 (31a, 31b) 의 근방으로 설정된다. 보다 구체적으로는, 판정 영역 R21, R22 는 촬상 화상의 횡 방향에 있어서 토출 노즐 (31a, 31b) 의 1 조에 대해 서로 반대 측에 위치하고 있다. 도 21 의 예에서는, 판정 영역 R21, R22 는 사각형상의 형상을 가지고 있다.Since the area where the splash occurs is known in advance, it is possible to set the splash determination area R2 in the captured image in order to detect the splash. Specifically, the splash determination area R2 is set in the vicinity of the discharge nozzles 31a and 31b in each frame of the captured image. The splash determination area R2 is an area within the area where the substrate W is imprinted, and is set to an area that does not overlap with the ejection judgment areas Ra1 and Rb1. In the example of Fig. 21, the splash determination region R2 has the determination regions R21 and R22, which are set near the discharge nozzles 31a and 31b. More specifically, the judgment areas R21 and R22 are located on opposite sides of one set of discharge nozzles 31a and 31b in the transverse direction of the captured image. In the example of Fig. 21, the judgment areas R21 and R22 have a rectangular shape.

판정 영역 R21, R22 내에 있어서 액튐이 찍혀 있으면, 그 액튐에 있어서의 조명광의 반사에 의해 판정 영역 R21, R22 내의 휘도값의 평균값은 높아지고, 또 그 휘도 분포가 크게 불규칙해진다. 반대로 말하면, 판정 영역 R21, R22 내의 화소값의 총합 또는 분산 (예를 들어 표준 편차) 에 기초하여 액튐 발생의 유무를 판정할 수 있다. 그래서, 제어부 (9) 는 판정 영역 R21 의 화소값의 총합 또는 분산 (예를 들어 표준 편차) 인 통계량 B1, 및, 판정 영역 R22 의 화소값의 총합 또는 분산 (예를 들어 표준 편차) 인 통계량 B2 를 산출한다. 이 판정 영역 R21, R22 내의 화소값의 통계량 B1, B2 가 커지면, 액튐이 발생하고 있다고 판정할 수 있다.If an action is taken in the judgment areas R21 and R22, the average value of the luminance values in the judgment areas R21 and R22 increases due to reflection of the illumination light in the action, and the luminance distribution becomes greatly irregular. Conversely, it is possible to determine whether or not an actuation has occurred based on the total sum or dispersion (for example, standard deviation) of the pixel values in the judgment areas R21 and R22. Therefore, the controller 9 determines the statistic B1, which is the sum or variance (for example, standard deviation) of the pixel values in the judgment area R21, and the statistic B2, which is the total or variance (for example, standard deviation) of the pixel values in the judgment area R22. yields When the statistical quantities B1 and B2 of the pixel values in the judgment areas R21 and R22 are large, it can be determined that the actuation has occurred.

도 22 는, 통계량 B1, B2 의 시간 변화의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 22 의 예는, 스텝 S5 에 있어서 액튐이 발생했을 때의 통계량 B1, B2 를 나타내고 있다. 도 22 에 예시하는 바와 같이, 액튐이 발생했을 때에는, 통계량 B1, B2 가 증대하여 임계값 th2 를 초과한다. 반대로 말하면, 통계량 B1 및 통계량 B2 의 적어도 일방이 임계값 th2 보다 클 때에는, 액튐이 발생하고 있다고 판정할 수 있다. 이와 같은 임계값 th2 는 예를 들어 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 미리 설정할 수 있다.22 is a graph showing an example of the temporal change of the statistical quantities B1 and B2. The example of FIG. 22 shows statistical quantities B1 and B2 when actuation occurs in step S5. As illustrated in Fig. 22, when an actuation occurs, the statistical amounts B1 and B2 increase and exceed the threshold value th2. In other words, when at least one of the statistical amount B1 and the statistical amount B2 is larger than the threshold value th2, it can be determined that the actuation has occurred. Such a threshold value th2 can be set in advance through experiments or simulations, for example.

＜제어부 (9) 의 동작＞ <Operation of Control Unit 9>

제어부 (9) 의 동작의 일례는 도 4 의 플로 차트와 동일하다. 단, 스텝 S10 에 있어서의 감시 처리의 구체적인 내용이 상위하다. 제 2 실시형태에서는, 이 감시 처리는, 카메라 (70) 에 의해 생성된 촬상 화상에 기초하여 액튐이 발생하고 있는지 여부를 감시하는 처리이다.An example of the operation of the control unit 9 is the same as the flow chart in FIG. 4 . However, the specific content of the monitoring process in step S10 is different. In the second embodiment, this monitoring process is a process of monitoring whether or not an actuation is occurring based on a captured image generated by the camera 70 .

도 23 은, 제 2 실시형태에 관련된 감시 처리의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 먼저 스텝 S30 에서, 제어부 (9) 는 값 nn 을 1 로 초기화한다. 다음으로 스텝 S31 에서, 제어부 (9) 는 nn 번째의 프레임 F[nn] 에 기초하여 액튐이 발생하고 있는지 여부를 판정한다. 구체적으로는, 제어부 (9) 는 프레임 F[nn] 의 판정 영역 R21, R22 내의 화소값의 통계량 B1, B2 를 산출한다.23 is a flowchart showing an example of the operation of the monitoring process according to the second embodiment. First, in step S30, the control unit 9 initializes the value nn to 1. Next, in step S31, the control unit 9 determines whether or not an action has occurred based on the nn-th frame F[nn]. Specifically, the control unit 9 calculates the statistical quantities B1 and B2 of the pixel values in the judgment areas R21 and R22 of the frame F[nn].

다음으로 제어부 (9) 는 통계량 B1, B2 중 적어도 어느 일방이 임계값 th2 이상인지 여부를 판정한다. 통계량 B1, B2 의 양방이 임계값 th2 미만일 때에는, 액튐이 발생하고 있지 않다고 판정하고, 스텝 S32 에서, 제어부 (9) 는 값 nn 에 1 을 가산하여 갱신해, 갱신 후의 값 nn 에 대해 스텝 S31 을 실행한다. 요컨대, 통계량 B1, B2 의 양방이 임계값 th2 미만일 때에는, 액튐이 발생하고 있지 않다고 판정하여, 다음의 프레임에 대한 스텝 S31 의 판정을 실시하는 것이다.Next, the control unit 9 determines whether or not at least one of the statistical quantities B1 and B2 is equal to or greater than the threshold value th2. When both of the statistical quantities B1 and B2 are less than the threshold value th2, it is determined that no actuation has occurred, and in step S32, the control unit 9 adds 1 to the value nn and updates it, and performs step S31 for the updated value nn. run In short, when both of the statistical quantities B1 and B2 are less than the threshold value th2, it is determined that no action has occurred, and the determination in step S31 for the next frame is performed.

한편으로, 통계량 B1, B2 중 적어도 어느 일방이 임계값 th2 이상일 때에는, 스텝 S33 에서, 제어부 (9) 는 에러의 통지 처리를 실시한다. 예를 들어 제어부 (9) 는 사용자 인터페이스 (90) 의 디스플레이에 에러를 표시시킨다. 혹은, 버저 또는 스피커 등의 음향 출력부가 설치되어 있을 때에는, 제어부 (9) 는 음향 출력 부에 에러를 출력시켜도 된다. 이와 같은 통지에 의해, 작업자는 액튐이 발생한 것을 인식할 수 있다.On the other hand, when at least one of the statistical quantities B1 and B2 is equal to or greater than the threshold value th2, the control unit 9 performs an error notification process in step S33. For example, the controller 9 displays an error on the display of the user interface 90. Alternatively, when an audio output unit such as a buzzer or speaker is provided, the control unit 9 may output an error to the audio output unit. With such a notification, the operator can recognize that an action has occurred.

다음으로 스텝 S34 에서, 제어부 (9) 는 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 중 어느 일방을 조정한다. 요컨대, 통계량 B1, B2 중 적어도 어느 일방이 임계값 th2 이상일 때에는, 액튐을 검지했다고 판정하여, 제어부 (9) 는 타이밍차를 조정한다. 구체적으로는, 타이밍차가 작아지도록 개시 타이밍 tb 및 정지 타이밍 ta 중 적어도 어느 일방을 조정한다.Next, in step S34, the control unit 9 adjusts either the start timing tb or the stop timing ta. In short, when at least one of the statistical quantities B1 and B2 is equal to or greater than the threshold value th2, it is determined that an actuation has been detected, and the control unit 9 adjusts the timing difference. Specifically, at least either one of the start timing tb and the stop timing ta is adjusted so that the timing difference becomes small.

타이밍차의 저감량은 미리 정해져 있어도 된다. 요컨대, 스텝 S34 에 있어서 제어부 (9) 는 타이밍차를 미리 결정된 저감량만큼 저감해도 된다. 그리고, 제어부 (9) 는 재차 도 4 의 동작을 실행한다. 이때, 스텝 S31 에 있어서 재차 액튐을 검지하면, 스텝 S34 에서 타이밍차가 당해 저감량만큼 재차 저감된다. 이 일련의 동작을 반복함으로써, 타이밍차는 액튐이 발생하지 않는 값으로 조정된다.The reduction amount of the timing difference may be determined in advance. In short, in step S34, the control unit 9 may reduce the timing difference by a predetermined reduction amount. Then, the controller 9 executes the operation of FIG. 4 again. At this time, if the actuation is detected again in step S31, the timing difference is reduced again by the corresponding reduction amount in step S34. By repeating this series of operations, the timing difference is adjusted to a value at which no action occurs.

이상과 같이, 제 2 실시형태에서는, 액튐이 발생한 것을 검지했을 때에, 액튐이 발생하지 않도록 타이밍차를 조정한다. 이로써, 이후의 처리에 있어서 액튐의 발생을 회피 또는 억제할 수 있다.As described above, in the second embodiment, when it is detected that an actuation has occurred, the timing difference is adjusted so that the actuation does not occur. This makes it possible to avoid or suppress the occurrence of splashes in subsequent processing.

＜기계 학습＞ ＜Machine Learning＞

상기 서술한 예에서는, 제어부 (9) 는 화소값의 통계량 B1, B2 에 기초하여 액튐을 검지했지만, 반드시 이것으로 한정되지 않는다. 제어부 (9) 는 기계 학습에 의해, 액튐을 검지해도 된다.In the example described above, the control unit 9 has detected the actuation based on the statistical quantities B1 and B2 of the pixel values, but it is not necessarily limited to this. The control unit 9 may detect the actuation by machine learning.

제어부 (9) 의 내부 구성의 일례는 도 14 와 동일하다. 단 제 2 실시형태에 있어서, 분류기 (91) 는, 카메라 (70) 로부터 입력된 각 프레임을 다음의 2 개의 카테고리 C11, C12 로 분류한다. 즉, 카테고리 C11 은, 액튐이 발생하고 있지 않은 상태를 나타내는 카테고리이며, 카테고리 C12 는, 액튐이 발생하고 있는 상태를 나타내는 카테고리이다.An example of the internal configuration of the control unit 9 is the same as that in FIG. 14 . However, in the second embodiment, the classifier 91 classifies each frame input from the camera 70 into the following two categories C11 and C12. That is, the category C11 is a category indicating a state in which no action is occurring, and the category C12 is a category indicating a state in which an action is occurring.

학습 데이터로는 카메라 (70) 에 의해 촬상된 촬상 화상의 프레임을 채용하고, 학습 데이터에 대해 올바른 카테고리를 라벨로서 부여함으로써, 교사 데이터를 생성한다. 기계 학습부 (92) 는 교사 데이터에 기초하여 판정 데이터베이스 (913) 를 생성한다.As the learning data, frames of captured images captured by the camera 70 are employed, and correct categories are assigned to the learning data as labels, thereby generating teacher data. The machine learning unit 92 creates a decision database 913 based on the teacher data.

이 감시 처리에 있어서의 제어부 (9) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트는, 도 23 과 동일하다. 단, 스텝 S31 에 있어서, 제어부 (9) 는, 프레임 F[nn] 에 대한 분류기 (91) 의 분류 결과에 기초하여 액튐 검지의 유무를 판단한다. 구체적으로는, 제어부 (9) 는 프레임 F[nn] 이 카테고리 C11 로 분류되어 있을 때에는, 액튐이 검지되고 있지 않다고 판단하고, 프레임 F「nn」이 카테고리 C12 로 분류되고 있을 때에, 액튐이 검지되었다고 판단한다.A flowchart showing an example of the operation of the control unit 9 in this monitoring process is the same as that in FIG. 23 . However, in step S31, the control unit 9 determines whether or not an actuation is detected based on the classification result of the classifier 91 for the frame F[nn]. Specifically, the controller 9 judges that no action is detected when the frame F[nn] is classified into the category C11, and determines that an action is detected when the frame F[nn] is classified into the category C12. judge

이상과 같이, 기계 학습에 의해 생성된 분류기 (91) 에 의해, 프레임 F[nn] 을 카테고리 C11 또는 카테고리 C12 로 분류한다. 따라서, 높은 분류 정밀도로 프레임을 분류할 수 있다. 나아가서는, 높은 검지 정밀도로 액튐을 검지할 수 있다.As described above, the frame F[nn] is classified into category C11 or category C12 by the classifier 91 generated by machine learning. Therefore, it is possible to classify frames with high classification accuracy. Furthermore, an actuation can be detected with high detection accuracy.

제 2 실시형태에 있어서도, 제 1 실시형태와 동일하게 복수의 분류기 (91) 를 생성해도 되고, 또, 분류기 (91) 및 기계 학습부 (92) 의 일부 또는 전부를 서버 (200) 에 설치해도 된다.Also in the second embodiment, a plurality of classifiers 91 may be generated in the same manner as in the first embodiment, or even if some or all of the classifiers 91 and machine learning unit 92 are installed in the server 200 do.

변형예.variant.

상기 서술한 예에서는, 기판 (W) 의 연직 상방에 설치된 2 개의 토출 노즐 (31a, 31b) 을 이용하여 처리를 실시했다. 그런데, 반드시 이것으로 한정되지 않는다. 도 24 는, 처리 유닛 (1A) 의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 처리 유닛 (1A) 은 처리액 공급부 (80) 의 유무를 제외하고 처리 유닛 (1) 과 동일하다. 처리액 공급부 (80) 는 토출 노즐 (81) 을 가지고 있고, 이 토출 노즐 (81) 은 기판 (W) 의 측방이고 기판 (W) 의 상면보다 높은 위치에 설치되어 있다. 토출 노즐 (81) 은 처리액이 기판 (W) 의 상면에 착액하도록, 대략 수평 방향을 따라 처리액 Lq3 을 토출한다. 이 처리액 Lq3 은 토출 노즐 (81) 의 선단으로부터 호상으로 방출되어 기판 (W) 상면의 대략 중앙 부근에 착액한다. 토출 노즐 (81) 은 배관 (82) 을 개재하여 처리액 공급원 (84) 에 접속되어 있다. 배관 (82) 의 도중에는, 개폐 밸브 (83) 가 설치되어 있다. 개폐 밸브 (83) 가 개방됨으로써, 처리액 공급원 (84) 으로부터의 처리액 Lq3 이 배관 (82) 의 내부를 흘러 토출 노즐 (81) 로부터 토출된다.In the example described above, the treatment was performed using the two ejection nozzles 31a and 31b provided vertically above the substrate W. However, it is not necessarily limited to this. 24 is a diagram showing an example of the configuration of the processing unit 1A. The processing unit 1A is the same as the processing unit 1 except for the presence or absence of the processing liquid supply unit 80 . The processing liquid supply unit 80 has a discharge nozzle 81, and the discharge nozzle 81 is installed on the side of the substrate W and higher than the upper surface of the substrate W. The discharge nozzle 81 discharges the processing liquid Lq3 along a substantially horizontal direction so that the processing liquid lands on the upper surface of the substrate W. This processing liquid Lq3 is discharged from the tip of the ejection nozzle 81 in an arc shape and lands on the substantially center of the upper surface of the substrate W. The discharge nozzle 81 is connected to the processing liquid supply source 84 via a pipe 82 . In the middle of the pipe 82, an on-off valve 83 is provided. When the opening/closing valve 83 is opened, the processing liquid Lq3 from the processing liquid supply source 84 flows through the inside of the pipe 82 and is discharged from the discharge nozzle 81 .

이와 같은 처리 유닛 (1A) 에 있어서, 기판 (W) 의 상방에 위치하는 토출 노즐 (예를 들어 토출 노즐 (31a)) 과, 기판 (W) 의 측방에 위치하는 토출 노즐 (81) 을 사용하여, 순서대로 처리액을 기판 (W) 에 공급하는 경우가 있다. 여기서는, 토출 노즐 (31a) 로부터의 처리액 Lq1 에 의해 기판 (W) 에 대한 처리를 실시하고, 그 후, 처리액을 토출하는 노즐을 토출 노즐 (31a) 로부터 토출 노즐 (81) 로 전환하고, 토출 노즐 (81) 로부터의 처리액 Lq3 에 의해 기판 (W) 에 대한 처리를 실시하는 경우에 대해 설명한다.In such a processing unit 1A, a discharge nozzle located above the substrate W (for example, the discharge nozzle 31a) and a discharge nozzle 81 located on the side of the substrate W are used. , there is a case where the processing liquid is supplied to the substrate W in order. Here, the substrate W is processed with the processing liquid Lq1 from the discharge nozzle 31a, and then the nozzle for discharging the processing liquid is switched from the discharge nozzle 31a to the discharge nozzle 81; The case where the processing of the substrate W is performed using the processing liquid Lq3 from the ejection nozzle 81 will be described.

카메라 (70) 는, 토출 노즐 (31a, 31b, 81) 의 선단이 촬상 영역에 포함되는 위치에 설치된다. 카메라 (70) 가 촬상하여 생성한 촬상 화상의 각 프레임은 순차적으로 제어부 (9) 에 출력된다.The camera 70 is installed in a position where the tips of the discharge nozzles 31a, 31b, and 81 are included in the imaging area. Each frame of the captured image generated by capturing the image by the camera 70 is sequentially output to the control unit 9 .

도 25 는, 카메라 (70) 에 의해 생성한 촬상 화상의 프레임 IM6 의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 프레임 IM6 에서는, 토출 노즐 (31a, 81) 이 각각 처리액 Lq1, Lq3 을 토출하고 있다. 요컨대, 프레임 IM6 은, 토출 노즐 (31a, 81) 의 전환 시에, 양방이 처리액을 토출하는 타이밍에서의 프레임이다.FIG. 25 is a diagram schematically showing an example of frame IM6 of a captured image generated by the camera 70. As shown in FIG. In frame IM6, discharge nozzles 31a and 81 discharge processing liquids Lq1 and Lq3, respectively. In short, frame IM6 is a frame at the timing when the discharge nozzles 31a and 81 are switched, both of which discharge the processing liquid.

이 프레임 IM6 에 있어서는, 기판 (W) 상에 있어서 액튐이 발생하고 있다. 이 액튐도 토출 노즐 (31a, 81) 의 양방이 각각 처리액 Lq1, Lq3 을 토출하는 것에서 기인한다. 또한 토출 노즐 (81) 로부터의 처리액 Lq3 은 기판 (W) 의 측방으로부터 기판 (W) 의 중앙 부근을 향해 토출되므로, 액튐은, 기판 (W) 의 중심에 대해 토출 노즐 (81) 과는 반대 측에서 발생하기 쉽다.In this frame IM6, an actuation has occurred on the substrate W. This liquid splash also originates from the fact that both of the discharge nozzles 31a and 81 discharge the treatment liquids Lq1 and Lq3, respectively. In addition, since the processing liquid Lq3 from the discharge nozzle 81 is discharged from the side of the substrate W toward the vicinity of the center of the substrate W, the action is opposite to the discharge nozzle 81 with respect to the center of the substrate W. likely to occur on the side.

프레임 IM6 에는, 토출 판정 영역 Rc1 이 설정되어 있다. 이 토출 판정 영역 Rc1 은 토출 노즐 (81) 의 선단으로부터 기판 (W) 의 착액 위치까지의 처리액 Lq3 의 토출 경로 상에 설정되어 있고, 예를 들어 토출 노즐 (81) 의 선단으로부터 처리액 Lq3 이 연장되는 방향으로 연장되어 있다. 토출 판정 영역 Rc1 은 예를 들어 사각형상의 형상을 가지고 있다.In frame IM6, a discharge determination area Rc1 is set. This discharge determination area Rc1 is set on the discharge path of the processing liquid Lq3 from the tip of the discharge nozzle 81 to the liquid contact position of the substrate W, and for example, the processing liquid Lq3 from the tip of the discharge nozzle 81 It extends in the direction of extension. The discharge determination area Rc1 has a rectangular shape, for example.

제어부 (9) 는, 토출 노즐 (81) 로부터의 처리액 Lq3 의 토출의 유무를, 토출 노즐 (31a, 31b) 과 동일하게, 토출 판정 영역 Rc1 내의 화소값의 통계량의 대소에 의해 판정하고, 토출 노즐 (81) 의 개시 타이밍을 특정한다. 여기서 말하는 통계량으로는, 토출 판정 영역 Rc1 내의 화소값의 총합 또는 분산을 채용할 수 있다. 또 토출 노즐 (81) 은 횡 방향으로 처리액 Lq3 을 토출하는 점에서, 그 횡 방향에 있어서의 휘도 분포의 편차는 작고, 처리액 Lq3 에 의한 특징은 종 방향에 있어서의 휘도 분포에 나타난다. 따라서 통계량으로는, 종 방향으로 일렬로 배열되는 화소의 분산을 채용해도 된다. 혹은, 횡 방향으로 배열되는 화소의 화소값을 행마다 적분하고, 그 행마다의 적분값의 분산을 채용해도 된다.The controller 9 determines whether or not the processing liquid Lq3 is discharged from the discharge nozzle 81, in the same way as the discharge nozzles 31a and 31b, based on the magnitude of the statistical amount of the pixel values in the discharge determination region Rc1, and discharges the liquid Lq3. The starting timing of the nozzle 81 is specified. As the statistic here, the sum or variance of the pixel values in the discharge determination area Rc1 can be employed. Further, since the ejection nozzle 81 discharges the processing liquid Lq3 in the horizontal direction, the variation of the luminance distribution in the horizontal direction is small, and the characteristic of the processing liquid Lq3 appears in the luminance distribution in the vertical direction. Therefore, the variance of pixels arranged in a line in the vertical direction may be employed as the statistic. Alternatively, the pixel values of the pixels arranged in the horizontal direction may be integrated for each row, and dispersion of the integral values for each row may be employed.

또 제 1 실시형태와 동일하게 하여, 제어부 (9) 는 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍도 특정한다.In the same manner as in the first embodiment, the controller 9 also specifies the stop timing of the ejection nozzle 31a.

제어부 (9) 는 토출 노즐 (81) 의 개시 타이밍과 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍의 타이밍차를 산출한다. 예를 들어 정지 타이밍으로부터 개시 타이밍을 감산하여 타이밍차를 산출한다. 그리고, 제어부 (9) 는 그 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 판정한다. 타이밍차가 소정의 범위 외로 되어 있을 때에는, 제어부 (9) 는 타이밍차가 소정의 범위 내가 되도록, 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍 및 토출 노즐 (81) 의 정지 타이밍 중 어느 일방을 조정한다.The controller 9 calculates a timing difference between the start timing of the discharge nozzle 81 and the stop timing of the discharge nozzle 31a. For example, the timing difference is calculated by subtracting the start timing from the stop timing. Then, the controller 9 determines whether or not the timing difference is outside a predetermined range. When the timing difference is out of the predetermined range, the controller 9 adjusts either the stop timing of the discharge nozzle 31a or the stop timing of the discharge nozzle 81 so that the timing difference is within the predetermined range.

이상과 같이 처리 유닛 (1A) 에 있어서도, 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍과 토출 노즐 (81) 의 개시 타이밍의 타이밍차를 조정할 수 있다.As described above, also in the processing unit 1A, the timing difference between the stop timing of the discharge nozzle 31a and the start timing of the discharge nozzle 81 can be adjusted.

또한 토출 노즐 (81) 로부터의 처리액 Lq3 의 토출의 유무는 제 2 실시형태 와 동일하게, 기계 학습이 완료된 분류기에 의해 판정되어도 된다.In addition, the presence or absence of discharge of the processing liquid Lq3 from the discharge nozzle 81 may be determined by a machine-learned classifier as in the second embodiment.

또 도 25 의 예에서는, 액튐 판정 영역 R3 이 설정되어 있다. 이 액튐 판정 영역 R3 은 기판 (W) 이 찍히는 영역 내이고, 기판 (W) 의 중심에 대해 토출 노즐 (81) 과는 반대 측의 영역에 설정되어 있다. 액튐 판정 영역 R3 은 예를 들어 사각형 형상을 가지고 있다.In the example of FIG. 25 , an action judgment area R3 is set. This action determination region R3 is within the region where the substrate W is imprinted, and is set in the region opposite to the discharge nozzle 81 with respect to the center of the substrate W. The action judgment area R3 has, for example, a rectangular shape.

제어부 (9) 는 액튐 판정 영역 R2 와 동일하게, 액튐 판정 영역 R3 내의 화소값의 통계량의 대소에 기초하여 액튐의 유무를 판정한다. 여기서 말하는 통계량으로는, 액튐 판정 영역 R3 내의 화소값의 총합 또는 분산을 채용할 수 있다. 그리고, 액튐이 발생하고 있을 때에는, 제어부 (9) 는, 액튐이 발생하지 않도록, 토출 노즐 (81) 의 개시 타이밍과 토출 노즐 (31a) 의 정지 타이밍의 타이밍차를 조정한다.The control unit 9 determines the presence or absence of an act based on the magnitude of the statistic of the pixel values in the splash determination area R3, similarly to the splash determination area R2. As the statistic here, the sum or variance of the pixel values in the action determination region R3 can be employed. Then, when splashing is occurring, the controller 9 adjusts the timing difference between the start timing of the discharge nozzle 81 and the stop timing of the discharge nozzle 31a so that the splashing does not occur.

또 액튐 유무의 판정은, 제 4 실시형태와 동일하게, 기계 학습이 완료된 분류기에 의해 판정되어도 된다.In addition, the determination of the presence or absence of an actuation may be determined by a classifier for which machine learning has been completed, similarly to the fourth embodiment.

이상, 본 기판 처리 장치의 실시형태에 대해 설명했지만, 이 실시형태는 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 여러 가지 변경을 실시하는 것이 가능하다. 상기 서술한 각종 실시형태 및 변형예는 적절히 조합하여 실시할 수 있다. 예를 들어 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태의 양방을 실시하여, 타이밍차의 감시 및 액튐의 감시의 양방을 실시해도 된다.As mentioned above, although embodiment of this substrate processing apparatus was described, this embodiment can implement various changes other than what was mentioned above, unless it deviated from the meaning. Various embodiments and modified examples described above can be implemented in appropriate combination. For example, both the monitoring of the timing difference and the monitoring of the action may be implemented by implementing both the first embodiment and the second embodiment.

또 기판 (W) 으로는, 반도체 기판을 채용해 설명했지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판 또는 광자기 디스크용 기판 등의 기판을 채용해도 된다.Further, as the substrate W, a semiconductor substrate was used and explained, but it is not limited thereto. For example, substrates such as photomask glass substrates, liquid crystal display glass substrates, plasma display glass substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, or magneto-optical disk substrates are employed. You can do it.

또한, 본 실시형태는, 이동 가능한 노즐로부터 기판으로 처리액을 토출하여 소정의 처리를 실시하는 장치이면 적용할 수 있다. 예를 들어, 상기 실시형태의 매엽식의 세정 처리 장치 외에, 회전하는 기판에 노즐로부터 포토레지스트액을 토출하여 레지스트 도포를 실시하는 회전 도포 장치 (스핀 코터), 표면에 막이 성막된 기판의 단가장자리부에 노즐로부터 막의 제거액을 토출하는 장치, 혹은, 기판의 표면에 노즐로부터 에칭액을 토출하는 장치 등에 본 실시형태에 관련된 기술을 적용하도록 해도 된다.In addition, this embodiment can be applied to any device that discharges a processing liquid from a movable nozzle to a substrate to perform a predetermined processing. For example, in addition to the single-wafer-type cleaning processing device of the above embodiment, a rotary coating device (spin coater) for spraying a photoresist liquid from a nozzle onto a rotating substrate to apply resist, and a single edge of a substrate having a film formed thereon The technique related to the present embodiment may be applied to a device for discharging a film removal liquid from a nozzle to a portion, or a device for discharging an etching liquid from a nozzle to a surface of a substrate.

20 : 기판 유지부
30, 60, 65 : 처리액 공급부
31a : 제 1 노즐 (토출 노즐)
31b : 제 2 노즐 (토출 노즐)
70 : 카메라
90 : 사용자 인터페이스
91, 91A ∼ 91C : 분류기
100 : 기판 처리 장치
W : 기판20: substrate holding unit
30, 60, 65: treatment liquid supply unit
31a: first nozzle (discharge nozzle)
31b: second nozzle (discharge nozzle)
70: camera
90: user interface
91, 91A ∼ 91C: classifier
100: substrate processing device
W: Substrate

Claims (19)

기판 처리 방법으로서,
기판을 유지하는 제 1 공정과,
제 1 노즐의 선단 및 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역의, 카메라에 의한 촬상을 개시하여, 촬상 화상을 생성하는 제 2 공정과,
상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하는 제 3 공정과,
상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하고, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 제 4 공정과,
상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 4 공정에 있어서 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하는 제 5 공정과,
상기 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 판정하고, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는 제 6 공정을 구비하고,
상기 제 5 공정에 있어서,
상기 촬상 화상의 각 프레임 중 상기 제 1 노즐의 선단으로부터 상기 제 1 노즐의 토출 방향으로 연장되는 제 1 토출 판정 영역의 화소값에 기초하여, 상기 정지 타이밍을 특정하고,
각 프레임 중 상기 제 2 노즐의 선단으로부터 상기 제 2 노즐의 토출 방향으로 연장되는 제 2 토출 판정 영역의 화소값에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정하는, 기판 처리 방법. As a substrate processing method,
A first step of holding the substrate;
A second step of starting image capturing with a camera of an imaging area including the tip of the first nozzle and the tip of the second nozzle to generate a captured image;
a third step of starting discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate;
a fourth step of stopping discharge of the treatment liquid from the first nozzle and starting discharge of the treatment liquid from the second nozzle;
Based on the image processing of the captured image, the timing of the start timing to start discharging the processing liquid from the second nozzle and the stop timing to stop discharging the processing liquid from the first nozzle in the fourth step A fifth step of obtaining a car;
determining whether or not the timing difference is outside the predetermined range, and adjusting at least one of the start timing and the stop timing so that the timing difference is within the predetermined range when it is determined that the timing difference is outside the predetermined range Equipped with a 6th process,
In the fifth step,
specifying the stop timing based on pixel values of a first ejection determination area extending from the tip of the first nozzle in the ejection direction of the first nozzle in each frame of the captured image;
The substrate processing method of claim 1 , wherein the start timing is specified based on a pixel value of a second ejection determination area extending from a front end of the second nozzle in an ejection direction of the second nozzle in each frame. 제 1 항에 있어서,
상기 개시 타이밍을 조정하지 않고 상기 정지 타이밍을 조정하는, 기판 처리 방법.According to claim 1,
wherein the stop timing is adjusted without adjusting the start timing. 삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 토출 판정 영역의 화소값의 통계량이 임계값보다 큰 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서, 상기 제 1 토출 판정 영역의 통계량이 상기 임계값보다 작은 프레임에 기초하여 상기 정지 타이밍을 특정하고,
상기 제 2 토출 판정 영역의 화소값의 통계량이 상기 임계값보다 작은 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서, 상기 제 1 토출 판정 영역의 통계량이 상기 임계값보다 큰 프레임에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정하는, 기판 처리 방법. According to claim 1 or 2,
specifying the stop timing based on a frame in which the statistical amount of pixel values in the first discharge determination area is greater than a threshold value and a frame following the frame in which the statistical amount in the first discharge determination area is smaller than the threshold value; do,
The start timing is determined based on a frame in which the statistic of pixel values of the second discharge determination area is smaller than the threshold value and a frame following the frame in which the statistic value of the first discharge determination area is larger than the threshold value. To specify, a substrate processing method. 제 4 항에 있어서,
상기 제 6 공정에 있어서,
상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐에 대한 상기 통계량의 시간 변화를 나타내는 그래프를 사용자 인터페이스에 표시하고,
상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방인 대상 타이밍에 대한 입력이 상기 사용자 인터페이스에 대해 실시되었을 때에, 상기 입력에 따라 당해 대상 타이밍을 조정하는, 기판 처리 방법.According to claim 4,
In the sixth step,
Displaying a graph showing the time change of the statistic for the first nozzle and the second nozzle on a user interface;
and adjusting the target timing according to the input when an input to the target timing, which is at least one of the start timing and the stop timing, is given to the user interface. 기판 처리 방법으로서,
기판을 유지하는 제 1 공정과,
제 1 노즐의 선단 및 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역의, 카메라에 의한 촬상을 개시하여, 촬상 화상을 생성하는 제 2 공정과,
상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하는 제 3 공정과,
상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하고, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 제 4 공정과,
상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 4 공정에 있어서 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하는 제 5 공정과,
상기 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 판정하고, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는 제 6 공정을 구비하고,
상기 제 5 공정에 있어서,
기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐의 각각에 대해 처리액의 토출/정지로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여 상기 타이밍차를 구하는, 기판 처리 방법. As a substrate processing method,
A first step of holding the substrate;
A second step of starting image capturing with a camera of an imaging area including the tip of the first nozzle and the tip of the second nozzle to generate a captured image;
a third step of starting discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate;
a fourth step of stopping discharge of the treatment liquid from the first nozzle and starting discharge of the treatment liquid from the second nozzle;
Based on the image processing of the captured image, the timing of the start timing to start discharging the processing liquid from the second nozzle and the stop timing to stop discharging the processing liquid from the first nozzle in the fourth step A fifth step of obtaining a car;
determining whether or not the timing difference is outside the predetermined range, and adjusting at least one of the start timing and the stop timing so that the timing difference is within the predetermined range when it is determined that the timing difference is outside the predetermined range Equipped with a 6th process,
In the fifth step,
Using a classifier for which machine learning has been completed, each frame included in the captured image is classified into discharge/stop of the processing liquid for each of the first nozzle and the second nozzle, and the timing is determined based on the classification result. Obtaining a car, substrate processing method. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 노즐에 대해 토출로 분류된 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서 상기 제 1 노즐에 대해 정지로 분류된 프레임에 기초하여 상기 정지 타이밍을 특정하고,
상기 제 2 노즐에 대해 정지로 분류된 프레임과, 당해 프레임의 다음의 프레임으로서 상기 제 2 노즐에 대해 토출로 분류된 프레임에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정하는, 기판 처리 방법.According to claim 6,
Specifying the stop timing based on a frame classified as ejection for the first nozzle and a frame classified as stop for the first nozzle as a frame following the frame;
The start timing is specified based on a frame classified as stop for the second nozzle and a frame classified as ejection for the second nozzle as a frame following the frame. 제 6 항에 있어서,
상기 정지 타이밍은 상기 개시 타이밍 후이고,
상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐의 양방이 처리액을 토출한다고 분류된 프레임의 수와, 상기 프레임 간의 시간에 기초하여, 상기 타이밍차를 구하는, 기판 처리 방법. According to claim 6,
The stop timing is after the start timing,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the timing difference is obtained based on the number of frames in which both the first nozzle and the second nozzle are classified as ejecting the processing liquid and the time between the frames. 제 1 항, 제 2 항 및 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 6 공정에 있어서, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 그 취지를 작업자에게 통지하는, 기판 처리 방법. The method of any one of claims 1, 2 and 6 to 8,
In the sixth step, when it is determined that the timing difference is out of a predetermined range, an operator is notified to that effect. 기판 처리 방법으로서,
기판을 유지하는 제 1 공정과,
제 1 노즐의 선단 및 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역의, 카메라에 의한 촬상을 개시하여, 촬상 화상을 생성하는 제 2 공정과,
상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하는 제 3 공정과,
상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하고, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 제 4 공정과,
상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 4 공정에 있어서 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하는 제 5 공정과,
상기 타이밍차가 소정의 범위 외인지 여부를 판정하고, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는 제 6 공정을 구비하고,
상기 정지 타이밍은 상기 개시 타이밍 후이고,
상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 처리액이 기판 상에서 튀는 액튐이 발생하고 있는지 여부를 판정하고, 상기 액튐이 발생하고 있다고 판정했을 때에, 상기 개시 타이밍과 상기 정지 타이밍 간의 타이밍차를 저감하도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는 제 7 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법. As a substrate processing method,
A first step of holding the substrate;
A second step of starting image capturing with a camera of an imaging area including the tip of the first nozzle and the tip of the second nozzle to generate a captured image;
a third step of starting discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate;
a fourth step of stopping discharge of the treatment liquid from the first nozzle and starting discharge of the treatment liquid from the second nozzle;
Based on the image processing of the captured image, the timing of a start timing to start discharging the processing liquid from the second nozzle and a stop timing to stop discharging the processing liquid from the first nozzle in the fourth step A fifth step of obtaining a car;
determining whether or not the timing difference is outside the predetermined range, and adjusting at least one of the start timing and the stop timing so that the timing difference is within the predetermined range when it is determined that the timing difference is outside the predetermined range Equipped with a 6th process,
The stop timing is after the start timing,
based on image processing on the captured image, to determine whether splashing of the processing liquid on the substrate is occurring, and to reduce a timing difference between the start timing and the stop timing when it is determined that the splashing is occurring , a seventh step of adjusting at least one of the start timing and the stop timing. 제 10 항에 있어서,
상기 제 7 공정에 있어서, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상의 각 프레임을 상기 액튐이 있음/없음으로 분류하는, 기판 처리 방법. According to claim 10,
In the seventh step, each frame of the captured image is classified into presence/absence of the action by using a classifier on which machine learning has been completed. 제 11 항에 있어서,
상기 제 7 공정에 있어서, 상기 촬상 화상의 각 프레임 중, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐 근방의 액튐 판정 영역을 잘라내고, 상기 분류기를 사용하여, 상기 액튐 판정 영역을 액튐이 있음/없음으로 분류하는, 기판 처리 방법. According to claim 11,
In the seventh step, in each frame of the captured image, the splash determination area in the vicinity of the first nozzle and the second nozzle is cut out, and the splash determination area is determined with/without splash using the classifier. Sorting, substrate processing method. 제 6 항 내지 제 8 항, 제 11 항 및 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나에 따른 복수의 기계 학습이 완료된 분류기 중에서 하나를 선택하고,
선택된 분류기에 기초하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을 분류하는, 기판 처리 방법. The method of any one of claims 6 to 8, 11 and 12,
Selecting one of a plurality of classifiers for which machine learning has been completed according to at least one of the type of the substrate, the type of the processing liquid, the positions of the first nozzle and the second nozzle, and the flow rate of the processing liquid;
A substrate processing method comprising classifying each frame included in the captured image based on the selected classifier. 제 13 항에 있어서,
상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나가 입력부에 입력되었을 때에, 상기 입력부에의 입력에 따라 상기 복수의 분류기에서 하나를 선택하는, 기판 처리 방법. According to claim 13,
When at least one of the type of the substrate, the type of the processing liquid, the positions of the first nozzle and the second nozzle, and the flow rate of the processing liquid is input to the input unit, the plurality of the plurality of processing liquids are input to the input unit. A substrate processing method for selecting one from the classifier of 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 1 노즐, 및, 상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 2 노즐을 갖는 처리액 공급부와,
상기 제 1 노즐의 선단 및 상기 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 생성하는 카메라와,
제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시한 후에, 상기 제 2 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하고, 상기 제 1 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 정지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하고,
상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하고, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하고,
상기 제어부는, 상기 타이밍차를 구할 때에, 상기 촬상 화상의 각 프레임 중 상기 제 1 노즐의 선단으로부터 상기 제 1 노즐의 토출 방향으로 연장되는 제 1 토출 판정 영역의 화소값에 기초하여, 상기 정지 타이밍을 특정하고,
각 프레임 중 상기 제 2 노즐의 선단으로부터 상기 제 2 노즐의 토출 방향으로 연장되는 제 2 토출 판정 영역의 화소값에 기초하여 상기 개시 타이밍을 특정하는, 기판 처리 장치. a substrate holding portion for holding the substrate;
a processing liquid supply unit having a first nozzle discharging a processing liquid to the substrate and a second nozzle discharging a processing liquid to the substrate;
a camera for generating a captured image by capturing an image of an imaging area including a tip of the first nozzle and a tip of the second nozzle;
control unit
to provide,
The control unit,
After the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started, the discharge of the processing liquid from the second nozzle to the substrate is started, and the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started. Control the treatment liquid supply unit to stop,
Based on image processing on the captured image, a timing difference between a start timing for starting discharge of the processing liquid from the second nozzle and a stop timing for stopping discharging of the processing liquid from the first nozzle is obtained, and the timing When it is determined that the difference is outside the predetermined range, at least one of the start timing and the stop timing is adjusted so that the timing difference is within the predetermined range;
When obtaining the timing difference, the controller determines the stop timing based on pixel values of a first ejection determination area extending from the front end of the first nozzle in the ejection direction of the first nozzle in each frame of the captured image. to specify,
wherein the start timing is specified based on a pixel value of a second ejection determination area extending from a front end of the second nozzle in an ejection direction of the second nozzle in each frame. 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 1 노즐, 및, 상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 2 노즐을 갖는 처리액 공급부와,
상기 제 1 노즐의 선단 및 상기 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 생성하는 카메라와,
제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시한 후에, 상기 제 2 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하고, 상기 제 1 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 정지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하고,
상기 촬상 화상에 대한 화상 처리에 기초하여, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하고, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록, 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하고,
상기 제어부는, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐에 대해 처리액의 토출/정지의 상태를 나타내는 카테고리로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여 상기 타이밍차를 구하는, 기판 처리 장치. a substrate holding portion for holding the substrate;
a processing liquid supply unit having a first nozzle discharging a processing liquid to the substrate and a second nozzle discharging a processing liquid to the substrate;
a camera for generating a captured image by capturing an image of an imaging area including a tip of the first nozzle and a tip of the second nozzle;
control unit
to provide,
The control unit,
After the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started, the discharge of the processing liquid from the second nozzle to the substrate is started, and the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started. Control the treatment liquid supply unit to stop,
Based on image processing on the captured image, a timing difference between a start timing for starting discharge of the processing liquid from the second nozzle and a stop timing for stopping discharging of the processing liquid from the first nozzle is obtained, and the timing When it is determined that the difference is outside the predetermined range, at least one of the start timing and the stop timing is adjusted so that the timing difference is within the predetermined range;
The control unit classifies each frame included in the captured image into a category representing a discharge/stop state of the processing liquid for the first nozzle and the second nozzle, using a classifier for which machine learning has been completed, and The substrate processing apparatus which obtains the timing difference based on a classification result. 제 16 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나에 따른 복수의 기계 학습이 완료된 분류기 중에서 하나를 선택하고,
선택된 분류기에 기초하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을 분류하는, 기판 처리 장치. 17. The method of claim 16,
The control unit,
Selecting one of a plurality of classifiers for which machine learning has been completed according to at least one of the type of the substrate, the type of the processing liquid, the positions of the first nozzle and the second nozzle, and the flow rate of the processing liquid;
A substrate processing apparatus that classifies each frame included in the captured image based on the selected classifier. 제 17 항에 있어서,
상기 기판의 종류, 상기 처리액의 종류, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐의 위치, 및, 상기 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나의 입력이 실시되는 입력부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 입력부에의 입력에 따라 상기 복수의 분류기에서 하나를 선택하는, 기판 처리 장치.18. The method of claim 17,
An input unit configured to input at least one of a type of the substrate, a type of the processing liquid, positions of the first nozzle and the second nozzle, and a flow rate of the processing liquid;
The control unit selects one of the plurality of classifiers according to an input to the input unit. 기판 처리 장치와, 상기 기판 처리 장치와 통신하는 서버를 갖고,
상기 기판 처리 장치는,
기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 1 노즐, 및, 상기 기판에 대해 처리액을 토출하는 제 2 노즐을 갖는 처리액 공급부와,
상기 제 1 노즐의 선단 및 상기 제 2 노즐의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 생성하는 카메라와,
상기 제 1 노즐로부터 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시한 후에, 상기 제 2 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 개시하고, 상기 제 1 노즐로부터의 상기 기판으로의 처리액의 토출을 정지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 기판 처리 장치 및 서버는, 기계 학습이 완료된 분류기를 사용하여, 상기 촬상 화상에 포함되는 각 프레임을, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐에 대해 처리액의 토출/정지의 상태를 나타내는 카테고리로 분류하고, 그 분류 결과에 기초하여, 상기 제 2 노즐로부터의 처리액의 토출을 개시하는 개시 타이밍과, 상기 제 1 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지하는 정지 타이밍의 타이밍차를 구하고,
상기 제어부는, 상기 타이밍차가 소정의 범위 외라고 판정했을 때에, 상기 타이밍차가 상기 소정의 범위 내가 되도록 상기 개시 타이밍 및 상기 정지 타이밍 중 적어도 어느 일방을 조정하는, 기판 처리 시스템.A substrate processing apparatus and a server communicating with the substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus,
a substrate holding portion for holding the substrate;
a processing liquid supply unit having a first nozzle discharging a processing liquid to the substrate and a second nozzle discharging a processing liquid to the substrate;
a camera for generating a captured image by capturing an image of an imaging area including a tip of the first nozzle and a tip of the second nozzle;
After the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started, the discharge of the processing liquid from the second nozzle to the substrate is started, and the discharge of the processing liquid from the first nozzle to the substrate is started. A controller for controlling the processing liquid supply unit to stop
to provide,
The substrate processing apparatus and the server classify each frame included in the captured image into a category indicating a discharge/stop state of the processing liquid for the first nozzle and the second nozzle, using a classifier for which machine learning has been completed. classification, and based on the classification result, a timing difference between a start timing for starting discharge of the processing liquid from the second nozzle and a stop timing for stopping discharging of the processing liquid from the first nozzle is obtained;
The substrate processing system according to claim 1 , wherein the control unit adjusts at least either one of the start timing and the stop timing so that the timing difference falls within the predetermined range when determining that the timing difference is outside the predetermined range.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3085603B1 (en) * 2018-09-11 2020-08-14 Soitec Silicon On Insulator PROCESS FOR THE TREATMENT OF A SUSBTRAT SELF IN A SINGLE-PLATE CLEANING EQUIPMENT
JP2021152762A (en) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Learned-model generating method, learned model, abnormality-factor estimating apparatus, substrate treating installation, abnormality-factor estimating method, learning method, learning apparatus, and learning-data preparing method
KR102324162B1 (en) * 2020-04-08 2021-11-10 이지스로직 주식회사 Spin coater with funcion of inspecting photoresist coating quality
KR102368201B1 (en) * 2020-04-08 2022-03-02 이지스로직 주식회사 System for inspecting photoresist coating quality of spin coater
KR102327761B1 (en) * 2020-04-08 2021-11-19 주식회사 이지스로직 System for inspecting photoresist coating quality of spin coater
US11699595B2 (en) 2021-02-25 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system
KR102585478B1 (en) * 2021-10-14 2023-10-10 주식회사 램스 System for inspecting photoresist dispensing condition of spin coater
JP2023127856A (en) * 2022-03-02 2023-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2024047494A (en) * 2022-09-26 2024-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス LEARNING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE ... SYSTEM, LEARNING METHOD, AND PROCESSING CONDITION DETERMINATION METHOD

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273003A (en) * 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-processing device
JP2016072344A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3481416B2 (en) * 1997-04-07 2003-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and method
JPH11330041A (en) * 1998-05-07 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device for processing substrate by etching liquid
JP4601452B2 (en) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2010151925A (en) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp Substrate processing apparatus, equipment for manufacturing flat-panel display, and flat-panel display
JP2009218622A (en) * 2009-06-29 2009-09-24 Canon Anelva Corp Substrate processing apparatus, and substrate position deviation correction method in substrate processing apparatus
JP6251086B2 (en) * 2014-03-12 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6278759B2 (en) * 2014-03-11 2018-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016122681A (en) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6635869B2 (en) * 2015-06-16 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 Processing device, processing method, and storage medium
JP6541491B2 (en) 2015-07-29 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Falling determination method, falling determination device and discharge device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273003A (en) * 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-processing device
JP2016072344A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

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