KR102483843B1 - Display panel and display apparatus using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드들과 연결된 라이트 쉴드 브리지가, 산화물 박막트랜지스터의 게이트와 연결된 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 있는, 표시패널 및 이를 이용한 표시장치를 제공한다. 이를 위해 본 발명에 따른 표시패널은, 게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인들, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인들, 상기 게이트 라인들과 상기 데이터 라인들에 의해 정의되는 픽셀들, 상기 픽셀들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터들, 상기 산화물 박막트랜지스터들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드들 및 상기 라이트 쉴드들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지들을 포함한다. The present invention provides a display panel and a display device using the same, in which a light shield bridge connected to light shields that block light entering an oxide thin film transistor is electrically connected to a gate line connected to a gate of the oxide thin film transistor. To this end, the display panel according to the present invention includes gate lines to which gate pulses are supplied, data lines to which data voltages are supplied, pixels defined by the gate lines and the data lines, and each of the pixels is provided. At least one oxide thin film transistor, light shields provided to overlap each of the oxide thin film transistors to block light flowing into the oxide thin film transistor, and a light shield electrically connecting at least two of the light shields contains bridges.

Description

표시패널 및 이를 이용한 표시장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME}Display panel and display device using the same {DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME}

본 발명은 표시패널 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display panel and a display device using the same.

휴대전화, 태블릿PC, 노트북 등을 포함한 다양한 종류의 전자제품에는 평판표시장치(FPD : Flat Panel Display)가 이용되고 있다. 평판표시장치에는, 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP : Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED : Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동표시장치(EPD : ELECTROPHORETIC DISPLAY)도 널리 이용되고 있다. Flat Panel Displays (FPDs) are used in various types of electronic products, including mobile phones, tablet PCs, and laptop computers. Flat panel display devices include Liquid Crystal Display (LCD), Plasma Display Panel (PDP), Organic Light Emitting Display Device (OLED), etc. Recently, electrophoretic display devices (EPD: ELECTROPHORETIC DISPLAY) is also widely used.

평판표시장치(이하, 간단히 '표시장치'라 함)들 중에서, 액정표시장치(LCD)는 액정을 이용하여 영상을 표시하며, 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용한다.Among flat panel displays (hereinafter simply referred to as 'display devices'), a liquid crystal display (LCD) displays images using liquid crystal, and an organic light emitting display device emits light by itself. use small ones

표시장치를 구성하는 표시패널에는 영상 출력을 위해 복수의 스위칭 소자들이 구비된다. 상기 스위칭 소자들은 박막트랜지스터들로 구성될 수 있다. 상기 박막트랜지스터들은 아모퍼스 실리콘으로 구성될 수도 있고, 폴리실리콘으로 구성될 수도 있으며, 산화물로 구성될 수도 있다. A display panel constituting the display device is provided with a plurality of switching elements to output an image. The switching elements may be composed of thin film transistors. The thin film transistors may be made of amorphous silicon, polysilicon, or oxide.

도 1은 종래의 표시패널에 구비된 코플라나 형태의 박막트랜지스터의 단면을 나타낸 예시도이며, 특히, 산화물 반도체로 구성된 박막트랜지스터의 단면을 나타낸 예시도이다.1 is an exemplary view showing a cross section of a thin film transistor of a coplanar type provided in a conventional display panel, and in particular, an exemplary view showing a cross section of a thin film transistor made of an oxide semiconductor.

산화물 반도체로 구성된 박막트랜지스터(이하, 간단히 산화물 박막트랜지스터라 함)는 빛에 민감하다. 특히, 도 1에 도시된 바와 같은 코플라나 형태의 산화물 박막트랜지스터(T)로 구성된 표시패널에서는, 빛이 산화물 박막트랜지스터(T)로 유입되기 쉽다.A thin film transistor made of an oxide semiconductor (hereinafter simply referred to as an oxide thin film transistor) is sensitive to light. Particularly, in the display panel including the oxide thin film transistor T in the coplanar form as shown in FIG. 1 , light is easily introduced into the oxide thin film transistor T.

코플라나 형태의 산화물 박막트랜지스터(T)의 채널로 빛이 입사되면, 단기적으로는 산화물 박막트랜지스터(T)의 특성이 달라지며, 이에 따라, 산화물 박막트랜지스터의 온 또는 오프 상태가 불안정해 질 수 있다. When light is incident on the channel of the oxide thin film transistor (T) in the coplanar form, the characteristics of the oxide thin film transistor (T) change in the short term, and accordingly, the on or off state of the oxide thin film transistor may become unstable. .

또한, 장기적으로는 산화물 박막트랜지스터의 열화 현상이 심각하게 발생될 수 있다. In addition, in the long term, degradation of the oxide thin film transistor may seriously occur.

본 발명은 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드들과 연결된 라이트 쉴드 브리지가, 상기 산화물 박막트랜지스터의 게이트와 연결된 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 있는, 표시패널 및 이를 이용한 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display panel and a display device using the same, in which a light shield bridge connected to light shields blocking light flowing into an oxide thin film transistor is electrically connected to a gate line connected to a gate of the oxide thin film transistor. .

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 표시패널은, 게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인들, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인들, 상기 게이트 라인들과 상기 데이터 라인들에 의해 정의되는 픽셀들, 상기 픽셀들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터들, 상기 산화물 박막트랜지스터들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드들 및 상기 라이트 쉴드들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지들을 포함한다. 여기서, 상기 게이트 라인들 각각은 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지와 전기적으로 연결된다. 상기 산화물 박막트랜지스터들 중 상기 게이트 라인에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들은, 상기 게이트 라인에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지와 연결된 상기 라이트 쉴드들과 중첩된다. In order to solve the above problems, a display panel according to the present invention has gate lines to which gate pulses are supplied, data lines to which data voltages are supplied, and pixels defined by the gate lines and the data lines. , at least one oxide thin film transistor provided in each of the pixels, light shields overlapping each of the oxide thin film transistors to block light flowing into the oxide thin film transistor, and at least two of the light shields It includes light shield bridges that electrically connect the Here, each of the gate lines is electrically connected to at least one light shield bridge. Among the oxide thin film transistors, oxide thin film transistors driven by the gate line overlap the light shields connected to the light shield bridge connected to the gate line.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 표시장치는, 상기 표시패널, 상기 표시패널에 구비된 게이트 라인들로 게이트 펄스를 공급하는 게이트 드라이버, 상기 표시패널에 구비된 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버 및 상기 게이트 드라이버와 상기 데이터 드라이버를 제어하는 제어부를 포함한다. 상기 게이트 드라이버는 상기 표시패널에 장착되거나 또는 상기 표시패널과 일체로 구비된다.A display device according to the present invention to solve the above problems is a display panel, a gate driver supplying gate pulses to gate lines provided in the display panel, and data lines provided in the display panel. It includes a data driver for supplying voltage and a control unit for controlling the gate driver and the data driver. The gate driver is mounted on the display panel or integrally provided with the display panel.

본 발명에 의하면, 스위칭 소자로 이용되는 산화물 박막트랜지스터의 빛에 의한 오동작 및 열화가 방지될 수 있다.According to the present invention, malfunction and deterioration of the oxide thin film transistor due to light can be prevented.

본 발명에 의하면, 라이트 쉴드로 전압이 공급되기 때문에, 스위칭 소자로 이용되는 산화물 박막트랜지스터의 온 컨덕턴스가 증가될 수 있으며, 산화물 박막트랜지스터의 오프 특성이 향상될 수 있다. According to the present invention, since the voltage is supplied to the light shield, the on conductance of the oxide thin film transistor used as a switching element can be increased and the off characteristic of the oxide thin film transistor can be improved.

본 발명에 의하면, 라이트 쉴드로 전압을 인가하기 위해, 별도의 배선이 요구되지 않기 때문에, 개구율이 향상될 수 있다.According to the present invention, since a separate wire is not required to apply a voltage to the light shield, the aperture ratio can be improved.

절연막으로 이용되는 버퍼의 두께가 작은 경우, 게이트 라인과 라이트 쉴드 브리지 간의 커플링 효과가 증가될 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 버퍼의 두께가 작아질 수 있으며, 따라서, 전체적으로 표시패널 및 표시장치의 두께가 감소될 수 있다. When the thickness of the buffer used as the insulating layer is small, a coupling effect between the gate line and the light shield bridge may be increased. Therefore, according to the present invention, the thickness of the buffer can be reduced, and thus, the thickness of the display panel and the display device as a whole can be reduced.

도 1은 종래의 표시패널에 구비된 코플라나 형태의 박막트랜지스터의 단면을 나타낸 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 표시장치의 구성을 나타낸 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 표시패널의 하나의 수평라인에 구비된 픽셀들을 나타낸 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 표시패널의 일실시예 평면도.
도 5는 본 발명에 따른 표시패널의 단면을 나타낸 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 표시패널의 하나의 수평라인에 구비된 픽셀들을 나타낸 또 다른 예시도.
도 7은 본 발명에 따른 표시패널에 구비된 하나의 픽셀을 개략적으로 나타낸 예시도.
도 8은 본 발명에 따른 표시패널에 구비된 하나의 픽셀을 개략적으로 나타낸 또 다른 예시도.
도 9는 본 발명에 따른 표시패널의 특징을 설명하기 위한 종래의 표시패널의 등가회로도.
도 10은 도 9의 등가회로도에 의한 파형들을 나타낸 예시도.
도 11은 본 발명에 따른 표시패널의 등가회로도.
도 12는 도 11의 등가회로도에 의한 파형들을 나타낸 예시도.
도 13은 본 발명에 따른 표시패널에 적용되는 커플링 효과를 설명하기 위한 파형도.
도 14는 본 발명에 따른 표시패널의 단면을 나타낸 또 다른 예시도.1 is an exemplary view showing a cross-section of a thin film transistor of a coplanar type provided in a conventional display panel.
2 is an exemplary view showing the configuration of a display device according to the present invention;
3 is an exemplary diagram illustrating pixels included in one horizontal line of a display panel according to the present invention;
4 is a plan view of an embodiment of a display panel according to the present invention.
5 is an exemplary view showing a cross section of a display panel according to the present invention.
6 is another exemplary view illustrating pixels included in one horizontal line of a display panel according to the present invention;
7 is an exemplary diagram schematically illustrating one pixel included in a display panel according to the present invention;
8 is another exemplary diagram schematically illustrating one pixel included in the display panel according to the present invention;
9 is an equivalent circuit diagram of a conventional display panel for explaining the characteristics of the display panel according to the present invention.
10 is an exemplary view showing waveforms according to the equivalent circuit diagram of FIG. 9;
11 is an equivalent circuit diagram of a display panel according to the present invention.
12 is an exemplary view showing waveforms according to the equivalent circuit diagram of FIG. 11;
13 is a waveform diagram for explaining a coupling effect applied to a display panel according to the present invention;
14 is another exemplary view showing a cross section of a display panel according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those skilled in the art in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. In this specification, it should be noted that in adding reference numerals to components of each drawing, the same components have the same numbers as much as possible, even if they are displayed on different drawings.

본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.Since the shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiment of the present invention are exemplary, the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numbers designate like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, 'on top of', 'on top of', 'at the bottom of', 'next to', etc. Or, unless 'directly' is used, one or more other parts may be located between the two parts.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal precedence relationship is described in terms of 'after', 'following', 'next to', 'before', etc. It can also include non-continuous cases unless is used.

‘적어도 하나’의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, ‘제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나’의 의미는 제1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term 'at least one' should be understood to include all conceivable combinations from one or more related items. For example, 'at least one of the first item, the second item, and the third item' means not only the first item, the second item, or the third item, but also two of the first item, the second item, and the third item. It means a combination of all items that can be presented from one or more.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or can be implemented together in an association relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예가 상세히 설명된다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 표시장치의 구성을 나타낸 예시도이다.2 is an exemplary view showing the configuration of a display device according to the present invention.

본 발명에 따른 표시장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 라인들(GL1 to GLg)과 데이터 라인들(DL1 to DLd)에 의해 정의되는 픽셀(P)(110)들이 형성되어 있으며 영상이 출력되는 표시패널(100), 상기 패널(100)에 구비된 상기 게이트 라인들(GL1 to GLg)에 순차적으로 게이트 펄스를 공급하는 게이트 드라이버(200), 상기 패널(100)에 구비된 상기 데이터 라인들(DL1 to DLd)로 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버(300) 및 상기 게이트 드라이버(200)와 상기 데이터 드라이버(300)를 제어하는 제어부(400)를 포함한다. As shown in FIG. 2 , the display device according to the present invention has pixels (P) 110 defined by gate lines GL1 to GLg and data lines DL1 to DLd, and an image is formed. The output display panel 100, the gate driver 200 sequentially supplying gate pulses to the gate lines GL1 to GLg provided on the panel 100, and the data line provided on the panel 100 A data driver 300 supplies data voltages to DL1 to DLd and a controller 400 controls the gate driver 200 and the data driver 300 .

우선, 상기 표시패널(100)에는, 복수의 게이트 라인들(GL1 to GLg)과 데이터 라인들(DL1 to DLd) 및, 복수의 픽셀(P)(110)들이 형성되어 있다. First, a plurality of gate lines GL1 to GLg, data lines DL1 to DLd, and a plurality of pixels P 110 are formed in the display panel 100 .

상기 표시패널(100)은 액정표시장치에 적용되는 액정 표시패널이 될 수도 있으며, 유기발광 표시장치에 적용되는 유기발광 표시패널이 될 수도 있다.The display panel 100 may be a liquid crystal display panel applied to a liquid crystal display device or an organic light emitting display panel applied to an organic light emitting display device.

상기 표시패널(100)이 상기 액정 표시패널인 경우, 상기 표시패널(100)에 구비된 각 픽셀(110)에는, 액정을 구동하는 스위칭 소자로 이용되는 하나의 박막트랜지스터가 구비된다.When the display panel 100 is the liquid crystal display panel, each pixel 110 included in the display panel 100 includes one thin film transistor used as a switching element for driving liquid crystal.

상기 표시패널(100)이 상기 유기발광 표시패널인 경우, 상기 표시패널(100)에 구비된 각 픽셀(110)에는, 광을 출력하는 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 픽셀 구동부를 포함한다.When the display panel 100 is the organic light emitting display panel, each pixel 110 provided in the display panel 100 includes an organic light emitting diode (OLED) that outputs light and the organic light emitting diode (OLED). It includes a pixel driver for driving.

상기 픽셀 구동부는, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 구동을 제어하기 위한 적어도 두 개 이상의 박막트랜지스터들로 구성될 수 있다. The pixel driver may include at least two thin film transistors for controlling driving of the organic light emitting diode (OLED).

본 발명에 적용되는 상기 박막트랜지스터들은 산화물 반도체를 포함하는 산화물 박막트랜지스터들이며, 상기 산화물 박막트랜지스터들은 코플라나 형태가 될 수 있다. The thin film transistors applied to the present invention are oxide thin film transistors including an oxide semiconductor, and the oxide thin film transistors may have a coplanar shape.

다음, 상기 제어부(400)는 외부 시스템으로부터 공급되는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭을 이용하여, 상기 게이트 드라이버(200)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와, 상기 데이터 드라이버(300)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 출력한다. Next, the control unit 400 generates a gate control signal (GCS) for controlling the gate driver 200 and the data driver 300 using a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock supplied from an external system. It outputs a data control signal (DCS) for controlling.

또한, 상기 제어부(400)는 상기 외부 시스템으로부터 입력되는 입력영상데이터를 샘플링한 후에 이를 재정렬하여, 재정렬된 디지털 영상데이터(Data)를 상기 데이터 드라이버(300)에 공급한다.In addition, the controller 400 samples the input image data input from the external system, rearranges them, and supplies the rearranged digital image data to the data driver 300 .

다음, 상기 데이터 드라이버(300)는 상기 제어부(400)로부터 입력된 상기 영상데이터(Data)를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여, 상기 게이트 라인(GL)에 상기 게이트 펄스가 공급되는 1수평기간마다 1수평라인분의 데이터 전압을 상기 데이터 라인들(DL1 to DLd)에 공급한다. Next, the data driver 300 converts the image data (Data) input from the control unit 400 into an analog data voltage, so that the gate line (GL) receives one horizontal signal per horizontal period when the gate pulse is supplied. A data voltage corresponding to a line is supplied to the data lines DL1 to DLd.

마지막으로, 상기 게이트 드라이버(200)는 상기 제어부(400)로부터 입력되는 상기 게이트 제어신호에 응답하여 상기 패널(100)의 상기 게이트 라인들(GL1 to GLg)로 게이트 펄스를 순차적으로 공급한다. 이에 따라, 상기 게이트 펄스가 입력되는 각각의 픽셀에 형성되어 있는 산화물 박막트랜지스터들이 턴온되어, 각 픽셀(110)로 영상이 출력될 수 있다.Finally, the gate driver 200 sequentially supplies gate pulses to the gate lines GL1 to GLg of the panel 100 in response to the gate control signal input from the controller 400 . Accordingly, the oxide thin film transistors formed in each pixel to which the gate pulse is input are turned on, and an image can be output to each pixel 110 .

상기 게이트 드라이버(200)는, 상기 패널(100)과 독립되게 형성되어, 다양한 방식으로 상기 패널(100)과 전기적으로 연결될 수 있는 형태로 구성될 수 있으나, 상기 패널(100) 내에 실장되는 게이트 인 패널(Gate In Panel : GIP) 방식으로 구성될 수도 있다. The gate driver 200 is formed independently of the panel 100 and can be configured in a form that can be electrically connected to the panel 100 in various ways, but is a gate driver mounted in the panel 100. It may be configured in a panel (Gate In Panel: GIP) method.

도 3은 본 발명에 따른 표시패널의 하나의 수평라인에 구비된 픽셀들을 나타낸 예시도이다. 도 3에는 하나의 수평라인에 6개의 픽셀들이 도시되어 있는 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. 도 4는 본 발명에 따른 표시패널의 일실시예 평면도이며, 특히, 하나의 수평라인에서 인접되어 있는 두 개의 픽셀들을 나타낸 평면도이다. 또한, 도 3 및 도 4에는 액정 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. 따라서, 도 3 및 도 4에 도시된 표시패널(100)의 각 픽셀(110)에는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 픽셀전극(PE)에 연결된 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)가 구비된다. 도 5는 본 발명에 따른 표시패널의 단면을 나타낸 예시도이며, 특히, 산화물 박막트랜지스터(T)가 구비된 영역의 단면을 나타낸 예시도이다. 3 is an exemplary diagram illustrating pixels included in one horizontal line of a display panel according to the present invention. 3 shows a display panel in which six pixels are displayed on one horizontal line as an example of the present invention. 4 is a plan view of a display panel according to an embodiment of the present invention, and in particular, is a plan view showing two adjacent pixels in one horizontal line. 3 and 4 show a liquid crystal display panel as an example of the present invention. Therefore, in each pixel 110 of the display panel 100 shown in FIGS. 3 and 4 , one oxide thin film transistor T connected to the gate line GL, the data line DL, and the pixel electrode PE is provided. are provided 5 is an exemplary view showing a cross section of a display panel according to the present invention, and in particular, an exemplary view showing a cross section of a region including an oxide thin film transistor (T).

본 발명에 따른 표시패널(100)은 상기한 설명 및 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인(GL)들, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인(DL)들, 상기 게이트 라인(GL)들과 상기 데이터 라인(DL)들에 의해 정의되는 픽셀(110)들, 상기 픽셀(110)들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)들, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드(LS)들 및 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지(LSB)들을 포함한다. As described above and shown in FIGS. 3 and 4 , the display panel 100 according to the present invention includes gate lines GL supplied with gate pulses, data lines DL supplied with data voltages, and Pixels 110 defined by the gate lines GL and the data lines DL, at least one oxide thin film transistor T provided in each of the pixels 110, the oxide thin film transistor ( T) provided to overlap each of the light shields (LS) to block the light flowing into the oxide thin film transistor and the light shield bridges (LSB) electrically connecting at least two of the light shields (LS) include

상기 게이트 라인(GL)들로는 순차적으로 게이트 펄스가 공급된다.Gate pulses are sequentially supplied to the gate lines GL.

상기 데이터 라인(DL)들로는 데이터 전압이 공급된다.A data voltage is supplied to the data lines DL.

상기 픽셀(110)들은 상기 게이트 라인(GL)들과 상기 데이터 라인(DL)들에 의해 정의된다.The pixels 110 are defined by the gate lines GL and the data lines DL.

상기 픽셀(110)들 각각에는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)가 구비된다. 도 3 및 도 4에 도시된 표시패널(110)은 상기한 바와 같이 액정 표시패널이다. 따라서, 상기 픽셀(110)들 각각에는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 픽셀전극(PE)에 연결된 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)가 구비된다.Each of the pixels 110 includes at least one oxide thin film transistor (T). The display panel 110 shown in FIGS. 3 and 4 is a liquid crystal display panel as described above. Accordingly, each of the pixels 110 includes one oxide thin film transistor T connected to the gate line GL, the data line DL, and the pixel electrode PE.

상기 라이트 쉴드(LS)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)와 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터(T)로 유입되는 빛을 차단한다. As shown in FIG. 4 , the light shield LS is provided to overlap with the oxide thin film transistor T to block light from entering the oxide thin film transistor T.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시킨다. 도 3에는 하나의 수평라인에 구비된 모든 픽셀(110)들에 구비된 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들이 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 연결되어 있는 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. The light shield bridge LSB electrically connects at least two of the light shields LS. 3 shows a display panel in which the oxide thin film transistors T provided in all the pixels 110 provided in one horizontal line are connected to one light shield bridge LSB as an example of the present invention. there is.

상기 게이트 라인(GL)들 각각은 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 전기적으로 연결된다. 도 3에는 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 게이트 라인(GL)에 전기적으로 연결되어 있는 표시패널(100)이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. Each of the gate lines GL is electrically connected to at least one light shield bridge LSB. 3 shows a display panel 100 in which one light shield bridge LSB is electrically connected to the gate line GL as an example of the present invention.

상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 중 상기 게이트 라인(GL)에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 연결된 상기 라이트 쉴드(LS)들과 중첩된다. Among the oxide thin film transistors T, the oxide thin film transistors driven by the gate line GL are connected to the light shield bridge LSB connected to the gate line GL, as shown in FIG. 4 . It overlaps with the light shields (LS).

예를 들어, 도 3 내지 도 5에 도시된 표시패널(100)의 각 픽셀에는 하나의 상기 산화물 박막트랜지스터(T)가 구비되며, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트 라인(GL)과 연결된 게이트(Gate), 상기 데이터 라인과 연결된 제1전극(E1) 및 상기 픽셀전극(PE)과 연결된 제2전극(E2)을 포함한다. 이 경우, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스에 의해 구동되고, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는 상기 게이트 라인(GL)과 연결되며, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 연결된 상기 라이트 쉴드(LS)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)와 중첩되어 있다. For example, each pixel of the display panel 100 shown in FIGS. 3 to 5 includes one oxide thin film transistor T, and the oxide thin film transistor T is connected to the gate line GL. It includes a gate, a first electrode E1 connected to the data line, and a second electrode E2 connected to the pixel electrode PE. In this case, the oxide thin film transistor T is driven by a gate pulse supplied to the gate line GL, the light shield bridge LSB is connected to the gate line GL, and the light shield bridge ( As shown in FIGS. 4 and 5 , the light shield LS connected to the LSB overlaps the oxide thin film transistor T.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는, 적어도 하나의 컨택홀(CH)을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 연결된다. 도 3에는 상기 게이트 라인(GL)에 하나의 라인트 쉴드 브리지(LSB)가 연결되고, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 두 개의 컨택홀(CH)을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 연결되어 있는 표시패널(100)이 본 발명의 일예로서도시되어 있다. The light shield bridge LSB is connected to the gate line GL through at least one contact hole CH. 3 shows that one linet shield bridge LSB is connected to the gate line GL, and the light shield bridge LSB is connected to the gate line GL through two contact holes CH. Panel 100 is shown as an example of the present invention.

이 경우, 두 개의 상기 컨택홀(CH)들은 상기 표시패널(100) 중 상기 픽셀(110)들이 구비된 표시영역의 외곽에 구비되는 비표시영역에 구비될 수 있다. 그러나, 상기 컨택홀(CH)들은 상기 표시영역에 구비될 수도 있다. In this case, the two contact holes CH may be provided in a non-display area of the display panel 100 provided outside the display area in which the pixels 110 are provided. However, the contact holes CH may be provided in the display area.

상기 게이트 라인(GL)에 연결된 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는, 상기 게이트 라인(GL)과 중첩된다. 도 3 및 도 4에는 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 게이트 라인(GL)과 중첩되어 있는 표시패널(100)이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. At least one light shield bridge LSB connected to the gate line GL overlaps the gate line GL. 3 and 4 show a display panel 100 in which one light shield bridge LSB overlaps the gate line GL as an example of the present invention.

상기 산화물 박막트랜지스터(T)들은, 도 5에 도시된 바와 같이 코플라나 형태로 구성된다. 상기 라이트 쉴드(LS)들 및 상기 라인트 쉴드 브리지(LSB)들은, 버퍼(112)에 의해 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들을 구성하는 채널(C)들과 절연된다. As shown in FIG. 5, the oxide thin film transistors T are configured in a coplanar shape. The light shields LS and the light shield bridges LSB are insulated from the channels C constituting the oxide thin film transistors T by a buffer 112 .

예를 들어, 상기 표시패널(100)은 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(111), 상기 기판(111)에 구비되는 상기 라이트 쉴드(LS), 상기 라이트 쉴드(LS)를 커버하는 상기 버퍼(112), 상기 버퍼(112)에 구비되는 상기 산화물 박막트랜지스터(T), 상기 산화물 박막트랜지스터(T)를 커버하는 보호막(114) 및 상기 보호막(114)에 구비되는 상기 픽셀전극(PE)을 포함한다. For example, as shown in FIG. 5 , the display panel 100 includes a substrate 111, the light shield LS provided on the substrate 111, and the buffer covering the light shield LS. (112), the oxide thin film transistor (T) provided in the buffer 112, the passivation layer 114 covering the oxide thin film transistor (T) and the pixel electrode (PE) provided on the passivation layer 114 include

코플라나 형태로 구성되는 상기 산화물 박막트랜지스터(T)는 상기 채널(C), 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 채널(C)과 절연되어 있는 게이트(Gate), 상기 채널(C)에 연결된 제1전극(E1), 상기 채널(C)에 연결된 제2전극(E2)을 포함한다. The oxide thin film transistor (T) configured in a coplanar shape includes the channel (C), a gate insulated from the channel (C) with a gate insulating film interposed therebetween, and a first electrode connected to the channel (C). (E1), and a second electrode (E2) connected to the channel (C).

도 6은 본 발명에 따른 표시패널의 하나의 수평라인에 구비된 픽셀들을 나타낸 또 다른 예시도이다. 도 6에는 하나의 수평라인에 6개의 픽셀들이 도시되어 있는 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. 또한, 도 6에는 액정 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. 이하의 설명 중, 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 내용과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. 6 is another exemplary view illustrating pixels included in one horizontal line of the display panel according to the present invention. 6 shows a display panel in which six pixels are displayed on one horizontal line as an example of the present invention. 6 shows a liquid crystal display panel as an example of the present invention. In the following description, the same or similar contents as those described with reference to FIGS. 3 to 5 are omitted or simply described.

상기한 설명 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시패널(100)은 게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인(GL)들, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인(DL)들, 상기 게이트 라인(GL)들과 상기 데이터 라인(DL)들에 의해 정의되는 픽셀(110)들, 상기 픽셀(110)들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)들, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드(LS)들 및 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지(LSB)들을 포함한다. As described above and shown in FIG. 6 , the display panel 100 according to the present invention includes gate lines GL to which gate pulses are supplied, data lines DL to which data voltages are supplied, and the gate lines ( GL) and the pixels 110 defined by the data lines DL, at least one oxide thin film transistor (T) provided in each of the pixels 110, the oxide thin film transistor (T) Light shields LS are overlapped with each other to block light flowing into the oxide thin film transistor, and light shield bridges LSB electrically connect at least two of the light shields LS.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시킨다. The light shield bridge LSB electrically connects at least two of the light shields LS.

특히, 도 6에는 하나의 수평라인에 구비된 6개의 픽셀(110)들 중 좌측에 구비된 3개의 픽셀(110)들에 구비된 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 및 우측에 구비된 3개의 픽셀(110)들에 구비된 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들이, 서로 다른 두 개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들에 각각 연결되어 있는 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. In particular, in FIG. 6 , among the six pixels 110 provided in one horizontal line, the oxide thin film transistors T provided in the three pixels 110 provided on the left side and the three pixels provided on the right side A display panel in which the oxide thin film transistors T provided in 110 are respectively connected to two different light shield bridges LSB is shown as an example of the present invention.

이 경우, 상기 게이트 라인(GL)들 각각은 하나의 수평라인에 구비된 적어도 두 개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들과 전기적으로 연결된다. 도 6에는 두 개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들이 상기 게이트 라인(GL)에 전기적으로 연결되어 있는 표시패널(100)이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. In this case, each of the gate lines GL is electrically connected to at least two light shield bridges LSB provided on one horizontal line. 6 shows a display panel 100 in which two light shield bridges LSB are electrically connected to the gate line GL as an example of the present invention.

상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 중 상기 게이트 라인(GL)에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들은, 상기 게이트 라인(GL)에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들과 연결된 상기 라이트 쉴드(LS)들과 중첩된다. Among the oxide thin film transistors T, the oxide thin film transistors driven by the gate line GL are connected to the light shield bridges LSB connected to the gate line GL and the light shield LS connected to the gate line GL. overlap

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들 각각은, 적어도 하나의 컨택홀(CH)을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 연결된다. 도 6에는 상기 게이트 라인(GL)에 두 개의 라인트 쉴드 브리지(LSB)들이 연결되고, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들 각각이 하나의 컨택홀(CH)을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 연결되어 있는 표시패널(100)이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. Each of the light shield bridges LSB is connected to the gate line GL through at least one contact hole CH. 6, two line shield bridges LSB are connected to the gate line GL, and each of the light shield bridges LSB is connected to the gate line GL through one contact hole CH. A display panel 100 is shown as an example of the present invention.

이 경우, 각각의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 구비된 상기 컨택홀(CH)은 상기 표시패널(100) 중 상기 픽셀(110)들이 구비된 표시영역의 외곽에 구비되는 비표시영역에 구비될 수 있다. 그러나, 상기 컨택홀(CH)은 상기 표시영역에 구비될 수도 있다. In this case, the contact hole CH provided in each of the light shield bridges LSB is provided in a non-display area provided outside the display area including the pixels 110 of the display panel 100. can However, the contact hole CH may be provided in the display area.

상기 게이트 라인(GL)에 연결된 두 개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들은, 상기 게이트 라인(GL)과 중첩된다. The two light shield bridges LSB connected to the gate line GL overlap the gate line GL.

상기 설명에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)에 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 연결되어 있는 표시패널(110) 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)에 두 개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 연결되어 있는 표시패널(110)이 본 발명의 일예로서 설명되었다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. In the above description, as shown in FIG. 3, the display panel 110 in which one light shield bridge LSB is connected to the gate line GL, and as shown in FIG. 6, the gate line ( The display panel 110 to which the two light shield bridges LSB are connected to GL has been described as an example of the present invention. However, the present invention is not limited thereto.

따라서, 상기 게이트 라인(GL)에는 적어도 3개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들이 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들 각각은 상기 표시영역 또는 상기 비표시영역에서 상기 컨택홀을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 각각의 라이트 쉴드 브리지(LSB)에는 적어도 두 개의 상기 라이트 쉴드(LS)가 연결될 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)에 연결된 적어도 3개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들은 상기 게이트 라인과 중첩되게 배치된다. Accordingly, at least three light shield bridges LSB may be connected to the gate line GL. In this case, each of the light shield bridges LSB may be electrically connected to the gate line GL through the contact hole in the display area or the non-display area. At least two light shields LS may be connected to each light shield bridge LSB. At least three light shield bridges LSB connected to the gate line GL are disposed to overlap the gate line.

상기 산화물 박막트랜지스터(T)들은, 상기한 바와 같이, 코플라나 형태로 구성된다. As described above, the oxide thin film transistors T are configured in a coplanar shape.

도 7은 본 발명에 따른 표시패널에 구비된 하나의 픽셀을 개략적으로 나타낸 예시도이다. 도 7에는, 유기발광 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. 이하의 설명 중, 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명된 내용과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. 7 is an exemplary diagram schematically illustrating one pixel included in the display panel according to the present invention. 7 shows an organic light emitting display panel as an example of the present invention. In the following description, the same or similar contents to those described with reference to FIGS. 3 to 6 are omitted or simply described.

상기한 설명 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시패널(100)은 게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인(GL)들, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인(DL)들, 상기 게이트 라인(GL)들과 상기 데이터 라인(DL)들에 의해 정의되는 픽셀(110)들, 상기 픽셀(110)들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)들, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드(LS)들 및 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지(LSB)들을 포함한다. As described above and shown in FIG. 7 , the display panel 100 according to the present invention includes gate lines GL to which gate pulses are supplied, data lines DL to which data voltages are supplied, and the gate lines ( GL) and the pixels 110 defined by the data lines DL, at least one oxide thin film transistor (T) provided in each of the pixels 110, the oxide thin film transistor (T) Light shields LS are overlapped with each other to block light flowing into the oxide thin film transistor, and light shield bridges LSB electrically connect at least two of the light shields LS.

특히, 상기 표시패널(100)이 도 7에 도시된 바와 같은 유기발광 표시패널인 경우, 상기 표시패널(100)에 구비된 각 픽셀에는, 광을 출력하는 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 픽셀 구동부(PD)를 포함한다.In particular, when the display panel 100 is an organic light emitting display panel as shown in FIG. 7 , each pixel included in the display panel 100 includes an organic light emitting diode (OLED) that outputs light and the organic light emitting diode (OLED). and a pixel driver PD for driving the diode OLED.

상기 픽셀 구동부(PD)는, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 구동을 제어하기 위한 적어도 두 개 이상의 산화물 박막트랜지스터들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 픽셀 구동부(PD)는 스위칭용 산화물 박막트랜지스터(T1), 센싱용 산화물 박막트랜지스터(T2) 및 구동용 산화물 박막트랜지스터(Tdr)를 포함한다. 상기 스위칭용 산화물 박막트랜지스터(T1)는 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결되고, 상기 센싱용 산화물 박막트랜지스터(T2)는 기준전압(Vref)이 공급되는 기준라인(RL), 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결되고, 상기 구동용 산화물 박막트랜지스터(Tdr)는 제1전압(EVDD)이 공급되는 제1전원라인(PL1) 및 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결되며, 상기 유기발광다이오드(OLED)는 상기 제1전원라인(PL1) 및 제2전압(EVSS)이 공급되는 제2전원라인(PL2)과 연결된다. 즉, 하나의 픽셀(110)에는 도 7에 도시된 바와 같이, 적어도 두 개의 산화물 박막트랜지스터들이 구비될 수 있다.The pixel driver PD may include at least two or more oxide thin film transistors for controlling driving of the organic light emitting diode OLED. For example, the pixel driver PD includes an oxide thin film transistor (T1) for switching, an oxide thin film transistor (T2) for sensing, and an oxide thin film transistor (Tdr) for driving. The switching oxide thin film transistor (T1) is connected to the gate line (GL), the data line (DL) and the organic light emitting diode (OLED), and the sensing oxide thin film transistor (T2) has a reference voltage (Vref). A first power line is connected to the reference line RL, the gate line GL, and the organic light emitting diode OLED, and the driving oxide thin film transistor Tdr is supplied with a first voltage EVDD. (PL1) and the organic light emitting diode (OLED) are connected, and the organic light emitting diode (OLED) is connected to the first power line (PL1) and the second power line (PL2) to which the second voltage (EVSS) is supplied. do. That is, as shown in FIG. 7 , one pixel 110 may include at least two oxide thin film transistors.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시킨다. The light shield bridge LSB electrically connects at least two of the light shields LS.

특히, 도 7에는 하나의 픽셀에 구비된 두 개의 상기 라이트 쉴드(LS)들이 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 연결되어 있는 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. In particular, FIG. 7 shows a display panel in which two light shields LS provided in one pixel are connected to one light shield bridge LSB as an example of the present invention.

상기 산화물 박막트랜지스터들(T1, T2, Tdr) 중 상기 게이트 라인(GL)에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들(T1, T2)은, 상기 게이트 라인(GL)에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들과 연결된 상기 라이트 쉴드(LS)들과 중첩된다. Among the oxide thin film transistors T1, T2 and Tdr, the oxide thin film transistors T1 and T2 driven by the gate line GL are the light shield bridges LSB connected to the gate line GL. It overlaps with the light shields LS connected to.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들 각각은, 적어도 하나의 컨택홀(CH)을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 연결된다. 도 7에는 상기 게이트 라인(GL)에 하나의 상기 라인트 쉴드 브리지(LSB)가 연결되고, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 하나의 컨택홀(CH)을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 연결되어 있는 표시패널(100)이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. Each of the light shield bridges LSB is connected to the gate line GL through at least one contact hole CH. 7, one line shield bridge LSB is connected to the gate line GL, and the light shield bridge LSB is connected to the gate line GL through one contact hole CH. A display panel 100 is shown as an example of the present invention.

이 경우, 각각의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 구비된 상기 컨택홀(CH)은 상기 표시패널(100) 중 상기 픽셀(110)들이 구비된 표시영역의 외곽에 구비되는 비표시영역에 구비될 수 있다. 그러나, 상기 컨택홀(CH)은 상기 표시영역에 구비될 수도 있다. In this case, the contact hole CH provided in each of the light shield bridges LSB is provided in a non-display area provided outside the display area including the pixels 110 of the display panel 100. can However, the contact hole CH may be provided in the display area.

상기 게이트 라인(GL)에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는, 상기 게이트 라인(GL)과 중첩된다. The light shield bridge LSB connected to the gate line GL overlaps the gate line GL.

상기 게이트 라인(GL)에는 적어도 2개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들이 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들 각각은 상기 표시영역 또는 상기 비표시영역에서 상기 컨택홀을 통해 상기 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 각각의 라이트 쉴드 브리지(LSB)에는 적어도 두 개의 상기 라이트 쉴드(LS)가 연결될 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)에 연결된 적어도 2개의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들은 상기 게이트 라인과 중첩되게 배치된다. At least two light shield bridges LSB may be connected to the gate line GL. In this case, each of the light shield bridges LSB may be electrically connected to the gate line GL through the contact hole in the display area or the non-display area. At least two light shields LS may be connected to each light shield bridge LSB. At least two light shield bridges LSB connected to the gate line GL are disposed to overlap the gate line.

상기 라이트 쉴드(LS)가 구비된 상기 산화물 박막트랜지스터들(T1, T2)은, 상기한 바와 같이, 코플라나 형태로 구성된다. As described above, the oxide thin film transistors T1 and T2 provided with the light shield LS are configured in a coplanar shape.

도 8은 본 발명에 따른 표시패널에 구비된 하나의 픽셀을 개략적으로 나타낸 또 다른 예시도이다. 도 8에는, 유기발광 표시패널이 본 발명의 일예로서 도시되어 있다. 이하의 설명 중, 도 3 내지 도 7을 참조하여 설명된 내용과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. 8 is another exemplary diagram schematically illustrating one pixel included in the display panel according to the present invention. 8 shows an organic light emitting display panel as an example of the present invention. In the following description, the same or similar contents to those described with reference to FIGS. 3 to 7 are omitted or simply described.

상기한 설명 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시패널(100)은 게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인(GL)들, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인(DL)들, 상기 게이트 라인(GL)들과 상기 데이터 라인(DL)들에 의해 정의되는 픽셀(110)들, 상기 픽셀(110)들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터(T)들, 상기 산화물 박막트랜지스터(T)들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드(LS)들 및 상기 라이트 쉴드(LS)들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지(LSB)들을 포함한다. As described above and shown in FIG. 8 , the display panel 100 according to the present invention includes gate lines GL to which gate pulses are supplied, data lines DL to which data voltages are supplied, and the gate lines ( GL) and the pixels 110 defined by the data lines DL, at least one oxide thin film transistor (T) provided in each of the pixels 110, the oxide thin film transistor (T) Light shields LS are overlapped with each other to block light flowing into the oxide thin film transistor, and light shield bridges LSB electrically connect at least two of the light shields LS.

상기 표시패널(100)이 도 8에 도시된 바와 같은 유기발광 표시패널인 경우, 상기 표시패널(100)에 구비된 각 픽셀에는, 광을 출력하는 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 픽셀 구동부(PD)를 포함한다.When the display panel 100 is an organic light emitting display panel as shown in FIG. 8 , each pixel included in the display panel 100 includes an organic light emitting diode (OLED) outputting light and the organic light emitting diode (OLED). and a pixel driver (PD) for driving an OLED.

이 경우, 상기 게이트 라인(GL)들 각각은 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 전기적으로 연결된다.In this case, each of the gate lines GL is electrically connected to at least one light shield bridge LSB.

상기 산화물 박막트랜지스터들(T1, T2, Tdr) 중 상기 게이트 라인(GL)에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들(T1)은, 상기 게이트 라인(GL)에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 연결된 상기 라이트 쉴드(LS)들과 중첩된다.Among the oxide thin film transistors T1, T2 and Tdr, the oxide thin film transistors T1 driven by the gate line GL are connected to the light shield bridge LSB connected to the gate line GL. It overlaps with the light shields (LS).

상기 게이트 라인(GL)에 연결된 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는, 상기 게이트 라인(GL)과 중첩된다.At least one light shield bridge LSB connected to the gate line GL overlaps the gate line GL.

특히, 도 8에 도시된 본 발명에 따른 표시패널(100)은, 상기 픽셀들 각각에 구비된 적어도 두 개의 상기 산화물 박막트랜지스터들 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하는 신호라인(SL)들을 더 포함한다.In particular, the display panel 100 according to the present invention shown in FIG. 8 further includes signal lines SL for supplying a driving signal to at least one of the at least two oxide thin film transistors provided in each of the pixels. .

이 경우, 상기 신호라인(SL)들 각각은 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 전기적으로 연결된다.In this case, each of the signal lines SL is electrically connected to at least one light shield bridge LSB.

상기 산화물 박막트랜지스터들(T1, T2, Tdr) 중 상기 신호라인(SL)에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터(T2)들은, 상기 신호라인(SL)에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 연결된 라이트 쉴드(LS)들과 중첩된다.Among the oxide thin film transistors T1, T2 and Tdr, the oxide thin film transistors T2 driven by the signal line SL are light shields connected to the light shield bridge LSB connected to the signal line SL. overlaps with (LS).

상기 신호라인(SL)에 연결된 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는, 상기 신호라인(SL)과 중첩된다.At least one light shield bridge LSB connected to the signal line SL overlaps the signal line SL.

부연하여 설명하면, 하나의 픽셀에 구비된 적어도 두 개의 산화물 박막트랜지스터들과 중첩되어 있는 적어도 두 개의 라이트 쉴드들 중, 적어도 하나는 상기 게이트 라인(GL)과 연결된 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 연결되며, 적어도 하나는 상기 신호라인(SL)과 연결된 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 연결된다. 상기 게이트 라인(GL)과 연결된 라이트 쉴드 브리지(LSB)는 상기 게이트 라인(GL)과 중첩되며, 상기 신호라인(SL)과 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)는 상기 신호라인(SL)과 중첩된다. To elaborate, at least one of the at least two light shields overlapping the at least two oxide thin film transistors provided in one pixel is connected to the light shield bridge LSB connected to the gate line GL, , at least one of which is connected to the light shield bridge LSB connected to the signal line SL. The light shield bridge LSB connected to the gate line GL overlaps the gate line GL, and the light shield bridge LSB connected to the signal line SL overlaps the signal line SL. .

도 9는 본 발명에 따른 표시패널의 특징을 설명하기 위한 종래의 표시패널의 등가회로도이고, 도 10은 도 9의 등가회로도에 의한 파형들을 나타낸 예시도이고, 도 11은 본 발명에 따른 표시패널의 등가회로도이며, 도 12는 도 11의 등가회로도에 의한 파형들을 나타낸 예시도이다. 9 is an equivalent circuit diagram of a conventional display panel for explaining characteristics of the display panel according to the present invention, FIG. 10 is an exemplary view showing waveforms according to the equivalent circuit diagram of FIG. 9, and FIG. 11 is a display panel according to the present invention. It is an equivalent circuit diagram of , and FIG. 12 is an exemplary view showing waveforms according to the equivalent circuit diagram of FIG. 11 .

첫째, 도 9 및 도 10은, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 신호라인(SL)과 중첩되지 않는 경우에도 적용될 수 있으나, 이하에서는, 도 9 및 도 10을 참조하여, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 게이트 라인(GL)가 중첩되지 않은 경우가 설명된다. First, although FIGS. 9 and 10 may be applied even when the light shield bridge LSB does not overlap the signal line SL, hereinafter, referring to FIGS. 9 and 10, the light shield bridge ( A case in which LSB) does not overlap the gate line GL will be described.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)은 서로 동일한 물질로 형성될 수도 있으나 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에는, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성된 상기 라이트 쉴드(LS)가 연결될 수 있다. 따라서, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)의 저항들(R1, R2) 및 캐패시턴스들(C1, C2)은 서로 다르다.The light shield bridge LSB and the gate line GL may be formed of the same material or different materials. In addition, the light shield LS formed of the same material as or a different material from the light shield bridge LSB may be connected to the light shield bridge LSB. Accordingly, resistances R1 and R2 and capacitances C1 and C2 of the light shield bridge LSB and the gate line GL are different from each other.

상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 도 9에 도시된 바와 같이 전기적으로 서로 연결되어 있더라도, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 서로 중첩되어 있지 않으면, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB) 사이에는 캐패시턴스가 형성되지 않는다. Even if the gate line GL and the light shield bridge LSB are electrically connected to each other as shown in FIG. 9 , if the gate line GL and the light shield bridge LSB do not overlap each other, No capacitance is formed between the gate line GL and the light shield bridge LSB.

이 경우, 상기 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 게이트 펄스는 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)를 통해 상기 라이트 쉴드(LS)로 공급될 수 있다.In this case, the gate pulse supplied through the gate line GL may be supplied to the light shield LS through the light shield bridge LSB.

그러나, 상기한 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)의 저항(R1) 및 캐패시턴스(C1)가, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)의 저항(R2) 및 캐패시턴스(C2)와 다르기 때문에, 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)은 서로 다르다.However, as described above, since the resistance R1 and capacitance C1 of the gate line GL are different from the resistance R2 and capacitance C2 of the light shield bridge LSB, the gate line ( A voltage V1 of the gate pulse supplied to the GL) is different from a voltage V2 of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB.

예를 들어, 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)은 도 10에 도시된 바와 같이, 빠른 속도로 증가되나, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)은 도 10에 도시된 바와 같이 느린 속도로 증가된다. 따라서, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 연결된 라이트 쉴드(LS)와 중첩되어 있는 산화물 박막트랜지스터에서의 더블 게이트 효과는 미비하며, 오히려 악영향이 발생될 수도 있다. For example, as shown in FIG. 10 , the voltage V1 of the gate pulse supplied to the gate line GL increases rapidly, but the voltage V1 of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB ( V2) is increased at a slow rate as shown in FIG. 10 . Therefore, the double gate effect in the oxide thin film transistor overlapping the light shield LS connected to the light shield bridge LSB is insignificant, and adverse effects may occur.

둘째, 도 11 및 도 12는, 본 발명에서 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 신호라인(SL)과 중첩되는 경우에도 적용될 수 있으나, 이하에서는, 도 11 및 도 12를 참조하여, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 게이트 라인(GL)과 중첩되는 경우가 설명된다. Second, FIGS. 11 and 12 may be applied even when the light shield bridge LSB overlaps the signal line SL in the present invention, but hereinafter, with reference to FIGS. 11 and 12, the light shield A case where the bridge LSB overlaps the gate line GL will be described.

상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)은 서로 동일한 물질로 형성될 수도 있으나 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에는, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성된 상기 라이트 쉴드(LS)가 연결될 수 있다. 따라서, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)의 저항들(R1, R2) 및 캐패시턴스들(C1, C2)은 서로 다르다.The light shield bridge LSB and the gate line GL may be formed of the same material or different materials. In addition, the light shield LS formed of the same material as or a different material from the light shield bridge LSB may be connected to the light shield bridge LSB. Accordingly, resistances R1 and R2 and capacitances C1 and C2 of the light shield bridge LSB and the gate line GL are different from each other.

상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 도 11에 도시된 바와 같이 전기적으로 서로 연결되어 있고, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 서로 중첩되어 있으면, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB) 사이에는 커플링 효과에 의한 커플링 캐패시턴스(C0)가 형성된다.When the gate line GL and the light shield bridge LSB are electrically connected to each other as shown in FIG. 11 and the gate line GL and the light shield bridge LSB overlap each other, the A coupling capacitance C0 is formed between the gate line GL and the light shield bridge LSB due to a coupling effect.

이 경우, 상기 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 게이트 펄스는 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)를 통해 상기 라이트 쉴드(LS)로 공급될 수 있다.In this case, the gate pulse supplied through the gate line GL may be supplied to the light shield LS through the light shield bridge LSB.

상기한 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)의 저항(R1) 및 캐패시턴스(C1)가, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)의 저항(R2) 및 캐패시턴스(C2)와 다르더라도, 상기한 바와 같은 커플링 효과에 의해 형성된 상기 커플링 캐패시턴스(C0)에 의해, 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)은 서로 유사해 질 수 있다.As described above, even if the resistance R1 and capacitance C1 of the gate line GL are different from the resistance R2 and capacitance C2 of the light shield bridge LSB, coupling as described above Due to the coupling capacitance C0 formed by the effect, the voltage V1 of the gate pulse supplied to the gate line GL and the voltage V2 of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB are mutually can be similar

예를 들어, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)이 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)과 완전히 동일해 지지는 않더라도, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)은 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)과 유사한 형태로 증가될 수 있다. For example, even if the voltage V2 of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB is not completely equal to the voltage V1 of the gate pulse supplied to the gate line GL, the light shield bridge As shown in FIG. 12 , the voltage V2 of the gate pulse supplied to LSB may be increased in a similar manner to the voltage V1 of the gate pulse supplied to the gate line GL.

부연하여 설명하면, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)이 본 발명에서와 같이 중첩되어 있다면, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL) 사이에서 발생되는 커플링 효과에 의해, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)은 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)과 유사해질 수 있다. In other words, if the light shield bridge LSB and the gate line GL overlap as in the present invention, the coupling effect generated between the light shield bridge LSB and the gate line GL Accordingly, the voltage V2 of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB may be similar to the voltage V1 of the gate pulse supplied to the gate line GL.

따라서, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 연결된 라이트 쉴드(LS)와 중첩되어 있는 산화물 박막트랜지스터에서의 더블 게이트 효과가 증가될 수 있으며, 이에 따라, 상기 산화물 박막트랜지스터의 온오프 특성이 향상될 수 있다. Therefore, the double gate effect in the oxide thin film transistor overlapping the light shield LS connected to the light shield bridge LSB can be increased, and thus, the on-off characteristics of the oxide thin film transistor can be improved. .

도 13은 본 발명에 따른 표시패널에 적용되는 커플링 효과를 설명하기 위한 파형도이다.13 is a waveform diagram for explaining a coupling effect applied to a display panel according to the present invention.

우선, 도 10을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 중첩되어 있지 않은 경우의, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 파형은, 도 13에서 V2_0으로 도시되어 있다.First, as described with reference to FIG. 10 , the waveform of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB when the gate line GL and the light shield bridge LSB do not overlap is, It is shown as V2_0 in FIG. 13 .

다음, 도 13에 도시된 V2_1 파형, V2_2 파형 및 V2_3 파형은, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 본 발명에서와 같이 서로 중첩되어 있을 때, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 파형을 나타낸다. 이 경우, 상기 게이트 라인(GL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB) 사이의 커플링 캐패시턴스(C0)가 증가함에 따라, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 파형은 V2_1로부터 V2_2와 V2_3으로 변경된다.Next, when the gate line GL and the light shield bridge LSB overlap each other as in the present invention, the V2_1 waveform, the V2_2 waveform, and the V2_3 waveform shown in FIG. 13 correspond to the light shield bridge LSB. shows the waveform of the gate pulse supplied to In this case, as the coupling capacitance C0 between the gate line GL and the light shield bridge LSB increases, the waveform of the gate pulse supplied to the light shield bridge LSB varies from V2_1 to V2_2 and V2_3 is changed to

마지막으로, 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 파형은, 도 13에서 V1으로 도시되어 있다.Finally, the waveform of the gate pulse supplied to the gate line GL is shown as V1 in FIG. 13 .

상기한 바와 같이, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 게이트 라인과 중첩되어 있지 않은 경우보다, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)가 상기 게이트 라인과 중첩되어 있을 때, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V2)이 상기 게이트 라인으로 공급되는 게이트 펄스의 전압(V1)과 유사해진다. 이에 따라, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 연결된 라이트 쉴드(LS)와 중첩되어 있는 산화물 박막트랜지스터에서의 더블 게이트 효과가 증가될 수 있다.As described above, supply to the light shield bridge LSB when the light shield bridge LSB overlaps the gate line rather than when the light shield bridge LSB does not overlap the gate line. The voltage V2 of the gate pulse becomes similar to the voltage V1 of the gate pulse supplied to the gate line. Accordingly, the double gate effect in the oxide thin film transistor overlapping the light shield LS connected to the light shield bridge LSB can be increased.

또한, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)의 중첩에 의한 커플링 캐패시턴스(C0)가 증가될 수록, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압은, 상기 게이트 라인으로 공급되는 게이트 펄스의 전압과 더욱더 유사한 값을 갖게 된다.In addition, as shown in FIG. 13, as the coupling capacitance C0 due to the overlapping of the light shield bridge LSB and the gate line GL increases, the gate supplied to the light shield bridge LSB The voltage of the pulse has a value more and more similar to the voltage of the gate pulse supplied to the gate line.

도 14는 본 발명에 따른 표시패널의 단면을 나타낸 또 다른 예시도이며, 특히, 산화물 박막트랜지스터(T)가 구비된 영역의 단면을 나타낸 예시도이다. 14 is another exemplary view showing a cross section of a display panel according to the present invention, and in particular, an exemplary view showing a cross section of a region including an oxide thin film transistor (T).

상기에서 도 13을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)와 상기 게이트 라인(GL)의 중첩에 의한 커플링 캐패시턴스(C0)가 증가될 수록, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)로 공급되는 게이트 펄스의 전압은, 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스의 전압과 더욱더 유사한 값을 갖게 된다.As described above with reference to FIG. 13, as the coupling capacitance C0 due to the overlapping of the light shield bridge LSB and the gate line GL increases, supply to the light shield bridge LSB The voltage of the gate pulse becomes more similar to the voltage of the gate pulse supplied to the gate line GL.

따라서, 본 발명에서는 상기 커플링 캐패시턴스(CO)를 증가시키기 위해, 상기 라이트 쉴드(LS)와 상기 산화물 박막트랜지스터(T) 사이에 구비되는 상기 버퍼(112)의 두께가 감소될 수 있다.Therefore, in the present invention, in order to increase the coupling capacitance (CO), the thickness of the buffer 112 provided between the light shield (LS) and the oxide thin film transistor (T) can be reduced.

예를 들어, 도 5에 도시된 상기 표시패널에서의 상기 버퍼(112)의 두께보다, 도 14에 도시된 상기 표시패널에서의 상기 버퍼(112)의 두께가 더 작다. 이 경우, 도 14에 도시된 상기 표시패널에서의 상기 커플링 캐패시턴스(C0)의 크기는 도 5에 도시된 상기 표시패널에서의 상기 커플링 캐패시턴스(C0)의 크기보다 클 수 있다.For example, the thickness of the buffer 112 in the display panel shown in FIG. 14 is smaller than the thickness of the buffer 112 in the display panel shown in FIG. 5 . In this case, the magnitude of the coupling capacitance C0 in the display panel shown in FIG. 14 may be greater than the magnitude of the coupling capacitance C0 in the display panel shown in FIG. 5 .

따라서, 도 5에 도시된 표시패널에서보다, 도 14에 도시된 표시패널에서, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)에 연결된 라이트 쉴드(LS)와 중첩되어 있는 산화물 박막트랜지스터에서의 더블 게이트 효과가 더 증가될 수 있다.Therefore, in the display panel shown in FIG. 14, the double gate effect in the oxide thin film transistor overlapping with the light shield LS connected to the light shield bridge LSB is more increased than in the display panel shown in FIG. 5. It can be.

또한, 본 발명에서는 상기 커플링 캐패시턴스(CO)를 증가시키기 위해, 상기 라이트 쉴드(LS)들을 커버하는 상기 버퍼(112)의 두께와, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들을 커버하는 상기 버퍼의 두께가 다를 수 있다. In addition, in the present invention, in order to increase the coupling capacitance CO, the thickness of the buffer 112 covering the light shields LS and the thickness of the buffer covering the light shield bridges LSB are can be different.

예를 들어, 상기 라이트 쉴드(LS)들을 커버하는 상기 버퍼(112)의 두께가, 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB)들을 커버하는 상기 버퍼(112)의 두께보다 클 수도 있으며, 또는 작을 수도 있다.For example, the thickness of the buffer 112 covering the light shields LS may be larger or smaller than the thickness of the buffer 112 covering the light shield bridges LSB.

상기 버퍼(112)의 두께는 시뮬레이션 및 측정을 통해 결정될 수 있다.The thickness of the buffer 112 may be determined through simulation and measurement.

부연하여 설명하면, 상기 버퍼(112)의 두께는 전체적으로 감소될 수도 있으며, 또는 부분적으로 감소될 수도 있다. To elaborate, the thickness of the buffer 112 may be entirely reduced or partially reduced.

이하에서는, 본 발명의 특징이 간단히 정리된다.In the following, the features of the present invention are briefly summarized.

본 발명은 온오프 전압의 전달 성능이 향상된, 광차폐층(라이트 쉴드) 구조를 갖는, 표시패널 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display panel having a light shielding layer (light shield) structure with improved on/off voltage transfer performance and a display device using the same.

본 발명은 특히, 코플라나 형태의 산화물 박막트랜지스터(TFT)를 사용하는 표시패널에 관한 것이다.In particular, the present invention relates to a display panel using a coplanar type oxide thin film transistor (TFT).

본 발명에 의하면, 게이트 라인 또는 신호 라인을 통해 게이트로 인가되는 신호에 의해 구동되며, 온 또는 오프 동작을 수행하는 산화물 박막트랜지스터로 빛이 입사되는 현상이 방지될 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 상기 게이트 라인(GL) 또는 상기 신호라인(SL)과 상기 라이트 쉴드 브리지(LSB) 사이에서 커플링 효과에 의해 커플링 캐패시턴스(CO)가 형성된다. 상기 커플링 캐패시턴스(C0)에 의해, 상기 산화물 박막트랜지스터에서의 더블 게이트 효과가 더 증가될 수 있다. 이에 따라, 상기 산화물 박막트랜지스터의 온오프 특성이 향상될 수 있다. According to the present invention, a phenomenon in which light is incident to an oxide thin film transistor that is driven by a signal applied to a gate through a gate line or a signal line and performs an on or off operation can be prevented. In addition, according to the present invention, coupling capacitance CO is formed between the gate line GL or signal line SL and the light shield bridge LSB due to a coupling effect. A double gate effect in the oxide thin film transistor may be further increased by the coupling capacitance C0. Accordingly, on-off characteristics of the oxide thin film transistor may be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

100 : 패널 110 : 픽셀
200 : 게이트 드라이버 300 : 데이터 드라이버
400 : 제어부 100: panel 110: pixel
200: gate driver 300: data driver
400: control unit

Claims (7)

게이트 펄스가 공급되는 게이트 라인들;
데이터 전압이 공급되는 데이터 라인들;
상기 게이트 라인들과 상기 데이터 라인들에 의해 정의되는 픽셀들;
상기 픽셀들 각각에 구비되는 적어도 하나의 산화물 박막트랜지스터들;
상기 산화물 박막트랜지스터들 각각과 중첩되게 구비되어 상기 산화물 박막트랜지스터로 유입되는 빛을 차단하는 라이트 쉴드들; 및
상기 라이트 쉴드들 중 적어도 두 개를 전기적으로 연결시키는 라이트 쉴드 브리지들을 포함하고,
상기 게이트 라인들 각각은 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지와 전기적으로 연결되고,
상기 산화물 박막트랜지스터들 중 상기 게이트 라인에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들은, 상기 게이트 라인에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지와 연결된 상기 라이트 쉴드들과 중첩되어 있으며,
상기 라이트 쉴드 브리지와 상기 게이트 라인은, 상기 라이트 쉴드 브리지와 상기 게이트 라인이 중첩되어 있는 영역에 구비된 컨택홀을 통해 연결되는 표시패널.gate lines to which gate pulses are supplied;
data lines to which data voltages are supplied;
pixels defined by the gate lines and the data lines;
at least one oxide thin film transistor provided in each of the pixels;
light shields overlapping each of the oxide thin film transistors to block light flowing into the oxide thin film transistors; and
Light shield bridges electrically connecting at least two of the light shields;
Each of the gate lines is electrically connected to at least one light shield bridge,
Among the oxide thin film transistors, oxide thin film transistors driven by the gate line overlap the light shields connected to the light shield bridge connected to the gate line,
The light shield bridge and the gate line are connected through a contact hole provided in an area where the light shield bridge and the gate line overlap. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 픽셀들 각각에 구비된 적어도 두 개의 상기 산화물 박막트랜지스터들 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하는 신호라인들을 더 포함하고,
상기 신호라인들 각각은 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지와 전기적으로 연결되며,
상기 산화물 박막트랜지스터들 중 상기 신호라인에 의해 구동되는 산화물 박막트랜지스터들은, 상기 신호라인에 연결된 상기 라이트 쉴드 브리지와 연결된 라이트 쉴드들과 중첩되는 표시패널.According to claim 1,
Further comprising signal lines supplying a driving signal to at least one of the at least two oxide thin film transistors provided in each of the pixels,
Each of the signal lines is electrically connected to at least one light shield bridge,
Among the oxide thin film transistors, oxide thin film transistors driven by the signal line overlap light shields connected to the light shield bridge connected to the signal line. 제 3 항에 있어서,
상기 신호라인에 연결된 적어도 하나의 상기 라이트 쉴드 브리지는, 상기 신호라인과 중첩되는 표시패널.According to claim 3,
At least one light shield bridge connected to the signal line overlaps the signal line. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 산화물 박막트랜지스터들은 코플라나 형태로 구성되고,
상기 라이트 쉴드들 및 상기 라이트 쉴드 브리지들은, 버퍼에 의해 상기 산화물 박막트랜지스터들을 구성하는 채널들과 절연되고,
상기 라이트 쉴드들을 커버하는 상기 버퍼의 두께와, 상기 라이트 쉴드 브리지들을 커버하는 상기 버퍼의 두께가 다른 표시패널.According to claim 1,
The oxide thin film transistors are configured in a coplanar form,
The light shields and the light shield bridges are insulated from channels constituting the oxide thin film transistors by a buffer,
A display panel in which a thickness of the buffers covering the light shields is different from a thickness of the buffers covering the light shield bridges. 청구항 1, 청구항3, 청구항4 및 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 표시패널;
상기 표시패널에 구비된 게이트 라인들로 게이트 펄스를 공급하는 게이트 드라이버;
상기 표시패널에 구비된 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버; 및
상기 게이트 드라이버와 상기 데이터 드라이버를 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 게이트 드라이버는 상기 표시패널에 장착되거나 또는 상기 표시패널과 일체로 구비되는 표시장치.The display panel according to any one of claims 1, 3, 4 and 6;
a gate driver supplying gate pulses to gate lines provided in the display panel;
a data driver supplying data voltages to data lines provided in the display panel; and
a control unit controlling the gate driver and the data driver;
The gate driver is mounted on the display panel or integrally provided with the display panel.
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