KR102476100B1 - Light irradiating apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 급격히 상승하는 조사 강도 분포를 가지면서도, 조사 영역 내에서 대략 균일한 광을 조사할 수 있는 광 조사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따르면, 조사 대상물 상의 직사각형 형상의 조사 영역에 대해 광을 조사하는 광 조사장치가, 기판 상에 제1 방향을 따라 M개(M은, 2 이상의 정수) 나열되고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 N개(N은, 2 이상의 정수) 나열된 M × N개의 발광 소자, 발광 소자로부터 출사된 광을 소정의 확산각의 광으로 성형하는 렌즈 유닛, M × N개의 발광 소자의 광축을 직사각형 형상으로 둘러싸도록 형성된 제1 미러면을 가지고, 렌즈 유닛으로부터 출사되는 광을 도광하는 제1 도광 부재, 및 기판의 네 모서리에 배치된 발광 소자를 구획하도록 배치되고, 네 모서리에 배치된 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제2 미러면과 네 모서리에 배치된 발광 소자에 인접하는 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제3 미러면이 형성된 제2 도광 부재를 구비한다. An object of the present invention is to provide a light irradiation device capable of radiating substantially uniform light within an irradiation area while having a rapidly rising irradiation intensity distribution. According to the present invention, M light irradiation devices (M is an integer of 2 or more) are arranged on a substrate along a first direction and are orthogonal to the first direction. N light emitting elements (N is an integer of 2 or greater) arranged in a second direction, a lens unit for shaping the light emitted from the light emitting elements into light having a predetermined divergence angle, and an optical axis of the M x N light emitting elements. has a first mirror surface formed to enclose in a rectangular shape, the first light guiding member for guiding the light emitted from the lens unit, and the light emitting elements arranged at four corners of the substrate, arranged to partition the light emitting elements arranged at the four corners. A second light guide member having a second mirror surface for guiding light from the elements and a third mirror surface for guiding light from light emitting elements adjacent to the light emitting elements disposed at four corners are formed.

Figure R1020190022921
Figure R1020190022921

Description

광 조사장치 {LIGHT IRRADIATING APPARATUS}Light irradiation device {LIGHT IRRADIATING APPARATUS}

본 발명은, 감광성 레지스트를 도포한 기판(예를 들면, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판)의 주변 노광장치 등에 이용되는 광 조사장치에 관한 것으로서, 특히, 조사 대상물 상의 직사각형 형상의 조사 영역을 균일하게 조사하는 광 조사장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light irradiation device used for peripheral exposure of a substrate (e.g., a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask) coated with a photosensitive resist, and particularly, on an object to be irradiated. It relates to a light irradiation device that uniformly irradiates a rectangular irradiation area.

종래에는, 반도체(예를 들면, IC(Integrated Circuit)나 LSI(Large Scale Integrated circuit))의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 감광성 레지스트를 도포하고, 상기 레지스트층에 마스크를 통해 노광·현상함으로써, 회로 패턴을 형성한다. Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor (e.g., IC (Integrated Circuit) or LSI (Large Scale Integrated Circuit)), a photosensitive resist is applied to the surface of a semiconductor wafer, and the resist layer is exposed and developed through a mask. By doing so, a circuit pattern is formed.

반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트를 도포하는 방법으로서는, 일반적으로, 웨이퍼를 회전대 위에 탑재하고, 상기 웨이퍼 표면의 중심 부근에 레지스트를 적하하여 회전시켜, 원심력에 의해 웨이퍼의 표면 전체에 레지스트를 도포하는 스핀 코팅법이 이용되고 있다. As a method of applying a resist to the surface of a semiconductor wafer, generally, a wafer is placed on a rotating table, the resist is dropped and rotated near the center of the wafer surface, and spin coating is applied to the entire surface of the wafer by centrifugal force. law is being used.

이러한 스핀 코팅법에 있어서는, 레지스트는, 웨이퍼 중앙부의 회로 패턴 형성 영역뿐만 아니라, 회로 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼 단연부(端緣部)에도 도포되게 된다. 그러나, 웨이퍼 단연부(端緣部)는, 웨이퍼를 반송하기 위해 반송장치 등에 의해 파지(把持)되는 경우가 많고, 웨이퍼 단연부(端緣部)의 레지스트를 남긴 상태로 두게 되면, 웨이퍼 반송 중에 그 일부가 박리되어 결락(欠落)되는 문제가 있다. 그리고, 웨이퍼 단연부(端緣部)의 레지스트가 결락(欠落)되어, 그것이 웨이퍼의 회로 패턴 형성 영역에 부착되게 되면, 원하는 회로 패턴이 형성되지 않아, 수율이 저하되는 문제가 발생한다. 이로 인해, 일반적으로, 웨이퍼 단연부(端緣部)를 포함하는 그 주변에 자외광을 조사하는 주변 노광장치를 사용하여 레지스트의 노광을 실시하고, 웨이퍼 단연부(端緣部)에 도포된 불필요 레지스트를 제거하게 된다. In such a spin coating method, the resist is applied not only to the circuit pattern forming region in the central portion of the wafer, but also to the edge portion of the wafer where no circuit pattern is formed. However, the edge of the wafer is often held by a conveying device or the like to transport the wafer, and if the resist at the edge of the wafer is left, during wafer transport There is a problem that a part thereof is peeled off and missing. And, if the resist at the edge of the wafer is missing and adheres to the circuit pattern formation region of the wafer, a desired circuit pattern cannot be formed, resulting in a decrease in yield. For this reason, generally, the resist is exposed using a peripheral exposure apparatus that irradiates ultraviolet light to the periphery including the edge of the wafer, and the wafer edge is covered with unnecessary light. This will remove the register.

이러한 주변 노광장치에 의한 노광후, 에칭 등에 의해 웨이퍼 단연부(端緣部)의 불필요 레지스트가 제거되지만, 불필요 레지스트가 완전히 제거되지 않고, 웨이퍼 상에 얇게 남겨지게 되면(소위 그레이 존이라고 불리는 영역이 발생하게 되면), 후공정에 있어서의 레지스트 결락(欠落)의 원인이 된다. 이로 인해, 불필요 레지스트가 제거된 후의 레지스트 단부의 단면 형상(즉, 회로 패턴 형성 영역에 남는 레지스트 단부의 단면 형상)은, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼 단연부(端緣部)와의 사이에서 급격히 솟아 오르는(즉, 처짐이 적은) 형상이 되는 것이 바람직하다. After exposure by such a peripheral exposure device, unnecessary resist at the edge of the wafer is removed by etching or the like, but if the unnecessary resist is not completely removed and remains thin on the wafer (a so-called gray zone area If it occurs), it becomes a cause of resist missing in the subsequent process. For this reason, the cross-sectional shape of the end portion of the resist after unnecessary resist is removed (that is, the cross-sectional shape of the end portion of the resist remaining in the circuit pattern formation area) rises sharply between the circuit pattern formation area and the edge of the wafer. It is desirable to have a shape (that is, less sagging).

이러한 그레이 존 영역의 발생은, 주변 노광장치로부터 기판의 단연부(端緣部)에 투영되는 자외광의 조사 강도 분포에 기인하는 것이 알려져 있다. 즉, 주변 노광장치로부터 기판의 단연부(端緣部)에 투영되는 자외광의 조사 강도 분포가, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼 단연부(端緣部)와의 사이에서 완만하게 변화되는 것이면, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼 단연부(端緣部)와의 사이에서 노광이 불충분한 영역이 생겨버려, 회로 패턴 형성 영역에 남는 레지스트 단부의 단면 형상도 완만한 것으로 되어버린다(즉, 그레이 존 영역이 발생한다). 이로 인해, 주변 노광장치로부터 기판의 단연부(端緣部)에 투영되는 자외광의 조사 강도 분포는, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼 단연부(端緣部)와의 사이에서 급격히 솟아 오르는(즉, 처짐이 적은) 것이 바람직하며, 이러한 조사 강도 분포를 가지는 주변 노광장치가 실용화되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1). It is known that the occurrence of such a gray zone region is caused by the distribution of irradiation intensity of ultraviolet light projected from the peripheral exposure apparatus to the edge portion of the substrate. That is, if the irradiation intensity distribution of the ultraviolet light projected from the peripheral exposure device to the edge portion of the substrate changes gently between the circuit pattern formation region and the edge portion of the wafer, the circuit pattern An insufficiently exposed area is created between the formation area and the edge of the wafer, and the cross-sectional shape of the end portion of the resist remaining in the circuit pattern formation area also becomes smooth (i.e., a gray zone area occurs). . For this reason, the irradiation intensity distribution of the ultraviolet light projected from the peripheral exposure device onto the edge of the substrate rises sharply between the circuit pattern formation area and the edge of the wafer (i.e., sags). A peripheral exposure apparatus having such an irradiation intensity distribution has been put into practical use (for example, Patent Document 1).

일본 특허 제6002261호 명세서Japanese Patent No. 6002261 Specification

특허문헌 1에 기재된 주변 노광장치는, 기판 상에 2차원 배치된 복수의 발광 소자, 각 발광 소자로부터 출사된 광을 소정의 확산각의 광으로 성형하는 렌즈 유닛, 렌즈 유닛으로부터 출사된 광을 믹싱하여 도광하는 통 형상의 도광 부재, 및 도광 부재와 피조사 대상물과의 사이에 배치되는 구경 조리개(aperture stop)를 구비하고 있다. 그리고, 도광 부재 내면의 미러면을, 조사 대상물을 향해 소정의 각도로 넓어지도록 구성하고, 렌즈 유닛으로부터 출사된 광의 적어도 일부가, 미러면에 의해 반사되어, 구경 조리개의 구경의 단면부 근방을 통과하여, 조사 영역에 대해 대략 수직으로 입사하도록 구성되어 있다. The peripheral exposure apparatus described in Patent Document 1 includes a plurality of light emitting elements two-dimensionally arranged on a substrate, a lens unit for shaping light emitted from each light emitting element into light having a predetermined diverging angle, and mixing the light emitted from the lens unit. and a tubular light guiding member for guiding light, and an aperture stop disposed between the light guiding member and an object to be irradiated. Then, the mirror surface on the inner surface of the light guide member is configured to spread at a predetermined angle toward the object to be irradiated, and at least a part of the light emitted from the lens unit is reflected by the mirror surface and passes through the vicinity of the cross section of the aperture of the aperture stop. Thus, it is configured to be incident at a substantially normal angle to the irradiation area.

특허문헌 1에 기재된 주변 노광장치에 의하면, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼 단연부(端緣部)와의 사이에서 급격히 솟아 오르는 자외광이 얻어지기 때문에, 그레이 존 영역의 발생을 억제할 수 있다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 구성에 있어서는, 조사 영역의 네 모서리에 있어서 조사 강도가 높아지는 경향을 나타내기 때문에, 불필요 레지스트를 보다 안정적이면서 확실히 제거한다 라는 관점에서는, 보다 균일한 자외광을 조사할 수 있는 광 조사장치가 요구되고 있다. According to the peripheral exposure apparatus described in Patent Literature 1, since ultraviolet light rapidly rising between the circuit pattern formation region and the wafer edge is obtained, the occurrence of a gray zone region can be suppressed. However, in the configuration described in Patent Literature 1, since the irradiation intensity tends to increase at the four corners of the irradiation area, more uniform ultraviolet light can be irradiated from the viewpoint of more stable and reliable removal of unnecessary resist. A light irradiation device is required.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 것은, 급격히 상승하는 조사 강도 분포를 가지면서도, 조사 영역 내에서 대략 균일한 광을 조사할 수 있는 광 조사장치를 제공하는 것이다. The present invention has been made in view of such a situation, and its object is to provide a light irradiation device capable of irradiating substantially uniform light within an irradiation area while having a rapidly rising irradiation intensity distribution.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 광 조사장치는, 조사 대상물 상의 직사각형 형상의 조사 영역에 대해 광을 조사하는 광 조사장치로서, 기판 상에, 제1 방향을 따라 M개(M은, 2 이상의 정수) 나열되고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 N개(N은, 2 이상의 정수) 나열된 M × N개의 발광 소자, 각 발광 소자의 광로 중에 각각 배치되고, 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 소정의 확산각의 광으로 성형하는 렌즈 유닛, M × N개의 발광 소자의 광축을 직사각형 형상으로 둘러싸도록 형성된 제1 미러면을 가지고, 렌즈 유닛으로부터 출사되는 광을 도광하는 제1 도광 부재, 및 기판의 네 모서리에 배치된 발광 소자를 제1 방향 및 제2 방향으로 구획하도록 배치되고, 네 모서리에 배치된 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제2 미러면과, 네 모서리에 배치된 발광 소자에 인접하는 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제3 미러면이 형성된 제2 도광 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a light irradiation device of the present invention is a light irradiation device for irradiating light to a rectangular irradiation area on an object to be irradiated, wherein M (M is 2 integers above) and M × N light-emitting elements arranged in a second direction orthogonal to the first direction (N is an integer greater than or equal to 2), each disposed in an optical path of each light-emitting element, and emitted from the light-emitting element A first light guiding member having a lens unit for shaping light into light with a predetermined divergence angle, a first mirror surface formed to surround optical axes of M×N light emitting elements in a rectangular shape, and guiding light emitted from the lens unit; and a second mirror surface disposed to partition the light emitting elements disposed at four corners of the substrate in a first direction and a second direction, and guiding light from the light emitting elements disposed at the four corners, and light emitting elements disposed at the four corners. and a second light guiding member having a third mirror surface for guiding light from a light emitting element adjacent thereto.

이러한 구성에 의하면, 제2 도광 부재에 의해 네 모서리의 LED 소자로부터 조사 영역(P)의 네 모서리를 향하는 자외광의 조사 강도를 저하시킬 수 있기 때문에, 조사 영역의 네 모서리의 조사 강도를 대략 균일하게 할 수 있다. According to this configuration, since the irradiation intensity of ultraviolet light directed from the LED elements at the four corners toward the four corners of the irradiation area P can be reduced by the second light guide member, the irradiation intensity of the four corners of the irradiation area is substantially uniform. can do

또한, 제2 도광 부재의, 제1 방향 및 제2 방향과 직교하는 제3방향의 길이가, 네 모서리에 배치된 발광 소자로부터 출사된 광의 적어도 일부가, 제2 미러면에서 1회만 반사하면서도, 또한, 제2 미러면에서 반사된 광이, 조사 영역 내에서, 기판의 네 모서리에 배치된 발광 소자의 광축보다 외측을 조사하도록 설정되어 있는 것이 바람직하다. In addition, while at least a part of the light emitted from the light emitting elements disposed at the four corners of the length of the second light guide member in the third direction orthogonal to the first and second directions is reflected only once on the second mirror surface, Further, it is preferable that the light reflected by the second mirror surface is set so as to irradiate outside the optical axis of the light emitting elements disposed at the four corners of the substrate within the irradiation area.

또한, 이 경우, 제2 미러면의 반사율이, 제1 미러면의 반사율 이하인 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, 제2 미러면의 반사율이, 90% 이하인 것이 바람직하다. Also, in this case, it is preferable that the reflectance of the second mirror surface is less than or equal to the reflectance of the first mirror surface. In this case, it is preferable that the reflectance of the second mirror surface is 90% or less.

또한, 제1 미러면은, 조사 대상물을 향해 넓어지도록, 제1 도광 부재의 광축에 대해, 확산각보다 작은 소정의 각도로 경사져 있는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, 확산각이 0.5° 이상 50° 이하의 범위이며, 소정의 각도가 확산각의 1/2보다 작은 것이 바람직하다. Further, it is preferable that the first mirror surface is inclined at a predetermined angle smaller than the divergence angle with respect to the optical axis of the first light guide member so as to spread toward the object to be irradiated. Further, in this case, it is preferable that the diffusion angle is in the range of 0.5° or more and 50° or less, and that the predetermined angle is smaller than 1/2 of the diffusion angle.

또한, 광은, 자외선 파장 영역의 광인 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the light is light in the ultraviolet wavelength region.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 급격히 상승하는 조사 강도 분포를 가지면서도, 조사 영역 내에서 대략 균일한 광을 조사할 수 있는 광 조사장치가 실현된다.As described above, according to the present invention, a light irradiation device capable of irradiating substantially uniform light within an irradiation area while having a rapidly rising irradiation intensity distribution is realized.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치에 구비된 렌즈 유닛으로부터 출사되는 자외광의 광로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치에 구비된 렌즈 유닛으로부터 출사되는 자외광의 광로도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치에 구비된 렌즈 유닛으로부터 출사되는 자외광의 광로도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치에 구비된 렌즈 유닛으로부터 출사되는 자외광의 광로도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치로부터 출사되는 자외광의 조사 강도 분포이다.
도 7은 본 발명의 제1 변형예에 따른 광 조사장치의 구성을 나타낸 모식도 및 광로도이다.
도 8은 본 발명의 제2 변형예에 따른 광 조사장치의 구성을 나타낸 모식도 및 광로도이다.
도 9는 본 발명의 제3 변형예에 따른 광 조사장치의 구성을 나타낸 모식도 및 광로도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치에 있어서, 제1 도광 부재의 미러면의 반사율과, 제2 도광 부재의 미러면의 반사율을 변경했을 때의 조사 강도 분포이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 광 조사장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 광 조사장치로부터 출사되는 자외광의 조사 강도 분포이다.1 is a schematic diagram showing the configuration of a light irradiation device according to a first embodiment of the present invention.
2 is an optical path of ultraviolet light emitted from a lens unit included in a light irradiation device according to a first embodiment of the present invention.
3 is an optical path of ultraviolet light emitted from a lens unit included in the light irradiation device according to the first embodiment of the present invention.
4 is an optical path of ultraviolet light emitted from a lens unit included in the light irradiation device according to the first embodiment of the present invention.
5 is an optical path of ultraviolet light emitted from a lens unit included in the light irradiation device according to the first embodiment of the present invention.
6 is an irradiation intensity distribution of ultraviolet light emitted from the light irradiation device according to the first embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram and a light diagram showing the configuration of a light irradiation device according to a first modified example of the present invention.
8 is a schematic diagram and a light diagram showing the configuration of a light irradiation device according to a second modified example of the present invention.
9 is a schematic diagram and a light diagram showing the configuration of a light irradiation device according to a third modified example of the present invention.
10 is a distribution of irradiation intensity when the reflectance of the mirror surface of the first light guide member and the reflectance of the mirror surface of the second light guide member are changed in the light irradiation device according to the first embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram showing the configuration of a light irradiation device according to a second embodiment of the present invention.
12 is an irradiation intensity distribution of ultraviolet light emitted from a light irradiation device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 한편, 도면 중 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 생략한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. In addition, the same code|symbol is attached|subjected to the same or equivalent part in drawing, and the description is abbreviate|omitted.

(제1 실시형태) (First Embodiment)

도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성을 나타낸 모식도이다. 도 1(a)는, 광 조사장치(100)의 출사구(出射口) 쪽에서부터 보았을 때의 광 조사장치(100)의 정면도이다. 도 1(b)는, 도 1(a)의 A-A선에 따른 단면도이다. 본 실시형태의 광 조사장치(100)는, 주변 노광장치 등에 장착되어, 조사 대상물(W)(예를 들면, 유리 기판 상의 레지스트) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)(예를 들면, 약 70mm × 약 70mm)에 대해, 자외선 파장 영역의 대략 평행광을 조사하는 장치이다. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a light irradiation device 100 according to a first embodiment of the present invention. Fig. 1 (a) is a front view of the light irradiation device 100 when viewed from the exit port side of the light irradiation device 100. Fig. 1(b) is a cross-sectional view along line A-A of Fig. 1(a). The light irradiation device 100 of the present embodiment is mounted on a peripheral exposure device or the like and has a rectangular irradiation area P (e.g., about 70 mm) on the irradiation target object W (e.g., resist on a glass substrate). × about 70 mm), it is a device that irradiates substantially parallel light in the ultraviolet wavelength region.

도 1에 나타낸 바와 같이, 광 조사장치(100)는, LED 유닛(110), 렌즈 유닛(120), 제1 도광 부재(130), 제2 도광 부재(140), 및 이들 부품을 수용하는 케이스(도시하지 않음)를 구비하고 있다. LED 유닛(110), 렌즈 유닛(120), 제1 도광 부재(130), 제2 도광 부재(140)는, 조사 대상물(W)을 향해, 광축(AX)(광 조사장치(100)로부터 출사되는 광의 중심을 통과하는 축)을 따라 순서대로 배치되어 있다. 한편, 본 실시형태에 있어서는, 광 조사장치(100)의 워킹 디스턴스(working distance)(WD)(제1 도광 부재(130)의 출사 개구(130f)로부터 조사 대상물(W)까지의 거리)는, 약 10mm로 설정되어 있으며, 광 조사장치(100)로부터 출사되는 자외선 파장 영역의 광(이하, 「자외광」이라고 한다.)은, 조사 영역(P)을 균일한 광량 분포로 조사하고 있다(상세한 것은 후술). 한편, 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 명세서에 있어서는, 광 조사장치(100)로부터 출사되는 자외광의 진행 방향(즉, 광축(AX)에 평행한 방향)을 Z축 방향이라고 하고, Z축 방향과 직교하면서, 또한, 서로 직교하는 2개의 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 정의하여 설명한다. As shown in FIG. 1, the light irradiation device 100 includes an LED unit 110, a lens unit 120, a first light guide member 130, a second light guide member 140, and a case accommodating these components. (not shown) is provided. The LED unit 110, the lens unit 120, the first light guiding member 130, and the second light guiding member 140 have an optical axis AX (emit from the light irradiation device 100) toward the object W to be irradiated. are arranged in order along the axis passing through the center of the light). On the other hand, in the present embodiment, the working distance (WD) of the light irradiation device 100 (the distance from the emission opening 130f of the first light guide member 130 to the object W to be irradiated) is, It is set to about 10 mm, and the light in the ultraviolet wavelength region emitted from the light irradiation device 100 (hereinafter referred to as "ultraviolet light") irradiates the irradiation area P with a uniform light amount distribution (details that is described later). On the other hand, as shown in Figure 1, in the present specification, the traveling direction of the ultraviolet light emitted from the light irradiation device 100 (that is, the direction parallel to the optical axis AX) is referred to as the Z-axis direction, and the Z-axis direction Two directions orthogonal to and orthogonal to each other are defined and described as the X-axis direction and the Y-axis direction.

본 실시형태의 LED 유닛(110)은, X축에 평행한 2변과 Y축에 평행한 2변을 가지는 직사각형 형상의 기판(112), 및 기판(112) 상에, X축 방향으로 소정의 피치(예를 들면, 26mm)로 M개(M은, 2 이상의 정수) 나열되고, Y축 방향으로 소정의 피치(예를 들면, 26mm)로 N개(N은, 2 이상의 정수) 나열되고, Z축 방향으로 광축을 맞춰 배치된 M × N개의 LED 소자(114)(발광 소자)를 구비하고 있다. 한편, X축 방향의 소정의 피치와 Y축 방향의 소정의 피치가 상이할 수도 있다. 또한, X축 방향의 소정의 피치 및 Y축 방향의 소정의 피치는 각각, X축 방향 또는 Y축 방향을 따라 균등하지 않을 수도 있으며, 예를 들면, 소정의 피치가 LED 유닛의 중심에 근접함에 따라, 넓어지도록 구성할 수도 있다. 도 1에서는, M=3, N=3의 경우, 즉, 9개의 LED 소자(114)가 배치된 경우를 나타내고 있다. The LED unit 110 of this embodiment has a substrate 112 of a rectangular shape having two sides parallel to the X axis and two sides parallel to the Y axis, and on the substrate 112, a predetermined value is formed in the X axis direction. M (M is an integer of 2 or more) are arranged at a pitch (eg, 26 mm), and N (N is an integer of 2 or more) are arranged at a predetermined pitch (eg, 26 mm) in the Y-axis direction, It is provided with M x N LED elements 114 (light emitting elements) arranged along the optical axis in the Z-axis direction. Meanwhile, the predetermined pitch in the X-axis direction may be different from the predetermined pitch in the Y-axis direction. In addition, the predetermined pitch in the X-axis direction and the predetermined pitch in the Y-axis direction may not be equal along the X-axis direction or the Y-axis direction, respectively. For example, as the predetermined pitch approaches the center of the LED unit, Accordingly, it may be configured to be wider. In FIG. 1, the case of M=3 and N=3, that is, the case where 9 LED elements 114 are arranged is shown.

각 LED 소자(114)에는, 임의의 형상의 것을 사용할 수 있지만, 본 실시형태에서는 2mm(X축 방향 길이) × 2mm(Y축 방향 길이)의 직사각형 형상의 외형을 가지는 것을 사용하고 있다. 각 LED 소자(114)는, 기판(112) 상에 탑재되어, 기판(112)과 전기적으로 접속되어 있다. 기판(112)은, 유리 에폭시 수지, 세라믹스 등으로 이루어진 전자 회로 기판으로서, 도시하지 않은 LED 구동 회로에 접속되어 있으며, 각 LED 소자(114)에는, 기판(112)을 통해 LED 구동 회로로부터의 구동 전류가 공급되도록 되어 있다. 각 LED 소자(114)에 구동 전류가 공급되면, 각 LED 소자(114)가 구동 전류에 따른 광량으로 발광하고, 소정 광량의 자외광이 출사된다. 한편, 본 실시형태에 있어서는, 각 LED 소자(114)는, LED 구동 회로로부터 구동 전류의 공급을 받아, 파장 395nm의 자외광을 출사하도록 구성되어 있다. Although a thing of arbitrary shape can be used for each LED element 114, in this embodiment, what has a rectangular outer shape of 2 mm (length in X-axis direction) x 2 mm (length in Y-axis direction) is used. Each LED element 114 is mounted on the substrate 112 and is electrically connected to the substrate 112 . The substrate 112 is an electronic circuit board made of glass epoxy resin, ceramics, etc., and is connected to an LED driving circuit (not shown), and each LED element 114 is driven from the LED driving circuit via the substrate 112. current is supplied. When a driving current is supplied to each LED element 114, each LED element 114 emits light with a light quantity according to the driving current, and ultraviolet light of a predetermined light quantity is emitted. On the other hand, in this embodiment, each LED element 114 is configured to emit ultraviolet light having a wavelength of 395 nm by receiving supply of drive current from the LED driving circuit.

한편, 본 실시형태의 각 LED 소자(114)는, 대략 동일한 광량의 자외광을 출사하도록 각 LED 소자(114)에 공급되는 구동 전류가 조정되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, LED 유닛(110)의 중심(C)(즉, 기판(112)의 중심)이, 광축(AX)과 대략 일치하도록 배치되어 있다(도 1(a)). On the other hand, the drive current supplied to each LED element 114 is adjusted so that each LED element 114 of this embodiment emits ultraviolet light of substantially the same light quantity. In this embodiment, the center C of the LED unit 110 (ie, the center of the substrate 112) is arranged so as to substantially coincide with the optical axis AX (Fig. 1(a)).

본 실시형태의 각 렌즈 유닛(120)은, LED 소자(114)로부터 출사된 자외광을 소정의 확산각의 자외광으로 성형하는 렌즈이다. 본 명세서에 있어서, 「확산각」이란, LED 소자(114)로부터 출사되는 자외광의 일방향의 확산각과, 상기 일방향과 상반되는 방향의 확산각의 합계 각도(즉, 전각(全角))를 말한다. 한편, 성형된 자외광의 확산각은, LED 소자(114)로부터 출사된 자외광이 가지는 확산각보다, 작으면 되고, 예를 들면, 0.5° 이상 50° 이하, 5° 이상 30° 이하 등일 수 있으며, 예를 들면, 9° 또는 25°일 수 있다. 즉, 렌즈 유닛(120)은, 렌즈 유닛으로부터 나온 자외광의 확산각이, 발광 소자로부터 출사되었을 때의 확산각보다 좁아지도록, 자외광을 성형하고 있다. Each lens unit 120 of this embodiment is a lens that shapes ultraviolet light emitted from the LED element 114 into ultraviolet light having a predetermined divergence angle. In this specification, "diffusion angle" refers to the total angle of the diffusion angle of ultraviolet light emitted from the LED element 114 in one direction and the diffusion angle in a direction opposite to the one direction (ie, full angle). On the other hand, the diffusion angle of the molded ultraviolet light may be smaller than the diffusion angle of the ultraviolet light emitted from the LED element 114, and may be, for example, 0.5° or more and 50° or less, 5° or more and 30° or less. And, for example, it may be 9 ° or 25 °. That is, the lens unit 120 shapes the ultraviolet light so that the diffusion angle of the ultraviolet light emitted from the lens unit is narrower than the diffusion angle of the ultraviolet light emitted from the light emitting element.

본 실시형태의 각 렌즈 유닛(120)은, 공통의 광축을 가지는, 제1 렌즈(122), 제2 렌즈(124) 및 제3 렌즈(126)에 의해 구성되어 있다. 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제1 렌즈(122), 제2 렌즈(124) 및 제3 렌즈(126)는, 모두 평볼록 렌즈이다. 제1 렌즈(122), 제2 렌즈(124) 및 제3 렌즈(126)는, 도시하지 않은 경통(鏡筒) 프레임에 의해 지지되고, 그 광축이 LED 소자(114)의 광축과 대략 일치하도록 위치 조정되며, 소정의 간격을 두고 배치된다. 각 렌즈 유닛(120)을 통한 자외광은, 후단의 제1 도광 부재(130)를 향해 출사된다. 한편, 제1 렌즈(122), 제2 렌즈(124) 및 제3 렌즈(126)의 광축은, 반드시 LED 소자(114)의 광축과 일치할 필요는 없으며, 제1 렌즈(122), 제2 렌즈(124) 및 제3 렌즈(126)의 광로 중에 배치되어 있으면 된다. Each lens unit 120 of this embodiment is constituted by a first lens 122, a second lens 124, and a third lens 126 having a common optical axis. As shown in Fig. 1(b), in this embodiment, the first lens 122, the second lens 124, and the third lens 126 are all plano-convex lenses. The first lens 122, the second lens 124, and the third lens 126 are supported by a barrel frame (not shown) so that their optical axis substantially coincides with the optical axis of the LED element 114. Positions are adjusted and arranged at predetermined intervals. Ultraviolet light passing through each lens unit 120 is emitted toward the first light guide member 130 at the rear end. On the other hand, the optical axes of the first lens 122, the second lens 124, and the third lens 126 do not necessarily coincide with the optical axis of the LED element 114, and the first lens 122, the second What is necessary is just to arrange|position in the optical path of the lens 124 and the 3rd lens 126.

제1 도광 부재(130)는, 내면에 4개의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)(제1 미러면)이 형성된 직사각형 통 형상의 부재이다. 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 4개의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)은, Z축 방향에서부터 보았을 때, LED 유닛(110) 및 9개의 렌즈 유닛(120)을 직사각형 형상으로 둘러싸도록 배치되고(즉, LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)의 광축을 직사각형 형상으로 둘러싸도록 배치되고), 렌즈 유닛(120)으로부터 출사된 모든 자외광이 제1 도광 부재(130)를 통과하도록 구성되어 있다. The first light guide member 130 is a rectangular cylindrical member having four mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d (first mirror surfaces) formed on the inner surface. As shown in Fig. 1 (a), the four mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of this embodiment, when viewed from the Z-axis direction, cover the LED unit 110 and the nine lens units 120. Arranged to surround in a rectangular shape (that is, arranged to surround the LED element 114 and the optical axis of the lens unit 120 in a rectangular shape), and all ultraviolet light emitted from the lens unit 120 passes through the first light guide member ( 130) is configured to pass through.

제2 도광 부재(140)는, Z축 방향에서부터 보았을 때, 기판(112)의 네 모서리에 배치된 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)을, X축 방향 및 Y축 방향으로 각각 구획하도록, 제1 도광 부재(130)의 내부에 배치되는 단면 L자 형상의 부재이다(도 1(a)). 각 제2 도광 부재(140)는, 제1 도광 부재(130)의 입사 개구(130e)로부터 제1 도광 부재(130)의 내면에 따라 Z축 방향으로 연장되고, 네 모서리의 LED 소자(114)쪽의 면에는, 네 모서리의 LED 소자(114)로부터의 자외광을 도광하는 미러면(140a)(제2 미러면)이 형성되고, 네 모서리의 LED 소자(114)에 인접하는 LED 소자(114)쪽의 면에는, 상기 인접하는 LED 소자(114)로부터의 자외광을 도광하는 미러면(140b)(제3 미러면)이 형성되어 있다. 제2 도광 부재(140)의 Z축 방향의 길이(L)는, 네 모서리의 LED 소자(114)로부터 출사된 자외광의 적어도 일부가 미러면(140a)에서 1회만 반사하면서도, 또한, 미러면(140a)에서 반사된 반사광이, 조사 영역(P)에 있어서, 네 모서리의 LED 소자(114)의 광축(BX)보다 외측을 조사하도록 설정되어 있다(상세한 것은 후술). The second light guide member 140 divides the LED elements 114 and the lens unit 120 disposed at the four corners of the substrate 112 in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, when viewed from the Z-axis direction. , A member having an L-shaped cross section disposed inside the first light guide member 130 (FIG. 1(a)). Each second light guiding member 140 extends in the Z-axis direction along the inner surface of the first light guiding member 130 from the incident opening 130e of the first light guiding member 130, and has LED elements 114 at four corners. On the opposite surface, mirror surfaces 140a (second mirror surfaces) for guiding ultraviolet light from the LED elements 114 at the four corners are formed, and the LED elements 114 adjacent to the LED elements 114 at the four corners ) side, a mirror surface 140b (third mirror surface) for guiding ultraviolet light from the adjacent LED element 114 is formed. The length L of the second light guiding member 140 in the Z-axis direction is such that at least a part of the ultraviolet light emitted from the LED elements 114 at the four corners is reflected only once on the mirror surface 140a, and also on the mirror surface. The reflected light reflected by 140a is set to be irradiated outside the optical axis BX of the LED elements 114 at the four corners in the irradiation area P (details will be described later).

상기한 바와 같이, 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 자외광은, 소정의 확산각(예를 들면, 9°)을 가지고 있기 때문에, 제1 도광 부재(130) 및 제2 도광 부재(140)에 의해 각 각도 성분의 자외광이 각각 반사되면서 도광되며, 제1 도광 부재(130)로부터는 대략 균일한 광량 분포의 자외광이 출사된다. 한편, 상세한 것은 후술하지만, 본 실시형태에 있어서는, 제1 도광 부재(130)의 내부에, 네 모서리의 LED 소자(114)로부터의 자외광을 도광하는 제2 도광 부재(140)가 설치되어 있으며, 이에 의해 조사 영역(P)의 네 모서리를 향하는 광속(光束)이 제어되기 때문에, 조사 영역(P)의 네 모서리의 조사 강도도 대략 균일해지도록 조정되어 있다. As described above, since the ultraviolet light emitted from the lens unit 120 has a predetermined divergence angle (eg, 9°), the first light guide member 130 and the second light guide member 140 The ultraviolet light of each angular component is reflected and guided, and ultraviolet light having a substantially uniform light amount distribution is emitted from the first light guide member 130 . On the other hand, although described later in detail, in this embodiment, the inside of the 1st light guide member 130 is provided with the 2nd light guide member 140 which guides the ultraviolet light from the LED element 114 at the four corners, , Since the light flux toward the four corners of the irradiation region P is controlled by this, the irradiation intensity of the four corners of the radiation region P is also adjusted so as to be substantially uniform.

제1 도광 부재(130)를 통과한 자외광은, 제1 도광 부재(130)의 출사 개구(130f)로부터 출사되어, 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)이 조사되도록 구성되어 있다. The ultraviolet light passing through the first light guiding member 130 is emitted from the exit opening 130f of the first light guiding member 130, and the rectangular irradiation area P on the object W to be irradiated is irradiated. have.

다음으로, 본 실시형태의 각 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 자외광의 광로를 설명한다. 한편, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 각구성은, LED 유닛(110)의 중심(C)(즉, 기판(112)의 중심)을 대상점으로 하여 점대칭으로 배치되어 있기 때문에, 기판(112)의 각 변을 따르도록 위치하는 외측 8개의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 자외광의 광로에 대해서는, 도 1(b)에 나타낸 3개의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)(즉, 도 1(a)의 A-A선 위의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120))으로부터 출사되는 자외광의 광로를 대표적으로 이용하여 설명한다. 또한, 기판(112)의 X축 방향 중앙에 위치하는 3개의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)에 대해서는, Y축 방향으로 제2 도광 부재(140)가 없고, 또한, 기판(112)의 Y축 방향 중앙에 위치하는 3개의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)에 대해서는, X축 방향으로 제2 도광 부재(140)가 없기 때문에, 제2 도광 부재(140)가 없는 경우의 광로의 설명으로서, 기판(112)의 X축 방향 중앙에 위치하는 3개의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)(즉, 도 1(a)의 B-B선 위의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120))으로부터 출사되는 자외광의 광로를 대표적으로 이용하여 설명한다. Next, an optical path of ultraviolet light emitted from each lens unit 120 in this embodiment will be described. On the other hand, as shown in Fig. 1 (a), each component of this embodiment is arranged point-symmetrically with the center C of the LED unit 110 (ie, the center of the substrate 112) as the target point. Therefore, for the optical path of the ultraviolet light emitted from the outer eight LED elements 114 positioned along each side of the substrate 112 and the lens unit 120, the three LED elements shown in FIG. 1(b) ( 114) and the lens unit 120 (that is, the optical path of the ultraviolet light emitted from the LED element 114 and the lens unit 120 on the line A-A of FIG. In addition, for the three LED elements 114 and the lens unit 120 located at the center of the substrate 112 in the X-axis direction, there is no second light guide member 140 in the Y-axis direction, and the substrate 112 Since there is no second light guide member 140 in the X-axis direction for the three LED elements 114 and the lens unit 120 located at the center in the Y-axis direction of As a description of the optical path, three LED elements 114 and a lens unit 120 located in the center of the X-axis direction of the substrate 112 (ie, the LED element 114 on the B-B line in FIG. 1 (a) and the lens An optical path of ultraviolet light emitted from the unit 120 will be described as a representative example.

도 2 및 도 3은, 도 1(b)에 나타낸 각 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 자외광의 광로도이며, 도 2는, 기판(112)의 네 모서리의 LED 소자(114)로부터의 자외광의 광로를 나타내고, 도 3은, 네 모서리의 LED 소자(114)에 인접하는(즉, 제2 도광 부재(140)에 의해 사이에 위치한) LED 소자(114)로부터의 자외광의 광로를 나타내고 있다. 또한, 도 4 및 도 5는, 기판(112)의 X축 방향의 중앙에 위치하는 3개의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120)(즉, 도 1(a)의 B-B선 위의 LED 소자(114) 및 렌즈 유닛(120))으로부터의 자외광의 광로도이며, 도 4는, 기판(112) 양단의 LED 소자(114)로부터의 자외광의 광로를 나타내고, 도 5는, 기판(112) 중앙의 LED 소자(114)로부터의 자외광의 광로를 나타내고 있다. 2 and 3 are optical paths of ultraviolet light emitted from each lens unit 120 shown in FIG. Fig. 3 shows the optical path of ultraviolet light from the LED elements 114 adjacent to the LED elements 114 at four corners (that is, positioned between them by the second light guide member 140). have. 4 and 5 show the three LED elements 114 and the lens unit 120 located at the center of the substrate 112 in the X-axis direction (that is, the LED element on the B-B line in FIG. 1(a)). 114 and the optical path of ultraviolet light from the lens unit 120), FIG. 4 shows the optical path of ultraviolet light from the LED element 114 at both ends of the substrate 112, and FIG. 5 shows the optical path of the ultraviolet light from the substrate 112 ) shows the optical path of ultraviolet light from the LED element 114 in the center.

도 2 ∼ 도 5에 있어서, 자외광의 광로는 파선을 이용하여 나타냈으며, a1, a2, a3, a4는, 각 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 최대 확산각의 광선을 나타내고, a1´, a2´, a3´, a4´는, 각각 a1, a2, a3, a4의 반사광을 나타내고 있다. 도 2 및 도 3에 있어서, b2는, 네 모서리의 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되어, 미러면(140a)에서 반사되는 광 중, 가장 확산각이 작은(각도 성분이 작은) 광선을 나타내고, b2´는, b2의 반사광을 나타내고 있다. 또한, b1은, b2와 동일한 확산각의 광선으로서, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b)에 입사하는 광선을 나타내고, b1´은, b1의 반사광을 나타내고 있다. 도 4 및 도 5에 있어서, b1 및 b2는, 도 2 및 도 3의 b1 및 b2와 동일한 확산각의 광선을 나타내고, b1´, b2´는, 각각, b1, b2의 반사광을 나타내고 있다. 2 to 5, the optical path of ultraviolet light is shown using broken lines, a1, a2, a3, and a4 denote light rays of the maximum divergence angle emitted from each lens unit 120, and a1', a2 ', a3', and a4' represent the reflected light of a1, a2, a3, and a4, respectively. 2 and 3, b2 denotes a light ray having the smallest divergence angle (small angular component) among the lights emitted from the lens units 120 at the four corners and reflected on the mirror surface 140a, and b2 ´ represents the reflected light of b2. Further, b1 denotes a light ray having the same divergence angle as b2 and incident on the mirror surfaces 130a and 130b of the first light guide member 130, and b1' denotes the reflected light of b1. 4 and 5, b1 and b2 denote light rays having the same divergence angles as b1 and b2 in FIGS. 2 and 3, and b1' and b2' denote reflected light of b1 and b2, respectively.

도 2 및 도 3에 있어서, b3, b4는, 중앙의 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되어, 미러면(140b)에서 반사되는 광 중, 가장 확산각이 작은(각도 성분이 작은) 광선을 나타내고, b3´, b4´는, 각각, b3, b4의 반사광을 나타내고 있다. 도 4 및 도 5에 있어서, b3 및 b4는, 도 2 및 도 3의 b3 및 b4와 동일한 확산각의 광선을 나타내고, b3´, b4´는, 각각, b3, b4의 반사광을 나타내고 있다. 2 and 3, b3 and b4 denote light rays having the smallest divergence angle (smallest angular component) among the lights emitted from the central lens unit 120 and reflected by the mirror surface 140b, b3' and b4' represent the reflected light of b3 and b4, respectively. 4 and 5, b3 and b4 denote light rays having the same divergence angles as b3 and b4 in FIGS. 2 and 3, and b3' and b4' denote reflected light of b3 and b4, respectively.

우선, 도 4 및 도 5를 이용하여, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 없는 경우에 관하여 설명한다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 기판(112)의 X축 방향의 중앙, Y축 방향 양단에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 자외광은, 각 렌즈 유닛(120)을 통과하여, 소정의 확산각으로 넓어지고, 그 일부(광선(a1, b1))는, 미러면(130a, 130b)에 의해 1회만 반사되어(광선(a1´, b1´)), 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)를 향해 조사된다. 또한, 기판(112)의 X축 방향의 중앙, Y축 방향 양단에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 자외광의 다른 일부(광선(a2, b2))는, 미러면(130a, 130b)에 닿지 않고 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)를 향해 조사된다. 이처럼, 기판(112)의 X축 방향의 중앙, Y축 방향 양단에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 광선(a1)과 광선(b1)의 범위의 자외광(즉, 광선(b1)의 확산각 이상 광선(a1)의 확산각 이하의 범위의 확산각을 가지는 자외광), 및 광선(a2)과 광선(b2)의 범위의 자외광(즉, 광선(b2)의 확산각 이상 광선(a2)의 확산각 이하의 범위의 확산각을 가지는 자외광)은, 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)를 조사하도록 구성되어 있다. 한편, 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 광 중, 광선(b1, b2)보다 확산각이 작은(각도 성분이 작은) 광에 대해서는, 미러면(130a, 130b)에 의해 1회만 반사되거나, 또는 반사되지 않고 조사 영역(P)을 조사한다. First, the case where the second light guide member 140 is not present between adjacent LED elements 114 will be described with reference to FIGS. 4 and 5 . As shown in FIG. 4 , ultraviolet light from the LED elements 114 located at the center of the X-axis direction of the substrate 112 and at both ends in the Y-axis direction passes through each lens unit 120 and has a predetermined diffusion angle. , and a part of it (rays a1, b1) is reflected only once by mirror surfaces 130a, 130b (rays a1', b1'), and irradiates a rectangular shape on the object W to be irradiated. It is irradiated toward the central portion Pc of the region P. In addition, another part of the ultraviolet light (rays a2, b2) from the LED element 114 located at the center of the X-axis direction of the substrate 112 and at both ends in the Y-axis direction is directed to the mirror surfaces 130a and 130b. It is irradiated toward the central portion Pc of the rectangular irradiation area P on the irradiation target object W without reaching the irradiation target. In this way, ultraviolet light within the range of light rays a1 and light rays b1 from the LED element 114 located at the center of the X-axis direction and both ends in the Y-axis direction of the substrate 112 (that is, diffusion of the light beam b1) ultraviolet light having a diffusion angle less than or equal to the diffusion angle of each unusual light ray a1), and ultraviolet light in the range of the light ray a2 and the light ray b2 (that is, the light ray a2 having a diffusion angle greater than the diffusion angle of the light ray b2) ) is configured to irradiate the central portion Pc of the radiation region P. On the other hand, among the lights emitted from the lens unit 120, light having a smaller divergence angle (smaller angular component) than the light rays b1 and b2 is reflected only once by the mirror surfaces 130a and 130b or is reflected. It does not, and the irradiation area P is irradiated.

도 5에 나타낸 바와 같이, 기판(112)의 중앙(X축 방향 및 Y축 방향의 중앙)에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 자외광은, 렌즈 유닛(120)을 통과하여, 소정의 확산각으로 넓어지고(광선(a3, a4, b3, b4)), 미러면(130a, 130b)에 닿지 않고 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)을 향해 조사된다. 그리고, 광선(a3)과 광선(b3)의 범위의 자외광(즉, 광선(b3)의 확산각 이상 광선(a3)의 확산각 이하의 범위의 확산각을 가지는 자외광), 및 광선(a4)과 광선(b4)의 범위의 자외광(즉, 광선(b4)의 확산각 이상 광선(a4)의 확산각 이하의 범위의 확산각을 가지는 자외광)은, 조사 영역(P)의 주변부(Pe)를 조사하고, 광선(b3, b4)보다 확산각이 작은(각도 성분이 작은) 광은, 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)를 조사하도록 구성되어 있다. As shown in FIG. 5 , ultraviolet light from the LED element 114 positioned at the center of the substrate 112 (center in the X-axis direction and the Y-axis direction) passes through the lens unit 120 and is diffused to a predetermined extent. It is angularly widened (rays a3, a4, b3, b4), and is irradiated toward the rectangular irradiation area P on the irradiation target W without reaching the mirror surfaces 130a, 130b. Then, ultraviolet light in the range of the light ray a3 and the light ray b3 (ie, ultraviolet light having a diffusion angle in a range equal to or less than the diffusion angle of the light ray b3 and less than or equal to the diffusion angle of the light ray a3), and the light ray a4 ) and the ultraviolet light in the range of the light ray b4 (that is, the ultraviolet light having a diffusion angle in the range of not less than the diffusion angle of the light ray b4 and less than or equal to the diffusion angle of the light ray a4), the peripheral portion of the irradiation area P ( Pe) is irradiated, and the light having a smaller diffusion angle (smaller angular component) than the light rays b3 and b4 is configured to irradiate the central portion Pc of the irradiation region P.

이처럼, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 없으면, 조사 영역(P)의 주변부(Pe)에는, 기판(112)의 Y축 방향 중앙에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 자외광(도 5의 광선(a3, a4, b3, b4))이 직접 입사한다. In this way, if the second light guide member 140 is not present between adjacent LED elements 114, the LED element 114 located at the center of the Y-axis direction of the substrate 112 is located in the periphery Pe of the irradiation region P. Ultraviolet light (rays a3, a4, b3, b4 in Fig. 5) from is directly incident.

다음으로, 도 2 및 도 3을 이용하여, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 있는 경우에 관하여 설명한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(112)의 네 모서리의 LED 소자(114)로부터의 자외광은, 각 렌즈 유닛(120)을 통과하여, 소정의 확산각으로 넓어지고, 그 일부는, 미러면(130a, 130b)에 의해 1회만 반사되고(광선(a1), b1), 또 다른 일부는, 미러면(140a)에 의해 1회만 반사된다(광선(a2, b2)). 그리고, 미러면(130a, 130b)에 의해 반사된 광(광선(a1´, b1´))은, 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)(네 모서리의 LED 소자(114)의 광축(BX)보다 내측의 영역)를 향해 조사되고, 미러면(140a)에 의해 반사된 광(광선(a2´, b2´))은, 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)의 주변부(Pe)(네 모서리의 LED 소자(114)의 광축(BX)보다 외측의 영역)를 향해 조사된다. 이처럼, 본 실시형태에 있어서는, 미러면(140a)에 의해 반사된 광(즉, 광선(a2´)과 광선(b2´)의 범위의 광)에 의해 조사 영역(P)의 주변부(Pe)를 조사함으로써, 조사 영역(P)의 네 모서리의 조사 강도를 대략 균일해지도록 조정하고 있다. 한편, 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 광 중, 광선(b1, b2)보다 확산각이 작은(각도 성분이 작은) 광에 대해서는, 도 4와 마찬가지로(즉, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 없는 경우와 마찬가지로), 미러면(130a, 130b)에 의해 1회만 반사되거나, 또는 반사되지 않고 조사 영역(P)을 조사한다. Next, the case where the second light guide member 140 is present between the adjacent LED elements 114 will be described with reference to FIGS. 2 and 3 . As shown in Fig. 2, the ultraviolet light from the LED elements 114 at the four corners of the substrate 112 passes through each lens unit 120 and spreads at a predetermined divergence angle, and a part of it passes through the mirror surface. It is reflected only once by (130a, 130b) (rays a1, b1), and another part is reflected only once by mirror surface 140a (rays a2, b2). Then, the light reflected by the mirror surfaces 130a and 130b (rays a1' and b1') is transmitted to the central portion Pc (four corner LEDs) of the rectangular irradiation area P on the irradiation target W. The light (rays a2', b2') irradiated toward the area inside the optical axis BX of the element 114 and reflected by the mirror surface 140a has a rectangular shape on the object W to be irradiated. It is irradiated toward the peripheral portion Pe of the irradiation area P (the area outside the optical axis BX of the LED element 114 at the four corners). In this way, in the present embodiment, the peripheral portion Pe of the irradiation area P is formed by the light reflected by the mirror surface 140a (that is, the light in the range of the light ray a2' and the light ray b2'). By irradiating, the irradiation intensity of the four corners of the irradiation area P is adjusted so as to become substantially uniform. On the other hand, among the lights emitted from the lens unit 120, the light having a smaller divergence angle (smaller angle component) than the light rays b1 and b2 is similar to FIG. 4 (that is, between adjacent LED elements 114). Similar to the case where the second light guide member 140 is not present), the irradiation area P is irradiated with or without reflection by the mirror surfaces 130a and 130b only once.

도 3에 나타낸 바와 같이, 네 모서리의 LED 소자(114)에 인접하는(즉, 제2 도광 부재(140)에 의해 사이에 낀) LED 소자(114)로부터의 자외광은, 렌즈 유닛(120)을 통과하여, 소정의 확산각으로 넓어지고, 그 일부는, 네 모서리의 LED 소자(114)와의 사이에 설치된 제2 도광 부재(140)의 미러면(140b)에 의해 1회만 반사된다(광선(a3, a4, b3, b4)). 그리고, 미러면(140b)에 의해 반사된 광(광선(a3´, a4´, b3´, b4´))은, 조사 대상물(W) 상의 직사각형 형상의 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)를 향해 조사된다. 이처럼, 본 실시형태에 있어서는, 미러면(140b)에 의해 반사된 광(광선(a3´)과 광선(b3´)의 범위의 자외광, 및 광선(a4´)과 광선(b4´)의 범위의 자외광)이 조사 영역(P)의 주변부(Pe)를 조사하지 않도록 구성하고 있다. 한편, 광선(b3, b4)보다 확산각이 작은(각도 성분이 작은) 광은, 도 5와 마찬가지로(즉, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 없는 경우와 마찬가지로), 조사 영역(P)의 중앙부(Pc)를 조사하고, 주변부(Pe)를 조사하지 않도록 구성되어 있다. As shown in FIG. 3 , ultraviolet light from the LED elements 114 adjacent to the LED elements 114 at the four corners (that is, interposed by the second light guiding member 140) passes through the lens unit 120. passes through and spreads at a predetermined angle of diffusion, and a part thereof is reflected only once by the mirror surface 140b of the second light guide member 140 provided between the LED elements 114 at the four corners (the light ray ( a3, a4, b3, b4)). Then, the light (rays a3', a4', b3', b4') reflected by the mirror surface 140b hits the central portion Pc of the rectangular irradiation area P on the irradiation target W. are investigated towards Thus, in this embodiment, the light reflected by the mirror surface 140b (ultraviolet light in the range of the light ray a3' and the light ray b3', and the range of the light ray a4' and the light ray b4') of ultraviolet light) is configured not to irradiate the periphery Pe of the irradiation area P. On the other hand, the light having a smaller diffusion angle (smaller angular component) than the light rays b3 and b4 is similar to FIG. ), the central portion Pc of the irradiation area P is irradiated, and the peripheral portion Pe is not irradiated.

전술한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 없으면, 조사 영역(P)의 주변부(Pe)에는, 기판(112)의 Y축 방향 중앙에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 자외광(도 5의 광선(a3)과 광선(b3)의 범위의 자외광, 및 광선(a4)과 광선(b4)의 범위의 자외광)이 직접 입사한다. 한편, 인접하는 LED 소자(114) 사이에 제2 도광 부재(140)가 있으면, 조사 영역(P)의 주변부(Pe)에는, Y축 방향 양단(즉, 네 모서리의 LED 소자(114))에 위치하는 LED 소자(114)로부터의 자외광(도 2의 광선(a2)과 광선(b2)의 범위의 자외광)의 반사광(도 2의 광선(a2´)과 광선(b2´)의 범위의 자외광)이 입사한다. 즉, 조사 영역(P)의 네 모서리의 주변부(Pe)는, 미러면(140b)에 의한 반사광에 의해 조사되기 때문에, LED 소자(114)로부터의 자외광이 직접 입사하는 경우(즉, 제2 도광 부재(140)가 없는 경우)와 비교하여, 미러면(140b)의 반사율만큼 조사 강도가 작아지게 된다. As described above, in the present embodiment, if there is no second light guide member 140 between adjacent LED elements 114, the Y-axis direction of the substrate 112 is in the periphery Pe of the irradiation region P. The ultraviolet light from the LED element 114 located in the center (ultraviolet light in the range of the light ray a3 and the light ray b3 in FIG. 5 and the ultraviolet light in the range of the light ray a4 and the light ray b4) is directly join the company On the other hand, if the second light guiding member 140 is present between adjacent LED elements 114, at both ends in the Y-axis direction (that is, LED elements 114 at four corners) at the periphery Pe of the irradiation region P. Reflected light of the ultraviolet light (ultraviolet light in the range of the light ray a2 and b2' in FIG. 2) from the LED element 114 located therein (the range of the light ray a2' and the light ray b2' in FIG. 2) ultraviolet light) is incident. That is, since the peripheral portion Pe of the four corners of the irradiation area P is irradiated by light reflected by the mirror surface 140b, when ultraviolet light from the LED element 114 is directly incident (ie, second Compared to the case without the light guide member 140), the irradiation intensity is reduced by the reflectance of the mirror surface 140b.

이처럼, 본 실시형태에 있어서는, 네 모서리의 LED 소자(114)로부터의 자외광을 도광하는 제2 도광 부재(140)를 설치함으로써, 조사 영역(P)의 네 모서리를 향하는 자외광의 조사 강도를 저하시키고, 이에 의해 조사 영역(P)의 네 모서리의 조사 강도도 대략 균일해지도록 조정하고 있다. In this way, in the present embodiment, by providing the second light guiding member 140 for guiding the ultraviolet light from the LED elements 114 at the four corners, the irradiation intensity of the ultraviolet light directed to the four corners of the irradiation region P is reduced. This is adjusted so that the irradiation intensity of the four corners of the irradiation area P is substantially uniform.

도 6은, 본 실시형태의 광 조사장치(100)로부터 출사되는 자외광의 시뮬레이션 결과이며, 도 1(a)의 A-A선 위의 3개의 LED 소자(114)로부터 출사되는 자외광의 조사 영역(P) 상에 있어서의 Y축 방향의 조사 강도 분포이다. 도 6의 세로축은, 조사 강도(mW)이고, 가로축은, 기판(112)의 Y축 방향의 중심을 0으로 하는 Y축 방향의 거리(mm)이다. 또한, 도 6 중, 실선(α)은, 본 실시형태의 광 조사장치(100)의 조사 강도 분포를 나타내고, 파선(β)은, 본 실시형태의 광 조사장치(100)에서 제2 도광 부재(140)를 떼어냈을 경우(즉, 비교예)의 조사 강도 분포를 나타내고 있다. 한편, 도 6의 시뮬레이션에 있어서는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 90%로 하고, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a) 및 미러면(140b)의 반사율도 90%로 하고 있다. 6 is a simulation result of ultraviolet light emitted from the light irradiation device 100 of the present embodiment, and an irradiation area of ultraviolet light emitted from the three LED elements 114 on the line A-A of FIG. 1 (a) ( It is the irradiation intensity distribution of the Y-axis direction in P) phase. The vertical axis of FIG. 6 is irradiation intensity (mW), and the horizontal axis is the distance (mm) in the Y-axis direction with the center of the substrate 112 in the Y-axis direction being zero. 6, the solid line α represents the distribution of the irradiation intensity of the light irradiation device 100 of this embodiment, and the broken line β represents the second light guide member in the light irradiation device 100 of this embodiment. The irradiation intensity distribution in the case where (140) is removed (ie, Comparative Example) is shown. On the other hand, in the simulation of FIG. 6 , the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 is 90%, and the mirror surfaces 140a of the second light guide member 140 and The reflectance of the mirror surface 140b is also set to 90%.

도 6에 나타낸 바와 같이, 제2 도광 부재(140)를 설치함으로써, Y축 방향 ± 35mm의 위치에서 급격히 상승하는 특성을 유지하면서도, 조사 영역(P) 중앙의 강도를 유지하면서 조사 영역(P)의 네 모서리(도 6 중, -20 ∼ -35mm의 위치, +20 ∼ +35mm의 위치)의 조사 강도를 저하시켜, 조사 영역(P) 전체에서 대략 균일한 조사 강도 분포가 얻어지는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 6, by installing the second light guide member 140, while maintaining the characteristic of rapidly rising at the position of ± 35 mm in the Y-axis direction, while maintaining the intensity of the center of the irradiation area P, the irradiation area P It can be seen that by reducing the irradiation intensity at the four corners (positions of -20 to -35 mm and +20 to +35 mm in FIG. 6), a substantially uniform irradiation intensity distribution is obtained in the entire irradiation area P. .

이상이 본 실시형태에 대한 설명이지만, 본 발명은, 상기한 구성에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. Although the above is the description of the present embodiment, the present invention is not limited to the above configuration, and various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

예를 들면, 본 실시형태에 있어서는, LED 소자(114)가 X축 방향을 따라 3개 나열되고, Y축 방향으로 3개 나열되는 구성에 대하여 설명했지만, 기판(112)의 네 모서리의 LED 소자(114)에 대해 제2 도광 부재(140)를 설치하면 되고, LED 소자(114)가, X축 방향을 따라 M개(M은, 2 이상의 정수) 나열되고, Y축 방향으로 N개(N은, 2 이상의 정수) 나열되는 구성으로 적용하는 것도 가능하다. For example, in the present embodiment, a configuration in which three LED elements 114 are arranged along the X-axis direction and three in the Y-axis direction has been described, but LED elements at four corners of the substrate 112 have been described. What is necessary is just to install the 2nd light guide member 140 with respect to (114), M LED elements 114 are arranged along the X-axis direction (M is an integer of 2 or more), and N (N is an integer of 2 or more).

(변형예) (modified example)

도 7 ∼ 9는, 본 실시형태의 광 조사장치(100)의 제1 ∼ 제3 변형예에 따른 광 조사장치(101 ∼ 103)를 설명하는 도면이다. 도 7(a), 도 8(a), 도 9(a)는, 광 조사장치(101 ∼ 103)를 출사구(出射口) 쪽에서부터 보았을 때의 정면도이며, 도 7(b), 도 8(b), 도 9(b)는, 도 7(a), 도 8(a), 도 9(a)의 C-C선 위의 LED 소자(114)로부터 출사되는 자외광의 조사 영역(P) 상에 있어서의 Y축 방향의 조사 강도 분포(시뮬레이션)이다. 한편, 도 7(b), 도 8(b), 도 9(b)의 세로축은, 조사 강도(mW)이고, 가로축은, 기판(112)의 Y축 방향 의 중심을 0으로 하는 Y축 방향의 거리(mm)이다. 또한, 도 7(b), 도 8(b), 도 9(b) 중, 실선(α)은, 각 변형예의 조사 강도 분포를 나타내고, 파선(β)은, 각 변형예에서 제2 도광 부재(140)를 떼어냈을 경우(즉, 비교예)의 조사 강도 분포를 나타내고 있다. 한편, 도 7(b), 도 8(b), 도 9(b)의 시뮬레이션에 있어서는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 90%로 하고, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a) 및 미러면(140b)의 반사율도 90%로 하고 있다. 7 to 9 are diagrams for explaining light irradiation devices 101 to 103 according to first to third modifications of the light irradiation device 100 of the present embodiment. 7(a), 8(a), and 9(a) are front views of the light irradiation devices 101 to 103 as viewed from the exit port side, and FIGS. 7(b) and 8 (b) and FIG. 9(b) are on the irradiation area P of the ultraviolet light emitted from the LED element 114 on the line C-C in FIGS. 7(a), 8(a) and 9(a). It is the irradiation intensity distribution (simulation) in the Y-axis direction in . Meanwhile, the vertical axis in FIGS. 7(b), 8(b), and 9(b) is irradiation intensity (mW), and the abscissa axis is the Y-axis direction with the center of the substrate 112 in the Y-axis direction being 0. is the distance in mm. 7(b), 8(b), and 9(b), the solid line α represents the distribution of irradiation intensity in each modification, and the broken line β represents the second light guide member in each modification. The irradiation intensity distribution in the case where (140) is removed (ie, Comparative Example) is shown. On the other hand, in the simulations of FIGS. 7(b), 8(b), and 9(b), the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 is set to 90%. , the reflectance of the mirror surface 140a and the mirror surface 140b of the second light guide member 140 is also set to 90%.

(제1 변형예) (First modified example)

도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 제1 변형예에 따른 광 조사장치(101)는, LED 소자(114)가 2개(X축 방향) × 2개(Y축 방향)의 형태로 배치되어 있으며, 제2 도광 부재(140)가 십자 형상으로 일체적으로 형성되어 있다는 점에서, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 상이하고, LED 유닛(110), 렌즈 유닛(120), 제1 도광 부재(130) 등, 그 밖의 구성은 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 동일하다. 본 변형예에 있어서는, 4개의 LED 소자(114)가 모두 기판(112)의 각 네 모서리에 위치하고, 제2 도광 부재(140)에 의해 구획되어 있기 때문에, 제2 도광 부재(140)에는, 네 모서리의 LED 소자(114)로부터의 자외광을 도광하는 미러면(140a)(제2 미러면)만이 형성되어 있다. As shown in FIG. 7(a), in the light irradiation device 101 according to the first modified example, LED elements 114 are arranged in the form of two (X-axis direction) × two (Y-axis direction) , and is different from the structure of the light irradiation device 100 according to the first embodiment in that the second light guide member 140 is integrally formed in a cross shape, and the LED unit 110 and the lens unit 120 ), the first light guide member 130 and the like, other configurations are the same as those of the light irradiation device 100 according to the first embodiment. In this modified example, since all four LED elements 114 are located at each of the four corners of the substrate 112 and are partitioned by the second light guide member 140, the second light guide member 140 has four Only the mirror surface 140a (second mirror surface) for guiding the ultraviolet light from the corner LED element 114 is formed.

도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 제1 변형예에 따른 광 조사장치(101)에 있어서도, 제2 도광 부재(140)를 설치함으로써, Y축 방향 ± 20mm의 위치에서 급격히 상승하는 특성을 유지하면서도, 조사 영역(P)의 네 모서리(도 7(b) 중, -5 ∼ -15mm의 위치, +5 ∼ +15mm의 위치)의 조사 강도를 저하시켜, 조사 영역(P) 전체에서 대략 균일한 조사 강도 분포가 얻어지는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 7(b), even in the light irradiation device 101 according to the first modified example, by providing the second light guide member 140, the characteristic of rapidly rising at a position of ±20 mm in the Y-axis direction is maintained. However, by reducing the irradiation intensity of the four corners of the irradiation area P (positions of -5 to -15 mm and +5 to +15 mm in FIG. 7(b)), the irradiation area P is substantially uniform throughout It can be seen that one irradiation intensity distribution is obtained.

(제2 변형예) (Second modified example)

도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 제2 변형예에 따른 광 조사장치(102)는, LED 소자(114)가 4개(X축 방향) × 4개(Y축 방향)의 형태로 배치되어 있다는 점에서, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 상이하고, LED 유닛(110), 렌즈 유닛(120), 제1 도광 부재(130), 제2 도광 부재(140) 등, 그 밖의 구성은 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 동일하다. 본 변형예에 있어서도, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)와 마찬가지로, 기판(112) 상의 네 모서리의 LED 소자(114)가 제2 도광 부재(140)에 의해 구획되어 있다. 그리고, 도 8(b)에 나타낸 바와 같이, 제2 변형예에 따른 광 조사장치(102)에 있어서도, 제2 도광 부재(140)를 설치함으로써, Y축 방향 ± 45mm의 위치에서 급격히 상승하는 특성을 유지하면서도, 조사 영역(P)의 네 모서리(도 8(b) 중, -30 ∼ -45mm의 위치, +30 ∼ +45mm의 위치)의 조사 강도를 저하시켜, 조사 영역(P) 전체에서 대략 균일한 조사 강도 분포가 얻어진다는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 8(a), in the light irradiation device 102 according to the second modified example, LED elements 114 are arranged in the form of 4 (X-axis direction) × 4 (Y-axis direction) It is different from the configuration of the light irradiation device 100 according to the first embodiment in that there is, and the LED unit 110, the lens unit 120, the first light guide member 130, the second light guide member 140, etc. , and other configurations are the same as those of the light irradiation device 100 according to the first embodiment. Also in this modified example, as in the light irradiation device 100 according to the first embodiment, the LED elements 114 at four corners on the substrate 112 are partitioned by the second light guide member 140 . And, as shown in FIG. 8(b), in the light irradiation device 102 according to the second modified example, by providing the second light guide member 140, the characteristic of rapidly rising at a position of ±45 mm in the Y-axis direction. While maintaining, the irradiation intensity of the four corners (positions of -30 to -45 mm and +30 to +45 mm in FIG. 8(b)) is reduced, It can be seen that an approximately uniform irradiation intensity distribution is obtained.

(제3 변형예) (3rd modified example)

도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 제3 변형예에 따른 광 조사장치(103)는, LED 소자(114)가 5개(X축 방향) × 5개(Y축 방향)의 형태로 배치되어 있다는 점에서, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 상이하고, LED 유닛(110), 렌즈 유닛(120), 제1 도광 부재(130), 제2 도광 부재(140) 등, 그 밖의 구성은 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 동일하다. 본 변형예에 있어서도, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)와 마찬가지로, 기판(112) 상의 네 모서리의 LED 소자(114)가 제2 도광 부재(140)에 의해 구획되어 있다. 그리고, 도 9(b)에 나타낸 바와 같이, 제3 변형예에 따른 광 조사장치(103)에 있어서도, 제2 도광 부재(140)를 설치함으로써, Y축 방향 ± 60mm의 위치에서 급격히 상승하는 특성을 유지하면서도, 조사 영역(P)의 네 모서리(도 9(b) 중, -40 ∼ -55mm의 위치, +40 ∼ +55mm의 위치)의 조사 강도를 저하시켜, 조사 영역(P) 전체에서 대략 균일한 조사 강도 분포가 얻어진다는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 9(a), in the light irradiation device 103 according to the third modified example, LED elements 114 are arranged in the form of 5 (X-axis direction) × 5 (Y-axis direction) It is different from the configuration of the light irradiation device 100 according to the first embodiment in that there is, and the LED unit 110, the lens unit 120, the first light guide member 130, the second light guide member 140, etc. , and other configurations are the same as those of the light irradiation device 100 according to the first embodiment. Also in this modified example, as in the light irradiation device 100 according to the first embodiment, the LED elements 114 at four corners on the substrate 112 are partitioned by the second light guide member 140 . And, as shown in FIG. 9(b), even in the light irradiation device 103 according to the third modified example, by providing the second light guide member 140, the characteristic of rapidly rising at a position of ± 60 mm in the Y-axis direction. While maintaining, the irradiation intensity of the four corners (positions of -40 to -55 mm and +40 to +55 mm in FIG. 9(b)) is reduced, It can be seen that an approximately uniform irradiation intensity distribution is obtained.

또한, 제1 실시형태, 제1 ∼ 제3 변형예에 있어서는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 90%로 하고, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a) 및 미러면(140b)의 반사율도 90%로 했지만, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율은, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율 이하이면 되고, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을 조정함으로써, 조사 영역(P)의 네 모서리의 조사 강도를 보다 균일해지도록 조정할 수 있다. Further, in the first embodiment and the first to third modifications, the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 is set to 90%, and the second light guide member 140 The reflectance of the mirror surface 140a and the mirror surface 140b of ) is also set to 90%, but the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140 is the mirror surface 130a of the first light guide member 130. , 130b, 130c, 130d), and by adjusting the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140, the irradiation intensity of the four corners of the irradiation area P can be adjusted to be more uniform. have.

도 10은, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)에 있어서, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율과, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을 변경했을 때의 조사 강도 분포(시뮬레이션)이다. 한편, 도 10은, 도 6과 마찬가지로, 도 1(a)의 A-A선 위의 3개의 LED 소자(114)로부터 출사되는 자외광의 조사 영역(P) 상에 있어서의 Y축 방향의 조사 강도 분포이며, 세로축은, 조사 강도(mW)이고, 가로축은, 기판(112)의 Y축 방향의 중심을 0으로 하는 Y축 방향의 거리(mm)이다. 10 shows the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 and the ratio of the second light guide member 140 in the light irradiation device 100 according to the first embodiment. This is an irradiation intensity distribution (simulation) when the reflectance of the mirror surface 140a is changed. On the other hand, FIG. 10, like FIG. 6, shows the irradiation intensity distribution in the Y-axis direction on the irradiation area P of the ultraviolet light emitted from the three LED elements 114 on the line A-A of FIG. 1 (a). , where the vertical axis is the irradiation intensity (mW), and the horizontal axis is the distance (mm) in the Y-axis direction with the center of the substrate 112 in the Y-axis direction being 0.

도 10 중, (가)는, 본 실시형태의 광 조사장치(100)(즉, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율이 90%, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율이 90%일 때)의 조사 강도 분포이다. 이 때, 가로축 -33 ∼ +33mm의 범위를 유효 조사 영역으로 하면, 유효 조사 영역 내의 균일도((최대 강도 - 최소 강도) / (최대 강도 + 최소 강도) × 100(%))는 8.4%가 되었다. 10, (a) shows that the reflectance of the light irradiation device 100 (that is, the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130) of the present embodiment is 90% and the second light guide It is the irradiation intensity distribution when the reflectance of the mirror surface 140a of the member 140 is 90%. At this time, if the range of -33 to +33 mm on the horizontal axis is the effective irradiation area, the uniformity within the effective irradiation area ((maximum intensity - minimum intensity) / (maximum intensity + minimum intensity) × 100 (%)) was 8.4%. .

도 10 중, (나)는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 90%, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을 75%로 했을 때의 변형예의 조사 강도 분포이다. 이 때, 유효 조사 영역 내의 균일도는 8.7%가 되었다. In FIG. 10, (b) shows that the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 is 90%, and the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140 is It is the irradiation intensity distribution of the modified example when it was set as 75%. At this time, the uniformity within the effective irradiation area was 8.7%.

도 10중, (다)는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 90%로 하고, 본 실시형태의 광 조사장치(100)에서 제2 도광 부재(140)를 떼어냈을 경우의 비교예의 조사 강도 분포이다. 이 때, 유효 조사 영역 내의 균일도는 10.9%가 되었다. In FIG. 10, (c), the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 is set to 90%, and the second light guide in the light irradiation device 100 of the present embodiment. It is the irradiation intensity distribution of the comparative example at the time of removing the member 140. At this time, the uniformity within the effective irradiation area was 10.9%.

도 10중, (라)는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 80%, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을 90%로 했을 때의 비교예의 조사 강도 분포이다. 이 때, 유효 조사 영역 내의 균일도는 9.6%가 되었다. 10, (d) indicates that the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, 130d of the first light guide member 130 is 80%, and the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140 is It is the irradiation intensity distribution of the comparative example when it was set as 90%. At this time, the uniformity within the effective irradiation area was 9.6%.

도 10 중, (마)는, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율을 70%, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을 90%로 했을 때의 비교예의 조사 강도 분포이다. 이 때, 유효 조사 영역 내의 균일도는 11.0%가 되었다. In FIG. 10, (E) indicates that the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130 is 70% and the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140 is It is the irradiation intensity distribution of the comparative example when it was set as 90%. At this time, the uniformity within the effective irradiation area was 11.0%.

이처럼, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율 이하로 설정하면, 유효 조사 영역 내의 균일도를 9.0% 이하로 할 수 있다. In this way, when the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140 is set equal to or less than the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130, the uniformity within the effective irradiation area can be 9.0% or less.

(제2 실시형태) (Second Embodiment)

도 11은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 광 조사장치(200)의 구성을 나타낸 모식도이다. 도 11(a)는, 광 조사장치(200)의 출사구(出射口) 쪽에서부터 보았을 때의 광 조사장치(200)의 정면도이다. 도 11(b)는, 도 11(a)의 A-A선에 따른 단면도이다. 본 실시형태의 광 조사장치(200)는, 제1 도광 부재(230)의 미러면(230a, 230b)이, 광축(AX)에 대해 소정의 각도(θ)(예를 들면, 1.2°)만큼 Y축 방향으로 기울어져 있으며, 제1 도광 부재(230)의 미러면(230c, 230d)이, 광축(AX)에 대해 소정의 각도(θ)(예를 들면, 1.2°)만큼 X축 방향으로 기울어져 있다는 점에서, 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 상이하고, LED 유닛(110), 렌즈 유닛(120), 제2 도광 부재(140) 등, 그 밖의 구성은 제1 실시형태에 따른 광 조사장치(100)의 구성과 동일하다. Fig. 11 is a schematic diagram showing the configuration of a light irradiation device 200 according to a second embodiment of the present invention. Fig. 11 (a) is a front view of the light irradiation device 200 when viewed from the exit port side of the light irradiation device 200. Fig. 11(b) is a cross-sectional view taken along line A-A in Fig. 11(a). In the light irradiation device 200 of the present embodiment, the mirror surfaces 230a and 230b of the first light guide member 230 are at a predetermined angle θ (eg, 1.2°) with respect to the optical axis AX. It is inclined in the Y-axis direction, and the mirror surfaces 230c and 230d of the first light guide member 230 extend in the X-axis direction by a predetermined angle θ (eg, 1.2°) with respect to the optical axis AX. It is different from the configuration of the light irradiation device 100 according to the first embodiment in that it is inclined, and other configurations such as the LED unit 110, the lens unit 120, the second light guide member 140, etc. The configuration of the light irradiation device 100 according to the first embodiment is the same.

도 12는, 본 실시형태의 광 조사장치(200)로부터 출사되는 자외광의 시뮬레이션 결과이며, 도 11(a)의 A-A선 위의 3개의 LED 소자(114)로부터 출사되는 자외광의 조사 영역(P) 상에 있어서의 Y축 방향의 조사 강도 분포이다. 도 12의 세로축은, 조사 강도(mW)이고, 가로축은, 기판(112)의 Y축 방향의 중심을 0으로 하는 Y축 방향의 거리(mm)이다. 또한, 도 12 중, 실선(α)은, 본 실시형태의 광 조사장치(200)의 조사 강도 분포를 나타내고, 파선(β)은, 본 실시형태의 광 조사장치(200)에서 제2 도광 부재(140)를 떼어냈을 경우(즉, 비교예)의 조사 강도 분포를 나타내고 있다. 한편, 도 12의 시뮬레이션에 있어서는, 제1 도광 부재(230)의 미러면(230a, 230b, 230c, 230d)의 반사율을 90%로 하고, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a) 및 미러면(140b)의 반사율도 90%로 하고 있다. 12 is a simulation result of ultraviolet light emitted from the light irradiation device 200 of the present embodiment, and an irradiation area of ultraviolet light emitted from the three LED elements 114 on the line A-A in FIG. 11 (a) ( It is the irradiation intensity distribution of the Y-axis direction in P) phase. The vertical axis of FIG. 12 is the irradiation intensity (mW), and the horizontal axis is the distance (mm) in the Y-axis direction with the center of the substrate 112 in the Y-axis direction being zero. 12, the solid line α represents the distribution of the irradiation intensity of the light irradiation device 200 of this embodiment, and the broken line β represents the second light guide member in the light irradiation device 200 of this embodiment. The irradiation intensity distribution in the case where (140) is removed (ie, Comparative Example) is shown. On the other hand, in the simulation of FIG. 12 , the reflectance of the mirror surfaces 230a, 230b, 230c, and 230d of the first light guide member 230 is 90%, and the mirror surfaces 140a of the second light guide member 140 and The reflectance of the mirror surface 140b is also set to 90%.

도 12에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서도, 제2 도광 부재(140)를 설치함으로써, Y축 방향 ± 35mm의 위치에서 급격히 상승하는 특성을 유지하면서도, 조사 영역(P)의 네 모서리(도 12 중, -15 ∼ -35mm의 위치, +15 ∼ +35mm의 위치)의 조사 강도를 저하시켜, 조사 영역(P) 전체에서 대략 균일한 조사 강도 분포가 얻어진다는 것을 알 수 있다. 또한, 도 6과 도 12를 비교하면, 본 실시형태의 구성 쪽이 제1 실시형태와 비교해서, 조사 영역(P)의 네 모서리의 조사 강도를 보다 균일하게 할 수 있다는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 12, in this embodiment as well, by providing the second light guide member 140, while maintaining the characteristic of rapidly rising at the position of ± 35 mm in the Y-axis direction, the four corners of the irradiation area P (Fig. 12, -15 to -35 mm position, +15 to +35 mm position) is reduced, and it is understood that a substantially uniform radiation intensity distribution is obtained in the entire irradiation area P. 6 and 12, it can be seen that the configuration of the present embodiment can make the irradiation intensity of the four corners of the irradiation area P more uniform compared to the first embodiment.

한편, 본 실시형태에 있어서는, 제1 도광 부재(230)의 미러면(230a, 230b, 230c, 230d)이, 광축(AX)에 대해 소정의 각도(θ)(예를 들면, 1.2°)만큼 경사져 있는 것으로 했지만, 미러면(230a, 230b, 230c, 230d)의 경사 각도는, 요구되는 광량, 조사 강도 분포의 상승 특성 등을 고려하여, 적절히 설정된다. 한편, 미러면(230a, 230b, 230c, 230d)의 경사 각도는, 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 자외광의 확산각보다 작은 각도인 것이 바람직하고, 렌즈 유닛(120)으로부터 출사되는 자외광의 확산각이 5 ∼ 20°의 범위이며, 경사 각도가 확산각의 1/2보다 작은 것이 더 바람직하다. On the other hand, in the present embodiment, the mirror surfaces 230a, 230b, 230c, and 230d of the first light guide member 230 are at a predetermined angle θ (eg, 1.2°) with respect to the optical axis AX. Although inclined, the angles of inclination of the mirror surfaces 230a, 230b, 230c, and 230d are appropriately set in consideration of the required amount of light, the rising characteristic of the irradiation intensity distribution, and the like. On the other hand, the inclination angles of the mirror surfaces 230a, 230b, 230c, and 230d are preferably smaller than the diffusion angle of the ultraviolet light emitted from the lens unit 120, and the ultraviolet light emitted from the lens unit 120 It is more preferable that the divergence angle is in the range of 5 to 20° and the inclination angle is less than 1/2 of the divergence angle.

또한, 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서도, LED 소자(114)의 개수, 배치를 적절히 변경할 수 있다. 또한, 제2 도광 부재(140)의 미러면(140a)의 반사율을, 제1 도광 부재(130)의 미러면(130a, 130b, 130c, 130d)의 반사율 이하로 설정하는 것이 바람직하다. As described in the first embodiment, also in this embodiment, the number and arrangement of the LED elements 114 can be appropriately changed. In addition, it is preferable to set the reflectance of the mirror surface 140a of the second light guide member 140 to be equal to or less than the reflectance of the mirror surfaces 130a, 130b, 130c, and 130d of the first light guide member 130.

또한, 제1 및 제2 실시형태의 LED 소자(114)는, 파장 395nm의 자외광을 출사하는 것으로 했지만, 이러한 구성에 한정되지 않으며, 다른 파장(예를 들면, 파장 365nm, 파장 385nm, 파장 405nm)의 자외광을 출사하는 것일 수도 있고, 또한 파장이 다른 복수 종류의 LED 소자를 조합하여(즉, 복수의 파장을 섞어) 구성할 수도 있다. In addition, although the LED element 114 of the first and second embodiments emits ultraviolet light with a wavelength of 395 nm, it is not limited to this configuration, and other wavelengths (for example, wavelengths of 365 nm, 385 nm, and 405 nm) ), or may be configured by combining a plurality of types of LED elements having different wavelengths (that is, mixing a plurality of wavelengths).

한편, 이번에 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시일 뿐 제한적인 것은 아니다. 본 발명의 범위는, 상기한 설명이 아니라, 특허청구범위에 의해 나타내어지고, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. On the other hand, embodiment disclosed this time is only an illustration in all points, and is not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description but by the claims, and it is intended that the meaning and equality of the claims and all changes within the range are included.

100, 200 : 광 조사장치
110 : LED 유닛
112 : 기판
114 : LED 소자
120 : 렌즈 유닛
122 : 제1 렌즈
124 : 제2 렌즈
126 : 제3 렌즈
130, 230 : 제1 도광 부재
130a, 130b, 130c, 130d, 230a, 230b, 230c, 230d : 미러면
130e : 입사 개구
130f : 출사 개구
140 : 제2 도광 부재
140a, 140b : 미러면
150 : 구경 조리개 100, 200: light irradiation device
110: LED unit
112: substrate
114: LED element
120: lens unit
122: first lens
124: second lens
126: third lens
130, 230: first light guide member
130a, 130b, 130c, 130d, 230a, 230b, 230c, 230d: mirror surface
130e: entrance opening
130f: exit aperture
140: second light guide member
140a, 140b: mirror surface
150: Aperture Aperture

Claims (7)

조사 대상물 상의 직사각형 형상의 조사 영역에 대해 광을 조사하는 광 조사장치로서,
기판 상에, 제1 방향을 따라 M개(M은, 2 이상의 정수) 나열되고, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 N개(N은, 2 이상의 정수) 나열된 M × N개의 발광 소자,
상기 각 발광 소자의 광로 중에 각각 배치되고, 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 소정의 확산각의 광으로 성형하는 렌즈 유닛,
상기 M × N개의 발광 소자의 광축을 직사각형 형상으로 둘러싸도록 형성된 제1 미러면을 가지고, 상기 렌즈 유닛으로부터 출사되는 광을 도광하는 제1 도광 부재, 및
상기 기판의 네 모서리에 배치된 발광 소자를 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 구획하도록 배치되고, 상기 네 모서리에 배치된 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제2 미러면과, 상기 네 모서리에 배치된 발광 소자에 인접하는 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제3 미러면이 형성된 제2 도광 부재
를 구비하고,
상기 제2 도광 부재의, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 직교하는 제3방향의 길이가, 상기 네 모서리에 배치된 발광 소자로부터 출사된 광의 적어도 일부가, 상기 제2 미러면에서 1회만 반사하면서도, 또한 상기 제2 미러면에서 반사된 광이, 상기 조사 영역 내에서, 상기 기판의 네 모서리에 배치된 발광 소자의 광축보다 외측을 조사하도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 광 조사장치. A light irradiation device for irradiating light to a rectangular irradiation area on an object to be irradiated,
On the substrate, M light emitting elements (M is an integer greater than or equal to 2) are arranged along a first direction, and N light emitting elements (N is an integer greater than or equal to 2) are arranged in a second direction orthogonal to the first direction. ,
a lens unit disposed in an optical path of each of the light emitting elements and shaping the light emitted from the light emitting element into light having a predetermined divergence angle;
a first light guiding member having a first mirror surface formed to surround optical axes of the M×N light emitting elements in a rectangular shape and guiding light emitted from the lens unit; and
a second mirror surface arranged to divide the light emitting elements disposed at four corners of the substrate into the first direction and the second direction, and guiding light from the light emitting elements disposed at the four corners; A second light guiding member formed with a third mirror surface for guiding light from light emitting elements adjacent to the arranged light emitting elements.
to provide,
The length of the second light guide member in the third direction orthogonal to the first and second directions is such that at least a part of the light emitted from the light emitting elements disposed at the four corners passes through the second mirror surface only once. The light irradiation device characterized by being set so that the light reflected by the second mirror surface while being reflected is irradiated outside the optical axis of the light emitting elements arranged at four corners of the substrate within the irradiation area. 삭제delete 조사 대상물 상의 직사각형 형상의 조사 영역에 대해 광을 조사하는 광 조사장치로서,
기판 상에, 제1 방향을 따라 M개(M은, 2 이상의 정수) 나열되고, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 N개(N은, 2 이상의 정수) 나열된 M × N개의 발광 소자,
상기 각 발광 소자의 광로 중에 각각 배치되고, 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 소정의 확산각의 광으로 성형하는 렌즈 유닛,
상기 M × N개의 발광 소자의 광축을 직사각형 형상으로 둘러싸도록 형성된 제1 미러면을 가지고, 상기 렌즈 유닛으로부터 출사되는 광을 도광하는 제1 도광 부재, 및
상기 기판의 네 모서리에 배치된 발광 소자를 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 구획하도록 배치되고, 상기 네 모서리에 배치된 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제2 미러면과, 상기 네 모서리에 배치된 발광 소자에 인접하는 발광 소자로부터의 광을 도광하는 제3 미러면이 형성된 제2 도광 부재
를 구비하고,
상기 제2 미러면의 반사율이, 상기 제1 미러면의 반사율 이하인 것을 특징으로 하는 광 조사장치. A light irradiation device for irradiating light to a rectangular irradiation area on an object to be irradiated,
On the substrate, M light emitting elements (M is an integer greater than or equal to 2) are arranged along a first direction, and N light emitting elements (N is an integer greater than or equal to 2) are arranged in a second direction orthogonal to the first direction. ,
a lens unit disposed in an optical path of each of the light emitting elements and shaping the light emitted from the light emitting element into light having a predetermined divergence angle;
a first light guiding member having a first mirror surface formed to surround optical axes of the M×N light emitting elements in a rectangular shape and guiding light emitted from the lens unit; and
a second mirror surface arranged to divide the light emitting elements disposed at four corners of the substrate into the first direction and the second direction, and guiding light from the light emitting elements disposed at the four corners; A second light guiding member formed with a third mirror surface for guiding light from light emitting elements adjacent to the arranged light emitting elements.
to provide,
The light irradiation device characterized in that the reflectance of the second mirror surface is less than or equal to the reflectance of the first mirror surface. 제3항에 있어서,
상기 제2 미러면의 반사율이, 90% 이하인 것을 특징으로 하는 광 조사장치.According to claim 3,
The light irradiation device characterized in that the reflectance of the second mirror surface is 90% or less. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 미러면은, 상기 조사 대상물을 향해 넓어지도록, 상기 제1 도광 부재의 광축에 대해, 상기 확산각보다 작은 경사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 광 조사장치. The method of any one of claims 1, 3 and 4,
The light irradiation device according to claim 1, wherein the first mirror surface has an inclination angle smaller than the divergence angle with respect to the optical axis of the first light guide member so as to widen toward the irradiation target. 제5항에 있어서,
상기 확산각이 0.5° 이상 50° 이하의 범위이며, 상기 경사 각도가 상기 확산각의 1/2보다 작은 것을 특징으로 하는 광 조사장치. According to claim 5,
The light irradiation device according to claim 1 , wherein the divergence angle is in a range of 0.5° or more and 50° or less, and the inclination angle is less than 1/2 of the divergence angle. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광은, 자외선 파장 영역의 광인 것을 특징으로 하는 광 조사장치. The method of any one of claims 1, 3 and 4,
The light is a light irradiation device, characterized in that the light in the ultraviolet wavelength region.
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