KR102471366B1 - Plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas to save water and method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명의 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템은, 폐가스가 유입되는 유입부; 유입부의 일측에 연결되며, 폐가스를 연소시키기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부; 플라즈마 발생부의 일측에 연결되며, 플라즈마 발생부를 통과한 폐가스의 연소 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 하부에 위치하며, 반응챔버를 통과하여 연소된 가스를 정화 처리하는 워터탱크; 워터탱크 상부에 위치하며, 워터탱크를 통과하여 워터탱크로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 아웃렛타워; NPW의 공급 및 차단을 조절하는 NPW 밸브; 및 PCW의 공급 및 차단을 조절하는 PCW 밸브를 포함하며, NPW 밸브 및 PCW 밸브는 플라즈마 발생부의 작동 상태에 따라 개폐될 수 있다.Plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving of the present invention includes an inlet through which waste gas is introduced; A plasma generator connected to one side of the inlet and generating plasma for burning the waste gas; A reaction chamber connected to one side of the plasma generating unit and providing a combustion space for waste gas passing through the plasma generating unit; a water tank positioned below the reaction chamber and purifying gas burned through the reaction chamber; An outlet tower located above the water tank and passing through the water tank to remove foreign substances contained in the gas rising from the water tank; NPW valves that regulate supply and shutoff of NPW; and a PCW valve controlling the supply and blocking of PCW, and the NPW valve and the PCW valve may be opened and closed according to an operating state of the plasma generator.

Description

용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템 및 그 작동 방법{PLASMA SCRUBBER SYSTEM FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WASTE GAS TO SAVE WATER AND METHOD THEREOF}Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment for water reduction and its operation method

본 발명은 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템 및 그 작동 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 용수를 효과적으로 절감할 수 있는 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템 및 그 작동 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma scrubber system for processing semiconductor off-gas and a method of operating the same. More specifically, it relates to a plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors capable of effectively saving water and an operating method thereof.

반도체는 회로 설계, 마스크 제작, 노광, 식각, 확산, 박막, 세정, 연마 등 다양한 제조 공정을 거쳐 제조되는데, 이러한 반도체 제조 공정에서 유독성, 가연성 및 부식성이 강한 가스가 사용된다. 따라서, 반도체 공정 중 배출되는 폐가스에는 유해 성분이 다량 함유될 수 있다.Semiconductors are manufactured through various manufacturing processes such as circuit design, mask manufacturing, exposure, etching, diffusion, thin film, cleaning, and polishing. In these semiconductor manufacturing processes, toxic, flammable, and highly corrosive gases are used. Therefore, the waste gas discharged during the semiconductor process may contain a large amount of harmful components.

이와 같은 폐가스(유해가스)가 별도의 정화 처리 과정 없이 외부로 유출될 경우, 주변 제조 설비의 손상과 함께 심각한 환경오염 및 작업자의 안전사고를 초래할 수 있다. 이에 따라, 폐가스의 유해성분을 기준치 이하로 낮추기 위해서, 정화처리 과정을 반드시 거치도록 법적으로 의무화되어 있다.If such waste gas (harmful gas) is leaked outside without a separate purification process, it may cause serious environmental pollution and safety accidents of workers along with damage to nearby manufacturing facilities. Accordingly, in order to lower the harmful components of the waste gas below the standard value, it is legally obliged to undergo a purification process.

폐가스를 처리하기 위하여 스크러버(Scrubber)가 사용될 수 있는데, 반도체 산업에서 사용되는 스크러버는 반도체 제조공정 중에 발생하는 각종 독성가스 및 산성가스, 가연성가스(SiH4, SiH6, As3, PH3 등), 환경유해가스(PFC계: SF6, NF3, CF4, C2F6, C3F8 등)를 정제하여 배출한다. 이러한 스크러버는 처리 방식에 따라 습식(wet-type), 건식(dry-type), 연소식(burn-type), 흡착식, 플라즈마식 등으로 분류된다.Scrubbers can be used to treat waste gas. Scrubbers used in the semiconductor industry are various toxic gases, acidic gases, and combustible gases (SiH 4 , SiH 6 , As 3 , PH 3 , etc.) generated during the semiconductor manufacturing process. , Environmentally harmful gases (PFC type: SF 6 , NF 3 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , etc.) are purified and discharged. These scrubbers are classified into wet-type, dry-type, burn-type, adsorption-type, plasma-type and the like according to the treatment method.

특히, 플라즈마 스크러버는 고온 및 높은 화학적 활성을 이용하여 온난화 지수가 높고, 열적, 화학적으로 매우 안정한 난분해성 물질 등을 처리하는데 매우 효과적이다. 또한, 낮은 운전 비용 및 사용의 편리성 등의 장점을 가진다. 이러한 장점들로 인해 플라즈마 스크러버는 경쟁력 있는 기술로 인정받고 있다.In particular, the plasma scrubber is very effective in treating a highly stable thermally and chemically recalcitrant material with a high warming potential by using a high temperature and high chemical activity. In addition, it has advantages such as low operating cost and convenience of use. Due to these advantages, the plasma scrubber is recognized as a competitive technology.

이에 따라, 일반적으로, 반도체 후처리 공정에서는 스크러버 시스템(Scrubber System)이 적용된다. 이러한 스크러버 시스템은 예방 정비(Prevention Maintenance, PM)를 받는 경우 가동이 중단될 수 있으며, 장비의 압력, 유량, 온도 등이 정상 범위에서 벗어난 경우, 또는 파우더로 인한 막힘, 용수 누출, 냉각 불량 등에 의해 알람(Alarm)이 발생하는 경우에 정상적으로 작동하지 않을 수 있다. 또한, 이러한 스크러버 시스템의 작동 불량으로 인해 플라즈마 발생부의 가동이 중단됨에 따라, 플라즈마가 발생하지 않을 수도 있다. 그러나, 기존에는 스크러버 시스템(특히, 플라즈마 발생부)의 작동 여부 또는 작동 상태와 상관 없이, 상시 용수가 공급되는 문제가 있었다. 즉, 스크러버 시스템이 정상적으로 작동하지 않는 경우에도 용수가 항상 공급됨에 따라, 많은 양의 용수가 불필요하게 낭비되는 문제가 있었다. 따라서, 반도체 폐가스 처리용 스크러버 시스템에 공급되는 용수를 절감시킬 수 있는 방안이 요구된다.Accordingly, in general, a scrubber system is applied in a semiconductor post-processing process. These scrubber systems can be shut down when undergoing preventive maintenance (PM), and equipment pressure, flow rate, temperature, etc. are out of the normal range, or due to powder clogging, water leakage, poor cooling, etc. It may not operate normally when an alarm occurs. In addition, as the operation of the plasma generating unit is stopped due to malfunction of the scrubber system, plasma may not be generated. However, in the past, there has been a problem in that water is always supplied regardless of whether or not the scrubber system (particularly, the plasma generator) is operating or operating. That is, since water is always supplied even when the scrubber system does not operate normally, a large amount of water is unnecessarily wasted. Therefore, there is a need for a method capable of reducing water supplied to a scrubber system for treating waste gas from semiconductors.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마 발생부의 작동 상태에 따라 용수의 공급 및 차단을 조절함으로써, 용수를 효과적으로 절감할 수 있는 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템 및 그의 작동 방법을 제공하는 것이다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is a plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment that can effectively reduce water by controlling the supply and cutoff of water according to the operating state of the plasma generator and its It's about providing a way to work. However, these tasks are illustrative, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템은, 폐가스가 유입되는 유입부; 상기 유입부의 일측에 연결되며, 상기 폐가스를 연소시키기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부의 일측에 연결되며, 상기 플라즈마 발생부를 통과한 폐가스의 연소 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버의 하부에 위치하며, 상기 반응챔버를 통과하여 연소된 가스를 정화 처리하는 워터탱크; 상기 워터탱크 상부에 위치하며, 상기 워터탱크를 통과하여 워터탱크로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 아웃렛타워; NPW의 공급 및 차단을 조절하는 NPW 밸브; 및 PCW의 공급 및 차단을 조절하는 PCW 밸브를 포함하며, 상기 NPW 밸브 및 상기 PCW 밸브는 상기 플라즈마 발생부의 작동 상태에 따라 개폐될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors for water saving includes an inlet through which waste gas is introduced; A plasma generator connected to one side of the inlet and generating plasma for burning the waste gas; a reaction chamber connected to one side of the plasma generating unit and providing a combustion space for waste gas passing through the plasma generating unit; a water tank positioned below the reaction chamber and purifying gas burned through the reaction chamber; an outlet tower located above the water tank and passing through the water tank to remove foreign substances contained in the gas rising from the water tank; NPW valves that regulate supply and shutoff of NPW; and a PCW valve controlling supply and blocking of PCW, and the NPW valve and the PCW valve may be opened or closed according to an operating state of the plasma generating unit.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 플라즈마 발생부가 OFF 상태인 경우, 상기 NPW 밸브 및 상기 PCW 밸브는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄(Close)될 수 있다.In addition, in the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to an embodiment of the present invention, when the plasma generating unit is in an OFF state, the NPW valve and the PCW valve pass a predetermined delay time (Delay Time) After that, it can be closed.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 플라즈마 발생부가 OFF 상태인 경우, 상기 NPW 밸브 및 상기 PCW 밸브는 상기 워터탱크의 온도와 상기 아웃렛타워의 온도가 설정온도와 같거나 낮아질 때 폐쇄(Close)될 수 있다.In addition, in the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to an embodiment of the present invention, when the plasma generator is in an OFF state, the NPW valve and the PCW valve control the temperature of the water tank and the outlet tower It can be closed when the temperature is equal to or lower than the set temperature.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 플라즈마 발생부의 OFF 상태는, 예방 정비(Prevention Maintenance) 또는 알람(Alarm)에 의해 상기 플라즈마 발생부가 정상적으로 작동하지 않는 상태일 수 있다.In addition, in the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to an embodiment of the present invention, the OFF state of the plasma generating unit operates normally by preventive maintenance or an alarm. It may be that you don't.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 딜레이 타임은 약 5분 내지 10분일 수 있다.In addition, in the plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors for water reduction according to an embodiment of the present invention, the delay time may be about 5 to 10 minutes.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템은, 상기 워터탱크에 연결되는 펌프를 더 포함할 수 있다.In addition, the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to an embodiment of the present invention may further include a pump connected to the water tank.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 NPW 밸브가 폐쇄된 상태에서, 상기 펌프의 가동으로 인해, 상기 워터탱크의 온도와 아웃렛타워의 온도가 설정온도보다 높아질 때, 상기 NPW 밸브는 개방(Open)될 수 있다. In addition, in the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to an embodiment of the present invention, in a state where the NPW valve is closed, due to the operation of the pump, the temperature of the water tank and the temperature of the outlet tower When higher than the set temperature, the NPW valve may be opened.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 설정온도는 약 35℃일 수 있다.In addition, in the plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors for water reduction according to an embodiment of the present invention, the set temperature may be about 35°C.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템에서, 상기 플라즈마 발생부가 재가동하여 ON 상태가 되는 경우, 상기 NPW 밸브 및 PCW 밸브는 개방(Open)될 수 있다.In addition, in the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to an embodiment of the present invention, when the plasma generator is restarted and turned ON, the NPW valve and the PCW valve may be opened.

본 발명의 다른 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템은, 폐가스가 유입되는 유입부; 상기 유입부의 일측에 연결되며, 상기 폐가스를 연소시키기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부의 일측에 연결되며, 상기 플라즈마 발생부를 통과한 폐가스의 연소 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버의 하부에 위치하며, 상기 반응챔버를 통과하여 연소된 가스를 정화 처리하는 워터탱크; 상기 워터탱크 상부에 위치하며, 상기 워터탱크를 통과하여 상기 워터탱크로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 아웃렛타워; NPW의 공급 및 차단을 조절하는 NPW 밸브; 및 PCW의 공급 및 차단을 조절하는 PCW 밸브를 포함하며, 상기 플라즈마 발생부가 OFF 상태인 경우, 상기 NPW 밸브는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되거나, 또는 상기 워터탱크의 온도와 아웃렛타워의 온도가 설정온도와 같거나 낮아질 때 폐쇄되며, 상기 PCW 밸브는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄될 수 있다.A plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors for water saving according to another embodiment of the present invention includes an inlet through which waste gas flows; A plasma generator connected to one side of the inlet and generating plasma for burning the waste gas; a reaction chamber connected to one side of the plasma generating unit and providing a combustion space for waste gas passing through the plasma generating unit; a water tank positioned below the reaction chamber and purifying gas burned through the reaction chamber; an outlet tower located above the water tank and passing through the water tank to remove foreign substances contained in the gas rising from the water tank; NPW valves that regulate supply and shutoff of NPW; and a PCW valve for controlling the supply and blocking of PCW. When the plasma generating unit is in an OFF state, the NPW valve is closed after a predetermined delay time, or the temperature of the water tank and the outlet It is closed when the temperature of the tower is equal to or lower than the set temperature, and the PCW valve can be closed after a predetermined delay time.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 작동 방법은, 플라즈마 발생부의 작동 상태를 판단하는 단계; 상기 플라즈마 발생부가 OFF 상태인 경우, NPW 밸브 및 PCW 밸브를 폐쇄하는 단계를 포함하며, 상기 NPW 밸브 및 PCW 밸브를 폐쇄하는 단계에서, 상기 NPW 밸브 및 상기 PCW 밸브는, 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되거나, 또는 상기 워터탱크의 온도와 상기 아웃렛타워의 온도가 설정온도와 같거나 낮아질 때 폐쇄될 수 있다.A method of operating a plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors to save water according to another embodiment of the present invention includes determining an operating state of a plasma generator; and closing the NPW valve and the PCW valve when the plasma generating unit is in an OFF state, and in the step of closing the NPW valve and the PCW valve, the NPW valve and the PCW valve operate at a predetermined delay time ), or when the temperature of the water tank and the temperature of the outlet tower are equal to or lower than the set temperature.

또한, 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 작동 방법에서, 상기 딜레이 타임은 약 5분 내지 10분일 수 있다.In addition, in the operating method of the plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors to save water, the delay time may be about 5 to 10 minutes.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템은, 용수의 불필요한 낭비를 방지함으로써, 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 소모성 부품의 수명 연장의 효과도 기대할 수 있다. 물론, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. According to one embodiment of the present invention made as described above, the plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors can improve energy efficiency by preventing unnecessary waste of water. In addition, the effect of extending the life of consumable parts can also be expected. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 유체 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 용수 밸브(NPW 밸브 및 PCW 밸브)의 작동 조건을 나타내는 표이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 플라즈마 발생부에서의 용수(PCW) 흐름을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 반응챔버에서의 용수(PCW) 흐름을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 워터 슬라이드에서의 용수(NPW) 흐름을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 아웃렛타워에서의 용수(NPW) 유입부를 나타내는 도면이다.
도 9는 스크러버 시스템 구성의 냉각 시간을 측정하기 위한 실험의 결과 그래프이다.
도 10은 기존의 플라즈마 스크러버 시스템과 본 발명의 플라즈마 스크러버 시스템을 비교한 표이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 작동 방법에 대한 흐름도이다. 1 is a schematic perspective view of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.
2 is a front view of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.
3 is a fluid flow diagram of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.
4 is a table showing operating conditions of water valves (NPW valve and PCW valve) of the plasma scrubber system for treating waste gas from semiconductors according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram showing the flow of water (PCW) in the plasma generating unit of the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing the flow of water (PCW) in the reaction chamber of the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing the flow of water (NPW) in a water slide of a plasma scrubber system for processing waste gas from semiconductors according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing a water (NPW) inlet in an outlet tower of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.
9 is a graph of the results of an experiment to measure the cooling time of a scrubber system configuration.
10 is a table comparing the conventional plasma scrubber system and the plasma scrubber system of the present invention.
11 is a flowchart of a method of operating a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.

상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 실시예를 통하여 보다 분명해질 것이다. Objects, features and advantages of the present invention described above will become more apparent through the following examples in conjunction with the accompanying drawings.

이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.The following specific structural or functional descriptions are only illustrated for the purpose of explaining embodiments according to the concept of the present invention, and embodiments according to the concept of the present invention can be implemented in various forms and are described in this specification or application. It should not be construed as being limited to the examples.

본 발명의 개념에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시예들은 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시 형태에 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Embodiments according to the concept of the present invention can apply various changes and can have various forms, so specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in this specification or application. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to a specific form disclosed, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다. Terms such as first and/or second may be used to describe various components, but the components are not limited to the above terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components, for example, without departing from the scope of rights according to the concept of the present invention, a first component may be named a second component, and similar Happily, the second component may also be referred to as the first component.

어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어 있다"거나 또는 "직접 접속되어 있다"고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 인접하는"과 "∼에 직접 인접하는" 등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it means that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. It should be understood. On the other hand, when a component is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions for describing the relationship between components, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" should be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설명된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this specification are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that the described feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof exists, but that one or more other features or numbers, It should be understood that the presence or addition of steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

다르게 정의되지 않는 한, 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in this specification, it should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in each figure indicate like elements.

도 1의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 외관을 나타내는 도면이며; 도 1의 (b)는 본 발명의 일 실시예 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 내부 구성을 나타내는 도면이며; 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 정면도이며; 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 개략적인 설계도이다. Figure 1 (a) is a view showing the appearance of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention; Figure 1 (b) is a view showing the internal configuration of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention; Figure 2 is a front view of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention; Figure 3 is a schematic design diagram of a plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템(이하, '스크러버 시스템'이라고도 함)(1000)은 유입부(100), 플라즈마 발생부(200), 반응챔버(300), 워터탱크(400), 아웃렛타워(500), NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 스크러버 시스템(1000)은 워터탱크(400)에 연결되며 폐수의 배수 및 순환을 위한 펌프(800)를 더 포함할 수 있다.Plasma scrubber system (hereinafter, also referred to as 'scrubber system') 1000 for processing semiconductor off-gas of the present invention includes an inlet 100, a plasma generator 200, a reaction chamber 300, a water tank 400, an outlet tower 500, NPW valve 600 and PCW valve 700. In addition, the scrubber system 1000 is connected to the water tank 400 and may further include a pump 800 for draining and circulating wastewater.

상기 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템(1000)은 시스템(특히, 플라즈마 발생부)의 작동 상태에 따라 용수의 공급을 차단할 수 있으며, 이에 의해 시스템에 공급되는 용수의 양을 효과적으로 절감할 수 있다. 이와 관련한 구체적인 내용은 해당 부분에서 후술한다.The plasma scrubber system 1000 for treating waste gas from semiconductors can cut off the supply of water according to the operating state of the system (particularly, the plasma generator), thereby effectively reducing the amount of water supplied to the system. Specific details regarding this will be described later in the relevant section.

반도체 공정, 즉 반도체 제조 설비(Main 장비)로부터 배출되는 폐가스(유해가스)는 유입부(100)를 통해 스크러버 시스템(1000) 내로 유입된다. 상기 폐가스는 반도체 공정에서 사용되는 PFC 계열의 가스를 포함할 수 있다. 이러한 PFC 계열의 유해가스에는 CF4, C2F6, C3F8, CHF3, SF6 등이 있을 수 있다. 상기 유입부(100)의 일측에는 플라즈마 발생부(200)가 연결될 수 있다. 또한, 상기 유입부(100)는, 예를 들어 복수 개의 유입 챔버로 구성될 수 있다.The waste gas (harmful gas) discharged from the semiconductor process, that is, the semiconductor manufacturing facility (main equipment), is introduced into the scrubber system 1000 through the inlet 100. The waste gas may include a PFC-based gas used in a semiconductor process. Such PFC-based harmful gases include CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , CHF 3 , and SF 6 . A plasma generator 200 may be connected to one side of the inlet 100 . Also, the inlet 100 may include, for example, a plurality of inlet chambers.

플라즈마 발생부(200)는 상기 유입부(100)의 일측에 연결되며, 상기 유입부(100)를 통해 유입된 폐가스를 연소시키기 위하여 플라즈마(화염)을 생성할 수 있다. 이러한 플라즈마는 플라즈마 형성 가스(예를 들어, 질소 가스), 애노드 전극체(도 5의 도면부호 '210' 참조) 및 캐소드 전극체(도 5의 도면부호 '220' 참조)의 상호작용에 의해서 발생될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마의 온도는 예를 들어 약 1000℃ 내지 3000℃ 정도일 수 있다. 다만, 가스의 종류, 유입량, 압력 조건 등에 따라 상기 온도는 달라질 수 있다. 일반적으로, 고체상태인 물질에 에너지를 가하면 순차적으로 액체, 기체로 변한다. 이러한 기체 상태의 물체에 가열이나 방전에 의해 에너지를 더욱 더 가하면 기체는 더 작은 입자인 원자, 이온, 전자 등으로 해리되는데, 이러한 상태를 플라즈마 상태라고 한다. 플라즈마 상태는 전리된 상태이기 때문에 고체, 액체, 기체 상태와는 달리 전기가 흐르고, 전체적으로 양이온(+)과 음이온(-)이 평행을 이루고 있기 때문에 전기적으로는 중성이다. 이러한 플라즈마를 이용한 스크러버는 높은 반응성을 가진다.The plasma generator 200 is connected to one side of the inlet 100 and can generate plasma (flame) to burn the waste gas introduced through the inlet 100 . Such plasma is generated by the interaction of a plasma forming gas (eg, nitrogen gas), an anode electrode body (refer to reference numeral 210 in FIG. 5 ), and a cathode electrode body (refer to reference numeral 220 in FIG. 5 ). It can be. In addition, the temperature of the plasma may be, for example, about 1000 °C to 3000 °C. However, the temperature may vary depending on the type of gas, inflow amount, pressure conditions, and the like. In general, when energy is applied to a material in a solid state, it sequentially changes into a liquid and a gas. When more energy is applied to such a gaseous object by heating or discharge, the gas is dissociated into smaller particles such as atoms, ions, electrons, etc., and this state is called a plasma state. Since the plasma state is an ionized state, unlike solid, liquid, and gaseous states, electricity flows, and since positive ions (+) and negative ions (-) are in parallel as a whole, it is electrically neutral. A scrubber using such a plasma has a high reactivity.

반응챔버(또는 '히팅챔버'라고도 함)(300)는 상기 플라즈마 발생부(200)의 일측에 연결되며, 상기 플라즈마 발생부(200)를 통과한 폐가스의 연소 및/또는 열분해를 위한 반응 공간(연소 공간)을 제공할 수 있다. 즉, 상기 반응챔버(300)는 페가스를 연소시켜 정화 처리할 수 있다. 구체적으로, 폐가스는 반응챔버(300) 내부를 유동(통과)하면서 열분해되고, 이에 의해 처리하기 쉬운 물질로 전환될 수 있다. 또한, 상기 반응챔버(300)는 고온 반응을 견뎌야 하므로, 내열성이 우수한 재질을 포함하는 것이 바람직하다.A reaction chamber (or also referred to as a 'heating chamber') 300 is connected to one side of the plasma generating unit 200, and a reaction space for combustion and/or thermal decomposition of waste gas passing through the plasma generating unit 200 ( combustion space). That is, the reaction chamber 300 can purify by burning waste gas. Specifically, waste gas is pyrolyzed while flowing (passing) inside the reaction chamber 300, and thereby can be converted into materials that are easy to process. In addition, since the reaction chamber 300 must withstand a high temperature reaction, it is preferable to include a material having excellent heat resistance.

워터탱크(400)는 상기 반응챔버(300)의 하부에 위치하며, 상기 반응챔버(300)를 통과하여 연소된 가스를 정화 처리할 수 있다. 상기 워터탱크(400)는 상기 반응챔버(300)를 통과한 가스가 유입되어 물(water)에 접촉되도록 할 수 있다. 이에 따라, 폐가스 처리 과정에서 발생하는 부산물(파우더) 및/또는 수용성 가스가 녹을 수 있다.The water tank 400 is located below the reaction chamber 300 and can purify gas burned through the reaction chamber 300 . The water tank 400 may allow the gas passing through the reaction chamber 300 to flow in and contact water. Accordingly, by-products (powder) and/or water-soluble gas generated in the waste gas treatment process may be dissolved.

아웃렛타워(500)는 상기 워터탱크(400)의 상부에 위치하며, 상기 워터탱크(400)를 통과하여 상기 워터탱크(400)로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거할 수 있다. 상기 아웃렛타워(500)를 통과한 가스는 정화 처리된 무해한 가스로서 외부에 배출된다. The outlet tower 500 is located above the water tank 400 and can pass through the water tank 400 to remove foreign substances included in gas rising from the water tank 400 . The gas passing through the outlet tower 500 is discharged to the outside as a harmless gas that has been purified.

도 1의 (a) 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템(1000)은, 용수의 공급 및 차단을 조절하는 밸브를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 스크러버 시스템(1000)은 NPW의 공급 및 차단을 조절하는 NPW 밸브(600) 및 PCW의 공급 및 차단을 조절하는 PCW 밸브(700)를 구비할 수 있다. 즉, NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)의 개방/폐쇄(Open/Close)에 따라, 용수가 공급되거나 차단될 수 있다.As shown in FIG. 1 (a) and FIG. 3 , the plasma scrubber system 1000 for treating waste gas from semiconductors according to the present invention may include a valve for controlling the supply and shutoff of water. For example, the scrubber system 1000 may include an NPW valve 600 that controls supply and shutoff of NPW and a PCW valve 700 that controls supply and shutoff of PCW. That is, according to the open/close of the NPW valve 600 and the PCW valve 700, water may be supplied or blocked.

한편, 용수는 플라즈마 스크러버 시스템에 공급되는 물(water)을 통칭하며, NPW(Non Potable Water) 및 PCW(Process Cooling Water)로 분류될 수 있다. NPW는 수용성 가스의 습식 처리 및 부품 냉각을 목적으로 하는 물(water)이며, PCW는 플라즈마의 발열로 인한 부품의 파손을 방지하기 위한 냉각을 목적으로 하는 물(water)이다. On the other hand, water is a general term for water supplied to the plasma scrubber system, and may be classified into NPW (Non Potable Water) and PCW (Process Cooling Water). NPW is water for the purpose of wet processing of water-soluble gas and cooling of parts, and PCW is water for the purpose of cooling to prevent damage to parts due to heat generation of plasma.

일례로, 도 3, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 용수의 흐름을 살펴보면 다음과 같다. NPW는 플라즈마가 점화되면 NPW 밸브(600)가 개방(Open)됨에 따라 스크러버 시스템으로 공급되며, 워터탱크(400) 내의 수위가 높아지면 배수 라인을 통해 폐수로 배출될 수 있다. 도 3에서 빨간색 라인으로 표시된 바와 같이, 상기 NPW는 워터 슬라이드(해당부분에서 후술함)(900) 및 아웃렛타워(500)로 공급될 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, NPW는 워터 슬라이드(900)의 유입부(600a)를 통해 워터 슬라이드(900)의 내부로 유입되어, 워터 슬라이드(900)의 하부에 위치하는 워터탱크(400)로 유입될 수 있다. 또한, 도 8에 도시된 바와 같이, NPW는 아웃렛타워(500)의 중앙부(도 8의 도면부호 '600b' 참조)로 유입될 수 있다. 이와 같이 공급된 NPW는 워터 슬라이드(900), 아웃렛타워(500) 및 워터탱크(400)의 발열을 방지하며 냉각시킬 수 있다. 한편, PCW는 플라즈마가 점화되면 PCW 밸브(700)가 개방(Open)됨에 따라 스크러버 시스템으로 공급되며, PCW 리턴 라인을 통해 배출될 수 있다. 도 3에서 파란색 라인으로 표시된 바와 같이, 상기 PCW는 플라즈마 발생부(200)의 애노드 전극체(210)(도 5의 도면부호 '711' 참조), 캐소드 전극체(220)(도 5의 도면부호 '721' 참조), 반응챔버(300)(도 6의 도면부호 '731' 참조) 및 파워 서플라이(Power Supply)에 공급될 수 있으며, 공급된 PCW는 플라즈마 발생부(200)(특히, 애노드 전극체(210) 및 캐소드 전극체(220)), 반응챔버(300) 및 파워 서플라이를 냉각시킬 수 있다. 도 5에서 파선(710f, 720f)으로 표시된 바와 같이, PCW는 플라즈마 발생부(200)의 내부를 통과함으로써 애노드 전극체(210) 및 캐소드 전극체(220)의 발열을 방지할 수 있으며, 도 6에 도시된 바와 같이, 반응챔버(300)의 PCW 유입부(600a)로 의 외측관을 통과함으로써 반응챔버(300)의 발열을 방지할 수 있다. 상기 설명한 용수(NPW, PCW)의 흐름에 기초하여, 본 발명의 스크러버 시스템(1000)은 NPW가 유입되는 NPW 유입라인(610), NPW가 배출되는 NPW 배출라인(620), PCW가 플라즈마 발생부(200)의 애노드 전극체(210)를 통과하도록 하는 PCW 애노드라인(710), PCW가 플라즈마 발생부(200)의 캐소드 전극체(220)를 통과하도록 하는 PCW 캐소드라인(720) 및 PCW가 반응챔버(300)를 통과하도록 하는 PCW 챔버라인(730)을 구비할 수도 있다. 이와 같이, 용수(NPW, PCW)는 스크러버 시스템으로 공급되어, 스크러버 시스템의 각 부품을 냉각하면서 정화(습식) 처리가 원활하게 진행되도록 도움을 줄 수 있다. As an example, referring to FIGS. 3 and 5 to 8, the flow of water is as follows. NPW is supplied to the scrubber system as the NPW valve 600 is opened when plasma is ignited, and can be discharged as wastewater through a drain line when the water level in the water tank 400 rises. As indicated by the red line in FIG. 3 , the NPW may be supplied to the water slide (described later in the relevant section) 900 and the outlet tower 500. For example, as shown in FIG. 7, NPW is introduced into the water slide 900 through the inlet 600a of the water slide 900, and the water tank located at the bottom of the water slide 900 (400). Also, as shown in FIG. 8 , the NPW may flow into the central portion of the outlet tower 500 (refer to reference numeral 600b in FIG. 8 ). The NPW supplied in this way can prevent and cool the water slide 900, the outlet tower 500, and the water tank 400 from generating heat. Meanwhile, PCW is supplied to the scrubber system as the PCW valve 700 is opened when plasma is ignited, and may be discharged through the PCW return line. As indicated by a blue line in FIG. 3, the PCW is composed of an anode electrode body 210 (refer to reference numeral 711 in FIG. 5) and a cathode electrode body 220 (reference numeral 711 in FIG. 5) of the plasma generator 200. '721'), the reaction chamber 300 (see reference numeral '731' in FIG. 6) and a power supply, and the supplied PCW may be supplied to the plasma generator 200 (in particular, the anode electrode). The body 210 and the cathode electrode body 220), the reaction chamber 300, and the power supply may be cooled. As indicated by broken lines 710f and 720f in FIG. 5, the PCW can prevent heat generation of the anode electrode body 210 and the cathode electrode body 220 by passing through the inside of the plasma generator 200, and FIG. As shown in , heat generation of the reaction chamber 300 can be prevented by passing the outer tube to the PCW inlet 600a of the reaction chamber 300 . Based on the flow of water (NPW, PCW) described above, the scrubber system 1000 of the present invention has an NPW inlet line 610 into which NPW is introduced, an NPW discharge line 620 through which NPW is discharged, and PCW is a plasma generator The PCW anode line 710 allowing the PCW to pass through the anode electrode body 210 of the plasma generator 200, the PCW cathode line 720 allowing the PCW to pass through the cathode electrode body 220 of the plasma generating unit 200, and the PCW react. A PCW chamber line 730 passing through the chamber 300 may be provided. In this way, the water (NPW, PCW) is supplied to the scrubber system, and can help the purification (wet) treatment proceed smoothly while cooling each part of the scrubber system.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는 스크러버 시스템(1000)의 작동 여부 또는 작동 상태에 따라 개폐(Open/Close)될 수 있으며, 특히 상기 플라즈마 발생부(200)의 작동 상태에 따라 개폐될 수 있다. 예를 들어, 예방 정비(PM) 또는 알람(Alarm) 등에 의해 플라즈마 발생부(200)가 정상적으로 작동하지 않는 경우, 부품 냉각이 안정적으로 진행된 상태, 즉 냉각조건을 만족한 상태에서 용수(NPW, PCW)의 공급을 차단(Close)함으로써, 불필요한 용수의 사용 내지 낭비를 억제할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the NPW valve 600 and the PCW valve 700 may be opened/closed depending on whether or not the scrubber system 1000 is operating or operating. In particular, the It may be opened or closed according to the operating state of the plasma generating unit 200 . For example, when the plasma generating unit 200 does not operate normally due to preventive maintenance (PM) or an alarm, etc., water (NPW, PCW ) By closing the supply, it is possible to suppress unnecessary use or waste of water.

구체적으로, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우에, 부품의 충분한 냉각을 위한 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는 폐쇄될 수 있다. 상기 딜레이 타임은 스크러버 시스템에서의 각 부품의 온도가 더 이상 떨어지지 않을 때까지의 시간, 즉 각 부품의 온도가 안정화될 때까지의 시간을 의미한다. 만일, 플라즈마 발생부(200)가 OFF가 될 때 곧바로 NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)가 폐쇄된다면, 고온의 플라즈마 열로 인해 스크러버 시스템의 각 구성부품 등이 손상될 수 있으며, 이러한 손상에 의해 스크러버 시스템 등이 완전히 고장나거나 구성부품 등을 교체해야 하는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 용수를 효과적으로 절감시키는 동시에 스크러버 시스템의 각 부품을 충분히 냉각시키기 위해, 적절한 딜레이 타임을 찾는 것이 매우 중요하다. Specifically, as shown in (b) of FIG. 4, when the plasma generating unit 200 is in an OFF state, after a predetermined delay time for sufficient cooling of the part has elapsed, the NPW valve ( 600) and the PCW valve 700 may be closed. The delay time means a time until the temperature of each part in the scrubber system no longer drops, that is, a time until the temperature of each part is stabilized. If the NPW valve 600 and the PCW valve 700 are closed immediately when the plasma generator 200 is turned off, the high-temperature plasma heat may damage each component of the scrubber system, and This may cause a complete failure of the scrubber system or the need to replace components. Therefore, it is very important to find an appropriate delay time in order to sufficiently cool each part of the scrubber system while effectively saving water.

이와 관련하여, 적절한 딜레이 타임을 찾기 위한 예시적인 실험에 대하여 설명한다. 본 실험은 플라즈마 OFF 상태에서 용수가 공급되는 경우 시간에 따른 스크러버 시스템의 각 부품의 온도를 측정하여, 각 부품의 온도가 안정화될 때까지의 시간(즉, 딜레이 타임)을 찾는다. 도 9의 (a)는 약 26℃의 NPW를 공급했을 때의 시간에 따른 온도 그래프를 나타내며, 도 9의 (b)는 약 21 ℃의 PCW를 공급했을 때의 시간에 따른 온도 그래프를 나타낸다. 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)에서 알 수 있듯이, 약 5분 내지 약 10분이 지난 후, 각 부품의 온도가 안정화되는 것을 알 수 있다. 즉, 스크러버 시스템(1000)이 정상적으로 가동하지 않는 경우, 특히 플라즈마 발생부(200)가 OFF인 상태인 경우에, 약 5분 내지 약 10분이 지난 후라면 부품의 냉각이 안정화되므로, 용수(NPW, PCW)의 공급을 차단해도 발열로 인한 문제는 발생하지 않을 것으로 보인다. 이러한 실험 결과(그래프)에 기초할 때 딜레이 타임은 약 5분 내지 약 10분일 수 있다. 본 출원의 발명자는 상기와 같은 실험을 통해 용수 절감의 효과 및 부품의 안정적인 냉각 효과를 위한 최적의 딜레이 타임을 찾아냈다. 즉, 본 발명에 따르면, 플라즈마 OFF 상태에서 딜레이 타임이 흐른 후 NPW 밸브 및 PCW 밸브를 폐쇄함으로써, 스크러버 시스템의 각 부품을 안정적으로 냉각시킨 후 용수를 차단할 수 있다. 다시 말해서, 스크러버 시스템 또는 그 구성부품의 발열로 인한 손상 방지 및 용수 절감을 도모할 수 있다.In this regard, an exemplary experiment for finding an appropriate delay time will be described. In this experiment, when water is supplied in the plasma OFF state, the temperature of each part of the scrubber system is measured over time to find the time until the temperature of each part is stabilized (ie, the delay time). Figure 9 (a) shows a graph of temperature over time when NPW of about 26 ° C is supplied, and (b) of FIG. 9 shows a graph of temperature over time when PCW of about 21 ° C is supplied. As can be seen in (a) and (b) of FIG. 9 , after about 5 to about 10 minutes have passed, it can be seen that the temperature of each part is stabilized. That is, when the scrubber system 1000 does not operate normally, especially when the plasma generating unit 200 is OFF, after about 5 to about 10 minutes, the cooling of the parts is stabilized, so the water (NPW, Even if the supply of PCW) is cut off, problems due to heat generation do not seem to occur. Based on these experimental results (graphs), the delay time may be about 5 minutes to about 10 minutes. The inventors of the present application have found the optimal delay time for the water saving effect and the stable cooling effect of the parts through the above experiments. That is, according to the present invention, by closing the NPW valve and the PCW valve after the delay time has passed in the plasma OFF state, water can be shut off after stably cooling each part of the scrubber system. In other words, it is possible to prevent damage caused by heat generated by the scrubber system or its components and to save water.

또는, 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우에, 워터탱크(400)의 온도(T1)와 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm) 이하가 될 때, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는 폐쇄될 수 있다. 즉, 워터탱크(400)의 온도(T1) 및 아웃렛타워(500)의 온도(T2)와 설정온도(Tm)를 비교함으로써, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)의 개폐를 조절할 수 있다. 상기 설정온도(Tm)는 작업자 등에 의해 사전 결정된 온도로서, 상기 워터탱크(400)와 아웃렛타워(500)의 냉각 정도를 판단할 수 있는 기준이 될 수 있다. 예를 들어, 상기 설정온도(Tm)는 결로현상을 방지하기 위하여, 약 35℃인 것이 바람직하다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 작업 현장, 폐가스의 종류 및 양, 공급 전력 등에 따라 달라질 수 있다. 한편, 워터탱크(400)에는 펌프(800)가 연결될 수 있는데, 상기 펌프(800)는 폐수를 배수(Drain)시키거나, 또는 워터탱크(400)의 상부 및 아웃렛타워(500)에 용수를 공급하여 폐수를 순환(Circulation)시킬 수 있다. 일반적으로, 이러한 펌프(800)의 운전으로 인해 워터탱크(400) 내에는 강한 열기가 발생하며, 상기 열기는 아웃렛타워(500)를 통하여 배출된다. 이에 따라 워터탱크(400) 및 아웃렛타워(500)는 높은 온도를 유지하게 되므로, 냉각 시 워터탱크(400) 및 아웃렛타워(500)의 온도를 낮추는 것이 매우 중요하다. 따라서, 워터탱크(400)의 온도(T1) 및 아웃렛타워(500)의 온도(T2)와 사전 결정된 설정온도(Tm)를 비교하여, 워터탱크(400)와 아웃렛타워(500)가 충분히 냉각된 후에 비로소 용수의 공급을 차단할 수 있는 것이다.Alternatively, when the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 are below the set temperature Tm when the plasma generator 200 is in an OFF state, the NPW valve 600 and the PCW valve 700 may be closed. That is, by comparing the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 with the set temperature Tm, the opening and closing of the NPW valve 600 and the PCW valve 700 can be controlled. can The set temperature Tm is a temperature predetermined by an operator or the like, and may be a criterion for determining the degree of cooling of the water tank 400 and the outlet tower 500 . For example, the set temperature (Tm) is preferably about 35 ℃ to prevent dew condensation. However, it is not limited thereto, and may vary depending on the work site, the type and amount of waste gas, and supplied power. Meanwhile, a pump 800 may be connected to the water tank 400, and the pump 800 drains wastewater or supplies water to the top of the water tank 400 and the outlet tower 500. By doing so, the wastewater can be circulated. In general, due to the operation of the pump 800, strong heat is generated in the water tank 400, and the heat is discharged through the outlet tower 500. Accordingly, since the water tank 400 and the outlet tower 500 maintain a high temperature, it is very important to lower the temperature of the water tank 400 and the outlet tower 500 during cooling. Therefore, by comparing the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 with a predetermined set temperature Tm, the water tank 400 and the outlet tower 500 are sufficiently cooled. Only after that can the water supply be cut off.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태에서, 소정의 냉각조건을 만족하여 용수 밸브를 폐쇄한 후에, 다시 부품의 냉각 또는 습식 처리가 필요하게 된다면, 용수 밸브를 개방(Open)할 수 있다. 예를 들어, NPW 밸브(600)가 폐쇄된 상태에서, 펌프(800)의 가동으로 인해 워터탱크(400)의 온도(T1)와 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 다시 설정온도(Tm)보다 높아질 때, 상기 NPW 밸브(600)를 개방(Open)할 수 있다. 즉, 냉각조건이 만족된 후에도 용수의 공급이 필요한 경우(냉각조건을 다시 충족해야 하는 경우), 다시 용수 밸브를 개방함으로써, 발열 등으로 인한 부품의 손상 내지 파손을 방지할 수 있다. 이에 따라, 스크러버 시스템(1000)의 효율적인 작동이 도모될 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, after the plasma generating unit 200 is in an OFF state and the water valve is closed by satisfying a predetermined cooling condition, if cooling or wet treatment of parts is required again, the water valve can be opened. For example, with the NPW valve 600 closed, the operation of the pump 800 causes the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 to return to the set temperature Tm. ), the NPW valve 600 may be opened. That is, when the supply of water is required even after the cooling condition is satisfied (when the cooling condition must be met again), the water valve is opened again to prevent damage or breakage of components due to heat generation. Accordingly, efficient operation of the scrubber system 1000 can be promoted.

한편, 본 발명에 일 실시에에 따르면, 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태에서, 소정의 냉각조건을 만족하여 용수 밸브를 폐쇄한 후에, 플라즈마 발생부(200)가 재가동하여 ON상태가 되는 경우에, NPW 밸브(600) 및/또는 PCW 밸브가 다시 개방(Open)될 수 있다. 이에 따라, 스크러버 시스템(1000)의 효율적인 작동이 도모될 수 있다.On the other hand, according to one embodiment of the present invention, when the plasma generating unit 200 is in an OFF state, after the water valve is closed by satisfying a predetermined cooling condition, the plasma generating unit 200 is restarted and becomes an ON state. In this case, the NPW valve 600 and/or the PCW valve may be opened again. Accordingly, efficient operation of the scrubber system 1000 can be promoted.

종래에는 스크러버 시스템이 주기적으로 예방 정검을 받거나, 알람 등이 발생한 경우 등 정상적으로 작동하지 않을 때에도 용수가 상시 공급됨에 따라, 많은 양의 용수가 낭비되는 문제가 있었다. 즉, 불필요한 용수의 사용으로 인해, 스크러버 시스템의 전반적인 에너지 효율이 저하되는 문제가 있었다. 이에 비하여, 본 발명에 따르면, 스크러버 시스템이 정상적으로 작동하지 않을 때, 특히 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우에, 일정한 조건 하에서 NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)를 폐쇄(Close)하여, 불필요한 용수의 낭비를 방지할 수 있다. 즉, 용수를 효과적으로 절감할 수 있다. 이러한 용수 절감 효과와 관련하여, 도 10에는 기존의 플라즈마 스크러버 시스템과 본 발명의 플라즈마 스크러버 시스템(1000)을 비교한 표가 도시되어 있다. 하루 24시간을 기준으로 플라즈마 발생부가 OFF된 상태가 약 5시간이라고 가정하면, 절감된 용수의 양(절약 시간 × 평균 용수 사용량)을 계산할 수 있다. 본 발명의 플라즈마 스크러버 시스템(1000)에 따르면, 기존의 시스템에 비하여 NPW를 약 1.5톤, PCW를 약 2.1톤 절약할 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면, 스크러버 시스템(1000) 가동 시 소모되는 용수를 최대한 절감할 수 있으며, 궁극적으로는 스크러버 시스템의 전반적인 에너지 효율을 극대화시킬 수 있다. Conventionally, as water is always supplied even when the scrubber system does not operate normally, such as periodically undergoing preventive maintenance or when an alarm occurs, there is a problem in that a large amount of water is wasted. That is, due to unnecessary use of water, there is a problem in that the overall energy efficiency of the scrubber system is lowered. In contrast, according to the present invention, the NPW valve 600 and the PCW valve 700 are closed under certain conditions when the scrubber system does not operate normally, especially when the plasma generator 200 is in an OFF state. Thus, unnecessary waste of water can be prevented. That is, it is possible to effectively save water. In relation to this water saving effect, FIG. 10 shows a table comparing the conventional plasma scrubber system and the plasma scrubber system 1000 of the present invention. Assuming that the plasma generator is turned OFF for about 5 hours based on 24 hours a day, the amount of water saved (saving time × average water consumption) can be calculated. According to the plasma scrubber system 1000 of the present invention, it is possible to save about 1.5 tons of NPW and about 2.1 tons of PCW compared to the existing system. That is, according to the present invention, the amount of water consumed during operation of the scrubber system 1000 can be reduced as much as possible, and ultimately the overall energy efficiency of the scrubber system can be maximized.

한편, 본 발명의 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템(1000)은 반응챔버(300)와 워터탱크(400) 사이에 위치하는 워터 슬라이드(900)를 더 구비할 수 있다. 상기 워터 슬라이드(900)는 부산물(파우더) 등이 스크러버 시스템 내부에 적체되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 워터 슬라이드(900)는 하부로 갈수록 직경이 좁아지는 깔때기 형상일 수 있다.Meanwhile, the plasma scrubber system 1000 for processing waste gas from semiconductors according to the present invention may further include a water slide 900 positioned between the reaction chamber 300 and the water tank 400 . The water slide 900 can prevent by-products (powder) from accumulating inside the scrubber system. For example, the water slide 900 may have a funnel shape whose diameter becomes narrower toward the bottom.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 NPW 밸브(500) 및 상기 PCW 밸브(600)는 연동되어 함께 제어될 수 있으며, 또는 개별적으로 제어될 수 있다. 일례로, 상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우, 상기 NPW 밸브(600)는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되거나, 또는 상기 워터탱크(400)의 온도(T1)와 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm)와 같거나 낮아질 때 폐쇄될 수 있으며, 상기 PCW 밸브(700)는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄될 수 있다. 이와 반대로, 상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우, 상기 PCW 밸브(700)는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되거나, 또는 상기 워터탱크(400)의 온도(T1)와 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm)와 같거나 낮아질 때 폐쇄될 수 있으며, 상기 NPW 밸브(600)는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하며, 다양한 제어 방법이 적용될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the NPW valve 500 and the PCW valve 600 may be interlocked and controlled together or individually. For example, when the plasma generating unit 200 is in an OFF state, the NPW valve 600 is closed after a predetermined delay time passes, or the temperature T1 of the water tank 400 and It can be closed when the temperature T2 of the outlet tower 500 is equal to or lower than the set temperature Tm, and the PCW valve 700 can be closed after a predetermined delay time. Conversely, when the plasma generating unit 200 is in an OFF state, the PCW valve 700 is closed after a predetermined delay time passes, or the temperature T1 of the water tank 400 and It can be closed when the temperature T2 of the outlet tower 500 is equal to or lower than the set temperature Tm, and the NPW valve 600 can be closed after a predetermined delay time. However, this is merely exemplary, and various control methods may be applied.

이어서, 도 11을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 스크러버 시스템의 작동 방법에 대하여 설명한다. 상기 스크러버 시스템은 전술한 실시예에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 스크러버 시스템(1000)이며, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. Next, with reference to FIG. 11, an operating method of a scrubber system for treating semiconductor waste gas for water reduction according to an embodiment of the present invention will be described. The scrubber system is the scrubber system 1000 for processing semiconductor waste gas for water reduction according to the above-described embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 스크러버 시스템의 작동 방법은, 플라즈마 발생부(200)의 작동 상태를 판단하는 단계(S100); 및 상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우, NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)를 폐쇄하는 단계(S200)를 포함할 수 있다. The operating method of the scrubber system for treating waste gas from semiconductors for water saving according to the present invention includes determining the operating state of the plasma generating unit 200 (S100); and closing the NPW valve 600 and the PCW valve 700 when the plasma generator 200 is in an OFF state (S200).

구체적으로, 스크러버 시스템(1000)이 정상적으로 작동하지 않는 경우, 특히, 플라즈마 발생부(200)가 정상적으로 작동하지 않는 경우(즉, OFF 상태), 소정의 냉각조건을 만족할 때, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는 폐쇄(Close)될 수 있다. 예를 들어, 상기 NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)를 폐쇄하는 단계(S200)에서, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는, 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄될 수 있다. 또는 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는, 상기 워터탱크(400)의 온도(T1)와 상기 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm)와 같거나 낮아질 때 폐쇄될 수 있다. 이에 따라, 스크러버 시스템(1000)에 공급되는 용수를 효과적으로 절감할 수 있다. Specifically, when the scrubber system 1000 does not operate normally, in particular, when the plasma generator 200 does not operate normally (ie, OFF state), when a predetermined cooling condition is satisfied, the NPW valve 600 And the PCW valve 700 may be closed. For example, in the step of closing the NPW valve 600 and the PCW valve 700 (S200), the NPW valve 600 and the PCW valve 700 pass a predetermined delay time. may be closed later. Alternatively, the NPW valve 600 and the PCW valve 700 operate when the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 are equal to or lower than the set temperature Tm. may be closed. Accordingly, water supplied to the scrubber system 1000 can be effectively reduced.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is only exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1000 : 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템
100 : 유입부
200 : 플라즈마 발생부
300 : 반응챔버
400 : 워터탱크
500 : 아웃렛타워
600 : NPW 밸브
700 : PCW 밸브
800 : 펌프
900 : 워터 슬라이드1000: Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment
100: inlet
200: plasma generator
300: reaction chamber
400: water tank
500: Outlet Tower
600: NPW valve
700: PCW valve
800: pump
900: water slide

Claims (12)

폐가스가 유입되는 유입부(100);
상기 유입부(100)의 일측에 연결되며, 상기 폐가스를 연소시키기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부(200);
상기 플라즈마 발생부(200)의 일측에 연결되며, 상기 플라즈마 발생부(200)를 통과한 폐가스의 연소 공간을 제공하는 반응챔버(300);
상기 반응챔버(300)의 하부에 위치하며, 상기 반응챔버(300)를 통과하여 연소된 가스를 정화 처리하는 워터탱크(400);
상기 워터탱크(400) 상부에 위치하며, 상기 워터탱크(400)를 통과하여 워터탱크(400)로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 아웃렛타워(500);
워터 슬라이드(900), 아웃렛타워(500) 및 워터탱크(400)를 냉각시키기 위한 NPW의 공급 및 차단을 조절하는 NPW 밸브(600); 및
애노드 전극체(210), 캐소드 전극체(220), 반응챔버(300) 및 파워 서플라이를 냉각시키기 위한 PCW의 공급 및 차단을 조절하는 PCW 밸브(700)를 포함하며,
상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는 상기 플라즈마 발생부(200)의 작동 상태에 따라 개폐되며,
상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우, 상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는, 상기 워터탱크(400)의 온도(T1)와 상기 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm)와 같거나 낮아질 때, 폐쇄(Close)되는 것을 특징으로 하는
용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템.
An inlet 100 through which waste gas is introduced;
A plasma generator 200 connected to one side of the inlet 100 and generating plasma for burning the waste gas;
a reaction chamber 300 connected to one side of the plasma generating unit 200 and providing a combustion space for waste gas passing through the plasma generating unit 200;
a water tank 400 located below the reaction chamber 300 and purifying gas burned through the reaction chamber 300;
an outlet tower 500 located above the water tank 400 and passing through the water tank 400 to remove foreign substances contained in the gas rising from the water tank 400;
NPW valve 600 for controlling supply and shutoff of NPW for cooling the water slide 900, the outlet tower 500, and the water tank 400; and
It includes a PCW valve 700 for controlling supply and blocking of PCW for cooling the anode electrode body 210, the cathode electrode body 220, the reaction chamber 300, and the power supply,
The NPW valve 600 and the PCW valve 700 are opened and closed according to the operating state of the plasma generator 200,
When the plasma generator 200 is in an OFF state, the NPW valve 600 and the PCW valve 700 control the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 ) is closed when equal to or lower than the set temperature (Tm)
Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment to save water.
 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우,
상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는, 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후, 폐쇄(Close)되는
용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템.
According to claim 1,
When the plasma generating unit 200 is in an OFF state,
The NPW valve 600 and the PCW valve 700 are closed after a predetermined delay time has elapsed.
Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment to save water.
 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부(200)의 OFF 상태는,
예방 정비(Prevention Maintenance) 또는 알람(Alarm)에 의해 상기 플라즈마 발생부(200)가 정상적으로 작동하지 않는 상태인
용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템.
According to claim 2,
The OFF state of the plasma generating unit 200 is,
In a state in which the plasma generator 200 does not operate normally due to preventive maintenance or an alarm
Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment to save water.
 제2항에 있어서,
상기 딜레이 타임은 5분 내지 10분인
용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템.
According to claim 2,
The delay time is 5 to 10 minutes
Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment to save water.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 폐가스가 유입되는 유입부(100);
상기 유입부(100)의 일측에 연결되며, 상기 폐가스를 연소시키기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부(200);
상기 플라즈마 발생부(200)의 일측에 연결되며, 상기 플라즈마 발생부(200)를 통과한 폐가스의 연소 공간을 제공하는 반응챔버(300);
상기 반응챔버(300)의 하부에 위치하며, 상기 반응챔버(300)를 통과하여 연소된 가스를 정화 처리하는 워터탱크(400);
상기 워터탱크(400) 상부에 위치하며, 상기 워터탱크(400)를 통과하여 상기 워터탱크(400)로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 아웃렛타워(500);
워터 슬라이드(900), 아웃렛타워(500) 및 워터탱크(400)를 냉각시키기 위한 NPW의 공급 및 차단을 조절하는 NPW 밸브(600); 및
애노드 전극체(210), 캐소드 전극체(220), 반응챔버(300) 및 파워 서플라이를 냉각시키기 위한 PCW의 공급 및 차단을 조절하는 PCW 밸브(700)를 포함하며,
상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우,
상기 NPW 밸브(600)는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되거나, 또는 상기 워터탱크(400)의 온도(T1)와 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm)와 같거나 낮아질 때 폐쇄되며,
상기 PCW 밸브(700)는 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되는
용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템.
An inlet 100 through which waste gas is introduced;
A plasma generator 200 connected to one side of the inlet 100 and generating plasma for burning the waste gas;
a reaction chamber 300 connected to one side of the plasma generating unit 200 and providing a combustion space for waste gas passing through the plasma generating unit 200;
a water tank 400 located below the reaction chamber 300 and purifying gas burned through the reaction chamber 300;
an outlet tower (500) located above the water tank (400) and passing through the water tank (400) to remove foreign substances contained in gas rising from the water tank (400);
NPW valve 600 for controlling supply and shutoff of NPW for cooling the water slide 900, the outlet tower 500, and the water tank 400; and
It includes a PCW valve 700 for controlling supply and blocking of PCW for cooling the anode electrode body 210, the cathode electrode body 220, the reaction chamber 300, and the power supply,
When the plasma generating unit 200 is in an OFF state,
The NPW valve 600 is closed after a predetermined delay time has elapsed, or the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature T2 of the outlet tower 500 are the set temperature Tm is closed when equal to or lower than
The PCW valve 700 is closed after a predetermined delay time.
Plasma scrubber system for semiconductor waste gas treatment to save water.
 제1항에 따른 용수 절감을 위한 반도체 폐가스 처리용 플라즈마 스크러버 시스템의 작동 방법에 있어서,
플라즈마 발생부(200)의 작동 상태를 판단하는 단계(S100);
상기 플라즈마 발생부(200)가 OFF 상태인 경우, NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)를 폐쇄하는 단계(S200)를 포함하며,
상기 NPW 밸브(600) 및 PCW 밸브(700)를 폐쇄하는 단계(S200)에서,
상기 NPW 밸브(600) 및 상기 PCW 밸브(700)는, 소정의 딜레이 타임(Delay Time)이 지난 후 폐쇄되거나, 또는 상기 워터탱크(400)의 온도(T1)와 상기 아웃렛타워(500)의 온도(T2)가 설정온도(Tm)와 같거나 낮아질 때 폐쇄되는
방법.
In the operating method of the plasma scrubber system for processing semiconductor waste gas for water saving according to claim 1,
Determining the operating state of the plasma generator 200 (S100);
When the plasma generator 200 is in an OFF state, closing the NPW valve 600 and the PCW valve 700 (S200),
In the step of closing the NPW valve 600 and the PCW valve 700 (S200),
The NPW valve 600 and the PCW valve 700 are closed after a predetermined delay time, or the temperature T1 of the water tank 400 and the temperature of the outlet tower 500 Closed when (T2) is equal to or lower than the set temperature (Tm)
Way.
 제11항에 있어서,
상기 딜레이 타임은 5분 내지 10분인
방법.According to claim 11,
The delay time is 5 to 10 minutes
Way.
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