KR102461758B1 - 양방향 터치 표시 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양방향 터치 표시 패널에 관한 기술로, 본 발명의 일 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에 있어서 베이스층 상에 배치되는 상부 컬러필터와 상부 터치센싱디바이스와 상부 기판과 베이스층 하에 배치되는 하부 컬러필터와 하부 터치센싱디바이스와 하부 기판을 포함하며 하부 컬러필터는 하부 기판보다 베이스층에 가까이 배치된다.

Description

양방향 터치 표시 패널{BIDIRECTIONAL TOUCH DISPLAY PANEL}
본 발명은 양방향 터치 표시 패널에 관한 기술이다.
표시장치(또는 디스플레이 장치)는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치로, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치, (Electro Luminescent Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 및 음극선관 표시 장치(Cathode Ray, Display) 등이 있다.
전술한 표시장치는 외부로부터 터치를 감지하는 구조를 포함하도록 제조할 수 있으며, 이 경우 터치를 감지하기 위한 구성요소가 표시장치 내에 포함될 수 있다.
한편, 양방향으로 영상을 표시할 경우 양방향에서 터치 신호를 입력받을 수 있는 구조가 필요하다. 특히, 고해상도에서 양면으로 영상을 출력할 경우 양면에서 터치 신호를 수신하기 위해 상하 분리하여 독자 구동이 필요하다. 따라서, 표시패널의 양면에 터치 신호를 입력받기 위한 구성에 대해 살펴보고자 한다.
본 발명은 양방향 디스플레이에 대응하여 양방향 터치 센싱을 구현하는 방안을 제시한다.
본 발명은 양방향 디스플레이를 위한 터치 센싱이 각각 독립적으로 구동되도록 표시패널의 상면 및 하면에 터치 센싱을 위한 구성요소를 배치하여 양방향 터치 성능을 향상시키는 방안을 제시한다
본 발명은 터치 센싱을 위한 구성요소 배치를 기판 상에 다양한 구성요소를 배치하는 적층 공정 내에 포함시켜 미스얼라인 문제를 해결하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에 있어서 베이스층 상에 배치되는 상부 컬러필터와 상부 터치센싱디바이스와 상부 기판과 베이스층 하에 배치되는 하부 컬러필터와 하부 터치센싱디바이스와 하부 기판을 포함하며 하부 컬러필터는 하부 기판보다 베이스층에 가까이 배치된다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 하부 기판의 제1면에 하부 컬러필터가 배치되며, 하부 컬러필터 상에 베이스층이 배치되며, 하부 기판의 제2면에 하부 터치센싱디바이스가 배치된다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 하부 기판의 제1면에 하부 터치센싱디바이스가 배치되며, 터치센싱디바이스상에 하부 컬러필터가 배치된다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 하부 기판의 제1면에 하부 컬러필터가 배치되며, 하부 컬러필터와 베이스층 사이에 하부 터치센싱디바이스가 배치된다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널은 하부 기판상에 하부발광영역에 대응하여 배치되는 하부터치센싱디바이스, 하부터치센싱디바이스 상의 버퍼층 상의 상부발광영역 및 하부발광영역에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막트랜지스터, 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되며 상부발광영역 및 하부발광영역에 각각 배치되는 제1전극과 발광소자층과 상부발광영역 및 하부발광영역에서 발광소자층을 구분하는 뱅크의 상면 및 측면과, 발광소자층 상면에 일체로 배치되는 제2전극과 하부발광영역의 발광소자층에 대응하는 제2전극 상에 배치된 제1반사층과 제2전극 상의 봉지층 위에 배치되는 상부터치센싱디바이스, 및 하부기판과 대면하며 하부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상부발광영역에 대응하여 상부컬러필터가 배치된 상부기판을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널은 상부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 하부발광영역에 대응하여 하부컬러필터가 배치된 하부기판, 하부기판과 제1면에서 대면하며 하부발광영역에 대응하여 제2면에 하부터치센싱디바이스가 배치된 중간기판, 하부터치센싱디바이스를 포함하여 중간기판 전면에 배치된 버퍼층, 버퍼층 상에 상부발광영역 및 하부발광영역에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막트랜지스터, 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되며 상부발광영역 및 하부발광영역에 각각 배치되는 제1전극과 발광소자층과 상부발광영역 및 하부발광영역에서 발광소자층을 구분하는 뱅크의 상면 및 측면과, 발광소자층 상면에 일체로 배치되는 제2전극과 하부발광영역의 발광소자층에 대응하는 제2전극 상에 배치된 제1반사층과 제2전극 상의 봉지층 위에 배치되는 상부터치센싱디바이스, 및 하부기판과 대면하며 하부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상부발광영역에 대응하여 상부컬러필터가 배치된 상부기판을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 양방향 터치 표시패널은 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널은 하부 기판에 상부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 하부발광영역에 대응하여 하부컬러필터가 배치된 하부기판, 하부기판 상에 배치된 보호층 상에 하부발광영역에 대응하여 배치된 하부터치센싱디바이스, 하부터치센싱디바이스상의 하부기판 전면에 배치된 버퍼층, 버퍼층 상에 상부발광영역 및 하부발광영역에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막트랜지스터, 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되며 상부발광영역 및 하부발광영역에 각각 배치되는 제1전극과 발광소자층과 상부발광영역 및 하부발광영역에서 발광소자층을 구분하는 뱅크의 상면 및 측면과, 발광소자층 상면에 일체로 배치되는 제2전극과 하부발광영역의 발광소자층에 대응하는 제2전극 상에 배치된 제1반사층과 제2전극 상의 봉지층 위에 배치되는 상부터치센싱디바이스, 및 하부기판과 대면하며 하부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상부발광영역에 대응하여 상부컬러필터가 배치된 상부기판을 포함한다.
본 발명을 적용할 경우 표시패널의 상부와 하부에 터치센싱디바이스가 분리 배치되어 양방향에서 독자적으로 구동될 수 있다.
본 발명을 적용할 경우, 표시패널의 적층 과정에서 양방향 터치 센싱을 위한 하부 터치센싱디바이스를 배치한 후 박막 트랜지스터층을 순차적으로 배치하여 구성요소들 간의 미스얼라인 문제를 해결할 수 있다.
본 발명을 적용할 경우, 표시패널의 적층 과정에서 일부 공정을 분리하여 별도로 진행한 후 합착 과정을 통해 하나의 표시패널을 제조할 수 있으므로 제조 공정을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 전술한 효과에 한정되지 않으며, 본 발명의 당업자들은 본 발명의 구성에서 본 발명의 다양한 효과를 쉽게 도출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 양방향 표시패널의 베이스층을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 터치센싱디바이스의 배치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 터치센싱디바이스의 배치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 터치센싱디바이스의 배치를 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다.
도 9, 도 10 및 도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다.
도 12, 도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다.
도 15 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시패널의 구체적인 구성을 보여주는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
이하에서 기재의 "상부 (또는 하부)" 또는 기재의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 구비 또는 배치된다는 것은, 임의의 구성이 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 구비 또는 배치되는 것을 의미할 뿐만 아니라, 기재와 기재 상에 (또는 하에) 구비 또는 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서에서는 유기 발광 표시 장치에 중점을 두어 살펴보지만, 본 발명은 이외에도 다양한 표시장치에 결합할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 양방향 표시패널의 베이스층을 보여주는 도면이다. 베이스층은 TFT와 TFT에 연결되는 발광소자가 배치되는 층을 포함한다. 그리고 베이스층의 상하에는 양방향 출력을 위한 유리를 일 실시예로 하는 기판(일 실시예로 글래스 기판)(22 및 32)과 컬러필터(21 및 31)가 배치된다.
베이스층(10)의 제1층은 화소의 발광을 제어하는 TFT가 배치되는 박막 트랜지스터층(11)이며, 박막 트랜지스터층(11) 상에는 애노드(Anode)가 배치되는 제1전극층(12)이 배치된다. 그리고 제1전극층(12) 상에는 발광소자가 배치되는 발광소자층(13), 그리고 발광소자층(13)위에는 캐소드(Cathode)가 배치되는 제2전극층(14)이 배치되며, 제2전극층(14) 위에는 봉지층(encapsulation layer)(15)이 배치된다.
베이스층(10)은 양방향으로 영상을 출력하므로, 양쪽에 각각 컬러필터(Color Filter)와 기판(substrate)이 배치될 수 있다. 기판의 일 실시예는 글래스 기판을 포함한다. 즉, 베이스층(10)을 중심으로 상부에 상부 컬러필터(21)와 상부 기판(22)이 배치될 수 있다. 또한, 하부에 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32)이 배치될 수 있다. 본 명세서에서는 글래스 기판을 중심으로 설명하지만, 이에 한정되지 않으며, PI 기판 등 다양한 재질의 기판들이 배치될 수 있다.
상부 컬러필터(21)와 상부 기판(22)은 봉지층(15) 위에 직접 배치되며 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32)은 TFT가 배치된 TFT층(11) 아래에 직접 배치된다. 이 과정에서 TFT층(11)과 하부 컬러필터(31) 사이에 버퍼층이 배치될 수 있다. 버퍼층은 보호층의 일 실시예이다. 이하 명세서에서 보호층 또는 버퍼층을 구분하여 설명하는 경우라 하여도 버퍼층 대신 보호층이 배치될 수 있고 보호층 대신 버퍼층이 배치될 수도 있다.
도 1의 구조에서 상부 방향에서 터치신호를 입력받는 상부 터치센싱디바이스(Touch Sensing Device)가 배치될 수 있는 위치는 봉지층(15) 상에 배치되거나(42) 상부 컬러필터(21) 하에 배치(41)될 수 있다. 또는 상부 컬러필터(21)와 상부 기판(22) 사이에 배치되거나(43), 또는 상부 기판(22) 위에 배치(44)될 수 있다.
한편, 하부 방향에서 터치신호를 입력받는 하부 터치센싱디바이스가 배치될 수 있는 위치는 TFT층(11) 하에 배치되거나(51), 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32) 사이에 배치(52)되거나, 또는 하부 기판(32) 하에 배치(53)될 수 있다.
터치센싱디바이스는 인셀터치(In-cell Touch)를 구성하거나 터치셀을 구성하거나 또는 터치 구동부와 결합될 수 있으며, 또한 터치센싱패널이 배치될 수도 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스는 인셀터치 혹은 터치셀을 포함하도록 구성될 수 있다.
베이스층(10) 상하에 각각 컬러필터와 기판을 배치한 후, 필름 형태인 터치 필름을 배치하는 종래의 방식과 달리, 도 1과 같이 다양한 위치들(41~53)에 터치센싱디바이스를 배치할 수 있다. 일 실시예로, 상측 방향에서 터치센싱을 위해 베이스층(10)의 위인 41의 위치, 상부 컬러필터(21)의 아래인 42의 위치, 상부 컬러필터(21)와 상부 기판(22) 사이인 43의 위치, 상부 기판(22) 위인 44의 위치에 터치센싱디바이스가 배치될 수 있다. 마찬가지로 하측 방향에서 터치센싱을 위해 베이스층(10)의 아래인 51의 위치, 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32) 사이인 52의 위치, 하부 기판(32) 아래인 53의 위치에 터치센싱디바이스가 배치될 수 있다. 이를 위해 패터닝(Patterning)을 통하여 다양한 터치센싱디바이스를 구현하고자 한다. 상부 및 하부의 터치센싱디바이스를 위치 별로 다양하게 조합할 수 있다.
특히, 상부 및 하부의 터치센싱디바이스는 상부와 하부에 분리 배치하여 양방향에서 독자적으로 구동될 수 있다. 터치센싱디바이스는 패터닝을 통해 구현하는 방식과 필름을 통해 구현하는 방식 등 다양하게 조합하여 구현할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 터치센싱디바이스의 배치를 보여주는 도면이다. 도 2는 하부 터치센싱디바이스가 도 1의 53의 위치에 배치되는 실시예이다. 하부 터치센싱디바이스(TSD53)는 애드온(Add-On) 타입으로 구성할 수 있다. 상부 터치센싱디바이스(TSD41, TSD42, TSD43, TSD44)는 하부 터치센싱디바이스(TSD53)에 대응하여 각각 도 1의 41, 42, 43, 44에 대응하여 배치될 수 있으며, 여기에 대응하여 하부 터치센싱디바이스(TSD53)와 결합한 양방향 터치센싱 표시패널의 적층 구성은 각각 41a, 42a, 43a, 44a로 지시된다.
도 2를 정리하면, 하부 기판(32)의 제1면에 하부 컬러필터(31)가 배치되고, 하부 컬러필터(31) 상에 베이스층(10)이 배치된다. 한편, 하부기판(32)의 제2면에 하부 터치센싱디바이스(TSD53)가 배치되는 구성이다. 도 2와 같은 구성에서 하부 터치센싱디바이스(TSD53)는 터치센싱필름의 방식으로 구현될 수 있다. 또는 하부 기판(32)의 제2면에 별도의 터치센싱 전극을 배치하여 터치신호를 감지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 터치센싱디바이스의 배치를 보여주는 도면이다. 도 3은 하부 터치센싱디바이스가 도 1의 52의 위치에 배치되는 실시예이다. 하부 터치센싱디바이스(TSD52)는 하부 기판(32) 상부에 패터닝을 하여 터치 센싱을 위한 전극을 배치하는 방식으로 구성할 수 있다. 상부 터치센싱디바이스(TSD41, TSD42, TSD43, TSD44)는 하부 터치센싱디바이스(TSD52)에 대응하여 각각 도 1의 41, 42, 43, 44에 대응하여 배치될 수 있으며, 여기에 대응하여 하부 터치센싱디바이스(TSD52)와 결합한 양방향 터치센싱 표시패널의 적층 구성은 각각 41b, 42b, 43b, 44b로 지시된다.
도 3의 실시예를 살펴보면, 하부 기판(32)의 제1면에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)가 배치되는 구성이다. 또한, 하부 터치센싱디바이스(TSD52) 상에 하부 컬러필터(31)가 배치될 수 있다. 이때, 하부 터치센싱디바이스(TSD52)와 하부 컬러필터(31) 사이에는 보호층이 배치될 수 있다. 도 5, 12, 13에서 보다 상세히 살펴본다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 터치센싱디바이스의 배치를 보여주는 도면이다. 도 4는 하부 터치센싱디바이스가 도 1의 51의 위치에 배치되는 실시예이다. 하부 터치센싱디바이스(TSD51)는 하부 컬러필터(31)의 상부에 패터닝을 하여 터치 센싱을 위한 전극을 배치하는 방식으로 구성할 수 있다.
상부 터치센싱디바이스(TSD41, TSD42, TSD43, TSD44)는 하부 터치센싱디바이스(TSD51)에 대응하여 각각 도 1의 41, 42, 43, 44에 대응하여 배치될 수 있으며, 여기에 대응하여 하부 터치센싱디바이스(TSD51)와 결합한 양방향 터치센싱 표시패널의 적층 구성은 각각 41c, 42c, 43c, 44c로 지시된다.
도 4의 구성에서 하부 기판(32)의 제1면에는 하부 컬러필터(31)가 배치되고, 하부 컬러필터(31)와 베이스층(10) 사이에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되는 구조이다. 이 경우, 하부 컬러필터(31)가 배치된 하부 기판(32)을 일체로 준비한 후 그 위에 다양한 층들을 적층할 수 있다.
도 2 내지 도 4에서 하부 터치센싱디바이스들(TSD51, TSD52, TSD53)은 하부 방향에서도 터치 신호의 구동을 위해 상부 터치센싱디바이스들(TSD41~TSD44)와 독자적인 터치 센싱이 이루어지는 것이 필요하다. 그런데 이는 패널의 두께를 증가시키고 추가적인 코스트를 발생시킬 수 있으므로, 이를 해결하는 방안이 필요하다. 이에 하부 터치센싱디바이스들의 특징에 따라 세부적인 구성예를 살펴본다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다. 도 5는 도 3의 41b 내지 44b에 제시된 바와 같이 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32) 사이에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)가 배치되는 구성에 적용될 수 있다.
상부 터치센싱디바이스에 대해 간략히 살펴본다. 베이스층(10)은 TFT 및 OLED와 봉지층이 배치된다. 상부발광영역(TE, Top Emission)의 구성을 살펴보면, 상부 컬러필터(21)와 기판(22)이 배치되며 상부 컬러필터(21) 하에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)가 베이스층(10) 상에 배치된다. 보다 상세히 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 구성하는 브릿지 메탈(Bridge Metal)(42mb) 및 센서 전극(42ms)을 일 실시예로 한다.
하부 터치센싱디바이스에 대해 간략히 살펴본다. 하부발광영역(Bottom Emission, BE)에 대응하여 박막 트랜지스터층(11)의 하부에 하부 컬러필터(31)가 배치되었다. 한편, 하부 기판(32) 상에는 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)이나 Oxide 에서 사용되는 차광물질(Light Shield) 또는 BSM(Back side metal)을 적용하여 하부 방향에서의 터치를 감지하는 센서 전극(50a) 및 센서 전극들 사이의 브릿지 메탈(50b)을 배치할 수 있다. 특히, 센서 전극(50a)을 구성하는 메탈과 패드부(90)의 메탈, 그리고 패드영역이나 외부와 전기적으로 연결되는 라우팅 라인(route)(95)의 메탈을 동일한 물질로 동일한 공정 내에서 배치할 수 있다. 라우팅 라인은 비액티브 영역의 패드부와 센서 전극을 연결하는 기능을 제공한다.
도 5의 공정을 살펴보면 도 6과 같다. 도 6은 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널을 제조하는 공정을 보여준다.
하부 기판(32) 상에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)를 구성하는 센서 전극(50a) 및 패드부(90)를 배치한다(S201). 보다 상세히, 하부 기판(32) 상의 액티브 영역의 하부발광영역에 대응하여 하부 터치센싱디바이스(TSD52)의 센서 전극(50a)을 배치하고, 비액티브 영역에 패드부(90)를 배치한다.
그리고, 하부 기판(32) 상에 화소 영역들로 구성되는 액티브 영역에 대응하여 보호층(101)을 배치하고 센서 전극의 일부가 노출되도록 보호층(101)의 일부를 식각하여 센서 전극에 전기적으로 연결되는 브릿지 메탈(50b)을 배치한다(S202).
브릿지 메탈(50b)까지 배치되면, 하부 기판의 액티브 영역에 버퍼층(102, 보호층)을 배치한 후, 하부 컬러필터(31)를 배치한다(S203). 하부 컬러필터(31) 상에 보호층(103)을 배치하고 박막 트랜지스터층(11)을 배치한다(S204). 여기서 보호층(103)은 버퍼층과 같이 박막 트랜지스터가 배치될 수 있도록 한다.
특히, 하부 컬러필터(31)에 대응하는 BE 영역에는 하부 발광을 위한 별도의 박막 트랜지스터가 배치될 수 있다. 즉, 동일한 박막 트랜지스터층(11)이라 하여도 TE 영역에 배치된 박막 트랜지스터는 상부 발광을 위한 픽셀 전극을 제어하고, BE 영역에 배치된 박막 트랜지스터는 하부 발광을 위한 픽셀 전극을 제어할 수 있다.
이후, 박막 트랜지스터층(11) 상에 애노드층(12), OLED층(13), 캐소드층(14)을 배치하고 봉지층(15)을 배치한 후, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다(S205).
S205는 하부 컬러필터(31) 상에 보호층(103)을 배치하고 상부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터와 하부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터가 배치된 박막 트랜지스터층(11)과 그 위에 순차적으로 배치되는 제1전극층(12)과 발광소자층(13)과 제2전극층(14)과 봉지층(15)을 포함하는 베이스층(10)을 배치하는 것을 일 실시예로 한다.
그리고, 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)과 하부 기판(32)을 합착한다(S206). 이는 베이스층(10) 상에 상부 컬러필터(21)와 상부 터치센싱디바이스(TSD42)와 상부 기판(22)을 배치하는 단계를 의미하며, 도 5의 구조에서 상부 터치센싱디바이스의 구성 방식은 도 3의 42b에 제시된 TSD42 외에도 41b에 제시된 TSD41, 43b에 제시된 TSD43, 44b에 제시된 TSD44 등에도 적용될 수 있다.
일 실시예로, 베이스층(10) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치하고, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)까지 배치된 하부 기판(32)과 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)을 합착할 수 있다.
다른 실시예로 상부 컬러필터(21)가 제1면에 배치된 상부 기판(22)의 제2면에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 또는 상부 컬러필터(21) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 그리고 상부 기판(22)과 하부 기판(32)을 합착할 수 있다.
도 5의 구조를 정리하면, 하부 기판(32) 상의 제1면의 액티브 영역에 센싱 전극(50a)이 배치되고, 제1면의 비액티브영역에 패드부(90)가 배치된다. 물론 센싱전극(50a)과 패드부(90)는 동일한 물질로 동일한 공정 과정에서 구성될 수 있다.
그리고 센싱 전극 상에는 보호층(101)이 배치되고 그 위에 브릿지 메탈(50b)이 배치된다. 또한, 브릿지 메탈(50b) 상에 보호층(버퍼층, 102)이 배치되고, 그 위에 하부 컬러필터(31)가 배치되는 구성이다.
도 5 및 도 6에서 살펴본 실시예를 양방향 터치 센싱이 가능한 표시패널을 제조할 경우, 하부 기판(32) 상에서 순차적으로 각 구성요소들을 적층하여 미스얼라인 문제를 해결할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다. 도 7은 도 4의 41c 내지 44c에 제시된 바와 같이 박막 트랜지스터층(11) 하에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되는 구성에 적용될 수 있다. 상부 발광영역(TE)의 구성은 도 5에서 살펴본 바와 같으므로 이에 대한 설명은 도 5를 참조한다.
하부 발광영역(BE)을 살펴보면, 전체 배치는 박막 트랜지스터를 포함하는 베이스층(10) 하에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되며, 그 아래에 하부 컬러필터(31) 및 하부 기판(32)이 배치되는 구성이다.
도 5에서 살펴본 바와 같이 BSM 또는 LS를 이용하여 하부 터치센싱디바이스(TSD51)의 터치 센싱을 위한 전극을 형성할 수 있으며, 이 과정에서 패드부(90)와 라우팅 라인(95)와 동시에 센서 전극들(50a)이 배치될 수 있다.
한편, 도 7의 실시예에서 하부 터치센싱디바이스(TSD51)를 배치하기 위해 별도의 중간 기판(99)이 배치될 수 있다. 중간 기판 역시 중간 기판을 일 실시예로 한다. 즉, 하부 터치센싱디바이스(TSD51)를 배치하기 위한 중간 기판(99)이 배치되고, 중간 기판(99)의 다른 측면에 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32)이 배치됨을 확인할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 하부 컬러필터(31)는 하부 기판(32) 상에 일체로 배치될 수 있으며 하부 기판(32)과 중간 기판(99)을 합착할 수 있다.
도 7의 구성에서 중간 기판(99)의 제1면에는 하부 터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되며 제2면에서 하부 컬러필터(31)와 접한다. 즉, 중간기판(99)을 기준으로 하여 베이스층(10) 및 상부의 층들을 배치한 후 하부 기판(32)과 합착할 수 있다.
도 7의 공정을 살펴보면 도 8과 같다. 도 8은 중간 기판(99)상에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)를 배치하고 박막 트랜지스터층을 포함한 베이스층(10)을 적층한 구조이다. 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널을 제조하는 공정을 도 8에서 보다 상세히 살펴본다.
액티브 영역에 대응하여 중간 기판(99) 상에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)의 센서 전극(50a)을 배치하고 및 비액티브 영역에 대응하여 패드부(90)를 배치한다(S211). 이외에도 비액티브 영역의 패드부와 센서 전극을 연결하는 라우팅 라인(95) 역시 동일한 공정 내에서 배치될 수 있다.
중간 기판(99)의 액티브 영역에 보호층(101)을 배치하고 센서 전극(50a)의 일부가 노출되도록 보호층(101)을 식각하여 센서 전극(50a)에 전기적으로 연결되도록 브릿지 메탈(50b)을 배치한다(S212). 이 과정을 통해 하부 터치센싱디바이스(TSD51)의 형성을 완료한다.
이후, 중간 기판(99)의 액티브 영역에 버퍼층(102, 보호층)을 배치하고 박막 트랜지스터층(10)을 배치한다(S213). 그리고 앞서 도 6의 S205에서 살펴본 바와 같이, 박막 트랜지스터층(11) 상에 애노드층(12), OLED층(13), 캐소드층(14)을 배치하고 봉지층(15)을 배치한 후, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다(S214).
S213 및 S214를 정리하면, 상부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터와 하부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터가 배치된 박막 트랜지스터층(11)과 그 위에 순차적으로 배치되는 제1전극층(12)과 발광소자층(13)과 제2전극층(14)과 봉지층(15)을 포함하는 베이스층(10)을 배치하는 것을 일 실시예로 한다.
중간 기판(99) 상에 하부 터치센싱디바이스(TSD51) 및 베이스층(10), 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치한 후, 중간 기판(99)과 상부 기판(22), 하부 기판(32)을 합착한다.
합착 순서의 일 실시예로 상부 기판에 상부 컬러필터와 상부 센싱 디바이스를 배치한 후, 이를 중간 기판과 합착하고(S215) 이후 하부 컬러필터가 배치된 하부 기판과 중간 기판을 합착할 수 있다(S216).
도면에 도시되지는 않았으나, 합착 순서의 다른 실시예로, 하부 컬러필터(31)가 배치된 하부 기판(32)과 중간 기판(99)을 먼저 합착한 후, 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)과 중간 기판(99)을 합착할 수 있다.
즉, 상부 기판(22)과 중간 기판(99)의 합착 과정(S215)을 먼저 진행한 후, 하부 기판(32)과 중간 기판(99)의 합착 과정(S216)을 진행하거나 혹은 S215 및 S216을 순서를 바꾸어 진행할 수도 있다.
정리하면, 베이스층(10) 상에는 상부 컬러필터(21)와 상부 터치센싱디바이스(TSD42)와 상부 기판(22)이 배치될 수 있으며, 또한 하부 컬러필터(31)가 배치된 하부 기판(32)과 중간 기판(99, 즉 상부 기판과 합착한 중간 기판)이 합착할 수 있다.
도 7 및 도 8의 경우, 양방향에 배치되는 상부 기판(22) 및 하부 기판(32)에 각각 컬러필터들(21, 31)을 배치하는 공정과 하부 및 상부 터치센싱디바이스들(TSD51, TSD42) 및 베이스층(10)을 배치하는 공정을 분리하여 별도로 진행한 후 합착 과정을 통해 하나의 표시패널을 제조할 수 있으므로 제조 공정을 단축시킬 수 있다.
또한 분리된 제조 공정 과정에서 어느 하나에서 오류가 발생하여도 다른 모듈들과 결합할 수 있으므로 로부스트(robust)한 제조 공정을 제공할 수 있다. 예를 들어 터치센싱디바이스들을 배치하거나 박막 트랜지스터를 제조하는 공정에서 오류가 발생할 경우에도 상부 기판(22)과 하부 기판(32)은 영향을 받지 않으며 그 역의 경우에도 마찬가지에 해당한다.
도 7의 구조에서 상부 터치센싱디바이스의 구성 방식은 도 4의 42c에 제시된 TSD42 외에도 41c에 제시된 TSD41, 43c에 제시된 TSD43, 44c에 제시된 TSD44 등에도 적용될 수 있다.
일 실시예로, 베이스층(10) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치하고, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)까지 배치된 중간 기판(99)과 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)을 합착할 수 있다.
다른 실시예로 상부 컬러필터(21)가 제1면에 배치된 상부 기판(22)의 제2면에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 또는 상부 컬러필터(21) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 그리고 상부 기판(22)과 중간 기판(99)을 합착할 수 있다.
도 9, 도 10 및 도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다. 도 9는 도 4의 41c 내지 44c에 제시된 바와 같이 박막 트랜지스터층(11) 하에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되는 구성에 적용될 수 있다.
도 7 및 도 8에서 살펴본 구성 및 공정과 달리, 도 9 및 도 10은 중간 기판 없이 하부 기판 상에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)를 배치하는 구성이다. 이는 하부 기판(32) 상에 하부 컬러필터(31) 위에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되는 구성을 일 실시예로 한다. 상부 발광영역(TE)의 구성은 도 5에서 살펴본 바와 같으므로 이에 대한 설명은 도 5를 참조한다.
박막 트랜지스터층(11)의 하부에 하부 컬러필터(31)가 배치되었다. 한편, 하부 기판(32) 상에는 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)이나 Oxide 에서 사용되는 차광물질(Light Shield) 또는 BSM(Back side metal)을 적용하여 하부 방향에서의 터치를 감지하는 센서 전극(50a) 및 센서 전극들 사이의 브릿지 메탈(50b)을 배치할 수 있다.
특히, 센서 전극(50a)과 패드부(90)의 메탈, 그리고 패드영역이나 외부 혹은 내부와 전기적으로 연결되는 라우팅 라인(route)(95)가 센서(50a)와 동일한 물질로 동일한 공정 내에서 구성될 수 있다. 또한, 하부 터치센싱디바이스(TSD52) 상에 바로 하부 컬러필터(31)가 배치되어 있다.
보다 상세히 살펴본다. 하부 발광영역(BE)을 살펴보면, 전체 배치는 박막 트랜지스터를 포함하는 베이스층(10) 하에 하부 터치센싱디바이스(TSD51)이 배치되며, 그 아래에 하부 컬러필터(31) 및 하부 기판(32)이 배치되는 구성이다.
BSM 또는 LS를 이용하여 하부 터치센싱디바이스(TSD51)의 터치 전극을 형성할 수 있다. 한편, 이들 센서 전극들(50a), 이 과정에서 패드부(90)와 라우팅 라인(95)와 동시에 터치 전극들(50a)이 배치될 수 있다.
하부 터치센싱디바이스(TSD51)은 하부 컬러필터(31) 상단에 BSM, LS 등을 적용하여 센서 전극(50a)이 배치된다. 라우팅 라인(95) 및 패드부(90)는 하부 기판(32) 상에 그대로 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 하부 컬러필터(31)는 하부 기판(32) 상에 일체로 배치될 수 있으며, 하부 터치센싱디바이스(TSD51)는 하부 컬러필터(31) 위에 배치되는 구성을 가진다.
도 9의 구성에 있어서, 하부 기판(32)의 제1면에 하부 컬러필터(31)가 배치되고, 하부 컬러필터(31) 상에 센싱전극(50a)이 배치되며, 하부기판(32)의 제1면의 비액티브영역에 패드부(90)가 배치된다. 센싱전극(50a)과 패드부(90)는 동일한 물질로 동일한 공정 과정에서 구성될 수 있다. 그리고 센싱전극(50a) 상에 보호층(101)이 배치되고 그 위에 브릿지 메탈(50b)이 배치될 수 있다.
도 9에서는 하부 컬러필터(31)와 하부 터치센싱디바이스(TSD51)의 센싱 전극(50a) 사이에 별도의 공간이 없이 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 하부 컬러필터(31) 상에 그대로 센싱 전극(50a)이 배치될 수 있으나, 다른 실시예에 의하면 하부 컬러필터(31) 상에 보호층을 배치한 후 센싱 전극(50a)을 배치할 수 있다. 이에 대해서 도 10에서 살펴본다.
도 10은 도 9의 구성에 추가적으로 하부 컬러필터(31) 상에 보호층이 배치된 구성을 보여주는 도면이다. 도 10에서 하부 컬러필터(31)가 일체로 배치된 하부 기판(32) 상의 액티브 영역에 보호층(101a)이 배치된 후, 그 위에 센서 전극(50a) 및 라우팅 라인(95)가 배치되며, 액티브영역 외부에 패드부(90)가 배치됨을 확인할 수 있다. 그리고 센서 전극(50a) 상에 보호층(101b)을 배치한 후 브릿지 메탈(50b)이 배치되고 버퍼층(102)이 배치되는 구조이다.
도 10의 구성에 있어서, 하부 기판(32)의 제1면에 하부 컬러필터(31)가 배치되고, 하부 컬러필터(31) 상에 보호층(101a) 상에 센싱전극(50a)이 배치되며, 하부기판(32)의 제1면의 비액티브영역에 패드부(90)가 배치된다. 센싱전극(50a)과 패드부(90)는 동일한 물질로 동일한 공정 과정에서 구성될 수 있다. 그리고 센싱전극(50a) 상에 보호층(101b)이 배치되고 그 위에 브릿지 메탈(50b)이 배치될 수 있다.
도 9 및 도 10에서 하부 컬러필터(31)가 센서 전극(50a)을 배치해도 영향을 받지 않는 구성물질로 제조되었거나 미리 하부 컬러필터(31) 상에 일종의 보호층(미도시)이 배치된 경우에는 별도의 보호층을 배치하는 공정 없이 도 9와 같은 구조로 배치할 수 있다. 반면, 하부 컬러필터(31)가 열에 약하거나 센서 전극(50a)을 배치하는 과정에서 변형되는 문제가 발생할 경우 도 10과 같은 구조로 하부 컬러필터(31)를 보호하는 보호층(101a)을 배치할 수 있다.
도 9 및 도 10의 구조를 제조하는 공정을 살펴보면 도 11과 같다. 도 11은 하부 컬러필터(31)가 배치된 하부 기판(32)상에 보호층이나 버퍼층을 선택적으로 배치한 후, 하부 터치센싱디바이스(TSD51)를 배치하고 박막 트랜지스터층을 포함한 베이스층(10)을 적층한 구조이다. 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널을 제조하는 적층하는 공정에 대해 보다 상세히 살펴본다.
하부 컬러필터(31)가 배치된 하부 기판(32) 상의 액티브 영역의 하부발광영역에 대응하여 하부 터치센싱디바이스의 센서 전극(50a)을 배치하고, 비액티브 영역에 패드부(90)를 배치한다(S221). 이 과정에서 라우팅 라인(95) 역시 배치할 수 있다. 라우팅 라인(95) 및 패드부(90)는 하부 컬러필터(31)가 배치되지 않은 영역에 배치될 수 있다.
도 10에서 살펴본 바와 같이, 하부 컬러필터(31)가 배치된 하부 기판(32) 상에 보호층(101a)을 배치하는 단계가 S221 이전에 선행될 수 있다. 이후, 하부 기판(32) 상의 액티브 영역에 보호층(도 9의 101 또는 도 10의 101b)을 배치하고 센서 전극(50a)의 일부가 노출되도록 보호층의 일부를 식각하여 센서 전극(50a)에 전기적으로 연결되는 브릿지 메탈(50b)을 배치한다(S222).
이후, 하부 기판(32)의 액티브 영역에 버퍼층(102, 보호층)을 배치하고 박막 트랜지스터층(11)을 배치한다(S223). 그리고 도 6의 S205에서 살펴본 바와 같이, 박막 트랜지스터층(11) 상에 애노드층(12), OLED층(13), 캐소드층(14)을 배치하고 봉지층(15)을 배치한 후, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다(S224).
그리고, 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)과 하부 기판(32)을 합착하여(S225) 표시패널을 완성한다. 일 실시예로, S223, S224는 하부 컬러필터(31) 상에 보호층(103)을 배치하고 상부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터와 하부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터가 배치된 박막 트랜지스터층(11)과 그 위에 순차적으로 배치되는 제1전극층(12)과 발광소자층(13)과 제2전극층(14)과 봉지층(15)을 포함하는 베이스층(10)을 배치하는 것을 일 실시예로 한다.
그리고 베이스층(10) 상에는 상부 컬러필터(21)와 상부 터치센싱디바이스(TSD42)와 상부 기판(22)이 배치될 수 있다. 일 실시예로, 베이스층(10) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치하고, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)까지 배치된 하부 기판(32)과 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)을 합착할 수 있다.
다른 실시예로 상부 컬러필터(21)가 제1면에 배치된 상부 기판(22)의 제2면에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 또는 상부 컬러필터(21) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 그리고 상부 기판(22)과 하부 기판(32)을 합착할 수 있다.
도 9 내지 도 11에서 살펴본 실시예를 양방향 터치 센싱이 가능한 표시패널을 제조할 경우, 하부 기판(32) 상에서 순차적으로 각 구성요소들을 적층하여 미스얼라인 문제를 해결할 수 있다.
도 9의 및 도 10의 구조에서 상부 터치센싱디바이스의 구성 방식은 도 4의 42c에 제시된 TSD42 외에도 41c에 제시된 TSD41, 43c에 제시된 TSD43, 44c에 제시된 TSD44 등에도 적용될 수 있다.
도 12, 도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 터치센싱디바이스의 구성 및 공정을 보여주는 도면이다. 도 12는 도 3의 41b 내지 44b에 제시된 바와 같이 하부 컬러필터(31)와 하부 기판(32) 사이에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)가 배치되는 구성에 적용될 수 있다. 도 5 및 도 6과 달리 하부 터치센싱디바이스(TSD52) 상에 직접 하부 컬러필터(31)가 배치되는 구성이다.
상부 발광영역(TE)의 구성은 도 5에서 살펴본 바와 같으므로 이에 대한 설명은 도 5를 참조한다.
하부 발광영역(BE)을 살펴보면, 전체 배치는 박막 트랜지스터를 포함하는 베이스층(10) 하에 하부 컬러필터(31), 하부 터치센싱디바이스(TSD52), 하부 기판(32)이 배치되는 구성이다.
BSM 또는 LS를 이용하여 하부 터치센싱디바이스(TSD51)의 터치 전극을 형성할 수 있다. 한편, 이들 센서 전극들(50a), 이 과정에서 패드부(90)와 라우팅 라인(95)와 동시에 센서 전극들(50a)이 배치될 수 있다.
하부 터치센싱디바이스(TSD51)은 하부 기판(32) 상에 BSM, LS 등을 적용하여 센서 전극(50a)이 배치된다. 그리고 센서 전극(50a) 상에 브릿지 메탈(50b)이 배치되어 하부 터치센싱디바이스(TSD52)의 제조가 완료되면 그 위에 하부 컬러필터(31)를 배치하고 버퍼층(102)을 배치한 후 그 위에 베이스층(10) 등이 적층된 구조이다.
도 12의 구성에서 하부기판(32)의 제1면의 액티브영역에는 센싱전극(50a)이 배치되고, 제1면의 비액티브 영역에는 패드부(90)가 배치된다. 이들 센싱전극(50a)과 패드부(90)는 동일한 물질로 동일한 공정 과정에서 생성될 수 있다. 그리고 센싱 전극(50a) 상에 보호층(101)이 배치되고 그 위에 브릿지 메탈(50b)이 배치된다. 또한, 도 5와 달리 브릿지 메탈(50b) 상에 하부 컬러필터(31)가 배치된다. 이 위에 버퍼층(102, 보호층)이 배치된 후 TFT층이 배치될 수 있다.
도 12에서 브릿지 메탈(50b) 상에 하부 컬러필터(31)가 그대로 배치되는 실시예를 제시하고 있다. 만약 하부 컬러필터(31)를 배치하는 과정에서 브릿지 메탈(50b)의 재질 혹은 성능이나 형상이 영향을 받을 경우 이를 보호하기 위해 별도의 보호층을 배치할 수 있다. 이에 대해 도 13에서 살펴본다.
도 13은 도 12와 같은 구조이되, 브릿지 메탈(50b) 상에 별도의 보호층을 배치하여 하부 컬러필터(31)의 배치 과정에서 브릿지 메탈(50b)이 보호될 수 있도록 한다.
도 13에 도시된 바와 같이, 센서 전극(50a)을 배치한 후 보호층(101a)을 배치하고, 그 위에 브릿지 메탈(50b)을 배치한 후, 액티브 영역 상에 대응하여 보호층(101b)을 배치한 후, 하부 컬러필터(31)를 배치한다. 보호층(101b)에 의해 브릿지 메탈(50b)과 하부 컬러필터(31) 사이에 간격이 발생하여 하부 컬러필터(31)를 형성하는 공정 과정에서 브릿지 메탈(50b)에 가해지는 영향을 보호층(101b)이 차단하는 효과가 있다.
도 12 및 도 13의 구조를 제조하는 공정을 살펴보면 도 14와 같다. 도 12, 13은 하부 기판(32) 상에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)를 배치하고 그 위에 별도의 버퍼층이나 보호층을 선택적으로 배치한 후, 하부 컬러필터(31)를 배치한 후 박막 트랜지스터층을 포함한 베이스층(10)을 적층한 구조이다. 적층하는 공정에 대해 보다 상세히 살펴본다.
하부 기판(32) 상에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)의 센서 전극(50a) 및 패드부(90)를 배치한다(S231). 하부 기판(32)의 액티브 영역에 보호층(도 12의 101 또는 도 13의 101a)을 배치하고 센서 전극(50a)의 일부가 노출되도록 식각하여 브릿지 메탈(50b)을 배치한다(S232).
그리고 하부 기판(320 상의 하부 터치센싱디바이스(TSD52) 상에 하부 컬러필터(31)를 배치한다(S233). 이로써 하부 터치센싱디바이스(TSD52)와 하부 컬러필터(31)가 일체로 결합할 수 있다. 도 13에서 살펴본 바와 같이, S232 단계를 수행한 후, 하부 기판(32) 상에 보호층(101b)을 배치하는 공정이 S233 이전에 진행될 수 있다.
하부 컬러필터(31) 상에 버퍼층(102)을 배치하고 박막 트랜지스터층(11)을 배치한다(S234). 그리고 도 6의 S205에서 살펴본 바와 같이, 박막 트랜지스터층(11) 상에 애노드층(12), OLED층(13), 캐소드층(14)을 배치하고 봉지층(15)을 배치한 후, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다(S235). 이후, 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)과 하부 기판(32)을 합착하여(S236) 표시패널을 완성한다.
도 12 및 도 13의 구조에서 상부 터치센싱디바이스의 구성 방식은 도 3의 42b에 제시된 TSD42 외에도 41b에 제시된 TSD41, 43b에 제시된 TSD43, 44b에 제시된 TSD44 등에도 적용될 수 있다. 도 12 내지 도 14의 실시예는 도 5의 실시예와 유사하거나 동일한 구조가 될 수 있다.
도 2 내지 도 14에서 살펴본 바와 같이, 양방향의 터치를 구현하기 위해서 본 명세서에서는 하부 발광영역에 배치되는 하부 터치센싱디바이스로 인셀터치, 또는 터치 셀 또는 터치 구동부를 위한 전극 배치 등이 가능하게 하부 기판(32)과 하부 컬러필터(31) 또는 베이스층(10) 사이에 하부 터치센싱디바이스가 배치될 수 있도록 한다.
특히, 본 명세서의 실시예를 적용할 경우, 하나의 베이스층(10)에 집적도를 높여 박막트랜지스터들과 픽셀전극 등을 배치하여, 베이스층(10)을 중심으로 일부 영역은 상부 발광영역으로, 일부 영역은 하부 발광영역으로 사용할 수 있다. 또한, 이에 대응하여 일부 영역은 상부 터치센싱디바이스가 배치되고 다른 일부 영역은 하부 터치센싱디바이스를 배치할 수 있다.
도 2 내지 도 14의 실시예를 정리하면 다음과 같다. 양 방향으로 터치를 센싱하기 위해 표시패널은 다수의 화소 영역으로 구성되는 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함한다. 그리고 이러한 화소 영역은 다시 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함한다.
즉, 도 5, 7, 9, 10, 12, 13의 TE와 BE영역은 하나의 화소 영역에서 세분화될 수 있다. 이들 도면에서는 설명의 편의를 위해 다수의 컬러필터(RGB)를 배치하였으나, 각 화소별로 R, G, B 중 어느 하나가 배치될 수 있다.
또한, 박막 트랜지스터층에는 상부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터와 하부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터가 동일한 층(11)에 각각 배치될 수 있다. 그리고 그 위에는 도시된 바와 같이 제1전극층(12), 발광소자층(13), 제2전극층(14), 봉지층(15)이 배치되며, 이들을 포함하여 베이스층(10)이라 한다.
또한, 베이스층(10)을 기준으로 베이스층(10) 상에 상부 컬러필터(21)와 상부 터치센싱디바이스(TSD41, TSD42, TSD43, TSD44)와 상부 기판(22)이 배치될 수 있으며, 이들의 배치 방식은 상부 컬러필터(21)가 상부 기판(22) 보다 베이스층(10)에 가까이 배치된다. 그 외에 다양하게 배치되는 실시예는 도 2 내지 4에서 살펴보았다.
일 실시예로, 베이스층(10) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치하고, 상부 터치센싱디바이스(TSD42)까지 배치된 하부 기판(32)과 상부 컬러필터(21)가 배치된 상부 기판(22)을 합착할 수 있다.
다른 실시예로 상부 컬러필터(21)가 제1면에 배치된 상부 기판(22)의 제2면에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 또는 상부 컬러필터(21) 상에 상부 터치센싱디바이스(TSD42)를 배치할 수 있다. 그리고 상부 기판(22)과 하부 기판(32)을 합착할 수 있다.
한편, 베이스층(10) 하에 하부 컬러필터(31)와 하부 터치센싱디바이스(TSD51, TSD52, TSD53)와 하부 기판(32)이 배치될 수 있으며, 이들의 배치 방식은 하부 컬러필터(31)가 하부 기판(32) 보다 베이스층(10)에 가까이 배치된다. 그 외에 다양하게 배치되는 실시예는 도 2 내지 4 및 도 5 내지 도 14에서 살펴보았다.
보다 상세히 각각의 세부적인 구성요소에 대해 살펴본다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 TSD52 방식을 구현하는 세부적인 패널 내부의 구성을 보여주는 도면이다.
각 패널에 배치되는 박막 트랜지스터의 일 실시예는 TR에서 지시한는 바와 같이 반도체층(ACT), 게이트 절연막(GI), 게?憐?(GATE), 소스/드레인(Source/Drain), 등이 배치된다. TR에서 지시하는 박막 트랜지스터 구조는 일 실시예이며 이외에도 다양한 박막 트랜지스터(Bottom Gate, Etched stopper 방식 등)가 배치될 수 있다.
각 구성요소 및 도 5를 살펴보면, 하부 기판(32)에 하부 터치센싱디바이스(TSD52)가 배치된다. 그리고 하부발광영역(BE)과 상부 발광영역(TE)에 대응하여 각각의 박막 트랜지스터 아래에 차광층(96a, 96b)이 배치된다. 하부터치센싱디바이스(TSD52)와 차광층(96a)은 동일하게 배치되는 것을 일 실시예로 한다, 또한, 하부터치센싱디바이스(TSD52) 상에 보호층(미도시)이 배치되고 그 위에 차광층(96a)이 배치되는 것을 다른 실시예로 한다.
하부터치센싱디바이스(TSD52)가 배치된 그 위에 버퍼층(10a)이 배치되고 반도체층(ACT), 게이트절연막(GI), 게이트(GATE) 배치되고 그 위에 층간절연층(Interlayer dielectric, ILD)(10b)이 배치된다. 트랜지스터가 배치되는 공정에서 게이트전극을 형성하는 물질과 소스/드레인을 형성하는 물질을 이용하여 캐패시터(98)가 배치될 수 있다.
그 위에 소스/드레인전극이 배치되고 그 위에 보호층(Passivation layer, 10c) 및 오버코트층(Overcoat, 10d)이 배치되고 제1전극(12b, 12t), 뱅크(10e)이 배치된다. 상부 발광영역은 아래로 빛이 새지 않도록 반사판(97)이 배치될 수 있다. 캐소드인 제2전극(14)이 뱅크(10e)의 상면 및 측면, 그리고 발광소자층(13b, 13t) 위를 포함하여 전면에 배치된다. 그리고 제2전극(14) 중에서 하부발광영역으로 빛이 아래를 향하도록 하기 위해 제2전극(14) 중 하부 발광영역 및 그의 주변부 또는 발광소자층(13b)에 대응하여 제1반사층(93)이 배치된다. 여기서 제2전극(14)은 반투과성 물질 혹은 투과성 물질 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 반투과성 물질 혹은 투과성 물질인 경우 하부발광영역의 발광소자층(13b)에서 생성된 빛은 제2전극(14)을 투과하여 상측으로 진행하므로, 제1반사층(93), 즉 상부 반사판은 하부 방향으로 빛을 반사시킨다. 제1반사층(93)은 알루미늄과 같은 물질을 이용하여 제2전극(14)의 일부 영역에 증착(Evaporation)시킬 수 있다.
제1반사층(93)은 상부 방향으로 빛이 진출하지 않도록 빛을 아래 방향으로 반사한다. 도면에는 하부 발광 영역과 뱅크의 측면을 포함하여 제1반사층(93)이 배치된 구성을 보여준다. 그 위에 인캡(encapsulation passivation) 또는 인캡과 PCL(Passivation capping layer)을 포함하는 봉지층(15)이 배치된다.
모바일에 탑재되는 표시패널의 경우 봉지층(15)은 인캡층과 PCL이 배치될 수 있다. 이 경우 PCL은 유기물질로 구성되는 유기막이 될 수 있다. 한편, 모바일이 아니거나 다른 실시예에 기반할 경우 PCL 없이 인캡층만이 봉지층(15)을 구성할 수 있다. 봉지층(15)은 다양한 물질을 포함할 수 있으며, 그 과정에서 봉지층(15) 내에 다수의 층으로 구분지을 수 있다. 예를 들어 봉지층(15)은 무기막과 유기막 등 상이한 물질들로 다층적으로 구성될 수 있다.
아울러, BE 영역의 빛이 상부로 출력되지 않도록 상부 기판(22)에는 컬러필터와 블랙 매트릭스(21b)가 배치된다. 일 실시예로 상부 컬러필터(21)는 R, G, B, W가 배치되는 영역(21c)과 블랙 매트릭스가 배치되는 영역(21b)을 포함할 수 있다.
도 15의 구성에 기반할 경우, 상부 컬러필터를 이용하여 하부 방향으로의 발광을 유도하면서 양방향에 터치 센싱디바이스들을 배치할 수 있다.
도 15의 구성을 정리하면 다음과 같다. 상부 발광영역과 하부발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에서, 하부 기판(32)상에 하부발광영역(BE)에 대응하여 하부터치센싱디바이스(TSD52)가 배치된다. 그리고 하부터치센싱디바이스(TSD52) 상의 버퍼층(10a) 상의 상부발광영역(TE) 및 하부발광영역(BE)에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막트랜지스터(TR)가 배치된다.
박막트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결되며 상부발광영역의 및 하부발광영역에 각각 제1전극이 배치된다. 12b는 하부발광영역의 제1전극을 지시하며, 12t는 상부발광영역의 제1전극을 지시한다. 제1전극(12b, 12t) 상에 각각 발광소자층(13b, 13t)이 배치된다. 마찬가지로, 13b는 하부발광영역의 발광소자층을 지시하며 13t는 상부발광영역의 발광소자층을 지시한다.
또한, 상부발광영역 및 하부발광영역에서 발광소자층(13b, 13t)을 구분하는 뱅크(10e)의 상면 및 측면과, 발광소자층(13b, 13t)의 상면에 일체로 제2전극(14)이 배치되고, 그 위에 봉지층(15), 상부터치센싱디바이스(TSD42)가 배치된다. 또한, 하부발광영역으로 빛이 출광될 수 있도록 하부발광영역의 발광소자층에 대응하는 제2전극 상에 제1반사층(93)이 배치된다. 물론 제1반사층(93)은 반사 효율을 높이기 위해 하부발광영역에 대응하여 배치될 수도 있으며 제1반사층(93)의 최소 단위는 발광소자층(13b)를 포함하는 단위가 된다. 한편, 상부기판(22)은 하부기판(32)과 대면하며 하부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스(21b)가 배치되며 상부발광영역에 대응하여 상부컬러필터(21c)가 배치된다.
도 15에서 제1차광층(96a)은 하부터치센싱 디바이스(TSD52)와 수평 또는 수직으로 이격하여 하부발광영역의 트랜지스터 영역(트랜지스터가 배치된 영역)에 대응하여 하부기판(32) 또는 하부터치센싱디바이스(TSD52) 상에 배치된 보호층 상에 배치된다. 또한 제2차광층(96b)은 상부발광영역의 트랜지스터 영역에 대응하여 하부기판(32) 또는 하부터치센싱디바이스(TSD52) 상에 배치된 보호층 상에 배치된다. 보호층은 도면에 미도시되었으나 하부터치센싱디바이스(TSD52) 상에 배치되는 것을 일 실시예로 한다.
또한, 상부발광영역에 대응하여 배치된 제1전극(12t) 하에 제2반사층(97)이 배치될 수 있다.
정리하면 다음과 같다. 한번의 공정 과정에서 양방향으로 각기 독립적으로 화소의 발광을 제어하기 위해 상부발광영역에 제1전극(12t) 및 발광소자층(13t), 그리고 하부발광영역에 제1전극(12b) 및 발광소자층(13b)을 배치한다. 또한, 상부발광영역 및 하부발광영역에 공통으로 표시패널 전체에 제2전극(14)을 배치한다. 여기서 제1전극들(12b, 12t) 및 제2전극(14)은 빛을 투과하는 투명 전극일 수 있고 혹은 반투과 전극일 수 있다. 그리고 빛의 출광방향을 조절하기 위해 하부발광영역에는 제2전극(14) 상의 발광 영역에 대응하여 제1반사층(93)이 배치되고, 상부발광영역에는 제1전극(12t) 하에 대응하여 제2반사층(97)이 배치된다. 또한, 이러한 제1반사층(93) 및 제2반사층(97)은 알루미늄과 같은 물질을 이용하여 증착(Evaporation)시킬 수 있다. 제1반사층(93)은 제2전극(14)의 하부발광영역에 대응하여 제2전극(14) 상에 배치되며, 제2반사층(97)은 제1전극(13t)이 배치되기 전에 오버코트층(10d) 상에 증착될 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 TSD51 방식을 구현하는 세부적인 패널 내부의 구성을 보여주는 도면이다.
도 15와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략한다. 도 16은 중간 기판(99) 상에 하부터치센싱디바이스(TSD51)가 배치된다. 그리고 하부기판(32)에는 블랙매트릭스(31b)와 하부컬러필터(31c)가 배치된다. 그 결과 도 15와 달리 상부발광영역에는 별도의 반사층이 배치될 필요는 없다.
도 16의 구성은 상부기판(22)에는 상부방향의 발광영역에 대응하여 상부컬러필터(21c) 및 블랙매트릭스(21b)가 배치되고, 하부기판(32)에는 하부방향의 발광영역에 대응하여 하부컬러필터(31c) 및 블랙매트릭스(31b)가 배치된다. 그리고 하부터치센싱디바이스(TSD51)는 중간기판(99) 상에 배치된다.
도 16을 정리하면 다음과 같다. 도 15와 중복되는 구성요소에 대해서는 도 15를 참조한다.
하부기판(32)에는 상부발광영역에 대응하여 블랙매트릭스(31b)가 배치되며 하부발광영역에 대응하여 하부컬러필터(31c)가 배치된다. 그리고 중간 기판(99)이 배치되는데 이는 하부기판과 제1면에서 대면하며 하부발광영역에 대응하여 제2면에 하부터치센싱디바이스(TSD51)가 배치되는 구성이다.
하부터치센싱디바이스(TSD51)를 포함하여 중간기판 전면에 버퍼층(10a)이 배치되고 그 이후 박막 트랜지스터 및 상부기판, 상부컬러필터, 상부기판의 블랙매트릭스(21b) 등의 구성요소들은 도 15와 동일하다. 다만, 하부기판에 블랙매트릭스(31b)가 배치되므로 도 16의 제2반사층(97)은 선택적으로 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따를 경우 하부발광영역의 발광소자층(13b)에 대응하여 제1반사층(93)이 제2전극(14) 위에 배치되고 상부발광영역의 발광소자층(13t)에 대응하여 제2반사층(97)이 제1전극(12t) 하에 배치된다. 본 발명의 다른 실시예에 따를 경우, 하부발광영역의 발광소자층(13b)에 대응하여 제1반사층(93)이 제2전극(14) 위에 배치되고, 상부발광영역의 발광소자층(13t) 하의 제1전극(12t) 아래에는 제2반사층(97)이 배치되지 않을 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 의한 TSD51 방식을 구현하는 세부적인 패널 내부의 구성을 보여주는 도면이다. 도 16과 달리 중간기판이 없이 배치되는 구성이다. 도 17은 하부방향의 발광영역에 대응하여 하부컬러필터(31c) 및 블랙매트릭스(31b)가 배치된 하부기판(32) 상에 보호층(101)을 배치한 후, 그 위에 하부터치센싱디바이스(TSD51)를 배치한 구성이다. 만약 하부컬러필터(31c)가 하부터치센싱디바이스(TSD51)를 직접 배치함에 있어서 영향을 받지 않는 경우 하부컬러필터(31c) 상에 보호층(101) 없이 하부터치센싱디바이스(TSD51)를 배치할 수 있다.
도 17을 정리하면 다음과 같다. 도 15 및 도 16과 중복되는 구성요소에 대해서는 도 15를 참조한다. 하부기판(32)에는 블랙매트릭스(31b)와 하부컬러필터(31c)가 배치된다. 그리고 이들 블랙매트릭스(31b)와 하부컬러필터(31c) 상에 보호층(101)이 배치되고 그 위에 하부발광영역에 대응하여 하부터치센싱디바이스(TSD51)가 배치된다.
하부터치센싱디바이스(TSD51)를 포함하여 하부기판 전면에 버퍼층(10a)이 배치되고 그 이후 박막 트랜지스터 및 상부기판, 상부컬러필터, 상부기판의 블랙매트릭스(21b) 등의 구성요소들은 도 16과 동일하다. 다만, 하부기판에 블랙매트릭스(31b)가 배치되므로 도 17의 제2반사층(97)은 선택적으로 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따를 경우 하부발광영역의 발광소자층(13b)에 대응하여 제1반사층(93)이 제2전극(14) 위에 배치되고 상부발광영역의 발광소자층(13t)에 대응하여 제2반사층(97)이 제1전극(12t) 하에 배치된다. 본 발명의 다른 실시예에 따를 경우, 하부발광영역의 발광소자층(13b)에 대응하여 제1반사층(93)이 제2전극(14) 위에 배치되고, 상부발광영역의 발광소자층(13t) 하의 제1전극(12t) 아래에는 제2반사층(97)이 배치되지 않을 수 있다.
전술한 실시예를 적용할 경우, 양방향의 터치 구동을 위한 터치센싱디바이스를 양방향으로 배치하면서도 패널의 두께를 증가시키지 않으며 또한 추가적인 코스트를 증가시키지 않는다는 점에서 공정 효율을 높인다.
전술한 실시예를 적용할 경우 양방향 디스플레이에 대응하여 양방향 터치 센싱을 구현하는 방안을 제시할 수 있다. 또한, 양방향 디스플레이를 위한 터치 센싱이 각각 독립적으로 구동되도록 표시패널의 상면 및 하면에 터치 센싱을 위한 구성요소를 배치하여 양방향 터치 성능을 향상시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 터치 센싱을 위한 구성요소 배치를 기판 상에 다양한 구성요소를 배치하는 적층 공정 내에 포함시켜 미스얼라인 문제를 해결할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 통상의 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 따라서, 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 이해할 수 있을 것이다.
10: 베이스층 11: 박막트랜지스터층
21: 상부 컬러필터 22: 상부 기판
31: 하부 컬러필터 32: 하부 기판
TSD41, TSD42, TSD43, TSD44: 상부 터치센싱디바이스
TSD51, TSD52, TSD53: 하부 터치센싱디바이스

Claims (16)

  1. 상부 발광영역과 하부 발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 상기 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에 있어서,
    상부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터와 하부 발광영역으로의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터가 배치된 박막 트랜지스터층과 그 위에 순차적으로 배치되는 제1전극층과 발광소자층과 제2전극층과 보호층을 포함하는 베이스층;
    상기 베이스층 상에 배치되는 상부 컬러필터와 상부 터치센싱디바이스와 상부 기판;
    상기 베이스층 하에 배치되는 하부 컬러필터와 하부 터치센싱디바이스와 하부 기판; 및
    상기 하부 발광영역에 상기 제2전극층과 접하는 반사층을 포함하며,
    상기 상부 컬러필터는 상기 상부 기판보다 상기 베이스층에 가까이 배치되며,
    상기 하부 컬러필터는 상기 하부 기판보다 상기 베이스층에 가까이 배치되고,
    상기 하부 컬러필터 상에 상기 베이스층의 상기 박막 트랜지스터층이 배치되는, 양방향 터치 표시패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기판의 제1면에 상기 하부 컬러필터가 배치되며,
    상기 하부 컬러필터 상에 상기 베이스층이 배치되며,
    상기 하부 기판의 제2면에 하부 터치센싱디바이스가 배치되는, 양방향 터치 표시패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기판의 제1면에 상기 하부 터치센싱디바이스가 배치되며,
    상기 하부 터치센싱디바이스 상에 상기 하부 컬러필터가 배치되는, 양방향 터치 표시패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 표시패널은
    상기 하부 기판 상의 제1면의 액티브 영역에 배치된 센싱 전극;
    상기 제1면의 비액티브 영역에 배치된 패드부;
    상기 센싱 전극 상에 배치된 보호층;
    상기 보호층 상에 배치된 브릿지 메탈;
    상기 브릿지 메탈 상에 배치된 보호층; 및
    상기 보호층 상에 배치된 상기 하부 컬러필터를 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 표시패널은
    상기 하부 기판 상의 제1면의 액티브 영역에 배치된 센싱 전극;
    상기 제1면의 비액티브 영역에 배치된 패드부;
    상기 센싱 전극 상에 배치된 보호층;
    상기 보호층 상에 배치된 브릿지 메탈; 및
    상기 브릿지 메탈 상에 배치된 상기 하부 컬러필터를 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기판의 제1면에 상기 하부 컬러필터가 배치되며,
    상기 하부 컬러필터와 상기 베이스층 사이에 상기 하부 터치센싱디바이스가 배치되는, 양방향 터치 표시패널.
  7. 제6항에 있어서,
    제1면에 하부 터치센싱디바이스가 배치되며, 제2면에 상기 하부 컬러필터와 접하는 중간 기판을 더 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 표시패널은
    상기 하부 컬러필터 상에 배치된 센싱 전극;
    상기 하부 기판의 제1면 중 비액티브 영역에 배치된 패드부;
    상기 센싱 전극 상에 배치된 보호층; 및
    상기 보호층 상에 배치된 브릿지 메탈을 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 표시패널은
    상기 하부 컬러필터 상의 보호층 상에 배치된 센싱 전극;
    상기 하부 기판의 제1면 중 비액티브 영역에 배치된 패드부;
    상기 센싱 전극 상에 배치된 보호층; 및
    상기 보호층 상에 배치된 브릿지 메탈을 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  10. 상부 발광영역과 하부 발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 상기 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에 있어서,
    하부 기판 상에 상기 하부 발광영역에 대응하여 배치되는 하부 터치센싱디바이스;
    상기 하부 터치센싱디바이스 상의 버퍼층 상에 상기 하부 발광영역에 대응하여 배치된 하부 컬러필터;
    상기 하부 컬러필터 상에 상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되며 상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에 각각 배치되는 제1전극;
    상기 제1전극 상에 배치되는 발광소자층;
    상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에서 상기 발광소자층을 구분하는 뱅크의 상면 및 측면과, 상기 발광소자층 상면에 일체로 배치되는 제2전극;
    상기 하부 발광영역의 발광소자층에 대응하는 상기 제2전극 상에 배치되고, 상기 제2전극과 접하는 제1반사층;
    상기 제2전극 상의 봉지층 위에 배치되는 상부 터치센싱디바이스, 및
    상기 하부 기판과 대면하며 상기 하부 발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상기 상부 발광영역에 대응하여 상부 컬러필터가 배치된 상부 기판을 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하부 터치센싱디바이스와 수평 또는 수직으로 이격하여 상기 하부 발광영역의 트랜지스터 영역에 대응하여 상기 하부 기판 또는 상기 하부 터치센싱디바이스 상에 배치된 보호층 상에 배치되는 제1차광층; 및
    상기 상부 발광영역의 트랜지스터 영역에 대응하여 상기 하부 기판 또는 상기 하부 터치센싱디바이스 상에 배치된 보호층 상에 배치되는 제2차광층을 더 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 상부 발광영역에 대응하여 배치된 상기 제1전극 하에 배치된 제2반사층을 더 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  13. 상부 발광영역과 하부 발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 상기 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에 있어서,
    상기 상부 발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상기 하부 발광영역에 대응하여 하부 컬러필터가 배치된 하부 기판;
    상기 하부 기판과 제1면에서 대면하며 상기 하부 발광영역에 대응하여 제2면에 하부 터치센싱디바이스가 배치된 중간 기판;
    상기 하부 터치센싱디바이스를 포함하여 상기 중간 기판 전면에 배치된 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되며 상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에 각각 배치되는 제1전극;
    상기 제1전극 상에 배치되는 발광소자층;
    상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에서 상기 발광소자층을 구분하는 뱅크의 상면 및 측면과, 상기 발광소자층 상면에 일체로 배치되는 제2전극;
    상기 하부 발광영역의 발광소자층에 대응하는 제2전극 상에 배치되고, 상기 제2전극과 접하는 제1반사층;
    상기 제2전극 상의 봉지층 위에 배치되는 상부 터치센싱디바이스, 및
    상기 하부 기판과 대면하며 상기 하부 발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상기 상부 발광영역에 대응하여 상부 컬러필터가 배치된 상부 기판을 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 상부 발광영역에 대응하여 배치된 상기 제1전극 하에 배치된 제2반사층을 더 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  15. 상부 발광영역과 하부 발광영역을 포함하는 화소 영역 다수로 구성된 액티브 영역과 상기 액티브 영역 주변에 배치되는 비액티브 영역을 포함하는 표시패널에 있어서,
    상기 상부 발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상기 하부 발광영역에 대응하여 하부 컬러필터가 배치된 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 배치된 보호층 상에 상기 하부 발광영역에 대응하여 배치된 하부 터치센싱디바이스;
    상기 하부 터치센싱디바이스 상의 상기 하부 기판 전면에 배치된 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에 각각 배치되어 발광을 제어하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되며 상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에 각각 배치되는 제1전극;
    상기 제1전극 상에 배치되는 발광소자층;
    상기 상부 발광영역 및 상기 하부 발광영역에서 상기 발광소자층을 구분하는 뱅크의 상면 및 측면과, 상기 발광소자층 상면에 일체로 배치되는 제2전극;
    상기 하부 발광영역의 발광소자층에 대응하는 제2전극 상에 배치되고, 상기 제2전극과 접하는 제1반사층;
    상기 제2전극 상의 봉지층 위에 배치되는 상부 터치센싱디바이스, 및
    상기 하부 기판과 대면하며 상기 하부 발광영역에 대응하여 블랙매트릭스가 배치되며 상기 상부 발광영역에 대응하여 상부 컬러필터가 배치된 상부 기판을 포함하는, 양방향 터치 표시패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 상부 발광영역에 대응하여 배치된 상기 제1전극 하에 배치된 제2반사층을 더 포함하는, 양방향 터치 표시패널.

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