KR102460013B1 - 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법에 관한 것으로서, 디스플레이 제조공정 부품의 경도를 향상시키면서 평탄도를 교정하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법에 관한 것이다. 이를 위해 디스플레이 제조공정 부품을 1차적으로 열처리하면서 자연 냉각시키고, 열처리와 함께 평탄도를 1차 교정하는 열처리 및 교정 단계, 열처리 및 교정 단계 후에, 디스플레이 제조공정 부품을 경화 열처리함으로써 경도를 향상시키는 경화 열처리 단계, 디스플레이 제조공정 부품에 부착된 공정피막 또는 공정 오염물을 제거하여 재생처리하는 단계, 열처리 없이 디스플레이 제조공정 부품의 평탄도를 2차 교정하는 단계, 디스플레이 제조공정 부품을 린스 및 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법이 개시된다.
Description
본 발명은 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 제조공정 부품의 경도를 향상시키면서 평탄도를 교정하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법에 관한 것이다.
디퓨저는 디스플레이를 제조하는 CVD 제조공정에 사용시에 일반적으로 알루미늄 소재를 사용하여 대형 사이즈로 제작되고 수많은 내부 관통 구멍이 형성되기 때문에 오랜 시간 사용하게 되면 알루미늄의 강도가 점차 감소함에 따라 휨이 발생하거나(또는 처짐이 발생) 또는 변형하기 쉬워 글라스 기판에 불균일 증착의 공정 불량을 야기한다.
디스플레이를 제작하는 CVD 제조공정에서 사용되는 디퓨저의 강도 또는 경도를 향상시키면서 오랜 사용으로 휨이 발생한 디퓨저를 교정하여 재사용하기 위한 재생 방법에 관한 기술 개발이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 오랜 사용으로 재생이 필요한 디퓨저의 강도를 향상시키면서도 평탄도를 교정할 수 있는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적은, 디스플레이 제조공정 부품을 1차적으로 열처리하면서 자연 냉각시키고, 열처리와 함께 평탄도를 1차 교정하는 열처리 및 교정 단계, 열처리 및 교정 단계 후에, 디스플레이 제조공정 부품을 경화 열처리함으로써 경도를 향상시키는 경화 열처리 단계, 디스플레이 제조공정 부품에 부착된 공정피막 또는 공정 오염물을 제거하여 재생처리하는 단계, 열처리 없이 디스플레이 제조공정 부품의 평탄도를 2차 교정하는 단계, 디스플레이 제조공정 부품을 린스 및 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.
또한, 경화 열처리 단계는,
기 설정된 온도 조건 및 시간 조건에 따라 열처리 및 냉각을 순차적으로 실시함으로써 경화 열처리한다.
또한, 경화 열처리 단계는,
열처리 및 교정 단계에서의 온도 조건보다 더 높은 온도 조건 및 기 설정된 시간 조건에 따라 디스플레이 제조공정 부품을 1차 열처리 하는 단계,
1차 열처리 단계 후에, 기 설정된 온도 조건 및 1차 열처리 단계에서의 시간 조건보다 더 짧은 시간 조건에 따라 디스플레이 제조공정 부품을 급속 냉각시키는 단계,
급속 냉각 단계 후에, 1차 열처리 단계에서의 온도 조건보다 더 낮은 온도 조건 및 더 긴 시간 조건에 따라 디스플레이 제조공정 부품을 2차 열처리하는 단계를 포함한다.
또한, 1차 열처리 단계 전에,
디스플레이 제조공정 부품의 열 충격을 완화시키기 위해 부품의 강도보다 더 강한 강도의 재질로 이루어진 열충격 완화부재의 상면에 부품을 유동 가능하도록 고정하는 단계를 더 포함한다.
또한, 열처리 및 교정 단계는 400 ~ 450도씨의 온도 조건에 따라 부품을 열처리하면서 자연 냉각시키며,
1차 열처리 단계는 500 ~ 550도씨의 온도 조건 및 2시간 ~ 4시간의 시간 조건에 따라 부품을 1차 열처리 하며,
2차 열처리 단계는 160 ~ 220도씨의 온도 조건 및 12시간 ~ 20시간의 시간 조건에 따라 부품을 2차 열처리한다.
또한, 급속 냉각 단계는,
밀폐된 공간 내에서 열충격 완화부재 위에 놓인 부품에 가스 공급 제어부의 제어에 따라 질소가스를 20분 ~ 60분간 분사함으로써 부품을 급속 냉각시킨다.
또한, 급속 냉각 단계는,
밀폐된 공간 내에서 열충격 완화부재 위에 놓인 부품에 에어 공급 제어부의 제어에 따라 에어를 30분 ~ 1시간 분사함으로써 부품을 급속 냉각시킨다.
또한, 급속 냉각 단계는,
열충격 완화부재 위에 놓인 부품을 물에 5분 ~ 10분 담굼으로써 부품을 급속 냉각시킨다.
한편, 본 발명의 목적은 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법에 이용되는 디스플레이 제조공정 부품의 경화 열처리 장치에 있어서, 디스플레이 제조공정 부품 및 부품의 열 충격을 완화시키는 열충격 완화부재가 밀폐된 환경 내부에 배치되는 경화 열처리 몸체부, 부품을 기 설정된 온도 조건 및 시간 조건하에서 열처리하는 열처리부, 열처리된 부품을 기 설정된 온도 조건 및 시간 조건하에서 냉각시키는 냉각부를 포함하며, 기 설정된 온도 조건 및 시간 조건에 따라 열처리 및 냉각을 순차적으로 실시함으로써 부품을 경화 열처리하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 경화 열처리 장치를 제공함로써 달성될 수 있다.
또한, 열처리부는,
경화 열처리 몸체부의 적어도 일면에 구비되어 열처리시에 소정 온도로 가열되는 열선부,
열선부를 제어하는 열선 제어부,
열선부의 가열 시간을 측정하며, 측정 시간을 열선 제어부로 전송하는 열선 타이머부를 포함한다.
또한, 냉각부는,
질소 가스가 분사됨으로써 부품을 냉각시키는 가스 냉각부,
에어가 분사됨으로써 부품을 냉각시키는 에어 냉각부, 및
물에 의해 부품을 냉각시키는 물 냉각부 중 적어도 하나의 냉각부로 구성된다.
또한, 가스 냉각부는,
경화 열처리 몸체부의 둘레방향으로 구비되어 냉각시에 질소 가스가 내부로 분사되도록 하는 가스 분사 노즐부,
질소 가스를 저장하는 가스 저장부,
가스 분사 노즐부로 분사되는 질소 가스의 분사량 또는 분사 압력을 조절하는 가스 공급 제어부,
가스 저장부와 가스 분사 노즐부를 연결 접속함으로써 질소 가스를 공급하는 가스 라인부,
질소 가스의 공급 시간을 측정하며, 측정된 시간을 가스 공급 제어부로 전송하는 가스 타이머부를 포함한다.
또한, 에어 냉각부는,
경화 열처리 몸체부의 둘레방향으로 구비되어 냉각시에 에어가 내부로 분사되도록 하는 에어 분사 노즐부,
에어를 저장하는 에어 저장부,
에어 분사 노즐부로 분사되는 에어의 분사량 또는 분사 압력을 조절하는 에어 공급 제어부,
에어 저장부와 에어 분사 노즐부를 연결 접속함으로써 에어를 공급하는 에어 라인부,
에어의 공급 시간을 측정하며, 측정된 시간을 에어 공급 제어부로 전송하는 에어 타이머부를 포함한다.
또한, 물 냉각부는,
소정의 물이 저장되며, 상부가 개폐된 수조,
부품 및 열충격 완화부재를 수조의 상부 측에서 하부측 방향으로 견인하여 물에 담그도록 하는 견인부를 포함한다.
또한, 열선 제어부는 500 ~ 550도씨의 온도 조건 및 2시간 ~ 4시간의 시간 조건에 따라 부품을 1차 열처리하도록 열선부를 제어하며,
1차 열처리 후에, 가스 공급 제어부는 가스 분사 노즐부를 통해 질소 가스를 20분 ~ 60분간 경화 열처리 몸체부의 내부에 분사함으로써 부품을 급속 냉각시키며,
급속 냉각 후에, 열선 제어부는 160 ~ 220도씨의 온도 조건 및 12시간 ~ 20시간의 시간 조건에 따라 부품을 2차 열처리하도록 열선부를 제어한다.
또한, 열선 제어부는 500 ~ 550도씨의 온도 조건 및 2시간 ~ 4시간의 시간 조건에 따라 부품을 1차 열처리하도록 열선부를 제어하며,
1차 열처리 후에, 에어 공급 제어부는 에어 분사 노즐부를 통해 에어를 30분 ~ 1시간 경화 열처리 몸체부의 내부에 분사함으로써 부품을 급속 냉각시키며,
급속 냉각 후에, 열선 제어부는 160 ~ 220도씨의 온도 조건 및 12시간 ~ 20시간의 시간 조건에 따라 부품을 2차 열처리하도록 열선부를 제어한다.
또한, 열선 제어부는 500 ~ 550도씨의 온도 조건 및 2시간 ~ 4시간의 시간 조건에 따라 부품을 1차 열처리하도록 열선부를 제어하며,
1차 열처리 후에, 부품을 수조에 5분 ~ 10분간 담금으로써 급속 냉각시키며,
급속 냉각 후에, 열선 제어부는 160 ~ 220도씨의 온도 조건 및 12시간 ~ 20시간의 시간 조건에 따라 부품을 2차 열처리하도록 열선부를 제어한다.
또한, 부품의 열 충격을 완화시키기 위해 부품의 강도보다 더 강한 강도의 재질로 이루어진 열충격 완화부재의 상면에 부품을 유동 가능하도록 고정시킨다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 오랜 사용으로 재생이 필요한 디퓨저의 강도를 향상시키면서도 평탄도를 교정할 수 있는 발명을 제공할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 디퓨저 재생 방법에 대한 전체적인 절차를 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 경화 열처리 단계를 좀 더 자세하게 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 열처리와 급속 냉각을 동시에 구현할 수 있는 경화 열처리부의 구성을 나타낸 구성도로서, N2 가스의 공급을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 열처리와 급속 냉각을 동시에 구현할 수 있는 경화 열처리부의 구성을 나타낸 구성도로서, 에어의 공급을 도시한 도면이고,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 급속 냉각시에 물을 사용하여 냉각시키는 것을 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 디퓨저 재생 방법에 대한 전체적인 절차를 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 경화 열처리 단계를 좀 더 자세하게 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 열처리와 급속 냉각을 동시에 구현할 수 있는 경화 열처리부의 구성을 나타낸 구성도로서, N2 가스의 공급을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 열처리와 급속 냉각을 동시에 구현할 수 있는 경화 열처리부의 구성을 나타낸 구성도로서, 에어의 공급을 도시한 도면이고,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 급속 냉각시에 물을 사용하여 냉각시키는 것을 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
(디퓨저 재생 방법)
본 발명의 일실시예에 따른 디퓨저 재생 방법은 CVD 제조공정에서 사용된 디퓨저의 강도 또는 경도를 향상시키면서 오랜 사용으로 휨이 발생한 디퓨저를 교정하여 재사용하기 위한 재생 방법에 관한 것이다. 디퓨저는 디스플레이를 제조하는 CVD 제조공정에 사용시에 일반적으로 알루미늄 소재를 사용하여 대형 사이즈로 제작되기 때문에 오랜 시간 사용하게 되면 알루미늄의 강도가 점차 감소함에 따라 휨이 발생(또는 처짐이 발생)하여 글라스 기판에 불균일 증착의 공정 불량을 야기한다. 따라서 이러한 공정 불량을 야기하는 디퓨저를 재사용하기 위한 재생 방법에 대해서 이하에서 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명하기로 한다. 다만, 본 발명에서는 디퓨저의 재생에 관해 일실시예로서 설명하기로 하나 디퓨저의 재생 뿐만 아니라 디스플레이 또는 반도체 제조공정에 사용되는 부품으로서 경도를 향상시키고 평탄도를 좋게 하기 위한 모든 부품에 적용될 수도 있다.
먼저, 도 1을 참고하면 재사용하려고 하는 디퓨저(11)를 열처리하여 자연 냉각시키면서 평탄도를 1차 교정하는 열처리 및 1차 교정단계를 수행한다. 열처리시에는 400 ~ 450도씨의 온도 조건 및 기 설정된 시간 조건하에서 디퓨저의 응력을 풀어주는 응력 풀림 열처리를 하고, 열처리와 동시에 프레스를 사용하여 디퓨저의 평탄도를 1차 교정한다. 이때, 냉각방법은 자연 냉각시킨다. 다만, 열처리 후에는 디퓨저의 경도가 안좋아지기 때문에 이하의 경화 열처리 단계를 수행한다.
다음으로, 열처리 및 1차 교정이 완료된 재사용 디퓨저를 경화 열처리하여 디퓨저의 경도를 향상시키는 경화 열처리 단계를 수행한다. 경화 열처리 단계는 크게 제1 열처리 단계(용체화 처리 단계), 급속 냉각 단계, 제2 열처리 단계(시효 처리 단계)를 순차적으로 수행한다. 도 2를 참고하여 경화 열처리 단계를 좀 더 상세하게 설명하면,
경화 열처리 단계는, 먼저 재사용 디퓨저(11)를 받치는 디퓨저 받침대(열충격 완화부재, 12) 위에 재사용 디퓨저(11)를 유동 가능하도록 고정시키는 단계를 수행한다. 디퓨저 받침대(12)는 열처리 및 냉각 처리시에 디퓨저의 처짐을 방지하기 위해 디퓨저를 받침 지지하는 것으로서 경화 열처리시에(좀 더 상세하게는 급속 냉각시) 디퓨저(11)의 변형이나 처짐을 방지하기 위한 것이다. 이때, 디퓨저 받침대(12)는 알루미늄 소재의 디퓨저에 비해 강도가 더 좋은 열변형에 둔감한 특수강 소재 또는 스틸 소재를 사용하는 것이 바람직하고 또한 열처리 전의 평탄도가 "0"에 가까운 즉, 재사용 디퓨저(11)보다 더 평탄도가 좋은 디퓨저 받침대를 제작하여 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 재사용 디퓨저(11)가 디퓨저 받침대(12)에 유동 가능하도록 고정되는 것이 바람직하다. 유동이 안 되도록 고정하면 열처리 및 냉각처리에 따른 열팽창에 의해 디퓨저에 휨 또는 변형이 발생하게 되는 문제점이 있다.
경화 열처리 단계의 다음으로, 재사용 디퓨저(11)가 디퓨저 받침대(12)에 유동 가능하게 고정되고 난 후에 500 ~ 550도씨의 온도 조건 및 2시간 ~ 4시간의 시간 조건하에서 1차 경화 열처리를 수행한다. 이때 바람직하게는 3시간을 유지하는 것이 좋다. 1차 경화 열처리는 디퓨저를 고용시키면서 고용한계선(solrus line) 이상의 온도로 충분한 시간동안 가열하면 균일한 단상의 고용체가 얻어진다.
경화 열처리 단계의 다음으로, 1차 경화 열처리가 수행된 후에 재사용 디퓨저(11)를 기 설정된 온도 조건 및 시간 조건하에서 급속 냉각시키는 단계를 수행한다. 본 단계에서의 급속 냉각은 앞서 설명한 자연 냉각시키는 열처리 및 1차 교정단계보다 상대적으로 빠르게 급속 냉각시키는 것을 의미하며, 3가지 방법으로 급속 냉각시키게 된다. 제1 급속냉각 방법은 1차 경화 열 처리된 디퓨저(11)를 5분 ~ 10분간 물에 담가 냉각시키는 방법이다. 제2 급속냉각 방법은 30분 ~ 1시간 에어를 분사하여 냉각시키는 방법이다. 제3 급속냉각 방법은 20 ~ 60분 N2 가스를 분사하여 냉각시키는 방법이다. 각각의 급속냉각 방법에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다. 각각의 급속냉각 방법에 따라 디퓨저를 40 ~ 100도씨로 냉각 처리하며, 바람직하게는 50도씨 이하로 냉각 처리하는 것이 좋다. 급속 냉각이 완료된 재사용 디퓨저를 과포화 고용체라 한다.
경화 열처리 단계의 다음으로, 160 ~ 220도씨의 온도 조건 및 12시간 ~ 20시간의 시간 조건하에서 2차 경화 열처리를 수행한다. 과포화 고용체를 고용 한계선 이하의 온도로 가열하여 일정시간 유지시켜 시효하면 석출물이 형성된다.
상술한 바와 같이 열처리 및 1차 교정단계 후에 경도가 낮아진 디퓨저를 경화 열처리를 수행하면 200HL 수준의 경도를 최대 350HL 까지 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
경화 열처리 단계의 다음으로, 재사용 디퓨저(11)를 디퓨저 받침대(12)에서 탈착시키는 단계를 수행한다.
도 1을 참고하여 설명을 계속하면, 경화 열처리 단계를 수행한 후에 재사용 디퓨저(11)에 부착된 공정 피막(AlF) 또는 공정 오염물을 제거하는 재생 처리 단계 또는 박리 및 세정공정 단계를 수행한다.
다음으로, 열처리 없이 프레스를 이용하여 재사용 디퓨저의 휨을 펴서 평탄도를 2차 교정하는 단계를 수행한다.
다음으로, 재사용 디퓨저(11)를 린스 및 건조하는 단계를 수행한다.
(디퓨저 재생 장치의 구성 및 기능)
상술한 디퓨저 재생 방법 시에 설명한 경화 열처리 단계를 수행하기 위한 경화 열처리 장치에 대해 첨부된 도면 3 내지 5를 참고하여 이하에서 설명하기로 한다.
도 3은 급속 냉각시에 N2 가스를 사용하는 것을 도시한 것이고, 도 4는 급속 냉각시에 에어를 사용하는 것을 도시한 것이다. 따라서 도 3의 N2 가스에 대해서만 설명하기로 하고 도 4의 에어에 대해서는 이에 갈음하기로 한다.
도 3에 도시된 바와 같이 경화 열처리 장치는 앞서 설명한 경화 열처리 방법을 구현하기 위한 장치로서, 밀폐된 경화 열처리부(100) 내에 디퓨저(11)와 디퓨저 받침대(12)가 놓이고 디퓨저(110)의 열처리와 급속 냉각이 한 공간내에서 모두 이루어지게 된다. 디퓨저(11)는 디퓨저 받침대(12) 위에 열팽창에 의해서도 변형이 방지되도록 유동 가능하게 유동 고정부(12a)에 의해 고정되는 것이 바람직하다.
경화 열처리부(100)는 둘레방향으로 일정한 간격을 두고 열선부(111)가 배치되며, 열선부(111)는 열선 제어부(112)에 의해 제어되어 발열 됨으로써 경화 열처리부(100) 내의 온도가 조정된다. 열선 제어부(112)는 1차 경화 열처리시에는 경화 열처리부(100) 내의 온도가 500 ~ 550도씨의 온도가 되도록 열선부(111)를 조정하며, 2차 경화 열처리시에는 160 ~ 220도씨의 온도가 되도록 열선부(111)를 조정한다. 열선 타이머부(113)는 1차 및 2차 경화 열처리 시간을 측정하고, 기 설정된 시간이 된 경우 이를 열선 제어부(112)에 알려준다.
경화 열처리부(100)의 둘레방향에는 급속 냉각을 위해 복수의 가스 분사 노즐부(121a,121b, 121c,121d)가 배치되며, 가스 저장부(123)에서 공급되는 N2 가스를 각 가스 분사 노즐부에 공급하는 복수의 가스 라인부(122a,122b, 122c,122d)가 각 가스 분사 노즐부와 연결 접속된다. 가스 저장부(123)는 가스 공급 제어부(124)의 제어에 따라 가스 공급량을 각 복수의 가스 라인부에 조절 공급한다. 이때, 경화 열처리부(100)내에 N2 가스가 사방에서 주입될 수 있도록 하면서 동시에 분사 노즐부에서 동일한 압력으로 동일한 양의 N2 가스가 내부로 공급되도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 각각의 가스 분사 노즐부 및 가스 라인부는 서로 동일한 구성을 가지는 것이 바람직하다. 가스 타이머부(125)는 N2 가스의 공급 시간을 측정하고, 기 설정된 시간이 된 경우에 이를 가스 공급 제어부(124)로 전송하여 N2 가스의 공급이 중단된다.
한편, 필요에 따라 가스 분사 노즐부의 분사 방향 및 분사량은 가스 공급 제어부(124)에 의해 제어될 수 있다.
상술한 경화 열처리부(100) 내에는 내부 온도를 측정할 수 있는 온도 측정부(101)가 배치될 수 있으며, 온도 측정부(101)는 열선 제어부(112) 및 가스 공급 제어부(124)와 서로 연결 접속되어 열처리 온도 및 급속 냉각 온도를 측정하여 이를 제공함으로써 좀 더 정밀한 온도 제어가 가능할 수 있다.
N2 가스 또는 에어로 급속 냉각시키는 방법 이외에 도 5에 도시된 바와 같이 수조(141)의 물에 열 처리된 디퓨저(11)를 견인 와이어(142a,142b)를 이용하여 담가 냉각시킬 수도 있다. 도 5에 도시된 수조(141)에는 일정량의 물이 저장되어 있으며, 상술한 경화 열처리부(100)에서 1차 경화 열처리를 거친 후에 디퓨저(11)와 디퓨저 받침대(12)를 물에 담구어 급속 냉각시킨다. 이때, 열 충격을 완화시키기 위해 1차적으로 디퓨저 받침대(12)를 먼저 물에 담구어 열 충격을 완화시키고 2차적으로 디퓨저(11)가 물에 담구어지도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다. 또한, 상술한 본 발명의 구성요소는 본 발명의 설명의 편의를 위하여 설명하였을 뿐 여기에서 설명되지 아니한 구성요소가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 추가될 수 있다.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
11 : 재사용 디퓨저
12 : 재사용 디퓨저 받침대
12a : 유동 고정부
100 : 경화 열처리부
101 : 온도 측정부
110 : 열처리부
111 : 열선부
112 : 열선 제어부
113 : 열선 타이머부
120 : 가스 냉각부
121a : 제1 가스 분사 노즐부
121b : 제2 가스 분사 노즐부
121c : 제3 가스 분사 노즐부
121d : 제4 가스 분사 노즐부
122a : 제1 가스 라인부
122b : 제2 가스 라인부
122c : 제3 가스 라인부
122d : 제4 가스 라인부
123 : 가스 저장부
124 : 가스 공급 제어부
125 : 가스 타이머부
130 : 에어 냉각부
131a : 제1 에어 분사 노즐부
131b : 제2 에어 분사 노즐부
131c : 제3 에어 분사 노즐부
131d : 제4 에어 분사 노즐부
132a : 제1 에어 라인부
132b : 제2 에어 라인부
132c : 제3 에어 라인부
132d : 제4 에어 라인부
133 : 에어 저장부
134 : 에어 공급 제어부
135 : 에어 타이머부
140 : 물 냉각부
141 : 수조
142a : 제1 견인 와이어
142b : 제2 견인 와이어
12 : 재사용 디퓨저 받침대
12a : 유동 고정부
100 : 경화 열처리부
101 : 온도 측정부
110 : 열처리부
111 : 열선부
112 : 열선 제어부
113 : 열선 타이머부
120 : 가스 냉각부
121a : 제1 가스 분사 노즐부
121b : 제2 가스 분사 노즐부
121c : 제3 가스 분사 노즐부
121d : 제4 가스 분사 노즐부
122a : 제1 가스 라인부
122b : 제2 가스 라인부
122c : 제3 가스 라인부
122d : 제4 가스 라인부
123 : 가스 저장부
124 : 가스 공급 제어부
125 : 가스 타이머부
130 : 에어 냉각부
131a : 제1 에어 분사 노즐부
131b : 제2 에어 분사 노즐부
131c : 제3 에어 분사 노즐부
131d : 제4 에어 분사 노즐부
132a : 제1 에어 라인부
132b : 제2 에어 라인부
132c : 제3 에어 라인부
132d : 제4 에어 라인부
133 : 에어 저장부
134 : 에어 공급 제어부
135 : 에어 타이머부
140 : 물 냉각부
141 : 수조
142a : 제1 견인 와이어
142b : 제2 견인 와이어
Claims (8)
- 디스플레이 제조공정 부품을 1차적으로 응력 풀림 열처리를 하면서 자연 냉각시키고, 열처리와 함께 평탄도를 1차 교정하는 열처리 및 교정 단계,
상기 열처리 및 교정 단계 후에, 디스플레이 제조공정 부품을 경화 열처리함으로써 경도를 향상시키는 경화 열처리 단계,
상기 디스플레이 제조공정 부품에 부착된 공정피막 또는 공정 오염물을 제거하여 재생처리하는 단계,
열처리 없이 디스플레이 제조공정 부품의 평탄도를 2차 교정하는 단계,
상기 디스플레이 제조공정 부품을 린스 및 건조하는 단계를 포함하며,
상기 부품의 열처리와 급속 냉각이 한 공간내에서 이루어지며,
상기 경화 열처리 단계는,
디스플레이 제조공정 부품의 열 충격을 완화하고 급속 냉각시에 부품의 변형이나 처짐을 방지하기 위해 상기 부품의 강도보다 더 강한 강도의 재질이면서 상기 부품의 평탄도보다 평탄도가 상대적으로 더 좋은 열충격 완화부재의 상면에 상기 부품을 열팽창에 의해서도 변형이 방지되도록 유동 가능하게 고정하는 단계,
상기 열처리 및 교정 단계에서의 온도 조건보다 더 높은 온도 조건 및 기 설정된 시간 조건에 따라 디스플레이 제조공정 부품을 1차 열처리 하는 단계,
상기 1차 열처리 단계 후에, 기 설정된 온도 조건 및 상기 1차 열처리 단계에서의 시간 조건보다 더 짧은 시간 조건에 따라 상기 디스플레이 제조공정 부품을 급속 냉각시키는 단계,
상기 급속 냉각 단계 후에, 상기 1차 열처리 단계에서의 온도 조건보다 더 낮은 온도 조건 및 더 긴 시간 조건에 따라 상기 디스플레이 제조공정 부품을 2차 열처리하는 단계를 포함하며,
상기 급속 냉각시키는 단계는,
열 충격을 완화시키기 위해 1차적으로 열충격 완화부재를 먼저 냉각하여 열 충격을 완화시키는 단계,
유동 가능하게 고정된 부품을 2차적으로 급속 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 열처리 및 교정 단계는 400 ~ 450도씨의 온도 조건에 따라 상기 부품을 열처리하면서 자연 냉각시키며,
상기 1차 열처리 단계는 500 ~ 550도씨의 온도 조건 및 2시간 ~ 4시간의 시간 조건에 따라 상기 부품을 1차 열처리 하며,
상기 2차 열처리 단계는 160 ~ 220도씨의 온도 조건 및 12시간 ~ 20시간의 시간 조건에 따라 상기 부품을 2차 열처리하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 급속 냉각 단계는,
밀폐된 공간 내에서 상기 열충격 완화부재 위에 놓인 부품에 가스 공급 제어부의 제어에 따라 질소가스를 20분 ~ 60분간 분사함으로써 상기 부품을 급속 냉각시키는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법.
- 제 1 항에 있어서,
급속 냉각 단계는,
밀폐된 공간 내에서 상기 열충격 완화부재 위에 놓인 부품에 에어 공급 제어부의 제어에 따라 에어를 30분 ~ 1시간 분사함으로써 상기 부품을 급속 냉각시키는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법.
- 제 1 항에 있어서,
급속 냉각 단계는,
상기 열충격 완화부재 위에 놓인 부품을 물에 5분 ~ 10분 담굼으로써 상기 부품을 급속 냉각시키는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조공정 부품의 재생 방법.
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KR101873385B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2018-07-02 | 김동식 | 유기발광소자 제조용 챔버패널의 재생시스템 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970029990A (ko) * | 1995-11-30 | 1997-06-26 | 엄길용 | 섀도우마스크 제조방법 |
JP2010236006A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sumitomo Kinzoku Technol Kk | 金属部材の再生熱処理方法 |
CA2841635C (en) * | 2011-07-15 | 2017-01-03 | Tata Steel Ijmuiden Bv | Apparatus for producing annealed and electro-galvanized steels and process for producing said steels |
KR101852937B1 (ko) | 2016-06-29 | 2018-05-02 | (주)예스티 | 급속 냉각 장치 및 이를 구비한 열처리 오븐 시스템 |
KR20180122108A (ko) * | 2017-05-02 | 2018-11-12 | 이준연 | 치과용 기구의 열처리방법 |
-
2020
- 2020-04-20 KR KR1020200047760A patent/KR102460013B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
KR101873385B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2018-07-02 | 김동식 | 유기발광소자 제조용 챔버패널의 재생시스템 |
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