KR102454728B1

KR102454728B1 - Organic light emitting display device

Info

Publication number: KR102454728B1
Application number: KR1020150092696A
Authority: KR
Inventors: 박재희
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-12-06
Filing date: 2015-06-30
Publication date: 2022-10-14
Also published as: CN105679792A; KR20160068635A; CN105679792B

Abstract

유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 제1 패턴 전극, 애노드, 제2 패턴 전극 및 패터닝된 반도체층을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터는 액티브층과 게이트 전극을 포함한다. 스토리지 커패시터는 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 제1 패턴 전극은 게이트 전극 및 제1 전극을 포함한다. 애노드는 구동 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 상에 배치된다. 제2 패턴 전극은 액티브층에 연결된 출력 전극 및 애노드를 연결하는 애노드 컨택부와 연결된다. 패터닝된 반도체층은 제2 패턴 전극 및 반도체 특성을 가지는 액티브층 및 도체 특성을 가지는 쉴드부를 포함하는 것을 특징으로 한다. An organic light emitting display device is provided. The organic light emitting diode display includes a driving thin film transistor, a storage capacitor, a first pattern electrode, an anode, a second pattern electrode, and a patterned semiconductor layer. The driving thin film transistor includes an active layer and a gate electrode. The storage capacitor includes a first electrode and a second electrode. The first pattern electrode includes a gate electrode and a first electrode. The anode is disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor. The second pattern electrode is connected to an output electrode connected to the active layer and an anode contact unit connecting the anode. The patterned semiconductor layer may include a second pattern electrode, an active layer having semiconductor characteristics, and a shielding unit having conductor characteristics.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기생 커패서터에 의한 커플링 현상이 감소되어 크로스토크, 휘도 및 화질이 개선된 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having improved crosstalk, luminance, and image quality by reducing a coupling phenomenon caused by a parasitic capacitor.

유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.An organic light emitting display device is a self-emissive display device, and unlike a liquid crystal display device, it does not require a separate light source, so it can be manufactured in a lightweight and thin shape. In addition, the organic light emitting display device is being studied as a next-generation display because it is advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, and also has excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio.

유기 발광 표시 장치는 복수의 배선들 및 이들과 연결된 복수의 서브-화소들을 포함한다. 각 서브-화소는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 등으로 구성된 화소 회로(pixel circuit)를 포함한다. The organic light emitting diode display includes a plurality of wires and a plurality of sub-pixels connected thereto. Each sub-pixel includes an organic light emitting device and a pixel circuit including a thin film transistor and a storage capacitor electrically connected to the organic light emitting device.

최근 유기 발광 표시 장치의 해상도가 향상됨에 따라, 배선들의 간격(gap)이 조밀해지고, 배선들과 화소 회로 사이의 간격이 조밀해지게 되었다. 배선들과 화소 회로 사이의 간격이 조밀해 지면서, 화소 회로와 배선들이 기생 커패시터를 이루면서 여러 신호들이 커플링(coupling)되는 현상이 발생된다. 특히, 데이터 배선과 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극 사이에서 커플링 현상이 발생되면, 유기 발광 소자로 제공되는 구동 전류의 전류량이 변함으로써, 종래의 유기 발광 표시 장치의 화질이 저하되는 문제가 발생될 수 있다. Recently, as the resolution of the organic light emitting diode display is improved, a gap between wirings has become dense, and a gap between the wirings and a pixel circuit has become denser. As the distance between the wirings and the pixel circuit becomes dense, various signals are coupled as the pixel circuit and the wirings form a parasitic capacitor. In particular, when a coupling phenomenon occurs between the data line and the gate electrode of the driving thin film transistor, the current amount of the driving current provided to the organic light emitting diode changes, and thus the image quality of the conventional organic light emitting diode display may deteriorate. have.

구체적으로 화질 저하는 크로스토크(crosstalk) 및 휘도 저하 등의 문제가 존재한다. 크로스토크는 예를 들어, 백색과 검정색의 패턴이 표시 장치에 표시될때, 표시 장치의 영역별로 전기적인 로드(load) 차이가 클 때, 커플링 현상이 증가하여 백색 패턴에 의해서 검정색 패턴에 휘도가 상승하는 것을 의미할 수 있다. 휘도 저하는 원래 표시하고자 하는 영상 신호를 화소에 입력할 때, 커플링 현상이 증가하여 화소의 휘도가 감소하는 것을 의미할 수 있다. 즉 커플링 현상은 원치 않는 전기장이 형성되어, 화질 저하를 발생시킨다.Specifically, the image quality deterioration has problems such as crosstalk and luminance deterioration. Crosstalk occurs when, for example, white and black patterns are displayed on a display device, when an electrical load difference for each area of the display device is large, a coupling phenomenon increases, so that the luminance of the black pattern is increased by the white pattern. It could mean rising. The decrease in luminance may mean that when an image signal to be originally displayed is input to the pixel, a coupling phenomenon increases and the luminance of the pixel decreases. That is, the coupling phenomenon forms an unwanted electric field, which causes image quality to deteriorate.

도 1a 및 도 1b는 종래의 유기 발광 표시 장치에서 기생 커패시턴스(Cp)에 의해 유발되는 커플링 현상에 대해 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 평면도이다. 유기 발광 소자(160)는 애노드(161), 유기 발광층(162) 및 캐소드(163)를 포함한다. 유기 발광 소자(160)는 가시광선 영역대의 파장을 갖는 빛을 발광한다. 그리고 빛의 휘도는 애노드(161)를 통해 유입되는 구동 전류량에 기초하여 결정된다. 그리고 구동 전류량은 애노드(161)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(120)에 의해 조절된다. 1A and 1B are schematic cross-sectional views and plan views for explaining a coupling phenomenon caused by a parasitic capacitance Cp in a conventional organic light emitting diode display. The organic light emitting device 160 includes an anode 161 , an organic light emitting layer 162 , and a cathode 163 . The organic light emitting diode 160 emits light having a wavelength in the visible ray region. And the luminance of light is determined based on the amount of driving current flowing through the anode 161 . And the amount of driving current is controlled by the driving thin film transistor 120 connected to the anode 161 .

구동 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 액티브층(121)과 중첩하는 게이트 전극(122), 액티브층(121)과 연결되는 입력 전극(123) 및 출력 전극(124)을 포함한다. 액티브층(121)은 채널(channel) 또는 반도체층을 의미할 수 있다.The driving thin film transistor 120 includes an active layer 121 , a gate electrode 122 overlapping the active layer 121 , an input electrode 123 connected to the active layer 121 , and an output electrode 124 . The active layer 121 may refer to a channel or a semiconductor layer.

구동 박막 트랜지스터(120)의 입력 전극(123)은 VDD 배선(152)과 연결되고, VDD 배선(152)을 통해 전달 받은 구동 전류가 액티브층(121) 및 출력 전극(124)을 통해 애노드(161)로 유입된다. 구동 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)에 흐르는 구동 전류량은 데이터 배선(151)을 통해 공급된 영상 신호의 전압에 의해서 조절된다.The input electrode 123 of the driving thin film transistor 120 is connected to the VDD wiring 152 , and the driving current received through the VDD wiring 152 passes through the active layer 121 and the output electrode 124 to the anode 161 . ) is introduced into The amount of driving current flowing through the active layer 121 of the driving thin film transistor 120 is controlled by the voltage of the image signal supplied through the data line 151 .

제1 전극(132)과 제2 전극(131)의 중첩 영역은 스토리지 커패시터(130)로 간주될 수 있다. 데이터 전압(영상 신호)는 제1 전극(132)에 인가되어 스토리지 커패시터(130)에 충전된다. An overlapping region of the first electrode 132 and the second electrode 131 may be regarded as the storage capacitor 130 . The data voltage (image signal) is applied to the first electrode 132 to be charged in the storage capacitor 130 .

게이트 전극(122)은 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132)과 연결된다. 따라서 제1 전극(132)의 전위차와 게이트 전극(122)의 전위차는 서로 같다. The gate electrode 122 is connected to the first electrode 132 of the storage capacitor 130 . Therefore, the potential difference of the first electrode 132 and the potential difference of the gate electrode 122 are equal to each other.

출력 전극(124)은 스토리지 커패시터(130)의 제2 전극(131)과 연결된다. 스토리지 커패시터(130)는 유기 발광 소자(160)가 발광 하는 발광 구간 동안 구동 박막 트랜지스터(120)의 턴-온 상태를 유지시킨다. The output electrode 124 is connected to the second electrode 131 of the storage capacitor 130 . The storage capacitor 130 maintains the turned-on state of the driving thin film transistor 120 during the emission period in which the organic light emitting diode 160 emits light.

스토리지 커패시터(130)에 인접하여 데이터 배선(151)이 배치된다. 데이터 배선(151)은 데이터 전압(영상 신호)을 전달하기 위한 배선이다. 고해상도의 유기 발광 표시 장치(100)에서 배선들과 박막 트랜지스터의 사이 간격이 좁아 짐에 따라, 데이터 배선(151)과 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132) 사이의 거리는 좁아질 수 있다. 데이터 배선(151)과 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132) 사이의 거리가 좁아짐에 따라, 데이터 배선(151)과 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132) 사이에는 커패시턴스(capacitance)가 생성된다. 설명의 편의를 위해, 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132)과 데이터 배선(151) 사이에서 형성된 커패시턴스를 기생 커패시턴스(Cp)로 정의한다. A data line 151 is disposed adjacent to the storage capacitor 130 . The data line 151 is a line for transmitting a data voltage (image signal). In the high-resolution organic light emitting diode display 100 , as the distance between the lines and the thin film transistor becomes narrower, the distance between the data line 151 and the first electrode 132 of the storage capacitor 130 may become narrower. As the distance between the data line 151 and the first electrode 132 of the storage capacitor 130 decreases, a capacitance between the data line 151 and the first electrode 132 of the storage capacitor 130 decreases. is created For convenience of description, a capacitance formed between the first electrode 132 of the storage capacitor 130 and the data line 151 is defined as a parasitic capacitance Cp.

구체적으로 설명하면, 데이터 전압(영상 신호)이 데이터 배선(151)을 통해서 제1 전극(132)에 공급되어 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(131)에 저장되고, 제1 전극(132)은 발광 구간(emission interval) 동안 플로팅(floating) 상태가 된다. 그 동안 데이터 배선(151)은 스캔신호에 따라 지속적으로 다양한 데이터 전압을 유기 발광 표시 장치의 다른 서브-화소들에 순차적으로 공급한다. 제1 전극(132)과 데이터 배선(151)은 서로 커플링되어 기생 커패시턴스(Cp)를 생성한다. 그리고 제1 전극(132)은 플로팅 상태이기 때문에 다른 서브-화소들에 공급되는 다양한 데이터 전압들에 의해서 영향을 받게된다.More specifically, a data voltage (image signal) is supplied to the first electrode 132 through the data line 151 and stored in the first electrode 131 of the storage capacitor 130 , and the first electrode 132 . is in a floating state during the emission interval. In the meantime, the data line 151 sequentially supplies various data voltages to other sub-pixels of the organic light emitting diode display according to the scan signal. The first electrode 132 and the data line 151 are coupled to each other to generate a parasitic capacitance Cp. In addition, since the first electrode 132 is in a floating state, it is affected by various data voltages supplied to other sub-pixels.

제1 전극(132)과 데이터 배선(151) 사이의 전위차는 기생 커패시턴스(Cp)에 의해서 유지되려는 성질이 있다. 즉, 제1 전극(132)은 플로팅 상태이므로 기생 커패시턴스(Cp)에 의해서, 제1 전극(132)에 저장된 데이터 전압은 데이터 배선(151)과의 전위차를 균일하게 유지하기 위해서, 데이터 배선(151)을 통과하는 다양한 데이터 전압들에 의해서 흔들리게 된다. The potential difference between the first electrode 132 and the data line 151 tends to be maintained by the parasitic capacitance Cp. That is, since the first electrode 132 is in a floating state, the data voltage stored in the first electrode 132 is uniformly applied to the data line 151 by the parasitic capacitance Cp to maintain a uniform potential difference with the data line 151 . ) is shaken by various data voltages passing through it.

따라서 구동 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)의 전압은 제1 전극(132)에 저장된 데이터 전압이 흔들림에 따라 흔들리게 된다. 게이트 전극(122)의 전압은 전류량을 조절하는 반도체 물질인 액티브층(121)의 전도성 또는 전기적 저항을 제어한다. 게이트 전극(122)의 전압이 바뀌면 유기 발광 소자(160)에 인가되는 전류량도 따라서 바뀌게 된다. 결과적으로, 유기 발광 소자(160)의 휘도가 바뀌게 된다.Accordingly, the voltage of the gate electrode 122 of the driving thin film transistor 120 fluctuates according to the fluctuation of the data voltage stored in the first electrode 132 . The voltage of the gate electrode 122 controls the conductivity or electrical resistance of the active layer 121, which is a semiconductor material that controls the amount of current. When the voltage of the gate electrode 122 is changed, the amount of current applied to the organic light emitting diode 160 also changes accordingly. As a result, the luminance of the organic light emitting device 160 is changed.

즉, 기생 커패시턴스(Cp)에 의해, 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132)과 데이터 배선(151)은 서로 커플링(coupling)된다. 즉, 데이터 배선(151)에 인가되는 데이터 전압의 변화에 의해, 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132)의 전압은 바뀔 수 있다. 특히 제1 전극(132)에 저장된 데이터 전압과, 현재 데이터 배선에 인가되어 있는 데이터 전압의 차이가 클수록 크로스토크 정도가 상승한다. That is, the first electrode 132 of the storage capacitor 130 and the data line 151 are coupled to each other by the parasitic capacitance Cp. That is, the voltage of the first electrode 132 of the storage capacitor 130 may change according to a change in the data voltage applied to the data line 151 . In particular, as the difference between the data voltage stored in the first electrode 132 and the data voltage currently applied to the data line increases, the degree of crosstalk increases.

부연 설명하면, 커패시터는 양단 전압을 유지하려는 특성을 가지므로, 데이터 배선(151)에 인가되는 데이터 전압이 변하면, 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132)의 전압도 변하게된다. 스토리지 커패시터(130)의 제1 전극(132)은 구동 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)과 연결되므로, 데이터 배선(151)에 인가된 데이터 전압이 변하는 경우, 구동 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)의 게이트 전압도 같이 변하게된다. 즉, 게이트 전극(122)의 게이트 전압과 제1 전극(132)에 저장된 데이터 전압은 서로 같게 된다. In more detail, since the capacitor has a characteristic of maintaining the voltage across both ends, when the data voltage applied to the data line 151 changes, the voltage of the first electrode 132 of the storage capacitor 130 also changes. Since the first electrode 132 of the storage capacitor 130 is connected to the gate electrode 122 of the driving thin film transistor 120 , when the data voltage applied to the data line 151 changes, The gate voltage of the gate electrode 122 also changes. That is, the gate voltage of the gate electrode 122 and the data voltage stored in the first electrode 132 are equal to each other.

구동 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)의 게이트 전압이 변경됨에 따라, 구동 박막 트랜지스터(120)를 통해 애노드(161)로 전달되는 구동 전류의 전류량이 변하게된다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)과 출력 전극(124)의 전위차가 일정하게 유지될 때, 구동 전류의 전류량은 일정하게 유지될 수 있다. 그러나, 구동 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)과 데이터 배선(151)이 서로 커플링됨으로써, 구동 박막 트랜지스터(120)는 구동 전류를 일정하게 유지시키지 못하게 된다. 특히 이러한 문제는 유기 발광 표시 장치의 집적도(pixels per inch; ppi)가 증가될수록 더 심각해진다. 이하에서는 구동 박막 트랜지스터(120)를 통해서 흐르는 구동 전류량를 일정하게 유지시킬 수 있는 능력을 전류 유지율(Current Holding Ratio; CHR)로 정의한다. 이하에서는 구동 박막 트랜지스터(120)를 통해서 흐르는 구동 전류량이 다른 서브-화소들의 영상신호에 커플링되어 휘도가 상승하는 현상을 크로스토크(crosstalk)로 정의한다. 구동 박막 트랜지스터(120)의 전류 유지율이 감소됨에 따라, 유기 발광 소자(160)의 휘도는 점점 떨어지게되고, 크로스토크에 의해서 유기 발광 소자(160)의 휘도가 다른 서브-화소들에 인가되는 데이터 전압에 의해서 커플링된다. 이에, 유기 발광 표시 장치의 화질이 저하된다. 또한 기생 커패시턴스가 증가함에 따라 유기 발광 표시 장치의 화질이 저하된다.As the gate voltage of the gate electrode 122 of the driving thin film transistor 120 is changed, the amount of current of the driving current transmitted to the anode 161 through the driving thin film transistor 120 is changed. That is, when the potential difference between the gate electrode 122 and the output electrode 124 of the driving thin film transistor 120 is maintained constant, the amount of current of the driving current may be maintained constant. However, since the gate electrode 122 and the data line 151 of the driving thin film transistor 120 are coupled to each other, the driving thin film transistor 120 does not maintain a constant driving current. In particular, this problem becomes more serious as the pixel per inch (ppi) of the organic light emitting diode display increases. Hereinafter, the ability to constantly maintain the amount of driving current flowing through the driving thin film transistor 120 is defined as a current holding ratio (CHR). Hereinafter, a phenomenon in which the amount of driving current flowing through the driving thin film transistor 120 is coupled to image signals of different sub-pixels to increase luminance is defined as crosstalk. As the current retention rate of the driving thin film transistor 120 decreases, the luminance of the organic light emitting diode 160 gradually decreases, and a data voltage applied to sub-pixels having different luminance of the organic light emitting diode 160 due to crosstalk. is coupled by Accordingly, the image quality of the organic light emitting diode display is deteriorated. Also, as the parasitic capacitance increases, the image quality of the organic light emitting diode display deteriorates.

본 발명의 발명자는, 고해상도의 유기 발광 표시 장치에서는 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된 스토리지 커패시터의 제1 전극과 데이터 배선 사이의 간격이 조밀하여 이들 사이에 기생 커패시턴스가 발생되고, 기생 커패시턴스에 의해 데이터 배선과 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 커플링되면서 유기 발광 소자에 전달되는 구동 전류가 변화됨을 인식하였다. 즉, 유기 발광 소자는 구동 전류의 전류량에 기초하여 휘도가 결정되는데, 만약, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 배선이 서로 커플링되는 경우, 유기 발광 소자가 발광되는 발광 구간동안 스토리지 커패시터의 충전 전압은 변하게되므로, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극의 전압은 변하게된다. 이에, 본 발명의 발명자는 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 배선 사이의 커플링 현상을 감소시키기 위해 쉴드부(shield unit)를 구비한 새로운 유기 발광 표시 장치를 발명하였다. According to the inventors of the present invention, in a high-resolution organic light emitting display device, the gap between the first electrode of the storage capacitor connected to the gate electrode of the driving thin film transistor and the data line is dense, so that parasitic capacitance is generated therebetween, and the data is generated by the parasitic capacitance It was recognized that as the wiring and the gate electrode of the driving thin film transistor were coupled, the driving current transferred to the organic light emitting diode was changed. That is, the luminance of the organic light emitting device is determined based on the amount of current of the driving current. If the gate electrode of the driving thin film transistor and the data line are coupled to each other, the charging voltage of the storage capacitor during the emission period in which the organic light emitting device emits light. is changed, so the voltage of the gate electrode of the driving thin film transistor changes. Accordingly, the inventors of the present invention have invented a new organic light emitting diode display including a shield unit in order to reduce a coupling phenomenon between the gate electrode of the driving thin film transistor and the data line.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 쉴드부를 통해 스토리지 커패시터의 제1 전극과 데이터 배선 사이의 기생 커패시턴스를 감소시킴으로써, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 배선 사이의 커플링 현상을 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to reduce the parasitic capacitance between the first electrode of the storage capacitor and the data line through the shield, thereby reducing the coupling phenomenon between the gate electrode and the data line of the driving thin film transistor. To provide a light emitting display device.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 쉴드부를 구동 박막 트랜지스터의 액티브층으로부터 연장되도록 형성함으로써, 별도의 추가 공정 없이 구동 박막 트랜지스터의 전류 유지율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of improving the current retention rate of the driving thin film transistor without a separate additional process by forming the shield part to extend from the active layer of the driving thin film transistor.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 제1 패턴 전극, 애노드, 제2 패턴 전극 및 패터닝된 반도체층을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터는 액티브층과 게이트 전극을 포함한다. 스토리지 커패시터는 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 제1 패턴 전극은 게이트 전극 및 제1 전극을 포함한다. 애노드는 구동 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 상에 배치된다. 제2 패턴 전극은 액티브층에 연결된 출력 전극 및 애노드를 연결하는 애노드 컨택부와 연결된다. 패터닝된 반도체층은 제2 패턴 전극 및 반도체 특성을 가지는 액티브층 및 도체 특성을 가지는 쉴드부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes a driving thin film transistor, a storage capacitor, a first pattern electrode, an anode, a second pattern electrode, and a patterned semiconductor layer. The driving thin film transistor includes an active layer and a gate electrode. The storage capacitor includes a first electrode and a second electrode. The first pattern electrode includes a gate electrode and a first electrode. The anode is disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor. The second pattern electrode is connected to an output electrode connected to the active layer and an anode contact unit connecting the anode. The patterned semiconductor layer may include a second pattern electrode, an active layer having semiconductor characteristics, and a shielding unit having conductor characteristics.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 패너닝된 반도체층의 일부인 쉴드부와 중첩되도록 구성된 데이터 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, it is characterized in that it further includes a data line configured to overlap the shield portion which is a part of the panned semiconductor layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 데이터 배선을 더 포함하고, 제1 전극의 일 경계와 인접한 쉴드부의 일 경계 사이의 거리는 제1 전극의 일 경계와 인접한 데이터 배선의 일 경계 사이의 거리보다 더 큰 것을 특징으로 한다.According to still another feature of the present invention, it further includes a data line, wherein a distance between one boundary of the first electrode and one boundary of the adjacent shield unit is greater than a distance between one boundary of the first electrode and one boundary of the adjacent data line. characterized in that

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 패턴 전극과 중첩하는 쉴드부의 일부는 반도체 특성을 가지도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, a portion of the shield portion overlapping the first pattern electrode is configured to have a semiconductor characteristic.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 패턴 전극과 중첩되는 액티브층은 반도체 특성을 가지도록 구성되고, 제1 패턴 전극보다 더 연장되어 노출된 쉴드부의 일부는 도체 특성을 가지도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the active layer overlapping the first pattern electrode is configured to have a semiconductor characteristic, and a portion of the shield portion exposed by extending more than the first pattern electrode is configured to have a conductor characteristic. do.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 패턴 전극의 애노드 컨택부는 쉴드부 및 출력 전극과 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode contact portion of the second pattern electrode is characterized in that it is connected to the shield portion and the output electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패터닝된 반도체층과 제1 패턴 전극 사이에는 영상 신호에 기초하여 가변되는 제1 쉴드 커패시턴스를 더 포함하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, it is characterized in that it is configured to further include a first shield capacitance variable based on an image signal between the patterned semiconductor layer and the first pattern electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 데이터 배선을 더 포함하고, 제2 패턴 전극의 일 경계는 데이터 배선을 향해서 제1 패턴 전극보다 더 연장된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, it further includes a data line, and one boundary of the second pattern electrode is further extended toward the data line than the first pattern electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 데이터 배선을 더 포함하고, 패터닝된 반도체층의 일 경계는 데이터 배선을 향해서 제2 패턴 전극보다 더 연장된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, it further includes a data line, and one boundary of the patterned semiconductor layer is further extended toward the data line than the second pattern electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 데이터 배선을 더 포함하고, 제2 패턴 전극의 일 경계는 데이터 배선을 향해서 제1 패턴 전극보다 더 연장되고, 패터닝된 반도체층의 일 경계보다는 덜 연장된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting diode display further includes a data line, one boundary of the second pattern electrode extends toward the data line more than the first pattern electrode, and one boundary of the patterned semiconductor layer is larger than that of the patterned semiconductor layer. Characterized by less elongation.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 VDD 배선을 더 포함하고, 쉴드부는 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting diode display further includes a VDD line, and the shield part is electrically connected to the VDD line.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 쉴드부는 VDD 배선과 중첩되도록 연장된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the shield portion is characterized in that it extends to overlap the VDD wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 데이터 배선을 더 포함하고, 쉴드부는 제1 전극과 쉴드부 사이에서 제1 쉴드 커패시턴스가 생성되지 않고, 데이터 배선과 쉴드부 사이에서 제2 쉴드 커패시턴스만 생성되도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the organic light emitting diode display further includes a data line, the shield unit does not generate a first shield capacitance between the first electrode and the shield unit, and a second shield is formed between the data line and the shield unit. It is characterized in that it is configured such that only capacitance is generated.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 쉴드부가 제1 전극과 중첩되는 영역이 최소화되도록 쉴드부는 액티브층으로부터 데이터 배선을 따라 연장된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the shield portion extends along the data line from the active layer so that the area where the shield portion overlaps the first electrode is minimized.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 데이터 배선 및 액티브층에 연결된 입력 전극을 더 포함하고, 패터닝된 반도체층의 일부는 입력 전극에서 데이터 배선 방향으로 연장된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, it further includes an input electrode connected to the data line and the active layer, wherein a portion of the patterned semiconductor layer extends from the input electrode in the direction of the data line.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 쉴드부, 구동 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 테이터 배선을 포함한다. 쉴드부는 VDD 배선과 전기적으로 연결된다. 구동 박막 트랜지스터는 입력 전극, 게이트 전극 및 출력 전극을 포함하고, VDD 배선과 연결된다. 스토리지 커패시터는 쉴드부 상에 배치되고, 게이트 전극과 연결된 제1 전극 및 출력 전극과 연결된 제2 전극을 포함한다. 데이터 배선은 구동 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 상에 배치되고 제2 전극과 연결된 애노드 및 제1 전극에 비해 쉴드부와 인접하여 배치된 데이터 배선을 포함한다. 데이터 배선과 인접하여 배치된 쉴드부의 적어도 일부는 도체인 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment includes a shield unit, a driving thin film transistor, a storage capacitor, and a data line. The shield part is electrically connected to the VDD wiring. The driving thin film transistor includes an input electrode, a gate electrode, and an output electrode, and is connected to the VDD wiring. The storage capacitor is disposed on the shield part and includes a first electrode connected to the gate electrode and a second electrode connected to the output electrode. The data line includes an anode disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor and connected to the second electrode, and the data line disposed adjacent to the shield portion compared to the first electrode. At least a portion of the shield portion disposed adjacent to the data line is a conductor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 쉴드부의 일부는 데이터 배선과 중첩되고, 데이터 배선과 중첩되는 쉴드부의 일부는 도체인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, a portion of the shield portion overlaps with the data line, and a portion of the shield portion overlaps with the data line is a conductor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 쉴드부는 구동 박막 트랜지스터의 입력 전극과 연결되어 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the shield portion is connected to the input electrode of the driving thin film transistor and is electrically connected to the VDD wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 쉴드부는 구동 박막 트랜지스터의 출력 전극과 연결되어 액티브층을 통해서 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the shield portion is connected to the output electrode of the driving thin film transistor and is electrically connected to the VDD wiring through the active layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 쉴드부의 소정의 영역은 제1 전극과 중첩된, 패터닝된 반도체층이고, 제1 전극에 저장되는 영상 신호 값에 기초하여 가변되는 커패시턴스를 생성하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the predetermined region of the shield portion is a patterned semiconductor layer overlapping the first electrode, and is configured to generate a variable capacitance based on an image signal value stored in the first electrode. do.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된 스토리지 커패시터의 제1 전극과 중첩하는 쉴드부를 포함하므로, 스토리지 커패시터의 제1 전극과 데이터 배선이 이루는 기생 커패시터의 커패시턴스가 감소되고, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 인가된 게이트 전압과 데이터 배선에 인가된 데이터 전압이 커플링되는 현상이 감소되는 효과가 있다.Since the present invention includes a shield portion overlapping the first electrode of the storage capacitor connected to the gate electrode of the driving thin film transistor, the capacitance of the parasitic capacitor formed between the first electrode of the storage capacitor and the data line is reduced, and the gate electrode of the driving thin film transistor is reduced. A phenomenon in which the gate voltage applied to the , and the data voltage applied to the data line are coupled is reduced.

또한, 본 발명은 구동 박막 트랜지스터의 액티브층으로부터 연장된 쉴드부를 포함하므로, 기생 커패시터의 커패시턴스를 감소시키기위해 별도의 추가 공정이 필요하지 않는 효과가 있다.In addition, since the present invention includes the shield portion extending from the active layer of the driving thin film transistor, there is an effect that a separate additional process is not required to reduce the capacitance of the parasitic capacitor.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effect according to the present invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1a는 종래의 유기 발광 표시 장치에서 기생 커패시터에 의해 유발되는 커플링 현상에 대해 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 I-I'에 대한 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 2d는 도 2c의 II-II'에 대한 개략적인 단면도이다.
도 2e는 본 발명의 일 실시에에 따른 유기 발광 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 IV-IV'에 대한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6b는 도 6a의 VI-VI'에 대한 개략적인 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 VII-VII'에 대한 개략적인 단면도이다.1A is a schematic plan view for explaining a coupling phenomenon caused by a parasitic capacitor in a conventional organic light emitting diode display.
1B is a schematic cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 1A.
2A to 2C are schematic plan views illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
FIG. 2D is a schematic cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 2C.
2E is a graph for explaining an effect of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
3 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
4A is a schematic plan view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
4B is a schematic cross-sectional view taken along IV-IV' of FIG. 4A.
5 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
6A is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
6B is a schematic cross-sectional view taken along VI-VI' of FIG. 6A.
7A is a schematic cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
7B is a schematic cross-sectional view taken along line VII-VII' of FIG. 7A.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 '위 (on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. When a device or layer is referred to as 'on' another device or layer, it includes any other layer or layer interposed therebetween or directly on the other device.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다. 도 2d는 도 2c의 II-II'에 대한 개략적인 단면도이다. 설명의 편의를 위해, 도 2a 내지 도 2c에는 2개의 서브-화소를 개략적으로 도시하였으며, 각각의 서브-화소는 2개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함한다. (이하 이러한 구조는 2T1C구조로 지칭한다.) 그러나, 본 발명에서는 서브-화소의 구조가 2T1C구조로 한정되는 것은 아니며, 각 서브-화소는 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C 또는 7T2C 등 다양한 추가 보상 구조를 포함하도록 구성될 수 있다. 추가 보상 구조는 예를 들어, 이전 프레임의 데이터 전압을 방전시키는 초기화 회로(initialization circuit), 임계 전압 값 편차를 보상하기 위한 임계 전압 보상 회로(Vth compensation circuit) 또는 유기 발광 소자(120)의 발광 구간을 제어하기 위한 발광 제어 회로(emission control circuit) 등이 있다. 2A to 2C are schematic plan views illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment. FIG. 2D is a schematic cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 2C. For convenience of explanation, two sub-pixels are schematically illustrated in FIGS. 2A to 2C , and each sub-pixel includes two thin film transistors and one capacitor. (This structure is hereinafter referred to as a 2T1C structure.) However, in the present invention, the structure of the sub-pixel is not limited to the 2T1C structure, and each sub-pixel has various additional compensation structures such as 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C or 7T2C. It may be configured to include The additional compensation structure may include, for example, an initialization circuit for discharging a data voltage of a previous frame, a threshold voltage compensation circuit for compensating for a threshold voltage deviation, or a light emitting period of the organic light emitting diode 120 . There is an emission control circuit for controlling the .

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 유기 발광 소자(260)에서 발광된 빛이 기판(210)의 상면 방향으로 방출되는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(200)일 수 있고, 유기 발광 소자(260)에서 발광된 빛이 기판(210)의 하면 방향으로 방출되는 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치(200) 일 수 있다. 설명의 편의를 위해, 도 2a 내지 도 2d에는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(200)가 각각 도시되어 있다. The organic light emitting diode display 200 according to an embodiment of the present invention is a top emission type organic light emitting diode display 200 in which light emitted from the organic light emitting diode 260 is emitted toward the top surface of the substrate 210 . The organic light emitting diode display 200 may be a bottom emission type organic light emitting diode display 200 in which light emitted from the organic light emitting diode 260 is emitted toward the lower surface of the substrate 210 . For convenience of description, the top emission type organic light emitting diode display 200 is illustrated in FIGS. 2A to 2D , respectively.

유기 발광 표시 장치(200)는 기판(210), 데이터 배선(251), 게이트 배선(253), VDD 배선(252), 스위칭 박막 트랜지스터(240), 스토리지 커패시터(230), 구동 박막 트랜지스터(220), 유기 발광 소자(260) 및 쉴드부(280)를 포함한다(도 2d 참조). The organic light emitting diode display 200 includes a substrate 210 , a data line 251 , a gate line 253 , a VDD line 252 , a switching thin film transistor 240 , a storage capacitor 230 , and a driving thin film transistor 220 . , and an organic light emitting device 260 and a shield unit 280 (see FIG. 2D ).

기판(210)은 유기 발광 표시 장치(200)의 여러 구성 요소들을 지지하기 위한 기판으로서, 투과율이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있다. 기판(210)은 복수의 표시 영역(DA1, DA2) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다 (도 2a 내지 도 2d 참조). 표시 영역(DA1, DA2)은 유기 발광 소자(260)가 배치된 영역으로서 화상이 표시되는 영역을 의미하며, 화소 영역 또는 서브-화소들로도 지칭될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA1, DA2)을 제외한 나머지 영역을 의미한다. The substrate 210 is a substrate for supporting various components of the organic light emitting diode display 200 , and may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transmittance. The substrate 210 includes a plurality of display areas DA1 and DA2 and a non-display area NA (refer to FIGS. 2A to 2D ). The display areas DA1 and DA2 are areas in which the organic light emitting diode 260 is disposed, which means an area in which an image is displayed, and may also be referred to as a pixel area or sub-pixels. The non-display area NA refers to an area other than the display areas DA1 and DA2.

데이터 배선(251) 및 게이트 배선(253)은 기판(210) 상에서 서로 교차하도록 배치된다(도 2c 참조). 데이터 배선(251) 및 게이트 배선(253)은 기판(210)의 비표시 영역(NA)에 배치되고, 데이터 배선(251) 및 게이트 배선(253)이 교차하여 정의되는 영역이 표시 영역(DA1, DA2)으로 지칭될 수 있다. 단, 이에 제한되지 않는다. 비록, 직선 형상의 데이터 배선(251) 및 게이트 배선(253)으로 설명하였지만, 데이터 배선(251) 및 게이트 배선(253)의 형상은 사선, 곡선 또는 지그재그 형상일 수 있다. 즉, 데이터 배선(251)과 게이트 배선(253)의 형상은 제한되지 않는다.The data line 251 and the gate line 253 are disposed to cross each other on the substrate 210 (refer to FIG. 2C ). The data line 251 and the gate line 253 are disposed in the non-display area NA of the substrate 210 , and an area defined by crossing the data line 251 and the gate line 253 is the display area DA1 , DA2). However, the present invention is not limited thereto. Although the data line 251 and the gate line 253 have been described as having a linear shape, the data line 251 and the gate line 253 may have an oblique line, a curved line, or a zigzag shape. That is, the shapes of the data line 251 and the gate line 253 are not limited.

구동 박막 트랜지스터(220) 및 스위칭 박막 트랜지스터(240)는 각각 액티브층, 게이트 전극, 입력 전극 및 출력 전극을 포함하며, P형 반도체 물질의 박막 트랜지스터 또는 N형 반도체 물질의 박막 트랜지스터일 수 있다. N형 박막 트랜지스터(도 2c 내지 도 2d 참조)의 입력 전극은 드레인 전극으로 지칭되고, 출력 전극은 소스 전극으로 지칭될 수 있다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(220) 및 스위칭 박막 트랜지스터(240)는 각각 게이트 전극이 액티브층 상부에 배치된 코플래너(coplanar) 구조 또는 게이트 전극이 액티브층 하부에 배치된 인버티드 스태거드(inverted-staggered) 구조일 수 있다. 설명의 편의를 위해 도 2c 및 도 2d에 도시된 구동 박막 트랜지스터(220) 및 스위칭 박막 트랜지스터(240)는 코플래너 구조이다. The driving thin film transistor 220 and the switching thin film transistor 240 each include an active layer, a gate electrode, an input electrode, and an output electrode, and may be a thin film transistor made of a P-type semiconductor material or a thin film transistor made of an N-type semiconductor material. An input electrode of the N-type thin film transistor (see FIGS. 2C to 2D ) may be referred to as a drain electrode, and an output electrode may be referred to as a source electrode. In addition, each of the driving thin film transistor 220 and the switching thin film transistor 240 has a coplanar structure in which a gate electrode is disposed on an active layer or an inverted-staggered structure in which a gate electrode is disposed under the active layer. staggered) structure. For convenience of explanation, the driving thin film transistor 220 and the switching thin film transistor 240 shown in FIGS. 2C and 2D have a coplanar structure.

스위칭 박막 트랜지스터(240)의 입력 전극은 데이터 배선(251)에 연결된다(도 2c참조). 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 입력 전극은 데이터 배선(251)의 일부분이 연장된 것일 수 있다. 단, 본 발명은 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 입력 전극의 형상에 제한되지 않는다.The input electrode of the switching thin film transistor 240 is connected to the data line 251 (refer to FIG. 2C). The input electrode of the switching thin film transistor 240 may be a portion of the data line 251 extended. However, the present invention is not limited to the shape of the input electrode of the switching thin film transistor 240 .

스위칭 박막 트랜지스터(240)의 게이트 전극은 게이트 배선(253)의 일 부분이면서 게이트 배선(253)과 함께 배치될 수 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 액티브층의 일부는 게이트 배선(253)에 중첩된다. 따라서 게이트 배선(253)과 중첩된 액티브층 영역을 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 게이트 전극이라고 부를 수 있다. 즉, 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 게이트 전극은 게이트 배선(253)의 일부일 수 있다. 단 본 발명은 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 게이트 전극의 형상에 제한되지 않는다. The gate electrode of the switching thin film transistor 240 may be a portion of the gate wiring 253 and may be disposed together with the gate wiring 253 . A portion of the active layer of the switching thin film transistor 240 overlaps the gate wiring 253 . Accordingly, the active layer region overlapping the gate wiring 253 may be referred to as a gate electrode of the switching thin film transistor 240 . That is, the gate electrode of the switching thin film transistor 240 may be a part of the gate wiring 253 . However, the present invention is not limited to the shape of the gate electrode of the switching thin film transistor 240 .

스위칭 박막 트랜지스터(240)의 액티브층은 반도체 물질로 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 액티브층의 일부는 게이트 배선(253)과 중첩된다. 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 출력 전극은 제1 전극(232)과 연결되어 있다. 상술한 구성에 따르면 스위칭 박막 트랜지스터(240)는 좁은 공간에 단순한 구조로 효율적인 공간 활용을 하면서 배치될 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치(200)가 고해상도일 때 적합한 구조이다. 게이트 배선(253)에 턴-온(turn-on) 전압이 인가되면, 영상 신호를 저장하기 위해서 데이터 전압이 스위칭 박막 트랜지스터(240)를 통해서 제1 전극(232)으로 공급된다. 게이트 배선(253)에 턴-오프(turn-off) 전압이 인가되면, 제1 전극(232)은 저장된 데이터 전압을 유지하도록 플로팅(floating) 상태가 된다. The active layer of the switching thin film transistor 240 is formed of a semiconductor material. A portion of the active layer of the switching thin film transistor 240 overlaps the gate wiring 253 . The output electrode of the switching thin film transistor 240 is connected to the first electrode 232 . According to the above-described configuration, the switching thin film transistor 240 may be disposed in a narrow space with a simple structure and efficient space utilization. That is, the structure is suitable when the organic light emitting diode display 200 has a high resolution. When a turn-on voltage is applied to the gate wiring 253 , a data voltage is supplied to the first electrode 232 through the switching thin film transistor 240 to store an image signal. When a turn-off voltage is applied to the gate wiring 253 , the first electrode 232 is in a floating state to maintain the stored data voltage.

도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 스토리지 커패시터(230)는 제1 전극(232)과 제2 전극(231)을 포함한다. 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)은 (이하 제1 전극(232)으로 지칭) 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 출력 전극 및 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222)과 연결된다. 제1 전극(232)은 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222)과 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 출력 전극을 연결하는 노드(node)로서의 기능도 동시에 수행할 수 있다.2A to 2D , the storage capacitor 230 includes a first electrode 232 and a second electrode 231 . The first electrode 232 of the storage capacitor 230 is connected to the output electrode of the switching thin film transistor 240 (hereinafter referred to as the first electrode 232 ) and the gate electrode 222 of the driving thin film transistor 220 . The first electrode 232 may simultaneously function as a node connecting the gate electrode 222 of the driving thin film transistor 220 and the output electrode of the switching thin film transistor 240 .

스토리지 커패시터(230)의 제2 전극(231)은 (이하 제2 전극(231)으로 지칭) 구동 박막 트랜지스터(220)의 출력 전극(224) 및 유기 발광 소자(260)와 연결된다. The second electrode 231 of the storage capacitor 230 (hereinafter referred to as a second electrode 231 ) is connected to the output electrode 224 of the driving thin film transistor 220 and the organic light emitting diode 260 .

구동 박막 트랜지스터(220)는 N형 박막 트랜지스터이나, 이에 제한되지 않는다. 구동 박막 트랜지스터(220)는 액티브층(221), 게이트 전극(222), 입력 전극(223) 및 출력 전극(224)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221)은 (이하 액티브층(221)으로 지칭) 반도체 물질로 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222)은 (이하 게이트 전극(222)으로 지칭) 액티브층(221)과 중첩된다. 게이트 전극(222)은 스토리지 커패시터(230)에 저장된 계조 값에 대응되는 데이터 전압에 기초하여 액티브층(221)에 전기장(electric field)을 공급하여, 액티브층(221)의 도전성을 정밀하게 제어하여, 유기 발광 소자(260)에 공급되는 전류량을 조절하도록 구성된다. 따라서 게이트 전극(222)에서 약간이라도 전압이 흔들리면 영상 품질 저하가 발생한다.The driving thin film transistor 220 is an N-type thin film transistor, but is not limited thereto. The driving thin film transistor 220 includes an active layer 221 , a gate electrode 222 , an input electrode 223 , and an output electrode 224 . The active layer 221 of the driving thin film transistor 220 (hereinafter referred to as the active layer 221 ) is formed of a semiconductor material. The gate electrode 222 of the driving thin film transistor 220 overlaps the active layer 221 (hereinafter referred to as the gate electrode 222 ). The gate electrode 222 supplies an electric field to the active layer 221 based on a data voltage corresponding to the grayscale value stored in the storage capacitor 230 to precisely control the conductivity of the active layer 221 . , configured to adjust the amount of current supplied to the organic light emitting device 260 . Therefore, if the voltage at the gate electrode 222 fluctuates even a little, image quality is deteriorated.

게이트 전극(222)은 제1 전극(232)과 동일한 금속으로 형성될 수 있다. 그리고 게이트 전극(222)은 제1 전극(232)으로부터 연장된 일부분 일 수 있다. 특히, 게이트 전극(222)과 제1 전극(232)은 동일 금속층일 수 있다. 패터닝된 동일 금속층의 일부분인 게이트 전극(222)과 제1 전극(232)은 “제1 패턴 전극”으로 지칭될 수 있다. 즉, 제1 패턴 전극의 일부는 제1 전극(232)으로서 기능을 수행하고 또 다른 일부는 게이트 전극(222)으로서 기능을 수행하도록 구성된다. 즉, 제1 패턴 전극은 제1 전극(232) 및 게이트 전극(222)의 기능을 동시에 수행하기 위한 특정 형상을 가지도록 구성될 수 있다.The gate electrode 222 may be formed of the same metal as the first electrode 232 . In addition, the gate electrode 222 may be a portion extending from the first electrode 232 . In particular, the gate electrode 222 and the first electrode 232 may be the same metal layer. The gate electrode 222 and the first electrode 232 that are part of the same patterned metal layer may be referred to as a “first pattern electrode”. That is, a part of the first pattern electrode is configured to function as the first electrode 232 and another part to function as the gate electrode 222 . That is, the first pattern electrode may be configured to have a specific shape for simultaneously performing the functions of the first electrode 232 and the gate electrode 222 .

구동 박막 트랜지스터(220)의 입력 전극(223)은 (이하 입력 전극(223)으로 지칭) VDD 배선(252) 및 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221)의 일부와 연결된다. VDD 배선(252)은 데이터 배선(251)과 분리되고, VDD 배선(252)은 데이터 배선(251)과 이격되어 배치되며, 유기 발광 소자(260)에 구동 전류를 공급한다. 예를 들어, VDD 배선(252) 밑에 배치된 연결 배선(254)을 통해서 입력 전극(223)과 연결될 수 있다. 단, 입력 전극(223)은 이에 제한되지 않으며, 연결 배선(254) 없이도 연결될 수 있다. VDD 배선(252)은 동일한 평면에서 데이터 배선(251)과 동일한 금속으로 형성될 수 있다.The input electrode 223 of the driving thin film transistor 220 is connected to the VDD wiring 252 (hereinafter referred to as the input electrode 223 ) and a portion of the active layer 221 of the driving thin film transistor 220 . The VDD line 252 is separated from the data line 251 , the VDD line 252 is spaced apart from the data line 251 , and supplies a driving current to the organic light emitting diode 260 . For example, it may be connected to the input electrode 223 through the connection wiring 254 disposed under the VDD wiring 252 . However, the input electrode 223 is not limited thereto, and may be connected without the connection wire 254 . The VDD wiring 252 may be formed of the same metal as the data wiring 251 on the same plane.

구동 박막 트랜지스터(220)의 출력 전극(224)은 (이하 출력 전극(224)으로 지칭) 제2 전극(231), 액티브층(221)의 또 다른 일부 및 유기 발광 소자(260)와 연결된다. 출력 전극(224)은 액티브층(221)을 통하는 전류를 유기 발광 소자(260)로 전달하도록 구성된다. 출력 전극(224)은 제2 전극(231)과 동일한 금속으로 형성된다. 구체적으로 설명하면, 출력 전극(224) 및 제2 전극(231)은 동일한 금속층일 수 있다. 즉, 출력 전극(224)은 제2 전극(231)으로부터 연장된 일부분 일 수 있다. 다른말로 설명하면, 패터닝된 동일 금속층의 일부분인 출력 전극(224) 및 제2 전극(231)은 “제2 패턴 전극”으로 지칭될 수 있다. 즉, 제2 패턴 전극은 출력 전극(224)으로서의 기능을 수행하도록 구성된 일부와 스토리지 커패시터(231)의 제2 전극(231)으로서의 기능을 수행하도록 구성된 또 다른 일부를 포함한다. 또한 제2 패턴 전극은 유기 발광 소자(260)의 애노드(261)와 연결된 애노드 컨택부(261c)를 더 포함할 수 있다. 즉, 제2 패턴 전극은 스토리지 커패시터(231), 출력 전극(224) 및 애노드(261)를 연결하는 애노드 컨택부(261c)의 기능을 동시에 수행하기 위한 특정 형상을 가지도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(231)은 데이터 배선(251)과 동일한 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어 애노드 컨택부(261c)는 제2 전극(231)이 제1 전극(232)과 중첩되는 영역내에 배치될 수 있다. 특히 상술한 구조에 의하면, 애노드 컨택부(261c)는 제2 전극(231)의 면적을 증가시키지 않으며, 애노드(261)와 연결될 수 있는 장점이 있다.The output electrode 224 of the driving thin film transistor 220 is connected to the second electrode 231 (hereinafter referred to as the output electrode 224 ), another part of the active layer 221 , and the organic light emitting device 260 . The output electrode 224 is configured to transmit a current passing through the active layer 221 to the organic light emitting device 260 . The output electrode 224 is formed of the same metal as the second electrode 231 . Specifically, the output electrode 224 and the second electrode 231 may be the same metal layer. That is, the output electrode 224 may be a portion extending from the second electrode 231 . In other words, the output electrode 224 and the second electrode 231 that are part of the same patterned metal layer may be referred to as a “second pattern electrode”. That is, the second pattern electrode includes a part configured to function as the output electrode 224 and another part configured to function as the second electrode 231 of the storage capacitor 231 . In addition, the second pattern electrode may further include an anode contact portion 261c connected to the anode 261 of the organic light emitting diode 260 . That is, the second pattern electrode may be configured to have a specific shape for simultaneously performing the function of the anode contact unit 261c connecting the storage capacitor 231 , the output electrode 224 , and the anode 261 . For example, the second electrode 231 may be formed of the same metal as the data line 251 . For example, the anode contact portion 261c may be disposed in a region where the second electrode 231 overlaps the first electrode 232 . In particular, according to the above-described structure, the anode contact portion 261c does not increase the area of the second electrode 231 and can be connected to the anode 261 .

따라서, VDD 배선(252)을 통해서 공급되는 구동 전류는 입력 전극(223), 액티브층(221), 출력 전극(224) 및 애노드 컨택부(261c)를 거쳐서 유기 발광 소자(260)에 공급된다. 유기 발광 표시 장치(200)가 고해상도의 유기 발광 표시 장치(200)인 경우, 한정된 면적에 최대한 많은 서브-화소가 배치되어야 하므로, 표시 영역(DA1, DA2)의 크기는 작아질 수 있다. 이에, 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)과 데이터 배선(251)은 서로 인접하게 배치된다. 예를 들어, 제1 전극(232)은 데이터 배선(251)으로부터 약, 8μm 이하로 이격될 수 있다. 그리고 기생 커패시턴스(Cp)는 충분한 커플링 현상을 발생시킬 수 있게 된다. Accordingly, the driving current supplied through the VDD wiring 252 is supplied to the organic light emitting device 260 through the input electrode 223 , the active layer 221 , the output electrode 224 , and the anode contact portion 261c . When the organic light emitting diode display 200 is the high resolution organic light emitting diode display 200 , since as many sub-pixels as possible should be arranged in a limited area, the size of the display areas DA1 and DA2 may be reduced. Accordingly, the first electrode 232 and the data line 251 of the storage capacitor 230 are disposed adjacent to each other. For example, the first electrode 232 may be spaced apart from the data line 251 by about 8 μm or less. In addition, the parasitic capacitance Cp is capable of generating a sufficient coupling phenomenon.

쉴드부(280)는 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232) 하부에 배치되며, 쉴드부(280)의 일부는 제1 전극(232)의 일부와 중첩한다 (도 2b 및 도 2d 참조). 쉴드부(280)는 액티브층(221)과 동일한 물질로 형성된다. 구체적으로, 액티브층(221)과 쉴드부(280)는 동일한 반도체 물질로 형성될 수 있다. 즉, 액티브층(221)은 쉴드부(280)로부터 연장된 일 부분일 수 있다. 즉 쉴드부(280)는 액티브층(221)과 연결된다. 액티브층(221)의 기능을 수행하도록 구성된 반도체층의 일부와 쉴드부(280)의 기능을 수행하도록 구성된 반도체층의 일부를 “패터닝된 반도체층”으로 지칭할 수 있다. 즉, 패터닝된 반도체층은 액티브층(221) 및 쉴드부(280)를 포함할 수 있다. 즉, 패터닝된 반도체층은 액티브층(221) 및 쉴드부(280)의 기능을 수행하기 위한 특정 형상을 가지도록 구성될 수 있다. The shield part 280 is disposed under the first electrode 232 of the storage capacitor 230 , and a part of the shield part 280 overlaps a part of the first electrode 232 (see FIGS. 2B and 2D ). . The shield part 280 is formed of the same material as the active layer 221 . Specifically, the active layer 221 and the shield portion 280 may be formed of the same semiconductor material. That is, the active layer 221 may be a portion extending from the shield portion 280 . That is, the shield unit 280 is connected to the active layer 221 . A portion of the semiconductor layer configured to perform the function of the active layer 221 and a portion of the semiconductor layer configured to perform the function of the shield unit 280 may be referred to as a “patterned semiconductor layer”. That is, the patterned semiconductor layer may include an active layer 221 and a shield portion 280 . That is, the patterned semiconductor layer may be configured to have a specific shape for performing the functions of the active layer 221 and the shield unit 280 .

도 2b 및 도 2d를 참조하여 설명하면, 쉴드부(280)는 반도체 물질로 형성되지만, 쉴드부(280)의 일부는 도체 특성을 가질 수 있다. 그리고 또 다른 일부는 반도체 특성을 유지할 수 있다. 구체적으로, 제조 공정시, 제1 패턴 전극은 반도체에서 도체로 변환하는 공정의 마스크(mask)로 사용될 수 있다. 이 경우, 패터닝된 반도체층과 제1 패턴 전극이 중접되는 영역은 반도체 특성을 유지한다. 반면에 제1 패턴 전극에 가려지지 않고, 노출된 패터닝된 반도체층의 영역은 도체 특성을 가지게 된다.Referring to FIGS. 2B and 2D , the shield part 280 is formed of a semiconductor material, but a portion of the shield part 280 may have a conductor characteristic. And another part can maintain semiconductor properties. Specifically, during the manufacturing process, the first pattern electrode may be used as a mask for the process of converting a semiconductor to a conductor. In this case, the region where the patterned semiconductor layer and the first pattern electrode overlap maintains the semiconductor characteristics. On the other hand, a region of the patterned semiconductor layer that is not covered by the first pattern electrode and is exposed has a conductor characteristic.

예를 들면, 패터닝된 반도체층은 실리콘(Silicon), 비정질 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly-silicon), 및 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)일 수 있다. 그리고 패터닝된 반도체층의 노출된 영역(도 2b 참조)은 P형 도판트(dopant), 예를 들어, 보론(boron) 등의 물질이 도핑(doping)되어 도체화 될 수 있다. For example, the patterned semiconductor layer may be silicon, amorphous silicon, poly-silicon, or low-temperature poly-silicon (LTPS). In addition, the exposed region of the patterned semiconductor layer (refer to FIG. 2B ) may be doped with a P-type dopant, for example, a material such as boron, to become a conductor.

예를 들면, 패터닝된 반도체층은 산화물 반도체층일수 있다. 산화물 반도체로는 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO), 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 주석 아연 산화물(SnZnO) 등이 사용될 수 있다. 그리고 플라즈마(plasma) 처리를 통해서 패터닝된 반도체층의 노출된 영역(도 2b 참조)은 도체화 될 수 있다.For example, the patterned semiconductor layer may be an oxide semiconductor layer. As the oxide semiconductor, indium gallium zinc oxide (InGaZnO), indium tin zinc oxide (InSnZnO), indium zinc oxide (InZnO), tin zinc oxide (SnZnO), or the like may be used. In addition, the exposed region (refer to FIG. 2B ) of the patterned semiconductor layer through plasma treatment may be made into a conductor.

예를 들면, 패터닝된 반도체층은 산화물 반도체와 저온 폴리 실리콘을 모두 포함할 수 있다. 즉, 패터닝된 반도체층의 일 부분은 산화물 반도체로 형성될 수 있으며, 일 부분을 제외한 다른 부분은 저온 폴리 실리콘으로 형성될 수 있다. 이 경우, 산화물 반도체로 형성된 패터닝된 반도체층의 일 부분에서 노출된 영역(도 2b 참조)은 플라즈마 처리를 통해 도체화될 수 있으며, 저온 폴리 실리콘으로 형성된 패터닝된 반도체층의 다른 부분에서 노출된 영역은 P형 도판트를 통해 도체화될 수 있다.For example, the patterned semiconductor layer may include both an oxide semiconductor and low-temperature polysilicon. That is, a portion of the patterned semiconductor layer may be formed of an oxide semiconductor, and a portion other than the portion may be formed of low-temperature polysilicon. In this case, the exposed region (see FIG. 2B ) in one part of the patterned semiconductor layer formed of the oxide semiconductor can be made conductive through plasma treatment, and the exposed region in the other part of the patterned semiconductor layer formed of low-temperature polysilicon. may be conductive through a P-type dopant.

쉴드부(280)는 기판(210) 상의 버퍼층(271) 상에 배치된다. 버퍼층(271)은 기판(210)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 방지한다. 버퍼층(271)은 반드시 필요한 구성이 아니므로, 몇몇 실시예에서, 버퍼층(271)은 생략될 수 있다. The shield unit 280 is disposed on the buffer layer 271 on the substrate 210 . The buffer layer 271 prevents penetration of moisture or impurities through the substrate 210 . Since the buffer layer 271 is not a necessary configuration, in some embodiments, the buffer layer 271 may be omitted.

쉴드부(280)의 일 경계는 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)의 일 경계보다 데이터 배선(251)을 향해서 더 돌출될 수 있다. 예를 들어, 쉴드부(280)와 제1 전극(232)이 동일 평면에 있다고 가정했을 때, 쉴드부(280)의 일 경계는 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)의 일 경계보다 소정의 거리(d)만큼 돌출될 수 있다(도 2d 참조). 설명의 편의를 위해, 이를 돌출 거리(d)로 정의한다. 비록 도 2d에 도시된 쉴드부(280)의 일 경계가 데이터 배선(251)과 중첩하는 것으로 도시되어 있지만, 쉴드부(280)의 일 경계는 제1 전극(232)이 배치되는 영역의 일 경계와 데이터 배선(251)이 배치되는 영역의 일 경계 사이에 위치할 수 있다. 즉, 돌출 거리(d)는 제1 전극(232)의 일 경계와 데이터 배선(251)의 일 경계 사이의 거리보다 작을 수 있다. One boundary of the shield unit 280 may protrude more toward the data line 251 than one boundary of the first electrode 232 of the storage capacitor 230 . For example, assuming that the shield unit 280 and the first electrode 232 are on the same plane, one boundary of the shield unit 280 is greater than a boundary of the first electrode 232 of the storage capacitor 230 . It may protrude by a predetermined distance d (refer to FIG. 2D). For convenience of description, this is defined as the protrusion distance d. Although one boundary of the shield unit 280 shown in FIG. 2D is illustrated as overlapping the data line 251 , one boundary of the shield unit 280 is a boundary of a region where the first electrode 232 is disposed. and a boundary of a region in which the data line 251 is disposed. That is, the protrusion distance d may be smaller than a distance between one boundary of the first electrode 232 and one boundary of the data line 251 .

쉴드부(280) 상에 게이트 절연층(272)이 배치된다. 게이트 절연층(272)에 의해, 쉴드부(280)와 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)이 절연되며, 액티브층(221)과 게이트 전극(222)이 절연된다. 유기 발광 표시 장치(200)가 박형화됨에 따라, 게이트 절연층(272)은 얇은 두께로 형성된다. 예를 들어, 게이트 절연층(272)은 약, 1000Å(100㎚)의 두께로 형성될 수 있으나, 게이트 절연층(272)의 두께가 이에 한정되는 것은 아니다.A gate insulating layer 272 is disposed on the shield portion 280 . The shield portion 280 and the first electrode 232 of the storage capacitor 230 are insulated by the gate insulating layer 272 , and the active layer 221 and the gate electrode 222 are insulated from each other. As the organic light emitting diode display 200 becomes thinner, the gate insulating layer 272 is formed to have a thin thickness. For example, the gate insulating layer 272 may be formed to a thickness of about 1000 Å (100 nm), but the thickness of the gate insulating layer 272 is not limited thereto.

층간 절연층(273)은 게이트 전극(222) 및 제1 전극(232)을 포함하는 제1 패턴 전극을 덮도록 배치된다. 층간 절연층(273) 상에는 출력 전극(224)과 연결된 제2 전극(231)이 배치되며, 제2 전극(231)과 제1 전극(232)은 층간 절연층(273)에 의해 절연된다. 유기 발광 표시 장치(200)가 박형화됨에 따라 층간 절연층(273)은 얇은 두께로 형성된다. 예를 들어, 층간 절연층(273)은 약, 4000Å(400㎚)의 두께로 형성될 수 있으나, 층간 절연층(273)의 두께가 이에 한정되는 것은 아니다. The interlayer insulating layer 273 is disposed to cover the first pattern electrode including the gate electrode 222 and the first electrode 232 . A second electrode 231 connected to the output electrode 224 is disposed on the interlayer insulating layer 273 , and the second electrode 231 and the first electrode 232 are insulated by the interlayer insulating layer 273 . As the organic light emitting diode display 200 becomes thinner, the interlayer insulating layer 273 is formed to have a thin thickness. For example, the interlayer insulating layer 273 may be formed to a thickness of about 4000 Å (400 nm), but the thickness of the interlayer insulating layer 273 is not limited thereto.

층간 절연층(273) 상에 입력 전극(223) 및 출력 전극(224)이 배치된다. 예를 들어, 층간 절연층(273) 및 게이트 절연층(272)에 컨택홀이 제공되고, 입력 전극(223) 및 출력 전극(224)은 컨택홀을 통해 액티브층(221)과 연결된다. An input electrode 223 and an output electrode 224 are disposed on the interlayer insulating layer 273 . For example, a contact hole is provided in the interlayer insulating layer 273 and the gate insulating layer 272 , and the input electrode 223 and the output electrode 224 are connected to the active layer 221 through the contact hole.

구동 박막 트랜지스터(220)를 덮도록 평탄화층(274)이 배치되고, 평탄화층(274) 상에 유기 발광 소자(260)가 배치된다. 평탄화층(274)은 구동 박막 트랜지스터(220), 데이터 배선(251) 및 VDD 배선(252)에 의한 단차를 보상하고, 기판(210)의 상면을 평탄화한다. 유기 발광 소자(260)는 애노드(261), 유기 발광층(262) 및 캐소드(263)를 포함하며, 발광 영역(DA1)에 배치된다. 애노드(261)는 유기 발광층(262)에 정공(hole)을 제공하고, 캐소드(263)는 유기 발광층(262)에 전자(electron)을 제공한다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(220)를 통해 전달받은 구동 전류는 애노드(261)로부터 유기 발광층(262)을 거쳐 캐소드(263)로 흐른다. 캐소드(263)는 기판(210)의 외곽 영역에 배치된 전압 공급 패드부와 전기적으로 연결될 수 있으며, 전압 공급 패드부로부터 캐소드(263)에는 VSS 전압이 인가될 수 있다. A planarization layer 274 is disposed to cover the driving thin film transistor 220 , and an organic light emitting device 260 is disposed on the planarization layer 274 . The planarization layer 274 compensates for a step caused by the driving thin film transistor 220 , the data line 251 , and the VDD line 252 , and planarizes the upper surface of the substrate 210 . The organic light emitting device 260 includes an anode 261 , an organic light emitting layer 262 , and a cathode 263 , and is disposed in the light emitting area DA1 . The anode 261 provides holes to the organic light emitting layer 262 , and the cathode 263 provides electrons to the organic light emitting layer 262 . That is, the driving current received through the driving thin film transistor 220 flows from the anode 261 to the cathode 263 through the organic emission layer 262 . The cathode 263 may be electrically connected to a voltage supply pad unit disposed in an outer region of the substrate 210 , and a VSS voltage may be applied to the cathode 263 from the voltage supply pad unit.

데이터 배선(251) 및 VDD 배선(252)은 각각 층간 절연층(273) 상에 배치된다. 상술한 바와 같이, 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)은 인접하여 배치된다. 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이의 거리는 상술한 바와 같이, 약, 8μm 이하이므로, 제1 전극(232)과 데이터 배선(251)에 의한 커플링 현상은 무시할수 없는 수준이 된다. 따라서 제1 전극(232)과 데이터 배선(251)사이에는 커패시턴스가 생성되고, 이를 기생 커패시턴스(Cp)로 정의한다. 기생 커패시턴스(Cp)는 데이터 배선(251)과 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232) 사이의 거리가 가까울수록 커질 수 있다. 제1 전극(232)과 제2 전극(231)이 중첩되는 영역을 스토리지 커패시터(Cst)로 정의한다.The data line 251 and the VDD line 252 are respectively disposed on the interlayer insulating layer 273 . As described above, the data line 251 and the first electrode 232 are disposed adjacent to each other. As described above, the distance between the first electrode 232 and the data line 251 is less than or equal to about 8 μm, so the coupling phenomenon between the first electrode 232 and the data line 251 becomes negligible. . Accordingly, a capacitance is generated between the first electrode 232 and the data line 251 , and this is defined as a parasitic capacitance Cp. The parasitic capacitance Cp may increase as the distance between the data line 251 and the first electrode 232 of the storage capacitor 230 decreases. A region where the first electrode 232 and the second electrode 231 overlap is defined as a storage capacitor Cst.

마찬가지로, 쉴드부(280)와 제1 전극(232)은 얇은 두께를 갖는 게이트 절연층(272)을 사이에 두고 서로 이격되므로, 커패시턴스가 생성된다. 이를 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)로 정의한다. 또한, 쉴드부(280)와 데이터 배선(251)은 얇은 두께를 갖는 게이트 절연층(272) 및 층간 절연층(273)을 사이에 두고 서로 이격되므로, 커패시턴스가 생성된다. 이를 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)로 정의한다. Similarly, since the shield part 280 and the first electrode 232 are spaced apart from each other with the gate insulating layer 272 having a thin thickness therebetween, capacitance is generated. This is defined as the first shield capacitance Cs1. In addition, since the shield unit 280 and the data line 251 are spaced apart from each other with the gate insulating layer 272 and the interlayer insulating layer 273 interposed therebetween, capacitance is generated. This is defined as the second shield capacitance (Cs2).

데이터 배선(251)과 제1 전극(232)사이에 생성된 기생 커패시턴스(Cp)는 데이터 배선(251) 방향으로 연장된 쉴드부(280)의 영역과 데이터 배선(251) 사이에 생성된 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)에 의해 감소될 수 있다. 쉴드부(280)의 연장된 영역과 데이터 배선(251) 사이에는 전기장이 생성된다. 그리고 쉴드부(280)의 연장된 영역과 데이터 배선(251) 사이에 생성된 전기장으로 인해, 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이에 생성된 전기장이 감소하게 된다. 따라서 기생 커패시턴스(Cp)는 감소된다. 또는, 쉴드부(280)의 연장된 영역은 쉴드부(280)가 없는 유기 발광 표시 장치와 비교하여, 쉴드부(280)의 연장된 영역에 의해서 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이에 생성되는 전기장의 일부를 빼앗아 오는 기능을 가지게 된다. The parasitic capacitance Cp generated between the data line 251 and the first electrode 232 is the second generated between the data line 251 and the area of the shield portion 280 extending in the data line 251 direction. It can be reduced by the shield capacitance (Cs2). An electric field is generated between the extended area of the shield unit 280 and the data line 251 . Also, due to the electric field generated between the extended region of the shield unit 280 and the data line 251 , the electric field generated between the first electrode 232 and the data line 251 is reduced. Accordingly, the parasitic capacitance Cp is reduced. Alternatively, as compared with an organic light emitting display device without the shield unit 280 , the extended area of the shield unit 280 includes the first electrode 232 and the data line 251 due to the extended area of the shield unit 280 . It has the function of taking away a part of the electric field generated between them.

쉴드부(280)의 연장된 영역은 반도체 물질로 형성되었지만, 도전성을 가지도록 구성된다. 따라서 쉴드부(280)의 연장된 영역은 제1 전극(232)으로 향하는 전기장의 일부를 효과적으로 빼앗을 수 있다. The extended region of the shield portion 280 is formed of a semiconductor material, but is configured to have conductivity. Accordingly, the extended region of the shield portion 280 may effectively take away a portion of the electric field directed to the first electrode 232 .

제1 전극(232)의 전압이 흔들리게 되면 유기 발광 소자(260)로 흐르는 전류량에 직접적인 영향을 준다. 그러나 게이트 전극(222)과 쉴드부(280)는 서로 전기적으로 절연되었으므로, 쉴드부(280)에서 전압이 흔들리는 경우가 발생하더라도 전기적으로 절연된 게이트 전극(222)의 전압에 직접적인 영향을 주지 않는다. 즉, 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)가 생성되더라도, 영상 품의를 저하시키지 않으며, 오히려 기생 커패시턴스(Cp)를 감소시킨다. 따라서 쉴드부(280)에 의해서 유기 발광 표시 장치(200)의 크로스토크가 감소할 수 있으며, 휘도가 향상될 수 있으므로, 영상 품위가 향상될 수 있다. When the voltage of the first electrode 232 is shaken, it directly affects the amount of current flowing into the organic light emitting device 260 . However, since the gate electrode 222 and the shield part 280 are electrically insulated from each other, even if a voltage fluctuation occurs in the shield part 280 , it does not directly affect the voltage of the electrically insulated gate electrode 222 . That is, even when the second shield capacitance Cs2 is generated, image quality is not deteriorated, but rather the parasitic capacitance Cp is reduced. Accordingly, crosstalk of the organic light emitting diode display 200 may be reduced by the shield unit 280 and luminance may be improved, so that image quality may be improved.

특히, 쉴드부(280)는 액티브층(221)을 통해서 직류 전압을 공급하는 VDD 배선(251)과 연결되어 있으므로, 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)가 생성되더라도, 쉴드부(280)의 전압값은 제1 전극(231)에 비해서 상대적으로 안정적으로 유지된다. 즉, VDD 배선(251)을 통해서 공급되는 안정적인 VDD 전압에 의해서 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)의 영향을 최소화할 수 있다.In particular, since the shield unit 280 is connected to the VDD wiring 251 that supplies a DC voltage through the active layer 221 , even when the second shield capacitance Cs2 is generated, the voltage value of the shield unit 280 is Compared to the first electrode 231 , it is maintained relatively stable. That is, the influence of the second shield capacitance Cs2 may be minimized by the stable VDD voltage supplied through the VDD wiring 251 .

상술한 바와 같이, 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이의 커플링 현상은 감소된다. 그리고 기생 커패시턴스(Cp)도 감소된다. 쉴드부(280)의 돌출된 영역이 넓을수록 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이의 커플링 효과도 효과적으로 감소될 수 있다. 즉, 쉴드부(280)의 둘출 거리(d)가 클수록 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이에서 발생되는 전기장은 더 효과적으로 감소될 수 있으며, 기생 커패시턴스(Cp)는 더 감소될 수 있다. 예를 들어, 데이터 배선(251)의 일 경계로부터 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)의 일 경계까지의 거리가 6.5μm이고, 쉴드부(280)가 존재하지 않는다면, 기생 커패시터(Cp)의 커패시턴스는 2.57fF이다. 반면, 쉴드부(280)가 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)과 중첩하도록 배치되고, 쉴드부(280)의 돌출 거리(d)가 0.5μm일 때, 기생 커패시터(Cp)의 커패시턴스는 1.27fF로 감소될 수 있다. 또한, 쉴드부(280)의 돌출 거리(d)가 6.5μm일 때, 기생 커패시터(Cp)의 커패시턴스는 0.52fF로 감소될 수 있다. As described above, a coupling phenomenon between the data line 251 and the first electrode 232 is reduced. And the parasitic capacitance (Cp) is also reduced. As the protruding area of the shield part 280 increases, the coupling effect between the data line 251 and the first electrode 232 may also be effectively reduced. That is, as the projection distance d of the shield unit 280 increases, the electric field generated between the first electrode 232 of the storage capacitor 230 and the data line 251 may be more effectively reduced, and the parasitic capacitance Cp ) can be further reduced. For example, if a distance from one boundary of the data line 251 to one boundary of the first electrode 232 of the storage capacitor 230 is 6.5 μm and the shield unit 280 does not exist, the parasitic capacitor Cp ) has a capacitance of 2.57fF. On the other hand, when the shield part 280 is disposed to overlap the first electrode 232 of the storage capacitor 230 and the protrusion distance d of the shield part 280 is 0.5 μm, the capacitance of the parasitic capacitor Cp can be reduced to 1.27fF. Also, when the protrusion distance d of the shield portion 280 is 6.5 μm, the capacitance of the parasitic capacitor Cp may be reduced to 0.52 fF.

쉴드부(280)는 액티브층(221)으로부터 연장된 부분을 포함한다. 그리고 쉴드부(280)는 출력 전극(224)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1) 및 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)는 출력 전극(224)과 전기적으로 연결된다. 그리고 구동 박막 트랜지스터(220)가 턴-온되면 액티브층(221)이 도통되고 출력 전극(224)은 입력 전극(223)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)와 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)는 구동 박막 트랜지스터(220)를 통해서 VDD 배선(252)과 전기적으로 연결된다. 이러한 경우, VDD 배선은 안정적인 전압 공급원이기 때문에, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1) 및 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)는 데이터 배선(251)에 의한 커플링 현상에 영향을 상대적으로 덜 받게 된다.The shield portion 280 includes a portion extending from the active layer 221 . In addition, the shield unit 280 may be electrically connected to the output electrode 224 . Accordingly, the first shield capacitance Cs1 and the second shield capacitance Cs2 are electrically connected to the output electrode 224 . And when the driving thin film transistor 220 is turned on, the active layer 221 conducts and the output electrode 224 is electrically connected to the input electrode 223 . Accordingly, the first shield capacitance Cs1 and the second shield capacitance Cs2 are electrically connected to the VDD wiring 252 through the driving thin film transistor 220 . In this case, since the VDD line is a stable voltage source, the first shield capacitance Cs1 and the second shield capacitance Cs2 are relatively less affected by the coupling phenomenon by the data line 251 .

만약, 쉴드부(280)가 없다면 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)와 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)는 생략되며, 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이에는 기생 커패시턴스(Cp)만 생성된다. 따라서 쉴드부(280)가 배치됨으로써, 기생 커패시턴스(Cp)는 쉴드부(280)가 없는 경우에 비해 감소될 수 있다. If there is no shield part 280 , the first shield capacitance Cs1 and the second shield capacitance Cs2 are omitted, and only the parasitic capacitance Cp is generated between the first electrode 232 and the data line 251 . . Accordingly, by disposing the shield unit 280 , the parasitic capacitance Cp may be reduced compared to the case in which the shield unit 280 is not provided.

한편, 쉴드부(280)를 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221)으로부터 연장하지 않고, 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이에 아일랜드(island) 형태로 형성하면, 데이터 배선(251)과 게이트 전극(222) 사이의 커플링 현상은 감소되지 못할 수 있다. 만약, 쉴드부를 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이에 아일랜드 형태로 형성하였다면, 아일랜드 형태의 쉴드부는 전기적으로 플로팅된 상태가된다. 만약 스위칭 박막 트랜지스터(240)가 턴-온되면, 제1 전극(232)은 데이터 배선(251)으로부터 인가되는 데이터 전압으로 충전되고, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)는 동일한 데이터 전압으로 충전된다. 그러나 발광 구간에서 스위칭 박막 트랜지스터(240)가 턴-오프되면, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)는 전기적으로 플로팅된 상태이므로, 제1 전극(232)의 전압을 유지시키지 못한다. 따라서, 제1 전극(232)의 전압은 서서히 감소되고, 게이트 전극(222)과 출력 전극(224) 사이의 전위차가 감소되면서, 구동 전류의 전류량이 떨어지게된다. 이에, 플로팅 상태의 쉴드부가 있더라도 유기 발광 소자(260)의 휘도는 감소된다. Meanwhile, if the shield unit 280 is formed in the form of an island between the data line 251 and the first electrode 232 without extending from the active layer 221 of the driving thin film transistor 220 , the data line A coupling phenomenon between the 251 and the gate electrode 222 may not be reduced. If the shield part is formed in an island shape between the data line 251 and the first electrode 232 , the island-shaped shield part is in an electrically floating state. If the switching thin film transistor 240 is turned on, the first electrode 232 is charged with the data voltage applied from the data line 251 , and the first shield capacitance Cs1 is charged with the same data voltage. However, when the switching thin film transistor 240 is turned off in the light emitting period, the first shield capacitance Cs1 is in an electrically floating state, and thus the voltage of the first electrode 232 cannot be maintained. Accordingly, the voltage of the first electrode 232 is gradually decreased, and as the potential difference between the gate electrode 222 and the output electrode 224 is decreased, the amount of current of the driving current is decreased. Accordingly, the luminance of the organic light emitting diode 260 is reduced even if the shield part in the floating state is present.

반면, 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드부(280)를 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221)으로부터 연장하도록 형성할 경우, 쉴드부(280)는 액티브층(221)을 통해 구동 박막 트랜지스터(220)의 입력 전극(223) 또는 출력 전극(224)과 연결되고, VDD 배선(252)과 전기적으로 연결될 수 있으므로, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1) 및 제2 쉴드 커패시턴스(Cs2)는 전기적으로 플로팅되지 않는다. 이 경우, 구동 박막 트랜지스터(220)는 구동 전류의 전류량을 일정하게 유지시킬 수 있다. 구체적으로, 발광 구간에서 제1 쉴드 커패시터(Cs1)는 VDD 배선(252)을 통해서 안정적인 VDD전압을 인가받기 때문에, 전기적으로 플로팅되어 있지 않으므로, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)는 VDD 배선(252)과 제1 전극(232) 사이의 전위차를 유지시킬 수 있고, 제1 전극(232)의 전압은 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)와 스토리지 커패시터(230)에 의해 유지된다. 즉, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)는 마치 또 하나의 스토리지 커패시터로 기능하여 구동 박막 트랜지스터(220)의 턴-온 상태를 유지시킨다. On the other hand, when the shield unit 280 according to an embodiment of the present invention is formed to extend from the active layer 221 of the driving thin film transistor 220 , the shield unit 280 is formed to extend through the active layer 221 . Since it may be connected to the input electrode 223 or the output electrode 224 of the transistor 220 and electrically connected to the VDD wiring 252 , the first shield capacitance Cs1 and the second shield capacitance Cs2 are electrically does not float In this case, the driving thin film transistor 220 may maintain a constant current amount of the driving current. Specifically, since the first shield capacitor Cs1 receives a stable VDD voltage through the VDD wiring 252 in the light emitting period and is not electrically floating, the first shield capacitance Cs1 is connected to the VDD wiring 252 A potential difference between the first electrodes 232 may be maintained, and the voltage of the first electrode 232 is maintained by the first shield capacitance Cs1 and the storage capacitor 230 . That is, the first shield capacitance Cs1 functions as another storage capacitor to maintain the turned-on state of the driving thin film transistor 220 .

또한 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)는 가변 커패시턴스로서 동작한다. 다시 도2b를 참조하면, 제1 전극(232)과 중첩된 쉴드부(280)는 반도체 특성을 가진다. 따라서 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)는 제1 전극(232)에 저장된 데이터 전압(영상 신호)에 기초하여 커패시턴스 용량이 가변된다.Also, the first shield capacitance Cs1 operates as a variable capacitance. Referring back to FIG. 2B , the shield portion 280 overlapping the first electrode 232 has a semiconductor characteristic. Accordingly, the capacitance of the first shield capacitance Cs1 is varied based on the data voltage (image signal) stored in the first electrode 232 .

가변 커패시턴스는 더 높은 휘도의 영상을 표시할 때 더 큰 용량을 가지게 된다. 즉 더 높은 데이터 전압이 제1 전극(232)에 입력되면, 제1 전극(232)과 중첩되는 쉴드부(280)의 반도체층의 도전성은 제1 전극(232)에 저장된 데이터 전압 값에 대응되어 증가하게 된다. 또는 전기적 저항은 제1 전극(232)에 저장된 데이터 전압 값에 대응되어 저감된다. 따라서, 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222)이 기생 커패시터(Cp)에 의해 데이터 배선(251)과 커플링되더라도, 게이트 전극(222)과 병렬로 연결된 2개의 커패시터 (즉, 스토리지 커패시터(230) 및 제1 쉴드 커패시터(Cs1))에 의해 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222)과 출력 전극(224) 사이의 전위차가 유지될 수 있다. 따라서, 쉴드부(280)가 없는 경우와 비교하면, 발광 구간에서 구동 전류의 전류량은 일정하게 유지될 수 있으며, 유기 발광 소자(260)의 휘도는 일정하게 유지된다. The variable capacitance has a larger capacity when displaying a higher luminance image. That is, when a higher data voltage is input to the first electrode 232 , the conductivity of the semiconductor layer of the shield unit 280 overlapping the first electrode 232 corresponds to the data voltage value stored in the first electrode 232 . will increase Alternatively, the electrical resistance is reduced corresponding to the data voltage value stored in the first electrode 232 . Accordingly, even if the gate electrode 222 of the driving thin film transistor 220 is coupled to the data line 251 by the parasitic capacitor Cp, two capacitors (that is, the storage capacitor (that is, the storage capacitor) connected in parallel with the gate electrode 222 230) and the first shield capacitor Cs1), a potential difference between the gate electrode 222 and the output electrode 224 of the driving thin film transistor 220 may be maintained. Accordingly, compared to the case in which the shield unit 280 is not provided, the current amount of the driving current may be maintained constant in the light emitting section, and the luminance of the organic light emitting diode 260 may be maintained constant.

결과적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 쉴드부(280)가 VDD 배선(252)과 전기적으로 연결되므로, 데이터 배선(251)과 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)이 이루는 기생 커패시터(Cp)의 커패시턴스가 감소될 수 있고, 쉴드부(280)에 커플링 현상이 발생하더라도 구동 박막 트랜지스터(220)의 전류 유지율이 향상될 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자(260)에 흐르는 구동 전류의 전류량은 일정하게 유지되고, 유기 발광 소자(260)의 휘도는 일정하게 유지될 수 있다. 또한, 쉴드부(280)는 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221)으로부터 연장되므로, 별도로 쉴드부(280)를 형성하기 위한 추가 공정은 요구되지 않는다. 이에, 데이터 배선(251)과 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222) 사이의 커플링현상이 감소된 유기 발광 표시 장치(200)가 용이하게 제조될 수 있다. As a result, in the organic light emitting diode display 200 according to an embodiment of the present invention, since the shield unit 280 is electrically connected to the VDD wiring 252 , the data line 251 and the first first of the storage capacitor 230 . The capacitance of the parasitic capacitor Cp formed by the electrode 232 may be reduced, and even if a coupling phenomenon occurs in the shield unit 280 , the current retention rate of the driving thin film transistor 220 may be improved. Accordingly, the amount of current of the driving current flowing through the organic light emitting device 260 may be maintained constant, and the luminance of the organic light emitting device 260 may be maintained constant. In addition, since the shield part 280 extends from the active layer 221 of the driving thin film transistor 220 , an additional process for separately forming the shield part 280 is not required. Accordingly, the organic light emitting diode display 200 having reduced coupling between the data line 251 and the gate electrode 222 of the driving thin film transistor 220 can be easily manufactured.

도 2e는 본 발명의 일 실시에에 따른 유기 발광 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 그래프이다. 도 2e에서의 d는 도 2d에 도시된 쉴드부의 돌출 거리(d)를 의미한다. 도 2e에는 3개의 실시예와 2개의 비교예가 도시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 소자에 흐르는 구동 전류의 발광 구간에서의 전류량 변화를 나타낸다. 전류량은 서브-화소의 휘도와 비례한다. 2E is a graph for explaining an effect of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment. In FIG. 2E , d denotes a protrusion distance d of the shield part shown in FIG. 2D . Figure 2e shows three examples and two comparative examples. A change in the amount of current in the emission section of the driving current flowing through the organic light emitting diode of the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention is shown. The amount of current is proportional to the luminance of the sub-pixel.

도 2e의 그래프에서 x축은 발광 구간의 시작 시점을 기준으로하는 시간(time)을 나타내며, 좌측의 y축은 유기 발광 소자의 애노드에 유입되는 구동 전류의 전류량(A)을 나타낸다. 우측의 y축은 구동 전류의 전류 유지율(CHR)을 의미한다. 전류 유지율이란, 1프레임(frame) 기간동안 서브-화소에 흐르는 전류량의 유지 수준을 의미한다. 도 2e에서는 1프레임은 16.7㎳(60㎐)이다. In the graph of FIG. 2E , the x-axis represents time based on the start time of the emission period, and the left y-axis represents the amount of current (A) of the driving current flowing into the anode of the organic light-emitting device. The y-axis on the right represents the current retention rate (CHR) of the driving current. The current retention ratio refers to a maintenance level of the amount of current flowing through the sub-pixel during one frame period. In FIG. 2E , one frame is 16.7 ms (60 Hz).

제1 비교예(d=6.5㎛ (floating shield))는 전기적으로 플로팅되도록 형성된 쉴드부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 소자에 흐르는 구동 전류의 발광 구간에서의 전류량 변화를 나타낸다. 이때 d는 돌출 거리(d)를 의미한다. 제1 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치는 쉴드부가 전기적으로 플로팅되도록 아일랜드 형상으로 형성된 것을 제외하고는 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하게 제조하였다. 즉, 쉴드부는 VDD 배선과 전기적으로 연결되어 있지 않다.The first comparative example (d=6.5 μm (floating shield)) shows a change in the amount of current in the emission section of the driving current flowing through the organic light emitting diode of the organic light emitting diode display including the shield formed to be electrically floating. In this case, d means the protrusion distance (d). The organic light emitting diode display according to the first comparative example was manufactured in the same manner as the organic light emitting diode display according to the third embodiment, except that the shield portion was formed in an island shape to electrically float. That is, the shield part is not electrically connected to the VDD wiring.

제1 비교예에서 측정된 데이터 배선과 제1 전극 사이에서 생성된 기생 커패시턴스(Cp)는 0.53fF로 측정되었다. 크로스토크는 4.3%로 측정되었다. 초기 전류량은 4.7058㎂으로 측정되었다. 전류 유지율(CHR)은 35.3%으로 측정되었다. A parasitic capacitance (Cp) generated between the data line and the first electrode measured in Comparative Example 1 was measured to be 0.53 fF. Crosstalk was measured to be 4.3%. The initial amount of current was measured to be 4.7058 μA. Current retention (CHR) was measured to be 35.3%.

구체적으로 설명하면, 구동 전류량은 4.7058㎂ 에서 서서히 감소되어 16.7㎲이후에는 1.656㎂ 로 감소한다. Specifically, the amount of driving current is gradually decreased from 4.7058 μs to 1.656 μA after 16.7 μs.

크로스토크 측정을 위해서, 크로스토크를 측정할 수 있는 대표적인 검정색 바탕에 중앙 부분에 백색의 직사각형 패턴을 가지는 크로스토크 패턴 영상을 표시 장치에 표시하였다, 그래프에서 대략 4㎳ 내지 13㎳ 구간에서 전류량이 갑자기 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이렇게 전류량이 증가하는 현상을 크로스토크 현상이라고 정의하고, 전류량 증가 정도를 크로스토크 수준으로 정의한다. For crosstalk measurement, a crosstalk pattern image having a white rectangular pattern in the center on a representative black background that can measure crosstalk is displayed on the display device. increase can be seen. This increase in the amount of current is defined as a crosstalk phenomenon, and the degree of increase in the amount of current is defined as the level of crosstalk.

따라서, 제1 비교예에서는 전류량이 지속적으로 감소하기 때문에, 서브-화소의 휘도가 지속적으로 감소하게 되고, 크로스토크가 발생될 수 있는 영상 표시 시, 크로스토크가 발생되기 때문에, 영상 품질이 저하된다.Accordingly, in the first comparative example, since the amount of current is continuously decreased, the luminance of the sub-pixels is continuously decreased, and when displaying an image in which crosstalk may occur, crosstalk occurs, and thus the image quality is deteriorated. .

특히, 전류 유지율은 98% 이상, 크로스토크는 2%이하가 되는 것이 바람직하기 때문에, 제1 비교예를 적용하는 것은 바람직하지 않다In particular, it is not preferable to apply the first comparative example because it is preferable that the current retention rate be 98% or more and the crosstalk be 2% or less.

제2 비교예(without shield)는 쉴드부가 형성되지 않은 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 소자에 흐르는 구동 전류의 발광 구간에서의 전류량 변화를 나타낸다. 이때 쉴드부가 존재하지 않기 때문에 돌출 거리는 없다. 제2 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치는 쉴드부가 없는 것을 제외하고는 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하게 제조하였다. A second comparative example (without shield) represents a change in the amount of current in the emission section of the driving current flowing through the organic light emitting diode of the organic light emitting diode display in which the shield portion is not formed. At this time, since the shield part does not exist, there is no protrusion distance. The organic light emitting display device according to the second comparative example was manufactured in the same manner as the organic light emitting display device according to the embodiment except that the shield part was not provided.

제2 비교예에서 측정된 데이터 배선과 제1 전극 사이에서 생성된 기생 커패시턴스(Cp)는 2.57fF로 측정되었다. 크로스토크는 3.9%로 측정되었다. 초기 전류량은 4.7197㎂으로 측정되었다. 전류 유지율(CHR)은 98.0%로 측정되었다. The parasitic capacitance (Cp) generated between the data line and the first electrode measured in Comparative Example 2 was measured to be 2.57 fF. Crosstalk was measured to be 3.9%. The initial amount of current was measured to be 4.7197 μA. Current retention (CHR) was measured to be 98.0%.

구체적으로 설명하면, 구동 전류량은 4.7197㎂ 에서 서서히 감소되어 16.7㎲이후에는 4.6253㎂ 로 감소한다. Specifically, the amount of driving current is gradually decreased from 4.7197 μs to 4.6253 μA after 16.7 μs.

크로스토크 측정을 위해서, 크로스토크를 측정할 수 있는 대표적인 검정색 바탕에 중앙 부분에 백색의 직사각형 패턴을 가지는 크로스토크 패턴 영상을 표시 장치에 표시하였다, For crosstalk measurement, a crosstalk pattern image having a white rectangular pattern in the center on a representative black background capable of measuring crosstalk was displayed on the display device.

따라서, 제2 비교예에서는 전류량이 지속적으로 감소하기 때문에, 서브-화소의 휘도가 지속적으로 감소하게 되고, 크로스토크가 발생될 수 있는 영상 표시 시, 크로스토크가 발생되기 때문에, 영상 품질이 저하된다.Accordingly, in the second comparative example, since the amount of current is continuously decreased, the luminance of the sub-pixels is continuously decreased, and when displaying an image in which crosstalk may occur, crosstalk occurs, so image quality is deteriorated. .

특히, 전류 유지율은 98% 이상, 크로스토크는 2% 이하가 되는 것이 바람직할 수 있다.In particular, it may be desirable for the current retention rate to be 98% or more and the crosstalk to be 2% or less.

제1 실시예(d=0.5㎛)는 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드부(280)를 포함하는 유기 발광 표시 장치(200)의 유기 발광 소자(260)에 흐르는 구동 전류의 발광 구간에서의 전류량 변화를 나타낸다. 이때 d는 돌출 거리(d)를 의미한다. 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 쉴드부(280)의 돌출 거리(d)가 0.5㎛이다. 그리고 쉴드부(280)는 VDD 배선(252)과 전기적으로 연결되어 있다.In the first embodiment (d=0.5 μm), the driving current flowing through the organic light emitting device 260 of the organic light emitting display device 200 including the shield unit 280 according to the exemplary embodiment of the present invention is emitted in the light emitting section. Shows the change in the amount of current. In this case, d means the protrusion distance (d). In the organic light emitting diode display 200 according to the first embodiment, the protrusion distance d of the shield portion 280 is 0.5 μm. In addition, the shield unit 280 is electrically connected to the VDD wiring 252 .

제1 실시예에서 측정된 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이에서 생성된 기생 커패시턴스(Cp)는 1.27fF로 측정되었다. 크로스토크는 1.9%로 측정되었다. 초기 전류량은 4.8222㎂으로 측정되었다. 전류 유지율(CHR)은 99.9%으로 측정되었다. The parasitic capacitance Cp generated between the data line 251 and the first electrode 232 measured in the first embodiment was measured to be 1.27 fF. Crosstalk was measured to be 1.9%. The initial amount of current was measured to be 4.8222 μA. Current retention (CHR) was measured to be 99.9%.

구체적으로 설명하면, 구동 전류량은 4.8222㎂ 에서 계속 유지되어 16.7㎲이후에는 4.8173㎂ 로 감소한다. Specifically, the amount of driving current is maintained at 4.8222 μA and decreases to 4.8173 μA after 16.7 μs.

따라서, 제1 실시예에서는 전류량이 지속적으로 유지되기 때문에, 서브-화소의 휘도가 유지되고, 크로스토크가 발생될 수 있는 영상 표시 시, 크로스토크가 2% 이하로 발생되기 때문에, 영상 품질이 비교예에 비해서 향상된다.Therefore, in the first embodiment, since the amount of current is continuously maintained, the luminance of the sub-pixel is maintained, and when displaying an image in which crosstalk may occur, crosstalk occurs at 2% or less, so the image quality is comparable improved compared to the example.

제2 실시예(d=3.5㎛)는 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드부(280)를 포함하는 유기 발광 표시 장치(200)의 유기 발광 소자(260)에 흐르는 구동 전류의 발광 구간에서의 전류량 변화를 나타낸다. 이때 d는 돌출 거리(d)를 의미한다. 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 쉴드부(280)의 돌출 거리(d)가 3.5㎛이다. 그리고 쉴드부(280)는 VDD 배선(252)과 전기적으로 연결되어 있다.In the second embodiment (d=3.5 μm), the driving current flowing through the organic light emitting device 260 of the organic light emitting display device 200 including the shield unit 280 according to the exemplary embodiment of the present invention is emitted during the emission period. Shows the change in the amount of current. In this case, d means the protrusion distance (d). In the organic light emitting diode display 200 according to the second exemplary embodiment, the protrusion distance d of the shield part 280 is 3.5 μm. In addition, the shield unit 280 is electrically connected to the VDD wiring 252 .

제2 실시예에서 측정된 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이에서 생성된 기생 커패시턴스(Cp)는 0.88fF로 측정되었다. 크로스토크는 1.3%로 측정되었다. 초기 전류량은 4.8536㎂으로 측정되었다. 전류 유지율(CHR)은 99.9%으로 측정되었다. The parasitic capacitance Cp generated between the data line 251 and the first electrode 232 measured in the second embodiment was measured to be 0.88 fF. Crosstalk was measured to be 1.3%. The initial amount of current was measured to be 4.8536 μA. Current retention (CHR) was measured to be 99.9%.

구체적으로 설명하면, 구동 전류량은 4.8536㎂ 에서 계속 유지되어 16.7㎲이후에는 4.8487㎂ 로 감소한다. Specifically, the amount of driving current is maintained at 4.8536 μA and decreases to 4.8487 μA after 16.7 μs.

따라서, 제2 실시예에서는 전류량이 지속적으로 유지되기 때문에, 서브-화소의 휘도가 유지되고, 크로스토크가 발생될 수 있는 영상 표시 시, 크로스토크가 2% 이하로 발생되기 때문에, 영상 품질이 비교예에 비해서 향상된다. 특히 제1 실시예에 비해서 크로스토크 및 초기 휘도가 개선되었기 때문에, 제2 실시예가 제1 실시예에 비해 보다 바람직하다.Therefore, in the second embodiment, since the amount of current is continuously maintained, the luminance of the sub-pixel is maintained, and when displaying an image in which crosstalk may occur, crosstalk occurs at 2% or less, so that the image quality is comparable improved compared to the example. In particular, since the crosstalk and initial luminance are improved compared to the first embodiment, the second embodiment is more preferable than the first embodiment.

제3 실시예(d=6.5㎛)는 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드부(280)를 포함하는 유기 발광 표시 장치(200)의 유기 발광 소자(260)에 흐르는 구동 전류의 발광 구간에서의 전류량 변화를 나타낸다. 이때 d는 돌출 거리(d)를 의미한다. 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 쉴드부(280)의 돌출 거리(d)가 6.5㎛이다. 그리고 쉴드부(280)는 VDD 배선(252)과 전기적으로 연결되어 있다.In the third embodiment (d=6.5 μm), the driving current flowing through the organic light emitting device 260 of the organic light emitting display device 200 including the shield unit 280 according to the exemplary embodiment of the present invention is emitted in the light emitting section. Shows the change in the amount of current. In this case, d means the protrusion distance (d). In the organic light emitting diode display 200 according to the third exemplary embodiment, the protrusion distance d of the shield portion 280 is 6.5 μm. In addition, the shield unit 280 is electrically connected to the VDD wiring 252 .

제3 실시예에서 측정된 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이에서 생성된 기생 커패시턴스(Cp)는 0.58fF로 측정되었다. 크로스토크는 0.7%로 측정되었다. 초기 전류량은 4.8822㎂으로 측정되었다. 전류 유지율(CHR)은 99.9%으로 측정되었다. The parasitic capacitance Cp generated between the data line 251 and the first electrode 232 measured in the third embodiment was measured to be 0.58 fF. Crosstalk was measured to be 0.7%. The initial amount of current was measured to be 4.8822 μA. Current retention (CHR) was measured to be 99.9%.

구체적으로 설명하면, 구동 전류량은 4.8822㎂ 에서 계속 유지되어 16.7㎲이후에는 4.8773㎂ 로 감소한다. Specifically, the amount of driving current is maintained at 4.8822 μA and decreases to 4.8773 μA after 16.7 μs.

따라서, 제3 실시예에서는 전류량이 지속적으로 유지되기 때문에, 서브-화소의 휘소가 유지되고, 크로스토크가 발생될 수 있는 영상 표시 시, 크로스토크가 2% 이하로 발생되기 때문에, 영상 품질이 비교예에 비해서 향상된다. 특히 제3 실시예가 제2 실시예에 비해서 크로스토크 및 초기 휘도가 개선되었음을 알 수 있다.Therefore, in the third embodiment, since the amount of current is continuously maintained, the luminance of the sub-pixel is maintained, and when displaying an image in which crosstalk may occur, crosstalk occurs at 2% or less, so that the image quality is comparable improved compared to the example. In particular, it can be seen that the third embodiment has improved crosstalk and initial luminance compared to the second embodiment.

구동 전류의 전류량이 일정하게 유지되는 이유는 상술한 바와 같이, 쉴드부가 구동 박막 트랜지스터의 입력 전극 또는 출력 전극과 전기적으로 연결되어 전기적으로 플로팅되지 않기 때문이며, 구체적으로, 쉴드부는 스토리지 커패시터와 실질적으로 동일하게 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 구동 박막 트랜지스터의 출력 전극 사이의 전위차를 일정하게 유지시키며, 구동 박막 트랜지스터의 전류 유지율이 향상될 수 있다. 또한 돌출 거리가 증가할수록 크로스토크 수준이 개선된다. 이에, 유기 발광 소자의 휘도가 일정하게 유지되고, 고해상도의 유기 발광 표시 장치의 화질이 개선될 수 있다. The reason why the amount of current of the driving current is kept constant is because, as described above, the shield part is electrically connected to the input electrode or the output electrode of the driving thin film transistor and does not electrically float. Specifically, the shield part is substantially the same as the storage capacitor. Thus, the potential difference between the gate electrode of the driving thin film transistor and the output electrode of the driving thin film transistor is constantly maintained, and the current retention rate of the driving thin film transistor can be improved. Also, the level of crosstalk improves as the protrusion distance increases. Accordingly, the luminance of the organic light emitting diode may be kept constant, and the image quality of the high resolution organic light emitting diode display may be improved.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들과 비교하여 추가적인 쉴드부(380)가 구동 박막 트랜지스터(320)의 입력 전극(223)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 데이터 배선(251) 방향으로 연장된 것을 특징으로 한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(300)에서 개시된 구조적 특징들은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 개시된 특징들과 조합 가능하다. 이하 설명의 편의를 위해 상술한 유기 발광 표시 장치(200)와 중복되는 설명은 생략한다. 3 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. In the organic light emitting diode display 300 according to another embodiment of the present invention, an additional shield unit 380 is provided as an input electrode 223 of the driving thin film transistor 320 compared to organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. ), extending from the active layer 221 to the data line 251 direction. In addition, the structural features disclosed in the organic light emitting diode display 300 may be combined with the features disclosed in the organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. For convenience of description, a description overlapping with the organic light emitting diode display 200 described above will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드부(380)는 입력 전극(223)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 데이터 배선(251) 방향으로 연장된 영역을 더 포함하도록 구성된다. 예를 들어, 쉴드부(380)는 입력 전극(223)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 연장되어 데이터 배선(251)과 게이트 전극(222)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역과 출력 전극(224)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 연장되어 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역을 포함한다. 즉, 쉴드부(380)는 데이터 배선(251)에 대응되는 복수의 쉴딩영역을 가진다(도 3 참조). The shield unit 380 according to another embodiment of the present invention is configured to further include a region extending from the active layer 221 corresponding to the input electrode 223 in the direction of the data line 251 . For example, the shield unit 380 extends from the active layer 221 corresponding to the input electrode 223 to reduce a coupling effect between the data line 251 and the gate electrode 222 and the output electrode. A region extending from the active layer 221 corresponding to 224 and configured to reduce a coupling effect between the data line 251 and the first electrode 232 is included. That is, the shield unit 380 has a plurality of shielding regions corresponding to the data lines 251 (refer to FIG. 3 ).

즉, 패터닝된 반도체층(즉, 쉴드부(380) 및 액티브층(221))의 일부는 입력 전극(223)에서 데이터 배선(251) 방향으로 연장되며, 쉴드부(380)의 각각의 쉴딩영역들은 게이트 전극(222)의 적어도 두 면을 둘러싸도록 구성된다. 단 이때 각각의 쉴드부(380)의 각각의 쉴딩영역들은 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221)을 통해서만 연결되어야 하며, 구동 박막 트랜지스터(220) 주변을 따라서 서로 연결되지 않도록 구성된다. 만약 각각의 쉴딩영역들이 구동 박막 트랜지스터(220) 주변을 따라서 서로 연결되면, VDD 배선(252)을 통해서 유기 발광 소자(260)로 공급되는 구동 전류는 구동 박막 트랜지스터(220) 주변을 따라서 연결된 우회 경로를 따라서 흐르게 된다. 따라서 구동 박막 트랜지스터(220)가 동작하지 않게 될 수 있다.That is, a portion of the patterned semiconductor layer (ie, the shield portion 380 and the active layer 221 ) extends from the input electrode 223 in the direction of the data line 251 , and each shielding region of the shield portion 380 . They are configured to surround at least two surfaces of the gate electrode 222 . However, in this case, the shielding regions of each shielding unit 380 should be connected only through the active layer 221 of the driving thin film transistor 220 , and are configured not to be connected to each other along the periphery of the driving thin film transistor 220 . If the respective shielding regions are connected to each other along the periphery of the driving thin film transistor 220 , the driving current supplied to the organic light emitting device 260 through the VDD wiring 252 is a bypass path connected along the periphery of the driving thin film transistor 220 . will flow along Accordingly, the driving thin film transistor 220 may not operate.

각각의 쉴드부(380)의 쉴딩영역들은 데이터 배선(251)과 중첩되도록 구성된다. 그리고 각각의 쉴드부(380)의 쉴딩영역들은 소정의 돌출 거리를 가진다. 이때 각각의 쉴드부(380)의 쉴딩영역들의 돌출 거리는 서로 같거나 서로 상이할 수 있다. 또한 각각의 쉴드부(380)의 쉴딩영역들은 데이터 배선(251)과 중첩되거나 중첩되지 않을 수 있다. The shielding regions of each shield unit 380 are configured to overlap the data line 251 . In addition, the shielding areas of each of the shielding units 380 have a predetermined protrusion distance. In this case, the protruding distances of the shielding regions of the respective shielding units 380 may be the same or different from each other. Also, the shielding regions of each shield unit 380 may or may not overlap the data line 251 .

상술한 구성에 따르면, 쉴드부(380)는 데이터 배선(251)과 게이트 전극(222) 사이의 커플링 효과를 감소시킬 수 있으며 동시에 데이터 배선(251)과 제1 전극(222) 사이의 커플링 효과를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. According to the above-described configuration, the shield unit 380 may reduce a coupling effect between the data line 251 and the gate electrode 222 , and at the same time, reduce the coupling effect between the data line 251 and the first electrode 222 . It has the advantage of reducing the effect.

도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도 및 단면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들과 비교하여 쉴드부(480)와 제1 전극(232)이 중첩되는 면적이 최소화되어 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)가 최소화된 것을 특징으로 한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(400)에서 개시된 구조적 특징들은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 개시된 특징들과 조합 가능하다. 예를 들면, 쉴드부(480)는 이미 설명된 유기 발광 표시 장치(300)의 입력 전극(223)에 대응되는 쉴드부(380)와 조합될 수 있으며, 후술될 유기 발광 표시 장치(500)의 VDD 배선(252)에 대응되는 쉴드부(580)와 조합될 수 있다.4A to 4B are schematic plan and cross-sectional views illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. The organic light emitting diode display 400 according to another embodiment of the present invention has an overlapping area between the shield part 480 and the first electrode 232 compared to the organic light emitting display apparatuses according to the embodiments of the present invention. It is characterized in that the first shield capacitance (Cs1) is minimized. Also, the structural features disclosed in the organic light emitting diode display 400 can be combined with the features disclosed in the organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. For example, the shield unit 480 may be combined with the shield unit 380 corresponding to the input electrode 223 of the organic light emitting diode display 300 as described above, and may It may be combined with the shield unit 580 corresponding to the VDD wiring 252 .

이하 설명의 편의를 위해 상술한 유기 발광 표시 장치들(200, 300)과 중복되는 설명은 생략한다. For convenience of description, descriptions overlapping those of the organic light emitting display devices 200 and 300 described above will be omitted.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 쉴드부(480)는 출력 전극(224)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 데이터 배선(251) 방향으로 연장되면서 제1 전극(232)과 중첩되는 영역이 최소화 되도록 구성된다(도 4 및 도 4b 참조). The shield unit 480 according to another embodiment of the present invention extends from the active layer 221 corresponding to the output electrode 224 in the direction of the data line 251 to minimize the overlapping area with the first electrode 232 . It is configured to be (see FIGS. 4 and 4B).

예를 들어, 쉴드부(480)는 제1 전극(232)과의 중첩 면적이 최소화되면서 데이터 배선(251)을 따라서 연장된 것을 특징으로 한다. 구체적으로 쉴드부(480)와 제1 전극(232)이 일 방향으로 중첩된 거리는 적어도 3㎛이하가 되도록 구성되는 것이 바람직하다.For example, the shield portion 480 may extend along the data line 251 while minimizing the overlapping area with the first electrode 232 . Specifically, it is preferable that the distance between the shield unit 480 and the first electrode 232 overlap in one direction is at least 3 μm or less.

예를 들어, 쉴드부(480)는 제1 전극(232)과 중첩 되지 않으면서 데이터 배선(251)과 중첩되면서 데이터 배선(251)을 따라서 연장된 것을 특징으로 한다. 구체적으로 쉴드부(480)와 제1 전극(232)이 일 방향으로 중첩 되지 않으며, 이격되는 것도 가능하다.For example, the shield part 480 may extend along the data line 251 while overlapping the data line 251 without overlapping the first electrode 232 . Specifically, the shield portion 480 and the first electrode 232 do not overlap in one direction, it is possible to be spaced apart.

상술한 구성에 따르면, 쉴드부(480)는 데이터 배선(251)과 제1 전극(232) 사이의 커플링 효과를 감소시킬 수 있으며 동시에 쉴드부(480)에 의해서 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)의 증가를 최소화 할 수 있다. 특히 저해상도의 유기 발광 표시 장치에서 스토리지 커패시터(Cst) 및 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)의 용량이 충분할 경우, 오히려 데이터 전압의 충전 시간이 길어지는 문제가 발생할 수 있다. 하지만 쉴드부(480)는 데이터 전압의 충전 시간이 길어지는 문제점을 보완할 수 있다. According to the above-described configuration, the shield unit 480 can reduce the coupling effect between the data line 251 and the first electrode 232 , and at the same time reduce the first shield capacitance Cs1 by the shield unit 480 . increase can be minimized. In particular, when the storage capacitor Cst and the first shield capacitance Cs1 have sufficient capacities in the low-resolution organic light emitting diode display, the charging time of the data voltage may increase. However, the shield unit 480 can compensate for the problem that the charging time of the data voltage is long.

또한, 고속구동 유기 발광 표시 장치의 경우, 예를 들어 240Hz, 480Hz로 구동하는 유기 발광 표시 장치의 경우, 발광 구간이 상대적으로 짧기 때문에, 스토리지 커패시터(Cst)에 데이터 전압이 빠르게 충전될 필요가 있다. 쉴드부(480)는 고속구동 시 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)가 스토리지 커패시턴스(Cst)보다 상당히 작거나 무시할만한 수준이기 때문에, 스토리지 커패시터(Cst)의 충전 속도를 지연시키지 않을 수 있으며 동시에 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)사이의 커플링 효과를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. In addition, in the case of a high-speed driving organic light emitting diode display, for example, in the case of an organic light emitting display driven at 240 Hz or 480 Hz, since the light emission period is relatively short, the data voltage needs to be rapidly charged to the storage capacitor Cst. . Since the shield unit 480 has a significantly smaller or negligible level of the first shield capacitance Cs1 than the storage capacitance Cst during high-speed operation, the charging speed of the storage capacitor Cst may not be delayed, and at the same time, the data wiring ( There is an advantage in that the coupling effect between the 251 and the first electrode 232 can be reduced.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들과 비교하여 추가적인 쉴드부(580)가 VDD 배선(252) 방향으로 더 연장된 것을 특징으로 한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(500)에서 개시된 구조적 특징들은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 개시된 특징들과 조합 가능하다. 이하 설명의 편의를 위해 상술한 유기 발광 표시 장치들(200, 300, 400)과 중복되는 설명은 생략한다. 5 is a schematic plan view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. In the organic light emitting diode display 500 according to another embodiment of the present invention, the additional shield part 580 is further extended in the VDD wiring 252 direction, compared to the organic light emitting diode display according to the embodiments of the present invention. characterized in that In addition, the structural features disclosed in the organic light emitting diode display 500 can be combined with the features disclosed in the organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. For convenience of description, descriptions overlapping those of the organic light emitting display devices 200 , 300 , and 400 described above will be omitted.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 쉴드부(580)는 VDD 배선(252) 방향으로 연장된 영역을 더 포함하도록 구성된다. 즉, 쉴드부(580)는 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역과 VDD 배선(252)과 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역을 포함한다. 즉, 쉴드부(580)는 데이터 배선(251) 및 VDD 배선(252)에 대응되는 복수의 쉴딩영역을 가진다(도 5 참조). The shield unit 580 according to another embodiment of the present invention is configured to further include a region extending in the direction of the VDD wiring 252 . That is, the shield unit 580 reduces the coupling effect between the VDD line 252 and the first electrode 232 and the region configured to reduce the coupling effect between the data line 251 and the first electrode 232 . It includes an area configured to That is, the shield unit 580 has a plurality of shielding regions corresponding to the data line 251 and the VDD line 252 (refer to FIG. 5 ).

데이터 배선(251)에 대응되는 쉴드부(580)의 쉴딩영역 및 VDD 배선(252)에 대응되는 쉴드부(580)의 쉴딩영역은 입력 전극(223)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 연장되어 데이터 배선(251)과 게이트 전극(222)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역 및 VDD 배선(252)과 게이트 전극(222)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역을 포함할 수 있다. The shielding area of the shield unit 580 corresponding to the data line 251 and the shielding area of the shield unit 580 corresponding to the VDD line 252 are extended from the active layer 221 corresponding to the input electrode 223 . It may include a region configured to reduce a coupling effect between the data line 251 and the gate electrode 222 and a region configured to reduce a coupling effect between the VDD line 252 and the gate electrode 222 .

또는 데이터 배선(251)에 대응되는 쉴드부(580)의 쉴딩영역 및 VDD 배선(252)에 대응되는 쉴드부(580)의 쉴딩영역은 출력 전극(224)에 대응되는 액티브층(221)으로부터 연장되어 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역 및 VDD 배선(252)과 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역을 포함할 수 있다. Alternatively, the shielding area of the shield unit 580 corresponding to the data line 251 and the shielding area of the shield unit 580 corresponding to the VDD line 252 extend from the active layer 221 corresponding to the output electrode 224 . and a region configured to reduce a coupling effect between the data line 251 and the first electrode 232 and a region configured to reduce a coupling effect between the VDD line 252 and the first electrode 232 . have.

또는 데이터 배선(251)에 대응되는 쉴드부(580)의 쉴딩영역 및 VDD 배선(252)에 대응되는 쉴드부(580)의 쉴딩영역은 액티브층(221)으로부터 연장되어 데이터 배선(251)과 게이트 전극(222) 및 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역 및 VDD 배선(252)과 게이트 전극(222) 및 제1 전극(232)의 커플링 효과를 감소시키도록 구성된 영역을 포함할 수 있다.Alternatively, the shielding area of the shield unit 580 corresponding to the data line 251 and the shielding area of the shield unit 580 corresponding to the VDD line 252 extend from the active layer 221 to form the data line 251 and the gate. A region configured to reduce the coupling effect between the electrode 222 and the data line 251 and the first electrode 232 and the coupling effect between the VDD line 252 and the gate electrode 222 and the first electrode 232 It may include a region configured to reduce

즉, 쉴드부(580)는 적어도 데이터 배선(251) 및 VDD 배선(252)에 각각 대응되는 복수의 쉴딩영역을 가지도록 구성된다. That is, the shield unit 580 is configured to have at least a plurality of shielding regions respectively corresponding to the data line 251 and the VDD line 252 .

그리고 각각의 쉴드부(580)의 쉴딩영역들 각각은 소정의 돌출 거리를 가진다. 이때 각각의 쉴드부(580)의 쉴딩영역들의 돌출 거리는 서로 같거나 서로 상이할 수 있다. 또한 각각의 쉴드부(580)의 쉴딩영역들은 데이터 배선(251) 및/또는 VDD 배선(252)과 중첩되거나 중첩되지 않을 수 있다. In addition, each of the shielding areas of the shielding unit 580 has a predetermined protrusion distance. In this case, the protruding distances of the shielding regions of the respective shielding units 580 may be the same or different from each other. Also, the shielding regions of each shield unit 580 may or may not overlap the data line 251 and/or the VDD line 252 .

상술한 구성에 따르면, 쉴드부(580)는 데이터 배선(251) 및 VDD 배선(252)에 의한 게이트 전극(222)의 커플링 효과를 감소시킬 수 있으며 동시에 데이터 배선(251) 및 VDD 배선(252)에 의한 제1 전극(222)의 커플링 효과를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 그리고, 상술한 구성에 따르면, 쉴드부(580)와 제1 전극(232) 사이의 중첩되는 면적이 증가함에 따라 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)를 증가시킬 수 있으며, 특히 고해상도의 유기 발광 표시 장치에서 스토리지 커패시터(Cst)가 형성될 수 있는 면적이 부족할때, 제1 쉴드 커패시턴스(Cs1)를 증가함으로써 고해상도 유기 발광 표시 장치의 스토리지 커패시터(Cst)의 용량 부족을 보완하면서 데이터 배선(251) 및 VDD 배선(253)에 의한 커플링 현상을 감소시킬수 있는 장점이 있다.According to the above-described configuration, the shield unit 580 can reduce the coupling effect of the gate electrode 222 by the data line 251 and the VDD line 252 , and at the same time, the data line 251 and the VDD line 252 . ), there is an advantage in that the coupling effect of the first electrode 222 can be reduced. And, according to the above-described configuration, as the overlapping area between the shield unit 580 and the first electrode 232 increases, the first shield capacitance Cs1 may be increased, particularly in a high-resolution organic light emitting display device. When the area in which the storage capacitor Cst can be formed is insufficient, the data line 251 and the VDD line are increased by increasing the first shield capacitance Cs1 to compensate for the insufficient capacity of the storage capacitor Cst of the high resolution organic light emitting diode display. (253) has the advantage of reducing the coupling phenomenon.

도 6a 내지 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도 및 단면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(600)는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들과 비교하여 제2 전극(631)이 보조 쉴드부의 기능을 수행하도록 구성된 것을 특징으로 한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(600)에서 개시된 구조적 특징들은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 개시된 특징들과 조합 가능하다. 이하 설명의 편의를 위해 상술한 유기 발광 표시 장치들(200, 300, 400, 500)과 중복되는 설명은 생략한다. 6A to 6B are schematic plan and cross-sectional views illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. The organic light emitting diode display 600 according to another embodiment of the present invention is characterized in that the second electrode 631 is configured to perform the function of the auxiliary shield, compared to the organic light emitting diode display according to the embodiments of the present invention. do it with In addition, the structural features disclosed in the organic light emitting display device 600 may be combined with the features disclosed in the organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. For convenience of description, descriptions overlapping those of the organic light emitting display devices 200 , 300 , 400 , and 500 described above will be omitted.

제2 전극(631)은 제1 전극(232)의 일 경계를 덮는다. 구체적으로, 제2 전극(631)의 일 경계는 제1 전극(232)의 일 경계와 데이터 배선(251)의 일 경계 사이에 위치하고, 제2 전극(631)의 일 경계는 제1 전극(232)의 일 경계보다 돌출된다(도 6a 및 도 6b참조). 이 경우, 쉴드부(280)와 더불어 제2 전극(631)이 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이에서 생성되는 전기장을 차단하므로, 제1 전극(232)과 데이터 배선(251) 사이에서 형성된 기생 커패시터턴스(Cp)는 감소될 수 있다. The second electrode 631 covers one boundary of the first electrode 232 . In detail, one boundary of the second electrode 631 is located between one boundary of the first electrode 232 and one boundary of the data line 251 , and one boundary of the second electrode 631 is located between one boundary of the first electrode 232 . ) protrudes from one boundary (see FIGS. 6A and 6B). In this case, since the second electrode 631 together with the shield unit 280 blocks an electric field generated between the first electrode 232 and the data line 251 , the first electrode 232 and the data line 251 . The parasitic capacitance Cp formed therebetween may be reduced.

부연 설명하면, 일반적으로 제2 전극(631)과 데이터 배선(251)의 이격 거리가 가까워질수록 제2 전극(631)과 데이터 배선(251) 사이의 커플링 현상이 증가한다. 그러나, 유기 발광 표시 장치(600)의 제2 전극(631)은 의도적으로 데이터 배선(251)가 가깝도록 배치되었다. 상술한 구성에 따르면, 제2 전극(631)과 데이터 배선(251)사이의 커플링 현상은 증가하지만, 동시에 제1 전극(232)과 데이터 배선(251)사이의 커플링 현상은 감소한다. 이때 제2 전극(631)은 구동 박막 트랜지스터(220)를 통해서 VDD 배선(252)과 연결되도록 구성되기 때문에, 플로팅 상태인 제1 전극(232)보다 커플링 현상에 영향을 덜 받는 구조가 된다. 따라서, 데이터 배선(251)과 제2 전극(631)이 가까워지더라도, 제2 전극(631)은 안정적으로 보조 쉴드부의 기능을 수행할 수 있는 장점이 있다. In detail, in general, as the separation distance between the second electrode 631 and the data line 251 increases, a coupling phenomenon between the second electrode 631 and the data line 251 increases. However, the second electrode 631 of the organic light emitting diode display 600 is intentionally disposed to be close to the data line 251 . According to the above configuration, the coupling phenomenon between the second electrode 631 and the data line 251 increases, but at the same time, the coupling phenomenon between the first electrode 232 and the data line 251 decreases. In this case, since the second electrode 631 is configured to be connected to the VDD wiring 252 through the driving thin film transistor 220 , it has a structure less affected by a coupling phenomenon than the first electrode 232 in a floating state. Accordingly, even when the data line 251 and the second electrode 631 are close to each other, the second electrode 631 can stably perform the function of the auxiliary shield unit.

또한, 제2 전극(631)은 제2 전극(631)을 기준으로 데이터 배선(251)의 반대 방향에 위치한 VDD 배선 방향으로 더 연장될 수 있다(도 6a참조). 이 경우 제2 전극(631)은 제1 전극(232)의 일 경계의 반대 방향인 또 다른 경계를 덮는다. 구체적으로, 제2 전극(631)의 또 다른 경계는 제1 전극(232)의 또 다른 경계와 VDD 배선의 일 경계 사이에 위치하고, 제2 전극(631)의 또 다른 경계는 제1 전극(232)의 또 다른 경계보다 돌출된다. 이 경우 제2 전극(631)이 제1 전극(232)과 VDD 배선(252) 사이에서 생성되는 전기장을 일정 부분 차단하므로, 제1 전극(232)과 VDD 배선(252) 사이에서 형성된 기생 커패시턴스는 감소될 수 있다. 즉, 제2 전극(231)에 의해 기생 커패시턴스(Cp)가 감소됨에 따라, 구동 박막 트랜지스터(220)의 게이트 전극(222)과 데이터 배선(251) 사이의 커플링 현상이 감소될 수 있다.In addition, the second electrode 631 may further extend in the direction of the VDD line located in the opposite direction of the data line 251 with respect to the second electrode 631 (refer to FIG. 6A ). In this case, the second electrode 631 covers another boundary that is opposite to one boundary of the first electrode 232 . Specifically, another boundary of the second electrode 631 is located between another boundary of the first electrode 232 and one boundary of the VDD wiring, and another boundary of the second electrode 631 is the first electrode 232 . ) protrude beyond another boundary of In this case, since the second electrode 631 partially blocks the electric field generated between the first electrode 232 and the VDD wiring 252 , the parasitic capacitance formed between the first electrode 232 and the VDD wiring 252 is can be reduced. That is, as the parasitic capacitance Cp is reduced by the second electrode 231 , a coupling phenomenon between the gate electrode 222 of the driving thin film transistor 220 and the data line 251 may be reduced.

또한, 제2 전극(631)은 제1 전극(232)과 중첩되는 면적이 최대화되도록 더 구성될 수 있다. 특히 상술한 제2 전극(631) 형상에 따르면 기생 커패시턴스(Cp)를 감소시키면서 스토리지 커패시터(Cst)의 용량을 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 예를 들면, 제2 전극(631)의 일 경계가 제1 전극(232)의 일 경계보다 더 돌출되어 데이터 배선(251)과 인접하면, 제1 전극(232)과 제2 전극(631)의 중첩된 면적이 증가하여 스토리지 커패시터(Cst)의 용량이 증가할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(631)의 또 다른 경계가 제1 전극(232)의 또 다른 경계보다 더 돌출되어 VDD 배선(252)과 인접하면, 제1 전극(232)과 제2 전극(631)의 중첩된 면적이 증가하여 스토리지 커패시터(Cst)의 용량이 증가할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(631)은 스위칭 박막 트랜지스터(240)의 출력 전극 주변을 감싸도록 구성되면, 제1 전극(232)과 제2 전극(631)의 중첩된 면적이 증가하여 스토리지 커패시터(Cst)의 용량이 증가할 수 있다. In addition, the second electrode 631 may be further configured such that an area overlapping the first electrode 232 is maximized. In particular, according to the above-described shape of the second electrode 631 , it is possible to increase the capacity of the storage capacitor Cst while reducing the parasitic capacitance Cp. For example, when one boundary of the second electrode 631 protrudes more than one boundary of the first electrode 232 and is adjacent to the data line 251 , the first electrode 232 and the second electrode 631 are separated. The capacity of the storage capacitor Cst may increase as the overlapped area increases. For example, when another boundary of the second electrode 631 protrudes more than another boundary of the first electrode 232 and is adjacent to the VDD wiring 252 , the first electrode 232 and the second electrode 631 are adjacent to each other. ) may increase to increase the capacity of the storage capacitor Cst. For example, when the second electrode 631 is configured to surround the output electrode of the switching thin film transistor 240 , the overlapping area of the first electrode 232 and the second electrode 631 increases and the storage capacitor ( Cst) may be increased.

상술한 구성에 따르면, 스토리지 커패시터(Cst)의 용량을 증가시킬 수 있으며, 특히 고해상도의 유기 발광 표시 장치에서 스토리지 커패시터(Cst)가 형성될 수 있는 면적이 부족할때, 스토리지 커패시터(Cst) 용량을 확보하면서 제1 전극(231)과 데이터 배선(251) 및/또는 VDD 배선(252)간의 커플링 현상을 감소시킬수 있는 장점이 있다.According to the above-described configuration, the capacity of the storage capacitor Cst can be increased, and in particular, when the area in which the storage capacitor Cst can be formed is insufficient in the high-resolution organic light emitting display device, the storage capacitor Cst capacity is secured. There is an advantage in that a coupling phenomenon between the first electrode 231 and the data line 251 and/or the VDD line 252 can be reduced.

도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도 및 단면도이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(700)는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들과 비교하여 분리된 쉴드부(780)가 구동 박막 트랜지스터(220)의 액티브층(221) 하부에 배치된 것을 특징으로 한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(700)에서 개시된 구조적 특징들은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 개시된 특징들과 조합 가능하다. 이하 설명의 편의를 위해 상술한 유기 발광 표시 장치들(200, 300, 400, 500, 600)과 중복되는 설명은 생략한다. 7A to 7B are schematic plan and cross-sectional views illustrating an organic light emitting diode display according to still another exemplary embodiment. In the organic light emitting diode display 700 according to another embodiment of the present invention, compared to the organic light emitting display devices according to the embodiments of the present invention, the shield part 780 separated by the active layer of the driving thin film transistor 220 . (221) It is characterized in that it is arranged in the lower part. In addition, the structural features disclosed in the organic light emitting display device 700 can be combined with the features disclosed in the organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. For convenience of description, descriptions overlapping those of the organic light emitting display devices 200 , 300 , 400 , 500 and 600 described above will be omitted.

쉴드부(780)는 구동 박막 트랜지스터의 액티브층으로부터 연장되지 않고, 구동 박막 트랜지스터의 액티브층과 분리될 수 있다. 예를 들어, 쉴드부(780)는 버퍼층(271) 하부에 배치된다. 쉴드부(780)는 스토리지 커패시터(230)의 제1 전극(232)과 중첩한다. The shield unit 780 does not extend from the active layer of the driving thin film transistor and may be separated from the active layer of the driving thin film transistor. For example, the shield unit 780 is disposed under the buffer layer 271 . The shield part 780 overlaps the first electrode 232 of the storage capacitor 230 .

쉴드부(780)는 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 쉴드부(780)는 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴/알루미늄네오듐(Mo/AlNd)으로 이루어질 수 있다. The shield part 780 may be made of metal. For example, the shield unit 780 may include silver (Ag), nickel (Ni), gold (Au), platinum (Pt), aluminum (Al), copper (Cu), molybdenum/aluminum neodium (Mo/AlNd). can be made with

쉴드부(780)는 구동 박막 트랜지스터(720)의 입력 전극(723)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 층간 절연층(273), 게이트 절연층(272) 및 버퍼층(271)에 쉴드부 컨택홀(781c)이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터(720)의 입력 전극(723)이 쉴드부 컨택홀(781c)을 통해 쉴드부(780)와 연결된다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 쉴드부(780)는 구동 박막 트랜지스터(720)의 출력 전극(224)과 연결될 수도 있다. 따라서, 쉴드부(780)는 전기적으로 플로팅되지 않으며, 데이터 배선(251)과 제1 전극(232)사이에 생성되는 기생 커패시턴스를 감소시키고, 게이트 전극(221)과 출력 전극(224) 사이의 전위차, 즉 저장된 영상 신호를 일정하게 유지시킬 수 있다. The shield unit 780 is electrically connected to the input electrode 723 of the driving thin film transistor 720 . For example, a shield part contact hole 781c is formed in the interlayer insulating layer 273 , the gate insulating layer 272 , and the buffer layer 271 , and the input electrode 723 of the driving thin film transistor 720 contacts the shield part. It is connected to the shield unit 780 through the hole 781c. However, the present invention is not limited thereto, and the shield unit 780 may be connected to the output electrode 224 of the driving thin film transistor 720 . Accordingly, the shield unit 780 does not electrically float, reduces parasitic capacitance generated between the data line 251 and the first electrode 232 , and a potential difference between the gate electrode 221 and the output electrode 224 . , that is, the stored image signal may be constantly maintained.

특히, 쉴드부(780)는 다른 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(200, 300, 400, 500, 600)들과 비교할 때, 쉴드부(780)가 데이터 배선(251)과 인접합 게이트 전극(222) 영역을 전부 덮을 수 있기 때문에, 기생 커패시턴스를 더 저감시킬 수 있으며, 동시에 입력 전극과 출력 전극이 서로 전기적으로 도통될 수 있는 문제점도 해결할 수 있다. 즉, 다른 실시예들의 쉴드부들이 쉴드부(780)와 같은 형태로 구현되면, 입력 전극과 출력 전극은 도전성을 가지는 반도체층에 의해서 게이트 전극을 거치지 않고 게이트 전극의 외곽을 통해서 바로 도통되게 된다. 따라서 구동 박막 트랜지스터가 동작하지 않게되는 문제가 발생할 수 있다. 하지만 쉴드부(780)는 구동 박막 트랜지스터의 동작이 안되는 문제점을 해결할 수 있다.In particular, the shield unit 780 has a gate electrode in which the shield unit 780 is adjacent to the data line 251 when compared to the organic light emitting display devices 200 , 300 , 400 , 500 , and 600 according to other exemplary embodiments. Since the (222) region can be completely covered, the parasitic capacitance can be further reduced, and at the same time, the problem that the input electrode and the output electrode can be electrically connected to each other can be solved. That is, when the shield parts of the other embodiments are implemented in the same shape as the shield part 780 , the input electrode and the output electrode are directly connected through the periphery of the gate electrode without passing through the gate electrode due to the conductive semiconductor layer. Accordingly, there may be a problem that the driving thin film transistor does not operate. However, the shield unit 780 may solve the problem that the driving thin film transistor does not operate.

유기 발광 표시 장치(700)는 제1 전극(232)과 중첩하는 쉴드부(780)를 포함하므로, 제1 전극(232)과 데이터 배선(251)사이에 생성되는 기생 커패시턴스가 감소될 수 있다. 또한, 쉴드부(780)는 전기적으로 플로팅되어 있지 않으므로, 데이터 배선(251)과 게이트 전극(222)의 커플링 현상을 감소시킬 수 있으며, 구동 박막 트랜지스터(720)의 전류 유지율은 향상될 수 있다. 이에, 유기 발광 소자(260)에 흐르는 구동 전류의 전류량은 일정하게 유지될 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 화질이 개선될 수 있다. Since the organic light emitting diode display 700 includes the shield portion 780 overlapping the first electrode 232 , a parasitic capacitance generated between the first electrode 232 and the data line 251 may be reduced. In addition, since the shield part 780 is not electrically floating, a coupling phenomenon between the data line 251 and the gate electrode 222 may be reduced, and the current retention rate of the driving thin film transistor 720 may be improved. . Accordingly, the amount of current of the driving current flowing through the organic light emitting diode 260 may be kept constant, and the image quality of the organic light emitting diode display may be improved.

본 발명의 실시예들은 아래와 같이 다시한번 정리될 수 있다: 유기 발광 표시 장치는, 액티브층과 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터, 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터, 게이트 전극 및 상기 제1 전극을 포함하는 제1 패턴 전극, 구동 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 상에 배치된 애노드, 액티브층에 연결된 출력 전극 및 상기 애노드를 연결하는 애노드 컨택부와 연결된 제2 패턴 전극 및 반도체 특성을 가지는 액티브층 및 도체 특성을 가지는 쉴드부를 포함하는 패터닝된 반도체층을 포함하도록 구성되어 커플링 현상 및 기생 커패시턴스를 저감하여 크로스토크 및 휘도저하는 개선할 수 있다. The embodiments of the present invention may be summarized as follows: An organic light emitting display device includes a driving thin film transistor including an active layer and a gate electrode, a storage capacitor including a first electrode and a second electrode, a gate electrode, and the A first pattern electrode including a first electrode, an anode disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor, an output electrode connected to the active layer, a second pattern electrode connected to an anode contact portion connecting the anode, and an active having semiconductor characteristics It is configured to include a patterned semiconductor layer including a layer and a shield having conductor characteristics, thereby reducing a coupling phenomenon and parasitic capacitance, thereby improving crosstalk and luminance.

패너닝된 반도체층의 일부인 쉴드부와 중첩되도록 구성된 데이터 배선이 배치된다. 제1 전극의 일 경계와 인접한 쉴드부의 일 경계 사이의 거리는 제1 전극의 일 경계와 인접한 데이터 배선의 일 경계 사이의 거리보다 더 크도록 구성된다. 쉴드부의 일부는 반도체 특성을 가지도록 구성된다. 제1 패턴 전극과 중첩되는 액티브층은 반도체 특성을 가지도록 구성되고, 제1 패턴 전극보다 더 연장되어 노출된 쉴드부의 일부는 도체 특성을 가지도록 구성된다. 제2 패턴 전극의 애노드 컨택부는 쉴드부 및 출력 전극과 연결되도록 구성된다. 패터닝된 반도체층과 제1 패턴 전극 사이에는 데이터 전압(영상 신호)에 기초하여 가변되는 제1 쉴드 커패시턴스가 생성된다. 제2 패턴 전극의 일 경계는 데이터 배선을 향해서 제1 패턴 전극보다 더 연장되도록 구성된다. 패터닝된 반도체층의 일 경계는 데이터 배선을 향해서 제2 패턴 전극보다 더 연장되도록 구성된다. 제2 패턴 전극의 일 경계는 데이터 배선을 향해서 제1 패턴 전극보다 더 연장되고, 패터닝된 반도체층의 일 경계보다는 덜 연장되도록 구성된다.A data line configured to overlap the shield portion that is a part of the panned semiconductor layer is disposed. A distance between one boundary of the first electrode and one boundary of the adjacent shield unit is configured to be greater than a distance between one boundary of the first electrode and one boundary of the adjacent data line. A part of the shield portion is configured to have semiconductor characteristics. The active layer overlapping the first pattern electrode is configured to have a semiconductor characteristic, and a portion of the shield portion exposed by extending more than the first pattern electrode is configured to have a conductor characteristic. The anode contact portion of the second pattern electrode is configured to be connected to the shield portion and the output electrode. A first shield capacitance varying based on a data voltage (image signal) is generated between the patterned semiconductor layer and the first pattern electrode. One boundary of the second pattern electrode is configured to extend further than the first pattern electrode toward the data line. One boundary of the patterned semiconductor layer is configured to extend further than the second pattern electrode toward the data line. One boundary of the second pattern electrode extends more than the first pattern electrode toward the data line and is configured to extend less than one boundary of the patterned semiconductor layer.

유기 발광 표시 장치는, VDD 배선과 연결된 쉴드부, 쉴드부와 인접하여 배치된 데이터 배선, 쉴드부 상에 배치되고, 입력 전극, 게이트 전극 및 출력 전극을 포함하고, VDD 배선과 연결된 구동 박막 트랜지스터, 쉴드부 상에 배치되고, 게이트 전극과 연결된 제1 전극 및 출력 전극과 연결된 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터 및 구동 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 상에 배치되고 제2 전극과 연결된 애노드를 포함한다. 그리고 데이터 배선과 인접하여 배치된 쉴드부의 적어도 일부는 도체인 것을 특징으로한다.The organic light emitting diode display includes a shield unit connected to a VDD line, a data line disposed adjacent to the shield unit, a driving thin film transistor disposed on the shield unit, an input electrode, a gate electrode, and an output electrode, and connected to the VDD line; and a storage capacitor disposed on the shield portion and including a first electrode connected to the gate electrode and a second electrode connected to the output electrode, and an anode disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor and connected to the second electrode. In addition, at least a portion of the shield portion disposed adjacent to the data line is a conductor.

데이터 배선과 중첩되는 쉴드부의 일부는 도체인 것을 특징으로 한다. 쉴드부는 구동 박막 트랜지스터의 입력 전극과 연결되어 상기 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다. 쉴드부는 구동 박막 트랜지스터의 출력 전극과 연결되어 액티브층을 통해서 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다. 쉴드부의 소정의 영역은 제1 전극과 중첩된, 패터닝된 반도체층이고, 상기 제1 전극에 저장되는 영상 신호 값에 기초하여 가변되는 커패시턴스를 생성하도록 구성된 것을 특징으로 한다.A portion of the shield portion overlapping the data line is a conductor. The shield part is connected to the input electrode of the driving thin film transistor and is electrically connected to the VDD wiring. The shield part is connected to the output electrode of the driving thin film transistor and is electrically connected to the VDD wiring through the active layer. A predetermined region of the shield portion is a patterned semiconductor layer overlapping the first electrode, and is configured to generate a variable capacitance based on an image signal value stored in the first electrode.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 종래의 유기 발광 표시 장치
200, 300, 400, 500, 600, 700: 유기 발광 표시 장치
210: 기판
220, 720: 구동 박막 트랜지스터
221: 액티브층
222: 게이트 전극
223, 723: 입력 전극
224: 출력 전극
230: 스토리지 커패시터
231, 631: 제2 전극
232: 제1 전극
240: 스위칭 박막 트랜지스터
251: 데이터 배선
252: VDD 배선
253: 게이트 배선
254: 연결 배선
260: 유기 발광 소자
261: 애노드
261c: 애노드 컨택부
262: 유기 발광층
263: 캐소드
271: 버퍼층
272: 게이트 절연층
273: 층간 절연층
274: 평탄화층
280, 780: 쉴드부
Cp: 기생 커패시터
Cs1: 제1 쉴드 커패시턴스
Cs2: 제2 쉴드 커패시턴스
Cst: 스토리지 커패시터
Id: 구동 전류
DA1, DA2: 표시 영역
NA: 주변 영역100: conventional organic light emitting display device
200, 300, 400, 500, 600, 700: organic light emitting diode display
210: substrate
220, 720: driving thin film transistor
221: active layer
222: gate electrode
223, 723: input electrode
224: output electrode
230: storage capacitor
231, 631: second electrode
232: first electrode
240: switching thin film transistor
251: data wiring
252: VDD wiring
253: gate wiring
254: connection wiring
260: organic light emitting device
261: anode
261c: anode contact part
262: organic light emitting layer
263: cathode
271: buffer layer
272: gate insulating layer
273: interlayer insulating layer
274: planarization layer
280, 780: shield unit
Cp: parasitic capacitor
Cs1: first shield capacitance
Cs2: second shield capacitance
Cst: storage capacitor
Id: drive current
DA1, DA2: display area
NA: peripheral area

Claims

액티브층과 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터;
제1 전극과 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터;
상기 게이트 전극 및 상기 제1 전극을 포함하는 제1 패턴 전극;
상기 구동 박막 트랜지스터 및 상기 스토리지 커패시터 상에 배치된 애노드;
상기 액티브층에 연결된 출력 전극 및 상기 애노드를 연결하는 애노드 컨택부와 연결된 제2 패턴 전극; 및
반도체 특성을 가지는 상기 액티브층 및 도체 특성을 가지는 쉴드부를 포함하는 패터닝된 반도체층을 포함하되,
상기 패터닝된 반도체층의 일부인 상기 쉴드부와 중첩되도록 구성된 데이터 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.a driving thin film transistor including an active layer and a gate electrode;
a storage capacitor including a first electrode and a second electrode;
a first pattern electrode including the gate electrode and the first electrode;
an anode disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor;
a second pattern electrode connected to an output electrode connected to the active layer and an anode contact unit connecting the anode; and
A patterned semiconductor layer comprising the active layer having semiconductor characteristics and a shielding unit having conductor characteristics,
and a data line configured to overlap the shield portion that is a part of the patterned semiconductor layer.

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제1항에 있어서,
상기 제1 전극의 일 경계와 인접한 상기 쉴드부의 일 경계 사이의 거리는 상기 제1 전극의 상기 일 경계와 인접한 상기 데이터 배선의 일 경계 사이의 거리보다 더 큰 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
and a distance between one boundary of the first electrode and one boundary of the shield portion adjacent to the first electrode is greater than a distance between the one boundary of the first electrode and one boundary of the adjacent data line.

제1항에 있어서,
상기 제1 패턴 전극과 중첩하는 상기 쉴드부의 일부는 반도체 특성을 가지도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
A portion of the shield portion overlapping the first pattern electrode is configured to have a semiconductor characteristic.

제1항에 있어서,
상기 제1 패턴 전극과 중첩되는 상기 액티브층은 반도체 특성을 가지도록 구성되고, 상기 제1 패턴 전극보다 더 연장되어 노출된 상기 쉴드부의 일부는 도체 특성을 가지도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The active layer overlapping the first pattern electrode is configured to have a semiconductor characteristic, and a portion of the shield portion that is extended and exposed more than the first pattern electrode is configured to have a conductor characteristic. Device.

제1항에 있어서,
상기 제2 패턴 전극의 애노드 컨택부는 상기 쉴드부 및 상기 출력 전극과 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
An anode contact portion of the second pattern electrode is connected to the shield portion and the output electrode.

제1항에 있어서,
상기 패터닝된 반도체층과 상기 제1 패턴 전극 사이에는 영상 신호에 기초하여 가변되는 제1 쉴드 커패시턴스를 더 포함하도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
and a first shield capacitance variable based on an image signal is further included between the patterned semiconductor layer and the first pattern electrode.

제1항에 있어서,
상기 제2 패턴 전극의 일 경계는 상기 데이터 배선을 향해서 상기 제1 패턴 전극보다 더 연장된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
and one boundary of the second pattern electrode extends further than the first pattern electrode toward the data line.

제1항에 있어서,
상기 패터닝된 반도체층의 일 경계는 상기 데이터 배선을 향해서 상기 제2 패턴 전극보다 더 연장된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
and one boundary of the patterned semiconductor layer extends further than the second pattern electrode toward the data line.

제1항에 있어서,
상기 제2 패턴 전극의 일 경계는 상기 데이터 배선을 향해서 상기 제1 패턴 전극보다 더 연장되고, 상기 패터닝된 반도체층의 일 경계보다는 덜 연장된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
and one boundary of the second pattern electrode extends more than the first pattern electrode toward the data line and less than one boundary of the patterned semiconductor layer.

제1항에 있어서,
VDD 배선을 더 포함하고,
상기 쉴드부는 상기 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
Further comprising a VDD wiring,
and the shield part is electrically connected to the VDD line.

제11항에 있어서,
상기 쉴드부는 상기 VDD 배선과 중첩되도록 연장된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.12. The method of claim 11,
and the shield portion extends to overlap the VDD wiring.

제1항에 있어서,
상기 쉴드부는 상기 제1 전극과 상기 쉴드부 사이에서 제1 쉴드 커패시턴스가 생성되지 않고, 상기 데이터 배선과 상기 쉴드부 사이에서 제2 쉴드 커패시턴스만 생성되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the shield part is configured such that a first shield capacitance is not generated between the first electrode and the shield part, but only a second shield capacitance is generated between the data line and the shield part.

제13항에 있어서,
상기 쉴드부가 상기 제1 전극과 중첩되는 영역이 최소화되도록 상기 쉴드부는 상기 액티브층으로부터 데이터 배선을 따라 연장된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the shield portion extends from the active layer along a data line so that an area where the shield portion overlaps the first electrode is minimized.

제1항에 있어서,
VDD 배선과, 상기 VDD 배선 및 상기 액티브층에 연결된 입력 전극을 더 포함하고, 상기 패터닝된 반도체층의 일부는 상기 입력 전극에서 상기 데이터 배선 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The organic light emitting diode display device further comprising: a VDD line; and an input electrode connected to the VDD line and the active layer, wherein a portion of the patterned semiconductor layer extends from the input electrode in a direction of the data line.

VDD 배선과 전기적으로 연결된 쉴드부;
상기 쉴드부 상에 배치되고, 입력 전극, 게이트 전극 및 출력 전극을 포함하고, 상기 VDD 배선과 연결된 구동 박막 트랜지스터;
상기 쉴드부 상에 배치되고, 상기 게이트 전극과 연결된 제1 전극 및 상기 출력 전극과 연결된 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터;
상기 구동 박막 트랜지스터 및 상기 스토리지 커패시터 상에 배치되고 상기 제2 전극과 연결된 애노드; 및
상기 제1 전극에 비해 상기 쉴드부와 인접하여 배치된 데이터 배선을 포함하고,
상기 데이터 배선과 인접하여 배치된 상기 쉴드부의 적어도 일부는 도체인 것을 특징으로하는, 유기 발광 표시 장치.a shield part electrically connected to the VDD wiring;
a driving thin film transistor disposed on the shield unit, the driving thin film transistor including an input electrode, a gate electrode, and an output electrode, and connected to the VDD line;
a storage capacitor disposed on the shield portion and including a first electrode connected to the gate electrode and a second electrode connected to the output electrode;
an anode disposed on the driving thin film transistor and the storage capacitor and connected to the second electrode; and
and a data line disposed adjacent to the shield portion compared to the first electrode;
and at least a portion of the shield portion disposed adjacent to the data line is a conductor.

제16항에 있어서,
상기 쉴드부의 일부는 상기 데이터 배선과 중첩되고,
상기 데이터 배선과 중첩되는 상기 쉴드부의 상기 일부는 도체인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.17. The method of claim 16,
a portion of the shield portion overlaps the data line;
and the portion of the shield overlapping the data line is a conductor.

제16항에 있어서,
상기 쉴드부는 상기 구동 박막 트랜지스터의 입력 전극과 연결되어 상기 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.17. The method of claim 16,
and the shield part is connected to the input electrode of the driving thin film transistor and electrically connected to the VDD line.

제16항에 있어서,
상기 쉴드부는 상기 구동 박막 트랜지스터의 출력 전극과 연결되어 상기 구동 박막 트랜지스터의 액티브층을 통해서 상기 VDD 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.17. The method of claim 16,
and the shield part is connected to an output electrode of the driving thin film transistor and electrically connected to the VDD wiring through an active layer of the driving thin film transistor.

제16항에 있어서,
상기 쉴드부의 소정의 영역은 상기 제1 전극과 중첩된, 패터닝된 반도체층이고, 상기 제1 전극에 저장되는 영상 신호 값에 기초하여 가변되는 커패시턴스를 생성하도록 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.17. The method of claim 16,
The predetermined region of the shield portion is a patterned semiconductor layer overlapping the first electrode, and is configured to generate a variable capacitance based on an image signal value stored in the first electrode. .