KR102452209B1 - Dressing method - Google Patents
Dressing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR102452209B1 KR102452209B1 KR1020210075834A KR20210075834A KR102452209B1 KR 102452209 B1 KR102452209 B1 KR 102452209B1 KR 1020210075834 A KR1020210075834 A KR 1020210075834A KR 20210075834 A KR20210075834 A KR 20210075834A KR 102452209 B1 KR102452209 B1 KR 102452209B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dressing
- grinding
- semiconductor strip
- unit
- grinding wheel
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/007—Cleaning of grinding wheels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
본원은 드레싱 방법에 관한 것이다.The present application relates to a dressing method.
일반적으로, Grinding 시 사용되는 그라인딩 휠(Grinding wheel)은 초기 Dressing후 반도체 스트립을 가공하는 횟수가 증가함에 따라 그라인딩 휠 내부 기공이 막혀 절삭성이 떨어지고 접촉부가 변형이 되어 가공성이 떨어져 TTV가 점차 나쁘게 될 수 있다. 이런 이유로 그라인딩 후 주기적으로 Dressing board나 Dressing stone으로 그라인딩 휠을 Dressing을 해 주어야 하는데 시간이 소모되어 UPH 저하의 원인이 될 수 있었다. 이에 따라, 시간 소모를 줄일 수 있는 드레싱 방법이 요구되어 왔다.In general, as the number of processing semiconductor strips increases after the initial dressing of the grinding wheel used for grinding, the pores inside the grinding wheel are clogged, resulting in poor machinability and deformation of the contact part, resulting in poor machinability, resulting in a progressively worse TTV. have. For this reason, it is necessary to periodically dress the grinding wheel with a dressing board or a dressing stone after grinding, but it takes time and can cause a decrease in UPH. Accordingly, there has been a need for a dressing method capable of reducing time consumption.
본원의 배경이 되는 기술은 등록특허공보 제10-2221749호에 개시되어 있다.The background technology of the present application is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2221749.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그라인딩 휠을 드레싱하는 시간을 별도로 소모하지 않아도 되어 효율적으로 그라인딩 휠을 드레싱할 수 있는 드레싱 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art described above, and an object of the present application is to provide a dressing method capable of efficiently dressing the grinding wheel without separately consuming time for dressing the grinding wheel.
다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들도 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problems to be achieved by the embodiment of the present application are not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may exist.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 두께 게이지 측정 구조체는, 선단이 상기 척 테이블의 상면에 접촉하게 배치되는 제1 컨택터를 포함하는 제1 게이지; 각각의 선단이 상기 반도체 스트립의 상면에 접촉하게 배치되는 제2 컨택터 및 제3 컨택터를 포함하는 제2 게이지; 및 상기 제1 컨택터의 높이와 상기 제2 및 제3 컨택터의 높이로부터 상기 반도체 스트립의 두께 정보를 산정하는 계측부를 포함할 수 있다.As a technical means for achieving the above technical problem, the thickness gauge measuring structure according to the first aspect of the present application includes: a first gauge including a first contactor having a tip disposed in contact with an upper surface of the chuck table; a second gauge including a second contactor and a third contactor each of which has a tip disposed in contact with an upper surface of the semiconductor strip; and a measuring unit calculating thickness information of the semiconductor strip from the height of the first contactor and the height of the second and third contactors.
또한, 본원의 일 구현예에 따른 두께 게이지 측정 구조체에 있어서, 상기 제2 게이지는, 상기 제2 컨택터와 상기 제3 컨택터가 서로 동일한 높이를 가질 수 있도록, 상기 제2 컨택터와 상기 제3 컨택터를 상호 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.In addition, in the thickness gauge measuring structure according to the exemplary embodiment of the present application, the second gauge may include the second contactor and the second contactor so that the second contactor and the third contactor have the same height. 3 It may further include a connecting portion for interconnecting the contactors.
또한, 본원의 일 구현예에 따른 두께 게이지 측정 구조체에 있어서, 상기 척 테이블에는 상기 반도체 스트립이 상호 간격을 두고 복수 개 배치되고, 상기 제2 컨택터와 상기 제3 컨택터는 상기 상호 간격보다 큰 간격을 두고 서로 평행하게 연장 구비될 수 있다.In addition, in the thickness gauge measuring structure according to the exemplary embodiment of the present application, a plurality of the semiconductor strips are disposed at a distance from each other on the chuck table, and the second contactor and the third contactor are spaced apart from each other by a larger distance than the mutual distance. and may be provided extending parallel to each other.
또한, 본원의 일 구현예에 따른 두께 게이지 측정 구조체에 있어서, 상기 두께 게이지 측정 구조체는, 상기 반도체 스트립의 그라인딩시 상기 반도체 스트립의 두께 정보를 산정할 수 있다.In addition, in the thickness gauge measuring structure according to the exemplary embodiment of the present application, the thickness gauge measuring structure may calculate thickness information of the semiconductor strip when the semiconductor strip is grinded.
본원의 제2 측면에 따른 드레싱 장치는, 그라인더의 척 테이블 상에 배치되는 반도체 스트립을 그라인딩하는 그라인딩 휠을 드레싱하는 드레싱 장치에 있어서, 상기 그라인딩 휠에 대하여 편심되되 상기 그라인딩 휠의 적어도 일부와 대향하게 배치되는 드레싱 휠 및 상기 드레싱 휠을 회전시키는 회전 모듈을 포함하는 드레싱 스핀들 구조체; 및 상기 그라인딩 휠에 세정액을 분사함으로써 드레싱을 수행하는 분사 유닛을 포함할 수 있다.A dressing apparatus according to a second aspect of the present application is a dressing apparatus for dressing a grinding wheel for grinding a semiconductor strip disposed on a chuck table of a grinder, wherein the dressing apparatus is eccentric with respect to the grinding wheel and faces at least a part of the grinding wheel Dressing spindle structure comprising a rotating module for rotating the dressing wheel and the dressing wheel is disposed; and a spraying unit for performing dressing by spraying a cleaning solution on the grinding wheel.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 드레싱 휠은, 상기 드레싱 휠이 상기 그라인딩 휠에 접촉 가능하도록 상측으로 이동 가능하고, 상기 드레싱 휠이 상기 그라인딩 휠로부터 접촉 해제되도록 하측으로 이동 가능하며, 상기 드레싱 스핀들 구조체는, 상기 드레싱 휠이 상기 그라인딩 휠에 접촉되는 상태로 회전됨으로써, 드레싱을 수행할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, the dressing wheel is movable upward so that the dressing wheel is in contact with the grinding wheel, and is movable downward so that the dressing wheel is released from contact with the grinding wheel, , The dressing spindle structure is rotated in a state in which the dressing wheel is in contact with the grinding wheel, thereby performing dressing.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 분사 유닛은 한 쌍으로 구비되고, 한 쌍의 분사 유닛 각각은 상기 드레싱 휠을 중심으로 상기 그라인딩 휠의 둘레 방향 일측 및 타측 각각에 위치할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, the injection unit is provided as a pair, and each of the pair of injection units may be located on one side and the other side in the circumferential direction of the grinding wheel with respect to the dressing wheel. .
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 드레싱 스핀들 구조체 및 상기 분사 유닛 중 적어도 하나는, 상기 그라인딩 휠이 그라인딩을 수행하는 동안 드레싱을 수행할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, at least one of the dressing spindle structure and the injection unit may perform dressing while the grinding wheel performs grinding.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 그라인딩 휠이 연삭하는 경우, 상기 분사 유닛은 드레싱을 수행할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, when the grinding wheel is grinding, the injection unit may perform dressing.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 그라인딩 휠이 황삭하는 경우, 상기 드레싱 스핀들 구조체 및 상기 분사 유닛 각각은 드레싱을 수행할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, when the grinding wheel is roughed, each of the dressing spindle structure and the injection unit may perform dressing.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면, 상기 분사 유닛은 드레싱을 수행할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, when the current value of the motor for providing power to the grinding rotation shaft is equal to or greater than a first preset value, the injection unit may perform dressing.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 장치에 있어서, 상기 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이되면, 상기 드레싱 스핀들 구조체는 드레싱을 수행할 수 있다.In the dressing apparatus according to an embodiment of the present application, when the current value of the motor for providing power to the grinding rotation shaft is greater than or equal to a second preset value, the dressing spindle structure may perform dressing.
본원의 제3 측면에 따른 드레싱 방법은, 상기 그라인딩 휠이 그라인딩하는 단계; 및 상기 드레싱 장치가 상기 그라인딩 휠을 드레싱하는 단계를 포함하되, 상기 드레싱하는 단계는, 상기 드레싱 스핀들 구조체가 드레싱하는 단계 및 상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Dressing method according to the third aspect of the present application, grinding the grinding wheel; and dressing the grinding wheel by the dressing device, wherein the dressing may include at least one of dressing by the dressing spindle structure and dressing by the spray unit.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 방법에 있어서, 상기 드레싱하는 단계는 그라인딩하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다.In the dressing method according to an embodiment of the present application, the dressing may be performed while the grinding step is performed.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 방법에 있어서, 상기 그라인딩하는 단계는, 연삭하는 단계를 포함하고, 상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계는, 상기 연삭하는 단계에서 수행될 수 있다.In the dressing method according to an embodiment of the present application, the grinding may include grinding, and the dressing by the spraying unit may be performed in the grinding.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 방법에 있어서, 상기 그라인딩하는 단계는, 황삭하는 단계를 포함하고, 상기 드레싱 스핀들 구조체가 드레싱하는 단계 및 상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계는, 상기 황삭하는 단계에서 수행될 수 있다.In the dressing method according to an embodiment of the present application, the grinding includes the step of roughing, and the dressing by the dressing spindle structure and the dressing by the spraying unit are to be performed in the roughing step. can
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 방법에 있어서, 상기 그라인딩 휠을 회전시키는 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값을 측정하는 단계를 더 포함하되, 상기 전류값을 측정하는 단계는 상기 그라인딩하는 단계에서 수행될 수 있다.In the dressing method according to an embodiment of the present application, further comprising the step of measuring a current value of a motor for providing power to a grinding rotation shaft rotating the grinding wheel, the measuring the current value is the grinding step can be performed in
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 방법에 있어서, 상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계는, 상기 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면, 수행될 수 있다.In the dressing method according to an embodiment of the present application, the step of dressing the injection unit may be performed when the current value is greater than or equal to a first preset value.
본원의 일 구현예에 따른 드레싱 방법에 있어서, 상기 드레싱 스핀들 구조체가 드레싱하는 단계는, 상기 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이 되면, 수행될 수 있다.In the dressing method according to an embodiment of the present application, the dressing of the dressing spindle structure may be performed when the current value is greater than or equal to a second preset value.
본원의 제4 측면에 따른 그라인더는, 반도체 스트립을 공급하는 로딩부; 반도체 스트립의 그라인딩이 이루어지는 가공부; 그라인딩된 반도체 스트립이 세정되는 세정부; 세정된 반도체 스트립이 적재되는 언로딩부; 및 상기 로딩부로부터 상기 가공부로 반도체 스트립을 이송하거나, 또는, 상기 가공부로부터 상기 세정부로 그라인딩된 반도체 스트립을 이송하는 픽커부를 포함하되, 상기 가공부는, 회전 가능한 본판부 및 상기 본판부의 상면상에 상기 본판부의 둘레 방향으로 간격을 두고 구비되는 제1 내지 제3 척 테이블을 포함하고, 상기 본판부는 상기 제1 내지 제3 척 테이블 중 하나가 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역, 황삭 영역 및 연삭 영역을 순차적으로 거치도록 회전되는 것인 테이블 구조체; 및 각각이 그라인딩 휠 및 그라인딩 휠을 회전시키는 그라인딩 회전축을 포함하고, 상기 황삭 영역 및 상기 연삭 영역 각각에 위치하는 제1 및 제2 그라인딩 구조체를 포함할 수 있다.A grinder according to a fourth aspect of the present application includes a loading unit for supplying a semiconductor strip; A processing unit in which the grinding of the semiconductor strip is made; a cleaning unit in which the ground semiconductor strip is cleaned; an unloading unit on which the cleaned semiconductor strip is loaded; and a picker unit for transferring the semiconductor strip from the loading unit to the processing unit, or transferring the ground semiconductor strip from the processing unit to the cleaning unit, wherein the processing unit includes a rotatable main plate part and an upper surface of the main plate part and first to third chuck tables provided at intervals in the circumferential direction of the main plate, wherein one of the first to third chuck tables comprises a semiconductor strip arrangement or removal region, a roughing region, and a grinding region. a table structure that is rotated to pass through sequentially; and a grinding wheel and a grinding rotation shaft for rotating the grinding wheel, respectively, and may include first and second grinding structures positioned in the roughing region and the grinding region, respectively.
본원의 일 구현예에 따른 그라인더에 있어서, 상기 제1 그라인딩 구조체 및 상기 제2 그라인딩 구조체 각각에 대하여 구비되어, 상기 제1 그라인딩 구조체 및 상기 제2 그라인딩 구조체 각각의 그라인딩 구조체의 그라인딩 휠 각각을 드레싱하는 한 쌍의 드레싱 장치를 더 포함할 수 있다.In the grinder according to an embodiment of the present application, it is provided for each of the first grinding structure and the second grinding structure to dress each grinding wheel of the grinding structure of each of the first grinding structure and the second grinding structure A pair of dressing devices may be further included.
본원의 일 구현예에 따른 그라인더에 있어서, 상기 한 쌍의 드레싱 장치 각각은 상기 제1 그라인딩 구조체 및 상기 제2 그라인딩 구조체 각각의 그라인딩 휠이 그라인딩을 수행하는 동안 상기 드레싱을 수행할 수 있다.In the grinder according to an embodiment of the present application, each of the pair of dressing devices may perform the dressing while the grinding wheels of each of the first grinding structure and the second grinding structure perform grinding.
본원의 일 구현예에 따른 그라인더에 있어서, 상기 제1 그라인딩 구조체에 대하여 구비되는 드레싱 장치는, 상기 제1 그라인딩 구조체의 그라인딩 휠에 대하여 대하여 편심되되 상기 그라인딩 휠의 적어도 일부와 대향하게 배치되는 드레싱 휠 및 상기 드레싱 휠을 회전시키는 회전 모듈을 포함하는 드레싱 스핀들 구조체; 및 상기 제1 그라인딩 구조체의 그라인딩 휠에 세정액을 분사함으로써 드레싱을 수행하는 분사 유닛을 포함할 수 있다.In the grinder according to an embodiment of the present application, the dressing device provided with respect to the first grinding structure is eccentric with respect to the grinding wheel of the first grinding structure, and the dressing wheel disposed to face at least a part of the grinding wheel And a dressing spindle structure comprising a rotation module for rotating the dressing wheel; and a spraying unit for performing dressing by spraying a cleaning solution onto the grinding wheel of the first grinding structure.
본원의 일 구현예에 따른 그라인더에 있어서, 상기 제1 그라인딩 구조체 및 상기 제2 그라인딩 구조체 각각에 대하여 구비되어, 상기 제1 그라인딩 구조체 및 상기 제2 그라인딩 구조체 각각에 의해 황삭 및 연삭되는 반도체 스트립의 두께 정보를 측정하는 두께 게이지 측정 구조체 한 쌍을 더 포함하되,In the grinder according to the embodiment of the present application, the thickness of the semiconductor strip provided for each of the first and second grinding structures to be roughed and ground by the first and second grinding structures, respectively. further comprising a pair of thickness gauge measurement structures for measuring information;
상기 제1 그라인딩 구조체에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체는, 상기 황삭 영역에 위치하는 척 테이블의 상면에 접촉하게 배치되는 제1 컨택터를 포함하는 제1 게이지; 각각이 상기 황삭 영역에 위치하는 척 테이블 상의 반도체 스트립의 상면에 접촉하게 배치되는 제2 컨택터 및 제3 컨택터를 포함하는 제2 게이지; 및 상기 제1 컨택터의 높이와 상기 제2 및 제3 컨택터의 높이로부터 상기 반도체 스트립의 두께 정보를 산정하는 계측부를 포함할 수 있다.The thickness gauge measuring structure provided with respect to the first grinding structure may include: a first gauge including a first contactor disposed in contact with an upper surface of the chuck table located in the roughing area; a second gauge including a second contactor and a third contactor each disposed in contact with an upper surface of a semiconductor strip on a chuck table positioned in the roughing region; and a measuring unit calculating thickness information of the semiconductor strip from the height of the first contactor and the height of the second and third contactors.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary, and should not be construed as limiting the present application. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 반도체 스트립의 상면의 높이 정보를 측정하는 제2 게이지가 두 개의 컨택터를 포함하되, 두 개의 컨택터가 반도체 스트립간의 간격보다 큰 간격으로 이격되어 구비되고 연결부에 의해 서로 연결되어 동일 높이를 가지므로 두 개의 컨택터 중 하나가 반도체 스트립 사이에 위치하게 되더라도, 다른 하나가 반도체 스트립 상에 위치할 수 있어, 두 개의 컨택터 중 하나의 반도체 스트립 사이로 낙하하는 것이 방지될 수 있다. 이에 따라, 반도체 스트립의 손상, 컨택터의 손상이 방지될 수 있다.According to the above-described problem solving means of the present application, the second gauge for measuring the height information of the upper surface of the semiconductor strip includes two contactors, the two contactors are spaced apart from each other by a greater distance than the distance between the semiconductor strips, and the connection part Since they are connected to each other and have the same height, even if one of the two contactors is positioned between the semiconductor strips, the other can be positioned on the semiconductor strip, so it is difficult to fall between one of the two contactors. can be prevented. Accordingly, damage to the semiconductor strip and damage to the contactor can be prevented.
또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 그라인딩 휠의 그라인딩 중 자동으로 그라인딩 휠에 대한 드레싱이 수행될 수 있다. 이에 따라, 그라인딩 휠을 드레싱하기 위해 별도로 시간을 소모할 필요가 없을 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, the dressing of the grinding wheel may be automatically performed during the grinding of the grinding wheel. Accordingly, it may not be necessary to separately spend time to dress the grinding wheel.
또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 그라인딩 휠이 연삭하거나, 그라인딩 회전축을 회전시키는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상인 경우에는 분사 유닛으로 드레싱을 수행하고, 그라인딩 휠이 황삭하거나, 그라인딩 회전축을 회전시키는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상인 경우와 같이 그라인딩 휠에 대한 강한 드레싱이 필요한 경우에는 드레싱 스핀들 구조체에 의한 드레싱 및 분사 유닛에 의한 드레싱을 수행하므로, 그라인딩 휠을 마모시키는 드레싱이 필요 없는 경우에는, 분사 유닛으로 드레싱을 수행하고, 강한 드레싱이 필요한 경우에는 드레싱 스핀들 구조체에 의한 드레싱 및 분사 유닛에 의한 드레싱을 수행하므로, 필요에 맞게 다양한 형태로 드레싱을 수행함으로써, 그라인딩 휠의 수명 단축을 방지하며 효율적으로 드레싱을 수행할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, when the grinding wheel is ground or the current value of the motor rotating the grinding rotation shaft is equal to or greater than the first preset value, the dressing is performed with the spray unit, the grinding wheel is roughed, When strong dressing for the grinding wheel is required, such as when the current value of the motor rotating the grinding rotation shaft is equal to or greater than the second preset value, dressing by the dressing spindle structure and dressing by the injection unit are performed, so that the grinding wheel is worn When dressing is not required, dressing is performed with a spray unit, and when strong dressing is required, dressing by a dressing spindle structure and dressing by a spray unit are performed, so by performing dressing in various forms as needed, grinding wheel It prevents the shortening of the lifespan of the device and enables efficient dressing.
또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 반도체 스트립(Strip)이 준비되고, 그라인딩되고, 세정되며, 적재되는 것 등이 자동으로 수행될 수 있는 그라인더가 구현될 수 있고, 이러한 그라인더가다관절 로봇 등 고가의 장치 없이 Linear 로봇과 Conveyor등 단순하고 비교적 저렴한 부품으로 최소의 공간에 Compact하게 배치될 수 있어, 경제성, 편리한 유지 보수 등에 장점이 있고, 또한, 작은 설치 공간에도 설치될 수 있어 공간 효율성도 확보할 수 있다.In addition, according to the above-described problem solving means of the present application, a grinder in which a semiconductor strip is prepared, grinded, cleaned, loaded, etc. can be automatically performed, and such a grinder is an articulated robot Simple and relatively inexpensive parts such as linear robots and conveyors without expensive devices such as linear robots and conveyors can be compactly arranged in a minimum space, which has advantages in economy and convenient maintenance. can be obtained
도 1은 본원의 일 실시예에 따른 두께 게이지 측정 구조체의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 두께 게이지 측정 구조체의 개념 평면도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 두께 게이지 측정 구조체의 일부의 개념 정면도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 드레싱 장치의 개략적인 사시도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 드레싱 장치의 분사 유닛의 위치를 설명하기 위한 그라인딩 구조체 및 본원의 일 실시예에 따른 드레싱 장치의 분사 유닛의 개략적인 평면도이다.
도 6은 본원의 일 실시예에 따른 그라인더의 개념 평면도이다.
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 그라인더의 로딩부의 개략적인 사시도이다.
도 8은 본원의 일 실시예에 따른 그라인더의 로딩부를 도 7과 다른 각도에서 바라보고 도시한 개략적인 사시도이다.
도 9는 본원의 일 실시예에 따른 그라인더의 가공부 및 픽커부의 개략적인 평면도이다.
도 10은 본원의 일 실시예에 따른 그라인더의 세정부의 개략적인 사시도이다.
도 11은 본원의 일 실시예에 따른 그라인더의 언로딩부의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a thickness gauge measuring structure according to an embodiment of the present application.
2 is a conceptual plan view of a thickness gauge measuring structure according to an embodiment of the present application.
3 is a conceptual front view of a portion of a thickness gauge measurement structure according to an embodiment of the present disclosure;
Figure 4 is a schematic perspective view of a dressing apparatus according to an embodiment of the present application.
Figure 5 is a schematic plan view of a grinding structure for explaining the position of the injection unit of the dressing apparatus according to an embodiment of the present application and the injection unit of the dressing apparatus according to an embodiment of the present application.
6 is a conceptual plan view of a grinder according to an embodiment of the present application.
7 is a schematic perspective view of a loading part of a grinder according to an embodiment of the present application.
FIG. 8 is a schematic perspective view illustrating a loading part of a grinder according to an embodiment of the present application as viewed from an angle different from that of FIG. 7 .
9 is a schematic plan view of a processing unit and a picker unit of a grinder according to an embodiment of the present application.
10 is a schematic perspective view of a cleaning unit of a grinder according to an embodiment of the present application.
11 is a schematic perspective view of an unloading unit of a grinder according to an embodiment of the present application.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art to which the present application pertains can easily implement them. However, the present application may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is said to be "connected" with another part, it includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when it is said that a member is positioned "on", "on", "on", "under", "under", or "under" another member, this means that a member is located on the other member. It includes not only the case where they are in contact, but also the case where another member exists between two members.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.
또한, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(상측, 상부, 상면, 하측, 하부, 하면 등)는 도면에 나타나 있는 각 구성의 배치 상태를 기준으로 설정한 것이다. 예를 들면, 도 1, 도 3, 도 4, 도 7, 도 8, 도 10 및 도 11을 보았을 때, 전반적으로 12시 방향이 상측, 전반적으로 12시 방향을 향하는 부분이 상부, 전반적으로 12시 방향을 향하는 면이 상면, 전반적으로 6시 방향이 하측, 전반적으로 6시 방향을 향하는 부분이 하부, 전반적으로 6시 방향을 향하는 면이 하면 등이 될 수 있다.In addition, terms (upper, upper, upper, lower, lower, lower, etc.) related to directions or positions in the description of the embodiments of the present application are set based on the arrangement state of each component shown in the drawings. For example, when looking at FIGS. 1, 3, 4, 7, 8, 10 and 11, the overall 12 o'clock direction is the upper side, and the overall 12 o'clock direction is the upper part, the overall 12 The surface facing the o'clock direction may be the upper surface, the overall 6 o'clock direction may be the lower side, the overall 6 o'clock direction may be the lower side, and the overall 6 o'clock direction may be the lower surface.
본원은 두께 게이지 측정 구조체, 드레싱 장치, 드레싱 방법 및 그라인더에 관한 것이다.The present application relates to a thickness gauge measuring structure, a dressing apparatus, a dressing method and a grinder.
먼저, 본원의 일 실시예에 따른 두께 게이지 측정 구조체(이하 '본 두께 게이지 측정 구조체'라 함)(1)에 대해 설명한다. 다만, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)는 후술할 본 드레싱 장치(3), 본 드레싱 방법 및 본 그라인더와 내용을 공유할 수 있다. 이에 따라, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)의 설명과 관련하여 후술할 본 드레싱 장치(3), 본 드레싱 방법 및 본 그라인더에서 설명할 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.First, a thickness gauge measuring structure (hereinafter referred to as 'this thickness gauge measuring structure') 1 according to an embodiment of the present application will be described. However, the thickness
도 1을 참조하면, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)는, 제1 게이지(11)를 포함한다. 제1 게이지(11)는 제1 컨택터(111)를 포함한다. 제1 컨택터(111)는 선단이 척 테이블(222)의 상면에 접촉하게 배치된다.Referring to FIG. 1 , the thickness
또한, 제1 컨택터(111)는 본체(13)와 제1 컨택터(111)를 연결하는 제1 연결부(114)를 포함할 수 있다.Also, the
제1 컨택터(111)는 프로브(1111)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 컨택터(111)는 일단부는 프로브(1111)와 결합되고 타단부는 제1 연결부(114)에 의해 본체(13)와 연결되며 프로브(1111)를 지지하는 지지부(1112)를 포함할 수 있다. 제1 연결부(114)는는 척 테이블(222)의 상면의 높이에 따라 제1 컨택터(111)가 상하 이동 가능하게 구비될 수 있는데, 이를 테면, 제1 연결부(114)가 본체(13)에 연결된 부분을 지점으로 하여 척 테이블(222)의 상면에 지지되는 프로브(1111)의 높이에 따라 지레와 같이 거동할 수 있다. 이에 따라, 제1 게이지(11)는 프로브(1111)가 척 테이블(222)의 상면에 접촉되게 배치되는 상태에서 척 테이블(222)의 높이에 따라 상하 이동 가능하게 구비될 수 있고, 제1 게이지(11)의 높이에 따라 척 테이블(222)의 상면의 높이가 계측될 수 있다. 이러한 제1 게이지(11)는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.The
또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)는 제2 게이지(12)를 포함한다. 제2 게이지(12)는 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)를 포함한다. 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 각각은 각각의 선단이 반도체 스트립(9)의 상면에 접촉하게 배치된다.In addition, the present thickness
또한, 제2 게이지(12)는 본체(13)와 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)를 연결하는 제2 연결부(124)를 포함할 수 있다.Also, the
또한, 제2 컨택터(121)는 프로브(1211)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 컨택터(121)는 일단부는 프로브(1211)와 결합되고 타단부는 제2 연결부(124)에 의해 본체(13)와 연결되며 프로브(1211)를 지지하는 지지부(1212)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 컨택터(131)는 프로브(1311)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 컨택터(131)는 일단부는 프로브(1311)와 결합되고 타단부는 제2 연결부(124)에 의해 본체(13)와 연결되며 프로브(1311)를 지지하는 지지부(1312)를 포함할 수 있다.Also, the
이에 따르면, 제2 게이지(12)는 본체(13)로부터 연장되는 제2 연결부(124) 및 각각이 제2 연결부(124)로부터 연장되는 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)를 포함할 수 있다.Accordingly, the
또한, 제2 게이지(12)는 제2 컨택터(121)와 제3 컨택터(122)가 서로 동일한 높이를 가질 수 있도록, 제2 컨택터(121)와 제3 컨택터(131)를 상호 연결하는 연결부(125)를 포함할 수 있다. 연결부(125)는 제2 컨택터(121)의 지지부(1211)와 제3 컨택터(131)의 지지부(1311)를 상호 연결할 수 있다. 이에 따라, 제2 컨택터(121)와 제3 컨택터(122)는 서로 동일한 높이를 가질 수 있다.In addition, the
또한, 제2 연결부(124)는 반도체 스트립(9)의 상면의 높이에 따라 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(131)가 상하 이동 가능하게 구비될 수 있는데, 이를 테면, 제2 연결부(124)가 본체(13)에 연결된 부분을 지점으로 하여 반도체 스트립(9)의 상면에 지지되는 제2 컨택터(121)의 프로브(1211) 또는 제3 컨택터(131)의 프로브(1311)의 높이에 따라 지레와 같이 거동할 수 있다. 이에 따라, 제2 게이지(12)는 제2 컨택터(121)의 프로브(1211) 또는 제3 컨택터(131)의 프로브(1311)가 반도체 스트립(9)의 상면에 접촉되게 배치되는 상태에서 반도체 스트립(9)의 높이에 따라 상하 이동 가능하게 구비될 수 있다.In addition, in the
또한, 반도체 스트립(9)이 그라인딩되는 동안, 전술한 제1 컨택터(111)는 척 테이블(222)의 상면에 접촉되게 배치될 수 있고, 제2 및 제3 컨택터(121, 131) 중 하나 이상은 반도체 스트립(9)의 상면에 접촉되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 반도체 스트립(9)이 그라인딩되는 동안, 반도체 스트립(9)은 상면의 높이가 낮아질 수 있는데, 이에 따라, 제2 및 제3 컨택터(121, 131)의 높이도 낮아질 수 있다.In addition, while the
또한, 척 테이블(222)에는 반도체 스트립(9)이 상호 간격을 두고 복수 개 배치될 수 있다. 예를 들어, 두 개 배치될 수 있다. 또한, 제2 컨택터(121)와 제3 컨택터(122)는 반도체 스트립(9)의 상호 간격보다 큰 간격을 두고 서로 평행하게 연장 구비될 수 있다.In addition, a plurality of
이러한 경우, 복수의 반도체 스트립(9)의 그라인딩시, 전술한 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 중 하나 이상이 복수의 반도체 스트립(9) 중 하나 이상의 상면에 접촉될 수 있다. 복수의 반도체 스트립(9)의 그라인딩시, 복수의 반도체 스트립(9)은 척 테이블(222)에 의해 회전되므로, 복수의 반도체 스트립(9)의 제2 컨택터(121) 또는 제3 컨택터(122)가 접촉되어 지지되는 부분은 계속 바뀔 수 있으나, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 중 적어도 하나는 복수의 반도체 스트립(9) 중 하나의 상면에 접촉될 수 있고, 이에 따라, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)는 연결부(125)에 의해 서로 동일한 높이를 가지므로, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 중 하나가 복수의 반도체 스트립(9)간의 상호 간격(사이)에 위치하더라도, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)는 반도체 스트립(9) 상에 위치하는 컨택터의 높이를 가지고 있을 수 있어, 상기 상호 간격에 위치하는 컨택터가 상기 상호 간격 내에서 낙하(빠지게) 되거나, 복수의 반도체 스트립(9)의 회전에 갑섭하며, 복수의 반도체 스트립(9) 중 하나에 걸림 작용하게 되는 것이 방지될 수 있다.In this case, when grinding the plurality of
예를 들어, 종래에는 제2 게이지가 하나의 컨택터만을 가졌다. 이에 따라, 반도체 스트립(9)의 그라인딩시 척 테이블(222)이 회전될 때, 컨택터가 복수의 반도체 스트립(9) 사이의 상호 간격에 위치하게 되면 컨택터를 지지하는 게 없어지므로 높이가 낮아지며 상기 상호 간격 내에서 낙하(빠지게) 될 수 있었고, 이에 따라, 복수의 반도체 스트립(9)의 회전에 갑섭하며, 복수의 반도체 스트립(9) 중 하나에 걸림 작용하게 될 수 있었다.For example, conventionally the second gauge has only one contactor. Accordingly, when the chuck table 222 is rotated during the grinding of the semiconductor strips 9, if the contactors are positioned at mutual intervals between the plurality of
반면에, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)에 의하면, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 사이의 간격이 반도체 스트립(9)의 상호 간격보다 크므로, 그라인딩시, 복수의 반도체 스트립(9)이 회전될 때, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 중 하나가 복수의 반도체 스트립(9) 사이의 상호 간격에 위치하게 되더라도, 다른 하나는 반도체 스트립(9)의 상면 상에 위치하게 될 수 있고, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)가 서로 연결되어 동일 높이를 가지고 있으므로, 복수의 반도체 스트립(9) 사이의 상호 간격에 위치하는 하나의 높이가 낮아지지 않고 반도체 스트립(9)의 상면 상에 위치하는 다른 하나와 동일한 높이를 유지할 수 있어, 제2 게이지(12)가 복수의 반도체 스트립(9)의 회전에 갑섭하거나, 복수의 반도체 스트립(9) 중 하나에 걸림 작용하게 되는 것이 방지될 수 있다.On the other hand, according to the present thickness
또한, 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)는 연결부(125)에 의해 서로 동일한 높이를 가지므로, 제2 게이지에 있어서, 제2 게이지는 서로 동일한 높이 값인 제2 컨택터(121)의 프로브(1211) 및 제3 컨택터(122)의 프로브(1221)가 갖는 높이 값을 반도체 스트립(9)의 상면의 높이 값으로 계측할 수 있다.In addition, since the
참고로, 제1 컨택터(111)의 높이, 제2 컨택터(121)의 높이 및 제3 컨택터(122)의 높이 각각은, 제1 내지 제3 컨택터(111, 121, 122) 각각의 프로브(1111, 1211, 1221)의 높이를 의미할 수 있다. 또는, 이외의 제1 내지 제3 컨택터(111, 121, 122) 각각의 프로브(1111, 1211, 1221) 이외의 다른 구성의 높이를 의미할 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.For reference, the height of the
또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)는 계측부를 포함할 수 있다. 계측부는 본체(13)에 구비될 수 있다. 계측부는 제1 컨택터(111)의 높이와 제2 및 제3 컨택터(121, 122)의 높이로부터 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 산정한다. 또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)는 반도체 스트립(9)의그라인딩시 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 산정할 수 있다.In addition, the present thickness
전술한 바와 같이, 제1 내지 제3 컨택터(111, 121, 122) 각각의 높이가 측정될 수 있고, 이에 따라, 제1 컨택터(111)의 높이로부터 척 테이블(222)의 상면의 높이 값이 계측될 수 있고, 제2 또는 제3 컨택터(121, 122)의 높이로부터 그라인딩되는 반도체 스트립(9)의 높이 값이 지속적으로 계측될 수 있다. 이에 따라, 계측부는 척 테이블(222)의 상면의 높이 값과 반도체 스트립(9)의 높이 값의 차이를 통해 반도체 스트립(9)의 두께 값(두께 정보)을 산정할 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다. 참고로, 그라인딩시 반도체 스트립(9)이 그라인딩되며 반도체 스트립(9)의 높이 값이 계속 변화될 것을 고려하면, 지속적으로 반도체 스트립(9)의 두께 값이 변화될 수 있으며, 반도체 스트립(9)의 두께 값이 미리 설정된 값이 되면 그라인딩이 중단될 수 있다.As described above, the height of each of the first to
참고로, 여기에서 반도체 스트립(9)의 두께 값이라 함은, 반도체 스트립(9)의 그라인딩에 따른 변화된 두께량, 그라인딩 전의 반도체 스트립(9)의 두께에서 그라인딩 후 반도체 스트립(9)이 값는 두께를 마이너스한 두께 값, 반도체 스트립(9)의 상면의 높이 값 등 다양한 개념을 포함하는 것일 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.For reference, the thickness value of the
정리하면, 그라인딩시 가공물(반도체 스트립(9))의 두께를 측정하여 가공하는 방법은 정확한 최종 두께를 맞추기 위하여 매우 중요할 수 있다. 그런데, 종래에는 서로 이격된 가공물의 실시간 두께를 측정할 때, 가공물 사이에 컨택터가 하강하여 정확한 두께 측정이 어렵고 가공물과 컨택터의 손상이 발생할 수 있었다.In summary, the method of measuring and processing the thickness of the workpiece (semiconductor strip 9) during grinding may be very important in order to accurately match the final thickness. However, in the prior art, when measuring the real-time thickness of a workpiece spaced apart from each other, the contactor descends between the workpieces, making it difficult to accurately measure the thickness and damage to the workpiece and the contactor may occur.
반면에 본 두께 게이지 측정 구조체(1)에 의하면, 반도체 스트립(9)의 두께를 측정하는 제2 게이지(12)가 반도체 스트립(9)간의 간격보다 큰 간격으로 이격되어 구비되고 연결부(125)에 의해 서로 연결되어 동일 높이를 갖는 두 개의 컨택터(121, 122)를 포함하므로 두 개의 컨택터(121, 122) 중 하나가 반도체 스트립(9) 사이에 위치하게 되더라도, 다른 하나가 반도체 스트립(9) 상에 위치할 수 있어, 두 개의 컨택터(121, 122) 중 하나의 반도체 스트립(9) 사이로 낙하하는 것이 방지될 수 있다. 이에 따라, 반도체 스트립(9)의 손상, 컨택터(121, 122)의 손상이 방지될 수 있다.On the other hand, according to the thickness
이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 드레싱 장치(이하 '본 드레싱 장치'라 함)(3)에 대해 설명한다. 다만, 본 드레싱 장치(3)는 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1), 본 드레싱 방법 및 본 그라인더와 내용을 공유할 수 있다. 이에 따라, 본 드레싱 장치(3)의 설명과 관련하여 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1), 후술할 본 드레싱 방법 및 후술할 본 그라인더에서 설명할 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a dressing apparatus (hereinafter referred to as 'this dressing apparatus') 3 according to an embodiment of the present application will be described. However, the
도 4를 참조하면, 본 드레싱 장치(3)는 그라인더의 척 테이블(222) 상에 배치되는 반도체 스트립(9)을 그라인딩하는 그라인딩 휠(211)을 드레싱한다.Referring to FIG. 4 , the
도 4를 참조하면, 본 드레싱 장치(3)는 드레싱 스핀들 구조체(31)를 포함한다. 드레싱 스핀들 구조체(31)는 드레싱 휠(311)을 포함한다. 드레싱 휠(311)은 그라인딩 휠(211)에 대하여 편심되되 그라인딩 휠(211)의 적어도 일부와 대향하게 배치된다. 다시 말해, 드레싱 휠(311)은 그의 중심과 그라인딩 휠(211)의 중심이 엇갈리게 배치되되, 그의 적어도 일부가 그라인딩 휠(211)의 적어도 일부와 상하 방향으로 대향하게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the
또한, 도 4를 참조하면, 드레싱 스핀들 구조체(31)는 회전 모듈(312)을 포함한다. 회전 모듈(312)은 드레싱 휠(311) 회전시킨다. 예를 들어, 회전 모듈(312)은 드레싱 휠(311)을 회전시키는 회전축 및 회전축을 회전시키는 동력 제공부(이를 테면 모터)를 포함할 수 있다. 또한, 드레싱 휠(311)이 그라인딩 휠(211)과 편심되게 배치되므로, 드레싱 회전축(311)은 그라인딩 회전축과 엇갈리게 배치될 수 있다. Also, referring to FIG. 4 , the dressing
또한, 드레싱 스핀들 구조체(31)는 드레싱 휠(312)을 승하강 시키는 승강 모듈을 포함할 수 있다. 승강 모듈은 실린더를 포함할 수 있다.In addition, the dressing
전술한 바에 따르면, 드레싱 휠(311)은 승강 모듈에 의해 승하강할 수 있고, 회전 모듈에 의해 회전될 수 있다.According to the above-mentioned bar, the
이에 따라, 드레싱 휠(312)은 그라인딩 휠(211)에 접촉 가능하도록 상측으로 이동 가능하고, 그라인딩 휠(211)로부터 접촉 해제되도록 하측으로 이동 가능하다. 또한, 드레싱 스핀들 구조체(31)는 드레싱 휠(312)이 그라인딩 휠(211)에 접촉되는 상태로 회전됨으로써 드레싱을 수행할 수 있다. 즉, 드레싱 휠(312)은 상측으로 이동되어 그라인딩 휠(211)에 접촉되고, 접촉된 상태로 회전됨으로써 드레싱을 수행할 수 있고, 드레싱이 멈춰야하면, 회전을 멈추고 하측으로 이동되거나, 회전을 멈추며 하측으로 이동되거나, 또는 하측으로 이동되어 회전을 멈춤으로써, 그라인딩 휠(211)로부터 접촉 해제되고 회전을 멈출 수 있다.Accordingly, the
드레싱 휠(211)은 그라인딩 휠(211)에 접촉된 상태에서 회전됨으로써 그라인딩 휠(211)의 하면을 고르게 드레싱할 수 있다. 드레싱 휠(211)은 그라인딩 휠(211)을 드레싱할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.The
또한, 드레싱 휠(211)의 드레싱시 그라인딩 휠(211)은 회전되고 있는 상태일 수 있다. 이에 따라, 드레싱 휠(211)이 그라인딩 휠(211)과 편심되어 배치되는 것으로 인해, 그라인딩 휠(211)의 드레싱 휠(311)에 접촉되는 부분은 계속 바뀌며 드레싱이 이루어질 수 있으며, 그라인딩 휠(211)의 드레싱이 필요한 부분이 전부 드레싱될 수 있다.In addition, when dressing the
또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 드레싱 장치(3)는 그라인딩 휠(211)에 세정액을 분사함으로써 드레싱을 수행하는 분사 유닛(32)을 포함한다. 세정액은 이를 테면, 고압 DI워터, 고압 절삭수 등 일 수 있다. 또한, 분사 유닛(32)은 세정액을 고압으로 분사할 수 있다. 즉, 분사 유닛(32)은 세정액을 그라인딩 휠(211)의 하면에 고압으로 분사함으로써 드레싱할 수 있다.In addition, referring to FIGS. 4 and 5 , the
제품이 연질 일 수록 그라인딩 휠(211)에 Clogging현상은 심해지며 이런 제품일 경우 특히 그라인딩 휠(211)에 끼어 있는 제품 부스러기에 의해 반도체 스트리비(9)에 스크래치가 심하게 나올 수 있다. Grinding 시에 그라인딩 휠(211) 표면에 고압의 DI를 분사하면 Clogging현상이 현저하게 줄어 들며 특히, 드레싱 휠(311)에 의한 Dressing과 달리 그라인딩 휠(211)의 마모도 거의 발생하지 않아 그라인딩 휠(211)의 수명이 늘어나는 효과가 있을 수 있다.The softer the product, the more severe the clogging phenomenon on the
예를 들어, 도 5를 참조하면, 분사 유닛(32)은 복수 개 구비될 수 있다. 이를 테면, 한 쌍으로 구비될 수 있다. 한 쌍의 분사 유닛(32) 각각은 드레싱 휠(312)을 중심으로 그라인딩 휠(211)의 둘레 방향 일측 및 타측 각각에 위치할 수 있다. 즉, 한 쌍의 분사 유닛(32)은 그라인딩 휠(211)의 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되되, 드레싱 휠(312)과 간섭되지 않게 구비될 수 있다. 참고로, 도 5에는 그라인딩 구조체(21)가 분사 유닛(32)의 도시를 위해 점선으로 도시되어 있다.For example, referring to FIG. 5 , a plurality of
또한, 드레싱 스핀들 구조체(31) 및 분사 유닛(32) 중 적어도 하나는 그라인딩 휠(211)이 그라인딩을 수행하는 동안 드레싱을 수행할 수 있다. 이에 따라, 그라인딩 휠(211)을 드레싱 하기 위해 별도로 시간을 소모할 필요가 없을 수 있다. In addition, at least one of the dressing
예를 들어, 그라인딩 휠(211)이 연삭하는 경우, 분사 유닛(32)은 드레싱을 수행할 수 있다. 그라인딩 휠(211)이 연삭하는 경우, 드레싱 스핀들 구조체(31)의 드레싱 휠(311)에 의한 드레싱까지 필요 없을 수 있다. 이 점을 고려하여, 그라인딩 휠(211)이 연삭하는 경우에는, 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 이루어지게 할 수 있고, 이에 따라, 그라인딩 휠(211)의 수명 단축이 감소될 수 있다.For example, when the
또한, 그라인딩 휠(211)이 황삭하는 경우, 드레싱 스핀들 구조체(31) 및 분사 유닛(32) 각각은 드레싱을 수행할 수 있다. 황삭시, 드레싱 스핀들 구조체(31)에 의한 드레싱뿐만 아니라 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행되므로, 그라인딩 휠(211)은 마모되며 드레싱되고, 동시에 그라인딩 휠(211)로부터 제거되어야 할 이물질이 세정액에 의해 제거될 수 있다. 이에 따라, 드레싱이 효과적으로 이루어질 수 있다.In addition, when the
또한, 본 드레싱 장치(3)는 그라인딩 휠(211)을 회전시키는 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터에 접속되는 전류값 측정부를 포함할 수 있다. 전류값 측정부는 그라인딩 휠(211)의 그라인딩시 발생하는 부하에 따라 변화하는 전류값, 즉, 모터의 전류값을 측정할 수 있다.In addition, the
또한, 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면, 분사 유닛(32)은 드레싱을 수행할 수 있다. 여기서 제1 미리 설정된 값은 후술하는 제2 미리 설정된 값보다 작을 수 있다. 따라서, 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값보다 크면 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다.In addition, when the current value of the motor providing power to the grinding rotation shaft is equal to or greater than the first preset value, the
또한, 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이 되면, 드레싱 스핀들 구조체(31)는 드레싱을 수행할 수 있다. 여기서 제2 미리 설정된 값은 제1 미리 설정된 값보다 클 수 있다. 이에 따라, 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이되면 드레싱 스핀들 유닛(31)에 의한 드레싱 및 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다.In addition, when the current value of the motor providing power to the grinding rotation shaft is equal to or greater than the second preset value, the dressing
정리하면, Grinding 시 사용되는 그라인딩 휠(Grinding wheel)(211)은 초기 Dressing후 가공 횟수가 증가함에 따라 그라인딩 휠(211) 내부 기공이 막혀 절삭성이 떨어지고 접촉부가 변형이 되어 가공성이 떨어져 TTV가 점차 나쁘게 될 수 있다. 이런 이유로 그라인딩 후 주기적으로 Dressing board나 Dressing stone으로 그라인딩 휠(211)을 Dressing을 해 주어야 하는데 시간이 소모되어 UPH 저하의 원인이 될 수 있었다.In summary, as the number of machining increases after initial dressing, the
본 드레싱 장치(3)에 의하면, 그라인딩 중 자동으로 드레싱이 수행될 수 있다. 구체적으로, 그라인딩 휠(211)로 제품을 가공하며 별도의 축에 드레싱 휠(Dressing stone)(311)을 장착하여 Grinding 작업과 동시에 드레싱 휠(311)에 의한 Dressing 작업을 하고, 분사 유닛(32)에 의한 드레싱 작업을 하여 시간 소모를 없앨 수 있다. 이때, 운용 방식은 주기적 Dressing(가공 몇 회마다 가공 중 Dressing 1회)할 수 있다.According to the
또는, 그라인딩 회전축을 회전시키는 모터의 전류값(Wheel spindle 전류량(Clogging시 절삭성이 올라가 전류값이 올라 감)이 설정 전류량을 초과하면 Dressing이 수행되는 것으로 이루어질 수 있다.Alternatively, if the current value of the motor rotating the grinding shaft (the current amount of the wheel spindle (the current value increases due to machinability during clogging) exceeds the set current amount), the dressing may be performed.
구체적으로, 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면, 분사 유닛(32)은 드레싱을 수행할 수 있고, 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이 되면, 드레싱 스핀들 구조체(31)는 드레싱을 수행할 수 있다. 여기서 제2 미리 설정된 값은 제1 미리 설정된 값보다 클 수 있다. 이에 따라, 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이되면 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있고, 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이되면 드레싱 스핀들 유닛(31)에 의한 드레싱 및 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. 참고로, 연삭인 경우에는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이고 제2 미리 설정된 값 미만일 수 있다. 이에 따라, 연삭일 때는 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. 또한, 황삭인 경우에는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상일 수 있다. 이에 따라, 황삭일 때는 이상이되면 드레싱 스핀들 유닛(31)에 의한 드레싱 및 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다.Specifically, when the current value of the motor providing power to the grinding rotation shaft is equal to or greater than the first preset value, the
이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 드레싱 방법(이하 '본 드레싱 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 본 드레싱 방법은 그라인딩 구조체(21)의 그라인딩 휠(211)에 대하여 드레싱을 수행하는 드레싱 스핀들 구조체(31) 및 그라인딩 휠(211)에 대하여 드레싱을 수행하는 분사 유닛(32)을 포함하는 드레싱 장치(3)의 드레싱 방법에 관한 것이다. 참고로 상기 드레싱 장치(3)는 전술한 본 드레싱 장치(3)일 수 있다. 이에 따라, 본 드레싱 방법의 설명과 관련하여 전술한 본 드레싱 장치에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다. Hereinafter, a dressing method (hereinafter referred to as 'this dressing method') according to an embodiment of the present application will be described. The present dressing method is a dressing apparatus including a dressing
또한, 본 드레싱 방법은, 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1), 전술한 본 드레싱 장치(3) 및 후술할 본 그라인더와 내용을 공유할 수 있다. 이에 따라, 본 드레싱 방법의 설명과 관련하여 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1), 전술한 본 드레싱 장치(3) 및 후술할 본 그라인더에서 설명할 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.In addition, this dressing method can share the content with the bone thickness
본 드레싱 방법은 그라인딩 휠(211)이 그라인딩하는 단계를 포함한다. 그라인딩하는 단계에서, 그라인딩 휠(211)은 척 테이블(222) 상에 배치된 반도체 스트립(9)을 그라인딩할 수 있다. 예를 들어, 그라인딩 휠(211)은 그라인딩 휠(211)의 반경 방향 중심이 척 테이블(222)의 중심에 대해 편심되게, 다시 말해 엇갈리게 배치되되, 그라인딩 휠(211)이 첫 테이블(222)의 적어도 일부와 대향하게 배치될 수 있고, 이러한 상태에서 그라인딩 휠(211)이 회전하고, 첫 테이블(222)이 회전됨으로써, 척 테이블(222) 상의 반도체 스트립(9)이 그라인딩될 수 있다.The dressing method includes grinding the
또한, 본 드레싱 방법은 드레싱 장치(3)(전술한 본 드레싱 장치(3)일 수 있음)가 그라인딩 휠(211)을 드레싱하는 단계를 포함한다. 드레싱하는 단계는 그라인딩하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다. 이하에서 구체적으로 설명한다.Also, the present dressing method includes the step of dressing the
먼저, 드레싱하는 단계는 드레싱 스핀들 구조체(31)가 드레싱하는 단계 및 분사 유닛(32)이 드레싱하는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.First, the dressing includes at least one of dressing by the dressing
이를 테면, 그라인딩하는 단계는 연삭하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 그라인딩하는 단계는 연삭하는 단계일 수 있다. 분사 유닛(32)이 드레싱하는 단계는 연삭하는 단계가 수행되면 수행될 수 있다.For example, grinding may include grinding. For example, the grinding step may be a grinding step. The step of dressing the
또한, 그라인딩하는 단계는, 황삭하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 그라인딩하는 단계는 황삭하는 단계일 수 있다. 드레싱 스핀들 구조체(31)가 드레싱하는 단계 및 분사 유닛(32)이 드레싱하는 단계는 황삭하는 단계가 수행되면 수행될 수 있다.Also, the grinding may include roughing. For example, the grinding step may be a roughing step. The dressing of the dressing
또한, 본 드레싱 방법은, 그라인딩 휠(211)을 회전시키는 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값을 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 전류값을 측정하는 단계는 그라인딩하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다.Also, the dressing method may include measuring a current value of a motor that provides power to a grinding rotation shaft that rotates the
또한, 분사 유닛(32)이 드레싱하는 단계는, 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면 수행될 수 있다.In addition, the step of dressing the
또한, 드레싱 스핀들 구조체(31)가 드레싱하는 단계는, 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이 되면 수행될 수 있다.In addition, the dressing step of the dressing
정리하면, 본 드레싱 방법에 의하면, 그라인딩 중 자동으로 드레싱이 수행될 수 있다. 구체적으로, 그라인딩 휠(211)로 제품을 가공하며 별도의 축에 드레싱 휠(Dressing stone)(311)을 장착하여 Grinding 작업과 동시에 드레싱 휠(311)에 의한 Dressing 작업을 하고, 분사 유닛(32)에 의한 드레싱 작업을 하여 시간 소모를 줄일 수 있다. 이때, 운용 방식은 주기적 Dressing(가공 몇 회마다 가공 중 Dressing 1회)할 수 있다.In summary, according to the present dressing method, the dressing can be performed automatically during grinding. Specifically, the product is processed with the
또는, 그라인딩 회전축을 회전시키는 모터의 전류값(Wheel spindle 전류량(Clogging시 절삭성이 올라가 전류값이 올라 감)이 설정 전류량을 초과하면 Dressing이 수행되는 것으로 이루어질 수 있다.Alternatively, if the current value of the motor rotating the grinding shaft (the current amount of the wheel spindle (the current value increases due to machinability during clogging) exceeds the set current amount), the dressing may be performed.
구체적으로, 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면, 분사 유닛(32)은 드레싱을 수행할 수 있고, 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이 되면, 드레싱 스핀들 구조체(31)는 드레싱을 수행할 수 있다. 여기서 제2 미리 설정된 값은 제1 미리 설정된 값보다 클 수 있다. 이에 따라, 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이되면 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있고, 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이되면 드레싱 스핀들 유닛(31)에 의한 드레싱 및 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. 참고로, 연삭인 경우에는 모터의 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이고 제2 미리 설정된 값 미만일 수 있다. 이에 따라, 연삭일 때는 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. 또한, 황삭인 경우에는 모터의 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상일 수 있다. 이에 따라, 황삭일 때는 이상이되면 드레싱 스핀들 유닛(31)에 의한 드레싱 및 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다.Specifically, when the current value of the motor providing power to the grinding rotation shaft is equal to or greater than the first preset value, the
이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 그라인더(이하 '본 그라인더'라 함)에 대해 설명한다. 본 그라인더는 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1), 전술한 본 드레싱 장치(3) 및 전술한 본 드레싱 방법과 내용을 공유할 수 있다. 이에 따라, 본 그라인더의 설명과 관련하여 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1), 전술한 본 드레싱 장치(3) 및 전술한 본 드레싱 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a grinder (hereinafter referred to as a 'bone grinder') according to an embodiment of the present application will be described. The bone grinder may share the content with the bone thickness
도 6을 참조하면, 본 그라인더는 로딩부(5)를 포함한다. 로딩부(5)는 반도체 스트립(9)을 공급한다.Referring to FIG. 6 , this grinder includes a
도 7 및 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 반도체 스트립(9)이 수용된 매거진(91)이 적재되는 적재 구조체(51)를 포함할 수 있다. 적재 구조체(51)는 매거진(91)이 적재되는 적재 플레이트(511)를 하나 이상 포함할 수 있다. 매거진(91)은 적재 플레이트(511)의 길이 방향(y축 방향)을 따라 이동 가능하다.7 and 8 , the
또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 반도체 스트립(9)이 준비되는 준비 레일 유닛(52)을 포함할 수 있다. 반도체 스트립(9)은 매거진(91)으로부터 준비 레일 유닛(52)로 이동될 수 있다. 예를 들어, 준비 레일 유닛(52)은 적재 구조체(51)의 x축 타측에 위치할 수 있다. 준비 레일 유닛(52)은 y축 방향으로 간격을 두고 x축으로 연장되는 한 쌍의 레일부(521, 522)를 포함할 수 있다. 한 쌍의 레일부(521, 522) 각각은 홈이 길이 방향으로 형성되며 단면이 ㄷ형상일 수 있다. 반도체 스트립(9)의 y축 일측부는 한 쌍의 레일부(521, 522) 중 하나(521)의 홈에 삽입되고 반도체 스트립(9)의 y축 타측부는 한 쌍의 레일부(521, 522) 중 다른 하나(522)의 홈에 삽입되어 한 쌍의 레일부(521, 522)를 따라 이동될 수 있다.In addition, referring to FIGS. 7 and 8 , the
또한, 도 7을 참조하면, 로딩부(5)는 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)을 준비 레일 유닛(52) 측으로 이동시키는 푸셔(53)를 포함할 수 있다. 푸셔(53)는 반도체 스트립(9)을 푸쉬(외력을 가)할 수 있다.In addition, referring to FIG. 7 , the
또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)을 푸셔(53)가 푸쉬할 수 있는 위치에 위치하도록 매거진(91)을 파지하여 매거진(91)을 이동시키는 매거진 파지부(56)를 포함할 수 있다. 매거진 파지부(56)는 적재 플레이트(511)의 y축 일측으로 이동하여 매거진 파지부(56)가 파지할 수 있는 위치에 위치한 매거진(91)을 파지하여 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)을 푸셔(53)가 푸쉬할 수 있는 위치에 위치하도록 매거진(91)을 옮길 수 있다. 또한, 푸셔(53)가 매거진(91)내의 반도체 스트립(9)하나를 푸쉬하여 반도체 스트립(9) 하나가 준비 레일 유닛(52)로 이동하면, 매거진 파지부(56)는 다음 반도체 스트립(9)이 푸셔(53)에 의해 푸쉬될 수 있도록 매거진 파지부(56)를 이동시킬 수 있다.In addition, referring to FIGS. 7 and 8 , the
또한, 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 푸셔(53)에 의해 푸쉬된 반도체 스트립(9)을 파지하여 당겨 준비 레일 유닛(52) 상에 위치시키는 피더(54)를 포함할 수 있다. 즉, 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)은 푸셔(53)와 피더(54)에 의해 준비 레일 유닛(52)로 이동되어 준비 레일 유닛(52)의 길이 방향(x축 방향)을 따라 이동되어 로딩 위치에 준비될 수 있다.In addition, referring to FIG. 8 , the
또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 이동 테이블(58)을 포함할 수 있다. 이동 테이블(58)은 상하로 이동 가능하고 수평 방향으로 이동 가능하다. 또한, 이동 테이블(58)은 반도체 스트립(9)이 준비 레일 유닛(52)의 길이 방향을 따라 이동되어 로딩 위치에 준비되면 로딩 위치에 준비된 반도체 스트립(9)의 하측에서 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)을 지지할 수 있고, 반도체 스트립(9)을 지지하면, 하측으로 이동하고, 반도체 스트립(9)이 후술할 픽커부(6)에 파지될 수 있는 영역으로 반도체 스트립(9)을 이동시킨 후, 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)이 픽커부(6)에 파지될 수 있는 높이에 위치하게 할 수 있다.In addition, referring to FIGS. 7 and 8 , the
또한, 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 이동 테이블(58) 상에 놓여 지는(지지되는) 반도체 스트립(9)을 준비 상태로 만들어주는 수평 상태 형성부(57)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 이동 테이블(58)이 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)을 지지하면, 수평 상태 형성부(5)는 반도체 스트립(9)을 가압하여 반도체 스트립(9)이 수평 상태 형성부(5)에 의해 가압되기 전 대비 수평도가 향상되게 할 수 있다. 구체적으로, 수평 상태 형성부(5)에 의해 가압되기 전 반도체 스트립(9)은 길이 방향 중간부가 길이 방향 일측부 및 타측부 대비 볼록한 상태일 수 있다. 이러한 상태에서 수평 상태 형성부(5)가 반도체 스트립(9)을 가압함으로써 반도체 스트립(9)의 길이 방향 중간부가 하측으로 눌러지며 수평도(평평한 정도)가 증가될 수 있다.In addition, referring to FIG. 8 , the
또한, 도 8을 참조하면, 로딩부(5)는 반도체 스트립(9)의 바코드를 식별하는 바코드 스캐너(59)를 포함할 수 있다. 바코드 스캐너(59)는 반도체 스트립(9)의 상면에 형성된 바코드를 읽을 수 있다. 예를 들어, 바코드 스캐너(59)의 바코드 리딩은 수평 상태 형성부(57)의 가압 이전에 수행될 수 있다.Also, referring to FIG. 8 , the
전술한 바에 따르면, 적재 구조체(51)의 적재 플레이트(511) 상에 매거진(91)이 준비되고, 매거진(91)이 적재 플레이트(511)의 y축 일측부 상에 위치하면 매거진 파지부(56)는 매거진(91)을 파지하여 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)을 푸셔(53)가 푸쉬할 수 있는 위치에 매거진(91)을 위치시킬 수 있고, 매거진 파지부(91)에 의해 위치된 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)은 푸셔(53)에 의해 x축 타측으로 밀어지고 피더(54)에 의해 x축 타측으로 당겨지며 준비 레일 유닛(52)을 따라 x축 타측으로 이동될 수 있고, 준비 레일 유닛(52)의 x축 타측부에 형성되는 로딩 위치에 준비될 수 있고, 반도체 스트립(9)이 로딩 위치에 준비되면, 이동 테이블(58)이 하측에서 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)이 이동 테이블(58) 상에 얹져지게 될 수 있고, 바코드 스캐너(59)가 반도체 스트립(9)의 바코드를 리딩할 수 있으며, 이후, 수평 상태 형성부(57)가 하측으로 이동하여 반도체 스트립(9)을 가압할 수 있고, 이후, 수평 상태 형성부(57)는 상측으로 이동하며 제거되고, 동시에, 준비 레일 유닛(52)은 y축 방향으로 서로 멀어지며 준비 레일부 각각으로부터 반도체 스트립(9)의 파지가 해지되게 할 수 있고, 준비 레일 유닛(52)의 반도체 스트립(9)의 파지가 해지되면 이동 테이블(58)은 하측으로 이동되고, 수평 방향으로 이동하여 픽커부(6)에 파지될 수 있는 영역으로 반도체 스트립(9)을 이동시킨 후, 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)이 픽커부(6)에 파지될 수 있는 높이에 위치하게 할 수 있다.According to the foregoing, the
또한, 도 6 및 도 9를 참조하면, 본 그라인더는 반도체 스트립의 그라인딩이 이루어지는 가공부(2)를 포함한다.Further, referring to FIGS. 6 and 9 , the present grinder includes a processing unit 2 in which a semiconductor strip is grinded.
도 9를 참조하면, 가공부(2)는 테이블 구조체(22)를 포함한다. 테이블 구조체(22)는 회전 가능한 본판부(221)를 포함한다. 본판부(221)는 원형의 단면을 가질 수 있다. 또한, 테이블 구조체(22)는 본판부(221)의 상면 상에 본판부(221)의 둘레 방향으로 간격을 두고 구비되는 제1 내지 제3 척 테이블(222)을 포함한다. 본판부(221)는 제1 내지 제3 척 테이블(222) 중 하나가 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역, 황삭 영역 및 연삭 영역을 순차적으로 거치도록 회전된다.Referring to FIG. 9 , the processing unit 2 includes a
척 테이블(222)이 특정 영역에 위치할 때, 후술할 픽커부(6)에 의해 전술한 로딩부(5)로부터 픽업된 반도체 스트립(9)이 척 테이블(222)에 놓여 질 수 있는데, 이와 같이, 반도체 스트립(9)이 놓여 질 수 있는 상기 특정 영역이 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역일 수 있다. 또한, 황삭 영역은 척 테이블(222)이 특정 영역에 위치할 때 황삭될 수 있는데, 황삭이 이루어지는 특정 영역이 황삭 영역일 수 있다. 또한, 연삭 영역은 척 테이블(222)이 특정 영역에 위치할 때 연삭될 수 있는데, 연삭이 이루어지는 특정 영역이 연삭 영역일 수 있다.When the chuck table 222 is positioned in a specific area, the
또한, 제1 내지 제3 척 테이블(222) 중 하나가 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하면, 다른 하나는 황삭 영역에 위치할 수 있고, 또 다른 하나는 연삭 영역에 위치할 수 있다. 또한, 본판부(221)는 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하던 척 테이블(222)이 황삭 영역에 위치하도록 둘레 방향 중 일 방향으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 척 테이블(222) 중 하나가 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치한 상황에서 본판부(221)가 일 방향으로 회전하면, 제1 내지 제3 척 테이블(222) 중 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하던 하나는 황삭 영역에 위치할 수 있고, 황삭 영역에 위치하던 다른 하나는 연삭 영역에 위치하게 될 수 있고, 연삭 영역에 위치하던 또 다른 하나는 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하게 될 수 있다.In addition, when one of the first to third chuck tables 222 is located in the semiconductor strip placement or removal area, the other may be located in the roughing area, and the other one may be located in the grinding area. Also, the
또한, 도 9를 참조하면, 가공부(2)는 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b)를 포함할 수 있다. 참고로, 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b)는 전술한 그라인딩 구조체(21)와 대응될 수 있다. 참고로, 황삭 및 연삭 각각은 그라인딩의 한 종류일 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.Also, referring to FIG. 9 , the processing unit 2 may include a
도 9를 참조하면, 제1 그라인딩 구조체(21a)는 황삭 영역에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 그라인딩 구조체(21a)는 그라인딩 휠(211)을 포함한다. 또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)는 그라인딩 휠(211)을 회전시키는 그라인딩 회전축을 포함한다. 또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)의 그라인딩 휠(211)은 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(222)의 상측에서 적어도 일부가 척 테이블(222)의 적어도 일부와 대향하게 배치될 수 있다. 이때, 그라인딩 휠(211)의 중심과 척 테이블(222)의 중심은 엇갈릴 수 있다. 이에 따라, 그라인딩 휠(211)은 적어도 일부는 척 테이블(222)과 대향하고 적어도 일부는 드레싱 휠(311)과 대향하게 배치될 수 있다. 또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)는 그라인딩 휠(211)을 상하 이동시키는 상하 이동 모듈을 포함할 수 있다. 상하 이동 모듈은 실린더를 포함할 수 있다. 상하 이동 모듈은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 9 , the
또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)는 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(222) 상의 반도체 스트립(9)을 황삭(그라인딩)할 수 있다. 예를 들어, 황삭 영역에 척 테이블(222)이 위치하게 되면, 그라인딩 휠(211)은 하측으로 이동되어 적어도 일부가 척 테이블(222) 상의 복수의 반도체 스트립(9)의 적어도 일부에 접촉될 수 있고, 이후 회전되어 복수의 반도체 스트립(9)을 황삭할 수 있다. 이러한 황삭 수행시 척 테이블(222) 또한 회전되는 상태일 수 있다. 황삭이 끝나면, 그라인딩 휠(211)은 상측으로 이동되어 반도체 스트립(9)으로부터 이격될 수 있다.Also, the
도 9를 참조하면, 제2 그라인딩 구조체(21b)는 연삭 영역에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 그라인딩 구조체(21b)는 그라인딩 휠(211)을 포함한다. 또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)는 그라인딩 휠(211)을 회전시키는 그라인딩 회전축을 포함한다. 또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)의 그라인딩 휠(211)은 연삭 영역에 위치하는 척 테이블(222)의 상측에서 적어도 일부가 척 테이블(222)과 대향하게 배치될 수 있다. 이때, 그라인딩 휠(211)의 중심과 척 테이블(222)의 중심은 엇갈릴 수 있다. 이에 따라, 그라인딩 휠(211)은 적어도 일부는 척 테이블(222)과 대향하고 적어도 일부는 드레싱 휠(311)과 대향하게 배치될 수 있다. 또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)는 그라인딩 휠(211)을 상하 이동시키는 상하 이동 모듈을 포함할 수 있다. 상하 이동 모듈은 실린더를 포함할 수 있다. 상하 이동 모듈은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 9 , the
또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)는 연삭 영역에 위치하는 척 테이블(222) 상의 반도체 스트립(9)을 연삭(그라인딩)할 수 있다. 예를 들어, 연삭 영역에 척 테이블(222)이 위치하게 되면, 그라인딩 휠(211)은 하측으로 이동되어 적어도 일부가 척 테이블(222) 상의 복수의 반도체 스트립(9)의 적어도 일부에 접촉될 수 있고, 이후 회전되어 복수의 반도체 스트립(9)을 연삭할 수 있다. 이러한 연삭 수행시 척 테이블(222) 또한 회전되는 상태일 수 있다. 연삭이 끝나면, 그라인딩 휠(211)은 상측으로 이동되어 반도체 스트립(9)으로부터 이격될 수 있다.Also, the
또한, 본 그라인더는 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b) 각각에 대하여 구비되어 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b) 각각의 그라인딩 휠(211)을 드레싱하는 한 쌍의 드레싱 장치(3)를 포함할 수 있다. 한 쌍의 드레싱 장치(3) 각각은 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b) 각각의 그라인딩 휠(211)이 그라인딩을 수행하는 동안 드레싱을 수행할 수 있다.In addition, this grinder is provided for each of the
예를 들어, 드레싱 장치(3)는 드레싱 스핀들 구조체(31) 및 분사 유닛(32)을 포함할 수 있다. 또한, 이를 테면, 제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 드레싱 장치(3)의 드레싱 스핀들 구조체(31)는 제1 그라인딩 구조체(21a)의 그라인딩 휠(211)에 대하여 편심되되 그라인딩 휠(211)의 적어도 일부와 대향하게 배치되는 드레싱 휠(311) 및 드레싱 휠(311)을 회전시키는 회전 모듈을 포함할 수 있다. 드레싱 스핀들 구조체(31)가 제1 그라이딩 구조체(21a)의 그라인딩 휠(311)에 접촉된 상태로 회전(이를 테면, 드레싱 휠(311)은 상측으로 이동하여 그라인딩 휠(211)에 접촉되어 회전)함으로써 드레싱 스핀들 구조체(31)에 의한 드레싱이 이루어질 수 있다. 또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 드레싱 장치(3)의 분사 유닛(32)은 제1 그라인딩 구조체(21a)의 그라인딩 휠(211)에 세정액을 분사함으로써 드레싱을 수행할 수 있다. For example, the
또한, 이를 테면, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 드레싱 장치(3)의 드레싱 스핀들 구조체(31)는 제2 그라인딩 구조체(21b)의 그라인딩 휠(211)에 대하여 편심되되 그라인딩 휠(211)의 적어도 일부와 대향하게 배치되는 드레싱 휠(311) 및 드레싱 휠(311)을 회전시키는 회전 모듈을 포함할 수 있다. 드레싱 스핀들 구조체(31)가 제2 그라이딩 구조체(21a)의 그라인딩 휠(311)에 접촉된 상태로 회전(이를 테면, 드레싱 휠(311)은 상측으로 이동하여 그라인딩 휠(211)에 접촉되어 회전)함으로써 드레싱 스핀들 구조체(31)에 의한 드레싱이 이루어질 수 있다. 또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 드레싱 장치(3)의 분사 유닛(32)은 제2 그라인딩 구조체(21b)의 그라인딩 휠(211)에 세정액을 분사함으로써 드레싱을 수행할 수 있다.Also, for example, the dressing
또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)는 황삭을 수행할 수 있고, 제2 그라인딩 구조체(21b)는 연삭을 수행할 수 있다. 이러한 경우, 앞서 전술한 바에 따라, 제1 그라인딩 구조체(21a)의 그라인딩시에는 드레싱 스핀들 구조체(31)에 의한 드레싱 및 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있고, 제2 그라인딩 구조체(21b)의 그라인딩시에는 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. Also, the
또한, 가공부(2)는 로딩부(5)로부터 이송된 반도체 스트립(9)이 준비되는 준비 테이블(23)을 포함할 수 있다. 픽커부(5)에 의해 로딩부(5)로부터 이송되는 반도체 스트립(9)은 먼저 준비 테이블(23)에 플레이싱될 수 있고, 이후, 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222) 상에 위치하게 될 수 있다.In addition, the processing unit 2 may include a preparation table 23 on which the
또한, 가공부(2)는 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)을 클리닝하는 클리닝 구조체(7)를 포함할 수 있다. 클리닝 구조체(7)는 x축으로 연장 배치되는 레일부(79)를 따라 이동 가능하고, 승하강 가능하다. 이에 따라, 클리닝 구조체(7)는 레일부(79)를 따라 이동하는 구동, 승하강하는 구동 등을 통해 준비 테이블(23)에 접촉해 세정하거나, 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222) 상의 그라인딩이 완료된(황삭 및 연삭) 반도체 스트립(9)의 상면에 접촉하여 반도체 스트립(9)의 상면을 클리닝하거나, 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하며 그라인딩 완료된 반도체 스트립(9)이 제거된 상태의 척 테이블(222)의 상면에 접촉하여 클리닝할 수 있다.In addition, the processing unit 2 may include a
즉, 전술한 바에 따르면, 픽커부(6)는 로딩부(5)로부터 반도체 스트립(9)은 픽업하여 준비 테이블(23)에 플레이싱할 수 있고, 이때, 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)은 클리닝 구조체(7)에 의해 클리닝될 수 있고, 척 테이블(222)의 클리닝이 끝나면, 픽커부(6)는 척 테이블(222)로부터 반도체 스트립(9)을 픽업하여 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222) 상에 플레이싱할 수 있고, 본판부(221)는 상기 척 테이블(222)이 황삭 영역에 위치하게 회전할 수 있으며, 상기 척 테이블(222)이 황삭 영역에 위치하면 척 테이블(222) 상의 반도체 스트립(9)에 대한 황삭이 수행될 수 있고, 황삭이 끝나면, 상기 척 테이블(222)이 연삭 영역에 위치하도록 본판부(221)는 회전할 수 있으며, 상기 척 테이블(222)이 연삭 영역에 위치하면 척 테이블(222) 상의 반도체 스트립(9)에 대한 연삭이 수행될 수 있고, 연삭이 끝나면, 본판부(221)는 상기 척 테이블(222)이 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하도록 회전할 수 있다.That is, according to the foregoing, the
또한, 도 9를 참조하면, 본 그라인더는 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b) 각각에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1) 한 쌍을 포함할 수 있다. 한 쌍의 두께 게이지 측정 구조체(1) 각각은 제1 그라인딩 구조체(21a) 및 제2 그라인딩 구조체(21b) 각각에 의해 황삭 및 연삭되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 측정할 수 있다. 다시 말해, 제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 제1 그라인딩 구조체(21a)에 의해 의해 황삭되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 측정할 수 있고, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 제2 그라인딩 구조체(21b)에 의해 의해 연삭되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 측정할 수 있다. 또한, 제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)가 측정하는 황삭되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 측정할 수 있고, 반도체 스트립(9)의 두께가 미리 설정된 값이되면, 황삭이 중단(끝)될 수 있다. 또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)가 측정하는 연삭되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 측정할 수 있고, 반도체 스트립(9)의 두께가 미리 설정된 값이되면, 연삭이 중단(끝)될 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , the present grinder may include a pair of thickness
이러한 두께 게이지 측정 구조체(1)는 전술한 본 두께 게이지 측정 구조체(1)와 대응되는 구성일 수 있다.The thickness
이에 따라, 도 9를 참조하면, 제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(211)의 상면에 접촉하게 배치되는 제1 컨택터(111)를 포함하는 제1 게이지(11)를 포함할 수 있다. 제1 게이지(11)는 척 테이블(211)이 황삭 영역에 위치하게 되면, 제1 컨택터(111)가 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(211)의 상면에 위치하게 구동할 수 있고, 황삭이 끝나 척 테이블(211)의 이동이 가능하도록, 척 테이블(211)로부터 제거될 수 있다.Accordingly, referring to FIG. 9 , the thickness
또한, 도 9를 참조하면, 제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 제2 게이지(12)를 포함한다. 제2 게이지(12)는 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)를 포함할 수 있다. 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 각각은 각각의 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(211) 상의 반도체 스트립(9)의 상면에 접촉하게 배치될 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , the thickness
또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(211)의 상면에 접촉하게 배치되는 제1 컨택터(111)를 포함하는 제1 게이지(11)를 포함할 수 있다. 제1 게이지(11)는 척 테이블(211)이 황삭 영역에 위치하게 되면, 제1 컨택터(111)가 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(211)의 상면에 위치하게 구동할 수 있고, 황삭이 끝나 척 테이블(211)의 이동이 가능하도록, 척 테이블(211)로부터 제거될 수 있다.In addition, the thickness
또한, 도 9를 참조하면, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 제2 게이지(12)를 포함한다. 제2 게이지(12)는 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122)를 포함할 수 있다. 제2 컨택터(121) 및 제3 컨택터(122) 각각은 각각의 황삭 영역에 위치하는 척 테이블(211) 상의 반도체 스트립(9)의 상면에 접촉하게 배치될 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , the thickness
또한, 제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 두께 게이지 측정 구조체(1)는 제1 컨택터(111)의 높이와 제2 및 제3 컨택터(121, 122)의 높이로부터 반도체 스트립(9)의 두께 정보를 산정하는 계측부를 포함할 수 있다.In addition, the thickness
또한, 도 9를 참조하면, 본 그라인더는 로딩부(5)로부터 가공부(2)로 반도체 스트립(9)을 이송하거나, 또는 가공부(2)로부터 후술하는 세정부(4)로 반도체 스트립을 이송하는 픽커부(6)를 포함할 수 있다.In addition, referring to FIG. 9 , this grinder transfers the
픽커부(6)는 암 구조체(61)를 포함할 수 있다. 암 구조체(61)는 암 유닛(611) 및 암 유닛(611)의 서단부에 구비된 흡착부(612)를 포함할 수 있다. 흡착부(612)가 반도체 스트립(9)을 흡착함으로써 반도체 스트립(9)은 픽업될 수 있고, 흡착부(612)가 반도체 스트립(9)에 대한 흡착을 해제함으로써 반도체 스트립(9)은 플레이싱될 수 있다. 또한, 암 구조체(61)는 하나 이상 구비될 수 있다. 예를 들어, 2개 구비될 수 있다. 또한, 픽커부(6)는 하나 이상의 암 구조체(61) 각각을 회전시키는 회전 모듈(62)을 하나 이상 포함할 수 있다. 암 구조체(61)는 회전 모듈(62)을 중심으로 회전할 수 있다.The
또한, 도 9를 참조하면, 암 구조체(61)가 복수 개 구비되는 경우, 제1 암 구조체(61)는 로딩부(5)로부터 반도체 스트립(9)을 픽업하여 전술한 준비 테이블(23)에 플레이싱 할 수 있다. 또한, 제2 암 구조체(61)는 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)로부터 반도체 스트립(9)을 픽업하여 세정부(4)로 이송할 수 있다.Also, referring to FIG. 9 , when a plurality of
또한, 도 10을 참조하면, 세정부(4)는 반도체 스트립(9)의 하면을 클리닝하는 제1 세정 구조체(41)를 포함할 수 있다. 제1 세정 구조체(41)는 세정액(이를 테면, DI 워터)를 분사하는 분사부 및 롤러부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 암 구조체(61)는 반도체 스트립을 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)로부터 픽업하여 제1 세정 구조체(41)의 롤러부의 상측을 지날 수 있는데, 이때, 롤러부와 반도체 스트립(9)이 접촉될 수 있고, 분사부는 제1 세정 구조체(41)의 롤러부의 상측을 통과하는 반도체 스트립(9)의 하면에 세정액을 분사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 스트립(9)의 하면은 롤러부에 의해 브러쉬질되며 세정액 분사에 의해 세정될 수 있다.Also, referring to FIG. 10 , the
또한, 도 10을 참조하면, 세정부(4)는 반도체 스트립(9)의 상면 및 하면을 클리닝하는 제2 세정 구조체(42)를 포함할 수 있다. 제2 세정 구조체(42)는 반도체 스트립(9)의 수용이 가능한 본체 및 본체에 수용된 반도체 스트립(9)의 상면 및 하면 각각에 세정액을 분사하는 분사부를 포함할 수 있다. 제2 암 구조체(61)는 파지한 반도체 스트립(9)이 제1 세정 구조체(41)의 롤러부의 상측을 지나게 한 후 제2 세정 구조체(42)의 본체 내부에 반도체 스트립(9)을 플레이싱할 수 있다. 본체에 반도체 스트립(9)이 플레이싱되면 분사부는 반도체 스트립(9)의 상면 및 하면 각각에 세정액을 분사할 수 있다.Also, referring to FIG. 10 , the
또한, 도 6을 참조하면, 본 그라인더는 세정된 반도체 스트립이 적재되는 언로딩부(8)를 포함한다.Further, referring to FIG. 6 , the grinder includes an
도 11을 참조하면, 언로딩부(8)는 드라잉 유닛(88)을 포함할 수 있다. 제2 세정 구조체(42)에서 상면 및 하면 각각이 세정된 반도체 스트립은 드라잉 유닛(88)을 통과할 수 있고, 드라잉 유닛(88)은 반도체 스트립을 드라이(건조)할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the
또한, 도 11을 참조하면, 언로딩부(8)는 배출용 레일부(81)를 포함할 수 있다. 배출용 레일부(81)는 X축으로 연장 형성될 수 있다. 또한, 언로딩부(8)는 드라잉 유닛(88)으로부터 건조된 반도체 스트립(9)을 픽업하여 배출용 레일부(81)에 플레이싱하는 이송부(82)를 포함할 수 있다. 또한, 언로딩부(8)는 푸셔(83)를 포함할 수 있다.Also, referring to FIG. 11 , the
도 11을 참조하면, 이송부(82)에 의해 드라이된 반도체 스트립(9)은 배출용 레일부(81)에 플레이싱될 수 있고, 이 후, 푸셔(83)는 배출용 레일부(81)에 배치된 반도체 스트립(9)을 푸쉬하여 매거진(91)에 유입되게 할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the
또한, 도 11을 참조하면, 언로딩부(8)는 매거진(91)을 파지하고 매거진(91)을 이송하는 매거진 이송 모듈(85)을 포함할 수 있다. 푸셔(83)에 의해 반도체 스트립(9)이 매거진 이송 모듈(85)에 파지된 상태의 매거진(91) 내로 유입될 수 있다.In addition, referring to FIG. 11 , the
또한, 도 11을 참조하면, 언로딩부(8)는 매거진(91)이 적재되는 적재 구조체(86)를 포함할 수 있다. 적재 구조체(86)는 매거진(91)이 적재되는 적재 플레이트를 하나 이상 포함할 수 있다. 매거진 이송 모듈(85)은 그가 파지하고 있는 매거진(91)에 그라인딩, 세정 및 드라이 완료된 반도체 스트립(9)이 소정 이상 배치되면 매거진(91)을 적재 구조체(86)에 적재할 수 있다.Also, referring to FIG. 11 , the
전술한 바에 따르면, 본 그라인더에 의한 그라인딩은 다음과 같이 수행될 수 있다.As described above, grinding by the present grinder may be performed as follows.
적재 구조체(51)의 적재 플레이트(511) 상에 매거진(91)이 준비되고, 매거진(91)이 적재 플레이트(511)의 y축 일측부 상에 위치하면 매거진 파지부(56)는 매거진(91)을 파지하여 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)을 푸셔(53)가 푸쉬할 수 있는 위치에 매거진(91)을 위치시킬 수 있고, 매거진 파지부(91)에 의해 위치된 매거진(91) 내의 반도체 스트립(9)은 푸셔(53)에 의해 x축 타측으로 밀어지고 피더(54)에 의해 x축 타측으로 당겨지며 준비 레일 유닛(52)을 따라 x축 타측으로 이동될 수 있고, 준비 레일 유닛(52)의 x축 타측부에 형성되는 로딩 위치에 준비될 수 있고, 반도체 스트립(9)이 로딩 위치에 준비되면, 이동 테이블(58)이 하측에서 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)이 이동 테이블(58) 상에 얹져지게 될 수 있고, 바코드 스캐너(59)가 반도체 스트립(9)의 바코드를 리딩할 수 있으며, 이후, 수평 상태 형성부(57)가 하측으로 이동하여 반도체 스트립(9)을 가압할 수 있고, 이후, 수평 상태 형성부(57)는 상측으로 이동하며 제거되고, 동시에, 준비 레일 유닛(52)은 y축 방향으로 서로 멀어지며 준비 레일부 각각으로부터 반도체 스트립(9)의 파지가 해지되게 할 수 있고, 준비 레일 유닛(52)의 반도체 스트립(9)의 파지가 해지되면 이동 테이블(58)은 하측으로 이동되고, 수평 방향으로 이동하여 픽커부(6)에 파지될 수 있는 영역으로 반도체 스트립(9)을 이동시킨 후, 상측으로 이동하여 반도체 스트립(9)이 픽커부(6)에 파지될 수 있는 높이에 위치하게 할 수 있다.When the
이후, 픽커부(6)의 제1 암 구조체(61)가 이동 테이블(58) 상의 복수(이를 테면 2개)의 반도체 스트립(9)을 파지하여, 준비 테이블(23)에 플레이싱할 수 있다. 이때, 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)은 그에 플레이싱되어있었던 그라인딩 완료된 반도체 스트립(9)(이를 테면 2 개)이 제거되고 클리닝 구조체(7)에 의해 세정될 수 있다. 척 테이블(222)의 클리닝이 끝나면, 픽커부(6)는 척 테이블(222)로부터 반도체 스트립(9)을 픽업하여 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222) 상에 플레이싱할 수 있고, 본판부(221)는 상기 척 테이블(222)이 황삭 영역에 위치하게 일 방향으로 회전할 수 있다.Thereafter, the
상기 척 테이블(222)이 황삭 영역에 위치하면, 제1 그라인딩 구조체(21a)의 그라인딩 휠(211)은 하측으로 이동되어 상기 척 테이블(222) 상의 복수의 반도체 스트립(이를 테면 2 개)에 접촉될 수 있고, 황삭 영역에 위치하는 본 두께 게이지 측정 구조체(1)(제1 그라인딩 구조체(21a)에 대하여 구비되는 본 두께 게이지 측정 구조체(1))의 제1 게이지(11) 및 제2 게이지(12)가 하측으로 이동되어 제1 게이지(11)는 상기 척 테이블(222)의 상면에 접촉될 수 있고, 제2 게이지(12)는 제2 및 제3 컨택터(121, 122) 중 적어도 하나가 복수의 반도체 스트립(9)의 적어도 하나의 상면에 접촉될 수 있다. 이후, 그라인딩 휠(211)이 회전되고 척 테이블(222)이 회전되며 그라인딩이 이루어질 수 있고, 이때, 드레싱 휠(31) 및 분사 유닛(32) 각각에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. 또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)에 의해 실시간으로 반도체 스트립(9)의 두께 정보가 측정될 수 있는데, 측정되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보에 따라, 반도체 스트립(9)의 그라인딩 정도가 미리 설정된 정도가 되면, 그라인딩이 멈추도록, 그라인딩 휠(211)은 회전을 멈추고 상측으로 이동할 수 있고, 드레싱 휠(31)은 드레싱이 멈추도록 회전을 멈추고 하측으로 이동할 수 있으며, 분사 유닛(32)은 분사를 멈출 수 있다. 또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)의 제1 게이지(11) 및 제2 게이지(12)는 상측으로 이동하여 척 테이블(222) 및 반도체 스트립(9) 각각에 대한 접촉을 해제할 수 있다.When the chuck table 222 is positioned in the roughing area, the
이후, 본판부(221)는 척 테이블(222)이 연삭 영역으로 이동하도록 일 방향으로 회전할 수 있다. 상기 척 테이블(222)이 연삭 영역에 위치하면, 제2 그라인딩 구조체(21b)의 그라인딩 휠(211)은 하측으로 이동되어 상기 척 테이블(222) 상의 복수의 반도체 스트립(이를 테면 2 개)에 접촉될 수 있고, 연삭 영역에 위치하는 본 두께 게이지 측정 구조체(1)(제2 그라인딩 구조체(21b)에 대하여 구비되는 본 두께 게이지 측정 구조체(1))의 제1 게이지(11) 및 제2 게이지(12)가 하측으로 이동되어 제1 게이지(11)는 상기 척 테이블(222)의 상면에 접촉될 수 있고, 제2 게이지(12)는 제2 및 제3 컨택터(121, 122) 중 적어도 하나가 복수의 반도체 스트립(9)의 적어도 하나의 상면에 접촉될 수 있다. 이후, 그라인딩 휠(211)이 회전되고 척 테이블(222)이 회전되며 그라인딩이 이루어질 수 있고, 이때, 분사 유닛(32)에 의한 드레싱이 수행될 수 있다. 또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)에 의해 실시간으로 반도체 스트립(9)의 두께 정보가 측정될 수 있는데, 측정되는 반도체 스트립(9)의 두께 정보에 따라, 반도체 스트립(9)의 그라인딩 정도가 미리 설정된 정도가 되면, 그라인딩이 멈추도록, 그라인딩 휠(211)은 회전을 멈추고 상측으로 이동할 수 있고, 분사 유닛(32)은 분사를 멈출 수 있다. 또한, 본 두께 게이지 측정 구조체(1)의 제1 게이지(11) 및 제2 게이지(12)는 상측으로 이동하여 척 테이블(222) 및 반도체 스트립(9) 각각에 대한 접촉을 해제할 수 있다.Thereafter, the
이후, 본판부(221)는 척 테이블(222)이 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하도록 일 방향으로 회전할 수 있다. 한편, 본판부(221)에는 척 테이블(222)이 복수 개, 이를 테면, 3개 구비될 수 있는데, 상기 척 테이블(222)이 거친 과정을 다른 척 테이블(222)도 거칠 수 있다. 이에 따라, 예를 들어, 상기 척 테이블(222)이 그라인딩을 마치고 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치할 때, 상기 척 테이블(222)의 상기 일 방향의 반대 방향인 타방향으로 이웃하는 이웃 척 테이블(222)은 연삭 영역에 위치하여 상기 척 테이블(222)이 연삭 영역에서 거쳤던 과정을 거칠 수 있고, 상기 이웃 척 테이블(222)의 상기 타 방향으로 이웃하는 다른 척 테이블(222)은 황삭 영역에 위치하여 상기 척 테이블(222)이 황삭 영역에서 거쳤던 과정을 거칠 수 있다.Thereafter, the
또한, 척 테이블(222)이 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하면, 픽커부(6)의 제2 암 구조체(61)는 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)로부터 플레이싱 되었던 복수(2개)의 반도체 스트립(9)을 픽업하여제1 세정 구조체(41)의 롤러부의 상측을 지날 수 있고, 이 과정에서, 그라인딩 후 척 테이블(222)에 위치하였던 복수의 반도체 스트립(9)의 하면에 대한 클리닝이 수행될 수 있다. 제2 암 구조체(61)는 파지한 복수의 반도체 스트립(9)이 제1 세정 구조체(41)의 롤러부의 상측을 지나게 한 후 제2 세정 구조체(42)의 본체 내부에 반도체 스트립(9)을 플레이싱할 수 있다. 한편, 제2 암 구조체(61)가 척 테이블(222)로부터 복수의 반도체 스트립(9)을 픽업하면, 클리닝 구조체(7)는 복수의 반도체 스트립(9)이 제거된 반도체 스트립 배치 또는 제거 영역에 위치하는 척 테이블(222)을 클리닝할 수 있다. 이에 따라, 그라인딩 과정에서 발생한 잔여물이 척 테이블(222)로부터 제거될 수 있고, 척 테이블(222)은 다른 반도체 스트립(9)들을 플레이싱 받을 준비가 될 수 있다.In addition, when the chuck table 222 is located in the semiconductor strip placement or removal area, the
또한, 제2 세정 구조체(42)의 본체 내부에 플레이싱된 반도체 스트립(9)은 본체 내부에서 상면 및 하면 각각에 대해 클리닝될 수 있고, 이후, 클리닝된 반도체 스트립(9)은 드라잉 유닛(88)을 통과하며 건조될 수 있다. 드라잉 유닛(88)을 통과한 반도체 스트립(9)은 순차적으로 하나씩 이송부(82)에 의해 파지되어 배출용 레일부(81)에 플레이싱될 수 있고, 푸셔(83)는 배출용 레일부(81)에 배치된 반도체 스트립(9)을 푸쉬하여 매거진(91)으로 유입시킬 수 있으며, 매거진 이송 모듈(85)은 그가 파지하고 있는 매거진(91)에 반도체 스트립(9)이 소정 이상 배치되면 매거진(91)을 적재 구조체(86)에 적재할 수 있다.In addition, the
참고로, 제1 및 제2 암 구조체(61) 각각은 척 테이블(222) 상에 플레이싱되는 반도체 스트립(9)의 개수만큼 반도체 스트립(9)을 옮길 수 있고, 언로딩부(8)의 이송부(82)는 반도체 스트립(9)을 하나씩 옮길 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.For reference, each of the first and
전술한 본 그라인더에 의하면, 사각이며 그라인딩되기 전의 반도체 스트립(Strip)(9)이 준비되고, 그라인딩되고, 세정되며, 적재될 수 있다. 이때, 다관절 로봇 등 고가의 장치 없이 Linear 로봇과 Conveyor등 단순하고 비교적 저렴한 부품으로 최소의 공간에 Compact하게 배치될 수 있어, 경제성, 편리한 유지 보수 및 작은 설치 공간의 장점을 가질 수 있다.According to the above-described present grinder, a
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present application is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present application pertains will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and likewise components described as distributed may also be implemented in a combined form.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present application.
1: 두께 게이지 측정 구조체
11: 제1 게이지
111: 제1 컨택터
12: 제2 게이지
121: 제2 컨택터
122: 제3 컨택터
13: 본체
2: 가공부
21: 그라인딩 구조체
21a: 제1 그라인딩 구조체
21b: 제2 그라인딩 구조체
22: 테이블 구조체
221: 본판부
222: 척 테이블
23: 준비 테이블
3: 드레싱 장치
31: 드레싱 스핀들 구조체
311: 드레싱 휠
312: 회전 모듈
32: 분사 유닛
4: 세정부
41: 제1 세정 구조체
42: 제2 세정 구조체
5: 로딩부
51: 적재 구조체
511: 적재 플레이트
52: 준비 레일 유닛
521: 레일부
522: 레일부
53: 푸셔
54: 피더
56: 매거진 파지부
57: 수평 상태 형성부
58: 이동 테이블
59: 바코드 스캐너
6: 픽커부
61: 암 구조체
612: 흡착부
611: 암 유닛
62: 회전 모듈
7: 클리닝 구조체
79: 레일부
8: 언로딩부
81: 배출용 레일부
82: 이송부
83: 푸셔
85: 매거진 이송 모듈
86: 적재 구조체
88: 드라잉 유닛
9: 반도체 스트립
91: 매거진1: Thickness gauge measuring structure
11: first gauge
111: first contactor
12: second gauge
121: second contactor
122: third contactor
13: body
2: Machining part
21: grinding structure
21a: first grinding structure
21b: second grinding structure
22: table structure
221: main board
222: chuck table
23: preparation table
3: Dressing device
31: dressing spindle structure
311: dressing wheel
312: rotation module
32: injection unit
4: cleaning unit
41: first cleaning structure
42: second cleaning structure
5: Loading part
51: loading structure
511: loading plate
52: preparation rail unit
521: rail unit
522: rail unit
53: pusher
54: feeder
56: magazine holding unit
57: horizontal state forming part
58: moving table
59: barcode scanner
6: Picker
61: arm structure
612: adsorption unit
611: arm unit
62: rotation module
7: cleaning structure
79: rail unit
8: unloading unit
81: rail for discharge
82: transfer unit
83: pusher
85: magazine transport module
86: loading structure
88: drawing unit
9: Semiconductor strip
91: magazine
Claims (7)
상기 그라인딩 휠이 그라인딩하는 단계; 및
상기 드레싱 장치가 상기 그라인딩 휠을 드레싱하는 단계를 포함하되,
상기 그라인딩하는 단계는, 연삭하는 단계 및 황삭하는 단계를 포함하고,
상기 드레싱하는 단계는,
그라인딩하는 단계가 수행되는 동안 수행되고,
상기 드레싱 스핀들 구조체가 드레싱하는 단계 및 상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계 중 적어도 하나를 포함하며,
상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계는, 상기 연삭하는 단계에서 세정액에 의한 상기 그라인딩 휠에 대한 드레싱이 이루어지도록 수행되고,
상기 드레싱 스핀들 구조체가 드레싱하는 단계 및 상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계는, 상기 황삭하는 단계에서 마모에 의한 상기 그라인딩 휠에 대한 드레싱 및 세정액에 의한 상기 그라인딩 휠에 대한 드레싱이 이루어지도록 수행되는 것인, 드레싱 방법.A dressing method of a dressing apparatus comprising: a dressing spindle structure for performing dressing on a grinding wheel of a grinding structure; and a spraying unit for performing dressing on the grinding wheel,
grinding the grinding wheel; and
the dressing device dressing the grinding wheel;
The grinding step includes grinding and roughing,
The dressing step is,
is carried out while the step of grinding is carried out,
Comprising at least one of dressing the dressing spindle structure and dressing the spray unit,
The step of dressing by the spray unit is performed so that dressing of the grinding wheel by the cleaning solution is made in the grinding step,
The dressing of the dressing spindle structure and the dressing of the spray unit are performed so that dressing of the grinding wheel due to wear and dressing of the grinding wheel by a cleaning solution in the roughing step is performed, dressing method.
상기 그라인딩 휠을 회전시키는 그라인딩 회전축에 동력을 제공하는 모터의 전류값을 측정하는 단계를 더 포함하되,
상기 전류값을 측정하는 단계는 상기 그라인딩하는 단계에서 수행되는 것인, 드레싱 방법.According to claim 1,
Further comprising the step of measuring a current value of a motor that provides power to the grinding shaft rotating the grinding wheel,
Measuring the current value will be performed in the grinding step, dressing method.
상기 분사 유닛이 드레싱하는 단계는, 상기 전류값이 제1 미리 설정된 값 이상이 되면, 수행되는 것인, 드레싱 방법.6. The method of claim 5,
The step of dressing the spray unit is, when the current value is greater than or equal to a first preset value, is performed, the dressing method.
상기 드레싱 스핀들 구조체가 드레싱하는 단계는, 상기 전류값이 제2 미리 설정된 값 이상이 되면, 수행되는 것인, 드레싱 방법.7. The method of claim 6,
The dressing step of the dressing spindle structure is, if the current value is greater than or equal to a second preset value, will be performed, the dressing method.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20210058513 | 2021-05-06 | ||
| KR1020210058513 | 2021-05-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102452209B1 true KR102452209B1 (en) | 2022-10-11 |
Family
ID=83599055
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210075834A KR102452209B1 (en) | 2021-05-06 | 2021-06-11 | Dressing method |
| KR1020210075843A KR102586774B1 (en) | 2021-05-06 | 2021-06-11 | Grinder |
| KR1020210075869A KR102452208B1 (en) | 2021-05-06 | 2021-06-11 | Thickness gauge measuring structure |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210075843A KR102586774B1 (en) | 2021-05-06 | 2021-06-11 | Grinder |
| KR1020210075869A KR102452208B1 (en) | 2021-05-06 | 2021-06-11 | Thickness gauge measuring structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (3) | KR102452209B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001096461A (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dressing method and device for grinding wheel |
| KR100525652B1 (en) * | 1998-03-26 | 2005-11-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing apparatus |
| KR100824758B1 (en) * | 1999-05-17 | 2008-04-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Dressing apparatus |
| JP2020078849A (en) * | 2018-11-14 | 2020-05-28 | 株式会社ディスコ | Grinding method and grinding apparatus |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4897312B2 (en) * | 2006-03-06 | 2012-03-14 | 信越ポリマー株式会社 | Fixed carrier |
| JP5025200B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-09-12 | 株式会社ディスコ | Thickness measurement method during grinding |
| JP2014079838A (en) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinder |
| JP6295146B2 (en) * | 2014-06-13 | 2018-03-14 | 株式会社ディスコ | Grinding equipment |
| JP6795956B2 (en) * | 2016-11-22 | 2020-12-02 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
| KR101980869B1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-05-22 | 인세미텍 주식회사 | A grinding apparatus |
| KR102180244B1 (en) * | 2020-08-11 | 2020-11-19 | 주식회사 에스알 | Grinder |
-
2021
- 2021-06-11 KR KR1020210075834A patent/KR102452209B1/en active IP Right Grant
- 2021-06-11 KR KR1020210075843A patent/KR102586774B1/en active IP Right Grant
- 2021-06-11 KR KR1020210075869A patent/KR102452208B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525652B1 (en) * | 1998-03-26 | 2005-11-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing apparatus |
| KR100824758B1 (en) * | 1999-05-17 | 2008-04-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Dressing apparatus |
| JP2001096461A (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dressing method and device for grinding wheel |
| JP2020078849A (en) * | 2018-11-14 | 2020-05-28 | 株式会社ディスコ | Grinding method and grinding apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102452208B1 (en) | 2022-10-11 |
| KR102586774B1 (en) | 2023-10-10 |
| KR20220151518A (en) | 2022-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101768011B1 (en) | Automatic Cleaning Apparatus for Saw Blade | |
| KR100596505B1 (en) | Sawing/Sorting Apparatus | |
| CN105946126A (en) | Silicon rod line production system and silicon rod line production method | |
| CN205631054U (en) | Silicon rod continuous operation system | |
| CN104015109A (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
| KR20110018323A (en) | High throughput chemical mechanical polishing system | |
| KR102434185B1 (en) | Dressing apparatus | |
| KR20180037891A (en) | Method for dressing grinding stone | |
| JP5896188B2 (en) | Modular in-line micro drill bit re-polishing equipment | |
| KR101635113B1 (en) | Semiconductor strip grinder | |
| KR102452209B1 (en) | Dressing method | |
| CN115703202A (en) | Semiconductor strip grinding device | |
| KR102654427B1 (en) | Grinding apparatus | |
| KR100721595B1 (en) | Apparatus for glass pad cleaning | |
| KR101565991B1 (en) | device for manufacturing a paste wheel and method for manufacturing a paste wheel using the device | |
| KR101472969B1 (en) | Apparatus for Cutting Processing Memory Card | |
| CN207522320U (en) | A kind of oilstone equipment for grinding | |
| CN110430971B (en) | Method and apparatus for manufacturing glass plate | |
| KR100884939B1 (en) | Apparatus for grinding wafer | |
| JP6181799B1 (en) | Semiconductor strip grinder | |
| US20240075582A1 (en) | Modular chemical mechanical polisher with simultaneous polishing and pad treatment | |
| CN108000322A (en) | A kind of oilstone equipment for grinding | |
| KR20220167994A (en) | Semiconductor materials polishing apparatus | |
| KR20240009166A (en) | Semiconductor strip grinding apparatus | |
| CN220553415U (en) | All-round cleaning machine of chip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |