KR102445646B1 - Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film - Google Patents

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Abstract

제조 비용을 삭감할 수 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법을 제공한다. 또한, 도통 불량의 발생을 억제할 수 있는 이방성 도전 필름을 제공한다. 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 복수의 개구부를 갖는 부재(10) 상에, 복수의 입자 직경의 도전 입자(20a 내지 20c)를 공급하고, 개구부에 도전 입자를 유지시키는 유지 공정과, 개구부에 유지된 도전 입자를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며, 개구부에 유지된 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다.A method for manufacturing an anisotropic conductive film capable of reducing manufacturing cost is provided. Moreover, the anisotropic conductive film which can suppress generation|occurrence|production of a conduction|electrical_connection defect is provided. A method for manufacturing an anisotropic conductive film includes a holding step of supplying conductive particles 20a to 20c having a plurality of particle diameters on a member 10 having a plurality of openings and holding the conductive particles in the openings; In the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening having a transfer process of transferring the conductive particles to the adhesive film, the particle diameter of the largest peak or more A graph shape in which the slope is substantially infinite in the range.

Description

이방성 도전 필름의 제조 방법 및 이방성 도전 필름{METHOD FOR MANUFACTURING ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM}The manufacturing method of an anisotropic conductive film, and an anisotropic conductive film TECHNICAL FIELD

본 기술은, 도전 입자를 함유하는 이방성 도전 필름의 제조 방법 및 이방성 도전 필름에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에서 2016년 5월 2일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원 제2016-092832호 및 2017년 4월 24일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원 제2017-085492호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.This technique relates to the manufacturing method of the anisotropic conductive film containing an electrically-conductive particle, and an anisotropic conductive film. This application is based on Japanese Patent Application No. Japanese Patent Application No. 2016-092832, filed on May 2, 2016 and Japanese Patent Application No. 2017-085492, filed on April 24, 2017 in Japan, priority priority claims, and this application is incorporated herein by reference.

종래, IC칩 등의 전자 부품을 실장하는 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)이 알려져 있다. 또한, 근년, 복수의 개구부를 갖는 형(型)을 사용하여, 이방성 도전 필름 내의 도전 입자를 인접하는 도전 입자와 개별적으로 독립시키도록 이격시키는, 또는 배열시키는 것이 검토되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, an anisotropic conductive film (ACF:Anisotropic Conductive Film) which mounts electronic components, such as an IC chip, is known. Further, in recent years, using a mold having a plurality of openings, spaced apart or arranged so that the conductive particles in the anisotropic conductive film are individually independent from the adjacent conductive particles have been studied (for example, patents). See document 1).

일본 특허 공개 제2014-060151호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2014-060151

그러나, 복수의 개구부를 갖는 형에 사용되는 도전 입자는, 이방성 접속에 지장을 초래하지 않게 입자 직경 분포가 샤프해지도록 분급이 이루어지고 있어, 제조 비용이 높다.However, the electrically-conductive particle used for the type|mold which has several opening part is classified so that a particle diameter distribution may become sharp so that anisotropic connection may not be disturbed, and manufacturing cost is high.

또한, 입자 직경이 크게 다른 도전 입자가 면 시야로 배치된 이방성 도전 필름은, 압박 시에 도전 입자의 압입 부족이 발생하여, 도통 불량의 원인이 된다.Moreover, in the anisotropic conductive film in which the electrically-conductive particle from which the particle diameter differs greatly is arrange|positioned in a plane view, the press-fitting of an electrically-conductive particle generate|occur|produces insufficient at the time of press, and it becomes a cause of conduction|electrical_connection defect.

본 기술은, 전술한 과제를 해결하는 것이며, 제조 비용을 삭감할 수 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법을 제공한다. 또한, 도통 불량의 발생을 억제할 수 있는 이방성 도전 필름을 제공한다. 또한, 제조 비용을 삭감할 수 있는 필러 배치 필름의 제조 방법 및 필러 배치 필름을 제공한다.This technique solves the subject mentioned above, and provides the manufacturing method of the anisotropic conductive film which can reduce manufacturing cost. Moreover, the anisotropic conductive film which can suppress generation|occurrence|production of a conduction|electrical_connection defect is provided. Moreover, the manufacturing method and filler arrangement|positioning film of the filler arrangement|positioning film which can reduce manufacturing cost are provided.

본 기술자는, 예의 검토한 결과, 복수의 개구부를 갖는 부재를 사용하여 도전 입자 또는 필러의 선별을 행함으로써, 제조 비용을 삭감할 수 있는 것을 발견하였다. 또한, 이방성 도전 필름에 면 시야로 배치되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프에 있어서, 소정의 그래프 형상이 됨으로써, 도통 불량의 발생을 억제할 수 있는 것을 발견하였다.As a result of earnest examination, this engineer discovered that manufacturing cost could be reduced by sorting|selecting an electrically-conductive particle or a filler using the member which has a some opening part. Moreover, in the particle diameter distribution graph of the electrically-conductive particle arrange|positioned in the anisotropic conductive film in a planar view, it discovered that generation|occurrence|production of the conduction|electrical_connection defect could be suppressed by becoming a predetermined|prescribed graph shape.

즉, 본 기술에 관한 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 도전 입자를 공급하고, 상기 개구부에 도전 입자를 유지시키는 유지 공정과, 상기 개구부에 유지된 도전 입자를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며, 상기 개구부에 유지된 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다.That is, the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the present technology includes a holding step of supplying conductive particles having a plurality of particle diameters on a member having a plurality of openings and holding the conductive particles in the openings; In the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening having a transfer step of transferring the conductive particles to the adhesive film, the maximum peak particle diameter In the above range, the inclination becomes substantially infinite in the graph shape.

또한, 본 기술에 관한 이방성 도전 필름은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하며, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다.Further, the anisotropic conductive film according to the present technology includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles disposed in a plan view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle size) [μm], Y-axis: number of particles), in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, the slope becomes substantially infinite in a graph shape.

또한, 본 기술에 관한 필름 권장체는, 상기 이방성 도전 필름이 권취 코어에 감겨 있다.Moreover, as for the film winding body which concerns on this technique, the said anisotropic conductive film is wound around the core.

즉, 본 기술에 관한 필러 배치 필름의 제조 방법은, 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 필러를 공급하고, 상기 개구부에 필러를 유지시키는 유지 공정과, 상기 개구부에 유지된 필러를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며, 상기 개구부에 유지된 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다.That is, the manufacturing method of the filler arrangement film which concerns on this technology supplies the filler of several particle diameters on the member which has a plurality of openings, and the holding process of holding a filler in the said opening part, The filler hold|maintained in the said opening part In the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the filler held in the opening having a transfer process of transferring the becomes a graph shape in which is substantially infinity.

또한, 본 기술에 관한 필러 배치 필름은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하며, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다.Further, the filler arrangement film according to the present technology includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of fillers arranged in a planar view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle size [μm]) ], Y-axis: number of particles), in a range equal to or larger than the particle diameter of the maximum peak, the slope becomes substantially infinite in a graph shape.

본 기술에 의하면, 복수의 개구부를 갖는 부재를 사용하여 도전 입자 또는 필러의 선별을 행함으로써, 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 이방성 도전 필름에 면 시야로 배치되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프에 있어서, 소정의 그래프 형상이 됨으로써, 도통 불량의 발생을 억제할 수 있다.According to this technique, manufacturing cost can be reduced by sorting|selecting an electrically-conductive particle or a filler using the member which has a some opening part. Moreover, in the particle diameter distribution graph of the electrically-conductive particle arrange|positioned in the anisotropic conductive film in a plane view, generation|occurrence|production of a conduction|electrical_connection defect can be suppressed by becoming a predetermined|prescribed graph shape.

도 1은, 복수의 개구부를 갖는 부재 상에 도전 입자가 공급된 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (A)는, 개구부에 공급되는 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이고, 도 2의 (B)는, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 3은, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포의 다른 예를 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 4는, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포의 다른 예를 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 5는, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포의 다른 예를 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 6의 (A)는, 개구부에 공급되는 입자 직경의 하한측을 선별한 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이고, 도 6의 (B)는, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 7은, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포의 다른 예를 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 8은, 전사 공정에 있어서 접착 필름을 대향시킨 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는, 본 실시 형태에 따른 접속체의 제조 방법을 모식적으로 도시하는 단면도이며, 도 9의 (A)는 배치 공정 (S1)을 나타내고, 도 9의 (B)는 경화 공정 (S2)를 나타낸다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the state in which the electrically-conductive particle was supplied on the member which has a some opening part.
Fig. 2(A) is a graph schematically showing the particle size distribution of the conductive particles supplied to the openings, and Fig. 2(B) schematically shows the particle size distribution of the conductive particles held in the openings. is a graph that
3 : is a graph which shows typically another example of the particle diameter distribution of the electrically-conductive particle hold|maintained in an opening part.
4 : is a graph which shows typically another example of the particle diameter distribution of the electrically-conductive particle hold|maintained in an opening part.
5 : is a graph which shows typically another example of the particle diameter distribution of the electrically-conductive particle hold|maintained in an opening part.
Fig. 6(A) is a graph schematically showing the particle size distribution of the conductive particles selected on the lower limit side of the particle diameter supplied to the opening, and Fig. 6(B) is the graph of the conductive particles held in the opening. It is a graph which shows typically a particle diameter distribution.
7 : is a graph which shows typically another example of the particle diameter distribution of the electrically-conductive particle hold|maintained in an opening part.
8 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which an adhesive film is opposed in a transfer step.
Fig. 9 is a cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing a connector according to the present embodiment, in which Fig. 9A is an arrangement step (S1), and Fig. 9B is a curing step (S2). indicates

이하, 본 기술의 실시 형태에 대해서, 하기 순서로 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this technology is demonstrated in detail in the following order.

1. 이방성 도전 필름의 제조 방법1. Manufacturing method of anisotropic conductive film

2. 이방성 도전 필름2. Anisotropic conductive film

3. 접속 구조체의 제조 방법, 및 접속 구조체3. Manufacturing method of bonded structure, and bonded structure

4. 필러 배치 필름의 제조 방법, 및 필러 배치 필름4. Method for making filler batch film, and filler batch film

5. 실시예5. Examples

<1. 이방성 도전 필름의 제조 방법><1. Manufacturing method of anisotropic conductive film>

본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 도전 입자를 공급하고, 개구부에 도전 입자를 유지시키는 유지 공정 (A)와, 개구부에 유지된 도전 입자를 접착 필름에 전사하는 전사 공정 (B)를 갖는다. 이하, 유지 공정 (A) 및 전사 공정 (B)에 대하여 설명한다.The manufacturing method of the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment is the holding process (A) of supplying the electrically conductive particle of several particle diameters on the member which has a some opening part, and holding the electrically conductive particle in the opening part, and holding|maintaining in the opening part. It has a transcription|transfer process (B) which transcribe|transfers the electrically-conductive particle used to the adhesive film. Hereinafter, a holding process (A) and a transfer process (B) are demonstrated.

[유지 공정 (A)][Maintenance process (A)]

(개구 부재)(no opening)

도 1은, 복수의 개구부를 갖는 부재 상에 도전 입자가 공급된 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 부재(10)는, 소정의 개구 직경 또는 개구 폭의 개구 사이즈 S를 갖는 개구부를 갖는 형이다. 형으로서는, 예를 들어 스테인리스 등의 금속 재료, 유리 등의 투명 무기 재료, 폴리(메트)아크릴레이트나 결정성 수지 등의 유기 재료를 들 수 있다. 개구 형성 방법은 여러가지 공지된 기술에 의해 형성시킬 수 있다. 예를 들어 기계 가공에 의해 형성해도 되고, 포토리소그래피를 이용해도 되고, 인쇄법을 이용해도 되며, 특별히 한정은 없다. 또한, 형은, 판상, 롤상 등 다양한 형상을 취할 수 있으며, 특별히 제한은 되지 않는다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the state in which the electrically-conductive particle was supplied on the member which has a some opening part. As shown in FIG. 1, the member 10 is a type|mold which has an opening part which has the opening size S of a predetermined|prescribed opening diameter or opening width. Examples of the mold include metal materials such as stainless steel, transparent inorganic materials such as glass, and organic materials such as poly(meth)acrylate and crystalline resin. The opening forming method can be formed by various known techniques. For example, it may form by machining, photolithography may be used, and a printing method may be used, and there is no limitation in particular. In addition, the mold can take various shapes, such as a plate shape and roll shape, and is not restrict|limited in particular.

개구부는, 그 내부에 도전 입자를 수용하는 것이고, 개구의 형상으로서는, 원기둥상, 사각기둥 등의 다각 기둥상, 원추 형상이나 사각뿔 등의 각뿔상 등을 예시할 수 있다. 개구부의 부재 상의 위치, 즉 이방성 도전 필름에 평면뷰로 배치되는 도전 입자의 위치는, 특정한 형상을 갖고 규칙성을 가지고 있는 것이 바람직하고, 격자상, 지그재그상 등의 규칙적인 배열로 하는 것이 바람직하다. 격자상으로서는, 사방 격자, 육방 격자, 정방 격자, 직사각형 격자, 평행체 격자 등을 들 수 있다. 또한, 필름의 길이 방향에 대하여 소정의 배열 형상으로 규칙성을 가지고 있어도 된다.The opening accommodates the conductive particles therein, and examples of the shape of the opening include polygonal prisms such as a columnar shape and a quadrangular prism, and a pyramidal shape such as a conical shape and a quadrangular pyramid. The position on the member of the opening, that is, the position of the conductive particles arranged in a plan view on the anisotropic conductive film, preferably has a specific shape and has regularity, and is preferably arranged in a regular arrangement such as a lattice shape or a zigzag shape. Examples of the lattice shape include a rectangular lattice, a hexagonal lattice, a square lattice, a rectangular lattice, and a parallel body lattice. Moreover, you may have regularity in a predetermined arrangement|sequence shape with respect to the longitudinal direction of a film.

개구 사이즈 S는, 이방성 도전 필름에 배치하는 도전 입자의 입경에 기초하여 설정할 수 있다. 예를 들어 구하는 도전 입자의 입경에 대한 개구 직경의 비(=개구의 직경/도전 입자의 입경)는, 도전 입자의 수용의 용이함, 절연성 수지의 압입의 용이함 등의 균형으로부터, 바람직하게는 1.1 내지 2.0, 보다 바람직하게는 1.3 내지 1.8이다. 또한, 예를 들어 개구의 깊이에 대한 도전 입자의 입경의 비(=도전 입자의 입경/개구의 깊이)는, 전사성 향상과 도전 입자 유지성의 균형으로부터, 바람직하게는 0.4 내지 3.0, 보다 바람직하게는 0.5 내지 1.5이다. 또한, 개구의 직경과 깊이는, 레이저 현미경으로 측정할 수 있다. 제조 공정에 사용하는 도전 입자의 평균 입자 직경은, 화상형 내지는 레이저식의 입도 분포계에 의해 측정할 수 있다. 또한, 화상형의 입도 분포계를 사용하는 쪽이, 정확한 입자의 크기(입자 직경)가 얻어지기 때문에 바람직하다. 화상형의 입도 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 FPIA-3000(말번사)을 들 수 있다.Aperture size S can be set based on the particle diameter of the electrically-conductive particle arrange|positioned to an anisotropic conductive film. For example, the ratio of the diameter of the opening to the particle diameter of the conductive particles (= diameter of the opening/particle diameter of the conductive particles) to be obtained is preferably 1.1 to 2.0, more preferably 1.3 to 1.8. Further, for example, the ratio of the particle size of the conductive particles to the depth of the opening (= particle size of the conductive particles/depth of the opening) is preferably 0.4 to 3.0, more preferably 0.4 to 3.0, from the balance of transferability improvement and conductive particle retention. is 0.5 to 1.5. In addition, the diameter and depth of an opening can be measured with a laser microscope. The average particle diameter of the electrically-conductive particle used for a manufacturing process can be measured with the particle size distribution meter of an image type or a laser type. In addition, it is preferable to use an image-type particle size distribution meter because an accurate particle size (particle diameter) can be obtained. As an image-type particle size distribution measuring apparatus, FPIA-3000 (Malvern Corporation) is mentioned, for example.

또한, 개구 사이즈 S는, 전체 개구부의 60％ 이상이 동일한 크기인 것이 바람직하고, 전체 개구부의 80％ 이상이 동일한 크기인 것이 보다 바람직하고, 개구부의 모두가 동일한 크기인 것이 더욱 바람직하다. 개구부의 크기가 상이함으로써, 복수의 도전 입자 직경의 어느 하나가 유지되기 쉬워지고, 또한 개구부의 크기가 동일해짐으로써, 얻어지는 이방성 도전 필름의 입자 직경이 균일해지기 쉽다. 또한, 어느 쪽이든 개구부보다 현저하게 큰 도전 입자는, 실질적으로는 개구부에 유지되지 않게 된다. 이에 의해, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상을 얻을 수 있다.In addition, as for the opening size S, it is preferable that 60% or more of all openings are the same size, It is more preferable that 80% or more of all openings are the same size, It is still more preferable that all of the openings are the same size. When the sizes of the openings are different, any one of the plurality of conductive particle diameters is easily maintained, and when the sizes of the openings become the same, the particle diameters of the obtained anisotropic conductive film become uniform easily. Moreover, in either case, the electrically-conductive particle which is remarkably larger than an opening part will not hold|maintain in an opening part substantially. As a result, in the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening, the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak. can get

개구부에 대하여 현저하게 작은 도전 입자가 있는 경우, 복수가 개구부에 유지되는 것이 염려되지만, 하기에 기재된 도전 입자의 수용 방법에 의해 불필요한 도전 입자는 긁어내게 된다. 긁어내지 않는 경우, 미소한 도전 입자가 하나의 개구부, 또는 그 근방에 연결 또는 근접하여 존재하게 되지만, 접속에는 기여하지 않거나 영향이 작은 것을 알 수 있기 때문에 무시해도 된다. 이것은, 접속 시의 수지 유동에 의해 범프의 접속 방향으로 중첩되는 것은 거의 없어지기 때문이다. 또한, 접속에 기여하는 크기의 비교적 작은 도전 입자가 존재하고 있는 경우, 도통 성능의 향상이 예상된다. 이것은 도전 입자이면서, 단자에 협지되는 경우에 있어서, 이것보다도 큰 도전 입자의 스페이서로서도 작용하는 효과를 기대할 수 있다. 즉, 접속에 기여하는 크기의 비교적 작은 도전 입자는, 협지의 상태는 불충분할 지도 모르지만, 도통점이 되기 때문에 도통 성능의 향상이 예상되고, 또한 이것보다도 큰 도전 입자의 협지를 일정한 범위에서 제어할 수 있는 점에서, 양호한 접속 상태를 얻기 쉬워지는 것을 기대할 수 있다. 이것은 금속 피복 수지 입자이면, 압축되는 점에서, 압축 상태를 제어 가능하게 되고, 보다 효과를 기대할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 압축 경도를 낮게 하여, 비교적 작은 도전 입자를 이방성 접속이 목적으로 하는 크기로 설정하는 것도 가능해진다. 이와 같이, 도전 입자의 압축 경도의 조정으로, 도통 성능을 얻기 위한 선택지가 증가하게 된다.When there are remarkably small electrically-conductive particles with respect to an opening part, there is concern that a plurality is held in an opening part, but an unnecessary electrically-conductive particle will be scraped off by the accommodation method of the electrically-conductive particle described below. In the case of not scraping, the minute conductive particles are connected to or close to one opening or the vicinity thereof, but they do not contribute to the connection or have little influence, so they can be ignored. This is because the overlapping of the bumps in the connection direction is almost eliminated due to the flow of resin at the time of connection. Moreover, when comparatively small electrically-conductive particle of the magnitude|size contributing to connection exists, the improvement of conduction|electrical_connection performance is anticipated. Although this is an electrically-conductive particle, when it is pinched|interposed by a terminal, the effect which acts also as a spacer of an electrically-conductive particle larger than this can be anticipated. That is, although the state of clamping may be insufficient for relatively small conductive particles of a size contributing to connection, improvement of conduction performance is expected because they become a conduction point, and the clamping of electrically conductive particles larger than this can be controlled within a certain range. Because there is, it can be expected that a good connection state can be easily obtained. If this is a metal-coated resin particle, since it is compressed, a compressed state becomes controllable, and since an effect can expect more, it is preferable. Moreover, it also becomes possible to make a compression hardness low and to set comparatively small electrically-conductive particle to the magnitude|size made into the objective of anisotropic connection. In this way, by adjusting the compression hardness of the conductive particles, the options for obtaining the conduction performance increase.

또한, 전체 개구부의 일부에 있어서 개구 사이즈 S가 상이한 경우, 규칙성을 갖게 해도 된다. 예를 들어, 전술한 개구 직경의 비의 상한 내지 하한의 크기의 개구 사이즈 S를 갖는 개구부가 인접하도록 해도 되고, 상한 또는 하한의 크기의 개구 사이즈 S를 갖는 개구부가 이방성 도전 필름의 길이 방향이 되는 방향으로 주기적으로 설치되어도 된다. 이 주기성의 반복 단위는, 범프의 폭과 범프 간 스페이스(L/S)로부터 설정해도 된다. 범프의 폭과 범프 간 스페이스를 가미하여 범프에 도전 입자가 존재하도록 개구부의 배치를 설정하면, 범프에 협지되는 위치에 도전 입자를 확실하게 배치시킬 수 있다. 개구부 간의 거리는 적절히 설정할 수 있지만, 배치시키는 목적의 최대의 도전 입자 직경의 0.5배 이상이 바람직하고, 등배 이상이 되도록 설정할 수 있다. 또한, 비교적 작은 도전 입자가 존재하는 것을 가미하면, 개구부 간의 거리는 배치시키는 목적의 최대의 도전 입자 직경의 1.5배 이상, 바람직하게는 2배 이상으로 해도 된다. 이것은 도전 입자의 크기와 사용되는 도전 입자에 작은 입자 직경의 것이 어느 정도의 크기로, 어느 정도의 비율로 존재하는지로, 적절히 설정할 수 있다.Moreover, when the opening size S differs in a part of all the opening parts, you may give regularity. For example, an opening having an opening size S having a size of an upper limit to a lower limit of the above-described opening diameter ratio may be adjacent to each other, and an opening having an opening size S having an upper limit or lower limit size is in the longitudinal direction of the anisotropic conductive film It may be installed periodically in the direction The repeating unit of this periodicity may be set from the width of the bumps and the space between bumps (L/S). If the arrangement of the openings is set so that the conductive particles exist in the bumps in consideration of the width of the bumps and the space between the bumps, the conductive particles can be reliably arranged at the positions sandwiched by the bumps. Although the distance between openings can be set suitably, 0.5 times or more of the largest electrically-conductive particle diameter for the purpose of arrangement|positioning is preferable, and it can set so that it may become equal or more. In addition, taking into account the existence of relatively small conductive particles, the distance between the openings may be 1.5 times or more, preferably 2 times or more of the maximum diameter of the conductive particles to be arranged. This can be appropriately set by the size of the conductive particles and the size and ratio of the small particle diameters to the conductive particles used.

또한, 접속 구조체의 생산 불량을 발생하기 어렵게 하고, 또한 도통을 확실하게 하기 위해서는, 최소와 최대의 개구부가 페어가 되어 반복되도록 하면 된다. 또는 최대와 최소 사이의 크기의 개구부를 동시에 복수 설치해도 된다. 이 경우, 어느 크기의 도전 입자가 이방성 도전 필름에 배치되면 되고, 몇 가지는 배치되지 않아도 된다. 즉, 어느 하나가 빠졌다고 해도, 다른 한쪽이 존재하면 도통을 충족할 수 있다. 일례로서, 각각 5개 이상씩이 바람직하고, 10개 이상씩이 보다 바람직하고, 12개씩이 보다 더욱 바람직하다. 도전 입자 간의 거리는, 최대의 도전 입자 직경의 0.5배 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 등배 이상이다. 배치는, 필름의 길이 방향과 직행하는 방향에 대략 존재하게 되는 것이 바람직하다. 하나의 범프로의 보충을 충족시키기 때문이다. 이렇게 도전 입자가 배치되면, 실용상 어느 것이 접속 시에 보충되기 때문에, 도통 불량의 발생을 피할 수 있다. 예를 들어, 단자의 접속면(예를 들어, IC칩의 Au 범프의 접속면)이 평활하지 않은 요철 형상을 일정하지 않은 간격으로 갖고 있는 경우에 있어서, 이러한 페어가 있으면 어느 하나의 도전 입자가 적절하게 보충되는 것을 기대할 수 있다. 범프가 평활하지 않은 것을 허용할 수 있으면, 범프 제조 시에 있어서의 수율의 향상이나 설계 품질의 허용 범위의 확대 등, 접속체를 얻는 것의 비용 메리트를 받기 쉬워진다. 또한 Au 범프의 경우, Au의 사용량 자체를 삭감할 수 있는 효과도 기대할 수 있다. 또한, 단자의 접속면이 평활하지 않은 요철 형상을 일정하지 않은 간격으로 갖고 있는 경우도, 도전 입자가 금속 피복 수지 입자라면 압축되므로, 압축 경도의 조정으로 대응이 가능하다고 생각된다. 또한, 이러한 요철 형상을 일정하지 않은 간격으로 갖고 있는 경우, 표면적이 늘어나는 점에서, 도전 입자의 크기가 상이한 것이 존재하면 단일 크기의 것보다도, 접속면과 도전 입자의 접점이 증가한다고 추정된다. 단자의 접속면이 평활한 경우에는, 입자 직경과 압축 경도의 조정에 의해, 상술한 바와 같은 효과를 기대할 수 있다. 이상과 같은 효과는, 최대와 최소의 도전 입자 직경의 차분이나, 도전 입자의 경도(압축 경도) 이외에, 도전 입자의 배치 위치나 개수 밀도 등을 조정함으로써 문제는 회피 또는 허용 범위 내로 하는 것을 전제로 한 것이다.Moreover, in order to make it difficult to generate|occur|produce the production defect of a bonded structure, and to ensure conduction|electrical_connection, what is necessary is just to make a pair and repeat the minimum and the largest opening part. Alternatively, a plurality of openings having a size between the maximum and the minimum may be provided simultaneously. In this case, the conductive particles of a certain size may be disposed on the anisotropic conductive film, and some may not be disposed. That is, even if one is missing, continuity can be satisfied if the other is present. As an example, each is preferably 5 or more, more preferably 10 or more, and still more preferably 12 or more. As for the distance between electroconductive particles, 0.5 times or more of the largest electroconductive particle diameter is preferable, More preferably, it is equal or more. It is preferable that arrangement|positioning comes to exist substantially in the direction orthogonal to the longitudinal direction of a film. This is because it meets the supplementation with one bump. When the conductive particles are arranged in this way, in practice, any of them is supplemented at the time of connection, so that the occurrence of poor conduction can be avoided. For example, in the case where the connection surface of the terminal (for example, the connection surface of the Au bump of the IC chip) has uneven, uneven shapes at irregular intervals, if there is such a pair, any one conductive particle You can expect to be properly replenished. If uneven bumps can be tolerated, the cost merits of obtaining a connected body, such as an improvement in yield at the time of bump manufacturing, and expansion of the allowable range of design quality, will become easy to receive. In addition, in the case of the Au bump, the effect of reducing the amount of Au itself can be expected. Moreover, even when the connection surface of a terminal has uneven|corrugated, uneven|corrugated shape which is not smooth at regular intervals, if an electrically-conductive particle is a metal-coated resin particle, since it will compress, it is thought that it can respond by adjustment of compression hardness. In addition, since the surface area increases when such uneven shapes are provided at irregular intervals, it is presumed that the contact between the connection surface and the conductive particles increases when there is a particle having a different size, rather than a single size. When the connection surface of the terminal is smooth, the effect as described above can be expected by adjusting the particle diameter and the compression hardness. The above effects are achieved on the premise that the problem is avoided or within an allowable range by adjusting the arrangement position and number density of the conductive particles in addition to the difference between the maximum and minimum conductive particle diameters and the hardness (compressive hardness) of the conductive particles. did it

개구부에 도전 입자를 수용하는 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 건조한 도전 입자 분말 또는 이것을 용매 중에 분산시킨 분산액을 부재(10)의 개구 형성면 상에 살포 또는 도포한 후, 브러시, 블레이드 등을 사용하여 개구 형성면의 표면을 스퀴지함으로써, 개구부에 도전 입자를 수용할 수 있다.It does not specifically limit as a method to accommodate an electrically-conductive particle in an opening part, A well-known method is employable. For example, after spraying or applying dry conductive particle powder or a dispersion liquid dispersed therein in a solvent on the opening forming surface of the member 10, squeegee the surface of the opening forming surface using a brush, a blade, etc. It can accommodate conductive particles.

개구부에 도전 입자를 수용할 때, 도 1에 도시한 바와 같이, 개구 사이즈 S보다 작은 도전 입자(20a, 20b)는 개구부에 수용되지만, 개구 사이즈 S보다 큰 도전 입자(20c)는 개구부에 수용되지 않아, 입자 직경이 큰 도전 입자를 제외한, 선별을 행할 수 있다. 이에 의해, 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 스퀴지 후의 도전 입자를 회수하여 재이용함으로써, 비용 삭감을 도모할 수 있다.When receiving the conductive particles in the opening, as shown in Fig. 1, the conductive particles 20a and 20b smaller than the opening size S are accommodated in the opening, but the conductive particles 20c larger than the opening size S are not accommodated in the opening. Therefore, selection can be performed except for conductive particles having a large particle diameter. Thereby, manufacturing cost can be reduced. Moreover, cost reduction can be aimed at by collect|recovering and reusing the electrically-conductive particle after squeegee.

(도전 입자)(conductive particles)

도전 입자로서는, 공지된 이방성 도전 필름에 있어서 사용되고 있는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 니켈, 구리, 은, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 폴리아미드, 폴리벤조구아나민 등의 수지 입자의 표면을 니켈 등의 금속으로 피복한 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 배치되는 도전 입자의 크기는, 일례로서 0.5 내지 50㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 30㎛가 보다 바람직하다.As an electrically-conductive particle, what is used in a well-known anisotropic conductive film can be selected suitably and can be used. For example, the metal-coated resin particle|grains etc. which coat|covered the surface of metal particles, such as nickel, copper, silver, gold|metal|money, palladium, and resin particles, such as polyamide and polybenzoguanamine, with metals, such as nickel, are mentioned. As an example, it is preferable that it is 0.5-50 micrometers, and, as for the size of the electrically-conductive particle arrange|positioned, 1-30 micrometers is more preferable.

유지 공정 (A)에 있어서 공급되는 도전 입자의 평균 입자 직경은, 제조 시의 취급성의 관점에서, 0.5 내지 50㎛의 입자 직경이 전체 입자량의 90％ 이상을 차지하는 것이 바람직하다. 또한, 1㎛ 미만, 30㎛보다 큰 도전 입자는 유지 공정에서 제외되는 것이 바람직하다. 평균 입자 직경은, 전술한 바와 같이, 화상형 입도 분포계에 의해 측정할 수 있고, 유지 공정 후에 면 관찰(면 시야 관찰)로부터 계측해도 된다.As for the average particle diameter of the electrically-conductive particle supplied in a holding process (A), from a viewpoint of the handleability at the time of manufacture, it is preferable that the particle diameter of 0.5-50 micrometers occupies 90% or more of a total particle amount. In addition, it is preferable that the conductive particles smaller than 1 μm and larger than 30 μm are excluded from the holding step. As mentioned above, an average particle diameter can be measured with an image type particle size distribution meter, and you may measure from surface observation (surface field observation) after a holding process.

또한, 도전 입자의 표면은, 절연체에 의해 피복되어 있는 것이 바람직하다. 도전 입자의 표면에 절연 코팅이나 절연 입자 처리 등, 표면에 벗겨지기 쉽고 또한 이방성 접속에 지장을 초래하지 않는 표면 피복이 존재함으로써, 개구 사이즈 S가 도전 입자보다도 약간 커도, 도전 입자를 개구부의 내부에 수용하기 쉬워진다. 이러한 표면 피복의 두께는, 접속 대상물에 따라 상이하기 때문에, 접속에 지장을 초래하지 않는 한 특별히 제한은 없다.Moreover, it is preferable that the surface of an electrically-conductive particle is coat|covered with the insulator. Due to the presence of a surface coating on the surface of the conductive particles that is easy to peel off and does not interfere with the anisotropic connection, such as an insulating coating or treatment with insulating particles, even if the opening size S is slightly larger than that of the conductive particles, the conductive particles are placed inside the openings. easier to accept Since the thickness of such a surface coating differs according to the object to be connected, there is no restriction|limiting in particular as long as a connection is not impaired.

또한, 도전 입자의 돌기가 표면에 설치되어 있는 경우, 그 돌기는 최소의 도전 입자 직경의 20％ 이내, 바람직하게는 10％ 이내의 크기인 것이 바람직하다. 개수에 대해서는 특별히 제한은 없고, 전체면에 균일하게 설치되어 있어도 되고, 드문드문하게 설치되어 있어도 된다.Further, when the projections of the conductive particles are provided on the surface, the projections are preferably within 20% of the minimum conductive particle diameter, preferably within 10% of the size of the conductive particles. There is no restriction|limiting in particular about the number, The whole surface may be provided uniformly, and may be provided sparsely.

또한, 도전 입자는, 입자 직경이 상이한 것이 혼재되어 있기 때문에, 비교적 압축성이 높은 것이 바람직하다. 즉, 금속 피복 수지 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 경도는 접속 대상에 의해 변경되기 때문에, 특별히 제한은 없지만, 일례로서 20％ 변형 시의 압축 경도(K값)가 1000 내지 8000N/㎟의 범위이면 되고, 1000 내지 4000N/㎟의 범위가 바람직하다. 또한, 도전 입자는, 경도가 상이한 것이 의도적으로 혼재되도록 해도 된다.Moreover, since the thing from which the particle diameter differs is mixed, it is preferable that the electrically conductive particle has comparatively high compressibility. That is, it is preferable to use metal-coated resin particles. The hardness is not particularly limited because it changes depending on the object to be connected. As an example, the compression hardness (K value) at 20% strain may be in the range of 1000 to 8000 N/mm 2 , and preferably in the range of 1000 to 4000 N/mm 2 . In addition, the electrically-conductive particle may make it mix intentionally that the thing from which hardness differs.

여기서, 20％ 변형 시의 압축 경도(K값)란, 도전 입자를 한방향으로 하중하여 압축함으로써, 도전 입자의 입자 직경이 원래의 입자 직경에 비해 20％ 짧아질 때의 하중으로부터 다음 식 (1)에 의해 산출되는 수치이고, K값이 작을수록 부드러운 입자가 된다.Here, the compression hardness (K value) at the time of 20% deformation is the following formula (1) from the load when the particle diameter of the conductive particles is shortened by 20% compared to the original particle diameter by compressing the conductive particles by loading them in one direction. It is a numerical value calculated by , and the smaller the K value, the softer the particles.

K=(3/√2)F·S-8/2·R-1/2 (1)K=(3/√2)F S -8/2 R -1/2 (1)

(식 중, F: 도전 입자의 20％ 압축 변형 시에서의 하중(wherein, F: load at the time of 20% compression deformation of the conductive particles)

S: 압축 변위(mm)S: Compression displacement (mm)

R: 도전 입자의 반경(mm)) R: radius of conductive particles (mm))

(입자 직경 분포)(Particle diameter distribution)

도 2의 (A)는, 개구부에 공급되는 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이고, 도 2의 (B)는, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이다. 이 입자 직경 분포 그래프는, 광학 현미경이나 금속 현미경의 면 시야 관찰로 1000개 이상, 바람직하게는 5000개 이상의 도전 입자의 최대 길이(입자 직경)를 측정한 개수 분포이다. 도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 본법은, 개구부에 공급되는 도전 입자의 입자 직경 분포가 넓어도(브로드해도) 되는 점에서, 입자 직경의 하한측을 분급한 것을 사용하는 등, 성능과 비용의 균형을 취하기 쉬워지는 효과를 기대할 수 있어, 이용 가능성의 선택지가 증가한다는 이점이 있다.Fig. 2(A) is a graph schematically showing the particle size distribution of the conductive particles supplied to the openings, and Fig. 2(B) schematically shows the particle size distribution of the conductive particles held in the openings. is a graph that This particle size distribution graph is 1000 or more by surface field observation of an optical microscope or a metallographic microscope, Preferably it is number distribution which measured the maximum length (particle diameter) of 5000 or more electrically-conductive particles. As shown in Fig. 2(A) , in this method, since the particle size distribution of the conductive particles supplied to the openings may be wide (broadcast), the lower limit of the particle size is used, etc. The effect of making it easy to balance cost and cost can be expected, and there is an advantage in that the choice of availability increases.

도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 입자 직경 분포가 넓은 도전 입자가 개구부에 공급되지만, 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)는, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다. 특히, 동일한 크기의 개구부 비율이 높을수록, 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 Y축에 대략 평행한 역치 Da를 갖는 것이 된다. 입자 직경 분포에 있어서, 기울기가 실질적으로 무한대란, Y축과 병행인 직선을 갖는다고 하는 의미이고, Y축과 평행한 직선에 근사하고 있는 것도 포함한다. 또한, 입자 직경 분포에 있어서, 기울기가 실질적으로 무한대란, 수직 접선(vertical tangent)을 갖는다고 바꿔 말할 수도 있다.As shown in Fig. 2(A) , in the present embodiment, conductive particles having a wide particle size distribution are supplied to the openings, but as shown in Fig. 2(B), particles of conductive particles held in the openings. The diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [µm], Y-axis: particle number) has a graph shape in which the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak. In particular, the higher the ratio of the openings of the same size, the greater the threshold Da substantially parallel to the Y-axis at which the inclination becomes substantially infinite. Particle size distribution WHEREIN: That the inclination is substantially infinite means that it has a straight line parallel to a Y-axis, and also what approximates a straight line parallel to a Y-axis. In addition, in the particle size distribution, it can be said in other words that the inclination is substantially infinite as having a vertical tangent.

또한, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포는, 도 2의 (B)에 도시하는 그래프 형상에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이 최대 피크의 입자 직경 Db에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되어도 되고, 도 4에 도시한 바와 같이 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경 Dc 이상의 도전 입자가 약간 존재해도 된다. 이들의 그래프 형상과 같이 도전 입자의 입경에 상한이 있고, 상한 부근의 입자수가 많음으로써, 압입이 부족한 도전 입자가 상대적으로 감소하기 때문에 도통 불량의 발생을 억제할 수 있다.Incidentally, the particle size distribution of the conductive particles held in the opening is not limited to the graph shape shown in FIG. It may become substantially infinity, and as shown in FIG. 4, the electrically conductive particle of particle diameter Dc or more from which the inclination becomes substantially infinite may exist slightly. As shown in these graphs, there is an upper limit on the particle size of the conductive particles, and when the number of particles near the upper limit is large, the number of conductive particles lacking in press-fitting decreases relatively, so that the occurrence of poor conduction can be suppressed.

또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포는, 피크가 복수 존재하는(보텀이 피크 사이에 존재하는) 형상이 되고, 입자 직경 Dd에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되어도 된다. 피크가 복수 존재하는 경우란, 예를 들어 입자 직경이 다른 2종의 금속 피복 수지 입자를 혼합한 경우 등을 들 수 있고, 금속 피복 수지 입자의 압축 경도의 조정으로 접속면과 도전 입자의 접점을 증가시켜, 도통 성능을 향상시킬 수 있다.Further, as shown in Fig. 5, the particle size distribution of the conductive particles held in the opening has a shape in which a plurality of peaks exist (the bottom is between the peaks), and the gradient in the particle diameter Dd is substantially infinite. may be When a plurality of peaks exist, for example, a case where two types of metal-coated resin particles having different particle diameters are mixed, etc. By increasing it, the conduction performance can be improved.

또한, 공급되는 도전 입자는, 입자 직경의 하한측을 분급한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 미소한 입자 직경의 도전 입자는, 접속에 기여하지 않기 때문에 도통성에 대한 영향은 그다지 없으므로, 비용과 균형을 맞추게 되지만, 도전 입자가 비교적 많이 필요해지는, COG 접속 등에서는 입자 직경의 하한측을 분급한 것을 사용함으로써, 도전 입자의 불필요한 중첩(두께 방향으로 도전 입자가 겹치는 것) 등을 억제할 수 있다. 또한, 입자 직경의 하한측을 분급한 것을 사용함으로써, 접속에 기여하는 크기의 비교적 작은 도전 입자가 개구부에 유지되는 일이 많아지고, 접속에 기여하는 크기의 비교적 작은 도전 입자보다도 큰 도전 입자의 협지를 일정한 범위에서 제어하는 스페이서의 효과 등을 조정하기 쉬워지는 것을 기대할 수 있다.Moreover, it is preferable to use what classified the lower limit of a particle diameter as the electrically-conductive particle to be supplied. Since conductive particles with a small particle diameter do not contribute to the connection, there is not much influence on the continuity, so it is balanced with the cost. It is possible to suppress unnecessary overlapping of the conductive particles (the overlapping of conductive particles in the thickness direction) or the like by using the same. In addition, by using the lower limit of the particle diameter, relatively small conductive particles with a size contributing to connection are often held in the opening, and larger conductive particles than relatively small conductive particles with a size contributing to connection are pinched. It can be expected that it becomes easy to adjust the effect of the spacer, etc. for controlling the .

입자 직경의 하한측의 분급 방법으로서는, 여러가지 공지된 기술을 사용할 수 있다. 예를 들어, 액체 중의 도전 입자에 0.2 내지 40㎛의 진폭을 갖는 진동을 부여하고, 짧은 직경의 표준 편차가 10％ 이하인 체에 의해 행하는 습식 분급 방법을 들 수 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 평11-319626을 들 수 있음).As a classification method on the lower limit side of a particle diameter, various well-known techniques can be used. For example, a wet classification method in which a vibration having an amplitude of 0.2 to 40 µm is applied to conductive particles in a liquid and performed by a sieve having a standard deviation of a minor diameter of 10% or less (for example, Japanese Patent Application Laid-Open) Hei 11-319626).

도 6의 (A)는, 개구부에 공급되는 입자 직경의 하한측을 분급한 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이고, 도 6의 (B)는, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포를 모식적으로 도시하는 그래프이다. 도 6의 (A)에 도시하는 바와 같이 공급되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자량)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경 De를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 도 6의 (B)에 도시하는 바와 같이 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)는, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경 Df를 갖는 것과 함께, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경 Dg를 갖는 것이 된다.Fig. 6(A) is a graph schematically showing the particle size distribution of the conductive particles classified on the lower limit side of the particle diameter supplied to the opening, and Fig. 6(B) is the conductive particle held in the opening. It is a graph which shows typically a particle diameter distribution. As shown in Fig. 6A, in the particle size distribution graph of the supplied conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: particle amount), the slope is in the range below the particle diameter of the maximum peak. It is preferable to have a particle diameter De which becomes substantially infinite. As a result, as shown in FIG. 6B, the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening is less than or equal to the particle diameter of the maximum peak. While having a particle diameter Df whose inclination becomes substantially infinite in the range, it becomes to have a particle diameter Dg whose inclination becomes substantially infinite in the range more than the particle diameter of a maximum peak.

또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)는, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 Y축에 대략 평행한 역치 Dh를 갖는 것과 함께, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 Y축에 대략 평행한 역치 Di를 가져도 된다.In addition, as shown in FIG. 7 , the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening has a slope in the range below the particle diameter of the maximum peak. While having a threshold value Dh substantially parallel to the Y-axis becoming substantially infinity, you may have a threshold value Di substantially parallel to the Y-axis becoming substantially infinite in inclination in the range more than the particle diameter of a maximum peak.

또한, 입자 직경의 하한측을 분급한 것을 사용한 경우, 압착 시의 도전 입자의 압력을 균일하게 하기 위해서, 개구부에 유지되는 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 것이 바람직하고, 평균 입자 직경의 ±20％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 것이 더욱 바람직하다. 이렇게 미리 입자 직경의 하한측을 분급한 도전 입자를 사용함으로써, 범프에 포착되는 도전 입자의 포착률을 향상시킬 수 있다.In addition, in the case where the particle size is classified at the lower limit side, in order to equalize the pressure of the conductive particles during crimping, the conductive particles held in the openings are in the range of ±30% of the average particle diameter, and the total number of particles is 90. % or more, and more preferably 90% or more of the total number of particles in the range of ±20% of the average particle diameter. Thus, by using the electrically-conductive particle which classified the lower limit side of a particle diameter previously, the capture rate of the electrically-conductive particle capture|acquired by bump can be improved.

또한, 본 기술은, 도 2 내지 7에 나타내는 입자 직경 분포의 그래프 형상에 한정되는 것은 아니고, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 형상을 취할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 나타내는 그래프 형상은 좌우 대칭의 탄두형인데, 좌우 대칭이 아니어도 된다.In addition, this technique is not limited to the graph shape of the particle size distribution shown in FIGS. 2-7, It can take various shapes within the range which does not deviate from the summary of this technique. For example, although the graph shape shown in FIG. 7 is a left-right symmetric warhead, it may not be left-right symmetric.

[전사 공정 (B)][Transfer process (B)]

다음의 전사 공정 (B)에서는, 우선 도 8에 도시하는 바와 같이, 개구가 형성된 부재(10) 표면에 접착 필름(30)을 대향시킨다.In the next transfer step (B), first, as shown in FIG. 8 , the adhesive film 30 is made to face the surface of the member 10 in which the opening is formed.

접착 필름(30)으로서는, 공지된 이방성 도전 필름에 있어서 절연성 결합제층으로서 사용되고 있는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 접착 필름(30)의 경화형으로서는, 열경화형, 광경화형, 광열 병용 경화형 등을 들 수 있다. 예를 들어, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 포함하는 광 라디칼 중합성 수지층, 아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제를 포함하는 열 라디칼 중합성 수지층, 에폭시 화합물과 열 양이온 중합 개시제를 포함하는 열 양이온 중합성 수지층, 에폭시 화합물과 열 음이온 중합 개시제를 포함하는 열 음이온 중합성 수지층 등, 또는 그것들의 경화 수지층을 사용할 수 있다.As the adhesive film 30, what is used as an insulating binder layer in a well-known anisotropic conductive film can be used, selecting suitably. As a hardening type of the adhesive film 30, a thermosetting type, a photocuring type, a light-heat combined curing type, etc. are mentioned. For example, an optical radically polymerizable resin layer comprising an acrylate compound and a radical photopolymerization initiator, a thermal radical polymerizable resin layer comprising an acrylate compound and a thermal radical polymerization initiator, an epoxy compound and a thermal cationic polymerization initiator A thermally cationically polymerizable resin layer, the thermally anionic polymerizable resin layer containing an epoxy compound and a thermally anionic polymerization initiator, etc., or those cured resin layers can be used.

이하, 일례로서, 음이온 경화형의 접착 필름에 대하여 설명한다. 음이온 경화형의 접착 필름은, 막 형성 수지와, 에폭시 수지와, 음이온 중합 개시제를 함유한다.Hereinafter, as an example, an anion-curable adhesive film is demonstrated. The anion-curable adhesive film contains a film-forming resin, an epoxy resin, and an anionic polymerization initiator.

막 형성 수지는, 예를 들어 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000 내지 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막 형성 수지로서는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 다양한 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지를 적합하게 사용하는 것이 바람직하다.Film-forming resin corresponds to high molecular weight resin with an average molecular weight of 10000 or more, for example, It is preferable from a viewpoint of film formation that it is an average molecular weight of about 10000-80000. Various resins, such as a phenoxy resin, a polyester resin, a polyurethane resin, a polyester urethane resin, an acrylic resin, a polyimide resin, butyral resin, are mentioned as film-forming resin, These may be used individually, and two types You may use combining the above. Among these, it is preferable to use a phenoxy resin suitably from a viewpoint of a film formation state, connection reliability, etc.

에폭시 수지는, 3차원 그물눈 구조를 형성하여, 양호한 내열성, 접착성을 부여하는 것이고, 고형 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 여기서, 고형 에폭시 수지란, 상온에서 고체인 에폭시 수지를 의미한다. 또한, 액상 에폭시 수지란, 상온에서 액상인 에폭시 수지를 의미한다. 또한, 상온이란, JISZ 8703에서 규정되는 5 내지 35℃의 온도 범위를 의미한다.An epoxy resin forms a three-dimensional network structure, and provides favorable heat resistance and adhesiveness, and it is preferable to use a solid epoxy resin and a liquid epoxy resin together. Here, a solid epoxy resin means the epoxy resin which is solid at normal temperature. In addition, a liquid epoxy resin means the epoxy resin which is liquid at normal temperature. In addition, normal temperature means the temperature range of 5-35 degreeC prescribed|regulated by JISZ 8703.

고형 에폭시 수지로서는, 액상 에폭시 수지와 상용이고, 상온에서 고체 상태라면 특별히 한정되지 않으며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.The solid epoxy resin is not particularly limited as long as it is compatible with the liquid epoxy resin and is in a solid state at room temperature, and bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, polyfunctional epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, novolac phenol A type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin etc. are mentioned, Among these, 1 type can be used individually or in combination of 2 or more type. Among these, it is preferable to use a bisphenol A epoxy resin.

액상 에폭시 수지로서는, 상온에서 액상이면 특별히 한정되지 않으며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특히, 필름의 점착성, 유연성 등의 관점에서, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.The liquid epoxy resin is not particularly limited as long as it is liquid at room temperature, and examples thereof include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolac phenol type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. , or two or more of them may be used in combination. In particular, it is preferable to use a bisphenol A epoxy resin from the viewpoints of adhesiveness and flexibility of the film.

음이온 중합 개시제로서는, 통상 사용되는 공지된 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 유기산 디히드라지드, 디시안디아미드, 아민 화합물, 폴리아미드아민 화합물, 시아네이토에스테르 화합물, 페놀 수지, 산 무수물, 카르복실산, 3급 아민 화합물, 이미다졸, 루이스산, 브뢴스테드산염, 폴리머캅탄계 경화제, 우레아 수지, 멜라민 수지, 이소시아네이트 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이미다졸 변성체를 핵으로 하고 그 표면을 폴리우레탄으로 피복하여 이루어지는 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다.As an anionic polymerization initiator, a well-known hardening|curing agent used normally can be used. For example, organic acid dihydrazide, dicyandiamide, amine compound, polyamideamine compound, cyanatoester compound, phenol resin, acid anhydride, carboxylic acid, tertiary amine compound, imidazole, Lewis acid, Brons A ted acid salt, a polymercaptan type hardening|curing agent, a urea resin, a melamine resin, an isocyanate compound, a block isocyanate compound, etc. are mentioned, Among these, 1 type can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these, it is preferable to use a microcapsule-type latent curing agent formed by using an imidazole-modified product as a nucleus and coating the surface with polyurethane.

또한, 필요에 따라, 응력 완화제, 실란 커플링제, 무기 필러 등을 배합해도 된다. 응력 완화제로서는, 수소 첨가 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수소 첨가 스티렌-이소프렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 또한, 실란 커플링제로서는, 에폭시계, 메타크릴옥시계, 아미노계, 비닐계, 머캅토·술피드계, 우레이드계 등을 들 수 있다. 또한, 무기 필러로서는, 실리카, 탈크, 산화티타늄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다.Moreover, you may mix|blend a stress reliever, a silane coupling agent, an inorganic filler, etc. as needed. Examples of the stress reliever include a hydrogenated styrene-butadiene block copolymer and a hydrogenated styrene-isoprene block copolymer. Moreover, as a silane coupling agent, an epoxy type, a methacryloxy type, an amino type, a vinyl type, a mercapto sulfide type, a ureide type, etc. are mentioned. Further, examples of the inorganic filler include silica, talc, titanium oxide, calcium carbonate, magnesium oxide, and the like.

이 접착 필름(30)은, 상술한 바와 같은 수지를 포함하는 코팅 조성물을 도포법에 의해 성막하여 건조시키는 것이나, 추가로 경화시킴으로써, 또는 미리 공지된 방법에 의해 필름화함으로써 형성할 수 있다. 또한, 접착 필름(30)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 15㎛이다. 또한, 이들 두께의 절연성 결합제층을 필요에 따라 적층해도 된다. 또한, 접착 필름(30)은, 박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 박리 필름(40) 상에 형성되어 있는 것이 바람직하다.The adhesive film 30 can be formed by forming a coating composition containing the above-mentioned resin into a film by a coating method and drying, further curing, or forming a film by a known method. Moreover, the thickness of the adhesive film 30 becomes like this. Preferably it is 1-30 micrometers, More preferably, it is 2-15 micrometers. Moreover, you may laminate|stack the insulating binder layer of these thicknesses as needed. Moreover, it is preferable that the adhesive film 30 is formed on the peeling film 40, such as a polyethylene terephthalate film by which the peeling process was carried out.

박리 필름(40)측으로부터 접착 필름(30)에 대하여 압력을 가하여, 개구 내에 절연성 결합제층을 압입해도, 절연성 결합제층의 표면에 도전 입자(20)를 매립하도록 전착시켜도 되고, 전사 후에 도전 입자를 절연성 결합제층 내에 압입해도 된다. 이들의 공정 전후로 접착 필름(30)을 상술한 바와 같이 적층해도 된다. 이에 의해, 절연성 결합제층의 평면 방향으로 도전 입자(20)가 단층으로 배열된 구조를 형성한다. 또한, 도전 입자는 접착 필름(30)의 최외면에 가까운 위치에 있는 것이, 접속 시의 보충을 만족시키는 데 있어서는 바람직하다.By applying pressure to the adhesive film 30 from the release film 40 side, the insulating binder layer may be press-fitted into the opening, or it may be electrodeposited so as to embed the conductive particles 20 in the surface of the insulating binder layer, or the conductive particles after transfer. You may press-fit into an insulating binder layer. Before and after these steps, the adhesive film 30 may be laminated as described above. Thereby, a structure in which the conductive particles 20 are arranged in a single layer in the planar direction of the insulating binder layer is formed. In addition, it is preferable to exist in the position close|similar to the outermost surface of the adhesive film 30 in order to satisfy the replenishment at the time of a connection.

절연성 결합제층 전체의 최저 용융 점도로서는, 100 내지 10000Pa·s가 바람직하다. 이 범위이면, 절연성 결합제층에 도전 입자를 정밀하게 배치할 수 있고, 또한 이방 도전성 접속 시의 압입에 의해 수지 유동이 도전 입자의 포착성에 지장을 초래하는 것을 방지할 수 있다. 이 최저 용융 점도는, 일례로서 회전식 레오미터(TA instrument사제)를 사용하여, 승온 속도가 10℃/분, 측정 압력이 5g으로 일정하게 유지하고, 직경 8mm의 측정 플레이트를 사용하여 구할 수 있다.As a minimum melt viscosity of the whole insulating binder layer, 100-10000 Pa*s is preferable. Within this range, the conductive particles can be precisely arranged in the insulating binder layer, and it is possible to prevent the resin flow from impairing the trapping properties of the conductive particles due to press-fitting at the time of anisotropically conductive connection. This minimum melt viscosity can be obtained by using a rotational rheometer (manufactured by TA Instruments) as an example, maintaining a temperature increase rate of 10° C./min and a measurement pressure of 5 g constant at 5 g, and using a measurement plate having a diameter of 8 mm.

<2. 이방성 도전 필름><2. Anisotropic Conductive Film>

본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하며, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되는 것이다. X축의 입자 직경은, 1 내지 30㎛의 범위인 것이 바람직하다. 이 입자 직경 분포 그래프는, 광학 현미경이나 금속 현미경의 면 시야 관찰로 1000개 이상, 바람직하게는 5000개 이상의 도전 입자의 최대 길이(입자 직경)를 측정한 개수 분포이다.The anisotropic conductive film according to the present embodiment includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a planar view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm]) , Y-axis: number of particles) in a graph shape in which the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak. It is preferable that the range of the particle diameter of X-axis is 1-30 micrometers. This particle size distribution graph is 1000 or more by surface field observation of an optical microscope or a metallographic microscope, Preferably it is number distribution which measured the maximum length (particle diameter) of 5000 or more electrically-conductive particles.

또한, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)의 형상은, 브로드이다. 여기서, 브로드 형상이란, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 1㎛보다 큰 것을 의미한다. 또는, 브로드 형상이란, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 것을 의미한다. 개수 누적 10％란, 계측한 전체 입자수를 100％로 하여 크기(입자 직경)의 순서대로 재배열하고, 10％의 개수에 있어서의 크기(입자 직경)를 가리킨다.In addition, the shape of the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [micrometer], Y-axis: particle number) of an electrically-conductive particle is broad. Here, the broad shape means that the difference between the particle diameter D 10 of 10% cumulative number and the particle diameter D 90 of 90% cumulative number from the side having the smaller particle diameter in the cumulative distribution is greater than 1 µm. Alternatively, the broad shape means that the difference between the particle diameter D 10 of 10% cumulative number and the particle diameter D 90 of 90% cumulative number from the side having the smaller particle diameter in the cumulative distribution is greater than 25% of the average particle diameter. The cumulative number of 10% refers to a size (particle diameter) in 10% of the number of particles, which is rearranged in the order of size (particle diameter) with 100% of the total number of particles measured.

전술한 제조 방법에 있어서, 개구부에 수용된 도전 입자는, 이방성 도전 필름에 면 시야로 배치되는 도전 입자가 된다. 즉, 도 2 내지 7에 나타내는 입자 직경 분포 그래프를 사용하여 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 이방성 도전 필름은, 입자 직경의 상한측을 선별한 도전 입자를 배치하고 있고, 도전 입자의 입경에 상한이 있으며, 상한 부근의 입자수가 많은 것에 의해, 도통 불량의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 미소한 입자 직경의 도전 입자는, 접속에 기여하지 않기 때문에 도통성에 대한 영향은 별로 없다. 또한, 입자 직경 분포가 넓은 도전 입자, 즉 미분급 또는 최저한의 분급을 한 비교적 비용이 낮은 도전 입자를 이용할 수 있기 때문에, 재료 비용의 삭감에 기여할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 도전 입자의 크기나 경도(압축 경도)의 조정에 의해, 도통 특성의 향상의 효과를 기대할 수 있다.The above-mentioned manufacturing method WHEREIN: The electrically-conductive particle accommodated in the opening part turns into the electrically-conductive particle arrange|positioned to the anisotropic conductive film in a planar view. That is, as demonstrated using the particle size distribution graph shown in FIGS. 2-7, the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment arrange|positions the electrically-conductive particle which classify|selected the upper limit side of a particle diameter, The upper limit of the particle diameter of an electrically-conductive particle This exists, and generation|occurrence|production of a conduction|electrical_connection defect can be suppressed because there are many particle|grains near an upper limit. Moreover, since the electrically-conductive particle of a minute particle diameter does not contribute to connection, there is not much influence with respect to electrical conductivity. Moreover, since the electrically conductive particle with a wide particle diameter distribution, ie, the comparatively low-cost electrically-conductive particle which performed unclassified or minimum classification, can be used, it can contribute to reduction of material cost. Moreover, as mentioned above, the effect of the improvement of a conduction|electrical_connection characteristic can be anticipated by adjustment of the magnitude|size or hardness (compressive hardness) of an electrically-conductive particle.

도전 입자가 미분급 또는 최저한의 분급을 하고 있지 않은 경우, 이방성 도전 필름에 배치된 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 피크가 복수 존재하는(보텀이 피크 사이에 존재하는) 형상이 되는 경우도 있다. 이것은 분급 전의 도전 입자 직경이 어떻게 여러가지 존재할지 미정이기 때문인데, 접속 시에 두께 방향으로 중첩되지 않는 한 전술한 바와 같이 지장을 초래하지 않기 때문에, 특별히 문제는 없다.When the conductive particles are not finely classified or the minimum classification is performed, a plurality of peaks exist in the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles disposed on the anisotropic conductive film. In some cases, it becomes a shape that does (the bottom exists between the peaks). This is because it is undetermined how various the conductive particle diameters before classification exist, and since it does not cause trouble as mentioned above unless it overlaps in the thickness direction at the time of connection, there is no problem in particular.

또한, 도전 입자의 경도가 상이한 것을 혼합했을 경우에, 의도적으로 이러한 형상으로 할 수도 있다. 예를 들어, 경도가 비교적 단단한 것을 비교적 작은 입자 직경의 피크로 하고, 경도가 비교적 단단하지 않은 것을 비교적 큰 입자 직경의 피크가 되면, 보충의 효율이 올라가는 효과를 예상할 수 있다. 또한, 도전 입자의 압입도 조절할 수 있어, 도통 안정성에 기여한다. 이 경우, 유지 공정 전에 미리 도전 입자의 입자 직경을 각각 측정하고, 간이적인 선별을 각각에 행하여 대략 적절한 피크가 되도록 조정해도 된다. 또는, 각각에서 다른 입자 직경 분포를 나타내는 것을 준비하여, 대략 적절한 피크가 되도록 혼합해도 된다.Moreover, when the thing from which the hardness of an electrically-conductive particle differs is mixed, you can also set it as such a shape intentionally. For example, when a relatively hard one is taken as a peak having a relatively small particle diameter, and a relatively non-hard one is a peak having a relatively large particle diameter, the effect of increasing the replenishment efficiency can be expected. Moreover, the press-fitting of an electrically-conductive particle can also be adjusted, and it contributes to conduction|electrical_connection stability. In this case, before a holding process, you may adjust so that the particle diameter of an electrically-conductive particle may be previously measured, respectively, and a simple selection may be performed for each, and it may become a substantially suitable peak. Alternatively, those having different particle size distributions may be prepared and mixed to obtain a substantially appropriate peak.

또한, 이방성 도전 필름에 배치된 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 도 6의 (B)에 도시하는 바와 같이 개구부에 유지되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)는, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경 Df를 갖는 것과 함께, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경 Dg를 갖는 것이 된다. 또한, 압착 시의 도전 입자의 압력을 균일하게 하기 위해서, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 것이 바람직하고, 평균 입자 직경의 ±20％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 것이 바람직하다. 이렇게 미리 입자 직경의 하한측을 분급한 도전 입자를 사용함으로써, 범프에 포착되는 도전 입자의 포착률을 향상시킬 수 있다.In addition, in the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles disposed on the anisotropic conductive film, the slope becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak. It is preferable to have a particle diameter. As a result, as shown in FIG. 6B, the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening is less than or equal to the particle diameter of the maximum peak. While having a particle diameter Df whose inclination becomes substantially infinite in the range, it becomes to have a particle diameter Dg whose inclination becomes substantially infinite in the range more than the particle diameter of a maximum peak. In addition, in order to make the pressure of the conductive particles at the time of crimping uniform, it is preferable that 90% or more of the total number of particles are present in the range of ±30% of the average particle diameter, and the total number of particles is in the range of ±20% of the average particle diameter. It is preferable that 90% or more of the number of particles is present. Thus, by using the electrically-conductive particle which classified the lower limit side of a particle diameter previously, the capture rate of the electrically-conductive particle capture|acquired by bump can be improved.

그런데, 전술한 유지 공정 (A)에서, 부재의 개구부가 입자 직경이 큰 도전 입자로 덮이면, 그 후의 스퀴지에 의해 제거되어, 도전 입자를 유지하고 있지 않은 개구부가 발생하는 것이 되어, 이방성 도전 필름에 도전 입자의 「누락」이 발생한다. 이 누락은, 이방성 접속에 지장을 초래하지 않는 범위라면 문제는 없다.However, in the holding step (A) described above, when the openings of the member are covered with conductive particles having a large particle diameter, they are removed by a subsequent squeegee, and openings that do not hold the conductive particles are generated, and the anisotropic conductive film "omission" of electrically conductive particles occurs. There is no problem with this omission as long as it is a range which does not cause trouble to anisotropic connection.

또한, 접속 대상물의 범프 레이아웃에 따라 이방성 도전 필름의 누락율의 허용 범위는 상이하다. 누락율이란, 필름의 폭 방향의 길이와, 길이 방향의 길이에 있어서의 도전 입자의 개수의 존재 비율이다. 일례로서 COG와 같이 범프가 고밀도로 배치되어 있는 것이라면, 누락율은 작게 할 필요가 있고, 일례로서 FOG와 같이 비교적 범프 면적이 큰 것의 경우에는, 누락율은 커도 문제는 없다.In addition, the allowable range of the omission rate of an anisotropic conductive film differs according to the bump layout of a connection object. The omission rate is the abundance ratio of the length of the width direction of a film, and the number of objects of the electrically-conductive particle in the length of a longitudinal direction. As an example, when bumps are arranged at a high density like COG, the dropout rate needs to be small. For example, in the case of a thing with a relatively large bump area like FOG, there is no problem even if the dropout ratio is large.

또한, 누락에는 치우침이 없는 것이 바람직하다. 이 치우침은, 상기 동일한 이유로부터, COG라면 작은 것이 요구되고, FOG라면 어느 정도 커도 문제는 없다.Moreover, it is preferable that there is no bias in omission. From the same reason mentioned above, if it is COG, a small thing is calculated|required, and if it is FOG, even if it is large to some extent, there is no problem.

ACF의 1회당의 사용 길이 및 폭은 접속 대상에 따라 다양하지만, 일반적으로는 최대로 20mm×2mm 정도가 상한이 된다. 그 때문에, 도전 입자 직경이 10㎛ 이하이면, 40㎟의 2배, 바람직하게는 5배, 보다 바람직하게는 10배의 연속한 면적을 이방성 도전 필름의 전체의 면적으로 하고, 이 면적 중에서 임의로 추출한 1㎟와 현저한 차이(치우침)가 없으면, 접속에 지장을 초래하지 않게 된다. 이 1㎟는 필름 길이 방향으로 50㎛, 필름 폭 방향으로 200㎛의 면적을 발취하여(연속하지 않고) 10군데 추출하는 것이 바람직하다. 일반적으로 필름의 폭 방향이 이방성 접속하는 범프의 길이 방향이 되고, 필름의 길이 방향이 범프의 폭 방향이 되기 때문에, 평가하는 면적은 필름의 길이 방향이 짧은 직사각 형상으로 하는 것이 바람직하다.The length and width of the ACF per use varies depending on the connection object, but in general, the upper limit is about 20 mm x 2 mm at the maximum. Therefore, if the conductive particle diameter is 10 µm or less, a continuous area of 2 times, preferably 5 times, more preferably 10 times of 40 mm 2 is taken as the total area of the anisotropic conductive film, and arbitrarily extracted from this area If there is no significant difference (bias) from 1 mm<2>, a trouble will not be caused to a connection. It is preferable to extract an area of 50 µm in the film length direction and 200 µm in the width direction of the film for this 1 mm 2 (not continuous), and to extract 10 places. In general, since the width direction of the film is the longitudinal direction of the bumps to be anisotropically connected, and the longitudinal direction of the film is the width direction of the bumps, the area to be evaluated is preferably a rectangular shape with a short longitudinal direction of the film.

도전 입자 직경이 10㎛보다 크고 30㎛ 이하이면, 필름의 전체 면적은 그대로 하고, 추출하는 면적의 필름 길이 방향 및 폭 방향을 각각 2배로 하여, 100㎛×400㎛의 면적을 연속하지 않는 10군데를 추출하여 합계 4㎟를 평가하면 된다. 또한, 필름의 폭이 400㎛ 미만이 되는 경우에는, 직사각형의 형상을 적절히 변경해도 된다.If the conductive particle diameter is greater than 10 µm and less than or equal to 30 µm, the total area of the film is kept as it is, the length direction and the width direction of the film to be extracted are each doubled, and the area of 100 µm × 400 µm is not continuous at 10 places. What is necessary is just to extract and evaluate a total of 4 mm<2>. In addition, when the width|variety of a film will be less than 400 micrometers, you may change a rectangular shape suitably.

누락의 치우침은, 특정 개소의 개수 밀도가 작아지는 것과 같은, 합쳐진 누락이 존재하는 것은 바람직하지 않다. 이러한 누락은, 상술한 50×200㎛ 또는 100×400㎛의 10군데의 개수 밀도의 최댓값에 대하여 최솟값이 50％ 이상인 것이 바람직하고, 60％ 이상이 보다 바람직하고, 70％ 이상인 것이 보다 더욱 바람직하다.As for the bias of omissions, it is undesirable for the omissions to be combined, such that the number density of a specific location becomes small. The minimum value of such omission is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 70% or more, with respect to the maximum value of the number density at 10 locations of 50×200 μm or 100×400 μm described above. .

누락의 치우침의 일례로서, 상기 전체 면적의 도전 입자 개수 밀도에 대하여, 임의로 추출한 면적의 합계가 (1㎟)±30％의 차이인 것이 바람직하고, ±20％의 차이라면 보다 바람직하다. 이 수치 범위 내이면, 비용과 성능의 양립이 얻어지기 쉬워진다.As an example of omission bias, it is preferable that the sum of the areas arbitrarily extracted with respect to the number density of the electrically-conductive particle of the said total area is (1 mm<2>)±30% difference, and if it is a difference of +/-20%, it is more preferable. If it is in this numerical range, it will become easy to obtain coexistence of cost and performance.

(필름 권장체)(recommended film)

전술한 이방성 도전 필름은, 전자 부품의 접속을 연속해서 행하기 위해, 롤에 감긴 필름 권장체인 것이 바람직하다. 필름 권장체의 길이는, 5m 이상이면 되고, 10m 이상인 것이 바람직하다. 상한은 특별히 없지만, 출하물의 취급성의 관점에서, 5000m 이하인 것이 바람직하고, 1000m 이하인 것이 보다 바람직하고, 500m 이하인 것이 더욱 바람직하다.In order that the above-mentioned anisotropic conductive film may connect an electronic component continuously, it is preferable that it is the film winding body wound around the roll. The length of the film wrapper should just be 5 m or more, and it is preferable that it is 10 m or more. Although there is no upper limit in particular, from a viewpoint of the handleability of a shipment, it is preferable that it is 5000 m or less, It is more preferable that it is 1000 m or less, It is still more preferable that it is 500 m or less.

필름 권장체는, 전체 길이 보다 짧은 이방성 도전 필름을 연결 테이프로 연결한 것이어도 된다. 연결 개소는 복수 개소 존재해도 되고, 규칙적으로 존재해도 되며, 랜덤하게 존재해도 된다. 연결 테이프의 두께는, 성능에 지장을 초래하지 않는 한 특별히 제한은 없지만, 너무 두꺼우면 수지의 비어져 나옴이나 블로킹에 영향을 미치기 때문에, 10 내지 40㎛인 것이 바람직하다. 또한, 필름의 폭은 특별히 제한은 없지만, 일례로서 0.5 내지 5mm이다.What connected the anisotropic conductive film shorter than full length with the connecting tape may be sufficient as a film winding body. Two or more connection points may exist, may exist regularly, and may exist randomly. Although there is no restriction|limiting in particular as long as the thickness of a connection tape does not impair performance, Since it affects protrusion and blocking of resin when it is too thick, it is preferable that it is 10-40 micrometers. In addition, although there is no restriction|limiting in particular in the width|variety of a film, 0.5-5 mm as an example.

이러한 필름 권장체에 의하면, 연속한 이방성 접속을 할 수 있어 접속체의 비용 삭감에 기여할 수 있다.According to such a film winding body, continuous anisotropic connection can be made, and it can contribute to cost reduction of a connection body.

<3. 접속 구조체의 제조 방법 및 접속 구조체><3. Method for manufacturing bonded structure and bonded structure>

본 기술에 관한 접속 구조체의 제조 방법은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름을 개재하여 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 배치하는 배치 공정 (S1)과, 압착 툴에 의해 제2 전자 부품을 제1 전자 부품에 압착시키는 것과 함께, 이방성 도전 필름을 경화시키는 경화 공정 (S2)를 갖는다.A method for producing a bonded structure according to the present technology includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a planar view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm]) ], Y-axis: the number of particles), in which the first electronic component and the second electronic component are disposed through an anisotropic conductive film having a graph shape in which the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak (S1) and while crimping|bonding a 2nd electronic component to a 1st electronic component with a crimping tool, it has a hardening process (S2) of hardening an anisotropic conductive film.

도 9는, 본 실시 형태에 따른 접속체의 제조 방법을 모식적으로 도시하는 단면도이며, 도 9의 (A)는 배치 공정 (S1)을 나타내고, 도 9의 (B)는 경화 공정 (S2)를 나타낸다. 또한, 이방성 도전 접착 필름은, 전술과 동일하기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.Fig. 9 is a cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing a connector according to the present embodiment, in which Fig. 9A is an arrangement step (S1), and Fig. 9B is a curing step (S2). indicates In addition, since the anisotropic conductive adhesive film is the same as that mentioned above, description is abbreviate|omitted here.

[배치 공정 (S1)][Batch process (S1)]

도 9의 (A)에 도시하는 바와 같이, 배치 공정 (S1)에서는, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름(60)을 개재하여 제1 전자 부품(50)과 제2 전자 부품(70)을 배치한다.As shown in Fig. 9(A), in the arrangement step (S1), an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a plan view on the insulating binder, the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the first electron through the anisotropic conductive film 60 having a graph shape in which the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak The component 50 and the second electronic component 70 are arranged.

제1 전자 부품(50)은, 제1 단자열(51)을 구비한다. 제1 전자 부품(50)은, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 제1 전자 부품(50)으로서는, 예를 들어 LCD(Liquid Crystal Display) 패널, 유기 EL(OLED) 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD) 용도, 터치 패널 용도 등의 투명 기판, 프린트 배선판(PWB) 등을 들 수 있다. 프린트 배선판의 재질은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 FR-4 기재 등의 유리 에폭시여도 되고, 열가소성 수지 등의 플라스틱, 세라믹 등도 사용할 수 있다. 또한, 투명 기판은, 투명성이 높은 것이면 특별히 한정은 없고, 유리 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.The first electronic component 50 includes a first terminal string 51 . There is no restriction|limiting in particular for the 1st electronic component 50, According to the objective, it can select suitably. As the 1st electronic component 50, for example, flat panel display (FPD) uses, such as an LCD (Liquid Crystal Display) panel, organic electroluminescent (OLED), transparent substrates, such as a touch panel use, a printed wiring board (PWB), etc. can be heard The material of the printed wiring board is not specifically limited, For example, glass epoxy, such as a FR-4 base material, may be sufficient, and plastics, such as a thermoplastic resin, ceramic, etc. can also be used. Moreover, there will be no limitation in particular as long as a transparent substrate is a thing with high transparency, A glass substrate, a plastic substrate, etc. are mentioned.

제2 전자 부품(70)은, 제1 단자열(51)에 대향하는 제2 단자열(71)을 구비한다. 제2 전자 부품(70)은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 제2 전자 부품(70)으로서는, 예를 들어 IC(Integrated Circuit), 플렉시블 기판(FPC: Flexible Printed Circuits), 테이프 캐리어 패키지(TCP) 기판, IC를 FPC에 실장한 COF(Chip On Film) 등을 들 수 있다.The second electronic component 70 includes a second terminal string 71 opposite to the first terminal string 51 . There is no restriction|limiting in particular for the 2nd electronic component 70, According to the objective, it can select suitably. As the second electronic component 70, for example, an IC (Integrated Circuit), a flexible substrate (FPC: Flexible Printed Circuits), a tape carrier package (TCP) substrate, a COF (Chip On Film) in which the IC is mounted on the FPC, etc. can be heard

[경화 공정 (S2)][Cure process (S2)]

도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 경화 공정 (S2)에서는, 압착 툴(80)에 의해 제2 전자 부품(70)을 제1 전자 부품(50)에 압착시킨다. 이에 의해, 압착 툴(80)에 의해 제2 전자 부품이 충분히 압입되어, 도전 입자(61)가 단자 사이에 협지된 상태에서 수지가 경화한다.As shown in FIG. 9B , in the curing step S2 , the second electronic component 70 is pressed against the first electronic component 50 by the crimping tool 80 . Thereby, the 2nd electronic component is fully press-fitted by the crimping|compression-bonding tool 80, and resin hardens in the state which the electrically-conductive particle 61 was pinched|interposed between the terminals.

이러한 접속 구조체의 제조 방법에 의하면, 미리 분급된 도전 입자를 포함하는 이방성 도전 필름을 사용한 경우와 마찬가지로, 우수한 도통성을 얻을 수 있다.According to the manufacturing method of such a bonded structure, the outstanding electrical conductivity can be acquired similarly to the case where the anisotropic conductive film containing the electrically-conductive particle classified previously is used.

또한, 본 기술에 관한 접속 구조체는, 제1 전자 부품과, 제2 전자 부품과, 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하며, 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름이 경화하여 이루어진다.Further, the connection structure according to the present technology includes a first electronic component, a second electronic component, and an adhesive film to which the first electronic component and the second electronic component are adhered, the adhesive film comprising: an insulating binder formed in a film shape; A plurality of conductive particles arranged in a plane view are provided in the insulating binder, and in a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the range greater than or equal to the particle diameter of the maximum peak The anisotropic conductive film is cured to form a graph in which the slope becomes substantially infinite.

이러한 접속 구조체에 의하면, 미리 분급된 도전 입자를 포함하는 이방성 도전 필름을 사용하여 접착했을 경우와 마찬가지로, 우수한 도통성을 얻을 수 있다.According to such a bonded structure, the outstanding electrical conductivity can be acquired similarly to the case where it adhere|attaches using the anisotropic conductive film containing the electrically-conductive particle classified previously.

또한, 본 기술은, 상술한 접속 구조체의 제조 방법으로의 적용에 한하지 않고, IC칩이나 웨이퍼를 스택하여 다층화할 때에도 적용할 수 있다.In addition, this technique is not limited to application to the manufacturing method of the above-mentioned bonded structure, It can apply also when stacking an IC chip or a wafer and multilayering.

<4. 필러 배치 필름의 제조 방법 및 필러 배치 필름><4. Method of Manufacturing Filler Batch Film and Filler Batch Film>

상술한 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 도전 입자 대신에 도전 입자와 동일한 필러를 사용함으로써, 필러가 면 시야로 배치되는 필러 배치 필름을 제조할 수 있다.The manufacturing method of the above-mentioned anisotropic conductive film can manufacture the filler arrangement|positioning film in which a filler is arrange|positioned in a plane view by using the same filler as an electrically-conductive particle instead of an electrically-conductive particle.

즉, 본 실시 형태에 따른 필러 배치 필름의 제조 방법은, 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 필러를 공급하고, 상기 개구부에 필러를 유지시키는 유지 공정과, 개구부에 유지된 필러를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며, 개구부에 유지된 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다. 이렇게 복수의 개구부를 갖는 부재를 사용하여 필러의 분급을 행함으로써, 필러 배치 필름의 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 본법은, 개구부에 공급되는 필러의 입자 직경 분포가 넓어도(브로드해도) 되는 점에서, 입자 직경의 하한측을 분급한 것을 사용하는 등, 성능과 비용의 균형을 취하기 쉬워지는 효과를 기대할 수 있고, 이용 가능성의 선택지가 증가한다는 이점이 있다.That is, the manufacturing method of the filler arrangement film which concerns on this embodiment supplies the filler of several particle diameters on the member which has a some opening part, The holding process of holding a filler in the said opening part, The filler hold|maintained in the opening part In the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the filler held in the opening having a transfer process to transfer the It becomes a graph shape that becomes substantially infinite. Thus, by classifying a filler using the member which has a some opening part, the manufacturing cost of a filler arrangement film can be reduced. In addition, the present method expects an effect of facilitating a balance between performance and cost, such as using a material classified on the lower limit side of the particle size, since the particle size distribution of the filler supplied to the opening may be wide (broadable). and there is an advantage in that the choice of availability increases.

필러로서는, 필러 배치 필름의 용도에 따라, 무기 필러, 유기 필러의 어느 한쪽, 또는 양자를 사용할 수 있다. 무기 필러로서는, 예를 들어 실리카, 탄산칼슘, 탈크, 황산바륨, 수산화알루미늄, 산화알루미늄, 수산화마그네슘, 산화마그네슘, 산화티타늄, 산화아연, 산화철, 마이카 등을 들 수 있다. 또한, 유기 필러로서는, 예를 들어 실리콘 수지, 불소 수지, 폴리부타디엔 수지 등의 공지된 수지 필러나 고무 입자 등을 들 수 있다.As a filler, according to the use of a filler arrangement film, either or both of an inorganic filler and an organic filler can be used. Examples of the inorganic filler include silica, calcium carbonate, talc, barium sulfate, aluminum hydroxide, aluminum oxide, magnesium hydroxide, magnesium oxide, titanium oxide, zinc oxide, iron oxide, mica, and the like. Moreover, as an organic filler, well-known resin fillers, such as a silicone resin, a fluororesin, and polybutadiene resin, a rubber particle, etc. are mentioned, for example.

예를 들어, 필러 배치 필름을 갭 스페이서로서 사용하는 경우, 필러로서는, 실리카, 탄산칼슘 또는 공지된 수지 필러나 고무 입자 등을 들 수 있고, 필러 배치 필름은, 필러의 입자 직경이 정렬되어 있기 때문에, 우수한 갭 스페이서로서 기능한다. 또한, 예를 들어 필러 배치 필름을 광 확산, 소광, 광택 등의 광학 부재로서 사용하는 경우, 필러로서는 산화티타늄, 산화아연, 산화철 또는 공지된 수지 필러 등을 들 수 있고, 필러 배치 필름은, 필러가 면 시야에서 소정 위치에 배치되기 때문에, 우수한 광학 성능을 얻을 수 있다. 또한, 예를 들어 필러 배치 필름을 의장 부재로서 사용하는 경우, 필러로서는, 착색 필러(무기물, 유기물을 묻지 않음)를 들 수 있고, 필러 배치 필름은, 필러가 면 시야에서 소정 위치에 배치되기 때문에, 우수한 의장성을 얻을 수 있다.For example, when using a filler arrangement film as a gap spacer, silica, calcium carbonate, or a well-known resin filler, rubber particle, etc. are mentioned as a filler, Since the particle diameter of a filler is aligned in a filler arrangement film, , which serves as an excellent gap spacer. Further, for example, when the filler arrangement film is used as an optical member such as light diffusion, matting, and gloss, titanium oxide, zinc oxide, iron oxide, or a known resin filler may be mentioned as the filler, and the filler arrangement film is a filler Since it is arranged at a predetermined position in a masked field of view, excellent optical performance can be obtained. In addition, for example, when a filler arrangement film is used as a design member, as a filler, a colored filler (no inorganic matter or organic matter is attached) is mentioned, and in the filler arrangement film, since the filler is arranged at a predetermined position in a plane view, , excellent designability can be obtained.

복수의 개구부를 갖는 부재 및 접착 필름은, 상술한 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 설명한 것과 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.Since the member and the adhesive film having a plurality of openings are the same as those described in the above-described method for producing the anisotropic conductive film, description thereof is omitted here.

본 실시 형태에 따른 필러 배치 필름은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하며, 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 된다. 필러 배치 필름은, 필러의 입자 직경 분포에 있어서, 큰 입자 직경의 것이 커트되어서 면 시야로 배치되어 있기 때문에, 예를 들어 도전 입자로서 공지된 이방성 도전 필름의 사용 방법 이외에 도통 부재로서 사용하는 용도나, 갭 스페이서, 광학 부재, 의장 부재 등으로 할 수 있다.The filler arrangement film according to the present embodiment includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of fillers arranged in a planar view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the filler (X axis: particle size [μm], Y axis: the number of particles), and in a range equal to or larger than the particle diameter of the maximum peak, the inclination becomes substantially infinite in a graph shape. In the filler particle size distribution, the filler arrangement film has a large particle size cut and arranged in a plan view, so for example, use as a conductive member in addition to the method of using an anisotropic conductive film known as conductive particles. , a gap spacer, an optical member, a design member, or the like.

실시예Example

<5. 실시예><5. Example>

이하, 본 기술의 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 소정의 비율(개수 환산)로 혼합된 도전 입자를, 개구 배열 패턴이 형성된 수지형에 공급하여 개구에 도전 입자를 유지시켜, 개구에 유지된 도전 입자를 접착 필름에 전사함으로써 이방성 도전 필름을 제작하였다. 그리고, 이방성 도전 필름의 분급 평가를 행하였다. 또한, 이방성 도전 필름을 사용하여 접속 구조체를 제작하고, 접속 구조체의 도통성 평가, 보충성 평가 및 쇼트 평가를 행하였다. 또한, 본 기술은, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도전 입자 대신에 수지 입자를 사용한 필러 배치 필름의 제조 방법 및 필러 배치 필름의 실시예에 대해서도, 이방성 도전 필름의 분급 평가의 결과와 동일한 효과가 얻어진다.Hereinafter, an embodiment of the present technology will be described. In this embodiment, conductive particles mixed in a predetermined ratio (in terms of number) are supplied to a resin mold having an aperture arrangement pattern formed therein to hold the conductive particles in the apertures, and the conductive particles held in the apertures are transferred to an adhesive film to obtain anisotropy. A conductive film was produced. And classification evaluation of the anisotropic conductive film was performed. Moreover, the bonded structure was produced using the anisotropic conductive film, and conduction|electrical_connection evaluation of the bonded structure, supplementary evaluation, and short evaluation were performed. In addition, this technique is not limited to these Examples. For example, the same effect as the result of the classification evaluation of an anisotropic conductive film is acquired also about the Example of the manufacturing method of a filler arrangement film using resin particle instead of an electrically-conductive particle, and a filler arrangement film.

[이방성 도전 필름의 제작][Production of anisotropic conductive film]

(수지형의 제작)(Production of resin type)

3㎛의 도전 입자가 평면뷰에서 정방격자 배열로 격자 축과 이방성 도전 필름의 짧은 변 방향과의 이루는 각도 θ가 15°가 되고, 입자 간 거리가 도전 입자의 입자 직경의 2배와 동등해지고, 도전 입자의 개수 밀도가 28000개/㎟가 되도록, 상기 배열 패턴에 준한 볼록부를 갖는 금형을 제작하였다. 금형의 볼록부는 3.3㎛×3.3㎛의 정사각형이고, 이 중심점에서의 피치가 평균 도전 입자 직경 3㎛의 2배가 되는 6㎛로 하였다. 또한, 볼록부의 높이(즉, 개구의 깊이)는 3.5㎛로 하였다. 이 금형에, 공지된 투명성 수지의 펠릿을 용융시킨 상태에서 유입하고, 차게 하여 굳힘으로써, 개구 배열 패턴이 형성된 수지형을 형성하였다. 얻어진 수지형의 개구의 깊이는 볼록부의 높이와 거의 동일하였다.The angle θ between the lattice axis and the short side direction of the anisotropic conductive film of 3 μm conductive particles in a tetragonal arrangement in a plan view is 15°, and the distance between the particles is equal to twice the particle diameter of the conductive particles, A mold having convex portions conforming to the arrangement pattern was produced so that the number density of the conductive particles was 28000 pieces/mm 2 . The convex portion of the mold was a square of 3.3 mu m x 3.3 mu m, and the pitch at this central point was set to be 6 mu m, twice the average conductive particle diameter of 3 mu m. In addition, the height (that is, the depth of an opening) of a convex part was set to 3.5 micrometers. The resin mold in which the opening arrangement pattern was formed was formed by pouring into this mold in the state which melted the pellet of the well-known transparency resin, cooling and hardening. The depth of the obtained resin-shaped opening was substantially equal to the height of the convex part.

(절연성 수지층 A 및 절연성 수지층 A의 제작)(Preparation of insulating resin layer A and insulating resin layer A)

하기 배합의 수지 조성물 A를 바 코터로 필름 두께 50㎛의 PET 필름 상에 도포하고, 80℃의 오븐에서 5분간 건조시켜, PET 필름 상에 두께 4㎛의 절연성 수지층 A를 형성하였다.The resin composition A of the following formulation was applied on a PET film having a film thickness of 50 μm with a bar coater and dried in an oven at 80° C. for 5 minutes to form an insulating resin layer A having a thickness of 4 μm on the PET film.

수지 조성물 A(절연성 수지층 A)Resin composition A (insulating resin layer A)

페녹시 수지(YP-50, 신닛떼쯔 스미낑 가가꾸(주)): 30질량부, 에폭시 수지(jER828, 미쯔비시 가가꾸(주)): 40질량부, 양이온 경화제(SI-60L, 산신 가가꾸 고교(주)): 2질량부, 필러(에어로실 RX300, 닛본 에어로실(주)): 30질량부Phenoxy resin (YP-50, Shin-Nippon Chemical Co., Ltd.): 30 parts by mass, epoxy resin (jER828, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.): 40 parts by mass, cationic curing agent (SI-60L, Sanshin Chemical) Kogyo Co., Ltd.): 2 parts by mass, filler (Aerosil RX300, Nippon Aerosil Co., Ltd.): 30 parts by mass

하기 배합의 수지 조성물 B를 바 코터로 필름 두께 50㎛의 PET 필름 상에 도포하고, 80℃의 오븐에서 5분간 건조시켜, PET 필름 상에 두께 14㎛의 절연성 수지층 B를 형성하였다.The resin composition B of the following formulation was applied on a PET film having a film thickness of 50 μm with a bar coater and dried in an oven at 80° C. for 5 minutes to form an insulating resin layer B having a thickness of 14 μm on the PET film.

수지 조성물 B(절연성 수지층 B)Resin composition B (insulating resin layer B)

페녹시 수지(YP-50, 신닛떼쯔 스미낑 가가꾸(주)): 30질량부, 페녹시 수지(FX-316 ATM55, 신닛떼쯔 스미낑 가가꾸(주)): 30질량부, 에폭시 수지(jER828, 미쯔비시 가가꾸(주)): 40질량부, 양이온 경화제(SI-60L, 산신가가꾸 고교(주)): 2질량부Phenoxy resin (YP-50, Shin-Nippon Sumikin Chemical Co., Ltd.): 30 parts by mass, phenoxy resin (FX-316 ATM55, Shin-Nippon Sumikin Chemical Co., Ltd.): 30 parts by mass, epoxy resin ( jER828, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.): 40 parts by mass, cationic curing agent (SI-60L, Sanshin Chemical Co., Ltd.): 2 parts by mass

(2층 형 이방성 도전 필름의 제작)(Production of two-layer type anisotropic conductive film)

도전 입자로서, 3㎛의 금속 피복 수지 입자(세끼스이 가가꾸 고교(주), AUL703, 평균 입자 직경 3㎛, 이하 「3㎛ 직경 입자」라고 기재함)와, 5㎛의 금속 피복 수지 입자(세끼스이 가가꾸 고교(주), AUL705, 평균 입자 직경 5㎛, 이하 「5㎛ 직경 입자」라고 기재함)를 준비하였다.As the conductive particles, metal-coated resin particles of 3 μm (Sekisui Chemical Co., Ltd., AUL703, average particle diameter of 3 μm, hereinafter referred to as “3 μm-diameter particles”) and 5 μm metal-coated resin particles ( Sekisui Chemical Co., Ltd., AUL705, average particle diameter of 5 micrometers, hereafter described as "5 micrometer diameter particle|grains") was prepared.

3㎛ 직경 입자가 개수 환산으로 80％, 5㎛ 직경 입자가 20％가 되도록 용기에 칭량하고, 충분히 혼합하여, 도전 입자 A를 얻었다. 혼합의 확인은, 혼합물을 소량 발취하고, 접착 필름 상에 살포하여 금속 현미경으로 관찰하였다. 또한, 3 내지 10회 이것을 반복하여 혼합 상태가 균일한 것을 확인하였다.It was weighed in a container so that 3 micrometers diameter particle|grains might become 80% and 5 micrometers diameter particle|grains 20% in conversion of a number, and it fully mixed, and obtained the electrically-conductive particle A. For confirmation of mixing, a small amount of the mixture was taken out, spread on an adhesive film, and observed with a metallurgical microscope. Moreover, this was repeated 3 to 10 times, and it was confirmed that the mixed state was uniform.

도전 입자 A를 개구 배열 패턴이 형성된 수지형의 오목부에 충전하고, 그 위에 상술한 절연성 수지층 A를 씌우고, 60℃, 0.5MPa로 압박함으로써, 도전 입자 A를 절연 수지층 접착시켰다. 그리고, 수지형으로부터 절연성 수지층 A를 박리하고, 절연성 수지층 A 상의 도전 입자를 가압(압박 조건: 60 내지 70℃, 0.5Mpa)함으로써, 도전 입자 A를 절연성 수지층 A에 압입하고, 도전 입자 함유층을 제작하였다. 이 도전 입자 함유층의 도전 입자 A가 존재하는 면측에, 절연성 수지층 B를 포함하는 도전 입자 비함유층을 60℃, 0.5MPa의 조건에서 적층함으로써, 두께 18㎛의 이방성 도전 필름 A를 제작하였다.The electrically conductive particle A was filled in the resin-shaped recessed part in which the opening arrangement pattern was formed, the above-mentioned insulating resin layer A was covered thereon, and the electrically conductive particle A was adhered to the insulating resin layer by pressing at 60 degreeC and 0.5 MPa. Then, by peeling the insulating resin layer A from the resin mold and pressurizing the conductive particles on the insulating resin layer A (pressure conditions: 60 to 70° C., 0.5 Mpa), the conductive particles A are press-fitted into the insulating resin layer A, and the conductive particles A containing layer was prepared. An anisotropic conductive film A having a thickness of 18 µm was produced by laminating a conductive particle-free layer containing an insulating resin layer B on the side of the conductive particle-containing layer on the side of the conductive particle-containing layer at a temperature of 60°C and 0.5 MPa.

3㎛ 직경 입자가 개수 환산으로 75％, 5㎛ 직경 입자가 25％가 되도록 혼합된 도전 입자 B, 3㎛ 직경 입자가 개수 환산으로 50％, 5㎛ 직경 입자가 50％가 되도록 혼합된 도전 입자 C, 3㎛ 직경 입자가 개수 환산으로 40％, 5㎛ 직경 입자가 60％가 되도록 혼합된 도전 입자 D, 3㎛ 직경 입자가 개수 환산으로 100％가 되는 도전 입자 E에 대해서도, 상술과 동일하게 이방성 도전 필름 B 내지 E를 제작하였다.Conductive particles B mixed so that 3 μm diameter particles are 75% in terms of number and 25% 5 μm diameter particles are mixed, and conductive particles are mixed so that 50% of 3 μm diameter particles and 50% 5 μm diameter particles are C, conductive particles D in which 3 μm-diameter particles are 40% in terms of number and 60% in 5 μm-diameter particles, and conductive particles E in which 3 μm-diameter particles are 100% in number conversion, in the same manner as above. Anisotropic conductive films B to E were produced.

[이방성 도전 필름의 분급 평가][Classification evaluation of anisotropic conductive film]

이방성 도전 필름 A 내지 E의 도전 입자 함유층의 필름면을 금속 현미경에 의해 관찰함으로써, 배열에서의 입자 누락을 평가하였다. 이방성 도전 필름 A 내지 E의 관찰은, 필름 길이 방향으로 50㎛, 필름 폭 방향으로 200㎛의 면적을, 연속하지 않는 10군데에서 행하고, 이것을 5군데에서 반복하여, 합계 5㎟의 면적을 행하였다.By observing the film surface of the electrically-conductive particle-containing layer of the anisotropic conductive films A to E with a metallographic microscope, particle omission in an arrangement|sequence was evaluated. Observation of the anisotropic conductive films A to E was performed in 10 non-continuous 10 places with an area of 50 µm in the film longitudinal direction and 200 µm in the film width direction, and this was repeated at 5 places to have an area of 5 mm 2 in total. .

그 결과, 이방성 도전 필름 A 내지 D는, 사용한 도전 입자의 3㎛ 직경 입자의 개수 비율이 낮을수록, 배열에 입자 누락이 있었지만, 후술하는 바와 같이 3㎛ 직경 입자만을 사용한 이방성 도전 필름 E와 동일한 성능을 나타내고, 실용상 문제 없는 범위였다.As a result, the anisotropic conductive films A to D had particle omissions in the arrangement as the number ratio of 3 μm-diameter particles of the conductive particles used was lower, but as described later, the same performance as the anisotropic conductive film E using only 3 μm-diameter particles , and was within a practically problem-free range.

또한, 이방성 도전 필름 A 내지 E에 있어서의 도전 입자 함유층의 도전 입자의 입자 직경 분포를, 입도 분포 측정 장치(FPIA-3000(말번사))를 사용하여 측정하였다.In addition, particle size distribution of the electrically-conductive particle of the electrically-conductive particle containing layer in anisotropic conductive films A-E was measured using the particle size distribution analyzer (FPIA-3000 (Malvern Corporation)).

그 결과, 이방성 도전 필름 A 내지 E의 도전 입자의 모든 입자 직경 분포는, 약 3㎛에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 최대 피크는, 3㎛보다 작았다. 즉, 그래프 형상은, 약 3㎛의 입자 직경에서 Y축과 병행인 직선에 근사하고 있었다. 또한, 이방성 도전 필름 A 내지 E 모두에서, 도전 입자가 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 엄밀하게는 3㎛보다 큰 도전 입자의 존재에 의해, X축이 3㎛에서 3.3㎛ 사이에 있어서의 Y축의 값이 제로에 가까운 부분(X=3 내지 3.3에서, Y=0보다 약간만 양의 값측인 부분)의 그래프 형상은, 도 4에 도시된 바와 같은 약간 정도만 숄더의 어느 형상이 되었다.As a result, all the particle diameter distributions of the electrically-conductive particles of the anisotropic conductive films A-E became the graph shape from which the inclination becomes substantially infinite at about 3 micrometers, and the maximum peak was smaller than 3 micrometers. That is, the graph shape was approximated to a straight line parallel to the Y axis at a particle diameter of about 3 µm. Moreover, in all of the anisotropic conductive films A-E, it has confirmed that 90% or more of the total number of particle|grains existed in the range of +/-30% of an average particle diameter of an electrically-conductive particle. Strictly speaking, due to the presence of conductive particles larger than 3 µm, the Y-axis value is close to zero between 3 µm and 3.3 µm on the X-axis (in X=3 to 3.3, only slightly positive than Y=0) The graph shape of the portion on the value side of ) became a certain shape of the shoulder only slightly as shown in FIG. 4 .

[접속 구조체의 도통성 평가][Evaluation of continuity of connection structure]

이방성 도전 필름 A 내지 E를 도통성 평가용 IC와 유리 기판 사이에 끼우고, 가열 가압(180℃, 60MPa, 5초)하여 도통성 평가용의 접속 구조체를 제작하였다. 그리고, 각 접속 구조체의 도통 저항을, 접속 후의 초기 및 온도 85℃, 습도 85％ RH의 항온조에 500시간 정치한 신뢰성 시험 후에 측정하였다.Anisotropic conductive films A to E were sandwiched between the IC for continuity evaluation and a glass substrate, and heated and pressurized (180 degreeC, 60 MPa, 5 second), and the bonded structure for continuity evaluation was produced. And the conduction resistance of each bonded structure was measured after the reliability test which left still for 500 hours in the initial stage after connection, and the thermostat of temperature 85 degreeC, and humidity 85%RH.

그 결과, 이방성 도전 필름 A 내지 E를 사용한 접속 구조체 모두에서, 초기의 도통 저항이 0.5Ω 미만, 신뢰성 시험 후의 도통 저항이 5Ω 미만이었다. 즉, 이방성 도전 필름 A 내지 D는, 3㎛ 직경 입자만을 사용한 이방성 도전 필름 E와 동일한 성능을 나타내고, 실용상 문제 없는 것을 알 수 있었다.As a result, in all the bonded structures using the anisotropic conductive films A to E, the conduction resistance of the initial stage was less than 0.5 (ohm), and the conduction resistance after a reliability test was less than 5 (ohm). That is, the anisotropic conductive films A to D showed the same performance as the anisotropic conductive film E using only 3 micrometer diameter particle|grains, and it turned out that there is no problem practically.

도통성 평가용 IC:IC for continuity evaluation:

외형 1.8×20.0mmDimensions 1.8×20.0mm

두께 0.5mmthickness 0.5mm

범프 사양 사이즈 30×85㎛, 범프 간 거리 50㎛, 범프 높이 15㎛Bump specification size 30×85㎛, distance between bumps 50㎛, bump height 15㎛

유리 기판(ITO 배선):Glass substrate (ITO wiring):

유리 재질 코닝사제 1737FGlass material Corning 1737F

외경 30×50mmOuter diameter 30×50mm

두께 0.5mmthickness 0.5mm

전극 ITO 배선electrode ITO wiring

[접속 구조체의 보충성 평가][Evaluation of complementarity of connected structures]

도통성 평가용의 접속 구조체를 사용하여, 도전 입자의 포착 상태에 대해 압흔 검사를 행하였다. 그 결과, 이방성 도전 필름 A 내지 E 모두에서, 범프 1개당 적어도 3개 이상의 도전 입자가, 각각 독립된 압흔이 되고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 포착수에 대해서는, 3㎛ 직경 입자의 혼합 비율이 높을수록 보충수가 많은 경향이 되고, 3㎛ 직경만을 사용한 이방성 도전 필름 E가 가장 포착수가 많았다.The indentation test was done about the capture|acquisition state of an electrically-conductive particle using the bonded structure for continuity evaluation. As a result, in all of the anisotropic conductive films A to E, it was confirmed that at least three or more conductive particles per bump were each independent indentation. Moreover, about captured water, it became the tendency for many replenishment water, so that the mixing ratio of 3 micrometers diameter particle|grains was high, and the anisotropic conductive film E using only 3 micrometers diameter had the largest number of captures.

[접속 구조체의 쇼트 평가][Short evaluation of connected structure]

도통성 평가용의 각 접속 구조체에 대해, 범프간 100개에 있어서 쇼트되어 있는 채널수를 계측하여, 쇼트수로 하였다. 그 결과, 이방성 도전 필름 A 내지 E를 사용한 접속 구조체 모두에서, 쇼트되어 있는 것은 없었다.About each bonded structure for continuity evaluation, the number of channels shorted in 100 between bumps was measured, and it was set as the number of short circuits. As a result, in any of the bonded structures using the anisotropic conductive films A to E, there was no shorting.

또한, 이방성 도전 필름 A 내지 E를 쇼트 발생률 평가용 IC와 해당 평가용 IC에 대응한 패턴의 유리 기판 사이에 끼우고, 가열 가압(180℃, 60MPa, 5초)하여 도통성 평가용의 접속 구조체를 제작하였다. 그리고, 범프 사이에 있어서 쇼트되어 있는 채널수를 쇼트수로 하여, 「쇼트의 발생수/7.5 ㎛ 스페이스 총 수」로 산출되는 쇼트 발생률을 구하였다.Further, the anisotropic conductive films A to E are sandwiched between the IC for short-circuit occurrence rate evaluation and the glass substrate of a pattern corresponding to the IC for evaluation, heat-pressed (180° C., 60 MPa, 5 seconds) to evaluate the continuity. was produced. Then, the number of shorted channels between bumps was taken as the number of shots, and the short-circuit incidence rate calculated as "number of occurrences of shorts/total number of 7.5 m spaces" was calculated.

그 결과, 이방성 도전 필름 A 내지 E를 사용한 접속 구조체 모두에서, 쇼트 발생률은 50ppm 미만이었다. 또한, 쇼트 발생률이 50ppm 미만이면 실용상 문제는 없다.As a result, in all the bonded structures using the anisotropic conductive films A to E, the short-circuit occurrence rate was less than 50 ppm. Moreover, if the short-circuit occurrence rate is less than 50 ppm, there will be no problem practically.

쇼트 발생률 평가용 IC(빗살 TEG(Test Element Group))IC for short-circuit rate evaluation (Comb Teeth TEG (Test Element Group))

외형 1.5×13mmDimensions 1.5×13mm

두께 0.5mmthickness 0.5mm

범프 사양 금 도금, 높이 15㎛, 사이즈 25×140㎛, 범프 간 거리 7.5㎛Bump specifications Gold plating, height 15㎛, size 25×140㎛, distance between bumps 7.5㎛

[종합 평가][Comprehensive evaluation]

이방성 도전 필름의 분급 평가, 접속 구조체의 도통성 평가, 보충성 평가 및 쇼트 평가의 어떤 경우에 있어서도, 본 기술을 적용시킨 이방성 도전 필름 A 내지 D는, 3㎛ 직경 입자만을 사용한 이방성 도전 필름 E와 동등하고, 실용상 문제 없는 것을 알 수 있었다. 즉, 본 기술을 적용함으로써, 입자 직경 분포가 브로드한 도전 입자를 사용할 수 있고, 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 이방성 도전 필름의 분급 평가의 결과로부터, 필러 배치 필름에서도 동일한 효과가 얻어지는 것을 알 수 있었다.In any case of classification evaluation of the anisotropic conductive film, continuity evaluation of the bonded structure, supplementary evaluation and short evaluation, the anisotropic conductive films A to D to which the present technology is applied are an anisotropic conductive film E using only 3 μm diameter particles and It turned out that it is equivalent and there is no problem practically. That is, by applying this technique, the electrically conductive particle with a broad particle diameter distribution can be used, and manufacturing cost can be reduced. Moreover, from the result of classification evaluation of an anisotropic conductive film, it turned out that the same effect is acquired also in a filler arrangement film.

또한, 상술한 실시예에서는, 큰 입자 직경의 도전 입자를 제거하는 것으로 했지만, 작은 입자 직경의 도전 입자를 공지된 방법으로 미리 제거하게 해도 된다. 작은 입자 직경의 도전 입자를 제거하는 방법으로서는, 예를 들어, 액체 중의 도전 입자에 0.2 내지 40㎛의 진폭을 갖는 진동을 부여하고, 짧은 직경의 표준 편차가 10％ 이하인 체에 의해 행하는 습식 분급 방법 등을 들 수 있다.In addition, in the above-mentioned Example, although it was assumed that the electrically-conductive particle of a large particle diameter is removed, you may make it remove beforehand the electrically-conductive particle of a small particle diameter by a well-known method. As a method of removing small particle diameter conductive particles, for example, a wet classification method in which a vibration having an amplitude of 0.2 to 40 μm is applied to conductive particles in a liquid and a sieve having a short diameter standard deviation of 10% or less is performed. and the like.

10: 부재, 20: 도전 입자, 30: 접착 필름, 40: 박리 필름, 50: 제1 전자 부품, 51: 제1 단자열, 60: 이방성 도전 필름, 61: 도전 입자, 70: 제2 전자 부품, 71: 제2 단자열, 80: 압착 툴DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: member, 20: conductive particle, 30: adhesive film, 40: release film, 50: first electronic component, 51: first terminal string, 60: anisotropic conductive film, 61: conductive particles, 70: second electronic component , 71: second terminal row, 80: crimping tool

Claims (35)

복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 도전 입자를 공급하고, 상기 개구부에 도전 입자를 유지시키는 유지 공정과, 상기 개구부에 유지된 도전 입자를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며,
상기 개구부에 유지된 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 개구부에 유지된 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 이방성 도전 필름의 제조 방법.A holding step of supplying conductive particles of a plurality of particle diameters to a member having a plurality of openings and holding the conductive particles in the openings, and a transfer step of transferring the conductive particles held in the openings to an adhesive film,
In the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening, the slope becomes substantially infinite in a range greater than or equal to the particle diameter of the maximum peak, ,
The manufacturing method of the anisotropic conductive film in which 90% or more of the number of total particles exists in the range of +/-30% of the average particle diameter of the electrically-conductive particle hold|maintained by the said opening part. 제1항에 있어서, 상기 유지 공정에서 공급되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 이방성 도전 필름의 제조 방법.The gradient of the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles supplied in the holding step is substantially less than the particle diameter of the maximum peak. A method for producing an anisotropic conductive film having a particle diameter that becomes infinite. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유지 공정에서 공급되는 복수의 도전 입자의 표면이, 절연체에 의해 피복되어 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법.The manufacturing method of the anisotropic conductive film of Claim 1 or 2 in which the surface of the some electrically-conductive particle supplied in the said holding process is coat|covered with the insulator. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와,
상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하며,
상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 이방성 도전 필름.An insulating binder formed in the form of a film,
A plurality of conductive particles disposed in a plane view on the insulating binder,
In the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in a range greater than or equal to the particle diameter of the maximum peak,
The said electrically-conductive particle is an anisotropic conductive film in which 90% or more of the total number of particle|grains exists in the range of +/-30% of an average particle diameter. 제4항에 있어서, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 이방성 도전 필름.The particle diameter according to claim 4, wherein in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in a range less than or equal to the particle diameter of the maximum peak. An anisotropic conductive film having 제4항에 있어서, 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 복수의 피크를 갖는 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름.The anisotropic conductive film according to claim 4, wherein in the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the anisotropic conductive film has a graph shape having a plurality of peaks. 상기 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름이 권취 코어에 감겨 있는 이방성 도전 필름 권장체.The anisotropic conductive film winding body by which the anisotropic conductive film in any one of said Claims 4-6 is wound around the core. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 이방성 도전 필름을 개재하여 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과,
압착 툴에 의해 상기 제2 전자 부품을 상기 제1 전자 부품에 압착시키는 압착공정
을 갖는 접속 구조체의 제조 방법.An insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a plane view on the insulating binder, the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [㎛], Y-axis: number of particles) Anisotropic conductive film in which 90% or more of the total number of particles is present in the range of the maximum peak particle diameter or more, the slope of which is substantially infinite, and the conductive particles are in the range of ±30% of the average particle diameter. an arrangement process of arranging the first electronic component and the second electronic component via
A crimping process of crimping the second electronic component to the first electronic component using a crimping tool
A method for manufacturing a bonded structure having 제1 전자 부품과, 제2 전자 부품과, 상기 제1 전자 부품과 상기 제2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하며,
상기 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 이방성 도전 필름으로 이루어지는 접속 구조체.A first electronic component, a second electronic component, and an adhesive film to which the first electronic component and the second electronic component are adhered;
The adhesive film includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles disposed on the insulating binder in a plane view, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, and the conductive particles have 90% or more of the total number of particles within a range of ±30% of the average particle diameter. The bonded structure which consists of an anisotropic conductive film to do. 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 필러를 공급하고, 상기 개구부에 필러를 유지시키는 유지 공정과, 상기 개구부에 유지된 필러를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며,
상기 개구부에 유지된 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되고,
상기 개구부에 유지된 필러는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 필러 배치 필름의 제조 방법.a holding step of supplying fillers having a plurality of particle diameters to a member having a plurality of openings and holding the fillers in the openings; and a transferring process of transferring the fillers held in the openings to an adhesive film;
In the particle size distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the filler held in the opening, the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak,
The filler hold|maintained in the said opening part is the manufacturing method of the filler arrangement|positioning film in which 90% or more of the total number of particle|grains exists in the range of +/-30% of an average particle diameter. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와,
상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하며,
상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 필러는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 필러 배치 필름.An insulating binder formed in the form of a film,
A plurality of fillers disposed in a plane view on the insulating binder,
In the particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in the range of the particle diameter or more of the maximum peak,
The filler arrangement film in which 90% or more of the total number of particle|grains exists in the range of +/-30% of an average particle diameter as for the said filler. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하고, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 필러는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 필러 배치 필름을 개재하여 제1 부품과 제2 부품을 배치하는 배치 공정과,
압착 툴에 의해 상기 제2 부품을 상기 제1 부품에 압착시키는 압착공정
을 갖는 접속 구조체의 제조 방법.An insulating binder formed in a film shape, and a plurality of fillers disposed in a plane view on the insulating binder, in a particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), In a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, the inclination becomes substantially infinite, and the filler is formed in a range of ±30% of the average particle diameter through a filler arrangement film in which 90% or more of the total number of particles is present. an arrangement process of arranging the first part and the second part;
A crimping process of crimping the second part to the first part by a crimping tool
A method for manufacturing a bonded structure having 제1 부품과, 제2 부품과, 상기 제1 부품과 상기 제2 부품이 접착된 접착막을 구비하며,
상기 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하고, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 필러는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 필러 배치 필름으로 이루어지는 접속 구조체.A first part, a second part, and an adhesive film to which the first part and the second part are adhered,
The adhesive film includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of fillers disposed in a plan view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) ), in which the inclination becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, and the filler is a filler arrangement in which 90% or more of the total number of particles is present in the range of ±30% of the average particle diameter. A bonded structure made of a film. 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 도전 입자를 공급하고, 상기 개구부에 도전 입자를 유지시키는 유지 공정과, 상기 개구부에 유지된 도전 입자를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며,
상기 개구부에 유지된 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 개구부에 유지된 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하고,
상기 유지 공정에서 공급되는 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 이방성 도전 필름의 제조 방법.A holding step of supplying conductive particles of a plurality of particle diameters to a member having a plurality of openings and holding the conductive particles in the openings, and a transfer step of transferring the conductive particles held in the openings to an adhesive film,
In the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles held in the opening, the slope becomes substantially infinite in a range greater than or equal to the particle diameter of the maximum peak, ,
In the conductive particles held in the openings, 90% or more of the total number of particles is present in the range of ±30% of the average particle diameter,
In the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the conductive particles supplied in the holding step, the particle diameter in which the gradient becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak. A method for producing an anisotropic conductive film having a. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와,
상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하며,
상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하고,
상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 이방성 도전 필름.An insulating binder formed in the form of a film,
A plurality of conductive particles disposed in a plane view on the insulating binder,
In the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in a range greater than or equal to the particle diameter of the maximum peak,
90% or more of the total number of particles exists in the range of ±30% of the average particle diameter of the said electrically-conductive particle,
In the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the anisotropic conductive film having a particle diameter in which the slope becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak. . 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 이방성 도전 필름을 개재하여 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과,
압착 툴에 의해 상기 제2 전자 부품을 상기 제1 전자 부품에 압착시키는 압착공정을 가지며,
상기 이방성 도전 필름이, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 접속 구조체의 제조 방법.An insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a plane view on the insulating binder, the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [㎛], Y-axis: number of particles) Anisotropic conductive film in which 90% or more of the total number of particles is present in the range of the maximum peak particle diameter or more, the slope of which is substantially infinite, and the conductive particles are in the range of ±30% of the average particle diameter. an arrangement process of arranging the first electronic component and the second electronic component via
and a crimping process of crimping the second electronic component to the first electronic component using a crimping tool,
In the anisotropic conductive film, in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: particle number), the particle whose inclination becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak A method for manufacturing a bonded structure having a diameter. 제1 전자 부품과, 제2 전자 부품과, 상기 제1 전자 부품과 상기 제2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하며,
상기 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하는 이방성 도전 필름으로 이루어지고,
상기 이방성 도전 필름이, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 접속 구조체.A first electronic component, a second electronic component, and an adhesive film to which the first electronic component and the second electronic component are adhered;
The adhesive film includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles disposed on the insulating binder in a plane view, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, and the conductive particles have 90% or more of the total number of particles within a range of ±30% of the average particle diameter. made of an anisotropic conductive film,
In the anisotropic conductive film, in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: particle number), the particle whose inclination becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak A connection structure having a diameter. 복수의 개구부를 갖는 부재 상에, 복수의 입자 직경의 필러를 공급하고, 상기 개구부에 필러를 유지시키는 유지 공정과, 상기 개구부에 유지된 필러를 접착 필름에 전사하는 전사 공정을 가지며,
상기 개구부에 유지된 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 개구부에 유지된 필러는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하고,
상기 유지 공정에서 공급되는 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 필러 배치 필름의 제조 방법.a holding step of supplying fillers having a plurality of particle diameters to a member having a plurality of openings and holding the fillers in the openings; and a transferring process of transferring the fillers held in the openings to an adhesive film;
In the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the filler held in the opening, the slope becomes substantially infinite in the range above the particle diameter of the maximum peak,
In the filler held in the opening, 90% or more of the total number of particles is present in the range of ±30% of the average particle diameter,
In the particle diameter distribution graph (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) of the filler supplied in the holding step, the particle diameter in which the slope becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak The manufacturing method of the filler arrangement film which has. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와,
상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하며,
상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고,
상기 필러는, 평균 입자 직경의 ±30％의 범위에 전체 입자수의 90％ 이상이 존재하고,
상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 필러 배치 필름.An insulating binder formed in the form of a film,
A plurality of fillers disposed in a plane view on the insulating binder,
In the particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the slope becomes substantially infinite in the range of the particle diameter or more of the maximum peak,
In the filler, 90% or more of the total number of particles is present in the range of ±30% of the average particle diameter,
In the particle diameter distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the filler arrangement film having a particle diameter whose inclination becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak. 제1항에 있어서, 상기 도전 입자의 평균 입자 직경에 대한 상기 개구부의 개구 직경의 비가 1.3 내지 1.8인 이방성 도전 필름의 제조 방법.The method for manufacturing an anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the ratio of the opening diameter of the opening to the average particle diameter of the conductive particles is 1.3 to 1.8. 제10항에 있어서, 상기 필러의 평균 입자 직경에 대한 상기 개구부의 개구 직경의 비가 1.3 내지 1.8인 필러 배치 필름의 제조 방법.The manufacturing method of the filler arrangement|positioning film of Claim 10 whose ratio of the opening diameter of the said opening part to the average particle diameter of the said filler is 1.3-1.8. 제14항에 있어서, 상기 도전 입자의 평균 입자 직경에 대한 상기 개구부의 개구 직경의 비가 1.3 내지 1.8인 이방성 도전 필름의 제조 방법.The manufacturing method of the anisotropic conductive film of Claim 14 whose ratio of the opening diameter of the said opening part to the average particle diameter of the said electrically-conductive particle is 1.3-1.8. 제18항에 있어서, 상기 필러의 평균 입자 직경에 대한 상기 개구부의 개구 직경의 비가 1.3 내지 1.8인 필러 배치 필름의 제조 방법.The manufacturing method of the filler arrangement film of Claim 18 whose ratio of the opening diameter of the said opening part to the average particle diameter of the said filler is 1.3-1.8. 제8항에 있어서, 상기 압착 공정은 압착 툴에 의해 상기 제2 전자 부품을 상기 제1 전자 부품에 압착시킴과 함께, 상기 이방성 도전 필름을 경화시키는 공정인 접속 구조체의 제조 방법.The manufacturing method of the bonded structure of Claim 8 whose said crimping|compression-bonding process is a process of hardening the said anisotropic conductive film while crimping|bonding the said 2nd electronic component to the said 1st electronic component with a crimping tool. 제9항에 있어서, 상기 이방성 도전 필름이 경화하여 이루어지는 접속 구조체.The bonded structure according to claim 9, wherein the anisotropic conductive film is cured. 제12항에 있어서, 상기 압착 공정은 압착 툴에 의해 상기 제2 부품을 상기 제1 부품에 압착시킴과 함께, 상기 필러 배치 필름을 경화시키는 공정인 접속 구조체의 제조 방법.The manufacturing method of the bonded structure of Claim 12 whose said crimping|compression-bonding process is a process of hardening the said filler arrangement|positioning film while crimping|bonding the said 2nd component to the said 1st component with a crimping tool. 제13항에 있어서, 상기 필러 배치 필름이 경화하여 이루어지는 접속 구조체.The bonded structure according to claim 13, wherein the filler arrangement film is cured. 제16항에 있어서, 상기 압착 공정은 압착 툴에 의해 상기 제2 전자 부품을 상기 제1 전자 부품에 압착시킴과 함께, 상기 이방성 도전 필름을 경화시키는 공정인 접속 구조체의 제조 방법.The manufacturing method of the bonded structure of Claim 16 whose said crimping|compression-bonding process is a process of hardening the said anisotropic conductive film while crimping|bonding the said 2nd electronic component to the said 1st electronic component with a crimping tool. 제17항에 있어서, 상기 이방성 도전 필름이 경화하여 이루어지는 접속 구조체.The bonded structure according to claim 17, wherein the anisotropic conductive film is cured. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름을 개재하여 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과,
압착 툴에 의해 상기 제2 전자 부품을 상기 제1 전자 부품에 압착시키는 압착 공정
을 갖는 접속 구조체의 제조 방법.An insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a plane view on the insulating binder, the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [㎛], Y-axis: number of particles) In the range above the particle diameter of the maximum peak, the slope becomes substantially infinite in a graph shape, and in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the cumulative In the distribution, the difference between the particle diameter D10 of 10% cumulative number and the particle diameter D90 of 90% cumulative number from the side with the smaller particle diameter is larger than 25% of the average particle diameter in a graph shape through the anisotropic conductive film of the first electron an arrangement process of arranging the component and the second electronic component;
A crimping process of crimping the second electronic component to the first electronic component using a crimping tool
A method for manufacturing a bonded structure having 제1 전자 부품과, 제2 전자 부품과, 상기 제1 전자 부품과 상기 제2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하며,
상기 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름으로 이루어지는 접속 구조체.A first electronic component, a second electronic component, and an adhesive film to which the first electronic component and the second electronic component are adhered;
The adhesive film includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles disposed on the insulating binder in a plane view, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), in which the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, and the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) In the cumulative distribution, the difference between the particle diameter D10 of 10% cumulative number and particle diameter D90 of 90% cumulative number from the side with the smaller particle diameter in the cumulative distribution is larger than 25% of the average particle diameter. connection structure. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하고, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 그래프 형상이 되는 필러 배치 필름을 개재하여 제1 부품과 제2 부품을 배치하는 배치 공정과,
압착 툴에 의해 상기 제2 부품을 상기 제1 부품에 압착시키는 압착 공정
을 갖는 접속 구조체의 제조 방법.An insulating binder formed in a film shape, and a plurality of fillers disposed in a plane view on the insulating binder, in a particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), In the range above the particle diameter of the maximum peak, the slope becomes substantially infinite, and in the particle diameter distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), in the cumulative distribution, The first part and the second part through a filler arrangement film in which the difference between the particle diameter D10 of 10% cumulative number and the particle diameter D90 of 90% cumulative number from the side with the smaller particle diameter becomes a graph shape larger than 25% of the average particle diameter a placement process for placing parts; and
A crimping process of crimping the second part to the first part by a crimping tool
A method for manufacturing a bonded structure having 제1 부품과, 제2 부품과, 상기 제1 부품과 상기 제2 부품이 접착된 접착막을 구비하며,
상기 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 필러를 구비하고, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 필러의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 그래프 형상이 되는 필러 배치 필름으로 이루어지는 접속 구조체.A first part, a second part, and an adhesive film to which the first part and the second part are adhered,
The adhesive film includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of fillers disposed in a plan view on the insulating binder, and a particle size distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) ), in which the slope becomes substantially infinite in a range greater than or equal to the particle diameter of the maximum peak, and in the particle diameter distribution graph of the filler (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), A bonded structure comprising a filler arrangement film having a graph shape in which the difference between the particle diameter D10 of 10% cumulative number and the particle diameter D90 of 90% cumulative number from the side having the smaller particle diameter in the cumulative distribution is larger than 25% of the average particle diameter. 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름을 개재하여 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과,
압착 툴에 의해 상기 제2 전자 부품을 상기 제1 전자 부품에 압착시키는 압착 공정을 가지며,
상기 이방성 도전 필름이, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 접속 구조체의 제조 방법.An insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles arranged in a plane view on the insulating binder, the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [㎛], Y-axis: number of particles) In the range above the particle diameter of the maximum peak, the slope becomes substantially infinite in a graph shape, and in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), the cumulative In the distribution, the difference between the particle diameter D10 of 10% cumulative number and the particle diameter D90 of 90% cumulative number from the side with the smaller particle diameter is larger than 25% of the average particle diameter in a graph shape through the anisotropic conductive film of the first electron an arrangement process of arranging the component and the second electronic component;
and a crimping process of crimping the second electronic component to the first electronic component using a crimping tool,
In the anisotropic conductive film, in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: particle number), the particle whose inclination becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak A method for manufacturing a bonded structure having a diameter. 제1 전자 부품과, 제2 전자 부품과, 상기 제1 전자 부품과 상기 제2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하며,
상기 접착막은, 필름 형상으로 형성된 절연성 결합제와, 상기 절연성 결합제에 면 시야로 배치되는 복수의 도전 입자를 구비하고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이상의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 그래프 형상이 되고, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 누적 분포에 있어서 입자 직경이 작은 측으로부터의 개수 누적 10％의 입자 직경 D10과 개수 누적 90％의 입자 직경 D90의 차가 평균 입자 직경의 25％보다 큰 그래프 형상이 되는 이방성 도전 필름으로 이루어지고,
상기 이방성 도전 필름이, 상기 도전 입자의 입자 직경 분포 그래프(X축: 입자 직경[㎛], Y축: 입자 개수)에 있어서, 최대 피크의 입자 직경 이하의 범위에서 기울기가 실질적으로 무한대가 되는 입자 직경을 갖는 접속 구조체.A first electronic component, a second electronic component, and an adhesive film to which the first electronic component and the second electronic component are adhered;
The adhesive film includes an insulating binder formed in a film shape, and a plurality of conductive particles disposed on the insulating binder in a plane view, and a particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles), in which the slope becomes substantially infinite in a range equal to or greater than the particle diameter of the maximum peak, and the particle size distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: number of particles) In the cumulative distribution, the difference between the particle diameter D10 of 10% cumulative number from the side with the smaller particle diameter and the particle diameter D90 of 90% cumulative number from the side of the cumulative distribution is larger than 25% of the average particle diameter. under,
In the anisotropic conductive film, in the particle diameter distribution graph of the conductive particles (X-axis: particle diameter [μm], Y-axis: particle number), the particle whose inclination becomes substantially infinite in the range below the particle diameter of the maximum peak A connection structure having a diameter.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019125529A (en) * 2018-01-18 2019-07-25 タツタ電線株式会社 Conductive adhesive film and electromagnetic wave shield film including the same
JP2019179647A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 デクセリアルズ株式会社 Conductive material, and manufacturing method of connection body

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000043237A (en) 1998-07-29 2000-02-15 Toppan Printing Co Ltd Squeegee, squeegeeing mechanism and method for screen printing using it
JP2004223788A (en) 2003-01-21 2004-08-12 Yamaha Motor Co Ltd Squeegee and screen printing machine
JP2007232627A (en) * 2006-03-02 2007-09-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Anisotropic conductive film for inspecting minute circuit
JP2013055045A (en) * 2011-08-05 2013-03-21 Sekisui Chem Co Ltd Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material
JP2014060151A (en) * 2012-08-24 2014-04-03 Dexerials Corp Method for manufacturing anisotropic conductive film and anisotropic conductive film
JP2015034279A (en) 2013-04-10 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 Ink composition for transparent conductive film formation, transparent conductive film, manufacturing method of transparent electrode and image display device
WO2015068654A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 昭和電工株式会社 Conductive pattern formation method, production method for on-cell-type touch panel using same, transfer film used in same, and on-cell-type touch panel

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4661914B2 (en) * 1995-02-07 2011-03-30 日立化成工業株式会社 Electrode connection method
WO2005054388A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-16 Asahi Kasei Emd Corporation Anisotropic conductive adhesive sheet and coupling structure
KR100591074B1 (en) * 2004-12-13 2006-06-19 (주) 선양디엔티 System for attaching anisotropic conductive material on flexible printed circuit board for chip on film
KR100787381B1 (en) * 2006-11-16 2007-12-24 한국과학기술연구원 Conducting particle complex with microcapsules, preparation thereof and anisotropic conductive adhesive film used thereof
JP4735606B2 (en) * 2007-06-14 2011-07-27 日本ゼオン株式会社 Anisotropic conductive material
JP4900396B2 (en) * 2009-01-27 2012-03-21 パナソニック電工株式会社 Conductive sheet material and electrical connection structure
WO2013005831A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 日立化成工業株式会社 Circuit-connecting material and connected circuit board structure
CN104303238B (en) * 2012-04-26 2016-11-09 国立大学法人大阪大学 Transparent conductivity ink and transparent conductive patterns forming method
JP6423583B2 (en) * 2012-05-14 2018-11-14 積水化学工業株式会社 Conductive particle material, conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP5972844B2 (en) * 2012-09-18 2016-08-17 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive film, method for manufacturing anisotropic conductive film, method for manufacturing connected body, and connection method
KR102149375B1 (en) * 2013-07-31 2020-08-28 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Anisotropically conductive film and manufacturing method therefor
JP2015135748A (en) * 2014-01-17 2015-07-27 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive film, connection structure, method for manufacturing connection structure, and apparatus for manufacturing connection structure

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000043237A (en) 1998-07-29 2000-02-15 Toppan Printing Co Ltd Squeegee, squeegeeing mechanism and method for screen printing using it
JP2004223788A (en) 2003-01-21 2004-08-12 Yamaha Motor Co Ltd Squeegee and screen printing machine
JP2007232627A (en) * 2006-03-02 2007-09-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Anisotropic conductive film for inspecting minute circuit
JP2013055045A (en) * 2011-08-05 2013-03-21 Sekisui Chem Co Ltd Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material
JP2014060151A (en) * 2012-08-24 2014-04-03 Dexerials Corp Method for manufacturing anisotropic conductive film and anisotropic conductive film
JP2015034279A (en) 2013-04-10 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 Ink composition for transparent conductive film formation, transparent conductive film, manufacturing method of transparent electrode and image display device
WO2015068654A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 昭和電工株式会社 Conductive pattern formation method, production method for on-cell-type touch panel using same, transfer film used in same, and on-cell-type touch panel

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