KR102442547B1 - Multiple power semiconductor cooling devices - Google Patents

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왕선정
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Abstract

복수의 파워 반도체 냉각장치가 개시된다. 상기 복수의 파워 반도체 냉각장치는 파워반도체의 배면에 부착되는 전도성 방열체; 및 냉각채널 및 상기 냉각채널 방향에 따라 배열된 상기 방열체를 수용하는 수용개구를 포함하는 절연성 재질의 냉각채널부를 포함한다.A plurality of power semiconductor cooling devices are disclosed. The plurality of power semiconductor cooling devices may include: a conductive heat sink attached to a rear surface of the power semiconductor; and a cooling channel portion made of an insulating material including a cooling channel and an accommodating opening for accommodating the heat sink arranged along the cooling channel direction.

Description

복수의 파워 반도체 냉각장치{MULTIPLE POWER SEMICONDUCTOR COOLING DEVICES}MULTIPLE POWER SEMICONDUCTOR COOLING DEVICES

본 발명은 복수의 파워 반도체 냉각장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 큰 공간을 차지하지 않고 직렬 배열되어 복수의 파워 반도체들을 효율적으로 냉각할 수 있는 복수의 파워 반도체 냉각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plurality of power semiconductor cooling devices, and more particularly, to a plurality of power semiconductor cooling devices that are arranged in series without occupying a large space to efficiently cool a plurality of power semiconductors.

가열 장치과 같은 고전압 장치는 고전압의 스위칭을 위해 통상 여러 개의 파워 반도체를 직렬로 연결하여 사용한다. 일 예로서, TO 247 반도체와 같은 파워 반도체를 직렬로 연결하여 사용한다. 이러한 파워 반도체를 사용하는 장치는 점점 경량화, 소형화 및 고집적화가 요구되고 있다.A high voltage device such as a heating device generally uses several power semiconductors connected in series for high voltage switching. As an example, power semiconductors such as TO 247 semiconductors are connected in series and used. Devices using such power semiconductors are increasingly required to be lightweight, miniaturized, and highly integrated.

개별 파워 반도체는 냉각을 위해 이의 배면에 절연필름을 붙이고 이 절연필름 상에 냉각수단으로서 전도성 냉각핀을 부착하기도 하나, 이 냉각핀 만으로는 냉각 효율이 부족하여 추가 냉각 수단을 필요로 한다.Individual power semiconductors have an insulating film on their backside for cooling, and conductive cooling fins are also attached as cooling means on the insulating film.

이때, 직렬로 배열되어 인접하는 파워 반도체들을 한번에 냉각할 수 있는 추가 냉각 수단이 필요하고, 추가 냉각 수단은 큰 공간을 차지하지 않고 인접한 파워 반도체간 서로 절연되면서 효율적으로 냉각시킬 수 있는 수단이어야 한다.At this time, an additional cooling means arranged in series to cool adjacent power semiconductors at once is required, and the additional cooling means must be a means that can efficiently cool adjacent power semiconductors while insulating them from each other without occupying a large space.

한국공개특허 제10-2014-0057046호Korean Patent Publication No. 10-2014-0057046

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 큰 공간을 차지하지 않고 직렬 배열되어 서로 인접한 파워 반도체간 서로 절연되면서 파워 반도체들을 효율적으로 냉각할 수 있도록 한 복수의 파워 반도체 냉각장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a plurality of power semiconductor cooling devices that are arranged in series without occupying a large space and insulate adjacent power semiconductors from each other and efficiently cool the power semiconductors.

또한, 다양한 장치에서 파워 반도체의 냉각을 위한 냉각채널을 용이하게 구성할 수 있도록 한 복수의 파워 반도체 냉각장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a plurality of power semiconductor cooling devices capable of easily configuring a cooling channel for cooling a power semiconductor in various devices.

본 발명에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 파워반도체의 배면에 부착되는 전도성 방열체; 및 냉각채널 및 상기 냉각채널 방향에 따라 배열된 상기 방열체를 수용하는 수용개구를 포함하는 절연성 재질의 냉각채널부를 포함한다.A plurality of power semiconductor cooling devices according to the present invention includes a conductive heat sink attached to the rear surface of the power semiconductor; and a cooling channel portion made of an insulating material including a cooling channel and an accommodating opening for accommodating the heat sink arranged along the cooling channel direction.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부는 중공 사각채널 형태이고, 상기 냉각채널부의 일면에 상기 수용개구가 길이방향으로 간격을 이뤄 배열될 수 있다.In one embodiment, the cooling channel portion may have a hollow rectangular channel shape, and the receiving openings may be arranged at intervals in the longitudinal direction on one surface of the cooling channel portion.

일 실시예에서, 상기 방열체는, 상기 파워반도체의 배면에 부착되는 전도성 방열플레이트, 및 상기 방열플레이트로부터 수직 배열된 복수의 전도성 방열핀을 포함하고, 상기 수용개구의 크기는 상기 방열플레이트보다 작고, 상기 방열플레이트는 상기 수용홈을 외부로부터 덮어 실링 결합될 수 있다.In one embodiment, the heat sink includes a conductive heat dissipation plate attached to the rear surface of the power semiconductor, and a plurality of conductive heat dissipation fins vertically arranged from the heat dissipation plate, and the size of the receiving opening is smaller than that of the heat dissipation plate, The heat dissipation plate may be sealingly coupled by covering the receiving groove from the outside.

일 실시예에서, 상기 냉각채널 내에는 절연성 냉각수가 흐를 수 있다.In one embodiment, insulating coolant may flow in the cooling channel.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부는 중공 사각채널 형태이고, 상기 수용개구는, 일면 및 상기 일면의 배면을 관통하여 형성되어, 상기 냉착 채널의 진행방향에 수직 관통하는 사각 관통홀이고, 상기 방열체는 상기 관통홀에 삽입가능한 육면체 형태의 크기 및 모양이고, 관통채널을 포함하고, 상기 관통채널은 상기 방열수단이 상기 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 상기 냉각 채널이 흐르는 방향에 따라 형성되어 있고, 상기 파워반도체는 이의 배면이 상기 방열수단의 상기 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 노출된 일면에 부착될 수 있다.In one embodiment, the cooling channel portion is in the form of a hollow rectangular channel, and the receiving opening is a rectangular through-hole that is formed through one surface and a rear surface of the one surface and penetrates perpendicularly to the traveling direction of the cooling channel, and the heat sink. is the size and shape of a hexahedron insertable into the through hole, and includes a through channel, wherein the through channel is formed along the direction in which the cooling channel flows in a state in which the heat dissipation means is inserted and mounted in the through hole, The power semiconductor may be attached to one surface exposed while the rear surface thereof is inserted and mounted in the through hole of the heat dissipation means.

일 실시예에서, 상기 사각 관통홀은 상기 냉각 채널 방향의 두 측면의 열린 사각 테두리 및 상기 사각 테두리의 바깥쪽으로 사각 턱을 포함하고, 상기 방열체는 상기 사각 턱에 걸쳐 사각 테두리에 끼워지고, 상기 사각 턱과 상기 방열체 사이에는 밀폐를 위한 오링을 포함할 수 있다.In one embodiment, the square through-hole includes an open square edge on two sides in the cooling channel direction and a square jaw outward of the square edge, and the heat sink is fitted to the square edge over the square jaw, and the An O-ring for sealing may be included between the square jaw and the heat sink.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부의 중공 사각채널은, 짧은 길이의 H 빔 형태의 제1 H형 부재로서 웹(web)에 사각 홀을 가지는 제1 H형 부재; 및 짧은 길이의 H 빔 형태의 제2 H형 부재로서 웹(web)에 사각 홀을 가지는 제2 H형 부재의 플랜지끼리의 결합에 의해 형성될 수 있다.In one embodiment, the hollow rectangular channel portion of the cooling channel, a first H-shaped member having a short H-beam shape as a first H-shaped member having a square hole in the web (web); and a second H-shaped member in the form of an H-beam of a short length, and may be formed by coupling flanges of the second H-shaped member having a square hole in a web.

일 실시예에서, 상기 플랜지끼리의 결합은 스냅핏 결합이며, 상기 스냅핏 결합을 위해, 상기 제1 H형 부재의 플랜지의 끝단은 걸쇠 모양을 하고, 상기 제2 H형 부재의 플랜지는 상기 걸쇠를 수용하는 홈을 포함할 수 있다.In one embodiment, the coupling between the flanges is a snap-fit coupling, and for the snap-fit coupling, the end of the flange of the first H-shaped member has a clasp shape, and the flange of the second H-shaped member is the clasp. It may include a groove for accommodating the.

일 실시예에서, 상기 사각 턱은 상기 사각 냉각채널 방향으로 상기 사각 테두리와 일정 거리 이격되고, 상기 사각 턱과 상기 사각 테두리 간의 이격된 거리 내에는 사각 측벽이 형성되고, 상기 방열체는 상기 냉각채널 방향의 양측이 상기 사각 측벽 내에 끼워지고, 상기 사각 턱과 상기 방열체 사이에는 밀폐를 위한 오링을 포함할 수 있다.In one embodiment, the square jaw is spaced apart from the square edge by a predetermined distance in the direction of the square cooling channel, a square side wall is formed within the spaced distance between the square jaw and the square edge, and the heat sink is the cooling channel Both sides of the direction may be fitted in the square sidewall, and an O-ring for sealing may be included between the square jaw and the heat sink.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부는, 상기 사각 측벽의 수직한 면에 상기 냉각채널 방향을 따라 형성되는 노치부를 더 포함하고, 상기 방열체는 상기 수직한 면에 평행하는 면에 상기 노치부로 삽입되는 선형돌기를 포함할 수 있다.In one embodiment, the cooling channel portion further comprises a notch formed along the cooling channel direction on a vertical surface of the rectangular sidewall, the heat sink is inserted into the notch on a surface parallel to the vertical surface It may include a linear protrusion.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부의 중공 사각채널은, 육면체 형태의 모양을 갖고, 서로 마주하는 두 면에 사각 홀을 갖는 제1 단위 부재; 육면체 형태의 모양을 갖고, 서로 마주하는 두 면에 사각 홀을 갖는 제2 단위 부재; 및 상기 방열체를 상기 각각의 단위 부재 사이에 두고 각각의 단위 부재의 상면 사이 및 하면 사이에 결합되는 복수의 연결부재의 결합에 의해 형성될 수 있다.In one embodiment, the hollow rectangular channel of the cooling channel portion, the first unit member having a shape of a hexahedron and having a square hole on two surfaces facing each other; a second unit member having a hexahedral shape and having square holes on two surfaces facing each other; and a plurality of connecting members coupled between upper and lower surfaces of each of the unit members with the heat sink disposed between the respective unit members.

일 실시예에서, 상기 복수의 연결부재는 상기 제1 단위 부재 및 상기 제2 단위 부재 각각의 상면 및 하면에 스냅 핏 결합되고, 상기 스냅 핏 결합을 위해, 상기 연결부재는 양측 끝단이 걸쇠 모양을 하고, 상기 각각의 단위 부재는 상면 및 하면에서 상기 걸쇠를 수용하는 홈을 포함할 수 있다.In one embodiment, the plurality of connecting members are snap-fit coupled to the upper and lower surfaces of the first unit member and the second unit member, respectively, and for the snap-fit coupling, the connecting member has both ends having a clasp shape. And, each of the unit members may include a groove for accommodating the latch on the upper surface and the lower surface.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부는 중공 원형채널 형태이고, 상기 수용개구는 상기 냉각채널의 진행방향에 수직 관통하는 사각 관통홀이고, 상기 방열체는 상기 사각 관통홀에 삽입가능한 육면체 형태의 크기 및 모양이고, 관통채널을 포함하고, 상기 관통채널은 상기 방열체가 상기 사각 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 상기 냉각 채널이 흐르는 방향에 따라 형성되어 있고, 상기 파워반도체는 이의 배면이 상기 방열체가 상기 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 노출된 일면에 부착된다.In one embodiment, the cooling channel portion is in the form of a hollow circular channel, the receiving opening is a rectangular through-hole penetrating perpendicular to the traveling direction of the cooling channel, and the heat sink has a size of a hexahedron insertable into the rectangular through-hole, and shape, including a through channel, wherein the through channel is formed along a direction in which the cooling channel flows in a state in which the heat sink is inserted and mounted in the square through hole, and the power semiconductor has a rear surface of the heat sink through the heat sink It is attached to the exposed surface while being inserted into the hole.

일 실시예에서, 상기 냉각채널부는, 상기 냉각채널 방향에 평행하는 상부플레이트; 상기 상부플레이트의 아래로 이격되어 배치되는 하부플레이트; 및 상기 상부플레이트 및 상기 하부플레이트 사이에 일정 간격으로 이격되게 배열되고 상기 상부플레이트 및 상기 하부플레이트에 고정수단을 통해 고정되어 서로 이격된 간격이 유지되게 구성되는 복수의 냉각채널블록을 포함하고, 서로 이격되게 배열되는 상기 복수의 냉각채널블록 사이에는 상기 사각 관통홀이 형성되고 그 사각 관통홀에 상기 방열체가 삽입되어 고정될 수 있다.In one embodiment, the cooling channel portion, the upper plate parallel to the cooling channel direction; a lower plate spaced apart from the upper plate; and a plurality of cooling channel blocks arranged to be spaced apart from each other at a predetermined interval between the upper plate and the lower plate and fixed to the upper plate and the lower plate through a fixing means to maintain the spaced distance from each other, The rectangular through-holes may be formed between the plurality of cooling channel blocks arranged to be spaced apart, and the radiator may be inserted into the rectangular through-holes to be fixed.

일 실시예에서, 상기 각각의 냉각채널블록은 상기 냉각채널 방향에 수직하는 양측면으로 개방되는 상기 중공 원형채널이 구비되고, 상기 방열체는 상기 육면체 형태의 모양의 상기 냉각채널 방향에 수직하는 양측면에서 돌출되며 상기 중공 원형채널 직경 이하의 직경을 갖는 원형돌출부를 포함하고, 상기 방열체는 상기 원형돌출부가 상기 중공 원형채널에 삽입되어 상기 냉각채널블록과 연결되고, 상기 관통채널은 일측의 원형돌출부로부터 타측의 원형돌출부까지 관통될 수 있다.In one embodiment, each of the cooling channel blocks is provided with the hollow circular channel that is opened to both sides perpendicular to the cooling channel direction, and the heat sink is in the shape of the hexahedron on both sides perpendicular to the cooling channel direction. and a circular protrusion protruding and having a diameter equal to or less than the diameter of the hollow circular channel, wherein the heat sink has the circular protrusion inserted into the hollow circular channel and connected to the cooling channel block, and the through channel is formed from a circular protrusion on one side. It can penetrate to the circular protrusion of the other side.

일 실시예에서, 상기 원형돌출부의 둘레에는 오링이 결합되고, 상기 오링은 상기 중공 원형채널로 삽입된 원형돌출부 및 중공 원형채널의 내면 사이에 밀착될 수 있다.In one embodiment, an O-ring is coupled to the circumference of the circular protrusion, and the O-ring may be in close contact between the circular protrusion inserted into the hollow circular channel and an inner surface of the hollow circular channel.

일 실시예에서, 상기 상부플레이트는 그 길이방향으로 일정 간격 이격되게 배열되는 오목한 제1 블록조립홈을 포함하고, 상기 하부플레이트는 상기 제1 블록조립홈의 배열 간격으로 배열되어 상기 제1 블록조립홈에 마주하는 제2 블록조립홈을 포함하고, 상기 복수의 냉각채널블록은 서로 마주하는 제1 블록조립홈 및 제2 블록조립홈 사이에 조립되어 상기 냉각채널 방향으로 배열될 수 있다.In one embodiment, the upper plate includes concave first block assembly grooves arranged to be spaced apart from each other at regular intervals in the longitudinal direction, and the lower plate is arranged at an arrangement interval of the first block assembly grooves to assemble the first block. and a second block assembly groove facing the groove, and the plurality of cooling channel blocks may be assembled between the first block assembly groove and the second block assembly groove facing each other and arranged in the cooling channel direction.

일 실시예에서, 상기 고정수단은 나사일 수 있다.In one embodiment, the fixing means may be a screw.

본 발명에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치에 의하면, 파워 반도체를 사용하는 장치들에서 큰 공간을 차지하지 않고 직렬 배열되어 서로 인접한 파워 반도체간 서로 절연되면서 파워 반도체들을 효율적으로 냉각할 수 있고, 나아가 경량화, 소형화, 고집적화된 파워 반도체를 이용하는 장치들에 용이하게 적용될 수 있는 이점이 있다.According to the plurality of power semiconductor cooling devices according to the present invention, the power semiconductors can be efficiently cooled while insulated from each other by being arranged in series without occupying a large space in devices using the power semiconductors, and furthermore, the power semiconductors can be cooled and reduced in weight. , miniaturization and highly integrated power semiconductors can be easily applied to devices.

또한, 각 요소들이 다수 조립되어 파워 반도체의 직렬 배열 방향을 따라 냉각 채널을 구성할 수 있고, 파워 반도체의 개수에 따라 자유롭게 가변하여 냉각채널의 길이를 설정 및 구성할 수 있으므로 특정 장치에 제한되지 않고 다양한 장치에서 파워 반도체의 냉각을 위한 냉각채널을 용이하게 구성할 수 있는 이점이 있다.In addition, since a plurality of elements can be assembled to form a cooling channel along the series arrangement direction of the power semiconductor, and the length of the cooling channel can be set and configured by freely varying according to the number of power semiconductors, it is not limited to a specific device. There is an advantage that a cooling channel for cooling the power semiconductor can be easily configured in various devices.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 2는 도 1의 결합 사시도이다.
도 3은 도 1의 결합 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치가 복수의 파워 반도체와 배열된 모습을 나타내는 사시도이다.
도 6은 도 4의 결합 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치가 복수의 파워 반도체와 배열된 모습을 나타내는 사시도이다.
도 9는 도 7의 정면도이다.
도 10은 도 9의 B-B'선 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 냉각채널부의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 11의 결합 사시도이다.
도 14는 도 13의 A-A'선 단면도이다.1 is an exploded perspective view for explaining the configuration of a plurality of power semiconductor cooling apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a combined perspective view of FIG. 1 ;
3 is a cross-sectional view of the coupling of FIG. 1 .
4 is an exploded perspective view illustrating the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a second embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating a state in which a plurality of power semiconductor cooling devices according to a second embodiment of the present invention are arranged with a plurality of power semiconductors.
6 is a cross-sectional view of the coupling of FIG. 4 .
7 is an exploded perspective view illustrating the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a third embodiment of the present invention.
8 is a perspective view illustrating a state in which a plurality of power semiconductor cooling devices according to a third embodiment of the present invention are arranged with a plurality of power semiconductors.
9 is a front view of FIG. 7 ;
10 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 9 .
11 is an exploded perspective view illustrating the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a fourth embodiment of the present invention.
12 is a perspective view illustrating a state of a cooling channel portion of a plurality of power semiconductor cooling apparatuses according to a fourth embodiment of the present invention.
13 is a combined perspective view of FIG. 11 .
14 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 13 .

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 복수의 파워 반도체냉각장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a plurality of power semiconductor cooling apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged than the actual size for clarity of the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or a combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

도면들에 도시된 본 발명에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는, 파워 반도체(10)의 배면에 부착되는 전도성 방열체(1100); 및 냉각채널(1210) 및 냉각채널(1210) 방향에 따라 배열된 상기 방열체(1100)를 수용하는 수용개구(1220)를 포함하는 절연성 재질의 냉각채널부(1200)를 포함한다.A plurality of power semiconductor cooling apparatus according to the present invention shown in the drawings, a conductive heat sink 1100 attached to the rear surface of the power semiconductor 10; and a cooling channel unit 1200 made of an insulating material including a cooling channel 1210 and an accommodating opening 1220 for accommodating the heat sink 1100 arranged along the cooling channel 1210 direction.

이하에서는 본 발명에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of a plurality of power semiconductor cooling devices according to the present invention will be described in detail.

제1 실시예first embodiment

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이고, 도 2는 도 1의 결합 사시도이고, 도 3은 도 1의 결합 단면도이다.1 is an exploded perspective view for explaining the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a combined perspective view of FIG. 1 , and FIG. 3 is a combined cross-sectional view of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 전도성 방열체(1100) 및 냉각채널부(1200)를 포함한다.1 to 3 , the plurality of power semiconductor cooling devices according to the first embodiment of the present invention includes a conductive heat sink 1100 and a cooling channel unit 1200 .

전도성 방열체(1100)는 전도성 방열플레이트(1110) 및 복수의 전도성 방열핀(1120)을 포함할 수 있다.The conductive heat dissipation body 1100 may include a conductive heat dissipation plate 1110 and a plurality of conductive heat dissipation fins 1120 .

전도성 방열플레이트(1110)는 사각 플레이트 형상으로 구비되며, 파워 반도체(10)의 배면에 부착된다.The conductive heat dissipation plate 1110 is provided in the shape of a square plate and is attached to the rear surface of the power semiconductor 10 .

복수의 전도성 방열핀(1120)은 방열플레이트(1110)의 배면, 즉 파워 반도체(10)에 부착되는 면의 반대면에서 방열플레이트(1110)의 수직방향을 따라 수직 배열된다. 일 예로, 각각의 전도성 방열핀(1120)은 사각의 플레이트 형상일 수 있다.The plurality of conductive heat dissipation fins 1120 are vertically arranged along the vertical direction of the heat dissipation plate 1110 on the rear surface of the heat dissipation plate 1110 , that is, on the surface opposite to the surface attached to the power semiconductor 10 . For example, each conductive heat dissipation fin 1120 may have a rectangular plate shape.

냉각채널부(1200)는 냉각채널(1210) 및 수용개구(1220)를 포함한다.The cooling channel unit 1200 includes a cooling channel 1210 and a receiving opening 1220 .

냉각채널(1210)은 상기 전도성 방열체(1100)의 냉각을 위한 냉각수가 흐르는 통로로서, 중공 사각채널 형태로 구비될 수 있다. 일 예로, 냉각채널(1210)은 일정 길이를 갖는 중공의 사각 기둥 형상일 수 있다.The cooling channel 1210 is a passage through which cooling water for cooling the conductive heat sink 1100 flows, and may be provided in the form of a hollow rectangular channel. For example, the cooling channel 1210 may have a hollow quadrangular prism shape having a predetermined length.

수용개구(1220)는 냉각채널(1210)의 일면에 냉각채널(1210)을 따라 일정 간격으로 배열되며, 방열체(1100)의 방열핀(1120)들이 삽입될 수 있다. The receiving openings 1220 are arranged at regular intervals along the cooling channel 1210 on one surface of the cooling channel 1210 , and the heat dissipation fins 1120 of the heat sink 1100 may be inserted thereinto.

수용개구(1220)는 사각 형상일 수 있고, 그 수용개구(1220)의 크기는 방열체(1100)의 방열플레이트(1110)보다 작게 형성될 수 있다. 이에 따라, 방열핀(1120)들을 수용개구(1220)를 통해 냉각채널(1210)로 삽입할 때 방열플레이트(1110)는 수용개구(1220)를 외부로부터 덮을 수 있다. 이때, 방열플레이트(1110)와 수용개구(1220) 사이는 실링될 수 있다.The receiving opening 1220 may have a rectangular shape, and the size of the receiving opening 1220 may be smaller than that of the heat dissipation plate 1110 of the radiator 1100 . Accordingly, when the heat dissipation fins 1120 are inserted into the cooling channel 1210 through the receiving opening 1220 , the heat dissipating plate 1110 may cover the receiving opening 1220 from the outside. At this time, the space between the heat dissipation plate 1110 and the receiving opening 1220 may be sealed.

이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 냉각채널부(1200)의 수용개구(1220)가 냉각 대상인 직렬 배열되는 파워 반도체의 개수에 맞게 구비되고, 전도성 방열체(1100)가 수용개구(1220)의 개수에 맞게 구비되어, 각각의 전도성 방열체(1100)를 각각의 파워반도체의 배면에 부착한 후 각각의 전도성 방열체(1100)의 방열핀(1120)들이 수용개구(1220)를 통해 냉각채널(1210)로 삽입하면 방열플레이트(1110)는 수용개구(1220)를 덮어 실링 결합되면 직렬 배열되는 파워 반도체의 냉각을 위한 설치가 완료된다.The plurality of power semiconductor cooling devices according to the first embodiment of the present invention is provided so that the receiving openings 1220 of the cooling channel unit 1200 correspond to the number of power semiconductors arranged in series to be cooled, and the conductive heat sink 1100. Provided to match the number of temporary receiving openings 1220, after attaching each conductive heat sink 1100 to the back of each power semiconductor, the heat dissipation fins 1120 of each conductive heat sink 1100 are provided with the receiving openings 1220 ), when inserted into the cooling channel 1210, the heat dissipation plate 1110 covers the receiving opening 1220, and when the sealing is coupled, the installation for cooling the power semiconductors arranged in series is completed.

이러한 상태에서 냉각채널(1210)을 따라 절연성 냉각수가 흐르도록 하면 냉각채널(1210) 내에 수용된 방열핀(1120)들이 냉각수와 접촉에 의한 열교환하여 파워 반도체(10)의 온도를 낮춰서 파워 반도체(10)가 냉각될 수 있다.In this state, when the insulating cooling water flows along the cooling channel 1210, the heat dissipation fins 1120 accommodated in the cooling channel 1210 exchange heat by contact with the cooling water to lower the temperature of the power semiconductor 10 so that the power semiconductor 10 is can be cooled.

제2 실시예second embodiment

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치가 복수의 파워 반도체와 배열된 모습을 나타내는 사시도이고, 도 6은 도 4의 결합 단면도이다.4 is an exploded perspective view for explaining the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plurality of power semiconductor cooling devices according to the second embodiment of the present invention. It is a perspective view showing an arrangement with a semiconductor, and FIG. 6 is a cross-sectional view of FIG. 4 .

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 전도성 방열체(2100) 및 냉각채널부(2200)를 포함한다.4 to 6 , the plurality of power semiconductor cooling devices according to the second embodiment of the present invention includes a conductive heat sink 2100 and a cooling channel unit 2200 .

전도성 방열체(2100)는 육면체 형상으로 구비되고, 서로 마주하는 두 면을 관통하는 관통채널(2110)을 포함한다. 이러한 전도성 방열체(2100)는 상기 관통채널(2110)이 관통하지 않는 다른 두 면 중 하나의 면에 파워 반도체(10)의 배면이 부착된다.The conductive heat sink 2100 is provided in a hexahedral shape and includes a through channel 2110 passing through two surfaces facing each other. The back surface of the power semiconductor 10 is attached to one of the other two surfaces that the through channel 2110 does not penetrate in the conductive heat sink 2100 .

냉각채널부(2200)는 냉각채널(2201) 및 수용개구(2202)를 포함한다.The cooling channel unit 2200 includes a cooling channel 2201 and a receiving opening 2202 .

냉각채널(2201)은 전도성 방열체(2100)의 냉각을 위한 냉각수가 흐르는 통로로서, 중공 사각채널 형태로 구비될 수 있다. The cooling channel 2201 is a passage through which cooling water for cooling the conductive heat sink 2100 flows, and may be provided in the form of a hollow rectangular channel.

수용개구(2202)는 상기 중공 사각채널의 일면 및 상기 일면의 배면, 즉 상기 일면과 마주하는 반대면을 관통하여, 냉각채널(2201) 방향을 수직으로 관통하는 사각 관통홀로 구성될 수 있다.The receiving opening 2202 may be formed of a rectangular through-hole penetrating through one surface of the hollow rectangular channel and the rear surface of the one surface, that is, the opposite surface facing the one surface, and penetrating vertically in the cooling channel 2201 direction.

상기 사각 관통홀에는 상기 전도성 방열체(2100)가 삽입되며, 이를 위해 상기 전도성 방열체(2100)는 사각 관통홀에 삽입 가능한 크기를 가질 수 있고, 전도성 방열체(2100)가 사각 관통홀에 삽입될 때 관통채널(2110)이 냉각채널(2201) 방향에 평행하도록 삽입된다. 따라서, 냉각채널(2201)을 따라 흐르는 냉각수는 관통채널(2110)을 통과할 수 있다.The conductive heat sink 2100 is inserted into the square through hole, and for this purpose, the conductive heat sink 2100 may have a size that can be inserted into the square through hole, and the conductive heat sink 2100 is inserted into the square through hole. When the through channel 2110 is inserted so as to be parallel to the cooling channel 2201 direction. Accordingly, the cooling water flowing along the cooling channel 2201 may pass through the through channel 2110 .

한편, 상기 사각 관통홀은 냉각채널(2201) 방향의 두 측면에 형성되는 열린 사각 테두리(2202a) 및 사각 테두리(2202a)의 둘레를 따라 형성되는 사각 턱(2202b)을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 방열체(2100)는 사각 턱(2202b)에 걸쳐 사각 테두리(2202a)에 끼워지고, 사각 턱(2202b)과 방열체(2100) 사이는 오링(20)을 통해 실링될 수 있다.On the other hand, the square through-hole may include an open square edge 2202a formed on two side surfaces of the cooling channel 2201 and a square jaw 2202b formed along the circumference of the square edge 2202a. In this case, the heat sink 2100 may be fitted to the square edge 2202a over the square jaw 2202b, and the space between the square jaw 2202b and the heat sink 2100 may be sealed through an O-ring 20 .

구체적으로, 상기 냉각채널부(2200)의 중공 사각채널은, 짧은 길이의 H 빔 형태의 제1 H형 부재(2210)로서 웹(web)(22101)에 사각 홀을 가지는 제1 H형 부재(2210) 및 짧은 길이의 H 빔 형태의 제2 H형 부재(2220)로서 웹(22201)에 사각 홀을 가지는 제2 H형 부재(2220) 각각의 플랜지(22102, 22202)끼리의 결합에 의해 형성될 수 있다.Specifically, the hollow rectangular channel of the cooling channel part 2200 is a first H-shaped member 2210 in the form of an H-beam of a short length, and a first H-shaped member having a square hole in the web 22101 ( 2210) and a second H-shaped member 2220 in the form of an H-beam of a short length formed by coupling the flanges 22102 and 22202 of each of the second H-shaped members 2220 having a square hole in the web 22201 can be

여기서, 상기 웹(22101, 22201)은 H빔 형태에서 서로 평행한 두 면의 사이에 수직하게 연결되는 면을 의미하며, 상기 플랜지(22102, 22202)는 H빔 형태에서 서로 평행한 두 면을 의미한다. 또한, 상기 제1 H형 부재(2210)의 사각 홀 및 상기 제2 H형 부재(2220) 각각의 사각 홀은 상기 사각 테두리(2202a) 및 사각 턱(2202b)에 의한 홀을 의미한다.Here, the webs 22101 and 22201 refer to a surface connected vertically between two surfaces parallel to each other in the H-beam form, and the flanges 22102 and 22202 refer to two surfaces parallel to each other in the H-beam form. do. In addition, the square hole of the first H-shaped member 2210 and the square hole of the second H-shaped member 2220 mean a hole formed by the square edge 2202a and the square jaw 2202b.

한편, 상기 플랜지(22102, 22202)는 상기 제1 H형 부재(2210) 및 상기 제2 H형 부재(2220) 각각의 형상에서 상, 하로 마주하는 제1 수평부(2211, 2221) 및 제2 수평부(2212, 2222)를 포함하고, 상기 웹(22101, 22201)은 상기 제1 수평부(2211, 2221) 및 제2 수평부(2212, 2222) 사이에 수직으로 연결되는 수직부(2213, 2223)를 포함할 수 있다. 상기 수직부(2213, 2223)는 일정 두께를 가지며, 수직부(2213, 2223)의 좌측 및 우측의 측면에는 상기 사각 테두리(2202a) 및 사각 턱(2202b)이 형성될 수 있고, 상기 좌측 및 우측의 측면 사이에는 상기 사각 턱(2202b)의 높이에서 상기 제1 수평부(2211, 2221) 및 제2 수평부(2212, 2222)에 평행하는 중공 사각채널이 형성될 수 있다.Meanwhile, the flanges 22102 and 22202 have first and second horizontal portions 2211 and 2221 facing up and down in the shapes of the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220, respectively. and horizontal portions 2212 and 2222, wherein the webs 22101 and 22201 have a vertical portion 2213 connected vertically between the first horizontal portions 2211 and 2221 and the second horizontal portions 2212 and 2222; 2223) may be included. The vertical portions 2213 and 2223 have a predetermined thickness, and the left and right sides of the vertical portions 2213 and 2223 may have the square rim 2202a and the square jaw 2202b formed therein, and the left and right sides of the vertical portions 2213 and 2223 may be formed. A hollow rectangular channel parallel to the first horizontal portions 2211 and 2221 and the second horizontal portions 2212 and 2222 at the height of the square jaw 2202b may be formed between the side surfaces of the square jaws 2202b.

상기 제1 수평부(2211, 2221) 및 제2 수평부(2212, 2222) 각각의 양측 단부는 상기 수직부(2213, 2223)로부터 외측으로 일정 길이 연장될 수 있다. Both end portions of each of the first horizontal portions 2211 and 2221 and the second horizontal portions 2212 and 2222 may extend outwardly from the vertical portions 2213 and 2223 by a predetermined length.

또한, 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220)는 상기 플랜지(22102, 22202)끼리 스냅 핏(snap-fit) 결합될 수 있다. 이러한 경우, 스냅 핏 결합을 위해, 제1 H형 부재(2210)의 플랜지(22102)의 끝단은 걸쇠(22102a) 모양을 하고, 제2 H형 부재(2220)의 플랜지(22202)는 상기 걸쇠를 수용하는 홈(22202a)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 H형 부재(2210)의 제1 수평부(2211) 및 제2 수평부(2212)의 양측 끝단은 걸쇠(22102a)가 형성되고, 제2 H형 부재(2220)의 제1 수평부(2221) 및 제2 수평부(2222)의 양측에는 상기 걸쇠(22102a)가 체결되는 홈(22202a)이 형성될 수 있다.Also, the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220 may be snap-fitted to the flanges 22102 and 22202 . In this case, for snap-fit coupling, the end of the flange 22102 of the first H-shaped member 2210 has a clasp 22102a shape, and the flange 22202 of the second H-shaped member 2220 engages the clasp. may include a receiving groove 22202a. That is, a latch 22102a is formed at both ends of the first horizontal portion 2211 and the second horizontal portion 2212 of the first H-shaped member 2210 , and the first horizontal portion of the second H-shaped member 2220 is formed. A groove 22202a to which the clasp 22102a is fastened may be formed on both sides of the portion 2221 and the second horizontal portion 2222 .

이러한 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220)가 서로 결합되면, 각각의 H형 부재(2210, 2220)의 서로 결합되는 플랜지(22102, 22202) 및 서로 마주하는 웹(22101, 22201)이 사각 관통홀을 형성하게 된다. 예를 들어, 각각의 H형 부재(2210, 2220)의 제1 수평부(2211, 2221)끼리 및 제2 수평부(2212, 2222)끼리 서로 결합되고, 이때 각각의 H형 부재(2210, 2220)의 수직부(2213, 2223)가 서로 마주하게 되면 각각의 수직부(2213, 2223) 사이에는 사각 관통홀을 형성할 수 있다.When the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220 are coupled to each other, the flanges 22102 and 22202 coupled to each other of the respective H-shaped members 2210 and 2220 and the web 22101 facing each other , 22201) form a square through hole. For example, the first horizontal portions 2211 and 2221 and the second horizontal portions 2212 and 2222 of each of the H-shaped members 2210 and 2220 are coupled to each other, and at this time, each of the H-shaped members 2210 and 2220 ), when the vertical portions 2213 and 2223 face each other, a rectangular through-hole may be formed between the respective vertical portions 2213 and 2223 .

이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 제1 H형 부재(2210), 제2 H형 부재(2220) 및 전도성 방열체(2100)가 다수 조립되어 복수의 파워 반도체(10)를 냉각하도록 구성될 수 있다. A plurality of power semiconductor cooling apparatus according to the second embodiment of the present invention is a plurality of first H-type member 2210, second H-type member 2220, and a conductive heat sink 2100 are assembled in a plurality of power semiconductor ( 10) can be configured to cool.

즉, 전도성 방열체(2100)를 냉각 대상인 직렬 배열되는 파워 반도체의 개수에 맞게 준비하고, 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220) 간의 조립에 의해 형성되는 사각 관통홀이 상기 파워 반도체(10)의 개수와 같은 개수로 형성될 수 있도록 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220)를 다수 준비한다. 예를 들어, 파워 반도체의 개수가 홀수인 경우 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220)를 각각 짝수로 구비하고, 파워 반도체의 개수가 짝수인 경우 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220) 중 어느 하나가 1개 증가한 개수로 준비할 수 있다.That is, the conductive heat sink 2100 is prepared according to the number of power semiconductors arranged in series to be cooled, and a square through-hole formed by assembling between the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220 is A plurality of first H-shaped members 2210 and second H-shaped members 2220 are prepared to be formed in the same number as the number of power semiconductors 10 . For example, when the number of power semiconductors is odd, the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220 are provided in an even number, respectively, and when the number of power semiconductors is an even number, the first H-shaped member ( 2210) and any one of the second H-shaped member 2220 may be prepared in an increased number by one.

이와 같이 전도성 방열체(2100) 및 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220)를 준비한 후, 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220) 각각을 제1 수평부(2211, 2221)끼리 및 제2 수평부(2212, 2222)끼리 서로 결합한다. 이때, 제1 H형 부재(2210) 및 제2 H형 부재(2220) 각각의 수평부(2211, 2221, 2212, 2222) 사이에는 사각 관통홀이 형성되며 각각의 수직부(2213, 2223)의 중공 사각채널이 평행하게 배열된다. After preparing the conductive heat sink 2100 and the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220 in this way, the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220 are respectively removed. The first horizontal portions 2211 and 2221 and the second horizontal portions 2212 and 2222 are coupled to each other. At this time, a square through-hole is formed between the horizontal portions 2211, 2221, 2212, and 2222 of each of the first H-shaped member 2210 and the second H-shaped member 2220, and the vertical portions 2213 and 2223 of each The hollow rectangular channels are arranged in parallel.

이어서, 사각 관통홀에 전도성 방열체(2100)를 삽입한다. 이때, 전도성 방열체(2100)의 관통채널(2110)이 중공 사각채널과 평행하도록 삽입되며, 전도성 방열체(2100) 및 사각 턱(2202b) 사이에는 오링(20)이 결합되어 실링된다. 이 상태에서 전도성 방열체(2100)의 노출된 일면에 파워 반도체(10)의 배면이 부착된다.Next, the conductive heat sink 2100 is inserted into the square through-hole. At this time, the through channel 2110 of the conductive heat sink 2100 is inserted parallel to the hollow rectangular channel, and the O-ring 20 is coupled and sealed between the conductive heat sink 2100 and the square jaw 2202b. In this state, the back surface of the power semiconductor 10 is attached to the exposed surface of the conductive heat sink 2100 .

이와 같이 다수의 제1 H형 부재(2210), 다수의 제2 H형 부재(2220) 및 다수의 전도성 방열체(2100)가 조립되면 다수의 파워 반도체(10)의 배열 방향을 따라 중공 사각채널이 형성되며, 다수의 파워 반도체(10)의 냉각을 위한 설치가 완료된다.When the plurality of first H-shaped members 2210 , the plurality of second H-shaped members 2220 , and the plurality of conductive radiators 2100 are assembled in this way, a hollow rectangular channel along the arrangement direction of the plurality of power semiconductors 10 . is formed, and installation for cooling the plurality of power semiconductors 10 is completed.

이러한 상태에서 냉각채널(2201)을 따라 절연성 냉각수가 흐르도록 하면 냉각채널(2201) 방향으로 배열되는 방열체(2100)들이 냉각수와 접촉에 의한 열교환하여 파워 반도체(10)의 온도를 낮춰서 파워 반도체(10)가 냉각될 수 있다.In this state, when the insulating coolant flows along the cooling channel 2201, the heat sinks 2100 arranged in the cooling channel 2201 direction heat exchange by contact with the cooling water to lower the temperature of the power semiconductor 10, thereby reducing the temperature of the power semiconductor ( 10) can be cooled.

제3 실시예third embodiment

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이고, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치가 복수의 파워 반도체와 배열된 모습을 나타내는 사시도이고, 도 9는 도 7의 정면도이고, 도 10은 도 9의 B-B'선 단면도이다.7 is an exploded perspective view for explaining the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a plurality of power semiconductor cooling devices according to the third embodiment of the present invention. It is a perspective view showing an arrangement with a semiconductor, FIG. 9 is a front view of FIG. 7 , and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 9 .

도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 전도성 방열체(3100) 및 냉각채널부(3200)를 포함한다.7 to 10 , the plurality of power semiconductor cooling devices according to the third embodiment of the present invention includes a conductive heat sink 3100 and a cooling channel unit 3200 .

전도성 방열체(3100)는 육면체 형상으로 구비되고, 서로 마주하는 두 면을 관통하는 관통채널(3101)을 포함한다. 이러한 전도성 방열체(3100)는 상기 관통채널(3101)이 관통하지 않는 다른 두 면 중 하나의 면에 파워 반도체(10)의 배면이 부착된다.The conductive heat sink 3100 is provided in a hexahedral shape and includes a through channel 3101 passing through two surfaces facing each other. The back surface of the power semiconductor 10 is attached to one of the other two surfaces that the through channel 3101 does not penetrate in the conductive heat sink 3100 .

냉각채널부(3200)는 냉각채널(3201) 및 수용개구(3202)를 포함한다.The cooling channel unit 3200 includes a cooling channel 3201 and a receiving opening 3202 .

냉각채널(3201)은 전도성 방열체(3100)의 냉각을 위한 냉각수가 흐르는 통로로서, 중공 사각채널 형태로 구비될 수 있다.The cooling channel 3201 is a passage through which cooling water for cooling the conductive heat sink 3100 flows, and may be provided in the form of a hollow rectangular channel.

수용개구(3202)는 상기 중공 사각채널의 일면 및 상기 일면의 배면, 즉 상기 일면과 마주하는 반대면을 관통하여, 냉각채널(3201) 방향을 수직으로 관통하는 사각 관통홀로 구성될 수 있다.The receiving opening 3202 may be formed of a rectangular through-hole penetrating through one surface of the hollow rectangular channel and the rear surface of the one surface, that is, the opposite surface facing the one surface, and penetrating vertically in the direction of the cooling channel 3201 .

상기 사각 관통홀에는 상기 전도성 방열체(3100)가 삽입되며, 이를 위해 상기 전도성 방열체(3100)는 사각 관통홀에 삽입 가능한 크기를 가질 수 있고, 전도성 방열체(3100)가 사각 관통홀에 삽입될 때 관통채널(3101)이 냉각채널(3201) 방향에 평행하도록 삽입된다. 따라서, 냉각채널(3201)을 따라 흐르는 냉각수는 관통채널(3101)을 통과할 수 있다.The conductive heat sink 3100 is inserted into the square through hole, and for this purpose, the conductive heat sink 3100 may have a size that can be inserted into the square through hole, and the conductive heat sink 3100 is inserted into the square through hole. When the through channel 3101 is inserted so as to be parallel to the cooling channel 3201 direction. Accordingly, the cooling water flowing along the cooling channel 3201 may pass through the through channel 3101 .

한편, 상기 사각 관통홀은 냉각채널(3201) 방향의 두 측면에 형성되는 열린 사각 테두리(3202a) 및 사각 테두리(3202a)의 둘레를 따라 형성되는 사각 턱(3202b)을 포함할 수 있고, 사각 턱(3202b) 높이에서 중공 사각채널이 형성될 수 있다.On the other hand, the square through-hole may include an open square rim 3202a formed on two sides in the cooling channel 3201 direction and a square jaw 3202b formed along the perimeter of the square edge 3202a, and the square jaw A hollow rectangular channel may be formed at height 3202b.

상기 사각 턱(3202b)은 사각 냉각채널(3201) 방향으로 사각 테두리(3202a)와 일정 거리 이격되고, 그 이격된 거리 내에는 사각 측벽(3202c)이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 방열체(3100)는 냉각채널(3201) 방향의 양측이 상기 사각 측벽(3202c) 내에 끼워지고, 상기 사각 턱(3202b)과 방열체(3100) 사이는 오링(20)을 통해 실링될 수 있다.The square jaw 3202b is spaced apart from the square edge 3202a by a predetermined distance in the direction of the square cooling channel 3201, and a square sidewall 3202c may be formed within the spaced distance. In this case, both sides of the heat sink 3100 in the direction of the cooling channel 3201 are fitted in the square sidewall 3202c, and between the square jaw 3202b and the heat sink 3100 is to be sealed through an O-ring 20. can

또한, 상기 사각 측벽(3202c)의 수직한 면에는 냉각채널(3201) 방향을 따라 형성되는 노치부(3202d)가 형성될 수 있고, 상기 방열체(3100)는 상기 사각 측벽(3202c)의 수직한 면에 평행하는 면에 상기 노치부(3202d)로 삽입되는 선형돌기(3102)를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 선형돌기(3102)는 관통채널(3101)이 관통하지 않는 다른 두 면에 관통채널(3101) 방향을 따라 형성될 수 있다.In addition, a notch portion 3202d formed along the cooling channel 3201 direction may be formed on a vertical surface of the square sidewall 3202c, and the heat sink 3100 may be perpendicular to the square sidewall 3202c. It may include a linear protrusion 3102 inserted into the notch portion 3202d on a surface parallel to the surface. For example, the linear protrusion 3102 may be formed along the direction of the through channel 3101 on two other surfaces through which the through channel 3101 does not penetrate.

구체적으로, 상기 냉각채널부(3200)의 중공 사각채널은, 서로 마주하는 두 면에 사각 홀을 갖는 제1 단위 부재(3210), 서로 마주하는 두 면에 사각 홀을 갖는 제2 단위 부재(3220), 및 상기 방열체(3100)를 상기 각각의 단위 부재(3210, 3220) 사이에 두고 각각의 단위 부재(3210, 3220)의 상면 사이 및 하면 사이에 결합되는 복수의 연결부재(3230)의 결합에 의해 형성될 수 있다.Specifically, the hollow rectangular channel of the cooling channel unit 3200 includes a first unit member 3210 having square holes on two surfaces facing each other, and a second unit member 3220 having square holes on two surfaces facing each other. ), and a plurality of connecting members 3230 coupled between the upper and lower surfaces of each of the unit members 3210 and 3220 with the heat sink 3100 between the respective unit members 3210 and 3220. can be formed by

상기 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220)는 육면체 형태의 모양을 가질 수 있다. 이때, 육면체 형태의 모양은 방열체(3100)의 육면체 형태의 모양보다 큰 크기를 가져서 상기 방열체(3100)의 양측이 삽입될 수 있는 상기 사각 측벽(3202c)이 구비될 수 있다.The first unit member 3210 and the second unit member 3220 may have a hexahedral shape. At this time, the shape of the hexahedron has a larger size than the shape of the hexahedron of the radiator 3100, so that the rectangular sidewall 3202c into which both sides of the radiator 3100 can be inserted may be provided.

상기 복수의 연결부재(3230)는 사각 플레이트 형태의 모양을 가질 수 있고, 각각의 연결부재(3230)는 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 상면 및 하면에 스냅 핏 결합될 수 있다.The plurality of connecting members 3230 may have a rectangular plate shape, and each connecting member 3230 is snap-fitted to the upper and lower surfaces of the first unit member 3210 and the second unit member 3220, respectively. can be combined.

스냅 핏 결합을 위해, 상기 연결부재(3230)는 양측 끝단이 걸쇠(3231) 모양을 하고, 각각의 단위 부재(3210, 3220)는 상면 및 하면에서 상기 걸쇠를 수용하는 홈(3211, 3221)을 포함할 수 있다.For snap-fit coupling, the connecting member 3230 has both ends in the shape of a latch 3231, and each unit member 3210, 3220 has grooves 3211 and 3221 for accommodating the latch on the upper and lower surfaces. may include

이러한 본 발명의 제3 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 제1 단위 부재(3210), 제2 단위 부재(3220) 및 전도성 방열체(3100)가 다수 조립되어 복수의 파워 반도체(10)를 냉각하도록 구성될 수 있다.The plurality of power semiconductor cooling devices according to the third embodiment of the present invention includes a plurality of first unit members 3210 , a second unit member 3220 , and a conductive heat sink 3100 assembling a plurality of power semiconductors 10 . may be configured to cool the

즉, 전도성 방열체(3100)를 냉각 대상인 직렬 배열되는 파워 반도체(10)의 개수에 맞게 준비하고, 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 간의 조립에 의해 형성되는 사각 관통홀이 상기 파워 반도체(10)의 개수와 같은 개수로 형성될 수 있도록 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220)를 다수 준비한다. 예를 들어, 파워 반도체(10)의 개수가 홀수인 경우 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220)를 각각 짝수로 구비하고, 파워 반도체(10)의 개수가 짝수인 경우 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 중 어느 하나가 1개 증가한 개수로 준비할 수 있다.That is, the conductive heat sink 3100 is prepared according to the number of the power semiconductors 10 arranged in series to be cooled, and a square through-hole formed by assembling between the first unit member 3210 and the second unit member 3220 . A plurality of first unit members 3210 and second unit members 3220 are prepared so that they can be formed in the same number as the number of the power semiconductors 10 . For example, when the number of power semiconductors 10 is an odd number, the first unit member 3210 and the second unit member 3220 are provided in an even number, respectively, and when the number of power semiconductors 10 is an even number, the first One of the unit members 3210 and the second unit member 3220 may be prepared in an increased number by one.

이와 같이 전도성 방열체(3100) 및 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220)를 준비한 후, 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 사각 측벽(3202c) 사이에서 방열체(3100)의 관통채널(3101) 방향의 양측을 각각의 사각 측벽(3202c)에 삽입하여 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 사이에 방열체(3100)를 조립한다. 이때, 방열체(3100)의 선형돌기(3102)는 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 노치부(3202d)에 삽입되어 결합되고, 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 사이의 사각 관통홀에 방열체(3100)가 끼워지는 상태가 되며, 그 방열체(3100)는 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 사각 턱(3202b)에 관통채널(3101) 방향의 양측이 지지된다. 또한, 전도성 방열체(3100) 및 사각 턱(3202b) 사이에는 오링(20)이 결합되어 실링된다.After preparing the conductive heat sink 3100, the first unit member 3210, and the second unit member 3220 in this way, the first unit member 3210 and the second unit member 3220, each of the square sidewalls 3202c Between the first unit member 3210 and the second unit member 3220, both sides of the heat sink 3100 in the direction of the through channel 3101 are inserted into each of the square side walls 3202c. assemble At this time, the linear protrusion 3102 of the heat sink 3100 is inserted into and coupled to the notch 3202d of each of the first unit member 3210 and the second unit member 3220, and the first unit member 3210 and The heat sink 3100 is fitted into the square through-holes between the second unit members 3220 , and the heat sink 3100 has the squares of the first unit member 3210 and the second unit member 3220 , respectively. Both sides in the direction of the through channel 3101 are supported by the jaw 3202b. In addition, an O-ring 20 is coupled and sealed between the conductive heat sink 3100 and the square jaw 3202b.

이어서, 연결부재(3230)를 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 상면 사이 및 하면 사이에 스냅 핏 결합한다. 즉, 연결부재(3230)의 양측 끝단의 걸쇠(3231)를 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 상면 및 하면에 형성된 홈(3211, 3221)에 체결하여 스냅 핏 결합한다. 이때, 제1 단위 부재(3210) 및 제2 단위 부재(3220) 각각의 중공 사각채널 및 방열체(3100)의 관통채널(3101)이 평행하게 배열된다.Next, the connecting member 3230 is snap-fitted between the upper surfaces and the lower surfaces of the first and second unit members 3210 and 3220 , respectively. That is, the latches 3231 of both ends of the connection member 3230 are fastened to the grooves 3211 and 3221 formed on the upper and lower surfaces of the first unit member 3210 and the second unit member 3220, respectively. do. At this time, the hollow rectangular channel of each of the first unit member 3210 and the second unit member 3220 and the through channel 3101 of the radiator 3100 are arranged in parallel.

이러한 상태에서 전도성 방열체(3100)의 노출된 일면에 파워 반도체(10)의 배면이 부착된다.In this state, the back surface of the power semiconductor 10 is attached to the exposed surface of the conductive heat sink 3100 .

이러한 상태에서 냉각채널(3201)을 따라 절연성 냉각수가 흐르도록 하면 냉각채널(3201) 방향으로 배열되는 방열체(3100)들이 냉각수와 접촉에 의한 열교환하여 파워 반도체(10)의 온도를 낮춰서 파워 반도체(10)가 냉각될 수 있다.When the insulating coolant flows along the cooling channel 3201 in this state, the heat sinks 3100 arranged in the cooling channel 3201 direction exchange heat by contacting the cooling water to lower the temperature of the power semiconductor 10, thereby lowering the temperature of the power semiconductor ( 10) can be cooled.

제4 실시예4th embodiment

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 구성을 설명하기 위한 분리 사시도이고, 도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 냉각채널부의 모습을 나타내는 사시도이고, 도 13은 도 11의 결합 사시도이고, 도 14는 도 13의 A-A'선 단면도이다.11 is an exploded perspective view for explaining the configuration of a plurality of power semiconductor cooling devices according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cooling channel portion of a plurality of power semiconductor cooling devices according to the fourth embodiment of the present invention. It is a perspective view showing the state, FIG. 13 is a combined perspective view of FIG. 11 , and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 13 .

도 11 내지 도 14를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 냉각채널부(4200) 및 전도성 방열체(4100)를 포함한다.11 to 14 , the plurality of power semiconductor cooling devices according to the fourth embodiment of the present invention includes a cooling channel unit 4200 and a conductive heat sink 4100 .

냉각채널부(4200)는 도 12에 나타나는 바와 같이 냉각채널(4201) 및 수용개구(4202)를 포함한다.The cooling channel unit 4200 includes a cooling channel 4201 and a receiving opening 4202 as shown in FIG. 12 .

상기 냉각채널(4201)은 전도성 방열체(4100)의 냉각을 위한 냉각수가 흐르는 통로로서, 중공 원형채널 형태로 구비될 수 있다.The cooling channel 4201 is a passage through which cooling water for cooling the conductive heat sink 4100 flows, and may be provided in the form of a hollow circular channel.

수용개구(4202)는 상기 냉각채널(4201)의 진행방향에 수직 관통하는 사각 관통홀로 구성될 수 있다.The receiving opening 4202 may be configured as a rectangular through-hole penetrating perpendicular to the traveling direction of the cooling channel 4201 .

구체적으로, 냉각채널부(4200)는 상부플레이트(4210), 하부플레이트(4220) 및 복수의 냉각채널블록(4230)을 포함할 수 있다.Specifically, the cooling channel unit 4200 may include an upper plate 4210 , a lower plate 4220 , and a plurality of cooling channel blocks 4230 .

상부플레이트(4210)는 상기 냉각채널(4201) 방향에 평행하고, 사각 플레이트 형상으로 구비될 수 있다.The upper plate 4210 may be parallel to the direction of the cooling channel 4201 and may be provided in a rectangular plate shape.

하부플레이트(4220)는 상기 냉각채널(4201) 방향에 평행하고, 상기 상부플레이트(4210)의 아래로 이격되어 배치되며, 사각 플레이트 형상으로 구비될 수 있다.The lower plate 4220 is parallel to the cooling channel 4201 direction, is spaced apart from the upper plate 4210, and may be provided in a rectangular plate shape.

복수의 냉각채널블록(4230)은 육면체 형태의 크기 및 모양을 가질 수 있고, 상기 상부플레이트(4210) 및 상기 하부플레이트(4220) 사이에 일정 간격으로 이격되게 배열되며, 이때 상부플레이트(4210) 및 하부플레이트(4220)에 고정수단(30)을 통해 고정되어 서로 이격된 간격이 유지될 수 있다. 각각의 냉각채널블록(4230)은 상기 냉각채널(4201) 방향에 수직하는 양측면으로 개방되는 중공 원형채널(4231)이 구비될 수 있다. 이러한 복수의 냉각채널블록(4230)의 사이에는 상기 수용개구(4202)인 사각 관통홀이 형성될 수 있다.The plurality of cooling channel blocks 4230 may have a hexahedral size and shape, and are arranged to be spaced apart from each other at regular intervals between the upper plate 4210 and the lower plate 4220, in which case the upper plate 4210 and It is fixed to the lower plate 4220 through the fixing means 30 to maintain a spaced apart distance from each other. Each cooling channel block 4230 may be provided with a hollow circular channel 4231 opened to both sides perpendicular to the direction of the cooling channel 4201 . A square through-hole that is the receiving opening 4202 may be formed between the plurality of cooling channel blocks 4230 .

전도성 방열체(4100)는 육면체 형태의 모양 및 상기 사각 관통홀에 삽입 가능한크기를 갖고, 육면체 형상의 서로 마주하는 두 면을 관통하는 관통채널(4101)을 포함한다. 전도성 방열체(4100)의 상기 관통채널(4101)이 관통하지 않는 두 면 중 하나의 면에 파워 반도체(10)의 배면이 부착된다.The conductive radiator 4100 has a hexahedral shape and a size that can be inserted into the square through-hole, and includes a hexahedral through-channel 4101 penetrating through two opposing surfaces. The back surface of the power semiconductor 10 is attached to one of the two surfaces of the conductive heat sink 4100 through which the through channel 4101 does not penetrate.

이러한 전도성 방열체(4100)는 상기 수용개구(4202)에 삽입되며, 수용개구(4202)에 삽입될 때 관통채널(4101)이 냉각채널(4201) 방향에 평행하도록 삽입된다. 따라서, 냉각채널(4201)을 따라 흐르는 냉각수는 관통채널(4101)을 통과할 수 있다.The conductive heat sink 4100 is inserted into the receiving opening 4202 , and when inserted into the receiving opening 4202 , the through channel 4101 is inserted parallel to the cooling channel 4201 direction. Accordingly, the cooling water flowing along the cooling channel 4201 may pass through the through channel 4101 .

또한, 상기 전도성 방열체(4100)는 육면체 형상의 상기 냉각채널(4201) 방향에 수직하는 양측면에서 돌출되는 원형돌출부(4110)를 포함하고, 상기 원형돌출부(4110)는 상기 중공 원형채널 직경 이하의 직경을 가질 수 있고, 상기 전도성 방열체(4100)가 상기 수용개구(4202)에 삽입되어 복수의 냉각채널블록(4230) 사이에 위치할 때 중공 원형채널에 삽입되어, 상기 전도성 방열체(4100)가 상기 복수의 냉각채널블록(4230)과 연결되도록 한다.In addition, the conductive heat sink 4100 includes circular protrusions 4110 protruding from both sides perpendicular to the direction of the cooling channel 4201 in a hexahedral shape, and the circular protrusions 4110 have a diameter of the hollow circular channel or less. may have a diameter, and is inserted into the hollow circular channel when the conductive heat sink 4100 is inserted into the receiving opening 4202 and positioned between the plurality of cooling channel blocks 4230, the conductive heat sink 4100 is connected to the plurality of cooling channel blocks 4230 .

또한, 상기 전도성 방열체(4100)는 관통채널(4101)이 일측의 원형돌출부(4110)로부터 타측의 원형돌출부(4110)까지 관통된다.In addition, in the conductive heat sink 4100 , a through channel 4101 penetrates from the circular protrusion 4110 on one side to the circular protrusion 4110 on the other side.

한편, 상기 각각의 원형돌출부(4110)의 둘레에는 오링(4120)이 결합될 수 있다. 상기 오링(4120)은 중공 원형채널(4231)로 삽입된 원형돌출부(4110) 및 중공 원형채널의 내면 사이에 밀착되어 냉각수의 누수를 방지할 수 있다.Meanwhile, an O-ring 4120 may be coupled to the circumference of each of the circular protrusions 4110 . The O-ring 4120 is in close contact between the circular protrusion 4110 inserted into the hollow circular channel 4231 and the inner surface of the hollow circular channel to prevent leakage of coolant.

한편, 상기 상부플레이트(4210)는 그 길이방향으로 일정 간격 이격되게 배열되는 오목한 제1 블록조립홈(4211)을 포함하고, 상기 하부플레이트(4220)는 상기 제1 블록조립홈(4211)의 배열 간격으로 배열되는 제2 블록조립홈(4221)을 포함할 수 있다.On the other hand, the upper plate 4210 includes concave first block assembly grooves 4211 that are arranged to be spaced apart from each other at regular intervals in the longitudinal direction, and the lower plate 4220 includes the arrangement of the first block assembly grooves 4211 . It may include second block assembly grooves 4221 arranged at intervals.

상기 제1 블록조립홈(4211) 및 제2 블록조립홈(4221)은 서로 마주할 수 있고, 서로 마주하는 제1 블록조립홈(4211) 및 제2 블록조립홈(4221) 사이에는 냉각채널블록(4230)이 조립되어 냉각채널(4201) 방향으로 배열될 수 있다.The first block assembly groove 4211 and the second block assembly groove 4221 may face each other, and between the first block assembly groove 4211 and the second block assembly groove 4221 facing each other, a cooling channel block 4230 may be assembled and arranged in the cooling channel 4201 direction.

이러한 본 발명의 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 상부플레이트(4210), 하부플레이트(4220), 복수의 냉각채널블록(4230), 복수의 전도성 방열체(4100)가 조립되어 복수의 파워 반도체(10)를 냉각하도록 구성될 수 있다.The plurality of power semiconductor cooling apparatuses according to the fourth embodiment of the present invention includes an upper plate 4210 , a lower plate 4220 , a plurality of cooling channel blocks 4230 , and a plurality of conductive heat sinks 4100 are assembled. It may be configured to cool the power semiconductor 10 of

이하에서는 냉각 대상인 파워 반도체(10)가 3개인 경우를 예를 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, a case in which there are three power semiconductors 10 to be cooled will be described as an example.

3개의 파워 반도체(10)의 냉각을 위해, 상부플레이트(4210)는 3개의 제1 블록조립홈(4211)이 구비되며, 하부플레이트(4220)는 3개의 제2 블록조립홈(4221)이 구비되고, 냉각채널블록(4230)은 4개가 준비되고, 전도성 방열체(4100)는 3개가 준비된다.For cooling the three power semiconductors 10 , the upper plate 4210 is provided with three first block assembly grooves 4211 , and the lower plate 4220 is provided with three second block assembly grooves 4221 . Four cooling channel blocks 4230 are prepared, and three conductive heat sinks 4100 are prepared.

이어서, 상부플레이트(4210) 또는 하부플레이트(4220), 예를 들어, 하부플레이트(4220)의 길이방향을 따라 냉각채널블록(4230)들 및 전도성 방열체(4100)들을 배열할 수 있다. Subsequently, the cooling channel blocks 4230 and the conductive heat sinks 4100 may be arranged along the longitudinal direction of the upper plate 4210 or the lower plate 4220 , for example, the lower plate 4220 .

즉, 하부플레이트(4220)의 일방향 끝에 위치한 제2 블록조립홈(4221)에 하나의 냉각채널블록(4230)의 저면을 삽입하여 제2 블록조립홈(4221) 내에 조립하고, 이어서 하나의 전도성 방열체(4100)의 일측의 원형돌출부(4110)를 조립된 냉각채널블록(4230)의 중공 원형채널(4231)에 삽입하여 조립하고, 이어서 추가의 냉각채널블록(4230)을 하부플레이트(4220)의 두번째 제2 블록조립홈(4221)에 저면을 삽입하되 조립되어 있는 전도성 방열체(4100)의 타측의 원형돌출부(4110)가 추가의 냉각채널블록(4230)의 중공 원형채널(4231)에 삽입되도록 하면서 제2 블록조립홈(4221)에 조립한다. 이러한 과정으로 나머지 냉각채널블록(4230) 및 나머지 전도성 방열체(4100)도 하부플레이트(4220) 상에 조립한다.That is, the bottom surface of one cooling channel block 4230 is inserted into the second block assembly groove 4221 located at one end of the lower plate 4220 and assembled in the second block assembly groove 4221 , and then one conductive heat dissipation. The circular protrusion 4110 of one side of the sieve 4100 is inserted and assembled into the hollow circular channel 4231 of the assembled cooling channel block 4230, and then an additional cooling channel block 4230 is inserted into the lower plate 4220. Insert the bottom surface into the second second block assembly groove 4221, but the circular protrusion 4110 on the other side of the assembled conductive radiator 4100 is inserted into the hollow circular channel 4231 of the additional cooling channel block 4230. While assembling in the second block assembly groove (4221). In this process, the remaining cooling channel block 4230 and the remaining conductive heat sink 4100 are also assembled on the lower plate 4220 .

이러한 과정으로 4개의 냉각채널블록(4230) 및 3개의 전도성 방열체(4100)를 조립한 후, 상부플레이트(4210)의 제1 블록조립홈(4211) 내에 직렬 배열되어 있는 각각의 냉각채널블록(4230)의 평면이 삽입되도록 상부플레이트(4210)를 조립하고, 이어서 제1 블록조립홈(4211) 및 제2 블록조립홈(4221)의 위치에서 상부플레이트(4210) 및 하부플레이트(4220)에 고정수단(30), 예를 들어, 나사를 조립하면 각각의 냉각채널블록(4230)의 위치가 고정되며, 냉각채널블록(4230)들 사이의 전도성 방열체(4100)는 원형돌출부(4110)의 삽입을 통해 냉각채널블록(4230)들과 연결되어 있으므로 위치가 고정된다.Each cooling channel block ( The upper plate 4210 is assembled so that the plane of 4230 is inserted, and then fixed to the upper plate 4210 and the lower plate 4220 at the positions of the first block assembly groove 4211 and the second block assembly groove 4221 . When the means 30, for example, a screw is assembled, the position of each cooling channel block 4230 is fixed, and the conductive heat sink 4100 between the cooling channel blocks 4230 is inserted into the circular protrusion 4110. Since it is connected to the cooling channel blocks 4230 through the position is fixed.

이러한 과정에서 오링(4120)은 원형돌출부(4110)들의 둘레에 결합되며, 원형돌출부(4110)가 냉각채널블록(4230)의 중공 원형채널(4231)에 삽입되면 원형돌출부(4110) 및 중공 원형채널(4231)의 내면 사이에 밀착되어 실링된다.In this process, the O-ring 4120 is coupled to the circumference of the circular projections 4110, and when the circular projection 4110 is inserted into the hollow circular channel 4231 of the cooling channel block 4230, the circular projection 4110 and the hollow circular channel It is sealed in close contact between the inner surfaces of the 4231 .

이와 같이 조립하면, 전도성 방열체(4100)들은 냉각채널부(4200)의 냉각채널블록(4230)들 사이의 수용개구(4202)에 끼워지는 형태가 되며, 중공 원형채널(4231) 및 관통채널(4101)이 평행하게 배열된다.When assembled in this way, the conductive heat sinks 4100 are fitted in the receiving opening 4202 between the cooling channel blocks 4230 of the cooling channel unit 4200, and the hollow circular channel 4231 and the through channel ( 4101) are arranged in parallel.

이러한 상태에서 전도성 방열체(4100)의 노출된 일면에 파워 반도체(10)의 배면이 부착된다.In this state, the back surface of the power semiconductor 10 is attached to the exposed surface of the conductive heat sink 4100 .

이러한 상태에서 냉각채널(4201)을 따라 절연성 냉각수가 흐르도록 하면 냉각채널(4201) 방향으로 배열되는 전도성 방열체(4100)들이 냉각수와 접촉에 의한 열교환하여 파워 반도체(10)의 온도를 낮춰서 파워 반도체(10)가 냉각될 수 있다.In this state, when the insulating coolant flows along the cooling channel 4201, the conductive heat sinks 4100 arranged in the cooling channel 4201 direction heat exchange with the cooling water by contact with the cooling water to lower the temperature of the power semiconductor 10, thereby lowering the temperature of the power semiconductor. (10) can be cooled.

이러한 본 발명의 실시예들에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치는 파워 반도체를 사용하는 장치들에서 큰 공간을 차지하지 않고 직렬 배열되어 서로 인접한 파워 반도체간 서로 절연되면서 파워 반도체들을 효율적으로 냉각할 수 있고, 나아가 경량화, 소형화, 고집적화된 파워 반도체를 이용하는 장치들에 용이하게 적용될 수 있는 이점이 있다.The plurality of power semiconductor cooling apparatuses according to the embodiments of the present invention are arranged in series without occupying a large space in devices using the power semiconductor and insulate the power semiconductors adjacent to each other and efficiently cool the power semiconductors. , furthermore, there is an advantage that can be easily applied to devices using a light-weight, miniaturized, and highly integrated power semiconductor.

또한, 상기 제2 실시예, 상기 제3 실시예 및 상기 제4 실시예에 따른 복수의 파워 반도체 냉각장치의 경우 각 요소들이 다수 조립되어 파워 반도체의 직렬 배열 방향을 따라 냉각 채널을 구성할 수 있고, 파워 반도체의 개수에 따라 자유롭게 가변하여 냉각채널의 길이를 설정 및 구성할 수 있으므로 특정 장치에 제한되지 않고 다양한 장치에서 파워 반도체의 냉각을 위한 냉각채널을 용이하게 구성할 수 있는 이점이 있다.In addition, in the case of the plurality of power semiconductor cooling devices according to the second embodiment, the third embodiment, and the fourth embodiment, a plurality of elements may be assembled to form a cooling channel along the series arrangement direction of the power semiconductors, , since the length of the cooling channel can be set and configured by freely varying according to the number of power semiconductors, there is an advantage that the cooling channel for cooling the power semiconductor can be easily configured in various devices without being limited to a specific device.

제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.The description of the presented embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present invention. Various modifications to these embodiments will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other embodiments without departing from the scope of the invention. Thus, the present invention is not intended to be limited to the embodiments presented herein, but is to be construed in the widest scope consistent with the principles and novel features presented herein.

Claims (18)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 파워반도체의 배면에 부착되는 전도성 방열체; 및
냉각채널 및 상기 냉각채널 방향에 따라 배열된 상기 방열체를 수용하는 수용개구를 포함하는 절연성 재질의 냉각채널부를 포함하고,
상기 냉각채널부는 중공 사각채널 형태이고,
상기 수용개구는, 일면 및 상기 일면의 배면을 관통하여 형성되어, 상기 냉착 채널의 진행방향에 수직 관통하는 사각 관통홀이고,
상기 방열체는 상기 관통홀에 삽입가능한 육면체 형태의 크기 및 모양이고, 관통채널을 포함하고, 상기 관통채널은 상기 방열체가 상기 사각 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 상기 냉각 채널이 흐르는 방향에 따라 형성되어 있고,
상기 파워반도체는 이의 배면이 상기 방열체가 상기 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 노출된 일면에 부착되는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.a conductive heat sink attached to the rear surface of the power semiconductor; and
and a cooling channel portion made of an insulating material including a cooling channel and an accommodating opening for accommodating the heat sink arranged along the cooling channel direction,
The cooling channel portion is in the form of a hollow rectangular channel,
The receiving opening is a rectangular through-hole that is formed through one surface and the rear surface of the one surface and penetrates perpendicularly to the traveling direction of the cooling channel,
The heat sink has a size and shape of a hexahedron that can be inserted into the through hole, and includes a through channel, wherein the through channel is formed along the direction in which the cooling channel flows when the heat sink is inserted and mounted in the rectangular through hole. has been made,
The power semiconductor is attached to the exposed surface in a state in which the rear surface of the heat sink is inserted and mounted in the through hole,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제5항에 있어서,
상기 사각 관통홀은 상기 냉각 채널 방향의 두 측면의 열린 사각 테두리 및 상기 사각 테두리의 바깥쪽으로 사각 턱을 포함하고,
상기 방열체는 상기 사각 턱에 걸쳐 사각 테두리에 끼워지고,
상기 사각 턱과 상기 방열체 사이에는 밀폐를 위한 오링을 포함하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.6. The method of claim 5,
The square through-hole includes an open square edge of two sides in the direction of the cooling channel and a square jaw outward of the square edge,
The heat sink is fitted in a square rim over the square jaw,
An O-ring for sealing is included between the square jaw and the heat sink.
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제5항에 있어서,
상기 냉각채널부의 중공 사각채널은,
짧은 길이의 H 빔 형태의 제1 H형 부재로서 웹(web)에 사각 홀을 가지는 제1 H형 부재; 및 짧은 길이의 H 빔 형태의 제2 H형 부재로서 웹(web)에 사각 홀을 가지는 제2 H형 부재의 플랜지끼리의 결합에 의해 형성됨을 특징으로 하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.6. The method of claim 5,
The hollow rectangular channel of the cooling channel part,
A first H-shaped member in the form of a short H-beam, the first H-shaped member having a square hole in the web (web); and a second H-shaped member in the form of an H-beam of short length, characterized in that it is formed by coupling the flanges of the second H-shaped member having a square hole in the web.
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제7항에 있어서,
상기 플랜지끼리의 결합은 스냅핏 결합이며,
상기 스냅핏 결합을 위해, 상기 제1 H형 부재의 플랜지의 끝단은 걸쇠 모양을 하고, 상기 제2 H형 부재의 플랜지는 상기 걸쇠를 수용하는 홈을 포함하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.8. The method of claim 7,
The coupling between the flanges is a snap-fit coupling,
For the snap-fit coupling, an end of the flange of the first H-shaped member has a clasp shape, and the flange of the second H-shaped member includes a groove for accommodating the clasp,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제6항에 있어서,
상기 사각 턱은 상기 사각 냉각채널 방향으로 상기 사각 테두리와 일정 거리 이격되고,
상기 사각 턱과 상기 사각 테두리 간의 이격된 거리 내에는 사각 측벽이 형성되고,
상기 방열체는 상기 냉각채널 방향의 양측이 상기 사각 측벽 내에 끼워지고,
상기 사각 턱과 상기 방열체 사이에는 밀폐를 위한 오링을 포함하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.7. The method of claim 6,
The square jaw is spaced apart from the square edge by a certain distance in the direction of the square cooling channel,
A square side wall is formed within the distance between the square jaw and the square edge,
Both sides of the heat sink in the direction of the cooling channel are fitted in the square side wall,
An O-ring for sealing is included between the square jaw and the heat sink.
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제9항에 있어서,
상기 냉각채널부는,
상기 사각 측벽의 수직한 면에 상기 냉각채널 방향을 따라 형성되는 노치부를 더 포함하고,
상기 방열체는 상기 수직한 면에 평행하는 면에 상기 노치부로 삽입되는 선형돌기를 포함하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.10. The method of claim 9,
The cooling channel unit,
Further comprising a notch formed along the cooling channel direction on the vertical surface of the square sidewall,
The heat sink includes a linear protrusion inserted into the notch on a plane parallel to the vertical plane,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제5항에 있어서,
상기 냉각채널부의 중공 사각채널은,
육면체 형태의 모양을 갖고, 서로 마주하는 두 면에 사각 홀을 갖는 제1 단위 부재;
육면체 형태의 모양을 갖고, 서로 마주하는 두 면에 사각 홀을 갖는 제2 단위 부재; 및
상기 방열체를 상기 각각의 단위 부재 사이에 두고 각각의 단위 부재의 상면 사이 및 하면 사이에 결합되는 복수의 연결부재의 결합에 의해 형성되는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.6. The method of claim 5,
The hollow rectangular channel of the cooling channel part,
a first unit member having a hexahedral shape and having square holes on two surfaces facing each other;
a second unit member having a hexahedral shape and having square holes on two surfaces facing each other; and
Formed by the coupling of a plurality of connecting members that are coupled between the upper surface and the lower surface of each unit member with the heat sink placed between the respective unit members,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제11항에 있어서,
상기 복수의 연결부재는 상기 제1 단위 부재 및 상기 제2 단위 부재 각각의 상면 및 하면에 스냅 핏 결합되고,
상기 스냅 핏 결합을 위해, 상기 연결부재는 양측 끝단이 걸쇠 모양을 하고, 상기 각각의 단위 부재는 상면 및 하면에서 상기 걸쇠를 수용하는 홈을 포함하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.12. The method of claim 11,
The plurality of connection members are snap-fit coupled to upper and lower surfaces of the first unit member and the second unit member, respectively;
For the snap-fit coupling, both ends of the connecting member have a clasp shape, and each of the unit members includes a groove for accommodating the clasp on the upper surface and the lower surface,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 파워반도체의 배면에 부착되는 전도성 방열체; 및
냉각채널 및 상기 냉각채널 방향에 따라 배열된 상기 방열체를 수용하는 수용개구를 포함하는 절연성 재질의 냉각채널부를 포함하고,
상기 냉각채널부는 중공 원형채널 형태이고,
상기 수용개구는 상기 냉각채널의 진행방향에 수직 관통하는 사각 관통홀이고,
상기 방열체는 상기 사각 관통홀에 삽입가능한 육면체 형태의 크기 및 모양이고, 관통채널을 포함하고, 상기 관통채널은 상기 방열체가 상기 사각 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 상기 냉각 채널이 흐르는 방향에 따라 형성되어 있고,
상기 파워반도체는 이의 배면이 상기 방열체가 상기 관통홀에 삽입 장착된 상태에서 노출된 일면에 부착되는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.a conductive heat sink attached to the rear surface of the power semiconductor; and
and a cooling channel portion made of an insulating material including a cooling channel and an accommodating opening for accommodating the heat sink arranged along the cooling channel direction,
The cooling channel portion is in the form of a hollow circular channel,
The receiving opening is a rectangular through-hole penetrating perpendicular to the traveling direction of the cooling channel,
The heat sink has a size and shape of a hexahedron that can be inserted into the square through-hole, and includes a through channel, wherein the through channel depends on the direction in which the cooling channel flows when the heat sink is inserted and mounted in the rectangular through-hole. is formed,
The power semiconductor is attached to one surface exposed in a state in which the rear surface of the heat sink is inserted and mounted in the through hole,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제13항에 있어서,
상기 냉각채널부는,
상기 냉각채널 방향에 평행하는 상부플레이트;
상기 상부플레이트의 아래로 이격되어 배치되는 하부플레이트; 및
상기 상부플레이트 및 상기 하부플레이트 사이에 일정 간격으로 이격되게 배열되고 상기 상부플레이트 및 상기 하부플레이트에 고정수단을 통해 고정되어 서로 이격된 간격이 유지되게 구성되는 복수의 냉각채널블록을 포함하고,
서로 이격되게 배열되는 상기 복수의 냉각채널블록 사이에는 상기 사각 관통홀이 형성되고 그 사각 관통홀에 상기 방열체가 삽입되어 고정되는 것을 특징으로 하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.14. The method of claim 13,
The cooling channel unit,
an upper plate parallel to the cooling channel direction;
a lower plate spaced apart from the upper plate; and
A plurality of cooling channel blocks arranged to be spaced apart from each other at a predetermined interval between the upper plate and the lower plate and fixed to the upper plate and the lower plate through a fixing means to maintain the spaced distance from each other,
The rectangular through-holes are formed between the plurality of cooling channel blocks arranged to be spaced apart from each other, and the radiator is inserted and fixed into the rectangular through-holes,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제14항에 있어서,
상기 각각의 냉각채널블록은 상기 냉각채널 방향에 수직하는 양측면으로 개방되는 상기 중공 원형채널이 구비되고,
상기 방열체는 상기 육면체 형태의 모양의 상기 냉각채널 방향에 수직하는 양측면에서 돌출되며 상기 중공 원형채널 직경 이하의 직경을 갖는 원형돌출부를 포함하고,
상기 방열체는 상기 원형돌출부가 상기 중공 원형채널에 삽입되어 상기 냉각채널블록과 연결되고,
상기 관통채널은 일측의 원형돌출부로부터 타측의 원형돌출부까지 관통되는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.15. The method of claim 14,
Each of the cooling channel blocks is provided with the hollow circular channels open to both sides perpendicular to the cooling channel direction,
The heat sink includes circular protrusions protruding from both sides perpendicular to the cooling channel direction in the shape of the hexahedron and having a diameter less than or equal to the diameter of the hollow circular channel,
The heat sink is connected to the cooling channel block by inserting the circular protrusion into the hollow circular channel,
The through channel penetrates from the circular protrusion of one side to the circular protrusion of the other side,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제15항에 있어서,
상기 원형돌출부의 둘레에는 오링이 결합되고,
상기 오링은 상기 중공 원형채널로 삽입된 원형돌출부 및 중공 원형채널의 내면 사이에 밀착되는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.16. The method of claim 15,
An O-ring is coupled to the circumference of the circular protrusion,
The O-ring is in close contact between the circular protrusion inserted into the hollow circular channel and the inner surface of the hollow circular channel,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제14항에 있어서,
상기 상부플레이트는 그 길이방향으로 일정 간격 이격되게 배열되는 오목한 제1 블록조립홈을 포함하고,
상기 하부플레이트는 상기 제1 블록조립홈의 배열 간격으로 배열되어 상기 제1 블록조립홈에 마주하는 제2 블록조립홈을 포함하고,
상기 복수의 냉각채널블록은 서로 마주하는 제1 블록조립홈 및 제2 블록조립홈 사이에 조립되어 상기 냉각채널 방향으로 배열되는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.15. The method of claim 14,
The upper plate includes concave first block assembly grooves arranged to be spaced apart at regular intervals in the longitudinal direction,
The lower plate includes second block assembling grooves arranged at an arrangement interval of the first block assembling grooves and facing the first block assembling grooves,
The plurality of cooling channel blocks are assembled between the first block assembly groove and the second block assembly groove facing each other and are arranged in the cooling channel direction,
A plurality of power semiconductor cooling devices. 제14항에 있어서,
상기 고정수단은 나사인 것을 특징으로 하는,
복수의 파워 반도체 냉각장치.15. The method of claim 14,
The fixing means is characterized in that the screw,
A plurality of power semiconductor cooling devices.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101155916B1 (en) 2009-09-01 2012-06-20 삼성에스디아이 주식회사 Battery module
JP5991440B2 (en) * 2013-09-10 2016-09-14 三菱電機株式会社 Semiconductor device, semiconductor module
JP2017126716A (en) 2016-01-15 2017-07-20 トヨタ自動車株式会社 Electric power conversion system

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101474616B1 (en) 2012-11-02 2014-12-18 삼성전기주식회사 Cooling system of power semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101155916B1 (en) 2009-09-01 2012-06-20 삼성에스디아이 주식회사 Battery module
JP5991440B2 (en) * 2013-09-10 2016-09-14 三菱電機株式会社 Semiconductor device, semiconductor module
JP2017126716A (en) 2016-01-15 2017-07-20 トヨタ自動車株式会社 Electric power conversion system

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