KR102440986B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상부가 개방된 처리 용기; 상기 처리 용기 내에 제공되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 놓인 기판으로 제1 처리액 또는 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛;을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 지지판과; 상기 지지판에 제공되어 기판의 측면을 지지하는 지지부를 가지는 척핀을 포함하되. 상기 지지부는 상기 지지판으로부터 서로 상이한 높이에서 상기 기판을 지지하도록 복수개가 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating a substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판 처리 공정 중 기판을 균일하게 가열하면서 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.

각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.

최근에는 황산이나 인산과 같은 고온에서 사용되는 처리액을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다. 고온의 케미칼 수용액을 이용한 기판 처리 장치에서는 식각률을 개선하기 위해 기판을 가열하는 기판 가열 장치가 적용되어 활용되고 있다. 그러나. 이러한 기판 가열 장치로는 고온의 처리액으로 기판을 식각할 때, 기판의 전체 영역의 온도가 균일하지 못하다. 도 1은 기판의 직경방향 거리에 대한 온도의 분포를 나타낸 것이다. C는 기판의 중심 지점을 나타낸 것이고, E1, E2는 기판의 양측 가장자리 지점 나타낸 것이다. 기판의 중심에는 고온의 처리액이 가해지므로 상대적으로 온도가 높고 가장자리로 갈수록 기판의 온도가 상대적으로 낮다. 따라서, 기판의 온도가 균일하게 유지되지 못하여 기판의 영역별 식각율이 다르게 나타난다.

본 발명은 기판 처리 공정시 기판의 높이를 조절하면서 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명은 기판 처리 공정 시 기판의 영역별 온도를 균일하게 하여 기판의 영역별 식각률을 균일하게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상부가 개방된 처리 용기; 상기 처리 용기 내에 제공되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 놓인 기판으로 제1 처리액 또는 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛;을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 지지판과; 상기 지지판에 제공되어 기판의 측면을 지지하는 지지부를 가지는 척핀을 포함하되. 상기 지지부는 상기 지지판으로부터 서로 상이한 높이에서 상기 기판을 지지하도록 복수개가 제공된다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지부는 상기 지지판으로부터 제1 높이에 제공되는 제1 지지부 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 제공되는 제2 지지부를 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 척핀은 그 길이방향이 상하로 제공된 바디를 포함하고, 상기 지지부는 상기 바디의 외측에서 오목한 홈으로 제공된다.

일 실시예에 의하면, 상기 척핀은 그 길이방향이 상하로 제공된 바디를 포함하고, 상기 지지부는 상기 바디에서 상기 지지판의 내측 방향으로 돌출된 돌출부로 제공된다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 기판의 저면을 지지하는 지지핀; 및 상기 지지핀을 승하강시키는 지지핀 구동기를 더 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 지지핀 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1 처리액으로 기판을 처리하는 제1 처리단계에서는 상기 기판의 측면이 상기 제1 지지부에 의해 지지되고, 상기 제2 처리액으로 기판을 처리하는 제2 처리단계에서는 상기 기판의 측면이 상기 제2 지지부에 의해 지지되도록 상기 지지핀 구동기를 제어한다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 척핀을 수평방향으로 이동시키는 척핀 구동기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 척핀 구동기를 제어하되, 상기 제1 처리단계가 완료되면, 상기 척핀의 위치를 상기 지지부가 상기 기판의 측면과 이격되는 이격위치로 상기 척핀을 이동시키고, 상기 지지핀을 제1 높이에서 상기 제2 높이로 이동시킨 후, 상기 척핀을 상기 이격위치에서 상기 기판의 측면과 접촉하는 접촉위치로 이동시킨다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 지지핀 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 제1 처리액으로 제1 기판을 처리할 때에는 상기 제1 기판의 측면이 상기 제1 지지부에 의해 지지되고, 상기 제2 처리액으로 제2 기판을 처리할 때에는 상기 제2 기판의 측면이 상기 제2 지지부에 의해 지지되도록 상기 지지핀 구동기를 제어한다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리액은 제1 온도이고, 상기 제2 처리액은 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도이다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리액은 인산이다.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 처리액은 순수이다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 더 포함하되, 상기 가열 부재는 상기 지지판의 가장자리에 제공되는 가장자리 히터를 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 부재는 상기 가장자리 히터보다 상기 지지판의 내측에 제공되는 중앙 히터; 및 상기 가열 부재를 제어하는 히터 컨트롤러를 더 포함하되, 상기 히터 컨트롤러는 상기 가장자리 히터와 중앙 히터의 온도를 각각 독립적으로 제어한다.

일 실시예에 의하면, 상기 히터 컨트롤러는 상기 가장 자리 히터의 온도가 상기 중앙 히터의 온도보다 높도록 제어한다.

본 발명은 지지 유닛을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 지지판의 상면에 제공되어 상기 기판의 측면을 지지하는 지지부를 가지는 척핀을 포함하되. 상기 지지부는 서로 상이한 높이에 상기 기판을 지지하도록 복수개가 제공된다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지부는 제1 높이에 제공되는 제1 지지부 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 제공되는 제2 지지부를 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 기판의 저면을 지지하는 지지핀; 및 상기 제1 높이 및 상기 제2 높이 사이에서 상기 지지핀을 승하강시키는 지지핀 구동기를 더 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 더 포함하되, 상기 가열 부재는 상기 지지판의 가장자리에 제공되는 가장자리 히터를 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 부재는 상기 가장자리 히터보다 상기 지지 유닛의 내측에 제공되는 중앙 히터; 및 상기 가열 부재를 제어하는 히터 컨트롤러를 더 포함하되, 상기 히터 컨트롤러는 상기 가장자리 히터와 중앙 히터의 온도를 각각 독립적으로 제어한다.

본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 지지판을 가지는 지지 유닛에서 기판을 처리하되, 제1 처리액으로 기판을 처리하는 제1 처리단계에서는 상기 기판을 상기 지지판으로부터 제1 높이를 유지한 상태에서 상기 제1 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하고, 제2 처리액으로 기판을 처리하는 제2 처리단계에서는 상기 기판을 상기 지지판으로부터 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 유지한 상태에서 상기 제2 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리한다.

일 실시예에 의하면, 지지판을 가지는 지지 유닛에서 기판을 처리하되, 제1 기판을 제1 처리액으로 처리시에는 상기 제1 기판을 상기 지지판으로부터 제1 높이로 이격된 상태에서 상기 제1 기판을 처리하고, 제2 기판을 제2 처리액으로 처리시에는 상기 제2 기판을 상기 지지판으로부터 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이로 이격된 상태에서 상기 제2 기판을 처리한다.

일 실시예에 의하면, 상기 기판의 내측보다 상기 기판의 가장자리를 더 높은 온도로 가열한다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리액은 인산이다.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 처리액은 순수이다.

일 실시예에 의하면, 상기 기판을 하부에서 가열하면서 기판을 처리하되, 상기 제1 처리액의 온도는 제1 온도이고, 상기 제2 처리액의 온도는 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도이다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리액으로 기판을 처리하는 제1 처리단계에서는 상기 기판의 측면이 상기 제1 지지부에 의해 지지되고, 상기 제2 처리액으로 기판을 처리하는 제2 처리단계에서는 상기 기판의 측면이 상기 제2 지지부에 의해 지지되도록 한다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리단계가 완료되면, 상기 척핀의 위치를 상기 지지부가 상기 기판의 측면과 이격되는 이격위치로 상기 척핀을 이동시키고, 상기 지지핀을 제1 높이에서 상기 제2 높이로 이동시킨 후, 상기 척핀을 상기 이격위치에서 상기 기판의 측면과 접촉하는 접촉위치로 이동시킨다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리액으로 제1 기판을 처리할 때에는 상기 제1 기판의 측면이 상기 제1 지지부에 의해 지지되고, 상기 제2 처리액으로 제2 기판을 처리할 때에는 상기 제2 기판의 측면이 상기 제2 지지부에 의해 지지되도록 한다.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정시 기판의 높이를 조절하면서 공정을 수행할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정시 기판의 영역별 온도를 균일하게 하여 기판의 영역별 식각률을 균일하게 할 수 있다.

도 1은 처리액을 공급하여 기판처리시에 기판의 직경방향 거리에 따른 온도의 분포를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4와 도 5는 도 2의 기판 처리 장치의 지지 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 7은 지지핀의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 척핀의 다양한 실시예 및 변형예를 보여주는 도면이다.
도 11은 척핀의 수평이동을 보여주는 도면이다.
도 12 내지 도 20은 본 발명에 의한 기판 처리 과정을 순서대로 보여주는 도면이다.
도 21 내지 도 22는 본 발명의 다른 실시예에 의하면 기판 처리 과정을 순서대로 보여주는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

도 2는 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.

로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.

공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.

버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다.

이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다.

공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스와 같은 처리유체들을 사용하여 기판(W)을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판(W)을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 4와 도 5는 도 2의 기판 처리 장치의 지지 유닛을 보여주는 단면도이며, 도 6은 기판 처리 장치의 평면도이다.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(800), 처리 용기(100), 지지 유닛(200), 처리액 공급 유닛(300), 공정 배기부(500) 그리고 승강 유닛(600)을 포함한다.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 유닛(810)이 설치된다. 기류 공급 유닛(810)은 챔버(800) 내부에 하강 기류를 형성한다.

기류 공급 유닛(810)은 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수통들(110,120,130)을 통해 공정 배기부(500)로 배출시킨다.

챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 나뉜다. 공정 영역(816)에는 처리 용기(100)와 지지 유닛(200)이 위치한다. 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부과, 처리액 공급 유닛(300)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(818)은 공정 영역(816)으로부터 격리된다.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 지지 유닛(200)이 위치된다. 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다.

처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다.

환형의 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다.

구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(120)은 제1회수통(110)를 둘러싸고, 제1회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(130)은 제2회수통(120)을 둘러싸고, 제2회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.

제1 내지 제3 회수통 (110, 120, 130)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)과 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2회수통(120)과 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.

제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.

처리액 공급 유닛(300)은 처리액을 기판에 공급한다. 처리액은 제1 처리액과 제2 처리액을 포함한다. 제1 처리액은 제1 온도의 케미칼일 수 있다. 제1 온도는 150~170℃일 수 있다. 제1 처리액은 고온의 인산일 수 있다. 또는, 일 예로 제1 처리액은 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다. 제2 처리액은 제2 온도의 린스액일 수 있다. 제2 온도는 제1 온도보다 낮다. 제2 온도는 상온일 수 있다. 제2 처리액은 상온의 순수(DIW)일 수 있다.

처리액 노즐 부재(310)는 노즐(311), 노즐 암(313), 지지 로드(315), 노즐 구동기(317)를 포함한다. 노즐(311)은 공급부(320)를 통해 제1 처리액 또는 제2 처리액을 공급받는다. 노즐(311)은 처리액을 기판(W) 표면으로 토출한다. 노즐 암(313)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(311)이 장착된다. 노즐 암(313)은 노즐(311)을 지지한다. 노즐 암(313)의 후단에는 지지 로드(315)가 장착된다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)의 하부에 위치한다. 지지 로드(315)는 노즐 암(313)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(317)는 지지 로드(315)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(315)를 회전시킨다. 지지 로드(315)의 회전으로 노즐 암(313)과 노즐(311)이 지지 로드(315)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(311)은 처리 용기(100)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(311)은 기판(W)의 중심과 가장 자리영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리액을 토출할 수 있다.

공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부의 배기를 담당한다. 일 예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 배기라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 척 스테이지(210)에 로딩 또는 척 스테이지(210)로부터 언로딩될 때 척 스테이지(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통들(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다.

지지 유닛(200)은 척 스테이지(210), 지지판(220), 회전부(230), 가열기(280), 척핀 구동기(미도시), 지지핀 구동기(미도시) 그리고 제어기(700)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다.

척 스테이지(210)는 원형의 상부면을 가진다. 척 스테이지(210)는 회전부(230)에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(210)의 가장자리에는 척핀(212)들이 설치된다. 척핀(212)들은 지지판(220)을 관통해서 지지판(220) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척핀(212)들은 다수의 지지핀(224)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척핀(212)들은 기판(W)의 측면을 지지한다. 척핀(212)들은 기판의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.

도 8 내지 도 10은 척핀의 다양한 실시예 및 변형예를 보여주는 도면이다. 파선은 제1 높이 또는 제2 높이에 위치하는 기판을 나타낸 것이다. 도 8 내지 도 10을 참조하면, 척핀(212)은 바디(218)와 지지부(214)를 포함할 수 있다. 바디(218)는 그 길이방향이 상하로 제공된다. 바디(218)는 지지판(220)의 상면으로 돌출되어 제공된다. 바디(218)의 높이만큼 기판이 지지 유닛(200)으로부터 이격될 수 있다. 지지부(214)는 바디(218)의 측면에 형성된다. 지지부(214)에는 기판의 측면이 접촉하여 기판의 측면을 지지한다. 지지부(214)는 바디(218)의 서로 상이한 높이에 복수개 제공될 수 있다. 일 예로, 지지부(214)는 제1 지지부(214a)와 제2 지지부(214b)를 포함할 수 있다. 제1 지지부(214a)는 지지판(220)으로부터 제1 높이에 형성된다. 일 예로 제1 높이는 지지판(220)으로부터 10mm 이하일 수 있다.

제2 지지부(214b)는 지지판(220)으로부터 제2 높이에 형성된다. 제2 높이는 제1 높이보다 높다. 일 예로 제2 높이는 지지판(220)으로부터 10 내지 20mm 일 수 있다. 따라서, 기판의 측면이 제1 지지부(214a)에 의해 지지되면 기판이 지지 유닛(200)으로부터 상대적으로 낮은 위치에 있다. 기판의 측면이 제2 지지부(214b)에 의해 지지되면 기판이 지지 유닛(200)으로부터 상대적으로 높은 위치에 있다.

도 8과 도 10에 도시된 바와 같이, 지지부(214)는 바디(218)의 외측에서 오목한 홈(216a, 216c)으로 제공될 수 있다. 기판의 측면은 이 홈(216a, 216c)과 접촉하여 지지될 수 있다. 또는, 도 9에 도시된 바와 같이, 지지부(214)는 바디(218)에서 연장되어 지지판(220)의 내측 방향으로 돌출된 형태의 돌출부(216b)로 제공될 수 있다. 기판의 측면은 돌출부와 접촉하여 지지될 수 있다. 본 발명의 도면들에는 편의상 지지부가 오목한 홈(216a) 형상으로 제공되는 것으로 하여 도시하였다. 다만, 이에 한하는 것은 아니며, 기판의 측면을 지지할 수 있는 형상이라면 어떠한 것이든 무방하다.

척핀 구동기(미도시)는 척핀(212)을 수평방향으로 이동시킨다. 기판이 지지 유닛(200)에 로딩, 언로딩되거나 또는 기판의 높이를 변경할 때 척핀(212)은 지지부(214)가 기판의 측면과 이격될 수 있는 이격위치로 이동한다. 따라서, 기판이 원활하게 이동할 수 있도록 한다. 또한, 기판을 처리하는 공정을 위해 척킹해야 하는 경우에는 척핀(212)은 지지부(214)가 기판의 측면과 접촉하여 척킹될 수 있도록 접촉위치로 이동한다. 이에 대해서는 기판을 처리하는 방법과 관련해서 상세히 후술한다.

지지판(220)은 척 스테이지(210) 상부에 위치한다. 지지판(220)은 가열 부재(250)를 보호하기 위해 제공된다. 지지판(220)은 투명하게 제공될 수 있다. 지지판(220)은 척 스테이지(210)와 함께 회전될 수 있다. 지지판(220)은 지지핀(224)를 포함한다. 지지판(220)의 상면에는 지지핀(224)이 제공된다. 지지핀(224)은 복수일 수 있다. 지지핀(224)들은 지지판(220)의 상부면에 소정 간격 이격되어 배치된다. 지지핀(224)은 지지판(220)로부터 상측으로 돌출되도록 제공된다. 지지핀(224)들은 기판(W)의 저면을 지지한다. 지지핀(224)들은 기판(W)이 지지판(220)으로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다.

도 7은 지지핀(224)의 일 예를 나타낸 것이다. 지지핀(224)은 승하강 가능하도록 제공된다. 지지핀은(224)는 복수개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 7을 참조하면, 3개의 지지핀(224)이 제공될 수 있다. 지지핀(244)들은 하나의 플레이트(225)와 연결되고, 플레이트(225)는 다시 구동축(226)에 연결될 수 있다. 구동축(226)의 상승 또는 하강에 따라 지지핀(224)도 상승 또는 하강할 수 있다. 다만, 이에 한하지 않고, 지지핀(224)을 승하강시킬 수 있는 구조라면 어느 것이든 무방하다.

지지핀 구동기(미도시)는 지지핀(224)을 승하강시킨다. 지지핀 구동기(미도시)는 지지핀(224)과 연결된 구동축(226)을 승하강 시킨다. 지지핀(224)은 지지핀(224)의 상단이 제1 높이와 제2 높이 사이에서 이동하도록 승강할 수 있다. 지지핀(224)이 지지판(220)으로부터 제1 높이에 있는 경우, 기판은 제1 높이에서 지지핀(224)에 의해 저면이 지지된다. 또한, 상술한 척핀(212)의 제1 지지부(214a)에 의해 기판의 측면이 지지된다. 지지핀(224)이 지지판(220)으로부터 제2 높이에 있는 경우, 기판은 제2 높이에서 지지핀(224)에 의해 저면이 지지된다. 또한, 상술한 척핀(212)의 제2 지지부(214b)에 의해 기판의 측면이 지지된다.

회전부(230)는 중공형의 형상을 갖고, 척 스테이지(210)와 결합하여 척 스테이지(210)를 회전시킨다.

제어기(700)는 척핀 구동기(미도시)와 지지핀 구동기(미도시)를 제어한다. 공정단계에 따라 척핀(212)을 수평방향으로 이동시키고, 지지핀(224)을 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 대해서는 기판을 처리하는 방법에 관한 설명과 함께 상세히 후술하도록 한다.

가열기(280)는 지지 유닛(200)의 내측에 설치된다. 가열기(280)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열한다. 가열기(280)는 가열 부재(250), 반사부재(260), 온도 제어부(270), 그리고 히터 컨트롤러(258)를 포함한다.

가열 부재(250)는 척 스테이지의 상부에 설치된다. 가열 부재(250)는 복수개 제공된다. 가열 부재(250)는 가장자리 히터(254)와 중앙 히터(256)를 포함할 수 있다. 가장자리 히터(254)는 지지판(220)의 가장자리에 제공된다. 중앙 히터(256)는 가장자리 히터(254)보다 지지판(220)의 내측에 제공된다.

가열 부재(250)는 링형상으로 제공될 수 있다. 가열 부재(250)는 서로 상이한 직경으로 제공된다. 일 예로 가열 부재(250)는 링 형상으로 제공되는 복수의 램프(252)들로 제공될 수 있다. 각 램프(252)에는 온도 제어부(270)가 구성되어 있어 각각 제어가 가능할 수 있다.

가열 부재(250)는 동심의 다수의 구역들로 세분될 수 있다. 각각의 구역에는 각각의 구역을 개별적으로 가열시킬 수 있는 램프(252)들이 제공된다. 램프(252)들은 척 스테이지(210)의 중심에 대해 상이한 반경 거리에서 동심적으로 배열되는 링 형상으로 제공될 수 있다. 본 실시예에서는 6개의 램프(252)들이 도시되어 있지만, 이는 하나의 예에 불과하며 램프들의 수는 원하는 온도 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다. 가열 부재(250)는 각각의 개별적인 구역의 온도를 제어함으로써, 공정 진행 동안 기판(W)의 반경에 따라 온도를 연속적으로 증가 또는 감소하게 제어할 수 있다. 이를 위해 각 램프(252)들의 온도를 개별적으로 체크하기 위한 온도 제어부(270)가 반사 부재(260)에 설치된다. 일 예로, 램프(252)들이 척 스테이지(210)와 함께 회전되는 구조에서는 가열 부재(250)로 전원을 공급하는 방식은 슬립링을 사용할 수 있다.

히터 컨트롤러(258)는 가열 부재(250)들의 온도를 각각 독립적으로 제어한다. 예를 들어, 가장자리 히터(254)와 중앙 히터(256)의 온도를 독립적으로 제어한다. 가장자리 히터(254)의 온도가 중앙 히터(256)의 온도보다 높도록 제어할 수 있다. 가장자리에 위치한 히터일수록 그보다 내측에 위치한 히터보다 순차적으로 온도가 높도록 제어할 수 있다. 고온의 제1 처리액으로 기판을 처리할 때, 제1 처리액을 기판의 중심영역에 주로 공급하게 되면 상대적으로 기판의 중심영역보다 기판의 가장자리의 온도가 낮다. 따라서, 기판의 가장자리에 대향하는 가장자리 히터(254)의 온도를 높게 하여 기판의 전 영역의 온도를 균일하게 할 수 있도록 한다.

반사 부재(260)는 각각의 가열 부재(250)와 척 스테이지(210) 사이에 제공된다. 반사 부재(260)는 램프(252)들에서 발생되는 열을 상부 기판(W)으로 반사하여 전달한다. 반사 부재(260)는 회전부(230)의 중앙 공간에 관통하여 설치되는 노즐 몸체(242)에 지지될 수 있다. 반사 부재(260)는 내측단에 하측으로 연장되어 형성된다. 반사 부재(260)는 척 스테이지(210)와 함께 회전되지 않는 고정식으로 제공된다.

반사 부재(260)는 하측 반사판(261), 내측 반사판(263), 메인 반사판(265) 그리고 외측 반사판(267)을 포함한다. 하측 반사판(261)은 척 스테이지(210)의 상부와 램프(252)의 하부 사이에 위치한다. 내측 반사판(263)은 지지 유닛(200)의 중심부에 근접하여 위치한다. 내측 반사판(263)은 램프들(252)에 내측에 위치한다. 내측 반사판(263)은 하측 반사판(261)으로부터 상부로 돌출되어 위치한다. 내측 반사판(263)은 링형상으로 제공될수 있다. 내측 반사판(263)은 하측 반사판(261)으로부터 수직하게 제공된다. 메인 반사판(265)은 하측 반사판(261)과 돌출되어 복수개가 제공된다. 메인 반사판(265)은 내측 반사판(263)에서 척 스테이지(210)의 중심에서 외측 방향으로 위치한다. 메인 반사판(265)은 링 형상으로 제공된다. 메인 반사판(265)은 인접하는 램프(252)들 사이에 위치한다. 일 예로 메인 반사판(265)은 제1측벽(265a)과 제2측벽(265b)을 포함한다. 제1측벽(265a)은 상부로 갈수록 인접하는 램프(252)들로부터 멀어지도록 경사지게 제공된다. 제1측벽(265a)과 제2측벽(265b)은 메인 반사판(265)의 사이를 지나는 선을 기준으로 대칭되게 제공되며 경사각은 동일하게 제공된다. 이와는 달리, 메인 반사판(265)은 종단면이 위로 갈수록 폭이 좁아지는 형태로 제공될 수 있다. 메인 반사판(265)의 높이와 내측 반사판(261)의 높이는 상이하게 제공될 수 있다. 외측 반사판(267)은 램프(252)들의 외측에 위치한다. 외측 반사판(267)은 메인 반사판(265)으로부터 척 스테이지(210)의 중심에서 외측방향으로 위치한다. 외측 반사판(267)의 높이는 내측 반사판(261)과 메인 반사판(265)보다 낮게 제공된다.

반사 부재(260)는 금속재질의 표면으로 제공될 수 있다. 표면은 열반사율이 좋은 금속 재질로 제공된다. 일 예로 표면은 금, 은 또는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 금속 재질로 열 반사율이 좋은 다른 재질로도 제공될 수 있다.

반사 부재(260)는 가열 부재(250) 사이에 메인 반사판(265)을 제공하여 열이 반사되는 방향을 조절하여 더 많은 열을 기판(W)으로 제공할 수 있다. 또한, 메인 반사판(265)을 제공하여 하측 반사판(261)의 열변형량을 감소시키는 효과를 가져온다.

반사 부재(260)는 방열을 위해 냉각핀들(미도시)이 설치될 수 있다. 반사 부재(260)의 발열을 억제하기 위해 냉각 가스가 하측 반사판(261) 저면을 흐르도록 구성될 수 있다. 일 예로, 노즐 몸체(242)에는 온도 제어부(270)들이 배치된 방향을 향해 하측 반사판(261) 저면으로 냉각 가스를 분사하는 분사 포트(248)를 갖는다.

온도 제어부(270)들은 IR 램프(252)들 각각의 온도를 측정하기 위해 반사 부재(260)의 일직선상에 일렬로 설치된다.

온도 제어부(270)는 받침판(272)과 온도 센서 소자(273)를 포함한다. 상기의 구조로 이루어지는 온도 제어부(270)는 가열 부재(250)의 정확한 온도 측정을 위해 가열 부재(250)에 인접하여 위치한다. 반사 부재(260)에 박형의 온도 제어부(270)를 장착하여 측정 및 온도 제어를 할 수 있다.

받침판(272)은 박형(silm) 형태로 고정블록의 일측으로 연장되어 형성된다. 받침판(272)은 하측 반사판(261)의 상면으로 이격되어 배치되고, 하측 반사판(261)에는 받침판(272)과 대향하는 부분에 관통홀(269)이 형성된다. 바닥(261) 저면을 흐르는 쿨링 가스가 관통홀(269)을 통해 온도 제어부(270)를 냉각시킬 수 있다.

도 12 내지 도 20은 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.

기판을 처리하는 공정을 위해 이송 로봇(미도시)으로 기판을 반입하여 지지 유닛(200)에 로딩한다. 이 때에는 척핀(212)을 지지판(220)의 외측으로 수평이동시킨다. 즉, 기판이 로딩되었을 때 기판의 측면이 척핀(212)의 지지부(214)와 이격되는 이격위치로 이동시킨다. 그리고 지지핀(224)은 제2 높이에 위치시키도록 한다. 기판을 로딩하면 기판의 저면이 지지핀(224)에 의해 지지된다. 지지핀(224)을 지지판(220)으로부터 제1 높이로 하강시킨다. 이후 척핀(212)을 지지판(220)의 내측으로 수평이동한다. 지지부(214)가 기판의 측면에 접촉할 수 있도록 척핀(212) 접촉위치로 이동시켜 기판을 척킹한다. 그 후 처리액 공급 유닛(300)의 노즐(311)로부터 제1 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제1 처리단계를 수행한다. 제1 처리액은 150~170℃의 인산일 수 있다. 제1 처리단계가 완료되면, 척핀(212)을 지지판(220)의 외측인 이격위치로 이동시켜 지지부(214)가 기판의 측면으로부터 이격되도록 한다. 그 후, 지지핀(224)을 지지판(220)으로부터 제2 높이로 상승시킨다. 이후 척핀(212)을 지지판(220)의 내측인 접촉위치로 이동시켜 지지부(214)가 기판의 측면에 접촉하도록 하여 기판을 척킹한다. 그 후 처리액 공급 유닛(300)의 노즐(311)로부터 제2 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제2 처리단계를 수행한다. 제2 처리액은 상온의 린스액일 수 있다. 제2 단계가 완료되면, 기판을 언로딩하기 위해 척킹핀을 지지판(220)의 외측인 이격위치로 이동시킨다. 즉, 지지부(214)가 기판의 측면으로부터 이격되도록 한다. 그 후, 이송 로봇 등에 의해 기판을 지지 유닛(200)으로부터 언로딩할 수 있다.

상술한 실시예에서는 제1 처리액으로 기판을 처리하는 제1 처리단계 이후에 제2 처리액으로 기판을 처리하는 제2 처리단계가 수행되는 것으로 하였으나, 전후 순서는 변경될 수 있다. 또는 어느 하나의 처리단계는 생략될 수 있다.

상술한 실시예에서는 기판의 로딩 단계와 언로딩 단계를 포함하여 설명하였으나, 생략될 수 있다.

상술한 실시예에서는 하나의 기판에 대해서 제1 처리단계와 제2 처리단계를 수행하는 것으로 설명하였으나, 복수의 기판에 대해서 각각 기판처리를 수행할 수 있다. 예를 들어, 도 21과 도 22를 참조하면, 제1 기판(W1)에 대해서 제1 처리액으로 기판을 처리하고, 제2 기판(W2)에 대해서 제2 처리액으로 기판을 처리할 수 있다. 도 21과 같이, 제1 기판(W1)을 제1 높이에서 처리할 수 있다. 그 후, 제1 기판(W1)을 언로딩하고, 제2 기판(W2)을 반입할 수 있다. 도 22와 같이, 제2 기판(W2)에 대해서 제2 처리액으로 제2 기판(W2)을 처리할 수 있다. 이때에는 제2 기판(W2)을 제2 높이에서 처리할 수 있다.

상술한 실시예에서는 지지핀이 제공되는 것으로 하였으나 지지핀은 생략될 수 있다. 예를 들어, 가스압을 이용하여 기판의 저면을 지지할 수 있다.

상술한 실시예에서는 지지부가 2이상 제공되는 것으로 하였으나 지지부는 1개일 수 있다. 이때, 바디의 높이는 제1 높이에 대응할 수 있다. 따라서, 제1 처리액을 이용하여 제1 처리단계를 수행할 때, 기판의 전 영역의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

10 : 기판 처리 장치 100 : 처리 용기
200: 지지 유닛 212: 척핀
214 : 지지부 224: 지지핀
250 : 가열 부재 700 : 제어기

Claims (28)

1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
   상부가 개방된 처리 용기;
   상기 처리 용기 내에 제공되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
   상기 지지 유닛에 놓인 기판으로 제1 처리액 또는 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛;을 포함하고,
   상기 지지 유닛은,
   지지판과;
   상기 지지판에 제공되어 상기 기판을 가열하는 가열부재와;
   상기 지지판에 제공되어 기판의 측면을 지지하는 지지부를 가지는 척핀과,
   상기 기판의 저면을 지지하는 지지핀과; 및
   상기 지지핀을 승하강시키는 지지핀 구동기와; 그리고
   상기 지지핀 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 지지부는 상기 지지판으로부터 제1 높이에 제공되는 제1 지지부 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 제공되는 제2 지지부를 포함하고,
   상기 제어기는 상기 제1 처리액으로 기판을 처리하는 제1 처리단계에서는 상기 기판의 측면이 상기 제1 지지부에 의해 지지되고, 상기 제2 처리액으로 기판을 처리하는 제2 처리단계에서는 상기 기판의 측면이 상기 제2 지지부에 의해 지지되도록 상기 지지핀 구동기를 제어하고,
   상기 제1 처리액은 제1 온도이고, 상기 제2 처리액은 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도인 기판 처리 장치.
   
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 척핀은 그 길이방향이 상하로 제공된 바디를 포함하고, 상기 지지부는 상기 바디의 외측에서 오목한 홈으로 제공되는 기판 처리 장치.
   
4. 제1항에 있어서,
   상기 척핀은 그 길이방향이 상하로 제공된 바디를 포함하고, 상기 지지부는 상기 바디에서 상기 지지판의 내측 방향으로 돌출된 돌출부로 제공되는 기판 처리 장치.
   
5. 삭제
6. 삭제
7. 제1항에 있어서,
   상기 지지 유닛은 상기 척핀을 수평방향으로 이동시키는 척핀 구동기를 더 포함하고,
   상기 제어기는 상기 척핀 구동기를 제어하되,
   상기 제1 처리단계가 완료되면, 상기 척핀의 위치를 상기 지지부가 상기 기판의 측면과 이격되는 이격위치로 상기 척핀을 이동시키고, 상기 지지핀을 제1 높이에서 상기 제2 높이로 이동시킨 후, 상기 척핀을 상기 이격위치에서 상기 기판의 측면과 접촉하는 접촉위치로 이동시키는 기판 처리 장치.
   
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10. 제1항, 제3항, 제4항, 그리고 제7항 중어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 처리액은 인산인 기판 처리 장치.
    
11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 처리액은 순수인 기판 처리 장치.
    
12. 제1항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 지지판의 가장자리에 제공되는 가장자리 히터를 포함하는 기판 처리 장치.
    
13. 제12항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 가장자리 히터보다 상기 지지판의 내측에 제공되는 중앙 히터; 및
    상기 가열 부재를 제어하는 히터 컨트롤러를 더 포함하되,
    상기 히터 컨트롤러는 상기 가장자리 히터와 중앙 히터의 온도를 각각 독립적으로 제어하는 기판 처리 장치.
    
14. 제13항에 있어서,
    상기 히터 컨트롤러는 상기 가장 자리 히터의 온도가 상기 중앙 히터의 온도보다 높도록 제어하는 기판 처리 장치.
    
15. 삭제
16. 삭제
17. 삭제
18. 삭제
19. 삭제
20. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    지지판에 제공된 가열 부재로 상기 지지판에 지지된 기판을 가열하면서, 제1처리액 및 제2처리액을 공급하여 기판을 처리하되,
    상기 제1 처리액으로 기판을 처리하는 제1 처리단계에서는 상기 기판을 상기 지지판으로부터 제1 높이를 유지한 상태에서 상기 제1 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하고,
    상기 제2 처리액으로 기판을 처리하는 제2 처리단계에서는 상기 기판을 상기 지지판으로부터 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 유지한 상태에서 상기 제2 처리액을 공급하고,
    상기 제1 처리액의 온도는 제1 온도이고, 상기 제2 처리액의 온도는 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도인
    상기 기판을 처리하는 기판 처리 방법.
    
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22. 제20항에 있어서,
    상기 기판의 내측보다 상기 기판의 가장자리를 더 높은 온도로 가열하는 기판 처리 방법.
    
23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 처리액은 인산인 기판 처리 방법.
    
24. 제23항에 있어서,
    상기 제2 처리액은 순수인 기판 처리 방법.
    
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