KR102438291B1 - Optical Components and Laser Processing Machines - Google Patents

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KR102438291B1
KR102438291B1 KR1020207020509A KR20207020509A KR102438291B1 KR 102438291 B1 KR102438291 B1 KR 102438291B1 KR 1020207020509 A KR1020207020509 A KR 1020207020509A KR 20207020509 A KR20207020509 A KR 20207020509A KR 102438291 B1 KR102438291 B1 KR 102438291B1
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게이스케 후쿠나가
아키오 마스다
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

광학 부품은 주면 및 주면의 배면측에 형성된 제 2 면을 구비한 기판과, 주면 및 제 2 면 중 적어도 주면에 형성된 다층막을 갖고, 기판은 적어도 Ge를 포함하여 형성되어 있고, 다층막은 기판에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막, 불화물 아몰퍼스막, Ge막 및 DLC막의 적어도 4층이 적층된 막을 포함한다. 이에 의해, 내열성을 향상시켜서, 열의 영향으로 광학 특성이 악화되지 않고, 안정한 광학 성능을 발휘하는 광학 부품을 제공할 수 있다.The optical component has a substrate having a main surface and a second surface formed on the back side of the main surface, and a multilayer film formed on at least the main surface of the main surface and the second surface, the substrate is formed to contain at least Ge, and the multilayer film is close to the substrate and a film in which at least four layers of an oxide film, a fluoride amorphous film, a Ge film and a DLC film are laminated in order from the side. Thereby, heat resistance can be improved and the optical component which exhibits stable optical performance without the optical characteristic deteriorated by the influence of heat can be provided.

Description

광학 부품 및 레이저 가공기Optical Components and Laser Processing Machines

본 발명은 고온 환경 하에 있어서도 안정한 광학 성능을 발휘하는 것이 가능한 광학 부품, 및 해당 광학 부품을 탑재한 레이저 가공기에 관한 것이다.The present invention relates to an optical component capable of exhibiting stable optical performance even in a high-temperature environment, and a laser processing machine equipped with the optical component.

종래, 예를 들어, 스마트폰, 또는 태블릿 PC로 대표되는 전자 디바이스에 내장된 프린트 배선판으로의 드릴링 가공에는, 레이저 가공기가 이용되고 있다. 레이저 가공기에 이용되는 레이저는 주로, 발진 파장이 9㎛ 내지 11㎛인 적외광의 CO2 레이저이다. CO2 레이저는 고출력 발진이 가능하며, 수지로의 흡수율이 높다.Conventionally, for example, a laser processing machine is used for the drilling process to the printed wiring board incorporated in the electronic device represented by a smartphone or a tablet PC. The laser used for a laser processing machine is mainly the CO2 laser of infrared light whose oscillation wavelength is 9 micrometers - 11 micrometers. CO 2 laser is capable of high-power oscillation and has a high absorption rate into resin.

드릴링 가공용의 레이저 가공기는 집광 렌즈가 가공 에어리어의 상방에 배치되어 있다. 이 때문에, 드릴링 가공시에 발생하는 분진, 스패터링에 의해, 집광 렌즈가 손상, 열화하는 일이 있다. 그래서, 피가공물과 집광 렌즈 사이에, 보호 창으로 불리는 광학 부품을 배치함으로써, 집광 렌즈의 손상, 열화를 방지하고 있다.In the laser processing machine for a drilling process, a condensing lens is arrange|positioned above a processing area. For this reason, the condensing lens may be damaged and deteriorated by the dust and sputtering which generate|occur|produce at the time of a drilling process. Therefore, damage and deterioration of the condenser lens are prevented by arranging an optical component called a protective window between the workpiece and the condensing lens.

보호 창에는, 드릴링 가공시에 발생하는 분진 및 스패터링이 부착하기 쉽다. 또한, CO2 레이저의 광로 상에 부착한 분진 및 스패터링은 CO2 레이저를 흡수하여 온도가 상승하기 때문에, 보호 창은 고온이 된다. 그래서, 보호 창에는, 적외광인 CO2 레이저에 대한 투과성과 내환경성이 요구된다. 내환경성이란, 부착한 수지 스패터, 또는 구리 스패터의 닦아냄에 의해서도, 표면에 손상이 생기지 않는 내마모성과, 고온 환경에 노출되어도, 안정한 광학 성능을 발휘하는 내열성을 가리킨다.Dust and spattering generated during drilling are likely to adhere to the protective window. In addition, since dust and sputtering adhering on the optical path of the CO 2 laser absorb the CO 2 laser and increase the temperature, the protective window becomes high temperature. Therefore, the protection window is required to have transparency and environmental resistance to CO 2 laser, which is infrared light. The environmental resistance refers to abrasion resistance that does not cause damage to the surface even by wiping off the adhered resin spatters or copper spatters, and heat resistance that exhibits stable optical performance even when exposed to a high temperature environment.

예를 들어, 적외선 센서 등에 이용되고, 피복의 내마모성과 적외선의 투과율이 뛰어난 광학 부품으로서, ZnS(황화아연)제 기판의 표면측에, 기판면으로부터 순서대로, 제 1 Y2O3(산화이트륨)층, YF3(불화이트륨)층, 제 2 Y2O3(산화이트륨)층, Ge(게르마늄)층, DLC(다이아몬드상 탄소)층을 적층한 다층막을 형성하는 것이 알려져 있다. 다층막을 형성하는 DLC층은 압축 응력을 갖기 때문에, 다층막 전체에 하중이 가해져서, 다층막 중의 밀착성이 낮은 계면에 있어서, 막의 박리가 생길 우려가 있다. 그래서, 이러한 광학 부품에서는, DLC층의 밀착층으로서 Ge층을 형성하고, 게다가 YF3층의 밀착층으로서 산화물에 의한 Y2O3층을 형성하여, 다층막의 밀착성을 확보하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).For example, as an optical component used for an infrared sensor or the like and having excellent coating wear resistance and infrared transmittance, the first Y 2 O 3 (yttrium oxide) ), a YF 3 (yttrium fluoride) layer, a second Y 2 O 3 (yttrium oxide) layer, a Ge (germanium) layer, and a DLC (diamond-like carbon) layer are known to form a laminated multilayer film. Since the DLC layer forming the multilayer film has compressive stress, a load is applied to the entire multilayer film, and there is a risk that the film may peel off at an interface with low adhesion in the multilayer film. Therefore, in such an optical component, a Ge layer is formed as an adhesion layer of the DLC layer, and a Y 2 O 3 layer made of oxide is formed as an adhesion layer of the YF 3 layer to ensure the adhesion of the multilayer film (for example, , see Patent Document 1).

일본 특허 공개 제 2008-268277 호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2008-268277

그렇지만, 특허문헌 1에 기재된 광학 부품은 내열성이 고려되어 있지 않다. 이 때문에, 열의 영향으로 다층막 중의 YF3층과 Y2O3층이 계면에 있어서 원자 상호 확산을 일으켜서 막이 변질한다. 이 때문에, 고온 환경에 노출되는 레이저 가공기의 보호 창으로서 특허문헌 1에 기재된 광학 부품을 사용한 경우에는, 안정한 광학 특성을 얻을 수 없다는 과제가 있었다.However, heat resistance is not considered for the optical component described in patent document 1. For this reason, under the influence of heat, the YF 3 layer and the Y 2 O 3 layer in the multilayer film cause atomic interdiffusion at the interface, and the film deteriorates. For this reason, when the optical component of patent document 1 was used as a protective window of the laser processing machine exposed to high temperature environment, there existed a subject that stable optical characteristics could not be acquired.

본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 고온 환경 하에 있어서도, 안정하여 광학 성능을 발휘할 수 있는 광학 부품을 얻는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain an optical component that is stable and can exhibit optical performance even in a high-temperature environment.

본 발명에 따른 광학 부품은 주면 및 주면의 배면측에 형성된 제 2 면을 구비한 기판과, 주면 및 제 2 면 중 적어도 주면에 형성된 다층막을 갖고, 기판은 Ge(게르마늄)을 포함하여 형성되어 있고, 다층막은 기판에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막, 불화물 아몰퍼스(amorphous)막, Ge막 및 DLC막이 적층된 막을 포함한다.The optical component according to the present invention has a main surface and a substrate having a second surface formed on the rear side of the main surface, and a multilayer film formed on at least the main surface of the main surface and the second surface, the substrate is formed including Ge (germanium), , the multilayer film includes a film in which an oxide film, a fluoride amorphous film, a Ge film, and a DLC film are laminated in order from the side close to the substrate.

본 발명은 Ge를 포함한 기판의 표면에, 기판에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막, 불화물 아몰퍼스막, Ge막 및 DLC막이 적층된 층을 갖는 것에 의해, 광학 부품의 내열성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 열의 영향으로 광학 특성이 악화되지 않고, 안정한 광학 성능을 발휘하는 광학 부품을 제공할 수 있다.The present invention can improve the heat resistance of an optical component by having a layer in which an oxide film, a fluoride amorphous film, a Ge film, and a DLC film are laminated on the surface of a Ge-containing substrate in order from the side close to the substrate. Thereby, an optical component which exhibits stable optical performance without the optical characteristic deteriorated by the influence of heat can be provided.

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 의한 광학 부품이 탑재된 레이저 가공기의 모식도이다.
도 2는 실시형태 1의 광학 부품의 단면을 도시하는 모식도이다.
도 3은 실시형태 1에 의한 광학 부품의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시형태 2의 광학 부품의 단면을 도시하는 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of the laser processing machine by which the optical component by Embodiment 1 of this invention was mounted.
It is a schematic diagram which shows the cross section of the optical component of Embodiment 1. FIG.
3 is a diagram showing a modified example of the optical component according to the first embodiment.
It is a schematic diagram which shows the cross section of the optical component of Embodiment 2 of this invention.

이하, 본 발명의 광학 부품의 바람직한 실시형태에 대해서, 도면을 이용하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the optical component of this invention is demonstrated using drawings.

실시형태 1.Embodiment 1.

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 의한 광학 부품으로서의 보호 창(15)이 탑재된 레이저 가공기(1)의 모식도이다. 도 2는 도 1의 보호 창(15)의 단면을 도시하는 모식도이다.1 : is a schematic diagram of the laser processing machine 1 in which the protective window 15 as an optical component by Embodiment 1 of this invention was mounted. FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross section of the protection window 15 of FIG. 1 .

도 1에 도시하는 바와 같이, 레이저 가공기(1)는 레이저 발진기(11)와, 집광 렌즈(13)와, 보호 창(15)을 갖고 있다. 레이저 발진기(11)에는, CO2 레이저가 이용되어 있다. 이 CO2 레이저의 발진 파장은 9.3㎛이다. 레이저 발진기(11)로부터 조사되는 레이저 광(11A)은 집광 렌즈(13)에서 집광되고, 보호 창(15)을 투과하여, 프린트 배선판 등의 피가공물(100)의 표면에서 결상된다. 그리고, 레이저 광(11A)에 의해서, 피가공물(100)에는, 드릴링 가공 등이 실시된다.As shown in FIG. 1 , the laser processing machine 1 has a laser oscillator 11 , a condensing lens 13 , and a protective window 15 . A CO 2 laser is used for the laser oscillator 11 . The oscillation wavelength of this CO 2 laser is 9.3 μm. The laser light 11A irradiated from the laser oscillator 11 is condensed by the condensing lens 13, passes through the protection window 15, and forms an image on the surface of the workpiece 100 such as a printed wiring board. And the to-be-processed object 100 is given a drilling process etc. by 11 A of laser beams.

CO2 레이저를 이용한 레이저 가공기의 집광계의 광학 재료는, 비교적 높은 굴절률을 갖는 것이 많다. 따라서, 집광 렌즈(13)는 피가공물(100)에 가까운 위치에 배치된다. 또한, 보호 창(15)은 드릴링 가공시에 발생하는 분진 및 스패터로부터 집광 렌즈(13)를 보호하기 위해, 집광 렌즈(13)와 피가공물(100) 사이에 배치된다. 이 때문에, 보호 창(15)은 피가공물(100)로부터의 거리가 약 100㎜ 정도의 위치에 배치된다. 따라서, 보호 창(15)은 레이저 가공시에 대량의 분진 및 스패터라고 하는 가혹한 환경에 노출된다. 보호 창(15)에 부착한 분진 및 스패터는, 레이저 광(11A)을 흡수하여 발열하므로, 보호 창(15)에는, 레이저 광(11A)의 투과성에 더하여, 내열성이 요구된다.The optical material of the condensing system of the laser processing machine using the CO 2 laser often has a relatively high refractive index. Accordingly, the condensing lens 13 is disposed at a position close to the workpiece 100 . In addition, the protective window 15 is disposed between the condensing lens 13 and the workpiece 100 to protect the condensing lens 13 from dust and spatter generated during drilling. For this reason, the protection window 15 is arrange|positioned at the position of about 100 mm distance from the to-be-processed object 100. As shown in FIG. Therefore, the protective window 15 is exposed to a harsh environment such as a large amount of dust and spatter during laser processing. Since the dust and spatter adhering to the protective window 15 absorb the laser light 11A and generate heat, the protective window 15 is required to have heat resistance in addition to the transmittance of the laser light 11A.

도 2에 도시되는 바와 같이, 보호 창(15)은 일방의 면에 주면(150A)이 형성되고, 주면(150A)의 배면측에 제 2 면(150B)이 형성된 기판(150)을 갖고 있다. 주면(150A)은 피가공물(100)과 대향하는 가공 공간측의 면이며, 제 2 면(150B)은 집광 렌즈(13)와 대향하는 면이다.As shown in FIG. 2, the protection window 15 has the board|substrate 150 in which the main surface 150A is formed in one surface, and the 2nd surface 150B was formed in the back side of the main surface 150A. The main surface 150A is a surface on the processing space side facing the workpiece 100 , and the second surface 150B is a surface facing the condensing lens 13 .

종래, 광학 부품의 기판으로서는, ZnS(황화아연)이 주로 이용되고 있었지만, 실시형태 1의 보호 창(15)은 ZnS보다 높은 적외 레이저 광 투과율을 얻을 수 있는 Ge(게르마늄)에 의해서 기판(150)이 형성되어 있다. 또한, ZnS는 열전도율이 낮기 때문에, 레이저 가공을 연속적으로 실행할 때에, 기판에 큰 온도 구배가 생긴다. 이 기판에 생기는 온도 구배에 의해서, 광학 부품에는 굴절률의 분포가 생긴다. 그러면, 광학 부품에 열 렌즈 효과로 불리는 현상이 생겨서, 레이저 가공의 정밀도가 저하한다. 따라서, 레이저 가공기(1)의 보호 창(15)의 기판(150)의 재료로서, ZnS는 적당하지 않다. 기판(150)을 형성하는 Ge는 ZnS보다 열전도율이 높다. 또한, 기판(150)의 재료에는 Ge와 함께, Ge 이외의 다른 원소가 첨가되어 있어도 좋다.Conventionally, as a substrate for optical components, ZnS (zinc sulfide) has been mainly used, but the protective window 15 of Embodiment 1 is made of Ge (germanium), which can obtain a higher infrared laser light transmittance than ZnS. is formed. In addition, since ZnS has low thermal conductivity, a large temperature gradient occurs in the substrate when laser processing is continuously performed. A distribution of refractive index arises in an optical component by the temperature gradient which arises in this board|substrate. Then, a phenomenon called a thermal lens effect arises in the optical component, and the precision of laser processing falls. Therefore, as the material of the substrate 150 of the protective window 15 of the laser processing machine 1, ZnS is not suitable. Ge forming the substrate 150 has a higher thermal conductivity than ZnS. In addition, other elements other than Ge may be added to the material of the substrate 150 along with Ge.

기판(150)의 주면(150A) 및 제 2 면(150B)에는, 각각 다층막(2)이 형성되어 있다. 그리고, 보호 창(15)은 기판(150)의 주면(150A)이 피가공물(100)측을 향해 배치되어 있다.A multilayer film 2 is formed on the main surface 150A and the second surface 150B of the substrate 150, respectively. And, as for the protection window 15, the main surface 150A of the board|substrate 150 is arrange|positioned toward the to-be-processed object 100 side.

다층막(2)은 기판(150)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21), 불화물 아몰퍼스막(22), Ge막(23) 및 DLC막(24)의 4층이 적층된 막을 포함하고 있다. 이들 막은 주면(150A) 및 제 2 면(150B)을 기판(150)이 노출하지 않도록 전면을 덮어서 형성해도 좋고, 또한 기판의 일부가 노출하도록 일부의 면을 덮어서 형성해도 좋다.The multilayer film 2 includes a film in which four layers of an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a Ge film 23, and a DLC film 24 are stacked in order from the side close to the substrate 150. . These films may be formed by covering the entire surface of the main surface 150A and the second surface 150B so that the substrate 150 is not exposed, or may be formed by covering a part of the surface so that a part of the substrate is exposed.

산화물막(21)을 형성하는 재료로서는, 예를 들면, Y2O3(산화이트륨), HfO2(산화하프늄), ZrO2(산화지르코늄), Ta2O3(산화탄탈럼), TiO2(산화티타늄), SiO(산화규소), Al2O3(산화알루미늄) 등을 들 수 있다. 적외광의 CO2 레이저를 사용하는 경우, 적외광의 투과성이 뛰어난, Y2O3, HfO2, ZrO2 중 어느 하나를 이용하는 것이 바람직하다. 산화물막(21)의 막 두께는 막의 밀착성을 확보하기 위해, 5㎚ 이상이 바람직하다. 또한, 산화물막(21)의 막 두께는 적외광의 투과성을 확보하기 위해, 150㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다.As a material for forming the oxide film 21, for example, Y 2 O 3 (yttrium oxide), HfO 2 (hafnium oxide), ZrO 2 (zirconium oxide), Ta 2 O 3 (tantalum oxide), TiO 2 (titanium oxide), SiO ( silicon oxide), Al2O3 ( aluminum oxide), etc. are mentioned. When using the CO2 laser of infrared light, it is preferable to use any one of Y2O3, HfO2, ZrO2 which is excellent in the transmittance|permeability of infrared light. The film thickness of the oxide film 21 is preferably 5 nm or more in order to ensure film adhesion. In addition, in order to ensure the transmittance|permeability of infrared light, it is preferable that the film thickness of the oxide film 21 shall be 150 nm or less.

불화물 아몰퍼스막(22)을 형성하는 재료로서는, 예를 들면, YF3(불화이트륨), YbF3(불화이터븀), MgF2(불화마그네슘), BaF2(불화바륨), CaF2(불화칼슘) 등의 불화물을 들 수 있다. 적외광의 CO2 레이저를 사용하는 경우, 적외광의 투과성이 뛰어난, YF3, YbF3 또는 MgF2 중 어느 하나를 이용하는 것이 바람직하다. 불화물 아몰퍼스막(22)의 막 두께는 적외광의 투과성을 확보하기 위해, 500㎚ 내지 950㎚로 하는 것이 바람직하다.As a material for forming the fluoride amorphous film 22, for example, YF 3 (yttrium fluoride), YbF 3 (ytterbium fluoride), MgF 2 (magnesium fluoride), BaF 2 (barium fluoride), CaF 2 (calcium fluoride) ) and other fluorides. When using the CO 2 laser of infrared light, it is preferable to use any one of YF 3 , YbF 3 , or MgF 2 which is excellent in the transmittance of infrared light. The film thickness of the fluoride amorphous film 22 is preferably 500 nm to 950 nm in order to ensure the transmittance of infrared light.

Ge막(23)은 DLC막(24)에 대한 부착성이 좋다. 이 때문에, Ge막(23)을 형성하는 것에 의해서, DLC막(24)의 기판(150)에의 밀착성을 확보할 수 있다. Ge막(23)의 막 두께는 막의 밀착성과 적외광의 투과성의 양자를 만족하기 위해, 50㎚ 내지 150㎚로 하는 것이 바람직하다.The Ge film 23 has good adhesion to the DLC film 24 . For this reason, by forming the Ge film 23, the adhesion of the DLC film 24 to the substrate 150 can be ensured. The thickness of the Ge film 23 is preferably 50 nm to 150 nm in order to satisfy both film adhesion and infrared light transmittance.

DLC막(24)은 경도가 높다. 따라서, 막에 부착한 오염을 닦아낼 때의 내마모성이 뛰어나다. 또한, DLC막(24)은 물질로서의 안정성이 높고, 다른 재료와 반응하기 어렵다. 따라서, DLC막(24)에는, 프린트 기판 등의 드릴링 가공시에 발생하는 분진 및 금속 스패터 등이 부착하기 어렵다. 이 때문에, DLC막(24)을 형성하는 것에 의해서, 보호 창(15)으로의 오염의 고착을 억제할 수 있다. 또한, DLC막(24)을 형성하는 것에 의해서, 보호 창(15)에 부착한 오염을, 용이하게 제거할 수 있다. DLC막(24)의 막 두께는 내마모성을 확보하기 위해, 50㎚ 이상의 막 두께가 바람직하다. 또한, DLC막(24)의 막 두께는 적외광의 투과성을 확보하기 위해, 300㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다.The DLC film 24 has high hardness. Therefore, it is excellent in abrasion resistance at the time of wiping off the stain|pollution|contamination adhering to a film|membrane. In addition, the DLC film 24 has high stability as a material and is difficult to react with other materials. Therefore, it is difficult for the DLC film 24 to adhere to the dust and metal spatters generated during drilling of a printed circuit board or the like. For this reason, by forming the DLC film 24 , it is possible to suppress the adhesion of contamination to the protective window 15 . Further, by forming the DLC film 24 , the contamination adhering to the protective window 15 can be easily removed. The film thickness of the DLC film 24 is preferably 50 nm or more in order to ensure wear resistance. In addition, in order to ensure the transmittance|permeability of infrared light, it is preferable that the film thickness of the DLC film|membrane 24 be 300 nm or less.

또한, 산화물막(21)은 Ge제의 기판(150) 및 불화물 아몰퍼스막(22)과의 밀착성이 뛰어나다. 따라서, 산화물막(21)에 의해, 불화물 아몰퍼스막(22)과 기판(150)의 밀착성을 확보할 수 있다. 또한, 다층막(2)의 투과성, 내열성을 저하시키지 않으면, 이러한 4층으로 다른 원소가 첨가되어 있어도 문제는 없다. 게다가, 다층막(2)의 투과성, 내열성을 저하시키지 않으면, 이러한 4층에 더하여 다른 박막이 형성되어 있어도 문제는 없다.Further, the oxide film 21 has excellent adhesion to the Ge substrate 150 and the fluoride amorphous film 22 . Accordingly, the oxide film 21 can ensure the adhesion between the fluoride amorphous film 22 and the substrate 150 . Moreover, as long as the permeability and heat resistance of the multilayer film 2 are not reduced, there is no problem even if other elements are added to these four layers. Furthermore, as long as the permeability and heat resistance of the multilayer film 2 are not reduced, there is no problem even if another thin film is formed in addition to these four layers.

이와 같이, 실시형태 1의 보호 창(15)은 그 표면에, 기판(150)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21), 불화물 아몰퍼스막(22), Ge막(23) 및 DLC막(24)의 4층이 적층된 다층막(2)을 구비하고 있다. 그리고, 산화물막(21)과 Ge막(23) 사이에, 불화물의 구조를 제어하여 아몰퍼스(비정질)로 한, 불화물 아몰퍼스막(22)을 배치하고 있다. 그리고, 불화물의 결정립계 등의 고속 확산로를 없애고, 산화물막(21)과 불화물 아몰퍼스막(22) 사이에 있어서의 원자 상호 확산을 억제하고 있다. 이에 의해, 레이저 가공시에, 보호 창(15)이 고온이 되어도, 다층막(2)은 원자 확산에 의한 막질의 변화가 생기지 않는다. 따라서, 보호 창(15)이 안정한 광학 성능을 발휘할 수 있다.In this way, the protective window 15 of the first embodiment is formed on the surface of the oxide film 21, the fluoride amorphous film 22, the Ge film 23 and the DLC film ( 24) is provided with a multilayer film 2 in which four layers are laminated. Then, between the oxide film 21 and the Ge film 23 , a fluoride amorphous film 22 is disposed to be amorphous (amorphous) by controlling the structure of the fluoride. In addition, a high-speed diffusion path such as a fluoride crystal grain boundary is eliminated, and atomic interdiffusion between the oxide film 21 and the fluoride amorphous film 22 is suppressed. Thereby, even when the protective window 15 becomes high temperature during laser processing, in the multilayer film 2, a change in film quality due to atomic diffusion does not occur. Therefore, the protective window 15 can exhibit stable optical performance.

또한, 실시형태 1에서는, 보호 창(15)의 기판(150)의 주면(150A)과 제 2 면(150B)의 양면에 다층막(2)을 형성하였지만, 다층막(2)은 기판(150)의 제 2 면(150B)에는 형성하지 않아도 좋다. 예를 들어, 도 3에 도시하는 제 1 변형예의 보호 창(15A)과 같이, 기판(150)의 주면(150A)에 다층막(2)을 형성하고, 제 2 면(150B)에는, 다층막(2)과는 상이한 반사방지막(30)을 형성해도 좋다.Further, in the first embodiment, the multilayer film 2 is formed on both sides of the main surface 150A and the second surface 150B of the substrate 150 of the protective window 15 , but the multilayer film 2 is the substrate 150 . It may not be formed on the 2nd surface 150B. For example, like the protective window 15A of the first modification shown in FIG. 3 , the multilayer film 2 is formed on the main surface 150A of the substrate 150 , and the multilayer film 2 is formed on the second surface 150B. ) and a different antireflection film 30 may be formed.

다음에, 실시형태 1의 광학 부품인 보호 창(15)과, 비교예 1로서의 종래의 광학 부품을 작성하고, 각각의 특성을 비교한 결과에 대해서 설명한다.Next, the protective window 15 which is an optical component of Embodiment 1, and the conventional optical component as Comparative Example 1 were created, and the result of comparing each characteristic is demonstrated.

광학 부품의 기판의 표면에 막을 형성하는 방법으로서는, 진공 증착법 및 스패터법으로 대표되는 PVD법(물리적 기상 성장법), 또는 플라즈마 CVD법으로 대표되는 CVD법(화학적 기상 성장법)이라고 한, 일반적으로 알려진 성막 방법이 있다. 그렇지만, 기판에 막을 형성할 수 있는 방법이면, 어떠한 방법이어도 좋다.As a method of forming a film on the surface of a substrate of an optical component, a PVD method (physical vapor deposition method) typified by a vacuum deposition method and a sputtering method, or a CVD method (chemical vapor deposition method) typified by a plasma CVD method, generally There are known deposition methods. However, any method may be used as long as it is a method capable of forming a film on the substrate.

먼저, 실시형태 1의 보호 창(15)에 대해 설명한다. 보호 창(15)의 기판(150)은 Ge로 형성하였다. 기판(150)의 형상은 직경 120㎜, 두께 5㎜의 원판 형상으로 하였다. 그리고, 기판(150)의 주면(150A)에는, 다층막(2)을 형성하였다. 다층막(2) 중, 산화물막(21)에는 Y2O3을 이용하였다. 또한, 다층막(2) 중, 불화물 아몰퍼스막(22)에는 YF3을 이용하였다.First, the protection window 15 of Embodiment 1 is demonstrated. The substrate 150 of the protective window 15 is formed of Ge. The shape of the substrate 150 was made into a disk shape with a diameter of 120 mm and a thickness of 5 mm. Then, the multilayer film 2 was formed on the main surface 150A of the substrate 150 . Of the multilayer film 2 , Y 2 O 3 was used for the oxide film 21 . In the multilayer film 2 , YF 3 was used for the fluoride amorphous film 22 .

그리고, 기판(150)의 주면(150A)에, 기판(150)의 주면(150A)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21)(Y2O3: 막 두께 50㎚), 불화물 아몰퍼스막(22)(YF3: 막 두께 570㎚), Ge막(23)(막 두께 120㎚), DLC막(24)(막 두께 150㎚)이 적층된 다층막(2)을 형성하였다.Then, on the main surface 150A of the substrate 150, in order from the side closer to the main surface 150A of the substrate 150, the oxide film 21 (Y 2 O 3 : film thickness 50 nm), the fluoride amorphous film ( 22) (YF 3 : film thickness 570 nm), Ge film 23 (film thickness 120 nm), and DLC film 24 (film thickness 150 nm) were laminated to form a multilayer film 2 .

한편, 기판(150)의 제 2 면(150B)에는, 파장 9.3㎛에 있어서의 투과율이 99% 이상의 반사방지막(30)을 형성하였다. 반사방지막(30)은 기판(150)의 제 2 면(150B)에 가까운 측으로부터 순서대로, YF3막(막 두께 670㎚), Ge막(막 두께 130㎚), MgF2막(막 두께 200㎚)이 적층된 구성으로 하였다. 또한, 반사방지막(30)의 구성은 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, on the second surface 150B of the substrate 150, an antireflection film 30 having a transmittance of 99% or more at a wavelength of 9.3 mu m was formed. The antireflection film 30 is a YF 3 film (film thickness 670 nm), Ge film (film thickness 130 nm), MgF 2 film (film thickness 200) in order from the side close to the second surface 150B of the substrate 150 . nm) were laminated. In addition, the configuration of the anti-reflection film 30 is not limited thereto.

불화물 아몰퍼스막(22)과, Ge막(23) 및 반사방지막(30)은 진공 증착법을 이용하여 형성하였다. 또한, DLC막(24)은 스패터법을 이용하여 형성하였다.The fluoride amorphous film 22, the Ge film 23, and the anti-reflection film 30 were formed using a vacuum deposition method. In addition, the DLC film 24 was formed using the sputtering method.

일반적으로, 성막 온도를 높여서, 막 재료를 기판 상에서 서랭(徐冷)하면, 그 구조는 결정질이 된다. 한편, 성막 온도를 낮춰서, 막 재료를 기판 상에서 급랭하면, 결정 구조를 갖지 않는 비정질의 아몰퍼스가 된다. 불화물 아몰퍼스막(22)의 형성에 있어서는, YF3의 구조를 아몰퍼스로 하기 위해, 진공 증착법에 있어서의 YF3의 성막 온도를 150℃로 설정하였다.In general, when the film formation temperature is raised and the film material is slowly cooled on the substrate, the structure becomes crystalline. On the other hand, when the film formation temperature is lowered and the film material is quenched on the substrate, it becomes an amorphous amorphous having no crystal structure. In the formation of the fluoride amorphous film 22, in order to make the structure of YF 3 amorphous, the film formation temperature of YF 3 in the vacuum deposition method was set to 150°C.

다음에, 비교예 1의 광학 부품에 대해서 설명한다. 비교예 1의 광학 부품은 다층막(2)을 구성하는 불화물 아몰퍼스막(22)의 YF3를, 아몰퍼스가 아닌 결정질로 한 점이 실시형태 1의 보호 창(15)과는 상이하다. 다른 구성은 실시형태 1의 보호 창(15)과 마찬가지이다. 비교예 1의 광학 부품에서는, YF3의 구조를 결정질로 하기 위해, 진공 증착법에 있어서의 YF3의 성막 온도를 210℃로 설정하였다.Next, the optical component of Comparative Example 1 will be described. The optical component of Comparative Example 1 differs from the protective window 15 of Embodiment 1 in that YF 3 of the fluoride amorphous film 22 constituting the multilayer film 2 is crystalline rather than amorphous. Other configurations are the same as those of the protective window 15 of the first embodiment. In the optical component of Comparative Example 1, in order to make the structure of YF 3 crystalline, the film formation temperature of YF 3 in the vacuum deposition method was set to 210°C.

이상에 의해, 비교예 1의 광학 부품의 기판의 주면에 형성된 다층막은, 기판의 주면에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(Y2O3: 막 두께 50㎚), 불화물 결정막(YF3: 막 두께 570㎚), Ge막(막 두께 120㎚), DLC막(막 두께 150㎚)이 적층된 구성으로 되었다. 한편, 비교예 1의 광학 부품의 기판의 제 2 면에는, 실시형태 1의 보호 창(15)과 마찬가지의 반사방지막(30)을 형성하였다.As described above, the multilayer film formed on the main surface of the substrate of the optical component of Comparative Example 1 is an oxide film (Y 2 O 3 : film thickness of 50 nm), a fluoride crystal film (YF 3 : A film thickness of 570 nm), a Ge film (a film thickness of 120 nm), and a DLC film (a film thickness of 150 nm) were laminated. On the other hand, on the 2nd surface of the board|substrate of the optical component of Comparative Example 1, the antireflection film 30 similar to the protective window 15 of Embodiment 1 was formed.

다음에, 실시형태 1의 보호 창(15)과, 비교예 1의 광학 부품에 대해서, 주면의 YF3의 구조의 분석과, 적외선 흡수율의 산출을 실시하였다.Next, with respect to the protective window 15 of Embodiment 1 and the optical component of Comparative Example 1, the structure of YF 3 on the main surface was analyzed and the infrared absorptivity was calculated.

구조의 분석에는 XRD 분석을 이용하였다. 그리고, XRD 분석의 결과, YF3의 결정에 기인하는 회절 피크가 나타난 것을 결정질로 하고, YF3의 결정에 기인하는 회절 피크가 나타나지 않은 것을 비정질의 아몰퍼스로 하였다.XRD analysis was used to analyze the structure. And, as a result of XRD analysis, the thing in which the diffraction peak resulting from the crystal|crystallization of YF3 appeared was made into crystalline, and the thing which did not appear the diffraction peak resulting from the crystal|crystallization of YF3 was made into amorphous amorphous.

적외선 흡수율의 산출에는, 파장(λ)=9.3㎛의 레이저 광의 투과율 및 반사율을 이용하였다. 또한, 레이저 광의 투과율 및 반사율의 측정에는, 푸리에 변환형 적외 분광광도계를 이용하였다.The transmittance and reflectance of laser light having a wavelength (λ) = 9.3 µm were used for the calculation of the infrared absorptivity. In addition, a Fourier transform infrared spectrophotometer was used for the measurement of the transmittance|permeability and reflectance of a laser light.

적외선 흡수율은, 푸리에 변환형 적외 분광광도계를 이용하여 측정한 레이저 광의 투과율 및 반사율에 근거하여,The infrared absorptivity is based on the transmittance and reflectance of laser light measured using a Fourier transform infrared spectrophotometer,

(적외선 흡수율)=100%-(투과율)-(반사율)(Infrared absorption rate) = 100%-(Transmittance)-(Reflectance)

의 식에 의해 산출하였다. 적외선 흡수율의 산출은 실시형태 1의 보호 창(15)과 비교예 1의 광학 부품에 대해서, 열처리를 실시하기 전과 후로 2회 실행하였다. 또한, 열처리의 조건은 200℃의 대기 중에 12시간으로 하였다.It was calculated by the formula of Calculation of the infrared absorptivity was performed twice, before and after heat-processing about the protective window 15 of Embodiment 1 and the optical component of Comparative Example 1. In addition, the conditions of heat processing were made into 12 hours in 200 degreeC air|atmosphere.

표 1은 실시형태 1의 보호 창(15)과, 비교예 1의 광학 부품에 있어서의, 주면의 YF3의 구조의 분석 결과와, 적외선 흡수율의 산출 결과이다.Table 1 is the analysis result of the structure of YF3 of the main surface in the protection window 15 of Embodiment 1, the optical component of Comparative Example 1, and the calculation result of the infrared absorptivity.

[표 1][Table 1]

Figure 112020073561390-pct00001
Figure 112020073561390-pct00001

표 1의 XRD 분석 결과에 도시되는 바와 같이, 실시형태 1의 보호 창(15)은 YF3의 구조가 아몰퍼스로 되어 있다. 이에 대해, 비교예 1의 광학 부품은 YF3의 구조가 결정질이다.As shown in the XRD analysis result of Table 1, in the protective window 15 of Embodiment 1 , the structure of YF3 is an amorphous. In contrast, the optical component of Comparative Example 1 has a crystalline structure of YF 3 .

또한, 표 1에서, 실시형태 1의 보호 창(15)의 적외선 흡수율의 산출 결과는 열처리 전이 2.2%, 열처리 후가 2.1%였다. 이에 대해, 비교예 1의 광학 부품의 적외선 흡수율의 산출 결과는 열처리 전이 2.8%, 열처리 후가 4.1%였다.In addition, in Table 1, the calculation result of the infrared absorption rate of the protective window 15 of Embodiment 1 was 2.2 % before heat treatment and 2.1 % after heat treatment. On the other hand, the calculation result of the infrared absorptivity of the optical component of Comparative Example 1 was 2.8% before heat treatment and 4.1% after heat treatment.

레이저 가공기의 보호 창으로서는, 적외선 흡수율이 3.0% 이하인 것이 바람직하고, 낮을수록 바람직하다. 실시형태 1의 보호 창(15)은 열처리 전후에 있어서 적외선 흡수율이 3.0% 미만이므로, 레이저 가공기(1)의 보호 창(15)으로서 충분한 광학 성능을 갖고 있다. 게다가, 실시형태 1의 보호 창(15)은 종래의 광학 부품인 비교예 1에 대해서, 열처리 후의 적외선 흡수율이 약 반분으로 되어 있다. 이상의 결과에서, 실시형태 1의 보호 창(15)은 종래의 광학 부품에 대해서, 내열성이 향상하여 있는 것이 확인되었다.As a protective window of a laser processing machine, it is preferable that an infrared absorption rate is 3.0 % or less, and it is so preferable that it is low. Since the protective window 15 of Embodiment 1 has an infrared absorption rate of less than 3.0 % before and after heat processing, it has optical performance sufficient as the protective window 15 of the laser processing machine 1 . In addition, in the protective window 15 of the first embodiment, the infrared absorptivity after heat treatment is about half that of Comparative Example 1 which is a conventional optical component. From the above result, it was confirmed that the heat resistance of the protective window 15 of Embodiment 1 improved with respect to the conventional optical component.

이와 같이, 실시형태 1의 보호 창(15)에 의하면, Ge를 기판(150)으로 하고, 적어도 기판(150)의 주면(150A)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21), 불화물 아몰퍼스막(22), Ge막(23) 및 DLC막(24)을 형성하고 있다. 이에 의해, 실시형태 1의 보호 창(15)은 높은 투과율과 내열성, 및 내마모성을 갖는다. 따라서, 실시형태 1의 보호 창(15)은 레이저 가공기의 레이저 광의 손실을 줄일 수 있다. 또한, 실시형태 1의 보호 창(15)은 레이저 가공 중에 고열에 노출되었을 경우여도, 안정한 광학 성능을 발휘할 수 있다.As described above, according to the protective window 15 of the first embodiment, with Ge as the substrate 150 , the oxide film 21 and the fluoride amorphous film are sequentially from the side close to at least the main surface 150A of the substrate 150 . (22), the Ge film 23 and the DLC film 24 are formed. Thereby, the protective window 15 of Embodiment 1 has high transmittance|permeability, heat resistance, and abrasion resistance. Therefore, the protective window 15 of Embodiment 1 can reduce the loss of laser light of a laser processing machine. Moreover, even if it is a case where the protective window 15 of Embodiment 1 is exposed to high heat during laser processing, it can exhibit stable optical performance.

실시형태 2.Embodiment 2.

다음에, 실시형태 2의 보호 창(15B)에 대해서, 도 4를 이용하여 설명한다. 실시형태 2의 보호 창(15B)은 기판(150)의 주면(150A)에 형성되는 다층막(2B)의 구성이, 실시형태 1의 보호 창(15)과는 상이하다. 다른 구성은 실시형태 1과 마찬가지이다.Next, the protection window 15B of Embodiment 2 is demonstrated using FIG. The protective window 15B of the second embodiment is different from the protective window 15 of the first embodiment in the configuration of the multilayer film 2B formed on the main surface 150A of the substrate 150 . Other configurations are the same as those of the first embodiment.

실시형태 1의 다층막(2)은 기판(150)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21), 불화물 아몰퍼스막(22), Ge막(23) 및 DLC막(24)의 4층이 적층된 막을 포함하여 형성되어 있었다. 이에 대해, 실시형태 2의 다층막(2B)은 도 4에 도시되는 바와 같이, 기판(150)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21), 불화물 아몰퍼스막(22), 제 2 산화물막(25), Ge막(23) 및 DLC막(24)의 5층을 적층한 막을 포함하여 형성되어 있다.The multilayer film 2 of the first embodiment has four layers of an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a Ge film 23, and a DLC film 24 stacked in order from the side closer to the substrate 150. was formed including the membrane. In contrast, in the multilayer film 2B of the second embodiment, as shown in FIG. 4 , the oxide film 21 , the fluoride amorphous film 22 , and the second oxide film 25 are sequentially from the side closer to the substrate 150 . ), a Ge film 23 and a DLC film 24 in which five layers are laminated.

제 2 산화물막(25)은 다층막(2B)에 있어서, 가장 약한 계면인 불화물 아몰퍼스막(22)과 Ge막(23) 사이를 밀착시켜서, 다층막(2B)의 박리를 억제하는 효과를 갖는다.The second oxide film 25 has an effect of suppressing peeling of the multilayer film 2B by bringing the fluoride amorphous film 22 and the Ge film 23, which are the weakest interfaces, in close contact with each other in the multilayer film 2B.

도 4에 도시되는 보호 창(15B)은 기판(150)의 주면(150A)에 다층막(2B)이 형성되어 있고, 제 2 면(150B)에 다층막(2B)과는 상이한 반사방지막(30)이 형성되어 있다. 기판(150)의 주면(150A)에 형성된 다층막(2B)은 예를 들면, 기판(150)의 주면(150A)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21)(Y2O3: 막 두께 25㎚), 불화물 아몰퍼스막(22)(YF3: 막 두께 570㎚), 제 2 산화물막(25)(Y2O3: 막 두께 25㎚), Ge막(23)(막 두께 120㎚), DLC막(24)(막 두께 150㎚)을 적층하여 형성되어 있다.The protective window 15B shown in FIG. 4 has a multilayer film 2B formed on the main surface 150A of the substrate 150, and an anti-reflection film 30 different from the multilayer film 2B on the second surface 150B. is formed The multilayer film 2B formed on the main surface 150A of the substrate 150 is, for example, in order from the side close to the main surface 150A of the substrate 150, the oxide film 21 (Y 2 O 3 : film thickness 25). nm), fluoride amorphous film 22 (YF 3 : A film thickness of 570 nm), a second oxide film 25 (Y 2 O 3 : film thickness of 25 nm), a Ge film 23 (film thickness 120 nm), and a DLC film 24 (film thickness 150 nm) are laminated. is formed by

한편, 기판(150)의 제 2 면(150B)에는, 파장 9.3㎛에 있어서의 투과율이 99% 이상의 반사방지막(30)이 형성되어 있다. 반사방지막(30)은 기판(150)의 제 2 면(150B)에 가까운 측으로부터 순서대로, YF3막(막 두께 670㎚), Ge막(막 두께 130㎚), MgF2막(막 두께 200㎚)이 적층된 구성으로 하였다. 또한, 반사방지막(30)의 구성은 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, on the second surface 150B of the substrate 150, an antireflection film 30 having a transmittance of 99% or more at a wavelength of 9.3 μm is formed. The antireflection film 30 is a YF 3 film (film thickness 670 nm), Ge film (film thickness 130 nm), MgF 2 film (film thickness 200) in order from the side close to the second surface 150B of the substrate 150 . nm) were laminated. In addition, the configuration of the anti-reflection film 30 is not limited thereto.

여기서, 다층막(2B)의 광학 성능 및 기계 특성을 저하시키는 영향이 없으면, 다층막(2B)을 구성하는 층에 다른 원소가 첨가되어 있어도 좋다. 또한, 다층막(2B)의 광학 성능 및 기계 특성을 저하시키는 영향이 없으면, 다층막(2B)을 구성하는 층 이외에, 다른 박막이 형성되어 있어도 좋다. 게다가, 산화물막(21)과 제 2 산화물막(25)은, 동일한 산화물을 이용한 막이어도 좋고, 상이한 종류의 산화물을 이용한 막이어도 좋다.Here, other elements may be added to the layers constituting the multilayer film 2B as long as there is no effect of lowering the optical performance and mechanical properties of the multilayer film 2B. In addition to the layers constituting the multilayer film 2B, other thin films may be formed as long as there is no effect of lowering the optical performance and mechanical properties of the multilayer film 2B. In addition, the oxide film 21 and the second oxide film 25 may be films using the same oxide or films using different types of oxides.

이와 같이, 실시형태 2의 다층막(2B)은 기판(150)에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막(21), 불화물 아몰퍼스막(22), 제 2 산화물막(25), Ge막(23) 및 DLC막(24)의 5층을 적층한 막을 포함하여 형성되어 있다. 이에 의해, 실시형태 2의 보호 창(15B)은 뛰어난 내열성을 갖고, 고온 환경 하에 있어서도 안정하여 광학 성능을 발휘할 수 있다.In this way, the multilayer film 2B of the second embodiment has an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a second oxide film 25, a Ge film 23 and It is formed including a film in which five layers of the DLC film 24 are laminated. Thereby, the protective window 15B of Embodiment 2 has excellent heat resistance, is stable also in a high-temperature environment, and can exhibit optical performance.

게다가, 실시형태 2의 보호 창(15B)은 불화물 아몰퍼스막(22)과 Ge막(23) 사이에, 제 2 산화물막(25)을 갖는 것에 의해, 불화물 아몰퍼스막(22)과 Ge막(23) 사이를 밀착시켜서, 다층막(2B)의 박리를 억제할 수 있다.In addition, the protective window 15B of the second embodiment has a second oxide film 25 between the fluoride amorphous film 22 and the Ge film 23, so that the fluoride amorphous film 22 and the Ge film 23 are provided. ), so that peeling of the multilayer film 2B can be suppressed.

1 : 레이저 가공기 11 : 레이저 발진기
11A : 레이저 광 13 : 집광 렌즈
15, 15A, 15B : 보호 창(광학 부품) 2, 2B : 다층막
21 : 산화물막 22 : 불화물 아몰퍼스막
23 : Ge막 24 : DLC막
25 : 제 2 산화물막 30 : 반사방지막
100 : 피가공물 150 : 기판
150A : 주면 150B : 제 2 면1: laser processing machine 11: laser oscillator
11A: laser light 13: condensing lens
15, 15A, 15B: protective window (optical component) 2, 2B: multilayer film
21: oxide film 22: fluoride amorphous film
23: Ge film 24: DLC film
25: second oxide film 30: anti-reflection film
100: object to be processed 150: substrate
150A: main surface 150B: second surface

Claims (6)

주면 및 상기 주면의 배면측에 형성된 제 2 면을 구비한 기판과,
상기 주면 및 상기 제 2 면 중, 적어도 주면에 형성된 다층막을 갖는 광학 부품에 있어서,
상기 기판은 Ge를 포함하여 형성되어 있고,
상기 다층막은 상기 기판에 가까운 측으로부터 순서대로, 산화물막, 불화물 아몰퍼스막, Ge막 및 DLC막의 적어도 4층이 적층된 막을 포함하고,
상기 산화물막과 상기 불화물 아몰퍼스막은 서로 접촉하고 있는
광학 부품.a substrate having a main surface and a second surface formed on a rear side of the main surface;
An optical component having a multilayer film formed on at least the main surface among the main surface and the second surface,
The substrate is formed including Ge,
the multilayer film includes a film in which at least four layers of an oxide film, a fluoride amorphous film, a Ge film, and a DLC film are laminated in order from a side closer to the substrate;
The oxide film and the fluoride amorphous film are in contact with each other.
optical components. 제 1 항에 있어서,
상기 산화물막은 Y2O3, HfO2 및 ZrO2 중 어느 하나를 포함하여 형성되어 있고,
상기 불화물 아몰퍼스막은 YF3, YbF3 및 MgF2 중 어느 하나를 포함하여 형성되어 있는
광학 부품.The method of claim 1,
The oxide film is formed including any one of Y 2 O 3 , HfO 2 and ZrO 2 ,
The fluoride amorphous film is YF 3 , YbF 3 and MgF 2 is formed including any one
optical components. 제 2 항에 있어서,
상기 산화물막은 두께가 5㎚ 내지 150㎚이고,
상기 불화물 아몰퍼스막은 두께가 500㎚ 내지 950㎚이고,
상기 Ge막은 두께가 50㎚ 내지 150㎚이며,
상기 DLC막은 두께가 50㎚ 내지 300㎚인
광학 부품.3. The method of claim 2,
The oxide film has a thickness of 5 nm to 150 nm,
The fluoride amorphous film has a thickness of 500 nm to 950 nm,
The Ge film has a thickness of 50 nm to 150 nm,
The DLC film has a thickness of 50 nm to 300 nm.
optical components. 제 3 항에 있어서,
상기 불화물 아몰퍼스막과 상기 Ge막 사이에, 제 2 산화물막을 갖고,
상기 제 2 산화물막은 Y2O3, HfO2 및 ZrO2 중 어느 하나를 포함하여 형성되어 있는
광학 부품.4. The method of claim 3,
a second oxide film is provided between the fluoride amorphous film and the Ge film;
The second oxide film is Y 2 O 3 , HfO 2 and ZrO 2 is formed including any one
optical components. 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 산화물막은 두께가 5㎚ 내지 150㎚인
광학 부품.5. The method of claim 4,
The second oxide film has a thickness of 5 nm to 150 nm.
optical components. 레이저 발진기와, 상기 레이저 발진기로부터 조사되는 레이저 광의 광학계를 갖는 레이저 가공기에 있어서,
상기 광학계는 제 3 항 또는 제 5 항에 기재된 광학 부품을 갖고,
상기 광학 부품은 상기 주면이 가공 공간측을 향해 배치되어 있는
레이저 가공기.In a laser processing machine having a laser oscillator and an optical system of laser light irradiated from the laser oscillator,
The optical system has the optical component according to claim 3 or 5,
The optical component has the main surface arranged toward the processing space side.
laser processing machine.
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