KR102435798B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 외부 광량에 따라 밝기가 조절되는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 제1전극라인들을 구비하는 배선기판, 상기 배선기판상에 배치되고, 상기 제1전극라인들 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 복수의 제1반도체 발광소자들, 상기 제1반도체 발광소자들과 다른 파장대의 빛을 발광하고, 상기 제1전극라인들 중 다른 하나와 전기적으로 연결되고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들 및 상기 제2반도체 발광소자들 상에 배치되며, 상기 제2반도체 발광소자들에서 발생된 전류가 흐르도록 이루어지는 투명전극라인을 포함하고, 상기 제2반도체 발광소자들에서 발광되는 빛의 광량은 상기 투명전극라인을 따라 흐르는 전류량에 따라 달라지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 외부 광량에 따라 밝기가 조절되는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
한편, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이를 이동 단말기에 활용하려는 시도가 계속되고 있다. 이동 단말기는 다양한 환경에서 사용될 수 있다. 구체적으로, 이동 단말기는 외부 광이 큰 환경 뿐 아니라, 외부 광이 거의 없는 환경에서 사용될 수 있다. 사용자 편의를 위해서는 외부 광의 세기에 따라 디스플레이의 밝기를 조절할 필요가 있다. 최근들어, 외부 광량에 따라 디스플레이의 밝기를 자동으로 조절할 수 있는 사용자 인터페이스에 대한 수요가 증가하고 있다.
본 발명의 일 목적은 별도의 광 검출 센서 없이 외부 광량에 따라 디스플레이의 밝기를 조절할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 제1전극라인들을 구비하는 배선기판, 상기 배선기판상에 배치되고, 상기 제1전극라인들 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 복수의 제1반도체 발광소자들, 상기 제1반도체 발광소자들과 다른 파장대의 빛을 발광하고, 상기 제1전극라인들 중 다른 하나와 전기적으로 연결되고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들 및 상기 제2반도체 발광소자들 상에 배치되며, 상기 제2반도체 발광소자들에서 발생된 전류가 흐르도록 이루어지는 투명전극라인을 포함하고, 상기 제2반도체 발광소자들에서 발광되는 빛의 광량은 상기 투명전극라인을 따라 흐르는 전류량에 따라 달라지는 것을 특징으로 한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2반도체 발광소자들은 상기 제1전극라인 및 상기 투명전극라인 사이에 전압이 인가됨에 따라 발광될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1전극라인 및 상기 투명전극라인 사이에 인가되는 전압의 크기는 상기 투명전극라인을 따라 흐르는 전류량에 따라 달라질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2반도체 발광소자의 두께는 상기 제1반도체 발광소자의 두께보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2반도체 발광소자들 위에 배치되고, 상기 제1반도체 발광소자들이 형성되는 높이까지 형성되는 광투과층을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 투명전극라인의 일부는 상기 광투과층 및 상기 제2반도체 발광소자 사이에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1반도체 발광소자 상측에서 상기 제1반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 복수의 제2전극라인들을 더 포함하고, 상기 제2전극라인들과 상기 투명전극라인은 서로 다른 소재로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 투명전극라인의 일부는 상기 제2전극라인과 다른 평면상에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 및 제2반도체 발광소자를 덮도록 배치되는 렌즈부를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 위에 형성된 제1전극라인들 중 일부에 복수의 제1반도체 발광소자들을 결합하는 단계, 상기 제1전극라인들 중 다른 일부에 상기 제1반도체 발광소자들과 다른 파장대의 빛을 발광하고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들을 결합하는 단계, 상기 제2반도체 발광소자 상에 투명전극라인을 배치하는 단계, 상기 제1 및 제2반도체 발광소자들을 덮는 광투과성 물질을 도포하는 단계, 상기 광투과성 물질 및 상기 제1반도체 발광소자들 각각의 일부분을 식각하여, 상기 일부분을 외부로 노출시키는 단계 및 외부로 노출된 상기 일부분에 제2전극라인을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 외부 광량에 따라 디스플레이 장치의 밝기를 조절함에 있어서, 외부 광량을 센싱하기 위한 별도의 센서를 필요로 하지 않는다.
또한, 본 발명에 따르면 발광소자 자체가 외부 광량에 따라 신호를 발생시키기 때문에, 외부 광량이 발광소자의 밝기에 정확하게 반영될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10 내지 12는 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 13은 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 전극 배치를 나타내는 개념도이다.
도 14는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 15a 내지 15g는 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 16a 및 16b는 본 발명의 디스플레이 장치의 변형 예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10 내지 12는 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 13은 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 전극 배치를 나타내는 개념도이다.
도 14는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 15a 내지 15g는 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 16a 및 16b는 본 발명의 디스플레이 장치의 변형 예를 나타내는 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 제1기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광소자(150)를 포함한다.
제1기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 제1기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 제1기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 제1기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 제1기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광소자일 수 있다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)과 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광소자(150)를 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(sapphire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 디스플레이 장치는 외부 광량에 따라 특정 소자의 밝기를 조절할 수 있도록 이루어질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 디스플레이 장치는 외부 광량이 많은 낮 시간에는 적색(R) 소자의 밝기를 증가시키고, 외부 광량이 적은 밤 시간에는 적색(R) 소자의 밝기를 감소시킬 수 있다. 종래에는 외부 광량에 따라 소자의 밝기를 조절하기 위해 외부 광량을 센싱하기 위한 별도의 센서를 활용하였다. 이러한 센서는 디스플레이 장치에 별도로 배치되어야 하기 때문에 디스플레이 장치의 크기를 증가시킨다는 문제가 있다. 또한, 외부 광량을 측정하는 센서의 위치와 발광 소자의 위치가 다르기 때문에, 개별 소자의 밝기가 외부 광량에 따라 정확히 조절되기 어렵다는 문제가 있다.
본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 제시한다. 이하, 형광체와 반도체 발광소자가 일체형으로 구현된 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 10 내지 12는 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 단면도이고, 도 13은 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 전극 배치를 나타내는 개념도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 디스플레이 장치는 서로 다른 두 종류의 반도체 발광소자를 구비한다. 구체적으로, 본 발명의 디스플레이 장치는 복수의 제1전극라인들을 구비하는 배선기판, 상기 배선기판상에 배치되고, 상기 제1전극라인들 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 복수의 제1반도체 발광소자들(250), 상기 제1반도체 발광소자들(250)과 다른 파장대의 빛을 발광하고, 상기 제1전극라인들 중 다른 하나와 전기적으로 연결되고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들 및 상기 제2반도체 발광소자들(350) 상에 배치되며, 상기 제2반도체 발광소자들(350)에서 발생된 전류가 흐르도록 이루어지는 투명전극라인(340)을 구비한다.
본 명세서에서는 반도체 발광소자가 배선기판에 배치되었을 때, 시각정보가 출력되는 방향을 상측으로 정의하고, 이를 기준으로 상술한 반도체층들의 면들의 결합관계를 정의한다. 예를 들어, 제1 및 제2반도체 발광소자 하측에는 제1전극라인이 배치되고, 상기 제2반도체 발광소자 상측에는 투명전극라인이 배치된다.
상기 제1전극라인들 각각은 서로 평행하게 배선기판 위에 배치될 수 있다. 상기 제1전극라인들 중 일부는 제1반도체 발광소자와 전기적으로 연결되고, 다른 일부는 제2반도체 발광소자와 전기적으로 연결된다. 제1전극라인에 대한 설명은 도 8에서 설명한 제1전극(220)에 대한 설명으로 갈음한다.
제1반도체 발광소자는 도 4 및 9에서 설명한 플립 칩 타입 또는 수직형 반도체 발광소자일 수 있다. 도 5a 내지 5c에서 설명한 바와 같이, 반도체 발광소자가 색을 구현하는 방식은 여러 가지가 있지만, 이하에서는 수직형 반도체 발광소자가 개별적으로 색을 띠는 실시 예로 설명한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
수직형 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이를 구현하는 경우, 전극은 도 13과 같이 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1전극라인들 중 일부(220)는 제1반도체 발광소자(250)하측에서 제1반도체 발광소자(250)와 전기적으로 연결되고, 제1전극라인들 중 다른 일부(320)는 제2반도체 발광소자(350) 하측에서, 제2반도체 발광소자(350)와 전기적으로 연결된다. 한편, 제2전극라인(240)은 제1반도체 발광소자(250) 상측에서 제1반도체 발광소자(250)와 전기적으로 연결된다. 또한, 투명전극라인(340)은 제2반도체 발광소자(350) 상측에서 제2반도체 발광소자(350)와 전기적으로 연결된다.
여기서, 제2전극라인(240)은 반도체 발광소자에 흐르는 전류량을 높이기 위해 불투명한 금속으로 이루어질 수 있다. 한편, 투명전극라인(340)은 제2반도체 발광소자(350)의 광검출 감도 및 광량을 높이기 위해 광투과성 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 제1반도체 발광소자(250)와 제2반도체 발광소자(350)의 두께가 서로 다른 경우, 투명전극라인(340)의 일부는 제2전극라인(240)과 다른 평면상에 배치될 수 있다.
제1반도체 발광소자들 각각은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 빛 중 어느 하나를 발광할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 디스플레이 장치는 녹색(G) 빛을 발광하는 반도체 발광소자 및 청색(B) 빛을 발광하는 반도체 발광소자를 구비할 수 있다.
한편, 상기 제2반도체 발광소자는 상기 제1반도체 발광소자와 마찬가지로, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 빛 중 어느 하나를 발광할 수 있다. 또한, 상기 제2반도체 발광소자는 빛을 흡수하여 전류를 발생시킨다. 이때, 상기 제2반도체 발광소자에서 발생되는 전류량은 흡수된 빛의 광량에 비례하여 커질 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제2반도체 발광소자와 전기적으로 연결된 제1전극라인 및 투명전극라인 사이에 전압이 인가됨에 따라 상기 제2반도체 발광소자에 전류가 흐르는 것과는 별개로, 상기 제2반도체 발광소자는 빛을 흡수하여 전류를 발생시킨다.
상기 제2반도체 발광소자에서 발생된 전류는 상기 제1전극라인 및 투명전극라인을 따라 흐르며, 전류량은 상기 제1전극라인 및 투명전극라인과 전기적으로 연결된 제어부에서 센싱될 수 있다.
상기 제어부는 각각의 반도체 발광소자에 인가되는 전압의 크기를 제어하여, 개별 발광소자의 발광 여부 및 광량을 제어한다. 여기서, 제어부는 상기 제2반도체 발광소자에서 발생된 전류량을 센싱하고, 센싱된 전류량에 따라 상기 제2반도체 발광소자에 인가되는 전압의 크기를 결정할 수 있다.
구체적으로, 상기 제2반도체 발광소자에서 발광되는 빛의 광량은 상기 제1전극라인 및 상기 투명전극라인 사이에 인가되는 전압의 크기에 따라 달라진다. 상기 제어부는 상기 센싱된 전류량에 따라 상기 제1전극라인 및 상기 투명전극라인 사이에 인가되는 전압의 크기를 결정할 수 있다.
예를 들어, 제어부는 상기 제2반도체 발광소자에서 발생된 전류량에 비례하여 상기 제2반도체 발광소자에 인가되는 전압의 크기를 제어할 수 있다. 이러한 경우, 본 발명의 디스플레이 장치는 외부 광량이 클수록 밝아지는 디스플레이를 구현할 수 있다.
도 11 및 12를 참조하면, 본 발명의 디스플레이 장치는 녹색(G) 빛을 발광하는 제1반도체 발광소자 및 청색(B) 빛을 발광하는 제2반도체 발광소자를 구비하고, 적색(R) 빛을 발광하는 제2반도체 발광소자를 구비할 수 있다. 또한, 본 발명의 디스플레이 장치는 제2반도체 발광소자에서 발생되는 전류에 비례하여 제2반도체 발광소자에 인가되는 전류량을 증가시킬 수 있다.
도 11과 같이, 제2반도체 발광소자에 흡수되는 광량이 많은 낮 시간에는 제2반도체 발광소자(350)에서 발광되는 빛의 광량이 커질 수 있다. 이와 달리, 도 12에 따르면, 제2반도체 발광소자(350)에 흡수되는 광량이 적은 밤 시간에는 제2반도체 발광소자(350)에서 발광되는 빛의 광량이 커질 수 있다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 디스플레이 장치는 외부 광량에 따라 적색(R) 빛의 광량을 조절할 수 있다. 이를 통해, 본 발명은 외부 광량에 따라 색온도(CCT) 및 Color Rendering Index(CRI)를 조절할 수 있게 된다.
한편, 디스플레이 장치가 도 11 및 12에 따른 기능을 수행함에 있어서, 외부 광량을 센싱하기 위한 별도의 센서를 필요로 하지 않는다. 또한, 본 발명에 따르면 발광소자 자체가 외부 광량에 따라 신호를 발생시키기 때문에, 외부 광량이 발광소자의 밝기에 정확하게 반영될 수 있다.
한편, 상기 제2반도체 발광소자는 상술한 도면들에서 설명하지 않은 새로운 구조를 가진다. 이하에서는, 상술한 제2반도체 발광소자 및 제2반도체 발광소자를 구비하는 디스플레이 장치의 구조에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 14는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
상기 제2반도체 발광소자는 전자 주입층(351), 활성층(352), 정공 이동층(353) 및 정공 주입층(354)으로 이루어진다.
상기 전자 주입층(351)은 활성층(352)으로 전자를 공급하는 역할을 하고, 정공 이동층(353) 및 정공 주입층(354)는 활성층(352)으로 정공을 주입하는 역할을 한다.
한편, 상기 활성층(352)은 이종접합 나노막대(Double-heterojunction Nanorod, DHNR)로 이루어질 수 있다. 이종접합 나노막대는 나노막대 끝에 코어와 쉘 구조의 양자점이 아령처럼 붙어있는 구조를 가진다. 아령모양 양자점은 대칭적인 구조의 구형 코어쉘 양자점과 달리 비대칭적 에너지 차이를 가지고 있다. 예를 들어 나노 막대는 CdS로 이루어지고, 나노막대 끝에 결합된 코어는 CdSe, 쉘은 ZnSe로 이루어질 수 있다.
이러한 경우, 상기 이종접합 나노막대는 발광특성과 광검출 특성이 모두 우수해질 수 있다. 활성층(352)이 상술한 이종접합 나노막대로 이루어지는 경우, 활성층(352)은 발광 기능 및 광 검출 기능을 모두 수행할 수 있게 된다. 구체적으로, 상기 활성층(352)에 전압이 인가되면 활성층(352)으로 전류가 흐르고, 활성층(352)이 발광한다. 이와 달리, 활성층(352)이 광을 흡수하는 경우, 전류를 발생시킨다.
한편, 상기 전자 주입층(351) 및 상기 정공 주입층(354) 각각은 서로 다른 전극라인에 연결된다. 예를 들어, 상기 전자 주입층(351)은 상기 제1전극라인에 연결될 수 있고, 상기 정공 주입층(354)는 상기 투명전극라인에 연결될 수 있다.
상기 제2반도체 발광소자에서 발광된 빛은 상기 정공 이동층(353) 및 상기 정공 주입층(354)을 통과하여 외부로 방출될 수 있다. 또한, 상기 활성층(352)에서 검출되는 빛은 상기 정공 이동층(353) 및 상기 정공 주입층(354)을 통과한 빛일 수 있다. 따라서, 제2반도체 발광소자의 밝기 및 광 감지 정밀도를 높이기 위해서는 상기 정공 주입층(354)과 전기적으로 연결되는 전극이 광투과성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 상술한 제1반도체 발광소자와 제2반도체 발광소자의 구조는 서로 다를 수 있다. 특히, 제1반도체 발광소자와 제2반도체 발광소자의 두께가 다를 수 있다. 도 10에서 설명한 바와 같이, 상기 제1 및 제2반도체 발광소자는 동일 평면 상에 배치되는데, 반도체 발광소자의 두께가 다를 경우, 디스플레이 상측에 추가적인 구조물을 배치하기 어려워진다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 도 10을 다시 참조하면, 본 발명의 디스플레이 장치는 제2반도체 발광소자들(350) 위에 배치되고, 제1반도체 발광소자들(250)이 형성되는 높이까지 형성되는 광투과층(330)을 더 포함할 수 있다. 이러한 경우, 투명전극라인(340)의 일부는 광투과층(330) 및 상기 제2반도체 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다.
상술한 구조에 따르면, 제1 및 제2반도체 발광소자의 두께가 다르더라도, 두 종류의 반도체 발광소자를 동일 평면상에 배치할 수 있게 된다.
이하에서는, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 15a 내지 15g는 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
먼저, 기판 위에 형성된 제1전극라인들 중 일부에 복수의 제1반도체 발광소자들을 결합하는 단계가 진행된다.
도 15a에 따르면, 기판 위에 복수의 리세스부들을 형성하고, 상기 리세스부 바닥면에 제1전극라인(420)을 형성하는 단계가 진행된다. 상기 리세스부들 중 일부의 바닥면에 형성되는 제1전극라인과 제1반도체 발광소자가 전기적으로 연결된다.
여기서, 기판은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 기판은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다. 한편, 상기 제1전극라인은 불투명한 금속으로 이루어질 수 있다.
한편, 도 15b와 같이, 제1반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1전극라인에는 결합 금속(470)이 배치될 수 있다. 상기 결합 금속(470)은 제1반도체 발광소자를 제1전극라인에 고정함과 동시에 제1반도체 발광소자와 제1전극라인을 전기적으로 연결한다.
이후, 도 15c와 같이, 기판 위에 반사층(460)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 상기 반사층(460)은 PDMS 및 PMPS 중 적어도 하나의 물질을 포함하며, 입경이 수 나노미터인 필러를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 반사층(460)은 반도체 발광소자 하측으로 향하는 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킨다.
한편, 상기 반사층(460)은 상기 결합 금속(420) 위에도 형성될 수 있는데, 이러한 경우, 반도체 발광소자와 전극라인이 전기적으로 연결되기 어렵다. 이를 해결 하기 위해, 도 15d와 같이, 반도체 발광소자가 결합되는 영역을 제외한 다른 영역에 PR 코팅(490)을 한 후, Photo-litho 공정을 통해 결합 금속(470)을 외부로 노출시킨다. 이후, 제1반도체 발광소자(250)를 결합 금속(470)에 결합시킨다. 이후, F 기반 Dry etching을 통해 PR 코팅을 제거할 수 있다.
상술한 PR 코팅, Photo-litho 및 Dry etching을 반복하여 서로 다른 색의 빛을 발광하는 제1반도체 발광소자들을 원하는 위치에 배치할 수 있다.
다음으로, 상기 제1전극라인들 중 다른 일부에 상기 제1반도체 발광소자들과 다른 파장대의 빛을 발광하고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들을 결합하는 단계가 진행된다.
제2반도체 발광소자를 제1전극라인에 결합하는 단계는 상술한 PR 코팅, Photo-litho 및 Dry etching을 반복하여 수행될 수 있다. 다만, 도 15e와 같이, 제2반도체 발광소자는 결합 금속 없이 직접 제1전극라인에 결합될 수 있다.
다음으로, 도 15f와 같이, 제2반도체 발광소자 상에 투명전극라인(440)을 배치하는 단계가 진행된다. 투명전극라인(440)은 상술한 제2전극라인보다 먼저 형성될 수 있다. 제1반도체 발광소자와 제2전극라인 간의 오믹(omic)을 형성하기 위해서는, 식각을 통해 제1반도체 발광소자의 도전형 반도체층이 외부로 노출되어야 한다. 이와 달리, 제2반도체 발광소자는 이러한 식각없이 곧바로 투명전극라인과 오믹을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 15g와 같이, 투명전극라인(440)을 형성한 후, 제1 및 제2반도체 발광소자들을 덮는 광투과성 물질(430)을 도포하는 단계 및 상기 광투과성 물질 및 상기 제1반도체 발광소자들 각각의 일부분을 식각하여, 상기 일부분을 외부로 노출시키는 단계가 진행된다.
상기 식각과정을 통해 제1반도체 발광소자(250)를 덮는 광투과성 물질과 제1반도체 발광소자(250)의 일부가 제거된다. 이에 따라, 제1반도체 발광소자(250)와 제2전극라인이 오믹을 형성할 수 있게 된다. 이때, 광투과성 물질(430)은 제1반도체 발광소자(250)의 측면에 잔류할 수 있다.
한편, 제2반도체 발광소자(350)를 덮는 광투과성 물질(430)은 상기 식각과정에서 제2반도체 발광소자(350) 및 투명전극라인(440)이 손상되는 것을 방지한다. 상기 식각과정 이후에도 제2반도체 발광소자를 덮는 광투과성 물질이 잔류할 수 있으며, 이러한 광투과성 물질은 제1 및 제2반도체 발광소자의 두께 차이에 따라 발생되는 문제를 해결하는 역할을 한다.
마지막으로, 식각에 의하여 외부로 노출된 제1반도체 발광소자의 일부분에 제2전극라인을 형성하는 단계가 진행된다.
한편, 도 16a 및 16b와 같이, 상술한 방식에 따라 제조된 디스플레이 장치 상측에는 광투과성 물질로 이루어지는 렌즈부(490)가 배치될 수 있다. 상기 렌즈부(490)는 반도체 발광소자의 광추츌 효율을 높이는 역할을 한다. 일 실시 예에 있어서, 상기 렌즈부(490)는 PDMS 및 PMPS 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 외부 광량에 따라 디스플레이 장치의 밝기를 조절함에 있어서, 외부 광량을 센싱하기 위한 별도의 센서를 필요로 하지 않는다. 또한, 본 발명에 따르면 발광소자 자체가 외부 광량에 따라 신호를 발생시키기 때문에, 외부 광량이 발광소자의 밝기에 정확하게 반영될 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
Claims (10)
- 복수의 제1전극라인들을 구비하는 배선기판;
상기 배선기판상에 배치되고, 상기 제1전극라인들 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 복수의 제1반도체 발광소자들;
상기 제1반도체 발광소자들과 다른 파장대의 빛을 발광하고, 상기 제1전극라인들 중 다른 하나와 전기적으로 연결되고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들; 및
상기 제2반도체 발광소자들 상에 배치되며, 상기 제2반도체 발광소자들에서 발생된 전류가 흐르도록 이루어지는 투명전극라인을 포함하고,
상기 제2반도체 발광소자들에서 발광되는 빛의 광량은 상기 투명전극라인을 따라 흐르는 전류량에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2반도체 발광소자들은 상기 제1전극라인 및 상기 투명전극라인 사이에 전압이 인가됨에 따라 발광되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1전극라인 및 상기 투명전극라인 사이에 인가되는 전압의 크기는 상기 투명전극라인을 따라 흐르는 전류량에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2반도체 발광소자의 두께는 상기 제1반도체 발광소자의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제2반도체 발광소자들 위에 배치되고, 상기 제1반도체 발광소자들이 형성되는 높이까지 형성되는 광투과층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제5항에 있어서,
상기 투명전극라인의 일부는 상기 광투과층 및 상기 제2반도체 발광소자 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제5항에 있어서,
상기 제1반도체 발광소자 상측에서 상기 제1반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 복수의 제2전극라인들을 더 포함하고,
상기 제2전극라인들과 상기 투명전극라인은 서로 다른 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제7항에 있어서,
상기 투명전극라인의 일부는 상기 제2전극라인과 다른 평면상에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2반도체 발광소자를 덮도록 배치되는 렌즈부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. - 기판 위에 형성된 제1전극라인들 중 일부에 복수의 제1반도체 발광소자들을 결합하는 단계;
상기 제1전극라인들 중 다른 일부에 상기 제1반도체 발광소자들과 다른 파장대의 빛을 발광하고 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 복수의 제2반도체 발광소자들을 결합하는 단계;
상기 제2반도체 발광소자 상에 투명전극라인을 배치하는 단계;
상기 제1 및 제2반도체 발광소자들을 덮는 광투과성 물질을 도포하는 단계;
상기 광투과성 물질 및 상기 제1반도체 발광소자들 각각의 일부분을 식각하여, 상기 일부분을 외부로 노출시키는 단계; 및
외부로 노출된 상기 일부분에 제2전극라인을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
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