KR102434317B1 - Chip antenna and method of manufacturing thereof - Google Patents

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    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 칩 안테나는 3GHz 이상 30GHz 이하의 주파수 대역에 이용되는 안테나로, 유전율을 갖는 육면체 형상으로 형성되고 제1면과 상기 제1면의 반대면인 제2면을 구비하는 몸체부, 육면체 형태로 형성되어 상기 몸체부의 상기 제1면에 결합되는 방사부, 및 육면체 형태로 형성되어 상기 몸체부의 상기 제2면에 결합되는 접지부를 포함하고, 상기 방사부와 상기 접지부는 각각 폭이 100㎛ 이상, 500㎛ 이하의 범위로 형성된다.The chip antenna according to an embodiment of the present invention is an antenna used in a frequency band of 3 GHz or more and 30 GHz or less, and is formed in a hexahedral shape having a dielectric constant and has a body having a first surface and a second surface opposite to the first surface. part, a radiating part formed in a hexahedral shape and coupled to the first surface of the body part, and a ground part formed in a hexahedral shape and coupled to the second surface of the body part, wherein the radiating part and the grounding part each have a width It is formed in the range of 100 micrometers or more and 500 micrometers or less.

Description

칩 안테나 및 그 제조 방법{CHIP ANTENNA AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}CHIP ANTENNA AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

본 발명은 칩 안테나 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chip antenna and a method for manufacturing the same.

무선 통신을 지원하는 핸드폰, PDA, 네비게이션, 노트북 등 이동통신 단말기는 CDMA, 무선랜, DMB, NFC(Near Field Communication) 등의 기능이 부가되는 추세로 발전하고 있으며, 이러한 기능들을 가능하게 하는 중요한 부품 중 하나가 안테나이다.Mobile communication terminals such as mobile phones, PDA, navigation, and notebook computers that support wireless communication are developing in the trend of adding functions such as CDMA, wireless LAN, DMB, and NFC (Near Field Communication), and important components that enable these functions One of them is the antenna.

칩 안테나(Chip Antenna)는 안테나의 한 종류로서, 회로기판 표면에 직접 실장되어 안테나의 기능을 수행한다.A chip antenna is a type of antenna and is mounted directly on the surface of a circuit board to perform an antenna function.

한편, GHz 대역에서는 파장이 수 mm 정도로 작아지기 때문에 종래의 칩 안테나를 이용하기 어렵다. 따라서 GHz 대역에 적합한 칩 안테나가 요구되고 있다. On the other hand, in the GHz band, it is difficult to use a conventional chip antenna because the wavelength is small by several millimeters. Therefore, there is a demand for a chip antenna suitable for the GHz band.

본 발명의 목적은 GHz 대역에서 이용할 수 있는 칩 안테나 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a chip antenna that can be used in a GHz band and a method for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 칩 안테나는 3GHz 이상 30GHz 이하의 주파수 대역에 이용되는 안테나로, 유전율을 갖는 육면체 형상으로 형성되고 제1면과 상기 제1면의 반대면인 제2면을 구비하는 몸체부, 육면체 형태로 형성되어 상기 몸체부의 상기 제1면에 결합되는 방사부, 및 육면체 형태로 형성되어 상기 몸체부의 상기 제2면에 결합되는 접지부를 포함하고, 상기 방사부와 상기 접지부는 각각 폭이 100㎛ 이상, 500㎛ 이하의 범위로 형성된다.The chip antenna according to an embodiment of the present invention is an antenna used in a frequency band of 3 GHz or more and 30 GHz or less, and is formed in a hexahedral shape having a dielectric constant and has a body having a first surface and a second surface opposite to the first surface. part, a radiating part formed in a hexahedral shape and coupled to the first surface of the body part, and a ground part formed in a hexahedral shape and coupled to the second surface of the body part, wherein the radiating part and the grounding part each have a width It is formed in the range of 100 micrometers or more and 500 micrometers or less.

또한 본 발명의 실시예에 따른 칩 안테나 제조 방법은, 유전체를 마련하는 단계, 인쇄 공정 또는 도금 공정을 통해 상기 유전체의 양면에 도체층을 형성하는 단계, 상기 도체층이 형성된 유전체를 다수개의 칩 안테나로 절단하는 단계, 및 상기 도체층의 표면에 제2 도체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the method for manufacturing a chip antenna according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: preparing a dielectric, forming a conductive layer on both sides of the dielectric through a printing process or a plating process; It may include the step of cutting, and the step of forming a second conductor on the surface of the conductor layer.

본 발명의 실시예에 따른 칩 안테나는 3GHz 이상 30GHz 이하의 고주파 대역에서 사용할 수 있으며, 소형의 크기로 형성되어 박형의 휴대 기기에 용이하게 탑재될 수 있다.The chip antenna according to an embodiment of the present invention can be used in a high frequency band of 3 GHz or more and 30 GHz or less, and is formed in a small size and can be easily mounted on a thin portable device.

또한, 방사부와 전극부가 각각 몸체부의 한 면에만 접촉하므로 공진 주파수의 튜닝이 용이하며, 안테나 체적 조절을 통해 안테나 방사 효율 극대화할 수 있다. In addition, since the radiation part and the electrode part contact only one surface of the body part, it is easy to tune the resonance frequency, and the antenna radiation efficiency can be maximized by adjusting the antenna volume.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 칩 안테나의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 칩 안테나의 분해 사시도.
도 3은 도 1에 I-I′에 따른 단면도.
도 4는 도 1에 도시된 칩 안테나의 측면도.
도 5는 도 1에 도시된 칩 안테나의 복사 효율을 측정한 그래프.
도 6은 도 1에 도시된 칩 안테나의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 7 내지 도 10은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 칩 안테나를 도시한 사시도.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 칩 안테나를 도시한 사시도.
도 12는 도 11의 II-II′에 따른 단면도.
도 13은 도 11에 도시된 칩 안테나의 제조 방법을 설명하기 위한 도면. 1 is a perspective view of a chip antenna according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is an exploded perspective view of the chip antenna shown in FIG. 1;
3 is a cross-sectional view taken along II′ in FIG. 1 .
4 is a side view of the chip antenna shown in FIG. 1;
FIG. 5 is a graph of measuring the radiation efficiency of the chip antenna shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a view for explaining a method of manufacturing the chip antenna shown in FIG. 1;
7 to 10 are perspective views each showing a chip antenna according to another embodiment of the present invention.
11 is a perspective view illustrating a chip antenna according to another embodiment of the present invention.
Fig. 12 is a cross-sectional view taken along II-II' of Fig. 11;
13 is a view for explaining a method of manufacturing the chip antenna shown in FIG. 11;

본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시 예에 불과할 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Prior to the detailed description of the present invention, the terms or words used in the present specification and claims described below should not be construed as being limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventors should develop their own inventions in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be appropriately defined as a concept of a term for explanation. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only the most preferred embodiments of the present invention, and do not represent all the technical ideas of the present invention, so various equivalents that can replace them at the time of the present application It should be understood that there may be water and variations.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음을 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that the same components in the accompanying drawings are denoted by the same reference numerals as much as possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings, and the size of each component does not fully reflect the actual size.

또한, 본 명세서에서 상측, 하측, 측면 등의 표현은 도면에 도시를 기준으로 설명한 것이며, 해당 대상의 방향이 변경되면 다르게 표현될 수 있음을 미리 밝혀둔다.In addition, in this specification, the expression of the upper side, the lower side, the side, etc. has been described with reference to the drawings, and it should be noted in advance that it may be expressed differently if the direction of the corresponding object is changed.

본 명세서에 기재된 칩 안테나는 본 칩 안테나는 고주파 영역에서 동작하며, 예를 들어 3GHz 이상 30GHz 이하의 주파수 대역에서 동작할 수 있다. 또한 본 명세서에 기재된 칩 안테나는 무선신호를 수신 또는 송수신하도록 구성된 전자기기에 탑재될 수 있다. 예를 들어, 칩 안테나는 휴대용 전화기, 휴대용 노트북, 드론 등에 탑재될 수 있다.The chip antenna described herein operates in a high-frequency region, and may operate in, for example, a frequency band of 3 GHz or more and 30 GHz or less. In addition, the chip antenna described herein may be mounted on an electronic device configured to receive or transmit a radio signal. For example, the chip antenna may be mounted on a portable phone, a portable notebook, a drone, or the like.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 칩 안테나의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 칩 안테나의 분해 사시도이다. 또한 도 3은 도 1에 I-I′에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 칩 안테나의 측면도이다.1 is a perspective view of a chip antenna according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of the chip antenna shown in FIG. 1 . Also, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line I-I' in FIG. 1, and FIG. 4 is a side view of the chip antenna shown in FIG.

도 1 내지 도 4를 참조하여 본 실시예에 따른 칩 안테나를 설명한다.A chip antenna according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4 .

칩 안테나(100)는 전체적으로 육면체 형상으로 형성되며, 솔더와 같은 도전성 접착제 등을 통해 기판(10) 상에 실장될 수 있다.The chip antenna 100 is generally formed in a hexahedral shape, and may be mounted on the substrate 10 through a conductive adhesive such as solder.

기판(10)은 무선 안테나에 필요한 회로 또는 전자부품이 탑재되는 회로 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 하나 이상의 전자부품을 내부에 수용하거나 또는 하나 이상의 전자부품이 표면에 탑재된 PCB일 수 있다. 따라서 기판(10)에는 전자부품들을 전기적으로 연결하는 회로 배선이 구비될 수 있다. The board 10 may be a circuit board on which a circuit or electronic component required for a wireless antenna is mounted. For example, the substrate 10 may be a PCB in which one or more electronic components are accommodated or one or more electronic components are mounted on a surface thereof. Accordingly, circuit wiring for electrically connecting electronic components may be provided on the substrate 10 .

칩 안테나(100)는 몸체부(120), 방사부(130a), 및 접지부(130b)를 포함한다. The chip antenna 100 includes a body portion 120 , a radiation portion 130a , and a ground portion 130b .

몸체부(120)는 육면체 형상을 가지며, 유전체(dielectric substance)로 형성된다. 예컨대, 몸체부(120)는 유전율을 가지는 폴리머나 세라믹 소결체로 형성될 수 있다.The body portion 120 has a hexahedral shape and is formed of a dielectric substance. For example, the body 120 may be formed of a polymer or ceramic sintered body having a dielectric constant.

전술한 바와 같이 본 실시예에 따른 칩 안테나는 3GHz ~ 30GHz 대역에서 사용되는 칩 안테나이다. 따라서 파장의 길이에 대응하여, 가장 긴 변의 길이가 2 mm 이하로 형성된다. 예컨대, 본 실시예에 따른 칩 안테나는 상기한 주파수 대역에서 공진 주파수를 조절하기 위해, 가장 긴 변의 길이가 0.5 ~ 2mm로 형성될 수 있다.As described above, the chip antenna according to the present embodiment is a chip antenna used in a band of 3 GHz to 30 GHz. Accordingly, corresponding to the length of the wavelength, the length of the longest side is formed to be 2 mm or less. For example, in the chip antenna according to the present embodiment, the length of the longest side may be 0.5 to 2 mm in order to adjust the resonance frequency in the above-described frequency band.

몸체부(120)의 유전율이 3.5 미만인 경우, 칩 안테나(100)가 정상적으로 동작하기 위해서는 방사부(130a)와 접지부(130b) 사이의 거리가 증가되어야 한다. When the dielectric constant of the body part 120 is less than 3.5, the distance between the radiating part 130a and the ground part 130b should be increased in order for the chip antenna 100 to operate normally.

테스트 결과 몸체부(120)의 유전율이 3.5 미만인 경우, 3GHz ~ 30GHz 대역에서 칩 안테나(100)는 최대 폭(W)이 2mm 이상으로 형성되어야 정상적으로 기능하는 것으로 측정되었다. 그러나 이 경우, 칩 안테나의 전체 크기가 증가되므로 박형의 휴대 기기에 탑재되기 어렵다. As a result of the test, when the dielectric constant of the body part 120 is less than 3.5, it was measured that the chip antenna 100 in the 3 GHz ~ 30 GHz band functions normally only when the maximum width W is formed to be 2 mm or more. However, in this case, since the overall size of the chip antenna is increased, it is difficult to be mounted on a thin portable device.

또한 유전율이 25를 초과하는 경우, 칩 안테나의 사이즈가 0.3mm 이하로 작아져야 하며, 이 경우 안테나의 성능이 오히려 저하되는 것으로 측정되었다. In addition, when the dielectric constant exceeds 25, the size of the chip antenna should be reduced to 0.3 mm or less, and in this case, it was measured that the performance of the antenna is rather deteriorated.

따라서 본 실시예에 따른 칩 안테나의 몸체부(120)는 유전율이 3.5 이상, 25 이하인 유전체로 제조된다.Therefore, the body 120 of the chip antenna according to the present embodiment is made of a dielectric having a dielectric constant of 3.5 or more and 25 or less.

방사부(130a)는 몸체부(120)의 제1면에 결합된다. 그리고 접지부(130b)는 몸체부(120)의 제2면에 결합된다. 여기서 제1면과 제2면은 육면체로 형성되는 몸체부(120)에서 반대 방향을 향하는 두 면을 의미한다. The radiation part 130a is coupled to the first surface of the body part 120 . And the ground portion (130b) is coupled to the second surface of the body portion (120). Here, the first surface and the second surface refer to two surfaces facing opposite directions in the body portion 120 formed of a hexahedron.

본 실시예에서 몸체부(120)의 폭(W1)은 제1면과 제2면 사이의 거리로 정의된다. 따라서, 제1면에서 제2면을 향하는 방향(또는 제2면에서 제1면을 향하는 방향)은 몸체부 또는 칩 안테나의 폭방향으로 정의된다.In this embodiment, the width W1 of the body 120 is defined as the distance between the first surface and the second surface. Accordingly, the direction from the first surface to the second surface (or the direction from the second surface to the first surface) is defined as the width direction of the body portion or the chip antenna.

이에 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(W2)은 상기한 칩 안테나의 폭방향의 거리로 정의된다. 따라서, 방사부(130a)의 폭(W2)은 몸체부(120)의 제1면에 접합되는 방사부(130a)의 접합면에서 상기 접합면의 반대면까지의 최단 거리를 의미하고, 접지부(130b)의 폭(W2)은 몸체부(120)의 제2면에 접합되는 접지부(130b)의 접합면에서 상기 접합면의 반대면까지의 최단 거리를 의미한다.Accordingly, the width W2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b is defined as a distance in the width direction of the chip antenna. Therefore, the width W2 of the radiating part 130a means the shortest distance from the junction surface of the radiating part 130a bonded to the first surface of the body part 120 to the opposite surface of the junction surface, and the ground part The width W2 of 130b means the shortest distance from the bonding surface of the grounding portion 130b bonded to the second surface of the body 120 to the opposite surface of the bonding surface.

방사부(130a)는 몸체부(120)의 6면 중 한 면에만 접촉하며 몸체부(120)에 결합된다. 마찬가지로 접지부(130b)도 몸체부(120)의 6면 중 한 면에만 접촉하며 몸체부(120)에 결합된다. The radiation portion 130a contacts only one surface of the six surfaces of the body portion 120 and is coupled to the body portion 120 . Similarly, the ground portion 130b also contacts only one surface of the six surfaces of the body portion 120 and is coupled to the body portion 120 .

이처럼 방사부(130a)와 접지부(130b)는 몸체부(120)의 제1면과 제2면 외에 다른 면에는 배치되지 않으며, 몸체부(120)를 사이에 두고 서로 평행하게 배치된다.As such, the radiating part 130a and the grounding part 130b are not disposed on other surfaces other than the first and second surfaces of the body part 120 , and are disposed parallel to each other with the body part 120 interposed therebetween.

종래의 저주파 대역에 이용되는 칩 안테나는 몸체부의 하부면에 방사부와 접지부가 배치된다. 이 경우, 방사부와 접지부 사이의 거리가 가까우므로 인덕턴스에 의한 손실이 발생하게 된다. 또한 제조 과정에서 방사부(130a)와 접지부(130b) 사이의 거리를 정밀하게 제어하기 어려우므로, 정확한 커패시턴스를 예측할 수 없으며, 공진점을 조절하기 힘들어 임피던스의 튜닝이 어렵다.In a conventional chip antenna used in a low frequency band, a radiating part and a grounding part are disposed on a lower surface of a body part. In this case, since the distance between the radiating part and the ground part is close, loss due to inductance occurs. In addition, since it is difficult to precisely control the distance between the radiating part 130a and the grounding part 130b during the manufacturing process, accurate capacitance cannot be predicted, and it is difficult to adjust the resonance point, making it difficult to tune the impedance.

그러나 본 발명에 따른 칩 안테나는 방사부(130a)와 접지부(130b)가 블록 형태로 형성되어 몸체부(120)의 제1면과 제2면에 각각 결합된다. 본 실시예에서 방사부(130a)와 접지부(130b)는 각각 육면체 형태로 형성되며, 육면체의 일면이 몸체부(120)의 제1면과 제2면에 각각 접합된다.However, in the chip antenna according to the present invention, the radiation part 130a and the ground part 130b are formed in a block shape and are respectively coupled to the first surface and the second surface of the body part 120 . In the present embodiment, the radiating part 130a and the grounding part 130b are each formed in a hexahedral shape, and one surface of the hexahedron is bonded to the first and second surfaces of the body 120 , respectively.

이처럼 방사부(130a)와 접지부(130b)가 몸체부(120)의 제1면과 제2면에만 결합되는 경우, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 이격 거리는 몸체부(120)의 크기에 의해 규정되므로 상기한 문제들을 모두 해소할 수 있다. As such, when the radiation portion 130a and the ground portion 130b are coupled only to the first surface and the second surface of the body portion 120 , the separation distance between the radiation portion 130a and the ground portion 130b is the body portion 120 . Since it is defined by the size of , all of the above problems can be solved.

또한 본 발명의 칩 안테나는 방사부(130a)와 접지부(130b) 사이의 유전체(예컨대, 몸체부)로 인하여 커패시턴스를 가지므로, 이를 이용하여 커플링 안테나를 설계하거나, 공진주파수를 튜닝할 수 있다.In addition, since the chip antenna of the present invention has capacitance due to the dielectric (eg, body) between the radiating part 130a and the grounding part 130b, it is possible to design a coupling antenna or tune the resonance frequency using this. have.

도 5는 도 1에 도시된 칩 안테나의 복사 효율을 측정한 그래프로, 28GHz 대역에서 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(w2)을 증가시키며 따른 칩 안테나의 반사 손실(S11)을 측정하였다. FIG. 5 is a graph measuring the radiation efficiency of the chip antenna shown in FIG. 1 , and the return loss (S11) of the chip antenna is increased by increasing the width w2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b in the 28 GHz band. was measured.

측정에 사용된 칩 안테나는 방사부(130a)와 접지부(130b)의 두께(t2)를 0.6 mm로 고정하고, 높이(h2)를 1.3mm로 고정하였으며, 폭(w2)만 변화를 주며 측정하였다.The chip antenna used for measurement fixed the thickness t2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b to 0.6 mm, the height h2 was fixed to 1.3 mm, and only the width w2 was changed. did.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 칩 안테나는 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(w2)이 증가할수록 반사 손실(S11)이 감소하는 것으로 나타났다. 그리고 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(w2)이 100㎛ 이하인 구간에서 높은 감소율로 반사 손실(S11)이 감소하고, 폭(W2)이 100㎛를 초과하는 구간에서는 상대적으로 낮은 감소율로 반사 손실(S11)이 감소하는 것으로 측정되었다. Referring to FIG. 5 , in the chip antenna according to the present embodiment, as the width w2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b increases, the return loss S11 decreases. In addition, the reflection loss S11 is reduced with a high reduction rate in the section where the width w2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b is 100 μm or less, and relatively low in the section where the width W2 exceeds 100 μm. It was measured that the return loss (S11) decreases with the decrease rate.

따라서 본 실시예에서 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(W2)은 100㎛이상으로 규정된다.Therefore, in this embodiment, the width W2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b is defined to be 100 µm or more.

한편, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(W2)이 몸체부(120)의 폭(W1)보다 크게 형성되는 경우, 외부 충격이나 기판 실장 시 방사부(130a)나 접지부(130b)가 몸체부(120)로부터 박리될 수 있다. 따라서 본 실시예에서 방사부(130a)나 접지부(130b)의 최대 폭(W2)은 몸체부(120) 폭(W1)의 50% 이하로 규정된다. On the other hand, when the width W2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b is formed to be larger than the width W1 of the body part 120, the radiating part 130a or the grounding part ( 130b) may be peeled off from the body portion 120 . Therefore, in this embodiment, the maximum width W2 of the radiating part 130a or the grounding part 130b is defined to be 50% or less of the body part 120 width W1.

전술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 칩 안테나의 최대 길이는 2mm이므로, 방사부(130a)와 접지부(130b)를 동일한 폭으로 구성하는 경우 방사부(130a)나 접지부(130b)의 최대 폭은 500㎛, 최소 폭은 100㎛로 규정된다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭이 서로 다른 경우, 상기한 최대 폭은 변경될 수 있다.As described above, since the maximum length of the chip antenna according to this embodiment is 2 mm, when the radiating part 130a and the grounding part 130b are configured to have the same width, the maximum length of the radiating part 130a or the grounding part 130b is The width is defined as 500 μm, and the minimum width is defined as 100 μm. However, the configuration of the present invention is not limited thereto, and when the widths of the radiating part 130a and the grounding part 130b are different from each other, the above-described maximum width may be changed.

방사부(130a)와 접지부(130b)는 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또한 동일한 형상 및 동일한 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 방사부(130a)와 접지부(130b)는 기판(10)에 실장될 때 접합되는 전극의 종류에 따라 구분될 수 있다. 예컨대, 본 실시예에 따른 칩 안테나는 기판(10)의 급전용(feeding) 전극에 접합되는 부분이 방사부(130a)로 기능하고, 기판(10)의 접지용(ground) 전극에 접합되는 부분은 접지부(130b)로 기능할 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. The radiation part 130a and the ground part 130b may be formed of the same material. It may also be formed in the same shape and in the same structure. In this case, the radiation part 130a and the ground part 130b may be classified according to the type of electrode to be bonded when mounted on the substrate 10 . For example, in the chip antenna according to the present embodiment, the portion bonded to the feeding electrode of the substrate 10 functions as the radiation portion 130a, and the portion bonded to the ground electrode of the substrate 10 . may function as the ground portion 130b. However, the configuration of the present invention is not limited thereto.

방사부(130a)와 접지부(130b)는 제1 도체(131)와 제2 도체(132)를 포함한다. The radiation part 130a and the ground part 130b include a first conductor 131 and a second conductor 132 .

제1 도체(131)는 몸체부(120)에 직접 접합되는 도체이며 블록 형태로 형성된다. 그리고 제2 도체(132)는 제2 도체(132)의 표면을 따라 막(layer　)의 형태로 형성된다. The first conductor 131 is a conductor directly bonded to the body 120 and is formed in a block shape. In addition, the second conductor 132 is formed in the form of a layer along the surface of the second conductor 132 .

제1 도체(131)는 인쇄공정 또는 도금 공정을 통해 몸체부(120) 상에 형성되며, Ag, Au, Cu, Al, Pt, Ti, Mo, Ni, W 중에서 선택된 1종이거나 혹은 2종 이상의 합금으로 구성될 수 있다. 또한 금속에 폴리머(polymer), 글라스(glass) 등의 유기물이 함유된 전도성 페이스트나 전도성 에폭시로 구성하는 것도 가능하다.The first conductor 131 is formed on the body 120 through a printing process or a plating process, and is one or more selected from Ag, Au, Cu, Al, Pt, Ti, Mo, Ni, and W. It may be composed of an alloy. In addition, it is also possible to configure the metal with a conductive paste or conductive epoxy containing an organic material such as a polymer or glass.

제2 도체(132)는 도금 공정을 통해 제1 도체(131)의 표면에 형성될 수 있다. 제2 도체(132)는 니켈(Ni) 층과 주석(Sn) 층을 차례로 적층하거나, 아연(Zn) 층과 주석(Sn) 층을 차례로 적층하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductor 132 may be formed on the surface of the first conductor 131 through a plating process. The second conductor 132 may be formed by sequentially stacking a nickel (Ni) layer and a tin (Sn) layer or sequentially stacking a zinc (Zn) layer and a tin (Sn) layer, but is not limited thereto.

제1 도체(131)는 몸체부(120)와 동일한 두께 및 동일한 높이로 형성된다. 따라서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 방사부(130a)와 접지부(130b)는 제1 도체(131)의 표면에 형성된 제2 도체(132)에 의해 몸체부(120)의 두께보다 두껍고 몸체부(120)보다 높게 형성된다. The first conductor 131 is formed to have the same thickness and the same height as the body portion 120 . Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4 , the radiating part 130a and the grounding part 130b have a thickness greater than the thickness of the body part 120 by the second conductor 132 formed on the surface of the first conductor 131 . It is thick and formed higher than the body portion 120 .

이와 같이 구성되는 본 실시예에 따른 칩 안테나는 3GHz 이상 30GHz 이하의 고주파 대역에서 사용할 수 있으며, 긴 변이 2mm 이하의 크기로 형성되어 박형의 휴대 기기에 용이하게 탑재될 수 있다.The chip antenna according to the present embodiment configured as described above can be used in a high frequency band of 3 GHz or more and 30 GHz or less, and has a long side of 2 mm or less, so that it can be easily mounted on a thin portable device.

또한, 방사부와 전극부가 각각 몸체부의 한 면에만 접촉하므로 공진 주파수의 튜닝이 용이하며, 안테나 체적 조절을 통해 안테나 방사 효율 극대화할 수 있다. In addition, since the radiation part and the electrode part contact only one surface of the body part, it is easy to tune the resonance frequency, and the antenna radiation efficiency can be maximized by adjusting the antenna volume.

더하여, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(W2)을 100㎛ 이상으로 구성함에 따라, 칩 안테나의 크기를 최소화하면서 반사 손실을 크게 줄일 수 있다.In addition, by configuring the width W2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b to be 100 µm or more, it is possible to greatly reduce the reflection loss while minimizing the size of the chip antenna.

한편, 본 실시예에서는 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(W2)에 대해서만 수치를 한정하고 있으나, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 두께(t2)나 높이(h2)를 변경시키는 경우도 고려해 볼 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the numerical values are limited only for the width W2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b, but the thickness t2 or the height h2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b. ) can also be considered.

방사부(130a)와 접지부(130b)의 높이(h2)를 1.5mm로 확장하여 반사 손실를 측정한 결과, 도 5와 마찬가지로 폭(w2)이 100㎛로 증가하였을 때 반사 손실(S11)이 크게 감소하는 것으로 나타났으나, 공진 주파수가 28Ghz에서 25Ghz로 이동하는 것으로 측정되었다.As a result of measuring the reflection loss by extending the height h2 of the radiating portion 130a and the grounding portion 130b to 1.5 mm, as in FIG. 5 , when the width w2 is increased to 100 μm, the reflection loss S11 is large. It was shown to decrease, but it was measured that the resonant frequency shifted from 28Ghz to 25Ghz.

또한 방사부(130a)와 접지부(130b)의 두께(t2)를 1.2mm로 확장하여 반사 손실를 측정한 결과, 도 5와 마찬가지로 폭(w2)이 100㎛로 증가하였을 때 반사 손실(S11)이 크게 감소하는 것으로 나타났으나, 공진 주파수가 28Ghz에서 15Ghz로 이동하는 것으로 측정되었다.In addition, as a result of measuring the reflection loss by extending the thickness t2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b to 1.2 mm, as in FIG. 5 , when the width w2 is increased to 100 μm, the reflection loss S11 is Although it was shown to decrease significantly, it was measured that the resonant frequency shifted from 28Ghz to 15Ghz.

따라서 본 실시예의 칩 안테나 구조에서, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 높이(h2)나 두께(t2)의 변화는 공진 주파수를 결정하는 인자(factor)임을 알 수 있으며, 방사부(130a)와 접지부(130b)의 폭(W2)이 반사 손실을 결정하는 인자(factor)임을 알 수 있다.Therefore, in the chip antenna structure of the present embodiment, it can be seen that the change in height h2 or thickness t2 of the radiating part 130a and the grounding part 130b is a factor determining the resonance frequency, and the radiating part ( It can be seen that 130a) and the width W2 of the ground portion 130b are factors determining the return loss.

따라서, 본 실시예의 칩 안테나는 폭방향으로 방사부(130a)와 접지부(130b)의 크기를 증가시켜 반사 손실을 최소화한다.Accordingly, in the chip antenna of the present embodiment, the size of the radiating part 130a and the ground part 130b is increased in the width direction to minimize the return loss.

이어서, 본 발명에 따른 칩 안테나의 제조 방법을 설명한다. Next, a method for manufacturing a chip antenna according to the present invention will be described.

도 6은 도 1에 도시된 칩 안테나의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 6 is a view for explaining a method of manufacturing the chip antenna shown in FIG. 1 .

도 6을 참조하면, 먼저 유전율이 3.5 ~ 25 인 유전체(12)를 마련한다(S1). 유전체(12)는 편평한 판 형태로 마련될 수 있으며, 폴리머나 세라믹 소결체가 이용될 수 있다. 유전체(12)는 후에 칩 안테나의 몸체부(120)로 형성된다. Referring to FIG. 6 , first, a dielectric 12 having a dielectric constant of 3.5 to 25 is prepared (S1). The dielectric 12 may be provided in the form of a flat plate, and a polymer or ceramic sintered body may be used. The dielectric 12 is later formed into the body portion 120 of the chip antenna.

이어서, 몸체부(120)의 제1면과 제2면에 도체층(13)을 형성한다(S2). 도체층(13)은 인쇄공정 또는 도금 공정을 통해 몸체부(120) 상에 형성되며 100㎛ 이상, 500㎛ 이하의 두께로 형성된다. Next, the conductive layer 13 is formed on the first and second surfaces of the body 120 (S2). The conductor layer 13 is formed on the body 120 through a printing process or a plating process and has a thickness of 100 μm or more and 500 μm or less.

도체층(13)을 100㎛ 이상의 두께로 형성하기 위해, 본 단계에서 도전성 물질을 도포하고 건조하는 공정이나 도금 공정이 여러 번 반복 수행될 수 있다. In order to form the conductor layer 13 to a thickness of 100 μm or more, in this step, a process of applying and drying a conductive material or a plating process may be repeatedly performed several times.

또한 도전성 물질을 도포하고 건조하는 공정은 유전체(12)의 양면에 동시에 수행되거나, 한 면씩 순차적으로 수행될 수 있다. In addition, the process of applying and drying the conductive material may be simultaneously performed on both surfaces of the dielectric 12 or sequentially performed one side at a time.

도체층(13)은 Ag, Au, Cu, Al, Pt, Ti, Mo, Ni, W 중에서 선택된 1종이거나 혹은 2종 이상의 합금으로 구성될 수 있다. 또한 금속에 폴리머(polymer), 글라스(glass) 등의 유기물이 함유된 전도성 페이스트나 전도성 에폭시(예컨대, Ag-epoxy)로 구성하는 것도 가능하다.The conductor layer 13 may be formed of one selected from Ag, Au, Cu, Al, Pt, Ti, Mo, Ni, and W, or an alloy of two or more. In addition, it is also possible to form a conductive paste or conductive epoxy (eg, Ag-epoxy) in which an organic material such as a polymer or glass is contained in a metal.

도체층(13)은 후에 칩 안테나의 제1 도체(131)로 형성된다.The conductor layer 13 is later formed as the first conductor 131 of the chip antenna.

이어서, 양면에 도체층(13)이 적층된 유전체(12)를 칩 안테나의 크기로 절단한다(S3). 이에 유전체(12)는 칩 안테나의 몸체부(120)로 형성되고 도체층(13)은 칩 안테나의 제1 도체(131)로 형성된다. 본 단계에서 도체층(13)은 유전체(12)와 함께 절단된다. 따라서 제1 도체(131)의 두께, 높이는 몸체부(120)의 두께, 높이와 동일하게 형성된다. Next, the dielectric 12 on which the conductor layers 13 are laminated on both sides is cut to the size of the chip antenna (S3). Accordingly, the dielectric 12 is formed as the body portion 120 of the chip antenna, and the conductor layer 13 is formed as the first conductor 131 of the chip antenna. In this step, the conductor layer 13 is cut together with the dielectric 12 . Therefore, the thickness and height of the first conductor 131 are formed to be the same as the thickness and height of the body part 120 .

절단 공정은 블레이드(blade)나 톱(saw)을 이용하거나, 레이저, 와이어 등을 이용하여 수행될 수 있다. The cutting process may be performed using a blade or a saw, a laser, a wire, or the like.

이어서, 제1 도체(131)의 표면에 제2 도체(132)를 형성한다(S4). 제2 도체(132)는 도금 공정을 통해 형성될 수 있으며, Ni/Sn, Zn/Sn 등으로 형성될 수 있다.Next, the second conductor 132 is formed on the surface of the first conductor 131 ( S4 ). The second conductor 132 may be formed through a plating process, and may be formed of Ni/Sn, Zn/Sn, or the like.

한편, 본 발명에 따른 칩 안테나는 전술한 구성으로 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다. Meanwhile, the chip antenna according to the present invention is not limited to the above-described configuration and various modifications are possible.

도 7 내지 도 11은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 칩 안테나를 도시한 사시도이다. 7 to 11 are perspective views each showing a chip antenna according to another embodiment of the present invention.

도 7 내지 도 10에 도시된 칩 안테나들은 모두 방사부(130a)가 접지부(130b)보다 큰 체적을 갖는다. In all of the chip antennas shown in FIGS. 7 to 10 , the radiating part 130a has a larger volume than the ground part 130b.

먼저 도 7에 도시된 칩 안테나는 방사부(130a)의 높이가 몸체부(120)나 접지부(130b)의 높이보다 크게 형성된다. 이에 따라 방사부(130a)는 일부가 칩 안테나의 상부로 돌출된다. First, in the chip antenna shown in FIG. 7 , the height of the radiating part 130a is greater than the height of the body part 120 or the ground part 130b. Accordingly, a portion of the radiating unit 130a protrudes above the chip antenna.

도 8에 도시된 칩 안테나는 방사부(130a)의 폭이 접지부(130b)의 폭보다 크게 형성된다. 본 실시예에서는 방사부(130a)의 폭이 접지부(130b)의 2배 정도 크게 형성되는 경우를 예로 들고 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 방사부(130a)의 폭은 접지부(130b)보다 50㎛ 이상 두껍게 형성될 수 있다.In the chip antenna shown in FIG. 8 , the width of the radiating part 130a is larger than the width of the ground part 130b. In the present embodiment, the case where the width of the radiating part 130a is formed to be about twice that of the ground part 130b is exemplified, but the present invention is not limited thereto. For example, the width of the radiating part 130a may be 50 μm or more thicker than the grounding part 130b.

도 9에 도시된 칩 안테나는 방사부(130a)의 두께(t21)가 접지부(130b)의 두께(t22)보다 두껍게 형성된다. 이에 따라 방사부(130a)는 일부가 칩 안테나의 전면 또는 후면으로 돌출된다. In the chip antenna shown in FIG. 9 , the thickness t21 of the radiating part 130a is thicker than the thickness t22 of the ground part 130b. Accordingly, a portion of the radiating unit 130a protrudes toward the front or rear surface of the chip antenna.

도 10에 도시된 칩 안테나는 방사부(130a)는 일부가 몸체부(120)의 상부로 돌출된다. 또한 몸체부(120)의 상부로 돌출된 부분이 접지부(130b) 측으로 확장된다. In the chip antenna shown in FIG. 10 , a portion of the radiating part 130a protrudes above the body part 120 . In addition, the upper portion of the body portion 120 protrudes toward the ground portion (130b).

이에 따라 방사부(130a)는 일부가 몸체부(120)의 제3면으로 연장된다.Accordingly, a portion of the radiation portion 130a extends to the third surface of the body portion 120 .

도 7 내지 도 10에 개시된 칩 안테나들은 전술한 제조 방법과 유사하게 제조될 수 있으며, S3 단계를 수행한 후, 절단 공정(S3 단계)이나 도금 공정(S4 단계)을 수행하기 전에 제1 도체(131)에 돌출된 부분을 추가적으로 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 돌출된 부분은 인쇄공정 또는 도금 공정을 통해 진행될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 별도로 해당 부분을 블록 형태로 제조한 후 제1 도체에 접합하는 등 다양한 방법이 이용될 수 있다.The chip antennas disclosed in FIGS. 7 to 10 may be manufactured similarly to the above-described manufacturing method, and after performing step S3, before performing the cutting process (step S3) or the plating process (step S4), the first conductor ( 131), the step of additionally forming the protruding portion may proceed. The protruding portion may be processed through a printing process or a plating process, but is not limited thereto, and various methods such as separately manufacturing the corresponding portion in a block form and bonding the portion to the first conductor may be used.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 칩 안테나를 도시한 사시도이고, 도 12는 도 11의 II-II′에 따른 단면도이다.11 is a perspective view illustrating a chip antenna according to another embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line II-II′ of FIG. 11 .

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예의 칩 안테나(200)는 몸체부(120)와 방사부(130a) 사이, 그리고 몸체부(120)와 접지부(130b) 사이에 각각 접합부(140)가 배치된다.11 and 12 , the chip antenna 200 of this embodiment has a junction 140 between the body part 120 and the radiation part 130a, and between the body part 120 and the ground part 130b, respectively. is placed

접합부(140)는 제1 도체(131)와 몸체부(120)를 상호 접합한다. 따라서, 방사부(130a)와 접지부(130b)는 접합부(140)를 매개로 하여 몸체부(120)에 접합된다.The joint portion 140 bonds the first conductor 131 and the body portion 120 to each other. Accordingly, the radiation portion 130a and the ground portion 130b are bonded to the body portion 120 via the bonding portion 140 .

접합부(140)는 방사부(130a)와 접지부(130b)를 몸체부(120)에 견고하게 결합시키기 위해 구비된다. The joint portion 140 is provided to firmly couple the radiation portion 130a and the ground portion 130b to the body portion 120 .

따라서 접합부(140)는 방사부(130a), 접지부(130b), 및 몸체부(120)와 용이하게 접합될 수 있는 재질로 형성될 수 있다.Accordingly, the bonding portion 140 may be formed of a material that can be easily bonded to the radiating portion 130a, the grounding portion 130b, and the body portion 120 .

예를 들어 접합부(140)는 Cu, Ti, Pt, Mo, W, Fe, Ag, Au, Cr 중 적어도 하나가 이용될 수 있다. 또한 Ag-paste, Cu-paste, Ag-Cu paste, Ni-Paste, solder paste를 이용하여 형성할 수 있다. For example, at least one of Cu, Ti, Pt, Mo, W, Fe, Ag, Au, and Cr may be used as the junction 140 . It can also be formed using Ag-paste, Cu-paste, Ag-Cu paste, Ni-Paste, and solder paste.

또한 접합부(140)는 유기 화학물, glass, SiO2 및 graphene 또는 graphene oxide 등의 물질로 형성될 수 있다.In addition, the junction 140 may be formed of a material such as an organic chemical, glass, SiO 2 and graphene or graphene oxide.

본 실시예에서 접합부(140)는 10㎛ ~ 50㎛의 폭(W3)으로 형성된다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 방사부(130a)나 접지부(13b)의 폭(W2)보다 작은 범위에서 다양한 폭으로 형성될 수 있다. In this embodiment, the junction 140 is formed to have a width W3 of 10 μm to 50 μm. However, the configuration of the present invention is not limited thereto, and may be formed in various widths within a range smaller than the width W2 of the radiating part 130a or the grounding part 13b.

한편, 본 실시예에서는 접합부(140)가 하나의 층(layer)로 형성되는 경우를 예로 들고 있다. 그러나 필요에 따라 복수의 층을 적층하여 접합부(140)를 형성하는 등 다양한 변형이 가능하다.Meanwhile, in the present embodiment, the case in which the bonding portion 140 is formed as one layer is exemplified. However, various modifications are possible, such as forming the bonding portion 140 by stacking a plurality of layers as needed.

또한 도면에서는 이해의 편의를 위해 접합부(140)의 표면에는 제2 도체(132)가 형성되지 않은 경우를 도시하고 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 접합부(140)의 표면에도 제2 도체(132)가 형성되도록 구성될 수 있다. 이 경우, 제1 도체(131)와 접합부(140)가 형성하는 표면 전체에 제2 도체(132)가 배치되므로, 도 1에 형태로 칩 안테나가 형성되며, 이에 육안으로는 접합부(140)의 유무를 확인하기 어렵다.Also, for convenience of understanding, the drawing shows a case in which the second conductor 132 is not formed on the surface of the junction 140 . However, the present invention is not limited thereto, and the second conductor 132 may also be formed on the surface of the junction 140 . In this case, since the second conductor 132 is disposed on the entire surface formed by the first conductor 131 and the junction 140 , a chip antenna is formed in the form shown in FIG. 1 , and the It is difficult to ascertain whether

도 13은 도 11에 도시된 칩 안테나의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.13 is a view for explaining a method of manufacturing the chip antenna shown in FIG. 11 .

도 13을 참조하면, 도 11에 도시된 칩 안테나(200)의 제조 방법은 유전체(12)를 마련한 후(S1), 유전체(12)의 양면에 접합층(14)을 형성하는 단계(S2)가 수행된다. Referring to FIG. 13 , in the method of manufacturing the chip antenna 200 shown in FIG. 11 , the dielectric 12 is prepared ( S1 ), and then the bonding layer 14 is formed on both surfaces of the dielectric 12 ( S2 ). is performed

접합층(14)은 인쇄, 스퍼터링, 스프레이, 증착 중 어느 하나의 방식으로 접합 물질을 유전체(12)의 양면에 도포하여 형성할 수 있으며, 10㎛ ~ 50㎛의 두께로 형성된다. The bonding layer 14 may be formed by coating a bonding material on both sides of the dielectric 12 by any one of printing, sputtering, spraying, and vapor deposition, and is formed to a thickness of 10 μm to 50 μm.

접합 물질로는 Cu, Ti, Pt, Mo, W, Fe, Ag, Au, Cr 중 적어도 하나가 이용될 수 있다. 또한 Ag-paste, Cu-paste, Ag-Cu paste, Ni-Paste, solder paste 등을 이용하거나, 유기 화학물, glass, SiO2 및 graphene 또는 graphene oxide 등의 물질을 이용할 수 있다.At least one of Cu, Ti, Pt, Mo, W, Fe, Ag, Au, and Cr may be used as the bonding material. In addition, Ag-paste, Cu-paste, Ag-Cu paste, Ni-Paste, solder paste, etc. may be used, or materials such as organic chemicals, glass, SiO 2 and graphene or graphene oxide may be used.

접합층(14)은 후에 칩 안테나의 접합부(140)로 형성된다.The bonding layer 14 is later formed into the bonding portion 140 of the chip antenna.

이어서, 접합층(14) 상에 도체층(13)을 형성한 후(S3), 이를 절단하는 단계(S4)와 제1 도체(131)의 표면에 제2 도체(132)를 형성하는 단계(S5)를 거쳐 도 11에 도시된 칩 안테나를 완성한다. Next, after forming the conductor layer 13 on the bonding layer 14 (S3), cutting it (S4) and forming the second conductor 132 on the surface of the first conductor 131 (S3) Through S5), the chip antenna shown in FIG. 11 is completed.

절단 공정(S4)과 제2 도체(132)를 형성하는 공정(S5)은 각각 전술한 도 6의 S3, S4 공정과 동일하게 수행되므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Since the cutting process ( S4 ) and the process ( S5 ) of forming the second conductor 132 are respectively performed in the same manner as the processes S3 and S4 of FIG. 6 , a detailed description thereof will be omitted.

이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다. 또한 각 실시예들은 서로 조합되어 실시될 수 있다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and variations are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims. It will be apparent to those of ordinary skill in the art. Also, each of the embodiments may be implemented in combination with each other.

100: 칩 안테나
10: 기판
120: 몸체부
130a: 방사부
130b: 접지부
140: 접합부100: chip antenna
10: substrate
120: body part
130a: radiating unit
130b: ground
140: junction

Claims (15)

3GHz 이상 30GHz 이하의 주파수 대역에 이용되는 안테나로,
유전율을 갖는 육면체 형상으로 형성되고, 제1면과 상기 제1면의 반대면인 제2면을 구비하는 몸체부;
육면체 형태로 형성되어 상기 몸체부의 상기 제1면에 결합되는 방사부; 및
육면체 형태로 형성되어 상기 몸체부의 상기 제2면에 결합되는 접지부;
를 포함하고,
상기 방사부와 상기 접지부는
상기 몸체부에 접합되는 제1 도체; 및
상기 제1 도체의 표면에 형성되는 제2 도체;
를 각각 포함하는 칩 안테나.
Antenna used in the frequency band of 3GHz or more and 30GHz or less,
a body portion formed in a hexahedral shape having a dielectric constant and having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
a radiating part formed in a hexahedral shape and coupled to the first surface of the body part; and
a ground portion formed in a hexahedral shape and coupled to the second surface of the body portion;
including,
The radiating part and the ground part
a first conductor joined to the body portion; and
a second conductor formed on a surface of the first conductor;
Chip antenna comprising each.
 제1항에 있어서, 상기 몸체부는,
3.5 이상, 25 이하의 유전율을 갖는 유전체로 구성되는 칩 안테나.
According to claim 1, wherein the body portion,
A chip antenna composed of a dielectric having a dielectric constant of 3.5 or more and 25 or less.
 제1항에 있어서, 상기 방사부와 상기 접지부는,
각각 폭이 100㎛ 이상, 500㎛ 이하의 범위로 형성되는 칩 안테나.
The method of claim 1, wherein the radiation unit and the ground unit,
Chip antennas each having a width of 100 μm or more and 500 μm or less.
 제3항에 있어서,
상기 제1 도체와 상기 몸체부 사이에 배치되어 상기 제1 도체와 상기 몸체부를 상호 접합하는 접합부를 더 포함하는 칩 안테나.
4. The method of claim 3,
and a junction part disposed between the first conductor and the body part to bond the first conductor and the body part to each other.
 제1항에 있어서, 상기 방사부와 상기 접지부는,
동일한 폭으로 형성되는 칩 안테나.
The method of claim 1, wherein the radiation unit and the ground unit,
Chip antennas formed with the same width.
 제1항에 있어서, 상기 방사부는,
상기 접지부의 폭보다 큰 폭으로 형성되는 칩 안테나.
According to claim 1, wherein the radiation unit,
A chip antenna formed with a width greater than a width of the ground portion.
 제1항에 있어서, 상기 방사부와 상기 접지부는,
두께 또는 높이가 다르게 형성되는 칩 안테나.
The method of claim 1, wherein the radiation unit and the ground unit,
Chip antennas of different thickness or height.
 제1항에 있어서, 상기 칩 안테나는
육면체 형상으로 형성되며 긴 변의 길이가 2mm 이하로 형성되는 칩 안테나.
The method of claim 1, wherein the chip antenna
A chip antenna that is formed in a hexahedral shape and the length of the long side is 2mm or less.
 제3항에 있어서,
상기 방사부와 상기 접지부의 높이는 상기 몸체부의 높이보다 크게 형성되는 칩 안테나.
4. The method of claim 3,
The height of the radiating part and the ground part is formed to be greater than the height of the body part.
 제3항에 있어서,
상기 방사부와 상기 접지부의 두께는 상기 몸체부의 두께보다 크게 형성되는 칩 안테나.
4. The method of claim 3,
The thickness of the radiating part and the ground part is formed to be greater than the thickness of the body part.
 유전체를 마련하는 단계;
인쇄 공정 또는 도금 공정을 통해 상기 유전체의 양면에 도체층을 형성하는 단계;
상기 도체층이 형성된 유전체를 다수개의 칩 안테나로 절단하는 단계; 및
상기 도체층의 표면에 제2 도체를 형성하는 단계;
를 포함하는 칩 안테나 제조 방법.
providing a dielectric;
forming a conductive layer on both sides of the dielectric through a printing process or a plating process;
cutting the dielectric on which the conductor layer is formed into a plurality of chip antennas; and
forming a second conductor on the surface of the conductor layer;
A method of manufacturing a chip antenna comprising a.
 제11항에 있어서, 상기 도체층을 형성하는 단계는,
상기 유전체의 양면에 100㎛ 이상, 500㎛ 이하의 두께로 도체층을 형성하는 단계인 칩 안테나 제조 방법.
The method of claim 11, wherein the forming of the conductor layer comprises:
A method of manufacturing a chip antenna comprising forming a conductor layer with a thickness of 100 μm or more and 500 μm or less on both surfaces of the dielectric.
 제11항에 있어서, 상기 제2 도체는,
도금 공정을 통해 Ni/Sn 또는 Zn/Sn으로 형성되는 칩 안테나 제조 방법.

12. The method of claim 11, wherein the second conductor,
A method of manufacturing a chip antenna formed of Ni/Sn or Zn/Sn through a plating process.

 제11항에 있어서, 상기 도체층을 형성하는 단계 이전에,
유전체의 양면에 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 칩 안테나 제조 방법.
12. The method of claim 11, wherein before the step of forming the conductor layer,
The method of manufacturing a chip antenna further comprising the step of forming a bonding layer on both surfaces of the dielectric.
 제14항에 있어서, 상기 접합층은,
인쇄, 스퍼터링, 스프레이, 증착 중 어느 하나의 방식으로 형성되며, 접합 10㎛ 이상, 50㎛ 이하의 두께로 형성되는 칩 안테나 제조 방법.
15. The method of claim 14, wherein the bonding layer,
A method of manufacturing a chip antenna formed by any one of printing, sputtering, spraying, and vapor deposition, and forming a bonding thickness of 10 μm or more and 50 μm or less.
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