KR102430331B1 - 실리콘 분산 브래그 반사기 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실리콘 분산 브래그 반사기 및 그 제조방법에 관한 것으로로, 실리콘 기판에 실리콘 산화막과 실리콘층을 반복 적층하거나 에어층과 실리콘층이 반복 적층하여 반사층을 형성함으로써, 기존의 실리콘 공정과 호환 가능하며 가시광선 대역에서 99% 이상의 높은 반사율을 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

실리콘 분산 브래그 반사기 및 그 제조방법{Si DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 실리콘 기반의 분산 브래그 반사기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가시광선 대역에서 높은 반사율을 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기 및 그 제조방법에 관한 것이다.

광학소자의 효율을 높이기 위해서는 광원에 대한 효율이 높아야 한다. 이를 높이기 위해, 최근에는 빛이 들어가는 수직방향으로 분산 브래그 반사기를 이용하여 소자의 효율을 높이려 하고 있다. 특히, 가시광선에서의 높은 효율을 가지기 위많은 연구가 진행이 되고 있다.

한국 등록특허 제10-1712543호에서는 분산 브래그 반사기 하부에 금속층을 형성하는 기술이 개시되어 있고, 한국 공개특허 제10-2014-0012177호에서는 분산 브래그 반사기 하부에 금속층을 포함하며 고 굴절률 유전체층과 저 굴절률 유전체층을 반복 적층하는 기술이 개시되어 있다.

그러나, 상기 기술들은 기존의 실리콘 공정과 호환하기 어려운 문제점이 있다.

따라서 본 발명은 기존의 실리콘 공정과 호환 가능하며 가시광선 대역에서 높은 반사율을 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기는 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판에 연이어 실리콘 산화막과 실리콘층이 반복 적층된 복수개의 반사층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 반사층은 상기 실리콘 산화막과 상기 실리콘층을 한 쌍으로 하여 4개 쌍 이상 반복 적층된 것일 수 있다. 상기 실리콘 산화막은 90~100 nm의 두께를 갖고, 상기 실리콘층은 30~40 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 실리콘층은 폴리실리콘층일 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기는 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판에 연이어 에어층과 실리콘층이 반복 적층된 복수개의 반사층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 반사층은 상기 에어층과 상기 실리콘층을 한 쌍으로 하여 4개 쌍 이상 반복 적층된 것일 수 있다. 상기 에어층은 120~130 nm의 두께를 갖고, 상기 실리콘층은 25~35 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 실리콘층은 폴리실리콘층일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기의 제조방법은 실리콘 기판에 실리콘 산화막 형성 공정과 실리콘 증착 공정을 교대로 반복하여 실리콘 산화막과 실리콘층이 반복 적층된 복수개의 반사층을 형성하는 제 1 단계; 및 열공정을 진행하여 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 결정성을 높이는 제 2 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 습식 산화공정(Wet Oxidation)이고, 상기 실리콘 증착 공정은 고밀도플라즈마화학기상증착(HDPCVD) 공정일 수 있다. 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 상기 습식 산화공정으로 실리콘 산화막을 형성한 후 24시간 동안 900 ℃에서 열공정을 더 진행할 수 있다.

다른 방법으로, 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 600~900℃ 범위에서 열공정으로, 상기 실리콘 증착 공정은 저압화학기상증착(LPCVD) 공정일 수 있다.

상기 제 2 단계의 열공정은 900 ℃에서 24시간 진행할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기의 제조방법은 실리콘 기판에 실리콘 산화막 형성 공정과 실리콘 증착 공정을 교대로 반복하여 실리콘 산화막과 실리콘층을 반복 적층하는 제 1 단계; 및 HF으로 상기 실리콘 산화막을 제거하여 이웃한 실리콘층 사이에 에어층을 형성하는 제 2 단계; 및 열공정을 진행하여 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 결정성을 높이는 제 3 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

본 발명은 실리콘 기판에 실리콘 산화막과 실리콘층을 반복 적층하거나 에어층과 실리콘층이 반복 적층하여 반사층을 형성함으로써, 기존의 실리콘 공정과 호환 가능하며 가시광선 대역에서 99% 이상의 높은 반사율을 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기를 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 이를 통해 실리콘 CMOS 기술과 집적이 가능한 실리콘 포토닉스의 기술 영역을 확장할 수 있으며 광검출기 및 LED와 레이저 등 광학 수동 및 능동 소자에 모두 결합하여 사용할 수가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기의 핵심 구성을 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기의 핵심 구성을 보여주는 사시도이다.
도 3은 열공정 온도에 따른 실리콘의 굴절률을 보여주는 그래프이다.
도 4는 실리콘 산화막의 증착방법에 따른 실리콘 산화막의 굴절률을 보여주는 그래프이다.
도 5는 실리콘 산화막의 증착방법에 따른 실리콘 산화막의 균일도와 증착시간을 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 1의 실리콘 분산 브래그 반사기에 대한 파장에 따른 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 7은 도 1의 구조에서 실리콘 산화막은 95 nm, 실리콘층은 35 nm의 두께를 가질 때, 쌍의 개수에 따른 반사율의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 1의 구조에서 실리콘 산화막의 두께가 95 nm일 때, 실리콘층의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다.
도 9는 도 1의 구조에서 실리콘층의 두께가 35 nm일 때, 실리콘 산화막의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 2의 구조에서 에어층은 125 nm, 실리콘층은 30 nm의 두께를 가질 때, 쌍의 개수에 따른 반사율의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 11은 도 2의 구조에서 에어층의 두께가 125 nm일 때, 실리콘층의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다.
도 12는 도 1의 구조에서 실리콘층의 두께가 30 nm일 때, 에어층의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다.
도 13은 도 1의 구조에서 실리콘 산화막의 두께가 95 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 실리콘층의 두께 변화를 보여주는 그래프이다.
도 14는 도 1의 구조에서 실리콘층의 두께가 35 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 실리콘 산화막의 두께 변화를 보여주는 그래프이다.
도 15는 도 2의 구조에서 에어층의 두께가 125 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 실리콘층의 두께 변화를 보여주는 그래프이다.
도 16는 도 2의 구조에서 실리콘층의 두께가 30 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 에어층의 두께 변화를 보여주는 그래프이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하며 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.

우선, 본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기는 기본적으로, 도 1과 같이, 실리콘 기판(10); 및 상기 실리콘 기판(10)에 연이어 실리콘 산화막(20)과 실리콘층(30)이 반복 적층된 복수개의 반사층(41, 42, 43, 44)을 포함하여 구성된다.

본 실시예는 실리콘 기판(10)에 바로 연이어 반복 적층된 실리콘 산화막(20)과 실리콘층(30)으로 복수개의 반사층(41, 42, 43, 44)을 이루는 것이어서, 기존의 실리콘 공정과 호환 가능하게 된다.

여기서, 상기 반사층은 실리콘 산화막(예컨대, SiO₂)과 실리콘층을 한 쌍으로 하여, 도 1과 같이, 4개 쌍 이상 반복 적층된 것(41, 42, 43, 44)이 바람직하다. 도 7에 의하면, 반사층을 이루는 실리콘 산화막(20)과 실리콘층(30)의 쌍(pair)의 개수가 많을수록 반사율이 높음을 알 수 있다. 도 7에서 쌍이 1개인 경우를 제외하고, 특히 4개 이상일 경우 가시광선 대역에서 99% 이상의 반사율을 가짐을 확인할 수 있다.

상기 실리콘 산화막(20)은 90~100 nm의 두께를 갖고, 상기 실리콘층(30)은 30~40 nm의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 이는 도 13 및 도 14를 참조하면, 가시광선 대역에서 99% 이상의 반사율을 가지는 실리콘 산화막(20)과 실리콘층(30)의 두께 변화는 각각 95 nm와 35 nm에서 적어도 ±5 nm 범위 내임을 알 수 있기 때문이다.

상기 실리콘층(30)은 실리콘계 물질이면 어느 것도 가능하나 반사도를 높이기 위해서는 결정도가 높은 폴리실리콘층으로 함이 바람직하다.

본 발명의 다른 실시예에 의한 실리콘 분산 브래그 반사기는 기본적으로, 도 2와 같이, 실리콘 기판(10); 및 상기 실리콘 기판(10)에 연이어 에어층(22)과 실리콘층(30)이 반복 적층된 복수개의 반사층(41, 42, 43, 44)을 포함하여 구성된다.

본 실시예는 실리콘 기판(10)에 바로 연이어 반복 적층된 에어층(22)과 실리콘층(30)으로 복수개의 반사층(41, 42, 43, 44)을 이루는 것이어서, 기존의 실리콘 공정과 호환 가능하게 된다.

여기서, 상기 반사층은 에어층(Air layer)과 실리콘층을 한 쌍으로 하여, 도 2와 같이, 4개 쌍 이상 반복 적층된 것(41, 42, 43, 44)이 바람직하다. 도 10에 의하면, 반사층을 이루는 에어층(22)과 실리콘층(30)의 쌍(pair)의 개수가 많을수록 반사율이 높음을 알 수 있다. 도 10에서 쌍이 1개인 경우를 제외하고, 특히 4개 이상일 경우 가시광선 대역에서 99% 이상의 반사율을 가짐을 확인할 수 있다.

상기 에어층(22)은 120~130 nm의 두께를 갖고, 상기 실리콘층(30)은 25~35 nm의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 이는 도 15 및 도 16을 참조하면, 가시광선 대역에서 99% 이상의 반사율을 가지는 에어층(22)과 실리콘층(30)의 두께 변화는 각각 125 nm와 30 nm에서 적어도 ±5 nm 범위 내임을 알 수 있기 때문이다.

상기 실리콘층(30)은 실리콘계 물질이면 어느 것도 가능하나 반사도를 높이기 위해서는 결정도가 높은 폴리실리콘층으로 함이 바람직하다.

다음은 상술한 실리콘 분산 브래그 반사기를 제조방법에 대하여 설명한다.

먼저, 도 1의 구조를 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기를 제조함에 있어, 실리콘 기판(10)에 실리콘 산화막 형성 공정과 실리콘 증착 공정을 교대로 반복하여 실리콘 산화막(20)과 실리콘층(30)이 반복 적층된 복수개의 반사층(41, 42, 43, 44)을 형성하는 제 1 단계; 및 열공정을 진행하여 상기 실리콘층(30)을 폴리실리콘층으로 결정성을 높이는 제 2 단계를 포함하여 진행함이 바람직하다.

이렇게 함으로써, 동일한 실리콘 기판(10)에 도 1의 구조를 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기 뿐만 아니라 이를 제어하는 회로 소자도 같은 실리콘 공정을 이용하여 함께 제조할 수 있는 장점이 있다.

여기서, 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 습식 산화공정(Wet Oxidation)이고, 상기 실리콘 증착 공정은 고밀도플라즈마화학기상증착(HDPCVD) 공정으로 함이 바람직하다.

도 5는 다른 증착 방법에서 얻은 SiO₂의 균일도와 증착 시간 간의 상관 관계를 보여준다. 원하는 두께를 얻기 위해서 가장 짧은 공정 시간을 가지는 방법은 PECVD이나 균일도가 좋지 못함을 알 수 있다. 가장 우수한 균일도를 보인 공정은 wet oxidation이다. 다만, 이 경우 공정 시간이 길고 공정 과정에 있어 실리콘을 소모하므로 LPCVD로 증착되는 실리콘을 층마다 정확히 계산해야 하는 어려움이 따른다. uniformity와 공정 시간을 고려할 때 가장 적합한 방법은 HDPCVD임을 알 수 있다.

실시예에 따라, 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 상기 습식 산화공정으로 실리콘 산화막을 형성한 후 24시간 동안 900 ℃에서 열공정을 더 진행할 수 있다.

도 3은 LPCVD(저압화학기상증착)로 실리콘 단일 박막 증착 공정을 진행한 후 500 ℃에서 900 ℃의 범위에서 열공정을 진행했을 때의 굴절률을 보인 것이고, 도 4는 PECVD, HDPCVD, Dry oxidation, Wet Oxidation을 이용하여 단일 박막으로 실리콘 산화막(SiO₂)을 제작한 뒤 24시간 동안 900 ℃ 공정을 진행한 뒤 굴절률을 측정한 결과도이다.

열예산을 고려하면 900 ℃에서 증착한다면 이후 상부 소자 공정에서 사용할 수 있는 온도 범위가 그만큼 넓어지므로 바람직하게 된다.

도 3과 도 4를 참작하여, 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 600~900℃ 범위에서 열공정으로, 상기 실리콘 증착 공정은 저압화학기상증착(LPCVD) 공정으로 진행할 수도 있고, 상기 제 2 단계의 열공정은 900 ℃에서 24시간 진행하는 것이 바람직하다.

다음, 도 2의 구조를 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기의 제조방법에 대하여 설명한다.

먼저, 도 1과 같이, 실리콘 기판(10)에 실리콘 산화막 형성 공정과 실리콘 증착 공정을 교대로 반복하여 실리콘 산화막(20)과 실리콘층(30)을 반복 적층하는 제 1 단계를 진행하고, 이어 HF으로 상기 실리콘 산화막(20)을 제거하여 이웃한 실리콘층(30) 사이에 에어층(22)을 형성하는 제 2 단계를 진행한다. 이후, 열공정을 진행하여 상기 실리콘층(30)을 폴리실리콘층으로 결정성을 높이는 제 3 단계를 포함하여 진행함이 바람직하다.

이렇게 함으로써, 동일한 실리콘 기판(10)에 도 2의 구조를 갖는 실리콘 분산 브래그 반사기 뿐만 아니라 이를 제어하는 회로 소자도 같은 실리콘 공정을 이용하여 함께 제조할 수 있는 장점이 있다.

여기서도 상기 실리콘 산화막 형성 공정은 습식 산화공정(Wet Oxidation)이고, 상기 실리콘 증착 공정은 고밀도플라즈마화학기상증착(HDPCVD) 공정으로 함이 바람직하다.

상기 실리콘 산화막 형성 공정은 600~900℃ 범위에서 열공정으로, 상기 실리콘 증착 공정은 저압화학기상증착(LPCVD) 공정으로 진행할 수 있고, 상기 제 3 단계의 열공정은 900 ℃에서 24시간 진행하는 것이 바람직하다.

도 6은 도 1의 실리콘 분산 브래그 반사기에 대한 파장에 따른 반사율을 보여준다. 실리콘 기판(10)으로부터 4개 쌍(pair)의 실리콘 산화막(20)/실리콘층(30)을 반복하여 증착하여 반사층을 형성하였으며, 각 곡선은 입사광 파장의 1/4에 해당하는 두께를 갖는 구조로부터의 얻은 결과이다. 가시광선 대역인 400 ~ 700 nm 에서 가장 넓은 반사율을 가질 때의 파장대는 550 nm의 광원이 입사됨을 가정하여 설계했을 때이고, 이 때 실리콘층(30)은 35 nm, 실리콘 산화막(SiO₂층, 30)은 95 nm의 두께로 하였다.

도 7은 도 1의 구조에서 실리콘 산화막은 95 nm, 실리콘층은 35 nm의 두께를 가질 때, 쌍의 개수에 따른 반사율의 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서, 쌍(pair)의 개수를 1개에서 8개까지 늘리면서 반사율(reflectivity)을 확인한 결과. pair의 수가 4개 이상이 되면 대략 가시광선 대역에서 99% 이상의 반사율을 가지는 것을 확인할 수 있다.

도 8은 도 1의 구조에서 실리콘 산화막의 두께가 95 nm일 때, 실리콘층의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서, 실리콘층이 두꺼워짐에 따라 파란색 광원(445 nm)의 반사율은 35% 이하로 감소하고, 초록색 광원(525 nm)과 빨강색 광원(638 nm)에 대해서는 99.8% 이상의 높음 반사율을 가짐을 확인할 수 있다.

도 9는 도 1의 구조에서 실리콘층의 두께가 35 nm일 때, 실리콘 산화막의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서는, SiO₂층이 두꺼워짐에 따라 파란색 광원(445 nm)의 반사율은 15% 이하로 감소하고 초록색 광원(525 nm)과 빨강색 광원(638 nm)에 대해서는 99.8% 이상의 높음 반사율을 가짐을 확인할 수 있다.

도 12는 도 1의 구조에서 실리콘층의 두께가 30 nm일 때, 에어층의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다. 세 광원에 대하여 모두 99.9% 이상의 높은 반사율을 가짐을 확인할 수 있다.

도 13은 도 1의 구조에서 실리콘 산화막의 두께가 95 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 실리콘층의 두께 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서, 수직선이 나타내는 범위는 SiO₂층의 두께가 95 nm로 고정된 상황에서 실리콘층의 두께 변화에 따른 반사율이 99% 이상의 구간을 나타낸다. 실리콘층 두께가 35 nm 이상에서는 가시광선을 벗어나는 구간의 크기가 커짐을 확인할 수 있다.

도 14는 도 1의 구조에서 실리콘층의 두께가 35 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 실리콘 산화막의 두께 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서, 수직선은 실리콘 층의 두께가 35 nm일 때, SiO₂ 층의 두께 변화에 따른 반사율이 99% 이상되는 파장 대역을 보여준다. SiO₂층이 두꺼워짐에 따라 가시광선 대역을 벗어나는 양이 증가하나 실리콘층 두께 변화에 결과에 비해서는 비교적 완만함을 확인할 수 있다.

한편, 도 2의 구조와 관련된 그래프를 살펴보면, 도 10은 도 2의 구조에서 에어층은 125 nm, 실리콘층은 30 nm의 두께를 가질 때, 쌍의 개수에 따른 반사율의 변화를 보여주는 그래프이다. 쌍(pair)의 개수가 4개 이상부터는 가시광선 대역에서 99% 이상의 반사율을 가지는 것을 확인할 수 있다.

도 11은 도 2의 구조에서 에어층의 두께가 125 nm일 때, 실리콘층의 두께 변화에 따른 RGB 광원에 대한 반사율 변화를 보여주는 그래프이다. 세 광원에 대하여 모두 99.9% 이상의 높은 반사율을 가짐을 확인할 수 있다.

도 15는 도 2의 구조에서 에어층의 두께가 125 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 실리콘층의 두께 변화를 보여주는 그래프이다. 수직선은 반사율이 99% 이상인 파장대를 나타낸다. 여기서, 실리콘층의 두께에 ±5 nm 오차가 발생하더라도 가시광선 대역 거의 모든 영역에 대하여 99% 이상의 반사도를 보임을 확인할 수 있다.

도 16는 도 2의 구조에서 실리콘층의 두께가 30 nm일 때, 반사율 99% 이상을 갖는 에어층의 두께 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서도 수직선은 반사율이 99% 이상인 파장대를 나타낸다. 에어갭 즉 에어층의 두께에 ±5 nm 오차가 발생하더라도 가시광선의 대역 거의 모든 영역에 대하여 99% 이상의 반사도를 보임을 확인할 수 있다. 특히, 변화 기울기는 실리콘층 두께 변화의 경우에 비하여 완만함을 알 수 있다.

이상으로, 첨부된 도면을 중심으로 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 상술한 실시예에 한정되지 아니하고 다양하게 응용하여 실시될 수 있다. 예를 들면, 실리콘 기판에 연이어 실리콘 산화막보다 굴절률이 작고 공기(air)보다 굴절률이 큰 유전층이 실리콘층과 반복 적층된 복수개의 반사층을 포함하는 것으로 본 발명의 실리콘 분산 브래그 반사기를 구성할 수도 있다. 여기서, 상기 유전층은 공기(air)와 실리콘 산화막(SiO₂)사이의 굴절률을 갖고 기존의 실리콘 공정으로 실리콘층과 반복 적층할 수 있는 물질이면 어느 것이나 가능하다. 예컨대, 실리콘 산화막(SiO₂)보다 낮은 유전율을 갖는 low-k 유전박막들이 이에 해당될 수 있다.

10: 실리콘 기판 20: 실리콘 산화막
22: 에에층 30: 실리콘층
41, 42, 43, 44: 반사층

Claims (18)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 실리콘 기판; 및
   상기 실리콘 기판에 연이어 에어층과 실리콘층이 반복 적층된 복수개의 반사층을 포함하여 구성되되,
   상기 에어층은 120~130 nm의 두께를 갖고,
   상기 실리콘층은 25~35 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 분산 브래그 반사기.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 반사층은 상기 에어층과 상기 실리콘층을 한 쌍으로 하여 4개 쌍 이상 반복 적층된 것을 특징으로 하는 실리콘 분산 브래그 반사기.
   
7. 삭제
8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
   상기 실리콘층은 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 실리콘 분산 브래그 반사기.
   
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 실리콘 기판에 실리콘 산화막 형성 공정과 실리콘 증착 공정을 교대로 반복하여 실리콘 산화막과 실리콘층이 반복 적층된 복수개의 반사층을 형성하는 제 1 단계; 및
    열공정을 진행하여 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 결정성을 높이는 제 2 단계를 포함하여 구성되되,
    상기 제 2 단계의 열공정은 900 ℃에서 24시간 진행하고,
    상기 실리콘 산화막 형성 공정은 600~900℃ 범위에서 열공정으로, 상기 실리콘 증착 공정은 저압화학기상증착(LPCVD) 공정으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 분산 브래그 반사기의 제조방법.
    
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제
16. 실리콘 기판에 실리콘 산화막 형성 공정과 실리콘 증착 공정을 교대로 반복하여 실리콘 산화막과 실리콘층을 반복 적층하는 제 1 단계; 및
    HF으로 상기 실리콘 산화막을 제거하여 이웃한 실리콘층 사이에 에어층을 형성하는 제 2 단계; 및
    열공정을 진행하여 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 결정성을 높이는 제 3 단계를 포함하여 구성되되,
    상기 제 3 단계의 열공정은 900 ℃에서 24시간 진행하고,
    상기 실리콘 산화막 형성 공정은 600~900℃ 범위에서 열공정으로, 상기 실리콘 증착 공정은 저압화학기상증착(LPCVD)으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 분산 브래그 반사기의 제조방법.
17. 삭제
18. 삭제

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