KR102418948B1 - 기판 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배기관을 통해 배기되는 배기가스의 외부 누출을 방지하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 시스템은 기판에 대한 처리 공간을 제공하는 공정 튜브; 및 상기 공정 튜브의 배기 포트에 연결되어, 상기 처리 공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기 모듈;을 포함하고, 상기 배기 모듈은, 상기 배기 포트에 연결되는 배기관; 상기 배기관의 적어도 일부를 수용하는 기밀 케이스; 및 상기 기밀 케이스에 제공되며, 상기 기밀 케이스의 내부를 배기하는 국소 배기부를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 시스템{System for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배기관을 통해 배기되는 배기가스의 외부 누출을 방지하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 기판 처리 방식에는 하나의 기판에 대하여 기판 처리 공정을 수행할 수 있는 매엽식(Single Wafer Type)과 복수개의 기판에 대하여 기판 처리 공정을 동시에 수행할 수 있는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식은 설비의 구성이 간단한 이점이 있으나, 생산성이 떨어지는 문제로 인해 대량 생산이 가능한 배치식이 많이 사용되고 있다.
기판 처리 시스템에서 기판 처리를 위한 공정 가스로 화학물질이 사용될 수 있으며, 이러한 화학물질은 독성, 가연성, 부식성, 지연성 등이 있을 수 있고, 인체에 유해할 수도 있다.
종래의 기판 처리 시스템에서는 공정 튜브의 공정 잔류물을 배기하는 배기관의 적어도 일부가 노출되어 있었으며, 배기관으로 배기되는 공정 잔류물에도 독성 등이 있는 화학물질이 포함되어 있을 수 있어 배기관에 배기가스의 누출이 발생하게 되면 화학물질에 의한 안전사고가 발생할 수 있다.
특히, 공정 튜브의 배기포트와 배기관 사이 및/또는 배기관들 사이에 실링(sealing)을 위해 개재되는 오링(O-ring) 등의 연결부는 장시간 사용 및/또는 열에 의해 변형 및/또는 손상되어 틈새(leak)가 발생할 수 있고, 이러한 틈새로 배기가스의 누출이 발생할 수 있다.
배기가스의 누출 시에는 인체에 유해할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 제조설비(FAB) 내의 수십, 수백대의 모든 장치가 작동 중지(Shut Down)되어야 하는 문제도 발생하게 된다.
공개특허 제10-2012-0074326호
본 발명은 배기관을 케이싱하여 배기가스의 외부 누출을 방지할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 시스템은 기판에 대한 처리 공간을 제공하는 공정 튜브; 및 상기 공정 튜브의 배기 포트에 연결되어, 상기 처리 공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기 모듈;을 포함하고, 상기 배기 모듈은, 상기 배기 포트에 연결되는 배기관; 상기 배기관의 적어도 일부를 수용하는 기밀 케이스; 및 상기 기밀 케이스에 제공되며, 상기 기밀 케이스의 내부를 배기하는 국소 배기부를 포함할 수 있다.
상기 배기 모듈은 상기 기밀 케이스에 제공되어 상기 배기관의 배기가스 누출을 감지하는 누출 감지부를 더 포함할 수 있다.
상기 배기 모듈은 상기 배기관과 상기 공정 튜브의 배기 포트를 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.
상기 연결부는, 상기 공정 튜브에 제공되는 제1 플랜지; 상기 배기관의 일단에 제공되는 제2 플랜지; 및 상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지의 사이에 제공되는 실링부재를 포함할 수 있다.
상기 연결부는 신축성을 갖는 벨로우즈를 더 포함할 수 있다.
상기 배기관은 상기 배기 포트에 연결되어 제1 방향으로 연장되는 제1 배기관을 포함하고, 상기 기밀 케이스는 상기 제1 배기관을 수용하는 제1 케이싱부를 포함할 수 있다.
상기 공정 튜브의 하부에 제공되는 하부챔버;를 더 포함하고, 상기 배기관은 상기 제1 배기관에 연결되어 하부방향으로 연장되는 제2 배기관을 더 포함하며, 상기 기밀 케이스는 상기 하부챔버와 이격되며, 상기 제2 배기관을 수용하는 제2 케이싱부를 더 포함할 수 있다.
복수의 기판이 다단으로 적재되어, 상기 공정 튜브에 수용되는 기판 보트;를 더 포함할 수 있다.
상기 공정 튜브는 복수개로 구성되어 상기 배기관의 연장방향과 교차하는 방향으로 배열되고, 상기 배기 모듈은 각 상기 공정 튜브에 각각 제공될 수 있다.
각 상기 배기 모듈의 배기관은 서로 나란히 제공될 수 있다.
각 상기 공정 튜브에 각각 제공되며, 서로 대칭적으로 배치되는 복수의 가스공급 모듈;을 더 포함할 수 있다.
각 상기 배기 모듈의 적어도 일부는 상기 복수의 가스공급 모듈의 사이에 배치될 수 있다.
상기 복수의 가스공급 모듈과 상기 배기 모듈은 적어도 부분적으로 나란히 배치될 수 있다.
상기 배기 모듈은 상기 국소 배기부와 연결되어 누출된 배기가스를 희석하는 누출가스 희석부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템은 배기관을 기밀 케이스로 케이싱하고 국소 배기부를 통해 기밀 케이스의 내부를 배기함으로써, 배기관에 틈새(leak)가 발생하더라도 배기가스가 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 배기가스에 포함된 화학물질로 인한 안전사고를 예방할 수 있고, 배기가스의 누출로 인해 반도체 제조설비(FAB) 내의 모든 장치가 작동 중지(Shut Down)되는 상황을 방지할 수도 있다.
또한, 기밀 케이스에 누출 감지부를 제공하여 배기가스의 누출을 감지함으로써, 배기관으로부터 누출된 배기가스를 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 배기관 및/또는 연결부의 틈새 발생을 파악하여 배기가스의 누출이 발생하고 있는 상태로 기판 처리 시스템이 계속 가동되지 않을 수 있도록 배기관 및/또는 연결부를 유지보수(maintenance)할 수도 있다.
그리고 서로 독립적인 처리 공간을 제공하는 복수개의 공정 튜브를 통해 기판 처리량을 향상시킬 수도 있으며, 각 공정 튜브의 제1 방향에 복수의 가스공급 모듈을 대칭적으로 배치하여 복수의 가스공급 모듈 간의 사이 공간 및/또는 기밀 케이스와 가스공급 모듈의 이격 공간에 유지보수 공간(maintenance space)을 제공할 수도 있다.
한편, 공정 튜브의 배기 포트에는 공정 튜브, 배기 모듈 등의 유지보수를 위해 상이한 소재로 이루어진 배기관이 빈번하게 결합 및 분리되는데, 공정 튜브의 배기 포트와 배기관 사이에 벨로우즈(bellows)를 제공하여 상이한 소재로 이루어진 공정 튜브의 배기 포트와 배기관이 부딪히는 것을 방지할 수 있고, 가압 등의 충격으로 인해 공정 튜브의 배기 포트 및/또는 배기관이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 개략사시도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 하부챔버를 설명하기 위한 개념도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼 기판 처리 시스템을 나타낸 결합사시도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼 기판 처리 시스템을 나타낸 평면도.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 개략사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 시스템(100)은 기판(10)에 대한 처리 공간을 제공하는 공정 튜브(110); 및 상기 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)에 연결되어, 상기 처리 공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기 모듈(120);을 포함할 수 있다.
공정 튜브(110)는 기판(10)에 대한 처리 공간을 제공할 수 있으며, 상기 처리 공간에서 단일 또는 복수의 기판(10)에 대한 처리 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 공정 튜브(110)는 상부가 폐쇄되고 하부가 개방된 원통 형태로 석영(quartz) 또는 세라믹 등의 내열성 재료로 형성될 수 있고, 내부에 복수의 기판(10)이 수용되어 처리될 수 있다. 여기서, 상기 처리 공간은 복수의 기판(10)이 공정 튜브(110)의 길이방향으로 적층된 기판 보트(115)를 수용하고, 실제 처리공정(예를 들어, 증착 공정)이 이루어지는 공간일 수 있다.
배기 모듈(120)은 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)에 연결될 수 있고, 상기 처리 공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기할 수 있다. 예를 들어, 배기관(121)이 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)와 연통될 수 있으며, 이를 통해 상기 처리 공간으로부터 상기 공정 잔류물이 배출될 수 있고, 외부로 배기될 수 있다.
여기서, 배기 모듈(120)은 배기 포트(111)에 연결되는 배기관(121); 배기관(121)의 적어도 일부를 수용하는 기밀 케이스(122); 및 기밀 케이스(122)에 제공되며, 기밀 케이스(122)의 내부를 배기하는 국소 배기부(123)를 포함할 수 있다. 배기관(121)은 배기 포트(111)에 연결될 수 있으며, 상기 처리 공간으로부터 배기 포트(111)를 통해 상기 공정 잔류물이 배출될 수 있는 경로를 제공할 수 있고, 이를 통해 상기 공정 잔류물을 포함하는 배기가스를 배기시킬 수 있다.
기밀 케이스(122)는 배기관(121)의 적어도 일부를 수용할 수 있으며, 배기관(121)으로부터 누출되는 배기가스가 외부 환경(예를 들어, 반도체 제조설비(FAB)의 작업 공간)으로 빠져나오는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해 상기 배기가스가 배기관(121)에서 누출되더라도 누출된 배기가스가 외부 환경의 작업자 및/또는 장치(들)에 영향 또는 손상(damage)을 주는 것을 예방할 수 있다.
국소 배기부(123)는 기밀 케이스(122)에 제공될 수 있으며, 기밀 케이스(122)의 내부를 배기할 수 있다. 예를 들어, 국소 배기부(123)는 상기 누출된 배기가스를 기밀 케이스(122)의 내부에서 배기시킬 수 있으며, 기밀 케이스(122)의 내부에 배기가스가 포화가 되는 것을 방지할 수 있고, 상기 누출된 배기가스가 배기관(121)의 외벽 및/또는 기밀 케이스(122)의 내벽에 손상 등을 주는 것을 방지할 수도 있다. 또한, 상기 누출된 배기가스를 기밀 케이스(122)의 내부에서 배기시켜 제거함으로써, 누출이 발생된 부분을 유지보수(maintenance)할 수도 있다. 여기서, 기밀 케이스(122)의 내부에서 상기 누출된 배기가스가 완전히 제거된 후에 기밀 케이스(122)를 열어(open) 기밀 케이스(122) 내부의 누출이 발생된 배기관(121), 연결부(125) 등을 유지보수할 수 있다. 한편, 국소 배기부(123)는 기밀 케이스(122)의 내부를 배기시켜 기밀 케이스(122)의 내부를 진공상태로 유지할 수도 있으며, 기밀 케이스(122)의 내부 압력(또는 기압)을 낮게 유지하여 가스 자체가 기밀 케이스(122)의 내부에서 외부로 유출되는 것을 원천적으로 차단할 수도 있다.
기판 처리 시스템(100)에서는 기판 처리를 위한 공정 가스로 독성, 가연성, 부식성, 지연성 등이 있고 인체에 유해할 수도 있는 화학물질이 사용될 수 있으며, 배기관(121)으로 배출되는 공정 잔류물에도 독성(toxic) 등이 있는 화학물질(예를 들어, DCS, NH3, F2 등)이 포함될 수 있고, 상기 공정 잔류물을 포함하는 배기가스가 배기관(121)으로부터 누출되어 외부 환경으로 빠져나오게 되는 경우에는 화학물질에 의한 안전사고가 발생할 수 있다. 또한, 배기가스의 누출 시에는 인체에 유해할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 제조설비(FAB) 내의 수십, 수백대의 모든 장치가 작동 중지(Shut Down)되어야 하는 문제도 발생하게 된다. 이로 인해 배기관(121)으로부터 배기가스가 누출되더라도 상기 누출된 배기가스가 외부 환경으로 빠져나오는 것을 방지하는 구성이 중요하다.
따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 시스템(100)은 배기관(121)을 기밀 케이스(122)로 케이싱(casing)하고 국소 배기부(123)를 통해 기밀 케이스(122)의 내부를 배기함으로써, 배기관(121), 연결부(125) 등에 틈새(leak)가 발생하더라도 배기가스가 외부 환경으로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 배기가스에 포함된 화학물질로 인한 안전사고를 예방할 수 있고, 배기가스의 누출로 인해 반도체 제조설비 내의 모든 장치가 작동 중지되는 상황을 방지할 수도 있다.
그리고 배기 모듈(120)은 기밀 케이스(122)에 제공되어 배기관(121)의 배기가스 누출을 감지하는 누출 감지부(124)를 더 포함할 수 있다. 누출 감지부(124)는 기밀 케이스(122)에 제공될 수 있으며, 배기관(121)에서 배기가스가 누출되는지를 감지(sensing)할 수 있다. 예를 들어, 누출 감지부(124)는 배기가스를 직접 검출하여 상기 누출된 배기가스를 감지할 수도 있고, 기밀 케이스(122)의 내부 압력 변화를 측정(또는 감지)하여 배기가스의 누출을 감지할 수도 있다. 이에 따라 배기관(121)으로부터 누출된 배기가스를 누출이 발생된 즉시 효과적으로 제거할 수 있으며, 배기관(121), 연결부(125) 등의 틈새 발생을 파악하여 배기가스의 누출이 발생하고 있는 상태로 기판 처리 시스템(100)이 계속 가동되지 않을 수 있도록 틈새가 발생된 배기관(121) 및/또는 연결부(125)가 연결되어 있는 공정 튜브(110)의 가동만을 중지하여 상기 틈새가 발생된 배기관(121) 및/또는 연결부(125)를 유지보수할 수 있다.
즉, 본 발명의 기판 처리 시스템(100)은 기밀 케이스(122)에 누출 감지부(124)를 제공하여 배기가스의 누출을 감지함으로써, 배기관(121)으로부터 누출된 배기가스를 누출된 즉시 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 배기관(121) 및/또는 연결부(125)의 틈새 발생을 파악하여 배기가스의 누출이 발생한 상태로 기판 처리 시스템(100)이 계속 가동되지 않을 수 있도록 배기관(121) 및/또는 연결부(125)를 유지보수할 수 있다.
또한, 배기 모듈(120)은 배기관(121)과 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)를 연결하는 연결부(125)를 더 포함할 수 있다. 연결부(125)는 배기관(121)의 일단과 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)를 연결할 수 있으며, 배기관(121)의 일단과 공정 튜브(110)의 배기 포트(111) 사이를 실링(sealing)할 수 있다. 예를 들어, 연결부(125)는 실링을 위해 오링(O-ring) 등의 실링부재(125c)를 포함할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 시스템(100)은 공정 튜브(110)에 제공되어, 공정 튜브(110)에 열에너지를 공급하는 히터부(미도시);를 더 포함할 수 있다.
히터부(미도시)는 공정 튜브(110)에 제공될 수 있고, 공정 튜브(110)에 열에너지(또는 열)를 공급할 수 있다. 예를 들어, 히터부(미도시)는 공정 튜브(110)의 외측에 제공될 수 있고, 공정 튜브(110)를 수용하여 가열할 수 있다. 이를 통해 공정 튜브(110)에 수용되는 복수의 기판(10)을 기판 처리(또는 반응)할 수 있는 온도로 승온시킬 수 있다.
기판 처리 시스템(100)에서는 기판 처리를 위해 공정 튜브(110)가 높은 온도로 가열되게 되므로, 이러한 열이 연결부(125)에 전달되어 실링부재(125c)가 열에 의해 변형되거나 손상될 수 있고, 이에 따라 연결부(125)에 틈새가 발생하여 이러한 틈새를 통해 배기가스가 누출될 수 있다. 또한, 실링부재(125c)는 실링을 위해 공정 튜브(110)의 배기 포트(111) 및/또는 배기관(121)과 밀착될 수 있도록 연성 재질로 이루어지므로, 장시간(또는 장기간) 사용에 의해서도 변형되거나 손상될 수 있고, 틈새를 발생시킬 수 있다.
한편, 배기관(121)이 복수개로 구성되는 경우에는 연결부(125)가 배기관(121)들 사이에도 제공될 수 있다. 배기관(121)들 사이에 제공되는 연결부(125)도 실링을 위해 실링부재(125c)를 포함할 수 있으며, 이 역시 장시간 사용 및/또는 열에 의해 변형 및/또는 손상되어 틈새가 발생할 수 있고, 이러한 틈새로 배기가스의 누출이 발생할 수 있다.
연결부(125)는 공정 튜브(110)에 제공되는 제1 플랜지(125a); 배기관(121)의 일단에 제공되는 제2 플랜지(125b); 및 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)의 사이에 제공되는 실링부재(125c)를 포함할 수 있다. 제1 플랜지(125a)는 공정 튜브(110)에 제공될 수 있으며, 공정 튜브(110)의 하단부에 제공되어 배기 포트(111)를 형성할 수 있다. 여기서, 제1 플랜지(125a)는 공정 튜브(110)와 동일하게 석영 또는 세라믹으로 이루어질 수 있다.
제2 플랜지(125b)는 배기관(121)의 일단에 제공될 수 있고, 제1 플랜지(125a)에 연결되어 배기 포트(111)와 배기관(121)을 연통시킬 수 있다. 여기서, 제2 플랜지(125b)는 배기관(121)과 동일한 소재로 이루어질 수 있고, 내식성을 갖는 금속(metal) 소재로 이루어질 수 있다.
실링부재(125c)는 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)의 사이에 제공될 수 있으며, 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)에 각각 밀착되어 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)의 사이를 실링할 수 있다.
연결부(125)는 신축성 또는 길이 가변성을 갖는 벨로우즈(bellows, 125d)를 더 포함할 수 있다. 벨로우즈(125d)는 길이가 가변될 수 있으면서도 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)의 사이를 실링할 수 있고, 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)를 서로에 대해 충격을 가하지 않을 수 있는 안전거리 이상으로 이격시킬 수 있다.
제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)는 상이한 소재(예를 들어, 석영과 금속 소재)로 이루어져 있어서 서로 밀착되어 가압되거나 부딪히는 경우에는 적어도 어느 한 쪽이 손상될 수 있다. 예를 들어, 금속 소재로 이루어진 제2 플랜지(125b)가 석영으로 이루어진 제1 플랜지(125a)보다 상대적으로 강하여 제2 플랜지(125b)가 제1 플랜지(125a)에 부딪히거나 제1 플랜지(125a)를 가압하는 경우에는 제1 플랜지(125a)가 깨지는 등 손상될 수 있다. 이에 따라 벨로우즈(125d)를 통해 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)를 상기 안전거리 이상으로 이격시킬 수 있으면서도 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)의 사이를 실링할 수 있다. 여기서, 공정 튜브(110)의 배기 포트에는 공정 튜브(110), 배기 모듈(120) 등의 유지보수를 위해 상이한 소재로 이루어진 배기관(121)이 빈번하게 결합 및 분리되며, 상이한 소재로 이루어진 제1 플랜지(125a)와 제2 플랜지(125b)가 결합되면서 부딪히거나 가압되어 손상되는 것을 벨로우즈(125d)를 통해 방지할 수 있다.
연결부(125)가 벨로우즈(125d)를 포함하는 경우에는 벨로우즈(125d)가 신축 또는 (길이) 가변되면서 그 외벽에서 파티클(particle)이 발생할 수도 있고, 장시간 사용 및/또는 열에 의해 변형 및/또는 손상되어 틈새가 발생할 수도 있다. 본 발명에 따른 기판 처리 시스템(100)은 기밀 케이스(122) 및/또는 국소 배기부(123)를 통해 벨로우즈(125d)의 외벽에서 발생되는 파티클이 외부 환경으로 유출되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 장시간 사용 및/또는 열에 의해 발생된 틈새로 인해 누출된 배기가스가 외부 환경으로 빠져나오는 것을 예방할 수 있다.
한편, 기판 처리 시스템(100)의 초기 설치 및/또는 공정 튜브(110), 배기관(121), 연결부(125) 등을 유지보수한 후의 재설치로 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)와 배기관(121) 및/또는 배기관(121)들 사이를 결합(또는 재결합)하는 경우에 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)와 배기관(121)의 사이 및/또는 배기관(121)들 사이의 연결부(125) 등에서 누출이 발생하는지 검사를 진행하여야 하는데, 본 발명의 기판 처리 시스템(100)은 이러한 경우에도 기밀 케이스(122)와 누출 감지부(124)를 통해 누출이 있는지를 효과적으로 검사할 수 있고, 결합 불량으로 누출이 발생한 경우에도 외부 환경으로의 배기가스의 누출 없이 국소 배기부(123)를 통해 누출된 배기가스를 효과적으로 제거(또는 배기)할 수 있다. 여기서, 별도의 검사를 생략하고 공정을 진행하면서 배기가스의 누출을 감지할 수도 있다.
실링부재(125c)의 열에 의한 변형을 방지하고자 냉각을 수행하게 되면, 실링부재(125c)의 표면에서 배기가스가 냉각되면서 실링부재(125c)의 표면에 파티클이 부착되게 되고, 이러한 파티클이 배기에 영향을 주거나, 처리 공정에 영향을 줄 수 있으므로, 실링부재(125c)를 냉각하지 못하며, 실링부재(125c)를 냉각한다고 하더라도 공간이 협소하여 냉각을 위한 구성을 설치하기도 어렵다. 이로 인해 연결부(125)에서의 배기가스 누출을 검출하고 누출된 배기가스를 효과적으로 제거하며, 누출이 발생된 연결부(125)를 유지보수하는 것이 꼭 필요하다. 이에, 본 발명에서는 배기관(121), 연결부(125) 등을 기밀 케이스(122)로 케이싱하고 국소 배기부(123)를 통해 기밀 케이스(122)의 내부를 배기함으로써, 배기관(121), 연결부(125) 등에 틈새가 발생하더라도 배기가스가 외부 환경으로 누출되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 배기관(121)은 배기 포트(111)에 연결되어 제1 방향(11)으로 연장되는 제1 배기관(121a)을 포함할 수 있다. 제1 배기관(121a)은 배기 포트(111)에 연결될 수 있으며, 제1 방향(11)으로 연장될 수 있고, 적어도 일부가 기밀 케이스(122)에 수용될 수 있다. 이때, 제1 배기관(121a)은 수평하게 제공될 수 있고, 직선 구간으로만 이루어진 부분일 수 있다. 이러한 경우, 배기관(121)이 배기 포트(111)에서 굴곡지지 않고 일직선으로 제공될 수 있으며, 배기관(121)이 굴곡진 형상이 아니라 직진성을 갖는 구조를 가져 공정 튜브(110)의 배기 성능이 향상될 수 있다.
만약 배기관(121)이 굴곡지게 되면, 배기관(121)의 굴곡 횟수에 따라 배기 성능이 저하될 수 있으며, 제1 배기관(121a)을 수평하게 일직선으로 제공하여 배기 성능의 저하를 방지하고, 공정 튜브(110)의 배기 성능을 확보할 수 있다. 이에, 제1 배기관(121a)을 포함하는 배기관(121)의 수평 구간을 일직선으로 형성할 수 있다. 배기관(121)의 수평 구간이 일직선으로 형성되는 경우에는 배기관(121)이 50 ㎜ 이상의 내경(또는 100 A 이상의 크기)을 가질 수도 있으며, 이에 따라 공정 튜브(110)의 배기 성능을 더욱 향상시킬 수 있다. 이때, 배기관(121)의 내경은 공정 튜브(110)의 폭보다 작을 수 있다.
기밀 케이스(122)는 제1 배기관(121a)을 수용하는 제1 케이싱부(122a)를 포함할 수 있다. 제1 케이싱부(122a)는 제1 배기관(121a)을 수용할 수 있으며, 적어도 배기 포트(111)에 연결되는 제1 배기관(121a)의 일단부와 연결부(125)를 수용할 수 있다. 이를 통해 상기 배기가스의 누출이 자주 발생되는 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)와 배기관(121)의 일단 사이가 외부로 노출되지 않도록 케이싱할 수 있고, 이 부분(예를 들어, 상기 연결부 등)에서 상기 배기가스의 누출이 발생하더라도 상기 누출된 배기가스가 외부 환경으로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 배기 모듈(120)은 배기관(121)에(예를 들어, 상기 제1 배기관에) 연결되어 공정 튜브(110)의 진공도를 측정하는 진공센서부(127)를 더 포함할 수 있다. 진공센서부(127)는 제1 배기관(121a) 등의 배기관(121)에 제공(또는 연결)될 수 있고, 공정 튜브(110)의 진공도를 측정할 수 있다. 진공센서부(127)는 공정 튜브(110)의 진공도를 측정하기 위해 배기관(121)과 연통되도록 배기관(121)에 연결되어야 하므로, 배기관(121)과 진공센서부(127)의 연결 부분에도 연결부(125)가 제공될 수 있고, 배기관(121)과 진공센서부(127)의 사이(예를 들어, 상기 연결부)에서 상기 배기가스의 누출이 발생할 수도 있다. 이에 따라 기밀 케이스(122)는 배기관(121)과 진공센서부(127)의 연결 부분을 수용할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 하부챔버를 설명하기 위한 개념도로, 도 2(a)는 기판 처리 시스템의 측면도이고, 도 2(b)는 하부챔버의 정면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 시스템(100)은 공정 튜브(110)의 하부에 제공되는 하부챔버(130);를 더 포함할 수 있다.
하부챔버(130)는 공정 튜브(110)의 하부에 제공될 수 있으며, 복수의 기판(10)이 로딩되어 기판 보트(115)에 다단으로(또는 상하방향으로) 적재되는 공간을 제공할 수 있고, 하부챔버(130)에서 복수의 기판(10)이 적재된 기판 보트(115)는 기판 처리 공정을 수행하기 위해 승강하여 공정 튜브(110)의 처리 공간에 수용될 수 있다. 예를 들어, 하부챔버(130)는 기판 보트(115)가 승강할 수 있도록 상부가 개방될 수 있고, 복수의 기판(10)이 로딩될 수 있도록 일측에 기판(10)이 출입하는 통로가 형성될 수 있다. 여기서, 하부챔버(130)는 이송 챔버(미도시)에 연결될 수 있으며, 이송 챔버(미도시)와 연결되는 통로를 가질 수 있고, 이 통로를 통해 기판(10)이 이송 챔버(미도시)로부터 하부챔버(130)로 로딩될 수 있다. 상기 통로의 외측에는 게이트 밸브(미도시)가 설치될 수 있고, 상기 통로는 게이트 밸브(미도시)에 의해 개방 및 폐쇄될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템(100)은 복수의 기판(10)이 다단으로 적재되어, 공정 튜브(110)에 수용되는 기판 보트(115);를 더 포함할 수 있다.
기판 보트(115)는 복수의 기판(10)이 다단으로 적재될 수 있고, 기판 처리 공정을 수행하기 위해 공정 튜브(110)에 수용될 수 있다. 즉, 기판 보트(115)는 배치식(Batch type)으로 기판 처리 공정을 수행하기 위해 복수의 기판(10)이 다단으로 적재될 수 있으며, 공정 튜브(110)의 처리 공간에 제공될 수 있고, 기판 처리 공정 시에 공정 튜브(110)의 내부 공간(즉, 처리 공간)에 수용될 수 있다. 이때, 기판 보트(115)는 복수개일 수 있고, 복수개의 공정 튜브(110)의 처리 공간에 각각 제공될 수도 있다. 여기서, 기판 보트(115)는 복수의 기판(10)이 각각 개별적으로 처리될 수 있는 복수의 독립공간을 갖도록 구성될 수도 있다.
그리고 배기관(121)은 제1 배기관(121a)에 연결되어 하부방향으로 연장되는 제2 배기관(121b)을 더 포함할 수 있다. 제2 배기관(121b)은 하부방향으로 연장될 수 있고, 제1 배기관(121a)에 연결될 수 있으며, 제1 배기관(121a)에 직접 연결될 수도 있고, 추가적인 배기관(121) 및/또는 연결부(125)를 통해 연결될 수도 있다. 이러한 제2 배기관(121b)을 통해 하부챔버(130)에 의해 배기 포트(111)가 높게 위치하는 경우에도 제1 배기관(121a)이 수평하면서 직전성을 갖도록 할 수 있다.
또한, 제1 배기관(121a)에 의한 수평 구간과 제2 배기관(121b)에 의한 수직 구간으로 구성되어 배기관(121)이 오버 헤드(overhead) 구조를 갖는 경우에는 제1 배기관(121a)이 바닥면(또는 하부방향 대향면)으로부터 이격될 수 있어 제1 배기관(121a)과 상기 바닥면 사이에 유지보수 공간(maintenance space)을 제공할 수도 있다.
여기서, 기밀 케이스(122)는 하부챔버(130)와 이격되며, 제2 배기관(121b)을 수용하는 제2 케이싱부(122b)를 더 포함할 수 있다. 제2 케이싱부(122b)는 제2 배기관(121b)을 수용할 수 있으며, 제2 배기관(121b) 및/또는 제2 배기관(121b)을 다른 배기관(121) 등에 연결시키는 연결부(125)에도 상기 배기가스의 누출이 발생할 수 있으므로, 제2 배기관(121b), 연결부(125) 등이 외부로 노출되지 않도록 케이싱할 수 있다. 이에 따라 제2 배기관(121b), 연결부(125) 등에 상기 배기가스의 누출이 발생하더라도 상기 누출된 배기가스가 외부 환경으로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제2 케이싱부(122b)는 하부챔버(130)와 이격될 수 있으며, 하부챔버(130)와의 사이에 유지보수 공간을 제공할 수 있다. 이때, 제2 케이싱부(122b)는 하부챔버(130)와 대향하여 배치될 수 있으며, 하부챔버(130)와 대향하는 면에 제2 배기관(121b) 등의 유지보수를 위한 유지보수포트(maintenance port)를 가질 수 있다. 제2 케이싱부(122b)가 하부챔버(130)와 대향하여 배치되면, 배기 포트(111)가 공정 튜브(110)의 중앙에 제1 방향(11)을 향하여 제공되고, 제1 배기관(121a)이 제1 방향(11)으로 일직선으로 제공될 수 있어 공정 튜브(110)의 배기 성능이 최대화(또는 최적화)될 수 있다. 그리고 제2 케이싱부(122b)가 유지보수포트를 갖게 되면, 하부챔버(130)와 제2 케이싱부(122b) 사이의 유지보수 공간에서 제2 배기관(121b) 등의 유지보수가 용이해질 수 있다.
한편, 본 발명의 기판 처리 시스템(100)은 제2 케이싱부(122b)의 제1 방향(11)에 제공되는 제어 모듈(150);을 더 포함할 수 있다.
제어 모듈(150)은 제2 케이싱부(122b)의 제1 방향(11)에 제공될 수 있으며, 공정 튜브(110)에서 수행되는 기판 처리 공정을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(150)은 배기 모듈(120), 가스공급 모듈(140) 등의 작동을 제어하여 기판 처리 공정을 제어할 수 있다. 여기서, 제어 모듈(150)은 제어 박스 형태로 구성될 수 있으며, 제2 케이싱부(122b)는 제1 방향(11)의 면에 제2 배기관(121b) 등의 유지보수를 위한 유지보수포트를 가질 수 있고, 상기 유지보수포트는 제어 모듈(150)에 의해 개폐될 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(150)은 힌지(hinge) 구조를 통해 제2 케이싱부(122b)에 연결되어 열고 닫을 수 있으며, 이를 통해 제2 케이싱부(122b)의 제1 방향(11) 면이 개폐될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼 기판 처리 시스템을 나타낸 결합사시도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼 기판 처리 시스템을 나타낸 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 공정 튜브(110)는 복수개로 구성되어 배기관(121)의 연장방향과 교차하는 방향으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 배기관(121)은 제1 방향(11)으로 연장될 수 있으며, 복수개의 공정 튜브(110)는 제1 방향(11)과 교차하는 제2 방향(12)으로 배열될 수 있다. 복수개의 공정 튜브(110)는 제2 방향(12)으로 서로 이격되어 배치될 수 있고, 한 쌍(pair)을 이룰 수 있으며, 서로 독립적인 공정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 제2 방향(12)은 기판 처리 시스템(100)을 가로지르는 방향일 수 있다. 복수개의 공정 튜브(110)는 내부 공간을 가질 수 있고, 기판 처리 공정 시에 기판 보트(115)가 수용될 수 있으며, 가스 분위기(또는 분위기 가스), 온도 등이 독립적으로 제어될 수 있다. 복수개의 공정 튜브(110)가 독립적으로 제어되어 기판 처리 공정이 안정적으로 수행될 수 있고, 기판 처리 시스템(100)을 통한 기판 처리량 및 기판 처리 품질이 향상될 수 있으며, 복수개의 공정 튜브(110)의 간격 및/또는 주변의 배치 구성들을 줄여 점유 면적(Foot Print)을 줄일 수도 있다. 여기서, 복수개의 공정 튜브(110)는 단일 튜브로 이루어질 수도 있고, 복수의 튜브로 이루어질 수도 있으며, 기판 보트(115)가 수용되어 기판 처리 공정이 수행될 수 있는 공정 공간을 제공할 수 있으면 족하다. 예를 들어, 복수의 공정 튜브(110)는 외부 튜브와 내부 튜브로 구성될 수 있다.
여기서, 배기 모듈(120)은 각 공정 튜브(110)에 각각 제공될 수 있다. 배기 모듈(120)이 각 공정 튜브(110)에 각각 제공됨으로써, 각 공정 튜브(110)의 배기를 각각 제어할 수 있고, 각 공정 튜브(110)의 기판 처리 공정을 독립적으로 제어할 수 있다.
이때, 배기 모듈(120)의 배기관(121)은 서로 나란히 제공될 수 있다. 즉, 배기 모듈(120)의 배기관(121)은 서로 나란히 제공되어 공정 튜브(110) 중앙의 배기 포트(111)에서부터 일직선으로 제공될 수 있으며, 공정 튜브(110)의 배기 성능이 최대화될 수 있다. 또한, 배기관(121)이 서로 대칭을 이루어 복수개의 공정 튜브(110) 간에 균일한 배기를 통한 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수도 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템(100)은 각 공정 튜브(110)에 각각 제공되며, 서로 대칭적으로 배치되는 복수의 가스공급 모듈(140);을 더 포함할 수 있다.
복수의 가스공급 모듈(140)은 각 공정 튜브(110)에 각각 제공될 수 있고, 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 가스공급 모듈(140)은 각 공정 튜브(110)의 제1 방향(11)에 각각 제공될 수 있고, 복수개의 공정 튜브(110) 사이의 중앙에서 제1 방향(11)으로 연장되는 선(또는 상기 복수개의 공정 튜브 사이의 중앙에서의 상기 제1 방향 연장선)을 중심으로 서로 대칭되어 배치될 수 있다. 복수의 가스공급 모듈(140)이 각 공정 튜브(110)의 제1 방향(11)에 서로 대칭되어 각각 제공됨으로써, 각 공정 튜브(110)의 가스공급을 각각 제어하여 각 공정 튜브(110)의 기판 처리 공정을 독립적으로 제어할 수 있고, 복수개의 공정 튜브(110) 간에 균일한 가스공급을 통한 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수도 있다. 여기서, 복수의 가스공급 모듈(140)은 제2 방향(12)으로 서로 이격되어 사이 공간을 제공할 수 있으며, 복수의 가스공급 모듈(140) 간의 사이 공간에서 가스공급 모듈(140), 공정 튜브(110) 등의 유지보수를 할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템(100)은 서로 독립적인 처리 공간을 제공하는 복수개의 공정 튜브(110)를 통해 기판 처리량을 향상시킬 수도 있으며, 각 공정 튜브(110)의 제1 방향(11)에 복수의 가스공급 모듈(140)을 대칭적으로 배치하여 복수의 가스공급 모듈(140) 간의 사이 공간 및/또는 기밀 케이스(122)와 가스공급 모듈(140)의 이격 공간에 유지보수 공간을 제공할 수도 있다.
각 배기 모듈(120)의 적어도 일부는 복수의 가스공급 모듈(140)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 각 배기 모듈(120)의 제1 배기관(121a)이 복수의 가스공급 모듈(140)의 사이에 배치될 수 있다. 즉, 복수의 가스공급 모듈(140)는 복수개의 공정 튜브(110) 중 각각 대응하는 공정 튜브(110)의 중심에서 제1 방향(11)으로 연장되는 선(또는 각각 대응하는 상기 공정 튜브의 중심에서의 상기 제1 방향 연장선)으로부터 양쪽 외측(또는 서로 멀어지는 방향)으로 벗어나 대칭적으로 배치될 수 있다.
복수의 가스공급 모듈(140)이 상기 대응하는 공정 튜브(110)의 중심에서 제1 방향(11)으로 연장되는 선으로부터 벗어나는 경우에는 복수의 가스공급 모듈(140)의 사이 공간이 보다 넓어질 수 있고, 복수의 가스공급 모듈(140)의 사이에 넓은 유지보수 공간을 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 대응하는 공정 튜브(110)에서(예를 들어, 상기 대응하는 공정 튜브의 중심에서) 사선 방향(또는 대각선 방향)으로 연장되어 상기 대응하는 공정 튜브(110)의 중심에서 제1 방향(11)으로 연장되는 선으로부터 벗어날 수도 있고, 상기 대응하는 공정 튜브(110)의 중심에서 제2 방향(12)으로 벗어나 연장되어 상기 대응하는 공정 튜브(110)의 중심에서 제1 방향(11)으로 연장되는 선으로부터 벗어날 수도 있다.
이때, 복수의 가스공급 모듈(140)과 배기 모듈(120)은 적어도 부분적으로 나란히 배치될 수 있다. 예를 들어, 배기 모듈(120)의 제1 배기관(121a)이 제1 방향(11)으로 일직선으로 제공될 수 있고, 복수의 가스공급 모듈(140)도 제1 배기관(121a)과 나란히 제1 방향(11)으로 연장될 수 있다. 복수의 가스공급 모듈(140)이 제1 방향(11)으로 연장되는 경우에는 기판 처리 시스템(100)의 제2 방향(12) 폭이 최소화될 수 있다. 여기서, 복수의 가스공급 모듈(140)은 복수개의 공정 튜브(110)의 양단에 제1 방향(11)으로 나란히 배치될 수 있고, 복수개의 공정 튜브(110)가 배치되는 공정부(또는 공정 영역)의 양단으로부터 제1 방향(11)으로 연장되어 서로 나란히 배치될 수 있다. 이러한 경우, 기판 처리 시스템(100)의 제2 방향(12) 폭이 최소화될 수 있을 뿐만 아니라 유지보수 공간을 최대로 할 수 있다. 또한, 상기 공정 가스의 층류(laminar flow)를 위해 복수의 가스공급 모듈(140)은 공정 튜브(110)의 배기 포트(111)와 대향하는 방향에서 상기 공정 가스를 공급해야 하는데, 기판 처리 시스템(100)의 제2 방향(12) 양단에 복수의 가스공급 모듈(140)이 나란히 배치되게 되면, 가스공급 라인의 굴곡 횟수 및/또는 굴곡 거리를 줄일 수 있고, 최소화할 수 있다. 그리고 복수의 가스공급 모듈(140)이 배기관(121) 등의 배기 모듈(120)에 간섭되지 않을 수 있어 각 공정 튜브(110)에 최대한 가까이 복수의 가스공급 모듈(140)을 각각 제공할 수 있으며, 이에 따라 상기 가스공급 라인의 길이가 짧아질 수 있어 가스공급 시간이 단축될 수 있고, 가스공급 성능이 향상될 수 있다.
한편, 복수의 가스공급 모듈(140)은 기밀 케이스(122)의 하부(즉, 상기 제1 케이싱부의 하부)에 각각 제공되어 기밀 케이스(122)와의 이격 공간(또는 상기 제1 케이싱부와의 이격 공간)을 제공할 수도 있다. 복수의 가스공급 모듈(140)과 제1 케이싱부(122a)의 이격 공간에 유지보수 공간이 제공되어 가스공급 모듈(140), 배기 모듈(120), 공정 튜브(110) 등의 유지보수를 할 수 있다.
배기 모듈(120)은 국소 배기부(123)와 연결되어 누출된 배기가스를 희석하는 누출가스 희석부(126)를 더 포함할 수 있다. 누출가스 희석부(126)는 국소 배기부(123)와 연결되어 누출된 배기가스를 희석할 수 있으며, 상기 누출된 배기가스 중에 포함된 독성이 있는 가스(toxic gas)를 희석하여 외부로 배출할 수 있다. 예를 들어, 일정 공간에 상기 누출된 배기가스를 모은 후에 모인 배기가스를 질소(N2) 등으로 희석하여 독성이 없어진 상태로 배기가스를 외부로 배출할 수 있다.
이처럼, 본 발명에서는 배기관을 기밀 케이스로 케이싱하고 국소 배기부를 통해 기밀 케이스의 내부를 배기함으로써, 배기관에 틈새가 발생하더라도 배기가스가 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 배기가스에 포함된 화학물질로 인한 안전사고를 예방할 수 있고, 배기가스의 누출로 인해 반도체 제조설비 내의 모든 장치가 작동 중지되는 상황을 방지할 수도 있다. 또한, 기밀 케이스에 누출 감지부를 제공하여 배기가스의 누출을 감지함으로써, 배기관으로부터 누출된 배기가스를 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 배기관 및/또는 연결부의 틈새 발생을 파악하여 배기가스의 누출이 발생하고 있는 상태로 기판 처리 시스템이 계속 가동되지 않을 수 있도록 배기관 및/또는 연결부를 유지보수할 수도 있다. 그리고 서로 독립적인 처리 공간을 제공하는 복수개의 공정 튜브를 통해 기판 처리량을 향상시킬 수도 있으며, 각 공정 튜브의 제1 방향에 복수의 가스공급 모듈을 대칭적으로 배치하여 복수의 가스공급 모듈 간의 사이 공간 및/또는 기밀 케이스와 가스공급 모듈의 이격 공간에 유지보수 공간을 제공할 수도 있다. 한편, 공정 튜브의 배기 포트에는 공정 튜브, 배기 모듈 등의 유지보수를 위해 상이한 소재로 이루어진 배기관이 빈번하게 결합 및 분리되는데, 공정 튜브의 배기 포트와 배기관 사이에 벨로우즈를 제공하여 상이한 소재로 이루어진 공정 튜브의 배기 포트와 배기관이 부딪히는 것을 방지할 수 있고, 가압 등의 충격으로 인해 공정 튜브의 배기 포트 및/또는 배기관이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
10 : 기판 11 : 제1 방향
12 : 제2 방향 100 : 기판 처리 시스템
110 : 공정 튜브 111 : 배기 포트
115 : 기판 보트 120 : 배기 모듈
121 : 배기관 121a: 제1 배기관
121b: 제2 배기관 122 : 기밀 케이스
122a: 제1 케이싱부 122b: 제2 케이싱부
123 : 국소 배기부 124 : 누출 감지부
125 : 연결부 125a: 제1 플랜지
125b: 제2 플랜지 125c: 실링부재
125d: 벨로우즈 126 : 누출가스 희석부
127 : 진공센서부 130 : 하부챔버
140 : 가스공급 모듈 150 : 제어 모듈

Claims (14)

  1. 기판에 대한 처리 공간을 제공하는 공정 튜브; 및
    상기 공정 튜브의 배기 포트에 연결되어, 상기 처리 공간 내의 공정 잔류물을 외부로 배기하는 배기 모듈;을 포함하고,
    상기 배기 모듈은,
    상기 배기 포트에 연결되는 배기관;
    상기 배기관의 적어도 일부를 수용하는 기밀 케이스;
    상기 기밀 케이스에 제공되며, 상기 기밀 케이스의 내부를 배기하는 국소 배기부;
    상기 배기관에 연결되어 상기 공정 튜브의 진공도를 측정하는 진공센서부;
    상기 기밀 케이스에 제공되어 상기 배기관의 배기가스 누출을 감지하는 누출 감지부; 및
    상기 국소 배기부와 연결되며, 상기 배기관으로부터 누출되어 상기 국소 배기부를 통해 상기 기밀 케이스의 내부에서 배기되는 배기가스를 희석하는 누출가스 희석부를 포함하고,
    상기 기밀 케이스는 적어도 상기 배기관과 상기 진공센서부의 연결 부분을 수용하는 기판 처리 시스템.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 배기 모듈은 상기 배기관과 상기 공정 튜브의 배기 포트를 연결하는 연결부를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 연결부는,
    상기 공정 튜브에 제공되는 제1 플랜지;
    상기 배기관의 일단에 제공되는 제2 플랜지; 및
    상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지의 사이에 제공되는 실링부재를 포함하는 기판 처리 시스템.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 연결부는 신축성을 갖는 벨로우즈를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 배기관은 상기 배기 포트에 연결되어 제1 방향으로 연장되는 제1 배기관을 포함하고,
    상기 기밀 케이스는 상기 제1 배기관을 수용하는 제1 케이싱부를 포함하는 기판 처리 시스템.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 공정 튜브의 하부에 제공되는 하부챔버;를 더 포함하고,
    상기 배기관은 상기 제1 배기관에 연결되어 하부방향으로 연장되는 제2 배기관을 더 포함하며,
    상기 기밀 케이스는 상기 하부챔버와 이격되며, 상기 제2 배기관을 수용하는 제2 케이싱부를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  8. 청구항 1에 있어서,
    복수의 기판이 다단으로 적재되어, 상기 공정 튜브에 수용되는 기판 보트;를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 공정 튜브는 복수개로 구성되어 상기 배기관의 연장방향과 교차하는 방향으로 배열되고,
    상기 배기 모듈은 각 상기 공정 튜브에 각각 제공되는 기판 처리 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서,
    각 상기 배기 모듈의 배기관은 서로 나란히 제공되는 기판 처리 시스템.
  11. 청구항 9에 있어서,
    각 상기 공정 튜브에 각각 제공되며, 서로 대칭적으로 배치되는 복수의 가스공급 모듈;을 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  12. 청구항 11에 있어서,
    각 상기 배기 모듈의 적어도 일부는 상기 복수의 가스공급 모듈의 사이에 배치되는 기판 처리 시스템.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 가스공급 모듈과 상기 배기 모듈은 적어도 부분적으로 나란히 배치되는 기판 처리 시스템.
  14. 삭제
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