KR102415994B1 - 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐 - Google Patents

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Abstract

하나 이상의 매거진 안착 트레이를 포함하며 매거진 수용영역을 제공하는 챔버; 상기 매거진 수용영역의 후방에 구비되며, 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하는 순환부재; 상기 순환부재의 일측부에 위치하는 가열부재; 및 상기 순환부재 및 가열부재의 상부 또는 하부에 위치하는 냉각부재;를 구비하고, 상기 매거진 안착 트레이는, 상부 트레이와 하부 트레이를 포함하고, 상기 매거진 수용영역은, 하부 트레이에 안착된 매거진과 상부 트레이 사이에 위치하는 바이패스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 제공한다.

Description

반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐{The small chamber ovens for semiconductor device manufacturing}
본 발명은 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐에 관한 것으로, 챔버 내 온도분포 균일도를 향상시킬 수 있으며, 상하 열흐름 방향에 대한 난기류 발생을 방지하고, 모듈화되어 확장 설치가 가능한 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐에 관한 것이다.
전기전자기기, 운송기기, 사물 인터넷 등의 급속한 발달로 인해 반도체소자의 응용분야는 더욱 넓어지고 있다. 디스플레이 패널의 고해상도화, 전기전자기기가 요구하는 빠른 응답속도는 반도체소자의 고집적화를 더욱 요구하고, 이는 반도체소자 제조 설비의 개발과 개선을 더욱 필요로 한다.
디스플레이 패널이나 반도체소자 등을 제조하는 공정에 있어서, 가열이나 냉각과 같은 열처리가 필요한데, 이를 위해 일반적으로 오븐을 사용하고 있다. 오븐 내에 위치한 반도체 소자들은 성능의 균일성을 위해서 오븐 내에서의 열의 흐름은 중요한 것이라 볼 수 있다.
한국등록특허 제10-1852937호에서는, '공기가 유통 가능하게 마련되는 순환 관로(100)와; 상기 순환 관로(100)의 일측에 마련되어, 냉각 대상 공기 또는 상기 순환 관로(100)로부터의 공기 중 어느 하나를 선택적으로 유입하는 입구측 3방 밸브(210)와; 상기 입구측 3방 밸브(201)로부터 유입되는 공기를 냉각수와 열교환 하여 냉각시키는 제1냉각부(300)와; 상기 제1냉각부(300)를 통과한 공기를 냉각사이클의 냉매와 열교환 하여 추가 냉각시키는 제2냉각부(400)와; 상기 제2냉각부(400)를 통과한 냉기를 압송하는 송풍기(500)와; 상기 송풍기(500)로부터의 냉기를 냉각 대상 챔버 또는 상기 순환 관로(100) 중 어느 하나로 유출시키는 출구측 3방 밸브(220)를 포함하여, 냉각 효율을 높여 공정 시간을 줄일 수 있는 급속 냉각 장치 및 이를 구비한 열처리 오븐 시스템'을 개시한 바 있다.
상기와 같은 종래의 반도체소자 제조용 오븐을 간략히 나타낸 도 1 및 도 2를 참조하면, 순환팬(3)으로 인한 매거진 수용공간(1) 내의 열 흐름(화살표)은 열기의 흐름 방향이 일정하지 않을 수 있으며, 그로 인해 난기류가 발생할 수 있다. 이에 따라 오븐 내의 온도분포가 불균일해질 수 있으므로, 오븐 내부에 장착된 매거진(M)에 위치한 반도체소자의 품질에 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 온도분포를 향상시키기 위하여 도 2와 같이 수용공간(1) 이외의 열기 공급공간(5)을 별도로 더 마련할 수 있다. 이로 인해 오븐의 크기는 커질 수 있으며, 한정된 제조 라인 내에서 설치 공간을 더 확보해야 하는 문제가 발생할 수 있다.
한국등록특허 제10-1852937호(등록일: 2018년 04월 23일) 일본등록특허 제5767354호(등록일: 2015년 06월 26일) 한국등록특허 제10-0864117호(등록일: 2008년 10월 10일)
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 열기의 흐름을 일정 방향으로 조성할 수 있으며, 오븐 내 상하 열 흐름에 대한 난기류 발생 및 기류의 편향을 억제하고, 챔버 내의 온도분포 균일도를 향상시킬 수 있는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 제공하는 것에 목적이 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 공기를 공급해주는 별도의 공간 없이도 챔버 내부의 온도분포를 균일하게 할 수 있으며 공기의 온도 손실을 최소화하여 상부와 하부의 온도 차이를 개선할 수 있고, 균일한 온도분포를 위한 공간이 축소될 수 있는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 제공하는 것에 목적이 있다.
나아가서, 본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 소형화 및 모듈화될 수 있으며, 상하좌우 확장 설치가 가능한 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 제공하는 것에 목적이 있다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 문제를 해결하기 위하여 본 발명은 하나 이상의 매거진 안착 트레이를 포함하며 매거진 수용영역을 제공하는 챔버; 상기 매거진 수용영역의 후방에 구비되며, 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하는 순환부재; 상기 순환부재의 일측부에 위치하는 가열부재; 및 상기 순환부재 및 가열부재의 상부 또는 하부에 위치하는 냉각부재;를 구비하고, 상기 매거진 안착 트레이는, 상부 트레이와 하부 트레이를 포함하고, 상기 매거진 수용영역은, 하부 트레이에 안착된 매거진과 상부 트레이 사이에 위치하는 바이패스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 제공할 수 있다.
상기 순환부재와 상기 매거진 수용영역 사이 및 상기 가열부재와 상기 매거진 수용영역 사이에 개재되는 제1 댐퍼;를 포함하고, 상기 제1 댐퍼와 순환부재 사이에 감압영역이 형성되는 것일 수 있다.
상기 바이패스부는, 좌우 이동을 하며 공기가 흐르는 영역 또는 유로를 조절하는 제1 바이패스 댐퍼를 구비하는 것일 수 있다.
상기 바이패스부는, 전후 이동을 하며 공기가 흐르는 영역 또는 유로를 조절하는 제2 바이패스 댐퍼를 구비하는 것일 수 있다.
상기 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐은, 상기 냉각부재와 상기 매거진 수용영역 사이에 개재되는 제2 댐퍼를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐은 순환부재를 구비함으로써 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하여 열기의 흐름을 일정 방향으로 조성할 수 있으며, 챔버 내 상하 열흐름 방향에 대한 난기류 발생을 방지하고, 챔버 내의 온도분포 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 바이패스부가 형성되어 상하부의 온도분포를 균일하게 할 수 있으며, 가열된 공기의 온도 손실을 최소화하며 챔버에 공급함으로써, 상부와 하부의 온도 차이를 개선할 수 있는 장점이 있다. 나아가서, 제1 댐퍼를 구비함으로써 온도분포를 조절할 수 있으며, 제1 댐퍼와 순환부재 사이에 감압영역이 형성되어 기류의 편향을 억제할 수 있으므로 균일한 온도분포를 위한 필요공간이 축소될 수 있는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체소자 제조용 오븐을 나타낸 상면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 나타낸 측면도,
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 나타낸 사시도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 내부를 나타낸 정면사시도,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 내부를 나타낸 후면사시도,
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 감압영역을 나타낸 후면사시도,
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 제2 댐퍼를 나타낸 사시도,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐과 매거진 자동 이송장치를 나타낸 상면도,
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 모듈화 및 확장 설치를 나타낸 정면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체소자 제조용 오븐을 나타낸 상면도, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 나타낸 측면도, 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐을 나타낸 사시도, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 내부를 나타낸 정면사시도, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 내부를 나타낸 후면사시도, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 감압영역을 나타낸 후면사시도, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 제2 댐퍼를 나타낸 사시도, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐과 매거진 자동 이송장치를 나타낸 상면도, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 모듈화 및 확장 설치를 나타낸 정면도이다.
도 3 내지 도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐(10)은 하나 이상의 매거진 안착 트레이(150)를 포함하며 매거진 수용영역(110)을 제공하는 챔버(100); 상기 매거진 수용영역(110)의 후방에 구비되며, 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하는 순환부재(200); 상기 순환부재(200)의 일측부에 위치하는 가열부재(300); 및 상기 순환부재(200) 및 가열부재(300)의 상부 또는 하부에 위치하는 냉각부재(400); 를 구비하고, 상기 매거진 안착 트레이(150)는, 상부 트레이(152)와 하부 트레이(154)를 포함하고, 상기 매거진 수용영역(110)은, 하부 트레이(154)에 안착된 매거진과 상부 트레이(152) 사이에 위치하는 바이패스부(112)를 포함하는 것일 수 있다. 즉, 열기의 흐름 중 일부가 하부 트레이(154)에 위치하는 매거진을 거치지 않고 바이패스부(112)를 통과함으로 인해 챔버(100) 내부 상하의 온도분포를 균일하게 할 수 있다. 이는 냉각부재(400)의 작동 시에도 마찬가지로 냉각된 공기의 흐름이 매거진을 거치지 않고 공기의 흐름 중 일부는 바이패스부(112)를 통과함으로 인해 온도분포를 균일해 줄 수 있음을 의미한다. 또한, 순환부재(200)를 구비함으로써 도3과 같이 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하여 열기의 흐름을 일정 방향으로 조성할 수 있으며, 챔버(100) 내 상하 열흐름 방향에 대한 난기류 발생을 방지하고, 챔버(100) 내의 온도분포 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
하기부터 언급하는 바와 같이 상기 소형 챔버 오븐(10)은 반도체 소자 제조 분야에 사용될 수 있으나, 내부의 온도분포 균일성이 필요한 소형 챔버 오븐이라면 적용 분야가 이에 한정되는 것은 아니다.
상세히 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐(10)은 상기 매거진 수용영역(110)을 커버하고 챔버(100)를 개폐하는 챔버도어(700)를 포함할 수 있으며, 챔버도어(700)는 챔버(100)의 양측부에 마련된 도어개폐장치(800)로 인해 작동될 수 있다. 또한, 상기 소형 챔버 오븐(10)의 이동 및 고정을 위하여 챔버(100)의 하부에는 캐스터장치(900)가 구비될 수 있다. 그리고, 챔버(100)의 후면에는 챔버 내부의 공기를 배기하기 위한 회전 타입의 배기댐퍼(170)가 구비될 수 있다.
챔버(100)는 하나 이상의 매거진 안착 트레이(150)를 포함하며 매거진 수용영역(110)을 제공할 수 있다. 매거진 안착 트레이(150)는 상부 트레이(152)와 하부 트레이(154)를 포함하고, 상부 트레이(152)와 하부 트레이(154) 각각은 한 쌍의 매거진(M)이 안착될 수 있다. 매거진(M)은 내부에 반도체소자 또는 열처리를 위한 전자소자를 수용하며, 도면에는 도시하지 않았으나 열흐름이 용이하도록 매거진(M)의 상하좌우 면은 다양한 형태의 복수개의 홀이나 슬릿이 형성될 수 있다.
순환부재(200)는 상기 매거진 수용영역(110)의 후방에 구비되며, 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예인 도 3 내지 도 9와 같이 순환부재(200)가 챔버(100) 내 상부에 위치하는 경우, 공기공급부는 순환부재(200)가 위치하는 챔버(100)의 상부에 형성되고, 순환부재(200)의 하부에는 흡기부가 형성될 수 있다. 순환부재(200)은 순환팬(220)과 그를 가동시키는 구동모터(210)를 포함할 수 있으며, 구동모터(210)는 챔버(100) 외측으로 돌출되어 결합될 수 있다.
상기 순환부재(200)의 일측부에 위치하는 가열부재(300)는 주변 공간에 열을 제공하고, 가열된 공기는 순환부재(200)로 흡기되어 챔버(100) 내부를 순환 이동(도3의 화살표)할 수 있다.
냉각부재(400)는 상기 순환부재(200) 및 가열부재(300)의 상부 또는 하부에 위치할 수 있다. 도면에는 도시하지 않았으나, 순환부재(200)가 챔버(100) 내 하부에 위치하는 경우, 공기공급부는 순환부재(200)가 위치하는 챔버(100)의 하부에 형성되고, 순환부재(200)의 상부에는 흡기부가 형성될 수 있다. 순환부재(200)는 순환팬과 그를 가동시키는 구동모터를 포함할 수 있으며, 구동모터는 챔버(100) 외측으로 돌출되어 결합될 수 있다. 즉, 냉각부재(400)는 상기 순환부재(200) 및 가열부재(300)의 상부에 위치하거나, 상기 순환부재(200) 및 가열부재(300)의 하부에 냉각부재(400)가 위치할 수 있다. 냉각부재(400)는 반도체소자 또는 전자소자의 열처리 후 매거진 수용영역(110)의 냉각을 위해 작동되며, 냉각을 위한 물 또는 부동액이 냉각부재(400)에 구비된 관을 따라 흐르며 챔버(100) 내부의 공기를 냉각시킬 수 있다.
상기 매거진 안착 트레이(150)는, 상부 트레이(152)와 하부 트레이(154)를 포함하고, 상기 매거진 수용영역(110)은, 하부 트레이(154)에 안착된 매거진과 상부 트레이(152) 사이에 위치하는 바이패스부(112)를 포함하는 것일 수 있다. 이 경우, 상기 순환부재(200)는 가열 또는 냉각된 공기를 바이패스부(112)를 포함하는 매거진 수용영역(110)으로 공급할 수 있다. 또한, 바이패스부(112)는 히팅된 열기의 온도 손실을 최소화하며 상부로 공급하여 매거진 수용영역(110)의 상부와 하부 온도 차이를 줄일 수 있다. 즉, 열기의 흐름 중 일부는 하부 트레이(154)에 위치하는 매거진을 거치지 않고 바이패스부(112)를 통과함으로 인해 상하의 온도분포를 균일하게 할 수 있다. 이는 냉각부재(400)의 작동 시에도 마찬가지로 냉각된 공기의 흐름이 매거진을 거치지 않고 바이패스부(112)를 통과함으로 인해 상하의 온도분포를 균일해 줄 수 있다.
예로써, 상기 바이패스부(112)는, 좌우 이동을 하며 공기가 흐르는 영역 또는 유로를 조절하는 제1 바이패스 댐퍼(610)를 구비할 수 있다. 즉 제1 바이패스 댐퍼(610)는 바이패스부(112)의 전방에 위치하여 좌우로 이동하며 매거진 수용영역(110) 내의 좌우 온도분포가 균일해지도록 조절할 수 있다.
다른 예로써, 상기 바이패스부(112)는, 전후 이동을 하며 공기가 흐르는 영역 또는 유로를 조절하는 제2 바이패스 댐퍼(620)를 구비할 수 있다. 즉, 제2 바이패스 댐퍼(620)는 바이패스부(112)의 후방에 위치하여 전후로 이동하며 매거진 수용영역(110) 내의 상하 온도분포가 균일해지도록 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐(10)은 상기 순환부재(200)와 상기 매거진 수용영역(110) 사이 및 상기 가열부재(300)와 상기 매거진 수용영역(110) 사이, 즉 공기 공급부에 개재되는 제1 댐퍼(510)를 포함하고, 상기 제1 댐퍼(510)는 그를 통과하는 공기량을 조절함으로써 온도분포를 조절할 수 있다. 예로써, 제1 댐퍼(510)는 소정의 간격으로 위치하는 복수 개의 관통 홀을 구비하는 댐퍼 프레임과, 상기 댐퍼프레임에 대해 좌우 또는 상하 이동을 하며 상기 관통 홀의 크기를 조절하는 복수 개의 댐퍼 플레이트를 포함하며, 상기 댐퍼 플레이트의 이동에 따라 관통 홀, 즉 댐퍼 공간의 크기가 결정될 수 있다. 따라서, 필요한 온도분포에 따라 댐퍼 플레이트를 이동시키며 댐퍼 공간의 크기를 조절하여, 제1 댐퍼(510)를 관통하는 공기의 열흐름을 조절할 수 있다.
나아가서, 상기 제1 댐퍼(510)와 순환부재(200) 사이에는 감압영역(120)이 형성되고, 순환부재(200)의 순환팬(220)이 강력한 흡기를 가지더라도 감압영역(120)이 위치함으로써, 공기의 열 순환 전 버퍼공간을 마련하고 기류의 편향을 억제할 수 있다. 따라서, 순환부재(200)와 제1 댐퍼(510)를 통하여 수용영역 내부로 향하는 공기의 열흐름은 더욱 균일하게 분포될 수 있다. 이로 인해 종래와 같이 매거진 수용영역(110) 외부를 둘러싸는 별도의 공급공간을 구비하지 않더라도, 순환부재(200)와 제1 댐퍼(510) 사이 감압영역(120)으로 인해 공간활용도가 향상되고 내부의 열분포 균일성이 개선될 수 있으므로, 복수의 소형 챔버 오븐(10) 설치를 구현할 수 있다.
또한, 상기 소형 챔버 오븐(10)은, 상기 냉각부재(400)와 상기 매거진 수용영역(120) 사이에 개재되는 제2 댐퍼(520)를 포함하는 것일 수 있다. 제2 댐퍼(520) 또한 제1 댐퍼(510)와 마찬가지로, 제2 댐퍼(520)는 소정의 간격으로 위치하는 복수 개의 관통 홀을 구비하는 댐퍼 프레임(521)과, 상기 댐퍼프레임(521)에 대해 좌우 또는 상하 이동을 하며 상기 관통 홀의 크기를 조절하는 복수 개의 댐퍼 플레이트(523)를 포함하며, 상기 댐퍼 플레이트(523)의 이동에 따라 관통 홀, 즉 댐퍼 공간(525)의 크기가 결정될 수 있다. 따라서, 필요한 온도분포에 따라 댐퍼 플레이트(523)를 이동시키며 댐퍼 공간(525)의 크기를 조절하여, 제2 댐퍼(520)를 관통하는 공기의 열흐름을 조절할 수 있다.
따라서 상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐(10)은 순환부재(200)를 구비함으로써 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하여 열기의 흐름을 일정 방향으로 조성할 수 있으며, 챔버(100) 내 상하 열흐름 방향에 대한 난기류 발생을 방지하고, 챔버(100) 내의 온도분포 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 바이패스부(112)가 형성되어 가열된 공기의 온도 손실을 최소화하고 챔버(100)에 공급함으로써, 상부와 하부의 온도 차이를 개선할 수 있는 장점이 있다. 나아가서, 종래의 도 2와 같은 열기 공급구간(5)이 없어도 제1 댐퍼(510)를 구비함으로써 온도분포를 조절할 수 있으며, 제1 댐퍼(510)와 순환부재(200) 사이에 감압영역(120)이 형성되어 기류의 편향을 억제할 수 있으므로, 균일한 온도분포를 위한 필요공간이 축소될 수 있는 효과가 있다.
상기의 장점과 효과로 인해 본 발명에 따른 소형 챔버 오븐(10)은 소형화 및 모듈화될 수 있으며, 도 10 및 11과 같이 상하좌우 확장 설치가 가능한 장점이 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐과 매거진 자동 이송장치를 나타낸 상면도이고, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐의 모듈화 및 확장 설치를 나타낸 정면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐(10)에 대한 매거진(M)의 로딩(loading) 또는 언로딩(unloading)은 이송부에 장착된 그리퍼(29)를 포함하는 매거진 자동 이송장치(20)를 통하여 이루어질 수 있다. 이송부는 좌우 이동의 X-이송부(21)와, 전후 이동의 Y-이송부(23)와, 상하이동의 Z-이송부(25)의 결합으로 구비될 수 있으며, 매거진(M)의 위치에 따라 이송부와 결합된 그리퍼암(27)이 이동하며, 그리퍼(29)는 매거진(M)을 매거진 대기장치(30)로부터 상기 오븐(10)의 원하는 위치에 둘 수 있다.
도 11은 모듈화 및 확장 설치된 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐(10)들을 나타낸 것으로, 예로써, 상기 소형 챔버 오븐(10)은 슬라이딩 레일(60)과 결합되어 상하 이동 후 설정된 위치에 고정이 될 수 있다. 또한, 상기 소형 챔버 오븐(10) 사이는 고정 브라켓(50)을 이용하여 수평으로 확장하며 복수개의 소형 챔버 오븐(10)을 결합할 수 있으며, 소형 챔버 오븐(10)이 필요 없는 공간이나 소형 챔버 오븐(10) 간의 높이를 맞추기 위한 더미모듈(70)을 더 구비할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10; 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐
20; 매거진 이송장치
30; 매거진 대기장치
50; 고정 브라켓
60; 슬라이딩 레일
70; 더미모듈
100; 챔버
110; 매거진 수용영역
120; 감압영역
112; 바이패스부
150; 매거진 안착 트레이
170; 배기댐퍼
200; 순환부재
210; 구동모터
220; 순환팬
300; 가열부재
400; 냉각부재
510; 제1 댐퍼
520; 제2 댐퍼
521; 댐퍼 프레임
523; 댐퍼 플레이트
525; 댐퍼 공간
610; 제1 바이패스 댐퍼
620; 제2 바이패스 댐퍼
700; 챔버도어
800; 도어개폐장치
900; 캐스터장치
M; 매거진

Claims (5)

  1. 하나 이상의 매거진 안착 트레이를 포함하며 매거진 수용영역을 제공하는 챔버;
    상기 매거진 수용영역의 후방에 구비되며, 상하부를 공기 공급부와 흡기부로 형성하는 순환부재;
    상기 순환부재의 일측부에 위치하는 가열부재; 및
    상기 순환부재 및 가열부재의 상부 또는 하부에 위치하는 냉각부재;를 구비하고,
    상기 매거진 안착 트레이는, 상부 트레이와 하부 트레이를 포함하고,
    상기 매거진 수용영역은, 하부 트레이에 안착된 매거진과 상부 트레이 사이에 위치하는 바이패스부를 포함하고,
    상기 바이패스부는, 좌우 이동을 하며 공기가 흐르는 영역 또는 유로를 조절하는 제1 바이패스 댐퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 순환부재와 상기 매거진 수용영역 사이 및 상기 가열부재와 상기 매거진 수용영역 사이에 개재되는 제1 댐퍼;를 포함하고,
    상기 제1 댐퍼와 순환부재 사이에 감압영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 바이패스부는, 전후 이동을 하며 공기가 흐르는 영역 또는 유로를 조절하는 제2 바이패스 댐퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐은,
    상기 냉각부재와 상기 매거진 수용영역 사이에 개재되는 제2 댐퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 소형 챔버 오븐.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0835784A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Shinagawa Refract Co Ltd 黒鉛系耐火物の熱処理炉、熱処理方法及びその制御方法
KR19990036603A (ko) * 1997-10-02 1999-05-25 시마자키 기요시 평판형상 워크를 무풍가열할 수 있는 열처리장치
JP2005156089A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Taiho Kogyo Kk クリーンオーブン
KR20080029812A (ko) * 2006-09-28 2008-04-03 주식회사 케이피씨 열처리장치
KR100864117B1 (ko) 2001-03-05 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리방법 및 열처리장치
JP5767354B2 (ja) 2014-03-14 2015-08-19 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
KR101852937B1 (ko) 2016-06-29 2018-05-02 (주)예스티 급속 냉각 장치 및 이를 구비한 열처리 오븐 시스템

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0835784A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Shinagawa Refract Co Ltd 黒鉛系耐火物の熱処理炉、熱処理方法及びその制御方法
KR19990036603A (ko) * 1997-10-02 1999-05-25 시마자키 기요시 평판형상 워크를 무풍가열할 수 있는 열처리장치
KR100864117B1 (ko) 2001-03-05 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리방법 및 열처리장치
JP2005156089A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Taiho Kogyo Kk クリーンオーブン
KR20080029812A (ko) * 2006-09-28 2008-04-03 주식회사 케이피씨 열처리장치
JP5767354B2 (ja) 2014-03-14 2015-08-19 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
KR101852937B1 (ko) 2016-06-29 2018-05-02 (주)예스티 급속 냉각 장치 및 이를 구비한 열처리 오븐 시스템

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