KR102415052B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 87
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 305
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VIQCGTZFEYDQMR-UHFFFAOYSA-N fluphenazine decanoate Chemical compound C1CN(CCOC(=O)CCCCCCCCC)CCN1CCCN1C2=CC(C(F)(F)F)=CC=C2SC2=CC=CC=C21 VIQCGTZFEYDQMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H01L51/5268—
-
- H01L27/3246—
-
- H01L51/5253—
-
- H01L51/5271—
-
- H01L51/56—
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/872—Containers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
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- H01L2227/32—
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 개구를 가지고, 제1 기판 상에 배치되는 화소 정의막, 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 제2 전극 상에 배치되는 캡핑층, 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 및 제2 기판의 저면 상에 배치되는 분산층을 포함할 수 있다. 분산층은 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스를 흡수할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캡핑층 및 분산층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 이러한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 통상적으로 정공 주입층, 전자 주입층 및 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 구조물을 구비한다. 상기 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 정공 주입층에 주입되는 정공 및 상기 전자 주입층에서 주입되는 전자가 상기 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 광을 발생시킨다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하여 저전력으로 구동이 가능하고, 경량의 박형으로 제조될 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 명암비, 빠른 응답 속도 등의 우수한 품위 특성들을 갖는다.
이러한 유기 발광 표시 장치에는 상기 유기 발광 구조물을 구동시키는 트랜지스터를 보호하고, 상기 트랜지스터의 상면을 평탄화시키는 평탄화막이 형성되고, 상기 평탄화막의 상부에는 화소를 구분시키는 화소 정의막이 형성되어 있다. 이러한 평탄화막, 화소 정의막 등은 유기물을 포함할 수 있다.
한편, 유기물을 포함하는 상기 화소 정의막의 단기적 또는 장기적인 화학 분해로 인하여, 화소 정의막은 아웃 개스(out gas)를 발생시킬 수 있고, 이러한 아웃 개스가 유기 발광 구조물의 유기 발광층으로 유입되어 유기 발광 구조물을 열화시킴으로써, 화소 수축(pixel shrinkage) 현상 또는 화소의 수명 저하 등을 유발할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 제2 기판의 저면 상에 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스(out gas)에 의한 화소 수축(pixel shrinkage)을 방지할 수 있는 분산층을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제2 기판의 저면 상에 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스에 의한 화소 수축을 방지할 수 있는 분산층을 구비하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 상술한 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 기판 상에 배치되며 상기 제1 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 개구를 갖는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 화소 정의막에 접촉되는 캡핑층, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 및 상기 제2 기판의 저면 상에 배치되며 상기 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스를 흡수하는 분산층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 캡핑층의 단부에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층은 약 54nm 내지 약 150nm 정도의 두께를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층은 유기물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 분산층은 유기물을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층과 상기 분산층은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층은 상기 제2 기판의 저면 상에 실질적으로 전체적으로 형성될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 기판과 상기 분산층 사이에 배치되는 제1 반사층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층은 상기 제1 전극에 대응되는 개구부 및 상기 화소 정의막에 대응되도록 상기 개구부를 둘러싸는 반사부를 구비할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 반사층은 상기 제1 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층은 상기 제1 반사층 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층은 상기 제1 반사층 상에 상기 제1 반사층의 개구부에 대응되도록 배치될 수 있다.
또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 반사층과 상기 분산층 사이에 배치되는 제2 반사층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 분산층 및 상기 제2 반사층은 상기 제2 기판 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 반사층은 은(Ag) 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 캡핑층과 상기 분산층 사이의 공간을 실질적으로 채우는 충진 부재를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 충진 부재는 실리콘을 함유할 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 기판 상에 제1 전극을 형성한 후, 상기 제1 기판 상에 상기 제1 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 개구를 가지는 화소 정의막을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성한 후, 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극 상에 상기 화소 정의막에 접촉되는 캡핑층을 형성할 수 있다. 제2 기판 상에 상기 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스를 흡수하는 분산층을 형성할 수 있다. 상기 캡핑층과 상기 분산층이 대향하도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층은 유기물을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 캡핑층과 상기 분산층은 실질적으로 동일한 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 제2 기판의 저면 상에 배치되는 분산층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스가 충진 부재를 통해 분산층에 전달되며, 상기 아웃 개스가 전부 캡핑층을 통해 유기 발광층에 전달되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 유기 발광 표시 장치가 외광을 반사시키는 제1 반사층을 포함하는 경우에, 상기 분산층은 아웃 개스를 흡수할 수 있을 뿐만 아니라, 외광을 투과시킬 수 있고, 미러의 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 아웃 개스가 분산층으로 분산되는 현상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도들이다.
도 7은 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 아웃 개스가 분산층으로 분산되는 현상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도들이다.
도 7은 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 1의 II-II' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 아웃 개스가 분산층으로 분산되는 현상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 제1 기판(10), 트랜지스터(TR), 유기 발광 구조물(200), 화소 정의막(30), 캡핑층(40), 제2 기판(50), 분산층(60) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치(1)는 충진 부재(70)를 더 포함할 수 있다.
제1 기판(10)은 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 상기 제1 기판(10)은 연성(flexible) 기판을 포함할 수도 있다.
상기 제1 기판(10) 상에는 표시 영역(12) 및 상기 표시 영역(12)을 실질적으로 둘러싸는 주변 영역(14)이 정의될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치(1)의 표시 영역(12)에는 영상을 표시하기 위하여 복수의 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소들은 실질적으로 매트릭스(matrix)의 구조로 상기 제1 기판(10)의 표시 영역(12)에 배열될 수 있다. 상기 화소들은 각기 트랜지스터(TR) 및 유기 발광 구조물(200)을 포함할 수 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여 유기 발광 표시 장치(1)를 보다 상세하게 설명한다.
상기 제1 기판(10) 상에는 버퍼층(100)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(100)은 상기 제1 기판(10)을 통해 상기 트랜지스터(TR) 및 상기 유기 발광 구조물(200)을 포함하는 상부 구조물들로 수분 및/또는 산소가 침투하는 것을 실질적으로 차단할 수 있으며, 상기 제1 기판(10)으로부터 이온들이 확산되는 것을 실질적으로 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(100)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(100)은 경우에 따라 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 버퍼층(100) 상에는 트랜지스터(TR)가 배치될 수 있다. 상기 트랜지스터(TR)는 액티브 패턴(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130), 층간 절연막(140), 소스 전극(150), 드레인 전극(160) 등을 포함할 수 있다. 도 3에 예시한 바와 같이, 상기 트랜지스터(TR)는 상기 게이트 전극(130)이 상기 액티브 패턴(110) 상부에 위치하는 탑(top) 게이트 구성을 가지지만, 상기 트랜지스터(TR)의 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 트랜지스터(TR)는 상기 게이트 전극(130)이 상기 액티브 패턴(110) 아래에 위치하는 바텀(bottom) 게이트 구성을 가질 수 있다.
상기 버퍼층(100) 상에는 상기 액티브 패턴(110)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(110)은 실리콘을 함유하는 물질 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 액티브 패턴(110)은 소스 영역(112), 드레인 영역(116), 그리고 상기 소스 영역(112)과 드레인 영역(116) 사이에 위치하는 채널 영역(114)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브 패턴(110)을 실질적으로 커버하면서 상기 버퍼층(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물이나 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 하프늄 산화물(HfOx) 등과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(120) 상에는 상기 게이트 전극(130)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 게이트 전극(130)은 상기 액티브 패턴(110)의 채널 영역(114) 상부에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(130)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 티타늄(Ti) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 전극(130)을 실질적으로 커버하면서 상기 게이트 절연막(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 전극(130)을 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)으로부터 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(140) 상에는 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)이 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 각기 상기 게이트 절연막(120) 및 상기 층간 절연막(140)을 관통하여 상기 액티브 패턴(110)과 접촉할 수 있다. 여기서, 상기 소스 전극(150)은 상기 액티브 패턴(110)의 소스 영역(112)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 드레인 전극(160)은 상기 액티브 패턴(110)의 드레인 영역(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 각기 금, 은, 구리, 니켈, 백금, 알루미늄, 몰리브덴 및 티타늄 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
평탄화막(170)은 상기 트랜지스터(TR)를 실질적으로 커버하면서 상기 층간 절연막(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 평탄화막(170)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 평탄화막(170)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 상기 평탄화막(170)은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 등과 같은 유기물로 구성될 수 있다.
도 3에 예시한 바와 같이, 상기 유기 발광 구조물(200)은 제1 전극(20), 유기 발광층(22), 제2 전극(24) 등을 포함할 수 있다.
상기 평탄화막(170) 상에는 상기 제1 전극(20)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(20)은 상기 평탄화막(170)을 관통하여 상기 드레인 전극(160)과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 구조물(200)이 상기 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(20)은 상기 유기 발광 구조물(200)의 애노드(anode) 전극에 해당될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치(1)가 전면 발광(top emission) 방식을 가질 경우, 상기 제1 전극(20)은 반사 전극에 해당될 수 있다. 한편, 상기 유기 발광 표시 장치(1)가 배면 발광(bottom emission) 방식을 가질 경우, 상기 제1 전극(20)은 투명 전극에 해당될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(20)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO), 및 인듐 갈륨 산화물(IGO) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
화소 정의막(30)은 상기 제1 전극(20)을 부분적으로 노출시키면서 상기 평탄화막(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(30)은 상기 제1 기판(10)상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(30)은 상기 제1 전극(20)의 일부를 노출시키는 화소 개구를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(30)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광층(22)은 노출된 제1 전극(20) 및 상기 화소 정의막(30)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 발광층(22)이 저분자 유기물을 포함하는 경우, 상기 유기 발광층(22) 아래에 정공 주입층, 정공 수송층 등이 배치될 수 있고, 상기 유기 발광층(22) 상에 전자 수송층, 전자 주입층 등이 배치될 수 있다. 한편, 상기 유기 발광층(22)이 고분자 유기물을 포함하는 경우, 상기 유기 발광층(22) 아래에 정공 수송층 등이 배치될 수 있다.
상기 유기 발광층(22) 상에는 상기 제2 전극(24)이 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(24)은 상기 제1 기판(10)의 표시 영역(12)에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(24)은 상기 유기 발광 구조물(200)의 캐소드(cathode) 전극에 해당될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치(1)가 전면 발광 방식을 가질 경우, 상기 제2 전극(24)은 투명 전극에 해당될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치(1)가 배면 발광 방식을 가질 경우, 상기 제2 전극(24)은 반사 전극에 해당될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(730)은 은, 마그네슘, 알루미늄, 백금, 금, 니켈, 이리듐, 크롬, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 산화물, 및 인듐 갈륨 산화물 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(30) 상에는 씰링 부재(700)가 배치될 수 있다. 상기 씰링 부재(700)는 상기 제1 기판(10)의 주변 영역(14)에 배치될 수 있다. 상기 씰링 부재(700)는 상기 제1 기판(10)과 상기 제2 기판(50)을 결합할 수 있다.
상기 화소 정의막(30) 상에는 게터(750)가 배치될 수 있다. 상기 게터(750)는 상기 제1 기판(10)의 주변 영역(14)에 배치될 수 있다. 상기 게터(750)는 상기 제1 기판(10)과 상기 제2 기판(50) 사이의 공간에 존재하는 수분 및/또는 산소와 반응하여 수분 및/또는 산소를 용이하게 제거할 수 있고, 수분 및/또는 산소가 상기 유기 발광 구조물(200), 트랜지스터(TR) 등에 손상을 입히는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 게터(750)는 바륨(Ba), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 몰리브덴(Mo), 토륨(Th), 세륨(Ce), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(24) 상에는 상기 캡핑층(40)이 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(40)은 상기 제2 전극(24)을 충분히 덮도록 상기 제1 기판(10)의 표시 영역(12)에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(40)은 상기 유기 발광 구조물(200)을 보호하고, 상기 유기 발광 구조물(200)로부터 발생되는 광이 효율적으로 방출될 수 있게 할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막(30)은 상기 캡핑층(40)의 단부(40a)에 접촉될 수 있다. 상기 캡핑층(40)의 면적이 상기 제2 전극(24)의 면적보다 넓을 경우, 상기 캡핑층(40)의 외곽부에 해당하는 상기 캡핑층(40)의 단부(40a)는 상기 제2 전극(24)에 접촉되지 않을 수 있다. 다시 말해, 상기 캡핑층(40)의 단부(40a)의 저면이 상기 제2 전극(24)에 의해 커버되지 않은 화소 정의막(30)의 상면에 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층(40)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(40)은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene); DEPOT) 중에서 하나 이상의 유기물을 포함할 수 있다.
상기 캡핑층(40) 상에는 상기 제1 기판(10)에 실질적으로 대향하도록 상기 제2 기판(50)이 배치될 수 있다. 상기 제2 기판(50)은 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 상기 제2 기판(50)은 연성 기판을 포함할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 유기물을 포함하는 상기 화소 정의막(30)의 단기적 또는 장기적인 화학 분해로 인하여, 상기 화소 정의막(30)이 아웃 개스(out gas)(OG1)를 발생시킬 수 있다. 상기 캡핑층(40)의 단부(40a)가 상기 화소 정의막(30)에 접촉되는 경우, 상기 아웃 개스(OG1)는 상기 화소 정의막(30)으로부터 상기 캡핑층(40)에 전달될 수 있다. 상기 아웃 개스(OG1)가 상기 캡핑층(40)을 통해 상기 유기 발광 구조물(200)의 유기 발광층(22)으로 유입되어 상기 유기 발광 구조물(200)을 열화시킴으로써, 화소 수축(pixel shrinkage) 현상 또는 화소의 수명 저하 등을 유발할 수 있다.
상기 제2 기판(50)의 저면 상에는 분산층(60)이 배치될 수 있다. 상기 분산층(60)은 상기 화소 정의막(30)으로부터 발생되는 아웃 개스(OG2)를 흡수할 수 있다. 다시 말해, 상기 분산층(60)은 상기 화소 정의막(30)으로부터 발생되어 상기 캡핑층(40)을 통해 상기 유기 발광층(22)으로 전달될 수 있는 아웃 개스(OG1)를 실질적으로 분산시키는 역할을 수행할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60)은 약 54nm 내지 약 150nm 정도의 두께를 가질 수 있다. 상기 분산층(60)의 두께가 54nm보다 작을 경우, 상기 분산층(60)은 상기 화소 정의막(30)으로부터 발생되는 아웃 개스를 분산시킬 정도로 충분한 양의 아웃 개스를 흡수하지 못할 수 있다. 상기 분산층(60)의 두께가 150nm보다 클 경우, 상기 제2 기판(50)의 투과율이 저하될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 비용이 상승할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 분산층(60)은 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60)은 전술한 유기물들 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60)이 실질적으로 동일한 물질을 포함하는 경우, 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 비용이 절감될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60)은 상기 제2 기판(50) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 분산층(60)은 상기 제1 기판(10)의 표시 영역(12)에 전체적으로 배치되는 상기 캡핑층(40)에 대응되도록 상기 제2 기판(50)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
충진 부재(70)는 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60) 사이의 공간을 실질적으로 채울 수 있다. 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60) 사이의 공간이 상기 충진 부재(70)에 의해 채워지는 경우, 외부의 충격에 대한 상기 유기 발광 표시 장치(1)의 내구성이 향상될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 충진 부재(70)는 실리콘을 함유할 수 있다. 상기 화소 정의막(30)에서 발생되는 아웃 개스는 상기 충진 부재(70)를 통해 상기 분산층(60)에 전달되고, 상기 아웃 개스는 상기 충진 부재(70)에는 함유되지 않을 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치(1)는 제2 기판(50)의 저면 상에 배치되는 분산층(60)을 포함할 수 있으므로, 상기 화소 정의막(30)으로부터 발생되는 아웃 개스가 충진 부재(70)를 통해 상기 분산층(60)에 전달되어, 아웃 개스가 전부 캡핑층(40)을 통해 유기 발광층(22)에 전달되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 화소 수축 현상 또는 화소의 수명 저하 등이 야기되지 않을 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 제1 기판(10), 트랜지스터(TR), 유기 발광 구조물(200), 화소 정의막(30), 캡핑층(40), 제2 기판(50), 분산층(60), 제1 반사층(80) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치(1)는 충진 부재(70)를 더 포함할 수 있다. 도 5 및 도 6에 예시한 유기 발광 표시 장치(1)의 구성 요소들에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(1)의 구성 요소들과 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
제1 반사층(80)은 상기 제2 기판(50)과 상기 분산층(60) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 반사층(80)은 유기 발광 표시 장치(1)로 입사하는 외광을 반사시켜 상기 유기 발광 표시 장치(1)가 미러 디스플레이의 기능을 수행할 수 있게 한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 반사층(80)은 상기 제1 기판(10) 상에 배치되는 제1 전극(20)에 대응되는 개구부(850) 및 상기 화소 정의막(30)에 대응되도록 상기 개구부(850)를 둘러싸는 반사부(800)를 구비할 수 있다. 상기 제1 전극(20)이 배치되는 영역에서는 유기 발광층(22)에 의해 광이 방출되므로, 상기 제1 반사층(80)에서 상기 제1 전극(20)과 대응되는 영역에는 광을 통과시키는 개구부(850)가 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(30)이 배치되는 영역에서는 광이 방출되지 않으므로, 상기 제1 반사층(80)에서 상기 화소 정의막(30)과 대응되는 영역에는 외광을 반사시키는 반사부(800)가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 반사층(80)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중에서 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
예시적인 일 실시예에 있어서, 상기 분산층(60)은 상기 제2 기판(50) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 분산층(60)은 상기 제1 기판(10)의 표시 영역(12)에 전체적으로 배치되는 상기 캡핑층(40)에 대응되도록, 상기 제1 반사층(80)의 반사부(800)의 하부 및 상기 제1 반사층(80)의 개구부(850)에 대응되는 상기 제2 기판(50)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 분산층(60)은 외광을 투과시키고, 미러의 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 상기 분산층(60)은 상기 제2 기판(50) 상에서 상기 제1 반사층(80)의 개구부(850)에 실질적으로 대응되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 분산층(60)은 상기 제1 기판(10) 상에 배치되는 제1 전극(20)에 대응되도록, 상기 제1 반사층(80)의 개구부(850)에 대응되는 상기 제2 기판(50)의 저면 상에 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 유기 발광 표시 장치(1)는 외광을 반사시키는 제1 반사층(80)을 포함할 수 있으므로, 미러 디스플레이로 활용될 수 있고, 상기 분산층(60)은 상기 화소 정의막(30)으로부터 발생되는 아웃 개스를 분산시킬 뿐만 아니라, 외광을 투과시킬 수 있고, 미러의 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
도 7은 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 제1 기판(10), 트랜지스터(TR), 유기 발광 구조물(200), 화소 정의막(30), 캡핑층(40), 제2 기판(50), 분산층(60), 제1 반사층(80), 제2 반사층(90) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치(1)는 충진 부재(70)를 추가적으로 포함할 수 있다. 도 7에 예시한 유기 발광 표시 장치(1)의 구성 요소들에 있어서, 도 1 내지 도 3, 도 5를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(1)의 구성 요소들과 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
제2 반사층(90)은 상기 제1 반사층(80)과 상기 분산층(60) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 반사층(90)은 유기 발광 표시 장치(1)로 입사하는 외광 및 유기 발광 표시 장치(1)에서 방출되는 광을 투과시켜 상기 유기 발광 표시 장치(1)의 투과율을 향상시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60) 및 상기 제2 반사층(90)은 상기 제2 기판(50) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(90)은 상기 제1 기판(10)의 표시 영역(12)에 전체적으로 배치되는 상기 캡핑층(40)에 대응되도록 상기 제2 기판(50)의 저면 상에 전체적으로 배치되고, 상기 분산층(60)은 상기 제2 반사층(90)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 반사층(90)은 은(Ag) 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 트랜지스터(TR)와 유기 발광 구조물(200)이 형성되는 제1 기판(10)이 제공될 수 있다. 상기 제1 기판(10)은 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 상기 제1 기판(10)은 연성 기판을 포함할 수도 있다.
버퍼층(100)은 상기 제1 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(100)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 실리콘 화합물을 사용하는 증착 공정 또는 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(100)은 단층 구조 또는 다층 구조로 상기 제1 기판(10) 상에 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(100) 상에는 반도체층이 형성될 수 있다. 상기 반도체층은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 산화물 반도체를 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체층이 상기 산화물 반도체를 포함할 경우, 상기 반도체층은 복수의 타겟을 이용하는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 반도체층을 식각하여 상기 버퍼층(100) 상에 액티브 패턴(110)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(110)은 사진 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
게이트 절연막(120)은 상기 액티브 패턴(110)을 실질적으로 커버하면서 상기 버퍼층(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물이나 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 하프늄 산화물(HfOx) 등과 같은 금속 산화물을 사용하는 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
게이트 전극(130)은 아래에서 설명하는 액티브 패턴(110)의 채널 영역(114)에 대응되도록 상기 게이트 절연막(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(130)은 상기 액티브 패턴(110)의 상부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(130)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 티타늄(Ti) 중에서 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(130)을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 액티브 패턴(110)에 불순물들을 주입함으로써, 상기 액티브 패턴(110)에 소스 영역(112) 및 드레인 영역(116)이 형성될 수 있으며, 상기 소스 영역(112) 및 드레인 영역(116) 사이에 채널 영역(114)이 정의될 수 있다.
층간 절연막(140)은 상기 게이트 전극(130)을 실질적으로 커버하면서 상기 게이트 절연막(120) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 사용하는 증착 공정 또는 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다.
소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 상기 층간 절연막(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 상기 게이트 절연막(120) 및 상기 층간 절연막(140)을 관통하여 각기 상기 액티브 패턴(110)의 소스 영역(112) 및 드레인 영역(116)에 접촉될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 각기 금, 은, 구리, 니켈, 백금, 알루미늄, 몰리브덴 및 티타늄 중에서 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있다.
평탄화막(170)은 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)을 실질적으로 커버하면서 상기 층간 절연막(140) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 평탄화막(170)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 이용하는 증착 공정 또는 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 선택적으로는, 상기 평탄화막(170)은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 등과 같은 유기 물질을 사용하여 상기 층간 절연막(140) 상에 형성될 수 있다.
제1 전극(20)은 상기 평탄화막(170) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(20)은 상기 평탄화막(170)을 관통하여 상기 드레인 전극(160)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(20)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO) 및 인듐 갈륨 산화물(IGO) 중에서 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있다.
화소 정의막(30)은 상기 제1 전극(20)을 부분적으로 노출시키면서 상기 평탄화막(170) 상에 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(30)은 상기 제1 기판(10) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(30)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
유기 발광층(22)은 상기 노출된 제1 전극(20) 및 상기 화소 정의막(30) 상에 형성될 수 있다. 상기 유기 발광층(22)이 저분자 유기 물질을 사용하여 형성될 경우, 상기 유기 발광층(22)을 형성하기 전에 상기 제1 전극(20) 및 상기 화소 정의막(30) 상에 정공 주입층, 정공 수송층 등을 형성할 수 있고, 상기 유기 발광층(22)을 형성한 후에 상기 유기 발광층(22) 상에 전자 수송층, 전자 주입층 등을 형성할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층(22)이 고분자 유기 물질을 사용하여 형성될 경우, 상기 유기 발광층(22)을 형성하기 전에 상기 제1 전극(20) 및 상기 화소 정의막(30) 상에 정공 수송층 등을 형성할 수 있다.
제2 전극(24)은 상기 유기 발광층(22) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(24)은 상기 제1 기판(10) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(24)은 은, 마그네슘, 알루미늄, 백금, 금, 니켈, 이리듐, 크롬, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 산화물, 및 인듐 갈륨 산화물 중에서 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있다.
캡핑층(40)은 상기 제2 전극(24) 상에 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(40)은 상기 제2 전극(24)을 덮도록 상기 제1 기판(10) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층(40)은 유기물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(40)은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene); DEPOT) 중에서 하나 이상의 유기물을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층(40)의 단부(40a)는 상기 화소 정의막(30)에 접촉되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(40)은 상기 캡핑층(40)의 단부(40a)의 저면이 상기 제2 전극(24)에 의해 덮이지 않는 상기 화소 정의막(30)의 상면에 접촉되도록 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 분산층(60)이 형성되는 제2 기판(50)이 제공될 수 있다. 상기 제2 기판(50)은 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 상기 제2 기판(50)은 연성 기판을 포함할 수도 있다.
분산층(60)은 상기 제2 기판(50) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 분산층(60)은 상기 제2 기판(50) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60)은 유기물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 분산층(60)은 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 중에서 하나 이상의 유기물을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60)은 상기 캡핑층(40)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60)은 동일한 하나 이상의 유기물을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60)이 실질적으로 동일한 물질로 형성되는 경우, 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 비용이 절감될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분산층(60)은 약 54nm 내지 약 150nm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 분산층(60)의 두께가 54nm보다 작을 경우, 상기 분산층(60)은 상기 화소 정의막(30)으로부터 발생되는 아웃 개스를 분산시킬 만큼 충분한 양의 아웃 개스를 흡수하지 못할 수 있다. 상기 분산층(60)의 두께가 150nm보다 클 경우, 상기 제2 기판(50)의 투과율이 저하될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 비용이 상승할 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 기판(10)과 상기 제2 기판(50)은 상기 캡핑층(40)과 상기 분산층(60)이 대향하도록 합착될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(30)의 가장 자리에 씰링 부재(700)를 형성하고, 상기 씰링 부재(700)에 상기 분산층(60)이 접촉하도록, 상기 제1 기판(10)과 상기 제2 기판(50)이 합착될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 기판(10)과 상기 제2 기판(50) 사이의 공간을 실질적으로 채우도록 상기 제1 기판(10)과 상기 제2 기판(50) 사이의 공간에 충진 부재(70)가 주입될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 상술한 실시예들은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비하는 전자 기기들에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(portable multimedia player; PMP), 피디에이(personal digital assistants; PDA), MP3 플레이어, 디지털 카메라, 비디오 캠코더 등에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치 10: 제1 기판
20: 제1 전극 22: 유기 발광층
24: 제2 전극 30: 화소 정의막
40: 캡핑층 50: 제2 기판
60: 분산층 70: 충진 부재
80: 제1 반사층 90: 제2 반사층
200: 유기발광 구조물 800: 반사부
850: 개구부
20: 제1 전극 22: 유기 발광층
24: 제2 전극 30: 화소 정의막
40: 캡핑층 50: 제2 기판
60: 분산층 70: 충진 부재
80: 제1 반사층 90: 제2 반사층
200: 유기발광 구조물 800: 반사부
850: 개구부
Claims (20)
- 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 개구를 갖는 화소 정의막;
상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치되는 제2 전극;
상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 화소 정의막에 접촉되며, 유기물만을 포함하는 캡핑층;
상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판;
상기 제2 기판의 저면 상에 배치되며, 상기 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스를 흡수하며, 유기물만을 포함하는 분산층; 및
상기 캡핑층과 상기 분산층 사이에 배치되고, 상기 캡핑층의 상면 및 상기 분산층의 저면에 접촉하며, 실리콘을 포함하는 충진 부재를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 캡핑층의 단부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분산층은 54nm 내지 150nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 캡핑층 및 상기 분산층은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분산층은 상기 제2 기판의 저면 상에 전체적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 기판과 상기 분산층 사이에 배치되는 제1 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 반사층은 상기 제1 전극에 대응되는 개구부 및 상기 화소 정의막에 대응되도록 상기 개구부를 둘러싸는 반사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 분산층은 상기 제1 반사층 상에 전체적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 분산층은 상기 제1 반사층 상에 상기 제1 반사층의 개구부에 대응되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 반사층과 상기 분산층 사이에 배치되는 제2 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 분산층 및 상기 제2 반사층은 상기 제2 기판 상에 전체적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 제2 반사층은 은(Ag) 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 기판 상에 상기 제1 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 개구를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;
유기물만을 사용하여 상기 제2 전극 상에 상기 화소 정의막에 접촉되는 캡핑층을 형성하는 단계;
유기물만을 사용하여 제2 기판 상에 상기 화소 정의막으로부터 발생되는 아웃 개스를 흡수하는 분산층을 형성하는 단계; 및
상기 캡핑층의 상면 및 상기 분산층의 저면에 접촉하고 실리콘을 포함하는 충진 부재를 사이에 두고 상기 캡핑층과 상기 분산층이 대향하도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 삭제
- 제18항에 있어서, 상기 캡핑층 및 상기 분산층은 동일한 물질을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150132046A KR102415052B1 (ko) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US15/139,445 US20170084675A1 (en) | 2015-09-18 | 2016-04-27 | Organic light-emitting display devices and methods of manufacturing organic light-emitting display devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150132046A KR102415052B1 (ko) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170036831A KR20170036831A (ko) | 2017-04-03 |
| KR102415052B1 true KR102415052B1 (ko) | 2022-07-01 |
Family
ID=58283244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150132046A KR102415052B1 (ko) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170084675A1 (ko) |
| KR (1) | KR102415052B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102461394B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-10-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102448843B1 (ko) | 2017-12-29 | 2022-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| CN108735791A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-02 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制造方法和显示终端 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2003086356A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102099702B1 (ko) * | 2013-05-16 | 2020-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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-
2015
- 2015-09-18 KR KR1020150132046A patent/KR102415052B1/ko active IP Right Grant
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2016
- 2016-04-27 US US15/139,445 patent/US20170084675A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086356A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170036831A (ko) | 2017-04-03 |
| US20170084675A1 (en) | 2017-03-23 |
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