KR102410299B1 - Wire grid polarizer plate, display device including the same and method for fabricating display device - Google Patents

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Abstract

투광성 기판 및 전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하고, 상기 투광성 기판 상에 배치되어 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키고 상기 제1 편광된 광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시키는 선격자 패턴들을 포함하는 와이어 그리드 편광판, 이를 포함하는 표시장치 및 표시장치의 제조방법이 제공된다.The light-transmitting substrate and the conductive single closed curves are spaced apart from each other and include target-type patterns arranged in layers; Provided are a wire grid polarizer including wire grid patterns for reflecting the light, a display device including the same, and a method of manufacturing the display device.

Description

와이어 그리드 편광판, 이를 포함하는 표시장치 및 표시장치의 제조방법{WIRE GRID POLARIZER PLATE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME AND METHOD FOR FABRICATING DISPLAY DEVICE}Wire grid polarizer, display device including same, and method of manufacturing display device

발명은 와이어 그리드 편광판, 이를 포함하는 표시장치 및 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wire grid polarizer, a display device including the same, and a method of manufacturing the display device.

전자기파에서 특정 편광만을 편광시키기 위하여 평행한 도전체 선을 배열시키는 평행 전도 전선 어레이를 일반적으로 와이어 그리드(wire grid)라고 한다.A parallel conductive wire array in which parallel conductor lines are arranged to polarize only a specific polarization in electromagnetic waves is generally referred to as a wire grid.

해당 빛의 파장보다 작은 주기를 가지는 와이어 그리드 구조는 비편광 입사광에 대해 와이어 방향의 편광은 반사하고 와이어 방향에 수직인 편광은 투과하는 편광 특성을 가진다. 이는 흡수형 편광자에 비하여 반사된 편광을 재이용할 수 있다는 장점이 있다.The wire grid structure having a period smaller than the wavelength of the corresponding light has a polarization characteristic that reflects polarized light in the wire direction to unpolarized incident light and transmits polarized light perpendicular to the wire direction. This has an advantage in that the reflected polarized light can be reused compared to the absorption type polarizer.

발명의 일 실시예는 광효율이 향상된 와이어 그리드 편광판을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide a wire grid polarizer with improved light efficiency.

발명의 일 실시예는 광효율이 향상된 표시장치를 제공하고자 한다.SUMMARY One embodiment of the present invention is to provide a display device with improved light efficiency.

발명의 일 실시예는 광효율이 향상된 표시장치의 제조방법을 제공하고자 한다.SUMMARY One embodiment of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device having improved light efficiency.

발명의 실시예들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 실시예들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Embodiments of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other embodiments not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은, 투광성 기판 및 전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하고, 상기 투광성 기판 상에 배치되어 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키고 상기 제1 편광된 광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시키는 선격자 패턴들을 포함한다.A wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention includes a light-transmitting substrate and target-type patterns in which conductive single closed curves are spaced apart from each other and arranged in layers, and is disposed on the light-transmitting substrate to transmit first polarized light among incident light The second polarized light perpendicular to the first polarized light includes a reflecting wire grid pattern.

예를 들어, 상기 전도성 단일 폐곡선들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 이루어진 다각형 형태의 단일 폐곡선을 포함할 수 있다.For example, the conductive single closed curves may include a single closed curve having a polygonal shape including two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction.

예를 들어, 상기 전도성 단일 폐곡선들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 이루어진 비다각형 형태의 단일 폐곡선을 포함할 수 있다. For example, the conductive single closed curves may include a single closed curve having a non-polygonal shape including two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction.

상기 비다각형 형태의 단일 폐곡선은 아치형 구조물들을 포함할 수 있다. The single closed curve of the non-polygonal shape may include arcuate structures.

상기 선격자 패턴들 중 적어도 둘 이상은 면적이 서로 상이할 수 있다.At least two or more of the wire grid patterns may have different areas.

상기 선격자 패턴들은 상기 과녁형 패턴들 사이에 배치된 제3 선형 구조물들을 더 포함할 수 있다.The wire grid patterns may further include third linear structures disposed between the target patterns.

상기 제3 선형 구조물들은 상기 일 방향으로 배열될 수 있다.The third linear structures may be arranged in the one direction.

상기 와이어 그리드 편광판은 상기 선격자 패턴들의 사이에 배치되고, 상기 제1 편광된 광과 상기 제2 편광된 광을 모두 반사시키는 반사 패턴들을 더 포함할 수 있다. The wire grid polarizer may further include reflective patterns disposed between the wire grid patterns and reflecting both the first polarized light and the second polarized light.

상기 제3 선형 구조물들은 상기 반사 패턴들에 연결될 수 있다.The third linear structures may be connected to the reflective patterns.

발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 투광성 기판과, 상기 투광성 기판 상에 배치되어 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키고 상기 제1 편광된 광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시키는 선격자 패턴들을 포함하는 와이어 그리드 편광판 및 상기 와이어 그리드 편광판의 상부에 배치된 불투명층을 포함하며, 상기 선격자 패턴들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 구성된 적어도 둘 이상의 전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하고, 상기 불투명층은 상기 제2 선형 구조물들을 커버한다. 상기 불투명층은 상기 제2 선형 구조물들을 전부 커버할 수 있다.
상기 선격자 패턴들은 상기 과녁형 패턴들 사이에 배치된 제3 선형 구조물들을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 선형 구조물들은 상기 일 방향으로 배열될 수 있다.
상기 와이어 그리드 편광판은 상기 선격자 패턴들의 사이에 배치되고, 상기 제1 편광된 광과 상기 제2 편광된 광을 모두 반사시키는 반사 패턴들을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 선형 구조물들은 상기 반사 패턴들에 연결될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a light-transmitting substrate, and disposed on the light-transmitting substrate to transmit a first polarized light among incident light and reflect a second polarized light perpendicular to the first polarized light A wire grid polarizer including wire grid patterns and an opaque layer disposed on the wire grid polarizer, wherein the wire grid patterns include two first linear structures arranged in one direction and not arranged in one direction. At least two or more conductive single closed curves composed of two or more second linear structures are spaced apart from each other and include target-shaped patterns arranged in layers, and the opaque layer covers the second linear structures. The opaque layer may cover all of the second linear structures.
The wire grid patterns may further include third linear structures disposed between the target patterns.
The third linear structures may be arranged in the one direction.
The wire grid polarizer may further include reflective patterns disposed between the wire grid patterns and reflecting both the first polarized light and the second polarized light.
The third linear structures may be connected to the reflective patterns.

상기 불투명층은 상기 반사 패턴들을 더 커버할 수 있다.The opaque layer may further cover the reflective patterns.

상기 반사 패턴들은 상기 일 방향으로 배열된 제1 반사 영역들과 상기 일 방향에 수직하게 배열된 제2 반사 영역들을 포함할 수 있다. The reflective patterns may include first reflective regions arranged in the one direction and second reflective regions arranged perpendicular to the one direction.

상기 불투명층은 상기 제1 반사 영역들과 중첩되게 배치되어 상기 제1 반사 영역들을 커버하는 꺽인 선 형상의 제1 불투명 영역과 상기 제2 반사 영역들을 커버하는 직선 형상의 제2 불투명 영역을 포함할 수 있다. The opaque layer is disposed to overlap the first reflective regions and includes a first opaque region in a bent line shape covering the first reflective regions and a second opaque region in a straight line shape covering the second reflective regions. can

상기 제1 불투명 영역은 상기 제1 반사 영역 전부를 커버할 수 있다.The first opaque region may cover all of the first reflective region.

상기 제2 불투명 영역은 상기 제2 반사 영역 전부를 커버할 수 있다. The second opaque region may cover all of the second reflective region.

상기 표시장치는, 상기 와이어 그리드 편광판 상에 배치된 절연막, 상기 제2 반사 영역들과 중첩되게 상기 절연막 상에 배치된 게이트 배선 및 상기 제1 반사 영역들과 중첩되게 상기 게이트 배선 상에 배치된 데이터 배선을 더 포함할 수 있다.The display device may include an insulating layer disposed on the wire grid polarizer, a gate line disposed on the insulating layer to overlap the second reflective regions, and data disposed on the gate line to overlap the first reflective regions. It may further include wiring.

상기 불투명층은 면적이 서로 상이한 둘 이상의 개구부들을 포함할 수 있다.The opaque layer may include two or more openings having different areas.

상기 와이어 그리드 편광판은 면적이 서로 다른 둘 이상의 선격자 패턴들을 더 포함할 수 있다.The wire grid polarizer may further include two or more wire grid patterns having different areas.

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발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은, 투광성 기판 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층 상에 가이드 격벽들과 상기 가이드 격벽들의 사이에 배치되어 상기 금속층을 노출시키는 트렌치(trench)를 포함하는 가이드 패턴층을 형성하는 단계, 상기 트렌치에 제1 도메인과 상기 제1 도메인과 식각률이 상이한 제2 도메인을 포함하는 자기 정렬된 블록 공중합체의 나노 구조를 형성하는 단계, 및 상기 제1 도메인과 상기 제2 도메인 중 하나를 마스크로 이용하고 상기 금속층을 패터닝하여, 전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하는 선격자 패턴들을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes forming a metal layer on a light-transmitting substrate, and forming guide barrier ribs on the metal layer and a trench disposed between the guide barrier ribs to expose the metal layer. Forming a guide pattern layer comprising: forming a nanostructure of a self-aligned block copolymer including a first domain and a second domain having a different etch rate from the first domain in the trench, and the first domain and using one of the second domains as a mask and patterning the metal layer to form wire grid patterns including target-shaped patterns in which conductive single closed curves are spaced apart from each other and disposed in layers.

상기 과녁형 패턴들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 구성된 적어도 둘 이상의 전도성 단일 폐곡선들을 포함할 수 있다.The target-shaped patterns may include at least two or more conductive single closed curves including two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction.

상기 표시장치의 제조방법은, 상기 제2 선형 구조물들을 커버하는 불투명층을 상기 선격자 패턴들의 상부에 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가이드 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 가이드 격벽들의 폭을 줄이는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the display device may further include disposing an opaque layer covering the second linear structures on the wire grid patterns.
The forming of the guide pattern layer may further include reducing widths of the guide barrier ribs.

상기 선격자 패턴들을 형성하는 단계는 제3 선형 구조물들을 상기 과녁형 패턴들 사이에 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 선형 구조물들은 상기 반사 패턴들에 연결될 수 있다.The forming of the wire grid patterns may further include forming third linear structures between the target-shaped patterns.
The third linear structures may be connected to the reflective patterns.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

발명의 일 실시예는 광효율이 향상된 와이어 그리드 편광판을 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a wire grid polarizer with improved light efficiency.

발명의 일 실시예는 광효율이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a display device with improved light efficiency.

발명의 일 실시예는 광효율이 향상된 표시장치의 제조방법을 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a method of manufacturing a display device having improved light efficiency.

발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effect according to the invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1 내지 도 10은 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판 제조방법의 개략적인 단면도들이다.
도 11은 도 5의 공정품의 개략적인 평면도이다.
도 12는 도 11의 A 영역의 개략적인 확대도이다.
도 13은 도 10의 와이어 그리드 편광판의 개략적인 평면도이다.
도 14는 도 13의 A 영역의 개략적인 확대도이다.
도 15는 도 13의 와이어 그리드 편광판과 불투명층의 배치관계에 대한 표시장치의 개략적인 배치도이다.
도 16은 도 15의 A 영역의 개략적인 확대도이다.
도 17은 도 10의 와이어 그리드 편광판과 불투명층의 배치관계에 대한 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 18은 도 12의 변형례이다.
도 19는 도 14의 와이어 그리드 편광판의 변형례이다.
도 20은 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제1 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.
도 21은 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제2 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.
도 22는 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제3 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.
도 23은 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제4 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.
도 24는 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제5 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.
도 25 내지 도 34는 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판 제조방법의 개략적인 단면도들이다. 1 to 10 are schematic cross-sectional views of a method for manufacturing a wire grid polarizer according to a first embodiment of the present invention.
11 is a schematic plan view of the workpiece of FIG. 5 .
12 is a schematic enlarged view of area A of FIG. 11 .
13 is a schematic plan view of the wire grid polarizer of FIG. 10 .
14 is a schematic enlarged view of area A of FIG. 13 .
15 is a schematic layout view of a display device with respect to the arrangement relationship of the wire grid polarizer and the opaque layer of FIG. 13 .
FIG. 16 is a schematic enlarged view of area A of FIG. 15 .
17 is a schematic cross-sectional view of a display device with respect to the arrangement relationship of the wire grid polarizer and the opaque layer of FIG. 10 .
18 is a modification of FIG. 12 .
19 is a modified example of the wire grid polarizer of FIG. 14 .
20 is a schematic layout view of the arrangement relationship between the first modified example and the opaque layer of the wire grid polarizer of FIG. 13 .
21 is a schematic layout view of a second modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;
22 is a schematic layout view of a third modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;
23 is a schematic layout view of a fourth modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;
24 is a schematic layout view of a fifth modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;
25 to 34 are schematic cross-sectional views of a method of manufacturing a wire grid polarizer according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout. Sizes and relative sizes of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of description.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.Reference to an element or layer “on” or “on” another element or layer includes not only directly on the other element or layer, but also with other layers or other elements intervening. include all On the other hand, reference to an element "directly on" or "directly on" indicates that no intervening element or layer is interposed.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between an element or components and other elements or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 발명의 실시예들에 대하여 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 10은 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판 제조방법의 개략적인 단면도들이다. 1 to 10 are schematic cross-sectional views of a method for manufacturing a wire grid polarizer according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 베이스 기판은 투광성 기판(110), 전도성층(120), 가이드층(130)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the base substrate may include a light-transmitting substrate 110 , a conductive layer 120 , and a guide layer 130 .

투광성 기판(110)은 가시광선을 투과시킬 수 있으면 그 재질은 용도나 공정에 맞게 적절하게 선택할 수 있다. 예를 들어, 투광성 기판(110)으로는 유리, 석영(Quartz), 아크릴, TAC(triacetylcellulose), COC(cyclic olefin copolymer), COP(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyether sulfone), PAR(polyarylate) 등의 다양한 고분자 화합물 등이 사용될 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 투광성 기판(110)은 일정 정도의 유연성(flexibility)을 가지는 광학용 필름 기재로 형성할 수 있다.As long as the light-transmitting substrate 110 can transmit visible light, its material may be appropriately selected according to the purpose or process. For example, the light-transmitting substrate 110 includes glass, quartz, acrylic, triacetylcellulose (TAC), cyclic olefin copolymer (COC), cyclic olefin polymer (COP), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), Various polymer compounds such as PI (polyimide), PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulfone), and PAR (polyarylate) may be used, but are not limited thereto. The light-transmitting substrate 110 may be formed of an optical film substrate having a certain degree of flexibility.

전도성층(120)은 투광성 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 전도성층(120)은 투광성 기판(110)의 전체 면을 덮고 있을 수 있다. 전도성층(120)은 전도성 소재이면 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들어, 전도성층(120)은 금속일 수 있고, 구체적으로는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 중 하나일 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The conductive layer 120 may be formed on the light-transmitting substrate 110 . The conductive layer 120 may cover the entire surface of the light-transmitting substrate 110 . The conductive layer 120 may be used without limitation as long as it is a conductive material. For example, the conductive layer 120 may be a metal, and specifically, aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), titanium (Ti), cobalt (Co) ), molybdenum (Mo), and alloys thereof, but is not limited thereto.

경우에 따라서는, 전도성층(120)은 둘 이상의 층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전도성층(미도시)은 알루미늄일 수 있고, 제2 전도성층(미도시)은 티타늄 또는 몰리브덴일 수 있지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. 제1 전도성층(미도시)이 알루미늄일 경우, 이후 공정의 공정 온도에 따라 힐록(hillock)이 발생할 수 있고 상부 표면이 불균일해질 수 있으며, 이는 표시장치의 광학 특성을 저하시킬 수 있다. 이를 방지하기 위하여 제1 전도성층(미도시) 상에 티타늄 또는 몰리브덴으로 구성되는 제2 전도성층(미도시)을 형성하여, 공정 상 발생할 수 있는 힐록을 방지할 수 있다.In some cases, the conductive layer 120 may have a multi-layer structure including two or more layers. For example, the first conductive layer (not shown) may be aluminum, and the second conductive layer (not shown) may be titanium or molybdenum, but is not limited thereto. When the first conductive layer (not shown) is made of aluminum, hillock may occur depending on the process temperature of the subsequent process and the upper surface may become non-uniform, which may deteriorate optical properties of the display device. To prevent this, a second conductive layer (not shown) made of titanium or molybdenum is formed on the first conductive layer (not shown) to prevent hillocks that may occur during the process.

전도성층(120)은 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 증착(Evaporation)법 등을 이용하여 형성할 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The conductive layer 120 may be formed using a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an evaporation method, or the like, but is not limited thereto.

가이드층(130)은 전도성층(120) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 가이드층(130)은 포토레지스트(photoresist)층일 수 있다. 다만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. 가이드층(130)은 전도성층(120)의 전체 면을 덮고 있을 수 있다. The guide layer 130 may be formed on the conductive layer 120 . For example, the guide layer 130 may be a photoresist layer. However, it is not limited only to this. The guide layer 130 may cover the entire surface of the conductive layer 120 .

도 2를 참고하여 가이드층(130)을 패터닝하여 제1 가이드 패턴층(1GP, 3GP, T)을 형성하는 단계를 구체적으로 설명하기로 한다. 도 2를 참고하면, 제1 가이드 패턴층(1GP, 3GP, T)은 제1 및 제3 가이드 패턴(1GP, 3GP)과 제1 트렌치(T)를 포함할 수 있다. 가이드층(130)을 포토레지스트층으로 형성한 경우, 마스크 등을 이용하여 가이드층(130)을 패턴에 맞게 노광 및 현상하여 제1 가이드 격벽들(131W) 및 제3 가이드 격벽들(131R)을 형성할 수 있지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니고, 여러 가지 패터닝 기법들이 사용될 수 있다. The step of forming the first guide pattern layers 1GP, 3GP, and T by patterning the guide layer 130 will be described in detail with reference to FIG. 2 . Referring to FIG. 2 , the first guide pattern layers 1GP, 3GP, and T may include first and third guide patterns 1GP and 3GP and a first trench T. Referring to FIG. When the guide layer 130 is formed of a photoresist layer, the first guide partition walls 131W and the third guide partition walls 131R are formed by exposing and developing the guide layer 130 according to a pattern using a mask or the like. can be formed, but is not limited thereto, and various patterning techniques may be used.

제1 가이드 패턴(1GP)은 서로 이격되어 배치되는 제1 가이드 격벽들(131W)을 포함할 수 있다. 제3 가이드 패턴(3GP)은 서로 이격되어 배열되어 있는 제3 가이드 격벽들(131R)을 포함할 수 있다. 제1 트렌치(T)는 제1 가이드 격벽들(131W)의 사이, 제3 가이드 격벽들(131R)의 사이 및 제1 가이드 격벽들(131W)과 제3 가이드 격벽들(131R)의 사이에서 전도성층(120)의 일부를 노출시킬 수 있다.The first guide pattern 1GP may include first guide partition walls 131W spaced apart from each other. The third guide pattern 3GP may include third guide partition walls 131R arranged to be spaced apart from each other. The first trench T is conductive between the first guide partition walls 131W, between the third guide partition walls 131R, and between the first guide partition walls 131W and the third guide partition walls 131R. A portion of layer 120 may be exposed.

제1 가이드 격벽들(131W)은 제1 폭(L1)으로 형성될 수 있고, 제3 가이드 격벽들(131R)은 제3 폭(L3)으로 형성될 수 있다. 제1 폭(L1)은 제3 폭(L3)에 비해 좁을 수 있다. 다시 말하면, 제3 가이드 격벽들(131R)의 제3 폭(L3)은 제1 가이드 격벽들(131W)의 제1 폭(L1)에 비해 넓다. The first guide barrier ribs 131W may be formed with a first width L1 , and the third guide barrier ribs 131R may be formed with a third width L3 . The first width L1 may be narrower than the third width L3 . In other words, the third width L3 of the third guide barrier ribs 131R is wider than the first width L1 of the first guide barrier ribs 131W.

도 2 및 도 3을 참고하면, 제1 및 제3 가이드 패턴(1GP, 3GP)의 폭을 줄여 제2 및 제4 가이드 패턴(2GP, 4GP)을 형성하는 트리밍 공정이 진행될 수 있다. 트리밍 공정을 통해서, 제1 가이드 패턴층(1GP, 3GP, T)은 제2 가이드 패턴층(2GP, 4GP, T')이 될 수 있다. 제1 가이드 격벽들(131W)은 제2 가이드 격벽들(131W')이 될 수 있고, 제3 가이드 격벽들(131R)은 제4 가이드 격벽들(131R')이 될 수 있으며, 제1 트렌치(T)는 제2 트렌치(T')이 될 수 있다.2 and 3 , a trimming process of forming the second and fourth guide patterns 2GP and 4GP by reducing the widths of the first and third guide patterns 1GP and 3GP may be performed. Through the trimming process, the first guide pattern layers 1GP, 3GP, and T may become the second guide pattern layers 2GP, 4GP, and T'. The first guide partition walls 131W may be the second guide partition walls 131W', and the third guide partition walls 131R may be the fourth guide partition walls 131R', and the first trench ( T) may be the second trench T'.

트리밍 공정 이후, 제2 가이드 격벽들(131W')의 제2 폭(L2)은 제1 가이드 격벽들(131W)의 제1 폭(L1) 에 비해 좁아지고, 제4 가이드 격벽들(131R')의 제4 폭(L4)은 제3 가이드 격벽들(131R)의 제3 폭(L3) 에 비해 좁아지며, 제2 트렌치(T')의 폭은 제1 트렌치(T)의 폭에 비해 넓어진다. 경우에 따라서는 트리밍 공정을 통해서, 제2 가이드 격벽들(131W')의 폭을 후술하는 자기 정렬된 블록 공중합체 나노 구조의 도메인들(도 5의 141, 142)의 폭에 근접한 수준 또는 실질적으로 동일한 수준까지 줄일 수도 있다.After the trimming process, the second width L2 of the second guide barrier ribs 131W' becomes narrower than the first width L1 of the first guide barrier ribs 131W, and the fourth guide barrier ribs 131R' The fourth width L4 is narrower than the third width L3 of the third guide partition walls 131R, and the width of the second trench T' is wider than the width of the first trench T. . In some cases, through a trimming process, the width of the second guide partition walls 131W ′ is close to or substantially close to the width of the domains ( 141 and 142 in FIG. 5 ) of the self-aligned block copolymer nanostructure, which will be described later. It can also be reduced to the same level.

제1 및 제3 가이드 격벽들(131W, 131R)의 제1 및 제3 폭(L1, L3)이 줄어들수록 와이어 그리드 편광판의 개구율, 투과율이 높아질 수 있다. 구체적으로, 제1 및 제3 가이드 격벽들(131W, 131R)의 제1 및 제3 폭(L1, L3)이 줄어들수록 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')의 사이의 제2 트렌치(T')에 형성될 자기 조립된 블록 공중합체 나노 구조의 도메인들(도 5의 141, 142)의 수가 증가하게 되어 와이어 그리드 편광판의 개구율이 높아질 수 있다. 자기 조립된 블록 공중합체 나노 구조의 도메인들에 대해서는 도 5를 참고하여 후술하기로 한다.As the first and third widths L1 and L3 of the first and third guide barrier ribs 131W and 131R decrease, the aperture ratio and transmittance of the wire grid polarizer may increase. Specifically, as the first and third widths L1 and L3 of the first and third guide partitions 131W and 131R decrease, the second and third guide partitions 131W' and 131R' The number of domains ( 141 and 142 in FIG. 5 ) of the self-assembled block copolymer nanostructure to be formed in the second trench T′ increases, so that the aperture ratio of the wire grid polarizer may be increased. The domains of the self-assembled block copolymer nanostructure will be described later with reference to FIG. 5 .

예를 들어, 트리밍 공정은 플라즈마(plasma) 식각 공정을 이용하여 진행될 수 있다. 트리밍 공정에 사용되는 플라즈마는 제1 및 제3 가이드 격벽들(131W, 131R)의 제1 및 제3 폭(L1, L3)을 줄일 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 비제한적인 일례에서, 트리밍 공정은 산소 플라즈마(O2 Plasma)를 사용할 수 있다. For example, the trimming process may be performed using a plasma etching process. Plasma used for the trimming process is not particularly limited as long as it can reduce the first and third widths L1 and L3 of the first and third guide barrier ribs 131W and 131R. In one non-limiting example, the trimming process may use an oxygen plasma (O 2 Plasma).

제2 가이드 패턴(2GP)은 후술하는 선격자 패턴들의 제3 선형 구조물들(도 13의 3WS)을 형성하기 위한 마스크로서 역할을 할 수 있고, 제4 가이드 패턴(4GP)은 후술하는 반사 패턴들(도 13의 RF)을 형성하기 위한 마스크로서 역할을 할 수 있다. The second guide pattern 2GP may serve as a mask for forming third linear structures ( 3WS of FIG. 13 ) of wire grid patterns to be described later, and the fourth guide pattern 4GP may be used as a reflective pattern to be described later. It can serve as a mask for forming (RF in Fig. 13).

제2 가이드 패턴(2GP)은 상호 이격 배치된 제2 가이드 격벽들(131W')을 포함할 수 있고, 제4 가이드 패턴(4GP)은 상호 이격 배치된 제4 가이드 격벽들(131R')을 포함할 수 있다. The second guide pattern 2GP may include second guide partition walls 131W' that are spaced apart from each other, and the fourth guide pattern 4GP includes fourth guide partition walls 131R' that are spaced apart from each other. can do.

도 3 및 도 4를 참고하면, 블록 공중합체층(140)이 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')의 사이의 제2 트렌치(T')내에 형성될 수 있다. 블록 공중합체는 1 반복 단위와 제2 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들어, 블록 공중합체는 PS-b-PB(polystyrene-b-polybutadiene)), PS-b-PI(polystyrene-b-polyisoprene), PS-b-PMMA(polystyrene-b-poly(methyl methacrylate)), PS-b-P2VP(polystyrene-b-poly(2-vinylpyridine)), PS-b-PFDMS(polystyrene-b-poly(ferrocenyl-dimethylsilane)), PS-b-PtBA(polystyrene-b-poly(tert-butylacrylate)), PS-b-PFEMS(polystyrene-b-poly(ferrocenylethylmethylsilane)), PI-b-PEO(polyisoprene-b-poly(ethyleneoxide)), PB-b-PVP(polybutadiene-b-poly(butadiene-b-vinylpyridinium)), PtBA-b-PCEMA(poly(tert-butylacrylate) -b-poly(cinnamoyl-ethylmethacrylate)), PS-b-PLA(polystyrene-b-polyactide), PαMS-b-PHS(poly(α-methylstyrene)-b-poly(4-hydroxystyrene)), PPDPS-b-P4VP(pentadecyl phenol modified polystyrene-b-poly(4-vinylpyridine)), PS-b-PEO(poly(styrene-b-ethyleneoxide)), PS-b-PDMS(polystyrene-b-poly(dimethyl siloxane)), PS-b-PE(polystyrene-b-polyethylene)), PS-b-PFS(polystyrene-b-poly(ferrocenyl dimethyl silane)), PS-b-PPP(polystyrene-b-poly(paraphenylene)), PS-b-PB-b-PS, PS-b-PI-b-PS, PEO-b-PPO(Poly(propyleneoxide))-b-PEO, PVPDMPS(poly(4-vinyl-phenyldimethyl-2-propoxysilane))-b-PI-b-PVPDMPS, PS-b-P2VP-b-PtBMA 또는 이들의 블록 공중합체 등일 수 있다. 3 and 4 , the block copolymer layer 140 may be formed in the second trench T' between the second and fourth guide partition walls 131W' and 131R'. The block copolymer may include one repeating unit and a second repeating unit. For example, the block copolymer is PS-b-PB (polystyrene-b-polybutadiene)), PS-b-PI (polystyrene-b-polyisoprene), PS-b-PMMA (polystyrene-b-poly (methyl methacrylate)) ), PS-b-P2VP(polystyrene-b-poly(2-vinylpyridine)), PS-b-PFDMS(polystyrene-b-poly(ferrocenyl-dimethylsilane)), PS-b-PtBA(polystyrene-b-poly( tert-butylacrylate)), PS-b-PFEMS (polystyrene-b-poly(ferrocenylethylmethylsilane)), PI-b-PEO (polyisoprene-b-poly(ethyleneoxide)), PB-b-PVP (polybutadiene-b-poly( butadiene-b-vinylpyridinium)), PtBA-b-PCEMA (poly(tert-butylacrylate) -b-poly(cinnamoyl-ethylmethacrylate)), PS-b-PLA (polystyrene-b-polyactide), PαMS-b-PHS ( poly(α-methylstyrene)-b-poly(4-hydroxystyrene)), PPDPS-b-P4VP(pentadecyl phenol modified polystyrene-b-poly(4-vinylpyridine)), PS-b-PEO(poly(styrene-b- ethyleneoxide)), PS-b-PDMS(polystyrene-b-poly(dimethyl siloxane)), PS-b-PE(polystyrene-b-polyethylene)), PS-b-PFS(polystyrene-b-poly(ferrocenyl dimethyl silane) )), PS-b-PPP(polystyrene-b-poly(paraphenylene)), PS-b-PB-b-PS, PS-b-PI-b-PS, PEO-b-PPO(Poly(p ropyleneoxide))-b-PEO, PVPDMPS (poly(4-vinyl-phenyldimethyl-2-propoxysilane))-b-PI-b-PVPDMPS, PS-b-P2VP-b-PtBMA, or a block copolymer thereof may be used. .

제1 반복 단위와 제2 반복 단위는 화학적 성질이 다르다. 제1 반복 단위와 제2 반복 단위는 자기 조립을 통해 미세상 분리될 수 있다. 제1 반복 단위와 제2 반복 단위는 식각률이 서로 다르다. 제1 반복 단위와 제2 반복 단위 중 하나는 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')에 대해 선택적 친화성을 가질 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 반복 단위가 자기 정렬된 제1 도메인들과 제2 반복 단위가 자기 정렬된 제2 도메인들 중 둘 중 하나는 선택적으로 제거될 수 있다. The first repeating unit and the second repeating unit have different chemical properties. The first repeating unit and the second repeating unit may be microphase separated through self-assembly. The first repeating unit and the second repeating unit have different etch rates. One of the first repeating unit and the second repeating unit may have selective affinity for the second and fourth guide partition walls 131W' and 131R'. As will be described later, one of the first domains in which the first repeating unit is self-aligned and the second domains in which the second repeating unit is self-aligned may be selectively removed.

도시하지는 않았지만, 블록 공중합체층(140)을 제2 트렌치(T')에 형성하기 이전에 제2 트렌치(T')의 바닥부, 즉, 제2 트렌치(T') 내의 전도성층(120) 상에 중성층(미도시)을 형성할 수도 있다. 중성층(미도시)은 블록 공중합체의 표면 에너지와 거의 유사한 물질을 사용할 수 있다. 중성층(미도시)은 블록 공중합체의 제1 반복 단위 또는 제2 반복 단위에 대한 선택적 친화성을 가지지 않으므로, 블록 공중합체의 제1 반복 단위와 제2 반복 단위를 수직 배향을 제어할 수 있다.Although not shown, before the block copolymer layer 140 is formed in the second trench T', on the bottom of the second trench T', that is, on the conductive layer 120 in the second trench T'. It is also possible to form a neutral layer (not shown) on the. The neutral layer (not shown) may use a material substantially similar to the surface energy of the block copolymer. Since the neutral layer (not shown) has no selective affinity for the first repeating unit or the second repeating unit of the block copolymer, the vertical orientation of the first repeating unit and the second repeating unit of the block copolymer can be controlled. .

예를 들어, 중성층(미도시)은 블록 공중합체의 단량체들의 랜덤 공중합체(random copolymer)일 수 있지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. For example, the neutral layer (not shown) may be a random copolymer of monomers of the block copolymer, but is not limited thereto.

랜덤 공중합체의 예로는, PS-r-PB(polystyrene-r-polybutadiene)), PS-r-PI(polystyrene-r-polyisoprene), PS-r-PMMA(polystyrene-r-poly(methyl methacrylate)), PS-r-P2VP(polystyrene-r-poly(2-vinylpyridine)), PS-r-PFDMS(polystyrene-r-poly(ferrocenyl-dimethylsilane)), PS-r-PtBA(polystyrene-r-poly(tert-butylacrylate)), PS-r-PFEMS(polystyrene-r-poly(ferrocenylethylmethylsilane)), PI-r-PEO(polyisoprene-r-poly(ethyleneoxide)), PB-r-PVP(polybutadiene-r-poly(butadiene-r-vinylpyridinium)), PtBA-r-PCEMA(poly(tert-butylacrylate) -r-poly(cinnamoyl-ethylmethacrylate)), PS-r-PLA(polystyrene-r-polyactide), PαMS-r-PHS(poly(α-methylstyrene)-r-poly(4-hydroxystyrene)), PPDPS-r-P4VP(pentadecyl phenol modified polystyrene-r-poly(4-vinylpyridine)), PS-r-PEO(poly(styrene-r-ethyleneoxide)), PS-r-PDMS(polystyrene-r-poly(dimethyl siloxane)), PS-r-PE(polystyrene-r-polyethylene)), PS-r-PFS(polystyrene-r-poly(ferrocenyl dimethyl silane)), PS-r-PPP(polystyrene-r-poly(paraphenylene)), PS-r-PB-r-PS, PS-r-PI-r-PS, PEO-r-PPO(Poly(propyleneoxide))-r-PEO, PVPDMPS(poly(4-vinyl-phenyldimethyl-2-propoxysilane))-r-PI-r-PVPDMPS, PS-r-P2VP-r-PtBMA 등을 들 수 있지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다.Examples of random copolymers include PS-r-PB (polystyrene-r-polybutadiene)), PS-r-PI (polystyrene-r-polyisoprene), PS-r-PMMA (polystyrene-r-poly (methyl methacrylate)) , PS-r-P2VP(polystyrene-r-poly(2-vinylpyridine)), PS-r-PFDMS(polystyrene-r-poly(ferrocenyl-dimethylsilane)), PS-r-PtBA(polystyrene-r-poly(tert) -butylacrylate)), PS-r-PFEMS(polystyrene-r-poly(ferrocenylethylmethylsilane)), PI-r-PEO(polyisoprene-r-poly(ethyleneoxide)), PB-r-PVP(polybutadiene-r-poly(butadiene) -r-vinylpyridinium)), PtBA-r-PCEMA(poly(tert-butylacrylate) -r-poly(cinnamoyl-ethylmethacrylate)), PS-r-PLA(polystyrene-r-polyactide), PαMS-r-PHS(poly (α-methylstyrene)-r-poly(4-hydroxystyrene)), PPDPS-r-P4VP(pentadecyl phenol modified polystyrene-r-poly(4-vinylpyridine)), PS-r-PEO(poly(styrene-r-ethyleneoxide) )), PS-r-PDMS(polystyrene-r-poly(dimethyl siloxane)), PS-r-PE(polystyrene-r-polyethylene)), PS-r-PFS(polystyrene-r-poly(ferrocenyl dimethyl silane) ), PS-r-PPP(polystyrene-r-poly(paraphenylene)), PS-r-PB-r-PS, PS-r-PI-r-PS, PEO-r-PPO(Poly(pro pyleneoxide))-r-PEO, PVPDMPS(poly(4-vinyl-phenyldimethyl-2-propoxysilane))-r-PI-r-PVPDMPS, PS-r-P2VP-r-PtBMA, etc. are mentioned, but it is limited only to this it's not going to be

또한, 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')의 표면은 소수성 표면처리될 수도 있다. 예를 들어, 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')의 소수성 표면처리는 불소계 고분자 코팅 공정 또는 불소계 가스 플라즈마 처리를 통해 수행될 수 있지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')의 소수성 표면처리는 중성층(미도시) 형성 이전에 수행될 수 있다.In addition, the surfaces of the second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' may be hydrophobically treated. For example, the hydrophobic surface treatment of the second and fourth guide partition walls 131W' and 131R' may be performed through a fluorine-based polymer coating process or a fluorine-based gas plasma treatment, but is not limited thereto. For example, the hydrophobic surface treatment of the second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' may be performed before the formation of the neutral layer (not shown).

도 4 및 도 5를 참고하면, 블록 공중합체층(140)을 자기 조립시킴으로써, 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142)이 교대 배열된 자기 조립된 블록 공중합체 나노 구조를 형성할 수 있다. 4 and 5, by self-assembling the block copolymer layer 140, the first domains 141 and the second domains 142 are alternately arranged to form a self-assembled block copolymer nanostructure. can

자기 조립된 블록 공중합체 나노 구조는 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142)을 포함할 수 있다. 제1 도메인들(141)은 제1 반복 단위들로 구성될 수 있고, 제2 도메인들(142)은 제2 반복 단위들로 구성될 수 있다. 제1 도메인들(141)은 제1 반복 단위들이 자기 조립되어 형성될 수 있고, 제2 도메인들(142)은 제2 반복 단위들이 자기 조립되어 형성될 수 있다.The self-assembled block copolymer nanostructure may include first domains 141 and second domains 142 . The first domains 141 may be composed of first repeating units, and the second domains 142 may be composed of second repeating units. The first domains 141 may be formed by self-assembly of first repeating units, and the second domains 142 may be formed by self-assembly of second repeating units.

블록 공중합체층(140)의 자기 조립 공정은 예를 들어, 어닐링(annealing)을 통해 수행될 수 있다. 어닐링은 열적 어닐링과 용매 어닐링을 포함한다. 열적 어닐링(thermal annealing)은 블록 공중합체의 유리전이온도(Tg) 이상으로 열을 가해 미세상 분리를 유도하는 방법이고, 용매 어닐링(solvent annealing)은 블록 공중합체를 포함하는 고분자 박막을 용매 증기 하에 노출시켜 고분자 사슬에 유동성을 부여하여 미세상 분리를 유도하는 방법이다.The self-assembly process of the block copolymer layer 140 may be performed, for example, through annealing. Annealing includes thermal annealing and solvent annealing. Thermal annealing is a method of inducing microphase separation by applying heat above the glass transition temperature (Tg) of the block copolymer, and solvent annealing is a polymer thin film containing the block copolymer under solvent vapor. It is a method of inducing microphase separation by giving fluidity to the polymer chain by exposing it.

예를 들어, 용매 어닐링을 사용하여 공정을 진행할 경우에는, 제1 및 제3 가이드 격벽들(도 2의 131W, 131R)의 트리밍 공정 이후의 높이를 블록 공중합체층(140) 높이의 2.5배 이상이 되도록 형성할 수 있다. 용매 어닐링 공정에서 기화된 솔벤트가 블록 공중합체에 침투하면서 스웰링(swelling)이 발생하게 되므로, 전술한 바와 같은 높이를 확보해야 블록 공중합체가 제2 및 제4 가이드 격벽들(도 3의 131W', 131R')을 넘어 제2 트렌치(도 3의 T') 밖으로 흘러 넘치지 않을 수 있다. For example, when the process is performed using solvent annealing, the height after the trimming process of the first and third guide partition walls ( 131W and 131R in FIG. 2 ) is 2.5 times or more the height of the block copolymer layer 140 . can be formed as much as possible. As the solvent vaporized in the solvent annealing process penetrates into the block copolymer, swelling occurs. Therefore, the height as described above must be secured for the block copolymer to form the second and fourth guide barrier ribs (131W' in FIG. 3). , 131R′) may not overflow out of the second trench (T′ in FIG. 3 ).

도 5 및 도 6을 참고하면, 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142) 중에서 제2 도메인들(142)만을 선택적으로 제거할 수 있다. 예를 들어, 제1 도메인들(141)과 제2 도메인(142)들 중 제2 도메인들(142)을 선택적으로 제거하는 공정은 제2 도메인들(142)과 친화성이 높은 용매를 사용할 수 있다. 다만, 이로 제한되는 것은 아니고, 제2 도메인들(142)만을 건식 식각 공정을 통해 선택적으로 제거할 수도 있다. 건식 식각에 사용될 수 있는 가스는 산소(O2), 불화 탄소 기체 및 불화수소(HF)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 상기 불화 탄소 기체는 예를 들어, C4F8, CHF3, CH2F2, C4F8, CF4 및 C2F6로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.5 and 6 , only the second domains 142 among the first domains 141 and the second domains 142 may be selectively removed. For example, the process of selectively removing the second domains 142 from among the first domains 141 and the second domains 142 may use a solvent having high affinity for the second domains 142 . have. However, the present invention is not limited thereto, and only the second domains 142 may be selectively removed through a dry etching process. The gas that may be used for the dry etching may be one or more selected from the group consisting of oxygen (O 2 ), carbon fluoride gas, and hydrogen fluoride (HF), but is not limited thereto. The fluorinated carbon gas may be, for example, at least one selected from the group consisting of C 4 F 8 , CHF 3 , CH 2 F 2 , C 4 F 8 , CF 4 and C 2 F 6 , but is limited thereto not.

도 6 내지 도 10을 참고하면, 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')과 제1 도메인들(141)을 마스크로 이용하여 전도성층(120)을 패터닝함으로써, 전도성 패턴층을 형성할 수 있다. 전도성 패턴층은 선격자 패턴들(PT)과 반사 패턴들(RF)을 포함할 수 있다. 6 to 10 , the conductive pattern layer is formed by patterning the conductive layer 120 using the second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' and the first domains 141 as masks. can be formed The conductive pattern layer may include wire grid patterns PT and reflective patterns RF.

선격자 패턴들(PT)은 전도성 격벽들(121D, 121W)이 입사 광의 파장보다 짧은 주기의 간격으로 이격 배치되어 있고 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키며 제1 편광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시킬 수 있다. 제1 편광된 광은 전도성 격벽들(121D, 121W)에 수직인 P파 편광이고, 제2 편광된 광은 전도성 격벽들(121W, 121D)에 평행인 S파 편광이다. In the wire grid patterns PT, the conductive barrier ribs 121D and 121W are spaced apart from each other at intervals shorter than the wavelength of the incident light, the first polarized light among the incident light is transmitted and the second polarized light is perpendicular to the first polarized light. The reflected light can be reflected. The first polarized light is P-wave polarized light perpendicular to the conductive partitions 121D and 121W, and the second polarized light is S-wave polarized light that is parallel to the conductive partitions 121W and 121D.

비제한적인 일례에서, 전도성 격벽들(121W, 121D)은 선폭이 약 50 nm 이하일 수 있고, 두께가 약 150 nm 이상일 수 있으며, 약 100 nm의 피치(pitch)로 이격될 수 있다. In a non-limiting example, the conductive barrier ribs 121W and 121D may have a line width of about 50 nm or less, a thickness of about 150 nm or more, and may be spaced apart by a pitch of about 100 nm.

전도성 격벽들(121D)은 제1 도메인들(141)로 보호된 영역의 전도성층이 패터닝되어 형성될 수 있고, 전도성 격벽들(121W)은 제2 가이드 격벽들(131W')로 보호된 영역의 전도성층이 패터닝되어 형성될 수 있다. 반사 패턴(RF)들은 제4 가이드 격벽들(131R')로 보호된 영역의 전도성층이 패터닝되어 형성될 수 있다. 반사 패턴들(RF)은 입사 광 중 제1 편광과 제2 편광을 모두 반사시킬 수 있다. 선격자 패턴들(PT)에 반사된 제2 편광은 반사 패턴들(RF)에서 재반사되어 선격자 패턴들(PT)로 입사될 수 있다. 반사 패턴들(RF)은 후술하는 바와 같이 선격자 패턴들(PT)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 대해서는 도 11 내지 도 13을 참고하여 구체적으로 설명하기로 한다. The conductive barrier ribs 121D may be formed by patterning a conductive layer in a region protected by the first domains 141 , and the conductive barrier ribs 121W are formed in a region protected by the second guide barrier ribs 131W'. The conductive layer may be formed by patterning. The reflective patterns RF may be formed by patterning a conductive layer in a region protected by the fourth guide barrier ribs 131R′. The reflection patterns RF may reflect both the first polarized light and the second polarized light among the incident light. The second polarized light reflected by the wire grid patterns PT may be re-reflected from the reflection patterns RF to be incident on the wire grid patterns PT. The reflective patterns RF may be disposed between the wire grid patterns PT as described below. This will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 13 .

도 7의 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(110) 상에 돌출하여 배치된 다수의 나란한 전도성 격벽들(121D, 121W, 121R), 전도성 격벽들(121W, 121R) 상에 위치하는 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R'), 전도성 격벽들(121D) 상에 위치하는 제1 도메인들(141)을 포함할 수 있다.The wire grid polarizer of FIG. 7 includes a light-transmitting substrate 110, a plurality of parallel conductive barrier ribs 121D, 121W, and 121R disposed to protrude on the light-transmitting substrate 110, and the conductive barrier ribs 121W and 121R. It may include first domains 141 positioned on the second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' and the conductive barrier ribs 121D.

식각 과정에서, 과식각을 방지하기 위하여 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')과 제1 도메인들(141)이 완전히 제거되지 않는 범위에서 식각을 진행할 경우, 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')과 제1 도메인들(141)이 전도성 격벽들(121D, 121W, 121R) 상에 잔존할 수 있다.In the etching process, when etching is performed in a range in which the second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' and the first domains 141 are not completely removed to prevent over-etching, the second and fourth The guide barrier ribs 131W' and 131R' and the first domains 141 may remain on the conductive barrier ribs 121D, 121W, and 121R.

제1 도메인들(141)은 제2 가이드 격벽들(131W')의 사이에서 서로 인접하여 반복 배치될 수 있다. 제1 도메인들(141)은 제2 가이드 격벽들(131W')과 제4 가이드 격벽들(131R')의 사이에서 서로 인접하여 반복 배치될 수 있다.The first domains 141 may be repeatedly disposed adjacent to each other between the second guide partition walls 131W'. The first domains 141 may be repeatedly disposed adjacent to each other between the second guide partition walls 131W' and the fourth guide partition walls 131R'.

도 8의 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(110) 상에 돌출하여 배치된 다수의 나란한 전도성 격벽들(121D, 121W, 121R), 전도성 격벽들(121W, 121R) 상에 위치하는 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')을 포함할 수 있다. 도 8의 와이어 그리드 편광판은 제1 도메인들(141)이 전도성 격벽들(121D) 상에 배치되지 않는 점에서 도 7의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. The wire grid polarizer of FIG. 8 includes a light-transmitting substrate 110, a plurality of parallel conductive barrier ribs 121D, 121W, and 121R disposed to protrude on the light-transmitting substrate 110, and the conductive barrier ribs 121W and 121R. It may include second and fourth guide partition walls 131W' and 131R'. The wire grid polarizer of FIG. 8 is different from the wire grid polarizer of FIG. 7 in that the first domains 141 are not disposed on the conductive partition walls 121D.

제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')은 전도성 격벽들(121D)을 사이에 두고 배치될 수 있다.The second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' may be disposed with the conductive barrier ribs 121D interposed therebetween.

도 9의 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(110) 상에 돌출하여 배치된 다수의 나란한 전도성 격벽들(121D, 121W, 121R), 전도성 격벽들(121D) 상에 위치하는 제1 도메인들(141)을 포함할 수 있다. 도 9의 와이어 그리드 편광판은 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')이 전도성 격벽들(121W, 121R) 상에 배치되지 않은 점에서 도 7의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. The wire grid polarizer of FIG. 9 includes a light-transmitting substrate 110 , a plurality of parallel conductive barrier ribs 121D, 121W, and 121R disposed to protrude on the light-transmitting substrate 110 , and the first conductive barrier ribs 121D positioned on the first domains 141 . The wire grid polarizer of FIG. 9 is different from the wire grid polarizer of FIG. 7 in that the second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' are not disposed on the conductive barrier ribs 121W and 121R.

제1 도메인들(141)은 전도성 격벽들(121W, 121R)을 사이에서 소정의 간격을 가지고 배치될 수 있다.The first domains 141 may be disposed with a predetermined interval between the conductive partition walls 121W and 121R.

도 10의 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(110) 상에 돌출하여 위치하는 다수의 나란한 전도성 격벽들(121D, 121W, 121R)을 포함할 수 있다.The wire grid polarizer of FIG. 10 may include a light-transmitting substrate 110 and a plurality of parallel conductive barrier ribs 121D, 121W, and 121R protruding from the light-transmitting substrate 110 .

전도성 격벽들(121D, 121W, 121R) 상부에 잔존하는 제2 및 제4 가이드 격벽들(131W', 131R')과 제1 도메인(141)을 제거하여, 투광성 기판(110) 상에 전도성 격벽들(121D, 121W, 121R)만을 남길 수 있다.The second and fourth guide barrier ribs 131W' and 131R' and the first domain 141 remaining on the conductive barrier ribs 121D, 121W, and 121R are removed to form the conductive barrier ribs on the light-transmitting substrate 110 . Only (121D, 121W, 121R) can be left.

도 11은 도 5의 공정품의 개략적인 평면도이다. 도 12는 도 11의 A 영역의 개략적인 확대도이다.11 is a schematic plan view of the workpiece of FIG. 5 . 12 is a schematic enlarged view of area A of FIG. 11 .

도 11을 참고하면, 제2 가이드 격벽들(131W')로 구성된 제2 가이드 패턴(2GP)은 제2 방향(D2)에 평행하게 이격 배열될 수 있고, 제4 가이드 격벽들(131R')로 구성된 제4 가이드 패턴(4GP)은 제2 트렌치들(T')을 사이에 두고 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)에 평행하게 이격 배열될 수 있다. 제2 가이드 패턴(2GP)은 제4 가이드 패턴(4GP)과 연결될 수 있다. Referring to FIG. 11 , the second guide pattern 2GP including the second guide partition walls 131W′ may be spaced apart from each other in the second direction D2, and form the fourth guide partition walls 131R′. The configured fourth guide patterns 4GP may be spaced apart from each other in the first direction D1 or the second direction D2 with the second trenches T' interposed therebetween. The second guide pattern 2GP may be connected to the fourth guide pattern 4GP.

제2 트렌치(T')는 제2 가이드 패턴(2GP)과 제4 가이드 패턴(4GP)으로 둘러싸인 영역 내에 형성될 수 있고, 예를 들어 직사각형 형태로 형성될 수 있다. The second trench T' may be formed in a region surrounded by the second guide pattern 2GP and the fourth guide pattern 4GP, and may have a rectangular shape, for example.

도 12를 참고하면, 제2 트렌치(T') 내에는 자기 정렬된 블록 공중합체의 나노 구조가 형성될 수 있다. 자기 정렬된 블록 공중합체의 나노 구조는 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142)을 포함할 수 있다. 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142)은 제2 트렌치(T')내에서 제1 과녁형 패턴들을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 12 , a nanostructure of a self-aligned block copolymer may be formed in the second trench T′. The nanostructure of the self-aligned block copolymer may include first domains 141 and second domains 142 . The first domains 141 and the second domains 142 may form first target-shaped patterns in the second trench T′.

예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 도메인들(141)의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선들과 제2 도메인들(142)의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선들은 제2 트렌치(T')내에서 상호 이격되어 겹겹이 배치되어 제1 과녁형 패턴들을 형성할 수 있다. 제2 도메인들(142)의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선들은, 내측에 배치된 제1 도메인들(141)의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선들의 외곽을 감싸고 있을 수 있고, 제1 도메인들(141)의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선들은, 내측에 배치된 제2 도메인들(142)의 직사각형 형태의 고분자 단일 페곡선들의 외곽을 감싸면서 제1 과녁형 패턴들을 형성할 수 있다. For example, as shown in FIG. 12 , the single closed polymer curves in the rectangular shape of the first domains 141 and the single closed polymer curves in the rectangular shape of the second domains 142 are in the second trench T′. The first target-type patterns may be formed by being spaced apart from each other and disposed in layers. The rectangular closed polymer curves of the second domains 142 may surround the outer edges of the rectangular closed polymer curves of the first domains 141 disposed inside, and of the first domains 141 . The rectangular closed polymer single curves may form first target-shaped patterns while enclosing the outer edges of the rectangular closed polymer single closed curves of the second domains 142 disposed inside.

제1 과녁형 패턴들의 최내측의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선의 내측에는 선형의 제1 도메인들(141), 선형의 제2 도메인들(142) 또는 선형의 제1 도메인들(141) 및 선형의 제2 도메인들(142)이 배치될 수도 있다. 즉, 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142) 중 일부는 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선을 형성하지 않을 수도 있다.In the innermost rectangular form of the polymer single closed curve of the first target-shaped patterns, linear first domains 141 , linear second domains 142 or linear first domains 141 and a linear Second domains 142 may be disposed. That is, some of the first domains 141 and the second domains 142 may not form a single rectangular closed curve of the polymer.

도 13은 도 10의 와이어 그리드 편광판의 개략적인 평면도이다. 도 14는 도 13의 A 영역의 개략적인 확대도이다. 도 11 내지 도 14를 참고하면, 제2 트렌치(T') 내의 제1 도메인들(141)과 제2 도메인들(142) 중 제2 도메인들(142)을 선택적으로 제거한 후, 제1 도메인들(141)을 마스크로 이용하여, 윈도우 영역들(WR)내에 제2 과녁형 패턴들을 형성할 수 있고, 제2 가이드 격벽들(131W')을 마스크로 이용하여 제3 선형 구조물들(3WS)을 형성할 수 있으며, 제4 가이드 격벽들(131R')을 마스크로 이용하여 반사 패턴들(RF)을 형성할 수 있다.13 is a schematic plan view of the wire grid polarizer of FIG. 10 . 14 is a schematic enlarged view of area A of FIG. 13 . 11 to 14 , after selectively removing the second domains 142 among the first domains 141 and the second domains 142 in the second trench T′, the first domains are By using 141 as a mask, second target-shaped patterns may be formed in the window regions WR, and the third linear structures 3WS may be formed using the second guide barrier ribs 131W' as a mask. may be formed, and reflective patterns RF may be formed using the fourth guide barrier ribs 131R′ as a mask.

도 13 및 도 14를 참고하면, 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 윈도우 영역들(WR)의 외곽에 배치된 프레임 영역(PR)을 포함할 수 있다. 윈도우 영역들(WR)은 제2 트렌치(도 11, T')에 대응되는 영역으로 윈도우 영역들(WR)에는 상호 이격되어 겹겹이 배치된 제2 과녁형 패턴들이 형성될 수 있다. 윈도우 영역들(WR)은 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다.13 and 14 , the wire grid polarizer may include window regions WR and a frame region PR disposed outside the window regions WR. The window regions WR are regions corresponding to the second trenches ( FIG. 11 , T′), and second target-shaped patterns spaced apart from each other and arranged in layers may be formed in the window regions WR. The window regions WR may be arranged in the second direction D2 .

제2 과녁형 패턴들은 일 방향으로 이격 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들(1WS)과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들(2WS)이 서로 연결되어 구성된 다각형 형태의 전도성 단일 폐곡선을 둘 이상 포함할 수 있다. 이 때, 제1 선형 구조물들(1WS)과 제2 선형 구조물들(2WS)이 이루는 각(α)은 0 ° 초과 내지 180 ° 미만일 수 있다.The second target-shaped patterns are a conductive single polygonal shape formed by connecting two first linear structures 1WS arranged to be spaced apart in one direction and two or more second linear structures 2WS not arranged in one direction to be connected to each other. It may include more than one closed curve. In this case, the angle α between the first linear structures 1WS and the second linear structures 2WS may be greater than 0° to less than 180°.

예를 들어, 제2 과녁형 패턴들은 제2 방향(D2)으로 상호 평행하게 이격 배치된 두 개의 제1 선형 구조물들(1WS)과 제2 방향(D2)에 수직인 제1 방향(D1)으로 상호 평행하게 이격 배열된 두 개의 제2 선형 구조물들(2WS)이 서로 연결되어 구성된 직사각형 형태의 전도성 단일 폐곡선을 둘 이상 포함할 수 있고, 이 때, 제1 선형 구조물들(1WS)과 제2 선형 구조물들(2WS)이 이루는 각(α)은 직각일 수 있다. For example, the second target-shaped patterns are the two first linear structures 1WS spaced apart from each other in the second direction D2 and the first direction D1 perpendicular to the second direction D2. Two or more second linear structures 2WS arranged in parallel and spaced apart from each other may include two or more conductive single closed curves of a rectangular shape configured by being connected to each other, in this case, the first linear structures 1WS and the second linear structures 1WS An angle α formed by the structures 2WS may be a right angle.

제1 및 제2 선형 구조물들(1WS, 2WS)의 전도성 단일 폐곡선은 제1 도메인들(141)의 고분자 단일 폐곡선과 같은 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 선형 구조물들(1WS, 2WS)의 전도성 단일 폐곡선은 제1 도메인들(141)의 고분자 단일 폐곡선의 형상에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 제1 도메인들(141)의 고분자 단일 폐곡선의 형상이 직육각형일 경우, 제1 및 제2 선형 구조물들(1WS, 2WS)의 전도성 단일 폐곡선은 직육각형일 수 있다. 또한, 예를 들어, 제1 도메인들(141)의 고분자 단일 폐곡선의 형상이 직팔각형일 경우, 제1 및 제2 선형 구조물들(1WS, 2WS)의 전도성 단일 폐곡선은 직팔각형일 수 있다. A single closed conductive curve of the first and second linear structures 1WS and 2WS may be formed in the same shape as a single closed polymer curve of the first domains 141 . Accordingly, the conductive single closed curve of the first and second linear structures 1WS and 2WS may vary according to the shape of the polymer single closed curve of the first domains 141 . For example, when the shape of the single closed polymer curve of the first domains 141 is a rectangular shape, the conductive single closed curve of the first and second linear structures 1WS and 2WS may have a rectangular shape. Also, for example, when the shape of the single closed polymer curve of the first domains 141 is a rectangular rectangular shape, the conductive single closed curve of the first and second linear structures 1WS and 2WS may have a rectangular rectangular shape.

프레임 영역(PR)은 제3 선형 구조물들(3WS)과 반사 패턴들(RF)을 포함할 수 있다. The frame region PR may include third linear structures 3WS and reflective patterns RF.

제3 선형 구조물들(3WS)은 윈도우 영역들(WR)의 사이에 배치될 수 있다. 윈도우 영역들(WR)에는 제2 과녁형 패턴들이 형성될 수 있으므로, 다시 말하면, 제3 선형 구조물들(3WS)은 제2 과녁형 패턴들의 사이에 배치될 수 있다. 제3 선형 구조물들(3WS)은 제1 선형 구조물들(1WS)이 배열된 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. The third linear structures 3WS may be disposed between the window regions WR. Since second target-shaped patterns may be formed in the window regions WR, in other words, the third linear structures 3WS may be disposed between the second target-shaped patterns. The third linear structures 3WS may be arranged in the second direction D2 in which the first linear structures 1WS are arranged.

반사 패턴들(RF)은 제1 방향(D1)에 평행한 직선 형태의 제1 반사 영역(RF1)과 제2 방향(D2)에 평행한 직선 형태의 제2 반사 영역(RF2)을 포함할 수 있다. 도시하지는 않았지만, 제1 방향(D1)과 평행한 방향으로 데이터 배선(미도시)이 배치될 수 있고, 제2 방향(D2)과 평행한 방향으로 게이트 배선(미도시)이 배치될 수 있다. 제1 반사 영역(RF1)은 데이터 배선(미도시)과 중첩되게 배치될 수 있고, 제2 반사 영역(RF2)은 게이트 배선(미도시)과 중첩되게 배치될 수 있다. The reflective patterns RF may include a first reflective region RF1 in a straight line parallel to the first direction D1 and a second reflective region RF2 in a straight shape parallel to the second direction D2. have. Although not shown, a data line (not shown) may be disposed in a direction parallel to the first direction D1 , and a gate line (not shown) may be disposed in a direction parallel to the second direction D2 . The first reflective region RF1 may be disposed to overlap a data line (not shown), and the second reflective region RF2 may be disposed to overlap a gate line (not shown).

반사 패턴들(RF)은 제4 가이드 패턴(4GP)으로 보호된 영역의 전도성층을 패터닝하여 형성할 수 있고, 반사 패턴들(RF)은 제3 선형 구조물들(3WS)과 연결될 수 있다. 반사 패턴들(RF)은 선격자 패턴들(PT)의 사이에 배치될 수 있다. The reflective patterns RF may be formed by patterning a conductive layer in a region protected by the fourth guide pattern 4GP, and the reflective patterns RF may be connected to the third linear structures 3WS. The reflection patterns RF may be disposed between the wire grid patterns PT.

또한, 제1 및 제2 선형 구조물들(1WS, 2WS)의 전도성 단일 폐곡선은 제1 도메인들(141)의 고분자 단일 폐곡선과 같은 형태로 형성될 수 있으므로, 와이어 그리드 편광판은 제1 과녁형 패턴들의 최내측의 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선의 내측에 배치될 수 있는 선형의 제1 도메인들(141), 선형의 제2 도메인들(142) 또는 선형의 제1 도메인들(141) 및 선형의 제2 도메인들(142)에 대응하는 제4 선형 구조물들을 더 포함할 수도 있다. 제4 선형 구조물들은 제1 선형 구조물들(1WS)의 배열 방향으로 배열될 수 있다.In addition, since the conductive single closed curve of the first and second linear structures 1WS and 2WS may be formed in the same shape as the polymer single closed curve of the first domains 141 , the wire grid polarizer is formed of the first target patterns. Linear first domains 141 , linear second domains 142 , or linear first domains 141 and linear second domains that may be disposed on the inside of a single closed curve of the innermost rectangular polymer It may further include fourth linear structures corresponding to the domains 142 . The fourth linear structures may be arranged in an arrangement direction of the first linear structures 1WS.

도 15는 도 13의 와이어 그리드 편광판과 불투명층의 배치관계에 대한 표시장치의 개략적인 평면도이다. 도 16은 도 15의 A 영역의 개략적인 확대도이다.15 is a schematic plan view of a display device with respect to the arrangement relationship of the wire grid polarizer and the opaque layer of FIG. 13 . FIG. 16 is a schematic enlarged view of area A of FIG. 15 .

도 13 내지 도 16을 참고하면, 불투명층(220)은 와이어 그리드 편광판의 상부에 배치될 수 있고, 비개구부(NOP)와 개구부들(OP)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 불투명층(220)은 블랙 매트릭스일 수 있다. 13 to 16 , the opaque layer 220 may be disposed on the wire grid polarizer and may include non-openings NOP and openings OP. For example, the opaque layer 220 may be a black matrix.

하나의 개구부(OP) 내에는 다수의 윈도우 영역들(WR)과 제3 선형 구조물들(3WS)이 배치될 수 있다. A plurality of window areas WR and third linear structures 3WS may be disposed in one opening OP.

비개구부(NOP)는 제2 과녁형 패턴들의 제2 선형 구조물들(2WS)과 반사 패턴들(RF)을 커버할 수 있다. 도 16을 참고하면, 윈도우 영역(WR) 내의 배치된 제2 과녁형 패턴들의 제1 영역들(AR1)은 비개구부(NOP)로 덮힐 수 있고, 제2 영역(AR2)은 개구부들(OP)과 중첩 배치될 수 있다. 불투명층(220)은 입사 광을 차광하므로, 비개구부(NOP)로 덮힌 제2 과녁형 패턴들의 제1 영역들(AR1)을 투과한 제1 편광된 광은 표시장치 외부로 출사되지 않는다. The non-opening portion NOP may cover the second linear structures 2WS of the second target-shaped patterns and the reflective patterns RF. Referring to FIG. 16 , the first areas AR1 of the second target-shaped patterns disposed in the window area WR may be covered with the non-opening portion NOP, and the second area AR2 may include the openings OP. and may be overlapped. Since the opaque layer 220 blocks the incident light, the first polarized light passing through the first areas AR1 of the second target-shaped patterns covered with the non-opening portion NOP is not emitted to the outside of the display device.

제1 영역들(AR1)과 제2 영역(AR2)은 제2 과녁형 패턴들의 최내측의 전도성 단일 폐곡선의 제2 선형 구조물들(2WS)을 경계로 구분될 수 있고, 제1 영역들(AR1)은 제2 과녁형 패턴들의 최내측의 전도성 단일 폐곡선의 제2 선형 구조물들(2WS)이 배치되는 영역들을 포함할 수 있다. 제2 선형 구조물들(2WS)은 비개구부(NOP)로 커버될 수 있다. 경우에 따라서는, 제2 선형 구조물들(2WS)과 연결된 제1 선형 구조물들(1WS)의 일부가 비개구부(NOP)로 덮힐 수도 있다.The first regions AR1 and the second region AR2 may be divided by a boundary between the second linear structures 2WS of the innermost conductive single closed curve of the second target-shaped patterns, and the first regions AR1 ) may include regions in which the second linear structures 2WS of the innermost conductive single closed curve of the second target-shaped patterns are disposed. The second linear structures 2WS may be covered with the non-opening portion NOP. In some cases, a portion of the first linear structures 1WS connected to the second linear structures 2WS may be covered with the non-opening portion NOP.

제2 영역(AR2)은 제2 과녁형 패턴들의 최내측의 전도성 단일 폐곡선의 제2 선형 구조물들(2WS)이 배치되지 않는 영역으로서 제1 영역들(AR1)의 사이에 배치된다. 제1 선형 구조물들(1WS)은 제2 영역(AR2)에서 입사광의 파장보다 짧은 주기로 이격되어 제2 방향(D2)에 평행하게 배열된다. The second area AR2 is an area in which the second linear structures 2WS of the innermost conductive single closed curve of the second target patterns are not disposed, and is disposed between the first areas AR1 . The first linear structures 1WS are spaced apart from each other by a shorter period than the wavelength of the incident light in the second area AR2 and are arranged parallel to the second direction D2 .

또한, 제3 선형 구조물들(3WS)은 개구부(OP)와 중첩되는 영역에서 입사광의 파장보다 짧은 주기로 제1 선형 구조물들(1WS)과 이격되어 제2 방향(D2)에 평행하게 배열될 수 있다. In addition, the third linear structures 3WS may be spaced apart from the first linear structures 1WS in a region overlapping the opening OP with a period shorter than the wavelength of the incident light and arranged parallel to the second direction D2. .

투광성 기판(110)은 개구부(OP)와 중첩되는 영역에서 제1 선형 구조물들(3WS)과 제3 선형 구조물들(3WS)의 사이에서 배치될 수 있다.The light transmitting substrate 110 may be disposed between the first linear structures 3WS and the third linear structures 3WS in a region overlapping the opening OP.

전술한 바와 같이, 반사 패턴들(RF)은 제1 방향(D1)에 평행한 직선 형태의 제1 반사 영역(도 13의 RF1)과 제2 방향(D2)에 평행한 직선 형태의 제2 반사 영역(도 13의 RF2)을 포함할 수 있다. 비개구부(NOP)는 직선 형태의 제1 반사 영역의 전부를 덮는 직선 형태의 제1 불투명 영역과 직선 형태의 제2 반사 영역의 전부를 덮는 직선 형태의 제2 불투명 영역을 포함할 수 있다. As described above, the reflective patterns RF have a first reflective area (RF1 of FIG. 13 ) in a straight line parallel to the first direction D1 and a second reflection in a straight line parallel to the second direction D2. region (RF2 in FIG. 13 ). The non-opening portion NOP may include a linear first opaque area covering all of the linear first reflective area and a linear second opaque area covering all of the linear second reflective area.

도시하지는 않았지만, 제1 방향(D1)과 평행한 방향으로 데이터 배선이 배치될 수 있고, 제2 방향(D2)과 평행한 방향으로 게이트 배선이 배치될 수 있다. 제1 불투명 영역은 게이트 배선과 중첩되게 배치될 수 있고, 제2 불투명 영역은 데이터 배선과 중첩되게 배치될 수 있다. Although not shown, the data line may be disposed in a direction parallel to the first direction D1 , and the gate line may be disposed in a direction parallel to the second direction D2 . The first opaque region may be disposed to overlap the gate line, and the second opaque area may be disposed to overlap the data line.

도 17은 도 10의 와이어 그리드 편광판과 불투명층(220)의 배치관계에 대한 표시장치의 개략적인 부분 단면도이다. 17 is a schematic partial cross-sectional view of a display device with respect to the arrangement relationship of the wire grid polarizer and the opaque layer 220 of FIG. 10 .

도 17을 참고하면, 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110)상에 배치될 수 있고, 게이트 전극(G)은 와이어 그리드 편광판 상에 배치될 수 있으며, 와이어 그리드 편광판과 게이트 전극(G)의 사이에는 절연막(150)이 배치될 수 있다. 와이어 그리드 편광판은 반사 패턴들(RF)과 선격자 패턴들(PT)을 포함하여 구성될 수 있고, 반사 패턴들(RF)은 불투명층(220)과 오버랩되는 영역에 배치될 수 있고, 전도성 격벽들(121W)로 이루어진 선격자 패턴들(PT)은 컬러필터(230)와 오버랩되는 영역에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 17 , the wire grid polarizer may be disposed on the light-transmitting substrate 110 , and the gate electrode G may be disposed on the wire grid polarizer, and between the wire grid polarizer and the gate electrode G An insulating layer 150 may be disposed. The wire grid polarizer may include reflective patterns RF and wire grid patterns PT, and the reflective patterns RF may be disposed in a region overlapping the opaque layer 220 , and may include conductive barrier ribs. The wire grid patterns PT made of the fields 121W may be disposed in an area overlapping the color filter 230 .

박막 트랜지스터(TFT)는 하기와 같이 구성될 수 있다. 투광성 기판(110) 상에 게이트 전극(G)이 위치하고, 게이트 전극(G)상에 게이트 절연막(GI)이 위치된다. 게이트 절연막(GI) 상에서 게이트 전극(G)과 적어도 일부가 중첩하는 영역에 반도체층(ACT)이 위치하고, 반도체층(ACT) 상에 서로 이격하여 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)이 위치한다. 게이트 절연막(GI), 소스 전극(S), 반도체층(ACT) 및 드레인 전극(D) 상에 패시베이션 막(PL)이 위치하고, 패시베이션 막(PL) 상에 픽셀 전극(PE)이 드레인 전극(D)의 적어도 일부를 노출시키는 콘택홀을 경유하여 위치하여, 드레인 전극(D)과 전기적으로 접속할 수 있다.The thin film transistor TFT may be configured as follows. A gate electrode G is positioned on the light-transmitting substrate 110 , and a gate insulating layer GI is positioned on the gate electrode G. The semiconductor layer ACT is positioned on the gate insulating layer GI at least partially overlapping the gate electrode G, and the source electrode S and the drain electrode D are positioned on the semiconductor layer ACT to be spaced apart from each other. do. A passivation film PL is positioned on the gate insulating film GI, the source electrode S, the semiconductor layer ACT, and the drain electrode D, and the pixel electrode PE is on the passivation film PL and the drain electrode D ) through a contact hole exposing at least a part of it, and may be electrically connected to the drain electrode (D).

박막 트랜지스터의 상부에는 액정분자(301)를 포함하는 액정층(300)이 배치될 수 있고, 액정층(300)의 상부에는 컬러필터 기판이 배치될 수 있다. 컬러필터 기판은 투광성 기판(210) 상에 불투명층(220)과 적색, 녹색, 청색의 컬러필터(230)가 형성된 구조일 수 있다. 불투명층(220)과 컬러필터(230) 상에는 오버코트층(240)이 배치될 수 있다. 투광성 기판(220)은 유리 또는 플라스틱 등의 투명한 절연물질로 이루어질 수 있고, 불투명층(220)은 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스일 수 있다. 불투명층(220)의 양단에는 컬러필터(230)가 배치될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 오버코트층(240) 상에는 ITO 또는 IZO 등의 투명 도전성 산화물로 형성되어 있는 전기장 생성 전극인 공통 전극이 더 형성될 수 있다.A liquid crystal layer 300 including liquid crystal molecules 301 may be disposed on the thin film transistor, and a color filter substrate may be disposed on the liquid crystal layer 300 . The color filter substrate may have a structure in which an opaque layer 220 and red, green, and blue color filters 230 are formed on a light-transmitting substrate 210 . An overcoat layer 240 may be disposed on the opaque layer 220 and the color filter 230 . The light-transmitting substrate 220 may be made of a transparent insulating material such as glass or plastic, and the opaque layer 220 may be a black matrix for preventing light leakage. A color filter 230 may be disposed at both ends of the opaque layer 220 . Although not shown, a common electrode that is an electric field generating electrode formed of a transparent conductive oxide such as ITO or IZO may be further formed on the overcoat layer 240 .

액정층(300)은 입사광의 편광축을 회전시키는 역할을 하는 것으로서, 양의 유전율 이방성을 가지는 트위스티드 네마틱(twisted nematic; TN) 모드, 수직 배향(VA) 모드 또는 수평 배향(IPS, FFS) 모드 등일 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The liquid crystal layer 300 serves to rotate the polarization axis of the incident light, and may be a twisted nematic (TN) mode, a vertical alignment (VA) mode, or a horizontal alignment (IPS, FFS) mode having positive dielectric anisotropy. However, it is not limited thereto.

표시장치는 빛을 발산하는 백라이트 유닛(미도시), 기판(210)의 상부에 배치되는 상부 편광판(미도시) 등을 추가로 포함할 수 있다. The display device may further include a backlight unit (not shown) emitting light, an upper polarizing plate (not shown) disposed on the substrate 210 , and the like.

백라이트 유닛은, 예를 들어 도광판, 광원부, 반사부재, 광학시트 등을 더 포함할 수 있다.The backlight unit may further include, for example, a light guide plate, a light source unit, a reflective member, an optical sheet, and the like.

도광판(Light Guide Plate: LGP)은 광원부에서 발생되는 광의 경로를 액정층 측으로 변경하는 부분으로서, 광원부에서 발생되는 빛이 입사되도록 마련된 입광면 및 액정층을 향하는 출광면을 구비할 수 있다. 도광판은 광투과성 재료 중의 하나인 폴리메틸메타크릴레이트(Poly Methyl Methacrylate : PMMA) 재질 또는 폴리카보네이트(Polycarbonate : PC) 재질과 같은 일정한 굴절율을 갖는 재료로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light guide plate (LGP) is a part that changes the path of light generated from the light source unit toward the liquid crystal layer, and may include a light incident surface provided to receive light generated from the light source unit and an exit surface toward the liquid crystal layer. The light guide plate may be made of a material having a constant refractive index, such as a polymethyl methacrylate (PMMA) material or a polycarbonate (PC) material, which is one of the light transmitting materials, but is not limited thereto.

이와 같은 재료로 이루어진 도광판의 일측 또는 양측으로 입사한 광은 도광판의 임계각 이내의 각도를 가지므로, 도광판 내부로 입사되고, 도광판의 상면 또는 하면에 입사되었을 때 광의 각도는 임계각을 벗어나게 되어, 도광판 외부로 출사되지 않고, 도광판 내부에 골고루 전달된다.Since the light incident on one side or both sides of the light guide plate made of such a material has an angle within the critical angle of the light guide plate, when it is incident inside the light guide plate and is incident on the upper surface or the lower surface of the light guide plate, the angle of the light is outside the critical angle, It is not emitted to the light and is evenly transmitted inside the light guide plate.

도광판의 상면 및 하면 중 어느 하나의 면, 예를 들어 출광면과 대향하는 하면에는 가이드 된 광이 상부로 출사될 수 있도록 산란 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 도광판 내부에서 전달된 광이 상부로 출사될 수 있도록 도광판의 일면에 예를 들어 잉크로 산란 패턴을 인쇄할 수 있다. 이러한 산란 패턴은 잉크를 인쇄하여 형성할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도광판에 미세한 홈이나 돌기를 형성할 수도 있으며, 다양한 변형이 가능하다.A scattering pattern may be formed on any one of the upper and lower surfaces of the light guide plate, for example, the lower surface facing the light exit surface so that the guided light is emitted upward. That is, a scattering pattern may be printed on one surface of the light guide plate with, for example, ink so that light transmitted from the inside of the light guide plate can be emitted upward. The scattering pattern may be formed by printing ink, but is not limited thereto, and fine grooves or protrusions may be formed on the light guide plate, and various modifications are possible.

도광판과 하부 수납부재의 바닥부 사이에는 반사부재가 더 구비될 수 있다. 반사부재는 도광판의 하면, 즉 출광면과 대향하는 반대면으로 출사되는 광을 다시 반사시켜 도광판에 공급하는 역할을 한다. 반사부재는 필름 형태로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A reflective member may be further provided between the light guide plate and the bottom of the lower accommodating member. The reflective member serves to reflect the light emitted to the lower surface of the light guide plate, that is, to a surface opposite to the light exit surface, and supply it to the light guide plate. The reflective member may be formed in the form of a film, but is not limited thereto.

광원부는 도광판의 입광면과 대면하도록 배치될 수 있다. 광원부의 개수는 필요에 따라 적절히 변경 가능하다. 예컨대 광원부는 도광판의 일 측면에만 한 개가 구비될 수도 있으며, 도광판의 4개의 측면 중 3개 이상의 측면과 대응되도록 3개 이상이 구비되는 것도 가능하다. 또한 도광판의 측면 중 어느 하나와 대응되도록 배치된 광원부가 복수개인 경우도 가능하다고 할 것이다. 상기와 같이, 도광판의 측면에 광원이 위치하는 방식인 사이드 라이트 방식을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 백라이트 구성에 따라 직하 방식, 면 형상 광원 방식 등이 있다.The light source unit may be disposed to face the light incident surface of the light guide plate. The number of light source units can be appropriately changed as needed. For example, one light source unit may be provided on only one side surface of the light guide plate, or three or more light sources may be provided to correspond to three or more side surfaces of the four side surfaces of the light guide plate. In addition, it will be said that a case where there are a plurality of light source units arranged to correspond to any one of the side surfaces of the light guide plate is also possible. As described above, the side light method, which is a method in which the light source is positioned on the side of the light guide plate, has been described as an example, but there are other types such as a direct method and a planar light source method according to the backlight configuration.

광원은 백색광을 발산하는 백색 LED일 수 있으며, 또는 각각 적(R), 녹(G), 청(B)의 색의 광을 발산하는 복수개의 LED일 수도 있다. 복수개의 광원이 각각 적(R), 녹(G), 청(B)의 색의 광을 발산하는 LED로 구현되는 경우, 이들을 한꺼번에 점등시킴으로써 색섞임에 의한 백색광을 구현할 수도 있다.The light source may be a white LED emitting white light, or a plurality of LEDs emitting light of red (R), green (G), and blue (B) colors, respectively. When a plurality of light sources are implemented as LEDs emitting light of red (R), green (G), and blue (B) colors, white light by color mixing may be realized by lighting them all at once.

도 18은 도 12의 변형례이다. 도 19는 도 14의 와이어 그리드 편광판의 변형례이다.18 is a modification of FIG. 12 . 19 is a modified example of the wire grid polarizer of FIG. 14 .

제2 과녁형 패턴들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들의 비다각형 형태의 단일 폐곡선일 수 있다. The second target-shaped patterns may be a single closed curve having a non-polygonal shape of two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction.

도 18 및 도 19를 참고하면, 제1 및 제2 과녁형 패턴들은, 두 개의 원호 아치형 구조물들이 연결되어 구성된 적어도 둘 이상의 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 구조일 수 있다. 도 18 및 도 19의 제1 및 제2 과녁형 패턴들은 두 개의 원호 아치형 구조물들의 단일 폐곡선들을 포함하는 점에서, 직사각형 형태의 단일 폐곡선들을 포함하는 도 12 및 도 14의 제1 및 제2 과녁형 패턴들과 상이하다. 아치형 구조물은 곡선부와 곡선부를 받치는 지지부를 포함하는 구조일 수 있고, 예를 들어, 지지부는 직선 형태일 수 있다.18 and 19 , the first and second target-shaped patterns may have a structure in which at least two or more single closed curves formed by connecting two arc-arc structures are spaced apart from each other and arranged in layers. The first and second target-shaped patterns of FIGS. 18 and 19 include single closed curves of two arcuate arcuate structures, and the first and second target-shaped patterns of FIGS. 12 and 14 include single closed curves of a rectangular shape. different from the patterns. The arcuate structure may be a structure including a curved portion and a support portion supporting the curved portion, for example, the support portion may have a straight shape.

비다각형 형태의 단일 폐곡선은, 두 개의 원호 아치형 구조물들의 단일 폐곡선만으로 한정되는 것은 아니고, 원호 아치형 구조물, 결원 아치형 구조물, 말발굽 아치형 구조물, 첨두 아치형 구조물 및 오지 아치형 구조물 중 둘 이상의 단일 폐곡선, 원형 단일 폐곡선 또는 타원형 단일 폐곡선 등 수도 있다. A single closed curve of the non-polygonal shape is not limited to only a single closed curve of two arcuate arch structures, but a single closed curve, a single closed curve of two or more of an arc arch structure, a hollow arch structure, a horseshoe arch structure, a peak arch structure and a back arch structure Alternatively, it may be an elliptical single closed curve or the like.

도 18을 참고하면, 제1 과녁형 패턴들은 변형된 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선으로 형성된 제1 도메인들(141)과 변형된 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선으로 형성된 제2 도메인들(142)들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 구조일 수 있다. 변형된 직사각형 형태의 고분자 단일 폐곡선은 직사각형의 단변들이 곡선들로 변형된 직사각형 형태의 단일 폐곡선일 수 있다.Referring to FIG. 18 , in the first target patterns, first domains 141 formed as a single closed curved polymer having a deformed rectangular shape and second domains 142 formed as a single closed curved polymer having a deformed rectangular shape are spaced apart from each other. It may be a structure arranged in layers. The single closed curve of the modified rectangular shape may be a single closed curve of the rectangular shape in which the short sides of the rectangle are transformed into curves.

도 19의 제2 과녁형 패턴들은 제1 도메인들(141)의 고분자 단일 폐곡선의 형상과 같은 변형된 직사각형 형태의 단일 폐곡선들을 포함할 수 있다. 도 19를 참고하면, 제2 과녁형 패턴들은 상호 평행한 두 개의 제1 선형 구조물들(1WS)과 곡선 형태의 두 개의 제2 선형 구조물들(2WS)의 전도성 단일 폐곡선을 적어도 두 개 이상 포함할 수 있다. 제2 선형 구조물들(2WS)이 곡선 형태인 점에서 제2 선형 구조물들(2WS)이 직선 형태인 도 14의 제2 과녁형 패턴들과 상이하다. The second target-shaped patterns of FIG. 19 may include single closed curves in a deformed rectangular shape such as the shape of a single closed curve of the polymer of the first domains 141 . Referring to FIG. 19 , the second target-shaped patterns may include at least two conductive single closed curves of two first linear structures 1WS parallel to each other and two second linear structures 2WS having a curved shape. can It is different from the second target-shaped patterns of FIG. 14 in which the second linear structures 2WS have a straight shape in that the second linear structures 2WS have a curved shape.

도 19의 변형된 직사각형 형태의 전도성 단일 폐곡선은 도 14의 직사각형 형태의 전도성 단일 폐곡선(점선)에 비해 잔여면적(Re)만큼 반사 패턴들(RF)의 면적을 확장시킬 수 있다. 반사패턴(RF)의 면적의 확장은 제2 편광된 광의 반사효율을 높일 수 있다. 잔여면적(Re)은 직사각형 형태의 전도성 단일 폐곡선(점선)의 면적에서 변형된 직사각형 형태의 전도성 단일 폐곡선의 면적을 뺀 면적이다. The modified rectangular closed conductive curve of FIG. 19 may expand the area of the reflective patterns RF by the remaining area Re compared to the single closed conductive curve (dotted line) of the rectangular shape of FIG. 14 . The expansion of the area of the reflection pattern RF may increase the reflection efficiency of the second polarized light. The residual area Re is an area obtained by subtracting the area of the deformed rectangular closed conductive curve from the area of the single closed conductive curve (dotted line) in the rectangular shape.

도 20은 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제1 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.20 is a schematic layout view of the arrangement relationship between the first modified example and the opaque layer of the wire grid polarizer of FIG. 13 .

도 20의 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 윈도우 영역들(WR)의 외곽에 배치된 프레임 영역(PR)을 포함할 수 있다. The wire grid polarizer of FIG. 20 may include window regions WR and a frame region PR disposed outside the window regions WR.

도 20의 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제1 방향(D1)에 평행하게 배열된 점에서 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제2 방향(D2)에 평행하게 배열된 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다.In the wire grid polarizer of FIG. 20 , the window areas WR and the third line structures 3WS are arranged parallel to the first direction D1 in the window areas WR and the third line structures 3WS. ) is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 arranged parallel to the second direction D2.

프레임 영역(PR), 반사 패턴들(RF) 및 불투명층(220)에 대해서는 전술한 바 있으므로, 이하, 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Since the frame region PR, the reflective patterns RF, and the opaque layer 220 have been described above, a detailed description thereof will be omitted.

도 21은 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제2 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.21 is a schematic layout view of a second modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;

도 21의 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제3 방향(D3)에 평행하게 배열된 점에서 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제2 방향(D2)에 평행하게 배열된 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. 도 21의 와이어 그리드 편광판은 형태 및 면적이 상이한 적어도 두 개의 윈도우 영역들(WR)을 포함하는 점에서, 윈도우 영역들(WR)의 형태 및 면적이 동일한 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. In the wire grid polarizer of FIG. 21 , the window regions WR and the third line structures 3WS are arranged parallel to the third direction D3 in the window regions WR and the third line structures 3WS. ) is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 arranged parallel to the second direction D2. The wire grid polarizer of FIG. 21 is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 in that the window regions WR have the same shape and area in that it includes at least two window regions WR having different shapes and areas.

프레임 영역(PR), 반사 패턴들(RF) 및 불투명층(220)에 대해서는 전술한 바 있으므로, 이하, 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Since the frame region PR, the reflective patterns RF, and the opaque layer 220 have been described above, a detailed description thereof will be omitted.

도 22는 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제3 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.22 is a schematic layout view of a third modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;

도 22의 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제1 방향(D1)에 평행하게 배열된 점에서 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제2 방향(D2)에 평행하게 배열된 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다.In the wire grid polarizer of FIG. 22 , the window regions WR and the third line structures 3WS are arranged parallel to the first direction D1 in the window regions WR and the third line structures 3WS. ) is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 arranged parallel to the second direction D2.

도 22의 와이어 그리드 편광판은 제1 방향(D1)에 평행한 직선 형태의 제1 반사 영역(도 13의 RF1 참고)과 제2 방향(D2)에 평행한 직선 형태의 제2 반사 영역(도 13의 RF2 참고)을 포함하는 반사 패턴들(도 13의 RF 참고)을 포함할 수 있다. The wire grid polarizer of FIG. 22 includes a first reflective area (refer to RF1 of FIG. 13 ) in a straight line parallel to the first direction D1 and a second reflection area in a straight line parallel to the second direction D2 ( FIG. 13 ). reflective patterns (refer to RF of FIG. 13 ) including RF2 (see RF2 of FIG. 13 ).

도 22의 불투명층(220)은 제1 방향(D1)에 평행한 두 개의 직선부들과 제3 방향(D3)에 평행한 두 개의 직선부들 및 제4 방향(D4)에 평행한 두 개의 직선부들로 구성된 단일 폐곡선 형태의 개구부(OP)를 포함하는 점에서 제1 방향에 평행한 두 개의 직선부들과 제2 방향에 평행한 두 개의 직선부들로 구성된 직사각형 형태의 개구부(OP)를 포함하는 도 13의 불투명층(220)과 상이하다. The opaque layer 220 of FIG. 22 includes two straight parts parallel to the first direction D1, two straight parts parallel to the third direction D3, and two straight parts parallel to the fourth direction D4. 13 including a rectangular opening OP composed of two straight lines parallel to the first direction and two straight lines parallel to the second direction at a point including an opening OP in the form of a single closed curve composed of It is different from the opaque layer 220 of

도 22의 비개구부(NOP)는 꺽인 선 형태의 제1 불투명 영역과 직선 형태의 제2 불투명 영역을 포함하는 점에서, 직선 형태의 제1 불투명 영역과 직선 형태의 제2 불투명 영역을 포함하는 도 15의 비개구부(NOP)와 상이하다. The non-opening portion NOP of FIG. 22 includes a first opaque region in a straight shape and a second opaque region in a straight shape in that it includes a first opaque region in a bent line shape and a second opaque region in a straight shape. different from the non-aperture (NOP) of 15.

꺽인 선 형태의 제1 불투명 영역은 제3 방향(D3)에 평행한 직선부와 제4 방향(D4)에 평행한 직선부가 서로 연결된 형태일 수 있고, 꺽인 선 형태의 제1 불투명 영역은 데이터 배선(미도시)과 중첩 배치될 수 있다. The first opaque region in the form of a broken line may have a shape in which a straight line portion parallel to the third direction D3 and a straight line portion parallel to the fourth direction D4 are connected to each other, and the first opaque area in the form of a bent line is a data line (not shown) may be overlapped.

제1 불투명 영역은 데이터 배선 전부를 덮고 있을 수 있다. 제1 불투명 영역은 직선 형태의 제1 반사 영역 전부를 덮고 있을 수 있다. 직선 형태의 제2 불투명 영역은 제2 방향(D2)에 평행하게 배치된 제2 반사 영역을 덮고 있을 수 있다. 도시하지는 않았지만, 게이트 배선은 제2 방향(D2)에 평행하게 배치될 수 있고, 제2 불투명 영역은 게이트 배선과 중첩 배치될 수 있다.The first opaque region may cover the entire data line. The first opaque region may cover all of the linear first reflective region. The linear second opaque region may cover the second reflective region parallel to the second direction D2 . Although not illustrated, the gate line may be disposed parallel to the second direction D2 , and the second opaque region may overlap the gate line.

도 23은 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제4 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.23 is a schematic layout view of a fourth modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;

도 23의 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제1 방향(D1)에 평행하게 배열된 점에서 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제2 방향(D2)에 평행하게 배열된 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. 도 23의 와이어 그리드 편광판은 적어도 두 개의 윈도우 영역들(WR) 또는 선격자 패턴들(도 13의 PT 참고)의 면적이 상호 상이한 점에서, 윈도우 영역들(WR) 또는 선격자 패턴들(도 13의 PT 참고)의 면적이 동일한 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. In the wire grid polarizer of FIG. 23 , the window regions WR and the third line structures 3WS are arranged parallel to the first direction D1 in the window regions WR and the third line structures 3WS. ) is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 arranged parallel to the second direction D2. In the wire grid polarizer of FIG. 23 , at least two window regions WR or the wire grid patterns (refer to PT of FIG. 13 ) have different areas, so that the window regions WR or the wire grid patterns ( FIG. 13 ) have different areas. (see PT of ) is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 with the same area.

도 23의 와이어 그리드 편광판은 반사패턴이 제1 방향(D1)에 평행한 직선 형태의 제1 반사 영역(RF1)과 제2 방향(D2)에 평행한 직선 형태의 제2 반사 영역(RF2)을 포함할 수 있다. The wire grid polarizer of FIG. 23 includes a first reflective region RF1 having a reflective pattern parallel to the first direction D1 and a second reflective region RF2 having a linear shape parallel to the second direction D2. may include

도 23의 불투명층(220)은 면적이 상이한 적어도 두 개의 개구부(OP)를 포함하는 점에서 개구부들(OP)의 면적이 동일한 도 13의 불투명층(220)과 상이하다. The opaque layer 220 of FIG. 23 is different from the opaque layer 220 of FIG. 13 having the same area of the openings OP in that it includes at least two openings OP having different areas.

도 24는 도 13의 와이어 그리드 편광판의 제5 변형례와 불투명층의 배치관계에 대한 개략적인 배치도이다.24 is a schematic layout view of a fifth modified example of the wire grid polarizer of FIG. 13 and an arrangement relationship of an opaque layer;

도 24의 와이어 그리드 편광판은 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제1 방향(D1)에 평행하게 배열된 점에서 윈도우 영역들(WR)과 제3 선 구조물들(3WS)이 제2 방향(D2)에 평행하게 배열된 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. In the wire grid polarizer of FIG. 24 , the window regions WR and the third line structures 3WS are arranged parallel to the first direction D1 in the window regions WR and the third line structures 3WS. ) is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 arranged parallel to the second direction D2.

도 24의 와이어 그리드 편광판은 제2 방향(D2)에 평행한 직선 형태의 제2 반사 영역(RF2)만을 포함하고, 제1 방향(D1)에 평행한 직선 형태의 제1 반사 영역을 포함하지 않는 점에서 제1 반사 영역(RF1)과 제2 반사 영역(RF2)을 모두 포함하는 도 13의 와이어 그리드 편광판과 상이하다. The wire grid polarizer of FIG. 24 includes only the second reflective area RF2 having a straight line shape parallel to the second direction D2 and does not include the first reflective area having a straight line shape parallel to the first direction D1. It is different from the wire grid polarizer of FIG. 13 in that it includes both the first reflective region RF1 and the second reflective region RF2 .

도 24의 불투명층(220)은 제2 방향(D2)에 평행한 직선 형태의 제2 불투명 영역만을 포함하고, 제1 방향(D1)에 평행한 직선 형태의 제1 불투명 영역을 포함하지 않는 점에서, 제1 불투명 영역과 제2 불투명 영역을 모두 포함하는 도 15의 불투명층(220)과 상이하다. The opaque layer 220 of FIG. 24 includes only the second opaque area having a straight line shape parallel to the second direction D2 and does not include the first opaque area having a straight line shape parallel to the first direction D1. , it is different from the opaque layer 220 of FIG. 15 including both the first opaque region and the second opaque region.

도 25 내지 도 34는 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판 제조방법의 개략적인 단면도들이다. 25 to 34 are schematic cross-sectional views of a method of manufacturing a wire grid polarizer according to a second embodiment.

도 25를 참고하면, 베이스 기판은, 투광성 기판(310), 전도성층(320, 330), 가이드층(340), 하드 마스크층(350), 캡핑층(360), 희생층(370)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 25 , the base substrate includes a light-transmitting substrate 310 , conductive layers 320 and 330 , a guide layer 340 , a hard mask layer 350 , a capping layer 360 , and a sacrificial layer 370 . can do.

투광성 기판(310)은 가시광선을 투과시킬 수 있으면 그 재질은 용도나 공정에 맞게 적절하게 선택할 수 있다. 투광성 기판(310)에 대해서는 전술한 바 있으므로, 구체적인 설명은 생략한다. As long as the light-transmitting substrate 310 can transmit visible light, the material may be appropriately selected according to the purpose or process. Since the light-transmitting substrate 310 has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

전도성층(320, 330)은 전도성 소재이면 제한 없이 사용이 가능하다. 전도성층(320,330)은 투광성 기판(100) 전부를 덮고 있을 수 있다. 전술한 바와 같이, 전도성층(320, 330)은 제1 전도성층(320)과 제2 전도성층(330)을 포함할 수 있다. The conductive layers 320 and 330 can be used without limitation as long as they are conductive materials. The conductive layers 320 and 330 may cover all of the light-transmitting substrate 100 . As described above, the conductive layers 320 and 330 may include a first conductive layer 320 and a second conductive layer 330 .

제1 전도성층(320)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 합금인 것을 들 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The first conductive layer 320 may be selected from the group consisting of aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), titanium (Ti) cobalt (Co), and molybdenum (Mo). One selected metal or an alloy thereof may be mentioned, but the present invention is not limited thereto.

제2 전도성층(330)은 제1 전도성층(320)에 비해 식각률이 낮은 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전도성층(320)은 알루미늄으로 구성될 수 있고, 제2 전도성층(330)은 티타늄, 몰리브덴 등으로 구성될 수 있다. 다만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다.The second conductive layer 330 may be formed of a material having an etch rate lower than that of the first conductive layer 320 . For example, the first conductive layer 320 may be made of aluminum, and the second conductive layer 330 may be made of titanium, molybdenum, or the like. However, it is not limited only to this.

가이드층(340)은 제2 전도성층(330) 상에 형성될 수 있다. 가이드층(340)은 제2 전도성층(330) 전부를 덮고 있을 수 있다. 가이드층(340)은 제2 전도성층(330)에 비해 식각률이 큰 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 가이드층(340)은 질화규소(SiNx)로 이루어질 수 있다. 다만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. The guide layer 340 may be formed on the second conductive layer 330 . The guide layer 340 may cover the entire second conductive layer 330 . The guide layer 340 may be formed of a material having an etch rate higher than that of the second conductive layer 330 . For example, the guide layer 340 may be made of silicon nitride (SiNx). However, it is not limited only to this.

하드 마스크층(350)은 가이드층(340) 상에 형성될 수 있다. 하드 마스크층(350)은 가이드층(340) 전부를 덮고 있을 수 있다. 하드 마스크층(350)은 가이드층(340)에 비해 식각률이 작은 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 하드 마스크층(50)은 알루미늄(Al)일 수 있다. 다만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. The hard mask layer 350 may be formed on the guide layer 340 . The hard mask layer 350 may cover the entire guide layer 340 . The hard mask layer 350 may be made of a material having an etch rate lower than that of the guide layer 340 . For example, the hard mask layer 50 may be made of aluminum (Al). However, it is not limited only to this.

캡핑층(360)은 하드 마스크층(350) 상에 형성될 수 있다. 캡핑층(360)은 하드 마스크층(350) 전부를 덮고 있을 수 있다. 캡핑층(360)은 하드 마스크층(50)의 힐록 현상을 방지할 수 있다. 캡핑층(360)은 하드 마스크층(50)에 비해 식각률이 낮은 재료로 이루어질 수 있다. 캡핑층(360)은 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있다. 다만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다. 캡핑층(360)은 생략될 수 있다. The capping layer 360 may be formed on the hard mask layer 350 . The capping layer 360 may cover the entire hard mask layer 350 . The capping layer 360 may prevent a hillock phenomenon of the hard mask layer 50 . The capping layer 360 may be made of a material having an etch rate lower than that of the hard mask layer 50 . The capping layer 360 may be made of titanium (Ti). However, it is not limited only to this. The capping layer 360 may be omitted.

희생층(370)은 하드 마스크층(350) 상에 형성될 수 있다. 희생층(370)은 하드 마스크층(350) 전부를 덮고 있을 수 있다. 희생층(370)은 캡핍층(360)에 비해 식각률이 큰 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 희생층(370)은 질화 규소(SiNx)로 이루어질 수 있다. 다만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다.The sacrificial layer 370 may be formed on the hard mask layer 350 . The sacrificial layer 370 may cover the entire hard mask layer 350 . The sacrificial layer 370 may be formed of a material having an etch rate higher than that of the cap pip layer 360 . For example, the sacrificial layer 370 may be made of silicon nitride (SiNx). However, it is not limited only to this.

제1 감광막 패턴층(380)은 희생층(370) 상에 형성될 수 있다. 제1 감광막 패턴층(380)은 포토리소그래피법을 이용하여 형성할 수 있다. 제1 감광막 패턴(381, 382, 383)은 희생층(370)상에서 상호 이격 배열되어 있을 수 있고, 제1 감광막 패턴(381,382,383)의 사이로 희생층(370)의 일부가 노출될 수 있다.The first photoresist pattern layer 380 may be formed on the sacrificial layer 370 . The first photoresist pattern layer 380 may be formed using a photolithography method. The first photoresist layer patterns 381 , 382 , and 383 may be arranged to be spaced apart from each other on the sacrificial layer 370 , and a portion of the sacrificial layer 370 may be exposed between the first photoresist layer patterns 381 , 382 , and 383 .

도 25와 도 26을 참고하면, 캡핑층(360) 상에는 희생층 패턴(371,372,373)이 형성될 수 있다. 희생층 패턴(371, 372, 373)은 제1 감광막 패턴(381, 382, 383)을 마스크로 이용하여 희생층(370)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 25 and 26 , sacrificial layer patterns 371 , 372 , and 373 may be formed on the capping layer 360 . The sacrificial layer patterns 371 , 372 , and 373 may be formed by patterning the sacrificial layer 370 using the first photoresist layer patterns 381 , 382 , and 383 as a mask.

스페이서층(390)은 희생층 패턴(371, 372, 373)과 캡핑층(360) 상에 형성될 수 있다. 스페이서층(390)은 희생층 패턴(371,372,373)과 희생층 패턴(371,372,373)의 사이에서 노출된 캡핑층(360)을 전부 덮고 있을 수 있다. 예를 들어, 스페이서층(390)은 산화규소(SiOx)로 이루어질 수 있다. The spacer layer 390 may be formed on the sacrificial layer patterns 371 , 372 , and 373 and the capping layer 360 . The spacer layer 390 may completely cover the sacrificial layer patterns 371 , 372 , and 373 and the capping layer 360 exposed between the sacrificial layer patterns 371 , 372 and 373 . For example, the spacer layer 390 may be made of silicon oxide (SiOx).

도 26과 도 27를 참고하면, 스페이서 패턴(391,392,393,394,395,396)은 스페이서층(390)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 구체적으로, 스페이서 패턴(391,392,393,394,395,396)은 희생층 패턴(371,372,373)의 측면을 덮고 있을 수 있다. 캡핑층(360)은 스페이서 패턴(391,392,393,394,395,396)의 사이에서 일부가 노출될 수 있다. 희생층 패턴(371,372,373)의 상부면은 스페이서 패턴(391,392,393,394,395,396)의 사이에서 노출될 수 있다. 26 and 27 , spacer patterns 391 , 392 , 393 , 394 , 395 , and 396 may be formed by patterning the spacer layer 390 . Specifically, the spacer patterns 391 , 392 , 393 , 394 , 395 and 396 may cover side surfaces of the sacrificial layer patterns 371 , 372 , and 373 . A portion of the capping layer 360 may be exposed between the spacer patterns 391 , 392 , 393 , 394 , 395 and 396 . Top surfaces of the sacrificial layer patterns 371 , 372 , and 373 may be exposed between the spacer patterns 391 , 392 , 393 , 394 , 395 and 396 .

도 28을 참고하면, 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2) 중 제2 영역(R2)에만 제2 감광막 패턴(400)을 형성할 수 있다. 제1 영역(R1)은 이후 선격자 패턴(도 34의 PT)이 형성될 영역이고, 제2 영역(R2)은 반사패턴(도 34의 RF)이 형성될 영역이다. 다시 말하면, 제2 감광성 패턴(400)은 반사패턴(도 34의 RF)이 형성될 영역을 보호할 수 있다. Referring to FIG. 28 , the second photoresist layer pattern 400 may be formed only in the second region R2 of the first region R1 and the second region R2 . The first region R1 is a region in which a wire grid pattern (PT of FIG. 34 ) is to be formed, and the second region R2 is a region in which a reflective pattern (RF of FIG. 34 ) is to be formed. In other words, the second photosensitive pattern 400 may protect a region where the reflective pattern (RF of FIG. 34 ) is to be formed.

도 29를 참고하면, 제1 영역(R1)에서만 선택적으로 희생층(371,372)를 제거할 수 있다. 희생층(373)은 제2 감광막 패턴(400)으로 보호되므로 희생층(371,372)와 달리 제거되지 않는다. 희생층(371,372)가 제거된 이후, 제1 영역(R1)에서는 스페이서 패턴(394,395,396)의 사이로 캡핑층(360)의 일부가 노출될 수 있다. Referring to FIG. 29 , the sacrificial layers 371 and 372 may be selectively removed only in the first region R1 . Since the sacrificial layer 373 is protected by the second photoresist pattern 400 , unlike the sacrificial layers 371 and 372 , it is not removed. After the sacrificial layers 371 and 372 are removed, a portion of the capping layer 360 may be exposed between the spacer patterns 394 , 395 , and 396 in the first region R1 .

도 29 및 도 30을 참고하면, 제2 감광막 패턴(400)으로 제2 영역(R2)을 보호한 상태에서, 스페이서 패턴(394,395,396)을 마스크로 이용하여 제1 영역(R1)의 하드 마스크층(350), 및 가이드층(340)을 패터닝할 수 있다. 제1 영역(R1)에는 제2 전도성층(330)상에 제1 하드 마스크 패턴(351)과 가이드 패턴(341)이 형성될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 하드 마스크 패턴(351)상에는 캡핑층(360)의 일부가 잔류할 수 있다.29 and 30, in a state in which the second region R2 is protected with the second photoresist pattern 400, the hard mask layer ( 350 , and the guide layer 340 may be patterned. A first hard mask pattern 351 and a guide pattern 341 may be formed on the second conductive layer 330 in the first region R1 . Although not shown, a portion of the capping layer 360 may remain on the hard mask pattern 351 .

제1 영역의 가이드 패턴(341) 또는 가이드 패턴(341) 및 제1 하드 마스크 패턴(351)은 전술한 제1 가이드 패턴(1GP)에 대응될 수 있다. The guide pattern 341 or the guide pattern 341 and the first hard mask pattern 351 of the first region may correspond to the above-described first guide pattern 1GP.

제2 감광막 패턴(400)은 제1 하드 마스크 패턴(351)과 가이드 패턴(341)이 형성된 이후에, 제거될 수 있다. 제2 감광막 패턴(400)으로 보호된 제2 영역(R2)에는 제1 잔류 캡핑층 패턴(360r), 제1 잔류 하드 마스크 패턴(350r) 및 잔류 가이드 패턴(340r)이 형성될 수 있다.The second photoresist pattern 400 may be removed after the first hard mask pattern 351 and the guide pattern 341 are formed. A first residual capping layer pattern 360r, a first residual hard mask pattern 350r, and a residual guide pattern 340r may be formed in the second region R2 protected by the second photoresist pattern 400 .

잔류 가이드 패턴(340r) 또는 제1 잔류 캡핑층 패턴(360r), 제1 잔류 하드 마스크 패턴(350r) 및 잔류 가이드 패턴(340r)은 전술한 제3 가이드 패턴(3GP)에 대응될 수 있다.The residual guide pattern 340r or the first residual capping layer pattern 360r, the first residual hard mask pattern 350r, and the residual guide pattern 340r may correspond to the above-described third guide pattern 3GP.

도 31을 참고하면, 가이드 패턴(341)의 사이 및 스페이서 패턴(394,395)의 사이에 자기 조립된 블록 공중합체층(410)을 형성할 수 있다. 자기 조립된 블록 공중합체층(410)은 제1 도메인(410a)과 제2 도메인(410b)를 포함할 수 있다. 자기 조립된 블록 공중합체층(410)에 대해서는 전술한 바 있으므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 31 , the self-assembled block copolymer layer 410 may be formed between the guide patterns 341 and between the spacer patterns 394 and 395 . The self-assembled block copolymer layer 410 may include a first domain 410a and a second domain 410b. Since the self-assembled block copolymer layer 410 has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

도시하지는 않았지만, 블록 공중합체의 제1 반복 단위와 제2 반복 단위의 수직 배향을 제어하는 중성층(미도시)이 가이드 패턴(341) 사이의 트렌치의 바닥부, 즉, 트렌치 내의 제2 전도성층(330) 상에 형성될 수 있다. 중성층에 대해서는 전술한 바 있으므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.Although not shown, a neutral layer (not shown) for controlling the vertical orientation of the first repeating unit and the second repeating unit of the block copolymer is formed at the bottom of the trench between the guide patterns 341, that is, the second conductive layer in the trench. It may be formed on 330 . Since the neutral layer has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 가이드 패턴(341)의 표면은 소수성 표면처리될 수도 있다. 예를 들어, 가이드 패턴(341)의 소수성 표면처리는 불소계 고분자 코팅 공정 또는 불소계 가스 플라즈마 처리를 통해 수행될 수 있지만, 이것만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the surface of the guide pattern 341 may be treated with a hydrophobic surface. For example, the hydrophobic surface treatment of the guide pattern 341 may be performed through a fluorine-based polymer coating process or a fluorine-based gas plasma treatment, but is not limited thereto.

도 31 및 도 32를 참고하면, 제1 도메인(410a)과 제2 도메인(410b) 중에서 제2 도메인(410b)만을 선택적으로 제거할 수 있다. 일례로, 제1 도메인(410a)과 제2 도메인(410b) 중 제2 도메인(410b)을 선택적으로 제거하는 공정은 제2 도메인(410b)에 친화성이 높은 용매를 사용할 수 있다. 이에 대해서는 전술한 바 있다. 31 and 32 , only the second domain 410b from among the first domain 410a and the second domain 410b may be selectively removed. For example, in the process of selectively removing the second domain 410b from among the first domain 410a and the second domain 410b, a solvent having high affinity for the second domain 410b may be used. This has been described above.

도 32 및 도 33을 참고하면, 제1 영역(R1)에서는 제1 도메인(410a)과 가이드 패턴(341)을 마스크로 이용하여 전도성층(320,330)을 패터닝할 수 있다. 제1 영역(R1)에는 제1 전도성 패턴층(321,321a) 및 제2 전도성 패턴층(331,331a)이 형성될 수 있다. 제2 전도성 패턴층(331,331a)의 하부에 제1 전도성 패턴층(321,321a)가 배치될 수 있다. 32 and 33 , in the first region R1 , the conductive layers 320 and 330 may be patterned using the first domain 410a and the guide pattern 341 as a mask. First conductive pattern layers 321 and 321a and second conductive pattern layers 331 and 331a may be formed in the first region R1 . The first conductive pattern layers 321 and 321a may be disposed under the second conductive pattern layers 331 and 331a.

제2 영역(R2)에서는 스페이서 패턴(394,395,396) 및 희생층 패턴(373)을 마스크로 이용하여 제1 잔류 캡핑층 패턴(360r), 제1 잔류 하드 마스크 패턴(350r)을 패터닝할 수 있다. 제2 영역(R2)에는 캡핑층 패턴(361, 361a), 제2 하드 마스크 패턴(351, 351a), 제2 잔류 캡핑층 패턴(360rr), 제2 잔류 하드 마스크 패턴(350rr)이 형성될 수 있다. 또한, 제1 영역(R1)의 전도성층(320,330)을 패터닝한 결과, 제2 영역(R2)에는 잔류 전도성 패턴(320r, 330r)이 형성될 수 있다. In the second region R2 , the first residual capping layer pattern 360r and the first residual hard mask pattern 350r may be patterned using the spacer patterns 394 , 395 , and 396 and the sacrificial layer pattern 373 as masks. In the second region R2, capping layer patterns 361 and 361a, second hard mask patterns 351 and 351a, a second residual capping layer pattern 360rr, and a second residual hard mask pattern 350rr may be formed. have. In addition, as a result of patterning the conductive layers 320 and 330 in the first region R1 , residual conductive patterns 320r and 330r may be formed in the second region R2 .

도 33 및 도 34를 참고하면, 투광성 기판(310)상에 제1 전도성 패턴(321,321a) 및 잔류 전도성 패턴(320r)만을 형성할 수 있다. 33 and 34 , only the first conductive patterns 321 and 321a and the remaining conductive patterns 320r may be formed on the light-transmitting substrate 310 .

제1 전도성 패턴(321,321a)은 선격자 패턴(PT)을 구성할 수 있고, 잔류 전도성 패턴(320r)은 반사패턴(RF)을 구성할 수 있다. 제1 전도성 패턴(321a)은 전술한 선 구조물들(121W)에 대응될 수 있고, 제1 전도성 패턴층(321)은 전술한 제4 선 구조물(121R)에 대응될 수 있다. The first conductive patterns 321 and 321a may constitute the wire grid pattern PT, and the remaining conductive patterns 320r may constitute the reflection pattern RF. The first conductive pattern 321a may correspond to the aforementioned wire structures 121W, and the first conductive pattern layer 321 may correspond to the aforementioned fourth wire structures 121R.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

110: 기판
120: 전도성층
121W, 121R: 전도성 격벽
1WS: 제1 선형 구조물, 2WS: 제2 선형 구조물,
3WS: 제3 선형 구조물
PT: 선격자 패턴
RF: 반사패턴
130: 가이드층
131W: 제1 가이드 격벽, 131W': 제2 가이드 격벽
131R: 제3 가이드 격벽, 131R': 제4 가이드 격벽
140: 블록 공중합체층
141: 제1 도메인 142: 제2 도메인110: substrate
120: conductive layer
121W, 121R: Conductive bulkhead
1WS: a first linear structure, 2WS: a second linear structure;
3WS: third linear structure
PT: wire grid pattern
RF: Reflection pattern
130: guide layer
131W: first guide bulkhead, 131W': second guide bulkhead
131R: third guide bulkhead, 131R': fourth guide bulkhead
140: block copolymer layer
141: first domain 142: second domain

Claims (20)

투광성 기판;
전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하고, 상기 투광성 기판 상에 배치되어 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키고 상기 제1 편광된 광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시키는 선격자 패턴들; 및
상기 선격자 패턴들의 사이에 배치되고, 상기 제1 편광된 광과 상기 제2 편광된 광을 모두 반사시키는 반사 패턴들;
을 포함하고,
상기 전도성 단일 폐곡선들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 이루어진 다각형 형태의 단일 폐곡선을 포함하고,
상기 선격자 패턴들은 상기 과녁형 패턴들 사이에 배치된 제3 선형 구조물들;을 더 포함하고,
상기 제3 선형 구조물들이 상기 반사 패턴들에 연결된 와이어 그리드 편광판.light-transmitting substrate;
Conductive single closed curves are spaced apart from each other and include target-type patterns arranged in layers, and are disposed on the light-transmitting substrate to transmit first polarized light among incident light and second polarized light perpendicular to the first polarized light reflective grid patterns; and
reflection patterns disposed between the wire grid patterns and reflecting both the first polarized light and the second polarized light;
including,
The conductive single closed curves include a polygonal single closed curve composed of two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction,
The wire grid patterns further include; third linear structures disposed between the target-type patterns;
A wire grid polarizer in which the third linear structures are connected to the reflection patterns. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 투광성 기판; 및
전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하고, 상기 투광성 기판 상에 배치되어 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키고 상기 제1 편광된 광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시키는 선격자 패턴들; 을 포함하고,
상기 전도성 단일 폐곡선들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 이루어진 비다각형 형태의 단일 폐곡선을 포함하는 와이어 그리드 편광판.light-transmitting substrate; and
Conductive single closed curves are spaced apart from each other and include target-type patterns arranged in layers, and are disposed on the light-transmitting substrate to transmit first polarized light among incident light and second polarized light perpendicular to the first polarized light reflective grid patterns; including,
The conductive single closed curves include a single closed curve in a non-polygonal shape including two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction. 제5 항에 있어서,
상기 비다각형 형태의 단일 폐곡선은 아치형 구조물을 포함하는 와이어 그리드 편광판.6. The method of claim 5,
The single closed curve of the non-polygonal shape is a wire grid polarizer including an arcuate structure. 제5 항에 있어서,
상기 선격자 패턴들은 상기 일 방향으로 배치된 제3 선형 구조물들;을 더 포함하고,
상기 제3 선형 구조물들은 상기 과녁형 패턴들의 사이에 배치된 와이어 그리드 편광판.6. The method of claim 5,
The wire grid patterns further include; third linear structures disposed in the one direction;
The third linear structures are a wire grid polarizer disposed between the target patterns. 제7 항에 있어서,
상기 선격자 패턴들의 사이에 배치되고, 상기 제1 편광된 광과 상기 제2 편광된 광을 모두 반사시키는 반사 패턴들;을 더 포함하고,
상기 제3 선형 구조물들은 상기 반사 패턴들에 연결된 와이어 그리드 편광판.8. The method of claim 7,
and reflective patterns disposed between the wire grid patterns and reflecting both the first polarized light and the second polarized light;
The third linear structures are a wire grid polarizer connected to the reflection patterns. 제8 항에 있어서,
상기 선격자 패턴들 중 적어도 둘 이상은 면적이 서로 상이한 와이어 그리드 편광판.9. The method of claim 8,
At least two or more of the wire grid patterns have different areas of a wire grid polarizer. 투광성 기판과, 상기 투광성 기판 상에 배치되어 입사 광 중 제1 편광된 광은 투과시키고 상기 제1 편광된 광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시키는 선격자 패턴들을 포함하는 와이어 그리드 편광판; 및
상기 와이어 그리드 편광판의 상부에 배치된 불투명층;을 포함하며,
상기 선격자 패턴들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 구성된 적어도 둘 이상의 전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하고,
상기 불투명층은 상기 제2 선형 구조물들을 완전히 커버하는 표시장치.a wire grid polarizer comprising: a light-transmitting substrate; and a wire grid pattern disposed on the light-transmitting substrate to transmit first polarized light among incident light and reflect second polarized light perpendicular to the first polarized light; and
Including; an opaque layer disposed on the wire grid polarizing plate,
The wire grid patterns are a target pattern in which at least two or more conductive single closed curves composed of two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction are spaced apart from each other and arranged in layers. including those,
The opaque layer completely covers the second linear structures. 제10 항에 있어서,
상기 선격자 패턴들은 상기 일 방향으로 배열된 제3 선형 구조물들;을 더 포함하고,
상기 제3 선형 구조물들은 상기 과녁형 패턴들 사이에 배치된 표시장치.11. The method of claim 10,
The wire grid patterns further include; third linear structures arranged in the one direction;
The third linear structures are disposed between the target patterns. 제11 항에 있어서,
상기 선격자 패턴들의 사이에 배치되고, 상기 제1 편광된 광과 상기 제2 편광된 광을 모두 반사시키는 반사 패턴들;을 더 포함하고,
상기 제3 선형 구조물들은 상기 반사 패턴들에 연결된 표시장치.12. The method of claim 11,
and reflective patterns disposed between the wire grid patterns and reflecting both the first polarized light and the second polarized light;
The third linear structures are connected to the reflective patterns. 제12 항에 있어서,
상기 불투명층은 상기 반사 패턴들을 더 커버하고,
상기 반사 패턴들은 상기 일 방향으로 배열된 제1 반사 영역들과 상기 일 방향에 수직하게 배열된 제2 반사 영역들을 포함하고,
상기 불투명층은 상기 제1 반사 영역들과 중첩되게 배치되어 상기 제1 반사 영역들을 커버하는 꺽인 선 형상의 제1 불투명 영역과 상기 제2 반사 영역들을 커버하는 직선 형상의 제2 불투명 영역을 포함하는 표시장치.13. The method of claim 12,
The opaque layer further covers the reflective patterns,
The reflective patterns include first reflective regions arranged in the one direction and second reflective regions arranged perpendicular to the one direction,
The opaque layer is disposed to overlap the first reflective regions and includes a first opaque region in a bent line shape that covers the first reflective regions and a second opaque region that has a straight line shape that covers the second reflective regions display device. 제13 항에 있어서,
상기 와이어 그리드 편광판 상에 배치된 절연막;
상기 제2 반사 영역들과 중첩되게 상기 절연막 상에 배치된 게이트 배선; 및
상기 제1 반사 영역들과 중첩되게 상기 게이트 배선 상에 배치된 데이터 배선;
을 더 포함하는 표시장치.14. The method of claim 13,
an insulating film disposed on the wire grid polarizer;
a gate line disposed on the insulating layer to overlap the second reflective regions; and
a data line disposed on the gate line to overlap the first reflective regions;
A display device further comprising a. 제10 항에 있어서,
상기 불투명층은 면적이 서로 상이한 둘 이상의 개구부들;을 포함하는 표시장치.11. The method of claim 10,
and the opaque layer includes two or more openings having different areas. 제15 항에 있어서,
상기 와이어 그리드 편광판은 면적이 서로 다른 둘 이상의 선격자 패턴들;을 더 포함하는 표시장치.16. The method of claim 15,
The wire grid polarizer further includes two or more wire grid patterns having different areas. 투광성 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 가이드 격벽들과 상기 가이드 격벽들의 사이에 배치되어 상기 금속층을 노출시키는 트렌치(trench)를 포함하는 가이드 패턴층을 형성하는 단계;
상기 트렌치에 제1 도메인과 상기 제1 도메인과 식각률이 상이한 제2 도메인을 포함하는 자기 정렬된 블록 공중합체의 나노 구조를 형성하는 단계; 및
상기 제1 도메인과 상기 제2 도메인 중 하나를 마스크로 이용하고 상기 금속층을 패터닝하여, 전도성 단일 폐곡선들이 상호 이격되어 겹겹이 배치된 과녁형 패턴들을 포함하는 선격자 패턴들을 형성하는 단계;
를 포함하고,
상기 가이드 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 가이드 격벽들의 폭을 줄이는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.forming a metal layer on the light-transmitting substrate;
forming a guide pattern layer on the metal layer including guide barrier ribs and a trench disposed between the guide barrier ribs to expose the metal layer;
forming a nanostructure of a self-aligned block copolymer including a first domain and a second domain having a different etch rate from the first domain in the trench; and
using one of the first domain and the second domain as a mask and patterning the metal layer to form wire grid patterns including target-type patterns in which conductive single closed curves are spaced apart from each other and disposed in layers;
including,
The forming of the guide pattern layer may further include reducing widths of the guide barrier ribs. 제17 항에 있어서,
상기 과녁형 패턴들은 일 방향으로 배열된 두 개의 제1 선형 구조물들과 상기 일 방향으로 배열되지 않은 둘 이상의 제2 선형 구조물들로 구성된 적어도 둘 이상의 전도성 단일 폐곡선들을 포함하고,
상기 제2 선형 구조물들을 커버하는 불투명층을 상기 선격자 패턴들의 상부에 배치하는 단계;를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.18. The method of claim 17,
The target patterns include at least two or more conductive single closed curves composed of two first linear structures arranged in one direction and two or more second linear structures not arranged in one direction,
and disposing an opaque layer covering the second linear structures on the wire grid patterns. 삭제delete 제17 항에 있어서,
상기 선격자 패턴들을 형성하는 단계는 제3 선형 구조물들을 상기 과녁형 패턴들의 사이에 형성하는 단계;를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.18. The method of claim 17,
The forming of the wire grid patterns may further include forming third linear structures between the target-shaped patterns.
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