KR102408671B1 - 투명 발열막 - Google Patents

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KR102408671B1
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친-퐁 린
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영 패스트 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
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Abstract

본 발명은 투명 발열막을 제공하며, 여기에는 유전 특성을 갖는 투명 기재층; 상기 기재층 상에 설치되며 표면 저항률이 60 내지 150Ω/sq인 투명 저항층; 적어도 하나의 전극 회로 패턴을 갖는 전극층-상기 전극 회로 패턴은 미크론 수준의 도전선으로 짜인 그리드로 구성되고, 그리드 밀도는 1 내지 25mesh/mm2이고, 상기 전극 회로 패턴은 상기 전극층의 적어도 일부 면적에 전기적으로 접속됨-; 및 유전 특성을 갖는 투명 재료 박층을 갖고, 상기 저항층 및 상기 전극층을 포함하도록 설치된 영역 범위를 전면적으로 커버하는 보호층이 포함된다. 본 발명의 투명 발열막은 전체 면적이 균일하게 승온되고 신속한 미스트 제거 효과가 있으며, 필요에 따라 발열막의 일부 면적의 발열량을 임의로 조정할 수 있다.

Description

투명 발열막 {TRANSPARENT HEATING FILM}
본 발명은 발열 박막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자동차 윈드실드 미스트 제거에 사용할 수 있는 투명 발열막에 관한 것이다.
온도차로 인해 자동차 윈드실드의 표면에 수증기가 응축되어 운전자의 시야를 방해하고 주행 안전성을 위협하기 때문에, 윈드실드 상의 미스트를 제거하기 위해 자동차 윈드실드 상에는 모두 디미스터(demister)를 설치한다. 현재 자동차용 디미스터는 대체적으로 윈드실드 상에 금속 재질의 미스트 제거선을 부착하며, 미스트 제거선을 병렬로 설치하여 통전 시 미스트 제거선의 저항으로 인해 열전 효과가 나타나 윈드실드를 가열하고, 이를 통해 윈드실드 상에 부착된 미스트가 분산된다. 그러나 종래의 디미스터는 작동 시 그 가열 영역이 미스트 제거 근처에 집중되고 미스트 제거선이 부착되지 않은 위치는 열전도 방식에 의해 승온된다. 그 결과, 미스트 제거에 필요한 시간이 길어질 뿐만 아니라, 열량 분포가 불균일해 윈드실드에 내부 응력이 발생하고, 장기간 반복 사용할 경우 유리가 파열되기 쉬워 주행 안전을 위협하게 된다. 또한 종래 디미스터의 미스트 제거선은 불투명한 금속 재질이기 때문에, 복수의 미스트 제거선을 윈드실드 상에 부착하면, 미관에 악영향을 미칠 뿐만 아니라 운전자의 시야를 방해하여 주행 안전에 도움이 되지 않는다.
종래의 미스트 제거선이 윈드실드 상에서 시야를 방해하고 미관도 해치는 문제를 개선하기 위하여, 현재 당업계에서는 금속 재질의 미스트 제거선을 투명한 ITO 도전띠로 대체하고 있다. 그러나 복수의 ITO 도전띠로 개선한 발열원은 윈드실드의 가시성 문제를 효과적으로 해결할 수 있으나, 가열 과정에서 승온 효과가 불균일하게 나타나고 미스트 제거 시간이 긴 결함은 여전히 개선하지 못한다. 또한 ITO 박막 재료는 경도와 취성 및 연장성이 떨어지는 특성이 있기 때문에, ITO 도전띠를 완전한 평면이 아닌 윈드실드 위에 부착할 경우, 절곡부위가 파열되기 쉬워 도전되지 않는 문제가 발생하여 발열 및 미스트 제거 효과를 상실하게 된다.
상기와 같은 문제점을 감안해 본 발명의 주된 목적은 전체 면적을 균일하게 가열할 수 있고 빠른 미스트 제거 효과가 있는 투명 발열막을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서 제공하는 투명 발열막은 유전 특성을 갖는 투명 기재층; 상기 기재층 상에 설치되며 표면 저항률이 60 내지 150Ω/sq(단위 Ω/sq, 뜻은 옴 매 제곱미터임)인 저항층; 적어도 하나의 전극 회로 패턴을 갖는 전극층-상기 전극 회로 패턴은 미크론 수준의 도전선으로 짜인 그리드로 구성되고, 그리드 밀도(Grid density)는 1 내지 25mesh/mm2(단위 mesh/mm2, 메쉬수 매 제곱밀리미터임)이고, 상기 전극 회로 패턴은 상기 전극층의 적어도 일부 면적에 전기적으로 접속됨-; 및 유전 특성을 갖는 투명 재료 박층을 갖고, 상기 저항층 및 상기 전극층을 포함하도록 설치된 영역 범위를 전면적으로 커버하는 보호층을 포함한다.
여기에서, 상기 기재층 및 상기 보호층의 재료는 유리, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리이미드(PI) 또는 폴리우레탄(PU)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나이나, 실시되는 재료의 범위는 이에 한정되지 않으며, 각종 연성(softness), 경성(hardness) 또는 가요성의 투명 기판은 모두 적합하다.
여기에서, 상기 저항층은 금속 산화막이고, 상기 금속 산화막의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 아연 산화물(AZO) 및 안티몬 주석 산화물(ATO) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나이나, 실시 범위는 이에 한정되지 않는다.
여기에서, 상기 미크론 수준의 도전선의 재료는 그래핀으로부터 선택되거나 또는 은, 구리, 금, 알루미늄, 몰리브덴을 주성분으로 하는 합금 재료 중 하나를 포함하며, 바람직하게는 상기 미크론 수준인 도전선의 선폭은 8μm 이하이고, 보다 바람직하게는 상기 미크론 수준인 도전선의 선폭은 5㎛ 이하이다.
본 발명에 따르면, 상기 전극 회로 패턴은 그리드형으로 배치된 도전선을 통해 상기 저항층 상에 전기적으로 접속되기 때문에, 상기 전극 회로 패턴과 상기 저항층 사이에 복수의 전기적 접속점이 형성된다. 상기 전극 회로 패턴에 전원이 입력되면, 상기 저항층의 상기 전기적 접속점 근처 영역이 열전 작용으로 인해 열에너지를 발생시키므로, 상기 저항층 상에 동시에 작용하고 위치가 균일하게 분포된 복수의 발열원이 형성될 수 있으므로, 열에너지가 전체 작용 영역에 고루 분포할 수 있어 열 전도 시간이 단축되고 미스트 제거 효율이 향상된다. 여기에서 본 발명은 면적이 큰 발열막의 열전 효과가 불균일한 문제를 해결할 수 있음을 알 수 있다. 또한 본 발명에서는 상기 전극 회로 패턴을 상기 저항층에 전기적으로 접속시켜 사용하는데, 상기 전극 회로 패턴은 연성(ductility) 금속 재질의 도전선으로 짜서 만든 그리드로 구성되기 때문에, 본 발명의 투명 발열막은 곡면 상에 부착하는 등 곡면의 조건에서 사용할 수 있으며, 곡면에 장착했을 때 상기 저항층의 박막 재료가 파열되더라도, 상기 전극 회로 패턴 상의 도전선을 통해 정상적으로 전도하여 미스트 제거 효과가 발휘될 수 있다.
바람직한 일 실시예에서, 본 발명의 투명 발열막은 적어도 하나의 보조 전극층을 포함하고, 상기 보조 전극층 상에는 적어도 하나의 보조 전극 회로 패턴이 있으며, 상기 보조 전극 회로 패턴은 미크론 수준의 도전선을 짜서 만든 그리드로 구성되어 상기 전극층 및 상기 저항층의 적어도 일부 면적에 전기적으로 접속되고, 상기 보조 전극 회로 패턴의 그리드와 상기 전극 회로 패턴의 그리드는 서로 겹치지 않게 설치된다. 여기에서 상기 보조 전극 회로 패턴의 그리드 밀도는 1 내지 25mesh/mm2이고, 상기 미크론 수준의 도전선의 재료는 그래핀으로부터 선택되거나 또는 은, 구리, 금, 알루미늄 및 몰리브덴을 주성분으로 하는 합금 재료 중 하나를 포함한다. 바람직하게는 상기 미크론 수준인 도전선의 선폭은 8μm 이하이고, 보다 바람직하게는 상기 미크론 수준인 도전선의 선폭은 5μm 이하이다. 본 발명의 실시예에 있어서, 상기 일부 면적 내에 상기 보조 전극 회로 패턴을 추가로 설치하여 상기 일부 면적 내의 그리드 밀도를 증가시켜, 상기 일부 면적의 저항층의 등가 임피던스(Equivalent Impedance)를 낮추고, 열전 작용 시 발열량을 감소시킬 수 있다. 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 실시예는 상기 저항층 상에 더 많은 전기적 접속점을 형성하여 열에너지가 전체 작용 영역에 고르게 분포되고 열전도 시간이 더욱 단축되며 미스트 제거 효율을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 저항층 상의 일부 면적에 상이한 그리드 밀도의 전극 회로 패턴 및/또는 보조 전극 회로 패턴을 전기적으로 접속시킴으로써, 상기 저항층 상의 일부 면적의 발열량을 조절할 수 있다. 따라서 본 발명은 필요에 따라 발열막의 일부 면적의 발열량을 임의로 조절할 수 있는 수단을 제공한다.
본 발명에 따르면, 일 실시예에 있어서, 상기 전극층 상에는 복수의 전극 회로 패턴이 포함될 수 있고, 복수의 상기 전극 회로 패턴은 미크론 수준의 도전선으로 짜서 만든 그리드로 구성되며, 각각 상이한 그리드 밀도를 갖고, 상기 그리드 밀도는 1 내지 25mesh/mm2이고, 인접한 상기 전극 회로 패턴은 서로 전기적으로 접속되고, 복수의 상기 전극 회로 패턴은 상기 저항층의 적어도 하나의 일부분의 면적에 전기적으로 접속한다. 본 발명의 실시예에 있어서, 상기 전극층 상에 그리드 밀도가 다른 복수의 전극 회로 패턴이 설치되고, 상기 저항층 상에 전기적으로 접속되어, 상기 저항층 상에 등가 임피던스 값이 다른 복수의 일부 면적을 형성하고, 작동 시 상기 일부 면적 상에 상이한 열에너지를 발생시킨다.
본 발명의 내용은 일부 선택된 개념을 단순한 형태로 소개하였으며, 이하에서는 실시예를 통하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 내용은 특허 출원의 주제의 주요 특징이나 기본 특징을 식별하기 위한 것이 아니며 특허 출원의 주제의 범위를 제한하지도 않는다.
본 발명의 유익한 효과는 전체 면적을 균일하게 가열할 수 있고 빠른 미스트 제거 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 구성 요소의 분리 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적층 구조도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극층의 평면도이다.
도 4는 도 3에서 IV 부위의 측면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 구성 요소의 분리 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적층 구조도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극층의 평면도이다.
도 8은 도 7에서 VIII 부위의 측면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 구성 요소의 분리 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 적층 구조도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전극층과 보조 전극층을 적층한 평면도이다.
이하의 첨부 도면은 본 발명의 비교적 바람직한 실시예를 설명하며, 여기에서 본 발명의 기술적 특징에 대한 보다 명확한 설명과 이해를 돕기 위해, 도면 내 각 부분은 상대적인 치수에 따라 제도하지 않고 일부 치수는 다른 관련 치수보다 과장되게 제도하며 관련되지 않은 부분은 제외시킴으로써 도면을 단순화하였다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 투명 발열막의 제1 실시예를 설명한다. 본 실시예는 전체 면적이 균일하게 승온되고 빠르게 미스트를 제거하는 효과를 낼 수 있는 투명 발열막을 제공하며, 여기에는 순차적으로 적층된 기재층(10), 저항층(20), 전극층(30) 및 보호층(40)이 포함된다. 본 실시예에 있어서, 상기 기재층(10)은 유전 특성 및 높은 투광율을 갖는 유리박판 또는 가요성의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 박층이다. 상기 저항층(20)은 기판(10)의 일표면 상에 설치되고, 저항층(20)은 투명 특성을 갖는 인듐 주석 산화물(ITO) 박막이며, 선택된 표면 저항률은 약 150Ω/sq이다. 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 전극층(30) 상에는 복수의 미크론 수준 도전선(31)으로 짠 그리드형의 전극 회로 패턴(EL)이 있고, 상기 전극 회로 패턴(EL)은 상기 저항층(20)의 면적과 같거나 작고, 상기 전극 회로 패턴(EL)은 저항층(20) 상에 전기적으로 접속된다. 상기 미크론 수준의 도전선(31)은 선 직경폭이 약 5μm이고 저항률이 1.7×10-8Ωm인 구리선을 채택할 수 있고, 상기 전극 회로 패턴(EL) 상의 그리드 밀도는 4mesh/mm2(즉, Pitch
Figure 112020099356042-pat00001
0.5mm)로 설정된다. 상기 보호층(40)은 유전 특성과 높은 투광율을 갖는 유리박판 또는 가요성의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 박층이며, 상기 보호층(40)은 상기 기재층(10)과 동일 재료를 사용할 수 있다.
본 발명의 투명 발열막은 전술한 각 층을 순차적으로 적층함으로써 획득할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 있어서 상기 전극 회로 패턴(EL)은 그리드형으로 배치된 도전선(31)을 통해 저항층(20) 상에 전기적으로 접속되므로, 상기 전극 회로 패턴(EL)과 저항층(20) 사이에 복수의 전기적 접속점(P)이 형성될 수 있다. 전극 회로 패턴(EL)에 전원이 입력되면, 저항층 상의 각 전기적 접속점(P) 주변 영역은 열전 작용으로 열에너지를 생성하며, 복수의 전기적 접속점(P)이 상기 저항층(20) 상에 고르게 분포되어, 생성된 열이 전체 작용 영역에 고르게 분포하여 일부 영역의 온도가 너무 높아 부품이 파손되는 것을 방지하며, 열전도 시간이 단축되고 미스트 제거 효과가 향상될 수 있다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 투명 발열막의 제2 실시예를 설명한다. 본 실시예는 중앙 영역에 비교적 큰 발열량을 갖고 양측 영역에 비교적 적은 발열량을 갖는 투명 발열막을 제공한다. 상기 제1 실시예와 비교할 때, 본 실시예는 주로 상기 전극층(30)의 설계를 변경하였으며, 다른 구조는 동일하므로 여기에서 반복하여 설명하지 않는다. 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 전극층(30)은 그리드 밀도가 다른 복수의 전극 회로 패턴을 포함하고, 여기에는 좌측 전극 회로 패턴(EL1), 중앙 전극 회로 패턴(EL2) 및 우측 전극 회로 패턴(EL3)이 포함되고, 여기에서 좌측 전극 회로 패턴(EL1)은 중앙 전극 회로 패턴(EL2)에 전기적으로 접속되고, 중앙 전극 회로 패턴(EL2)은 우측 전극 회로 패턴(EL3)에 전기적으로 접속된다. 상기 3개의 전극 회로 패턴은 복수의 미크론 수준 도전선(31)으로 짠 그리드로 구성되고, 미크론 수준 도전선(31)은 선 직경폭이 약 5㎛이고 저항률이 1.7×10-8Ωm인 구리선을 채택할 수 있고, 상기 3개의 전극 회로 패턴은 각각 상이한 그리드 밀도를 가진다. 여기에서 좌측 전극 회로 패턴(EL1)과 우측 전극 회로 패턴(EL3)의 그리드 밀도는 16mesh/mm2로 설정되고, 중앙 전극 회로 패턴(EL2)의 그리드 밀도는 4mesh/mm2로 설정되고, 좌측 전극 회로 패턴(EL1)과 우측 전극 회로 패턴(EL3)의 그리드 밀도는 중앙 전극 회로 패턴(EL2)의 그리드 밀도보다 크다.
기재층(10), 저항층(20), 전극층(30) 및 보호층(40)은 순차적으로 적층되어 투명한 발열막을 형성한다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 있어서, 상기 전극층(30)의 3개 전극 회로 패턴(EL1, EL2 및 EL3)은 저항층(20) 상에 전기적으로 접속되고, 여기에서 저항층(20)의 양측 영역은 각각 그리드 밀도가 비교적 높은 좌측 전극 회로 패턴(EL1)과 우측 전극 회로 패턴(EL3)에 각각 전기적으로 접속되고, 저항층(20)의 중앙 영역은 그리드 밀도가 비교적 낮은 중앙 전극 회로 패턴(EL2)에 전기적으로 접속된다. 저항층(20)의 양측 영역 상에 그리드 밀도가 비교적 높은 전극 회로 패턴이 전기적으로 접속되므로, 저항층(20)의 양측 영역에서의 등가 임피던스 값을 낮출 수 있고, 열전 작용 시 발열량을 감소시킬 수 있다. 본 실시예는 저항층(20) 상에 등가 임피던스 값이 다른 세 영역, 즉 낮은 등가 임피던스 값의 좌측 영역, 높은 등가 임피던스 값의 중간 영역, 낮은 등가 임피던스 값의 우측 영역을 형성한다. 여기에서 통전 사용 시, 중간 영역은 비교적 높은 열에너지를 생성하고 빠르게 승온되며 미스트 제거 효과를 나타내어 운전자의 주행 시야를 확보해 주고, 양측 영역은 비교적 낮은 열에너지를 생성하여 고온으로 인해 전원 입력단의 접속점이 파손되는 것을 방지한다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 투명 발열막의 제3 실시예를 설명한다. 본 실시예도 중앙 영역의 발열량이 비교적 크고 양측 영역의 발열량이 비교적 적은 투명 발열막을 제공한다. 제3 실시예는 전술한 제1 및 제2 실시예와 비교할 때, 보조 전극층을 추가한 설계라는 주된 차이점이 있다. 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 보조 전극층(50)은 좌측 보조 전극 회로 패턴(AEL1) 및 우측 보조 전극 회로 패턴(AEL3)을 포함하고, 상기 두 보조 전극 회로 패턴은 복수의 미크론 수준 도전선(51)을 엮어서 형성된 그리드로 구성되고, 미크론 수준의 도전선(51)은 선 직경폭이 약 5μm이고, 저항률이 1.7×10-8Ωm인 구리선을 채택할 수 있으며, 그리드 밀도는 1 내지 25mesh/mm2일 수 있다. 예를 들어, 상기 전극층(30)의 전극 회로 패턴(EL)의 그리드 밀도도 마찬가지로 4mesh/mm2(즉, Pitch
Figure 112020099356042-pat00002
0.5 mm)로 설정된다.
기재층(10), 저항층(20), 전극층(30), 보조 전극층(50) 및 보호층(40)은 순차적으로 적층되어 투명한 발열막을 형성한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 있어서, 상기 보조 전극층(50)은 전극층(30) 및 저항층(20) 상에 전기적으로 접속되고, 좌측 보조 전극 회로 패턴(AEL1)과 우측 보조 전극 회로 패턴(AEL3)의 그리드 및 상기 전극 회로 패턴(EL)의 그리드가 서로 겹치지 않게 설치되고, 여기에서 저항층(20)의 좌측 영역은 상기 전극 회로 패턴(EL) 및 좌측 보조 전극 회로 패턴(AEL1)에 각각 전기적으로 접속되고, 저항층(20)의 우측 영역은 상기 전극 회로 패턴(EL) 및 우측 보조 전극 회로 패턴(AEL3)에 각각 전기적으로 접속된다. 좌측 보조 전극 회로 패턴(AEL1)과 우측 보조 전극 회로 패턴(AEL3)의 그리드와 상기 전극 회로 패턴(EL)의 그리드는 서로 겹치지 않게 설치되므로, 저항층(20)의 좌우 양측 영역에서 조합되어 비교적 높은 그리드 밀도를 형성한다. 즉, 그리드 밀도는 16mesh/mm2(즉, Pitch
Figure 112020099356042-pat00003
0.25mm)가 되고, 저항층(20)의 중앙 영역의 그리드 밀도는 여전히 4mesh/mm2(즉, Pitch
Figure 112020099356042-pat00004
0.5mm)이다. 이를 통해 저항층(20)의 양측 영역에 형성되는 등가 임피던스 값이 저항층(20)의 중앙 영역보다 낮아, 통전 작동 시 중간 영역에서 비교적 높은 열에너지가 생성될 수 있고 빠르게 승온하여 미스트 제거 효과가 발휘되어 운전자의 주행 시야를 확보할 수 있고, 양측 영역은 비교적 낮은 열에너지가 생성되어 고온으로 인해 전원 입력단의 접속점이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에서 개시되었으나 이는 본 발명을 한정하지 않으며, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정을 진행할 수 있으므로, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구범위를 기준으로 한다.

Claims (7)

  1. 투명 발열막에 있어서,
    유전 특성을 갖는 투명 기재층;
    상기 기재층 상에 설치되며, 표면 저항률이 60 내지 150Ω/sq인 저항층;
    적어도 하나의 전극 회로 패턴을 갖는 전극층-상기 전극 회로 패턴은 미크론 수준의 도전선으로 짜인 그리드로 구성되고, 그리드 밀도(Grid density)는 1 내지 25mesh/mm2이고, 상기 전극 회로 패턴은 상기 전극층의 적어도 일부 면적에 전기적으로 접속됨-;
    적어도 하나의 보조 전극층-적어도 하나의 보조 전극 회로 패턴을 갖고, 상기 보조 전극 회로 패턴은 미크론 수준의 도전선으로 짜인 그리드로 구성되고, 그리드 밀도는 1 내지 25mesh/mm2이고, 상기 보조 전극 회로 패턴은 상기 전극층 및 상기 저항층의 적어도 일부 면적에 전기적으로 접속되고, 상기 보조 전극 회로 패턴의 그리드와 상기 전극 회로 패턴의 그리드가 서로 겹치지 않게 설치되고-; 및
    유전 특성을 갖는 투명 재료 박층을 갖고, 상기 저항층, 상기 전극층 및 상기 보조 전극층을 포함하도록 설치된 영역 범위를 전면적으로 커버하는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 발열막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재층 및 상기 보호층의 재료는 유리, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리이미드(PI) 또는 폴리우레탄(PU)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 투명 발열막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 저항층은 금속 산화막이고, 상기 금속 산화막의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 아연 산화물(AZO) 및 안티몬 주석 산화물(ATO) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 투명 발열막.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전극층은 복수의 전극 회로 패턴을 갖고, 복수의 상기 전극 회로 패턴은 각각 상이한 그리드 밀도를 갖고, 상기 그리드 밀도는 1 내지 25mesh/mm2이고, 인접한 상기 전극 회로 패턴은 서로 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 투명 발열막.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 미크론 수준의 도전선의 재료는 그래핀으로부터 선택되거나 또는 은, 구리, 금, 알루미늄, 몰리브덴을 주성분으로 하는 합금 재료 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 발열막.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 미크론 수준인 도전선의 선폭은 8μm 이하인 것을 특징으로 하는 투명 발열막.
  7. 삭제
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JP2019016491A (ja) * 2017-07-05 2019-01-31 株式会社三興ネーム 透明面状発熱体、透明面状発熱体製造方法

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