KR102408338B1

KR102408338B1 - Organic electroluminescent materials and devices

Info

Publication number: KR102408338B1
Application number: KR1020200021188A
Authority: KR
Inventors: 쯔하오 쿠이; 위엔 레이몬드 퀑 취; 시아 추안준; 쉔 짱; 린 짱; 준타오 후; 옌화 리우; 후아롱 딩
Original assignee: 베이징 썸머 스프라우트 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2019-10-30
Filing date: 2020-02-20
Publication date: 2022-06-13
Also published as: CN112745333B; CN115716838A; JP2022089838A; KR20220080058A; CN112745333A; JP7054537B2; KR20210053130A; KR102541819B1; DE102020104604A1; JP2021070681A

Abstract

본 발명은 유기 전계발광재료 및 소자를 개시하였다. 상기 유기 전계발광재료는 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조를 가지는 화합물이며, 전계 발광소자에서의 전하 수송재료, 전하 주입재료 및 전하 생성재료로서 사용될 수 있다. 이러한 신규 화합물은 유기 전계발광소자의 전압 및 수명 등 성능을 대폭 개선할 수 있다. 본 발명은 전계 발광소자 및 화합물 제제를 더 개시하였다.The present invention discloses an organic electroluminescent material and device. The organic electroluminescent material is dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole and a compound having a similar structure, and a charge transporting material, a charge injecting material and a charge generating material in an electroluminescent device. can be used as These novel compounds can significantly improve performance such as voltage and lifespan of organic electroluminescent devices. The present invention further discloses an electroluminescent device and a compound formulation.

Description

유기 전계발광재료 및 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}Organic electroluminescent materials and devices

본 발명은 유기 발광소자와 같은 유기 전자소자에 사용되는 화합물에 관한 것이다. 특히 데하이드로벤조디옥사졸(dehydrobenzodioxazole), 데하이드로벤조디티아졸(dehydrobenzodithiazole) 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 (dehydrobenzodiselenazole) 및 이와 유사한 구조를 가지는 신규 화합물 및 해당 화합물을 함유하는 유기 전계발광소자와 화합물 제제에 관한 것이다.The present invention relates to a compound used in an organic electronic device such as an organic light emitting device. In particular, dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole and novel compounds having a similar structure and organic electroluminescent devices and compound preparations containing the compounds is about

유기 전자소자는, 유기 발광다이오드(OLEDs), 유기 전계효과트랜지스터(O-FETs), 유기 발광트랜지스터(OLETs), 유기 광전소자(OPVs), 염료감응형 태양전지(DSSCs), 유기 광학검출기, 유기 광수용체, 유기 전계효과소자(OFQDs), 발광 전기화학전지(LECs), 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라즈마(plasma) 발광소자를 포함하되 이에 한정되지 않는다.Organic electronic devices are organic light emitting diodes (OLEDs), organic field effect transistors (O-FETs), organic light emitting transistors (OLETs), organic photoelectric devices (OPVs), dye-sensitized solar cells (DSSCs), organic optical detectors, organic photoreceptors, organic field effect devices (OFQDs), light emitting electrochemical cells (LECs), organic laser diodes, and organic plasma light emitting devices, but are not limited thereto.

1987년, Eastman Kodak의 Tang 및 Van Slyke는, 전자 수송층 및 발광층으로서 아릴아민 정공 수송층 및 트리-8-히드록시퀴놀린-알루미늄층(tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer)을 포함하는 2 층 유기 전계 발광소자를 보도하였다(Applied Physics Letters, 1987,51(12): 913-915). 소자에 바이어스를 가하게 되면, 소자에서 녹색 빛이 방출된다. 상기 발명은 현대 유기 발광다이오드(OLEDs)의 발전에 토대를 마련하였다. 가장 선진적인 OLEDs는 전하 주입 및 수송층, 전하 및 엑시톤 차단층(exciton blocking layer), 및 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 하나 또는 복수의 발광층과 같은 복수 층을 포함할 수 있다. OLEDs는 자가발광 고체소자이기 때문에, 디스플레이 및 조명 응용에 엄청난 잠재력을 제공해준다. 또한, 유기 자재의 고유특성(예를 들어 이들의 가요성)은 이들이 특수한 응용(예를 들어 가요성 기판상에서의 제조)에 적합하도록 한다.In 1987, Tang and Van Slyke of Eastman Kodak published a two-layer organic electroluminescent device comprising an arylamine hole transport layer and a tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer as an electron transport layer and a light emitting layer. (Applied Physics Letters, 1987, 51(12): 913-915). When a bias is applied to the device, green light is emitted from the device. The invention laid the foundation for the development of modern organic light emitting diodes (OLEDs). Most advanced OLEDs may include multiple layers, such as a charge injection and transport layer, a charge and exciton blocking layer, and one or multiple light emitting layers between the cathode and anode. Because OLEDs are self-luminous solid-state devices, they offer tremendous potential for display and lighting applications. In addition, the intrinsic properties of organic materials (eg their flexibility) make them suitable for special applications (eg manufacturing on flexible substrates).

OLED는 이의 발광 매거니즘에 따라 세 가지의 다른 유형으로 분류될 수 있다. Tang과 van Slyke가 발명한 OLED는 형광 OLED이다. 이는 일중항 상태(singlet state) 발광만 사용한다. 소자에서 생성된 삼중항 상태(triplet state)는 비방사성 감쇠채널을 통해 낭비된다. 따라서, 형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 25%에 불과하다. 이러한 한정은 OLED의 상업화를 방해한다. 1997년, Forrest와 Thompson은, 착물을 함유하는 중금속으로부터의 삼중항 상태 발광을 발광체로 사용하는 인광 OLED를 리포트하였다. 따라서, 일중항 상태와 삼중항 상태를 획득할 수 있어 100%의 IQE를 달성할 수 있다. 이의 효율이 높기 때문에, 인광 OLED의 발견 및 발전은 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)의 상업화에 직접적인 공헌을 하였다. 최근에, Adachi는 유기 화합물의 열활성화지연형광(TADF)을 통해 고효율을 달성하였다. 이러한 발광체는 엑시톤(exciton)이 삼중항 상태에서 일중항 상태로 돌아갈 수 있도록 작은 일중항-삼중항 상태의 간격(gap)을 구비한다. TADF 소자에서, 삼중항 상태 엑시톤(triplet exciton)은 역항간교차(inverse intersystem crossing)를 통해 일중항 상태 엑시톤을 생성할 수 있어 높은 IQE를 달성할 수 있다.OLEDs can be classified into three different types according to their light emitting mechanism. The OLED invented by Tang and van Slyke is a fluorescent OLED. It uses only singlet state luminescence. The triplet state generated in the device is wasted through the non-radiative attenuation channel. Therefore, the internal quantum efficiency (IQE) of a fluorescent OLED is only 25%. These limitations hinder the commercialization of OLEDs. In 1997, Forrest and Thompson reported phosphorescent OLEDs using triplet state emission from heavy metals containing complexes as emitters. Therefore, singlet state and triplet state can be obtained, and an IQE of 100% can be achieved. Because of their high efficiency, the discovery and development of phosphorescent OLEDs directly contributed to the commercialization of active matrix OLEDs (AMOLEDs). Recently, Adachi has achieved high efficiencies through thermally activated delayed fluorescence (TADF) of organic compounds. These emitters have a small singlet-triplet state gap so that excitons can return from the triplet state to the singlet state. In the TADF device, triplet excitons can generate singlet state excitons through inverse intersystem crossing, thereby achieving high IQE.

OLEDs는 또한 사용되는 재료의 형태에 따라 저분자 및 고분자 OLED로 나눌 수 있다. 저분자는 고분자가 아닌 임의의 유기 또는 유기 금속재료를 지칭한다. 정확한 구조를 구비한다면 저분자의 분자량은 매우 클 수 있다. 명확한 구조를 구비하는 덴드리틱 고분자(dendritic polymer)는 소분자로 간주된다. 고분자 OLED는 공액 고분자(conjugated polymer) 및 펜던트 발광기(pendant emitting groups)를 구비하는 비공액 고분자를 포함한다. 제조과정에 포스트중합(post polymerization)이 발생하면, 저분자 OLED는 고분자 OLED로 변할 수 있다.OLEDs can also be divided into low-molecular and high-molecular OLEDs according to the type of material used. Low molecular weight refers to any organic or organometallic material that is not a high molecular weight. If an accurate structure is provided, the molecular weight of a low molecule can be very large. Dendritic polymers with a well-defined structure are considered small molecules. Polymeric OLEDs include a conjugated polymer and a non-conjugated polymer having pendant emitting groups. If post polymerization occurs during the manufacturing process, the low molecular weight OLED can be changed into a high molecular OLED.

이미 다양한 OLED 제조방법이 존재한다. 저분자 OLED는 통상적으로 진공 열증착(vacuum thermal evaporation)을 통해 제조된다. 고분자 OLED는 용액공정, 예를 들어 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅 및 노즐 프린팅에 의해 제조된다. 재료가 용매에 용해되거나 분산될 수 있으면 저분자 OLED도 용액공정에 의해 제조될 수 있다.Various OLED manufacturing methods already exist. Small molecule OLEDs are typically prepared through vacuum thermal evaporation. Polymeric OLEDs are manufactured by solution processes, such as spin coating, inkjet printing and nozzle printing. If the material can be dissolved or dispersed in a solvent, low molecular weight OLEDs can also be prepared by solution processing.

유기 발광디스플레이장치는 정공 주입층 및 전자 주입층을 사용함으로써 전하 주입을 촉진한다. 여기서, 정공 주입층은 단일 재료 또는 2 종 이상의 재료로 형성된 기능층이다. 단일 재료 방법은 일반적으로 깊은 LUMO 재료를 사용하는 것이고, 2 종 이상의 재료 방법은 P형 재료, 깊은 LUMO 재료를 정공 수송재료에 도핑함으로써 형성되는 것이다. 양자의 공통점은 깊은 LUMO 재료를 사용해야 하는 것이다.The organic light emitting display device promotes charge injection by using a hole injection layer and an electron injection layer. Here, the hole injection layer is a functional layer formed of a single material or two or more types of materials. A single material method is generally to use a deep LUMO material, and a two or more material method is to form a P-type material, a deep LUMO material, into a hole transporting material. What they have in common is the need to use deep LUMO materials.

US20050121667은 유기반도체 기질재료의 전기적 특성을 변화시키기 위해 상기 유기반도체 기질재료에 도핑되는 유기 도판트로서의 유기 메소머 화합물(organic mesomeric compound)의 용도를 개시하였고, 해당 메소머 화합물은 퀴논 또는 퀴논 유도체이며, 이는 동일한 증발조건 하에서 F4TCNQ 보다 더 낮은 휘발성을 갖는다. 이가 개시한 일반 화학식 구조는 아래와 같은 화학식을 함유한다:US20050121667 discloses the use of an organic mesomer compound as an organic dopant doped into the organic semiconductor substrate material to change the electrical properties of the organic semiconductor substrate material, and the mesomer compound is quinone or a quinone derivative. , it has lower volatility than F4TCNQ under the same evaporation conditions. The general formula structure disclosed therein contains the formula:

해당 출원은 주로 퀴논 또는 퀴논 유도체가 도판트로서 구비하는 특수한 성능에 주목하였으나, 본 출원과 유사한 모핵구조를 갖는 임의의 화합물의 특성 및 응용을 개시하거나 암시하지 않았다.This application mainly focused on the special performance that quinones or quinone derivatives have as dopants, but does not disclose or imply the properties and applications of any compound having a parent nucleus structure similar to that of the present application.

그러나, 깊은 LUMO 재료는 강한 전자 흡인성 치환기를 구비함으로 인해 합성이 쉽지 않고, 깊은 LUMO, 높은 안정성 및 높은 필름형성성 등 특성을 동시에 가지기가 어렵다. 예를 들어, F4-TCNQ(P형 정공 주입재료)는 비록 매우 깊은 LUMO를 갖지만 증착 온도가 너무 낮아, 증착의 제어 및 생산 성능의 재현성과 소자의 열안정성에 영향을 주게 되며; 또 예를 들면, HATCN은 결정성이 강하여 소자에 필름형성성 문제가 존재하며, LUMO는 충분히 깊지 않아 P형 도핑으로 사용될 수 없다. 정공 주입층은 OLED 소자의 전압, 효율 및 수명에 모두 큰 영향을 미치므로, 깊은 LUMO, 높은 안정성 및 높은 필름형성성 재료에 대한 연구 및 개발은 업계에서 매우 중요하고 시급하다.However, the deep LUMO material is not easy to synthesize due to having a strong electron withdrawing substituent, and it is difficult to simultaneously have properties such as deep LUMO, high stability and high film formability. For example, although F4-TCNQ (P-type hole injection material) has a very deep LUMO, the deposition temperature is too low, which affects the control of deposition and reproducibility of production performance and thermal stability of the device; Also, for example, HATCN has strong crystallinity, so there is a problem of film formation in the device, and LUMO is not deep enough, so it cannot be used as P-type doping. Since the hole injection layer has a great influence on the voltage, efficiency and lifetime of OLED devices, research and development of deep LUMO, high stability and high film-forming materials are very important and urgent in the industry.

본 발명은, 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조를 가지는 신규 화합물을 제공하여 적어도 상술한 과제의 일부분을 해결하는 것을 목적으로 한다. 상기 화합물은 유기 전계발광소자에서의 전하 수송재료 및 전하 주입재료로서 사용될 수 있다. 이러한 신규 화합물은 유기 전계발광소자의 전압 및 수명 등 성능을 대폭 개선할 수 있다.An object of the present invention is to provide a novel compound having a structure similar to dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole and to solve at least a part of the above-mentioned problems. The compound can be used as a charge transport material and a charge injection material in an organic electroluminescent device. These novel compounds can significantly improve performance such as voltage and lifespan of organic electroluminescent devices.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 (1)의 구조를 구비하는 화합물을 개시한다:According to one embodiment of the present invention, a compound having the structure of formula (1) is disclosed:

여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR"R"', NR', O, S 또는 Se에서 선택되고;wherein X and Y are identically or differently each time they appear are selected from CR"R"', NR', O, S or Se;

여기서, Z₁ 및 Z₂는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;wherein Z ₁ and Z ₂ are identically or differently each time they appear are selected from O, S or Se;

R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;R, R', R" and R"' are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkoxy group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substitution having 2 to 20 carbon atoms or an unsubstituted aquinyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;

여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기(electron withdrawing group)를 구비하는 그룹이며;wherein each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents may optionally be joined to form a ring.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 양극, 음극 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 전계 발광소자를 더 개시하였으며, 상기 유기층은 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유한다:According to another embodiment of the present invention, there is further disclosed an electroluminescent device comprising an anode, a cathode and an organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains a compound having the formula (1):

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;Adjacent substituents may optionally be joined to form a ring;

여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.Here, each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 식 (1) 구조를 구비하는 상기 화합물을 함유하는 화합물 제제를 더 개시하였다.According to another embodiment of the present invention, a compound formulation containing the compound having the structure of formula (1) is further disclosed.

본 발명에 개시된 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조를 가지는 신규 화합물은, 전계 발광소자에서의 전하 수송재료 및 전하 주입재료로서 사용될 수 있다. 해당 신규 화합물은 유기 전계발광소자의 전압 및 수명 등 성능을 대폭 개선할 수 있다.The novel compounds having a structure similar to dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole disclosed in the present invention can be used as charge transport materials and charge injection materials in electroluminescent devices. The new compound can significantly improve performance such as voltage and lifespan of organic electroluminescent devices.

도 1은 본문에서 개시한 화합물 및 화합물 제제를 함유할 수 있는 유기 발광장치의 개략도이다.
도 2는 본문에서 개시한 화합물 및 화합물 제제를 함유할 수 있는 직렬 연결된 유기 발광장치의 개략도이다.
도 3은 본문에서 개시한 화합물 및 화합물 제제를 함유할 수 있는 다른 직렬 연결된 유기 발광장치의 개략도이다.
도 4는 본문에서 개시한 바와 같은 화합물의 구조식 (1)을 나타낸 것이다.1 is a schematic diagram of an organic light emitting device that may contain the compounds and compound formulations disclosed herein.
2 is a schematic diagram of a series-connected organic light emitting device that may contain the compounds and compound formulations disclosed herein.
3 is a schematic diagram of another series-connected organic light emitting device that may contain the compounds and compound formulations disclosed herein.
Figure 4 shows the structural formula (1) of the compound as disclosed herein.

OLED는 여러 종류의 기판(예를 들어, 유리, 플라스틱 및 금속)상에서 제조될 수 있다. 도 1은 유기 발광장치(100)를 개략적으로 비 한정적으로 나타낸다. 도면은 반드시 비율에 따라 그려진 것이 아니며, 도면에서의 일부 층구조는 필요에 따라 생략될 수도 있다. 장치(100)는 기판(101), 양극(110), 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 음극(190)을 포함할 수있다. 장치(100)는 설명된 층들을 순차적으로 증착하여 제조될 수 있다. 각 층의 성질과 기능 및 예시적인 재료는 미국 특허 US7279704B2 제6-10 칼럼에서 더 구체적으로 설명하였으며, 상기 특허의 전부 내용은 본 출원에 인용되어 결합된다. OLEDs can be fabricated on several types of substrates (eg, glass, plastic, and metal). 1 schematically and non-limitingly shows an organic light emitting device 100 . The drawings are not necessarily drawn to scale, and some layer structures in the drawings may be omitted if necessary. The device 100 includes a substrate 101, an anode 110, a hole injection layer 120, a hole transport layer 130, an electron blocking layer 140, a light emitting layer 150, a hole blocking layer 160, an electron transport layer ( 170 ), an electron injection layer 180 , and a cathode 190 . Device 100 may be fabricated by sequentially depositing the described layers. The properties and functions of each layer and exemplary materials are described in more detail in US Patent US7279704B2 columns 6-10, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

이러한 층에서의 각 층은 더 많은 예시를 구비한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5844363호에 개시된 유연하고 투명한 기판-애노드 조합을 예로 들 수 있다. p-도핑된 정공 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 50:1의 몰비로 F4 -TCNQ가 도핑된 m-MTDATA이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6303238호(Thompson 등에게 수여됨)에서는 호스트 재료(host material)의 예시를 개시하였다. n-도핑된 전자 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 1:1의 몰비로 Li가 도핑된 BPhen이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5703436호 및 제5707745호에서는 음극의 예시를 개시하였으며, 이는 Mg:Ag와 같은 금속 박층, 오버라잉(overlying)된 투명하고 전도성을 가지며 스퍼터 증착(sputter-deposited)된 ITO층을 가지는 복합 음극을 포함한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6097147호 및 미국특허출원공개 제2003/0230980호에서는 차단층의 원리 및 사용에 대해 더 구체적으로 설명하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서는 주입층의 예시를 제공하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서 보호층에 대한 설명을 찾을 수 있다.Each layer in this layer has more examples. For example, the flexible and transparent substrate-anode combination disclosed in U.S. Patent No. 5844363, incorporated by reference in its entirety. An example of a p-doped hole transport layer is m-MTDATA doped with F4-TCNQ in a molar ratio of 50:1 as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980, which is incorporated by way of reference in its entirety. United States Patent No. 6303238 (to Thompson et al.), incorporated by reference in its entirety, discloses an example of a host material. An example of an n-doped electron transport layer is BPhen doped with Li in a molar ratio of 1:1 as disclosed in U.S. Patent Application Publication 2003/0230980, which is incorporated by way of reference in its entirety. U.S. Pat. Nos. 5703436 and 5707745, incorporated by reference in their entirety, disclose examples of a cathode, which is a thin layer of metal such as Mg:Ag, overlying a transparent, conductive, sputter-deposited layer. and a composite cathode having an ITO layer deposited thereon. U.S. Patent No. 6097147 and U.S. Patent Application Publication No. 2003/0230980, which are incorporated by reference in their entirety, describe the principle and use of the barrier layer in more detail. US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated by reference in its entirety, provides an example of an injection layer. A description of the protective layer may be found in US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated by reference in its entirety.

비 한정적인 실시예를 통해 상기 계층구조를 제공한다. OLED의 기능은 상술한 여러 종류의 층을 조합함으로써 구현할 수 있고, 또는 일부 층을 완전히 생략할 수 있다. 이는 명확하게 설명되지 않은 다른 층을 더 포함할 수 있다. 각 층 내에는 단일 재료 또는 여러 종류의 재료의 혼합물을 사용함으로써 최적의 성능을 구현할 수 있다. 임의의 기능층은 여러 개의 서브 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 원하는 발광 스펙트럼을 구현할 수 있도록 2 층의 서로 다른 발광재료를 구비할 수 있다.The hierarchical structure is provided through a non-limiting example. The function of the OLED can be realized by combining the various types of layers described above, or some layers can be completely omitted. It may further include other layers not explicitly described. Optimal performance can be achieved by using a single material or a mixture of several types of materials within each layer. Any functional layer may include several sub-layers. For example, the light emitting layer may include two different light emitting materials to realize a desired emission spectrum.

일 실시예에서, OLED는 음극과 양극 사이에 배치된 "유기층"을 구비하는 것으로 설명될 수 있다. 해당 유기층은 하나 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.In one embodiment, an OLED may be described as having an “organic layer” disposed between a cathode and an anode. The organic layer may include one or a plurality of layers.

일 실시예에서, 2 개 및 2 개 이상의 OLED 유닛을 직렬 연결시켜 직렬 연결된 OLED를 형성할 수 있으며, 도 2에서는 직렬 연결된 유기 발광장치(500)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 장치(500)는 기판(101), 양극(110), 제1 유닛(100), 전하 생성층(300), 제2 유닛(200) 및 음극(290)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 유닛(100)은 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170)을 포함하고, 제2 유닛(200)은 정공 주입층(220), 정공 수송층(230), 전자 차단층(240), 발광층(250), 정공 차단층(260), 전자 수송층(270) 및 전자 주입층(280)을 포함하며, 전하 생성층(300)은 N형 전하 생성층(310) 및 P형 전하 생성층(320)을 포함한다. 장치(500)는 설명된 층을 순차적으로 적층(deposit)함으로써 제조될 수 있다.In an embodiment, two and two or more OLED units may be connected in series to form a series-connected OLED, and FIG. 2 schematically and non-limitingly illustrates a series-connected organic light emitting device 500 . The device 500 may include a substrate 101 , an anode 110 , a first unit 100 , a charge generating layer 300 , a second unit 200 , and a cathode 290 . Here, the first unit 100 includes a hole injection layer 120 , a hole transport layer 130 , an electron blocking layer 140 , a light emitting layer 150 , a hole blocking layer 160 , and an electron transport layer 170 , The second unit 200 includes a hole injection layer 220 , a hole transport layer 230 , an electron blocking layer 240 , an emission layer 250 , a hole blocking layer 260 , an electron transport layer 270 , and an electron injection layer 280 . ), and the charge generation layer 300 includes an N-type charge generation layer 310 and a P-type charge generation layer 320 . Device 500 may be fabricated by sequentially depositing the described layers.

OLED도 캡슐화층을 배치할 수 있으며, 도 3에서는 유기 발광장치(600)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 이와 도 2의 차이점은, 음극(290) 위에는 환경으로부터 유해물질(예를 들어, 수분 및 산소)을 방지하도록 캡슐화층(Encapsulation layer)(102)을 더 포함하는 것이다. 캡슐화 기능을 제공할 수 있는 임의의 재료는 모두 캡슐화층(예를 들어, 유리 또는 유기-무기 혼합층)으로 사용될 수 있다. 캡슐화층은 OLED소자의 외부에 직접적 또는 간접적으로 배치되어야 한다. 다중박막 캡슐화는 미국특허 US7968146B2에서 기술되었으며, 그 전부내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.The OLED may also have an encapsulation layer, and FIG. 3 shows the organic light emitting device 600 schematically and without limitation. The difference between this and FIG. 2 is that an encapsulation layer 102 is further included on the cathode 290 to prevent harmful substances (eg, moisture and oxygen) from the environment. Any material capable of providing an encapsulation function may be used as the encapsulation layer (eg, glass or an organic-inorganic mixed layer). The encapsulation layer should be disposed directly or indirectly on the outside of the OLED device. Multithin film encapsulation is described in US Patent US7968146B2, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명의 실시예에 따라 제조된 소자는 해당 소자의 하나 또는 복수의 전자부재모듈(또는 유닛)을 구비하는 여러 종류의 소비재에 통합될 수 있다. 이러한 소비재의 일부 예시는 평판 디스플레이, 모니터, 의료 모니터, 텔레비전, 광고판, 실내 또는 실외용 조명등 및/또는 신호등, 헤드업 디스플레이(head-up display), 전체적으로 투명하거나 부분적으로 투명한 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 스마트폰, 태블릿, 태블릿 폰, 웨어러블 장치(wearable device), 스마트 시계, 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더(viewfinder), 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 차량 디스플레이 및 후미등을 포함한다.A device manufactured according to an embodiment of the present invention may be integrated into various types of consumer goods having one or a plurality of electronic member modules (or units) of the device. Some examples of such consumer goods are flat panel displays, monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or traffic lights, head-up displays, fully transparent or partially transparent displays, flexible displays, smartphones , tablets, tablet phones, wearable devices, smart watches, laptop computers, digital cameras, camcorders, viewfinders, micro displays, 3D displays, vehicle displays and tail lights.

본문에 기재된 재료 및 구조는 상기에 열거된 다른 유기 전자소자에 사용될 수도 있다.The materials and structures described herein may also be used in other organic electronic devices listed above.

본문에 사용된 “상단”은 기판과 가장 멀리 위치함을 의미하고, “하단”은 기판과 가장 가깝게 위치함을 의미한다. 제1 층이 제2 층 “상”에 “배치”된다고 설명되는 경우, 제1 층은 기판과 비교적 멀리 위치하도록 배치된다. 제1 층 “및” 제2 층이 “접촉”한다고 규정되지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 음극과 양극 사이에 여러 종류의 유기층이 존재하더라도 여전히 음극이 양극 “상”에 “배치”된다고 설명할 수 있다.As used in this text, “top” means located farthest from the substrate, and “bottom” means located closest to the substrate. Where a first layer is described as being “disposed” “on” a second layer, the first layer is disposed relatively remote from the substrate. Other layers may exist between the first layer and the second layer, unless it is specified that the first layer “and” the second layer “contact”. For example, it can be explained that even if there are several kinds of organic layers between the cathode and the anode, the cathode is still “disposed” “on” the anode.

본문에 사용된 “용액 처리 가능”은, 용액 또는 현탁액의 형태로 액체 매질에서 용해, 분산 또는 수송될 수 있음 및/또는 액체 매질로부터 침전될 수 있음을 의미한다.As used herein, “solution treatable” means capable of being dissolved, dispersed or transported in and/or precipitated from a liquid medium in the form of a solution or suspension.

리간드가 발광재료의 감광성능에 직접적으로 작용한다고 사료되는 경우, 리간드는 “감광성 리간드”라 할 수 있다. 리간드가 발광재료의 감광성능에 작용하지 않는다고 사료되는 경우, 리간드는 “보조 리간드”라 할 수 있는데, 보조 리간드는 감광성 리간드의 성질을 변경할 수 있다.When it is considered that the ligand acts directly on the photosensitive performance of the light emitting material, the ligand can be referred to as a “photosensitive ligand”. When it is considered that the ligand does not affect the photosensitive performance of the light emitting material, the ligand can be referred to as an “auxiliary ligand”, which can change the properties of the photosensitive ligand.

형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 지연 형광을 통해 25%의 스핀 통계(spin statistics) 한계를 초과할 수 있는 것으로 여겨진다. 지연 형광은 일반적으로 두 가지 유형, 즉 P형 지연 형광 및 E형 지연 형광으로 나뉠 수 있다. P형 지연 형광은 삼중항-삼중항 소멸(TTA)에 의해 생성된다.It is believed that the internal quantum efficiency (IQE) of fluorescent OLEDs can exceed the spin statistics limit of 25% via delayed fluorescence. Delayed fluorescence can generally be divided into two types: P-type delayed fluorescence and E-type delayed fluorescence. P-type delayed fluorescence is produced by triplet-triplet annihilation (TTA).

다른 측면으로, E형 지연 형광은 2 개의 삼중항 상태의 충돌에 의존하지 않고 삼중항 상태와 일중항 여기상태(singlet-excited state) 사이의 전이에 의존한다. E형 지연 형광을 생성할 수 있는 화합물은 에너지 상태 간의 전환을 진행할 수 있도록 매우 작은 일중항-삼중항 갭(gap)을 구비해야 한다. 열에너지는 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 전이(transition)를 활성화할 수 있다. 이러한 유형의 지연 형광은 또한 열활성 지연 형광(TADF)이라 한다. TADF의 현저한 특징으로는 지연요소는 온도가 높아짐에 따라 증가하는 것이다. 역계간교차(reverse intersystem crossing)(RISC)의 속도가 충분히 빨라 삼중항 상태에 의한 비방사성감쇠를 최소화한다면, 백필링(back-filling)된 일중항 여기상태의 비율은 75%에 도달할 수 있다. 일중항 상태의 총 비율은 100%일 수 있으며 이는 전계가 생성한 엑시톤의 스핀 통계의 25%를 훨씬 초과한다.In another aspect, type E delayed fluorescence does not depend on the collision of two triplet states, but on the transition between the triplet state and the singlet-excited state. A compound capable of generating type E delayed fluorescence must have a very small singlet-triplet gap to allow transitions between energy states. Thermal energy can activate a transition from the triplet state to the singlet state. This type of delayed fluorescence is also called thermally activated delayed fluorescence (TADF). A remarkable characteristic of TADF is that the delay factor increases with increasing temperature. If the rate of reverse intersystem crossing (RISC) is fast enough to minimize non-radiative attenuation due to triplet states, the ratio of back-filled singlet excited states can reach 75%. . The total proportion of singlet states can be 100%, which is well over 25% of the spin statistics of the excitons generated by the electric field.

E형 지연 형광의 특징은 들뜬 복합체(exciplex system) 시스템 또는 단일 화합물에서 발견될 수 있다. 이론에 구속되지 안고, E형 지연 형광은 발광재료가 일중항-삼중항의 작은 에너지 갭(energy gap)(ΔES-T)을 구비해야 한다고 여겨진다. 비금속을 함유하는 유기 공예체-수용체 발광재료는 이러한 특징을 실현할 가능성이 있다. 이러한 물질의 방출은 일반적으로 공예체-수용체 전하이동(CT)형 방출로 표징된다. 이러한 공예체-수용체형 화합물에서 HOMO와 LUMO의 공간적 분리는 일반적으로 작은 ΔES-T을 생성한다. 이러한 상태는 CT 상태를 포함할 수 있다. 일반적으로, 공예체-수용체 발광재료는 전자 공예체부분(예를 들어, 아미노기 또는 카바졸 유도체)과 전자 수용체부분(예를 들어, N을 함유하는 6원 방향족고리)을 연결함으로써 구성된다.Characteristics of type E delayed fluorescence can be found in exciplex systems or single compounds. Without being bound by theory, it is believed that type E delayed fluorescence requires that the luminescent material have a small singlet-triplet energy gap (ΔES-T). An organic art object-acceptor luminescent material containing a non-metal has the potential to realize these characteristics. Emissions of these substances are commonly labeled as art-receptor-acceptor charge-transfer (CT)-type emission. Spatial separation of HOMO and LUMO in these co-receptor-type compounds generally results in small ΔES-T. Such conditions may include CT conditions. In general, an electron acceptor moiety (for example, an amino group or a carbazole derivative) and an electron acceptor moiety (for example, a 6-membered aromatic ring containing N) are formed by connecting an electron-acceptor luminescent material.

치환기 용어의 정의에 관하여,Regarding the definition of the term substituent,

할로겐 또는 할로젠화물-은 본문에 사용된 바와 같이 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.Halogen or halide - as used herein includes fluorine, chlorine, bromine and iodine.

알킬기는 직쇄형 알킬기 및 분지형 알킬기를 포함한다. 알킬기의 예시는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기(Sec-butyl), 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기를 포함한다. 또한, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다. 알킬기 사슬에서의 탄소는 기타 헤테로원자에 의해 치환될 수 있다. 상기에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 및 네오펜틸기가 바람직하다.The alkyl group includes a straight-chain alkyl group and a branched alkyl group. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n -heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexa Decyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, 3 -Contains a methylpentyl group. Also, the alkyl group may be optionally substituted. Carbons in the chain of the alkyl group may be substituted by other heteroatoms. In the above, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group and neopentyl group are preferable.

시클로알킬기는 본문에 사용된 바와 같이 고리형 알킬기를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 4~10 개의 고리탄소원자를 함유하는 시클로알킬기이며, 이는 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보르닐기(1-norbornyl), 2- 노르보르닐기 등을 포함한다. 또한, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다. 고리에서의 탄소는 기타 헤테로원자에 의해 치환될 수 있다.Cycloalkyl groups as used herein include cyclic alkyl groups. Preferred cycloalkyl groups are cycloalkyl groups containing 4 to 10 ring carbon atoms, which are cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4,4-dimethylcyclohexyl group, 1-adaman tyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group (1-norbornyl), 2-norbornyl group, and the like. In addition, the cycloalkyl group may be optionally substituted. Carbons in the ring may be substituted by other heteroatoms.

알케닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 올레핀기 및 분지형 올레핀기를 포함한다. 바람직한 알케닐기는 2~15 개의 탄소원자를 함유하는 알케닐기이다. 알케닐기의 예시는 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기(1,3-butadienyl), 1-메틸비닐기, 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1,2-디메틸알릴기, 1-페닐-1-부테닐기 및 3-페닐-1-부테닐기를 포함한다. 또한, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkenyl groups, as used herein, include straight chain olefin groups and branched olefin groups. A preferred alkenyl group is an alkenyl group containing from 2 to 15 carbon atoms. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 1,3-butadienyl group (1,3-butadienyl), a 1-methylvinyl group, a styryl group, 2,2-diphenylvinyl group, 1,2-diphenylvinyl group, 1-methylallyl group, 1,1-dimethylallyl group, 2-methylallyl group, 1-phenylallyl group, 2-phenylallyl group, 3-phenylallyl group, 3,3-diphenylallyl group, 1,2-dimethylallyl group, 1-phenyl-1-butenyl group and 3-phenyl-1-butenyl group. Also, the alkenyl group may be optionally substituted.

알키닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알키닐기 및 분지형 알키닐기를 포함한다. 바람직한 알키닐기는 2~15 개의 탄소원자를 함유하는 알키닐기이다. 또한, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkynyl groups, as used herein, include straight-chain alkynyl groups and branched alkynyl groups. A preferred alkynyl group is an alkynyl group containing from 2 to 15 carbon atoms. Also, the alkynyl group may be optionally substituted.

아릴기 또는 방향족기는 본문에 사용된 바와 같이 융합 시스템(condensed systems)과 비융합 시스템을 고려한다. 바람직한 아릴기는 6~60 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이고, 더 바람직하게는 6~20 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이며, 보다 더 바람직하게는 6~12 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이다. 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌(triphenylene), 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌(phenalene), 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센(chrysene), 페릴렌(perylene) 및 아줄렌(azulene)을 포함하고, 바람직하게는 페닐기, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나트탈렌을 포함한다. 또한, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다. 비융합 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐-2-일기(biphenyl-2-yl group), 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸비페닐릴기, 4''-터트부틸기-p-터페닐-4-일기, o-쿠메닐기(o-cumenyl), m-쿠메닐기, p-쿠메닐기, 2,3-크실릴기, 3,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 메시틸기(mesityl group) 및 m-쿼테르페닐기(m-quaterphenyl)를 포함한다.Aryl or aromatic groups contemplate condensed and unfused systems as used herein. A preferred aryl group is an aryl group containing 6 to 60 carbon atoms, more preferably an aryl group containing 6 to 20 carbon atoms, and still more preferably an aryl group containing 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, biphenyl, terphenyl, triphenylene, tetraphenylene, naphthalene, anthracene, phenalene, phenanthrene, fluorene, pyrene, chrysene, perylene (perylene) and azulene (azulene), and preferably includes a phenyl group, biphenyl, terphenyl, triphenylene, fluorene and naphthalene. Also, the aryl group may be optionally substituted. Examples of the non-fused aryl group include a phenyl group, a biphenyl-2-yl group, a biphenyl-3-yl group, a biphenyl-4-yl group, a p-terphenyl-4-yl group, and a p-ter Phenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tol Lyl group, p-tolyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4''-tertbutyl group-p-terphenyl-4-yl group, o-cumenyl group (o-cumenyl group ), m-cumenyl group, p-cumenyl group, 2,3-xylyl group, 3,4-xylyl group, 2,5-xylyl group, mesityl group and m-quaterphenyl group (m -quaterphenyl).

헤테로시클릭기 또는 헤테로시클릴은 본문에 사용된 바와 같이 방향족 고리형 그룹 및 비방향족 고리형 그룹을 고려한다. 헤테로방향족기는 또한 헤테로아릴기를 의미한다. 바람직한 비방향족헤테로시클릭기는 3~7 개의 고리원자를 함유하는 것으로, 질소, 산소 및 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 헤테로시클릭기는 질소원자, 산소원자, 황원자 및 셀레늄원자에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 구비하는 방향족헤테로시클릭기일 수 있다.Heterocyclic group or heterocyclyl, as used herein, contemplates aromatic cyclic groups and non-aromatic cyclic groups. A heteroaromatic group also refers to a heteroaryl group. Preferred non-aromatic heterocyclic groups are those containing 3 to 7 ring atoms and contain at least one heteroatom such as nitrogen, oxygen and sulfur. The heterocyclic group may be an aromatic heterocyclic group having at least one heteroatom selected from a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a selenium atom.

헤테로아릴기는 본문에 사용된 바와 같이, 1~5 개의 헤테로원자를 함유할 수 있는 비융합 및 융합된 헤테로방향족 그룹을 포함하는 것을 고려하였다. 바람직한 헤테로아릴기는 3~30 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이고, 더 바람직하게는 3~20 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이며, 보다 더 바람직하게는 3~12 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조푸란(dibenzofuran), 디벤조셀레노펜(dibenzoselenophene), 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜(benzoselenophene), 카바졸(carbazole), 인돌로카르바졸(indolocarbazole), 피리딘인돌로(pyridine indole), 피롤로피리딘(Pyrrolopyridine), 피라졸, 이미다졸, 트리아졸(Triazole), 옥사졸(oxazole), 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진(pyridazine), 피리미딘, 피라진(pyrazine), 트리아진(triazine), 옥사진(oxazine), 옥사티아진(oxathiazine), 옥사디아진(oxadiazine), 인돌(Indole), 벤즈이미다졸(benzimidazole), 인다졸, 인독사진(indoxazine), 벤조옥사졸, 벤지스옥사졸(benzisoxazole), 벤조티아졸, 퀴놀린(quinoline), 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진(phthalazine), 프테리딘(pteridine), 크산텐(xanthene), 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 벤조푸라노피리딘(Benzofuranopyridine), 푸라노디피리딘(Furanodipyridine), 벤조티에노피리딘 (Benzothienopyridine), 티에노디피리딘(Thienodipyridine), 벤조셀레노페노피리딘 (benzoselenophenopyridine), 셀레노페노디피리딘 (selenophenodipyridine)을 포함하고, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보란(1,2-azaborane), 1,3-아자보란, 1,4- 아자보란, 보라진(borazine) 및 이들의 아자 유사체를 포함한다. 또한, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.Heteroaryl groups, as used herein, are contemplated to include unfused and fused heteroaromatic groups which may contain 1-5 heteroatoms. A preferred heteroaryl group is a heteroaryl group containing 3 to 30 carbon atoms, more preferably a heteroaryl group containing 3 to 20 carbon atoms, even more preferably a heteroaryl group containing 3 to 12 carbon atoms. to be. Suitable heteroaryl groups include dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole ), indolocarbazole, pyridine indole, pyrrolopyridine, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, Oxatriazole, dioxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxathiazine, oxadiazine (oxadiazine), indole (indole), benzimidazole (benzimidazole), indazole, indoxazine (indoxazine), benzoxazole, benzisoxazole (benzisoxazole), benzothiazole, quinoline (quinoline), isoquinoline, syn Noline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, phthalazine, pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, benzofuranopyridine, Furanodipyridine, benzothienopyridine, thienodipyridine, benzoselenophenopyridine, selenophenopyridine, selenophenodipyridine, preferably dibenzothiophene. Dibenzofuran, dibenzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, imidazole, pyridine, triazine, benzimidazole, 1,2-azaborane, 1,3-azaborane, 1,4-azaborane, borazine and their aza analogues. Also, the heteroaryl group may be optionally substituted.

알콕시기-는 -O-알킬기로 표시된다. 알킬기의 예시와 바람직한 예시는 상술한 바와 같다. 1~20 개의 탄소원자를 구비하고 바람직하게는 1~6 개의 탄소원자를 구비하는 알콕시기의 예시는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기 및 헥실옥시기를 포함한다. 3 개 이상의 탄소원자를 구비하는 알콕시기는 직쇄형, 고리형 또는 분지형일 수 있다.The alkoxy group- is represented by an -O-alkyl group. Examples and preferred examples of the alkyl group are as described above. Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms and preferably having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group and a hexyloxy group. Alkoxy groups having 3 or more carbon atoms may be straight-chain, cyclic or branched.

아릴옥시기-는 -O-아릴기 또는 -O-헤테로아릴기로 표시된다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 바람직한 예시는 상술한 바와 같다. 6~40 개의 탄소원자를 구비하는 아릴옥시기의 예시는 페녹시기 및 비페닐옥시기를 포함한다.The aryloxy group- is represented by an -O-aryl group or an -O-heteroaryl group. Examples and preferred examples of the aryl group and the heteroaryl group are as described above. Examples of the aryloxy group having 6 to 40 carbon atoms include a phenoxy group and a biphenyloxy group.

아랄킬기(Arylalkyl group)는 본문에 사용된 바와 같이 아릴치환기를 구비하는 알킬기이다. 또한, 아랄킬기는 임의로 치환될 수 있다. 아랄킬기의 예시는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸-에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸-에틸기, 2-β-나프틸-에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 2-β-나프틸이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기(p-chlorobenzyl), m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기(p-bromobenzyl), m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오드벤질기 (p-iodobenzyl), m-요오드벤질기, o-요오드벤질기, p-하이드록시벤질기(p-hydroxybenzyl), m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-니트로벤질기, m-니트로벤질기, o-니트로벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐이소프로필기 및 1-클로로-2-페닐이소프로필기를 포함한다. 상기에서, 벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기 및 2-페닐이소프로필기가 바람직하다.Arylalkyl group is an alkyl group having an aryl substituent as used herein. In addition, the aralkyl group may be optionally substituted. Examples of the aralkyl group include benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2-phenylisopropyl group, phenylt-butyl group, α-naphthylmethyl group, 1-α-naphthyl group -Ethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group, 1-β-naphthyl-ethyl group, 2-β- Naphthyl-ethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, p-methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group (p -chlorobenzyl), m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromobenzyl group (p-bromobenzyl), m-bromobenzyl group, o-bromobenzyl group, p-iodobenzyl group (p- iodobenzyl), m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group (p-hydroxybenzyl), m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group, p-aminobenzyl group, m-amino Benzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1- hydroxy-2-phenylisopropyl group and 1-chloro-2-phenylisopropyl group. In the above, the benzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group and 2-phenylisopropyl group desirable.

아자디벤조푸란(azadibenzofuran), 아자-디벤조티오펜 등에서의 용어 "아자"는 상응하는 방향족 단편에서의 하나 또는 복수의 C-H 그룹이 질소원자로 대체됨을 의미한다. 예를 들어, 아자트리페닐렌(azatriphenylene)은 디벤조[f, h]퀴녹살린, 디벤조[f, h]퀴놀린 및 고리계에 2 개 또는 그 이상의 질소를 갖는 기타 유사체를 포함한다. 본 분야 당업자는 상술한 아자 유도체의 기타 질소 유사체를 쉽게 생각해낼 수 있으며, 이러한 모든 유사체는 본문에 기재된 용어에 포함되는 것으로 확정된다. The term "aza" in azadibenzofuran, aza-dibenzothiophene and the like means that one or more C-H groups in the corresponding aromatic fragment are replaced by a nitrogen atom. For example, azatriphenylene includes dibenzo[f, h]quinoxaline, dibenzo[f,h]quinoline and other analogs having two or more nitrogens in the ring system. Other nitrogen analogs of the above-described aza derivatives can readily be conceived by those skilled in the art, and all such analogs are intended to be encompassed by the terms set forth herein.

이해해야 할 것은, 분자 단편이 치환기로 설명되거나 기타 형태로 기타 부분에 연결되는 경우, 그것이 단편(예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 디벤조푸란기)인지 또는 그것이 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌(naphthalene), 디벤조푸란)인지에 따라 명명된다. 본문에 사용된 바와 같이, 치환기 또는 단편연결을 지정하는 이러한 상이한 방식은 동일한 것으로 간주한다. It is to be understood that when a molecular fragment is described with a substituent or linked to other moieties in other forms, whether it is a fragment (eg, a phenyl group, a phenylene group, a naphthyl group, a dibenzofuran group) or whether it is the whole molecule (eg , benzene, naphthalene, or dibenzofuran). As used herein, these different ways of designating a substituent or fragment linkage are considered equivalent.

본 출원에 언급된 화합물에서, 수소원자는 부분적 또는 전체적으로 듀테륨으로 대체될 수 있다. 탄소 및 질소와 같은 다른 원소도 이들의 기타 안정적인 동위원소로 대체될 수 있다. 이는 소자의 효율 및 안정성을 향상시키므로, 화합물에서 기타 안정적인 동위원소를 대체하는 것은 바람직할 수 있다.In the compounds referred to in the present application, hydrogen atoms may be partially or completely replaced by deuterium. Other elements such as carbon and nitrogen may also be replaced with other stable isotopes thereof. As this improves the efficiency and stability of the device, it may be desirable to substitute other stable isotopes in the compound.

본 출원에 언급된 화합물에서, 다중치환은 이중치환을 포함한 최대 사용가능한 치환까지의 범위를 나타낸다. 본 출원에서 언급된 화합물에서, 어느 치환기가 다중치환(이치환, 삼치환, 사치환 등을 포함)을 나타낼 경우, 해당 치환기가 그 연결 구조에서의 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재할 수 있음을 나타내고, 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재하는 치환기는 동일한 구조일 수 있고 부동한 구조일 수도 있다.In the compounds referred to in this application, polysubstitution refers to a range up to the maximum usable substitution including disubstitution. In the compounds mentioned in this application, when any substituent represents polysubstitution (including disubstitution, trisubstitution, tetrasubstitution, etc.) Substituents present at a plurality of available substitution positions may be of the same structure or of different structures.

본 발명에서, 달리 정의되지 않는 한, 치환된 알킬기, 치환된 시클로알킬기, 치환된 헤테로알킬기, 치환된 아랄킬기, 치환된 알콕시기, 치환된 아릴옥시기, 치환된 알케닐기, 치환된 아키닐기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 알킬실릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 아미노기, 치환된 아실기, 치환된 카르보닐기, 치환된 카르복실산기, 치환된 에스테르기, 치환된 술피닐기, 치환된 술포닐기, 치환된 포스포로소기로 이루어진 군 중의 임의의 하나의 용어가 사용되는 경우, 이는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기, 아랄킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알케닐기, 아키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기 중의 임의의 하나의 그룹이, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 티올기(thiol group), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기 및 이들 조합에서 선택된 하나 또는 복수 개에 의해 치환될 수 있음을 의미한다.In the present invention, unless otherwise defined, a substituted alkyl group, a substituted cycloalkyl group, a substituted heteroalkyl group, a substituted aralkyl group, a substituted alkoxy group, a substituted aryloxy group, a substituted alkenyl group, a substituted aquinyl group, Substituted aryl group, substituted heteroaryl group, substituted alkylsilyl group, substituted arylsilyl group, substituted amino group, substituted acyl group, substituted carbonyl group, substituted carboxylic acid group, substituted ester group, substituted sulfide When any one term from the group consisting of a nyl group, a substituted sulfonyl group, a substituted phosphoroso group is used, it is an alkyl group, a cycloalkyl group, a heteroalkyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkenyl group, an aquinyl group , an aryl group, a heteroaryl group, an alkylsilyl group, an arylsilyl group, an amino group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a sulfinyl group, a sulfonyl group and a phosphoroso group. , an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, an unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted aralkyl group having 2 to 20 carbon atoms an alkenyl group, an unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, 3 to 20 carbon atoms An unsubstituted alkylsilyl group, an unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, an unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, It means that it may be substituted by one or more selected from an ester group, a cyano group, an isocyano group, a thiol group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphoroso group, and combinations thereof.

본 발명에 언급된 화합물에서, 예를 들어 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다고 명확하게 한정하지 않는 한, 상기 화합물에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 없다. 본 발명에 언급된 화합물에서, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우를 포함하고, 또한 인접한 치환기가 연결되지 않아 고리를 형성하지 않는 경우도 포함한다. 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 연결할 수 있는 경우, 형성된 고리는 단환식 고리, 다환식 고리, 지환식(alicyclic) 고리, 헤테로지환식(heteroalicyclic) 고리, 방향족 고리 또는 헤테로방향족 고리일 수 있다. 이러한 표현에서, 인접한 치환기는 동일한 원자에 결합된 치환기, 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기, 또는 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 치환기는 동일한 탄소원자에 결합된 치환기 및 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭한다.In the compounds mentioned in the present invention, for example, adjacent substituents in the compounds cannot be optionally joined to form a ring, unless it is expressly defined that adjacent substituents can be optionally joined to form a ring. In the compounds mentioned in the present invention, that adjacent substituents may be optionally connected to form a ring includes cases in which adjacent substituents may be joined to form a ring, and also adjacent substituents are not connected to form a ring cases are included. When adjacent substituents are optionally connected to connect the rings, the formed ring may be a monocyclic ring, a polycyclic ring, an alicyclic ring, a heteroalicyclic ring, an aromatic ring or a heteroaromatic ring. In these expressions, adjacent substituents may refer to substituents bonded to the same atom, substituents bonded to carbon atoms bonded directly to each other, or substituents bonded to more distant carbon atoms. Preferably, adjacent substituents refer to substituents bonded to the same carbon atom and substituents bonded to carbon atoms bonded directly to each other.

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 동일한 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also intended to contemplate that two substituents bonded to the same carbon atom are linked to each other by a chemical bond to form a ring, which is exemplified by the formula :

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also intended to contemplate that two substituents bonded to a carbon atom directly bonded to each other are linked to each other by a chemical bond to form a ring, which has the formula It is exemplified through:

이외, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기 중 하나가 수소를 나타낼 경우, 두 번째 치환기는 수소원자가 결합된 위치 측에 결합되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이다. 이는 하기 식을 통해 예시된다:In addition, the intention of the expression that adjacent substituents may be optionally connected to form a ring is also intended to mean that when one of the two substituents bonded to a carbon atom directly bonded to each other represents hydrogen, the second substituent is on the side at which the hydrogen atom is bonded It is intended to be considered to have joined to form a ring. This is exemplified through the formula:

본 실시예에서, R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 상기 치환기 군에서 선택되는 것은 해당 분야 당업자에게 있어서, 자명하게 확정할 수 있으며, 식 (1)에서 동시에 나타난 동일한 번호를 갖는 2 개의 임의의 치환기(예를 들어 R, R', R" 또는 R"')는 동일한 치환기 또는 상이한 치환기에서 선택될 수 있다.In this embodiment, R, R', R" and R"' are the same or differently selected from the group of substituents whenever they appear. Two optional substituents having the same number as shown (eg R, R', R" or R"') may be selected from the same substituent or different substituents.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR'R" 또는 NR"'에서 선택되고, R', R" 및 R"'은 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to one embodiment of the invention, wherein X and Y are identically or differently selected from CR'R" or NR"' whenever they appear, and R', R" and R"' have at least one electron withdrawing group. is a group

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR'R" 또는 NR"'에서 선택되고, R, R', R" 및 R"'은 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to an embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently selected from CR'R" or NR"' whenever they appear, and R, R', R" and R"' are at least one electron withdrawing group. is a group with

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되고, R 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to an embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently selected from O, S or Se whenever they appear, and at least one of R is a group having at least one electron withdrawing group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되고, R은 모두 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to an embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently selected from O, S or Se whenever they appear, and R are all groups having at least one electron withdrawing group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.05 이상이거나, 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.3 이상이거나, 또는 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.5 이상이다.According to an embodiment of the present invention, wherein the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.05 or more, the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.3 or more, or the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.5 or more.

본 발명의 상기 전자 흡인기의 Hammett 치환기 상수값은 0.05 이상이고 바람직하게는 0.3 이상하며 더 바람직하게는 0.5 이상이며, 전자흡인능력이 비교적 강하며, 화합물의 LUMO 에너지준위를 현저히 감소시켜 전하 이동도를 향상시키는 효과를 달성할 수 있다.The Hammett substituent constant value of the electron withdrawing group of the present invention is 0.05 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more, and the electron withdrawing ability is relatively strong, and the LUMO energy level of the compound is significantly reduced to increase the charge mobility. improving effect can be achieved.

설명해야 할 것은, 상기 Hammett 치환기 상수값은 Hammett 치환기 파라(para) 상수 및/또는 메타(meta) 상수를 포함하고, 파라 상수와 메타 상수 중 하나가 0.05 이상인 조건을 충족하기만 하면, 본 발명에서 선택된 그룹으로서 사용될 수 있다.It should be explained, that the Hammett substituent constant value includes the Hammett substituent para constant and/or meta constant, and as long as one of the para constant and the meta constant satisfies the condition of 0.05 or more, in the present invention It can be used as a selected group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전자 흡인기는 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, wherein the electron withdrawing group is halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group (Boranyl), a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphoroso group, selected from the group consisting of an azaaromatic ring, or halogen, a nitroso group, a nitro group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, cya No group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, any one of the following groups substituted with one or a plurality of azaaromatic rings: 1- An alkyl group having 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, a heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to An alkoxy group having 20 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3 It is selected from the group consisting of a heteroaryl group having ~30 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, an arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전자 흡인기는 F, CF₃, OCF₃, SF₅, SO₂CF₃, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, wherein the electron withdrawing group is F, CF ₃ , OCF ₃ , SF ₅ , SO ₂ CF ₃ , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pyrimidyl group, triazinyl group and its selected from the group consisting of combinations.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to an embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently each time they appear are selected from the group consisting of:

여기서, R₁은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Here, R ₁ is the same or different whenever it appears hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, purple Nyl group (Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group (phosphoroso), substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 3 to 20 ring carbon atoms cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 1 to 20 carbon atoms Alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, 6 A substituted or unsubstituted aryl group having ~30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms and combinations thereof;

여기서, V 및 W는 나타낼 때마다 동일하거나 상이하게 CR_vR_w, NR_v, O, S, Se에서 선택되며;wherein V and W are, identically or differently, selected from CR _v R _w , NR _v , O, S, Se at each occurrence;

여기서, Ar은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;wherein Ar is, identically or differently each time it appears, selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

여기서, A, R_a, R_b, R_c, R_d, R_e, R_f, R_g, R_h, R_v 및 R_w는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;wherein A, R _a , R _b , R _c , R _d , Re _e , R _f , R _g , R _h , R _v and R _w are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, Nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, 1- A substituted or unsubstituted alkyl group having 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 1 to 20 carbon atoms a heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, 2 A substituted or unsubstituted alkenyl group having ~20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroaryl group having, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and selected from the group consisting of combinations thereof;

여기서, A는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며, 상기 임의의 구조에 있어서, R_a, R_b, R_c, R_d, R_e, R_f, R_g, R_h, R_v 및 R_w 중의 하나 또는 복수 개가 나타날 경우, 그 중의 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.wherein A is a group having at least one electron withdrawing group, and in any of the above structures, R _a , R _b , R _c , R _d , Re _e , R _f , R _g , R _h , R _v and R _w When one or more of them appear, at least one of them is a group having at least one electron withdrawing group.

본 실시예에서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 (1)에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결된 위치를 나타낸다.In this embodiment, "*" represents a position where the X and Y groups are linked to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in Formula (1).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R₁은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 F, CF₃, OCF₃, SF₅, SO₂CF₃, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, wherein R ₁ is the same or different whenever it appears F, CF ₃ , OCF ₃ , SF ₅ , SO ₂ CF ₃ , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluoro It is selected from the group consisting of a phenyl group, a 4-cyanotetrafluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹은 F, CF₃, OCF₃, SF₅, SO₂CF₃, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. According to an embodiment of the present invention, the group having at least one electron withdrawing group is F, CF ₃ , OCF ₃ , SF ₅ , SO ₂ CF ₃ , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluorophenyl group, It is selected from the group consisting of a 4-cyanotetrafluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF₅; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기; 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기; 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기; 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기; 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기(phosphoroso) 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기 및 그 조합; 으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, wherein R is identically or differently each time it appears hydrogen; deuterium; halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF ₅ ; boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms; an unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; And halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group (Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group and phosphoroso group (phosphoroso) any one of the following groups substituted with one or a plurality of groups: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 1 to 20 an alkoxy group having 2 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof; is selected from the group consisting of

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 이소프로필기, NO₂, SO₂CH₃, SCF₃, C₂F₅, OC₂F₅, OCH₃, 디페닐메틸실릴기, 페닐기, 메톡시페닐기, p-메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 비페닐기, 폴리플루오로페닐기, 디플루오로피리딜기, 니트로페닐기, 디메틸티아졸기, CN 및 CF₃ 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 비닐기, CN 또는 CF₃ 중의 하나로 치환된 에티닐기, 디메틸포스포로소기, 디페닐포스포로소기, F, CF₃, OCF₃, SF₅, SO₂CF₃, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 트리플루오로메틸페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, 비스(트리플루오로메틸)페닐기, 비스(트리플루오로메 톡시)페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, F, CN 및 CF₃ 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 페닐기 또는 비페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 디페닐보라닐기, 옥사보라안트릴기(Oxaboraanthryl) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, wherein R is the same or different whenever it appears hydrogen, deuterium, methyl group, isopropyl group, NO ₂ , SO ₂ CH ₃ , SCF ₃ , C ₂ F ₅ , OC ₂ F ₅ , OCH ₃ , diphenylmethylsilyl group, phenyl group, methoxyphenyl group, p-methylphenyl group, 2,6-diisopropylphenyl group, biphenyl group, polyfluorophenyl group, difluoropyridyl group, nitrophenyl group, dimethylthiazole group, A vinyl group substituted with one or a plurality of CN and CF ₃ , an ethynyl group substituted with one of CN or CF ₃ , a dimethylphosphoroso group, a diphenylphosphoroso group, F, CF ₃ , OCF ₃ , SF ₅ , SO ₂ CF ₃ , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, trifluoromethylphenyl group, trifluoromethoxyphenyl group, bis(trifluoromethyl)phenyl group, bis(trifluoromethoxy)phenyl group, 4-cyanotetrafluoro A phenyl group or a biphenyl group substituted with one or more of a phenyl group, F, CN and CF ₃ , a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, a diphenylboranyl group, an oxaboraanthryl group (Oxaboraanthryl) and combinations thereof is selected from the group consisting of

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 X 및 Y는

이다.According to an embodiment of the present invention, wherein X and Y are

to be.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to one embodiment of the invention, wherein R is selected from the group consisting of the same or different each time it appears:

본 실시예에서, "

"는 상기 R 그룹이 식 (1)에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결된 위치를 나타낸다.In this example, "

" represents the position where the R group is connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in formula (1).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B1~B88로 이루어진 군에서 선택된다. B1~B88의 구체적인 구조는 전술한 실시예를 참조한다.According to an embodiment of the present invention, wherein R is selected from the group consisting of B1 to B88, identically or differently each time it appears. For the specific structure of B1 to B88, refer to the above-described embodiment.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 식 (1)로 표시된 하나의 화합물 중 2 개의 R은 동일하다.According to an embodiment of the present invention, in one compound represented by formula (1), two Rs are the same.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 화합물은 화합물1 내지 화합물1356으로 이루어진 군에서 선택되고, 화합물1 내지 화합물1356의 구체적인 구조는 청구항 11을 참조한다.According to an embodiment of the present invention, wherein the compound is selected from the group consisting of Compound 1 to Compound 1356, for specific structures of Compound 1 to Compound 1356, refer to claim 11.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 화합물은 화합물1 내지 화합물1428로 이루어진 군에서 선택되고, 화합물1 내지 화합물1428의 구체적인 구조는 청구항 11을 참조한다.According to an embodiment of the present invention, wherein the compound is selected from the group consisting of compounds 1 to 1428, for specific structures of compounds 1 to 1428, refer to claim 11.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 전계 발광소자를 더 개시하며, 상기 전계 발광소자는,According to an embodiment of the present invention, an electroluminescent device is further disclosed, wherein the electroluminescent device comprises:

양극,anode,

음극, 및cathode, and

상기 양극 및 상기 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유한다:an organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains a compound having the formula (1):

여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR''R"', NR', O, S 또는 Se에서 선택되고;wherein X and Y, identically or differently each time they appear, are selected from CR''R"', NR', O, S or Se;

여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며;wherein each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 여기서 상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 상기 화합물로 단독으로 형성된다.According to an embodiment of the present invention, in the device, wherein the organic layer is a hole injection layer, the hole injection layer is formed solely of the compound.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 여기서 상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 도판트를 함유한 상기 화합물로 형성되고 상기 도판트는 적어도 하나의 정공 수송재료를 함유하며; 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000 이다.According to an embodiment of the present invention, in the device, wherein the organic layer is a hole injection layer, the hole injection layer is formed of the compound containing a dopant and the dopant contains at least one hole transport material; The hole transport material is a compound containing a triarylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylenevinyl compound, an oligoflu It contains an oligofluorene compound, a porphyrin complex, or a metal phthalocyanine complex, wherein the molar doping ratio of the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 정공 주입층에서, 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 이다.According to an embodiment of the present invention, in the hole injection layer, a molar doping ratio between the compound and the hole transport material is 10:1 to 1:100.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전계 발광소자는 양극과 음극 사이의 복수 개의 스택층을 포함하고, 상기 스택층은 제1 발광층 및 제2 발광층을 포함하며, 여기서 제1 스택층은 제1 발광층을 포함하고 제2 스택층은 제2 발광층을 포함하며, 전하 생성층은 제1 스택층과 제2 스택층 사이에 배치되며, 여기서 전하 생성층은 p형 전하 생성층 및 n형 전하 생성층을 포함하며; 여기서, 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유하는 상기 유기층은 p형 전하 생성층이다.According to an embodiment of the present invention, the electroluminescent device includes a plurality of stacked layers between an anode and a cathode, wherein the stacked layers include a first light-emitting layer and a second light-emitting layer, wherein the first stacked layer includes a first a light emitting layer, the second stacked layer comprising a second light emitting layer, the charge generating layer disposed between the first stacked layer and the second stacked layer, wherein the charge generating layer comprises a p-type charge generating layer and an n-type charge generating layer includes; Here, the organic layer containing the compound having the formula (1) is a p-type charge generating layer.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 p형 전하 생성층은 적어도 하나의 정공 수송재료를 추가로 함유하고, 상기 p형 전하 생성층은 상기 화합물이 상기 적어도 하나의 정공 수송재료에 도핑되어 형성되며, 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000 이다.According to an embodiment of the present invention, the p-type charge generation layer further contains at least one hole transport material, and the p-type charge generation layer is formed by doping the compound with the at least one hole transport material, , the hole transport material is a compound containing a triarylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylenevinyl compound, an oligo It contains an oligofluorene compound, a porphyrin complex or a metal phthalocyanine complex, wherein the molar doping ratio of the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 p형 전하 생성층에서, 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 이다.According to an embodiment of the present invention, in the p-type charge generating layer, a molar doping ratio between the compound and the hole transport material is 10:1 to 1:100.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전하 생성층은 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 사이에 배치된 완충층을 추가로 더 포함하고 상기 완충층은 상기 화합물을 함유한다.According to an embodiment of the present invention, wherein the charge generation layer further comprises a buffer layer disposed between the p-type charge generation layer and the n-type charge generation layer, the buffer layer contains the compound.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 식 (1)로 표시된 화합물을 함유하는 화합물 제제를 더 개시하였다. 상기 화합물의 구체적인 구조는 전술한 실시예 중 임의의 하나에 표시된 것이다.According to another embodiment of the present invention, a compound preparation containing the compound represented by formula (1) is further disclosed. Specific structures of the compounds are those shown in any one of the preceding examples.

기타 재료와의 조합Combination with other materials

본 발명에 기재된 유기 발광소자에서의 특정층에 사용되는 재료는, 소자에 존재하는 다양한 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 미국특허출원 US2016/0359122A1의 제0132~0161 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.The material used for a specific layer in the organic light emitting device described in the present invention may be used in combination with various other materials present in the device. The combination of these materials is described in detail in paragraphs 0132 to 0161 of US Patent Application US2016/0359122A1, the entire contents of which are incorporated herein by reference. The materials described or referenced herein are non-limiting examples of materials that can be used in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify combinations and other materials that can be used.

본문에서는, 유기 발광소자에서의 구체적인 층에 사용가능한 재료는 상기 소자에 존재하는 여러 종류의 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있는 것으로 설명된다. 예를 들어, 본문에 개시된 화합물은는 여러 종류의 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 특허출원 US2015/0349273A1의 제0080-0101 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.In this text, it is explained that materials usable for a specific layer in an organic light emitting device can be used in combination with various kinds of other materials present in the device. For example, the compounds disclosed herein may be used in combination with various types of hosts, transport layers, blocking layers, injection layers, electrodes, and other layers that may be present. The combination of these materials is described in detail in paragraph 0080-0101 of patent application US2015/0349273A1, the entire contents of which are incorporated herein by reference. The materials described or referenced herein are non-limiting examples of materials that can be used in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify combinations and other materials that can be used.

재료합성의 실시예에서, 별도로 언급되지 않는 한 모든 반응은 질소 보호하에서 진행된다. 모든 반응용매는 무수(anhydrous)이고 상업적 공급원으로부터 받은 그대로 사용된다. 합성된 생성물은 본 분야 상규적인 하나 또는 여러 종류의 설비(BRUKER의 핵자기공명분광기, SHIMADZU의 액체 크로마토그래피(liquid chromatography), 크로마토그래프 질량 분석계(liquid chromatograph-mass spectrometry), 가스 크로마토그래프 질량 분석계(gas chromatograph-mass spectrometry), 시차주사 열량계(differential scanning calorimeter), 상해 LENGGUANG TECH.의 형광분광광도계, 우한 CORRTEST의 전기화학 워크스테이션 및 안후이 BEQ의 승화장치(sublimation apparatus) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 구조가 확인되고 특성이 테스트된다. 소자의 실시예에서, 소자의 특성도 본 분야 상규적인 설비(ANGSTROM ENGINEERING에서 생산한 증착기, 소주 FATAR에서 생산한 광학 테스트시스템 및 수명테스트 시스템, 북경 ELLITOP에서 생산한 타원계측기(ellipsometer) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 테스트된다. 본 분야 당업자는 상기 설비의 사용, 테스트 방법 등 관련내용을 잘 알고 있어 시료의 고유 데이터를 확실하면서도 영향을 받지 않고 얻을 수 있으므로, 본원에서 상기 관련내용을 더이상 설명하지 않는다.In the examples of material synthesis, all reactions proceed under nitrogen protection unless otherwise specified. All reaction solvents are anhydrous and used as received from commercial sources. The synthesized product was prepared using one or several types of equipment conventional in the art (BRUKER nuclear magnetic resonance spectroscopy, SHIMADZU liquid chromatography, liquid chromatograph-mass spectrometry, gas chromatograph mass spectrometry ( gas chromatograph-mass spectrometry), differential scanning calorimeter, fluorescence spectrophotometer of Shanghai LENGGUANG TECH., electrochemical workstation of Wuhan CORRTEST and sublimation apparatus of Anhui BEQ, etc. ), structures are identified and properties tested by methods well known to those skilled in the art. In the embodiment of the device, the characteristics of the device also include conventional equipment in this field (evaporator produced by ANGSTROM ENGINEERING, optical test system and life test system produced by FATAR in Suzhou, ellipsometer produced by ELLITOP in Beijing, etc.) using, but not limited to, methods well known to those skilled in the art. A person skilled in the art is familiar with the relevant information such as the use of the equipment, the test method, and the like, so that the unique data of the sample can be obtained with certainty and without being affected, the relevant content will not be further described herein.

재료합성 실시예:Material Synthesis Example:

본 발명은 화합물의 제조방법을 한정하지 않으며, 전형적인 예로는 아래의 화합물이 있으나 이에 한정되지 않으며, 그 합성경로 및 제조방법은 아래와 같다:The present invention does not limit the preparation method of the compound, and typical examples include the following compounds, but are not limited thereto, and the synthesis route and preparation method are as follows:

합성 실시예 1: 화합물56의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of compound 56

단계(1): [중간물1-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 1-a ]

500mL의 3 구 플라스크에 DMSO(150mL)를 첨가하고, 반시간 동안 질소를 버블링하며, 순차적으로 HC(OEt)₃(22.2g, 150mmol) 및 Y(OTf)₃(2.15g, 4mmol)을 첨가하고 계속하여 5min 동안 버블링하며, 2,5-디아미노-3,6-디브로모벤젠-1,4-디페놀(8.94g, 30mmol)을 첨가하고 60℃까지 승온시키며, 20min 후, 용액이 갈색 또는 카키색으로 변하고 밤새 교반한다. 반응이 완료되면, 용액에 DCM/PE(1:1, 500mL)를 첨가하고, 여과하여 고체를 수집하며, 아세톤으로 세척하고 여과하여 오프화이트(off-white) 고체1-a(7.2g, 75%의 수율)를 얻는다.¹HNMR (400MHz, d₆-DMSO)δ= 9.03(s, 2H).DMSO (150 mL) was added to a three-necked flask of 500 mL, nitrogen was bubbled for half an hour, and HC(OEt) ₃ (22.2 g, 150 mmol) and Y(OTf) ₃ (2.15 g, 4 mmol) were sequentially added. and continued bubbling for 5 min, 2,5-diamino-3,6-dibromobenzene-1,4-diphenol (8.94 g, 30 mmol) was added and the temperature was raised to 60 ° C. After 20 min, the solution It turns brown or khaki and is stirred overnight. When the reaction is complete, DCM/PE (1:1, 500 mL) is added to the solution, filtered to collect the solid, washed with acetone and filtered to give off-white solid 1-a (7.2 g, 75 % yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 9.03(s, 2H).

단계(2): [중간물1-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 1-b ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(50mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(225mg, 10mol%, 1.0mmol) 및 XPhos(1.0g, 2.1mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(3.18g, 10mmol), p-트리플루오로메톡시페닐보론산(8.24g, 40mmol) 및 탄산칼륨(8.34g, 60mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체1-b(4.36g, 91%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, d₆-DMSO)δ = 9.00(s, 2H), 8.33(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.63(d, J = 8.8Hz, 4H).Dioxane (50mL) was added to a two-necked flask of 250mL, nitrogen was bubbled for 15min, and Pd(OAc) ₂ (225mg, 10mol%, 1.0mmol) and XPhos (1.0g, 2.1mmol) were added while stirring, and , continued stirring for 10 min, then 1-a (3.18 g, 10 mmol), p-trifluoromethoxyphenylboronic acid (8.24 g, 40 mmol) and potassium carbonate (8.34 g, 60 mmol) were sequentially added. The temperature was raised to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is cooled, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 1-b (4.36 g, 91% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 9.00 (s, 2H), 8.33 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 7.63 (d, J = 8.8 Hz, 4H).

단계(3): [중간물1-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 1-c ]

질소 분위기에서, 중간물1-b(4.36g, 9.1mmol)를 THF(114mL, 0.08M)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(13.8mL, 20.93mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질(Elemental iodine) (6.93g, 27.3mmol)의 THF 용액(15mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=3:1~1:1)로 정제하여 백색 고체 생성물1-c(4.0g, 60%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, d₆-DMSO) δ = 8.16(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.62(d, J = 8.8Hz, 4H).In a nitrogen atmosphere, intermediate 1-b (4.36 g, 9.1 mmol) was added to THF (114 mL, 0.08 M), cooled to -94 °C (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (13.8 mL) , 20.93 mmol, 1.6M n-hexane solution) is dripped, the temperature is maintained for 1 h, and then the temperature is slowly raised to -78°C (acetone/dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (15 mL) of elemental iodine (6.93 g, 27.3 mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature and left overnight, followed by quenching by adding a small amount of saturated aqueous ammonium chloride solution , directly added diatomaceous earth, stirred the sample, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=3:1~1:1) to obtain a white solid product 1-c (4.0g, 60% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 8.16 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 7.62 (d, J = 8.8 Hz, 4H).

단계(4): [중간물1-d]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 1-d ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(2.78g, 42mmol)을 무수 DMF(70mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(1.67g, 42mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 1-c(5.08g, 7mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(1.62g, 1.4mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 4.38g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체1-d(4.2g, 98%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-DMSO)δ = 8.08(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.56(d, J = 8.8Hz, 4H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (2.78 g, 42 mmol) was added to anhydrous DMF (70 mL), and NaH (1.67 g, 42 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C., at 0 ° C. After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, 1-c (5.08 g, 7 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (1.62 g, 1.4 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. and reacted for 24-36 h. . After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 with 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Washing with dichloromethane gives 4.38 g of a yellow solid. Then, it is washed twice successively with dichloromethane and filtered to give a yellow solid 1-d (4.2 g, 98% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 8.08 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 7.56 (d, J = 8.8 Hz, 4H).

단계(5): 화합물56의 합성Step (5): Synthesis of compound 56

질소 분위기에서, 1-d(3.04g, 5mmol)를 DCM(150mL)에 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(6.45g, 15mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 반응액에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑녹색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1~1:1)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 흑녹색 고체 화합물56(2.5g, 83%의 수율)을 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.30(d, J = 8.4Hz, 4H), 7.73(d, J = 8.4Hz, 4H).In a nitrogen atmosphere, 1-d (3.04 g, 5 mmol) was added to DCM (150 mL), cooled to 0 °C, PIFA (6.45 g, 15 mmol) was added in portions and stirred at room temperature for 3 days, The solution becomes purple-black. n-hexane (450 mL) was added to the reaction solution, stirred for 10 min, and filtered to obtain a black-green solid. Each was washed twice using (DCM/PE=2:1~1:1) to finally obtain a black-green solid compound 56 (2.5 g, 83% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.30 (d, J = 8.4 Hz, 4H), 7.73 (d, J = 8.4 Hz, 4H).

합성 실시예 2: 화합물68의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of compound 68

단계(1): [중간물2-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 2-a ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(80mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(360mg, 1.6mmol) 및 XPhos(1.53g, 3.2mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 13mmol), 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(14.0g, 54mmol) 및 플루오르화세슘(cesium fluoride)(9.12g, 60mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체2-a(6.7g, 88%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.87(s, 4H), 8.41(s, 2H), 8.00(s, 2H) 이다.Dioxane (80 mL) was added to a two-necked flask of 250 mL, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) ₂ (360 mg, 1.6 mmol) and XPhos (1.53 g, 3.2 mmol) were added while stirring, and continued After stirring for 10 min, sequentially 1-a (4.1 g, 13 mmol), 3,5-bis (trifluoromethyl) phenylboronic acid (14.0 g, 54 mmol) and cesium fluoride (9.12 g, 60 mmol) is added. The temperature was raised to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is cooled, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 2-a (6.7 g, 88% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.87(s, 4H), 8.41(s, 2H), 8.00(s, 2H).

단계(2): [중간물2-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 2-b ]

질소 분위기에서, 2-a(6.2g, 10.6mmol)를 THF(212mL, 0.05M)에 첨가하고, -94→까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(15.2mL, 24.4mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질 (8.07g, 31.8mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=6:1~2:1)로 정제하여 백색 고체 생성물2-b(4.7g, 53%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.69(s, 4H), 8.01(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 2-a (6.2 g, 10.6 mmol) was added to THF (212 mL, 0.05 M), cooled to -94→ (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (15.2 mL, 24.4) mmol, 1.6M n-hexane solution) is dripped, and the temperature is maintained for 1 h, then slowly heated to -78°C (acetone/dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (20 mL) of pure iodine (8.07 g, 31.8 mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature and left overnight, quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, and then directly diatomaceous earth After addition, the sample is stirred, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=6:1~2:1) to obtain a white solid product 2-b (4.7g, 53% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.69(s, 4H), 8.01(s, 2H).

단계(3): [중간물2-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 2-c ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(1.56g, 23.7mmol)을 무수 DMF(55mL, 0.1M)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(948mg, 23.7mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 2-b(3.3g, 3.95mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(456mg, 0.39mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 2.98g을 얻는다. 다음, 용매(DCM/PE=2:1, 200mL)로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체2-c(2.81g, 99%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.57(s, 4H), 8.33(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (1.56 g, 23.7 mmol) was added to anhydrous DMF (55 mL, 0.1 M), and NaH (948 mg, 23.7 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C. , stirred at 0 ° C. for 10 min and stirred at room temperature for 20 min, then 2-b (3.3 g, 3.95 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (456 mg, 0.39 mmol) were added, and the temperature was raised to 90 ° C. React for 36 h. After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 with 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Washing with dichloromethane gives 2.98 g of a yellow solid. Then, it is washed twice successively with a solvent (DCM/PE=2:1, 200 mL) and filtered to give a yellow solid 2-c (2.81 g, 99% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.57 (s, 4H), 8.33 (s, 2H).

단계(4): 화합물68의 합성Step (4): Synthesis of compound 68

질소 분위기에서, 2-c(2.85g, 4.0mmol)를 3 부분(0.95g/부분)으로 나누어 3 개의 2 구 플라스크에 넣고, 각각에 DCM(200mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시키며, 각각에 PIFA(1.73g, 4.0mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 3 병의 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 회전건조시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑녹색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 흑녹색 고체 화합물68(2.4g, 85%의 수율)을 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.86(s, 4H), 8.37(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 2-c (2.85 g, 4.0 mmol) was divided into 3 portions (0.95 g/part) and placed in three two-necked flasks, DCM (200 mL) was added to each, and cooled to 0 ° C., in each PIFA (1.73 g, 4.0 mmol) is added in portions and stirred at room temperature for 3 days, the solution becomes purple-black. Next, three bottles of the solution are placed in a 1L 1-neck flask, and the solution is rotated to 50mL left and right, and n-hexane (450mL) is added thereto, stirred for 10min, and filtered to obtain a black-green solid. Each was washed twice using (DCM/PE=2:1, 200 mL) to finally obtain a black-green solid compound 68 (2.4 g, 85% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.86 (s, 4H), 8.37 (s, 2H).

합성 실시예 3: 화합물70의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of compound 70

단계(1): [중간물4-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 4-a ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(80mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(360mg, 1.6mmol) 및 XPhos(1.53g, 3.2mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 13mmol), 2,4-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(14.0g, 54mmol) 및 플루오르화세슘(cesium fluoride)(9.12g, 60mmol)을 첨가하고, 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체4-a(6.83g, 90%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.19(s, 2H), 8.12(s, 2H), 8.02(d, J = 8.0Hz, 2H), 7.77(d, J = 8.0Hz, 2H).Dioxane (80 mL) was added to a two-necked flask of 250 mL, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) ₂ (360 mg, 1.6 mmol) and XPhos (1.53 g, 3.2 mmol) were added while stirring, and continued After stirring for 10 min, sequentially 1-a (4.1 g, 13 mmol), 2,4-bis (trifluoromethyl) phenylboronic acid (14.0 g, 54 mmol) and cesium fluoride (9.12 g, 60 mmol), heated to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is reduced, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 4-a (6.83 g, 90% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.19 (s, 2H), 8.12 (s, 2H), 8.02 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.77 (d, J = 8.0 Hz, 2H).

단계(2): [중간물4-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 4-b ]

질소 분위기에서, 4-a(6.4g, 11mmol)를 THF(150mL)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(15.8mL, 25.3mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질 (8.4g, 33mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1)로 정제하여 백색 고체 생성물4-b(6.89g, 75%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.16(s, 2H), 8.01(d, J = 7.6Hz, 2H), 7.73(d, J = 7.6Hz, 2H).In a nitrogen atmosphere, 4-a (6.4 g, 11 mmol) was added to THF (150 mL), cooled to -94 °C (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (15.8 mL, 25.3 mmol, 1.6 M) n-hexane solution) is dripped, the temperature is maintained for 1 h, and then the temperature is slowly raised to -78°C (acetone/dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (20 mL) of pure iodine (8.4 g, 33 mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature and left overnight, quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, and then directly added diatomaceous earth and the sample is stirred, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1~2:1) to obtain a white solid product 4-b (6.89g, yield of 75%). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.16 (s, 2H), 8.01 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.73 (d, J = 7.6 Hz, 2H).

단계(3): [중간물4-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 4-c ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(2.14g, 32mmol)을 무수 DMF(60mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(1.40g, 35mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 4-b(4.51g, 5.4mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(1.15g, 1.0mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 2.98g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체4-c(2.92g, 76%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.35(m, 4H), 8.16(d, J = 7.6Hz, 2H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (2.14 g, 32 mmol) was added to anhydrous DMF (60 mL), and NaH (1.40 g, 35 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C., at 0 ° C. After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, 4-b (4.51 g, 5.4 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (1.15 g, 1.0 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. and reacted for 24-36 h. make it After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 with 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Washing with dichloromethane gives 2.98 g of a yellow solid. Then, it is washed twice successively with dichloromethane and filtered to give a yellow solid 4-c (2.92 g, 76% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.35 (m, 4H), 8.16 (d, J = 7.6 Hz, 2H).

단계(4): 화합물70의 합성Step (4): Synthesis of compound 70

질소 분위기에서, 4-c(2.92g, 4.1mmol)를 3 부분(1g/부분)으로 나누어 3 개의 2 구 플라스크에 넣고, 각각에 DCM(100mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시키며, 각각에 PIFA(1.8g, 4.2mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 3 병의 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 농축시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 자색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 자색 고체 화합물70(2.0g, 70%의 수율)을 얻는다.¹HNMR(400MHz, CD₂Cl₂)δ = 8.22(s, 2H), 8.11(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.75(d, J = 8.0Hz, 2H).In a nitrogen atmosphere, 4-c (2.92 g, 4.1 mmol) was divided into 3 portions (1 g/part) and placed in three two-necked flasks, DCM (100 mL) was added to each, and cooled to 0° C., each with PIFA (1.8 g, 4.2 mmol) was added in several portions and stirred at room temperature for 3 days, and the solution became purple-black. Next, three bottles of the solution are placed in a 1L 1-neck flask and concentrated until the solution becomes 50mL left and right, n-hexane (450mL) is added thereto, stirred for 10min, and filtered to obtain a purple solid. Each was washed twice using (DCM/PE=2:1, 200 mL) to finally obtain a purple solid compound 70 (2.0 g, 70% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CD ₂ Cl ₂ ) δ = 8.22 (s, 2H), 8.11 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.75 (d, J = 8.0 Hz, 2H).

합성 실시예 4: 화합물101의 합성Synthesis Example 4: Synthesis of compound 101

단계(1): [중간물5-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 5-a ]

500mL의 2 구 플라스크에 증류수(50mL), 1,4-페닐렌디아민 (1,4-phenylenediamine)(17.0g, 157mmol) 및 염산(30.7mL, 125mmol)을 첨가하고 50℃까지 승온시키며, NH₄SCN(48.4g, 636mmol)을 첨가하고 계속하여 90℃까지 승온시키며 24h 동안 교반한다. 반응이 완료된 후 강온시키고 여과하며, 에탄올로 세척한 후 여과하여 회색 고체 화합물5-a(31.5g, 90%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, d₆-DMSO)δ = 9.69(s, 2H), 7.32(s, 4H).Distilled water (50mL), 1,4-phenylenediamine (17.0g, 157mmol) and hydrochloric acid (30.7mL, 125mmol) were added to a 500mL two-necked flask, and the temperature was raised to 50℃, NH ₄ SCN (48.4 g, 636 mmol) was added and the temperature was continuously raised to 90° C. and stirred for 24 h. After the reaction was completed, the temperature was cooled, filtered, washed with ethanol, and filtered to obtain a gray solid compound 5-a (31.5 g, 90% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 9.69 (s, 2H), 7.32 (s, 4H).

단계(2): [중간물5-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 5-b ]

500mL의 3 구 플라스크에 순차적으로 화합물5-a(15g, 66.5mmol) 및 클로로포름(100mL)을 첨가하고 50℃까지 승온시키며, 매우 천천히 브로민(8mL, 309mmol)의 클로로포름(100mL) 용액을 드립하고 드립이 완료된 후, 24~36h 동안 환류시킨다. 반응이 완료된 후 0℃까지 강온시키고 여과하며, 필터 케이크를 클로로포름으로 3 번 세척한다. 고체를 수집하고 포화티오황산나트륨 용액으로 세척하며 여과하여 고체를 수집한 다음, 메탄올 및 디클로로메탄으로 각각 세척하고 여과하여 갈색 고체5-b(12.5g, 83%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-DMSO)δ = 8.56(bs, 4H), 7.83(s, 2H).Compound 5-a (15 g, 66.5 mmol) and chloroform (100 mL) were sequentially added to a 500 mL three-neck flask, and the temperature was raised to 50 ° C. Very slowly, a chloroform (100 mL) solution of bromine (8 mL, 309 mmol) was dripped and After dripping is complete, reflux for 24-36 h. After the reaction is completed, the temperature is lowered to 0° C. and filtered, and the filter cake is washed 3 times with chloroform. The solid was collected, washed with saturated sodium thiosulfate solution and filtered to collect the solid, then washed with methanol and dichloromethane, respectively, and filtered to obtain a brown solid 5-b (12.5 g, 83% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 8.56 (bs, 4H), 7.83 (s, 2H).

단계(3): [중간물5-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 5-c ]

1L의 3 구 플라스크에 아세토니트릴(500mL)을 첨가하고 20min 동안 질소를 버블링한 다음, 순차적으로 화합물5-b(11g, 50mmol), 요오드(76g, 300mmol) 및 tBuONO(20.6g, 200mmol)를 첨가하고, 70℃에서 24h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후 강온시키고, 감압 및 증류하여 아세토나이트릴을 제거하며, 200mL의 디클로로메탄을 첨가하고 여과하며, 석유에테르로 세척하여 브릭 레드(brick red) 고체5-c(11g, 50%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR (400 MHz, d₆-DMSO) δ = 8.74 (s, 2H).Acetonitrile (500 mL) was added to a 1 L 3-neck flask and nitrogen was bubbled for 20 min, followed by sequentially compound 5-b (11 g, 50 mmol), iodine (76 g, 300 mmol) and t BuONO (20.6 g, 200 mmol) was added and reacted at 70 °C for 24 h. After completion of the reaction, the temperature was lowered, reduced pressure and distilled to remove acetonitrile, 200 mL of dichloromethane was added, filtered, and washed with petroleum ether to give brick red solid 5-c (11 g, 50% yield) ) to get ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -DMSO) δ = 8.74 (s, 2H).

단계(4): [중간물5-d]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 5-d ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(5.35g, 81mmol)을 무수 DMF(135mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(3.24g, 81mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0→에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 화합물5-c(6.08g, 13.5mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(3.12g, 2.7mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 갈색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 갈색 고체 4.2g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 갈색 고체5-d(4.02g, 93%의 수율)를 얻는다. LCMS(ESI): m/z 319 [M-H]^-.In a nitrogen atmosphere, malononitrile (5.35 g, 81 mmol) was added to anhydrous DMF (135 mL), and NaH (3.24 g, 81 mmol, content of 60%) was added at 0 ° C in several portions, and at 0 → After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, compound 5-c (6.08 g, 13.5 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (3.12 g, 2.7 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. for 24-36 h. react After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of brown solid precipitates. Washing with dichloromethane gives 4.2 g of a brown solid. Then, it is washed twice successively with dichloromethane and filtered to obtain a brown solid 5-d (4.02 g, 93% yield). LCMS (ESI): m/z 319 [MH] ^- .

단계(5): 화합물101의 합성Step (5): Synthesis of compound 101

질소 분위기에서, 화합물5-d(3.20g, 10mmol)를 DCM(1L)에 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(12.9g, 30mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 반응이 완료된 후, 용액이 100mL 좌우가 될 때까지 회전건조시키고, 다음, 반응액에 n-헥산(450mL)을 첨가하고, 10min 동안 교반하고 여과하여 자흑색 고체를 얻는다. 디클로로메탄으로 두 번 세척하여 자흑색 고체 화합물101(3.0g, 94%의 수율)을 얻는다. LCMS(ESI): m/z 317 [M-H]^-.In a nitrogen atmosphere, compound 5-d (3.20 g, 10 mmol) was added to DCM (1 L), and the temperature was decreased to 0 ° C., PIFA (12.9 g, 30 mmol) was added in several portions and stirred at room temperature for 3 days. , the solution becomes purple-black. After completion of the reaction, the solution is dried by rotation until it becomes 100 mL left and right, and then n-hexane (450 mL) is added to the reaction solution, stirred for 10 min, and filtered to obtain a purple-black solid. After washing twice with dichloromethane, a purple-black solid compound 101 (3.0 g, 94% yield) was obtained. LCMS (ESI): m/z 317 [MH] ^- .

합성 실시예 5: 화합물69의 합성Synthesis Example 5: Synthesis of compound 69

단계(1): [중간물6-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 6-a ]

250mL의 2 구 플라스크에 질소 분위기에서 2,5-비스(트리플루오로메틸)브로모벤젠(18.5g, 63mmol) 및 초건조 테트라하이드로푸란(100mL)을 첨가하고 -78℃까지 강온시키고 천천히 이소프로필마그네슘클로라이드리튬클로라이드용액(54mL, 69mmol, 1.3M 테트라하이드로푸란용액)을 드립하며, 드립이 완료된 후 -78℃에서 1h 동안 반응시킨 다음, 실온으로 옮기고 4h 동안 반응시킨다. 실온에서 천천히 ZnCl₂(35mL, 69.3mmol, 2.0M 2-메틸테트라하이드로푸란용액) 용액을 드립하고, 드립이 완료된 후, 실온에서 1h 동안 교반한다. 질소 보호하에서 Pd(OAc)₂(337mg, 1.5mmol), XPhos(1.43g, 3.0mmol) 및 1-a(5.0g, 15.7mmol)를 한 번에 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 승온시켜 24h 동안 환류시킨다. 반응이 완료는 후 강온시키고 소량의 포화염화암모늄 용액을 첨가하여 ??칭하며, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 오프화이트(off-white) 고체6-a(4.23g, 46%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.13(s, 2H), 8.07(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.95(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.87(s, 2H).2,5-bis (trifluoromethyl) bromobenzene (18.5 g, 63 mmol) and ultra-dry tetrahydrofuran (100 mL) were added to a 250 mL two-neck flask in a nitrogen atmosphere, and the temperature was lowered to -78 ° C. and isopropyl Magnesium chloride lithium chloride solution (54mL, 69mmol, 1.3M tetrahydrofuran solution) is dripped, and after dripping is completed, it is reacted at -78°C for 1h, then transferred to room temperature and reacted for 4h. A solution of ZnCl ₂ (35mL, 69.3mmol, 2.0M 2-methyltetrahydrofuran solution) was dripped slowly at room temperature, and after dripping was completed, the mixture was stirred at room temperature for 1 h. Pd(OAc) ₂ (337mg, 1.5mmol), XPhos (1.43g, 3.0mmol) and 1-a (5.0g, 15.7mmol) were added in one portion under nitrogen protection, stirring continued for 10min, then elevated temperature and refluxed for 24 h. After completion of the reaction, the mixture was cooled, quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride solution, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain an off-white solid 6-a ( 4.23 g, yield of 46%). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.13 (s, 2H), 8.07 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.95 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.87 (s, 2H).

단계(2): [중간물6-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 6-b ]

질소 분위기에서, 6-a(4.23g, 7.2mmol)를 THF(200mL)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고 천천히 n-부틸리튬(10.4mL, 16.6mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고 8h 동안 반응시킨다. -78℃에서 요오드 순물질 (5.49g, 21.6mmol)의 THF 용액(30mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 반응시키며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~1:1)로 정제하여 담황색 고체 생성물6-b(2.7g, 45%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.05(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.94(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.83(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 6-a (4.23 g, 7.2 mmol) was added to THF (200 mL), cooled to -94 ° C, and slowly dripped n-butyllithium (10.4 mL, 16.6 mmol, 1.6 M n-hexane solution). and maintaining the temperature for 1 h, then slowly raising the temperature to -78 °C and reacting for 8 h. At -78°C, a THF solution (30mL) of pure iodine (5.49g, 21.6mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature and reacted overnight, followed by quenching by adding a small amount of saturated aqueous ammonium chloride solution , directly added diatomaceous earth, stirred the sample, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1~1:1) to obtain a pale yellow solid product 6-b (2.7g, 45% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.05 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.94 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.83 (s, 2H).

단계(3): [중간물6-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 6-c ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(792mg, 12mmol)을 무수 DMF(20mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(480mg, 12mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 6-b(1.70g, 2mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(277mg, 0.24mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 1.50g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체6-c(1.40g, 98%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.37-8.26(m, 5H), 8.13(s, 1H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (792 mg, 12 mmol) was added to anhydrous DMF (20 mL), and NaH (480 mg, 12 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C., at 0 ° C. for 10 min. After stirring and stirring at room temperature for 20 min, 6-b (1.70 g, 2 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (277 mg, 0.24 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. and reacted for 24-36 h. After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 with 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Washing with dichloromethane gives 1.50 g of a yellow solid. Then, it is washed twice successively with dichloromethane and filtered to give a yellow solid 6-c (1.40 g, 98% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.37-8.26 (m, 5H), 8.13 (s, 1H).

단계(4): 화합물69의 합성Step (4): Synthesis of compound 69

질소 분위기에서, 500mL의 2 구 플라스크에 6-c(1.40g, 2mmol) 및 DCM(200mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시킨 후, PIFA(1.72g, 4.0mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하며, 실온에서 7일 동안 교반하고 용액이 자흑색이 된다. 반응이 완료된 후, 용액이 20mL 좌우가 될 때까지 농축시키고 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하며 10min 동안 교반한 후 여과하여 회흑색 고체를 얻는다. (DCM/PE=2:1, 100mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 회흑색 고체 화합물69(1.2g, 85%의 수율)을 얻는다.¹HNMR (400 MHz, d₆-acetone) δ = 8.38-8.27 (m, 5H), 8.13(s, 1H).In a nitrogen atmosphere, 6-c (1.40 g, 2 mmol) and DCM (200 mL) were added to a two-neck flask of 500 mL, and the temperature was lowered to 0 ° C., PIFA (1.72 g, 4.0 mmol) was added in several portions, Stir at room temperature for 7 days and the solution becomes purple-black. After the reaction is complete, the solution is concentrated until it becomes 20 mL left and right, n-hexane (450 mL) is added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain an off-white solid. (DCM/PE=2:1, 100 mL) was washed twice to give compound 69 (1.2 g, 85% yield) as an off-white solid. ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.38-8.27 (m, 5H), 8.13(s, 1H).

합성 실시예 6: 화합물42의 합성Synthesis Example 6: Synthesis of compound 42

단계(1): [중간물3-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 3-b ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(210mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(293mg, 1.3mmol) 및 SPhos(1.12g, 2.73mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 3-a(15.8g, 65mmol), B₂pin₂(23g, 91mmol) 및 KOAc(12.7g, 130mmol)를 첨가하고, 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체3-b(16g, 85%의 수율)를 얻는다. ¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 7.64(d, J=8.4Hz, 1H), 7.59(m, 2H), 1.35(s, 12H).Dioxane (210 mL) was added to a 250 mL two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) ₂ (293 mg, 1.3 mmol) and SPhos (1.12 g, 2.73 mmol) were added while stirring, and continued After stirring for 10 min, 3-a (15.8 g, 65 mmol), B ₂ pin ₂ (23 g, 91 mmol) and KOAc (12.7 g, 130 mmol) were sequentially added, and the temperature was raised to 110° C. to reflux, and under nitrogen protection. Stir overnight. Upon completion of the reaction, the mixture was cooled, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 3-b (16 g, 85% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 7.64 (d, J =8.4 Hz, 1H), 7.59 (m, 2H), 1.35 (s, 12H).

단계(2): [중간물3-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 3-c ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(150mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(293mg, 1.3mmol) 및 XPhos(1.34g, 2.8mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 13mmol), 3-b(15.0g, 52mmol) 및 플루오르화세슘(cesium fluoride)(9.5g, 62.4mmol)을 첨가하고, 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체3-c(4.4g, 70%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.35(s, 2H), 8.23(d, J=8.8Hz, 4H), 7.83(t, J=8.8Hz, 2H).Dioxane (150 mL) was added to a 250 mL two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, and Pd(OAc) ₂ (293 mg, 1.3 mmol) and XPhos (1.34 g, 2.8 mmol) were added while stirring, and continued After stirring for 10 min, 1-a (4.1 g, 13 mmol), 3-b (15.0 g, 52 mmol) and cesium fluoride (9.5 g, 62.4 mmol) were sequentially added, and the temperature was raised to 110 °C. to reflux and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is reduced, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 3-c (4.4 g, 70% yield). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.35 (s, 2H), 8.23 (d, J =8.8 Hz, 4H), 7.83 (t, J =8.8 Hz, 2H).

단계(3): [중간물3-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 3-d ]

질소 분위기에서, 3-c(8.1g, 16.7mmol)를 THF(250mL)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(24mL, 38.4mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질 (12.73g, 50.1mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체 생성물3-d(6.5g, 53%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.31-8.27(m, 4H), 8.02(t, J=8.0Hz, 2H).In a nitrogen atmosphere, 3-c (8.1 g, 16.7 mmol) was added to THF (250 mL), cooled to -94 °C (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (24 mL, 38.4 mmol, 1.6M) n-hexane solution) is dripped, the temperature is maintained for 1 h, and then the temperature is slowly raised to -78°C (acetone/dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (20mL) of pure iodine (12.73g, 50.1mmol) is added, and when the addition is complete, the temperature is slowly raised to room temperature and left overnight, quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, and then directly diatomaceous earth The sample is stirred and purified by silica gel column chromatography to obtain a white solid product 3-d (6.5 g, yield of 53%). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.31-8.27 (m, 4H), 8.02 (t, J =8.0 Hz, 2H).

단계(4): [중간물3-e]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 3-e ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(1.58g, 24mmol)을 무수 DMF(40mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(960mg, 24mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 3-d(3.0g, 4mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(462mg, 0.4mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 2.8g을 얻는다. 다음, 용매(DCM, 200mL)으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체3-e(2.4g, 99%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.08(t, J=8.0Hz, 2H), 8.03-7.96(m, 4H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (1.58 g, 24 mmol) was added to anhydrous DMF (40 mL), and NaH (960 mg, 24 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C., 10 min at 0 ° C. After stirring for 20 min at room temperature, 3-d (3.0 g, 4 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (462 mg, 0.4 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. and reacted for 24-36 h. After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Washing with dichloromethane gives 2.8 g of a yellow solid. Then, it is washed twice successively with solvent (DCM, 200 mL) and filtered to give a yellow solid 3-e (2.4 g, 99% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.08 (t, J =8.0 Hz, 2H), 8.03-7.96 (m, 4H).

단계(5): 화합물42의 합성Step (5): Synthesis of compound 42

질소 분위기에서, 3-e(2.4g, 4mmol)를 500mL의 1 구 플라스크에 넣고, DCM(200mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시키며, PIFA(3.44g, 8mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 얻어진 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 흑색 고체 화합물42(2.0g, 82%의 수율)을 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ =8.23-8.16(m, 6H).In a nitrogen atmosphere, 3-e (2.4 g, 4 mmol) was placed in a 500 mL 1-neck flask, DCM (200 mL) was added, and the temperature was lowered to 0 ° C., PIFA (3.44 g, 8 mmol) was added in several portions and added at room temperature. After stirring for 3 days, the solution becomes purple-black. Next, put the obtained solution in a 1L 1-neck flask and rotary evaporation until the solution becomes 50mL left and right, n-hexane (450mL) is added thereto, stirred for 10min, and filtered to obtain a black solid. Each was washed twice with (DCM/PE=2:1, 200 mL) to obtain a black solid compound 42 (2.0 g, yield of 82%). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ =8.23-8.16 (m, 6H).

합성 실시예 7: 화합물72의 합성Synthesis Example 7: Synthesis of compound 72

단계(1): [중간물7-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 7-b ]

500mL의 2 구 플라스크에 테트라하이드로푸란(130mL) 및 탈이온수(130mL)를 첨가하고, 15min 동안 질소를 버블링한 후, 순차적으로 Pd(PPh₃)₄(1.73g, 1.5mmol), 7-a(13.0g, 50mmol), 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(14.2g, 55mmol) 및 플루오르화세슘(11.1g, 72mmol)을 첨가하며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료된 후, 디클로로메탄으로 ??칭하고 건조시켜며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체7-b(7.8g, 40%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 7.99(s, 2H), 7.96(s, 1H), 7.77(s, 1H), 7.72(s, 2H).Tetrahydrofuran (130 mL) and deionized water (130 mL) were added to a 500 mL two-necked flask, followed by bubbling nitrogen for 15 min, and then sequentially Pd(PPh ₃ ) ₄ (1.73 g, 1.5 mmol), 7-a (13.0 g, 50 mmol), 3,5-bis(trifluoromethyl)phenylboronic acid (14.2 g, 55 mmol) and cesium fluoride (11.1 g, 72 mmol) are added and stirred under nitrogen protection overnight. After completion of the reaction, quenched with dichloromethane, dried, and separated by silica gel column chromatography to obtain a white solid 7-b (7.8 g, yield of 40%). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 7.99(s, 2H), 7.96(s, 1H), 7.77(s, 1H), 7.72(s, 2H).

단계(2): [중간물7-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 7-c ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(70mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(113mg, 0.5mmol) 및 SPhos(431mg, 1.05mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 7-b(7.8g, 20mmol), B₂pin₂(7.1g, 28mmol) 및 KOAc(3.92g, 40mmol)를 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체7-c(8.2g, 85%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, CDCl₃)δ = 8.16(d, J = 8Hz, 2H), 8.04(s, 2H), 7.90(d, J = 6.8Hz, 2H).Dioxane (70 mL) was added to a 250 mL two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) ₂ (113 mg, 0.5 mmol) and SPhos (431 mg, 1.05 mmol) were added while stirring, and continued for 10 min. After stirring for a while, 7-b (7.8 g, 20 mmol), B ₂ pin ₂ (7.1 g, 28 mmol) and KOAc (3.92 g, 40 mmol) are sequentially added. The temperature was raised to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is cooled, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain a white solid 7-c (8.2 g, yield of 85%). ¹ HNMR (400 MHz, CDCl ₃ ) δ = 8.16 (d, J = 8 Hz, 2H), 8.04 (s, 2H), 7.90 (d, J = 6.8 Hz, 2H).

단계(3): [중간물7-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 7-d ]

2L의 2 구 플라스크에 테트라하이드로푸란(1L)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(141mg, 0.625mmol) 및 XPhos(646mg, 1.38mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.0g, 12.5mmol), 7-c(22.2g, 46mmol) 및 플루오르화세슘(10.5g, 68.8mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 테트라하이드로푸란으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체7-d(11.6g, 83%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 9.02(s, 2H), 8.89(s, 2H), 8.74(s, 2H), 8.57(s, 4H), 8.35(s, 2H), 8.18(s, 2H).Tetrahydrofuran (1L) was added to a 2-necked flask of 2L, nitrogen was bubbled for 15 min, and Pd(OAc) ₂ (141 mg, 0.625 mmol) and XPhos (646 mg, 1.38 mmol) were added while stirring, followed by After stirring for 10 min, 1-a (4.0 g, 12.5 mmol), 7-c (22.2 g, 46 mmol) and cesium fluoride (10.5 g, 68.8 mmol) are sequentially added. The temperature was raised to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. Upon completion of the reaction, the mixture was cooled, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with tetrahydrofuran, and separated by silica gel column chromatography to obtain a white solid 7-d (11.6 g, 83% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 9.02(s, 2H), 8.89(s, 2H), 8.74(s, 2H), 8.57(s, 4H), 8.35(s, 2H), 8.18(s) , 2H).

단계(4): [중간물7-e]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 7-e ]

질소 분위기에서, 7-d(6.02g, 6.9mmol)를 THF(250mL)에 첨가하고, -72℃까지 강온시키고 천천히 2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐마그네슘클로라이드리튬클로라이드 복합물(16.6mL, 16.6mmol, 1.0M 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -20℃까지 승온시키고 해당 온도에서 2h 동안 반응시킨다. 다음, -78℃까지 강온시키고, 요오드 순물질 (7.11g, 28mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체 생성물7-e(6.3g, 82%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 9.00(s, 2H), 8.70(s, 2H), 8.57(s, 4H), 8.42(s, 2H), 8.21(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 7-d (6.02 g, 6.9 mmol) was added to THF (250 mL), cooled to -72° C. and slowly 2,2,6,6-tetramethylpiperidinylmagnesium chloride lithium chloride complex (16.6 mL, 16.6 mmol, 1.0M solution) is dripped, and the temperature is maintained for 1 h, then slowly raised to -20°C and reacted at that temperature for 2 h. Then, the temperature was lowered to -78°C, a THF solution (20mL) of pure iodine material (7.11g, 28mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature and left overnight, and a small amount of a saturated aqueous ammonium chloride solution was added. After quenching, diatomaceous earth is directly added, the sample is stirred, and purified by silica gel column chromatography to obtain a white solid product 7-e (6.3 g, 82% yield). ¹ HNMR(400MHz, d ₆ -acetone)δ = 9.00(s, 2H), 8.70(s, 2H), 8.57(s, 4H), 8.42(s, 2H), 8.21(s, 2H).

단계(5): [중간물7-f]의 합성Step (5): Synthesis of [Intermediate 7-f ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(1.35g, 20.4mmol)을 무수 DMF(40mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(820mg, 20.4mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 7-e(3.82g, 3.4mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(393mg, 0.34mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하고 여과하여 오프화이트 고체 3.3g을 얻는다. 다음, 용매(DCM, 200mL)로 연속 두 번 세척하고 여과하여 오프화이트 고체7-f(3.2g, 95%의 수율)를 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.92(s, 4H), 8.41(s, 4H), 8.37(s, 4H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (1.35 g, 20.4 mmol) was added to anhydrous DMF (40 mL), and NaH (820 mg, 20.4 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C., 0 ° C. After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, 7-e (3.82 g, 3.4 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (393 mg, 0.34 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. and reacted for 24 to 36 h. make it After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of solid precipitates. Wash with dichloromethane and filter to give 3.3 g of an off-white solid. Then, it is washed twice successively with a solvent (DCM, 200 mL) and filtered to give an off-white solid 7-f (3.2 g, 95% yield). ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.92 (s, 4H), 8.41 (s, 4H), 8.37 (s, 4H).

단계(6): 화합물72의 합성Step (6): Synthesis of compound 72

질소 분위기에서, 7-f(3.2g, 3.2mmol)를 500mL의 1 구 플라스크에 넣고, DCM(200mL)을 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(2.92g, 6.8mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 5일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 얻어진 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고, 용액이 50mL 좌우 남을 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=1:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 흑색 고체 화합물72(2.8g, 88%의 수율)을 얻는다.¹HNMR(400MHz, d₆-acetone)δ = 8.56(s, 8H), 8.24(s, 4H).In a nitrogen atmosphere, 7-f (3.2 g, 3.2 mmol) was placed in a 500 mL 1-neck flask, DCM (200 mL) was added, and the temperature was lowered to 0 ° C. PIFA (2.92 g, 6.8 mmol) was divided into several portions. After addition and stirring at room temperature for 5 days, the solution becomes purple-black. Next, the obtained solution is put into a 1L 1-neck flask, and the solution is rotary evaporated until 50mL left and right, and n-hexane (450mL) is added thereto, stirred for 10min, and filtered to obtain a black solid. After washing twice with each (DCM/PE=1:1, 200mL), a black solid compound 72 (2.8g, 88% yield) was finally obtained. ¹ HNMR (400 MHz, d ₆ -acetone) δ = 8.56 (s, 8H), 8.24 (s, 4H).

합성 실시예 8: 화합물54의 합성Synthesis Example 8: Synthesis of compound 54

단계(1): [중간물8-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 8-b ]

500mL의 2 구 플라스크에 디옥산(300mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(423mg, 1.6mmol) 및 XPhos(1.53g, 3.2mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 12.9mmol), 보론산8-a(22.8g, 51.9mmol) 및 플루오르화세슘(11.0g, 80.0mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 백색 고체8-b(6.7g, 45%의 수율)를 얻는다.Dioxane (300 mL) was added to a 500 mL two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) ₂ (423 mg, 1.6 mmol) and XPhos (1.53 g, 3.2 mmol) were added while stirring, and continued After stirring for 10 min, 1-a (4.1 g, 12.9 mmol), boronic acid 8-a (22.8 g, 51.9 mmol) and cesium fluoride (11.0 g, 80.0 mmol) are sequentially added. The temperature was raised to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is cooled, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and white solid 8-b (6.7 g, 45% yield) is obtained by silica gel column chromatography.

단계(2): [중간물8-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 8-c ]

질소 분위기에서, 8-b(6.5g, 6.85mmol)를 THF(325mL)에 첨가하고, -78℃까지 강온시키고 천천히 LDA(9.7mL, 15.7mmol)를 드립하며, 해당 온도를 10 min 동안 유지시킨 다음, 천천히 -15℃까지 승온시키며 용액의 색은 홍흑색(reddish black)이다. 2h 이후, 요오드 순물질 (5.22g, 20.56mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1)를 이용하여 백색 고체 생성물8-c(5.1g, 62%의 수율)를 얻는다.In a nitrogen atmosphere, 8-b (6.5 g, 6.85 mmol) was added to THF (325 mL), cooled to -78 ° C, slowly dripped LDA (9.7 mL, 15.7 mmol), and the temperature was maintained for 10 min. Then, the temperature is slowly raised to -15°C, and the color of the solution is reddish black. After 2h, a THF solution (20mL) of pure iodine (5.22g, 20.56mmol) is added, and when the addition is complete, the temperature is slowly raised to room temperature and left overnight, quenched by adding a small amount of saturated aqueous ammonium chloride solution, Diatomaceous earth is directly added and the sample is stirred, and a white solid product 8-c (5.1 g, 62% yield) is obtained using silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1~2:1).

단계(3): [중간물8-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 8-d ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(2.06g, 31.2mmol)을 무수 DMF(100mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(1.22g, 30.3mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하며, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반하며 용액이 담황색이 된 다음, 8-c(5.0g, 4.16mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(0.89g, 0.77mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 리슬러리(reslurry)하여 황색 고체를 얻은 후, 톨루엔을 사용하여 90℃에서 1.5h 동안 끓이고, 여과하여 황색 고체8-d(4.3g, 95%의 수율)를 얻는다.In a nitrogen atmosphere, malononitrile (2.06 g, 31.2 mmol) was added to anhydrous DMF (100 mL), and NaH (1.22 g, 30.3 mmol) was added in several portions at 0 ° C., and stirred at 0 ° C. for 10 min. and stirred at room temperature for 20 min, the solution became pale yellow, and then 8-c (5.0 g, 4.16 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (0.89 g, 0.77 mmol) were added, and the temperature was raised to 90° C. and reacted for 24 h. make it After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 with 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Reslurry with dichloromethane to obtain a yellow solid, then boil it using toluene at 90° C. for 1.5 h, and filter to obtain a yellow solid 8-d (4.3 g, 95% yield).

단계(4): 화합물54의 합성Step (4): Synthesis of compound 54

질소 분위기에서, 8-d(4.3g, 3.97mmol)를 2 구 플라스크에 넣고, DCM(430mL, 0.01M)을 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(1.79g, 4.17mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 1일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고, 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 회전건조시키며, 이에 n-헥산(250mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하며, 이어서, 각각 (DCM/PE=1:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 자흑색 고체 화합물54(3.0g, 70%의 수율)을 얻는다. 생성물은 분자량이 1074인 목표 생성물인 것으로 확인된다.In a nitrogen atmosphere, 8-d (4.3 g, 3.97 mmol) was placed in a two-neck flask, DCM (430 mL, 0.01 M) was added, and the temperature was lowered to 0 ° C., and PIFA (1.79 g, 4.17 mmol) was added several times. Add portionwise and stir at room temperature for 1 day, the solution becomes purple-black. Next, the solution was put into a 1L 1-neck flask, and the solution was spin-dried until it became 50mL left and right, n-hexane (250mL) was added thereto, stirred for 10min, filtered, and then each (DCM/PE= 1:1, 200 mL) to give compound 54 (3.0 g, 70% yield) as a purple-black solid. The product is identified as the target product with a molecular weight of 1074.

합성 실시예 9: 화합물1367의 합성Synthesis Example 9: Synthesis of compound 1367

단계(1): [중간물9-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 9-a ]

1L의 2 구 플라스크에 디옥산(450mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(1.27g, 5.66mmol) 및 XPhos(5.62g, 11.8mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(15.0g, 47.18mmol), 비페닐-2-보론산(2-phenylphenylboronic acid)(39.2g, 198.1mmol) 및 플루오르화세슘(33.25g, 240.6mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 백색 고체9-a(5.0g, 23%의 수율)를 얻는다.Add dioxane (450 mL) to a 1 L two-necked flask and bubbling nitrogen for 15 min, add Pd(OAc) ₂ (1.27 g, 5.66 mmol) and XPhos (5.62 g, 11.8 mmol) with stirring, continue and stirred for 10 min, then sequentially 1-a (15.0 g, 47.18 mmol), biphenyl-2-boronic acid (39.2 g, 198.1 mmol) and cesium fluoride (33.25 g, 240.6 mmol) ) is added. The temperature was raised to 110° C., refluxed, and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and white solid 9-a (5.0 g, 23% yield) is obtained by silica gel column chromatography.

단계(2): [중간물9-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 9-b ]

질소 분위기에서, 9-a(4.92g, 10.59mmol)를 THF(120mL)에 첨가하고, -78℃까지 강온시키고 천천히 LDA(15.0mL, 24.36mmol, 1.6M 용액)를 드립하며, 해당 온도를 10min 동안 유지시킨 다음, 천천히 -15℃까지 승온시키고 반응시킨다. 2h 이후, 요오드 순물질 (8.07g, 31.77mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1)를 이용하여 백색 고체 생성물9-b(6.2g, 81%의 수율)를 얻는다.In a nitrogen atmosphere, 9-a (4.92 g, 10.59 mmol) was added to THF (120 mL), cooled to -78 ° C and slowly dripped LDA (15.0 mL, 24.36 mmol, 1.6 M solution), and the temperature was increased for 10 min. After holding for a while, the temperature was slowly raised to -15°C and reacted. After 2 h, a THF solution (20 mL) of pure iodine material (8.07 g, 31.77 mmol) is added, and when the addition is complete, the temperature is slowly raised to room temperature and left overnight, followed by quenching by adding a small amount of saturated aqueous ammonium chloride solution, Diatomaceous earth is directly added, the sample is stirred, and a white solid product 9-b (6.2 g, 81% yield) is obtained using silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1~2:1).

단계(3): [중간물9-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 9-c ]

질소 분위기에서, 말로노나이트릴(4.28g, 64.9mmol)을 무수 DMF(86mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(2.52g, 63.1mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하며, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반하며 용액이 담황색(불그스름 (reddish))이 된 다음, 9-b(6.2g, 8.65mmol) 및 Pd(PPh₄)₃(1.84g, 1.6mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1으로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 리슬러리(reslurry)하여 황색 고체를 얻은 후, 톨루엔을 사용하여 90℃에서 1.5h 동안 세척히고, 여과하여 황색 고체9-c(4.81g, 93%의 수율)를 얻는다.In a nitrogen atmosphere, malononitrile (4.28 g, 64.9 mmol) was added to anhydrous DMF (86 mL), and NaH (2.52 g, 63.1 mmol) was added in portions at 0 ° C., and stirred at 0 ° C. for 10 min. and stirring at room temperature for 20 min, the solution became pale yellow (reddish), then 9-b (6.2 g, 8.65 mmol) and Pd(PPh ₄ ) ₃ (1.84 g, 1.6 mmol) were added, and 90° C. The temperature was raised to , and the reaction was carried out for 24 h. After complete conversion, pour into ice water, adjust pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, stir sufficiently, and collect a solid by filtration when a large amount of yellow solid precipitates. Reslurry with dichloromethane to obtain a yellow solid, followed by washing with toluene at 90° C. for 1.5 h, and filtration to obtain a yellow solid 9-c (4.81 g, 93% yield).

단계(4): 화합물1367의 합성Step (4): Synthesis of compound 1367

질소 분위기에서, 9-c(4.81g, 8.12mmol)를 2 구 플라스크에 넣고, 각각 DCM(480mL)을 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(3.67g, 8.53mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 1일 동안 교반한다. 다음, 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고, 용액이 50mL 좌우 남을 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(400mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 자흑색 고체를 얻으며, 이어서, 각각 (DCM/PE=1:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 자흑색 고체 화합물1367(4.1g, 85%의 수율)을 얻는다. 생성물은 분자량이 590인 목표 생성물인 것으로 확인된다.In a nitrogen atmosphere, 9-c (4.81 g, 8.12 mmol) was placed in a two-neck flask, DCM (480 mL) was added to each, and the temperature was lowered to 0 ° C., and PIFA (3.67 g, 8.53 mmol) was added in several portions. and stirred at room temperature for 1 day. Next, the solution is put into a 1L one-necked flask, and the solution is rotary evaporated until 50mL left and right, to which n-hexane (400mL) is added, stirred for 10min, filtered to obtain a purple-black solid, and then each (DCM /PE=1:1, 200mL) to give a purple-black solid compound 1367 (4.1g, 85% yield). The product is identified as the target product with a molecular weight of 590.

합성 실시예 10: 화합물43의 합성Synthesis Example 10: Synthesis of compound 43

단계(1): [중간물10-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 10-b ]

250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(160mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)₂(0.282g, 1.26mmol) 및 XPhos(1.2g, 2.52mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(8.0g, 25.16mmol), 10-a(24.46g, 75.48mmol) 및 수산화나트륨(3.52g, 88.04mmol)을 첨가한다. 80℃까지 승온시켜 반응시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 백색 고체10-b(13g, 93.6%의 수율)를 얻는다.Dioxane (160 mL) was added to a 250 mL two-necked flask, followed by bubbling nitrogen for 15 min, Pd(OAc) ₂ (0.282 g, 1.26 mmol) and XPhos (1.2 g, 2.52 mmol) were added while stirring, and continued After stirring for 10 min, 1-a (8.0 g, 25.16 mmol), 10-a (24.46 g, 75.48 mmol) and sodium hydroxide (3.52 g, 88.04 mmol) are sequentially added. The reaction was heated to 80° C. and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is reduced, filtered through diatomaceous earth, washed thoroughly with dichloromethane, and silica gel column chromatography is used to obtain a white solid 10-b (13 g, 93.6% yield).

단계(2): [중간물10-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 10-c ]

건조된 500mL의 Schlenk 플라스크에, 질소 분위기에서 10-b(12g, 21.7mmol) 및 THF(240mL)를 첨가하고 -30℃까지 강온시키며, 천천히 TMPMgClLiCl(54mL, 54mmol, 1.0M 용액)를 첨가하고 -30℃에서 2h 동안 반응시키고 샘플링하며, HPLC로 모니터링하여 완전히 리튬화한 다음, -30℃에서 요오드 순물질 (16.55g, 65.1mmol)의 THF 용액(50mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1~1:1)로 정제하며 PE:DCM=10:1을 이용하여 리슬러리(reslurry)하여 백색 고체10-c(12g, 69%의 수율)를 얻는다.In a dried 500mL Schlenk flask, 10-b (12g, 21.7mmol) and THF (240mL) were added under nitrogen atmosphere, cooled to -30°C, slowly TMPMgClLiCl (54mL, 54mmol, 1.0M solution) was added - Reacted for 2 h at 30°C, sampled, monitored by HPLC for complete lithiation, then added a THF solution (50mL) of pure iodine (16.55g, 65.1mmol) at -30°C, and when the addition is complete, slowly room temperature The temperature was raised to , and left overnight, quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, then directly added diatomaceous earth and stirred the sample, followed by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1~2:1~1: Purified as 1) and reslurry using PE:DCM=10:1 to obtain a white solid 10-c (12 g, 69% yield).

단계(3): [중간물10-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 10-d ]

건조된 1L의 3 구 플라스크에, 질소 분위기에서 NaH(2.98g, 74.4mmol) 및 초건조 DMF(80mL)를 첨가하고, 0℃에서 말로노나이트릴(4.95g, 75mmol)을 첨가한다. 실온에서 0.5h 동안 반응시키고 10-c(10g, 12.4mmol) 및 Pd(PPh₃)₄(0.718g, 0.62mmol)를 첨가하며, 80℃까지 가열하고 18h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 0℃에서 100mL의 2N HCL를 드립하고 여과하여 조생성물을 얻는다. 아세톤으로 공비하여 물을 제거하고 아세톤으로 맑게 용해시키며, 불용물을 여과하고 여과액을 회전건조시키고 결정화시켜 백색(약간 황색을 띰(slightly yellowish)) 고체10-d(8.5g, 91%의 수율)를 얻는다.In a dried 1L 3-neck flask, NaH (2.98 g, 74.4 mmol) and ultra-dry DMF (80 mL) were added in a nitrogen atmosphere, and malononitrile (4.95 g, 75 mmol) was added at 0°C. After reacting at room temperature for 0.5 h, 10-c (10 g, 12.4 mmol) and Pd(PPh ₃ ) ₄ (0.718 g, 0.62 mmol) are added, heated to 80° C. and reacted for 18 h. After the reaction is completed, 100 mL of 2N HCL is dripped at 0° C. and filtered to obtain a crude product. Remove water by azeotroping with acetone, dissolve clearly with acetone, filter insoluble matter, spin-dry the filtrate, and crystallize white (slightly yellowish) solid 10-d (8.5 g, yield of 91%) ) to get

단계(4): 화합물43의 합성Step (4): Synthesis of compound 43

2L의 3 구 플라스크에, 질소 분위기에서 10-d(8.5g, 12.5mmol) 및 DCM(750ml)을 첨가한 다음, 0℃에서 PIFA(5.91g, 13.75mmol) 용액을 드립하고 20h 동안 반응시킨다. 다음, 용액을 2L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 100mL 좌우 남을 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(500mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 자흑색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하며, 최종적으로 자흑색 고체 화합물43(7.5g, 88%의 수율)을 얻는다. 생성물은 분자량이 678인 목표 생성물인 것으로 확인된다.In a 2L 3-neck flask, 10-d (8.5 g, 12.5 mmol) and DCM (750 ml) were added in a nitrogen atmosphere, and then a PIFA (5.91 g, 13.75 mmol) solution was dripped at 0° C. and reacted for 20 h. Next, put the solution in a 2L 1-neck flask and rotary evaporation until 100mL of the solution remains left and right, n-hexane (500mL) is added thereto, stirred for 10min, and filtered to obtain a purple-black solid. Each was washed twice using (DCM/PE=2:1, 200 mL), and finally, a purple-black solid compound 43 (7.5 g, 88% yield) was obtained. The product is identified as the target product with a molecular weight of 678.

해당 분야 당업자는 상기 제조 방법은 단지 하나의 예시적인 예일 뿐이고, 해당 분야 당업자는 이를 개진함으로써 본 발명의 다른 화합물 구조를 얻을 수 있음을 알아야 한다.Those skilled in the art should understand that the above preparation method is only one illustrative example, and those skilled in the art can obtain other compound structures of the present invention by practicing it.

소자 실시예 1Device Example 1

소자 실시예 1.1:Device Example 1.1:

80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10^-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 본 발명의 화합물56을 유리기판의 표면에 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 120nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물BH와 화합물BD(중량비 96:4)를 공동 증착시켜, 25nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET1(중량비 60:40)을 공동 증착시켜, 30nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Before deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a rate of 0.2 to 2 Å/s at a vacuum degree of about 10 ^-8 torr. First, the compound 56 of the present invention is deposited on the surface of a glass substrate to form a film having a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Next, the compound HT1 is vapor-deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 120 nm to form a hole transport layer (HTL). Next, the compound EB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form an electron blocking layer (EBL). Then, compound BH and compound BD (weight ratio 96:4) are co-deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 25 nm to form a light emitting layer (EML). Next, the compound HB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form a hole blocking layer (HBL). Then, 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET1 (weight ratio 60:40) are co-deposited on the obtained film to form a 30 nm thick film, which is used as an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a 1 nm thick film to form an electron injection layer (EIL), and 120 nm thick aluminum is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a desiccant to complete the device.

소자 실시예 1.2:Device Example 1.2:

소자 실시예 1.2는, HIL로서 화합물56 대신 화합물68을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.2 was prepared in the same manner as Device Example 1.1, except that Compound 68 was used instead of Compound 56 as the HIL.

소자 실시예 1.3:Device Example 1.3:

소자 실시예 1.3은, HIL로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.3 was prepared in the same manner as Device Example 1.1, except for using Compound 70 instead of Compound 56 as the HIL.

소자 실시예 1.4:Device Example 1.4:

소자 실시예 1.4는, 화합물70을 사용하여 5nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.4 was prepared in the same manner as Device Example 1.3, except that the compound 70 was used to form a 5 nm thick film to be the HIL.

소자 실시예 1.5:Device Example 1.5:

소자 실시예 1.5는, 화합물70을 사용하여 2nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.5 was prepared in the same manner as Device Example 1.3, except that compound 70 was used to form a 2 nm-thick film to be HIL.

소자 실시예 1.6:Device Example 1.6:

소자 실시예 1.6은, HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.6 was prepared in the same manner as Device Example 1.3, except that compound HT2 was used instead of compound HT1 as the HTL.

소자 실시예 1.7:Device Example 1.7:

소자 실시예 1.7은, 화합물70을 사용하여 2nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.6과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.7 was prepared in the same manner as Device Example 1.6, except that compound 70 was used to form a 2 nm thick film to be HIL.

소자 실시예 1.8:Device Example 1.8:

소자 실시예 1.8은, 화합물70을 사용하여 1nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.6과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.8 was prepared in the same manner as Device Example 1.6, except that compound 70 was used to form a 1 nm-thick film to be a HIL.

소자 비교예 1.1:Device Comparative Example 1.1:

소자 비교예 1.1은, HIL로서 화합물56 대신 비교 화합물HI1을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Comparative Example 1.1 was prepared in the same manner as Device Example 1.1, except that Comparative Compound HI1 was used instead of Compound 56 as the HIL.

소자 비교예 1.2:Device Comparative Example 1.2:

소자 비교예 1.2는, 화합물70을 사용하지 않으며 정공 주입층이 없는 것 외에는, 소자 실시예 1.6과 동일한 방식으로 제조된다.Device Comparative Example 1.2 was prepared in the same manner as Device Example 1.6, except that compound 70 was not used and there was no hole injection layer.

상세한 소자 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.The detailed device layer structure and thickness are as shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein.

소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL EBLEBL EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예1.1Example 1.1 화합물56 (10nm)Compound 56 (10 nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.2Example 1.2 화합물68 (10nm)Compound 68 (10nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1(5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.3Example 1.3 화합물70 (10nm)Compound 70 (10nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.4Example 1.4 화합물70 (5nm)Compound 70 (5nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.5Example 1.5 화합물70 (2nm)Compound 70 (2nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.6Example 1.6 화합물70 (10nm)Compound 70 (10nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.7Example 1.7 화합물70 (2nm)Compound 70 (2nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예1.8Example 1.8 화합물70 (1nm)Compound 70 (1 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 비교예1.1Comparative Example 1.1 화합물HI1 (10nm)Compound HI1 (10 nm) 화합물
HT1
(120nm)compound
HT1
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm) 비교예1.2Comparative Example 1.2 없음doesn't exist 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1 (5nm)compound
EB1 (5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm) 화합물
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30nm)

표 1 소자 실시예 및 비교예의 소자 구조Table 1 Device Structures of Device Examples and Comparative Examples

소자에 사용되는 재료 구조는 아래와 같다:The material structure used for the device is as follows:

상기 소자는 10mA/cm²에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 2에 기록 및 표시된다.IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm ² , and the voltage (V), power efficiency (PE) and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 2, respectively.

소자번호minor number VoltageVoltage
(V)(V) PEPE
(lm/W)(lm/W) LT95 (h)LT95 (h) 실시예1.1Example 1.1 4.224.22 4.644.64 183183 실시예1.2Example 1.2 4.564.56 4.874.87 12041204 실시예1.3Example 1.3 4.184.18 4.704.70 292292 실시예1.4Example 1.4 4.084.08 4.974.97 601601 실시예1.5Example 1.5 4.074.07 5.255.25 643643 실시예1.6Example 1.6 4.124.12 4.494.49 15721572 실시예1.7Example 1.7 4.114.11 5.155.15 16151615 실시예1.8Example 1.8 4.124.12 5.255.25 15961596 비교예1.1Comparative Example 1.1 4.724.72 4.224.22 3030 비교예1.2Comparative Example 1.2 8.348.34 4.024.02 9393

표 2 소자 데이터Table 2 Device Data

토론 1:Discussion 1:

상기 표로부터 알 수 있는바, 본 발명의 8 개의 바람직한 실시예 및 비교예에서 정공 주입층으로서 단독적인 재료를 사용하는 경우, 전압, 전력 효율 및 수명 측면에서, 바람직한 실시예는 모두 비교예보다 우수하다. 전압 측면에서는 약 0.5V 좌우 낮출 수 있고 전력 효율은 모두 향상되었으며 수명 측면에서는 배로 향상되었다. 즉, 정공 주입층의 두께가 5nm 및 2nm로 감소, 심지어 1nm로 감소되어도, 전압, 효율 및 수명은 모두 매우 우수하다. 특히, 정공 주입층이 없는 경우, 소자의 전압은 8.34V에 도달하고 전력 효율 및 수명은 모두 정공 주입층이 구비된 소자보다 못하다. 이로부터 알 수 있는바, 정공 주입층으로서 단독으로 사용되는 경우, 본 발명의 화합물은 비교 화화합물에 비해 더 바람직한 선택이며, 이에 의한 개선은 완전히 예상치 못한 것이다.As can be seen from the above table, when a single material is used as a hole injection layer in eight preferred examples and comparative examples of the present invention, in terms of voltage, power efficiency and lifespan, all preferred examples are superior to those of the comparative examples. do. In terms of voltage, it can be lowered by about 0.5V left and right, and power efficiency is improved, and in terms of lifespan, it is doubled. That is, even when the thickness of the hole injection layer is reduced to 5 nm and 2 nm, even to 1 nm, the voltage, efficiency and lifetime are all very good. In particular, when there is no hole injection layer, the voltage of the device reaches 8.34V, and both power efficiency and lifespan are inferior to those of the device with the hole injection layer. As can be seen from this, when used alone as a hole injection layer, the compound of the present invention is a more preferable choice compared to the comparative compound, and the improvement by this is completely unexpected.

소자 실시예 2Device Example 2

소자 실시예 2.1:Device Example 2.1:

80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10^-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 본 발명의 화합물56(도판트) 및 화합물HT1(중량비 3:97)을 유리기판의 표면 상에 공동 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 120nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물BH와 화합물BD(중량비 96:4)를 공동 증착시켜, 25nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET1(중량비 60:40)을 공동 증착시켜, 30nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Before deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a rate of 0.2 to 2 Å/s at a vacuum degree of about 10 ^-8 torr. First, compound 56 (dopant) and compound HT1 (weight ratio 3:97) of the present invention are co-deposited on the surface of a glass substrate to form a film with a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Next, the compound HT1 is vapor-deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 120 nm to form a hole transport layer (HTL). Next, the compound EB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form an electron blocking layer (EBL). Then, compound BH and compound BD (weight ratio 96:4) are co-deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 25 nm to form a light emitting layer (EML). Next, the compound HB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form a hole blocking layer (HBL). Then, 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET1 (weight ratio 60:40) are co-deposited on the obtained film to form a 30 nm thick film, which is used as an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a 1 nm thick film to form an electron injection layer (EIL), and 120 nm thick aluminum is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a desiccant to complete the device.

소자 실시예 2.2:Device Example 2.2:

소자 실시예 2.2는, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물68을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.2 was prepared in the same manner as Device Example 2.1, except that in the HIL, Compound 68 was used instead of Compound 56 as the dopant.

소자 실시예 2.3:Device Example 2.3:

소자 실시예 2.3은, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.3 was prepared in the same manner as Device Example 2.1, except that in the HIL, Compound 70 was used instead of Compound 56 as a dopant.

소자 실시예 2.4:Device Example 2.4:

소자 실시예 2.4는, HIL로서, 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하여 화합물56과 공동 증착시킨 것(중량비 97:3); 및 HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.4 was co-deposited with compound 56 using compound HT2 instead of compound HT1 as HIL (weight ratio 97:3); and using the compound HT2 instead of the compound HT1 as the HTL, it was prepared in the same manner as in Device Example 2.1.

소자 실시예 2.5:Device Example 2.5:

소자 실시예 2.5는, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물68을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.4와 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.5 was prepared in the same manner as Device Example 2.4, except that in the HIL, Compound 68 was used instead of Compound 56 as the dopant.

소자 실시예 2.6:Device Example 2.6:

소자 실시예 2.6은, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물69를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.4와 동일한 방식으로 제조된다..Device Example 2.6 was prepared in the same manner as Device Example 2.4, except that in the HIL, Compound 69 was used instead of Compound 56 as the dopant.

소자 실시예 2.7:Device Example 2.7:

소자 실시예 2.7은, HIL로서, 화합물HT2와 화합물42를 공동 증착시킨 것(중량비 98:2)을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.4와 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.7 was prepared in the same manner as Device Example 2.4, except that a co-deposited compound HT2 and compound 42 (weight ratio 98:2) was used as the HIL.

소자 실시예 2.8:Device Example 2.8:

소자 실시예 2.8은, 도판트로서 화합물42 대신 화합물72를 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.8 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except for using Compound 72 instead of Compound 42 as the dopant.

소자 실시예 2.9:Device Example 2.9:

소자 실시예 2.9는, 도판트로서 화합물42 대신 화합물54를 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.9 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except for using Compound 54 instead of Compound 42 as the dopant.

소자 실시예 2.10:Device Example 2.10:

소자 실시예 2.10은, 도판트로서 화합물42 대신 화합물1367을 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.10 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except for using Compound 1367 instead of Compound 42 as the dopant.

소자 실시예 2.11:Device Example 2.11:

소자 실시예 2.11은, 도판트로서 화합물42 대신 화합물43을 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.11 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except for using Compound 43 instead of Compound 42 as the dopant.

소자 비교예 2:Device Comparative Example 2:

소자 비교예 2는, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물HI1을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Comparative Example 2 was prepared in the same manner as Device Example 2.1, except that compound HI1 was used instead of compound 56 as a dopant in HIL.

소자에 사용되는 화합물의 구체적인 구조는 소자 실시예 1에 나타난 바와 같다.The specific structure of the compound used in the device is as shown in Device Example 1.

소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL EBLEBL EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예2.1Example 2.1 화합물56:화합물HT1(3:97, 10nm)Compound 56: Compound HT1 (3:97, 10 nm) 화합물
HT1
(120nm)compound
HT1
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq
(40:60, 30nm)Compound ET1:Liq
(40:60, 30nm) 실시예2.2Example 2.2 화합물68:화합물HT1(3:97, 10nm)Compound 68: Compound HT1 (3:97, 10 nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96:4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.3Example 2.3 화합물70:화합물HT1(3:97, 10nm)Compound 70: Compound HT1 (3:97, 10 nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.4Example 2.4 화합물56:화합물HT2(3:97, 10nm)Compound 56: Compound HT2 (3:97, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.5Example 2.5 화합물68:화합물HT2(3:97, 10nm)Compound 68: Compound HT2 (3:97, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.6Example 2.6 화합물69:화합물HT2(3:97, 10nm)Compound 69: Compound HT2 (3:97, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.7Example 2.7 화합물42:화합물HT2(2:98, 10nm)Compound 42: Compound HT2 (2:98, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.8Example 2.8 화합물72:화합물HT2(2:98, 10nm)Compound 72: Compound HT2 (2:98, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.9Example 2.9 화합물54:화합물HT2(2:98, 10nm)Compound 54: Compound HT2 (2:98, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.10Example 2.10 화합물1367:화합물HT2(2:98, 10nm)Compound 1367: Compound HT2 (2:98, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 실시예2.11Example 2.11 화합물43:화합물HT2(2:98, 10nm)Compound 43: Compound HT2 (2:98, 10 nm) 화합물HT2
(120nm)compound HT2
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm) 비교예2Comparative Example 2 화합물HI1:화합물HT1(3:97, 10nm)Compound HI1: Compound HT1 (3:97, 10 nm) 화합물HT1
(120nm)compound HT1
(120nm) 화합물
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm) 화합물BH:화합물BD(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD (96: 4, 25 nm) 화합물
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm) 화합물ET1:Liq (40:60, 30nm)Compound ET1:Liq (40:60, 30nm)

표 3 소자 실시예 및 비교예의 소자 구조Table 3 Device Structures of Device Examples and Comparative Examples

소자에 사용된 새로운 화합물의 구체적인 구조는 아래와 같다:The specific structure of the new compound used in the device is as follows:

상기 소자는 10mA/cm²에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 4에 기록 및 표시된다.IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm ² , and the voltage (V), power efficiency (PE) and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 4, respectively.

소자번호minor number VoltageVoltage
(V)(V) PEPE
(lm/W)(lm/W) LT95 (h)LT95 (h) 실시예2.1Example 2.1 4.184.18 5.555.55 9494 실시예2.2Example 2.2 4.174.17 5.655.65 980980 실시예2.3Example 2.3 4.034.03 5.645.64 250250 실시예2.4Example 2.4 4.094.09 5.495.49 328328 실시예2.5Example 2.5 4.114.11 5.605.60 18201820 실시예2.6Example 2.6 4.004.00 5.455.45 617617 실시예2.7Example 2.7 4.014.01 5.555.55 967967 실시예2.8Example 2.8 3.973.97 5.615.61 12481248 실시예2.9Example 2.9 3.993.99 5.625.62 15601560 실시예2.10Example 2.10 4.074.07 5.375.37 17591759 실시예2.11Example 2.11 3.973.97 5.455.45 779779 비교예2Comparative Example 2 8.578.57 2.742.74 66

표 4 소자 데이터Table 4 Device Data

토론 2:Discussion 2:

상기 표로부터 알 수 있는바, 본 발명의 11 개의 바람직한 실시예 및 비교예는, HT1 또는 HT2에서의 도판트가 정공 주입층으로 사용되는 경우, 두 가지 재료의 소자에서의 성능 차이는 매우 크다. 먼저, 전압 측면에서, 비교예의 전압은 8.57V에 달하지만, 바람직한 실시예의 전압은 단지 4.18V 좌우로서 절반 감소하였다. 실시예의 전력 효율도 비교예의 2 배 또는 그 이상이다. 특히, 수명 측면에서, 바람직한 실시예는 비교예의 수십 배로서, 전혀 같은 자릿수(order of magnitude)가 아니다. 따라서, 도판트로서 사용하는 경우, 본 발명에 개시된 화합물은 비교 화합물보다 훨씬 우수한 일종의 정공 주입재료이며, 본 발명의 화합물은 소자 성능에 대해, 특히 전압의 감소 및 수명의 향상 측면에 가져다준 개선은 완전히 예상치 못한 것이며, 압도적인 우세를 가진다.As can be seen from the above table, in the 11 preferred examples and comparative examples of the present invention, when the dopant in HT1 or HT2 is used as the hole injection layer, the performance difference in the device of the two materials is very large. First, in terms of voltage, the voltage of the comparative example reached 8.57V, but the voltage of the preferred embodiment was reduced by half as only 4.18V left and right. The power efficiency of the example is also twice or higher than that of the comparative example. In particular, in terms of lifespan, the preferred embodiment is several tens of times that of the comparative example, and not at the same order of magnitude. Therefore, when used as a dopant, the compound disclosed in the present invention is a type of hole injection material that is much superior to that of the comparative compound, and the compound of the present invention has improved device performance, particularly in terms of reduction of voltage and improvement of lifespan. It is completely unexpected, and has an overwhelming dominance.

소자 실시예 3Device Example 3

소자 실시예 3.1:Device Example 3.1:

80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10^-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 화합물56을 유리기판의 표면에 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 35nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB2, 화합물HB2와 화합물GD(중량비 46:46:8)를 공동 증착시켜, 40nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET2(중량비 60:40)를 공동 증착시켜, 35nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Before deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a rate of 0.2 to 2 Å/s at a vacuum degree of about 10 ^-8 torr. First, compound 56 is deposited on the surface of a glass substrate to form a film with a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Next, the compound HT1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 35 nm to form a hole transport layer (HTL). Next, the compound EB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form an electron blocking layer (EBL). Then, compound EB2 , compound HB2 , and compound GD (weight ratio 46:46:8) are co-deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 40 nm to form a light emitting layer (EML). Next, the compound HB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form a hole blocking layer (HBL). 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET2 (weight ratio: 60:40) were co-deposited on the obtained film to form a film with a thickness of 35 nm to form an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a 1 nm thick film to form an electron injection layer (EIL), and 120 nm thick aluminum is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a desiccant to complete the device.

소자 실시예 3.2:Device Example 3.2:

소자 실시예 3.2는, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물56 대신 화합물56(도판트)과 화합물HT1(중량비 3:97)을 공동 증착시킨 것을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 3.2 was prepared in the same manner as Device Example 3.1, except that, as a hole injection layer (HIL), compound 56 (dopant) and compound HT1 (weight ratio 3:97) were co-deposited instead of compound 56. do.

소자 실시예 3.3:Device Example 3.3:

소자 실시예 3.3은, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것; 및 HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 3.3 uses compound 70 instead of compound 56 as a hole injection layer (HIL); and using the compound HT2 instead of the compound HT1 as the HTL, it was prepared in the same manner as in Device Example 3.1.

소자 실시예 3.4:Device Example 3.4:

소자 실시예 3.4는, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물70 대신 화합물70(도판트)과 화합물HT2(중량비 3:97)를 공동 증착시킨 것을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 3.4 was prepared in the same manner as Device Example 3.3, except that, as a hole injection layer (HIL), compound 70 (dopant) and compound HT2 (weight ratio 3:97) were co-deposited instead of compound 70. do.

소자에 사용되는 새로운 화합물의 구체적인 구조는 아래에 나타난 바와 같다:The specific structure of the new compound used in the device is shown below:

소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL EBLEBL EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예3.1Example 3.1 화합물56(10nm)Compound 56 (10 nm) 화합물
HT1
(35nm)compound
HT1
(35nm) 화합물
EB2
(5nm)compound
EB2
(5nm) 화합물EB2:화합물HB2:화합물GD
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40nm) 화합물
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm) 화합물Liq:ET2(60:40
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm) 실시예3.2Example 3.2 화합물56:화합물HT1(3:97, 10nm)Compound 56: Compound HT1 (3:97, 10 nm) 화합물HT1
(35nm)compound HT1
(35nm) 화합물
EB2
(5nm)compound
EB2
(5nm) 화합물EB2:화합물HB2:화합물GD
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40nm) 화합물
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm) 화합물Liq:ET2(60:40
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm) 실시예3.3Example 3.3 화합물70(10nm)Compound 70 (10 nm) 화합물
HT2
(35nm)compound
HT2
(35nm) 화합물
EB2
(5nm)compound
EB2
(5nm) 화합물EB2:화합물HB2:화합물GD
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40nm) 화합물
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm) 화합물Liq:ET2(60:40
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm) 실시예3.4Example 3.4 화합물70:화합물HT2(3:97, 10nm)Compound 70: Compound HT2 (3:97, 10 nm) 화합물HT2
(35nm)compound HT2
(35nm) 화합물
EB2
(5nm)compound
EB2
(5nm) 화합물EB2:화합물HB2:화합물GD
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40nm) 화합물
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm) 화합물Liq:ET2(60:40
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm)

표 5 소자 실시예의 소자 구조Table 5 Device Structures of Device Examples

상기 소자는 10mA/cm²에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 6에 기록 및 표시된다.IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm ² , and the voltage (V), power efficiency (PE) and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 6, respectively.

소자번호minor number VoltageVoltage
(V)(V) PEPE
(lm/W)(lm/W) LT95 (h)LT95 (h) 실시예3.1Example 3.1 3.563.56 71.1571.15 12451245 실시예3.2Example 3.2 3.513.51 76.7776.77 859859 실시예3.3Example 3.3 3.533.53 72.2972.29 13431343 실시예3.4Example 3.4 3.513.51 77.0577.05 10971097

표 6 소자 데이터Table 6 Device Data

토론 3:Discussion 3:

녹색 광 소자로부터 알 수 있는바, 정공 주입층으로서 화합물56 및 화합물70을 단독으로 사용하는 경우, 전압, 전력 효율 및 수명이 매우 우수하다. 도판트로서 화합물56 및 화합물70을 사용하여 정공 주입층으로 하는 경우, 실시예 3.1 및 실시예 3.3에 비해, 전압이 비슷하고 효율이 조금 높으나, 수명 측면에서는 화합물56 및 화합물70을 정공 주입층으로서 단독으로 사용할 때 비교적 길다.As can be seen from the green light device, when the compound 56 and the compound 70 are used alone as the hole injection layer, the voltage, power efficiency, and lifespan are very excellent. When using Compound 56 and Compound 70 as a dopant as a hole injection layer, compared to Examples 3.1 and 3.3, the voltage is similar and the efficiency is slightly higher, but in terms of lifespan, Compound 56 and Compound 70 are used as a hole injection layer. Relatively long when used alone.

소자 실시예 4Device Example 4

소자 실시예 4.1:Device Example 4.1:

80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10^-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Before deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a rate of 0.2 to 2 Å/s at a vacuum degree of about 10 ^-8 torr.

먼저, 화합물56을 유리기판의 표면에 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 40nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물RH와 화합물RD(중량비 98:2)를 공동 증착시켜, 40nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET2(중량비 60:40)를 공동 증착시켜, 35nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.First, compound 56 is deposited on the surface of a glass substrate to form a film with a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Next, the compound HT1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 40 nm to form a hole transport layer (HTL). Next, the compound EB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form an electron blocking layer (EBL). Then, the compound RH and the compound RD (weight ratio 98:2) are co-deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 40 nm to form a light emitting layer (EML). Next, the compound HB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to form a hole blocking layer (HBL). 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET2 (weight ratio: 60:40) were co-deposited on the obtained film to form a film with a thickness of 35 nm to form an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a 1 nm thick film to form an electron injection layer (EIL), and 120 nm thick aluminum is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a desiccant to complete the device.

소자 실시예 4.2:Device Example 4.2:

소자 실시예 4.2는, 정공 주입층(HIL)으로서 유리기판의 표면 상에 화합물56(도판트)과 화합물HT1(중량비 3:97)을 공동 증착시켜 10nm 두께의 막을 형성하는 것 외에는, 소자 실시예 4.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 4.2 is Device Example, except that a 10 nm thick film is formed by co-depositing Compound 56 (dopant) and Compound HT1 (weight ratio 3:97) on the surface of a glass substrate as a hole injection layer (HIL). It is prepared in the same way as in 4.1.

소자 실시예 4.3:Device Example 4.3:

소자 실시예 4.3은, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것; 및 HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 4.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 4.3 uses compound 70 instead of compound 56 as the hole injection layer (HIL); and using the compound HT2 instead of the compound HT1 as the HTL, it was prepared in the same manner as in Device Example 4.1.

소자 실시예 4.4:Device Example 4.4:

소자 실시예 4.4는, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물70 대신 화합물70(도판트)과 화합물HT2(중량비 3:97)를 공동 증착시킨 것을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 4.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 4.4 was prepared in the same manner as Device Example 4.3, except that, as a hole injection layer (HIL), compound 70 (dopant) and compound HT2 (weight ratio 3:97) were co-deposited instead of compound 70. do.

소자에 사용된 새로운 화합물의 구체적인 구조는 아래에 나타난 바와 같다:The specific structure of the new compound used in the device is shown below:

소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL EBLEBL EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예4.1Example 4.1 화합물56(10nm)Compound 56 (10 nm) 화합물HT1(40nm)Compound HT1 (40 nm) 화합물EB2(5nm)Compound EB2 (5 nm) 화합물RH:화합물RD(98:2, 40nm)Compound RH: Compound RD (98: 2, 40 nm) 화합물HB2(5nm)Compound HB2 (5 nm) 화합물Liq:ET2 (60:40, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40, 35nm) 실시예4.2Example 4.2 화합물56:화합물HT1(3:97, 10nm)Compound 56: Compound HT1 (3:97, 10 nm) 화합물HT1(40nm)Compound HT1 (40 nm) 화합물EB2(5nm)Compound EB2 (5 nm) 화합물RH:화합물RD(98:2, 40nm)Compound RH: Compound RD (98: 2, 40 nm) 화합물HB2(5nm)Compound HB2 (5 nm) 화합물Liq:ET2(60:40, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40, 35nm) 실시예4.3Example 4.3 화합물70(10nm)Compound 70 (10 nm) 화합물HT2(40nm)Compound HT2 (40 nm) 화합물EB2(5nm)Compound EB2 (5 nm) 화합물RH:화합물RD(98:2, 40nm)Compound RH: Compound RD (98: 2, 40 nm) 화합물HB2(5nm)Compound HB2 (5 nm) 화합물Liq:ET2 (60:40, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40, 35nm) 실시예4.4Example 4.4 화합물70:화합물HT2(3:97, 10nm)Compound 70: Compound HT2 (3:97, 10 nm) 화합물HT2(40nm)Compound HT2 (40 nm) 화합물EB2(5nm)Compound EB2 (5 nm) 화합물RH:화합물RD(98:2, 40nm)Compound RH: Compound RD (98: 2, 40 nm) 화합물HB2(5nm)Compound HB2 (5 nm) 화합물Liq:ET2(60:40, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40, 35nm)

표 7 소자 실시예의 소자 구조Table 7 Device Structures of Device Examples

상기 소자는 10mA/cm²에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 8에 기록 및 표시된다.IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm ² , and the voltage (V), power efficiency (PE) and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 8, respectively.

소자번호minor number VoltageVoltage
(V)(V) PEPE
(lm/W)(lm/W) LT95 (h)LT95 (h) 실시예4.1Example 4.1 4.374.37 13.3313.33 74697469 실시예4.2Example 4.2 4.324.32 15.3115.31 43254325 실시예4.3Example 4.3 4.444.44 12.7912.79 46594659 실시예4.4Example 4.4 4.444.44 14.4014.40 52005200

표 8 소자 데이터Table 8 Device Data

토론 4:Discussion 4:

마찬가지로, 적생 광 소자에서도 알 수 있는바, 정공 주입층으로서 화합물56 및 화합물70을 단독으로 사용하는 경우, 전압, 효율을 물론하고 수명 측면의 효과도 모두 매우 우수하다. 도판트로서 화합물56 및 화합물70을 사용하여 정공 주입층으로 하는 경우, 실시예 4.1 및 실시예 4.3과 비해, 전압이 비슷하고 효율이 조금 높으나, 수명 측면에서는 화합물56을 정공 주입층으로서 단독으로 사용할 때 비교적 길다.Similarly, as can be seen from the red light device, when the compound 56 and the compound 70 are used alone as the hole injection layer, the effects in terms of voltage and efficiency as well as lifetime are very excellent. When using Compound 56 and Compound 70 as a dopant as a hole injection layer, the voltage is similar and efficiency is slightly higher than in Examples 4.1 and 4.3, but in terms of lifespan, Compound 56 can be used alone as a hole injection layer. When relatively long

상기 결과를 종합하면 알 수 있는바, 데하이드로벤조디옥사졸 유도체는 정공 주입층으로서 단독으로 사용되거나, 도판트로 사용되든, 적색, 녹색, 청색 소자에서의 효과는 모두 매우 우수하며, 이는 일 종의 매우 드문 정공 주입재료이다.As can be seen from the above results, the dehydrobenzodioxazole derivative is used alone as a hole injection layer or used as a dopant, and the effects in red, green, and blue devices are all very excellent, which is a kind of It is a very rare hole injection material of

본 발명에 개시된 화합물은 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸계 유도체이고, 그 분자 모핵이 함유한 헤테로원자가 상이함으로 인해, 그 최저준위 비점유 분자궤도(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)는 차이가 존재한다. DFT를 통해 데하이드로벤조디옥사졸(NO계 화합물), 데하이드로벤조디티아졸(NS계 화합물) 및 데하이드로벤조디셀레나졸(NSe계 화합물)　계 유도체, 이 3 가지 화합물의 LUMO를 계산(GAUSS-09, 조건은 B3LYP/6-311G(d))하며, 하기 표에 나타난 바와 같다:The compounds disclosed in the present invention are dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole derivatives, and due to the different heteroatoms contained in their parent nucleus, their lowest unoccupied molecular orbital (lowest unoccupied molecular orbital) molecular orbital, LUMO) is different. Dehydrobenzodioxazole ( NO-based compound ), dehydrobenzodithiazole ( NS-based compound ) and dehydrobenzodiselenazole ( NSe-based compound ) derivatives were calculated through DFT (GAUSS) -09, the condition is B3LYP/6-311G(d)), as shown in the table below:

NO계NO system
화합물compound LUMO
(ev)LUMO
(ev) NS계NS system
화합물compound LUMO
(ev)LUMO
(ev) NSe계NSe-based
화합물compound LUMO
(ev)LUMO
(ev) 화합물1compound 1 -5.82-5.82 화합물89compound 89 -5.66-5.66 화합물177compound 177 -5.58-5.58 화합물6compound 6 -6.18-6.18 화합물94compound 94 -6.03-6.03 화합물182compound 182 -5.95-5.95 화합물13compound 13 -5.57-5.57 화합물101compound 101 -5.46-5.46 화합물189compound 189 -5.40-5.40 화합물15compound 15 -5.32-5.32 화합물103compound 103 -5.24-5.24 화합물191compound 191 -5.18-5.18 화합물25compound 25 -5.69-5.69 화합물113compound 113 -5.61-5.61 화합물201compound 201 -5.56-5.56 화합물26compound 26 -5.43-5.43 화합물114compound 114 -5.36-5.36 화합물202compound 202 -5.30-5.30 화합물38compound 38 -5.68-5.68 화합물126compound 126 -5.55-5.55 화합물214compound 214 -5.48-5.48 화합물43compound 43 -5.72-5.72 화합물131compound 131 -5.63-5.63 화합물219compound 219 -5.40-5.40 화합물56compound 56 -5.45-5.45 화합물144compound 144 -5.33-5.33 화합물232compound 232 -5.28-5.28 화합물66compound 66 -5.3-5.3 화합물154compound 154 -5.24-5.24 화합물242compound 242 -5.19-5.19 화합물67compound 67 -5.93-5.93 화합물155compound 155 -5.73-5.73 화합물243compound 243 -5.64-5.64 화합물68compound 68 -5.78-5.78 화합물156compound 156 -5.64-5.64 화합물244compound 244 -5.58-5.58 화합물69compound 69 -5.53-5.53 화합물157compound 157 -5.44-5.44 화합물245compound 245 -5.38-5.38 화합물70compound 70 -5.57-5.57 화합물158compound 158 -5.48-5.48 화합물246compound 246 -5.43-5.43 화합물71compound 71 -5.57-5.57 화합물159compound 159 -5.49-5.49 화합물247compound 247 -5.43-5.43 화합물42compound 42 -5.75-5.75 화합물130compound 130 -5.59-5.59 화합물218compound 218 -5.53-5.53 화합물54compound 54 -5.65-5.65 화합물142compound 142 -5.49-5.49 화합물230compound 230 -5.43-5.43 화합물72compound 72 -5.75-5.75 화합물160compound 160 -5.63-5.63 화합물248compound 248 -5.56-5.56 화합물1359compound 1359 -5.25-5.25 화합물1381compound 1381 -5.15-5.15 화합물1403compound 1403 -5.11-5.11 화합물1367compound 1367 -5.12-5.12 화합물1389compound 1389 -5.06-5.06 화합물1411compound 1411 -5.04-5.04

표 9 DFT 계산결과Table 9 DFT calculation result

상기 소자의 결과로부터, 데하이드로벤조디옥사졸계 유도체의 소자 결과는 각 측면에서 모두 매우 우수하며, 이는 일 종의 고효율적인 정공 주입재료임을 알 수 있다. 상기 DFT 계산 결과를 통해 알 수 있는바, 동일한 시리즈의 분자를 비교하면, 데하이드로벤조디옥사졸계 유도체와, 데하이드로벤조디티아졸계 유도체 및 데하이드로벤조디셀레나졸계 유도체의 LUMO는 거의 차이가 없고, 0.2ev 좌우이며, 3 가지 화합물은 모두 비교적 깊은 LUMO를 가질 수 있고 모두 전자가 극히 결핍한 특성을 갖는 것으로 나타났다. 따라서, 데하이드로벤조디티아졸계 유도체 및 데하이드로벤조디셀레나졸계 유도체도 모두 우수한 정공 주입재료로 될 가능성이 있고, 모두 더 긴 소자 수명, 더 높은 효율 및 더 낮은 전압 등과 같은 OLED 성능을 대폭 향상시킬 수 있어, 매우 광범위한 산업응용전망을 갖는다.From the device results, it can be seen that the device results of the dehydrobenzodioxazole derivatives are very good in each aspect, and it is a kind of highly efficient hole injection material. As can be seen from the DFT calculation results, when molecules of the same series are compared, the LUMO of the dehydrobenzodioxazole derivative and the dehydrobenzodithiazole derivative and the dehydrobenzodiselenazole derivative is almost the same. . Therefore, both dehydrobenzodithiazole-based derivatives and dehydrobenzodiselenazole-based derivatives have the potential to be excellent hole injection materials, and both will significantly improve OLED performance such as longer device lifespan, higher efficiency and lower voltage. Therefore, it has a very broad industrial application prospect.

상기 소자 결과 및 DFT 계산으로부터 알 수 있는바, 본 발명의 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조의 신규 화합물은 매우 중요한 전하 이동재료이며, 특히 정공 수송에서 비교할 수 없는 장점을 가지고, 상이한 유형의 유기 반도체 소자에 적용되며, 형광 OLED, 인광 OLED, 백색 광 OLED, 적층된 OLED, OTFT, OPV 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.As can be seen from the device results and DFT calculation, dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole of the present invention and novel compounds having a similar structure are very important charge transfer materials, especially It has unparalleled advantages in hole transport and is applicable to different types of organic semiconductor devices, including, but not limited to, fluorescent OLEDs, phosphorescent OLEDs, white light OLEDs, stacked OLEDs, OTFTs, OPVs, and the like.

본문에 기재된 다양한 실시예는 단지 예시일뿐이며 본 발명의 범위를 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 따라서, 본 분야 당업자에게 자명하듯이, 청구하려는 본 발명은 본문에 기재된 구체적인 실시예 및 바람직한 실시예의 변경을 포함할 수 있다. 본문에 기재된 재료 및 구조에서의 다수는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한, 기타 재료 및 구조로 대체하여 사용할 수 있다. 본 발명이 작용되는 이유에 대한 다양한 이론은 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다.It should be understood that the various embodiments described herein are illustrative only and are not intended to limit the scope of the present invention. Accordingly, as will be apparent to those skilled in the art, the claimed invention may include modifications of the specific and preferred embodiments described herein. Many of the materials and structures described herein may be substituted for other materials and structures without departing from the spirit of the present invention. It should be understood that the various theories as to why the present invention works are not intended to be limiting.

Claims

식 (1)를 구비하는 화합물에 있어서,

여기서, X 및 Y는 A1이고, A1은

이고;
여기서, Z₁ 및 Z₂는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O에서 선택되며;
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성가능한 것을 특징으로 하는 화합물.In the compound having the formula (1),

where X and Y are A1, and A1 is

ego;
wherein Z ₁ and Z ₂ are identically or differently selected from O whenever they appear;
R is the same or different whenever it appears hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group ( Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclo having 3 to 20 ring carbon atoms A cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms , a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, 6 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted aryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 to a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 20 carbon atoms and combinations thereof;
A compound characterized in that adjacent substituents are optionally joined to form a ring.

제 1 항에 있어서,
상기 R 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹인 것을 특징으로 하는 화합물.The method of claim 1,
At least one of R is a group having at least one electron withdrawing group.

제 2 항에 있어서,
상기 R은 모두 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹인 것을 특징으로 하는 화합물.3. The method of claim 2,
All R is a group having at least one electron withdrawing group.

제 3 항에 있어서,
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.4. The method of claim 3,
The compound, characterized in that the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.05 or more.

제 4 항에 있어서,
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.3 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.5. The method of claim 4,
Hammett constant of the electron withdrawing group is a compound, characterized in that 0.3 or more.

제 5 항에 있어서,
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.6. The method of claim 5,
The compound, characterized in that the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.5 or more.

제 2 항에 있어서,
상기 전자 흡인기는,
할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF₅; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 아자방향족고리; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합;
으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.3. The method of claim 2,
The electron withdrawing device,
halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF ₅ ; boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; aza aromatic ring; and halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group (phosphoroso), any one of the following groups substituted with one or a plurality of azaaromatic rings: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms , a heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, an alke group having 2 to 20 carbon atoms nyl group, an aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 to an arylsilyl group having 20 carbon atoms and combinations thereof;
A compound, characterized in that selected from the group consisting of.

제 7 항에 있어서,
상기 전자 흡인기는 F, CF₃, OCF₃, SF₅, SO₂CF₃, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.8. The method of claim 7,
The electron withdrawing group is selected from the group consisting of F, CF ₃ , OCF ₃ , SF ₅ , SO ₂ CF ₃ , a cyano group, an isocyano group, SCN, OCN, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof. compound that does.

제 1 항에 있어서,
상기 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF₅; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기; 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기; 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기; 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기; 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF₅, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기(phosphoroso) 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기 및 그 조합;
으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.The method of claim 1,
wherein R is identically or differently each time it appears hydrogen; deuterium; halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF ₅ ; boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms; an unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; And halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF ₅ , boranyl group (Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group and phosphoroso group (phosphoroso) any one of the following groups substituted with one or a plurality of groups: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 1 to 20 an alkoxy group having 2 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof;
A compound, characterized in that selected from the group consisting of.

제 9 항에 있어서,
상기 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 이소프로필기, NO₂, SO₂CH₃, SCF₃, C₂F₅, OC₂F₅, OCH₃, 디페닐메틸실릴기, 페닐기, 메톡시페닐기, p-메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 비페닐기, 폴리플루오로페닐기, 디플루오로피리딜기, 니트로페닐기, 디메틸티아졸기, CN 또는 CF₃ 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 비닐기, CN 또는 CF₃ 중의 하나로 치환된 에티닐기, 디메틸포스포로소기, 디페닐포스포로소기, F, CF₃, OCF₃, SF₅, SO₂CF₃, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 트리플루오로메틸페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, 비스(트리플루오로메틸)페닐기, 비스(트리플루오로메 톡시)페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, F, CN 또는 CF₃ 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 페닐기 또는 비페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 디페닐보라닐기, 옥사보라안트릴기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.10. The method of claim 9,
Wherein R is the same or differently whenever it appears hydrogen, deuterium, methyl group, isopropyl group, NO ₂ , SO ₂ CH ₃ , SCF ₃ , C ₂ F ₅ , OC ₂ F ₅ , OCH ₃ , diphenylmethylsilyl group, One or more of phenyl group, methoxyphenyl group, p-methylphenyl group, 2,6-diisopropylphenyl group, biphenyl group, polyfluorophenyl group, difluoropyridyl group, nitrophenyl group, dimethylthiazole group, CN or CF ₃ A substituted vinyl group, an ethynyl group substituted with one of CN or CF ₃ , a dimethylphosphoroso group, a diphenylphosphoroso group, F, CF ₃ , OCF ₃ , SF ₅ , SO ₂ CF ₃ , a cyano group, an isocyano group, SCN, OCN, trifluoromethylphenyl group, trifluoromethoxyphenyl group, bis(trifluoromethyl)phenyl group, bis(trifluoromethoxy)phenyl group, 4-cyanotetrafluorophenyl group, F, CN or CF ₃ A compound selected from the group consisting of one or more substituted phenyl or biphenyl groups, tetrafluoropyridyl groups, pyrimidyl groups, triazinyl groups, diphenylboranyl groups, oxaboraanthryl groups, and combinations thereof.

제 1 항에 있어서,
상기 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:

The method of claim 1,
Wherein R is identically or differently each time it appears, a compound characterized in that it is selected from the group consisting of:

제 11 항에 있어서,
상기 식 (1)로 표시된 하나의 화합물 중 2 개의 R은 동일한 것을 특징으로 하는 화합물.12. The method of claim 11,
A compound, characterized in that two R of one compound represented by the formula (1) are the same.

제 11 항에 있어서,
상기 화합물은 식 (2)로 표시된 구조를 구비하고,

여기서, 식 (2) 중의 2 개의 Z 구조는 동일하고, 2 개의 R 구조는 동일하거나 상이하며, 상기 Z, X, Y 및 R은 각각 하기 표에 나타난 원자 또는 그룹에서 대응되게 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:

12. The method of claim 11,
The compound has a structure represented by formula (2),

Here, two Z structures in formula (2) are the same, two R structures are the same or different, and Z, X, Y and R are each selected from the atoms or groups shown in the table below. Compounds that do:

양극,
음극, 및
상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는
것을 특징으로 하는 전계 발광소자.anode,
cathode, and
An organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains the compound according to any one of claims 1 to 13.
An electroluminescent device, characterized in that.

제 14 항에 있어서,
상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 상기 화합물로 단독으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.15. The method of claim 14,
The organic layer is a hole injection layer, and the hole injection layer is an electroluminescent device, characterized in that formed solely of the compound.

제 14 항에 있어서,
상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 도핑을 함유한 상기 화합물로 형성되고 상기 도핑은 적어도 하나의 정공 수송재료를 함유하며; 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.15. The method of claim 14,
the organic layer is a hole injection layer, the hole injection layer is formed of the compound containing a doping, the doping containing at least one hole transport material; The hole transport material is a compound containing a triarylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylenevinyl compound, an oligoflu An electroluminescent device comprising an oligofluorene compound, a porphyrin complex, or a metal phthalocyanine complex, wherein the molar doping ratio of the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.

제 16 항에 있어서,
상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.17. The method of claim 16,
An electroluminescent device, characterized in that the molar doping ratio of the compound and the hole transport material is 10:1 to 1:100.

제 14 항에 있어서,
상기 전계 발광소자는 양극과 음극 사이의 복수 개의 스택층을 포함하고, 상기 스택층은 제1 발광층 및 제2 발광층을 포함하며, 여기서 제1 스택층은 제1 발광층을 포함하고 제2 스택층은 제2 발광층을 포함하며, 전하 생성층은 제1 스택층과 제2 스택층 사이에 배치되며, 여기서 전하 생성층은 p형 전하 생성층 및 n형 전하 생성층을 포함하며;
여기서, 상기 화합물을 함유하는 유기층은 p형 전하 생성층인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.15. The method of claim 14,
The electroluminescent device includes a plurality of stacked layers between an anode and a cathode, wherein the stacked layer includes a first light-emitting layer and a second light-emitting layer, wherein the first stacked layer includes a first light-emitting layer and the second stacked layer includes: a second light emitting layer, wherein the charge generating layer is disposed between the first stacked layer and the second stacked layer, wherein the charge generating layer includes a p-type charge generating layer and an n-type charge generating layer;
Here, the organic layer containing the compound is an electroluminescent device, characterized in that the p-type charge generation layer.

제 18 항에 있어서,
상기 p형 전하 생성층은 적어도 하나의 정공 수송재료를 추가로 더 함유가능하고, 상기 p형 전하 생성층은 상기 화합물이 상기 적어도 하나의 정공 수송재료에 도핑되어 형성되며, 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.19. The method of claim 18,
The p-type charge generating layer may further contain at least one hole transporting material, and the p-type charge generating layer is formed by doping the compound with the at least one hole transporting material, wherein the hole transporting material is A compound containing an arylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylenevinyl compound, an oligofluorene compound, An electroluminescent device comprising a porphyrin complex or a metal phthalocyanine complex, wherein the molar doping ratio of the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.

제 19 항에 있어서,
상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.20. The method of claim 19,
An electroluminescent device, characterized in that the molar doping ratio of the compound and the hole transport material is 10:1 to 1:100.

제 17 항에 있어서,
상기 전하 생성층은 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 사이에 배치된 완충층을 추가로 더 포함하고, 상기 완충층은 상기 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.18. The method of claim 17,
The charge generation layer further comprises a buffer layer disposed between the p-type charge generation layer and the n-type charge generation layer, wherein the buffer layer contains the compound.

제 1 항 내지 제 13 항의 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는 화합물 제제.
14. A compound preparation containing a compound according to any one of claims 1 to 13.