KR102406827B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Abstract

본 발명은 챔버의 내압을 적정하게 유지하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 챔버와, 급기부와, 배기부와, 조정 기구와, 측정부와, 제어부를 구비한다. 챔버는 처리 대상이 되는 기판을 수용한다. 급기부는 챔버 내에 기체를 공급한다. 배기부는 챔버 내를 배기한다. 조정 기구는 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정한다. 측정부는 챔버의 내압을 측정한다. 제어부는 기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부는 측정부의 측정 결과에 기초하여 챔버의 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고, 챔버의 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트가 발생하는 경우에, 피드백 제어를 대신하여 미리 규정된 제어값에 기초하여 조정 기구의 개방도를 제어하는 비(非)피드백 제어를 행한다.An object of the present invention is to properly maintain the internal pressure of the chamber.
A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a chamber, an air supply unit, an exhaust unit, an adjustment mechanism, a measurement unit, and a control unit. The chamber accommodates a substrate to be processed. The air supply unit supplies gas into the chamber. The exhaust unit exhausts the inside of the chamber. The adjustment mechanism adjusts the amount of exhaust exhausted from the exhaust portion. The measuring unit measures the internal pressure of the chamber. The control unit executes a series of substrate processing according to recipe information indicating the contents of the substrate processing. Further, the control unit performs feedback control for controlling the opening degree of the adjustment mechanism to maintain the internal pressure of the chamber within the specified range based on the measurement result of the measuring unit, and a predetermined event expected to change the internal pressure of the chamber outside the specified range occurs In this case, non-feedback control for controlling the opening degree of the adjustment mechanism based on a predefined control value is performed instead of the feedback control.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

개시하는 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

종래, 기판 처리 장치에서는, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판에 대해, DHF(희불산) 등의 약액을 공급하여 기판의 표면을 처리하는 약액 처리나, DIW(순수) 등의 린스액을 공급하여 기판 상의 약액을 씻어 버리는 린스 처리 등의 일련의 기판 처리가, 미리 정해진 레시피에 따라 실행된다. Conventionally, in a substrate processing apparatus, a chemical solution such as DHF (dilute hydrofluoric acid) is supplied to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate to treat the surface of the substrate, or a rinse solution such as DIW (pure water) is supplied. A series of substrate processing, such as a rinse process for rinsing off a chemical solution on the substrate, is performed according to a predetermined recipe.

이러한 기판 처리 중, 기판은 챔버 내에 배치되는데, 기판에 대한 파티클의 부착 등을 방지하기 위해서, 챔버 내에는 청정 기류가 형성되고, 챔버의 내압은 거의 일정하게 유지되도록 제어된다.During such substrate processing, a substrate is placed in a chamber, and in order to prevent adhesion of particles to the substrate, a clean air flow is formed in the chamber, and the internal pressure of the chamber is controlled to be maintained substantially constant.

여기서, 챔버의 내압을 일정하게 유지하는 기술로서는, 예컨대 챔버의 내부와 외부와의 압력차를 검출하는 검출 수단을 설치하는 것으로 한 후에, 이러한 검출 수단에 의해 검출되는 압력차의 변화에 따라 청정 기류의 공급량을 적절하게 피드백 제어하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1 참조). Here, as a technique for maintaining the internal pressure of the chamber constant, for example, a detection means for detecting a pressure difference between the inside and the outside of the chamber is provided, and then, a clean air flow according to a change in the pressure difference detected by the detection means is provided. Appropriate feedback control of the supply amount is known (refer to Patent Document 1).

일본 특허 공개 평성 제11-111664호 공보Japanese Patent Laid-Open No. Hei 11-111664

그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에는, 챔버의 내압을 적정하게 유지하는 데에 있어서 한층 더 개선의 여지가 있다.However, in the technique described in Patent Document 1, there is room for further improvement in appropriately maintaining the internal pressure of the chamber.

특허문헌 1에 기재된 기술은, 상시 피드백 제어에 의해 챔버의 내압을 유지하는 것이다. 그러나, 기판 처리의 각 처리에 따라 예컨대 청정 기류의 공급 경로의 전환 등이 실행된 경우, 공급 경로의 전환에 의해 발생하는 급격한 내압의 변화에 대응할 수 없는 케이스가 있었다.The technique described in patent document 1 maintains the internal pressure of a chamber by constant feedback control. However, when, for example, switching of the supply path of the clean air flow is performed according to each processing of the substrate processing, there is a case in which it is not possible to respond to a sudden change in internal pressure caused by the switching of the supply path.

실시형태의 일 양태는, 챔버의 내압을 적정하게 유지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.One aspect of the embodiment aims to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of appropriately maintaining the internal pressure of a chamber.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 챔버와, 급기부와, 배기부와, 조정 기구와, 측정부와, 제어부를 구비한다. 챔버는 처리 대상이 되는 기판을 수용한다. 급기부는 챔버 내에 기체를 공급한다. 배기부는 챔버 내를 배기한다. 조정 기구는 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정한다. 측정부는 챔버의 내압을 측정한다. 제어부는 기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부는 측정부의 측정 결과에 기초하여 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고, 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트가 발생하는 경우에, 피드백 제어로부터 미리 규정된 제어값에 기초하여 개방도를 제어하는 비(非)피드백 제어로 전환한다. A substrate processing apparatus according to an aspect of the embodiment includes a chamber, an air supply unit, an exhaust unit, an adjustment mechanism, a measurement unit, and a control unit. The chamber accommodates a substrate to be processed. The air supply unit supplies gas into the chamber. The exhaust unit exhausts the inside of the chamber. The adjustment mechanism adjusts the amount of exhaust exhausted from the exhaust portion. The measuring unit measures the internal pressure of the chamber. The control unit executes a series of substrate processing according to recipe information indicating the contents of the substrate processing. In addition, the control unit performs feedback control to control the opening degree of the adjustment mechanism to keep the internal pressure within the specified range based on the measurement result of the measuring unit, and when a predetermined event that is expected to change the internal pressure outside the specified range occurs, It switches from feedback control to non-feedback control which controls the opening degree based on a predefined control value.

실시형태의 일 양태에 의하면, 챔버의 내압을 적정하게 유지할 수 있다. According to one aspect of embodiment, the internal pressure of a chamber can be maintained appropriately.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 처리 유닛의 구체적인 구성의 일례를 도시한 모식도이다.
도 4는 제어 장치의 블록도이다.
도 5는 처리 유닛에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 처리 순서를 도시한 흐름도이다.
도 6a는 제어부가 전환부로서 기능하는 경우의 설명도(그 1)이다.
도 6b는 제어부가 전환부로서 기능하는 경우의 설명도(그 2)이다.
도 7은 제어값 정보의 일례를 도시한 도면이다.
도 8a는 종래의 피드백 제어에 있어서의 내압 및 개방도의 변화를 도시한 도면이다.
도 8b는 제어부가 실행하는 비피드백 제어의 일례를 도시한 도면이다.
도 9a는 제어부가 단계적으로 개방도를 제어하는 경우의 설명도(그 1)이다.
도 9b는 제어부가 단계적으로 개방도를 제어하는 경우의 설명도(그 2)이다.
도 9c는 제어부가 단계적으로 개방도를 제어하는 경우의 설명도(그 3)이다.
도 10a는 제어부가 개방도의 제어 개시를 지연시키는 경우의 설명도이다.
도 10b는 제어부가 개방도의 제어 개시를 선행시키는 경우의 설명도이다.
도 11은 제어부가 댐퍼 조정부로서 기능하는 경우에 실행하는 처리의 처리 순서를 도시한 흐름도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing system which concerns on this embodiment.
2 is a diagram showing a schematic configuration of a processing unit.
3 is a schematic diagram showing an example of a specific configuration of a processing unit.
4 is a block diagram of a control device.
5 is a flowchart showing a processing sequence of a series of substrate processing executed in the processing unit.
Fig. 6A is an explanatory diagram (part 1) of the control unit functioning as a switching unit.
6B is an explanatory diagram (part 2) of the control unit functioning as a switching unit.
7 is a diagram showing an example of control value information.
Fig. 8A is a diagram showing changes in internal pressure and opening degree in the conventional feedback control.
8B is a diagram showing an example of non-feedback control executed by the control unit.
Fig. 9A is an explanatory diagram (part 1) of a case in which the control unit controls the opening degree in stages.
Fig. 9B is an explanatory diagram (part 2) of a case in which the control unit controls the opening degree in stages.
Fig. 9C is an explanatory diagram (part 3) when the control unit controls the opening degree step by step.
It is explanatory drawing in the case where a control part delays the start of control of an opening degree.
It is explanatory drawing in the case where a control part precedes the control start of an opening degree.
11 is a flowchart showing a processing sequence of processing executed when the control unit functions as a damper adjusting unit.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타낸 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method disclosed by the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing system which concerns on this embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis orthogonal to each other are defined, and the positive Z-axis direction is the vertically upward direction.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing system 1 includes a carry-in/out station 2 and a processing station 3 . The carrying-in/out station 2 and the processing station 3 are installed adjacently.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다. The carrying-in/out station 2 is equipped with the carrier arrangement|positioning part 11 and the conveyance part 12. As shown in FIG. In the carrier arrangement section 11, a plurality of carriers C for accommodating a plurality of substrates and, in this embodiment, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in a horizontal state are disposed.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되며, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transfer unit 12 is provided adjacent to the carrier arrangement unit 11 , and includes a substrate transfer device 13 and a transfer unit 14 therein. The substrate transfer apparatus 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate transfer apparatus 13 can move in horizontal and vertical directions and pivot about a vertical axis, and use a wafer holding mechanism to hold the wafer W between the carrier C and the transfer unit 14 . ) is returned.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.The processing station 3 is installed adjacent to the transport unit 12 . The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16 . The plurality of processing units 16 are installed side by side on both sides of the transport unit 15 .

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transfer unit 15 includes a substrate transfer device 17 therein. The substrate transfer apparatus 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. In addition, the substrate transfer apparatus 17 can move in horizontal and vertical directions and pivot about a vertical axis, and use a wafer holding mechanism to hold the wafer between the transfer unit 14 and the processing unit 16 . W) is conveyed.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer apparatus 17 .

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4 . The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19 . In the storage unit 19 , a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19 .

한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.On the other hand, such a program has been recorded in a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer apparatus 13 of the carry-in/out station 2 takes out the wafer W from the carrier C arranged in the carrier arrangement unit 11 . Then, the taken out wafer W is placed on the transfer unit 14 . The wafer W disposed on the transfer unit 14 is taken out from the transfer unit 14 by the substrate transfer apparatus 17 of the processing station 3 and loaded into the processing unit 16 .

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.The wafer W carried in the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 , and then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer apparatus 17 and placed in the transfer unit 14 . . Then, the processed wafer W placed on the transfer unit 14 is returned to the carrier C of the carrier arrangement unit 11 by the substrate transfer device 13 .

다음으로, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 도시한 도면이다. Next, a schematic configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. 2 . 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16 .

도 2에 도시한 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다. 2 , the processing unit 16 includes a chamber 20 , a substrate holding mechanism 30 , a processing fluid supply unit 40 , and a recovery cup 50 .

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 설치된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.The chamber 20 houses the substrate holding mechanism 30 , the processing fluid supply unit 40 , and the recovery cup 50 . A fan filter unit (FFU) 21 is installed on the ceiling of the chamber 20 . The FFU 21 forms a down flow in the chamber 20 .

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.The substrate holding mechanism 30 includes a holding unit 31 , a support column 32 , and a driving unit 33 . The holding part 31 holds the wafer W horizontally. The holding part 32 is a member extending in the vertical direction, and the base end part is rotatably supported by the drive part 33, and supports the holding part 31 horizontally in the front-end|tip part. The drive part 33 rotates the support|post part 32 about a vertical axis|shaft. This substrate holding mechanism 30 rotates the holding part 31 supported by the support part 32 by rotating the support part 32 using the drive part 33, and, thereby, to the holding part 31. The held wafer W is rotated.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대해 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다. The processing fluid supply unit 40 supplies a processing fluid to the wafer W. The processing fluid supply unit 40 is connected to a processing fluid supply source 70 .

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(排液口; 51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다. The recovery cup 50 is disposed to surround the holding part 31 , and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding part 31 . A drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50 , and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain port 51 into the treatment unit 16 . discharged to the outside In addition, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50 .

다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 대해 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3은 처리 유닛(16)의 구체적인 구성의 일례를 도시한 모식도이다.Next, the configuration of the processing unit 16 will be described in more detail with reference to FIG. 3 . 3 is a schematic diagram showing an example of a specific configuration of the processing unit 16 .

도 3에 도시한 바와 같이, FFU(21)에는, 밸브(22)를 통해 불활성 가스 공급원(23)이 접속된다. FFU(21)는 불활성 가스 공급원(23)으로부터 공급되는 N2 가스 등의 불활성 가스를 챔버(20) 내로 급기한다. 또한, FFU(21)는 ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터에 의해 청정화된 공기를 챔버(20) 내로 급기해도 좋다. As shown in FIG. 3 , an inert gas supply source 23 is connected to the FFU 21 through a valve 22 . The FFU 21 supplies an inert gas such as N2 gas supplied from the inert gas supply source 23 into the chamber 20 . In addition, the FFU 21 may supply air purified by an Ultra Low Penetration Air (ULPA) filter into the chamber 20 .

또한, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)의 측벽부에, CDA(Clean Dry Air) 급기부(24)를 더 구비한다. CDA 급기부(24)에는, 밸브(25)를 통해 CDA 공급원(26)이 접속된다. CDA 급기부(24)는, CDA 공급원(26)으로부터 공급되는 CDA를 챔버(20) 내로 급기한다. In addition, the processing unit 16 further includes a CDA (Clean Dry Air) air supply unit 24 on the side wall of the chamber 20 . A CDA supply source 26 is connected to the CDA air supply unit 24 via a valve 25 . The CDA air supply unit 24 supplies CDA supplied from the CDA supply source 26 into the chamber 20 .

한편, 처리 유닛(16)에서는, 후술하는 린스 처리로부터 건조 처리로의 이행시에, 챔버(20) 내로의 급기가 FFU(21)에 의한 급기로부터 CDA 급기부(24)에 의한 급기로 전환된다. 이하에서는, 이러한 전환을 「급기 전환」이라고 부르는 경우가 있다.On the other hand, in the processing unit 16 , the air supply into the chamber 20 is switched from the air supply by the FFU 21 to the air supply by the CDA air supply unit 24 at the time of transition from the rinsing process to the drying process, which will be described later. Hereinafter, such a changeover may be called "supply air changeover".

또한, 기판 유지 기구(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(31a)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(31a)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다.In addition, a holding member 31a for holding the wafer W from the side is provided on the upper surface of the holding part 31 included in the substrate holding mechanism 30 . The wafer W is horizontally held in a state slightly spaced apart from the upper surface of the holding part 31 by such a holding member 31a.

처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 노즐(41)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. The processing fluid supply unit 40 includes a nozzle 41 , an arm 42 that horizontally supports the nozzle 41 , and a swing lift mechanism 43 that swings and lifts the arm 42 .

처리 유체 공급부(40)는, 후술하는 약액 처리에 있어서, 웨이퍼(W)에 대해 약액의 일종인 DHF를 노즐(41)로부터 공급한다. 또한, 처리 유체 공급부(40)는, 후술하는 린스 처리에 있어서, 웨이퍼(W)에 대해 린스액의 일종인 DIW를 노즐(41)로부터 공급한다. The processing fluid supply unit 40 supplies DHF, which is a kind of chemical solution, from the nozzle 41 to the wafer W in the chemical solution treatment described later. In addition, the processing fluid supply unit 40 supplies DIW, which is a type of rinsing liquid, from the nozzle 41 to the wafer W in a rinsing process to be described later.

또한, 처리 유체 공급부(40)는, 후술하는 건조 처리에 있어서, 웨이퍼(W)에 대해 유기 용제의 일종인 IPA(이소프로필알코올)를 노즐(41)로부터 공급한다. In addition, the processing fluid supply unit 40 supplies IPA (isopropyl alcohol), which is a type of organic solvent, from the nozzle 41 to the wafer W in the drying process described later.

DHF는 DHF 공급원(71a)으로부터 밸브(61a)를 통해 공급되고, DIW는 DIW 공급원(71b)으로부터 밸브(61b)를 통해 공급되며, IPA는 IPA 공급원(71c)으로부터 밸브(61c)를 통해 공급된다.DHF is supplied from DHF source 71a through valve 61a, DIW is supplied from DIW source 71b through valve 61b, and IPA is supplied from IPA source 71c through valve 61c. .

한편, 건조 처리에 있어서는, 불활성 가스의 일종인 N2 가스 등이 함께 이용되는데, 이러한 N2 가스 등을 노즐(41)로부터 공급하는 것으로 해도 좋다. On the other hand, in the drying process, N2 gas or the like, which is a kind of inert gas, is used together, but such N2 gas or the like may be supplied from the nozzle 41 .

회수컵(50)은, 기판 유지 기구(30)에 의해 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 회전 중심에 동심 배치된 다단 구성으로 할 수 있다. 구체적으로는, 회수컵(50)은 제1 회수컵(50a)과, 제2 회수컵(50f)을 포함한다. The recovery cup 50 may have a multi-stage configuration concentrically disposed at the rotation center of the wafer W that is held and rotated by the substrate holding mechanism 30 . Specifically, the recovery cup 50 includes a first recovery cup 50a and a second recovery cup 50f.

제1 회수컵(50a)은, 웨이퍼(W)의 하방 및 외주 외방을 둘러싸고, 웨이퍼(W)의 상방을 개방시키는 형상을 갖는다. 제1 회수컵(50a)은, 웨이퍼(W)의 외주 외방에 회수구(50b)를 형성하고, 하방에 회수구(50b)에 연통(連通)하는 회수 공간(50c)을 형성한다. The first recovery cup 50a surrounds the lower side and the outer periphery of the wafer W, and has a shape in which the upper side of the wafer W is opened. The first recovery cup 50a has a recovery port 50b formed outside the outer periphery of the wafer W, and a recovery space 50c communicating with the recovery port 50b below is formed.

또한, 제1 회수컵(50a)은, 회수 공간(50c)의 바닥부에 동심 링 형상의 칸막이벽(50h)을 형성하여, 회수 공간(50c)의 바닥부를 동심 이중 링 형상의 제1 회수부(50d)와 제2 회수부(50e)로 구획한다. 제1 회수부(50d) 및 제2 회수부(50e)의 바닥부에는 각각, 배액구(51a, 51b)가, 회수컵(50)의 원주 방향을 따라 간격을 두면서 형성된다.In addition, the first recovery cup 50a has a concentric ring-shaped partition wall 50h formed at the bottom of the recovery space 50c, and the bottom of the recovery space 50c has a concentric double ring-shaped first recovery part. It divides into 50d and the 2nd collection|recovery part 50e. Drain ports 51a and 51b are formed at the bottoms of the first and second recovery units 50d and 50e, respectively, at intervals along the circumferential direction of the recovery cup 50 .

배액구(51a)로부터의 배출 경로는 밸브(62a)에 접속된다. 배액구(51a)로부터 배출되는 배액(예컨대, IPA와 같은 유기계의 처리액)은, 이러한 밸브(62a)를 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다.The discharge path from the drain port 51a is connected to the valve 62a. The drainage liquid (eg, organic-based processing liquid such as IPA) discharged from the drainage port 51a is discharged to the outside of the processing unit 16 through this valve 62a.

배액구(51b)로부터의 배출 경로는 밸브(62b)에 접속된다. 배액구(51b)로부터 배출되는 배액(예컨대, DHF와 같은 산성의 처리액)은, 이러한 밸브(62b)를 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 한편, 밸브(62b)를 복수 개의 밸브로 구성하고, 산성이나 알칼리성이라고 하는 처리액의 성질에 따라 개별적으로 밸브를 나누어, 배출 경로를 분기시켜도 좋다. 또한, 처리액이 재이용 가능한 경우에는, 밸브(62b)를 통해 배출된 처리액을 회수해도 좋다.The discharge path from the drain port 51b is connected to the valve 62b. The drain liquid (eg, acidic treatment liquid such as DHF) discharged from the drain port 51b is discharged to the outside of the treatment unit 16 through this valve 62b. On the other hand, the valve 62b may be constituted by a plurality of valves, and the valves may be individually divided according to the properties of the treatment liquid such as acidity or alkalinity, and the discharge path may be branched. In addition, when the processing liquid is reusable, the processing liquid discharged through the valve 62b may be recovered.

제1 회수컵(50a)의 칸막이벽(50h)에는, 이러한 칸막이벽(50h)을 관통하고, 또한, 회수컵(50) 내에 있어서 배액구(51a, 51b)보다 상방에서 개구된 복수의 배기구(52)가, 칸막이벽(50h)의 원주 방향을 따라 간격을 두면서 형성된다.In the partition wall 50h of the first recovery cup 50a, a plurality of exhaust ports ( 52) are formed at intervals along the circumferential direction of the partition wall 50h.

제2 회수컵(50f)은, 칸막이벽(50h)의 바로 상방에 소정의 간격을 두고 배치되며, 승강 가능하게 설치된다. 제2 회수컵(50f)에는, 이러한 제2 회수컵(50f)을 승강시키는 승강 기구(도시 생략)가 접속된다. 이러한 승강 기구는, 제어 장치(4)에 의해 승강 제어된다.The second recovery cup 50f is disposed directly above the partition wall 50h at a predetermined interval, and is installed so as to be able to move up and down. A lifting mechanism (not shown) for raising and lowering the second recovery cup 50f is connected to the second recovery cup 50f. This raising/lowering mechanism is lifted/lowered by the control device 4 .

제2 회수컵(50f)은, 상단부에 제1 회수컵(50a)의 회수구(50b)까지 내측 상방을 향해 경사지는 경사벽부(50g)를 갖는다. 경사벽부(50g)는, 제1 회수컵(50a)의 회수구(50b)까지 회수 공간(50c)의 경사벽을 따라 평행하게 연장되어 있으며, 경사벽부(50g)가 제1 회수컵(50a)의 회수 공간(50c)의 경사벽과 근접하도록 되어 있다. The second recovery cup 50f has, at its upper end, an inclined wall portion 50g that inclines upward to the recovery port 50b of the first recovery cup 50a. The inclined wall portion 50g extends in parallel along the inclined wall of the recovery space 50c to the recovery port 50b of the first recovery cup 50a, and the inclined wall portion 50g includes the first recovery cup 50a. It is adapted to be close to the inclined wall of the recovery space 50c of the

그리고, 도시를 생략한 승강 기구를 이용하여 제2 회수컵(50f)을 하강시키면, 회수 공간(50c)의 내부에 있어서 제1 회수컵(50a)의 경사벽과 제2 회수컵(50f)의 경사벽부(50g) 사이에 회수구(50b)로부터 제1 회수부(50d)의 배액구(51a)로 통하는 유로가 형성된다. Then, when the second recovery cup 50f is lowered using a lifting mechanism (not shown), the inclined wall of the first recovery cup 50a and the second recovery cup 50f are moved in the recovery space 50c. A flow path from the recovery port 50b to the drain port 51a of the first recovery part 50d is formed between the inclined wall parts 50g.

또한, 도시를 생략한 승강 기구를 이용하여 제2 회수컵(50f)을 상승시키면, 회수 공간(50c)의 내부에 있어서 제2 회수컵(50f)의 경사벽부(50g)의 내측에 회수구(50b)로부터 배액구(51b)로 통하는 유로가 형성된다. In addition, when the second recovery cup 50f is raised using a lifting mechanism (not shown), a recovery port ( A flow path from 50b) to the drain port 51b is formed.

그리고, 처리 유닛(16)은, 기판 처리를 행할 때, 기판 처리 중의 각 처리에서 사용하는 처리액의 종류에 따라 이러한 제2 회수컵(50f)을 승강시킴으로써, 배액구(51a, 51b)의 전환을 실행한다.Then, when the processing unit 16 performs the substrate processing, the second collection cup 50f is raised and lowered according to the type of the processing liquid used in each processing during the substrate processing, whereby the drain ports 51a and 51b are switched. run

예컨대, 산성의 처리액인 DHF를 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 기판 유지 기구(30)의 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 소정 회전 속도로 회전시킨 상태에서 밸브(61a)를 개방한다. 이에 의해, DHF 공급원(71a)으로부터 공급되는 DHF가, 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 토출된다. For example, when processing the wafer W by discharging DHF, which is an acidic processing liquid, to the wafer W, the control device 4 controls the drive unit 33 of the substrate holding mechanism 30 to control the holding unit 31 . ) is rotated at a predetermined rotation speed, and the valve 61a is opened. Thereby, DHF supplied from the DHF supply source 71a is discharged from the nozzle 41 to the upper surface of the wafer W.

이때, 제어 장치(4)는, 전술한 승강 기구를 제어하여 제2 회수컵(50f)을 상승시켜, 회수구(50b)로부터 제2 회수부(50e)의 배액구(51b)로 통하는 유로를 형성해 둔다.At this time, the control device 4 controls the above-mentioned lifting mechanism to raise the second recovery cup 50f, so that a flow path from the recovery port 50b to the drain port 51b of the second recovery unit 50e is opened. keep it formed

이에 의해, 웨이퍼(W)에 공급된 DHF는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력의 작용으로 웨이퍼(W)의 외주 외방을 향해 떨쳐버리고, 제1 회수컵(50a)의 회수구(50b)로부터 회수 공간(50c)의 제2 회수부(50e)에 회수된다. 그리고, DHF는 배액구(51b)로부터 배출된다. Thereby, the DHF supplied to the wafer W is shaken out toward the outer periphery of the wafer W by the action of centrifugal force due to the rotation of the wafer W, and the recovery port 50b of the first recovery cup 50a is recovered to the second recovery unit 50e of the recovery space 50c. Then, DHF is discharged from the drain port 51b.

또한, 예컨대 유기계의 처리액인 IPA를 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 마찬가지로 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 소정 회전 속도로 회전시킨 상태에서 밸브(61c)를 개방한다. 이에 의해, IPA 공급원(71c)으로부터 공급되는 IPA가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 토출된다.Further, for example, when processing the wafer W by discharging IPA, which is an organic processing liquid, to the wafer W, the control device 4 similarly controls the driving unit 33 to set the holding unit 31 at a predetermined rotational speed. The valve 61c is opened in the state rotated by Thereby, IPA supplied from the IPA supply source 71c is discharged from the nozzle 41 to the upper surface of the wafer W.

이때, 제어 장치(4)는, 전술한 승강 기구를 제어하여 제2 회수컵(50f)을 하강시켜, 회수구(50b)로부터 제1 회수부(50d)의 배액구(51a)로 통하는 유로를 형성한다. At this time, the control device 4 controls the above-mentioned lifting mechanism to lower the second recovery cup 50f, so that the flow path from the recovery port 50b to the drain port 51a of the first recovery part 50d is opened. to form

이에 의해, 웨이퍼(W)에 공급된 IPA는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력의 작용으로 웨이퍼(W)의 외주 외방을 향해 떨쳐버리고, 제1 회수컵(50a)의 회수구(50b)로부터 회수 공간(50c)의 제1 회수부(50d)에 회수된다. 그리고, IPA는 배액구(51a)로부터 배출된다.Thereby, the IPA supplied to the wafer W is shaken out toward the outer periphery of the wafer W by the action of centrifugal force due to the rotation of the wafer W, and the recovery port 50b of the first recovery cup 50a is recovered to the first recovery unit 50d of the recovery space 50c. Then, the IPA is discharged from the drain port 51a.

한편, 이와 같이 제2 회수컵(50f)을 승강시킴으로써 행하는 배액구(51a, 51b)의 전환을, 이하에서는, 「컵 전환」이라고 부르는 경우가 있다. On the other hand, the switching of the drain ports 51a and 51b performed by elevating and lowering the second recovery cup 50f in this way is hereinafter referred to as "cup switching" in some cases.

또한, 처리 유닛(16)은, 댐퍼(80)를 더 구비한다. 제1 회수컵(50a)의 칸막이벽(50h)에 형성된 배기구(52)로부터의 배기 경로는, 이러한 댐퍼(80)에 접속된다. 댐퍼(80)는, 배기구(52)로부터 배기되는 배기량의 조정 기구이며, 그 개방도가 제어 장치(4)에 의해 제어됨으로써 배기량을 조정한다.In addition, the processing unit 16 further includes a damper 80 . The exhaust path from the exhaust port 52 formed in the partition wall 50h of the first recovery cup 50a is connected to this damper 80 . The damper 80 is a mechanism for adjusting the amount of exhaust exhausted from the exhaust port 52 , and the opening degree thereof is controlled by the control device 4 to adjust the exhaust amount.

한편, 본 실시형태에서는, 댐퍼(80)의 개방도는, 0°∼90°의 범위에서 제어 가능하며, 0°는 댐퍼(80)를 「완전 개방」 상태로 하고, 90°는 댐퍼(80)를 「완전 폐쇄」 상태로 하는 것으로 한다.On the other hand, in the present embodiment, the opening degree of the damper 80 is controllable in the range of 0° to 90°, 0° sets the damper 80 to a “fully open” state, and 90° sets the damper 80 ) is set to "completely closed".

댐퍼(80)로부터의 배기 경로는 복수 계통으로, 예컨대 제1 배기 경로(63a)와 제2 배기 경로(63b)로 분기되고, 제1 배기 경로(63a)는 밸브(64a)에 접속된다. 또한, 제2 배기 경로(63b)는 밸브(64b)에 접속된다.The exhaust path from the damper 80 branches into a plurality of systems, for example, into a first exhaust path 63a and a second exhaust path 63b, and the first exhaust path 63a is connected to the valve 64a. Further, the second exhaust path 63b is connected to the valve 64b.

제1 배기 경로(63a)는 산성 배기의 배기 경로이고, 제2 배기 경로(63b)는 유기계 배기의 배기 경로이다. 이들은, 기판 처리의 각 처리에 따라 제어 장치(4)에 의해 전환된다. The first exhaust path 63a is an exhaust path for acid exhaust, and the second exhaust path 63b is an exhaust path for organic exhaust. These are switched by the control device 4 in accordance with each processing of the substrate processing.

예컨대, 배기 중에 DHF의 미스트 등이 포함되게 되는 약액 처리 및 린스 처리의 실행시에는, 제1 배기 경로(63a)로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 실행되고, 밸브(64a)를 통해 산성 배기가 배기된다.For example, when performing a chemical treatment and a rinse treatment in which DHF mist or the like is contained in exhaust, switching to the first exhaust path 63a is executed by the control device 4 , and acid exhaust through the valve 64a is exhausted

또한, 배기 중에 IPA의 미스트 등이 포함되게 되는 건조 처리의 실행시에는, 제2 배기 경로(63b)로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 실행되고, 밸브(64b)를 통해 유기계 배기가 배기된다.In addition, when the drying process in which IPA mist or the like is contained in exhaust is executed, the switch to the second exhaust path 63b is executed by the control device 4, and organic exhaust is exhausted through the valve 64b. .

한편, 이와 같이 행해지는 제1 배기 경로(63a) 및 제2 배기 경로(63b)의 전환을, 이하에서는, 「배기 전환」이라고 부르는 경우가 있다. In addition, the switching of the 1st exhaust path 63a and the 2nd exhaust path 63b performed in this way may be called "exhaust switching" hereinafter in some cases.

또한, 처리 유닛(16)은, 측정부(90)를 더 구비한다. 측정부(90)는, 예컨대 챔버(20)의 외부에 배치되며, 챔버(20)의 내압을 상시 감시하여 측정하고, 측정 결과를 제어 장치(4)에 통지한다. 제어 장치(4)에서는, 챔버(20)의 내압을 규정 범위 내로 유지하도록, 통상시에는, 측정부(90)로부터의 측정 결과에 기초하여 댐퍼(80)의 개방도가 피드백 제어된다.In addition, the processing unit 16 further includes a measurement unit 90 . The measurement unit 90 is disposed, for example, outside the chamber 20 , constantly monitors and measures the internal pressure of the chamber 20 , and notifies the control device 4 of the measurement result. In the control device 4 , the opening degree of the damper 80 is normally feedback-controlled based on the measurement result from the measurement unit 90 so as to maintain the internal pressure of the chamber 20 within a prescribed range.

한편, 상기 규정 범위는, 웨이퍼(W)에 대한 파티클의 부착 등을 방지하기 위해서, 약간 양압(陽壓)인 정도가 바람직하다. 본 실시형태에서는, 이러한 규정 범위가 0∼2.5 ㎩(파스칼) 정도인 것으로 하여 설명을 진행한다.On the other hand, in the specified range, in order to prevent adhesion of particles to the wafer W, it is preferable that the pressure is slightly positive. In the present embodiment, description will be made assuming that such a prescribed range is about 0 to 2.5 Pa (Pascal).

그런데, 기판 처리 중에 있어서는, 전술한 「급기 전환」이나 「컵 전환」, 「배기 전환」과 같은 소정의 이벤트가 실행될 때에, 챔버(20) 내에 급격한 내압의 변화가 발생하여, 피드백 제어를 할 수 없는 경우가 있다. 구체적으로는, However, during substrate processing, when a predetermined event such as the aforementioned “supply air switching”, “cup switching” or “exhaust air switching” is executed, a sudden change in internal pressure occurs in the chamber 20, so that feedback control can be performed there are cases where there is no Specifically,

(1) 피드백(FB) 신호는 출력했으나, 댐퍼(80)의 움직임이 따라잡지 못한다.(1) Although the feedback (FB) signal is output, the motion of the damper 80 does not catch up.

(2) 내압의 변동이 지나치게 빨라, FB 제어가 따라잡지 못한다. (2) The fluctuation of the internal pressure is too fast, and the FB control cannot catch up.

(3) 내압의 변동이 지나치게 빨라, 챔버(20) 내의 압력이 변동하게 되고, 그 후에 FB 제어를 하고 있다.(3) The fluctuation of the internal pressure is too fast, the pressure in the chamber 20 fluctuates, and thereafter, the FB control is performed.

고 하는 경우가 생각된다. 본 실시형태에서는 (1)의 경우에 대해 설명한다. It is thought to be the case. In the present embodiment, the case of (1) will be described.

이 경우, 만일 댐퍼(80)의 움직임이 따라잡을 때까지 챔버(20) 내가 음압(陰壓) 상태로 소정 시간 계속되어 버리면, 웨이퍼(W)에 대한 파티클의 부착 등을 초래하기 때문에 바람직하지 않다. 그래서, 본 실시형태에서는, 전술한 소정의 이벤트가 발생하는 경우에, 댐퍼(80)의 개방도의 제어를 피드백 제어로부터 비피드백 제어로 전환하는 것으로 하였다. In this case, if the inside of the chamber 20 continues in a negative pressure state for a predetermined time until the movement of the damper 80 catches up, it is not preferable because it causes adhesion of particles to the wafer W. . Therefore, in the present embodiment, when the above-described predetermined event occurs, the control of the opening degree of the damper 80 is switched from the feedback control to the non-feedback control.

이에 의해, 챔버(20) 내에 급격한 내압의 변화가 발생한 경우라도, 챔버(20)의 내압을 적정하게 유지하는 것이 가능해진다. 한편, 이러한 피드백 제어로부터 비피드백 제어로의 전환은, 제어 장치(4)의 제어부(18)에 의해 제어된다. 다음으로, 이러한 제어 장치(4)에 대해 보다 구체적으로 도 4를 참조하여 설명한다.Thereby, even when an abrupt change in internal pressure occurs in the chamber 20 , it becomes possible to properly maintain the internal pressure of the chamber 20 . On the other hand, this switching from feedback control to non-feedback control is controlled by the control part 18 of the control apparatus 4 . Next, the control device 4 will be described in more detail with reference to FIG. 4 .

도 4는 제어 장치(4)의 블록도이다. 한편, 도 4에서는, 본 실시형태의 특징을 설명하기 위해서 필요한 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있으며, 일반적인 구성 요소에 대한 기재를 생략하고 있다.4 is a block diagram of the control device 4 . In addition, in FIG. 4, the component necessary for demonstrating the characteristic of this embodiment is shown with functional blocks, and description about the general component is abbreviate|omitted.

환언하면, 도 4에 도시된 각 구성 요소는 기능 개념적인 것이며, 반드시 물리적으로 도시된 바와 같이 구성되어 있는 것을 요하지 않는다. 예컨대, 각 기능 블록의 분산·통합의 구체적 형태는 도시된 것에 한정되지 않고, 그 전부 또는 일부를, 각종의 부하나 사용 상황 등에 따라, 임의의 단위로 기능적 또는 물리적으로 분산·통합하여 구성하는 것이 가능하다.In other words, each component shown in FIG. 4 is functional and conceptual, and does not necessarily need to be physically configured as shown. For example, the specific form of distribution and integration of each functional block is not limited to the one shown, and it is preferable to configure all or part of it by functionally or physically dispersed and integrated in arbitrary units according to various loads or usage conditions. It is possible.

또한, 각 기능 블록에서 행해지는 각 처리 기능은, 그 전부 또는 임의의 일부가, CPU(Central Processing Unit) 등의 프로세서 및 상기 프로세서에서 해석 실행되는 프로그램으로 실현되거나, 혹은, 와이어드 로직(wired logic)에 의한 하드웨어로서 실현될 수 있는 것이다.In addition, each processing function performed by each functional block is realized by a processor such as a CPU (Central Processing Unit) and a program to be analyzed and executed by the processor, or a wired logic, in whole or in any part thereof. It can be realized as hardware by

먼저, 이미 서술한 바와 같이, 제어 장치(4)는, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다(도 1 참조). 제어부(18)는, 예컨대 CPU이며, 기억부(19)에 기억된 도시하지 않은 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 예컨대 도 4에 도시한 각 기능 블록(18a∼18e)으로서 기능한다. 계속해서, 이러한 각 기능 블록(18a∼18e)에 대해 설명한다. First, as described above, the control device 4 includes the control unit 18 and the storage unit 19 (refer to FIG. 1 ). The control unit 18 is, for example, a CPU, and functions as, for example, each of the functional blocks 18a to 18e shown in FIG. 4 by reading and executing a program (not shown) stored in the storage unit 19 . Next, each of these functional blocks 18a to 18e will be described.

도 4에 도시한 바와 같이, 예컨대 제어부(18)는, 기판 처리 실행부(18a)와, 댐퍼 조정부(18b)를 구비한다. 댐퍼 조정부(18b)는, 전환부(18c)와, 피드백 제어부(18d)와, 비피드백 제어부(18e)를 더 구비한다. 또한, 기억부(19)는, 레시피 정보(19a)와, 제어값 정보(19b)를 기억한다.As shown in FIG. 4 , for example, the control unit 18 includes a substrate processing executing unit 18a and a damper adjusting unit 18b. The damper adjustment unit 18b further includes a switching unit 18c, a feedback control unit 18d, and a non-feedback control unit 18e. Moreover, the storage part 19 memorize|stores the recipe information 19a and the control value information 19b.

제어부(18)는 기판 처리 실행부(18a)로서 기능하는 경우, 기억부(19)에 기억된 레시피 정보(19a)에 따라 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 웨이퍼(W)에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리 및 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리를 포함하는 일련의 기판 처리를 실행시킨다. When functioning as the substrate processing execution unit 18a , the control unit 18 controls the processing unit 16 according to the recipe information 19a stored in the storage unit 19 to supply a chemical solution to the wafer W . A series of substrate processing including a chemical solution treatment, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the wafer W, and a drying treatment for drying the wafer W are executed.

레시피 정보(19a)는, 기판 처리의 내용을 나타내는 정보이다. 구체적으로는, 기판 처리 중에 있어서 처리 유닛(16)에 대해 실행시키는 각 처리의 내용이 미리 처리 시퀀스순으로 등록된 정보이다. 여기서, 각 처리의 내용에는, 전술한 「급기 전환」, 「배기 전환」 및 「컵 전환」과 같은 챔버(20)의 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트도 또한 포함되어 있다.The recipe information 19a is information indicating the contents of the substrate processing. Specifically, the content of each process to be executed by the processing unit 16 during substrate processing is information registered in advance in order of the processing sequence. Here, the contents of each process also include predetermined events expected to change the internal pressure of the chamber 20 outside the specified range, such as the above-described "supply air switching", "exhaust air switching" and "cup switching".

여기서, 도 5를 참조하여, 제어부(18)에 의해 제어되어, 처리 유닛(16)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 처리 순서에 대해 설명해 둔다. 도 5는 처리 유닛(16)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 처리 순서를 도시한 흐름도이다. Here, with reference to FIG. 5 , a processing sequence of a series of substrate processing that is controlled by the control unit 18 and executed in the processing unit 16 will be described. 5 is a flowchart showing a processing sequence of a series of substrate processing performed in the processing unit 16 .

도 5에 도시한 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는, 약액 처리(단계 S101), 린스 처리(단계 S102), 건조 처리(단계 S103) 및 교체 처리(단계 S104)가 이 순서로 실행된다. As shown in Fig. 5 , in the processing unit 16, the chemical treatment (step S101), rinsing treatment (step S102), drying treatment (step S103), and replacement processing (step S104) are executed in this order.

약액 처리는, 웨이퍼(W)에 대해 DHF를 공급하는 처리이고, 린스 처리는, 웨이퍼(W)에 대해 DIW를 공급하여 웨이퍼(W) 상의 DHF를 씻어 버리는 처리이다. 또한, 건조 처리는, 웨이퍼(W) 상의 DIW를 제거하여 웨이퍼(W)를 건조시키는 처리이고, 교체 처리는, 챔버(20) 내의 웨이퍼(W)를 교체하는 처리이다.The chemical treatment is a process of supplying DHF to the wafer W, and the rinse process is a process of supplying DIW to the wafer W to wash away DHF on the wafer W. The drying process is a process for drying the wafer W by removing the DIW on the wafer W, and the replacement process is a process for replacing the wafer W in the chamber 20 .

그리고, 전술한 「급기 전환」, 「배기 전환」 및 「컵 전환」은 적어도, 기판 처리가 린스 처리로부터 건조 처리로 이행할 때에, 환언하면 단계 S102와 단계 S103 사이에 실행되는 이벤트이다.In addition, the above-mentioned "supply air switching", "exhaust air switching" and "cup switching" are events executed between steps S102 and S103, in other words, when the substrate processing transitions from the rinsing process to the drying process at least.

도 4의 설명으로 되돌아가서, 계속해서 제어부(18)가 기판 처리 실행부(18a)로서 기능하는 경우에 대해 설명한다. 또한, 제어부(18)는, 레시피 정보(19a)에 따라 이제부터 실행되는 각 처리에 대해, 그때마다 그 처리의 내용을, 댐퍼 조정부(18b)의 전환부(18c)로서 기능하는 측에 통지한다. 이러한 통지에는, 각 처리를 식별하는 식별자(ID)가 포함된다.Returning to the description of FIG. 4 , a case in which the control unit 18 functions as the substrate processing execution unit 18a will be described subsequently. In addition, the control unit 18 notifies the side serving as the switching unit 18c of the damper adjustment unit 18b of the contents of the processing each time for each processing to be executed from now on according to the recipe information 19a. . This notification includes an identifier (ID) that identifies each process.

또한, 제어부(18)는 댐퍼 조정부(18b)로서 기능하는 경우, 댐퍼(80)의 개방도 제어에 관한 전체 제어를 행한다. 또한, 제어부(18)는 전환부(18c)로서 기능하는 경우, 기판 처리 실행부(18a)로서 기능하는 측으로부터의 통지를 수취하고, 이러한 통지의 내용에 따라 댐퍼(80)의 개방도 제어를 피드백 제어와 비피드백 제어 사이에서 전환한다. Moreover, when functioning as the damper adjustment part 18b, the control part 18 performs overall control regarding the opening degree control of the damper 80. As shown in FIG. In addition, when functioning as the switching unit 18c, the control unit 18 receives a notification from the side serving as the substrate processing execution unit 18a, and controls the opening degree of the damper 80 according to the contents of the notification. Switches between feedback control and non-feedback control.

구체적으로는, 제어부(18)는 전환부(18c)로서 기능하는 경우, 수취한 통지가 나타내는 처리의 내용이 챔버(20)의 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트이면, 통상시에 있어서 행해지는 피드백 제어에 의한 댐퍼(80)의 개방도의 제어를 해제한다.Specifically, when the control unit 18 functions as the switching unit 18c, if the content of the processing indicated by the received notification is a predetermined event expected to change the internal pressure of the chamber 20 outside the specified range, it is normal Control of the opening degree of the damper 80 by the feedback control performed in this is cancelled|released.

그리고, 이러한 이벤트의 발생으로부터 소정 기간 동안, 피드백 제어를 대신하여 미리 규정된 제어값에 기초하여 댐퍼(80)의 개방도를 제어하는 비피드백 제어를 행한다. 또한, 제어부(18)는, 소정 기간 동안의 비피드백 제어가 종료되었다면, 댐퍼(80)의 개방도의 제어를 피드백 제어로 복귀시킨다.Then, for a predetermined period from the occurrence of such an event, a non-feedback control for controlling the opening degree of the damper 80 based on a predetermined control value is performed instead of the feedback control. In addition, if the non-feedback control for the predetermined period is finished, the control unit 18 returns the control of the opening degree of the damper 80 to the feedback control.

이러한 제어부(18)가 전환부(18c)로서 기능하는 경우에 대해, 도 6a 및 도 6b를 참조하면서 더욱 구체적으로 설명한다. 도 6a 및 도 6b는, 제어부(18)가 전환부(18c)로서 기능하는 경우의 설명도 (그 1) 및 (그 2)이다. 도 6a는 피드백 제어만에 의한 종래의 케이스를 나타내고 있다.A case in which the control unit 18 functions as the switching unit 18c will be described in more detail with reference to Figs. 6A and 6B. 6A and 6B are explanatory views (Part 1) and (Part 2) in the case where the control unit 18 functions as the switching unit 18c. Fig. 6A shows a conventional case with only feedback control.

한편, 도 6a 및 도 6b 이후에 참조하는 각 도면에서는, 챔버(20)의 내압의 변화나 댐퍼(80)의 개방도의 변화를 파형으로 나타내는 경우가 있는데, 이들 파형을 주로 삼각파나 직사각형파로 나타내는 것으로 한다. 단, 이것은 어디까지나 설명의 편의상이며, 실제의 댐퍼(80)의 거동이나 이러한 거동에 따르는 챔버(20)의 내압의 변화를 한정적으로 나타내는 것은 아니다.On the other hand, in each of the drawings referred to after FIGS. 6A and 6B , there are cases in which the change in the internal pressure of the chamber 20 or the change in the opening degree of the damper 80 is shown as a waveform, and these waveforms are mainly represented by a triangular wave or a rectangular wave. make it as However, this is for convenience of explanation only, and does not limit the actual behavior of the damper 80 or the change in internal pressure of the chamber 20 according to the behavior.

또한, 이후의 설명에서의 전제 조건으로서, 본 실시형태에서는, 챔버(20)에 있어서 유지되어야 할 내압의 목표값이 2.5 ㎩인 것으로 한다.In addition, as a prerequisite in the following description, in this embodiment, it shall be assumed that the target value of the internal pressure which should be maintained in the chamber 20 is 2.5 Pa.

도 6a에 「피드백 제어 구간」으로서 나타낸 바와 같이, 기판 처리 전체에 걸쳐 댐퍼(80)의 개방도가 피드백 제어되는 종래 기술에 의하면, 내압의 변화를 나타내는 파형(601)이, 예컨대 시간 T1∼T3에 있어서 급격히 음압측으로 진동하여, -250 ㎩에나 이르는 것과 같은 값을 나타내는 경우가 있다. 이것은, 피드백 제어에서는, 급격한 변화에 완전히 대응할 수 없는 경우가 있기 때문이다.As shown as a "feedback control section" in FIG. 6A , according to the prior art in which the opening degree of the damper 80 is feedback-controlled throughout the substrate processing, a waveform 601 indicating a change in the withstand pressure is, for example, time T1 to T3 In some cases, it vibrates sharply to the negative pressure side and shows a value as high as -250 Pa. This is because feedback control may not be able to fully respond to a sudden change in some cases.

이러한 경우, 적어도 시간 T1∼T3의 구간은 챔버(20) 내가 음압 상태가 되어 버리기 때문에, 웨이퍼(W)에 대한 파티클의 부착 등을 방지하는 데에 있어서 바람직하지 않다. 덧붙여 말하면 도 6a에 나타낸 파형(601)의 일례는, 예컨대 전술한 「급기 전환」시 등에 나타나기 쉽다.In this case, at least the period of time T1 to T3 is undesirable in preventing particles from adhering to the wafer W, since the inside of the chamber 20 becomes a negative pressure state. Incidentally, an example of the waveform 601 shown in Fig. 6A tends to appear, for example, at the time of "supply air switching"

그래서, 도 6b의 파형(602)으로 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 이러한 파형(601)의 언더슈트 부분을 해소하여[파선의 폐곡선(Q)으로 둘러싸인 부분 참조], 내압을 2.5 ㎩로 유지하도록 피드백 제어 구간과 비피드백 제어 구간을 전환하는 것으로 하였다.Therefore, as shown by the waveform 602 in Fig. 6B, in the present embodiment, the undershoot portion of the waveform 601 is eliminated (refer to the portion enclosed by the closed curve Q of the broken line), and the internal pressure is maintained at 2.5 Pa. The feedback control section and the non-feedback control section are switched so that the

구체적으로는, 제어부(18)는 전환부(18c)로서 기능하는 경우, 기판 처리 실행부(18a)로서 기능하는 측으로부터 수취한 통지에 포함되는 ID에 의해, 이제부터 실행되는 처리가 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트인지의 여부를 판정한다. 그리고, 제어부(18)는, 이러한 이벤트라고 판정했다면, 이러한 이벤트의 발생으로부터 소정 기간 동안, 댐퍼(80)의 개방도를 비피드백 제어한다.Specifically, when the control unit 18 functions as the switching unit 18c, the ID included in the notification received from the side serving as the substrate processing execution unit 18a defines the internal pressure of the processing to be executed from now on. It is determined whether the change out of range is an expected predetermined event. And if it is determined that it is such an event, the control part 18 controls the opening degree of the damper 80 non-feedback for a predetermined period from generation|occurrence|production of such an event.

도 6b에 나타낸 예로 말하자면, 제어부(18)는 예컨대, 대상이 되는 이벤트가 발생하는 시간 T1로부터 내압이 최저값을 나타내는 시간 T2 사이를 「비피드백 제어 구간」으로 하여 댐퍼(80)의 개방도를 비피드백 제어한다. Taking the example shown in Fig. 6B, for example, the control unit 18 sets the "non-feedback control section" between the time T1 at which the target event occurs and the time T2 at which the internal pressure shows the lowest value, and increases the opening degree of the damper 80. feedback control.

한편, 「비피드백 제어 구간」에 있어서의 개방도나 개방도의 유지 시간 등의 제어값은, 소정의 이벤트마다 관련시켜져 제어값 정보(19b)로서 미리 등록되며, 제어 장치(4)의 기억부(19)에 기억되어 있다(도 4 참조). 제어값 정보(19b)에 포함되는 각 제어값은 미리 실험 등에 의해 도출되어 규정된다.On the other hand, the control values such as the opening degree and the opening duration holding time in the "non-feedback control section" are registered in advance as the control value information 19b in association with each predetermined event, and the storage unit of the control device 4 . (19) (refer to Fig. 4). Each control value included in the control value information 19b is derived and defined in advance by experiments or the like.

도 4의 설명으로 되돌아가서, 계속해서 제어부(18)가 피드백 제어부(18d)로서 기능하는 경우에 대해 설명한다. 제어부(18)는 피드백 제어부(18d)로서 기능하는 경우, 처리 유닛(16)의 챔버(20)의 내압을 측정하는 측정부(90)의 측정 결과에 기초하여, 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 댐퍼(80)의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행한다. Returning to the description of FIG. 4, the case where the control part 18 functions as the feedback control part 18d is demonstrated successively. When the control unit 18 functions as the feedback control unit 18d, based on the measurement result of the measurement unit 90 that measures the internal pressure of the chamber 20 of the processing unit 16, the damper so as to maintain the internal pressure within a prescribed range Feedback control to control the opening degree of (80) is performed.

또한, 제어부(18)는 비피드백 제어부(18e)로서 기능하는 경우, 제어값 정보(19b)에 포함되는 미리 규정된 제어값에 기초하여 댐퍼(80)의 개방도를 제어하는 비피드백 제어를 행한다.In addition, when functioning as the non-feedback control unit 18e, the control unit 18 performs non-feedback control for controlling the opening degree of the damper 80 based on a predefined control value included in the control value information 19b. .

다음으로, 제어값 정보(19b)의 내용에 대해 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 제어값 정보(19b)의 일례를 도시한 도면이다. Next, the content of the control value information 19b will be described with reference to FIG. 7 . 7 is a diagram showing an example of the control value information 19b.

제어값 정보(19b)는, 전술한 바와 같이 「비피드백 제어 구간」에 있어서의 각종 제어값을 소정의 이벤트마다 관련시킨 정보이다. 구체적으로는, 도 7에 도시한 바와 같이, 예컨대 「ID」 항목과, 「이벤트」 항목과, 「개방도」 항목과, 「유지 시간」 항목과, 「지연 시간」 항목과, 「선행 시간」 항목을 포함하여 구성된다. 「개방도」 항목 및 「유지 시간」 항목은 이들을 1세트로 하여 제1∼제n의 복수 단계로 나누어 등록하는 것이 가능하다.The control value information 19b is information in which various control values in the "non-feedback control section" are related for each predetermined event as described above. Specifically, as shown in Fig. 7, for example, an "ID" item, an "event" item, an "openness" item, a "holding time" item, a "delay time" item, and a "previous time" item It consists of items. It is possible to register the "openness" item and the "holding time" item as one set, divided into a plurality of first to nth steps.

「ID」 항목은, 챔버(20)의 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트를 식별하는 ID가 저장되는 항목이다. 「이벤트」 항목은 구체적인 이벤트의 내용이 저장되는 항목이다. The "ID" item is an item in which an ID for identifying a predetermined event expected to change the internal pressure of the chamber 20 out of a prescribed range is stored. The "event" item is an item in which the contents of a specific event are stored.

「개방도」 항목은, 댐퍼(80)의 개방도가 저장되는 항목이다. 「유지 시간」 항목은, 「개방도」 항목에 저장된 개방도를 유지하는 시간이 저장되는 항목이다. 「지연 시간」 항목은, 비피드백 제어에 의한 개방도의 제어 개시를 지연시키는 시간이 저장되는 항목이다. 「선행 시간」 항목은, 비피드백 제어에 의한 개방도의 제어 개시를 선행시키는 시간이 저장되는 항목이다.The "open degree" item is an item in which the opening degree of the damper 80 is stored. The "holding time" item is an item in which the time for maintaining the opening degree stored in the "openness degree" item is stored. The "delay time" item is an item in which the time for delaying the start of control of the opening degree by non-feedback control is stored. The "preceding time" item is an item in which the time to precede the start of control of the opening degree by non-feedback control is stored.

한편, 도 7에 나타낸 일례에서는 편의적으로, 「급기 전환」시의 개방도 및 유지 시간에 각각 「x11」 및 「t11」을 저장하고 있다. 또한, 「배기 전환」시의 개방도, 유지 시간 및 지연 시간에 각각 「x21」, 「t21」 및 「d21」을 저장하고 있다. 또한, 「컵 전환」시의 개방도, 유지 시간 및 선행 시간에 각각 「x31」, 「t31」 및 「l31」을 저장하고 있다. On the other hand, in the example shown in FIG. 7, "x11" and "t11" are respectively stored in the opening degree and holding time at the time of "supply air switching" for convenience. In addition, "x21", "t21" and "d21" are stored in the opening degree, holding time, and delay time at the time of "exhaust switching", respectively. In addition, "x31", "t31", and "131" are stored in the opening degree at the time of "cup switching", the holding time, and the preceding time, respectively.

이러한 제어값 정보(19b)에 기초하여, 제어부(18)는, 댐퍼(80)의 개방도를 비피드백 제어하게 된다. 다음으로, 제어부(18)가 실행하는 비피드백 제어의 일례에 대해 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명한다.Based on this control value information 19b, the control unit 18 performs non-feedback control of the opening degree of the damper 80 . Next, an example of the non-feedback control performed by the control part 18 is demonstrated with reference to FIGS. 8A and 8B.

도 8a는 종래의 피드백 제어에 있어서의 내압 및 개방도의 변화를 도시한 도면이다. 도 8b는 제어부(18)가 실행하는 비피드백 제어의 일례를 도시한 도면이다. 한편, 도 8a 및 도 8b는 내압 및 개방도를 각각 종축으로 하는 2축 그래프로서 나타나며, 내압의 파형은 실선으로, 개방도의 파형은 일점쇄선으로 각각 나타내고 있다. 또한, 도 8a 및 도 8b에 나타낸 일례는, 이미 나타낸 도 6a 및 도 6b에 대응하며, 또한, 「급기 전환」 이벤트시를 나타내는 것으로 한다.Fig. 8A is a diagram showing changes in internal pressure and opening degree in the conventional feedback control. 8B is a diagram showing an example of non-feedback control executed by the control unit 18. As shown in FIG. On the other hand, FIGS. 8A and 8B are shown as two-axis graphs with internal pressure and opening degree as vertical axes, respectively, the internal pressure waveform is shown by a solid line, and the opening degree waveform is shown by a dashed-dotted line, respectively. In addition, it is assumed that the example shown to FIG. 8A and FIG. 8B corresponds to FIG. 6A and FIG. 6B already shown, and also shows the time of a "supply air switch" event.

도 8a의 파형(801)으로 나타내는 바와 같이, 피드백 제어에 의해서만 댐퍼(80)의 개방도가 제어된 경우, 「급기 전환」시에 시간 T1∼T3에 -250 ㎩까지 이르는 언더슈트가 발생한 것으로 한다. 그리고, 이러한 경우의 개방도의 변화는, 파형(802)으로 나타내는 바와 같이, 시간 T2 지나서까지 30°로 유지된 후, 시간 T2∼T3 사이에 차차 상승하고, 시간 T3 이후에 50°로 수속된 것으로 한다.As shown by the waveform 801 in Fig. 8A, when the opening degree of the damper 80 is controlled only by the feedback control, it is assumed that undershoot of up to -250 Pa has occurred at times T1 to T3 at the time of "supply air switching" . Then, as shown by the waveform 802, the change in the opening degree in this case is maintained at 30° until the time T2 passes, then gradually rises between the times T2 to T3, and converges to 50° after the time T3. make it as

이러한 경우, 본 실시형태의 제어부(18)는, 도 8b의 파형(803)으로 나타내는 바와 같이, 시간 T1에 있어서 개방도를 즉각 30°로부터 50°로까지 제어한다. 그리고, 제어부(18)는, 시간 T2에 있어서 개방도의 제어를 비피드백 제어로부터 피드백 제어로 전환하고, 이후에는 내압의 변화를 피드백 제어에 의해 수속시킨다[도면 중의 파형(804) 참조].In this case, as shown by the waveform 803 of FIG. 8B, the control part 18 of this embodiment controls the opening degree from 30 degree to 50 degree in time T1 immediately. Then, the control unit 18 switches the control of the opening degree from the non-feedback control to the feedback control at time T2, and thereafter converges the change of the internal pressure by the feedback control (refer to the waveform 804 in the figure).

이에 의해, 종래라면 시간 T1∼T3에 발생하고 있었던 챔버(20) 내의 음압 상태를 해소할 수 있다. 즉, 챔버(20)의 내압을 적정하게 유지할 수 있다. 한편, 여기서는 파형이 음압측으로 진동하는 예를 들고 있으나, 양압측으로 진동하는 경우, 즉 파형에 오버슈트가 발생하는 경우에도 적절한 제어값을 규정함으로써 적용 가능하다.Thereby, if it is conventional, the negative pressure state in the chamber 20 which had generate|occur|produced at time T1 - T3 can be eliminated. That is, the internal pressure of the chamber 20 can be properly maintained. On the other hand, although an example in which the waveform vibrates to the negative pressure side is given here, it can be applied by defining an appropriate control value even when the waveform vibrates to the positive pressure side, that is, when an overshoot occurs in the waveform.

한편, 도 8b에는, 하나의 단계로 즉각 소정의 제어값(여기서는 50°)으로까지 개방도를 제어하는 예를 들었으나, 전술한 제어값 정보(19b)에 기초하면 제어부(18)에 의한 비피드백 제어는 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1∼제n의 복수 단계로 나누어 제어값을 제어값 정보(19b)에 등록하면(도 7 참조), 제어부(18)는 이에 따라 단계적으로 개방도를 제어한다.On the other hand, in FIG. 8B, an example of controlling the opening degree to a predetermined control value (50° in this case) immediately in one step is given, but based on the control value information 19b described above, the Feedback control is not limited to this. For example, if a control value is registered in the control value information 19b by dividing it into a plurality of first to nth steps (see FIG. 7 ), the control unit 18 controls the opening degree step by step accordingly.

도 9a 내지 도 9c는 제어부(18)가 단계적으로 개방도를 제어하는 경우의 설명도 (그 1)∼(그 3)이다.9A to 9C are explanatory views (Part 1) to (Part 3) in the case where the control unit 18 controls the opening degree step by step.

예컨대, 만일 제어값 정보(19b)에 제1∼제3 단계의 개방도 및 유지 시간이 등록되어 있으면, 도 9a에 도시한 바와 같이, 제어부(18)는 이에 따라 3단계로 나누어 개방도를 제어하여, 파형(901)과 같이 개방도를 단계적으로 변화시킨다.For example, if the opening degree and holding time of the first to third stages are registered in the control value information 19b, as shown in Fig. 9A, the control unit 18 divides the opening degree into three stages accordingly and controls the opening. Thus, as shown in the waveform 901, the degree of opening is changed in stages.

한편, 도 9a에 나타낸 일례의 경우, 제어값 정보(19b)에는, x11<x12<x13의 관계에 있는 개방도가 순서대로, 각각 제1∼제3 단계에서의 개방도로서 등록되게 된다. 아울러, 유지 시간 t11, t12, t13이 순서대로, 각각 제1∼제3 단계에서의 유지 시간으로서 등록된다.On the other hand, in the case of the example shown in FIG. 9A, the opening degree in the relationship of x11<x12<x13 is sequentially registered in the control value information 19b as an opening degree in 1st - 3rd steps, respectively. In addition, holding times t11, t12, and t13 are sequentially registered as holding times in the first to third steps, respectively.

한편, 도 9a에서는, 단계적으로 개방도를 올려가는 경우를 예로 들었으나, 내압의 변화에 나타나는 패턴에 따라, 예컨대 개방도를 x11>x12>x13의 관계로 하여, 단계적으로 내리는 것으로 해도 좋다.On the other hand, in FIG. 9A, the case where the opening degree is raised in steps is taken as an example, but according to the pattern appearing in the change of the internal pressure, for example, it is good also as the relationship of x11>x12>x13, and it is good also as it lowering|hanging the opening degree stepwise.

물론, 단계적으로 개방도를 올렸다 내렸다 하도록 해도 좋다. 예컨대, 도 9b에 도시한 바와 같이, 시간 T1∼T4 사이에 걸쳐 언더슈트 및 오버슈트가 연속적으로 발생하는, 내압의 변화를 나타내는 파형(902)이 있는 것으로 하자.Of course, it is also possible to raise and lower the opening degree step by step. For example, as shown in Fig. 9B, it is assumed that there is a waveform 902 indicating a change in withstand voltage, in which undershoot and overshoot continuously occur over time T1 to T4.

이러한 경우, 제어부(18)는, 예컨대 도 9c에 도시한 바와 같이, 단계적으로 개방도를 올렸다 내렸다 함으로써, 내압을 유지하는 것이 가능하다[도면 중의 파형(903 및 904) 참조].In this case, the control unit 18 can maintain the internal pressure by, for example, raising and lowering the opening degree stepwise as shown in Fig. 9C (refer to the waveforms 903 and 904 in the drawing).

구체적으로는, x12<x11<x13의 관계에 있는 개방도를, x11∼x13의 순으로, 각각 제어값 정보(19b)의 제1∼제3 단계의 개방도에 등록해 둔다. 또한, 제1 단계의 유지 시간은 파형(902)이 하강하는 시간 T1∼T2에 대응시킨다. 또한, 제2 단계의 유지 시간은 파형(902)이 상승하는 시간 T2∼T3에 대응시킨다. 또한, 제3 단계의 유지 시간은 파형(902)이 재차 하강하는 시간 T3∼T4에 대응시켜 둔다.Specifically, the opening degrees in the relationship of x12<x11<x13 are registered in the opening degrees of the first to third stages of the control value information 19b in the order of x11 to x13, respectively. In addition, the holding time of the first stage corresponds to the time T1 to T2 at which the waveform 902 falls. In addition, the holding time of the second stage corresponds to the times T2 to T3 at which the waveform 902 rises. In addition, the holding time of the 3rd stage is made to correspond to the time period T3 - T4 at which the waveform 902 falls again.

이러한 제어값 정보(19b)에 따름으로써, 제어부(18)는, 파형(903)으로 나타내는 바와 같이 단계적으로 개방도를 올렸다 내렸다 하게 한다.By following this control value information 19b, the control part 18 raises and lowers the opening degree step by step, as shown by the waveform 903.

이와 같이 단계적으로 개방도를 변화시키는 제어를 가능하게 함으로써, 다양한 패턴을 가지고 나타나기 쉬운 급격한 내압의 변화에 정밀하게 대응하는 것이 가능해진다. 즉, 챔버(20)의 내압을 적정하게 유지할 수 있다. By enabling the control to change the opening degree step by step in this way, it becomes possible to precisely respond to the sudden change in internal pressure which is easy to appear with various patterns. That is, the internal pressure of the chamber 20 can be properly maintained.

다음으로, 제어부(18)가 제어값 정보(19b)에 기초하여 비피드백 제어에 의한 개방도의 제어 개시를 지연 혹은 선행시키는 경우에 대해, 도 10a 및 도 10b를 참조하여 설명한다. 도 10a는 제어부(18)가 개방도의 제어 개시를 지연시키는 경우의 설명도이다. 또한, 도 10b는 제어부(18)가 개방도의 제어 개시를 선행시키는 경우의 설명도이다. Next, a case in which the control unit 18 delays or advances the control start of the opening degree by non-feedback control based on the control value information 19b will be described with reference to FIGS. 10A and 10B . 10A is an explanatory diagram in the case where the control unit 18 delays the start of control of the opening degree. Moreover, FIG. 10B is explanatory drawing in the case where the control part 18 precedes the control start of an opening degree.

제어값 정보(19b)에 지연 시간 혹은 선행 시간이 등록됨으로써(도 7 참조), 제어부(18)는, 비피드백 제어에 의한 개방도의 제어 개시를 지연 혹은 선행시킨다. By registering the delay time or advance time in the control value information 19b (refer to FIG. 7), the control part 18 delays or advances the start of the control of the opening degree by non-feedback control.

제어값 정보(19b)의 소정의 이벤트에 대해, 「d21」의 지연 시간이 등록되어 있었던 것으로 하자. 이 경우, 도 10a에 도시한 바와 같이, 제어부(18)는, 본래의 비피드백 제어 개시 시점인 시간 T1을 d21만큼 지연시킨 시간 T1'로부터, 개방도의 제어를 개시한다[도면 중의 화살표(1001) 참조].It is assumed that a delay time of &quot;d21&quot; is registered for a predetermined event in the control value information 19b. In this case, as shown in Fig. 10A, the control unit 18 starts the control of the opening degree from the time T1' which delayed the time T1, which is the original non-feedback control start time, by d21 (arrow 1001 in the drawing). ) Reference].

또한, 제어값 정보(19b)의 소정의 이벤트에 대해, 「l31」의 선행 시간이 등록되어 있었던 것으로 하자. 이 경우, 도 10b에 도시한 바와 같이, 제어부(18)는, 본래의 비피드백 제어 개시 시점인 시간 T1을 l31만큼 선행시킨 시간 T0으로부터, 개방도의 제어를 개시한다[도면 중의 화살표(1002) 참조].Also, it is assumed that the preceding time of &quot;131&quot; has been registered with respect to a predetermined event in the control value information 19b. In this case, as shown in Fig. 10B, the control unit 18 starts the control of the opening degree from time T0, which advances time T1, which is the original non-feedback control start time, by l31 (arrow 1002 in the drawing). Reference].

한편, 선행시키는 경우에 대해서는, 예컨대 전환부(18c)로서 기능하는 측이, 비피드백 제어로 전환해야 할 이벤트의 하나 앞의 이벤트의 통지를 기판 처리 실행부(18a)로서 기능하는 측으로부터 수취했다면, 레시피 정보(19a)를 참조하여 이 하나 앞의 이벤트가 완료되는 시간을 도출하고, 이러한 완료 시간을 기준으로 선행시킴으로써 실현 가능하다.On the other hand, in the case of advance, if, for example, the side serving as the switching unit 18c receives notification of an event preceding one of the events to be switched to non-feedback control, from the side serving as the substrate processing executing unit 18a , it can be realized by deriving the time at which the preceding event is completed by referring to the recipe information 19a, and advancing this completion time as a reference.

이와 같이 비피드백 제어에 의한 개방도의 제어 개시를 지연 혹은 선행시킴으로써, 예컨대 기계적 요소에 기인하는 타임래그 등을 해소하는 것이 가능하다. 즉, 내압의 변화에 정밀하게 대응할 수 있어, 챔버(20)의 내압을 적정하게 유지할 수 있다. By delaying or preceding the start of the control of the opening degree by the non-feedback control in this way, it is possible to eliminate, for example, a time lag caused by a mechanical element. That is, it is possible to precisely respond to the change in the internal pressure, and it is possible to properly maintain the internal pressure of the chamber 20 .

다음으로, 제어부(18)가 댐퍼 조정부(18b)로서 기능하는 경우에 실행하는 처리의 처리 순서에 대해 도 11을 참조하여 설명한다. Next, the processing sequence of the processing performed when the control part 18 functions as the damper adjustment part 18b is demonstrated with reference to FIG.

도 11은 제어부(18)가 댐퍼 조정부(18b)로서 기능하는 경우에 실행하는 처리의 처리 순서를 도시한 흐름도이다. 먼저, 초기 처리로서 제어값 정보(19b)가 읽어들여진다(단계 S201). 그리고, 제어부(18)는, 일련의 기판 처리를 실행시키는 측으로부터의 이벤트 통지가 있는지의 여부를 판정한다(단계 S202). 11 is a flowchart showing a processing sequence of processing executed when the control unit 18 functions as the damper adjustment unit 18b. First, the control value information 19b is read as an initial process (step S201). Then, the control unit 18 determines whether or not there is an event notification from the side that executes a series of substrate processing (step S202).

여기서, 이벤트 통지가 없는 경우(단계 S202, No), 이벤트 통지가 있을 때까지 단계 S202가 반복된다. 또한, 이벤트 통지가 있는 경우(단계 S202, Yes), 제어부(18)는 이러한 이벤트 통지가 기판 처리 종료인지의 여부를 판정한다(단계 S203). Here, if there is no event notification (step S202, No), step S202 is repeated until there is an event notification. Further, when there is an event notification (step S202, Yes), the control unit 18 determines whether or not this event notification is the end of the substrate processing (step S203).

여기서, 기판 처리 종료가 아닌 경우(단계 S203, No), 제어부(18)는 댐퍼(80)의 개방도의 제어를 피드백 제어로부터 비피드백 제어로 전환한다(단계 S204). Here, when the substrate processing is not finished (step S203, No), the control unit 18 switches the control of the opening degree of the damper 80 from the feedback control to the non-feedback control (step S204).

그리고, 제어부(18)는 이벤트의 종별에 따라 댐퍼(80)의 개방도를 비피드백 제어한다(단계 S205).Then, the control unit 18 performs non-feedback control of the opening degree of the damper 80 according to the type of event (step S205).

그리고, 대상의 이벤트에 대한 비피드백 제어가 종료되었다면, 제어부(18)는 댐퍼(80)의 개방도의 제어를 피드백 제어로 복귀시킨다(단계 S206). 그리고, 단계 S202로부터의 처리를 반복한다.Then, if the non-feedback control for the event of the target is finished, the control unit 18 returns the control of the opening degree of the damper 80 to the feedback control (step S206). Then, the process from step S202 is repeated.

한편, 단계 S203에 있어서 기판 처리 종료라고 판정된 경우에는(단계 S203, Yes), 처리를 종료한다.On the other hand, when it is determined in step S203 that the substrate processing is finished (step S203, Yes), the processing is ended.

전술해 온 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 챔버(20)와, FFU(21) 및 CDA 급기부(24)(「급기부」의 일례에 상당)와, 배기구(52)(「배기부」의 일례에 상당)와, 댐퍼(80)(「조정 기구」의 일례에 상당)와, 측정부(90)와, 제어부(18)를 구비한다.As described above, the substrate processing system 1 (corresponding to an example of a “substrate processing apparatus”) according to the present embodiment includes a chamber 20 , an FFU 21 , and a CDA air supply unit 24 (“supply supply unit”). Equivalent to an example of "base"), exhaust port 52 (corresponding to an example of "exhaust part"), damper 80 (corresponding to an example of "adjustment mechanism"), measuring unit 90, and control unit ( 18) is provided.

챔버(20)는 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)를 수용한다. FFU(21) 및 CDA 급기부(24)는 챔버(20) 내에 기체를 공급한다. 배기구(52)는 챔버(20) 내를 배기한다. 댐퍼(80)는 배기구(52)로부터 배기되는 배기량을 조정한다. 측정부(90)는 챔버(20)의 내압을 측정한다. 제어부(18)는 기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보(19a)에 따라 일련의 기판 처리를 실행시킨다.The chamber 20 accommodates the wafer W to be processed. The FFU 21 and the CDA air supply unit 24 supply gas into the chamber 20 . The exhaust port 52 exhausts the inside of the chamber 20 . The damper 80 adjusts the amount of exhaust exhausted from the exhaust port 52 . The measuring unit 90 measures the internal pressure of the chamber 20 . The control unit 18 executes a series of substrate processing according to the recipe information 19a indicating the contents of the substrate processing.

또한, 제어부(18)는, 측정부(90)의 측정 결과에 기초하여 챔버(20)의 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 댐퍼(80)의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고, 챔버(20)의 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트가 발생하는 경우에, 피드백 제어를 대신하여 미리 규정된 제어값에 기초하여 댐퍼(80)의 개방도를 제어하는 비피드백 제어를 행한다.Further, the control unit 18 performs feedback control for controlling the opening degree of the damper 80 so as to maintain the internal pressure of the chamber 20 within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit 90 , and the chamber 20 . When a predetermined event, which is expected to change the internal pressure of , out of the specified range occurs, non-feedback control for controlling the opening degree of the damper 80 based on a predetermined control value is performed instead of the feedback control.

따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 챔버(20)의 내압을 적정하게 유지할 수 있다.Therefore, according to the substrate processing system 1 which concerns on this embodiment, the internal pressure of the chamber 20 can be maintained appropriately.

한편, 전술한 실시형태에서는, 약액으로서 DHF를 예시하였으나, 약액으로서는 그 외에, 예컨대 SC1, SC2, SPM, 레지스트, 현상액, 실릴화제 및 오존수 등이 있다. On the other hand, in the above-described embodiment, DHF is exemplified as the chemical solution, but there are other examples of the chemical solution, such as SC1, SC2, SPM, resist, developer, silylating agent, ozone water, and the like.

또한, 린스액도 전술한 DIW에 한정되지 않는다. 예컨대, 린스 처리의 내용이, 웨이퍼(W)에 DIW를 공급하는 처리와, 웨이퍼(W) 상의 DIW를 IPA로 치환하는 처리가 포함되는 경우에는, IPA도 린스액에 포함된다. Also, the rinse liquid is not limited to the above-described DIW. For example, when the contents of the rinse process include a process for supplying DIW to the wafer W and a process for replacing DIW on the wafer W with IPA, IPA is also included in the rinse solution.

또한, 전술한 실시형태에서는, 챔버(20)의 내압을 규정 범위 외로 변화시키는 것이 예상되는 소정의 이벤트로서, 「급기 전환」, 「배기 전환」 및 「컵 전환」을 예로 들었으나, 이들에 한정되지 않는다. In addition, in the above-described embodiment, as a predetermined event that is expected to change the internal pressure of the chamber 20 outside the prescribed range, "supply air switching", "exhaust air switching" and "cup switching" are exemplified, but limited to these doesn't happen

예컨대, 웨이퍼(W)를 교체하기 위해서 챔버(20)의 셔터(도시 생략)가 개폐되는, 건조 처리로부터 교체 처리로의 이행시에 개방도의 제어가 비피드백 제어에 의해 행해져도 좋다.For example, control of the opening degree may be performed by non-feedback control at the time of transition from the drying process to the replacement process, in which the shutter (not shown) of the chamber 20 is opened and closed to replace the wafer W.

또한, 전술한 실시형태에서는, 제어부(18)의 전환부(18c)로서 기능하는 측이, 기판 처리 실행부(18a)로서 기능하는 측으로부터 수취하는 통지에 의해 이제부터 실행되는 각 처리를 식별하는 경우를 예로 들었으나, 전환부(18c)로서 기능하는 측이 직접 레시피 정보(19a)를 참조해도 좋다. 또한, 기판 처리 실행부(18a)와 댐퍼 조정부(18b)가 통합된 형태를 제어부(18)가 레시피 정보(19a)를 참조하면서 통합적으로 실행하는 것으로 해도 좋다.In addition, in the above-described embodiment, the side serving as the switching unit 18c of the control unit 18 identifies each processing to be executed from now on by a notification received from the side serving as the substrate processing executing unit 18a. Although the case was taken as an example, the side functioning as the switching part 18c may refer directly to the recipe information 19a. In addition, it is good also as a form in which the substrate processing execution part 18a and the damper adjustment part 18b are integrated, and it is good also considering that the control part 18 performs it integrally, referring the recipe information 19a.

보다 한층의 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the broader aspect of this invention is not limited to the specific detail and typical embodiment shown and described as mentioned above. Accordingly, various modifications are possible without departing from the spirit or scope of the overall inventive concept defined by the appended claims and their equivalents.

W: 웨이퍼 1: 기판 처리 시스템
4: 제어 장치 16: 처리 유닛
18: 제어부 19: 기억부
19a: 레시피 정보 19b: 제어값 정보
20: 챔버 21: FFU
24: CDA 급기부 52: 배기구
80: 댐퍼 90: 측정부W: Wafer 1: Substrate processing system
4: control unit 16: processing unit
18: control unit 19: storage unit
19a: recipe information 19b: control value information
20: chamber 21: FFU
24: CDA air supply 52: exhaust port
80: damper 90: measuring part

Claims (13)

처리 대상이 되는 기판을 수용하는 챔버와,
상기 챔버 내에 기체를 공급하는 급기부와,
상기 챔버 내를 배기하는 배기부와,
상기 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정하는 조정 기구와,
상기 챔버의 내압을 측정하는 측정부와,
기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시키는 제어부
를 구비하고,
상기 일련의 기판 처리는,
상기 기판에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 상기 약액 처리후에 상기 기판에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리, 및 린스 처리후에 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 포함하고,
상기 급기부는,
제1 기체를 공급하는 제1 급기부와,
상기 건조 처리시에 제2 기체를 공급하는 제2 급기부를 구비하며,
상기 제어부는,
상기 측정부의 측정 결과에 기초하여 상기 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 상기 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고,
상기 제1 급기부로부터 상기 제2 급기부의 전환이 실행되는 경우에, 상기 피드백 제어로부터 미리 규정된 제어값에 기초하여 상기 개방도를 제어하는 비(非)피드백 제어로 전환하는 기판 처리 장치.A chamber for accommodating a substrate to be processed;
an air supply unit for supplying gas into the chamber;
an exhaust unit for exhausting the inside of the chamber;
an adjustment mechanism for adjusting an exhaust amount exhausted from the exhaust unit;
a measuring unit for measuring the internal pressure of the chamber;
A control unit that executes a series of substrate processing according to recipe information indicating the contents of substrate processing
to provide
The series of substrate processing,
a chemical solution treatment for supplying a chemical solution to the substrate, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the substrate after the chemical solution treatment, and a drying treatment for drying the substrate after the rinse treatment,
The air supply unit,
A first air supply unit for supplying a first gas, and
A second air supply unit for supplying a second gas during the drying process is provided;
The control unit is
performing feedback control for controlling the opening degree of the adjustment mechanism so as to maintain the internal pressure within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit;
A substrate processing apparatus for switching from the feedback control to a non-feedback control for controlling the opening degree based on a predetermined control value when switching from the first air supply part to the second air supply part is executed. 처리 대상이 되는 기판을 수용하는 챔버와,
상기 챔버 내에 기체를 공급하는 급기부와,
상기 챔버 내를 배기하는 배기부와,
상기 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정하는 조정 기구와,
상기 챔버의 내압을 측정하는 측정부와,
기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시키는 제어부
를 구비하고,
상기 일련의 기판 처리는,
상기 기판에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 상기 약액 처리후에 상기 기판에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리, 및 린스 처리후에 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 포함하고,
상기 배기부는,
상기 기판 처리의 각 처리에 따른 복수 계통의 배기 경로를 가지며,
상기 제어부는,
상기 측정부의 측정 결과에 기초하여 상기 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 상기 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고,
상기 기판 처리의 각 처리의 이행시에 상기 배기 경로의 전환이 실행되는 경우에, 상기 피드백 제어로부터 미리 규정된 제어값에 기초하여 상기 개방도를 제어하는 비피드백 제어로 전환하는 기판 처리 장치.A chamber for accommodating a substrate to be processed;
an air supply unit for supplying gas into the chamber;
an exhaust unit for exhausting the inside of the chamber;
an adjustment mechanism for adjusting an exhaust amount exhausted from the exhaust unit;
a measuring unit for measuring the internal pressure of the chamber;
A control unit that executes a series of substrate processing according to recipe information indicating the contents of substrate processing
to provide
The series of substrate processing,
a chemical solution treatment for supplying a chemical solution to the substrate, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the substrate after the chemical solution treatment, and a drying treatment for drying the substrate after the rinse treatment,
The exhaust unit,
It has a plurality of exhaust paths according to each treatment of the substrate treatment,
The control unit is
performing feedback control for controlling the opening degree of the adjustment mechanism so as to maintain the internal pressure within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit;
A substrate processing apparatus for switching from the feedback control to non-feedback control for controlling the opening degree based on a predetermined control value, when switching of the exhaust path is executed at the time of implementation of each processing of the substrate processing. 제2항에 있어서, 상기 배기 경로는,
상기 린스 처리에 있어서의 배기 경로인 제1 배기 경로와, 상기 건조 처리에 있어서의 배기 경로인 제2 배기 경로를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2, wherein the exhaust path comprises:
A substrate processing apparatus comprising: a first exhaust path that is an exhaust path in the rinsing process; and a second exhaust path that is an exhaust path in the drying process. 처리 대상이 되는 기판을 수용하는 챔버와,
상기 챔버 내에 기체를 공급하는 급기부와,
상기 챔버 내를 배기하는 배기부와,
상기 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정하는 조정 기구와,
상기 챔버의 내압을 측정하는 측정부와,
기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시키는 제어부
를 구비하고,
상기 일련의 기판 처리는,
상기 기판에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 상기 약액 처리후에 상기 기판에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리, 및 린스 처리후에 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 포함하고,
상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와,
상기 기판 유지 기구에 의해 회전되는 상기 기판의 회전 중심에 동심 배치되며, 상기 기판 처리의 각 처리에 있어서의 배액(排液)을 회수하는 복수의 회수컵
을 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 측정부의 측정 결과에 기초하여 상기 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 상기 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고,
상기 기판 처리의 각 처리의 이행시에 상기 회수컵의 전환이 실행되는 경우에, 상기 피드백 제어로부터 상기 비피드백 제어로 전환하는 기판 처리 장치.A chamber for accommodating a substrate to be processed;
an air supply unit for supplying gas into the chamber;
an exhaust unit for exhausting the inside of the chamber;
an adjustment mechanism for adjusting an exhaust amount exhausted from the exhaust unit;
a measuring unit for measuring the internal pressure of the chamber;
A control unit that executes a series of substrate processing according to recipe information indicating the contents of substrate processing
to provide
The series of substrate processing,
a chemical solution treatment for supplying a chemical solution to the substrate, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the substrate after the chemical solution treatment, and a drying treatment for drying the substrate after the rinse treatment,
a substrate holding mechanism disposed in the chamber to hold and rotate the substrate;
A plurality of recovery cups arranged concentrically to the rotation center of the substrate rotated by the substrate holding mechanism and for collecting drainage in each processing of the substrate processing.
provide more,
The control unit is
performing feedback control for controlling the opening degree of the adjustment mechanism so as to maintain the internal pressure within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit;
A substrate processing apparatus for switching from the feedback control to the non-feedback control when switching of the recovery cup is executed at the time of execution of each processing of the substrate processing. 제4항에 있어서, 상기 회수컵은,
상기 린스 처리에 있어서의 배액을 회수하는 제1 회수컵과, 상기 건조 처리에 있어서의 배액을 회수하는 제2 회수컵을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 4, wherein the recovery cup,
A substrate processing apparatus comprising: a first recovery cup for recovering the drainage liquid from the rinsing process; and a second recovery cup for recovering the drainage liquid from the drying process. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어값은,
상기 개방도를 유지하는 시간을 나타내는 유지 시간의 제어값을 포함하고,
상기 제어부는,
상기 유지 시간의 제어값에 기초하여 상기 개방도를 유지하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 2 and 4, wherein the control value is
including a control value of the holding time indicating the time to maintain the opening degree,
The control unit is
The substrate processing apparatus which maintains the said opening degree based on the control value of the said holding time. 제6항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 유지 시간이 경과한 경우에, 상기 개방도의 제어를 상기 비피드백 제어로부터 상기 피드백 제어로 복귀시키는 기판 처리 장치.According to claim 6, wherein the control unit,
A substrate processing apparatus for returning control of the opening degree from the non-feedback control to the feedback control when the holding time has elapsed. 제6항에 있어서, 상기 제어값은,
상기 개방도 및 상기 유지 시간을 단계적으로 변화시키는 단계 지정의 제어값을 포함하고,
상기 제어부는,
상기 단계 지정의 제어값에 기초하여 상기 개방도 및 상기 유지 시간을 단계적으로 변화시키는 기판 처리 장치.The method of claim 6, wherein the control value is
including a step designation control value for stepwise varying the opening degree and the holding time,
The control unit is
The substrate processing apparatus which changes the said opening degree and the said holding time in steps based on the control value of the said step designation. 제6항에 있어서, 상기 제어값은,
상기 개방도의 제어 개시를 지연시키는 시간을 나타내는 지연 시간의 제어값을 포함하고,
상기 제어부는,
상기 지연 시간의 제어값에 기초하여 상기 개방도의 제어 개시를 지연시키는 기판 처리 장치.The method of claim 6, wherein the control value is
including a control value of a delay time indicating a time for delaying the start of control of the opening degree;
The control unit is
The substrate processing apparatus which delays the control start of the said opening degree based on the control value of the said delay time. 제9항에 있어서, 상기 제어값은,
상기 개방도의 제어 개시를 선행시키는 시간을 나타내는 선행 시간의 제어값을 포함하고,
상기 제어부는,
상기 선행 시간의 제어값에 기초하여 상기 개방도의 제어 개시를 선행시키는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9, wherein the control value,
including a control value of a preceding time indicating a time preceding the start of the control of the opening degree;
The control unit is
The substrate processing apparatus which advances the control start of the said opening degree based on the control value of the said advance time. 처리 대상이 되는 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 기체를 공급하는 급기부와, 상기 챔버 내를 배기하는 배기부와, 상기 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정하는 조정 기구와, 상기 챔버의 내압을 측정하는 측정부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하여, 기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시키는 제어 공정을 포함하고,
상기 일련의 기판 처리는,
상기 기판에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 상기 약액 처리후에 상기 기판에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리, 및 린스 처리후에 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 포함하고,
상기 급기부는, 제1 기체를 공급하는 제1 급기부와, 상기 건조 처리시에 제2 기체를 공급하는 제2 급기부를 구비하며,
상기 제어 공정은,
상기 측정부의 측정 결과에 기초하여 상기 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 상기 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고, 상기 제1 급기부로부터 상기 제2 급기부의 전환이 실행되는 경우에, 상기 피드백 제어로부터 미리 규정된 제어값에 기초하여 상기 개방도를 제어하는 비피드백 제어로 전환하는 기판 처리 방법.A chamber for accommodating a substrate to be treated; an air supply unit for supplying a gas into the chamber; an exhaust unit for exhausting the inside of the chamber; an adjustment mechanism for adjusting an exhaust amount exhausted from the exhaust unit; a control step of executing a series of substrate processing according to recipe information indicating contents of substrate processing using a substrate processing apparatus having a measuring unit for measuring
The series of substrate processing,
a chemical solution treatment for supplying a chemical solution to the substrate, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the substrate after the chemical solution treatment, and a drying treatment for drying the substrate after the rinse treatment,
The air supply unit includes a first air supply unit for supplying a first gas, and a second air supply unit for supplying a second gas during the drying process,
The control process is
When feedback control is performed to control the opening degree of the adjustment mechanism to keep the internal pressure within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit, and when switching from the first air supply unit to the second air supply unit is performed, the A substrate processing method for switching from feedback control to non-feedback control for controlling the opening degree based on a predefined control value. 처리 대상이 되는 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 기체를 공급하는 급기부와, 상기 챔버 내를 배기하는 배기부와, 상기 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정하는 조정 기구와, 상기 챔버의 내압을 측정하는 측정부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하여, 기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시키는 제어 공정을 포함하고,
상기 일련의 기판 처리는,
상기 기판에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 상기 약액 처리후에 상기 기판에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리, 및 린스 처리후에 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 포함하고,
상기 배기부는 상기 기판 처리의 각 처리에 따른 복수 계통의 배기 경로를 가지며,
상기 제어 공정은,
상기 측정부의 측정 결과에 기초하여 상기 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 상기 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고, 상기 기판 처리의 각 처리의 이행시에 상기 배기 경로의 전환이 실행되는 경우에, 상기 피드백 제어로부터 미리 규정된 제어값에 기초하여 상기 개방도를 제어하는 비피드백 제어로 전환하는 기판 처리 방법.A chamber for accommodating a substrate to be treated; an air supply unit for supplying a gas into the chamber; an exhaust unit for exhausting the inside of the chamber; an adjustment mechanism for adjusting an exhaust amount exhausted from the exhaust unit; a control step of executing a series of substrate processing according to recipe information indicating contents of substrate processing using a substrate processing apparatus having a measuring unit for measuring
The series of substrate processing,
a chemical solution treatment for supplying a chemical solution to the substrate, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the substrate after the chemical solution treatment, and a drying treatment for drying the substrate after the rinse treatment,
The exhaust unit has a plurality of exhaust paths according to each treatment of the substrate processing,
The control process is
When feedback control is performed to control the opening degree of the adjustment mechanism so as to maintain the internal pressure within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit, and the exhaust path is switched at the execution of each process of the substrate processing, A substrate processing method for switching from the feedback control to a non-feedback control for controlling the opening degree based on a predefined control value. 처리 대상이 되는 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 기체를 공급하는 급기부와, 상기 챔버 내를 배기하는 배기부와, 상기 배기부로부터 배기되는 배기량을 조정하는 조정 기구와, 상기 챔버의 내압을 측정하는 측정부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하여, 기판 처리의 내용을 나타내는 레시피 정보에 따라 일련의 기판 처리를 실행시키는 제어 공정을 포함하고,
상기 일련의 기판 처리는,
상기 기판에 대해 약액을 공급하는 약액 처리, 상기 약액 처리후에 상기 기판에 대해 린스액을 공급하는 린스 처리, 및 린스 처리후에 상기 기판을 건조시키는 건조 처리를 포함하고,
상기 기판 처리 장치는, 상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와, 상기 기판 유지 기구에 의해 회전되는 상기 기판의 회전 중심에 동심 배치되며, 상기 기판 처리의 각 처리에 있어서의 배액을 회수하는 복수의 회수컵을 더 구비하고,
상기 제어 공정은,
상기 측정부의 측정 결과에 기초하여 상기 내압을 규정 범위 내로 유지하도록 상기 조정 기구의 개방도를 제어하는 피드백 제어를 행하고, 상기 기판 처리의 각 처리의 이행시에 상기 회수컵의 전환이 실행되는 경우에, 상기 피드백 제어로부터 미리 규정된 제어값에 기초하여 상기 개방도를 제어하는 비피드백 제어로 전환하는 기판 처리 방법.A chamber for accommodating a substrate to be treated; an air supply unit for supplying a gas into the chamber; an exhaust unit for exhausting the inside of the chamber; an adjustment mechanism for adjusting an exhaust amount exhausted from the exhaust unit; a control step of executing a series of substrate processing according to recipe information indicating contents of substrate processing using a substrate processing apparatus having a measuring unit for measuring
The series of substrate processing,
a chemical solution treatment for supplying a chemical solution to the substrate, a rinse treatment for supplying a rinse solution to the substrate after the chemical solution treatment, and a drying treatment for drying the substrate after the rinse treatment,
The substrate processing apparatus is disposed in the chamber and includes a substrate holding mechanism for holding and rotating the substrate, and concentrically disposed at a rotation center of the substrate rotated by the substrate holding mechanism, in each process of the substrate processing A plurality of recovery cups for recovering the drainage of
The control process is
When feedback control is performed to control the opening degree of the adjustment mechanism so as to maintain the internal pressure within a prescribed range based on the measurement result of the measurement unit, and the recovery cup is switched at the time of execution of each processing of the substrate processing, A substrate processing method for switching from the feedback control to a non-feedback control for controlling the opening degree based on a predefined control value.

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