KR102406136B1

KR102406136B1 - 웨이퍼 유지체

Info

Publication number: KR102406136B1
Application number: KR1020187024763A
Authority: KR
Inventors: 고이치 기무라; 아키라 미쿠모
Original assignee: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Priority date: 2016-11-29
Filing date: 2017-10-17
Publication date: 2022-06-10
Also published as: JP6886128B2; WO2018100903A1; US20210375647A1; US11127605B2; JPWO2018100903A1; JP7182083B2; JP2021132217A; US20190051543A1; KR20190086368A

Abstract

피처리물의 배치면을 상면에 구비한 배치대와 배치대를 하면측으로부터 지지하는 지지 부재와, 한쪽의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제1 통형 부재와, 제1 통형 부재의 내측에 배치되며, 또한, 한쪽의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제2 통형 부재를 갖는 웨이퍼 유지체.

Description

웨이퍼 유지체

본 개시는 웨이퍼 유지체에 관한 것이다. 본 출원은 2016년 11월 29일 출원된 일본 출원 제2016-230806호에 기초한 우선권을 주장하며, 상기 일본 출원에 기재된 모든 기재 내용을 원용하는 것이다.

LSI 등의 반도체 디바이스를 제조하는 반도체 제조 장치에서는, 피처리물인 반도체 웨이퍼에 대하여 CVD나 스퍼터링으로 대표되는 성막 처리나 에칭 처리 등, 여러 가지 박막 처리가 실시된다. 이들 박막 처리는 가열 상태의 반도체 웨이퍼에 대하여 실시하는 일이 많고, 그 때문에 상기 박막 처리를 행하는 챔버 내에는 처리 대상의 반도체 웨이퍼를 배치하여 그 하면으로부터 가열하는 서셉터라고 칭하는 웨이퍼 가열 히터가 일반적으로 탑재되어 있다.

상기 웨이퍼 가열 히터는, 예컨대 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 상면에 평탄한 웨이퍼 배치면을 구비한 세라믹스제의 원판형 부재로 이루어지는 웨이퍼 배치대와, 이것을 하면측으로부터 지지하는 원통형의 지지 부재로 구성되어 있고, 상기 웨이퍼 배치대의 내부에 매설된 저항 발열체로 반도체 웨이퍼를 가열하도록 되어 있다. 웨이퍼 배치대의 내부에는, 플라즈마를 발생시키는 고주파(RF) 전극이나 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 배치면에 전기적으로 흡착 고정시키는 정전 척(ESC) 전극이 더 마련되는 경우도 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-17224호 공보

피처리물의 배치면을 상면에 구비한 배치대와 배치대를 하면측으로부터 지지하는 지지 부재와, 한쪽의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제1 통형 부재와, 제1 통형 부재의 내측에 배치되며, 또한, 한편의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제2 통형 부재를 갖는 웨이퍼 유지체.

도 1은 본 개시에 따른 웨이퍼 유지체의 일구체예로서의 웨이퍼 가열 히터의 모식적인 종단면도이다.
도 2a는 도 1의 웨이퍼 가열 히터가 갖는 제1 통형 부재 및 제2 통형 부재의 기밀 접합 부분의 제1 형태를 나타내는 부분 단면도이다.
도 2b는 도 1의 웨이퍼 가열 히터가 갖는 제1 통형 부재 및 제2 통형 부재의 기밀 접합 부분의 제2 형태를 나타내는 부분 단면도이다.
도 2c는 도 1의 웨이퍼 가열 히터가 갖는 제1 통형 부재 및 제2 통형 부재의 기밀 접합 부분의 제3 형태를 나타내는 부분 단면도이다.
도 2d는 도 1의 웨이퍼 가열 히터가 갖는 제1 통형 부재및 제2 통형 부재의 기밀 접합 부분의 제4 형태를 나타내는 부분 단면도이다.

상기한 바와 같이 웨이퍼 가열 히터의 웨이퍼 배치대는 내부에 저항 발열체 등의 전극을 가지고 있기 때문에, 이것에 급전하는 단자부가 웨이퍼 배치대의 하면측에 마련되어 있다. 또한, 웨이퍼 배치대에는 열전대 등의 온도 센서가 장착되는 경우가 있고, 이 경우도 그 단자부가 하면측에 마련되게 된다. 이들 단자부는 반도체 웨이퍼의 처리 시에 웨이퍼 배치대와 함께 600℃ 정도까지 승온하기 때문에, CVD나 에칭 등에 이용하는 반응성 가스로서 챔버 내에 도입되는 할로겐 가스 등의 부식성 가스로부터 보호하는 것이 필요하다.

그래서, 저항 발열체 등에 마련되는 전극의 단자부나 그것에 접속되는 인출선을 통형 부재의 내측에 수납하며, 상기 통형 부재의 양단부를 각각 웨이퍼 배치대의 저면 및 챔버의 바닥면에 기밀 시일하는 것이 생각된다. 그러나, 웨이퍼 배치대는 일반적으로 승온과 강온이 반복되기 때문에, 통형 부재와 웨이퍼 배치대의 접합 부분이 이 히트 사이클에 의해 파손되는 경우가 있었다. 또한, 메인터넌스를 행할 때에 통형 부재에 횡방향의 외부 응력이 가해져 상기 접합 부분이 파손되는 경우가 있었다.

또한, 웨이퍼 배치대에는 냉각을 위한 냉매의 순환로를 내부에 마련하거나, 웨이퍼 배치면에 배치한 반도체 웨이퍼를 진공 흡인하기 위한 홈을 웨이퍼 배치면에 마련하거나 하는 경우가 있고, 전자의 경우는 상기 냉매의 공급·배출용 유로를, 후자의 경우는 상기 홈에 연통하는 유로를 웨이퍼 배치대의 하면측에 마련하는 것이 필요하다. 이들 유로도 누설이 생기지 않도록 웨이퍼 배치대에 확실하게 기밀 시일할 필요가 있지만, 상기한 히트 사이클 등의 응력에 의해 파손되는 경우가 있었다. 본 개시는 이러한 종래의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 피처리물의 배치대와 이것을 지지하는 지지 부재로 이루어지는 웨이퍼 유지체에 있어서, 상기 배치대에 마련된 통형 부재에 히트 사이클 등의 응력이 가해져도 파손되기 어려운 구조를 제공한다.

먼저 본 개시의 실시형태를 열기하여 설명한다. 본 개시의 웨이퍼 유지체는, 피처리물의 배치면을 상면에 구비한 배치대와 배치대를 하면측으로부터 지지하는 지지 부재와, 한쪽의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제1 통형 부재와, 제1 통형 부재의 내측에 배치되며, 또한, 한쪽의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제2 통형 부재를 갖는 웨이퍼 유지체이다. 이에 의해 배치대와 제2 통형 부재의 접합 부분의 강도를 향상시킬 수 있다.

상기 웨이퍼 유지체에 있어서는, 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 전극을 가지며, 전극은 제2 통형 부재의 내측에 수용되어 있어도 좋다.

또한, 상기 웨이퍼 유지체에 있어서는, 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 온도 센서와, 온도 센서로부터 인출된 인출선을 가지며, 온도 센서와 인출선이 제2 통형 부재의 내측에 수용되어 있어도 좋다.

또한, 상기 웨이퍼 유지체에 있어서는, 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 전극과 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 온도 센서와, 온도 센서로부터 인출된 인출선을 가지며, 전극과 온도 센서와 인출선이 제2 통형 부재의 내측에 수용되어 있어도 좋다. 이에 의해, 전극, 온도 센서나 그 인출선을 부식성 분위기로부터 격리할 수 있다. 또는, 배치대는 내부에 유로를 가지며, 배치면은 홈을 가지며, 제2 통형 부재의 내측이 유로 또는 홈에 연통하는 유로로서 구성되어 있어도 좋다. 이에 의해, 제2 통형 부재의 내측의 유로와 외측 사이의 누설을 확실하게 막을 수 있다.

또한, 상기 웨이퍼 유지체에 있어서는, 배치대는 반도체 웨이퍼 배치용의 세라믹스제의 원판 형상을 가지며, 배치대의 내부에 매설된 저항 발열체를 더 가져도 좋다. 이 경우는, 웨이퍼 유지체를 탑재하는 반도체 제조 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 「원판 형상」이란, 도형적으로 정확한 원판을 의도하는 것이 아니며, 외관으로서 원판으로 인식되는 구성인 것이 의도된다. 이후, 같은 의미로 「대략 원판형」이라고 기재하는 경우도 있다.

다음에, 본 개시의 웨이퍼 유지체의 일구체예로서, 도 1에 나타내는 반도체 제조 장치(100)에 탑재되는 웨이퍼 가열 히터(2)를 들어 설명한다. 도 1에 나타내는 반도체 제조 장치(100)는, 반도체 웨이퍼(30)에 대하여 에칭 처리나 CVD 처리 등의 박막 처리가 행해지는 챔버(1)와, 그 내부에 탑재된 웨이퍼 가열 히터(2)로 주로 구성되고, 웨이퍼 가열 히터(2)는, 웨이퍼 배치면(21a)을 상면에 구비한 적합하게는 세라믹스로 이루어지는 대략 원판형의 웨이퍼 배치대(21)와, 이것을 하면으로부터 지지하는 적합하게는 세라믹스로 이루어지는 대략 원통 형상의 지지 부재(22)를 가지고 있다. 상기 웨이퍼 배치대(21)나 지지 부재(22)의 적합한 재질인 세라믹으로서는, 예컨대 질화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 산화알루미늄 등을 예를 들 수 있다.

웨이퍼 배치대(21)의 내부에는, 미리 정해진 회로 패턴을 갖는 저항 발열체(21b)가 웨이퍼 배치면(21a)에 대하여 평행하게 매설되어 있다. 저항 발열체(21b)의 형태에는 특별히 제약은 없다. 예컨대 스테인레스박 등의 금속박을 패터닝 가공한 것이나 텅스텐 등의 금속 분말을 포함한 페이스트를 스크린 인쇄 및 소성하여 형성한 것이어도 좋고, 몰리브덴 코일이어도 좋다. 웨이퍼 배치대(21)의 내부에는, 열전대(21c)가 더 마련되어 있다. 열전대(21c)의 일부는 지지 부재(22)의 내측에서 웨이퍼 배치대(21)의 하면측으로부터 돌출한다. 또한, 저항 발열체(21b)의 양단부에 접속하는 도시하지 않는 전극도 지지 부재(22)의 내측에서 웨이퍼 배치대(21)의 하면측으로부터 마찬가지로 돌출한다.

열전대(21c)에는 인출선(23)의 일단부가 접속하고 있고, 인출선(23)은 지지 부재(22)의 내측을 하단까지 연장되어, 챔버(1)의 저면에 마련되어 있는 관통 구멍(1a)를 통하여 챔버(1)의 외부에 인출되어 있다. 지지 부재(22)의 양단부는 외측으로 굴곡한 플랜지 형상으로 되어 있고, 지지 부재(22)의 상단부에서는 상기 플랜지 형상의 상단면과 웨이퍼 배치대(21)의 하면을 소결에 의해 접합하여도 좋고, 상기 플랜지 형상 부분을 관통하는 나사 등의 결합 수단에 의해 웨이퍼 배치대(21)의 하면에 접합하여도 좋다. 한편, 지지 부재(22)의 하단부에서는 상기한 상단부와 동일하게 하여 챔버(1)의 저면에 접합하여도 좋지만, 클램프 등의 결합 수단에 의해 제거 가능하게 결합하는 것이 바람직하다.

열전대(21c) 및 그 인출선(23)을 수용하는 적합하게는 세라믹으로 형성되는 외직경 6∼30 ㎜ 정도, 두께 0.5∼5 ㎜ 정도의 제2 통형 부재(24)가 지지 부재(22)의 내측에 마련되어 있다. 제2 통형 부재(24)의 상단부는, 웨이퍼 배치대(21)의 하면측에 기밀하게 접합되어 있다. 제2 통형 부재(24)의 하단부는 관통 구멍(1a)을 통하여 챔버(1)의 하부로부터 돌출하고 있다. 그리고, 제2 통형 부재(24)의 웨이퍼 배치대(21)와의 접속부[제2 통형 부재(24)의 외측]에, 적합하게는 세라믹으로 형성되는 내직경 6∼30 ㎜ 정도, 두께 0.5∼5 ㎜ 정도, 길이 1∼30 ㎜ 정도의 제1 통형 부재(25)가 배치되어 있다. 제1 통형 부재(25)는 제2 통형 부재(24)보다 짧게 구성되어 있다. 제1 통형 부재(25)의 한쪽의 단부인 상단부는, 웨이퍼 배치대(21)의 하면측에 기밀하게 접합되어 있다. 즉, 웨이퍼 가열 히터(2)는, 제1 통형 부재(25)의 내측에 배치되고, 또한, 한쪽의 단부가 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제2 통형 부재(24)를 구비하고 있다.

이러한 구성에 의해, 상기한 히트 사이클 등에 의해 제2 통형 부재(24)에 대하여 그 연장 방향으로 수직인 방향의 응력이 가해져도, 제2 통형 부재(24)의 상단부와 웨이퍼 배치대(21)의 하면측의 접합부에 작동하는 힘을 제2 통형 부재(24)의 상단부의 접합 부분과 제1 통형 부재(25)의 상단부의 접합 부분에 분산시킬 수 있다. 이에 의해, 상기 응력에 대한 강도를 향상시킬 수 있기 때문에, 제2 통형 부재(24)의 내측에 있어서 높은 기밀성을 확보할 수 있어, 웨이퍼 가열 히터(2)를 탑재하는 반도체 제조 장치(100)의 신뢰성이 향상한다.

제2 통형 부재(24)의 상단부 및 제1 통형 부재(25)의 상단부는, 도 2a∼d(제1 형태∼제4 형태)에 나타내는 바와 같이, 유리 등의 밀봉 기능을 갖는 밀봉재(26)에 의해 웨이퍼 배치대(21)의 하면측에 접합하는 것이 바람직하다. 밀봉재(26)에 의한 접합으로서는, 도 2a(제1 형태)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 배치대(21)의 하면에 그대로 제2 통형 부재(24) 및 제1 통형 부재(25)의 상단부를 적합하게는 구비한 상태로 접합하여도 좋다. 또한, 도 2b∼d에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 배치대(21)의 하면에 환형의 홈을 마련하여 그 내측에 제2 통형 부재(24) 및 제1 통형 부재(25) 중 적어도 한쪽의 상단부를 끼워 넣어도 좋다.

도 2a에 나타내는 구조는, 웨이퍼 배치대(21)의 하면에 홈을 형성하지 않기 때문에 제작 비용을 억제할 수 있다. 한편, 보다 높은 강도가 요구되는 경우는 도 2b(제2 형태), 도 2c(제3 형태)에 나타내는 구조가 바람직하다. 또한, 도 2b에 나타내는 구조는, 제2 통형 부재(24)만을 홈에 끼워 넣는 경우이다. 도 2c에 나타내는 구조는, 제1 통형 부재(25)만을 홈에 끼워 넣는 경우이다. 도 2d(제4 형태)에 나타내는 구조는, 제2 통형 부재(24)와 제1 통형 부재(25)의 양방을 홈에 끼워 넣는 경우이다. 제2 통형 부재(24)와 제1 통형 부재(25)의 양방을 홈에 끼워 넣는 경우는, 도 2d에 나타내는 바와 같이 홈 내에 제2 통형 부재(24)를 제1 통형 부재(25)보다 깊게 삽입시키는 경우에 한정되는 것이 아니며, 그 반대여도 좋고 양방의 선단부를 동일한 깊이로 삽입하여도 좋다.

상기 웨이퍼 유지체인 웨이퍼 가열 히터(2)에서는, 제2 통형 부재(24)의 내측에 열전대(21c) 및 그 인출선(23)인 전기선을 수용하는 경우에 대해서 설명하였다. 또한, 웨이퍼 배치대(21)에 매설되어 있는 저항 발열체(21b), RF 회로, ESC 회로 등에 마련되는 전극 및 그 급전선을 제2 통형 부재(24)의 내측에 수용하여도 좋다. 또는, 웨이퍼 배치대(21)의 내부나 웨이퍼 배치면(21a)에 마련한 냉매의 순환로나 흡인 척용의 홈에 연통하는 유로로서 제2 통형 부재(24)의 내측 공간을 사용하여도 좋다. 또한, 제1 통형 부재(25)로 접합부를 보강한 제2 통형 부재(24)는, 지지 부재(22)의 내측만이 아니라 지지 부재(22)의 외측에 마련하여도 좋다.

또한, 지지 부재(22)의 양단부를 기밀하게 시일하여, 부식성 분위기가 되는 지지 부재(22)의 외측으로부터 지지 부재(22)의 내측을 격리하여도 좋다. 이 경우, 지지 부재(22)의 내측을 불활성 가스 분위기로 하여도 좋다. 또한, 상기한 제2 통형 부재(24)의 내측에 전극 등을 수용하는 경우는, 제2 통형 부재(24)의 내측을 불활성 가스 분위기로 하여도 좋다. 불활성 가스로서는, 전극 등의 구성 재료를 열화시키는 것 같은 반응을 일으키지 않는 가스이면 특별히 제약은 없다. 구체적으로는, He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn과 같은 희가스나, N₂ 가스 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서는, 비용 등의 관점에서 N₂나 Ar이 바람직하다.

실시예

질화알루미늄 분말 99.5 질량부에 소결 조제로서 산화이트륨 0.5 질량부를 부가하고, 바인더, 유기 용제를 더 부가하여, 볼 밀 혼합함으로써, 슬러리를 제작하였다. 얻어진 슬러리를 스프레이 드라이법으로 분무함으로써 과립을 제작하고, 이것을 프레스 성형하여 2장의 동형상의 성형체를 제작하였다. 이들 성형체를 질소 분위기 중에서 700℃의 조건으로 탈지한 후, 질소 분위기 중에 있어서 1850℃에서 소결하여, 2장의 질화알루미늄 소결체를 얻었다. 얻어진 소결체를, 직경 330 ㎜, 두께 8 ㎜의 원판형으로 가공하였다. 이때의 표면 거칠기는 Ra로 0.8 ㎛, 평면도는 50 ㎛였다.

이들 2장의 질화알루미늄 소결체 중, 한쪽의 소결체의 편면에 저항 발열체를 형성하도록 W(텅스텐) 페이스트를 선폭이 전부 4 ㎜가 되도록 스크린 인쇄에 의해 도포하고 나서 질소 분위기 중에서 700℃에서 탈지한 후, 질소 분위기 중에서 1830℃로 소성하였다. 이에 의해 대략 동심 원형의 회로 패턴을 갖는 저항 발열체를 형성하였다. 다음에, 다른 한쪽의 질화알루미늄 소결체의 편면에 접착용의 질화알루미늄을 주성분으로 하는 접착 재료를 도포하고 나서 탈지를 행하였다. 그리고, 이들 2장의 질화알루미늄 소결체를 저항 발열체를 덮도록 중합시켜 접합시켰다. 이와 같이 하여 얻은 접합체에 대하여 그 편면에 저항 발열체의 양단부에 각각 달하는 2개의 구멍을 스폿 페이싱하여, 각 구멍에 저항 발열체의 단부에 접촉하도록 W(텅스텐)제 전극을 끼워 넣었다.

도 2d에 나타내는 바와 같이, 접합체의 동일 편면에 열전대용의 구멍을 스폿 페이싱하여, 열전대(21c)를 장착하였다. 또한, 이 열전대용의 스폿 페이싱된 구멍을 둘러싸도록, 후술하는 제2 통형 부재(24) 및 제1 통형 부재(25)의 상단부의 끼워 넣기용의 환형의 홈을 스폿 페이싱하였다. 또한, 이 환형의 홈의 구멍의 바닥부에는 단차를 마련하여 제2 통형 부재(24)의 홈의 깊이가 5 ㎜, 제1 통형 부재(25)의 홈의 깊이가 3 ㎜가 되도록 하였다.

이와 같이 하여 제작한 웨이퍼 배치대(21)의 상기 W제 전극 및 열전대(21c)를 끼워 넣은 면에, 양단부에 플랜지부를 갖는 내직경 60 ㎜, 높이 150 ㎜, 두께 2 ㎜의 AlN제의 원통형의 지지 부재(22)의 일단부를 나사로 접합하였다. 또한, 플랜지부와 웨이퍼 배치대의 접합면 사이는 O-링을 이용하여 기밀하게 시일하였다. 그리고, 지지 부재의 내측에서 웨이퍼 배치대(21)의 하면으로부터 돌출하는 전극에 급전선을 접속하였다.

지지 부재(22)의 일단부가 접합된 웨이퍼 배치대(21)를 CVD 장치의 챔버 내에 탑재하고, 지지 부재(22)의 타단부를 챔버의 바닥부에 O-링으로 기밀 시일한 상태로 클램프를 이용하여 고정하였다. 또한, 도 1 및 도 2d에 나타내는 바와 같이, 열전대(21c) 및 그 인출선(23)을 수용하는 외직경 10 ㎜, 두께 2 ㎜, 길이 175 ㎜의 세라믹제의 제2 통형 부재(24)의 상단부를 상기 웨이퍼 배치대(21)의 하면측의 환형의 홈에 끼워 넣었다. 또한 제2 통형 부재(24)의 상부에 외직경 14 ㎜, 두께 2 ㎜, 길이 8 ㎜의 세라믹제의 제1 통형 부재(25)를 배치하고, 그 상단부를 웨이퍼 배치대(21)의 하면측의 환형의 홈에 끼워 넣었다. 즉, 제2 통형 부재(24)를 제1 통형 부재(25)의 내측에 배치하였다.

이 환형의 홈 내에 밀봉용 유리를 넣고, 제2 통형 부재(24) 및 제1 통형 부재(25)의 상단부와 웨이퍼 배치대(21)의 하면측을 밀봉용 유리를 용융시켜 기밀하게 접합하였다. 또한, 제2 통형 부재(24)의 하측은 챔버의 바닥부에 마련한 관통 구멍을 통과하고, 그 관통 구멍과 제2 통형 부재(24)의 외주면 사이는 O-링으로 기밀하게 시일하였다. 이와 같이 하여 시료 1의 웨이퍼 가열 히터(2)를 제작하였다.

비교를 위해, 제1 통형 부재(25)를 사용하지 않고 제2 통형 부재(24)만을 이용하여 열전대(21c) 및 그 인출선(23)을 수용한 것 이외에는 상기 시료 1과 동일하게 하여 시료 2의 웨이퍼 가열 히터를 제작하였다. 시료 1 및 2의 웨이퍼 가열 히터(2)의 각각에 대하여, 저항 발열체에 급전하거나 그 급전을 정지하거나 함으로써 웨이퍼 배치대(21)의 온도를 실온과 500℃ 사이에서 승강온시키는 히트 사이클을 10 사이클 반복하였다. 그 결과, 시료 1에서는 제2 통형 부재(24)와 웨이퍼 배치대(21)의 하면측 사이에서 기밀 시일이 확보되었지만, 시료 2에서는 제2 통형 부재(24)와 웨이퍼 배치대(21)의 하면측 사이에 누설이 발생하였다.

이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서, 어떠한 면으로부터도 제한적인 것이 아니라고 이해되어야 한다. 본 발명은 이들 예시에 한정되는 것이 아니며, 청구범위에 의해 나타나고, 청구범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

1 챔버 1a 관통 구멍
2 웨이퍼 가열 히터 21 웨이퍼 배치대
21a 웨이퍼 배치면 21b 저항 발열체
21c 열전대 22 지지 부재
23 인출선 24 제2 통형 부재
25 제1 통형 부재 26 밀봉재
30 반도체 웨이퍼 100 반도체 제조 장치

Claims

피처리물의 배치면을 상면에 구비한 배치대와,
한쪽의 단부가 상기 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제1 통형 부재와,
상기 제1 통형 부재의 내측에 배치되며, 또한, 한쪽의 단부가 상기 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 제2 통형 부재를 갖고,
상기 제1 통형 부재의 길이는 상기 제2 통형 부재의 길이보다 짧고,
상기 제1 통형 부재 및 상기 제2 통형 부재는 상기 배치대의 하면측에 공통의 밀봉용 유리로 기밀하게 접합되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
삭제
제1항에 있어서, 상기 배치대의 하면측에 환형의 홈을 갖고, 상기 제1 통형 부재 및 상기 제2 통형 부재의 어느 한쪽 또는 양쪽이 상기 홈에 끼워 넣어져 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항에 있어서, 상기 배치대의 하면측에 환형의 홈을 갖고, 상기 제1 통형 부재 및 상기 제2 통형 부재의 양쪽이 상기 홈에 끼워 넣어져 있고, 상기 제1 통형 부재의 상기 홈에의 삽입 깊이와 상기 제2 통형 부재의 상기 홈에의 삽입 깊이는 다른 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대의 하면측에 기밀하게 접합되어 있는 세라믹 제의 지지 부재를 더 갖고, 상기 제1 통형 부재와 상기 제2 통형 부재는 상기 지지 부재의 내부에 배치되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 통형 부재는, 내직경이 6 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하, 두께가 0.5 ㎜ 이상 5 ㎜ 이하, 길이가 1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하의 원통형이고, 상기 제2 통형 부재는, 외직경이 6 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하, 두께가 0.5 ㎜ 이상 5 ㎜ 이하의 원통형인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 통형 부재의 내직경과 상기 제2 통형 부재의 외직경은 같은 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 통형 부재의 내측은 불활성 가스 분위기인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대는 내부에 저항 발열체를 갖고, 상기 배치대의 온도를 실온과 500℃의 사이에서 승온과 강온을 10회 반복한 후에, 상기 제2 통형 부재와 상기 배치대의 하면측 사이의 시일에 누설이 발생하지 않는, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 전극을 가지며, 상기 전극은 상기 제2 통형 부재의 내측에 수용되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 온도 센서와, 상기 온도 센서로부터 인출된 인출선을 가지며, 상기 온도 센서와 상기 인출선은 상기 제2 통형 부재의 내측에 수용되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 전극 및 상기 배치대에 적어도 일부가 매설되어 있는 온도 센서와, 상기 온도 센서로부터 인출된 인출선을 가지며, 상기 전극과 상기 온도 센서와 상기 인출선은 상기 제2 통형 부재의 내측에 수용되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대는 내부에 유로를 가지며, 상기 배치면은 홈을 가지며, 상기 제2 통형 부재의 내측이 상기 유로 또는 상기 홈에 연통하는 유로로서 구성되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치대는 반도체 웨이퍼 배치용의 세라믹스제의 원판 형상을 가지며, 그 내부에 저항 발열체가 매설되어 있는 것인, 웨이퍼 유지체.