KR102402235B1 - Adhesive film, dicing·die bond film, process for producing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents

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유이치로 시시도
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유타 기무라
아키히로 후쿠이
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 보이드가 소실되고, 또한 접착 필름의 과도한 비어져 나옴이 억제된 고품질의 반도체 장치를 높은 수율로 제조 가능한 접착 필름 및 그 용도를 제공한다.
[해결 수단] 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 해당 제1 반도체 소자와는 다른 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름이며, 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제를 포함하고, 무기 충전제의 함유량이, 전체 고형분 중 30중량% 이상 50중량% 이하이고, 열가소성 수지의 함유량이, 전체 고형분 중 10중량% 이상 25중량% 이하이고, 열경화 전의 120℃에서의 점도가 1300㎩·s 이상 4500㎩·s 이하인 접착 필름.[Problem] To provide an adhesive film capable of producing a high-quality semiconductor device in which voids are eliminated and excessive protrusion of the adhesive film is suppressed in high yield, and a use thereof.
[Solutions] An adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend, and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend, comprising a thermoplastic resin, a thermosetting resin and an inorganic filler Including, the content of the inorganic filler is 30% by weight or more and 50% by weight or less of the total solid content, the content of the thermoplastic resin is 10% by weight or more and 25% by weight or less of the total solid content, and the viscosity at 120°C before thermosetting is An adhesive film of 1300 Pa·s or more and 4500 Pa·s or less.

Description

접착 필름, 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{ADHESIVE FILM, DICING·DIE BOND FILM, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}An adhesive film, a dicing die-bonding film, the manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor device TECHNICAL FIELD

본 발명은 접착 필름, 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film, a dicing die-bonding film, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

반도체 장치 및 그 패키지의 고기능화, 박형화, 소형화가 보다 한층 요구되고 있다. 그 하나의 계책으로서, 반도체 소자를 그의 두께 방향으로 복수 단으로 적층시켜서 반도체 소자의 고밀도 집적화를 도모하는 3차원 실장 기술이 개발되어 있다.There is a further demand for high-functionality, thinness, and miniaturization of semiconductor devices and their packages. As one of such measures, a three-dimensional mounting technology has been developed in which semiconductor elements are stacked in a plurality of stages in the thickness direction to achieve high-density integration of semiconductor elements.

일반적인 3차원 실장 방법으로서는, 기판 등의 피착체 위에 반도체 소자를 고정하고, 이 최하단의 반도체 소자 위에 반도체 소자를 순차 적층해 나가는 수순이 채용되고 있다. 반도체 소자간 및 반도체 소자와 피착체의 사이에서는, 주로 본딩 와이어(이하, 「와이어」라고도 함)로 전기적 접속이 도모되고 있다. 또한, 반도체 소자의 고정에는 필름 형상의 접착제가 널리 사용되고 있다.As a general three-dimensional mounting method, a procedure is employed in which a semiconductor element is fixed on an adherend such as a substrate, and the semiconductor element is sequentially stacked on the lowermost semiconductor element. Electrical connection between semiconductor elements and between a semiconductor element and an adherend is mainly achieved with a bonding wire (hereinafter, also referred to as "wire"). In addition, a film-form adhesive is widely used for fixing a semiconductor element.

이러한 반도체 장치에서는, 복수의 반도체 소자의 개개의 작동의 제어나, 반도체 소자간의 통신의 제어 등을 목적으로, 최상단의 반도체 소자 위에 제어용의 반도체 소자(이하, 「컨트롤러」라고도 함)가 배치된다(특허문헌 1 참조).In such a semiconductor device, for the purpose of controlling individual operations of a plurality of semiconductor elements, controlling communication between semiconductor elements, etc., a semiconductor element for control (hereinafter also referred to as "controller") is disposed on the uppermost semiconductor element (hereinafter referred to as "controller") ( See Patent Document 1).

컨트롤러도 하단의 반도체 소자와 마찬가지로, 와이어에 의해 피착체와의 전기적 접속이 도모된다. 그러나, 반도체 소자의 적층 단수가 많아짐에 따라, 컨트롤러와 피착체의 거리가 길어져, 전기적 접속에 필요한 와이어도 길어진다. 그 결과, 반도체 패키지의 통신 속도의 저하나 외부 요인(열이나 충격 등)에 의한 와이어의 문제가 발생하여 반도체 패키지의 품질이 떨어지거나, 와이어 본딩 공정이 복잡해져서 반도체 장치 제조의 수율이 저하되는 경우가 있다.The controller is also electrically connected to the adherend by means of a wire, similarly to the semiconductor element at the bottom. However, as the number of stacked stages of the semiconductor element increases, the distance between the controller and the adherend becomes longer, and the wire required for electrical connection also becomes longer. As a result, a decrease in the communication speed of the semiconductor package or a problem in the wire due to external factors (heat or shock, etc.) occurs, leading to a decrease in the quality of the semiconductor package, or a complicated wire bonding process, leading to a decrease in the yield of semiconductor device manufacturing there is

이에 반해, 피착체에 고정된 컨트롤러를 포매하면서 다른 반도체 소자를 고정 가능한 포매용 접착 필름이 제안되어 있다(특허문헌 2 참조). 포매용 접착 필름을 사용함으로써 컨트롤러는 최하단에 위치하게 되므로, 상기 문제를 해소할 수 있다. 다이싱 기능과 칩 고정 기능을 겸비한 다이싱·다이 본드 필름의 접착 필름으로서 포매용 접착 필름을 사용함으로써, 반도체 장치의 제조 효율의 향상과 반도체 장치의 고품질화가 가능하게 된다. 또한, 와이어 접속에 한하지 않고, 플립 칩 접속된 컨트롤러에도 응용 가능하여, 가일층의 용도 전개를 도모할 수 있다.On the other hand, there has been proposed an embedding adhesive film capable of fixing another semiconductor element while embedding a controller fixed to an adherend (see Patent Document 2). By using the adhesive film for embedding, since the controller is located at the bottom, the above problem can be solved. By using the embedding adhesive film as an adhesive film for a dicing die-bonding film having both a dicing function and a chip fixing function, it becomes possible to improve the manufacturing efficiency of semiconductor devices and to improve the quality of semiconductor devices. Moreover, it is applicable not only to wire connection but to the controller by which flip-chip connection was carried out, and a further use expansion|deployment can be aimed at.

일본특허공개 제2007-096071호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-096071 일본특허공개 제2014-133823호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2014-133823

컨트롤러를 포함시킨 피착체 표면의 구조물은, 디바이스 전체의 고기능화나 미소화에 수반하여 복잡화하고 있다. 포매용 접착 필름을 표면이 복잡화한 피착체에 접합할 때, 접착 필름과 피착체의 계면에서의 밀착성이 불충분하게 되어 보이드가 발생해 버리고, 경우에 따라서는 반도체 장치의 신뢰성의 저하를 일으킬 우려가 있다. 그래서 보이드 소실을 목적으로, 포매용 접착 필름의 열경화를 가압 조건 하에서 행하는 시도가 이루어지고 있다. 보이드의 소실에는, 접착 필름의 유동성 내지 점성은 낮은 편이 바람직하다. 그러나, 당해 접착 필름의 두께는 피착체 위의 반도체 소자 및 주변 구조를 포매하는 용도와의 관계상, 종래의 접착 필름과 비교해서 두껍게 되어 있는 점에서, 접착 필름과 피착체의 접합 시에 당초의 접합 영역으로부터 비어져 나오기 쉽게 되어 있다. 이 경향은 접착 필름의 유동성이 저하되면 보다 현저해진다. 접착 필름의 과도한 비어져 나옴이 발생하면, 반도체 소자 주위의 오염이 발생하여, 반도체 장치의 제조 수율의 저하를 야기할 우려가 있다. 이러한 과도한 비어져 나옴을 억제하기 위해 접착 필름의 유동성 내지 점성을 높이면, 반대로 보이드의 소실이 불충분하게 되어 버린다. 높은 수율로 고품질의 반도체 장치를 제조하기 위해서는, 보이드의 소실과 접착 필름의 비어져 나옴 억제라고 하는 상반된 요청의 양립이 필요하다.The structure on the surface of the adherend including the controller is becoming more complex with the increase in functionality and miniaturization of the entire device. When bonding the embedding adhesive film to an adherend with a complicated surface, the adhesion at the interface between the adhesive film and the adherend becomes insufficient, resulting in voids and, in some cases, a decrease in the reliability of the semiconductor device. have. Then, for the purpose of void disappearance, the trial which performs thermosetting of the adhesive film for embedding under pressure conditions is made|formed. For the disappearance of voids, the lower fluidity or viscosity of the adhesive film is preferable. However, since the thickness of the adhesive film is thicker than that of a conventional adhesive film in relation to the use of embedding semiconductor elements and peripheral structures on the adherend, the initial thickness of the adhesive film and the adherend when bonding the adherend It becomes easy to protrude from a joint area. This tendency becomes more remarkable when the fluidity|liquidity of an adhesive film falls. When excessive protrusion of an adhesive film generate|occur|produces, there exists a possibility that the contamination around a semiconductor element may generate|occur|produce, and there exists a possibility of causing the fall of the manufacturing yield of a semiconductor device. If the fluidity|liquidity thru|or viscosity of an adhesive film is raised in order to suppress such excessive protrusion, conversely, loss|disappearance of a void will become inadequate. In order to manufacture a high-quality semiconductor device with a high yield, coexistence of the conflicting request of the disappearance of a void and suppression of the protrusion of an adhesive film is required.

본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 보이드가 소실되고, 또한 접착 필름의 과도한 비어져 나옴이 억제된 고품질의 반도체 장치를 높은 수율로 제조 가능한 접착 필름 및 그의 용도를 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an adhesive film capable of producing a high-quality semiconductor device in which voids are eliminated and excessive protrusion of the adhesive film is suppressed in high yield, and a use thereof there is

본원 발명자들은, 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 하기 구성으로 함으로써 상기 목적을 달성할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor earnestly studied in order to solve the said conventional problem. As a result, it discovered that the said objective could be achieved by setting it as the following structure, and came to complete this invention.

즉, 본 발명은, 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 해당 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름이고,That is, the present invention is an adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend, and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend,

열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제를 포함하고,a thermoplastic resin, a thermosetting resin and an inorganic filler;

상기 열가소성 수지, 상기 열경화성 수지 및 상기 무기 충전제의 합계 중량 중, 상기 무기 충전제의 함유량이 30중량% 이상 50중량% 이하이고, 또한 상기 열가소성 수지의 함유량이 10중량% 이상 25중량% 이하이고,In the total weight of the thermoplastic resin, the thermosetting resin, and the inorganic filler, the content of the inorganic filler is 30% by weight or more and 50% by weight or less, and the content of the thermoplastic resin is 10% by weight or more and 25% by weight or less,

열경화 전의 120℃에서의 점도가 1300㎩·s 이상 4500㎩·s 이하인 접착 필름에 관한 것이다.It is related with the adhesive film whose viscosity in 120 degreeC before thermosetting is 1300 Pa.s or more and 4500 Pa.s or less.

당해 접착 필름에서는, 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제의 세 성분을 적어도 포함하고, 또한 무기 충전제의 함유량, 열가소성 수지의 함유량 및 열경화 전의 120℃에서의 점도를 각각 소정 범위로 하였다. 이러한 특정 구성을 갖는 접착 필름에 의해, 제1 반도체 소자의 매립을 가능하게 하고, 접착 필름의 가압 하에서의 열경화(이하, 「가압 경화」라고도 함) 시에, 접착 필름과 피착체의 계면에서의 보이드를 충분히 소실 가능하게 됨과 함께, 접착 필름의 당초의 접합 영역으로부터의 과도한 비어져 나옴을 방지할 수 있다. 무기 충전제의 함유량, 열가소성 수지의 함유량 및 열경화 전의 120℃에서의 점도 중 어느 것이 하한값을 하회하면, 접착 필름의 과도한 비어져 나옴을 야기하고, 반대로 상한값을 초과하면, 제1 반도체 소자를 매립하지 않거나, 보이드의 소실이 불충분해지거나 하게 된다.In the adhesive film, at least three components of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and an inorganic filler were included, and the content of the inorganic filler, the content of the thermoplastic resin, and the viscosity at 120° C. before thermosetting were set within a predetermined range, respectively. The adhesive film having such a specific configuration enables embedding of the first semiconductor element, and at the time of thermal curing under pressure (hereinafter also referred to as “pressure curing”) of the adhesive film, at the interface between the adhesive film and the adherend. While a void can fully lose|disappear, excessive protrusion from the original bonding area|region of an adhesive film can be prevented. When any of the content of the inorganic filler, the content of the thermoplastic resin, and the viscosity at 120° C. before heat curing is lower than the lower limit, excessive protrusion of the adhesive film is caused, and conversely, when the upper limit is exceeded, the first semiconductor element is not embedded. Otherwise, the disappearance of voids becomes insufficient.

상기 접착 필름의 열경화 전의 150℃에서의 점도는 500㎩·s 이상 2500㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해 접착 필름의 가압 경화 시의 보이드의 소실을 보다 효율적으로 행할 수 있다.It is preferable that the viscosity in 150 degreeC before thermosetting of the said adhesive film is 500 Pa.s or more and 2500 Pa.s or less. Thereby, the loss|disappearance of the void at the time of the pressure hardening of an adhesive film can be performed more efficiently.

상기 열경화성 수지의 연화점이 80℃ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해 가압 경화 시의 접착 필름의 유동성이 높아져서, 더 높은 수준에서 보이드를 소실할 수 있다.It is preferable that the softening point of the said thermosetting resin is 80 degrees C or less. Thereby, the fluidity|liquidity of the adhesive film at the time of pressure hardening becomes high, and a void can be lose|disappeared at a higher level.

본 발명은 또한, 기재 및 해당 기재 위에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 필름과,The present invention also provides a dicing film having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate,

상기 점착제층 위에 적층된 당해 접착 필름The adhesive film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer

을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름에 관한 것이다.It relates to a dicing die-bonding film comprising a.

본 발명의 다이싱·다이 본드 필름은 당해 접착 필름을 구비하고 있으므로, 고품질의 반도체 장치를 높은 수율로 제조할 수 있다.Since the dicing die-bonding film of this invention is equipped with the said adhesive film, a high-quality semiconductor device can be manufactured with high yield.

본 발명은 또한, 제1 반도체 소자가 고정된 피착체를 준비하는 피착체 준비 공정,The present invention also provides an adherend preparation step of preparing an adherend to which the first semiconductor element is fixed;

제4항에 기재된 다이싱·다이 본드 필름의 접착 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하는 접합 공정,A bonding step of bonding the adhesive film of the dicing die-bonding film according to claim 4 and a semiconductor wafer;

상기 접착 필름과 함께 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱해서 제2 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정,a dicing step of dicing the semiconductor wafer together with the adhesive film to form a second semiconductor element;

상기 제2 반도체 소자를 상기 접착 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정,a pickup process of picking up the second semiconductor element together with the adhesive film;

상기 제2 반도체 소자와 함께 픽업한 접착 필름에 의해, 상기 피착체에 고정된 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제2 반도체 소자를 해당 피착체에 고정하는 고정 공정 및a fixing step of fixing the second semiconductor element to the adherend while embedding the first semiconductor element fixed to the adherend by an adhesive film picked up together with the second semiconductor element;

상기 고정 공정 후, 상기 접착 필름을 가압 하에서 가열해서 열경화시키는 가압 경화 공정After the fixing step, a pressure curing step of heating and thermosetting the adhesive film under pressure

을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.It relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising a.

본 발명의 제조 방법에서는, 소정의 접착 필름을 구비하는 당해 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여, 가압 경화 공정을 거쳐서 반도체 장치를 제조하므로, 접착 필름의 비어져 나옴을 억제하면서, 보이드가 충분히 소실된 고품질의 반도체 장치를 높은 수율로 제조할 수 있다.In the manufacturing method of this invention, since the said dicing die-bonding film provided with a predetermined|prescribed adhesive film is used, and since a semiconductor device is manufactured through a pressure hardening process, a void is fully disappeared while suppressing the protrusion of an adhesive film. High-quality semiconductor devices can be manufactured with high yield.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱·다이 본드 필름을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱·다이 본드 필름을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3e는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3f는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3h는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4d는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.
3A is a cross-sectional view schematically illustrating one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3B is a cross-sectional view schematically illustrating one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3C is a cross-sectional view schematically illustrating one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3D is a cross-sectional view schematically illustrating one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3E is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3F is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3G is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3H is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4C is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4D is a cross-sectional view schematically showing one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

[제1 실시 형태][First embodiment]

본 발명의 일 실시 형태인 제1 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 도면의 일부 또는 모두에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위하여 확대 또는 축소 등을 하여 도시한 부분이 있다. 제1 실시 형태에서는, 도 1에 도시한 바와 같이 기재(4) 위에 점착제층(3)이 적층되어 이루어지는 다이싱 필름(5) 위에 접착 필름(22)이 적층된 다이싱·다이 본드 필름의 형태를 예로서 이하에 설명한다. 본 실시 형태에서는, 피착체와 제1 반도체 소자의 전기적 접속을 와이어 본딩 접속에 의해 도모하는 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION 1st Embodiment which is one Embodiment of this invention is described below, referring drawings. However, in some or all of the drawings, parts unnecessary for the description are omitted, and there are parts shown by enlarging or reducing them in order to facilitate the explanation. In the first embodiment, as shown in FIG. 1 , a dicing die-bonding film in which an adhesive film 22 is laminated on a dicing film 5 in which an adhesive layer 3 is laminated on a base material 4 is formed. will be described below as an example. In this embodiment, an embodiment in which electrical connection between the adherend and the first semiconductor element is achieved by wire bonding connection will be described.

<접착 필름><Adhesive film>

접착 필름(22)은 접착 기능을 갖는 층상물이고, 그의 구성 재료로서는 열가소성 수지와 열경화성 수지와 무기 충전제를 포함하는 것을 들 수 있다.The adhesive film 22 is a layered product having an adhesive function, and examples of the constituent materials thereof include those containing a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and an inorganic filler.

(열가소성 수지)(thermoplastic resin)

열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제의 합계 중량 중, 열가소성 수지의 함유량은 10중량% 이상이고, 바람직하게는 11중량% 이상이고, 보다 바람직하게는 12중량% 이상이다. 한편, 상기 함유량은 25중량% 이하이고, 바람직하게는 22중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 20중량% 이하이다. 열가소성 수지의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 보이드 소실성 및 비어져 나옴 방지성을 양립시킬 수 있다. 상기 함유량이 너무 적으면 비어져 나옴 방지성이 저하되고, 너무 많으면 보이드 소실성이 저하된다.In the total weight of the thermoplastic resin, the thermosetting resin, and the inorganic filler, the content of the thermoplastic resin is 10% by weight or more, preferably 11% by weight or more, and more preferably 12% by weight or more. On the other hand, the said content is 25 weight% or less, Preferably it is 22 weight% or less, More preferably, it is 20 weight% or less. By making content of a thermoplastic resin into the said range, void disappearance and protrusion prevention property can be made compatible. When there is too little said content, protrusion prevention property will fall, and when too large, void disappearance property will fall.

상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, and thermoplastic polyimide. Resin, polyamide resins, such as 6-nylon and 6, 6 nylon, phenoxy resin, an acrylic resin, saturated polyester resins, such as PET and PBT, polyamideimide resin, or a fluororesin, etc. are mentioned. These thermoplastic resins can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of a semiconductor element is especially preferable.

상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 에이코실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer containing, as a component, one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly having 4 to 18 carbon atoms, etc. are mentioned. can Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, or eico and the like.

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.In addition, other monomers forming the polymer are not particularly limited, and for example, carboxyl group-containing such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid. Monomer, acid anhydride monomer such as maleic anhydride or itaconic anhydride, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 6 -Hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl)-methyl acrylate, etc. Monomers containing a hydroxyl group, such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate or (meth)acryloyl and a sulfonic acid group-containing monomer such as oxynaphthalenesulfonic acid, or a phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

(열경화성 수지)(thermosetting resin)

상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.As said thermosetting resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, a thermosetting polyimide resin, etc. are mentioned. These resins can be used individually or in combination of 2 or more types. In particular, an epoxy resin with little content, such as ionic impurities which corrode a semiconductor element, is preferable. Moreover, as a hardening|curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl Bifunctional epoxy resins and polyfunctional epoxy resins, such as type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, or hydantoin type, tris Epoxy resins, such as a glycidyl isocyanurate type or a glycidyl amine type, are used. These can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these epoxy resins, a novolak-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, a trishydroxyphenylmethane-type resin, or a tetraphenylolethane-type epoxy resin is particularly preferable. It is because these epoxy resins are rich in reactivity with the phenol resin as a hardening|curing agent, and are excellent in heat resistance etc.

또한 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.In addition, the said phenol resin acts as a hardening|curing agent of the said epoxy resin, For example, phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert- butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin, etc. Polyoxystyrene, such as a rock-type phenol resin, a resol-type phenol resin, and polyparaoxystyrene, etc. are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these phenol resins, a phenol novolak resin and a phenol aralkyl resin are particularly preferable. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

열경화성 수지의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80℃ 이하가 바람직하고, 75℃ 이하가 보다 바람직하고, 70℃ 이하가 더욱 바람직하다. 열경화성 수지의 연화점을 상기 범위로 함으로써, 가압 경화 시의 접착 필름의 유동성이 높아져서, 더 높은 수준에서 보이드를 소실할 수 있다. 열경화 수지의 연화점의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 상온(25℃)에서 액상으로 되는 연화점(예를 들어 10℃ 이상, 바람직하게는 15℃ 이상)이면 된다. 또한, 접착 필름이 복수종의 열경화성 수지를 포함하는 경우, 각각의 열경화성 수지의 연화점 중 가장 높은 연화점이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다.Although the softening point in particular of a thermosetting resin is not limited, 80 degrees C or less is preferable, 75 degrees C or less is more preferable, and 70 degrees C or less is still more preferable. By making the softening point of a thermosetting resin into the said range, the fluidity|liquidity of the adhesive film at the time of pressure hardening becomes high, and a void can lose|disappear at a higher level. Although the lower limit of the softening point of a thermosetting resin is not specifically limited, What is necessary is just a softening point (for example, 10 degreeC or more, Preferably 15 degreeC or more) which becomes liquid at normal temperature (25 degreeC). In addition, when the adhesive film contains a plurality of types of thermosetting resins, it is preferable that the highest softening point among the softening points of each thermosetting resin falls within the above range.

연화점이 80℃ 이하인 열경화성 수지로서는 시판품을 적합하게 사용할 수 있다. 연화점이 80℃ 이하인 에폭시 수지의 구체예로서는, 특별히 한정되지 않지만, YL-980(미쯔비시 가가꾸사 제조, 상온 액상), 828(미쯔비시 가가꾸사 제조, 상온 액상), 1001(미쯔비시 가가꾸사 제조, 64℃), 1002(미쯔비시 가가꾸사 제조, 78℃), YX7700(미쯔비시 가가꾸사 제조, 65℃), EPICLON 1050(DIC 가부시끼가이샤 제조, 62-73℃), EPICLON N-660(DIC 가부시끼가이샤 제조, 61-69℃), EPICLON N-665(DIC 가부시끼가이샤 제조, 64-72℃), EPICLON N-670(DIC 가부시끼가이샤 제조, 68-76℃), EPICLON N-770(DIC 가부시끼가이샤 제조, 65-75℃), EPICLON HP-7200L(DIC 가부시끼가이샤 제조, 50-60℃), EPICLON HP-7200(DIC 가부시끼가이샤 제조, 57-68℃), EPICLON HP-4770(DIC 가부시끼가이샤 제조, 67-77℃) 등을 들 수 있다(괄호 내의 수치는 연화점(카탈로그값)).As a thermosetting resin whose softening point is 80 degrees C or less, a commercial item can be used suitably. Although it does not specifically limit as a specific example of an epoxy resin whose softening point is 80 degrees C or less, YL-980 (manufactured by Mitsubishi Chemical, liquid at room temperature), 828 (manufactured by Mitsubishi Chemical, liquid at room temperature), 1001 (manufactured by Mitsubishi Chemical, liquid at room temperature) 64°C), 1002 (Mitsubishi Chemical, 78°C), YX7700 (Mitsubishi Chemical, 65°C), EPICLON 1050 (DIC, Inc., 62-73°C), EPICLON N-660 (DIC Corporation) Shiki Co., Ltd., 61-69 ° C.), EPICLON N-665 (DIC Corporation, 64-72 ° C.), EPICLON N-670 (DIC Corporation, 68-76 ° C.), EPICLON N-770 (DIC) (manufactured by DIC Corporation, 65-75 °C), EPICLON HP-7200L (manufactured by DIC Corporation, 50-60 °C), EPICLON HP-7200 (manufactured by DIC Corporation, 57-68 °C), EPICLON HP-4770 ( DIC Corporation make, 67-77 degreeC) etc. are mentioned (The numerical value in parentheses is a softening point (catalog value)).

연화점이 80℃ 이하인 페놀 수지의 구체예로서는, 특별히 한정되지 않지만, H-4(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 67-75℃), MEH-78004L(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 60-63℃), MEH-7800 SS(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 64-69℃), MEH-78003L(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 70-73℃), MEH-7800 S(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 74-78℃), MEH-7851 SS(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 64-69℃), MEH-7851 S(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 70-74℃), MEH-7851 M(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 75-79℃), MEH-8000-4L(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 상온 액상), MEH-8000H(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 상온 액상), MEH-8005(메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 상온 액상), GPNX 70(군에이 가가꾸 고교, 68-72℃), PS 4271(군에이 가가꾸 고교, 69-73℃) 등을 들 수 있다(괄호 내의 수치는 연화점(카탈로그값)).Although it does not specifically limit as a specific example of a phenol resin whose softening point is 80 degrees C or less, H-4 (Meiwa Kasei Co., Ltd. make, 67-75 degreeC), MEH-78004L (Meiwa Kasei Co., Ltd. make, 60-63 degreeC) ), MEH-7800 SS (Meiwa Chemicals, Ltd., 64-69°C), MEH-78003L (Meiwa Chemicals, Ltd., 70-73°C), MEH-7800 S (Meiwa Chemicals, Ltd.) manufactured, 74-78°C), MEH-7851 SS (Meiwa Chemicals, 64-69°C), MEH-7851 S (Meiwa Chemicals, 70-74°C), MEH-7851 M (Meiwa Chemicals, Ltd., 75-79℃), MEH-8000-4L (Meiwa Chemicals, Ltd., room temperature liquid), MEH-8000H (Meiwa Chemicals, Ltd., room temperature liquid), MEH -8005 (manufactured by Meiwa Chemical Co., Ltd., liquid at room temperature), GPNX 70 (Kunei Chemical High School, 68-72°C), PS 4271 (Kunei Chemical High School, 69-73°C), etc. ( The number in parentheses is the softening point (catalog value)).

열경화성 수지로서 에폭시 수지와 페놀 수지를 포함하는 경우, 상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.When an epoxy resin and a phenol resin are included as the thermosetting resin, the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is, for example, 0.5 to 2.0 equivalents of hydroxyl groups in the phenol resin per 1 equivalent of the epoxy groups in the epoxy resin component. Suitable. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, when the mixing ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin product are liable to deteriorate.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 열경화성 수지로서 에폭시 수지 및 페놀 수지, 및 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 포함하는 접착 필름이 특히 바람직하다. 이들 수지는, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 경우의 배합비는, 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여, 에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합량이 10 내지 700중량부이다.Moreover, in this embodiment, the adhesive film containing an epoxy resin and a phenol resin as a thermosetting resin, and an acrylic resin as a thermoplastic resin is especially preferable. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of semiconductor elements can be ensured. As for the compounding ratio in this case, the mixing amount of an epoxy resin and a phenol resin is 10-700 weight part with respect to 100 weight part of acrylic resin components.

(가교제)(crosslinking agent)

본 실시 형태의 접착 필름은, 미리 어느 정도 가교를 시켜 두기 위해서, 제작 시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 둘 수 있다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.In the adhesive film of the present embodiment, in order to crosslink to some extent in advance, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain terminal end of the polymer or the like may be added as a crosslinking agent during production. Thereby, the adhesive property under high temperature can be improved and heat resistance improvement can be aimed at.

상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여, 통상 0.05 내지 7중량부가 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부보다 적으면 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이러한 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.As said crosslinking agent, a conventionally well-known thing is employable. In particular, polyisocyanate compounds, such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1, 5- naphthalene diisocyanate, and the adduct of polyhydric alcohol and diisocyanate, are more preferable. As an addition amount of a crosslinking agent, 0.05-7 weight part is preferable normally with respect to 100 weight part of said polymers. When the amount of the crosslinking agent is more than 7 parts by weight, it is not preferable because the adhesive strength is lowered. On the other hand, when it is less than 0.05 weight part, since cohesive force is insufficient, it is unpreferable. Moreover, you may make it include other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with this polyisocyanate compound as needed.

(무기 충전제)(inorganic filler)

상기 무기 충전제의 함유량은, 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제의 합계 중량 중, 30중량% 이상 50중량% 이하이다. 상기 함유량의 하한값은, 31 중량%가 바람직하고, 32중량%가 보다 바람직하고, 33중량%가 더욱 바람직하고, 34중량%가 또한 더욱더 바람직하고, 35중량%가 특히 바람직하다. 상기 함유량의 상한값은, 49중량%가 바람직하고, 48중량%가 보다 바람직하고, 47중량%가 더욱 바람직하고, 46중량%가 또한 더욱더 바람직하고, 45중량%가 특히 바람직하다. 무기 충전제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 보이드 소실성 및 비어져 나옴 방지성을 양립시킬 수 있다. 상기 함유량이 너무 적으면 비어져 나옴 방지성이 저하되고, 너무 많으면 보이드 소실성이 저하된다.Content of the said inorganic filler is 30 weight% or more and 50 weight% or less in the total weight of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and an inorganic filler. The lower limit of the content is preferably 31% by weight, more preferably 32% by weight, still more preferably 33% by weight, still more preferably 34% by weight, and particularly preferably 35% by weight. The upper limit of the content is preferably 49% by weight, more preferably 48% by weight, still more preferably 47% by weight, still more preferably 46% by weight, and particularly preferably 45% by weight. By making content of an inorganic filler into the said range, void disappearance and protrusion prevention property can be made compatible. When there is too little said content, protrusion prevention property will fall, and when too large, void disappearance property will fall.

무기 충전제의 배합은, 접착 필름의 유동성 내지 점성의 제어, 도전성의 부여, 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 그 외 카본 등을 포함하는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다. 또한, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 주석, 아연 등을 포함하는 도전성 미립자를 첨가하여 도전성 접착 필름으로 함으로써, 정전기의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.1 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.The mixing of the inorganic filler enables control of fluidity or viscosity of the adhesive film, imparting conductivity, improvement of thermal conductivity, adjustment of elastic modulus, and the like. Examples of the inorganic filler include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide, and silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, tin, zinc. , various inorganic powders containing metals such as palladium and solder, alloys, and other carbons. These can be used individually or in combination of 2 or more types. Among them, silica, particularly fused silica, is preferably used. In addition, by adding conductive fine particles containing aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, tin, zinc or the like to form a conductive adhesive film, the generation of static electricity can be suppressed. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler exists in the range of 0.1-80 micrometers.

(열경화 촉매)(thermosetting catalyst)

접착 필름의 구성 재료로서 열경화 촉매를 사용해도 된다. 그 함유량으로서는, 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제의 합계 중량 100중량부에 대하여 0.01 내지 1중량부가 바람직하고, 0.05 내지 0.5중량부가 보다 바람직하다. 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, 다이 본딩 시에 있어서는 미반응이었던 에폭시기끼리를, 후속 공정에서 중합시켜, 당해 미반응된 에폭시기를 저감 내지는 소실시킬 수 있다. 그 결과, 피착체 위에 반도체 소자를 접착 고정시켜 박리가 없는 반도체 장치의 제조가 가능해진다. 그 한편, 배합 비율을 상기 상한 이하로 함으로써, 경화 저해의 발생을 방지할 수 있다.You may use a thermosetting catalyst as a constituent material of an adhesive film. As the content, 0.01-1 weight part is preferable with respect to 100 weight part of total weight of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and an inorganic filler, and 0.05-0.5 weight part is more preferable. By making content more than the said minimum, at the time of die bonding, unreacted epoxy groups can be superposed|polymerized in a subsequent process, and the said unreacted epoxy group can be reduced or eliminated. As a result, the semiconductor device can be manufactured without peeling by adhesively fixing the semiconductor element on the adherend. On the other hand, by making a compounding ratio below the said upper limit, generation|occurrence|production of hardening inhibition can be prevented.

상기 열경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.It does not specifically limit as said thermosetting catalyst, For example, an imidazole type compound, a triphenylphosphine type compound, an amine type compound, a triphenylborane type compound, a trihalogen borane type compound, etc. are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4, 5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세(주) 제조).Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole (trade name; 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name; C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name; C17Z), and 1,2-dimethyl Imidazole (trade name; 1.2DMZ), 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name; 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name; 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name) ; 2P4MZ), 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name; 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name; 1B2PZ), 1-cyanoethyl-2-methylimidazole (trade name) ; 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name; C11Z-CN), 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate (trade name; 2PZCNS-PW), 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine (trade name; 2MZ-A), 2,4-diamino-6-[2' -Undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine (trade name; C11Z-A), 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1′)]-ethyl-s-triazine (trade name; 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6-[2′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine Socyanuric acid adduct (trade name; 2MA-OK), 2-phenyl-4, 5-dihydroxymethylimidazole (trade name; 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethyl Midazole (trade name; 2P4MHZ-PW) etc. are mentioned (all are Shikoku Chemical Co., Ltd. product).

상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 혹코 가가꾸사 제조). 또한, 상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 것인 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대하여 비용해성이면, 열경화가 과도하게 진행되는 것을 억제할 수 있다. 트리페닐포스핀 구조를 갖고, 또한 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 열경화 촉매로서는, 예를 들어 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 「비용해성」이란, 트리페닐포스핀계 화합물을 포함하는 열경화 촉매가 에폭시 수지를 포함하는 용매에 대하여 불용성인 것을 의미하고, 보다 상세하게는, 온도 10 내지 40℃의 범위에서 10중량% 이상 용해하지 않는 것을 의미한다.The triphenylphosphine-based compound is not particularly limited, and for example, triphenylphosphine, tributylphosphine, tri(p-methylphenyl)phosphine, tri(nonylphenyl)phosphine, diphenyltolylphosphine, etc. Organophosphine, tetraphenylphosphonium bromide (trade name; TPP-PB), methyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphine Phonium (trade name; TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-ZC), etc. are mentioned (all are made by Hokko Chemical). Moreover, as said triphenylphosphine type compound, what shows substantially insoluble with respect to an epoxy resin is preferable. If it is insoluble with respect to an epoxy resin, it can suppress that thermosetting advances excessively. As a thermosetting catalyst which has a triphenylphosphine structure and shows substantially insolubility with respect to an epoxy resin, methyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MB) etc. can be illustrated, for example. In addition, the "insoluble" means that the thermosetting catalyst containing a triphenylphosphine-based compound is insoluble in a solvent containing an epoxy resin, and more specifically, 10 weight at a temperature of 10 to 40 ° C. It means that it does not dissolve more than %.

상기 트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는, 또한 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 당해 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 혹코 가가꾸사 제조).It does not specifically limit as said triphenylborane type compound, For example, tri(p-methylphenyl)phosphine etc. are mentioned. Moreover, as a triphenylborane type compound, what has a triphenylphosphine structure is also included. It does not specifically limit as a compound which has the said triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure, For example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name) ; TPP-MK), benzyl triphenylphosphonium tetraphenyl borate (trade name; TPP-ZK), and triphenylphosphine triphenylborane (trade name; TPP-S) (all manufactured by Hokko Chemical).

상기 아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라 케미파(주) 제조), 디시안디아미드(나카라이테스크(주) 제조) 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said amino type compound, For example, monoethanolamine trifluoroborate (made by Stella Chemipa Co., Ltd.), dicyandiamide (made by Nakaraitesk Co., Ltd.), etc. are mentioned.

상기 트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리클로로보란 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said trihalogenborane type compound, For example, trichloroborane etc. are mentioned.

(다른 첨가제)(other additives)

또한, 본 실시 형태의 접착 필름에는, 상기 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다.In addition, other additives other than the said inorganic filler can be mix|blended with the adhesive film of this embodiment suitably as needed. As another additive, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trap agent, etc. are mentioned, for example.

상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. can These compounds can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.As said ion trap agent, hydrotalcites, bismuth hydroxide, etc. are mentioned, for example. These are independent or can use 2 or more types together.

상기 접착 필름의 열경화 전의 120℃에서의 점도는 1300㎩·s 이상 4500㎩·s 이하이다. 상기 점도의 하한은 1350㎩·s가 바람직하고, 1400㎩·s가 보다 바람직하고, 1450㎩·s가 더욱 바람직하고, 1500㎩·s가 특히 바람직하다. 한편, 상기 점도의 상한은 4400㎩·s가 바람직하고, 4300㎩·s가 보다 바람직하고, 4200㎩·s가 더욱 바람직하고, 4000㎩·s가 특히 바람직하다. 접착 필름의 열경화 전 120℃에서의 점도를 상기 범위로 함으로써, 보이드 소실성 및 비어져 나옴 방지성을 양립시킬 수 있다. 상기 점도가 너무 낮으면 비어져 나옴 방지성이 저하되고, 너무 높으면 보이드 소실성이 저하된다.The viscosity in 120 degreeC before thermosetting of the said adhesive film is 1300 Pa*s or more and 4500 Pa*s or less. 1350 Pa.s is preferable, as for the minimum of the said viscosity, 1400 Pa.s is more preferable, 1450 Pa.s is still more preferable, and 1500 Pa.s is especially preferable. On the other hand, the upper limit of the viscosity is preferably 4400 Pa·s, more preferably 4300 Pa·s, still more preferably 4200 Pa·s, and particularly preferably 4000 Pa·s. By making the viscosity in 120 degreeC before thermosetting of an adhesive film into the said range, void vanishing property and protrusion prevention property can be made compatible. When the said viscosity is too low, protrusion prevention property will fall, and when too high, void disappearance will fall.

상기 접착 필름의 열경화 전의 150℃에서의 점도는 500㎩·s 이상 2500㎩·s 이하가 바람직하다. 상기 점도의 하한은 550㎩·s가 보다 바람직하고, 600㎩·s가 더욱 바람직하고, 700㎩·s가 특히 바람직하다. 한편, 상기 점도의 상한은 2400㎩·s가 보다 바람직하고, 2300㎩·s가 더욱 바람직하고, 2200㎩·s가 특히 바람직하다. 접착 필름의 열경화 전의 150℃에서의 점도를 상기 범위로 함으로써, 가압 경화 공정에서의 보이드 소실성을 보다 높일 수 있다.As for the viscosity in 150 degreeC before thermosetting of the said adhesive film, 500 Pa.s or more and 2500 Pa.s or less are preferable. As for the lower limit of the said viscosity, 550 Pa.s is more preferable, 600 Pa.s is still more preferable, and 700 Pa.s is especially preferable. On the other hand, as for the upper limit of the said viscosity, 2400 Pa.s is more preferable, 2300 Pa.s is still more preferable, and 2200 Pa.s is especially preferable. By making the viscosity in 150 degreeC before thermosetting of an adhesive film into the said range, the void disappearance in a pressure hardening process can be improved more.

접착 필름의 층 구성은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 접착 필름의 단층만을 포함하는 접착 필름이나, 코어 재료의 편면 또는 양면에 접착 필름을 형성한 다층 구조의 접착 필름 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다. 또한, 접착 필름과 다이싱 시트를 일체로 한 일체형 필름으로서 사용할 수도 있다.The layer structure of the adhesive film is not particularly limited, and examples thereof include an adhesive film including only a single layer of the adhesive film, and an adhesive film having a multilayer structure in which an adhesive film is formed on one or both surfaces of a core material. Here, as the core material, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic nonwoven fibers , a silicon substrate or a glass substrate, and the like. Moreover, it can also be used as the integrated film which integrated the adhesive film and the dicing sheet.

<다이싱 필름><Dicing Film>

상기 다이싱 필름으로서는, 예를 들어 기재(4) 위에 점착제층(3)을 적층한 것을 들 수 있다. 접착 필름(22)은 점착제층(3) 위에 적층된다. 또한 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)(도 1 참조)에만 접착 필름(22')을 형성한 구성이어도 된다.As said dicing film, what laminated|stacked the adhesive layer 3 on the base material 4 is mentioned, for example. The adhesive film 22 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 3 . Moreover, as shown in FIG. 2, the structure in which the adhesive film 22' was formed only in the semiconductor wafer attachment part 22a (refer FIG. 1) may be sufficient.

(기재)(write)

상기 기재(4)는 다이싱·다이 본드 필름(10, 10')의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 점착제층(3)이 자외선 경화형인 경우, 기재(4)는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다.The substrate 4 serves as a strength matrix for the dicing die-bonding films 10 and 10'. For example, low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homo polyprolene, polybutene, polyolefins such as polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyethylene terephthalate , Polyester such as polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyimide, polyether imide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenyl sulfide, aramid (paper), glass, glass Fiber, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, etc. are mentioned. When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is an ultraviolet curing type, it is preferable that the base material 4 has transmittance to ultraviolet rays.

또한 기재(4)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(4)를 열수축시킴으로써 점착제층(3)과 접착 필름(22)의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.Moreover, as a material of the base material 4, polymers, such as a crosslinked body of the said resin, are mentioned. The said plastic film may be used by non-stretching, and may use what gave the uniaxial or biaxial extending|stretching process as needed. According to the resin sheet imparted with heat shrinkability by stretching treatment or the like, by heat shrinking the base material 4 after dicing, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive film 22 is reduced, thereby facilitating the recovery of semiconductor chips. can be promoted

기재(4)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제 (예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the base material 4 is chemically or physically treated with a conventional surface treatment, for example, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, ionizing radiation treatment, etc. Treatment and coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance to be described later) may be performed.

기재(4)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 복수 종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(4)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해서, 상기 기재(1) 위에 금속, 합금, 이들 산화물 등을 포함하는 두께가 30 내지 500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(4)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.The base material 4 can select and use the thing of the same type or a different type as needed, and the thing which blended multiple types can be used as needed. In addition, in order to provide an antistatic property to the substrate 4 , a deposition layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 Angstroms including a metal, an alloy, these oxides, and the like, may be formed on the substrate 1 . The base material 4 may be a single layer or 2 or more types of multilayers may be sufficient as it.

기재(4)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.Although the thickness in particular of the base material 4 is not restrict|limited and it can determine suitably, Generally, it is about 5-200 micrometers.

또한, 기재(4)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 충전제, 가소제, 노화 예방제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 된다.In addition, the base material 4 may contain various additives (for example, colorants, fillers, plasticizers, anti-aging agents, antioxidants, surfactants, flame retardants, etc.) as long as the effects of the present invention are not impaired. .

(점착제층)(Adhesive layer)

점착제층(3)의 형성에 사용하는 점착제는, 접착 필름(3)을 박리 가능하게 제어할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.The adhesive used for formation of the adhesive layer 3 will not be restrict|limited in particular, if it can control the adhesive film 3 so that peeling is possible. For example, general pressure-sensitive adhesives such as acrylic pressure-sensitive adhesives and rubber-based pressure-sensitive adhesives can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of cleaning properties with organic solvents such as ultrapure water or alcohol for electronic components that are reluctant to contamination of semiconductor wafers and glass.

상기 아크릴계 중합체로서는, 아크릴산에스테르를 주 단량체 성분으로서 사용한 것을 들 수 있다. 상기 아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.As said acrylic polymer, what used acrylic acid ester as a main monomer component is mentioned. As said acrylic acid ester, For example, (meth)acrylic acid alkylester (For example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester) Ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester , hexadecyl ester, octadecyl ester, eicosyl ester, etc. of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, especially a straight or branched chain alkyl ester having 4 to 18 carbon atoms) and (meth) acrylic acid cycloalkyl ester (for example, The acrylic polymer etc. which used 1 type(s) or 2 or more types of cyclopentyl ester, cyclohexyl ester etc. as a monomer component are mentioned. In addition, (meth)acrylic acid ester means an acrylic acid ester and/or a methacrylic acid ester, and all (meth) of this invention have the same meaning.

상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.The said acrylic polymer may contain the unit corresponding to the other monomer component copolymerizable with the said (meth)acrylic-acid alkylester or cycloalkyl ester as needed for the purpose of modification, such as cohesion force and heat resistance. Examples of the monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl; hydroxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl, and (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate; Sulfonic acid groups such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, and (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid containing monomers; phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, etc. are mentioned. These copolymerizable monomer components can be used 1 type or 2 or more types. As for the usage-amount of these copolymerizable monomers, 40 weight% or less of all the monomer components is preferable.

또한, 상기 아크릴계 중합체는, 가교시키기 위해서, 다관능성 단량체 등도, 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.In addition, in order to crosslink the said acrylic polymer, a polyfunctional monomer etc. may be included as a monomer component for copolymerization as needed. As such a polyfunctional monomer, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylic rate, pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, Polyester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used 1 type or 2 or more types. As for the usage-amount of a polyfunctional monomer, from points, such as an adhesive characteristic, 30 weight% or less of all monomer components is preferable.

상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이러한 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more monomers. Polymerization can be performed by any method, such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of preventing contamination on a clean adherend, it is preferable that the content of the low-molecular-weight substance is small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가해서 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 10중량부 정도 이하, 나아가 0.1 내지 10중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 예방제 등의 첨가제를 사용해도 된다.Moreover, in order to raise the number average molecular weight of the acrylic polymer etc. which are a base polymer to the said adhesive, an external crosslinking agent can also be employ|adopted suitably. As a specific means of an external crosslinking method, the method of adding and reacting so-called crosslinking agents, such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, and a melamine type crosslinking agent, is mentioned. When using an external crosslinking agent, the usage-amount is suitably determined by the balance with the base polymer to be bridge|crosslinked, Furthermore, according to the use use as an adhesive. Generally, it is preferable to mix|blend about 10 weight part or less with respect to 100 weight part of said base polymers, Furthermore, 0.1-10 weight part. In addition, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifiers and anti-aging agent other than the said component, for an adhesive as needed.

점착제층(3)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시하는 점착제층(3)의 부분(3a)에만 방사선 조사함으로써, 부분(3b)과의 점착력의 차를 둘 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. A radiation-curable adhesive can reduce the adhesive force easily by increasing a crosslinking degree by irradiation of radiations, such as an ultraviolet-ray. For example, by irradiating only the part 3a of the adhesive layer 3 shown in FIG. 2, the difference of adhesive force with the part 3b can be provided.

또한, 접착 필름(22')에 맞추어, 방사선 경화형 점착제층(3)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 부분(3a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하여, 점착력이 저하된 부분(3a)에 접착 필름(22')이 부착되어 있기 때문에, 부분(3a)과 접착 필름(22')과의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 부분(3b)을 형성한다.In addition, by curing the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 in conformity with the adhesive film 22', the portion 3a in which the adhesive force has significantly decreased can be easily formed. Since the adhesive film 22' is attached to the portion 3a having reduced adhesive strength by curing, the interface between the portion 3a and the adhesive film 22' has a property of being easily peeled off at the time of pickup . On the other hand, the portion not irradiated with radiation has sufficient adhesive strength and forms the portion 3b.

상술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱·다이 본드 필름(10)의 점착제층(3)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(3b)은 접착 필름(22)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이렇게 방사선 경화형 점착제는, 반도체 칩을 기판 등의 피착체에 고정하기 위한 접착 필름(22)을 접착·박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱·다이 본드 필름(10')의 점착제층(3)에서는, 상기 부분(3b)이 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the dicing die-bonding film 10 shown in FIG. 1 , the portion 3b formed of an uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive is an adhesive film 22 . It adheres to the surface, and the holding force at the time of dicing can be ensured. In this way, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can support the adhesive film 22 for fixing the semiconductor chip to an adherend such as a substrate with a good balance between adhesion and peeling. In the adhesive layer 3 of the dicing die-bonding film 10' shown in FIG. 2, the said part 3b can fix a wafer ring.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다.A radiation-curable pressure-sensitive adhesive having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without any particular limitation. Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include an addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive obtained by blending a radiation curable monomer component or an oligomer component with a general pressure-sensitive adhesive such as the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber pressure-sensitive adhesive.

배합하는 방사선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그 중량 평균 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을, 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.As the radiation-curable monomer component to be blended, for example, urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) Acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, etc. can be heard In addition, the radiation-curable oligomer component includes various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a weight average molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable. The compounding quantity of a radiation curable monomer component and an oligomer component can determine suitably the quantity which can reduce the adhesive force of an adhesive layer according to the kind of the said adhesive layer. Generally, it is 5-500 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive, Preferably it is about 40-150 weight part.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않아, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.Further, as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above, an internal type radiation-curable pressure-sensitive adhesive using a base polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the end of the main chain can be mentioned. Since the built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not contain or contains a large amount of the oligomer component, which is a low-molecular component, the oligomer component does not migrate in the pressure-sensitive adhesive with time, forming a stable pressure-sensitive adhesive layer with a layered structure It is preferable because it can be done.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.As the base polymer having a carbon-carbon double bond, a base polymer having a carbon-carbon double bond and adhesiveness may be used without particular limitation. As such a base polymer, it is preferable to use an acrylic polymer as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

상기 아크릴계 중합체에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method of introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods may be employed. However, introducing the carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer is easy for molecular design. For example, after copolymerizing a monomer having a functional group with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with this functional group and a carbon-carbon double bond is condensed while maintaining the radiation curability of the carbon-carbon double bond. Or the method of making an addition reaction is mentioned.

이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이라면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기 바람직한 조합으로는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of the combination of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable because of the easiness of tracking the reaction. In addition, if the combination of these functional groups produces the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound. It has a practical group, and the case where the said compound has an isocyanate group is suitable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. have. As the acrylic polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-mentioned hydroxyl group-containing monomer or an ether-based compound such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether or diethylene glycol monovinyl ether is used.

상기 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.For the built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer having a carbon-carbon double bond (especially an acrylic polymer) may be used alone, but the radiation-curable monomer component or oligomer component may be blended to such an extent that the properties are not deteriorated. have. The amount of the radiation curable oligomer component is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2, 2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2, 2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.It is preferable to make the said radiation-curable adhesive contain a photoinitiator, when hardening by an ultraviolet-ray etc. Examples of the photopolymerization initiator include 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α′-dimethylacetophenone, and 2-methyl-2- α-ketol compounds such as hydroxypropiophenone and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropane acetophenone-based compounds such as -1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; photoactive oxime compounds such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime; benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone thioxanthone-based compounds such as xanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketones; acylphosphine oxide; Acyl phosphonate etc. are mentioned. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive, for example.

점착제층(3)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 부분(3a)의 점착력<부분(3b)의 점착력이 되도록 점착제층(3)의 일부를 방사선 조사하는 것이 바람직하다. 도 2의 다이싱·다이 본드 필름에서는, 예를 들어 피착체로서 SUS304판(#2000 연마)에 대한 관계에서, 부분(3a)의 점착력<부분(3b)의 점착력이 되도록 한다.When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, it is preferable to irradiate a part of the pressure-sensitive adhesive layer 3 with radiation so that the adhesive force of the portion 3a < the adhesive force of the portion 3b. In the dicing die-bonding film of Fig. 2, for example, in relation to a SUS304 plate (#2000 polished) as an adherend, the adhesive force of the part 3a < the adhesive force of the part 3b.

상기 점착제층(3)에 상기 부분(3a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(4)에 방사선 경화형의 점착제층(3)을 형성한 후, 상기 부분(3a)에 부분적으로 방사선을 조사해서 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 점착제층(3)의 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 개재하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사해서 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형의 점착제층(3)의 형성은, 세퍼레이터 위에 설치한 것을 기재(4) 위에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 위에 설치한 방사선 경화형의 점착제층(3)에 행할 수도 있다.As a method of forming the portion 3a on the pressure-sensitive adhesive layer 3, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed on the substrate 4, and then the portion 3a is partially irradiated with radiation to cure it. method can be found. Partial radiation exposure can be performed through the photomask in which the pattern corresponding to the part 3b etc. other than the part 3a of the adhesive layer 3 corresponding to the semiconductor wafer attachment part 22a was formed. Moreover, the method etc. which irradiate and harden|cure an ultraviolet-ray spotwise are mentioned. Formation of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 can be performed by transferring what was provided on the separator onto the substrate 4 . Partial radiation curing can also be performed on the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 provided on the separator.

또한, 점착제층(3)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재(4)의 적어도 편면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 부분(3a) 이외의 부분의 모두 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 이것에 방사선 경화형의 점착제층(3)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 부분(3a)을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(3a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 위에서 포토마스크로 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이러한 제조 방법에 의하면, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(10)을 제조 가능하다.In addition, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed with a radiation-curing pressure sensitive adhesive, all or a part of at least one side of the base material 4 other than the portion 3a corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 22a is light-shielding. used, and after forming a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 thereon, irradiated with radiation to harden the portion 3a corresponding to the semiconductor wafer attachment portion 22a, thereby reducing the adhesive strength (3a) can form. As a light-shielding material, what can become a photomask on a support film can be produced by printing, vapor deposition, etc. According to such a manufacturing method, the dicing die-bonding film 10 of this invention can be manufactured efficiently.

또한, 방사선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형의 점착제층(3)의 표면으로부터 어떠한 방법으로든 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 점착제층(3)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.In addition, when curing inhibition by oxygen occurs during irradiation with radiation, it is preferable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 by any method. For example, the method of coat|covering the surface of the said adhesive layer 3 with a separator, the method of irradiating radiations, such as an ultraviolet-ray, in nitrogen gas atmosphere, etc. are mentioned.

점착제층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 관점에서 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.Although the thickness of the adhesive layer 3 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-50 micrometers from viewpoints, such as compatibility of notch prevention of a chip|tip cut surface, and fixed holding|maintenance of an adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, More preferably, it is 5-25 micrometers.

또한, 점착제층(3)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 증점제, 증량제, 충전제, 점착 부여제, 가소제, 노화 예방제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)가 포함되어 있어도 된다.Moreover, in the adhesive layer 3, various additives (for example, a colorant, a thickener, an extender, a filler, a tackifier, a plasticizer, anti-aging agent, antioxidant, surfactant, in the range which does not impair the effect etc. of this invention) , a crosslinking agent, etc.) may be included.

(접착 필름의 제조 방법)(Method for producing adhesive film)

본 실시 형태에 따른 접착 필름은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다. 먼저, 접착 필름 형성용의 접착제 조성물을 제조한다. 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 접착 필름의 항에서 설명한 열경화성 수지, 열가소성 수지, 다른 첨가제 등을 용기에 투입하고, 유기 용매에 용해시켜, 균일해지도록 교반함으로써 접착제 조성물 용액으로서 얻을 수 있다.The adhesive film which concerns on this embodiment is produced as follows, for example. First, an adhesive composition for forming an adhesive film is prepared. The production method is not particularly limited, and for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, other additives, etc. described in the section of the adhesive film are put into a container, dissolved in an organic solvent, and stirred to become uniform. It can be obtained as an adhesive composition solution. .

상기 유기 용매로서는, 접착 필름을 구성하는 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이라면 제한은 없으며, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 이러한 용매로서는, 예를 들어 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 저렴하게 입수할 수 있는 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.The organic solvent is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the components constituting the adhesive film, and a conventionally known solvent can be used. Examples of the solvent include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methylethylketone and cyclohexanone, toluene, and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. from the point which a drying rate is quick and it can obtain inexpensively.

상기와 같이 하여 제조한 접착제 조성물 용액을 세퍼레이터 위에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 해당 도포막을 소정 조건 하에서 건조시킨다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 또한, 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 이에 의해, 본 실시 형태에 따른 접착 필름이 얻어진다.After the adhesive composition solution prepared as described above is applied to a predetermined thickness on a separator to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions. As the separator, a plastic film or paper surface coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used. In addition, it does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. In addition, as drying conditions, it is performed within the range of 70-160 degreeC drying temperature, and 1 to 5 minutes of drying time, for example. Thereby, the adhesive film which concerns on this embodiment is obtained.

(다이싱·다이 본드 필름의 제조 방법)(Manufacturing method of dicing die-bonding film)

다이싱·다이 본드 필름(10, 10')은, 예를 들어 다이싱 필름 및 접착 필름을 따로따로 제작해 두고, 마지막으로 이들을 접합함으로써 제작할 수 있다. 구체적으로는, 이하와 같은 수순에 따라서 제작할 수 있다.The dicing die-bonding films 10 and 10' can be produced, for example, by separately preparing a dicing film and an adhesive film, and finally bonding them together. Specifically, it can be produced according to the following procedures.

먼저, 기재(4)는, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.First, the base material 4 can be formed into a film by a conventionally well-known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, and a dry lamination method.

이어서, 점착제층 형성용의 점착제 조성물을 제조한다. 점착제 조성물에는, 점착제층의 항에서 설명한 바와 같은 수지나 첨가물 등이 배합되어 있다. 제조한 점착제 조성물을 기재(4) 위에 도포하여 도포막을 형성한 후, 해당 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층(3)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층(3)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(4) 위에 점착제층(3)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 기재(4) 및 점착제층(3)을 구비하는 다이싱 필름이 제작된다.Next, the adhesive composition for adhesive layer formation is manufactured. The adhesive composition is mix|blended with resin, an additive, etc. which were demonstrated in the term of an adhesive layer. After the prepared pressure-sensitive adhesive composition is applied on the substrate 4 to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions (heat cross-linked if necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 3 . It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. In addition, as drying conditions, it is performed within the range of 80-150 degreeC of drying temperature, and 0.5 to 5 minutes of drying time, for example. Moreover, after apply|coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, you may dry a coating film on the said drying condition and form the adhesive layer 3 . Then, on the base material 4, the adhesive layer 3 is bonded together with a separator. Thereby, the dicing film provided with the base material 4 and the adhesive layer 3 is produced.

계속해서, 다이싱 필름으로부터 세퍼레이터를 박리하고, 접착 필름과 점착제층이 접합면으로 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고 예를 들어 30 내지 70℃가 바람직하고, 40 내지 60℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고 예를 들어 0.1 내지 20㎏f/㎝가 바람직하고, 1 내지 10㎏f/㎝가 보다 바람직하다. 이어서, 접착 필름 위의 세퍼레이터를 박리하여, 본 실시 형태에 따른 다이싱·다이 본드 필름이 얻어진다.Then, a separator is peeled from a dicing film, an adhesive film and an adhesive layer are made to become a bonding surface, and both are bonded together. Bonding can be performed, for example by crimping|compression-bonding. At this time, the lamination temperature is not specifically limited, For example, 30-70 degreeC is preferable and 40-60 degreeC is more preferable. Moreover, the linear pressure is not specifically limited, For example, 0.1-20 kgf/cm is preferable and 1-10 kgf/cm is more preferable. Next, the separator on the adhesive film is peeled off, and the dicing die-bonding film which concerns on this embodiment is obtained.

<반도체 장치의 제조 방법><Method for manufacturing semiconductor device>

본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 제1 고정 공정 및 제1 와이어 본딩 공정을 거쳐, 적어도 1개의 제1 반도체 소자가 실장(고정)된 피착체를 미리 준비해 두고(피착체 준비 공정), 이 제1 반도체 소자를, 다이싱 및 픽업을 거친 접착 필름에 의해, 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정한다. 도 3a 내지 도 3h는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.In the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment, an adherend on which at least one first semiconductor element is mounted (fixed) is prepared in advance through a first fixing process and a first wire bonding process (adherent preparation process) , A second semiconductor element different from the first semiconductor element is fixed to the adherend while the first semiconductor element is embedded with an adhesive film that has been subjected to dicing and pickup. 3A to 3H are cross-sectional views schematically illustrating one step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, respectively.

(제1 고정 공정)(1st fixing process)

도 3a에 도시한 바와 같이, 제1 고정 공정에서는, 적어도 1개의 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 고정한다. 제1 반도체 소자(11)는 제1 접착 필름(21)을 개재하여 피착체(1)에 고정되어 있다. 도 3a 중에서는 제1 반도체 소자(11)는 1개만 나타나 있지만, 목적으로 하는 반도체 장치의 사양에 따라서 2개, 3개, 4개 또는 5개 이상의 복수의 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1)에 고정해도 된다.As shown in FIG. 3A , in the first fixing step, at least one first semiconductor element 11 is fixed on the adherend 1 . The first semiconductor element 11 is fixed to the adherend 1 with a first adhesive film 21 interposed therebetween. Although only one first semiconductor element 11 is shown in FIG. 3A , a plurality of first semiconductor elements 11 of two, three, four, or five or more are attached to an adherend depending on the specifications of the target semiconductor device. (1) may be fixed.

(제1 반도체 소자)(first semiconductor element)

제1 반도체 소자(11)로서는, 제2단째에 적층되는 반도체 소자(제2 반도체 소자(12); 도 3f 참조)보다 평면에서 보았을 때 치수가 작은 소자라면 특별히 한정되지 않고 예를 들어 반도체 소자의 일종인 컨트롤러나 메모리 칩이나 로직 칩을 적절하게 사용할 수 있다. 컨트롤러는 적층되어 있는 각 반도체 소자의 작동을 제어하는 점에서, 일반적으로 다수의 와이어가 접속된다. 반도체 패키지의 통신 속도는 와이어 길이의 영향을 받는바, 본 실시 형태에서는 제1 반도체 소자(11)가 피착체(1)에 고정되어 최하단에 위치하므로, 와이어 길이를 단축할 수 있고, 이에 의해 반도체 소자의 적층 수를 증가시켜도 반도체 패키지(반도체 장치)의 통신 속도의 저하를 억제할 수 있다.The first semiconductor element 11 is not particularly limited as long as it has a smaller dimension in plan view than the semiconductor element stacked in the second tier (the second semiconductor element 12; see FIG. 3F ). For example, a semiconductor element A type of controller, memory chip, or logic chip may be appropriately used. Since the controller controls the operation of each stacked semiconductor element, a plurality of wires are generally connected thereto. The communication speed of the semiconductor package is affected by the wire length. In the present embodiment, since the first semiconductor element 11 is fixed to the adherend 1 and located at the lowermost end, the wire length can be shortened, whereby the semiconductor A decrease in the communication speed of a semiconductor package (semiconductor device) can be suppressed even if the number of stacked elements is increased.

제1 반도체 소자(11)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상 100㎛ 이하인 경우가 많다. 또한, 최근의 반도체 패키지의 박형화에 수반하여 75㎛ 이하, 나아가 50㎛ 이하의 제1 반도체 소자(11)도 사용되고 있다.Although the thickness of the 1st semiconductor element 11 is not specifically limited, Usually, it is 100 micrometers or less in many cases. Moreover, the 1st semiconductor element 11 of 75 micrometers or less, and 50 micrometers or less is also used with the recent thinning of a semiconductor package.

(피착체)(Adhesive)

피착체(1)로서는, 기판이나 리드 프레임, 다른 반도체 소자 등을 들 수 있다. 기판으로서는, 프린트 배선 기판 등의 종래 공지된 기판을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42 Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 실시 형태는 이것에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 마운트하여, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.As the to-be-adhered body 1, a board|substrate, a lead frame, another semiconductor element, etc. are mentioned. As a board|substrate, conventionally well-known board|substrates, such as a printed wiring board, can be used. In addition, as the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present embodiment is not limited to this, and a circuit board capable of being used by mounting a semiconductor element and electrically connecting to the semiconductor element is also included.

(제1 접착 필름)(first adhesive film)

제1 접착 필름(21)으로서는, 상기 포매용 접착 필름을 사용해도 되고, 종래 공지된 반도체 소자 고정용의 접착 필름을 사용해도 된다. 단, 포매용 접착 필름을 사용하는 경우, 제1 접착 필름(21)은 반도체 소자를 포매할 필요가 없으므로, 두께를 5㎛ 내지 60㎛ 정도로 얇게 하여 사용하면 된다.As the 1st adhesive film 21, the said adhesive film for embedding may be used and a conventionally well-known adhesive film for semiconductor element fixing may be used. However, when using the adhesive film for embedding, since the first adhesive film 21 does not need to embed the semiconductor element, it may be used with a thickness of about 5 μm to 60 μm.

(고정 방법)(Fixed method)

도 3a에 도시한 바와 같이, 제1 반도체 소자(11)를 제1 접착 필름(21)을 개재하여 피착체(1)에 다이 본드한다. 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 고정하는 방법으로서는, 예를 들어 피착체(1) 위에 제1 접착 필름(21)을 적층한 후, 이 제1 접착 필름(21) 위에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 제1 반도체 소자(11)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 제1 접착 필름(21)이 부착된 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 배치하여 적층해도 된다.As shown in FIG. 3A , the first semiconductor element 11 is die-bonded to the adherend 1 with the first adhesive film 21 interposed therebetween. As a method of fixing the first semiconductor element 11 on the adherend 1 , for example, after laminating the first adhesive film 21 on the adherend 1 , a wire is placed on the first adhesive film 21 . A method of stacking the first semiconductor element 11 with the bonding surface facing upward is exemplified. Moreover, the 1st semiconductor element 11 to which the 1st adhesive film 21 was previously adhered may be arrange|positioned on the to-be-adhered body 1, and you may laminate|stack it.

제1 접착 필름(21)은 반경화 상태이므로, 제1 접착 필름(21)의 피착체(1) 위로의 적재 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 제1 접착 필름(21)을 열경화시켜서 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 고정시킨다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간에 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간에 행하는 것이 보다 바람직하다.Since the first adhesive film 21 is in a semi-cured state, after loading the first adhesive film 21 onto the adherend 1, heat treatment is performed under predetermined conditions to thermoset the first adhesive film 21, The first semiconductor element 11 is fixed on the adherend 1 . It is preferable to carry out at 100-200 degreeC, and, as for the temperature at the time of heat processing, it is more preferable to carry out within the range of 120 degreeC - 180 degreeC. Moreover, it is preferable to carry out for 0.25 to 10 hours, and, as for heat processing time, it is more preferable to carry out for 0.5 to 8 hours.

(제1 와이어 본딩 공정)(1st wire bonding process)

제1 와이어 본딩 공정은, 피착체(1)의 단자부(예를 들어 이너 리드)의 선단과 제1 반도체 소자(11) 위의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(31)로 전기적으로 접속하는 공정이다(도 3b 참조). 본딩 와이어(31)로서는, 예를 들어 금선, 은선, 알루미늄선 또는 동선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간 행하여진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행하여진다.In the first wire bonding process, the tip of the terminal portion (eg, inner lead) of the adherend 1 and the electrode pad (not shown) on the first semiconductor element 11 are electrically connected with the bonding wire 31 . This is a process (see Fig. 3b). As the bonding wire 31, a gold wire, a silver wire, an aluminum wire, a copper wire, etc. are used, for example. The temperature at the time of wire bonding is 80-250 degreeC, Preferably it is performed within the range of 80-220 degreeC. In addition, the heating time is performed for several seconds to several minutes. The connection is performed by using vibration energy by ultrasonic waves and compression energy by applied pressurization in a heated state so as to be within the above temperature range.

(웨이퍼 접합 공정)(Wafer bonding process)

별도, 도 3c에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이 본드 필름(10)에서의 포매용 접착 필름(22) 위에 반도체 웨이퍼(2)를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜서 고정한다(접합 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.Separately, as shown in Fig. 3C, the semiconductor wafer 2 is pressed onto the embedding adhesive film 22 in the dicing die-bonding film 10, and this is adhered and held and fixed (bonding step). This process is performed, pressurizing by pressurizing means, such as a crimping|compression-bonding roll.

(다이싱 공정)(dicing process)

이어서, 도 3d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(2)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(2)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(12)을 제조한다(다이싱 공정). 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(2)의 회로면측에서 통상법에 따라 행하여진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 필름(5)까지 절단을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 다이싱·다이 본드 필름(10)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(2)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 포매용 접착 필름(22)을 사용하고 있으므로, 다이싱 후의 재접착을 방지할 수 있어, 다음의 픽업 공정을 양호하게 행할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3D , the semiconductor wafer 2 is diced. Thereby, the semiconductor wafer 2 is cut|disconnected to a predetermined size, and it is divided into pieces, and the semiconductor chip 12 is manufactured (dicing process). Dicing is performed, for example, on the circuit surface side of the semiconductor wafer 2 according to a conventional method. In addition, at this process, the cutting method etc. called full cut which cut|disconnects to the dicing film 5 are employable, for example. It does not specifically limit as a dicing apparatus used in this process, A conventionally well-known thing can be used. Moreover, since the semiconductor wafer is adhesively fixed by the dicing die-bonding film 10, while being able to suppress a chip notch and chip|tip scattering, the breakage of the semiconductor wafer 2 can also be suppressed. Moreover, since the adhesive film 22 for embedding is used, re-adhesion after dicing can be prevented, and the following pick-up process can be performed favorably.

(픽업 공정)(pickup process)

도 3e에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이 본드 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(12)을 박리하기 위해서, 포매용 접착 필름(22)과 함께 반도체 칩(12)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(12)을 기재(4)측으로부터 니들에 의해 밀어 올려, 밀어 올려진 반도체 칩(12)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.As shown in Fig. 3E, in order to peel the semiconductor chip 12 adhesively fixed to the dicing die-bonding film 10, the semiconductor chip 12 is picked up together with the embedding adhesive film 22 ( pick-up process). It does not specifically limit as a method of pick-up, A conventionally well-known various method is employable. For example, the method of pushing up each semiconductor chip 12 with a needle from the base material 4 side, and picking up the pushed up semiconductor chip 12 with a pick-up apparatus etc. are mentioned.

여기서 픽업은, 점착제층(3)이 자외선 경화형인 경우, 해당 점착제층(3)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(3)의 접착 필름(22)에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 칩(12)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩을 손상시키지 않고 픽업이 가능하게 된다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또한, 자외선 조사에 사용하는 광원으로서는, 고압 수은등, 마이크로파 여기형 램프, 케미컬 램프 등을 사용할 수 있다.Pickup is performed here, after irradiating an ultraviolet-ray to the said adhesive layer 3, when the adhesive layer 3 is an ultraviolet curable type. Thereby, the adhesive force with respect to the adhesive film 22 of the adhesive layer 3 falls, and peeling of the semiconductor chip 12 becomes easy. As a result, pickup becomes possible without damaging the semiconductor chip. Conditions, such as irradiation intensity at the time of ultraviolet irradiation, irradiation time, are not specifically limited, What is necessary is just to set suitably as needed. Moreover, as a light source used for ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury-vapor lamp, a microwave excitation type lamp, a chemical lamp, etc. can be used.

(제2 고정 공정)(Second fixing process)

제2 고정 공정에서는, 제2 반도체 소자(12)와 함께 픽업한 포매용 접착 필름(22)에 의해, 별도 피착체(1) 위에 고정해 둔 제1 반도체 소자(11)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(11)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 3f 참조). 포매용 접착 필름(22)은, 상기 제1 반도체 소자(11)의 두께(T1)보다 두꺼운 두께(T)를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 상기 피착체(1)와 상기 제1 반도체 소자(11)의 전기적 접속이 와이어 본딩 접속에 의해 달성되는 점에서, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차는 40㎛ 이상 260㎛ 이하가 바람직하다. 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 하한은 40㎛ 이상이 바람직하지만, 50㎛ 이상이 보다 바람직하고, 60㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 상한은 260㎛ 이하가 바람직하지만, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이에 의해, 반도체 장치 전체의 박형화를 도모하면서도, 제1 반도체 소자(11)와 제2 반도체 소자(12)의 접촉을 방지하면서 제1 반도체 소자(11) 전체를 포매용 접착 필름(22)의 내부에 포매할 수 있어, 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(11)의 피착체(1) 위로의 고정(즉, 와이어 길이가 최단이 되는 최하단에서의 고정)을 가능하게 한다.In the second fixing step, the first semiconductor element 11 is embedded separately on the adherend 1 with the embedding adhesive film 22 picked up together with the second semiconductor element 12 . A second semiconductor element 12 different from the semiconductor element 11 is fixed to the adherend 1 (see Fig. 3F). The embedding adhesive film 22 has a thickness T greater than the thickness T 1 of the first semiconductor element 11 . In the present embodiment, the difference between the thickness T and the thickness T 1 is 40 μm in that the electrical connection between the adherend 1 and the first semiconductor element 11 is achieved by wire bonding connection. More than 260 micrometers is preferable. The lower limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 40 µm or more, more preferably 50 µm or more, and still more preferably 60 µm or more. The upper limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 260 µm or less, more preferably 200 µm or less, and still more preferably 150 µm or less. Thereby, while achieving the thickness reduction of the whole semiconductor device, the 1st semiconductor element 11 whole 1st semiconductor element 11 whole inside the adhesive film 22 for embedding while preventing the contact of the 2nd semiconductor element 12. can be embedded in the , enabling the fixing of the first semiconductor element 11 as a controller onto the adherend 1 (that is, fixing at the lowest end at which the wire length is the shortest).

포매용 접착 필름(22)의 두께(T)는 제1 반도체 소자(11)를 포매 가능하도록 제1 반도체 소자(11)의 두께(T1) 및 와이어 돌출량을 고려하여 적절히 설정하면 되지만, 그 하한은 80㎛ 이상이 바람직하고, 100㎛ 이상이 보다 바람직하고, 120㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 두께(T)의 상한은 300㎛ 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이렇게 접착 필름을 비교적 두껍게 함으로써, 일반적인 컨트롤러의 두께를 거의 커버할 수 있어, 제1 반도체 소자(11)의 포매용 접착 필름(22)에 대한 포매를 용이하게 행할 수 있다.The thickness (T) of the adhesive film for embedding (22) may be appropriately set in consideration of the thickness (T 1 ) of the first semiconductor element 11 and the amount of wire protrusion so that the first semiconductor element 11 can be embedded, but the 80 micrometers or more are preferable, as for a minimum, 100 micrometers or more are more preferable, and 120 micrometers or more are still more preferable. On the other hand, 300 micrometers or less are preferable, as for the upper limit of thickness T, 200 micrometers or less are more preferable, and 150 micrometers or less are still more preferable. By making the adhesive film relatively thick in this way, the thickness of a general controller can be almost covered, and embedding of the first semiconductor element 11 in the adhesive film 22 for embedding can be performed easily.

(제2 반도체 소자)(Second semiconductor element)

제2 반도체 소자(12)로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(11)의 작동 제어를 받는 메모리 칩을 사용할 수 있다.It does not specifically limit as the 2nd semiconductor element 12, For example, the memory chip which receives the operation control of the 1st semiconductor element 11 as a controller can be used.

(고정 방법)(Fixed method)

제2 반도체 소자(12)를 피착체(1) 위에 고정하는 방법으로서는, 제1 고정 공정과 마찬가지로, 예를 들어 피착체(1) 위에 포매용 접착 필름(22)을 적층한 후, 이 포매용 접착 필름(22) 위에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 제2 반도체 소자(12)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 포매용 접착 필름(22)이 부착된 제2 반도체 소자(12)를 피착체(1)에 배치하여 적층해도 된다.As a method of fixing the second semiconductor element 12 on the adherend 1, for example, after laminating the adhesive film 22 for embedding on the adherend 1 in the same manner as in the first fixing step, this embedding A method in which the second semiconductor element 12 is laminated on the adhesive film 22 with the wire bonding surface facing upward is exemplified. Moreover, the 2nd semiconductor element 12 to which the adhesive film 22 for embedding was previously adhered may be arrange|positioned on the to-be-adhered body 1, and you may laminate|stack it.

제1 반도체 소자(11)의 포매용 접착 필름(22)으로의 진입 및 포매를 용이하게 하기 위해서, 다이 본드 시에는 포매용 접착 필름(22)에 대한 가열 처리를 행해도 된다. 가열 온도로서는 포매용 접착 필름(22)이 연화되고, 또한 완전히 열경화하지 않는 온도이면 되며, 80℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하고, 100℃ 이상 130℃ 이하가 보다 바람직하다. 이때 0.1㎫ 이상 1.0㎫ 이하로 가압해도 된다.In order to facilitate the entry and embedding of the first semiconductor element 11 into the adhesive film 22 for embedding, heat treatment may be performed on the adhesive film 22 for embedding at the time of die bonding. As heating temperature, what is necessary is just a temperature which softens the adhesive film 22 for embedding and does not thermoset completely, 80 degreeC or more and 150 degrees C or less are preferable, and 100 degreeC or more and 130 degrees C or less are more preferable. At this time, you may pressurize at 0.1 Mpa or more and 1.0 Mpa or less.

(가압 경화 공정)(Pressure hardening process)

포매용 접착 필름(22)은 반경화 상태이므로, 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1) 위로의 적재 후, 가압 조건 하에서의 가열 처리를 행함으로써, 포매용 접착 필름(22)을 열경화시켜서 제2 반도체 소자(12)의 피착체(1) 위로의 고정을 완료시킨다.Since the embedding adhesive film 22 is in a semi-cured state, after loading the embedding adhesive film 22 onto the adherend 1, heat treatment is performed under pressure conditions to thermoset the embedding adhesive film 22. to complete the fixing of the second semiconductor element 12 onto the adherend 1 .

가압 하에서 가열하는 방법으로서는, 예를 들어, 포매용 접착 필름(22)을 적재한 피착체(1)를 불활성 가스가 충전된 가압 챔버 내에 배치해서 가열하는 방법을 들 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 1㎏/㎠(9.8×10-2㎫) 이상, 보다 바람직하게는 2㎏/㎠(1.96×10-1㎫) 이상, 더욱 바람직하게는 3㎏/㎠(2.94×10-1㎫) 이상이다. 1㎏/㎠ 이상이면 포매용 접착 필름(22)과 피착체(1)의 계면에서의 보이드를 용이하게 소실시킬 수 있다. 또한, 압력의 상한은 높으면 높을수록 좋다. 장치의 일반적인 설정 한계로부터 10㎏/㎠(9.8×10-1㎫) 정도이지만, 기술적으로 가능하면 이것보다 높아도 된다.As a method of heating under pressure, the method of arrange|positioning and heating the to-be-adhered body 1 on which the adhesive film 22 for embedding was mounted in the pressurization chamber filled with inert gas, for example is mentioned. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably 1 kg/cm 2 (9.8×10 -2 MPa) or more, more preferably 2 kg/cm 2 (1.96×10 -1 MPa) or more, still more preferably 3 kg/cm 2 ( 2.94×10 -1 MPa) or more. If it is 1 kg/cm 2 or more, the void at the interface between the embedding adhesive film 22 and the adherend 1 can be easily eliminated. In addition, the higher the upper limit of the pressure, the better. It is about 10 kg/cm 2 (9.8×10 −1 MPa) from the general setting limit of the device, but it may be higher than this if technically possible.

가압 하에서 가열할 때의 가열 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 110℃ 이상, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상, 특히 바람직하게는 140℃ 이상이다. 100℃ 이상이면 포매용 접착 필름(22)을 적당한 경도로 하는 것이 가능하여, 가압 경화에 의해 보이드를 효과적으로 소실시킬 수 있다. 가열 온도는, 바람직하게는 220℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 220℃ 이하이면, 보이드의 급격한 팽창을 억제할 수 있다.The heating temperature when heating under pressure is preferably 100°C or higher, more preferably 110°C or higher, still more preferably 120°C or higher, and particularly preferably 140°C or higher. If it is 100 degreeC or more, it is possible to make the adhesive film 22 for embedding|buying into moderate hardness, and a void can be effectively lose|disappeared by pressure hardening. Heating temperature becomes like this. Preferably it is 220 degrees C or less, More preferably, it is 200 degrees C or less, More preferably, it is 180 degrees C or less. If it is 220 degrees C or less, rapid expansion of a void can be suppressed.

가열 시간은, 바람직하게는 0.1시간 이상, 보다 바람직하게는 0.2시간 이상, 더욱 바람직하게는 0.5시간 이상이다. 0.1시간 이상이면 가압의 효과를 충분히 얻을 수 있다. 가열 시간은, 바람직하게는 10시간 이하, 보다 바람직하게는 3시간 이하, 더욱 바람직하게는 1시간 이하이다.Heating time becomes like this. Preferably it is 0.1 hour or more, More preferably, it is 0.2 hour or more, More preferably, it is 0.5 hour or more. If it is 0.1 hour or more, the effect of pressurization can fully be acquired. The heating time is preferably 10 hours or less, more preferably 3 hours or less, still more preferably 1 hour or less.

이때, 열경화 후의 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1)에 대한 전단 접착력은, 25 내지 250℃에서 0.1㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.2 내지 10㎫인 것이 보다 바람직하다. 포매용 접착 필름(22)의 전단 접착력을 0.1㎫ 이상으로 하면, 제2 반도체 소자(12)에 대한 와이어 본딩 공정에서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 포매용 접착 필름(22)과 제2 반도체 소자(12) 또는 피착체(1)의 접착면에서의 전단 변형의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 제2 반도체 소자(12)가 움직이는 것을 억제하고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지할 수 있다.At this time, it is preferable that it is 0.1 MPa or more at 25-250 degreeC, and, as for the shear adhesive force with respect to the to-be-adhered body 1 of the adhesive film 22 for embedding after thermosetting, it is more preferable that it is 0.2-10 MPa. When the shear adhesive force of the embedding adhesive film 22 is 0.1 MPa or more, the embedding adhesive film 22 and the second semiconductor element by ultrasonic vibration or heating in the wire bonding process to the second semiconductor element 12 . (12) Alternatively, it is possible to suppress the occurrence of shear deformation on the adhesive surface of the adherend 1 . That is, it is possible to suppress movement of the second semiconductor element 12 due to ultrasonic vibrations during wire bonding, thereby preventing a decrease in the success rate of wire bonding.

(제3 고정 공정)(3rd fixing process)

제3 고정 공정에서는, 상기 제2 반도체 소자(12) 위에 해당 제2 반도체 소자와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자(13)를 고정한다(도 3g 참조). 제3 반도체 소자(13)는 제3 접착 필름(23)을 개재하여 제2 반도체 소자(12)에 고정되어 있다.In the third fixing step, a third semiconductor device 13 of the same type or different type as that of the second semiconductor device is fixed on the second semiconductor device 12 (refer to FIG. 3G ). The third semiconductor element 13 is fixed to the second semiconductor element 12 with a third adhesive film 23 interposed therebetween.

(제3 반도체 소자)(Third semiconductor element)

제3 반도체 소자(13)는, 제2 반도체 소자(12)와 동종의 메모리 칩이나 제2 반도체 소자(12)와 이종의 메모리 칩이어도 된다. 제3 반도체 소자(13)의 두께도 목적으로 하는 반도체 장치의 사양에 따라서 적절히 설정할 수 있다.The third semiconductor element 13 may be a memory chip of the same type as the second semiconductor element 12 or a memory chip different from the second semiconductor element 12 . The thickness of the third semiconductor element 13 can also be appropriately set according to the specifications of the target semiconductor device.

(제3 접착 필름)(third adhesive film)

제3 접착 필름(23)으로서는, 제1 고정 공정에서의 제1 접착 필름(21)과 마찬가지의 것을 적절하게 사용할 수 있다. 제3 접착 필름(23)으로서 포매용 접착 필름(22)을 사용하는 경우에는, 다른 반도체 소자의 포매가 불필요하므로, 두께를 5㎛ 내지 60㎛ 정도로 얇게 하여 사용하면 된다.As the 3rd adhesive film 23, the thing similar to the 1st adhesive film 21 in a 1st fixing process can be used suitably. In the case of using the embedding adhesive film 22 as the third adhesive film 23, embedding of other semiconductor elements is not required, so the thickness may be reduced to about 5 µm to 60 µm and used.

(고정 방법)(Fixed method)

도 3g에 도시한 바와 같이, 제3 반도체 소자(13)를 제3 접착 필름(23)을 개재하여 제2 반도체 소자(12)에 다이 본드한다. 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 위에 고정하는 방법으로서는, 예를 들어 제2 반도체 소자(12) 위에 제3 접착 필름(23)을 적층한 후, 이 제3 접착 필름(23) 위에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 제3 반도체 소자(13)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 제3 접착 필름(23)이 부착된 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 위에 배치하여 적층해도 된다. 단, 후술하는 제2 반도체 소자(12)와 제3 반도체 소자(13) 사이에서의 와이어 본딩을 위해서, 제2 반도체 소자(12)의 와이어 본드면(상면)의 전극 패드를 피하도록 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12)에 대하여 어긋나게 고정하는 경우가 있다. 이 경우, 제3 접착 필름(23)을 먼저 제2 반도체 소자(12)의 상면에 부착해 두면, 제3 접착 필름(23)의 제2 반도체 소자(12)의 상면으로부터 비어져나온 부분(소위 오버행부)이 절곡되어서 제2 반도체 소자(12)의 측면이나 포매용 접착 필름(22)의 측면에 부착되어, 예기하지 못한 문제가 발생할 우려가 있다. 따라서, 제3 고정 공정에서는, 미리 제3 접착 필름(23)을 제3 반도체 소자(13)에 부착해 두고, 이것을 제2 반도체 소자(12) 위에 배치하여 적층하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3G , the third semiconductor element 13 is die-bonded to the second semiconductor element 12 with the third adhesive film 23 interposed therebetween. As a method of fixing the third semiconductor element 13 on the second semiconductor element 12 , for example, after laminating the third adhesive film 23 on the second semiconductor element 12 , the third adhesive film ( 23) A method of stacking the third semiconductor element 13 with the wire bonding surface on the upper side is mentioned. Moreover, the 3rd semiconductor element 13 to which the 3rd adhesive film 23 was previously attached may be arrange|positioned on the 2nd semiconductor element 12, and you may laminate|stack it. However, for wire bonding between the second semiconductor element 12 and the third semiconductor element 13 to be described later, the third semiconductor element avoids the electrode pad on the wire bonding surface (upper surface) of the second semiconductor element 12 . The element 13 may be fixedly shifted relative to the second semiconductor element 12 . In this case, if the third adhesive film 23 is first attached to the upper surface of the second semiconductor element 12 , the portion protruding from the upper surface of the second semiconductor element 12 of the third adhesive film 23 (so-called so-called) overhang) is bent and adhered to the side surface of the second semiconductor element 12 or the side surface of the adhesive film 22 for embedding, there is a fear that unexpected problems may occur. Therefore, in the third fixing step, it is preferable that the third adhesive film 23 is previously attached to the third semiconductor element 13 , and this is placed on the second semiconductor element 12 to be laminated.

제3 접착 필름(23)도 반경화 상태이므로, 제3 접착 필름(23)의 제2 반도체 소자(12) 위로의 적재 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 제3 접착 필름(23)을 열경화시켜서 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 위에 고정시킨다. 또한, 제3 접착 필름(23)의 탄성률이나 프로세스 효율을 고려하여, 열처리를 행하지 않고 제3 반도체 소자(13)를 고정시킬 수도 있다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간에 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간에 행하는 것이 보다 바람직하다.Since the third adhesive film 23 is also in a semi-cured state, after the third adhesive film 23 is loaded onto the second semiconductor element 12 , heat treatment is performed under predetermined conditions to heat the third adhesive film 23 . After curing, the third semiconductor element 13 is fixed on the second semiconductor element 12 . In addition, in consideration of the elastic modulus and process efficiency of the third adhesive film 23 , the third semiconductor element 13 may be fixed without heat treatment. It is preferable to carry out at 100-200 degreeC, and, as for the temperature at the time of heat processing, it is more preferable to carry out within the range of 120 degreeC - 180 degreeC. Moreover, it is preferable to carry out for 0.25 to 10 hours, and, as for heat processing time, it is more preferable to carry out for 0.5 to 8 hours.

(제2 와이어 본딩 공정)(Second wire bonding process)

제2 와이어 본딩 공정은, 제2 반도체 소자(12) 위의 전극 패드(도시하지 않음)와 제3 반도체 소자(13) 위의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(32)로 전기적으로 접속하는 공정이다(도 3h 참조). 와이어의 재료나 와이어 본딩 조건은 제1 와이어 본딩 공정과 마찬가지의 것을 적절하게 채용할 수 있다.In the second wire bonding process, an electrode pad (not shown) on the second semiconductor element 12 and an electrode pad (not shown) on the third semiconductor element 13 are electrically connected with a bonding wire 32 . This is a process (see Fig. 3h). As for the material and wire bonding conditions of the wire, the thing similar to a 1st wire bonding process can be employ|adopted suitably.

(반도체 장치)(Semiconductor device)

이상의 공정에 의해, 3개의 반도체 소자가 소정의 접착 필름을 개재하여 다단 적층된 반도체 장치(100)를 제조할 수 있다. 또한, 제3 고정 공정 및 제2 와이어 본딩 공정과 마찬가지의 수순을 반복함으로써, 4개 이상의 반도체 소자가 적층된 반도체 장치를 제조할 수 있다.Through the above process, the semiconductor device 100 in which three semiconductor elements are stacked in multiple stages with a predetermined adhesive film interposed therebetween can be manufactured. In addition, by repeating the same procedure as in the third fixing process and the second wire bonding process, a semiconductor device in which four or more semiconductor elements are stacked can be manufactured.

(밀봉 공정)(sealing process)

원하는 수의 반도체 소자를 적층한 후, 반도체 장치(100) 전체를 수지 밀봉하는 밀봉 공정을 행해도 된다. 밀봉 공정은, 밀봉 수지에 의해 반도체 장치(100)를 밀봉하는 공정이다(도시하지 않음). 본 공정은, 피착체(1)에 탑재된 반도체 소자나 본딩 와이어를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은, 예를 들어 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행하여지지만, 본 실시 형태는 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서 수분간 큐어할 수 있다. 또한 본 공정에서는, 수지 밀봉 시에 가압해도 된다. 이 경우, 가압하는 압력은 1 내지 15㎫인 것이 바람직하고, 3 내지 10㎫인 것이 보다 바람직하다.After laminating a desired number of semiconductor elements, a sealing step of encapsulating the entire semiconductor device 100 with resin may be performed. The sealing step is a step of sealing the semiconductor device 100 with a sealing resin (not shown). This step is performed to protect the semiconductor element and bonding wire mounted on the adherend 1 . This process is performed by shape|molding resin for sealing with a metal mold|die, for example. As sealing resin, epoxy resin is used, for example. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed for 60 to 90 second at 175 degreeC, this embodiment is not limited to this, For example, it can cure at 165-185 degreeC for several minutes. In addition, in this process, you may pressurize at the time of resin sealing. In this case, it is preferable that it is 1-15 Mpa, and, as for the pressure to press, it is more preferable that it is 3-10 Mpa.

(후 경화 공정)(Post-curing process)

본 실시 형태에서는, 밀봉 공정 후에, 밀봉 수지를 후 경화하는 후 경화 공정을 행해도 된다. 본 공정에서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지를 완전히 경화시킨다. 본 공정에서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다. 밀봉 공정 또는 후 경화 공정을 거침으로써 반도체 패키지를 제작할 수 있다.In this embodiment, after a sealing process, you may perform the post-hardening process of post-curing sealing resin. In this process, the sealing resin insufficient hardening in the said sealing process is hardened completely. Although the heating temperature in this process changes with the kind of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and a heating time is about 0.5-8 hours. A semiconductor package may be manufactured by performing a sealing process or a post-curing process.

[제2 실시 형태][Second embodiment]

제1 실시 형태에서는, 제1 반도체 소자의 피착체에 대한 고정을 접착 필름에 의해 행하고, 양자간의 전기적 접속을 와이어 본딩에 의해 도모하고 있었지만, 제2 실시 형태에서는, 제1 반도체 소자에 설치된 돌기 전극을 사용한 플립 칩 접속에 의해 양자간의 고정 및 전기적 접속을 도모하고 있다. 따라서, 제2 실시 형태는, 제1 고정 공정에서의 고정 양식만 제1 실시 형태와 상이하므로, 이하에서는 주로 이 상위점에 대하여 설명한다.In the first embodiment, the first semiconductor element is fixed to the adherend with an adhesive film, and electrical connection between the two is achieved by wire bonding. However, in the second embodiment, the protruding electrode provided on the first semiconductor element Fixed and electrical connection between the two is achieved by flip chip connection using Therefore, since 2nd Embodiment differs from 1st Embodiment only in the fixing style in a 1st fixing process, below, this difference is mainly demonstrated.

(제1 고정 공정)(1st fixing process)

본 실시 형태에서는, 상기 제1 고정 공정에서, 제1 반도체 소자(41)를 피착체(1)에 플립 칩 접속에 의해 고정한다(도 4a 참조). 플립 칩 접속에서는, 제1 반도체 소자(41)의 회로면이 피착체(1)와 대향하는 소위 페이스 다운 실장이 된다. 제1 반도체 소자(41)에는 범프 등의 돌기 전극(43)이 복수 설치되어 있고, 돌기 전극(43)과 피착체(1) 위의 전극(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 피착체(1)와 제1 반도체 소자(41) 사이에는, 양자간의 열팽창률의 차의 완화나 양자간의 공간의 보호를 목적으로, 언더필재(44)가 충전되어 있다.In the present embodiment, in the first fixing step, the first semiconductor element 41 is fixed to the adherend 1 by flip-chip connection (see Fig. 4A). In flip-chip connection, so-called face-down mounting is performed in which the circuit surface of the first semiconductor element 41 faces the adherend 1 . A plurality of protruding electrodes 43 such as bumps are provided in the first semiconductor element 41 , and the protruding electrodes 43 and electrodes (not shown) on the adherend 1 are connected to each other. Further, an underfill material 44 is filled between the adherend 1 and the first semiconductor element 41 for the purpose of alleviating the difference in thermal expansion coefficient between them and protecting the space between them.

접속 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 플립 칩 본더에 의해 접속할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 소자(41)에 형성되어 있는 범프 등의 돌기 전극(43)을 피착체(1)의 접속 패드에 피착된 접합용의 도전재(땜납 등)에 접촉시켜서 가압하면서 도전재를 용융시킴으로써, 제1 반도체 소자(41)와 피착체(1)의 전기적 도통을 확보하여, 제1 반도체 소자(41)를 피착체(1)에 고정시킬 수 있다(플립 칩 본딩). 일반적으로, 플립 칩 접속 시의 가열 조건으로서는 240 내지 300℃이고, 가압 조건으로서는 0.5 내지 490N이다.It does not specifically limit as a connection method, A conventionally well-known flip-chip bonder can connect. For example, a protruding electrode 43 such as a bump formed on the first semiconductor element 41 is brought into contact with a bonding conductive material (solder, etc.) deposited on the connection pad of the adherend 1 to conduct electricity while being pressed. By melting the ash, electrical conduction between the first semiconductor element 41 and the adherend 1 can be secured, and the first semiconductor element 41 can be fixed to the adherend 1 (flip chip bonding). Generally, it is 240-300 degreeC as heating conditions at the time of flip-chip connection, and 0.5-490N as pressurization conditions.

돌기 전극(43)으로서 범프를 형성할 때의 재질로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재, 주석-아연-비스무트계 금속재 등의 땜납류(합금)나, 금계 금속재, 구리계 금속재 등을 들 수 있다.The material for forming the bump as the protruding electrode 43 is not particularly limited, and for example, tin-lead metal material, tin-silver metal material, tin-silver-copper metal material, tin-zinc metal material, tin-zinc - Solders (alloys), such as a bismuth-type metal material, a gold-type metal material, a copper-type metal material, etc. are mentioned.

언더필재(44)로서는 종래 공지된 액상 또는 필름 형상의 언더필재를 사용할 수 있다.As the underfill material 44, a conventionally known liquid or film underfill material can be used.

(제2 고정 공정)(Second fixing process)

제2 고정 공정에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 포매용 접착 필름(22)에 의해, 상기 제1 반도체 소자(41)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(41)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 4b 참조). 본 공정에서의 조건은 제1 실시 형태에서의 제2 고정 공정과 마찬가지이다.In a 2nd fixing process, the 2nd semiconductor element 12 different from the said 1st semiconductor element 41, embedding the said 1st semiconductor element 41 with the adhesive film 22 for embedding similarly to 1st Embodiment. ) is fixed to the adherend 1 (refer to FIG. 4B). The conditions in this step are the same as in the second fixing step in the first embodiment.

포매용 접착 필름(22)은, 상기 제1 반도체 소자(41)의 두께(T1)보다 두꺼운 두께(T)를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는 상기 피착체(1)와 상기 제1 반도체 소자(41)가 플립 칩 접속되는 점에서, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차는 10㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하다. 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 하한은 10㎛ 이상이 바람직하지만, 20㎛ 이상이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 상한은 200㎛ 이하가 바람직하지만, 150㎛ 이하가 보다 바람직하고, 100㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 반도체 장치 전체의 박형화를 도모함과 함께, 제1 반도체 소자(41)와 제2 반도체 소자(12)의 접촉을 방지하면서 제1 반도체 소자(41) 전체를 포매용 접착 필름(22)의 내부에 포매할 수 있어, 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(41)의 피착체(1) 위로의 고정(즉 통신 경로 길이가 최단이 되는 최하단에서의 고정)을 가능하게 한다.The embedding adhesive film 22 has a thickness T greater than the thickness T 1 of the first semiconductor element 41 . In this embodiment, since the adherend 1 and the first semiconductor element 41 are flip-chip connected, the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 10 µm or more and 200 µm or less. . The lower limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 10 µm or more, more preferably 20 µm or more, and still more preferably 30 µm or more. The upper limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 200 µm or less, more preferably 150 µm or less, and still more preferably 100 µm or less. With such a configuration, the entire first semiconductor element 41 is covered with an embedding adhesive film ( 22), making it possible to fix the first semiconductor element 41 as a controller onto the adherend 1 (that is, fix it at the lowest end at which the communication path length is the shortest).

포매용 접착 필름(22)의 두께(T)는 제1 반도체 소자(41)를 포매 가능하도록 제1 반도체 소자(41)의 두께(T1) 및 돌기 전극의 높이를 고려하여 적절히 설정하면 되지만, 그 하한은 50㎛ 이상이 바람직하고, 60㎛ 이상이 보다 바람직하고, 70㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 두께(T)의 상한은 250㎛ 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이렇게 포매용 접착 필름(22)을 비교적 두껍게 함으로써, 일반적인 컨트롤러의 두께를 거의 커버할 수 있어, 제1 반도체 소자(41)의 포매용 접착 필름(22)에 대한 포매를 용이하게 행할 수 있다.The thickness (T) of the adhesive film for embedding (22) may be appropriately set in consideration of the thickness (T 1 ) of the first semiconductor element 41 and the height of the protruding electrode so that the first semiconductor element 41 can be embedded, 50 micrometers or more are preferable, as for the minimum, 60 micrometers or more are more preferable, and 70 micrometers or more are still more preferable. On the other hand, 250 micrometers or less are preferable, as for the upper limit of thickness T, 200 micrometers or less are more preferable, and 150 micrometers or less are still more preferable. By making the adhesive film 22 for embedding relatively thick in this way, the thickness of a general controller can be almost covered, and embedding of the adhesive film 22 for embedding of the first semiconductor element 41 can be performed easily.

(가열 경화 공정)(heat curing process)

포매용 접착 필름(22)은 반경화 상태이므로, 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1) 상으로의 적재 후, 가압 조건 하에서의 가열 처리를 행함으로써, 포매용 접착 필름(22)을 열경화시켜서 제2 반도체 소자(12)의 피착체(1) 위로의 고정을 완료시킨다. 가열 경화 공정에서의 여러 조건은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.Since the embedding adhesive film 22 is in a semi-cured state, the embedding adhesive film 22 is heated by performing heat treatment under pressure conditions after loading the embedding adhesive film 22 onto the adherend 1 . It is cured to complete fixing of the second semiconductor element 12 onto the adherend 1 . The various conditions in the heat-hardening process are the same as that of 1st Embodiment.

계속해서 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제2 반도체 소자(12) 위에 해당 제2 반도체 소자(12)와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자(13)를 고정하는 제3 고정 공정(도 4c 참조) 및 상기 제2 반도체 소자(12)와 상기 제3 반도체 소자(13)를 본딩 와이어(32)에 의해 전기적으로 접속하는 제2 와이어 본딩 공정(도 4d 참조)을 거침으로써, 컨트롤러가 최하단에 적층되고, 그 상방에 반도체 소자가 복수단 적층된 반도체 장치(200)를 제작할 수 있다.Subsequently, similarly to the first embodiment, a third fixing step of fixing a third semiconductor device 13 of the same or different type to the second semiconductor device 12 on the second semiconductor device 12 (refer to FIG. 4C ); and By going through a second wire bonding process (refer to FIG. 4D) that electrically connects the second semiconductor element 12 and the third semiconductor element 13 with a bonding wire 32, the controller is stacked at the bottom, The semiconductor device 200 in which a plurality of semiconductor elements are stacked thereon may be manufactured.

(다른 실시 형태)(Other embodiment)

제1 실시 형태에서는, 다이싱·다이 본드 필름을 사용하는 다이싱 공정 및 픽업 공정을 거쳐서 제2 반도체 소자(12)를 제작하고 있다. 또한, 제1 반도체 소자(11)도 마찬가지로 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여 제작해도 된다. 이 경우, 제1 반도체 소자(11)를 잘라내기 위한 반도체 웨이퍼를 별도 준비하고, 그 후에는 상기 웨이퍼 접합 공정, 다이싱 공정, 픽업 공정을 거쳐, 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1)에 고정하면 된다. 제3 반도체 소자(13) 및 이것보다 상단에 적층되는 반도체 소자도 마찬가지로 제작할 수 있다.In the first embodiment, the second semiconductor element 12 is produced through a dicing process using a dicing die-bonding film and a pickup process. In addition, you may produce the 1st semiconductor element 11 similarly using a dicing die-bonding film. In this case, a semiconductor wafer for cutting out the first semiconductor element 11 is separately prepared, and thereafter, the first semiconductor element 11 is attached to the adherend 1 through the wafer bonding process, the dicing process, and the pickup process. ) to be fixed. The third semiconductor element 13 and the semiconductor element stacked on top of it can also be produced in the same way.

피착체 위에 반도체 소자를 3차원 실장하는 경우, 반도체 소자의 회로가 형성되는 면측에는, 버퍼 코팅막이 형성되어 있어도 된다. 당해 버퍼 코팅막으로서는, 예를 들어 질화규소막이나 폴리이미드 수지 등의 내열 수지를 포함하는 것을 들 수 있다.In the case of three-dimensional mounting of a semiconductor element on an adherend, a buffer coating film may be formed on the surface side on which the circuit of the semiconductor element is formed. As said buffer coating film, the thing containing heat-resistant resin, such as a silicon nitride film and polyimide resin, is mentioned, for example.

각 실시 형태에 있어서는, 제2 반도체 소자 이후의 반도체 소자를 적층할 때마다 와이어 본딩 공정을 행하는 형태에 대하여 설명했지만, 복수의 반도체 소자를 적층시킨 후, 일괄하여 와이어 본딩 공정을 행하는 것도 가능하다. 또한, 제1 반도체 소자에 대해서는 포매용 접착 필름에 의해 포매되므로, 일괄된 와이어 본딩의 대상으로 할 수는 없다.In each embodiment, the form in which the wire bonding process is performed whenever the semiconductor elements after the second semiconductor element are laminated has been described. However, it is also possible to collectively perform the wire bonding process after laminating a plurality of semiconductor elements. In addition, since the 1st semiconductor element is embedded with the adhesive film for embedding, it cannot be made into the object of collective wire bonding.

플립 칩 접속의 형태로서는, 제2 실시 형태에서 설명한 돌기 전극으로서의 범프에 의한 접속에 한정되지 않고, 도전성 접착제 조성물에 의한 접속이나, 범프와 도전성 접착제 조성물을 조합한 돌기 구조에 의한 접속 등도 채용할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 제1 반도체 소자의 회로면이 피착체와 대향하여 접속되는 페이스 다운 실장이 되는 한, 돌기 전극이나 돌기 구조 등의 접속 양식의 상이에 상관없이 플립 칩 접속이라 칭하기로 한다. 도전성 접착제 조성물로서는, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 금, 은, 구리 등의 도전성 필러를 혼합시킨 종래 공지된 도전성 페이스트 등을 사용할 수 있다. 도전성 접착제 조성물을 사용하는 경우, 피착체에 대한 제1 반도체 소자의 탑재 후, 80 내지 150℃에서 0.5 내지 10시간 정도 열경화 처리함으로써 제1 반도체 소자를 고정할 수 있다.The flip-chip connection is not limited to the bump-based connection as the protruding electrode described in the second embodiment, and a connection using a conductive adhesive composition or a bump-and-conductive adhesive composition combined with a projection structure can also be employed. have. Further, in the present invention, as long as it is a face-down mounting in which the circuit surface of the first semiconductor element is connected oppositely to the adherend, it will be referred to as a flip-chip connection regardless of the difference in the connection style such as the protruding electrode or the protruding structure. As a conductive adhesive composition, the conventionally well-known conductive paste etc. which mixed conductive fillers, such as gold|metal|money, silver, copper, with thermosetting resin, such as an epoxy resin, can be used. When using a conductive adhesive composition, after mounting the 1st semiconductor element with respect to a to-be-adhered body, a 1st semiconductor element can be fixed by thermosetting process at 80-150 degreeC for about 0.5 to 10 hours.

[실시예][Example]

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정한다는 취지의 것은 아니며, 단순한 설명예에 지나지 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in these examples are not intended to limit the scope of the present invention to only them, and are merely illustrative examples, unless otherwise limited.

[실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 6][Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6]

(접착 필름의 제작)(Production of adhesive film)

표 1에 나타낸 비율로, 열가소성 수지로서 아크릴 수지, 열경화성 수지로서 에폭시 수지 및 페놀 수지 및 무기 충전제로서 실리카 필러를 준비하고, 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제의 합계 중량 100부에 대하여 열경화 촉매 0.1부를 준비하고, 이들을 메틸에틸케톤에 분산, 용해해서 농도 40 내지 50중량%의 접착제 조성물 용액을 제조하였다.In the proportions shown in Table 1, an acrylic resin as a thermoplastic resin, an epoxy resin and a phenol resin as a thermosetting resin, and a silica filler as an inorganic filler are prepared, and a thermosetting catalyst 0.1 with respect to 100 parts of the total weight of the thermoplastic resin, the thermosetting resin and the inorganic filler. Parts were prepared, and these were dispersed and dissolved in methyl ethyl ketone to prepare an adhesive composition solution having a concentration of 40 to 50% by weight.

또한, 하기 표 1 중의 약호 및 성분의 상세는 이하와 같다.In addition, the details of the symbol and component in following Table 1 are as follows.

열가소성 수지: 나가세 켐텍스사 제조, 아크릴 수지 「SG-70L」Thermoplastic resin: acrylic resin "SG-70L" manufactured by Nagase Chemtex

에폭시 수지: 미쯔비시 가가꾸사 제조, 「YL-980」(액상)Epoxy resin: manufactured by Mitsubishi Chemical, "YL-980" (liquid)

에폭시 수지: DIC사 제조, 「N-660」(연화점: 66℃)Epoxy resin: manufactured by DIC, "N-660" (softening point: 66°C)

페놀 수지: 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 「MEH-7851SS」(연화점: 67℃)Phenolic resin: MEH-7851SS, manufactured by Meiwa Chemicals, Ltd. (softening point: 67°C)

페놀 수지: 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조, 「MEH-7800H」(연화점: 87℃)Phenolic resin: "MEH-7800H" (softening point: 87°C), manufactured by Meiwa Chemicals Co., Ltd.

무기 충전제: 애드마텍스 가부시끼가이샤 제조, 실리카 필러 「SE-2050MC」Inorganic filler: Admatex Co., Ltd., silica filler "SE-2050MC"

열경화 촉매: 혹코 가가꾸사 제조, 「TPP-K」Thermosetting catalyst: "TPP-K" manufactured by Hokko Chemical

이 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 위에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 40㎛의 접착제 도막을 제작했다. 또한, 제작한 접착제 도막을 하기 라미네이트 조건으로 3매 접합함으로써, 두께 120㎛의 접착 필름을 제작하였다.This adhesive composition solution was applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to produce an adhesive coating film having a thickness of 40 µm. . Moreover, the adhesive film with a thickness of 120 micrometers was produced by bonding 3 sheets of the produced adhesive agent coating film on the following lamination conditions.

<라미네이트 조건><Lamination conditions>

라미네이터 장치: 롤 라미네이터 Laminator Device: Roll Laminator

라미네이트 속도: 10㎜/min Lamination speed: 10mm/min

라미네이트 압력: 0.15㎫ Laminate pressure: 0.15 MPa

라미네이터 온도: 60℃ Laminator temperature: 60℃

(점도의 측정)(Measurement of viscosity)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 열경화 전의 각 접착 필름에 대해서, 각각 120℃ 및 150℃에서의 점도를 측정하였다. 즉, 레오미터(HAAKE사 제조, MARS)를 사용해서 패러렐 플레이트법에 의해 측정하였다. 각 실시예 또는 비교예에서 제작한 접착 필름으로부터 0.1g의 시료를 채취하고, 이것을 미리 120℃에서 뜨거워져 있는 플레이트에 투입했다. 이어서, 측정 개시로부터 300초 후의 값을 용융 점도로 하였다. 플레이트간의 갭은 0.1㎜로 하였다. 150℃에서의 점도도 가열 온도를 150℃로 한 것 이외에는 마찬가지로 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.About each adhesive film before thermosetting produced by each Example and a comparative example, the viscosity at 120 degreeC and 150 degreeC was measured, respectively. That is, it measured by the parallel plate method using the rheometer (made by HAAKE, MARS). A sample of 0.1 g was taken from the adhesive film produced in each Example or Comparative Example, and this was put into a plate heated at 120°C in advance. Next, the value after 300 seconds from the start of measurement was made into melt viscosity. The gap between the plates was set to 0.1 mm. The viscosity in 150 degreeC was also measured similarly except having made the heating temperature into 150 degreeC. The results are shown in Table 1 below.

(다이싱 필름의 제작)(Production of dicing film)

기재로서, 두께가 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)을 준비하였다.As a substrate, a polyethylene terephthalate film (PET film) having a thickness of 50 µm was prepared.

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산-2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고도 함) 86.4부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고도 함) 13.6부, 과산화 벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류중으로 61℃에서 6시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.86.4 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter also referred to as “2EHA”), 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter also referred to as “HEA”), in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device 13.6 parts), 0.2 parts of benzoyl peroxide, and 65 parts of toluene were put, the polymerization process was carried out at 61 degreeC in nitrogen stream for 6 hours, and the acrylic polymer A was obtained.

아크릴계 중합체 A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고도 함) 14.6부를 첨가하여, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A'를 얻었다.14.6 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (henceforth "MOI") was added to the acrylic polymer A, the addition reaction process was performed at 50 degreeC in air stream for 48 hours, and the acrylic polymer A' was obtained.

이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 8부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여, 점착제 조성물 용액을 얻었다.Next, with respect to 100 parts of acrylic polymer A', 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name "Irgacure 651", manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 5 parts were added and the adhesive composition solution was obtained.

준비한 상기 기재 위에, 얻어진 점착제 조성물 용액을 도포, 건조해서 두께 30㎛의 점착제층을 형성함으로써 다이싱 필름을 얻었다.On the prepared said base material, the obtained adhesive composition solution was apply|coated and dried, and the dicing film was obtained by forming a 30-micrometer-thick adhesive layer.

(다이싱·다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을 상술한 다이싱 필름의 점착제층 위에 전사하여, 다이싱·다이 본드 필름을 얻었다. 또한, 라미네이트의 조건은 하기와 같다.The adhesive film produced in each Example and the comparative example was transcribe|transferred on the adhesive layer of the above-mentioned dicing film, and the dicing die-bonding film was obtained. In addition, the conditions of a lamination are as follows.

<라미네이트 조건><Lamination conditions>

라미네이터 장치: 롤 라미네이터 Laminator Device: Roll Laminator

라미네이트 속도: 10㎜/min Lamination speed: 10mm/min

라미네이트 압력: 0.15㎫ Laminate pressure: 0.15 MPa

라미네이터 온도: 40℃ Laminator temperature: 40℃

(제1 반도체 소자의 고정)(Fixing of the first semiconductor element)

실시예 1의 조성 접착제 도막을 두께 10㎛으로 제작하고, 반도체 칩(컨트롤러 칩)용의 접착 필름으로 하였다. 이것을 온도 40℃의 조건 하에서, 평면에서 보았을 때 4㎜×6㎜, 두께 30㎛의 반도체 칩에 부착했다. 또한, 접착 필름을 개재하여 반도체 칩을 BGA 기판에 접착했다. 그 때의 조건은, 온도 120℃, 압력 0.1㎫, 1초로 하였다. 또한, 컨트롤러 칩이 접착된 BGA 기판을, 건조기로 130℃, 4시간 열처리하고, 접착 필름을 열경화시켰다. 이에 의해 컨트롤러 실장 기판을 얻었다.The composition adhesive coating film of Example 1 was produced to a thickness of 10 micrometers, and it was set as the adhesive film for semiconductor chips (controller chip). This was affixed to the semiconductor chip of 4 mm x 6 mm and 30 micrometers in thickness in planar view under conditions of the temperature of 40 degreeC. Further, the semiconductor chip was adhered to the BGA substrate via an adhesive film. The conditions at that time were made into the temperature of 120 degreeC, the pressure of 0.1 Mpa, and 1 second. Further, the BGA substrate to which the controller chip was adhered was heat-treated at 130° C. for 4 hours with a dryer, and the adhesive film was thermosetted. Thereby, a controller mounting board was obtained.

(제2 반도체 소자의 고정)(Fixing of the second semiconductor element)

별도, 상기 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여, 이하의 요령으로, 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후, 반도체 칩의 픽업을 거쳐서 반도체 장치를 제작함과 함께, 그 때의 픽업 성능 및 포매·고정성을 평가하였다.Separately, using the dicing die-bonding film described above, after actually dicing a semiconductor wafer in the following manner, a semiconductor device is produced through pickup of a semiconductor chip, and the pickup performance and embedding/ Stability was evaluated.

반도체 웨이퍼에, 실시예 및 비교예의 다이싱·다이 본드 필름을, 접착 필름을 접합면으로 해서 접합하였다.The dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples were bonded to a semiconductor wafer with an adhesive film as a bonding surface.

<접합 조건><Joint condition>

접합 장치: 롤 라미네이터 Bonding Device: Roll Laminator

라미네이트 속도: 10㎜/min Lamination speed: 10mm/min

라미네이트 압력: 0.15㎫ Laminate pressure: 0.15 MPa

라미네이터 온도: 70℃ Laminator temperature: 70℃

접합 후, 하기 조건으로 다이싱을 행하였다. 또한, 다이싱은 8㎜×12㎜의 칩 크기가 되도록 풀컷하였다.After bonding, dicing was performed under the following conditions. In addition, dicing was carried out so that it might become a chip size of 8 mm x 12 mm.

<다이싱 조건><Dicing conditions>

다이싱 장치: 상품명 「DFD-6361」디스코사 제조Dicing device: trade name "DFD-6361" manufactured by Disco

다이싱 링: 「2-8-1」(디스코사 제조)Dicing ring: "2-8-1" (manufactured by Disco)

다이싱 속도: 30㎜/secDicing speed: 30mm/sec

다이싱 블레이드:Dicing Blade:

Z1; 디스코사 제조 「203O-SE 27HCDD」 Z1; Disco company "203O-SE 27HCDD"

Z2; 디스코사 제조 「203O-SE 27HCBB」 Z2; Disco company production "203O-SE 27HCBB"

다이싱 블레이드 회전수:Dicing Blade Rotation:

Z1; 40,000rpm Z1; 40,000rpm

Z2; 45,000rpm Z2; 45,000rpm

커트 방식: 스텝 커트Cut method: step cut

웨이퍼 칩 크기: 8㎜×12㎜Wafer chip size: 8mm×12mm

이어서, 기재측으로부터 자외선을 조사하여, 점착제층을 경화시켰다. 자외선 조사에는, 자외선 조사 장치(제품명: UM810, 제조원: 닛토 세이끼 (주) 제조)를 사용하고, 자외선 방사량은 400mJ/㎠로 하였다.Then, ultraviolet rays were irradiated from the base material side, and the adhesive layer was hardened. An ultraviolet irradiation device (product name: UM810, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) was used for ultraviolet irradiation, and the amount of ultraviolet radiation was 400 mJ/cm 2 .

그 후, 각 다이싱 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로, 접착 필름과 반도체 칩의 적층체를 픽업하였다. 픽업 조건은 하기와 같다.Then, the laminate of the adhesive film and the semiconductor chip was picked up from the base material side of each dicing film by the push-up method with a needle. Pickup conditions are as follows.

<픽업 조건><Pick-up conditions>

다이 본드 장치: (주)신카와 제조, 장치명: SPA-300Die-bonding device: manufactured by Shinkawa Co., Ltd., device name: SPA-300

니들 개수: 9개Number of needles: 9

니들 밀어올림량: 400㎛(0.40㎜)Needle push-up amount: 400㎛ (0.40㎜)

니들 밀어올림 속도: 5㎜/초Needle push-up speed: 5mm/sec

흡착 유지 시간: 1000㎳Adsorption holding time: 1000 ms

계속해서, 픽업한 적층체의 접착 필름에 의해 컨트롤러 실장 기판의 컨트롤러 칩을 포매하면서, 제2 반도체 소자로서의 반도체 칩(평면에서 보았을 때 8㎜×12㎜, 두께 100㎛)을 BGA 기판에 접착했다. 이때, 평면에서 보았을 때 제1 반도체 소자와 제2 반도체 소자의 중심이 동일해지도록, 또한 제1 반도체 소자의 긴 변측과 제2 반도체 소자의 긴 변측이 동일 방향이 되도록 접착하였다. 그 때의 접착 조건은, 온도 100℃, 압력 25N(0.26㎫), 2초로 하였다.Then, while embedding the controller chip of the controller mounting board with the adhesive film of the laminated body picked up, a semiconductor chip as a second semiconductor element (8 mm × 12 mm in plan view, 100 µm thick) was adhered to the BGA substrate. . At this time, the first semiconductor element and the second semiconductor element were adhered so that the centers of the first semiconductor element and the second semiconductor element were in the same direction when viewed in a plan view, and the long side of the first semiconductor element and the long side of the second semiconductor element were in the same direction. The bonding conditions at that time were a temperature of 100°C, a pressure of 25N (0.26 MPa), and 2 seconds.

또한, 반도체 칩을 접착한 BGA 기판을 가압 조건 하에서 가열해서 접착 필름을 가압 경화시켰다. 상세하게는, 가압 챔버를 구비하는 가압 가열 장치로서 치요다 일렉트릭사 제조의 「ASC-450」을 사용하여, 가열 온도 150℃, 분위기 압력 5㎏/㎠(4.9×10-1㎫), 1시간 열처리하여, 접착 필름을 열경화시켜서, 제2 반도체 소자를 고정했다. 이에 의해, 접착 필름에 의해 컨트롤러 칩이 포매되고, 또한 반도체 칩이 기판 위에 고정된 반도체 장치가 얻어졌다.Further, the BGA substrate to which the semiconductor chip was adhered was heated under pressure conditions to harden the adhesive film under pressure. In detail, using "ASC-450" manufactured by Chiyoda Electric as a pressurized heating device having a pressure chamber, a heating temperature of 150° C., an atmospheric pressure of 5 kg/cm 2 (4.9×10 −1 MPa), and a heat treatment for 1 hour Then, the adhesive film was thermosetted and the 2nd semiconductor element was fixed. Thereby, the semiconductor device in which the controller chip was embedded with the adhesive film and the semiconductor chip was fixed on the board|substrate was obtained.

(보이드·비어져 나옴량 평가)(Void/protrusion amount evaluation)

접착 필름과 기판의 계면에 있어서 보이드 면적이 1% 이하인 경우를 「○」, 1%를 초과하는 면적이며 보이드가 확인된 경우를 「×」라 평가하였다. 또한, 보이드는, 화상 처리 장치(가부시키가이샤 히타치 엔지니어링·앤드·서비스사 제조, 상품명 「FineSAT FS300III」)를 사용하여, 기판측으로부터 투과 모드로 초음파 화상을 촬영하고, 얻어진 화상에 대하여 2치화함으로써 보이드 개소와 그 이외의 개소를 구분하였다. 이 2치화 화상에 기초하여, 반도체 칩을 포매하면서 접착 필름과 기판이 완전히 접합되었다고 한 경우의 접착 필름과 기판의 접촉 면적(반도체 칩 면적은 제외함)에 대한 관찰된 보이드가 차지하는 면적의 비율(%)로서 구하였다. 또한, 제작한 반도체 장치를 컨트롤러 칩 고정 위치의 중심을 통과하도록 칩의 긴 변 및 짧은 변에 평행하게 절단하고, 절단면을 광학 현미경(200배)을 사용해서 관찰하여, 접착 필름의 비어져 나옴량을 측정하였다. 반도체 칩의 각 변(계 4군데)으로부터의 비어져 나옴량이 모두 150㎛ 이하인 경우를 「○」, 어느 1군데라도 150㎛를 초과한 경우를 「×」라 평가하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.In the interface between the adhesive film and the substrate, the case where the void area was 1% or less was evaluated as "○", the area exceeding 1%, and the case where the void was confirmed was evaluated as "x". In addition, the void uses an image processing apparatus (manufactured by Hitachi Engineering & Services, Inc., trade name "FineSAT FS300III") to photograph an ultrasonic image in transmission mode from the substrate side, and binarizes the obtained image. A void location and a location other than that were separated. Based on this binarized image, the ratio of the area occupied by the observed voids to the contact area between the adhesive film and the substrate (excluding the semiconductor chip area) when the adhesive film and the substrate are completely bonded while the semiconductor chip is embedded ( %). Further, the produced semiconductor device was cut parallel to the long and short sides of the chip so as to pass through the center of the controller chip fixing position, and the cut surface was observed using an optical microscope (200 times), and the amount of protrusion of the adhesive film was measured. The case where the protrusion amount from each side (total 4 places) of a semiconductor chip was 150 micrometers or less in all was evaluated as "○", and the case where it exceeded 150 micrometers in any one place was evaluated as "x". The results are shown in Table 1 below.

Figure 112017121116295-pat00001
Figure 112017121116295-pat00001

실시예에 따른 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름에 의하면, 접착 필름의 과도한 비어져 나옴을 방지하면서, 또한 보이드도 충분히 소실하고 있어, 고품질의 반도체 장치를 효율적으로 생산 가능한 것을 알 수 있다. 비교예에서는, 보이드 소실성 또는 비어져 나옴 방지성의 어느 것 또는 양쪽을 만족할 수 없는 결과로 되었다.According to the dicing die-bonding film provided with the adhesive film according to the embodiment, while preventing excessive protrusion of the adhesive film, voids are also sufficiently eliminated, and it can be seen that a high-quality semiconductor device can be efficiently produced. . In the comparative example, either or both of the void disappearance property and the protrusion prevention property were brought into the result which cannot be satisfied.

1 : 피착체
2 : 반도체 웨이퍼
3 : 점착제층
4 : 기재
5 : 다이싱 필름
10 : 다이싱·다이 본드 필름
11 : 제1 반도체 소자
12 : 제2 반도체 소자
13 : 제3 반도체 소자
21 : 제1 접착 필름
22 : 접착 필름
23 : 제3 접착 필름
31, 32 : 본딩 와이어
100, 200 : 반도체 장치
T : 접착 필름의 두께
T1 : 제1 반도체 소자의 두께1: adherend
2: semiconductor wafer
3: adhesive layer
4: description
5: dicing film
10: dicing die-bonding film
11: first semiconductor element
12: second semiconductor element
13: third semiconductor element
21: first adhesive film
22: adhesive film
23: third adhesive film
31, 32: bonding wire
100, 200: semiconductor device
T: the thickness of the adhesive film
T 1 : thickness of the first semiconductor element

Claims (5)

피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 해당 제 1 반도체 소자와는 다른 제2 반도체 소자를 피착체에 가압 하에서의 열경화를 거쳐 고정하기 위한 접착 필름이고,
열가소성 수지, 열경화성 수지 및 무기 충전제를 포함하고,
상기 열가소성 수지, 상기 열경화성 수지 및 상기 무기 충전제의 합계 중량 중, 상기 무기 충전제의 함유량이 30중량% 이상 50중량% 이하이고, 또한 상기 열가소성 수지의 함유량이 10중량% 이상 25중량% 이하이고,
열경화 전의 120℃에서의 점도가 1300㎩·s 이상 4500㎩·s 이하인, 접착 필름.An adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend, and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend through thermosetting under pressure;
a thermoplastic resin, a thermosetting resin and an inorganic filler;
In the total weight of the thermoplastic resin, the thermosetting resin, and the inorganic filler, the content of the inorganic filler is 30% by weight or more and 50% by weight or less, and the content of the thermoplastic resin is 10% by weight or more and 25% by weight or less,
The adhesive film whose viscosity in 120 degreeC before thermosetting is 1300 Pa.s or more and 4500 Pa.s or less. 제1항에 있어서, 열경화 전의 150℃에서의 점도가 500㎩·s 이상 2500㎩·s 이하인, 접착 필름.The adhesive film of Claim 1 whose viscosity in 150 degreeC before thermosetting is 500 Pa.s or more and 2500 Pa.s or less. 제1항에 있어서, 상기 열경화성 수지의 연화점이 80℃ 이하인, 접착 필름.The adhesive film according to claim 1, wherein the softening point of the thermosetting resin is 80°C or less. 기재 및 해당 기재 위에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 필름과,
상기 점착제층 위에 적층된 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름
을 구비하는, 다이싱·다이 본드 필름.A dicing film having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate;
The adhesive film according to any one of claims 1 to 3 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer
A dicing die-bonding film comprising: 제1 반도체 소자가 고정된 피착체를 준비하는 피착체 준비 공정,
제4항에 기재된 다이싱·다이 본드 필름의 접착 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하는 접합 공정,
상기 접착 필름과 함께 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱해서 제2 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정,
상기 제2 반도체 소자를 상기 접착 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정,
상기 제2 반도체 소자와 함께 픽업한 접착 필름에 의해, 상기 피착체에 고정된 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제2 반도체 소자를 해당 피착체에 고정하는 고정 공정 및
상기 고정 공정 후, 상기 접착 필름을 가압 하에서 가열해서 열경화시키는 가압 경화 공정
을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.an adherend preparation step of preparing an adherend to which the first semiconductor element is fixed;
A bonding step of bonding the adhesive film of the dicing die-bonding film according to claim 4 and a semiconductor wafer;
a dicing step of dicing the semiconductor wafer together with the adhesive film to form a second semiconductor element;
a pickup process of picking up the second semiconductor element together with the adhesive film;
a fixing step of fixing the second semiconductor element to the adherend while embedding the first semiconductor element fixed to the adherend by an adhesive film picked up together with the second semiconductor element;
After the fixing step, a pressure curing step of heating and thermosetting the adhesive film under pressure
A method of manufacturing a semiconductor device comprising a.
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