KR102392592B1 - Pressure sensitive display device - Google Patents

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문제현
박영삼
박찬우
조두희
주철웅
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Abstract

감지 기판, 상기 감지 기판 상에 제공되는 반응 기판, 및 상기 감지 기판과 상기 반응 기판 사이에 제공되어, 상기 감지 기판과 상기 반응 기판을 이격시키는 스페이서들을 포함하는 압력 감응 표시 장치를 제공하되, 상기 감지 기판은 유연 기판, 및 상기 반응 기판을 향하는 상기 유연 기판의 일면 상에 제공되는 터치 전극을 포함하고, 상기 반응 기판은 투명 기판, 상기 감지 기판을 향하는 상기 투명 기판의 일면 상에 제공되는 투명 전극, 및 상기 투명 전극 상의 발광층을 포함할 수 있다.A pressure-sensitive display device comprising: a sensing substrate; a reactive substrate provided on the sensing substrate; and spacers provided between the sensing substrate and the reactive substrate to space the sensing substrate and the reactive substrate; The substrate includes a flexible substrate, and a touch electrode provided on one surface of the flexible substrate facing the reactive substrate, wherein the reactive substrate is a transparent substrate, a transparent electrode provided on one surface of the transparent substrate facing the sensing substrate, and a light emitting layer on the transparent electrode.

Description

압력 감응 표시 장치{PRESSURE SENSITIVE DISPLAY DEVICE}PRESSURE SENSITIVE DISPLAY DEVICE

본 발명은 압력 감응 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 압력을 감지하여 그에 대응되는 위치에 광을 생성하는 압력 감응 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure-sensitive display device, and more particularly, to a pressure-sensitive display device that senses pressure and generates light at a position corresponding thereto.

웨어러블(wearable)소자 기술 혹은 다양한 전자소자 기술을 통하여 전자피부 및 로보틱스등에 상응하는 목적으로 다양한 압력센서들이 개발되고 있다. 일정 면적 안에서 가해지는 단일 혹은 다중 압력을 측정하기 위해 압력센서를 집적하려는 시도로 매트릭스 타입으로 개발되고 있다. 저항변화 타입, 캡변화 타입 및 기타 압력감응 소자(TFT)를 이용하여 가해진 압력을 측정하기 위해서는 픽셀 단위 혹은 라인(line) 단위로 스캔하고 이를 통해 가해진 압력신호를 해석한 후 별도의 디스플레이를 통해서 사용자는 압력의 위치, 크기, 모션정보 등을 확인할 수 있었다. 따라서 현재까지는 고비용의 픽셀화된 압력센서를 제작하고 이를 다시 스캔하고 입력신호를 해석한 후 디스플레이를 표시함으로서 사용자가 압력신호를 인지하게 되어 있어 고성능, 초미세, 직관적 인식 등의 성능을 동시에 발현하는 소자를 구현하기 어려운 문제점이 있었다.Various pressure sensors are being developed for the purpose corresponding to electronic skin and robotics through wearable device technology or various electronic device technologies. A matrix type is being developed in an attempt to integrate a pressure sensor to measure single or multiple pressures applied within a certain area. To measure the pressure applied using the resistance change type, cap change type, and other pressure sensitive elements (TFT), scan in units of pixels or lines, interpret the applied pressure signal, and then display the user through a separate display. was able to confirm the position, size, and motion information of the pressure. Therefore, until now, a high-cost pixelated pressure sensor has been manufactured, scanned again, and the input signal is interpreted and then displayed on the display to allow the user to recognize the pressure signal. There was a problem in that it was difficult to implement the device.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 구조가 간단한 압력 감응 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive display device having a simple structure and a method for manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 전기적 특성이 향상된 압력 감응 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a pressure-sensitive display device having improved electrical characteristics and a method for manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 센싱 감도가 높은 압력 감응 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a pressure sensitive device having high sensing sensitivity and a method for manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치는 감지 기판, 상기 감지 기판 상에 제공되는 반응 기판, 및 상기 감지 기판과 상기 반응 기판 사이에 제공되어, 상기 감지 기판과 상기 반응 기판을 이격시키는 스페이서들을 포함할 수 있다. 상기 감지 기판은 유연 기판, 및 상기 반응 기판을 향하는 상기 유연 기판의 일면 상에 제공되는 터치 전극을 포함할 수 있다. 상기 반응 기판은 투명 기판, 상기 감지 기판을 향하는 상기 투명 기판의 일면 상에 제공되는 투명 전극, 및 상기 투명 전극 상의 발광층을 포함할 수 있다.A pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention for solving the above technical problems is provided by a sensing substrate, a reactive substrate provided on the sensing substrate, and between the sensing substrate and the reactive substrate, the sensing substrate and spacers separating the reaction substrate from each other. The sensing substrate may include a flexible substrate and a touch electrode provided on one surface of the flexible substrate facing the reactive substrate. The reaction substrate may include a transparent substrate, a transparent electrode provided on one surface of the transparent substrate facing the sensing substrate, and a light emitting layer on the transparent electrode.

일 실시예에 따르면, 상기 감지 기판은 외부 압력에 의해 상기 터치 전극이 상기 발광층과 접촉하도록 변형될 수 있다. 상기 발광층은 상기 터치 전극과의 접촉에 의해 발광될 수 있다.According to an embodiment, the sensing substrate may be deformed such that the touch electrode contacts the light emitting layer by an external pressure. The light emitting layer may emit light by contact with the touch electrode.

일 실시예에 따르면, 상기 터치 전극과 상기 발광층의 접촉 영역은 상기 발광층의 발광 영역과 실질적으로 동일할 수 있다.According to an embodiment, a contact area between the touch electrode and the light emitting layer may be substantially the same as a light emitting area of the light emitting layer.

일 실시예에 따르면, 상기 터치 전극은 유연성을 가질 수 있다.According to an embodiment, the touch electrode may have flexibility.

일 실시예에 따르면, 상기 유연 기판과 상기 터치 전극 사이에 제공되는 중간 전극을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, an intermediate electrode provided between the flexible substrate and the touch electrode may be further included.

일 실시예에 따르면, 상기 중간 전극의 비저항은 상기 터치 전극의 비저항보다 클 수 있다.According to an embodiment, the resistivity of the middle electrode may be greater than the resistivity of the touch electrode.

일 실시예에 따르면, 상기 터치 전극의 전도성은 상기 유연 기판으로 멀어질수록 낮아질 수 있다.According to an embodiment, the conductivity of the touch electrode may decrease as it moves away from the flexible substrate.

일 실시예에 따르면, 상기 스페이서들은 상기 반응 기판의 상면에 평행한 일 방향으로 연장되는 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 스페이서들은 평면적으로 스트라이프(stripe) 형상 또는 상기 반응 기판의 외각부 상에 제공되는 오픈 링(open ring) 형상으로 배열될 수 있다.According to an embodiment, the spacers may have a line shape extending in one direction parallel to the upper surface of the reaction substrate. The spacers may be arranged in a planar shape of a stripe or an open ring provided on an outer portion of the reaction substrate.

일 실시예에 따르면, 상기 스페이서들은 상기 반응 기판의 상면으로부터 상기 감지 기판의 하면으로 연장되는 기둥 형상을 가질 수 있다. 상기 스페이서들은 평면적 관점에서 상기 반응 기판의 상기 상면에 평행한 오와 열을 갖도록 배열될 수 있다.According to an embodiment, the spacers may have a pillar shape extending from an upper surface of the reactive substrate to a lower surface of the sensing substrate. The spacers may be arranged to have rows and rows parallel to the upper surface of the reaction substrate in a plan view.

일 실시예에 따르면, 상기 감지 기판의 두께는 1um 내지 20um일 수 있다.According to an embodiment, the thickness of the sensing substrate may be 1um to 20um.

일 실시예에 따르면, 상기 터치 전극은 나노 와이어(nano wire), 나노 섬유(nano fiber), 나노 파티클(nano porticale), 그래핀(graphene) 또는 나노 튜브(nano tube)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the touch electrode may include a nano wire, a nano fiber, a nano particle, a graphene, or a nano tube.

일 실시예에 따르면, 상기 터치 전극은 전도성 물질의 나노 구조체와 비전도성 물질의 나노 구조체가 혼합된 복합체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the touch electrode may include a composite in which a nanostructure of a conductive material and a nanostructure of a non-conductive material are mixed.

일 실시예에 따르면, 상기 발광층은 유기 발광 물질, 양자 점(quantum dot) 물질 또는 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting layer may include an organic light emitting material, a quantum dot material, or a perovskite material.

일 실시예에 따르면, 상기 터치 전극을 향하는 상기 발광층의 제 1 면 상에 제공되는 전하 주입층, 또는 상기 투명 전극을 향하는 상기 발광층의 제 2 면 상에 제공되는 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a charge injection layer provided on the first surface of the light emitting layer facing the touch electrode, or a hole injection layer provided on the second surface of the light emitting layer facing the transparent electrode may be further included. .

일 실시예에 따르면, 상기 감지 기판의 아래에 제공되는 포토 다이오드(photo diode) 또는 트렌지스터(transistor)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, a photo diode or a transistor provided under the sensing substrate may be included.

일 실시예에 따르면, 상기 스페이서는 비전도성 접착 물질을 포함할 수 있다. 상기 터치 전극은 상기 스페이서에 의해 상기 발광층과 이격되어 고정될 수 있다.According to an embodiment, the spacer may include a non-conductive adhesive material. The touch electrode may be fixed to be spaced apart from the light emitting layer by the spacer.

상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치는 투명성의 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상의 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상의 발광층, 및 상기 발광층 상에서 상기 발광층과 이격되어 배치되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극은 유연성 도전 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극은 외부 압력에 의해 변형되어 상기 터치 전극에 접촉되고, 상기 터치 전극과 접촉된 상기 발광층의 일부는 발광될 수 있다.A pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention for solving the above technical problems includes a transparent first substrate, a first electrode on the first substrate, a light emitting layer on the first electrode, and the light emitting layer on the light emitting layer It may include a second electrode spaced apart from each other. The second electrode may include a flexible conductive material. The second electrode may be deformed by an external pressure to contact the touch electrode, and a portion of the light emitting layer in contact with the touch electrode may emit light.

일 실시예에 따르면, 상기 발광층과 상기 제 2 전극 사이의 공간을 정의하는 스페이서들을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, spacers defining a space between the emission layer and the second electrode may be further included.

일 실시예에 따르면, 상기 스페이서들은 상기 제 1 기판의 상면에 평행한 일 방향으로 연장되는 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 스페이서들은 평면적으로 스트라이프(stripe) 형상 또는 상기 제 1 기판의 외각부 상에 제공되는 오픈 링(open ring) 형상으로 배열될 수 있다.According to an embodiment, the spacers may have a line shape extending in one direction parallel to the upper surface of the first substrate. The spacers may be arranged in a planar shape in a stripe shape or in an open ring shape provided on an outer portion of the first substrate.

일 실시예에 따르면, 상기 스페이서들은 상기 제 1 기판의 상면으로부터 상기 제 2 전극의 하면으로 연장되는 기둥 형상을 가질 수 있다. 상기 스페이서들은 평면적으로 상기 제 1 기판의 상면에 평행한 오와 열을 갖도록 배열될 수 있다.According to an embodiment, the spacers may have a pillar shape extending from an upper surface of the first substrate to a lower surface of the second electrode. The spacers may be planarly arranged to have rows and rows parallel to the top surface of the first substrate.

일 실시예에 따르면, 상기 제 2 기판 상에 제공되는 제 3 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 제 3 전극의 비저항은 상기 제 2 전극의 비저항보다 클 수 있다.According to an embodiment, a third electrode provided on the second substrate may be further included. A specific resistance of the third electrode may be greater than a specific resistance of the second electrode.

일 실시예에 따르면, 상기 제 2 전극의 전도성은 상기 발광층을 향할수록 낮아질 수 있다.According to an embodiment, the conductivity of the second electrode may decrease toward the emission layer.

일 실시예에 따르면, 상기 제 2 전극 상에 배치되는 제 2 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 기판은 유연 기판을 포함할 수 있다. 상기 제 2 기판은 상기 외부 압력이 인가되었을 때, 상기 제 2 전극과 함께 변형될 수 있다.According to an embodiment, a second substrate disposed on the second electrode may be further included. The second substrate may include a flexible substrate. The second substrate may deform together with the second electrode when the external pressure is applied.

일 실시예에 따르면, 상기 제 2 전극을 향하는 상기 발광층의 제 1 면 상에 제공되는 전하 주입층, 또는 상기 제 1 전극을 향하는 상기 발광층의 제 2 면 상에 제공되는 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, a charge injection layer provided on the first surface of the light emitting layer facing the second electrode, or a hole injection layer provided on the second surface of the light emitting layer facing the first electrode may further include can

본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치는 상기 압력을 감지하여 전기 신호로 변화시키고, 이를 다시 발광부로 전달하기 위한 별도의 중간 구성 요소가 필요하지 않을 수 있다. 이에 따라, 압력 감응 표시 장치는 그 구성이 간단할 수 있으며, 압력 감응 표시 장치의 두께가 작아질 수 있다. 또한, 상기 중간 구성 요소가 필요치 않음에 따라, 압력 감응 표시 장치의 전기적 특성이 향상될 수 있다. 더하여, 압력 감응 표시 장치는 외부 압력의 강도에 따라 생성되는 빛의 세기가 달라질 수 있으며, 빛의 세기를 이용하여 외부 압력의 강도를 측정할 수 있다.In the pressure sensitive display device according to the exemplary embodiment of the present invention, a separate intermediate component may not be required to sense the pressure and convert it into an electric signal and transmit it back to the light emitting unit. Accordingly, the configuration of the pressure sensitive display device may be simple, and the thickness of the pressure sensitive display device may be reduced. Also, since the intermediate component is not required, electrical characteristics of the pressure sensitive display device may be improved. In addition, the intensity of the light generated in the pressure sensitive display device may vary according to the intensity of the external pressure, and the intensity of the external pressure may be measured using the intensity of the light.

본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치는 외부 입력에 대응되는 위치에서 실시간으로 빛이 생성될 수 있으며, 상기 외부 입력의 위치와 상기 빛의 생성 위치가 정확히 일치할 수 있다. 즉, 센싱 감도가 높은 압력 감응 표시 장치가 제공될 수 있다. 또한, 압력 감응 표시 장치는 복수의 외부 입력을 감지하기 용이할 수 있으며, 센싱 감도가 높은 압력 감응 표시 장치가 제공될 수 있다.In the pressure-sensitive display device according to embodiments of the present invention, light may be generated in real time at a position corresponding to an external input, and the position of the external input may exactly match the position of the light. That is, a pressure-sensitive display device having high sensing sensitivity may be provided. Also, the pressure-sensitive display device may easily sense a plurality of external inputs, and a pressure-sensitive display device having high sensing sensitivity may be provided.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 반응 기판의 구성을 설명하기 위한 확대도이다.
도 4 내지 도 8은 스페이서의 형상을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 밴드 다이어그램이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 작동을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 작동을 설명하기 위한 밴드 다이어그램이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 작동 영역을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 17 내지 도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 and 2 are cross-sectional views for explaining a pressure sensitive display device according to example embodiments.
3 is an enlarged view for explaining the configuration of a reaction substrate.
4 to 8 are plan views for explaining the shape of the spacer.
9 is a band diagram of a pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating an operation of a pressure sensitive display device according to example embodiments.
11 is a band diagram illustrating an operation of a pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention.
12 to 14 are cross-sectional views illustrating an operating area of a pressure sensitive display device according to example embodiments.
15 and 16 are cross-sectional views for explaining a pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention.
17 to 20 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a pressure sensitive display device according to example embodiments.

본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 그러나 본 발명은, 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 당해 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자는 본 발명의 개념이 어떤 적합한 환경에서 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.In order to fully understand the configuration and effect of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and may be implemented in various forms and various changes may be made. However, it is provided so that the disclosure of the present invention is complete through the description of the present embodiments, and to fully inform those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, the scope of the invention. Those of ordinary skill in the art will understand that the inventive concept may be practiced in any suitable environment.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자 외에 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, 'comprises' and/or 'comprising' refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements in addition to the stated elements, steps, operations and/or elements. or addition is not excluded.

본 명세서에서 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다.When a film (or layer) is referred to as being on another film (or layer) or substrate in the present specification, it may be formed directly on the other film (or layer) or substrate or a third film (or layer) between them. or layer) may be interposed.

본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에의 제 1 막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제 2 막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 나타낸다. In various embodiments of the present specification, the terms first, second, third, etc. are used to describe various regions, films (or layers), etc., but these regions and films should not be limited by these terms. do. These terms are only used to distinguish one region or film (or layer) from another region or film (or layer). Accordingly, a film quality referred to as the first film quality in one embodiment may be referred to as the second film quality in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes a complementary embodiment thereof. Parts indicated with like reference numbers throughout the specification indicate like elements.

본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.Unless otherwise defined, terms used in the embodiments of the present invention may be interpreted as meanings commonly known to those of ordinary skill in the art.

이하, 도면들 참조하여 본 발명의 개념에 따른 압력 감응 표시 장치를 설명한다. 도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3은 반응 기판의 구성을 설명하기 위한 확대도이다. 도 4 내지 도 8은 스페이서의 형상을 설명하기 위한 평면도들이다.Hereinafter, a pressure-sensitive display device according to the concept of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are cross-sectional views for explaining a pressure sensitive display device according to example embodiments. 3 is an enlarged view for explaining the configuration of a reaction substrate. 4 to 8 are plan views for explaining the shape of the spacer.

도 1을 참조하여, 압력 감응 표시 장치는 제 1 기판(100), 제 2 기판(200) 및 스페이서(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the pressure sensitive display device may include a first substrate 100 , a second substrate 200 , and a spacer 300 .

제 1 기판(100)이 제공될 수 있다. 제 1 기판(100)은 압력 감응 표시 장치의 감지 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판(100)은 외부로부터 가해지는 압력을 감지할 수 있다. 제 1 기판(100)은 제 1 서브 기판(120) 및 제 1 전극(140)을 포함할 수 있다.A first substrate 100 may be provided. The first substrate 100 may be a sensing substrate of the pressure sensitive display device. For example, the first substrate 100 may sense a pressure applied from the outside. The first substrate 100 may include a first sub-substrate 120 and a first electrode 140 .

제 1 서브 기판(120)이 제공될 수 있다. 제 1 서브 기판(120)은 유연 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 1 서브 기판(120)은 폴리 이미드(poly imide; PI), 폴리 에Ÿ텔 나프탈레이트(poly ethylene naphthalate; PEN), 폴리 카보네이트(poly carbonete; PC), 폴리 에테르 술폰(Poly　Ether Sulfone; PES), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly　Ethylene Terephthalate; PET), 폴리 디메틸 술폰산(Poly　Dimethyl Sulfate; PDMS) 또는 에코 플렉스(ecoflex)를 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제 1 서브 기판(120)은 상면 상에 제공되는 보호막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 파릴렌(parylene) 또는 유무기 하이브리드(hybrid)층을 포함하는 단층 또는 다층 박막일 수 있다.A first sub-substrate 120 may be provided. The first sub-substrate 120 may be a flexible substrate. For example, the first sub-substrate 120 may include poly imide (PI), poly ethylene naphthalate (PEN), poly carbonete (PC), and poly ether sulfone (Poly). It may include Ether Sulfone (PES), Poly Ethylene Terephthalate (PET), Poly Dimethyl Sulfonic Acid (PDMS), or Ecoflex. Although not shown, the first sub-substrate 120 may include a protective layer provided on the top surface. For example, the protective film may be a single-layer or multi-layer thin film including silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), aluminum oxide (AlO x ), parylene, or an organic/inorganic hybrid (hybrid) layer. there is.

제 1 서브 기판(120)의 하면 상에 제 1 전극(140)이 제공될 수 있다. 제 1 전극(140)은 압력 감응형 전극(pressure sensitive electrode)일 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(140)은 외부의 압력에 의해 전도성이 변화할 수 있다. 제 1 전극(140)은 전도성 물질로 이루어진 나노 구조체(nano structure)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 구초제는 나노 와이어(nano wire), 나노 섬유(nano fiber), 나노 파티클(nano porticale), 그래핀(graphene) 또는 나노 튜브(nano tube)의 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 물질은 은(Ag)과 같은 금속, 탄소(C)와 같은 도전 물질, 또는 PEDOT:PSS(poly3,4-ethylenedioxythiophene:poly styrene sulfonate)과 같은 전도성 고분자를 포함할 수 있다. 이와는 다르게, 제 1 전극(140)은 상기 전도성 물질의 나노 구조체와 비전도성 물질의 나노 구조체가 혼합된 복합체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비전도성 물질은 아연 산화물(ZnO), 타이타늄 산화물(TiO2) 또는 유기물을 포함할 수 있다. 이와는 또 다르게, 제 1 전극(140)은 전도성 고분자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전도성 고분자는 PSR(pressure sensitive rubber)를 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 제 1 전극(140)은 위치에 따라 다른 전도성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(140)의 전도성은 제 1 서브 기판(120)으로부터 멀어질수록 낮아질 수 있다.The first electrode 140 may be provided on the lower surface of the first sub-substrate 120 . The first electrode 140 may be a pressure sensitive electrode. For example, the conductivity of the first electrode 140 may be changed by external pressure. The first electrode 140 may include a nano structure made of a conductive material. For example, the nano repellent may be any one of a nano wire, a nano fiber, a nano particle, a graphene, or a nano tube. For example, the conductive material may include a metal such as silver (Ag), a conductive material such as carbon (C), or a conductive polymer such as PEDOT:PSS (poly3,4-ethylenedioxythiophene:poly styrene sulfonate). Alternatively, the first electrode 140 may include a composite in which the nanostructures of the conductive material and the nanostructures of the non-conductive material are mixed. For example, the non-conductive material may include zinc oxide (ZnO), titanium oxide (TiO2), or an organic material. Alternatively, the first electrode 140 may include a conductive polymer. For example, the conductive polymer may include pressure sensitive rubber (PSR). According to other embodiments, the first electrode 140 may have different conductivity depending on the location. For example, the conductivity of the first electrode 140 may decrease as it moves away from the first sub-substrate 120 .

도 1에서는 제 1 서브 기판(120)의 일면에 하나의 제 1 전극(140)이 제공되는 것을 도시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 서브 기판(120)과 제 1 전극(140) 사이에 제 2 전극(160)이 제공될 수 있다. 제 2 전극(160)은 제 1 전극(140)보다 높은 전도도를 가질 수 있다. 제 2 전극(160)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 타이타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 박막 또는 PEDOT:PSS(poly 3,4-ethylenedioxythiophene:poly styrene sulfonate)과 같은 전도성 고분자 박막을 포함할 수 있다. 또는, 제 2 전극(160)은 전도성 물질로 이루어진 나노 구조체를 포함할 수 있다.In FIG. 1 , one first electrode 140 is provided on one surface of the first sub-substrate 120 , but the present invention is not limited thereto. As shown in FIG. 2 , a second electrode 160 may be provided between the first sub-substrate 120 and the first electrode 140 . The second electrode 160 may have higher conductivity than the first electrode 140 . The second electrode 160 is a thin metal film such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Mo), or aluminum (Al) or PEDOT:PSS (poly 3,4-ethylenedioxythiophene). : It may include a conductive polymer thin film such as poly styrene sulfonate). Alternatively, the second electrode 160 may include a nanostructure made of a conductive material.

제 1 기판(100)은 외부 압력에 의해 변형될 수 있다. 즉, 제 1 기판(100)은 유연성을 가질 수 있다. 제 1 기판(100)의 변형 시 제 1 기판(100) 내의 제 1 전극(140) 및 제 2 전극(160)이 함께 변형될 수 있으며, 이때, 제 1 전극(140)의 전도성이 변화할 수 있다. 제 1 기판(100)의 두께는 1um 내지 20um일 수 있다. 제 1 기판(100)의 두께가 20um보다 클 경우, 외부 압력의 인가 시 제 1 기판(100)이 변형되는 영역이 넓을 수 있으며, 압력 감응 표시 장치의 센싱 감도가 낮아질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제 1 기판(100)의 두께는 1um보다 작거나, 또는 20um보다 클 경우에도, 제 1 기판(100)은 외부의 압력에 의해 전기적 특성이 변화할 수 있다.The first substrate 100 may be deformed by external pressure. That is, the first substrate 100 may have flexibility. When the first substrate 100 is deformed, the first electrode 140 and the second electrode 160 in the first substrate 100 may be deformed together, and in this case, the conductivity of the first electrode 140 may change. there is. The thickness of the first substrate 100 may be 1um to 20um. When the thickness of the first substrate 100 is greater than 20 μm, an area in which the first substrate 100 is deformed when external pressure is applied may be wide, and the sensing sensitivity of the pressure sensitive display device may be reduced. However, the present invention is not limited thereto, and even when the thickness of the first substrate 100 is less than 1um or greater than 20um, the electrical characteristics of the first substrate 100 may be changed by external pressure. .

제 2 기판(200)이 제공될 수 있다. 제 2 기판(200)은 압력 감응 표시 장치의 반응 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 2 기판(200)은 외부 압력에 대한 반응으로, 상기 외부 압력에 대응되는 위치에 빛을 생성할 수 있다. 이에 대해서는 뒤에서 상세히 설명하도록 한다. 제 2 기판(200)은 제 2 서브 기판(220), 제 3 전극(240) 및 발광부(260)를 포함할 수 있다.A second substrate 200 may be provided. The second substrate 200 may be a reactive substrate of the pressure sensitive display device. For example, the second substrate 200 may generate light at a position corresponding to the external pressure in response to the external pressure. This will be described in detail later. The second substrate 200 may include a second sub substrate 220 , a third electrode 240 , and a light emitting unit 260 .

제 2 서브 기판(220)이 제공될 수 있다. 제 2 서브 기판(220)은 투명 기판일 수 있다. 제 2 서브 기판(220)은 투명 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 서브 기판(220)은 유리(glass), 플라스틱(plastic) 또는 엘라스토머(elastomer)를 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제 2 서브 기판(220)은 하면 상에 제공되는 보호막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 파릴렌(parylene) 또는 유무기 하이브리드(hybrid)층을 포함하는 단층 또는 다층 박막일 수 있다.A second sub-substrate 220 may be provided. The second sub-substrate 220 may be a transparent substrate. The second sub-substrate 220 may include a transparent material. For example, the second sub-substrate 220 may include glass, plastic, or elastomer. Although not shown, the second sub-substrate 220 may include a protective layer provided on the lower surface. For example, the protective film may be a single-layer or multi-layer thin film including silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), aluminum oxide (AlO x ), parylene, or an organic/inorganic hybrid (hybrid) layer. there is.

제 2 서브 기판(220)의 상면 상에 제 3 전극(240)이 제공될 수 있다. 제 3 전극(240)은 투명 전극(transparent electrode)일 수 있다. 예를 들어, 제 3 전극(240)은 가시광 범위의 빛을 투과시킬 수 있다. 제 3 전극(240)은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 전도성 물질은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO) 또는 산화물-금속-산화물(oxide-metal-oxide; OMO) 박막을 포함할 수 있다. 또는, 제 3 전극(240)은 나노 와이어(nano wire), 나노 섬유(nano fiber), 나노 파티클(nano porticale) 그래핀(graphene) 또는 나노 튜브(nano tube)와 같은 나노 구조체를 포함할 수 있다. 또는, 제 3 전극(240)은 PEDOT:PSS(poly 3,4-ethylenedioxythiophene:poly styrene sulfonate)과 같은 전도성 고분자를 포함할 수 있다.The third electrode 240 may be provided on the upper surface of the second sub-substrate 220 . The third electrode 240 may be a transparent electrode. For example, the third electrode 240 may transmit light in a visible light range. The third electrode 240 may include a transparent conductive material. For example, the transparent conductive material may include an indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or an oxide-metal-oxide (OMO) thin film. there is. Alternatively, the third electrode 240 may include a nano structure such as a nano wire, a nano fiber, a nano porticale, graphene, or a nano tube. . Alternatively, the third electrode 240 may include a conductive polymer such as PEDOT:PSS (poly 3,4-ethylenedioxythiophene:poly styrene sulfonate).

제 3 전극(240) 상에 발광부(260)가 배치될 수 있다. 제 3 전극(240)은 발광부의 양극일 수 있다. 발광부(260)는 제 3 전극(240)으로부터 순차적으로 적층되는 정공 수송 영역(265, 도 3 참조), 발광층(262, 도 3 참조), 및 전자 수송 영역(268, 도 3 참조)을 포함할 수 있다. 이하, 도 3을 참조하여 발광부(260)의 구성을 상세히 설명하도록 한다.A light emitting unit 260 may be disposed on the third electrode 240 . The third electrode 240 may be an anode of the light emitting unit. The light emitting unit 260 includes a hole transport region 265 (refer to FIG. 3 ), a light emitting layer 262 (refer to FIG. 3 ), and an electron transport region 268 (refer to FIG. 3 ) sequentially stacked from the third electrode 240 . can do. Hereinafter, the configuration of the light emitting unit 260 will be described in detail with reference to FIG. 3 .

도 3을 참조하여, 제 3 전극(240) 상에 발광층(262)이 제공될 수 있다. 발광층(262)은 외부로부터 공급되는 정공 또는 전자의 재결합을 이용하여 광을 생성시킬 수 있다. 발광층(262)은 단일 물질로 이루어진 단일층 구조, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 구조 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층으로 구성된 다층 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 3 , an emission layer 262 may be provided on the third electrode 240 . The light emitting layer 262 may generate light using recombination of holes or electrons supplied from the outside. The light emitting layer 262 may have a single-layer structure made of a single material, a single-layer structure made of a plurality of different materials, or a multi-layer structure made of a plurality of layers made of a plurality of different materials.

발광층(262)은 통상적으로 유기 발광 다이오드(OLED), 양자점 다이오드(quantum dot diode) 또는 페로브스카이트(perovskite)에 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리) 파라페닐렌비닐렌((poly) paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole) 유도체, 폴리티오펜(polythiophene) 유도체, 안트라센(anthracene) 유도체, 부타디엔(butadiene) 유도체, 테트라센(tetracene) 유도체, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 벤자졸(benzazole) 유도체 또는 카바졸(carbazole) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 물질일 수 있다. 또한, 발광층(262)은 도펀트를 포함하는 유기 발광 물질일 수도 있다. 예를 들어, 도펀트는 크산텐(xanthene), 페릴렌(perylene), 쿠마린(cumarine), 로더민(rhodamine), 루브렌(rubrene), 디시아노메틸렌피란(dicyanomethylene pyran), 티오피란(thiopyran), (티아)피릴리움((thia) pyrilium), 페리플란텐(periflanthene) 유도체, 인데노페릴렌(indenoperylene) 유도체, 카보스티릴(carbostyryl), 나일레드(Nile red), 또는 퀴나크리돈(quinacridone) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The light emitting layer 262 is not particularly limited as long as it is typically used for an organic light emitting diode (OLED), a quantum dot diode, or a perovskite, for example, a polyfluorene derivative; (poly) paraphenylenevinylene derivative, polyphenylene derivative, polyvinylcarbazole derivative, polythiophene derivative, anthracene derivative, butadiene ) derivative, a tetracene derivative, a distyrylarylene derivative, a benzazole derivative, or an organic light emitting material including at least one of carbazole. In addition, the light emitting layer 262 may be an organic light emitting material including a dopant. For example, the dopant is xanthene, perylene, coumarin, rhodamine, rubrene, dicyanomethylene pyran, thiopyran, (thia) pyrilium ((thia) pyrilium), periflanthene derivatives, indenoperylene derivatives, carbostyryl, Nile red, or quinacridone It may include at least one selected from among.

상세하게는, 발광층(262)이 적색의 광을 방출하는 경우, 발광층(262)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광물질을 포함할 수 있고, 발광층(262)이 포함하는 도펀트 물질은 예를 들어, PIQIr(acac)(bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr(tris (1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택될 수 있다.Specifically, when the emission layer 262 emits red light, the emission layer 262 may include, for example, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) or Perylene. The dopant material included in the light emitting layer 262 may include a fluorescent material including ) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum), such as metal complexes (metal complex) or organometallic complex (organometallic complex) may be selected.

발광층(262)이 녹색의 광을 방출하는 경우, 발광층(262)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질을 포함할 수 있고, 발광층(262)이 포함하는 도펀트 물질은 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris (2-phenylpyridine) iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택될 수 있다.When the light emitting layer 262 emits green light, the light emitting layer 262 may include a fluorescent material including, for example, tris(8-hydroxyquinolino)aluminum (Alq3), and the light emitting layer 262 includes The dopant material may be selected from, for example, a metal complex such as Ir(ppy)3 (fac-tris (2-phenylpyridine) iridium) or an organometallic complex.

발광층(262)이 청색의 광을 방출하는 경우, 발광층(262)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly (p-phenylene vinylene))계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있고, 발광층(262)이 포함하는 도펀트 물질은 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택될 수 있다.When the light emitting layer 262 emits blue light, the light emitting layer 262 is, for example, spiro-DPVBi (spiro-DPVBi), spiro-6P (spiro-6P), DSB (distyryl-benzene), DSA (distyryl). -arylene), a polyfluorene (PFO)-based polymer, and a poly (p-phenylene vinylene))-based polymer may include any one selected from the group consisting of, and the dopant material included in the light emitting layer 262 is, for example, It may be selected from a metal complex such as (4,6-F2ppy)2Irpic or an organometallic complex.

제 3 전극(240)과 발광층(262) 사이에 정공 수송 영역(265, hole transport region)이 제공될 수 있다. 정공 수송 영역(265)은 제 3 전극(240)으로부터 주입된 정공이 발광층(262)에 도달하기 위하여 경유하는 영역일 수 있다.A hole transport region 265 may be provided between the third electrode 240 and the emission layer 262 . The hole transport region 265 may be a region through which holes injected from the third electrode 240 pass to reach the emission layer 262 .

정공 수송 영역(265)은 정공 주입층(263), 정공 수송층(264), 및 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 단일층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(265)은 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질 중 적어도 어느 하나로 구성될 수 있다.The hole transport region 265 may include at least one of a hole injection layer 263 , a hole transport layer 264 , and a single layer having both a hole injection function and a hole transport function. The hole transport region 265 may be formed of at least one of a hole injection material and a hole transport material.

정공 수송 영역(265)이 정공 주입층(263)을 포함할 경우, 정공 수송 영역(265)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl -N,N'-bis -[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris (N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline) /Poly(4-styrenesulfonate)) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the hole transport region 265 includes the hole injection layer 263 , the hole transport region 265 may include a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine; DNTPD (N,N'-diphenyl -N,N'-bis -[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4' ,4"-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris (N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2 -naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS ((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)), etc., but is not limited thereto.

정공 수송 영역(265)이 정공 수송층(264)을 포함할 경우, 정공 수송 영역(265)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis (3-methylphenyl) -N,N'-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris (N-carbazolyl) triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di (1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4

Figure 112020012223006-pat00001
bis[N,N-bis(4-methylphenyl) benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the hole transport region 265 includes the hole transport layer 264 , the hole transport region 265 is a carbazole-based derivative such as N-phenylcarbazole or polyvinylcarbazole, a fluorine-based derivative, or TPD ( N,N'-bis (3-methylphenyl) -N,N'-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris (N-carbazolyl ) triphenylamine derivatives such as triphenylamine), NPB (N,N'-di (1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC (4,4
Figure 112020012223006-pat00001
bis[N,N-bis(4-methylphenyl) benzenamine]) and the like, but is not limited thereto.

정공 수송 영역(265)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(265)이 정공 주입층(263) 및 정공 수송층(264)을 모두 포함하면, 정공 주입층(263)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å이고, 정공 수송층(264)의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å일 수 있다. 정공 주입층(263) 및 정공 수송층(264)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.The hole transport region 265 may have a thickness of about 100 Å to about 10000 Å. When the hole transport region 265 includes both the hole injection layer 263 and the hole transport layer 264 , the thickness of the hole injection layer 263 is about 100 Å to about 10000 Å, and the thickness of the hole transport layer 264 is about 50 Å to about 2000 Angstroms. When the thickness of the hole injection layer 263 and the hole transport layer 264 satisfies the above-described ranges, a satisfactory level of hole transport characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

정공 수송 영역(265)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(265) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetra cyanoquino dimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro -tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport region 265 may further include a charge generating material to improve conductivity, in addition to the aforementioned materials. The charge generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed in the hole transport region 265 . The charge generating material may be, for example, a p-dopant. The p-dopant may be one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto. For example, non-limiting examples of p-dopants include quinone derivatives such as Tetra cyanoquino dimethane (TCNQ) and 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ), and metals such as tungsten oxide and molybdenum oxide. oxides, and the like, but are not limited thereto.

발광층(262) 상에 전자 수송 영역(268, electron transport region)이 배치될 수 있다. 전자 수송 영역(268)은 제 1 전극(140)으로부터 주입된 전자가 발광층(262)에 도달하기 위하여 경유하는 영역일 수 있다. 도 1의 구조에서는 제 1 전극(140)과 발광부(260)가 이격되어 있으나, 제 1 전극(140)과 발광부(260)의 접촉 동작에 대해서는 뒤에서 상세히 설명하도록 한다.An electron transport region 268 may be disposed on the emission layer 262 . The electron transport region 268 may be a region through which electrons injected from the first electrode 140 pass to reach the emission layer 262 . Although the first electrode 140 and the light emitting unit 260 are spaced apart from each other in the structure of FIG. 1 , a contact operation between the first electrode 140 and the light emitting unit 260 will be described in detail later.

전자 수송 영역(268)은, 정공 저지층, 전자 수송층(267) 및 전자 주입층(266) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 수송 영역(268)은, 발광층(262)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(267)/전자 주입층(266) 또는 정공 저지층/전자 수송층(267)/전자 주입층(266)의 구조를 가지거나, 층 중 둘 이상의 층이 혼합된 단일층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transport region 268 may include at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer 267 , and an electron injection layer 266 , but is not limited thereto. For example, the electron transport region 268 includes the electron transport layer 267/electron injection layer 266 or the hole blocking layer/electron transport layer 267/electron injection layer 266 stacked sequentially from the light emitting layer 262 . It may have a structure or a single-layer structure in which two or more of the layers are mixed, but is not limited thereto.

전자 수송 영역(268)이 전자 수송층(267)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(268)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri (1-phenyl -1H -benzo[d]imidazol-2-yl) phenyl), BCP(2,9-Dimethyl -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10- phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4- triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di (naphthalene-2-yl) anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the electron transport region 268 includes the electron transport layer 267 , the electron transport region 268 includes Alq3 (Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri (1-phenyl -1H). -benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1 ,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato) -N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di (naphthalene-2-yl) anthracene) and It may include a mixture thereof, but is not limited thereto.

전자 수송층(267)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 전자 수송층(267)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron transport layer 267 may be about 100 Å to about 1000 Å. When the thickness of the electron transport layer 267 satisfies the above-described range, a satisfactory electron transport characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

전자 수송 영역(268)이 전자 주입층(266)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(268)은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(266)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.When the electron transport region 268 includes the electron injection layer 266 , the electron transport region 268 is a lanthanide metal such as LiF, Lithium quinolate (LiQ), Li O, BaO, NaCl, CsF, Yb, or RbCl. , a metal halide such as RbI may be used, but is not limited thereto. The electron injection layer 266 may also be formed of a material in which an electron transport material and an insulating organo metal salt are mixed. The organometallic salt may be a material having an energy band gap of about 4 eV or more. Specifically, for example, the organometallic salt may include metal acetate, metal benzoate, metal acetoacetate, metal acetylacetonate, or metal stearate. can

전자 주입층(266)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å일 수 있다. 전자 주입층(266)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The electron injection layer 266 may have a thickness of about 1 Å to about 100 Å. When the thickness of the electron injection layer 266 satisfies the aforementioned range, a satisfactory level of electron injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

전자 수송 영역(268)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 상기 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7 -diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10 -phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. 상기와 같이 발광부(260)가 제공될 수 있다.The electron transport region 268 may include a hole blocking layer, as mentioned above. The hole blocking layer may include, for example, at least one of 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP) and 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (Bphen). However, the present invention is not limited thereto. The hole blocking layer may have a thickness of about 20 Å to about 1000 Å. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the range as described above, excellent hole blocking characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage. As described above, the light emitting unit 260 may be provided.

도 3에서는 제 3 전극(240)으로부터 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(265), 발광층(262), 및 전자 수송 영역(268)을 포함하는 발광부(260)의 구성을 개시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 발광부(260)는 전자 수송 영역(268), 발광층(262), 및 정공 수송 영역(265)가 도 3에 도시된 것과는 역순으로 적층될 수 있다. 예를 들어, 발광부(260)는 제 3 전극(240)으로부터 전자 수송 영역(268), 발광층(262), 및 정공 수송 영역(265)이 순차적으로 적층된 구성을 가질 수 있다. 이 경우, 제 3 전극(240) 상에 전자 주입층(266), 전자 수송층(267), 발광층(262), 정공 수송층(264) 및 정공 주입층(263)의 순으로 적층될 수 있다.3 discloses the configuration of the light emitting unit 260 including the hole transport region 265 , the emission layer 262 , and the electron transport region 268 sequentially stacked from the third electrode 240 , but the present invention This is not limited thereto. In the light emitting part 260 of the pressure sensitive display device according to the embodiments of the present invention, the electron transport region 268 , the emission layer 262 , and the hole transport region 265 may be stacked in a reverse order from that shown in FIG. 3 . there is. For example, the light emitting part 260 may have a configuration in which the electron transport region 268 , the emission layer 262 , and the hole transport region 265 are sequentially stacked from the third electrode 240 . In this case, the electron injection layer 266 , the electron transport layer 267 , the emission layer 262 , the hole transport layer 264 , and the hole injection layer 263 may be sequentially stacked on the third electrode 240 .

도 1을 다시 참조하여, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200) 사이에 스페이서(300)가 제공될 수 있다. 스페이서(300)는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)을 이격시킬 수 있다. 이때, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)과 제 2 기판(200)의 발광부(260)가 서로를 향하도록 배치될 수 있다. 구체적으로는, 스페이서(300)는 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)과 제 2 기판(200)의 발광부(260)를 이격시킬 수 있다. 여기서, 발광부(260)는 제 3 전극(240)과 접하고, 제 1 전극(140)과 이격될 수 있다. 제 3 전극(240)은 발광부(260)의 양의 전극일 수 있고, 제 1 전극(140)은 발광부(260)의 음의 전극일 수 있다. 즉, 발광부(260)는 양의 전극과만 접속될 수 있다. 스페이서(300)는 제 1 기판(100)을 제 2 기판(200) 상에 고정시킬 수 있다. 예를 들어, 스페이서(300)는 비전도성 접착 물질을 포함할 수 있다.Referring back to FIG. 1 , a spacer 300 may be provided between the first substrate 100 and the second substrate 200 . The spacer 300 may separate the first substrate 100 and the second substrate 200 from each other. In this case, the first substrate 100 and the second substrate 200 may be disposed such that the first electrode 140 of the first substrate 100 and the light emitting part 260 of the second substrate 200 face each other. there is. Specifically, the spacer 300 may separate the first electrode 140 of the first substrate 100 and the light emitting part 260 of the second substrate 200 . Here, the light emitting unit 260 may be in contact with the third electrode 240 and may be spaced apart from the first electrode 140 . The third electrode 240 may be a positive electrode of the light emitting unit 260 , and the first electrode 140 may be a negative electrode of the light emitting unit 260 . That is, the light emitting unit 260 may be connected to only the positive electrode. The spacer 300 may fix the first substrate 100 on the second substrate 200 . For example, the spacer 300 may include a non-conductive adhesive material.

스페이서(300)는 복수로 제공될 수 있다. 평면적 관점에서, 스페이서들(300)은 제 1 기판(100)의 외각부 상에 제공될 수 있다. 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)의 사이에서, 스페이서들(300)에 의해 둘러싸이는 영역(RG, 도 4 및 도 5 참조)은 외부 압력을 감지하기 위한 센싱 영역으로 정의될 수 있다. 스페이서들(300)은 제 2 기판(200)의 양단 상에 제공되는 라인 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 스페이서들(300)은 제 2 기판(200)의 제 1 방향(D1)의 양단 상에 제공되고, 제 1 방향(D1)과 수직한 제 2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 또는, 스페이서들(300)은 스트라이프 형상으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 스페이서들(300)은 제 2 기판(200) 상에서 제 2 방향(D2)으로 연장되고, 제 1 방향(D1)으로 주기적으로 배열될 수 있다.A plurality of spacers 300 may be provided. In a plan view, the spacers 300 may be provided on the outer portion of the first substrate 100 . Between the first substrate 100 and the second substrate 200, a region (RG, see FIGS. 4 and 5) surrounded by the spacers 300 may be defined as a sensing region for sensing an external pressure. there is. The spacers 300 may have a line shape provided on both ends of the second substrate 200 . For example, as shown in FIG. 4 , the spacers 300 are provided on both ends of the second substrate 200 in the first direction D1 , and in a second direction perpendicular to the first direction D1 . (D2) can be extended. Alternatively, the spacers 300 may be arranged in a stripe shape. For example, as shown in FIG. 5 , the spacers 300 may extend in the second direction D2 on the second substrate 200 and may be periodically arranged in the first direction D1 .

다른 실시예에 따르면, 스페이서(300)는 하나로 제공되어 제 2 기판(200)의 외각부(ER, 도 6 참조) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 스페이서(300)는 제 2 기판(200)의 외각부(ER) 상에서 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200) 사이의 공간을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 즉, 스페이서(300)는 제 2 기판(200)의 외각부(ER)를 따르는 오픈 링(open ring) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 스페이서(300)는 제 2 기판(200)과 제 1 기판(100) 사이의 공간을 둘러싸되, 제 2 기판(200)과 제 1 기판(100) 사이의 상기 공간과 연결되는 연통부(302)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제 1 기판(100)이 외부 압력에 의해 변형될 경우, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200) 사이 공간의 공기 또는 기체가 연통부(302)를 통해 배출될 수 있다. 제 1 기판(100)에 외부 압력에 제거되어 제 1 기판(100)이 이전의 형상으로 되돌아가는 경우, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200) 사이 공간에 연통부(302)를 통해 공기 또는 기체가 유입될 수 있다. 이에 따라, 외부 압력의 인가 및 제거에도 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200) 사이 공간이 일정한 압력을 유지할 수 있으며, 압력 감응 표시 장치가 압력 차이에 의해 파손되지 않을 수 있다. 평면적 관점에서 스페이서(300) 내층의 영역(RG)은 외부 압력을 감지하기 위한 센싱 영역으로 정의될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 스페이서(300)는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200) 사이의 공간을 구획화하는 그리드(grid) 형상을 가질 수 있다.According to another embodiment, one spacer 300 may be provided and disposed on the outer portion ER (refer to FIG. 6 ) of the second substrate 200 . For example, as shown in FIG. 6 , the spacer 300 is formed to surround the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 on the outer portion ER of the second substrate 200 . can be That is, the spacer 300 may have an open ring shape along the outer shell ER of the second substrate 200 . For example, the spacer 300 surrounds the space between the second substrate 200 and the first substrate 100 , and communicates with the space between the second substrate 200 and the first substrate 100 . part 302 . Accordingly, when the first substrate 100 is deformed by external pressure, air or gas in the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 may be discharged through the communication unit 302 . When the first substrate 100 is removed by external pressure and the first substrate 100 returns to its previous shape, the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 through the communication part 302 Air or gas may be introduced. Accordingly, the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 may maintain a constant pressure even when external pressure is applied and removed, and the pressure-sensitive display device may not be damaged by the pressure difference. In a plan view, the region RG of the inner layer of the spacer 300 may be defined as a sensing region for sensing an external pressure. Although not shown, the spacer 300 may have a grid shape for partitioning a space between the first substrate 100 and the second substrate 200 .

또 다른 실시예에 따르면, 스페이서들(300)은 복수로 제공되되, 기둥 형상을 가질 수 있다. 스페이서들(300)은 제 2 기판(200)의 상면으로부터 제 1 기판(100)의 하면을 향하여 연장될 수 있다. 스페이서들(300)은 제 2 기판(200)의 외각부(ER) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 스페이서들(300)은 제 2 기판(200)의 제 1 방향(D1)의 양단 상에 제공되고, 제 2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 또는 스페이서들(300)은 제 2 기판(200) 상에서 오와 열을 갖도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 스페이서들은 제 1 방향(D1) 및 제 2 방향(D2)으로 정렬될 수 있다.According to another embodiment, the spacers 300 are provided in plurality, and may have a pillar shape. The spacers 300 may extend from the upper surface of the second substrate 200 toward the lower surface of the first substrate 100 . The spacers 300 may be provided on the outer shell ER of the second substrate 200 . For example, as shown in FIG. 7 , the spacers 300 may be provided on both ends of the second substrate 200 in the first direction D1 and may be arranged in the second direction D2 . Alternatively, the spacers 300 may be arranged on the second substrate 200 so as to have rows and columns. For example, as shown in FIG. 8 , the spacers may be aligned in the first direction D1 and the second direction D2 .

상기와 같이 압력 감응 표시 장치가 제공될 수 있다. 이하 도 1, 및 도 9 내지 도 11을 참조하여 본원 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 동작을 설명하도록 한다.As described above, the pressure sensitive display device may be provided. Hereinafter, an operation of the pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIGS. 9 to 11 .

도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 밴드 다이어그램이다. 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 작동을 설명하기 위한 단면도이다. 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 작동을 설명하기 위한 밴드 다이어그램이다.9 is a band diagram of a pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention. 10 is a cross-sectional view illustrating an operation of a pressure sensitive display device according to example embodiments. 11 is a band diagram illustrating an operation of a pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention.

도 1 및 도 9은 압력 감응 표시 장치에 외부 압력이 인가되지 않은 상태를 나타낸다.1 and 9 illustrate a state in which no external pressure is applied to the pressure sensitive display device.

발광부(260)는 서로 다른 에너지 밴드(energy band)를 가진 층들을 포함할 수 있다. 일반적으로 유기 물질의 분자 결합력은 이온 결합 등에 비해 상대적으로 매우 약하다. 따라서, 어느 유기층의 전자 에너지 준위는 양자화되어 소정의 갭(gap)을 가진 에너지 밴드로 나타난다. 어느 유기층의 에너지 밴드는 루모(Lowest unoccupied molecular orbital, LUMO) 에너지 준위와 호모(Highest occupied molecular orbital, HOMO) 에너지 준위의 차이(gap)에 의해 정의될 수 있다. 루모 에너지 준위는 전자로 채워지지 않은 가장 낮은 에너지 준위로, 루모 에너지 준위는 무기 반도체의 전도 대(conduction band) 하단 에너지 준위에 대응될 수 있다. 루모 에너지 준위는 해당 층의 전자 친화도(electron affinity)와 대응된다.The light emitting unit 260 may include layers having different energy bands. In general, molecular bonding strength of organic materials is relatively weak compared to ionic bonding and the like. Accordingly, the electron energy level of a certain organic layer is quantized and appears as an energy band with a predetermined gap. An energy band of any organic layer may be defined by a gap between a lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level and a highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level. The LUMO energy level is the lowest energy level not filled with electrons, and the LUMO energy level may correspond to an energy level below a conduction band of the inorganic semiconductor. The LUMO energy level corresponds to the electron affinity of the corresponding layer.

도 1에서와 같이, 제 1 기판(100)에 외부 압력이 인가되지 않으면 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)은 제 2 기판(200)의 발광부(260)와 이격될 수 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 발광부(260)는 제 1 전극(140)으로부터 전기 신호를 인가받지 않을 수 있으며, 발광부(260)에서 빛이 생성되지 않을 수 있다.1 , when no external pressure is applied to the first substrate 100 , the first electrode 140 of the first substrate 100 may be spaced apart from the light emitting part 260 of the second substrate 200 . . That is, as shown in FIG. 9 , the light emitting unit 260 may not receive an electric signal from the first electrode 140 , and light may not be generated from the light emitting unit 260 .

도 10 및 도 11은 압력 감응 표시 장치에 외부 압력이 인가된 상태를 나타낸다.10 and 11 show a state in which an external pressure is applied to the pressure sensitive display device.

발광부(260)의 발광층(262)에 소정의 전기장이 인가되면, 제 1 전극(140, 음극에 해당)에 존재하던 전자들은 전기장에 의해 인접한 층으로 이동한다. 이때, 인접한 층간의 루모 에너지 준위 차이가 클수록 높은 전기장이 필요하다.When a predetermined electric field is applied to the light emitting layer 262 of the light emitting unit 260 , electrons existing in the first electrode 140 (corresponding to the cathode) move to an adjacent layer by the electric field. At this time, as the difference in the LUMO energy level between adjacent layers increases, a higher electric field is required.

루모 에너지 준위는 전자의 이동과 관련된다. 인가된 전기장에 의해 전자는 루모 에너지 준위가 낮은 층에서 높은 층으로 이동할 수 있다. 일반적으로 전자 수송 영역(268)은 제 1 전극(140)의 일함수와 발광층의 루모 에너지 준위 사이의 루모 에너지 준위를 가진다. 또한, 전자 수송 영역(268)이 복수의 층으로 구성된 경우, 층들의 루모 에너지 준위들은 제 1 전극(140)으로부터 발광층(262)으로 향할수록 증가할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The Lumo energy level is related to the movement of electrons. By the applied electric field, electrons can move from a layer with a low LUMO energy level to a layer with a high LUMO energy level. In general, the electron transport region 268 has a LUMO energy level between the work function of the first electrode 140 and the LUMO energy level of the emission layer. In addition, when the electron transport region 268 is composed of a plurality of layers, the LUMO energy levels of the layers may increase from the first electrode 140 toward the emission layer 262 , but is not limited thereto.

호모 에너지 준위는 전자로 채워지는 가장 높은 에너지 준위이다. 호모 에너지 준위는 무기 반도체의 가전자 대(valence band) 상단 에너지 준위에 대응될 수 있다. 어느 층의 호모 에너지 준위는 이온화 포텐셜(ionization potential)과 대응된다. 이온화 포텐셜은 물질이 이온화하는데 필요한 에너지로, 이온화 포텐셜이 높을수록 이온화되기 어렵다.The homo energy level is the highest energy level filled with electrons. The homo energy level may correspond to an energy level above the valence band of the inorganic semiconductor. The homo energy level of a layer corresponds to the ionization potential. The ionization potential is the energy required to ionize a material, and the higher the ionization potential, the more difficult it is to be ionized.

발광부(260)의 발광층(262)에 소정의 전기장이 인가되면, 제 3 전극(240, 양극에 해당)에 존재하던 정공들은 전기장에 의해 인접한 층으로 이동한다. 이때, 인접한 층간의 호모 에너지 준위 차이가 클수록 높은 전기장이 필요하다.When a predetermined electric field is applied to the light emitting layer 262 of the light emitting unit 260, holes existing in the third electrode 240 (corresponding to the anode) move to an adjacent layer by the electric field. At this time, as the difference in homo energy level between adjacent layers increases, a higher electric field is required.

호모 에너지 준위는 정공의 이동과 관련된다. 인가된 전기장에 의해 정공은 호모 에너지 준위가 높은 층에서 낮은 층으로 이동할 수 있다. 일반적으로 정공 수송 영역(263, 264)은 제 3 전극(240)의 일함수와 발광층(262)의 호모 에너지 준위 사이의 호모 에너지 준위를 가진다. 또한, 정공 수송 영역(263, 264)이 복수의 층으로 구성된 경우, 층들의 호모 에너지 준위들은 제 3 전극(240)으로부터 발광층(262)으로 향할수록 감소할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The homo energy level is related to the movement of holes. The applied electric field allows holes to move from a layer having a high homo energy level to a layer having a low homo energy level. In general, the hole transport regions 263 and 264 have a homo energy level between the work function of the third electrode 240 and the homo energy level of the emission layer 262 . Also, when the hole transport regions 263 and 264 are formed of a plurality of layers, homo energy levels of the layers may decrease from the third electrode 240 toward the emission layer 262 , but the present invention is not limited thereto.

도 10에서와 같이, 외부 압력에 의해 제 1 기판(100)이 변형되어 제 2 기판(200)과 접할 수 있다. 예를 들어, 변형된 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)은 제 2 기판(200)의 발광부(260)와 접할 수 있다. 이때, 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)의 형상이 변형 및 압축됨에 따라, 제 1 전극(140)의 전도도가 변형될 수 있으며, 제 1 전극(140) 내에서 전하(예를 들어, 전자)가 생성될 수 있다. 제 11에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(140) 내에서 생성된 상기 전하는 발광층(262)으로 전달될 수 있다. 이에 따라, 제 1 전극(140)과 제 3 전극(240) 사이에서 발광층(262)에 소정의 전기장(electric field)이 인가될 수 있다.As shown in FIG. 10 , the first substrate 100 may be deformed by external pressure to come into contact with the second substrate 200 . For example, the first electrode 140 of the deformed first substrate 100 may contact the light emitting part 260 of the second substrate 200 . At this time, as the shape of the first electrode 140 of the first substrate 100 is deformed and compressed, the conductivity of the first electrode 140 may be deformed, and electric charges (eg, For example, electrons) can be created. 11 , the charge generated in the first electrode 140 may be transferred to the light emitting layer 262 . Accordingly, a predetermined electric field may be applied to the emission layer 262 between the first electrode 140 and the third electrode 240 .

제 1 전극(140)에 생성된 전자는 전자 수송 영역(268)을 통과할 수 있다. 전자는 발광층(262)에 도달할 수 있다. 제 3 전극(240)의 정공은 정공 수송 영역(263, 264)을 통과할 수 있다. 상기 정공은 발광층(262)에 도달할 수 있다. 상기 전자와 상기 정공은 발광층(262)에서 결합할 수 있다. 상기 전자와 상기 정공의 결합에 의해 발광층(262)에서 빛이 생성될 수 있다. 상기와 같이 생성된 광은 제 2 서브 기판(220)을 통해 제 2 기판(200)의 하방으로 방출될 수 있다.Electrons generated in the first electrode 140 may pass through the electron transport region 268 . Electrons may reach the light emitting layer 262 . Holes of the third electrode 240 may pass through the hole transport regions 263 and 264 . The holes may reach the light emitting layer 262 . The electrons and the holes may be combined in the emission layer 262 . Light may be generated in the light emitting layer 262 by the combination of the electrons and the holes. The light generated as described above may be emitted downward of the second substrate 200 through the second sub-substrate 220 .

본 발명의 실시예들에 따르면, 압력 감응 표시 장치에 인가되는 압력을 광으로 변환시킬 수 있다. 이때, 발광부(260)의 일 전극을 이용하여 상기 압력을 감지할 수 있다. 즉, 본원 발명의 압력 감응 표시 장치는 상기 압력을 감지하여 전기 신호로 변화시키고, 이를 다시 발광부(260)로 전달하기 위한 별도의 중간 구성 요소(일 예로, 구동 회로 등)가 필요하지 않을 수 있다. 즉, 압력 감응 표시 장치는 그 구성이 간단할 수 있으며, 압력 감응 표시 장치의 두께가 작아질 수 있다. 또한, 상기 중간 구성 요소가 필요치 않음에 따라, 압력을 감지하는 제 1 기판(100)과 광을 생성하는 제 2 기판(200) 사이의 전기적 거리가 짧을 수 있으며, 압력 감응 표시 장치의 전기적 특성이 향상될 수 있다.According to embodiments of the present invention, pressure applied to the pressure sensitive display device may be converted into light. In this case, the pressure may be sensed using one electrode of the light emitting unit 260 . That is, the pressure-sensitive display device of the present invention may not need a separate intermediate component (eg, a driving circuit, etc.) for sensing the pressure, converting it into an electrical signal, and transmitting it back to the light emitting unit 260 . there is. That is, the pressure-sensitive display device may have a simple configuration, and the thickness of the pressure-sensitive display device may be reduced. In addition, since the intermediate component is not required, the electrical distance between the first substrate 100 for sensing pressure and the second substrate 200 for generating light may be short, and the electrical characteristics of the pressure-sensitive display device may be reduced. can be improved

실시예들에 따르면, 제 1 전극(140)에 가해지는 압력이 클 수록, 제 1 전극(140) 내에서 생성되는 전하의 양이 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 외부 압력이 클수록 제 1 전극(140)에서 형성되는 전하의 양이 많을 수 있으며, 발광층(262)에서 생성되는 광의 양이 많을 수 있다. 즉, 상기 외부 압력의 강도에 따라 생성되는 빛의 세기가 달라질 수 있으며, 본 발명에 따른 압력 감응 표시 장치는 빛의 세기를 이용하여 외부 압력의 강도를 측정할 수 있다.According to embodiments, as the pressure applied to the first electrode 140 increases, the amount of charge generated in the first electrode 140 may increase. For example, as the external pressure increases, the amount of electric charge formed in the first electrode 140 may be large, and the amount of light generated in the light emitting layer 262 may be large. That is, the intensity of the generated light may vary according to the intensity of the external pressure, and the pressure-sensitive display device according to the present invention may measure the intensity of the external pressure using the intensity of the light.

본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치는 압력이 인가되는 제 1 기판의 지점에 대응되는 제 2 기판의 지점에서 빛을 생성할 수 있다. 도 12 내지 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 작동 영역을 설명하기 위한 단면도들이다.A pressure-sensitive display device according to embodiments of the present invention may generate light at a point on the second substrate corresponding to a point on the first substrate to which pressure is applied. 12 to 14 are cross-sectional views illustrating an operating area of a pressure sensitive display device according to example embodiments.

도 12를 참조하여, 제 1 지점(CP1) 상에서 제 1 외부 입력(PRS1)이 인가될 수 있다. 예를 들어, 제 1 지점(CP1)은 제 1 기판(100)의 어느 한 지점(또는, 제 2 기판(200)의 어느 한 지점)일 수 있다. 제 1 외부 입력(PRS1)은 사용자의 손가락에 의한 터치 또는 스타일러스에 의한 터치 등을 포함할 수 있다. 제 1 외부 입력(PRS1)에 의해 제 1 지점(CP1) 상에서 제 1 기판(100)이 변형될 수 있다. 제 1 지점(CP1)에서 제 1 기판(100)이 제 2 기판(200)과 접할 수 있고, 제 1 지점(CP1)을 제외한 나머지 영역에서 제 2 기판(200)과 이격될 수 있다. 제 1 지점(CP1)은 제 1 외부 입력(PRS1)이 제공되는 위치에 수직으로 대응될 수 있다. 이에 따라, 제 1 지점(CP1)에서 제 1 전극(140), 발광부(260) 및 제 3 전극(240)으로 이어지는 전류의 흐름이 형성될 수 있으며, 제 1 지점(CP1)에서 제 1 광(LR1)이 제 2 서브 기판(220)을 통해 방출될 수 있다. 즉, 제 1 광(LR1)이 방출되는 위치는 손가락, 스타일러스 등에 의한 터치의 위치에 수직으로 대응될 수 있으며, 제 1 외부 입력(PRS1)이 제공되지 않는 나머지 영역에서는 빛이 생성되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 12 , a first external input PRS1 may be applied on a first point CP1 . For example, the first point CP1 may be any one point on the first substrate 100 (or any one point on the second substrate 200 ). The first external input PRS1 may include a touch by a user's finger or a touch by a stylus. The first substrate 100 may be deformed on the first point CP1 by the first external input PRS1 . The first substrate 100 may be in contact with the second substrate 200 at the first point CP1 , and may be spaced apart from the second substrate 200 in the remaining area except for the first point CP1 . The first point CP1 may vertically correspond to a position where the first external input PRS1 is provided. Accordingly, a current flowing from the first point CP1 to the first electrode 140 , the light emitting unit 260 , and the third electrode 240 may be formed, and the first light at the first point CP1 may be formed. LR1 may be emitted through the second sub-substrate 220 . That is, a position where the first light LR1 is emitted may correspond to a position of a touch by a finger, a stylus, etc., and no light may be generated in the remaining area to which the first external input PRS1 is not provided. .

본 발명의 실시예들에 따르면, 외부 입력이 인가되는 위치에서만 제 1 전극(140), 발광부(260) 및 제 3 전극(240)의 회로가 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 외부 입력에 대응되는 위치에서 실시간으로 빛이 생성될 수 있으며, 상기 외부 입력의 위치와 상기 빛의 생성 위치가 정확히 일치할 수 있다. 즉, 센싱 감도가 높은 압력 감응 표시 장치가 제공될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the circuit of the first electrode 140 , the light emitting unit 260 , and the third electrode 240 may be configured only at a position where an external input is applied. Accordingly, light may be generated in real time at a position corresponding to the external input, and the position of the external input may exactly match the position of the light. That is, a pressure-sensitive display device having high sensing sensitivity may be provided.

도 13을 참조하여, 복수의 제 2 지점들(CP2) 상에서 제 2 외부 입력들(PRS2)이 동시에 인가될 수 있다. 예를 들어, 제 2 지점들(CP2)은 제 1 기판(100)에서 서로 이격된 복수의 지점들일 수 있다. 제 2 외부 입력들(PRS2)은 사용자의 손가락에 의한 터치 또는 스타일러스에 의한 터치 등을 포함할 수 있다. 제 2 외부 입력들(PRS2)에 의해 제 2 지점들(CP2) 상에서 제 1 기판(100)이 변형될 수 있다. 제 2 지점들(CP2)에서 제 1 기판(100)이 제 2 기판(200)과 국부적으로 접할 수 있고, 제 2 지점들(CP2)을 제외한 나머지 영역에서 제 2 기판(200)과 이격될 수 있다. 제 2 지점들(CP2)은 제 2 외부 입력들(PRS2)이 제공되는 위치에 수직으로 대응될 수 있다. 이에 따라, 제 2 지점들(CP2)에서 제 2 광들(LR2)이 제 2 서브 기판(220)을 통해 방출될 수 있다. 즉, 제 2 광들(LR2)이 방출되는 위치는 손가락, 스타일러스 등에 의한 터치의 위치들에 수직으로 대응될 수 있으며, 제 2 외부 입력들(PRS2)이 제공되지 않는 나머지 영역에서는 빛이 생성되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 13 , second external inputs PRS2 may be simultaneously applied on a plurality of second points CP2 . For example, the second points CP2 may be a plurality of points spaced apart from each other on the first substrate 100 . The second external inputs PRS2 may include a touch by a user's finger or a touch by a stylus. The first substrate 100 may be deformed on the second points CP2 by the second external inputs PRS2 . The first substrate 100 may locally contact the second substrate 200 at the second points CP2 , and may be spaced apart from the second substrate 200 in the remaining areas except for the second points CP2 . there is. The second points CP2 may vertically correspond to positions where the second external inputs PRS2 are provided. Accordingly, the second lights LR2 may be emitted through the second sub-substrate 220 at the second points CP2 . That is, a position where the second lights LR2 are emitted may correspond to positions of a touch by a finger, a stylus, etc., and no light is generated in the remaining area to which the second external inputs PRS2 are not provided. can

본 발명의 실시예들에 따르면, 복수의 외부 입력이 인가되는 위치에서만 제 1 기판(100)이 변형될 수 있다. 이에 따라, 복수의 외부 입력을 감지하기 용이할 수 있으며, 센싱 감도가 높은 압력 감응 표시 장치가 제공될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first substrate 100 may be deformed only at positions to which a plurality of external inputs are applied. Accordingly, it may be easy to sense a plurality of external inputs, and a pressure-sensitive display device having high sensing sensitivity may be provided.

도 14를 참조하여, 넓은 면적의 접촉 영역(CA) 상에서 제 3 외부 입력(PRS3)이 인가될 수 있다. 예를 들어, 접촉 영역(CA)은 제 1 기판(100)의 중심부에 제공되는 영역(또는, 제 2 기판(200)의 중심부에 제공되는 영역)일 수 있다. 제 3 외부 입력(PRS3)은 사용자의 손바닥, 또는 터치용 브러쉬 또는 터치용 플레이트 등과 같은 대면적의 입력 장치 또는 부재들에 의해 제공될 수 있다. 제 3 외부 입력(PRS3)에 의해 접촉 영역(CA) 상에서 제 1 기판(100)이 변형될 수 있다. 이때, 제 1 기판(100)은 제 3 외부 입력(PRS3)을 인가하는 입력 장치의 형상에 대응되도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 접촉 영역(CA) 전반에 걸쳐, 제 1 기판(100)이 제 2 기판(200)과 접할 수 있다. 접촉 영역(CA)은 제 3 외부 입력(PRS3)이 제공되는 영역과 수직으로 오버랩(overlap)될 수 있다. 이에 따라, 접촉 영역(CA) 전체에 걸쳐 제 1 전극(140), 발광부(260) 및 제 3 전극(240)으로 이어지는 전류의 흐름이 형성될 수 있으며, 접촉 영역(CA) 전반에 걸쳐 제 3 광(LR3)이 제 2 서브 기판(220)을 통해 방출될 수 있다. 즉, 제 3 광(LR3)이 방출되는 위치는 제 3 외부 입력(PRS3)이 인가되는 영역에 대응될 수 있다. 외부 입력이 접촉 영역(CA)과 같이 넓은 영역에 인가되는 경우, 제 1 전극(140)에 인가되는 압력이 작을 수 있다. 이 경우, 발광부(260)에서 생성되는 제 3 광(LR3)의 밝기가 작을 수 있다.Referring to FIG. 14 , the third external input PRS3 may be applied on the large-area contact area CA. For example, the contact area CA may be an area provided at the center of the first substrate 100 (or an area provided at the center of the second substrate 200 ). The third external input PRS3 may be provided by a user's palm or a large-area input device or members such as a touch brush or a touch plate. The first substrate 100 may be deformed on the contact area CA by the third external input PRS3 . In this case, the first substrate 100 may be deformed to correspond to the shape of the input device to which the third external input PRS3 is applied. For example, the first substrate 100 may contact the second substrate 200 over the entire contact area CA. The contact area CA may vertically overlap with an area to which the third external input PRS3 is provided. Accordingly, a current flowing to the first electrode 140 , the light emitting unit 260 , and the third electrode 240 may be formed over the entire contact area CA, and the first electrode 140 , the light emitting unit 260 , and the third electrode 240 may flow over the entire contact area CA. The third light LR3 may be emitted through the second sub-substrate 220 . That is, a position where the third light LR3 is emitted may correspond to a region to which the third external input PRS3 is applied. When the external input is applied to a wide area such as the contact area CA, the pressure applied to the first electrode 140 may be small. In this case, the brightness of the third light LR3 generated by the light emitting unit 260 may be small.

도 15 및 도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.15 and 16 are cross-sectional views for explaining a pressure sensitive display device according to embodiments of the present invention.

도 15를 참조하면, 압력 감응 표시 장치는 제 2 기판(200)의 아래에 제공되는 제 3 기판(400)을 더 포함할 수 있다. 제 3 기판(400)은 제 2 기판(200)에서 생성된 광을 감지할 수 있다. 제 3 기판(400)은 제 3 서브 기판(420), 이미지 센서 소자(440) 및 보호층(460)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15 , the pressure sensitive display device may further include a third substrate 400 provided under the second substrate 200 . The third substrate 400 may sense the light generated by the second substrate 200 . The third substrate 400 may include a third sub-substrate 420 , an image sensor device 440 , and a protective layer 460 .

제 3 서브 기판(420)은 반도체 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 3 서브 기판(420)은 벌크(bulk) 실리콘 기판, 실리콘-온-인슐레이터(silicon on insulator: SOI) 기판, 게르마늄 기판, 게르마늄-온-인슐레이터(germanium on insulator: GOI) 기판, 실리콘 게르마늄 기판, 3-5족 화합물 반도체 기판 또는 선택적 에피택셜 성장(selective epitaxial growth: SEG)을 수행하여 획득한 에피택셜 박막의 기판일 수 있다.The third sub-substrate 420 may be a semiconductor substrate. For example, the third sub-substrate 420 may include a bulk silicon substrate, a silicon-on-insulator (SOI) substrate, a germanium substrate, a germanium-on-insulator (GOI) substrate, It may be a silicon germanium substrate, a group III-V compound semiconductor substrate, or a substrate of an epitaxial thin film obtained by performing selective epitaxial growth (SEG).

제 3 서브 기판(420) 상에 적어도 하나의 이미지 센서 소자(440)가 제공될 수 있다. 이미지 센서 소자들(440)은 제 3 서브 기판(420)의 상면에 형성될 수 있다. 이미지 센서 소자들(440)은 제 3 서브 기판(420)의 상면에 평행한 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도시하지는 않았으나, 이미지 센서 소자들(440)은 제 3 서브 기판(420) 상에서 열과 오를 갖도록 배열될 수 있다. 이미지 센서 소자들(440)은 그들이 배치되는 위치에 대응되는 제 2 기판(200)의 지점에서 발광되는 빛을 감지할 수 있다. 이에 따라, 제 3 서브 기판(420)은 제 1 기판(100)에서 외부 압력이 인가되는 위치를 감지하여 전기적 신호를 생성할 수 있다. 이미지 센서 소자들(440)은 씨모스 이미지 센서(CMOS Image sensor) 소자 또는 전하 결합 소자(charge coupled device)일 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 소자들(440)은 포토 다이오드(photo diode) 또는 트렌지스터(transistor)를 포함할 수 있다.At least one image sensor element 440 may be provided on the third sub-substrate 420 . The image sensor elements 440 may be formed on the top surface of the third sub-substrate 420 . The image sensor elements 440 may be disposed to be spaced apart from each other in a direction parallel to the upper surface of the third sub-substrate 420 . For example, although not shown, the image sensor elements 440 may be arranged so as to have heat and fall on the third sub-substrate 420 . The image sensor elements 440 may detect light emitted from a point on the second substrate 200 corresponding to a position where they are disposed. Accordingly, the third sub-substrate 420 may generate an electrical signal by sensing a position where an external pressure is applied on the first substrate 100 . The image sensor devices 440 may be CMOS image sensor devices or charge coupled devices. For example, the image sensor elements 440 may include a photo diode or a transistor.

제 3 서브 기판(420) 상에 보호층(460)이 제공될 수 있다. 보호층(460)은 제 3 서브 기판(420)의 상면 상에서 이미지 센서 소자들(440)을 덮을 수 있다. 보호층(460)의 상면은 제 2 기판(200)의 하면에 접할 수 있다. 보호층(460)은 투명 절연 물질을 포함할 수 있다.A protective layer 460 may be provided on the third sub-substrate 420 . The protective layer 460 may cover the image sensor elements 440 on the top surface of the third sub-substrate 420 . The upper surface of the protective layer 460 may be in contact with the lower surface of the second substrate 200 . The passivation layer 460 may include a transparent insulating material.

다른 실시예들에 따르면, 보호층(460)은 제공되지 않을 수 있다. 예를 들어, 도 16에 도시된 바와 같이, 제 3 서브 기판(420)은 제 2 서브 기판(220)의 하면과 직접 접할 수 있다. 이때, 이미지 센서 소자들(440)은 제 2 서브 기판(220)의 내부로 매립될 수 있다.According to other embodiments, the protective layer 460 may not be provided. For example, as shown in FIG. 16 , the third sub-substrate 420 may directly contact the lower surface of the second sub-substrate 220 . In this case, the image sensor elements 440 may be embedded in the second sub-substrate 220 .

도 17 및 도 18은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.17 and 18 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a pressure sensitive display device according to example embodiments.

도 17을 참조하여, 제 2 기판(200)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 기판(200)은 제 2 서브 기판(220) 상에 제 3 전극(240) 및 발광부(260)를 순차적으로 적층하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 17 , a second substrate 200 may be formed. For example, the second substrate 200 may be formed by sequentially stacking the third electrode 240 and the light emitting unit 260 on the second sub substrate 220 .

제 2 서브 기판(220)이 제공될 수 있다. 제 2 서브 기판(220)은 투명 기판일 수 있다. 제 2 서브 기판(220)은 투명 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 서브 기판(220)은 유리(glass), 플라스틱(plastic) 또는 엘라스토머(elastomer)를 포함할 수 있다.A second sub-substrate 220 may be provided. The second sub-substrate 220 may be a transparent substrate. The second sub-substrate 220 may include a transparent material. For example, the second sub-substrate 220 may include glass, plastic, or elastomer.

제 2 서브 기판(220) 상에 제 3 전극(240)이 형성될 수 있다. 제 3 전극(240)은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 전도성 물질은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO) 또는 산화물-금속-산화물(oxide-metal-oxide; OMO) 박막을 포함할 수 있다.A third electrode 240 may be formed on the second sub-substrate 220 . The third electrode 240 may include a transparent conductive material. For example, the transparent conductive material may include an indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or an oxide-metal-oxide (OMO) thin film. there is.

제 3 전극(240) 상에 발광부(260)가 형성될 수 있다. 상세하게는, 제 3 전극(240) 상에 정공 수송 영역(265, 도 3 참조)이 형성될 수 있다. 정공 수송 영역(265)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser induced thermal imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 정공 수송 영역(265) 상에 발광층(262, 도 3 참조)이 형성될 수 있다. 발광층(262)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 발광층(262) 상에 전자 수송 영역(268, 도 3 참조)이 형성될 수 있다. 전자 수송 영역(268)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 상기와 같이 제 3 전극(240) 상에 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(265), 발광층(262) 및 전자 수송 영역(268)을 포함하는 발광부(260)가 형성될 수 있다.The light emitting part 260 may be formed on the third electrode 240 . In detail, a hole transport region 265 (refer to FIG. 3 ) may be formed on the third electrode 240 . The hole transport region 265 may be formed using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI). can be formed by An emission layer 262 (refer to FIG. 3 ) may be formed on the hole transport region 265 . The light emitting layer 262 is formed using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), inkjet printing, laser printing, and Laser Induced Thermal Imaging (LITI). can be formed. An electron transport region 268 (refer to FIG. 3 ) may be formed on the emission layer 262 . The electron transport region 268 uses various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), inkjet printing, laser printing, and Laser Induced Thermal Imaging (LITI). can be formed by As described above, the light emitting part 260 including the hole transport region 265 , the emission layer 262 , and the electron transport region 268 sequentially stacked on the third electrode 240 may be formed.

도 18을 참조하여, 제 1 기판(100)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판(100)은 제 1 서브 기판(120) 상에 제 2 전극(160) 및 제 1 전극(140)을 순차적으로 적층하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 18 , a first substrate 100 may be formed. For example, the first substrate 100 may be formed by sequentially stacking the second electrode 160 and the first electrode 140 on the first sub-substrate 120 .

제 1 서브 기판(120)이 제공될 수 있다. 제 1 서브 기판(120)은 유연 기판일 수 있다. 제 1 서브 기판(120)은 유연성을 갖는 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 서브 기판(120)은 폴리 이미드(poly imide; PI), 폴리 에Ÿ텔 나프탈레이트(poly ethylene naphthalate; PEN), 폴리 카보네이트(poly carbonete; PC), 폴리 에테르 술폰(Poly　Ether Sulfone; PES), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly　Ethylene Terephthalate; PET), 폴리 디메틸 술폰산(Poly　Dimethyl Sulfate; PDMS) 또는 에코 플렉스(ecoflex)를 포함할 수 있다.A first sub-substrate 120 may be provided. The first sub-substrate 120 may be a flexible substrate. The first sub-substrate 120 may include an insulating material having flexibility. For example, the first sub-substrate 120 may include poly imide (PI), poly ethylene naphthalate (PEN), poly carbonate (PC), and poly ether sulfone (PEN). Poly　Ether Sulfone; PES), polyethylene terephthalate (PET), polydimethyl sulfonic acid (Poly　Dimethyl Sulfate; PDMS), or ecoflex (ecoflex) may be included.

제 1 서브 기판(120) 상에 제 2 전극(160)이 형성될 수 있다. 제 2 전극(160)은 제 1 서브 기판(120)의 일면 상에 도전 물질을 증착 또는 도포하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전 물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 타이타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 또는 PEDOT:PSS(poly 3,4-ethylenedioxythiophene:poly styrene sulfonate)과 같은 전도성 고분자를 포함할 수 있다.The second electrode 160 may be formed on the first sub-substrate 120 . The second electrode 160 may be formed by depositing or applying a conductive material on one surface of the first sub-substrate 120 . For example, the conductive material may include a metal such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Mo), or aluminum (Al) or PEDOT:PSS (poly 3,4-ethylenedioxythiophene). A conductive polymer such as polystyrene sulfonate) may be included.

제 2 전극(160) 상에 제 1 전극(140)이 형성될 수 있다. 제 1 전극(140)은 제 2 전극(160) 상에 나노 구조체 물질을 포함하는 전구체 물질을 도포한 후, 상기 전구체 물질을 경화하여 형성될 수 있다. 또는, 제 2 전극(160) 상에 상기 나노 구조체 물질을 직접 분사 또는 도포하여 제 1 전극(140)이 형성될 수 있다.The first electrode 140 may be formed on the second electrode 160 . The first electrode 140 may be formed by applying a precursor material including a nanostructure material on the second electrode 160 and then curing the precursor material. Alternatively, the first electrode 140 may be formed by directly spraying or applying the nanostructure material on the second electrode 160 .

다른 실시예에 따르면, 제 2 전극(160)은 필요에 따라 형성되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(140)은 제 1 서브 기판(120)의 일면 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 도 1의 실시예에 따른 압력 감응 표시 장치가 제조될 수 있다. 이하, 제 2 전극(160)이 형성되는 것을 기준으로 계속 설명하도록 한다.According to another embodiment, the second electrode 160 may not be formed as necessary. For example, the first electrode 140 may be formed on one surface of the first sub-substrate 120 . In this case, the pressure sensitive display device according to the embodiment of FIG. 1 may be manufactured. Hereinafter, the description will be continued based on the formation of the second electrode 160 .

제 1 기판(100) 상에 스페이서(300)가 형성될 수 있다. 스페이서(300)는 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(140) 상에 접착층을 형성한 후, 상기 접착층의 일부(320)를 제거하여 스페이서(300)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 접착층의 상기 일부(320)가 제거되는 영역은 압력 감응 표시 장치에서 외부 압력을 감지하는 센싱 영역으로 정의될 수 있다. 이와는 다르게, 스페이서(300)는 제 1 전극(140)의 일부 영역 상에 접착 테이프를 부착하여 형성될 수 있다.A spacer 300 may be formed on the first substrate 100 . The spacer 300 may be formed on the first electrode 140 of the first substrate 100 . For example, after the adhesive layer is formed on the first electrode 140 , the spacer 300 may be formed by removing a portion 320 of the adhesive layer. In this case, the region from which the part 320 of the adhesive layer is removed may be defined as a sensing region for sensing an external pressure in the pressure sensitive display device. Alternatively, the spacer 300 may be formed by attaching an adhesive tape on a partial region of the first electrode 140 .

도 2를 다시 참조하여, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)이 접합될 수 있다. 상세하게는, 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)과 제 2 기판(200)의 발광부(260)가 마주하도록 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)이 정렬될 수 있다. 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은 스페이서(300)에 의해 접착될 수 있다. 이때, 제 2 기판(200)은 제 1 기판(100)으로부터 이격되도록 제 1 기판(100)에 접착될 수 있다. 상기와 같이 도 2의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치가 제조될 수 있다.Referring back to FIG. 2 , the first substrate 100 and the second substrate 200 may be bonded. In detail, the first substrate 100 and the second substrate 200 may be aligned so that the first electrode 140 of the first substrate 100 and the light emitting part 260 of the second substrate 200 face each other. there is. The first substrate 100 and the second substrate 200 may be adhered by the spacer 300 . In this case, the second substrate 200 may be attached to the first substrate 100 so as to be spaced apart from the first substrate 100 . As described above, the pressure sensitive display device according to the exemplary embodiment of FIG. 2 may be manufactured.

도 19 및 도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.19 and 20 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a pressure sensitive display device according to example embodiments.

도 19를 참조하여, 제 3 기판(400)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 3 서브 기판(420) 상에 이미지 센서 소자들(440)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 19 , a third substrate 400 may be formed. For example, image sensor elements 440 may be formed on the third sub-substrate 420 .

제 3 서브 기판(420)이 제공될 수 있다. 제 3 서브 기판(420)은 반도체 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 3 서브 기판(420)은 벌크(bulk) 실리콘 기판, 실리콘-온-인슐레이터(silicon on insulator: SOI) 기판, 게르마늄 기판, 게르마늄-온-인슐레이터(germanium on insulator: GOI) 기판, 실리콘 게르마늄 기판, 3-5족 화합물 반도체 기판 또는 선택적 에피택셜 성장(selective epitaxial growth: SEG)을 수행하여 획득한 에피택셜 박막의 기판일 수 있다.A third sub-substrate 420 may be provided. The third sub-substrate 420 may be a semiconductor substrate. For example, the third sub-substrate 420 may include a bulk silicon substrate, a silicon-on-insulator (SOI) substrate, a germanium substrate, a germanium-on-insulator (GOI) substrate, It may be a silicon germanium substrate, a group III-V compound semiconductor substrate, or a substrate of an epitaxial thin film obtained by performing selective epitaxial growth (SEG).

제 3 서브 기판(420) 상에 이미지 센서 소자들(440)이 형성될 수 있다. 제 3 서브 기판(420)의 전면에 다수의 공정들을 수행하여 상기 다수의 이미지 센서 소자들(440)을 형성할 수 있다. 이미지 센서 소자들(440)은 트렌지스터(transistor) 또는 포토 다이오드(photo diode)를 포함할 수 있다. 이와 같은 트렌지스터 또는 포토 다이오드는 FAB(fabrication) 공정을 통해 형성될 수 있다.Image sensor elements 440 may be formed on the third sub-substrate 420 . A plurality of processes may be performed on the entire surface of the third sub-substrate 420 to form the plurality of image sensor elements 440 . The image sensor elements 440 may include a transistor or a photo diode. Such a transistor or photodiode may be formed through a fabrication (FAB) process.

도 20을 참조하여, 제 3 기판(400) 상에 제 2 기판(200)이 형성될 수 있다. 상게하게는, 제 3 서브 기판(420) 상에 제 2 서브 기판(220), 제 3 전극(240) 및 발광부(260)가 순차적으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 20 , the second substrate 200 may be formed on the third substrate 400 . For example, the second sub-substrate 220 , the third electrode 240 , and the light emitting unit 260 may be sequentially formed on the third sub-substrate 420 .

제 2 서브 기판(220)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 3 서브 기판(420) 상에 투명 절연 물질을 도포한 후, 상기 투명 절연 물질을 경화하여 제 2 서브 기판(220)이 형성될 수 있다. 상기 투명 절연 물질은 제 3 서브 기판(420) 상에서 이미지 센서 소자들(440)을 덮도록 도포될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 절연 물질은 플라스틱(plastic) 또는 엘라스토머(elastomer)를 포함할 수 있다.A second sub-substrate 220 may be formed. For example, after a transparent insulating material is coated on the third sub-substrate 420 , the second sub-substrate 220 may be formed by curing the transparent insulating material. The transparent insulating material may be applied on the third sub-substrate 420 to cover the image sensor elements 440 . For example, the transparent insulating material may include plastic or an elastomer.

제 2 서브 기판(220) 상에 제 3 전극(240) 및 발광부(260)가 형성될 수 있다. 제 3 전극(240) 및 발광부(260)의 형성 공정은 도 17을 참조하여 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다.The third electrode 240 and the light emitting part 260 may be formed on the second sub-substrate 220 . The process of forming the third electrode 240 and the light emitting part 260 may be the same as or similar to that described with reference to FIG. 17 .

도 15를 계속 참조하여, 제 2 기판(200) 상에 제 1 기판(100)이 접착될 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판(100) 및 제 1 기판(100) 상의 스페이서(300)이 형성될 수 있다. 제 1 기판(100) 및 스페이서(300)를 형성하는 공정은 도 18을 참조하여 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다. 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)이 접합될 수 있다. 상세하게는, 제 1 기판(100)의 제 1 전극(140)과 제 2 기판(200)의 발광부(260)가 마주하도록 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)이 정렬될 수 있다. 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은 스페이서(300)에 의해 접착될 수 있다. 이때, 제 2 기판(200)은 제 1 기판(100)으로부터 이격되도록 제 1 기판(100)에 접착될 수 있다. 상기와 같이 도 15의 실시예들에 따른 압력 감응 표시 장치가 제조될 수 있다.15 , the first substrate 100 may be adhered to the second substrate 200 . For example, the first substrate 100 and the spacers 300 on the first substrate 100 may be formed. Processes of forming the first substrate 100 and the spacers 300 may be the same as or similar to those described with reference to FIG. 18 . The first substrate 100 and the second substrate 200 may be bonded. In detail, the first substrate 100 and the second substrate 200 may be aligned so that the first electrode 140 of the first substrate 100 and the light emitting part 260 of the second substrate 200 face each other. there is. The first substrate 100 and the second substrate 200 may be adhered by the spacer 300 . In this case, the second substrate 200 may be attached to the first substrate 100 so as to be spaced apart from the first substrate 100 . As described above, the pressure sensitive display device according to the exemplary embodiment of FIG. 15 may be manufactured.

다른 실시예들에 따르면, 제 3 서브 기판(420) 상에 보호층(460)이 형성될 수 있다. 보호층(460)은 제 3 서브 기판(420) 상에 이미지 센서 소자들(440)을 형성한 후, 제 3 서브 기판(420) 상에서 이미지 센서 소자들(440)을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 3 서브 기판(420) 상에 이미지 센서 소자들(440)을 덮도록 투명 절연 물질을 도포한 후, 상기 투명 절연 물질을 경화시켜 보호층(460)이 형성될 수 있다. 이 경우, 도 16의 실시예에 따른 압력 감응 표시 장치가 제조될 수 있다.According to other embodiments, a protective layer 460 may be formed on the third sub-substrate 420 . The protective layer 460 may be formed to cover the image sensor elements 440 on the third sub substrate 420 after the image sensor elements 440 are formed on the third sub substrate 420 . For example, after applying a transparent insulating material to cover the image sensor elements 440 on the third sub-substrate 420 , the protective layer 460 may be formed by curing the transparent insulating material. In this case, the pressure sensitive display device according to the embodiment of FIG. 16 may be manufactured.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.In the above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can practice the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You can understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

100: 제 1 기판 120: 제 1 서브 기판
140: 제 1 전극 160: 제 2 전극
200: 제 2 기판 220: 제 2 서브 기판
240: 제 3 전극 260: 발광부
300: 스페이서 400: 제 3 기판
420: 제 3 서브 기판 440: 이미지 센서 소자
460: 보호층100: first substrate 120: first sub-substrate
140: first electrode 160: second electrode
200: second substrate 220: second sub substrate
240: third electrode 260: light emitting part
300: spacer 400: third substrate
420: third sub-board 440: image sensor element
460: protective layer

Claims (24)

감지 기판;
상기 감지 기판 상에 제공되는 반응 기판; 및
상기 감지 기판과 상기 반응 기판 사이에 제공되어, 상기 감지 기판과 상기 반응 기판을 이격시키는 스페이서들을 포함하되,
상기 감지 기판은:
유연 기판; 및
상기 반응 기판을 향하는 상기 유연 기판의 일면 상에 제공되는 터치 전극을 포함하고,
상기 반응 기판은:
투명 기판;
상기 감지 기판을 향하는 상기 투명 기판의 일면 상에 제공되는 투명 전극; 및
상기 투명 전극 상의 발광층을 포함하고,
상기 터치 전극의 전도성은 상기 유연 기판으로 멀어질수록 낮아지는 압력 감응 표시 장치.sensing substrate;
a reactive substrate provided on the sensing substrate; and
and spacers provided between the sensing substrate and the reactive substrate to space the sensing substrate and the reactive substrate;
The sensing substrate comprises:
flexible substrate; and
A touch electrode provided on one surface of the flexible substrate facing the reactive substrate,
The reaction substrate is:
transparent substrate;
a transparent electrode provided on one surface of the transparent substrate facing the sensing substrate; and
a light emitting layer on the transparent electrode;
The conductivity of the touch electrode decreases as it moves away from the flexible substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 기판은 외부 압력에 의해 상기 터치 전극이 상기 발광층과 접촉하도록 변형되고,
상기 발광층은 상기 터치 전극과의 접촉에 의해 발광되는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The sensing substrate is deformed such that the touch electrode is in contact with the light emitting layer by an external pressure;
The light emitting layer emits light by contact with the touch electrode. 제 2 항에 있어서,
상기 터치 전극과 상기 발광층의 접촉 영역은 상기 발광층의 발광 영역과 실질적으로 동일한 압력 감응 표시 장치.3. The method of claim 2,
A contact area between the touch electrode and the light emitting layer is substantially the same as a light emitting area of the light emitting layer. 제 1 항에 있어서,
상기 터치 전극은 유연성을 갖는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The touch electrode is a pressure-sensitive display device having flexibility. 제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판과 상기 터치 전극 사이에 제공되는 중간 전극을 더 포함하는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The pressure sensitive display device further comprising an intermediate electrode provided between the flexible substrate and the touch electrode. 제 5 항에 있어서,
상기 중간 전극의 비저항은 상기 터치 전극의 비저항보다 큰 압력 감응 표시 장치.6. The method of claim 5,
A resistivity of the middle electrode is greater than a resistivity of the touch electrode. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 스페이서들은 상기 반응 기판의 상면에 평행한 일 방향으로 연장되는 라인 형상을 갖되,
상기 스페이서들은 평면적으로 스트라이프(stripe) 형상 또는 상기 반응 기판의 외각부 상에 제공되는 오픈 링(open ring) 형상으로 배열되는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The spacers have a line shape extending in one direction parallel to the upper surface of the reaction substrate,
The spacers are planarly arranged in a stripe shape or an open ring shape provided on an outer portion of the reaction substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 스페이서들은 상기 반응 기판의 상면으로부터 상기 감지 기판의 하면으로 연장되는 기둥 형상을 갖되,
상기 스페이서들은 평면적 관점에서 상기 반응 기판의 상기 상면에 평행한 오와 열을 갖도록 배열되는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The spacers have a pillar shape extending from the upper surface of the reaction substrate to the lower surface of the sensing substrate,
The spacers are arranged to have rows and columns parallel to the upper surface of the reaction substrate in a plan view. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 기판의 두께는 1um 내지 20um인 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
A thickness of the sensing substrate is in a range of 1um to 20um. 제 1 항에 있어서,
상기 터치 전극은 나노 와이어(nano wire), 나노 섬유(nano fiber), 나노 파티클(nano porticale), 그래핀(graphene) 또는 나노 튜브(nano tube)를 포함하는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The touch electrode is a pressure sensitive display device including a nano wire, a nano fiber, a nano particle, graphene, or a nano tube. 제 11 항에 있어서,
상기 터치 전극은 전도성 물질의 나노 구조체와 비전도성 물질의 나노 구조체가 혼합된 복합체를 포함하는 압력 감응 표시 장치.12. The method of claim 11,
The touch electrode is a pressure-sensitive display device including a composite in which a nano-structure of a conductive material and a nano-structure of a non-conductive material are mixed. 제 1 항에 있어서,
상기 발광층은 유기 발광 물질, 양자 점(quantum dot) 물질 또는 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함하는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The light emitting layer includes an organic light emitting material, a quantum dot material, or a perovskite material. 제 1 항에 있어서,
상기 터치 전극을 향하는 상기 발광층의 제 1 면 상에 제공되는 전하 주입층, 또는
상기 투명 전극을 향하는 상기 발광층의 제 2 면 상에 제공되는 정공 주입층을 더 포함하는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
a charge injection layer provided on the first surface of the light emitting layer facing the touch electrode, or
and a hole injection layer provided on a second surface of the light emitting layer facing the transparent electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 기판의 아래에 제공되는 포토 다이오드(photo diode) 또는 트렌지스터(transistor)를 포함하는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
and a photo diode or transistor provided under the sensing substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 스페이서는 비전도성 접착 물질을 포함하고,
상기 터치 전극은 상기 스페이서에 의해 상기 발광층과 이격되어 고정되는 압력 감응 표시 장치.The method of claim 1,
The spacer comprises a non-conductive adhesive material;
The touch electrode is fixed to be spaced apart from the light emitting layer by the spacer. 투명성의 제 1 기판;
상기 제 1 기판 상의 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상의 발광층; 및
상기 발광층 상에서 상기 발광층과 이격되어 배치되는 제 2 전극을 포함하되,
상기 제 2 전극은 유연성 도전 물질을 포함하고,
상기 제 2 전극은 외부 압력에 의해 변형되어 상기 발광층에 접촉되고, 상기 제 2 전극과 접촉된 상기 발광층의 일부는 발광되고,
상기 제 2 전극의 전도성은 상기 발광층을 향할수록 낮아지는 압력 감응 표시 장치.a transparent first substrate;
a first electrode on the first substrate;
a light emitting layer on the first electrode; and
A second electrode disposed on the light emitting layer to be spaced apart from the light emitting layer,
The second electrode comprises a flexible conductive material,
The second electrode is deformed by an external pressure to contact the light emitting layer, and a portion of the light emitting layer in contact with the second electrode emits light,
The conductivity of the second electrode decreases toward the emission layer. 제 17 항에 있어서,
상기 발광층과 상기 제 2 전극 사이의 공간을 정의하는 스페이서들을 더 포함하는 압력 감응 표시 장치.18. The method of claim 17,
The pressure sensitive display device further comprising spacers defining a space between the light emitting layer and the second electrode. 제 18 항에 있어서,
상기 스페이서들은 상기 제 1 기판의 상면에 평행한 일 방향으로 연장되는 라인 형상을 갖되,
상기 스페이서들은 평면적으로 스트라이프(stripe) 형상 또는 상기 제 1 기판의 외각부 상에 제공되는 오픈 링(open ring) 형상으로 배열되는 압력 감응 표시 장치.19. The method of claim 18,
The spacers have a line shape extending in one direction parallel to the upper surface of the first substrate,
The spacers are planarly arranged in a stripe shape or an open ring shape provided on an outer portion of the first substrate. 제 18 항에 있어서,
상기 스페이서들은 상기 제 1 기판의 상면으로부터 상기 제 2 전극의 하면으로 연장되는 기둥 형상을 갖되,
상기 스페이서들은 평면적으로 상기 제 1 기판의 상면에 평행한 오와 열을 갖도록 배열되는 압력 감응 표시 장치.19. The method of claim 18,
The spacers have a pillar shape extending from the upper surface of the first substrate to the lower surface of the second electrode,
The spacers are arranged so as to have vertical rows and rows parallel to the top surface of the first substrate in a plan view. 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 기판 상에 제공되는 제 3 전극을 더 포함하되,
상기 제 3 전극의 비저항은 상기 제 2 전극의 비저항보다 큰 압력 감응 표시 장치.18. The method of claim 17,
Further comprising a third electrode provided on the second substrate,
A resistivity of the third electrode is greater than a resistivity of the second electrode. 삭제delete 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 전극 상에 배치되는 제 2 기판을 더 포함하되,
상기 제 2 기판은 유연 기판을 포함하고,
상기 제 2 기판은 상기 외부 압력이 인가되었을 때, 상기 제 2 전극과 함께 변형되는 압력 감응 표시 장치.18. The method of claim 17,
Further comprising a second substrate disposed on the second electrode,
The second substrate includes a flexible substrate,
The second substrate is deformed together with the second electrode when the external pressure is applied. 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 전극을 향하는 상기 발광층의 제 1 면 상에 제공되는 전하 주입층, 또는
상기 제 1 전극을 향하는 상기 발광층의 제 2 면 상에 제공되는 정공 주입층을 더 포함하는 압력 감응 표시 장치.
18. The method of claim 17,
a charge injection layer provided on the first side of the light emitting layer facing the second electrode, or
and a hole injection layer provided on a second surface of the light emitting layer facing the first electrode.
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