KR102391759B1 - 유기막 형성 장치 - Google Patents

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Abstract

실시형태에 따른 유기막 형성 장치는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과, 상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부를 구비하고 있다. 상기 처리실에는, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 상부 가열부와, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 가열부와 상기 하부 가열부 사이에 지지 가능한 워크 지지부가 설치되어 있다. 상기 처리실은, 상기 챔버에 연통(連通)된 공간을 갖고 있다. 상기 배기부는, 상기 챔버의 내부의 압력을 감압하고, 상기 챔버의 내벽과 상기 커버 사이의 공간의 압력을 감압한다.

Description

유기막 형성 장치
본 발명의 실시형태는, 유기막 형성 장치에 관한 것이다.
유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판 위에 도포하고, 이것을 가열함으로써 기판 위에 유기막을 형성하는 기술이 있다. 예컨대, 액정 표시 패널의 제조에 있어서는, 투명 기판 위에 설치된 투명 전극 등의 표면에 폴리아미드산을 포함하는 바니시를 도포하고, 이미드화시켜 폴리이미드막을 형성하며, 얻어진 막을 러빙 처리하여 배향막을 형성하고 있다. 이때, 폴리아미드산을 포함하는 바니시가 도포된 기판을 가열하여 폴리아미드산을 이미드화하고 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조). 또한, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판을 가열하여 용매를 증발시켜, 기판 위에 유기막을 형성하는 것도 행해지고 있다.
유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판 위에 도포하고, 이것을 가열하여 유기막을 형성할 때에는, 100℃∼600℃ 정도의 매우 높은 온도에서의 처리가 필요해지는 경우가 있다.
이러한 경우에, 기판을 향해 방사된 열이, 가열을 행하는 처리실의 외부로 방출되면 축열 효율이 나빠진다. 축열 효율이 나빠지면, 처리실의 외부로 방출되는 열을 보충하기 위해서, 처리에 필요해지는 온도 이상의 가열을 행할 필요가 생겨, 가열부에 인가하는 전력이 증대하게 된다. 또한, 급격한 온도 상승을 필요로 하는 처리의 경우, 원하는 온도 상승이 얻어지지 않을 가능성이 있다.
그래서, 열손실이 적고 축열 효율이 높은 가열 기술의 개발이 요망되고 있었다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-115813호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판에 대해 열손실이 적고 축열 효율이 높은 가열을 행하여, 유기막을 형성할 수 있는 유기막 형성 장치를 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 유기막 형성 장치는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과, 상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부를 구비하고 있다. 상기 처리실에는, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 상부 가열부와, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 가열부와 상기 하부 가열부 사이에 지지 가능한 워크 지지부가 설치되어 있다. 상기 처리실은, 상기 챔버에 연통(連通)된 공간을 갖고 있다. 상기 배기부는, 상기 챔버의 내부의 압력을 감압하고, 상기 챔버의 내벽과 상기 커버 사이의 공간의 압력을 감압한다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판에 대해 열손실이 적고 축열 효율이 높은 가열을 행하여, 유기막을 형성할 수 있는 유기막 형성 장치가 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2의 (a)는 상부 균열판(均熱板)의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다. 도 2의 (b)는 하부 균열판의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 3의 (a)는 균열판 지지부를 예시하기 위한 모식 사시도이다. 도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 있어서의 A부의 모식 확대도이다.
도 4는 측부 균열판의 지지를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치의 구체예를 예시하기 위한 모식도이다.
도 6은 도 5에 있어서의 A-A선 단면도이다.
도 7은 챔버 내부에서 본, 개폐 도어에 부착한 측부 균열판을 예시하기 위한 모식도이다.
도 8은 측부 균열판 및 커버와 이격되어 설치된 히터를 예시하기 위한 모식도이고, 도 5에 있어서 파선(P)으로 둘러싼 부분의 확대도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해 예시한다. 한편, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절히 생략한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
한편, 도 1 중의 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향은, 서로 직교하는 3방향을 나타내고 있다. 본 명세서에 있어서의 상하 방향은, Z 방향으로 할 수 있다.
도 1 및 도 5에 도시된 바와 같이, 유기막 형성 장치(1)에는, 챔버(10), 배기부(20), 처리부(30), 및 제어부(40)가 설치되어 있다.
챔버(10)는, 상자형을 나타내고 있다. 챔버(10)는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(10)의 외관 형상에는 특별히 한정은 없다. 챔버(10)의 외관 형상은, 예컨대, 직육면체로 할 수 있다. 챔버(10)는, 예컨대, 스테인리스 등의 금속으로 형성할 수 있다.
챔버(10)의 한쪽의 단부에는 플랜지(11)를 설치할 수 있다. 플랜지(11)에는, O링 등의 시일재(12)를 설치할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(11)가 설치되는 측의 개구는, 개폐 도어(13)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 도시하지 않은 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)[시일재(12)]에 밀어붙여짐으로써, 챔버(10)의 개구가 기밀해지도록 폐쇄된다. 도시하지 않은 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)로부터 이격됨으로써, 챔버(10)의 개구를 통한 워크(100)의 반입 또는 반출이 가능해진다.
챔버(10)의 다른쪽의 단부에는 플랜지(14)를 설치할 수 있다. 플랜지(14)에는, O링 등의 시일재(12)를 설치할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(14)가 설치되는 측의 개구는, 덮개(15)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 예컨대, 덮개(15)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 플랜지(14)에 착탈 가능하게 설치할 수 있다. 메인터넌스 등을 행할 때에는, 덮개(15)를 떼어냄으로써, 챔버(10)의, 플랜지(14)가 설치되는 측의 개구를 노출시킨다.
챔버(10)의 외벽에는 냉각부(16)를 설치할 수 있다. 냉각부(16)에는, 도시하지 않은 냉각수 공급부가 접속되어 있다. 냉각부(16)는, 예컨대, 워터 재킷(Water Jacket)으로 할 수 있다. 냉각부(16)가 설치되어 있으면, 챔버(10)의 외벽 온도가 미리 정해진 온도보다 높아지는 것을 억제할 수 있다.
배기부(20)는, 챔버(10)의 내부를 배기한다. 배기부(20)는, 제1 배기부(21)와, 제2 배기부(22)를 갖는다.
제1 배기부(21)는, 챔버(10)의 바닥면에 형성된 배기구(17)에 접속되어 있다.
제1 배기부(21)는, 배기 펌프(21a)와, 압력 제어부(21b)를 갖는다.
배기 펌프(21a)는, 예컨대, 드라이 진공 펌프 등으로 할 수 있다.
압력 제어부(21b)는, 배기구(17)와 배기 펌프(21a) 사이에 설치되어 있다.
압력 제어부(21b)는, 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않은 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 미리 정해진 압력이 되도록 제어한다.
압력 제어부(21b)는, 예컨대, APC(Auto Pressure Controller) 등으로 할 수 있다.
제2 배기부(22)는, 챔버(10)의 바닥면에 형성된 배기구(18)에 접속되어 있다.
제2 배기부(22)는, 배기 펌프(22a)와, 압력 제어부(22b)를 갖는다.
배기 펌프(22a)는, 예컨대, 터보 분자 펌프(TMP: Turbo Molecular Pump) 등으로 할 수 있다. 제2 배기부(22)는, 고진공의 분자류(分子流) 영역까지 배기 가능한 배기 능력을 갖는다.
압력 제어부(22b)는, 배기구(18)와 배기 펌프(22a) 사이에 설치되어 있다.
압력 제어부(22b)는, 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않은 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 미리 정해진 압력이 되도록 제어한다.
압력 제어부(22b)는, 예컨대, APC 등으로 할 수 있다.
챔버(10)의 내부를 감압하는 경우에는, 먼저, 제1 배기부(21)에 의해 챔버(10)의 내압이 10 pa 정도가 되도록 한다. 다음으로, 제2 배기부(22)에 의해 챔버(10)의 내압이 10 pa∼1×10-2 pa 정도가 되도록 한다. 이와 같이 하면, 원하는 압력까지 감압하는 데 필요해지는 시간을 짧게 할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 배기부(21)는, 대기압으로부터 미리 정해진 내압까지 러핑(roughing) 배기를 행하는 배기 펌프이다. 따라서, 제1 배기부(21)는 배기량이 많다. 또한, 제2 배기부(22)는, 러핑 배기 완료 후, 더욱 낮은 미리 정해진 내압까지 배기를 행하는 배기 펌프이다. 적어도 제1 배기부(21)에서 배기가 개시된 후, 후술하는 가열부(32)에 전력을 인가하여, 가열을 개시할 수 있다.
제1 배기부(21)에 접속된 배기구(17) 및 제2 배기부(22)에 접속된 배기구(18)는, 챔버(10)의 바닥면에 배치되어 있다. 이에 의해, 챔버(10) 내 및 처리부(30) 내에 챔버(10)의 바닥면으로 향하는 다운플로우의 기류를 형성할 수 있다. 그 결과, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 워크(100)를 가열함으로써 발생하는, 유기 재료가 포함된 승화물이 다운플로우의 기류를 타고 챔버(10) 밖으로 배출되기 쉬워진다.
이에 의해, 워크(100)에 승화물이 재부착되지 않고 유기막을 형성할 수 있다.
또한, 배기량이 많은 제1 배기부(21)에 접속된 배기구(17)가 챔버(10)의 바닥면의 중심 부분에 배치되어 있으면, 챔버(10)를 평면에서 봤을 때, 챔버(10)의 중심 부분으로 향하는 균일한 기류를 형성할 수 있다. 이에 의해 기류의 흐름의 치우침에 의한 승화물의 체류가 발생하지 않고 승화물을 배출할 수 있다. 그 때문에, 워크(100)에 승화물이 재부착되지 않고 유기막을 형성할 수 있다.
여기서, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판 위에 도포하고, 이것을 가열하여 유기막을 형성할 때에는, 100℃∼600℃ 정도의 매우 높은 온도에서의 처리가 필요해지는 경우가 있다.
이러한 경우에, 기판을 향해 방사된 열이, 가열을 행하는 처리실의 외부로 방출되면 축열 효율이 나빠진다. 축열 효율이 나빠지면, 처리실의 외부로 방출되는 열을 보충하기 위해서, 처리에 필요해지는 온도 이상의 가열을 행할 필요가 생겨, 가열부에 인가하는 전력이 증대하게 된다. 또한, 급격한 온도 상승을 필요로 하는 처리의 경우, 원하는 온도 상승이 얻어지지 않을 가능성이 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에 있어서는, 처리부(30)[처리실(30a, 30b)]는, 챔버(10)의 내부에 설치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 처리실(30a, 30b)은 커버(36)에 의해 둘러싸여 있다. 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이에는 공간이 형성되어 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)는, 챔버(10)와 처리부(30)[처리실(30a, 30b)]에 의한 이중 구조로 되어 있다.
또한, 처리부(30)[처리실(30a, 30b)] 내의 공간은 챔버(10) 내의 공간에 연통된 공간으로 되어 있다. 그 때문에, 처리부(30)에 있어서 워크(100)를 가열할 때에는, 처리실(30a, 30b) 내의 공간과 함께 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간의 압력이 감압된다. 그 때문에, 처리부(30)가 챔버(10)의 내부에 설치되어 있으면, 처리부(30)로부터 외부로 방출되는 열을 억제할 수 있다. 그 결과, 방출되는 열을 보충하기 위해서 한층 더한 가열을 행할 필요가 없기 때문에, 가열부(32)에 인가하는 전력을 저감시킬 수 있다. 또한, 히터(32a)(제1∼제3 히터의 일례에 상당함)의 온도가 미리 정해진 온도 이상이 되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 히터(32a)의 수명을 길게 할 수 있다.
또한, 축열 효율이 향상되기 때문에, 급격한 온도 상승을 필요로 하는 처리여도 원하는 온도 상승을 얻을 수 있다. 또한, 챔버(10)의 외벽의 온도가 높아지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 냉각부(16)를 간이한 것으로 할 수 있다.
즉, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에 의하면, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판에 대해 열손실이 적고 축열 효율이 높은 가열을 행하여, 유기막을 형성할 수 있다.
또한, 챔버(10)의 내부에는 다운플로우의 기류가 형성되어 있기 때문에, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 워크(100)를 가열했을 때에 발생한, 유기 재료가 포함된 증기는 기류의 흐름을 타고 챔버(10)의 바닥부로 향한다. 따라서, 유기 재료가 포함된 증기가 챔버(10)의 내부로 확산되어 부착되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 메인터넌스(청소)가 용이해진다.
워크(100)는, 기판과, 기판의 상면에 도포된 용액을 갖는다.
기판은, 예컨대, 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등으로 할 수 있다. 단, 기판은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니다.
용액은, 유기 재료와 용제를 포함하고 있다. 유기 재료는, 용제에 의해 용해가 가능한 것이면 특별히 한정은 없다. 용액은, 예컨대, 폴리아미드산을 포함하는 바니시 등으로 할 수 있다. 단, 용액은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니다.
도 1, 도 5, 도 6에 도시된 바와 같이, 처리부(30)는, 프레임(31), 가열부(32), 워크 지지부(33), 균열부(34), 균열판 지지부(35), 및 커버(36)를 갖는다.
처리부(30)는, 처리실(30a)과, 처리실(30b)을 갖는다. 처리실(30b)은, 처리실(30a)의 상방에 설치되어 있다. 한편, 2개의 처리실이 설치되는 경우를 예시하였으나 이것에 한정되는 것은 아니다. 하나의 처리실만이 설치되도록 할 수도 있다. 또한, 3개 이상의 처리실이 설치되도록 할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서는, 일례로서, 2개의 처리실이 설치되는 경우를 예시하지만, 하나의 처리실, 및 3개 이상의 처리실이 설치되는 경우도 마찬가지로 생각할 수 있다.
프레임(31)은, 가늘고 긴 판재나 형강(形鋼) 등을 포함하는 골조 구조를 갖고 있다. 프레임(31)의 외관 형상은, 챔버(10)의 외관 형상과 동일하게 할 수 있다. 프레임(31)의 외관 형상은, 예컨대, 직육면체로 할 수 있다.
가열부(32)는, 복수개 설치되어 있다. 가열부(32)는, 처리실(30a, 30b)의 하부, 및 처리실(30a, 30b)의 상부에 설치할 수 있다. 처리실(30a, 30b)의 하부에 설치된 가열부(32)는, 하부 가열부가 된다. 처리실(30a, 30b)의 상부에 설치된 가열부(32)는, 상부 가열부가 된다. 하부 가열부는, 상부 가열부와 대향하고 있다. 한편, 복수의 처리실이 상하 방향으로 겹쳐 설치되는 경우에는, 하측의 처리실에 설치된 상부 가열부는, 상측의 처리실에 설치된 하부 가열부와 겸용으로 할 수 있다.
예컨대, 처리실(30a)에 배치된 워크(100)의 하면(이면)은, 처리실(30a)의 하부에 설치된 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리실(30a)에 배치된 워크(100)의 상면은, 처리실(30a)과 처리실(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다.
처리실(30b)에 배치된 워크(100)의 하면(이면)은, 처리실(30a)과 처리실(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리실(30b)에 배치된 워크(100)의 상면은, 처리실(30b)의 상부에 설치된 가열부(32)에 의해 가열된다.
그 때문에, 가열부(32)의 수를 줄일 수 있기 때문에 소비 전력의 저감, 제조 비용의 저감, 공간 절약화 등을 도모할 수 있다.
복수의 가열부(32)의 각각은, 적어도 하나의 히터(32a)와, 한 쌍의 홀더(32b)를 갖는다. 한편, 이하에 있어서는, 복수의 히터(32a)가 설치되는 경우를 설명한다. 한 쌍의 홀더(32b)는, 처리실(30a, 30b)의 길이 방향(도 1 중의 X 방향)으로 연장되도록 설치되어 있다.
히터(32a)는, 막대형을 나타내고, 한 쌍의 홀더(32b) 사이를 Y 방향으로 연장되도록 설치되어 있다.
복수의 히터(32a)는, 홀더(32b)가 연장되는 방향으로 나란히 설치할 수 있다. 예컨대, 복수의 히터(32a)는, 처리실(30a, 30b)의 길이 방향(도 1 중의 X 방향)으로 나란히 설치할 수 있다. 히터(32a)는, 그 길이 방향이, 챔버(10)의 개구부를 향해 연장되는 방향(도 1 중의 Y 방향)과 평행하게 되도록 배치되어 있다. 이에 의해, 챔버(10)의 개구로부터 복수의 히터(32a)를 인출하여 용이하게 취출할 수 있고, 히터(32a)의 메인터넌스성이 향상된다.
복수의 히터(32a)는, 등간격으로 설치하는 것이 바람직하다. 히터(32a)는, 예컨대, 시즈 히터, 원적외선 히터, 원적외선 램프, 세라믹 히터, 카트리지 히터 등으로 할 수 있다. 또한, 각종 히터를 석영 커버로 덮을 수도 있다. 본 명세서에 있어서는, 석영 커버로 덮여진 각종 히터도 포함하여 「막대형의 히터」라고 칭한다.
한편, 카트리지 히터와 같이, 복수의 히터(32a)의 단부 부근으로부터 배선이 신장하고 있는 것과 같은 경우에는, 챔버(10) 내의 복수의 히터(32a)의 단부 근방에 메인터넌스하는 공간과 처리실을 격리하는 벽을 설치할 수 있다.
단, 히터(32a)는, 예시한 것에 한정되는 것은 아니다. 히터(32a)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 워크(100)를 가열할 수 있는 것이면 된다. 즉, 히터(32a)는, 방사에 의한 열에너지를 이용한 것이면 된다.
상부 가열부 및 하부 가열부에 있어서의 복수의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 가열하는 용액의 조성(용액의 가열 온도), 워크(100)의 크기 등에 따라 적절히 결정할 수 있다. 복수의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 시뮬레이션이나 실험 등을 행함으로써 적절히 결정할 수 있다. 또한 「막대형을 나타낸다」란, 단면 형상은 한정되지 않고 원기둥형, 각형 등도 포함된다.
전술한 바와 같이, 워크(100)는 상부 가열부와 하부 가열부에 의해 가열된다. 환언하면, 워크(100)는 상부 가열부와 하부 가열부에 의해 구획된 공간에 있어서 워크(100)의 양면측을 구획하는 부재에 의해 가열되고 있다. 여기서, 용액을 가열할 때에 발생하는 승화물을 포함하는 증기는, 가열 대상인 워크(100)의 온도보다 온도가 낮은 개소에 부착되기 쉽다. 그러나, 워크(100)의 양면측을 구획하는 부재가 가열되어 있음으로써, 승화한 유기물이 워크(100)의 양면측의 부재에 부착되지 않고, 전술한 다운플로우의 기류를 타고 챔버(10) 밖으로 배출된다. 그 결과, 승화물이 워크(100)에 재부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 워크(100)의 양면측으로부터 가열을 행함으로써 고온 가열이 가능해진다.
즉, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)는, 챔버(10)와 커버(36)로 둘러싸이는 처리부(30)[처리실(30a, 30b)]에 의한 이중 구조를 갖고, 처리부(30)에 상부 가열부와 하부 가열부를 설치함으로써 워크(100)의 양면측으로부터 가열을 행한다. 이에 의해, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판에 대해 열손실이 적고 축열 효율이 높은 가열을 행하여, 승화물이 재부착되지 않고 유기막을 형성할 수 있다.
한 쌍의 홀더(32b)는, 복수의 히터(32a)가 늘어서는 방향과 직교하는 방향에 있어서, 서로 대치하여 설치되어 있다. 한쪽의 홀더(32b)는, 프레임(31)의 개폐 도어(13)측의 단부면에 고정되어 있다. 다른쪽의 홀더(32b)는, 프레임(31)의 개폐 도어(13)측과는 반대측의 단부면에 고정되어 있다. 한 쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 프레임(31)에 고정할 수 있다. 한 쌍의 홀더(32b)는, 히터(32a)의 단부 근방의 비발열부를 유지한다. 한 쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 가늘고 긴 금속의 판재나 형강 등으로 형성할 수 있다. 한 쌍의 홀더(32b)의 재료에는 특별히 한정은 없으나, 내열성과 내식성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 한 쌍의 홀더(32b)의 재료는, 예컨대, 스테인리스 등으로 할 수 있다.
워크 지지부(33)는, 상부 가열부와 하부 가열부 사이에 워크(100)를 지지한다. 워크 지지부(33)는, 복수개 설치할 수 있다. 복수의 워크 지지부(33)는, 처리실(30a)의 하부, 및 처리실(30b)의 하부에 설치되어 있다. 복수의 워크 지지부(33)는, 막대형체로 할 수 있다.
복수의 워크 지지부(33)의 한쪽의 단부(도 1에 있어서의 상방의 단부)는, 워크(100)의 하면(이면)에 접촉한다. 그 때문에, 복수의 워크 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상은, 반구형 등으로 하는 것이 바람직하다. 복수의 워크 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상이 반구형이면, 워크(100)의 하면에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 워크(100)의 하면과 복수의 워크 지지부(33)의 접촉 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 워크(100)로부터 복수의 워크 지지부(33)에 전해지는 열을 적게 할 수 있다.
전술한 바와 같이, 워크(100)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 방사에 의한 열에너지에 의해 가열된다. 따라서, 복수의 워크 지지부(33)는, 상부 가열부로부터 워크(100)의 상면까지의 거리, 및 하부 가열부로부터 워크(100)의 하면까지의 거리가, 워크(100)의 가열을 행하는 것이 가능한 거리가 되도록, 워크(100)를 지지한다.
한편, 이 거리는, 가열부(32)로부터 워크(100)에 방사에 의해 열에너지가 도달하는 거리이다.
복수의 워크 지지부(33)의 다른쪽의 단부(도 1에 있어서의 하방의 단부)는, 처리부(30)의 양측의 측부의 한 쌍의 프레임(31) 사이에 가설된 복수의 막대형 부재 또는 판형 부재 등에 고정할 수 있다. 이 경우, 복수의 워크 지지부(33)가 착탈 가능하게 설치되어 있으면, 메인터넌스 등의 작업이 용이해진다. 예컨대, 워크 지지부(33)의 다른쪽의 단부에 수나사를 형성하고, 프레임(31) 등에 암나사를 형성할 수 있다.
또한, 예컨대, 복수의 워크 지지부(33)는, 처리부(30)의 양측의 측부의 프레임(31) 사이에 가설된 복수의 막대형 부재 또는 판형 부재 등에 고정되지 않고 배치되는 것만으로도 좋다. 예컨대, 이 막대형 부재 또는 판형 부재에는 복수의 구멍이 형성되어 있고, 복수의 워크 지지부(33)를 이 구멍에 삽입함으로써, 복수의 워크 지지부(33)가 막대형 부재 또는 판형 부재에 유지되도록 할 수 있다. 한편, 구멍의 직경은, 워크 지지부(33)가 열팽창해도 허용할 수 있는 것으로 할 수 있다. 이 경우, 구멍의 직경은, 워크 지지부(33)와 구멍의 내벽 사이의 공기가 열에 의해 팽창해도 공기가 빠져나갈 수 있을 정도로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 구멍 중의 공기가 열팽창해도 워크 지지부(33)가 압출되지 않도록 할 수 있다.
복수의 워크 지지부(33)의 수, 배치, 간격 등은, 워크(100)의 크기나 강성(휘어짐) 등에 따라 적절히 변경할 수 있다. 복수의 워크 지지부(33)의 수, 배치, 간격 등은, 시뮬레이션이나 실험 등을 행함으로써 적절히 결정할 수 있다.
복수의 워크 지지부(33)의 재료에는 특별히 한정은 없으나, 내열성과 내식성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 복수의 워크 지지부(33)의 재료는, 예컨대, 스테인리스 등으로 할 수 있다.
또한, 복수의 워크 지지부(33)의, 적어도 워크(100)에 접촉하는 단부를 열전도율이 낮은 재료로 형성할 수 있다. 이 경우, 열전도율이 낮은 재료는, 예컨대, 세라믹으로 할 수 있다. 특히 세라믹 중에서도 20℃에 있어서의 열전도율이 32 W/(m·k) 이하인 재료로 하는 것이 바람직하다. 세라믹은, 예컨대 알루미나(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 지르코니아(Zr2) 등으로 할 수 있다.
균열부(34)는, 복수의 상부 균열판(34a), 복수의 하부 균열판(34b), 복수의 측부 균열판(34c), 및 복수의 측부 균열판(34d)을 갖는다. 복수의 상부 균열판(34a), 복수의 하부 균열판(34b), 복수의 측부 균열판(34c), 및 복수의 측부 균열판(34d)은, 판형을 나타내고 있다.
복수의 상부 균열판(34a)은, 상부 가열부의 하부 가열부측[워크(100)측]에 설치되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)은, 복수의 히터(32a)와 이격되어 설치되어 있다. 즉, 복수의 상부 균열판(34a)의 상측 표면과 복수의 히터(32a)의 하측 표면 사이에는 간극이 형성되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)은, 복수의 히터(32a)가 늘어서는 방향(도 1 중의 X 방향)으로 나란히 설치되어 있다.
복수의 하부 균열판(34b)은, 하부 가열부의 상부 가열부측[워크(100)측]에 설치되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)은, 복수의 히터(32a)와 이격되어 설치되어 있다. 즉, 복수의 하부 균열판(34b)의 하측 표면과 복수의 히터(32a)의 상측 표면 사이에는 간극이 형성되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)은, 복수의 히터(32a)가 늘어서는 방향(도 1 중의 X 방향)으로 나란히 설치되어 있다.
측부 균열판(34c)은, 복수의 히터(32a)가 늘어서는 방향에 있어서, 처리실(30a, 30b)의 양측(도 1의 X 방향)의 측부의 각각에 설치되어 있다. 측부 균열판(34c)은, 커버(36)의 내측에 설치할 수 있다. 또한, 측부 균열판(34c)과 커버(36) 사이에, 측부 균열판(34c) 및 커버(36)와 이격되어 설치된 적어도 하나의 히터(32a)를 설치할 수도 있다(도 8 참조).
측부 균열판(34d)은, 복수의 히터(32a)가 늘어서는 방향과 직교하는 방향에 있어서, 처리실의 양측(도 1의 Y 방향)의 측부의 각각에 설치되어 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 측부 균열판(34d)은 개폐 도어(13) 및 덮개(15)에 설치되고, 개폐 도어(13) 및 덮개(15)를 닫았을 때에, 챔버(10)[각 처리실(30a, 30b)]의 개구가 측부 균열판(34d)에 의해 덮여진다.
이렇게 해서, 처리실(30a, 30b)은, 복수의 상부 균열판(34a), 복수의 하부 균열판(34b), 복수의 측부 균열판(34c), 및 복수의 측부 균열판(34d)에 의해 전방위가 둘러싸여 있다. 또한, 이들의 외측을 커버(36)가 둘러싸고 있다.
전술한 바와 같이, 복수의 히터(32a)는, 막대형을 나타내고, 미리 정해진 간격을 두고 나란히 설치되어 있다. 히터(32a)가 막대형인 경우, 히터(32a)의 중심축으로부터 방사형으로 열이 방사된다. 이 경우, 히터(32a)의 중심축과 가열되는 부분 사이의 거리가 짧아질수록 가열되는 부분의 온도가 높아진다. 그 때문에, 복수의 히터(32a)에 대해 대향하도록 워크(100)가 유지되었을 때, 히터(32a) 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)에 있어서의 영역은, 복수의 히터(32a)끼리의 사이의 공간 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)의 영역보다 온도가 높아진다. 즉, 막대형을 나타내는 복수의 히터(32a)를 이용하여 워크(100)를 직접 가열하면, 가열된 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생한다.
워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생하면, 형성된 유기막의 품질이 저하될 우려가 있다. 예컨대, 온도가 높아진 부분에 거품이 발생하거나, 온도가 높아진 부분에 있어서 유기막의 조성이 변화하거나 할 우려가 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에는, 전술한 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 설치되어 있다. 복수의 히터(32a)로부터 방사된 열은, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)에 입사하고, 이들의 내부를 면 방향으로 전파하면서 워크(100)를 향해 방사된다. 그 때문에, 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 나아가서는 형성된 유기막의 품질을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에 의하면 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판을 균일하게 가열하여, 기판 면내 균일하게 유기막을 형성할 수 있다.
이 경우, 히터(32a)의 표면과 바로 아래에 있는 상부 균열판(34a) 사이의 거리, 및 히터(32a)의 표면과 바로 위에 있는 하부 균열판(34b) 사이의 거리를 지나치게 짧게 하면, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 불균일한 온도 분포가 발생하고, 나아가서는 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생할 우려가 있다. 또한, 이들의 거리를 지나치게 길게 하면, 워크(100)의 온도 상승이 늦어질 우려가 있다. 본 발명자들이 얻은 지견에 의하면, 이들의 거리는, 20 ㎜ 이상, 100 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 히터(32a)의 표면과 바로 아래에 있는 상부 균열판(34a) 사이의 거리, 및 히터(32a)의 표면과 바로 위에 있는 하부 균열판(34b) 사이의 거리를 동일하게 하면, 상부 가열부와 하부 가열부로부터 워크(100)에 방사되는 열을 균일하게 할 수 있다.
복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 재료는, 열전도율이 높은 재료로 하는 것이 바람직하다. 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)은, 예컨대, 알루미늄, 구리, 및 스테인리스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
여기서, 워크(100)는, 대기압보다 감압된 분위기 중에서 가열되기 때문에, 워크(100)의 가열 중에는, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 산화되는 것을 억제할 수 있다. 그러나, 유기막이 형성된 워크(100)를 반출하기 위해서는, 워크(100)의 온도를 상온 정도로까지 낮출 필요가 있다. 이 경우, 냉각 시간을 단축하기 위해서, 예컨대, 도시하지 않은 냉각 가스 공급부로부터, 배기구(17) 등을 통해, 챔버(10)의 내부에 냉각 가스가 도입되는 경우가 있다. 냉각 가스로서 질소 가스를 이용하는 경우도 있으나, 제조 비용을 저감시키기 위해서 질소 가스와 공기의 혼합 가스를 이용하는 경우도 있다.
그 때문에, 워크(100)의 냉각 시에, 냉각 가스 중의 산소와, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 재료가 반응할 우려가 있다.
그 때문에, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 구리나 알루미늄 등을 포함하는 경우에는, 산화되기 어려운 재료를 포함하는 층을 표면에 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 구리를 포함하는 경우에는, 니켈을 포함하는 층을 표면에 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 구리를 포함하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 표면을 니켈 도금할 수 있다. 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 알루미늄을 포함하는 경우에는, 산화알루미늄을 포함하는 층을 표면에 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 알루미늄을 포함하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 표면을 알루마이트 처리할 수 있다.
가열 시에, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 온도가 300℃ 이하가 되는 경우에는, 알루미늄을 포함하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)을 이용할 수 있다.
가열 시에, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 온도가 500℃ 이상이 되는 경우에는, 스테인리스를 포함하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)으로 하거나, 구리를 포함하고 표면에 니켈을 포함하는 층을 갖는 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 스테인리스를 포함하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)으로 하면, 범용성이나 메인터넌스성 등을 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)으로부터 방사된 열의 일부는, 처리실의 측방으로 향한다. 그 때문에, 처리실의 측부에는, 전술한 측부 균열판(34c, 34d)이 설치되어 있다. 측부 균열판(34c, 34d)에 입사한 열은, 측부 균열판(34c, 34d)을 면 방향으로 전파하면서, 그 일부가 워크(100)를 향해 방사된다. 그 때문에, 워크(100)의 가열 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 측부 균열판(34c)의 외측에, 적어도 하나의 히터(32a)를 설치하면, 워크(100)의 가열 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 유기막을 가열할 때에 발생한 승화물은, 주위의 온도보다 낮은 개소에 부착되기 쉽다. 측부 균열판(34c)도 가열함으로써, 승화한 유기물이 측부 균열판(34c)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
여기서, 측부 균열판(34c, 34d)에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)과는 상이한 불균일한 온도 분포가 발생하면, 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생할 우려가 있다. 그 때문에, 측부 균열판(34c, 34d)의 재료는, 전술한 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 재료와 동일하게 하는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 온도는, 500℃ 이상이 되는 경우가 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 신장량이 커지거나, 열변형에 의한 휘어짐이 발생하거나 할 우려가 있다. 그 때문에, 복수의 상부 균열판(34a)끼리의 사이에는 간극을 형성하는 것이 바람직하다. 복수의 하부 균열판(34b)끼리의 사이에는 간극을 형성하는 것이 바람직하다. 이들 간극은, 가열 온도, 복수의 상부 균열판(34a)이 늘어서는 방향에 있어서의 상부 균열판(34a)의 치수, 복수의 하부 균열판(34b)이 늘어서는 방향에 있어서의 하부 균열판(34b)의 치수, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 재료 등에 따라 적절히 결정할 수 있다. 예컨대, 미리 정해진 최고 가열 온도에 있어서, 복수의 상부 균열판(34a)끼리의 사이, 및 복수의 하부 균열판(34b)끼리의 사이에, 각각 1 ㎜∼2 ㎜ 정도의 간극이 발생하도록 할 수 있다. 이와 같이 하면, 가열 시에, 복수의 상부 균열판(34a)끼리가 간섭하거나, 복수의 하부 균열판(34b)끼리가 간섭하거나 하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)은, 복수의 히터(32a)가 늘어서는 방향으로 나란히 설치되어 있는 것으로서 설명하였으나, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b) 중 적어도 한쪽은, 단일의 판형 부재로 할 수도 있다. 이 경우, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b) 중 적어도 한쪽은, 프레임(31)의 양단에 가장 가까운 한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해 유지되게 된다. 한편, 균열판 지지부(35)의 상세한 것은 후술한다.
상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 단일의 판형 부재로 한 경우라도, 복수의 히터(32a)로부터 방사된 열은, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 입사하고, 이들의 내부를 면 방향으로 전파하면서 워크(100)를 향해 방사된다. 그 때문에, 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 나아가서는 형성된 유기막의 품질을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에 의하면 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판을 균일하게 가열하여, 기판 면내 균일하게 유기막을 형성할 수 있다.
도 2의 (a)는 상부 균열판(34a)의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 상부 균열판(34a)은, 판형을 나타내고 있다. 또한, 복수의 상부 균열판(34a)이 늘어서는 방향에 있어서, 상부 균열판(34a)의 양단에는 절곡부(34a1)가 형성되어 있다. 절곡부(34a1)가 형성되어 있으면, 상부 균열판(34a)의 강성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a)이 가열되었을 때에, 상부 균열판(34a)에 휘어짐이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
도 2의 (b)는 하부 균열판(34b)의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 하부 균열판(34b)은, 판형을 나타내고 있다. 또한, 복수의 하부 균열판(34b)이 늘어서는 방향에 있어서, 하부 균열판(34b)의 양단에는 절곡부(34b1)가 형성되어 있다. 절곡부(34b1)가 형성되어 있으면, 하부 균열판(34b)의 강성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 하부 균열판(34b)이 가열되었을 때에, 하부 균열판(34b)에 휘어짐이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 하부 균열판(34b)에는, 워크 지지부(33)가 삽입되는 구멍(34b2)을 형성할 수 있다. 구멍(34b2)의 크기는, 워크 지지부(33)의 단면 치수보다 크게 되어 있다.
측부 균열판(34c, 34d)은, 평판형을 나타내는 것으로 할 수 있다.
도 3의 (a)는 균열판 지지부(35)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 있어서의 A부의 모식 확대도이다.
전술한 바와 같이, 워크(100)를 가열할 때에는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 온도가 상승하여 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 치수가 신장한다. 그 때문에, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 고정하면, 열팽창에 의해 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형하게 된다. 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형하면, 상부 균열판(34a)과 워크(100) 사이의 거리, 및 하부 균열판(34b)과 워크(100) 사이의 거리가 국소적으로 변화하여, 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생할 우려가 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에는, 복수의 균열판 지지부(35)가 설치되어 있다.
이 경우, 복수의 상부 균열판(34a)을 착탈 가능하게 지지하는 상부 균열판 지지부와, 복수의 하부 균열판(34b)을 착탈 가능하게 지지하는 하부 균열판 지지부를 설치할 수 있다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수의 균열판 지지부(35)(상부 균열판 지지부)는, 복수의 상부 균열판(34a)이 늘어서는 방향으로 나란히 설치되어 있다. 균열판 지지부(35)는, 복수의 상부 균열판(34a)이 늘어서는 방향에 있어서, 상부 균열판(34a)끼리의 사이의 바로 아래에 설치할 수 있다.
복수의 균열판 지지부(35)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 한 쌍의 홀더(32b)에 고정할 수 있다.
도 3의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 균열판 지지부(35)는, 상부 균열판(34a)의 절곡부(34a1)가 돌출되는 측의 면(하면)을 지지하고 있다. 균열판 지지부(35)는, 상부 균열판(34a)의 절곡부(34a1)가 형성된 근방을 지지하고 있다. 이 경우, 하나의 균열판 지지부(35)에 의해 한쪽의 절곡부(34a1)가 형성된 근방이 지지되고, 다른 균열판 지지부(35)에 의해 다른쪽의 절곡부(34a1)가 형성된 근방이 지지된다. 즉, 한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해 하나의 상부 균열판(34a)이 지지된다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수의 상부 균열판(34a)이 늘어서는 방향에 있어서, 균열판 지지부(35)의 양단에는, 상부 균열판(34a)을 향해 돌출되는 절곡부(35a)가 형성되어 있다.
절곡부(35a)의 선단이 상부 균열판(34a)의 하면에 접촉하는 경우에는, 상부 균열판(34a)의 절곡부(34a1)의 선단은 균열판 지지부(35)에 접촉하지 않도록 할 수 있다. 상부 균열판(34a)의 절곡부(34a1)의 선단이 균열판 지지부(35)에 접촉하는 경우에는, 절곡부(35a)의 선단이 상부 균열판(34a)의 하면에 접촉하지 않도록 할 수 있다.
이와 같이 균열판 지지부(35)와 상부 균열판(34a)의 접촉점을 가능한 한 적게 함으로써, 복수의 히터(32a)가 지지되어 있는 홀더(32b)에 부착되어 있는 균열판 지지부(35)로부터 상부 균열판(34a)에의 열전도에 의한 열전달을 적게 할 수 있다. 그 때문에, 균열판 지지부(35)와 상부 균열판(34a)의 접촉점으로부터의 국소적인 열전달을 억제할 수 있고, 상부 균열판(34a)이 불균일한 열분포가 되어, 가열 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 절곡부(35a)를 대신하여 복수의 핀 등에 의해 상부 균열판(34a)의 하면을 지지하도록 해도 좋다.
이상은, 상부 균열판(34a)을 지지하는 균열판 지지부(35)의 경우이지만, 하부 균열판(34b)을 지지하는 균열판 지지부(35)(하부 균열판 지지부)도 동일한 구성을 갖는 것으로 할 수 있다.
예컨대, 복수의 균열판 지지부(35)는, 복수의 하부 균열판(34b)이 늘어서는 방향으로 나란히 설치되어 있다. 균열판 지지부(35)는, 복수의 하부 균열판(34b)이 늘어서는 방향에 있어서, 하부 균열판(34b)끼리의 사이의 바로 아래에 설치할 수 있다. 복수의 균열판 지지부(35)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 한 쌍의 홀더(32b)에 고정할 수 있다.
균열판 지지부(35)는, 하부 균열판(34b)의 절곡부(34b1)가 돌출되는 측의 면(하면)을 지지하고 있다. 균열판 지지부(35)는, 하부 균열판(34b)의 절곡부(34b1)가 형성된 근방을 지지하고 있다. 이 경우, 하나의 균열판 지지부(35)에 의해 한쪽의 절곡부(34b1)가 형성된 근방이 지지되고, 다른 균열판 지지부(35)에 의해 다른쪽의 절곡부(34b1)가 형성된 근방이 지지된다. 즉, 처리실(30a, 30b)의 길이 방향(도 1 중의 X 방향)에 있어서 인접하는 한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해 하나의 하부 균열판(34b)이 지지된다.
복수의 하부 균열판(34b)이 늘어서는 방향에 있어서, 균열판 지지부(35)의 양단에는, 하부 균열판(34b)을 향해 돌출되는 절곡부(35a)가 형성되어 있다. 절곡부(35a)의 선단이 하부 균열판(34b)의 하면에 접촉하는 경우에는, 하부 균열판(34b)의 절곡부(34b1)의 선단은 균열판 지지부(35)에 접촉하지 않도록 할 수 있다. 하부 균열판(34b)의 절곡부(34b1)의 선단이 균열판 지지부(35)에 접촉하는 경우에는, 절곡부(35a)의 선단이 하부 균열판(34b)의 하면에 접촉하지 않도록 할 수 있다.
한편, 절곡부(35a)를 대신하여 복수의 핀 등에 의해 하부 균열판(34b)의 하면을 지지하도록 해도 좋다.
균열판 지지부(35)와 상부 균열판(34a), 및 균열판 지지부(35)와 하부 균열판(34b)은 고정되어 있지 않고, 균열판 지지부(35)는 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 지지하고 있을 뿐이기 때문에, 열팽창에 의해 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해, 하나의 상부 균열판(34a)의 절곡부(34a1)가 형성된 근방이 지지된다. 그 때문에, 복수의 상부 균열판(34a)이 늘어서는 방향에 있어서, 절곡부(34a1)와 절곡부(35a)가 간섭함으로써, 상부 균열판(34a)의 위치가 필요 이상으로 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해, 하나의 하부 균열판(34b)의 절곡부(34b1)가 형성된 근방이 지지된다. 그 때문에, 복수의 하부 균열판(34b)이 늘어서는 방향에 있어서, 절곡부(34b1)와 절곡부(35a)가 간섭함으로써, 하부 균열판(34b)의 위치가 필요 이상으로 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)은 착탈 가능하게 설치되어 있기 때문에, 메인터넌스 시에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 균열판 지지부(35)로부터 용이하게 떼어낼 수 있다. 여기서, 유기 재료와 용제를 포함하는 용액을 가열하면, 유기 재료를 포함하는 증기가 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 부착되는 경우가 있다. 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 부착된 부착물은 파티클의 원인이 된다. 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 착탈 가능하게 설치되어 있으면, 메인터넌스 시에, 부착물이 부착되어 있는 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을, 미리 청소된 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)과 용이하게 교환할 수 있다. 그 때문에, 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 균열판 지지부(35)의 상하 방향의 위치가 변경되도록 해도 좋다. 예컨대, 균열판 지지부(35)의, 홀더(32b)와의 체결 부분을 긴 구멍 등으로 하여, 균열판 지지부(35)의 상하 방향의 위치가 변경되도록 할 수 있다.
워크(100)가 큰 경우에는, 방열 조건 등의 영향이 커져, 워크(100)의 영역 사이에 온도차가 발생하는 경우가 있다.
이 경우, 균열판 지지부(35)의 상하 방향의 위치가 변경되도록 되어 있으면, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 하부 균열판(34b)마다, 하부 균열판(34b)과 워크(100) 사이의 거리를 변경할 수 있다. 하부 균열판(34b)과 워크(100) 사이의 거리가 짧아지면, 워크(100)의 대응하는 영역에 있어서의 온도를 높게 할 수 있다.
그 때문에, 워크(100)의 영역 사이에 온도차가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 복수의 하부 균열판(34b)의 상하 방향의 위치를 변경하는 경우를 예시하였으나, 복수의 상부 균열판(34a)의 상하 방향의 위치를 변경하는 경우도 동일하게 할 수 있다.
도 4는 측부 균열판(34c, 34d)의 지지를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 측부 균열판(34c, 34d)의 한쪽의 면측에는 복수의 지지부(35c)가 설치되어 있다. 측부 균열판(34c)을 지지하는 지지부(35c, 35d)는, 예컨대, 프레임(31)에 설치할 수 있다. 복수의 지지부(35c)는, 예컨대, 원기둥형을 나타내는 핀으로 할 수 있다. 복수의 지지부(35c)는, 측부 균열판(34c, 34d)의 상하 방향의 변 근방에 설치되어 있다.
측부 균열판(34c, 34d)의 다른쪽의 면측에는 복수의 지지부(35d)가 설치되어 있다. 복수의 지지부(35d)는, 예컨대, 직육면체형을 나타내는 블록으로 할 수 있다. 복수의 지지부(35d)는, 측부 균열판(34c, 34d)의 상하 방향의 변 근방에 설치되어 있다.
측부 균열판(34c, 34d)의 두께 방향에 있어서, 지지부(35c)와 지지부(35d) 사이의 간극에는, 측부 균열판(34c, 34d)을 삽입할 수 있도록 되어 있다. 즉, 지지부(35c, 35d)는, 측부 균열판(34c, 34d)을 착탈 가능하게 지지한다.
측부 균열판(34c, 34d)과, 지지부(35c, 35d)는 고정되어 있지 않고, 지지부(35c, 35d)는 측부 균열판(34c, 34d)을 지지하고 있을 뿐이기 때문에, 열팽창에 의해 측부 균열판(34c, 34d)이 변형하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 측부 균열판(34c, 34d)은 착탈 가능하게 설치되어 있기 때문에, 메인터넌스 시에, 측부 균열판(34c, 34d)을 지지부(35c, 35d)로부터 용이하게 떼어낼 수 있다.
그 때문에, 전술한 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)과 마찬가지로, 메인터넌스 시에, 부착물이 부착되어 있는 측부 균열판(34c, 34d)을, 미리 청소된 측부 균열판(34c, 34d)과 용이하게 교환할 수 있다. 그 때문에, 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다.
한편, 측부 균열판(34c)을 지지하는 지지부(35c, 35d)는, 전술한 바와 같이, 예컨대, 프레임(31)에 설치할 수 있다. 개폐 도어(13)측과는 반대측의 측부 균열판(34d)을 지지하는 지지부(35c, 35d)는, 예컨대, 프레임(31)에 설치할 수 있다. 개폐 도어(13)측의 측부 균열판(34d)을 지지하는 지지부(35c, 35d)는, 예컨대, 개폐 도어(13)에 설치할 수 있다.
도 5 및 도 6에도 도시된 바와 같이, 커버(36)는, 평판형을 나타내고, 프레임(31)의 상면, 바닥면, 및 측면을 덮고 있다. 즉, 커버(36)에 의해 프레임(31)의 내부가 덮여져 있다. 단, 개폐 도어(13)측의 커버(36)는, 예컨대, 개폐 도어(13)에 설치할 수 있다.
커버(36)는 처리실(30a, 30b)을 둘러싸고 있으나, 프레임(31)의 상면과 측면의 경계선, 프레임(31)의 측면과 바닥면의 경계선이나 개폐 도어(13)의 부근에는, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간과, 처리실(30a, 30b)이 연결되는 간극이 형성되어 있다.
즉, 처리부(30)[처리실(30a)] 내의 공간은 챔버(10) 내의 공간에 연통된 공간으로 되어 있다.
그 때문에, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간과, 처리실(30a, 30b)이 연결되어 있기 때문에, 처리실(30a, 30b) 내의 압력이, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간의 압력과 동일하게 되도록 할 수 있다. 커버(36)는, 예컨대, 스테인리스 등으로 형성할 수 있다.
커버(36)는, 히터(32a)측으로부터 입사한 열을, 처리실(30a, 30b)측으로 반사하는 기능을 가질 수도 있다.
따라서, 커버(36)를 설치하면, 처리실(30a, 30b)로부터 외부로 빠져나가는 열을 적게 할 수 있기 때문에 가열 효율을 향상시킬 수 있다.
제어부(40)는, CPU(Central Processing Unit) 등의 연산부와, 메모리 등의 기억부를 구비하고 있다.
제어부(40)는, 기억부에 저장되어 있는 제어 프로그램에 기초하여, 유기막 형성 장치(1)에 설치된 각 요소의 동작을 제어한다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1)는, 챔버(10)와 커버(36)로 둘러싸이는 처리부(30)[처리실(30a, 30b)]에 의한 이중 구조를 갖고, 처리부(30)에 상부 가열부와 하부 가열부를 설치함으로써 워크(100)의 양면측으로부터 가열을 행한다. 또한, 상부 균열판(34a)과 하부 균열판(34b)은, 히터(32a)와 이격되어 설치되어 있기 때문에, 상부 균열판(34a)과 히터(32a) 사이의 공간, 또는 하부 균열판(34a)과 히터(32a) 사이의 공간을 통해 상부 가열부와 하부 가열부로부터의 열을 워크(100)에 대해 방사시킬 수 있다. 그 때문에, 복수의 히터(32a)가 미리 정해진 간격을 두고 나란히 설치되었다고 해도, 공간에 있어서, 히터(32a)로부터 방사된 열이 고르게 되어, 상부 균열판(34a)과 하부 균열판(34b)에 전해져, 균일하게 워크(100)에 방사할 수 있다. 또한, 상부 균열판(34a)과 하부 균열판(34b), 측부 균열판(34d)에 의해 처리실(30a, 30b)을 전방위 둘러싸고 있기 때문에, 열이 방출되기 쉬운 워크(100)의 외주 부분도 중앙 부분과 동일하게 가열할 수 있고, 워크(100)의 전면의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다.
상기한 구성에 의해, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판에 대해 열손실이 적고 축열 효율이 높은 가열을 행하여, 승화물이 재부착되지 않고 균일한 유기막을 형성할 수 있다.
이상, 실시형태에 대해 예시하였다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것이 아니다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 유기막 형성 장치(1)에 있어서 챔버(10)의 외벽에 냉각부(16)를 설치하는 것으로 하였으나, 챔버(10)의 외벽 온도와 외기의 온도차가 적으면 적절히 생략하고, 공냉에 의해 챔버(10)의 외벽을 냉각해도 좋다.
또한, 예컨대, 전술한 실시형태에서는, 유기막 형성 장치(1)에 있어서, 프레임(31)의 상면과 바닥면을 커버(36)로 덮는 것으로 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 커버(36)를 대신하여, 또는 커버(36)와 함께, 상부 균열판(34a)과 동일한 기능을 갖는 균열판(34e), 또는 히터(32a)측으로부터 입사한 열을 처리실(30a, 30b)측으로 반사하는 반사판에 의해 프레임(31)의 상면, 바닥면을 덮도록 해도 좋다. 이 경우, 최상단의 가열부(32)의 상부, 또는 최하단의 가열부(32)의 하부가 균열판 또는 반사판으로 덮여지게 된다.
또한, 예컨대, 전술한 실시형태에서는, 유기막 형성 장치(1)에 있어서, 커버(36)가 단일의 판으로 덮여져 있는 것으로 하였으나, 커버(36)가 복수로 분할되어 있고, 분할된 커버(36)끼리의 사이에 간극이 형성되어 있도록 해도 좋다.
전술한 실시형태에 대해, 당업자가 적절히 설계 변경을 가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
예컨대, 유기막 형성 장치(1)의 형상, 치수, 배치 등은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니며 적절히 변경할 수 있다.
또한, 전술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한에 있어서 조합할 수 있고, 이들을 조합한 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
1: 유기막 형성 장치 10: 챔버
20: 배기부 21: 제1 배기부
22: 제2 배기부 30: 처리부
30a: 처리실 30b: 처리실
31: 프레임
32: 가열부(상부 가열부, 하부 가열부)
32a: 히터(제1 히터∼제3 히터)
33: 워크 지지부 34: 균열부
34a: 상부 균열판 34a1: 절곡부
34b: 하부 균열판 34b1: 절곡부
34c: 측부 균열판 34d: 측부 균열판
35: 균열판 지지부 35a: 절곡부
35c: 지지부 35d: 지지부
36: 커버 40: 제어부
100: 워크

Claims (14)

  1. 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과,
    상기 챔버의 바닥면에 설치되고, 상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부
    를 구비하고,
    상기 처리실에는,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제1 히터를 갖는 상부 가열부와,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와,
    상기 상부 가열부의 상기 하부 가열부측에 상기 복수의 제1 히터와 이격되어 설치된 상부 균열판과,
    상기 하부 가열부의 상기 상부 가열부측에 상기 복수의 제2 히터와 이격되어 설치된 하부 균열판과,
    기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 폴리아미드산을 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 균열판과 상기 하부 균열판 사이에 간극을 통해 지지 가능한 막대형체의 복수의 워크 지지부
    가 설치되며,
    상기 커버는, 상기 처리실의 상면측과 하면측 및 측면측을 덮는 평판형 부재를 갖고, 상기 평판형 부재끼리의 경계에는 간극이 있으며,
    상기 처리실은, 상기 챔버에 연통(連通)된 공간을 갖고, 상기 배기부는, 상기 챔버의 내부의 압력을 감압하며, 상기 챔버의 내벽과 상기 커버 사이의 공간의 압력을 감압하고,
    상기 상부 균열판 및 상기 하부 균열판 중 적어도 하나는 서로 간극을 갖고 배치되는 복수의 균열판들로 제공되고, 상기 복수의 균열판들 중 적어도 하나는 상기 복수의 균열판들이 늘어서는 방향에 있어서의 양단에 절곡부가 형성되어 있는 것인 유기막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부 균열판을 착탈 가능하게 지지하는 상부 균열판 지지부와,
    상기 하부 균열판을 착탈 가능하게 지지하는 하부 균열판 지지부
    가 설치되어 있는 것인 유기막 형성 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리실은, 상하 방향으로 겹쳐 복수개 설치되고,
    하측의 상기 처리실에 설치된 상기 상부 가열부는, 상측의 상기 처리실에 설치된 상기 하부 가열부와 겸용으로 되어 있는 것인 유기막 형성 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 미리 정해진 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 측부의 각각에는, 측부 균열판이 더 설치되고,
    상기 측부 균열판은, 상기 커버의 내측에 설치되어 있는 것인 유기막 형성 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 챔버는 대향하는 개구를 갖고,
    상기 미리 정해진 방향과 직교하는 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 각각에는, 측부 균열판이 더 설치되며,
    상기 측부 균열판은, 한쪽의 상기 개구를 폐색하는 덮개의 내측, 및 다른쪽의 상기 개구를 폐색하는 개폐 도어의 내측에 설치되어 있는 것인 유기막 형성 장치.
  6. 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과,
    상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부
    를 구비하고,
    상기 처리실에는,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제1 히터를 갖는 상부 가열부와,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와,
    상기 상부 가열부의 상기 하부 가열부측에 상기 복수의 제1 히터와 이격되어 설치된 상부 균열판과,
    상기 하부 가열부의 상기 상부 가열부측에 상기 복수의 제2 히터와 이격되어 설치된 하부 균열판과,
    상기 미리 정해진 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 측부의 각각에 설치된 측부 균열판과,
    기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 폴리아미드산을 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 균열판과 상기 하부 균열판 사이에 간극을 통해 지지 가능한 막대형체의 복수의 워크 지지부
    가 설치되며,
    상기 처리실은, 상기 챔버에 연통(連通)된 공간을 갖고, 상기 배기부는, 상기 챔버의 내부의 압력을 감압하며, 상기 챔버의 내벽과 상기 커버 사이의 공간의 압력을 감압하고,
    상기 측부 균열판은, 상기 커버의 내측에 설치되어 있으며,
    상기 측부 균열판과 상기 커버 사이에, 상기 측부 균열판 및 상기 커버와 이격되어 설치된 적어도 하나의 제3 히터를 더 구비한 유기막 형성 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 측부 균열판을 착탈 가능하게 지지하는 지지부를 더 구비한 유기막 형성 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 상부 균열판 및 상기 하부 균열판은, 알루미늄, 구리, 및 스테인리스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 유기막 형성 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 상부 균열판 및 상기 하부 균열판은 상기 구리를 포함하며, 표면에 니켈을 포함하는 층이 형성되는 것인 유기막 형성 장치.
  10. 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과,
    상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부
    를 구비하고,
    상기 처리실에는,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제1 히터를 갖는 상부 가열부와,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와,
    상기 상부 가열부의 상기 하부 가열부측에 상기 복수의 제1 히터와 이격되어 설치된 상부 균열판과,
    상기 상부 균열판을 착탈 가능하게 지지하는 상부 균열판 지지부와,
    상기 하부 가열부의 상기 상부 가열부측에 상기 복수의 제2 히터와 이격되어 설치된 하부 균열판과,
    기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 폴리아미드산을 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 균열판과 상기 하부 균열판 사이에 간극을 통해 지지 가능한 막대형체의 복수의 워크 지지부
    가 설치되며,
    상기 처리실은, 상기 챔버에 연통(連通)된 공간을 갖고, 상기 배기부는, 상기 챔버의 내부의 압력을 감압하며, 상기 챔버의 내벽과 상기 커버 사이의 공간의 압력을 감압하고,
    상기 상부 가열부는, 상기 복수의 제1 히터가 늘어서는 방향과 직교하는 방향으로 대치하는 한 쌍의 홀더를 갖고,
    상기 한 쌍의 홀더에는 복수의 상기 상부 균열판 지지부가 고정되며,
    상기 상부 균열판은 절곡부를 갖고,
    상기 상부 균열판 지지부는 상기 상부 균열판을 향해 돌출되는 절곡부를 가지며,
    상기 상부 균열판 지지부의 절곡부의 선단이, 상기 상부 균열판의 하면에 접촉하는 경우에는, 상기 상부 균열판의 절곡부의 선단은 상기 상부 균열판 지지부에 접촉하지 않고,
    상기 상부 균열판 지지부의 절곡부의 선단이, 상기 상부 균열판의 하면에 접촉하지 않는 경우에는, 상기 상부 균열판의 절곡부의 선단은 상기 상부 균열판 지지부에 접촉하는 것인 유기막 형성 장치.
  11. 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과,
    상기 챔버의 바닥면에 설치되고, 상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부
    를 구비하고,
    상기 처리실에는,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제1 히터를 갖는 상부 가열부와,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와,
    상기 상부 가열부의 상기 하부 가열부측에 상기 복수의 제1 히터와 이격되어 설치된 상부 균열판과,
    상기 하부 가열부의 상기 상부 가열부측에 상기 복수의 제2 히터와 이격되어 설치된 하부 균열판과,
    상기 미리 정해진 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 측부의 각각에 설치된 측부 균열판과,
    상기 미리 정해진 방향과 직교하는 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 각각에 설치된 측부 균열판과,
    기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 폴리아미드산을 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 균열판과 상기 하부 균열판 사이에 간극을 통해 지지 가능한 막대형체의 복수의 워크 지지부
    가 설치되며,
    상기 커버는, 상기 처리실의 상면측과 하면측 및 측면측을 덮는 평판형 부재를 갖고, 상기 평판형 부재끼리의 경계에는 간극이 있으며, 상기 처리실에 있어서 워크 지지부에 지지되는 상기 워크는, 상부 균열판과 하부 균열판, 측부 균열판에 의해 전방위가 둘러싸이고,
    상기 상부 균열판 및 상기 하부 균열판 중 적어도 하나는 서로 간극을 갖고 배치되는 복수의 균열판들로 제공되고, 상기 복수의 균열판들 중 적어도 하나는 상기 복수의 균열판들이 늘어서는 방향에 있어서의 양단에 절곡부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기막 형성 장치.
  12. 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 내부에 설치되고, 커버에 의해 둘러싸이는 적어도 하나의 처리실과,
    상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부
    를 구비하고,
    상기 처리실에는,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제1 히터를 갖는 상부 가열부와,
    막대형을 나타내고, 미리 정해진 방향으로 나란히 복수개 설치된 제2 히터를 갖고, 상기 상부 가열부와 대치하는 하부 가열부와,
    상기 상부 가열부의 상기 하부 가열부측에 상기 복수의 제1 히터와 이격되어 설치된 상부 균열판과,
    상기 하부 가열부의 상기 상부 가열부측에 상기 복수의 제2 히터와 이격되어 설치된 하부 균열판과,
    상기 미리 정해진 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 측부의 각각에 설치된 측부 균열판과,
    상기 미리 정해진 방향과 직교하는 방향에 있어서, 상기 처리실의 양측의 각각에 설치된 측부 균열판과,
    기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 폴리아미드산을 포함하는 용액을 갖는 워크를 상기 상부 균열판과 상기 하부 균열판 사이에 간극을 통해 지지 가능한 막대형체의 복수의 워크 지지부
    가 설치되며,
    상기 처리실에 있어서 워크 지지부에 지지되는 상기 워크는, 상부 균열판과 하부 균열판, 측부 균열판에 의해 전방위가 둘러싸이고,
    상기 처리실에는, 상기 상부 균열판을 착탈 가능하게 지지하는 상부 균열판 지지부가 더 설치되고,
    상기 상부 가열부는, 상기 복수의 제1 히터가 늘어서는 방향과 직교하는 방향으로 대치하는 한 쌍의 홀더를 가지며,
    상기 한 쌍의 홀더에는 복수의 상기 상부 균열판 지지부가 고정되고,
    상기 상부 균열판은 절곡부를 가지며,
    상기 상부 균열판 지지부는 상기 상부 균열판을 향해 돌출되는 절곡부를 갖고,
    상기 상부 균열판 지지부의 절곡부의 선단이, 상기 상부 균열판의 하면에 접촉하는 경우에는, 상기 상부 균열판의 절곡부의 선단은 상기 상부 균열판 지지부에 접촉하지 않고,
    상기 상부 균열판 지지부의 절곡부의 선단이, 상기 상부 균열판의 하면에 접촉하지 않는 경우에는, 상기 상부 균열판의 절곡부의 선단은 상기 상부 균열판 지지부에 접촉하는 것인 유기막 형성 장치.
  13. 제1항 또는 제11항에 있어서, 상기 제1 히터의 표면과 상기 상부 균열판 사이의 거리는, 상기 제2 히터의 표면과 상기 하부 균열판 사이의 거리와 동일한 것인 유기막 형성 장치.
  14. 제1항 또는 제11항에 있어서, 상기 커버는, 상기 상부 가열부 또는 상기 하부 가열부측으로부터 입사한 열을, 상기 처리실측으로 반사하는 기능을 갖는 것인 유기막 형성 장치.
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