KR102387979B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리장치가 개시된다. 플라즈마 처리장치는 공정챔버의 하부에 배치되어 기판을 고정하는 기판 홀더, 기판 홀더를 둘러싸도록 배치되어 기판의 상부영역에 소스 플라즈마를 집중시키고 상면에 패턴 구조물을 구비하는 포커스 링, 패턴 구조물로부터 반사되는 반사광을 분광 분석하여 반사 스펙트럼을 생성하고 반사 스펙트럼에 대응하는 패턴 구조물의 형상특성을 검출하는 광 분석기, 형상특성으로부터 포커스 링의 높이 감소량을 수득하고 높이 감소량을 보상하도록 포커스 링을 상승시키는 위치 제어기를 포함한다. 포커스 링의 높이 감소량만큼 자동으로 포커스 링을 상승시킴으로써 플라즈마 쉐스의 밀도를 균일하게 유지할 수 있다.

Description

플라즈마 처리장치 {Plasma apparatus}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 플라즈마(plasma)를 이용한 건식 식각장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 미세 패턴을 형성하기 위해 플라즈마를 이용한 건식 식각이 널리 이용된다. 종래의 플라즈마 건식 식각공정에 의하면 공정챔버로 공급된 소스가스를 플라즈마 상태로 변환하여 소스 플라즈마를 형성하고 소스 플라즈마를 구성하는 소스가스의 활성 이온이나 라디칼이 정전척의 상부에 고정된 기판으로 유도되어 기판 상에 형성된 박막을 식각한다.
따라서, 기판의 전면(whole surface)을 통하여 균일한 식각을 달성하기 위해서는 기판의 상부에 형성되는 소스 플라즈마가 기판의 전면(whole surface)을 통하여 균일하게 형성될 것이 요구된다.
기판의 상부에 균일한 소스 플라즈마를 형성하기 위해 정전척을 둘러싸는 포커스 링(focus ring)이 배치된다.
기판은 정전척의 상부에 배치되고 포커스 링은 정전척의 주변부를 둘러싸도록 배치되어 공정 챔버의 내부공간에서 형성되는 소스 플라즈마는 포커스 링에 의해 기판의 상부 공간에 집중되어 균일한 밀도를 갖는 플라즈마 쉐스(plasma sheath)를 형성하게 된다.
그러나, 식각 공정이 진행되는 동안 포커스 링의 상면도 소스 플라즈마에 의해 식각되어 포커스 링의 높이가 낮아지고 이에 따라 정전척과 포커스 링 사이의 표면 프로파일이 변화하게 된다. 표면 프로파일의 변화는 포커스 링에 의해 기판의 상부에 집중되어 있는 소스 플라즈마의 분포에 변화를 초래하여 기판의 전면을 따라 분포하는 활성이온의 밀도를 변화시키게 된다. 이에 따라, 기판의 전면(whole surface)에서 식각이 균일하게 수행되지 못하는 문제점이 발생한다.
특히, 최근의 기판 대형화와 반도체 소자의 미세화라는 경향은 기판 에지 영역의 수율을 현저하게 감소시키고 있다.
기판의 대형화에 따라 기판의 가장자리가 정전척으로부터 돌출하도록 배치되므로, 포커스 링의 표면 프로파일 변화에 의한 소스 플라즈마의 균일성 파괴는 기판의 에지영역에 집중적으로 발생되어 에지 영역의 식각불량을 야기하고 에지영역에서의 수율을 현저하게 감소시킨다. 또한, 반도체 소자의 미세화에 따라 높은 종횡비를 갖는 패턴(high aspect ratio pattern) 구조물에 대한 수요가 증가함에 따라, 소스 플라즈마의 미세한 균일도 변화라 할지라도 기판의 에지영역에서는 식각 불량을 야기하게 되어 고종횡비 패턴을 형성하기 위한 플라즈마 식각공정에서 기판 에지영역의 수율은 현저하게 감소하게 된다.
이에 따라, 소스 플라즈마의 균일성을 보장하기 위해 포커스 링의 높이를 자동으로 조절할 수 있는 새로운 플라즈마 식각 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 개선하기 위해 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 포커스 링의 식각량을 자동으로 검출하여 포커스 링의 높이를 조절함으로써 소스 플라즈마의 밀도를 균일하게 유지할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마 처리공정을 수행하는 공정챔버의 하부에 배치되어 기판을 고정하는 기판 홀더, 상기 기판 홀더를 둘러싸도록 배치되어 상기 기판의 상부영역에 소스 플라즈마를 집중시키고 상면에 패턴 구조물을 구비하는 포커스 링, 상기 패턴 구조물로부터 반사되는 반사광을 분광 분석하여 반사 스펙트럼을 생성하고 상기 반사 스펙트럼에 대응하는 상기 패턴 구조물의 형상특성을 검출하는 광 분석기, 및 상기 형상특성으로부터 상기 포커스 링의 높이 감소량을 수득하고 상기 높이 감소량을 보상하도록 상기 포커스 링을 상승시키는 위치 제어기를 포함한다.
본 발명에 의한 플라즈마 처리장치에 의하면, 포커스 링의 상면에 포커스 링의 부식정도를 검출할 수 있는 패턴 구조물을 배치하고 플라즈마에 의해 상기 패턴 구조물의 형상변화를 스펙트럼으로 검출함으로써 플라즈마 처리공정 중의 포커스 링의 높이 감소량을 실시간으로 검출할 수 있다. 포커스 링의 높이 감소에 의해 기판 상부의 플라즈마 밀도가 손상될 경우 자동으로 포커스 링을 높이감소분만큼 상승시켜 기판과 포커스 링 사이의 높이편차를 해소할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 밀도의 불균일성에 의한 기판(W)의 공정불량을 감소시킬 수 있다. 특히, 상기 플라즈마 처리공정이 수행되는 동안 실시간으로 패턴 구조물(310)의 반사 스펙트럼을 생성함으로써 공정진행 중의 포커스 링의 높이 변화량에 대해 실시간으로 대응할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 플라즈마 처리장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 처리장치의 A 부분을 확대한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 포커스 링을 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 패턴 구조물의 변형 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 스펙트럼 서버에 저장된 기준 스펙트럼을 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2에 도시된 포커스 링이 높이 감소량만큼 상승한 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 플라즈마 처리장치를 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 플라즈마 처리장치(1000)는 베이스(110) 및 플라즈마 공급부(140)를 구비하고 플라즈마 처리공정이 수행되는 공정챔버(100), 상기 공정챔버(100)의 하부에 배치되어 기판(W)을 고정하는 기판 홀더(200), 기판 홀더(200)를 둘러싸도록 배치되어 기판(W)의 상부 영역에 소스 플라즈마를 집중시키고 상면에 패턴 구조물(310)을 구비하는 포커스 링(300), 상기 패턴 구조물(310)로부터 반사되는 반사광을 분광 분석하여 반사 스펙트럼을 생성하고 상기 반사 스펙트럼에 대응하는 상기 패턴 구조물(310)의 형상특성을 검출하는 광 분석기(optical analyzer, 400) 및 상기 형상특성으로부터 상기 포커스 링(300)의 높이 감소량을 수득하고 상기 높이 감소량을 보상하도록 상기 포커스 링(300)을 상승시키는 위치 제어기(500)를 포함한다.
일실시예로서, 상기 공정 챔버(100)는 상기 플라즈마 공급부(140)가 배치되는 상부 하우징(101) 및 상기 베이스(110)와 기판 홀더(200)가 배치된 하부 하우징(102)을 포함한다.
상부 및 하부 하우징(101,102)은 서로 결합하여 외부로부터 밀폐되어 상기 기판(W)에 대한 플라즈마 처리공정을 수행하는 플라즈마 처리공간(S)을 제공한다. 상기 상부 하우징(101) 및 하부 하우징(102)은 플라즈마 공정조건에 충분한 정도의 강도와 강성을 갖도록 구성되어 상기 플라즈마 공정을 수행하기 위한 안정적인 공간을 제공할 수 있다. 본 실시예의 경우, 상기 플라즈마 처리공정은 소스 플라즈마를 이용한 식각공정을 포함한다. 그러나, 식각공정뿐만 아니라 다양한 플라즈마 공정이 수행될 수 있음은 자명하다.
공정챔버(100)의 하부에는 베이스(110)가 배치되어 상기 플라즈마 처리장치(1000)의 하부 구조물이 제공된다.
예를 들면, 베이스(110)의 상면에는 식각대상 기판(W)을 고정하는 기판 홀더(200)가 배치되고 상기 기판 홀더(200)에 구비된 하부전극(미도시)이나 기판 가열을 위한 히터(미도시)로 전력을 공급하기 위한 제2 전원 구조물(P2) 및 제3 전원 구조물(P3)이 상기 베이스(110)를 통하여 제공된다. 또한, 후술하는 바와 같이 포커스 링(300)을 상승시키는 구동기(600)도 상기 베이스(110)의 내부에 배치하여 플라즈마 처리공정으로부터 구동기(600)를 보호할 수 있다.
베이스(110)로부터 연장되는 차폐벽(shielding wall, 120)이 하부 하우징(102)으로 연결된다. 차폐벽(120)에 의해 플라즈마 공정조건으로 유지되는 플라즈마 처리공간(S)과 식각공정의 부산물이나 잔류가스를 배출하도록 상온 상압으로 유지되는 배출공간(discharge space,DS)이 서로 분리된다. 상기 처리공간(S)과 배출공간(DS)은 다수의 배출홀(121)을 통하여 연통된다. 배출공간(DS)으로 배출된 식각 부산물이나 잔류가스는 제어밸브(V) 및 배출펌프(P)를 통하여 외부로 배출된다.
따라서, 상기 베이스(110)는 고온 진공상태의 플라즈마 처리공정 환경으로부터 분리되고 베이스(110)의 내부는 상온 및 상압으로 유지된다. 이에 따라, 베이스(110)의 내부에 배치되는 상기 구동기(600)도 플라즈마 처리공정으로부터 분리되어 보호될 수 있다.
공정챔버(100)의 상부에는 플라즈마 공급부(140)가 배치되어 상기 플라즈마 처리장치(1000)의 상부 구조물이 제공된다.
공정챔버(100)의 외부에 배치된 소스가스 공급부(130)로부터 플라즈마 처리용 소스가스가 공급되면 공정챔버(100) 내부에 형성되는 전기장에 의해 소스 플라즈마로 변환되고 소스 플라즈마는 샤워 헤드(142)의 분사 홀(DH)을 통하여 처리 공간(S)으로 공급된다.
예를 들면, 상기 소스 플라즈마는 소스 가스의 활성이온이나 라디칼로 구성되어 상기 기판(W) 상에 형성된 막질을 식각하기 위한 식각용 플라즈마로 기능할 수 있다.
이때, 상기 포커스 링(300)은 활성이온이나 라디칼을 기판(W)의 상부 공간에 균일한 밀도로 분포하도록 유도함으로써 기판(W)을 따라 균일한 밀도를 갖는 플라즈마 쉐스(plasma sheath)를 기판(W)의 상부에 형성한다. 이에 따라, 상기 기판(W)의 전면(whole surface)을 통하여 균일한 플라즈마 처리공정을 수행할 수 있다.
일실시예로서, 상기 기판 홀더(200)는 상기 소스 플라즈마를 형성하도록 고주파 전력이 인가되는 하부전극(212)을 구비하고 상기 베이스(110)의 상면에 배치되는 척 몸체(chuck body, 210), 상기 척 몸체(210)를 둘러싸도록 상기 베이스(110)의 상면에 배치되는 절연 링(insulating ring, 220) 및 상기 척 몸체(210)의 상면에 배치되어 상기 기판(W)을 고정하는 고정 척(securing chuck, 230)을 구비한다.
상기 척 몸체(210)는 알루미늄(Al)과 같은 전기 전도성이 우수한 도전성 물질로 이루어지고 상기 고정 척(230)보다 큰 직경을 갖는 디스크 형상으로 제공된다. 척 몸체(210)의 내부에는 상기 제2 전원 구조물(P2)과 전기적으로 연결되어 고주파 전력이 인가되는 하부전극(212)이 배치된다. 상기 하부전극(212)은 상부전극(141)과 함께 공정챔버(100)의 내부에 전기장을 형성하고 상기 전기장에 의해 플라즈마 처리용 소스 가스는 플라즈마 상태로 변환되어 소스 플라즈마로 형성된다.
예를 들면, 상기 상부전극(141)으로는 제1 전원 구조물(P1)을 통하여 약 60MHz의 고주파 전력을 인가하고 상부전극(141)과 마주보도록 배치된 하부전극(212)으로는 제2 전원 구조물(P2)을 통하여 약 2MHz의 고주파 전력을 인가할 수 있다.
상기 절연 링(220)은 베이스(110)의 상면에 배치되어 척 몸체(210)를 감싸도록 배치된다. 특히, 상기 척 몸체(210)의 주변부로 노출되는 베이스(110)의 상면을 세라믹이나 석영(quartz)과 같은 절연물질로 구성되는 절연 링(220)으로 덮도록 구성하여 상기 소스 플라즈마에 베이스(110)의 상면이 노출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 고정 척(230)은 척 몸체(210)의 상면에 배치되고 세라믹과 같은 절연물질로 구성되는 원판으로 구성된다. 상기 고정 척(230)은 다양한 기판 고정수단을 구비하여 고정 척(230)의 상면에 식각대상 기판(W)을 고정한다.
본 실시예의 경우, 상기 고정 척(230)은 한 쌍의 폴리이미드계 필름과 상기 폴리이미드계 필름(미도시) 사이에 배치된 도전성 박막(미도시)을 구비하고 상기 도전성 박막은 제3 전원 구조물(P3)과 연결되도록 구성된다. 예를 들면, 상기 제3 전원 구조물(P3)은 고압의 직류 전원을 포함한다. 상기 도전성 박막으로 직류 전원이 공급되면 상기 폴리이미드계 필름 상에 전하들이 생성되어 상기 기판(W)은 고정 척(230)의 상면에 정전기력에 의해 고정된다. 본 실시예에서 상기 고정 척(230)은 정전기력에 의해 기판을 고정하는 정전 척(electro static chuck, ESC)을 개시하고 있지만, 기계적으로 기판을 고정 척(230)에 고정하는 클램프와 같이 다양한 고정수단이 이용될 수 있음은 자명하다.
특히, 본 실시예의 경우, 상기 기판(W)은 상기 고정 척(230)보다 큰 직경을 갖는 대구경 웨이퍼를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)은 고정 척(230)의 측벽(231)보다 돌출되고 상기 기판(W)의 배면은 척 몸체(210)의 상면과 서로 마주보도록 배치된다. 따라서, 상기 고정 척(230)의 측부에는 상기 측벽(231)과 기판의 배면 및 척 몸체(210)의 상면으로 한정되는 측부 틈새(G)가 제공된다.
후술하는 바와 같이, 상기 구동기(600)의 연결축(620)은 상기 포커스 링(300)의 하중을 견딜 수 있을 정도로 충분한 강도를 갖도록 강재로 구성된다. 따라서, 도전성 물질로 구성되는 척 몸체(210)를 연결축(620)이 관통하는 경우 제2 전원 구조물(P2)에 의해 인가되는 고주파 전력이 연결축(620)으로 인가될 수 있다. 따라서, 상기 절연 링(220)은 상기 연결축(532)을 외부와 전기적으로 절연시키고 처리공간(S)의 소스 플라즈마에 의해 상기 베이스(110)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 처리장치의 A 부분을 확대한 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 포커스 링을 나타내는 사시도이다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 상기 포커스 링(300)은 중심부에 상기 고정 척(230)을 수용하는 심부 공간(central space, CS)을 구비하고 척 몸체(210) 및 절연 링(220)을 덮을 정도의 폭을 갖는 고리모양을 갖는다.
이때, 상기 포커스 링(300)은 상기 측부틈새(G)를 한정하는 측면(301)과 상기 기판(W)의 상면과 동일하거나 높게 위치하는 상면(302) 및 상기 측면(301)과 상면(302)을 연결하는 경사면(303)을 구비한다. 따라서, 상기 기판(W)의 에지(edge)는 경사면(303)과 인접하게 배치되고 상기 측면(301)은 고정척(230)의 측벽(231)으로부터 일정거리만큼 이격되어 측부 틈새(G)를 제공한다.
상기 포커스 링(300)은 금속과 같은 도전성 물질로 구성되어 상기 처리공간(S)에 형성되는 소스 플라즈마의 활성이온이나 라디칼을 기판(W)의 상부영역, 즉 상기 심부영역(CS)의 상부로 집중시킨다. 특히, 상기 측부 틈새(G)에 분포하는 활성이온이나 라디칼을 기판 주변부(E)로 이동시켜 기판(W) 상에 형성되는 상기 플라즈마의 균일성을 개선한다.
플라즈마 처리장치(1000)를 구성하는 경우 상기 포커스 링(300)은 상면(302)이 상기 기판(W)의 상면과 실질적으로 동일하거나 설정된 허용범위 만큼 더 높은 초기위치를 갖도록 조립된다. 이에 따라, 장치구성의 초기단계에서는 포커스 링(300)에 의해 기판(W) 전체를 통하여 균일한 밀도를 갖는 소스 플라즈마를 기판의 상부에 형성할 수 있다.
그러나, 플라즈마 처리공정이 진행될수록 포커스 링(300)의 상면(302)도 상기 소스 플라즈마에 의해 제거되어 높이(H)가 점차 낮아지게 된다. 즉, 플라즈마 처리공정의 진행에 따라 플라즈마 공정에 의해 제거된 식각량만큼 포커스 링(300)의 높이가 낮아지게 된다.
이때, 포커스 링(300)의 상면(302)에는 광학 임계치수 측정기법(optical critical dimension (OCD) metrology)을 이용하여 포커스 링(300)의 높이 감소량을 수득하기 위한 패턴 구조물(310)이 배치된다.
예를 들면, 상기 패턴 구조물(310)은 상기 포커스 링(300)의 원주방향을 따라 상면(302)으로부터 소정의 깊이(d)와 폭(wR)을 갖는 리세스(R) 및 상기 리세스(R)의 바닥면으로부터 상방으로 연장하고 소정의 높이(h)와 폭(wP)을 갖는 적어도 하나의 돌출부(P)를 구비한다.
특히, 상기 패턴 구조물(310)은 기판(W)의 주변부(E)와 인접하도록 포커스 링(300)의 내측 주변부 상면에 배치되어 기판의 주변부(E) 플라즈마 밀도변화에 대한 민감도를 높인다.
본 실시예의 경우, 상기 패턴 구조물(310)은 포커스 링(300)의 상면(302)의 내측에 배치되는 원주형상의 리세스(R)와 상기 리세스(R)의 중앙부에서 돌출하여 상기 리세스(R)를 따라 연장하는 단일한 돌출부(P)로 구성된다.
이때, 상기 돌출부(P)는 리세스(R)의 중앙부에 배치되어 돌출부(P)의 양 측부 공간은 동일한 사이즈를 갖도록 제공된다. 이에 따라, 상기 돌출부(P)의 폭(wP)은 전체 리세스(R) 폭(wR)의 약 1/3배로 형성된다. 다른 실시예로서, 상기 돌출부(P)는 동일한 간격으로 이격된 다수개로 제공될 수 있다. 다수의 돌출부(P)들이 배치되는 경우에는 상기 리세스(R)의 내부에서 포커스 링(300)의 반경방향을 따라 일정한 간격으로 배치될 수 있다.
상기 패턴 구조물(310)은 OCD 측정기법과 포커스 링(300)의 구성에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다. 도 4는 도 2에 도시된 패턴 구조물의 변형 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 패턴 구조물(310)은 하방으로 경사진 측면을 구비하는 사다리꼴 형상을 갖는 돌출부(P)와 상기 사다리꼴 형상을 갖는 돌출부(P)를 한정하는 역사다리꼴 형상의 리세스(R)로 구성될 수 있다. 돌출부(P)의 측면을 경사지게 구성함으로써 측면으로부터 반사되는 반사광의 세기를 높일 수 있다. 이에 따라, 상기 반사광을 이용하여 수득하는 반사 스펙트럼의 정확도를 높일 수 있다.
본 실시예에서 상기 패턴 구조물(310)은 상면(302)에서 포커스 링(300)의 내측원주를 둘러싸는 연속적인 원주라인으로 제공되지만, OCD 측정을 통한 패턴 구조물(310)의 형상특성을 검출하는데 방해가 되지 않는 한 단속적으로 제공될 수 있음은 자명하다. 즉, 상기 패턴 구조물(310)은 상기 포커스 링(300)의 상면(302)에서 단속적이거나 불연속적으로 배치될 수도 있다.
상기 광 분석기(400)는 상기 패턴 구조물(310)로부터 반사되는 반사광을 분석하여 패턴 구조물(310)의 형상특성을 반영하는 반사 스펙트럼을 생성하고, 상기 반사 스펙트럼을 상기 패턴 구조물에 관한 알려진 형상특성을 반영하는 기준 스펙트럼에 반복적으로 근사(fitting)시켜 상기 패턴 구조물(310)의 현재 형상특성을 검출한다.
예를 들면, 상기 광 분석기(400)는 패턴 구조물(310)로 검사광을 조사하는 광원(410), 상기 반사광을 검출하여 상기 반사 스펙트럼을 생성하는 스펙트럼 분석기(spectral analyzer, 420), 상기 패턴 구조물(310)의 다양한 기준형상에 각각 대응하는 다수의 기준 스펙트럼을 저장하는 스펙트럼 서버(430) 및 상기 반사 스펙트럼과 가장 근사한 상기 기준 스펙트럼을 근사 스펙트럼(fitted spectrum)으로 추출하고 상기 근사 스펙트럼에 대응하는 기준형상으로부터 상기 패턴 구조물(310)에 대한 현재의 형상특성을 검출하는 스펙트럼 추출기(spectrum extractor, 440)를 포함한다.
예를 들면, 상기 공정챔버(100)의 측부에 광학 프레임(optical frame F)을 설치하고 검사광을 생성하는 광 생성기(411) 및 상기 검사광을 패턴 구조물(310)로 조사하는 광 조사기(412)를 구비하는 광원(410)을 상기 광학 프레임의 내부에 배치할 수 있다.
광 생성기(411)와 광 조사기(412)는 일체로 배치될 수도 있고 개별적으로 배치되어 도파수단에 의해 전송될 수도 있다. 특히, 도파수단에 의해 전송되는 경우 상기 광 생성기(411)는 공정챔버(100)로부터 이격되어 배치될 수도 있다.
본 실시예의 경우, 상기 패턴 구조물(310)의 조성과 구조에 따라 다양한 광이 상기 검사광으로 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 검사광은 자외선 영역부터 적외선 영역까지 다양한 파장(190nm 내지 1500nm)의 광을 포함할 수 있다.
다른 실시예로서, 상기 광원(410)은 광학 프레임(F)의 내부에 배치되는 것이 아니라 상기 소스 플라즈마의 방전광을 이용할 수도 있다. 플라즈마 처리를 위한 소스가스가 공정챔버(100)의 내부에서 상기 소스 플라즈마로 변환되면서 플라즈마 자체로부터 방전광이 생성되고, 상기 방전광은 패턴 구조물(310)에 의해 반사된다. 상기 방전 반사광을 검출하여 분석함으로써 패턴 구조물(310)의 반사 스펙트럼을 수득할 수도 있다.
상기 스펙트럼 분석기(420)는 패턴 구조물(310)로부터 반사되는 반사광을 검출하여 패턴 구조물(310)의 구성이나 조성에 관한 정보를 반영하는 반사 스펙트럼을 생성한다. 예를 들면, 상기 스펙트럼분석기(420)는 패턴 구조물(310)로부터 반사되는 반사광을 검출하는 검출기(421) 및 상기 검출기(421)로부터 검출된 반사광을 분석하여 반사광의 파장별로 광의 세기를 분류하는 스펙트럼 생성기(422)를 포함한다.
본 실시예의 경우, 상기 검출기(421)는 다양한 파장을 선택적으로 검출하는 다채널 분광 반사계(spectral reflectometer)를 포함하고 상기 스펙트럼 생성기(422)는 상기 패턴 구조물(310)에 대한 임계치수를 검출하는 광학 임계치수(optical critical dimension, OCD) 측정기를 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 스펙트럼 분석기(420)는 상기 검사광의 파장과 관계없이 패턴 구조물(310)로부터 반사되는 반사광을 검출하여 패턴 구조물(310)의 물리적 특성을 반영하는 반사 스펙트럼을 생성한다.
본 실시예의 경우, 상기 패턴 구조물(310)의 형상특성은 리세스의 깊이(d) 및 돌출부(P)의 폭(wp) 중의 적어도 하나를 이용할 수 있다. 즉, 반사 스펙트럼을 이용하여 패턴 구조물(310)의 리세스 깊이(d) 또는 돌출부 폭을 검출함으로써 플라즈마 처리공정에 의한 패턴 구조물(310)의 제거량을 검출하고 이를 이용하여 상기 포커스 링(310)의 높이 변화량을 수득한다.
상기 스펙트럼 서버(430)는 공정챔버(100)의 외부에 독립적으로 제공되며 상기 패턴 구조물(310)의 다양한 기준 형상들에 각각 대응하는 다수의 기준 스펙트럼을 저장한다.
예를 들면, 서로 다른 리세스 깊이(d)를 갖는 패턴 구조물을 구비하는 다수의 포커스 링 샘플을 제작하고 각 샘플 포커스 링의 패턴 구조물에 대하여 개별적으로 OCD 검사를 수행하여 상기 기준 스펙트럼을 생성한다. 이어서, 각 샘플 포커스 링에 구비된 패턴 구조물의 리세스 깊이와 생성된 기준 스펙트럼을 링크 시킨 후 스펙트럼 데이터베이스로 저장한다. 상기 스펙트럼 데이터베이스는 디지털 데이터로 생성되어 하드 디스크나 플래시 메모리와 같은 외부 저장장치로 구성되는 서브 시스템에 저장될 수 있다.
이때, 상기 샘플 포커스 링에 구비된 패턴 구조물의 리세스 깊이는 후술하는 구동기(600)의 동작 정밀도를 기준으로 설정된다. 예를 들면, 상기 구동기(600)가 10nm 단위로 이송동작을 수행하는 경우에는 상기 샘플 포커스 링의 리세스 깊이도 10nm 단위로 변화하도록 설정하고 100nm 단위로 이송동작을 수행하는 경우에는 상기 샘플 포커스 링의 리세스 깊이도 100nm 단위로 변화하도록 설정할 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 스펙트럼 서버에 저장된 기준 스펙트럼을 예시적으로 나타내는 도면이다. 도 5에서는 상기 구동부(320)의 이송동작이 100nm 단위로 수행되어 상기 샘플 포커스 링의 리세스 깊이도 100nm 단위로 변화하는 경우를 예시적으로 설정한 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 스펙트럼 데이터베이스는 샘플 포커스 링의 상면에 대한 부식이 진행되지 않아 공정챔버(100)의 내부에서 포커스 링의 상면과 기판(W)의 상면이 실질적으로 동일한 평면을 갖는 초기위치에서 생성된 반사 스펙트럼인 초기 스펙트럼(a) 및 상기 리세스의 깊이(d)가 100nm 및 200nm인 패턴 구조물에 대한 반사 스펙트럼인 제1 및 제2 기준 스펙트럼(b, c)을 구비한다.
도시되지는 않았지만, 포커스 링의 두께가 증가하거나 구동기(600)의 동작 정밀도가 높아지는 경우 더 많은 기준 스펙트럼이 상기 스펙트럼 서버(430)에 저장될 수 있다. 즉, 스펙트럼 데이터베이스에 저장되는 기준 스펙트럼의 수가 많을수록 포커스 링의 높이 변화에 더욱 정교하게 대응할 수 있게 된다.
상기 스펙트럼 추출기(440)는 스펙트럼 분석기(420) 및 스펙트럼 서버(430)와 연결되어 상기 소스 스펙트럼에 의해 부식되는 패턴 구조물(310)의 반사 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 서로 비교하여 반사 스펙트럼과 가장 근사한 기준 스펙트럼을 근사 스펙트럼(fitted spectrum)으로 추출한다.
예를 들면, 상기 반사 스펙트럼과 기준 스펙트럼들은 수학적 변환에 의해 비교 가능한 표준형태로 변환되고 상기 반사 스펙트럼과 가장 작은 편차를 갖는 기준 스펙트럼을 반사 스펙트럼의 근사 스펙트럼으로 추출한다. 상기 근사 스펙트럼에 대응하는 형상특성인 리세스 깊이(d)는 포커스 링(300)의 높이 감소량을 수득하기 위한 기본 데이터로 전송된다.
상기 위치 제어기(500)는 상기 광 분석기(400)로부터 수득된 형상특성을 이용하여 상기 포커스 링(300)의 높이 감소량을 수득하고 상기 높이 감소량을 보상하도록 포커스 링(300)을 상승시킴으로써 상기 기판(W)에 대한 포커스 링(300)의 상대 위치를 조절한다.
예를 들면, 상기 위치 제어기(500)는 상기 패턴 구조물(310)의 형상특성으로부터 상기 포커스 링(300)의 높이 감소량을 수득하여 상기 포커스 링(300)의 상승거리를 설정하는 상승거리 설정부(510), 상기 포커스 링(300)이 상기 상승거리까지 상승하도록 구동기를 제어하는 구동 제어부(520) 및 상기 포커스 링(300)의 상승 후 수득된 반사 스펙트럼을 상기 초기 스펙트럼(a)과 비교하여 상기 포커스 링(300)의 상승 정확도를 검사하는 검사부(530)를 포함한다.
상기 근사 스펙트럼이 추출되면 근사 스펙트럼에 대응하는 형상특성이 상기 상승거리 설정부(510)로 전송된다. 상기 상승거리 설정부(510)는 형상특성과 포커스 링(300)의 높이 감소량 사이의 관계를 이용하여 포커스 링(300)의 높이 감소량을 연산한다.
본 실시예의 경우, 상기 패턴 구조물(310)의 리세스 깊이(d)를 형상특성으로 이용하고 리세스의 깊이변화는 포커스 링(300)의 상면(302) 식각량과 실질적으로 동일하므로 플라즈마 처리공정이 수행되기 전의 리세스 깊이와 상기 근사 스펙트럼에 대응하는 리세스 깊이의 차이는 소스 플라즈마에 의한 포커스 링(300)의 높이 변화량으로 간주할 수 있다.
이와 달리, 상기 패턴 구조물(310)의 돌출부(P) 폭을 형상특성으로 이용하는 경우에는 돌출부(P) 폭의 변화와 상면(302) 식각량 사이의 변화 사이의 관계를 추론하여 포커스 링의 높이 변화량을 수득할 수 있다.
상기 구동 제어부(520)는 상기 상승거리 설정부(510)와 연결되어 설정된 구동조건에 따라 포커스 링(300)을 상승하는 구동신호를 생성한다. 상기 구동신호에 따라 후술하는 구동기(600)가 구동되어 상승거리만큼 포커스 링(300)을 상승시키게 된다.
상기 구동 제어부(520)는 위치 제어기(500)의 중앙제어유닛으로 기능하여 광 분석기(400)의 분석결과에 따라 선택적으로 구동기(600)를 구동하여 플라즈마 처리공정이 진행되는 동안 실시간으로 포커스 링(300)의 높이를 조절하여 플라즈마의 밀도를 일정하게 유지할 수 있다.
특히, 상기 포커스 링(300)이 상승을 완료한 경우에는 상승거리만큼 정확하게 상승되었는지 여부를 확인할 수 있는 검사부(530)가 구비되어 포커스 링(300)의 상면과 기판(W) 상면 사이의 상대위치를 일정하게 유지할 수 있다.
구동기(600)의 동작이 완료되어 상승완료 신호가 구동기(600)로부터 전송되면, 상기 검사부(530)는 구동 제어부(520)로 상승 검사신호를 전송한다. 이어서, 상기 구동 제어부(520)는 상기 광 분석기(400)로 포커스 링(300)의 상승위치에 대한 위치분석을 요청한다. 상기 광 분석기(400)는 상승위치에서 패턴 구조물(310)에 대한 반사 스펙트럼을 생성하여 상기 검사부(530)로 전송한다. 검사부(530)는 스펙트럼 서버(430)에 저장된 초기 스펙트럼(a)을 호출하여 전송된 반사 스펙트럼과 비교하여 검사공정을 수행한다. 허용된 오차범위 내에서 양 스펙트럼의 형상이 일치하는 경우 상기 검사부(530)는 정상신호를 구동 제어부(520)로 전송하고 검사절차를 완료한다. 상승위치에서의 반사 스펙트럼과 상기 초기 스펙트럼(a)이 일치하지 않는 경우 상기 구동 제어부(520)는 상승위치 에러검색 모듈을 통하여 새로운 상승위치를 탐색할 수 있다.
구동기(600)는 구동 제어부(520)로부터 전송되는 구동신호에 따라 구동되어 상기 포커스 링(300)을 상승높이까지 상승시킨다. 이에 따라, 플라즈마에 의한 포커스 링(300)이 부식되어 높이가 감소하더라도 기판(W)의 상면과 포커스 링(300)의 상면(302) 사이의 상대위치는 항상 일정하게 유지되어 상기 기판(W)의 상부에 형성되는 플라즈마 쉐스의 밀도를 기판의 전면에 대하여 균일하게 유지할 수 있다.
일실시예로서, 상기 구동기(600)는 상기 포커스 링(300)의 바닥면을 지지하는 지지판(610), 상기 지지판(610)과 연결되고 상기 척 몸체(210)의 상면에 수직한 높이방향을 따라 이동하며 상기 지지판(610)을 승강시키는 연결축(620), 상기 연결축(620)을 구동하는 구동력을 전달하는 전동축(630) 및 상기 구동력을 생성하는 동력원(power source, 640)을 포함한다.
상기 지지판(610)은 포커스 링(300)의 바닥면과 동일한 형상을 갖는 링 형상을 구비하여 포커스 링(300)과 척 몸체(210) 및 절연 링(220) 사이에 배치된다. 지지판(610)은 절연성 물질로 구성되며 링 형상의 다수의 평판 절편이나 상기 포커스 링과 동일한 형상을 갖는 링 형상의 평판으로 구성될 수 있다.
상기 연결축(620)은 절연 링(220)에 구비된 관통 홀(221)을 관통하여 베이스(210)의 내부로 연장하고 상기 전동축(630)은 동력원(640) 및 연결축(620)과 연결되도록 베이스(110)의 내부에 배치된다. 연결축(620)의 상단부는 상기 지지판(610) 및 포커스 링(300)을 지지하고 하단부는 베이스(110)의 내부에서 전동축(630)과 연결된다. 본 실시예의 경우, 상기 연결축(620)은 상기 기판(W)의 중심에 대하여 120ㅀ 간격으로 배열된 3개의 세형부재로 구성되어 상기 포커스 링(300)을 3곳의 접촉점에서 균등한 힘으로 지지할 수 있다.
상기 연결축(620)과 베이스(110)의 경계영역에는 오링(O-ring)과 같은 밀봉부재(650)가 구비되어 처리공간(S)의 공정조건이 절연 링(220)에 형성된 상기 관통 홀에 의해 열화되는 것을 방지할 수 있다.
상기 전동축(630)은 동력원(640)으로부터 발생되는 구동력을 상기 연결축(620)으로 전송하고 이에 따라 연결축(620)은 수직방향을 따라 운동한다. 상기 전동축(630)은 동력원(640)에 의해 회전운동하고 연결축(620)은 전동축(630)의 회전에 따라 수직방향을 따라 선형 운동하도록 구성할 수 있다.
상기 동력원(640)은 포커스 링(300)과 지지판(610)을 수직방향을 따라 이동할 수 있을 정도로 충분한 구동력을 생성할 수 있다면 다양한 파워소스가 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 동력원(640)은 상기 포커스 링(300)과 연결축(620)의 하중과 제어특성에 따라 전동 모터를 이용할 수 있다. 본 실시예의 경우, 상기 동력원(640)은 정밀한 위치제어 특성을 갖는 서보모터(servo motor)로 구성한다.
도 6은 도 2에 도시된 포커스 링이 높이 감소량만큼 상승한 상태를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 공정챔버(100)의 내부에서 플라즈마 처리공정이 진행되면서 초기위치에 설치된 포커스 링(300)도 상기 소스 플라즈마에 의해 서서히 부식된다. 플라즈마에 의한 부식은 포커스 링(300)의 상면(302)과 패턴 구조물(310)에 대하여 동시에 진행되어 리세스(R)의 깊이는 증가(Δd)하고 돌출부(P)의 폭은 감소(Δwp)하게 된다.
광 분석기(400)를 이용하여 플라즈마에 의해 식각된 패턴 구조물(310)의 반사 스펙트럼과 리세스의 깊이별로 분류된 기준 스펙트럼을 비교하여 식각된 패턴 구조물(310)의 깊이(d+Δd)를 추출하면, 상기 위치 제어기(500)는 추출된 패턴 구조물의 깊이에 대응하는 포커스 링의 높이 감소량을 생성한다.
리세스의 깊이에 대한 식각량과 포커스 링의 상면(302)에 대한 식각량이 일대일 대응관계를 유지한다면 리세스의 깊이 증가량(Δd)만큼 상면의 높이도 낮아지므로, 포커스 링(300)의 높이 감소량(ΔH)은 상기 리세스의 깊이 증가량(Δd)과 동일하게 된다. 이와 달리, 상기 리세스의 깊이 증가량(Δd)과 상면의 식각량 사이에 일정한 함수 관계가 있다면 상기 함수관계에 따라 리세스의 깊이 증가량(Δd)과 포커스 링(300)의 높이 감소량을 결정할 수 있다.
포커스 링(300)의 높이 감소량(ΔH)은 구동기(600)의 상승거리로 설정되어 포커스 링(300)은 구동기에 의해 상승거리만큼 상승하여 초기위치로 복귀하게 된다. 이에 따라, 플라즈마 공정의 진행에 따라 포커스 링(300)의 높이가 낮아지더라도 자동으로 높이 감소량을 추출하여 포커스 링(300)을 상승시킴으로써 기판(W)의 상면과 포커스 링(300)의 상면을 초기위치로 유지할 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 상부에 형성되는 플라즈마 쉐스의 밀도를 균일하게 유지할 수 있다.
상술한 바와 같은 플라즈마 처리장치에 의하면, 포커스 링의 상면에 포커스 링의 부식정도를 검출할 수 있는 패턴 구조물을 배치하고 플라즈마에 의해 상기 패턴 구조물의 형상변화를 스펙트럼으로 검출함으로써 플라즈마 처리공정 중의 포커스 링의 높이 감소량을 실시간으로 검출할 수 있다. 포커스 링의 높이 감소에 의해 기판 상부의 플라즈마 밀도가 손상될 경우 자동으로 포커스 링을 높이감소분만큼 상승시켜 기판과 포커스 링 사이의 높이편차를 해소할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 밀도의 불균일성에 의한 기판(W)의 공정불량을 감소시킬 수 있다.
특히, 상기 플라즈마 처리공정이 수행되는 동안 실시간으로 패턴 구조물(310)의 반사 스펙트럼을 생성함으로써 공정진행 중의 포커스 링의 높이 변화량에 대해 실시간으로 대응할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 처리공정을 수행하는 공정챔버의 하부에 배치되어 기판을 고정하는 기판 홀더;
    상기 기판 홀더를 둘러싸도록 배치되어 상기 기판의 상부영역에 소스 플라즈마를 집중시키고 상면에 패턴 구조물을 구비하는 포커스 링;
    상기 공정챔버의 측부에 배치되어 상기 패턴 구조물로 검사광을 조사하며, 상기 패턴 구조물로부터 반사되는 반사광을 분광 분석하여 반사 스펙트럼을 생성하고 상기 반사 스펙트럼에 대응하는 상기 패턴 구조물의 형상특성을 검출하는 광 분석기; 및
    상기 형상특성으로부터 상기 포커스 링의 높이 감소량을 수득하고 상기 높이 감소량을 보상하도록 상기 포커스 링을 상승시키는 위치 제어기를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴 구조물은 상기 포커스 링의 원주방향을 따라 상기 상면으로부터 깊이를 갖는 리세스 및 상기 리세스의 바닥면으로부터 상방으로 연장하고 상기 포커스 링의 반경방향을 따라 일정한 간격으로 정렬되는 적어도 하나의 돌출부를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 패턴 구조물은 상기 포커스 링의 내측 주변부에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 돌출부는 하방으로 경사진 측면을 구비하고 상기 리세스는 역사다리꼴 형상의 단면을 갖는 플라즈마 처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 광 분석기는 상기 검사광을 조사하는 광원, 상기 반사광을 검출하여 상기 반사 스펙트럼을 생성하는 스펙트럼 분석기(spectral analyzer), 상기 패턴 구조물의 다양한 기준 형상에 각각 대응하는 다수의 기준 스펙트럼을 저장하는 스펙트럼 서버 및 상기 반사 스펙트럼과 근사한 상기 기준 스펙트럼을 근사 스펙트럼(fitted spectrum)으로 추출하고 상기 근사 스펙트럼에 대응하는 상기 기준 형상으로부터 상기 형상특성을 검출하는 스펙트럼 추출기(spectrum extractor)를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 광원은 상기 소스 플라즈마로부터 생성되는 방전광을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 스펙트럼 분석기는 분광 반사계(spectral reflectometer) 및 상기 분광 반사계를 이용하여 상기 패턴 구조물에 대한 임계치수를 검출하는 광학 임계치수(optical critical dimension, OCD) 측정기를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 형상특성은 상기 리세스의 깊이 및 상기 돌출부의 폭 중의 적어도 하나를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 위치 제어기는 상기 패턴 구조물의 형상특성으로부터 상기 포커스 링의 높이 감소량을 수득하여 상기 포커스 링의 상승거리를 설정하는 상승거리 설정부 및 상기 포커스 링이 상기 상승거리까지 상승하도록 구동기를 제어하는 구동 제어부를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기준 스펙트럼은 상기 포커스 링의 상면과 상기 기판의 상면이 실질적으로 동일한 평면을 갖는 초기위치에서 상기 패턴 구조물의 초기형상에 대응하는 스펙트럼인 초기 스펙트럼을 포함하고, 상기 위치 제어기는 상기 포커스 링의 상승 후 수득된 반사 스펙트럼을 상기 초기 스펙트럼과 비교하여 상기 포커스 링의 상승 정확도를 검사하는 검사부를 더 구비하는 플라즈마 처리장치.

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176030A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法

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