KR102382858B1 - Method for preparing trihalo tin compound and method for preparing triamino tin compound containing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 트리할로 주석 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for preparing a trihalo tin compound and a method for preparing a triamide tin compound comprising the same.
유기 주석 화합물은 폴리염화비닐의 안정제, 각종 플라스틱의 첨가제, 산업용 촉매, 살균제, 살충제, 방오페인트 및 목조 보존제 등으로 다양한 분야에서 폭넓게 사용되고 있다.Organic tin compounds are widely used in various fields as stabilizers of polyvinyl chloride, additives for various plastics, industrial catalysts, disinfectants, pesticides, antifouling paints, and wood preservatives.
특히, 모노알킬 주석삼염화물은 폴리염화비닐 안정제의 제조에서 중요한 전구체로 사용됨으로써 다량의 모노알킬 주석삼염화물이 필요함에 따라, 보다 온화한 조건에서 보다 높은 순도 및 수율로 모노알킬 주석삼염화물을 제조하기위한 방법에 대한 연구가 진행되고 있다.In particular, as monoalkyl tin trichloride is used as an important precursor in the preparation of polyvinyl chloride stabilizers, a large amount of monoalkyl tin trichloride is required. research is in progress.
또한 모노알킬 주석 화합물은 반도체의 가공, 특히 효과적인 포토레지스트로 응용됨으로써 우수한 순도를 가지는 주석 화합물이 요구되고 있다.In addition, as the monoalkyl tin compound is applied as an effective photoresist for semiconductor processing, a tin compound with excellent purity is required.
주석 원자에 대한 알킬기의 도입은 다양한 방식으로 진행될 수 있으나, 대부분의 경우 알킬화된 주석 화합물의 혼합물 형태로 얻어진다.The introduction of the alkyl group to the tin atom may proceed in various ways, but in most cases it is obtained in the form of a mixture of alkylated tin compounds.
구체적으로 모노알킬 주석 삼염화물 및 디알킬 주석 이염화물은 현재 다단계 방법을 통해 제조되며, 하기 반응식에서와 같이 테트라알킬 주석 화합물과 주석 사염화물의 불균등화에 의해 모노알킬 주석 삼염화물 및 디알킬 주석 이염화물의 혼합물이 얻어진다.Specifically, monoalkyl tin trichloride and dialkyl tin dichloride are currently prepared through a multi-step method, and monoalkyl tin trichloride and dialkyl tin dichloride are produced by disproportionation of tetraalkyl tin compound and tin tetrachloride as shown in the following scheme. A mixture of cargo is obtained.
[반응식][reaction formula]
R4Sn + 3SnCl4 → 4RSnCl3 R 4 Sn + 3SnCl 4 → 4RSnCl 3
그러나 상기 공정에서 모노알킬 주석 삼염화물은 제조될 수 있는 알킬기가 한정되어 있거나, 특정한 용매에서만 반응이 진행되는 등의 제한이 따른다.However, in the above process, monoalkyl tin trichloride has limitations such as limited alkyl groups that can be prepared or the reaction proceeds only in a specific solvent.
특히 모노알킬 주석 삼염화물로부터 제조되는 모노알킬 주석 트리아미드 화합물은 고해상도 패턴화를 위한 포토레지스트로 사용된다.In particular, monoalkyl tin triamide compounds prepared from monoalkyl tin trichloride are used as photoresists for high-resolution patterning.
포토레지스트는 반도체 오염에 의한 문제를 완화하고 패턴 결함을 최소화하기위해 보다 높은 순도를 가져야한다.The photoresist should have a higher purity in order to alleviate problems caused by semiconductor contamination and to minimize pattern defects.
따라서 모노알킬 주석 트리아미드 화합물을 제조하기위한 모노알킬 주석 삼화물의 순도가 높아야만 만족할 만한 순도를 가지는 모노알킬 주석 트리아미드 화합물의 제조가 가능하다.Therefore, it is possible to prepare a monoalkyl tin triamide compound having a satisfactory purity only when the purity of the monoalkyl tin triamide for preparing the monoalkyl tin triamide compound is high.
본 발명은 트리할로 주석 화합물의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method for preparing a trihalo tin compound.
또한 본 발명은 본 발명의 트리할로 주석 화합물을 제조방법을 포함하는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method for preparing a triamide tin compound, including the method for preparing the trihalo tin compound of the present invention.
본 발명은 트리할로 주석 화합물을 온화한 조건에서 보다 향상된 순도 및 수율로 제조하는 방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법은,The present invention provides a method for preparing a trihalo tin compound with improved purity and yield under mild conditions. The method for preparing a trihalo tin compound of the present invention comprises:
하기 화학식 11의 화합물 및 하기 화학식 12의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 주석 화합물의 혼합물을 제조하는 단계; 및preparing a mixture of tin compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 3 by reacting a compound of Formula 11 with a compound of Formula 12; and
상기 혼합물을 분리 및 정제하여 하기 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물을 획득하는 단계를 포함하며;separating and purifying the mixture to obtain a trihalotin compound represented by the following Chemical Formula 1;
상기 반응은 하기 식 1을 만족하는 조건에서 수행된다.The reaction is carried out under conditions satisfying the following Equation 1.
[화학식 1][Formula 1]
R1SnX1 3 R 1 SnX 1 3
[화학식 2][Formula 2]
R1 2SnX1 2 R 1 2 SnX 1 2
[화학식 3][Formula 3]
R1 3SnX1 R 1 3 SnX 1
[화학식 11][Formula 11]
R1 4SnR 1 4 Sn
[화학식 12] [Formula 12]
SnX1 4 SnX 1 4
(상기 화학식 1 내지 3 및 11 내지 12에서,(In Formulas 1 to 3 and 11 to 12,
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
X1는 할로겐이다.)X 1 is halogen.)
[식 1][Equation 1]
0.8 ≤ M2/M1 ≤ 2.0 0.8 ≤ M 2 /M 1 ≤ 2.0
(식 1에서 M1은 반응에 사용되는 화학식 11의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.)(In Formula 1, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.)
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 1 내지 3 및 11 내지 12에서 R1은 C1-C7알킬 또는 C2-C10알케닐이며, X1는 Cl, Br 또는 I일 수 있다.In Formulas 1 to 3 and 11 to 12 according to an embodiment of the present invention, R 1 may be C1-C7 alkyl or C2-C10 alkenyl, and X 1 may be Cl, Br, or I.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 하기 식 2를 만족하여 수행될 수 있다.Specifically, the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention may be performed by satisfying Equation 2 below.
[식 2][Equation 2]
1.0 ≤ M2/M1 < 1.81.0 ≤ M 2 /M 1 < 1.8
(상기 식 2에서. M1은 반응에 사용되는 화학식 11의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰 수이다.)(In Formula 2, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.)
본 발명의 일 실시예에 따른 반응은 5℃ 내지 70℃에서 수행될 수 있다.The reaction according to an embodiment of the present invention may be carried out at 5 °C to 70 °C.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2의 화합물은 상기 혼합물 총중량에 대하여 2.0중량%이하로 포함될 수 있다.Specifically, the compound of Formula 2 according to an embodiment of the present invention may be included in an amount of 2.0 wt% or less based on the total weight of the mixture.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 상기 분리 및 정제된 상기 화학식 1이 제거된 잔류물에 존재하는 상기 화학식 2 및 3의 화합물을 하기 화학식 13의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 11의 화합물을 제조하고, 제조된 화학식 11의 화합물을 상기 혼합물을 제조하는 단계로 재투입하는 단계를 더 포함할 수 있다.Preferably, in the method for preparing a trihalotin compound according to an embodiment of the present invention, the compounds of Formulas 2 and 3 present in the separated and purified residue from which Formula 1 is removed are reacted with a compound of Formula 13 The method may further include the step of preparing the compound of Formula 11 and reintroducing the prepared compound of Formula 11 into the step of preparing the mixture.
[화학식 13][Formula 13]
R1MgX2 R 1 MgX 2
(상기 화학식 13에서,(In the formula 13,
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
X2은 할로겐이다.)X 2 is halogen.)
본 발명의 일 실시예에 따라 획득된 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물은 순도가 98.0%이상일 수 있다.The trihalo tin compound represented by Formula 1 obtained according to an embodiment of the present invention may have a purity of 98.0% or more.
또한 본 발명은 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법을 포함하는 트리아미드 주석화합물의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은,In addition, the present invention provides a method for preparing a triamide tin compound comprising the method for preparing a trihalo tin compound of the present invention, wherein the method for preparing a triamide tin compound of the present invention comprises:
하기 화학식 11의 화합물 및 하기 화학식 12의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 주석 화합물의 혼합물을 제조하는 단계; preparing a mixture of tin compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 3 by reacting a compound of Formula 11 with a compound of Formula 12;
상기 혼합물을 분리 및 정제하여 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 획득하는 단계; 및separating and purifying the mixture to obtain a compound represented by the following Chemical Formula 1; and
상기 화학식 1의 화합물 및 하기 화학식 14로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 4로 표시되는 트리아미드 주석 화합물을 제조하는 단계;를 포함하며,reacting the compound of Formula 1 and the compound of Formula 14 to prepare a triamide tin compound represented by the following Formula 4;
상기 반응은 하기 식 1을 만족하여 수행된다.The reaction is performed by satisfying Equation 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
R1SnX1 3 R 1 SnX 1 3
[화학식 2][Formula 2]
R1 2SnX1 2 R 1 2 SnX 1 2
[화학식 3][Formula 3]
R1 3SnX1 R 1 3 SnX 1
[화학식 4][Formula 4]
R1Sn(NR2R3)3 R 1 Sn(NR 2 R 3 ) 3
[화학식 11][Formula 11]
R1 4SnR 1 4 Sn
[화학식 12] [Formula 12]
SnX1 4 SnX 1 4
[화학식 14][Formula 14]
MNR2R3 MNR 2 R 3
(상기 화학식 1 내지 4, 11, 12 및 14에서,(In Formulas 1 to 4, 11, 12 and 14,
M은 알칼리 금속이며;M is an alkali metal;
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
R2는 수소, C1-C10알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며;R 2 is hydrogen, C1-C10 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl;
R3는 C1-C10알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며;R 3 is C1-C10 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl;
X1는 할로겐이다.)X 1 is halogen.)
[식 1][Equation 1]
0.8 ≤ M2/M1 ≤ 2.0 0.8 ≤ M 2 /M 1 ≤ 2.0
(식 1에서 M1은 상기 반응에 사용되는 화학식 11의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.)(In Formula 1, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.)
본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 제조방법에 따라 제조된 트리아미드 주석 화합물은 99.5%이상의 순도를 가질 수 있다.The triamide tin compound prepared according to the method for preparing a triamide tin compound according to an embodiment of the present invention may have a purity of 99.5% or more.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 1 내지 4, 11, 12 및 14에서, M은 리튬이며; R1은 C1-C7알킬 또는 C2-C7알케닐이며; R2 및 R3은 서로 독립적으로 C1-C7알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며; X1는 Cl 또는 Br일 수 있다.Preferably, in Formulas 1 to 4, 11, 12 and 14 according to an embodiment of the present invention, M is lithium; R 1 is C1-C7 alkyl or C2-C7 alkenyl; R 2 and R 3 are independently of each other C1-C7 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl; X 1 may be Cl or Br.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 출발물질의 몰수를 특정한 범위로 제어함에 따라 향상된 순도 및 수율로 트리할로 주석 화합물을 제조할 수 있다.The method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention can prepare a trihalo tin compound with improved purity and yield by controlling the number of moles of the starting material to a specific range.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 보다 온화한 조건에서 트리할로 주석 화합물을 제조할 수 있어, 대량생산이 가능해 상업화가 용이하다.In addition, the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention can prepare a trihalo tin compound under mild conditions, and thus mass production is possible, thereby facilitating commercialization.
나아가 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 트리할로 주석 화합물을 분리 및 정제하여 트리할로 주석 화합물을 제거하고 남은 잔류물에 존재하는 부산물을 그리나드 시약과 반응시켜 출발물질인 상기 화학식 11의 화합물을 제조하고 이를 재사용함으로써 매우 경제적이다.Furthermore, in the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the trihalo tin compound is separated and purified to remove the trihalo tin compound, and a by-product present in the remaining residue is reacted with a Grignard reagent. It is very economical by preparing the compound of Formula 11 as a starting material and reusing it.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법으로 제조되어 높은 순도를 가지는 트리할로 주석 화합물을 사용함으로써 보다 우수한 순도 및 수율로 트리아미드 주석 화합물을 제조할 수 있다.In addition, the method for preparing a tin triamide compound according to an embodiment of the present invention uses a trihalo tin compound having a high purity prepared by the method for preparing a trihalo tin compound of the present invention, resulting in superior purity and yield. Mead tin compounds can be prepared.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 트리아미드 주석 화합물은 다양한 용도, 특히 극히 높은 순도가 요구되는 반도체 공정에 매우 유용하게 사용가능하다.Therefore, the triamide tin compound prepared according to an embodiment of the present invention can be very usefully used in various applications, particularly in semiconductor processes requiring extremely high purity.
이하 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법을 상세히 설명한다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다. Hereinafter, the preparation method of the trihalo tin compound of the present invention and the preparation method of the triamide tin compound including the same will be described in detail. At this time, if there is no other definition in the technical terms and scientific terms used, it has the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which this invention belongs, and the gist of the present invention in the following description and accompanying drawings Descriptions of known functions and configurations that may be unnecessarily obscure will be omitted.
본 명세서에서 사용된 용어 "알킬"은 (탄소수가 특별히 한정되지 않은 경우) 탄소수 1 내지 10, 일양태에서 탄소수 1 내지 6, 또 다른 양태에서 탄소수 1 내지 5, 또 다른 양태에서 탄소수 1 내지 4, 또는 탄소수 1 내지 3을 가진 포화된 직쇄상 또는 분지상의 비-고리(cyclic) 탄화수소를 의미한다. 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 알킬은 탄소수가 1 내지 4인 직쇄상 알킬을 의미한다. 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 알킬은 탄소수가 1 내지 4인 분지상 알킬을 의미한다. 대표적인 포화 직쇄상 알킬은 -메틸, -에틸, -n-프로필, -n-부틸, -n-펜틸, -n-헥실, -n-헵틸, -n-옥틸, -n-노닐 과 -n-데실을 포함하고, 반면에 포화 분지상 알킬은 -이소프로필, -sec-부틸, -이소부틸, -tert-부틸, 이소펜틸, 2-메틸헥실, 3-메틸부틸, 2-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 4-메틸펜틸, 2-메틸헥실, 3-메틸헥실, 2-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 4-메틸펜틸, 2-메틸헥실, 3-메틸헥실, 4-메틸헥실, 5- 메틸헥실, 2,3-디메틸부틸, 2,3-디메틸펜틸, 2,4-디메틸펜틸, 2,3-디메틸헥실, 2,4-디메틸헥실, 2,5-디메틸헥실, 2,2-디메틸펜틸, 2,2-디메틸헥실, 3,3-디메틸펜틸, 3,3-디메틸헥실, 4,4-디메틸헥실, 2-에틸펜틸, 3-에틸펜틸, 2-데틸헥실, 3-에틸헥실, 4-에틸헥실, 2-메틸-2-에틸펜틸, 2-메틸-3-에틸펜틸, 2-메틸-4-에틸펜틸, 2-메틸-2-에틸헥실, 2-메틸-3-에틸헥실, 2-메틸-4-에틸헥실, 2,2-디에틸펜틸, 3,3-디에틸헥실, 2,2-디에틸헥실, 및 3,3-디에틸헥실을 포함한다.As used herein, the term "alkyl" has 1 to 10 carbon atoms (when the number of carbon atoms is not particularly limited), 1 to 6 carbon atoms in one embodiment, 1 to 5 carbon atoms in another embodiment, 1 to 4 carbon atoms in another embodiment, or a saturated straight-chain or branched non-cyclic hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms. Preferably, the alkyl according to an embodiment of the present invention means a straight-chain alkyl having 1 to 4 carbon atoms. Preferably, alkyl according to an embodiment of the present invention means branched alkyl having 1 to 4 carbon atoms. Representative saturated straight chain alkyls are -methyl, -ethyl, -n-propyl, -n-butyl, -n-pentyl, -n-hexyl, -n-heptyl, -n-octyl, -n-nonyl and -n- contains decyl, whereas saturated branched alkyl is -isopropyl, -sec-butyl, -isobutyl, -tert-butyl, isopentyl, 2-methylhexyl, 3-methylbutyl, 2-methylpentyl, 3- Methylpentyl, 4-methylpentyl, 2-methylhexyl, 3-methylhexyl, 2-methylpentyl, 3-methylpentyl, 4-methylpentyl, 2-methylhexyl, 3-methylhexyl, 4-methylhexyl, 5- Methylhexyl, 2,3-dimethylbutyl, 2,3-dimethylpentyl, 2,4-dimethylpentyl, 2,3-dimethylhexyl, 2,4-dimethylhexyl, 2,5-dimethylhexyl, 2,2-dimethyl Pentyl, 2,2-dimethylhexyl, 3,3-dimethylpentyl, 3,3-dimethylhexyl, 4,4-dimethylhexyl, 2-ethylpentyl, 3-ethylpentyl, 2-ethylhexyl, 3-ethylhexyl, 4-ethylhexyl, 2-methyl-2-ethylpentyl, 2-methyl-3-ethylpentyl, 2-methyl-4-ethylpentyl, 2-methyl-2-ethylhexyl, 2-methyl-3-ethylhexyl, 2-methyl-4-ethylhexyl, 2,2-diethylpentyl, 3,3-diethylhexyl, 2,2-diethylhexyl, and 3,3-diethylhexyl.
본 명세서에서 "C1-C6"와 같이 기재될 경우 이는 탄소수가 1 내지 6개임을 의미한다. 예를 들어, C1-C6알킬은 탄소 수가 1 내지 6인 알킬을 의미한다.When described as “C1-C6” in the present specification, it means that the number of carbon atoms is 1 to 6 carbon atoms. For example, C 1 -C 6 alkyl means alkyl having 1 to 6 carbon atoms.
본 명세서에서 사용된 용어 "알케닐"은 2 내지 10개, 바람직하게 2 내지 6의 탄소 원자 및 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 포화된 직쇄상 또는 분지상 비-고리 탄화수소를 의미한다. 본 발명의 일 양태에서 있어서 알케닐은 탄소수 2 내지 5의 탄소 원자 및 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 포화된 직쇄상 또는 분지상 비-고리 탄화수소를 의미한다. 본 발명의 일 양태에서 있어서 알케닐은 탄소수 2 내지 4의 탄소 원자 및 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 포화된 직쇄상 또는 분지상 비-고리 탄화수소를 의미한다. 대표적인 직쇄상 및 분지상 (C2-C10) 알케닐은 -비닐, -알릴, -1-부테닐, -2-부테닐, -이소부틸레닐, -1-펜테닐, -2-펜테닐, -3-메틸-1-부테닐, -2-메틸-2-부테닉, -2,3-디메틸-2-부테닐, -1-헥세닐(hexenyl), -2-헥세닐, -3-헥세닐, -1-헵텐닐, -2-헵텐닐, -3-헵테닐, -1-옥테닐, -2-옥테닐, -3옥테닐, -1-노네닐(nonenyl), -2-노네닐, -3-노네닐, -1-디세닐, -2-디세닐, 및 -3-디세닐을 포함한다. 이러한 알케닐 그룹은 선택적으로 치환될 수 있다.As used herein, the term “alkenyl” means a saturated straight-chain or branched acyclic hydrocarbon containing from 2 to 10, preferably from 2 to 6 carbon atoms and at least one carbon-carbon double bond. . In one aspect of the present invention, alkenyl refers to a saturated straight-chain or branched acyclic hydrocarbon containing 2 to 5 carbon atoms and at least one carbon-carbon double bond. In one aspect of the present invention, alkenyl refers to a saturated straight-chain or branched acyclic hydrocarbon containing 2 to 4 carbon atoms and at least one carbon-carbon double bond. Representative linear and branched (C2-C10) alkenyls are -vinyl, -allyl, -1-butenyl, -2-butenyl, -isobutylenyl, -1-pentenyl, -2-pentenyl, - 3-methyl-1-butenyl, -2-methyl-2-butenic, -2,3-dimethyl-2-butenyl, -1-hexenyl, -2-hexenyl, -3-hex Cenyl, -1-heptenyl, -2-heptenyl, -3-heptenyl, -1-octenyl, -2-octenyl, -3 octenyl, -1-nonenyl, -2-none nyl, -3-nonenyl, -1-disenyl, -2-disenyl, and -3-disenyl. These alkenyl groups may be optionally substituted.
본 명세서에서 사용된 용어 "할로겐" 및 "할로"는 플루오린, 클로린, 브로민 또는 아이오딘을 의미한다.As used herein, the terms “halogen” and “halo” refer to fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에서 사용된 용어 "사이클로알킬(cycloalkyl)"은 탄소 및 수소 원자를 가지며 탄소-탄소 다중 결합을 가지지 않는 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 포화 고리(ring)를 의미한다. 본 명세서에서 사이클로알킬은 C3-C10사이클로알킬일 수 있으며, C3-C8사이클로알킬일 수 있으며, C3-C5사이클로알킬일 수 있다. 사이클로알킬 그룹의 예는 (C3-C10)사이클로알킬(예를 들어, 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 사이클로헵틸)을 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 사이클로알킬 그룹은 선택적으로 치환될 수 있다. 일 실시예에서, 사이클로알킬 그룹은 모노사이클릭 또는 바이사이클릭 링(고리)이다.As used herein, the term “cycloalkyl” refers to a monocyclic or polycyclic saturated ring having carbon and hydrogen atoms and no carbon-carbon multiple bonds. In the present specification, cycloalkyl may be C3-C10 cycloalkyl, C3-C8 cycloalkyl, or C3-C5 cycloalkyl. Examples of cycloalkyl groups include, but are not limited to, (C3-C10)cycloalkyl (eg, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cycloheptyl). Cycloalkyl groups may be optionally substituted. In one embodiment, the cycloalkyl group is a monocyclic or bicyclic ring (ring).
본 명세서에서 사용된 용어 "알칼리 금속"은 주기율표의 1족금속으로, 구체적인 일례로 Li, Na, K 등일 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다. 바람직하게 Li 또는 Na일 수 있다.As used herein, the term "alkali metal" is a Group 1 metal of the periodic table, and may be Li, Na, K, etc. as a specific example, but is not limited thereto. Preferably it may be Li or Na.
본 발명은 높은 순도의 트리할로 주석 화합물을 온화한 조건에서 높은 수율로 대량 생산할 수 있는 트리할로 주석 화합물의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법은, The present invention provides a method for producing a trihalo tin compound capable of mass-producing a high-purity trihalo tin compound in a high yield under mild conditions.
하기 화학식 11의 화합물 및 하기 화학식 12의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 주석 화합물의 혼합물을 제조하는 단계; 및preparing a mixture of tin compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 3 by reacting a compound of Formula 11 with a compound of Formula 12; and
상기 혼합물을 분리 및 정제하여 하기 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물을 획득하는 단계를 포함하며;separating and purifying the mixture to obtain a trihalotin compound represented by the following Chemical Formula 1;
상기 반응은 하기 식 1을 만족하는 조건으로 수행된다.The reaction is carried out under the condition that the following formula 1 is satisfied.
[화학식 1][Formula 1]
R1SnX1 3 R 1 SnX 1 3
[화학식 2][Formula 2]
R1 2SnX1 2 R 1 2 SnX 1 2
[화학식 3][Formula 3]
R1 3SnX1 R 1 3 SnX 1
[화학식 11][Formula 11]
R1 4SnR 1 4 Sn
[화학식 12] [Formula 12]
SnX1 4 SnX 1 4
(상기 화학식 1 내지 3 및 11 내지 12에서,(In Formulas 1 to 3 and 11 to 12,
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
X1는 할로겐이다.)X 1 is halogen.)
[식 1][Equation 1]
0.8 ≤ M2/M1 ≤ 2.00.8 ≤ M 2 /M 1 ≤ 2.0
(식 1에서 식 1에서 M1은 반응에 사용되는 화학식 11의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.)(In Formula 1, in Formula 1, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.)
본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 출발물질로 사용되는 상기 화학식 11의 화합물 및 상기 화학식 12의 화합물의 몰비를 특정한 범위로 제어함으로써 보다 향상된 수율 및 순도로 트리할로 주석 화합물을 제조할 수 있다.In the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the molar ratio of the compound of Formula 11 and the compound of Formula 12 used as a starting material is controlled in a specific range to achieve improved yield and purity of the trihalo compound. Tin compounds can be prepared.
일반적으로 본 발명의 트리할로 주석 화합물은 하기 반응식 1과 같이 테트라알킬 주석 화합물 1몰에 대하여 주석 테트라염화물을 3몰로 사용되어 트리할로 주석 화합물을 제조하여 왔다. In general, the trihalo tin compound of the present invention has been prepared by using 3 moles of tin tetrachloride with respect to 1 mole of the tetraalkyl tin compound as shown in Scheme 1 below.
[반응식 1][Scheme 1]
R4Sn + 3SnCl4 → 4RSnCl3 R 4 Sn + 3SnCl 4 → 4RSnCl 3
(상기 반응식 1에서 R은 알킬이다.)(In Scheme 1, R is alkyl.)
그러나 상기 반응식 1에 따라 상기 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물이 제조될 뿐만 아니라 상기 화학식 2으로 표시되는 디할로 주석 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 모노할로 주석 화합물이 부산물로 제조된다.However, according to Scheme 1, not only the trihalo tin compound represented by Formula 1 is prepared, but also the dihalo tin compound represented by Formula 2 and the monohalo tin compound represented by Formula 3 are prepared as by-products.
상기 부산물 중 디할로 주석 화합물은 트리할로 주석 화합물과 끓는 점의 차이가 거의 없어 트리할로 주석 화합물과의 분리가 매우 어려우며, 뿐만 아니라 모노할로 주석 화합물이 부산물로 다량 제조되어 목적하는 트리할로 주석 화합물의 수율이 낮아지는 문제점이 발생된다.Among the by-products, the dihalo tin compound has little difference in boiling point from the trihalo tin compound, so it is very difficult to separate it from the trihalo tin compound. As a result, there is a problem in that the yield of the tin compound is lowered.
이에 본 발명의 발명자들은 디할로 주석 화합물의 생성을 억제해 트리할로 주석 화합물의 순도를 높이는 동시에 모노할로 주석 화합물의 생성을 억제해 트리할로 주석 화합물의 수율을 높이고자 심도 있는 연구를 진행하던 중 출발물질로 사용되는 상기 화학식 11 및 화학식 12의 몰비를 특정한 범위로 제어함으로써 상기의 목적을 도달할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하였다.Accordingly, the inventors of the present invention conducted in-depth research to increase the yield of trihalo tin compounds by inhibiting the production of dihalo tin compounds to increase the purity of the trihalo tin compounds, and at the same time, suppress the production of monohalo tin compounds. The present invention was completed by discovering that the above object could be achieved by controlling the molar ratio of Chemical Formulas 11 and 12 used as starting materials in a specific range.
즉, 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 상기 화학식 12의 화합물 1몰에 대하여 상기 화학식 11의 화합물을 3몰로 사용하던 종래와 달리 상기 화학식 11 및 화학식 12의 몰비를 특정범위로 제어함으로써 높은 순도 및 수율로 상기 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물을 제조할 수 있었다.That is, in the method for preparing the trihalotin compound of the present invention, unlike the conventional method in which 3 moles of the compound of Formula 11 are used with respect to 1 mole of the compound of Formula 12, the molar ratio of Formulas 11 and 12 is controlled within a specific range. The trihalo tin compound represented by Chemical Formula 1 could be prepared with high purity and yield.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 1 내지 3 및 11 내지 12에서 R1은 C1-C7알킬 또는 C2-C7알케닐이며, X1는 Cl, Br 또는 I일 수 있으며, 또 다른 양태로 R1은 C1-C7알킬이며, X1는 Cl 또는 Br일 수 있고, 또 다른 일양태로 R1은 C1-C4알킬이며, X1는 Cl일 수 있다.Preferably, in Formulas 1 to 3 and 11 to 12 according to an embodiment of the present invention, R 1 is C1-C7 alkyl or C2-C7 alkenyl, and X 1 may be Cl, Br, or I, in another embodiment R 1 may be C1-C7 alkyl, X 1 may be Cl or Br, in another embodiment R 1 may be C1-C4 alkyl, and X 1 may be Cl.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법에 있어서 상기 식 1은 1.0 ≤ M2/M1 < 2.0일 수 있다.Specifically, in the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, Equation 1 may be 1.0 ≤ M 2 /M 1 <2.0.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법에 있어서 반응은 하기 식 2를 만족하는 조건에서 수행되는 것일 수 있다.Specifically, in the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the reaction may be carried out under conditions satisfying the following formula (2).
[식 2][Equation 2]
0.8 < M2/M1 < 1.80.8 < M 2 /M 1 < 1.8
(상기 식 2에서. M1은 반응에 사용되는 화학식 11의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.)(In Formula 2, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.)
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 식 2에서 M2/M1는 0.8 < M1/M2 ≤ 1.5, 또 다른 일양태로 1.0 ≤ M2/M1 ≤ 1.5, 구체적으로 1.0 ≤ M2/M1 ≤ 1.2일 수 있다. 이러한 특정한 범위의 몰수 비율을 가짐으로써 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 순도 및 수율이 보다 향상될 수 있다.Preferably, in Equation 2 according to an embodiment of the present invention, M 2 /M 1 is 0.8 < M 1 /M 2 ≤ 1.5, in another embodiment 1.0 ≤ M 2 /M 1 ≤ 1.5, specifically 1.0 ≤ M 2 /M 1 ≤ 1.2. The purity and yield of the trihalo tin compound of the present invention may be further improved by having the mole ratio in this specific range.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 출발물질을 특정한 몰수범위의 제어함으로써 출발물질인 SnCl4의 거의 남지 않아 이를 이용한 트리아미드 주석 화합물의 제조시 트리아미드 주석 화합물의 순도를 높인다.In addition, in the method for producing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, since the starting material SnCl 4 is hardly left by controlling the starting material in a specific mole range, the triamide tin compound is produced using the same. increase the purity.
나아가 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물을 제조하는 단계에서 반응은 5℃ 내지 70℃에서 수행될 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.Furthermore, in the step of preparing the trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the reaction may be performed at 5° C. to 70° C., but the present invention is not limited thereto.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조하는 단계에서 반응온도는 10℃ 내지 60℃, 구제적으로 10℃초과 내지 50℃, 보다 구체적으로 10℃초과 내지 35℃일 수 있다.Specifically, in the step of preparing the trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the reaction temperature may be 10° C. to 60° C., specifically, more than 10° C. to 50° C., and more specifically, more than 10° C. to 35° C. there is.
따라서 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 온화한 조건에서 높은 수율로 제조할 수 있어 대량제조가 가능하며, 이에 상업화에 보다 유리하다.Therefore, the method for preparing the trihalo tin compound of the present invention can be prepared in a high yield under mild conditions, so that it can be mass-produced, which is more advantageous for commercialization.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 반응시간은 한정이 있는 것은 아니나, 4시간 내지 24시간동안, 구체적으로 6시간 내지 24시간동안, 보다 구체적으로 10시간 내지 24시간동안 일 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.The reaction time of the trihalotin compound according to an embodiment of the present invention is not limited, but may be for 4 hours to 24 hours, specifically for 6 hours to 24 hours, and more specifically for 10 hours to 24 hours. However, the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 11의 화합물 및 상기 화학식 12의 화합물을 반응시켜 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 주석 화합물의 혼합물을 제조하는 단계에 사용되는 용매는 유기합성 분야에서 사용되는 용매라면 모두 가능하며, 일례로 벤젠, 클로로벤젠, 톨루엔, 다이클로로에탄(DCE), 다이옥산 및 디클로로메테인(MC)에서 선택되는 하나(단독용매) 또는 둘이상의 혼합용매가 사용될 수 있으나, 이에 한정이 아니다.The solvent used in the step of preparing a mixture of the tin compound represented by Formulas 1 to 3 by reacting the compound of Formula 11 with the compound of Formula 12 according to an embodiment of the present invention is a solvent used in the field of organic synthesis All are possible, for example, one (single solvent) or a mixed solvent of two or more selected from benzene, chlorobenzene, toluene, dichloroethane (DCE), dioxane and dichloromethane (MC) may be used, but there is no limitation thereto not.
본 발명의 일 실시예에 따른 혼합물을 분리 및 정제하여 상기 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물을 획득하는 단계에 있어서 분리 및 정제는 당업자가 인식가능한 방법이면 모두 가능하나, 감압증류 등으로 분리 및 정제할 수 있다. 구체적으로 0.2 내지 0.9torr, 10 내지 50℃에서 수행될 수 있다.In the step of isolating and purifying the mixture according to an embodiment of the present invention to obtain the trihalotin compound represented by Chemical Formula 1, the separation and purification can be performed by any method recognized by those skilled in the art, but separation by vacuum distillation, etc. and purification. Specifically, it may be carried out at 0.2 to 0.9 torr, 10 to 50 °C.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2의 화합물은 상기 식 1을 만족하는 조건에서 반응이 수행됨으로써 혼합물 총중량에 대하여 1.5중량%이하로 포함될 수 있다.The compound of Formula 2 according to an embodiment of the present invention may be included in an amount of 1.5% by weight or less based on the total weight of the mixture by performing the reaction under the conditions satisfying Formula 1 above.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 식 1을 만족한 조건에서 반응이 수행됨으로써 제조된 혼합물내에 존재하는 상기 화학식 2의 화합물의 생성을 억제하여 제조되는 트리할로 주석 화합물의 순도를 극히 높일 수 있다.In the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the reaction is carried out under the conditions satisfying Formula 1, thereby inhibiting the production of the compound of Formula 2 present in the mixture prepared by suppressing the trihalo tin compound. The purity of the compound can be extremely high.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2의 화합물은 상기 혼합물 총중량에 대하여 2.0중량%이하, 구체적으로 1.8중량%이하, 보다 구체적으로 1.5중량%로 포함될 수 있다.Preferably, the compound of Formula 2 according to an embodiment of the present invention may be included in an amount of 2.0 wt% or less, specifically 1.8 wt% or less, and more specifically 1.5 wt%, based on the total weight of the mixture.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 12는 상기 혼합물 총중량에 대하여 11중량%이하, 바람직하게 7중량%이하, 보다 좋기로는 3중량%이하로 포함될 수 있다.Formula 12 according to an embodiment of the present invention may be included in an amount of 11 wt% or less, preferably 7 wt% or less, and more preferably 3 wt% or less, based on the total weight of the mixture.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법은 상기 화학식 1의 화합물을 분리 및 정제되고 남은 잔류물에 존재하는 상기 화학식 2 및 3의 화합물을 하기 화학식 13의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 11의 화합물을 제조하고, 이를 상기 혼합물을 제조하는 단계로 재투입하는 단계를 더 포함할 수 있다.Preferably, in the method for preparing a trihalotin compound according to an embodiment of the present invention, the compounds of Chemical Formulas 2 and 3 present in the residue remaining after the separation and purification of the compound of Chemical Formula 1 are reacted with the compound of Chemical Formula 13 The method may further include preparing the compound of Formula 11 and re-introducing it to the step of preparing the mixture.
[화학식 13][Formula 13]
R1MgX2 R 1 MgX 2
(상기 화학식 13에서,(In the formula 13,
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
X2는 할로겐이다.)X 2 is halogen.)
본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법에 있어서 부산물로 생성되는 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물을 상기 화학식 13과 반응시켜 상기 화학식 1로 표시되는 트리할로 주석 화합물의 출발물질로 다시 재사용함으로써 매우 경제적이다.In the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention, the compound of Formula 2 and the compound of Formula 3 produced as by-products are reacted with Formula 13 to obtain a trihalo tin compound represented by Formula 1 above. It is very economical by reusing it as a starting material.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리할로 주석 화합물의 제조방법에 따라 제조된 트리할로 주석 화합물은 순도가 98.0%이상일 수 있으며, 구체적으로 98.5%일 수 있으며, 보다 구체적으로 99.0%일 수 있다.The trihalo tin compound prepared according to the method for preparing a trihalo tin compound according to an embodiment of the present invention may have a purity of 98.0% or more, specifically 98.5%, and more specifically 99.0%. .
또한 본 발명은 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법을 포함하는 트리아미드 주석화합물의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은,In addition, the present invention provides a method for preparing a triamide tin compound comprising the method for preparing a trihalo tin compound of the present invention, wherein the method for preparing a triamide tin compound of the present invention comprises:
하기 화학식 11의 화합물 및 하기 화학식 12의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 주석 화합물의 혼합물을 제조하는 단계; preparing a mixture of tin compounds represented by the following Chemical Formulas 1 to 3 by reacting a compound of Formula 11 with a compound of Formula 12;
상기 혼합물을 분리 및 정제하여 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 획득하는 단계; 및separating and purifying the mixture to obtain a compound represented by the following Chemical Formula 1; and
상기 혼합물로부터 분리된 화학식 1의 화합물 및 하기 화학식 14로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 4로 표시되는 트리아미드 주석 화합물을 제조하는 단계;를 포함하며,preparing a triamide tin compound represented by the following formula (4) by reacting the compound of formula (1) and the compound of formula (14) separated from the mixture;
상기 반응은 하기 식 1을 만족하는 조건에서 수행된다.The reaction is carried out under conditions satisfying the following Equation 1.
[화학식 1][Formula 1]
R1SnX1 3 R 1 SnX 1 3
[화학식 2][Formula 2]
R1 2SnX1 2 R 1 2 SnX 1 2
[화학식 3][Formula 3]
R1 3SnX1 R 1 3 SnX 1
[화학식 4][Formula 4]
R1Sn(NR2R3)3 R 1 Sn(NR 2 R 3 ) 3
[화학식 11][Formula 11]
R1 4SnR 1 4 Sn
[화학식 12] [Formula 12]
SnX1 4 SnX 1 4
[화학식 14][Formula 14]
MNR2R3 MNR 2 R 3
(상기 화학식 1 내지 4, 11, 12 및 14에서,(In Formulas 1 to 4, 11, 12 and 14,
M은 알칼리 금속이며;M is an alkali metal;
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
R2는 수소, C1-C10알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며;R 2 is hydrogen, C1-C10 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl;
R3은 C1-C10알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며;R 3 is C1-C10 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl;
X1는 할로겐이다.)X 1 is halogen.)
[식 1][Equation 1]
0.8 ≤ M2/M1 ≤ 2.0 0.8 ≤ M 2 /M 1 ≤ 2.0
(식 1에서 M1은 상기 반응에 사용되는 화학식 11의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.)(In Formula 1, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.)
본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은 본 발명의 트리할로 주석 화합물의 제조방법으로 제조된 높은 순도를 가지는 트리할로 주석 화합물을 출발물질로 사용함에 따라 높은 순도로 트리아미드 주석 화합물을 제조할 수 있다.The method for preparing a tin triamide compound according to an embodiment of the present invention uses a trihalo tin compound having a high purity prepared by the method for preparing a trihalo tin compound of the present invention as a starting material, so that the high purity tria Mead tin compounds can be prepared.
또한 본 발명의 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은 SnCl4의 잔존하지 않는 트리할로 주석 화합물을 이용하여 트리아미드 주석 화합물을 제조함으로써 제조된 트리아미드 주석 화합물의 순도가 극히 높다.In addition, in the method for preparing the tin triamide compound of the present invention, the purity of the tin triamide compound prepared by preparing the tin triamide compound using a trihalo tin compound that does not contain SnCl 4 is extremely high.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물은 99.5%이상, 구체적으로 99.8%이상의 순도를 가지는 것일 수 있다.Therefore, the triamide tin compound according to an embodiment of the present invention may have a purity of 99.5% or more, specifically, 99.8% or more.
이에 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 트리아미드 주석 화합물은 높은 순도를 가짐으로써 반도체 공정, 특히 높은 순도를 요구하는 포토레지스트 등의 재료로 매우 유용하게 사용가능하다.Accordingly, the triamide tin compound prepared according to an embodiment of the present invention has a high purity, so it can be very usefully used as a material for a semiconductor process, particularly a photoresist requiring high purity.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 1 내지 4, 11, 12 및 14에서, M은 리튬이며; R1은 C1-C7알킬 또는 C2-C7알케닐이며; R2 및 R3는 서로 독립적으로 C1-C7알킬, C2-C7알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며; X1는 Cl 또는 Br일 수 있으며, 구체적으로 R1은 C1-C7알킬이며; R2 및 R3는 서로 독립적으로 C1-C5알킬, C2-C5알케닐 또는 C3-C8시클로알킬이며; X1는 Cl 또는 Br일 수 있으며, 보다 구체적으로 R1은 C1-C5알킬이며; R2 및 R3는 서로 독립적으로 C1-C4알킬 또는 C3-C6시클로알킬이며; X1는 Cl 또는 Br일 수 있다.Preferably, in Formulas 1 to 4, 11, 12 and 14 according to an embodiment of the present invention, M is lithium; R 1 is C1-C7 alkyl or C2-C7 alkenyl; R 2 and R 3 are independently of each other C1-C7 alkyl, C2-C7 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl; X 1 may be Cl or Br, specifically, R 1 is C1-C7 alkyl; R 2 and R 3 are independently of each other C1-C5 alkyl, C2-C5 alkenyl or C3-C8 cycloalkyl; X 1 may be Cl or Br, more specifically R 1 is C1-C5 alkyl; R 2 and R 3 are independently of each other C1-C4 alkyl or C3-C6 cycloalkyl; X 1 may be Cl or Br.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은 상기 화학식 1을 획득하고 남은 잔류물에 존재하는 상기 화학식 2 및 3의 화합물을 상기 화학식 13의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 11의 화합물을 제조하고, 이를 상기 혼합물을 제조하는 단계로 재투입하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the method for preparing a triamide tin compound according to an embodiment of the present invention, the compound of Formula 11 is obtained by reacting the compounds of Formulas 2 and 3 present in the residue remaining after obtaining Formula 1 with the compound of Formula 13 It may further include the step of reintroducing it to the step of preparing the mixture.
이에 본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 제조방법은 대량생산이 가능하면서도 반응 부산물을 출발물질로 재사용함으로써 매우 경제적이다.Accordingly, the method for producing a triamide tin compound according to an embodiment of the present invention is very economical by reusing the reaction by-product as a starting material while mass production is possible.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 제조하는 단계에서 반응온도는 상온에서 수행될 수 있으며, 구체적으로 10℃ 내지 50℃, 구제적으로 10℃ 내지 40℃, 보다 구체적으로 15℃ 내지 35℃일 수 있다.Specifically, in the step of preparing the triamide tin compound according to an embodiment of the present invention, the reaction temperature may be carried out at room temperature, specifically 10° C. to 50° C., specifically 10° C. to 40° C., more specifically 15 It may be ℃ to 35 ℃.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물의 반응시간은 한정이 있는 것은 아니나, 4시간 내지 36시간동안, 구체적으로 6시간 내지 24시간동안, 보다 구체적으로 10시간 내지 24시간동안 일 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.The reaction time of the triamide tin compound according to an embodiment of the present invention is not limited, but may be for 4 hours to 36 hours, specifically for 6 hours to 24 hours, and more specifically for 10 hours to 24 hours. , but is not limited thereto.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리아미드 주석 화합물을 제조하는 단계에 사용되는 용매는 유기합성 분야에서 사용되는 용매라면 모두 가능하며, 일례로 벤젠, 클로로벤젠, 톨루엔, 다이클로로에탄(DCE), 다이옥산, n-헥산 및 디클로로메테인(MC)에서 선택되는 하나(단독용매) 또는 둘이상의 혼합용매가 사용될 수 있으나, 이에 한정이 아니다.The solvent used in the step of preparing the triamide tin compound according to an embodiment of the present invention may be any solvent used in the field of organic synthesis, for example, benzene, chlorobenzene, toluene, dichloroethane (DCE), dioxane One (single solvent) or a mixed solvent of two or more selected from , n-hexane and dichloromethane (MC) may be used, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 트리아미드 주석 화합물은 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 특히 순도가 높아 반도체 공정에 매우 유용하게 사용될 수 있다. The triamide tin compound prepared according to an embodiment of the present invention can be used for various purposes, and in particular, it can be very usefully used in a semiconductor process due to its high purity.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 트리아미드 주석 화합물은 고화질 디스플레이를 구현하기위한 박막 트랜지스터의 비정질 상태의 상태의 InGaSnO(Indium-Gallium-Tin Oxide 이하 IGTO)와 InGaSnO(Indium-Gallium-Zinc Oxide 이하 IGZO)를 활성층의 전구체로 사용될 수 있다. 즉 ALD (원자층 증착법), CVD(화학기상 증착법), PECVD(플라즈마 화학기상 증착법) 및 PEALD(플라즈마 원자층 증착법) 등의 공정을 이용하여 증착전구체로 다양한 분야에 응용가능하다.Specifically, the triamide tin compound prepared according to an embodiment of the present invention is InGaSnO (Indium-Gallium-Tin Oxide or IGTO) and InGaSnO (Indium-Gallium-Zinc) in an amorphous state of a thin film transistor for realizing a high-definition display. Oxide (hereinafter referred to as IGZO) may be used as a precursor of the active layer. That is, it can be applied to various fields as a deposition precursor using processes such as ALD (atomic layer deposition), CVD (chemical vapor deposition), PECVD (plasma chemical vapor deposition), and PEALD (plasma atomic layer deposition).
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to conventional or dictionary meanings, and the inventor should properly understand the concept of the term in order to best describe his invention. Based on the principle that it can be defined, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.
따라서 본 명세서에 기재된 실시예에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적인 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있음을 이해하여야 한다. Therefore, the configuration shown in the embodiment described in this specification is only the most preferred embodiment of the present invention and does not represent all the technical spirit of the present invention, so various equivalents that can be substituted for them at the time of the present application It should be understood that there are variations and examples.
[실시예 1] (i-Pr)SnCl3의 제조 [Example 1] Preparation of (i-Pr)SnCl 3
질소 기류 하에서 3L 플라스크에 SnCl4 (1680.5g, 6.32mol)를 넣고 용매(Toluene, 533.15g)를 첨가하여 SnCl4 용액을 제조하였다. 질소 기류 하에서 5L flask에 (i-Pr)4Sn(1600g, 5.5mol)를 넣고, 무수 용매(Toluene, 533.15g) 첨가하였다. 여기에 25℃에서 앞서 제조한 SnCl4 용액을 천천히 첨가하여 18시간동안 반응시켰다. 반응이 완료된 후 셀라이트 필터를 이용하여 반응혼합물을 여과한 후 감압하에 용매를 제거하였다. 용매가 제거된 잔류물은 23℃에서 진공(0.46 torr)을 유지하면서 증류하여 정제된 생성물 및 부생성물로 분리하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.SnCl 4 (1680.5 g, 6.32 mol) was put into a 3L flask under a nitrogen stream, and a solvent (Toluene, 533.15 g) was added to prepare a SnCl 4 solution. (i-Pr) 4 Sn (1600 g, 5.5 mol) was added to a 5L flask under a nitrogen stream, and anhydrous solvent (Toluene, 533.15 g) was added. The SnCl 4 solution prepared previously at 25° C. was slowly added thereto and reacted for 18 hours. After the reaction was completed, the reaction mixture was filtered using a Celite filter, and the solvent was removed under reduced pressure. The solvent-removed residue was distilled while maintaining a vacuum (0.46 torr) at 23° C. and separated into a purified product and a by-product, and the results are shown in Table 1 below.
생성물인 (i-Pr)SnCl3를 순도 99.50%(840.3g, 3.13mol)로 얻었다. The product (i-Pr)SnCl 3 was obtained with a purity of 99.50% (840.3 g, 3.13 mol).
1H NMR (C6D6, ppm): δ 0.86(d, 6H), 1.78(m, 1H) 1 H NMR (C 6 D 6 , ppm): δ 0.86 (d, 6H), 1.78 (m, 1H)
마찬가지로 분리 정제된 부생성물인 (i-Pr)3SnCl 및 (i-Pr)2SnCl2의 함량을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Similarly, the contents of (i-Pr) 3 SnCl and (i-Pr) 2 SnCl 2 as separated and purified by-products were measured, and the results are shown in Table 1 below.
[실시예 2 내지 실시예 8 및 비교예 1 내지 6] (i-Pr)SnCl3의 제조[Examples 2 to 8 and Comparative Examples 1 to 6] Preparation of (i-Pr)SnCl 3
상기 실시예 1에서 (SnCl4/(i-Pr)4Sn)의 몰비를 달리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 (i-Pr)SnCl3의 제조하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Except for changing the molar ratio of (SnCl 4 /(i-Pr) 4 Sn) in Example 1, (i-Pr)SnCl 3 was prepared in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 shown in
[실시예 9 내지 12] (i-Pr)SnCl3의 제조[Examples 9 to 12] Preparation of (i-Pr)SnCl 3
상기 실시예 1에서 반응온도를 달리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 (i-Pr)SnCl3의 제조하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Except for changing the reaction temperature in Example 1, (i-Pr)SnCl 3 was prepared in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 below.
(SnCl4/(i-Pr)4Sn)molar ratio
(SnCl 4 /(i-Pr) 4 Sn)
(℃)temperature
(℃)
(중량%)(i-Pr)SnCl 3
(weight%)
(중량%)(i-Pr) 3 SnCl
(weight%)
(중량%)(i-Pr) 2 SnCl 2
(weight%)
(중량%)b (i-Pr) 4 Sn
(wt%) b
(중량%) b SnCl 4
(wt%) b
순도a
(%)Final (i-Pr)SnCl 3
purity a
(%)
a:1H-NMR에서의 순도를 나타냄. b:반응완료 후 존재량a: Indicates purity in 1 H-NMR. b: the amount present after completion of the reaction
[실시예 14] 부생성물의 (i-Pr)4Sn으로의 전환반응[Example 14] Conversion reaction of by-products into (i-Pr) 4 Sn
단계1: (i-Pr)MgCl의 제조Step 1: Preparation of (i-Pr)MgCl
질소 기류 하에서 진공 건조된 Mg turnings 40g(1.65mol)에 무수 Diisopropyl ether 1104ml를 첨가한 후 (i-Pr)Cl 152.8g(1.95mol)를 천천히 첨가하여 상온에서 12시간동인 반응시켜 (i-Pr)MgCl (1.5M)용액을 제조하였다.After adding 1104 ml of anhydrous Diisopropyl ether to 40 g (1.65 mol) of Mg turnings dried in a vacuum under a nitrogen stream, 152.8 g (1.95 mol) of (i-Pr)Cl was slowly added and reacted at room temperature for 12 hours (i-Pr) MgCl (1.5M) solution was prepared.
단계 2: (i-Pr)4Sn의 제조Step 2: Preparation of (i-Pr) 4 Sn
질소기류 하에서 상기 실시예 1에서 제조된 부산물인 (i-Pr)3SnCl/(i-Pr)SnCl3 혼합물 280.1g(0.91mol의 (i-Pr)3SnCl, 0.09mol의 (i-Pr)SnCl3)을 1단계에서 제조된 (i-Pr)MgCl 180.0g(1.75mol)의 용액에 상온에서 천천히 첨가한 후 18시간동안 반응시켰다. 반응이 완료되면 반응혼합물을 셀라이트 필터로 여과한 후 증류수를 천천히 첨가하고 층분리하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조시켰다. 수분이 제거된 여액을 41℃에서 진공(0.94torr)을 유지하면서 증류하여 Tetra Isopropyl tin을 (234.9g, 0.81mol, 80.7%)을 순도: ≥99.5%로 얻었다.280.1 g (0.91 mol of (i - Pr) 3 SnCl, 0.09 mol of (i - Pr) SnCl 3 ) was slowly added to a solution of 180.0 g (1.75 mol) of (i-Pr)MgCl prepared in step 1 at room temperature, and then reacted for 18 hours. When the reaction was completed, the reaction mixture was filtered through a Celite filter, distilled water was slowly added thereto, and the organic layer obtained by layer separation was dried over MgSO 4 . The filtrate from which moisture was removed was distilled at 41° C. while maintaining a vacuum (0.94 torr) to obtain Tetra Isopropyl tin (234.9 g, 0.81 mol, 80.7%) with a purity of ≥99.5%.
단계 3: (i-Pr)SnCl3의 제조Step 3: Preparation of (i-Pr)SnCl 3
출발물질로 단계 2에서 제조된 (i-Pr)4Sn를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 (i-Pr)SnCl3를 제조하여 그 결과를 상기 표 1에 나타내었다.Except that (i-Pr) 4 Sn prepared in step 2 was used as a starting material, (i-Pr)SnCl 3 was prepared in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1 above.
실시예 14에서 보이는 바와 같이 실시예 1에서 생성된 부산물을 그리냐드 시약과 반응시켜 용이하게 (i-Pr)4Sn로 전환시킬 수 있으며, 표 1에서 보이는 바와 같이 이를 출발물질로 사용하여 (i-Pr)SnCl3를 효율적으로 제조할 수 있었다.As shown in Example 14, the byproduct produced in Example 1 can be easily converted into (i-Pr) 4 Sn by reacting it with a Grignard reagent, and using it as a starting material as shown in Table 1 (i -Pr)SnCl 3 could be efficiently prepared.
[실시예 15] (i-Pr)Sn(NMe2)3의 제조 [Example 15] Preparation of (i-Pr)Sn(NMe 2 ) 3
질소 기류 하에서 5L 플라스크에 23.50wt% 희석된 n-Butyllithium(2.58mol) 첨가한 후 n-Hexane 2000ml를 첨가한 후 -10℃로 냉각하였다. 여기에 Dimethylamine gas(3.03mol) 첨가하여 서서히 승온하여 실온에서 12시간동안 교반시켰다. 여기에 (i-Pr)SnCl3(0.807mol)를 녹인 무수 n-Hexane(0.81mol)을 천천히 첨가하여 12시간동안 교반시켰다. 반응이 완료된 반응혼합물을 셀라이트 필터로 여과하고 감압하에서 용매를 제거하였다. 용매가 제거된 잔류물을 35℃에서 진공(0.78torr)을 유지하면서 증류하여 Isopropyl tris(dimethylamino)tin (191.5g, 6.51mol, 80.7%)을 순도 99.88%(By NMR)로 얻었다.After adding n-Butyllithium (2.58 mol) diluted 23.50 wt% to a 5L flask under a nitrogen stream, 2000 ml of n-Hexane was added, followed by cooling to -10 °C. Dimethylamine gas (3.03 mol) was added thereto, and the temperature was gradually increased, followed by stirring at room temperature for 12 hours. Anhydrous n-Hexane (0.81 mol) in which (i-Pr)SnCl 3 (0.807 mol) was dissolved was slowly added thereto, followed by stirring for 12 hours. After the reaction was completed, the reaction mixture was filtered through a Celite filter, and the solvent was removed under reduced pressure. The residue from which the solvent was removed was distilled while maintaining a vacuum (0.78 torr) at 35° C. to obtain Isopropyl tris(dimethylamino)tin (191.5 g, 6.51 mol, 80.7%) with a purity of 99.88% (By NMR).
1H NMR (C6D6): δ 1.26(d, 6H), 1.60 (m, 1H), 2.83(s, 18H) 1 H NMR (C 6 D 6 ): δ 1.26(d, 6H), 1.60 (m, 1H), 2.83(s, 18H)
본 발명의 (i-Pr)Sn(NMe2)3의 제조에 있어서, 본 발명의 실시예 1에서 제조된 (i-Pr)SnCl3를 사용함으로써 높은 순도를 가지는 트리아미드 주석 화합물을 제조할 수 있었다. In the preparation of (i-Pr)Sn(NMe 2 ) 3 of the present invention, by using (i-Pr)SnCl 3 prepared in Example 1 of the present invention, a triamide tin compound having high purity can be prepared. there was.
Claims (10)
상기 혼합물을 분리 및 정제하여 하기 화학식 1의 트리할로 주석 화합물을 획득하는 단계; 및
상기 화학식 1의 화합물이 분리되고 남은 잔류물에 존재하는 상기 화학식 2 및 3의 화합물을 하기 화학식 13의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 11의 화합물을 제조하고, 제조된 상기 화학식 11의 화합물을 상기 혼합물을 제조하는 단계로 재투입하는 단계; 를 포함하며,
상기 화학식 11의 화합물 및 화학식 12의 화합물의 반응은 하기 식 1을 만족하는 조건으로 수행되는 트리할로 주석 화합물의 제조방법:
[화학식 1]
R1SnX1 3
[화학식 2]
R1 2SnX1 2
[화학식 3]
R1 3SnX1
[화학식 11]
R1 4Sn
[화학식 12]
SnX1 4
[화학식 13]
R1MgX2
상기 화학식 1 내지 3 및 11 내지 13에서,
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;
X1 및 X2는 할로겐이다.
[식 1]
0.8 ≤ M2/M1 ≤ 2.0
식 1에서 M1은 반응에 사용되는 화학식 11의 화합물의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.preparing a mixture of tin compounds of Formulas 1 to 3 by reacting a compound of Formula 11 with a compound of Formula 12;
separating and purifying the mixture to obtain a trihalotin compound of Formula 1; and
The compound of Formula 11 is prepared by reacting the compounds of Formulas 2 and 3 present in the residue after the compound of Formula 1 is separated with a compound of Formula 13 below, and the prepared compound of Formula 11 is mixed with the mixture. re-inputting to the manufacturing step; includes,
A method for preparing a trihalotin compound wherein the reaction of the compound of Formula 11 and the compound of Formula 12 is performed under conditions satisfying the following Formula 1:
[Formula 1]
R 1 SnX 1 3
[Formula 2]
R 1 2 SnX 1 2
[Formula 3]
R 1 3 SnX 1
[Formula 11]
R 1 4 Sn
[Formula 12]
SnX 1 4
[Formula 13]
R 1 MgX 2
In Formulas 1 to 3 and 11 to 13,
R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
X 1 and X 2 are halogen.
[Equation 1]
0.8 ≤ M 2 /M 1 ≤ 2.0
In Formula 1, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.
상기 화학식 1 내지 3 및 11 내지 13에서 R1은 C1-C7알킬 또는 C2-C7알케닐이며;
X1 및 X2는 Cl, Br 또는 I인 트리할로 주석 화합물의 제조방법.The method of claim 1,
In Formulas 1 to 3 and 11 to 13, R 1 is C1-C7 alkyl or C2-C7 alkenyl;
X 1 And X 2 Are Cl, Br, or I A method for producing a trihalo tin compound.
상기 화학식 11의 화합물 및 화학식 12의 화합물의 반응은 하기 식 2를 만족하는 조건에서 수행되는 트리할로 주석 화합물의 제조방법:
[식 2]
1.0 ≤ M2/M1 < 1.8
식 2에서 M1은 반응에 사용되는 화학식 11의 화합물의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.The method of claim 1,
A method for preparing a trihalotin compound wherein the reaction of the compound of Formula 11 and the compound of Formula 12 is performed under conditions satisfying the following Formula 2:
[Equation 2]
1.0 ≤ M 2 /M 1 < 1.8
In Formula 2, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.
상기 화학식 11의 화합물 및 화학식 12의 화합물의 반응은 5℃ 내지 70℃에서 수행되는 트리할로 주석 화합물의 제조방법.The method of claim 1,
A method for preparing a trihalotin compound wherein the reaction of the compound of Formula 11 and the compound of Formula 12 is performed at 5°C to 70°C.
상기 화학식 2의 화합물은 상기 혼합물 총중량에 대하여 2.0중량%이하로 포함되는 트리할로 주석 화합물의 제조방법.The method of claim 1,
The method for preparing a trihalo tin compound in which the compound of Formula 2 is included in an amount of 2.0 wt% or less based on the total weight of the mixture.
상기 획득된 화학식 1의 트리할로 주석 화합물은 순도가 98.0% 이상인 트리할로 주석 화합물의 제조방법.The method of claim 1,
The obtained trihalo tin compound of Formula 1 is a method for producing a trihalo tin compound having a purity of 98.0% or more.
상기 혼합물을 분리 및 정제하여 하기 화학식 1의 화합물을 획득하는 단계;
상기 화학식 1의 화합물이 분리되고 남은 잔류물에 존재하는 상기 화학식 2 및 3의 화합물을 하기 화학식 13의 화합물과 반응시켜 상기 화학식 11의 화합물을 제조하고, 제조된 상기 화학식 11의 화합물을 상기 혼합물을 제조하는 단계로 재투입하는 단계; 및
상기 분리 및 정제하여 획득한 화학식 1의 화합물 및 하기 화학식 14의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 4의 트리아미드 주석 화합물을 제조하는 단계;를 포함하며,
상기 화학식 11의 화합물 및 화학식 12의 화합물의 반응은 하기 식 1을 만족하는 조건으로 수행되는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법:
[화학식 1]
R1SnX1 3
[화학식 2]
R1 2SnX1 2
[화학식 3]
R1 3SnX1
[화학식 4]
R1Sn(NR2R3)3
[화학식 11]
R1 4Sn
[화학식 12]
SnX1 4
[화학식 13]
R1MgX2
[화학식 14]
MNR2R3
상기 화학식 1 내지 4, 11 내지 14에서,
M은 알칼리 금속이며;
R1은 C1-C10알킬 또는 C2-C10알케닐이며;
R2는 수소, C1-C10알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며;
R3는 C1-C10알킬, C2-C10알케닐 또는 C3-C12시클로알킬이며;
X1 및 X2는 할로겐이다.
[식 1]
0.8 ≤ M2/M1 ≤ 2.0
식 1에서 M1은 상기 반응에 사용되는 화학식 11의 화합물의 몰수이며, M2는 반응에 사용되는 화학식 12의 화합물의 몰수이다.preparing a mixture of tin compounds of Formulas 1 to 3 by reacting a compound of Formula 11 with a compound of Formula 12;
separating and purifying the mixture to obtain a compound of Formula 1;
The compound of Formula 11 is prepared by reacting the compounds of Formulas 2 and 3 present in the residue after the compound of Formula 1 is separated with a compound of Formula 13 below, and the prepared compound of Formula 11 is mixed with the mixture. re-inputting to the manufacturing step; and
reacting the compound of Formula 1 obtained by the separation and purification and the compound of Formula 14 below to prepare a triamide tin compound of Formula 4;
A method for preparing a triamide tin compound wherein the reaction of the compound of Formula 11 and the compound of Formula 12 is performed under conditions satisfying the following Formula 1:
[Formula 1]
R 1 SnX 1 3
[Formula 2]
R 1 2 SnX 1 2
[Formula 3]
R 1 3 SnX 1
[Formula 4]
R 1 Sn(NR 2 R 3 ) 3
[Formula 11]
R 1 4 Sn
[Formula 12]
SnX 1 4
[Formula 13]
R 1 MgX 2
[Formula 14]
MNR 2 R 3
In Formulas 1 to 4, 11 to 14,
M is an alkali metal;
R 1 is C1-C10 alkyl or C2-C10 alkenyl;
R 2 is hydrogen, C1-C10 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl;
R 3 is C1-C10 alkyl, C2-C10 alkenyl or C3-C12 cycloalkyl;
X 1 and X 2 are halogen.
[Equation 1]
0.8 ≤ M 2 /M 1 ≤ 2.0
In Formula 1, M 1 is the number of moles of the compound of Formula 11 used in the reaction, and M 2 is the number of moles of the compound of Formula 12 used in the reaction.
상기 제조된 트리아미드 주석 화합물은 99.5%이상의 순도를 가지는 것인, 트리아미드 주석 화합물의 제조방법.9. The method of claim 8,
The method for preparing a tin triamide compound, wherein the prepared triamide tin compound has a purity of 99.5% or more.
상기 화학식 1 내지 4, 11 내지 14에서, M은 리튬이며; R1은 C1-C7알킬 또는 C2-C7알케닐이며;
R2 및 R3는 서로 독립적으로 C1-C7알킬이며;
X1 및 X2는 Cl, Br 또는 I인 트리아미드 주석 화합물의 제조방법.9. The method of claim 8,
In Formulas 1 to 4 and 11 to 14, M is lithium; R 1 is C1-C7 alkyl or C2-C7 alkenyl;
R 2 and R 3 are independently of each other C 1 -C 7 alkyl;
X 1 and X 2 are Cl, Br or I. A method for preparing a triamide tin compound.
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|---|---|---|---|
| KR1020210103950A KR102382858B1 (en) | 2021-08-06 | 2021-08-06 | Method for preparing trihalo tin compound and method for preparing triamino tin compound containing the same |
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|---|---|---|---|---|
| WO2023235416A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Entegris, Inc. | Compositions and related methods of alkyltintrihalides |
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| KR20200058572A (en) | 2018-04-11 | 2020-05-27 | 인프리아 코포레이션 | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contaminants, compositions and methods thereof |
-
2021
- 2021-08-06 KR KR1020210103950A patent/KR102382858B1/en active IP Right Grant
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| GRNT | Written decision to grant |