KR102374676B1 - Light emitting diode package and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임; 상기 리드프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩; 상기 리드프레임 상에 실장된 제너 다이오드; 상기 리드프레임을 지지하는 패키지본체; 및 상기 제너 다이오드가 노출되지 않게 상기 제너 다이오드를 덮도록 상기 패키지본체에 결합된 보강부를 포함한다. 본 발명에 의하면, 제너 다이오드가 발광 다이오드 패키지의 패키지본체 내부에 매몰됨에 따라 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛이 제너 다이오드에서 흡수되지 않아 발광 다이오드 패키지의 효율을 최대화할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method for manufacturing the same, and the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes: a lead frame including first and second lead members spaced apart from each other; a light emitting diode chip mounted on the lead frame; a Zener diode mounted on the leadframe; a package body supporting the lead frame; and a reinforcing part coupled to the package body to cover the Zener diode so that the Zener diode is not exposed. According to the present invention, as the Zener diode is buried inside the package body of the light emitting diode package, light emitted from the light emitting diode chip is not absorbed by the Zener diode, thereby maximizing the efficiency of the light emitting diode package.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Light emitting diode package and manufacturing method thereof

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리드 프레임 및 패키지본체가 구비된 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting diode package having a lead frame and a package body, and a method for manufacturing the same.

발광 다이오드(LED: light emitting diode)는 발광 효율이 높으면서 수명이 길고 소비전력이 낮아 친환경적이다. 도한, 사용목적이나 형태에 따라 바라광 다이오드 칩이 탑재된 패키지 구조로 제작할 수 있어 그 사용범위가 넓은 장점도 있다.Light emitting diodes (LEDs) are environmentally friendly due to their high luminous efficiency, long lifespan and low power consumption. Also, depending on the purpose or shape of use, it can be manufactured in a package structure in which a bara light diode chip is mounted, which has the advantage of a wide range of use.

일반적으로 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩, 발광 다이오드 칩에 전류를 인가하는 리드프레임, 리드프레임을 지지하는 하우징 형태의 패키지본체 및 발광 다이오드 칩을 보호하기 위한 몰딩부재나 렌즈를 포함한다.In general, a light emitting diode package includes a light emitting diode chip, a lead frame for applying a current to the light emitting diode chip, a housing-type package body supporting the lead frame, and a molding member or lens for protecting the light emitting diode chip.

도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a conventional light emitting diode package.

종래의 발광 다이오드 패키지는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임, 발광 다이오드 칩 및 리드프레임을 지지하는 패키지본체를 포함한다. 이때, 제1 및 제2 리드부재는 서로 이격되어 배치된다. 패키지본체는 제1 및 제2 리드부재의 절연을 위해 이격된 공간을 수지로 채운 전극분리부가 포함된다. 그리고 발광 다이오드 칩은 제1 리드부재에 실장되고 제2 리드부재와 와이어 본딩되며, 제너 다이오드는 제2 리드부재에 실장되고, 제1 리드부재와 와이어 본딩된다.As shown in FIG. 1, the conventional light emitting diode package includes a lead frame including first and second lead members, a light emitting diode chip, and a package body supporting the lead frame. In this case, the first and second lead members are disposed to be spaced apart from each other. The package body includes an electrode separation unit filling a space spaced apart with a resin to insulate the first and second lead members. The light emitting diode chip is mounted on the first lead member and wire-bonded with the second lead member, and the Zener diode is mounted on the second lead member and wire-bonded with the first lead member.

상기와 같은 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛이 방출되면서, 제어 다이오드에서 일부 흡수되어 발광 다이오드 칩에서의 발광효율을 떨어뜨릴 수 있는 문제가 있다.
The light emitting diode package as described above has a problem in that the light emitted from the light emitting diode chip is partially absorbed by the control diode, thereby reducing the light emitting efficiency of the light emitting diode chip.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 제너 다이오드 등에서 흡수되는 빛을 최소화하여 발광 다이오드 칩에서 발광되는 빛의 효율을 높이기 위한 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
An object of the present invention is to provide a light emitting diode package and a method for manufacturing the same for increasing the efficiency of light emitted from a light emitting diode chip by minimizing light absorbed by a Zener diode or the like.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임; 상기 리드프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩; 상기 리드프레임 상에 실장된 제너 다이오드; 상기 리드프레임을 지지하는 패키지본체; 및 상기 제너 다이오드가 노출되지 않게 상기 제너 다이오드를 덮도록 상기 패키지본체에 결합된 보강부를 포함한다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes: a lead frame including first and second lead members spaced apart from each other; a light emitting diode chip mounted on the lead frame; a Zener diode mounted on the leadframe; a package body supporting the lead frame; and a reinforcing part coupled to the package body to cover the Zener diode so that the Zener diode is not exposed.

이때, 상기 제너 다이오드는 상기 제2 리드부재에 실장되며, 상기 보강부는 상기 제2 리드부재의 일부를 덮도록 상기 패키지본체에 결합될 수 있다. 그리고 상기 패키지본체는 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고, 상기 보강부는 상기 벽에 접하도록 상기 제2 리드부재 일부를 덮을 수 있다. 또한, 상기 보강부 상면은 상기 벽에서 상기 캐비티 내측 방향으로 기울어진 경사면으로 형성될 수 있으며, 상기 경사면과 제2 리드부재의 상면이 이루는 각도가 40도 이상 60도 이하일 수 있다.In this case, the Zener diode may be mounted on the second lead member, and the reinforcing part may be coupled to the package body to cover a portion of the second lead member. The package body may include a wall defining a cavity, and the reinforcing part may cover a portion of the second lead member so as to be in contact with the wall. In addition, the upper surface of the reinforcing part may be formed as an inclined surface inclined from the wall toward the inside of the cavity, and an angle between the inclined surface and the upper surface of the second lead member may be 40 degrees or more and 60 degrees or less.

그리고 상기 패키지본체는 상기 제1 및 제2 리드부재 사이에 위치하는 전극분리부가 포함되며, 상기 보강부는 상기 전극분리부의 일부를 덮도록 상기 패키지본체에 결합될 수 있다. 또한, 상기 제1 리드부재는 각각 상기 제1 리드부재에서 일 측으로 돌출된 하나 이상의 확장부를 포함하고, 상기 제너 다이오드는 제2 리드부재에 실장되며, 상기 확장부와 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
The package body may include an electrode separation unit positioned between the first and second lead members, and the reinforcing unit may be coupled to the package body to cover a portion of the electrode separation unit. In addition, each of the first lead members includes one or more extensions protruding from the first lead member to one side, and the Zener diode is mounted on the second lead member, and can be electrically connected to the extensions through wire bonding. there is.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재가 배치되는 제1 단계; 상기 제2 리드부재에 제너 다이오드가 실장되는 제2 단계; 상기 제너 다이오드를 상기 제1 리드부재에 와이어 본딩하는 제 3단계; 상기 제너 다이오드가 노출되지 않도록 상기 제2 리드부재의 일부를 보강부를 덮는 상기 보강부와 함께 상기 제1 및 제2 리드부재를 지지하는 패키지본체를 사출 성형하는 제4 단계; 및 상기 제4 단계에서 제1 및 제2 리드부재의 일부가 노출되도록 사출 성형된 패키지본체의 캐비티 내의 상기 제1 리드부재에 발광 다이오드 칩이 실장되는 제5 단계를 포함한다.On the other hand, the light emitting diode package manufacturing method according to an embodiment of the present invention, a first step of disposing the first and second lead members spaced apart from each other; a second step of mounting a Zener diode on the second lead member; a third step of wire bonding the Zener diode to the first lead member; a fourth step of injection molding a package body supporting the first and second lead members together with the reinforcing portion covering a portion of the second lead member so as not to expose the Zener diode; and a fifth step in which a light emitting diode chip is mounted on the first lead member in the cavity of the package body injection-molded so that portions of the first and second lead members are exposed in the fourth step.

이때, 상기 제4 단계에서 상기 패키지본체는 캐비티를 형성하는 벽이 포함되도록 사출 성형되며, 상기 보강부는 상기 패키지본체의 벽에 접하도록 제2 리드부재 일부를 덮도록 사출 성형될 수 있다.In this case, in the fourth step, the package body may be injection-molded to include a wall forming a cavity, and the reinforcing part may be injection-molded to cover a portion of the second lead member so as to be in contact with the wall of the package body.

그리고 상기 제4 단계에서 상기 패키지본체는 상기 제너 다이오드를 와이어 본딩하는 와이어가 외부로 노출되지 않게 사출 성형될 수 있다. 또한, 상기 제4 단계에서 상기 보강부의 상면은 상기 벽에서 상기 캐비티 내측 방향으로 기울어진 경사면으로 형성되도록 사출 성형될 수 있고, 이때, 상기 경사면과 제2 리드부재의 상면이 이루는 각도가 40도 이상 60도 이하가 되도록 사출 성형될 수 있다.And in the fourth step, the package body may be injection-molded so that the wire bonding the Zener diode is not exposed to the outside. In addition, in the fourth step, the upper surface of the reinforcing part may be injection-molded to form an inclined surface inclined from the wall to the inside of the cavity, and at this time, the angle between the inclined surface and the upper surface of the second lead member is 40 degrees or more It can be injection molded so that it becomes 60 degrees or less.

여기서, 상기 제4 단계에서 패키지본체는 상기 제1 및 제2 리드부재 사이를 채우도록 사출 성형될 수 있다.
Here, in the fourth step, the package body may be injection molded to fill the space between the first and second lead members.

본 발명에 의하면, 제너 다이오드가 발광 다이오드 패키지의 패키지본체 내부에 매몰됨에 따라 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛이 제너 다이오드에서 흡수되지 않아 발광 다이오드 패키지의 효율을 최대화할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, as the Zener diode is buried inside the package body of the light emitting diode package, light emitted from the light emitting diode chip is not absorbed by the Zener diode, thereby maximizing the efficiency of the light emitting diode package.

또한, 제너 다이오드를 덮도록 구성된 보강부가 패키지본체의 벽에서 캐비티 내측 방향으로 기울어진 경사면을 가지도록 형성되어 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛을 상부 측으로 보다 반사시킬 수 있어 발광 다이오드 패키지의 발광 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the reinforcing part configured to cover the Zener diode is formed to have a slope inclined from the wall of the package body toward the inside of the cavity, so that the light emitted from the light emitting diode chip can be reflected more toward the upper side, thereby maximizing the light emitting efficiency of the light emitting diode package. There is an effect that can be done.

도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도로, 도 3의 절취선 AA'을 따라 취해진 단면도이다.1 is a perspective view showing a conventional light emitting diode package.
2 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line AA′ of FIG. 3 .

본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.A preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이다. 그리고 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도로, 도 3의 절취선 AA'을 따라 취해진 단면도이다.2 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. And FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line AA′ of FIG. 3 .

본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 다이오드 칩(110), 리드프레임, 제너 다이오드(Z) 패키지본체(130) 및 보강부(146)를 포함한다.The light emitting diode package 100 of the present invention includes a light emitting diode chip 110 , a lead frame, a Zener diode (Z) package body 130 , and a reinforcement part 146 .

발광 다이오드 칩(110)은 외부에서 공급된 전원에 의해 소정의 파장의 광을 방출하는 반도체 소자의 일종이다. 본 발명의 일 실시예에서 패키지본체(130)에 내에 하나의 발광 다이오드 칩(110)이 구비된 것에 대해 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다수의 발광 다이오드 칩(110)이 구비될 수 있다. 또한, 서로 다른 파장의 발광 다이오드 칩(110)이 조합될 수 있다.The light emitting diode chip 110 is a type of semiconductor device that emits light of a predetermined wavelength by externally supplied power. In an embodiment of the present invention, one light emitting diode chip 110 is provided in the package body 130, but the present invention is not limited thereto, and a plurality of light emitting diode chips 110 may be provided as needed. can In addition, the light emitting diode chips 110 of different wavelengths may be combined.

리드프레임은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)로 구분되고, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)는 서로 이격된 상태로 패키지본체(130)에 결합된다. 본 발명의 일 실시예에서는 면적이 넓은 제1 리드부재(122)에 발광 다이오드 칩(110)이 실장된다. 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)에 발광 다이오드 칩(110)이 각각 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결된다.The lead frame is divided into a first lead member 122 and a second lead member 124 , and the first lead member 122 and the second lead member 124 are coupled to the package body 130 while being spaced apart from each other. do. In one embodiment of the present invention, the light emitting diode chip 110 is mounted on the first lead member 122 having a large area. The light emitting diode chip 110 is electrically connected to the first lead member 122 and the second lead member 124 by wire bonding, respectively.

도 4를 참조하면, 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 단면은 각각 상부의 면적이 하부의 면적보다 넓게 형성될 수 있다. 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 이격된 공간은 전극분리부(132)에 채워지며, 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 상부면의 이격된 거리가 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 하부면 이격된 거리보다 짧게 형성된다. 이때, 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124) 상부면의 이격된 거리는 약 200㎛ 이상일 수 있고, 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124) 하부면의 이격된 거리는 약 400㎛ 이상일 수 있다.Referring to FIG. 4 , the cross-sections of the first lead member 122 and the second lead member 124 may have an upper area larger than a lower area. A space between the first lead member 122 and the second lead member 124 is filled in the electrode separation unit 132 , and the upper surfaces of the first lead member 122 and the second lead member 124 are spaced apart from each other. The distance between the first lead member 122 and the lower surface of the second lead member 124 is shorter than the spaced distance. In this case, the distance between the upper surfaces of the first lead member 122 and the second lead member 124 may be about 200 μm or more, and the distance between the lower surfaces of the first lead member 122 and the second lead member 124 is spaced apart from each other. The distance may be about 400 μm or more.

그리고 본 발명의 일 실시예에서 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 외측면도 상부가 하부보다 외곽으로 돌출된 형상으로 형성됨에 따라 패키지본체(130)와의 결합강도를 높일 수 있다.And in one embodiment of the present invention, the outer surface of the first lead member 122 and the second lead member 124 is formed in a shape where the upper portion protrudes outwardly than the lower portion, so that the bonding strength with the package body 130 can be increased. there is.

제너 다이오드(Z)는 외부에서 발생된 정전기에 의해 발광 다이오드 칩(110)이 손상을 방지하기 위해 구비되며, 본 발명의 일 실시예에서 리드프레임에 실장된다. 본 발명의 일 실시예에서 제너 다이오드(Z)는 도 1에서와 같이, 보강부(146)에 의해 외부로 드러나지 않고 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지본체(130) 내에 매몰되어 구비된다. 이에 대해 보강부(146)에 대한 설명에서 보다 자세히 설명한다.The Zener diode Z is provided to prevent the light emitting diode chip 110 from being damaged by static electricity generated from the outside, and is mounted on the lead frame in an embodiment of the present invention. In one embodiment of the present invention, the Zener diode Z is not exposed to the outside by the reinforcing part 146 as shown in FIG. 1 and is provided buried in the package body 130 as shown in FIG. 2 . This will be described in more detail in the description of the reinforcing part 146 .

패키지본체(130)는 캐비티를 정의하는 벽을 포함하며, 리드프레임을 지지하도록 구비된다. 본 발명의 일 실시예에서 패키지본체(130)의 외형 형상은 사각형상인 것에 대해 설명하지만, 형상은 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 패키지본체(130)의 내측형상은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 외부로 드러날 수 있게 저면이 개방된 상태로 형성된다. 그리고 벽의 내부 면은 수평면에 대해 수직하게 형성되지 않고, 일정 각도만큼 기울어진 형상으로 형성된다. 그에 따라 벽의 내부 면은 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광을 반사하는 반사면으로 형성될 수 있다. 또한, 반사면의 기울기는 수평면과 약 80도 각도로 형성될 수 있으며, 이는 필요에 따라 달라질 수 있다.The package body 130 includes a wall defining a cavity, and is provided to support a lead frame. In one embodiment of the present invention, the outer shape of the package body 130 is described as having a rectangular shape, but the shape may be variously modified as needed. The inner shape of the package body 130 is formed with an open bottom so that the first lead member 122 and the second lead member 124 can be exposed to the outside. And the inner surface of the wall is not formed perpendicular to the horizontal plane, but is formed in a shape inclined by a certain angle. Accordingly, the inner surface of the wall may be formed as a reflective surface that reflects the light emitted from the light emitting diode chip 110 . In addition, the inclination of the reflective surface may be formed at an angle of about 80 degrees to the horizontal plane, which may be changed as necessary.

패키지본체(130)의 저면은 전체가 개방되지 않고, 저면은 전체가 개방된 것은 아니고, 저면 중간에 제1 리드부재(122)와 게2 리드부재 사이에 이격된 공간을 메꾸어 전극분리부(132)가 형성되도록 할 수 있다. 이때, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 리드부재(122)가 제2 리드부재(124)보다 넓게 형성되어 전극분리부(132)는 제2 리드부재(124)에 치우쳐 형성될 수 있다. 전극분리부(132)는 패키지본체(130)의 저면을 가로질러 패키지본체(130)의 한쪽 벽 내부 면에서 반대쪽 벽의 내부 면까지 연장되어 형성된다.The bottom surface of the package body 130 is not fully opened, and the bottom surface is not entirely open, and the space spaced apart between the first lead member 122 and the second lead member is filled in the middle of the bottom surface to separate the electrode separation part 132 . ) can be formed. At this time, as shown in FIG. 3 , the first lead member 122 may be formed wider than the second lead member 124 , so that the electrode separation unit 132 may be formed to be biased toward the second lead member 124 . The electrode separation unit 132 is formed to extend across the bottom surface of the package body 130 from the inner surface of one wall of the package body 130 to the inner surface of the opposite wall.

그리고 패키지본체(130)에서 제2 리드부재(124) 측에 형성된 벽의 내면은 일직선으로 형성되지 않고, 캐비티 방향으로 일부 돌출된 형상으로 형성된다. 이렇게 패키지본체(130)의 형상을 변형함에 따라 패키지본체(130)를 인쇄회로기판 등에 실장할 때 방향성을 나타내기 위한 것으로, 돌출된 형상으로 변형한 위치는 필요에 따라 달라질 수 있다.And the inner surface of the wall formed on the side of the second lead member 124 in the package body 130 is not formed in a straight line, but is formed in a shape partially protruding in the direction of the cavity. As the shape of the package body 130 is deformed in this way, it is to indicate the directionality when the package body 130 is mounted on a printed circuit board or the like.

보강부(146)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지본체(130)의 벽에 접한 상태로 패키지본체(130)에 결합되어 일체형으로 형성되고, 제2 리드부재(124)의 일부를 덮도록 형성된다. 보강부(146)는 제2 리드부재(124)를 덮으면서 전극분리부(132)에서 패키지본체(130)의 돌출된 내측 벽까지 연장되어 형성되며, 보강부(146)의 상부 면은 패키지본체(130)의 내부 벽에서 캐비티 방향으로 기울어진 경사면으로 형성된다. 그리고 보강부(146)의 상부의 경사면은 패키지본체(130)의 내부 벽과 같이, 반사면으로 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the reinforcing part 146 is coupled to the package body 130 in a state in contact with the wall of the package body 130 to be integrally formed, and a part of the second lead member 124 . formed to cover The reinforcement part 146 is formed to extend from the electrode separation part 132 to the protruding inner wall of the package body 130 while covering the second lead member 124 , and the upper surface of the reinforcement part 146 is the package body. The inner wall of 130 is formed with an inclined surface inclined in the direction of the cavity. And the inclined surface of the upper portion of the reinforcing part 146 may be formed as a reflective surface, like the inner wall of the package body 130 .

그리고 보강부(146)의 상면은 패키지본체(130)의 내부 벽의 최상단까지의 높이로 형성되지 않고, 내부 벽의 중간에서 캐비티 측으로 경사지게 형성된다. 즉, 제2 리드부재(124)의 상면에서 패키지본체(130)의 상면까지의 높이가 본 발명의 일 실시예에서 4T(mm)가 되도록 형성하였을 때, 보강부(146)의 높이(t)는 도 4에 도시된 바와 같이, 0.2T 이상 4T 미만의 높이로 형성될 수 있다.And the upper surface of the reinforcing part 146 is not formed to a height up to the uppermost end of the inner wall of the package body 130, but is formed to be inclined toward the cavity from the middle of the inner wall. That is, when the height from the upper surface of the second lead member 124 to the upper surface of the package body 130 is formed to be 4T (mm) in an embodiment of the present invention, the height (t) of the reinforcing part 146 may be formed with a height of 0.2T or more and less than 4T, as shown in FIG. 4 .

이렇게 보강부(146)가 패키지본체(130) 벽의 최상단까지 형성하지 않는 것은, 이후의 공정에서 패키지본체(130)의 캐비티에 몰딩부재를 채우는 공정에서 보강부(146)가 패키지본체(130) 벽의 최상단까지 형성되면 몰딩부재가 경화되는 과정에서 보강부(146)의 경사면을 따라 흘러내리면서 경화되기 때문이다. 그에 따라 본 발명의 일 실시예에서 보강부(146)가 패키지본체(130) 벽의 최상단까지 형성하지 않음에 따라 몰딩부재가 보강부(146)의 경사면을 따라 흘러내리지 않을 수 있다.The fact that the reinforcing part 146 is not formed up to the top of the wall of the package body 130 in this way is that in the process of filling the cavity of the package body 130 with a molding member in a subsequent process, the reinforcing part 146 is the package body 130 . This is because, when formed to the uppermost end of the wall, the molding member is hardened while flowing down along the inclined surface of the reinforcing part 146 in the process of hardening. Accordingly, in an embodiment of the present invention, as the reinforcing part 146 is not formed up to the uppermost end of the wall of the package body 130 , the molding member may not flow down along the inclined surface of the reinforcing part 146 .

또한, 상기에서 설명한 바와 같이, 제너 다이오드(Z)는 보강부(146)에 의해 패키지본체(130) 내부에 매몰된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제너 다이오드(Z)는 보강부(146)에 의해 가려져 외부로 노출되지 않는데, 제너 다이오드(Z)의 위치는 가능한 제2 리드부재(124)의 측면에 위치하도록 제2 리드부재(124)에 실장된다.In addition, as described above, the Zener diode Z is buried in the package body 130 by the reinforcing part 146 . As shown in FIG. 2 , the Zener diode Z is covered by the reinforcing part 146 and not exposed to the outside, but the Zener diode Z is positioned on the side of the second lead member 124 as much as possible. 2 It is mounted on the lead member 124 .

먼저, 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 형상에 대해 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 리드부재(122)에 제1 및 제2 확장부(122a, 122b)가 형성되고, 제2 리드부재(124)에 제3 및 제4 확장부(124a, 124b)가 형성된다. 이처럼 제1 내지 제4 확장부(122a, 122b, 124a, 124b)는 제1 및 제2 리드부재(122, 124)가 배치된 상태에서 패키지본체(130)를 사출 성형할 때, 제1 및 제2 리드부재(122, 124)의 자리를 정확히 잡을 수 있도록 가이드하는 역할을 한다. 그에 따라 제1 내지 제4 확장부(122a, 122b, 124a, 124b)는 제1 및 제2 리드부재(122, 124)와 동일한 금속소재(예컨대, 구리(Cu))로 각각 일체로 형성된다.First, the shape of the first lead member 122 and the second lead member 124 will be described. As shown in FIG. 2 , the first and second extension parts 122a on the first lead member 122, 122b) is formed, and third and fourth extensions 124a and 124b are formed on the second lead member 124 . As such, the first to fourth extensions 122a, 122b, 124a, and 124b are formed when the package body 130 is injection molded in a state in which the first and second lead members 122 and 124 are disposed. 2 It serves to guide the lead members 122 and 124 so that they can be accurately positioned. Accordingly, the first to fourth extensions 122a, 122b, 124a, and 124b are each integrally formed of the same metal material (eg, copper (Cu)) as the first and second lead members 122 and 124 .

본 발명의 일 실시예에서 제너 다이오드(Z)를 제2 리드부재(124)의 제3 확장부(124a)에 걸쳐 배치하도록 도 2에 도시하였지만, 제너 다이오드(Z)의 위치는 보강부(146)와 패키지본체(130)에 의해 매몰될 수 있는 위치이면 제2 리드부재(124) 상의 어느 위치에 위치하여도 무관하다. 그리고 제너 다이오드(Z)와 제1 리드부재(122)가 와이어 본딩되어 전기적으로 연결을 위해 본 발명의 일 실시예에서는 제너 다이오드(Z)와 제1 확장부(122a)를 와이어 본딩한다. 그에 따라 제너 다이오드(Z)를 제1 확장부(122a)와 와이어 본딩한 와이어(W)는 패키지본체(130)에 의해 매몰되어 외부로 노출되지 않는다.In an embodiment of the present invention, although the Zener diode Z is shown in FIG. 2 to be disposed over the third extension portion 124a of the second lead member 124, the position of the Zener diode Z is the reinforcement portion 146. ) and a position that can be buried by the package body 130 , it does not matter whether it is located at any position on the second lead member 124 . And, in order to electrically connect the Zener diode Z and the first lead member 122 by wire bonding, in an embodiment of the present invention, the Zener diode Z and the first extension part 122a are wire-bonded. Accordingly, the wire W obtained by wire bonding the Zener diode Z to the first extension 122a is buried by the package body 130 and is not exposed to the outside.

또한, 제1 확장부(122a)가 제1 리드부재(122)에 형성된 위치를 최대한 제2 리드부재(124)에 가깝게 형성하여 와이어(W)의 길이를 최대한 짧게 형성할 수 있다. 그리고 와이어(W)가 패키지본체(130)의 벽 내에 매몰되도록 와이어(W)를 제1 및 제2 리드부재(122, 124)의 외곽으로 형성할 수 있다.In addition, the length of the wire (W) can be formed as short as possible by forming the position where the first extension part 122a is formed on the first lead member 122 as close to the second lead member 124 as possible. In addition, the wire W may be formed outside the first and second lead members 122 and 124 so that the wire W is buried in the wall of the package body 130 .

한편, 도 2 및 도 3을 참조하면, 패키지본체(130)에 형성된 보강부(146)는 외부로 노출된 제2 리드부재(124) 중 절반정도를 덮도록 형성된 것으로 도시하였지만, 제너 다이오드(Z) 및 와이어(W)가 외부로 노출되지 않도록 제2 리드부재(124)의 일부를 덮게 형성될 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)이 제2 리드부재(124)에 와이어 본딩될 수 있게 제2 리드부재(124) 전체를 덮는 것은 바람직하지 않다. 또한, 보강부(146)의 경사면에서 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 빛이 가능한 많은 반사될 수 있도록 하기 위해 보강부(146)는 제2 리드부재(124)의 일부(예컨대, 절반)를 덮도록 형성될 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 2 and 3 , the reinforcing part 146 formed on the package body 130 is shown to cover about half of the second lead member 124 exposed to the outside, but the Zener diode Z ) and the wire (W) may be formed to cover a portion of the second lead member 124 so as not to be exposed to the outside. It is not preferable to cover the entire second lead member 124 so that the light emitting diode chip 110 can be wire-bonded to the second lead member 124 . In addition, in order to allow the light emitted from the light emitting diode chip 110 to be reflected as much as possible on the inclined surface of the reinforcement part 146 , the reinforcement part 146 includes a part (eg, half) of the second lead member 124 . It may be formed to cover.

상기와 같이, 제너 다이오드(Z)가 패키지본체(130) 및 보강부(146)에 의해 매몰되어 외부로 노출되지 않도록 하기 위해서는 제1 및 제2 리드부재(122, 124)가 각각 형성되어 배치된 상태에서 제너 다이오드(Z)가 제2 리드부재(124)에 실장된다. 그리고 제1 리드부재(122)의 제1 확장부(122a)와 제너 다이오드(Z)가 와이어(W)에 의해 와이어 본딩된다. 그 다음으로, 사출 성형에 의해 보강부(146)와 함께 패키지본체(130)가 사출 성형되고, 제1 리드부재(122)에 발광 다이오드 칩(110)이 실장된 다음, 발광 다이오드 칩(110)과 제2 리드부재(124)가 와이어 본딩된다.
As described above, in order to prevent the Zener diode Z from being buried by the package body 130 and the reinforcement part 146 and exposed to the outside, the first and second lead members 122 and 124 are respectively formed and disposed. In this state, the Zener diode Z is mounted on the second lead member 124 . In addition, the first extension 122a of the first lead member 122 and the Zener diode Z are wire-bonded by a wire W. As shown in FIG. Next, the package body 130 is injection-molded together with the reinforcing part 146 by injection molding, and the light emitting diode chip 110 is mounted on the first lead member 122, and then the light emitting diode chip 110. and the second lead member 124 are wire-bonded.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
As described above, the specific description of the present invention has been made by the embodiments with reference to the accompanying drawings, but since the above-described embodiments have only been described with preferred examples of the present invention, the present invention is limited only to the above embodiments. It should not be understood, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and their equivalents.

100: 발광 다이오드 패키지
110: 발광 다이오드 칩 122: 제1 리드부재
122a, 122b: 제1 및 제2 확장부 124: 제2 리드부재
124a, 124b: 제3 및 제4 확장부 130: 패키지본체
132: 전극분리부 146: 보강부
Z: 제너 다이오드 W: 와이어100: light emitting diode package
110: light emitting diode chip 122: first lead member
122a, 122b: first and second extension parts 124: second lead member
124a, 124b: third and fourth extension 130: package body
132: electrode separation part 146: reinforcement part
Z: Zener diode W: Wire

Claims (13)

서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임;
상기 리드프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩;
상기 리드프레임 상에 실장된 제너 다이오드;
상기 리드프레임을 지지하고, 캐비티를 정의하는 벽을 포함하는 패키지본체; 및
상기 캐비티의 상기 벽에 접하며, 상기 제너 다이오드가 노출되지 않게 상기 제너 다이오드를 덮도록 상기 패키지본체에 결합된 보강부를 포함하며,
상기 제1 및 제2 리드부재는 각각 적어도 하나의 측면의 일부에 형성된 확장부를 포함하고,
상기 확장부는 상기 측면의 다른 부분보다 측부 방향으로 도출된 구조이며,
상기 보강부의 상면은 상기 벽에서 상기 캐비티 내측 방향으로 기울어진 경사면을 포함하고,
상기 보강부의 상기 상면은 상기 캐비티의 최상단보다 낮게 위치하며,
상기 패키지본체는 상기 캐비티를 정의하는 벽의 일부가 캐비티 방향으로 돌출된 형상을 포함하고,
상기 패키지본체의 상기 돌출된 형상은 상기 제2 리드부재 상부에 위치하는 발광 다이오드 패키지.a lead frame including first and second lead members spaced apart from each other;
a light emitting diode chip mounted on the lead frame;
a Zener diode mounted on the leadframe;
a package body supporting the lead frame and including a wall defining a cavity; and
and a reinforcing part coupled to the package body so as to be in contact with the wall of the cavity and cover the Zener diode so that the Zener diode is not exposed;
The first and second lead members each include an extension formed on a portion of at least one side,
The extension is a structure derived from the side direction than other parts of the side,
The upper surface of the reinforcing part includes an inclined surface inclined from the wall toward the inside of the cavity,
The upper surface of the reinforcing part is located lower than the uppermost end of the cavity,
The package body includes a shape in which a part of a wall defining the cavity protrudes in the direction of the cavity,
The protruding shape of the package body is a light emitting diode package located on the second lead member. 청구항 1에 있어서,
상기 제너 다이오드는 상기 제2 리드부재에 실장되며,
상기 보강부는 상기 제2 리드부재의 일부를 덮도록 상기 패키지본체에 결합된 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The Zener diode is mounted on the second lead member,
The reinforcing part is a light emitting diode package coupled to the package body so as to cover a portion of the second lead member. 청구항 2에 있어서,
상기 보강부는 상기 제2 리드부재 일부를 덮는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 2,
The reinforcing portion is a light emitting diode package covering a portion of the second lead member. 삭제delete 청구항 3에 있어서,
상기 경사면과 제2 리드부재의 상면이 이루는 각도가 40도 이상 60도 이하인 발광 다이오드 패키지.4. The method according to claim 3,
An angle between the inclined surface and the upper surface of the second lead member is 40 degrees or more and 60 degrees or less. 청구항 1에 있어서,
상기 패키지본체는 상기 제1 및 제2 리드부재 사이에 위치하는 전극분리부가 포함되며,
상기 보강부는 상기 전극분리부의 일부를 덮도록 상기 패키지본체에 결합된 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The package body includes an electrode separator positioned between the first and second lead members,
The reinforcing part is a light emitting diode package coupled to the package body so as to cover a portion of the electrode separation part. 청구항 1에 있어서,
상기 제너 다이오드는 제2 리드부재에 실장되며, 상기 확장부와 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The Zener diode is mounted on a second lead member, and the light emitting diode package is electrically connected to the extension part through wire bonding. 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재가 배치되는 제1 단계;
상기 제2 리드부재에 제너 다이오드가 실장되는 제2 단계;
상기 제너 다이오드를 상기 제1 리드부재에 와이어 본딩하는 제 3단계;
상기 제너 다이오드가 노출되지 않도록 상기 제2 리드부재의 일부를 덮는 보강부와 함께 상기 제1 및 제2 리드부재를 지지하는 패키지본체를 사출 성형하는 제4 단계; 및
상기 제4 단계에서 제1 및 제2 리드부재의 일부가 노출되도록 사출 성형된 패키지본체의 캐비티 내의 상기 제1 리드부재에 발광 다이오드 칩이 실장되는 제5 단계를 포함하고,
상기 보강부는 상기 패키지본체의 상기 캐비티를 정의하는 벽에 접하도록 형성되며,
상기 제1 및 제2 리드부재는 각각 적어도 하나의 측면의 일부에 형성된 확장부를 포함하고,
상기 확장부는 상기 측면의 다른 부분보다 측부 방향으로 도출된 구조이며,
상기 보강부의 상면은 상기 벽에서 상기 캐비티 내측 방향으로 기울어진 경사면을 포함하고,
상기 보강부의 상기 상면은 상기 캐비티의 최상단보다 낮게 위치하며,
상기 패키지본체는 상기 캐비티를 정의하는 벽의 일부가 캐비티 방향으로 돌출된 형상을 포함하고,
상기 패키지본체의 상기 돌출된 형상은 상기 제2 리드부재 상부에 위치하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.a first step in which first and second lead members spaced apart from each other are disposed;
a second step of mounting a Zener diode on the second lead member;
a third step of wire bonding the Zener diode to the first lead member;
a fourth step of injection molding the package body supporting the first and second lead members together with a reinforcement part covering a part of the second lead member so that the Zener diode is not exposed; and
A fifth step of mounting a light emitting diode chip on the first lead member in the cavity of the injection-molded package body so that parts of the first and second lead members are exposed in the fourth step;
The reinforcing part is formed to be in contact with a wall defining the cavity of the package body,
The first and second lead members each include an extension formed on a portion of at least one side,
The extension is a structure derived from the side direction than other parts of the side,
The upper surface of the reinforcing part includes an inclined surface inclined from the wall toward the inside of the cavity,
The upper surface of the reinforcing part is located lower than the uppermost end of the cavity,
The package body includes a shape in which a part of a wall defining the cavity protrudes in the direction of the cavity,
The method of manufacturing a light emitting diode package in which the protruding shape of the package body is located on the second lead member. 청구항 8에 있어서,
상기 제4 단계에서 상기 패키지본체는 캐비티를 형성하는 상기 벽이 포함되도록 사출 성형되며,
상기 보강부는 상기 패키지본체의 벽에 접하도록 제2 리드부재 일부를 덮도록 사출 성형되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.9. The method of claim 8,
In the fourth step, the package body is injection molded to include the wall forming the cavity,
The method of manufacturing a light emitting diode package, wherein the reinforcing part is injection molded to cover a portion of the second lead member so as to be in contact with the wall of the package body. 청구항 8에 있어서,
상기 제4 단계에서 상기 패키지본체는 상기 제너 다이오드를 와이어 본딩하는 와이어가 외부로 노출되지 않게 사출 성형되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.9. The method of claim 8,
In the fourth step, the package body is injection-molded so that the wire bonding the Zener diode is not exposed to the outside. 청구항 9에 있어서,
상기 제4 단계에서 상기 보강부의 상면은 상기 벽에서 상기 캐비티 내측 방향으로 기울어진 상기 경사면으로 형성되도록 사출 성형되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.10. The method of claim 9,
In the fourth step, the upper surface of the reinforcing part is injection-molded to form the inclined surface inclined from the wall to the inside of the cavity. 청구항 11에 있어서,
상기 제4 단계는 상기 경사면과 제2 리드부재의 상면이 이루는 각도가 40도 이상 60도 이하가 되도록 사출 성형되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.12. The method of claim 11,
The fourth step is a method of manufacturing a light emitting diode package by injection molding such that an angle between the inclined surface and the upper surface of the second lead member is 40 degrees or more and 60 degrees or less. 청구항 8에 있어서,
상기 제4 단계에서 패키지본체는 상기 제1 및 제2 리드부재 사이를 채우도록 사출 성형되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.
9. The method of claim 8,
In the fourth step, the package body is injection-molded to fill the space between the first and second lead members.
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