KR102374149B1 - 화학기상증착 시스템 - Google Patents

화학기상증착 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예는 화학기상증착의 반응영역에서 멀티 히팅 영역과 균일한 공정기체의 공급을 구현하여 화학기상증착에 관계하는 챔버관 내의 온도구배와 전구체의 이동을 균일하게 확보함으로써 기판에 2차원 층상박막 물질의 대면적 합성을 균일하게 양산화할 수 있는 화학기상증착 시스템을 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 시스템은 길이방향으로 길게 형성되어 내부 공간을 갖는 중공형의 보호관, 보호관이 안착되는 안착홈을 갖고 보호관의 결합을 지지하며, 보호관의 길이방향을 따라 기설정된 간격을 유지하며 서로 다른 히팅 영역을 갖는 반응로, 그리고 보호관의 내부에서 길이방향을 따라 서로 다른 히팅 영역에 대응하도록 구비되어 전구체의 이동과 가스의 흐름을 안내하는 복수의 챔버관을 포함하며, 해당되는 기판에 전구체가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 반응 분위기를 형성하는 챔버부를 포함한다.

Description

화학기상증착 시스템{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION　SYSTEM}
본 발명은 화학기상증착 시스템에 관한 것이다.
최근 들어, 2차원 층상박막 물질은 차세대 재료로 손꼽히며 다양한 특성 확인과 산업화를 위한 합성방법이 개발되고 있다. 2차원 층상박막 물질의 일반적인 합성방법은 화학기상증착의 공정을 이용하여 이루어진다. 하지만, 종래의 기술은 2차원 층상박막 물질의 대면적 합성과 그 균일성을 확보하는 것에 어려움을 겪고 있다.
2차원 층상박막 물질을 대면적으로 균일하게 합성하기 위해서는 2가지의 해결책이 필요하다. 첫 번째는 전구체와 기판 사이 온도의 불균일성이다. 이는 전구체가 기판의 반응영역까지 이동함에 있어 반응로(furnace) 사이 온도구배의 급격한 차이가 생기며 균일한 합성을 방해한다. 따라서 반응로 사이의 온도 균일성을 확보하는 것은 2차원 층상박막 물질의 대면적에서 균일한 합성을 위한 필수 해결요소이다. 두 번째는 전구체가 반응영역까지 이동하며 생기는 흐름의 불균일성이다. 전구체가 히팅 영역(heating-zone)에서 가열되어 반응가스로 변환되어 사용됨에 따라 그 불균일도가 크다. 이는 기판이 있는 반응로까지 이동하며 불균일도가 증가하여 최종적인 기판에서의 성장에 불균일을 초래한다.
이러한 문제점들을 해결하여 전구체의 균일도를 확보한다면 기판에서의 균일한 2차원 층상박막 물질을 대면적으로 합성하는 것이 가능하다. 2차원 극박막소재의 대면적화 그리고 균일성을 확보하는데 어려움을 겪고 있지만 활용을 위해서는 균일한 전이금속 칼코겐 화합물(TMD ; Transition Metal Dichalcogenides) 막의 대량생산에 유리한 화학기상증착 시스템의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 실시예는 화학기상증착의 반응영역에서 멀티 히팅 영역과 균일한 공정기체의 공급을 구현하여 화학기상증착에 관계하는 챔버관 내의 온도구배와 전구체의 이동을 균일하게 확보함으로써 기판에 2차원 층상박막 물질의 대면적 합성을 균일하게 양산화할 수 있는 화학기상증착 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 시스템은 길이방향으로 길게 형성되어 내부 공간을 갖는 중공형의 보호관, 보호관이 안착되는 안착홈을 갖고 보호관의 결합을 지지하며, 보호관의 길이방향을 따라 기설정된 간격을 유지하며 서로 다른 히팅 영역을 갖는 반응로, 그리고 보호관의 내부에서 길이방향을 따라 서로 다른 히팅 영역에 대응하도록 구비되어 전구체의 이동과 가스의 흐름을 안내하는 복수의 챔버관을 포함하며, 해당되는 기판에 전구체가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 반응 분위기를 형성하는 챔버부를 포함한다.
반응로는 보호관이 안착되는 안착홈이 상호 이격된 위치에 배치되며 서로 다른 히팅 영역을 갖는 복수의 반응로를 포함하며, 복수의 반응로는 길이방향을 따라 반원 형상의 단면을 갖는 제1 안착홈과 제1 히팅 영역을 갖는 제1 반응로, 그리고 제1 반응로와 상호 이격된 위치에 구비되어 제1 안착홈과 대응하는 형상의 제2 안착홈과 제2 히팅 영역을 갖는 제2 반응로를 포함할 수 있다. 제1 히팅 영역과 제2 히팅 영역은 서로 다른 온도로 가열될 수 있다.
챔버관은 가스 유입 라인에 연결되는 가스 유입부를 일측에 갖고 제1 반응로에 위치되며, 내부 공간에 구비된 전구체에 기화 분위기를 형성하는 제1 챔버관, 그리고 가스 배출 라인에 연결되는 가스 배출부를 타측에 갖고 제2 반응로에 위치되며, 내부 공간에 구비된 기판에 기화된 전구체가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 분위기를 형성하는 제2 챔버관을 포함할 수 있다. 제1 챔버관과 제2 챔버관의 사이에 구비되어 제1 챔버관과 제2 챔버관을 상호 연결하여 전구체와 가스의 이동을 안내하는 연결관을 더 포함할 수 있다. 제1 챔버관과 제2 챔버관은 서로 동일한 직경을 가지며, 연결관은 제1 챔버관의 직경보다 작게 형성될 수 있다. 연결관은 제1 챔버관과 제2 챔버관의 원주방향을 따라 미리 설정된 간격으로 복수개 구비될 수 있다.
제2 챔버관의 내측에서 연결관에 연결되어 기판의 면적에 대응하도록 복수의 가스 배출홀을 구비하는 샤워 헤드부를 포함할 수 있다. 여기서, 샤워 헤드부와 연결관 사이에 구비되어 연결관으로부터 샤워 헤드부를 통해 기판으로 공급되는 가스의 흐름을 안내하는 연결부를 더 포함할 수 있다.
화학기상증착의 반응영역에서 높은 온도의 균일도 형성을 위한 멀티 히팅 영역과 기판상에 공정기체의 균일한 공급을 안내하여 챔버관 내부의 고온과 고압 환경에서 2차원 층상박막 물질을 기화시켜 챔버관 내부에서 순환 지속적인 반응을 안내함으로써 단시간 내에 대면적의 균일합성을 구현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버부를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 챔버부 내에서 전구체의 이동과 온도구배의 피드백과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 챔버관에 결합되는 연결관의 배치관계를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 챔버관에 구비되는 샤워 헤드부를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 챔버관에 구비되는 샤워 헤드부를 통해 균일한 공정기체의 공급관계를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 2차원 층상박막 물질이 기판 전체에 균일하게 합성되는 상태를 도시한 도면이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 시스템을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버부를 도시한 도면이다. 그리고 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 챔버부 내에서 전구체의 이동과 온도구배의 피드백과정을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 챔버관에 결합되는 연결관(230)의 배치관계를 도시한 도면이다. 도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 시스템은 보호관(100), 반응로(300), 그리고 챔버부(200)를 포함하며, 화학기상증착의 반응영역에서 멀티 히팅 영역과 공정기체의 균일한 공급을 안내하여 챔버관 내부에서 기화된 2차원 층상박막 물질을 기판(222)에 대면적으로 균일하게 합성할 수 있다.
보호관(100)은 길이방향으로 길게 형성되어 내부 공간을 갖는 중공형으로 형성할 수 있다. 보호관(100)은 대면적의 균일한 2차원 층상박막 물질의 확보를 위한 화학기상증착의 반응영역을 보호하는 기능을 한다. 여기서, 보호관(100)은 석영(Quartz), 알루미나(Alumina)의 재질로 형성될 수 있다. 그리고 보호관(100)의 지름은 1~4 inch의 크기로 형성될 수 있다.
반응로(300)는 보호관(100)이 안착되는 안착홈을 갖고 보호관(100)의 결합을 지지하며, 보호관(100)의 길이방향을 따라 기설정된 간격을 유지하며 서로 다른 히팅 영역을 가질 수 있다. 반응로(300)는 보호관(100)이 안착되는 안착홈이 상호 이격된 위치에 배치되며 서로 다른 히팅 영역을 갖는 복수의 반응로(300)를 포함할 수 있다. 복수의 반응로(300)는 제1 반응로(310), 그리고 제2 반응로(320)를 포함할 수 있다.
제1 반응로(310)는 길이방향을 따라 반원 형상의 단면을 갖는 제1 안착홈과 제1 히팅 영역을 가질 수 있다.
제2 반응로(320)는 제1 반응로(310)와 상호 이격된 위치에 구비되어 제1 안착홈과 대응하는 형상의 제2 안착홈과 제2 히팅 영역을 가질 수 있다. 제1 히팅 영역과 제2 히팅 영역은 서로 다른 온도로 가열될 수 있다.
챔버부(200)는 보호관(100)의 내부에서 길이방향을 따라 서로 다른 히팅 영역에 대응하도록 구비되어 전구체(212)의 이동과 가스의 흐름을 안내하는 복수의 챔버관을 포함하며, 해당되는 기판(222)에 전구체(212)가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 반응 분위기를 형성할 수 있다. 여기서, 기판(222)은 전이금속 산화물이 형성될 수 있으나, 형성물질을 제한할 필요는 없다. 기판(222) 상에 전이금속 산화물이 형성된 경우, 전이금속 산화물이 촉매로서 작용하여 전이금속 칼코겐 화합물을 단시간 내에 합성시킬 수 있다. 기판(222)은 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀, 금속호일, PEN(poly ethylene naphthalate), PET(poly ethylene terephthalate) 중 하나 이상 선택될 수 있다. 전구체(212)는 고체, 액체, 기체, 졸(sol), 겔(gel) 중 하나 이상 선택될 수 있으나, 이에 제한되어 한정할 필요는 없다. 챔버부(200)는 화학기상증착의 반응영역에 구비되는 보호관(100) 내의 이중 챔버관을 통해 멀티 영역(multi-zone)에서 발생한 열(heat)사이의 온도구배 균일도를 향상시킬 수 있다.
챔버관은 내부에 빈 공간이 형성될 수 있고, 긴 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 챔버관은 보호관(100) 내부를 고압 환경으로 조성할 수 있다. 고압 환경에서 기화된 전이금속 전구체 또는 칼코겐 전구체가 챔버관에서 순환 지속적으로 반응하고 캐리어 가스의 흐름에 따라 기판(222) 상에 붙어 반응이 일어나기 때문에 벌크 성장이 일어날 수 있다. 챔버관은 제1 챔버관(210), 그리고 제2 챔버관(220)을 포함할 수 있다. 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)은 서로 동일한 직경을 갖도록 형성될 수 있다.
제1 챔버관(210)은 가스 유입 라인에 연결되는 가스 유입부(214)를 일측에 갖고 제1 반응로(310)에 위치되며, 내부 공간에 구비된 전구체(212)에 기화 분위기를 형성할 수 있다. 가스 유입부(214)를 통해 전이금속 소스, 칼코겐 화합물 소스, 캐리어 가스, 환원 가스, 에칭 가스가 주입될 수 있다. 가스를 주입할 때에는 각각의 가스 유입부(214)를 통해 주입한 후 제1 챔버관(210) 내에서 혼합할 수 있다. 제1 챔버관(210) 내에 주입하기 전에 미리 각각의 가스를 혼합한 후 혼합된 가스를 하나의 가스 유입부(214)를 통해 제1 챔버관(210) 내로 주입할 수도 있다.
제2 챔버관(220)은 가스 배출 라인에 연결되는 가스 배출부(224)를 타측에 갖고 제2 반응로(320)에 위치되며, 내부 공간에 구비된 기판(222)에 기화된 전구체(212)가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 분위기를 형성할 수 있다. 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)의 양 끝에는 기체가 통과하는 노즐이 설치되어 화학기상증착 반응영역 내로 주입된 기체가 원활하게 공급 및 방출될 수 있다.
제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)의 사이에 구비되어 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)을 상호 연결하여 전구체(212)와 가스의 이동을 안내하는 연결관(230)을 더 포함할 수 있다. 연결관(230)은 제1 챔버관(210)의 직경보다 작게 형성될 수 있다. 연결관(230)은 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)의 원주방향을 따라 미리 설정된 간격으로 복수개 구비될 수 있다. 즉, 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)의 연결을 위해 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220)의 사이에 열과 전구체(212)의 전달을 위한 연결관(230)을 다중으로 구비할 수 있다. 2차원 층상박막 물질의 전구체(212)가 이중 챔버관 사이의 좁은 다수의 연결관(230)을 통과하면서 전구체(212)의 균일 이동을 안내할 수 있다. 따라서, 2차원 층상박막 물질의 합성을 위한 전구체(212)가 이중의 챔버관 사이에 구비된 연결관(230)을 통과하며 전구체(212)의 균일도를 향상시킬 수 있다. 그리고 균일도가 상승된 전구체(212)는 기판(222)의 반응영역까지 이동하여 박막이 대면적으로 성장할 수 있다. 또한, 멀티 영역 히팅(Multi-zone heating)을 통해 발생되는 제1 반응로(310)와 제2 반응로(320) 사이의 불균일한 온도구배가 이중의 챔버관을 연결하는 연결관(230)을 통과하며 해소할 수 있으므로, 온도 균일성을 최대로 유지할 수 있다. 여기서, 제1 챔버관(210), 제2 챔버관(220), 그리고 연결관(230)은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)과 같은 고내열성 금속 소재 및 서스(SUS) 재질로 형성될 수 있다. 내열 온도범위는 300~1,100도로 설정될 수 있다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 보호관(100) 내의 제1 챔버부 내부에 전구체(212)를 준비하고, 제2 챔버부 내부에는 기판(222)을 준비한다. 즉, 전구체(212)를 제1 챔버부의 제1 히팅 영역에, 기판(222)을 제2 챔버부의 제2 히팅 영역에 준비한다. 제1 챔버관(210)의 내부에 준비되는 전구체(212)는 고체 상의 전이금속 전구체 또는 고체 상의 칼코겐 전구체가 구비될 수 있다. 고체 상의 전이금속 전구체 또는 고체 상의 칼코겐 전구체와 가스의 반응에 의해 전이금속 칼코겐 화합물이 기판(222) 상에서 성장할 수 있다. 여기서, 반응은 고체상의 전이금속 전구체 또는 고체 상의 칼코겐 전구체가 제1 챔버관(210)의 고온 고압 환경에서 기화하여 기체 상으로 전환될 수 있다. 그리고 캐리어 가스에 의해 운반되어 제2 챔버관(220)의 내부에 구비된 기판(222) 상에 전이금속 칼코겐 화합물로 성장할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 챔버관에 구비되는 샤워 헤드부(400)를 도시한 도면이며, 챔버관 내에서 샤워 헤드부(400)를 통해 균일하게 공급된 공정기체가 반응영역에서 대면적 2차원 물질을 형성할 수 있다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 챔버관에 구비되는 샤워 헤드부(400)를 통해 균일한 공정기체의 공급관계를 도시한 도면이며, 측면에서 바라본 샤워 헤드부(400)를 통해 균일하게 공급되는 공정기체로 2차원 층상박막 물질이 성장될 수 있음을 알 수 있다. 그리고 도 7은 본 발명의 실시예에 따라 2차원 층상박막 물질이 기판(222) 전체에 균일하게 합성되는 상태를 도시한 도면이다. 도 5 내지 도 7을 참조하면, 제2 챔버관(220)의 내측에서 연결관(230)에 연결되어 기판(222)의 면적에 대응하도록 복수의 가스 배출홀(410)을 구비하는 샤워 헤드부(400)를 포함할 수 있다. 샤워 헤드부(400)는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)과 같은 고내열성 금속 소재 및 서스(SUS) 재질로 형성될 수 있다. 샤워 헤드부(400)의 내열 온도범위는 300~1,100도로 설정될 수 있다. 샤워 헤드부(400)와 연결관(230) 사이에 구비되어 연결관(230)으로부터 샤워 헤드부(400)를 통해 기판(222)으로 공급되는 가스의 흐름을 안내하는 연결부(430)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 연결부(430)는 석영(Quartz)의 재질로 형성될 수 있다. 그리고 연결부(430)의 길이는 연결관(230)으로부터 반응영역까지의 길이로 형성될 수 있다.
연결부(430)를 통해 주입된 기체가 샤워 헤드부(400)에 구비된 복수의 가스 배출홀(410)을 지나 기판(222)의 넓은 반응면적 전체에서 균일하게 공급될 수 있다. 그리고 샤워 헤드부(400)의 하부에 구비된 기판(222)에서 대면적의 2차원 층상박막 물질 성장이 이루어질 수 있다. 즉, 챔버관 내의 반응영역에서 샤워 헤드부(400)를 통해 공정기체를 균일하게 공급하여 기판(222)에 대면적 2차원 층상박막 물질을 형성할 수 있다.
상기한 바와 같이 기판(222)의 위치까지 샤워 헤드부(400)를 설치하고, 샤워 헤드부(400)에 구비된 복수의 가스 배출홀(410)을 통해 주입되는 기체를 기판(222)에 균일하게 공급할 수 있다. 복수의 가스 배출홀(410)에는 관 형태로 형성되어 다수의 구멍이 있는 샤워 헤드 노즐을 설치할 수도 있다. 복수의 가스 배출홀(410)은 노즐(nozzle) 기능을 하며, 샤워 헤드부(400)로부터 반응영역까지 난류 형성을 방지할 수 있다. 즉, 연결관(300)에서 반응영역까지 이어진 연결부(430)와 샤워 헤드부(400)를 통해 난류형성을 방지하고 기체의 균일도를 상승시킬 수 있다. 샤워 헤드부(400)를 통해 반응영역 내에서 2차원 층상박막 물질의 성장 균일도가 향상됨에 따라 대면적 합성을 구현할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 시스템은 화학기상증착의 반응영역에서 높은 온도의 균일도 형성을 위한 멀티 영역 히팅과 수평 화학기상증착의 반응영역에서 기판(222) 상에 공정기체의 균일한 공급을 유지할 수 있다. 즉, 멀티 영역(Multi-zone)에서의 히팅(heating)이 보호관(100) 내에 설치된 이중의 챔버관을 통해 온도구배의 균일한 피드백(feedback)이 이루어질 수 있다. 그리고 전구체(212)가 가열되어 제1 챔버관(210)과 제2 챔버관(220) 사이의 연결관(230)을 따라 균일하게 이동하며 샤워 헤드부(400)를 통해 화학기상증착의 반응영역에서 기판(222) 상에 공정기체의 균일한 공급을 할 수 있다. 따라서, 기판(222)에 기화된 전구체(212)가 균일하게 증착되어 2차원 층상박막 물질의 대면적 합성을 균일하게 합성할 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 여기에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 다양하게 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이것도 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100 ; 보호관 200 ; 챔버부
210 ; 제1 챔버관 212 ; 전구체
214 ; 가스 유입부 220 ; 제2 챔버관
222 ; 기판 224 ; 가스 배출부
230 ; 연결관 300 ; 반응로
310 ; 제1 반응로 320 ; 제2 반응로
400 ; 샤워 헤드부 410 ; 가스 배출홀
430 ; 연결부

Claims (9)

  1. 길이방향으로 길게 형성되어 내부 공간을 갖는 중공형의 보호관,
    상기 보호관이 안착되는 안착홈을 갖고 상기 보호관의 결합을 지지하며, 상기 보호관의 길이방향을 따라 기설정된 간격을 유지하며 서로 다른 히팅 영역을 갖는 반응로,
    상기 보호관의 내부에서 길이방향을 따라 상기 서로 다른 히팅 영역에 대응하도록 구비되어 전구체의 이동과 가스의 흐름을 안내하는 복수의 챔버관을 포함하며, 해당되는 기판에 전구체가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 반응 분위기를 형성하는 챔버부, 그리고
    상기 복수의 챔버관을 상호 연결하여 상기 전구체와 가스의 이동을 안내하는 연결관
    을 포함하는 화학기상증착 시스템.
  2. 제1항에서,
    상기 반응로는 상기 보호관이 안착되는 안착홈이 상호 이격된 위치에 배치되며 서로 다른 히팅 영역을 갖는 복수의 반응로를 포함하며,
    상기 복수의 반응로는
    길이방향을 따라 반원 형상의 단면을 갖는 제1 안착홈과 제1 히팅 영역을 갖는 제1 반응로, 그리고
    상기 제1 반응로와 상호 이격된 위치에 구비되어 상기 제1 안착홈과 대응하는 형상의 제2 안착홈과 제2 히팅 영역을 갖는 제2 반응로를 포함하는 화학기상증착 시스템.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 히팅 영역과 상기 제2 히팅 영역은 서로 다른 온도로 가열되는 화학기상증착 시스템.
  4. 제3항에서,
    상기 챔버관은
    가스 유입 라인에 연결되는 가스 유입부를 일측에 갖고 상기 제1 반응로에 위치되며, 내부 공간에 구비된 전구체에 기화 분위기를 형성하는 제1 챔버관, 그리고
    가스 배출 라인에 연결되는 가스 배출부를 타측에 갖고 상기 제2 반응로에 위치되며, 내부 공간에 구비된 기판에 기화된 전구체가 균일하게 증착되도록 화학기상증착 분위기를 형성하는 제2 챔버관을 포함하는 화학기상증착 시스템.
  5. 제4항에서,
    상기 연결관은 상기 제1 챔버관과 상기 제2 챔버관의 사이에 구비되어 상기 제1 챔버관과 상기 제2 챔버관을 상호 연결하여 상기 전구체와 가스의 이동을 안내하는 화학기상증착 시스템.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 챔버관과 상기 제2 챔버관은 서로 동일한 직경을 가지며, 상기 연결관은 상기 제1 챔버관의 직경보다 작게 형성되는 화학기상증착 시스템.
  7. 제6항에서,
    상기 연결관은 상기 제1 챔버관과 상기 제2 챔버관의 원주방향을 따라 미리 설정된 간격으로 복수개 구비되는 화학기상증착 시스템.
  8. 제5항에서,
    상기 제2 챔버관의 내측에서 상기 연결관에 연결되어 상기 기판의 면적에 대응하도록 복수의 가스 배출홀을 구비하는 샤워 헤드부를 포함하는 화학기상증착 시스템.
  9. 제8항에서,
    상기 샤워 헤드부와 상기 연결관 사이에 구비되어 상기 연결관으로부터 상기 샤워 헤드부를 통해 상기 기판으로 공급되는 가스의 흐름을 안내하는 연결부를 더 포함하는 화학기상증착 시스템.
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