KR102370352B1 - Organic luminescence emitting display device - Google Patents
Organic luminescence emitting display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102370352B1 KR102370352B1 KR1020170093703A KR20170093703A KR102370352B1 KR 102370352 B1 KR102370352 B1 KR 102370352B1 KR 1020170093703 A KR1020170093703 A KR 1020170093703A KR 20170093703 A KR20170093703 A KR 20170093703A KR 102370352 B1 KR102370352 B1 KR 102370352B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dam
- layer
- voltage line
- display area
- pair
- Prior art date
Links
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 253
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 20
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 region Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229910004304 SiNy Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H01L51/5237—
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3258—
-
- H01L27/3262—
-
- H01L27/3276—
-
- H01L51/5203—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H01L2227/32—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 표시 영역과 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 포함하는 표시부, 상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지부, 상기 비표시 영역에 형성되며 상기 표시 영역을 에워싸는 전압선 및 적어도 일부가 상기 전압선과 접하도록 형성되는 댐부를 포함하고, 상기 전압선은, 상기 표시 영역의 어느 하나의 변과 대응하도록 배치된 제1 전압선을 포함하고, 상기 제1 전압선은 한 쌍의 제1 단부들 및 상기 제1 단부들에 각각 연결된 한 쌍의 제1 연결부들을 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 연결부 사이에는, 상기 전압선과 동일한 재질로 형성된 금속층이 위치하고, 상기 댐부는 적어도 두 개의 댐들을 포함하며, 상기 댐부의 적어도 일부는 상기 금속층과 접하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.According to an embodiment of the present invention, a substrate, a display unit positioned on the substrate and including a display area and a non-display area outside the display area, a thin film encapsulation unit sealing the display unit, and formed in the non-display area, a voltage line surrounding the display area and a dam portion at least partially formed to be in contact with the voltage line, wherein the voltage line includes a first voltage line disposed to correspond to any one side of the display area, the first voltage line comprising: It includes a pair of first ends and a pair of first connection parts respectively connected to the first ends, and between the pair of first connection parts, a metal layer formed of the same material as the voltage line is positioned, and the dam part An organic light emitting diode display including at least two dams, wherein at least a portion of the dam contacts the metal layer.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.
유기발광표시장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기발광층을 포함하는 유기발광소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.The organic light emitting display device includes an organic light emitting device including a hole injection electrode, an electron injection electrode, and an organic light emitting layer formed therebetween. It is a self-luminous display device that generates light as excitons generated by combining fall from an excited state to a ground state.
자발광형 표시장치인 유기발광표시장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.The organic light emitting display device, which is a self-luminous display device, does not require a separate light source, so it can be driven at a low voltage and can be configured in a light and thin shape. It is attracting attention as a next-generation display device.
본 발명의 목적은, 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display.
본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 표시 영역과 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 포함하는 표시부, 상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지부, 상기 비표시 영역에 형성되며 상기 표시 영역을 에워싸는 전압선 및 적어도 일부가 상기 전압선과 접하도록 형성되는 댐부를 포함하고, 상기 전압선은, 상기 표시 영역의 어느 하나의 변과 대응하도록 배치된 제1 전압선을 포함하고, 상기 제1 전압선은 한 쌍의 제1 단부들 및 상기 제1 단부들에 각각 연결된 한 쌍의 제1 연결부들을 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 연결부 사이에는, 상기 전압선과 동일한 재질로 형성된 금속층이 위치하고, 상기 댐부는 적어도 두 개의 댐들을 포함하며, 상기 댐부의 적어도 일부는 상기 금속층과 접하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.According to an embodiment of the present invention, a substrate, a display unit positioned on the substrate and including a display area and a non-display area outside the display area, a thin film encapsulation unit sealing the display unit, and formed in the non-display area, a voltage line surrounding the display area and a dam portion at least partially formed to be in contact with the voltage line, wherein the voltage line includes a first voltage line disposed to correspond to any one side of the display area, the first voltage line comprising: It includes a pair of first ends and a pair of first connection parts respectively connected to the first ends, and between the pair of first connection parts, a metal layer formed of the same material as the voltage line is positioned, and the dam part An organic light emitting diode display including at least two dams, wherein at least a portion of the dam contacts the metal layer.
본 실시예에 있어서, 상기 댐부는 서로 이격된 제1 댐과 제2 댐을 포함하고, 상기 제1 댐은 상기 표시 영역을 에워싸고, 상기 제2 댐은 상기 제1 댐을 에워쌀 수 있다.In the present embodiment, the dam unit may include a first dam and a second dam spaced apart from each other, the first dam may surround the display area, and the second dam may surround the first dam.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 댐의 높이는 상기 제1 댐의 높이보다 높을 수 있다.In this embodiment, the height of the second dam may be higher than the height of the first dam.
본 실시예에 있어서, 상기 금속층은 상기 전압선과 절연 상태일 수 있다. In this embodiment, the metal layer may be insulated from the voltage line.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 금속층은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 층에 형성될 수 있다. In this embodiment, the display unit may include at least one thin film transistor, and the metal layer may be formed on the same layer as a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor.
본 실시예에 있어서, 상기 금속층은 상기 댐부의 하부에 위치할 수 있다. In this embodiment, the metal layer may be located under the dam part.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기발광소자, 상기 박막 트랜지스터와 상기 유기발광소자 사이의 평탄화막;을 포함하고, 상기 댐부는 상기 평탄화막과 동일한 층에 형성될 수 있다. In the present embodiment, the display unit includes a thin film transistor, an organic light emitting device electrically connected to the thin film transistor, and a planarization layer between the thin film transistor and the organic light emitting device, and the dam unit is disposed on the same layer as the planarization layer. can be formed.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부는 화소 영역을 정의하는 화소 정의막;을 더 포함하고, 상기 댐부는 상기 평탄화막과 동일한 층에 형성되는 제1 층 및 상기 화소 정의막과 동일한 층에 형성되는 제2 층을 포함할 수 있다. In the present embodiment, the display unit further includes a pixel defining layer defining a pixel area, and the dam unit includes a first layer formed on the same layer as the planarization layer and a first layer formed on the same layer as the pixel defining layer. It may contain two floors.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 층과 상기 제2 층은 일체로 형성될 수 있다.In this embodiment, the first layer and the second layer may be integrally formed.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지부는 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기막은 상기 댐부의 내측에 위치할 수 있다. In this embodiment, the thin film encapsulation unit may include at least one inorganic layer and at least one organic layer, and the at least one organic layer may be located inside the dam unit.
본 실시예에 있어서, 상기 전압선은 상기 한 쌍의 제1 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 변들을 에워싸는 제2 전압선;을 포함하고, 상기 제2 전압선은 상기 한 쌍의 제1 단부들의 외측을 감싸도록 절곡된 한 쌍의 제2 단부들; 및 상기 한 쌍의 제2 단부들에 형성되는 각각 상기 한 쌍의 제1 연결부들과 나란한 한 쌍의 제2 연결부들;을 포함할 수 있다. In the present embodiment, the voltage line includes a second voltage line surrounding the pair of first ends and the remaining sides of the display area, and the second voltage line surrounds the outside of the pair of first ends. a pair of second ends bent to and a pair of second connecting portions formed at the pair of second end portions, respectively, in parallel with the pair of first connecting portions.
본 실시예에 있어서, 상기 댐부는 상기 나머지 변들 외측에서 상기 제2 전압선과 접하며, 상기 댐부는 상기 어느 하나의 변 외측에서 직선형상을 가지고, 상기 제2 단부들, 상기 제1 연결부들 및 상기 금속층과 동시에 접할 수 있다.In this embodiment, the dam part is in contact with the second voltage line outside the other sides, the dam part has a straight shape outside the one side, and the second ends, the first connection parts, and the metal layer can be accessed at the same time.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부는, 상기 표시 영역으로 전기적 신호를 인가하는 패드부를 더 포함하고, 상기 패드부는, 상기 어느 하나의 변 외부에 배치되며, 상기 한 쌍의 제1 연결부들과 상기 제2 연결부는 상기 패드부와 연결될 수 있다.In this embodiment, the display unit further includes a pad unit for applying an electrical signal to the display area, the pad unit being disposed outside the one side, the pair of first connection units and the first connection unit The second connection part may be connected to the pad part.
본 실시예에 있어서, 상기 금속층은 상기 제1 전압선과 연속적으로 형성될 수 있다.In this embodiment, the metal layer may be continuously formed with the first voltage line.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전압선은 최외곽에 형성되는 댐까지 확장될 수 있다.In this embodiment, the first voltage line may extend to a dam formed at the outermost part.
본 실시예에 있어서, 상기 전압선은 상기 한 쌍의 제1 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 변들을 에워싸는 제2 전압선;을 포함하고, 상기 어느 하나의 변외부에서 상기 금속층의 외측과 상기 제2 전압선의 외측은 동일 선상에 위치할 수 있다.In the present embodiment, the voltage line includes a second voltage line surrounding the pair of first ends and the remaining sides of the display area, and the outside of the metal layer and the second voltage line at the outside of the one side The outside of may be located on the same line.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에는 게이트 절연막이 위치하고, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에는 층간 절연막이 위치하며, 상기 게이트 절연막과 상기 층간 절연막은 상기 비표시 영역까지 연장되고, 상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 무기막을 포함하고, 상기 적어도 하나의 무기막은 상기 댐부의 외측에서 상기 게이트 절연막 또는 상기 층간 절연막과 접할 수 있다.In the present embodiment, the thin film transistor includes an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, a gate insulating film is positioned between the active layer and the gate electrode, and between the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode an interlayer insulating layer is positioned on the junction, the gate insulating layer and the interlayer insulating layer extend to the non-display area, the thin film encapsulation layer includes at least one inorganic layer, and the at least one inorganic layer includes the gate insulating layer outside the dam part. Alternatively, it may be in contact with the interlayer insulating layer.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기막은, 상기 층간 절연막의 단부를 지나쳐 상기 기판의 상면과 접할 수 있다.In the present embodiment, the at least one inorganic layer may pass through an end of the interlayer insulating layer to make contact with the upper surface of the substrate.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 외부의 수분이나 산소가 투습되는 것을 효과적으로 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantageous effect of improving reliability by effectively preventing external moisture or oxygen from permeating.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.Of course, the effects of the present invention can be derived from the contents to be described below with reference to the drawings in addition to the above-described contents.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 표시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대하여 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 표시부의 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 표시한 평면도이다.
도 10은 도 9의 B 영역을 확대하여 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11은 도 10의 Ⅹ-Ⅹ' 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.1 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating an enlarged area A of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view schematically illustrating II-II' of FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary embodiment of a display unit.
5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
7 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
9 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
10 is a plan view schematically illustrating an enlarged area B of FIG. 9 .
11 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section X-X' of FIG. 10 .
12 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another without limiting meaning.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위"에 또는 "상"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part of a film, region, component, etc. is said to be “on” or “on” another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, configuration in the middle The case where an element, etc. is interposed is also included.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.In cases where certain embodiments may be implemented otherwise, a specific process sequence may be performed different from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the described order.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)를 개략적으로 표시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 A 영역을 확대하여 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 표시부의 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view schematically showing an organic light
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 기판(100), 기판(100) 상에 위치하는 표시부(200) 및 표시부(200)를 밀봉하는 박막 봉지부(300), 상기 비표시 영역에 형성되며 상기 표시 영역을 에워싸는 전압선(10a,20) 및 적어도 일부가 상기 전압선과 접하며 형성되는 댐부(50a)를 포함할 수 있다.1 to 4 , an organic light
기판(100)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 선택적 실시예로서, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(100)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The
화상이 기판(100)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(100)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(100)을 형성할 경우 기판(100)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the image is a bottom emission type in which the image is implemented in the direction of the
기판(100) 상에는 표시부(200)가 형성될 수 있다. 표시부(200)는 사용자가 인식할 수 있는 화상을 구현하는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역을 포함할 수 있다. The
표시 영역(DA)에는 유기발광소자(OLED)가 배치되고, 비표시 영역에는 유기발광소자(OLED)로 전원을 공급하는 전압선(10a, 20)이 배치될 수 있다. The organic light emitting device OLED may be disposed in the display area DA, and
또한, 비표시 영역에는 전원 공급장치(미도시) 또는 신호 생성장치(미도시)로부터 전기적 신호를 표시 영역(DA)으로 전달하는 패드부(PAD)가 배치될 수 있다. Also, a pad unit PAD that transmits an electrical signal from a power supply device (not shown) or a signal generator (not shown) to the display area DA may be disposed in the non-display area.
패드부(PAD)에는 드라이버 IC(410), 드라이버 IC와 화소 회로를 연결시키는 패드(430) 및 팬 아웃 배선(420)을 포함할 수 있다.The pad part PAD may include a
드라이버 IC(410)는 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부가 포함될 수 있으며 그 밖에도 화소 회로의 구동에 필요한 각종 기능부가 포함될 수 있다. 드라이버 IC(410)는 COG(chip on glass) 타입으로 기판(100)에 실장된다. 드라이버 IC(410)의 일측에는 기판(100) 상에 형성된 패드(430)과 전기적으로 접속하는 접속 단자(미도시)를 포함한다. 패드(430)와 접속 단자(미도시) 사이에는 도전성 볼을 포함하여 통전이 가능한 접착 물질을 개재하여 패드(430)와 접속 단자(미도시)를 본딩할 수 있다. 이러한 접착 물질로는 예를 들어 이방성 도전 필름 (Anisotropic Conductive Film), 자가 정렬형 전도 필름(Self Organizing Conductive Film) 등을 사용할 수 있다. The
패드(430)는 기판(100) 상에 형성되어, 드라이버 IC(410)의 접속 단자가 전기적으로 접속하는 부분이다. 패드(430)는 팬 아웃 배선(420)과 전기적으로 접속된다. 도 1에서 보이는 바와 같이, 패드(430)는 팬 아웃 배선(420)과 다른 층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 패드(430)는 팬 아웃 배선(420)으로 부터 신장되어 동일한 층에 배치될 수 있다. 패드(430)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 및 티타늄(Ti) 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 물질로 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The
팬 아웃 배선(420)은 상기 패드(430)와 상기 화소 회로를 연결 시키는 역할을 할 수 있다. 팬 아웃 배선(420)은 게이트 전극(G)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 팬 아웃 배선(420)는 게이트 절연막(210) 상부에 배치될 수 있다.The fan-out
이하에서는 도 4를 참조하여, 표시부(200)를 보다 자세히 설명한다.Hereinafter, the
기판(100) 상에는 버퍼층(110)이 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 기판(100)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 기판(100)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(110)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 표시영역(DA)상에 형성되고, 비표시영역까지 배치되도록 연장되어 형성될 수 있다.A
표시 영역(DA)은 일 예로 장방형일 수 있으며, 표시 영역(DA) 내에는 박막 트랜지스터(TFT) 및 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(OLED)가 위치할 수 있다.The display area DA may have a rectangular shape, for example, and a thin film transistor TFT and an organic light emitting diode OLED electrically connected to the thin film transistor TFT may be positioned in the display area DA.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(A), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT may include an active layer (A), a gate electrode (G), a source electrode (S), and a drain electrode (D).
이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(A), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 도시하였다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터가 채용될 수 있다.Hereinafter, a case in which the thin film transistor TFT is a top gate type in which an active layer A, a gate electrode G, a source electrode S, and a drain electrode D are sequentially formed is illustrated. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors such as a bottom gate type may be employed.
활성층(A)은 폴리 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다.The active layer A may be made of polysilicon, and may include a channel region not doped with impurities, and a source region and a drain region formed by doping both sides of the channel region with impurities. Here, the impurity varies depending on the type of the thin film transistor, and may be an N-type impurity or a P-type impurity.
활성층(A)이 형성된 후 활성층(A)의 상부에는 게이트 절연막(210)이 기판(100) 전면(全面)에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 활성층(A)과 상부에 위치하는 게이트 전극(G)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(210)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시영역의 일부에까지 연장되어 형성될 수 있다.After the active layer (A) is formed, a
상기 게이트 절연막(210)을 형성한 후 게이트 절연막(210)의 상부에 게이트 전극(G)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(G)은 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다. After the
게이트 전극(G)은 게이트 절연막(210)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(G)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.The gate electrode G is formed on the
게이트 전극(G)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(G)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode G may be made of a low-resistance metal material. The gate electrode G is formed of, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), and magnesium (Mg) in consideration of adhesion with an adjacent layer, surface flatness and workability of the layer to be laminated. , gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W) , copper (Cu) may be formed as a single layer or a multi-layered material.
상기 게이트 전극(G)이 형성된 후 층간 절연막(230)이 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다. 층간 절연막(230)은 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 게이트 전극(G)을 절연한다. 층간 절연막(230)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시 영역의 일부에까지 연장되어 형성될 수 있다. After the gate electrode G is formed, an
층간 절연막(230)은 무기물로 이루어질 수 있다. 선택적 실시예로서 층간 절연막(230)은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다. The interlayer insulating
층간 절연막(230)은 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기물로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 층간 절연막(230)은 SiOx/SiNy 또는 SiNx/SiOy의 이중 구조로 이루어질 수 있다. The interlayer insulating
층간 절연막(230)의 상부에는 박막 트랜지스터의 소스 전극(S), 드레인 전극(D)이 배치될 수 있다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 활성층(A)의 영역과 접촉하도록 형성된다.A source electrode S and a drain electrode D of the thin film transistor may be disposed on the
소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 평탄화막(250)이 형성될 수 있다. 평탄화막(109)은 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의해 유기 발광 소자(OLED)에 불량이 발생하는 것을 방지한다A
평탄화막(250)은 절연물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 평탄화막(250)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 평탄화막(PL)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. The
상기 평탄화막(250)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)가 구비된다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 전극(281), 유기 발광층을 포함하는 중간층(283), 및 대향 전극(285)을 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이 상기 화소 전극(281)은 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결될 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) is provided on the
화소 전극(281) 및/또는 대향 전극(285)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명 전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소 전극(281) 또는 대향 전극(285)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.The
화소 전극(281)은 평탄화막(250)상에 형성되고, 평탄화막(250)에 형성된 컨택홀을 통하여 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(281) 일 예로, 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(281)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.The
화소 전극(281)과 대향되도록 배치된 대향 전극(285)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 대향 전극(285)은 중간층(283)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(281)에 의해 반사되어, 대향 전극(285) 측으로 방출될 수 있다.The
그러나, 본 실시예의 표시부(200)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(281)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(285)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 표시부(200)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.However, the
한편, 대향 전극(285)상에는 절연 물질로 화소 정의막(270)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(270)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. Meanwhile, a
화소 정의막(270)은 화소 영역과 비화소 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(270)은 화소 전극(281)을 노출하는 개구를 포함하며 기판(100)을 전면적으로 덮도록 형성될 수 있다.The
도 3에 도시된 바와 같이 박막 봉지부(300)는 표시부(200)를 밀봉하여 외부의 산소 및 수분 등이 표시부(200)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막 봉지부(300)는 다수의 유기막들(330)과 다수의 무기막들(310)을 포함할 수 있다. 다수의 유기막들(330)과 다수의 무기막들(310)은 서로 교번적으로 적층된 다층구조를 이룰 수 있다. 도 3에서는, 박막 봉지부(300)이 두 개의 유기막들(330a, 330b)과 두 개의 무기막들(310a, 310b)을 포함하는 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 즉, 박막 봉지부(300)은 교대로 배치된 복수 개의 추가적인 무기 봉지막 및 유기 봉지막을 더 포함할 수 있으며, 무기 봉지막 및 유기 봉지막의 적층 횟수는 제한되지 않는다.As shown in FIG. 3 , the thin
유기막들(330a, 330b)은 예컨대, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. The
무기막들(310a, 310b)은 예컨대, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The
도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA) 외곽의 비표시 영역에는 표시 영역(DA)을 에워싸는 전압선(10a, 20)과 댐부(50a)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 1 ,
전압선(10a, 20)은 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 동일한 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 전압선(10a, 20)은 제1 전압선(10a)과 제2 전압선(20)을 포함할 수 있다. 선택적 실시예로, 제1 전압선(10a)은 구동전압(ELVDD)선일 수 있으며, 제2 전압선(20)은 공통전압(ELVSS)선일 수 있다. 제2 전압선(20)은 대향 전극(285)과 연결될 수 있다.The
제1 전압선(10a)은 표시 영역(DA)의 적어도 어느 하나의 변과 대응하도록 배치될 수 있다. 제1 전압선(10a)은 어느 하나의 변과 나란하게 형성되는 한 쌍의 제1 단부(11)들을 포함할 수 있다. 이때, 제1 전압선(10a)과 대응하는 상기 어느 하나의 변은 패드부(PAD)와 인접한 변일 수 있다. The
제2 전압선(20)은 제1 전압선(10a)의 한 쌍의 제1 단부(11)들과 표시 영역(DA)의 나머지 변들을 에워쌀 수 있다.The
제2 전압선(20)은 한 쌍의 제1 단부(11)들의 외측을 감싸도록 절곡된 한 쌍의 제2 단부(21)들을 포함하고, 한 쌍의 제1 단부(11)들 각각은, 표시 영역(DA)과 한 쌍의 제2 단부(21)들 사이에 위치할 수 있다.The
제1 전압선(10a)은 한 쌍의 제1 연결부(12a)들을 포함하고, 제2 전압선(20)은 한 쌍의 제2 연결부(22)들을 포함할 수 있다. 한 쌍의 제1 연결부(12a)들은 한 쌍의 제1 단부(11)들과 수직한 방향으로 연장되며, 한 쌍의 제2 연결부(22)들은 한 쌍의 제2 단부(21)들에서 각각 한 쌍의 제1 연결부(12a)들과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. The
한 쌍의 제1 연결부(12a)들과 한 쌍의 제2 연결부(22)들은 상기 적어도 어느 하나의 변 외부에 배치된 패드부(PAD)와 연결될 수 있다.The pair of
댐부(50a)는 적어도 일부가 제1 전압선(10a) 및/또는 제2 전압선(20)과 접하도록 형성될 수 있다. The
댐부(50a)는 표시 영역(DA)의 네 변을 표시 영역(DA)의 외부에서 에워싸며 일체로 연결된 형태로 형성될 수 있다. 즉, 댐부(50a)는 단절되는 부분 없이 링 형태로 표시 영역(DA)의 네 변을 에워싸도록 형성될 수 있다. The
댐부(50a)는 표시부(100)를 밀봉하기 위한 박막 봉지부(300)의 유기막들(330)의 형성시, 유기물이 기판(100)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하여, 유기막들(330)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다.When the
도 3에 도시된 바와 같이 박막 봉지부(300)의 유기막들(330)은 무기막들(310)보다 크게 형성될 수 있다. 이 때, 댐부(50a)는 유기막들(330)의 형성시에 유기물이 기판(100)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단할 수 있고 유기막들(330)은 댐부(50a)의 내측에 위치하게 된다.As shown in FIG. 3 , the
선택적 실시예로서 무기막들(310)은 댐부(50a)의 외측으로 연장될 수 있고, 댐부(50a)의 외측에서 무기막들(310)은 서로 접할 수 있다. 또한, 무기막들(310) 중 적어도 하나는 댐부(50a)의 외측에서 게이트 절연막(210) 또는 층간 절연막(230)과 접할 수 있다. 따라서, 측면을 통한 외부 투습을 방지하고, 박막 봉지부(300)의 접합력이 향상될 수 있다.As an optional embodiment, the
선택적 실시예로서, 댐부(50a)의 외측에서, 무기막들(310) 중 적어도 하나는 층간 절연막(230)의 단부를 지나쳐 기판(100)의 상면과 접할 수 있고, 또한, 게이트 절연막(210) 및 층간 절연막(230)의 측면과도 접할 수 있다. 따라서, 무기막들(310)의 가장자리가 박리되어 박막 봉지부(300)의 봉지 특성이 약화 및 제거되는 것을 방지할 수 있다.As an optional embodiment, on the outside of the
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 댐부는 적어도 두 개 이상의 댐을 포함할 수 있다. The dam portion of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment may include at least two or more dams.
선택적 실시예로서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 댐부(50a)는 제1댐(51a) 및 상기 제1댐(51a)과 소정 간격 이격되도록 제1댐(51a)의 외곽에 형성되는 제2댐(53a)을 포함할 수 있다.As an optional embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3 , the
댐부(50a)가 적어도 두 개 이상의 댐으로 형성됨에 따라 유기물이 reflow되는 것을 효과적으로 차단할 수 있으며 하나의 댐만이 구비되었을 때 유기막이 흐르는 것을 막지 못할 우려를 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다.As the
도 1 내지 도 3에는 댐부(50a)가 제1댐(51a) 및 제2댐(53a)을 구비하는 실시예만을 도시하였으나 적어도 두 개 이상의 복수 개의 댐을 구비한다면 댐의 개수가 이에 한정되지 않음은 물론이다. 1 to 3 show only an embodiment in which the
또한, 도 1 내지 도 3의 실시예에서는 제1댐(51a) 및 제2댐(53a)의 높이가 동일하게 도시되어 있으나 두 개 이상의 댐이 형성되는 경우, 기판(100)의 외곽으로 갈수록 댐부(50a)의 높이가 증가할 수도 있다. In addition, in the embodiment of FIGS. 1 to 3 , the heights of the
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)의 박막 봉지부(300)의 유기막들(330)은 형성시에 댐부(50a)에 의해 유기물이 퍼지는 것이 차단되어 기판(100)의 가장 내측에 위치하는 제1댐(51a)의 내측까지 위치할 수 있다. The
즉, 댐부(50a)가 제1댐(51a) 및 제2댐(53a)을 포함하는 이중댐으로 구비됨에 따라 제1댐(51a)에 의해 유기막이 퍼져서 넘치는 것이 차단되고 결과적으로 제1댐(51a)과 제2댐(53a) 사이에는 유기막이 형성되지 않을 수 있다. That is, as the
제1댐(51a)과 제2댐(53a) 사이에 유기막이 형성되지 않으므로 외부의 투습을 효율적으로 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. Since an organic layer is not formed between the
댐부(50a)는 유기물로 이루어질 수 있다. 선택적 실시예로서, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질일 수 있다. The
제1 전압선(10a)의 한 쌍의 제1 연결부(12a)들 사이에는 금속층(30a)이 형성될 수 있다. 상기 금속층(30a)은 도 3에 도시된 바와 같이 댐부(50a)의 하부에 위치하여 댐부(50a)와 접하도록 형성될 수 있다.A
금속층(30a)이 형성됨에 따라 한 쌍의 제1 연결부(12)들 사이에 형성되는 댐부(50a)의 접착력이 향상될 수 있는 유리한 효과가 있다.As the
댐부가 유기물질로 이루어지는 경우에 무기물과의 접착력이 약해 무기물과 접착시 들뜸 현상이 발생하게 되고 외부의 수분이나 산소가 들어가 유기 발광 소자(OLED)를 손상시킬 우려가 있다.When the dam part is made of an organic material, the adhesion to the inorganic material is weak, and thus a lifting phenomenon occurs when bonding to the inorganic material, and there is a risk that external moisture or oxygen may enter and damage the organic light emitting diode (OLED).
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 댐부(50a)가 단절되는 부분 없이 일체로 연결되어 표시 영역(DA)의 네 변을 에워싸도록 형성되며 한 쌍의 제1 연결부(12)들 사이에서는 댐부(50a)의 하부에 댐부(50a)와 접하는 금속층(30a)이 형성되어 댐부(50a)의 접착력이 향상될 수 있다.In the organic light emitting
금속층(30a)의 형성 영역은 한정되지 않으며 적어도 일부가 댐부(50)의 하부에 위치한다면 한 쌍의 제1 연결부(12a)들 사이에서 제한 없이 형성될 수 있다. The formation region of the
선택적 실시예로서, 금속층(30a)은 제1 전압선(10a)과 함께 형성될 수 있다. 따라서 제1 전압선(10a)과 동일한 층에 형성될 수 있으며 제1 전압선(10a)과 동일한 재질으로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
선택적 실시예로서, 금속층(30a)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. In an optional embodiment, the
다른 선택적 실시예로서, 금속층(30a)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 함께 형성될 수 있다. 따라서 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 동일한 층에 동일한 재질으로 형성될 수 있다.As another optional embodiment, the
댐부(50a)는 도 3에 도시된 바와 같이 평탄화막(250)과 동일한 층에 동일한 재질으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3 , the
댐부(50a)의 하부에는 금속층(30a)이 형성되어 하부가 금속층(30a)과 접하고 금속층(30a)의 상부에 평탄화막(250)과 동일한 높이까지 댐부(50a)가 형성될 수 있다. 댐부(50a)의 높이가 이에 한정되지 않음은 물론이다. A
선택적 실시예로서, 댐부(50a)는 유기 절연 물질로 형성될 수 있으며 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.As an optional embodiment, the
도 1에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)의 댐부(50a)는 표시 영역(DA)의 적어도 세 변에서는 제2 전압선(20)과 접하도록 형성될 수 있다. 1 , the
즉, 표시 영역(DA)의 적어도 세 변에서는 댐부(50a) 가운데 가장 바깥쪽에 형성되는 제2댐(53a)이 제2 전압선(20)의 가장자리부와 접하도록 형성될 수 있다.That is, on at least three sides of the display area DA, the
제1 전압선(10a)의 제1 단부(11)들이 배치되는 변에 대응되는 표시 영역(DA)의 하나의 변에서도 표시 영역(DA)을 에워싸는 댐부(50a)는 단절되는 부분 없이 일체로 연결되어 형성되며 적어도 일부는 제2 단부들(21)과 접하도록 형성된다. 또한, 나머지 부분 가운데 적어도 일부의 댐부(50a)는 제1 연결부들(12)과 접하도록 형성되며 나머지 부분 가운데 적어도 일부의 댐부(50a)는 금속층(30a)과 접하도록 형성될 수 있다. Even on one side of the display area DA corresponding to the side on which the first ends 11 of the
따라서, 링 형태로 네 변을 포함하여 형성되는 댐부(50a) 가운데 적어도 세 변은 모두 제2 전압선(20)과 접하고 나머지 하나의 변 역시 대부분 제2 단부들(21), 제1 연결부들(12a), 금속층(30a)과 접하도록 형성되어 댐부(50a)의 접착력이 향상될 수 있는 유리한 효과가 있다.Accordingly, at least three sides of the
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2000)를 도시한 단면도이다. 도 5에서, 도 1 내지 도 4와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2000)의 댐부(50b)는 도 1 내지 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(1000)의 댐부(50a)와 수행하는 기능이 동일하므로 설명의 편의를 위하여 차이점을 위주로 설명하도록 한다. For convenience of explanation, since the
상기 댐부(50b)는 적어도 두 개 이상의 댐을 포함하도록 형성될 수 있으며, 표시 영역(DA)의 네 변을 표시 영역(DA)의 외부에서 에워싸며 일체로 연결된 형태로 형성될 수 있다. 즉, 댐부(50b)는 단절되는 부분 없이 링 형태로 표시 영역(DA)의 네 변을 에워싸도록 형성될 수 있다.The
한 쌍의 제1 연결부(12, 도 1 참고)들 사이에서는 댐부(50b)가 금속층(30a)과 접하여 접착력이 향상될 수 있다. 이에 따라 외부의 수분이나 산소가 침투할 확률이 낮아지고 유기 발광 소자(OLED)의 신뢰성이 향상될 수 있는 유리한 효과가 있다.Between the pair of first connection parts 12 (refer to FIG. 1 ), the
선택적 실시예로서, 댐부(50b)는 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 부분과 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분을 포함할 수 있다. As an optional embodiment, the
즉, 평탄화막(250)의 형성시 평탄화막(250)과 동일한 층에 댐부(50b)의 일부가 형성되고 상부에 화소 정의막(270)의 형성시 화소 정의막(270)과 동일한 층에 댐부(50b)의 일부가 형성될 수 있다. That is, when the
상기 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분은 화소 정의막(270)과 동일한 재질으로 형성될 수 있다. 선택적 실시예로서 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질일 수 있다. A portion formed on the same layer as the
상기 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 부분과 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분은 일체로 형성될 수 있다. A portion formed on the same layer as the
제1댐(51b)에 의해 유기막(330)이 퍼져서 넘치는 것이 차단되고 결과적으로 제1댐(51b)과 제2댐(53b) 사이에는 유기막(330)이 형성되지 않을 수 있다. The
제1댐(51b)과 제2댐(53b) 사이에 유기막이 형성되지 않고 유기막(330)은제1댐(51b)의 내측에만 형성됨에 따라 외부의 투습을 효율적으로 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. As the organic layer is not formed between the
도 5에 도시된 바와 같이 댐부(50b)는 금속층(30a)의 상부에 평탄화막(250) 및 화소 정의막(270)의 높이와 동일한 높이로 형성될 수 있으나 댐부(50b)의 높이가 이에 한정되지 않음은 물론이다.As shown in FIG. 5 , the
선택적 실시예로서, 제1댐(51b)과 제2댐(53b)의 높이가 다르게 형성될 수 있다. 즉, 제1댐(51b)보다 상대적으로 기판(100)의 외곽에 위치하는 제2댐(53b)의 높이가 더 높게 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3000)를 도시한 단면도이다. 도 6에서, 도 1 내지 도 4와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3000)의 댐부(50c)는 상술한 댐부(50a, 50b)와 수행하는 기능이 동일하므로 설명의 편의를 위하여 차이점을 위주로 설명하도록 한다. Since the
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3000)의 댐부(50c)는 제1댐(51c)과 제2댐(53b)의 높이가 다르게 형성될 수 있다. 즉, 제2댐(53b)의 높이가 제1댐(51c)의 높이보다 더 높게 형성될 수 있다. In the
이 경우 제1댐(51c)은 화소 정의막(270)의 형성시 화소 정의막(270)과 동일한 재질으로 형성될 수 있고, 제2댐(53b)은 평탄화막(250)의 형성시 평탄화막(250)과 동일한 재질으로 먼저 하부가 형성되고 이후 화소 정의막(270)의 형성시 제1댐(51c)과 함께 화소 정의막(270)과 동일한 재질으로 제2댐(53b)의 상부가 형성될 수 있다.In this case, the
즉, 댐부(50c)는 평탄화막(250) 및/또는 화소 정의막(270)의 형성시 동일한 재질로 함께 형성될 수 있으며 이러한 경우 높이 및 재질이 한정되지 않는다.That is, the
선택적 실시예로서 제2댐(53b)은 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 부분과 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분이 동일한 재질로 형성되어 하부와 상부가 일체로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the portion formed on the same layer as the
제1댐(51c)과 제2댐(53b) 사이에 유기막이 형성되지 않고 유기막(330)은제1댐(51c)의 내측에만 형성됨에 따라 외부의 투습을 효율적으로 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. As the organic layer is not formed between the
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(4000)를 도시한 단면도이다. 도 7에서, 도 1 내지 도 4와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.7 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(4000)의 금속층(30b)은 댐부(50a)의 하부에만 형성될 수 있다. 즉, 금속층(30b)의 전부가 댐부(50a)의 하부에 위치하여 댐부(50a)와 접착하도록 형성될 수 있다. The
본 실시예에 따르면 게이트 절연막(210), 층간 절연막(230) 등의 무기막과 댐부(50a)의 사이에 금속층(30b)이 형성됨에 따라 댐부(50a)의 접착력을 향상시킬 수 있고 외부의 수분이나 산소가 침투하는 것을 효과적으로 차단하여 유기 발광 소자(OLED)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, as the
선택적 실시예로서 금속층(30b)은 제1 전압선(10a)와 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
다른 선택적 실시예로서 금속층(30b)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스전극(S) 및 드레인 전극(D)과 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. As another optional embodiment, the
댐부(50a)는 제1댐(51a)과 제2댐(53a)를 포함하며, 평탄화막(250)과 동일한 층에 동일한 재질으로 형성될 수 있다. The
도 7에 도시된 바와 같이 평탄화막(250)과 동일한 높이로 댐부(50a)가 형성될 수 있으나 댐부(50a)의 높이가 이에 한정되지 않음은 물론이며 선택적 실시예로서 상대적으로 기판(100)의 외곽에 제2댐(53a)의 높이가 제1댐(51a)의 높이보다 더 높게 형성될 수 있다. As shown in FIG. 7 , the
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(5000)를 도시한 단면도이다. 도 8에서, 도 1 내지 도 5와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(5000)는 금속층(30b) 전부가 댐부(50b)의 하부에 위치하여 댐부(50b)와 접착하도록 형성될 수 있다. 즉, 댐부(50b)가 형성되는 영역에만 금속층(30b)이 위치하도록 형성될 수 있다.The organic light emitting
댐부(50b)가 형성되는 영역의 하부에 금속층(30b)이 형성됨에 따라 댐부(50b)의 접착력이 향상되어 외부의 수분과 산소를 효과적으로 차단하여 유기 발광 소자(OLED)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As the
선택적 실시예로서 금속층(30b)은 제1 전압선(10a)와 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
다른 선택적 실시예로서 금속층(30b)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스전극(S) 및 드레인 전극(D)과 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. As another optional embodiment, the
댐부(50b)는 제1댐(51b)과 제2댐(53b)를 포함하며 선택적 실시예로서 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 부분과 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분을 포함할 수 있다. The
도 8에는 제1댐(51b)과 제2댐(53b)의 높이가 동일한 실시예가 도시되어 있으나 댐부(51b)의 높이는 이에 한정되지 않으며 제1댐(51b)보다 상대적으로 기판(100)의 외곽에 위치하는 제2댐(53b)의 높이가 더 높게 형성될 수 있다. Although FIG. 8 shows an embodiment in which the
선택적 실시예로서 평탄화막(250)의 형성시 평탄화막(250)과 함께 제2댐(53b)의 하부가 먼저 형성되고 이후 화소 정의막(270)의 형성시 화소 정의막(270)과 함께 제1댐(51b) 및 제2댐(53b)의 상부가 형성될 수 있다. As an optional embodiment, when the
선택적 실시예로서 댐부(51b)의 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 부분과 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분은 동일한 재질로 형성되며 일체로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the portion formed on the same layer as the
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(6000)를 개략적으로 표시한 평면도이고, 도 10은 도 9의 B 영역을 확대하여 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 11은 도 10의 Ⅹ-Ⅹ' 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 9 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting
도 9 내지 도 11에서, 도 1 내지 도 4와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.In FIGS. 9 to 11 , the same reference numerals as those of FIGS. 1 to 4 denote the same members, and repeated descriptions thereof are omitted here for simplicity of description.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(6000)는 기판(100), 기판(100) 상에 위치하는 표시부(200) 및 표시부(200)를 밀봉하는 박막 봉지부(300), 상기 비표시 영역에 형성되며 상기 표시 영역을 에워싸는 전압선(10b, 20) 및 적어도 일부가 상기 전압선과 접하며 형성되는 댐부(50)를 포함할 수 있다.The organic light emitting
제1 전압선(10b)은 표시 영역(DA)의 적어도 어느 하나의 변과 대응하도록 배치될 수 있다. 이때, 제1 전압선(10b)과 대응하는 상기 어느 하나의 변은 패드부(PAD)와 인접한 변일 수 있다. The
제1 전압선(10b)은 패드부(PAD)와 연결되는 부분인 한 쌍의 제1 연결부(12b)들을 포함할 수 있다. The
상기 한 쌍의 제1 연결부들(12b) 사이에는 금속층이 위치하며 댐부(50a)는 제1 연결부(12b)들 사이에서 금속층과 접하여 단절되는 부분 없이 일체로 연결되어 표시 영역(DA)을 에워싸도록 형성될 수 있다. A metal layer is positioned between the pair of
도 9에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(6000)의 금속층은 제1 전압선(10b)이 확장되어 형성될 수 있다. As shown in FIG. 9 , the metal layer of the organic light emitting
즉, 제1 연결부들(12b)사이에 별도의 금속층을 마련하는 것이 아니라 제1 전압선(10b)의 형성시 제1 전압선(10b)을 제1 연결부들(12b) 사이 공백 영역까지 확장하여 형성함에 따라 제1 연결부들(12b) 사이에서 댐부(50)의 하부가 제1 전압선(10b)에 접하도록 할 수 있다.That is, instead of providing a separate metal layer between the
선택적 실시예로서 제1 전압선(10b)은 제1 연결부들(12b) 사이에 빈 공간이 없이 모두 금속으로 메꿔진 형태로 확장되어 형성될 수 있다. As an alternative embodiment, the
제1 전압선(10b)은 적어도 댐부(50a) 가운데 가장 바깥에 위치한 댐이 형성되는 영역까지 확장되어 형성될 수 있다.The
선택적 실시예로서 댐부(50a)가 제1댐(51a) 및 제2댐(53a)을 포함하여 형성되는 경우에 제2댐(53a)이 형성되는 영역까지 확장되어 형성될 수 있다.이에 따라 제1댐(51a) 및 제2댐(53a)의 하부가 제1 전압선(10b)과 접착할 수 있다. As an optional embodiment, when the
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(6000)는 제1 연결부들(12b) 사이에서 댐부(50a)가 모두 하부의 제1 전압선(10b)에 접하므로 접착력이 향상되어 외부의 수분이나 산소가 침투할 확률이 낮아지고 유기 발광 소자(OLED)의 신뢰성이 향상될 수 있는 유리한 효과가 있다.In the organic light emitting
전압선은 제2 전압선(20)을 포함할 수 있다. 제2 전압선(20)은 한 쌍의 제1 단부(11)들의 외측을 감싸도록 절곡된 한 쌍의 제2 단부(21)들을 포함하고, 한 쌍의 제1 단부(11)들 각각은, 표시 영역(DA)과 한 쌍의 제2 단부(21)들 사이에 위치할 수 있다.The voltage line may include the
제2 전압선(20)은 한 쌍의 제2 연결부(22)들을 포함할 수 있다. 한 쌍의 제1 연결부(12)들은 한 쌍의 제1 단부(11)들과 수직한 방향으로 연장되며, 한 쌍의 제2 연결부(22)들은 한 쌍의 제2 단부(21)들에서 각각 한 쌍의 제1 연결부(12)들과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. The
한 쌍의 제1 연결부(12b)들과 한 쌍의 제2 연결부(22)들은 상기 적어도 어느 하나의 변 외부에 배치된 패드부(PAD)와 연결될 수 있다.The pair of
선택적 실시예로서, 제1 단부(11)들이 배치된 변의 표시 영역(DA)의 외부에서 제1 전압선(10b)의 외측과 제2 전압선(20)의 외측이 동일 선상에 위치하도록 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the outside of the
즉, 표시 영역(DA)의 네 변 가운데 외측에 제1 단부(11)들이 배치된 변의 바깥에서는 제1 전압선(10b)의 외측이 제2 단부들(21)의 외측까지 확장되어 제1 전압선(10b)의 외측과 제2 전압선(20)의 외측이 동일 선상에 위치하도록 형성될 수 있다. That is, the outside of the
도 11에 도시된 바와 같이 댐부(50a)는 평탄화막(250)과 동일한 층에 동일한 재질으로 형성될 수 있다. 11 , the
제1댐(51a)과 제2댐(53a)의 높이가 동일한 실시예가 도시되어 있으나 댐부(50a)의 높이는 이에 한정되지 않으며 제1댐(51a)보다 상대적으로 기판(100)의 외곽에 위치하는 제2댐(53a)의 높이가 더 높게 형성될 수 있다Although the embodiment is shown in which the height of the
도 11에 도시된 바와 같이 제2댐(53a)의 하부까지 제1 전압선(10b)이 확장되어 형성될 수 있으며 댐부(50a)와 하부 무기막의 사이에 제1 전압선(10b)이 구비됨에 따라 댐부(50a)가 금속 재질의 제1 전압선(10b)에 접하게 되어 접착력이 향상되는 유리한 효과가 있다. As shown in FIG. 11 , the
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(7000)를 개략적으로 표시한 단면도이다. 도 12에서, 도 1 내지 도 6과 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.12 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(7000)는 제1 전압선(10b)이 제2댐(53b)이 형성되는 영역까지 확장되어 형성될 수 있으며, 댐부(50c)와 하부 무기막의 사이에 제1 전압선(10b)이 구비됨에 따라 댐부(50c)가 금속 재질의 제1 전압선(10b)에 접하게 되어 접착력이 향상되는 유리한 효과가 있다.The organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(7000)는 댐부(50c)가 제1댐(51c)과 제2댐(53b)을 포함할 수 있으며, 상기 제1댐(51c)과 제2댐(53b)의 높이가 다르게 형성될 수 있다. 즉 상대적으로 기판(100)의 외곽에 구비되는 제2댐(53b)의 높이가 제1댐(51c)의 높이보다 더 높게 형성될 수 있다. In the organic light emitting
즉, 평탄화막(250)의 형성시 평탄화막(250)과 함께 제2댐(53b)의 하부가 먼저 형성되고 이후 화소 정의막(270)의 형성시 화소 정의막(270)과 함께 제1댐(51c) 및 제2댐(53b)의 상부가 형성될 수 있다. That is, when the
선택적 실시예로서 댐부(51b)의 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 부분과 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 부분은 동일한 재질로 형성되며 일체로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the portion formed on the same layer as the
제1댐(51c)과 제2댐(53b) 사이에 유기막이 형성되지 않고 유기막(330)은제1댐(51c)의 내측에만 형성됨에 따라 외부의 투습을 효율적으로 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. As the organic layer is not formed between the
제2댐에(53b)의 상기 평탄화막(250)과 동일한 층에 형성되는 하부와 화소 정의막(270)과 동일한 층에 형성되는 상부는 동일한 재질으로 일체로 형성될 수 있다. The lower portion of the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described, but the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and it is common in the technical field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications are possible by those having the knowledge of, of course, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.
10a, 10b: 제1 전압선
20: 제2 전압선
30a, 30b: 금속층
50a, 50b, 50c: 댐부
100: 기판
200: 표시부
300: 박막 봉지부10a, 10b: first voltage line
20: second voltage line
30a, 30b: metal layer
50a, 50b, 50c: dam part
100: substrate
200: display
300: thin film encapsulation unit
Claims (35)
상기 기판 상에 위치하며, 표시 영역과 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 포함하는 표시부;
상기 표시부를 밀봉하는 것으로, 상기 표시부 상부에서 제1무기막, 제1유기막, 및 제2무기막이 순차 적층된 박막 봉지부;
상기 비표시 영역에 형성되며 상기 표시 영역의 어느 하나의 변과 대응하도록 배치된 제1 전압선; 및
적어도 일부가 상기 제1 전압선과 접하도록 형성되는 댐부;를 포함하고,
상기 제1 전압선은 한 쌍의 제1 단부들 및 상기 제1 단부들에 각각 연결된 한 쌍의 제1 연결부들을 포함하며,
상기 한 쌍의 제1 연결부 사이에는, 상기 제1 전압선과 동일한 재질로 형성된 금속층이 위치하고,
상기 댐부의 적어도 일부는 상기 금속층과 접하며,
상기 제1유기막은 상기 댐부의 내측에 위치하며, 상기 제2무기막은 상기 댐부의 외측까지 연장된, 유기 발광 표시 장치.Board;
a display unit positioned on the substrate and including a display area and a non-display area outside the display area;
a thin film encapsulation unit encapsulating the display unit, in which a first inorganic layer, a first organic layer, and a second inorganic layer are sequentially stacked on the display unit;
a first voltage line formed in the non-display area and disposed to correspond to any one side of the display area; and
and a dam portion at least a portion of which is formed to be in contact with the first voltage line;
The first voltage line includes a pair of first ends and a pair of first connecting portions respectively connected to the first ends,
A metal layer formed of the same material as the first voltage line is positioned between the pair of first connection parts,
At least a portion of the dam portion is in contact with the metal layer,
The organic light emitting diode display device, wherein the first organic layer is located inside the dam part, and the second inorganic layer extends to the outside of the dam part.
상기 댐부는 서로 이격된 제1 댐과 제2 댐을 포함하고,
상기 제1 댐은 상기 표시 영역을 에워싸고,
상기 제2 댐은 상기 제1 댐을 적어도 일부 에워싸는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The dam unit includes a first dam and a second dam spaced apart from each other,
the first dam surrounds the display area;
The second dam surrounds at least a portion of the first dam.
상기 제2 댐의 높이는 상기 제1 댐의 높이보다 높은 유기 발광 표시 장치. 3. The method of claim 2,
The height of the second dam is higher than that of the first dam.
상기 금속층은 상기 제1 전압선과 절연 상태인 유기 발광 표시 장치. According to claim 1,
The metal layer is insulated from the first voltage line.
상기 표시부는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하며,
상기 금속층은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.5. The method of claim 4,
The display unit includes at least one thin film transistor,
The metal layer is formed on the same layer as the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor.
상기 금속층은 상기 댐부의 하부에 위치하는 유기 발광 표시 장치. 5. The method of claim 4,
The metal layer is positioned under the dam part.
상기 기판 상에 위치하며, 표시 영역과 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 포함하는 표시부;
상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지부;
상기 비표시 영역에 형성되며 상기 표시 영역의 어느 하나의 변과 대응하도록 배치된 제1 전압선; 및
적어도 일부가 상기 제1 전압선과 접하도록 형성되는 댐부;를 포함하고,
상기 제1 전압선은 한 쌍의 제1 단부들 및 상기 제1 단부들에 각각 연결된 한 쌍의 제1 연결부들을 포함하며,
상기 한 쌍의 제1 연결부 사이에는, 상기 제1 전압선과 동일한 재질로 형성된 금속층이 위치하고,
상기 댐부의 적어도 일부는 상기 금속층과 접하며,
상기 표시부는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기발광소자, 상기 박막 트랜지스터와 상기 유기발광소자 사이의 평탄화막;을 포함하고,
상기 댐부는 상기 평탄화막과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.Board;
a display unit positioned on the substrate and including a display area and a non-display area outside the display area;
a thin film encapsulation unit sealing the display unit;
a first voltage line formed in the non-display area and disposed to correspond to any one side of the display area; and
and a dam portion at least a portion of which is formed to be in contact with the first voltage line;
The first voltage line includes a pair of first ends and a pair of first connecting portions respectively connected to the first ends,
A metal layer formed of the same material as the first voltage line is positioned between the pair of first connection parts,
At least a portion of the dam portion is in contact with the metal layer,
The display unit includes a thin film transistor, an organic light emitting device electrically connected to the thin film transistor, and a planarization layer between the thin film transistor and the organic light emitting device,
The dam portion is formed on the same layer as the planarization layer.
상기 표시부는 화소 영역을 정의하는 화소 정의막;을 더 포함하고,
상기 댐부는 상기 평탄화막과 동일한 층에 형성되는 제1 층 및 상기 화소 정의막과 동일한 층에 형성되는 제2 층을 포함하는 유기 발광 표시 장치. 8. The method of claim 7,
The display unit further includes a pixel defining layer defining a pixel area;
and the dam portion includes a first layer formed on the same layer as the planarization layer and a second layer formed on the same layer as the pixel defining layer.
상기 제1 층과 상기 제2 층은 일체로 형성되는 유기 발광 표시 장치.9. The method of claim 8,
and the first layer and the second layer are integrally formed.
상기 한 쌍의 제1 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 변들을 에워싸는 제2 전압선;을 더 포함하고,
상기 제2 전압선은 상기 한 쌍의 제1 단부들의 외측을 감싸도록 절곡된 한 쌍의 제2 단부들; 및 상기 한 쌍의 제2 단부들에 형성되는 각각 상기 한 쌍의 제1 연결부들과 나란한 한 쌍의 제2 연결부들;을 포함하는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
a second voltage line surrounding the pair of first ends and the remaining sides of the display area;
The second voltage line may include a pair of second ends bent to surround the outside of the pair of first ends; and a pair of second connection parts formed at the pair of second ends, respectively, in parallel with the pair of first connection parts.
상기 댐부는 상기 나머지 변들 외측에서 상기 제2 전압선과 접하며,
상기 댐부는 상기 어느 하나의 변 외측에서 직선형상을 가지고, 상기 제2 단부들, 상기 제1 연결부들 및 상기 금속층과 동시에 접하는 유기 발광 표시 장치. 12. The method of claim 11,
The dam portion is in contact with the second voltage line outside the remaining sides,
The dam part has a linear shape outside the one side and is in contact with the second ends, the first connection parts, and the metal layer at the same time.
상기 표시부는, 상기 표시 영역으로 전기적 신호를 인가하는 패드부를 더 포함하고,
상기 패드부는, 상기 어느 하나의 변 외부에 배치되며,
상기 한 쌍의 제1 연결부들과 상기 제2 연결부는 상기 패드부와 연결된 유기 발광 표시 장치.12. The method of claim 11,
The display unit further includes a pad unit for applying an electrical signal to the display area,
The pad part is disposed outside the one side,
The pair of first connection parts and the second connection part are connected to the pad part.
상기 금속층은 상기 제1 전압선과 연속적으로 형성된 유기 발광 표시 장치. According to claim 1,
The metal layer is continuously formed with the first voltage line.
상기 제1 전압선은 상기 댐부의 최외곽까지 확장된 유기 발광 표시 장치.15. The method of claim 14,
The first voltage line extends to the outermost part of the dam part.
상기 한 쌍의 제1 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 변들을 에워싸는 제2 전압선;을 더 포함하고,
상기 어느 하나의 변 외부에서 상기 금속층의 외측과 상기 제2 전압선의 외측은 동일 선상에 위치하는 유기 발광 표시 장치. 15. The method of claim 14,
a second voltage line surrounding the pair of first ends and the remaining sides of the display area;
The organic light emitting diode display device in which an outer side of the metal layer and an outer side of the second voltage line are positioned on the same line outside the one side.
상기 박막 트랜지스터는, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고,
상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에는 게이트 절연막이 위치하고, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에는 층간 절연막이 위치하며,
상기 게이트 절연막과 상기 층간 절연막은 상기 비표시 영역까지 연장되고,
상기 박막 봉지부는 적어도 하나의 무기막을 포함하고, 상기 적어도 하나의 무기막은 상기 댐부의 외측에서 상기 게이트 절연막 또는 상기 층간 절연막과 접하는 유기 발광 표시 장치.8. The method of claim 7,
The thin film transistor includes an active layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode,
A gate insulating film is positioned between the active layer and the gate electrode, and an interlayer insulating film is positioned between the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode,
the gate insulating layer and the interlayer insulating layer extend to the non-display area;
The thin film encapsulation part includes at least one inorganic layer, and the at least one inorganic layer contacts the gate insulating layer or the interlayer insulating layer outside the dam part.
상기 적어도 하나의 무기막은, 상기 층간 절연막의 단부를 지나쳐 상기 기판의 상면과 접하는 유기 발광 표시 장치.18. The method of claim 17,
The at least one inorganic layer passes through an end of the interlayer insulating layer and contacts a top surface of the substrate.
상기 한 쌍의 제1 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 변들을 에워싸는 제2 전압선;을 더 포함하고,
상기 댐부는 서로 이격된 제1 댐과 제2 댐을 포함하며,
상기 제1 댐은 상기 나머지 변들 외측에서 상기 제2 전압선과 접하는 동시에 상기 어느 하나의 변 외측에서 제1 연결부들 및 상기 금속층과 접하며,
상기 제2 댐은 상기 제1 댐의 적어도 일부를 에워싸는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
a second voltage line surrounding the pair of first ends and the remaining sides of the display area;
The dam unit includes a first dam and a second dam spaced apart from each other,
The first dam is in contact with the second voltage line at the outside of the other sides and at the same time in contact with the first connection parts and the metal layer at the outside of the one side,
The second dam surrounds at least a portion of the first dam.
상기 표시 영역에는, 화소 전극, 유기 발광층을 포함하는 중간층, 및 대향 전극을 포함하는 유기 발광 소자가 배치되며,
상기 제2 전압선은 상기 대향 전극과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.20. The method of claim 19,
An organic light emitting device including a pixel electrode, an intermediate layer including an organic light emitting layer, and a counter electrode is disposed in the display area;
The second voltage line is electrically connected to the opposite electrode.
상기 표시 영역에 배치된 유기발광소자 및 박막 트랜지스터;
상기 유기발광소자와 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치된 평탄화막;
상기 비표시 영역에서 상기 표시 영역의 일 변에 대응하여 배치된 제1 전압선;
상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 표시 영역의 적어도 세 변을 둘러싸는 제2 전압선; 및
상기 표시 영역을 둘러싸는 댐부;를 포함하며,
상기 제1 전압선은 상기 표시 영역을 마주하는 제1변, 상기 제1변의 반대측의 제2변, 및 상기 제2변으로부터 확장된 금속층을 구비하며,
상기 댐부는 평면상 상기 금속층과 중첩되고,
상기 평탄화막은 상기 표시 영역으로부터 연장되어 상기 제1 전압선의 상기 제1변을 덮으며, 상기 댐부와 이격되어 배치된, 유기 발광 표시 장치.a display unit including a display area and a non-display area outside the display area;
an organic light emitting diode and a thin film transistor disposed in the display area;
a planarization layer disposed between the organic light emitting diode and the thin film transistor;
a first voltage line disposed to correspond to one side of the display area in the non-display area;
a second voltage line disposed in the non-display area and surrounding at least three sides of the display area; and
and a dam portion surrounding the display area;
The first voltage line includes a first side facing the display area, a second side opposite to the first side, and a metal layer extending from the second side,
The dam portion overlaps the metal layer in plan view,
The planarization layer extends from the display area to cover the first side of the first voltage line, and is disposed to be spaced apart from the dam part.
상기 댐부는 복수의 댐을 포함하며, 상기 금속층은 복수의 댐들 중 최외곽의 댐까지 연장된, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The dam unit includes a plurality of dams, and the metal layer extends to an outermost dam among the plurality of dams.
상기 댐부는 서로 이격된 제1 댐 및 제2 댐을 포함하고,
상기 제1 댐은 상기 표시 영역을 에워싸고,
상기 제2 댐은 상기 제1 댐을 적어도 일부 에워싸는, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The dam unit includes a first dam and a second dam spaced apart from each other,
the first dam surrounds the display area;
and the second dam surrounds at least a part of the first dam.
상기 제1 전압선은 한 쌍의 제1 단부들을 포함하며,
상기 제2 전압선은 상기 한 쌍의 제1 단부들의 외측을 감싸도록 절곡된 한 쌍의 제2 단부들, 및 상기 한 쌍의 제2 단부들로부터 연장되며 상기 금속층과 나란한 한 쌍의 연결부를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The first voltage line includes a pair of first ends,
The second voltage line includes a pair of second ends bent to surround the outside of the pair of first ends, and a pair of connecting parts extending from the pair of second ends and parallel to the metal layer , an organic light emitting display device.
상기 표시부는, 상기 표시 영역에 전기적 신호를 인가하는 패드부를 더 포함하고,
상기 패드부는 비표시 영역에 배치되며, 상기 금속층과 상기 한 쌍의 연결부는 상기 패드부와 연결된, 유기 발광 표시 장치.25. The method of claim 24,
The display unit further includes a pad unit for applying an electrical signal to the display area,
The pad part is disposed in a non-display area, and the metal layer and the pair of connection parts are connected to the pad part.
상기 댐부의 일부는 직선 형상을 가지며, 상기 제2 전압선의 상기 제2 단부들 및 상기 제1 전압선의 상기 금속층과 컨택되는, 유기 발광 표시 장치.25. The method of claim 24,
A portion of the dam portion has a linear shape and is in contact with the second ends of the second voltage line and the metal layer of the first voltage line.
상기 댐부는 서로 이격된 제1 댐 및 제2 댐을 포함하며,
상기 제1 댐은 상기 표시 영역을 에워싸고,
상기 제2 댐은 상기 제1 댐을 적어도 일부 에워싸며,
상기 제2 댐의 높이는 상기 제1 댐의 높이 보다 큰, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The dam unit includes a first dam and a second dam spaced apart from each other,
the first dam surrounds the display area;
the second dam surrounds at least a portion of the first dam,
A height of the second dam is greater than a height of the first dam.
상기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,
상기 제1 전압선은 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 동일층에 구비된, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The thin film transistor includes a source electrode and a drain electrode,
and the first voltage line is provided on the same layer as the source electrode and the drain electrode.
상기 댐부는 상기 평탄화막과 동일한 층에 형성된, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
and the dam part is formed on the same layer as the planarization layer.
상기 표시부는, 화소 영역을 정의하는 화소정의막을 더 포함하며,
상기 댐부는 상기 평탄화막과 동일한 층에 형성된 제1층 및 상기 화소정의막과 동일한 층에 형성된 제2층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.30. The method of claim 29,
The display unit further includes a pixel defining film defining a pixel area,
and the dam part includes a first layer formed on the same layer as the planarization layer and a second layer formed on the same layer as the pixel defining layer.
상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지부;를 더 포함하며,
상기 박막 봉지부는 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하고,
상기 적어도 하나의 유기막은 상기 댐부의 내측에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
It further includes; a thin film encapsulation unit sealing the display unit,
The thin film encapsulation unit includes at least one inorganic film and at least one organic film,
and the at least one organic layer is located inside the dam part.
상기 적어도 하나의 무기막의 일부는 상기 댐부의 외측에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.32. The method of claim 31,
A portion of the at least one inorganic layer is positioned outside the dam portion.
상기 제1 전압선은 한 쌍의 제1 단부들을 포함하며,
상기 제2 전압선은 상기 한 쌍의 제1 단부들의 외측을 감싸도록 절곡된 한 쌍의 제2 단부들, 및 상기 한 쌍의 제2 단부들로부터 연장되며 상기 금속층과 나란한 한 쌍의 연결부를 포함하고, 상기 댐부의 일부는 직선 형상을 가지며, 상기 제2 전압선의 상기 제2 단부들 및 상기 제1 전압선의 상기 금속층과 컨택되는, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The first voltage line includes a pair of first ends,
The second voltage line includes a pair of second ends bent to surround the outside of the pair of first ends, and a pair of connecting parts extending from the pair of second ends and parallel to the metal layer, , a portion of the dam portion has a linear shape and is in contact with the second ends of the second voltage line and the metal layer of the first voltage line.
상기 표시부는, 상기 표시 영역에 전기적 신호를 인가하는 패드부를 더 포함하고,
상기 패드부는 비표시 영역에 배치되며, 상기 금속층은 상기 패드부와 연결된, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The display unit further includes a pad unit for applying an electrical signal to the display area,
The pad part is disposed in a non-display area, and the metal layer is connected to the pad part.
상기 표시부는, 상기 금속층에서 연장된 팬 아웃 배선을 더 포함하며, 상기 팬 아웃 배선의 폭은 상기 금속층의 폭 보다 작은, 유기 발광 표시 장치.22. The method of claim 21,
The display unit further includes a fan-out wire extending from the metal layer, wherein a width of the fan-out wire is smaller than a width of the metal layer.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170093703A KR102370352B1 (en) | 2015-07-29 | 2017-07-24 | Organic luminescence emitting display device |
| KR1020220025504A KR102528305B1 (en) | 2017-07-24 | 2022-02-25 | Organic luminescence emitting display device |
| KR1020230055649A KR20230066288A (en) | 2017-07-24 | 2023-04-27 | Organic luminescence emitting display device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150107415A KR101763616B1 (en) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | Organic luminescence emitting display device |
| KR1020170093703A KR102370352B1 (en) | 2015-07-29 | 2017-07-24 | Organic luminescence emitting display device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150107415A Division KR101763616B1 (en) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | Organic luminescence emitting display device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220025504A Division KR102528305B1 (en) | 2017-07-24 | 2022-02-25 | Organic luminescence emitting display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170090382A KR20170090382A (en) | 2017-08-07 |
| KR102370352B1 true KR102370352B1 (en) | 2022-03-07 |
Family
ID=80817297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170093703A KR102370352B1 (en) | 2015-07-29 | 2017-07-24 | Organic luminescence emitting display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102370352B1 (en) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102465435B1 (en) | 2017-12-28 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| KR102524043B1 (en) | 2018-02-12 | 2023-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
| US10734459B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR102544242B1 (en) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
| KR102537444B1 (en) | 2018-05-31 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| KR102568920B1 (en) | 2018-06-29 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display appratus |
| US11957015B2 (en) * | 2018-09-25 | 2024-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| KR102626223B1 (en) | 2018-10-26 | 2024-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
| KR20200073349A (en) | 2018-12-13 | 2020-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| KR102602171B1 (en) * | 2018-12-24 | 2023-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | Electroluminesence display |
| US11937446B2 (en) | 2019-10-21 | 2024-03-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and manufacture method thereof, and display apparatus |
| KR20210055954A (en) | 2019-11-08 | 2021-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display apparatus having a substrate hole thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050046347A1 (en) | 2003-09-01 | 2005-03-03 | Yoshifumi Kato | El device |
| JP2006114399A (en) | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Canon Inc | Organic el element |
| US20070222375A1 (en) | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Toppoly Optoelectronics Corp. | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101056197B1 (en) * | 2008-10-29 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Light emitting display device and manufacturing method thereof |
| KR101520535B1 (en) * | 2012-07-23 | 2015-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
| KR20140061095A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
-
2017
- 2017-07-24 KR KR1020170093703A patent/KR102370352B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050046347A1 (en) | 2003-09-01 | 2005-03-03 | Yoshifumi Kato | El device |
| JP2005078979A (en) | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toyota Industries Corp | El device |
| JP2006114399A (en) | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Canon Inc | Organic el element |
| US20070222375A1 (en) | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Toppoly Optoelectronics Corp. | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170090382A (en) | 2017-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102370352B1 (en) | Organic luminescence emitting display device | |
| KR101763616B1 (en) | Organic luminescence emitting display device | |
| KR102314470B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102611205B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11569335B2 (en) | Display device | |
| KR102571085B1 (en) | Display device | |
| KR102632616B1 (en) | Display device | |
| EP2835831B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102541447B1 (en) | organic light emitting display device | |
| KR102652822B1 (en) | Electroluminescent display device | |
| KR102510397B1 (en) | Thin film transistor and display device comprising the same | |
| EP3297028B1 (en) | Light emitting diode display device | |
| KR102451727B1 (en) | Organic luminescence emitting display device | |
| KR102528305B1 (en) | Organic luminescence emitting display device | |
| KR102668686B1 (en) | Display device | |
| KR102528298B1 (en) | The Method of manufacturing display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |