KR102360974B1 - 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나 - Google Patents

Abstract

엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는, 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 제1 금속 패치; 상기 기판 하부에 형성되며 상기 제1 금속 패치와 오버램되는 위치에 형성되는 제2 금속 패치; 상기 기판 상부에 형성되며 급전 신호가 제공되고 상기 제1 금속 패치와 이격되어 배치되는 전송 선로; 상기 기판 하부에 형성되고 상기 전송 선로가 형성되는 영역 하부에 배치되고 상기 제2 금속 패치와 이격되어 배치되는 접지면을 포함하되, 상기 제1 금속 패치, 상기 제2 금속 패치 및 상기 기판에는 다수의 비아홀이 형성되며, 상기 다수의 비아홀은 상기 제1 금속 패치 좌측편에 ‘ㄷ’자 형상의 제1 슬롯을 형성하고, 상기 제1 금속 패치 우측편에 ‘ㄷ’자 형상의 제2 슬롯을 형성한다. 개시된 안테나는 로우 프로파일로 구현되면서 단순한 구조를 가지며 엔드파이어 방사 패턴을 가질 수 있는 장점이 있다.

Description

엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나{Millimeter Wave Band Antenna Having Endfire Radiation Pattern}

본 발명의 실시예들은 밀리미터 웨이브 대역 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나에 관한 것이다.

5G가 통신 시스템에 도입되면서 20GHz 이상의 밀리미터 웨이브 대역이 통신 대역에 포함되었다. 밀리미터 웨이브 대역의 신호는 경로 손실이 매우 높은 특성이 있어서 안테나의 이득이 중요시된다. 밀리미터 웨이브 대역에서의 적절한 통신을 위해 밀리미터 웨이브 대역 안테나는 지향성을 요구한다.

특히, 스마트폰과 같은 휴대용 단말기는 통화를 위해 사용자가 머리에 휴대폰을 인접시키므로 엔드파이어 방사 패턴이 요구되고 있다. 밀리미터 웨이브 대역을 이용할 때 지향성을 극대화시키기 위해 배열 구조가 사용된다.

밀리미터 웨이브 대역에서의 엔드파이어 방사 패턴을 위해 평면영 비발디 안테나, 쿼지 야기-우다 안테나 등 다양한 안테나들이 제안되었다. 특히, 슬롯 방사가 이루어지면서 폴디드 구조를 가진 폴디드 슬롯 안테나는 양호한 엔드파이어 방사 패턴을 방사하는 것으로 알려져 있다.

그러나, 위에서 언급한 구조의 안테나들은 로우 프로파일 구조로 구현되기 어려운 문제점이 있었으며 광대역에 대한 양호한 임피던스 매칭을 확보하기 어려운 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은 로우 프로파일로 구현되면서 단순한 구조를 가지며 엔드파이어 방사 패턴을 가질 수 있는 밀리미터 웨이브 대역 안테나를 제안하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 제1 금속 패치; 상기 기판 하부에 형성되며 상기 제1 금속 패치와 오버램되는 위치에 형성되는 제2 금속 패치; 상기 기판 상부에 형성되며 급전 신호가 제공되고 상기 제1 금속 패치와 이격되어 배치되는 전송 선로; 상기 기판 하부에 형성되고 상기 전송 선로가 형성되는 영역 하부에 배치되고 상기 제2 금속 패치와 이격되어 배치되는 접지면을 포함하되, 상기 제1 금속 패치, 상기 제2 금속 패치 및 상기 기판에는 다수의 비아홀이 형성되며, 상기 다수의 비아홀은 상기 제1 금속 패치 좌측편에 'ㄷ'자 형상의 제1 슬롯을 형성하고, 상기 제1 금속 패치 우측편에 'ㄷ'자 형상의 제2 슬롯을 형성하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나가 제공된다.

상기 제1 슬롯 및 제2 슬롯은 좌우 대칭 구조로 배치되며 동일한 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가진다.

상기 제1 슬롯의 양 종단부는 상기 제1 금속 패치의 좌측 경계면에 맞닿거나 인접하고, 상기 제2 슬롯의 양 종단부는 상기 제2 금속 패치의 우측 경계면에 맞닿거나 인접한다.

상기 제2 금속 패치에는 상기 제1 슬롯을 형성하는 비아홀들에 의해 형성되는 제4 슬롯이 형성되고, 상기 제2 슬롯을 형성하는 비아홀들에 의해 제3 슬롯이 형성된다.

상기 전송 선로의 종단부에는 커플링 패드가 형성되며, 상기 커플링 패드는 상기 전송 선로에 비해 큰 폭을 가지며, 상기 커플링 패드에 의해 상기 제1 금속 패치로 급전 신호가 제공된다.

상기 접지면에는 상기 커플링 패드와 상하로 오버랩되는 패드부가 형성된다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 제1 금속 패치; 상기 기판 하부에 형성되며 상기 제1 금속 패치와 오버랩되는 위치에 형성되는 제2 금속 패치; 상기 기판 상부에 형성되며 급전 신호가 제공되고 상기 제1 금속 패치와 이격되어 배치되는 전송 선로; 상기 기판 하부에 형성되고 상기 전송 선로가 형성되는 영역 하부에 배치되고 상기 제2 금속 패치와 이격되어 배치되는 접지면을 포함하되, 상기 제1 금속 패치, 상기 기판 및 상기 제2 금속 패치에는 상기 제1 금속 패치의 좌측편에 형성되며 'ㄷ'자 형상을 가지는 제1 슬롯과 상기 제1 금속 패치의 우측편에 형성되며 'ㄷ'자 형상을 가지는 제2 슬롯이 형성되는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나가 제공된다.

본 발명의 밀리미터 웨이브 대역 안테나는 로우 프로파일로 구현되면서 단순한 구조를 가지며 엔드파이어 방사 패턴을 가질 수 있는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터웨이브 대역 안테나의 투시 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나의 정면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나의 후면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나의 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나를 이용한 배열 안테나 구조를 나타낸 도면.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니다. 그리고, 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략되며, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 “...부”, “...기”, “모듈”, “블록” 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터웨이브 대역 안테나의 투시 사시도를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나의 정면도를 나타낸 도면이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나의 후면도를 나타낸 도면이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 밀리미터 웨이브 대역 안테나는 단일 기판(100)을 이용하여 구현된다. 기판(100)은 유전체 재질로 이루어지며 요구되는 특성에 따라 다양한 재질을 가지는 기판(100)이 사용될 수 있을 것이다. 에를 들어, FR4와 같은 재질이 이용될 수 있으며 이 외에도 다양한 재질의 기판이 특성에 기초하여 선택될 수 있다는 점은 당업자에게 있어 자명할 것이다.

한편, 도 1 내지 도 3에는 직사각형 형태의 기판이 도시되어 있으나, 기판이 형태 역시 안테나가 실장되는 공간에 상응하여 다양하게 변화될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 실시셰에 따른 밀리미터 웨이브 대역 안테나는 기판(100)의 상하부에 형성되며, 단일 기판(100)만으로 구현될 수 있기에 상대적으로 로우 프로파일 구조를 가질 수 있다.

도 2의 정면도는 기판(100)의 상부면 구조를 도시한 도면이고, 도 3의 후면도는 기판(100)의 하부면 구조를 도시한 도면이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 기판(100) 상부에는 제1 금속 패치(200), 전송 선로(210) 및 커플링 패드(220)가 형성된다.

제1 금속 패치(200)는 금속성 재질로 이루어진 패치로서 커플링 패드(220)와 소정 거리 이격되어 형성된다. 일례로, 제1 금속 패치(200)는 구리 재질로 이루어질 수 있으나, 요구되는 특성에 따라 적절한 금속이 선택될 수 있을 것이다.

전송 선로(210)는 소정의 폭을 가진 금속 선로의 형태를 가지며, 전송 선로(210)의 제1 종단은 급전선과 결합된다. 후에 설명하겠지만, 전송 선로(210)의 하부면에는 접지면(410)이 형성되며, 따라서 마이크로 스트립 형태로 급전된 RF 신호를 전달한다.

전송 선로(210)의 제2 종단에는 커플링 패드(220)가 형성된다. 커플링 패드(220)는 전송 선로(210)에 비해 폭이 급격히 넓어지는 형태로 형성된다. 커플링 패드(220)는 제1 금속 패치(200)와 전자기적 커플링 가능한 거리로 이격되며 전송 선로(210)를 통해 급전되는 RF 신호는 커플링 패드(220)를 통해 전자기적 커플링에 의해 제1 금속 패치(200)로 제공된다. 커플링 패드(220)의 폭은 제1 금속 패치(200)의 폭에 근접하도록 설정될 수 있다.

본 발명의 밀리미터 웨이브 대역 안테나는 슬롯에 의해 방사가 이루어지는 안테나이며, 제1 금속 패치(200)는 슬롯이 형성되는 대상이며, 제1 금속 패치(200)가 직접 방사체로 동작하지는 않는다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 제1 금속 패치(200)에는 다수의 비아홀(250)이 기판(100)을 관통하여 형성된다. 다수의 비아홀(250)은 서로 인접하여 배열되면서 전체적으로 'ㄷ'자 형상을 형성한다. 'ㄷ'자 형태로 배열되는 다수의 비아홀(250)이 본 발명의 제1 슬롯(300)으로 동작한다.

밀리미터 웨이브 대역에서 엔드파이어 방사 패턴을 구현하기 위해 폴디드 구조의 슬롯 안테나가 제안된 바 있다. 그러나, 슬롯 방사를 통해 엔드파이어 방사 패턴을 구현하려면 폴디드 구조가 형성되어야 하며, 이러한 폴디드 구조는 로우 프로파일 구조로 안테나를 형성하는 주요한 장애 요인으로 작용하였다.

본 발명에서는 이와 같은 문제를 해결하기 위해 단일 기판에 다수의 비아홀을 통해 슬롯을 형성하면서, 엔드파이어 방사 패턴을 형성할 수 있는 슬롯 구조를 제안한다.

제1 슬롯(300)은 제1 금속 패치(300)의 좌측편에 형성되며, 제1 슬롯(300)의 양 종단은 제1 금속 패치(100)의 좌측 경계면과 맞닿거나 좌측 경계면에 인접하도록 형성된다. 이는, 제1 슬롯(300)을 형성하는 비아홀들 중 제1 슬롯(300)의 종단부에 해당되는 두 개의 비아홀이 제1 금속 패치(300)의 좌측 경계면상에 형성되거나 좌측 경계면에 인접하여 형성되는 것을 의미한다.

한편, 제1 금속 패치(300)에는 제2 슬롯(310)이 형성되며, 제2 슬롯(310) 역시 다수의 비아홀(250)에 의해 구현된다. 즉, 제2 슬롯(310) 역시 다수의 비아홀(250)이 배열 구조를 형성하면서 구현되는 것이다.

제2 슬롯(310)은 'ㄷ'자 형태를 가지며, 제1 금속 패치(300)의 우측편에 형성된다. 제2 슬롯(310)은 제1 슬롯(300)과 좌우 대칭 구조를 가진다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 슬롯(300)과 제2 슬롯(310)은 동일한 형상 및 동일한 사이즈를 가진다.

제2 슬롯(310)의 양 종단부 역시 제1 금속 패치(300)의 우측 경계면에 맞닿거나 우측 경계면에 인접하도록 형성된다. 이는 제2 슬롯(310)을 형성하는 다수의 비아홀들 중 양 종단부에 위치하는 두 개의 비아홀이 우측 경계면상에 형성되거나 우측 경계면에 인접하여 형성된다는 것을 의미한다.

커플링 패드(220)를 통해 유기된 RF 신호는 제1 슬롯(300) 및 제2 슬롯(310)에 의해 방사된다. 엔드파이어 방사 패턴을 위해 두 개의 슬롯(300, 310)이 제1 금속 패치(200)의 좌우측부에 각각 형성되어야 하며, 하나의 슬롯만으로는 적절한 엔드파이어 방사 패턴을 형성할 수 없다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(100) 하부에는 제2 금속 패치(400)가 형성된다.

제2 금속 패치(400)는 제1 금속 패치(200)와 상하로 오버랩되는 위치에 형성된다. 제2 금속 패치(400)와 제1 금속 패치(200)의 사이즈 및 형태는 동일한 것이 바람직하다.

기판(100) 하부에는 접지면(410)이 형성된다. 접지면은 전송 선로(210)가 형성된 영역의 하부에 형성된다. 전송 선로(210)가 제한된 폭을 가지는 반면에 접지면(410)의 폭은 기판의 폭과 동일하도록 설정될 수 있다.

도 3을 참조하면, 접지면(410)은 총 세개의400 영역으로 구분될 수 있으며, 본체부(410a), 테이퍼링부(410a) 및 패드부(410a)를 포함할 수 있다.

본체부(410a)는 가장 넓은 폭을 가지는 직사각형 영역이다. 본체부(410a)의 폭이 기판의 폭과 동일하도록 설정되어야 하는 것은 아니며 본체부(410a)의 폭은 요구되는 특성에 기초하여 설정될 수 있을 것이다.

테이퍼링부(410b)는 접지면(410)에서 폭이 점차 좁아져 테이퍼 구조를 형성하는 영역이다. 접지면(410)은 제2 금속 패치(400)에 가까워질수록 그 폭이 점차 좁아지는 구조를 가진다.

접지면(410)의 제2 금속 패치(400)와 근접한 종단부에는 패드부(410c)가 형성된다. 패드부(410c)는 테이퍼링부(410b)에 비해 폭이 급격히 넓어지는 구조를 가진다. 패드부(410c)는 기판(100) 상부에 형성되는 커플링 패드(220)와 상하로 오버랩되는 위치에 형성된다.

패드부(410c)의 형태 및 사이즈는 커플링 패드(220)와 동일한 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다.

제2 금속 패치(400)에도 슬롯들(500, 510)이 형성되며, 제3 슬롯(500) 및 제4 슬롯(510)이 형성된다.

제3 슬롯(500)은 비아홀들(250)에 의해 형성되는 슬롯으로서, 비아홀들(250)이 기판, 제1 금속 패치(200) 및 제2 금속 패치(400)를 관통하는 비아홀이기에 제3 슬롯(500)을 형성하는 비아홀들은 제2 슬롯(310)을 형성하는 비아홀들이며, 제3 슬롯(500) 역시 'ㄷ'자 형태를 가지며 제2 슬롯(310)과 형상 및 사이즈가 동일하다.

제4 슬롯(510)은 제1 슬롯(300)을 형성하는 비아홀들에 의해 형성되는 슬롯이며, 제4 슬롯(510)과 제1 슬롯(310)은 동일한 형상 및 사이즈를 가진다.

제3 슬롯(500)와 제4 슬롯(510)은 좌우 대칭 관계를 가지며 제3 슬롯(500)은 제2 금속 패치(400)의 우측편에 형성되고 제4 슬롯(510)은 제2 금속 패치(400)의 좌측편에 형성된다.

제3 슬롯(500)의 양 종단은 제2 금속 패치(400)의 우측 경계면에 맞닿거나 우측 경계면에 인접하는 것이 바람직하다. 제4 슬롯(510)의 양 종단은 제2 금속 패치(400)의 좌측 경계면에 맞닿거나 좌측 경계면에 인접하는 것이 바람직하다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나의 단면도를 나타낸 도면이다.

도 4의 단면도를 통해 슬롯을 형성하는 비아홀들(250)이 기판을 관통하여 형성되는 것을 확인할 수 있다.

결국, 본 발명은 제1 금속 패치(200) 및 제2 금속 패치(400)의 좌우측편에 두 개의 슬롯을 형성하여 단일 기판에서 엔드파이어 방사 패턴이 형성되도록 하는 것이다. 아울러, 커플링 패드(220)를 이용한 커플링 급전을 통해 광대역에 대해 적절한 임피던스 매칭이 이루어지도록 한다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나를 이용한 배열 안테나 구조를 나타낸 도면이다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나가 다수개 배열되는 구조를 가질 수 있으며, 이때 각 안테나로 급전되는 위상이 조절되어 빔 포밍이 이루어질 수 있다.

배열되는 안테나의 수 및 안테나 사이의 간격은 요구되는 빔 포밍 특성에 기초하여 결정될 수 있으며, 도 5에 도시된 배열 구조는 일 실시예일 뿐이다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (12)

1. 기판;
   상기 기판 상부에 형성되는 제1 금속 패치;
   상기 기판 하부에 형성되며 상기 제1 금속 패치와 오버랩되는 위치에 형성되는 제2 금속 패치;
   상기 기판 상부에 형성되며 급전 신호가 제공되고 상기 제1 금속 패치와 이격되어 배치되는 전송 선로;
   상기 기판 하부에 형성되고 상기 전송 선로가 형성되는 영역 하부에 배치되고 상기 제2 금속 패치와 이격되어 배치되는 접지면을 포함하되,
   상기 제1 금속 패치, 상기 제2 금속 패치 및 상기 기판에는 다수의 비아홀이 형성되며,
   상기 다수의 비아홀은 상기 제1 금속 패치 좌측편에 'ㄷ'자 형상의 제1 슬롯을 형성하고, 상기 제1 금속 패치 우측편에 'ㄷ'자 형상의 제2 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 슬롯 및 제2 슬롯은 좌우 대칭 구조로 배치되며 동일한 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
3. 제2항에 있어서,
   상기 제1 슬롯의 양 종단부는 상기 제1 금속 패치의 좌측 경계면에 맞닿거나 인접하고, 상기 제2 슬롯의 양 종단부는 상기 제2 금속 패치의 우측 경계면에 맞닿거나 인접하는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
4. 제2항에 있어서,
   상기 제2 금속 패치에는 상기 제1 슬롯을 형성하는 비아홀들에 의해 형성되는 제4 슬롯이 형성되고, 상기 제2 슬롯을 형성하는 비아홀들에 의해 제3 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
5. 제2항에 있어서,
   상기 전송 선로의 종단부에는 커플링 패드가 형성되며, 상기 커플링 패드는 상기 전송 선로에 비해 큰 폭을 가지며, 상기 커플링 패드에 의해 상기 제1 금속 패치로 급전 신호가 제공되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
6. 제5항에 있어서,
   상기 접지면에는 상기 커플링 패드와 상하로 오버랩되는 패드부가 형성되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
7. 기판;
   상기 기판 상부에 형성되는 제1 금속 패치;
   상기 기판 하부에 형성되며 상기 제1 금속 패치와 오버랩되는 위치에 형성되는 제2 금속 패치;
   상기 기판 상부에 형성되며 급전 신호가 제공되고 상기 제1 금속 패치와 이격되어 배치되는 전송 선로;
   상기 기판 하부에 형성되고 상기 전송 선로가 형성되는 영역 하부에 배치되고 상기 제2 금속 패치와 이격되어 배치되는 접지면을 포함하되,
   상기 제1 금속 패치, 상기 기판 및 상기 제2 금속 패치에는 상기 제1 금속 패치의 좌측편에 형성되며 'ㄷ'자 형상을 가지는 제1 슬롯과 상기 제1 금속 패치의 우측편에 형성되며 'ㄷ'자 형상을 가지는 제2 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
8. 제7항에 있어서,
   상기 제1 슬롯 및 상기 제2 슬롯은 인접하여 배치되면서 상기 제1 금속 패치, 상기 기판 및 상기 제2 금속 패치를 관통하는 다수의 비아홀들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
9. 제8항에 있어서,
   상기 제1 슬롯 및 제2 슬롯은 좌우 대칭 구조로 배치되며 동일한 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
   
10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 슬롯의 양 종단부는 상기 제1 금속 패치의 좌측 경계면에 맞닿거나 인접하고, 상기 제2 슬롯의 양 종단부는 상기 제2 금속 패치의 우측 경계면에 맞닿거나 인접하는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
    
11. 제8항에 있어서,
    상기 전송 선로의 종단부에는 커플링 패드가 형성되며, 상기 커플링 패드는 상기 전송 선로에 비해 큰 폭을 가지며, 상기 커플링 패드에 의해 상기 제1 금속 패치로 급전 신호가 제공되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
    
12. 제11항에 있어서,
    상기 접지면에는 상기 커플링 패드와 상하로 오버랩되는 패드부가 형성되는 것을 특징으로 하는 엔드파이어 방사 패턴을 가지는 밀리미터 웨이브 대역 안테나.
    
    
    
    
    
    

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