KR102360722B1 - light absorber - Google Patents

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KR102360722B1 KR1020170113543A KR20170113543A KR102360722B1 KR 102360722 B1 KR102360722 B1 KR 102360722B1 KR 1020170113543 A KR1020170113543 A KR 1020170113543A KR 20170113543 A KR20170113543 A KR 20170113543A KR 102360722 B1 KR102360722 B1 KR 102360722B1
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Abstract

본 발명은 광 흡수체에 관한 것으로, 도전성의 반사층, 반사층 상에 배치되고, 적어도 하나의 제1 개구부를 포함하는 도전패턴, 반사층 상에 배치되고, 상기 제1 개구부와 수직적으로 중첩되는 나노안테나 및 반사층과 도전패턴 및 반사층과 나노안테나 사이에 개재되는 절연패턴을 포함하되, 반사층, 도전패턴 및 나노안테나는 서로 전기적으로 절연되는 광 흡수체 광 흡수체가 제공된다.The present invention relates to a light absorber, and relates to a conductive reflective layer, a conductive pattern disposed on the reflective layer, and a conductive pattern including at least one first opening, disposed on the reflective layer, the nanoantenna and the reflective layer vertically overlapping the first opening A light absorber is provided, including a conductive pattern and an insulating pattern interposed between the reflective layer and the nanoantenna, wherein the reflective layer, the conductive pattern and the nanoantenna are electrically insulated from each other.

Description

광 흡수체{light absorber}light absorber

본 발명은 광 흡수체에 관한 것으로, 상세하게는 다중 파장 대역의 광에 대한 흡수 특성을 갖는 메타물질 기반의 광 흡수체에 관한 것이다. The present invention relates to a light absorber, and more particularly, to a metamaterial-based light absorber having absorption characteristics for light of multiple wavelength bands.

빛의 파장보다 작은 인위적인 구조를 이용하여, 물질에 입사되는 빛을 제어할 수 있다. 이러한 인위적인 구조들의 집합으로 이루어진 물질을 메타물질(Metamaterial)이라 한다. 메타물질은 플라스틱 및 금속과 같은 일반적인 물질으로 형성된 복합 요소의 집합체로 구성된다. 물질 내 구조들이 빛의 파장보다 작은 경우, 물질에 입사된 빛은 평균적으로 근사되는 굴절률의 분포에 영향을 받으므로, 메타물질은 일반적으로 반복적인 패턴으로 배열되어 있다. 즉, 메타물질의 광학적 특성은 그를 구성하는 물질의 특성이 아닌 그의 구조 및 배열에 의해 생긴다.By using an artificial structure smaller than the wavelength of light, it is possible to control the light incident on the material. A material composed of a set of artificial structures is called a metamaterial. Metamaterials are composed of aggregates of composite elements formed from common materials such as plastics and metals. When the structures in the material are smaller than the wavelength of light, the light incident on the material is affected by the distribution of refractive indices approximated on average, so the metamaterial is generally arranged in a repeating pattern. That is, the optical properties of metamaterials are caused by their structure and arrangement, not the properties of the materials constituting them.

최근 사물인터넷, 웨어러블 기기등 첨단 ICT 기기의 수요가 증가함에 따라 기존 소재의 특성을 뛰어넘을 수 있는 메타물질 소재에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 메타물질 제조기술을 이용하면 아직 자연에서 발견되지 않은 광학적 특성을 갖는 물질을 구현할 수 있다. 메타물질의 특성은 메타물질의 모양, 크기, 방향 및 배열 등을 조절함으로써 손쉽게 조절될 수 있으므로, 광범위한 분야에 응용이 가능하다. 최근 메타물질을 에너지 하베스팅 기술 등에 적용하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 메타물질이 다양한 분야에 적용되기 위해서, 다중대역의 파장에 대한 흡수특성을 갖고, 집적도가 높으며, 제조가 용이한 메타물질에 대한 연구가 필요하다.Recently, as the demand for cutting-edge ICT devices such as the Internet of Things and wearable devices increases, research on metamaterial materials that can exceed the characteristics of existing materials is being actively conducted. Using metamaterial manufacturing technology, it is possible to realize materials with optical properties that have not yet been found in nature. Since the properties of metamaterials can be easily controlled by controlling the shape, size, direction, and arrangement of metamaterials, they can be applied to a wide range of fields. Recently, various studies are being conducted to apply metamaterials to energy harvesting technology. In order for metamaterials to be applied to various fields, it is necessary to study metamaterials that have absorption characteristics for multi-band wavelengths, have a high degree of integration, and are easy to manufacture.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 다중 파장대역의 광에 대한 흡수특성을 갖는 메타물질 기반 광 흡수체를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a metamaterial-based light absorber having absorption characteristics for light of multiple wavelength bands.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체는 도전성의 반사층; 상기 반사층 상에 배치되고, 적어도 하나의 제1 개구부를 포함하는 도전패턴; 상기 반사층 상에 배치되고, 상기 제1 개구부와 수직적으로 중첩되는 나노안테나; 및 상기 반사층과 상기 도전패턴 및 상기 반사층과 상기 나노안테나 사이에 개재되는 절연패턴을 포함하되, 상기 반사층, 상기 도전패턴 및 상기 나노안테나는 서로 전기적으로 절연되는 광 흡수체를 포함한다.A light absorber according to embodiments of the present invention for solving the above problems includes: a conductive reflective layer; a conductive pattern disposed on the reflective layer and including at least one first opening; a nanoantenna disposed on the reflective layer and vertically overlapping the first opening; and an insulating pattern interposed between the reflective layer, the conductive pattern, and the reflective layer and the nanoantenna, wherein the reflective layer, the conductive pattern, and the nanoantenna include a light absorber electrically insulated from each other.

실시예들에 따르면, 상기 나노안테나는 상기 제1 개구부와 대응되는 형상을 가질 수 있다.In some embodiments, the nanoantenna may have a shape corresponding to the first opening.

실시예들에 따르면, 상기 나노안테나의 폭은 상기 제1 개구부의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.In some embodiments, a width of the nanoantenna may be substantially the same as a width of the first opening.

실시예들에 따르면, 상기 제1 개구부는 1 내지 300nm의 폭을 갖고, 상기 도전패턴은 상기 도전패턴을 향하여 입사한 광을 파장에 따라 선택적으로 투과시키도록 구성될 수 있다.In example embodiments, the first opening may have a width of 1 to 300 nm, and the conductive pattern may be configured to selectively transmit light incident toward the conductive pattern according to a wavelength.

실시예들에 따르면, 상기 제1 개구부는 제 1 방향의 제1 폭 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 제2 폭을 갖고, 상기 제1 폭 및 상기 제2 폭은 1 내지 300nm 이고, 상기 제1 폭은 상기 제2폭과 다를 수 있다.In example embodiments, the first opening has a first width in a first direction and a second width in a second direction perpendicular to the first direction, wherein the first width and the second width are 1 to 300 nm; , the first width may be different from the second width.

실시예들에 따르면, 상기 제1 개구부는 제1 방향으로 상기 도전패턴을 가로지르고, 상기 제1 개구부의 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭은 1 내지 300nm일 수 있다.In example embodiments, the first opening may cross the conductive pattern in a first direction, and a width of the first opening in a second direction perpendicular to the first direction may be 1 to 300 nm.

실시예들에 따르면, 상기 반사층과 상기 나노안테나 사이의 거리는 상기 반사층과 상기 도전패턴 사이의 거리보다 클 수 있다.In some embodiments, a distance between the reflective layer and the nanoantenna may be greater than a distance between the reflective layer and the conductive pattern.

실시예들에 따르면, 상기 절연패턴은: 상기 반사층 및 상기 도전패턴 사이에 배치되는 하부 절연패턴; 및 상기 개구부를 관통하며, 상기 하부 절연패턴으로부터 돌출되는 상부 절연패턴을 포함할 수 있다.In example embodiments, the insulating pattern may include: a lower insulating pattern disposed between the reflective layer and the conductive pattern; and an upper insulating pattern passing through the opening and protruding from the lower insulating pattern.

실시예들에 따르면, 상기 나노안테나는 상기 상부 절연패턴의 상면 상에 배치되고, 상기 나노안테나의 측면들은 상기 상부 절연패턴의 측면들에 정렬될 수 있다.In some embodiments, the nanoantenna may be disposed on the upper surface of the upper insulating pattern, and side surfaces of the nanoantenna may be aligned with the side surfaces of the upper insulating pattern.

실시예들에 따르면, 상기 나노안테나는 상기 도전패턴과 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.In some embodiments, the nanoantenna may have substantially the same thickness as the conductive pattern.

실시예들에 따르면, 상기 반사층과 상기 나노안테나 사이의 거리는 상기 반사층과 상기 도전패턴 사이의 거리보다 작을 수 있다.In some embodiments, a distance between the reflective layer and the nanoantenna may be smaller than a distance between the reflective layer and the conductive pattern.

실시예들에 따르면, 상기 절연패턴은 상기 개구부의 아래에 형성된 제1 함몰부를 포함하고, 상기 나노안테나는 상기 제1 함몰부의 바닥면 상에 배치될 수 있다.In some embodiments, the insulating pattern may include a first depression formed under the opening, and the nanoantenna may be disposed on a bottom surface of the first depression.

실시예들에 따르면, 상기 나노안테나는: 제2 개구부를 갖는 제1 안테나부; 및 상기 제1 안테나부와 이격되며, 상기 제2 개구부와 수직적으로 중첩되는 제2 안테나부를 포함할 수 있다.According to embodiments, the nanoantenna may include: a first antenna unit having a second opening; and a second antenna unit spaced apart from the first antenna unit and vertically overlapping the second opening.

실시예들에 따르면, 상기 제1 안테나부는 링 형상을 가질 수 있다.In some embodiments, the first antenna unit may have a ring shape.

실시예들에 따르면, 상기 제2 안테나부는 상기 제2 개구부에 대응되는 형상을 가질 수 있다.In some embodiments, the second antenna unit may have a shape corresponding to the second opening.

본 발명의 실시예들에 따르면, 다중 파장대역의 광에 대한 흡수 특성을 가지며, 제조가 용이하고, 다양한 에너지 소자에 적용 가능한 메타물질 기반 광 흡수체가 제공될 수 있다. According to embodiments of the present invention, a metamaterial-based light absorber that has absorption characteristics for light of multiple wavelength bands, is easy to manufacture, and can be applied to various energy devices may be provided.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 도면으로, 도 1의 I~I'선에 따른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예들에 따른 도전패턴을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 제1 안테나부를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a perspective view for explaining a light absorber according to embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining a light absorber according to embodiments of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line I to I' of FIG. 1 .
3A to 3C are diagrams for explaining conductive patterns according to embodiments of the present invention.
4 is a cross-sectional view for explaining a light absorber according to other embodiments of the present invention.
5 is a cross-sectional view for explaining a light absorber according to still other embodiments of the present invention.
6 is a view for explaining a first antenna unit according to embodiments of the present invention.
7 is a cross-sectional view for explaining a light absorber according to still another embodiment of the present invention.
8 and 9 are views for explaining a method of manufacturing a light absorber according to embodiments of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, 'comprises' and/or 'comprising' refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or devices mentioned. or addition is not excluded.

이하 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, a light absorber according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 사시도이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 도면으로, 도 1의 I~I'선에 따른 단면도이다. 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예들에 따른 도전패턴을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a perspective view for explaining a light absorber according to embodiments of the present invention. FIG. 2 is a view for explaining a light absorber according to embodiments of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line I to I' of FIG. 1 . 3A to 3C are diagrams for explaining conductive patterns according to embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 3c를 참조하면, 광 흡수체는 반사층(120), 절연패턴(130), 도전패턴(140) 및 나노안테나(150)를 포함할 수 있다. 나노안테나(150)와 반사층(120)이 절연패턴(130)을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 나노안테나(150)는 광 흡수체의 외부로부터 특정 파장의 광을 수신하여 반사층(120)을 향하여 출력할 수 있다. 반사층(120)을 향하여 출력된 광은 나노안테나(150)와 반사층(120) 사이에서 공진(resonance)되어 광 흡수체에 흡수될 수 있다.1 to 3C , the light absorber may include a reflective layer 120 , an insulating pattern 130 , a conductive pattern 140 , and a nanoantenna 150 . The nanoantenna 150 and the reflective layer 120 may be disposed to be spaced apart from each other with the insulating pattern 130 interposed therebetween. The nanoantenna 150 may receive light of a specific wavelength from the outside of the light absorber and output it toward the reflective layer 120 . The light output toward the reflective layer 120 may resonate between the nanoantenna 150 and the reflective layer 120 to be absorbed by the light absorber.

도전패턴(140)이 절연패턴(130)을 사이에 두고 반사층(120)과 이격되어 배치될 수 있다. 도전패턴(140)은 광을 파장에 따라 선택적으로 투과시킬 수 있다. 도전패턴(140)을 투과한 광은 도전패턴(140) 및 반사층(120) 사이에서 공진되어 광 흡수체에 흡수될 수 있다. 또한, 도전패턴(140)은 반사층(120) 및 나노안테나(150)의 사이에 배치되어, 나노안테나(150)와 반사층(120)의 공진 특성을 조절할 수 있다. 이에 따라, 광 흡수체는 다중 파장 대역의 광에 대한 흡수 특성을 가질 수 있다.The conductive pattern 140 may be disposed to be spaced apart from the reflective layer 120 with the insulating pattern 130 interposed therebetween. The conductive pattern 140 may selectively transmit light according to a wavelength. Light passing through the conductive pattern 140 may resonate between the conductive pattern 140 and the reflective layer 120 to be absorbed by the light absorber. In addition, the conductive pattern 140 may be disposed between the reflective layer 120 and the nanoantenna 150 to control resonance characteristics of the nanoantenna 150 and the reflective layer 120 . Accordingly, the light absorber may have absorption characteristics for light of multiple wavelength bands.

구체적으로, 반사층(120)은 개구부 및 함몰부 등을 포함하지 않는 연속적인 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 반사층(120)은 평판의 형태를 가질 수 있다. 반사층(120)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 반사층(120)은 금속을 포함할 수 있다. 반사층(120)은 전기적으로 플로팅될 수 있다. 즉, 반사층(120)은 접지되지 않을 수 있고, 또한, 외부전원에 연결되지 않을 수 있다. 반사층(120)의 아래에 지지기판(110)이 배치될 수 있다. 지지기판(110)은 유전체를 포함할 수 있다. 예컨대, 지지기판(110)은 실리콘 기판, 고분자기판 또는 유리기판 등을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되는 것은 아니다. 반사층(120)이 전기적으로 플로팅되는 경우, 지지기판(110)은 생략될 수도 있다.Specifically, the reflective layer 120 may have a continuous shape that does not include openings and depressions. For example, the reflective layer 120 may have a flat shape. The reflective layer 120 may include a conductive material. For example, the reflective layer 120 may include a metal. The reflective layer 120 may be electrically floating. That is, the reflective layer 120 may not be grounded and may not be connected to an external power source. The support substrate 110 may be disposed under the reflective layer 120 . The support substrate 110 may include a dielectric material. For example, the support substrate 110 may include a silicon substrate, a polymer substrate, or a glass substrate. However, the present invention is not limited thereto. When the reflective layer 120 is electrically floating, the supporting substrate 110 may be omitted.

도전패턴(140)이 반사층(120) 상에 배치될 수 있다. 도전패턴(140)의 두께(t1)는 0.1nm 내지 100nm일 수 있다. 도전패턴(140)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 도전패턴(140)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도전패턴(140)은 반사층(120)과 이격되어 배치될 수 있으며, 반사층(120)과 전기적으로 분리될 수 있다. A conductive pattern 140 may be disposed on the reflective layer 120 . The thickness t1 of the conductive pattern 140 may be 0.1 nm to 100 nm. The conductive pattern 140 may include metal. For example, the conductive pattern 140 may include at least one of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), and platinum (Pt). The conductive pattern 140 may be disposed to be spaced apart from the reflective layer 120 , and may be electrically separated from the reflective layer 120 .

도 3a에 도시된 바와 같이, 도전패턴(140)은 제1 개구부(100)를 포함할 수 있다. 도전패턴(140)은 제1 개구부(100)를 통해 특정 파장의 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 구체적으로, 제1 개구부(100)의 폭(d1)은 10 내지 300nm일 수 있다. 제1 개구부(100)가 10 내지 300nm의 폭을 가짐에 따라, 도전패턴(140)은 350nm 내지 900nm 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 도전패턴(140)이 특정 파장의 광을 선택적으로 투과시키는 것은 특이 광 투과(extraordinary optical transmission:EOT) 현상에 기인할 수 있다. 특이 광 투과 현상은 빛의 파장보다 작은 폭의 개구부를 포함하는 금속막을 통하여 특정 파장 대역의 빛이 투과되는 현상을 의미할 수 있다. 구체적으로, 빛은 미세한 개구부를 포함하는 금속막의 상면에 입사하여 표면 플라즈몬 공명(Surface plasmon resonance) 효과에 의한 보강 간섭을 발생시킬 수 있다. 이어서, 플라즈몬들이 개구부에 통과하여 금속막의 하면 상에서 발광할 수 있다. As shown in FIG. 3A , the conductive pattern 140 may include a first opening 100 . The conductive pattern 140 may selectively transmit light of a specific wavelength through the first opening 100 . Specifically, the width d1 of the first opening 100 may be 10 to 300 nm. As the first opening 100 has a width of 10 to 300 nm, the conductive pattern 140 may selectively transmit light in a wavelength band of 350 nm to 900 nm. The conductive pattern 140 selectively transmits light of a specific wavelength may be due to an extraordinary optical transmission (EOT) phenomenon. The specific light transmission phenomenon may refer to a phenomenon in which light of a specific wavelength band is transmitted through a metal film including an opening having a width smaller than the wavelength of the light. Specifically, light may be incident on the upper surface of the metal film including the minute opening to generate constructive interference due to a surface plasmon resonance effect. Then, the plasmons may pass through the opening to emit light on the lower surface of the metal film.

제1 개구부(100)는 평면적 관점에서 원의 형태를 가질 수 있다. 즉, 제1 개구부(100)의 폭(d1)은, 평면적 관점에서, 모든 방향에 대하여 동일할 수 있다. 이에 따라, 도전패턴(140)의 광 투과 특성은 편광 방향에 영향을 받지 않을 수 있다. The first opening 100 may have a circular shape in a plan view. That is, the width d1 of the first opening 100 may be the same in all directions in a plan view. Accordingly, the light transmission characteristic of the conductive pattern 140 may not be affected by the polarization direction.

한편, 다른 실시예에 따르면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 도전패턴(140)의 제1 개구부(100)는 평면적 관점에서 사각형의 형태를 가질 수 있다. 이 경우, 제1 개구부(100)는 제1 방향의 제1 폭(d1a) 및 제1 방향과 수직한 제2 방향의 제2 폭(d1b)을 가질 수 있다. 일 예로, 제1 개구부(100)는 평면적 관점에서 직사각형일 수 있다. 즉, 제1 폭(d1a)과 제2 폭(d1b)은 서로 다를 수 있다. 이때, 제1 폭(d1a) 및 제2 폭(d1b)은 1 내지 300nm일 수 있다. 제1 개구부(100)가 서로 다른 제1 폭(d1a) 및 제2 폭(d1b)을 포함함에 따라, 도전패턴(140)은 편광 방향에 따라 상이한 파장의 광을 선택적으로 특이 광 투과시킬 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment, as shown in FIG. 3B , the first opening 100 of the conductive pattern 140 may have a rectangular shape in a plan view. In this case, the first opening 100 may have a first width d1a in a first direction and a second width d1b in a second direction perpendicular to the first direction. As an example, the first opening 100 may be rectangular in plan view. That is, the first width d1a and the second width d1b may be different from each other. In this case, the first width d1a and the second width d1b may be 1 to 300 nm. As the first opening 100 includes a first width d1a and a second width d1b that are different from each other, the conductive pattern 140 may selectively transmit light having a different wavelength depending on the polarization direction. .

또 다른 실시예에 따르면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 도전패턴(140)의 제1 개구부(100)는 도전패턴(140)을 가로지를 수 있다. 다시 말해, 제1 개구부(100)의 제1 폭(d1a)은 도전패턴(140)의 제1 방향의 폭과 동일할 수 있다. 제1 개구부(100)의 제2 폭(d1b)은 1 내지 300nm일 수 있다. 따라서, 도전패턴(140)은 편광 방향에 따라 특정 파장의 광을 특이 광 투과시키거나 또는 특이 광 투과시키지 않을 수 있다.According to another embodiment, as shown in FIG. 3C , the first opening 100 of the conductive pattern 140 may cross the conductive pattern 140 . In other words, the first width d1a of the first opening 100 may be the same as the width of the conductive pattern 140 in the first direction. The second width d1b of the first opening 100 may be 1 to 300 nm. Accordingly, the conductive pattern 140 may transmit light of a specific wavelength or may not transmit specific light according to the polarization direction.

다시 도 1 내지 도 3c를 참조하면, 나노안테나(150)가 반사층(120) 상에 배치될 수 있다. 나노안테나(150)는 제1 개구부(100)와 수직적으로 중첩되어 배치될 수 있다. 나노안테나(150)는 평면적 관점에서 도전패턴(140)의 제1 개구부(100)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 다시 말해, 나노안테나(150)는, 평면적 관점에서, 도전패턴(140)의 제1 개구부(100)와 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 도전패턴(140)이 도 3a를 참조하여 설명한 제1 개구부(100)를 포함하는 경우, 나노안테나(150)는 평면적 관점에서 원형의 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 도전패턴(140)이 도 3b 또는 도 3c를 참조하여 설명한 제1 개구부(100)를 포함하는 경우, 나노안테나(150)는 평면적 관점에서 정사각형 또는 직사각형의 형태를 가질 수 있다. 나노안테나(150)의 두께(t2)는 0.1nm 내지 100nm일 수 있다. 나노안테나(150)의 두께(t2)는 도전패턴(140)의 두께(t1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 나노안테나(150)는 도전패턴(140)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.Referring back to FIGS. 1 to 3C , the nanoantenna 150 may be disposed on the reflective layer 120 . The nanoantenna 150 may be vertically overlapped with the first opening 100 . The nanoantenna 150 may have a shape corresponding to the first opening 100 of the conductive pattern 140 in a plan view. In other words, the nanoantenna 150 may have substantially the same shape as the first opening 100 of the conductive pattern 140 in a plan view. For example, when the conductive pattern 140 includes the first opening 100 described with reference to FIG. 3A , the nanoantenna 150 may have a circular shape in a plan view. For example, when the conductive pattern 140 includes the first opening 100 described with reference to FIG. 3B or 3C , the nanoantenna 150 may have a square or rectangular shape in a plan view. The thickness t2 of the nanoantenna 150 may be 0.1 nm to 100 nm. The thickness t2 of the nanoantenna 150 may be substantially the same as the thickness t1 of the conductive pattern 140 . The nanoantenna 150 may include the same material as the conductive pattern 140 .

절연패턴(130)이 반사층(120)과 도전패턴(140) 사이에 배치될 수 있으며, 또한 반사층(120)과 나노안테나(150) 사이에 배치될 수 있다. 절연패턴(130)은 반사층(120), 도전패턴(140) 및 나노안테나(150)를 서로 전기적으로 절연시킬 수 있다. 절연패턴(130)은 실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 폴리머(polymer) 등을 포함할 수 있다.The insulating pattern 130 may be disposed between the reflective layer 120 and the conductive pattern 140 , and may be disposed between the reflective layer 120 and the nanoantenna 150 . The insulating pattern 130 may electrically insulate the reflective layer 120 , the conductive pattern 140 , and the nanoantenna 150 from each other. The insulating pattern 130 may include silicon oxide (SiO2) or a polymer.

구체적으로, 절연패턴(130)은 하부 절연패턴(130a) 및 상부 절연패턴(130b)을 포함할 수 있다. 하부 절연패턴(130a)이 반사층(120) 및 도전패턴(140) 사이에 배치될 수 있다. 하부 절연패턴(130a)은 서로 대향하는 상면 및 하면을 구비한 평판의 형태를 가질 수 있다. 하부 절연패턴(130a)은 하부 절연패턴(130a)의 상면 상에 배치되는 도전패턴(140)을 지지할 수 있다.Specifically, the insulating pattern 130 may include a lower insulating pattern 130a and an upper insulating pattern 130b. A lower insulating pattern 130a may be disposed between the reflective layer 120 and the conductive pattern 140 . The lower insulating pattern 130a may have a flat plate shape having upper and lower surfaces facing each other. The lower insulating pattern 130a may support the conductive pattern 140 disposed on the upper surface of the lower insulating pattern 130a.

상부 절연패턴(130b)이 하부 절연패턴(130a)의 상면으로부터 돌출될 수 있다. 상부 절연패턴(130b)은 도전패턴(140)을 관통할 수 있다. 예컨대, 상부 절연패턴(130b)의 폭은 도전패턴(140)의 제1 개구부(100)의 폭(d1)과 동일할 수 있다. 상부 절연패턴(130b)은 일정한 폭을 가지며 하부 절연패턴(130a)과 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 따라서, 상부 절연패턴(130b)은 평면적 관점에서 도전패턴(140)의 제1 개구부(100)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 상부 절연패턴(130b)은 서로 대향하는 상면 및 하면을 가질 수 있다. 상부 절연패턴(130b)은 상부 절연패턴(130b)의 상면 상에 배치되는 나노안테나(150)를 지지할 수 있다. The upper insulating pattern 130b may protrude from the upper surface of the lower insulating pattern 130a. The upper insulating pattern 130b may penetrate the conductive pattern 140 . For example, the width of the upper insulating pattern 130b may be the same as the width d1 of the first opening 100 of the conductive pattern 140 . The upper insulating pattern 130b has a constant width and may extend in a direction away from the lower insulating pattern 130a. Accordingly, the upper insulating pattern 130b may have the same shape as the first opening 100 of the conductive pattern 140 in a plan view. The upper insulating pattern 130b may have an upper surface and a lower surface facing each other. The upper insulating pattern 130b may support the nanoantenna 150 disposed on the upper surface of the upper insulating pattern 130b.

도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1 내지 도 3c를 참조하여 설명한 광 흡수체와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위해 중복되는 설명은 생략될 수 있다.4 is a cross-sectional view for explaining a light absorber according to other embodiments of the present invention. The same reference numerals are provided to the same components as those of the light absorber described with reference to FIGS. 1 to 3C , and overlapping descriptions may be omitted for simplicity of description.

도 4를 참조하면, 나노안테나(150)는 반사층(120)과 도전패턴(140)의 사이에 배치될 수 있다. 즉, 반사층(120)과 나노안테나(150) 사이의 거리는 반사층(120)과 도전패턴(140) 사이의 거리보다 작을 수 있다. 나노안테나(150)는 도전패턴(140)을 투과한 특정 파장의 광을 수신할 수 있으며, 특정 파장의 광을 공진 및 흡수할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the nanoantenna 150 may be disposed between the reflective layer 120 and the conductive pattern 140 . That is, the distance between the reflective layer 120 and the nanoantenna 150 may be smaller than the distance between the reflective layer 120 and the conductive pattern 140 . The nanoantenna 150 may receive light of a specific wavelength that has passed through the conductive pattern 140 , and may resonate and absorb light of a specific wavelength.

구체적으로, 절연패턴(130)은 절연패턴(130)의 상면으로부터 절연패턴(130)의 하면을 향하여 만입된 제1 함몰부(132)를 포함할 수 있다. 제1 함몰부(132)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 제1 함몰부(132)는 제1 개구부(100)의 아래에 형성될 수 있으며, 제1 함몰부(132)의 내측면들은 제1 개구부(100)의 내측면들과 정렬될 수 있다. 즉, 도시되지는 않았지만, 제1 함몰부(132)는, 평면적 관점에서, 제1 개구부(100)와 동일한 형상을 가질 수 있다.Specifically, the insulating pattern 130 may include the first depression 132 recessed from the upper surface of the insulating pattern 130 toward the lower surface of the insulating pattern 130 . The first depression 132 may have a constant width. The first recessed part 132 may be formed under the first opening 100 , and inner surfaces of the first recessed part 132 may be aligned with the inner surfaces of the first opening 100 . That is, although not illustrated, the first recessed portion 132 may have the same shape as the first opening 100 in a plan view.

나노안테나(150)가 제1 함몰부(132)의 바닥면 상에 배치될 수 있고, 도전패턴(140)은 절연패턴(130)의 상면 상에 배치될 수 있다. 나노안테나(150)와 도전패턴(140) 형상 및 나노안테나(150)와 도전패턴(140)을 이루는 물질에 관한 내용은 도1 내지 도 3c를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.The nanoantenna 150 may be disposed on the bottom surface of the first depression 132 , and the conductive pattern 140 may be disposed on the top surface of the insulating pattern 130 . The shape of the nanoantenna 150 and the conductive pattern 140 and the material constituting the nanoantenna 150 and the conductive pattern 140 are the same as those described with reference to FIGS. 1 to 3C , and thus a detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 제1 안테나부를 설명하기 위한 도면이다. 도 1 내지 도 3c를 참조하여 설명한 광 흡수체와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위해 중복되는 설명은 생략될 수 있다.5 is a cross-sectional view for explaining a light absorber according to still other embodiments of the present invention. 6 is a view for explaining a first antenna unit according to embodiments of the present invention. The same reference numerals are provided to the same components as those of the light absorber described with reference to FIGS. 1 to 3C , and overlapping descriptions may be omitted for simplicity of description.

도 5를 참조하면, 나노안테나(150)는 서로 이격된 제1 안테나부(150a) 및 제2 안테나부(150b)를 포함할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 안테나부(150a)는 제2 개구부(102)를 포함할 수 있다. 제2 안테나부(150b)는 제2 개구부(102)와 수직적으로 중첩되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 나노안테나(150)는 다중대역의 파장의 광을 수신할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the nanoantenna 150 may include a first antenna unit 150a and a second antenna unit 150b spaced apart from each other. As shown in FIG. 6 , the first antenna unit 150a may include a second opening 102 . The second antenna unit 150b may be vertically overlapped with the second opening 102 . Accordingly, the nanoantenna 150 may receive light of multiple wavelengths.

구체적으로, 절연패턴(130)은 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 하부 절연패턴(130a) 및 상부 절연패턴(130b)을 포함할 수 있다. 절연패턴(130)은 상부 절연패턴(130b)으로부터 돌출되는 최상부 절연패턴(130c)을 더 포함할 수 있다. 최상부 절연패턴(130c)은 제2 안테나부(150b)를 관통할 수 있다. 최상부 절연패턴(130c)은 일정한 폭을 가지며, 상부 절연패턴(130b)과 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 최상부 절연패턴(130c)은 제2 안테나부(150b)의 아래에 배치되어, 제2 안테나부(150b)를 지지할 수 있다.Specifically, as described with reference to FIG. 2 , the insulating pattern 130 may include a lower insulating pattern 130a and an upper insulating pattern 130b. The insulating pattern 130 may further include an uppermost insulating pattern 130c protruding from the upper insulating pattern 130b. The uppermost insulating pattern 130c may penetrate the second antenna unit 150b. The uppermost insulating pattern 130c has a constant width and may extend in a direction away from the upper insulating pattern 130b. The uppermost insulating pattern 130c may be disposed under the second antenna unit 150b to support the second antenna unit 150b.

나노안테나(150)의 제1 안테나부(150a)가 상부 절연패턴(130b)의 상면 상에 배치될 수 있다. 제1 안테나부(150a)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 링(ring) 형상을 가질 수 있다. 제1 안테나부(150a)의 폭(외경, w1)은 제1 개구부(100)의 폭과 동일할 수 있다. 예컨대, 제1 안테나부(150a)의 폭(w1)은 1 내지 300nm일 수 있다. 제1 안테나부(150a)는 제1 파장의 광을 선택적으로 수신할 수 있다.The first antenna unit 150a of the nanoantenna 150 may be disposed on the upper surface of the upper insulating pattern 130b. As shown in FIG. 6 , the first antenna unit 150a may have a ring shape. The width (outer diameter, w1) of the first antenna unit 150a may be the same as the width of the first opening 100 . For example, the width w1 of the first antenna unit 150a may be 1 to 300 nm. The first antenna unit 150a may selectively receive light of a first wavelength.

제1 안테나부(150a)는 제2 개구부(102)를 통해 특정 파장의 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 제2 개구부(102) 특이 광 투과를 발생시키기 위한 폭을 가질 수 있다. 예컨대, 제2 개구부(102)의 폭(d2)은 0.5 내지 100nm일 수 있다. 본 예에서, 제2 개구부(102)가 평면적 관점에서 원형인 것으로 도시되었지만, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예에서, 제2 개구부(102)의 형상은 도 3b를 참조하여 설명한 제1 개구부(100)와 동일/유사할 수 있다. 즉, 제1 안테나부(150a)는 편광 방향에 따라 상이한 광 투과 특성을 가질 수도 있다.The first antenna unit 150a may selectively transmit light of a specific wavelength through the second opening 102 . The second opening 102 may have a width for generating specific light transmission. For example, the width d2 of the second opening 102 may be 0.5 to 100 nm. In this example, although the second opening 102 is shown to be circular in plan view, embodiments of the present invention are not limited thereto. In another example, the shape of the second opening 102 may be the same as/similar to that of the first opening 100 described with reference to FIG. 3B . That is, the first antenna unit 150a may have different light transmission characteristics according to the polarization direction.

나노안테나(150)의 제2 안테나부(150b)가 최상부 절연패턴(130c)의 상면 상에 배치될 수 있다. 제2 안테나부(150b)는 제2 개구부(102)와 수직적으로 중첩될 수 있다. 제2 안테나부(150b)는 제2 개구부(102)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 안테나부(150b)는, 평면적 관점에서, 제2 개구부(102)와 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다. 제2 안테나부(150b)의 두께(t2b)는 제1 안테나부(150a)의 두께(t2a)와 동일할 수 있다. 제2 안테나부(150b)의 폭(w2)은 제1 안테나부(150a)의 폭(w1) 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제2 안테나부(150b)의 폭은 0.5내지 100nm일 수 있다. 따라서, 제2 안테나부(150b)는 제1 파장보다 짧은 제2 파장의 광을 선택적으로 수신할 수 있다. The second antenna unit 150b of the nanoantenna 150 may be disposed on the upper surface of the uppermost insulating pattern 130c. The second antenna unit 150b may vertically overlap the second opening 102 . The second antenna unit 150b may have a shape corresponding to the second opening 102 . That is, the second antenna unit 150b may have substantially the same shape as the second opening 102 in a plan view. A thickness t2b of the second antenna unit 150b may be the same as a thickness t2a of the first antenna unit 150a. The width w2 of the second antenna unit 150b may be smaller than the width w1 of the first antenna unit 150a. For example, the width of the second antenna unit 150b may be 0.5 to 100 nm. Accordingly, the second antenna unit 150b may selectively receive light having a second wavelength shorter than the first wavelength.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 광 흡수체를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1 내지 도 6를 참조하여 설명한 광 흡수체와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위해 중복되는 설명은 생략될 수 있다.7 is a cross-sectional view for explaining a light absorber according to still another embodiment of the present invention. The same reference numerals are provided for the same components as those of the light absorber described with reference to FIGS. 1 to 6 , and overlapping descriptions may be omitted for simplicity of description.

도 7를 참조하면, 나노안테나(150)는 반사층(120)과 도전패턴(140)의 사이에 배치될 수 있다. 이때, 반사층(120)과 제1 나노안테나(150) 사이의 거리는 반사층(120)과 제2 나노안테나(150) 사이의 거리보다 클 수 있다. 도전패턴(140)은 광 흡수체의 외부로부터 광 흡수체를 상부 향하여 입사한 광을 파장에 따라 선택적으로 투과시킬 수 있다. 이어서, 제1 안테나부(150a)는 도전패턴(140)을 투과한 광의 일부를 흡수 할 수 있다. 제1 안테나부(150a)는 도전패턴(140)을 투과한 광의 다른 일부를 반사시킬 수 있다. 또한, 제1 안테나부(150a)는 도전패턴(140)을 투과한 광의 또 다른 일부를 제2 개구부(102)를 통하여 투과시킬 수 있다. 제2 안테나부(150b)는 제2 개구부(102)를 통과한 광의 일부를 흡수할 수 있다. 또한, 제2 안테나부(150b)는 제2 개구부(102)를 통과한 광의 다른 일부를 반사시킬 수 있다.Referring to FIG. 7 , the nanoantenna 150 may be disposed between the reflective layer 120 and the conductive pattern 140 . In this case, the distance between the reflective layer 120 and the first nanoantenna 150 may be greater than the distance between the reflective layer 120 and the second nanoantenna 150 . The conductive pattern 140 may selectively transmit light incident from the outside of the light absorber toward the upper portion of the light absorber according to a wavelength. Subsequently, the first antenna unit 150a may absorb a portion of the light transmitted through the conductive pattern 140 . The first antenna unit 150a may reflect another portion of the light transmitted through the conductive pattern 140 . Also, the first antenna unit 150a may transmit another portion of the light transmitted through the conductive pattern 140 through the second opening 102 . The second antenna unit 150b may absorb a portion of the light passing through the second opening 102 . Also, the second antenna unit 150b may reflect another portion of the light passing through the second opening 102 .

구체적으로, 절연패턴(130)은 도 4를 참조하여 설명한 제1 함몰부(132)를 포함할 수 있다. 절연패턴(130)은 제1 함몰부(132)의 바닥면으로부터 절연패턴(130)의 하면을 향하여 만입된 제2 함몰부(134)를 더 포함할 수 있다. 제1 안테나부(150a)는 제1 함몰부(132)의 바닥면 상에 배치될 수 있다. 제2 안테나부(150b)는 제2 함몰부(134)의 바닥면 상에 배치될 수 있다. 제2 함몰부(134)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 제2 함몰부(134)는 제2 개구부(102)의 아래에 형성될 수 있으며, 제2 함몰부(134)의 내측면들은 제2 개구부(102)의 내측면들과 정렬될 수 있다. 즉, 도시되지는 않았지만, 제2 함몰부(134)는, 평면적 관점에서, 제2 개구부(102)와 동일한 형상을 가질 수 있다.Specifically, the insulating pattern 130 may include the first depression 132 described with reference to FIG. 4 . The insulating pattern 130 may further include a second recessed part 134 recessed from the bottom surface of the first recessed part 132 toward the lower surface of the insulating pattern 130 . The first antenna part 150a may be disposed on the bottom surface of the first recessed part 132 . The second antenna part 150b may be disposed on the bottom surface of the second depression part 134 . The second recessed portion 134 may have a constant width. The second depression 134 may be formed under the second opening 102 , and inner surfaces of the second depression 134 may be aligned with inner surfaces of the second opening 102 . That is, although not shown, the second recessed portion 134 may have the same shape as the second opening 102 in a plan view.

도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 광 흡수체의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다. 8 and 9 are views for explaining a method of manufacturing a light absorber according to embodiments of the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하면, 지지기판(110) 상에 반사층(120) 및 수지층(135)을 순차적으로 형성할 수 있다. 예컨대, 수지층(135)은 폴리머를 포함할 수 있다. 수지층(135)은 자외선 및/또는 열 등에 의해 경화되는 경화성 수지를 포함할 수 있다. 8 and 9 , the reflective layer 120 and the resin layer 135 may be sequentially formed on the support substrate 110 . For example, the resin layer 135 may include a polymer. The resin layer 135 may include a curable resin that is cured by ultraviolet rays and/or heat.

이후, 수지층(135) 상에 나노임프린트 공정을 수행하여 수지층(135)에 패턴을 전사할 수 있다. 구체적으로, 스템프(160)를 사용하여 수지층(135)을 가압할 수 있다. 스템프(160)는 소정의 패턴을 갖는 나노임프린트용 스템프일 수 있다. 이어서, 수지층(135)을 경화시켜 절연패턴(130)을 형성할 수 있다. 수지층(135)을 경화시키는 것은 자외선 조사 및/또는 열처리 공정을 포함할 수 있다. Thereafter, a nanoimprint process may be performed on the resin layer 135 to transfer the pattern to the resin layer 135 . Specifically, the resin layer 135 may be pressed using the stamp 160 . The stamp 160 may be a stamp for nanoimprint having a predetermined pattern. Subsequently, the insulating pattern 130 may be formed by curing the resin layer 135 . Curing the resin layer 135 may include UV irradiation and/or a heat treatment process.

예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 스템프(160)는 스템프(160)의 하면으로부터 스템프(160)의 상면을 향하여 만입된 홈(162)을 포함할 수 있다. 스템프(160)로 수지층(135)을 가압하는 동안, 수지층(135)의 일부가 홈(162)의 내부로 충진될 수 있으며, 수지층(135)의 다른 일부가 홈(162)의 외부에 잔존될 수 있다. 홈(162)의 외부에 잔존된 수지층(135)의 일부는 경화되어 하부 절연패턴(130a)을 형성할 수 있다. 홈(162) 내부에 충진된 수지층(135)의 다른 일부는 경화되어 상부 절연패턴(130b)을 형성할 수 있다. For example, as shown in FIG. 8 , the stamp 160 may include a groove 162 recessed from the lower surface of the stamp 160 toward the upper surface of the stamp 160 . While the resin layer 135 is pressed with the stamp 160 , a portion of the resin layer 135 may be filled into the groove 162 , and another portion of the resin layer 135 may be outside the groove 162 . may remain in A portion of the resin layer 135 remaining outside the groove 162 may be cured to form the lower insulating pattern 130a. Another portion of the resin layer 135 filled in the groove 162 may be cured to form the upper insulating pattern 130b.

다시 도 2를 참조하면, 절연패턴(130) 상에 증착 공정을 수행하여, 나노안테나(150) 및 도전패턴(140)을 형성할 수 있다. 증착 공정은 스퍼터링 공정 또는 전자빔 증착 공정을 포함할 수 있다. 나노안테나(150)와 도전패턴(140)은 동일한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 이에 따라, 나노안테나(150)와 도전패턴(140)은 동일한 두께를 가질 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. Referring back to FIG. 2 , a deposition process may be performed on the insulating pattern 130 to form the nanoantenna 150 and the conductive pattern 140 . The deposition process may include a sputtering process or an electron beam deposition process. The nanoantenna 150 and the conductive pattern 140 may be formed by the same deposition process. Accordingly, the nanoantenna 150 and the conductive pattern 140 may have the same thickness and may include the same material.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.As mentioned above, although embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can practice the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (15)

도전성의 반사층;
상기 반사층 상에 배치되고, 적어도 하나의 제1 개구부를 포함하는 도전패턴;
상기 반사층 상에 배치되고, 상기 제1 개구부와 수직적으로 중첩되는 나노안테나; 및
상기 반사층과 상기 도전패턴 및 상기 반사층과 상기 나노안테나 사이에 개재되는 절연패턴을 포함하되,
상기 반사층, 상기 도전패턴 및 상기 나노안테나는 서로 전기적으로 절연되고,
상기 나노안테나는:
제2 개구부를 갖는 제1 안테나부; 및
상기 제1 안테나부와 이격되며, 상기 제2 개구부와 수직적으로 중첩되는 제2 안테나부를 포함하는 광 흡수체.a conductive reflective layer;
a conductive pattern disposed on the reflective layer and including at least one first opening;
a nanoantenna disposed on the reflective layer and vertically overlapping the first opening; and
Including an insulating pattern interposed between the reflective layer and the conductive pattern and the reflective layer and the nanoantenna,
The reflective layer, the conductive pattern and the nanoantenna are electrically insulated from each other,
The nanoantenna is:
a first antenna unit having a second opening; and
and a second antenna unit spaced apart from the first antenna unit and vertically overlapping the second opening. 제 1 항에 있어서,
상기 나노안테나는 상기 제1 개구부와 대응되는 형상을 갖는 광 흡수체.The method of claim 1,
The nanoantenna is a light absorber having a shape corresponding to the first opening. 제 1 항에 있어서,
상기 나노안테나의 폭은 상기 제1 개구부의 폭과 실질적으로 동일한 광 흡수체.The method of claim 1,
A width of the nanoantenna is substantially equal to a width of the first opening. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 개구부는 1 내지 300nm의 폭을 갖고,
상기 도전패턴은 상기 도전패턴을 향하여 입사한 광을 파장에 따라 선택적으로 투과시키도록 구성되는 광 흡수체.The method of claim 1,
The first opening has a width of 1 to 300 nm,
The conductive pattern is a light absorber configured to selectively transmit light incident toward the conductive pattern according to a wavelength. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 개구부는 제1 방향의 제1 폭 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 제2 폭을 갖고,
상기 제1 폭 및 상기 제2 폭은 1 내지 300nm 이고,
상기 제1 폭은 상기 제2 폭과 다른 광 흡수체.The method of claim 1,
The first opening has a first width in a first direction and a second width in a second direction perpendicular to the first direction,
The first width and the second width are 1 to 300 nm,
The first width is different from the second width. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 개구부는 제1 방향으로 상기 도전패턴을 가로지르고,
상기 제1 개구부의 상기 제1 방향과 수직한 수직한 제2 방향의 폭은 1 내지 300nm인 광 흡수체.The method of claim 1,
The first opening crosses the conductive pattern in a first direction,
A width of the first opening in a second direction perpendicular to the first direction is 1 to 300 nm. 제 1 항에 있어서,
상기 반사층과 상기 나노안테나 사이의 거리는 상기 반사층과 상기 도전패턴 사이의 거리보다 큰 광 흡수체.The method of claim 1,
A distance between the reflective layer and the nanoantenna is greater than a distance between the reflective layer and the conductive pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 절연패턴은:
상기 반사층 및 상기 도전패턴 사이에 배치되는 하부 절연패턴; 및
상기 개구부를 관통하며, 상기 하부 절연패턴으로부터 돌출되는 상부 절연패턴을 포함하는 광 흡수체.The method of claim 1,
The insulating pattern is:
a lower insulating pattern disposed between the reflective layer and the conductive pattern; and
and an upper insulating pattern penetrating through the opening and protruding from the lower insulating pattern. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 안테나부는 상기 상부 절연패턴의 상면 상에 배치되고,
상기 제1 안테나부의 측면들은 상기 상부 절연패턴의 측면들에 정렬되는 광 흡수체.9. The method of claim 8,
The first antenna unit is disposed on the upper surface of the upper insulating pattern,
A light absorber in which side surfaces of the first antenna unit are aligned with side surfaces of the upper insulating pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 안테나부는 상기 도전패턴과 실질적으로 동일한 두께를 갖는 광 흡수체.The method of claim 1,
The first antenna portion is a light absorber having substantially the same thickness as the conductive pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 반사층과 상기 제1 안테나부 사이의 거리는 상기 반사층과 상기 도전패턴 사이의 거리보다 작은 광 흡수체.The method of claim 1,
A distance between the reflective layer and the first antenna unit is smaller than a distance between the reflective layer and the conductive pattern. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 안테나부는 링 형상을 갖는 광 흡수체.The method of claim 1,
The first antenna unit is a light absorber having a ring shape. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 안테나부는 상기 제2 개구부에 대응되는 형상을 갖는 광 흡수체.
The method of claim 1,
The second antenna unit is a light absorber having a shape corresponding to the second opening.
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